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2.

Determine una expresión general para Vo en resonancia asumiendo los datos de la
bobina y un QT alto (los datos del transistor son conocidos).

Un FET es un dispositivo de ley cuadrática que sólo genera componentes de distorción
de segunda armonica y por intermodulación, y en consecuencia produce menos
distorcion no lineal que un transistor bipolar. La salida depende de la amplitud de la
señal y del voltaje de estrangulamiento, debido a que en la curva característica del FET
hay dos zonas de trabajo se consideran los siguientes casos:

Fig. 2. Curvas características del FET canal N

Analizaremos el comportamiento del circuito en la zona óhmica, región de saturación
y de ruptura.

a) Región óhmica: 𝑽𝟏 < |𝑽𝒑 |
𝟐

Tenemos el siguiente circuito:
Aplicando KVL:

−𝑣1 (𝑡) − 𝑉𝐶 − 𝑣𝐺𝑆 = 0
𝑣𝐺𝑆 = −𝑣1 (𝑡) − 𝑉𝐶

Como el condensador se carga al voltaje de la señal de entrada, reemplazamos 𝑉𝐶
= 𝑉1 , donde 𝑉1 es la amplitud de la señal 𝑣1 (𝑡) = 𝑉1 cos(𝑤0 𝑡)

𝑣𝐺𝑆 = −𝑣1 (𝑡) − 𝑉1
𝑣𝐺𝑆 = −𝑉1 ∗ cos(𝑤0 𝑡) − 𝑉1 = −𝑉1 (cos(𝑤0 𝑡) + 1) (𝛽)

Sabemos que la ecuación característica del FET es:

𝑣𝐺𝑆 2
𝑖𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) (𝜃)
𝑉𝑃
Donde:

 𝐼𝐷𝑆𝑆 : corriente drenador surtidor en saturación
 𝑉𝑃 : voltaje de estrangulamiento

Reemplazando β en 𝜃:
2
𝑉1 (cos(𝑤0 𝑡) + 1)
𝑖𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 + )
𝑉𝑃
𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑖𝐷 = [𝑉𝑃 + 𝑉1 + 𝑉1 cos(𝑤0 𝑡)]2
𝑉𝑃 2
𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑖𝐷 = [(𝑉𝑃 + 𝑉1 )2 + 2(𝑉𝑃 + 𝑉1 )𝑉1 cos(𝑤0 𝑡) + (𝑉1 cos(𝑤0 𝑡))2 ]
𝑉𝑃 2

𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉1 2
𝑖𝐷 = [(𝑉𝑃 + 𝑉1 )2 + 2(𝑉𝑃 + 𝑉1 )𝑉1 cos(𝑤0 𝑡) + (1 + cos(2𝑤0 𝑡))]
𝑉𝑃 2 2

𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉1 2 𝑉1 2
𝑖𝐷 = 2 [(𝑉𝑃 + 𝑉1
)2 + + 2(𝑉𝑃 + 𝑉1 )𝑉1 cos(𝑤0 𝑡) + cos(2𝑤0 𝑡)]
𝑉𝑃 2 2

𝑖𝐷 = 𝐼0 + 𝐼1 cos(𝑤0 𝑡) + 𝐼2 cos(2𝑤0 𝑡)

El circuito tanque sólo considera solo la componente fundamental debido a la
selectividad.
2𝐼𝐷𝑆𝑆 (𝑉𝑃 + 𝑉1 )𝑉1
𝐼1 = (𝛼)
𝑉𝑃 2
Ahora analizamos esta parte del circuito:

La corriente en la carga se obtiene a partir de la relación del número de espiras y
corriente en la bobina RF donde I” es la corriente final:

𝐼" 𝐼1 𝑁1
= 𝐼" = ∗𝐼
𝑁1 𝑁3 𝑁3 1

El voltaje de salida en la carga será:

𝑣0 (𝑡) = 𝐼 " ∗ 𝑅𝐿

Reemplazando 𝐼 " en el voltaje de salida:

