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UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIÁS

ESCOLA DE ENGENHARIA ELÉTRICA,


MECÂNICA E DE COMPUTAÇÃO

APOSTILA DA DISCIPLINA
MATERIAIS ELÉTRICOS
VERSÃO 2015_2

Ementa: propriedades e conceitos básicos de interesse; estudo dos materiais e


dispositivos condutores, semicondutores, isolantes e magnéticos.

Prof. Dr. Gelson Antônio Andrêa Brigatto


BIBLIOGRAFIA

 Básica:
1. SCHIMIDT, Walfredo. Materiais Elétricos, Vols. I e II, Edgard Blücher, São Paulo, 1979.
2. SHACKELFORD, James F. Ciência dos Materiais, 6º Edição, Prentice-Hall, 2008.
3. CALLISTER, William D. Fundamentos da Ciência e Engenharia de Materiais, 2a Ed., Editora LTC, 2006.
4. SEDRA, Adel S., Microeletrônica, 5o Edição, Makron Books, 2007.
 Complementar:
1. SARAIVA, Delcyr B. Materiais Elétricos, Editora Guanabara Dois, Rio de Janeiro, 1983.
2. BOYLESTAD, Robert, NASHELSKY, Louis, Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 6º Edição,
Prentice-Hall do Brasil Ltda, 1998.
3. HALLIDAY, D., RESNICK, R., Física, 4º Edição, Livros Técnicos e Científicos, .
4. MILLMAN, Jacob; Grabel, Arvin. Microeletrônica, Vol. I, Editora McGraw Hill, 1991.
5. COTRIM, Ademaro, Instalações Elétricas, 4º Edição, Prentice-Hall, 2003

ÍNDICE

CAPÍTULO 1: Tópicos introdutórios ...............................................................................................................................1


1.1) Propriedades de interesse dos materiais ................................................................................................................1
1.1.1) Propriedades elétricas.....................................................................................................................................1
1.1.2) Propriedades magnéticas ................................................................................................................................1
1.1.3) Propriedade físicas .........................................................................................................................................1
1.1.3.1) Estado físico ............................................................................................................................................1
1.1.3.2) Massa específica......................................................................................................................................2
1.1.4) Propriedades mecânicas..................................................................................................................................3
1.1.4.1) Resistência mecânica...............................................................................................................................3
1.1.4.2) Elasticidade .............................................................................................................................................3
1.1.4.3) Outras propriedades mecânicas de interesse ...........................................................................................4
1.1.5) Propriedades térmicas.....................................................................................................................................4
1.1.5.1) Dilatação térmica.....................................................................................................................................4
1.1.5.2) Condutividade térmica.............................................................................................................................5
1.1.5.3) Calor específico.......................................................................................................................................6
1.1.6) Propriedades químicas....................................................................................................................................7
1.1.7) Fator custo dos materiais ................................................................................................................................7
1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumínio ................................................................................................8
1.2) Modelo da matéria por bandas de energia.............................................................................................................9
1.2.1) Níveis de energia estacionários ......................................................................................................................9
1.2.2) Bandas de energia e classificação elétrica dos materiais..............................................................................11
1.3) Tópicos complementares.....................................................................................................................................12
1.3.1) Pilhas e baterias ............................................................................................................................................12
1.3.2) Lâmpadas......................................................................................................................................................13
1.3.3) Fibra ótica.....................................................................................................................................................15
1.3.4) Laser .............................................................................................................................................................16
1.3.5) Célula combustível a hidrogênio ..................................................................................................................17
1.4) Exercícios propostos............................................................................................................................................17
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores .......................................................................................................19
2.1) Fenômeno da condução elétrica ..........................................................................................................................19
2.1.1) Condutividade e resistência elétricas............................................................................................................19
2.1.2) Fatores que influenciam na resistência elétrica ............................................................................................21
2.1.2.1) Grau de impureza e imperfeições no material .......................................................................................21
2.1.2.2) Temperatura...........................................................................................................................................21
2.1.2.3) Efeito pelicular ......................................................................................................................................23
2.2) Materiais e dispositivos condutores.....................................................................................................................24
2.2.1) Os metais e suas características....................................................................................................................24
2.2.2) Ligas metálicas .............................................................................................................................................26
2.2.3) Carvão para fins elétricos .............................................................................................................................28
2.2.4) Conexões elétricas........................................................................................................................................28

II
2.2.5) Condutores elétricos .....................................................................................................................................29
2.2.6) Resistores e resistências ...............................................................................................................................30
2.2.7) Bimetais........................................................................................................................................................32
2.3) Tópicos complementares.....................................................................................................................................33
2.3.1) Termoeletricidade.........................................................................................................................................33
2.3.2) Supercondutividade ......................................................................................................................................34
2.4) Exercícios propostos............................................................................................................................................35
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes...........................................................................................................37
3.1) Propriedades e fenômenos...................................................................................................................................37
3.1.1) Rigidez dielétrica..........................................................................................................................................37
3.1.2) Polarização dielétrica ...................................................................................................................................37
3.1.3) Permissividade dielétrica..............................................................................................................................38
3.1.4) Capacitância .................................................................................................................................................39
3.1.5) Perdas, fator de perdas e efeito Corona ........................................................................................................39
3.2) Materiais e dispositivos isolantes ........................................................................................................................41
3.2.1) Materiais isolantes e dielétricos....................................................................................................................41
3.2.2) Isolamentos e isoladores...............................................................................................................................41
3.2.3) Capacitores ...................................................................................................................................................43
3.2.4) Eletretos e piezoeletricidade.........................................................................................................................44
3.3) Exercícios propostos............................................................................................................................................45
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos ......................................................................................................46
4.1) Fenômenenos magnéticos....................................................................................................................................46
4.1.1) Polarização magnética ..................................................................................................................................46
4.1.2) Permeabilidade magnética e classificação dos materiais .............................................................................47
4.1.3) Magnetização................................................................................................................................................47
4.1.4) Efeitos indução eletromagnética e indutância ..............................................................................................49
4.2) Materiais e dispositivos magnéticos....................................................................................................................50
4.2.1) Materiais e ligas ferromagnéticas.................................................................................................................50
4.2.2) Bobinas magnéticas......................................................................................................................................51
4.2.3) Máquinas elétricas........................................................................................................................................53
4.2.4) Relés eletromecânicos e transdutores ...........................................................................................................55
4.3) Exercícios propostos............................................................................................................................................56
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores.................................................................................................57
5.1) Semicondutor intrínseco......................................................................................................................................57
5.1.1) Fenômenos de transporte..............................................................................................................................57
5.1.2) Componentes semicondutores puros ............................................................................................................59
5.2) Semicondutor extrínseco ....................................................................................................................................60
5.2.1) Dopagem e classificação ..............................................................................................................................61
5.2.2) Condutividade e densidade de corrente de condução...................................................................................61
5.2.3) Efeito Hall ....................................................................................................................................................63
5.3) Junção PN...........................................................................................................................................................64
5.3.1) Corrente de difusão e densidade de corrente total........................................................................................64
5.3.2) Cristal PN, camada de depleção e barreira de potencial...............................................................................65
5.3.3) Modos de polarização...................................................................................................................................67
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN - I: diodos......................................................................................................69
6.1) Aspectos gerais....................................................................................................................................................69
6.1.1) Símbolos, convenções e especificações máximas ........................................................................................69
6.1.2) Característica corrente-tensão ......................................................................................................................70
6.2) Análise de circuitos com diodos..........................................................................................................................71
6.2.1) Conceito de reta de carga .............................................................................................................................72
6.2.2) Modelos esquemáticos do diodo para grandes sinais ...................................................................................73
6.2.3) Análise CC ...................................................................................................................................................74
6.2.4) Análise CA ...................................................................................................................................................76
6.2.4.1) Retificadores com diodos ......................................................................................................................78
6.2.4.2) Ceifadores com diodos ..........................................................................................................................81
6.2.5) Modelos do diodo para pequenos sinais e altas frequências.........................................................................85
6.2.5.1) Resistência incremental .........................................................................................................................85
6.2.5.2) Capacitância de difusão ou de armazenamento.....................................................................................86
6.2.5.3) Tempo de recuperação reversa ..............................................................................................................87
6.3) Cristais PN de finalidade específica....................................................................................................................88
6.3.1) Diodo zener ..................................................................................................................................................88

III
6.3.1.1) Regulador de tensão com zener .............................................................................................................90
6.3.2) Componentes optoeletrônicos ......................................................................................................................92
6.3.2.1) Diodos emissores de luz ........................................................................................................................92
6.3.2.2) Fotodiodo e célula solar.........................................................................................................................93
6.3.2.3) Optoacopladores....................................................................................................................................95
6.3.3) Diodo Schottky.............................................................................................................................................95
6.3.4) Varicap .........................................................................................................................................................95
6.3.5) Varistores......................................................................................................................................................96
6.4) Exercícios propostos............................................................................................................................................96
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN - II: TBJ ........................................................................................................99
7.1) Aspectos gerais....................................................................................................................................................99
7.2) Modos de operação do TBJ ...............................................................................................................................101
7.3) Configurações do TBJ .......................................................................................................................................102
7.3.1) Efeito Early.................................................................................................................................................103
7.3.2) Configuração base-comum (BC) ................................................................................................................103
7.3.3) Configuração emissor-comum (EC)...........................................................................................................105
7.3.4) Configuração coletor comum (CC) ............................................................................................................106
7.4) Análise CC de circuitos com TBJ .....................................................................................................................106
7.4.1) Linhas de alimentação ................................................................................................................................106
7.4.2) Reta de carga ..............................................................................................................................................107
7.4.3) Modelos esquemáticos do TBJ...................................................................................................................108
7.4.4) Metodologia da análise CC ........................................................................................................................110
7.4.5) Aplicações básicas do TBJ .........................................................................................................................113
7.5) Tópico complementar: fototransistor ................................................................................................................116
7.6) Exercícios propostos..........................................................................................................................................117
Apêndice: respostas de alguns exercícios propostos................................................................................................... 120

PREFÁCIO

O ramo da Engenharia Elétrica espelha uma permanente seqüência de desenvolvimentos e descobertas


científicas na área de materiais e componentes, gerando a surpreendente evolução no campo dos métodos e
processos produtivos e de automatização que se apresenta ao mundo nos dias atuais. A evolução da Física
macroscópica e microscópica, aliada à capacidade técnica do engenheiro-pesquisador, tem possibilitado aos
centros de pesquisa uma avaliação mais precisa das propriedades dos materiais, ao determinar as condições
de variação com os parâmetros do meio e definir para estes um amplo espectro de contornos e aplicações.
Não raro, o Engenheiro do ramo elétrotécnico é solicitado para cooperar com profissionais de outras
especialidades no estabelecimento de especificações ou características desejáveis a um certo material ou
sistema a ser utilizado em novos equipamentos. Para que este objetivo seja satisfatoriamente alcançado,
torna-se imprescindível a habilidade técnica e profissional aliada a um conhecimento mais abrangente sobre
as leis e fenômenos físicos, estruturas físico-químicas da matéria e propriedades, para se obter a adequada
especificação nas diversas aplicabilidades encontradas para os materiais em Eletrotécnica.
Materiais Elétricos é uma das disciplinas do núcleo específico do curso de Engenharia Elétrica, por
abordar uma teoria básica para disciplinas como Instalações Elétricas, Máquinas Elétricas, Transformadores
e Eletrônica, dentre outras. Seu conteúdo visa a análise das propriedades e fenômenos dos materiais de que
são constituídos os equipamentos e componentes eletro-eletrônicos, e deve possibilitar ao aluno “raciocinar”
em termos de matérias primas para proceder sua adaptação a novas condições de projeto e serviço, ou ainda
para eventualmente concluir sobre sua substituição por outros materiais mais adequados, conferindo então
ao aluno maiores conhecimentos para melhor atuar em sua atividade como engenheiro eletrotécnico.
Assim, Materiais Elétricos constitui-se em uma disciplina básica para a adequada compreensão dos
diversos equipamentos e componentes que serão estudados posteriormente no curso de Engenharia Elétrica.

IV
CAPÍTULO 1: TÓPICOS INTRODUTÓRIOS
O escopo deste primeiro capítulo consiste em um breve estudo sobre alguns princípios gerais que governam as
propriedades e fenômenos dos diversos materiais normalmente empregados no campo da Eletrotécnia, bem como
introduzir conceitos sobre modelos de estrutura atômica para melhor entendimento de alguns fenômenos físicos.

1.1) PROPRIEDADES DE INTERESSE DOS MATERIAIS

Um material raramente atende a todos os requisitos técnicos necessários ao desenvolvimento de um projeto e as


escolhas devem então recair naqueles com características mais vantajosas para a obtenção de um bom produto final.
Assim, a escolha dos materiais a serem empregados para uma determinada aplicação é normalmente justificada pelas
diversas propriedades de interesse que apresentam, tais como elétricas, magnéticas, físicas, mecânicas, térmicas e
químicas, além do seu custo, que devem ser consideradas para proceder-se a uma análise criteriosa de quais utilizar ou
quais substituir. Um texto introdutório às propriedades de interesse em Eletrotécnica é então visto a seguir.

1.1.1) PROPRIEDADES ELÉTRICAS

Quando submetidos a campos elétricos, os materiais desempenham determinados comportamentos que definem
suas propriedades elétricas e os classificam dentro das três classes caracterizados por estes desempenhos: condutores,
semicondutores e isolantes. Em Eletrotécnica, as propriedades elétricas de maior interesse são:
 Condutividade elétrica: quantifica a maior ou menor disponibilidade do material em permitir um fluxo ordenado
de cargas livres por seu meio (a chamada corrente elétrica), quando este é submetido a uma diferença de potencial
(a chamada tensão elétrica). Esta quantificação pode ser também descrita pela a oposição a este fluxo, denominada
resistividade, ou seja, o inverso da condutividade. Estas propriedades serão mais detidamente vistas no Capítulo 2.
A condutividade está diretamente relacionada com a perda de energia no material na forma de calor, conhecido
como Efeito Joule, que decorre do choque entre elétrons em movimento com elétrons estacionários no material,
sendo seu conhecimento essencial para aplicações onde exige-se um transporte de energia com mínimas perdas.
Desse modo, estas propriedades são de maior interesse no estudo dos materiais ditos condutores e semicondutores.
 Permissividade dielétrica: é a propriedade que descreve e quantifica o quanto a estrutura atômica de um material
dito isolante elétrico, se polariza em oposição ao adensamento de um campo elétrico externo aplicado, ou seja, a
capacidade de polarização do material. Esta propriedade será mais detidamente estudada no Capítulo 3.
 Rigidez dielétrica: é a propriedade que expressa o limite máximo de diferença de potencial elétrico (tensão) por
unidade de espessura, que um material isolante elétrico pode suportar sem ter sua estrutura física rompida, ou seja,
a capacidade de isolação elétrica do material. Esta propriedade será mais detidamente estudada no Capítulo 3.

1.1.2) PROPRIEDADES MAGNÉTICAS

Quando submetidos a fluxos de campo magnético, os materiais desempenham determinados comportamentos


que definem suas propriedades magnéticas. Em Eletrotécnica, as propriedades de maior interesse são definidas por:
 Permeabilidade magnética: quantifica o grau de polarização do material na direção do campo aplicado, fenômeno
conhecido como magnetização. Certos materiais exibem ainda um limite para esta polarização, chamado saturação.
 Retentividade: quantifica a capacidade do material em manter um magnetismo residual com a retirada do campo.
Além disso, os materiais podem exibir certa capacidade de produzir forças eletromotrizes em sua estrutura,
quando submetidos a fluxos magnéticos variantes no tempo, efeito este denominado indução eletromagnética.
Estes assuntos serão mais detidamente estudados no Capítulo 4.

1.1.3) PROPRIEDADE FÍSICAS

As propriedades físicas estão relacionadas aos arranjados dos átomos constituintes da estrutura cristalina dos
materiais, sendo o estado físico e a massa específica as de maior interesse em aplicações eletrotécnicas.

1.1.3.1) Estado físico

O estado físico é definido pela distância guardada entre si pelos átomos de um material, classificando-os como:
 Sólidos: são formados por átomos ou moléculas que permanecem muito próximos entre si e não se movimentam,
apenas vibram em torno de uma posição de equilíbrio, adquirindo, desse modo, forma própria e volume constante.
De acordo com a distribuição espacial de seus átomos, moléculas ou íons, os sólidos podem ser classificados em:
1
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

• Arranjos cristalinos: nestes a distribuição ocorre em uma forma


geométrica bem definida, denominada célula, que se repete em
todas as dimensões, constituindo-se na chamada rede cristalina.
As distribuições mais comuns são: sistema cúbico (Figura 1.1),
compreendendo o tipo simples (silício e germânio, etc.), de face
centrada (cobre, alumínio, prata ouro, níquel, etc.) e de corpo
centrado (ferro, tungstênio, cromo, etc.); sistema hexagonal
(zinco, magnésio, cádmio, etc.); e tetragonal (estanho, etc.).
• Arranjos amorfos: nestes a distribuição dos átomos não tem uma (a) (b) (c)
ordenação em suas dimensões. Exemplos: carvão e grafita.
Os sólidos são os materiais de maior aplicação em Eletrotécnica, Figura 1.1: Sistemas cúbicos: (a) simples;
empregados na construção de equipamentos eletro-eletrônicos (fios, (b) corpo centrado, (c) face centrada.
cabos, chaves, capacitores, isoladores, máquinas elétricas, circuitos integrados, etc.), estruturas de suporte, etc.
 Líquidos: são formados por moléculas mais afastadas que nos sólidos e com liberdade de se movimentarem, não
guardando então posição entre si. Apresentam porisso volume constante mas não forma própria. Como exemplos
de materiais líquidos empregados em aplicações eletrotécnicas tem-se soluções eletrolíticas em pilhas e baterias,
óleos isolantes elétricos em transformadores e chaves, além de tintas, esmaltes e vernizes.
 Gasosos: são materiais formados por átomos, moléculas ou íons (plasma) que permanecem mais afastados entre si
que nos sólidos e líquidos e estão sempre em movimento, não apresentando então forma ou volume constante. Em
aplicações eletrotécnicas são principalmente gases e vapores em lâmpadas (argônio, vapor de sódio e mercúrio,
neon etc.) e como meio isolante entre fios e cabos (ar) e em disjuntores de potência e cabos subterrâneos (gás SF6).

Observação: as ligações químicas são uniões estabelecidas entre átomos de acordo com a teoria do octeto (os átomos
alcançam a estabilidade quando adquirem oito elétrons na última camada, salvo exceções), de forma a constituírem
moléculas, que são a estrutura básica das substâncias. As ligações químicas ocorrem basicamente de três formas:
 Ligação iônica: tipo baseada na atração eletrostática entre dois íons com cargas opostas, por meio da doação e
recepção de elétrons. A ligação iônica é formada por um metal, que possui grande eletropositividade (tendência a
doar elétrons devido à sua baixa energia de ionização), formando um íon positivo ou cátion, e um ametal, que tem
grande eletronegatividade (tendência a ganhar elétrons), formando um íon negativo ou ânion. Sendo assim, os íons
formados, cátion e ânion, se atraem devido à força eletrostática e formam a ligação iônica. Os compostos iônicos
(sais e bases) são sólidos nas condições ambientes e conduzem corrente elétrica quando dissolvidos ou fundidos.
 Ligação covalente ou molecular: ocorre entre átomos que possuem a tendência de realizar o compartilhamento de
elétrons em sua camada de valência, não havendo a formação de íons, pois as estruturas cristalinas formadas são
eletronicamente neutras. Compostos moleculares podem ser encontrados nos três estados físicos (exemplos: silício,
germânio, diamante, cerâmicas, polímeros, água, oxigênio gasoso, etc.) e não conduzem eletricidade quando puros.
 Ligação metálica: ocorre entre átomos constituintes de um metal. Por ter grande tendência a perder elétrons e
transformar-se em cátions, os elétrons das últimas camadas de um metal saltam de seus átomos, criando íons, e
passam a se movimentar livremente por entre estes íons, sendo no entanto simultaneamente atraídos pelos mesmos,
o que origina uma grande força de atração entre os átomos do material. A disposição resultante se compõe de um
retículo cristalino eletricamente neutro, formado por íons positivos e uma “nuvem” de elétrons em sua volta.

1.1.3.2) Massa específica

A propriedade que descreve a quantidade de massa m de um material necessária para ocupar um determinado
volume V amostral do material é denominada massa específica γ (unidade usual: g/cm3), sendo então definida por:
m
γ= (1.1)
V
Como exemplo de aplicação de interesse nesta propriedade tem-se os cabos elétricos de redes aéreas, cujo peso
está diretamente relacionado com as solicitações mecânicas transferidas às estruturas destinadas ao seu apoio (postes,
torres, cruzetas, isoladores, etc.). Desse modo, materiais de baixa massa específica são desejáveis para a construção
destes cabos, pois acarretam em estruturas de suporte menores e menos robustas, representando então economia de
material e, portanto, de custos. A Tabela 1.1 a seguir apresenta a massa específica de alguns materiais de interesse.

Tabela 1.1: Massa específica de alguns materiais à temperatura ambiente (20 oC).
Material γ (g/cm3) Material γ (g/cm3) Material γ (g/cm3) Material γ (g/cm3)
óleo de transformador 0,86 alumínio 2,70 manganina (Cu+Mn) 8,4 mercúrio 13,6
água 1,00 zinco 7,14 cobre 8,9 tungstênio 19,0
carbono e grafita 2,10 estanho 7,28 prata 10,5 ouro 19,3
porcelana 2,39 ferro e aço 7,86 chumbo 11,9 platina 21,4

2
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

1.1.4) PROPRIEDADES MECÂNICAS

As propriedades mecânicas estão relacionadas à capacidade de um material em resistir ou de ser moldado por
esforços mecânicos a ele aplicados. Algumas destas propriedades de interesse em Eletrotécnica são vistas a seguir.

1.1.4.1) Resistência mecânica

A tensão mecânica (σ) aplicada em um corpo de teste de um material qualquer é a grandeza definida por:
σ = F (1.2)
A
onde F é a força de tração ou compressão aplicada à área A do corpo transversal à força (unidade usual: N/mm2).
A propriedade resistência mecânica dos materiais é uma medida de capacidade destes de oferecer oposição
quando submetidos a esforços, definida como razão entre a força limite de tração ou compressão aplicada ao material
pela área transversal à força aplicada, ou seja, corresponde à tensão mecânica máxima suportada pelo material.
As resistências à tração e compressão apresentam valores semelhantes na maioria dos materiais, com exceção
para aqueles de comportamento mecânico mais quebradiço, onde a resistência
à compressão é bastante inferior. A Tabela 1.2 apresenta a resistência à tração cabo elétrico
(σt ) para alguns materiais de interesse em Eletrotécnica. poste
Assim, em determinadas aplicações devem ser determinados os limites
cruzeta
de tensão mecânica dos materiais a serem empregados, tal que os esforços a
parafuso
que estarão submetidos não ultrapassem os limites máximos e comprometa a
integridade física da estrutura. Como exemplos de aplicações com interesse
barra de estai isolador
nesta propriedade pode-se citar: cabos aéreos (seu próprio peso o submete a apoio
esforços de tração), estruturas de suporte (isoladores, cruzetas, postes e torres braçadeira
de transmissão, etc.), conexões (buchas, braçadeiras, terminais, etc.), confi-
namento de equipamentos e componentes elétricos (gabinetes, carcaças de Figura 1.2: Exemplo de elementos
motores e de transformadores, etc.) e estaiamento (ancoramento por cabos de submetidos a esforços mecânicos.
estruturas como postes e torres, para prover estabilidade e equilíbrio).

Tabela 1.2: Resistência à tração de alguns materiais.


Material σt (N/mm ) 2
Material σt (N/mm2) Material σt (N/mm2)
concreto 2,07 latão (Cu+Zn) 330 manganina (Cu+Mn) 420
alumínio 91 ferro batido 345 Constantan (Cu+Ni) 460
cobre 220 aço estrutural 413 ferro fundido 620

1.1.4.2) Elasticidade

Todo corpo submetido a tensões mecânicas para esforços de tração sofre um alongamento proporcional à força
aplicada. A propriedade que descreve a capacidade de um material de sofrer alongamentos sob esforços de tração sem
sofrer uma deformação permanente após a retirada da força aplicada é denominada elasticidade.
A Figura 1.3 mostra um gráfico típico da deformação ε sofrida
D
por um metal de comportamento dúctil quando submetido a uma tensão σt (N/mm2)
limite B C E
mecânica de tração σt , até a ocorrência da ruptura do metal. Pode-se elástico
observar então que a deformação apresenta dois estágios distintos:
a) Região de deformação elástica (A-B): neste estágio os átomos do tensão maxima
material mantêm suas posições relativas entre si até o limite elástico ou de ruptura
(ponto B), e retornam à disposição original quando a tensão aplicada A θ
é removida, ou seja, a deformação é reversível. Esta região define a tg θ = E região elástica região ε
propriedade elasticidade do material, sendo o comportamento regido plástica
pela Lei de Hooke, que estabelece: “para pequenos alongamentos, a
Figura 1.3: Curva tensão x deformação.
tensão é proporcional à deformação sofrida”, desse modo dada por:
σ = Eε (1.3)
onde σ (N/mm2) é a tensão aplicada, ε (adimensional) é a deformação sofrida, dada pela razão entre o alongamento
∆ℓ do material (diferença entre comprimentos final e inicial) e o seu comprimento inicial ℓ o , ou seja:
∆ℓ ℓ − ℓo
ε = = (1.4)
ℓo ℓo
e o termo E (N/mm2) descreve a proporcionalidade entre σ e ε (E = tg θ) e define a propriedade elasticidade do
material, chamado módulo de elasticidade. A Tabela 1.3 apresenta o módulo de elasticidade de alguns materiais.
3
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Tabela 1.3: Módulo de elasticidade de alguns materiais de interesse.


Material E ( 104 N/mm2) Material E ( 104 N/mm2) Material E ( 104 N/mm2)
alumínio 7,0 ferro forjado 18 a 20 ferro batido 19,29
chumbo 1,5 ferro fundido 8,5 a 10 aço estrutural 20,67
cobre 11,5 latão 10,5 concreto 1,38
ouro 8,1 prata 7,5 pinho amarelo 1,03

b) Região de deformação plástica (B-E): se ultrapassado o limite elástico, os átomos do material não mais guardam
suas posições relativas e sofrem deslocamentos irreversíveis, resultando então em deformações permanentes. Entre
os pontos B e C ocorre uma expansão lateral chamada escoamento, caracterizado pelo aumento da deformação
sem aumento de tensão. Entre os pontos C e D ocorre o chamado encruamento, caracterizado por um novo ganho
de resistência do material. Por fim, entre os pontos D e E ocorre a chamada estricção, que consiste na redução na
área da seção do material até sua ruptura (ponto E), sendo o ponto D o limite de tensão antes de ocorrer a ruptura.

Exercício 1: Um fio de comprimento 4 m e 1 cm de diâmetro, é submetido a uma força de tração de 5000 N e sofre
deformação elástica até o comprimento de 4,01 m. Determine o módulo de elasticidade do material em N/mm2.
Solução
→ dfio = diâmetro do fio = 1 cm = 10 mm ⇒ ∴ Afio = área do fio = π (dfio)2 /4 fio = π 102 /4 = 78,54 mm2
F 5000 N
→ Da equação (1.2), tem-se: σ = = = 63,66
Afio 78,54 mm 2
ℓ − ℓo σ ℓo 63,66 × 4 N
→ Pela Lei de Hooke: σ = E ε = E ⇒ ∴ E= = ⇒ ∴ E ≈ 2,5 × 104
ℓo ℓ − ℓo 4,01 − 4 mm 2

1.1.4.3) Outras propriedades mecânicas de interesse

Dentre as demais propriedades mecânicas de interesse em aplicações Eletrotécnicas, pode-se mencionar:


 Maleabilidade ou plasticidade: é a capacidade de um material em sofrer deformações permanentes em todas as
direções sem comprometer sua integridade física (sem se tornar quebradiço). Descreve então a maior ou menor
possibilidade do material ser moldado em mais de uma dimensão relevante (barras, chapas, esferas, canos, etc.).
 Ductibilidade: é a capacidade de um material de sofrer deformações permanentes em somente uma direção sem se
romper. Indica então a maior ou menor possibilidade de um material ser estirado ou reduzido a fios. Exemplos: a
argila tem boa maleabilidade mas pequena ductilidade; o ouro é mais dúctil e maleável que o cobre ou o alumínio.
 Dureza: é a capacidade da estrutura física do material em resistir a penetração ou ser riscado, sendo avaliada por
um teste realizado com base na divisão de uma tensão aplicada pela área de penetração na superfície do material.
 Tenacidade: é a capacidade de um material de resistir a grandes tensões e deformações sem ruptura, ou ainda, sua
resistência a choques mecânicos. Dureza e tenacidade não são sinônimas porque, por exemplo, vidro e diamante
apresentam elevada dureza (difíceis de serem gastos), mas de pouca resistência a golpes (pouca tenacidade).

1.1.5) PROPRIEDADES TÉRMICAS

O desmepenho ao longo do tempo e muitas das propriedades que caracterizam os materiais com aplicações na
Eletrotécnica são dependentes da temperatura. Assim, para o correto atendendimento das especificações de projeto, na
definição das condições de trabalho dos materiais devem ser previstas as conseqüências da energia térmica para o
comportamento dos materiais, tais como dilatação e capacidades de condução e absorção de calor, vistos a seguir.

1.1.5.1) Dilatação térmica

As partículas constituintes de um corpo material estão em constante estado de agitação térmica devido ao calor
produzido ou absorvido pelo material, e a elevação de temperatura acarreta em um aumento no grau dessa agitação,
obrigando as partículas do corpo a ocupar um espaço maior e acarretando, desse modo, em um aumento de volume do
corpo. A propriedade que expressa a capacidade de um material em alterar suas dimensões físicas quando submetido a
uma variação de temperatura é denominada dilatação térmica, traduzida pelo seus coeficientes de dilatação.
No estudo da dilatação térmica de um corpo material, o formato do corpo determina quais dimensões físicas são
consideradas relevantes. Assim, para um material isotrópico e com pequenas variações de temperatura, tem-se:
 Dilatação linear: quanto apenas uma dimensão é relevante (exemplos: fios, cabos, barras, pilares, etc.), dada por:
∆ℓ = ℓ − ℓ o = α ℓ o ∆T (1.5)
 Dilatação superficial: quanto 2 dimensão são relevantes (exemplos: placas, chapas, plataformas, etc.), dada por:
∆S = S − So = 2α So ∆T (1.6)

4
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

 Dilatação volumétrica: quanto as 3 dimensões são relevantes (exemplos: esferas, cubos, parafusos, etc.), dada por:
∆V = V − Vo = 3α Vo ∆T (1.7)
onde: ∆ℓ , ∆S e ∆V são as variações linear, superficial e volumétrica do corpo material, respectivamente, α ( C ) é o
o -1

coeficiente de dilatação linear do material do corpo; ℓ o (m), So (m2) e Vo (m3 ) são o comprimento, a área e o volume
inicial, respectivamente; ℓ , S e V são o comprimento, a área e o volume final, respectivamente; ∆T = T – To (oC) é a
variação de temperatura a que foi submetido o corpo, sendo T e To, respectivamente, as temperaturas final e inicial.
A Tabela 1.4 apresenta os valores médios do coeficiente de dilatação linear de alguns materiais de interesse,
onde observa-se que os líquidos (no caso, mercúrio) possuem coeficientes normalmente mais elevados que os sólidos.
Os coeficientes de dilatação térmica são em geral positivos (material se dilata com o aumento da temperatura),
com exceção da água, que apresenta coeficiente negativo abaixo de 4 oC. Como conseqüência, o volume de um furo
em um corpo sólido aumenta com a temperatura como se o mesmo fosse um sólido de mesmo material do corpo.
O efeito da dilatação térmica pode ser aproveitado como sensor de temperatura por meio do encurvamento de
dois metais soldados e com coeficientes de dilatação distintos, denominado bimetal (visto no Capítulo 2).
O guiamento de cabos entre torres ou postes em redes elétricas consiste em um exemplo de preocupação da
dilatação térmica em aplicações Eletrotécnicas, onde o efeito da contração dos cabos com a diminuição da tempertura
pode ocasionar a ruptura dos mesmos no ponto de ancoragem, ou ainda, o alongamento com o aumento da tempertura
pode prover um contato elétrico indevido dos cabos com estruturas alheias à rede (edificações, árvores, etc.). Neste
caso, os cabos apresentam normelmente um formato curvo, conhecido como flexa, para mitigar este problema.

Tabela 1.4: Coeficientes de dilatação térmica linear de alguns materiais para o intervalo entre 0 e 100 oC.
Material α ( x 10-5 oC –1) Material α ( x 10-5 oC –1) Material α ( x 10-5 oC –1)
porcelana 0,35 aço 1,36 solda (Pb+Sn) 2,51
vidro crown 0,90 cobre 1,70 estanho 2,70
tijolo 0,95 latão (Cu+Zn) 1,87 chumbo 2,94
ferro 1,25 alumínio 2,40 mercúrio 18,0

Exercício 2: A figura ao lado mostra uma plataforma P apoiada horizontalmente sobre um P


pilar de material alumínio e outro de material ferro. Determine os comprimentos dos pilares
para que a plataforma permaneça na horizontal a qualquer temperatura. ℓ Al Al Fe

Solução ℓ Fe
Seja ℓoFe e ℓoAl os comprimentos dos pilares a uma temperatura qualquer To na qual
os pilares serão dimensionados. Logo, para que a plataforma P permaneça na horizontal a 0,46 m
qualquer variação de temperatura ∆T = T – To , duas condições devem ser satisfeitas:
1) Com base na figura, tem-se que na temperatura To deve-se ter: ℓ o Fe = ℓ o Al + 0, 46 (1)
2) As dilatações lineares dos pilares à qualquer outra temperatura T devem ser iguais, ou seja: ∆ℓ Fe = ∆ℓ Al (2)
→ Da Tabela 1.4, sabe-se que: αFe = 1,25 x 10–5 oC -1 e αAl = 2,4 x 10–5 oC -1. Logo, do resultado (2) tem-se:
∆ℓ Fe = ∆ℓ Al ⇒ α Fe ℓ o Fe (T − To ) = α Al ℓ o Al (T − To ) ⇒ α Fe ℓ o Fe = α Al ℓ o Al ⇒ ∴ ℓ o Fe = 1,92 ℓ o Al (3)
→ Com o resultado (3) aplicado em (1): ℓ o Fe = ℓ o Al + 0, 46 ⇒ 1,92 ℓ o Al = ℓ o Al + 0,46 ⇒ ∴ ℓ o Al = 0,5 m (4)
→ Por fim, com o resultado (4) aplicado em (3): ℓ o Fe = 1,92 ℓ o Al ⇒ ∴ ℓ o Fe = 0,96 m

1.1.5.2) Condutividade térmica

Em um meio material submetido a uma diferença de temperatura, ocorre transferência de energia térmica da
maior para a menor temperatura, até que o corpo atinja o equilíbrio térmico (temperatura uniforme). Este trânsito de
energia térmica, motivado exclusivamente por diferença de temperatura, é chamado calor e ocorre de três formas:
 Por condução térmica, através da agitação das partículas de um meio material (não ocorre, portanto, no vácuo);
 Por convecção, através do deslocamento da própria massa de um meio material (não ocorre, portanto, no vácuo);
 Por irradiação térmica, através da emissão de radiação infra-vermelha (ocorre, portanto, no vácuo).
A condução térmica é proporcional à propriedade condutividade térmica K (cal/ oC cm s) do material e expressa
pela quantidade de calor Q (cal) transmitida perpendicularmente à seção A (cm2) de uma amostra do material de com-
primento ℓ (cm) e submetida a uma diferença de temperatura ∆T (oC) durante um certo tempo t (s), tal que:
K K A Q K A
T1 A Q ,φ T2 > T1 Q= ∆T t ⇒ =φ = ∆T (1.8)
ℓ ℓ t ℓ
onde o termo φ (cal/s), chamado fluxo de calor ou corrente térmica, expressa a quantidade de calor que atravessa a
amostra do material por unidade de tempo. Definindo-se RT = ℓ /K A (oC s/cal) como a resistência térmica da amostra,
5
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

pode-se deduzir então que: ∆T = RT φ , relação esta similar à Lei de Ohm da eletricidade (V = R I). Desse modo, a
propriedade condutividade térmica expressa a facilidade com que um material se deixa atravessar por um fluxo de
calor, sendo a resistência térmica uma medida quantitativa da dificuldade imposta ao trânsito da energia térmica por
uma amostra do material. A Tabela 1.5 apresenta os valores da condutividade térmica de alguns materiais a 20 oC.
O processo de condução térmica ocorre quando as partículas da região mais quente de um corpo, que vibram
com mais intensidade por terem maior energia térmica, transmitem parte de sua energia para outras partículas em sua
vizinhança, que passam a vibrar mais intensamente e também transmitem parte de sua energia para a sua vizinhança, e
assim sucessivamente. Como a maior vibração das partículas é um indicador de maior retenção de energia e menor
transferência de calor, então materiais de elevada condutividade térmica apresentam menor grau de vibração de suas
partículas e podem conduzir e dissipar mais rapidamente para o meio exterior o calor presente em seu interior.
Logo, em materiais fortemente coesos em sua estrutura, tais como metais, as forças de coesão impedem grandes
amplitudes de vibração dos átomos, acarretando em menor retenção de energia e menor possibilidade de choque dos
elétrons constituintes de uma corrente elétrica no material. Desse modo, as condutividades elétrica e térmica estão
relacionadas, pois a resistência à passagem de eletricidade e calor depende das vibrações estruturais. Assim, os metais
são bons condutores de eletricidade e calor, sendo amplamente utilizados como condutores elétricos, por propiciarem
uma rápida eliminação do calor interno ou recebido, e como dissipadores para diversos dispositivos de potência.
Tabela 1.5: Condutividade térmica de alguns materiais de interesse a 20 oC.
Material K (cal/ oC cm s) Material K (cal/ oC cm s) Material K (cal/ oC cm s)
prata 0,970 aço 0,115 tijolo refratário 0,000350
cobre 0,920 mercúrio 0,0200 amianto 0,000200
alumínio 0,490 concreto 0,0020 lã de vidro 0,000100
ferro 0,160 vidro 0,0020 ar 0,000057

Exercício 3: A figura ao lado mostra duas barras cilíndricas de materiais A e B de TJ


mesma área transversal, conectadas e submetidas às diferenças de temperatura entre 75 oC A B 35 oC
suas extremidades mostradas. Considerando o sistema isolado termicamente (isto é,
o calor flui apenas no interior das barras), determine a temperatura TJ na junção das 10 cm 15 cm
barras. Dados dos materiais: KA = 0,52 cal/oC cm s ; KB = 0,02 cal/oC cm s.
Solução
Como a temperatura é maior na extremidade da barra de material A, o fluxo de calor será no sentido A para B.
Adicionalmente, como o sistema está isolado termicamente, o fluxo de calor φA no material A deverá ser igual ao
fluxo de calor φB no material B. Desse modo, da equação (1.8), tem-se: TJ
KA A KB A 75 C φA
o φB 35 oC
φ A = φB ⇒ (Textr . A − TJ ) = (TJ − Textr . B )
ℓA ℓB T (oC)
0,52 0,02 T = 75 – 0,1 x
∴ (75 − TJ ) = (TJ − 35) ⇒ ∴ TJ = 74 o C 75
T = 100 – 2,6 x
10 15 74
O gráfico ao lado mostra a distribuição de temperatura ao longo das barras
(linear, pois fluxo de calor é proporcional à temperatura). Pode-se observar então 35
que a barra de material B está submetida à maior variação de temperatura, pois x (cm)
apresenta maior resistência térmica devido à menor condutividade térmica. 10 25

1.1.5.3) Calor específico

Temperatura é a grandeza física associada ao grau de agitação das partículas de um corpo e define o seu estado
térmico (aquecimento). Contudo, temperatura não mede a quantidade de energia térmica de um corpo, pois entre duas
amostras de mesma massa e materiais diferentes, se uma delas apresenta uma temperatura mais elevada não significa
necessariamente que possua maior quantidade de energia térmica, pois este fato dependerá da capacidade de absorção
de calor do material. Esta capacidade é expressa por uma propriedade denominada calor específico.
A quantidade de calor Q (cal) que deve ser fornecido a uma amostra de massa m (g) de um material para que
sua temperatura se eleve de um valor ∆T (oC) é proporcional ao calor específico c (cal/g oC) do material, tal que:
Q = c m ∆T (1.9)
Calor específico é uma propriedade intrínseca de um material (isto é, não depende de sua massa) e varia com a
temperatura. A Tabela 1.6 apresenta o valor médio do calor específico de alguns materiais entre 0 e 100 oC.
Com base na equação (1.9) pode-se observar então que materiais de maior calor específico necessitam absorver
maior quantidade de calor para aumentar sua temperatura. Por exemplo, a água absorve muito calor sem se aquecer
em demasia porque possui alto calor específico (Tabela 1.6), o que explica a razão para a potência dos chuveiros ser
comparativamente elevada, pois sua resistência necessita converter uma elevada quantidade de energia elétrica na
forma térmica para se obter a quantidade de calor necessária para aquecer a água até uma temperatura desejada.
6
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Tabela 1.6: Calor específico de alguns materiais.


o
Material c (cal/g C) Material c (cal/g oC) Material c (cal/g oC) Material c (cal/g oC)
água 1,00 ar 0,24 ferro 0,113 mercúrio 0,033
madeira 0,42 alumínio 0,22 cobre 0,094 tungstênio 0,032
lã 0,39 mica 0,21 zinco 0,093 ouro 0,032
porcelana 0,26 vidro 0,16 prata 0,056 chumbo 0,031

1.1.6) PROPRIEDADES QUÍMICAS

Grande parte dos materiais empregados em instalações e circuitos elétricos está sujeita a reações químicas ou
eletroquímicas ocasionadas pelo meio em que se encontram, que pode resultar em alterações indesejáveis em suas
características intrínsecas e estruturais. Esta reação, denominada corrosão, ocorre principalmente por dois modos:
1) Corrosão por dissolução: ocorre quando o material entra em contato com um meio capaz de atuar como solvente
para este material. Exemplo: ácido sulfúrico em contato com o zinco.
2) Corrosão por oxidação eletroquímica: consiste na remoção de elétrons (reação de oxidação) dos átomos de um
material imerso em um meio favorável à reação, denominado eletrólito. Exemplo: oxidação do ferro pela umidade
(ar + água), que leva à formação do hidróxido férrico, popularmente conhecido como ferrugem.
Desse modo, a corrosão constitui-se em um problema a ser evitado, sendo um aspecto de grande preocupação
em projetos elétricos, razão pela qual é conveniente o conhecimento de seus principais métodos de controle:
 Proteção por isolamento: recobre-se o material a ser protegido com outro que não é atacado pelo meio, tal como
revestimentos com tinta, resina ou verniz. Outro exemplo consiste no capeamento com material mais resistente, tal
como o revestimento de componentes de ferro com película de zinco ou capa de alumínio (ferro galvanizado).
 Proteção por passivação: adiciona-se ao material a ser protegido outros que o tornam mais resistente à corrosão,
tal como certas ligas metálicas. Exemplos: aço inoxidável (Fe + C + Cr + Ni), bronze (Cu + Sn) e latão (Cu + Zn).
 Proteção catódica: utiliza-se materiais com maior potencial de oxidação, chamados anodos de sacrifício, para que
seja corroído primeiro que um material de menor potencial a ser protegido. Como exemplos de aplicação, tem-se:
• Em sistemas de aterramento utiliza-se lâminas de zinco para proteger hastes e malhas de cobre;
• Estruturas de aço subterrâneas são protegidas colocando-se pedaços de magnésio nas proximidades.
 Alcalinização: consiste no emprego de substâncias alcalinas para a neutralização de meios materiais ácidificados.

1.1.7) FATOR CUSTO DOS MATERIAIS

A escolha dos materiais a serem empregados em uma determinada aplicação (por exemplo, maquinários, peças,
componentes, dispositivos, instalações estruturais, ferramentas, equipamentos, etc.) necessita se basear na finalidade
que cada material irá desempenhar e se justificar pelas propriedades intrínsecas de interesse que estes apresentam.
Porém, nenhum material é superior a outros em todos os sentidos, cabendo então ao projetista analisar a conveniência
de se empregar um ou outro. Assim, na avaliação das opções de matéria prima a disposição, procura-se especificar os
materiais, conforme o caso, com as propriedades elétricas, magnéticas, físicas, mecânicas, térmicas e químicas mais
satisfatórias, com o objetivo de se obter um produto final qualitativamente satisfatório para o seu desempenho.
Contudo, em uma economia de mercado, custo e lucro são parâmetros essenciais a uma empresa, que procura
avaliá-los e otimizá-los o máximo possível. Neste caso, além das propriedades intrínsecas, a escolha de um material
para determinada aplicação deve também se basear no chamado fator custo, pois a concorrência exigida pelo mercado
coloca muitas vezes este parâmetro como um aspecto decisivo, pois um menor custo da matéria prima pode implicar
em menor preço para o produto final e acarretar em melhor competitividade e maior possibilidade de lucro. O fator
custo pode inclusive inviabilizar um projeto ou produto, independentemente de suas qualidades técnicas.
Logo, o custo, apesar de não ser uma propriedade intrínseca dos materiais, constantemente é o fator decisivo na
escolha destes para determinada aplicação. O material deverá apresentar características técnicas que se adeqüem à sua
finalidade, mas muitas vezes é o parâmetro econômico custo que irá ratificar o seu emprego. Assim, o fator técnico
dever sempre ser avaliado juntamente com o fator custo, pois um produto com menor preço final, mas que atende as
especificações e exigências técnicas mínimas, tem maior possibilidade de ser comercialmente competitivo.
Muitas vezes procura-se obter um produto final com bom desempenho e qualidade, porém a um preço baixo, e
um material de menor custo e inferior em qualidade pode viabilizá-lo como a matéria prima a ser empregada, ou seja,
deficiências do material são compensadas pelo seu custo. Por outro lado, o aspecto qualidade pode ser um quesito
valorizado e um produto inferior qualitativamente poderá ser inferior comercialmente, pois um produto inicialmente
barato pode se tornar oneroso a longo prazo se não for pelo menos atualizado e durável. O problema pode então ser
resumido em otimizar a avaliação custo-benefício dos materiais a serem empregados, pois um projeto ou produto é
viável economicamente porque tem preço competitivo e se adeqüa às características exigidas ou desejadas.
A análise econômica dos materiais pode ser complexa devido aos diversos parâmetros que devem ser avaliados.
O estudo da viabilidade econômica de um material pode envolver, além do preço de mercado, sua disponibilidade na
7
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

oferta (volume de extração, industrialização, manufatura, etc), mão de obra qualificada disponível, facilidade na sua
reposição e manutenção, facilidade de transporte (a própria localização da empresa pode influenciar no custo do
transporte), tempo de aquisição (maior agilidade na execução de um projeto ou produto pode implicar em menor custo
final), etc. Por exemplo, características como durabilidade estão diretamente ligadas ao fator custo porque acarreta em
menor manutenção e maior tempo de reposição. Assim, toda a análise econômica de um produto final (equipamento,
dispositivo, etc.) ou projeto visa a menor necessidade de investimentos e ao maior retorno financeiro.
A escolha de materiais condutores para as diversas aplicações em Eletrotécnica constitui-se em um exemplo da
análise técnica aliada ao fator custo. Metais nobres como ouro e prata são ótimos condutores de eletricidade e calor
mas não são empregados como fios e cabos elétricos por terem preço proibitivo, além de baixa resistência mecânica.
Contudo, os metais nobres podem ser empregados, juntamente com suas ligas, em aplicações especiais que envolvam
pequenas correntes, onde sua elevada resistência à corrosão e ductilidade são propriedades essenciais.

1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumínio

Um outro exemplo da avaliação técnica aliada ao fator custo refere-se à comparação entre os dois metais de uso
mais intenso como condutores para aplicações em redes elétricas em geral: cobre e alumínio.
O cobre apresenta características técnicas mais vantajosas como condutor elétrico para instalações elétricas em
baixa tensão, bem como em equipamentos e dispositivos (fios, cabos, máquinas elétricas, conexões diversas, etc.),
pois apresenta maior condutividade térmica (Tabela 1.5) e elétrica (vide Tabela 2.1 - Capítulo 2), propriedades estas
essenciais onde as tensões mais baixas podem envolver correntes elétricas comparativamente mais elevadas.
Além disso, o cobre apresenta boa resistência mecânica (Tabela 1.2), propriedade também desejável devido à
necessidade de se realizar esforços de tração no momento do guiamento de fios e cabos condutores por canalizadores
de fiações elétricas em instalações de baixa tensão (eletrodutos, eltrocalhas, caixas de passagem, etc.).
Adicionalmente, o cobre é praticamente inerte ao oxigênio, que é um gás de grande atuação com metais não
nobres, produzindo óxidos e hidróxidos em contato com estes. O alumínio, porém, sofre corrosão em contato com o
ar, resultando na formação de uma fina camada de óxido de alumínio que protege sua superfície de maior corrosão
mas que constituí-se em um bom isolante elétrico, resultando então na perda de quaisquer contatos elétricos deste com
outros elementos da rede elétrica e tornando a tarefa de reparo destes contatos de custos e logística proibitivos. Além
disso, a solda de emprego mais comum, de liga de chumbo e estanho, adere facilmente ao cobre, mas o alumínio é de
difícil soldagem (a solda de estanho e chumbo não adere ao alumínio e a camada de óxido agrava este problema).
Estas são então razões adicionais para o emprego do cobre em redes de baixa tensão devido à grande quantidade de
contatos elétricos (emendas, parafusamentos, soldagem de peças e conexões, etc.) necessários a estas aplicações.
O alumínio, por sua vez, apresenta massa específica menor que o cobre (Tabela 1.1) e, sendo o metal de maior
abundância no planeta, é porisso cotado a um preço de mercado menor que o cobre, não sofrendo problemas de furtos
como este. Assim, o alumínio encontra grande aplicabilidade como condutores áreos e conectores em redes elétricas
(linhas de transmissão e distribuição), pois sua menor massa específica possibilita o emprego de estruturas de suporte
menos volumosas, o que proporciona economia de material e, aliado ao seu menor preço, menores custos de obra.
O problema de pequena resistência mecânica do alumínio para a aplicação em linhas aéreas (os cabos ficam
sujeitos a grandes esforços de tração devido ao próprio peso e ao vento), é atenuado com o emprego de um núcleo
(alma) de aço, que confere ao cabo de alumínio uma maior resistência mecânica. Quanto à difícil soldagem, pode-se
utilizar um material antioxidante para a limpeza da superfície a ser soldada e realizar a solda com o uso de pastas
especiais (exemplo: óxido de acetileno), ou mesmo com solda elétrica (fundição das próprias partes em alumínio para
efetuar a emenda), ou ainda com o emprego de braçadeiras metálicas para efetuar emendas, solução esta utilizada
particularmente em linhas de transmissão devido à necessidade de maior seção (área transversal) destes cabos.

Exercício 4: Seja um fio de cobre e um cabo composto por 3 fios de alumínio de mesmo comprimento e seção do fio
de cobre. Pede-se: compare as resistências à corrente contínua e as massas entre o fio de cobre e o cabo de alumínio.
Adote T = 20 ºC e desconsidere o encordoamento (trançado helicoidal) do cabo de alumínio.
Solução
→ Da Tabela 2.1 (Capítulo 2): ρCu = 1,7 x 10 Ωm a 20 ºC ; ρAl = 2,8 x 10-8 Ωm a 20 ºC
-8

R fio de Cu ρCu ℓ / A 3 ρC u 3 × 1,7 × 10−8 R fio de Cu


= = = ⇒ ∴ ≈ 1,8
Rcabo de Al ρ Al ℓ / 3 A ρ Al 2,8 × 10 −8
Rcabo de Al
Portanto, o fio de cobre apresenta maior resistência elétrica que o cabo de alumínio (80 % maior).
→ Da Tabela 1.1: γCu = 8,9 g/cm3 a 20 ºC ; γAl = 2,7 g/cm3 a 20 ºC
m fio de Cu γ Cu V fio de Cu 8,9 A ℓ m fio de Cu
= = ⇒ ∴ ≈ 1,1
mcabo de Al γ Al Vcabo de Al 2,7 × 3 A ℓ mcabo de Al
Portanto, o fio de cobre apresenta maior massa (é mais pesado) que o cabo de alumínio (10 % mais pesado).
→ Pode-se concluir então que, se a quantidade de fios for no máximo três vezes maior para um cabo de alumínio, este
é superior a um fio de cobre de mesma seção e comprimento em termos de peso e resistência elétrica.
8
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

1.2) MODELO DA MATÉRIA POR BANDAS DE ENERGIA

O estudo do modelo de estrutura atômica da matéria baseada em uma abstração teórica denominada bandas de
energia, se mostra eficiente para a compreensão de diversos fenômenos e propriedades dos materiais. Para isso, antes
é conveniente a noção sobre níveis de energia estacionários, cuja extensão leva ao conceito de bandas de energia.

1.2.1) NÍVEIS DE ENERGIA ESTACIONÁRIOS

A radiação eletromagnética apresenta a chamada natureza dual onda-partícula, no sentido de que a detecção de
qual comportamento realizado, corpuscular ou ondulatório, depende da natureza do fenômeno observado.
Quando em propagação por um meio qualquer, a radiação apresenta comportamento ondulatório no sentido de
que se observam fenômenos ópticos (reflexão, refração, etc.), pois uma onda tem extensão e não é localizada. Neste
caso, o produto do comprimento de onda λ com a freqüência f da radiação resulta em uma contante, tal que:
λf = c (1.10)
em que c é a constante universal referente à velocidade da radiação no vácuo (c ≈ 3 x 10 m/s). A Tabela 1.7 apresenta
8

os comprimentos de onda de várias nomenclaturas dadas às ondas eletromagnéticas, onde: Å = angstron = 10−10 m.
No entanto, quando interage com a matéria, a radiação atua como partícula no sentido de que observa-se um
“choque de massa”, pelo fato da radiação se comportar como se composta por “pacotes” indivisíveis de energia ao se
chocar com o material, chamados “quantum” (menor quantidade de energia que pode ser transferida em um processo
físico). No caso da radiação, a energia Ef de seu quantum, denominado fóton, pode ser determinada por:
Ef = h f (1.11)
em que h = constante de Planck = 6,6262 x 10-34 J s é uma constante universal. O conceito de fóton resume então o
comportamento corpuscular da radiação eletromagnética e expressa, portanto, uma natureza distinta da ondulatória.
Assim, não é possível provar o comportamento dual da luz com a mesma medida (Princípio da Complementaridade).

Tabela 1.7: Comprimentos de onda no vácuo de algumas ondas eletromagnéticas.


Nomenclatura λ (m) Nomenclatura λ (Å) Nomenclatura λ (Å)
6 7
energia elétrica 5 x10 infra-vermelho 10 – 7000 azul 5000 – 4500
áudio-freqüência 3 x106 – 1,5 x 104 vermelho 7000 – 6500 violeta 4500 – 4000
ondas médias e curtas 600 – 6 laranja 6500 – 6000 ultra-violeta (UV) 4000 – 40
FM-TV-VHF-UHF 5 – 0,5 amarelo 6000 – 5500 raios X 40 – 0,1
microondas 0,5 – 0,001 verde 5500 – 5000 raios γ 0,1 – 10-3

Em práticas experimentais, observa-se que um átomo isolado absorve e emite radiação apenas de determinados
comprimentos de onda (Figura 1.4-a). Como o fóton é indivisível (entrega toda ou nenhuma energia), esta observação
demonstra que os elétrons do átomo podem absorver ou emitir energia apenas de forma discreta, o que sugere um
modelo simples tipo planetário para a estrutura atômica, em que os elétrons ocupam determinadas órbitas permitidas
(estados quânticos) distribuídas em torno do núcleo sem perder energia, denominadas níveis de energia estacionários
ou não irradiantes (Figura 1.4-b). Desse modo, os elétrons de um átomo podem apenas absorver ou emitir energia tal
que sua quantidade corresponda à exata diferença de energia entre dois níveis permitidos quaisquer do átomo.
A Figura 1.4-c mostra uma representação gráfica mais prática do modelo planetário do átomo, onde n = 1, ... , ∞
corresponde ao índice (1o número quântico) dos níveis de energia estacionários En (E1, E2, ... , E∞) de um átomo.

λ n=∞ n En
n=2 energia restante
∞ E∞
n=1 − fotoionização
e
núcleo
m Em
fóton fóton
absorvido fotoexcitação emitido
E1 k Ek
E2 e− níveis de e− e−
energia
E∞ estacionários
1 E1

(a) (b) (c)

Figura 1.4: Estrutura atômica de átomos: (a) esquema de absorção de radiação, (b) modelo por órbitas de energia
estacionárias, (c) representação mais prática e exemplificação dos mecanismos de emissão e absorção de radiação.

9
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Assim, quando um elétron absorve (ou emite) energia, este se desloca para um nível permitido de maior (ou
menor) energia e adquire a energia do nível para o qual se deslocou. Neste caso, a absorção de energia pelo elétron
pode ocorrer, além de radiação, também na forma de calor, campo elétrico e choque com outros elétrons, porém, a
emissão de energia pelos elétrons ocorre sempre na forma de radiação, podendo esta ser absorvida depois como calor.
Na absorção de energia, o deslocamento para um nível menor ou igual a E∞ representa um estado excitado para
o elétron e, para um nível maior que E∞ , a energia restante propicia a ejeção do elétron para o meio exterior ao átomo,
resultando na ionização do átomo. Como exemplo, o estado excitado de um elétron com a absorção de radiação é
chamado fotoexcitação e a ionização de um átomo por absorção de radiação é chamada fotoionização (Figura 1.4-c).
Em estado excitado, um elétron apresenta sempre a tendência de retornar ao seu nível original (chamado nível
normal ou fundamental) após um certo tempo (tipicamente, 10– 8 s), emitindo o excesso de energia. Logo, um elétron,
se deslocando de um nível m de energia Em para um nível k de energia Ek < Em (Figura 1.4-c) emite uma radiação de
energia Em − Ek , cujo comprimento de onda do fóton correspondente pode ser determinado de forma prática por:
12400
λ = (1.12)
Em − Ek
onde a energia deve ser fornecida em eV (eV = elétron-volt = 1,6 x 10−19 J) e o comprimento de onda em Å. Logo, por
dedução, como a energia necessária a um elétron se deslocar para um outro nível permitido de maior energia deve ser
igual à diferença de energia entre os dois níveis, então a equação (1.12) é válida também para a absorção de radiação.
O retorno de um elétron ao seu nível fundamental pode ser diretamente ou mesmo ocupando provisoriamente
níveis intermediários e emitindo o fóton correspondente em cada etapa. Em todo caso, a soma das energias dos fótons
emitidos tem que ser igual à energia inicialmente absorvida, para respeitar o princípio da conservação de energia.
Como mencionado, a energia térmica consiste em uma outra forma de excitação ou ionização do átomo. Neste
caso, o quantum de energia a uma temperatura qualquer T é dado por KB T (eV), chamado energia térmica associada a
uma partícula à temperatura T, onde KB = constante de Boltzmann = 1,38 x 10-23 J/K = 8,62 x 10-5 eV/K. Para o caso da
matéria, se a energia térmica absorvida for suficiente para suplantar a chamada barreira de potencial de superfície do
material, então elétrons são ejetados para o meio exterior ao material. Este efeito, denominado Emissão Termoiônica,
constitui-se no mecanismo básico do funcioamento dos triodos a vácuo, precursores dos transistores semicondutores.

Exercício 5: A distribuição de energia do átomo de hidrogênio é dada por: En = −13,6 n 2 (eV), n = 1,...,∞. Pede-se:
a) Sabe-se que o elétron do átomo de hidrogênio absorve um fóton de comprimento de onda 973 Å e, ao retornar ao
seu nível normal, emite dois fótons, sendo um deles de 1216 Å. Determine o comprimento de onda do outro fóton.
b) Determine o comprimento de onda limite de um fóton necessário para ionizar o hidrogênio e explique o resultado.
c) Explique o que acontece com o elétron se no mesmo é incidido um fóton de comprimento de onda 1000 Å.
Solução
A figura abaixo mostra uma esquematização da distribuição de energia dos níveis de um átomo de hidrogênio
com base na equação fornecida. Como o hidrogênio tem apenas 1 elétron, então o nível fundamental deste é n = 1.
a) Energia do fóton absorvido: da equação (1.12), tem-se: n En (eV)
12400 12400 ∞
Em − Ek = E fóton absorvido = = ≈ 12,75 eV 0,0
λabsorvido 973
5 − 0,54
que equivale à diferença de energia entre níveis 4 e 1 (– 0,85 + 13,6). 4 − 0,85
Logo, o elétron é fotoexcitado para o 4º nível (figura ao lado). 3 − 1,51
A energia do fóton emitido conhecido (1216 Å) será dada por: 4863 Å 2,55 eV
12400 12400 − 3,4
E fóton emitido 1 = = ≈ 10, 2 eV 2
λ fóton emitido 1 1216 12,75 eV
10,2 eV
que equivale à energia entre níveis 2 e 1 (– 3,4 + 13,6 - figura). 973 Å 1216 Å
Assim, o comprimento de onda do 2º fóton emitido corresponde à 1 − 13,6
e−
emissão da diferença de energia entre os níveis 4 e 2 (figura):
12400 12400 12400
λ foton emitido 2 = λ4− 2 = = = ≈ 4863 Å
E4 − E2 − 0,85 − ( − 3, 4) 2,55
Da Tabela 1.7 pode-se observar então que o elétron absorveu uma radiação ultra-violeta (973 Å está na faixa do
UV) e emitiu dois fótons, um UV (1216 Å) e outro na faixa do espectro azul (4863 Å).
b) A energia mínima para ionizar o hidrogênio corresponde à diferença de energia entre os níveis 1 e ∞. Logo:
12400 12400 12400 12400
λ limite = = = = ≈ 912 Å
Emínima para ionização E∞ − E1 0 − (−13,6) 13,6
Da equação (1.12) observa-se que o comprimento de onda e energia são inversamente proporcionais. Logo, λlimite é
máximo pois um fóton de comprimento de onda menor tem energia maior que o mínimo para extrair o elétron.
c) Efóton = 12400/1000 = 12,4 eV. Absorvendo este fóton, o elétron se deslocaria para o nível: –13,6 + 12,4 = – 1,2 eV,
que não é um nível permitido. Conclui-se então que o elétron não absorve este fóton, permanecendo no 1º nível.
10
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

1.2.2) BANDAS DE ENERGIA E CLASSIFICAÇÃO ELÉTRICA DOS MATERIAIS

Como visto anteriormente, átomos isolados absorvem e emitem radiação eletromagnética em um espectro bem
definido (Figura 1.4-a) e pode-se então conceber um modelo de átomo com base no conceito de níveis de energia
(Figura 1.4-b). De modo similar, em práticas experimentais observa-se que a matéria também absorve e emite um
espectro de radiação de forma discreta, porém esta apresenta amplas “faixas” de comprimentos de onda bem próximos
entre si (Figura 1.5-a). Com base neste fato, pode-se inferir então que elétrons presentes em um meio material podem
se deslocar por combinações entre um grande número de níveis de energia permitidos bem próximos entre si.
Assim, para respeitar o Princípio da Exclusão de Pauli (apenas dois elétrons de spins contrários por orbital),
esta observação sugere que a matéria comporta-se como se, ao agrupar seus átomos para estabelecer sua estrutura
atômica, cada nível de energia original dos átomos se “expandisse” em faixas de energia com subníveis permitidos
muito próximos entre si, denominadas bandas de energia (Figura 1.5-b). Entre estas faixas, no entanto, ocorrem ainda
regiões com infinitos níveis de energia não permitidos (Figura 1.5-b), denominadas bandas proibidas (BP).
Para estudos de fenômenos e propriedades dos materiais, tem-se que apenas as duas últimas bandas de energia
permitidas, e a respectiva banda proibida entre as mesmas, apresentam aspectos de interesse (Figura 1.5-b), a saber:
 Banda de valência (BV): assim chamada por conter os elétrons de valência dos átomos constituintes da matéria e,
desse modo, contem os últimos elétrons dos átomos. Contudo, esta banda pode não estar totalmente ocupada, pois
alguns elétrons podem ser excitados por alguma forma de energia e vir a ocupar a banda acima de maior energia.
 Banda de condução (BC): assim chamada por conter níveis totalmente desocupados e, caso elétrons excitados da
BV vierem a ocupar esta banda, estes adquirem grande liberdade de movimento e podem ser facilmente acelerados
por campos elétricos aplicados ao material, de modo a constituírem correntes elétricas. Desse modo, estes elétrons
comportam-se como portadores de carga com grande liberdade de movimento, denominados elétrons livres.
 Gap de energia: banda proibida situada entre a BV e BC, denominada particularmente por EG (energia do gap).

λ ∞
Banda de Condução (BC)
m
gap de energia (EG)
nível de valência
k Banda de Valência (BV)

2 2o
Banda Proibida (BP)
o
1 1

(a) (b)

Figura 1.5: Estrutura da matéria: (a) esquema de absorção de radiação, (b) modelo de bandas de energia.
O conceito de bandas de energia é comumente empregado para o entendimento do mecanismo da condução de
corrente elétrica dos materiais. Neste caso, como os elétrons da banda de valência podem absorver energia de modo a
se deslocarem para a banda de condução, se tornando livres, é necessário então fornecer uma energia no mínimo igual
à do gap (EG) e, desse modo, quanto maior o gap, maior será a dificuldade em deslocar elétrons da BV para a BC.
Assim, de acordo com a estrutura de bandas, os materiais podem ser classificados, do ponto de vista elétrico, como:
1) Isolantes: caracterizam-se por apresentar um gap de energia elevado, em torno de 6,0 eV (Figura 1.6-a), o que
resulta em uma BV praticamente preenchida e uma BC bastante vazia devido à grande dificuldade para os elétrons
da banda de valência se moverem para a de condução sem que a energia necessária para esta ocorrência danifique
o material. Logo, estes materiais caracterizam-se por apresentar uma quantidade de elétrons livres muito pequena
para se constituirem em uma corrente elétrica utilizável. Assim, este fato caracteriza eletricamente estes materiais
como isolantes elétricos, também denominados dielétricos quando utilizados para aplicações capacitivas.
2) Semicondutores: caracterizam-se por apresentar um gap de energia pequeno, em torno de 1 eV (Figura 1.6-b).
Devido a este fato, esses materiais apresentam a BV completamente preenchida e BC vazia à baixas temperaturas,
comportando-se nestas condições como isolante elétrico. Porém, com a elevação da temperaturas, alguns elétrons
da BV podem absorver energia suficiente para se moverem para a BC e se tornarem livres, deixando órbitas vazias
na BV, chamadas lacunas, que também se comportam como portadores de carga livre, facultando então ao material
condições para conduzir correntes por meio de dois tipos de portador de carga: elétrons livres e lacunas. Assim,
este duplo comportamento caracteriza eletricamente estes materiais como semicondutores.
3) Condutores: carcterizam-se por apresentar um gap de energia nulo (ou muito pequeno) devido à superposição das
bandas de valência e condução (Figura 1.6-c). Logo, os elétrons da BV podem se encontrar praticamente livres na
BC, ou se deslocarem facilmente para a BC com pouca absorção de energia. Assim, esta abundância de elétrons de
comportamento livre permite a estes materiais conduzir correntes utilizáveis e os caracteriza eletricamente como
condutores elétricos, sendo o grau de superposição entre a BV e a BC um indicativo desta capacidade.
11
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

energia energia
energia
BC elétrons livres
BC

EG ≈ 6 eV EG ≈ 1 eV BC

BV BV
BV lacunas

(a) (b) (c)

Figura 1.6: Classificação elétrica dos materiais de acordo com a estrutura de bandas
de valência, condução e gap de energia: (a) isolante; (b) semicondutor; (c) condutor.
O montante de corrente elétrica gerada em conseqüência de um campo elétrico aplicado a um material depende
então do número de elétrons livres deste que possam ser deslocados. As energias possíveis de se obter de campos
elétricos são pequenas comparadas aos gap de energia, porém outras formas como óticas ou térmicas, são dessa ordem
e por isso conseguem gerar elétrons livres. Assim, apesar de suas respectivas estruturas de bandas, todos os materiais
descritos possuem elétrons livres, gerados basicamente por energia térmica, mas semicondutores puros e isolantes
possuem, mesmo assim, quantidades muito pequenas destes portadores comparados aos condutores.

1.3) TÓPICOS COMPLEMENTARES

O conhecimento adquirido com o avanço tecnológico das sociedades industriais atuais no estudo das diversas
propriedades e fenômenos apresentados pelos materiais, tem possibilitado o desenvolvimento de diversos dispositivos
aplicáveis ao campo da Eletrotécnica. Este tópico tem então o objetivo de dissertar sobre algumas destas aplicações.

1.3.1) PILHAS E BATERIAS

Eletroquímica é a parte da Química que estuda o relacionamento entre a corrente elétrica e as reações químicas,
sendo a corrosão por oxidação um processo eletroquímico chamado de óxido-redução. A oxidação retira elétrons dos
átomos de um material, que permanecem no mesmo, e cria íons positivos (cátions), que fluem para o meio favorável à
reação, chamado eletrólito (solução iônica). A medida com que um material se oxida, isto é, sua capacidade de ceder
elétrons, é quantificada pelo seu potencial de oxidação ou potencial eletroquímico, especificado em Volts, onde um
material qualquer será tanto mais corrosível (denominado anódico) quanto maior for seu potencial eletroquímico.
Quando dois materiais (elétrodos) com diferentes potenciais de oxi- e_ e_ e_
dação são imersos em um eletrólito e conectados externamente por um fio anodo catodo
condutor, os elétrons e os íons originados pela oxidação do material de
maior potencial de oxidação (anodo ou eletrodo negativo) podem fluir
para o de menor potencial (catodo ou eletrodo positivo) através do fio eletrólito
(elétrons) e do eletrólito (íons), onde são ambos depositados (redução).
Assim, pode-se produzir a circulação de corrente elétrica como resultado cátions
da diferença de potencial eletroquímico entre materiais (Figura 1.7).
O conjunto de eletrodos e eletrólito resulta então em um dispositivo
Figura 1.7: Pilha galvânica simples.
conversor de energia química em elétrica, chamada pilha eletroquímica ou
galvânica (Figura 1.7), onde a tensão obtida é definida pela diferença entre os potenciais de oxidação dos eletrodos.
Pilhas e baterias (conjunto de pilhas) são fontes de tensão contínua formadas por células constituídas de pares
anodo-catodo ligados em série (para obter maior tensão) e/ou paralelo (para aumentar a capacidade de corrente, o que
é chamado ampacidade), diferenciadas por diversas característica como formatos e tamanhos, tensão nominal, custo,
ampacidade, densidade de energia (energia armazenada por volume), tempo de carga e auto descarga, vida útil, etc.,
podendo ser basicamente classificadas em dois tipos, descritos a seguir (aparências de alguns tipos na Figura 1.8):
a) Primárias: são aquelas de difícil recarga quando seus reagentes se esgotam. Alguns exemplos mais comuns:
a.1) Pilhas de Leclanché: tipo mais comum, disponível em vários tamanhos (AAA, AA, C e D) com tensão 1,5 V,
possui pequena ampacidade, baixa vida útil e emprego diversos (equipamentos eletrônicos). A pilha tipo B é
uma bateria de 9V, formada pelo conjunto de 6 pilhas de Leclanché em série com tensão 1,5 V cada.
a.2) Pilhas alcalinas: semelhante à pilha de Leclanché, difere desta no uso de um composto alcalino (hidróxido de
potássio) como eletrólito, que diminui a resistência interna da pilha, permitindo então maior ampacidade. São
fabricadas nos mesmos tamanhos, tensão (1,5 V) e possuem os mesmos empregos das pilhas de Leclanché.
a.3) Baterias de lítio: possui alta densidade de energia, pequeno peso e tamanho, descarga constante e longo tempo
de estocagem. São usadas em calculadoras, relógios, etc. Tensão: entre 2 e 3,6 V dependendo do catodo.
12
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

a.4) Baterias de zinco-óxido de mercúrio: pilha de alta capacidade em relação ao seu volume, descarga constante e
boa vida na estocagem. Usada em aparelhos de audição, marca-passos, detectores, etc. Tensão: 1,2 V.
b) Secundárias: são aquelas em que as reações químicas são reversíveis, sendo então capazes de serem recarregadas
forçando-se o processo inverso ao da descarga, denominado eletrólise, para a reparação dos elementos químicos.
Neste caso, o processo consiste em conectar uma fonte com tensão maior que a nominal da pilha ou bateria, com a
polaridade tal que circule uma corrente de sentido contrário ao de descarga destas. As secundárias apresentam
normalmente maior preço que as primárias, mas diluem o custo a longo prazo. Alguns exemplos mais comuns:
b.1) Baterias de chumbo-ácido: possuem diversos tamanhos, elevada auto-descarga e preços comparativamente
baixos. Apresentam problemas de manutenção devido ao eletrólito utilizado (solução de ácido sulfúrico). Tem
amplo emprego em veículos motorizados, instrumentos portáteis, iluminação de reserva, no-breaks, etc.
b.2) Baterias de níquel-cádmio (NiCd): possuem alta densidade de energia, longo ciclo de vida e estocagem, bom
desempenho a baixas temperaturas e pouca manutenção. Necessita ser carregada até sua capacidade total e
descarregada até o mínimo (efeito memória). É utilizada em iluminação de emergência, telefones sem fio, etc.
b.3) Baterias de íon de lítio (Li-ion): de recente desenvolvimento, apresentam elevada ampacidade e densidade de
energia, pequeno peso, rápido carregamento e sem efeito memória. São usadas em dispositivos que requerem
elevada energia para seu funcionamento e pequeno tempo de recarga, tais como equipamentos eletrônicos
portáteis (laptops, celulares, tablets, etc.) e veículos elétricos. Apresentam o dobro da energia que a bateria de
hidreto metálico de níquel (NiMH), esta também de recente desenvolvimento e empregos similares.

