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Facultad de Ingenieria Electrica, Electronica y

Telecomunicaciones
APELLIDOS Y NOMBRES: N° DE MATRICULA:

 CARHUARICRA ENCISO, Luis  17190250

CURSO: TEMA:

DISPOSITIVOS TRANSISTOR BIPOLAR


ELECTRONICOS PNP

INFORME: FECHAS: NOTA:

PREVIO REALIZACION: ENTREGA:

NUMERO:
05 24/10/18 31/10/18
GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:
MIERCOLES
02 Ing. Luis Paretto
10am – 12pm
TRANSISTOR BIPOLAR PNP

El transistor NPN es un dispositivo electrónico que está


compuesto por tres regiones semi-conductoras inter-
conectadas N-P-N. Este elemento tiene por lo tanto tres
pines de conexión. El transistor es bipolar. Las uniones PN
o NP están compuestas por materiales semi-conductor.
Un material semi-conductor puede funcionar como
conductor y como aislante de acuerdo a la polarización
eléctrica que se conecte. El transistor NPN tiene dos
funciones básicas, ser un interruptor electrónico o un
amplificador. Este tipo de transistor también se puede
clasificar como BJT.

El transistor NPN está compuesto por tres capas de materiales semi-conductores, este
arreglo es como un pastel de tres capas, Capa N-P-N. Estos materiales son cristales de
silicio que se encuentran dopados de forma distinta.

Cuando un cristal de material semi-conductor, (Silicio ó Germanio), se “dopa” con Boro,


produce un cristal semiconductor con sólo 3 electrones disponibles de 4, por lo tanto se
genera un “hueco” eléctrico. En cambio, cuando el cristal es dopado con impurezas
como arsénico, (el arsénico tiene 5 electrones en su última capa), el cristal se queda con un
electrón de más. En resumen:

SÍMBOLO DE UN TRANSISTOR NPN

El símbolo de un transistor NPN incluye a los tres pines antes


mencionados, el Colector, Base y Emisor. Este sería el diagrama más
usado para este tipo de transistor. Algunos transistores más comunes
NPN de pequeña señal son: 2N2222 y 2N3904. SI se requiere de
mayor potencia, se puede usar un TIP21C. En las hojas de datos se
encuentra especificada la ubicación de cada uno de estos tres pines.

APLICACIONES DEL TRANSISTOR NPN

Un transistor NPN, que también se llama BJT, puede ser usado para dos cosas. El transistor
puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un amplificador
con ganancia variable. El transistor es también la base para el desarrollo de sistemas
digitales como compuertas lógicas. Las compuertas lógicas son la base de los sistemas
embebidos. Entonces podemos plantear que el transistor es la base de la tecnología digital
actual. Regresando a las aplicaciones comunes, la más usada es el uso del transistor NPN
como interruptor electrónico, para este funcionamiento, el transistor debe de operar en las
zonas llamadas corte y saturación.

TRANSISTOR NPN COMO AMPLIFICADOR

Existen dos tipos de transistores, los bipolares que se controlan mediante una entrada de
corriente y los de efecto de campo que son activados mediante una entrada de voltaje. Para
un amplificador electrónico se utiliza una pequeña corriente en la base del transistor para
controlar una corriente mayor entre el colector y el emisor.

Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación


es entonces respecto de la corriente. La corriente del
colector es proporcional a la corriente en la base
multiplicada por la “beta” del transistor. Entonces este es
el factor de ganancia en un transistor NPN.

Ic = hFE*Ib

Ic = Corriente de colector

hFE = Beta del transistor

Ib = Corriente en la base
Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y puede llegar a variar, es por
eso que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores electrónicos y se
recomienda mejor el uso de amplificadores operacionales. Por ejemplo, en el transistor
2N2222A, el cual es un transistor NPN bipolar, su Hfe puede valer desde 35 hasta 300
dependiendo de la corriente del colector y del voltaje colector-emisor. (VCE).
Para determinar la corriente en el emisor Ie, se puede usar la siguiente ecuación.

Ie = Ib + Ic = (1/hFE+1)*Ic

I. RESOLUCION TEÓRICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:

Trabajamos con el transistor C829


CARACTERISTICAS PRINCIPALES
Número de Parte: 2SC828
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 110 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
Empaquetado / Estuche: TO92

Determinar el punto de operación del circuito del experimento (Valores teóricos de tabla 2, 3
y 5)
Trabajamos con el transistor C829

 POLARIDAD: NPN
 MATERIAL: GERMANIO (Si)
 GANANCIA DE CORRIENTE (β) = 65

Datos del circuito:

 𝑅𝑒 =220Ω
 𝑅𝑐 =1kΩ
 𝑅1 =56KΩ (Tabla 2.)
 𝑅1 =68KΩ (Tabla 1.)
 𝑅2 =22KΩ.
 𝑉𝐶𝐶 =12 V
*Por ser de Silicio: 𝑉𝐵𝐸 = 0,67 𝑣 𝛽 = 65

Hallando el punto Q:

TABLA 2.

Valores Ic (mA) Ib (μA) Β Vce (v.) Vbe (v.) Ve (v.)


