UFPS Ing. Electromecánica.

Electrónica II Práctica N°1

PRÁCTICA 1 “CONFIGURACIONES BÁSICAS DE AMPLIFICACIÓN CON TRANSISTORES JFET”

Hernán Camilo Contreras 1091031

hernancamilocb@ufps.edu.co
Pablo Emilio Ruge Jiménez 1090985
pablitoruge@ufps.edu.co
Mateo Chaparro Fuentes 1091020
jefreymateocf@ufps.edu.co

OBJETIVOS no se debe obtener lectura alguna de lo contrario el

 Evaluar e interpretar características fundamentales
de transistores JFET
 Familiarizar al estudiante con el uso de los
manuales de los fabricantes de transistores FET
para entender y manejar sus especificaciones, y
con la visualización de las curvas características
de dichos dispositivos utilizando el ORAD Pspice.
 Observar como varían los parámetros del modelo
en pequeña señal en función del punto de
polarización.
 Verificar como el punto Q establece el manejo de
señal o rango de excursión a la salida.
 Comprobar como los capacitores de acople
afectan la ganancia del amplificador.
 Determinar los parámetros básicos del
amplificador fuente común (Zin, Zout, Av).
 Determinar los parámetros básicos del
amplificador drenaje común (Zin, Zout, Av
PREGUNTAS PREVIAS
1 Investigue el procedimiento de laboratorio para
determinar los terminales de los JFETs (Compuerta,
Fuente y Drenaje) y busque las especificaciones de los
dispositivos con los que va a trabajar y fotocopie las
partes más importantes para tenerlas disponibles
durante la realización de la práctica [1]
R/ El primer paso es tomar un multímetro y colocarlo
en la función de diodo, vamos a colocar la punta de
prueba negra del multímetro en el terminal drenaje y
la punta roja en el terminal source, se debe obtener
una medida aproximadamente de 513 mV si la lectura
es más baja el FET se encuentra en cortocircuito y si
no presenta ninguna lectura está en circuito abierto.
El segundo paso sin retirar la punta negra del terminal
de drenaje colocamos la punta roja en la compuerta,
FET presenta fuga o está en cortocircuito.
Ahora por ultimo regresamos la punta roja al terminal
source con lo que la juntura drenaje-fuente se activa,
se obtendrá una lectura baja alrededor de 0.82 V
debido al que el FET se enciende, para destrabar se
debe cortocircuitar sus tres terminales por medio de
un elemento metálico.
2 Analice el amplificador Fuente Común, incluyendo
los siguientes aspectos:
a) El punto de operación, VDS y ID (Asuma
K=1.33mA/v2, Vtr=-3v).
R/ Véase la figura 1 en anexos
b) El cálculo de AV, AI, Zi y Z0.
R/ Véase la figura 2 en anexos
c) El máximo valor Vpp del generador para obtener
el voltaje de salida sin distorsión.
R/ El máximo valor es 3Vpp en el generador y 1.5
Vp, distorsión de 1.55%
3 Analice el amplificador Drenaje Común, incluyendo
los siguientes aspectos:
a) El punto de Operación, VDS y ID (Asuma
K=1.33mA/v2, Vtr=-3v).
R/ Véase la figura 3 en anexos
b) El cálculo de AV, AI, Zi y Z0.
R/ Véase la figura 4 en anexos
c) El máximo valor Vpp del generador para obtener el
voltaje de salida sin distorsión
R/ El máximo valor del generador es 10.2 Vpp y
5.1Vp distorsión de 2.645%
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4 Utilizando el barrido en DC en Orcad determine los ZO = 159.6 Ω

parámetros internos del JFET (IDss, Vtr, K); compare
los resultados obtenidos con los parámetros del c) El máximo valor Vpp del generador para obtener
modelo de spice el voltaje de salida sin distorsión.
R/ El máximo valor en el generador es 10.2 Vpp
R/ Comparando los resultados obtenidos tenemos que
en forma matemática IDss= 12mA, por medio del d) Determinar el THD utilizando la simulación “time
domain”.
modelo spice IDss(ORCAD)= 12.020mA y un
R/ El Total Harmonic Distortion es el 11.02%
VTR=-3 por lo tanto una K= 1.33
7 Realice una tabla comparativa entre las tres
Véase la figura 5 en anexos
configuraciones básicas con transistores FETs. [2]
5 Realice la simulación del amplificador Fuente
Común, y obtenga los siguientes parámetros: INVERSOR SEGUIDOR DE COMPUERTA
CON FET VOLTAJE COMÚN
a) El punto de operación, VDS y ID.
R/ VDS = 7.36V VDS≥VGS-VTR VGS= Vi –Vo= Vi- Vgsq= Vss-Idss
ID = 1.05 mA IDR
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐷𝑆 Vds.=Vcc+Vss-
ID= 𝑅
b) El cálculo de AV, AI, Zi y Z0. ID=K(Vi-Vo-Vtr) ² ID(Rs+RG)
R/ AV= -4.105
ZI= 100 KΩ 1
ZO= 9.96 KΩ 𝑉𝑜2 + 𝑉𝑜(
𝐾𝑟
− 2𝑉𝑖 − 2𝑉𝑡𝑟)
c) El máximo valor Vpp del generador para obtener − (𝑉𝑖 − 𝑉𝑡)²
el voltaje de salida sin distorsión.
R/ El máximo valor del generador es 3Vpp

d) Determinar el THD utilizando la simulación “time 8 ¿Qué proceso se debe seguir para obtener la
domain”. impedancia de entrada de un amplificador con FET?
R/ El Total Harmonic Distortion es el 82.77%
R/ Realmente la forma más sencilla para obtener la
e) Determinar FH, FL y el BW. impedancia de entrada en un transistor FET es
R/ FH= 23.58 Hz aprox ubicarse en la red de dos puertos y realizar un divisor
FL= 29.3 MHz aprox de tensión de la siguiente forma:
BW= 29.3 MHz aprox a) Colocar una resistencia de prueba de valor
cercano a la zin teórica en serie con el generador y
6 Realice la simulación del amplificador Drenaje medir el voltaje en la entrada Vp
Común, y obtenga los siguientes parámetros: b) Realizando el divisor de tensión podemos obtener
a) El punto de operación, VDS y ID la impedancia de entrada, donde Vg= voltaje del
R/ VDS = 9.12V generador, Vp= voltaje en la entrada con la
ID = 6.05mA resistencia de prueba y Rp= resistencia de prueba
medida con un voltímetro
b) El cálculo de AV, AI, Zi y Z0. 𝑉𝑝 ∗ 𝑧𝑖𝑛
𝑣𝑔 =
R/ AV = 0.9092 𝑧𝑖𝑛 ∗ 𝑅𝑝
ZI = 1MΩ
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𝐼𝐷𝑠𝑠 = 8.8 𝑚𝐴
9. ¿Qué proceso se debe seguir para obtener la 𝑉𝑇𝑟 = −1.2 𝑣
impedancia de salida de un amplificador con FET? 𝐼𝐷𝑠𝑠 𝑚𝐴
𝐾= 2
= 6.11 2
𝑉𝑇𝑟 𝑉
 Medir el voltaje de salida del amplificador con la
carga Rl desconectada; este voltaje será Vth
 Medir el voltaje de salida del amplificador con la
carga Rl conectada; este voltaje será el Vl
 Determinar la caída de tensión VZout en la
impedancia de salida del amplificador Véase la figura 6 en anexos
VZout= Vth-Vl
𝑉𝑙 INVERSOR DE VOLTAJE (Fuente Común)
 Calcular la corriente de salida 𝐼𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑙
 La impedancia de salida se obtiene como 4. Con los valores obtenidos en el punto anterior
𝑉𝑧𝑜𝑢𝑡
𝑍𝑜𝑢𝑡 = determine el punto de operación de forma matemática
𝐼𝑜𝑢𝑡
y cambie los parámetros en Orcad del dispositivo para
10. Defina Distorsión Total de Armónicos e indague ver el punto de operación real.
la forma de medirlo con los elementos existentes en el R/ Véase la figura 7 en anexos
laboratorio de la universidad 5. Implemente el circuito de la FIG 3 y mida el punto
de operación. Verifique que el transistor si está
R/ Es la relación entre el contenido armónico de la
trabajando en la región activa compare estos
señal y la primera armónica o fundamental. Su valor resultados con los obtenidos en el análisis y
se ubica entre 0% e infinito simulación.
Es el parámetro de medición de distorsión más
R/ VDS = 14.4V; ID = 0.464mA; AV = -4.354
conocido por lo que es recomendable para medir la
ZI = 100KΩ; ZO = 9.987K Ω
distorsión en parámetros individuales (corriente y Como podemos observar los valores teóricos son
voltaje) [3] aproximadamente iguales a los simulados
En el laboratorio con el analizador de armónicos fluke 6. Ajuste la señal de entrada tal como se muestra en la
41B podemos obtener la resolución de armónicos en Figura.
cargas no lineales y es tan sencillo de utilizar como un
multímetro digital [4]

