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Practica No.

1
El Diodo Semiconductor, principio de
funcionamiento
Diego J. Cando, IEEE

Resumen — Este informe presenta el desarrollo de una -Conectar adecuadamente los instrumentos de medición
práctica de Electrónica analógica en la cual se comprobó el de tensión e Intensidad.
funcionamiento de un diodo semiconductor específicamente -Comprobar el principio de funcionamiento de un diodo
del diodo 1N4148, para esto se construyó y midió 2 circuitos semiconductor, empleando un software de simulación.
electrónicos uno en donde el diodo se polarizo en forma B. Marco teórico.
directa y otro donde diodo fue polarizado en forma inversa
además se comparó con la hoja de Datasheet del diodo y
una simulación en el programa (Proteus) previamente 1.-El diodo:
realizado.
El diodo semiconductor, con aplicaciones en todo el basto
Index Terms — Datasheet,Regulador de voltaje variable. mundo de la electrónica, se crea uniendo un material tipo n a
un material tipo p, en otras palabras la unión de un portador
I. INTRODUCTION mayoritario de electrones con un portador mayoritario de
Los semiconductores son dispositivos cuya conductividad huecos [1].
varía entre la de un conductor y la de un aislante, este
dispositivo es el más básico existente en los circuitos
electrónicos pero fundamental a la hora de crear dispositivos
más sofisticados.
Los materiales semiconductores que se utilizan para crear
estos dispositivos pueden ser de dos clases de un solo cristal y
compuesto,en los semiconductores de un solo cristal se
encuentra tanto el germanio (Ge) como el silicio (Si),aunque
en la actualidad la construcción del diodo depende de las
características que se le quiera dar al mismo.
Fig. 1. Símbolo de un diodo
II. DESARROLLO
Los diodos pueden tener 3 tipos de polarizaciones las cuales
A. Objetivos son:

1. Objetivos generales.- 1.1-Sin polarización (V=0v)

- Determinar el principio de funcionamiento de un diodo Sin ninguna polarización aplicada a través de un diodo
semiconductor, mediante la graficación de su curva semiconductor, el flujo neto de carga en una dirección es cero.
característica, a partir de valores obtenidos de En otras palabras, la corriente en condiciones sin polarización
mediciones. es cero [2].

2. Objetivos Específicos.-

-Emplear el catálogo u hojas características para un


diodo semiconductor.

Esta práctica fue realizada en el campus central de la Universidad de Cuenca


ubicada en Av. 12 de Abril y Av. Loja (Cuenca-Ecuador)
D. J. Cando (e-mail: cts1g.candodiego@gmail.com).
Fig. 2. Funcionamiento del diodo sin polarización.
1.2-Polarizacion directa (V>0v) aplicada a los terminales del diodo [3].

Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de


la flecha (la del diodo), o sea del ánodo al cátodo.
Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa
al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P
y los electrones fluyen a través del material P más allá de los
límites del semiconductor. De igual manera los huecos en el
material P son empujados con una tensión negativa al lado del
material N y los huecos fluyen a través del material N [2].
Fig. 5. Curva característica del diodo de silicio.

2.1.-Tension umbral:

En la región directa, la tensión a partir de la cual la corriente


empieza a incrementarse rápidamente se denomina tensión
umbral del diodo, que es igual a la barrera de potencial, en el
caso del diodo de silicio la tensión umbral es de 0.7(v) [3].
Fig. 3. Funcionamiento del diodo en polarización directa.
2.2.-Region de avalancha Zener

1.3.-Polarizacion inversa (V<0v) Si se aplica un voltaje negativo alto(voltaje del Zener) dará
como resultado un cambio drástico en las características de la
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido curva, a esta parte de la gráfica se le conoce como región
opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del cátodo al Zener y para lograrlo se debe dar un voltaje mayor al voltaje
ánodo. Cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una de Zener.
negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados El voltaje de Zener es aquel que produce un cambio drástico
al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. en la corriente haciendo que esta crezca muy rápidamente. [1].
Este fenómeno hace que sea más difícil el flujo de portadores
de uno a otro tipo de material, y por lo tanto establecer un
flujo de corriente es más difícil, pero el número de portadores
minoritarios no cambia hacia la región de agotamiento. A esta
corriente que existe bajo las condiciones de polarización
inversa se le denomina corriente de saturación inversa 𝐼𝑠 [1]
[2].

Fig. 6. Región de avalancha Zener.

C. Practica

1.-MaterialesMateriales: Fuente Variable de CC, Protoboard,


Voltímetro CC, Miliamperímetro CC, Diodo 1N4148,
Fig. 4. Funcionamiento del diodo en polarización Inversa. Resistencia 220Ω, Cables de conexión.

2.- Curva característica de diodo semiconductor 2.-Procedimiento

La forma de funcionamiento de un diodo común de silicio a) Completar los valores de la Tabla I, de acuerdo a las
se puede apreciar observando la curva característica que se especificaciones de la hoja característica del diodo
crea cuando se polariza, bien de forma directa, o bien de forma semiconductor 1N4148
inversa. En ambos casos la curva gráfica muestra la relación
existente entre la corriente y la tensión o voltaje que se
d) Armar el circuito de la Figura 2. Realizar las mediciones
TABLA I
correspondientes y completar la Tabla III. Para los valore
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR 1N4148 sugeridos de Vs.

DIODO 1N4148

VT 0.720 – 1 V

ID 5 – 100 mA

25 nA – 5uA
IS
f(Vz)
75 – 100
VZENER
f(corriente)

Fig. 8. Diodo polarización Inversa.

b) Armar el circuito de la Figura 1


TABLA III
VS, VD, E I MEDIDOS EN EL CIRCUITO DE LA FIGURA 1

Vs(V) Vd(V) Is(mA)

2,2 2,245 0

3 3,037 0

4,1 4,15 0

4,93 4,93 0

5,9 5,97 0

Fig. 7. Diodo polarización directa. e) Graficar la curva característica del diodo de acuerdo a los
valores obtenidos en las mediciones en los puntos c) y d).
c) Variar el voltaje de la fuente de acuerdo a los valores
sugeridos de la Tabla II.
TABLA II
VS,VD E I MEDIDOS EN EL CIRCUITO DE LA FIGURA 1

Vs (V) Vd (V) I (mA)

2 0,693 5,84

2,2 0,704 6,5

2,5 0,711 7,44

2,6 0,719 8,64

3 0,726 10,12

3,3 0,735 11,6 Fig. 9. Curva característica del diodo 1N4148.


3,8 0,744 13,75
f) Completar la Tabla IV, empleando la ecuación característica
4,1 0,749 14,98 de un diodo semiconductor de Silicio.
5 0,764 19,02

6 0,774 23,21

7 0,786 27,89
Considere temperatura ambiente de 25°C. NOTA: Para el
8,9 0,804 36,27
valor de Is tomar la media aritmética de los valores obtenidos
11 0,818 46 en (d).
hemos llegado al voltaje Zener, en este punto el diodo
TABLA IV
ID CALCULADO
funciona como un estabilizador mientras que la corriente crece
muy rápidamente
TABLA V
VD (V) MEDICIÓN DESPUÉS DE DAR VOLTAJE ZENER
Vs (V) ID (mA)

-5 -4.99 -1.00E-08 Vs(v) 75 80 85 90 95 100

-4 -4.07 -1.00E-08 Vd(v) 75 75,6 75,6 75,6 75,7 75,7

-3 -3.01 -1.00E-08

-2 -2.02 -1.00E-08

-1 -1.02 -1.00E-08

0 0 -1.00E+00

0.1 0.08 0,00E+00

0.2 0.20 4.65E-07

0.3 0.29 5.19E-06

0.4 0.42 2.98E-05

0.5 0.47 4.13E-04


Fig. 10. Simulación (Proteus) Polarización inversa Voltaje fuente variable
0.6 0.50 1.96E-04 (Vs) 75V.
0.7 0.53 5,82E-04

g) Comparar y analizar los resultados obtenidos en los puntos


c), d) y f)
En el punto c) se observa el diodo en polarización directa y
que ya ha sobrepasado la tensión umbral, que en el diodo
1N4148 es de 0.7V, se observa que a medida que se sube el
voltaje te la fuente variable el voltaje de diodo aumenta de
igual forma la intensidad del diodo aunque en forma más lenta
que el de la intensidad.
En el punto d) se observa el diodo en polarización inversa se
nota que mientras que el diodo no sobrepase el voltaje Zener
la intensidad del diodo será semejante a 0 A y el voltaje del
mismo será el igual que el de la fuente variable ( Fig. 11. Simulación (Proteus) Polarización inversa Voltaje fuente variable
(Vs) 100V.
Vs)
En el punto f) se observa matemáticamente lo que no se midió
en la práctica pero que era evidente, esto es que mientras que III. CONCLUSIONES
el diodo este en polarización directa y el voltaje de la fuente En esta práctica se concluyó que:
variable no supere la tensión umbral la intensidad del diodo :
será semejante a 0A y el voltaje del diodo será el mismo que el -El diodo en polarización directa:
de la fuente variable. Mientras que el voltaje de la fuente variable no supere la
Así pues se compara los 3 puntos y se logra tener datos tensión umbral en el caso del diodo 1N4148 aproximadamente
suficientes para una gráfica completa de la curva característica 0.7v en el dispositivo no existirá intensidad o será casi nula
del diodo 1N4148. pasados los 0.7v aproximadamente el diodo entrara en
funcionamiento y la intensidad crecerá al grado que crezca el
voltaje de la fuente variable, además de esto el voltaje del
h) Armar el circuito de la fig. 2. Ajustar el voltaje de la fuente
diodo también crecerá pero en menor grado respecto al
al valor del Voltaje Zener del diodo 1n4148 indicado en su
crecimiento de la intensidad.
hoja de especificaciones y hacer 5 incrementos de 5V.
(Ej: Vz=200V, 205V, 210V, 215V, 220V, 225V). En cada uno -El diodo en polarización inversa:
de estos incrementos, ¿El voltaje del diodo VD varía
significativamente? Explique por qué. En polarización inversa la intensidad es casi nula si se mide
con un multímetro que solamente tenga su rango de medición
El voltaje del diodo no varía significativamente puesto que hasta microamperios su medición será de 0A, con respecto al
voltaje del diodo este será el mismo que el voltaje de la fuente
variable, pero una vez llegado al voltaje Zener en el caso del
diodo 1N4148 de 75v el diodo empieza a funcionar como
estabilizador mientras que la corriente crece muy rápidamente.

-Simuladores

Los simuladores como los multímetros tienen diferencias


respectó a sus medidas aunque no varían mucho

IV. RECOMENDACIONES

-Practicar el uso del multímetro antes de realizar la practica


-Tener cuidado a la hora de medir intensidades por lo general
una mala medición estropearía el amperímetro del multímetro.
Fig. 13. Circuito de diodo 1N4148 polarización inversa (Vs) 2.2V .
V. ANEXOS
VI. REFERENCIAS

Note: Internet websites are not permitted as references in archival


publications because they are subject to change. (Make sure this sentence is
removed from the submitted paper.) Authors need to use the format and style
of the reference list exactly as:
[1] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky., 10 ed, Electrónica: Teoría de
Circuitos y Dispositivos Electrónicos, Pearson. México, 2009:
[2] Karen Conde, Electrónica, Características y funcionamiento del diodo,
Tomado el [15-03-17], de:
https://condekaren.wordpress.com/2014/03/26/caracteristicas-y-
funcionamiento-del-diodo/
[3] Unicrom, Electrónica, Diodo semiconductor. Tomado el [15-03-
17],de:http://unicrom.com/diodo-semiconductor/
Fig. 12. Simulación (Proteus) Polarización directa Voltaje fuente variable
(Vs) 2.2V. VII. BIOGRAFÍA

Diego J. Cando. Nació en la ciudad de Cuenca-


Ecuador. Graduado en la escuela Carlos Crespi
posteriormente curso sus estudio en el colegio Técnico
Salesiano de donde se graduó como bachiller Técnico
industrial especialización Mecatrónica. Estudiante de
Ingeniería en Sistemas en la Universidad de Cuenca
desde el 2014 cambiándose a Ingeniería Eléctrica en el
año 2016.

Fig. 13. Voltaje fuente variable (Vs) 2.2V.