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U.N.M.S.

M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

 CRISTOBAL INGARUCA SCOTT DENNIS  17190034

CURSO TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN PN2222A

INFORME FECHAS NOTA

PREVIO REALIZACIÓN ENTREGA

NUMERO

29 DE OCTUBRE 31 DE OCTUBRE

7 DEL 2018 DEL 2018

GRUPO 3 PROFESOR

MARTES DE 2-4 PM ING. LUIS PARETTO QUISPE


I. TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR PNP PN2222A
II. OBJETIVOS:

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN.


 Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar
NPN.

III. Introducción teórica.

TRANSISTOR BIPOLAR
Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en
contraposición. Físicamente, el transistor está constituido
por tres regiones semiconductoras denominadas emisor,
base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares,
los denominados PNP. A partir de este punto nos
centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN,
siendo el comportamiento de los transistores PNP
totalmente análogo.

El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora


más fuertemente dopada con donadores de electrones,
siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector.
Su función es la de emitir electrones a la base. La base es
la zona más estrecha y se encuentra débilmente dopada
con aceptores de electrones. El colector es la zona más
ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones
en cantidad intermedia entre el emisor y la base.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando
el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra
polarizado en inversa. En esta situación gran parte de los electrones que fluyen del
emisor a la base consiguen atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil dopado,
y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:


1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y es
transistor se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la
corriente de colector, ésta depende exclusivamente de la tensión entre
emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a
un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de
corriente, determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos de la
corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de
colector, de forma casi independiente de la tensión entre emisor y colector.
Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa,
mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente
a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la
corriente de colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar el
transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto.

IV. RESOLUCION TEÓRICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:

Trabajamos con el transistor A5Y27


 POLARIDAD: PNP
 MATERIAL: GERMANIO (Ge)
 GANANCIA DE CORRIENTE (β) = 30

Datos del circuito:

 Re=330Ω
 Rc=1kΩ
 R1=56KΩ
 R2= 22KΩ.
 Vcc= -12v

Hacemos el
equivalente de
Thevenin del circuito:

(R1+P1)×R2
Rb = (R1+P1)+R2

R2×Vcc
V = (R1+P1)+R2
Con este nuevo circuito procedemos a realizar las operaciones de las siguientes tablas.
OBSERVACIÓN: El transistor PN2222A está hecho de SILICIO y es NPN, entonces su
VBE (activa) y su “β” es respectivamente:

VBE= 0.6v β = 250


TABLA 2

(Para P1 = 0 Ω y R1 = 56k Ω)
 Hallando el Rb:  Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
R1×R2
Rb = R1+R2 Ic = (28.22 µA)(250)

56K×22K Ic = 7.06 mA
Rb = (56+22)K

Rb = 15.794k Ω  Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)

Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re


 Hallando el V:
VCE=Vcc – (Ic+Ib)Re-IcRc
R2×Vcc
V= R1+R2 VCE =12 − (7.06𝑥10−3 + 28.22𝑥10−6 ) ∗
330 − 7.06𝑥10−3 𝑥103
22k×(12)
V = (56+22)𝑘
VCE = 2.6v
V = 3.3846 v
 Hallando VE:
 Hallando Ib:
VBE = VB - VE……. (VB = V)
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re VE = V - VBE

3.384−0.6 VE = 3.3846 – (0.6)


Ib=
15.794×103 +(250+1)330
VE = 2.7846 v
Ib = 28.22 µA

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) Β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K Ω)

Teóricos 7.06 28.22 250 2.6 0.6 2.7846


TABLA 3
(Para P1 = 0 Ω y R1 = 68k Ω)

 Hallando el Rb:
R1×R2
Rb = R1++R2  Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
Ic = (27.49 µA) (250)
68K×22K
Rb = (68+22)K
Ic = 5.87mA
Rb = 16.623k Ω
 Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
 Hallando el V: Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
R2×Vcc
V= VCE=Vcc – (Ic+Ib)Re-IcRc
R1+R2

