Capitolo 1

L’Amplificatore
Operazionale
Indice
1.1 Analisi introduttiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.1 Amplificatori operazionali ideali . . . . . . . . . . . 5
1.1.2 Amplificatori operazionali non ideali . . . . . . . . . 7
1.1.3 Voltage follower . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.1.4 Amplificatore di transresistenza . . . . . . . . . . . . 12
1.1.5 Amplificatore invertente . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2 Specchi di Corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.2.1 Specchio di corrente a BJT . . . . . . . . . . . . . . 15
1.2.2 Specchio di corrente a MOSFET . . . . . . . . . . . 21
1.3 Stadio Differenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.3.1 Modo differenziale e modo comune . . . . . . . . . . 23
1.3.2 Amplificatore differenziale a BJT . . . . . . . . . . . 27
1.3.3 Amplificatore differenziale a MOSFET . . . . . . . . 32
1.4 Schema semplificato di un amplificatore operazio-
nale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
1.5 Stadi di Potenza a Transistori Bipolari . . . . . . 36
1.5.1 Transistori bipolari di potenza . . . . . . . . . . . . 36
1.5.2 Classi di potenza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1.5.3 Classe A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.5.4 Classe B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
1.5.5 Classe AB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
1.6 Modelli dell’A.O. reale . . . . . . . . . . . . . . . . 53
1.6.1 Offset di tensione e corrente . . . . . . . . . . . . . . 54
1.6.2 Dinamica di ingresso di modo comune . . . . . . . . 55
1.6.3 Dinamica di uscita . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
1.6.4 Impedenze di ingresso . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
1.6.5 Guadagno differenziale . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
1.6.6 Amplificatore operazionale CMOS . . . . . . . . . . 60
1.7 Dimensionamento di un amplificatore . . . . . . . 61
1.7.1 specifiche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
1.7.2 Progetto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
1.8 Risposta in frequenza . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
1.8.1 Funzione di trasferimento . . . . . . . . . . . . . . . 68
4
1.8.2 Guadagno d’anello . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
1.8.3 Prodotto banda-guadagno . . . . . . . . . . . . . . . 74
1.8.4 Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
1.1 Analisi introduttiva
1.1.1 Amplificatori operazionali ideali
L’
approccio più semplice allo studio dei circuiti basati su amplificatori ope-
razionali prevede l’utilizzo di un modello “blackbox” (che non specifica
come sia costituito all’interno il dispositivo in questione).
La rappresentazione più comunemente utilizzata per l’amplificatore opera-
zionale è quella di un “triangolo”, dotato di due morsetti di ingresso, due mor-
setti di alimentazione (spesso omessi nei circuiti) ed un morsetto di uscita; i
morsetti di ingresso, caratterizzati dai simboli “+” e “-” (rispettivamente detti
anche “ingresso non invertente” e “ingresso invertente”), sono gli ingressi dei
segnali che l’amplificatore operazionale dovrà, per l’appunto, amplificare; i mor-
setti di alimentazione, come il nome suggerisce, hanno lo scopo di polarizzare e
fornire potenza al circuito contenuto all’interno dell’amplificatore operazionale,
al fine di poterlo utilizzare correttamente.
Le equazioni che governano il funzionamento di un amplificatore operazionale
“ideale” sono:

i
+
= i

→0
v
d
= v
+
−v

→0
Queste equazioni sono fondamentali al fine dello studio di un generico cir-
cuito contenente uno (o più) amplificatori operazionali. Dal momento che l’am-
plificatore operazionale ha guadagno tendente a infinito, si può intuire che, per
avere un’uscita finita, ossia affinché il risultato dell’operazione di prodotto tra
tensione differenziale v
d
(tensione tra i morsetti + e -) e guadagno differen-
ziale A
d
dell’amplificatore sia finito, si debba avere v
d
→ 0. Di conseguenza
nell’amplificatore operazionale ideale la caduta di tensione tra i morsetti è quasi
nulla e la corrente di ingresso è quasi nulla, indipendentemente dalla resistenza
differenziale presente tra i morsetti d’ingresso. Per semplificare i conti, si può
pensare che i morsetti dell’operazionale oppongano alle correnti di ingresso una
resistenza differenziale r
d
→∞.
Riassumendo, le caratteristiche fondamentali dell’amplificatore operazionale
ideale sono:
• Guadagno differenziale tendente a infinito;
• Resistenza differenziale d’ingresso tendente a infinito (ipotesi comoda ma
non necessaria);
• Resistenza di uscita tendente a 0;
• Tensione differenziale di ingresso tendente a 0;
• Correnti entranti negli ingressi tendenti a 0.
Proviamo ad utilizzare le nozioni appena apprese in un esempio pratico.
5
R
1
R
2
v
i
v
u
Figura 1.1: Amplificatore non invertente.
Esempio 1. Consideriamo il circuito di esempio della figura 1.1.
Questo circuito, come vedremo tra breve, è un amplificatore non inverten-
te, ossia amplifica un segnale senza invertirne la fase (o aumentarla/diminuirla
di 180

). In quanto amplificatore, esso avrà un certo guadagno, definito come
rapporto tra tensione di uscita, v
u
, e tensione di ingresso, v
i
.
Si può vedere facilmente, tenendo conto delle equazioni di funzionamento del
dispositivo, che:
v
u
·
R
1
R
1
+R
2
= v

Ma dal momento che v
+
= v

= v
i
:
v
u
v
i
=
R
1
+R
2
R
1
=

1 +
R
2
R
1

Vogliamo, a questo punto, trarre alcune conclusioni riguardo l’esempio pra-
tico appena presentato:
• In questa prima parte della trattazione, l’amplificatore operazionale verrà
utilizzato retroazionato. La reazione negativa comporterà, come in qual-
siasi tipo di sistema dotato di reazione, gli effetti già noti dai primi corsi
di Elettronica: variazioni delle impedenze di ingresso o uscita, aumento
della banda passante e altro.
• Quando la reazione è collegata al morsetto “-” dell’operazionale, essa è
“negativa”, in quanto il segnale va sempre in contrapposizione all’ingresso,
diminuendolo. Una reazione sul morsetto non invertente sarà positiva;
• Nella teoria dei controlli automatici, i sistemi retroazionati sono spesso
modellati con un blocco di amplificazione A e un blocco di retroazione β
(figura 1.2). Nel caso degli amplificatori operazionali, è spesso semplice
6
distinguere il blocco A dal blocco β; il blocco β è il circuito (rete passiva,
in questo caso) in grado di “riportare” una parte del segnale di uscita
all’ingresso. Dal momento che, con questa topologia, il segnale “riportato
al morsetto invertente” è pari a:
v
u
·
R
1
R
1
+R
2
= v

= v
+
si può dire che:
β =
R
1
R
1
+R
2
A
β
V
e
V
u
Figura 1.2: Sistema retroazionato.
1.1.2 Amplificatori operazionali non ideali
Il nostro discorso prevede diverse approssimazioni: gli amplificatori operazionali
reali hanno caratteristiche che si discostano dal modello ideale.
Abbiamo visto che si può realizzare un amplificatore non invertente sempli-
cemente selezionando le resistenze del blocco di retroazione, in modo da ottenere
un certo rapporto. Ma il rapporto è veramente l’unica cosa che conta? Per porre
la domanda in un modo diverso: utilizzare resistori da 1 Ω e 9 Ω produce lo
stesso risultato dell’uso di resistori da 1 MΩ e 9 MΩ, o di 1 mΩ e 9 mΩ?
La risposta ovviamente è no: gli amplificatori operazionali reali presentano
effetti di non idealità tali da essere condizionati dall’ordine di grandezza del-
le resistenze utilizzate. Come si può evincere da uno studio dell’amplificatore
operazionale a livello di transistori, si vedrà perché non sia possibile utilizzare
qualsiasi resistore. Sostanzialmente, le non-idealità sono:
• Guadagno A
d
non infinito;
• Resistenza differenziale r
d
non infinita e resistenza di uscita non nulla;
• Correnti entranti non nulle;
• Tensione differenziale non nulla;
• Dinamica di tensione di ingresso e di tensione/corrente d’uscita non infi-
nite.
7
Procediamo per gradi, presentando modelli via via più perfezionati rispetto
a quello ideale; si noti che l’approccio in uso non motiva le non idealità, bensì
studia il comportamento del circuito in presenza di una non idelità. La giu-
stificazione della presenza delle non idealità, partendo dall’esame dell’interno
dell’amplificatore operazionale, avverrà nel seguito della trattazione.
Guadagno differenziale
Presentiamo un primo perfezionamento del nostro modello: consideriamo, delle
non idealità prima elencate, il fatto che A
d
< ∞. Il fatto che A
d
non sia infinito
comporta il fatto che, per avere un’uscita non nulla, serva una v
d
= 0. Il nuovo
modello del dispositivo, dunque, sarà quello della figura 1.3.
+
R
1
R
2
v
i
v
u
v
d
A
d
v
d
Figura 1.3: Primo modello circuitale dell’amplificatore operazionale non ideale:
A
d
< ∞.
Si avrà che:
v

= v
i
−v
d
= v
u
· β
Però, si può anche dire che:
v
d
=
v
u
A
d
Da qui:
v
i

v
u
A
d
= v
u
· β −→v
u

β +
1
A
d

= v
i
Quindi:
v
u
·
βA
d
+ 1
A
d
= v
i
−→
v
u
v
i
=
A
d
1 +βA
d
=
1
β
·
βA
d
1 +βA
d
=
1
β
·
T
1 +T
8
Nella teoria dei circuiti retroazionati, T βA
d
è il “guadagno di anello”.
Si noti, da questo modello, che nei casi pratici lo scostamento del compor-
tamento del circuito dal caso ideale è molto piccolo: per avere uno scostamento
del 50 % dal caso ideale, si dovrebbe avere un guadagno di anello, T, pari a
1. Nella realtà, i peggiori degli amplificatori operazionali potrebbero avere un
guadagno differenziale, A
d
, pari a 10000; imponendo al circuito un valore di
guadagno veramente elevato, β potrebbe essere nell’intorno di 1/1000. Pochi
circuiti reali richiedono ad un singolo stadio di amplificazione un guadagno così
elevato, perché si avrebbero problemi con il comportamento in frequenza del
circuito. In ogni caso:
T ≃
10000
1000
= 10
Si ha ancora, in queste condizioni decisamente estreme, uno scostamen-
to tra il guadagno del circuito reale e quello del circuito ideale pari al 10%,
normalmente accettabile.
Impedenza d’ingresso
Possiamo complicare la nostra trattazione inserendo altre non idealità: le impe-
denze degli amplificatori operazionali. Consideriamo una resistenza differenziale
r
d
non infinita (non consideriamo per ora la resistenza di uscita, dunque la
tensione viene ancora prelevata da un generatore ideale di tensione).
+
R
1
R
2
r
d
I
x
I
u
v
x
v
u
v
d
A
d
v
d
Figura 1.4: Secondo modello circuitale dell’amplificatore operazionale: resistenza
d’ingresso.
9
Si vuole calcolare z
i
e, per far questo, al posto di v
i
si introduce un generatore
di tensione noto di prova, V
x
. Al fine di determinare l’impedenza d’ingresso, si
calcola la corrente uscente da V
x
;
V
x
= I
x
· r
d
+R
1
· (I
u
+I
x
)
v
d
= r
d
· I
x
; v
u
= A
d
v
d
= A
d
r
d
I
x
Inoltre:
v
u
= R
2
I
u
+R
1
(I
u
+I
x
) −→A
d
r
d
I
x
= R
2
I
u
+R
1
(I
u
+I
x
)
Raccogliendo I
u
:
I
u
(R
1
+R
2
) = A
d
r
d
I
x
−R
1
I
x
−→I
u
=
A
d
r
d
I
x
−R
1
I
x
R
1
+R
2
Sostituendo ciò nell’espressione di V
x
, si può determinare:
V
x
= I
x
r
d
+R
1
I
x
+

A
d
r
d
I
x
+R
2
I
x
R
1
+R
2

R
1
Svolgendo le moltiplicazioni, si può ottenere:
V
x
= I
x
r
d
+
R
1
R
1
+R
2
A
d
r
d
I
x
+
R
1
R
2
R
1
+R
2
I
x
Ricordando che β =
R1
R1+R2
Si ottiene che:
z
i
=
V
x
I
x
= r
d
(1 +βA
d
) +R
1
//R
2
Il secondo termine si può spesso considerare trascurabile rispetto al pri-
mo (concorre ad aumentare l’impedenza, quindi trascurandolo si ottiene un
“worst case”); cosa interessante è il fatto che anche questo modello, decisa-
mente perfezionato rispetto a quello ideale, non comporta particolari modifiche
al comportamento del circuito: la retroazione con confronto in serie fa aumenta-
re notevolmente l’impedenza di ingresso del circuito, rendendo ancora una volta
accettabile l’ipotesi di amplificatore operazionale ideale in molti dei nostri conti.
Impedenza d’uscita
Al fine di perfezionare il modello già presentato occorre considerare gli eventuali
effetti dell’impedenza di uscita. Consideriamo dunque il modello dell’amplifica-
tore operazionale di figura 1.5.
Per calcolare l’impedenza di uscita colleghiamo ad essa un generatore di
tensione di prova, il solito V
x
, e dunque consideriamo spenti tutti gli altri gene-
ratori indipendenti del circuito (i pilotati ovviamente no!). La corrente I
x
sarà
composta da due contributi: uno che entrerà nel ramo del generatore pilotato
A
d
v
d
e uno che andrà nel ramo di R
2
; è possibile semplificare la trattazione
osservando che I
2
≪I
1
: dal momento che r
o
è una resistenza molto più piccola
di R
1
, R
2
, e anche del loro parallelo, potremmo dire che I
x
≃ I
1
. Trascurare
I
2
comporta l’ottenere come risultato un valore di impedenza più alto di quello
10
+
I
x
I
1
I
2
V
x
v
d
A
d
v
d
R
1
R
2
r
d
r
o
Figura 1.5: Modello dell’amplificatore operazionale con impedenza d’uscita non
nulla.
reale, cosa accettabile quando si vuole verificare che l’impedenza d’uscita sia
ragionevolmente bassa. Si ha quindi che:
I
x
≃ I
1
=
V
x
−A
d
v
d
r
o
Però, sappiamo anche che v
d
è esprimibile come:
v
d
= −βV
x
= −
R
1
R
1
+R
2
V
x
Possiamo dunque dire che:
I
x