(R1=56KΩ)
Teóricos 5.8192𝑚𝐴 89.526µ𝐴 65 4.90082𝑣 0,67 v 1.299𝑣

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= = = 3.385𝑣
𝑅1 + 𝑅2 56𝑘 + 22𝑘
𝑅1 × 𝑅2 56𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 15.795𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 56𝑘 + 22𝑘
𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 3.385 − 0.67
𝐼𝑏 = = = 89.526µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 15.795𝑘 + (65 + 1)220
𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 89.526µ × 65 = 5.8192𝑚𝐴
𝑉𝑒 = (𝐼𝑏 + 𝐼𝐶 )𝑅𝑒 = (89.526µ𝐴 + 5.8192𝑚𝐴)220Ω = 1.299𝑣
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12𝑣 − {5.8192𝑚𝐴(1𝑘Ω + 220Ω)} = 4.90082𝑣

TABLA 3.

Valores Ic (mA) Ib (μA) β Vce (v.) Vbe (v.) Ve (v.)


(R1=68KΩ)
Teóricos 4.723𝑚𝐴 72.667µ𝐴 65 6.238𝑣 0.67 1.055𝑣

𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12𝑘 × 22𝑘


𝑣= = = 2.933𝑣
𝑅1 + 𝑅2 68𝑘 + 22𝑘
𝑅1 × 𝑅2 68𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 16.622𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 68𝑘 + 22𝑘
𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 2.933 − 0.67
𝐼𝑏 = = = 72.667µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 16,622𝑘 + (65 + 1)220
𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 72.667µ𝐴 × 65 = 4.723𝑚𝐴
𝑉𝑒 = (𝐼𝑏 + 𝐼𝐶 )𝑅𝑒 = (72.667µ + 4.723𝑚𝐴)220Ω = 1.055𝑣
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12𝑣 − {4.723𝑚𝐴(1𝑘Ω + 220Ω)} = 6.238𝑣
TABLA Nº05
 Para P=100 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:


𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 100𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟏𝟓𝟔𝑲𝜴

Hallando los siguientes valores:


𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 1.483𝑣
𝑅1 + 𝑅2 156𝑘 + 22𝑘
𝑅1 × 𝑅2 156𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 19.281𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 156𝑘 + 22𝑘
𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 1.483 − 0.67
𝐼𝑏 = = = 23.674µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 19.281𝑘 + {(65 + 1)220}
𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 23.674µ𝐴 × 65 = 1.538𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12𝑣 − 1.538𝑚𝐴(1𝑘Ω + 220Ω) = 10.123𝑣
 Para P=250 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:


𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 250𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟑𝟎𝟔𝑲𝜴
Hallando los siguientes valores:
𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 0.805𝑣
𝑅1 + 𝑅2 306𝑘 + 22𝑘
𝑅1 × 𝑅2 306𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 20.524𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 306𝑘 + 22𝑘
𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 0.805 − 0.67
𝐼𝑏 = = = 2.735µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 20.524𝑘 + {(130 + 1)220}
𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 2.735µ𝐴 × 130 = 0.355𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12𝑣 − {0.355𝑚𝐴(1𝑘Ω + 220Ω)} = 11.566𝑣

 Para P=500 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:


𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 500𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟓𝟓𝟔𝑲𝜴
Hallando los siguientes valores:
𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 0.457𝑣
𝑅1 + 𝑅2 556𝑘 + 22𝑘
𝑅1 × 𝑅2 556𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 21.163𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 556𝑘 + 22𝑘
𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 0.457 − 0
𝐼𝑏 = = = 12.8072µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 21.163𝑘 + (65 + 1)220
𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 12.8072µ × 65 = 0.832𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12𝑣 − {0.832𝑚𝐴(1𝑘Ω + 220Ω)} = 13.015𝑣

 Para P= 1MΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:


𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 1000𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟏𝟎𝟓𝟔𝑲𝜴
Hallando los siguientes valores:
𝑉𝑐𝑐 × 𝑅2 12 × 22𝑘
𝑣= ′ = = 0.245𝑣
𝑅1 + 𝑅2 1056𝑘 + 22𝑘
𝑅1 × 𝑅2 1056𝑘 × 22𝑘
𝑅𝑏 = = = 21.551𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 1056𝑘 + 22𝑘
𝑉 − 𝑉𝐵𝐸 0.245 − 0
𝐼𝑏 = = = 6.792µ𝐴
𝑅𝑏 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒 21.551𝑘 + (65 + 1)220
𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 6.792µ𝐴 × 65 = 0.441𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {0.441𝑚𝐴(1𝑘Ω + 220Ω) = 11.461𝑣
TABLA 5

P1 100kΩ 250kΩ 500kΩ 1MΩ

Ic(mA) 2.197𝑚𝐴 0.355𝑚𝐴 1.188𝑚𝐴 0.632𝑚𝐴

Ib(µA) 16.901µ𝐴 2.735µ𝐴 9.143µ𝐴 4.863µ𝐴

Vce 9.319𝑣 11.566𝑣 10.550𝑣 11.228𝑣