DIODO DE SILICIO

El diodo es un semiconductor y un dispositivo fabricado de material n y p. Los materiales

semiconductores del diodo semiconductor están dopados o contaminados con impurezas,
de tal manera que insertan una cantidad de huecos o electrones en el material. El material
con más electrones se le conoce como tipo n. El material con más huecos se le conoce
como tipo p. Se les conoce como portadores mayoritarios a los huecos o electrones
excedentes, estos portadores mayoritarios son los principales encargados de la conducción.
A continuación, se presentan las figuras de un diodo de empaquetado PTH axial y el
símbolo electrónico del diodo.

DIODO SEMICONDUCTOR SIN POLARIZACIÓN – NO VOLTAJE EXTERNO

Cuando el material tipo n y p se unen, los electrones y huecos cercanos a la unión se
recombinan. Esto provoca que disminuya la cantidad de portadores libres cerca de la unión.
Esta región con pocos portadores libres, se le conoce como región de agotamiento o
empobrecimiento.

EL DIODO EN POLARIZACIÓN EN INVERSA – VOLTAJE EXTERNO

Considerando la aplicación de un voltaje externo en la unión de materiales p-n, en donde la
terminal positiva está conectada al material del tipo n. El número de iones positivos en el
material n se incrementa en la unión, esto debido a la gran cantidad de electrones libres en la
unión en el material p. Igual con los iones negativos y los huecos. El efecto final, es un
incremento en la región de empobrecimiento. Una barrera tan ancha que los portadores
mayoritarios no pueden pasar a través de esta. Sin embargo, los portadores minoritarios
generan una corriente muy pequeña, esta corriente se le conoce como corriente inversa de
saturación Is. Is suele tener valores de micros.
DIODO EN POLARIZACIÓN EN DIRECTA – VOLTAJE EXTERNO
La polarización directa es cuando el diodo se conecta en su terminal p a el positivo y su
terminal n al negativo de la fuente. Esta configuración de polarización “empujará” a los
huecos en el material tipo p y a los electrones al material tipo n. De tal manera que estos se
recombinarán cerca del límite por lo que se reducirá la región de agotamiento. El flujo de
portadores minoritarios sigue igual que en Is. En polarización directa, el flujo depende
principalmente en los portadores mayoritarios. Debido a la región de empobrecimiento
reducida, y a la atracción del potencial contrario al material, se incrementa la corriente que
fluye a través del diodo.

Para esta polarización podemos demostrar por medido de las características generales de un
diodo semiconductor con la siguiente ecuación:

En donde

Is Es la corriente de saturación inversa.

Vd es el voltaje de polarización en directa.
n es un factor de idealidad. n=1.
Vt Voltaje terminco Vt=kT/q
k constante de Boltzmann = 1.38×10-23 J/K
T temperatura absoluta en Kelvin = 273 + Temperatura en ºC
q magnitud de carga del electrón = 1.6×10-19 C.

EL DIODO DE GERMANIO

El diodo de germanio es un diodo discreto de uso general con una velocidad de cambio alta
y una corriente máxima y puntuación de voltaje inverso regulares para aplicaciones
radiales, digitales y de audio.

Características:

El diodo de germanio es un pequeño y rápido componente electrónico fabricado de silicio,

de alta conductividad, usado en el procesamiento y detección de señales de
radiofrecuencias de manera muy eficaz, con un tiempo de recuperación inversa de no más
de 4 ns, su nombre sigue la nomenclatura JEDEC (sistema americano para la identificación
de los semiconductores, se encuentra generalmente en un encapsulado de vidrio de tipo
DO-35 (Cristal de excelente estabilidad y fiabilidad a largo plazo).

Los diodos de germanio a diferencia de los diodos de silicio se utilizar en circuitos

eléctricos que requieran de una baja potencia; la polarización de voltaje en estos diodos es
mucho más baja y esto permite que el circuito donde se emplee un diodo de germanio sea
más eficiente eléctricamente, es por esto que son más usados en circuitos de precisión.

Otra diferencia entre estos diodos y los diodos de silicio es que tiene su voltaje de
polarización directa en 0.3 V, y los diodos de silicio su voltaje de polarización directa es de
0.7 V.

Aplicaciones:

Detección de señales de radiofrecuencia.

Circuitos de conmutación de alta velocidad.
 Resistencia Dinámica

Cuando en un diodo se le superpone a la continua una pequeña señal (o sea una señal alterna),
aparece para dicha señal una resistencia que depende del punto Q de funcionamiento. El valor
de dicha resistencia se la denomina resistencia dinámica del diodo. Y como en el caso de la
resistencia estática, se la puede calcular de dos formas, una gráfica y otra analítica. La
resistencia dinámica posee dos componentes, una el valor de resistencia que presenta la
juntura PN (llamado ru), y otro es el valor de la resistencia óhmica del cuerpo del diodo
(llamada rb). O sea la resistencia dinámica es:

rd=ru+rb

Para valores chicos de corriente de polarización (o sea la corriente continua),

predomina ru (ru>>rb), y para valores grandes de corriente predomina rb (rb>>ru).

Gráficamente la resistencia dinámica representa la pendiente de la recta que pasa

por el punto Q.

La resistencia dinámica se calcula como:

O sea la variación de la tensión dividido la variación de la corriente. Se observa que

para valores grandes de corriente Ay>>Ax con lo cual el valor de resistencia es chico, y
para valores chicos de corriente pasa lo contrario Ax>>Ay con lo cual el valor de
resistencia es grande.