You are on page 1of 8

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE AGUASCALIENTES

CENTRO DE CIENCIAS BÁSICAS

INGENIERÍA EN SISTEMAS COMPUTACIONALES

DEPARTAMENTO DE SISTEMAS ELECTRÓNICOS

ELECTRÓNICA I

PRÁCTICAS DE LABORATORIO

PRÁCTICA 1: CARACTERISTICAS DEL DIODO DE UNIÓN

ALUMNOS:

VICTOR AARÓN ARELLANO LUCIO

MAYRA ALEJANDRA ÁVALOS ALBA

JORGE EDUARDO DE LA TORRE BERNAL

JUVENTINO SAUCEDO NAVARRO

GRADO Y GRUPO: 7°B


EDIFICIO: 58-C

AGUASCALIENTES, AGS., A 7 DE SEPTIEMBRE DE 2010


Tabla de contenido
OBJETIVO: ........................................................................................................................................................................ 2
MARCO TEÓRICO ............................................................................................................................................................. 2
PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS ..................................................................................................................................... 5
CONCLUSIONES:............................................................................................................................................................... 8
FUENTES DE INFORMACIÓN ............................................................................................................................................. 8

Practica #1. CARACTERISTICAS DEL DIODO DE


UNION
OBJETIVO:
• Verificar un diodo usando un óhmetro.
• Medir y anotar las tensiones de polarización inversa y directa del diodo semiconductor.
• Graficar las curvas características de un diodo usando voltajes y corrientes de polarización directa e inversa.

MARCO TEÓRICO
Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo que también reciben la
denominación de unión pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que
en cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p
como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar, prácticamente en cualquier
circuito electrónico.

Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio.

Símbolo del diodo


(A - ánodo, K - cátodo)

Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión.

Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

Polarización directa de un diodo


En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el
polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo positivo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión
p-n.

El polo negativo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los
huecos hacia la unión p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de potencial en la zona de
carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.

Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los
múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el
polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce
en el hilo conductor y no llega hasta la batería.

Polarización inversa de un diodo


En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la
zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se
explica a continuación:

El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n,
los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción,
adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en
iones positivos.

El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos átomos
sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de
silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los
átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1,
convirtiéndose así en iones negativos.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarán
pares electrón-hueco a ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 µA) denominada
corriente inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para
obtener estabilidad. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fuga no es
despreciable.

Curva característica del diodo

Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ). La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización
directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el
diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la
nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma
que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente máxima (Imax ). Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto
Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

Corriente inversa de saturación (Is ). Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en
la temperatura.
Corriente superficial de fugas. Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa),
esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente
superficial de fugas.

Tensión de ruptura (Vr o PIV). Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha. Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de saturación; en la
realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al
efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos
efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares electrón-hueco que provocan la
corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía
cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con más electrones de valencia y
liberándolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se
produce para valores de la tensión superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la zona de carga.
Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo
5
esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·10 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementándose la corriente. Este
efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por
ambos efectos.

PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS
Material y/o equipo utilizado
Multímetro.
2 Diodos 1N4001.
Resistencia 10K.
Fuente.

PARTE I. RESISTENCIA DEL DIODO


Checar que el diodo este en buen estado, midiéndolo con el Multímetro y además checando la resistencia en inversa y
en directa. Anotar sus resultados.
VD(volts) RESISTENCIA RESISTENCIA
POL. POL.
DIRECTA INVERSA
D1 0.57 6.7MΩ ∞
D2 0.51 4.97MΩ ∞

Armar el circuito de la siguiente figura.


10k
1

V1
2

Variar el voltaje de la fuente hasta que casi no haya variación en el voltaje del diodo.
Medir la corriente y por medio de la ley de ohm calcular la resistencia en polarización directa.
Invierta la fuente y mida el voltaje en el diodo y la corriente, calcular la resistencia en polarización inversa.
ܸ 6.33ܸ
ܴ஽ௗ௜௥௘௖௧௔ = = = 11.10݇Ω
‫ ܫ‬0.57݉‫ܣ‬
ܸ ܸ௜
ܴ஽௜௡௩௘௥௦௔ = = =∞
‫ܫ‬ 0

PARTE II. Curva característica de diodo.

Variar el voltaje de la fuente de 0 a 15V con incrementos de 0.5 V


Medir el voltaje y la corriente en el diodo.
Graficar sus resultados.

Directamente

Vi Vd(Volts) Id(mA)
0 0.18 0
1 0.43 0.062
2 0.47 0.157
3 0.49 0.25
4 0.51 0.345
5 0.52 0.44
6 0.53 0.54
7 0.54 0.63
8 0.54 0.73
9 0.55 0.83
10 0.56 0.93
11 0.56 1.03
12 0.57 1.13
13 0.57 1.18
14 0.58 1.23
15 0.58 1.36

Vd vs. Id en polarización directa


1.5

0.5

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Variar el voltaje de la fuente de voltaje desde -0 a -15V con variaciones de -0.5V
Al igual que en la polarización directa medir el voltaje y la corriente en el diodo y graficar los resultados.

Inversamente
Voltaje(Volts) Vd(Volts) Id(mA)
0 0 0
1 -1.12 0
2 -2.04 0
3 -3.06 0
4 -4.06 0
5 -5.02 0
6 -6.1 0
7 -7.07 0
8 -8.09 0
9 -9.02 0
10 -10.22 0
11 -11.04 0
12 -12.05 0
13 -13.08 0
14 -14.11 0
15 -15.14 0

Vd vs. Id Polarización Inversa


0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
-5

-10

-15

-20

PARTE III. COMPUERTAS CON DIODOS


Armar los circuitos de las siguientes figuras.
5V

5V
5V 10k Vx
1 2
Vx
2 1

5V
5V Vy
1 2
Vy
2 1
+ +
10k
Vs Vs
- -

Figura1 Figura2

Llenar las siguientes tablas con los resultados del voltaje medido en cada circuito para cada caso.
Vx Vy Vs
0 0 0.5068 V
0 5 0.5425 V
5 0 0.5359 V
5 5 5.108 V
Tabla para la figura 1

Vx Vy Vs
0 0 0
0 5 4.58 V
5 0 4.58V
5 5 4.61V
Tabla para la figura 2
CONCLUSIONES:
• Al polarizar un diodo se comporta similar al funcionamiento de un interruptor, particularmente en polarización
directa el diodo se comporta como el interruptor cerrado (o como en corto circuito), es decir, permite la
circulación de la corriente en el sistema, en cambio en polarización inversa actúa como un interruptor abierto
por lo que no permite el flujo de electrones en el tramo en que se encuentre implantado.
• Los diodos tienen muchas aplicaciones, pero una de las más comunes es el proceso de conversión de corriente
alterna (C.A.) a corriente continua (C.D.). En este caso se utiliza el diodo como rectificador.
• Un diodo actúa también hasta cierto punto como un condensador o capacitor variable, controlado por una
diferencia de potencial (Voltaje de umbral).
• Cuando se grafica el comportamiento del diodo en polarización directa se obtiene una respuesta exponencial
creciente.

FUENTES DE INFORMACIÓN
Diodos semiconductores. Electrónica Fácil.

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-Semiconductores.php

Diodo semiconductor. Electrónica Unicrom.

http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp

Diodo. Wikipedia la enciclopedia libre.

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo