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PRÁCTICA DE LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS N°5

Transistor MOSFET
SEGURIDAD

 Los voltajes y corrientes presentes en esta práctica no constituyen peligro alguno


para el alumno
 Tener cuidado de no cortocircuitar las fuentes de voltaje
 En el manejo del multitester. Seleccionar la medición y la escala adecuada.
OBJETIVO GENERAL
Comprobar experimentalmente las características de funcionamiento del Transistor
MOSFET, sus parámetros.
OBJETIVO ESPECIFICOS

 Identificar los terminales del transistor MOSFET


 Conocer las características de funcionamiento del transistor MOSFET.
INTRODUCCION TEORICA
Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares o BJT, como son la
corriente que soportan y la dependencia de la temperatura a la que se ven sometidos,
unas veces por su emplazamiento, otras por mal trazado y la más evidente, el efecto
llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que sustituyan por otros
transistores más avanzados, hasta la llegada de los MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que ocupen un lugar
importante dentro de la industria, desplazando a los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET
de potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensión, baja potencia y
conmutación resistiva en altas frecuencias, como fuentes de alimentación conmutadas
motores sin escobillas y aplicación como robótica, CNC y electrodomésticos.
Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de operación para valores de V GS positivos:

 Si VGS < VT la intensidad IDS=0 (en realidad solo es aproximadamente cero) y


decimos que el transistor opera en inversión débil. En ella, las corrientes son muy
pequeñas y su utilización se enmarca en contextos de muy bajo consumo de
potencia. Se considerara que la corriente es siempre cero
 Si VGS >= VT, entonces IDS es distinto de cero, si VDS es no nulo. Se dice que el
transistor opera en inversión fuerte.
MATERIALES Y EQUIPOS

 Panel Elo Train


 Fuente de alimentación +12cc
 Fuente de alimentación variable
 Instrumento de medición multifunción (multitester)
 Resistencias de 100 KΩ
 Transistor MOSFET BS170
 Lámpara
 Parlante
 Juego de cables y conectores puente
PROCEDIMIENTO
Armar el siguiente circuito:

CUESTIONARIO
1-Considerando el circuito 1, ajuste el voltaje Vg para control mínimo de la lámpara VT
La lámpara se enciende ajustando Vg = 2,32 V y a una frecuencia de 10 Hz
2-Aumentar lentamente la frecuencia de Vg desde 0.1 Hz y observar el comportamiento
de la lámpara, para que frecuencia ya no es posible notar la fluctuación y explicar su
fundamento.
Para una frecuencia de 30 Hz ya no es posible notar la fluctuación de la lámpara, cuanto
más se aumenta la frecuencia desde 0.1 Hz la fluctuación de la lámpara empieza a
disminuir hasta que ya no sea perceptible por el ojo humano.
3-Cambiar la lámpara por el parlante, poner la frecuencia a su valor mínimo y aumentar
lentamente desde 0.1 Hz hasta 30 KHz, oír desde que valor de frecuencia se empieza a
escuchar, hasta que frecuencia el sonido es audible, explicar con fundamento todo lo
acontecido.

4- Qué cambios notas en el sonido del parlante cuando se inyecta, onda diente de sierra,
onda cuadrada parece que la frecuencia aumenta con respecto a la onda senoidal, ¿Cuál
es la explicación para este caso?

5- ¿Cuál es la diferencia entre un transistor BJT y un transistor MOSFET?


La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los MOSFET consiste en
que los MOSFET son controlados por tensión aplicada en la puerta G y requieren solo
una pequeña corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT) son
controlados por corriente aplicada a la base.
6- ¿Cuáles son las características o parámetros principales del transistor MOSFET BS170?
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

 Disipación total del dispositivo (Pd): 0.83 W


 Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
 Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
 Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V
 Corriente continua de drenaje (Id): 0.5 A
 Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 5 Ohm