Elektronik

Formelsammlung
© 2002 Niklaus Burren

Formelsammlung Elektronik

2

Inhaltsverzeichnis
1. Halbleiterbauteile ............................................................................. 5 1.1. Dioden ................................................................................... 5 1.2. Zenerdioden .......................................................................... 8 1.3. Kapazitätsdioden................................................................. 10 1.4. Schottky-Dioden (Hot-Carrier-Dioden) ................................ 10 1.5. Tunneldioden (Esakidioden) ............................................... 11 1.6. Backwarddioden.................................................................. 12 1.7. Bipolare Transistoren .......................................................... 13 1.8. Feldeffekttransistoren ......................................................... 25 1.9. MOS-Leistungs-FET ........................................................... 28 1.10. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ........................... 29 1.11. Vierschichtdioden ................................................................ 29 1.12. Thyristoren .......................................................................... 30 1.13. GTO-Thyristoren (Gate Turn Off)........................................ 31 1.14. Diac ..................................................................................... 32 1.15. Triac .................................................................................... 34 1.16. Wellenlänge des sichtbaren Lichtes ................................... 35 1.17. Innerer Fotoeffekt ................................................................ 35 1.18. Fotoelement ........................................................................ 36 1.19. Fotodiode ............................................................................ 37 1.20. Fototransistoren .................................................................. 38 1.21. Leuchtdiode LED (Light Emitting Diode) ............................. 39 1.22. Opto-Koppler ....................................................................... 40 1.23. Halbleiterbezeichnungen .................................................... 41 1.24. Kühlung von Halbleitern ...................................................... 42 Gleichrichterschaltungen ............................................................... 43 2.1. Einweggleichrichter ............................................................. 43 2.2. Zweiweggleichrichter .......................................................... 45 2.3. Mittelpunkt-Zweiweg-Gleichrichter ...................................... 47 2.4. Welligkeitsfaktor .................................................................. 47 Spannungsvervielfacher ................................................................ 48 3.1. Delon-Schaltung (Verdoppler) ............................................ 48 3.2. Villard-Schaltung ................................................................. 48 Verstärkerschaltungen .................................................................. 50 4.1. Grundschaltungen des Transistors ..................................... 50 4.2. Gleichstromverhalten der Emitterschaltung ........................ 50 4.3. Stabilisierung durch Gegenkopplung .................................. 51 4.4. Emitterschaltung ................................................................. 53 4.5. Kollektorschaltung ............................................................... 54

2.

3. 4.

Formelsammlung Elektronik

3

5.

6.

4.6. Basisschaltung .................................................................... 55 4.7. Steilheit S ............................................................................ 56 4.8. Sourceschaltung ................................................................. 57 4.9. Drainschaltung .................................................................... 58 4.10. Störspannungen .................................................................. 59 4.11. Spannungsfrequenzgang .................................................... 60 4.12. Mehrstufige Verstärker ........................................................ 61 4.13. Kopplungsarten mehrstufiger Verstärker ............................ 62 Operationsverstärker ..................................................................... 63 5.1. Aufbau ................................................................................. 63 5.2. Symbol ................................................................................ 64 5.3. Betriebsarten eines Operationsverstärkers ........................ 65 5.4. Idealer Operationsverstärker .............................................. 65 5.5. Ruhestrom - Stromoffset am Operationsverstärker ............ 66 5.6. Bodediagramm .................................................................... 69 5.7. Aussteuerbereich ................................................................ 71 5.8. Gegenkopplung ................................................................... 71 5.9. Gegenkopplungsarten ......................................................... 73 5.10. Gegenkopplungswiderstände ............................................. 75 5.11. Schleifenverstärkung .......................................................... 75 5.12. Klirrfaktor ............................................................................. 75 5.13. Nichtinvertierender Verstärker ............................................ 76 5.14. Invertierender Verstärker .................................................... 77 5.15. Impedanzwandler ................................................................ 79 5.16. Summierverstärker .............................................................. 79 5.17. Differenzverstärker .............................................................. 80 5.18. Sample and Hold (Abtaste-Halte-Glied) ............................. 81 5.19. Instrumentierungsverstärker ............................................... 81 5.20. Komparator (Vergleicher) .................................................... 82 5.21. Schmitt-Trigger.................................................................... 83 5.22. Multivibrator......................................................................... 84 5.23. Integrierer ............................................................................ 85 5.24. Differenzierer....................................................................... 86 5.25. Aktiver Tiefpass................................................................... 88 5.26. Aktiver Hochpass ................................................................ 89 5.27. Aktiver Bandpass ................................................................ 90 5.28. Aktive Filter ......................................................................... 91 Konstantspannungsquellen ........................................................... 94 6.1. Qualitätsmerkmale einer Spannungsstabilisierung............. 94 6.2. Z-Dioden-Stabilisierung ...................................................... 95 6.3. Parallelstabilisierung ........................................................... 96

2..... Invertierender Wandler ............3.. 111 9.... 103 8............................... Stomquelle mit FET..1.... 101 7................4.............. Stromquelle mit Festspannungsregler .................................................................................................... 109 Oszillatoren... 6. 100 7.....................5................ 102 Schaltnetzteile ........................................... 112 ......................................... Aufwärtsregler ............................................................ 105 8.....................4.......... 100 7...............6.3............. 103 8...... Eintakt-Wandler.. 106 8............................................. Aufbau .............. Primärgetaktete Schaltregler .. Gegentakt-Wandler .............1................ 9............................................................................ 106 8............................Formelsammlung Elektronik 4 7..............................5........ 100 7... Seriestabilisierung mit Längstrasnsistor ..........7................. 8..... Stromspiegel ....................... 103 8..........1................................................... 99 Konstantstromquellen.......................5.............................. Abwärtsregler ......... Sekundärgetaktete Schaltregler..................................... 97 6.........2........ Stromquelle mit bipolarem Transistor .......... Stabilisierung mit Operationsverstaerker ... 101 7.. 105 8.............. Sinusgeneratoren ..................................................................... Stromquelle mit Operationsverstaerker ...... 111 9.4.2........................................................

in die andere Richtung wird er gesperrt. Dioden Aufbau und Arbeitsweise Die Eigenschaften eines pn-Überganges werden bei der Halbleiterdiode technisch genutzt. Diese Ventilwirkung hat grosse technische Bedeutung. Die Halbleiterdiode lässt Strom in die eine Richtung passieren.Formelsammlung Elektronik 5 1.1. Allgemein gilt: Gleichstromwiderstand: RF = UF IF . Halbleiterbauteile 1. Kennlinie von Silizium und Germaniumdioden: Gleichstromwiderstand RF Der Gleichstromwiderstand RF einer Halbleiterdiode ist vom Arbeitspunkt abhängig.

Einschaltträgheit oder Einschaltzeit genannt. Schaltverhalten von Halbleiterdioden Jede Halbleiterdiode benötigt für den Übergang vom niederohmigen Zustand in den hochohmigen Zustand und umgekehrt eine bestimmte Zeit. Im niederohmigen Zustand ist der pn-Übergang mit Ladungsträgern überschwemmt. im Sperrbereich möglichst gross sein. Die Zeit tfr wird Vorwärtserholzeit. Es ist die Zeit. Die Diode ist erst wieder hochohmig. Im hochohmigen Zustand ist eine breite Sperrschicht vorhanden.Formelsammlung Elektronik Differentieller Widerstand rF 6 Der differentielle Widerstand rF ist ein Mass für den Anstieg der Kennlinie Differentieller Widerstand: rF = ΔU F ΔI F Im Durchlassbereich sollte der differentielle Widerstand möglichst klein. Für den Abbau dieser Sperrschicht wird eine bestimmte Zeit benötigt. die zum Abbau der Sperrschicht benötigt wird. . wenn die Sperrschicht aufgebaut ist und wenn die in der Sperrschicht befindlichen Ladungsträger ausgeräumt sind.

trr = 2 bis 200 ns. Sperrträgheit oder Ausschaltzeit genannt. Die Ladungsträgerbeweglichkeit ist ebenfalls von der Temperatur abhängig. Für die meisten Dioden ergeben sich etwa folgende Schaltzeiten: tfr = 0. Je grösser die Eigenleitfähigkeit. Temperaturverhalten von Halbleiterdioden Die Intensität der Wärmeschwingungen wird mit steigender Temperatur grösser. Die Schwellspannung wird etwas herabgesetzt. unter denen diese Werte gefunden wurden. Sperrverzug.Formelsammlung Elektronik Die Zeit trr wird Rückwärtserholzeit. Die auftretenden Sperrströme sind von der Eigenleitfähigkeit stark abhängig. Bei einer höheren Temperatur ergeben sich grössere Ladungsträgerbeweglichkeiten. Durch Temperaturerhöhung wird vor allem das Sperrverhalten der Diode geändert. Das Durchlassverhalten ändert sich nur geringfügig. Die Eigenleitfähigkeit des Kristalls wird grösser. 7 Die Werte. sind abhängig von den eingestellten Strömen IF und IR bzw. von den entsprechenden Spannungen und von den Widerständen R1 und R2. . desto grösser der Sperrstrom. Aus den Datenbüchern kann man die Werte für tfr und trr für bestimmte Dioden entnehmen. Das Kristall wird dadurch leitfähiger. die man für trr und tfr erhält. Damit erhöht sich auch die Anzahl der pro Zeiteinheit aufbrechenden Kristallbindungen. Spezielle Schaltdioden haben besonders kleine Schaltzeiten. Gleichzeitig sind dort die Messbedingungen angegeben.5 bis 50 ns.

Sie werden in Sperrrichtung bei einer konstruktionsbedingten Spannung ZU niederohmig. Diese Elektronen dienen als freie Ladungsträger. Die Änderung der Zenerspannung lässt sich berechnen. ΔU Z = U Z ⋅ α ⋅ Δϑ Uz = Zenerspannung bei der Bezugstemperatur (z.1.2.B. 20kV / mm) werden Elektronen aus ihren Kristallbindungen herausgerissen. Der Strom kann lawinenartig ansteigen. der Strom kann ansteigen. Temperaturabhängigkeit und Kompensation Ähnlich wie der Widerstandswert bei den Widerständen ist auch der Wert der Zenerspannung bei Z – Dioden temperaturabhängig. Avalanche-Effekt Die freigewordenen Elektronen werden durch die angelegte Spannung stark beschleunigt uns schlagen aus Nachbaratomen weitere Elektronen heraus. Zenereffekt Bei einer genügend hohen Feldstärke an der Sperrschicht (ca.Formelsammlung Elektronik 8 1. Im Durchlassbereich verhalten sie sich wie normale SiDioden. 1.2. Durch die Dotierung wird die Zenerspannung bestimmt. Zenerdioden Z-Dioden sind besonders dotierte Silizium-Halbleiterdioden. 25°C) .

und Avalanche-Effekt wirkt hauptsächlich der Avalanche-Effekt αα≈0 α+ 1. Verlustleistung Verlustleistung P = U Z ⋅ I Z V PV UZ IZ = = = Verlustleistung Z-Dioden-Spannung Z-Dioden-trom [W] [V] [A] .2.3.2. = rZ ΔUZ = ΔIZ = Differentieller Widerstand [Ω] Z-Dioden-Spannungsänderung [V] Z-Dioden-Stromänderung [A] 1. Differentieller Widerstand von Z-Dioden Der Differentielle Widerstand rz ist ein Mass für die Steilheit der Durchbruchkennlinie uns sollte deshalb möglichst klein sein.2.Formelsammlung Elektronik α = Temperaturkoeffizient von Uz ℘ = Temperaturänderung 9 Mit Hilfe von Uz lässt sich die Zenerspannung Uz Temp bei einer bestimmten Temperatur berechnen: U ZTemp = U Z + ΔU Z Bei Uz < 5V Bei Uz ≈ 5V Bei Uz > 5V wirkt hauptsächlich der Zenereffekt wirken Zener. rz = ΔU z ΔI z Arbeitspunkt Mit Hilfe einer Tangente an den Arbeitspunkt lässt sich Uz und Iz bestimmen.

der einzige Unterschied ist die Schwellenspannung in Durchlassrichtung (0. Symbol A K Kennlinie C = f(UR) einer Kapazitätsdiode: Ersatzschaltung: Anwendungen Die Kapazitätsdiode ist eine durch Spannung steuerbare Kapazität und ersetzten dadurch in zunehmendem Masse Drehkondensatoren für die Schwingkreisabstimmung in der Rundfunk. Kapazitätsdioden sind Spezialdioden mit grosser Kapazitätsänderungsmöglichkeit. Weiter werden sie in Schaltungen zur Erzeugung von Frequenzmodulation verwendet. Kapazitätsdioden Wird eine normale Halbleiterdiode in Sperrrichtung betrieben. . 1.3.Formelsammlung Elektronik 10 1. Schottky-Dioden (Hot-Carrier-Dioden) Schottky-Dioden sind Metall-Halbleiter.3V). Die Kennlinie einer SchottkyDiode sieht fast gleich aus wie die Kennlinie der Siliziumdiode. Bei Änderung der Spannung ändert sich auch die Sperrschichtkapazität.und Fernsehtechnik. so stellt die Sperrschicht (Raumladungszone) eine Kapazität dar. Ausserdem haben solche Dioden extrem kurze Schaltzeiten.4.

Formelsammlung Elektronik Symbol A Anwendungen K 11 Die Schottky-Diode ist eine sehr schnelle Schaltdiode. Ersatzschaltung: Die Tunneldiode hat keinen Sperrzustand. Anwendungen Werden Tunneldioden im negativen Widerstandsbereich betrieben. Sie werden in Mikrowellengleichrichtern.5. in Mikrowellenmodulatoren und in Mikrowellenmischstufen eingesetzt. so wirken sie wie aktive Bauelemente. Tunneldioden (Esakidioden) Symbol A K Tunneldioden haben im Bereich von P bis V einen negativen differentiellen Widerstand. 1. Diese Schaltungen sind bis in den Gigahertzbereich verwendbar. . Mit ihnen können Verstärkerstufen und Oszillatoren aufgebaut werden. Hauptanwendungsgebiet ist die Mikrowellentechnik.

