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CAPÍTULO 3
Semiconductores de
potencia (II): tiristores

3.1 Introducción

Los tiristores son los dispositivos semiconductores de potencia más antiguos y uno de
los más empleados en la actualidad. En un primer momento se les denominó SCR
(Semiconductor Controlled Rectifiers) y surgieron a mediados del siglo XX como
resultado de las investigaciones llevadas a cabo en los laboratorios de investigación de
la General Electric.

Los tiristores se comportan, de forma aproximada, como un diodo rectificador con


iniciación de la conducción controlada por un tercer terminal denominado puerta.
Poseen casi todas las ventajas de los diodos de silicio, como son el funcionamiento a
temperaturas muy altas, fiabilidad, robustez, etc. Presentan, además, una disipación
pequeña y, por tanto, un elevado rendimiento, característica fundamental en todo
dispositivo semiconductor de potencia.

La importancia de los tiristores en los circuitos de electrónica de potencia reside en su


capacidad de bloquear grandes tensiones y conducir grandes corrientes. En este capítulo
se estudia su estructura básica, formas de funcionamiento y circuitos de protección de
los tiristores convencionales SCR. También se analizan en detalle diversas variantes de
los tiristores, en concreto los denominados GTOs, TRIACs, SCSs y DIACs.

3.2 Estructura básica de un tiristor de potencia

En un sentido general, recibe el nombre de tiristor cualquier dispositivo con una


estructura PNPN. La figura 3.1 muestra la sección vertical de un tiristor, así como las
32 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

dimensiones del ancho de cada capa alternativa tipo P y tipo N y sus correspondientes
densidades de dopado.

FIGURA 3.1 Sección vertical de un tiristor.


Puerta Cátodo

N2 + 1019 cm-3 N2 + 1019 cm-3 10 Pm


J3
P2 1017 cm-3 30-100 Pm
J2
N1 - 1013- 5 x 1014 cm-3 50-1000 Pm
J1
P1 30-50 Pm
1017 cm-3
P1+ 1019 cm-3

Ánodo

La capa anódica P1 tiene un espesor relativo moderado y está muy dopada en la


superficie exterior para facilitar el contacto eléctrico con el terminal metálico del
ánodo. La capa de bloqueo N1 es la de mayor espesor y tiene una baja concentración. La
capa de control P2 es más estrecha que las anteriores porque debe permitir fácilmente la
llegada a N1 de los electrones emitidos por N2 en el estado de conducción. La capa
catódica N2 es la más delgada y se encuentra muy dopada para facilitar la emisión de
electrones y el contacto eléctrico con el terminal metálico de cátodo.

En lo referente a las dimensiones laterales, los tiristores son de los dispositivos


semiconductores más grandes. Así, una oblea de silicio de 10 cm de diámetro puede
emplearse para fabricar un único tiristor de alta potencia. La figura 3.2 muestra la vista
en planta de dos disposiciones diferentes (layouts) de los terminales de puerta y cátodo.
La disposición con terminal de puerta distribuido se emplea en los tiristores de gran
diámetro (10 cm), mientras que la disposición con terminal de puerta localizado en el
centro de la oblea se emplea en tiristores de menor tamaño. En general, esta disposición
de los terminales de puerta y cátodo varía de unos tiristores a otros, en función de los
siguientes factores:
• Diámetro del tiristor.
• Requerimientos en cuando a di/dt.
• Velocidad de conmutación requerida.
Sec. Curva característica de un tiristor de potencia 33

FIGURA 3.2 Diferentes disposiciones (layouts) de los terminales de puerta y


cátodo en un tiristor.
Cátodo Puerta distribuida
Puerta

Oblea Área de
Oblea cátodo

La figura 3.3 muestra el símbolo que representa a un tiristor de potencia. Consta de tres
terminales: ánodo, cátodo y puerta. El terminal de puerta es el terminal de control. Los
sentidos de las corrientes y de las tensiones consideradas como positivas quedan
reflejadas de igual forma en la figura 3.3.

FIGURA 3.3 Símbolo de un tiristor de potencia.


Ánodo A Ánodo A

iT P1
J1: unión anódica
iG + N1
vAK J2: unión de control
Puerta G _
Puerta G P2
J3: unión catódica
N2
Cátodo K
Cátodo K

Básicamente, el funcionamiento de un tiristor es el siguiente: con la puerta en circuito


abierto o cortocircuitada al cátodo, el tiristor es capaz de bloquear tensión directa o
inversa aplicada a los terminales de ánodo y cátodo hasta un cierto valor límite. Con
tensión positiva entre ánodo y cátodo, el tiristor entra en conducción si se le aplica a la
puerta un impulso de intensidad adecuada, cayendo la tensión vAK a un valor muy
pequeño (1 V aproximadamente). Este estado se mantiene aún en ausencia de la
corriente de puerta gracias a un proceso interno de regeneración de portadores. Cuando
las corrientes que circulan por el tiristor disminuyen por debajo de cierto valor el tiristor
pasa a estado de bloqueo.

3.3 Curva característica de un tiristor de potencia

La figura 3.4 muestra la curva característica de un tiristor de potencia, que viene dada
en función de la corriente iT que circula desde el ánodo al cátodo frente a la tensión
ánodo-cátodo vAK.
34 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

FIGURA 3.4 Curva característica de un tiristor de potencia.


iT

Zona de conducción
(estable)

iG1 > iG2 > iG3


IL Zona inestable iG > 0
IH iG=0
iG1 iG2 iG3
-vRWM
vH vB0 vAK
Zona de bloqueo Zona de bloqueo
inverso directo (estable)

Como se observa en la figura 3.4, un tiristor en bloqueo inverso (vAK<0), al igual que
ocurría con los diodos, conduce una corriente muy pequeña hasta que éste entra en
avalancha. La máxima tensión de trabajo -vRWM que el tiristor es capaz de soportar sin
entrar en avalancha puede alcanzar valores de hasta -7000 V.

Cuando el tiristor está directamente polarizado, esto es, vAK>0, se distinguen dos
estados o modos de operación estables separados por uno inestable, que aparece como
una resistencia negativa en la curva vAK-iT. El primer estado estable se corresponde con
la zona de bloqueo directo, y se caracteriza por un elevado valor de la tensión ánodo-
cátodo y una pequeña intensidad iT. El segundo estado estable se corresponde con la
zona de conducción, y en él la caída de tensión ánodo-cátodo es muy pequeña mientras
que la intensidad que lo atraviesa alcanza valores muy elevados. Así, en este modo el
tiristor puede conducir corrientes de hasta 2000 ó 3000 A con una caída de tensión de
sólo unos pocos de voltios.

En la curva característica de un tiristor (figura 3.4), es preciso definir ciertos valores


característicos de intensidad y tensión. Así, la intensidad de mantenimiento IH (holding
current) se define como la mínima corriente que debe circular por el tiristor para que se
mantenga en estado de conducción. La tensión correspondiente a esta corriente vH,
representa la mínima caída de tensión en estado de conducción.

En estado de bloqueo directo, se define la tensión de ruptura directa vB0 de un tiristor


como la tensión a partir de la cual, con una intensidad de puerta nula, el tiristor
comienza a conducir. Si se le aplica una intensidad de puerta al tiristor estando éste
polarizado en directa, el tiristor comenzará a conducir con un valor de vAK menor que
vB0. Como se observa en la figura 3.4, cuanto mayor sea la intensidad de puerta iG menor
Sec. Características de los tiristores 35

será la tensión vAK necesaria para que el tiristor entre en conducción y cuánto mayor sea
esta tensión externa vAK aplicada al tiristor, menor será la corriente de puerta iG para
dispararlo. En el momento en que el tiristor entra en conducción y para que quede
efectivamente encendido, debe circular por él un corriente mayor que la intensidad de
enclavamiento IL (latching current). Una vez que el tiristor ha entrado en conducción, la
caída de tensión en él es muy pequeña (en torno a 1 V) y la elevada corriente que lo
atraviesa depende del circuito exterior.

La diferencia básica entre los estados estables de conducción y bloqueo en un tiristor es


debida a la densidad de corriente. Así, la intensidad de mantenimiento marca el paso
irreversible del estado de conducción a bloqueo directo. El paso contrario de bloqueo a
conducción consistirá en la creación de las condiciones necesarias para que la densidad
de corriente en algún punto de la pastilla alcance un valor suficiente para que se
mantenga el proceso regenerativo que garantiza este estado. Esta zona inicial de
conducción se extenderá inmediatamente a toda la pastilla si el circuito exterior permite
la circulación de intensidad suficiente.

La corriente de puerta que es necesario aplicar para disparar al tiristor no tiene que ser
continua, sino que basta con un pulso de corriente (de duración mínima) para conseguir
que el tiristor entre en conducción, manteniéndose este estado gracias al proceso
regenerativo. Así, el circuito de control sólo consume potencia durante el proceso de
disparo del tiristor y no durante todo el tiempo de conducción del mismo. Es
precisamente la propiedad de los tiristores de ser encendidos mediante pulsos de
corriente de puerta la causa de la amplia difusión en el empleo de estos dispositivos.

El apagado de un tiristor se consigue a través del circuito exterior, que fuerza a que por
el dispositivo circule una corriente menor que la intensidad de mantenimiento IH
durante un tiempo mínimo.

Sin embargo, se han desarrollado algunos diseños especiales de tiristores en los que se
utiliza el terminal de puerta para el apagado. Estos tiristores especiales se denominan
GTO (Gate Turn Off devices).

3.4 Características de los tiristores

A continuación se exponen las características de los tiristores cuando entre ánodo y


cátodo existe tensión positiva o negativa.

a) Bloqueo directo: vAK > 0.

Si la tensión en el ánodo es mayor que la del cátodo, las uniones J1 y J3 se encuentran


directamente polarizadas (figura 3.3), por lo que la caída de tensión en ellas es
prácticamente nula. En cambio, la unión de control J2 se encuentra polarizada en
inversa, es decir, toda la tensión vAK aplicada en los terminales del tiristor cae en J2:

v AK = v J1 + v J2 + v J3 | v J2 (3.1)
36 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

Si en esta situación de polarización directa la tensión vAK en los terminales del tiristor
crece mucho, la caída de tensión en J2 también aumentará y podría entrar en ruptura por
avalancha, provocando la entrada en conducción del tiristor.

b)Bloqueo inverso: vAK < 0.

Si la tensión aplicada al ánodo es menor que la aplicada al cátodo, la unión de control J2


se encuentra directamente polarizada, por lo que su caída de tensión es prácticamente
nula. Las uniones J1 y J3 se encuentran inversamente polarizadas, por lo que
prácticamente toda la tensión exterior aplicada al tiristor cae en estas uniones, esto es:

v AK | v J1 + v J3 (3.2)

La unión catódica o unión J3 se encuentra muy próxima a las zonas más dopadas, y por
tanto, con más portadores que ofrecen una menor resistencia a la conducción. Sin
embargo, la unión anódica o unión J1 se encuentra próxima a las regiones menos
dopadas con pocos portadores, lo que supondrá una mayor resistencia a la conducción.
Así, la unión J1 es la que soporta casi toda la tensión inversa exterior aplicada en los
terminales de ánodo y cátodo del tiristor.

v AK | v J1 (3.3)

Por tanto, las propiedades del tiristor en bloqueo inverso dependen casi exclusivamente
de la unión de ánodo J1. De ahí que se construyan las capas de ánodo (capa P1) y de
bloqueo (capa N1) de gran espesor y poco dopadas en las proximidades de la unión, con
el fin de conferirles una alta resistencia a la conducción.

3.5 Formas de disparo de un tiristor

Se denomina disparo de un tiristor al paso del estado de bloqueo al de conducción de


forma estable. Ello requiere aumentar la corriente que pasa por el tiristor en estado de
bloqueo directo. Las cuatro formas de aumentar la intensidad de fugas en el tiristor
cuando se encuentra en bloqueo directo dan lugar a cada uno de los procedimientos de
disparo de un tiristor, los cuales se muestran a continuación:
• Disparo por una tensión vAK excesiva.
• Disparo por impulso de corriente de puerta.
• Disparo por derivada de tensión.
• Disparo por luz.

El disparo real de un tiristor está causado muchas veces por la acción combinada de dos
o más de los efectos citados y está influenciado por la temperatura de la unión, que si es
elevada facilita el disparo debido al enriquecimiento de portadores en las uniones por
los pares generados térmicamente.
Sec. Formas de disparo de un tiristor 37

3.5.1 Disparo por tensión excesiva

Si la tensión vAK entre ánodo y cátodo se acerca al valor de la tensión de ruptura directa
vB0, parte de los minoritarios que atraviesan la unión de control adquieren la energía
suficiente para generar por choque con la red cristalina nuevos pares electrón-hueco
que pasan a engrosar la corriente en las zonas de bloqueo y de control. Estos nuevos
portadores pueden, a su vez, ocasionar la generación de otros pares electrón-hueco, que
da lugar a un aumento considerable de la corriente de fugas al entrar la unión de control
J2 en avalancha. Cuando esta corriente de fugas alcanza un valor superior al de
enclavamiento, el tiristor entra en estado de conducción y la tensión ánodo-cátodo cae
rápidamente al desaparecer la zona de carga espacial en la unión de control (figura 3.5).

FIGURA 3.5 Disparo por tensión excesiva.


iT

IL
IH
-vRWM
vH vB0 vAK

Esta forma de disparo raramente se emplea para pasar a un tiristor a estado de


conducción de forma intencionada. Sin embargo, sí se da de forma accidental o fortuita
debido a sobretensiones anormales en los equipos.

3.5.2 Disparo por impulso de puerta

El procedimiento normalmente empleado para disparar un tiristor consiste en aplicar en


la puerta un impulso positivo o entrante de intensidad mediante la conexión de un
generador adecuado entre la puerta y el cátodo, a la vez que se mantiene una tensión
positiva entre ambos terminales (vAK>0).

La figura 3.6 representa la parte de la pastilla que alberga el área intermedia entre los
terminales de puerta y cátodo.
38 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

FIGURA 3.6 Disparo por impulso de puerta: (a) Iniciación del impulso de puerta,
(b) Terminación del impulso de puerta.
E

+ - + Terminal
+ - + puerta
+ - +
+ +
+ -
_ +
+ - _
_
+ -
+ - _
_ _ Terminal
+ _ _ cátodo
+ -
P1 P2 N2
N1 + -
Unión de Unión de Unión de
ánodo control cátodo
(J1) (J2) (J3)

(a)

+ - Terminal
+ - _ puerta
+ - _
+ -
_ +
_
+ - +
+ - +
+ - + _
_ + Terminal
+ _ cátodo
_
+ -
P1 P2 N2
N1 + -
Unión de Unión de Unión de
ánodo control cátodo
(J1) (J2) (J3)

(b)

Al iniciarse el impulso de intensidad de puerta iG (figura 3.6-a), una nube de huecos h+


parten del terminal de puerta a través de la capa de control P2 en un recorrido lateral
hacia la zona de la unión del cátodo J3. Simultáneamente, una nube de electrones se
inyecta por la unión de cátodo J3 en la capa de control P2 e inicia su recorrido lateral al
encuentro de los huecos. Lo mismo que éstos, tienden a acercarse por difusión a la
Sec. Formas de disparo de un tiristor 39

unión de control J2. Algunos de los electrones son captados por su elevada barrera de
tensión y se aceleran hacia la capa de bloqueo N1, arrancando pares electrón-hueco por
choque con los átomos de la red cristalina. La velocidad de generación de los pares
eletrón-hueco depende de:
• La intensidad de puerta. Cuanto mayor sea la intensidad de puerta, más huecos
serán inyectados en la capa de control P2, originando una mayor atracción
electrostática que hace que un mayor número de electrones cruce la unión de
cátodo J3 y se generen más pares electrón-hueco.
• La tensión vAK aplicada por el circuito exterior. Como la tensión entre ánodo y
cátodo vAK es aproximadamente igual a la caída de tensión en J2, si vAK aumenta lo
hará la intensidad de campo E en la capa de control, por lo que la aceleración con
que los electrones cruzan la capa de control J2 será mayor, creciendo la
probabilidad de generación de pares electrón-hueco.
• La temperatura. Cuanto mayor sea la temperatura mayor será la energía de los
electrones para escapar de la red cristalina (mayor movilidad).

Los huecos generados se dirigen hacia la unión de cátodo J3 y a su llegada extraen una
nube de electrones por atracción electrostática, que a su vez se dirigirá en parte a la
unión de control J2, pudiendo generar nuevos pares electrón-hueco o bien se
recombinan en la capa catódica N2. Un proceso análogo ocurre con los electrones que
cruzan la unión de control J2 dirigiéndose hacia la unión de ánodo, y pueden generar
más pares electrón-hueco al cruzar J2.

Los huecos generados realizan la misma misión que los huecos inyectados inicialmente
por la puerta, es decir, aumentar la corriente, por lo que se crea un área local de
conducción en la parte de la pastilla cubierta por el terminal de cátodo y vecina al
terminal de puerta. Si la densidad de corriente alcanzada es suficiente, esto es, si se ha
producido una generación importante de pares electrón-hueco, la conducción se
mantiene independientemente del impulso de puerta, y el área de conducción se
extenderá a toda la pastilla siempre y cuando el circuito exterior permita intensidad
suficiente.

Los portadores inyectados por la corriente de puerta siguen teniendo influencia durante
cierto tiempo después de la anulación de la intensidad de puerta iG hasta que
desaparecen por recombinación (figura 3.6-b).

Si el circuito exterior fuerza un crecimiento muy rápido de la intensidad, puede darse el


caso que la densidad de corriente sea muy elevada en un punto aislado y se destruya el
tiristor por temperatura excesiva. De ahí que el fabricante indique una derivada máxima
permitida para la intensidad de ánodo al entrar conducción di A e dt max y que no debe
superarse en la práctica.

Para explicar de forma analítica el funcionamiento de un tiristor cuando se dispara por


un impulso de corriente, considérese el modelo de un tiristor representado como dos
transistores PNP y NPN conectados como indica la figura 3.7.
40 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

FIGURA 3.7 Representación del tiristor como dos transistores.


A
iT=iA A
iA=iE1
P
iB1=iC2
Q1 (D1)
Q1 N N
iC1
G P P Q2
iG
N G Q2 (D2)
iG iB2

iK iE2=iK

K K
(D1) y (D2): ganancias de corriente.

Si la tensión entre ánodo y cátodo vAK es lo suficientemente grande, los transistores Q1 y


Q2 se encuentran en activa. Si se aplica la ecuación de Ebers-Moll I C = DI E + I CB0
a ambos transistores, donde ICB0 representa la corriente de fugas entre el colector y la
base del transistor con emisor a circuito abierto y cuyo valor es muy pequeño, se
obtiene que:

I C1 = D 1 I A + I CB01 (3.4)

I C2 = D 2 I K + I CB02 (3.5)

De la figura 3.7, se extrae la expresión de la corriente de ánodo como:

I A = I C1 + I B1 = I C1 + I C2 (3.6)

donde sustituyendo las expresiones 3.4 y 3.5 se obtiene que:

I A = D 1 I A + I CB01 + D 2 I K + I CB02 (3.7)

Si se aplica por el terminal de puerta G una corriente de disparo de valor:

IG = IK – IA (3.8)

de donde:

IK = IA + IG (3.9)

e introduciendo la expresión 3.9 en la dada por 3.7 se obtiene que:

I A = D 1 I A + I CB01 + D 2 I A + D 2 I G + I CB02 (3.10)


Sec. Formas de disparo de un tiristor 41

Despejando el valor de IA de la ecuación 3.10 queda que:

D 2 I G + I CB01 + I CB02
I A = ------------------------------------------------ (3.11)
1 – D1 + D2

La ganancia de corriente D de cada transistor depende de la corriente del emisor, por lo


que:

D 1 depende de I A (3.12)

D 2 depende de I K = I A + I G (3.13)

Por tanto, si aumenta la corriente de puerta IG, por la fórmula 3.11 aumenta la
intensidad IA, que a su vez provoca un aumento de las ganancias D1 y D2 (expresiones
3.12 y 3.13), por lo que por la ecuación 3.11 IA aumenta aún más su valor. Es decir, se
produce una realimentación positiva o regenerativa. De esta forma, una vez disparado
el tiristor por una pequeña corriente de puerta, la corriente se mantiene por un proceso
de realimentación positiva sin necesidad de mantener dicha corriente de puerta.

3.5.3 Disparo por derivada de tensión

Si a un tiristor se le aplica un escalón de tensión positivo entre ánodo y cátodo con un


tiempo de subida muy corto del orden de microsegundos ( dv AK e dt muy grande), los
portadores sufren un pequeño desplazamiento para poder hacer frente a la tensión
exterior aplicada. No hay tiempo para que se organicen las distribuciones de
concentración P y N y adquieran la situación de bloqueo directo, de forma que
permanecen con el mismo perfil que en el caso de no polarización pero desplazadas: la
de huecos P hacia la unión catódica J3 y la de electrones N hacia la unión anódica J1.
Como consecuencia, la unión de control J2 queda vacía de portadores y se ensancha la
zona de carga espacial. Aparece en dicha unión una diferencia de potencial elevada que
se opone a la tensión exterior, y un campo eléctrico que acelera a los minoritarios de las
proximidades. Éstos atraviesan la unión de control J2 y arrancan por choque con la red
cristalina pares electrón-hueco, aumentando la intensidad de fugas. Si la corriente de
fugas alcanza un valor suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor
entrará en conducción estable y permanecerá así aunque el escalón de tensión que lo
disparó haya pasado. El circuito exterior debe permitir la elevación de la corriente de
ánodo por encima de la de enclavamiento.

Para producir el disparo de un tiristor por derivada de tensión bastan escalones de


tensión de un valor final bastante menor que el de la tensión de ruptura por avalancha,
con tal de que el tiempo de subida sea lo suficientemente corto. El valor de dv AK e dt
necesario depende tanto de la tensión final como de la temperatura, siendo menor
cuánto mayores sean aquéllas.

Para explicar de forma analítica el funcionamiento del tiristor ante este tipo de disparo,
considérese igualmente el modelo de un tiristor representado como dos transistores
PNP y NPN conectados entre sí. Como se observa en la figura 3.8, se han representado
42 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

las capacidades de las uniones, dada la gran importancia que poseen en el


funcionamiento transitorio del dispositivo.

FIGURA 3.8 Representación del tiristor como dos transistores con sus
capacidades en las uniones.
A

P1
CJ1
N1
Q1
iJ2
CJ2

G Q2
P2 N2

CJ3

Si el tiristor está en bloqueo directo (vAK>0) las uniones anódica y catódica se


encuentran directamente polarizadas, en tanto que la unión de control J2 lo estará de
forma inversa. Por tanto, prácticamente toda la caída de tensión entre ánodo y cátodo la
soporta la unión de control J2. De esta forma, si se aplica al tiristor una tensión entre
ánodo y cátodo que crezca de forma muy rápida, también lo hará de igual forma la
tensión vJ2. Como la expresión de la intensidad iJ2 que circula por la unión de control J2
viene dada por:

dq J2 d dC J2 dv J2
i J2 = --------- = ----- C J2 v J2 = v J2 ---------- + C J2 --------- (3.14)
dt dt dt dt
si dv J2 e dt es grande, la corriente de fugas iJ2 por la unión de control J2 es también
grande, por lo que el tiristor entra en conducción.

Muchos circuitos someten a los tiristores a derivadas de tensión bruscas en


funcionamiento normal y sería indeseable el disparo en estas condiciones. Para
aumentar la inmunidad del tiristor a este fenómeno, muchos fabricantes utilizan una
técnica de construcción consistente en cortocircuitar parcialmente las zonas de control
y de cátodo, de forma que parte del exceso de intensidad de fugas provocado por el
escalón de tensión se deriva por el cortocircuito y no provoca la inyección de electrones
por el cátodo. En los tiristores más pequeños donde la puerta tiene bastante influencia
en toda la pastilla, es aconsejable también conectar una resistencia exterior entre la
puerta y el cátodo para derivar parte de la corriente de fugas de la unión de control.

De igual forma, valores de derivadas de tensión muy grandes no sólo pueden causar un
disparo indeseable del tiristor, sino también provocar daños en el mismo. Por ello, el
Sec. Tiempos de encendido de un tiristor 43

fabricante define el valor máximo de dv AK e dt que el tiristor es capaz de aguantar sin


que entre en conducción.

3.5.4 Disparo por luz

Existe un grupo de tiristores que se activan por pulsos de luz guiados por fibra óptica
hacia una zona especialmente sensible. A este grupo de tiristores se les denomina
tiristores activados por luz.

En estos tiristores, si incide luz de una longitud de onda apropiada, aumenta la


generación de pares electrón-hueco en las uniones, por lo que la corriente de fugas en
estado de bloqueo directo alcanza un valor cada vez mayor hasta que origina la entrada
en conducción del tiristor.

Existen dos tipos de tiristores activados por luz: los de alta potencia, que se emplean en
aplicaciones de alta tensión tal como es el transporte de energía eléctrica en corriente
continua, y los de baja potencia, que son los utilizados en los circuitos de control.

Un tiristor de potencia activado por luz tiene las siguientes características:


• Aguanta hasta 4 KV de tensión.
• Permite la circulación de hasta 3 KA de corriente.
• La caída de tensión en conducción es de 2 V aproximadamente.
• La potencia de disparo por luz es de 5 mW.

3.6 Tiempos de encendido de un tiristor

En un tiristor en bloqueo directo, si se provoca la inicialización de la conducción por


cualquiera de los métodos que se han expuesto con anterioridad, la intensidad de ánodo
aumenta y la tensión entre el ánodo y el cátodo disminuye con una velocidad que
depende del propio tiristor y del circuito exterior. Para estudiar el tiempo de encendido
o de disparo de un tiristor se supondrá que la conducción se ha iniciado con un impulso
de puerta potente y rápido.

La figura 3.9 muestra las formas de onda de la intensidad iG aplicada a la puerta para
encender el tiristor y de la intensidad iT que circula por él. Como puede apreciarse,
desde el momento en que se aplica el impulso de puerta hasta que comienza a subir la
intensidad del ánodo, transcurre un determinado tiempo, que se conoce como tiempo de
retraso td (time delay). Así, el tiempo de retraso td se define como el intervalo de tiempo
que transcurre desde que circula el 10% de la corriente de puerta hasta que circula el
10% de la corriente final del tiristor.

Tras el tiempo td, la corriente por el tiristor comienza a subir. Se denomina tiempo de
subida tr (time rise) al tiempo que transcurre desde que circula el 10% de la intensidad
por el tiristor hasta que lo hace el 90% de la misma.
44 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

La suma de los tiempos td y tr se denomina tiempo de disparo del tiristor ton. De esta
forma, el tiempo de disparo de un tiristor ton será el que transcurre desde que circula el
10% de la corriente de puerta hasta el instante en que circula el 90% de la corriente final
del tiristor.

A la hora de diseñar un circuito de disparo deben tenerse en cuenta las siguientes


consideraciones:
• La corriente de puerta al disparar el tiristor debe ser inicialmente grande. De esta
forma, la conducción comenzará en una zona grande de la pastilla disminuyendo la
densidad de corriente. Además, la potencia de pico disipada será menor.
• Una vez que el tiristor ha sido disparado no es necesario que circule corriente por
la puerta, debido a que la circulación de corriente queda asegurada por un proceso
de regeneración positiva. Además, una circulación continua de intensidad por la
puerta produciría un aumento de las pérdidas.

FIGURA 3.9 Formas de onda de las intensidades iT e iG.


iT
IT
0.9 IT

0.1 IT

t
iG
IG

0.1 IG
td tr t

ton

• Mientras que el tiristor está inversamente polarizado no debe circular corriente


por la puerta, ya que aumentaría el número de portadores y, por tanto, la corriente
de fugas, pudiendo destruir al tiristor.
• El ancho del impulso de corriente de puerta debe ser mayor que el tiempo
necesario para que la corriente de ánodo alcance el valor de la corriente de
enclavamiento. En la práctica, el ancho del pulso de corriente se hace mayor que el
tiempo de disparo del tiristor (ton). Nótese que un mayor tiempo de disparo implica
Sec. Características de puerta 45

un mayor tiempo para que la corriente que atraviesa el tiristor alcance el valor de
enclavamiento.

3.7 Características de puerta

El circuito puerta-cátodo de un tiristor equivale al diodo P2N2 en serie con la resistencia


del camino que los portadores deben recorrer lateralmente por la zona de control. Al
contrario de lo que sucede en un diodo normal, la dispersión de la curva vGK-iG de una a
otra unidad de un mismo tipo es muy grande, de forma que el fabricante proporciona
curvas límites dentro de las cuales estará situada la característica real del diodo en
cuestión. La figura 3.10 muestra una de estas curvas proporcionadas por un fabricante.

Los valores de la tensión vGK y de la intensidad iG que disparan al tiristor no dependen


apenas de la tensión ánodo-cátodo para valores de ésta suficientemente altos, pero sí
varían mucho con la temperatura, necesitándose mayor tensión o intensidad cuánto
menor sea aquélla. Esto es debido a que la alta temperatura es una de las causas de
generación de pares electrón-hueco.

FIGURA 3.10 Curva de la característica de puerta de un tiristor.


vGK Característica
límite
VGK máx

Disparo Característica
incierto real

P. máx20%
VGK mín
CD Característica
P. máx 50%
límite

VGK máx P. máx 100%


SD
Disparo
Recta de carga seguro
No disparo
IG máx. IG mín. IG máx iG
SD CD

Como el diseño de un circuito de puerta debe asegurar el disparo con un cierto impulso
de puerta y garantizar que no se produzca disparo entre los impulsos, el fabricante
facilita para cada tipo de tiristor los valores siguientes (figura 3.10):
46 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

• VGK máxima SD: es la tensión puerta-cátodo máxima sin disparo del tirisor a una
determinada temperatura.
• VGK mínima CD: es la tensión puerta-cátodo mínima con disparo del tiristor a una
determinada temperatura.
• IG máxima SD: es la intensidad de puerta máxima sin disparo del tiristor a una
determinada temperatura.
• IG mínima CD: es la intensidad mínima de puerta con disparo del tiristor a una
determinada temperatura.

De esta forma, y como se aprecia en la figura 3.10, estos cuatro parámetros


anteriormente definidos dividen la gráfica en tres áreas: una superior de disparo seguro,
una intermedia de disparo incierto y otra inferior de disparo imposible o de no disparo.

El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thévenin para determinar la


recta de carga sobre la curva característica vGK-iG. La recta de carga debe pasar por la
zona de disparo seguro cuando se pretende iniciar la conducción. Cuando el circuito de
disparo se haya desactivado, la recta de carga debe pasar por la zona de no disparo para
asegurar que el tiristor no entra en conducción.

Existen unos límites máximos de tensión puerta-cátodo y de intensidad de puerta que


no deben sobrepasarse para evitar el deterioro del tiristor. Asimismo, la potencia
entregada al circuito puerta-cátodo tiene unos límites que varían con el factor de trabajo
(duty ratio) de un tren de pulsos, es decir, con la relación entre la duración de un
impulso y el tiempo entre el comienzo de dos impulsos consecutivos, expresada en
tanto por ciento (figura 3.11). Se supone una repetición periódica de pulsos iguales.
Cuanto mayor sea el factor de trabajo menos potencia máxima podrá consumirse en el
circuito de puerta-cátodo. Si la potencia consumida por el circuirto de puerta-cátodo es
muy grande, se alcanza una temperatura muy alta que puede dañar al tiristor.

FIGURA 3.11 Factor de trabajo.

Factor de trabajo= a/b

a
b

3.8 Bloqueo de un tiristor. Tiempo de apagado

Cuando la corriente que circula por un tiristor se hace menor que la corriente de
mantenimiento IH, el tiristor deja de conducir al no poderse mantener el proceso
regenerativo y entra en estado de bloqueo. En este proceso, la puerta no tiene influencia
Sec. Características de puerta 47

apreciable, siendo el circuito exterior de potencia el que fuerza la disminución de la


intensidad del ánodo, ya sea de forma natural o forzada.

En el bloqueo natural, el circuito de potencia provoca la disminución de la intensidad


en el tiristor a un valor inferior a la de mantenimiento en el transcurso normal de
funcionamiento. No hace falta ningún circuito especial para provocar el apagado del
tiristor.

En el bloqueo forzado, el circuito de potencia no provoca de forma natural el que la


intensidad por el tiristor se haga menor que la de mantenimiento, sino que es obligada
mediante componentes especiales. Estos circuitos llamados de conmutación, están
formados por interruptores controlables, diodos auxiliares, tiristores auxiliares, bobinas
y condensadores. En una sección posterior se tratarán estos circuitos de conmutación
con mayor detalle.

A continuación se exponen los procesos internos que tienen lugar en un tiristor real
cuando se procede a su bloqueo.

En el momento en que el circuito exterior fuerza la anulación de la corriente para


apagar el tiristor, existe un exceso de portadores en la unión que hace que comience a
circular intensidad en sentido inverso (figura 3.13). Esta corriente inversa circula por el
tiristor durante un tiempo t1. Al final de este tiempo los portadores son tan escasos que
no puede mantenerse esta intensidad inversa, comenzando a disminuir rápidamente al
principio y lentamente después, despejando la zona de portadores al final de un tiempo
denotado como t2. Al tiempo total durante el cual circula intensidad inversa por el
tiristor se le denomina tiempo de recuperación inversa trr (reverse recovery time), y
equivale a la suma de los tiempos t1 y t2. Sin embargo, el apagado de un tiristor requiere
un tiempo mayor que trr.

De esta forma, el tiempo de apagado de un tiristor toff es el que transcurre desde que la
intensidad pasa por cero para hacerse negativa hasta que de nuevo se aplica una tensión
positiva vAK. El tiempo mínimo de apagado, denominado tiempo de desactivación y que
se denota como tq, y debe ser proporcionado por el fabricante para cada dispositivo.
Así, si antes de que transcurra este tiempo se aplica una tensión positiva vAK, aunque
haya transcurrido el tiempo trr aún existen portadores libres en las uniones que harán
entrar al tiristor en conducción.

Por tanto, para que un tiristor quede realmente apagado:


• Debe transcurrir un tiempo mínimo tq desde que la corriente se anula hasta que de
nuevo pueda aplicarse tensión directa.
• La velocidad de crecimiento dvAK/dt de la tensión directa aplicada debe ser menor
que el límite especificado por el fabricante. Este límite es de unos 100 V/Ps en
tiristores de baja frecuencia y de varios miles de voltios por microsegundo en los
de alta potencia.

El tiempo de apagado es menor cuanto mayor es la tensión inversa aplicada, y tanto


mayor cuanto mayor es la derivada de tensión positiva al final del mismo. Aumenta con
48 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

la temperatura debido al aumento de pares electrón-hueco generados térmicamente, así


como con la intensidad que circula por el tiristor previa al proceso de bloqueo.

3.9 Circuitos de conmutación de tiristores

Como se expuso en la sección anterior, existen circuitos de electrónica de potencia que


en el transcurso normal de funcionamiento hace que la intensidad que por él circula se
haga menor que la de mantenimiento IH, pasando el tiristor a estado de bloqueo sin
necesidad de añadir elementos adicionales. En tales circuitos se dice que el tiristor
funciona con bloqueo natural. El circuito de la figura 3.12 constituye un ejemplo.

FIGURA 3.12 Circuito de bloqueo natural.

R
iT

+ + A
vS
_ ~ G
iG _ K

Sin embargo, en otras aplicaciones hacen falta elementos auxiliares en el circuito de


potencia para apagar el tiristor, es decir, para conseguir que la intensidad que por él
circula se haga menor que la de mantenimiento IH. Este proceso se conoce como
bloqueo forzado del tiristor y el circuito auxiliar que lo lleva a cabo recibe el nombre de
circuito de conmutación.

En un principio, cualquier combinación de “tiristor + circuito de conmutación” podría


sustituirse por un BJT (o un MOSFET), de forma tal que mientras se desee que esté en
conducción se mantendría la corriente en la base del BJT (o tensión en la puerta del
MOSFET), y cuando se desee su apagado se anularía dicha corriente de base (o dicha
tensión de puerta).

Sin embargo, estos dispositivos no son capaces de soportar grandes tensiones e


intensidades. Por ello, muchos de estos circuitos emplean tiristores, ya que son los
semiconductores que más potencia son capaces de aguantar.

Pero los tiristores son a la vez los dispositivos de potencia que más tiempo de apagado
consumen, por lo que no resulta apropiado su empleo cuando la frecuencia de
conmutación es muy elevada. Así, por razones de coste, complejidad y pérdidas
asociadas a los circuitos de conmutación, en la actualidad los tiristores están siendo
sustituidos por dispositivos tales como los BJTs y los GTOs, cada vez más sofisticados
y con mayor capacidad de soportar altas potencias.
Sec. Circuitos de conmutación de tiristores 49

FIGURA 3.13 Apagado de un tiristor real.

trr

iT(t)
Irr/4 t

Irr

t1 t2

vAK(t)
t

tiempo de apagado toff


t=0

Un circuito de conmutación presenta dos funciones principales:


• Forzar a que la corriente que circula por el tiristor se anule.
• Asegurar que el tiristor permanezca inversamente polarizado (vAK<0) por un
tiempo mayor que el tiempo de desactivación del tiristor tq especificado por el
fabricante.

En general, existen dos tipos de circuitos de conmutación:


• Circuitos de conmutación por tensión o por impulso, que aplican de forma brusca
una tensión inversa al tiristor.
• Circuitos de conmutación por intensidad, que fuerza la anulación de la corriente
que circula por el tiristor de forma suave.

A continuación se analiza mediante un ejemplo el funcionamiento de cada uno de estos


circuitos de conmutación. En el desarrollo del funcionamiento de estos circuitos se
50 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

considerarán los dispositivos semiconductores, las bobinas y los condensadores como


ideales.

3.9.1 Circuitos de conmutación por tensión

Los circuitos de conmutación por tensión o por impulso tienen básicamente la


estructura dada por la figura 3.14.

FIGURA 3.14 Circuito de conmutación por tensión.

T iT L Id

vAK
C +
vd
Vdc vC t=0 _
_+ D

Debido a la acción de un circuito no mostrado en la figura 3.14, el condensador se


encuentra inicialmente cargado a una tensión negativa, es decir:

vC t = 0 = –V0 (3.15)

Antes de cerrar el interruptor el tiristor se encuentra en estado de conducción, por lo


que su caída de tensión es nula, y circula por él una intensidad constante de valor Id. El
diodo, por el contrario, se encuentra inversamente polarizado, cayendo en él una
tensión de valor Vdc.

En el instante t=0 se cierra el interruptor, provocando la aparición inmediata en el


tiristor de una fuerte tensión inversa de valor -V0. El exceso de portadores se elimina
muy rápidamente y la intensidad pasa a ser nula justo en t=0 (no ocurriendo así en un
tiristor real). Así, toda la intensidad que circulaba por el tiristor pasa a circular por el
condensador, que se carga linealmente según la expresión:

1
v C t = ---- I d t – V 0 (3.16)
C

El diodo sigue sin conducir al estar polarizado en inversa, respondiendo su caída de


tensión a la ecuación:

v d t = V dc – v C t (3.17)

En el instante td en que la carga del condensador ha alcanzado el valor Vdc, el diodo


queda polarizado directamente, y comienza a conducir. La figura 3.15 muestra la
Sec. Circuitos de conmutación de tiristores 51

evolución de la intensidad en el tiristor, así como las caídas de tensión en el


condensador, el tiristor y el diodo.

Aunque se ha supuesto para el estudio del circuito de conmutación que el tiristor se


comporta según sus características ideales, debe tenerse en cuenta el tiempo que debe
transcurrir desde que la intensidad pasa por cero hasta que de nuevo se pueda aplicar
una tensión positiva al tiristor sin que éste se dispare.

Para el cálculo del tiempo de apagado del tiristor considérese el tramo de las tensiones
vAK y vC comprendido entre t=0 y td (figura 3.15). En dicho tramo se cumple que:

v AK t = v C t (3.18)

por lo que sustituyendo en 3.18 la ecuación dada en 3.16, se obtiene que:

1
v AK t = ---- I d t – V 0 (3.19)
C

Como en t=toff la tensión vAK vale cero, según 3.19:

1
0 = ---- I d t off – V 0 (3.20)
C

por lo que:

V0 C
t off = -------------
- (3.21)
Id

Para que el tiristor no vuelva a entrar en conducción, el tiempo de apagado toff debe ser
mayor que el mínimo tq especificado por el fabricante. Así, la capacidad del condensdor
y su carga inicial deben ser elegidas de modo que se asegure el completo apagado del
tiristor.

En los circuitos de conmutación por tensión deben tenerse en cuenta las siguientes
consideraciones:
• El condensador debe cargarse a la tensión -V0 antes de que el tiristor vaya a ser
apagado de nuevo.
• La tensión inversa que soporta el diodo pasa de forma brusca de Vdc a (Vdc+V0) en
el momento de la conmutación. Se requiere así de un diodo capaz de soportar este
cambio drástico de tensión.

El tiempo td viene dado en función de lo que el condensador tarda en cargarse desde -V0
hasta Vdc. Como la intensidad del condensador se corresponde con la intensidad de
carga, este tiempo td dependerá de la carga.
52 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

FIGURA 3.15 Formas de onda en un circuito de conmutación por tensión.


vAK
Vdc

toff td t
-V0

vc
Vdc

toff td t
-V0
vd

Vdc+V0
Vdc

toff td t
iT
Id

3.9.2 Circuitos de conmutación por corriente

Un circuito de conmutación por corriente fuerza a que la intensidad que circula por el
tiristor disminuya hasta cero de forma suave, generalmente a través de la acción
oscilatoria de un circuito LC.

A continuación se muestra el funcionamiento del circuito de conmutación por corriente


como el que muestra la figura 3.16.
Sec. Circuitos de conmutación de tiristores 53

FIGURA 3.16 Circuito de conmutación por corriente.


D2

Id
iT T

+ vAK _
C t=t4
L iL
_ +
+v t=0
C
Vdc +
_ vd
R D1
_

Antes de conectar el interruptor, el condensador se encuentra cargado a una tensión de


valor Vdc. El tiristor se encuentra en conducción, circulando por él una intensidad
constante Id y su caída de tensión vale cero. La conducción por la bobina es nula. Los
diodos D1 y D2 están polarizados en inversa por lo que no conducen, y la caída de
tensión vd vale Vdc. La resistencia R se considera de valor muy elevado, por lo que no
tiene influencia en el proceso de conmutación.

En el instante t=0 se cierra el interruptor. A continuación se analizan los distintos


intervalos a considerar en el proceso de conmutación.

a) Intervalo de funcionamiento 0<t<t1

El circuito resultante en el intervalo de tiempo 0<t<t1 se muestra en la figura 3.17.

Al cerrar el interruptor comienza a circular corriente por la bobina. Debido a que la


intensidad en la bobina no puede variar bruscamente, el tiristor sigue conduciendo por
lo que:

v AK t = v L t + v C t (3.22)

Como en este intervalo se cumple que:

v AK t = 0 (3.23)

di L di C
v AK t = L ------- = L ------- (3.24)
dt dt
54 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

FIGURA 3.17 Circuito resultante en el intervalo de tiempo 0<t<t1.

Id
iT T A
+ vAK _
C L iL +
_
+v vd
C
Vdc +
_ _

vc t i t
1 dv C t 1 L
i c = i L = ---- ---------------
C dt
Ÿ ³vc 0 dvc t = ---C- ³iL 0 iL t dt
(3.25)
i t
1 L
?v C t = V dc + ---- ³ i L t dt
C iL 0

sustituyendo 3.23, 3.24 y 3.25 en 3.22 y resolviendo la ecuación diferencial se obtiene


la expresión de la intensidad que circula por la bobina (ecuación 3.26). Nótese que en
t=0, la intensidad iL es negativa respecto al sentido dibujado en la figura 3.17. El
condensador y la bobina se encuentran desfasados 90º, de forma que cuando el
condensador suministra energía la bobina la consume y viceversa.

i L t = – ---- V dc sin § ------------·


C t
© LC¹
(3.26)
L

Si se aplica la primera ley de Kirchoff al nudo A se obtiene que:

iT t + iL t = Id (3.27)

de donde la intensidad que circula por el tiristor vale:

i T t = I d + ---- V dc sin § ------------·


C t
© LC¹
(3.28)
L

Así, al comienzo del intervalo, iT aumenta desde Id (valor que tenía en t<0), se hace
máxima cuando iL pasa por su valor mínimo y luego comienza a disminuir.

La forma de onda de la tensión en el condensador se obtiene al resolver la integral


definida en 3.25 (iC(t)=iL(t)), por lo que:

v c t = V dc cos t (3.29)
Sec. Circuitos de conmutación de tiristores 55

Mientras que el tiristor conduce, la pequeña caída de tensión en él hace que D2 se


mantenga polarizado en inversa. Cuando la intensidad que circula por el tiristor se hace
nula, éste se apaga y D2 entra en conducción. Ésto tiene lugar en el instante de tiempo t1
que marca el final de este intervalo de funcionamiento, y que vale:

–Id L
t1 = LC asin § -------- ----·
© V dc C¹
(3.30)

b) Intervalo de funcionamiento t1<t<t2

Al entrar en conducción D2 en el instante de tiempo t1, la pequeña caída de tensión en el


diodo (aproximadamente 0.7 V en un diodo real) mantiene una pequeña tensión
negativa en el tiristor (recuérdese que para apagar un tiristor se requiere mantenerlo a
tensión inversa durante un cierto tiempo para evitar que vuelva a entrar en conducción).
El circuito equivalente en este intervalo de tiempo se muestra en la figura 3.18.

FIGURA 3.18 Circuito resultante en el intervalo de tiempo t1<t<t2.

D2 Id
iD2 A

C L iL +
_
+v vd
C
Vdc +
_ _

El circuito oscilatorio en este intervalo coincide con el del intervalo de tiempo anterior,
por lo que las formas de onda de la intensidad a través de la bobina y de la tensión en el
condensador continúan siendo las mismas. Aplicando la primera ley de Kirchoff al
nudo A se obtiene la expresión de la intensidad iD2, de valor:

i D2 t = i L t – I d (3.31)

donde iL(t) viene dada por la ecuación 3.26. En el momento en que iL(t) vuelva a valer
Id, lo cual ocurre en el instante t2, según 3.31 la intensidad por el diodo D2 pasa a valer
cero (D2 off). El estado del circuito cambia de nuevo.

c) Intervalo de funcionamiento t2<t<t3

La figura 3.19 muestra el circuito resultante en este intervalo de tiempo. La intensidad


que recorre la bobina y el condensador es constante y de valor Id, por lo que la tensión
en la bobina es cero en este período (vL(t)=L(diL/dt)).
56 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

El condensador se carga linealmente desde el valor que tenía en t2 hasta Vdc, según la
expresión:

Id
v c t = ---- t – t 2 + v c t = t 2 (3.32)
C

FIGURA 3.19 Circuito resultante en el intervalo de tiempo t2<t<t3.

C Id
L iL
+v _
C
+

vd
Vdc +
_
_

En t=t2, la caída de tensión en el tiristor T cambia de forma brusca desde su valor 0.7 V
para tiristores reales (0 V para los ideales) hasta vc(t=t2). A partir de aquí la tensión en
él aumenta linealmente en la misma medida en que lo hace vc (recuérdese que la tensión
en la bobina vale cero en el intervalo).

En t=t3 la tensión en el diodo ha alcanzado el valor Vdc, por lo que vd(t) vale cero y el
diodo D1 comienza a conducir.

d) Intervalo de funcionamiento t3<t<t4

La figura 3.20 muestra el circuito que resultante en este intervalo de tiempo.

La intensidad Id que antes sólo circulaba por la bobina (y el condensador) comienza


ahora en parte a recorrer el diodo D1, esto es:

i L t + i D1 t = I d (3.33)

Como la intensidad en la bobina no puede variar bruscamente, comienza a disminuir


hasta hacerse cero. Al mismo tiempo el condensador sigue cargándose, ya que aumenta
la circulación de corriente en el sentido fijado por la bobina. Así, en t=t4 la carga en el
condensador es mayor que Vdc.

En el instante t=t4 se abre el interruptor y el condensador comienza a descargarse a


través de la resistencia R. Si se requiere descargar el condensador en un tiempo menor
es necesario emplear otro sistema para acelerar la descarga.
Sec. Mejora del valor máximo de di/dt 57

FIGURA 3.20 Circuito resultante en el intervalo de tiempo t3<t<t4.


Id
C L iL A
+ vC _

Sistema
iD1
Vdc +
_

Id

La figura 3.21 muestra la evolución de la tensión en el condensador, tensión en el


tiristor, intensidad en el tiristor e intensidad en la bobina en el intervalo de tiempo
comprendido entre t=0 y t=t4.

Algunas consideraciones a tener en cuenta en este tipo de circuitos de conmutación son


las siguientes:
• El condensador ha de descargarse a la tensión Vdc antes de cerrar de nuevo el
interruptor. Si el tiempo entre disparos es lo suficientemente grande, puede bastar
la resistencia para llevar a cabo la descarga. Si no es así, se necesita de algún
circuito adicional para la descarga en el tiempo que requiera la frecuencia entre
disparos.
• El tiristor está sometido a un aumento brusco de la tensión en t=t2. Debido a esta
derivada de tensión hará falta un circuito de protección (snubber) para evitar el
disparo del tiristor.
• La mayoría de los circuitos de conmutación por intensidad tienen un diodo en
antiparalelo con el tiristor, con lo que la caída de tensión inversa aplicada al tiristor
al apagarlo es pequeña (caída de tensión en el diodo cuando está en conducción).
De ahí que este tipo de circuitos resulte especialmente apropiado para la
conmutación de tiristores asimétricos, que son capaces de aguantar muy poca
tensión inversa.
• El tiempo durante el cual se aplica al tiristor una pequeña tensión inversa depende
de la intensidad de carga Id.

3.10 Mejora del valor máximo de di/dt

Al disparar un tiristor, la corriente máxima que circula por él depende del circuito de
potencia. La conducción comienza en una pequeña zona de la pastilla y soporta toda la
corriente que pasa por el circuito de potencia. Si la corriente que circula en esta
pequeña zona es elevada la densidad de corriente también lo será, por lo que se origina
un calentamiento excesivo que puede ocasionar la destrucción del tiristor.
58 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

FIGURA 3.21 Formas de onda en un circuito de conmutación por corriente.


vC

t1
t2 t3 t4 t

iL
C/L Vdc
Id

C/L Vdc

iT

Id

t
vAK
Vdc

Esta circunstancia obliga a limitar el aumento de la corriente que pasa por el tiristor al
comenzar la conducción. Así, si la corriente que circula por el tiristor en el momento de
ser disparado aumenta lentamente, ésta puede extenderse por toda la pastilla sin que se
originen “puntos calientes” que destruyan al tiristor por sobrecalentamiento.

La clave para aumentar el valor de di/dt que puede soportar un tiristor consiste en
aumentar el área en la que comienza la conducción, esto es, la zona del cátodo más
próxima a la puerta.

Una manera de hacer mayor el área en la que comienza la conducción es aumentar la


corriente de puerta introduciendo más huecos, ya que si la avalancha de huecos es
mayor, la conducción se extiende a todo el cátodo más rápidamente. El inconveniente
Sec. Mejora del valor máximo de di/dt 59

de esta técnica reside en el aumento del consumo del circuito de puerta, ya que es éste
el encargado de suministrar la corriente.

Sin embargo, mediante el empleo de un tiristor secundario o piloto, puede conseguirse


una corriente de puerta elevada sin necesidad de aumentar la potencia del circuito de
puerta. Es más, a menudo dicho tiristor piloto se presenta integrado en la misma oblea
que el tiristor auxiliar (figura 3.22).

FIGURA 3.22 Tiristor piloto.


A

tiristor
piloto
tiristor G
principal

Otra forma de conseguir aumentar el área inicial de conducción es mediante una


disposición (layout) de terminal de puerta distribuido (figura 3.2). Con esta disposición,
la periferia cátodo-puerta aumenta con respecto a la de su disposición habitual.

Cuanto mayor sea el perímetro de la puerta, mayor es la zona del cátodo próxima a la
puerta y, por tanto, mayor la zona de la oblea donde comienza la conducción.

Por otro lado, el empleo de un layout con terminal de puerta distribuida disminuye el
tiempo de apagado del tiristor. Así, si se consigue que haya una corriente de puerta
negativa en el momento de apagar el tiristor, el exceso de portadores se elimina más
rápidamente, dejando antes de conducir. La figura 3.23 muestra la forma de conexión
del tiristor piloto para lograr el doble objetivo de aumentar el área de la pastilla donde
comienza la conducción y disminuir el tiempo de apagado del mismo.

FIGURA 3.23 Tiristor con apagado asistido por puerta (GATT).


A
tiristor
piloto
G
tiristor
principal

K
60 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

3.11 Circuitos de protección: Snubbers

Como se citó con anterioridad, un tiristor puede entrar en conducción de forma


accidental cuando la derivada de tensión dvAK/dt resulta muy elevada. De igual forma, si
cuando se dispara un tiristor la corriente que circula por él aumenta muy rápidamente,
esto es, di/dt es muy grande, ciertos puntos aislados del dispositivo podrían conducir
mucha corriente, con la consiguiente elevación de la temperatura. Ésto puede provocar
la destrucción del tiristor por excesivo calentamiento de zonas localizadas.

Por todo ello, se requiere el diseño de circuitos de protección que limiten las derivadas
de tensión dvAK/dt y de intensidad di/dt. Estos circuitos reciben el nombre de snubbers.
Así, entre los circuitos de snubbers pueden distinguirse dos tipos básicos:
• Aquellos que controlan el transitorio de apagado controlando el crecimiento de la
tensión entre ánodo y cátodo vAK (snubber de apagado). Como elementos
almacenadores de energía emplean condensadores, ya que la tensión en estos
componentes no puede variar bruscamente.
• Aquellos que controlan el transitorio de encendido controlando la velocidad de
crecimiento de la corriente que atraviesa el tiristor (snubber de encendido).
Emplean bobinas como elementos almacenadores de energía, ya que la intensidad
en ellas no puede variar de forma brusca.

A continuación se explica el funcionamiento básico de cada uno de estos circuitos de


protección.

3.11.1 Snubbers para el control de dvAK/dt

El apagado de un tiristor no es un proceso controlable de forma externa mediante el


circuito de control. Para apagarlo, el circuito al que el semiconductor está conectado
debe provocar que la intensidad que circula por él sea menor que la intensidad de
mantenimiento (típicamente se supone igual a cero).

Pero no sólo eso: desde el instante en que se anula la intensidad que circula por el
tiristior hasta que realmente puede aplicarse una tensión vAK>0 sin riesgo de que el
tiristor se encienda de nuevo de forma accidental, debe transcurrir un tiempo mínimo tq
especificado por el fabricante. Además, al aplicar una tensión vAK>0, la velocidad de
crecimiento de ésta debe mantenerse por debajo de un límite, también especificado por
el fabricante, pues en caso contrario se disparará por derivada de tensión. Para limitar el
crecimiento de la tensión se emplean circuitos del tipo RC (figura 3.24).

Cuando el tiristor T está apagado, el condensador Csnubber se carga a través de la


resistencia en serie. Justo en el momento en que el tiristor se dispara, el condensador se
descarga a través de él.
Sec. Circuitos de protección: Snubbers 61

FIGURA 3.24 Snubber de apagado.