𝑁1
𝑣0 (𝑡) = ∗ 𝐼 ∗ 𝑅𝐿 cos 𝑤0 𝑡
𝑁3 1

𝑁1 2𝐼𝐷𝑆𝑆 (𝑉𝑃 − 𝑉1 )𝑉1
𝑣0 (𝑡) = ∗− ∗ 𝑅𝐿 cos 𝑤0 𝑡
𝑁3 𝑉𝑃 2
b) 𝑽𝟏 = |𝑽𝒑 | : Región límite de la zona cuadrática se presenta cuando el 𝒗𝑮𝑺 = 𝑽𝑷 .
𝟐

Aplicando LVK en la entrada, para magnitudes:

−𝑉1 − 𝑉1 + 𝑉𝑝 = 0

(−𝑉1 + 𝑉𝑝 ) = 𝑉1
𝑉𝑝
𝑉1 =
2
De la ecuación 𝛼, se obtiene 𝐼1 :

2𝐼𝐷𝑆𝑆 (𝑉1 )𝑉1 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝑃 𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐼1 = − 2 = 2 ∗ 2 ∗ 2 =− 2
𝑉𝑃 𝑉𝑃
𝑁1
𝑣0 (𝑡) = ∗ 𝐼 ∗ 𝑅𝐿 ∗ cos 𝑤0 𝑡
𝑁3 1
𝑁1 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑣0 (𝑡) = − ∗ ∗ 𝑅𝐿 ∗ cos 𝑤0 𝑡
𝑁3 2

c) Región de conmutación o saturación: 𝑽𝟏 < |𝑽𝒑 |
𝟐

Del circuito de entrada, considerando en un instante determinado:

𝑉1 cos 𝑤0 𝑡 = (−𝑉1 + 𝑉𝑃 ); 𝜑 = 𝑤0 𝑡
(−𝑉1 + 𝑉𝑃 )
cos𝜑 =
𝑉1
𝑉𝑃 − 𝑉1
=> 𝜑 = 𝑐𝑜𝑠 −1 ( )
𝑉1
De la serie de Fourier de la corriente de drenador 𝑖𝐷


𝐼𝑛
𝑖𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∑ cos 𝑤0 𝑡 = 𝐼0 + 𝐼1 cos(𝑤0 𝑡) + 𝐼2 cos(2𝑤0 𝑡) + ⋯
𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑛=0

El circuito tanque sólo selecciona la componente fundamental:

𝐼1 2 (4 − 𝑛2 )𝑠𝑖𝑛𝑛𝜑 + (𝑛 − 1)(𝑛 − 2) sin 𝑛𝜑 𝑐𝑜𝑠𝑛𝜑 + 3𝑛𝑠𝑖𝑛(𝑛 − 2)𝜑
= [ ]
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝜋 𝑛(𝑛2 − 1)(𝑛2 − 4)(1 − cos 𝜑)2

En la carga se obtiene:
𝑁1
𝑣0 (𝑡) = ∗ 𝐼 ∗ 𝑅𝐿 ∗ cos 𝑤0 𝑡
𝑁3 1
Para n=3, se obtiene:
3 1
2𝐼𝐷𝑆𝑆 4 𝑠𝑖𝑛𝜑 + 12 𝑠𝑖𝑛3𝜑 − 𝜑𝑐𝑜𝑠𝜑
𝐼1 = { }
𝜋 1 − 𝑐𝑜𝑠𝜑

3 1
𝑁1 2𝐼𝐷𝑆𝑆 4 𝑠𝑖𝑛𝜑 + 12 𝑠𝑖𝑛3𝜑 − 𝜑𝑐𝑜𝑠𝜑
𝑣0 (𝑡) = ∗ { } ∗ 𝑅𝐿 ∗ cos 𝑤0 𝑡
𝑁3 𝜋 1 − 𝑐𝑜𝑠𝜑