You are on page 1of 3

UTILIZACION DE UN TRANSISTOR BJT COMO SENSOR DE TEMPERATURA

Principio :

La mayoría de los semiconductores sensores de temperatura se basan en la variación de

dos cantidades sensibles a la temperatura como son: el voltaje de polarización directa de una

unión p-n y la resistencia propia del silicio sometido a algún proceso de dopaje. Thrietley afirma

que la variación de ambos es aproximadamente lineal.

Una unión p-n (ya sea un diodo o la unión base-emisor de un transistor) requiere 0.7V a

una temperatura de 25ºC cuando está polarizado directamente. Conforme la temperatura

aumenta, este voltaje decrece en aproximadamente -2mV/ºC. De forma que los diodos y

transistores se utilizan algunas veces como sensores de temperatura.

Acontinuacion se muestra una curva tipica de un diodo, se aprecia que es lineal, por lo que se

puede aplicar directamente un divisor de voltaje obteniendo la lectura.


De la siguiente manera lectura :
El circuito tambien incluye un amplificador direrencial para poder amplificar la variacion de
voltaje a un valor determinado. Se obtiene los valores de la seiguiente manera:
Calibracion:
Usando un termometro, se ve que la temperatura a 0 grados da en el transistor un volatje de
0.725 mientras que a 100 grados este valor llega aproximadamente a unos 0.624, por lo que el
rango va de 4.465v hasta los 4.55 voltios, en el resistor en serio, por lo que usando un opamp en
configuracion diferencial se tiene a la salida en un rango de 0-5v.
Vout = V1.R2/R1+R2.(1+R4/R3) - V2.R4/R3
tentiendo un voltaje de referencia de 2.6 voltios, las resistencias resultantes son las mostradas en
el ciurcuito.
CONCLUCIONES :
Las resistencias usadas causan mucha variacion en la lectura real.