Der negative differentielle Widerstand ist stets grösser als 1kΩ. Symbol A K Im Bereich P bis V verläuft die Kennlinie sehr flach.Formelsammlung Elektronik 12 1. Eine Schwingungsentfachung durch Entdämpfung ist bei diesem Widetstanswert nicht mehr möglich. .6. Backwarddioden Backwarddioden sind spezielle Germanium-Tunneldioden. Aufgrund ihrer besonderen Dotierung und eines abgewandelten Aufbaues zeigen sie nur ein geringes Strommaximum.

Transistortypen Man unterscheidet zwischen zweit Typen: npn-Transitoren pnp-Transistoren pn-Übergänge pn-Übergänge Schaltzeichen Schaltzeichen UCE = UBE + UCB IE = IC + IB Spannungen und Ströme UCE = UBE + UCB IE = IC + IB Spannungen und Ströme .Formelsammlung Elektronik 13 1.7.7. Bipolare Transistoren 1.1.

7. Ist IC und IB bekannt lässt sich der Gleichstromverstärkungsfaktor berechnen: B= IC IB 1.7.3. Differentieller Stromverstärkungsfaktor Der Anstieg der IC-IB-Kennlinie in einem bestimmten Arbeitspunkt A ergibt den differentiellen Stromverstärkungsfaktor β in einem Arbeitspunkt: Für UCE konstant: β= ΔI C ΔI B Der differentielle Stromverstärkungsfaktor β entspricht dem Vierpolparameter h21e h21e = β . Kleine Basisstromänderungen verursachen grosse Kollektorstromänderungen. Gleichstromverstärkungsfaktor B 14 IC lässt sich durch einen wesentlich kleineren IB steuern.Formelsammlung Elektronik 1.2.

4. h11e = rBE 1.7. Differentieller Ausgangswiderstand rCE Ausgangsgrössen sind der Kollektorstrom IC und die Kollektor-EmitterSpannung UCE. Der Anstieg der IB-UBE-Kennlinie im Arbeitspunkt A ergibt den differentiellen Eingangswiderstand rBE in diesem Kennlinienpunkt: rBE = ΔU BE ΔI B (für UCE konstant) [Ω] [V] [A] = rBE ΔUBE = = ΔIB Differentieller Eingangswiderstand Basis-Emitterspannungsänderung Basisstromänderung Der Vierpolparameter h11e entspricht dem differentiellen Eingangswiderstand rBE.7. Es gibt den Zusammenhang zwischen Kollektorstrom . Das Eingangskennlinienfeld gibt den Zusammenhang zwischen UBE und IB an.5.Formelsammlung Elektronik 1. Differentieller Eingangswiderstand rBE 15 Bei Emitterschaltung bezeichnet man den Basisstrom IB und die BasisEmitter-Spannung UBE als Eingangsgrössen.

. Die Erhöhung der Ausgangsspannung UCE und auch ihre Verminderung wirken also auf die Eingangsspannung UBE zurück. da UCE = UCB + UBE. Für IB konstant: rCE = ΔU CE ΔI C = rCE ΔUCE = = ΔIC Differentieller Ausgangswiderstand [Ω] Kollektor-Emitterspannungsänderung [V] Kollektorstromänderung [A] Der Vierpolparameter h22e entspricht dem Kehrwert des Ausgangswiderstandes des Transistors und wird auch differentieller Ausgangsleitwert genannt: h22 e = 1 rCE 1.7.Formelsammlung Elektronik 16 und Kollektor-Emitter-Spannung bei verschiedenen Basisströmen an. Der Anstieg der IC-UCE-Kennlinie in einem bestimmten Arbeitspunkt A ergibt den differentiellen Ausgangswiderstand rCE in diesem Arbeitspunkt.6. Differentieller Rückwirkungsfaktor Eine Vergrösserung der Kollektor-Emitter-Spannung UCE führt zur Vergrösserung der Spannungen UCB und UBE. Jede Kennlinie gilt für einen bestimmten Basisstromwert.

1.7. h12 e = D 1. Ein Mass für die Rückwirkung ist der differentielle Rückwirkungsfaktor D. Vierquadrantenkennlinienfeld Die vier Kennlinienfelder eines Transistors bilden zusammen eine System. die Rückwirkung von UCE auf UBE ist gering.Formelsammlung Elektronik 17 Die Rückwirkung vom Ausgang auf den Eingang ist sehr unerwünscht. 4. Die Hersteller von Transistoren sind deshalb sehr bemüht. die Rückwirkung von UCE auf UBE möglichst gering zu halten. Eingangskennlinienfeld Ausgangskennlinienfeld Stromsteuerungskennlinienfeld Rückwirkungskennlinienfeld .7. Für IB konstant D= ΔU BE ΔU CE D = ΔUCE = ΔUBE = Differentieller Rückwirkungsfaktor [1] Kollektor-Emitterspannungsänderung [V] Basis-Emitterspannungsänderung [V] Der differentielle Rückwirkungsfaktor D entspricht dem Vierpolparameter h12e. 3. 2. Die Kennlinien verlaufen bei modernen Transistoren sehr flach. Das bedeutet.

7. Dabei werden einige Kennlinienfelder gedreht. 1. Schaltzeiten Beim Schalten eines Transistors treten immer Verzögerungen auf: tV tF tS tA : : : : Verzögerungszeit (delay time) Fallzeit (fall time) Speicherzeit (storage time) Anstiegszeit (rise time) .Formelsammlung Elektronik 18 Alle vier Kennlinienfelder werden zum sogenannten Vierquadrantenkennlinienfeld zusammengefasst.8.

9. 1. Ccb Rb Ceb Beschleunigungskondensator Durch ein Kondensator von einigen hundert pF parallel zum Basiswiderstand kann die Zeit verkürzt werden (Einschaltzeit: Basiswiderstand wird kurzzeitig durch C überbrückt. Man unterscheiden zwischen der Kollektor-Emitter-Verlustleistung PCE und der Basis-Emitter-Verlustleistung PBE: PCE = U CE ⋅ I C PBE = U BE ⋅ I B Beide Verlustleistungen ergeben zusammen die Gesamtverlustleistung Ptot = U CE ⋅ I C + U BE ⋅ I B Die Basis-Emitter-Verlustleistung ist meist sehr viel kleiner als die Kollektor-Emitter-Verlustleistung und kann deshalb vernachlässigt werden Ptot ≈ U CE ⋅ I C . Verlustleistung und Verlusthyperbel Im einem Transistor wird während des Betriebes elektrische Arbeit in Wärme umgesetzt. Der Transistor wird dadurch erwärmt.7. muss eine verfeinerte Diodenersatzschaltung gezeigt werden: Durch diese störenden Kapazitäten wird der Transistor träge.bis Mikrosekunden (vom Transistor und der Ansteuerungsart abhängig). Die Schaltzeiten liegen etwa im Bereich zwischen Nano. Ausschaltzeit: Durch die negative Spannung an der Basis werden die Ladungsträger schneller aus der Basis ausgeräumt).Formelsammlung Elektronik 19 Um zu ermitteln weshalb bei Transistoren solche Verzögerungen auftreten.

1.Formelsammlung Elektronik 20 In den Transistor-Datenblättern wird eine höchstzulässige Gesamtverlustleistung bei bestimmten Kühlbedingungen angegeben. so ist für jede Spannung UCE ein bestimmter höchster Strom ICmax einzuhalten. . Dieser maximale Strom kann in das Ausgangskennlinienfeld IC = f(UCE) eingetragen werden. Verbindet man die Strompunkte. Darlington-Schaltung In manchen Anwendungen reicht die Stromverstärkung eines Transistors nicht aus. damit er nicht wärmemässig überlastet wird.7. so erhält man die so genannte Verlustleistungshyperbel. Soll diese Verlustleistung nicht überschritten werden. Der Arbeitspunkt eines Transistors muss stets im Gebiet unterhalb der Verlustleistungshyperbel liegen.10. Ein zweiter Transistor kann zugeschaltet werden.

Einfache Schaltstufe Allgemein Punkt P2 Im Arbeitspunkt P2 ist der Transistor im Durchlasszustand.2V 50mA Punkt P1 Im Arbeitspunkt P1 ist der Transistor im Sperrzustand.Formelsammlung Elektronik 21 Der Widerstand R (nicht zwingend nötig) hilft den Transistor T2 besser und schneller zu sperren.Schaltung 1. Zudem wird der Sperrstrom von T1 nicht weiterverstärkt.Schaltung lässt sich nach folgender Formel berechnen: B1.8V 4Ω 0. Die Stromverstärkung der Darlington . als Beispiel angenommene Werte: IB UBE RCE UCE IC = = ≈ ≈ ≈ 1mA 0. als Beispiel angenommene Werte: .11.7. Für diesen Zustand gelten folgende. Für diesen Zustand gelten folgende.2 = Stromverstärkungsfaktor der Darlington .2 = B1 ⋅ B2 B1 = Stormverstärkungsfaktor von T1 B2 = Stromverstärkungsfaktor von T2 B1.

die Kurven .. 0. Ein Mass dafür ist der Übersteuerungsfaktor ü. Die Übersteuerung vergrössert die Ausschaltzeit. ü= effektiver Basisstrom zum Schalten notwendiger Basisstrom ü: 2. Schnelles Ein.2V). muss ein genügend grosser Basisstrom fliessen.Formelsammlung Elektronik IB UBE RCE UCE IC = = ≈ ≈ ≈ 0 0 100MΩ UB = 12V 0 22 Damit die Schalttransistoren niederohmig einschalten. typ.1 gelten für grosse. Ohmsch-kapazitive Last Der Transistor ist beim Einschalten durch grosse Ladeströme gefährdet.5 (Praxiswerte) Im übersteuerten Zustand werden RCE und UCE minimal (UCE=UCEsat. die Kurven Nr. Man kann grob sagen.und Ausschalten wird durch einen Beschleunigungskondensator parallel zu R1 erreicht.

2 liegt. die Kurven Nr. die weit ausserhalb der Kurve Nr.1 gelten für grosse.1 und Nr. Dabei können Spannungen an der Kollektor-Emitter-Strecke auftreten. di um ein Vielfaches grösser sind als die Betriebsspannung. Der genaue Verlauf hängt von den Grössen von L und RC und von der ursprünglich gespeicherten magnetischen Energie ab.2 verlaufen. Ohmsch-induktive Last Der Arbeitspunkt wird auf seinem Weg von Punkt N zum Punkt P1 auf einer Kurve irgendwo zwischen den beiden Kurven Nr.3 für kleine Kondensatoren. Vereinfacht kann man sagen. desto mehr nähern sich die Kurven denen. die . Der Arbeitspunkt kann sich auch entlang einer Kurve bewegen. Je kleiner die Kondensatoren werden. Der Transistor ist beim Ausschalten durch Überspannungen gefährdet (in Folge Selbstinduktion) Funkenlöschdiode.Formelsammlung Elektronik 23 Nr.2 für mittlere und die Kurven Nr. die für das Schalten von reiner Wirklast gelten.

darfsie die Leistungshyperbel schneiden.3 für kleine Induktivitäten. Je kleiner die Induktivitäten werden. eine so genannte Freilaufdiode dem Lastwiderstand parallel zu schalten. Die mittlere Verlustleistung PM Verlauf der Verlustleistung beim Schalten reiner Wirklast: PM = Pmax (tein + taus ) PM < Ptot T Zur Bestimmung von Impulsverlustleistungen liefern die Hersteller Diagramme mit Impulswärmewiderständen rth. . desto mehr nähern sich die Verhältnisse den Verhältnissen beim Schalten von reiner Wirklast. 1. Um das Entstehen gefährlicher Überspannung beim Ausschalten induktiver Last zu verhindern ist es zweckmässig.12. Verlustleistung einfacher Transistorschaltstufen Verlauf der Verlustleistung beim Durchschalten eines Transistors mit ohmscher Last: Der Transistor wird während des Schaltens viel stärker belastet als im Durchlass oder im Sperrbetrieb. Wenn die Widerstandsgerade schnell durchfahren wird.Formelsammlung Elektronik 24 Kurven Nr.7.2 für mittlere und die Kurven Nr.

Für UDS konstant: S= ΔI D ΔU GS . S kann mit β verglichen werden.8. Feldeffekttransistoren 1. Feldeffekttransistortypen Feldeffekttransistoren werden mit einer Spannung am Gate gesteuert.8.8.2. Schwellenspannung UP (pinch off voltage): UGS bei welcher ID = 0 wird.1.Formelsammlung Elektronik 25 1. Steilheit Die Steilheit S eines n-Kanal-Sperrschicht-FETs ist ein Mass für das Steuerverhalten. 1. Der Drainstrom lässt sich daher praktisch leistungslos steuern.

Für UGS konstant: rDS = ΔU DS ΔI D ΔID = ΔUDS = Drainstromänderung Drainspannungsänderung rDS = Differentieller Ausgangswiderstand [A] [V] Die Arbeitsweise des p-Kanal-Sperrschicht-FETs ist prinzipiell die gleiche wie die des n-Kanal Typs. Diefferentieller Ausgangswiderstand rDS Der Ausgangswiderstand rDS eines n-Kanal-Sperrschicht-FETs ist ein differentieller Widerstand. 1.3. Differentieller Eingangswiderstand rGS Der differentielle Eingangswiderstand rGS kann wegen den sehr kleinen Gateströmen kaum berechnet werden.8. Es müssen lediglich die Spannungen UDS und UGS umgepolt werden. JFET: MOSFET: rGS ≈ 1010 bis 1014Ω rGS ≈ 1014 bis 1015Ω . Im Arbeitspunkt A hat der Ausgangswiderstand die Grösse. Der differentielle Eingangswiderstand ist deshalb eine annähernd konstante Grösse.Formelsammlung Elektronik S = ΔID = ΔUGS = Steilheit [S] [A/V] Drainstromänderung [A] Gate-Sourcespannungsänderung [V] 26 1.8.4. der den Zusammenhang zwischen kleinen Drainströmen ΔID und kleinen Drainspannungsänderungen ΔUDS angiebt. Dadurch änder auch der Drainstrom ID seine Richtung.

