You are on page 1of 24

UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES

Facultad de ingenieria
Ingenieria Electromecanica

11 de marzo de 2017
Características
y Circuitos con
Diodos
Laboratorio de Electrónica I
LETN503

Estudiante: Univ. Lopez Cheker Ruddy Felix


Docente: Ing. Santiago Fernando Tito Rodríguez
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

Contenido
1. Objetivos ........................................................................................................................................... 2
1.1. Objetivo general ...................................................................................................................... 2
1.2. Objetivos específicos .............................................................................................................. 2
2. Lista de Materiales .......................................................................................................................... 2
3. Lista de Instrumentos....................................................................................................................... 2
4. Realización del Pre informe o Resolución de Circuitos ............................................................. 3
4.1. Características de polarización directa. .............................................................................. 3
4.1.1. Diodo en Polarización Directa (Circuito 1). .................................................................. 3
4.1.2. Diodo Zener en Polarización Inversa (Circuito 2) ......................................................... 5
4.2. Características de polarización inversa. .............................................................................. 8
4.2.1. Diodo en Polarización Inversa (Circuito 3) .................................................................... 9
4.2.2. Diodo Zener en Polarización Directa (Circuito 4) ...................................................... 10
4.3. Característica tensión-corriente (v-i) .................................................................................. 12
4.4. Recortador de onda ............................................................................................................. 13
4.5. Multiplicadores de tensión. .................................................................................................. 16
4.5.1. Doblador de Tensión. ..................................................................................................... 16
4.5.2. Cuadriplicador de Tensión. ........................................................................................... 17
5. Simulación ...................................................................................................................................... 18
5.1. Diodo polarización Directa. ................................................................................................. 18
5.2. Diodo Zener polarización Inversa. ....................................................................................... 19
5.3. Diodo polarización Inversa. .................................................................................................. 20
5.4. Diodo Zener polarización Directa. ...................................................................................... 21
5.5. Recortador de Onda. ........................................................................................................... 22
5.6. Doblador de Tensión. ............................................................................................................ 23
5.7. Cuadriplicador de Tensión. .................................................................................................. 23

pág. 1
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

Características y circuitos con diodos


1. Objetivos
1.1. Objetivo general
Analizar, diseñar e implementar circuitos con dispositivos de una juntura (diodo) y conocer su
comportamiento de diferentes circuitos.
1.2. Objetivos específicos
Los objetivos específicos que a continuación se señalan son para cada experimento.
a) Mostrar cómo se prueban diodos de Germanio y Silicio con el multímetro y verificar
en forma práctica que los diodos de propósito general tienen baja resistencia en polarización
directa.
b) Verificar en forma práctica que los diodos de propósito general tienen alta
resistencia en polarización inversa.
c) Realizar las medidas pertinentes para construir las curvas características de los diodos
de Germanio y Silicio, realizar observaciones en cuanto a las diferencias encontradas si es que
existen.
d) Mostrar que los Diodos trabajan como recortadores de tensión positiva y negativa y
demostrar cómo el diodo recortador altera la forma de onda de una señal aplicada al diodo.
e) Mostrar cómo construir circuitos recortadores de Tensión que introducen los
componentes de valor medio a las ondas sinusoidales y otras.
f) Verificar el funcionamiento de circuitos multiplicadores de Tensión requerido en
algunos casos en aplicaciones especiales.
Para el cumplimiento pleno de los objetivos trazados en esta práctica se puede realizar las
medidas de tensión. Corriente, riple y cualquier otro parámetro que considere sea de
importancia.

2. Lista de Materiales
 Diodo de Germanio (1N34) o similar.
 Diodo de Silicio rectificador (1N4007) o similar.
 Diodo Zener de 5.1 [V]/500 [mW] (1N751) o similar.
 Diodo Zener de 9.1 [V] (1N757) o similar, potencia del diodo de acuerdo al diseño.
 Lote de resistencias de todo valor: 330[ ]; 470[ ]; 1[K ]; 2.2 [K ]; 4.7 [K ]; 10 [K ] todos
de ½ [W]; 220 [ ] de 2 [W] y 470 [ ] de 1 [W].
 Potenciómetro de 1 [K ].
 Capacitores electrolíticos de 10 [ F]; 100 [ F]; 470 [ F]; 1000 [ F] todos para 35 [V] o
más.