V
x
+A
d
βV
x
r
o
Da qui:
I
x
V
x

1 +βA
d
r
o
, βA
d
= T
Quindi:
Z
o
=
V
x
I
x

r
o
1 +T
Supponendo di avere una resistenza pari a 100 Ω, più alta di quanto si trova
nella maggior parte degli amplificatori reali, se il guadagno di anello fosse intorno
11
v
i
v
u
Figura 1.6: Voltage follower.
a 1000, ridurremmo di 3 ordini di grandezza la resistenza, che diverrebbe pari a
100 mΩ! Possiamo dunque dire che questo circuito (amplificatore non invertente)
è un buon amplificatore di tensione: impedenza elevata di ingresso e impedenza
bassa di uscita.
1.1.3 Voltage follower
Una variante del circuito del quale abbiamo ampiamente parlato è quella della
figura 1.6.
In questa topologia si ha la massima retroazione possibile: il fatto di avere
come retroazione un corto circuito massimizza la porzione di segnale riportato in
ingresso (β = 1); le conseguenze sono da un lato di rendere unitario il guadagno
del circuito, ma d’altra parte di rendere il guadagno d’anello il più alto pos-
sibile, aumentando moltissimo l’impedenza di ingresso e riducendo dello stesso
fattore quella di uscita; questo circuito assorbirà dunque pochissima corrente
dall’ingresso e in uscita sarà sostanzialmente un generatore ideale di tensione
(ossia a impedenza pressoché nulla).
La configurazione voltage follower è molto utilizzata proprio come “separato-
re d’impedenza”. Torneremo ad occuparci del voltage follower quando parleremo
di risposta in frequenza degli amplificatori operazionali.
1.1.4 Amplificatore di transresistenza
Un’ulteriore topologia circuitale basata sull’amplificatore operazionale è ripor-
tata in figura 1.7.
L’ingresso è in corrente, l’uscita è in tensione; poiché il rapporto tra l’u-
scita e l’ingresso è dimensionalmente una resistenza, questa topologia è detta
amplificatore di “transresistenza”. Dal momento che la corrente non entra nel
morsetto invertente del dispositivo, la corrente va tutta verso R
2
, quindi si avrà
una tensione di uscita pari a:
V
u
= −I
R
R
2
12
I
R
V
u
R
2
Figura 1.7: Amplificatore di transresistenza.
In sostanza, questa topologia circuitale “trasforma” la corrente in tensione,
fornendo un’uscita per l’appunto in tensione, proporzionale della resistenza R
2
.
Analizzando questo circuito si può facilmente notare che sia l’impedenza di
ingresso sia quella d’uscita sono molto basse.
1.1.5 Amplificatore invertente
L’amplificatore di transresistenza è alla base di questa topologia, rappresentan-
te, assieme all’amplificatore non invertente, una delle più diffuse configurazioni
per quanto riguarda l’utilizzo lineare dell’amplificatore operazionale. Nella fat-
tispecie, come vedremo tra breve, questa topologia sarà alla base di molti altri
circuiti lineari basati sul dispositivo attivo.
Se, a partire dalla precedente topologia, sostituiamo il generatore di corrente
con un generatore di tensione, seguito da una resistenza in serie come in figura
1.8, otteniamo una configurazione in cui la tensione d’ingresso viene dapprima
convertita in una corrente, che poi viene riconvertita in tensione dall’uscita
dell’amplificatore.
Prima di esporre il (breve) calcolo del guadagno di questo circuito, presen-
tiamone subito il punto debole: la resistenza di ingresso, R
i
, è pari a R
1
, ossia
alla resistenza in serie al generatore di tensione di ingresso. Infatti, dal momento
che R
1
è collegata tra un generatore di tensione e uno “0 V virtuale”, ossia un
morsetto con una differenza di potenziale nulla rispetto ad un morsetto collegato
a 0 V (il morsetto non invertente), si può dire valga l’equazione alla maglia verso
lo 0 V passando per il “-”; introducendo un generatore di prova di tensione, V
x
,
si avrà, su R
1
, una corrente I
x
pari a:
I
x
=
V
x
R
1
−→z
i
=
V
x
I
x
= R
1
A questo punto sappiamo quanta corrente va in R
1
, ma sappiamo anche
che nell’operazionale non entra corrente (usando il modello ideale, che finora
si è verificato piuttosto valido; eventualmente si ridiscuterà la cosa); tutta la
13
R
1
R
2
v
u
v
i
Figura 1.8: Schema dell’amplificatore invertente.
corrente (già quantificata come rapporto tra la tensione di ingresso e R
1
) andrà
dunque verso R
2
, così che si avrà:
V
u
= −
V
i
R
1
· R
2
Da qui:
V
u
V
i
= −
R
2
R
1
Questo amplificatore, dunque, è in grado di amplificare (con un’espressio-
ne molto semplice, dipendente esclusivamente dal rapporto delle resistenze) ed
invertire di fase (ruotare di 180

) il segnale di ingresso.
Tenendo conto del guadagno A
d
non infinito dell’amplificatore operazionale,
si possono rifare i conti ottenendo:
V
i
+v
d
R
1
=
−v
d
−V
u
R
2
Ma v
d
= V
u
/A
d
, da cui:
V
i
= −V
u

R
1
R
2
+
R
1
+R
2
A
d
R
2

Introducendo β = R
1
/(R
1
+R
2
) e riordinando i termini si ha infine:
V
u
V
i
= −
R
2
R
1
·
1
1 +
1
A
d
β
=

1 −
1
β

·
1
1 +
1
A
d
β
Abbiamo dunque ottenuto un altro tipo di amplificatore. Il problema però è
che questo non è un vero amplificatore di tensione. Abbiamo già notato che la
sua impedenza di ingresso è pari a R
1
, quindi tutt’altro che elevata, per cui le sue
prestazioni sono influenzate dall’impedenza di uscita della sorgente di segnale,
che diminuirà il guadagno dello stadio. Per quanto riguarda l’impedenza d’uscita
14
+
R
1
v
CC
I
R
I
O
I
B1
I
B2
I
E1
I
E2
T
1
T
2
Figura 1.9: Specchio di corrente realizzato con transistori bipolari.
basta osservare che il circuito che si utilizza per il calcolo è lo stesso del caso
dell’amplificatore non invertente, quindi si ottiene lo stesso valore calcolato nella
sezione 1.1.2.
1.2 Specchi di Corrente
Lo specchio di corrente è uno dei “blocchi fondamentali” dell’amplificatore ope-
razionale: si tratta di un circuito a transistori in grado di fornire una corrente
d’uscita uguale o proporzionale alla corrente di ingresso, chiamata corrente di ri-
ferimento. Questo tipo di topologia può dunque essere utilizzata al fine di creare
generatori di corrente quasi ideali, con una dinamica di tensione molto elevata.
Esaminiamo due implementazioni di questo circuito fondamentale: una ba-
sata sull’uso di transistori bipolari e un’altra basata sui MOSFET.
1.2.1 Specchio di corrente a BJT
Lo schema di uno specchio di corrente compare in figura 1.9.
Vi è una corrente di riferimento I
R
che può essere generata in diversi mo-
di: nel nostro esempio è stata semplicemente prodotta inserendo una resistenza
tra il morsetto di ingresso e la tensione di alimentazione. Se si vuole ridurre
la dipendenza della corrente di riferimento dal valore della tensione di alimen-
tazione sono possibili alternative, ad esempio utilizzando un diodo zener o un
qualche altro riferimento di tensione. L’uscita attraverso cui scorre la corrente
I
O
è invece collegata ad un generico carico del circuito (in questo caso si sceglie
di utilizzare come carico un generatore di tensione a tensione variabile). Il lato
di T
1
è detto lato debole dello specchio di corrente, il lato di T
2
lato forte.
Il transistore T
1
è collegato in modalità diodo perché V
B
= V
C
, a causa
del corto circuito tra base e collettore. Dal momento che si intende studiare il
solo comportamento del circuito, ignoriamo l’origine delle correnti I
R
e I
O
, per
15
r
π
V
x
V
x
g
m
V
x
I
R
Figura 1.10: Schema per il calcolo dell’impedenza di ingresso dello specchio.
concentrarci solo sui loro legami interni al circuito in questione. Vogliamo, nella
fattispecie, determinare quale funzione lega I
O
a I
R
.
Al fine di semplificare i calcoli in questione, è opportuno ricorrere ad alcune
ipotesi semplificative: supponiamo che I
B1
e I
B2
siano trascurabili rispetto a
I
R
: ciò permette di dire che I
E1
≃ I
R
, e che I
E2
≃ I
O
; osserviamo poi che,
nel circuito disegnato, V
BE1
= V
BE2
. Nell’ambito dei circuiti integrati è inoltre
più che ragionevole pensare che, se i due transistor sono vicini, essi siano alla
stessa temperatura (da qui la stessa V
T
); detto ciò, ricordiamo le equazioni di
funzionamento del transistore bipolare:
I
E
= I
S
·

e
VBE/VT
−1

≃ I
S
· e
VBE/VT
I
R
= I
S1
· e
VBE/VT
I
O
= I
S2
· e
VBE/VT
Le correnti di saturazione avrebbero una notevole dipendenza dalla tempera-
tura ma, poiché supponiamo di lavorare su un circuito integrato, una variazione
di temperatura provocherà variazioni di corrente proporzionali nelle due giun-
zioni. Allora il rapporto tra le due correnti dipenderà solo dalla superficie delle
giunzioni dei due dispositivi:
I
O
I
R
=
I
S2
I
S1
=
A
2
A
1
Gli specchi di corrente hanno funzionamento approssimativamente ideale
solo all’interno dei circuiti integrati; questa topologia non ha prestazioni sod-
disfacenti se realizzata con due transistor discreti, in quanto le temperature di
giunzione possono differire di parecchi gradi e variare diversamente nel tem-
po. Una soluzione consiste nell’utilizzare non transistor singoli ma una coppia
differenziale (due transistor accoppiati su uno stesso chip).
Impedenze di ingresso e uscita
Caratterizziamo a questo punto i parametri fondamentali del circuito: impeden-
za di ingresso e di uscita.
Per quanto riguarda T
1
, la sua impedenza di ingresso si può ricavare dallo
schema di figura 1.10
Come al solito, l’impedenza di ingresso si calcola utilizzando un generatore di
tensione di prova V
x
e misurandone la corrente d’uscita. Dal momento che si ha
16
r
π
r
0
V
x
g
m
V
BE
V
BE
Figura 1.11: Schema per il calcolo dell’impedenza di uscita dello specchio.
un corto-circuito tra base e collettore, che “mette in parallelo” r
π
e il generatore
pilotato con il quale si modella il BJT, sulla giunzione base-emettitore cadrà una
tensione pari a quella del generatore di prova, per cui la corrente di collettore
sarà g
m
V
x
. Trascurando la corrente di base, la resistenza di ingresso sarà dunque
calcolabile semplicemente come:
I
x
= I
R
= g
m
V
x
Z
i
=
V
x
I
x
=
1
g
m
Ricordando che g
m
= I
C
/V
T
, si ha ancora: Z
i
= V
T
/I
R
.
Per quanto riguarda l’impedenza di uscita, si può fare un ragionamento
duale. Si fa riferimento alla figura 1.11
È agevole verificare che l’impedenza di uscita dipende dall’effetto Early. Se
trascurassimo l’effetto Early, potremmo eliminare la r
o
, e tutta la V
x
cadrebbe
sull’impedenza (infinita) del generatore di corrente pilotato; V
x
non potrebbe
dunque in alcun modo alterare V
BE
e dare luogo ad una corrente, e dunque
I
x
= 0. Ma:
Z
o
=
V
x
I
x
→0
→+∞
Se invece consideriamo l’effetto Early
1
, la corrente proveniente da V
x
circola
solamente in r
o
e quindi essa è l’impedenza di uscita.
I
x
=
V
x
r
o
Z
o
=
V
x
I
x
= r
o
Allora l’impedenza sul ramo utile come generatore di corrente è elevata e que-
sto circuito sarà normalmente un buon generatore di corrente. Tuttavia l’effetto
Early dipende dalla tecnologia impiegata per realizzare i transistori e quindi oc-
corre tenerne conto. Un’altra condizione necessaria al buon funzionamento è che
la tensione di polarizzazione di T
2
sia tale da tenere in zona lineare il transistore.
1
La resistenza ro serve a tenere conto della dipendenza della corrente di collettore ic dalla
caduta di tensione vce. Viene calcolata come rapporto tra un parametro chiamato tensione di
Early V
A
e la corrente I
C
di polarizzazione ro = V
A
/I
C
. Indicativamente V
A
è nell’ordine del
centinaio abbondante di volt per npn mentre è più basso per i pnp.
17
R
v
BE1
v
BE2
T
1
T
2
I
O
I
R
Figura 1.12: Schema dello specchio con resistenza.
Circuito per elevato rapporto tra corrente di ingresso e uscita
Modificando le aree di giunzione dei due transistori del circuito si può ottenere
uno specchio amplificatore o attenuatore; si dà priorità tuttavia al dimen-
sionamento di T
1
, che deve essere il più miniaturizzato possibile; dunque una
soluzione per ottenere uno specchio attenuatore è quella di introdurre un resi-
store sull’emettitore di T
2
(figura 1.12), in modo da provocare una differenza tra
le tensioni base-emettitore dei transistori e così ridurre la corrente di emettitore
del secondo transistore.
Vediamo che su R cade una tensione pari a V
BE1
− V
BE2
; la corrente I
O
,
dunque, trascurando ancora le correnti di base, sarà pari a:
I
O
=
V
BE1
−V
BE2
R
Ricavando le V
BEi
dalle equazioni viste sopra, si ha:
V
BE1
= V
T
ln