A

Rsnubber

T
Csnubber

El valor de Rsnubber debe ser lo suficientemente grande como para limitar la corriente
que pasa por T en el momento en que éste entre en conducción, ya que por él no sólo
circulará la corriente procedente del condensador, sino también la que le llega a través
del circuito de potencia. Sin embargo, un valor de Rsnubber muy elevado provocaría un
aumento de la tensión vAK excesivamente lento que perjudicaría al circuito de potencia.
Por ello, resulta conveniente el empleo de un diodo D en paralelo con una resistencia R1
según alguna de las configuraciones mostradas en la figura 3.25.

Por otro lado, el valor del condensador Csnubber debe ajustarse de forma tal que
cumpla que la derivada de tensión dvAK/dt sea menor que la máxima especificada por el
fabricante.

3.11.2 Snubbers para el control de di/dt

Para evitar que al entrar en conducción el tiristor la corriente que circula por él crezca
muy rápidamente y originen puntos calientes que provoquen la destrucción del
semiconductor, se conecta en serie con el tiristor una inductancia. El valor de L debe
elegirse de forma tal que cumpla que la derivada de intensidad di/dt sea menor que la
especificada por el fabricante.

Sin embargo, esta configuración, además de limitar la velocidad de aumento de la


corriente en el proceso de encendido (que es el objetivo que se persigue), también
limita la velocidad de disminución de la misma en el proceso de apagado. Ésto último
puede resultar un inconveniente. Para evitarlo, resulta apropiado emplear el circuito de
protección que se presenta en la figura 3.26.

Normalmente no preocupa demasiado el proteger contra grandes derivadas de corriente,


ya que el propio circuito de potencia al que está conectado el tiristor posee inductancias
parásitas procedentes de las fuentes, de las propias conexiones, etc., que hacen el papel
de un snubber. Estas inductancias parásitas provocan que la corriente que circula por el
tiristor no aumente ni disminuya de forma brusca.
62 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

FIGURA 3.25 Otras configuraciones de snubbers de apagado.


A A

D D
R1 R1
R2

T Csnubber T
Csnubber

K K
R2 < R 1

FIGURA 3.26 Snubber de encendido.

L R1

3.12 GTO

En muchos aspectos, los tiristores pueden considerarse como interruptores ideales en


aplicaciones de electrónica de potencia. Así, pueden bloquear grandes tensiones
directas o inversas cuando están apagados y conducir grandes corrientes con una caída
de tensión de unos pocos de voltios cuando están activados. Además, se puede controlar
su encendido a través de una señal de control aplicada por el terminal de puerta.

Sin embargo, el gran inconveniente de los tiristores es la imposibilidad de regular el


momento de apagado a través de una señal de control adecuada. Para poder incluir esta
capacidad se requieren realizar ciertas modificaciones en el diseño de los tiristores. A
continuación se describen la estructura y el modo de funcionamiento de estos tiristores
con la capacidad de apagado mediante la aplicación de una señal de control por el
terminal de puerta y que reciben el nombre de GTOs (Get Turn Off Thyristors).
Sec. Circuitos de protección: Snubbers 63

3.12.1 Estructura básica de un GTO y curva característica

Los GTOs surgen de la necesidad de disponer de un dispositivo que, funcionando de


igual forma que un tiristor, permitiera su apagado mediante el suministro de una
corriente negativa por el terminal de puerta. Esta posibilidad se logra al modificar la
geometría de la zona de puerta de forma tal que la influencia de ésta sobre el resto de la
pastilla es mayor que en el tiristor convencional. Para ello, se ramifica el cátodo por
gran parte de la zona de puerta, quedando los terminales de puerta y cátodo altamente
interceptados. Así, cuando se polariza inversamente la puerta se extrae más fácilmente
los portadores que saturan la unión de control, cesando el proceso regenerativo que
mantiene el estado de conducción.

La figura 3.27 muestra la sección vertical de un GTO. Éste mantiene la estructura


básica de cuatro capas del tiristor, aunque el ancho de la capa P2 es generalmente algo
mayor en éste último que en el GTO.

FIGURA 3.27 Sección vertical y vista en perspectiva de un GTO.


Metalización
de cátodo
Metal de contacto
con el cátodo Metalización
depuerta

L
J1
J2 N2
P2 W
J3
N1
P1

Ánodo

El símbolo de un GTO es el indicado en la figura 3.28.

FIGURA 3.28 Símbolo de un GTO.


A

En general, pueden distinguirse dos grandes tipos de GTOs:


64 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

• GTO convencional.
• GTO con cortocircuito de ánodo, más utilizado en la práctica.

3.12.2 Ganancia de apagado de un GTO

El modo de operación básico de un GTO apenas difiere del de un tiristor convencional.


La diferencia principal entre ambos dispositivos radica en las modificaciones
efectuadas en la estrcutura del GTO para poder realizar su apagado a través del terminal
de puerta.

Para estudiar la diferencia estructural de un GTO y los compromisos a adoptar para su


correcto diseño y funcionamiento, se analizará a continuación las condiciones de
apagado del modelo de un GTO (tiristor con intensidad de puerta saliente)
implementados como dos transistores según la disposición que refleja la figura 3.29.

Si la tensión entre ánodo y cátodo vAK es positiva y suficientemente grande, los


transistores Q1 y Q2 se encuentran trabajando en su región activa. Así, despreciando las
corrientes ICB0 y aplicando la ecuación de Ebers Moll se obtiene que:

I C1 = D 1 I E1 = D 1 I A (3.34)

I C2 = D 2 I E2 = D 2 I K (3.35)

Por otro lado, de la figura 3.29 se obtienen las siguientes relaciones:

I B2 = I C1 – I GR (3.36)

I B2 = I K – I C2 (3.37)

FIGURA 3.29 Modelo de un tiristor como dos transistores.


A
iA=iE1

iB1=iC2
Q1 (D1)

iC1

G Q2 (D2)
iGR iB2

iE2=iK

K
(D1) y (D2): ganancias de corriente.
Sec. Circuitos de protección: Snubbers 65

Si se introduce la expresión 3.35 en 3.37:

I B2 = I K 1 – D 2 (3.38)

se obtiene la ecuación que cumple Q2 cuando está en su región activa (ecuación 3.39).
Por tanto, en caso que la intensidad de base IB2 se hiciera menor que este valor, el
transistor Q2 pasaría a su estado de corte. Esto es, la condicción para que Q2 deje de
conducir viene dada por la siguiente relación:

I B2  I K 1 – D 2 (3.39)

Por otro lado, sustituyendo la expresión 3.36 en 3.39:

I C1 – I GR = D 1 I A – I GR  I K 1 – D 2 (3.40)

y teniendo en cuenta que:

I K = I A – I GR (3.41)

introduciendo 3.41 en 3.40 se obtiene la condición que debe cumplir la intensidad


negativa IGR a aplicar en el terminal de puerta de un GTO para que el transistor Q2 entre
en estado de corte. Como se observa, la intensidad IGR depende de forma directa de la
corriente IA que se pretende apagar.

D1 + D2 – 1
I GR ! -------------------------- I A (3.42)
D2

La ganancia de apagado E OFF definida como:

IA D2
E OFF = ------
- = -------------------------- (3.43)
I GR D1 + D2 – 1

no ofrece una respuesta simple de cuánta corriente negativa de puerta es necesario


aplicar para apagar un cierto valor de corriente de ánodo, debido a que la ganacia D de
los transistores es función de la corriente del emisor IE, y por tanto de IA.

Para conseguir valores grandes de la gananacia de apagado, D2 debe hacerse tan


próxima a la unidad como sea posible, de la misma forma que D1 debe acercarse a cero.
De esta forma se siguen manteniendo las características deseadas de pequeña caída de
tensión en conducción y bloqueo de grandes tensiones en estado de apagado. Como el
parámetro D de cada transistor es función de la geometría del mismo (D=f(W/L)), en la
construcción de un GTO la profundidad de las capas es diferente de las de un tiristor
convencional, así como la caída de tensión que soporta, que es ligeramente mayor en
aquél que en éste.
66 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

3.12.3 Características de disparo de un GTO

Consideraciones en el encendido

Como consecuencia de la geometría de un GTO, considerado como un tiristor


convencional con un ánodo y muchas islas cátodos, al encenderlo mediante un impulso
positivo de puerta se inyectan huecos h+ en muchas zonas del mismo. De esta forma, la
conducción comenzará en muchas áreas de la pastilla al mismo tiempo, creciendo la
corriente de forma muy rápida, esto es, la derivada de intensidad di/dt resulta elevada.

Así, si este valor es demasiado grande en ciertos puntos de la pastilla, el GTO puede
destruirse por sobrecalentamiento. Se requiere, por tanto, proteger al GTO contra
grandes derivadas de corriente, para lo que se emplean los snubbers de encendido.

Encendido de un GTO

Al igual que ocurre con un tiristor convencional, para llevar a cabo el encendido de un
GTO es necesario aplicar una determinada corriente entrante por la puerta. Sin
embargo, en el encendido de un GTO la corriente máxima por la puerta IGM y la
velocidad de variación de dicha corriente al principio de la conducción deben ser lo
suficientemente grandes como para asegurar que la corriente circula por todas las islas
cátodo (figura 3.30). Si esto no fuese así y sólo algunas islas cátodo condujeran, la
densidad de corriente en estas islas sería tan elevada que el excesivo calentamiento en
zonas localizadas podría provocar la destrucción del dispositivo.

FIGURA 3.30 Intensidad de puerta en el encendido de un GTO.


iG
IGM

Del mismo modo, como muestra la figura 3.30, se requiere mantener una pequeña
corriente iG durante todo el tiempo que se desee que el GTO conduzca, y evitar así que
alguna isla se apague de modo accidental.

Si la corriente de puerta se hace cero una vez que el tiristor ha entrado en conducción y
la corriente que circula desde el ánodo hasta el cátodo (y que depende del circuito
exterior) disminuye lo suficiente, algunas islas cátodos podrían dejar de conducir. De
igual forma, si por acción del circuito exterior la corriente de ánodo volviera a aumentar
sólo conducirían aquellas islas cátodo que no se apagaron. La densidad de corriente de
estas islas es muy alta y el excesivo calentamiento, localizado en algunos puntos,
podrían destruir al GTO.
Sec. Circuitos de protección: Snubbers 67

Consideraciones en el apagado

Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta, la corriente de ánodo a cátodo se


concentra en las zonas situadas entre los terminales de puerta, aumentando la densidad
de corriente en estas zonas (figura 3.31).

De esta forma, el GTO no comienza a apagarse hasta que la corriente de ánodo a cátodo
ha quedado reducida a pequeños filamentos entre los terminales de puerta. Entonces la
tensión vAK, hasta entonces muy pequeña al estar el GTO en funcionamiento, comienza
a aumentar. Como la gran densidad de corriente que circula por estos pequeños
filamentos podría ocasionar su destrucción, se utiliza un condensador snubber en
paralelo con el GTO, que ofrece a la corriente un camino alternativo por donde circular.
Así, cuando vAK comienza a aumentar el condensador comienza a cargarse, por lo que
parte de la corriente que circulaba por el GTO lo hace ahora por el condensador.

FIGURA 3.31 Apagado de un GTO.


K G

N2 N2 N2
+ - - + + - - +
P2 vL vL vL vL

N1

P1

Como consecuencia de que al apagar un GTO la corriente que circula desde el ánodo
hasta el cátodo se concentra en las zonas entre los terminales de puerta, la corriente de
puerta debe circular lateralmente en la capa P2 (figura 3.31). Esta circulación lateral de
corriente provoca la aparición de una caída de tensión lateral denominada vL desde la
zona de cátodo, donde se concentra la corriente de ánodo a cátodo, hasta la zona de
terminal de puerta.

Si vL se hace lo suficientemente grande (típicamente 10 V), la unión J3 podría entrar en


ruptura por avalancha. Si ésto ocurriese, un aumento de la corriente de puerta se
desplazará hacia la zona de avalancha de J3, lo que no contribuye al apagado del GTO.

Por último, observar que la corriente de puerta negativa que se emplea para apagar un
GTO se encuentra limitada por la relación entre IG e IA según EOFF:
68 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

IA D1
E OFF = --------------------
- = -------------------------- (3.44)
I G negativa D1 + D2 – 1

Apagado de un GTO

En un GTO, la ganancia de corriente de apagado EOFF es pequeña, oscilando entre los


valores de 3 a 5. Afortunadamente, esta corriente en el circuito de puerta sólo se
requiere durante un tiempo pequeño.

A continuación, se detalla el funcionamiento del circuito de la figura 3.32 y que


representa el apagado de un GTO provisto de snubber. Las formas de onda de la tensión
vAK, así como de las intensidades iG e iT se muestran en la figura 3.33.

FIGURA 3.32 Circuito de GTO con snubber.


I0

Lsnubber

Lparásita
iT
D
GTO R
iG

Csnubber

El intervalo de tiempo t1 recibe el nombre de tiempo de almacenamiento. En él, la


región de puerta se vacía de portadores y al final del mismo la intensidad de ánodo
comienza a disminuir.

El intervalo de tiempo t2 recibe el nombre de tiempo de caída y en él la corriente iT


comienza a disminuir. La diferencia entre I0 e iT pasa al condensador. Debido a la
inductancia parásita, se observa un pequeño pico en vAK. Al final de este intervalo, el
exceso de portadores ha sido eliminado.

El intervalo de tiempo t3 se define como aquél que transcurre desde que iT se hace
prácticamente cero hasta que vAK se estabiliza a su valor. Este tiempo viene determinado
por la intensidad de ánodo que se debe bloquear, y depende del valor del condensador,
que define el ritmo de subida de vAK. Este tiempo t3 no debe ser inferior a un cierto
valor, debido a que una disipación prácticamente instantánea puede destruir al
dispositivo. Además, durante un tiempo continua circulando una pequeña corriente de
ánodo denominada corriente de cola, debida a la pequeña carga aún remanente entre las
Sec. Circuitos de protección: Snubbers 69

uniones N1 y P2. Si el tiempo durante el cual circula esta corriente es muy grande se
origina una gran disipación de potencia.

FIGURA 3.33 Formas de onda en el apagado de un GTO con snubber.


iG

t1 t2 t3
iT

icola

t
vAK

GTO con cortocircuito de ánodo

Este tipo de GTO se caracteriza por la introducción de zonas P1 en la capa N1 que se


cortocircuitan al terminal de ánodo (figura 3.3.13).

Un GTO con cortocircuito de ánodo posee un tiempo de apagado menor que un GTO
normal. Como contrapartida soporta menos tensión inversa (de 20 a 30 V típicamente)
debido a la gran densidad de dopaje a ambos lados de la unión J3.

Así, si en el apagado de un GTO convencional se extrae corriente por la puerta, en el de


un GTO con cortocircuito de ánodo la propia estructura N2P2N1 hace que se pierdan las
propiedades regenerativas de los tiristores PNPN. Por ello, el tiempo de apagado es
menor.
70 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

FIGURA 3.34 GTO con cortocircuito de ánodo.


K G K

N2 N2 N2 N2
J3
G P2
P2
J2
N1
N1 J1
P1
P1 P1

A
A

Por otro lado, al cortocircuitar P1N1, la tensión en la unión J1 vale cero, por lo que al
someter al GTO a bloqueo inverso toda la tensión cae en J3. Como esta unión está muy
dopada es capaz de bloquear menos tensión inversa que los GTOs convencionales.

3.13 El triac

Debido al auge alcanzado por los tiristores en la electrónica de potencia, comenzó a


investigarse sobre otro tipo de tiristor para la conducción controlada en circuitos de
corriente alterna. De esta forma nace el triac (TRIode AC semiconductor) capaz de
bloquear tensión y conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales T1 y T2
(debido a su carácter bidireccional desaparecen los términos de ánodo y cátodo). Su
estructura básica, símbolo y curva característica aparece en la figura 3.35.

El triac es un componente simétrico en cuanto a la conducción y estado de bloqueo se


refiere, ya que las características en el cuadrante I de la gráfica v-i (figura 3.35) son
iguales a las del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una caída de tensión en
conducción prácticamente iguales a las de un tiristor convencional. Además, el hecho
de que entre en conducción si se supera la tensión de ruptura en cualquier sentido lo
hace inmune a la destrucción por sobretensión.

Como se observa en la figura 3.35, la estructura de un triac tiene seis capas, aunque
funciona siempre como un tiristor de cuatro. En el sentido T2-T1 conduce a través de
P1N1P2N2, y en sentido T1-T2 lo hace a través de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo
con intensidad de puerta negativa. Lo complicado de su estructura hace que soporte
menos derivada de tensión e intensidad, y posea una menor capacidad para soportar
sobreintensidades.
Sec. El triac 71

FIGURA 3.35 Estructura, símbolo y curva característica del triac.

T2
T2 i

N4 i
P1
cuadrante I

N1 v
P2 P v
N3 N2 cuadrante III
Puerta

T1 T1

3.13.1 Modos de funcionamiento

El triac puede dispararse en cualquiera de los dos cuadrantes I o III, esto es, con una
corriente positiva o negativa por la puerta y con la aplicación entre los terminales T1 y
T2 de un impulso positivo o negativo. Esta particularidad simplifica considerablemente
el circuito de disparo.

Así, un triac conduce en el cuadrante I de su curva característica v-i si T2 es positivo


respecto a T1 y se aplica un impulso de puerta positivo o negativo. Esto da lugar a los
modos de funcionamiento I+ e I-. Por otro lado, un triac conducirá en el cuadrante III si
la tensión en T2 es negativa respecto a la de T1 y se aplica un impulso de corriente
positivo o negativo en la puerta. Así, un triac puede funcionar según cuatro modos
diferentes: I+, I-, III+ e III-.

Estos cuatro modos de funcionamiento tienen diferente sensibilidad, es decir, la


corriente de puerta necesaria para que el triac entre en conducción es diferente en cada
caso. El modo más sensible es el I+, que funciona como un tiristor convencional,
seguido del III-. Estos modos requieren menos corriente de puerta entrante (I+) y
saliente (III-) para ser disparados. Son, por tanto, los modos de operación más
empleados.

De los otros dos modos restantes, el I- es el siguiente en orden de sensibilidad, mientras


que el modo III+ es el de disparo más difícil y debe evitarse su empleo.

3.13.2 Inconvenientes del triac

El empleo de un triac resulta más barato que dos tiristores colocados en antiparalelo.
Sin embargo, la dificultad de su construcción debido a su complicada estructura de seis
capas, le confieren algunas limitaciones:
72 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

• Aguantan menos derivadas de intensidad que un SCR.


• Aguantan menores derivadas de tensión que éstos. La derivada de tensión
máxima que puede soportar un triac es del orden de 100 V/Ps, por lo que su uso se
restringe prácticamente a aplicaciones de frecuencia de la transición de energía
eléctrica (50 ó 60 Hz).
• Su tiempo de apagado es mayor que el de un SCR. Esto es debido, precisamente,
a su poca capacidad de aguantar derivadas de tensión elevadas.
• Poca sensibilidad de la corriente de puerta para el disparo en la mayoría de los
modos de funcionamiento.

Estos inconvenientes provocan que se empleen en aplicaciones de baja frecuencia.

3.14 Otros dispositivos semiconductores

Paralelamente al tiristor convencional, al GTO y al triac, se han desarrollado otros


semiconductores de control basados en el mismo proceso regenerativo de la estructura
PNPN de aquéllos. Su empleo es más restringido, ya que no aguantan mucha potencia,
por lo que se suelen aplicar principalmente en circuitos de control. A continuación se
muestran dos de ellos: el SCS (Silicon Controlled Switch) y el diac.

3.14.1 SCS (Silicon Controlled Switch)

La figura 3.36 muestra la estructura, símbolo y curva característica de un SCS. En ella


se observa que mantiene la estructura de un tiristor convencional, al que se ha añadido
una puerta adicional conectada a P2. Su funcionamiento es muy similar al de un tiristor
convencional, pero con las siguientes diferencias:
• Permite su disparo mediante un impulso de corrienete negativa (saliente) en el
terminal de puerta G2.
• Permite su bloqueo (apagado) mediante un impulso de corriente de puerta
positiva (entrante) en G2.

En lo referente a la sensibilidad de disparo, ésta es mucho mayor en la puerta de cátodo


(G1) que en la de ánodo (G2). Así, el disparo por la puerta de cátodo requiere una
corriente del orden de 2 PA, en tanto que la de ánodo necesita 2 mA. El disparo por la
puerta de ánodo se produce por un fenómeno simétrico al disparo por la puerta de
cátodo, en la que los papeles de electrones y huecos se han intercambiado. Así, el
disparo por G1 inyecta huecos y el diaparo por G2 inyecta electrones.

El bloqueo por impulso positivo en G2 se basa en la polarización inversa a que queda


sometida la unión P1N1, que deja automáticamente de conducir. También es posible el
bloqueo por impulso negativo en G1, pero se necesita una resistencia exterior que limite
la intensidad de ánodo a un valor adecuado. La intensidad de ánodo máxima es estos
semiconductores no suele pasar de 1 A.
Sec. Otros dispositivos semiconductores 73

FIGURA 3.36 Estructura, símbolo y curva caraterística de un SCS.


Ánodo
i

Ánodo

P1
i
N1
Puerta G2
anódica v
P2 v
Puerta G2
catódica G1
G1 N2

Cátodo
Cátodo

3.14.2 El diac

El diac no es realmente un semiconductor de potencia, ya que no aguanta grandes


corrientes ni tensiones. Es un componente de dos terminales que permite la conducción
en ambos sentidos una vez que se ha sobrepasado cierto umbral de tensión entre los
terminales A1 y A2. La figura 3.37 muestra la estructura, símbolo y curva característica
del diac.

FIGURA 3.37 Estructura, símbolo y curva característica de un diac.


iA2
Ánodo 2
A2

N1 i$
P1

N2 vA2A1
vA2A1

P2
N3

A1
Ánodo 1

La tensión e intensidad de ruptura son del orden de 30 V y 100 PA respectivamente.


Además, su gran simetría hace que no exista una diferencia mayor de 2 V entre la
tensión directa de rupura y la inversa.
74 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

El diac es un dispositivo especialmente indicado para su empleo en los circuitos de


disparo de los tiristores. Casi todos los circuitos que lo emplean descargan un
condensador sobre la puerta del componente a disparar a través del diac.

3.15 Comparación entre transistores y tiristores de potencia

A modo de resumen, se indican en esta sección las principales diferencias entre los
distintos transistores y tiristores empleados en electrónica de potencia.

Así, las principales ventajas que ofrece el transistor MOSFET frente al BJT son las
siguientes:
• Menor tiempo de conmutación.
• Para mantenerlo en conducción se requiere sólo una tensión en la puerta, ya que
posee una alta impedancia de entrada. Por tanto, se requiere menor potencia en el
circuito de control.

Las ventajas de los BJTs frente a los MOSFETs son:


• Menor caída de tensión en conducción.
• Son capaces de soportar tensiones mayores.
• Permiten una mayor circulación de corriente.

Los tiristores de potencia son los dispositivos más empleados en electrónica de


potencia, ya que aguantan gran tensión y corriente. Poseen un tiempo de encendido
bastante rápido. Sin embargo, su tiempo de apagado es excesivamente largo, lo que los
convierte en dispositivos lentos no aptos para aplicaciones a altas frecuencias.

Los GTOs habitualmente empleados son los GTOs con cortocircuito de ánodo. Éstos
presentan un tiempo de apagado menor que los tiristores y por ello se pueden emplear
con frecuencias de hasta 2 KHz. Como contrapartida de la disminución del tiempo de
apagado, los GTOs con cortocircuito de ánodo aguantan muy poca tensión inversa.

En general, los tiristores se emplean a niveles de potencia elevados, cuando se requiere


que circule una gran corriente y cuando se necesite aguantar una gran tensión. Los
transistores son empleados a niveles más bajos de potencia y cuando la frecuencia de
conmutación es mayor. La tabla 3.1 muestra las características principales de los
distintos tipos de tiristores y transistores de potencia.

3.16 Refrigeración de semiconductores

Las pérdidas de potencia que se producen en un semiconductor durante su


funcionamiento se deben evacuar de forma conveniente para que la temperatura del
cristal se mantenga por debajo del máximo permitido. Por ello, los semiconductores se
montan sobre elementos disipadores encargados de transportar ese calor al ambiente.
Sec. Refrigeración de semiconductores 75

Así, el calor fluye del cristal a la cápsula y de ésta al disipador en el medio refrigerante,
normalmente el aire.

TABLA 3.1 Características de los transistores y tiristores de potencia.


Tiristor Darlington
Triac GTO MOSFET IGBT
(SCR) (BJT)

Tensión (Vrms) 1800 600 1200 700 200 600

Corriente (A) 300 40 300 100 (cc) 18 (cc) 50 (cc)


Disparo Disparo Disparo Mantener i Mantener Mantener
Conducción
en base v en puerta v en puerta
Activado por Corriente Corriente Corriente Corriente Tensión Tensión

Caída de 1,9 1,4 4 1,9 3,2 3,2


tensión en
conducción

Frecuencia Hasta Hasta 400 Hasta 2 Hasta 10 Hasta 100 Hasta 20


conmutación 400 Hz Hz KHz KHz KHz KHz

Tiempo de 1,1 1,7 4 1,7 90 ns 0,9


encendido (Ps)

Tiempo de 220 Comparable 10 5 0,14 1,4


apagado (Ps) al tiristor

Corriente de 3 1 30 2,5 0,2 1


fugas (mA)

Máxima 600 V 800 V 4500 V 1200 V 500 V 1200 V


potencia que 3500 A 40 A 3000 A 800 A 50 A 400 A
aguantan

Sea P la potencia consumida en el dispositivo semiconductor. Esta potencia consumida


coincide con la pérdida de potencia en el circuito principal. Esto es debido a que el
semiconductor en las aplicaciones de electrónica de potencia funciona como un
interruptor y, por tanto, idealmente no consume. En régimen permanente se verifica
que:

Tj – Tc Tc – Ts Ts – Ta Tj – Ta
P = ---------------
- = ---------------
- = ---------------
- = ---------------
- (3.45)
T jc T sc T sa T ja

donde T representa la resistencia térmica entre los dos medios (ºC/W) y T la


temperatura en grados centígrados.

En régimen permanente puede establecerse una analogía eléctrica en el


comportamiento de un semiconductor (figura 3.38).
76 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

FIGURA 3.38 Analogía eléctrica de un semiconductor en régimen permanente.

Tj Tjc Tc Tcs Ts P: potencia (W).


T: temperatura (ºC).
j: unión (juntion).
c: cápsula (case).
P Tsa s: disipador (sink).
T: resistencia térmica (ºC/W).

Ta

Los valores de las resistencias térmicas Tjc y Tcs vienen dadas normalmente por los
fabricantes de semiconductores. Sin embargo, la resistencia térmica del disipador Tsa
depende de la aplicación que se lleve a cabo y se obtiene a partir de la potencia perdida
P para cierta temperatura de ambiente. A partir del valor calculado de Tsa se selecciona
el tamaño y el tipo de disipador con las tablas de datos suministrados por el fabricante.

En general, los disipadores se encuentran pintados de color negro para favorecer la


componente de disipación debida a la radiación.

Como la resitencia térmica Tcs entre la cápsula y el disipador depende de la calidad del
contacto que las une, se emplean para su conexión unas pastas especiales de elevada
conductancia térmica. Además, los fabricantes suministran un valor óptimo de la fuerza
de apriete entre la cápsula y el disipador.

El esquema de la figura 3.38 resulta válido, una vez alcanzado el régimen permanente,
al someter el semiconductor a corriente continua. Sin embargo, si se somete al
semiconductor a una corriente pulsada, además de las resistencias térmicas comienzan a
influir las capacidades térmicas. Aparece así el concepto de inercia térmica, que tiene
en cuenta el tiempo que tarda el cristal en calentarse y enfriarse (figura 3.39).

FIGURA 3.39 Inercia térmica.


i

t1 t2 t

Tj

t
Sec. Refrigeración de semiconductores 77

Así, cuando en el tiempo t1 comienza a circular corriente de forma brusca por el


dispositivo, la temperatura de la unión no cambia de inmediato, sino que se produce un
calentamietno paulatino de forma exponencial (figura 3.39). Cuando en el tiempo t2
deja de circular corriente, la temperatura de la unión disminuye por extracción del calor
por convencción.

Si se somete ahora al semiconductor a un tren de pulsos de corriente como indica la


figura 3.40, al alcanzar el régimen estacionario la temperatura de la unión se estabiliza
entre los valores de Tjmín y Tjmáx. Si estos impulsos de corriente son de poca duración, el
valor de los mismos puede ser grande ya que siempre existe entre ellos un tiempo
suficiente para que el dispositivo se enfríe. Sin embargo, si la duración de los mismos
es elevada, los impulsos de corriente a los que se puede someter el semiconductor
deben ser de poca intensidad.

FIGURA 3.40 Variación de la temperatura de la unión ante un tren de pulsos al


alcanzar el régimen estacionario.
i

t0 t1 t2 t3 t4 t5 t

Tjmáx

Tjmín

Al aplicar una sucesión de impulsos rectangulares de potencia de cualquier amplitud y


duración (ver figura 3.41) se cumple que:

'T j t = T j t – T j t 0 = P 1 Z 1 – Z 2 + P 2 Z 3 – Z 4 + P 3 Z 5 – Z 6 + }
n
(3.46)
= ¦ Pn Zn – Zn + 1
n = 1 2 }

donde:
• Tj(t): temperatura de la unión en el tiempo t.
• Tj(t0): temperatura de la unión en el tiempo t0.
• Pn: escalón de potencia aplicado en el intervalo de tiempo entre t=tn-1 y t=tn.
78 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

• Zn(t-tn-1): impedancia térmica transitoria en el intervalo t-tn-1.

FIGURA 3.41 Tren de pulsos rectangulares de potencia.


P

P4

P3

P2

P1

t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t

Así, una forma cualquiera de potencia puede aproximarse a un conjunto de impulsos de


igual duración siendo el valor de la amplitud de cada uno igual al valor instantáneo de
la potencia en el centro del intervalo (figura 3.42). Por tanto, aplicando el
procedimiento anterior se obtiene que la temperatura al final del pulso n vale:

Tj t = Tj t0 + P1 Z1 – Z2 + P2 Z2 – Z3 + P3 Z3 – Z4 + }
= Tj t0 + Z1 P1 + Z2 P2 – P1 + Z3 P3 – P2 + }
n (3.47)

= Tj t0 + ¦ Zn Pn – Pn – 1
n = 1 2 }

FIGURA 3.42 Aproximación de un pulso de potencia a un tren de pulsos


rectangulares.

t0 t1 t2 t3 tn t
Sec. Contenidos principales 79

3.17 Contenidos principales

1. Los tiristores son dispositivos de estructura PNPN. Son capaces de bloquear grandes
tensiones y de conducir grandes corrientes.
2. Cuando el tiristor se encuentra directamente polarizado (vAK>0), se distinguen dos
estados o modos de operación estables separados por uno inestable. El primero de
ellos recibe el nombre de zona de bloqueo directo, en el cual el tiristor se encuentra
apagado. El segundo de ellos recibe el nombre de zona de conducción, y en él el
tiristor se encuentra en funcionamiento.

3. El tiristor es un interruptor semicontrolado. Esto es, mediante un circuito de control,


externo al circuito de potencia, se puede controlar su encendido. Sin embargo, no se
puede apagar un tiristor mediante una señal externa al circuito de potencia.

4. El tiristor comienza a conducir cuando la tensión entre sus terminales de ánodo y


cátodo es positiva y se aplica un impulso de corriente por el terminal de puerta. Una
vez encendido el tiristor puede cesar el impulso de corriente por la puerta, ya que el
estado de conducción se mantiene por un proceso regenerativo.

5. El tiempo empleado en las conmutaciones de los tiristores es mayor que el requerido


por los transistores de potencia como los BJTs y los MOSFETs. Por ello, suelen
emplearse en circuirtos que trabajen a bajas frecuencias.

6. Los tiristores requieren de un circuito de protección denominado snubber, que lo


protegen de las derivas de tensión (snubber de apagado) y de las derivas de la
intensidad (snubber de encendido).

7. Con objeto de poder realizar el apagado de un tiristor mediante un impulso negativo


de puerta, se ha modificado la estructura básica de los tiristores creando los
denominados GTOs.

8. El GTO empleado de forma más habitual es el GTO con cortocircuito de ánodo. El


tiempo de apagado de este dispositivo es menor que el de un tiristor convencional.
Sin embargo, aguanta menos tensión inversa.

9. En este capítulo, además de los tiristores convencionales y los GTOs, se han


estudiado las principales características de otros tipos de semiconductores de
potencia, tales como los TRIACs, SCSs y DIACs.

3.18 Problemas

3.1. El circuito de la figura P-3.1 se dispara con una intensidad en la puerta del tiristor de
20 mA si la tensión entre los terminales de ánodo y cátodo es mayor o igual a 100 V.
a) Deducir las formas de onda de:
• Tensión vAK en el tiristor,
• Tensión vL en la carga,
80 Cap. Semiconductores de potencia (II): tiristores

• Intensidad iG de puerta,
• Intensidad iL en la carga,
indicando los puntos más significativos.
b) Calcular la tensión media en la carga y la potencia media disipada en la misma.
FIGURA P-3.1

iL RL id
vin = 170 sin(wt) V
vL
f= 60 Hz
RG vAK
+
RG = 5 M:
~ vin
_ iG
D1 RL = 100 :
vG
D1 : diodo ideal

3.2. Calcular el tiempo de apagado del tiristor de la figura P-3.2.


FIGURA P-3.2

T Id
iT
vAK
t=t3
C iL L S
+
vdc = Vdc sin(wt) ~ vC
t=0
_
R

Vc (t=0) = Vdc
Rof