(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 1.8: Aparências de pilhas e baterias: (a) alcalina; (b) lítio; (c) chumbo-ácido; (d) NiCd; (e) Li-íon.

1.3.2) LÂMPADAS

Lâmpadas são dispositivos transdutores que transformam energia elétrica em luminosa. Do ponto de vista
luminotécnico, as lâmpadas apresentam diversas carcterísticas, dentre as quais pode-se citar:
 Rendimento luminoso: indica o quanto da potência absorvida é convertida luz, dado em lm/W (lm = lúmens);
 Reprodução de cor: indica a capacidade da lâmpada em refletir fielmente as cores de um objeto ou superfície;
 Vida útil: indica o tempo médio em horas após o qual a lâmpada se queima ou deixa de emitir luz utilizável.
Com exceção das recentes lâmpadas de LED (diodo emissor de luz), as de uso mais comum em Eletrotécnica
são classificadas basicamente em duas categorias, descritas brevemente a seguir:
a) Lâmpadas incandescentes: produzem luz a partir da incandescência de um filamento de tungstênio superior a
2000 °C. Constituem-se de um bulbo de vidro contendo gás inerte (argônio, nitrogênio ou criptônio) para evitar a
evaporação do filamento, este conectado a uma base (tipo rosca ou baioneta) por hastes metálicas (Figura 1.9-a).
Apresentam pequena vida útil (1000 horas), boa reprodução de cor e baixo rendimento luminoso (17 lm/W). Além
da iluminação de ambientes, as lâmpadas incandescentes podem também ser empregadas como fonte de calor para
incubação de ovos, secagem, aquecimento e esterilização, sendo produzidas em diversos formatos (Figura 1.9-b).
Um aprimoramento são as chamadas lâmpadas halógenas, em que o filamento é confinado em uma ampola de
quartzo contendo gases inertes e elementos halógenos (bromo e iodo), com a finalidade de regenerar o filamento
(exemplos na Figura 1.9-c), obtendo-se uma vida útil de até 4.000 horas e um rendimento de até 25 lm/W.

filamento
bulbo
haste
base (rosca rosca
tipo Edison) tipo
contatos baioneta
elétricos
(a) (b) (c)

Figura 1.9: Lâmpadas incandescentes: (a) aspectos físicos; (b) formatos diversos; (c) tipo halógenas.

13
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

b) Lâmpadas de descarga: constituem-se de um envoltório transparente selado com certos vapores metálicos (sódio,
mercúrio, etc.) e gases (argônio, neônio, etc.) em alta ou baixa pressão (gases e vapores tornam-se relativamente
condutores quando rarefeitos), contendo ainda terminais (eletrodos) para contato elétrico. Produzem luminosidade
quando nos eletrodos é aplicado uma tensão suficiente para ionizar o meio (plasma) e uma corrente nele é gerada
(descarga), onde os elétrons dos átomos do gás ou vapor absorvem energia proveniente do choque com elétrons
constituintes da corrente, vindos a se deslocarem para níveis de maior energia e, desse modo, emitir luz (radiação)
no retorno ao seus níveis naturais. São fabricadas em diversos tipos, tais como (aspectos na Figura 1.10):
b.1) Fluorescentes: constituem-se em um tubo de vidro contendo uma gota de mercúrio e argônio a baixa pressão.
Quando conectadas a um circuito, os eletrodos se aquecem e emitem elétrons (efeito termoiônico), que inicia
a ionização do argônio. Com a aplicação de um pulso de tensão, inicia-se uma corrente elétrica que vaporiza o
mercúrio e este passa a emitir radiação. Como parte dessa radiação consiste na faixa do ultravioleta, então a
parede interna do tubo contém depositada uma substância denominada fluorescente, que absorve esta radiação
e a converte em luz visível. São construídas em diversos formatos (Figuras 1.10-a e b) e apresentam bom
tempo de vida útil (10.000 horas), rendimento (40 a 60 lm/W) e encontram diversos empregos em iluminação
de ambientes e decoração, bem como em esterilização com um tipo com tubo sem revestimento fluorescente.
b.2) Vapor de mercúrio: possuem um tubo de quartzo contendo eletrodos de tungstênio (principais e auxiliar),
um gás inerte e mercúrio sob alta pressão, sendo ainda o tubo envolto por um bulbo de vidro coberto com uma
camada de pó fluorescente. A partida é feita por uma bobina, que inicia um arco elétrico entre os eletrodos
principais e auxiliar, e produz-se energia luminosa. O tempo de partida é muito elevado (cerca de 8 minutos)
mas, devido ao bom espectro para reprodução de cores (luz branco-azulada), preço relativamente baixo, bom
rendimento (até 60 lm/W) e tempo de vida útil (20.000 horas), são utilizadas em larga escala na iluminação de
ruas, praças, parques, estacionamentos, pátios, hangares, fábricas, postos de gasolina, campos de futebol, etc.
b.3) Vapor de sódio: semelhante às lâmpadas de vapor de mercúrio, utilizam o princípio da descarga em um tubo
de óxido de alumínio contendo vapor de sódio, envolto por um bulbo de vidro duro. Fabricadas nas variantes
alta e baixa pressão, apresentam rendimento bastante elevado (120 lm/W na versão alta pressão e 200 lm/W na
versão baixa pressão) e boa vida útil (10.000 h), mas emitem luz quase monocromática (amarela alaranjada),
o que resulta em um baixo índice de reprodução de cores. São recomendadas para iluminação de exteriores e
de segurança em locais onde a acuidade visual seja importante mas sem necessidade de distinção de cores, tal
como estacionamentos, auto-estradas, aeroportos e espaços públicos (praças), bem como em situações na qual
a poluição luminosa seja uma restrição ou se pretenda reduzir a interferência da iluminação na fauna noturna.
b.4) Vapor e multivapor metálico: possuem tubo de descarga em alta pressão preenchido com mercúrio, haletos
metálicos (iodeto de índio, tálio e sódio) e gases (argônio e neônio), envolto por bulbo com pó fluorescente.
Apresentam alto rendimento (120 lm/W), alto custo e mesmos empregos das lâmpadas de vapor de mercúrio.
b.5) Luz mista: possuem este nome por constituirem-se de duas fontes de luz: um tubo de descarga de mercúrio
ligado em série com um filamento de tungstênio com a finalidade adicional de limitar a corrente na lâmpada.
Possuem boa vida útil (10.000 h) às custas de baixa temperatura de funcionamento do filamento, resultando
em baixo rendimento (26 lm/W). Contudo, tem a vantagem de não necessitar de reator, podendo ser ligadas
diretamente à rede elétrica. Apresetam boa reprodução de cores e aplicação semelhante às lâmpadas a vapor.
b.6) Lâmpadas de neon: constituem-se de um tubo de vidro contendo principalmente gás neônio a baixa pressão
que emite uma luz vermelho alaranjada, sendo o termo empregado também para dispositivos semelhantes que
contêm outros gases nobres para produzir outras cores. São largamente empregadas como letreiros luminosos.
b.7) Lâmpadas de indução: seu princípio de funcionamento é semelhante aos das lâmpadas de decarga, diferindo
destas pelo fato da corrente ser induzida por um campo magnético de alta frequência (2,65 MHz) produzido
por um circuito eletrônico integrado, não necessitando de eletrodos. Devido à elevada eficiência (70 lm/W) e
tempo de vida (60.000 h), são aplicadas em iluminação de espaços públicos e grandes galpões industriais.

espiral de indução

(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)

Figura 1.10: Aparência de lâmpadas de descarga: (a) fluorescentes; (b) vapor de mercúrio; (c) vapor de sódio tipo
tubular; (d) vapor metálico tubular; (e) multivapor metálico; (f) mista; (g) neon; (h) indução magnética.

14
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Observações: como comentários adicionais ao estudo dos materiais com aplicações eletrotécnicas, tem-se:
1) Fluorescência: é a propriedade de certos materiais em emitir luz no espectro visível quando expostos a radiações
de menor comprimento de onda, por exemplo ultravioleta ou raios X. A energia da radiação incidente provoca uma
excitação de elétrons no material que, ao retornarem aos seus níveis, emitem esta energia absorvida na forma de
radiação visível. Assim, o fenômeno da fluorescência só perdura enquanto existir uma fonte de radiação incidente.
2) Fosforescência: é um efeito similar à fluorescência, diferindo desta pelo fato dos elétrons excitados por radiação
voltarem lentamente para os níveis fundamentais, ou seja, emitem luz aos poucos, mesmo após o término da fonte
de radiação. Materiais fosforescentes (por exemplo, sulfeto de zinco) podem então ser aplicados para sinalização
de dispositivos na ausência de luz, tais como interruptores, tomadas, ponteiros de relógios e placas de trânsito.
3) Transdutores: são dispositivos de monitoramento por meio de um elemento sensor, como por exemplo detecção de
pressão, posição, velocidade, força, temperatura etc., transformadas em um valor de corrente ou tensão elétrica.

1.3.3) FIBRA ÓTICA

As fibras óticas têm sido intensamente empregadas como meio sólido de propagação de informações, através
do guiamento de ondas eletromagnéticas que modulam sinais em sistemas de comunicação como telefonia e rede de
computadores. Para o entendimento do guiamento de onda na fibra ótica, dois fenômenos ópticos são de interesse:
1) Reflexão: quando um raio de luz, propagando-se em um meio qualquer, incide em uma superfície com um certo
ângulo θi com a normal à superfície no ponto de incidência, sofre um desvio de um ângulo θr = θi também com a
normal e continua a se propagar no mesmo meio incidente, diz-se que o raio sofreu reflexão (Figura 1.11-a).
2) Refração: quando um raio de luz, propagando-se em um meio material 1 com velocidade v1, incide em uma super-
fície limitadora de um meio material 2 com um certo ângulo θ1 com a normal à superfície, sofre um desvio em sua
direção e passa a se propagar no meio 2 com um certo ângulo θ2 e velocidade v2 , diz-se que o raio sofreu refração
(Figura 1.11-b). Neste caso, a fronteira que delimita os meios de propagação é denominada dióptro.
A medida qualitativa da refração é chamada refringência, caracterizada em um meio por seu índice de refração
absoluto n dado pela razão entre as velocidades c da luz no vácuo e a de propagação v no meio, tal que: n = c/v.
Logo, quanto menor a velocidade da luz no meio, maior é o seu índice e diz-se que mais refringente é o meio.
O fenômeno da refração da luz é regido pela chamada Lei de Snell-Descartes, definida por (Figura 1.11-b):
sen θ1 v n
= 1 = 2 (1.13)
sen θ 2 v2 n1
ou seja, a razão entre o seno dos ângulos de incidência e refração e entre as velocidades de propagação dos meios é
uma constante igual ao inverso da razão entre os índices de refração absolutos dos meios que formam o dioptro.
Com base na equação (1.13) nota-se que, se n2 < n1 , então θ2 > θ1 , ou seja, na propagação de um meio de maior
para um de menor refringência, o raio se afasta da normal. Neste caso, o aumento do ângulo de incidência poderá
atingir um valor limite θL a partir do qual o raio não mais se refrata e passa a sofrer reflexão total (Figura 1.11-c).

raio de normal (N)


raio de θ1 normal (N)
incidência raio de incidência θL reflexão
θi θr reflexão v1 meio material 1 (n1) > θL total
meio material 2 (n2) n1
meio incidente dióptro v2
n2 < n1
meio material θ2 raio de
refração
(a) (b) (c)
Figura 1.11: Fenômenos ópticos na propagação de um raio de luz: (a) reflexão; (b) refração; (c) ângulo limite.
A possibilidade de ocorrer reflexão total de um raio de luz se propagando por um material mais refringente para
um menos refringente, permite que se obtenha o efeito do guiamento de um raio de luz ao longo de um meio material.
Fibras óticas, que representam uma aplicação prática deste guiamento de luz, consistem em um cabo formado básica-
mente por um núcleo cilindrico de material altamente transparente, envolvido de forma coaxial por uma fina casca de
material menos refringente que o núcleo, podendo apresentar ainda uma capa plástica de proteção contra choques
mecânicos (Figura 1.12-a). A casca é normalmente de material plástico, com o núcleo podendo ser de plástico ou
sílica altamente purificada. Desse modo, o sinal de luz a ser transmitido é propagado através do núcleo por reflexão
interna total no dióptro núcleo-casca (Figura 1.12-b). Atualmente, os sistemas ópticos utilizam luz infravermelho, por
esta sofrer menor atenuação que a luz visível, proveniente de um dispositivo semicondutor denominado LED laser.
Um sistema de transmissão por fibra óticas (Figura 1.12-c) é formado basicamente por um circuito transmissor,
que converte o sinal elétrico em ótico, um cabo de fibra ótica como meio de propagação do sinal ótico, e um circuito
receptor, que converte o sinal ótico novamente em elétrico, além de conectores responsáveis pelas ligações terminais.
O driver, pode ser um LED laser, fornece o sinal elétrico em condições requerida pelo emissor ótico. O detetor ótico
pode ser um fotodiodo e a interface de saída basicamente amplifica o sinal elétrico e o regenera, se necessário.
15
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

A fibra ótica apresenta diversas vantagens como meio de comunicação, dentre as quais pode-se citar: baixa
atenuação, elevada largura de banda (maior capacidade de transmissão), imunidade a campos magnéticos, baixo peso,
isolação elétrica (não produzem faiscamentos) e segurança (não permitem retirada de sinais sem seu rompimento).
casca
capa

núcleo
(a) (b) (c)

Figura 1.12: Fibra ótica: (a) constituição física básica; (b) guiamento de luz; (c) enlace de comunicação ótico.

Exercício 6: Seja um cabo de fibra ótica constituído por um núcleo de índice de refração nN = 1,6 e uma casca de
índice de refração nC = 1,5. Supondo um feixe de luz incidindo na fibra proveniente do ar, num ângulo θ com o eixo
da fibra (figura), determine o valor limite de θ para que o raio passe a se propagar na fibra por reflexão interna total.
Solução
ar (nAR ≈ 1,0) casca (nC = 1,5)
P1
α 90 – α P2
fibra ótica
θM núcleo (nN = 1,6)
θ

Pela figura observa-se que o limite do ângulo θ é um valor máximo θM , abaixo do qual ocorre reflexão interna
total do raio no dióptro núcleo-casca. Assim, aplicando-se a Lei de Snell-Descartes no ponto P1 :
nAR sen(θM) = nN sen(α) ⇒ ∴ sen(α) = sen(θM)/ nN
pois nAR ≈ 1,0. O ponto P2 representa o limite para a ocorrência da reflexão interna total do raio de luz. Logo:
nN sen(90 − α) = nC sen(90º) ⇒ nN [sen(90) cos(α) − sen(α) cos(90)] = nC ⇒ ∴ cos(α) = nC / nN
Como sen2 (α) + cos2(α) = 1, então: [sen(θM)/ nN] 2 + (nC / nN) 2 = 1 ⇒ sen 2 (θ M ) + nC2 = nN2 ⇒
sen 2 (θ M ) = nN2 − nC2 ⇒ sen(θ M ) = nN2 − nC2 ⇒ ∴ θ M = arcsen ( nN2 − nC2 )
Logo, para nN = 1,6 e nC = 1,5 tem-se que: θM ≈ 0,59 rad ≈ 33,8º

1.3.4) LASER

O laser, sigla para “amplificação de luz por emissão estimulada de radiação” (Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation), é um feixe emergente de radiação eletromagnética cujo princípio de funcionamento, como seu
próprio significado sugere, é baseado em um fenômeno da matéria conhecido como emissão estimulada.
Como visto, um elétron excitado apresenta a tendência de retornar ao seu nível fundamental e, neste processo,
emite a diferença de energia entre os níveis na forma de pacotes de luz (fótons). Nas escalas de tempo atômico, este
retorno é bastante lento, porém o elétron pode ser “estimulado” a isso se no mesmo incidir um fóton que o incentiva a
emitir um fóton de mesmo comprimento de onda e fase do fóton incidido. Os fótons originados da estimulação podem
a seguir estimular outros fótons idênticos, estes últimos podem estimular outros idênticos, e assim sucessivamente em
um efeito cumulativo que resulta em uma grande quantidade de radiação idêntica emergindo do meio material.
Um mecanismo básico de produção da luz laser consiste de
um recipiente de paredes internas espelhadas, chamado cavidade superfície bombeamento de energia
óptica, preenchido por um meio ativo composto por uma amostra espelhada (luz, eletricidade, etc.)
de material sólido, líquido ou gasoso, no qual um grande número
de átomo são excitados devido a um bobeamento (de luz, campo cavidade
óptica
elétrico, etc.), que fornece energia a este meio (Figura 1.13). Os
elétrons excitados destes átomos produzem inicialmente fótons, meio feixe laser
ativo
que são refletidos de volta sobre o material devido à superfície
espelhada da cavidade óptica, e estimulam uma nova geração de
fótons que também são re-incididos no material e assim sucessi-
vamente. Após vários passos, uma fração dos fótons, que estão se
movimentando na direção do eixo da cavidade, emergem por
uma abertura ou por um espelho que apresenta reflexão parcial.
Figura 1.13: Esquema simplificado das partes
Essa fração dos fótons continuamente emergentes da cavidade
constituintes de um dispositivo laser.
óptica consiste então no referido feixe de luz laser (Figura 1.13).
16
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Assim, o laser apresenta diversas propriedades especiais, tais como: monocromático (as ondas eletromagnéticas
que compõem o feixe possuem comprimento onda bem definido), coerente (as ondas oscilam de forma sincronizada,
isto é, estão em fase) e colimado (as ondas propagam-se em uma mesma direção de forma praticamente paralela).
Como meio ativo, que define o comprimento de onda do laser, são empregado diversos materiais, tais como:
Hélio-Neônio (11500 Å), Rubi (6940 Å), Arsenieto de Gálio (6000-11000 Å), Neodímio-YAG (10600 Å), Érbio-YAG
(29400 Å) e Hólmio-YAG (21000 Å), onde YAG é um material sintético dopado semelhante ao diamante.
Comercialmente, o laser pode ser produzido em diversas potências (0,1 - 500 mW) de acordo com a sua vasta
aplicação, tais como: telecomunicações (transmissão de informação via luz acoplada a uma fibra ótica), científicas
(praticamente todas as ciências experimentais tem algum emprego para o laser), indústria e comércio (instrumentos de
corte, soldagem e marcação de peças, confecções de moldes, impressoras, leitor de código de barras, etc.), medicina e
odontologia (instrumentos de corte cirúrgicos, tratmentos de câncer, biópsias, pinças ópticas, remoção de cáries, etc.)
e leitura e gravação de dados, informações e conteúdo de entretenimento (CDs e DVDs, etc.).

1.3.5) CÉLULA COMBUSTÍVEL A HIDROGÊNIO

Célula combustível (Fuel Cell), também chamada de célula a combustível (CaC) ou célula de combustível, é
um dispositivo em que um agente redutor (combustível) e um agente oxidante (comburente) são consumidos de forma
a converter a energia química da reação envolvida diretamente em energia elétrica. A estrutura básica de uma célula
combustível constitui-se de um eletrodo negativo (anodo), que é alimentado com um gás combustível, um eletrodo
positivo (catodo), que recebe o comburente, um eletrólito com a função de transportar íons positivos produzidos no
anodo para o cátodo, e catalizadores nestes eletrodos para acelerar as reações eletroquímicas, sendo o resultado destas
reações a produção de corrente em um fio condutor ligado a um circuito elétrico externo ao sistema (Figura 1.14).
O modelo de célula combustível de maior desenvolvimento
tecnológico utiliza hidrogênio (combustível) e oxigênio (comburente) circuito
como reagentes, uma membrana eletrolítica polimérica (PEM) condu- e_ elétrico e_
tora de prótons e catalizadores de platina que revestem os eletrodos.
O hidrogênio introduzido no anodo da célula é oxidado (ionizado) no
eletrólito c
catalisador e dissociado em prótons (íons H+) e elétrons. Os prótons H2 a
a
O2
são conduzidos através da membrana para o catodo e os elétrons são n
t
forçados a percorrer o circuito externo na forma de corrente elétrica o
o
contínua, devido a uma diferença de potencial estabelecida entre os d
d H 2O
eletrodos (Figura 1.14). No catodo, o oxigênio fornecido reage com H o
H+ o +
2
os prótons vindos do eletrólito e com os elétrons provenientes do calor
circuito externo, produzindo vapor d’água (Figura 1.14). Na prática,
cada par eletrodos/eletrólito pode produzir uma ddp de cerca de 1 V e
Figura 1.14: Esquema simplificado de uma
diversos pares podem ser conectadas em série, para a obtenção de
maior tensão, e/ou paralelo, para a obtenção de maior corrente. célula combustível a hidrogênio.
As tecnologias de maior desenvolvimento na atualidade consistem nas das células de membranas poliméricas
(chamadas PEFC), bem como nas de óxido sólido ou cerâmicos (SOFC) e nas de carbonato fundido (MCFC).
As células combustível têm a vantagem de serem pouco poluentes e altamente eficientes, podendo ser utilizadas
como sistemas de emergência e fonte de energia elétrica em aparelhos portáteis (celulares, notebooks e automóveis) e
em regiões com carência de rede elétrica. No entanto, o emprego do hidrogênio como combustível apresenta ainda
vários problemas práticos a serem superados. O hidrogênio é altamente inflamável, o que exige o desenvolvimento de
tecnologias para o reabastecimento seguro das células. Além disso, este gás não se constitui em uma fonte primária de
energia, pois precisa ser fabricado a partir de outras fontes, tais como gasolina, gás natural, metanol, óleos, biomassa
gaseificada, etc., necessitando-se para isso o consumo de outra forma de energia (por exemplo, térmica ou elétrica).
Embora células combustível e pilhas eletroqúimicas produzam energia elétrica sem a necessidade de combustão
ou dispositivos rotativos e tenham componentes e características similares, elas diferem no sentido de que todos os
ingredientes necessários para as pilhas funcionarem estão contidas em seu invólucro, razão pela qual são dispositivos
de armazenamento de energia. As células combustível, por sua vez, empregam dois agentes químicos (combustível e
comburente) fornecidos de fontes externas ao sistema e, desse modo, podem produzir continuamente energia elétrica
enquanto for mantido o provimento destes ingredientes, isto é, funcionam como dispositivos de conversão de energia.

1.4) EXERCÍCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Seja dois fios 1 e 2 de mesmo material e peso desprezível. O fio 2 tem 6 cm comprimento. O fio 1 tem o
dobro do comprimento e diâmetro do fio 2. No fio 1 é suspenso um cubo de cobre e, no fio 2, um cubo de material M,
cuja aresta é a metade do cubo de cobre (vide figura). Sabendo-se que o comprimento final do fio 1 é 12,08 cm e do
fio 2 é 6,009 cm, determine a massa específica do material M. Considere temperatura ambiente (20 oC).

17
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Problema 2: Sejam dois líquidos miscíveis 1 e 2, de massas específicas 1,1 g/cm3 e 0,9 g/cm3, respectivamente. Qual
a massa específica de uma mistura homogênea composta, em volume, por 60 % de líquido 1 e 40 % de líquido 2?

Problema 3: A figura fornecida mostra a variação do comprimento de duas barras de materiais A e B, em função do
incremento de temperatura ∆T. Compare os coeficientes de dilatação linear dos materiais e obtenha conclusões.

Problema 4: Seja uma placa metálica com um furo no centro (figura dada), cujas dimensões à temperatura de 20 oC
são fornecidas na figura. Determine a variação percentual da área do furo quando a placa sofre um aquecimento até à
temperatura de 520 oC. Dado: coeficiente de dilatação linear do material da placa: α = 2 x 10–5 oC –5.

Problema 5: A massa específica de certo material sólido é igual a 5,015 g/cm3 a 25 oC e 5 g/cm3 a 75 oC. Determine
o coeficiente de dilatação térmica linear deste material, supondo este independente da temperatura.

Problema 6: A figura dada mostra dois pilares de materiais A e B à temperatura inicial de 20 oC, que suportam uma
plataforma P inclinada com um ângulo de 1o. Determine a temperatura final dos pilares A e B tal que a inclinação da
plataforma seja de 0o. Dados: coeficientes de dilatação linear dos materiais: αA = 10–5 oC -1 ; αB = 4 x 10–5 oC –1.

Problema 7: Uma esfera de alumínio tem, a 25 oC , um diâmetro de 5 cm. Determine a temperatura que esta esfera
pode ser aquecida para que a mesma ainda consiga passar por um orifício circular de 5,03 cm de diâmetro.

Problema 8: Seja, a 20 oC, uma barra de cobre de comprimento desconhecido e uma barra de alumínio de 3,4 cm de
comprimento. Submetem-se ambas as barras a mesma variação de temperatura e observa-se que a diferença entre os
comprimentos das barras se mantém constante. Determine o comprimento da barra de cobre a 20 oC.

Problema 9: Sejam 3 barras isoladas termicamente, conectadas e submetidas às temperaturas em suas extremidades
tal como mostrado na figura fornecida. A área da seção de cada barra é 1 cm2. Pede-se: determine a temperatura TJ na
junção das barras, o valor e o sentido da corrente térmica em cada barra, e a resistência térmica das barras. Dados:
condutividade térmica dos materiais: K1 = 0,18 cal/oC cm s , K2 = 0,12 cal/oC cm s e K3 = 0,084 cal/oC cm s.
P
lA, lB (cm)
A 0,5 m 1o 12 cm
15 retas
A
g 2 paralelas 0,5 cm 10 oC 50 oC
1 B 1 cm 3m 1 2
12 1m 15 cm
M TJ
10 cm 3 30 cm
Cu 5 cm B
0 ∆T( C)o
80 oC
Problema 1 Problema 3 Problema 4 Problema 6 Problema 9
Problema 10: Sejam dois corpos de materiais A e B de mesmo volume. Sabe-se que o calor específico do material A
é 60% maior que do material B e a massa específica de A é 80% de B. Fornecido a mesma quantidade de calor aos
dois corpos, determine qual corpo é submetido à maior variação de temperatura e a diferença percentual das mesmas.

Problema 11: A afirmação: “o elétron emite continuamente energia ao retornar ao seu nível fundamental, de forma a
obedecer a teoria quântica”, está correta? Explique sua resposta.

Problema 12: Para um elétron situado no 4o nível de energia de certo átomo, esquematize os caminhos (combinações
de etapas) que este poderá percorrer no retorno ao 1o nível e identifique quantos tipos de fótons ele poderá emitir.

Problema 13: A equação da distribuição de energia dos níveis de certo átomo é dada por: En = − 36/n2 , n = 1,2,...,∞.
Para um elétron situado no 2o nível deste átomo, pede-se:
a) O elétron absorve um fóton e, ao retornar ao seu nível, emite dois fótons de comprimentos de onda 28181,8 Å e
1640,2 Å. Determine o comprimento de onda do fóton absorvido e o caminho percorrido pelo elétron até seu nível.
b) Explique o que acontece com o elétron se no mesmo incidir um fóton de comprimento de onda 400 Å.
c) Determine o comprimento de onda limite para o elétron sofrer fotoexcitação e explique se é mínimo ou máximo.
7,2 m
Problema 14: A figura dada mostra uma plataforma circular de diâmetro 7,2 m, que flutua em
águas cuja velocidade de propagação da luz é 2,4 x 108 m/s. Determine a profundidade limite
hlim
hlim abaixo do centro da plataforma, que um peixe deve se posicionar para que não seja visto
de nenhuma posição fora d’água. Explique se o limite é mínimo ou máximo.

18
CAPÍTULO 2: MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES
Materiais ditos condutores elétricos são definidos como todo meio que permite o estabelecimento de um fluxo
utilizável de cargas livres por sua estrutura, compatível com a diferença de potencial aplicada. A Eletrotécnica faz uso
destes materiais para o transporte de energia na forma de corrente elétrica, de modo a desenvolver ações de comando,
acionamento, armazenamento e transformação em outras formas de energia, tais como mecânica, térmica e luminosa.
Este capítulo tem então o objetivo de realizar um estudo sobre os materiais condutores, suas características e
aplicações em componentes elétricos, bem como dissertar sobre alguns tópicos complementares ao assunto.

2.1) FENÔMENO DA CONDUÇÃO ELÉTRICA

O fenômeno da condução elétrica em um material é qualificada pela propriedade denominada condutividade


elétrica. A chamada resistência elétrica refere-se à quantificação desta propriedade em uma amostra do material e
dependente de fatores instrínsecos ao material, tais como impurezas e imperfeições, bem como fatores externos como
temperatura e frequência da corrente elétrica circulante pela amostra. Estes tópicos são abordados a seguir.

2.1.1) CONDUTIVIDADE E RESISTÊNCIA ELÉTRICAS

O movimento ordenado de portadores de carga livres em um meio material (elétrons e íons) é chamado corrente
elétrica, sendo seu montante proporcional à quantidade disponível destes portadores no material. Em Eletrotécnica, no
entanto, a qualidade condutora de um material reside na sua capacidade de conduzir um fluxo de carga utilizável, o
que se resume a não considerar como efetivas ou válidas correntes de ordem inferior a microampéres.
Como visto no Capítulo 1, os materiais ditos condutores elétricos caracterizam-se por apresentar suas bandas de
valência e condução superpostas, o que resulta em uma elevada disponibilidade de elétrons na banda de condução,
que porisso apresentam grande liberdade de movimento e recebem então a denominação de elétrons livres. Assim, o
surgimento de correntes elétricas em amostras destes materiais podem ser substanciais e, portanto, utilizáveis.
Seja então uma amostra cilíndrica de comprimento ℓ e área A de certo material condutor elétrico contendo N
elétrons livres disponíveis (Figura 2.1-a), que, sem a influência de um agente externo, apresentam um movimento
totalmente randômico, motivado apenas pela agitação térmica (Figura 2.1-a) e, portanto, não se constituem em um
deslocamento ordenado de carga elétrica em qualquer direção resultante. Contudo, o estabelecimento de um campo
elétrico E no interior da amostra, em conseqüência da aplicação de uma diferença de potencial V (tensão), impõe uma
 
força elétrica Fel = − e E aos elétrons livres e determina um movimento preferencial a estes portadores, de sentido
contrário ao campo (Figura 2.1-b). Devido a colisões com elétrons estacionários da rede, os elétrons livres passam a
se deslcoar pela amostra a uma velocidade média v (Figura 2.1-b), chamada velocidade de deriva ou de arrastamento
e, como resultado, tem-se então o surgimento de uma corrente elétrica, chamada de condução, de deriva ou de campo.
N elétrons livres V V

e− e− v e−
v e− v<0
e− v e− e<0
e− e− E E,J
A A A
e− v e− v e−
e− v e− v e− e>0
v>0

ℓ x ℓ x ℓ x
(a) (b) (c)

Figura 2.1: Fenômeno da condução elétrica nos materiais: (a) cargas livres em movimento randômico; (b) tensão
aplicada e consequentes campo elétrico e corrente elétrica; (c) densidade de corrente de condução resultante.
Supondo t o tempo médio necessário a um elétron livre percorrer a amostra de comprimento ℓ, então pode-se
estimar a velocidade média v dos elétrons livres como: v = − ℓ /t, por esta ter sentido contrário ao eixo x. Sendo uma
corrente elétrica definida como a variação de carga com o tempo (∆Q/∆t), então a corrente elétrica I na amostra de
material condutor, resultante do movimento ordenado de seus N elétrons livres disponíveis, pode ser determinada por:
∆Q N× q N × ( − e) N ev
I= = = ⇒ ∴ I=
∆t t (− ℓ / v) ℓ
ou seja, o montante da corrente de condução indenpende do sinal da carga presente no material. Logo, este mesmo
resultado pode ser obtido considerado-se o movimento de cargas positivas, cujo sentido é denominado convencional.
Definindo densidade de corrente de condução, deriva ou de campo J como a corrente que flui através da área A
da seção transversal ao fluxo de portadores (J = I /A), então a densidade de corrente na amostra será dada por:

19
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

I N ev
J = =
A ℓA
Seja n a concentração de elétrons livres em um material, definida como o número de elétrons livres por unidade
de volume. Sendo o produto ℓ A o volume do condutor e há N portadores livres disponíveis, então a concentração n
do material da amostra será dada por: n = N / ℓ A. Assim, a densidade de corrente J pode ser reescrita como:
N
J = ev ⇒ ∴ J = n e v (2.1)
ℓA
Seja µn = v/E (m2/Vs) a propriedade que descreve a velocidade média dos elétrons em um material por unidade
de campo elétrico aplicado, chamada mobilidade dos elétrons livres. A densidade de corrente J é então dada por:
J = n e v = n e µn E = σ E (2.2)
onde na equação resultante, conhecida como Lei de Ohm na forma vetorial, o termo σ, denominado condutividade
elétrica (unidade: S/m, S = Siemens), expressa a facilidade com que cargas livres podem fluir por um meio material
quando submetido a uma ddp, ou seja, sua capacidade em conduzir correntes de condução, desse modo definida por:
σ = n e µn (2.3)
Com base na equação (2.2), observa-se que o vetor densidade de corrente tem sempre o sentido do vetor campo
elétrico aplicado pois, como concluído, não depende do sinal do portador de carga livre considerado (Figura 2.1-c).
A propriedade inversa à condutividade, ou seja, que define a oposição ou dificuldade imposta por um material à
circulação de corrente por seu meio, é chamada resistividade elétrica ρ (Ωm), definida então por: ρ = 1/σ = 1/n e µn .
Como um campo elétrico é definido como o gradiente de potencial elétrico aplicado a um meio material, ou
seja, a variação de potencial ao longo do meio (∆V/∆x), tem-se que o campo E na amostra devido à tensão V aplicada
entre as extermidades distantes ℓ pode ser determinada por E = V/ ℓ . Logo, manipulando-se a equação (2.2), tem-se:
I I V 1 ℓ ℓ
J = =σE ⇒ =σ ⇒ V = I = ρ I ⇒ ∴ V =RI (2.4)
A A ℓ σ A A
onde a equação resultante é chamada Lei de Ohm na forma escalar e o termo R = ρ ℓ /A dependente da geometria da
amostra é chamado resistência elétrica (Ω), que representa uma avaliação quantitativa da resistividade do material.
Para o caso da amostra submetida a uma tensão constante em suas extremidades, tem-se como resultado uma
corrente também constante (corrente contínua, dita CC), cuja densidade de corrente ocupa uniformemente toda a área
transversal A da amostra. Neste caso, a chamada resistência elétrica à corrente contínua RCC se resume a:
ℓ ρ
RCC = ρ (Ω ) ou RCC = (Ω / m) , para ℓ = 1m (2.5)
A A
onde a segunda equação (por unidade de comprimento) tem emprego prático na indústria de fios e cabos condutores.
Cabos elétricos consistem de um conjunto de fios de mesma seção ou não. Neste caso, normalmente os fios do
cabo são encordoados (trançados helicoidalmente) para conformação mecânica, fazendo-os maior que o próprio cabo.
Logo, o comprimento dos fios deve ser corrigido por um fator de encordoamento fe, que convencionalmente será:
 Para cabos com até 3 fios: comprimento dos fios em média 1% maior que o cabo, ou seja, fe = 1,01.
 Para cabos com mais de 3 fios: comprimento dos fios em média 2% maior que o cabo, ou seja, fe = 1,02.
Assim, a resistência CC de um cabo elétrico com nfios de área Afio cada e comprimento ℓ será determinada por:
ℓ × fe fe
Afio RCC , cabo = ρ (Ω) ou RCC , cabo = ρ (Ω / m ) (2.6)
A fio × n fios Afio × n fios
nfios

Observações: como informações adicionais acerca do estudo da condutividade e resistência dos materiais, tem-se:
1) O tipo de portador de carga livre em condutores sólidos são exclusivamente elétrons, nos líquidos (eletrólitos) são
exclusivamente íons e apenas os condutores gasosos (plasmas) apresentam elétrons e íons como portadores livres.
2) A concentração n elétrons livres nos metais é aproximadamente 1023 cm-3. Como comparação, a concentração de
elétrons livres nos isolantes é da ordem de 106 cm-3, e nos semicondutores ditos puros, em torno de 1010 cm-3.
3) Como a resistência é proporcional ao comprimento, então fios resistivos podem ser empregados como sensores de
deformação elástica de peças em equipamentos de medição, denominados extensômetros por resistência elétrica.

Exercício 1: Seja um fio metálico de 2,5 mm2 conduzindo uma corrente contínua de 16 A . Supondo a concentração
de elétrons livres no metal da ordem de 1023 cm-3, determine a velocidade de deriva (v) dos elétrons neste fio.
Solução
→ Como: J = I/A = n e v então: v = I/(n e A)
onde: I = 16 A ; A = 2,5 mm2 = 2,5 x 10 -6 m2 ; n = 1023 cm-3 = 1029 m -3 ; e = 1,6 x 10-19 C
→ Portanto: v = 16 / (1029 × 1,6 ×10−19 × 2,5 × 10−6 ) ⇒ ∴ v = 4 × 10−4 m /s
A esta velocidade, um elétron necessitaria de 2500 s, ou aproximadamente 42 min, para percorrer 1 m de fio. Assim, a
velocidade de deriva é muito pequena comparada com a velocidade da onda de propagação de um campo elétrico ao
longo do fio (propagação de um sinal de tensão), que é cerca da velocidade das ondas eletromagnéticas (3 x 108 m/s).

20
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2.1.2) FATORES QUE INFLUENCIAM NA RESISTÊNCIA ELÉTRICA

A resistência elétrica de amostras dos materiais depende de fatores que influenciam no valor da resistividade do
material, tais como pureza, imperfeições e temperatura, bem como a freqüência do sinal de corrente elétrica aplicado,
que influencia diretamente na resistência da amostra. Estes aspectos são então discutidos a seguir.

2.1.2.1) Grau de impureza e imperfeições no material

A presença de impurezas em materiais condutores, notadamente


nos metais, provoca alterações na disposição cristalina do material, cuja ρ (x 10-8 Ω.m)
irregularidade dificulta a passagem dos elétrons. Logo, a resisitividade sentidos de maior pureza
dos metais aumentam com a diminuição do seu grau de pureza. Assim, 60
ligas metálicas tendem a apresentar resistividade maior que a dos metais 50
componentes. Por exemplo, a Figura 2.2 mostra a variação da resistivi- 40
dade de uma liga de cobre e níquel, onde observa-se que a resistividade 20 7,2
do Constantan é maior que a do cobre e do níquel puros (Tabela 2.1). 1,7
0
Similarmente, a presença de imperfeições na rede cristalina de 100 80 60 40 20 0 % Cu
um material, comumente originadas no momento de sua cristalização ou 0 20 40 60 80 100 % Ni
pela ação de uma energia aplicada à sua estrutura (por exemplo, atuação Constantan
de forças mecânicas, tais como laminações a frio e trifilação), acarretam
em deformações que causam um aumento da resistividade do material. Figura 2.2: Variação da resistividade de
Estas imperfeições alteram ainda algumas das características mecânicas uma composição de cobre com níquel.
do material (por exemplo, aumentam a dureza), sendo estes problemas
amenizados mediante um tratamento térmico denominado recozimento. Por exemplo, o cobre do tipo laminado a frio
é submetido a esforços em sua fabricação, o que o faz apresentar resistividade maior que a do tipo fundido.

Observação: dentre os processos de conformação mecânica e acabamento dos materiais, pode-se citar:
• Recozimento: tratamento térmico que consiste em aquecimento e resfriamento lento para alívio de tensões internas
de um material para diminuição de sua dureza devido, por exemplo, ao chamado encruamento (endurecimento).
• Extrusão: processo de fabricação por compressão a frio ou a quente, que consiste na saída forçada de uma peça em
um molde para a obtenção da forma desejada (exemplos: tubos e encapamento de fios). Provoca encruamento.
• Trifilação: processo de fabricação por deformação a quente, que consiste em forçar a passagem de uma amostra de
material por uma matriz sob esforço de tração, de modo a sofrer deformação plástica. Tem por objetivo reduzir a
seção do material e aumentar seu comprimento para produzir, por exemplo, fios. Este processo aumenta bastante a
resistência à tração e à fadiga da peça, aumentando, contudo, a dureza do material.
• Usinagem: processo de submissão de um material bruto à ação de uma máquina e/ou ferramenta, de modo a ser
trabalhado, tal como serramento, aplainamento, torneamento, fresamento, furação, eletroerosão, etc.
• Prensagem: aplicação de pressão para a operação de conformação de peças baseada na compactação, com aditivos
ou não, de materiais inseridos no interior de uma forma rígida ou de um molde flexível.
• Esmerilhagem: processo de desgaste e polimento de peças por meio da rotação de uma pedra circular muito dura.

2.1.2.2) Temperatura

Com base na equação (2.3), observa-se que a condutividade elétrica de um material depende da concentração e
mobilidade de seus elétrons livres. No caso dos materiais condutores puros (notadamente os metais), praticamente
todos os elétrons de valência estão livres, o que resulta então em uma concentração de elétrons livres praticamente
constante. Contudo, uma elevação da temperatura acarreta em maior vibração da rede cristalina do material, o que
provoca um aumento das colisões entre elétrons em movimento e elétrons fixos da rede, com consequente perda de
mobilidade dos elétrons livres e maior aquecimento do material por Efeito
Joule. Logo, com a concentração de elétrons livres praticamente constante, a R (Ω)
diminuição na mobilidade destes elétrons devido à elevação da temperatura RT2
acarreta em um aumento da resistividade do material e, conseqüentemente,
∆R
no aumento da resistência elétrica de uma amostra deste material. θ
RT1
Assim, como estudo, seja na Figura 2.3 um gráfico típico de variação
∆T
da resistência com a temperatura, referente a uma amostra de material de
comprimento ℓ e seção transversal A submetida a uma variação de tempera- 0
T1 T2 T(oC)
tura em torno da qual normalmente residem faixa de trabalho dos materiais.
Observa-se então que a variação da resistência da amostra com a temperatura Figura 2.3: Variação da resistência
tem comportamento praticamente linear na faixa de trabalho e, desse modo, elétrica com a temperatura.
a declividade do segmento de reta obtido pode ser determinada por:
21
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

∆R R − RT1
tg θ = = T2
∆T T2 − T1
Contudo, esta declividade representa um comportamento da amostra com a temperatura e não do material da
amostra. Neste caso, supondo desprezível a dilatação térmica volumétrica da amostra quando submetido à variação de
temperatura, então dividindo-se ambos os lados da equação pela resistência elétrica à uma temperatura de referência
qualquer, por exemplo T1 (RT1), e considerando as dimensões da amostra constantes, obtem-se:
tg θ 1 RT2 − RT1 1 ρ T2 ℓ / A − ρT1 ℓ / A 1 ρT2 − ρT1
= = = = αT 1
RT1 RT1 T2 − T1 ρT1 ℓ / A T2 − T1 ρT1 T2 − T1
o que resulta então em um termo αT1 (unidade: oC –1) independente da geometria da amostra e que descreve, portanto,
uma característica intrínseca do material, notadamente o comportamento de sua resistividade com a temperatura. O
parâmetro αT1 , que descreve a proporcionalidade entre resistividade e temperatura, é então denominado coeficiente de
variação da resistividade com a temperatura, ou coeficiente de temperatura da resistividade.
Logo, a resistividade de um material à uma temperatura qualquer T2 pode ser obtida a partir da resistividade e
coeficiente de temperatura da resistividade do material tabelados na temperatura de referência T1 , tal que:
1 ρT2 − ρT1
= α T1 ⇒ ∴ ρT2 = ρT1  1 + α T1 ( T2 − T1 )  (2.7)
ρT1 T2 − T1
Como T1 é normalmente adotada em 20 oC, então a resistividade ρT a uma temperatura qualquer T será tal que:
ρT = ρ 20 [ 1 + α20 (T − 20 ) ] (2.8)
Assim, para uma amostra do material de comprimento ℓ e seção transversal A submetida a faixa de variação de
temperatura, a resistência da amostra à temperatura qualquer T (RT) a partir da referência 20 oC será dada por:
ρT (ℓ / A) = ρ 20 (ℓ / A)  1 + α 20 ( T − 20 )  ⇒ ∴ RT = R20  1 + α 20 (T − 20 )  (2.9)
A Tabela 2.1 apresenta a resistividade e o coeficiente de variação da resistência com a temperatura para alguns
materiais a 20 oC. Com base nos dados da tabela, observa-se que, de acordo com o módoulo e sinal do coeficiente de
temperatura, ocorrem basicamente três classificações para o comportamento da resistividade elétrica dos materiais:
 PTC: a resistividade do material aumenta com o aumento da temperatura, ou seja, o coeficiente é positivo (α > 0).
Este comportamento é basicamente encontrado nos metais puros em geral (Tabela 2.1) e na maioria de suas ligas.
 NTC: a resistividade do material diminui com o aumento da temperatura, ou seja o coeficiente é negativo (α < 0).
Este é o caso do grafita (Tabela 2.1), de algumas ligas metálicas resistivas, dos semicondutores e dos isolantes.
 Termoestável: a resistividade do material praticamente não se altera com a variação de temperatura, ou seja, o
coeficiente de temperatura é muito pequeno ou nulo (α ≈ 0). Na Tabela 2.1 tem-se como exemplo o constantan,
que apresenta um coeficiente de temperatura (≈ 10– 6) muito inferior comparado a outros materiais (≈ 10– 3), isto é,
o comportamento de sua resistência com a temperatura apresenta uma declividade praticamente desprezível.

Tabela 2.1: Resistividade e coeficiente de temperatura da resistividade de alguns materiais.


Condutor ρ20 o C (Ω m ) α 20 o C ( o C − 1 ) Condutor ρ20 o C (Ω m ) α 20 o C ( o C − 1 )
prata 1,6 x 10-8 3,8 x 10-3 níquel 7,8 x 10-8 6,0 x 10-3
cobre 1,7 x 10-8 3,9 x 10-3 ferro 10 x 10-8 5,5 x 10-3
ouro 2,4 x 10-8 3,4 x 10-3 platina 10,5 x 10-8 3,0 x 10-3
alumínio 2,8 x 10-8 4,0 x 10-3 constantan 50 x 10-8 8,0 x 10-6
tungstênio 5,0 x 10-8 5,2 x 10-3 grafita 14 x 10-6 – 5,0 x 10-4

Exercício 2: Seja um cabo constituído por 7 fios de cobre de seção circular com 0,28 cm de diâmetro. Pede-se:
a) Determine a resistência à corrente contínua de um fio do cabo por quilômetro a 50 oC ;
b) Determine a resistência à corrente contínua do cabo por quilômetro a 50 oC ;
Solução
Da Tabela 2.1, tem-se para o material cobre a 20 oC que: ρCu, 20C = 1,7 x 10–8 Ω m , αCu, 20C = 3,9 x 10–3 oC -1
a) Cálculo da resistência à corrente contínua de um fio do cabo de cobre em Ω/km e a 50 oC :
→ Raio de um fio do cabo: rfio = 0,28 / 2 cm = 0,14 cm = 1,4 x 10–3 m
→ Resistividade do cobre a 50 oC : da equação (2.8) tem-se que:
ρCu ,50 oC = ρCu ,20 oC [1 + α Cu ,20 oC (50 − 20) ] = 1,7 × 10−8 [1 + 3,9 × 10−3 × 30] ≈ 1,9 × 10−8 Ω m
→ Da equação (2.5), tem-se então que a RCC do fio a 50 oC será dada por:
ρCu,50 o C ρCu,50 o C 1,9 × 10−8 Ω Ω
RCC, fio,50 oC = = = ≈ 3,1 × 10−3 = 3,1
π (1, 4 × 10 )
2 − 2
A fio π rfio 3 m km
→ Este resultado pode ser também calculado aplicando-se diretamente a equação (2.9), ou seja:

22
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

−3 Ω Ω
ρCu,20 o C
RCC, fio,50 o C = RCC, fio,20 oC 1 + αCu,20 o C (50 − 20)  = 1 + 30 αCu, 20 oC  ≈ 3,1 × 10 = 3,1
  2
π rfio m km
b) Cálculo da resistência à corrente contínua do cabo de cobre em Ω/km e a 50 oC :
Como nfios = 7 > 3, então o fator de encordoamento do cabor será: fe = 1,02. Da equação (2.6), tem-se então que:
fe 1,02 Ω Ω
RCC,cabo,50 o C = ρCu ,50 o C = 1,9 × 10−8 ≈ 0,45 × 10−3 = 0,45
π rfio × n fios π (1, 4 × 10 ) × 7
2 − 2
3 m km

2.1.2.3) Efeito pelicular

Como concepção espacial, a densidade de corrente em uma amostra de material pode ser esquematizada por
infinitas “linhas de corrente” que fluem pela área da amostra transversal ao sentido da corrente (Figura 2.4-a). Caso a
corrente seja contínua no tempo, como mencionado, estas linhas de corrente se distribuem uniformemente pela seção
da amostra e, desse modo, sua densidade ocupa toda a seção (Figura 2.4-a), razão pela qual no cálculo da resistência à
corrente contínua (RCC) definido na equação (2.5) considera-se a área total A. Contudo, caso a corrente na amostra seja
variante no tempo, esta equação pode apresentar resultados bastantes imprecisos devido ao chamado efeito pelicuar.
Da teoria do Eletromagnetismo, sabe-se que toda corrente elétrica produz campo magnético e, desse modo, uma
corrente variante no tempo (por exemplo: corrente alternada, dita CA), produz um campo magnético também variante
no tempo. Sabe-se também que as linhas de fluxo de um campo magnético variante no tempo induzem tensão elétrica,
chamada força eletromotriz (fem), em qualquer material imerso no campo (Lei de Faraday: fem = – dφ/dt), inclusive
no próprio meio por onde circula a corrente. Como resultado, se o material prover um caminho fechado, então a fem
induzida produz uma corrente elétrica de sentido tal que se oponha ao fluxo magnético que a produziu (lei de Lenz).
Seja então, como exemplo, uma amostra de material percorrido por linhas de corrente alternada, que produzem
fluxos de campo magnético alternado que envolvem a linhas e produzem forças eletromotrizes no próprio material da
amostra (fem auto-induzidas). Como cada seção infinitesimal transversal à corrente alternada constitui-se em um meio
material para que correntes possam ser induzidas em resposta a fem’s auto-induzidas, então observa-se que estas cor-
rentes induzidas tendem a intensificar as linhas de corrente originais mais externas à seção transversal do condutor,
mas a se opor às linhas mais internas (Figura 2.4-b). Como resultado destas intensificações/oposições, os elétrons em
movimento são forçados a se deslocarem para áreas mais externas do material, o que resulta na diminuição gradativa
da densidade de corrente da seção externa para a interna (Figura 2.4-c), fenômeno chamado efeito pelicular ou skin.
Assim, pode-se observar que o efeito pelicular provoca uma desuniformidade na densidade de corrente e, desse
modo, a área efetivamente ocupada por uma corrente alternada é menor do que a ocupada por uma corrente contínua.
Como a resistência depende inversamente da área, conclui-se então que a resistência de um material à passagem de
corrente alternada poderá apresentar um valor consideravelmente maior que a obtida pela equação (2.5).
corrente 63% δ
induzida
linhas de
J linha de J r
corrente
fluxo
magnético
linha de corrente original
película
(a) (b) (c) (d)

Figura 2.4: (a) Densidade de corrente contínua; (b) efeitos de correntes induzidas nas linhas de corrente originais;
(c) densidade de corrente CA não uniforme e o efeito pelicular; (d) profundidade de penetração e área efetiva.
Análises teóricas têm demonstrado que, quando a dimensão da seção transversal de um condutor é muito maior
que a área efetivamente ocupada pela corrente alternada, sua densidade varia exponencialmente a partir da superfície.
De modo a propiciar uma avaliação quantitativa da resistência apresentada por uma amostra de material, considera-se
então que a densidade da corrente alternada está concentrada e distribui-se uniformemente apenas em uma película de
espessura δ correspondente ao decréscimo de 63% da densidade de corrente em relação ao seu valor na superfície da
amostra (Figura 2.4-d). Esta espessura, chamada profundidade de penetração, é definida analiticamente por:
ρ
δ = (2.10)
π f µ
onde δ (m) é o valor da profundidade, f (Hz) é a freqüência do sinal de corrente alternada que percorre a amostra de
material e ρ (Ωm) e µ = µr µo (H/m) são, respectivamente, a resistividade e a permeabilidade magnética do material
da amostra, sendo µo a permeabilidade do vácuo (µo = 4π x 10-7 H/m) e µr a permeabilidade relativa do material.
Pela equação (2.10) observa-se então que o efeito pelicular será tanto mais pronunciado (δ menor) quanto mais
permeável magneticamente (µ) for o material, pois maior é a concentração de fluxo magnético no interior do material
(φ), e maior for a freqüência (f) da corrente que o percorre (d./dt), pois maiores são as fem’s auto-induzidas (dφ/dt).
23
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Logo, o conceito de profundidade de penetração propicia uma forma de avaliação simplificada da resistência à
corrente alternada. bastando adequar a equação (2.5) para considerar a área da película como a que é efetivamente
ocupada pela corrente. Assim, para um condutor de seção circular de raio r em que se observa um efeito pelicular
bastante pronunciado, tal que r >> δ , a área da película (Figura 2.4-d) pode ser aproximada para um retângulo de
comprimento 2π r e altura δ. Desse modo, a área da película pode ser determinada aproximadamente por: 2 π r δ.
Assim, com base na equação (2.5), a resistência RCA à passagem de corrente alternada que um fio de material
condutor de seção circular de raio rfio e comprimento ℓ efetivamente apresenta pode ser determinada por:
ℓ ρ
RCA = ρ (Ω ) ou RCA = ( Ω / m) (2.11)
2 π rfio δ 2 π rfio δ
Similarmente, a resistência CA de um cabo com nfios de raio rfio cada e comprimento ℓ será determinada por:
ℓ × fe fe
RCA = ρ (Ω ) ou RCA = ρ (Ω / m) (2.12)
( 2 π rfio δ ) × n fios ( 2 π rfio δ ) × n fios
O efeito pelicular é tanto mais pronunciado quanto maior a área do fio ou cabo. Logo, em cabos de maior seção,
onde este efeito pode ser observado mesmo nas freqüências industriais (50 ou 60 Hz), costuma-se utilizar o chamado
cabo segmentado (múltiplos cabos isolados). Similarmente, como a parte central de um condutor praticamente não é
ocupada por correntes de freqüência elevada, pode-se construir cabos tipo anulares para transmissão de sinais (áudio e
RF), denominados coaxiais, formados por dois condutores (interno e externo) isolados entre si.

Exercício 3: Seja um cabo de 7 fios de ferro com 0,14 cm de raio cada. A 60 oC, compare a resistência CC do cabo
por metro com a resistência CA do cabo por metro para a frequência de 60 Hz. Considere: µr, Fe = 6000.
Solução
→ Dados: ρ Fe, 20C = 10 x 10–8 Ω m , αFe, 20C = 5,5 x 10–3 oC -1 (Tabela 2.1) ; rfio = 0,14 cm = 14 x 10–4 m
µFe = permeabilidade magnética do ferro = µr, Fe x µo = 6000 x 4π x 10 ≈ 7,5 x 10–3 H/m
–7

→ ρ Fe,60 o C = ρ Fe, 20 o C [1 + α Fe,20 o C (60 − 20) ] = 10 × 10−8 [1 + 5,5 × 10−3 × 40] = 12, 2 × 10−8 Ω m
ρ Fe ,60 o × fe 12, 2 × 10−8 × 1,02 Ω
→ Da equação (2.5), tem-se então que: RCC ,cabo ,60 o C = = ≈ 0,003
C

(π rfio
2
) × n fios π (14 × 10−4 ) 2 × 7 m
ρ Fe,6012, 2 × 10−8
o
→ Profundidade de penetração no ferro a 60 Hz e 60 oC : δ Fe = = ≈ 2,9 × 10− 4 m
C

π f µ Fe π × 60 × 7,5 × 10−3
Comparando-se este resultado com o raio do fio (14 x 10–4 m), observa-se que uma corrente CA de 60 Hz estaria
praticamente confinada em cerca de 1/5 do raio do fio, devido ao efeito pelicular bastante pronunciado no fio.
ρ Fe ,20 oC × fe 12,2 × 10−8 × 1,02 Ω
→ Da equação (2.11), tem-se: RCA ,cabo ,60 oC = = ≈ 0,007
(2 π rfio δ Fe ) × n fios 2 π × 14 × 10−4 × 2,9 × 10−4 × 7 m
Pode-se observar que a resistência CA do cabo é cerca de 2,3 vezes maior que sua resistência CC. Conclui-se então
que a elevada permeabilidade magnética do ferro causa um efeito pelicular bastante pronunciado no cabo deste
material, mesmo nas baixas freqüências industriais (50/60 Hz). Por esta razão, a função dos cabos de ferro ou aço
utilizados como núcleo (alma) em cabos de alumínio se atem a conferir maior resistência mecânica a estes cabos.

2.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES


Com exceção do mercúrio e de eletrólitos, que são líquidos, e de gases a baixa pressão e ionizados, os materiais
condutores são geralmente sólidos e resumem-se aos metais, suas ligas e o grafite. O escopo dste item reside em fazer
um compêndio sobre materiais condutores sólidos e suas aplicações em dispositivos de interesse em Eletrotécnica.

2.2.1) OS METAIS E SUAS CARACTERÍSTICAS

Os metais constituem-se nos materiais de maior emprego como meio condutor e resistivo para as mais diversas
aplicações em Eletrotécnica e, dentre as suas diversas propriedades e características, pode-se mencionar:
 Elevada condutividade elétrica e térmica: a disposição regular, ordenada e repetida em todas as direções do arranjo
cristalino confere aos metais uma elevada capacidade de condução de eletricidade e calor.
 Coeficiente de temperatura da resistividade positivo: os metais puros comportam-se como materiais tipo PTC.
 Facilidade de combinação entre si: apresentam grande capacidade de se combinarem na forma de ligas metálicas.
 Capacidade de deformação: são de fácil moldagem com a aplicação de esforços mecânicos a frio ou a quente.
 Elevada resistência mecânica: apresentam elevada resistência a esforços de tração, compressão e cisalhamento.
 Conversão em derivados metálicos perante certos ambientes: transformam-se em óxidos em contato com oxigênio,
sais e sob a ação de ácidos, que geralmente são menos condutores elétricos e térmicos que os metais de origem.
24
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

A seguir são descritos alguns dos metais mais utilizados em aplicações eletrotécnicas por suas propriedades e
características de interesse, onde as resistividades, quando fornecidas, são à temperatura de referência (20 oC):
1) Cobre: constitui-se num dos metais mais importantes para aplicações elétricas devido à suas diversas propriedades
desejáveis, dentre as quais destacam-se: baixa resistividade (somente a prata têm valor inferior), fácil deformação a
frio e a quente (por exemplo, facilidade em ser reduzido a fios, ou seja, o cobre é bastante dúctil), facilidade para
emendar e soldar (o cobre aceita bem a solda comum de chumbo-estanho), alta condutividade térmica, facilidade
de capeamento por outros metais, boa maleabilidade e flexibilidade (facilidade para laminar), elevada resistência à
ação dos agentes químicos mais comuns (por exemplo: ar, água, fumaças, sulfatos e carbonatos), baixa dureza,
média resistência à tração, médio ponto de fusão (1083 oC) e baixo preço comparado a outros metais.
Depois do ferro, o cobre é o metal de maior uso na indústria elétrica juntamente com suas ligas, conhecidas
como bronzes e latões, e apresenta diversas aplicações de acordo com sua conformação mecânica.
O cobre encruado é usado nos casos em que se exige elevada dureza, resistência à tração e pequeno desgaste,
tais como peças de contato, barramentos, hastes de aterramento, lâminas e anéis coletores em motores, etc. O cobre
mole ou recozido, por sua vez, é usado em aplicações que exigem boa flexibilidade, tal como fios e cabos elétricos
para baixa tensão, enrolamentos de motores e transformadores, fios telefônicos, malhas de aterramento, etc.
A condutividade do cobre é muito influenciada pela presença de impurezas, sendo o cobre padrão internacional
definido pelo tipo recozido com 99,97% de pureza, que apresenta resistividade de 1,72 x 10-8 Ωm.
2) Alumínio: metal inferior ao cobre, tanto elétrica quanto mecanicamente, mas viável economicamente devido ao
baixo custo em decorrência de sua grande abundância, sendo o terceiro metal de maior emprego na eletricidade.
O alumínio é bastante maleável e dúctil, de pequena resistividade (2,8 x 10-8 Ωm), alta condutividade térmica e
baixa massa específica e ponto de fusão (659 oC), sendo porém mais frágil a esforços mecânicos que outros metais.
O alumínio encontra aplicação em larga escala em alta tensão como cabos condutores em linhas de transmissão
e distribuição de energia, que podem apresentar um núcleo de aço para mitigar o problema com a baixa resistência
mecânica a esforços de tração. O alumínio encontra emprego também em instalações elétricas de baixa tensão, mas
apenas nos casos em que as solicitações mecânicas a que estará sujeito são pequenas, tais como: enrolamentos de
transformadores, placas de capacitores, barras condutoras em ranhuras de motores de indução, barramentos, etc.
O alumnínio exposto à umidade sofre rápida oxidação que resulta em uma fina camada de óxido de alumínio,
material de elevada rigidez dielétrica e, portanto, altamente isolante, mas que impede a ampliação da corrosão.
O alumínio é de difícil soldagem (a solda de chumbo-estanho não solda o alumínio) e para isto deve-se limpar a
superfície a ser soldada com um material antioxidante e empregar pastas especiais (como o óxido de acetileno), ou
mesmo solda elétrica (fundição do próprio alumínio para efetuar as emendas), ou ainda braçadeiras metálicas para
realizar conexões, empregadas particularmente em emendas de cabos de alumínio em linhas de transmissão.
Alumínio e o cobre estão separados eletroquimicamente por 2V. Esta diferença de potencial é responsável pela
predisposição de uma junção cobre-alumínio à corrosão galvânica, o que pode provocar a deterioração do contato
elétrico entre estes metais. Por essa razão, este tipo de junção precisa ser isolado contra a influência do ambiente.
Para finalidades eletrotécnicas gerais, emprega-se o alumínio com teor máximo de 0,5% de impurezas e, para
aplicações em eletrodos de capacitores, um alumínio mais puro, com 99,95% de pureza,.
3) Ferro: devido ao fato de apresentar elevado ferromagnetismo (µr em torno de 8000 na forma pura) e resistividade
relativamente baixa (10 x 10-8 Ωm), aliadas à elevada dureza, plasticidade, resistência à tração, compressão, fadiga
e cisalhamento, grande tenacidade e alto ponto de fusão (1530 oC), o ferro e suas ligas (aços) ocupam um lugar de
destaque na Eletrotécnica, com extensa aplicação na construção de equipamentos elétricos tais como: lâminas de
núcleos de transformadores e relés, ferragens de suporte para equipamentos e instalações elétricas, chaves, trilhos
condutores, barramentos, produção de cabos com alta resistência à tração para estaiamento e como núcleo de aço
para cabos de alumínio, etc. As restrições para a utilização do ferro como condutor elétrico em maior escala é sua
rápida e fácil corrosão por oxidação eletroquímica, e por apresentar elevado efeito pelicular na condução de sinais
de correntes variantes no tempo, mesmo nas baixas freqüências industriais (50/60 Hz).
4) Prata: metal de menor resistividade a temperaturas normais (1,62 x 10-8 Ωm), sendo sua aplicação limitada a casos
especiais devido ao alto custo. Por ser o melhor condutor, é o metal nobre de maior uso industrial, utilizado, por
exemplo, como camada de contato ôhmico em peças de contato elétrico (obtida por banho eletroquímico, chamado
prateação), cristais osciladores e semicondutores, e como elo fusível (nos casos em que a constante de tempo para
a proteção do aparelho seja importante). Devido à sua grande resistência à corrosão, é também empregado para
proteger peças de metais sujeitas a este problema e para recobrir fios de bobinas de modo a melhorar seu fator de
qualidade. Na forma de ligas, é também usada como resistência de aparelhos de precisão. Ponto de fusão: 960 oC.
5) Ouro: é o material condutor de uso mais especial, apesar do elevado preço. O ouro apresenta baixa resistividade
(2,4 x 10-8 Ωm), médio ponto de fusão (1063 oC) e destaca-se pela sua grande estabilidade química (resistência à
oxidação e sulfatação), e pela grande maleabilidade e ductilidade, podendo ser facilmente reduzido a fios, placas e
lâminas extremamente finos. Com isso, apresenta excelentes propriedade para a utilização no ramo eletrônico.
O ouro é usado eletricamente na área de correntes muito baixas (casos em que qualquer oxidação poderia levar
à interrupção elétrica do circuito), tais como peças de contato em telecomunicações e eletrônica, sendo empregado
na forma pura para melhor aproveitar suas propriedades. É também utilizado em chaves e relés de baixa corrente e
25
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

de alta precisão e confiabilidade, em películas condutoras e em certos instrumentos especiais de medidas tais como
os chamados eletroscópios (aparelhos para verificar a presença de carga elétrica estática).
6) Platina: metal nobre bastante estável quimicamente, de relativa baixa resistividade (10,5 x 10-8 Ωm) e alto ponto
de fusão (1774 oC). É relativamente mole, o que permite uma fácil deformação mecânica, bem como sua redução a
folhas e fios muito finos. Devido à alta resistência à oxidação, é empregado em peças de contato, anodos e fios de
aquecimento. É o metal mais adequado para a fabricação de termômetros resistivos até 1000 oC (na faixa de -200 a
500 oC, a platina permite a leitura mais precisa da temperatura dentre os metais), pois até essas temperaturas não
sofre deformações estruturais, fazendo com que a resistividade varie na mesma proporção da temperatura.
7) Chumbo: metal mole e plástico, de média resistividade perante a outros metais (21 x 10-8 Ωm) e de fácil soldagem.
Apresenta elevada resistência a corrosão contra a ação de água potável e sais, sendo porém não resistente à ácidos,
água destilada, vinagre, materiais orgânicos em decomposição, cal e ainda é venenoso. É empregado em painéis
protetores contra a ação de raios-X, em baterias (tipo chumbo-ácido), em ligas de solda devido ao baixo ponto de
fusão (327 oC), como camadas ou placas protetoras contra corrosão (blindagem de cabos) e elos fusíveis.
8) Estanho: é um metal mole, de média resistividade (11,4 x 10-8 Ωm) e baixa temperatura de fusão (232 oC). Devido
à elevada resistência à corrosão na temperatura ambiente (o estanho não se oxida com a água e os ácidos diluídos o
atacam lentamente), é largamente usado como revestimento anticorrosivo em peças e hastes, além de ingrediente
de ligas, se fundindo ao cobre para produzir os bronzes e ao chumbo para produzir soldas de uso geral.
9) Zinco: é um metal de baixa resistividade (6 x 10-8 Ωm), baixo ponto de fusão (420 oC) e elevado coeficiente de
dilatação térmica, além de ser um importante ingrediente em muitas ligas, tais como os latões. Devido à sua grande
estabilidade química em contao com o ar (forma-se uma película de óxido ou carbonato de zinco que impede sua
corrosão), é usado em processos de recobrimento de metais por banho eletroquímico (galvanização) para proteção
de tanques de armazenamento contra corrosão. Por ser atacado rapidamente por ácidos e bases, o zinco é também
largamente empregado como eletrodo negativo (anodo) em baterias eletroquímicas.
10) Tungstênio: é um metal de baixa resistividade à temperatura ambiente (5 x 10-8 Ωm) e elevada dureza, sendo
porém de comportamento quebradiço. Devido ao elevado ponto de fusão (3422 oC), é empregado como filamento
em lâmpadas incandescentes, que operam a temperaturas em torno de 2000 oC, sendo necessário a introdução de
gás inerte (por exemplo, argônio) para reduzir a vaporização do filamento. É empregado também na forma pura ou
em ligas para peças sujeitas a altas temperaturas, por exemplo, eletrodos de arco elétrico.
11) Níquel: metal de baixa resistividade (7,8 x 10-8 Ωm) e elevada dureza, resistência à corrosão (resiste bem a sais,
gases e materiais orgânicos, sendo, porém, sensível ao enxofre) e temperatura de fusão (1450 oC). É bastante usado
como ingrediente na obtenção de aços inoxidáveis e na forma de ligas tipo sensoras termoelétricas, resistivas e
magnéticas. O níquel é ainda empregado em revestimentos anticorrosivos, catodo de baterias (níquel-cádmio), fios
de eletrodos, termômetros resistivos, parafusos, etc. Suas ligas são também empregadas em contatos elétricos (por
exemplo, como suporte de filamento de tungstênio em lâmpadas) devido à sua elevada resistência à corrosão e
bom comportamento térmico. O níquel pode ser soldado ao cobre sem problemas de corrosão.
12) Cromo: metal extremamente duro, de elevada resistividade em comparação a outros metais (80 x 10-8 Ωm), e
elevada temperatura de fusão (1920 oC), sendo porisso amplamente empregado na fabricação de fios resistivos na
forma pura ou como liga. Além disso, o cromo permite bom polimento, possui baixa oxidação em contato com o
ar, sendo mais sensível à ação do enxofre e de sais, e sofre oxidação somente a temperaturas superiores a 500 oC,
sendo porisso usado para proteger outros metais que se oxidam com maior facilidade (cromação).
13) Mercúrio: é o único metal líquido à temperatura ambiente, apresentando comparativamente elevada resistividade
(95 x 10-8 Ω m). Encontra aplicação em termômetros resistivos, lâmpadas (fluorescentes e vapor de mercúrio) e
em termômetros (devido ao seu elevado coeficiente de dilatação térmica). Os vapores de mercúrio são venenosos.
14) Cádmio: metal mole, venenoso, de elevado preço e que apresenta facilidade de sofrer corrosão galvânica, tendo
maior uso na fabricação de baterias (níquel-cádmio). Resistividade: 7,5 x 10-8 Ωm. Temperatura de fusão: 321 oC.