PROCEDIMIENTO

PARÁMETROS DEL JFET

1. Implemente el circuito de la Figura 1 y obtenga en

la pantalla del osciloscopio ID vs. VDS con VGS en
cero. Varié el voltaje V1 de tal manera que pueda
llevar al JFET a la región de corriente constante;
aumente V1 lentamente teniendo en cuenta el voltaje
de ruptura VDS MAX, la máxima corriente es el R/ Véase la figura 8 en anexos
parámetro IDSS.
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7. Coloque el canal 1 del osciloscopio en la salida del
generador y observe la señal de entrada de la misma
forma coloque el canal 2 del osciloscopio en RL y
observe la señal de salida. Determine a partir de esta
graficas la ganancia del amplificador (Vo/Vin) y la
relación de fase. ¿Son coherentes estos resultados con
los obtenidos en forma teórica y mediante
simulación?
R/ Se obtiene una AV= 4,24 que al momento de
comparar son bastantes coherentes mediante forma
teórica y simulado.
Véase la figura 8 en anexos
8. Aumente la señal de entrada en incrementos de
100mv a partir de 500mv y observe la salida. ¿Qué
Sucede con la señal de salida? Continué aumentando
el voltaje de entrada para obtener la máxima salida sin
distorsión. A este parámetro se le conoce también
como manejo de señal a la salida.
R/ Al aumentar el voltaje de entrada, la gráfica a la
salida también va aumentando hasta un punto donde
la onda se empieza a distorsionar cuando el voltaje de
entrada es 1.5v
9. Realice nuevamente el proceso del punto anterior,
pero visualice las componentes de frecuencia de la
señal a la entrada y salida y el THD utilizando el
FLUKE, aumente el voltaje de la señal de entrada de
tal forma que se distorsioné la señal de salida. ¿Varia
el THD de la señal de entrada? ¿A partir de que
niveles de voltaje empieza a aumentar el THD?
¿Existe alguna relación con el manejo de señal?
Explique.
R/ Podemos observar que existe bastante coherencia
entre los valores simulados y los valores que
obtenemos en el osciloscopio
SIMULADO OSCILOSCOPIO
FH: 7 MHZ FH: 5 MHZ
FL: 78.27 HZ FL: 78 HZ
BW: 7 MHZ BW: 5 MHZ
Véase la figura 10 en anexos
10. Mida la resistencia de salida del amplificador
realizando el siguiente proceso:
a. Ajuste el voltaje de salida del amplificador a un
valor pequeño.
b. Medir el voltaje de salida del amplificador Vth con
la carga RL desconectada.
VTH= 4.48V
c. Medir el voltaje de salida del amplificador VL con
la carga RL conectada al amplificador.
VL= 4.08V
d. Determinar la caída de tensión VZout en la
impedancia de salida del amplificador VZout = Vth –
VL.
VZout= VTH-VL=0.4V
e. Calcular la corriente de salida como Iout = VL / RL
Iout= 40.8 mA
f. La impedancia de salida se obtiene como Zout =
VZout / Iout equivalente.
Zout= 9.8 KΩ
11. Determine la resistencia de salida del generador
utilizando el proceso anterior.
𝑉𝑍𝑜𝑢𝑡 0.4
𝑍𝑜𝑢𝑡 = = = 9.8KΩ
𝐼𝑜𝑢𝑡 40.8𝑚𝐴
12. Mida la resistencia de entrada del amplificador
realizando el siguiente proceso:
R/ Mediante divisor de tensión y una resistencia de
prueba de 97.8Ω hallamos la Zin
VL= 2.64 V
VTH= 5v
5𝑉 ∗ 𝑍𝑖𝑛
2.64𝑉 = = 109KΩ
𝑍𝑖𝑛 + 97.8Ω
13. Cambie la resistencia de carga por una de 100Ώ y
con la señal de entrada al amplificador de 100mv
observe con el osciloscopio la señal de salida y
determine la ganancia. ¿Existen cambios en la
ganancia con respecto a la medida en el punto 3?
Explique el porqué de las diferencias.
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R/ La ganancia no va a cambiar ya que solo depende
de la resistencia de drenaje y del Gm calculado luego
la carga no nos afecta en la ganancia calculada
14. En el circuito original cambie los capacitores a
1nF ¿Existe alguna diferencia? Luego cambie
nuevamente los capacitores a 10uF. ¿Observa alguna
diferencia?, explique.
R/ Los capacitores lo que le hacen a la configuración
es afectar la respuesta en frecuencia de ella,
cambiarían los puntos de -3dB es decir el FL el FH y
el BW
SEGUIDOR DE VOLTAJE (Drenaje Común)
15. Implemente el circuito de la figura y determine el
punto de operación. Si no está trabajando en la región
de corriente constante varié el valor de R9.
R/ Véase la figura 11 en anexos
16. Mida la impedancia de entrada, la impedancia de
salida, la ganancia de voltaje y la amplitud máxima de
salida sin distorsión cuando al amplificador se le
aplica una señal de entrada de 1 kHz. Compare estos
resultados con los obtenidos en el análisis y
simulación.
R/ AV= 0.954
ZI= 1MΩ
ZO= 81 KΩ
Los resultados obtenidos mediante simulación y en
análisis matemático son los mismos.
17. Varié la resistencia de carga (100, 1k, 10k).
¿Cambia el voltaje de salida con respecto a las
variaciones de la carga? Explique.
R/ VL= 0.992V
VTH =1V
Iout = VL / RL Iout= 0.0992 mA
VZout = 1- 0.992 = 0.008
Zout = VZout / Iout
Zout= 80.64Ω
18. ¿Por qué es importante tener un gran rango de
excursión?
R/ Es importante tener un gran rango de excursión
para optimizar el uso del transistor es decir lograr
obtener el mayor voltaje amplificado sin distorsión
alguna
19. ¿Qué ventajas y desventajas tiene la configuración
en drenaje común con respecto al fuente común?
R/ Como se puede observar la ganancia de la
configuración drenaje común es similar a la del
colector común en los BJT es decir se comporta como
un seguidor de voltaje mientras que la configuración
fuente común es similar a la del emisor común en los
BJT lo cual permite obtener una ganancia desfasada
como podemos ver la configuración drenaje común
tiene mayo impedancia de entrada y menor
impedancia de salida que la otra configuración.
20. Cuál es la función de los capacitores C3 y C4 en
la figura 4.
R/ Los dos capacitores solo me afectan la frecuencia
del circuito es decir los puntos de -3dB y el lugar de
frecuencia en donde trabaja a banda media
21. Cambie la frecuencia de la señal de entrada a
100kHz. ¿Qué sucede con la señal de salida?
R/ La señal de salida es aproximadamente la misma
ya que el ancho de banda de la onda es siempre
grande de 5HZ a 7.8 MHZ aproximadamente
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CONCLUSIONES