I
R
I
S1

; V
BE2
= V
T
ln

I
O
I
S2

Sostituendo e usando le proprietà dei logaritmi, si ottiene:
V
BE1
−V
BE2
= V
T
ln

I
R
I
S1
·
I
S2
I
O

Supponendo poi che i transistor abbiano area uguale, le correnti di satura-
zione saranno uguali, dal momento che ci troviamo in un circuito integrato. Si
ha quindi che:
I
O
=
V
BE1
−V
BE2
R
=
V
T
R
ln

I
R
I
O

Date R ed I
R
, è possibile ricavare I
O
con un procedimento iterativo di risolu-
zione delle equazioni che non ammettono soluzione esplicita. In fase di progetto
18
quello che interessa è ricavare il valore della resistenza R che permette di ot-
tenere determinate correnti, quindi in tale caso è semplice risolvere l’equazione
rispetto ad R.
Influenza delle correnti di base
In tutte le relazioni trovate sopra abbiamo sempre trascurato le correnti di base
dei transistor, I
B1
e I
B2
. Quali sono le approssimazioni commesse, rispetto al
caso reale? Sviluppiamo i conti nel caso di due transistor con la stessa area di
giunzione. La prima operazione da fare è calcolare I
E1
tenendo conto delle due
correnti di base. Per quanto riguarda il transistore al lato debole, abbiamo:
I
E1
= I
B1
+I
C1
= I
B1
+ [I
R
−(I
B2
+I
B1
)] = I
R
−I
B2
Per quanto riguarda T
2
, invece:
I
E2
= I
O
+I
B2
Dal fatto che le tensioni V
BE
sono uguali e che le correnti di saturazione
sono altrettanto uguali, abbiamo che I
E1
= I
E2
.
I
E1
= I
E2
−→I
R
−I
B2
= I
O
+I
B2
Ma, dal momento che:
I
B2
=
I
O
β
2
Si ha che:
I
O
= I
R
−2
I
O
β
2
Dunque:
I
O
=
I
R
1 + 2/β
2
Analizzando il risultato si vede che il rapporto tra le due correnti dipende
dal β del transistore. Purtroppo β non è facilmente predicibile ed inoltre varia in
funzione della V
CE
, della temperatura e dell’invecchiamento del componente; il
risultato ottenuto è comunque accettabile per molte applicazioni, dal momento
che β è di solito un numero sufficientemente elevato.
Specchio di precisione
Come è possibile modificare il circuito in modo da ottenere uno specchio di
corrente di precisione? La soluzione tipica è quella di aggiungere un ulteriore
transistore, in modo da ottenere una topologia come in figura 1.13.
Aggiungendo T
3
, la I
B3
prelevata da I
R
sarà sensibilmente più bassa rispetto
alla precedente; infatti, si ha che:
I
B3
=
I
B1
+I
B2
β
3
+ 1
Supponendo che i β
i
siano tutti uguali, e che β sia ben più grande di 1:
19
T
1
T
1
T
2
T
2
T
3
T
3
I
B1
I
B1
I
B2
I
B2
I
B3
I
B3
I
R
I
R
I
O
I
O
V
CC
V
CC
Figura 1.13: Specchio di corrente ad alta precisione ottenuto con un l’aggiunta
di un transistore.
β = β
1
= β
2
= β
3
; β ≃ β + 1
Si può dire che:
I
B3
=
I
B1
+I
B2
β
3
+ 1

I
B1
+I
B2
β
=
2I
B1
β
I
E1
= I
R
−I
B3
+I
B1
I
E2
= I
O
+I
B2
Per gli stessi motivi di prima, si ha che I
E1
= I
E2
e da ciò segue che
I
R
−I
B3
+I
B1
= I
O
+I
B2
Si può notare, tuttavia, che:
I
R
−I
B3
= I
C1
=⇒ I
B1
=
I
R
−I
B3
β
I
O
= I
C2
=⇒ I
B2
=
I
O
β
Dunque:
I
R
− I
B3
+I
B1
= (I
R
−I
B3
)

1 +
1
β

I
O
+I
B2
= I
O

1 +
1
β

20
Da qui, ricordando che I
B3
= 2I
B1
/β:

I
R

2I
B1
β

1 +
1
β

= I
O

1 +
1
β

Quindi dato che I
B1
≃ I
R
/β:
I
R

1 −
2
β
2

= I
O
Questo circuito è dunque molto meglio del precedente: se β = 100 (ad esem-
pio), si avrà β
2
= 10000, e quindi la differenza tra le correnti sarà estremamente
ridotta!
1.2.2 Specchio di corrente a MOSFET
Lo specchio di corrente basato sull’uso di transistori a effetto di campo MOS ha
l’aspetto del circuito in figura 1.14.
M
1
M
2
I
R
I
O
Figura 1.14: Specchio di corrente realizzato con transistori MOS.
La topologia è la stessa ma sono ovviamente diverse le equazioni che ne
governano il funzionamento. M
1
è polarizzato in regione di saturazione di canale,
2
in quanto V
GS
= V
DS
. Il circuito funzionerà correttamente se anche M
2
viene
fatto lavorare nella stessa zona. Per entrambi dunque:
I
D
= k
n
(V
GS
−V
Tn
)
2
(1 +λV
DS
)
Dove:
k
n
=
1
2
µ
n
C
OX
W
n
L
n
W
n
è la lunghezza, L
n
la larghezza del dispositivo. Per semplificare la trat-
tazione, spesso l’effetto di channel lenght modulation del MOSFET (λ) verrà
trascurato.
Consideriamo le seguenti equazioni, per i due MOSFET:
I
R
= I
D1
= k
1
(V
GS
−V
Tn,1
)
2
2
Si ricordano le condizioni sulle tensioni per il funzionamento del MOSFET a canale n in
• saturazione: v
GS
> Vt ∧ v
DS
> v
GS
−Vt = v
OV
• triodo: v
GS
> Vt ∧ v
DS
< v
GS
−Vt = v
OV
21
V
GS
V
DS
g
o
V
DS g
m
V
GS
Figura 1.15: Sviluppo dello specchio di corrente a MOSFET secondo i modelli
dei componenti.
I
O
= I
D2
= k
2
(V
GS
−V
Tn,2
)
2
Date V
Tn,1
= V
Tn,2
, cosa ragionevole in un circuito integrato, come anche
µ
n
e C
OX
, si può ricondurre tutto alla geometria dei transistori:
I
O
I
R
=
k
2
k
1
=
W
2
/L
2
W
1
/L
1
Terminiamo la caratterizzazione del circuito calcolando le impedenze di in-
gresso e uscita, con il solito sistema: sviluppando i MOSFET nei loro modelli,
si ottiene il circuito di figura 1.15.
Bisogna determinare due parametri: la transconduttanza g
m
relativa al MO-
SFET M
1
e la g
o
relativa ad M
2
.
Si sa che:
g
m
=
∂I
D
∂V
GS
= 2k
1
(V
GS
−V
Tn,1
)
Quindi:
g
m
=
2I
R
V
GS
−V
Tn,1
Si ha che:
Z
i
=
1
g
m
=
V
GS
−V
Tn,1
2I
R
Allo stesso modo, si calcola il g
o
al variare di V
DS
:
g
o
=
∂I
O
∂V
DS
= λk
n
(V
GS
−V
Tn,2
)
2
≃ λI
O
−→Z
o
=
1
λI
O
In applicazioni che richiedono impedenza d’uscita più grande si possono uti-
lizzare altre configurazioni, ad esempio quella di Wilson modificata, costituita
da quattro transistori, che però non sarà qui trattata in dettaglio. Basti sapere
che questa configurazione sfrutta lo stesso meccanismo di aumento della R
O
del
cascode: esso abbina le elevate impedenza di ingresso e transconduttanza di uno
stadio CS con l’ampia larghezza di banda e le proprietà di buffer di corrente del
CG.
22
1.3 Stadio Differenziale
In questa sezione studieremo le caratteristiche dell’amplificatore differenziale a
transistori, che trova larga applicazione come stadio di ingresso degli amplificato-
ri operazionali. L’amplificatore operazionale, in una rappresentazione a blocchi,
potrebbe essere rappresentato da tre elementi disposti in cascata:
1. Stadio di ingresso: amplificatore differenziale;
2. Stadio intermedio di guadagno in tensione: nell’implementazione bipolare,
spesso uno stadio Darlington;
3. Stadio di uscita di potenza: generalmente questo stadio ha guadagno di
tensione unitario ma è caratterizzato da una bassa impedenza d’uscita,
che permette di disporre di una maggiore corrente (e quindi potenza) sul
carico.
Molti amplificatori CMOS sono realizzati con solo due stadi, eliminando il
terzo stadio in quanto gli altri due producono sufficiente guadagno di tensione
e hanno sufficiente capacità di pilotaggio.
In questa sezione verrà analizzato il primo blocco, cioè lo stadio differenziale.
1.3.1 Modo differenziale e modo comune
V
1
V
u
V
2
(a)
V
1
V
2
I
O
I
1
I
2
V
BE1
V
BE2
(b)
Figura 1.16: Amplificatore differenziale generico (a) e una sua realizzazione con
BJT (b).
Nella figura 1.16a è rappresentato un amplificatore differenziale; l’uscita di
questo stadio sarà una combinazione lineare dei due segnali d’ingresso:
23
V
u
= A
1
V
1
+A
2
V
2
Perché lo stadio sia differenziale l’uscita dev’essere proporzionale alla diffe-
renza degli ingressi, questo può essere tradotto in un’espressione che può essere
confrontata con la precedente per ricavare un vincolo sulle amplificazioni A
1
e
A
2
dello stadio.
V
u
= K(V
1
−V
2
)
K(V
1
−V
2
) = A
1

V
1
+
A
2
A
1
V
2

= A
1
V
1
+A
2
V
2
A
2
A
1
= −1 =⇒ A
1
= −A
2
I coefficienti devono dunque essere uguali in modulo e opposti in segno.
Per analizzare in modo più comodo questo sistema, matematicamente effet-
tuiamo un cambio di sistema di riferimento: anziché descrivere l’uscita V
u
in
termini di combinazione lineare degli ingressi, riscriviamola come combinazio-
ne tra la tensione differenziale v
d
, ossia la differenza degli ingressi (tensione di
modo differenziale) e un secondo termine V
C
, la tensione di modo comune,
o valor medio degli ingressi
Nella figura 1.17 sono rappresentati due segnali sinusoidali V
1
e V
2
e i corri-
spondenti modi comune V
C
e differenziale v
d
. I nuovi parametri sono derivabili
semplicemente dalle due tensioni di ingresso:

v
d
= V
1
−V
2
V
C
= (V
1
+V
2
)/2
Il risultato introducendo questa nuova base si può esprimere l’uscita come
combinazione lineare dei due nuovi segnali v
d
e V
C
e non più come grandezza
proporzionale alle due tensioni V
1
e V
2
ai terminali:
V
u
= A
d
v
d
+A
C
V
C
Dove:
A
d
=
A
1
−A
2
2
; A
C
= A
1
+A
2
Ciò che abbiamo fatto con questa operazione è separare i modi di funziona-
mento dell’amplificatore, ossia considerare il sistema come se fosse composto da
due stadi: l’amplificatore differenziale amplifica esclusivamente la differenza tra
i segnali di ingresso, mentre l’amplificatore di modo comune amplifica (o meglio,
attenua) esclusivamente la media tra i segnali di ingresso.
L’amplificatore differenziale ideale, per definizione, deve amplificare solo il
modo differenziale e quindi ha A
d
molto grande e A
C
nullo, in modo da non
amplificare la componente di modo comune dei segnali in ingresso ma piuttosto
annullarla. Al limite si vorrebbe che l’uscita di un amplificatore differenziale V
u
sia solo funzione di v
d
:
V
u
= A
d
v
d
24
−1
0
1
2
3
0 2 4 6 8
V
t
V
1
V
C
V
2
(a)
−1
0
1
2
3
0 2 4 6 8
V
t
V
1
V
2
v
d
(b)
Figura 1.17: Modo comune (a) e modo differenziale (b) di una coppia di segnali
sinusoidali V
1
e V
2
. Si osservino i valori in corrispondenza dei massimi, minimi
e zeri dei segnali.
25
Tuttavia, l’espressione completa della combinazione lineare dei due modi
sarà riscrivibile come segue introducendo il rapporto tra le amplificazioni dei
due modi:
V
u
= A
d
v
d
¸
1 +
A
C
A
d
V
C
v
d