2.2.2) LIGAS METÁLICAS

Como visto, os metais puros encontram emprego nas mais diversas aplicações eletrotécnicas. Contudo, certos
dispositivos ou equipamentos podem requerer que algumas propriedades destes materais sejam melhoradas para se
adequarem às exigências inerentes à aplicação, sem contudo ter prejudicada, pelo menos sensivelmente, outras de
suas propriedades desejáveis. Estas exigências podem ser atendidas por meio da composição dos metais na forma de
ligas, de modo a deslocar algumas características para condições mais desejáveis. Isso permite então que propriedades
como condutividades elétrica e térmica, resistência à tração e à corrosão, ductilidade, mableabilidade, dureza, etc.,
possam ser alteradas de forma à atender as especificações dos projetos de engenharia. Desse modo, em Eletrotécnica e
Eletrônica são muito freqüentes o emprego de ligas metálicas para a obtenção de condutores elétricos para aplicações
de finalidade específica, bem como elementos resistivos para aquecimento ou medição em diversos dispositivos.
Basicamente, as ligas metálicas podem ser classificadas em dois tipos segundo suas propriedades e aplicações
finais, denominadas ligas condutoras e ligas resistivas, descritas a seguir.
26
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

1) LIGAS CONDUTORAS: são ligas que mantém uma boa qualidade condutora de eletricidade dos metais originais
e são, desse modo, utilizadas para o transporte e transformação de energia elétrica com mínimas perdas. Exemplos:
1.1) Ligas de cobre: o cobre pode se misturar a outros metais de modo a melhorar suas propriedades mecânicas e
térmicas, sem contudo reduzir suas condutividades elétrica e térmica. Ligas mais comuns:
1.1.1) Bronzes: o estanho é adicionado ao cobre (2 a 11%) para aumentar sua dureza e resistência à corrosão,
à fadiga e ao desgaste por atrito, mantendo sua ductilidade. São ligas elásticas e de fácil usinagem,
sendo utilizadas como fios, condutor em terminais e contatores de chaves. Com o acréscimo de fósforo,
se tornam mais flexíveis e são utilizados como fios em terminais telefônicos.
1.1.2) Latão: liga de cobre e zinco (30%), possui boa resistência à corrosão e grande resistência à tração. É
empregada em barramentos de quadros e equipamentos, varas de subestações, bornes e às vezes como
condutor. Não é indicada para trabalhar ao tempo devido a formação de rachaduras, sendo uma solução
para diminuir o problema, submeter o material a um recozimento para alívio das tensões internas.
1.1.3) Outras ligas: metais como níquel e cromo são adicionados ao cobre quando se necessita aumentar sua
resistência mecânica. Pode-se obter este resultado também com um condutor de cobre com núcleo de
aço, chamado Copperweld, que combina a alta condutividade do cobre com alta resistência mecânica e
tenacidade do aço. Usos: cabos condutores e barras para aterramento.
1.2) Ligas de Alumínio: são ligas que apresentam fácil usinagem, sendo construídas para aproveitar a baixa massa
específica do alumínio, o que possibilita estruturas de sustentação mais leves. Alguns exemplos:
1.2.1) Duralumínio: liga de elevada resistência mecânica, é aplicada em fios, cabos, tubos, barras e chapas
condutoras e na confecção de dissipadores térmicos. Composição: 4% Cu + 0,5% Mg + 0,5% Mn + Al.
Similar ao cobre, com núcleo de aço pode-se obter um fio de alumínio de maior resistência à tração,
chamado Alumoweld, usado como condutor de pára-raios e fio neutro em circuitos rurais
1.2.2) Aldrey: apresenta boas propriedades mecânicas, sendo utilizada como fios para enrolamento de motores
e transformadores e na construção de cabos leves. Composição: 0,3% Mg + 0,7% Si + Fe + Al.
1.3) Liga de chumbo e estanho: são ligas resistentes à corrosão e de baixo ponto de fusão (60 a 200 oC), sendo
utilizadas largamente na produção de fios de solda (60% Pb + 40% Sn), elos fusíveis, revestimento de fios e
malhas de cobre ou latão para melhorar a soldabilidade e proteção à corrosão, e também como condutor em
circuitos impressos, onde seu baixo ponto de fusão protege os componentes de possíveis superaquecimentos.
2) LIGAS RESISTIVAS: são materiais que apresentam resistividades elevadas para um condutor (entre 20 x 10-8 e
150 x 10-8 Ωm), sendo porisso usados em elementos resistivos para aquecimento, medição e controle de corrente.
Estas ligas devem possuir boas características a altas temperaturas para atender certas condições em função de
seu emprego. Por exemplo, ligas usadas para aquecimento devem ter elevada resistência à corrosão na temperatura
de trabalho e baixa capacidade de dilatação. Por outro lado, ligas resistivas para medição (tal como resistores em
instrumentos de precisão), devem apresentar variação praticamennte linear de sua resistividade com a temperatura.
A seguir são descritas algumas ligas metálicas resistivas de maior interesse em Eletrotécnica:
2.1) Ligas de níquel-cromo (cromel): são ligas que apresentam resistividade pouco variante com a temperatura e
alta resistência mecânica e à oxidação em altas temperaturas. São empregadas em termopares e na fabricação
de fios ou fitas (simples ou espiraladas) em potenciômetros e reostatos (potenciômetros de potência) para o
controle de corrente e de velocidade em máquinas rotativas (motores e geradores), bem como em resistências
de aquecimento em geral, tais como: fornos siderúrgicos, estufas, eletrodomésticos (chuveiros, aquecedores
de água, fogões elétricos, etc.), ferros de solda, ferros de passar. Exemplos: Nicromo V (80% Ni + 20% Cr),
Cromax (30% Ni + 20% Cr + 50% Fe), Níquel-Cromo 65/15, Nikrothal, Alloy A, Kromore, etc.
2.2) Ligas de níquel-cobre: Constantan (40% Ni + 60% Cu) - liga termoestável empregada em termopares, bem
como em resistências de precisão e reostatos para máquinas de precisão; prata alemã (18% Ni + 64% Cu +
18% Zn) - liga de boa condutividade e resistência mecânica, utilizada em contato para chaves e contatores;
Cuprothal (44% Ni + 55% Cu + Mn) - utilizada na tecnologia de resistores de fio para altas dissipações com
limites de temperatura de até 600 oC; outras: Constanloy, Cupron, Advance e Copel
2.3) Outras ligas de Níquel: Invar (36% Ni + 63% Fe + Mn) - liga de baixa dilatação, empregada em guias de
medidas em aparelhos de precisão; Alumel (94% Ni + 3% Mn + 2% Al + Si) - liga dúctil para fios resistivos.
2.4) Ligas de cromo-ferro: constituem-se em ótimas ligas para utilização em aquecimento elétrico em geral, tais
como fornos industriais, ferros de solda, chuveiros, placas de cozinha, etc. Composição: Cr + Fe + Al + Co.
2.5) Ligas de cobre-manganês: Manganina (86% Cu + 12% Mn + 2% Ni) - liga termoestável de elevada estabili-
dade térmica, é usada em shunt de medidores e na fabricação de resistores de precisão para instrumentos de
medição; Novo Konstatan (82,5% Cu + 12% Mn + 4% Al + 1,5% Fe): liga de baixa variação da resistividade
com a temperatura, usada em resistores de medição, reostatos e para aquecimentos até 400 oC.
2.6) Ligas de prata: ligas de alta resistividade, apresentam variação inversa da resistividade com a temperatura, o
que justifica o seu emprego em circuitos de compensação dependentes da temperatura, tal como em resistores
para circuitos de regulação. Exemplo: ligas de Mg + Ag + Sn com, às vezes, acréscimo de germânio.
2.7) Ligas de ouro-cromo: o ouro, com pequeno acréscimo de cromo, tem sua resistividade bastante aumentada,
que através de adequado tratamento térmico, varia inversamente com a temperatura. São então utilizadas em
resistores de precisão e em padrões. Exemplo: liga de 2% Cr + Au.
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CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2.2.3) CARVÃO PARA FINS ELÉTRICOS

Carvão é um material constituído por um arranjo cristalino amorfo (sem forma definida) do elemento químico
carbono. O carvão para fins elétricos, também chamado grafita ou grafite, é obtido do grafite natural ou do antracito,
que são reduzidos a pó e compactados na forma desejada por prensagem ou extrusão, podendo ser adicionado ainda
um aglomerante, e submetidos a um tratamento térmico que consiste em longos ciclos de aquecimento sob elevadas
temperaturas (em torno de 2200 oC), geralmente através da passagem de corrente elétrica através da própria peça.
Esse processo, chamado grafitização, resulta em um material de facil conformação por usinagem e esmerilhagem.
Como observado na Tabela 2.1, a grafita apresenta baixa resistividade para um não-metal (1,4 x 10-5 Ωm) e,
diferentemente dos metais puros, apresenta coeficiente de temperatura da resistividade negativo (-5,0 x 10-4). Estas
propriedades, aliadas ao elevado ponto de fusão (≈ 3500 oC), conferem à grafita condições favoráveis para algumas
aplicações em temperaturas de trabalho mais elevadas como resistores, potenciômetros e eletrodos para a produção de
arco elétrico para fornos elétricos e caldeiras, e ainda como fonte de descargas luminosas para projetores de luz.
Além disso, as grafitas porporcionam um baixo coeficiente de atrito, o que abilita estes materiais para emprego
como contato elétrico em peças deslizantes, tal como em escovas de motores (Figura 2.5-a). Nesta aplicação, a grafita
das escovas (peça fixa), em contato com anéis coletores ou comutadores de cobre fixados ao rotor (peça móvel), reage
com o cobre e forma sobre este um filme de material condutor chamado patina (carbonato de cobre), que o protege
contra corrosão e permite um baixo atrito entre as escovas e o rotor, resultando então em um bom contato elétrico.
A resistência elétrica de um pó depende do tamanho e do grau de compactação de seus grãos. Este fato originou
um transdutor eletro-acustico chamado microfone de carvão ou de carbono (aparência na Figura 2-5-b), constituída de
uma cápsula contendo grãos de carvão e coberta com uma película flexível denominada diafragma, na qual uma onda
sonora (áudio) provoca perturbações no diafragama e este pressiona/descompressiona os grão do pó, alterando então o
grau de compactação dos grãos de acordo com as pulsações da onda e, com isso, sua resistência. Estas variações de
resistência são então utilizadas na modulação de uma corrente contínua que circula pelo cápsula, (Figura 2.5-c), onde
um transformador pode ser também usado para aumentar a amplitude do sinal de corrente que modula a onda sonora.
onda grânulos de carvão
sonora

contatos
contatos
de
metálcos tensão de
carvão diafragma I áudio
capsula de
microfone
V
(a) (b) (c)

Figura 2.5: (a) Contatos de carvão (escovas); microfone de carvão: (b) aparência, (c) esquema de funcionamento.

2.2.4) CONEXÕES ELÉTRICAS

Toda montagem de equipamentos e circuitos elétricos requer o emprego de uma série de conexões entre partes
para estabelecer um contato elétrico. Estas conexões podem ser realizadas por meio de emendas, soldagem, encaixes e
emprego de rebites e parafusos, que caracterizam-se por proporcionarem um contato permanente e, portanto, fixos.
Além disso, é também comum a necessidade de se utilizar algum dispositivo de comando, controle e proteção
para realizar ações de manobra (abertura e fechamento) entre partes de circuitos e equipamentos, no qual a conexão
elétrica se caracteriza por ser apenas momentânea ou persistir por um tempo limitado e, porisso, não permanente.
Com exceção de ações de chaveamento estabelecidas com base em dispositivos semicondutores, as conexões elétricas
não permanentes são normalmente realizadas por meio de um sistema mecânico de partes fixas e móveis de material
condutor, genericamente denominadas peças de contato, que estabelecem a conexão através de movimento mecânico.
Peças de contato encontram então largo emprego nos mais diversos componentes das instalações elétricas, tais como
chaves, interruptores, relés, disjuntores, contatores, seccionadores, botoneiras, plugs e tomadas, escovas, etc.
Dependendo do tipo de contato (fixo ou móvel) e das condições de projeto e ambientais, as conexões elétricas
estão sujeitas a diversos problemas e, assim, os materiais usados em sua fabricação devem satisfazer as condições
desejáveis de funcionamento pelo maior tempo possível. Tais condições variam de função para função e de ambiente
para ambiente (por exemplo, conexões em telefonia e aplicações industriais) e, em geral, derivam de problemas como:
1) Resistência de contato: na conexão elétrica entre elementos distintos ocorre o problema da resistência de contato
devido ao acoplamento elétrico entre as partes não ser perfeito. Logo, toda conexão elétrica em si gera calor por
efeito Joule, com a passagem de corrente de uma parte à outra. Desse modo, os materiais devem apresentar elevada
condutividade elétrica e térmica para se obter um bom acoplamento elétrico, além de elevada resistência mecânica
para se garantir uma pressão de contato adequada (maior pressão, melhor contato elétrico estabelecido).
28
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2) Solicitações mecânicas: as peças de contato podem estar sujeitas a um número grande de manobras de abertura e
fechamento, que sujeitam as peças a demasiadas solicitações mecânicas que podem danificá-las estruturalmente.
Neste caso, para resistir às deformações e ao desgaste o maior tempo possível, os materiais usados na fabricação
destas peças devem apresentar alta resistência mecânica, além de elevada dureza e tenacidade.
3) Arco elétrico: a interrupção da corrente devido a uma monobra de seccionamento pode ocasionar o surgimento de
um arco elétrico no ponto de abertura, devido à presença de energia armazenada ao longo do circuito na forma de
campo magnético (por exemplo, motores), que provoca a tendência dos elétrons em movimento de manter fechado
o circuito no ponto de abertura para anular o campo armazenado. Similarmente, arcos elétricos pode também sugir
durante o fechamento dos contatos devido ao chamado ricochete (repulsão dos contatos) pois, no breve momento
de estabelecimento do contato, são criadas condições para o surgimento de campos magnéticos no circuito.
Um arco elétrico apresenta temperaturas de até 4000 oC, suficientes para fundir as peças de um contato. Logo,
os materiais empregados devem apresentar elevado ponto de fusão, boa condutividade térmica e pequena tendência
à soldagem, para resistirem à erosão causada pelo arco elétrico e ao perigo da soldadura dos contatos.
Quanto ao problema do ricochete, deve-se efetuar um cálculo aprimorado da velocidade de fechamento e das
massas das peças, que devem ser as menores possíveis, de modo a reduzir a um mínimo o número de repulsões.
4) Corrosão: o aquecimento de conexões elétricas por resistência de contato e arcos elétricos podem reunir condições
à corrosão das partes do contato. Adicionalmente, os materiais podem estar sujeitos a ambientes com presença de
sais, ácidos, poluição e mesmo o próprio ar, que atuam sobre as partes provocando oxidação ou sulfatação. Logo,
estas corrosões podem deteriorar a conexão elétrica e, assim, os materiais a serem empregados devem apresentar
elevada resistência à corrosão em altas temperaturas para mitigar o máximo possível estes problemas.
Outro problema similar pode surgir no contato entre materiais com diferentes potenciais eletroquímicos, o que
causa uma predisposição à corrosão galvânica. Logo, as partes componentes de um conexão elétrica devem ser
preferencialmente do mesmo material ou, pelo menos, de materiais com pequena diferença de eletronegatividade.
5) Abrasão: em peças deslizantes ocorre o problema de desgaste devido ao atrito entre as partes fixas e móveis. Neste
caso, as peças e seus contornos devem ser de material e aspecto o menos abrasivo possível.
Assim, os materiais empregados para a fabricação de peças de contato devem apresentar qualidades necessárias
para mitigar estes problemas. O cobre é normalmente empregado na forma bronzes e latões devido à maior resistência
mecânica e à corrosão destas ligas, sendo utilizadas em interruptores, plugues, tomadas, chaves, relés, elos, fusíveis,
disjuntores, contatores, etc. Os aços, por apresentarem elevada resistência mecânica, são empregados em peças onde
são exigidos pressões de contato elevadas e manobras bruscas, tal como chaves seccionadoras. Para o caso de contatos
elétricos deslizantes, emprega-se, como visto, peças de carvão por este propiciar um baixo coeficiente de atrito.
Em conexões que envolvem pressões de contato muito baixas e correntes reduzidas, a deterioração do contato
se torna um problema essencial, o que exige o emprego de materiais de maior resistência a corrosão para se obter
contatos de melhor qualidade. Neste caso pode-se então fazer uso de metais nobres, que apresentam maior resistência
à corrosão. Assim, o ouro e a prata na forma pura são utilizados como finas películas em torno da massa de peças
constituídas por outros metais (contatos banhados). Além disso, os metais nobres são também utilizados na forma de
ligas para aumentar sua dureza e resistência ao desgaste e à erosão por arco elétrico, tais como ligas de ouro e prata,
empregadas em peças de contatos para interruptores, chaves, disjuntores, botoneiras e relés especiais, além da platina,
que é utilizada em ligas com irídio e rutênio para emprego em relés especiais e instrumentos de precisão.

2.2.5) CONDUTORES ELÉTRICOS

Fios e cabos elétricos constituem-se no meio condutor destinado ao transporte de energia ou transmissão de
sinais entre dois pontos de uma instalação, rede ou equipamento elétrico. Em eletrotécnica, denomina-se usualmente
fio elétrico para um meio de seção transversal (bitola) sólida ou para um conjunto de fios de pequena seção (chamado
“cabinho”), e cabo elétrico para um conjunto de fios condutores arranjados por encordoamento ou por um conjunto de
cabos condicionados sob a mesma capa protetora, sendo condutor elétrico o termo genérico para ambos.
Os cabos elétricos são empregados nos casos em que se faz necessária uma maior capacidade de condução de
corrente (denominada ampacidade), obtida com o aumento da seção transversal por meio do agrupamento e encordo-
amento de fios diversos. Esta conformação permite um aumento de ampacidade aliado a um ganho de flexibilidade, o
que facilita o guiamento destes em conduítes, canaletas e quadros de luz presentes em instalações elétricas em geral.
Os materiais utilizados como condutores são principalmente cobre, alumínio, e as ligas desses materiais. Como
cobertura isolante, emprega-se-se PVC, EPR (etileno-propileno), neoprene, XLPE (polietileno reticulado), polistireno,
borracha butílica e ainda amianto, teflon, cerâmicas, náilon, gás hexafluoreto de enxofre (SF6) e fibras orgânicas.
As características dos materiais empregados na fabricação de fios e cabos elétricos estão relacionadas com o
seu regime de trabalho, sendo que o dimensionamento dos condutores devem atender diversos critérios de proejto
como: tensão de isolação e temperatura máxima suportada pela isolação, ampacidade, condições ambientais mínimas
de trabalho (poluição, raios solares, umidade, etc.), capacidade de blindagem e resistência mecânica a choques.
Os condutores elétricos são fabricados em uma grande diversidade de tipos, segundo seus detalhes construtivos
e aplicações finais, sendo algumas de suas denominações descritas a seguir (aparências na Figura 2.6):

29
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

• Fio e cabo nu: condutores sem revestimento isolante (não isolados entre si, no caso do cabo);
• Fio esmaltado: condutor sólido revestido em esmalte isolante, empregados na construção de bobinas elétricas;
• Condutor isolado: fio ou cabo revestido apenas por uma cobertura de material isolante;
• Cabo unipolar: condutor isolado com camada extra de revestimento chamada cobertura, para proteção mecânica;
• Cabo multipolar: condutor setorial ou segmentado formado por dois ou mais condutores isolados entre si e sob
uma mesma capa isolante, podendo conter ainda um revestimento interno metálico como forma de blindagem;
• Cabo compactado: condutor isolado com alto grau de compactação para eliminar todos os vazios entre os fios;
• Cabo anular: condutor isolado que apresenta o seu núcleo central oco ou preenchido com material isolante;
• Cordel flexível: condutor isolado ou par trançado de condutores isolados, de pequena seção e bastante flexíveis.
Exemplos: par telefônico e fios de diversas cores usados em placa de circuitos e aparelhos (rádio, TV, etc.);
• Cabo coaxial: cabo composto de um condutor axial de cobre envolvido por outro condutor de cobre estanhado em
forma de malha (para blindagem e referência), separados por um isolante sólido (polietileno) e cobertos por uma
capa de revestimento isolante (PVC, neoprene ou polietileno). Pode ser do tipo rígido ou flexível.
blindagens
cobertura

(b)
(f) isolação condutor
cobertura

(c)
isolação condutor
(g) blindagem

(d) capa malha metálica condutora


condutor

(a) (e) (h) isolação

Figura 2.6: Aparências de condutores elétricos: (a) diversidade de tipos; (b) cabo nu; (c) cabo nu compactado;
(d) fio isolado; (e) cabo de pares trançados; (f) cabo unipolar; (g) cabo multipolar; (h) partes do cabo coaxial.

Observações: como informações adicionais sobre fios e cabos comdutores, tem-se:


1) Os cabos coaxiais tem aplicações especiais (rádio e audiofreqüência, telefonia, etc.) devido ao fato de apresentarem
imunidade à indução de ruídos por campos eletromagnéticos externos, pois o sentido das correntes nos condutores
interno e externo são contrárias, de forma que induções nestes condutores se anulam mutuamente.
2) Alguns cabos especiais apresentam um revestimento em fita metálica, com a função de distribuir uniformemente o
campo elétrico no interior do cabo para evitar que concentrações desuniformes danifiquem o isolamento. Visam
também atender a necessidade de se manter o campo elétrico confinado no interior do cabo para este não perturbar
eletricamente condutores vizinhos (blindagem), além de facilitar o escoamento de correntes de curto.
3) Condutores metálicos utilizados em aterramentos requerem proteção contra corrosão galvânica baseada em um
princípio: fornecer elétrons ao condutor para que o mesmo se torne catódico e as reações de corrosão deixem de
existir. Isto pode ser conseguido através do emprego de anodos de sacrifício ou também por meio de uma fonte de
corrente contínua ligada ao condutor e à terra, que fornece os elétrons necessários ao metal evitar sua corrosão.

2.2.6) RESISTORES E RESISTÊNCIAS

Diferentemente da preocupação de se transportar energia elétrica com mínimas perdas (como nos fios e cabos),
ou a construção de dispositivos de chaveamento (como interruptores, contatores, etc.), ou para armazenamento de
energia (como nos capacitores e indutores), ou ainda para a transformação da energia elétrica em outras formas (como
nos motores), existem diversas aplicações eletrotécnicas em que se necessita controlar o montante de corrente elétrica
em um circuito, ou provocar quedas de tensão para adequá-la a níveis desejáveis, ou ainda aproveitar a dissipação de
calor por efeito Joule para aquecimentos. Nestas aplicações empregam-se então os chamados resistores e resistências
elétricas, cujos elementos resistivos são contruídos com materiais condutores de resistividades mais elevadas.
Resistor (símbolos na Figura 2.7-a) é o componente mais simples, comum e barato de um circuito. Diferente de
capacitores e indutores, os resistores não armazenam energia, apenas a dissipa na forma de calor, proporcionando
queda de tensão como conseqüência e, dependendo de como estão conectados, divisão de tensão e desvio de corrente.
30
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

A Figura 2.7-b mostra os aspectos físicos do corpo de um resistor em corte. Os resistores são construídos em
uma base de material cerâmico, que recebe a cobertura resistiva que determinará o valor da resistência e ainda uma
metalização para a realização de soldagem de alto ponto de fusão (~300 oC) com os terminais metalicos do resistor,
para que os ferros de soldar comuns (temperatura ≈ 180 oC) não abalem esta ligação. Por fim, o conjunto recebe uma
cobertura de material isolante (esmalte, epoxi, cimento, silicone, etc.) para acabamento e proteção.

R X Y Z T
(a) (b) (c) (d)

Figura 2.7: Resistores: (a) símbolos esquemáticos; (b) constituição física; (c) aparências; (d) código de cores.
Os resistores comerciais (aparências na Figura 2.7-c) apresentam diversas especificações dadas pelo fabricante.
As principais consistem no valor da resistência em Ohms (Ω), a potência máxima dissipada e a chamada tolerância
(erro percentual máximo da resistência nominal), que estima o grau de precisão resultante dos cuidados tecnológicos
utilizados no seu processo de fabricação. Estes dados são indicados no corpo dos resistores por dois modos:
1) Por código de cores: este sistema utiliza faixas de diversas cores, pintadas no corpo do resistor a partir de uma de
suas extremidade (Figura 2.7-d), com as equivalências numéricas dadas na Tabela 2.2. As duas primeiras faixas
(denominadas X e Y) formam uma dezena e a terceira (Z) indica a potência de 10, tal que o valor ôhmico seja dado
por: XY x 10Z Ω. A quarta faixa corresponde à tolerância: ouro para 5%, prata para 10% e incolor para 20%, e a
potência está relacionado às dimensões do resistor (maior tamanho, maior potência). Este sistema é utilizado na
fabricação de resistores de menor potência (1/8 a 4 W), cuja cobertura resistiva consiste de uma película de grafite
ou metalfilme (fita metálica resistiva) em um trançado helicoidal sobre a base de suporte cerâmico.
2) Diretamente impresso: sistema utilizado em resistores de maior potência (> 4W), fabricados com fios de ligas
metálicas resistivas. Consiste na impressão direta do valor ôhmico sobre o corpo do resistor, na forma de dígitos
numéricos combinados com uma letra para indicar o multiplicador: R (ohms), K (quiloohms), e M (megaohms),
sendo a posição da letra o indicador da vírgula no valor ôhmico. Exemplos: 470R equivale a 470 Ω; 4K7 = 4,7 kΩ;
47K = 47 kΩ. A potência (até 50 W) e a tolerância (até 20%) também vêm impressas no corpo do resistor.
Em relação ao comportamento térmico, os resistores tipo fio e fita metálica tem sua resistência aumentada com
a temperatura de forma praticamente linear, enquanto que nos e película de grafite diminui de forma quadrática.

Tabela 2.2: Código de cores para leitura do valor de resistores de grafite.


Cores X,Y Z Cores X,Y Z Cores X,Y Z
preto 0 0 amarelo 4 4 cinza 8 -
marrom 1 1 verde 5 5 branco 9 -
vermelho 2 2 azul 6 6 ouro - -1
laranja 3 3 roxo 7 7 prata - -2

Resistências elétricas são elementos resistivos largamente empregados no aproveitamento do calor gerado por
efeito Joule para aqueceimento de substâncias (água, ar, etc.), constituídas por ligas metálicas resistivas capazes de
dissipar até milhares de Watts chamadas de resistências para aquecimento (exemplos de aparência na Figura 2.8).
Outras aplicações consistem em aproveitar a transformação de energia elétrica em luminosa, tal como em filamentos
de lâmpadas incandescentes, e na forma de raios catódicos, tal como em eletrodos de lâmpadas de descarga.

Figura 2.8: Aparência de diversas resistências elétricas para aquecimento encontradas no mercado.
Do ponto de vista ôhmico, os resistores e resistências até aqui descritos são classificados como fixoa, pois não
propiciam qualquer mecanismo de ajuste do valor da resistência. A introdução de um elemento cursor que permita
realizar uma varredura da distância entre dois pontos quaiquer do elemento resistivo, possibilita então a obtenção de
um efeito de resitência variável entre o cursor e as extremidade do elemento e origina os chamados potenciômetros.
31
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Potenciômetros (símbolos na Figura 2.9-a) são então resistores formados por dois terminais fixos e um terceiro
conectado a um cursor móvel ajustado por botão (esquema na Figura 2.9-b), que varre uma trilha de grafite ou fio
resistivo enroldado sob uma base de apoio isolante (por exemplo, cerâmico), de modo a propiciar uma variação da
resistência entre o terminal móvel e os fixos. Desse modo, os potenciômetros (aparências na Figura 2.9-c) podem ser
empregados para o controle a qualquer tempo de um determinado parâmetro de um circuito, bem como divisores de
tensão e corrente em circuitos eletrônicos, cargas variáveis, acopladores resistivos, etc. São fabricados em diversos
formatos, tamanhos e potência e podem apresentar variação de resistência de forma linear ou logarítmica.
O chamado trimpot (aparências na Figura 2.9-d) é a denominação dada a potenciômetros com a função de fixar
permanentemente um determinado ponto de funcionamento de um circuito (ajuste normalmente feito por parafuso),
sendo classificados como resistores tipo ajustáveis. Por sua vez, os chamados reostatos (aparências na Figura 2.9-e),
são potenciômetros de maior potência, empregados em aplicações que necessitam de controle de altas correntes, tal
como em motores, ou elevadas dissipações, tal como em ajustes de temperatura de aquecedores em estufas e fornos.
potenciômetros
cursor de grafite
trilha
resistiva

terminal terminal
fixo terminal fixo
do cursor potenciômetros
de fio
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 2.9: Resistores de valor ôhmico variável e ajustável: (a) símbolos esquemáticos, (b) aspectos construtivos
gerais e denominações; aparências diversas de componentes: (c) potenciômetro, (d) trimpots, (e) reostatos.

2.2.7) BIMETAIS

O bimetal é um artefato composto de duas lâminas soldadas de metais ou ligas com diferentes coeficientes de
dilatação térmica e que, quando submetido a uma variação de temperatura, sofre um encurvamento devido à dilatação
distinta entre as lâminas, vindo desse modo a realizar uma força mecânica devido à ação de encurvamento. O bimetal
constitui-se então de um sensor de temperatura ao ter empregado sua curvatura para abrir ou fechar contatos elétricos.
A Figura 2.10-a exemplifica o funcionamento de bimetal submetido a uma elevação de temperatura devido a
uma condução de corrente elétrica na própria peça. A Figura 2.10-b exemplifca o caso da absorção de calor do meio
externo ao bimetal, onde um dos contatos elétricos é conectado a uma placa metálica flexível. O conjunto bimetal e
contatos contatos elétricos pode abarcar ainda um botão, que tem a função de fixar a temperatura de controle por meio
do ajuste da pressão entre os contatos ou a distância entre o bimetal e a placa flexível, tal que, quanto maior a pressão
ou a distância, maior é a deformação do bimetal para abrir os contatos e, portanto, maior é a temperatura ajustada.
As lâminas bimetálicas são fabricadas em diversos formatos, tais como retas, espirais, encurvadas e espiraladas
em hélice (aparências na Figura 2.10-c). No par pode-se empregar diversas combinações de metais e ligas, tais como
cobre e aço, latão e invar, etc. As lâminas são normalmente soldadas por sinterização, que consiste em um processo de
aglutinagem de sólidos por meio do aquecimento a uma temperatura inferior à de fusão dos mesmos, mas suficiente
para permitir uma difusão de átomos entre os sólidos, obtendo-se com isso uma soldagem bastante resistente.
Peças bimetálicas são então largamente empregadas como indicadores de temperatura, tal como termômetros
(Figura 2.10-d), e dispositivos de controle e proteção (disjuntores e termorelés), bem como no chamado termostato
(aparência na Figura 2.10-e), dispositivo destinado a circuitos de regulação automática de temperatura.
espiral
lâmina B (αB < αA) botão de ajuste conexões
I lâmina A (αA) placa metálica I elétricas
flexível
calor botão
contatos
elétricos I I
calor

helicoidal contatos
elétricos
peça bimetalica
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 2.10: Peça bimetálica: (a) encurvação por corrente na própria peça; (b) encurvação por calor exterior à
peça; (c) exemplo de formatos; (d) exemplo de termômetro bimetálico; (e) aparência e partes de um termostato.

32
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2.3) TÓPICOS COMPLEMENTARES


O comportamento dos elétrons livres possibilita o surgimento de alguns efeitos com aplicações muito especiais
em Eletrotécnica, dentre os quais serão vistos as chamadas termoeletricidade e supercondutividade.

2.3.1) TERMOELETRICIDADE

Termoeletricidade é a ciência da transformação de energia térmica diretamente em elétrica. Ela se manifesta


através dos efeitos Thomson, Peltier e Seebeck, descritos a seguir, que consistem na produção de tensões e correntes
elétricas por meios puramente térmicos, sendo os materiais empregados definidos como transdutores termoelétricos:
a) EFEITO THOMSON: seja um material condutor submetido a uma diferença de temperatura, tal que uma de suas
extremidades é mantida a uma temperatura Tf e a outra a uma temperatura Tq > Tf (Figura 2.11-a). Neste caso, a
energia térmica recebida pela extremidade quente (Tq) possibilita aos elétrons desta região ocupar níveis de maior
energia, o que causa um aumento de densidade de elétrons nesta extremidade e uma diferença de concentração de
elétrons em relação à extremidade fria (Tf). Esta diferença de concentração resulta um processo natural chamado
corrente de difusão, onde elétrons se deslocam da região de maior concentração (Tq), que se torna gradativamente
positiva devido à falta de elétrons, para a de menor concentração (Tf), que se torna gradativamente negativa devido
ao excesso de elétrons. Este fenômeno da separação de carga motivada unicamente por diferença de temperatura,
chamado efeito Thomson, resulta então em um campo elétrico e, por conseguinte, uma ddp entre as extremidades
do material, chamada fem de Thomson (Figura 2.11-a). Como o campo estabelecido é retardador para os elétrons
em movimento, a corrente de difusão só perdura enquanto a tendência ao deslocamento é maior que este campo.
b) EFEITO PELTIER: seja a junção de dois materiais condutores A e B a mesma temperatura, onde uma corrente
elétrica I (sentido das cargas negativas) flui do material A para o material B (Figura 2.11-b). Devido a diferenças
de distribuição de energia entre os materiais, tem-se que o fluxo dos elétrons constituintes da corrente ocorre em
diferentes níveis de energia em cada material. Neste caso, se o material A permite que se tenha uma corrente com
uma energia EA , enquanto no material B é necessária uma energia EB < EA , então ocorrerá na junção uma absorção
de energia do meio na forma de calor e a junção se aquece (Figura 2.11-b), devido ao princípio da conservação de
energia. Por outro lado, se a corrente I for invertida, ocorrerá o efeito inverso, isto é, dissipação de calor para o
meio e a junção se esfria (Figura 2.11-b). O fenômeno da liberação ou absorção de calor na passagem de corrente
elétrica entre dois materiais diferente a mesma temperatura é chamado Efeito Peltier. Como em uma junção de
dois condutores diferentes surge uma tensão de contato (devido à momentânea difusão de elétrons livres entre os
materiais motivada por diferença de concentração), chamada fem de Peltier, então uma única junção comporta-se
como uma fonte de tensão dentro da qual ocorre conversão de energia elétrica em térmica e vice-versa.
O efeito Peltier encontra emprego na fabricação de microcoolers em forma de pastilhas, de recente emprego
como dissipador de calor em microprocessadores, e em coolers de pequena potência para refrigeração doméstica.
c) EFEITO SEEBECK: sejam dois materiais condutores A e B unidos em duas junções mantidas a temperaturas
diferentes Tr e Tt > Tr (Figura 2.11-c). Neste caso, o desequilíbrio entre as fem’s de Thomson em cada material e as
fem’s de Peltier em cada junção resulta em uma diferença de potencial entre os materiais e uma corrente elétrica no
circuito fechado formado pelo par (Figura 2.11-c). Este fenômeno é chamado Efeito Seebeck, cuja ddp resultante,
chamada fem de Seebeck ou força termoeletromotriz, depende dos materiais constituintes do par, denominados
termoelementos ou par termoelétrico, bem como da diferença entre as temperaturas das junções e da qualidade do
contato, mas independe do comprimento e da seção dos materiais, bem como da área e da forma dos contatos.
fem de Peltier corrente induzida
fem de Thomson metal A metal B
Tq > Tf Tf EA EB < EA metal A
I
e –
e –
E I
calor Tt > Tr fem de
– calor Tr
e Seebeck

fonte de calor junção aquece metal B


junção esfria
(a) (b) (c)

Figura 2.11: Esquematização dos três efeitos da termoeletricidade: (a) Thomson; (b) Peltier; (c) Seebeck.
No efeito Seebeck, a desconexão de uma das junções par termoelétrico propicia a medição da fem de Seebeck
entre os terminais em aberto que, sendo do tipo contínua, permite a detecção da chamada perna + e da perna – do par.
Neste caso, supondo os terminais em aberto estando à temperatura Tr e esta servindo como valor de referência para a
temperatura Tt na junção restante, chamada valor de teste, tem-se que o valor da fem de Seebeck nos terminais do par
em aberto (Tr) torna-se função apenas da temperatura na junção de teste (Tt). Assim, o efeito Seebeck pode ser empre-
gado como um sensor de temperatura denominado termopar, onde os termoelementos, normalmente metais e ligas,
33
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

propiciam um rápido acompanhamento das variações na temperatura de teste devido ao baixo calor específico dos
metais, que faz com que a junção de teste atinja rápidamente o equilíbrio térmico com o ponto de medição.
A Figura 2.12-a mostra um esquema medição de uma temperatura Tt com termopar, normalmente tomada por
imersão, encaixe ou contato superficial com o meio. O circuito de medição é mantido distante do ponto de inspeção
por meio de condutores chamados de fios de compensação, de modo a garantir que as extremidades 1 e 2 estejam sob
temperatura constante Tr. A tensão desenvolvida entre os pontos 1 e 2 é então lida por um voltímetro, que fornece em
seu mostrador valores diretamente em oC ou oF (Figura 2.12-d). Outras aplicações consistem no monitoramento de
diferenças de temperatura por associação série (Figura 2.12-b) ou temperatura média por associações em paralelo.
Os termopares encontram então amplo emprego na indústria como medidores de temperatura denominados
pirômetros, tal como na verificação e controle de temperatura em fornos, estufas e sistemas de aquecimento em geral,
além de diagnóstico de pontos quentes (mal contatos, falhas, etc.) em equipamentos elétricos (motores, quadros de luz
etc.). São fabricados em diversos formatos (Figuras 2.12-c e d), de acordo com a natureza dos termoelementos e de
suas resistências ao calor e à corrosão. O par de emprego mais comum consiste de uma liga de níquel-cromo (perna +)
e de níquel, cobre ou platina (perna –). Outros pares: cobre (+)-constantan (–) e ferro (+)-constantan (–).
Embora as fem’s sejam pequenas (por exemplo, cerca de 60 mV para o par cobre-constantan), o efeito Seebeck
pode ser explorado como gerador elétrico com pares associados em série e paralelo, nas chamadas termopilhas.
V1 – V2
fios de circuito de
compensação medição V1 V2
perna +
1
Tr ddp V
Tt perna – 2

ajuste T1 T2 < T1
(a) (b) (c) (d)

Figura 2.12: Termopares: (a) esquema de medição; (b) associação série; (c) formatos; (d) medidor comercial.

2.3.2) SUPERCONDUTIVIDADE

Como visto, diversos fatores contribuem para a resistividade elétrica de um material, tais como imperfeições,
impurezas e vibrações da rede. No entanto, quando submetidos a uma diminuição de temperatura, alguns materiais
exibem uma variação brusca em sua resistividade para um valor imensuravelmente pequeno (Figura 2.13-a), ou uma
condutividade quase infinita, quando certa temperatura é atingida, chamada temperatura crítica TC do material. Este
fenômeno é denominado supercondutividade e os materiais que a exibem são, então, chamados de supercondutores.
O estado supercondutor de um material, porém, corresponde a uma mudança de fase drástica, com propriedades
qualitativamente diferentes e que não podem ser explicadas somente com a hipótese da resistividade nula. Em 1933,
Meissner observou que um material supercondutor mantido à temperaturas abaixo do seu valor crítico e na presença
de um campo magnético aplicado antes ou depois de estabelecido o estado supercondutor do material, expulsa o fluxo
magnético de seu interior (efeito chamado diamagnetismo) de forma total (Figura 2.13-b), fenômeno denominado
Efeito Meissner, que faz o supercondutor a agir então como um material diamagnético perfeito.
Logo, como resultado do Efeito Meissner, se um imã permanente for colocado sobre uma placa supercondutora,
flutuará (Figura 2.13-c). Pode-se dizer, então, que o campo magnético não penetra no interior da placa porque, nesta,
os elétrons de condução apresentam movimentos totalmente desimpedidos e podem ajustar seus deslocamentos de
forma a gerar um campo magnético repulsivo o suficiente para compensar o peso do imã. Para isso, portanto, devem
ser induzidas correntes elétricas na superfície da placa supercondutores de tal forma a expulsar o campo magnético de
seu interior. Além disso, estas correntes, por não haver resistência aos seus deslocamentos, podem persistir no meio
supercondutor sem que se possa detectar seu decaimento, mesmo quando retirado a fonte do campo magnético (no
caso, o imã). Pode-se dizer então que o fluxo magnético externo foi mantido “preso” no material supercondutor.
Assim, as duas características principais dos supercondutores, explicitamente, a exclusão do fluxo magnético e
a ausência de resistência a um fluxo de corrente, estão relacionadas entre si, pois é necessário haver uma corrente
persistente e sem resistência para manter a exclusão do fluxo enquanto houver a presença de um campo magnético
externo. Este fato demonstra a incompatibilidade entre corrente elétrica e campo magnético no estado supercondutor.
No entanto, o estado supercondutor apresenta um limite para o fluxo magnético externo, denominado campo
crítico (HC ), acima do qual o supercondutor retorna para o seu estado normal. Além disso, o valor do campo crítico
depende da temperatura do material, tal como exemplificado no gráfico da Figura 2.13-d. Com base neste gráfico,
observa-se então que a temperatura necessária para se atingir o estado supercondutor diminui com aumento do campo
magnético externo e, acima de certo valor crítico HC 1 a 0 K, o material não mais atinge o estado supercondutor. Pelo
gráfico observa-se também que HC é nulo para T = TC e, portanto, para se observar o fenômeno da repulsão de um
campo magnético, o supercondutor deve necessariamente estar abaixo de sua temperatura crítica.
34
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Como visto, os metais puros são os melhores condutores elétricos em temperaturas normais de trabalho e, em
geral, aumentam sua condutividade com a diminuição da temperatura. Contudo, nem todos os metais apresentam o
fenômeno da supercondutividade e nem sempre os melhores condutores de eletricidade e calor são supercondutores.
Por exemplo, alumínio (TC = 1,2 K), estanho (TC = 3,8 K), mercúrio (TC = 4,2 K) e chumbo (TC = 7,2 K) apresentam
supercondutividade, porém nos materais no ouro, prata e cobre não se verificam o estado supercondutor.

T > TC HC (A/m2)
ρ (Ωm) imã
H HC1
estado
estado normal
T ≤ TC super-
placa condutor
H supercondutora
0 TC T (K) 0 TC T (K)
(a) (b) (c) (d)

Figura 2.13: Supercondutividade: (a) variação da resistividade de um material com a temperatura e ponto
crítico; (b) Efeito Meissner; (c) flutuação de imã permanente; (d) variação do campo crítico com a temperatura.
Até 1986 havia uma barreira na temperatura crítica, que era TC = 23 K obtida com componentes intermetálicos,
tal como o nióbio-germânio. Naquele ano, Mueller e Bednorz descobriram uma nova classe de óxidos que exibiam
supercondutividade à uma temperatura muito superior às observadas até então e obtiveram a quebra da barreira com o
óxido de cobre (TC = 35 K). Desde então, novas barreiras vêm sendo estabelecidas, sendo as descobertas mais recentes
baseadas no emprego das chamadas terras raras (série dos lantanídeos), tais como compostos de cobre-lantânio-bário
e cobre-lantânio-estrôncio. Logo, parece razoável supor que a meta a ser atingida, temperatura ambiente, é viável.
Apesar da supercondutividade a uma temperatura prática ser hoje uma realidade, há muitos problemas a serem
superados. Por exemplo, muitos destes materiais são difíceis de serem produzidos consistentemente, pois se mostram
mais resistentes em algumas direções do que em outras, e são em geral ainda bastante quebradiços para serem usados
como fios flexíveis. Além disso, estes materiais exibem certas anisotropias cristalinas, fazendo um fluxo de corrente
elétrica variar por um fator de 30 dependendo da direção do fluxo, bem como apresentam perda de suas propriedades
supercondutivas quando densidades de corrente aplicadas excedem valores críticos da ordem de 105 A/m2.
A supercondutividade encontra imensas possibilidades de aplicação, dentre as quais pode-se citar:
 Transmissão de grandes quantidades de energia com mínimas perdas, por meio de cabos supercondutores;
 Construção de enrolamentos supercondutores para utilização em motores elétricos e geradores;
 Transporte de cargas e passageiros por meio de trens levitados sobre campos magnéticos;
 Blindagem contra interferência eletromagnéticas ou fluxos magnéticos indesejáveis;
 Aplicações onde exigências de espaço e tempo de transmissão sejam importantes, tal como nos computadores.

2.4) EXERCÍCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Sejam dois cabos de materiais A e B. Sabe-se que o cabo de material A tem a fios, condutividade σA e
massa específica γA , e o cabo de material B tem b fios, condutividade σB = 2σA e massa específica γB = 5γA. Sabe-se
também que os fios dos cabos têm mesma seção e comprimento. Determine a faixa de valores que deve ter a razão
a/b para que o cabo de material A tenha, simultaneamente, menor resistência e menor peso que o cabo de material B.

Problema 2: Sejam dois fios resistivos A e B de mesma secção e comprimento, sendo a condutividade do material do
fio B maior que a do material do fio A. Sabe-se que, com os fios ligados em série, obtém-se uma resistência de 10 Ω
e, em paralelo, uma resistência de 2,1 Ω. Determine o valor das resistências dos fios A e B e explique sua resposta.
2,5 mm2
Problema 3: A figura ao lado mostra duas barras de materiais A e B submetidas aos VJ
potenciais de tensão em suas extremidades mostradas. Determine o potencial VJ na 2,5 V A B 0,7 V
junção das barras, a corrente e o gráfico da distribuição de potencial ao longo das
8 cm 6 cm
barras. Dados: condutividades elétricas: σA = 20 x 104 S/m e σB = 120 x 103 S/m.
12 m 15 m
Problema 4: Sejam três barras de material resistivo, conectadas tal como mostrado na figura ao
lado. A seção de cada barra é 1,2 cm2 e as mesmas estão submetidas aos potenciais elétricos em
6V 4V
1 2 suas extremidades mostradas na figura. Determine o potencial na junção das barras, o valor e o
3 30 m sentido da corrente elétrica em cada barra e a resistência de cada barra. Dado: condutividades
2V elétricas dos materiais das barras: σ1 = 5 x 104 S/m, σ2 = 6,25 x 104 S/m e σ3 = 12,5 x 104 S/m.

35
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Problema 5: A figura ao lado mostra um certo fio resistivo no formato de um circuito O 2x 2x


retangular fechado. Deseja-se medir a resistência entre dois pontos quaisquer do fio
x
com um ohmímetro, onde uma ponta de prova é fixada no ponto O e a outra percorre o Ω D
fio. Sabendo-se que o ohmímetro mede 15 Ω quando a ponta de prova móvel atinge o x
ponto A, determine a leitura quando a ponta de prova móvel passa nos pontos B, C e D. A B C

Problema 6: A figura fornecida mostra a variação da resistência com a temperatura, de dois resistores RA e RB de
materiais A e B, respectivamente. Com base no gráfico, determine os coeficientes de temperatura da resistividade dos
materiais A e B a 20 oC. Explique seu raciocínio e compare os resultados.

Problema 7: O gráfico dado mostra a variação da resistência com a temperatura, de dois resistores RA e RB . Sabe-se
que a 20 oC, a resistência equivalente vale 50 Ω para RA e RB em série, e 12 Ω para RA e RB em paralelo. Determine o
valor dos coeficientes de temperatura da resistividade dos materiais A e B a 20 oC .

Problema 8: O gráfico dado mostra a variação da resistência equivalente entre dois resistores RA e RB em série, em
função da diferença de temperatura ∆T em relação à referência 20 oC, onde m é a declividade da reta. A 20 oC, sabe-se
que RA = 10 Ω e o coeficiente de temperatura da resistividade do material deste resistor é 3 x 10-4 oC -1. Pede-se:
a) O coeficiente de variação da resistência com a temperatura a 20 oC do material do resistor RB , para os seguintes
valores de declividade da reta: m = 0,01 Ω/oC , m = 0 Ω/oC e m = – 0,01 Ω/oC.
b) O que se pode concluir sobre a resistência equivalente quando a declividade é nula (m = 0)?
c) Qual a declividade limite, a partir do qual o coeficiente de temperatura do resistor RB é negativo? Comente.

Problema 9: Para o circuito fornecido, sabe-se que, quando o resistor R2 é submetido a um aumento de temperatura,
observa-se que a luminosidade da lâmpada L diminui. Explique qual o tipo de material (PTC ou NTC) do resistor R2.
R (Ω) RA , RB (Ω)
RB Req (Ω)
retas RA
51 30,6
paralelas 40
RA R1
50 RB
m R2 L
19,5 V
49,6
0 20 T (oC) 0 20 T (oC) 0 ∆T (oC)
Problema 6 Problema 7 Problema 8 Problema 9
Problema 10: Sejam dois fios resistivos A e B de mesma seção e comprimento. Sabe-se também que a condutividade
do material do fio A é maior que a o material do fio B. Apesar disso, ao aplicar-se a mesma tensão alternada a cada
fio, observa-se que a corrente no fio A é menor. Cite uma razão para isso ocorrer e explique.

Problema 11: Sabe-se que a resistividade, o coeficiente de temperatura da resistividade de certo metal a 20 oC são,
respectivamente, 0,08 Ωmm2/m e 0,004 oC –1, e que a permeabilidade relativa do mesmo é 1000. Pede-se:
a) Calcule a resistência CC por quilômetro a 50 oC, de um cabo constituído por 7 fios de 1 mm de diâmetro do metal;
b) Em um fio do metal a 50 oC, com 2 mm de diâmetro e 10 m de comprimento, aplica-se uma tensão alternada eficaz
de 2 V e nota-se que o mesmo dissipa uma potência de 10 W. Determine a freqüência da tensão alternada.

Problema 12: A figura ao lado mostra uma fonte de tensão contínua alimentando dois fios resistivos RA e RB de
mesmo valor a uma certa temperatura inicial, quando observa-se que os fios dissipam uma certa potência total PD.
Sabe-se que o coeficiente de temperatura da resistividade do material do fio RA na temperatura inicial é igual ao do
material do fio RB , porém de sinais contrários. Sabe-se também que o material do fio RA não possui
propriedades magnéticas e que a permeabilidade magnética do material do fio RB é elevada. Pede-se: RA
a) Explique o que acontece com a potência PD se a temperatura dos fios aumentar por igual; V
RB
b) Explique o que acontece com a potência PD se a fonte de tensão contínua for substituída por uma
fonte de tensão alternada de mesmo valor (valor rms da fonte CA igual ao valor da fonte CC).
contatos elétricos fixos
Problema 13: A figura ao lado mostra um sensor bimetálico empregado para
L2
indicar, por meio de duas lâmpadas L1 e L2 , se a temperatura se encontra fora bimetal
de certa faixa desejada (no caso da figura, L1 e L2 estão apagadas, indicando A B L1
temperatura dentro da faixa). No par bimetálico, o metal B é o que apresenta o V
maior coeficiente de dilatação térmica. Pede-se:
mola contato elétrico móvel
a) Explique qual lâmpada indica temperatura abaixo da faixa;
b) Se a distância entre os contatos elétricos fixos e o móvel aumentar, que parâmetro do circuito será ajustado?

36
CAPÍTULO 3: MATERIAIS E DISPOSITIVOS ISOLANTES
Diferentemente dos condutores e semicondutores, empregados em Eletrotécnica basicamente para o transporte,
controle ou dissipação de energia, os materiais ditos isolantes elétricos apresentam propriedades essenciais quando se
faz necessário separar eletricamente partes de um circuito a potenciais diferentes, ou armazenar energia na forma de
campo elétrico com o aproveitamento de efeitos capacitivos, ou ainda manusear partes energizadas sem riscos.
Este capítulo tem então o objetivo de introduzir alguns aspectos dos materiais isolantes e seus empregos.

3.1) PROPRIEDADES E FENÔMENOS

Como visto no Capítulo 1, os materiais classificados eletricamente como isolantes apresentam um elevado gap
de energia entre as bandas de valência e condução (≈ 6 eV). Consequentemente, estes materiais caracterizam-se por
apresentar uma natureza essencialmente isolante, devido às baixas concentrações de portadores de carga livres, em
torno de 106 cm–3, o que resulta em resistividades elétricas bastante elevadas, da ordem de 108 a 1015 Ωm (para efeito
de comparação, em torno de 10–7 Ωm nos metais). Este fato revela então que a condução de eletricidade nos materiais
isolantes é praticamente nula quando submetidos a tensões compatíveis, o que implica em aplicações distintas dos
condutores e semicondutores, razão pela qual fenômenos e propriedades mais compatíveis devem ser estudadas.

3.1.1) RIGIDEZ DIELÉTRICA

A propriedade rigidez dielétrica é descrita como o limite de tensão por unidade de espessura, acima do qual um
material perde bruscamente sua capacidade de isolação e permite a passagem de corrente elétrica por sua estrutura,
resultando normalmente em sua inutilização. Esta propriedade expressa, portanto, a qualidade isolante elétrico de um
material, descrita como a capacidade deste de se opor à uma descarga elétrica por seu meio sem se danificar.
Para uma amostra de certo material isolante de espessura d e que suporta uma tensão máxima Vmax antes de se
romper, a rigidez dielétrica Emax (unidade usual: kV/mm.) do material é então determinada experimentalmente por:
V
Emax = max (3.1)
d
Assim, esta propriedade é um parâmetro essencial para a avaliação dos materais usados com a finalidade de se
manter eletricamente isoladas partes ou superfícies a potenciais diferentes, tais como revestimento isolante em fios,
cabos e circuitos impressos, suporte isolante para cabos, chaves e barramentos, compartimentação de dispositivos e
equipamentos elétricos, eletodutos, etc. A Tabela 3.1 apresenta a rigidez dielétrica de alguns materiais de interesse.

Tabela 3.1: Rigidez dielétrica de alguns materiais a 20 oC.


Material Emáx (kV/mm) Material Emáx (kV/mm) Material Emáx (kV/mm)
ar seco 3 EPR 53 vidros 7,5 a 30
poliestireno 20 mica 60 porcelana 100
polietileno 21 teflon 60 a 173 óleos de silicone 10 a 15
PVC 50 polietileno reticulado 65 óleos minerais 15 a 280

3.1.2) POLARIZAÇÃO DIELÉTRICA

Quando submetidos a campos elétricos, os materiais condutores, notadamente os metais, apresentam a indução
de cargas elétricas de sinais contrários em sua superfície, devido ao deslocamento de seus elétrons livres em resposta
à força exercida sobre os mesmos pelo campo aplicado. Esta separação de carga acarreta então em um campo elétrico
induzido e contrário ao aplicado, o que causa o anulamento do campo aplicado no interior do material (Figura 3.1-a).
Os materiais isolantes, também chamados dielétricos, exibem um comportamento similar mas, como praticamente não
possuem elétrons livres, sua reação ao campo aplicado ocorre por outro mecanismo, chamado polarização dielétrica.
Átomos constituem-se basicamente por um núcleo positivo (prótons) e uma coroa negativa (elétrons). Logo, em
agrupamentos de átomos (moléculas) pode-se definir um “centro de carga” para as cargas positivas e negativas, cuja
posição define os dois tipos de moléculas constituintes da matéria: polar e apolar (não-polar). No caso das moléculas
polares, a não coincidência dos centros de carga configura-se em uma separação de carga, o que resulta em um campo
elétrico natural entre os centros de carga e define o chamado dipolo elétrico permanente ou natural (Figura 3.1-b),
sendo os dielétricos chamados polares. Para o caso das moléculas apolares, a coincidência dos centros de carga não se
configura em um dipolo resultante (Figura 3.1-c), sendo os dielétricos denominados não-polares.
Contudo, em presença de um campo elétrico externo, a reação de ambos os tipos de dielétricos é essencialmente
a mesma. Em um dielétrico polar, os dipolos naturais se encontram orientados ao acaso e não apresentam orientação
37
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

em uma direção resultante, mas a aplicação de um campo elétrico exerce uma força nos dipolos do material de modo a
orientá-los na mesma direção deste campo (Figura 3.1-b). Similarmente, em um dielétrico não-polar submetido a um
campo elétrico, este exerce forças sobre os centros de carga das moléculas e pode acarretar em uma separação e um
alinhamento dos centros de carga na direção do campo, resultando no chamado dipolo induzido (Figura 3.1-c). Estas
orientações, chamadas polarização dielétrica, não é total devido à agitação térmica e será mais intensa quanto maior o
campo elétrico aplicado, sendo o processo reversível, ou seja, cessado o campo aplicado, os dipolos induzidos são
desfeitos e os naturais voltam às suas posições originais, tal que a carga elétrica por volume no meio permanece nula.
Como a orientação dos dipolos decorre do deslocamento dos centros de carga positivos no mesmo sentido do
campo aplicado e dos centros de carga negativos no sentido oposto, observa-se então que o campo elétrico dos dipolos
se orientam no sentido contrário ao do campo externo (Figuras 3.1-b e c). Como consequência, tem-se que o campo
eletrico aplicado a um determinado dielétrico encontra uma oposição ao seu adensamento no interior do material,
(Figura 3.1-d) e, desse modo, o campo elétrico externo sofre um enfraquecimento no interior do dilétrico devido ao
campo elétrico dos dipolos orientados no sentido contrário (Figura 3.1-e). Assim, similar ao observado nos metais, em
materiais dielétricos submetidos a campos elétricos, observa-se a indução de camadas superficiais de cargas positivas
e negativas em sua superfície, provenientes de dipolos orientados, com o campo externo se reduzindo em seu inteior.
dipolo
elétrico
natural
Eint = 0 Eext Eext Eext
camp Eext

Eext dipolo
induzido
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 3.1: (a) Condutor (metal) perante campo elétrico; polarização dielétrica: (b) molécula polar, (c) molécula
apolar, (d) dielétrico submetido a um campo elétrico; (e) reação do dielétrico ao adensamento do campo externo.

3.1.3) PERMISSIVIDADE DIELÉTRICA

A propriedade que descreve o grau de polarização de um material dielétrico em presença de um campo elétrico
externo, ou ainda, a capacidade do dielétrico em reagir ao adensamento do fluxo de campo elétrico por sua estrutura, é
chamada permissividade dielétrica (símbolo: ε, unidade: F/m, F = Farad). Logo, quanto maior for a polarização dos
dipolos elétricos (naturais ou induzidos) de um material dielétrico contrários a um campo externo aplicado, menor é o
adensamento (enfraquecimento) do campo elétrico externo em seu interior e maior é a permissividade do material.
A permissividade dielétrica do vácuo (εo = 8,854 x 10-12 F/m), sendo uma constante universal, é empregada para
definir o termo permissividade relativa (εr) de um material isolante, que quantifica o quanto o material se polariza em
relação ao vácuo, sendo então definida como a razão entre a permissividade ε do isolante e εo do vácuo, ou seja:
ε
εr = (3.2)
εo
sendo εr adimensional. A permissividade relativa de um material isolante pode ser expressa pela chamada constante
dielétrica K, obtida experimentalmente pela relação entre a capacitância C (F) de um capacitor contendo isolante e a
capacitância Co de um capacitor de iguais dimensões e com o material isolante substituído pelo ar ou vácuo, ou seja:
C
K = (3.3)
Co
Além da temperatura, a permissividade dielétrica dos materiais depende da freqüência de utilização, em virtude
da dificuldade dos dipolos permanentes acompanharem a variação do campo elétrico aplicado, ocorrendo apenas a
criação de dipolos induzidos, o que resulta em uma queda no valor da constante dielétrica. Logo, dispositivos como
capacitores pode ter sua capacidade de armazenar campo elétrico reduzida quanto maior for a freqüência do sinal. A
Tabela 3.2 apresenta a constante dielétrica de alguns isolantes à temperatura de 25 ºC e na faixa de 60 Hz a 1 MHz.

Tabela 3.2: Constantes dielétricas de alguns materiais isolantes.


Material K Material K Material K
ar puro e seco ~ 1,0 óleo de transformador 2,5 vidro 5 a 10
porcelana 5,7 óxido de alumínio 7,0 borracha EPR 2,6
polietileno 2,26 poliestireno 2,56 papel encerado 3,1
mica 5,0 a 7,8 quartzo 4,0 ebonite 2 a 2,8
PVC 2,6 a 6,5 óxido de tântalo 11 araldite 3,6

38
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

3.1.4) CAPACITÂNCIA

Seja um condutor elétrico isolado com certa carga Q armazenada, resultando em um potencial V em relação a
um referencial qualquer. Supondo que a carga sofre uma variação para nQ, observa-se que o potencial do condutor se
altera para nV, tal que a razão Q/V se matem constante. Esta relação entre carga e potencial representa uma qualidade
do condutor denominada capacitância (C), ou efeito capacitivo, tal que Q/V = C, que dependente da forma geométrica
do condutor e do meio isolante que o envolve. Desse modo, por extensão, efeitos capacitivos surgem entre quaisquer
superfícies isoladas a potenciais diferentes, tal como entre cabos aéreos a tensões diferentes e entre estes e o solo.
Seja então, por exemplo, um condutor A imerso em um meio dielétrico e carregado com uma carga positiva Q
sob um potencial V em relação à referência terra (Figura 3.2-a), resultando em uma capacitância C. Se um segundo
condutor B aterrado for colocado próximo e isolado de A pelo meio dielétrico, observa-se então que o campo elétrico
criado pelas cargas positivas em A induzirão cargas negativas em B, resultando em uma queda de potencial do próprio
condutor A devido à influência das cargas negativas induzidas em B (Figura 3.2-b). Adicionalmente, se a distância
entre os condutores diminuir, ou a área de acoplamento entre estes aumentar, tem-se um aumento na carga induzida
em B e, desse modo, uma redução no potencial do condutor A. Logo, para o condutor A atingir novamente o potencial
V, deve-se acrescentar mais cargas positivas ao mesmo e, desse modo, a presença do condutor B permite ao condutor
A armazenar mais carga sob mesmo potencial, ou seja, a capacitância do condutor A aumenta em conjunto com B.
Conclui-se então que a capacitância do conjunto será tanto maior quanto maior for a indução em B e esta atinge o
valor máximo quando ocorre indução total, isto é, a carga elétrica em ambos condutores são iguais e de sinais opostos.
Seja agora na Figura 3.2-c o exemplo de um conjunto constituído por duas placas condutoras separadas pelo
dielétrico ar e carregadas com cargas iguais e opostas +Q e –Q produzidas pela indução total, o que estabelece um
campo elétrico Eo devido à ddp Vo entre as placas. A introdução de um material dielétrico de permissividade dielétrica
maior que o ar resulta então em um campo E < Eo como resultado do enfraquecimento do campo elétrico estabelecido
pelas cargas das placas, devido à maior capacidade de polarização do dielétrico no sentido contrário ao campo. Este
enfraquecimento resulta então em um decréscimo na ddp para um valor V < Vo (Figura 3.2-d), o que permite, portanto,
um aumento da carga elétrica nas placas de modo a obter a ddp Vo inicial, ou seja, pode-se armazenar mais cargas e
energia na forma de campo elétrico com a mesma tensão. Assim, conclui-se que a capacitância de um conjunto de
placas condutoras será tanto maior quanto maior for a permissividade dielétrica do meio isolante entre as placas.
Um conjunto constituído por duas superfícies condutoras separadas por um dielétrico e com a função específica
de reter cargas elétricas de modo a armazenar energia na forma de campo elétrico, é denominado capacitor, sendo a
capacitância, portanto, a grandeza que descreve esta capacidade. O meio dielétrico pode ser o ar ou o vácuo, com a
vantagem do capacitor não se danificar quando rompido o meio, mas o emprego de um dielétrico sólido de maior
permissividade permite obter um capacitor de maior capacitância de mesmas dimensões, além de vantagens como:
1) O emprego de um dielétrico sólido resolve o problema mecânico decorrente da necessidade de se manter duas ou
mais superfícies condutoras separadas por pequenas distâncias sem efetivamente se conectarem eletricamente;
2) O emprego de um dielétrico de maior rigidez dielétrica que a do ar permite ao capacitor suportar uma maior tensão
máxima sem se danificar e, portanto, possibilita uma maior quantidade de carga armazenada em seu conjunto.
A (C = Q/V) A (C↑ = Q/V↓) meio dielétrico ar meio dielétrico de
(permissividade εo) permissividade ε > εo
B +Q -Q +Q -Q
E meio
dielétrico

Q Q
V↓ Eo E < Eo
V
0V Vo V < Vo
0V
(a) (b) (c) (d)

Figura 3.2: Efeitos capacitivos: (a) condutor isolado; (b) conjunto de condutores com indução parcial;
(c) conjunto de condutores com indução total; (d) introdução de dielétrico de maior permissividade.

3.1.5) PERDAS, FATOR DE PERDAS E EFEITO CORONA

A eficiência da capacidade de isolação dos isolantes e dielétricos depende da finalidade e das condições de sua
aplicação. Em geral, estes materiais estão sujeitos a redução de desempenho devido a condicionantes como:
 Fatores em excesso: luz solar, salinidade, presença de gases corrosivos, poluição, dissipação de calor e absorção
de água devido à porosidade do material (a chamada higroscopia), podem acelerar o envelhecimento do dielétrico,
o que pode resultar em perdas devido ao aumento substancial de correntes parasitas no interior do material.

39
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

 Regime de trabalho impróprio: tempos prolongados de aplicação de tensões elevadas e/ou impulsos de tensão
podem acarretar em perdas por dissipação de calor na resistência de corpo do material isolante e dielétrico.
 Deposição de agentes do ambiente: o acúmulo de impurezas e umidade sobre o isolante pode ocasionar caminhos
ôhmicos para a circulação de correntes de fuga pela superfície do material, o que representam perdas de energia.
 Histerese elétrica: na polarização de um dielétrico, a energia requerida para a orientação de seus dipolos pode não
retornar totalmente ao sistema quando da retirada do campo elétrico aplicado, pelo fato de alguns dos seus dipolos
orientados não retornam completamente às posições originais após a retirada do campo. Estes atrasos, conhecido
como histerese, necessitam então de consumo de energia para serem desfeitos e, portanto, representam perdas.
 Absorção dielétrica: os dielétricos podem absorver carga quando submetidos a campos elétricos, comportando-se
como um material eletrizado por algum tempo, o que representa uma situação com energia entregue pelo sistema e
não devolvida e, portanto, perdas. Certos dielétricos podem apresentar uma absorção de carga irreversível, cujo
comportamento pode ser aproveitado em materiais especiais denominados eletretos, vistos mais adiante.
Sendo o vácuo a ausência de matéria então o mesmo não sofre problemas com perdas por envelhecimento e
polarização. Desse modo, vácuo é, por conseguinte, o único exemplo de material dielétrico ideal.
Como conseqüência do conjunto de perdas de um dielétrico, a corrente e a tensão CA aplicadas a um capacitor
não estarão na prática defasadas em 90o pelo fato destas perdas representarem resistências. Neste caso, o ângulo de
defasagem é menor que 90o por um valor ∆ (Figura 3.3) devido às perdas dissipadas no dielétrico. O termo ∆ é desse
modo denominado ângulo de perdas e sua tangente (tg ∆) define o chamado fator de perdas de um dielétrico. Assim,
este fator é uma medida da energia perdida ou dissipada na estrutura do dielétrico, com o ângulo ∆ caracterizando o
melhor ou pior dielétrico, ou seja, quanto maior o fator de perdas de um dielétrico, maior o efeito resistivo resultante
destas perdas, menor o defasamento angular no capacitor contendo o dielétrico e pior será este dielétrico.
A Tabela 3.3 mostra o fator de perdas de alguns materiais na freqüência de 1 kHz a 25 oC.

VC ∆ IC Tabela 3.3: Fator de perdas de alguns materiais.


Isolante tg ∆ Isolante tg ∆
PVC 0,06 EPR 0,007
IC VC porcelanas 0,04 polietileno 0,003
papel 0,02 Mica 0,002
Figura 3.3: Ângulo de perdas (∆).
Uma causa de perdas em sistemas elétricos de grande preocupação provém de situações em que a densidade de
campo elétrico em condutores energizados a alta tensão e imersos no dielétrico ar, excedem um determinado valor e
fazem surgir regiões com partículas de ar ligeiramente ionizadas ao redor dos condutores, o que cria condições para a
promoção de pequenas descargas elétricas do condutor para o ar chamadas efeito Corona (aparência na Figura 3.4-a),
sendo então comum em linhas de transmissão e subestações devido aos altos níveis de tensão de trabalho envolvidos.
Além do tipo de tensão aplicada (CA ou CC), o efeito Corona é influenciado pelas condições do ar (umidade,
temperatura, pressão e poluição) e pelo formato do condutor empregado devido ao chamado efeito das pontas, pois o
campo elétrico se intensifica em regiões com formas retas ou pontiagudas de um condutor energizado (Figura 3.4-b).
O efeito Corona tem como produtos a transformação de energia elétrica em emissões luminosas de cor violeta
pálida devido à formação de gás ozônio, emissão de radiação em rádio-frequências, além de ruído audível devido a
vibrações no condutor. Este tipo de perda é então de grande preocupação e necessita ser mitigado o máximo possível.
Logo, as perdas resultantes da ocorrência de efeito Corona em sistemas de alta tensão obrigam os projetistas a
tomar cuidados especiais no espaçamento entre barramentos e cabos, dimensionamento de chaves de alta tensão e
aumento dos raios de curvatura dos cabos na passagem pelas ferragens das torres de sustentação (postes e linhas).
Assim, é comum o emprego dos chamados atenuadores de efeito Corona (aparências na Figura 3.4-c), que consistem
de condutores em formato circular para mitigar o efeito das pontas ao aumentar a uniformidade do campo elétrico em
volta de equipamentos como barramentos, isoladores (Figura 3.4-d), ancoragens e sustentações.
anel
decarga corona anti-corona

alta
tensão

(a) (b) (c) (d)

Figura 3.4: (a) Visualização de efeito Corona em linha de transmissão; (b) esquematização do efeito das
pontas e produção de descarga corona; (c) atenuadores anti-corona; (d) isolador com anel anti-corona.

40
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

3.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS ISOLANTES

Materiais isolantes encontram amplo emprego em Eletrotécnica para desempenhar funções de isolação elétrica,
manuseio de partes energizadas de circuitos, fabricação de capacitores e proteção mecânica contra esforços, sendo o
termo isolante geralmente conferido aos materiais para isolamentos em geral, e dielétrico para aplicações capacitivas.

3.2.1) MATERIAIS ISOLANTES E DIELÉTRICOS

Os materiais isolantes e dielétricos se diferenciam por diversas propriedades e características, tais como rigidez,
permissividade, dureza, elasticidade, fator de perdas, etc., e podem ser encontrados nos três estados físicos da matéria.
A seguir são apresentados alguns destes materiais de aplicação mais comum em componentes e sistemas elétricos:
 Isolantes gasosos: por ter custo nulo, o ar é aproveitado como meio isolante em instalações elétricas aéreas (cabos
nus em redes, barramentos em subestações, etc). O SF6 (hexafluoreto de enxofre), gás de elevada rigidez dielétrica,
é empregado como isolamento em cabos subterrâneos, redes e subestações compactas, disjuntores de potência, etc.
 Fibras naturais: são materiais baratos e de grande flexibilidade, porém de elevada higroscopia, sendo usados em
suportes isolantes, revestimento de cabos e capacitores. Exemplos: papel, algodão e seda impregnados com óleos.
 Cerâmicas: materiais de elevada constante e rigidez dielétricas, são usados em isoladores em todas as tensões e
em capacitores de baixa e alta tensão. Exemplos: óxido de alumínio, titanato de bário, porcelana e esteatite.
 Resinas plásticas: são de boa rigidez, baixo fator de perda, não higroscópicos e resistentes ao calor. Empregos:
revestimento de fios e cabos, encapsulamentos, capacitores, peças isolantes e núcleos de bobinas. Materiais: XLPE
(polietileno reticulado), poliéster, polistireno, PVC (cloreto de polivinila), teflon, araldite, baquelite, etc.
 Dielétricos líquidos: são óleos isolantes (tais como óleos minerais e de silicone, Askarel, etc.) e geralmente atuam
em duas funções: refrigeração e isolação. O efeito refrigerante consiste em retirar o calor gerado por efeito Joule
internamente a um equipamento e transferi-lo aos radiadores de calor, mantendo admissíveis os níveis de aqueci-
mento do equipamento. São empregados em transformadores e disjuntores a óleo (para isolamento entre terminais
e enrolamentos) e para impregnação de papéis usados como dielétricos em capacitores (capacitores a óleo).
 Tintas e vernizes: são compostos químicos de resinas sintéticas (exemplos: Alkanex, Formex e Permafil). Tem
importante emprego na tecnologia de isolação de componentes eletrônicos, tais como: esmaltação de fios e cabos
condutores, isolação de laminados ferromagnéticos, proteção de superfícies tais como circuitos impressos, etc.
 Borrachas sintéticas: são materiais elásticos, de boa resistência a agentes químicos e elevada rigidez dielétrica.
São usadas como capa externa protetora de cabos e em isoladores poliméricos. Exemplos: silicone, neoprene, EPR
(etileno-propileno), EPDM (etileno propileno dieno monômero) e borracha butílica.
 Mica: material mineral cristalino de alta rigidez dielétrica e baixo fator de perdas. É empregada como dielétrico
em capacitores e como isolante nas ligações entre transistores de alta potência e dissipadores térmicos.
 Vidros: apresentam elevada rigidez e estabilidade à umidade. Emprego: isoladores para cabos em redes elétricas.
 Outros: óxido de tântalo e mylar (dielétricos em capacitores), madeira (cruzetas em postes de distribuição), etc.

3.2.2) ISOLAMENTOS E ISOLADORES

Partes de circuitos energizadas (conhecidas como partes “vivas”) de circuitos elétricos em geral (instalações
industriais, comerciais e residenciais, sistemas de transmissão e distribuição, subestações, etc.) representam perigo à
segurança de pessoas e patrimônio, necessitando então estarem “suspensos” eletricamente do meio que os cerca, papel
este desempenhado por diversos tipos de revestimentos e dispositivos isolantes empregados nos circuitos.
Isolamento é o termo geral para revestimentos empregados como invólucros ou capas protetoras para isolar
eletricamente partes energizadas, bem como dotar estas de resistência a problemas como: perdas, choques elétricos,
corrosão por oxidação ou dissolução, abrasão, inflamabilidade, umidade e fungos (exemplos na Figura 3.5).
A espessura de isolamento simples de um fio ou cabo é dimensionada obedecendo a condição de que o campo
elétrico na superfície do isolamento seja nulo. A equação para o cálculo dessa espessura é dada por (figura 3.5-a):

( Vmax

d = r e r Emax − 1 ) (3.4)
onde: r (mm) é o raio do fio condutor, d (mm) é a espessura do material isolante (Figura 3.5-a), Vmax (V) é a tensão
máxima de trabalho do fio e Emax (V/mm) é a rigidez dielétrica do material isolante empregado.
Em geral, o isolamento de fios e cabos classificam-se, segundo sua composição, em:
 Isolamento sólido: usados em todos os níveis de tensão, consiste nos materiais orgânicos naturais e polímeros,
além de amianto, cerâmicas, teflon, naylon e ebonite para aplicações especiais. Os polímeros se dividem em:
• Termoplásticos: caracterizam-se por mudança de estado com a temperatura (quando queimados, se derretem).
Máxima temperatura de trabalho: 170 oC. Exemplos: polistireno, polietileno, PVC e naylon.
• Termofixos: são mais resistentes e carbonizam-se quando queimados, mas tornam-se quebradiços com o tempo.
Temperatura máxima de trabalho: 250 oC. Exemplos: borracha butílica, EPR, XLPE e neoprene.

