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LABORATORIO Nº 4

Transistores BJT
Introducción a la Electrónica
Dto. Ing. Eléctrica Cod. 2761 Página 1 de 3
01/03/14
Comisión:

LABORATORIO Nº 4:
POLARIZACION DE TRANSISTORES BJT

OBJETIVOS:
Ensayar diversas topologías de polarización de transistores. Familiarizarse con los componentes,
comparar resultados prácticos respecto de los teóricos calculados. Mediciones de punto de reposo,
estabilidad frente a perturbaciones, y respuesta en frecuencia para una etapa amplificadora en Emisor
Común.

Es necesario para este laboratorio que cada comisión cuente con un protoboard para el armado de
los diversos circuitos.

El transistor a ensayar Q1 será el BC548B (NPN), provisto por la cátedra. Debe tenerse las hojas de datos
de dicho transistor (adjunta con el práctico).
Es recomendable que cada comisión cuente con al menos un mínimo surtido de resistencias para realizar
las prácticas, además de las calculadas.

1) POLARIZACION FIJA
El circuito a implementar es el siguiente:

Fig. 1

1- Para el circuito de polarización fija de la Fig.1 calcule el valor de RB y RC tal que: Icq=5mA y Vceq=5V.

2- Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el punto de trabajo con
estos valores. Luego mida experimentalmente los valores del punto de reposo.

3- Mida las variaciones de Ic y Vce al variar la temperatura de operación del circuito. (mientras efectúa las
mediciones, aplicar aire caliente con la pistola de calor).
4- Observe la variación de Icq y Vceq al substituir el transistor por otro del mismo tipo.
Si lo desea, puede utilizar para Rb un preset (resistencia variable) en serie con una R fija. Esto le permitirá
obtener más fácilmente el punto de polarización deseado.
Autor: Ing. Favio Mengatto Rev:2
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Comisión:

2) AUTO POLARIZACION
El circuito a implementar es el siguiente:

Fig. 2

- Repita los puntos 1 al 4 del circuito anterior. Compare y saque conclusiones.

- Mida la tensión Vbe para temperatura ambiente y para una temperatura mayor.

- Que configuración parece mas estable frente a las variaciones de temperatura? Justifique el porqué.

Autor: Ing. Favio Mengatto Rev:2


LABORATORIO Nº 4
Transistores BJT
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Comisión:

3) POLARIZACION CON R DE EMISOR – RESPUESTA EN FRECUENCIA.


El circuito a implementar es el siguiente:

Fig. 3

Requerimientos del circuito:


 Ganancia de tensión (Vo/Vin): 10
 Impedancia de entrada: > de 10 Kohm.
 Tensión de alimentación: 15 Vdc.
 Icq= 1 mA Vceq= 4 V Ve= 1 V
 Frecuencia de corte inferior: 40 Hz

Calcular R1, R2, RC y RE para que en el punto de reposo se obtenga:


 Icq= 1 mA Vceq= 4V VREq= 1V (Utilice RE= 1Kohm)
Para el cálculo simplificado de R1 y R2, imponga una Idiv >= 10 Ibase.

a) Polarizar el transistor en el punto de reposo deseado.


b) Aplicar una señal senoidal de entrada, y obtener la respuesta en frecuencia del amplificador. Mida
ganancia a frecuencias medias, y obtenga las frecuencias de corte inferior y superior del
amplificador.
c) Verifique (aumentando amplitud de Vin) cual es la máxima excursión de salida (Vpp - tensión pico a
pico) que puede obtener sin distorsión.
d) Verifique ganancia a frecuencias medias, colocando en condensador CE= 100 uF en el emisor.

Efectúe simulaciones con el LTSpice de las 3 configuraciones propuestas. Compare


resultados teóricos con los obtenidos en la práctica.

Autor: Ing. Favio Mengatto Rev:2


NPN EPITAXIAL
BC546/547/548/549/550 SILICON TRANSISTOR

SWITCHING AND AMPLIFIER


• HIGH VOLTAGE: BC546, VCEO=65V
• LOW NOISE: BC549, BC550
• Complement to BC556 ... BC560 TO-92

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°°C)


Characteristic Symbol Rating Unit

Collector Base Voltage VCBO


: BC546 80 V
: BC547/550 50 V
: BC548/549 30 V
Collector-Emitter Voltage VCEO
: BC546 65 V
: BC547/550 45 V
: BC548/549/550 30 V
Emitter-Base Voltage VEBO V
: BC546/547 6 V
: BC548/549/550 5 V
Collector Current (DC) IC 100 mA
Collector Dissipation PC 500 mW
Junction Temperature TJ 150 °C
1. Collector 2. Base 3. Emitter
Storage Temperature T STG -65 ~ 150 °C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°°C)

Characteristic Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit

Collector Cut-off Current ICBO VCB=30V, IE=0 15 nA


DC Current Gain hFE VCE=5V, IC=2mA 110 800
Collector Emitter Saturation Voltage VCE (sat) IC=10mA, IB=0.5mA 90 250 mA
IC=100mA, IB=5mA 200 600 mA
Collector Base Saturation Voltage VBE (on) IC=10mA, IB=0.5mA 700 mA
IC=100mA, IB=5mA 900 mA
Base Emitter On Voltage VBE (on) VCE=5V, IC=2mA 580 660 700 mA
VCE=5V, IC=10mA 720 mA
Current Gain Bandwidth Product fT VCE=5V, IC=10mA 300 MHz

Collector Base Capacitance CCBO VCB=10V, f=1MHz 3.5 6 pF


Emitter Base Capacitance CEBO VEB=0.5V, f=1MHz 9 pF
Noise Figure : BC546/547/548 NF VCE=5V, IC=200µA 2 10 dB
: BC549/550 f=1KHz, RG=2KΩ 1.2 4 dB
: BC549 NF VCE=5V, IC=200µA 1.4 dB
4
RG=2KΩ,
: BC550 1.4 3 dB
f=30~15000MHz

hFE CLASSIFICATION
Classification A B C

hFE 110-220 200-450 420-800

Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation


NPN EPITAXIAL
BC546/547/548/549/550 SILICON TRANSISTOR