Questo significa che tanto più il termine di guadagno di modo comune, A
C
,
è elevato rispetto al guadagno “utile” A
d
, tanto più si avranno errori rispetto al
funzionamento ideale del dispositivo differenziale.
Al fine di determinare la bontà di un amplificatore di questo tipo, si intro-
duce un parametro fondamentale, in grado di quantificare l’errore commesso a
causa dell’amplificazione di modo comune. Questo parametro è chiamato CMRR
(Common Mode Rejection Ratio), ed è definibile come:
(CMRR)
dB

A
d
A
C

dB
= 20 · log
10

A
d
A
C

Più il CMRR è elevato, migliore sarà lo stadio differenziale realizzato.
Come qualunque altro circuito attivo, lo stadio differenziale deve essere ali-
mentato; dall’alimentazione dipenderanno la dinamica di ingresso di modo co-
mune e la dinamica di ingresso di modo differenziale. Cosa sono queste dina-
miche? Come tutti gli amplificatori, il dispositivo funziona bene se è in stato
di linearità. I segnali di ingresso dunque devono rientrare in precisi limiti di
tensione per garantire il funzionamento in linearità dei transistori. Questi li-
miti saranno chiariti analizzando la struttura interna del sistema, per adesso
basti sapere qualitativamente che in particolare non devono essere applicati agli
ingressi:
• segnali con modo comune tale da portare in interdizione o in saturazione
i transistori di ingresso o, a causa dell’amplificazione di modo comune del
sistema, portare fuori linearità gli stadi successivi; la dinamica di modo
comune è dunque l’intervallo di ampiezze del modo comune tale per cui nei
dispositivi attivi contenuti all’interno dell’amplificatore non intervengano
fenomeni di non linearità;
• segnali con modo differenziale in grado di far raggiungere all’uscita valori
di tensione eccessivamente elevati, tali far intervenire fenomeni di non
linearità nei dispositivi interni all’amplificatore; l’intervallo di valori che il
modo differenziale può assumere è detto dinamica di modo differenziale.
Le due dinamiche di ingresso appena esposte sono connesse alla tensione
di alimentazione dello stadio differenziale. Per quanto riguarda la dinamica di
ingresso differenziale, non avremo grossi problemi, dal momento che, di solito,
l’amplificatore differenziale è utilizzato per “piccoli segnali” e in un sistema
retroazionato, in cui il segnale differenziale v
d
è mantenuto circa nullo dalla rete
di retroazione.
Più attenzione occorre porre alla dinamica d’ingresso di modo comune: pren-
dendo ad esempio il voltage follower di figura 1.6, si nota che la tensione d’ingres-
so di modo comune equivale praticamente al segnale V
i
, perché V
i
è applicato
al morsetto non invertente e la reazione fa sì che all’incirca la stessa tensione
sia applicata anche al morsetto invertente dell’amplificatore. I limiti entro cui
26
potrà variare il segnale d’ingresso allora sono dettati proprio dalla dinamica di
ingresso di modo comune.
Da questo punto di vista l’amplificatore invertente non ha limitazioni dalla
dinamica di ingresso di modo comune in quanto la tensione d’ingresso viene
convertita in corrente (entrambi i terminali di ingresso si trovano a 0 V reali o
virtuali) e quindi i limiti del circuito sono dettati solo dalla dinamica d’uscita.
1.3.2 Amplificatore differenziale a BJT
V
1
V
2
I
O
I
1
I
2
R
C
R
C
V
BE1
V
BE2
+V
AL
−V
AL
Figura 1.18: Amplificatore differenziale a BJT.
In fig. 1.18 è rappresentato lo schema dell’amplificatore differenziale a tran-
sistor bipolari. Date in ingresso ai morsetti dell’amplificatore due tensioni V
1
e
V
2
, si nota che la tensione differenziale è pari alla differenza delle tensioni di
giunzione base-emettitore dei due transistori:
v
d
= V
BE1
−V
BE2
È possibile ricavare le V
BE
dalle equazioni di funzionamento dei BJT che le
mettono in relazione le correnti I
1
e I
2
.
I
1
= I
S1
e
VBE
1
/VT
I
2
= I
S2
e
VBE
2
/VT
Ipotizzando al solito di costruire questo stadio su di un circuito integrato,
possiamo supporre che i due transistor abbiano la stessa area di giunzione e che
siano alla stessa temperatura. Di conseguenza le correnti inverse di saturazio-
ne possono essere considerate uguali; da ciò, calcoliamo il rapporto delle due
correnti I
1
e I
2
, come:
I
1
I
2
=
I
S1
I
S2
e
(VBE
1
−VBE
2
)/VT
= e
(VBE
1
−VBE
2
)/VT
27
In questa relazione è possibile introdurre il modo differenziale v
d
= V
BE1

V
BE2
e scrivere la corrente di emettitore di T
1
in funzione di quella dell’emetti-
tore di T
2
.
I
1
= I
2
· e
v
d
/VT
Osserviamo ancora la topologia del circuito: i due emettitori sono collegati
a un generatore indipendente di corrente, I
O
; si può dunque scrivere, usando la
legge di Kirchhoff dei nodi, che:
I
O
= I
1
+I
2
I
O
= I
2

1 +e
v
d
/VT

=⇒ I
2
=
I
O
1 +e
v
d
/VT
I
1
=
I
O
· e
v
d
/VT
1 +e
v
d
/VT
Studiamo ora graficamente queste funzioni, analizzandone in particolare gli
andamenti asintotici e nell’intorno dell’origine (figura 1.19).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
−8 −6 −4 −2 0 2 4 6 8
v
d
/V
T
I
1,2
I
1
I
2
Figura 1.19: Grafico delle correnti dello stadio differenziale al variare del segnale
di modo differenziale.
Vediamo, facilmente, che:
lim
v
d
→−∞
I
1
= 0 lim
v
d
→+∞
I
1
= I
O
lim
v
d
→−∞
I
2
= I
O
lim
v
d
→+∞
I
2
= 0
28
I
1
(0) = I
2
(0) =
I
O
2
La zona in cui entrambe le correnti sono attive è molto ridotta (dal momento
che, in un intorno dell’origine, l’esponenziale presenta un andamento crescen-
te molto accentuato); si può stimare che inoltre le curve siano, in un intorno
dell’origine, linearizzabili, e ossia approssimabili con le rette tangenti, per:
v
d
∈ [−V
T
; V
T
]
La tensione differenziale dell’ingresso del circuito deve essere piccola, al fine
di poter utilizzare un modello lineare; la cosa comunque, come già detto, non
ci causa problemi, dal momento che l’amplificazione totale di un amplificatore
operazionale è molto elevata e il segnale d’ingresso dello stadio differenziale è
necessariamente molto piccolo.
Qual è il guadagno in corrente dello stadio, considerando valida la linearizza-
zione in un intorno di v
d
= 0 ? Sappiamo che, sviluppando in serie e troncando
al primo ordine, si ottiene:
I
1

I
O
2
+
∂I
O
∂v
d

v
d
=0
I
1
=
I
O
2
+g
m0
· v
d
Da qui:
I
2
= I
O
−I
1

I
O
2
−g
m0
· v
d
Il termine g
m,0
è una transconduttanza, che rappresenta il fattore di pro-
porzionalità tra ingresso in tensione v
d
ed uscita in corrente dell’amplificatore;
Cerchiamo di quantificare il termine I
1
−I
O
/2:
I
1

I
O
2
=
I
1
−I
2
2
I
1

I
O
2
=
I
O
2
e
v
d
/VT
−1
e
v
d
/VT
+ 1
Ma, ricordando la definizione di tangente iperbolica
3
, si può scrivere che:
I
1
=
I
O
2
¸
1 + tanh

v
d
2V
T

Vogliamo approssimare la tangente iperbolica nell’origine con un termine
lineare. Lo sviluppo in serie della tangente iperbolica in questo intorno è:
tanh(x) = x −
x
3
3
+
2
15
x
5
−· · ·
Quindi nell’intorno di v
d
= 0 si può scrivere:
3
tanh(x) =
e
x
−e
−x
e
x
+ e
−x
=
e
2x
−1
e
2x
+ 1
=
1 −e
−2x
1 + e
−2x
29
I
1

I
O
2
¸
1 +
v
d
2V
T

=
I
O
2
+
I
O
4V
T
v
d
Da qua, mediante confronto con la precedente espressione di I
1
, si ottiene il
valore di g
m0
. Ragionando su un singolo transistore della coppia (alimentato da
metà di I
O
) si può introdurre il corrispondente parametro g
m
4
.
g
m,0
=
I
O
4V
T
=
1
2
I
O
/2
V
T
=
1
2
g
m
Amplificazione di modo differenziale Simboleggiando con R
C
i carichi
(supposti identici) dei collettori dei transistori della coppia differenziale, è pos-
sibile calcolare la tensione differenziale di uscita, cioè quella che si potrebbe
prelevare tra i due collettori dello stadio (ognuno caricato con una R
C
).
v
c1
= −R
C
I
c1
= −R
C

I
O
2
+g
m0
v
d

v
c2
= −R
C
I
c2
= −R
C

I
O
2
−g
m0
v
d

v
c1
−v
c2
= −2R
C
g
m0
v
d
A
d,12
= −2R
C
g
m0
Questa è la tensione di uscita differenziale che è possibile prelevare tra i due
collettori. Se si prelevasse la tensione solo sul collettore di uno dei due transistori
il guadagno sarebbe dimezzato.
Amplificazione di modo comune La corrente prodotta dal generatore idea-
le di corrente posto sugli emettitori della coppia differenziale è indipendente
dalla tensione ai suoi capi. In altre parole, presenta ammettenza nulla (circuito
aperto) nel modello di piccolo segnale.
In realtà, come generatore di corrente si utilizza normalmente uno specchio
di corrente. Per calcolare il guadagno di modo comune occorre allora model-
lare lo stadio differenziale utilizzando un generatore con una resistenza r
o
in
parallelo(fig. 1.20), ricordando quanto già osservato nel paragrafo 1.2.1.
Dato in ingresso ad entrambi i morsetti uno stesso segnale di modo comune
V
C
, potremo valutare l’amplificazione di modo comune dello stadio. La corrente
I

O
è data dalla somma di I
O
e della corrente che scorre nella resistenza r
o
che
tiene conto delle non idealità del generatore; si avrà che:
I

O
= I
O
+
V
C
−V
BE
r
o
Nel modello di piccolo segnale è presente r
o
sugli emettitori. Dato che il
circuito è idealmente simmetrico e presenta lo stesso ingresso, si può immaginare
di spezzarlo in due dividendo la r
o
in una coppia di resistenze poste in parallelo,
che insieme siano equivalenti a r
o
, quindi pari ognuna a 2r
o
.
Se la tensione di uscita viene prelevata tra i due collettori, il modo comune
in uscita viene eliminato (almeno idealmente) perché entrambi i terminali si
4
La transconduttanza di un transistore bipolare gm è pari al rapporto tra la corrente di
polarizzazione e la tensione equivalente della temperatura V
T
.
30
v
C
v
C
v
A
I
O
I

O
r
O
I
1
I
2
V
BE1
V
BE2
Figura 1.20: Schema dello stadio differenziale con generatore reale di corrente.
trovano allo stesso potenziale e quindi la differenza è nulla. Invece se l’uscita
viene prelevata tra uno solo dei collettori e lo 0 V di riferimento, il modo comune
V
C
viene amplificato.
Relativamente al modo comune, ognuno dei due transistor della coppia dif-
ferenziale forma uno stadio di amplificazione a emettitore comune, dato che tale
tensione entra nella base e l’uscita è prelevata sul collettore. L’amplificazione
del modo comune è pari a
v
c1
= −V
C
1
Z
iB
βR
C
=⇒ A
C
= −
βR
C
(β + 1)2r
o
+r
π
≃ −
βR
C
(β + 1)2r
o
≃ −
R
C
2r
o
Quindi A
C
, che vorremmo fosse nulla, dipende dalla resistenza di uscita del
generatore di corrente che polarizza lo stadio differenziale. Esso dovrebbe essere
il più ideale possibile (r
o
→∞) per ridurre A
C
.
Per valutare la bontà dello stadio differenziale con uscita prelevata su un
solo collettore, valutiamo il CMRR facendo il rapporto tra l’amplificazione
differenziale e di modo comune in dB.
CMMR = 20 log