41
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

 Isolamento estratificado: composto de camadas isolantes geralmente impregnados, utilizados para isolação acima
de 1000 V. Exemplos: papel impregnado com óleo e com interstícios ocupados com gás sob pressão (gas filled).
Alguns cabos para aplicações especiais apresentam uma capa protetora contra a ação de agentes externos (raios
solares, meios corrosivas, microorganismos, etc.), usualmente PVC ou chumbo, e em cabos para altas tensões é usada
uma complementação dielétrica que visa aumentar sua capacidade de isolação devido aos elevados campos gerados.
caixa de
passagem

condutor eletroduto
d
r condutores
isolados
isolante
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 3.5: Aplicações de revestimentos isolantes: (a) dimensionamento de cobertura simples; (b) guiamento de
condutores elétricos; (c) conjunto plugue-tomada; (d) fita isolante; (e) par de luvas isolantes (borracha e couro).
Isolador é o termo geral para designar dispositivos empregados como suporte, suspensão ou ancoragem isolante
de peças energizadas (condutores, barramentos, chaves, conexões, etc.) em instalações elétricas em geral.
Os isoladores são especialmente construídos para assegurar um isolamento elétrico adequado e apresentar boas
caracterísiticas mecânicas, devendo ainda ser capazes de fazer o máximo uso do poder isolante do ar que os envolve.
Com estes propósitos, são então projetados de forma a apresentar contornos físicos o mais longo possível, de modo a
assegurar uma distribuição balanceada de potenciais e minimizar a acumulação de linhas campo elétrico, objetivando
impedir o rompimento da isolação por arcos elétricos em sua estrutura (perfuração) ou pelo ar (descarga externa).
Além disso, como a presença de poros e fissuras facilita o acúmulo de água e sujeira (pó, fuligem, etc.), o que
possibilita o surgimento de correntes de fuga superficial, os isoladores devem apresentar uma superfície altamente
polida ou vitrificada, com a finalidade de diminuir a possibilidade de acúmulo de material sobre o isolador.
Adicionalmente, os isoladores devem apresentar também elevada dureza e tenacidade devido às solicitações
mecânicas a que estão sujeitos (forças sobre eixo de fixação ou apoio), que lhes são transmitidos devido ao próprio
peso dos cabos e à força dos ventos sobre os cabos, bem como mitigar problemas com atos de vandalismo.
Os isoladores apresentam diversas especificações, dentre as quais pode-se citar (Figura 3.6):
 Material do corpo isolante: porcelanas (argila, quartzo, alumina, etc.), vidro temperado e compósitos poliméricos
(EPDM, EPR, silicone, plásticos, etc.), podendo estes últimos serem construídos sob um bastão rígido isolante.
 Tipo do corpo isolante: podem ser construídos em uma única peça, chamados tipo monocorpo ou de barra longa,
cujo comprimento define o nível de isolamento, ou ainda em diversas peças em forma de disco, chamados tipo
multicorpo, que permitem a conexão entre si em longas cadeias para se adequar ao nível de isolação desejado.
 Tipo de apoio: diferem pelo tipo de fixação na estrutura de apoio, feito basicamente de 3 maneiras:
• Isoladores de pino: contém em seu interior um furo rosqueado para permitir a introdução de um pino de aço com
cabeça de chumbo filetada, sobre o qual se atarracha o isolador à estrutura por arruela e porca.
• Isoladores tipo pilar: são construídos em uma única peça ou contendo um núcleo de material isolante mais rígido,
com base metálica fixa de alta resistência mecânica, que é acoplada à estrutura por arruela e porca.
• Isoladores de suspensão: são essencialmente do tipo multicorpo, para permitir grande flexibilidade ao vento do
conjunto. Além do corpo isolante (normalmente vidro ou porcelana), estes isoladores apresentam ferragens em
seu eixo para o engate entre peças, de modo a propciar boa resistência à tração. São o tipo de maior importância
para redes de transmissão de energia elétrica, pois ajustam-se facilmente às condições de serviço impostas.
 Características mecânicas: capacidade de carga máxima de trabalho e resistência a impactos e choques térmicos.
 Características elétricas: tensões máximas suportadas (disruptivas, corona, de perfuração, RF, etc.).

tipo
pino
tipo
pilar isoladores
de disco
(tipo
supensão)

(a) (b) (c) (d)

Figura 3.6: (a) Isoladores cerâmicos; (b) isoladores de vidro; (c) isoladores poliméricos; (d) cadeia de isoladores.

42
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

3.2.3) CAPACITORES

Como visto anteriormente, capacitores (símbolos esquemáticos na Figura 3.7-a) são dispositivos construídos
especificamente para aproveitar a capacidade de um conjunto de superfícies condutoras isolados entre si por um meio
dielétrico, em armazenar energia na forma de campo elétrico em decorrência da retenção de cargas elétricas nestas
superfícies, sendo a capacitância obtida pelo conjunto a medida desta retenção. Neste caso, viu-se que, quanto maior o
acoplamento entre as superfícies (menor distância e maior área) e maior a capacidade de polarização do dielétrico
empregado (permissividade dielétrica), maior será a capacitância conseguida pelo conjunto.
A capacitância de um capacitor simples formado por duas placas paralelas (Figura 3.7-b) é determinada por:
A
C =ε (3.5)
d
onde ε é a permissividade do meio dielétrico e d e A a distância entre as placas e a áreas destas, respectivamente.
Capacitores são componentes elétricos largamente empregados em diversos circuitos eletro-eletrônicos para
desempenhar funções como: correção de fator de potência, filtragem, circuitos tanque ressonantes (sintonizadores),
partida de motores, temporizadores, osciladores, defasadores, supressores de transitórios, acoplamento com bloqueio
de corrente contínua, retificadores, divisores de tensão capacitivos, armazenamento provisório de eletricidade, etc.
Para melhor especificação, os capacitores apresentam diversas características físicas e técnicas, tais como:
 Capacitância nominal: expresso em Farads (F), pode variar de picofarads (pF) até centenas de milifarads (mF).
 Tipificação: são especificações de natureza construtiva do capacitor, sendo as mais comuns:
• Dielétrico empregado: gás (ar, SF6), cerâmicas (óxido de alumínio, porcelana, mica), óxido de tântalo, resinas
plásticas (poliéster, polistireno, mylar), óleos minerais, fibra natural (papel, algodão, etc.), fibra de vidro, etc.
• Natureza: podem ser classificados como fixos, variáveis e ajustáveis. Nos fixos, o valor nominal é definido pelo
fabricante. Nos variáveis e ajustáveis, a capacitância é alterada com a variação do acoplamento entre as placas,
de modo a obter um ponto de operação de um circuito ao fixar algum parâmetro deste. Os variáveis (aparência
na Figura 3.7-c) são usados no ajuste do ponto de operação a qualquer tempo, e os ajustáveis, conhecidos como
trimmers (aparências na Figura 3.7-d), usados para determinar um ponto de operação do circuito fixo no tempo.
• Formato: podem ser constituídos por placas nas formas em paralelo, disco, cilindros concêntricos, espiral, etc.
• Polarização: os não polarizados (mica, cerâmico, poliéster, etc) independem de como são ligados no circuito, e
os polarizados (eletrolíticos) possuem sinais (+/–) para seus terminais, que devem ser respeitados.
 Tensão nominal ou de trabalho: define o valor máximo da tensão eficaz suportada continuamente pelo dielétrico,
acima do qual poderá ocorrer elevada absorção dielétrica e risco de carbonização por centelhamento ou descarga.
 Tolerância: expressa a precisão no processo de fabricação e define o erro (%) máximo da capacitância nominal.
 Classe de perdas: os capacitores são classificados nos tipos baixa perda e alta estabilidade (mica, polistireno,
cerâmicos, vidro), de média perda (papel, plásticos) e de altas perdas e elevada capacitância (eletrolíticos).

d
C
A
ε
C
(a) (b) (c) (d)

Figura 3.7: (a) Símbolos esquemáticos do capacitor; (b) esquema de um capacitor de placas paralelas;
(c) aparência de um antigo capacitor variável a dielétrico ar; (d) aparências de trimmers capacitivos.
As especificações são indicadas pelo fabricante em catálogos técnicos e o valor da capacitância, tolerância e
tensão nominal podem vir impressos no corpo do capacitor. A tolerância pode ser expressa diretamente ou através de
um código de letras maiúsculas: F = 1%, H = 2,5%, J = 5%, K = 10% e M = 20%. A capacitância pode estar expressa
diretamente (exemplo: 0.01 nF / 5 % / 600 V), ou com o emprego de algarismos em diversas formas, tais como:
 Especificações em unidades picofarads (pF):
• De forma explícita. Exemplo: 5,6 J ⇒ 5,6 pF / 5 %.
• Com código formado por três números XYZ, onde XY forma a dezena e Z a potência de 10, tal que obtém-se:
XY x 10Z pF. Exemplo: 474 ⇒ 47 x 104 pF = 470 x 103 pF = 470 nF.
• Com o emprego da letra K simbolizando “vezes 103 ” e também como posição de vírgula na dezena. Exemplos:
10K ⇒ 10 x 103 pF = 10 nF ; 4K7 ⇒ 4,7 x 103 pF = 4,7 nF ; .22K ⇒ 0,22 x 103 pF = 220 pF.
 Especificação em microfarads (µF), com indicação da tensão nominal. Exemplo: .01 250V ⇒ 0,01 µF / 250 V.
O antigo código dos capacitores de poliéster é constituído de cinco faixas de cores X-Y-Z-T-M (do topo para os
terminais), onde lê-se: XY x 10Z pF (código de cores igual ao dos resistores - Tabela 2.2), T = tolerância (código:
preto = 20%, branco = 10%) e M = tensão nominal (vermelho = 250 V, amarelo = 400 V, azul = 630 V).
43
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

Capacitores comerciais são frequentemente denominados de acordo com o material empregado como dielétrico
e apresentam diversos formatos de encapsulamento (Figura 3.8). Os mais comuns são listados a seguir:
a) Capacitores de poliéster metalizado: são construídos por duas lâminas de alumínio isoladas por tiras de poliéster
e enrolados sobre si mesmos. Apresentam baixo fator de perdas, insensibilidade à umidade e grande estabilidade,
sendo usados em circuitos de baixa e alta freqüência. Valores entre 1 nF e 10 µF e tensões nominais até 500 V.
b) Capacitores eletrolíticos: consistem basicamente de uma folha metálica de alumínio (placa positiva), coberta por
uma fina camada de óxido de alumínio depositado por eletrólise, que por sua vez está em contato com uma folha
de papel impregnada por um eletrólito líquido ou uma pasta, sendo esta última solidária a outra folha metálica
(placa negativa). Apresentam capacitância entre alguns microfarads a 10 mF com tensões de trabalho até 600 V,
sendo então usados onde uma grande capacitância se faz necessária. Apresentam fator de perda apreciável. Podem
ser polarizados (indicação no corpo) e, neste caso, são utilizados em circuitos nos quais a componente contínua é
bem superior à componente alternada ou em circuitos de corrente contínua pura (por exemplo, em retificadores).
c) Capacitores cerâmicos: são fabricados normalmente na forma de disco ou bastão, possuindo altíssima constante
dielétrica. Possuem valor de 1 pF a 0,5 µF e podem atingir tensões de trabalho de até 10 KV. Apresentam fator de
perdas pequeno (< 10-4) em freqüências elevadas. Os trimmers cerâmicos são obtidos nos valores de 1 a 45 pF.
d) Capacitor de mica: constituído por camadas alternadas de mica e metal prensadas. Apresenta capacitância da
ordem de picofaradas, alta tensão de trabalho e indutância reduzida. Apresenta também fator de perdas baixo em
altas freqüências, sendo por isso bastante utilizado em circuitos que processam sinais de freqüência elevada.
e) Capacitores de tântalo: são compactos, de baixa tensão e apresentam capacitâncias de até 100 µF.
f) Capacitores a óleo: empregam papel impregnado de óleo mineral ou sintético como dielétrico. Podem atingir até
30 µF. Possuem boas características, desempenho e vida útil longa. São usados em circuitos de baixas freqüências.
g) Capacitor de polipropileno: apresenta baixa perda, alta tensão e resistência a avarias. Fabricado em picofarads.
h) Capacitores de poliestireno: apresentam geralmente capacitância na escala de picofarads.

(d)
(c)

(a) (b)
(h)

(e)

(f) (g) (i) (j)

Figura 3.8: Aparência de alguns capacitores: (a) poliester; (b) eletrolíticos; (c) cerâmicos; (d) mica;
(e) a óleo; (f) tântalo; (g) polipropileno; (h) poliestireno; (i) policarbonato; (j) capacitores de potência.

3.2.4) ELETRETOS E PIEZOELETRICIDADE

Eletretos são materiais capazes de manter uma carga elétrica estática em sua estrutura por um longo tempo sem
sofrer decaimento. São fabricados por meio da injeção de elétrons em certos dielétricos que apresentam “armadilhas”
para elétrons (exemplos: teflon e mylar), comportando-se então como materiais permanentemente eletrizados.
Como o efeito desta eletrização pode ser entendido como se o eletreto fosse um material permanentemente
polarizado, então a combinação deste com placas metálicas produz um efeito capacitivo “ao contrário”, onde o campo
elétrico produzido pelo dielétrico (eletreto) induz carga e tensão elétrica nas placas. Este comportamento pode então
ser aproveitado em diversas aplicações tecnológicas, tais como em microfones, detetores de ultra-som e dosimetria.
Os chamados microfones de eletreto (Figura 3.9) são transdutores eletro-acústicos constituidos por uma placa
metálica fixa a pequena distância de uma folha de eletreto metalizada, cujo conjunto se comporta como um capacitor
permanentemente carregado. Uma onda de áudio (som) incidente no topo da capsula causa uma vibração na folha de
eletreto em relação à placa metálica fixa, o que varia dinamicamente a distância entre as mesmas e altera a tensão do
efeito capacitivo (V = Q/C = Q d/ε A), convertendo então a onda de áudio em sinal de tensão, sendo este sinal por sua
vez injetado em um FET (transistor de efeito de campo) para pré-amplificação. Estes microfones caracterizam-se por
serem pequenos, baratos, bastante sensíveis e possuir uma larga faixa de resposta em frequência (30 Hz a 30 kHz),
sendo utilizados em celulares, laptops, gravadores de áudio, etc. Podem apresentar 2 ou 3 terminais, são polarizados
(+/–) e requerem uma fonte de tensão externa (por exemplo, pilhas) para o funcionamento do FET (mínimo 2 V).
44
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

folha de cobertura porosa


eletreto com
cobertura placa metálica fixa
metálica
FET
cápsula
terminais
(a) (b) (c)

Figura 3.9: Microfone de eletreto: (a) esquema construtivo; (b) símbolos; (c) aprências.
Certos cristais isolantes polares (quartzo monocristalino, titanato de bário, titanato de chumbo, etc.) exibem a
chamada eletrostricção, que consiste na geração de uma diferença de potencial elétrico entre as duas faces do cristal
submetidas a um esforço de tração ou compressão, ocasionada devido ao alinhamento dos dipolos elétricos naturais na
direção da força aplicada (Figura 3.10-b). Este fenômeno, conhecido como efeito piezoelétrico, é reversível (a tensão
desaparece com a retirada dos esforços) e o efeito inverso também ocorre, ou seja, quando o cristal piezoelétrico é
submetido a uma tensão elétrica entre suas faces, o mesmo se comprime ou expande elasticamente na direção do
campo elétrico aplicado, resultanto então na geração de uma força mecânica na direção deste campo (Figura 3.10-c).
Logo, esta capacidade dos cristais piezoelétricos em converter força mecânica em tensão elétrica, e vice-versa,
se configura em um transdutor eletromecânico. Este materiais são então aproveitados para a construção de medidores
de pressão (Figura 3.10-d), bem como em fones auriculares, isqueiros, acendedores de forno e fogão, acelerômetros e
sensores ultrassônicos de transmissão/recepção de vibrações para detecção de imperfeições em estruturas sólidas.
O chamado oscilador de cristal (Figura 3.10-e) é um circuito eletrônico que utiliza a ressonância de um cristal
piezo (quartzo) para criar um sinal elétrico de frequência bastante precisa, comumente usada para medir com mais
exatidão o tempo em microcontroladores, relógios, bem como estabilizar frequências de transmissores de sinais.
Outra aplicação destes materiais reside no chamado microfone de cristal (símbolo na Figura 3.10-f e aparência
na Figura 3.10-g), constituído basicamente de duas placas metálicas separadas por uma placa de material piezoelétrico
(Figura 3.10-h), onde a pressão das ondas sonoras em um diafragma causam vibrações no cristal, que se traduzem em
uma tensão de áudio na saída, sendo este um transdutor ativo pelo fato de produzir uma tensão elétrica por si mesmo.
placa metálica diafragma
F F

V V sinal de
áudio tensão
dipolo elétrico de áudio

(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)

Figura 3.10: (a) Cristal piezo não tensionado; (b) efeito piezoelétrico; (c) efeito piezoelétrico reverso; (d) transdutor
de força; (e) oscilador de cristal; microfone de cristal: (f) símbolo, (g) aparência, (h) esquema de funcionamento.

3.3) EXERCÍCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Deseja-se isolar para 20 kV um cabo com 1 cm de diâmetro, empregando um material isolante de rigidez
dielétrica 10 V/µm. Determine a espessura limite do isolamento. Explique se o limite é mínimo ou máximo.

Problema 2: A figura ao lado mostra um circuito CC em regime permanente, contendo um k R


capacitor inicialmente com certo dielétrico de constante dielétrica maior que do ar. Retirado o
dielétrico do capacitor, explique o que acontecerá com a carga, a capacitância e a tensão no V C
capacitor em regime permanente se: (a) a chave k é mantida fechada durante a retirada do
dielétrico e (b) se a chave k é aberta antes da retirada do dielétrico sólido.

Problema 3: Dispõe-se de dois dielétricos 1 e 2 para construir um capacitor de placas paralelas com 25 cm2 de área,
que deverá apresentar capacitância de 2 nF e suportar pelo menos uma ddp de 500 V em seus terminais. Sabe-se que a
rigidez dielétrica dos materiais 1 e 2 são 16 kV/mm e 10 kV/mm, respectivamente, e as permissividades relativas são
2,5 e 5, respectivamente. Determine se um dos dielétricos pode ser empregado para a construção do capacitor.

Problema 4: A afirmação “o emprego de um material isolante de maior rigidez dielétrica aumenta a capacitância de
um capacitor de iguais dimensões” é correta? Explique.

45
CAPÍTULO 4: MATERIAIS E DISPOSITIVOS MAGNÉTICOS
Diferentemente dos materiais condutores, semicondutores e isolantes, cujas aplicações Eletrotécnicas estão
relacionadas às suas propriedades desejáveis perante a campos elétricos, o emprego de materiais classificados como
magnéticos estão relacionados a comportamentos favoráveis ao estabelecimentos de acoplamentos magnéticos entre
circuitos, essenciais na geração e aproveitamento da energia elétrica, bem como na viabilização de diversos tipos de
sistemas e equipamentos eletromecânicos que contam com efeitos magnéticos para o seu adequado funcionamento.
Este capítulo tem como objetivo então conhecer alguns aspectos e dispositivos com base nestes materiais.

4.1) FENÔMENENOS MAGNÉTICOS

A capacidade de reação de um material perante a campos magnéticos, bem como os efeitos da interação entre
dispositivos e circuitos por acoplamento magnético, resumem os chamados fenômenos magnéticos, vistos a seguir.

4.1.1) POLARIZAÇÃO MAGNÉTICA

Sabe-se que campos magnéticos de orientações contrárias tendem a se repelir mutuamente e que toda carga
elétrica em movimento produz campo magnético. Sabe-se também que os átomos e moléculas da matéria estão em
constante estado de agitação térmica e que seus elétrons executam dois tipos de movimento eletrônico: orbital e spin.
Assim, a natureza magnética dos materiais depende de propriedades inerentes à sua estrutura atômica e reside
em três fenômenos que descrevem a forma com que estes reagem a linhas de um fluxo de campo magnético aplicado:
 Diamagnetismo: o movimento angular dos elétrons em torno do núcleo (orbital) confere um caráter magnético aos
átomos de um material e, quando este é submetido a um campo magnético, a força magnética do campo tende a
afetar este caráter ao perturbar o movimento orbital dos elétrons. Como consequência, os elétrons dos átomos do
material tendem a adequar seu movimento orbital de forma a repelir o campo magnético aplicado, resultando em
um comportamento natural conhecido como diamagnetismo, comum a todos os materiais. Contudo, a intensidade
da repulsão diamagnética se mostra bastante fraca devido à constante agitação térmica dos átomos dos materiais
em direções caóticas, que atenuam acentuadamente as reações aos campos magnéticos aplicados.
 Paramagnetismo: o caráter magnético de um átomo, como um todo, depende também do momento angular dos
elétrons em torno do seu eixo, conhecido como spin, que faz com que cada elétron atue como um diminuto imã
que tende a se alinhar no sentido das linhas de um fluxo magnético aplicado. Neste caso, quando em um material
ocorrem desequilíbrios entre os movimentos orbital e spin, em que o alinhamento ao campo pelo movimento spin
excede a repulsão diamagnética natural, tem-se que os átomos do material tendem a se orientar no mesmo sentido
das linhas de fluxo do campo magnético aplicado, facilitando então a circulação deste fluxo pelo material. Esta
propriedade, denominada paramagnetismo, também se mostra bastante fraca devido à agitação térmica dos átomos,
podendo o material vir a exibir um comportamento praticamente indiferente ao campo aplicado.
 Ferromagnetismo: sabe-se que cada nível de energia de um átomo apresenta pares de elétrons girando em sentidos
opostos, cujos efeitos magnéticos dos spins combinados do par tendem a se anular mutuamente. Contudo, certos
materiais apresentam átomos com desequilíbrios entre os grupos de spins contrários, devido a presença de níveis
de energia com spins incompletos, e resultam em átomos magneticamente polarizados que se comportam como
ímãs permanentes, o que excede bastante a repulsão diagmagnética. Neste caso, o efeito magnético resultante pode
não se limitar aos átomos, mas em toda uma diminuta região chamada domínio magnético (Figura 4.1-a), devido à
concatenção de efeitos magnéticos dos átomos nestas regiões do material. Em cada domínio magnético observa-se
então um vetor-campo de orientação magnética resultante, denominado dipolo magnéticos (Figura 4.1-a), vindo o
material a apresentar naturalmente domínios magnéticos disseminados por sua estrutura e a exibir a propriedade
denominada ferromagnetismo. Esta concatenação de efeitos magnéticos resulta em vetores-campo menos sensíveis
à agitação térmica, conferindo então ao material uma grande capacidade de reação a campos magnéticos aplicados.
A orientação dos domínios magnéticos normalmente se estabelece de forma totalmente aleatoria pelo material
e seus efeitos tendem a se anular mutamente. Porém, quando expostos à ação de um campo magnético, um elevado
número de domínios pode ter seus dipolos facilmente rearranjados (polarizados) no sentido das linhas de fluxo do
campo aplicado (Figura 4.1-b). Assim, materiais que exibem o ferromagnetismo constituiem-se em um caminho
bastante permeável a campos magnéticos, ao atrair (ou ser atraído) fortemente as linhas de fluxo do campo.
Contudo, como como o número de dipolos é finito e, quanto maior a intensidade do campo aplicado, maior é o
número de dipolos magnéticos orientados, tem-se que a capacidade de polarização do material pode alcançar um
limite, denominado saturação magnética, quando todos os seus dipolos se encontram orientados (Figura 4.1-c).
Além disso, com a retirada do campo magnético, alguns dipolos podem não retornar à sua disposição original, o
que resulta em uma magnetização remanescente, quando diz-se que ocorreu imantação do material (Figura 4.1-d).
Estes atrasos na reorientação dos dipolos resultam então em um efeito denominado histerese magnética.

46
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

material
ferro-
magnético

φ φ
domínio
magnético
dipolo
magnético
(a) (b) (c) (d)

Figura 4.1: (a) Representação de domínios e dipólos magnéticos; (b) polarização parcial na presença de campo
magnético externo; (c) polarização total do material (saturação); (d) remanescência magnética (imantação).

4.1.2) PERMEABILIDADE MAGNÉTICA E CLASSIFICAÇÃO DOS MATERIAIS

A propriedade que expressa a maior ou menor capacidade de polarização da estrutura atômica de um material
na direção das linhas de um fluxo de campo magnético aplicado, de modo a se deixar atravessar por estas linhas, ou
impor uma oposição a elas, é denominada permeabilidade magnética µ (unidade: H/m, H = Henry).
O vácuo, sendo ausência de matéria, é considerado o meio material ideal por não interagir a campos magnéticos
aplicados, sendo sua permeabilidade (µo) uma constante universal, dada por: µo = 4π x 10-7 H/m. A permeabilidade do
vácuo pode então ser utilizada como referência para expressar o comportamento magnético dos materiais em geral,
por meio de um parâmetro denominado permeabilidade relativa µr (adimensional), definido por:
µ
µr = (4.1)
µo
onde µ = µr x µo é a permeabilidade magnética absoluta do meio material em questão.
A permeabilidade magnética representa então conceito similar à condutividade elétrica, originando um efeito de
circuito magnético, sendo relutividade a propriedade que expressa o comportamento oposto (similar à resistividade) e
relutância a oposicão que um corpo material exibe a um campo magnético aplicado (similar à resistência elétrica).
Com base nos fenômenos de polarização magnética vistos, observa-se que os materiais apresentam basicamente
quatro tipos de reações quando imersos em um fluxo de campo magnético, o que define sua classificação magnética:
1) Indiferente: o material praticamente não exerce ação sobre as linhas de fluxo magnético que o intercepta. Neste
caso, sua permeabilidade é considerada referência e igual ao do vácuo (µr = 1). Exemplos: ar, cobre, baquelite, etc.
2) Diamagnético: o material afasta fracamente as linhas de fluxo magnético que o intercepta devido ao predomínio de
um diamagnetismo natural. Desse modo, a permeabilidade magnética destes materiais é ligeiramente menor que do
vácuo (µr < 1). Exemplos de materiais diamagnéticos: prata (µr = 1 − 20 x 10−6), zinco (µr = 1 − 10 x 10−6), etc.
3) Paramagnético: o material atrai (ou é atraído) fracamente as linhas de fluxo de um campo magnético aplicado,
devido ao predomínio de seu paramagnetismo. Neste caso, a permeabilidade magnética do material é ligeiramente
maior que a do vácuo (µr > 1). Exemplos: alumínio (µr = 1 + 22 x 10−6), platina (µr = 1 + 33 x 10−5), etc.
4) Ferromagnético: o material atrai (ou é atraído) fortemente as linhas de fluxo de um campo magnético aplicado
devido à presença de dipolos magnéticos em sua estrutura, que se orientam intensamente no sentido das linhas do
fluxo. Apresenta então permeabilidade magnética muito superior à do vácuo (µr >> 1) e caracteriza-se por exibir
saturação e retenção magnéticas. O termo ferromagnético reside no fato do ferro ser, por excelência, o principal
material para aplicações magnéticas. Exemplos: ferro macio (µr = 6000), níquel (µr = 50), cobalto (µr = 60), etc.

4.1.3) MAGNETIZAÇÃO

O comportamento de um material como meio de propagação de campos magnéticos aplicados é denominado


magnetização, expresso pela densidade de linhas de fluxo de campo magnético B (T, Tesla, ou Wb/m2 , Wb = Webers)
que se propaga pela área de uma amostra de material, como resposta a um campo magnético aplicado de intensidade
H (A/m), tal que esta resposta é proporcional à permeabilidade magnética µ (H/m) do material, ou seja:
B=µH (4.2)
Como medida da magnetização, a equação (4.2) mostra então que, para uma determinada intensidade de campo
magnético (H) aplicado em um meio material, quanto mais permeável magneticamente for o material (µ), maior será a
quantidade de linhas de fluxo de campo magnético (B) que o meio material atrai e se deixa atravessar.
Uma forma prática de expressar o comportamento da magnetização dos materiais consiste em uma visualização
gráfica que contempla a variação da densidade de linhas de fluxo no material em função da intensidade de campo
aplicado (curvas B x H), denominada curva de magnetização (exemplificação na Figura 4.2-a).
Neste caso, para os materiais não-ferromagnéticos (diamagnéticos, paramagnéticos e indiferentes), como estes
praticamente não interagem com um fluxo magnético circulante, as curvas de magnetização demonstram então que
47
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

aumentos na intensidade de um campo magnético aplicado se reflete de forma fraca e praticamente linear no aumento
de linhas de fluxo pelo meio, resultando em baixas densidades de campo e ausência de saturação (Figura 4.2-a), vindo
estes materiais ser também conhecidos como meios não-saturáveis. Como conseqüência adicional desta fraca reação,
o material apresenta uma densidade de fluxo nulo (B = 0) com a retirada do campo magnético aplicado (H = 0), não
apresentando então uma remanescência magnética (Figura 4.2-a). Assim, conclui-se que a permeabilidade magnética
dos materiais não-ferromagnéticos se mantém constante e independente do campo magnético aplicado (declividade da
reta) e, desse modo, a equação (4.2) pode ser definida em toda a curva de magnetização destes materiais.
Para os materiais ferromagnéticos, as curvas de magnetização demonstram uma forte interação com campos
magnéticos circulantes devido, como visto, à existência de domínios magnéticos naturais que podem se polarizar em
grande número no sentido das linhas de fluxo de um campo aplicado. Como as dificuldades oferecidas à orientação de
cada domínio são diferentes em intensidade, inicialmente ocorrem baixas densidades de fluxo (B) no material devido
a uma certa inércia na polarização dos dipolos, aumentando porém de forma exponencial a medida que a intensidade
do campo magnético (H) aumenta. Como conseqüência, a densidade de fluxo magnético pode alcançar níveis bastante
elevados nestes materiais comparado aos meios não-ferromagnéticos (Figura 4.2-a). Além disso, como o número de
domínios magnéticos é limitado, então a intensidade do campo aplicado pode atingir níveis nos quais os domínios se
encontram praticamente orientados em sua totalidade e, desse modo, aumentos de intensidade de campo magnético
não mais se refletem na densidade de fluxo magnético, que se mantém constante (Figura 4.2-a). Esta situação é, como
visto, chamada saturação e, desse modo, os materiais ferromagnéticos são também conhecidos como meios saturáveis.
A polarização magnética confere então um comportamento não linear à curva de magnetização dos materiais
ferromagnéticos (Figura 4.2-a) e conclui-se que a permeabilidade magnética µ dos meios ferromagnéticos varia em
função da intensidade de campo magnético H aplicado. Neste caso, uma medida da permeabilidade destes materiais
necessita ser obtida experimentalmente por meio do levantamento da relação µ = B/H em todos os pontos da curva de
magnetização, ou seja, a rigor, a equação (4.2) só pode ser definida pontualmente para estes materiais.
A magnetização dos meios ferromagnéticos apresenta ainda um efeito residual. Todo material tende a se opor, a
cada instante, tanto ao crescimento quanto ao decrescimento de um fluxo de campo magnético por sua estrutura e, no
caso de um meio ferromagnético, sua reação à retirada do campo será então no sentido de manter a orientação de seus
domínios magnéticos. Como conseqüência, o material pode não se desmagnetizar completamente (B ≠ 0) quando da
retirada do campo aplicado (H = 0), resultando então, como visto, em uma remanescência, chamada magnetização
residual Br (Figura 4.2-a). Além disso, esta remanescência magnética será tanto mais pronunciada quanto maior for a
intensidade do campo aplicado, pois maior será o número de domínios que foram e permanecerão orientados.
A presença de um resíduo de polarização implica então que um campo magnético de intensidade Hc e sentido
oposto ao inicialmente aplicado (H < 0), chamada força coercitiva (Figura 4.2-a), deve ser aplicado para promover o
retorno os dipolos de polarização remanescente às suas orientações originais (desmagnetização do material). Como o
resíduo é na proporção do número de domínios que permanecem polarizados, então a intensidade da força coercitiva
também aumenta com o aumento do magnetismo residual, sendo seus valores, contudo, independentes.
Os montantes de magnetismo residual e força coercitiva expressam uma propriedade do material denominada
retentividade magnética, definida então como a maior ou menor habilidade do material em reter uma magnetização
permanente quando da retirada do campo externo, ou seja, expressa a capacidade do material de se manter imantado.

B (Wb/m2) saturação B (Wb/m2)


curva normal de
magnetização saturação
magnetismo
residual meio
ferromanético

força Br meio não H (A/m)


coercitiva ferromagnético
ciclo de
- Hc 0 H (A/m) histerese
(a) (b)

Figura 4.2: (a) Exemplificação de curvas de magnetização; (b) ciclos de histerese magnética.
Para o caso de um material ferromagnético submetido a um campo magnético alternado de certa intensidade,
seus dipolos são então orientados nos dois sentidos do fluxo aplicado e promovem magnetismos residuais, bem como
correspondentes forças coercitivas, também nos dois sentidos do fluxo. Como consequência, o comportamento da
densidade de fluxo magnético no material perfaz um ciclo fechado ao longo do tempo de sua magnetização alternada.
Como a remanescência magnética representa um atraso na polarização de dipolos magnéticos no sentido contrário,
efeito conhecido como histerese, então a forma gráfica deste comportamento cíclico da magnetização dos materiais
ferromagnéticos é denominada laço ou ciclo de histerese magnética (Figura 4.2-b). Além disso, se a intensidade do
campo aplicado for suficientemente elevada, o correspondente laço de histerese pode exibir também o efeito saturação

48
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

do material (Figura 4.2-b). Adicionalmente, como intensidades de campos distintos exibem comportamentos cíclicos
distintos, então diversos laços de histerese podem ser obtidos, sendo o conjunto de pontos de máxima densidade de
fluxo dos laços chamado curva normal de magnetização do material (Figura 4.2-b). A magnitude das áreas dos laços
de histerese magnética expressa, portanto, uma medida da propriedade retentividade do material.
Uma remanescência magnética pode também ser interpretada como a parcela da energia entregue ao material e
não devolvida ao sistema gerador do campo aplicado, sendo a força coercitiva uma medida do gasto de energia deste
sistema para desmagnetizar o material. Logo, a magnetização residual e sua correspondente força coercitiva em si
representam gastos de energia para o sistema, chamadas perdas por histerese, sendo então a área do ciclo de histerese
uma medida destas perdas (quanto maior a área, maior as perdas). Assim, para aplicações magnéticas como motores e
transformadores, onde a eficiência é um aspecto fundamental, procura-se empregar materiais que apresentam laços de
histerese de menor área possível. Contudo, materiais de elevado magnetismo residual (fáceis de serem magnetizados)
e de elevada força coercitiva (difíceis de serem desmagnetizados), encontram amplo emprego na obtenção de ímãs
permanentes e na construção de dispositivos para armazenamento de informações (fitas e cartões magnéticos, etc.).

4.1.4) EFEITOS INDUÇÃO ELETROMAGNÉTICA E INDUTÂNCIA

Como mencionado no Capítulo 2, a incidência de linhas de fluxo magnético (φ) variante no tempo em qualquer
material induz no mesmo uma tensão elétrica também variante no tempo, chamada força eletromotriz (fem), sendo
este efeito descrito pela Lei de Faraday (fem = – dφ/dt) e conhecido como indução eletromagnética.
Como cargas elétricas em movimento geram campo magnético então, além de ímãs naturais ou artificiais em
movimento (giratório, linear, etc.), fluxos magnéticos variantes no tempo podem ser também produzidos por correntes
variantes no tempo, estabelecidas pelos chamados sinais de tensão (por exemplo, tensão alternada e rádio-frequência).
Para um meio material percorrido por uma corrente variante no tempo, o campo magnético produzido pode
então induzir forças eletromotrizes no próprio meio (chamada força contra-eletromotriz, fcem) ou em qualquer meio
imerso neste campo tal que haja uma concatenação (“abraço”) de fluxo entre eles (Figura 4.3-a). No entanto, devido à
Lei de Lenz (sinal negativo na lei de Faraday), a fem ou fcem induzida age em oposição à variação do fluxo magnético
que a produziu, ou seja, se este fluxo aumenta, uma força eletromotriz é induzida em um meio material no sentido de
se opor ao seu crescimento e, se o fluxo diminui, uma força eletromotriz induzida se inverte para evitar esta queda.
Como resultado, se um meio material imerso em um campo magnético variante no tempo prover um caminho
fechado, então a fem produzida induz também uma corrente em seu interior (Figura 4.3-b) que, por sua vez, produz
um fluxo magnético em oposição à variação do fluxo magnético original, ou seja, se este fluxo tende a aumentar, a
corrente induzida produz um fluxo magnético de sentido oposto ao original (caso apresentado na Figura 4.3-b) e, se o
fluxo original tende a diminuir, a corrente induzida produz um fluxo magnético no mesmo sentido do campo original.
A capacidade de um dispositivo em induzir forças eletromotrizes é denominada indutância (unidade: H, Henry),
onde denomina-se de indutância própria do dispositivo à capacidade de indução de uma fem em si mesmo (fcem), e de
indutância mútua a capacidade deste de induzir uma fem em qualquer dispositivo próximo mergulhado em seu campo.
A indutância mútua constitui-se então em transferência de energia elétrica entre meios na forma de campo magnético.
Devido ao fato dos meios ferromagnéticos serem condutores elétricos (com exceção das chamadas ferrites),
uma consequência do fenômeno da indução eletromagnética na magnetização alternada consiste na possibilidade de
circulação de correntes elétricas no interior destes materiais (Figura 4.3-c) em consequência de forças eletromotrizes
induzidas, o que resulta no surgimento de perdas elétricas por efeito Joule. Estas correntes induzidas no material são
então denominadas parasitas, ou de Foucault, sendo as perdas associadas denominadas perdas no ferro ou de Foucault.
Um método para mitigar este problema consiste na laminação longitudinalmente à direção do fluxo magnético para
obter-se placas ou chapas, que são isoladas eletricamente por um esmalte isolante e posteriormente agrupadas para
formar os chamados núcleos laminados (Figura 4.3-d). Esta medida acarreta em maior dificuldade para a indução de
correntes parasitas devido à diminuição do livre caminho para a circulação destas correntes no material (Figura 4.3-c),
o que resulta na redução de seu montante e, desse modo, acarreta na diminuição do problema de perdas por Foucault.
núcleo ferro-
linha de fluxo
magnético
magnético
fluxo
alternado
concatenado

fem
induzida
sinal de φ φ corrente lâminação
corrente corrente induzida
dispositivo próximo parasita
(a) (b) (c) (d)

Figura 4.3: (a) Efeito indução magnética; (b) corrente induzida; (c) perdas de Foucault; (d) núcleo laminado.

49
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

4.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS MAGNÉTICOS


Diversas aplicações do magnetismo em Eletrotécnica fazem uso do fenômeno da indução eletromagnética, o
que pode exigir materiais de elevada permeabilidade para se estabelecer um guiamento de linhas de fluxo magnético
mais eficiente e se obter um maior efeito indutivo próprio do condutor ou no acoplamento magnético entre circuitos.
Logo, dispositivos como motores, geradores, transformadores, relés, etc., devem seu funcionamento a estes materiais.

4.2.1) MATERIAIS E LIGAS FERROMAGNÉTICAS

Como visto, os meios ferromagnéticos apresentam elevada capacidade de polarização no sentido de um fluxo
de um campo magnético aplicado (µ r >> 1), sendo porisso os materiais de maior emprego para aplicações magnéticas.
Dentre estes, o mais antigo exemplo de material ferromagnético conhecido é a chamada magnetita (04Fe3).
Estes materiais apresentam comportamento magnético favorável com a temperatura, com sua permeabilidade
aumentando até temperaturas inferiores a um certo valor denominado Ponto Curie, acima do qual passam a exibir
comportamento paramagnético (exemplos: ferro: 770 oC; cobalto: 1131 oC; níquel: 358 oC). Além disso, regimes de
trabalho impróprios submetem os materiais ferromagnéticos a temperaturas acima de suas especificações de projeto, o
que tende a fazê-los desenvolver a chamada fadiga magnética, caracterizada por um envelhecimento do material ao
longo do tempo, o que acarreta na redução da permeabilidade e aumento de suas perdas por histerese.
Além da promoção de efeitos indutivos, os materiais ferromagnéticos podem ser também aproveitados para
proteger um dispositivo contra influências externas, denominada blindagem magnética, que consiste no princípio da
relutância mínima: quando dois meios materiais de permeabilidades diferentes apresentam-se como caminhos para um
fluxo magnético, este flui para o de menor relutância (maior permeabilidade) para minimizar a perda de energia.
Materiais puros que exibem o ferromagnetismo é raro na natureza, sendo seus exemplos se resumindo ao ferro,
que é o principal componente para a produção de materiais ferromagnéticos usados comercialmente, além do cobalto,
níquel e ligas destes materiais. Alguns exemplos de materiais de comportamento ferromagnético são:
a) Ferro puro: embora apresente perdas por histerese relativamente baixas, tem seu emprego restrito a circuitos de
corrente contínua devido à condutividade elétrica elevada, que favorece as perdas de Foucault. Contudo, na forma
de ligas e com a laminação, pode-se melhorar algumas de suas propriedades para aplicação em circuitos de sinais.
b) Ligas de ferro-silício: o acréscimo de pequenas quantidades de silício (até 6,5%), além de tratamentos térmicos,
confere ao ferro aumentos de resistividade (o que reduz as perdas por correntes parasitas), diminuição de fadiga
magnética e aumento na permeabilidade e intensidade de saturação, mantendo reduzidas as perdas por histerese.
São materiais baratos e largamente empregados como núcleo magnético em motores, transformadores, relés,
geradores, etc., normalmente fabricados sob a forma de chapas isoladas entre si para diminuir correntes parasitas.
O acréscimo de silício torna o ferro mais quebradiço, razão pela qual a porcentagem de silício é limitada. Em
máquinas estáticas (transformadores) empregam-se normalmente núcleos com porcentagens mais altas de silício e
em máquinas rotativas (motores e geradores), porcentagens mais baixas. Uma variação na fabricação destas ligas
refere-se a chapas de ferro-silício de grão orientado, usadas na tecnologia de núcleos de transformadores para uso
em telefonia, eletrônica e comunicação, e para transformadores monofásicos e trifásicos de elevada potência.
c) Ligas de ferro-níquel: caracterizam-se apresentar elevada permeabilidade (µr até 100.000) e baixa resistividade.
São empregadas principalmente em telecomunicações e na fabricação de núcleos para relés, bobinas, blindagens
magnéticas e transformadores de rádiofreqüência. Nomes comerciais: Anhyster, Rhometal (até 35 % de níquel),
Hypernik, Anhyster C e D, Permalloy-45 e Nicalloy (ente 35 e 50 % de níquel), Permalloy-78 (78% de níquel),
Mumetal (76 Ni, 17 Fe, 5 Cu, 2 Cr) e outros exemplos de ligas com composição até 80% de níquel.
d) Ligas de ferro-cobalto: apresentam elevada permeabilidade e altto ponto de saturação, porém elevado custo. São
empregados nas mesmas aplicações que as ligas de ferro-níquel. Nomes comerciais: Hyperco e Permendur.
e) Ferrites: constituem-se de núcleos compactados e sinterizados, contendo uma mistura de pós, basicamente óxido
de ferro (material cerâmico) com acréscimos diversos de níquel, zinco, manganês, magnésio e silício, além de um
aglomerante (polisterol ou goma-laca) que tem a função de “colar” os grãos do pó. Caracterizam-se por apresentar
elevada resistividade elétrica (faixa entre 1 e 106 Ωm) e boas características magnéticas, sendo então empregadas
em núcleos de transformadores e indutores que operam em circuitos de altas freqüências (por exemplo, filtros de
rádio freqüência), devido ao fato das perdas por Foucault se acentuarem quanto maior é a freqüência do fluxo
magnético (conseqüência da lei de Faraday). Outros exemplos: ferrites à base de níquel-zinco e manganês-zinco.
f) Ligas para ímãs artificiais: estas ligas caracterizam-se por apresentar os dipolos magnéticos fortemente orientados
em determinado sentido e poucos sensíveis com a variações de temperatura e ação de forças mecânicas, resultando
em laços de histerese bastante largos (horizontal e verticalmente). São obtidas com base em ligas de metais, tais
como o alnico (Al + Ni + Co) e materiais cerâmicos (tais como estrôncio e ferrite de bário), podendo ser fabricadas
de modo a apresentar formas personalizadas para adequar-se a uma finalidade específica. Outros exemplos são as
ligas de materiais raros, tais como Sm-Co (cobalto-samário) e NdFeB (neodímio-ferro-boro), que apresentam força
magnética maior que outros tipos. Usos: discos rígidos de computadores, amplificação sonora, processamento de
dados, indústria automotiva e aeroespacial, indústria de sucata (separação de metais), etc.

50
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

4.2.2) BOBINAS MAGNÉTICAS

Na exemplificação de um campo magnético produzido por corrente em um fio condutor vista na Figura 4.3-a,
pode-se observar que as linhas de fluxo magnético se distribuem ao longo de seu comprimento. No caso de correntes
variantes no tempo, este espalhamento das linhas de fluxo magnético acarreta um efeito indutivo bastante reduzido no
fio, o que produz uma fraca indução de forças eletromotrizes no mesmo, ou em condutores e circuitos próximos a ele.
Contudo, aplicações magnéticas gerais baseiam seu funcionamento no estabelecimento de campos magnéticos
intensos o suficiente para desempenhar sua função. Neste caso, o aumento da densidade de linhas de fluxo magnético
pode ser conseguido pela diminuição do volume ocupado pelo campo ao redor do fio, o que pode ser obtido com um
trançado helicoidal do fio para a construção da chamada bobina magnética (Figura 4.4-a). Com isso, as linhas de fluxo
magnético tendem a se fundir entre si e passam a se concatenar com as voltas do fio em torno do seu eixo central, as
chamadas espiras, obtendo-se uma maior concentração de fluxo magnético próxima ao fio e uma indução mais intensa
de forças contra-eletromotrizes no fio (Figura 4.4-a), resultando em um grande aumento de sua indutância própria.
Assim, bobinas magnéticas constituem-se de um fio condutor (normalmente de cobre), enrolado em camada
única, ou em várias camadas, e construídos com a finalidade específica de armazenar energia elétrica na forma de
campo magnético em seu interior. Desse modo, bobinas magnéticas são os dispositivos que introduzem a grandeza
indutância nos circuitos elétricos, sendo o símbolo L a designação e Henry (H) sua unidade de medida.
Para a intensificação das linhas de fluxo magnético φ em uma bobina tem-se que, supondo uma dada corrente i
fixa, a variação da indutância L da bobina (equacionalmente: φ վ = L վ. i ) pode ser conseguida de dois modos:
1) Número de espiras: quanto maior a quantidade de voltas do fio (espiras), maior é o fluxo magnético concatenado
pelas espiras para a mesma corrente e, desse modo, maior é a força contra-eletromotriz (fcem) induzida na bobina
para a mesma corrente (Figura 4.4-b), ou seja, a indutância se altera proporcionalmente ao número de espiras.
2) Tipo e formato do núcleo: o suporte mecânico das bobinas magnéticas é conhecido como núcleo. Uma bobina
pode ser construída sem apoio (núcleo de ar) ou apresentar um núcleo sólido para o caso, por exemplo, do fio da
bobina ser muito fino. Contudo, o emprego de um núcleo ferromagnético oferece um caminho mais permeável ao
campo magnético gerado em relação ao ar ou outros materiais, permitindo então um aumento nas linhas de fluxo
para a mesma corrente, que passam a circular mais próximas à bobina (Figura 4.4-c). Além disso, como linhas de
fluxo magnético perfazem um caminho fechado no espaço, o emprego de núcleos ferromagnéticos em formatos
mais fechados, chamados “U” e “O” (“U” + “I”), fornecem um caminho total mais permeável magneticamente e
permitem maiores aumentos de linhas de fluxo para a mesma corrente (Figura 4.4-d). Estes fatos resultam então
em um aumento na densidade de fluxo magnético e, por conseguinte, em um aumento na indutância da bobina.

φ↑↑ ar
sinal de corrente φ↑↑↑
i i
espira i φ↑ ar
i ar

fcem↑↑ fcem↑↑↑
fcem fcem↑
φ

núcleo núcleo
em I em U
(a) (b) (c) (d)

Figura 4.4: Aumento do efeito indutivo (indutância) em um fio: (a) formato de bobina; (b) aumento no número
de espiras; (c) acréscimo de núcleo ferromagnético em I; (d) acréscimo de núcleo ferromagnético em U+I = O.
Em Eletrotécnica, as bobinas magnéticas (símbolos esquemáticos na Figura 4.5-a) são também chamadas de
indutores e choques, no caso de circuitos elétricos em geral (exemplos de aparências na Figura 4.5-b), e enrolamentos
no caso das chamadas máquinas elétricas. Algumas características construtivas gerais de bobinas magnéticas são:
a) Bobinamento: tipos tubular e panqueca (de uma ou várias camadas), tipo honeycomb e tipo toroidal.
b) Núcleo: para altas indutâncias requeridas, emprega-se material ferromagnético (ferro-silício, ligas ferromagnéticas
em geral e ferrites). Para aplicações que exigem indutâncias menores, pode-se utilizar núcleo de ar ou um material
não ferromagnético (cerâmica, baquelite, papelão, plástico, etc.) com a função de prover suporte aos fios.
c) Circuito magnético: tipo aberto (I, U e E) ou fechado (O e B). Indutores de núcleo tipo O são chamados reatores.
d) Valor fixo, variável e ajustável: nos tipo fixos a indutância é fixada pelo fabricante. Os tipos ajustáveis (trimmers
indutivos) consistem de pequenas bobinas que utilizam-se de núcleos cilíndricos de ferrite que se deslocam por
rosqueamento, o que provoca uma mudança na permeabilidade do meio interno da bobina e, conseqüentemente, de
sua indutância. Nos tipos variáveis, a alteração da indutância pode ser também conseguida através de múltiplos
terminais retirados de certos pontos da bobina, chamados taps, que permitem alterações no número de espiras.
51
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

Outro tipo variável consiste de reatores com núcleos magnéticos contendo pequenos intervalos de ar, chamados
gaps, onde a indutância pode ser ajustada a partir da saturação do meio magnético, quando o fluxo magnético φ se
torna praticamente constante (a permeabilidade limita-se à do ar). Neste caso, a indutância L do conjunto passa a
variar inversamente com a corrente i na bobina (L↓ = φ / i↑), sendo porisso denominados reatores saturáveis.
Além de características construtivas, a indutância de uma bobina é definida também pela faixa de freqüência
em que irá atuar. Bobinas com poucas espiras e núcleo de ar ou ferrite são geralmente usadas em circuitos de sinais de
alta freqüência, ou que trabalham com variações muito rápidas de corrente. Para circuitos com sinais de média e baixa
freqüência são utilizadas bobinas com grande número de espiras e núcleo de ferrite ou liga ferromagnética laminada.

L L

L L
núcleo não- núcleo ferro-
ferromagnético magnético 1 2 3 4 5 6 7

(a) (b)

Figura 4.5: (a) Símbolos esquemáticos de bobinas magnéticas; (b) tipos de indutores: 1- núcleo de ar, 2- toroidal,
3- núcleo de ferro laminado, 4- núcleo plástico, 5- núcleo de ferrite, 6- bobina tipo honeycomb, 7- choque de RF.
Como mencionado, uma fem induzida no próprio condutor pelo qual circula uma corrente variante no tempo
(fcem), age em oposição a esta corrente devido à Lei de Lenz. Este efeito, interpretado então como uma “resistência” à
passagem da corrente, é expresso por uma grandeza chamada reatância indutiva XL , dada desse modo em ohms (Ω).
Como quanto maior a frequência f do sinal de corrente (dφ/dt) e a indutância L da bobina, maior é a fcem induzida,
então maior será a oposição à corrente, ou seja, a reatância indutiva XL depende diretamente da indutância própria da
bobina e da freqüência angular do sinal de corrente (equacionalmente: XL = 2π f L). Como segundo efeito da reatância
indutiva, tem-se também que essa oposição atrasa o aumento ou a diminuição de corrente em ralação à fcem induzida
na bobina, ou seja, a corrente se torna atrasada no tempo em relação à tensão nos terminais da bobina. Por outro lado,
se a bobina é conectada a uma fonte de tensão contínua, então a corrente circulante e o fluxo magnético serão também
contínuos e, desse modo, a reatância será nula e a oposição à corrente limita-se à resistência do fio.
Na prática, além de sua indutância própria e a resistência do fio, uma bobina pode apresentar também alguns
efeitos indesejáveis, que requerem alguma medida para a sua mitigação, dentre os quais pode-se citar:
 Acoplamentos magnéticos indevidos: fluxos magnéticos variáveis no tempo gerados pela bobina podem causar
interferências em outros componentes devido a indutâncias mútuas. Este problema pode ser mitigado envolvendo a
bobina com um invólucro metálico (normalmente de alumínio) ligado ao terra do circuito, no qual são induzidas
correntes que geram campos magnéticos em oposição ao fluxo magnético da bobina, o que resulta em um efeito
blindagem devido ao confinamento do campo no invólucro. Estas correntes induzidas na blindagem, no entanto,
representam perdas, que podem ser reduzidas posicionando-se o invólucro suficientemente distante da bobina.
 Efeitos capacitivos: uma bobina pode apresentar diversas capacitâncias entre espiras, entre camadas de espiras,
entre espiras e o suporte da bobina (chassi) e entre bobina e blindagem (quando houver). Esses efeitos capacitivos
configuram-se em uma reatância capacitiva para a bobina, que pode se tornar comparável à reatância indutiva para
sinais de altas freqüências tal que, se forem iguais (na chamada freqüência de ressonância), a bobina se torna um
tanque ressonante (o que é aproveitado em algumas aplicações) e, acima da freqüência de ressonância, a bobina
tende a comportar-se como um curto-circuito. Existem então configurações especiais de bobinamentos destinadas
a reduzir estes efeitos capacitivos, tais como o de dupla camada escalonado e o de tipo panqueca.
Bobinas magnéticas possuem um extenso campo de aplicações. Além de motores, geradores, transformadores
e indutores diversos, a geração de campo magnético circulante em bobinas pode ser empregadas também em sensores,
transmissores e receptores de rádio, relés, eletroímãs, equipamentos de ressonância magnética, radares de velocidade
de veículos, trancas elétricas, fontes chaveadas, etc., bem como em antigas aplicações tais como reatores magnéticos
para lâmpadas fluorescentes e meios de leitura e gravação de informações (fitas K7, de vídeo, disquetes, etc.).
Como a reatância indutiva aumenta com a frequência, os indutores podem ser empregados também como filtro
de sinais para, por exemplo, eliminar ruidos induzidos em um circuito. Este é o caso dos chamados choques de RF,
que são bobinas construídas para trabalhar principalmente como filtro série (filtro de linha) no bloqueio à passagem
de sinais de frequências acima de um valor especificado (circuitos conhecidos como filtros passa-baixa), de modo
que, acima desta freqüência, o indutor apresenta uma alta reatância indutiva, o que dificulta a passagem dos sinais.
Choques de RF são normalmente construídos em núcleos cilíndricos ou toroidais de ferrite de alta permeabilidade,
encapsulados em material epoxi e contendo uma cobertura de esmalte vinílico (aparência na Figura 4.5-b-7).

52
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

4.2.3) MÁQUINAS ELÉTRICAS

Em Eletrotécnica, o termo máquinas elétricas refere-se a equipamentos destinados à transferência ou conversão


de energia entre circuitos distintos, porém acoplados magnéticamente, sendo classificadas basicamente em dois tipos:
máquinas fixas ou estáticas (chamados transformadores) e girantes ou rotativas (chamados motores e geradores).
Transformadores são equipamentos elétricos que fazem uso da indutância mútua entre bobinas, denominadas
enrolamentos, para a transferência de potência elétrica entre circuitos. Um transformador constituí-se basicamente de
dois (ou mais) enrolamentos compartilhando um mesmo núcleo (normalmente ferromagnético), de modo a possibilitar
que linhas de fluxo magnético geradas em uma bobina se concatenem com as espiras da outra bobina (Figura 4.6-a).
Assim, se em uma bobina (chamada enrolamento primário) for aplicado um sinal de tensão (por exemplo, alternado),
este fará circular uma corrente variante no tempo nesta bobina, cujo fluxo magnético gerado induz na mesma uma
fcem VP (tensão primária) e também uma fem VS (tensão secundária) na outra bobina (enrolamento secundário), desse
modo propiciando um isolamento elétrico e um acoplamento magnético entre circuitos distintos (Figura 4.6-a).
Caso o acoplamento magnético entre as bobinas de um transformador seja praticamente total então, como a
tensão induzida varia com o número de espiras, tem-se que a razão entre as tensões primária (VP) e secundária (VS) é
proporcional à razão entre o número de espiras dos enrolamento primário (NP) e secundário (NS), ou seja:
VP N
= P (4.3)
VS NS
Assim, se NP > NS , o transformador é do tipo abaixador de tensão (VP > VS) e, se NP < NS , do tipo elevador de
tensão (VP < VS). Existem também os transformadores cuja relação de transformação é igual a 1, usados quando se
deseja manter a mesma tensão entre o primário e o secundário, isolando eletricamente, porém, um circuito do outro.
Outra característica dos transformadores reside em seu ganho de potência aproximadamente unitário, isto é, a
potência requerida no secundário é refletida no primário. Isto significa dizer que, por exemplo, num transformador
elevador de tensão, o aumento da tensão no secundário em relação ao primário, é acompanhada por uma diminuição
de corrente no secundário em relação ao primário (equacionalmente: P = ↓VP IP↑ = ↑VS IS↓). Este comportamento
implica também que o circuito conectado ao primário “enxerga” o transformador como uma impedância baixa, pois a
corrente do primário é comparativamente alta, ao passo que o circuito conectado ao secundário “ enxerga” o transfor-
mador como uma impedância alta (corrente comparativamente baixa). Devido a esta característica, o transformador
pode ser usado em circuitos de pequeno sinal e baixa potência para executar o chamado casamento de impedâncias.
Assim, os transformadores (símbolos esquemáticos na Figura 4.6-b) são fundamentais para a transmissão de
energia elétrica em diferentes tensões e correntes, bem como para modificar impedância de circuitos elétricos. Estes
equipamentos são fabricados em diversos tamanhos (Figura 4.6-c) e apresentam diversas classificações tais como:
nível de tensão (alta, média e baixa), finalidade (transformadores de força, de distribuição, de potencial, de corrente,
etc.), numero de fases (monofásico e polifásico), tipo de núcleo (ferromagnético ou de ar), número de bobinas, etc.
Os transformadores são largamente empregados em redes elétricas de baixa, média e alta tensão, da geração à
carga. Os de baixa tensão são utilizados por consumidores finais na conversão de voltagem (110/220 V) ou ainda, para
suprir diferentes tensões requeridas por diferentes equipamentos com os chamados transformadores de múltiplos taps
(exemplo: 220/6+6 V). Os chamados transformadores de potencial e de corrente são empregados para adequar tensão
e corrente, respectivamente, aos níveis requeridos por medidores de grandezas elétricas. Existem ainda os chamados
autotransformadores, formados por uma única bobina em um núcleo ferromagnético e por três terminais para fixar os
níveis de tensão primária e secundária, que se caracterizam por ser mais baratos e leves que os transformadores de
enrolamento duplo padrão, não fornecendo, entretanto, isolamento elétrico entre os circuitos propriciado por estes.
Além disso, em circuitos de pequenos sinais e altas freqüências, tais como os de áudio e radiofrequência, os
transformadores são empregados para acoplamentos (casamento de impedâncias) entre estágios de amplificadores,
entre microfones e amplificadores, entre amplificadores e auto-falantes, e na recepção de sinais em equipamentos de
rádio, TV e radar como forma de acoplar o sinal de uma antena receptora/transmissora para estes equipamentos.

i
núcleo núcleo ferro-
de ar magnético
VP NP NS VS

com tap auto-


central transformador

(a) (b) (c)

Figura 4.6: (a) esquema de um transformador; (b) símbolos esquemáticos; (c) aparências de transformadores.

53
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

Motores elétricos (símbolos esquemáticos na Figura 4.7-a) são máquinas destinadas à conversão de energia
elétrica em mecânica, constituídos por uma parte fixa (estática), denominada estator, e uma parte móvel (girante),
denominada rotor. Dependendo do tipo do motor, o estator e o rotor podem ser formados por imãs permanentes ou por
eletroímãs constituídos por enrolamentos instalados em ranhuras suportadas por um núcleo ferromagnético e com
acesso ou não por conexões elétricas, sendo o espaço entre o estator e o rotor chamado entreferro. O núcleo do rotor,
por sua vez, é normalmente montado sobre um eixo maciço de aço apoiado sobre mancais (também denominados
rolamentos), sendo o conjunto total estator-rotor protegido por um invólucro denominado carcaça (Figura 4.7-b).
O princípio de funcionamento dos motores baseia-se no surgimento de um torque sobre o rotor, proveniente da
tendência deste em alinhar seu campo com campos magnéticos produzidos no estator. Como resultado deste torque, o
rotor executa um movimento em torno de seu eixo (movimento rotacional), que pode ser aproveitado em inúmeras
aplicações em Eletrotécnica para imprimir giro ou deslocamento horizontal a outros mecanismos acoplados ao seu
eixo, tais como hélices, polias, engrenagens, pás, esteiras, bem como enrolamentos ou imãs permanentes, etc.
Para o caso de eletroímãs como rotores, esta tendência ao alinhamento de campos é proveniente de uma força
perpendicular aos fios do eletroímã, chamada força magnética (Fmg) ou de Lorentz, quando este conduz uma corrente
elétrica e está imerso em um fluxo magnético (Figura 4.7-c). A força de Lorentz surge quando uma carga elétrica q
em movimento com velocidade v atravessa um campo magnético de indução B transversal a v (Figura 4.7-c), tal que:
  
Fmg = q v ⊗ B (4.4)
Os motores elétricos apresentam diversas vantagens comparados a outros tipos de motores, tais como custo
reduzido, bom rendimento e grande versatilidade de adaptação a cargas dos mais diversos tipos, sendo construídos
nos mais variados modelos para diferentes aplicações (Figura 4.7-d). São máquinas largamente empregadas em linhas
de produção industriais (esteiras, prensas, compressores, bobinadoras, sistemas de bombeamento, etc.), sistemas de
arrefecimento (ventiladores, evaporadores e exaustores) e aparelhos eletrodomésticos (geladeiras, máquinas de lavar,
liquidificadores, ventiladores, etc.), além de carros elétricos e equipamentos médicos, odontológicos e hospitalares.
Os chamados motores CA (corrente alternada) são os mais utilizados devido ao fato da distribuição de energia
elétrica ser feita em tensão alternada e esta propiciar um efeito de campo girante. Os motores CA apresentam diversas
características construtivas, podendo ser monofásicos (1φ) ou trifásicos (3φ), e dividem-se basicamente em dois tipos:
 Motor síncrono: caracteriza-se por apresentar velocidade constante e independente da carga aplicada ao seu eixo.
São geralmente caros, sendo utilizados na necessidade de velocidades estáveis sob a ação de cargas variáveis ou
quando se requer grande potência com torque constante. Podem ser trifásicos ou monofásicos, sendo estes últimos
subdivididos ainda nos tipos imã permanente, histerese, relutância e de posição angular (motores de passo).
 Motor assíncrono ou de indução: caracterizam-se por apresentar velocidade ligeiramente variável com a carga
mecânica aplicada ao seu eixo, efeito conhecido como escorregamento. Devido à sua grande simplicidade, baixo
custo, robustez e de ser possível controlar sua velocidade com o auxílio de conversores de freqüência, é o motor
mais utilizado de todos, sendo adequado para quase todos os tipos de acionamentos encontrados na prática. Estes
motores são subdivididos em trifásicos (MIT) dos tipos rotor em gaiola e rotor bobinado, e em monofásicos (MIM)
dos tipos rotor em gaiola (tipos fase dividida, capacitor de partida e pólos sombreados) e rotor bobinado.
Os chamados motores CC (corrente contínua) compõem-se de estator formado por enrolamentos ou por um imã
permanente, e de rotor formado por enrolamentos conectados a um anel condutor segmentado, chamado comutador,
este montado sobre o eixo do rotor e alimentados por escovas, que são peças de carvão responsáveis por conduzir a
energia para o enrolamento do rotor. Dividem-se nos tipos imã permanente com ou sem escova (motor CC brushless),
série e shunt paralelo. Estes motores caracterizam-se por propiciar uma fácil variação de velociade, porém, devido a
custos e problemas com faíscamentos, têm sido substituídos por motores de indução nestas aplicações.
conexões elétricas 
Fmg 
estator v
entreferro
rotor I e- 
 B
Fmg motores de
passo motor de indução 1φ

N S
M 
B
ventilador 
M eixo ω Fmg
carcaça
mancal I motores CC motor de indução 3φ

(a) (b) (c) (d)

Figura 4.7: Motores elétricos: (a) símbolos esquemáticos; (b) descrição das partes principais; (c) princípio de
funcionamento e esquema de atuação da força magnética em uma espira; (d) aparências de tipos diversos.

54
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

Os geradores elétricos, por sua vez, são máquinas rotativas baseadas no efeito da indutância mútua (similar aos
transformadores), destinadas à transformação de energia mecânica de movimento em energia elétrica. Desse modo, os
geradores operam de modo contrário aos motores, sendo que na maioria dos casos diferem destes apenas por detalhes
construtivos, além do tipo de dispositivo acoplado ao eixo do rotor, que consiste em uma máquina chamada turbina.
Uma turbina é usada para captar a energia mecânica contida em um fluido em movimento (gerado a partir de
uma fonte de energia primária) e convertê-la em tensão/corrente elétrica. A turbina é rotacionada quando suas pás são
submetidas a pressões mecânicas oriundas da passagem do fluído, que pode ser um fluxo de água (exemplo: gerador
hidráulico na Figura 4.8-a) ou de vento (Figura 4.8-b), bem como substâncias em estágio de expansão ocasionada pelo
seu aquecimento a altas temperaturas, tais como gases (turbinas a gás) e vapor d’água (turbinas a vapor).
Os geradores elétricos recebem classificações similares aos motores, ou seja, geradores de corrente alternada
(síncronos ou de indução) ou corrente contínua, e monofásicos ou polifásicos. São construídos com as mais diversas
capacidades, desde pequenas potências, os chamados grupos geradores (Figura 4.8-c), até grandes centrais geradoras.
Em geradores de corrente aternada, o rotor consiste de um eletroímã, ou ímã permanente, onde a rotação da
turbina provoca um efeito de campo magnético variante no tempo para os enrolamentos do estator e, com isso, ocorre
o efeito indução de forças eletromotrizes no estator que, ao ser conectado a um circuito externo, produz a circulação
de correntes elétricas. No caso de geradores tipo corrente contínua, o estator é formado por imãs permanentes e, com
a rotação do rotor, ocorre um efeito de campo magnético variante para os enrolamentos do rotor, sendo neste induzida
uma fem que, ao ser acoplado a um circuito externo, também produz a circulação de correntes elétricas.

estator
rotor
eixo da
turbina
pás fluxo
distribuidoras de água

pás da turbina (tipo


turbina Kaplan)
(a) (b) (c)

Figura 4.8: (a) Partes de um gerador hidráulico; (b) turbina eólica; (c) grupo gerador (a diesel ou gás natural).

4.2.4) RELÉS ELETROMECÂNICOS E TRANSDUTORES

Relés eletromecânicos são dispositivos constituídos basicamente por um eletroímã separado eletricamente de
uma lâmina metálica flexível (ou lâmina metálica rígida conectada a uma mola de rearme), bem como três terminais
para contato elétrico (Figura 4.9-a). O eletroímã consiste de um núcleo ferromagnético envolto por uma bobina e a
lâmina metálica flexível contém uma peça de material ferromagnético. Uma das extremidades da lâmina é fixada a
um terminal de contato, chamado central (C), e a outra extremidade é móvel para estabelecer conexões elétricas com
dois contatos metálicos fixos, chamados normalmente fechado ou NF, e normalmente aberto ou NA (Figura 4.9-a).
lâmina metálica contatos elétricos NF sinal de aúdio pistão
flexível C pneumático
NF
C onda de
NA NA áudio sensor
terminais NF imã
núcleos ferro-
da bobina magnéticos C bobina
diafragma móvel
NA
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 4.9: Relés: (a) detalhes construtivos, (b) símbolos esquemáticos, (c) aparências; (d) detalhes construtivos
do microfone dinâmico; (e) dispositivo sensor de posição linear magnetoestrictivo para aplicações hidráulicas.
O mecanismo de atuação do relé eletromecânico reside então na flexão da lâmina metálica, esta ocasionda pela
atração magnética entre o núcleo da bobina e a peça ferromagnética da lâmina. Neste caso, se corrente na bobina do
relé não produzir um campo magnético intenso o suficiente para atrair a lâmina metálica flexível, então o contato
móvel da lâmina permanece conectado eletricamente ao contato NF (Figura 4.9-a). Logo, caso a corrente na bobina
supere um certo valor mínimo tal que o campo magnético gerado seja suficiente para atrair a lâmina metálica, então a
flexão desta resulta na interrupção do contato NF e o fechamento do terminal móvel com o contato NA. Assim, o relé
pode ser entendido como uma chave liga/desliga acionada eletricamenente por uma corrente elétrica na bobina.
55
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

A vantagem dos relés eletromecânicos (símbolos esquemáticos na Figura 4.9-b) reside em propiciar isolação
elétrica entre dois circuitos de potências distintas: o de controle, que é conectado à bobina e pode ter baixa potência
(pequenas tensões e correntes), e o circuito controlado, que é conectado entre os terminais C e NA ou NF (ou ambos),
este podendo ser de maior potência (tensões correntes mais elevadas). Além disso, ambos os circuitos de controle e
controlado podem ser CC ou CA, sendo que, caso a bobina seja energizada em tensão CC, um diodo é frequentemente
utilizado em paralelo com a bobina para propiciar um caminho de dissipação da energia armazenada em seu campo.
Assim, de acordo com o efeito desejado, um relé pode então ser empregado de modo a obedecer duas lógicas:
 Lógica normalmente fechado: o circuito controlado é conectado entre os terminais C e NF e deve permanecer
funcionando enquanto a corrente no circuito de controle não atingir o valor limite que faz a lâmina metálica atuar;
 Lógica normalmente aberto: o circuito controlado é conectado entre os terminais C e NA e deverá ser acionado
apenas quando a corrente no circuito de controle for no mínimo o valor limite que faz a lâmina metálica atuar.
O relé eletromecânico (aparências na Figura 4.9-c) é um dispositivo com várias aplicações em comutação de
circuitos elétricos em geral, tal como acionamentos de cargas elétricas (motores, resistências, capacitores, lâmpadas,
compressores, bombas d’água, bicos injetores, etc.), além de controles em linhas de produção, sistemas de acesso (tal
como catracas), sistemas de movimentação (portas, janelas, etc.), processos fabricação, composições de trens, etc.
Como mencionado no Capítulo 1, transdutores são dispositivos que transformam um tipo de energia em outro.
Neste sentido, motores e geradores, bem como microfones e auto-falantes, constituem-se em transdutores do tipo
eletromecânico que empregam o magnetismo para funcionar, além de certos sensores chamados magnetoestrictivos.
Os chamados microfones de bobina móvel ou dinâmicos constituem-se basicamente de um ímã envolto por um
conjunto diafragma-bobina com liberdade de movimento (Figura 4.9-d). O diafragma consiste de uma membrana fina
e elástica e o imã empregado pode ser natural ou artificial (exemplo: neodymium). Como o diafragma está ligado à
bobina e esta está mergulhada dentro do campo magnético do ímã, então um sinal de áudio (som) provoca vibrações
na membrana, que as transmite à bobina e esta passa a interpretar o campo magnético do imã como sendo variável,
resultando assim na indução de uma fem nos terminais da bobina proporcional às ondas sonoras (Figura 4.9-d).
Os chamados auto-falantes de bobina móvel, por sua vez, são dispositivos que apresentam construção similar
ao dos microfones dinâmicos, apresentando então um princípio de funcionamento inverso ao destes, isto é, convertem
o sinal elétrico (tensão/corrente) injetado na bobina em vibrações no diafragma, vindo este a executar um movimento
de compressão e descompressão do ar em sua volta, que se propagam pelo meio e constituem-se no som emitido.
Por fim, a chamada magnetoestricção é um efeito que ocorre em certos materiais ferromagnéticos, chamados
magnetoestrictivos, que apresentam suaves deformações elásticas quando submetidos a um campo magnético e, de
modo inverso, apresentam acentuada redução na permeabilidade magnética quando são submetidos a deformações
elásticas causadas por esforços de tração ou compressão. Estes efeitos são reversíveis e são explorados em diversos
dispositivos transdutores eletromecânicos para aplicação em sistemas de controle de pressão (Figura 4.9-e) e prensas
automáticas, além de medidores de deformações. Exemplos de materiais magnetoestrictivos são o ferro, níquel e ligas
de ferro com cromo e cobalto, que em finas pastilhas apresentam elevada magnetoestricção.

4.3) EXERCÍCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Seja uma fonte de tensão alternada alimentando uma bobina com núcleo de ar, quando observa-se uma
certa corrente no circuito. Introduzindo-se um núcleo de material A observa-se que a corrente permanece a mesma e
introduzindo-se um núcleo de material B, observa-se que a corrente diminui. A interpretação do ocorrido: “o material
A é provavelmente indiferente e o material B é provavelmente ferromagnético” é procedente? Explique.

NA Problema 2: O circuito dado ao lado é um indicador visual de temperatura, que


NTC L1
C utiliza um resistor tipo NTC como sensor para detectar ultrpassagem de um certo
V1 L2 valor limite para a temperatura. Explique então qual lâmpada (L1 ou L2) indica
V2
NF temperatura acima e abaixo deste valor limite.

Problema 3: O circuito ao lado mostra uma fonte de tensão alternada vo que alimenta 1
k
um transformador de dois taps (1 e 2) no enrolamento secundário, onde uma chave k
inicialmente na posição 1 conecta uma lâmpada L ao transformador. Pede-se: vo 2 L
a) Explique o que acontece com o brilho emitido pela lâmpada L quando a chave k é
comutada para a posição 2.
b) Elevando-se a tensão da fonte vo observa-se que, a partir de certos valores de tensão, o brilho emitido pela lâmpada
praticamente não mais aumentava. Explique uma possível causa.
c) A fonte vo é substituída por uma fonte de tensão continua e observa-se que a lâmpada não acende. Explique.

