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característicos de
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Construcción básica
Circuito equivalentede un IGBT.

El transistor IGBT (del inglés, Insulated

Gate Bipolar Transistor, Transistor Bipolar
de Puerta Aislada) procede esencialmente
de la tecnología MOSFET de potencia; por
lo que su estructura y funcionamiento son
similares. Es un transistor híbrido que
combina un MOSFET y un BJT, por eso
tiene terminales puerta (del MOSFET),
colector y emisor (de BJT) El material de
partida es una oblea tipo P. Su estructura
consiste en 4 capas (PNPN), la unión
adicional PN creada reduce la resistividad
y la caida de tension Vce(on) en
conducción, esto se conoce como
"Modulacion de la resistividad" y permite
aumentar la intensidad. Sin embargo la
unión adicional P introduce un transistor
parásito, que en caso de ser activado
puede destruir el dispositivo.

Hay dos versiones de IGBT conocidas

como IGBT PT (Punch Through, "estructura
de perforacion") e IGBT NPT (Non Punch
Through, "estructura de no perforación"), la
diferencia radica en que el IGBT NPT no
tiene capa de separación n+ y presenta
una caída de tensión en estado on, menor.
Un IGBT con estructura de PT presenta
velocidades de conmutación más bajas.

Funcionamiento

Al igual que un MOSFET el IGBT se

controla con tensión. Para el encedido se
da una tensión positiva en puerta respecto
al emisor, los portadores n son atraídos a
la región p de la puerta; así se polariza en
directa la base del transistor NPN
permitiendo la circulación de corriente
colector-emisor. Para el apagado basta
con quitar la tensión de la puerta. Esto
require de un circuito de contol simple
para el transistor IGBT.

Caracteristicas

·Es adecuado para altas

frecuencias de conmutación,
por lo que ha sustituido al
BJT en muchas aplicaciones.
IGBT simbologia; Gate o puerta (G), colector (C) y
emisor (E)

·Se pueden combinar

IGBTs en paralelo para
manejar corrientes muy
grandes y altas tensiones
con señales de entrada
pequeñas (15V) , por ello se
usan en aplicaciones de
grandes potencias y energía
(la operación en paralelo
provoca mayores perdidas de
calor). Es muy importante a
la hora de conectar los
IGBTs en serie que se
activen y desactiven al
mismo tiempo y que posean
las mismas características
de ganancia,
transconductancia, voltaje
de umbral, voltaje en estado
activo, tiempo de encendido
y tiempo de apagado. Para
conectarlos en paralelo los
IGBTs deben tener idénticos
parámetros de ganancia,
transconductancia, voltaje
de saturación, tiempo de
encendido y apagado.
·Una gran Ic (Corriente
de colector) puede producir
enclavamiento (Latch up)
·Tiene pequeñas perdidas
de conmutación debido a la
corriente de cola en el
apagado.
·V_GE (tensión puerta-
emisor) está limitada por el
espesor del óxido de
silicio.
·Soporta temperaturas de
150ºC
 ·La V_CE (tensión
colector-emisor), tensión de
ruptura es muy baja y apenas
varía con la temperatura.
·Está diseñado para que
soporte corrientes de
cortocircuito V_GEmax
(tensión maxima puerta-
emisor) 4-10 veces la
nominal durante 5-10us y se
pueda actuar cortando desde
la puerta.
·Al contrario que los
MOSFET, los tiempos de
conmutación no dan
 información sobre las
perdidas de conmutación.

Características compartidas con el

MOSFET y el BJT

·Alta impedancia de
entrada (MOSFET)
·Alta capacidad de
manejar corriente (BJT)
·Fácil manejo
controlable por voltaje
(MOSFET)
·Sin problemas de
segunda ruptura (BJT)
·Bajas perdidas de
 conducción en estado activo
(BJT)

Se suele usar en condiciones de:

·Bajo ciclo de trabajo

·Aplicaciones de alta
tensión (>1000V)
·Alta potencia (>5kW)

Características eléctricas
Características de conmutación

Aplicaciones

• Control de motores, sistemas de

alimentación ininterrumpida, sistemas de
soldadura, iluminación de baja frecuencia
y alta potencia. Están presentes en la
circuitería de los automóviles, trenes,
metros, autobuses, aviones y barcos pero
también de los electrodomésticos del
hogar mediante la interconexión de
diversos IGBT que controlan los motores
eléctricos.

• Generalmente es utilizado en sistemas o

aparatos que requieren circuitos de
electrónica realmente potentes y con
velocidades de conmutación de hasta
20KHz. Los IGBTs han estado todo
momento con nosotros y han sido claves
en el desarrollo de la electrónica de
potencia.
• Algunos fabricantes de tecnología de
consumo ya están utilizando para mejorar
sus dispositivos o darles nuevas
capacidades. Por ejemplo estos
transistores han permitidos ser integrados
en teléfonos móviles para dotar cámaras
de un flash de xenón realmente potente.

• Otro ejemplo de esta tecnología es su

utilización para activar o desactivar los
pixeles en las pantallas táctiles de nueva
generación, sistemas de iluminación de
edificios o centrales de conmutación
telefónica. Incluso ya existen algunos
desfibriladores que incorporan IGBTs.
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