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https://www.youtube.com/watch?v=4G8wXQGEBrA

Palabras clave

Stake
chipmaker
state-of-the-art
ions
wafer
breakthrough
achieve
adsorption

Preguntas

1. According to Moore's Law, in which year have we entered the era of atomic scale dimensions?

2.How can you achieve greater control in the process at the atomic scale?

3. How many stages of adsorption occur in the deposition of atomic layers to produce a conformal
film?

4. How is the typical process in atomic layers etch?

5. What are the keys in the ALE process?

Following the trajectory of Moore's Law, the semiconductor industry has transitioned from
microelectronics in the 1980's and nanoelecrtonics in the early 2000's to today, where we have
entered an era of atomic scale dimensions.

At the atomic scale with only tens of atoms at stake there is no margin for error, every atom matters.
Which is why developing the most advanced technology presents such an unprecedented challenge
for chipmakers.

Increasingly critical in the making of state-of-the-art semiconductor devices are deposition and etch
processes which involve gases or ions reacting directly with the wafer surface, often using plasma
to make reactions faster.

For decades these processes have been performed by delivering all of the reactants to the wafer at
the same time for the duration of the process. However, in the atomic era theses processes are
increasingly difficult to control and for the most advanced structures they simply won't meet the
requirements anymore. The breakthrough that was needed can be found in atomic scale processing
where we can achieve greater control by separating out the reaction steps.

In atomic layer deposition, or ALD, two adsorption steps occur in the sequence to produce a
conformal film.

Even on high-aspect ratio or three-dimensional geometries, while multi-step processes tend to be

slow, we can make them faster by quickly switching between the individual steps and using plasma.
After many years in the laboratory ALD has become productive enough to be a mainstream
technology.

However, the etch counterpart, atomic layer etch, or ALE, has been much more challenging to bring
from the lab to the fab.

It turns out that it is much harder to atomically remove films than it is to deposit them, especially
when you need to etch directionally.

But at Lam Research we found a way to make it happen.

The ALE process is based on the same concept as ALD in that the reaction steps are separated. ALE
typically starts with an adsorption step to form a reactive layer followed by removal step called
desorption to take off this layer. Using ions allows for the directional etching required to form deep,
narrow structures. One of the biggest challenges for ALE has been throughput and this is where
ALE benefits from having ALD as a predecessor. Fast switching between individual steps and the
use of plasma are the keys to this process.

Lam's patented first-generation ALE technology joins our existing portafolio of ALD tools.

Today both ALD and ALE are the part of the increasing trend towards the atomic scale processing
required to enable new technology nodes.

In order for our industry to envolve, the way we develop and produce our technologies must evolve
too.

Our atomic-scale processing innovations are just one more example of how Lam Research is
staying at the forefront of the lastest technology, where the only limit is our collective imagination.
Siguiendo la trayectoria de la Ley de Moore, la industria de los semiconductores ha pasado de la
microelectrónica en la década de los 80 y la nanoelectrónica a principios de la década de 2000 a la
actual, donde hemos entrado en una era de dimensiones de escala atómica.

En la escala atómica con solo decenas de átomos en juego, no hay margen de error, cada átomo
importa.
Por eso desarrollar la tecnología más avanzada presenta un desafío sin precedentes para los
fabricantes de chips.

Cada vez más críticos en la fabricación de dispositivos semiconductores de última generación son
los procesos de deposición y grabado que involucran gases o iones que reaccionan directamente con
la superficie de la oblea, a menudo usan plasma para hacer las reacciones más rápidamente.

Durante décadas, estos procesos se han llevado a cabo entregando todos los reactivos a la oblea al
mismo tiempo durante todo el proceso. Sin embargo, en la era atómica estos procesos son cada vez
más difíciles de controlar y para las estructuras más avanzadas simplemente ya no cumplirán con
los requisitos. El gran avance que se necesitaba se puede encontrar en el procesamiento a escala
atómica, donde podemos lograr un mayor control separando los pasos de reacción.

En la deposición de la capa atómica, o ALD, se producen dos etapas de adsorción en la secuencia

para producir una película conforme.

Incluso en geometrías tridimensionales o de alta relación de aspecto, mientras que los procesos de
varios pasos tienden a ser lentos, podemos acelerarlos cambiando rápidamente entre los pasos
individuales y el uso del plasma. Después de muchos años en el laboratorio, ALD se ha vuelto lo
suficientemente productivo como para ser una tecnología convencional.

Sin embargo, la contraparte de grabado, capa de ataque atómico, o ALE, ha sido mucho más difícil
de llevar desde el laboratorio a la fábrica.
Resulta que es mucho más difícil eliminar las películas atómicamente que depositarlas,
especialmente cuando se necesita grabar direccionalmente.

Pero en Lam Research encontramos la manera de hacerlo realidad.

El proceso ALE se basa en el mismo concepto que ALD en que los pasos de reacción están
separados. El ALE típicamente comienza con un paso de adsorción para formar una capa reactiva
seguida de un paso de eliminación llamado desorción para despegar esta capa. El uso de iones
permite el grabado direccional requerido para formar estructuras profundas y estrechas. Uno de los
mayores desafíos para ALE ha sido el rendimiento y es aquí donde ALE se beneficia al tener a ALD
como predecesor. El cambio rápido entre pasos individuales y el uso del plasma son las claves de
este proceso.

La tecnología ALE de primera generación patentada de Lam se une a nuestro portafolio existente de
herramientas ALD.
Hoy, tanto ALD como ALE forman parte de la tendencia creciente hacia el procesamiento a escala
atómica requerido para habilitar nuevos nodos de tecnología.

Para que nuestra industria se involucre, la forma en que desarrollamos y producimos nuestras
tecnologías también debe evolucionar.
Nuestras innovaciones de procesamiento a escala atómica son solo un ejemplo más de cómo Lam
Research se mantiene a la vanguardia de la última tecnología, donde el único límite es nuestra
imaginación colectiva.