3. Lista de Instrumentos
 Fuente de alimentación variable DC.
 Multímetro.
 Osciloscopio.
 Generador de Funciones.

pág. 2
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

4. Realización del Pre informe o Resolución de Circuitos


4.1. Características de polarización directa.
Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en Polarización Directa, para un
diodo de uso general y el funcionamiento de un circuito en Polarización Inversa, para un
diodo Zener, mostrado en las figuras 1 y 2 respectivamente. Indique que tipo de precauciones
prácticas se debe tener para no sobrepasar la máxima condición de operación de un diodo
semiconductor. Investigue las características eléctricas del diodo de uso general y del diodo
Zener a utilizar.

Circuito 1: Polarización Directa de un Diodo Circuito 2: Polarización Inversa de un Diodo Zener

4.1.1. Diodo en Polarización Directa (Circuito 1).


La condición de polarización directa, se establece aplicando el potencial positivo al material
tipo p y el potencial negativo al tipo n como se muestra en la Ilustración 1 y 2.

Ilustración 1

Ilustración 2

La aplicación de un potencial de polarización en directa 𝑉𝐷 “presionara” a los electrones en


el material tipo n y los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones
próximos al límite y reducirá el ancho de la región de empobrecimiento como se muestra en
la ilustración 1. El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo p al
material tipo n no cambia de magnitud, aunque la reducción del ancho de la región de
empobrecimiento produjo un intenso flujo de portadores mayoritarios a través de la unión. Un
electrón del material tipo p ahora ve una barrera reducida en la unión debido a la región de
empobrecimiento reducida y una fuerte atracción del potencial positivo aplicado al material

pág. 3
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

tipo p. En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el ancho de la


región de empobrecimiento continuara reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda
atravesar la unión, lo que produce un crecimiento exponencial de la corriente como se
muestra en la región de polarización en directa de las características de la ilustración 2.
Para el circuito 1:

Ilustración 3: Circuito Equivalente de la Ilustración 1

Donde:
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 = 𝑅𝑝 (1)
𝑅𝑎 = 𝑘1 ∙ 𝑅𝑝 (2)
𝑅𝑏 = 𝑘2 ∙ 𝑅𝑝 (3)
𝑘1 + 𝑘2 = 1 (4)
Aplicando la primera ley de Kirchhoff, de corriente en mallas, se tiene:
𝑉 = 𝑅𝑎 ∙ 𝐼1 + 𝑅𝑏 ∙ (𝐼1 − 𝐼𝐷 ) (5) Malla 𝐼1
0 = 𝑣𝐷 + 𝑅1 ∙ 𝐼𝐷 + 𝑅𝑏 ∙ (𝐼𝐷 − 𝐼1 ) (6) Malla 𝐼𝐷
De (5)
𝑉 + 𝑅𝑏 ∙ 𝐼𝐷 𝑉 + 𝑅𝑏 ∙ 𝐼𝐷
𝐼1 = = (5’)
𝑅𝑎 + 𝑅𝑏 𝑅𝑝
Remplazando la ecuación (5’) en (6):
𝑉 + 𝑅𝑏 ∙ 𝐼𝐷
0 = 𝑣𝐷 + 𝑅1 ∙ 𝐼𝐷 + 𝑅𝑏 ∙ (𝐼𝐷 − ) Operando y Despejando 𝐼𝐷
𝑅𝑝
𝑅𝑏
𝑅𝑝 ∙ 𝑉 − 𝑣𝐷
𝐼𝐷 =
𝑅 Remplazando (3) en la ecuación, se tiene
𝑅1 + 𝑏 ∙ (𝑅𝑝 − 𝑅𝑏 )
𝑅𝑝
𝑘2 ∙ 𝑉 − 𝑣𝐷 Como 𝑉 = 15[𝑉], 𝑅1 = 𝑅𝑝 = 1[𝐾𝑜ℎ𝑚]
𝐼𝐷 =
𝑅1 + 𝑅𝑝 ∙ (1 − 𝑘2 ) ∙ 𝑘2 𝑘1 = 1 − 𝑘2
15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝐷
𝐼𝐷 = (7)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
Pero también se tiene:
𝑣𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 ∙ 𝑒 𝑉𝑇 (8)
Donde para un diodo 1N4007, se tiene las siguientes características:
𝐼𝑠 ≈ 10[𝜇𝐴] y 𝑉𝑇 = 25 [𝑚𝑉] (9)
Remplazando la ecuación (8) y (9), en (7), se tiene:
𝑣𝐷 15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝐷
0 = 10 ∙ 10−6 ∙ 𝑒 25∙10−3 − (10)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )

pág. 4
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

Resolviendo numéricamente, tomando valores de 0 < 𝑘1 < 1 y 1 > 𝑘2 > 0:


𝒌𝟏 𝒌𝟐 𝒗𝑫 [𝐕] 𝑰𝑫 [𝒎𝑨]
1 0 0,000 7,43E-03
0,9 0,1 0,121 1,27
0,8 0,2 0,138 2,47
0,7 0,3 0,147 3,60
0,6 0,4 0,154 4,71
0,5 0,5 0,159 5,87
0,4 0,6 0,164 7,13
0,3 0,7 0,169 8,54
0,2 0,8 0,173 1,02
0,1 0,9 0,178 1,22
0 1 0,183 1,48
Tabla 1: Calculo teórico de 𝑉𝐷 y 𝐼𝐷

Graficando 𝐼𝐷 vs 𝑣𝐷 :
18.00

16.00

14.00

12.00
I_D [mA]

10.00

8.00

6.00

4.00

2.00

0.00
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2
V_D [V]

Ilustración 4: Grafica 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐷

4.1.2. Diodo Zener en Polarización Inversa (Circuito 2)


Los diodos Zener, o diodos de avalancha, son diodos semiconductores de unión pn cuyas
propiedades están controladas en las zonas de polarización inversa que los hacen muy útiles
en numerosas aplicación, especialmente como dispositivo de referencia de tensión. La
Ilustración 5 muestra una característica 𝑣𝑖.
El funcionamiento del circuito se puede explicar cualitativamente en términos de la
característica 𝑣𝑖 de la ilustración 5. Si la tensión de entrada aumenta, el diodo tiende a
mantener una tensión constante entre los terminales de la carga, de modo que la cauda de

pág. 5
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

tensión en 𝑟𝑖 aumenta. El incremento resultante de 𝐼𝑖 circula a través del diodo, mientras que
la corriente a través de la carga se mantiene constante.

Ilustración 5: Símbolo de circuito de diodo Zener y caracteristiva 𝑣𝑖

Para el circuito 2:

Ilustración 6: Circuito Equivalente de la Ilustración 2

El análisis de este circuito, es el mismo del anterior punto, entonces de la ecuación (7), se tiene:
15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝐷
𝐼𝐷 = (7)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
Pero Ahora se trata de un diodo Zener, entonces:
𝑣𝐷 = 𝑉𝑍 = 5.1 [𝑉]
𝐼𝐷 = 𝐼𝑍
15 ∙ 𝑘2 − 𝑉𝑍
𝐼𝑍 = (11)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
Variando los parámetros de la ecuación (11), podemos construir la siguiente tabla:
𝑽𝒁 = 𝟓. 𝟏 [𝑽]
𝒌𝟏 𝑘2 𝐼𝑧 [𝑚𝐴]
1 0 -5,100
0,9 0,1 -3,303
0,8 0,2 -1,810
0,7 0,3 -0,496
0,6 0,4 0,726
0,5 0,5 1,920
0,4 0,6 3,145
0,3 0,7 4,463

pág. 6
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

0,2 0,8 5,948


0,1 0,9 7,706
0 1 9,900
Tabla 2: Calculo Teórico de 𝐼𝑧

De la tabla los valores negativos, serán descartados, porque nuestro diodo Zener esta
polarizado inversamente, entonces para graficar 𝑉𝑧 vs 𝐼𝑍 tomaremos los valores positivos, pero
cambiados de signo debido a que se trabajara en el tercer cuadrante de nuestra gráfica.
Para completar esta grafica utilizaremos ahora la corriente inversa del diodo Zener de Valor
𝐼𝑠 = 𝐼𝑍 = 1[𝜇𝐴] para el Diodo 1N751, de la ecuación (11) despejamos 𝑉𝑧 :
15 ∙ 𝑘2 − 𝑉𝑍
𝐼𝑍 = (11)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
𝑉𝑍 = 15 ∙ 𝑘2 − 𝐼𝑍 ∙ 1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 ) (12)
Variando 𝑘1 y 𝑘2 , construimos la siguiente tabla:
𝑰𝒁 = 𝟏[𝝁𝑨]
𝒌𝟏 𝒌𝟐 𝑽𝒁 [𝑽]
1 0 0,00
0,9 0,1 1,50
0,8 0,2 3,00
0,7 0,3 4,50
0,6 0,4 6,00
0,5 0,5 7,50
0,4 0,6 9,00
0,3 0,7 10,50
0,2 0,8 12,00
0,1 0,9 13,50
0 1 15,00
Tabla 3: Calculo Teórico de 𝑉𝑍

De la tabla 3 se puede observar que Descartaremos de 𝑉𝑧 = 6𝑉 hacia adelante, porque


nuestro diodo solo varia hasta 5.1[𝑉] , entonces reconstruyendo las tablas 2 y 3, en una solo
tabla es:
𝒌𝟏 𝒌𝟐 𝑰𝒛 [𝒎𝑨] 𝑽𝒁 [𝑽]
1 0 -0,001 0,00
0,9 0,1 -0,001 -1,50
0,8 0,2 -0,001 -3,00
0,7 0,3 -0,001 -4,50
0,6 0,4 -0,726 -5,10
0,5 0,5 -1,920 -5,10
0,4 0,6 -3,145 -5,10
0,3 0,7 -4,463 -5,10
0,2 0,8 -5,948 -5,10
0,1 0,9 -7,706 -5,10
0 1 -9,900 -5,10
Tabla 4: Calculo Teórico de 𝑉𝑍 y 𝐼𝑧

pág. 7
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

Graficamos 𝐼𝑧 = 𝑓(𝑉𝑧 )
0.000
-6.00 -5.00 -4.00 -3.00 -2.00 -1.00 0.00 1.00

-2.000

-4.000
I_Z[mA]

-6.000

-8.000

-10.000

-12.000
V_Z[V]

Ilustración 7: Grafica 𝐼𝑍 vs 𝑉𝑍

4.2. Características de polarización inversa.


Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en polarización Inversa para el
Diodo de uso general en base a la figura 3 y el funcionamiento de un circuito en Polarización
Directa para un Diodo Zener en base a la figura 4. Indique que tipo de precauciones prácticas
se debe tener para no sobrepasar las características de operación eléctricas en estas
condiciones.

Circuito 3: Polarización Inversa de un Diodo Circuito 4: Polarización Directa de un Diodo Zener

pág. 8
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

4.2.1. Diodo en Polarización Inversa (Circuito 3)


En la ilustración 8 aparece un acumulador conectado en los terminales extremos de la unión
p-n. El terminal negativo de la batería se conecta al lado p de la unión, y el positivo al lado n.
la polaridad de la unión es tal que tiende a llevar los huecos del tipo p y los electrones del tipo
n a alejarse de la unión. En consecuencia, la región de densidad de cargas negativas se
extiende hacia la izquierda de la unión, y la región de la densidad de las cargas positivas se
desplaza hacia la derecha. No obstante, este proceso no puede continuar indefinidamente,
ya que para tener una fluencia de huecos hacia la izquierda, estos huecos deberían
alimentarse de la región tipo n del silicio, y hay muy pocos huecos en el lado n, por lo tanto,
en principio resultara una corriente cero. No obstante, fluye una pequeña corriente debido a
los pocos pares de electrón-huecos que se generan en el cristal como resultado de la energía
térmica. Los huecos así formados en el silicio de tipo n atraviesan la unión. Algo similar les
ocurres a los electrones generados térmicamente en el silicio del tipo p. esta pequeña
corriente es la corriente inversa de saturación del diodo y su valor se designa por 𝐼𝑠 . Esta
corriente inversa aumentara con el incremento de la temperatura y, por lo tanto, la resistencia
inversa de un diodo de cristal disminuye a medida que crece la temperatura. Partiendo del
argumento indicado aquí, se ve que 𝐼𝑠 es independiente de la tensión inversa aplicada.

Ilustración 8: (a) Unión p-n polarizada en sentido inverso, (b) Símbolo de rectificador empleado para un diodo p-n

Para el circuito 3:

Ilustración 9: Circuito Equivalente del circuito 3

El análisis de este circuito es el mismo que del primer punto, pero en este caso tenemos
conocida 𝐼𝑠 , entonces tememos de la ecuación (7):
15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝐷 Pero para el Diodo 1n4007 𝐼𝑆 = 𝐼𝐷 = 10[𝜇𝐴]
𝐼𝐷 =
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 ) En el tercer cuadrante de 𝑣𝑖
𝑣𝐷 = 15 ∙ 𝑘2 − 10 ∙ 10−6 ∙ 1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 ) (13)
Variamos los parámetros 𝑘1 y 𝑘2 , y construimos la siguiente tabla:

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = 𝟏𝟎[𝝁𝑨]

pág. 9
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

𝒌𝟏 𝒌𝟐 𝑽𝑫 [𝑽]
1 0 -0,0
0,9 0,1 -1,5
0,8 0,2 -3,0
0,7 0,3 -4,5
0,6 0,4 -6,0
0,5 0,5 -7,5
0,4 0,6 -9,0
0,3 0,7 -10,5
0,2 0,8 -12,0
0,1 0,9 -13,5
0 1 -15,0
Tabla 5: Calculo Teórico para un Diodo en Inversa

Graficamos 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝑍 ), tomando datos de la tabla 5:


0
-16.0 -14.0 -12.0 -10.0 -8.0 -6.0 -4.0 -2.0 0.0 2.0

-2

-4
I_D [uA]

-6

-8

-10

-12
V_D [V]

Ilustración 10: Grafica 𝑣𝐷 vs 𝐼𝐷

4.2.2. Diodo Zener en Polarización Directa (Circuito 4)


La polarización del diodo Zener es la conducción en el sentido de la corriente en este caso se
comportará como un diodo rectificador común cuando entre sus terminarles el voltaje se
mantiene constante.
Del para el circuito 4:

pág. 10
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

Ilustración 11: Circuito Equivalente del circuito 4.

De la ecuación (7) y ecuación (8):


15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝐷
𝐼𝐷 = (7)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
𝑣 𝐷
(8)
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 ∙ 𝑒 𝑉𝑇
Se conoce para el diodo Zener 1N751 𝐼𝑆 = 1[𝜇𝐴], igualando (7) y (8):
15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝑧 𝑣𝑧
− 𝐼𝑠 ∙ 𝑒 𝑉𝑇 = 0 Remplazando datos
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
15 ∙ 𝑘2 − 𝑣𝑧 𝑣𝑧
− (1 ∙ 10−6 ) ∙ 𝑒 25∙10−3 = 0 (14)
1𝑘 ∙ (1 + 𝑘1 ∙ 𝑘2 )
Resolviendo la ecuación (14), numéricamente y variando los parámetros 𝑘1 y 𝑘2 , se tiene la
siguiente tabla:
𝒌𝟏 𝑲𝟐 𝑽𝒛 [𝑽] 𝑰𝒛 [𝒎𝑨]
1 0 0,00 0,00
0,9 0,1 0,18 1,21
0,8 0,2 0,19 2,42
0,7 0,3 0,20 3,55
0,6 0,4 0,21 4,67
0,5 0,5 0,22 5,83
0,4 0,6 0,22 7,08
0,3 0,7 0,23 8,49
0,2 0,8 0,23 10,15
0,1 0,9 0,24 12,17
0 1 0,24 14,76
Tabla 6: Calculo teórico para un Diodo Zener en polarización Directa

Graficando 𝑣𝑧 vs 𝐼𝑧 :

pág. 11
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

16.00

14.00

12.00

10.00
I_Z [mA]

8.00

6.00

4.00

2.00

0.00
-0.05 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
V_Z [V]