1.6. Anwendungen von Feldeffekttransistoren Feldeffekttransistoren werden hauptsächlich in Verstärkerschaltungen sowie in Schalterstufen verwendet. ansonsten wird der FET wärmemässig überlastet und zerstört. Feldeffekttransistoren werden auch in analogen Schaltungen. Selbstleitende MOSFET werden für HF-Verstärker bevorzugt.7. Der FET erwärmt sich dadurch. Y-Parameter Wie beim bipolaren Transistor die h-Parameter existieren beim FET yParameter: Eingangsleitwert 1/rGS: Rückwirkungsfaktor D: Steilheit S: Ausgangsleitwert 1/rDS: y11s y12s y21s y22s Die erwähnten y-Parameter beziehen sich alle auf die Sourceschaltung bei bestimmten Bedingungen. . Die Verlustleistung wird folgendermassen berechnet.8.8.Formelsammlung Elektronik 1. Ptot = I D ⋅ U DS Ptot = Verlustleistung ID = Drainstrom UDS = Drain-Source-Spannung [W] [A] [V] Die im Datenblatt angegebene höchste Verlustleistung Ptot kann in der Ausgangskennlinie als Verlusthyperbel dargestellt werden.B.8. Ihr besonderer Vorteil gegenüber bipolaren Transistoren liegt in der Möglichkeit der leistungslosen Steuerung. in Stabilisierschaltungen oder in Oszillatorschaltungen eingesetzt.5. Verlustleistung 27 Im Feldeffekttransistor wird während des Betriebs elektrische Arbeit in Wärmeenergie umgewandelt. Der Arbeitspunkt eines FET muss nun stets im Gebiet unterhalb der Verlustleistungshyperbel liegen. z. 1.

beispielsweise in OPAMP. welcher bei Übertemperatur die Gate-Source-Stecke kurzschliesst und dadurch den MOSFET abschaltet. . 28 1. wobei die starke Erwärmung des Leistungstransistors als Indikator für einen Kurzschluss herangezogen wird. Nebst erweiterten Überwachungen und Schutzfunktionen liefert der PROFET ein Statussignal zur Signalisation von aktivierten Schutzmechanismen.9.PROFET (Protected FET) Der PROFET verfügt über höhere Intelligenz als der TEMPFET. Sie sind für sehr grosse Ströme geeignet und zeichnen sich durch einen sehr kleinen Durchlasswiderstand aus. Er ist geschützt gegen Übertemperatur und Kurzschluss. PMOS. Der Temperatursensor steuert einen Thyristor an. JFET werden in analogen IC’s eingesetzt.TEMPFET (Temperature Protected FET) Der TEMPFET ist ein MOS-Leistungs-FET mit eingebautem Temperatursensor. seinen grossen Drainströmen und seiner kleinen Steuerleistung vorallem in Leistungsschaltstufen. . MOS-Leistungs-FET MOS-Leistungs-FET (auch Power-MOSFET PWM genannt) sind speziell hergestellte Leistungsfeldeffekttransistoren.und CMOS-Bausteine). Der MOSLeistungs-FET hat wegen seinen viel kleineren Schaltzeiten weitere Vorteile gegen den bipolaren Leistungstransistor. Weiterentwicklungen vom MOS-Leistungs-FET . Angewendet wird der MOS-Leistungs-FET dank seines niedrigen Durchlasswiderstandes.Formelsammlung Elektronik In der Digitaltechnik kommen vorallem MOSFET oft in integrierten Schaltungen zu nutzen (NMOS-.

Bei der Schaltspannung US geht sie in den niederohmigen Zustand über. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Der IGBT ist ein technologisch kombiniertes Bauelement mit den vorteilhaften Eigenschaften eines bipolaren Leistungstransistors (Durchlassverhalten) und mit denen eines MOSFETs (Schaltzeiten. Ansteuerleistung. Anwendung Angewendet werden die IGBT in Leistungsschaltstufen. Bei der Sperrspannung URab kommt es zu einem Durchbruch. Da die Schaltzeiten noch nicht optimal sind. werden für schnelle Schalter MOS-Leistungs-FET bevorzugt.Formelsammlung Elektronik 29 1. Vierschichtdioden Die Vierschichtdiode ist ein Bauteil mit Schaltereigenschaften. dmit der Strom in Durchlassrichtung begrenzt wird: . Sie hat einen hochohmigen Zustand und einen niederohmigen Zustand. Im Blockierbereich ist die Vierschichtdiode hochohmig.11. 1. Im Sperrbereich fliesst ein sehr geringer Sperrstrom.10. Robustheit). Im Stromkreis einer Vierschichtdiode muss ein genügend grosser Widerstand RV gewählt werden.

Die Vierschichtdiode leitet. Bei einem bestimmten Spannungswert von UAK. Der Sperrstrom von T1 ist aber der Basisstrom von T2 und der Sperrstrom von T2 ist der Basisstrom von T1. Thyristoren Thyristoren sind meist ähnlich aufgebaut wie Vierschichtdioden und haben wie diese zwei stabile Betriebszustände. . so steigen auch die Sperrströme beider Transistorstrecken (T1 und T2). Dadurch wird er selbst durch den anderen Transistor ebenfalls aufgesteuert. dass er den anderen Transistor langsam aufzusteuern beginnt. bei Spannung US.Formelsammlung Elektronik 30 Ersatzschaltung Wird die Spannung an A und K erhöht. wird nun der Sperrstrom des einen Transistors so gross. einen hochohmigen Zustand und einen niederohmigen Zustand.12. 1.

bis der Haltestromwert IH unterschritten wird. 31 Die Nullkippspannung UK0 ist die Spannung.13. bei der ein mit offenem Steueranschluss in Schaltrichtung betriebener Thyristor in den niederohmigen Zustand kippt. . Der Thyristor kippt erst wieder in den Sperrzustand zurück. Das Gate ist während dieser Zeit wirkungslos. wenn der Haltestrom IH unterschritten wird. GTO-Thyristoren (Gate Turn Off) Die herkömmlichen Thyristoren haben den Nachteil. Ersatzschaltung Ein in Schaltrichtung betriebener Thyristor kippt bei Eintreffen eines ausreichend grossen und genügend lange dauernden Steuerimpuls in den niederohmigen Zustand. 1.Formelsammlung Elektronik Das Umschalten von einem Zustand in den anderen ist über einen Steueranschluss steuerbar. nach dem Einschalten im niederohmigen Zustand zu verbleiben.

. Zweirichtungsdioden Die Zweirichtungsdiode ist ähnlich aufgebaut wie ein Transistor. Laststrom IGQ = Abschaltsteuerstrom 1. desto kleiner kann der Abschalt-Steuerstrom sein. was übersetzt Diodenwechselstromschalter bedeutet. GGQ = I TQS I GQ [1] [A] [A] GGQ = Abschaltverstärkung ITQS = Abzuschaltender Strom. Das Ausschalten über das Gate wird erst durch diese Massnahme möglich. Für GTO-Thyristoren wird eine Abschaltverstärkung GGQ angegeben. Je höher GGQ ist. 1. 20%-30% des Laststroms betragen).1.14. Wie man die äussere Spannung auch polt. 32 Die Stromverstärkung der pnp-Transistorstrecke Bpnp wird durch Herstellungsmassnahmen so vermindert.14. der andere in Durchlassrichtung betrieben.Formelsammlung Elektronik Der GTO-Thyristor erlaubt nun ein Abschalten durch einen negativen Steuerstrom (muss ca. dass sich nach dem Einschalten der niederohmige Zustand gerade noch sicher hält. Diac Die Bezeichnung “Diac“ ist die Zusammenfassung der Anfangsbuchstaben des englischen Namens “diode alternating current switch“. ein pn-Übergang wird stets in Sperrrichtung.

Formelsammlung Elektronik 33 Bei einer Bestimmten Spannung UB0 bricht der in Sperrrichtung betriebene pn-Übergang durch.14. Die Grösse der Durchbruchspannung hängt von der Dotierung der Zonen ab. Das Zurückkippen in den hochohmigen Zustand erfolgt beim Unterschreiten einer bestimmten Spannung. Es ergibt sich ein Fünfschicht-Halbleiterbauteil. Dabei werden jeweils n-leitende und p-leitende Zonen zusammengefasst. der so genannten Haltespannung. Nach dem Durchbruch ist die Zweirichtungsdiode niederohmig. 1. . Zweirichtungs-Thyristordioden Eine Zweirichtungs-Thyristordiode ist im Prinzip eine Antiparallelschaltung von zwei Vierschichtdioden.2. Der Durchbruch erfolgt ähnlich wie bei einer Z-Diode. Die beiden Dioden können in einem Kristall vereinigt werden.

dass einem Verbraucher eine steuerbare Leistung zugeführt wird.15.3. werden vorwiegend als kontaktlose Schalter eingesetzt. also Zweirichtungsdioden und Zweirichtungs-Thyristordioden. Eine solche Leistungssteuerung ist grundsätzlich mit Thyristoren möglich. Anwendung Diac.Formelsammlung Elektronik 34 Eine Zweirichtungs-Thyristordiode wird beim Unterschreiten des Haltestromes IH hochohmig.14. Sie steuern nur positive Halbwellen. Ein Triac arbeitet wie eine Antiparallelschaltung von zwei Thyristoren. Ihr Hauptanwendungsgebiet ist zur Zeit die Ansteuerung von Triac. Die Steuerung . Um dies zu verhindern kann man zwei Thyristoren antiparallel zusammenschalten. 1. Sie werden nur für kleine Stromstärken (bis etwa 3A) gebaut. Die negativen Halbwellen werden gesperrt. 1. Thyristoren haben aber einen Gleichrichtereffekt. Die Steuerung dieser Leistung soll möglichst wirtschaftlich erfolgen. Triac In der Steuerungstechnik wird oft gefordert. Er steuert beide Halbwellen eines Wechselstromes.

. 35 1.Formelsammlung Elektronik erfolgt über eine einzige Steuerelektrode G.17. da mehr freie Elektronen und Löcher zur Verfügung stehen. Die Wellenlänge des sichtbaren Lichtes liegen im Vakuum in den Bereichen von etwa UV 390nm… blau 500THz 600nm… grün 770nm rot IR 1.Diese Energie bezeichnet man als Photon. werden Elektronen aus den Bindungen gerissen. Wellenlänge des sichtbaren Lichtes Das Licht zeigt sich in vielen Experimenten als eine elektromagnetische Welle. Die Eigenleitfähigkeit von Halbleitern wird also bei Lichteinstrahlung vergrössert. dass beim Übergang eines Elektrons von einem höheren Energiezustand (aufgerissene Bindung) in einen tieferen Energiezustand (Elektronenpaarbindung) Energie frei wird.16. Innerer Fotoeffekt Die Quantentheorie des Lichts besagt. Kehrt man diese Theorie um und fügt Energie in Form von Licht zu.

. Die Lichtenergie wird in elektrische Energie umgewandelt. wenn der innere fotoelektrische Effekt unerwünscht ist. In dieser Raumladungszone herrscht ein elektrisches Feld. Fotoelement Fotoelemente sind aktive Sensoren (Energiewandler). Im Gegensatz dazu steht der äussere fotoelektrische Effekt. Beim inneren fotoelektrischen Effekt bleiben die Ladungsträger im Material. Es entsteht ein Ladungsträgerüberschuss.Formelsammlung Elektronik 36 Herauslösen von Valenzelektronen aus Halbleiterkristallbindungen bei Lichteinstrahlung. Man verwendet daher lichtundurchlässige Gehäuse. Durch die Ladungsträgerdiffusion entsteht zwischen der p-Zone und der n-Zone eine Raumladungszone.18. Die entstandenen Löcher wandern zur sperrschichtfreien p-Zone. Man spricht vom inneren fotoelektrischen Effekt. bei dem das Elektron die Materie verlässt (Fotoröhre). 1. da sie sehr dünn ist. Beschleunigt durch das elektrische Feld sammeln sich die Elektronen in der ladungsfreien n-Zone. Das auf die Raumladungszone fallende Licht schlägt Elektronen aus den Bindungen. Die n-Zone wird fast vollständig von der Raumladungszone durchsetzt. Dieser Effekt tritt grundsätzlich in allen Halbleiternwerkstoffen auf.

Germanium-Diode.B. Anwendungen Fotoelemente werden zur Umwandlung von Sonnenlichtenergie in elektrische Energie verwendet. 1.19. . Üblich sind Silizium.und Regelungstechnik finden Fotoelemente Einsatz. Dadurch eignen sie sich gut für fotoelektrische Belichtungsmesser. Es entsteht eine verhältnismässig breite Raumladungszone. deren pn-Übergang dem Licht gut zugänglich gemacht wurde. So haben z.bzw. Die Grösse des Sperrstromes bei völliger Dunkelheit entspricht gerade dem Sperrstrom einer normalen Silizium. Fotodioden werden immer in Sperrrichtung betrieben. Selen-Fotozellen einen der Augenempfindlichkeit ähnlichen Verlauf. Fotodiode Fotodioden sind Halbleiterdioden. Fotoelemente besitzen eine Lehrlaufspannung und einen Innenwiderstand und müssen deshalb für eine optimale Ausbeute angepasst werden. Auch in der Mess-.Formelsammlung Elektronik 37 Fotoelemente zeigen eine spektrale Empfindlichkeit. Wenn kein Licht auf die Raumladungszone fällt. Steuer. kann nur ein kleiner Sperrstrom fliessen. Bekannter unter dem Namen Solarzellen dienen Sie zum Beispiel zur Energieversorgung von Satelliten und Verstärkern in Telefonleitungen. Zur Abtastung von Lochkarten und Lochsteifen werden zum Beispiel Baugruppen aus zeilenförmig angeordneten Fotoelementen verwendet.und Germaniumdioden.