 En este laboratorio se pudo trabajar con el

transistor FET al cual primero se debían medir sus
parámetros internos (VTr e IDss) para así poder
desarrollar de manera teórica y hallar sus
características de polarización
 Se obtuvieron resultados, teóricos, simulados y
medidos con gran similitud entre ellos, lo que nos
confirma que se hizo una buena medición de los
parámetros y por tanto un buen laboratorio
 Las distintas configuraciones del transistor FET se
comportan de manera muy similar a las de los
transistores BJT con respecto a sus ganancias e
impedancias.
 Los capacitores en cada una de las
configuraciones de esta práctica lo único que
definían era la respuesta en frecuencia del circuito
y su ancho de banda.

RECOMENDACIONES

 Es importante chequear el datasheet de los

dispositivos para no sobrepasar las magnitudes
máximas que soporta el dispositivo y así poder
trabajar con confianza.

REFERENCIAS

[1] Prueba del transistor FET-MOSFET; Eduardo

Echeverry-www.kitelectronica.com/2016/01/prueba-
del-transistor-fet-mosfet.html

[2] configuraciones básicas con transistores, facultad

de ciencias exactas, ingeniería y agrimensura
(FCEIA-UNR), electrónica I, profesora María Isabel
Schiavon

[3] distorsión armoniaca; automatización,

productividad y calidad S.A de C.V 16 sur 2122 col.
Bellavista C.A 72500 puebla, pue, ingeniero Eugenio
Téllez Ramírez

[4] Fluke 418 medidor eléctrico-información general-

fluke www.fluke.com
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ANEXOS

Figura 1 Análisis del amplificador fuente común (polarización) parte A de la pregunta previa número 2

Figura 2 Cálculo de la Av, AI, ZI, ZO parte B de la pregunta previa número 2

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Figura 3 Análisis del amplificador drenaje común (polarización) parte A de la pregunta previa número 3

Figura 4 Cálculo de la Av, AI, ZI, ZO parte B de la pregunta previa número 3

Figura 5 Barrido en DC para I ,V en Orcad

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Figura 6 Medición de los parámetros del FET obteniendo IDSS=8.8 mA y VTR= -1.2V

Figura 7 Análisis del inversor de voltaje fuente común (punto de operación)

Figura 8 Implementando el circuito obtenemos las siguientes mediciones ID=0.4mA y VDS=15.09v

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Figura 9 Señal de salida en RL con ganancia de 4,24

Figura10 FL, FH , BW en Orcad

Figura 11 Análisis del seguidor de voltaje fuente drenaje común (punto de operación)
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MONTAJES