Ilustración 12: Grafica 𝑣𝑧 vs 𝐼𝑧

4.3. Característica tensión-corriente (v-i)


Utilizando los circuitos indicados la figura 1 al 4 obtenga las características V-I para los
siguientes diodos: Germanio (1N34) o similar, Silicio (1N4007) o similar, Zener de 5.1 [V]/500[mW]
(1N751) o similar, Zener de 9.1[V] (1N757) o similar.
---
1N4007
Característica Símbolo Min Max Unidades Condiciones de Prueba
Voltaje Directo 𝑉𝐹 1,0 - 𝑉 𝐼𝐹 = 1,0 [𝐴]
5,0 - 𝑇𝐴 = 25 [°𝐶]
Corriente Inversa 𝐼𝑅 𝜇𝐴
50 - 𝑇𝐴 = 100 [°𝐶]
Voltaje Inversa RMS 𝑉𝑅 (𝑅𝑀𝑆) 700 - 𝑉
Voltaje de Bloqueo DC 𝑉𝑅 1000 - 𝑉
Capacitancia típica de unión 𝐶𝑖 8 - 𝜇𝐹
---
1N34A
Característica Símbolo Min Max Unidades Condiciones de Prueba
Voltaje Directo 𝐼𝐹 2,0 𝑚𝐴 𝑉𝐹 = 1,0 𝑉
Corriente Inversa 𝐼𝑅 100,0 𝜇𝐴 𝑉𝑅 = −10𝑉
Voltaje Inversa RMS 𝑉𝑅 (𝑅𝑀𝑆) 45 𝑉
Voltaje de Bloqueo DC 𝑉𝑅 20 𝑉
Capacitancia típica de unión 𝐶𝑖 1 𝑝𝐹 𝑓 = 1𝑀𝐻𝑧, 𝑉 = −1𝑉
---
Máxima Coeficiente Máxima
Corriente de fuga
Tipo Rango del Voltaje Zener Impedancia Típico de Corriente
Inversa Máxima
Zener Temperatura Regulada

pág. 12
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

𝑻𝑨 𝑻𝑨
𝑽𝒁 𝑰𝒁𝑻 𝒁𝒁𝑹 𝑰𝒁𝑴
%/°𝑪 = 𝟐𝟓°𝑪 = 𝟏𝟐𝟓°𝑪
𝑽 𝒎𝑨 𝒐𝒉𝒎 𝒖𝑨 𝒖𝑨 𝒎𝑨
1N751 5,1 20 17 -0,008 1 20 70
1N757 9,1 20 10 0,056 0,1 20 40

4.4. Recortador de onda


En el circuito 5, analizar la forma de onda de la tensión de salida 𝑉𝑂 , cuando la tensión de
entrada es una señal triangular simétrica de valor 10Vpp:
Datos:

Circuito 5: Recortador de Onda

Diodo Zener 𝑉𝑍 = 2[𝑉], el diodo 𝐷1 es ideal. 𝑉1 = 2[𝑉]; 𝑉2 = 3[𝑉], 𝑅1 = 𝑅2 = 1[𝑘𝛺]


Solución:
Para la solución del circuito 5, se analizara separadamente el semiciclo positivo y semiciclo
negativo.
6

2
t0 t2
Voltaje [V]

t3
0
0 t1 5 10 15 20 25

-2

-4

-6
Tiempo [ms]

Ilustración 13: Señal de entrada 𝑣𝑖

Para el semiciclo positivo, analizamos el punto para 𝑣𝑖 (𝑡0 ) = 0[𝑉], nuestro circuito será:

pág. 13
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

Ilustración 14: Circuito equivalente para 𝑡0

Podemos reescribir el circuito de la ilustración 14 de la forma:

Ilustración 15: Circuito reescrito

Del circuito de la ilustración 15, aplicando 2° ley de Kirchhoff:


𝑉𝑧 + 𝑉𝛾 = 𝑣0 Pero 𝑉𝑧 = 2[𝑉] y 𝑉𝛾 = 0.7 [𝑉]
𝑣0 = 2 + 0.7 = 2.7[𝑉]
𝑣0 (𝑡0 ) = 2.7 [𝑉]

Analizamos para 𝑣𝑖 (𝑡1 ) = 5[𝑉], se tiene el siguiente circuito:

Ilustración 16: Circuito equivalente para 𝑡1

Del circuito de la Ilustración 16, se ve que el borne 𝑣0 y el borne 𝑉2+ son iguales, entonces se
tiene:
𝑣0 = 3[𝑉]
𝑣0 (𝑡1 ) = 3[𝑉]
En 𝑣𝑖 2 = 0, tendremos el mismo caso de cuando 𝑣𝑖 (𝑡0 ) = 0[𝑉], entonces:
(𝑡 )
𝑉𝑧 + 𝑉𝛾 = 𝑣0 Pero 𝑉𝑧 = 2[𝑉] y 𝑉𝛾 = 0.7 [𝑉]
𝑣0 = 2 + 0.7 = 2.7[𝑉]
𝑣0 (𝑡2 ) = 2.7 [𝑉]
Para el semiciclo negativo, analizamos el punto para 𝑣𝑖 (𝑡3 ) = −5[𝑉], nuestro circuito será:

pág. 14
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

Ilustración 17: circuito equivalente para vi (t 3 ) = −5[V]

Podemos reescribir el circuito de la Ilustración 17, de la forma:

Ilustración 18: Circuito reescrito

Del circuito de la ilustración 16:


𝑣0 + 𝑣𝑖 = 𝑣𝛾 + 𝑣𝑧 Pero 𝑉𝑧 = 2[𝑉], 𝑣𝑖 = 5[𝑉] y 𝑣𝛾 = 0.7[𝑉]
𝑣𝑜 + 5 = 2 + 0.7
𝑣0 = −2.3[𝑉]
𝑣0 (𝑡3 ) = −2.3[𝑉]

Ahora con todos nuestros puntos hallados podemos, construir la grafica 𝑣0 = 𝑓(𝑡):
6

2
Voltaje [V]

0
t3 Entrada vi
0 2 t1 4 t2 6 8 10 12 Salida v0
-2
t0

-4

-6
Tiempo [ms]

Ilustración 19: 𝑣0 = 𝑓(𝑡)

pág. 15
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

4.5. Multiplicadores de tensión.


Diseñe e implemente un circuito que permita obtener a la salida:
a. Una señal igual al doble de la tensión de entrada.
b. Una señal igual al cuádruple de la tensión de entrada.
Nota.- Considerar la señal de entrada una onda alterna cuadrada de 5 𝑉𝑝𝑝 . Explicar su
funcionamiento al detalle y efectuar los cálculos respectivos.
4.5.1. Doblador de Tensión.

Ilustración 20: Circuito Doblador de Tensión

El circuito de la Ilustración 20 es un doblador de voltaje de media onda. Durante el medio


ciclo de voltaje positivo a través del transformador, el diodo del secundario 𝐷1 conduce,
cargando el capacitador 𝐶1 hasta el voltaje pico rectificado 𝑉𝑚 . El diodo 𝐷1 es idealmente un
circuito cerrada durante este medio ciclo, y el voltaje de entrada carga al capacitor 𝐶1 hasta
𝑉𝑚 con la polaridad mostrada en la Ilustración 21. Durante el medio ciclo negativo del voltaje
del segundario, el diodo 𝐷1 está en corte y el diodo 𝐷2 conduce carga al capacitor 𝐶2 . Dado
que el diodo 𝐷2 actúa como un corto circuito durante el medio ciclo negativo, pueden
sumarse los voltajes alrededor del lazo externo (ilustración 22).

Ilustración 21: Medio Ciclo positivo Ilustración 22: Medio ciclo negativo

−𝑉𝐶2 + 𝑉𝐶1 + 𝑣𝑚 = 0
−𝑉𝐶2 + 𝑣𝑚 + 𝑣𝑚 = 0
En el siguiente medio ciclo positivo, el diodo 𝐷2 no está conduciendo y el capacitor 𝐶2 se
descargara a través de la carga. Si ninguna carga está conectada a través del capacitor 𝐶2 ,
ambos capacitores permanecen cargador 𝐶1 a 𝑣𝑚 y 𝐶2 a 2𝑣𝑚 durante el medio ciclo
negativo. La forma de onda de la salida a través del capacitor 𝐶2 es la de una señal de media
onda filtrada por un filtro capacitor. El voltaje pico inverso a través de cada diodo es de 2𝑣𝑚 .

pág. 16
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

4.5.2. Cuadriplicador de Tensión.

Ilustración 23: Circuito Cuadriplicador de Tensión.

La Ilustración 23 muestra una extensión del doblador de voltaje de media onda, el que
desarrolla tres y cuatro veces el voltaje pico de entrada. Resultará obvio para el patrón de la
conexión del circuito la forma en que los diodos y capacitores adicionales se pueden
conectar de tal forma que el voltaje de salida puede ser de cinco, seis, siete, y así
sucesivamente, veces el voltaje pico básico 𝑣𝑚 .
Durante la operación el capacitor 𝐶1 se carga a través del diodo 𝐷1 aun voltaje pico 𝑣𝑚 ,
durante el medio ciclo positivo del voltaje pico 2𝑣𝑚 desarrollado por la suma de los voltajes a
través del capacitor 𝐶1 y el transformador, durante el medio ciclo negativo del voltaje del
secundario del transformador.
Durante el medio ciclo positivo, el diodo 𝐷3 conduce y el voltaje a través del capacitor 𝐶2
carga al capacitor 𝐶3 al mismo voltaje pico de 2𝑣𝑚 . En el medio ciclo negativo, los diodos 𝐷2
y 𝐷4 conducen con el capacitor 𝐶3 , cargando 𝐶4 a 2𝑣𝑚 .
El voltaje a través del capacitor 𝐶2 es 2𝑣𝑚 , a través de 𝐶1 y 𝐶3 es de 3𝑣𝑚 , y a través de 𝐶2 y 𝐶4
es de 4𝑣𝑚 . Si se utiliza secciones adicionales de diodo y capacitor, cada capacitor será
cargado con 2𝑉𝑚 . La medición desde la parte superior del devanado del transformador
(Ilustración 23) ofrecerá múltiplos nones de 𝑣𝑚 en la salida, mientras que si la medición es
desde la parte inferior del transformador el voltaje de salida ofrecerá múltiplos pares del
voltaje pico 𝑉𝑚 .

pág. 17
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

5. Simulación
5.1. Diodo polarización Directa.

𝑰𝑫 [𝒎𝑨] 𝑽𝑫 [𝑽]
14,3 0,70
11,7 0,69
9,75 0,69
8,12 0,68
6,72 0,67
5,47 0,66
4,32 0,65
3,19 0,64
2,06 0,62
0,85 0,58
0 0,00

16

14

12

10
I_D [mA]

0
0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80
VD[V]

pág. 18
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

5.2. Diodo Zener polarización Inversa.

𝑰𝒛 [𝒎𝑨] 𝑽𝒛 [𝑽]
-9,87 -5,13
-7,69 -5,11
-5,95 -5,10
-4,48 -5,08
-3,17 -5,07
-1,96 -5,05
-0,79 -5,02
-0,00005 -4,50
-0,00004 -3,00
-0,00002 -1,50
0 0,00

0
-6.00 -5.00 -4.00 -3.00 -2.00 -1.00 0.00

-2

-4
Iz[mA]

-6

-8

-10

-12
Vz [V]

pág. 19
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

5.3. Diodo polarización Inversa.

𝑰𝑫 [𝝁𝑨] 𝑽𝑫 [𝑽]
0,15 -15,00
0,14 -13,50
0,12 -12,00
0,11 -10,50
0,09 -9,00
0,07 -7,50
0,06 -6,00
0,04 -4,50
0,03 -3,00
0,01 -1,50

0.00
-16.00 -14.00 -12.00 -10.00 -8.00 -6.00 -4.00 -2.00 0.00
-0.02

-0.04

-0.06
I_D[uA]

-0.08

-0.10

-0.12

-0.14

-0.16
V_D[V]

pág. 20
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

5.4. Diodo Zener polarización Directa.

𝑰𝒛 [𝒎𝑨] 𝑽𝒛 [𝑽]
14,6 0,44
12,0 0,42
10,0 0,41
8,4 0,39
7,0 0,38
5,7 0,37
4,6 0,36
3,4 0,35
2,3 0,33
1,1 0,31

16.0

14.0

12.0

10.0
I_z [mA]

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
V_z[V]

pág. 21
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

5.5. Recortador de Onda.

pág. 22
Características y Circuitos con Diodos |Laboratorio de Electrónica I LETN503

5.6. Doblador de Tensión.

5.7. Cuadriplicador de Tensión.

pág. 23