56
CAPÍTULO 5: INTRODUÇÃO À TEORIA DOS SEMICONDUTORES
Eletrônica é conhecida como a ciência e tecnologia do controle de cargas elétricas em um meio, que pode ser
um gás, vácuo ou material sólido. Sua história divide-se basicamente em dois períodos: o primeiro, conhecido como a
era dos tubos a vácuo (as chamadas válvulas), baseava-se no aproveitamento do efeito chamado emissão termoiônica
e apresentava o inconveniente de consumir muita energia, e o segundo, conhecido como a era dos transistores, está
fundamentado em componentes baseados de certos materiais sólidos chamados semicondutores. Para diferenciar da
tecnologia dos tubos a vácuo, a teoria dos semicondutores é então conhecida como Física do Estado Sólido.
O estudo dos materiais semicondutores se mostra importante em razão do seu atual emprego em larga escala na
construção de diversos tipos de componentes eletrônicos como: diodos, transistores (TBJ, FET, UJT, etc.), tiristores
(SCR, Diac, Triac, etc.), termosensores, fotosensores, circuitos integrados, etc., que são amplamente empregados na
construção de circuitos para processar sinais em sistemas de comutação, comunicação, computação e controle.

5.1) SEMICONDUTOR INTRÍNSECO

Como mencionado no Capítulo 1, os mateiriais semicondutores caracterizam-se por apresentar um pequeno gap
entre as bandas de valência e condução, em torno de 1 eV. Este fato acarreta em concentrações de portadores livres
bem inferiores ao dos condutores (~1023 cm-3), porém superior ao dos isolantes (~106 cm-3), resultando então em uma
“semicondutância”. No entanto, o montante desta semicondutância é um critério insuficiente para definir totalmente o
comportamento funcional dos materiais e ligas pertencentes a esse grupo, pois pode-se obter substâncias e misturas de
materiais que atendem a essa concentração de portadores livres, mas que não possuem comportamento semicondutor.
Além disso, a estrutura atômica também não define o comportamento semicondutor, pois os materiais estanho, silício,
germânio e carbono pertencem ao grupo IV-A mas, apesar desta semelhança, o estanho é condutor, silício e germânio
são classificados como semicondutores e o carbono na forma cristalina (diamante) é um excelente isolante elétrico.
A estrutura atômica dos semicondutores se caracteriza pelo arranjo na configuração chamada rede cristalina, ou
seja, são cristais. Os exemplos de maior emprego na fabricação de componentes de uso geral são principalmente o
silício e o germânio. Contudo, devido à maior dependência com a temperatura e limitações na capacidade de tensão e
corrente do germânio, atualmente há um amplo predomínio dos dispositivos baseados no silício, razão pela qual o
estudo sobre o fenômeno da condução elétrica nos semicondutores visto adiante fundamentar-se neste material.
Para aplicações com finalidades mais específicas, encontram-se ainda outros tipos de materiais semicondutores,
tais como selênio, gálio, arsenieto de gálio, nitreto de gálio, sulfeto de cádmio, fosfeto de índio e óxidos metálicos.

5.1.1) FENÔMENOS DE TRANSPORTE

O átomo de silício apresenta quatro elétrons em sua camada de valência (átomo tetravalente) e, para se tornar
quimicamente estável, necessita de oito elétrons. A formação do arranjo cristalino do material silício consiste então de
átomos posicionandos entre outros quatro átomos vizinhos como forma de compartilhar elétrons (ligação covalente),
obtendo-se assim oito elétrons em sua camada de valência (respresentação planar simplificada na Figura 5.1-a).
energia contatos elétricos
ligação
+4
covalente BC
silício puro
a baixas
+4 +4 BV temperaturas
+4
Bandas
2o banda totalmente
íons de
elétrons de preenchidas I=0
+4 silício
valência o
1 banda
VS
(a) (b) (c)

Figura 5.1: (a) Estrutura bidimensional de um cristal de silício; (b) representação do silício por bandas
de energia a baixas temperaturas; (c) condução elétrica nula no cristal de silício a baixas temperaturas.
Como visto no Capítulo 2, materiais condutores elétricos são capazes de conduzir correntes utilizáveis quando
submetidos diferenças de potencial compatíveis, devido à grande quantidade de elétrons livres presentes no material.
Logo, para o cristal de silício, este também dependerá da existência de elétrons que possam se deslocar pelo material
de modo a se constituir corrente. No entanto, devido ao gap de energia entre a BV e a BC, a pouca disponibilidade de
57
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

energia térmica a baixas temperaturas faz com que os elétrons de valência do silício não consigam adquirir energia
suficiente para se deslocarem para a banda de condução e, desse modo, a banda de valência permanece totalmente
preeenchida e a banda de condução vazia (Figura 5.1-b). Assim, devido ao fato da banda de condução do material não
apresentar elétrons livres que possam se deslocar pelo material, o cristal de silício comporta-se como isolante a baixas
temperaturas e praticamemente não conduz corrente em resposta a uma diferença de potencial aplicado (Figura 5.1-c).
Contudo, em temperatura mais elevadas (por exemplo, ambiente) ou normais de trabalho, a maior disponibili-
dade de energia térmica pode resultar em quebras de ligações covalentes no material e, como resultado, elétrons de
valência podem se deslocar para a banda de condução, se tornando lives. Na banda de valência restam então vacâncias
constituídas por ligações covalentes incompletas, denominadas lacunas ou buracos (Figura 5.2-a). Como cada elétron
que se desloca para a banda de condução resta uma lacuna na banda de valência, o conjunto criado é chamado par
elétron-lacuna (Figura 5.2-b). Além disso, como um elétron tende sempre a retornar ao seu nível de energia original,
ocorrem também destruição de pares devido às recombinações entre elétrons e lacunas. Assim, pode-se conseguir um
número limitado de portadores de carga livres em um semicondutor para uma dada da energia térmica presente.
Seja então um bloco de silício a temperaturas normais de trabalho submetida a uma tensão elétrica aplicada e
um par elétron-lacuna criado por energia térmica, representada na Figura 5.2-c com a letra A. Assim, em resposta ao
campo elétrico aplicado, os elétrons livres criados por energia térmica podem então se deslocar em sentido contrário
ao campo e constituir uma corrente na banda de condução do material (Figura 5.2-c), se assemelhando à condução dos
metais. Contudo, a presença de ligações químicas incompletas na banda de valência do material, que se constituem
em lacunas, pode também fazer com que um elétron situado em uma órbita de valência vizinha (representado por B na
Figura 5.2-c) se desloque para esta lacuna em resposta à energia fornecida pelo campo elétrico aplicado, deixando
uma ligação covalente incompleta em B, gerando então uma lacuna em seu lugar. O mesmo pode acontecer ao elétron
em uma órbita vizinha em C que, ao preencher a lacuna em B, cria uma lacuna em C e assim sucessivamente, ou seja,
as lacunas se movem na banda de valência no sentido contrário aos dos elétrons da banda de condução (Figura 5.2-c).
Assim, por meio de um mecanismo similar, as lacunas podem também se locomover pelo material devido a um
campo elétrico aplicado e podem então ser consideradas portadores de carga livres de sinal positivo. A importância da
definição de lacuna é que, apesar de constituir-se em uma abstração teórica de portador de carga livre, esta participa
conceitualmente da condução de corrente no material, o que pode ser comprovado pelo chamado Efeito Hall.
Conclui-se então que as bandas de valência e condução representam dois percursos pelo qual elétrons podem se
deslocar em um cristal semicondutor, com as lacunas no sentido contrário (Figuras 5.2-d). Porém, com o objetivo de
facilitar a definição e estudo dos chamados semicondutores extrínsecos, as lacunas, apesar de não se constituírem
fisicamente em carga elétrica, normalmente são consideradas, no lugar dos elétrons de valência, como um segundo
tipo de portador de carga livre para o efeito de condução de corrente nos semicondutores. Assim, pode-se conceber
que os semicondutores possuem dois dois tipos de portador de carga livre: elétrons livres e lacunas, sendo este aspecto
a principal característica elétrica que deferenciam os semicondutores dos materiais condutores e isolantes.

ligação energia
covalente +4 par electron-lacuna elétrons na BV e BC
incompleta elétron
BC livre
energia silício a T >> 0 K
+4 +4 +4
BV lacuna
BC lacunas na BV
lacuna E
2o banda I≠0
elétron +4
BV
deslocado
1o banda VS
para a BC A B C D
(a) (b) (c) (d)

Figura 5.2: (a) Silício puro em elevação de temperatura, criação de pares elétron-lacuna por quebra de ligação
covalente; (b) representação por bandas de energia; (c) condução dos portadores livres; (d) correntes resultantes.
Seja n (cm–3) a concentração de elétrons livres e p (cm–3) a concentração de lacunas em material semicondutor.
Desse modo, como a energia térmica produz estes portadores ao pares, em um semicondutor dito intrínseco, como é o
caso do dito puro, tem-se então que o número de lacunas é igual ao de elétrons livres a qualquer temperatura, tal que:
n = p = ni (5.1)
3
onde ni (portadores livres/cm ), chamada concentração intrínseca do material, é um fator dependente da temperatura
pelo fato do número de pares elétron-lacuna aumentar com a temperatura T, sendo tal comportamento expresso por:
EGO

ni2 = Ao T 3 e K B T (5.2)
-6 -3
onde Ao (cm K ) é uma constante do material independente da temperatura, EGO (eV) é a largura da banda proibida a
0 K (ou a energia necessária para desfazer a ligação covalente) e KB = 8,62 x 10-5 eV/K é a constante de Boltzmann.
58
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Logo, semicondutores intrínsecos caracterizam-se por apresentar uma grande sensibilidade à temperatura. Na
temperatura ambiente, contudo, um cristal de silício puro praticamente não apresenta portadores livres se comparado
ao germânio, sendo esta a principal razão do silício ser superior ao germânio na fabricação de dispositivos eletrônicos,
pois componentes menos sensíveis à temperatura são necessários para o correto funcionamento de circutos em geral.
Como visto no Capítulo 2, a condutividade elétrica dos materiais, expressa pela equação (2.3), é proporcional à
concentração de elétrons livres. No caso dos semicondutores, como tanto elétrons livres quanto lacunas contribuem
para o processo da condução de corrente elétrica, então a expressão matemática da condutividade σ (S/m) para estes
materiais deve ser ampliada de modo a contemplar ambos os tipos de portadores de carga livres, ou seja:
σ = n e µn + p e µ p (5.3)
onde µp é a propriedade mobilidade das lacunas na banda de valência do material semicondutor.
Como n = p = ni nos semicondutores intrínsecos, então a condutividadade para este caso se redefine como:
σ = e ni ( µn + µ p ) (5.4)
Com base na equação (5.2) observa-se então que a condutividade do semincondutor intrínseco, expresso pela
equação (5.4), apresenta elevada dependência da temperatura, por ser função da concentração intrínseca ni . Logo, a
condutividade do material intrínseco aumenta com a temperatura, ou seja, semicondutores são materiais tipo NTC.
Como também visto no Capítulo 2, a densidade de corrente de condução, de deriva ou de campo, expresso pela
equação (2.2), é proporcional ao campo elétrico E aplicado. Assim, para os semicondutores intrínsecos, tem-se:
J = e ni ( µn + µ p ) E (5.5)
A Tabela 5.1 apresenta algumas propriedades de interesse para o silício, onde observa-se que a mobilidade dos
elétrons livres (µn) é maior que a de lacunas (µp). Esta diferença docorre do fato dos elétrons de valência dependerem
da existência de ligações incompletas na banda de valência (lacunas) para poderem se deslocar pelo cristal, enquanto
que os elétrons livres têm uma grande quantidade de níveis de energia na banda de condução a sua disposição.

Tabela 5.1: Algumas propriedades de interesse para o silício.


Propriedade Valor Propriedade valor
número atômico 14 densidade de átomos do cristal (cm-3) 5 x 1022
-6 -3 35
constante Ao (cm K ) 5,23 x 10 constante de difusão de elétrons livres Dn a 300 K (cm2/s) 34
EGO (EG a 0 K) em eV 1,21 constante de difusão de lacunas Dp a 300 K (cm2/s) 13
EG a 300 K em eV 1,12 µp a 300 K (cm2/V s) 500
ni a 300 K (cm-3) 1,5 x 1010 µn a 300 K (cm2/V s) 1300

Baseado nos dados da Tabela 5.1, pode-se então obter uma estimativa para o valor da resistividade do silício
puro à temperatura ambiente padrão (300 K). Assim, empregando-se a equação (5.4), tem-se então que:
σ Si,300 K = e ni,Si, 300 K ( µn ,Si, 300 K + µ p ,Si, 300 K ) = 1,6 × 10−19 × 1,5 × 1010 × (1300 + 500) = 4,32 × 10−6 S / cm
1 1
∴ ρSi, 300 K = = ≈ 2,3 × 105 Ω cm = 2300 Ω m
σ Si,300 K 4,32 × 10−6
Como pode ser observado no Capítulo 2, a resistividade dos metais reside em torno de 10−7 Ωm. Assim, com
base no resultado da resistividade do silício puro, observa-se que seu valor é bastante elevado comparada aos metais,
pois sua concentração de portadores livres à temperatura ambiente (ni = 1,5 x 1010 cm−3, Tabela 5.1) é mais próxima da
observada em materiais isolantes (em torno de 106 cm−3). Como consequência, além de excessiva sensibilidade com a
temperatura, um semicondutor intrínseco não apresenta portadores livres nem causas suficientes para produzir uma
corrente utilizável, não sendo então indicados para o emprego direto na construção de componentes eletro-eletrônicos.
Contudo, esta sensibilidade dos semicondutores puros pode ser aproveita em dispositivos sensores, vistos a seguir.
Como será visto mais adiante, a mitigação das deficiências dos semicondutores intrínsecos pode ser conseguida
com a perturbação do equilíbrio entre as concentrações de lacunas e elétrons livres estabelecidas no semicondutor
intrínseco, por meio de um processo chamado dopagem para a obtenção dos chamados semicondutores extrínsecos.

5.1.2) COMPONENTES SEMICONDUTORES PUROS

Diversas aplicações em Eletrotécnica necessitam realizar um controle sobre alguma variável física externa ao
circuito ou processo, empregando para isso dispositivos transdutores (sensores) para o monitoramento da variável
física e conversão da mesma em grandezas elétricas. Desse modo, alguns componentes sensores são constituídos com
materiais nos quais alguma de suas propriedades elétricas sofre grande alteração perante a um estímulo externo.
Como mencionado, a condutividade dos semicondutores intrínsecos, notadamente os puros, se caracterizam por
uma elevada dependência da temperatura, com a energia térmica fornecida ao material podendo facilmente deslocar
elétrons de valência para a banda de condução e criar pares elétron-lacuna. Dessa forma, os semicondutores puros
podem ser explorados em componentes resistivos sensíveis à ação da temperatura, denominados termistores.

59
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Termistores (símbolo esquemático na Figura 5.3-a) são componentes elétricos que operam como resistores
variáveis com a temperatura, empregados no monitoramento e controle de temperatura em equipamentos e ambientes.
Devido ao comportamento da resistividade inversa com a temperatura, os termistores semicondutores são então
resistências tipo NTC (aparência na Figura 5.3-b), que caracterizam-se por apresentar uma diminuição da resistência
da ordem de 3% por oC, o que proporciona uma maior sensibilidade comparada aos termistores metálicos, porém, com
temperaturas de trabalho menores que estes. Materiais empregados: óxidos de níquel, cobre, manganês e zinco.
Uma aplicação prática dos termistores semicondutores é em relés de proteção de motores, onde o aquecimento
destes por efeito Joule tem correlação com a corrente nos enrolamentos. Desse modo, em caso de sobrecorrente no
motor, o sobreaquecimento resultante permite ao termistor interpretar esta condição adversa a um relé para que este
comande o desligamento do motor. Outras aplicações residem em medição e controle automático de temperatura em
fornos, estufas e na estabilização do ponto de operação de circuitos submetidos a grandes variações de temperatura.

Resposta relativa (%)


75
50

T 25 λC
0
4000 8000 12400 λ (Å)
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 5.3: Termistores: (a) símbolo esquemático, (b) aparência; fotorresistores: (c) símbolo
esquemático; (d) aparência de um LDR comercial; (e) exemplo de resposta espectral (silício).
Outra forma de obtenção da variação da condutividade elétrica nos materiais consiste na incidência de radiação
eletromagnética, efeito conhecido como fotorresistividade. Neste caso, devido ao pequeno gap de energia, materiais
semicondutores podem ser aproveitados também como sensores de luminosidade, denominados fotorresistores ou
fotocondutores, que empregam luz incidente para criar pares elétron-lacuna e variar invsersamente a resistividade.
Fotorresistores (símbolo esquemático na Figura 5.3-c, onde as setas indicam o sentido da radiação) são então
componentes semicondutores que tem sua resistência diminuída quando sobre o mesmo se eleva a incidência de uma
radiação, que quebra ligações covalentes e produz pares elétron-lacuna em excesso àqueles gerados pela temperatura
do material. São, portanto, transdutores que convertem energia luminosa na forma elétrica (sensores de luz).
Fotorresistores comerciais, também denominados células fotocondutivas, são empregados para a medição da
quantidade de iluminação em circuitos de controle ou registro por meio da modulação de intensidade luminosa. O
chamado LDR (“light dependent resistor”) é um exemplo de fotorresistor semicondutor (aparência na Figura 5.3-d).
O fotorresistor de maior aplicação é a célula de sulfeto de cádmio dopada com um pouco de prata, antimônio ou
índio. As vantagens destas células são sua alta capacidade de dissipação (300 mW), ótima sensibilidade ao espectro
visível e baixa resistência com estimulação por luz (em escuridão, acima dos 1 MΩ e, com luz forte, inferior a 1 kΩ),
podendo operar diretamente um relé e controlar, por exemplo, um circuito de maior potência. Outros materiais são o
sulfeto de chumbo, que apresenta um máximo de sensibilidade em 29000 Å, sendo então empregado para detecção de
infravermelho (vide Tabela 1.7), e o selênio, que é sensível à faixa do espectro visível, particularmente perto do azul.
Como visto no Capítulo 1, o comprimento de onda λ e a energia Ef de um fóton são inversamente proporcionais
(λ = 12400/Ef ). Como a energia EG do gap é a mínima necessária para a excitação de um elétron da banda de valência
para a de condução, então existe um comprimento de onda máximo λC = 12400/EG , chamado valor de corte, para a
criação de elétrons livres por fotoexcitação, ou seja, um fotorresistor é um dispositivo seletivo de freqüência. Como
exemplo, a Figura 5.3-e apresenta um esquema grafico da resposta espectral do material silício, onde a região grifada
corresponde à faixa de luz visível. Neste caso, como EG ≈ 1 eV para o silício, então seu valor de corte λC ≈ 12400 Å
se situa na faixa do infravermelho. Com base no gráfico da Figura 5.3-e observa-se também que a resposta do silício
apresenta um valor máximo de sensibilidade, ou seja, respostas espectrais dependem do tipo da radiação incidente.

5.2) SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO

Quando em um cristal semicondutor intrínseco são introduzidas impurezas tal que resulte no predomínio de um
dos tipos de portador de carga livre, este passa a ser denominado semicondutor extrínseco. Este expediente, chamado
dopagem, baseia-se em um processo tecnológico sofisticado que consiste na introdução de átomos de outros materiais,
com teor controlado para produzir o perfeito espalhamento destes átomos em um semicondutor, de modo a aumentar a
condutividade e diminuir a dependência com a temperatura do semicondutor em relação à sua forma intrínseca.
O nível usual de dopagem do silício é da ordem de 1 átomo de impureza por 109 a 107 átomos de silício, o que
garante a permanência da maioria de suas propriedades e apenas as características elétricas mudam acentuadamente.
60
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

5.2.1) DOPAGEM E CLASSIFICAÇÃO

Como visto, os portadores livres nos semicondutores intrínsecos são criados aos pares sob influência apenas da
energia térmica, tal que: n = p. O processo de dopagem tem então o objetivo de introduzir artificialmente átomos de
impurezas de modo a provocar um desequilíbrio entre as concentrações destes portadores, tal que: n ≠ p. Assim, de
acordo com o tipo de impureza introduzida, obtém-se duas classificações para os semicondutores extrínsecos:
 TIPO P: estes materiais são resultantes da introdução de átomos de elementos químicos trivalentes, denominados
de impurezas tipo P. Com este artifício estabelece-se o predomínio de lacunas no semicondutor devido ao fato do
átomo de impureza trivalente formar três ligações covalentes com três átomos de silício vizinhos, restando desse
modo uma ligação covalente incompleta (Figura 5.4-a) que se constitui então em uma lacuna. Como estas ligações
icompletas podem receber elétrons vindos da banda de condução, as impurezas trivalentes são também chamadas
aceitadoras. Os materiais normalmente empregados como impurezas aceitadoras são o alumínio, o boro e o gálio.
Além disso, o aumento na concentração de lacunas acarreta também em uma maior taxa de recombinação, o
que faz decrescer a quantidade de elétrons livres existentes no semicondutor. Assim, as lacunas no cristal tipo P
passam a ser chamadas de portadores majoritários, e os elétrons livres de portadores minoritários.
A Figura 5.4-b exemplifica o esquema de bandas de energia de um cristal tipo P, onde observa-se um elevado
número de lacunas na banda de valência, produzidas principalmente pela dopagem, bem como uma quantidade
comparativamente pequena de elétrons livres na banda de condução, produzidos apenas por energia térmica.
 TIPO N: estes materiais resultam da introdução de átomos de elementos químicos pentavalentes, denominados
impurezas tipo N. Neste caso, estabelece-se o predomínio de elétrons livres no semicondutor, devido ao fato de um
átomo de impureza pentavalente formar quatro ligações covalentes com quatro átomos de silício vizinhos para se
tornar estável, tendo o quinto elétron que ocupar a banda de condução (Figura 5.4-c), resultando então no aumento
artificial do número de elétrons presentes na banda de condução do cristal. Logo, como estes átomos pentavalentes
proporcionam elétrons extras ao material, os mesmos são também denominados impurezas doadoras. Materiais
normalmente empregados como impurezas doadoras são o arsênio, o antimônio e o fósforo.
Similarmente, o aumento na concentração de elétrons livres por dopagem acarreta também em uma maior taxa
de recombinação, o que faz decrescer a quantidade de lacunas existentes no semicondutor. Desse modo, os elétrons
livres no cristal tipo N passam a ser chamados de portadores majoritários e as lacunas de portadores minoritários.
A Figura 5.4-d exemplifica o esquema de bandas de energia de um cristal tipo N, onde observa-se um elevado
número de elétrons livres na banda de condução, produzidos principalmente pela dopagem, bem como um número
comparativamente pequeno de lacunas na banda de valência, produzidas apenas pela energia térmica fornecida.
ligação covalente
+4 não completada +4 elétron
lacuna energia livre energia

+4 +3 +4 BC +4 +5 +4 BC

íon de íon de
+4 impureza BV +4 impureza BV
aceitadora doadora

(a) (b) (c) (d)

Figura 5.4: Criação de portadores livres por dopagem em um cristal de silício: (a) tipo P; (b) representação por
bandas do predomínio de lacunas no semicondugor tipo P; (c) tipo N; (d) predomínio de elétrons livres no tipo N.

5.2.2) CONDUTIVIDADE E DENSIDADE DE CORRENTE DE CONDUÇÃO

Como visto anteriormente, os semicondutores intrínsecos se caracterizam por apresentar iguais concentrações
de portadores livres (elétrons e lacunas), tal que: n = p = ni . Logo, pode-se inferir que o produto destas concentrações
resulta no quadrado da concentração intrínseca ni , o que define a chamada lei da ação de massas:
n × p = ni2 (5.6)
No caso dos semicondutores extrínsecos, o aumento da dopagem resulta, como visto, no aumento da taxa de
recombinação devido ao aumento da concentração de majoritários, o que acarreta no decréscimo da concentração de
minoritários. Porém, em condições de equilíbrio térmico (criação de pares elétron-lacuna constante), verifica-se que a
diminuição de minoritários é proporcional ao aumento de majoritários, tal que o produto das concentrações se mantém
constante. Assim, conclui-se que os semicondutores tipo extrínseco também obedecem a Lei da Ação de Massas.
Além disso, supondo que o processo de dopagem resulte em uma concentração ND (átomos/cm3) de átomos
doadores ou NA (átomos/cm3) de átomos aceitadores, tem-se que, como um átomo doador se torna um íon positivo ao
61
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

ceder elétron, assim como um átomo aceitador se torna um íon negativo ao receber um elétron, então estas impurezas
produzem uma concentração ND de íons positivos e NA de íons negativos em um material extrínseco. Contudo, como a
dopagem não resulta em eletrização do material, a soma das cargas positivas (lacunas e íons +) deve ser igual à das
cargas negativas (elétrons livres e íons –), de modo a obedecer a chamada lei da neutralidade de carga, ou seja:
p + ND = n + NA (5.7)
A análise das leis da neutralidade de carga e da ação de massas com base em características de cada material
semicondutor extrínseco permite então definir a propriedade condutividade elétrica para estes materiais:
 TIPO P: como visto, sabe-se que o material P não apresenta impurezas doadoras (ND = 0) e que a concentração de
lacunas é muito superior à de elétrons livres, ou seja, p >> n. Logo, a equação (5.7) pode ser reduzida a:
pP ≈ N A (5.8)
onde o índice P é adicionado para descrever o material tipo P. Tem-se então que a concentração pP de portadores
majoritários no material tipo P (lacunas) se resume à concentração NA de átomos aceitadores dada pela dopagem.
Assim, como pP >> nP , tem-se que na definição da condutividade e da densidade de corrente do material tipo P
podem ser considerados apenas a contribuição dos portadores majoritários (lacunas) à corrente, o que resulta:
σ P ≈ pP e µ p ≈ N A e µ p (5.9)
J P = σ P E = ( pP e µ p ) E = ( N A e µ p ) E (5.10)
em que σP é a condutividade elétrica e JP a densidade de corrente de condução de lacunas para o material tipo P.
Pela lei da ação de massas, tem-se que a concentração nP de minoritários no material P (elétrons livres) resulta:
ni2 ni2
nP × pP = ni2 ⇒ ∴ nP = = (5.11)
pP NA
 TIPO N: analogamente, como o material N não apresenta impurezas aceitadoras (NA = 0) e a concentração de
elétrons livres é muito superior à de lacunas, ou seja, n >> p, tem-se que a equação (5.7) pode ser reduzida a:
nN ≈ N D (5.12)
onde o índice N é adicionado para descrever o tipo de material. Tem-se então que a concentração nN de portadores
majoritários no material tipo N (elétrons livres) se resume à concentração ND de átomos doadores da dopagem.
Similarmente para o cristal tipo N, como nN >> pN então as equações da condutividade e densidade de corrente
podem agora considerar apenas a contribuição dos portadores majoritários à corrente (elétrons livres), tal que:
σ N ≈ nN e µ n ≈ N D e µ n (5.13)
J N = σ N E = ( nN e µ n ) E = ( N D e µ n ) E (5.14)
onde σN é a condutividade e JN a densidade de corrente de condução de elétrons livres para o material tipo N.
Para a concentração pN (lacunas) de minoritários no material N, pela lei da ação de massas tem-se então que:
ni2 ni2
nN × pN = ni2 ⇒ ∴ pN = = (5.15)
nN ND
Com base nas definições de condutividade vistas para o caso extrínseco, pode-se avaliar o impacto da dopagem
na mitigação dos problemas apresentados pelo caso intrínseco, notadamente as elevadas resistividade e dependência
da temperatura. Logo, como a condutividade é função da concentração e mobilidade dos portadores livres, o estudo da
variação destes parâmetros com a temperatura permite a comparação entre os materiais intrínseco e extrínseco:
 Caso intrínseco: o aumento de temperatura em um material qualquer provoca um maior grau de agitação térmica
da estrutura atômica do material, o que acarreta em perda de mobilidade dos portadores livres presentes devido ao
maior número de colisões. Para o caso dos semicondutores intrínsecos, no entanto, a facilidade na criação de pares
elétron-lacuna por energia térmica, compensa em excesso a diminuição das mobilidades destes portadores livres, o
que demontra então a elevada dependência da condutividade dos materiais intrínsecos em relação à temperatura.
 Caso extrínseco: a criação de pares elétron-lacuna por energia térmica exerce uma elevação na concentração de
majoritários e minoritários no material extrínseco devido à lei da ação de massas. Contudo, sendo a concentração
de minoritários muito inferior a de majoritários, observa-se que esta criação de cargas livres adicionais acarreta em
aumentos mais perceptíveis no número de minoritários. Assim, como a condutividade dos materiais extrínsecos se
resume à contribuição dos majoritários e estes dependem basicamente da dopagem, tem-se que a criação de pares
elétron-lacuna por energia térmica exerce menor compensação sobre a perda de mobilidade dos portadores livres e
conclui-se então que a influência da temperatura na condutividade destes materiais é atenuada pela dopagem.
Para o estudo da resistividade do material extrínseco, o exercício a seguir exemplifica a eficácia da dopagem no
aumento da condutividade elétrica de um material tipo extrínseco em comparação ao caso intrínseco.

Observação: um aspecto importante do processo de dopagem consiste no fato de, por exemplo, se em um material
tipo P for acrescentada impurezas doadores superior à concentração de impurezas aceitadoras inicial, então o cristal
passa do tipo P para tipo N, e vice-versa, devido ao anulamento mútuo por recombinação. Assim, sobre uma amostra
de um determinado tipo pode-se criar uma região do outro tipo, sobre esta região outro tipo e assim sucessivamente.
Este efeito é amplamente explorada na construção dos diversos dispositivos eletrônicos discretos e integrados.
62
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Exercício 1: Seja uma amostra de silício tipo N, cuja dopagem uniforme consiste de 1 átomo de impureza doadora
para cada 108 átomos de silício. Determine a resistividade do silício a 300 K e compare com o caso intrínseco.
Solução
→ Como a concentração de átomos do silício é de 5 x 1022 átomos/cm3 (Tabela 5.1) e a dopagem consiste de 1 átomo
de impureza para cada 108 átomos de silício, tem-se que em cada cm3 do material há 5 x 1014 átomos de impureza.
Logo, ND = 5 x 1014 átomos/cm3, ou seja, da equação (5.12) tem-se: nN ≈ ND = 5 x 1014 elétrons livres/cm3.
1 1 1
→ Assim, de (5.13): ρN , 300 K = = = ≈ 9,62 Ωcm = 9,62 × 10-2 Ωm
σ N ,300 K N D e µn , 300 K 5 × 10 × 1,6 × 10−19 × 1300
14

ni2 (1,5 × 1010 ) 2


→ Além disso, de (5.15), onde ni = 1,5 x 1010 cm-3 a 300 K (Tabela 5.1): pN = = 14
= 4,5 × 105 cm − 3
ND 5 × 10
→ Comparando-se a resistividade do silício puro (2300 Ωm) com a desta amostra tipo N (9,62 x 10-2 Ωm), tem-se:
ρ Si ,300 K , amosta intrínseca 2300
= ≈ 24000
ρ Si ,300 K , amosta extrínseca 9,62 × 10−2
O exercício ilustra então uma sensível redução na resistividade do material, por um fator de 24000, obtida com a
introdução de apenas 1 átomo de impureza para cada 108 átomos de silício, resultando no aumento da concentração
de elétrons livres, de n = ni = 1,5 x 1010 cm-3 do caso intrínseco, para nN = 5 x 1014 cm-3 do caso extrínseco.

5.2.3) EFEITO HALL

Chama-se efeito Hall o fenômeno da indução de campo elétrico em um meio material conduzindo corrente e
imerso em um campo magnético transversal à corrente. Este efeito é aproveitado em métodos experimentais para a
caracterização de materiais, bem como em diversos dispositivos sensores, e confirma o comportamento das lacunas
como portador de carga livre positiva. O mecanismo de funcionamento do efeito Hall é discutido a seguir.
Como mencionado no Capítulo 4, uma carga elétrica q com velocidade v e imersa em um campo de indução
magnética B transversal a v, fica submetida a uma força magnética Fmg perpendicular ao plano v-B, de modo que:
  
Fmg = q v ⊗ B
Sabe-se que correntes elétricas constituem-se em um movimento de carga. Desse modo, para uma carga elétrica
qualquer constituinte de uma corrente I de sentido convencional no eixo x de um sistema cartesiano, e imersa em um
campo magnético de vetor indução B no sentido do eixo y, tem-se que a carga é submetida a uma força magnética Fmg
perpendicular ao plano I-B (Figura 5.5-a). Contudo, definidos os sentidos de I e B em um meio material, observa-se
que o sentido da força magnética independe do sinal de carga (q = e+ ou q = e−) que constitui a corrente (Figura 5.5-a).
      face 1
Fmg = e v ⊗ B Fmg = − e (−v ) ⊗ B face 1 face 1
z z z
  d EH I B VH d EH I B VH
Fmg Fmg
B
 d I face 2
v face 2
e+  e– 
face 2
w w
 y B y
I, v B I x w
y
condutor e semi- semicondutor
x x condutor tipo N tipo P
(a) (b) (c) (d)

Figura 5.5: (a) Força magnética e independência com o sinal de carga; (b) amostra de material condutor para teste
do efeito Hall; campo elétrico e tensão de Hall no caso de material: (c) condutor e cristal tipo N, (d) cristal tipo P.
Seja então uma amostra de material condutor percorrida por uma corrente elétrica I de sentido convencional no
eixo x e imersa em um campo magnético de indução B no sentido do eixo y, tal que os portadores de carga livres da
corrente fiquem sujeitos a uma força magnética no sentido do eixo z (Figura 5.5-b). Como a amostra é de material
condutor (por exemplo, metais), tem-se então que a corrente elétrica no material será constituída de elétrons livres,
que desse modo sofrem um deslocamento para a face 1 da amostra devido à força magnética aplicada, o que acarreta
em uma falta de elétrons na face 2 (Figura 5.5-c). Observa-se então que a face 1 resulta negativamente eletrizada e a
face 2 positivamente eletrizada, o que faz surgir um campo elétrico EH entre as cargas opostas e, como conseqüência,
uma diferença de potencial VH entre as faces da amostra (Figura 5.5-c). Este fenômeno é conhecido como efeito Hall,
sendo o campo induzido EH denominado campo de Hall e a ddp VH denominada tensão ou fem de Hall.
No efeito Hall, a indução de um campo elétrico tem como finalidade restabelecer o estado de equilíbrio alterado
pela ação das linhas de indução magnética sobre as cargas livres constituintes da corrente e, desse modo, uma força
elétrica Fel deve surgir nestes portadores para equilibrar a força magnética Fmag a eles aplicados, tal que:
Fel = Fmag ⇒ eE = evB ⇒ v = E/B (1)
onde o módulo do campo elétrico de Hall na amostra pode ser determinado por (Figura 5.5-c): E = VH /d (2)
63
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Seja a densidade de corrente na amostra, dada por: J = I/A, onde A = w d (Figura 5.5-c). Empregando-se os
resultados (1) e (2), e com base na definição da densidade de corrente dada pela equação (2.1), vista no Capítulo 2,
tem-se que a tensão de Hall em uma amostra de material qualquer pode então ser determinada matematicamente por:
I E I n e VH BI
J = = nev = ne ⇒ = ⇒ ∴ VH = (5.16)
wd B wd B d new
onde observa-se que a tensão de Hall é proporcional às instensidades de corrente e campo magnético e inversamente
proporcional à espessura w da amostra de material por onde o campo magnético é incidido.
Medindo-se os parâmetros w, I, B e VH de uma amostra de material, tem-se então que uma finalidade prática do
efeito Hall consiste na determinação da concentração de elétrons livres (n) do material, com base na equação (5.16).
Com isso, pode-se determinar também a mobilidade µn dos elétrons livres no material pela relação: µn = σ / (n e), onde
a condutividade σ do material pode ser determinada com o simples emprego da relação σ = ℓ /(R A), onde R consiste
na medida da resistência de uma amostra do material de comprimento ℓ e área A = w d de seção transversal à corrente.
O efeito Hall é também observado em semicondutores. Neste caso, para uma amostra de material semicondutor
extrínseco qualquer (tipo P ou N) e definidos os mesmos sentidos de corrente e de indução magnética, tem-se que:
 Amostra tipo N: como a corrente será constituída majoritariamente por elétrons livres, a indução de uma tensão
de Hall apresenta igual polaridade ao caso dos condutores, com o potencial positivo na face 2 (Figura 5.5-c).
 Amostra tipo P: sendo a corrente no material formada majoritamente por lacunas, nota-se o surgimento de uma
tensão de Hall com potencial positivo na face 1 da amostra (Figura 5.5-d). Esta fato evidencia então que a força
magnética sujeita as lacunas a um deslocamento para a face 1 da amostra, que se torna positivamente carregada, e
acarreta em um excesso elétrons na face 2, que fica negativamente carregada, resultando na fem de Hall observada.
Assim, pode-se observar que o efeito Hall demonstra o comportamento das lacunas como portador de carga
livre positiva e pode ser empregado para determinar o tipo de semicondutor extrínseco, isto é, se o potencial positivo
da tensão de Hall for observado na face 1, então trata-se de uma amostra tipo P e, se na face 2, de uma amostra tipo N.
Devido à baixíssima velocidade de migração dos elétrons, a tensão de Hall normalmente não é observável na
maioria dos materiais, sendo mais mensurável em alguns semicondutores que possuem alta mobilidade de elétrons
(Si, InAs, InSb, etc.), podendo atingir ordens de até 100 mV e resposta a correntes de freqüências até 20 kHz.
Sensores de efeito Hall são utilizados em diversos aplicações, tais como medidores de corrente (ponteiras de
corrente), medidores de rotação (rodas, engrenagens, indicador de velocidade para automóveis e sistemas de ignição
eletrônica) e sensores de pressão e fluxo de fluidos. Sensores Hall são também empregados como interruptores sem
contato em gatilhos eletropneumáticos, smartphones e alguns sistemas de posicionamento global.

5.3) JUNÇÃO PN

Como visto anteriormente, os materiais extrínsecos apresentam maior condutividade e menor dependência com
a temperatura em relação à forma intrínseca. Estes materiais, contudo, apresentam pouca finalidade prática na forma
isolada mas, quando combinados para formar o chamado cristal PN, neste se estabelece a chamada junção PN, cujo
comportamento desempenha o efeito fundamental na Eletrônica, que é o controle de carga. A junção PN constitui-se
então no bloco construtivo básico que estabelece a operação dos mais diversos tipos de dispositivos eletrônicos.
Para o estudo da junção PN, serão vistos a definição de densidade de corrente total em materiais extrínsecos,
bem como os conceitos de camada de depleção, barreira de potencial e modos de polarização do cristal PN.

5.3.1) CORRENTE DE DIFUSÃO E DENSIDADE DE CORRENTE TOTAL

A dopagem, sendo um processo artificial de introdução de portadores de carga livres, possibilita a produção de
semicondutores extrínsecos com concentração de carga não uniforme pelo meio material. Como consequência dessa
diferença de concentração de portadores livres, em um material extrínseco pode ocorrer a tendência ao deslocamento
de carga no sentido da região de maior para a de menor concentração, o que constitui-se em um tipo de fluxo elétrico
denominado corrente de difusão (o efeito Thomson, visto no Capítulo 2, representa um outro exemplo deste tipo de
corrente). Logo, adicionalmente às densidades de corrente do tipo condução descritas anteriormente, motivadas por
um gradiente de potencial aplicado (campo elétrico), em semicondutores extrínsecos podem ser também estabelecidas
densidades de corrente do tipo difusão, motivadas por um gradiente de concentração de portadores livres. Assim, a
densidade de corrente total de portadores livres nestes materiais apresenta duas componentes: condução e difusão.
Para a definição da densidade de corrente de difusão de portadores livres em semicondutores extrínsecos, seja
como exemplo uma amostra de material tipo P com concentração p(x) de lacunas que se reduz ao longo do sentido
positivo de um eixo x atribuído à amostra (Figura 5.6-a), de modo a resultar em um gradiente de concentração dp/dx
de lacunas no sentido oposto ao eixo x (gradiente é um vetor que define o sentido de maior crescimento de um campo
escalar). Como resultado, na amostra de material P é estabelecida então que a tendência à circulação de uma corrente
do tipo difusão no sentido do eixo x, ou seja, das regiões de maior para as de menor concentração (Figura 5.6-a).

64
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Como o gradiente é a quantificação dos níveis de dopagem, então a densidade de corrente de difusão de lacunas
será proporcional ao gradiente da concentração estabelecido na amostra. Além disso, como o deslocamento de carga
depende da agitação térmica do material, tem-se que uma corrente de difusão será também função de um parâmetro
dependente da temperatura que caracteriza a facilidade dos portadores livres se moverem pelo meio material, neste
caso descrito por uma propriedade do material semicondutor denominada constante de difusão de lacunas.
Assim, a densidade de corrente de difusão de lacunas JDp (A/cm2) é definida matematicamente por:
dp
J Dp = − D p e
dx
2
em que e é a carga elementar e Dp (cm /s) é a constante de difusão de lacunas do semicondutor, onde o sinal negativo
decorre do fato do gradiente de concentração de lacunas (dp/dx) ter sentido contrário ao da corrente de difusão.
Analogamente, para uma amostra de material semicondutor tipo N com dopagem não uniforme (Figura 5.6-b),
tem-se que a densidade de corrente de difusão de elétrons livres JDn (A/cm2) é definida matematicamente por:
dn
J Dn = Dn e
dx
onde dn/dx e Dp (cm2/s) são, respectivamente, o gradiente e a constante de difusão de lacunas no semicondutor, sendo
o sinal positivo devido ao fato do gradiente de concentração e o sinal da carga livre (elétron) serem ambos negativos.
corrente de difusão de lcunas corrente de difusão de elétrons livres

elétron
lacuna livre
dp/dx dn/dx

0 x 0 x
(a) (b)

Figura 5.6: Amostras extrinsecas com dopagem não uniforme: (a) tipo P; (b) Tipo N.
Assim, em termos gerais, a densidade de corrente total de lacunas em um semicondutor extrínseco é formada
pela contribuição de duas parcelas distintas, referentes às correntes de condução e difusão de lacunas, ou seja:
dp
J p = ( p e µ p ) E − Dp e (5.17)
dx
Analogamente, a densidade de corrente total de elétrons livres em um semicondutor extrínseco é formada pela
contribuição das parcelas referentes às correntes de condução e difusão de elétrons livres, o que resulta:
dn
J n = (n e µ n ) E + Dn e (5.18)
dx
Como correntes de condução e difusão são dependentes da temperatura, tem-se a que as constantes de difusão
(Dp e Dn) e as mobilidades (µp e µn) não são independentes, estando associadas pela chamada Relação de Einstein:
Dp D
= n = VT (5.19)
µp µn
em que VT = T/11600 (V) é uma medida da energia térmica em um material, chamado potencial termodinâmico ou
equivalente volt de temperatura, onde T é a temperatura absoluta do material, dado em Kelvins.

5.3.2) CRISTAL PN, CAMADA DE DEPLEÇÃO E BARREIRA DE POTENCIAL

O cristal PN é um bloco semicondutor formado por dois setores de material extrínseco com dopagem uniforme,
um primeiro de material tipo P chamado substrato ou região P, e um segundo de material N denominado substrato ou
região N, tal que observa-se uma variação abrupta na concentração de lacunas da região P, onde são majoritários, para
a região N (minoritários), tal que pP >> pN , assim como na concentração de elétrons livres da região N (majoritários)
para a região P (minoritários), tal que nN >> nP (Figura 5.7-a). A fronteira entre os substratos é então denominada
junção abrupta ou junção PN (Figura 5.7-a) e conclui-se que, apesar da dopagem em cada substrato ser uniforme, o
cristal PN constitui-se em um caso especial de material semicondutor extrínseco de dopagem não uniforme.
Seja então uma representação hipotética do cristal PN no instante de sua formação apresentada na Figura 5.7-b,
que mostra os portadores majoritários e os íons de impureza em cada substrato. Neste caso, devido à diferença de
concentração de portadores livres entre as regiões P e N, ocorre inicialmente um processo de difusão de elétrons livres
do substrato N para o substrato P e de lacunas de P para N, o que pode ser entendido como uma corrente de difusão de
majoritários de P para N no sentido convencional (Figura 5.7-b). Contudo, ao sairem da região N, os elétrons deixam
íons positivos neste substrato e, ao penetrarem na região P, se tornam minoritários e podem facilmente se recombinar
65
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

com lacunas próximas à junção, restando então apenas os íons negativos associados. Resultado igual é obtido com
com a difusão de lacunas da região P para N. Assim, devido a estas migrações e recombinações, a região próxima da
junção se torna gradativamente esgotada de portadores livres, restando apenas camadas de íons fixos (Figura 5.7-c).
Como íons são portadores de carga e as camadas de íons na região esgotada de portadores livres são de sinais
contrários, observa-se então o surgimento de um campo elétrico Eo entre os íons no sentido do substrato N para o P
(Figura 5.7-c). Além disso, devido ao sentido do campo formado, observa-se também que o mesmo é retardador para
os majoritários em cada substrato e, desse modo, tende a se opor à difusão destes portadores através da junção.
Assim, a medida que portadores majoritários atravessam a junção por difusão, a largura da região esgotada de
portadores livres aumenta até que o campo Eo estabelecido seja intenso o suficiente para cessar o processo de difusão
e a largura se estabiliza. A região final esgotada de portadores livres origina a chamada região ou camada de depleção,
cujo campo elétrico Eo confinado na região resulta então em uma ddp Vo (Figura 5.7-c), chamada potencial de contato,
que constitui-se em uma barreira de potencial para os portadores majoritários em cada substrato do cristal.
lacuna P N elétron livre camada de depleção
substrato P substrato N
lacunas (pP) elétrons livres
(n N ) Eo

elétrons livres
(nP) lacunas (pN)

íons corrente de difusão íons


junção abrupta ou junção PN de majoritários 0V Vo
aceitadores doadores
(a) (b) (c)

Figura 5.7: Cristal PN: (a) regiões, níveis de concentração de portadores livres e junção PN; (b) representação do
instante de formação, íons de impureza e portadores majoritários; (c) camada de depleção e barreira de potencial.
O anulamento das correntes de difusão de majoritários no cristal PN pode ser também entendido com base no
efeito da campo da barreira sobre os portadores minoritários em cada substrato. Neste caso, seja a representação do
cristal PN dada na Figura 5.8-a, onde estão mostrados o campo elétrico Eo da barreira de potencial estabelecida na
camada de depleção e os portadores minoritários em cada substrato (elétrons livres na região P e lacunas na região N).
Pode-se observar então que o campo Eo da barreira é acelerante para os minoritários em cada substrato e, desse
modo, elétrons livres no lado P tendem a atravessar a junção para o lado N devido a este campo, assim como lacunas
do lado N tendem a atravessar para o lado P (Figura 5.8-a), o que constitui-se em correntes do tipo condução, visto
serem consequências de um campo elétrico (neste caso, o da barreira), e de sentidos contrários aos das correntes de
difusão de majoritários. Esta tendência a um fluxo de minoritários através da junção pode então ser entendida como
uma corrente de condução de minoritários de N para P no sentido convencional (Figura 5.8-a). No entanto, como o
cristal PN está isolado (sem polarização de uma tensão externa), tem-se que a corrente resultante no cristal deve ser
nula e, desse modo, a corrente de difusão de majoritários deve ser anulada pela corrente de condução de minoritários.
Assim, conclui-se que o cristal PN apresenta uma barreira de potencial confinada em sua camada de depleção,
que produz um efeito retardador para os majoritários, mas acelerante para os minoritários em cada substratro, tal que
ocorre uma condição de equilíbrio onde uma corrente de difusão de majoritários de P para N no sentido convencional
é anulada por igual corrente de condução minoritários de N para P no sentido convencional (Figura 5.8-b).
P N P N P N
Eo
corrente de corrente de
majoritários minoritários (NA) (ND)
Eo dV/dx
(tipo difusão) (tipo condução)
0 x1 x2 x
nP nN
Vo
corrente de condução de minoritários Vo V1 V2
(a) (b) (c)

Figura 5.8: Efeitos da barreira: (a) condução de minoritários; (b) equilíbrio de correntes; (c) potencial da barreira.
Relacionando-se a condição de equilíbrio de correntes no cristal PN isolado com as parcelas das densidades de
corrente totais definidas pelas equações (5.17) e (5.18), observa-se então que a primeira parcela refere-se à corrente de
condução de minoritários, cuja variável de campo elétrico E consiste no campo da barreira de potencial (E = Eo), e a
segunda parcela refere-se à corrente de difusão de majoritários, cujo gradiente de concentração refere-se à variação de
portadores livres entre as regiões P e N. Assim, estudando-se o anulamento das densidades de corrente totais, pode-se
obter uma medida do potencial de contato Vo da barreira de potencial estabelecido no cristal PN isolado.

66
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Seja então o cristal PN isolado com concentrações uniformes de NA átomos aceitadores (região P) e ND átomos
doadores (região N) visto na Figura 5.8-c, onde o campo elétrico Eo da barreira pode ser definido como a variação de
um potencial elétrico V na camada de depleção ao longo da dimensão x do cristal, tal que: Eo = – dV/dx. Estudando-se
o anulamento das densidades de corrente no cristal PN então, definindo-se, por exemplo, uma densidade de corrente
total de elétrons livres nula no cristal (Jn = 0) e empregando-se a relação de Einstein, da equação (5.18) tem-se que:
dn dV 1 Dn dn 1
J n = (n e µn ) Eo + Dn e = 0 ⇒ Eo = − = − ⇒ ∴ dV = VT dn
dx dx n µn dx n
Como a concentração de portadores livres (majoritários e minoritários) é uniforme em cada substrato, pode-se
então integrar o resultado obtido acima desde um ponto qualquer x1 no substrato P, de concentração nP e potencial V1 ,
até um ponto qualquer x2 no substrato N, de concentração nN e potencial V2 (Figura 5.8-c), tal que:
dn V2 nN 1 n 
dV = VT ⇒ ∫ dV = VT ∫ dn ⇒ ∴ V2 − V1 = Vo = VT ℓn  N 
n V1 nP n  nP 
Sendo nP a concentração de elétrons livres no substrato P, onde é minoritário, então, da equação (5.11), tem-se
que: nP ≈ ni2/NA , onde NA ≈ pP . Sendo nN a concentração de elétrons livres no lado N, onde é majoritário, então, da
equação (5.12), tem-se que nN ≈ ND . Assim, aplicando-se estas indentidades na equação obtida, obtem-se finalmente:
n p  N N 
Vo = VT ℓn  N 2 P  = VT ℓn  D 2 A  (5.20)
 ni   ni 
cujo resultado expressa, portanto, uma medida do potencial Vo da barreira estabelecida no cristal PN isolado.
Similarmente, fazendo-se Jp = 0 na equação (5.17) e procedendo-se como anteriormente, obtém-se:
p  p n  N N 
Vo = VT ℓn  P  = VT ℓn  P 2 N  = VT ℓn  A 2 D 
 pN   ni   ni 
que é o mesmo resultado da equação (5.20), como teria de se esperar.

Exercício 2: Calcular o valor da barreira de potencial Vo em um cristal PN de silício a 300 K, considerando ambas as
regiões P e N com dopagens uniformes iguais de 1 átomo de impureza para cada 108 átomos de silício.
Solução
→ Como visto no Exercício 1, a dopagem de 1 átomo de impureza por 108 átomos de silício produz a concentração de
átomos doadores (substrato N) e aceitadores (substrato P) da ordem de 5 x 1014 átomos/cm3. Desse modo, tem-se
que: ND = NA = 5 x 1014 cm-3. Considerando ni = 1,5 x 1010 cm-3 (Tabela 5.1) na equação (5.20), tem-se então:
 14 
N N  N N  14
Vo = VT ℓn  A 2 D  =
T
ℓn  A 2 D  = 300 ℓn  5 ×10 × 510×102  ⇒ ∴ Vo ≈ 0,54 V
 ni  11600  ni  11600 (
 1,5 × 10 ) 
→ Este resultado é coerente com o observado na prática para valores de barreira de potencial de um cristal PN de
silício, situado tipicamente entre 0,5 e 0,7 V (em torno de 0,2 a 0,3 V para cristais PN de germânio).

5.3.3) MODOS DE POLARIZAÇÃO

Como visto anteriormente, o cristal PN isolado apresenta uma situação de equilíbrio entre correntes, ocasionado
por uma barreira de potencial na camada de depleção que é retaradora à ocorrência de uma corrente de majoritários
do lado P para o lado N, e acelerante à ocorrência de uma corrente de minoritários do lado N para P (Figura 5.8-b).
Contudo, submetendo-se o cristal a uma tensão pode-se estabelecer um campo elétrico em seu interior de modo a se
opor ou favorecer o campo elétrico da barreira, o que causa uma perturbação no equilíbrio de correntes e resulta em
montantes distintos em cada sentido de corrente. Assim, a polaridade da tensão aplicada determina comportamentos
operativos diferentes para o cristal PN, o que define os chamados modos de operação do cristal, descritos a seguir:
1) POLARIZAÇÃO DIRETA: um cristal PN encontra-se polarizado diretamente quando o potencial elétrico no
terminal do substrato P é maior que o potencial no terminal do substrato N, tal como mostrado na Figura 5.9-a.
Como resultado, a ddp aplicada no cristal, chamada tensão direta, estabelece um campo elétrico Eapl no sentido
P → N, ou seja, contrário ao campo Eo da barreira (Figura 5.9-a) e, portanto, a favor dos majoritários. Neste caso,
se a tensão direta aplicada for maior que o potencial Vo da barreira, então Eapl será mais intenso que Eo, o que causa
o estabelecimento de uma corrente de majoritários no sentido P → N, chamada corrente direta (Figura 5.9-a), que
caracteriza-se por ser utilizável, visto o número de portadores livres disponível (majoritários) ser substancial.
Como o fato de um portador majoritário, ao atravessar a junção, se tornar minoritário do outro lado, então a
corrente direta se constitui em cada substrato em um efeito denominado injeção de minoritários.
A corrente direta é limitada pela resistência do cristal, formada basicamente pela resistência dos substratos e da
região de depleção. Logo, a tensão entre os terminais de um cristal PN será composta pela soma do potencial da
barreira com as quedas de tensão nestas resistências. Além disso, como quanto maior a tensão direta, maior será a
corrente direta, esta apresenta um limite para o cristal não se danificar, denominado corrente direta máxima IF.
67
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

A condução elétrica no cristal PN pode ser também visualizada por um esquema de bandas de energia, onde o
desnível de energia caracteriza a barreira de potencial (Figura 5.9-b). Neste caso, com a energia fornecida pelo
campo elétrico aplicado, os elétrons livres do lado N podem então migrar para o lado P e percorrer este substrato
até o seu terminal, assim como elétrons de valência vindos do lado N para o P resultam em um deslocamento de
lacunas no lado P para o N, que percorrem este substrato até o seu terminal (Figura 5.9-b). Além disso, como os
elétrons livres injetados no lado P (injeção de minoritários) podem se recombinar com lacunas neste substrato (e o
percorrer até o seu terminal como elétron de valência), estas recombinações implicam na emissão de energia na
forma de radiação (Figura 5.9-b), o que é explorado nos chamados diodos emissores de luz, vistos no Capítulo 6.
P N energia P N
Eapl
Eo Eapl
barreira de
BC potencial

(corrente de majoritários) emissão de radiação


corrente direta VS BV

(a) (b)

Figura 5.9: Cristal PN no modo polarização direta: (a) circuito de polarização simplificado e corrente
direta (difusão de majoritários); (b) representação do efeito condução no cristal por bandas de energia.
1) POLARIZAÇÃO REVERSA: um cristal PN encontra-se polarizado reversamente quando o potencial elétrico no
terminal do substrato N é maior que o potencial no terminal do substrato P, tal como mostrado na Figura 5.10-a.
Como resultado, a ddp aplicada, chamada tensão reversa, estabelece um campo Eapl no sentido N → P, ou seja,
de mesmo sentido do campo Eo da barreira de potencial (Figura 5.10-a) e, portanto, a favor dos minoritários. Neste
caso, verifica-se o estabelecimento uma corrente no sentido N → P formada por minoritários, chamada corrente de
saturação reversa IS , que caracteriza-se por apresentar um valor constante, pelo fato da concentração minoritários
ser limitada pela geração térmica, e montante praticamente desprezível, visto a quantidade de portadores livres no
cristal disponível para constituir a corrente reversa (minoritários) ser comparativamente muito pequena.
Além disso, como os majoritários no substrato P (lacunas) são atraídos para o potencial negativo no terminal
deste substrato, assim como os majoritários do substrato N (élétrons livres) são atraídos pelo potencial positivo no
terminal do substrato, tem-se que um efeito adicional da polarização reversa do crital PN consiste no aumento da
largura da camada de depleção, devido ao maior desalojamento de íons próximos à junção (Figura 5.10-a). Assim,
a largura da região de depleção será tanto maior quanto maior for a tensão de polarização reversa aplicada.
A polarização reversa, contudo, apresenta um limite para cristal PN não se danificar, chamado tensão de ruptura
BV (breakdown voltage), a partir do qual a corrente reversa aumenta intensamente devido a efeitos cumulativos,
resultando na chamada corrente de ruptura. Um dos efeitos de ruptura ocorre quando elétrons livres, ao penetrarem
na camada de depleção, colidem com átomos da rede cristalina, cedem energia para quebrar ligações químicas e
criam elétron livres adicionais que, ao serem também acelerados pelo campo, colidem com outros átomos, geram
elétrons adicionais, e assim sucessivamente, resultando num processo chamado multiplicação por avalanche. Outro
mecanismo consiste no chamado efeito Zener, onde próprio campo elétrico reverso aplicado poderá extrair elétrons
de átomos da rede cristalina e ocasionar também uma elevada corrente reversa de ruptura no cristal.
P N P N
energia Eapl
Eapl Eo
barreira
BC de
potencial
(corrente de minoritários)
BV
VS corrente reversa

(a) (b)

Figura 5.10: Cristal PN em polarização reversa: (a) circuito de polarização simplificado e corrente de
saturação reversa (condução de minoritários); (b) representação do efeito por bandas de energia.
Logo, a característica elétrica essencial de um cristal PN é sua ação praticamente unidirecional, no sentido de
que este apresenta um simples efeito de controle de carga tipo chave liga-desliga. Assim, a junção PN constitui-se na
base construtiva de diversos dispositivos, tais como os diodos e transistores de junção, vistos nos capítulos a seguir.

68
CAPÍTULO 6: DISPOSITIVOS A JUNÇÃO PN - I: DIODOS
Como princípio fundamental da Eletrônica, um controle de corrente elétrica pode ser conseguido em sua forma
mais simples por meio de uma chave liga-desliga, ou seja, por um dispositivo com
emissor ou coletor ou
comportamento unidirecional. Os componentes eletrônicos que executam esta função catodo anodo
são chamados diodos e seu desenvolvimento remonta aos antigos diodos de cristal e e–
componentes baseados no chamado efeito termiônico, denominados diodos a vácuo
(Figura 6.1), até o atual predomínio dos dispositivos baseados em semicondutores.
Assim, devido à capacidade de conduzir correntes utilizáveis em polarização
direta, se comportando como uma chave fechada, e de praticamente não conduzir em calor vácuo
polarização reversa, se comportando como uma chave aberta, um simples cristal PN K A
já constitui-se em um dispositivo eletrônico, conhecido como diodo de junção bipolar,
Figura 6.1: Diodo a vácuo.
ou simplesmente diodo, bastante utilizado em diversos circuitos eletro-eletrônicos.
Este capítulo tem então como objetivo o estudo dos diodos ditos de finalidade geral, além de outros tipos.

6.1) ASPECTOS GERAIS

Diodos são componentes eletrônicos ditos passivos, no sentido de que sua corrente não pode ser controlada a
qualquer tempo. Além disso, o comportamento chave liga-desliga do cristal PN confere aos diodos a capacidade de
deformar um sinal a ele aplicado e, desse modo, diodos não se comportam como componentes lineares (aqueles em
que a aplicação de uma tensão senoidal produz uma corrente por eles também senoidal). Este efeito chave, chamado
característica retificadora, possibilita então a principal aplicação dos diodos, que consiste na transformação de sinais
alternados (que invertem de sentido no tempo) em sinais contínuos (CC), chamados circuitos retificadores.

6.1.1) SÍMBOLOS, CONVENÇÕES E ESPECIFICAÇÕES MÁXIMAS

Os símbolos esquemáticos do diodo de junção bipolar apresentam o formato de uma seta (Figura 6.2-a), que
indica explicitamente, no sentido convencional, o sentido em que ocorre a condução de uma corrente direta no diodo
(P → N). Como o substrato N do cristal contribui com elétrons para a formação de corrente direta, seu terminal é
chamado catodo (K) e, como a região P recebe estes elétrons, seu terminal é denominado anodo (A). Tais notações
podem ser acrescentadas ao símbolo do diodo como indicativos de seus terminais (Figura 6.2-b).
Além disso, sendo o diodo um dispositivo polarizado, é conveniente adotar uma convenção para a corrente no
diodo (ID) e ddp entre seus terminais (VD), que são normalmente os sentidos da corrente e tensão direta (Figura 6.2-b),
onde assumem valores positivos. Em polarização reversa, portanto, ID e VD assumem valores negativos. Desse modo,
a potência PD dissipada no diodo pode ser determinada pelo produto tensão-corrente em seus terminais, ou seja:
PD = VD I D (6.1)
Supondo VA o potencial elétrico no terminal anodo e VK o potencial no terminal catodo do diodo (Figura 6.2-b),
então a tensão VD entre os terminais do diodo em qualquer polarização pode ser determinada por: VD = VA − VK.
Os diodos apresentam largo emprego em circuitos de uso geral (retificadores, limitadores, reguladores, proteção
de componentes, etc) ou mesmo para processar pequenos sinais. Os materiais utilizados são basicamente o silício,
(exemplos: 1N4148, 1N914 e série “1N4000”) e o germânio (exemplos: AA119, 1N60 e OA90), e fabricados em
diversos formatos e potências (Figuras 6.2-c e d), podendo apresentar uma faixa em uma das extremidade para indicar
o terminal catodo (Figura 6.2-c) ou o próprio símbolo como indicativo de seus terminais (Figura 6.2-d).

P N
P N faixa
terminal terminal indicativa
anodo (A) catodo (K) do catodo

ID
A K
VA VK

VD
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.2: O diodo de junção bipolar: (a) símbolos esquemáticos, (b) nomenclaturas e convenções;
aparências diversas: (c) diodos retificadores de pequeno sinal, (d) diodos retificadores de potência.

69
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Como componente de circuitos elétricos, um diodo de junção deve ser projetado de modo a não ultrapassar
certos limites para não sofrer dano (carbonização) e resultar em curto-circuito ou aberto. Desse modo, como visto no
Capítulo 5, um cristal PN, e por conseguinte um diodo, apresenta basicamente duas especificações máximas:
1) Corrente direta máxima (IF): é a máxima corrente suportada pelo diodo em polarização direta, podendo esta ser
especificada como potência máxima. As folhas de dados dos fabricantes (chamados data sheets) definem duas
classes para os diodos: grandes sinais (> 0,5 W) e pequenos sinais (≤ 0,5 W). Logo, circuitos com diodos devem
sempre prover condições para que não sejam ultrapassados os limites de corrente ou potência máximos suportado
pelos diodos. Exemplos: 1N914 (potência máxima = 250 mW); série “1N4000” (IF = 1,0 A).
2) Tensão de ruptura (BV): é a tensão máxima suportada pelo diodo em polarização reversa (exceção: diodo zener,
visto mais adiante). As folhas de dados do fabricantes apresentam várias nomenclaturas para a tensão de ruptura,
tais como: PIV, PRV, VRM , VRWM , V(BR). Exemplos: 1N4001 (BV = 50 V), 1N4004 (BV = 400 V).

6.1.2) CARACTERÍSTICA CORRENTE-TENSÃO

Tensão e corrente são grandezas facilmente mensuráveis nos terminais de qualquer componente elétrico. Desse
modo, uma forma de se conhecer o princípio de funcionamento de um dispositivo reside no levantamento da chamada
característica corrente-tensão (ou tensão-corrente), também chamada característica I-V, que expressa de forma gráfica
o comportamento da corrente elétrica conduzida pelo dispositivo, em função da tensão aplicada em seus terminais.
Assim, considerando as convenções adotadas para corrente e tensão no diodo (Figura 6.2-b), o 1º quadrante da
característica I-V do diodo refere-se ao seu comportamento em polarização direta (VD e ID positivos), e o 3º quadrante
(VD e ID negativos) refere-se ao seu comportamento em polarização reversa (Figura 6.3-a). A Figura 6.3-b mostra
então a característica I-V típificada para um diodo de junção comum, normalmente levantada experimentalmente.
O gráfico da característica I-V do diodo representa então o comportamento do cristal PN polarizado, visto no
Capítulo 5. Em polarização direta, a corrente direta no diodo se inicia com a aplicação de valores de tensão superiores
ao da barreira de potencial do cristal PN, o que pode ser expresso por um valor limite Vγ chamado tensão de limiar,
acima da qual considera-se que o diodo conduz efetivamente, até o limite máximo IF ser atingido (Figura 6.3-b). Em
polarização reversa verifica-se que o diodo conduz uma corrente praticamente desprezível, a chamada corrente de
saturação reversa IS , até que o limite de tensão de ruptura BV do diodo seja atingido (Figura 6.3-b).
Assim, com base na característica I-V, pode-se definir dois modos de operação para o diodo (Figura 6.3-b):
1) Modo condução: modo de operação na chamada região de condução da característica (Figura 6.3-b), correspon-
dente ao comportamento do diodo quando a tensão aplicada é superior ao limiar, ou seja, VD > Vγ. Nesta região
observa-se que a corrente direta no diodo apresenta uma certa inércia inicial, devido ao retardo dos majoritários em
reagir ao campo elétrico aplicado, e passa a aumentar intensamente até o valor máximo IF ser atingido, resultando
em um comportamento não linear (na verdade, exponencial) para a corrente no modo condução (Figura 6.3-b).
2) Modo corte ou bloqueio: modo de operação na chamada região de corte da característica (Figura 6.3-b), corres-
pondente ao comportamento do diodo quando a tensão aplicada é igual ou inferior ao limiar Vγ, ou mesmo reversa,
até o limiar de ruptura, ou seja, −BV < VD ≤ Vγ , onde a corrente no diodo se resume à de saturação reversa IS.
Visto que as correntes e tensões direta e reversa distinguem entre si por várias ordens de grandeza, é freqüente a
utilização de escalas distintas para representar a característica I-V, como exemplificado na Figura 6.3-c. Além disso,
sendo os materiais semicondutores, como estudado, dependentes da energia térmica ambiente, as características I-V
dos diodos são normalmente levantadas experimentalmente para uma determinada temperatura de referência.

ID ID
ID (A)
P N IF
IS
polarização 1,0
direta
VD > 0 , ID > 0 0,5
-BV
0 -100 -20 -10
VD 0 Vγ VD
P N 0 0,5
IS VD (V)
polarização região de região de 10 nA
reversa corte condução
VD < 0 , ID < 0
(a) (b) (c)

Figura 6.3: Característica corrente-tensão de um diodo de junção: (a) definição dos quadrantes de polarização,
(b) comportamento e definição das regiões de operação; (c) exemplificação das ordens de grandeza nos eixos.
Uma propriedade prática do cristal PN reside no fato da junção se relacionar com grandezas acessíveis em seus
terminais. Assim, o comportamento da característica I-V do diodo nas regiões de condução e corte pode ser expresso
pela chamada equação de Shockley, que relaciona a tensão VD e corrente ID em seus terminais, e definida por:
70
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

 VD 
I D = I S  e T − 1
ηV
(6.2)
onde VT (V) é o já mencionado potencial termodinâmico (VT = T/11600, T em Kelvins) e o termo η é um parâmetro
admensional dependente do semicondutor, empregado como ajuste para o comportamento exponencial da região de
condução. Para o silício, por exemplo, o termo η é adotado próximo de 2 quando deseja-se uma especificação mais
suave para o comportamento exponencial, e se aproxima de 1 para comportamentos exponenciais mais acentuados.
Além disso, a avaliação de alguns parâmetros presentes na equação de Shockley demonstra que:
1) No modo condução, onde VD >> VT , tem-se que: exp(VD /ηVT) >> 1. Nesse caso, a equação (6.2) se resume a:
VD
η VT
ID = IS e (6.3)
ou seja, a corrente direta varia exponencialmente com a tensão aplicada quando em condução (Figura 6.3-b).
2) No modo corte, onde VD < 0 e |VD| >> VT , tem-se que: exp(VD /ηVT) << 1 e a equação (6.2) se resume a: ID = − IS ,
isto é, a corrente no diodo se resume ao valor de saturação reversa, de sentido contrário ao da corrente direta.
Como mencionado, a temperatura influencia na característica corrente-tensão do diodo e a equação (6.2), que
traduz esta característica, apresenta duas grandezas dependentes da temperatura: VT e IS . A equação para VT exprime
por si sua relação funcional com a temperatura. Em relação à corrente de saturação, dados experimentais mostram que
IS aumenta 7 % para cada aumento de 1 ºC na temperatura do diodo. Logo, para um aumento de 10 ºC, IS aumenta de
(1,07)10, cujo valor é aproximadamente 2. Conclui-se então que IS duplica com qualquer elevação de temperatura
igual a 10 ºC. Assim, conhecida a corrente IS à temperatura To , pode-se determinar IS a qualquer temperatura T por:
T − To
I S (T ) = I S (To ) × 2 10 (6.4)
Do exposto observa-se então que a corrente no diodo aumenta com a temperatura e
ID T1 > T2 > T3
conclui-se que a tensão necessária para um diodo conduzir a mesma corrente direta diminui
com o aumento da temperatura (figura ao lado). Neste caso, para cada aumento de 1 oC na
temperatura, tem-se tipicamente uma queda na tensão direta da ordem de 2,5 mV/oC. Assim,
a tensão VD(T) aplicada em um diodo à uma temperatura qualquer T, necessária para que este
conduza a mesma corrente verificada quando o mesmo é submetido a uma tensão VD (To) à
VD
temperatura de referência To , pode ser determinado segundo a equação:
VD (T ) = VD (To ) − 0,0025 × (T − To ) (6.5)
Diodos de silício apresentam temperatura máxima de trabalho em torno de 150 oC e os diodos de germânio em
torno de 100 oC, o que representa uma justificativa adicional para o predomínio do silício em relação ao germânio.

Exercício 1: Determine a variação de tensão aplicada em um diodo de silício a 300 K, necessária para que a corrente
direta aumente 10 vezes. Considere o parâmetro de ajuste exponencial (η) tendendo aos seus extremos.
Solução
→ Com visto na equação (6.3), o diodo exibe um comportamento exponencial quando em modo condução. Logo,
considerando-se dois pontos quaisquer de sua característica (figura ao lado), tem-se: ID
VD1 VD 2 ID2 2
η VT η VT
ponto 1: I D1 = I S e ; ponto 2 : I D 2 = I S e
→ Como o aumento de corrente deve ser 10 vezes maior então: ID2 = 10 ID1. Logo: ID1 1 VD
VD 2 VD1 VD 2 − VD1
η VT η VT η VT VD1 VD2
I D 2 = 10 I D1 ⇒ IS e = 10 I S e ⇒ e = 10 ⇒
ID
VD 2 − VD1 η→1 η→2
⇒ = ℓn(10) ⇒ VD 2 − VD1 = η VT ℓn(10) ⇒
η VT ID2
300
⇒ VD 21 = η ℓn(10) ⇒ ∴ VD 21 ≈ 0,06 η
11600 ID1
→ Assim, para a curva referente a η → 2 (figura ao lado), tem-se: VD21 = 0,12 V VD
E para a curva referente a η → 1 (figura ao lado), tem-se: VD21 = 0,06 V VD21 VD21
→ Logo, para um comportamento exponencial suave (η → 2), a variação na tensão do diodo necessária para aumentar
em 10 vezes sua corrente é de 0,12 V e, para um comportamento exponencial acentuado (η → 1), apenas 0,06 V.

6.2) ANÁLISE DE CIRCUITOS COM DIODOS


Circuitos com diodos podem ser calculados com o auxílio de características I-V destes componentes fornecidos
pelos fabricantes e resolvidos com o emprego da teoria de Circuitos Elétricos, que constitui-se na principal ferramenta
para a análise de circuitos. Neste caso, a solução do circuito baseia-se no emprego do conceito de reta de carga, que
apresenta resultados mais precisos por considerar o comportamento real dos diodos dados pelas características I-V.
71
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Circuitos com dispositivos não lineares podem ser calculados com o emprego de esquemas que representam o
comportamento destes dispositivos. Contudo, como os fundamentos da teoria de Circuitos Elétricos baseiam-se no
pressuposto de que todos os componentes de um circuito são lineares, então os modelos esquemáticos de qualquer
componente devem representar um comportamento linear. Estes modelos são normalmente baseados na linearização
por partes da característica I-V dos dispositivos não lineares e baseiam-se na combinação dos cinco componentes
lineares básicos ideais: resistor, capacitor, indutor e fontes de tensão e corrente. A aplicação destes modelos produzem
então resultados menos precidos, mas que são úteis como estimativa qualitativa do funcionamento do circuito.
Assim, para a análise de circuitos com diodos sem o auxílio de características I-V, pode-se então empregar
modelos que representam um funcionamento aproximado para os diodos, classificados em dois tipos: grandes sinais e
pequenos sinais e altas freqüências. Contudo, como os modos de operação dos diodos tem comportamento distintos, é
necessário fazer suposições sobre seu funcionamento no circuito. Além disso, o tipo de sinal de tensão que alimenta o
circuito determina como o ponto de operação dos diodos se altera no tempo, resultando em dois métodos de análise:
 Análise CC: método empregado quando todas as fontes de tensão do circuito são contínuas no tempo (CC). Desse
modo, cada diodo presente estará necessariamente funcionando em apenas um modo de operação.
 Análise CA: método empregado para o caso em que ao menos uma das fontes de tensão do circuito for variante no
tempo. Neste caso, cada diodo presente poderá funcionar em mais de um modo de operação.
Estes aspectos de modelos e métodos de análise de circuitos com diodos são então discutidos nos itens a seguir.

6.2.1) CONCEITO DE RETA DE CARGA

Como mencionado, na solução de circuitos com diodos pode-se empregar gráficos da características I-V do
componente, fornecidos pelo fabricante por meio de seus catálogos de especificações de produtos (data sheets). Neste
caso, o ponto de operação dos diodos no circuito podem ser determinados por meio de um método gráfico com auxílio
de uma equação obtida do circuito que contemple a relação matemática entre a corrente e a tensão dos diodos.
Assim, seja como exemplo o circuito da Figura 6.4-a, onde uma fonte de tensão CC de valor VS alimenta um
resistor limitador de corrente R e um diodo de junção D. Como o diodo está polarizado diretamente pela fonte VS , sua
característica I-V nesta região é apresentada na Figura 6.4-b. Sejam VD e ID , respectivamente, a tensão e a corrente no
diodo. Aplicando a Lei de Kirchoff das Tensões (LKT) no circuito, a expressão matemática de ID será dada por:
V − VD
VS − R I D − VD = 0 ⇒ ∴ ID = S
R
Considerando-se ID e VD como as variáveis da equação obtida, observa-se então que a relação entre ambas é
linear, o que define a chamada linha ou reta de carga do diodo. Neste caso, como ID e VD são também as variáveis da
característica I-V do diodo, pode-se então desenhar a reta de carga no gráfico da característica, tal como mostrado na
Figura 6.4-b. Como a reta de carga representa o funcionamento do circuito e a característica representa o do diodo,
então ambas tem que ser satisfeitas simultâneamente. Assim, o ponto Q de intersecção entre os gráficos, chamado
ponto de operação, funcionamento ou de repouso, é o único que satisfaz estas duas exigências, o que define então a
corrente e a tensão no diodo, dadas respectivamente pelos valores IDQ e VDQ obtidos no gráfico (Figura 6.4-b).
Analisando a Figura 6.4-b pode-se observar que a inclinação da reta de carga e suas intersecções com os eixos
dependem apenas de VS e R, significando que o ponto de operação pode sofrer mudanças se houver alterações nestes
parâmetros. Estas variações estão representadas na Figura 6.4-c, onde nota-se que o aumento de VS resulta em retas de
carga paralelas, pois ID aumenta com VS , e na Figura 6.4-d nota-se que um aumento de R resulta na redução de ID.
ID ID ID
reta de carga VS3 /R VS /R1 R3 > R2 > R1
VS3 > VS2 > VS1
R
VS VS2 /R VS /R2
ID R Q3 Q2
VS VD Q1
Q ponto de VS1 /R VS /R3
IDQ Q2
operação VD Q3 VD
Q1
0 VDQ VS VD 0 VS1 VS2 VS3 0 VS
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.4: (a) Circuito simples com diodo; (b) 1º quadrante da característica I-V do diodo, reta de carga e ponto de
operação Q; mudança do ponto de operação do diodo considerando as situações: (c) VS variando, (d) R variando.

Exercício 2: Para o circuito e segmento de polarização direta da característica I-V do diodo dados a seguir, pede-se:
a) Considere VS = 10 V e determine a potência consumida no diodo e a potência fornecida pela fonte VS.
b) Considere VS = 2 V e determine a potência consumida no diodo.
c) Supondo que o resistor de 4 Ω do circuito é substituído por um simples fio (curto-circuito), determine o valor da
fonte VS necessária para que o ponto de operação do diodo seja o mesmo obtido no item a).

72
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

ID (mA)
200

(a) 150 Q1
140 reta a
20 Ω I1 I2 4Ω
100
5Ω ID VD
VS
(A) (B) 50 reta b
Q2
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VD (V)
0,88
Solução
a) Para o cálculo das potências, é necessário antes determinar a distribuição de correntes e tensões no circuito. Logo:
→ Aplicando a Lei de Kirchoff das Correntes (LKC) no nó (a), tem-se: I1 = I2 + ID (1)
→ Para VS = 10 V, aplicando LKT na malha (A) do circuito e empregando o resultado definido em (1), tem-se:
10 − 20 I1 − 5 I 2 = 0 ⇒ 10 − 20 × ( I 2 + I D ) − 5 I 2 = 0 ⇒ I 2 = 0,4 − 0,8 I D (2)
→ Aplicando LKT na malha (B) do circuito e empregando o resultado obtido em (2), tem-se:
5 I 2 − 4 I D − VD = 0 ⇒ 5 × ( 0, 4 − 0,8 I D ) − 4 I D − VD = 0 ⇒ ∴ I D = 0, 25 − 0,125 VD (3)
→ A equação (3) apresenta uma relação linear entre ID e VD e constitui-se então na reta de carga do diodo. Como
uma reta pode ser traçada se conhecido pelo menos dois pontos pertencentes à mesma ,tem-se::
para: VD = 0,4 V ⇒ ID = 0,2 A = 200 mA ; para: VD = 1,2 V ⇒ ID = 0,1 A = 100 mA
→ Com estes dois pontos pode-se então traçar a reta de carga na característica I-V do diodo (reta “a” na figura) e,
na intersecção destas, obtém-se o ponto de operação (Q1) do diodo: VDQ = 0,88 V , IDQ = 140 mA = 0,14 A
→ Logo, da equação (2), tem-se: I 2 = 0, 4 − 0,8 I DQ = 0, 4 − 0,8 × 0,14 ⇒ ∴ I 2 = 0, 288 A
E da equção (1), tem-se: I1 = I 2 + I DQ = 0, 288 + 0,14 ⇒ ∴ I1 = 0, 428 A
→ Assim, tem-se: PD = VDQ I DQ = 0,88 × 0,14 ≈ 0,123 W , Pfonte = VS × I1 = 10 × 0, 428 ≈ 4,28 W
b) Para VS = 2 V e procedendo-se como no item a), obtém-se a reta de carga ID = 0,05 – 0,125 VD (reta “b”) e o ponto
de operação Q2: VDQ = 0,4 V e IDQ = 0 A. Logo, PD = 0 W pois observa-se que o diodo se encontra no bloqueio.
c) Com a incógnita VS , o resistor de 4 Ω substituído por um curto e considerando-se VD = 0,88 V e ID = 0,14 A (ponto
(a) de operação do diodo obtido no item a), tem-se (circuito ao lado):
→ Aplicando LKT na malha (A) do circuito, obtém-se:
20 Ω I1 0,14 A 5 I 2 − 0,88 = 0 ⇒ ∴ I 2 = 0,176 A (1)
I2
0,88 V → Aplicando LKC no nó (a) e com o resultado (1), obtem-se:
VS 5 Ω I1 = I 2 + 0,14 = 0,176 + 0,14 ⇒ ∴ I1 = 0,316 A (2)
(A) → Aplicando LKT na malha externa e usando o resultado (2), tem-se:
VS − 20 I1 − 0,88 = 0 ⇒ VS = 20 × 0,316 + 0,88 ⇒ ∴ VS = 7,2 V

6.2.2) MODELOS ESQUEMÁTICOS DO DIODO PARA GRANDES SINAIS

Como mencionado, os modelos do diodo baseiam-se na linearização por partes da característica I-V, que traduz
seu comportamento por componentes elétricos lineares e ideais. Assim, aproximando a característica I-V do diodo por
segmentos de reta em cada região de operação (Figura 6.5), tem-se basicamente os seguintes modelos esquemáticos:
1) Modelos do diodo no corte: como visto, os montantes de corrente dos diodos no modo corte são desprezíveis.
Logo, a linearização desta região pode se resumir a uma reta correspondente a uma condição de corrente nula e,
desse modo, o modelo para o diodo no corte corresponde a uma chave aberta com apenas uma tensão VD acessível
em seus terminais (Figura 6.5), sendo seus limites dependente do modelo em condução adotado para o diodo.
2) Modelos do diodo em condução: o modelo em condução a ser adotado depende da amplitude do sinal de tensão
que alimenta o circuito e da precisão exigida para os resultados da análise do circuito. Neste caso, a linearização da
região de condução resulta basicamente em três alternativas para os modelos esquemáticos do diodo:
2.1) Diodo ideal: este modelo expressa o comportamento de uma simples chave liga-desliga ideal (ON-OFF), no
sentido de que ele age como um curto-circuito (chave fechada) quando operando em condução, e como um
circuito aberto (chave aberta) quando operando no corte (Figura 6.5-a). Assim, observa-se que, quando em
condução, a corrente ID do diodo ideal pode assumir qualquer valor positivo, isto é, ID > 0, e, quando no corte,
a tensão VD em seus terminais pode assumir qualquer valor negativo, isto é, VD ≤ 0. O modelo ideal pode ser
empregado para propiciar uma compreensão inical do funcionamento de circuitos com diodos porque não é
preciso se preocupar com os efeitos de barreira de potencial e do comportamento exponencial do cristal PN.
73
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

2.2) Aproximado do real: este modelo baseia-se em uma maior aproximação da região de condução ao empregar
um segmento de reta que considera ambos os efeitos da barreira e o comportamento exponencial, traduzida
por uma fonte de tensão CC representando um valor de limiar Vγ , em série com uma resistência Rf de valor
igual ao inverso da declividade (tg θ) da reta (Figura 6.5-b). Neste caso, observa-se então que a corrente ID no
diodo pode assumir qualquer valor positivo quando operando em condução, isto é, ID > 0, e a tensão VD em
seus terminais pode assumir qualquer valor igual ou menor que o de limiar quando em corte, isto é, VD ≤ Vγ.
Desse modo, a ddp VD entre os terminais do diodo em condução com base nesse modelo será então dada por:
VD = Vγ + Rf ID , que é, afinal, a equação do segmento de reta que modela a região de condução. Este modelo
pode ser empregado quando as quedas de tensão no diodo são comparáveis ao das fontes de sinais de tensão
do circuito, sendo necessária então uma aproximação mais exata daquela propiciada pelo modelo ideal.
2.3) Aproximado do real simplificado: este modelo reside em uma simplificação do modelo aproximado do real,
ao desprezar o comportamento exponencial do modo condução do diodo e considerar apenas uma tensão de
limiar Vγ típica em um ponto centralizado da região de condução. Logo, a declividade do segmento de reta é
infinita (tg θ → ∞) e o resistor série Rf do modelo aproximado do real terá valor nulo (Rf = 1/tg θ = 0 Ω),
com o modelo se resumindo a uma fonte CC representando o valor de limiar Vγ típico (Figura 6.5-c). Pode-se
observar, contudo, que as condições de operação permanecem, isto é, a corrente ID no diodo pode assumir
qualquer valor positivo (ID > 0) quando em condução, e qualquer sua tensão qualquer valor menor ou igual ao
de limiar quando em corte (VD ≤ Vγ). Igualmente ao modelo aproximado do real, este modelo é empregado
quando as quedas de tensão no diodo são comparáveis ao dos sinais de tensão que alimentam o circuito.

ID ID A
ID
A
A A A Vγ A
ID Vγ ID
VD ID VD Rf VD
K
K K K K
K
θ 1
Rf =
0 Vγ VD 0 Vγ VD tg θ 0 Vγ VD

(a) (b) (c)

Figura 6.5: Modelos lineares do diodo: (a) ideal; (b) aproximado do real; (c) aproximado do real simplificado.

6.2.3) ANÁLISE CC

Fontes de tensão contínuas caracterizam-se por apresentar um valor constante ao longo do tempo. Logo, em
circuitos elétricos onde todas as fontes de tensão são do tipo contínuas, chamados circuitos CC, as quedas de tensão e
correntes nos demais componentes do circuito em regime permanente também são constantes no tempo.
Desse modo, para a análise de circuitos CC contendo diodos, pode-se concluir que cada diodo estará também
funcionando em um único ponto de operação (condução ou corte) constante no tempo. Contudo, em uma verificação
inicial do esquema elétrico do circuito, os modos de operação dos diodos podem não estar claramente identificáveis.
Assim, para a análise de circuitos CC com diodos, pode ser necessário preliminarmente descobrir em qual modo de
operação se encontra cada diodo, o que acarreta na necessidade de se fazer suposições gerais sobre o funcionamento
de cada diodo e testar a veracidade destas suposições (a chamada prova) com base em regras pré-estabelecidas.
Assim, a técnica de análise de circuitos CC contendo diodos baseia-se em um método de suposição e prova, na
qual deve-se admitir uma hipótese sobre o estado de cada diodo e testar se a mesma é verdadeira ou falsa, até que se
encontre a suposição verdadeira, onde os resultados da análise do circuito deverão fornecer esta indicação.
Em linhas gerais, a análise CC consiste então dos seguintes passos (fluxograma suscinto na Figura 6.6):
1) Inicialmente, identifica-se o número de suposições gerais possíveis caso tenha-se mais de um diodo presente no
circuito. Estas suposições gerais são compostas por hipóteses parciais admitidas para cada diodo individualmente.
Como cada diodo poderá funcionar em dois modos de operação, tem-se então que o número total de suposições
gerais existentes poderá ser determinado por 2n, sendo n o número de diodos presentes no circuito.
2) Preliminar aos cálculos do circuito propriamente, é conveniente realizar antes uma análise da disposição dos diodos
e demais componentes do circuito para discernir, dentre as suposições gerais existentes, quais são as realmente
possíveis, o que elimina cálculos desnecessários com hipóteses improváveis. O método de análise CC de circuitos
com diodos se limitará então em determinar qual das suposições gerais restantes (possíveis) é a verdadeira.
3) Para uma dada suposição geral possível, substitui-se cada diodo por um modelo equivalente, vistos na Figura 6.5,
de acordo com a precisão exigida nos cálculos. Com a aplicação dos modelos dos diodos, o circuito torna-se linear
e pode-se então proceder com os cálculos de tensões e correntes pela teoria de Circuitos Elétricos.
Assim, de acordo com a suposição geral feita, o modelo do diodo adotado (ideal ou aproximados) e com base
nas condições de operação verificada na definição dos modelos do diodo (vide item 6.2.1), tem-se que :
74
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

3.1) A hipótese do diodo se encontrar em condução será verdadeira se ID > 0. Logo, a hipótese será falsa caso
contrário (ou seja, ID ≤ 0) e, neste caso, deve-se testar outras suposições gerais possíveis.
3.2) A hipótese do diodo se encontrar no corte será verdadeira se VD ≤ Vγ (modelos aproximados) ou VD ≤ 0
(modelo ideal). Logo, a hipótese será falsa caso contrário (isto é, se VD > Vγ para os modelos aproximados
ou VD > 0 para o modelo ideal) e, neste caso, deve-se testar outras suposições gerais possíveis.
3.3) Deve-se observar que uma suposição geral é verdadeira somente se todas as hipóteses parciais que a compõem
são verdadeiras. Logo, se um resultado comprovar que determinada hipótese parcial é falsa, então a hipótese
geral é falsa e pode-se interromper os cálculos para realizar a análise de outra suposição geral possível.
4) O processo de suposição e prova da análise CC se encerra então quando a suposição geral verdadeira é encontrada
e, com a identificação do funcionamento dos diodos, pode-se por fim determinar os demais cálculos do circuito.

Identificar todas as Fazer uma hipótese Cálculos: Hipótese sim Demais


hipóteses possíveis dentre as possíveis análise de verdadeira?
cálculos
para os diodos e aplicar modelos circuitos (prova)

não

Figura 6.6: Fluxograma sucinto do método de suposição e prova da análise CC de circuitos contendo diodos.

Exercício 3: Para o circuito e característica corrente-tensão linearizada dos diodos empregados, fornecidos a seguir,
determine o valor da tensão de saída Vo do circuito para os seguintes casos de fontes de tensão de entrada V1 e V2:
(a) V1 = V2 = 5 V ; (b) V1 = V2 = 0 V ; (c) V1 = 0 V e V2 = 5 V
+5V
modo corte modo condução
ID A ID A
4,7 kΩ
300 Ω D1 VD ID
0,7 V
V1 Vo K
K

300 Ω D2 0 0,7 VD (V) 0


V2 0,7 VD (V)

Solução
No circuito dado, as fontes V1 , V2 e 5 V representam potenciais em relação à referência 0 V, que está implícita,
o que é uma esquematização bastante utilizada para tornar mais simples a representação de um circuito.
Como as fontes são contínuas, então a resolução do problema consiste na análise CC. Além disso, baseado na
característica I-V linearizada, pode-se obter os modelos em condução e corte dos diodos, mostrados na figura acima.
O circuito apresenta dois diodos comuns (n = 2) e, portanto, existem 2n = 22 = 4 suposições gerais: D1 e D2 em
condução, D1 em condução e D2 no corte, D1 no corte e D2 em condução, e D1 e D2 no corte. Adicionalmente, pode-se
observar que, se as fontes V1 e V2 apresentarem o mesmo nível de tensão, então os ramos do circuito com diodos serão
eletricamente iguais e conclui-se que os diodos estarão funcionando necessariamente no mesmo modo de operação.
(a) V1 = V2 = 5,0 V :
Com base na análise preliminar, sendo ambas as fontes V1 e V2 iguais, então os diodos tem modos de operação
iguais. Assim, conclui-se que há 2 hipóteses gerais possíveis: D1 e D2 em condução, e D1 e D2 no corte. Testes:

I = 2 ID1 ID1 ID2 Vo I=0 ID1 = 0 ID2 = 0 Vo


A A A A
4,7 kΩ 0,7 V 0,7 V 4,7 kΩ VD1 VD2
K K K K

1 300 Ω 300 Ω 1 300 Ω 300 Ω

5V 5V
5V 5V 5V 5V

(a) (b)
→ Suposição geral 1: D1 e D2 em condução
Substituindo-se o modelo fornecido dos diodos em condução, obtém-se o circuito da figura (a). Como os
ramos com diodos são iguais, então pode-se definir que: ID1 = ID2 e a corrente I pode ser dada por: I = 2 ID1.
Aplicando LKT (Lei de Kirchoff das Tensões) na malha 1, tem-se:
5 − 4700 × 2 I D1 − 0,7 − 300 I D1 − 5 = 0 ⇒ ∴ I D1 ≈ − 72 µ A < 0

75
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Como ID1 = ID2 < 0 então, de acordo com regra 3.1), esta hipótese geral é falsa. Desse modo, deve-se
prosseguir com o método da análise CC e testar outras hipóteses gerais possíveis.
→ Suposição geral 2: D1 e D2 no corte
Substituindo-se o modelo fornecido dos diodos no corte, obtém-se o circuito da figura (b). Similarmente,
como os ramos com diodos são iguais, pode-se definir então que: VD1 = VD2 .
Aplicando LKT na malha 1, tem-se que: 5 − VD1 − 5 = 0 ⇒ ∴ VD1 = 0 V < 0,7 V
Como VD1 = VD2 < 0,7 V, tem-se então que, de acordo com regra 3.2), ambas as hipóteses parciais são
verdadeiras e, portanto, a suposição geral é verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
5 – Vo = 0 ⇒ ∴ Vo = 5 V
(b) V1 = V2 = 0 V :
Novamente, com V1 e V2 iguais, então os diodos tem modos de operação iguais: D1 e D2 em condução, e D1
e D2 no corte. Contudo, como não há aplicação de tensão no lado do catodo dos diodos (V1 = V2 = 0 V), pode-se
concluir que, sendo a fonte fixa de 5 V suficiente para fazer os diodos D1 e D2 conduzir por ser maior que os seus
limiares (0,7 V), então a hipótese geral D1 e D2 em condução aparenta ser a suposição verdadeira. Teste:
→ Suposição geral: D1 e D2 em condução
Substituindo-se o modelo para os diodos em condução, I = 2 ID1 ID1 ID2
obtém-se o circuito da figura ao lado (fonte de tensão nula Vo
A A
é modelada como um curto-circuito). Como os ramos com 4,7 kΩ
diodos são iguais, então pode-se observar que: ID1 = ID2 e 0,7 V 0,7 V
a corrente I pode ser definida como: I = 2 ID1. 1 K K
Aplicando LKT na malha 1 tem-se:
5 − 4700 × 2 I D1 − 0,7 − 300 I D1 = 0 300 Ω 300 Ω
5V
∴ I D1 = I D 2 ≈ 0, 44 mA > 0
Assim, como ID1 = ID2 > 0, de acordo com regra 3.1) tem-se então que ambas as hipóteses parciais são
verdadeiras e, portanto, a suposição geral é verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
5 − 4700 × 2 I D1 − Vo = 0 ⇒ Vo = 5 − 4700 × 2 × 0, 44 × 10−3 ⇒ ∴ Vo ≈ 0,86 V
(c) V1 = 0 V e V2 = 5 V
Com V1 = 0 V então, de acordo com a suposição verdadeira encontrada no item (b), pode-se presumir que o
diodo D1 está provavelmente operando no modo condução. Similarmente, com V2 = 5 V então, de acordo com a
suposição verdadeira obtida no caso (a), pode-se presumir que o diodo D2 está provavelmente no corte. Teste:
→ Suposição geral: D1 em condução e D2 no corte
Substituindo-se o modelo do diodo D1 em condução e do diodo D2 no corte, obtém-se o circuito abaixo.
Neste caso, tem-se que ID2 = 0 e, portanto, I = ID1.
Aplicando LKT na malha 1, tem-se: I = ID1 ID1 ID2 = 0 Vo
A A
5 − 4700 I D1 − 0,7 − 300 I D1 = 0
4,7 kΩ VD2
∴ I D1 = 0,86 mA > 0 0,7 V
K K
Aplicando LKT na malha 2, tem-se: 1 2
300 I D1 + 0,7 − VD 2 − 5 = 0 ⇒ 300 Ω
300 Ω
⇒ VD 2 = 300 × 0,86 × 10−3 + 0,7 − 5 ⇒
5V
⇒ ∴ VD 2 ≈ − 4,04 V < 0,7 V 5V
Como ID1 > 0 então, de acordo com a regra 3.1), a hipótese parcial D1 em condução é verdadeira. Além
disso, sendo VD2 < 0,7 V então, com base na regra 3.2), a hipótese parcial D2 no corte também é verdadeira.
Logo, a suposição geral é verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
5 − 4700 I D1 − Vo = 0 ⇒ Vo = 5 − 4700 × 0,86 × 10−3 ⇒ ∴ Vo ≈ 0,96 V
Obs: o circuito tem o comportamento da chamada porta lógica AND: se as entradas V1 e V2 são “altas” (5 V), a saída
será “alta” (5 V - caso a), e se ao menos uma for “baixa” (0 V), a saída será baixa (0,86 V - caso b, 0,96 V - caso c).

6.2.4) ANÁLISE CA

Fontes de tensão variantes no tempo, chamados sinais, caracterizam-se por apresentar alterações em seu valor
ao longo do tempo, podendo conter inclusive inversão de polaridade. Desse modo, as quedas de tensão e correntes nos
demais componentes do circuito em regime permanente também apresentam comportamento variante no tempo.
Assim, em circuitos com diodos onde pelo menos uma fonte do circuito for variante no tempo (por exemplo,
fonte alternada, dita CA), observa-se que um diodo poderá funcionar em mais de um modo de operação devido à sua
tensão de polarização ser também variante no tempo, ou ainda, vários diodos presentes no circuito poderão assumir
mais de uma combinação possível de modos de operação. Neste caso, a estratégia da suposição e prova da análise CC
de circuitos com diodos vista anteriormente se mostra inadequada e necessita ser adaptada para esta situação.

76
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Esta adaptação origina a chamada análise CA, que consiste em determinar, para cada suposição geral possível,
uma equação, denominada característica de transferência (CT), para expressar o comportamento do sinal do circuito
que se quer estudar, chamada variável de saída, em função dos sinais aplicados ao circuito, chamadas variáveis de
entrada. Além disso, como cada suposição geral apresenta condições para a sua veracidade, deve-se então determinar
também as condições impostas às variáveis de entrada para que cada característica de transferência seja verdadeira.
Características de transferência consistem em uma relação matemática entre variáveis de entrada e saída de um
circuito. Por exemplo, para um circuito qualquer exemplificado na Figura 6.7-a, sendo a fonte de tensão vS a variável
de entrada e o sinal de tensão vo a variável de saída, a característica de transferência consistirá de uma equação que
contempla o comportamento da saída vo em função da entrada vS, isto é, vo = f(vS). Assim, se o sinal de entrada vS tiver
alterações no valor, a característica de transferência determinará então que modificações sofrerá a variável de saída vo.
Características de transferência que definem relações entre correntes e tensões consistem de equações de retas
do tipo: y = m x + b, onde a declividade (m) define como o sinal de entrada é refletido na saída, que pode ser: igual
(Figura 6.7-b), atenuado (Figura 6.7-c), amplificado (Figura 6.7-d), ou ainda com inversão de fase (Figura 6.7-e).
vo
vo vo vo
variável de variável
entrada de saída

circuito vS
vS qualquer vo vS θ vS vS
θ θ
θ

C.T.: vo = m vS + b θ = 45º 0o < θ < 45º 45º < θ < 90º θ > 90º
m = declividade m = tg(θ) = 1 0<m<1 m>1 m<0
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 6.7: Característica de transferência (C.T.): (a) variáveis de entrada e saída e definições; consequências da
declividade (m) para o sinal de saída: (b) mesma amplitude, (c) atenuação, (d) amplificação, (e) inversão de fase.
Em linhas gerais, a análise CA consiste então dos seguintes passos (fluxograma suscinto na Figura 6.8):
1) Listar as suposições gerais existentes sobre o funcionamento dos diodos. Em certos casos, pode-se realizar uma
análise da disposição dos diodos para determinar quais das suposições gerais são realmente possíveis.
2) Aplicar os modelos aproximados ou ideal e resolver o circuito pela teoria de Circuitos Elétricos (Leis de Kirchoff).
3) Para cada hipótese feita, determinar a característica de transferência e a condição para que a mesma seja verdadeira,
onde estas condições são determinadas com base nas mesmas regras adotadas para a análise CC, ou seja:
 Modo condução: ID > 0 (para os modelos ideal e aproximados);
 Modo corte ou bloqueio: VD ≤ Vγ (modelos aproximados) ou VD ≤ 0 (diodo ideal).
Nesta etapa, é importante certificar o cumprimentos alguns requisitos para os resultados dos cálculos do circuito:
3.1) O sinal de entrada deve ser tratado como variável para a determinação das características e condições, ou seja,
sem considerar a forma de onda deste sinal, que será empregado apenas na realização do passo 4.
3.2) A equação de uma característica de transferência deve ser expressa de modo que as únicas incógnitas sejam as
variáveis de entrada e saída, pois os demais parâmetros do circuito são considerados conhecidos;
3.3) As condições obtidas para cada suposição geral possível são impostas apenas à variável de entrada, ou seja,
são independentes da variável de saída escolhida para estudo e demais parâmetros do circuito;
3.4) Como a característica I-V do diodo (e conseqüentemente seus modelos) não apresenta descontinuidades, então
tanto as características de transferência quanto as respectivas condições são contíguas (complementares) em
seus limites (pontos de fronteira), o que pode ser empregado para testar a veracidade dos resultados.
4) Obter os demais resultados (usualmente, formas de onda do sinal de saída para um determinado sinal de entrada).

Fazer uma Análise de circuitos Todas as


Analise preliminar
hipótese dentre (características de hipóteses sim Demais
(hipóteses possíveis
as possíveis e transferência e possíveis? cálculos
para os diodos)
aplicar modelos respectivas condições)

não

Figura 6.8: Fluxograma simplificado da métodologia de análise CA de circuitos contendo diodos.


O comportamento de chave ON-OFF dos diodos é explorado em diversas classes de circuitos para modificar as
formas das ondas elétricas. A seguir,são então introduzidos os fundamentos de alguns tipos destes circuitos.
77
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

6.2.4.1) Retificadores com diodos

Retificadores são circuitos utilizados para converter tensão alternada (e conseqüentemente corrente alternada),
que geralmente se dispõe, em tensão (corrente) contínua, que a maioria dos circuitos eletrônicos necessita.
Seja então o circuito apresentado na Figura 6.9-a, constituído por uma fonte de tensão vS (variável de entrada),
que alimenta uma resistência de carga RL com uma tensão vL (variável de saída) através de um diodo D.

A K A K

D Vγ Rf vD
vS RL vL vS iD RL vL vS RL vL

(a) (b) (c)

Figura 6.9: Retificador de meia-onda com diodo: (a) esquema do circuito; (b) circuito de cálculo
para o modo em condução do diodo; (c) circuito de cálculo para o modo em bloqueio do diodo.
Como a fonte vS é variante no tempo, então a tensão de polarização do diodo poderá levá-lo tanto à condução
quanto ao corte. Logo, deve-se realizar a análise CA para as duas hipóteses possíveis para a operação do diodo.
Adotando-se o modelo aproximado do real para o diodo como exemplificação dos cálculos da análise CA e
considerando-se o sinal vS como variável de entrada e a tensão vL como variável de saída do circuito, tem-se:
→ Suposição 1: D em condução
Substituindo-se o modelo aproximado do real do diodo no modo condução obtém-se o circuito da Figura 6.9-b.
Aplicando-se LKT na malha do circuito e considerando-se iD > 0 como a condição do diodo em condução, tem-se:
vS − Vγ
vS − Vγ − R f iD − RL iD = 0 ⇒ iD = > 0 ⇒ ∴ v S > Vγ → condição
RL + R f
que é a condição para que esta suposição seja verdadeira. Assim, a equação da tensão de saída vL será dada por:

vL = RL iD = RL
( vS − Vγ ) ⇒ ∴ v = RL v − RL Vγ → característica de transferência
RL + R f
L S
RL + R f RL + R f
A equação obtida expressa o comportamento da saída vL em função apenas da entrada vS , isto é, vL = f(vS), visto
os demais parâmetros serem constantes e conhecidos, e define então na característica de transferência do circuito
para o diodo em condução. Logo, se a vS entrada satisfazer a condição vS > Vγ , então o diodo está em condução e a
equação pode ser empregada para determinar a forma de onda da saída de acordo com o sinal entrada.
Além disso, pode-se observar que a equação da característica é uma reta de declividade m = RL/(RL + Rf), tal
que: 0 < m < 1, ou seja, o sinal de entrada sofre atenuação na saída, que ocorre devido à queda de tensão no diodo.
→ Suposição 2: D no corte
Substituindo-se o modelo no corte do diodo (Figura 6.9-c), observa-se que a corrente no circuito é nula. Logo, a
equação da saída vL será dada por: vL = RL iD ⇒ ∴ vL = 0 V → característica de transferência
Aplicando-se LKT na malha do circuito, tem-se: vS − vD − vL = 0 ⇒ ∴ vD = vS (1)
Sendo vD ≤ Vγ a condição para o diodo no corte então, do resultado (1), tem-se: vS ≤ Vγ → condição
Logo, quando a condição vS ≤ Vγ é satisfeita, o diodo D entra no corte e a característica de transferência obtida
pode ser utilizada para se determinar o comportamento da saída de acordo com o sinal entrada.
→ Teste da veracidade dos resultados: seguindo a recomendação 3.4 da análise CA, observa-se então que as duas
condições obtidas (vS > Vγ e vS ≤ Vγ ) são complementares. Além disso, com a introdução do ponto de fronteira
entre as duas condições (vS = Vγ) na característica de transferência para o diodo em condução, obtém-se: vL = 0,
que é igual ao resultado para o diodo no corte. Assim, conclui-se que os cálculos realizados estão corretos.
Supondo-se que a variável de entrada seja uma fonte de sinal alternado sendoidal vS = Vm sen(ωt) então, com
base nas características de transferência e respectivas condições obtidas, pode-se determinar a forma de onda da saída
vL com base nesta entrada. A Figura 6.10-a mostra então o comportamento da saída vL , onde observa-se que, enquanto
a entrada vS for menor ou igual ao nível de limiar do diodo (vS ≤ Vγ), a saída vL será nula segundo sua correspondente
característica de transferência e, quando vS ultrapassa o limiar do diodo (vS > Vγ), surge o sinal de entrada atenuado na
saída vL segundo sua correspondente característica de transferência. Conclui-se então que este circuito converte tensão
de entrada CA em uma tensão CC pulsante, pois a saída vL é sempre positiva ou nula e, desse modo, a corrente flui na
carga RL somente em um sentido. Como mencionado, este processo é chamado retificação e, como a tensão na carga
surge em apenas meio ciclo do sinal de entrada, o circuito é porisso denominado retificador de meia onda.
Na Figura 6.10-a observa-se também que o diodo não inicia sua condução no tempo ωt = 0, mas a partir de um
certo ângulo φi , chamado ângulo de condução de corrente, exigido para que a tensão da fonte vS se iguale à tensão de
limiar Vγ de modo a vencer a barreira de potencial do cristal PN. Logo, quando ωt = φi então vS = Vγ e obtém-se:
78
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

 Vγ 
vS = Vm sen(ωt ) ⇒ Vγ = Vm sen(φi )
∴ φi = arcsen  
⇒ (6.6)
 Vm 
Com base na equação (6.6) observa-se que quanto maior o valor máximo do sinal de entrada (Vm) em relação ao
limiar do diodo (Vγ), menor será o ângulo de condução φi. Logo, se Vm >> Vγ então φi → 0 e, neste caso, conclui-se
que a queda de tensão no didodo pode ser desprezada e o mesmo pode ser modelado como ideal. Assim, considerando
Vγ = 0 V Rf = 0 Ω (modelo do diodo ideal), tem-se o comportamento do sinal de saída vL para a entrada vS mostrado
na Figura 6.10-b, onde as características de transferência e respectivas condições serão agora definidas por:
→ Suposição D em condução: vL = vS (característica de transferência), para vS > 0 (condição). Logo, a saída
passa a acompanhar totalmente a entrada devido à declividade unitária da característica (m = 1).
→ Suposição D no corte: vL = 0 (característica de transferência), para vS ≤ 0 (condição).
vS , vL vS , vL vL para
Vm Vm Vm >> Vγ


vL

0 π 2π 3π ω t 0 π 2π 3π ω t
φi
vS vS
- Vm - Vm
(a) (b)

Figura 6.10: Formas de onda de entrada e saída do retificador de meia-onda para: (a) modelo
aproximado do diodo real, com identificação do ângulo de condução; (b) modelo do diodo ideal.
Contudo, circuitos de corrente contínua exigem níveis de tensão praticamente constantes no tempo e os sinais
assim retificados constituem-se de ondulações na forma de pulsos que devem ser atenuados o máximo possível. Esta
atenuação pode ser conseguida com o emprego de um filtro capacitivo no circuito, que consiste na introdução de um
capacitor em paralelo com a carga. A Figura 6.11-a mostra então o retificador de meia onda com um capacitor de
filtro, onde observa-se que a tensão de saída vL na carga RL passa a ser determinada pela tensão do capacitor C.
Para o estudo do efeito filtragem do capacitor, a Figura 6.11-b mostra a forma de onda da tensão de carga vL
para uma entrada senodial vS = Vm sen(ωt), considerando o diodo D modelado como ideal, e uma chave k que se fecha
no instante t = 0 s para a entrada vS. Nota-se então que, no primeiro quarto de ciclo do sinal de entrada vS (0 → π/2), o
diodo entra em condução (vS > 0) e a tensão no capacitor acompanha a entrada vS , com o capacitor carregando-se até
Vm , ou seja, vL = Vm (Figura 6.11-b). Porém, entre os instantes de tempo π/2 e t1, observa-se que a entrada vS , que
polariza o anodo do diodo (VA), passa a diminuir e se torna menor que a tensão no capacitor, que polariza o catodo do
diodo (VK), o que resulta na polarização reversa (pois VD = VA − VK < 0) e no bloqueio do diodo D. Este fato permite
então ao capacitor se descarregar sobre a carga RL até o instante t1, onde a entrada vS volta a ser maior que a tensão no
capacitor, o que faz o diodo entrar em condução e carregar novamente o capacitor (vL segue novamente a entrada vS),
até o instante 5π/2, onde o diodo entra de novo no corte, e assim sucessivamente o processo se repete (Figura 6.11-b).
A forma de onda de tensão vL na carga resulta então em comportamento aproximadamente constante, contendo
ainda uma certa ondulação, denominada ripple (Figura 6.11-b), que surge devido ao descarregamento/carregamento
do capacitor. A Figura 6.11-c mostra um resultado similar considerando-se o modelo aproximado do real do diodo,
onde observa-se que a tensão na carga RL não segue totalmente a entrada vS devido à queda de tensão no diodo.
vL descarregamento do capacitor vL vL com
k VA VK
carregamento do capacitor capacitor
t=0s D Vm Vm
ripple
vS C RL vL vL s/ vL com vL s/
cap. capacitor cap.
0 π/2 t1 5π/2 ωt 0 π/2 3π/2 ωt
(a) (b) (c)

Figura 6.11: (a) Circuito retificador de meia onda contendo capacior de filtro; forma de onda da tensão de carga
vL e formação do ripple, considerando o modelo do diodo como: (b) diodo ideal, (c) aproximado do real.
A forma da tensão obtida na saída do retificador ainda não é adequada para alimentar cargas que exigem uma
tensão CC praticamente constante, ou seja, sem a presença de um ripple acentuado. Neste caso, como o ripple resulta
do descarregamento do capacitor na carga, deve-se então buscar maneiras de reduzir a descarga do capacitor.
79
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Uma forma de diminuir o descarregamento do capacitor de modo a reduzir o ripple consiste no aumento da
resistência de carga RL (com, por exemplo, a conexão de resistências de carga com menor potência de consumo), o
que acarreta na diminuição da corrente de descarga do capacitor. Similarmente, outra forma consiste em introduzir um
capacitor maior, pois maior capacitância implica em maior capacidade de armazenamento de carga e, por conseguinte,
maior capacidade de fornecimento de eletricidade à resistência de
vL C3 > C2 > C1
carga e em menor descarregamento (Figura 6.12) do capacitor. Vm C3
Estas práticas para a atenuação do ripple podem ser também C2
entendidas observando-se que, durante o descarregamento, a carga RL C1
e o capacitor C formam um circuito RC autônomo. Desse modo, pela
teoria de Circuitos Elétricos, sabe-se que a rapidez da descarga do
0 ωt
capacitor se dá pela chamada constante de tempo τ = RC. Neste caso,
como um pequeno valor de τ comparado ao período da sinal implica
Figura 6.12: Atenuação do ripple na carga
em uma descarga mais rápida, então necessita-se elevar o parâmetro τ como resultado do aumento da capacitância.
com o aumento de C e/ou RL de modo a reduzir ao máximo o ripple.
Uma melhoria importante do retificador de meia-onda para a atenuação do ripple advém da observação de que
o carregamento do capacitor ocorre apenas durante o semiciclo positivo do sinal de entrada vS (Figura 6.11). Este fato
sugere que, se o semiciclo negativo for também aproveitado para o carregamento do capacitor, então consegue-se uma
maior eficiência na retificação de um sinal, pois o descarregamento e, por conseguinte o ripple, será menor. Este é o
caso dos chamados retificadores de onda completa, classificados em dois tipos: meia amplitude e amplitude completa.
Seja então na Figura 6.13-a um circuito retificador com diodos que emprega um transformador em cujo lado
secundário se encontra disponível um divisor de igual número de espiras, chamado tap central (“center tap”). Neste
caso, o tap central possibilita a obtenção de dois retificadores, um para cada semiciclo (positivo e negativo) da tensão
no secundário do transformador, de modo a direcionar para o capacitor a meia-onda de cada semiciclo sempre no
mesmo sentido (Figura 6.13-a). Como os dois semicilos são aproveitados, então o capacitor C demorará um tempo
menor para ser recarregado, o que reduz os níveis de ripple na tensão de saída da carga (Figura 6.13-b). Como apenas
meia amplitude do secundário é aproveitada, este retificador de onda-completa é então chamado de meia-amplitude.
vS , vL vL com
Vm capacitor
vS /2 Vm/2
vP
vS /2
C RL vL 0 ωt
vL sem
transformador vS capacitor
abaixador -Vm
(a) (b)

Figura 6.13: (a) Retificador de onda completa e meia amplitude; (b) forma de onda de saída na carga.
Similarmente, a Figura 6.14-a mostra um circuito retificador que emprega um conjunto de 4 diodos conectados
em um formato chamado ponte, de modo a promover o desvio de ambos os semiciclos positivo e negativo da tensão
completa no secundário do tranformdador, para que incidam no capacitor sempre no mesmo sentido (Figura 6.14-a),
ou seja, com o aproveitamento dos dois semicilos, tem-se novamente um tempo menor de descarregamento para o
capacitor, o que reduz os níveis de ripple (Figura 6.14-b). Como neste caso é empregado a amplitude total da tensão,
este circuito é denominado retificador de onda completa em ponte. Além disso, por ser bastante comum a construção
destes retificadores, a Figura 6.14-c mostra a aparência de um CI (circuito integrado) contendo uma ponte de diodos.

vS , vL vL com capacitor
Vm
vP vS

C RL vL 0 ωt
vS vL sem
transformador
capacitor
abaixador -Vm
(a) (b) (c)

Figura 6.14: (a) Retificador de onda completa em ponte; (b) forma de onda de saída; (c) CI em ponte comercial.
O filtro capacitivo empregado até aqui é o mais simples e, na necessidade de uma filtragem maior, pode-se
empregar configurações mais eficientes, tais como as mostradas nas Figuras 6.15-a e b. Estes filtros baseiam-se no
fato de todo sinal periódico não senoidal, como é o caso das ondulações de ripple, poder ser decomposto em sinais
80
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

senoidais de freqüência múltipla de um certo valor fundamental (por exemplo, 60 Hz), chamadas harmônicas. Assim,
como a impedância de um indutor aumenta com a freqüência e de um capacitor diminui, então o elemento indutor
tende a bloquear as senoides de maior freqüência e o elemento capacitor a desviar de volta à fonte outras senoides de
maior freqüência, restando na saída de carga apenas uma componente CC e harmônicas de baixa freqüência.
Quando um projeto de retificador não atende sozinho todos os requisitos de corrente que a carga exige, pode-se
empregar ainda certos CI’s chamados reguladores de tensão, que possuem apenas três terminais (Figura 6.15-c) e têm
como exigência apenas que seja aplicada uma tensão na entrada (pino 1) pelo menos 3 V acima da tensão que se
deseja na sua saída para a carga (pino 3). Uma série popular destes reguladores é a 78XX, onde XX é o valor da
tensão de regulação. Exemplos: 7806 e 7812, com tensão de saída regulada em 6 e 12 V, respectivamente.

progressão do sinal até a carga D1 CI regulador de tensão

1 3
L L
D D
C RL C C RL C 2
RL
D2

(a) (b) (c)

Figura 6.15: Filtragem: (a) LC em “L”, (b) LC em “π”; (c) fonte CC com CI regulador de tensão comercial.
O princípio de funcionamento dos retificadores com diodos pode ser utilizado também para se obter um efeito
multiplicador de tensão, que consiste na obtenção na saída, em termos ideais, de múltiplos (2x, 3x, 4x, etc.) do valor
máximo do sinal de entrada (exemplo: dobrador de tensão da Figura 6.16-a). Estes circuitos são empregados quando
necessita-se obter níveis de tensão CC maiores que o valor máximo disponível pela fonte de tensão de entrada.
Outra aplicação com base nos retificadores com diodos consiste na construção das chamadas fontes simétricas,
que consiste no fornecimento de dois níveis CC (positivo e negativo) na saída em relação a um terminal de referência
(exemplo na Figura 6.16-b), empregadas na polarização de componentes eletrônicos ou equipamentos que necessitam
de níveis de tensão CC +/− para o seu correto funcionamento (exemplo: amplificadores operacionais).
+V m
Vm D1 D1 D3
2 Vm C1
C1
-Vm
0V

C2 C2
D2 D2 D4
– Vm
(a) (b)

Figura 6.16: Outras aplicações: (a) duplicador de tensão tipo dobrador; (b) fonte simétrica com diodos.

6.2.4.2) Ceifadores com diodos

O comportamento chave dos diodos pode também ser aproveitado para selecionar uma parte do sinal de entrada
a ser transferida à saída, chamados ceifadores. Estes circuitos podem empregar fontes de tensão CC, cujas polaridades
definem níveis de referência positivos ou negativos para a seleção do sinal de entrada. A disposição dos diodos no
circuito, por sua vez, define qual parte do sinal de entrada, acima ou abaixo dos níveis de referência, será transferida à
saída, ou seja, a lógica de ceifamento. Estas combinações definem então os três tipos de ceifadores com diodos:
 Limitadores ou grampos: selecionam a parte do sinal de entrada abaixo de um nível positivo, chamado grampo
positivo ou +, ou acima de um nível negativo, chamado grampo negativo ou − (exemplos nas Figuras 6.17-a e b).
 Detetores de pico: selecionam uma parte da entrada acima de um nível positivo, chamado detetor de pico positivo
ou +, ou abaixo de um nível negativo, chamado detetor de pico negativo ou − (exemplos nas Figuras 6.17-c e d).
 Fixadores: derivam da associação de um grampo + e um grampo − para selecionar uma faixa da entrada (exemplo
na Figura 6.17-e), ou ainda um grampo + e um detetor de pico +, ou um grampo − e um detetor de pico −.
Circuitos ceifadores são então empregados para deformar a forma de onda de um sinal requerida por alguma
aplicação. Por exemplo, grampos e fixadores podem ser empregados como proteção de cargas, e detetores de pico
para a contagem de eventos de ultrapassagem de um nível de referência específico por parte do sinal de entrada.
Outra aplicação do efeito chave dos diodos consiste na introdução de um nível CC para o sinal de entrada,
denominados grampeadores CC (exemplo na Figura 6.17-f), que são utilizados quando se necessita acrescentar um
nível CC +/− a um pequeno sinal para que este possa ultrapassar um componente do circuito com mínima atenuação.
81
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

R vo vS R vo vo
D D
VR
(a) vS (b) vS
VR -VR
VR vo
vS
grampo + grampo −

R vo vo R vo vS
D VR
D
(c) vS (d) vS
VR -VR
VR vS vo
detetor de pico + detetor de pico −

R vS vo
D1 D2 vo C vo 2 V m
VR1
(e) vS (f) vS D Vm
VR2 VR2
VR1 vo
-Vm vS
fixador com grampo + e grampo − grampeador CC +

Figura 6.17: Esquemas simplificados de circuitos grampo +/−, detetor de pico +/−, fixador e grampeador CC +.

Exercício 4: Para o circuito fornecido abaixo, considere o modelo ideal para o diodo e determine a forma de onda da
saída vo para uma entrada vS composta por um sinal senoidal de amplitude 20 V e uma componente CC de 10 V.
A K A K

vo iD vo vo
D vD
5Ω 5Ω 5Ω (2)
vS vS (1) vS (1)
20V 20V 20V

(A) (B)
Solução
Analisando-se o circuito observa-se que, apesar da presença de uma fonte CC (20 V), a fonte variante no tempo
vS poderá polarizar o diodo D em seus dois modos de operação (condução e corte), ou seja, deve-se proceder com a
análise CA de circuitos com diodos para se determinar a forma de onda da saída vo. Assim:
→ Suposição 1: D em condução: com o modelo do diodo ideal em condução, tem-se o esquema da figura (A). Logo:
Aplicando LKT na malha externa, tem-se: vS − vo = 0 ⇒ ∴ vo = v S → característica de transferência
Aplicando LKT na malha 1 e lembrando-se que iD > 0 é a condição do diodo em condução, tem-se:
v − 20
vS − 5 iD − 20 = 0 ⇒ iD = S > 0 ⇒ ∴ v S > 20 V → condição
5
→ Suposição 2: D no corte: com o modelo do diodo ideal no corte, tem-se o esquema da figura (B). Logo:
Aplicando LKT na malha 2, tem-se: 20 − vo = 0 ⇒ ∴ vo = 20 V → característica de transferência
Aplicando LKT na malha 1 e lembrando-se que vD ≤ 0 é a condição do diodo ideal no corte, tem-se:
vS − vD − 20 = 0 ⇒ vD = vS − 20 ≤ 0 ⇒ ∴ v S ≤ 20 V → condição
→ Teste de veracidade: observa-se que as condições obtidas (vS > 20 V e vS ≤ 20 V) são complementares e que, com a
introdução do ponto de fronteira (vS = 20 V) nas características, obtem-se o
vS , vo ( V )
mesmo resultado (vo = 20 V), comprovando que os cálculos estão corretos.
30
→ A entrada vS, fornecida é descrita por: vS = 10 + 20 sen(ωt). Com base nas vo
caracteríticas de transferência e respectivas condições, reescritas a seguir: 20
vo = vS para vS > 20 V 10

vo = 20 V para vS ≤ 20 V vS
obtém-se então a forma de onda da saída vo mostrada na figura ao lado, onde 0 π/2 3π/2 ω t
observa-se que o circuito apresenta o comportamento de detetor de pico +. - 10

82
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 5: Para o circuito dado ao lado, adote Vγ = 0,7 V e Rf = 0 Ω como


modelo do diodo empregado (aproximado do real simplificado), e determine: 200 Ω
D
a) As características de transferência e respectivas condições, considerando vL
como variável de estudo do circuito (variável de saída). vS 300 Ω vL
b) A forma de onda de vL para um sinal triangular de amplitude 12 V para vS . 5V
c) A forma de onda da tensão no diodo D para a mesma entrada vS do item b).
Solução
(a)

200 Ω i iD iL iL iL
A 200 Ω A
vD
vS 0,7 V 300 Ω vL vS 300 Ω vL
K K
(1) (2) (1)
5V 5V

(A) (B)
a) Como há apenas um diodo no circuito, então há 2 suposições possíveis: D em condução e D no corte. Assim:
→ Suposição 1: D em condução - com o modelo do diodo em condução, tem-se o esquema da figura (A). Logo:
v − 5,7
Aplicando LKT na malha 1: vS − 200 i − 0,7 − 5 = 0 ⇒ ∴ i = S
200
Aplicando LKT na malha 2: 5 + 0,7 − 300 iL = 0 ⇒ ∴ iL = 0,019 A
ou ainda, com LKT na malha 2: 5 + 0,7 − vL = 0 ⇒ ∴ v L = 5,7 V → característica de transferência
Aplicando LKC no nó (a) e lembrando-se que iD > 0 é a condição do diodo em condução, tem-se que:
v − 5,7
i = iD + iL ⇒ iD = i − iL = S − 0,019 > 0 ⇒ ∴ v S > 9,5 V → condição
200
→ Suposição 2: D no corte - com o modelo do diodo no corte, tem-se o esquema da figura (B). Logo:
v
Aplicando LKT na malha externa: vS − 200 iL − 300 iL = 0 ⇒ ∴ iL = S
500
Logo: vL = 300 iL = 300 vS / 500 ⇒ ∴ v L = 0,6 v S → característica de transferência
Aplicando LKT na malha 1 e considerando vD ≤ 0,7 V como condição no corte segundo o modelo, tem-se:
5 + vD − vL = 0 ⇒ vD = vL − 5 ⇒ vD = 0,6 vS − 5 ≤ 0,7 V ⇒ ∴ v S ≤ 9,5 V → condição
→ Teste de veracidade: como as condições obtidas (vS > 9,5 V e vS ≤ 9,5 V) são complementares e o limite de
fronteira (9,5 V) produz o mesmo resultado nas características (vL = 5,7 V), então os cálculos estão corretos.
b) Para um sinal de onda triangular de amplitude 12 V como entrada vS e com base vS , vL ( V )
nas caracteríticas de transferência e respectivas condições, reescritas a seguir: 12
vL = 5,7 V para vS > 9,5 V 9,5 vS

vL = 0,6 vS para vS ≤ 9,5 V 5,7
obtém-se então a forma de onda da saída vL mostrada na figura ao lado. Pode-se 0 π 2π 3π ω t
observar que o circuito apresenta comportamento similar a um grampo +, porém
-7,2 vL
com grande atenuação (40%) do sinal de entrada na saída (pois vL = 0,6 vS). Isto
deve-se ao fato do resistor que tem a função de desacoplar o sinal de entrada para -12
a saída (200 Ω) ser comparável à carga do circuito (300 Ω), o que não é uma realidade prática, pois normalmente o
resistor de desacoplamento é projetado com o menor valor possível de modo a mitigar sua queda de tensão.
c) A mudança da variável a ser estudada implica em nova relação entrada-saida.
Logo, as características de transferência considerando a tensão no diodo (vD) 200 Ω
D vD
como variável de saída devem ser novamente calculadas, sendo as condições
permanecendo as mesmas, pois são impostas apenas à variável de entrada vS e vS 300 Ω vL
independem da variável de saída. Assim, com novos cálculos, obtém-se: 5V (1)
 D
v = 0,7 V para v S > 9,5 V

v L = 0,6 v S − 5 para v S ≤ 9,5 V
vL , vD ( V )

Contudo, a forma de onda da tensão no diodo pode também ser obtida neste 5,7
vL
exercício com o auxílio da forma de onda da tensão vL obtida no item b). Com 0,7
base no circuito ao lado então, aplicando-se LKT na malha de 1, obtém-se: 0 ωt
-5
-7,2
5 + vD − vL = 0 ⇒ ∴ v D = v L − 5 (1) vD
-12,2
Assim, como a forma de onda de vL é conhecida do item b), pode-se obter a
forma de onda da tensão vD no diodo resolvendo graficamente a equação (1), o que é apresentado no gráfico acima.

83
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 6: Para o circuito dado a seguir, determine a forma de onda da tensão de saída vL para um sinal de tensão
de entrada vS = 8 sen(ωt). Dados dos diodos: Vγ = 0,7 V e Rf = 0 Ω (modelo aproximado do real simplificado).
Solução
(a) (b)

10 Ω 10 Ω i A
iD1 K iL
D1 D2 vD2
0,7V
vS 10 kΩ vL vS K A 10 kΩ vL
(2)
5V (1) 5V
5V 5V

(d) (A) (c)

O circuito apresenta dois diodos retificadores (n = 2) e, portanto, existem 2n = 22 = 4 suposições gerais: D1 e D2


em condução; D1 em condução e D2 no corte; D1 no corte e D2 em condução; e D1 e D2 no corte.
Contudo, analisando-se a disposição dos diodos e das fontes CC, observa-se que a suposição geral D1 e D2 em
condução não é possível pois, supondo os diodos ideais, se ambos estivessem em condução (chave fechada), a tensão
vL na carga apresentaria dois valores proporcionados pelas fontes CC: +5 V e -5 V, o que é circuitalmente impossível.
Como a fonte vS é variante no tempo, deve-se então fazer a análise CA com as três suposições gerais restantes.
→ Suposição geral 1: D1 em condução e D2 no corte - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (A):
v − 5,7
Aplicando LKT na malha 1, tem-se: vS − 10 i − 0,7 − 5 = 0 ⇒ ∴ i = S
10
Aplicando LKT na malha formada pelos pontos a-b-c-d do circuito na figura (A), tem-se:
5 + 0,7 − vL = 0 ⇒ ∴ v L = 5,7 V → característica de transferência
Logo, a corrente na carga será dada por: iL = vL / 104 = 5,7 / 104 A
Aplicando LKT na malha 2 e considerando vD2 ≤ 0,7 V como condição para o diodo D2 no corte, tem-se:
5 + 0,7 + vD 2 + 5 = 0 ⇒ ∴ vD 2 = − 10,7 V < 0,7 V
ou seja, este resultado não fornece uma condição para D2 no corte pois é verdadeiro para qualquer valor de vS .
Aplicando LKC no nó (a) e considerando iD 1 > 0 como condição para o diodo D1 em condução, tem-se:
v − 5,7 5,7 v − 5,7
i = iD1 + iL ⇒ iD1 = i − iL = S − 4 ≈ S > 0 ⇒ ∴ v S > 5,7 V → condição
10 10 10
(a) (b) (a) (b)

10 Ω 10 Ω i iD2
A K iL A K iL
0,7V
vD1 vD2 vD1
(1) 10 kΩ vL 10 kΩ vL
vS K A vS K A
5V (1) 5V
5V 5V (2)

(d) (B) (c) (d) (C) (c)

→ Suposição geral 2: D1 e D2 no corte - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (B). Logo:
vS
Aplicando LKT na malha externa, tem-se: vS − 10 iL − 104 iL = 0 ⇒ ∴ iL =
10010
10000
Logo: vL = 10 iL = 4
vS ≈ vS ⇒ ∴ v L = v S → característica de transferência
10010
LKT na malha 1 e considerando vD1 ≤ 0,7 V como condição do modelo para o diodo D1 no corte, tem-se:
10
vS − 10 iL − vD1 − 5 = 0 ⇒ vD1 = vS − vS − 5 ≈ vS − 5 ≤ 0,7 ⇒ ∴ vS ≤ 5,7 V (condição 1)
10010
LKT na malha a-b-c-d e considerando vD2 ≤ 0,7 V como condição do modelo para o diodo D2 no corte, tem-se:
10
vS − 10 iL + vD 2 + 5 = 0 ⇒ vD 2 = − vS + vS − 5 ≈ − vS − 5 ≤ 0,7 ⇒ ∴ vS ≥ − 5,7 V (condição 2)
10010
Logo, com o conjunto verdade para as condições 1 e 2 obtidas, tem-se: − 5,7 ≤ vS ≤ 5,7 V → condição
→ Suposição geral 3: D1 no corte e D2 em condução - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (C):
v + 5,7
LKT na malha a-b-c-d do circuito da figura (C): vS − 10 i + 0,7 + 5 = 0 ⇒ ∴ i = S
10
LKT na malha 2: − 5 − 0,7 − vL = 0 ⇒ ∴ v L = − 5,7 V → característica de transferência
Logo, a corrente na carga será dada por: iL = vL / 104 = − 5,7 / 104 A

84
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

LKT na malha 1 e considerando a condição vD1 ≤ 0,7 V como condição para o diodo D1 no corte, tem-se:
5 + vD1 + 0,7 + 5 = 0 ⇒ ∴ vD1 = − 10,7 V < 0,7 V
ou seja, este resultado não fornece uma condição para D1 no corte pois é verdadeiro para qualquer valor de vS .
LKC no nó (b) e considerando iD2 > 0 como a condição para o diodo D2 em condução, obtém-se:
5,7 v + 5,7 v + 5,7
i + iD 2 = iL ⇒ iD 2 = iL − i = − 4 − S ≈ − S > 0 ⇒ ∴ v S < − 5,7 V → condição
10 10 10
→ Teste: com base nas caracterísitcas de transferência e condições obtidas, conclui-se que os cálculos estão corretos.
→ Assim, para vS = 8 sen(ωt) e as caracteríticas de transferência e condições:
vS , vL ( V )
vL = 5,7 V para vS > 5,7 V 8
 vS
vL = vS para − 5,7 ≤ vS ≤ 5,7 V 5,7
v = − 5,7 V para v < − 5,7 V
 L S vL
obtém-se então a forma de onda do sinal de saída vL mostrada na figura ao 0 π 2π 3π ω t
lado, onde conclui-se que o circuito trata-se como um ceifador tipo fixador.
Além disso, comparado ao exercício 5, observa-se que a forma de onda de - 5,7
saida deste fixador apresenta um comportamento praticamente ideal, devido -8
ao fato do resistor desacoplador da entrada para a saída (10 Ω) ser bem menor que a resistência de carga (10 kΩ).

Exercício 7: Com base nos resultados do exercício 6, desenhe o gráfico da característica de transferência total do
circuito e obtenha, por método gráfico, a forma de onda da saída vL para o mesmo sinal de entrada vS do exercício 6.
Solução vL ( V ) vL ( V )
Com base nas equações das características de
5,7 5,7 t3 t4
transferência e respectivas inequações das condições 3π
obtidas no exercício 6, pode-se desenhar um gráfico da - 5,7 ∆=1 2 2π
variável de saída vL em função da variável de entrada 0 5,7 vS ( V ) 0 π π ωt
vS , tal como mostrado na figura ao lado, o que resulta t1 2 t2
então no comportamento gráfico da característica de - 5,7 - 5,7
transferência total do circuito estudado. -8 0 8
O método gráfico para a obtenção da forma de t1
forma de onda do
vS ( V ) sinal de saída
onda da saída a partir do gráfico da característica de π/2
transferência consiste em desenhar ponto a ponto a t2
forma de onda da saída por meio da correspondência π t3 forma de onda do
entre o sinal de entrada e a característica, de modo que 3π/2 sinal de entrada
cada valor do sinal entrada em dado instante de tempo t4
correponde a um valor na saída no mesmo instante de 2π
tempo, tal como exemplificado na figura ao lado. ω t

6.2.5) MODELOS DO DIODO PARA PEQUENOS SINAIS E ALTAS FREQUÊNCIAS

Certos sinais de pequena amplitude (até centenas de mV), chamados pequenos sinais, consistem de informações
(áudio, dados, etc.) que precisam ser transferidos a outras partes de um circuito com a maior conformidade possível e,
desse modo, estes não podem sofrer bloqueio ou deformações significativas em sua propagação pelo circuito.
Para o caso de circuitos com diodos com a presença de pequenos sinais, deve-se então estabelecer condições
para estes sinais ultrapassarem os diodos com mínimas distorções, o que é normalmente conseguido com a adição de
um nível CC ao pequeno sinal com a função de fixar um ponto de operação conveniente na região de condução dos
diodos. Como resultado desta polarização CC, o pequeno sinal “enxergará” apenas uma pequena parcela da região de
condução dos diodos, cujo comportamento pode ser modelado por uma resistência, denominada incremental.
Além disso, cristais PN apresentam um efeito capacitivo quando em modo condução, chamada capacitância de
difusão, que se torna relevante quanto mais rápida é a variação do sinal de tensão direta do cristal, o que contribui
para o retardo no chaveamento liga-desliga do diodo. Como pequenos sinais são usualmente de alta frequência, tem-
se então que o modelo da resistência incremental deve ser expandido para contemplar também este efeito capacitivo.
Assim, os modelos de diodo em condução vistos até aqui são inadequados para representar o comportamento
do diodo perante um pequeno sinal e um modelo mais apropriado deve ser obtido, o que será estudado a seguir.

6.2.5.1) Resistência incremental

Seja a situação mostrada no circuito da Figura 6.18-a, em que um pequeno sinal fornecido pela fonte vS deve ser
transferido à carga RL com mínimas distorções através de um diodo D. Para possibilitar esta transferência, ao pequeno
sinal é adicionado uma fonte CC de valor VR responsável por polarizar o diodo em um ponto na região de condução,
tal que o diodo é então levado à polarização direta por uma tensão total constituída pelo nível CC VR e o sinal vS .
85
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

A Figura 6.18-b mostra a conseqüência do sinal de tensão total sobre a característica corrente-tensão do diodo.
A fonte VR estabelece um ponto de operação Q na região de condução do diodo, resultando em uma corrente fixa IDQ
devido à tensão de tensão VDQ aplicada. Desse modo, o pequeno sinal vS é responsável por causar uma oscilação do
ponto de operação do diodo entre os valores Qmax e Qmin em torno do ponto de repouso Q estabelecido pela fonte VR.
VD ID
I D = I S e η VT
ID d ID Q2
D d VD Q
vS Qmax
RL vL Q A K
IDQ Q1
Qmin rd
VR
0 VDQ 0 VD
Vγ VD
(a) (b) (c)

Figura 6.18: (a) Circuito com fonte de pequeno sinal vS e de polarização VR; (b) obtenção do modelo equivalente
incremental do diodo para o pequeno sinal; (c) dependência do ponto de repouso na deformação de um sinal.
Pode-se entender então que apenas a região da característica I-V na qual o ponto de operação oscila em torno
do ponto de repouso Q é a que representa o comportamento do diodo percebido pelo pequeno sinal vS . Assim, com a
linearização desta região pode-se definir um modelo linear do diodo em condução para o pequeno sinal, obtida com a
derivada da curva (dID/dVD) em torno do ponto Q, resultando então na definição de uma condutância gd dada por:
d ID d ( I S eVD / η VT )  VD
1 
VD Q
1 I DQ
gd = = = IS e ×
η VT
 ⇒ ∴ g d = I S e η VT × =
d VD Q d VD Q  η VT  Q η VT η VT
pois observa-se que o termo IS exp(VDQ/ηVT) corresponde à corrente IDQ no diodo estabelecida pela fonte VR.
Assim, o modelo do diodo para pequenos sinais pode ser expresso por um resistor rd correspondente ao inverso
da condutância incremental gd , denominada resistência incremental, desse modo determinada por:
1 η VT
rd = = (6.7)
gd I DQ
Com base na equação (6.7) observa-se então que, quanto mais fortemente for polarizado o diodo em condução
pela fonte VR , maior será a corrente IDQ do ponto de repouso e menor será a resistência incremental rd percebida pelo
pequeno sinal, o que resulta em menor atenuação do sinal ao passar pelo diodo. Outra razão para se estabelecer pontos
de repouso com uma polarização forte para o diodo em condução reside em seu comportamento não linear para baixas
correntes, que pode resultar em maiores distorções da corrente causada pelo pequeno sinal em relação a regiões de
correntes mais elevadas, onde o comportamento da caracterísitca I-V do diodo é mais linear (Figura 6.18-c).
Tem-se então que os modelos de diodos percebidos por cada componente da tensão total aplicada ao circuito
(VR + vS) são lineares e, portanto, todo o circuito tem comportamento linear. Assim, na solução do circuito pode ser
empregado o princípio da superposição, em que os efeitos de cada fonte no circuito são determinados separadamente
(Figura 6.19), e a tensão total na carga RL será então determinada por : vL = VLQ + vLCA = RL I DQ + RL iDCA .
A K A K

D Vγ Rf rd
vS
RL vL IDQ RL vS iDCA RL
VR VLQ vLCA
VR

Figura 6.19: Superposição de efeitos na análise de circuitos com pequenos sinais: polarização (a) CC e (b) CA.

6.2.5.2) Capacitância de difusão ou de armazenamento

Como visto no Capítulo 5, a corrente direta no cristal PN em condução constitui-se na difusão de majoritários
através da junção, o que se resulta em uma injeção de minoritários em cada substrato. Considerando, por exemplo, a
difusão de elétrons livres (Figura 6.20-a), tem-se que, ao saírem do lado N e migrarem para o lado P, ocorre um certo
período τ, chamado tempo de vida médio, para que os elétrons injetados se recombinem com lacunas no lado P, que é
uma medida da mobilidade destes portadores no sentido de que, quanto maior a mobilidade dos elétrons injetados,
maior será a penetração destes portadores no substrato P, o que acarreta em um maior tempo de vida médio.
86
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Contudo, na ocorrência de uma redução na tensão direta no cristal (ou mesmo inversão de polaridade), parte
dos elétrons livres em excesso no lado P deve retornar ao lado N (Figura 6.20-b) para estabelecer a condição de menor
corrente no cristal, o que requer um tempo proporcional à penetração dos minoritários injetados e, portanto, do tempo
de vida médio. Este comportamento é entendido então como um descarregamento de carga acumulada e constitui-se
no efeito capacitivo chamado capacitância de difusão (CD). Igual racionínio pode ser feito para a difusão de lacunas.
Grandes sinais são geralmente de baixas freqüências e a variação da onda é lenta se comparada aos tempos de
carga e descarga da capacitância de difusão, sendo então desprezada. Pequenos sinais, contudo, são normalmente de
altas freqüências e, neste caso, a capacitância de difusão se torna relevante e deve ser inserida no modelo do diodo.
Assim, seja q a carga total em certo instante injetada em cada substrato de um cristal PN em condução. Como
conceitualmente a taxa com que os minoritários injetados desaparecem nos processos de recombinação é uma medida
da corrente direta ID , pode-se definir que: ID = q /τ. Sendo o modelo para o pequeno sinal avaliado em torno de um
ponto de repouso Q (Figura 6.18-b), então o efeito da capacitância de difusão é também avaliada no limite tendendo
ao ponto Q. Assim, supondo que uma variação ∆VD na tensão direta produz uma alteração ∆q no número de minoritá-
rios injetados, a relação ∆q/∆VD em torno do ponto Q expressa o mecanismo da capacitância de difusão CD , ou seja:
∆q dq d (τ I D ) d ID
CD = = = = τ = τ gd
∆ VD Q d VD Q d VD Q d VD Q
pois q = τ ID e gd é a referida condutância incremental do diodo percebida pelo pequeno sinal. Assim, introduzindo
neste resultado a expressão da condutância incremental, tem-se que a capacitância de difusão é definida por:
τ I DQ
CD = (6.8)
η VT
de onde conclui-se que o efeito da capacitância de difusão será tanto mais pronunciado quanto maior a corrente direta
(quantidade de carga armazenada) e maior o tempo de vida médio dos minoirtários injetados em cada substrato.
Assim, o modelo completo do diodo para o pequeno sinal constitui-se na resistência incremental rd em paralelo
(configuração de acréscimo de efeito) com a capacitância de difusão CD , tal como mostrado na Figura 6.20-c.
P N P N
A K

rd
e-

difusão de elétrons livres descarregamento de carga CD


(a) (b) (c)

Figura 6.20: (a) Injeção de minoritários; (b) retorno de carga; (c) modelo do diodo para pequenos sinais.

6.2.5.3) Tempo de recuperação reversa

No estudo dos circuitos com diodos vistos anteriormente, presumiu-se que os sinais eram de baixas freqüências,
o que permitiu supor um chaveamento condução-corte (ON-OFF) dos diodos praticamente instantâneo. No entanto,
devido ao efeito de carga acumulada causada pela capacitância de difusão e de um certo retardo para se atingir os
níveis de corrente e largura da região de depleção em polarização reversa, as condições de equilíbrio reversas em um
cristal PN não podem ser estabelecidas de imeditato durante a comutação ON-OFF, o que representa uma importante
limitação técnica que deve ser considerada no estudo de circuitos com a presença de sinais de frequência elevada.
Para o estudo da comutação condução-corte dos diodos, seja na Figura 6.21-a um ciruito com diodo suposto
chaveado instantâneamente do modo condução (t < 0) para o modo corte (t ≥ 0) por um sinal de entrada em degrau
(Figura 6.21-b). A Figura 6.21-c exemplifica o comportamento transitório da corrente ID no diodo, onde observa-se
então que, para o estabelecimento total das condições de equilíbrio reversas, são necessários dois intervalos de tempo:
 Tempo de armazenamento (ta): corresponde ao período destinado ao descarregamento da carga acumulada pela
capacitância de difusão, onde observa-se a uma considerável corrente reversa, que será então tanto maior e mais
prolongada quanto maior o tempo de vida médio dos minoritários injetados formadores da corrente direta.
 Tempo de transição (tt): corresponde ao período necessário ao aumento da camada de depleção para se adequar à
tensão reversa aplicada e à redução da corrente de modo a atingir o nível da corrente de saturação reversa (IS).
Assim, o intervalo total para a comutação ON-OFF do diodo, denominado tempo de recuperação reversa trr , é
definido como a soma dos tempos de armazenamento e transição, ou seja: trr = ta + tt ( Figura 6.21-c).
Um exemplo de limitação técnica causada pelo tempo de recuperação reversa consiste na retificação de sinais
de altas freqüências, onde os diodos podem não realizar a comutação ON-OFF suficientemente rápida para evitar que
uma parte considerável do semiciclo reverso do sinal de entrada seja transferido à carga do circuito (Figura 6.21-d).
Diodos ditos de comutação rápida (exemplo: diodo Schottky, descrito mais adiante), apresentam tempos de
recuperação reversa da ordem de até algumas dezenas de ns e são usualmente denominados de “fast recovery”.
87
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

ID vS , vL
vS
VF ≈ VF/R
D ta tt IS
vS R
iD 0 t 0 t
-VR ≈ -VR/R
trr
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.21: Estudo da comutação instantânea de um diodo: (a) circuito exemplo; (b) sinal de entrada em degrau;
(c) componentes do tempo de recuperação reversa; (d) distorção na retificacão de um sinal de frequência elevada.

6.3) CRISTAIS PN DE FINALIDADE ESPECÍFICA

O efeito chave liga-desliga da barreira de potencial constitui-se na aplicação básica dos diodos comuns, ditos
retificadores. Contudo, diversos efeitos adicionais do cristal PN podem ser aproveitados para aplicações distintas da
função retificação, o que resulta nos chamados diodos de finalidade específica, alguns dos quais vistos a seguir.

6.3.1) DIODO ZENER

Como visto, diodos comuns não são projetados para suportar tensões superiores às de ruptura reversa. Contudo,
fatores construtivos como maior dopagem e capacidade de dissipação podem condicionar o cristal PN a suportar esta
situação, tal como no chamado diodo zener (símbolos esquemáticos na Figura 6.22-a e aparências na Figura 6.22-b).
A Figura 6.22-c mostra a característica I-V típica de um zener, onde observa-se que suas regiões de condução e
corte são similares as de um diodo comum. Contudo, quando VD < -BV, o zener atinge a chamada região de ruptura
onde, a partir de um “joelho de tensão”, passa a conduzir também correntes utilizáveis. Assim, conclui-se que o zener
pode também operar intencionalmente em um modo ruptura e, desse modo, conduz bem nos dois sentidos de corrente.
Além disso, analisando-se a região de ruptura, observa-se que o zener, ao atingir uma certa corrente reversa IZK
passa a adquirir uma certa tensão reversa de valor VZ em seus terminais, que se comporta praticamente contante até
um limite IZM da corrente reversa, quando o zener finalmente se danifica (Figura 6.22-d). Este comportamento em que
pequenas variações de tensão são acompanhadas por grandes variações de corrente é chamada função regulação de
tensão, sendo o valor VZ da tensão reversa chamado tensão de regulação do zener. Este efeito regulador de tensão
encontra diversas finalidades práticas e constitui-se então na principal aplicação dos zeners em circuitos eletrônicos.
Observando-se a característica I-V do zener (Figura 6.22-c), conclui-se então que os modelos esquemáticos do
zener para os modos condução e corte são os mesmos do diodo comum. Para o modo ruptura, pode-se definir um
modelo esquemático com base na característica I-V, formado por uma fonte de tensão de valor -VZ percorrida por uma
corrente IZ < 0 (Figura 6.22-d), mas usualmente emprega-se um esquema mais prático constituído por um modelo
invertido, formado por uma fonte de tensão de valor VZ percorrida por uma corrente IZ > 0 (Figura 6.22-d).

