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Materiais Eletroeletrônicos

Prof. Msc. Daniel Augusto Pagi Ferreira


Mobilidade eletrônica

• 𝑣𝑎 é a velocidade de arraste e representa a velocidade média do elétron


na direção da força imposta pelo campo elétrico E;
• 𝜇𝑒 é a mobilidade eletrônica e indica a frequência segundo a qual
ocorrem os eventos de espalhamento em m2/V-s;

𝑣𝑎 = 𝜇𝑒 𝐸
Para a maioria dos materiais a
condutividade é dada por:

𝜎 = 𝑛|𝑒|𝜇𝑒
𝑒 = −1,6 10−19 𝐶
Resistividade elétrica dos materiais

• A resistividade/condutividade de um material depende da temperatura,


das impurezas neste material e da deformação plástica de forma que:

𝜌𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝜌𝑡 +𝜌𝑖 +𝜌𝑑


Resistividade elétrica dos materiais

𝜌𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝜌𝑡 +𝜌𝑖 +𝜌𝑑


Semicondutividade
Classificação

• Semicondutores intrínsecos: o comportamento elétrico está baseado na


estrutura eletrônica inerente ao material puro.

• Semicondutores extrínsecos: as características elétricas são ditadas


pelas impurezas.
Semicondutores intrínsecos

• Possuem a banda eletrônica da figura ao lado.


• Elementos semicondutores básicos: Silício (Si) e Germânio (Ge) com
energias de espaçamento entre bandas de 1,1 e 0,7 eV, respectivamente.
• Ambos estão no grupo IV A da tabela periódica e possuem ligações
covalentes.
Semicondutores intrínsecos

𝜎 = 𝑛 𝑒 𝜇𝑒 + 𝑝 𝑒 𝜇𝑏 = 𝑛𝑖 |𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 )
Concentração de portadores intrínsecos
Exercício

• Calcular a concentração de portadores intrínsecos à temperatura


ambiente para o Gálio.

𝜎 = 𝑛𝑖 |𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 )

𝜎 10−6
𝑛𝑖 = =
|𝑒|(𝜇𝑒 + 𝜇𝑏 ) 1,6 ∗ 10−19 ∗ (0,85 + 0,04)

𝑛𝑖 = 7 ∗ 1012 𝑚−3
Semicondução extrínseca

• O comportamento elétrico é determinado pelas impurezas, as quais,


mesmo quando presentes em concentrações diminutas, introduzem um
excesso de elétrons ou de buracos.
• Ex: 1 átomo de impureza para 1012 átomos é suficiente para tornar o Si
extrínseco à temperatura ambiente.
Semicondução extrínseca tipo n

• Ex: Si (possui 4 elétrons na camada de valência) com um átomo de


impureza com valência 5 (coluna do grupo VA da tabela periódica).
Semicondução extrínseca tipo n
Semicondução extrínseca tipo n

• Esse tipo de impureza é classificado como doador!


• Os elétrons são considerados portadores majoritários
em virtude da sua concentração e os buracos são 𝜎 ≈ 𝑛|𝑒|𝜇𝑒
portadores minoritários.
Semicondução extrínseca tipo p

• Ex: Si (possui 4 elétrons na camada de valência) com um átomo de


impureza com valência 3 (coluna do grupo IIIA da tabela periódica).
Semicondução extrínseca tipo p

• Esse tipo de impureza é classificado como receptor!


• Os buracos são considerados portadores majoritários
em virtude da sua concentração e os elétrons são 𝜎 ≈ 𝑝|𝑒|𝜇𝑏
portadores minoritários.
Exercício: Determinação da condutividade elétrica para
o silício intrínseco a 150oC
Exercício: Determinação da condutividade elétrica para
o silício intrínseco a 150oC
Exercício: Cálculos da condutividade elétrica na
temperatura ambiente e em temperaturas elevadas para
o silício extrínseco

Átomos de Arsênio (As) na proporção de 1023 m-3


são adicionados ao silício de alta pureza.
a) Esse material é do tipo p ou n?
b) Calcule a condutividade elétrica desse material na
temperatura ambiente.
c) Calcule a temperatura da condutividade a 100ºC
Exercício: Cálculos da condutividade elétrica na
temperatura ambiente e em temperaturas elevadas para
o silício extrínseco

a) O As é do grupo VA da
tabela periódica e, portanto,
atuará como doador no silício,
o que significa que esse
material é do tipo n.
Exercício: Cálculos da condutividade elétrica na
temperatura ambiente e em temperaturas elevadas para
o silício extrínseco
b) Na temperatura ambiente (298 K),
estamos na região de temperatura
extrínsica, o que significa que
virtualmente todos os átomos de As
doaram elétrons. Além disso, como esse
material é instrínseco do tipo n, a
condutividade pode ser calculada a
partir da equação:
Exercício: Cálculos da condutividade elétrica na
temperatura ambiente e em temperaturas elevadas para
o silício extrínseco
b) É necessário determinar a mobilidade dos
elétrons para uma concentração de doadores
de 1023 m-3.
Exercício: Cálculos da condutividade elétrica na
temperatura ambiente e em temperaturas elevadas para
o silício extrínseco
c) Para determinar a condutividade desse
material a 373 K deve-se determinar a nova
mobilidade eletrônica dos doadores para
uma concentração de 1023 m-3.
Dispositivos
Semicondutores
Diodos
Diodos
Diodos
Diodos
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Obrigado pela atenção

Prof. Msc. Daniel Augusto Pagi Ferreira


daniel.augusto@anhanguera.com