Er ändert sich fast trägheitslos. 1. Anwendungen Dank ihrem linearen Zusammenhang zwischen Sperrstrom und Beleuchtungsstärke werden Fotodioden vorwiegend für Messzwecke verwendet. Deshalb können Fotodioden auch als Fotoelemente eingesetzt werden. Da sie sehr klein aufgebaut werden können sind hohe Packungsdichten möglich.und Regelungstechnik spielen Fotodioden vor allem bei Anwendungen wo Fotowiderstände wegen ihrer grossen Trägheit nicht eingesetzt werden können eine wichtige Rolle. Fototransistoren Bei einem Fototransistor ist die Kollektor-Basis-Strecke als Fotodiode ausgebildet. wodurch freie Elektronen und Löcher entstehen. so steigt auch der Sperrstrom. In der Steuer. Steigt der Lichteinfall.Formelsammlung Elektronik 38 Sobald Licht auf die Sperrschicht trifft. Allerdings haben sie einen schlechteren Wirkungsgrad. Die erzeugten Ladungsträger werden aus der Sperrschicht heraustransportiert. Der Aufbau von Fotodioden gleicht sehr stark dem von Fotoelementen.20. werden Kristallbindungen aufgebrochen. Der Sperrstrom steigt um einige Zenerpotenzen an. Zwischen dem Sperrstrom und dem Lichteinfall besteht ein guter linearer Zusammenhang. .

Sie werden überall dort eingesetzt.Formelsammlung Elektronik Das Ersatzschaltbild bild zeigt dies deutlicher: 39 Der Strom durch die Fotodiode bewirkt einen Basisstrom und damit einen verstärkten Kollektorstrom. Bei gleichen Bedingungen haben jedoch Fototransistoren eine höhere Ausgangsspannung gegenüber Fotodioden.21. Anwendungen Fototransistoren haben einen sehr breiten Anwendungsbereich. Lochstreifen und Bildvorlagen. Fototransistoren können sehr klein aufgebaut werden und eigenen sich deshalb für die optische Abtastung von Lochkarten. Leuchtdiode LED (Light Emitting Diode) Si GaAs IRED GaAsP GaP Normale Siliziumdiode Infrarot-LED LED rot LED grün . Für besonders hohe Stromverstärkung kann man Darlington Fototransistoren einsetzen. Der Basisanschluss kann. je nach Schaltung offen gelassen werden. wo auch Fotodioden Anwendung finden. 1.

impulsförmigen Strömen modulieren.103% fmax 10MHz 300kHz 30kHz Empfänger Fotodiode Fototransistor Foto .0.1% 10 . Weitere Farben Gelbe LED (Durchlassspannung 2. Es wird im wesentlichen von den Eigenschaften des Empfaengers bestimmt.. Dadurch kann die Strahlungsleistung gegenüber dem Dauerbetrieb wesentlich erhöht werden. Opto-Koppler Opto-Koppler gestatten eine rückwirkungsfreie galvanische getrennte Kopplung von elektronischen Baugruppen: Das wichtigste Merkmal eines Optokopplers ist das Übersetzungsverhältnis. Sie lassen sich daher gut optisch modulieren..5V) 1.Transistor .Formelsammlung Elektronik 40 LED reagieren allgemein sehr schnell auf Stromänderungen.2.Darlington . α= Ia Ie α 0.22. Unter Berücksichtigung der maximalen Verlustleistung und der maximalen Sperrschichttemperatur lassen sich LED mit höheren.2V) Blaue LED (Durchlassspannung 3.300% 100 .

Halbleiterbezeichnungen Das europäische Bezeichnungssystem besteht aus zwei Buchstaben und einer Reihe von Ziffern.. . Thyristortetrode. U Leistungstransistor für Schaltanwendungen Y Leistiungsdiode Z Z-Diode Das amerikanische Bezeichnungssystem besteht aus einer Zahl zwischen 1 und 4 (Hauptfunktion). Technische Bedeutung haben nur die beiden Buchstaben. Buchstabe Der erste Buchstabe gibt Auskunft über das Ausgangsmaterial: A Germanium B Silizium C Gallium-Arsenid D Indium-Antimonid R Halbleitermaterial für Photoleiter und Hallgeneratoren 2. dem Buchstaben N und der Zifferncode der fortlaufenden Kennzeichnung. S Transistor für Schaltanwendungen T Thyristor. die Ziffern haben nur die Bedeutung einer laufenden Bezeichnung.. 1.Formelsammlung Elektronik 41 1.. Thyristortetrode. Buchstabe Der Zweite Buchstabe beschreibt die Hauptfunktion: A Halbleiterdiode B Kapazitätsdiode C Transistor für Anwendungen im Tonfrequenzbereich D Leistungstransistor für Anwendungen im Tonfrequenzbereich E Tunneldiode F HF-Transistor H Hall-Feldsonde L HF-Leistungstransistor M Hallgenerator in magnetisch geschlossenem Kreis P Strahlungsempfindliches Halbleiterbauelement Q Strahlungserzeugendes Halbleiterbauelement R Thyristor.23..

24. Thyristoren Tetronen oder ähnliches Vierschichtdioden 42 1. Umgebung: RthK. Gehäuse: RthG. RthJC Wärmewiderstand zwischen Gehäuse u. RthCK Wärmewiderstand zwischen Kühlkörper u. ΔϑJu (JA) ϑJ RthG Innerer Wärmewiderstand ϑG Rthü ϑK RthK ϑU Äusserer Wärmewiderstand Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht u. Kühlkörper: Rthü. Kühlung von Halbleitern Bei der Ableitung der Wärme aus den pn-Übergängen des Kristalls bis zur umgebenden Luft müssen unterschiedliche Materialien durchströmt werden.Formelsammlung Elektronik 1N 2N 3N 4N Diode Transistoren. RthKA R thJu = R thG + R thü + R thK Vergleich mit dem Ohmschen Gesetz Rth = ϑJ ϑG ϑK ϑU = = = = Δϑ Pv Rth = ϑJ − ϑU Pv Rth = ϑJ − ϑG Pv Sperrschichttemperatur Gehäusetemperatur Kühlkörpertemperatur Umgebungstemperatur . Jedes Material leitet die Wärme unterschiedlich gut.

Eigenschaften . .Grosse Welligkeit. Einweggleichrichter Ohmsche Last Einweggleichrichter stellen die einfachste Gleichrichterschaltung dar. .7V (Ein Diodenabfall) Berechnung des Gleichspannungsanteils (Mittelwert) und des Effektivwerts: U= U Ueff U1 U2 û2 π = = = = U eff = û2 2 [V] [V] [V] [V] Gleichspannungsanteil Effektivwert Eingangsspannung Ausgangsspannung .1.Formelsammlung Elektronik 43 2. U 2 = U 1 − 0.Kann auch ohne Transformator betrieben werden. Gleichrichterschaltungen 2.Transformator leistungsmässig schlecht ausgenützt.

Formelsammlung Elektronik Ohmsche und kapazitive Last Einweggleichrichter mit einem Siebkondensator CL parallel zu RL: Leerlauf-Ausgangsspannung: 44 U Leer = 2 ⋅ U 1eff Last-Ausgangsspannung: U Last = U Leer 1 − Ri // R L Maximale Sperrspannung: ( ) U Sperr = 2 2 ⋅ U 1eff Brummspannung: Brummfrequenz: U Lss = 0.8 ⋅ ULss USperr ULeer ULast U2 U1 IL fss fNetz Ri CL = = = = = = = = = = = IL C L ⋅ f Netz f ss = f Netz [V] [V] [V] [V] [V] [V] [A] [Hz] [Hz] [Ω] [μF] Brummspannung Diodensperrspannung Leerlaufspannung Lastspannung Primärspannung Sekundärspannung Laststrom Brummfrequenz Netzfrequenz Innenwiderstand Kapazität .

.2. So genannte Brückengleichrichter sind als ein Bauteil erhältlich: Eigenschaften .4V (Zwei Diodenabfälle) Berechnung des Gleichspannungsanteils (Mittelwert) und des Effektivwerts: U = 2⋅ U eff = U Ueff U1 U2 = = = = û2 π û2 2 Gleichspannungsanteil Effektivwert Eingangsspannung Ausgangsspannung [V] [V] [V] [V] .Formelsammlung Elektronik 45 2.Kleinere Welligkeit. U 2 = U 1 − 1. Zweiweggleichrichter Ohmsche Last Der Zweiweggleichrichter ist die gebräuchlichste Gleichrichterschaltung.Transformator leistungsmässig gut ausgenützt.

Formelsammlung Elektronik Ohmsche und kapazitive Last Zweiweggleichrichter mit einem Siebkondensator CL parallel zu RL: Leerlauf-Ausgangsspannung: 46 U Leer = 2 ⋅ U 1eff Last-Ausgangsspannung: U Last = U Leer 1 − Ri // R L Maximale Sperrspannung: ( ) U Sperr = 2 ⋅ U 1eff Brummspannung: Brummfrequenz: U Lss = 0.35 ⋅ ULss USperr ULeer ULast U2 U1 IL fNetz Ri CL = = = = = = = = = = I RL C L ⋅ f Netz f ss = 2 ⋅ f Netz [V] [V] [V] [V] [V] [V] [A] [Hz] [Ω] [μF] Brummspannung Diodensperrspannung Leerlaufspannung Lastspannung Primärspannung Sekundärspannung Laststrom Netzfrequenz Innenwiderstand Kapazität .

Mittelpunkt-Zweiweg-Gleichrichter Mittelpunkt-Zweiweg-Gleichrichter werden gleich wie bei Brückengleichrichter berechnet: Eigenschaften . Welligkeitsfaktor Die Wirksamkeit einer Glättung kann durch die sogenannte Welligkeit w erfasst werden.Transformator leistungsmässig mittelgut ausgenützt. .Formelsammlung Elektronik 47 2.Trafo mit Mittelabgriff unbedingt erforderlich. W = U AC U DC Welligkeitsfaktor Wechselspannung Gleichspannung [1] [V] [V] W = UAC = UDC = . U 2 = U 1 − 0.3.4.Kleinere Welligkeit.7V U1 U2 = = Eingangsspannung Ausgangsspannung [V] [V] 2. .

1. ˆ U C2 = U L = 2 ⋅U S .oder Lastspannung U1 = Eingangswechselspannung U1eff = Effektivwert der Eingangspannung [V] [V] [V] 3. Positive Halbwelle von US US + UC1 laden C2 und D1 sperrt.Formelsammlung Elektronik 48 3. Villard-Schaltung Negative Halbwelle von US C1 wird geladen und D2 sperrt.2. Spannungsvervielfacher 3. Delon-Schaltung (Verdoppler) Mit Hilfe der Delon-Schaltung erhält man aus einer Wechselspannung die doppelt so grosse Gleichspannung: U 2 = 2 2 ⋅ U1eff U2 = Ausgangs.

oder Lastspannung = Eingangswechselspannung = Anzahl Villard-Stufen [V] [V] [1] . kann man einfach mehrere Villard-Stufen hintereinanderschalten: 49 ˆ U L = n ⋅ 2 ⋅U S UL US n = Ausgangs.Formelsammlung Elektronik Kombination mehrerer Villard-Stufen Benötigt man mehr als eine Spannungsverdoppelung.

h.1.2. UB + IB Ue UCE Ua . d. sein Arbeitspunkt muss in der Mitte des Ausgangkenlinienfeldes liegen. Gleichstromverhalten der Emitterschaltung Der Verstärker soll ein symmetrisches Ausgansgssignal liefern. Grundschaltungen des Transistors Anwendungen Emitterstufe: Spannungs. Verstärkerschaltungen 4.Formelsammlung Elektronik 50 4. Impedanzwandler Basisschaltung: HF-Spannungsverstärker 4.und Stromverstärker Kollektorstufe: Stromverstärker.

Es wird eine Stabilisierung benötigt. Gleichstromgegenkopplung IC UB + Wird durch die Erwärmung des Transistors der IC erhöht.Formelsammlung Elektronik Basisspannungsteiler Der Querstrom wird in der Praxis 5 – 10mal grösser gewählt als der Basisstrom (unbelasteter Spannungsteiler). Stabilisierung durch Gegenkopplung Der Arbeitspunkt wird von der Temperatur des Transistors beeinflusst. UB + 51 I q = 5. 4.10 ⋅ I B R1 = U B − U BE IB + Iq U BE Iq IB Ue Iq Ua R2 = Diese Schaltung hat einen grösseren Eingangswiderstand als die normale Emitterschaltung.. Mit steigender Temperatur nimmt in der Regel der Kollektorstrom zu.. so wird auch URE grösser! UR2 bleibt annähernd konstant (unbelasteter Spannungsteiler) UBE wird kleiner IB wird kleiner IC wird kleiner der Transistor regelt sich zurück.3. Ue UBE URE Ua .

Gleichstromgegenkopplung Spannungsgegenkopplung . welche Temperaturschwankungen verursachen. Ue Ua Mit einem Emitterkondensator kann die Gegenkopplung für den Bereich der Signalfrequenzen überbrückt werden. sondern wirken sich auch direkt au die Signalfrequenz aus. wird die Driftverstaerkung definiert: 52 VD = RC RE In vielen Büchern verwendet man M statt VD. Die oben beschriebenen Stabilisierungen treffen aber nicht nur die langsamen Änderungen. In diesem Bereich ist der Blindwiderstand 0Ω. Praktisch erreicht man eine ausreichende Stabilisierung mit VD = 5…10 Spannungsgegenkopplung UB + Der Transistor wird erwärmt URC würde IC würde grösser grösser UCE würde kleiner UBE wird kleiner der Transistor regelt sich zurück.Formelsammlung Elektronik Um eine Aussage über die Qualität der Gegenkopplung yu machen.

Emitterschaltung Ohne Gegenkopplung Mit Gegenkopplung IC UB + IC UB + Ue UBE Ua Ue UBE URE Ua Spannungsverstärkung VULeerlauf = VULast = β ⋅ (rCE // RC ) rBE Vu VULeerlauf = VULast = RC RE β ⋅ (rCE // RC // RL rBE RC // RL RE Stromverstärkung Vi Vi = (rCE // RC // RL )(R1 // R2 // rBE ) RL ⋅ rBE Vi = β rCE ≈β RC + rCE Leistungsverstärkung VP VP = VU ⋅ Vi Eingangswiderstand re VP = VU ⋅ Vi re = R1 // R2 //((β + 1)RE + RBE ) ra = rCE // RC ≈ RC C1 = re = R1 // R2 // rBE ≈ rBE Ausgangswiderstand ra ra = rCE // RC ≈ RC Einkopplungskondensator C1 C1 = 1 2 ⋅ π ⋅ f g ⋅ ( Ri + re ) 1 2 ⋅ π ⋅ f g ⋅ ( RL + ra ) 1 2 ⋅ π ⋅ f g ⋅ ( Ri + re ) 1 2 ⋅ π ⋅ f g ⋅ ( RL + ra ) Auskopplungskondensator C2 C2 = C2 = .4.Formelsammlung Elektronik 53 4.

dass der Kollektor gemeinsamer Bezugspunkt für den Eingang und für den Ausgang ist Der Widerstand RE ist hier zwingend nötig. Kollektorschaltung UB + Die Kollektorschaltung (auch Emittervolger genannt) ist dadurch gekennzeichnet. Wir haben immer eine Gegenkopplung.Formelsammlung Elektronik Emitterkondensator CE 54 CE = IC 2 ⋅ π ⋅ f g ⋅UT f gu n CE = IC 2 ⋅ π ⋅ f g ⋅UT f gu n Resonanzfrequenz fg fg ≈ fg ≈ Phasenverschiebung ϕ ϕ = 180° = = = = = = = = = = = = = = ϕ = 180° [Hz] [Hz] [1] [Ω] [Ω] [Ω] [Ω] [F] [F] [F] [A] [V] [°] [1] fg fgu n Ri RL rCE rBE C1 C2 CE IC UT ϕ β Grenzfrequenz eines einzelnen Hochpass gesamte untere Grenzfrequenz Anzahl wirkende Hochpässe Innenwiderstand des Generators Lastwiderstand 1/h22e: Kollektor-Emitter-Widerstand h11e: Basis-Emitter-Widerstand Eingangskondensator Ausgangskondensator Emitterkondensator Kollektorstrom Temperaturspannung = 26mV (bei Zimmertemperatur) Phasenverschiebung h21e: Differentieller Stroverstärkungsvaktor 4.5. Ue Ua .

. Basisschaltung Die Basisschaltung ist dadurch gekennzeichnet. Spannungsverstärkung Vu VULast = 1 rBE 1+ ( RE // RL )(β + 1) ≤1 Stromverstärkung Vi Vi = (β + 1)( RL // RE ) RL ≈β (gross) Leistungsverstärkung VP VP = VU ⋅ Vi Eingangswiderstand re ≈β (mittel) re = R1 //R2 //(rBE +(RE //RL )(β+1)) Ausgangswiderstand re im Normalfall sehr gross ra = RE // rBE + ( R1 // R2 // Ri ) β +1 r + Ri ra ≈ BE β im Normalfall sehr klein Phasenverschiebung ϕ ϕ = 0° 4. dass die Basis gemeinsamer Bezugspunkt für den Eingang und für den Eingang ist. Gleichstrommässig entspricht die Basisschaltung der Emitterschaltung mit Stormgegenkopplung.6.und einen kleinen Ausgangswiderstand und eignet sich deshalb als Impedanzwandler.Formelsammlung Elektronik 55 Die Kollektorschaltung hat einen hohen Eingangs.

Steilheit S S= ΔI D = y21S ΔU GS mit UDS konstant [A/V] [S] Siemens [A] [V] S = ID = UGS = Leitwertparameter Drainstrom Gate .7. Spannungsverstärkung Vu VULast = β Vi = Vi = RL // RC rBE (gross) Stromverstärkung Vi RC β ⋅ β + 1 RL + RC 1 ⋅ 1 1 R 1+ 1+ L β RC ≤1 Leistungsverstärkung VP VP = VU ⋅ Vi Eingangswiderstand re ≈ VU (mittel) re = RE // r re ≈ BE β rBE (β + 1) (sehr klein) Ausgangswiderstand ra ri = RC //(rCE + Ri ) Phasenverschiebung ϕ ≈ RC (mittel) ϕ = 0° 4.Spannung .Formelsammlung Elektronik 56 Durch die Signalquelle am Eingang fliesst der groessere Strom (~) als durch die Last.Source .

Formelsammlung Elektronik

57

4.8. Sourceschaltung
Mit einem n-Kanal-JFET FET ist selbstleitend. Um einen AP einzustellen, muss der FET durch eine negative Gate-Sorce-Spannung weniger leitend gemacht werden. Dies wird mit RS realisiert.

U RS = −UGS

Widerstände

RD =

U B − U DS − U RS ID

RS =

U RS ID

R2 kann möglichst hochohmig bestimmt werden (ca. 1MΩ) Die Kondensatoren werden wie bei der Emitterschaltung berechnet. Mit einem selbstsperrenden n-Kanal-MOSFET Am Gate wird mit R1 und R2 positiv vorgespannt. Damit ein Drainstrom fliessen kann, muss durch die Vorspannung die Schwellenspannung von z.B. 1.5V überwunden werden. Nun können alle Widerstände berechnet werden.

Formelsammlung Elektronik Wechselstromverhalten
Spannungsverstärkung VU

58

VULeerlauf = S ( RD // rDS ) ≈ S ⋅ RD

VULast = S ( RD // RL // rDS )
Eingangswiderstand re

re = R1 // R2 // rGS ≈ R1 // R2
Ausgangswiderstand ra

ra = RD // rDS ≈ RD
Phasenverschiebung ϕ

ϕ = 180°

4.9. Drainschaltung

Spannungsverstärkung Vu

VULast =

S ( RS // RL ) ≤1 1 + S ( RS // RL )

Eingangswiderstand re

re = R1 // R2 //(1 + S ( RS // RL ))rGS re ≈ R1 // R2
Ausgangswiderstand ra

ra = RS // rDS
Phasenverschiebung ϕ

ϕ = 0°

Formelsammlung Elektronik

59

4.10. Störspannungen
Überprüft man die am Ausgang eines Verstärkers auftretenden Wechselspannungen, so ist hier nicht nur das verstärkte Signal, sondern auch eine Fülle von unerwünschten Störspannungen (Rauschen). Stromrauschen Ströme sind bewegte Ladungsträger. Unregelmässigkeiten im Ladungsfluss erzeugen Rauschen. Solche Unregelmassigkeiten treten auch in Halbleitern durch Generation und Rekombination auf. Dieses Rauschen bezeichnet man als Schrotrauschen. Es ist auf die spontane Widerstandsänderung in den Sperrschichten und Temperaturänderungen in diesem Bereich zurückzuführen. Thermisches Rauschen Thermisches Rauschen beruht auf der regellosen Bewegung thermisch angeregter Ladungsträger. Je geringer die absolute Temperatur eines Bauelementes ist, umso geringer ist das thermische Rauschen. Thermisches Rauschen tritt im ganzen Frequenzspektrum auf und wird daher (ähnlich dem Licht) als weisses Rauchen bezeichniet. Zur Beurteilung dieser Störgrössen misst man den Störabstand, meist in dB. Als Bezugsgrösse UNutz wird im NF - Bereich eine Signalspannung mit f = 1kHz und einer genormten Amplitude genommen: Störabstand (bei NF - Verstärkern Fremdspannungsabstand)

⎛U ⎞ d St = 20 ⋅ log⎜ Nutz ⎟ ⎜U ⎟ ⎝ Stör ⎠
Geräuschabstand

[dB]

⎛U ⎞ d Ger = 20 ⋅ log⎜ Nutz ⎟ ⎜U ⎟ ⎝ Ger ⎠

[dB]

Der Frequenzgang wird dem Gehör angepasst.

fgu wird bestimmt durch sämtliche externe Kondensatoren (alles Hochpässe) . 50Hz. 100Hz.Formelsammlung Elektronik Brummabstand 60 ⎛U ⎞ d Br = 20 ⋅ log⎜ Nutz ⎟ ⎜ U ⎟ ⎝ Br ⎠ [dB] Nur tiefe Frequenzen z. . bei fgu 225°.B. Rauschabstand ⎛U d R = 20 ⋅ log⎜ Nutz ⎜ U ⎝ R ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ [dB] Nur hohe Frequenzen.fgo wird bestimmt durch die internen Transistorkapazitäten Phasenverschiebungen Im Arbeitsbereich 180°. Grenze der Verständlichkeit: Gute Mudikwiedergabe: dSt = 10dB dSt > 54dB 4. Spannungsfrequenzgang . bei fgo 135°.11.

dass die Bandbreite des Gesamtverstärkers kleiner wird (angenommen. Wenn wir den Frequenzverlauf betrachten. jeder Einzelverstärker hat den gleichen Frequenzverlauf). ... Ein ..Formelsammlung Elektronik 61 4. oder logarith.und Ausganswiderstände) eines Verstärkers verbessert werden.12.. Gesamtverstärkung Vu = Vu1 ⋅ Vu 2 ⋅ Vu 3 ⋅ . Dies geschieht aber auf Kosten der Verstärkung. sehen wir. Temperaturverhalten. Mehrstufige Verstärker Durch Gegenkopplung können die Eigenschaften (Klirrfaktor. Die fehlende Verstärkung muss mit einem weiteren Verstärker kompensiert werden. Vu = Vu1 + Vu 2 + Vu 3 + .

Kopplungsarten mehrstufiger Verstärker Berechnung von CK: C K >> 1 2 ⋅π ⋅ f ⋅ r CK = Kopplungswiderstand [F] f = Tiefste Frequenz [Hz] r = gesamter wirksamer Widerstand [Ohm] .13.Formelsammlung Elektronik 62 4.

Formelsammlung Elektronik

63

5. Operationsverstärker
5.1. Aufbau
Der Operationsverstärker ist eine unmittelbare Anwendung des Differenzverstärkers. Er besteht aus mehreren Einzelschaltungen, die monolithisch integriert sind. Die Eingangschaltung wird durch einen Differenzverstärker gebildet: Beim Gleichspannungsverstärker darf sich der Arbeitspunkt des Transistors nicht ändern. Arbeitspunktverschiebungen wirken sich bereits als unerwünschte Ausgangsspannungen aus. Man kann deshalb die Temperaturdrift eines Transistors durch einen zweiten Transistor kompensieren. Diese Idee führte zum Differenzverstärker. Die beiden Transistoren müssen thermisch gut gekoppelt sein, also mit Vorteil auf demselben Halbleiter aufgebaut werden. Der Differenzverstärker hat etwa die gleich hohe Signalverstärkung wie eine Emitterstufe ohne Gegenkopplung. Der Differenzverstärker bewirkt bei Steuerung an einem Eingang eine Verstärkung mit 180° Phasenverschiebung, am anderen Eingang die selbe Verstärkung ohne Phasenverschiebung. Am Ausgang des Operationsverstärkers befindet sich eine Gegentaktstufe:

Formelsammlung Elektronik

64

Im ersten Quadranten liegt die Aussteuerkennlinie des npn-Transistors, im dritten Quadranten die des pnp-Transistors. Hier wird deutlich, dass die Signalspannung zunächst den Schwellwert der Basis-Emitter-Diode (ca. 0.6V) überschreiten muss, bevor ein Emitterstrom fliessen kann.

Damit entsteht bei der Ausgangsspannung eine Verzerrung im Bereich des Nulldurchganges. In der Abbildung ist die Ausgangsspannung ua skizziert, wenn sich ue zwischen den Werten 1 und 2 sinusförmig ändert. Zum Betrieb eines Operationsverstärkers benötigt man eine positive und eine negative Betriebsspannung. Beide Spannungen haben in der Regel den gleichen Betrag und können ja nach Verstärkertyp zwischen ca. +/- 1V und +/- 50V liegen. Die Eingänge werden als P-Eingang und N-Eingang unterschieden. Wird der Verstärker am P-Eingang gesteuert, so ist die Ausgangsspannung der Eingangsspannung gegenüber phasengleich (nicht invertierender Eingang). Bei Steuerung am N-Eingang ergibt sich eine Phasenverschiebung um 180° (invertierender Eingang).

5.2. Symbol

Formelsammlung Elektronik

65

5.3. Betriebsarten eines Operationsverstärkers
Je nachdem, wie die zu verstärkenden Signale an die Eingänge des Operationsverstärkers gelegt werden, ergeben sich unterschiedliche Betriebsarten. Der Operationsverstärker kann im nichtinvertierenden, im invertierenden, im Differenzbetrieb und im Gleichtaktbetrieb arbeiten:

Differenzsignale UPN = UP – UN werden durch den Operationsverstärker mit dem Verstärkungsfaktor VU0 (Leerlaufverstärkung) sehr hoch verstärkt. Gleichtaktsignale Ucm = UP = UN werden im Idealfall nicht verstärkt.

5.4. Idealer Operationsverstärker
Differenzverstärkung

VU 0 =

Ua =∞ U PN Ua =0 U CM

Gleichtaktverstärkung

VCM =

Eingangswiderstand

re = ∞Ω

Ruhestrom . IOS beträgt etwa 0. I OS + = I P − I N (20mA) .5. Der tatsächliche Wert wird in Datenblättern mit IOS angegeben. 5. Offene Eingänge oder durch Kondensatoren galvanische getrennte Eingänge führen zur Funktionsunfähigkeit des Operationsverstärkers. IP = Ruhestrom am Nichtinvertierenden-Eingang IN = Ruhestrom am Invertierenden-Eingang IOS – Offsetstrom (Input offset current) Die Differenz der Eingangsströme ist im Idealfall gleich Null. wird allerdings sehr stark von der Temperatur beeinflusst.Formelsammlung Elektronik Ausgangswiderstand Frequenzbereich 66 ra = 0Ω B = ∞Hz Diese Werte werden von einem realen Operationsverstärker nicht erreicht.Stromoffset am Operationsverstärker Für die Eingangsströme IP und IN muss in der Schaltung ein Gleichstromkreis bestehen.1Ib.

sind die Eingangsströme praktisch gleich gross. wie gross der Durchschnitt der beiden Eingangsströme ist. wieviel Strom der OPAMP ohne jegliche Last verbraucht. Er nimmt mit ansteigender Frequenz ab.22V) Leistungsaufnahme (Power consuption) PV = 2 ⋅ U B ⋅ I B (~50mW) Maximale Verlustleistung (Power dissipation) PV max (~500mW) Eingangs. .Formelsammlung Elektronik Mittlerer Eingangsstrom (Input bias current) 67 Gibt an. damit er funktioniert. IB + = IB − (1.7mA) Betriebsspannung (Supply voltage) UB + = UB − (+/. Ib = IP + IN 2 (80nA) Versorgungsstrom (Supply Current) Gibt an. Die Eingangsströme werden stark von der Temperatur beeinflusst. Wird ein OPAMP ohne Last betrieben.und Ausgangswiderstand Der Eingangswiderstand eines Operationsverstärkers ist bei tiefen Frequenzen sehr gross. Der Betrag dieser ist je nach Art der Eingangstransistoren (unipolar oder bipolar) unterschiedlich. Er liegt etwa im Bereich pA bis μA.

Um den Einfluss der Eingangsoffsetspannung zu unterdrücken muss man eine entgegengesetzte Gleichspannung anlegen (siehe Offsetabgleich). PSRR – Supply Voltage Rejection Ratio PSRR gibt an. um wieviel sich die Eingangsspannung bei einer Betriebsspannungsänderung von einem Volt ändert. Der Ausgang verhält sich wie eine Spannungsquelle. Die Ursache dafür liegt im Frequenzgang des OPAMP. dass die Flankensteilheit an Qualität verloren hat. genannte Kenngrösse angegeben. SR – Slew Rate Will man mit einem OPAMP Rechtecksignale übertragen. Das Verhältnis zwischen Differenzverstärkung und Gleichtaktverstärkung wird Gleichtaktunterdrückung oder CMRR (Common Mode Rejection Ratio) genannt. da der Differenzverstärker nicht ganz symmetrisch aufgebaut ist. CMR = 20lgCMRR. Manchmal wird dieser Wert auch in dB angegeben. Als Kenngrösse wird in Datenblättern die Anstiegsgeschwindigkeit .Formelsammlung Elektronik 68 Der Ausgangswiderstand ist bei Gleichspannung und tiefen Frequenzen relativ klein. des besser der OPAMP. In den Datenblättern wird oft anstatt CMRR die Gleichtaktunterdrückung CMR (common mode rejection) in dB angegeben. Er steigt mit zunehmender Frequenz an. meist Slew Rate. stellt man fest. Je grösser CMRR. Common Mode Rejection Ratio Wie schon beim Differenzverstärker beschrieben ist eine Gleichtaktverstärkung nicht gleich null. wo ein . Die Einheit ist V pro μs. müsste die Ausgangsspannung null betragen. Im Datenblatt wird gewöhnlich für einen Betriebsspannungsbereich die Differenzspannung in μV je Volt Betriebsspannungsänderung angegeben. Sie liegt im Bereich zwischen mV bis μV . Häufig hat ein OPAMP bereits Anschlüsse. VOS – Offsetspannung Verbindet man P und N-Eingang und legt sie auf Masse.

um wieviel sich die Offsetspannung bei 1K Temperaturveränderung durchschnittlich ändert. Bodediagramm Der Operationsverstärker besitzt für das Differenzsignal eine sehr hohe Spannungsverstärkung. 5. .Formelsammlung Elektronik Potentiometer zum abgleichen und kompensieren dieser Offsetspannung angeschlossen werden kann. Er darf nicht mit dem Verstärkungsfaktor des gegengekoppelten Verstärkers verwechselt werden.6. Dieser Verstärkungsfaktor wird in Büchern mit dem Begriff Leerlaufverstärkungsfaktor Vu0 (open loop gain) angegeben. 69 ΔVOS/Δυ . Der Temperaturkoeffizient liegt im μV/K-Bereich.Offsetspannung-Temperaturdrift Gibt an.

Das Verstärkungs-BandbreiteProdukt sit gleich der Transitfrequenz des Verstärkers f t = b ⋅ Vu 0 ( dc ) = f o ⋅ Vu 0 ( dc ) Je grösser das Verstärkungs-Bandbreite-Produkt ist.Formelsammlung Elektronik Die Kenngrösse Vu0(dc) gibt die Leerlaufspannungsverstärkung für Gleichspannungssignale und Signale mit tiefer Frequenz an. desto höher sind die übertragbaren Frequenzen. Bei der Transitfrequenz hat der Verstärkungsfaktor den Wert Vu0 = 1. b = fo Das Produkt des Verstärkungsfaktors Vu0(dc) und Bandbreite b ist eine Kenngrösse des Operationsverstärkers.ft ist die Transitfrequenz des Operationsverstärkers. entspricht die obere Grenzfrequenz fo zugleich auch der Bandbreite des Verstärkers. . Vu0(dc) sinkt mit steigender Frequenz. Bandbreite Aus dem Verlauf von Vu0 kann eine Gesetzmässigkeit für den Frequenzgang des Verstärkers abgeleitet werden: f o ⋅ Vu 0 ( dc ) = f1 ⋅ Vu 01 = f 2 ⋅ Vu 02 = f t ⋅1 Da beim Operationsverstärker die untere Grenzfrequenz Null ist.fo ist die obere Grenzfrequenz des Operationsverstärkers. .Bei der Frequenz fo ist der Verstärkungsfaktor Vu0(DC) auf den Wert 70 Vu 0 = 1 ⋅ Vu 0 ( dc ) 2 gesunken (3-dB-Grenzfrequenz). . .

Diese Begrenzung erfolgt durch die Endstufe des OPAMP. wenn die Gegenkopplungsgrössen UG bzw.9 ⋅ U B Ebenso wie die Ausgangsspannung wird auch der Ausgangsstrom auf bestimmte Höchstwerte begrenzt. 0. 5.. Spannungsgegenkopplung entsteht.6. Stromgegenkopplung entsteht. Er wird meistens mit Gegenkopplung betrieben.Formelsammlung Elektronik 71 5. Gegenkopplung Der unbeschaltete Operationsverstärker wird kaum eingesetzt. Aussteuerbereich Der Ausgang eines OPAMP kann nie ganz den Wert der Speisespannung erreichen. Die meisten Operationsverstärker sind am Ausgang kurzschlussfest.0..9 UB.8.. Der maximale Ausgangsstrom liegt je nach OPAMP zwischen 1mA und 1A..6 . IG von der Ausgangsspannung abgeleitet werden. wenn die Gegenkopplungsgrössen vom Ausgangstrom abgeleitet werden. Beim gegengekoppelten Verstärker wirkt die Ausgangsgrösse der Eingangsgrösse entgegen. sie dürfen also auch bei der maximalen Ausgangsspannung kurzgeschlossen werden ohne dass die Ausgangsstufe beschädigt wird.7. . Die maximale Ausgangsspannung beträgt zwischen +/0. U a max = ±0..

360° phasenverschoben (Oszillation) k : Kopplungsfaktor 0 < k ≤1 Vu : Verstärkungsfaktor ohne Gegenkopplung Vu = Vu ' = UA U1 UA UE (1) Vu’ : Verstärkungsfaktor mit Gegenkopplung Mache: U E − k ⋅ U A − U1 = 0 ⇒ U1 = U E − k ⋅ U A (2) k ⋅ U A wirkt gegen U E ⇒ Vu ' < Vu VU ' = VU ⋅ U 1 VU UA = = U E U 1 + k ⋅ U A 1 + k ⋅ VU . 180° phasenverschoben (Stabilität) Mitkopplung: In Phase.Formelsammlung Elektronik Prinzip der Gegenkopplung: 72 Gegenkopplung: Gegenphasig.

Was bewirkt die Gegenkopplung: Stabilität Rückgang der Verstärkung.9. Parallelgegenkopplung erniedrigt den Eingangswiderstand. Gegenkopplungsarten Beim gegengekoppelten Vertstärker unterscheidet man die vier Grundschaltungen: Reihen-Spannungs-Gegenkopplung Reihen-Strom-Gegenkopplung Parallel-Spannungs-Gegenkopplung Parallel-Strom-Gegenkopplung Reihengegenkopplung erhöht den Eingangswiderstand. dafür praktisch unabhängig vom OPAMP Verbesserung des Klirrfaktors Erhöhung der Bandbreite 5. .Formelsammlung Elektronik Für grosse VU-Werte gilt: 73 Vu ' ≈ 1 k Bei Verstärkern mit grossen VU-Werten (Verstärkung ohne Gegenkopplung) wird VU‘ praktisch durch die Gegenkopplung bestimmt.

Formelsammlung Elektronik 74 .

Gegenkopplungswiderstände Bei niederohmigen Widerständen fliesst zuviel Strom (tiefer Eingangswiderstand) und bei Ausgang wird die Spannung zusammengezogen.durch gekrümmte Transistorkennlinien entstehen. U1 = U2. das heisst. Sie können durch Oberwellen erklärt werden.. die vor allem bei grossen Signalen also in der Endstufe .. Am besten werden Widerstände zwischen einigen kΩ bis einigen 10kΩ verwendet. wenn VS ≥ 10 5. da sehr wenig Strom fliesst.. k0 = 2 U 12 + U 2 + U 32 . der Klirrfaktor wird verbessert. 2 2 U 2 + U 32 + U 4 .Formelsammlung Elektronik 75 5... desto kleiner wird die Differenzspannung: VS = U G VU 0 = U PN vu Die Schleifenverstärkung ist meist genügend gross.11. Klirrfaktor Nichtlineare Verzerrungen treten bei jedem Verstärker auf.10.12. Bei sehr hochohmigen Widerständen machen die Eingangsströme des OPAMP auch etwas aus. 5. Schleifenverstärkung Je grösser die Schleifenverstärkung. Durch Gegenkopplung werden Oberwellen verkleinert... = Grundwelle Oberwellen .

13. Nichtinvertierender Verstärker Ie = I P ≈ 0 (rP sehr hochohmig) U PN ≈ 0 U R 3 ≈ 0 da I e ≈ 0 Ue ≈ UG = U R2 IG = Ua = UG Ue Ua IG = ≈ da I N ≈ 0 R2 R2 R1 + R2 ⎛ R + R2 ⎞ ⎛ Ue R ⎞ ⎟ = U e ⎜1 + 1 ⎟ ( R1 + R2 ) = U e ⎜ 1 ⎜ R ⎟ ⎜ R ⎟ R2 2 2 ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ Spannungsverstärkung vu = Ua R = 1+ 1 Ue R2 Grenzen der Verstärkung 1 ≤ vu ≤ VU 0 Eingangswiderstand re = Ue ≈ rP Ie (sehr hoch) .Formelsammlung Elektronik 76 kG = k0 kG VS k0 VS Klirrfaktor ohne Gegenkopplung Klirrfaktor mit Gegenkopplung Schleifenverstärkung = = = 5.

Invertierender Verstärker IP ≈ 0 U R3 ≈ 0 Der nichtinvertierende Eingang liegt praktisch auf dem Massepotential U PN ≈ 0 Der invertierende Eingang liegt scheinbar auf dem Nullpotential (Massepotential).Formelsammlung Elektronik 77 Ausgangswiderstand ra = ra 0 ra 0 ⋅ vu = VS VU 0 Widerstand R3 R3 = R1 // R2 5.14. Ue = U R2 U R1 = −U a Ie Ue R2 Ie ≈ IG Ue R2 vu = Ua R =− 1 Ue R2 (aufgrund der virtuellen Masse) U R1 = R1 ⋅ I G = R1 ⋅ I e = R1 Spannungsverstärkung Grenzen der Verstärkung 0 ≤ vu ≤ VU 0 . Er wird als virtueller Nullpunkt (virtuelle Masse) bezeichnet.

um mit Hilfe eines Vorzeichen-Bits die Polarität der Ausgangsspannung festzulegen.Formelsammlung Elektronik Phasenverschiebung 78 ϕ = 180° r e= Ue = R2 (nicht sehr hoch) Ie Eingangswiderstand Ausgangswiderstand ra = ra 0 v ≈ ra 0 u ≈ 0 VS VU 0 Widerstand R3 R3 = R1 // R2 Umschalten von invertierendem in nichtinvertierenden Betrieb Durch die Betätigung des Schalters lässt sich aus dem nichtinvertierenden Verstärker eine invertierende Verstärkerstufe machen.B. das heisst das Vorzeichen der Ausgangsspannung bei gleichem Betrag zu ändern. Anwendung Diese Schaltung lässt sich z. . in Digital-Analog-Wandler dazu benutzen.

Er wird eingesetzt. um Impedanzen zu wandeln. Summierverstärker Wir haben eine virtuelle Masse am invertierenden Eingang des Operationsverstärkers. Seine Verstärkung beträgt 1.Formelsammlung Elektronik 79 5. Impedanzwandler Der Impedanzwandler hat einen sehr hohen Eingangswiderstand und einen kleinen Ausgangswiderstand.16.15. Ausgangsspannung ⎛U U U ⎞ U a = − R1 ⎜ e1 + e 2 + e 3 ⎟ ⎜R R3 R4 ⎟ ⎝ 2 ⎠ mit R1 = R2 = R3 = R4 Ausgangsspannung U a = −(U e1 + U e 2 + U e 3 ) . 5.

Differenzverstärker Differenzverstärker besitzen keine virtuelle Masse. Erste Spannungsverstärkung R1 R2 vu1 = R 1+ 4 R3 1+ R1 R2 Zweite Spannungsverstärkung vu 2 = Ausgangsspannung Mit R1 = R2 = R3 = R4 Ausgangsspannung U a = U e1 ⋅ vu1 − U e 2 ⋅ vu 2 Vu1 = 1 Vu2 = 1 U a = U e1 − U e 2 .Formelsammlung Elektronik Widerstand R5 80 R5 = R2 // R3 // R4 // R1 5.17. da sich ein Spannungsteiler am nicht invertierenden Eingang des Operationsverstärkers befindet.

4 = Gegenkopplungswiderstände U1..2 = Eingangsspannungen .Wesentlich grösserer Eingangswiderstand durch die beiden vorgeschalteten nichtinvertierenden Verstärker .. Sample and Hold (Abtaste-Halte-Glied) Verbesserung der Genauigkeit durch eine Über-Alles-Gegenkopplung: 5.Formelsammlung Elektronik 81 5.Die Gleichtaktunterdrückung lässt sich wesentlich verbessern. Instrumentierungsverstärker Der Instrumentenverstärker ist ein verbesserter Subtrahierverstärker mit folgenden Eigenschaften: .. indem der eigentliche Subtrahierer eine Verstärkung von nur 1 erhält .Die Differenzverstärkung kann durch verändern von R1 eingestellt werden UA = R4 R3 ⎛ 2 ⋅ R1 ⎞ ⎜1 + ⎟(U 1 − U 2 ) ⎜ R2 ⎟ ⎝ ⎠ [V] [Ω] [V] = Ausgangsspannung UA R1.19..18.

kann man bei der Ausgangspannung Ua nur mit etwa 60 . Geht man von einem realen Operationsverstärker aus.20.80% der Betriebspannung UB rechnen. Wird URef auf Masse gelegt. Nullpunktschalter .Formelsammlung Elektronik 82 5. so schaltet der Komparator beim Durchgang durch den Nullpunkt. Sie eignet sich deshalb zum Vergleich zweier Spannungen mit hoher Präzision. Mit Differenzverstärker OP ohne Gegenkopplung Vu = VU0 Eingangspannung U a = U b + für U e > U Re f U a = U b − für U e < U Re f Wegen der hohen Spannungsverstärkung spricht die Schaltung bereits auf sehr kleine Spannungen an. Komparator (Vergleicher) Betreibt man einen Operationsverstärker ohne Gegenkopplung erhält man einen Komparator.

21. Schmitt-Trigger Invertierender Schmitt-Trigger Beim Schmitt-Trigger wird die Schalthysterese dadurch erzeugt. dass man den Komparator über den Spannungsteiler mitkoppelt.Formelsammlung Elektronik Mit Addiererschaltung 83 IP ≈ 0 I R = −Ie Ie = Ue U =− R R2 R1 Eingangspannung: Ue = − R2 ⋅U R R1 5. U Re f 1 = U a + ⋅ R1 R1 + R2 R1 R1 + R2 U Re f 2 = U a − ⋅ .

22. Multivibrator Am Ausgang folgender Schaltung entsteht ein Rechtecksignal: ⎛ 2 ⋅ R2 ⎞ ⎟ T = 2 ⋅ R1 ⋅ C1 ⋅ ln ⎜1 + ⎜ R3 ⎟ ⎝ ⎠ .Formelsammlung Elektronik Nichtinvertierender Schmitt-Trigger 84 I e = I G mit I P = 0 U Re f 1 = − U a + ⋅ R1 R2 U Re f 2 = − U a − ⋅ R1 R2 5.

Integrierer Der Widerstand R1 hat für die Funktion als Integrierer keinen Einfluss.Filter (Tiefpass) .Sägezahngenerator . er muss aber eingesetzt werden. Für DC U a ≈ −U C ≈ − IC ⋅ t C Ua ≈ − Ue ⋅t R2 ⋅ C Ausgangsspannung R2 ⋅ C = Integrationskonstante = τ i t = τ i da U a ≈ −U e Anwendung .I-Anteil im Regelkreis .23.Formelsammlung Elektronik 85 5. damit die Offsetspannung keine unzulässige Fehlerspannung am Ausgang erzeugt.

24.Formelsammlung Elektronik Übertragungsverhalten 86 5. Differenzierer .

Regeltechnik . ie = C ⋅ U ΔU e mit ie = iG = − a Δt RK U a = − RK ⋅ C e ⋅ ΔU e Δt Ausgangspannung RK ⋅ Ce = τ d = Differenztionszeitkonstante Übertragungsverhalten In dieser Einfachen Form ist der Differenzierer nicht brauchbar.Filter . Er hat ein starkes Schwingverhalten.PID .Regler .Formelsammlung Elektronik 87 Der Differenzierer hat als Eingangswiderstand einen Kondensator Ce. eine niedrige Eingangsimpedanz und ein Starkes Rauschen. wenn die Spannung am Kondensator ändert. Durch den Kondensator fliesst nur ein Storm. Anwendung .

. ist. Aktiver Tiefpass Die Schaltung (Integrator) kann auch als invertierender Operationsverstärker angesehen werden.25. Man spricht deshalb von aktiven Filtern. Impedanz Z= RP ⋅ xP 2 2 RP + x P Verstärkung Vu = − Z Re Vu = − RP ⋅ xP 2 2 Re ⋅ RP + xP VU0 VUN VUg fg = Leerlaufverstärkung = Nennverstärkung = Verstärkung bei der Grenzfrequenz = Grenzfrequenz − RP Re VUN 2 (-3dB) Die Verstärkung ist frequenzabhängig. wobei der Gegenkopplungswiderstand nun ein Scheinwiderstand (Impedanz).Glieder) kann hier die Ausgangsspannung auch grösser sein als die Eingangspannung. Im Gegensatz zu den passiven Filtern (RC . bestehend aus Rp und Cp.Formelsammlung Elektronik 88 5.

. kann man den Differenzierer als Hochpass einsetzen. Verstärkung Vu = − Rk Z Vu = − Rk 2 2 RC + xC VU0 VUN = = Leerlaufverstärkung Nennverstärkung − Rk RC Der Aktive Hochpass ist zugleich ein Bandpass. Aktiver Hochpass Mit denselben Überlegungen wie in Kapitel 43.26.Formelsammlung Elektronik 89 5.

Aktiver Bandpass Verstärkung Vu = − Z Re f sehr klein f sehr hoch Bei xC = xL xL ≈ 0 xC ≈ 0 Z = RP Vu ≈ 0 Vu ≈ 0 Vu = − RP e R (Resonanzfall) f0 = Resonanzfrequenz Thomsom’sche Schwingungsformel f0 = 1 2π L ⋅ C .27.Formelsammlung Elektronik 90 5.

28.1. 5. Beispielweise haben aktive Filter einen besseren Verlauf oberhalb von fg und die Änderungen bei Belastung sind deutlich kleiner.28. Aktive Filter Mit aktiven Filtern lassen sich bestimmte Eigenschaften von passiven Filtern verbessern.28. Tiefpässe Verstärkung v = 1+ R2 R1 bei f << fg v=− R R1 v = Resonanzfrequenz Z parallel R1 fg = 1 2⋅π⋅ R ⋅C fg = 1 2⋅π⋅ R ⋅C 5.2.Formelsammlung Elektronik 91 5. Hochpässe .

. Bandpass Verstärkung.Wahl der Kapazitäten C .Bekannt sind Resonanzfrequenz f0.Berechnungen: . Berechnungsgrundlagen . Güte und Resonanzfrequenz lassen sich innerhalb gewisser Grenzen frei wählen. Bandbreite b und Verstärkungsfaktor V.Formelsammlung Elektronik Verstärkung 92 v = 1+ R2 R1 bei f << fg v=− R R1 v= Resonanzfrequenz R1 Z Serie fg = 1 2⋅π⋅ R ⋅C fg = 1 2⋅π⋅ R ⋅C 5. ohne dabei die Bandbreite und die Verstärkung zu beeinflussen. Mit R3 lässt sich die Resonanzfrequenz einstellen.28.3.

5. Ordnung Resonanzfrequenz fg = 1 2 ⋅ π ⋅ R1 ⋅ R2 ⋅ C1 ⋅ C 2 .Formelsammlung Elektronik 93 Q= R2 = R1 = f0 b Q π ⋅ f0 ⋅ C R2 2 ⋅V V ⋅ R1 R3 = 2 ⋅Q2 −V Die Differenzverstärkung des OPAMP muss bei der Mittenfrequenz noch gross gegenüber 2Q2 sein. Tiefpass 2.4.28.

Qualitätsmerkmale einer Spannungsstabilisierung Zur Beurteilung der stabilisierenden Wirkung einer Schaltung verwendet man die folgenden Kenngrössen: Absoluter Stabilisierungsfaktor oder Glättungsfaktor G Relativer Stabilisierungsfaktor S Innenwiderstand ri Während die Stabilisierungsfaktkoren den Einfluss der Schaltung auf Schwankungen der Urspannung U0 charakterisieren. Konstantspannungsquellen 6. . je grösser S und je kleiner ri ist.Formelsammlung Elektronik 94 6. lässt die Angabe ri die Beurteilung der Ausgangsspannungsschwankungen bei Laständerungen zu Ausregelung von Eingangsspannungsschwankungen Absoluter Stabilisierungsfaktor G= ΔU 0 ΔU a ΔU 0 / U 0 ΔU a / U a Ua U0 bei Nennlast Relativer Stabilisierungsfaktor S= bei Nennlast S =G⋅ Ausregelung von Laststromschwankungen Gibt die Ausgangspannungsänderung ΔUL bei einer bestimmten Laststromänderung ΔIL an: Differentieller Innenwiderstand ri = ΔU a ΔI L Eine Spannungsstabilisiertung ist umso besser.1.

A markiert den eingestellten Arbeitspunkt mit dem zugehörigen Werten UZ und IZ. Z-Dioden-Stabilisierung Mit Hilfe der Z-Diode lässt sich eine besonders einfache Parallelstabilisierung erreichen: Bedingung: U0 > Ua Praxiswert: U0 ≈ 2 ⋅ Ua Funktion der Spannungsstabilisierung Bei Änderungen von U0 und IL verschiebt sich der Arbeitspunkt auf der Kennlinie nach unten und nach oben.2. so verschiebt sich die RV-Gerade parallel.Formelsammlung Elektronik 95 6. Ändert sich die Spannung U0 um den Betrag ΔU0. es entsteht der neue Arbeitspunkt A’ mit den Werten UZ' und IZ’. .

und Überschreiten des Arbeitsbereiches verhindert werden: Allgemein U V U1 − U Z = IV IZ + IL U1 max − U Z I Z max + I L min Rvmax Rvmin U 1min − U Z I Z min + I L max Schliesslich wird ein Rv eingesetzt. Je steiler die Z-Dioden-Kennlinie verläuft. wird die Basis-Emitterspannung ansteigen und den Transistor leitender machen. IB steigt und damit auch IC. dessen Wert zwischen Rvmin und Rvmax liegt. um so geringer ist die Änderung ΔUZ. das heisst. Parallelstabilisierung Wird der Lastwiderstand RL vergroessert. wird der Strom IL kleiner und der Spannungsabfall am Vorwiderstand RV ebenfalls. Fehler! Wenn UZ konstant bleibt. bringt das eine Erhöhung der Ausgangsspannung um ΔUZ.3. Der . Berechnet man Rv nach folgender Formel kann ein Unter.Formelsammlung Elektronik 96 Wie man dem Diagramm entnehmen kann. 6. die allerdings deutlich kleiner als ΔU0 ist. Dadurch wird aber die Ausgangsspannung Ua ansteigen. um so stabiler bleibt die Ausgangsspannung.

Formelsammlung Elektronik Kollektorstrom nimmt um den gleichen Betrag zu. Ausgangsspannung 97 U a = U Z + U BE ri = rZ rBE + β β Innenwiderstand Absoluter Stabilisierungsfaktor G= ΔU 0 R = 1+ V ΔU a ri Die Strombelastung der Z-Diode wird kleiner und die Schaltung kann fuer hoehere Ausgangsleistungen verwendet werden. wie der Laststrom abnimmt. . Die Z-Diode wird selbst im Leerlauf nur durch den maximalen Basisstrom belastet.4. Aus diesem Grund wird daher die Parallelschaltung fuer groessere Leistungen nicht eingesetzt und die Serieschaltung bevorzugt. Die schaltung regelt sich aus. 6. Die Spannung Ua bleibt konstant. Seriestabilisierung mit Längstrasnsistor Bei der Parallelstabilisierung muss die Z-Diode die groesste Leistung aufnehmen.

I L max = U e − U a − U CE min RC Vorwiderstand R2 Ohne Emitterwiderstand R2 waere im Leerlauf (RL = ∞ ) die Schaltung nicht im Betrieb. Mit Hilfe von R2 kann der Transistor in einen guenstigen Arbeitspunkt gebracht werden. spricht man von einer Seriestabilisierung.0. Da der Transistor in Serie zum Lastwiderstand geschaltet ist. so dass auch bei kleinen Ausgangstroemen IL seinen nennwert annimmt. Wird ein Kurzschluss verursacht. Ausgangspannung 98 U a = U Z − U BE Absoluter Stabilisierungsfaktor Strombegrenzung G = 1+ R1 rZ Rc hat noch eine weiter Aufgabe. . I C max ≈ I k = Ue = Kurzschlussstrom RC Die Schaltung bleibt solange arbeitsfaehig. Der maximale Laststrom ist damit bestimmt... dann steigt der Kollektorstrom auf den maximalen Wert.Formelsammlung Elektronik Der Transistor dient als variabler Widerstand. wie eine ausreichend grosse UCE . Bei Erreichen von UCemin (0.Spannung anliegt.2V.3V) setzt die Schaltung allmaehlich aus.

ideale Spannungsquelle ( ri ≈ 0 ) Ausgangswiderstand ra = ra 0 VS [Ω] [1] ra0 = VS = Ausgangswiderstand ohne Gegenkopplung Schleifenverstaerkung . Stabilisierung mit Operationsverstaerker U PN ≈ 0 .5. IP ≈ IN ≈ 0 UG ≈ U Z Ua ⋅ R2 R1 + R 2 PN =U +UG ≈UG UZ = Ua ⋅ R2 R1 + R2 Ausgangsspannung ⎛ R ⎞ U a = U Z ⎜1 + 1 ⎟ ⎜ R ⎟ 2 ⎠ ⎝ Wenn UZ konstant ist.Formelsammlung Elektronik 99 6. so ist auch Ua konstant und ist somit nicht abhaengig vom Laswiderstand RL.

1. Stromquelle mit Operationsverstaerker UZ IL Ua Wenn R1 = R2 und R3 = R4 gilt: IL = UZ R3 7. Konstantstromquellen 7. Stromquelle mit bipolarem Transistor Der Kollektorstrom ist weitgehend unabhaengig von der Last! R1 = Uq UBE Uq − U z IZ + IB UZ IC I = E B B +1 U − U BE IE = Z RE IB = .2.Formelsammlung Elektronik 100 7.

Stromquelle mit Festspannungsregler .4. UB C1 Festspannungsregler Vin 5V Vout GND R1 U1 .3.Formelsammlung Elektronik 101 Innenwiderstand: ⎛ β ⋅ RE ri = rCE ⎜1 + ⎜ r +R BE E ⎝ RL min = 0Ω RL max = ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ Minimaler Lastwiderstand: Maximaler Lastwiderstand: U q − U CEsat − U RE IC Lastwiderstandbereich: 0 ≤ RL ≤ RL max 7. Stomquelle mit FET U RS = U GS RS = ID Uq − U GS ID RL min = 0Ω RL max = U q − U DS − U RS ID 7. IL = U out R1 . IL = konstant RL UL .

Wandler) eingesetzt.Transistor .Formelsammlung Elektronik 102 7. Ie Ia1 Ia2 Ia3 .Stromspiegel wird vor allem in Stromquellenbänken eingesetzt. Rv Damit kann man einen konstanten Referenzstrom erzugen der Stromspiegel wird zur Stromquelle. A/D .und Widerstandsverhältnisse beliebig skalierbar sind und in einem festen Verhältnis zueinander stehen. Stromquellenbänke dieser Art werden vor allem als Ruhestromquellen in integrierten Schaltungen (z.B. Dabei werden mehrere Transistoren an einen gemeinsamen Referenzzweig angeschlossen.Stromspiegel Ie Ia Der Eingangstrom Ie wird dank V3 nun weniger gross und die Abhängigkeit der Stromverstärkung reduziert. Drei . Damit erhält man mehrere Ausgangströme. Stromspiegel Ein Stromspiegel (current mirror) liefert eine verstärkte oder abgeschwächte Kopie des Eingangstromes (stromgesteuerte Stromquelle). die über die Grössen . Einfacher Stromspiegel Ie Ia R1 und R2 dienen der Stromgegenkopplung.5. Der Drei .Transistor .

Abwärtsregler Ue Ua 0 ≤ Ua ≤ Ue Der Umschlater laesst sich vermeiden.Formelsammlung Elektronik 103 8. Sekundärgetaktete Schaltregler Aufbau U1 Netztrafo Gleich richter Leistungsschalter U2 Filter Ua Regler Prinzip U tein T = 1/f taus U1 U2 Ua t 8.1. wenn man einen Zweig mit einem Schalter und der andere Zweig mit einer Diode realisiert.2. Schaltnetzteile 8. .

7 V t Ue Ia ΔIa t ΔI Laden = ΔI Entladen Einschalten = UL = Ue .Formelsammlung Elektronik 104 Ue U1 Ua Solange V1 leitet ist U1 = Ue.Ua mit dem Induktionsgesetz ΔI = − 1 (U e − U a ) ⋅ tein = − 1 (U a ) ⋅ taus L L . Wenn sich der Transistor oeffnet. UL = −N ⋅ U1 ΔΦ ΔI = −L ⋅ Δt Δt tein taus Ue Ua Ia 0. so fliesst der Strom durch L weiter (gespeicherte Energie). Der Verlauf des Spulenstromes ergibt sich aus dem Induktionsgesetz.Ua Ausschalten = UL = .

Invertierender Wandler Ue Ua Beim Schlaten “moechte” der Strom weiterfliessen. C wird geladen Ua = negativ Ua = . Aufwärtsregler Ue Ua Beim Umschlaten wird die Energie der Spule in den Kondansator abgeben: Ua ≥ Ue 8.4.Formelsammlung Elektronik 105 Ua = U e ⋅ tein U e ⋅ tein = t aus + tein T T= 1 f [V] Ua = Arithmetischer Mittelwert von U1 8.UC U a ≤ 0V .3.

Eintakt . Eintakt-Wandler 8.Transformators.5. 8.6.6. Ein weiterer Vorteil besteht in der geringen Grösse und dem geringen Gewicht des HF . ü : 1 I2 Ua Ue US IS . Primärgetaktete Schaltregler Der Wrikungsrad von primaergetakteten Reglern beträgt 70% .Sperrwandler ergibt sich aus dem Sperrwandler.1.Formelsammlung Elektronik 106 8.90%.Sperrwandler Der Eintakt . Gleichrichter Leistungsschalter HF Trafo Gleichrichter Filter Ua Potentialtrennung Regler Bei primaergetakteten Schaltreglern sind die Leistungsschalter auf Netzpotential und muessen ueber eine Potentialtrenneung angesteuert werden. Primärgetaktete Schaltregler sind deshalb sekundär getakteten Schaltreglern vorzuziehen. indem man die Speicherdrossel zu einem Transformator erweitert.

wird Energie im Transformator gespeichert. Eintakt-Durchflusswandler . 8.Formelsammlung Elektronik Us Ue I IS I2/ ü t 107 Usmax t Solange der Schalter geschlossen ist. dass die Induktivität so gross ist. dass der Strom in der Sperrphase nicht auf Null absinkt. Sie wird and den Glättungskondensator C abgegeben sobald sich der Schalter öffnet.6. Ausgangsspannung Ua = tein ⋅ U e t aus ⋅ ü Die Spannung wird um das Übersetzungsverhaeltnis ü des Transformators kleiner. Stromverlauf ΔI = U e ⋅ tein taus resp. ΔI = ü ⋅ U a ⋅ L L Bedingung für die Schaltung ist.2.

Ohne weitere Massnahmen würde die im Transformator gesspeicherte Energie zu einem hohen Spannungsimpuls führen. sperrt D2 und der Strom durch die Speicherdrossel L wird von der Diode D3 übernommen. Solange der Leistungsschalter geschllossen ist liegt an der Primärwicklung die Eingangsspannung und daher an der Sekundärwicklung die Spannung: U2 = Ue ü Wenn sich der Schalter S öffnet. in dem der Leistungsschalter sperrt.Formelsammlung Elektronik 108 US 2Ue Ue U2 U2/ ü USmax t t Bei diesem Wandler beistzen Primär . . In dem Augenblick. Bei der angegebenen Polung wird dann D1 leitend. Um dies zu verhindern. sperrt auch die Diode D2. gibt man dem Transformator eine dritte Wicklung mit derselben Windungszahl wie die Primärwicklung. Auf diese Weise wird die Spannung am Leistungsschalter auf USmax = 2 Ue begrenzt. Dadurch wird über die Diode D2 Energie an den Ausgang abgegeben.und Sekundärwicklung gleiche Polung. die während der Einschaltphase im Transformator gespeichert wurde. Daher bezeichnet man diese Schaltung als Durchflusswandler. solange der Leistungsschalter geschlossen ist. wenn die Induktionsspannung gleich der Eingangsspannung ist. Auf diese Weise wird der Transformator im Gegensatz zum Eintakt . jedoch mit geringerem Querschnitt. Ausserdem wird in der Ausschaltphase die gleiche Energie an die Eingangsquelle zuerückgeliefert.Sperrwandler ohne Gleichstrommagnetisierung betrieben.

der durch die Spule weiterfliesst.V2 sperrt D1 und D2 übernehmen den Strom I. . 8.Zuerst wird V1 geschlossen D1 leitet I durch L C wird geladen. Gegentakt-Wandler Bei den Gegentakt-Wandlern wird die Eingangsgleichspannung mit einem Wechselrichter aus wenigstens zwei Leistungsschaltern in eine Wechselspannung umgewandelt. Gegentakt-Durchflusswandler V1 Ua Ue V2 Funktionsweise . Diese wird über einen HFTransformator heruntertransformiert und anschliessend gleichgerichtet. der durch die Spule weiterfliesst.1.V2 wird geschlossen D2 leitet I durch L C wird geladen .V1 sperrt D1 und D2 übernehmen den Strom I.7. .Formelsammlung Elektronik 109 8.7. .

7. Halbbrücken-Gegentakt-Durchflusswandler 110 V1 a) Ue b) Ua V2 an a) liegt UB/2 an b) liegt +UB oder 0V Gleichstromfrei durch C .Formelsammlung Elektronik 8.2.

Amplitudenbedingung Ein Generator kann nur schwingen. wenn die Phasenbedingung bei einem Ringdurchlauf 0° bzw. Aufbau Jeder Generator enthält einen Verstärker mit Rückkopplung zwischen Ausgang und Eingang: Die Rückkopplung eines Generators wirkt als Mitkopplung.Formelsammlung Elektronik 111 9. Ringverstärkung V= Ua ' = K ⋅V Ue . 360° beträgt. Oszillatoren 9. Eingangsignal und rückgeführtes Signal sind phasengleich. wenn seine Ringverstärkung VR ≥ 1 ist. Ein Generator enthält die Schaltungseinheiten: Verstärker Frequenzbestimmendes Glied Amplitudenbegrenzung Mitkopplungszweig Phasenbedingung Der Generator kann nur schwingen.1.

Die Ringverstärkung VR darf nicht nennenswert grösser als 1 sein.Formelsammlung Elektronik 112 9. LC-Generatoren Meissner-Oszillator Beim Meissner-Oszillator erfolgt die Rückkopplung mit Hilfe eines Übertragers: Meissner-Oszillator (Emitterschaltung) Meissner-Oszillator (Basisschaltung) Bei der Basisschaltung erfolgt die Übersetzung phasengleich.2. bei der Emitterschaltung erzeugt man durch gegensinnigen Anschluss der Wicklungen die nötige 180°-Phasenverschiebung. Man verwendet LC-Schaltungen. Schwingquarze und RC-Glieder. weil sich sonst die Schwingung so aufschaukelt. dass der Verstärker in die Aussteuergrenze gerät und der Sinus begrenzt wird. 9. Dazu kommt noch eine weitere Forderung. Sinusgeneratoren Zur Erzeugung sinusförmiger Schwingungen verwendet man Generatoren. .2. Resonanzfrequenz fR = 1 2π ⋅ L ⋅ C R1 bestimmt den Mitkopplungsgrad. Die Sinusspannung kann durch eine Zusatzwicklung am Übertrager abgenommen werden.1. bei denen die Schwingbedingungen nur für eine Frequenz erfüllt sind.

2. Kapazitive Dreipunktschaltung (Colpitts-Oszillator) Bei der kapazitiven Dreipunktschaltung wird die Rückkopplungsspannung durch kapazitive Spannungsteilung der Ausgangsspannung gewonnen. Induktive Dreipunktschaltung (Hartley-Oszillator) 113 Statt eines Übertragers mit getrennten Wicklungen benützt die induktive Dreipunktschaltung einen Spartransformator.2.Formelsammlung Elektronik 9.2. 9. um die Rückkopplungsspannung zu erzeugen.3. Colpitts-Oszillator (Basisschaltung) Colpitts-Oszillator (Emitterschaltung) . Hartley-Oszillator (Basisschaltung) Hartley-Oszillator (Emitterschaltung) Resonanzfrequenz fR = 1 2π ⋅ L ⋅ C R1 bestimmt den Mitkopplungsgrad.

9. Die Ersatzschaltung stellt einen Schwingkreis mit grosser Güte dar. Ein Schwingquarz hat zwei Resonanzen.Formelsammlung Elektronik 114 f0 = 1 2π LC C= C1 ⋅ C2 C1 + C2 R1 bestimmt den Mitkopplungsgrad.2. eine Serieresonanz und eine Parallelresonanz. Quarzoszillatoren Ein Quarz-Kristall kann elektrisch angeregt und zum Schwingen gebracht werden (Reziproker piezoelektrischer Effekt). Serieresonanz fS = 1 2π ⋅ L ⋅ C 1 C ⋅ 1+ CP 2π ⋅ L ⋅ C Parallelresonanz fP = .4.

Formelsammlung Elektronik 9.5. RCSchaltungen sind hier günstiger. Phasenschieber-Oszillator Um 180° Phasenverschiebung bei endlichen Frequenzen zu ermöglichen. Im Rückkopplungszweig eines invertierenden Verstärkers würden diese bei einer Phasenverschiebung von etwa 60° je RC-Glied die Selbsterregung ermöglichen.2. muss der Verstärker die Verstärkung liefern: Vu = U1 R1 = ≥ 29 U2 R . Die Phasenverschiebung ϕ = 180° zwischen U1 und U2 wird erreicht bei der Schwingfrequenz: f0 = 1 2π ⋅ 6 ⋅ R ⋅ C ≈ 1 15.39 ⋅ R ⋅ C Um die Amplitudenbedingung zu erfüllen. benötigt man mindestens drei Hoch. RC-Oszillatoren 115 Bei tiefen Frequenzen eignen sich LC-Oszillatoren weniger gut.oder Tiefpässe.

6.Formelsammlung Elektronik 9. Die Phasenverschiebung ϕ = 180° zwischen U1 und U2 wird erreicht bei der Schwingfrequenz: f0 = 1 2π ⋅ R ⋅ C Um die Amplitudenbedingung zu erfüllen. Die Z-Dioden dienen der Amplitudenbegrenzung. Der Wien-Robinson-Generator lässt sich mit relativ guter Frequenzkonstanz realisieren.2. eine sehr verzerrungsarme Sinusspannung zu erzeugen. Wien-Robinson-Generator 116 Bei der Schwingfrequenz eines Wien-Robinson-Generators wird der Mitkopplungszweig des Verstärkers die Phasenverschiebung eines Hochpasses durcheinen Tiefpass aufgehoben. Durch Regelung der Verstärkung mit R1 ist es möglich. muss der Verstärker die Verstärkung liefern: Vu = U1 R =1+ 2 ≥ 3 U2 R1 . Um die Frequenz des Generators über einen weiten Bereich zu variieren. können die beiden Kondensatoren als Koppeldrehkondensatoren oder die beiden Widerstände als R als Doppeldrehwiderstände ausgeführt werden.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful