Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Eléctrica

Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Circuitos Electrónicos II
Luzmila Lan
EXPERIMENTO 1

Resumen.
Este laboratorio tiene como objetivo analizar las curvas características de un NMOS de enriquecimiento
en el osciloscopio y por, su característica de transferencia mediante la medición, además de determinar la
magnitud del voltaje de umbral, estimar el valor de Kn, magnitud de IDSS y Vp de un JFET canal N.
Es conveniente el uso de software especiales en el área de electrónica para así comparar y comprobar
resultados obtenidos.

Descriptores.
Voltaje, corriente, osciloscopio, resistor, generador.

1. Introducción.
Los transistores de efecto de campo o FET son particularmente interesantes en circuitos integrados y
pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo
metal-óxido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de
entrada.

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos
regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se
denominan drenador, fuente y compuerta.
Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores
bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a diferencia de los bipolares que
son dispositivos controlados por corriente.
Se definen tres regiones básicas de operación: corte, saturación y triodo.

2. Materiales y método.

2.1 Equipo:

 Osciloscopio de dos canales.

El osciloscopio es un instrumento que permite visualizar fenómenos transitorios así como formas de
ondas en circuitos eléctricos y electrónicos. Por ejemplo en el caso de los televisores, las formas de las
ondas encontradas de los distintos puntos de los circuitos están bien definidas, y mediante su análisis
podemos diagnosticar con facilidad cuáles son los problemas del funcionamiento.

 Generador de señales.
Un generador de señales, de funciones o de formas de onda es un dispositivo electrónico de laboratorio
que genera patrones de señales periódicas o no periódicas tanto analógicas como digitales. Se emplea
normalmente en el diseño, prueba y reparación de dispositivos electrónicos.

 Fuente de Voltaje DC.

En electrónica, una fuente de alimentación es un dispositivo que convierte la corriente alterna, en una o
varias corrientes continuas, que alimentan los distintos circuitos del aparato electrónico al que se
conecta (ordenador, televisor, impresora, router, etc.).

 Voltímetro digital y análogo.

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El voltímetro es un instrumento que se utiliza para medir la diferencia de potencial entre dos puntos de
un circuito eléctrico. Las medidas pueden realizarse para corriente continua o alterna y en varios
márgenes de medida cada una. Los hay analógicos y posteriormente se han introducido los digitales
cuya función es la misma (con alguna variante añadida).

2.2 Materiales de simulación:

Resistores: 100, 1k, 100k

MOSFET canal N de enriquecimiento 2N7000
JFET canal N
Amp-Op uA741
Potenciómetro 10k

2.3 Equipos de simulación:

Voltímetro digital y análogo, multisim

Osciloscopio, fuente DC, generador de señales

2.4 Procedimiento de simulación:

Armando el circuito y colocando los valores predeterminados se busca probar ciertos objetivos trazados

3. Resultados y discusión

I. Obtención de los parámetros de funcionamiento de los transistores:

Para este laboratorio nuestro grupo trabajo con un MOSFET IRF840 con:
Vt (MAX) = 2V
Vt (MIN) = 4V

Además, trabajamos con el JFET K49 con VtOFF= -0.5V y el JFET 2L5457 con:
VtOFF (MAX) = -0.5V
VtOFF (MIN) = -6V

II. Obtención de la curva característica del NMOS

Para esta parte, calibramos el generador de señales llevando su Offset a 5.0V DC y así seleccionar
una onda sinodal con amplitud de 10 Vpp.
Luego, conectamos el generador al circuito a continuación:

Figura 1. Circuito para determinar las características

de un MOSFET.

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Regulamos el potenciómetro que forma parte del circuito donde se obtuvo el resultado del
Osciloscopio:

Fig. 1

En la fig. 1 se observa la curva característica de MOSFET utilizado en la experiencia. Este resultado se da

porque al variar el potenciómetro se da el paso al voltaje que necesita el FET para empezar a operar (voltaje de
Umbral). Mientras que no se venza este voltaje el FET operara en corte y por ende sucederá lo siguiente lo que
se muestra en la Fig.2.

Fig. 2

En la fig. 2 se observa la operación de MOSFET en la región de corte debido a que aún no se llegó al voltaje
de umbral requerido.

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III. Característica de transferencia del NMOS

a. Se Armó el circuito mostrado en la figura 2, con VDD = 0 y VGS = 0.

Figura 2. Circuito para determinar las características

de un MOSFET.

b. Ajustamos el valor de VDD a 12V y anotamos la lectura del voltímetro DC

c. Se ajustó VGS lentamente y observamos la lectura en V. Además de estimar el valor de Vt
d. Incrementamos el valor de VGS desde el valor estimado de Vt en escalones de 0.5V y
registramos para cada valor de VGS la magnitud de V leída en el voltímetro.

Al realizar cada paso y ya obtenida dicha información procedimos a llenar la tabla.

VGS 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5

11.30
V 0.98 mV mV 0.183 V 3V 11.82 V 11.86 V
11.82 11.86
ID=V/RD 0.98 µA 11.3 µA 0.83 mA 3 mA mA mA

e. Grafique ID vs VGS

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En el Grafico se observa la característica de transferencia de un MOSFET Canal N enriquecimiento de fuente

común donde Vs= 0V, parte desde un valor de VGS= 2V donde en ese punto VGS=VT a partir de ese punto
cuando VGS sobrepasa el voltaje de umbral ID tienden a aumentar, ya que a mayor voltaje de compuerta mayor
corriente manteniendo VDS constante y empezará a conducir. Para valores menores al voltaje de umbral (V T) ID
tiende a ser cero, como si estuviera en corte. VT es aproximadamente 2V.

IV. Características del JFET.

a. Armamos el circuito mostrado en la figura 3. Incrementamos VDD desde cero hasta el punto en
que V permaneciera aproximadamente constante.

Figura 3. Circuito para determinar las características

de un JFET.

b. Complete la siguiente tabla

VDD 0 0.25 0.5 0.7 1 1.5 2 2.5 3 4 5 6 8 10

5
V 0 0.25 0.4 0.5 0.7 1.0 1.3 1.7 2 2.4 2.7 2.8 2.9 2.9
8 0 8 3 9 7 0 8 6 7 4 6
VDD – -8 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.5 2.2 3.1 5.0 7.0
V 0 mV 7 7 1 3 2 6 3 6 4
ID=V/1 0.25 0.4 0.5 0.7 1.0 1.3 1.7 2 2.4 2.7 2.8 2.9 2.9
k 0 8 0 8 3 9 7 8 6 4 6

4. conclusión.

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Al realizar dicho laboratorio se observó las características del NMOS y JFET canal N, en el NMOS se pudo ver
su curva característica de ID vs VDS, también su característica de transferencia ID vs VGS donde podemos
estimar el valor de voltaje de umbral ya que desde este valor el transistor conducirá al ir aumentando VGS. Y
por último vimos las características de un JFET para cuando VGS=0, variando VDS hasta que se mantuviera
constante para conocer IDSS que es la corriente de saturación.

5. referencias bibliográficas.

https://www.google.com/?gws_rd=ssl#q=voltimetro+analogo
https://www.google.com/?gws_rd=ssl#q=voltimetro+digital
https://www.google.com/?gws_rd=ssl#q=generador+de+se%C3%B1ales
Microelectronics Circuits (5th edition)

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