22k×(12) VCE = 12 − (5.87𝑥10−3 + 23.46𝑥10−6 ) ∗


V = (68+22)𝑘
330 − 5.87𝑥10−3 𝑥103

V = 2.934 v VCE = 4.18 v

 Hallando Ib:  Hallando VE:


V−VBE
Ib=
Rb+(β+1)Re
VBE = VB - VE……. (VB = V)

2.934−0.6 VE = V - VBE
Ib=
16.623×103 +(250+1)330
VE = 2.934 – (0.2)
Ib = 23.46 µA
VE = 2.734 v

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 68K Ω)

Teóricos 5.87 23.46 250 4.18 0.6 2.734


TABLA 5
(Para P1 = 100K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
22k×(12)
V = (56+100+22)𝑘
V = 1.483 v

 Hallando Ib:
V−VBE
Ib=Rb+(β+1)Re
1.483−(0.6)
Ib=19.280×103 +(250+1)330
Ib = 8.65 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)


Ic = (12.56 µA) (250)
Ic = 2.16 mA

 Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)


Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
VCE=Vcc -(Ic+Ib)×Re-Ic×Rc
VCE = 12 − (2.16𝑥10−31 +
8.65𝑥10−6 ) ∗ 330 − 2.16𝑥10−3 𝑥103
 Hallando el Rb: VCE = 9.12 v
(R1+P1)×R2
Rb = R1+P1+R2
156K×22K
Rb = (56+100+22)K
Rb = 19.2808k Ω
(Para P1 = 250K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:

R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(12)
V = (56+250+22)𝑘

V = 0.8048 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

0.804−(0.6)
Ib=20.524×103 +(250+1)330

Ib = 1.97 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)


 Hallando el Rb:
Ic = (1.97 µA) (250)
(R1+P1)×R2
Rb = R1+P1+R2
Ic = 0.493 mA
306K×22K
Rb = (56+250+22)K
 Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)

Rb = 20.524k Ω Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re

VCE= Vcc -(Ic+Ib)×Re-Ic×Rc

VCE = 12 − (0.49𝑥10−3 +
1.97𝑥10−6 ) ∗ 330 − 0.49𝑥10−3 𝑥103

VCE = 11.35 v
(Para P1 = 500K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el Rb:
(R1+P1)×R2
Rb = R1+P1+R2

556K×22K
Rb = (56+500+22)K

Rb = 21.162k Ω

 Hallando Ib:
V−VBE
Ib=
Rb+(β+1)Re

0.4567−(0.2)
Ib=21.162×103 +(250+1)330

Ib = -1.38 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)


Ic = (2.468 µA) (250)

 Hallando el V: Ic = -0.34 mA
R2×Vcc
V = R1+P1+R2
 Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
22k×(12) Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
V = (56+500+22)𝑘

VCE= Vcc -(Ic+Ib)×Re-Ic×Rc


V = 0.4567 v
VCE = 12 + (0.34𝑥10−3 + 1.38𝑥10−6 ) ∗
330 + 0.34𝑥10−3 𝑥103

VCE = 12.45 v
(Para P1 = 1M Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(12)
V = (56+1000+22)𝑘

V = 0.245 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

0.245−0.6
Ib=21.551×103 +(250+1)330

Ib = -3.4 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)


Ic = (0.431 µA)(250)

Ic = -0.85 mA
 Hallando Rb:
(R1+P1)×R2  Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
Rb = R1+P1+R2 Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
1056K×22K
Rb = (56+1000+22)K VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re

VCE = 12 + (0.85𝑥10−3 + 3.4𝑥10−6 ) ∗


Rb = 21.551k Ω
330 + 0.85𝑥10−3 𝑥103

VCE = 13.13 v
Procedemos a llenar la tabla con los datos teóricos obtenidos:

P1 100K Ω 250K Ω 500K Ω 1M Ω

Ic(mA) 2.16 0.493 -0.34 -0.85

Ib(uA) 8.65 1.97 -1.38 -3.4

VCE (v) 9.12 11.35 12.45 13.13