ID modelos na
ruptura ID
“joelho” de A
-VZ VD
tensão -BV IZ < 0
-VZ 0
região de 0 VD K - IZK

ruptura
região de região de K
função corte condução
regulação VZ IZ > 0 - IZM
de tensão A
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.22: Diodo zener: (a) simbologias; (b) aparencias diversas; (c) característica I-V; (d) modelo na ruptura.
Com base em qualquer dos esquemas, tem-se então que a potência PZ dissipada do zener na ruptura é dada por:
PZ = VZ I Z (6.9)
em que: IZK ≤ IZ ≤ IZM . Com a especificação da potência máxima PZM do zener na ruptura fornecida pelo fabricante
pode-se então determinar a corrente máxima IZM por: IZM = PZM /VZ. Com relação a IZK , esta pode ser estimada via
teste do diodo ou empregar uma regra prática que consiste em adotar um valor de 10 a 20% do valor de IZM .
Zeners comercialmente disponíveis apresentam tensão de regulação entre 2 e 200 V e potência entre ¼ e 50 W.
Exemplos: série “BZX79C” da Phillips: BZX79C5V2 (VZ = 5,2 V), BZX79C12V (VZ = 12 V), etc.
88
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 8: Para o circuito e característica corrente-tensão linearizada dos zeners empregados fornecidos a seguir,
determine a forma de onda da saída vL para um sinal de entrada vS = 8 sen(ωt). modo corte modo condução
ID A K A
ID
10 Ω iD > 0
DZ1
ruptura -5 ≤ vD ≤ 0,7 0,7 V
- 5,0 K
vS 10 kΩ vL K -5,0
0 VD (V) iZ > 0 0 VD (V)
DZ2 5V 0,7
0,7 A
Solução
Como visto, um zener apresenta 3 modos de operação (condução, corte e ruptura). Assim, com a presença de 2
zeners no circuito (n = 2), existem então 3n = 32 = 9 combinações que definem as suposições gerais (tabela abaixo).
Como também visto, um zener conduz nos dois sentidos de corrente (condução e ruptura). Contudo, como os
zeners estão em série então, se um estiver no corte, o outro também deverá
DZ1 DZ2 Possível ?
estar no corte tal que a corrente em ambos seja nula, ou seja, se admitido um
zener no corte, então o outro não poderá estar em condução ou na ruptura. condução condução não
Além disso, com base na disposição dos zeners no circuito observar-se condução corte não
que os mesmos tem polarizações contrárias. Logo, se um dos zeners estiver condução ruptura sim
corte condução não
em condução, o outro necessariamente deverá estar na ruptura, e vice-versa,
para que ambos os diodos estejam conduzindo corrente simultaneamente. corte corte sim
corte ruptura não
Assim, pode-se concluir que, das 9 suposições gerais existentes para a
ruptura condução sim
operação dos zeners, apenas 3 são possíveis (tabela): DZ1 em condução e DZ2
ruptura corte não
na ruptura, DZ1 e DZ2 no corte, e DZ1 em ruptura e DZ2 em condução.
ruptura ruptura não
Novamente, como a entrada vS é variante no tempo, deve-se realizar a
análise CA das suposições gerais possíveis. Para os zeners na ruptura, é conveniente empregar o modelo invertido
(terminais e fonte invertidos), pois desse modo pode-se julgar os modos condução e ruptura pela mesma regra: iZ > 0.
(a) (a)
iZ iZ
10 Ω i iL 10 Ω i iL 10 Ω iL
A A
5V A
0,7 V vDZ1
K K K
vS 10 kΩ vL vS 10 kΩ vL vS 10 kΩ vL
K K
K
0,7 vDZ2
(1) 5V (2) (1) (2)
A A
(1)
A

(A) (B) (C)


→ Suposição geral 1: DZ1 em condução e DZ2 em ruptura − Figura (A)
v − 5,7
LKT na malha 1: vS − 10 i − 0,7 − 5 = 0 ⇒ ∴ i = S
10
LKT na malha 2: 5 + 0,7 − vL = 0 ⇒ ∴ v L = 5,7 V → característica de transferência
Logo, a corrente na carga será dada por: iL = vL / 104 = 5,7 / 104 A
LKC no nó (a) e considerando iZ > 0 como condição para ambos os zeners em condução e ruptura, obtém-se:
v − 5,7 5,7 v − 5,7
i = iZ + iL ⇒ iZ = i − iL = S − 4 ≈ S > 0 ⇒ ∴ v S > 5,7 V → condição
10 10 10
→ Suposição geral 2: DZ1 em ruptura e DZ2 em condução − Figura (B)
v + 5,7
LKT na malha 1: vS − 10 i + 5 + 0,7 = 0 ⇒ ∴ i = S
10
LKT na malha 2: 5 + 0,7 + vL = 0 ⇒ ∴ v L = − 5,7 V → característica de transferência
Logo, a corrente na carga será dada por: iL = vL / 104 = − 5,7 / 104 A
LKC no nó (a) e considerando iZ > 0 como condição para ambos os zeners em condução e ruptura, obtém-se:
5,7 v + 5,7 v + 5,7
i + iZ = iL ⇒ iZ = iL − i = − 4 − S ≈ − S > 0
10 10 10
∴ v S < − 5,7 V → condição
→ Suposição geral 3: DZ1 e DZ2 no corte − Figura (C)
vS
LKT na malha externa: vS − 10 iL − 104 iL = 0 ⇒ ∴ iL =
10010
89
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

10000
Logo: vL = 104 iL = vS ≈ vS ⇒ ∴ v L = v S → característica de transferência
10010
LKT na malha 1: − vDZ 2 + vDZ 1 − vL = 0 ⇒ vDZ 1 − vDZ 2 = vL ⇒ ∴ vDZ 1 − vDZ 2 = vS (1)
O julgamento das condições no corte para os zeners deve ser realizado com auxílio do resultado (1). Para isso,
tem-se que as condições para DZ1 e DZ2 no corte são, respectivamente, - 5 ≤ vDZ1 ≤ 0,7 V e - 5 ≤ vDZ2 ≤ 0,7 V. Logo,
manipulando convenientemente estas inequações, tem-se como resultado:
 − 5 ≤ vDZ 1 ≤ 0,7  − 5 ≤ vDZ 1 ≤ 0,7  − 5 ≤ vDZ 1 ≤ 0,7
 ⇒  ⇒  +
 − 5 ≤ vDZ 2 ≤ 0,7
× ( −1)  5 ≥ − vDZ 2 ≥ − 0,7  − 0,7 ≤ − vDZ 2 ≤ 5
∴ − 5,7 ≤ vDZ 1 − vDZ 2 ≤ 5,7 V (2)
Dos resultados (1) e (2), tem-se então: − 5,7 ≤ vDZ 1 − vDZ 2 ≤ 5,7 ⇒ ∴ − 5,7 ≤ v S ≤ 5,7 V → condição
→ Teste: com base nas caracterísitcas de transferência e condições obtidas, conclui-se que os cálculos estão corretos.
→ Para um sinal de entrada vS = 8 sen(ωt) e com base nas caracteríticas de vS , vL ( V )
transferência e respectivas condições, reescritas a seguir: 8 vS
vL = 5,7 V para vS > 5,7 V 5,7

vL = vS para − 5,7 ≤ vS ≤ 5,7 V vL
v = − 5,7 V para v < − 5,7 V
 L S 0 π 2π 3π ω t
obtém-se então a forma de onda da saída vL mostrada na figura ao lado, onde - 5,7
observa-se que o circuito comporta-se como um ceifador tipo fixador. Este
-8
resultado é similar ao obtido com o circuito do exercício 6, ou seja, ambos os
circuitos desempenham a mesma função. Porém, o circuito deste exercício é de implementação mais simples por
necessitar apenas de dois zeners para produzir o mesmo efeito. Por outro lado, o circuito do exercício 6 se mostra
mais versátil por permitir que a faixa do sinal de entrada seja ajustada a qualquer tempo pelas fontes de tensão CC.

6.3.1.1) Regulador de tensão com zener

Reguladores de tensão são circuitos construídos com a finalidade de manter a tensão na saída praticamente
constante, independentemente de variações na tensão de entrada e alterações no montante de carga. Devido à função
regulação de tensão na ruptura, os diodos zeners podem então ser empregados nestes circuitos para fornecer um nível
de tensão constante para a carga, além de outras aplicações onde se exija um patamar de tensão como referência.
Seja então o circuito regulador de tensão com zener simplificado mostrado na Figura 6.23-a, em que a fonte de
tensão VS representa um circuito retificador com filtro capacitivo, que fornece uma tensão entre um valor mínimo
VSmin e máximo VSmax devido à presença de um com ripple em seus terminais (Figura 6.23-a). A carga do circuito é
modelada por uma resistência variável RL que adquire qualquer valor entre um mínimo RLmin e um máximo RLmax. A
resistência RS é empregada para limitar a corrente fornecida pela fonte para proteger o zener e a carga, bem como
causar uma queda de tensão para desacoplar a fonte VS da tensão de carga VL de modo a propiciar condições ao zener
de regular a tensão na carga RL (Figura 6.23-a). Por fim, o zener DZ em paralelo à carga RL , que se encontra então
reversamente polarizado pela fonte VS , é suposto executando sua função regulação de tensão de modo a exibir uma
tensão VZ em seus terminais, tal que VS é maior que VZ o suficiente para levar o zener ao seu modo ruptura.
(a)

RS RS IS IZM IL
IZ
VS IZK
D K
VSmax
vS C VSmax RLmax
VSmin VS DZ RL VS RL VL
VSmin VZ RLmin
A
malha de entrada malha de saída

(a) (b)

Figura 6.23: Regulador de tensão com zener: (a) esquema simplificado; (b) efeito regulação e parâmetros limites.
Assim, substituindo o zener pelo seu modelo na ruptura, o circuito regulador pode ser resumido ao esquema
apresentado na Figura 6.23-b, onde VL = VZ . Seja então IS a corrente fornecida pela fonte VS , IZ a corrente consumida
no zener na ruptura e IL a corrente consumida na carga RL (Figura 6.23-b). Equacionando-se o circuito, tem-se que:
V − VZ
→ LKT na malha de entrada (malha da fonte): VS − RS I S − VZ = 0 ⇒ I S = S (1)
RS
de onde observa-se que IS não depende da carga RL , mas apenas das variações na tensão de entrada VS .
90
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

VZ
→ LKT na malha de saída (malha de carga): VZ − RL I L = 0 ⇒ IL = (2)
RL
de onde observa-se que IL não depende da entrada VS , mas apenas das variações na carga RL.
V − VZ V
→ LKC no nó (a) e com os resultado (1) e (2): I S = I Z + I L ⇒ I Z = I S − I L = S − Z (3)
RS RL
de onde conclui-se que a corrente IZ no zener depende das variações em VS e RL para regular a tensão na carga.
Contudo, como visto na caracterísitca I-V do zener na ruptura (Figura 6.22-d), tem-se que, independentemente
de variações no montante de carga RL e/ou no valor da tensão de entrada VS (Figura 6.23-b), a função regulação de
tensão do zener somente ocorre efetivamente se sua corrente IZ na ruptura satisfazer duas condições de operação:
 IZ ≥ IZK : isto é, a corrente no zener deve ser no mínimo igual à sua especificação IZK , pois abaixo desse valor o
zener entra no modo corte e perde, portanto, sua capacidade de regulação de tensão ao funcionar como uma chave
aberta. Neste caso, com base no resultado (3) e na Figura 6.23-b tem-se então que, como IZ = IS − IL , deduz-se que
a corrente mínima no zener (IZmin) acontece quando IS é mínima (ISmin), isto é, quando VS = VSmin , e IL é máxima
(ILmax), isto é, quando RL = RLmin . Assim, conclui-se que a condição IZmin ≥ IZK deve ser satisfeita, o que resulta:
VS min − VZ VZ
I Z min = I S min − I L max ≥ I ZK ⇒ ∴ − ≥ I ZK (6.10)
RS RL min
 IZ ≤ IZM : isto é, a corrente no zener deve ser no máximo igual à sua especificação IZM , pois acima desse valor o
zener perde sua função no circuito ao sofrer queima e resultar em um curto ou em um circuito aberto. Neste caso,
com base no resultado (3) e na Figura 6.23-b tem-se então que, como IZ = IS − IL , deduz-se que a corrente máxima
no zener (IZmax) ocorre quando IS é máxima (ISmax), isto é, quando VS = VSmax , e IL é mínima (ILmin), isto é, quando
RL = RLmax . Assim, conclui-se que a condição IZmax ≤ IZM deve ser também satisfeita para o zener, o que resulta:
VS max − VZ VZ
I Z max = I S max − I L min ≤ I ZM ⇒ ∴ − ≤ I ZM (6.11)
RS RL max

Exercício 9: Deseja-se construir um regulador de tensão com zener com entrada VS = 10 ± 10% V, de modo a suprir
em 5 V uma carga RL que pode funcionar a vazio ou consumir uma potência máxima de 0,6 W. Para isso, dispõe-se de
um zener com as especificações na ruptura: VZ = 5 V e PZM = 2 W. Determine a faixa de valores dentro da qual
deverá ser escolhido um resistor RS para que o zener efetivamente mantenha a tensão na carga RL em 5 V.
Solução
→ Dados de carga (RL ): - operação a vazio: RLmax → ∞ ⇒ ∴ ILmin = 0 A
P 0,6
- PL max = 0,6 W ⇒ PL max = VL I L max = VZ I L max ⇒ ∴ I L max = L max = = 0,12 A
VZ 5
→ Dados do zener: - IZM : PZM = 2 W = VZ I ZM ⇒ ∴ I ZM = PZM / VZ = 2 / 5 = 0, 4 A
- IZK : como mencionado, na prática IZK pode ser especificada adotando-se um valor de 10 a 20%
de IZM . Neste caso, adotando-se IZK como 10% de IZM , tem-se que: IZK = 0,04 A.
→ Dados da fonte de entrada: VS = 10 ± 10% V ⇒ ∴ VSmin = 9 V e VSmax = 11 V
→ Para o zener efetivamente manter a tensão na carga RL em 5 V então o resistor RS deve ser dimensionado tal que as
duas condições para o zener executar sua função regulação de tensão sejam satisfeitas. Assim:
• Da condição IZmin = ISmin − ILmax ≥ IZK , tem-se então que:
VS min − VZ 9 − 5
− I L max ≥ I ZK ⇒ − 0,12 ≥ 0,04 ⇒ ∴ RS ≤ 25 Ω
RS RS
• Da condição IZmax = ISmax − ILmin ≤ IZM , tem-se então que:
VS max − VZ 11 − 5
− I L min ≤ I ZM ⇒ − 0 ≤ 0,4 ⇒ ∴ RS ≥ 15 Ω
RS RS
→ Logo, deve-se escolher um resistor na faixa 15 ≤ RS ≤ 25 Ω, pois se RS for menor que 15 Ω, o zener pode vir a se
danificar e, se maior que 25 Ω, o zener pode vir a operar em seu modo corte e perder a função regulação de tensão.

Exercício 10: Para o regulador com zener, sabe-se que a corrente máxima atingida pela fonte VS (ISmax) é menor que o
parâmetro IZM do zener empregado, isto é, ISmax < IZM . Que conclusão pode-se obter com relação à carga RL ?
Solução
Da condição ISmax − I Lmin ≤ I ZM (caso limite para o zener não se queimar) tem-se então que, como ISmax < IZM ,
a corrente no zener não poderá atingir seu limite máximo IZM , mesmo se a corrente mínima na carga (ILmin) for nula.
Desse modo, se ILmin pode ser nula então RL pode ser infinita, isto é, a carga pode operar a vazio (em aberto) que o
zener não terá ultrapassada a sua especificação máxima de corrente (IZM). Esta situação consitui-se em uma condição
de projeto desejável para o regulador de tensão, pois propicia segurança ao circuito em uma eventual troca de carga.
91
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

6.3.2) COMPONENTES OPTOELETRÔNICOS

Optoeletrônica é a tecnologia de materiais e dispositivos que associa a óptica com a eletrônica para o aprovei-
tamento de mecanismos de conversão de energia elétrica em luminosa, e vice-versa. Os dispositivos construídos com
estes propósitos, denominados componentes optoeletrônicos, são baseados em dois fenômenos da matéria:
• Eletroluminescência: é o mecanismo de conversão de energia elétrica em lumisoa (radiação eletromagnética), sendo
os diodos emissores de luz (LED’s) e o laser exemplos de dispositivos que fazem uso deste mecanismo.
• Efeito Fotovoltaico: consiste na conversão de energia luminosa em elétrica, ou seja, inverso à Eletroluminescência,
tendo o fotodiodo e a célula solar como exemplos de dispositivos a cristal PN que fazem uso deste mecanismo.
Além disso, componentes que exibem efeitos inversos podem ser associados para o estabelecimento de um
acoplamento ótico na construção dos chamados optoacopladores. Estes componentes são então estudados a seguir.

6.3.2.1) Diodos emissores de luz

Como visto no Capítulo 5, quando do estudo do cristal PN em condução, observa-se que os elétrons livres do
substrato N se tornam minoritários ao serem injetados no substrato P e podem facilmente se recombinar com lacunas
do lado P, emitindo desse modo o excesso de energia na forma de radiação eletromagnética na passagem da banda de
condução para a de valência (Figura 6.24-a). No caso dos diodos vistos até aqui, esta energia é absorvida no cristal na
forma de calor, pelo fato dos materiais empregados (silício e germânio) serem opacos à passagem de luz. Contudo, os
chamados diodos emissores de luz, ou simplesmente LED’s (Light-Emitting Diode), são construídos com base em
materiais semicondutores de comportamento translúcido (transparente) a estas radiações e, desse modo, permitem à
maior parte da radiação emitida pelas recombinações elétrons-lacunas se propagar para o meio exterior ao cristal.
Como visto no Capítulo 1, a energia de uma radiação é proporcional à sua frequência (Ef = h f) e, com base na
Figura 6.24-a observa-se que a frequência da luz emitida por um LED, e portanto sua cor, depende essencialmente da
energia do gap (EG). Assim, os LED’s distinguem-se pela cor de luz, variando do infra-vermelho (gap pequeno) até a
cor azul (maior gap), sendo a faixa espectral emitida bastante estreita (mas não monocromática como em um laser).
Os LED`s construídos com base no material arsenieto de gálio (GaAs) emitem infra-vermelho e, com a adição
de fósforo (ou índio) para formar o fosfato arsenieto de gálio (GaAsP), obtem-se gaps maiores e, desse modo, LED’s
de luz visível (vermelho, laranja, amarelo, até a cor verde), sendo no LED azul empregado o nitreto de gálio (GaN).
A Figura 6.24-b mostra os símbolos esquemáticos do LED, onde as setas simbolizam o sentido da radiação, e
algumas de suas aparências mais comuns são apresentadas na Figura 6.24-c. Exemplos de LED’s comerciais bastante
utilizados são as séries TIL da Texas Instrument (exemplo: TIL221), série CQV (Philips) e série LD (Icotron).
Os LED`s são então componentes eletrônicos empregados somente em circuitos CC, de modo a serem levados
à condução para produzir luz utilizável e, como quanto maior a corrente direta, maior é a taxa de recombinação nos
substratos, a intensidade da luz emitida pelo LED é proporcional à corrente. A Figura 6.24-d exemplifica um circuito
de polarização do LED, onde um resistor R é usado para proteger o LED de sua especificação de corrente máxima.
A característica I-V dos LED`s é similar ao do diodo comum, apresentando tensão de limiar típica em torno de
1,2 a 3 V, correntes máximas até 100 mA ou potências máximas até 0,2 W e pequena tensão reversa de ruptura (5 V).
Os LED’s podem ser utilizados como fonte de luz para executar uma função de indicação ou aviso luminoso e,
devido à sua baixa tensão, vida longa e rápido chaveamento liga-desliga, vêm substituindo as lâmpadas tradicionais
em diversas aplicações. Os LED’s infra-vermelhos são úteis em sistemas onde exige-se luz não visível, tais como
sistemas de controle, alarmes e sensores de presença. Os de luz visível são empregados em equipamentos para indicar
avisos, níveis de intensidade, exibição de dígitos e letras (indicador de 7 segmentos, Figura 6.24-e), etc. Além disso, o
recente invento do LED azul tornou possível a construção de lâmpadas de luz branca, bem como telas de TV e de
computadores, que apresentam vantagens como tamanho reduzido, elevada vida útil e baixo consumo de energia.
O chamado LED laser (aparência na Figura 6.24-f), constitui-se de um cristal PN com faces paralelas polidas
para funcionar como uma cavidade óptica e produzir luz coerente, sendo comumente empregados em dispositivos e
equipamentos de leitura e armazenamento, bem como sistemas de comunicação de alta velocidade (fibras óticas).

energia P N A
+VS
Eapl
BC R F
B
G
EG
radiação
E
BV emitida D C
A K bicolor
RGB
(a) (b) (c) (d) (e) (f)

Figura 6.24: Diodo emissor de luz: (a) mecanismo de emissão; (b) símbolos esquemáticos; (c) aparências
diversas; (d) circuito de polarização direta; (e) mostrador de sete segmentos; (f) aparência de um diodo laser.

92
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 11: Para o circuito e característica I-V linearizada do LED empregado a seguir, sabe-se que a especificação
de corrente direta máxima do LED é 100 mA. Determine a faixa de valores do resistor R para que o LED emita luz.
modo condução
ID (mA) ID (mA) A
50 Ω modo corte 1,5 V
80 A 80 ID
R 9Ω
9V LED VD
K
K
0 R f = 0, 72 / 0, 08 = 9 Ω
1,5 2,22 VD (V) 0 1,5 2,22 VD (V)
Solução
Como visto, o LED emite luz quando funciona no modo condução e, neste caso, deve-se ter ID > 0. Além disso,
a corrente no LED não deve ultrapassar sua especificação de corrente máxima, ou seja, tem-se também que ID ≤ 0,1 A.
Assim, a solução do problema consiste em obter a faixa de valores para o resistor R tal que: 0 < ID ≤ 0,1 A. Assim,
substiuindo-se o modelo fornecido para o LED no modo condução obtém-se o circuito abaixo e tem-se que:
→ LKC no nó (a): I1 = ID + I2 (1) (a)
→ Aplicando LKT na malha (A) e com o resultado (1), tem-se:
9 − 50 I1 − 1,5 − 9 I D = 0 ⇒ 9 − 50 ( I D + I 2 ) − 1,5 − 9 I D = 0 50 Ω I1 ID I2
A
⇒ ∴ 59 I D + 50 I 2 = 7,5 (2)
9V 1,5 V R
9 I D + 1,5 9Ω
→ LKT na malha (B): 9 I D + 1,5 − R I 2 = 0 ⇒ ∴ I 2 = (3) (A)
R K
(B)
→ Aplicando o resultado (3) no resultado (2), tem-se que:
( 9 I D + 1,5) 7,5 R − 75
59 I D + 50 I 2 = 7,5 ⇒ 59 I D + 50 = 7,5 ⇒ ∴ I D =
R 59 R + 450
7,5 R − 75
→ Para a condição ID > 0, tem-se: > 0 ⇒ 7,5 R − 75 > 0 ⇒ ∴ R > 10 Ω
59 R + 450
pois, como R > 0 (não há resistor de valor negativo), então o denominador da fração é sempre positivo.
7,5 R − 75
→ Para a condição ID ≤ 0,1 A, tem-se: ≤ 0,1 ⇒ 7,5 R − 75 ≤ 5,9 R + 45 ⇒ ∴ R ≤ 75 Ω
59 R + 450
→ Interpretação dos resultados: como o LED e o resistor R estão em paralelo, o nó (a) do circuito consiste em um
divisor de corrente. Assim, se R < 10 Ω, então o resistor R desvia toda a corrente da fonte e não permite que o LED
entre em condução (LED apaga) e, se R > 75 Ω, a corrente desviada para o LED é suficiente para fazê-lo queimar.

6.3.2.2) Fotodiodo e célula solar

Como estudado no Capítulo 5, a corrente reversa em um cristal PN é formada por portadores minoritários e a
incidência de energia em um semicondutor, por exemplo luminosa, pode acarretar em quebras de ligações covalentes
e a criação pares elétron-lacuna, o que ocasiona um aumento relevante na concentração de minoritários, mas não de
majoritários. Com base nestes fatos conclui-se então que um cristal PN polarizado reversamente pode se constituir em
um dispositivo tipo fotodetetor, chamado fotodiodo, cuja corrente reversa é controlada pela incidência de luz.
O fotodiodo constituí-se em um componente sensor de luminosidade formado basicamente por um invólucro
contendo um cristal PN e uma janela transparente que possibilita ao cristal absorver energia luminosa para produzir
pares elétron-lacuna proporcional à intensidade de luz incidente (Figura 6.25-a). Esta incidência ocorre diretamente
sobre a região da junção PN, pelo fato dos portadores gerados distante da junção apresentarem maior probabilidade de
se recombinarem antes de consiguir atravessar camada de depleção e alcançar o outro substrato. Como a sensibilidade
à luz indicente para a criação de pares elétron-lacuna é dependente do gap de energia entre as bandas de valência e
condução, o fotodiodo constitui-se então em um dispositivo seletivo de frequência similar ao fotorresistor.
A Figura 6.25-b apresenta alguns símbolos esquemáticos do fotodiodo, onde as setas simbolizam o sentido da
radiação, e a Figura 6.25-c mostra a aparência comercial destes dispositivos. A Figura 6.25-d exemplifica um circuito
de polarização reversa de fotodiodo, onde um resistor R deve ser empregado para limitar a corrente no fotodiodo.
A Figura 6.25-e exemplifica a característica I-V de um fotodiodo, situada no 3º quadrante devido à polarização
reversa, onde a parâmetro L (W/cm2) refere-se aos níveis de radiação incidente na junção e o comportamento quase
constante da corrente reversa em relação à tensão aplicada se deve à foto-geração limitada de portadores livres. Com o
estabelecimento de uma reta de carga na característica (Figura 6.25-e), pode-se observar então o efeito detetor de luz,
onde a corrente reversa no fotodiodo é controlada proporcionalmente pela quantidade de radiação incidente.
Os materiais normalmente empregados para a construção de fotodiodos são germânio, silício e selênio, sendo a
corrente reversa típica da ordem de até dezenas de µA. Os empregos mais comuns para os fotodiodos são como sensor
em chaves e controles ópticos, bem como em sistemas de comunicação digitais por fibra ótica.
93
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

ID (µA)
+VS
janela A L2 > L1 > Lo potencial
R fotovoltaico
P
Lo = 0
luz
N L1 VD (V)
reta de
invólucro K L2 carga
opaco
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 6.25: Fotodiodo: (a) aspectos, (b) símbolos, (c) aparências, (d) polarização, (e) característica I-V.
Na Figura 6.25-e pode-se observar também que a corrente reversa no cristal PN sob iluminamento não se reduz
a zero quando a tensão reversa é reduzida a zero ou seus terminais são curto-circuitados (VD = 0). Isto decorre do fato
dos portadores minoritários gerados em cada substrato poderem migrar para o outro substrato devido ao campo acele-
rante da camada de depleção e continuar a produzir uma corrente exteriormente ao cristal. Desse modo, para levar a
corrente no cristal sob iluminamento a zero (ID = 0) deve-se aplicar uma tensão direta ou abrir seus terminais, o que
resulta no surgimento de uma tensão elétrica entre os terminais, denominada potencial fotovoltaico (Figura 6.24-e),
decorrente do efeito de separação de carga causada pela migração dos minoritários gerados através da junção PN.
Neste caso, como nesta região da característica I-V (4º quadrante) a corrente e tensão no cristal tem o mesmo sentido,
conclui-se que o cristal PN sob iluminamento passa a se comportar fisicamente como uma fonte de tensão elétrica.
O aproveitamento deste efeito entre os terminais de um cristal PN sob iluminamento originou um dispositivo
conversor fotoelétrico, chamado célula fotovoltaica ou célula solar, que emprega, desse modo, a luz solar como fonte
de energia primária para a produção de eletricidade. A Figura 6.26-a mostra um esquema construtivo de uma célula
solar, formada por uma fina camada de material tipo N sobre um substrato P, de modo a permitir que a maior parte da
radiação incidente no substrato N consiga atingir a região próxima à junção PN. Com a conexão de uma carga RL nos
terminais da célula (Figura 6.26-a), tem-se então a produção de uma corrente elétrica externamente ao cristal, o que se
constitui em transferência de energia, ou seja, a célula fotovoltaica opera como um gerador de energia elétrica.
A Figura 6.26-b mostra a característica I-V típica de uma célula solar para alguns níveis de radiação incidente,
onde VV é definida como a tensão em seus terminais e IV a corrente resultante da conexão de uma carga RL em seus
terminais (Figura 6.26-a). A potência PV de saída da célula solar será dada então por: PV = VV IV , e observa-se que, se
VV = 0 (terminais em curto), então PV = 0, e se IV = 0 (terminais em aberto), então PV = 0, ou seja, a potência é nula
para os valores extremos de carga Assim, pode-se obter um ponto de máximo fornecimento de potência da célula
solar para uma determada radiação incidente, usualmente definido por uma reta de carga (Figura 6.26-b).
As células solares (símbolos esquemáticos na Figura 6.26-c e aparência na Figura 6.26-d) são em sua maioria
fabricadas empregando o silício como material base e produzem um potencial fotovoltaico típico de 0,6 V. Com este
material, as tecnologias atuais de construção de células são classificadas basicamente em três tipos:
 Silício monocristalino: é a tecnologia historicamente mais usada, devido ao fato de sua fabricação ser processo
bem constituído. São, em geral, as que apresentam as maiores eficiências, podendo atingir 18%.
 Silício policristalino: possuem eficiência inferior às células de silício monocristalino (13%), sendo contudo mais
baratas que estas por exigirem um processo de fabricação menos rigoroso e oneroso.
 Silício amorfo: difere das demais por apresentar alto grau de desordem na estrutura dos átomos e baixa eficiência
na conversão de energia comparada aos outros tipos (7%), que ainda se reduz ao longo da vida útil. No entanto,
seu processo de fabricação é o mais simples e barato e apresenta a possibilidade de fabricação com grandes áreas.
Células fotovoltaicas e o conjunto destas (baterias solares) apresentam largo emprego como gerador de energia
e como fonte em satélites, calculadoras, carregadores de baterias em locais de difícil acesso da rede elétrica, proteção
contra corrosão catódica, sinalização, sensores de monitoramento, estações repetidoras de telecomunicação, etc.

L3 > L2 > L1
grade metálica IV (A) PV (W)
ponto de
L3 máxima
2,0
potência
VV L2
camada e+ N RL 1,5
L1 reta de
de 1,0 carga
depleção e- P L=0
IV
base metálica 0 ≈ 0,6 VV (V)
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.26: Célula fotovoltaica: (a) aspectos construtivos, (b) característica corrente-tensão e ponto de máxima
transferência de potência; (c) símbolos esquemáticos; (d) aparência comercial de um conjunto (bateria solar).

94
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

6.3.2.3) Optoacopladores

Os chamados optoacopladores são dispositivos construídos com a associação de um componente emissor de luz
e um fotodetetor em um mesmo invólucro, empregado para acoplamentos entre circuitos elétricos distintos por meio
de um sinal ótico. Logo, pode-se obter uma isolação elétrica entre os circuitos, pois o único contato entre os mesmos é
um feixe de luz e, desse modo, é possível controlar um circuito de alta tensão e potência (circuito de saída conectado
ao fotodetetor) por um circuito de tensão e potência comparativamente menor (circuito de entrada ligado ao emissor).
O optoacoplador de diodos (símbolo na Figura 6.27-a e aparências na Figura 6.27-b) é um dispositivo formado
por um LED (normalmente, infra-vermelho) no lado de entrada e um fotodiodo no lado de saída. A Figura 6.27-c
mostra o esquema de um circuito fotocontrolado com optoacoplador de diodos, onde a tensão de saída é dada por:
VSAÍDA = V2 − R2 I2. Assim, qualquer alteração na luz emitida pelo LED por meio de I1 no circuito de controle, atingirá
o fotodiodo e o fará estabelecer uma mudança em VSAIDA via alteração da corrente I2 no circuito controlado.

R1 I1 I2 R2
VENT VSAIDA
V1 V2

circuito de entrada circuito de saída


(a) (b) (c)

Figura 6.27: Optoacoplador: (a) símbolo esquemático; (b) aparências; (c) exemplo de circuitor.

6.3.3) DIODO SCHOTTKY

O chamado diodo Schottky (símbolo na Figura 6.28-a) constitui-se de uma junção metal-semicondutor formado
por um substrato metálico (alumínio, ouro ou prata) e um substrato semicondutor (silício ou arsenieto de gálio) tipo N
pouco dopado (Figura 6.28-b). Este tipo de junção também apresenta
uma característica retificadora, em conseqüência de uma barreira de A semicond. K
potencial chamada barreira de Schottky, ocasionada pela diferença de metal
tipo N
concentrações de portadores entre o metal e o semicondutor. Neste
caso, como nos dois substratos só há elétrons livres como portadores junção
majoritários, então o efeito da capacitância de difusão é nula por não
ocorre um acúmulo de carga em cada lado e, desse modo, o tempo de (a) (b)
recuperação reversa deste diodo se resume ao de transição. Assim, o
Figura 6.28: Diodo Schottky: (a) símbolo
diodo schottky caracteriza-se por apresentar uma rápida comutação
esquemático; (b) estrutura física.
ON-OFF, com tempos de recuperação reversa de ordem inferior a ns,
possibilitando então sua aplicação em circuitos que trabalham com sinais elétricos de variação elevada, tais como
microprocessadores, bem como retificadores de pequenos sinais e altas freqüências (da ordem de até 300 MHz).

6.3.4) VARICAP

Como visto no Capítulo 5, um cristal PN se caracteriza por apresentar substratos com portadores majoritários
separados por uma região ausente de carga livres chamada camada de depleção. Pode-se entender então que a camada
de depleção desenpenha a função de um dielétrico entre os substratos P e N do cristal e estes se comportam como
placas carregadas com cargas livres (majoritários), o que pode ser definido como um efeito capacitivo (Figura 6.29-a),
denominado capacitância de transição, de barreira ou de junção, comum então a todos os cristais PN.
Com base na Figura 6.29-a observa-se que a capacitância de transição de um cristal PN (CT) pode ser definida
por: CT = ε A/W, onde W é a largura da região de depleção, A é a área da junção e ε é a permissividade dielétrica do
semicondutor. Como uma das consequências da polarização reversa em um cristal PN, vista no Capítulo 5, reside no
aumento da largura W da camada de depleção com o aumento da tensão reversa, tem-se então que a capacitância de
transição do cristal pode ser modulada inversamente pela tensão reversa aplicada (Figura 6.29-b). Assim, este efeito
pode ser empregado na obtenção de capacitores variáveis, cuja capacitância se ajusta automaticamente com a tensão
reversa aplicada ao cristal, sem a necessidade da realização de movimentos mecânicos entre placas metálicas.
Este comportamento de capacitância controlada por tensão é então empregado na construção de um diodo de
finalidade específica chamado varicap, varactor ou epicap (símbolo esquemático na Figura 6.29-c e aparências na
Figura 6.29-d), que apresenta fatores construtivos como grande área de junção e nível de dopagem especificamente
dimensionado para maximizar o efeito da capacitância de transição. Assim, o varicap é largamente empregado na
montagem dos chamados circuitos tanques ressonantes (princípio em que se baseia a sintonia de um sinal de onda
eletromagnética) para a recepção de sinais em rádios, TV’s, celulares e outros equipamentos de telecomunicação.
95
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

P W N
CT (F)

A
ε

cargas dielétrico cargas 0 tensão reversa (V)


armazenadas armazenadas
(a) (b) (c) (d)
Figura 6.29: (a) Esquema da capacitância de transição em um cristal PN; (b) variação da capacitância de
transição com a tensão reversa aplicada; varicap: (c) símbolo esquemático, (d) aparências comerciais.

6.3.5) VARISTORES

Descargas atmosféricas e chaveamento de cargas reativas podem ocasionar perturbações transitórias, tais como
sobretensões rápidas (chamados surtos de tensão), que podem danificar equipamentos mais sensíveis e, para mitigar
este problema, é comum o emprego de supressores de surtos em redes elétricas e nos mais diversos equipamentos.
Os chamados varistores constituem-se de
I um tipo de filtro (símbolo na Figura 6.30-a e
aparêncas nas Figuras 6.30-b e c), usados em
-BV equipamentos para limitar (“grampear”) sinais
BV V de tensão a partir de um certo valor nominal,
propiciando então proteção contra sobretensões
transitórias provindas da rede elétrica.
O tipo mais comum de varistor são os de
óxidos metálicos (MOV), que são constituídos
sobretensão por pequenos grãos de óxido de zinco (ZnO)
orientados randomicamente e sinterizados com
(a) (b) (c) (d)
pequena quantidade de outros óxidos metálicos
(tais como cobalto, manganês e bismuto, etc.).
Figura 6.30: Varistores: (a) símbolo esquemático; (b) aparências
Outros materiais empregados são o dióxido de
diversas; (c) aparência do tipo alta tensão; (d) característica I-V.
estanho (SnO2) e dióxido de titânio (TiO2).
O funcionamento do varistor reside no fato da fronteira entre cada grão de óxido metálico se comportar como
uma junção retificadora, equivalendo-se eletricamente a uma rede de diodos zener um de costas para o outro, cada par
em paralelo a outros pares. Quando em operação normal, em que baixas ou moderadas tensões nos dois sentidos de
condução são aplicadas em seus terminais (eletrodos), o varistor praticamente não conduz uma corrente utilizável,
comportando então como uma chave aberta. Porém, quando atingido o seu limite de grampeamento, o varistor passa a
conduzir intensamente nos dois sentidos devido à ruptura da rede de diodos (causada por uma combinação de efeitos
de emissão termiônica e tunelamento), resultando então em um comportamento de chave fechada de baixa resistência.
A característica I-V de um varistor (Figura 6.30-d) mostra então que este dispositivo apresenta um efeito de
ceifamento de picos de tensão quando ultrapassado os seus limites de ruptura nos dois sentidos de condução, sendo
usados para proteger tanto equipamentos de pequena potência (fontes, reatores eletrônicos, sistemas “no-break”, etc.),
quanto grandes conjuntos de carga em subestações. Contudo, os varistores não provêem proteção contra sobretensões
mantidas por longos períodos, necessitando de sensores de calor e, se necessário, do seccionamento do equipamento.

6.4) EXERCÍCIOS PROPOSTOS


Problema 1: Para um diodo de junção PN de silício (considerar η = 2) a 20 oC, determinar:
a) A tensão reversa para que a corrente atinja 95 % do seu valor de saturação.
b) A razão, em módulo, entre as correntes direta e reversa, para uma tensão direta e reversa de 0,2 V, respectivamente.
c) A corrente direta para as tensões de 0,5 V, 0,6 V e 0,7 V aplicadas aos terminais do diodo considerando IS = 10 nA.
d) Se IS = 1 nA, qual será a tensão aplicada ao diodo para um corrente direta de 2,5 µA ?
e) Se ID = 70 mA quando VD = 0,65 V a 20 oC, qual o valor da corrente de saturação para a temperatura de 50 oC?

Problema 2: Um diodo está funcionando a uma tensão direta de 0,7 V. Qual é a relação entre as correntes máxima e
mínima neste diodo numa gama de temperaturas entre –55 e 100 oC ? Considere η = 2.

Problema 3: Determine a cor de um diodo emissor de luz, cuja energia do gap entre a BV e a BC vale 2 eV.
96
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Problema 4: Para o circuito e segmento de polarização direta da característica I-V do diodo fornecidos, pede-se:
a) Para VS = 6 V, determine o ponto de operação do diodo empregado no circuito.
b) Para VS = 6 V, mede-se a tensão no diodo e obtém-se 1,0 V. Pergunta-se: o diodo tem problemas? Explique.
c) Para VS = 6 V, mede-se a corrente no diodo e obtém-se 200 mA. Pergunta-se: o diodo tem problemas? Explique.
d) Se VS = 5 V, determine o resistor a ser trocado com o de 6 Ω para se ter o mesmo ponto de operação do item a).
ID (mA)
200

30 Ω
150

D 6Ω
VS 100

50

Problema 4
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VD (V)

Problema 5: Montou-se o circuito fornecido e observou-se uma leitura de 5 V no voltímetro. Pergunta-se: há algum
problema no circuito? Se sim, explique um possível causa. Se não, explique o funcionamento do circuito.

Problema 6: Para o circuito fornecido, determine a potência dissipada no diodo D e no resistor de 9 Ω. Considere o
modelo aproximado do real para o diodo, onde: Vγ = 0,5 V , Rf = 5 Ω.

Problema 7: O circuito fornecido apresenta o comportamento de uma porta lógica OR. Pede-se: determine a tensão
de saída Vo para as seguintes entradas V1 e V2: a) V1 = V2 = 5 V ; b) V1 = V2 = 0 V ; c) V1 = 5 V e V2 = 0 V.
Considere o modelo aproximado do real simplificado os diodos D1 e D2 , onde: Vγ = 0,7 V.
+V 1
200 Ω
10 Ω D 1Ω D D1

9Ω +V 2 +V o
10 Ω V 4V
10 V 4V 200 Ω D2 4,8 kΩ

Problema 5 Problema 6 Problema 7

Problema 8: Para o circuito fornecido, determine o valor limite da razão entre os resistores R1 e R2 para que o LED
emita luz. Adotar modelo aproximado do real simplificado para o LED, onde: Vγ = 1,6 V.

Problema 9: Para o circuito dado, sabe-se que a corrente direta máxima do LED empregado é 75 mA. Determine a
faixa de valores para o resistor R tal que o LED emita luz e explique o que acontece com o LED se os limites da faixa
forem ultrapassados. Adotar modelo aproximado do real simplificado para o LED, onde: Vγ = 1,5 V.

Problema 10: O circuito fornecido é um indicador visual de luminosidade através do brilho de um LED, que emprega
um LDR como sensor de luz. Explique a relação entre a intensidade de luz no LDR e o brilho do LED.

R1 R R

4V LED R2 9V 20 Ω LED VS LED LDR

Problema 8 Problema 9 Problema 10

Problema 11: Montou-se um circuito retificador para alimentar aparelhos de rádio (figura dada). Explique o que
acontecerá com o ripple da tensão de saída com relação a: 1) volume do som ; 2) tamanho (potência) dos aparelhos.

Problema 12: O circuito dado é uma aplicação prática de controle de luminosidade ambiente através do emprego de
um diodo, um interruptor do tipo duplo e uma lâmpada incandescente L. Explique o funcionamento do circuito.

97
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Problema 13: Para o circuito dado e características I-V linearizadas dos diodos empregados, pede-se:
a) Obtenha o modelo esquemático dos diodos para cada modo de operação e respectivas condições de funcionamento.
b) Enumere as hipóteses existentes para os modos de operação dos diodos e explique quais são as realmente possíveis.
c) Para a entrada vS e saída vL, determine as características de transferência do circuito e respectivas condições.
d) Determine a forma de onda da tensão de saída vL para um sinal de tensão de entrada vS = 15 sen(ωt) .
ID
diodo D
S1 200 Ω
D D
0 VD
vS 800 Ω vL
vS C 220 V S2 ID
DZ diodo DZ
L
-10
0 VD (V)
Problema 11 Problema 12 Problema 13

Problema 14: A figura dada apresenta duas relações gráficas da variável de saída vo em função da variável de entrada
vS , que expressam a característica de transferência geral de determinados circuitos. Para cada gráfico, pede-se:
a) Determine as equações da característica de transferência e respectivas condições.
b) Com base no valor da declividade das retas (∆), interprete como o sinal de entrada é refletido na saída.
c) Obtenha a forma de onda da saída vo para uma entrada vS = 10 sen(ωt).

Problema 15: A figura fornecida mostra a representação de um determinado circuito com didos, onde vS é o sinal de
entrada e as variáveis v1 e v2 são os sinais de saída de interesse do circuito, bem como as equações da característica de
transferência e respectivas condições para a saída v1 e a relação entre as saídas v1 e v2. Pede-se:
a) Determine o valor das constantes a e b. Explique o cálculo realizado e o significado da constante a.
b) Desenhe o gráfico da característica de transferência com base nas equações fornecidas.
c) Desenhe a forma de onda do sinal de saída v1 para o sinal de entrada vS fornecido (forma de onda triangular).
d) Desenhe a forma de onda do sinal de saída v2 para o mesmo sinal de entrada vS fornecido no item d).
vS ( V )
vo ( V ) vo ( V ) v1 = 4 se: vS > 5 + v1
12

+vS v1 = a vS se: − 6 ≤ vS ≤ 5
v = b se: v < − 6
∆=-2 ∆=2 1 + v2 0 π 2π ωt
∆ = - 0,5 ∆ = 0,5
S

0 vS ( V ) 0 vS ( V ) v2 = v1 − 3
-12
Problema 14 Problema 15
Problema 16: O circuito dado trata-se de um indicador visual de luminosidade através do brilho de uma lâmpada L,
que emprega um resistor tipo LDR como sensor de luz e um optoacoplador LED-fotodiodo para o acoplamento entre
os circuitos. Explique a relação entre a luz incidente no LDR e a intensidade da luz emitida pela lâmpada L.

Problema 17: Deseja-se montar um regulador de tensão com zener para obter 9 V na carga RL (circuito fornecido),
considerando um sinal de entrada VS = 14 ± 2 V. As especificações do zener a ser empregado no circuito são: VZ = 9 V
e PZ = 1,8 W. Adote a regra prática IZK = 10% de IZM e determine a faixa de valores em que deve variar a resistência
de carga RL para que o zener consiga efetivamente regular a tensão de saída em 9 V.

Problema 18: Deseja-se projetar um regulador de tensão com zener para fixar em 12 V a tensão em uma carga RL.
Para isso, será necessário o emprego de dois zeners em série (figura dada), com as seguintes especificações:
• Zener DZ1 : VZ = 8 V , IZK = 20 mA , IZM = 200 mA ; • Zener DZ2 : VZ = 4 V , IZK = 30 mA , IZM = 250 mA
A variação da resistência de carga é dada por: RL = 200 Ω ± 50%. Determine a faixa de tensão de entrada VS para que
os zeners consigam efetivamente regular a tensão de saída em 12 V . Explique o cálculo realizado.

60 Ω 30 Ω
R L DZ1
LDR VS DZ RL VS RL
V1 V2
DZ2

Problema 16 Problema 17 Problema 18

98
CAPÍTULO 7: DISPOSITIVOS A JUNÇÃO PN - II: TBJ
Similar aos diodos a vácuo, o desenvolvimento dos chamados triodos o vácuo, genericamente conhecidos como
válvulas, teve início com o emprego do fenômeno da emissão termoiônica, que possibilita um efeito controle ativo de
corrente entre placas metálicas imersas em um gás a baixa pressão. Neste caso, além
emissor ou grade coletor ou
de uma placa emissora (catodo), onde é produzido o efeito termiônico, e de uma catodo anodo
placa coletora (anodo), estes dispositivos apresentam uma terceira placa denominada
e–
grade, caracterizada pela presença de furos para permitir a retirada de apenas uma
pequena parte dos elétrons emitidos pelo catodo e possibilitar que a maioria destes
elétrons alcance a placa coletora (Figura 7.1). Com isso, a pequena corrente da grade
pode exercer um controle sobre a corrente comparativamente maior entre o catodo e calor
o anodo, que pode ser aproveitado para a obtenção de um efeito amplificador de
sinais, bem como possibilitar um efeito chave liga-desliga controlado por corrente. K G A
O chamado transistor bipolar de junção, genericamente conhecido como TBJ
Figura 7.1: Triodo a vácuo.
ou BJT, é um triodo semicondutor desenvolvido nos Laboratórios Bell em 1947, que
substituíram gradativamente as válvulas termoiônicas (pelo fato destas apresentar o inconveniente de consumir muita
energia devido ao efeito termoiônico), bem como tem possibilitado novas inovações teconológicas, tais como outros
tipos de transistores e os chamados circuitos integrados. Desse modo, praticamente todos os equipamentos eletrônicos
projetados e construídos atualmente fazem largo emprego destes componentes semicondutores em seus circuitos.
Este capítulo visa então realizar um breve estudo sobre o funcionamento e a análise CC de circuitos com TBJs.

7.1) ASPECTOS GERAIS


O transistor bipolar de junção, ou TBJ, é um cristal semicondutor formado por três substratos, denominados
emissor (cujo terminal pode ser indicado por E), base (B) e coletor (C), que desempenham funções similares à das
placas do triodo a vácuo, necessitando então apresentar diferentes aspectos físicos, descritos a seguir (Figura 7.2-a):
 Emissor: é o substrato mais densamente dopado dos três, devido à sua função como fornecedor dos portadores de
carga livres necessários ao funcionamento do TBJ. Possui tamanho intermediário entre os substratos base e coletor.
 Base: é o substrato de menor dopagem e menor dimensão dos três, devido à sua função residir em recolher apenas
uma pequena quantidade dos portadores livres injetados pelo emissor, permitindo que a maioria alcance o coletor.
 Coletor: possui dopagem intermediária entre o emissor e a base, e sua função consiste em recolher os portadores
livres da base vindos do emissor. Apresenta o maior tamanho por disipar mais calor que os outros substratos.
Para se obter um controle ativo de corrente em material sólido, chamado efeito transistor, os três substratos do
TBJ devem formar duas junções PN (Figura 7.2-a), as chamadas junção emissor-base (JE) e junção coletor-base (JC), o
que implica em duas combinações possíveis de materiais e resultam em duas famílias para o TBJ (Figura 7.2-a):
• TBJ NPN: constituído por um substrato tipo P (base) entre dois substratos tipo N (emissor e coletor). Neste caso,
como o substrato emissor tipo N é o responsável por fornecer portadores livres aos outros substratos para o devido
funcionamento do TBJ, então as correntes no TBJ NPN serão formadas majoritariamente por elétrons livres.
• TBJ PNP: constituído por um substrato tipo N (base) entre dois substratos tipo P (emissor e coletor). Neste caso,
como o substrato emissor é do tipo P, as correntes no TBJ serão formadas majoritariamente por lacunas.
Portanto, cada junção PN apresentam suas respectivas camadas de depleção: emissor-base (EB) e coletor-base
(CB) e, como quanto mais densamente dopado um substrato, menor a camada de depleção em seu lado, tem-se que a
largura da camada EB é menor que a CB pelo fato do substrato emissor ser o de maior dopagem (Figura 7.2-b).
Assim, com a formação de duas junções PN, pode-se então entender o TBJ como um dispositivo constituído
por dois diodos entre o terminal da base e os terminais emissor e coletor mais externos (Figura 7.2-a), definidos por:
 Diodo emissor: corresponde ao cristal PN observado entre os terminais do emissor (E) e da base (B) do TBJ;
 Diodo coletor: corresponde ao cristal PN observado entre os terminais do coletor (C) e da base (B) do TBJ.
Emissor Base Coletor Emissor Base Coletor
E N P N C E N P N C

P N P P N P
JE JC camada de depleção camada de depleção
diodo diodo emissor-base (EB) coletor-base (CB)
emissor B coletor B
(a) (b)

Figura 7.2: Constituição física e nomenclaturas do TBJ: (a) substratos e diodos; (b) camadas de depleção.

99
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Tal como nos diodos, os TBJs de silício são mais amplamente empregados que os de germânio, por oferecerem
especificações de tensão e corrente mais elevadas, menor sensibilidade à temperatura e menores correntes reversas,
razão pela qual a teoria abordada neste capítulo limitar-se ao estudo de transistores bipolares de junção de silício.
Os símbolos esquemáticos dos transistores bipolares de junção tipos NPN e PNP apresentam uma seta para
identificar o terminal emissor e o sentido da corrente neste terminal quando o diodo emissor do TBJ se encontra em
seu modo condução. No caso do TBJ NPN, a seta aponta para fora no símbolo (Figura 7.3-a) pelo fato do substrato
emissor tipo N injetar elétrons livres (majoritários) na base com o diodo emissor em condução, o que corresponde a
uma corrente de direção contrária no sentido convencional (das cargas positivas). Para o TBJ PNP, a seta aponta para
dentro no símbolo (Figura 7.3-b) pelo fato do substrato emissor tipo P injetar lacunas (majoritários) na base e, como
lacunas são portadores de carga positivas, a direção da corrente já corresponde ao sentido convencional.
Como os substratos do transistor bipolar de junção disponibilizam três terminais então o mesmo apresenta seis
variáveis (três de corrente e três de tensão) acessíveis em seus terminais (exemplificação na Figura 7.3-c):
a) Correntes de emissor (IE), base (IB) e coletor (IC). Como o substrato emissor tem a função de fornecer os portadores
livres para o TBJ funcionar, tem-se então uma relação matemática básica entre as correntes do TBJ dada por:
I E = IC + I B (7.1)
b) Tensões entre o coletor e o emissor (VCE ou VEC), entre o coletor e a base (VCB ou VBC) e entre a base e o emissor
(VBE ou VEB). Neste caso, pode-se estabelecer que: VCE = − VEC , VCB = − VBC e VBE = − VEB .
TBJ tipo NPN TBJ tipo PNP
IC IC
terminal coletor (C) terminal coletor (C) VCB VBC
C C
IB B IB B
terminal terminal VCE VEC
base (B) base (B)
VBE E VEB E

terminal emissor (E) terminal emissor (E) IE IE

(a) (b) (c)

Figura 7.3: Símbolos esquemáticos do TBJ: (a) NPN e (b) PNP; (c) variáveis de tensão e corrente do TBJ.
Os TBJ’s NPN e PNP podem ser empregados conjuntamente em circuitos para se obter determinado efeito e a
escolha de qual utilizar para uma aplicação depende da conveniência determinada pelas condições de projeto, sendo
as especificações de fabricação de TBJ’s NPN e PNP de mesmo tipo semelhantes e basicamente suas diferenças são:
• Sentido positivo de correntes e tensões: como as correntes são formadas por elétrons livres no NPN e lacunas no
PNP, então os sentidos positivo de correntes e tensões no NPN e PNP são opostos (Figura 7.3-c).
• Tempos de comutação: como a mobilidade das lacunas é menor que a dos elétrons livres (Tabela 5.1), então o PNP
geralmente tem comutação mais lenta que o NPN, pois as correntes em seus substratos são formadas por lacunas.
Os TBJ's apresentam diversas aparências e são classificados basicamente em dois grupos quanto à potência
dissipada: de pequeno sinal (≤ 0,5 W) e de potência (> 0,5 W), onde estes últimos apresentam um encapsulamento
metálico, bem como furos para encaixe em uma massa de metal (geralmente de alumínio) para facilitar a dissipação
de calor (exemplos na Figura 7.4). Em geral, os de maior potência são empregados em estágios finais de circuitos.
A nomenclatura dos TBJ’s de origem norte-americana utiliza a sigla “2N” para a sua codificação (exemplos:
2N2222, 2N3055 e 2N2906) e a européia apresenta uma codificação mais completa, composta por duas letras: 1o letra
(tipo de material): A = germânio, B = silício; 2o letra (emprego básico): C = aplicações gerais e áudio, D = potência e
F = rádio-freqüência (exemplos: tipos NPN: BC548, BD135 e BF494; tipos PNP: BC558, BD136 e BF495).

TBJ’s de pequeno sinal TBJ’s de potência

Figura 7.4: Aparências diversas de alguns tipos de transistores bipolares de junção.


Além das capacidades de potência de dissipação, as folhas de dados (data sheets) dos TBJ’s fornecidas pelos
fabricantes apresentam diversas especificações de fabricação, tais como ganhos de corrente, com os TBJ’s de menor
potência geralmente apresetando ganhos maiores devido às suas aplicações mais comuns, bem como limites de tensão
reversa de ruptura entre dois terminais quaisquer do TBJ, corrente de coletor máxima (ICM) e correntes reversas entre
dois terminais considerando o terceiro em aberto. Algumas destas especificações serão melhor definidas quando do
estudo das características I-V apresentadas pelas chamadas cconfigurações de circuitos com TBJ’s.
100
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Excessos de tensão ou corrente podem danificar os diodos do TBJ, deixando-os em curto ou aberto, o que exige
o emprego de medidores especiais para detectar correntes de fuga demasiadas, ganhos de correntes baixos e tensões
de ruptura insuficientes. Além disso, é comum o teste com TBJ's antes de sua aplicação em circuitos, por exemplo:
• Tal como o diodo, o TBJ é um dispositivo polarizado, necessitando então da identificação de seus terminais. Neste
caso, pode-se utilizar a folhas de dados do componente, bem como multímetros que disponibilizam bornes de teste,
onde a correta conexão dos terminais do TBJ nos bornes é indicada pela medição de um ganho de corrente médio.
• A opção de teste de diodos de alguns multímetros permite verificar as condições dos diodos do TBJ, por meio da
leitura da tensão de limiar típica de cada diodo. Neste caso, porém, só é possível identificar o terminal da base.
• Outro teste consiste na medição da resistência entre os terminais coletor e emissor, que deve ser da ordem de MΩ,
ou a razão entre as resistências reversa e direta dos diodos emissor e coletor, que deve ser maior que 1000.

7.2) MODOS DE OPERAÇÃO DO TBJ


Como visto anteriormente, o TBJ é constituído pelos diodos emissor e coletor. Logo, baseado na teoria vista no
Capítulo 6, tem-se que cada diodo apresenta um valor de limiar Vγ e, desse modo, pode-se polarizar estes diodos em
condução ou corte dependendo da tensão aplicada entre os seus terminais, o que determina comportamentos distintos
para o TBJ. Assim, as quatro combinações possíveis de polarização simultânea dos diodos (esquemas explicativos na
Figura 7.5) definem então os quatro modos de operação possíveis do TBJ (resumo na Tabela 7.1), descritos a seguir:
CORTE OU BLOQUEIO ATIVO DIRETO SATURADO ATIVO REVERSO
E C E C E C E C
N P N N P N N P N N P N

VBE ≤ Vγ B VBC ≤ Vγ VBE > Vγ B VBC ≤ Vγ VBE > Vγ B VBC > Vγ VBE ≤ Vγ B VBC > Vγ

E C E C E C E C
P N P P N P P N P P N P

VEB ≤ Vγ B VCB ≤ Vγ VEB > Vγ B VCB ≤ Vγ VEB > Vγ B VCB > Vγ VEB ≤ Vγ B VCB > Vγ
(a) (b) (c) (d)

Figura 7.5: Esquemas simplificados da polarização dos diodos para a obtenção dos modos de operação do TBJ.
1) MODO CORTE OU BLOQUEIO: este modo de operação é atingido com os diodos emissor e coletor do TBJ
polarizados no corte, isto é, com tensão entre seus terminais inferiores aos respectivos limiares (Figura 7.5-a), ou
mesmo reversas. Assim, como as correntes no TBJ são da ordem de correntes reversas, podendo ser consideradas
praticamente nulas (IE = IC = IB ≈ 0), o TBJ opera então como uma chave aberta entre qualquer de seus terminais.
2) ATIVO DIRETO: este modo de operação é alcançado com o diodo emissor polarizado em condução e o diodo
coletor no corte, isto é, com tensão aplicada entre os terminais emissor e base (diodo emissor) maior que seu nível
de limiar e tensão entre os terminais coletor e base (diodo coletor) menor ou igual ao seu limiar (Figura 7.5-b).
A Figura 7.6-a mostra o mecanismo de funcionamento do TBJ no modo ativo direto, exemplificada para o TBJ
NPN. Com o diodo emissor em condução, tem-se então uma corrente direta no terminal emissor (IE) formada por
elétrons livres do substrato emissor tipo N (majoritários) injetados na base tipo P, vindo a se tornarem minoritários
neste substrato. Como a base é fina e pouco dopada, então uma pequena parcela dos elétrons livres injetados são
capturados devido a recombinações com lacunas da base, o que resulta em uma pequena corrente no terminal da
base (IB). Desse modo, como o diodo coletor está no corte e o campo elétrico da barreira de potencial confinado na
camada de depleção de um cristal PN é acelerante para minoritários (vide Capítulo 5), então a maior parecela dos
elétrons livres injetados pelo emissor na base, por se tornarem minoritários, são atraídos para o substrato coletor
devido ao campo acelerante na camada de depleção coletor-base (Figura 7.6-a), o que se constitui em uma corrente
reversa no diodo coletor que resulta na corrente do terminal coletor (IC). Assim, apesar da corrente de coletor ser
do tipo reversa, esta será comparável a IE por ser formada pela maioria dos majoritários vindos do emissor.
Como conseqüência, tem-se idealmente que, se a tensão direta no diodo emissor for mantida, então a corrente
de emissor se mantém constante e, como as correntes de base e coletor são formadas pelos majoritários do emissor,
então estas também se mantém constantes, independentemente de alterações na tensão reversa do diodo coletor.
Assim, observa-se que o TBJ no ativo direto apresenta um efeito controle de corrente por corrente, o que permite o
conceito de ganho, sendo porisso neste modo de operação definidos os ganhos de corrente do TBJ (vistos adiante).
A Figura 7.6-b demonstra este mecanismo com base no modelo de bandas de energia. Com o diodo emissor em
condução, elétrons livres do substrato emissor (que formam IE) adquirem energia suficiente para ocupar órbitas
disponíveis na BC da base. Alguns destes elétrons injetados podem se recombinar com lacunas da base e fluir para
101
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

o seu terminal (IB), mas a maior parte apresenta vida média suficiente para alcançar a junção coletor-base, ocupar
órbitas disponíveis na BC no coletor e fluir para o seu terminal (IC). Como a BC no coletor tem menores energias
que na base, então os elétrons liberam energia na forma de calor ao penetrar no substrato coletor (Figura 7.6-b),
sendo esta a razão para o coletor ser o maior substrato, pois deve ser capaz de dissipar esse calor.
campos das barreiras de potencial
energia
N P N
E e– C emissor base coletor
e– –
e N P N

VBE VCB liberação


B BC de calor

E C
BV
IE IC
IB JE JC
B
(a) (b)

Figura 7.6: Mecanismo de condução dos modos ativo direto e saturado de um TBJ NPN.
3) SATURADO: este modo de operação é atingido quando ambos os diodos emissor e coletor estão polarizados em
condução (Figura 7.5-c). Como o diodo coletor também levado à condução, ocorre então que a corrente reversa do
diodo coletor do TBJ, quando no modo ativo direto, passa a sofrer uma oposição devido ao diodo coletor tender
também a conduzir uma corrente direta. Logo, a denominação para este modo de operação decorre devido à perda
do controle da corrente de coletor pela corrente de emissor obtida no modo ativo direto, ou seja, alterações em IE
não são mais refletidos integralmente em IC, e diz-se então que o TBJ “saturou”. Desse modo, as correntes no TBJ
na saturação mantém o mesmo sentido do ativo direto pois, para poder inverter a corrente e conduzir diretamente,
a corrente no diodo coletor precisa antes anular a corrente reversa estabelecida no modo ativo direto.
4) MODO ATIVO REVERSO: este modo de operação é atingido quando o diodo emissor está no corte e o diodo
coletor em condução (Figura 7.5-d). Observa-se então que estas polarizações dos diodos do TBJ são contrárias aos
do modo ativo direto, ou seja, o substrato coletor passa a executar a função do emissor (fornecer portadores para o
TBJ funcionar), e vice-versa. Neste caso, apesar de executar também um efeito controle de corrente, o modo ativo
reverso apresenta ganhos de corrente muito baixos devido às referidas inversões de função, sendo então raramente
empregado (por exemplo em certos circuitos de comutação analógica), razão pela qual este não será abordado.
As particularidades de funcionamento dos transistores biplares de junção em seus modos de operação resultam
essencialmente em duas aplicações básicas destes dispositivos nos mais diversos tipos de circuitos eletrônicos:
1) Chaveamento: o efeito chave liga-desliga do TBJ consiste usualmente no aproveitamento dos modos de operação
saturado e bloqueio, sendo esta função amplamente aplicada em circuitos comutadores e digitais.
2) Amplificação: o efeito amplificador de sinais do TBJ consiste no aproveitamento do modo ativo, devido ao efeito
controle de corrente por corrente, que encontra amplo emprego em circuitos analógicos e integrados.

Tabela 7.1: Polarizações dos diodos emissor e coletor do TBJ e conseqüentes modos de operação.
MODOS DE OPERAÇÃO DO TBJ
DIODOS DO TBJ
Corte ou Bloqueio Ativo Direto Saturado Ativo Reverso
Diodo emissor (JE) corte condução condução corte
Diodo coletor (JC) corte corte condução condução

7.3) CONFIGURAÇÕES DO TBJ


Dispositivos de três terminais necessitam de pelo menos
corrente corrente
duas malhas para sua conexão em um circuito. Neste caso, uma
de entrada dispositivo de de saída
das malhas, chamada de entrada ou de controle, se distingue pelo
terminal que conduz a corrente dita de entrada do dispositivo, 3 terminais
fornecida por uma fonte de sinal qualquer, e a segunda, chamada ventrada carga
malha de saída ou controlada, se distingue pelo terminal que malha de entrada malha de saída
conduz a corrente dita de saída na carga do circuito (Figura 7.7).
Assim, um terceiro terminal do dispositivo será então comum às
Figura 7.7: Conjunto de malhas mínimo para a
malhas de entrada e saída, ou mesmo fornecerá uma referência
polarização de um dispositivo de três terminais.
de tensão aos outros dois terminais (Figura 7.7).
102
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Como os transistores bipolares de junção apresentam três terminais acessíveis (emissor, base e coletor), deve-se
então definir qual terminal será empregado para fornecer a corrente de entrada, que determina ainda o comportamento
do dispositivo (modos de operação), e qual terminal fornecerá a corrente de saída para alimenar a carga do circuito ou
propagar algum sinal para o restante do circuito. Neste caso, no entanto, a corrente no terminal da base do TBJ (IB)
não é geralmente escolhida como corrente de saída, pois esta opção acarreta em um circuito ineficiente pelo fato de se
ter uma corrente de entrada relativamente elevada (IE ou IC) controlando uma corrente de saída bem menor (IB).
Assim, definidos os terminais de entrada e saída, o terceiro terminal do TBJ será então comum à estas malhas,
ou funcionará como referência de tensão, o que define as chamadas configurações do TBJ:
1) Configuração Base Comum (BC): a corrente de emissor é a de entrada e a corrente de coletor a de saída do TBJ,
ou seja, o terminal da base é comum aos do emissor e do coletor (Figura 7.7-a). Como IC ≈ IE então eventualmente
pode-se empregar a corrente de emissor como saída e a de coletor como entrada do circuito.
2) Configuração Emissor Comum (EC): a corrente de base é a de entrada do TBJ e a corrente de coletor a de saída,
ou seja, o terminal do emissor é comum aos terminais da base e do coletor (Figura 7.7-b);
3) Configuração Coletor Comum (CC): a corrente de base é a de entrada do TBJ e a corrente de emissor a de saída,
ou seja, o terminal do coletor é comum aos terminais da base e do emissor (Figura 7.7-c).
Como o funcionamento de um TBJ depende apenas de como estão polarizados os seus diodos emissor e coletor,
então os modos de operação podem ser alcançados em qualquer das três configurações possíveis, distinguindo-se, no
entanto, pelos ganhos de corrente do TBJ devido às diferentes composições de correntes de entrada e saída.
Similarmente ao visto para o diodo, o comportamento do TBJ em seus modos de operação pode ser visualizado
por meio de gráficos que relacionam variáveis mensuráveis em seus terminais (características I-V). Porém, como o
TBJ apresenta seis parâmetros a estudar (três variáveis de corrente e três variáveis de tensão), então o gráfico destas
características se mostram mais complexos e dependem da configuração empregada, do tipo de malha (entrada ou
saída) e da necessidade de se fixar uma terceira variável do TBJ para se estabelecer uma condição de funcionamento
básica. Como mencionado, o modo ativo reverso apresenta pouca utilidade prática e não será abordado nestes estudos.
Além disso, as curvas das características I-V do TBJ na região ativa direta apresentam certas particularidades
devido ao chamado efeito Early, visto a seguir, que determina um comportamento um pouco diferente do idealizado.

7.3.1) EFEITO EARLY

Como visto na Figura 7.2-b, o TBJ possui duas regiões de depleção: emissor-base (EB), que compõe o diodo
emissor, e coletor-base (CB), que compõe o diodo coletor. Desse modo, pode-se observar que a largura da base entre
as duas regiões, chamada largura efetiva da base, é a que realmente apresenta portadores de carga livres.
Como visto no Capítulo 5, a largura da camada de depleção praticamente não se altera quando o cristal PN está
em polarização direta, mas aumenta quando este é polarizado reversamente. Supondo um TBJ no modo ativo direto,
isto é, com o diodo emissor em condução e o diodo coletor no corte, tem-se então que a largura efetiva da base básica-
mente diminui com o aumento da tensão reversa no diodo coletor. Este efeito de modulação da largura efetivamente
ocupada pela base, denominado efeito Early, proporciona quatro alterações no funcionamento idealizado do TBJ:
1) Aumento da corrente de emissor (IE): o estreitamento da largura efetiva da base causa um aumento da concentração
de majoritários neste substrato, o que resulta em um aumento na diferença de concentração de majoritários na base
e minoritários no emissor. Como correntes de difusão são proporcionais ao gradiente de concentração e a corrente
de emissor é direta e, portanto, de difusão, então IE aumenta com a elevação da tensão reversa no diodo coletor.
2) Diminuição da corrente de base (IB): a diminuição da largura efetiva da base acarreta em diminuição do caminho
que os portadores injetados na base pelo emissor devem percorrer para atingir o substrato coletor, o que acarreta
em menor possibilidade de recombinação destes portadores e, portanto, na diminuição da corrente de base.
3) Aumento da corrente de coletor (IC): a elevação da corrente de emissor e a dimiuição da corrente na base acarretam
então no aumento da corrente de coletor, que tende a se aproximar ainda mais da corrente de emissor.
4) Ruptura por punch-through: para tensões reversas muito elevadas no diodo coletor, a largura efetiva da base pode
se reduzir a zero, isto é, as duas camadas de depleção se fundem, o que causa correntes excessivamente elevadas
(correntes de ruptura) e resulta na queima do TBJ, o que é conhecido como perfuração ou punch-through.
Assim, a ação do efeito Early causa variações nos ganhos de corrente do TBJ quando este opera no modo ativo
direto, o que resulta em certas inclinações nas curvas da característica I-V do TBJ nesta região, vistas a seguir.

7.3.2) CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM (BC)

Para o estudo da configuração base comum, seja como exemplificação o circuito de polarização de um PNP
dado na Figura 7.8-a (para o NPN, a análise é análoga), onde observa-se que o terminal base pertence tanto à malha
de entrada quanto a de saída, ou seja, o TBJ encontra-se em base comum. Analisando-se o circuito, tem-se então que:
 A ddp VEB consiste em uma tensão direta no diodo emissor do TBJ. Considerando uma tensão de limiar típica em
torno de 0,5 V para este diodo, tem-se então que, caso VEB ≤ 0,5 V então IE = 0 A e o diodo emissor se encontra no
corte e, caso VEB > 0,5 V, então IE > 0 A e, desse modo, o diodo emissor se encontra em condução.
103
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

 Similarmente, a ddp VBC consiste em uma tensão reversa no diodo coletor do TBJ e considerando também uma
tensão de limiar em torno de 0,5 V para este diodo, tem-se que, se VBC ≥ − 0,5 V, então o diodo coletor se encontra
no corte e, caso VBC < − 0,5 V, então o diodo coletor se encontra em seu modo condução.

VBC3 > VBC2 > VBC1 IC (mA) IE3 > IE2 > IE1
IE E C IC IE IE3
P P
N
região de região
VEB VBC3 saturação IE2 ativa
B
VBC
RE RC direta
VBC2
IE1
IB VC VBC1 ICBO
ruptura
VE IE = 0 A
entrada saída
0 0,5 VEB 0
- 0,5 BVCBO VBC (V)
região de corte
(a) (b) (c)

Figura 7.8: (a) Circuito com TBJ PNP para estudo da configuração base comum; (b) característica I-V de entrada
em base comum típica para um PNP; (c) característica I-V de saída em base comum tipificada para um TBJ PNP.
Assim, com base nestas observações, pode-se agora realizar um estudo sobre as características corrente-tensão
de entrada e saída para o entendimento do funcionamento de um TBJ PNP na configuração base comum:
(1) Característica de entrada: na Figura 7.8-a observa-se que a corrente de emissor IE e a ddp VEB no diodo emissor
consistem nas variáveis de entrada do TBJ. Logo, curvas IE x VEB constituem-se na característica I-V de entrada do
PNP em base comum. Além disso, para que a malha de saída não interfira no levantamento da característica I-V de
entrada, é necessário estabelecer uma condição de funcionamento básica para a malha de saída. Neste caso, a ddp
no diodo coletor (VBC) é usualmente adotada como a variável fixada na malha de saída (Figura 7.8-b).
Com base na Figura 7.8-b observa-se então que a característica I-V de entrada do TBJ representa o gráfico do
diodo emissor em polarização direta. Além disso, a variação de VBC gera um conjunto de curvas, fato causado pelo
efeito Early pois, como visto, o aumento da tensão reversa no diodo coletor (VBC) aumenta a corrente de emissor IE.
(2) Característica de saída: na Figura 7.8-a observa-se que a corrente de coletor IC e a tensão VBC no diodo coletor
residem nas variáveis de saída do TBJ. Logo, curvas IC x VBC constituem-se na característica I-V de saída do PNP
em base comum. Similarmente, para que a malha de entrada não interfira no levantamento da característica I-V de
saída, deve-se estabelecer uma condição de funcionamento básica para a malha de entrada. Neste caso, a corrente
de emissor IE é usualmente adotada como variável fixada na malha de entrada (Figura 7.8-c).
Observa-se então que esta característica I-V de saída constitui-se de infinitas curvas, distintas de acordo com a
corrente IE fixada, onde pode-se distinguir os três modos de operação com aplicações práticas para o TBJ:
(2.1) Modo corte ou bloqueio: corresponde à região onde IE = 0 A (diodo emissor no corte) e VBC ≥ − 0,5 V (diodo
coletor no corte), que são, como visto, as condições para o modo corte de um TBJ (Figura 7.8-c). Neste caso,
observar-se que IC assume o valor ICBO , chamada corrente reversa de coletor para a base com o emissor em
aberto (Figura 7.8-c), pois IE = 0 A pode ser obtido desconectando-se o terminal emissor do circuito. Além
disso, a região do modo corte estende-se até que VCB atinja o valor limite BVCBO , chamada tensão de ruptura
entre o coletor e a base com o emissor aberto (Figura 7.8-c), quando o TBJ se queima por punch-through.
(2.2) Modo ativo direto: corresponde à região onde IE > 0 A (diodo emissor em condução) e VBC ≥ − 0,5 V (diodo
coletor no corte), que são, como visto, as condições para o modo ativo direto de um TBJ (Figura 7.8-c). Como
mencionado, no modo ativo direto ocorre um efeito controle de corrente por corrente e, neste caso, pode-se
definir uma relação de ganho entre as correntes de saída e entrada do TBJ, que em base comum será dada por:
I
αF = C (7.2)
IE
onde αF (ou HFB) é chamado ganho de corrente direta em base comum. Logo, tem-se que IC = αF IE e, como
IC ≈ IE , então αF ≈ 1 (exemplo: αF = 0,995). Esta relação de ganho de corrente confere ao modo ativo direto
do TBJ uma importante aplicabilidade para o TBJ, que consiste no efeito amplificador de sinais.
Na Figura 7.8-c observa-se ainda que as curvas na região ativa direta apresentam uma leve inclinação, que
deve-se ao Efeito Early pois, como visto, um aumento da tensão reversa VBC no diodo coletor acarreta em um
aumento na corrente de coletor IC, que se aproxima mais da IE fixada (Figura 7.8-c). Logo, conclui-se que o
ganho de corrente αF não é constante e aumenta com o aumento da tensão reversa no diodo coletor.
(2.3) Modo saturado: corresponde à região da característica em que ambos os diodos emissor e coletor do TBJ se
encontram em condução, ou seja, IE > 0 A e VBC < − 0,5 V, o que define, como visto, as condições do modo
saturado do TBJ (Figura 7.8-c). Observa-se então que esta região caracteriza-se por decréscimos na corrente
de coletor IC pois, para o diodo coletor a conduzir também uma corrente direta, precisa antes anular a corrente
reversa estabelecida no modo ativo direto. Isto acarreta então na perda do controle de corrente característico
do modo ativo direto e, desse modo, a relação IC = αF IE não se aplica para o modo saturado.
104
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

7.3.3) CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM (EC)

Para o estudo da configuração emissor comum, seja como exemplificação o circuito de polarização de um NPN
dado na Figura 7.9-a (para o PNP, a análise é análoga), onde observa-se que o terminal emissor pertence tanto à malha
de entrada quanto a de saída, ou seja, o TBJ encontra-se em emissor comum. Analisando-se o circuito, tem-se que:
 Como visto, VBE é a tensão direta no diodo emissor e, desse modo, se VBE ≤ 0,5 V então IB = 0 A (ou seja, IE = 0 A)
e o diodo emissor está corte e, se VBE > 0,5 V, então IB > 0 A (IE > 0 A) e o diodo emissor está em condução.
 Aplicando LKT no TBJ tem-se que: VCE = VBE − VBC , onde VBC é a tensão direta do diodo coletor. Supondo um
valor típico VBE = 0,7 V para o diodo emissor em condução e uma tensão de limiar típica VBC = 0,5 V para o diodo
coletor, tem-se que: VCE = 0,8 − 0,5 = 0,2 V. Logo, se VCE ≥ 0,2 V, então VBC ≤ 0,5 V e o diodo coletor entra no
corte. Adotando-se usualmente VCE ≥ 0,3 V para assegurar esta situação, conclui-se então que, se VCE ≥ 0,3 V, o
diodo coletor encontra-se decididamente no corte e, se VCE < 0,3 V, o diodo coletor entra em modo condução.
VCE3 > VCE2 > VCE1 IC (mA) IB3 > IB2 > IB1
VBC C IC IB
IB IB3 região
B N região de
P VCE RC saturação ativa
N VCE1 IB2
direta
RB VBE VCE2
E IB1
ICEO
VC VCE3
IE ruptura
VB IB = 0 A
entrada saída
0 0,5 VBE 0
0,3 BVCEO VCE (V)
região de corte
(a) (b) (c)

Figura 7.9: (a) Circuito com TBJ NPN para estudo da configuração emissor comum; (b) característica I-V de
entrada em emissor comum para o NPN; (c) característica I-V de saída em emissor comum tipificada para o NPN.
Assim, com base nestas observações, pode-se agora realizar um estudo das características corrente-tensão de
entrada e saída para o entendimento do funcionamento do TBJ NPN em emissor comum, visto a seguir:
(1) Característica de entrada: na Figura 7.9-a observa-se que a corrente de base IB e a ddp VBE no diodo emissor
consistem nas variáveis de entrada do TBJ, ou seja, curvas IB x VBE residem na característica I-V de entrada do
NPN em emissor comum, onde a tensão VCE é fixada como condição básica para a malha de saída (Figura 7.9-b).
Tal como na configuração BC, observa-se na Figura 7.9-b que a característica I-V de entrada constitui-se em
um conjunto de curvas do diodo emissor em polarização direta, distintas para cada VCE fixada devido também ao
efeito Early, pois aumentos em VCE causam aumentos na polarização reversa do diodo coletor, o que diminui IB .
(2) Característica de saída: na Figura 7.9-a observa-se que a corrente de coletor IC e a tensão VCE constituem-se nas
variáveis de saída do TBJ, ou seja, curvas IC x VCE residem na característica I-V de saída do TBJ NPN em emissor
comum, onde a corrente de base IB é fixada como condição básica para a malha de entrada (Figura 7.9-c).
Similar à configuração base comum, observa-se que a característica constitui-se de infinitas curvas, distintas
pela corrente IB fixada, onde distingue-se os três modos de operação com aplicações práticas para o TBJ:
(2.1) Modo corte ou bloqueio: corresponde à região onde IB = 0 A (diodo emissor no corte) e VCE ≥ 0,3 V (diodo
coletor no corte), que caracterizam o modo corte do TBJ (Figura 7.9-c). Como IB = 0 A reside em desconectar
o terminal base do circuito, então a corrente do TBJ no corte é definida por um valor ICEO , chamada corrente
reversa de coletor para o emissor com a base em aberto. Além disso, observa-se que a ddp VCE pode se elevar
até um valor limite de ruptura BVCEO , denominada tensão de ruptura entre coletor e emissor com a base em
aberto (Figura 7.9-c), cuja causa deve-se também à ruptura do TBJ devido ao efeito punch-through.
(2.2) Modo ativo direto: corresponde à região da característica onde que IB > 0 A (diodo emissor em condução) e
VCE ≥ 0,3 V (diodo coletor no corte), que são, como visto, as condições do modo ativo direto (Figura 7.9-c).
Assim, similar à configuração BC, no modo ativo direto ocorre um efeito controle de corrente por corrente e
pode-se então definir uma relação de ganho entre as correntes de saída IC e de entrada IB do TBJ, tal que:
I
βF = C (7.3)
IB
onde β F (ou βCC e HFE) é chamado ganho de corrente direta em emissor comum, tal que IC = β F IB para esta
região. Neste caso, como IC >> IB então β F >> 1 (exemplo: β F = 200). Tal como na configuração BC, este
ganho de corrente do TBJ no modo ativo direto em emissor comum pode ser aplicado para amplificar sinais.
Considerando que IE = IC + IB e, com a aplicação das equações (7.2) e (7.3) nesta equação, pode-se então
concluir que os ganhos de corrente direta αF e β F são dependentes entre si e podem ser relacionados por:
αF βF
βF = ou αF = (7.4)
1 − αF βF + 1

105
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Similar à configuração BC, nesta região da característica de saída observam-se inclinações para as curvas
devido ao feito Early, pois aumentos de VCE provocam aumentos na tensãor reversa do diodo coletor, o que
causa aumentos em IC . Logo, o ganho β F não é constante e, a rigor, a relação IC = β F IB só vale pontualmente.
Comparando-se as Figuras 7.8-c e 7.9-c, observa-se também que as inclinações das curvas na região ativa
direta em emissor comum são mais pronunciadas, ou seja, o ganho β F é mais sensível ao efeito Early que o
ganho αF. Como exemplo explicativo com base na equação (7.4) tem-se que, supondo um leve aumento no
ganho αF, de 0,995 para 0,996 (variação de 0,1%), tem-se um aumento no ganho βF de 200 para 250 (variação
de 25%). Logo, o ganho β F dos TBJ’s apresentam grande tolerância e os projetos com estes dispositivo devem
ser desenvolvidos de modo a não depender demais do valor exato desse parâmetro de ganho.
(2.2) Modo saturado: corresponde à região da característica tal que ambos os diodos emissor e coletor do TBJ se
encontram em condução, ou seja, IB > 0 A e VCE < 0,3 V, o que define as condições para o modo saturado para
o TBJ (Figura 7.9-c). Similar ao visto no estudo da configuração base comum, pode-se observar nesta região
um decréscimo na corrente de coletor IC devido à tendência do diodo coletor do TBJ conduzir uma corrente
também direta por estar em condução, o que acarreta na perda do controle de corrente estabelecido no modo
ativo direto. Desse modo, a relação IC = β F IB também não se aplica ao modo de operação saturado.

7.3.4) CONFIGURAÇÃO COLETOR COMUM (CC)

A identificação do TBJ na configuração coletor comum se mostra


menos trivial que nas configurações base e emissor comum, pelo fato de
um circuito de polarização do TBJ não expor claramente o coletor como
o terminal comum às malhas de entrada e saída, necessitando então da IB
R VBE VC
observação de algumas características do circuito para esta identificação. B
IE Vsaída
Como exemplo, seja a Figura 7.10, que mostra um circuito simples
de polarização de um TBJ NPN, onde observa-se que o terminal coletor VB entrada RE
saída
está conectado diretamente à fonte VC, o que pode ser entendido como o
coletor desempenhando uma função de referência de tensão constante
para os terminais base e emissor do TBJ. Além disso, a ausência de um
Figura 7.10: TBJ em coletor comum.
resistor em série com o terminal do coletor do TBJ implica que a carga do
circuito está sendo desempenhada pelo resistor RE conectado ao terminal emissor, ou seja, a corrente de emissor IE se
constitui na corrente de saída do circuito. Assim, estas constatações identificam que o TBJ NPN em coletor comum.
Como IC ≈ IE , então as relações entre as correntes de entrada IB e de saída IE são muito similares das observadas
para o TBJ em emissor comum e, assim, as características I-V de entrada e saída na configuração coletor comum são
basicamente as mesmas e normalmente são utilizadas em estudos da configuração do TBJ em coletor comum.
Além disso, considerando que IE = IC + IB e, como IC = β F IB dada pela equação (7.3), então a relação de ganho
entre as correntes de saída IE e de entrada IB no modo ativo direto do TBJ em coletor comum é determinada por:
I E = ( β F + 1) I B (7.5)
Com base na Figura 7.10 observa-se que, sendo IB pequena, a queda de tensão em RB também é pequena e, a
menos da pequena queda VBE , a tensão VB será quase toda aplicada na saída (Vsaída), o que faz a configuração coletor
comum apresentar um ganho de tensão (razão entre Vsaída e VB) aproximadamente unitário. Este efeito, denominado
“seguidor do emissor”, encontra utilidade no acoplamentos entre fontes e cargas para casamento de impedâncias.

7.4) ANÁLISE CC DE CIRCUITOS COM TBJ


Tal como visto na teoria dos diodos, na análise CC de circuitos com TBJ’s pode-se utilizar características I-V
fornecidos pelo fabricante com base no conceito de reta de carga, bem como empregar modelos esquemáticos lineares
dos modos de operação do TBJ com base em hipóteses admitidas para o funcionamento do TBJ, com o objetivo de
realizar uma análise qualitativa de circuito pela teoria de Circuitos Elétricos e determinar o modo de operação os TBJs
com base em regras pré-estabelecidas para a prova da veracidade da hipótese feita. Além disso, para efeito didático,
os circuitos com TBJs vistos até aqui empregavam fontes CC distintas para as malhas de entrada e saída, o que não é
uma realidade prática devido ao conceito de linhas de alimentação. Esses assuntos são então abordados a seguir.

7.4.1) LINHAS DE ALIMENTAÇÃO

Por se tratar de um componente eletrônico, um TBJ normalmente requer a aplicação de uma tensão contínua
para a sua polarização em determinado ponto de operação. Um circuito eletrônico usualmente dispõe de apenas uma
fonte de tensão CC para a polarização e fornecimento de potência aos seus componentes e, na presença de um TBJ no
circuito, a mesma fonte deve então ser empregada para alimentar tanto a malha de entrada como a de saída do TBJ.
106
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Assim, circuitos eletrônicos são normalmente implementados por meio de trilhas condutoras para a distribuição
de níveis de tensão ao longo dos estágios do circuito, denominadas
linha do
linhas de alimentação. Neste caso, o potencial positivo da fonte positivo
CC é distribuído pela chamada linha do positivo e o potencial 0 V IB IC IE
pela chamada linha de referência (Figura 7.11). Adicionalmente, a
fonte do circuito poderá prover ainda um nível de tensão negativo,
distribuído pela chamada linha do negativo (Figura 7.11). IE IC
Como exemplificação, para um TBJ NPN em emissor ou 0V linha de
coletor comum, tem-se que os terminais da base e do coletor do referência
IB IC IE
TBJ devem ser conectados à linha do positivo, com o terminal do
emissor conectado à linha de referência, para que estes terminais
conduzam as correntes no sentido esperado em funcionamento IB IC
normal (Figura 7.11). Para o PNP, como o sentido das correntes é linha do
contrário às do NPN, então o terminal do emissor é que deve ser negativo
levado à linha do positivo, e os terminais da base e do coletor à
Figura 7.11: Esquemas simplificados para a
linha de referência, para que o sentido das correntes nos terminais
conexão de TBJ’s NPN e PNP entre linhas de
também seja o esperado (Figura 7.11). Para a linha do negativo, as
alimentação de referência, positivo e negativo.
conexões dos TBJ’s seguem a mesma lógica (Figura 7.11).

7.4.2) RETA DE CARGA

Similar ao visto para os diodos, o modo de operação de operação de um TBJ pode ser determinado obtendo-se
o ponto de operação com a intersecção da reta de carga do TBJ e uma características I-V do TBJ dado pelo fabricante,
normalmente as de saída. Neste caso, como as características I-V de saída apresentam infinitas curvas, a corrente de
entrada deve ser também determinada para se identificar em qual das curvas da característica o TBJ está operando.
Como exemplo, seja o circuito de polarização de um TBJ NPN dado na Figura 7.12-a e a característica I-V de
saída em emissor comum do TBJ empregado, dada na Figura 7.12-b. Equacionando-se o circuito, tem-se então que:
V − VBE
→ LKT na malha de entrada: VB − RB I B − VBE = 0 ⇒ ∴ I B = B (1)
RB
o que define a curva da característica onde o TBJ se encontra (IB), onde VBE é adotado em um valor típico.
V − VCE
→ LKT na malha de saída: VC − RC I C − VCE = 0 ⇒ ∴ I C = C (2)
RC
o que define a relação entre as variáveis IC e VCE da malha de saída e, desse modo, a reta de carga do TBJ.
Logo, supondo que o cálculo da equação (1) resulte em um valor IB1 então, traçando-se a reta de carga, dada
pela equação (2), na característica I-V de saída do TBJ empregado, tem-se que a intersecção entre a curva referente a
IB1 e a reta de carga define o ponto de operação Q e, portanto, os valores ICQ e VCEQ para o TBJ (Figura 7.12-b). Neste
caso, como o TBJ está no modo ativo direto, o ganho de corrente direta em emissor comum é dado por: β F = ICQ/IB1.
Similarmente, supondo que o cálculo da equação (1) resulte em um valor IB3 , então tem-se o ponto de operação
Q’ e conclui-se que o TBJ está saturado, ou ainda, se o resultado da equação (1) for desprezível (IB ≈ 0), tem-se o
ponto de operação Q’’ e conclui-se que o TBJ está modo corte (Figura 7.12-b). Observa-se então os modos corte e
saturado não podem ser alcançadas sem que o ponto de operação transite momentâneamente pela região ativa direta.
Assim, conclui-se que o ponto de funcionamento do TBJ “caminha” por meio de retas de carga, onde os modos
de operação podem ser atingidos através da mudança de algum parâmetro do circuito. Como exemplo, na equação (1)
observa-se que o resistor RB controla a corrente de base IB do TBJ e, da equação (2), observa-se que a reta de carga
não depende de RB . Logo, se RB → ∞ , então IB → 0 e o TBJ se encontra no corte (ponto Q na Figura 7.12-c), e se RB
diminuir gradativamente, então IB aumenta proporcionalmente e o ponto de operação do TBJ passa a transitar pela
região ativa direta, com IB controlando IC , até atingir a região de saturação do TBJ (ponto Q’ na Figura 7.12-c).
IC IB 3 IC IB 3
IC VC VC
RC Q’ IB 2 RC IB 2
IB RC reta de
VCE Q’
carga I Q IB 1 IB 1
RB VBE CQ

VC IB = 0 Q’’ IB = 0 Q
VB malha de malha
entrada de saída 0 VCEQ VC VCE 0 VC VCE

(a) (b) (c)

Figura 7.12: Emprego de reta de carga em circuitos com TBJs: (a) circuito exemplo; (b) pontos de operação
estabelecidos pela reta de carga; (c) controle do ponto de operação do TBJ por meio de alterações em RB.

107
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Exercício 1: Para o circuito e característica I-V de saída em emissor comum dados a seguir, determine o ponto de
operação do TBJ para os casos: a) RB = 3,3 kΩ; b) RB = 5,5 kΩ ; c) RB = 1 MΩ. Caso o ponto se encontre na região
ativa direta, determine as demais variáveis do TBJ e os ganhos de corrente direta. Considere um VBE típico de 0,7 V.
IC (mA)
IB = 1 mA
210 1
linha do 200
positivo +4V 180 IB = 0,8 mA

150 IB = 0,6 mA
2
RB 20 Ω 120
IB = 0,4 mA
90
60 IB = 0,2 mA
linha de 30
IB = 0 mA 3
referência
0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE (V)
Solução
Substituindo o potencial da linha do positivo por uma fonte de 4 V e
refletindo esta fonte para formar as malhas de entrada e de saída, obtem-se VCB
IC
o circuito da figura ao lado, onde VBE = 0,7 V (dado do problema). Assim: VCE
3,3 IB 20 Ω
→ LKT na malha de entrada: 4 − RB I B − 0,7 = 0 ⇒ I B = (1) RB 0,7 V
RB IE
4 − VCE
→ LKT na malha de saída: 4 − 20 I C − VCE = 0 ⇒ ∴ I C = 4 V entrada
4V
20 saída
que consiste então na equação da reta de carga do TBJ no circuito.
→ Determinando dois pontos quaisquer para desenhar a reta de carga no gráfico caracterísitca I-V do TBJ, tem-se:
• para: VCE = 0 V ⇒ IC = 200 mA ; • para: IC = 0 A ⇒ VCE = 4 V
→ Com base na equação da reta de carga, observa-se que a mesma não depende do valor do resistor RB. Logo, a reta
traçada no gráfico da caracterísitca se mantém para os 3 casos de valor para RB a serem analisados.
a) RB = 3,3 kΩ Ω: da equação (1) tem-se: IB = 1 mA. Com a intersecção da curva da referente à corrente de base 1 mA
com a reta de carga obtém-se o ponto 1, mostrado no gráfico da característica. Analisando-se o ponto 1 observa-se
então que: VCEQ ≈ 0,2 V e ICQ ≈ 190 mA , e concui-se que o TBJ se encontra no modo saturado.
b) RB = 5,5 kΩ Ω: da equação (1) obtém-se IB = 0,6 mA e o ponto de operação 2 mostrado no gráfico da característica.
Conclui-se então que o TBJ se encontra no modo ativo direto, onde: VCEQ ≈ 1,6 V e ICQ ≈ 120 mA. Neste caso,
segundo o enunciado, deve-se determinar as demais variáveis de tensão e corrente do TBJ:
• Da equação (7.1), tem-se: I E = I C + I B = I CQ + I B = 120 × 10−3 + 0,6 × 10−3 ⇒ ∴ I E = 120,6 mA
• Aplicando LKT no TBJ, tem-se que: 0,7 + VCB − VCE = 0 ⇒ ∴ VCB = VCEQ − 0,7 ⇒ ∴ VCB = 0,9 V
I CQ 0,120
• Da equação (7.2), tem-se que: αF = = ⇒ ∴ α F ≈ 0,995
IE 0,1206
120 × 10−3
I CQ
• Da equação (7.3), tem-se que: β F = = ⇒ ∴ β F = 200
IB 0,6 × 10−3
ou ainda, da equação (7.4), obtém-se igualmente que: β F = α F (1 − α F ) = 0,995 (1 − 0,995) ≈ 200
c) RB = 1,0 MΩ Ω: da equação (1) tem-se que: IB = 0,0033 mA ≈ 0 A e obtem-se o ponto de operação 3 mostrado no
gráfico. Conclui-se então que o TBJ encontra-se no modo corte ou bloequeio, onde: ICQ = 0 A ; VCEQ = 4 V .

7.4.3) MODELOS ESQUEMÁTICOS DO TBJ

Semelhante ao estudo dos diodos, os modelos do TBJ e as regras de prova são baseados na linearização por
partes de características I-V do TBJ. Porém, como as características de entrada e saída são distintas, a construção de
modelos para cada modo de operação do TBJ deve compor-se de esquemas parciais obtidos de cada característica.
Além disso, como os modos de operação independem da configuração do TBJ, então os modelos e provas são válidos
qualquer que seja a configuração empregada. Por fim, como o sentido das correntes e tensões do NPN são opostos às
do PNP, pode-se então construir modelos para o NPN e, com inversão de sentidos, obter os modelos para o PNP.
Assim, adotando-se as características I-V de entrada e saída do TBJ NPN em emissor comum como objetos de
análise para a construção de modelos parciais para os modos de operação do NPN, na Figura 7.13 tem-se uma esque-
matização destas características com suas respectivas regiões de operação linearização por partes, onde deduz-se que:

108
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Característica I-V de entrada modelo do TBJ no Característica I-V de saída


(diodo emissor) modo modo saturado região de
condução IB B C IC IC
IB saturação
região
IB C
B ativa direta IC
0,7 V
IC E
0,7 V E
C
E IE β F IB
0 modelo do TBJ no (αF IE) VCE
0 VCE
0,5 0,7 VBE (V)
modo ativo direto E modelo do TBJ
valor típico IB B C IC no modo corte região de corte
β F IB IB = 0 B C IC = 0 C E
modo corte 0,7 V (αF IE)
B VCE VCE
E VBE VCE
VBE IE E
E IE = 0

Figura 7.13: Linearização das características I-V de entrada e saída em EC e construção de modelos do TBJ NPN.
 Caracterísitca I-V de entrada: como visto, esta característica consiste em gráficos IB x VBE do diodo emissor em
polarização direta (Figura 7.13). Neste caso, considerando uma tensão no diodo emissor (VBE) em um valor típico
de 0,7 V, tem-se então a característica I-V linearizada mostrada na Figura 7.14, onde pode-se estabelecer que:
• Região de condução: o modelo parcial para o diodo emissor em condução consiste de uma fonte CC de 0,7 V
entre os terminais base-emissor, que conduz uma corrente de base IB qualquer em seu terminal (Figura 7.13);
• Região de corte: o modelo parcial do diodo emissor no corte consiste de uma chave aberta entre os terminais
base-emissor do diodo, que apresenta uma tensão VBE qualquer entre estes terminais (Figura 7.13).
 Caracterísitca I-V de saída: como também visto, esta característica consiste em gráficos IC x VCE , que mostram o
comportamento das regiões de operação saturação, ativo direto e corte do TBJ. Neste caso, como a tensão de saída
é bem pequena na região de saturação (VCE < 0,3 V), pode-se então considerar um valor típico nulo para VCE no
modo saturado. Além disso, para cálculos práticos pode-se desprezar o efeito Early, o que resulta em uma corrente
de saída IC , e por coneguinte os ganhos β F e αF , constantes e independentes da tensão de saída VCE na região ativa
direta do TBJ. Por fim, como como a corrente IC é desprezível na região de corte, pode-se considerá-la nula. Estas
considerações resultam na característica I-V linearizada dada na Figura 7.13, onde pode-se estabelecer que:
• Região de saturação: o modelo parcial para o TBJ para esta região constitui-se de uma chave fechada entre os
terminais coletor e emissor, que conduz uma corrente de coletor IC qualquer neste terminal (Figura 7.13);
• Região ativa direta: como IC é considerado constante e independente de VCE , o modelo parcial para o TBJ nesta
região consiste então de uma fonte de corrente controlada por corrente entre os terminais coletor e emissor, de
valor IC = β F IB (ou mesmo: IC = αF IE ), com uma tensão VCE qualquer entre estes terminais (Figura 7.13);
• Região de corte: o modelo parcial para o comportamento do TBJ nesta região constitui-se de uma chave aberta
entre os terminais coletor e emissor, com uma tensão VCE qualquer entre estes terminais (Figura 7.13).
Assim, com o agrupamento dos modelos parciais obtidos (Figura 7.13), pode-se então montar os esquemas
finais dos modelos para os modos de operação do TBJ NPN, apresentado na Figura 7.14 com as formulações básicas
para a análise de circuitos. Por finalidade prática, apresenta-se também os modelos sobre o símbolo do TBJ NPN.
MODO SATURADO MODO ATIVO DIRETO MODO CORTE
0,7 V VCB VCB
IB B C IC IB B C IC = β F IB IB = 0 B C IC = 0

β F IB IC = αF IE
0,7 V 0,7 V (αF IE)
VCE VBE VCE
E E E
IE = IC + IB IE = IC + IB = (βF + 1) IB IE = 0

IC IC = βF IB = αF IE IC = 0
0,7 V VCB VCB
C C C
IB B IB B IB = 0 B
0V VCE VCE

0,7 V E 0,7 V E VBE E


IE = IC + IB IE = IC + IB = (βF + 1) IB IE = 0

Figura 7.14: Modelos de polarização CC e equacionamento básico para os modos de operação do TBJ NPN.

109
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Como mencionado, invertendo-se as correntes e tensões dos componentes dos modelos obtidos para os modos
de operação do NPN, pode-se então determinar os modelos para o TBJ PNP, o que é apresentado na Figura 7.15.
MODO SATURADO MODO ATIVO DIRETO MODO CORTE
IE = IC + IB IE = IC + IB = (βF + 1) IB IE = 0
E E E
VEC VEB VEC
β F IB
IB 0,7 V IC IB
0,7 V (αF IE) IC = β F IB IB = 0 IC = 0
B C B C IC = αF IE B C
0,7 V VBC VBC

IE = IC + IB IE = IC + IB = (βF + 1) IB IE = 0
0,7 V 0,7 V VEB
E E E
IB B IB B IB = 0 B
0V VEC VEC
0,7 V C VBC C VBC C
IC IC = βF IB = αF IE IC = 0

Figura 7.15: Modelos de polarização CC e equacionamento básico para os modos de operação do TBJ PNP.
Analisando-se o modelo esquemático do TBJ NPN no ativo direto (Figura 7.14), pode-se deduzir a equação
para um cálculo aproximado da potência dissipada em um NPN, definida então por:
PTBJ _ NPN = 0,7 I B + VCE I C ≈ VCE I C (7.6)
visto IB ser bem pequena. Similarmente, com base no modelo do TBJ PNP no ativo direto (Figura 7.15), tem-se:
PTBJ _ PNP = 0,7 I B + VEC I C ≈ VEC I C (7.7)

7.4.4) METODOLOGIA DA ANÁLISE CC

Como mencionado, a análise CC de circuitos com TBJ's consiste em admitir hipóteses sobre a operação de cada
TBJ, aplicar o modelo esquemático correspondente, processar os cálculos pela teoria de Circuitos Elétricos e provar
as suposições até a obtenção da hipótese verdadeira. Semelhante ao visto para os diodos, a definição dos critérios de
julgamento das hipóteses baseia-se nas linearizações das características I-V do TBJ e, assim, pode-se estabelecer que:
1) Modo corte: com base na linearização da característica I-V de entrada do NPN em emissor comum (Figura 7.14),
tem-se que uma tensão de entrada VBE menor que o limiar adotado (0,7 V) leva o diodo emissor ao corte. Logo, a
hipótese do TBJ NPN operando no modo corte é verdadeira se VBE ≤ 0,7 V e falsa se VBE > 0,7 V. Por dedução, a
hipótese para o TBJ PNP operando no modo corte é verdadeira se VEB ≤ 0,7 V e falsa se VEB > 0,7 V.
2) Modo ativo direto: com base na linearização da característica I-V de saída em emissor comum para o TBJ NPN
(Figura 7.14), pode-se observar que a tensão de saída VCE assume qualquer valor positivo. Desse modo, a hipótese
para o TBJ NPN operando no modo ativo direto é verdadeira se VCE > 0, e falsa se VCE ≤ 0. Por dedução, tem-se
que a hipótese para o TBJ PNP operando no modo ativo direto é verdadeira se VEC > 0, e falsa se VEC ≤ 0.
3) Modo saturado: para um melhor entendimento do critério de prova para o TBJ no modo saturado, será analisado a
característica I-V de saída do TBJ NPN em emissor comum sem considerar o efeito Early, dada na figura abaixo.
Seja IBcalc e ICcalc as correntes de base e coletor, respectivamente, obtidas nos IC I
Bcalc > IBmin (V)
cálculos do circuito com o TBJ na hipótese saturado. Analisando-se a característica
I-V de saída (figura), observa-se então que, para cada curva correspondente a uma IBmin
IC calc 1
corrente de base, há uma correspondente corrente de coletor na região ativa direta.
IBcalc < IBmin (F)
Logo, para o valor da corrente de coletor ICcalc deve existir uma curva na região
ativa direta da característica correspondente a uma corrente de base IBmin (figura).
Considerando um ganho de corrente direta β F para o TBJ então, de acordo com a região de região ativa VCE
equação (7.3), tem-se que o valor de IBmin pode ser determinado por: saturação direta
I C calc
I B min = (7.8)
βF
Similarmente, na característica I-V de saída deve existir também uma curva correspondente à corrente de base
IBcalc. Observa-se então que o par ICcalc e IBcalc existe no funcionamento do TBJ apenas se o valor de IBcalc for maior
que IBmin (figura) e, neste caso, o ponto de operação dado pela intersecção entre a curva referente a IBcalc e o valor
de ICcalc (ponto 1) se encontra claramente na região de saturação. Assim, a hipótese para um TBJ (NPN ou PNP)
operando no modo saturado é verdadeira se IBcalc ≥ IBmin e falsa caso IBcalc < IBmin. Assim, IBmin pode ser entendida
como a corrente mínima para saturar o TBJ quando este conduz uma certa corrente IC no modo ativo direto.

110
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Exercício 2: Para o circuito fornecido a seguir, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ
empregado é 100. Determine as variáveis de tensão e corrente do TBJ para: a) RB = 6,6 kΩ ; b) RB = 3,3 kΩ
+4V Solução
50 Ω Redesenhando o circuito com a colocação do potencial da
50 Ω linha do positivo (4 V ) refletido de modo a formar as malhas de
RB RB entrada e de saída, obtém-se o circuito dado na figura ao lado.
VBE 4V Realizando uma análise preliminara antes de se proceder
4V com a metodologia da análise CC, observa-se que a fonte de 4
entrada saída
V na malha de entrada é maior que o VBE típico (0,7 V) e, desse
modo é suficiente para para levar o diodo emissor do TBJ NPN
à condução. Assim, conclui-se que o TBJ do circuito estará operando no modo ativo direto ou no modo saturado.
a) Para RB = 6,6 kΩ e empregando o método da suposição e prova da análise CC, tem-se então que:
→ Suposição 1: TBJ no modo saturado
Empregando-se o modelo esquemático do NPN para o modo saturado, obtém-se o circuito da figura abaixo.
• LKT na malha de entrada:
4 − 6600 I B − 0,7 = 0 ⇒ ∴ I B = I B calc = 0,5 mA IB B C IC
0,7 V 50 Ω
• LKT na malha de saída: 6,6 kΩ
4 – 50 IC = 0 ⇒ ∴ IC = ICcalc = 0,08 A
E
I C calc 0,08 4 V entrada IE 4V
• Da equação (7.8): I B min = = = 0,8 mA saída
βF 100
Como IBcalc < IBmin conclui-se então que a hipótese TBJ saturado é falsa, pois não existe o par IBcalc e ICcalc
no funcionamento do TBJ empregado no circuito.
VCB
→ Suposição 2: TBJ no modo ativo direto IB B C IC = 100 IB
Empregando-se o modelo do NPN para o modo ativo direto,
obtém-se o circuito da figura ao lado. Logo: 0,7 V 100 IB 50 Ω
• LKT na malha de entrada: 6,6 kΩ
VCE
4 − 6600 I B − 0,7 = 0 ⇒ ∴ I B = 0,5 mA E 4V
• Corrente de coletor: I C = β F I B = 100 × 0,5 ×10−3 = 50 mA 4 V entrada IE = 101 IB saída
• LKT na malha de saída:
4 − 50 × I C − VCE = 0 ⇒ VCE = 4 − 50 × 50 × 10−3 ⇒ ∴ VCE = 1,5 V
Como VCE > 0, então conclui-se que a suposição TBJ no ativo direto é verdadeira.
• Cálculo das demais variáveis do TBJ:
I E = I C + I B = 0,05 + 50 × 10−3 = 50,5 mA ou ainda: I E = ( β F +1) I B = 101 I B = 101 × 50 × 10−3 = 50,5 mA
VCE = 0,7 + VCB ⇒ ∴ VCB = VCE − 0,7 = 1,5 − 0,7 = 0,8 V
b) Para RB = 3,3 kΩ, tem-se então que:
→ Suposição 1: TBJ no modo ativo direto IB B C IC = 100 IB
Empregando-se o modelo do TBJ NPN para o modo ativo
direto, obtém-se o circuito da figura ao lado. Logo: 0,7 V 100 IB 50 Ω
3,3 kΩ
• LKT na malha de entrada: VCE
4 − 3300 I B − 0,7 = 0 ⇒ ∴ I B = 10−3 A = 1,0 mA E 4V
4 V entrada IE = 100 IB saída
• LKT na malha de saída:
4 − 50 × 100 × I B − VCE = 0 ⇒ VCE = 4 − 50 × 100 × 10−3
∴ VCE = – 1,0 V < 0 ⇒ ∴ suposição falsa
→ Suposição 2: TBJ no modo saturado
Com o modelo do modo saturado (circuito ao lado), tem-se: 0,7 V
• LKT na malha de entrada: IB B C IC
4 − 3300 I B − 0,7 = 0 ⇒ ∴ I B = I B calc = 1,0 mA
0,7 V 50 Ω
• LKT na malha de saída: 3,3 kΩ
4 − 50 I C = 0 ⇒ ∴ I C = I C calc = 0,08 A
E 4V
I C calc0,08 4 V entrada IE saída
• Da equação (7.8), tem-se: I B min = = = 0,8 mA
βF 100
Como IBcalc > IBmin , a suposição TBJ saturado é verdadeira (existe o par IBcalc e ICcalc na operação do TBJ).
• Cálculo das demais variáveis do TBJ:
I E = I C + I B = 0,08 + 0,001 = 0,081 A

111
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Exercício 3: Para o circuito dado a seguir, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ é 199.
Determine a leitura do voltímetro ideal V para os casos: a) R = 1 kΩ ; b) R = 6 kΩ ; c) R = 36 kΩ
+6V

70 Ω circuito a ser equivalenciado 70 Ω 70 Ω


9 kΩ
A
I I RTH
(n )
B
V 9 kΩ 5V 5V
IR 6V R 10 Ω VTH 10 Ω
VBE I entrada saída
R
10 Ω B

(a) (b)
Solução
O nó (n) do circuito (figura) consiste em um divisor de corrente que controla a corrente de base do TBJ pois, se
o resistor R for suficientemente pequeno, a corrente vinda do resistor de 9 kΩ (I) pode ser IC IB 3
deviada totalmente para a referência (IR) e levar o TBJ ao corte (IB = 0), ou ser desviada
IB 2
para a base (IB) a ponto de saturar o TBJ se R for suficientemente elevada. Assim, a medida
que R aumenta, o ponto de operação do TBJ caminha do corte para a saturação passando R ↑ IB 1
pela região ativa direta (figura ao lado). Este controle pode ser também entendido com base
IB = 0
no efeito divisor de tensão entre os resistores de 9 kΩ e R, pois a tensão em R determina o
potencial na base e a tensão direta no diodo emissor do TBJ (VBE) a ponto de, a medida que 0 VCE
R aumenta, a tensão no mesmo e na diodo emissor também aumentam, podendo levar o TBJ do corte à saturação.
O rearranjo do circuito mostrado na figura (a) pode ser ainda reduzido com o equivalente de Thevenin entre os
pontos A e B, resultanto no esquema da figura (b), onde VTH e RTH (tensão e resistência de Thevenin) são dados por:
6 6R
• VTH : ddp entre os pontos A e B do circuito isolado: VTH = R I = R × ⇒ ∴ VTH = (1)
9000 + R 9000 + R
• RTH : resistência equivalente entre os pontos A e B do circuito isolado, com a fonte de 6 V nula (em curto):
9000 R
RTH = 9 k Ω / / R ⇒ ∴ RTH = (2)
9000 + R
a) Para R = 1 kΩ então, das equações (1) e (2), obtém-se que:
VTH = 0,6 V ; RTH = 900 Ω. IC = 0
Neste caso, observa-se que o valor da fonte equivalente de Thevenin
(0,6 V), que polariza a base do TBJ, não é suficiente para levar o diodo 70 Ω
IB = 0
emissor do TBJ à condução, que necessita pelo menos de 0,7 V. Logo, VCE
conclui-se que o TBJ está no modo corte. A figura ao lado mostra então 900 Ω
a situação do circuito, onde é empregado a representação mais prática 0,6 V IE = 0 6V
do modelo no corte sobre o símbolo do TBJ (Figura 7.14). Assim, como 0,6 V
10 Ω
o voltímetro a ddp entre o coletor e o emissor do TBJ (VCE), tem-se:: entrada saída
→ LKT na saída: 6 − VCE = 0 ⇒ leitura do voltímetro = VCE = 6 V
b) Para R = 6 kΩ, das equações (1) e (2) tem-se: VTH = 2,4 V e RTH = 3,6 kΩ.
Como VTH > 0,7 V então o diodo emissor do TBJ está em condução IC
e conclui-se que o TBJ está no modo ativo direto ou saturado. Assim: IB 70 Ω
→ Suposição 1: TBJ no modo saturado (circuito ao lado) 0V
• LKT na malha de entrada e considerando IE = IC + IB , obtém-se: 3,6 kΩ
0,7 V IE = IC + IB
2, 4 − 3600 I B − 0,7 −10( I C + I B ) = 0 ⇒ ∴ 3610 I B + 10 I C = 1,7 (A)
2,4 V 10 Ω 6 V
• LKT na malha de saida e considerando IE = IC + IB , obtém-se:
entrada saída
6 − 70 I C − 0 −10( I C + I B ) = 0 ⇒ ∴ 10 I B + 80 I C = 6 (B)
• Resolvendo o sistema de equações (A) e (B), resulta:
IB = IBcalc ≈ 0,26 mA e IC = ICcalc ≈ 75 mA
• Prova: IBmin = 0,075/ 199 ≈ 0,38 mA > IBcalc ⇒ ∴ suposição falsa
→ Suposição 2: TBJ no modo ativo direto (circuito ao lado) IC = 199 IB
• LKT na entrada: 2, 4 − 3600 I B − 0,7 − 10 × 200 I B = 0 ⇒ I B ≈ 0,3 mA IB 70 Ω
VCE
• LKT na saida: 6 − 70 × 199 I B − VCE − 10 × 200 I B = 0
3,6 kΩ
∴ VCE = 6 − 70 × 199 × 0,3 × 10−3 − 10 × 200 × 0,3 × 10−3 ≈ 1, 2 V 0,7 V IE = 200 IB

• Logo: VCE > 0 ⇒ ∴ suposição TBJ no ativo direto é verdadeira 2,4 V 10 Ω 6 V


• Assim: leitura do voltímetro = VCE = 1,2 V entrada saída

112
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

c) Para R = 36 kΩ, das equações (1) e (2) tem-se que: VTH = 4,8 V e RTH = 7,2 kΩ.
Novamente, VTH > 0,7 V e conclui-se que o TBJ está no modo ativo IC
direto ou saturado. Porém, como discutido nicialmente, aumentos de R
IB 70 Ω
podem levar o TBJ desde o corte (R = 1 kΩ, item a) para a saturação 0V
passando pelo ativo direto (R = 6 kΩ, item b). Logo, é razoável supor 7,2 kΩ
0,7 V IE = IC + IB
que o TBJ poderá estar agora na saturação para R = 36 kΩ. Testando:
→ Suposição: TBJ no modo saturado (circuito ao lado) 4,8 V 10 Ω 6 V
• LKT na malha de entrada e sabendo que IE = IC + IB , obtem-se: entrada saída
4,8 − 7200 I B − 0,7 −10( I C + I B ) = 0 ⇒ 7210 I B + 10 I C = 4,1 (A)
• LKT na saida e sabendo que IE = IC + IB , tem-se: 6 − 70 I C − 0 −10( I C + I B ) = 0 ⇒ 10 I B + 80 I C = 6 (B)
• Resolvendo o sistema de equações (A) e (B), resulta: IB = IBcalc ≈ 0,47 mA e IC = ICcalc ≈ 75 mA
• Logo: IBmin = ICcalc / β F = 0,075/ 199 ≈ 0,38 mA < IBcalc ⇒ ∴ suposição TBJ saturado é verdadeira
• Assim: leitura do voltímetro = VCE = 0 V

Exercício 4: Para o circuito fornecido abaixo, determine a relação entre os resistores RB e RC para que o voltímetro,
considerado ideal, apresente uma leitura de 2 V. Dado: ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ = 300.
+5V +5V
entrada IE
0,7 V
5V
V 2V
RB IB
IC = 300 IB 5V
RB RB
RC RC RC
saída

Solução
O circuito dado trata-se da polarização normal de um TBJ PNP pois, como visto, o terminal emissor do PNP é
que deve ser levado à linha do positivo (5 V). Como o voltímetro mede a tensão entre os terminais emissor e coletor
do TBJ (VEC), tem-se então que VEC = 2 V > 0 e o PNP está no modo ativo direto. Refletindo a linha de referência
para formar as malhas de entrada e saída e aplicando-se o modelo do PNP no modo ativo direto (figura dada), tem-se:
4,3
→ LKT na malha de entrada: 5 − 0,7 − RB I B = 0 ⇒ ∴ I B = (1)
RB
3
→ LKT na malha de saída: 5 − 2 − RC I C = 0 ⇒ 3 − RC × 300 I B = 0 ⇒ ∴ IB = (2)
300 RC
4,3 3 RB
→ Igualando-se os resultados (1) e (2), tem-se então: = ⇒ ∴ = 430
RB 300 RC RC
→ Este resultado está coerente com o esperado, visto que a corrente de base, por ser numericamente bem menor que
a de coletor, normalmente necessita de um resistor limitador de corrente comparativamente maior que a do coletor.

7.4.5) APLICAÇÕES BÁSICAS DO TBJ

Como mencionado, um TBJ apresenta essencialmente duas aplicações práticas: chaveamento e amplificação.
Estas funcionalidades são fundamentadas basicamente nas particularidades do comportamento das características I-V
de saída em cada configuração do TBJ, sendo uma breve discussão destas aplicações apresentada a seguir:
1) TBJ como chave: o efeito chave liga/desliga do TBJ é aplicado em circuitos comutadores e digitais, e consiste no
aproveitamento das condições de tensão e corrente de saída do TBJ polarizado em seus modos saturado e corte.
Analisando-se a região de corte das características I-V de saída do TBJ, observa-se que o modo corte se mostra
eficiente tanto na configuração emissor comum (ponto Q1 na Figura 7.16-a), e por conseguinte em coletor comum,
quanto em base comum (ponto Q1 na Figura 7.16-b), pelo fato da corrente de saída (IC) ser praticamente nula, o
que resulta em um comportamento de chave aberta para o TBJ bem próximo do ideal. Contudo, o modo saturado
se mostra mais eficiente em emissor comum (ponto Q2 da Figura 7.16-a), e por conseguinte em coletor comum,
pois o TBJ comporta-se como uma chave fechada bem próximo do ideal por apresentar uma tensão de saída (VCE)
próxima de zero (< 0,3 V), o que não se verifica na configuração base comum (ponto Q2 na Figura 7.16-b).
Além disso, as condições de saturação e corte do TBJ em emissor comum e coletor comum são mais facilmente
atingidas devido ao fato do controle da pequena corrente de entrada (IB) ser mais simples, pois basta, por exemplo,
aplicar uma tensão nula no terminal da base do TBJ para cortá-lo, ou elevada o suficiente para satura-lo.
2) TBJ como amplificador: o efeito amplificação de sinais é empregado principalmente em circuitos analógicos e
consiste no aproveitamento das condições de tensão e corrente de saída do TBJ polarizado na região ativa direta.
113
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

O efeito amplificador necessita de um ganho de potência para o sinal de saída, o que implica na obtenção de um
ganho de corrente, tensão ou ambos (P = V I). Neste caso, as três configurações do TBJ apresentam propriedades
desejáveis em seu funcionamento para aplicação em circuitos amplificadores, sendo algumas descritas a seguir:
 Configuração base comum (BC):
• Apesar do ganho de corrente baixo (αF ≈ 1), pode-se obter um bom ganho de tensão, o que proporciona um
ganho de potência maior que a configuração coletor comum e menor que a configuração emissor comum;
• Apresenta baixa resistência de entrada e alta resistência de saída.
• Como o ganho αF sofre pouca influência do efeito Early, a corrente de saída é determinada praticamente pela
corrente de entrada. Logo, alterações na carga quase não interferem na corrente de entrada, como se a malha
de entrada fosse isolada da carga, podendo a configuração BC ser usada como um isolador chamado “buffer”.
 Configuração emissor comum (EC):
• Proporciona tanto ganho de tensão como de corrente (βF) elevados e, portanto, o maior ganho de potência;
• Apresenta média resistência de entrada e alta resistência de saída;
• Causa inversão de fase (defasagem de 180º) entre o sinal de entrada e o de saída (ilustração na Figura 7.16-c).
 Configuração coletor comum (CC):
• Apresenta baixo ganho de tensão (< 1) mas alto ganho de corrente (β F +1) e, assim, bom ganho de potência;
• Apresenta resistência de entrada muito alta e resistência de saída muito baixa.
A disposição dos resistores de polarização e a caracterização do tipo de fonte que alimenta o terminal da base
de um TBJ, podem identificar qual o verdadeiro emprego deste TBJ (chave ou amplificação) em um circuito:
• Uma fonte VB conectada diretamente ao terninal base e o terminal emissor aterrado por um resistor (Figura 7.16-d)
pode identificar o TBJ como amplificador pois, exceto pela pequena queda de tensão VBE no diodo emissor, a maior
parte da tensão VB incide no resistor RE , isto é, o emissor está amarrado (“bootstrap”) à tensão de entrada, o que
produz uma corrente de emissor bem estável e, portanto, um ponto de operação firme na região ativa direta.
• Um resistor em série com o terminal da base e o terminal emissor aterrado (Figura 7.16-e) pode identificar um TBJ
como chave pelo fato da fonte VB da base operar mais como uma fonte de corrente fixa pois, como o valor de VBE é
pequeno, a maior parte da tensão VB incide no resistor RB e, desse modo, com a corrente de base fixada por VB e RB ,
pode-se facilmente polarizar o TBJ na saturação ou no corte controlando a corrente de base pela fonte VB.

IC (mA) +V C +V C
IC (mA) + VC
IB 3 IE 3
RC
Q2 IB 2 Q2 RC RC
IE 2 +V B
RB
IB 1 IE 1
+V B R B
+V B
0,7 V
IB = 0 Q1 IE = 0 A Q1
RE 0,7 V
0 0,3 VCE (V) -0,5 0
VBC (V)
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 7.16: Efeito chave nas configurações do TBJ: (a) emissor comum, (b) base comum; (c) efeito inversão
de fase na configuração emissor comum; distinção do emprego do TBJ: (d) como amplificador; (e) como chave.

Exercício 5: Para o circuito fornecido a seguir, determine a potência dissipada no TBJ e a fornecida pela fonte de
tensão do circuito (linha do positivo). Dado: ganho de corrente direta em base comum do TBJ igual a 0,996.
IB +9V
IC = 249 IB
5 kΩ VCB
VCB
5 kΩ
N VCE
P IB 9V
5 kΩ
N 0,7 V IE = 250 IB
20 Ω 9V
20 Ω
20 Ω
entrada saída
–9V
Solução
O circuito fornecido consiste na polarização de um TBJ NPN com seus teminais conectados entre as linhas de
referência e do negativo, o que equivale à conexão entre as linhas do positivo e referência (vide figura central).
Analisando-se o circuito observa-se que o terminal coletor do TBJ está conectado diretamente ao da base por
um resistor (5 kΩ) e, desse modo, a tensão reversa VCB no diodo coletor é definida pela queda de tensão no resistor de
5 kΩ em paralelo (figura). Neste caso, se o diodo emissor do TBJ estiver em condução, a tensão no resistor de 5 kΩ,
em consequência de uma corrente IB na base, levará o diodo coletor ao modo corte e conclui-se então que o TBJ está
114
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

no modo ativo direto. Esta conexão, chamada polarização com realimentação do coletor ou realimentação negativa,
é muito utilizada em circuitos amplificadores por impedir que o diodo coletor entre em condução e sature o TBJ.
Como a linha do positivo (9 V) é suficiente para conduzir o diodo emissor do TBJ NPN, conclui-se então que o
TBJ está operando no modo ativo direto (circuito redesenhado ao lado) devido à realimentação negativa. Assim:
αF 0,996
→ Ganho de corrente direta em emissor comum: β F = = = 249
1 − αF 1 − 0,996
→ LKT na malha de entrada: 9 − 5000 I B − 0,7 − 20 I E = 8,3 − 5000 I B − 20 × 250 I B = 0 ⇒ ∴ I B = 0,83 mA
→ LKT na malha de saída: 9 − VCE − 20 × 250 I B = 9 − VCE − 20 × 250 × 0,83 × 10−3 = 0 ⇒ ∴ VCE = 4,85 V
−3
→ Como IC = 249 IB , tem-se então que: I C = 249 × 0,83 × 10 ⇒ ∴ I C ≈ 0, 207 A
→ Assim, da equação (7.6), tem-se que a potência dissipada no TBJ será: PTBJ ≈ VCE I C = 4,85 × 0, 207 ≈ 1,0 W
→ Com base no esquema do circuito, observa-se que a potência fornecida pela fonte de tensão será dada por:
Pfonte = 9 × I B + 9 × I C = 9 × (0,83 × 10−3 + 0,207) ⇒ ∴ Pfonte ≈ 1,87 W

Exercício 6: Para o circuito de polarização de um TBJ NPN mostrado ao lado, sabe-se que o + 10 V
ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado é igual a 100. Pede-se:
a) Considere RC = 40 Ω e determine o valor limite do resistor RB para o TBJ permanecer no RC
RB
modo saturado. Explique se este limite é mínimo ou máximo.
b) Considere RB = 9,3 kΩ, determine o valor limite do resistor RC para que o TBJ permaneça no
modo ativo direto. Explique se este limite é mínimo ou máximo.
Solução
a) Seja RC = 40 Ω e RB uma incógnita. Admitindo-se o TBJ no modo saturado, tem-se o circuito abaixo. Logo:
→ LKT na malha de entrada:
IC
9,3
10 − RB I B − 0,7 = 0 ⇒ ∴ I B = I B calc =
RB IB
0 V 40 Ω
→ LKT na malha de saída: 10 − 40 I C = 0 ⇒ ∴ I C = I C calc = 0, 25 A RB
0,7 V
I C calc
0, 25 10 V 10 V
→ Da equação (7.8), tem-se: I B min = = = 2,5 mA
βF 100 entrada saída

→ Para satisfazer a condição IBcalc ≥ IBmin do TBJ saturado, tem-se então:


9,3 9,3
I B calc ≥ I B min ⇒ ≥ 2,5 ×10−3 ⇒ RB ≤ = 3720 Ω ⇒ ∴ RB ≤ 3,72 k Ω
RB 2,5 ×10−3
→ Assim, RB limite = 3,72 kΩ e, com base na inequação obtida, conclui-se que este limite é IC IB 2
máximo, ou seja, valores de RB menores de 3,72 kΩ propiciam correntes IB na base R B ↓ IB 1
suficientes para saturar o TBJ. Como discutido na Figura 7.12-c, este efeito advém do
fato do resistor RB controlar a corrente de base IB no TBJ, de modo que, se RB diminuir IB = 0
gradativamente, IB aumenta proporcionalmente até o TBJ saturar (figura ao lado). 0 VCE
→ Comentário: o valor de RB limite pode também ser obtido analisando-se o problema dual, isto é, admitindo-se o
TBJ operando no ativo direto, mas julgando-se a condição VCE ≤ 0 para que esta hipótese seja falsa.
b) Seja RB = 9,3 kΩ e RC uma incógnita. Admitindo-se o TBJ no modo ativo direto, tem-se o circuito abaixo. Logo:
→ LKT na malha de entrada:
IC = 100 IB
10 − 9300 I B − 0,7 = 0 ⇒ ∴ I B = 1,0 mA
IB
→ LKT na malha de saída: 10 − RC × 100 I B − VCE = 0 ⇒ VCE RC
−3 9,3 kΩ
⇒ VCE = 10 − RC × 100 × 10 ⇒ ∴ VCE = 10 − 0,1 RC 0,7 V
→ Para a condição VCE > 0 do TBJ no modo ativo direto, tem-se então: 10 V 10 V
entrada saída
VCE > 0 ⇒ 10 − 0,1 RC > 0 ⇒ ∴ RC < 100 Ω
→ Assim, RC limite = 100 Ω e, com base na inequação obtida, pode-se concluir que 10 IC (mA)
este limite é máximo, pois valores de RC menores que este limite propiciam RC reta de carga:
aumentos na tensão VCE do TBJ de modo a mantê-lo na região aiva direta. 10 − VCE
IC =
→ Como ilustração, a característica I-V e retas de carga na figura ao lado mostra RC
↑RC
a influência que aumentos no resistor RC causa no ponto de operação do TBJ,
IB = 1 mA
que caminha na curva de corrente de base IB = 1 mA até o TBJ se saturar.
→ Comentário: similar ao item a), RC limite pode ser também obtido analisando-se
o problema dual, isto é, admitindo-se o TBJ operando no modo saturado, mas
julgando-se a condição IBcalc < IBmin para que esta hipótese seja falsa. 0 10 VCE (V )

115
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Exercício 7: Para o circuito dado a seguir, determine a faixa de valores que deverá estar o resistor R para que o TBJ
permaneça no modo ativo direto. Dado: ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado = 100.
+5V

100 Ω 100 Ω 100 Ω


8,6 kΩ
RTH
8,6 kΩ
R 5V VTH 5V
5V
R I entrada saída

Solução
5 5R
→ VTH = R I = R × ⇒ ∴ VTH = (1)
8600 + R 8600 + R
8600 R
→ RTH = 8,6 k Ω / / R ⇒ ∴ RTH = (2)
8600 + R
→ Para o TBJ entrar no ativo direto, o R limite deve ser tal que VTH > 0,7 V para o diodo emissor em condução:
5R 0,7 × 8600
De (1): VTH > 0,7 V ⇒ ∴ > 0,7 ⇒ 5 R > 0,7 × 8600 ⇒ R > ⇒ R > 1,4 k Ω
8600 + R 5
→ R limite para o TBJ não saturar: aplicando-se o modelo para o TBJ no IC = 200 IB
ativo direto, obtém-se o circuito ao lado. Como deve-se ter VCE > 0, então: IB 100 Ω
• LKT na malha de entrada: VCE
V − 0,7 RTH
VTH − RTH I B − 0,7 = 0 ⇒ I B = TH (3) 0,7 V 5V
RTH VTH
• LKT na malha de saída e com o resultado (3), tem-se: entrada saída
V − 0,7
5 − 100 × 200 I B − VCE = 0 ⇒ VCE = 5 − 2 × 104 × TH > 0 ⇒ 2 × 104 VTH − 5 RTH < 1, 4 × 104 (4)
RTH
• Aplicando-se os resultados (1) e (2) no resultado (4) obtem-se finalmente:
5R 8600 R
2 × 104 × − 5× < 1,4 × 104 ⇒ ∴ R < 2,8 k Ω
8600 + R 8600 + R

7.5) TÓPICO COMPLEMENTAR: FOTOTRANSISTOR

O chamado fototransistor é um dispositivo optoeletrônico sensor de luminosidade formado por três substratos
(emissor, base e coletor), no qual a radiação incidente por uma janela, ao atingir a região da junção coletor-base, causa
uma combinação dos efeitos transistor e fotoelétrico (Figura 7.17-a). Assim, o fototransisor (símbolo esquemático na
Figura 7.17-b) é um cristal semicondutor de constituição semelhante ao transistor bipolar de junção, onde o substrato
base é comumente desprovido de terminal externo por ter apenas a função de controle de corrente e, desse modo, o
fototransistor apresenta apenas os terminais coletor e emissor acessíveis (aparências comerciais na Figura 7.17-c).
C L3 > L2 > L1 optoacoplador
IC
L3
luz N R1 R2
Q3 L2
P V1 V2
Q2 L1
N
L=0 Q1 circuito
E C circuito de
E VCE controle controlado
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 7.17: Fototransistor: (a) constituição física; (b) símbolos esquemáticos; (c) aparências; (d) característica
corrente-tensão, reta de carga e pontos de operação; (e) circuito exemplo de optoacoplador LED-fototransistor.
A Figura 7.17-d mostra a característica I-V de um fototransistor, onde as curvas são levantadas para diferentes
intensidades luminosas L (W/cm2). O traçado de uma reta de carga nesta característica I-V permite então observar um
princípio de funcionamento do fototransistor semelhante a de um TBJ na configuração emissor comum:
116
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

 A ausência de luz incidente (L = 0) estabelece um ponto de operação no fototransistor (Q1) no qual a corrente de
coletor IC se mostra bastante reduzida por ser formada apenas por portadores livres criados por geração térmica.
Neste ponto, entende-se então que o fototransistor se encontra em seu modo corte ou bloqueio (Figura 7.17-d).
 Um aumento de radiação incidente na junção coletor-base (L > 0) resulta na fotogeração de portadores minoritários
adicionais na região da camada de depleção do diodo coletor, o que possibilita um aumento da corrente reversa no
diodo coletor (IC) e, por conseguinte, de igual modo na corrente direta do diodo emissor (IE = IC). Logo, quanto
maior a intensidade de luz incidente, maior a quantidade de portadores minoritários gerados e maior é a corrente
no fototransistor. Assim, a variação na incidência luminosa causa no fototransistor um efeito controle de corrente
por luz devido à alteração da corrente circulante, quando observa-se que o mesmo opera na região da característica
correspondente ao seu modo ativo direto (por exemplo, ponto Q2 dado na Figura 7.17-d).
 O aumento demasiado da radiação incidente na região da junção coletor-base pode alcançar o limite de criação de
portadores livres destes substratos, quando observa-se que o fototransistor atinje seu modo saturado (por exemplo,
ponto Q3 na Figura 7.17-d), o que acarreta na perda do controle de corrente por luz no dispositivo.
A injeção de minoritários na base pelo substrato emissor para constituir a corrente direta no diodo emissor pode
ser interpretada como uma corrente de entrada na base e, desse modo, entende-se que a corrente gerada pela radiação
incidente é multiplicada por um ganho de corrente βF, o que confere elevada sensibilidade ao fototransistor, sendo
esta sua principal vantagem em relação ao fotodiodo. Contudo, por possir duas junções PN e apresentar então efeitos
capacitivos mais pronunciados, a velocidade de comutação ON-OFF do fototransistor é inferior ao do fotodiodo.
Assim, fotodiodos caracterizam-se por apresentar correntes típicas da ordem de µA e tempos de comutação da
ordem de ns, sendo aplicados onde se exija um rápido chaveamento, tal como sistemas de comunicação digitais. Os
fototransistores, por sua vez, comutam em µs mas suportam correntes típicas da ordem de mA, sendo aplicados onde
se exija elevada sensibilidade (devido, por exemplo, à posição distante do dispositivo sensor), tais como em controles
remotos, sensores de presença, leitores de códigos de barra, sistemas de contagem em processos industriais, etc.
A Figura 7.17-e mostra um circuito optoacoplador que emprega um par LED-fototransistor, sendo seu princípio
de funcionamento similar ao dispositivo LED-fotodiodo visto anteriormente, com semelhaentes vantagens na isolação
elétrica e diferenças de potência entre circuitos de entrada (circuito controlador) e saída (circuito controlado).

7.6) EXERCÍCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Para o circuito e característica I-V de saída em emissor comum do TBJ empregado, fornecidos a seguir,
determine o ponto de operação (VCEQ e ICQ) e as demais variáveis do TBJ. Caso o ponto se encontrar na região ativa
direta, determine também os ganhos de corrente direta. Adotar o valor típico VBE = 0,7 V para a solução.
IC (mA) IB = 1,1 mA
+7 V 180 IB = 0,9 mA
150
IB = 0,7 mA
50 Ω 120
IB = 0,5 mA
9 kΩ 90
IB = 0,3 mA
60
IB = 0,1 mA
30
IB = 0 mA
0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 VCE (V)

Problema 2: Para o circuito e característica I-V de saída em emissor comum do TBJ empregado, fornecidos a seguir,
determine o ponto de operação (VCEQ e ICQ) e as demais variáveis do TBJ. Caso o ponto se encontrar na região ativa
direta, determine também os ganhos de corrente direta. Adotar o valor típico VBE = 0,7 V para a solução.
+7 V IC (mA) IB = 1,1 mA
180 IB = 0,9 mA

19 kΩ 50 Ω 150
IB = 0,7 mA
120
IB = 0,5 mA
90
IB = 0,3 mA
1 kΩ 60
IB = 0,1 mA
30
IB = 0 mA
0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 VCE (V)

117
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Problema 3: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho de corrente direta em base comum do TBJ empregado é
0,996. Prove em qual região de operação se encontra o TBJ e determine a potência fornecida pela fonte de tensão.

Problema 4: Para o circuito dado, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado é
150. Prove em qual região de operação se encontra o TBJ e determine sua potência dissipada.

Problema 5: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho αF do TBJ empregado é 0,995. Pede-se:
a) O modo de operação do TBJ empregado está explícito no circuito. Explique.
b) Determine o valor do resistor RE tal que a leitura do amperímetro, considerado ideal, seja 200 mA.
+9V
+6V 2,3 kΩ

30 kΩ 100 Ω

RE
10 kΩ
100 Ω
100 Ω A

− 12 V
Problema 3 Problema 4 Problema 5

Problema 6: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado
é 100. Determine a leitura do voltímetro presente no circuito.

Problema 7 Para o circuito fornecido, sabe-se que β F = 100 para o TBJ. Determine o valor dos potenciais V1 e V2 .

Problema 8: Para o circuito dado, determine a o valor do resistor RE tal que a leitura do amperímetro seja 0,77 mA.
+4V + 15 V +4V

500 Ω
100 Ω
14 Ω
9 kΩ + V1 A
44 kΩ
+5V

V + V2
1 kΩ
1 kΩ RE

− 15 V
Problema 6 Problema 7 Problema 8

Problema 9: Para o circuito fornecido, determine o valor limite do resistor RB para que o TBJ atue na região ativa
direta. Explique se este limite é mínimo ou máximo. Dado: ganho αF do TBJ empregado = 0,98.

Problema 10: Para o circuito dado, sabe-se que o amperímetro ideal A mede 1,0 mA e que ambos os diodos coletor e
emissor do TBJ empregado estão em condução. Determine o valor do resistor RC. Dado: β F do TBJ empregado = 200.

Problema 11: Para o circuito dado, sabe-se que o ganho β F do TBJ empregado é 125. Pede-se:
a) Determine o valor de RB tal que a ddp entre o coletor e o emissor do TBJ seja 1,0 V . Dado: RC = 40 Ω.
b) Determine o valor de RC tal que a ddp entre o coletor e a base do TBJ seja 1,3 V. Adote RB obtido no item a).
+ 10 V + 14 V +9V
A
200 Ω
3,2 kΩ RC RC
RB

RB
400 Ω 100 Ω 100 Ω

Problema 9 Problema 10 Problema 11

118
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Problema 12: O circuito fornecido consiste de um simples indicador visual de temperatura por meio do brilho de um
LED, que emprega um termistor tipo NTC como sensor de energia térmica ambiente (temperatura). Pede-se:
a) Explique a relação entre a temperatura no termistor NTC e o brilho proporcionado pelo LED.
b) No circuito percebe-se que, acima de um certo valor de temperatura no NTC, a intensidade da luz emitida pelo
LED praticamente não mais se alterava. Cite um possível motivo e explique.

Problema 13: O circuito fornecido é um indicador visual de intensidade de luminosidade ambiente através do brilho
de uma lâmpada L, que emprega um resistor LDR como sensor de luz e um optoacoplador LED-fototransistor para
acoplamento entre circuitos. Explique a relação entre a luminosidade incidida no LDR e a luz emitida pela lâmpada.

Problema 14: O circuito dado contém um TBJ NPN polarizado em determinado ponto de operação. Deseja-se trocar
este TBJ por um equivalente do tipo PNP, conectando seus terminais emissor, base e coletor nos mesmos do NPN.
Explique que adequação deve-se realizar no circuito para que o PNP funcione no mesmo ponto de operação do NPN.
+ VC + V1 + VC
L
LED RC
NTC R1
RB V2

optoacoplador R2
RE LDR RE

Problema 12 Problema 13 Problema 14

Problema 15: Montou-se o circuito fornecido e verificou-se que a leitura do voltímetro V, em perfeito estado, media
0 V, que não era o valor esperado. Foram feitas então 4 suposições para explicar o problema: 1) o resistor R1 pode
estar em aberto; 2) o resistor R2 pode estar em curto-circuito; 3) o resistor RC pode estar em aberto; 4) o resistor RE
pode estar em curto. Investigue cada uma destas suposições e explique se as mesmas são palusíveis ou não.

Problema 16: Montou-se o circuito dado e observou-se que o voltímetro, em perfeito estado, media 0 V. Pergunta-se:
com apenas esta observação pode-se concluir desde já que o circuito apresenta problemas? Se sim, cite e explique
duas possíveis causas com componentes do circuito. Se não, explique porque.

Problema 17: O circuito fornecido é um melhoramento do regulador de tensão com zener. O TBJ é aqui o elemento
de controle de tensão e trabalha firmemente na região ativa direta devido ao resistor de 50 Ω (realimentação negativa),
sendo o zener um elemento de referência de tensão. Neste regulador, a carga RL pode funcionar a vazio ou dissipar
uma potência máxima de 500 mW e o ganho β F do TBJ é 99. Determinar a faixa de tensão da entrada VS para que a
tensão VL da carga seja regulada em 5 V. Dados do Zener: VZ = 5,7 V, IZK = 15 mA e IZM = 100 mA.
+ VC + 0,4 V

RC 250 Ω
R1 10 kΩ

50 Ω
VS RL VL
R2 RE V 150 Ω V DZ

Problema 15 Problema 16 Problema 17

119
APÊNDICE: RESPOSTAS DE ALGUNS EXERCÍCIOS PROPOSTOS

CAPÍTULO 1

[1] γM = 4 g/cm3 [2] γmistura = 1,02 g/cm3 [3] αA/αB = 0,8 [4] Aumento de 2%
[5] 2 x 10-5 oC -1 [6] Tfinal = 171,8 oC [7] Tfinal = 275,8 oC [8] ℓCu, 20C = 4,8 cm
[9] TJ = 30 oC ; φ1 = 0,3 cal/s ; φ2 = 0,16 cal/s ; φ3 = 0,14 cal/s
RT1 = 66,67 oCs/cal ; RT2 = 125 oCs/cal ; RT3 = 357,1 oCs/cal
[10] Variação na temperatura do material B 28% maior que do material A
[13] a) λabsorvido = 1550 Å , caminho: nível 6 → nível 5 → nível 2 ; c) λlimite = 2480 Å (limite máximo)
[14] hlim = 2,7 m = limite máximo

CAPÍTULO 2

[1] 2 < a/b < 5 [2] RA = 7 Ω ; RB = 3 Ω


[3] VJ = 1,7 V ; 5A
[4] Vjunção = 4 V ; I1 = I3 = 1 A , I2 = 0 A ; R1 = R2 = R3 = 2 Ω
[5] RB = 24 Ω ; RC = 27 Ω ; RD = 26,25 Ω V (volts)
[6] αA, 20 C = 4 x 10-4 oC -1 ; αB, 20 C = 3,89 x 10-4 oC -1 2,5 V = 2,5 - 0,1 x
[7] αA, 20 C = – 0,001 oC -1 ; αB, 20 C = 0,00125 oC -1 1,7 V = 18,2 - x
[8] a) 2,33 x 10-4 oC -1 ; – 10-4 oC -1 ; – 4,33 x 10-4 oC -1 6
0,7
c) m = 0,003 0 8 14 x(cm)
[11] a) RCC, cabo, 50 C = 16,62 Ω/km ; b) f = 178,57 Hz

CAPÍTULO 3

[1] 2,46 mm [2] a) C ↓ , Q ↓ , Vcapacitor = V ; b) C ↓ , Q = constante , Vcapacitor ↑


[3] Vmax 1 = 442 V , Vmax 2 = 553 V ⇒ ∴ apenas o dielétrico 2

CAPÍTULO 6

[1] a) - 0,15 V ; b) 52,5 ; c) 0,2 mA , 1,44 mA , 10,45 mA ; d) 0,395 V ; e) 1,447 µA


[2] IDmax/IDmin = 20
[3] cor laranja [13] d) vS , vL ( V )
[4] a) VDQ = 0,8 V , IDQ = 40 mA ; d) 8 Ω b) • condução – ruptura 12,5
15
[6] P9Ω = 1,44 W ; PD = 0 W • corte - corte 10
vL
[7] a) 4,21 V ; b) 0 V ; c) 4,13 V c) • vL = 10 V
[8] R1 / R2 < 1,5 para: vS > 12,5 V 0 π 2π ωt
[9] 50 ≤ R < 100 Ω • vL = 0,8 vS
[17] RL min = 300 Ω ; RL max → ∞ para: vS ≤ 12,5 V
-12 vS
-15
[18] 16,5 ≤ VS ≤ 19,2 V

CAPÍTULO 7

[1] IB = 0,7 mA ; VCQ = 1,0 V ; ICQ = 120 mA ; IE = 120,7 mA ; VCB = 0,3 V ; αF = 0,994 ; β F = 171
[2] IB = 0 A ; VCQ = 7,0 V ; ICQ = 0 A ; IE = 0 A ; VCB = 6,65 V
[3] VCE ≈ 1,47 V > 0 ⇒ ∴ TBJ no modo ativo direto ; Pfonte ≈ 0,34 W
[4] IBcalc = 0,53 mA , IBmin = 0,4 mA ⇒ IBcalc > IBmin ⇒ ∴ TBJ no modo saturado ; PTBJ ≈ 0 W
[5] b) RE = 45 Ω [6] TBJ no bloqueio ; leitura do voltímetro = 4 V
[7] a) V1 = 8,35 V ; V2 = − 1,57 V
[8] RE ≈ 65 Ω [9] RBlimite ≈ 17,5 kΩ (limite mínimo) [10] RC = 39 Ω
[11] a) RB = 5,66 kΩ ; b) RC = 22,4 Ω
[15] 1) plausível ; 2) plausível ; 3) não plausível ; 4) plausível
[17] 6,5 ≤ VS ≤ 10,7 V

120