UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA)

Facultad de ingeniería electrónica y eléctrica
INFORME PREVIO N°05

ALUMNO:
DE LA TORRE FLORES KEVIN
BRAVO YARLEQUÉ ALDAIR

CURSO:
LABORATORIO DE ELECTRÓNICOS III

PROFESOR:
ALFREDO VASQUEZ BARRIOS

GRUPO:
SÁBADO 12:00 – 2:00 PM

2019
 “El Mezclador con Par Diferencial”

I. INTRODUCCIÓN
Los mezcladores, al igual que los amplificadores y osciladores, constituyen elementos indispensables de los sistemas de
comunicaciones. Se emplean tanto en transmisores como en receptores, cuando es necesario trasladar las señales en banda base a
una de banda de paso (modulación) o de una banda de paso a otra banda de paso (conversión). un mezclador es un dispositivo no
lineal, al que se aplican dos señales de entrada, de anchos de banda diferentes, y produce una señal de salida de otro ancho de
banda, generalmente en dos bandas o más, una igual a la suma y otra a la diferencia de los anchos de banda de las señales de
entrada. Esto es cierto a medias y válido sólo si a la salida del mezclador se utilizan filtros adecuados, ya que un mezclador
produce por lo general, un número de señales de salida que se designan como espurios, que es necesario eliminar.

Fig. 1. Circuito mezclador con par diferencial

Si los transistores Q2 y Q3 son idénticos y los transformadores de entrada y salida están balanceados, entonces la tensión no
osciladora aparecerá bien en el transformador de entrada o en el de salida.
Además, debido a la característica simétrica del par diferencial, los segundos armónicos no deberían ser generados por este
circuito. Para bloquear completamente los armónicos pares, el voltaje de oscilación debe ser exactamente una onda seno y las
variaciones en la corriente colectora del transistor Q1 se deben mantener lo suficientemente pequeñas.
II. CUESTIONARIO
1.-Diseñe la red de polarización del circuito de la figura #2 para IEQ=0.1 mA. Elegir valores adecuados de condensadores.

En la red del transistor Q3 se tiene que,

𝑅8
𝑅4 𝐼𝐸 = 𝑉 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅7 + 𝑅8 𝐶𝐶

Reemplazando
𝑉𝐶𝐶 = 12 𝑉 𝑅4 = 470Ω 𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑉 𝐼𝐸 = 0.1 𝑚𝐴
𝑅8
= 0.054
𝑅7 + 𝑅8

Escogemos
𝑅8 ≈ 3𝐾

𝑅7 ≈ 50𝐾

2.-Determinar expresiones generales para VO (t), VA (t) y VB (t). Asumir los datos de la bobina amarilla (QT alto) y del transistor, conocidos.

Se sabe que

𝑉1
𝜂=
𝑉𝑇

∞
𝐼𝑛 (𝜂)
𝐼𝑥 = 𝐼𝑥𝐷𝐶 {1 + ∑ 2 cos 𝑛𝜔1 𝑡}
𝐼𝑜 (𝜂)
𝑛=1
Entonces,

∞
𝐼𝑥 (𝑡)
𝑖𝑐1 = {1 + ∑ 2𝑎(2𝑛−1( (𝑥) cos(2𝑛 − 1)𝜔2 𝑡}
2
𝑛=1

∞
𝐼𝑥 (𝑡)
𝑖𝑐1 = {1 − ∑ 2𝑎(2𝑛−1( (𝑥) cos(2𝑛 − 1)𝜔2 𝑡}
2
𝑛=1

Donde

𝑉2 𝐼𝑛
𝑥= 𝑎𝑛 =
𝑉𝑇 𝐼𝑥𝐷𝐶

Por tanto

𝑉𝑂 = 𝑛𝑅𝑝 𝐼𝜔1−𝜔2

𝑉𝐴 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑖𝑐1 𝑅𝑝

𝑉𝐵 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑖𝑐2 𝑅𝑝

Donde

𝐼1 (𝜂)
𝐼𝜔1−𝜔2 = 𝐼𝑥𝐷𝐶 𝑎1 (𝑥)
𝐼𝑜 (𝜂)

𝐼𝐸𝑄 = 100 𝜇𝐴

3.-Calcular GC(x) para V1=10 mVp y V1=150 mVp, IEQ=0.1 mA.

La transconductancia de conversión es:

𝐼𝜔1−𝜔2
𝐺𝐶 =
𝑉𝑐

Donde

𝐼1 (𝜂)
𝐼𝜔1−𝜔2 = 𝐼𝑥𝐷𝐶 𝑎1 (𝑥)
𝐼𝑜 (𝜂)
4.-Diseñar el oscilador Colpitts mostrado en la figura #1 cuyas características son: f0=1.4 MHz, THD <2% RL=22K.