A
d
A
C

= 20 log

R
C
g
m0
R
C
/(2r
o
)

= 20 log

g
m0
r
o
2

Il modello utilizzato è molto semplice perché non tiene conto di alcuna asim-
metria del sistema: è sufficiente una piccola differenza tra le resistenze viste come
carico dai due collettori affinché le amplificazioni dovute ai due transistori della
coppia siano diverse l’una dall’altra e si abbia A
C
= 0 anche nel caso che l’uscita
sia prelevata in modo differenziale tra i due collettori. La stessa osservazione si
può ripetere ragionando sul β dei transistor.
31
M
2
M
1
R
D
I
2
R
D
I
1
V
1
V
GS1
V
2
V
GS2
V
AL
I
0
−V
AL
Figura 1.21: Stadio differenziale MOS.
1.3.3 Amplificatore differenziale a MOSFET
Come per lo specchio di corrente, è possibile realizzare un amplificatore diffe-
renziale anche a partire da transistori di tipo MOS, utilizzando una topologia
analoga al circuito a BJT. Lo schema di riferimento è visibile in fig. 1.21.
Il comportamento del circuito assomiglia a quello del differenziale a BJT,
con l’importante differenza di non assorbire corrente continua dagli ingressi.
Si ha:
v
d
= V
1
−V
2
= V
GS1
−V
GS2
Quando v
d
= 0, se i due transistori sono uguali, la corrente che scorre nei
due drain è uguale, quindi I
1
= I
2
= I
0
/2, così come sono, per definizione, ugua-
li le due V
GS
. Chiamiamo V
GS0
la tensione Gate-Source in queste condizioni.
Possiamo allora esprimere V
1
e V
2
in funzione di V
GS0
e v
d
:

V
1
= V
GS0
+v
d
/2
V
2
= V
GS0
−v
d
/2
Supponiamo inoltre che i valori di V
1
, V
2
, I
0
, V
AL
e R
D
siano tali da portare
i transistori a lavorare in zona di saturazione di canale. Possiamo allora trovare
il valore di V
GS0
risolvendo l’equazione seguente:
I
1
= k
n
(V
GS0
−V
tn
)
2
=
I
0
2
dove k
n
e V
tn
assumono lo stesso valore introdotto nella sezione 1.2.2.
Il legame tra I
1
e v
d
non è lineare, dipendendo dall’equazione:
I
1
= k
n
(V
GS0
+
v
d
2
−V
tn
)
2
ma può essere linearizzato nell’intorno di v
d
= 0 introducendo una transcon-
duttanza g
m0
, analogamente a quanto fatto per il differenziale a BJT.
32

I
1
≈ I
0
/2 +g
m0
v
d
I
2
≈ I
0
/2 −g
m0
v
d
Per ottenere il valore di g
m0
occorre derivare l’espressione di I
1
.
g
m0
=

∂I
1
∂v
d

v
d
=0
= k
n
(V
GS0
−V
tn
)
Confrontando questa espressione con l’eguaglianza trovata sopra per I
0
/2, si ha:
g
m0
=
I
0
2
1
(V
GS0
−V
tn
)
Anche in questo caso, le correnti I
1
e I
2
saturano a 0 o I
0
per ampi valori di
v
d
.
1.4 Schema semplificato di un amplificatore ope-
razionale
Dopo avere analizzato il funzionamento dello specchio di corrente e dello stadio
differenziale, possiamo costruire lo schema base dell’amplificatore operazionale.
In questo modo sarà possibile comprenderne il principio di funzionamento in-
terno (limiti di dinamica, problemi di scostamento dal modello ideale) e quindi
utilizzarlo in modo più consapevole nel progetto di circuiti che precedentemente
sono stati analizzati pensando all’A.O. come ad una “scatola nera”.
Lo schema è presentato in fig. 1.22.
Analizziamo nel dettaglio questo schema, giustificando la presenza di cia-
scun elemento ed il suo ruolo nel circuito complessivo, le sue caratteristiche e
prestazioni rispetto ad altre soluzioni.
Alimentazione Il circuito in esame deve essere alimentato con una coppia
di tensioni simmetriche pari a ±V
AL
. Esistono amplificatori operazionali adatti
ad operare con una sola tensione di alimentazione positiva (monoalimentazio-
ne) riferita a 0 V. Non studieremo i dettagli circuitali di questi integrati, ma
discuteremo in seguito quali accorgimenti utilizzare in presenza di singola ali-
mentazione. In questa descrizione si supporrà di usare tensioni simmetriche, però
evidenziando il fatto che non è strettamente necessario che tensione positiva e
negativa abbiano lo stesso valore in modulo.
Specchio di polarizzazione Lo stadio differenziale (T
1
, T
2
) necessita per la
sua polarizzazione di un generatore di corrente il più ideale possibile. Perciò si
introduce la coppia di transistori (T
3
, T
4
) che realizzano uno specchio di corrente.
Nel nostro schema semplificato la corrente di riferimento di questo specchio
viene prodotta tramite una resistenza R
M
collegata a +V
Al
. La scelta di una
resistenza non è sempre la migliore, in quanto, rispetto a circuiti più complicati,
peggiora la reiezione alle variazioni della tensione di alimentazione (PSRR).
33
T
9
T
8
T
7
T
6
T
5
I
B7
T
2
I
2
T
1
I
1
T
4
T
3
R
M
+V
AL
−V
AL
OUT
IN
1
IN
2
Figura 1.22: Modello circuitale di un semplice amplificatore operazionale.
Amplificatore differenziale Lo stadio differenziale (composto da T
1
e T
2
)
è il cuore dell’ingresso dell’operazionale. Un problema che non ci eravamo posti
nella trattazione appena fatta di questo circuito era relativo alla dinamica di
modo comune. Se si torna alle formule viste nel paragrafo 1.3.2 e allo schema
della relativa figura 1.18, si nota che il guadagno di tensione dello stadio è
direttamente proporzionale al valore della resistenza di carico R
C
. Si vorrebbe
dunque avere R
C
più alta possibile per ottimizzare il guadagno. Se però si
considera che cosa succede quando v
d
= 0, si nota che la tensione che si trova
sui collettori vale V
c1
= V
AL
− R
c1
I
0
/2. Perché lo stadio funzioni in linearità
occorre che la tesnione sulla base sia più bassa di quella sul collettore, quindi
più R
C
è grande, più si riduce la dinamica di ingresso.
Un secondo problema è che da un lato si vorrebbe prelevare un’uscita di
tipo differenziale per massimizzare il guadagno dello stadio, dall’altro il resto
del circuito è più semplice se si usa una configurazione di tipo single-ended.
Si sostituiscono allora le due resistenze di collettore con un circuito più
complicato chiamato carico attivo. Mediante questo circuito si ottiene un’u-
scita differenziale in corrente piuttosto che una differenza di tensioni tra i due
collettori.
Carico attivo Il carico attivo non è altro che uno specchio di corrente for-
mato da T
5
e T
6
. Esso ha il duplice compito di caricare lo stadio differenziale
34
e fornire in uscita la differenza tra le correnti I
1
e I
2
circolanti nei collettori. È
necessario che i transistor siano pnp perché la corrente di polarizzazione deve
essere entrante nella coppia differenziale.
Lo specchio di corrente permette di ottenere una buona dinamica di ingresso
di modo comune, almeno sul ramo di T
1
, in quanto la tensione di collettore è
all’incirca fissa e pari a +V
AL
−V
EB5
. La tensione sul collettore T
2
viene imposta
dallo stadio successivo. Inoltre, l’impedenza vista dal collettore di T
2
è alta e
questo permette di avere un alto guadagno di tensione differenziale.
La corrente di riferimento dello specchio è la I
1
dello stadio differenziale,
quindi sul lato debole ci si ritroverà una copia della stessa I
1
. Nel nodo al quale
sono collegati i collettori di T
2
e T
6
si può scrivere la seguente equazione dalla
quale ricavare la corrente di uscita.
I
1
= I
2
+I
B7
=⇒ I
B7
= I
1
−I
2
= 2g
m,0
v
d
In questo modo l’uscita del primo stadio di amplificazione è pari alla differen-
za delle correnti, direttamente proporzionale al modo differenziale. Sfruttando
entrambe le correnti si ottiene anche una transconduttanza doppia.
Amplificatore di tensione In uscita dal primo stadio si deve avere un circui-
to in grado di guadagnare molto in tensione: l’amplificatore operazionale deve
avere un guadagno differenziale di tensione elevatissimo perché dev’essere uti-
lizzato in sistemi retroazionati nei quali si vuole che A
d
→ ∞ in modo che
la funzione di trasferimento sia determinata solo dalla rete di retroazione β.
Non interessa esattamente a quanto ammonti il guadagno in tensione ad anello
aperto A
d
, basta che sia estremamente elevato.
Dai corsi precedenti si sa che un amplificatore a transistor bipolari che gua-
dagna molto in tensione difficilmente ha anche impedenza d’uscita bassa. Sarà
dunque necessario fare seguire questo stadio da un terzo che si occupi di ab-
bassare l’impedenza d’uscita. Un blocco che può fornire un elevato guadagno
in tensione è la coppia Darlington. Nel nostro circuito abbiamo quindi inserito
una coppia darlington formata dai transistor T
7
e T
8
. Si ricorda che una coppia
darlington ha prestazioni equivalenti ad un “supertransistor”il cui beta vale:
I
C
= I
C7
+ I
C8
= I
B7
· β
7

8

7
+ 1)I
B7
β
eq
≃ β
7
β
8
Mentre la V
B
E è:
V
BE,eq
= V
BE,7
+V
BE,8
≃ 2V
BE
Come si vede nello schema iniziale, la coppia Darlington viene realizzata
mediante due pnp perchè (come anche per quanto riguarda il carico attivo),
se avessimo collegato l’emettitore del Darlington a −V
AL
, la base del Darling-
ton e l’uscita dello stadio differenziale sarebbero stati a −V
AL
+ 2V
BE
, limi-
tando drasticamente la dinamica d’ingresso del sistema e rendendolo di fatto
inutilizzabile.
Con i pnp si usa come tensione di riferimento la +V
AL
e si allarga notevol-
mente la dinamica di ingresso.
35
Lo stadio Darlington ha un ottimo guadagno di corrente. Per massimizzare
il guadagno di tensione, occorre caricare il collettore con una resistenza elevata.
Per fare questo si usa come carico la resistenza di uscita di T
9
, uno dei lati forti
dello specchio doppio (T
3
, T
4
e T
9
). Questo modo “strano” di prelevare l’uscita è
funzionale alle caratteristiche di ingresso dello stadio successivo, il cui compito,
come già accennato, è quello di abbassare l’impedenza di uscita dell’amplifica-
tore. Nel paragrafo successivo studieremo le caratteristiche di questo circuito,
che nella figura 1.22 è considerato solo a livello di blocco logico.
Come è stato sottolineato precedentemente, non è molto importante sape-
re quanto è il guadagno complessivo dell’amplificatore operazionale ad anello
aperto. È sufficiente garantire che tale guadagno sia molto elevato in modo da
poterlo approssimare come infinito.
1.5 Stadi di Potenza a Transistori Bipolari
Un elemento fondamentale degli amplificatori operazionali, ma anche di molti
altri circuiti elettronici, è lo stadio di potenza. Si tratta di un circuito attivo che
amplifica la potenza del segnale in modo da alimentare correttamente il carico.
Gli amplificatori necessitano di una sorgente da cui attingere la potenza da
aggiungere ai segnali di ingresso. L’alimentazione del circuito fornisce questa
energia. Il rendimento di un circuito è dato dal rapporto tra la potenza assor-
bita dall’alimentazione P
a
e quella effettivamente trasferita al segnale prodotto
in uscita P
u
, mentre la differenza P
d
è dissipata sotto forma di calore. Questa
dissipazione andrebbe ovviamente minimizzata.
η =
P
u
P
a
=
P
u
P
u
+P
d
< 1
Il funzionamento regolare degli amplificatori di potenza è limitato ad un
certo intervallo di valori di tensione, corrente e potenza; anche questo aspetto
deve essere descritto e analizzato con attenzione per non rischiare di utilizzare
questi sistemi fuori dalle loro corrette condizioni di operatività.
Oltre al rendimento ed un’elevata dinamica del segnale in uscita, un altro
parametro fondamentale per quanto riguarda uno stadio di amplificazione è una
bassa impedenza di uscita, in modo che tutto il segnale amplificato possa essere
trasmesso agli utilizzatori che seguono l’amplificatore senza ulteriori perdite.
Cominceremo con l’introdurre i BJT di potenza, presenteremo poi stadi di
amplificazione di potenza, basati sull’idea di mantenere il livello di tensione di
uscita pressochè pari a quello di ingresso e amplificare esclusivamente la corrente.
1.5.1 Transistori bipolari di potenza
Per poter sostenere tensioni e correnti elevate corrispondenti a potenze nell’ordi-
ne di alcuni watt o decine di watt, i BJT devono essere realizzati con dimensioni,
strutture e tecniche differenti rispetto a quelle impiegate per i transistori bipolari
che sono stati considerati fino a questo punto della trattazione (quelli chiamati
di segnale).
I transistori di potenza non trovano solo applicazione negli amplificatori ma
anche nei cosiddetti circuiti riconducibili al settore dell’elettronica di poten-
36
MAXIMUM POWER DISSIPATION
vs
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature - °C
0 25 50 75 100 125 150
P
t
o
t
-

M
a
x
i
m
u
m

P
o
w
e
r

D
i
s
s
i
p
a
t
i
o
n

-

W
0
10
20
30
40
50
Figura 1.23: Andamento della potenza dissipabile in funzione della temperatura
del contenitore. Esempio dal data sheet del TIP31C
za: interruttori e sistemi di controllo di reti elettriche, alimentazione e apparati
a motore.
Tensioni e correnti elevate producono potenze elevate che vengono dissipate
sotto forma di calore e quindi portano ad un aumento della temperatura di
giunzione T
J
. Affinché il dispositivo non subisca danni irreparabili, è necessario
che la T
J
rimanga comunque al di sotto di un certo valore simboleggiato con
T
Jmax
compreso solitamente tra 150

C e 200

C.
Resistenza termica Ipotizzando che la temperatura ambiente nella quale il
transistore si trova ad operare sia T
A
, se esso deve dissipare una potenza P
D
allora la temperatura di giunzione subisce un incremento ∆T
J
direttamente
proporzionale a P
D
.
∆T
J
= T
J
−T
A
= θ
JA
P
D
La costante di proporzionalità θ
JA
prende il nome di resistenza termica e cor-
risponde all’incremento di temperatura dovuto alla dissipazione di 1 W: pertanto
si misura in

C/W. Per poter dissipare una grande potenza senza incrementare
molto la temperatura occorre avere la resistenza termica più bassa possibile.
La resistenza termica tra giunzione ed ambiente è anche definibile come il
rapporto tra il massimo incremento di temperatura a partire da T
A0
e la massima
potenza dissipabile a tale temperatura P
D0
. Allora ad una temperatura ambiente
qualsiasi T
A
è possibile dissipare al massimo P
Dmax
.
37
θ
JA
=
T
Jmax
−T
A0
P
D0
P
Dmax
=
T
Jmax
−T
A
θ
JA
Il parametro θ
JA
è scomponibile in alcuni contributi che si sommano e sin-
golarmente rappresentano la resistenza termica tra giunzione e contenitore θ
JC
e tra contenitore ed ambiente θ
CA
. Quest’ultima eventualmente può essere ulte-
riormente scomposta in resistenza tra contenitore e dissipatore (heat sink) θ
CS
e tra dissipatore ed ambiente θ
SA
.
Il progettista può agire su alcuni di questi parametri per aumentare la pos-
sibilità di dissipare potenza dei transistori che maggiormente rischiano di dan-
neggiarsi introducendo conduttori metallici nel progetto per facilitare il tra-
sferimento di calore all’ambiente mediante fenomeni di irraggiamento e conve-
zione. Introducendo questi apparati aggiuntivi si cambia la resistenza termica
complessiva, passando ovviamente ad una di valore più piccolo.
Il dissipatore infinito è un sistema ideale che è caratterizzato da θ
CA
= 0
e quindi impone T
C
= T
A
, riducendo la resistenza termica complessiva al solo
contributo θ
JC
e rappresenta la massima potenza dissipabile dal dispositivo ad
una certa temperatura.
I produttori dei transistori forniscono un grafico come quello riportato in
figura 1.23. Esso riporta la massima potenza dissipabile dal dispositivo in cor-
rispondenza della temperatura del contenitore. Per T
C
< T
C0
= 25

C è dissi-
pabile una potenza P
D0
mentre al crescere della temperatura P
Dmax
decresce
linearmente fino ad annullarsi quando T
C
= T
Jmax
.
Parametri BJT di potenza I transistori bipolari di potenza hanno dimen-
sioni differenti da quelli di segnale e perciò anche parametri tipici differenti.
È interessante osservare la forma della Safe Operating Area (fig. 1.24), luo-
go dei punti del piano V
CE
/I
C
della caratteristica del BJT che rappresentano
degli stati di funzionamento regolare. All’esterno della curva tensione-corrente
il dispositivo può restare danneggiato irrimediabilmente. La SOA può essere
disegnata su assi lineari o logaritmici (scelta standard per i data sheet).
• All’esponente dell’espressione esponenziale che rappresenta la dipendenza
della I
C
dalla V
BE
compare un fattore correttivo η = 2 al denominatore
per correnti elevate, come accade per i diodi.
• Il β dei BJT di potenza è più basso di quelli di segnale, essendo solitamente
nell’ordine delle decine.
• La resistenza differenziale che modellizza la giunzione base-emettitore è
nell’ordine di pochi Ω, invece la resistenza serie della base non è trascura-
bile.
• La massima corrente di collettore sopportabile I
Cmax
è nell’ordine delle de-
cine di ampère, mentre la massima tensione BV
CEO
è normalmente com-
presa tra 50 V e 500 V, oltre ai quali la giunzione base-collettore polarizzata
inversamente entra in breakdown, che spesso ne causa la rottura.
• Le due iperboli indicate con 1 e 2 nel grafico della SOA (rappresentate da
segmenti rettilinei a causa degli assi logaritmici usati nell’esempio) deri-
vano rispettivamente da: il limite di potenza dissipabile alla temperatura
38
MAXIMUM FORWARD-BIAS
SAFE OPERATING AREA
V
CE
- Collector-Emitter Voltage - V
1·0 10 100 1000
I
C
-

C
o
l
l
e
c
t
o
r

C
u
r
r
e
n
t

-
A
0·01
0·1
1·0
10
100
DC Operation
1
2
I
C MAX
V
BV CEO
Figura 1.24: Safe Operating Area. Esempio dal data sheet del TIP31C
considerata (V
CE
· I
C
= P
Dmax
) e dal limite di breakdown secondario cau-
sato dalle disuniformità della densità di corrente attraverso la giunzione
(I
C
· (V
CE
)
α
= cost.).
Infine, i transistori bipolari di potenza sono distinguibili dagli altri a causa
del contenitore, studiato per dissipare agevolmente calore come è stato discusso
precedentemente.
1.5.2 Classi di potenza
Esistono diverse soluzioni circuitali per realizzare amplificatori di potenza. Le
caratteristiche degli amplificatori risultanti dipendono da alcuni paramteri pro-
gettuali, comuni a soluzioni diverse. Riferendosi a segnali di ingresso di tipo
sinusoidale e alla configurazione dello o degli elementi finali di potenza, sono
allora definite le seguenti “classi”:
• Classe A: un solo elemento di potenza, in cui scorre corrente per l’intero
ciclo del segnale sinusoidale (angolo di conduzione: 360

).
• Classe B: due elementi di potenza, entrambi conducono alternativamente
per un semiperiodo del segnale (angolo di conduzione: 180

).
• Classe AB: due elementi di potenza, entrambi conducono per più di un
semiperiodo del segnale (angolo di conduzione: > 180

). In questo caso ci
sono degli istanti in cui entrambi gli elementi sono in conduzione.
39
• Classe C: un elemento di potenza, che conduce per alcuni tratti del periodo
del segnale (angolo di conduzione: < 360

).
Le classi utilizzate in banda audio sono le prime tre, mentre l’elevata distor-
sione della classe C ne limita l’uso in circuiti a radiofrequenza. Sono poi definite
altre classi di amplificatori, che prevedono o l’uso di tecnologie a commutazione
(classi D, E), di circuiti risonanti (classi E, F) o variazioni della tensione di
alimentazione in funzione del livello del segnale (classi G e H).
Nel seguito ci occuperemo delle classi A, B e AB.
1.5.3 Classe A
C
s
v
u
Z
L
R
s
T
1
R
B1
R
B2
V
AL
v
s
Figura 1.25: Stadio amplificatore di potenza a collettore comune.
Qualunque transistor collegato a emettitore comune o collettore comune, se
propriamente polarizzato, può essere utilizzato come amplificatore in classe A.
Se si considera ad esempio lo schema di fig. 1.25, schema base a collettore comune
e singola alimentazione, occorre dimensionare correttamente le resistenze R
B1
e
R
B2
per assicurare che, dato un segnale v
s
di una certa ampiezza, il transistor
resti in conduzione per l’intero periodo. Nel carico Z
L
scorrerà sia la corrente
dovuta al segnale, sia quella di polarizzazione. Qualora non si potesse far scorrere
corrente continua nel carico, si dovrebbe separare il percorso di polarizzazione
e segnale mediante un condensatore, a scapito del rendimento del sistema.
Il rendimento è comunque il problema più grosso degli amplificatori in classe
A. Per calcolare i limiti di rendimento di questa configurazione, utilizziamo uno
schema leggermente diverso da quello visto sopra, in cui è possibile separare più
chiaramente i contributi di polarizzazione e segnale. I risultati che otterremo per
quanto riguarda il rendimento sono applicabili a tutti gli amplificatori in classe
A.
Lo schema di riferimento è visibile in fig. 1.26. Analizzando il circuito si
vede che il guadagno di tensione è circa 1, in quanto la tensione sul carico vale
V
L
= v
s
−V
BE
. Il guadagno di corrente è elevato e l’impedenza d’uscita è bassa.
Queste sono le caratteristiche tipiche di un amplificatore di potenza.
40
T
1
I
0
−V
AL
R
L
I
L
+V
AL
v
s
Figura 1.26: Amplificatore in classe A con doppia alimentazione.
È importante calcolare i limiti della dinamica d’uscita. Il limite superiore è
dettato dalla necessità di avere il transistor in linearità. Possiamo quindi dire
che il segnale d’ingresso deve essere v
s
≤ V
AL
. Se la tensione di alimentazione
è V
AL
>> V
BE
possiamo dire che V
LMAX

= V
AL
. Per il limite inferiore, occorre
notare che I
L
= I
E
−I
0
. Poiché I
E
≥ 0, si ha I
L
≥ −I
0
, quindi V
L
/R
L
≥ −I
0
.
Se vogliamo una dinamica d’uscita simmetrica, è allora sufficiente scegliere I
0
=
V
AL
/R
L
. In questo modo si ha V
AL
≥ V
L
≥ −V
AL
.
La transcaratteristica del circuito è riportata in fig. 1.27. Il segnale d’uscita
è traslato rispetto all’ingresso di una quantità pari alla V
B
E del transistor. Nel
seguito trascureremo questa traslazione, che può essere facilmente compensata.
Un metodo molto efficace per compensare la traslazione è riportato in fig. 1.28.
Analizziamo ora il rendimento del circuito applicando all’ingresso un segnale
di tipo sinusoidale. Per quantificare il rendimento occorre calcolare la potenza
sul carico P
L
e quella assorbita dall’alimentazione P
AL
. L’andamento del segnale
sul carico sarà del tipo I
L
= I
p
sin(ωt), I
p
= V
p
/R
L
, dove I
p
e V
p
rappresentano
il valore di picco della corrente e della tensione sul carico,.
La corrente assorbita dall’alimentazione ha due contributi: quello dovuto al
ramo positivo, +V
AL
, è pari alla corrente di collettore I
C
del transistor, mentre
quello dovuto al ramo negativo è dovuto alla corrente costante di polarizzazione
I
0
.
Per la potenza si ha:
P
AL+
=
1
T

T
0
V
AL
· I
C
dt
I
C
= I
0
+I
p
sin(ωt)
41
v
s
V
L
+V
AL
V
AL
−V
BE
−V
BE
−I
0
R
L
Figura 1.27: Transcaratteristica dell’amplificatore.
P
AL+
=
V
AL
T

T
0
[I
0
+I
p
sin(ωt)] dt =
= V
AL
· I
0
+V
AL
· I
p
·

− cos(ωt)|
T
0

= V
AL
· I
0
Si è sfruttato il fatto che un segnale sinusoidale a media nulla ha inte-
grale nullo sul periodo di oscillazione. Il ramo negativo ha contributo pari
a P
AL−
= V
AL
I
0
, quindi la potenza totale assorbita dall’alimentazione vale:
P
AL
= 2V
AL
I
0
. Se si sceglie I
0
= V
AL
/R
L
, per massimizzare la dinamica di
tensione di uscita, si ha infine:
P
AL
=
2V
2
AL
R
L
Rimane da calcolare la potenza (utile) del segnale sul carico P
L
.
P
L
=
1
T

T
0
R
L
(I
p
sin(ωt))
2
dt =
=
I
2
p
· R
L
T

T
0
sin
2
(ωt)dt =
=
I
2
p
· R
L
T
T
2
=
=
I
2
p
· R
L
2
=
=
V
2
p
2R
L
42

+
T
1
I
0
−V
AL
R
L
I
L
+V
AL
v
s
Figura 1.28: Amplificatore in classe A con recupero della V
BE
=⇒ η =
P
L
P
AL
=
V
2
p
2R
L
·
R
L
2V
2
AL
=
V
2
p
4V
2
AL
Dal momento che la massima ampiezza di picco che può essere associata
al segnale sinusoidale è pari alla massima dinamica di picco di uscita, V
AL
, è
possibile calcolare il massimo rendimento.
η =
1
4
= 25%
Il rendimento massimo, che si ottiene sfruttando tutta la dinamica, è estre-
mamente basso, dato che per ottenere un segnale di 10 W di potenza vengono
dissipati in calore ben 30 W che hanno il solo risultato di aumentare la tem-
peratura del dispositivo. Altra osservazione è che la potenza assorbita dall’ali-
mentazione non dipende dall’ampiezza del segnale, dunque un amplificatore che
potrebbe gestire in uscita un segnale da 100 W dissipa 300 W anche quando il
segnale d’uscita vale soltanto 1 W o quando il segnale è assente del tutto.
1.5.4 Classe B
Il tipico amplificatore a simmetrica complementare di classe B è riportato in
fig.1.29 e rispetto a quello di classe A ha il vantaggio di condurre, amplificare e
dissipare potenza solo quando il segnale in ingresso non è circa nullo.
Concettualmente si può immaginare di ricavarlo da uno stadio di classe A
che abbia un punto di lavoro a riposo con tensione nulla (ad esempio eliminando
il generatore di corrente I
0
nello schema di figura 1.26): esso amplificherebbe
solo la semionda positiva di un segnale sinusoidale in ingresso perché il transi-
store rimarrebbe interdetto per tensioni di ingresso negative. Dualmente, uno
43
T
1
T
2
+V
AL
−V
AL
R
L
I
L
v
s
Figura 1.29: Schema base di amplificatore in classe B.
stadio realizzato con la stessa tecnica ma con un pnp, collegato al polo negativo
dell’alimentazione, amplificherebbe solo le semionde negative.
Il circuito in classe B mette insieme il funzionamento dei due amplificatori
complementari con punto di funzionamento a riposo pari al riferimento di 0 V.
Quando il segnale di ingresso, V
i
, è positivo, il transistore T
1
è in zona di con-
duzione, mentre il transistore T
2
è in zona di interdizione; dualmente, quando
V
i
è negativo, T
1
è interdetto e T
2
conduce.
Questo tipo di sistema di amplificazione funziona in classe B, proprio perchè
solo uno dei due transistori conduce, mentre l’altro rimane interdetto. Ognuno
dei transistori si comporta di fatto come in uno stadio a collettore comune, e il
risultato finale, dall’esterno, è quello di “vedere un solo emitter follower”: i due
stadi, separati, si dividono i compiti, dal momento che uno si occupa del solo
segnale positivo, l’altro del solo segnale negativo. Si riducono notevolmente gli
sprechi di corrente, dal momento che l’unica corrente richiesta dall’alimentazione
è quella necessaria per pilotare il carico del sistema di amplificazione (mantenere
il segnale sinusoidale in uscita).
Le equazioni di funzionamento dei due sono le seguenti:

V
u,npn
= V
i
−V
BE
V
u,pnp
= V
i
+V
EB
Le V
BE,on
sono state al solito supposte uguali, pensando di trovarci su di un
integrato. Finchè V
i
−V
BE,on
> 0, la tensione del segnale sarà sufficientemente
alta da polarizzare il transistore npn, questo sarà in zona lineare e amplificherà;
quando V
i
+ V
BE,on
< 0 il pnp si occuperà di generare il segnale di uscita. il
grafico della transcaratteristica è riportato in fig. 1.30.
Distorsione di Crossover
Il fatto che la tensione di ingresso debba superare la soglia della V
BE,on
per essere
amplificata da uno dei due transistori è un problema perché quando −V
BE,on
<
V
i
< +V
BE,on
il segnale non viene amplificato e anzi l’uscita rimane nulla. La
44
v
s
V
L
+V
AL
V
AL
−V
BE
V
BE
−V
AL
+V
EB
−V
AL
Figura 1.30: Transcaratteristica dell’amplificatore in classe B.
forma d’onda amplificata da uno stadio del genere dunque sarà simile a quella
in figura 1.31.
Questo fenomeno è detto distorsione di crossover e dipende dal fatto che
i transistori non sono sempre in condizioni di condurre. Quando rimangono
entrambi interdetti provocano una distorsione (apprezzabile) del segnale, non
riproducendo in uscita una porzione di esso.
Si può ridurre il crossover mantenendo il sistema in classe B, se si modifica il
circuito in modo simile a quanto fatto nell’amplificatore in classe A con doppia
alimentazione (fig. 1.28). Lo schema corrispondente è riportato in figura 1.32.
L’amplificatore operazionale cercherà di mantenere nullo il segnale differenziale
di ingresso: per ottenere ciò, quando il segnale d’uscita attraversa lo zero, l’am-
plificatore operazionale genera sulla propria uscita uno scalino di ampiezza pari
a 2V
BE
che compensa la zona morta della coppia di transistor. La distorsione
non è eliminata completamente a causa del limite di slew-rate dell’op-amp, di
cui parleremo in seguito.
Rendimento
Abbiamo già notato che rispetto all’amplificatore in classe A ci dovrebbe essere
un miglioramento nel rendimento perché non c’è più il contributo della corrente
di polarizzazione: tutta la corrente assorbita dall’alimentatore scorre nel carico.
Vogliamo ora quantificare il rendimento di questo stadio.
Consideriamo come al solito un segnale di uscita di tipo sinusoidale con
corrente di picco I
p
e corrispondente tensione di picco V
p
, I
p
= V
p
/R
L
, I
L
=
I
p
sin(ωt). Nel semiperiodo positivo della sinusoide condurrà il transistor T
1
e la
sua corrente di collettore I
C1
sarà circa pari alla corrente nel carico (trascuriamo
il contributo di I
B1
, che non è significativo ai fini della potenza). Ma la corrente
I
C1
è anche pari alla corrente assorbita dal ramo positivo dell’alimentazione.
45
−1
−0.5
0
0.5
1
−5 0 5 10 15
Figura 1.31: Distorsione di crossover sulla forma d’onda amplificata.
Possiamo calcolare la potenza media assorbita dal ramo positivo dell’alimen-
tazione integrando la corrente I
C1
su un periodo del segnale.
P
AL+
=
1
T

T
0
V
AL
· I
C1
dt
P
AL+
=
V
AL
T

T/2
0
I
p
sin(ωt) dt =
= V
AL
I
p
·
1
T
·
1
ω

− cos(ωt)|
T/2
0

= V
AL
I
p
·
1
T
·
T

· 2
=
V
AL
I
p
π
La potenza assorbita nel semiperiodo negativo dal ramo negativo dell’ali-
mentazione ha identico valore, per cui la potenza totale vale:
P
AL
=
2V
AL
I
p
π
La potenza nel carico è il prodotto della corrente efficace per la tensione
efficace, quindi
P
L
=
V
p
I
p
2
Il rendimento quindi vale:
η =
P
L
P
AL
=
V
p
I
p
2
·
π
2V
AL
I
p
=
V
p
V
AL
·
π
4
46
T
1
T
2

+
v
s
+V
AL
−V
AL
R
L
I
L
Figura 1.32: Compensazione della distorsione di crossover.
Poiché la dinamica d’uscita massima equivale all’incirca alla tensione d’ali-
mentazione, in questo caso il rendimento massimo è η
max
= π/4 = 0.78, cioè
circa tre volte più elevato di quanto raggiungibile con uno stadio in classe A. In
assenza di segnale non viene assorbita corrente dall’alimentazione.
1.5.5 Classe AB
Per eliminare il fenomeno del crossover bisogna fornire ai due transistor due
segnali diversi, scalati ognuno di una tensione pari alla V
BE
del rispettivo tran-
sistor, in modo che il transistor entri in conduzione per l’intero semiperiodo di
sua competenza (fig. 1.33).
Lo scalamento della tensione d’ingresso può essere ottenuto in vari modi, di
cui il più semplice è tramite due diodi posti sul percorso del segnale.
Il circuito risultante non è più classificabile nella classe B dato che, per garan-
tire l’assenza della distorsione di crossover, in alcuni brevi istanti di tempo tutti
e due i transistori si trovano in stato di conduzione; perciò questa configurazione
appartiene alla cosiddetta classe AB.
Polarizzazione con diodi Introducendo due diodi tra l’ingresso e la base si
ottiene una tensione aggiuntiva che compensa quella minima necessaria all’ac-
censione della giunzione (fig.1.34). Aggiungere solo i diodi non basta, perché
dall’ingresso non si riuscirebbe a far scorrere corrente nella base dei transistor.
Occorre allora fornire in qualche modo la corrente di base. Il metodo più sem-
plice consiste nel collegare due resistori tra le rispettive alimentazioni e le basi
dei transistor.
Esistono altri modi di polarizzare i diodi, che consentono di ovviare ad alcuni
problemi legati all’uso dei resistori. Il concetto verrà sviluppato in un esempio
pratico alla fine della trattazione.
47
T
1
V
BE
T
2
V
EB
+V
AL
−V
AL
R
L
I
L
v
s
Figura 1.33: Schema teorico di amplificatore in classe AB.
Polarizzazione con moltiplicatore di V
BE
Un sistema alternativo per eli-
minare la zona morta della caratteristica sfrutta un transistor aggiuntivo T
3
,
nella configurazione rappresentata in figura 1.35. Trascurando la corrente di ba-
se di T
3
, le resistenze R
1
ed R
2
si trovano collegate in serie e sono attraversate
dalla corrente I
R
.
Tuttavia, la caduta di tensione su R
1
è imposta pari alla V
BE
di T
3
, quindi
la caduta di tensione totale tra le basi dei due transistori di potenza è pari alla
V
BE
moltiplicata per un coefficiente legato al rapporto tra le resistenze, invece
che alle V
γ
dei diodi come nella soluzione precedente.
V
B1
−V
B2
= I
R
(R
1
+R
2
) =
V
BE3
R
1
(R
1
+R
2
) = V
BE3

1 +
R
2
R
1

Il moltiplicatore di V
BE
permette da un lato di controllare meglio la caduta
di tensione tra le due basi, dall’altro, se il transistor T
3
viene termicamente
collegato ai transistor T
1
e T
2
, di seguire la variazione della V
BE
dei transistor
di potenza con la temperatura.
Protezione dalla fuga termica
L’introduzione dei diodi ha sicuramente eliminato il problema del crossover, ma
di fatto ne ha creati altri: non è pensabile che la caduta sui due diodi compensi
esattamente la V
BE
dei transistor di potenza, per cui i transistor possono essere
entrambi in conduzione quando non vi è segnale in ingresso.
La corrente che scorre nei transistor provoca dissipazione di potenza e quin-
di aumento di temperatura degli stessi. L’intensità della corrente nei transi-
48
T
1
D
1
T
2
D
2
R
B1
R
B2
+V
AL
−V
AL
R
L
I
L
v
s
Figura 1.34: Amplificatore in classe AB con diodi e resistori.
stor dipende dalla temperatura di giunzione. Dato che la V
BEON
diminuisce di
2.5 mV

C
−1
, più aumenta la temperatura dei transistor, più aumenta la diffe-
renza tra la V
γ
dei diodi e la V
BEON
dei transistor, provocando un aumento
della corrente e quindi un ulteriore aumento della temperatura di giunzione. Si
ha cioè un fenomeno di reazione positiva, che porta ad un aumento incontrollato
della temperatura degli elementi di potenza fino alla rottura degli stessi.
La soluzione a questo problema consiste nell’introdurre degli elementi che
contrastino questa reazione positiva e si oppongano all’aumento di corrente. In
figura 1.36 è schematizzata una semplice soluzione, consistente nell’aggiunta di
due resistori sugli emettitori degli elementi di potenza.
Quali variazioni nel funzionamento del circuito sono introdotte da queste
resistenze?
• Introducendo le resistenze sugli emettitori si protegge il circuito dalla fuga
termica nel seguente modo: quando la temperatura aumenta, diminuen-
do la V
BEON
dei transistor, aumenta la corrente che scorre nei transistor
ma anche quella che scorre nelle resistenze R
E
. Le resistenze allora “con-
tropolarizzano” i BJT: dal momento che scorre su di esse una corrente
più elevata, cade su di loro una tensione che fa aumentare la tensione di
emettitore, abbassando di fatto la differenza tra V
BEON
+ V
E
e la V
γ
del
rispettivo diodo, riducendo la corrente che scorre nel transistor.
• Le resistenze forniscono una prima protezione per quanto riguarda le so-
vracorrenti sui BJT: una corrente eccessiva in uscita fa cadere una tensione
49
T
1
R
1
I
R
T
2
R
2
R
B1
R
B2
T
3
+V
AL
−V
AL
R
L
I
L
v
s
Figura 1.35: Realizzazione pratica dell’amplificatore di classe AB con
moltiplicatore di V
BE
.
elevata sulle resistenze. In questo modo, per il ramo positivo, in caso di
cortocircuito sull’uscita la massima corrente che può scorrere nel transi-
stor T
1
vale I
LMAX
≈ V
AL
/R
E1
. Questa semplice soluzione ha però delle
controindicazioni.
• Il difetto di queste resistenze è che aumentano l’impedenza di uscita dello
stadio di amplificazione. Inoltre la caduta di tensione ai loro capi provoca
un abbassamento della dinamica di uscita. Dal momento che esse sono
comunque così utili non è possibile eliminarle ma andranno dimensionate
in modo da essere compatibili con le altre specifiche del circuito, cioè in
generale molto piccole.
Protezione dai corto-circuiti
Gli stadi di potenza rappresentano normalmente l’uscita di un circuito elettro-
nico. Molte volte i terminali del carico sono collegati dagli utenti del circuito,
inoltre il carico è spesso la parte del sistema con affidabilità più bassa. Lo stadio
di potenza deve avere sufficiente robustezza da sopravvivere ad eventi come un
corto circuito.
In tale situazione al circuito viene richiesta molta corrente mentre la tensione
sul carico è nulla, dunque i transistor si trovano a dissipare molta potenza. Se
non si aggiungono dei dispositivi di protezione, la corrente che scorre è limitata
solo dalla massima corrente erogabile dall’alimentatore, rischiando la rottura
50
T
1
D
1
T
2
D
2
R
B1
R
B2
+V
AL
−V
AL
R
E1
V
E1
R
E2
V
E2
R
L
I
L
v
s
Figura 1.36: Stadio amplificatore di classe AB con resistenze di emettitore.
di uno dei componenti attivi per superamento della massima temperatura di
giunzione. Le resistenze sugli emettitori viste nel paragrafo precedente sono
in grado di limitare la corrente fornita dal circuito, ma, come notato sopra,
difficilmente è possibile dimensionarli in modo da fornire una protezione efficace
ad un carico in corto circuito.
Si utilizza allora una forma di protezione attiva che deve continuare a verifi-
care lo stato di corrente dell’uscita, in modo da poter fornire una sorta di segnale
di “shutdown” all’amplificatore, come mostrato in fig. 1.37. In pratica, si misura
la corrente che scorre negli elementi attivi dello stadio di potenza mediante le
resistenze già viste poste sugli emettitori, R
E1
e R
E2
. Si introduce però una
reazione positiva mediante due transistor aggiuntivi T
5
e T
6
.
Quando la corrente supera il valore massimo prefissato dal progettista, la ca-
duta di tensione su R
E1
o R
E2
raggiunge la V
BEON
del rispettivo transistor T
5
o
T
6
. Se questi transistor entrano in conduzione, tramite il loro collettore riducono
la corrente di base del rispettivo transistor di potenza, limitando il guadagno
dello stadio ed evitando di fatto l’ulteriore aumento di corrente d’uscita.
51
T
1
D
1
T
2
D
2
R
B1
R
B2
T
5
T
6
+V
AL
−V
AL
R
E1
R
E2
R
L
I
L
v
s
Figura 1.37: classe AB con protezione da cortocircuito in uscita
52
1.6 Modelli dell’A.O. reale
Conoscendo la struttura di base dell’amplificatore operazionale e avendo studia-
to le principali topologie di stadi di potenza, è possibile perfezionare lo schema
di un amplificatore operazionale introducendo in uscita uno stadio in classe AB
(fig. 1.38).
T
10
D
1
T
11
D
2
T
9
T
8
T
7
T
6
T
5
T
2
T
1
T
4
T
3
R
M
+V
AL
−V
AL
R
E1
R
E2
OUT
IN

IN
+
Figura 1.38: Schema circuitale di un amplificatore operazionale con amplificatore
di potenza di classe AB.
Questo schema dell’amplificatore operazionale è più completo del precedente
ma non rispecchia ancora totalmente la struttura di un operazionale reale. Sono
infatti stati omessi ad esempio i transistor per la protezione contro i cortocircuiti
in uscita, che abbiamo studiato nel paragrafo precedente. Inoltre gli operazionali
reali sono studiati in modo da ottimizzare le prestazioni del circuito a scapito
della complessità. In ogni caso, lo schema riportato permette di comprendere i
limiti operativi degli A.O. per quanto riguarda dinamica di ingresso e uscita,
53
banda passante, slew-rate e di spiegare l’esistenza di correnti e tensioni parassite
d’ingresso.
1.6.1 Offset di tensione e corrente
Il modello ideale dell’amplificatore operazionale è valido in prima approssima-
zione per la fase iniziale di progetto o di analisi di una vasta gamma di circuiti,
tuttavia in molti casi è necessario, nelle successive fasi di progetto, tenere conto
degli scostamenti del funzionamento del componente reale da quello ideale. Tali
scostamenti sono dovuti alla struttura interna del circuito e alle tolleranze degli
elementi attivi e passivi.
Correnti di ingresso
In un amplificatore operazionale ideale le correnti entranti nei morsetti di in-
gresso sono nulle per definizione.
Dallo schema interno dell’A.O. reale in tecnologia bipolare di fig. 1.38, si nota
che i terminali di ingresso sono collegati alle basi di due BJT disposti in modo
da formare uno stadio differenziale, le cui correnti non possono sicuramente
essere nulle: se fossero nulle, infatti, i transistori non sarebbero polarizzati e
l’amplificatore non potrebbe funzionare in linearità.
Le correnti I
+
e I

possono essere stimate facilmente, I
+
= I
2
/(β
2
+ 1) e
I

= I
1
/(β
1
+ 1). Poiché la corrente I
0
di uscita dallo specchio costituito da
T
3
e T
4
è generalmente bassa, dell’ordine di decine di microampere, si tratta di
correnti effettivamente molto basse, ma comunque mai nulle. Ne consegue che
in ogni circuito utilizzante un amplificatore operazionale dev’essere presente un
percorso per la corrente continua tra ciascun ingresso ed un punto collegato al
potenziale di riferimento del sistema. Non è possibile collegare ad un ingresso del-
l’operazionale solo un condensatore in serie, perché provocherebbe l’interdizione
del corrispondente transistor.
Dall’espressione di I
+
e I

si capisce subito come di fatto sia difficile che
queste correnti siano uguali tra loro, in quanto, anche se l’amplificatore viene
normalmente usato con tensione differenziale d’ingresso molto piccola, tale per
cui le due correnti I
1
e I
2
siano circa pari a I
0
/2, ben difficilmente β
1
= β
2
.
Per tenere conto delle correnti di polarizzazione in ingresso durante lo studio
di circuiti con operazionali, è possibile introdurre nel modello una coppia di ge-
neratori di corrente in corrispondenza dei due terminali di ingresso IN
+
e IN

.
Inoltre è comodo rappresentare tali correnti scomponendole in due contributi
come è stato fatto per le tensioni v
+
e v

: si definiscono le correnti di bias e
offset, rispettivamente modo comune e differenziale delle due correnti.
I
bias
:=
I
+
+I

2
I
offset
:= |I
+
−I

|
=⇒ I
+
= I
bias
+
I
offset
2
I

= I
bias

I
offset
2
Nei paragrafi successivi verrà spiegato come ridurre l’influenza di queste cor-
renti all’interno dei circuiti. Infatti è preferibile che il loro contributo sull’uscita
sia minore possibile, o perlomeno sia trascurabile rispetto agli ingressi principa-
li del circuito. La corrente di bias è la corrente media che scorre negli ingressi,
54
mentre quella di offset dipende dagli sbilanciamenti introdotti ad esempio dal
diverso β dei transistor e da analoghi fattori che dipendono da come è realizzato
lo stadio di ingresso dell’operazionale. In generale la corrente di bias è più alta
di quella di offset ed è più facile annullarne gli effetti.
Tensione di ingresso
Un altro importante parametro che quantifica lo scostamento dal comportamen-
to ideale è legato all’altra equazione costitutiva dell’a.o. ideale: v
d
= v
+
−v

= 0.
Infatti, sempre a causa delle asimmetrie nella struttura interna, è necessario for-
nire una piccola differenza di potenziale tra i morsetti invertente e non invertente
per azzerare la tensione d’uscita.
Questa differenza di potenziale prende il nome di tensione di offset V
off
.
Normalmente V
off
è pari a pochi mV.
1.6.2 Dinamica di ingresso di modo comune
Nel paragrafo 1.3.1 abbiamo osservato come il parametro di dinamica di tensione
più importante per l’ingresso di un operazionale sia costituito dalla dinamica di
modo comune e non da quella di modo differenziale. Abbiamo anche giustificato
l’introduzione del carico attivo sullo stadio differenziale proprio in quanto l’uso
di semplici resistenze limita la dinamica di modo comune del circuito. Cerchiamo
allora di stabilire quale sia la dinamica di ingresso di modo comune del modello
di amplificatore operazionale introdotto in fig. 1.38.
La dinamica di ingresso di modo comune è determinabile introducendo la
stessa tensione V
C
sui due ingressi e ragionando sulle condizioni di permanenza
dei transistori in condizioni di funzionamento lineare. I limiti della dinamica
sono quei valori di V
C
che portano in saturazione o interdizione i BJT (V
C,max
e V
C,min
).
Facendo riferimento alla figura 1.38, è necessario che le giunzioni B-C di T
1
e
T
2
siano polarizzate inversamente. Per semplicità si considera come caso limite
V
B
= V
C
.
La tensione al collettore di T
1
è fissata da T
5
del lato forte dello specchio
di corrente/carico attivo (T
5
e T
6
), mentre quella al collettore di T
2
è uguale a
quella presente alla base della coppia Darlington (T
7
e T
8
).
V
C1
= V
AL
−V
EB5
V
C2
= V
AL
−V
EB7
−V
EB8
Poiché la caduta tra base ed emettitore dei transistor NPN e dei PNP può
essere considerata uguale in modulo all’interno di un circuito integrato, chiame-
remo V
BE
tale numero (pari alla V
EB
dei PNP). Tenendo conto del fatto che
entrambe le tensioni di base (uguali al modo comune V
C
) devono essere minori
di quelle di collettore appena determinate, si ricava la massima tensione di modo
comune dalla più stringente delle due disequazioni. La più bassa delle tensioni
di collettore è V
C2
.

V
C1
> V
B1
= V
C
V
C2
> V
B2
= V
C
=⇒ V
Cmax
= V
AL
−2V
BE
L’altro limite della dinamica viene raggiunto quando la tensione della base
di T
2
scende tanto da portare fuori dalla linearità il transistore T
4
. Dato che
55
Figura 1.39: Andamento della dinamica di uscita in V
pp
in funzione del carico
espresso in kΩ per l’a.o. TL082 alimentato con tensioni simmetriche V
AL
=
±15 V.
la tensione V
BE2
è approssimativamente costante, si può determinare anche in
questo caso quando il collettore di T
4
raggiunge la tensione della sua base, che
è legata alla tensione negativa di alimentazione.

V
C4
> V
B4
= −V
AL
+V
BE4
V
C4
= V
E2
= V
B2
−V
BE2
=⇒ V
B2
> −V
AL
+V
BE4
+V
BE2
=⇒ V
Cmin
= −V
AL
+V
BE4
+V
BE2
= −V
AL
+ 2V
BE
Nel nostro circuito i due limiti di dinamica di ingresso di modo comune sono
simmetrici e pari circa alla tensione di alimentazione meno un volt e mezzo.
Esistono molte varianti allo schema da noi studiato, che portano a dinamiche
di ingresso diverse. Gli amplificatori costruiti per alimentazione singola hanno
in genere limite inferiore di dinamica di modo comune pari a 0 V. Esistono poi
amplificatori in cui la dinamica di ingresso di modo comune coincide, a meno di
pochi millivolt, con la tensione di alimentazione. Questa configurazione è detta
rail-to-rail input.
1.6.3 Dinamica di uscita
La dinamica di uscita è l’intervallo di tensioni che possono essere raggiunte dal
terminale di uscita del sistema. Anche in questo caso saranno presenti delle ca-
dute sulle giunzioni e le resistenze interne e quindi non sarà possibile raggiungere
le tensioni di alimentazione a meno di alcuni volt.
Si tenga presente che la dinamica di uscita è anche influenzata dal carico
collegato: se esso è caratterizzato da bassa resistenza sarà difficile che l’ampli-
ficatore possa fornire tutta la corrente necessaria a raggiungere tensioni elevate
(fig.1.39).
Per esempio vengono riportati i parametri dal datasheet dell’a.o. TL082
alimentato con ±15 V, R
L
= 10 kΩ.
56
Output Voltage Swing min = ±12 V typ = ±13, 5 V
Alcuni amplificatori operazioni realizzati con delle tecniche diverse sono
in grado di fornire una tensione di uscita che può raggiungere la tensione di
alimentazione (amplificatori rail-to-rail output).
1.6.4 Impedenze di ingresso
In un modello completo di amplificatore operazionale bisogna tenere conto del
fatto che le impedenze di ingresso non siano infinite, bensì abbiano un valore
finito, per quanto elevato. Poiché i segnali di ingresso dell’operazionale vengono
normalmente scomposti in modo comune e modo differenziale, occorre trattare
allo stesso modo anche la resistenza di ingresso. Occorre dunque considerare
una resistenza di ingresso legata al segnale differenziale v
d
, resistenza di modo
differenziale, ed una di modo comune che appare applicando ai due ingressi un
segnale V
C
di modo comune.
Resistenza di modo differenziale Dato un segnale di ingresso di modo
differenziale, v
d
, si può calcolare la resistenza di ingresso di modo differenziale,
definendola come il rapporto tra v
d
e la corrente entrante nell’amplificatore
causata dal modo differenziale i
d
.
r
id
=
v
d
i
d
Dal momento che si introduce un segnale di modo differenziale v
d
, possiamo
attribuire metà del segnale ad un transistore, metà all’altro; per ogni morsetto,
dunque, si avrà un segnale pari a v
d
/2; dal momento che ciascuna metà del
segnale di modo differenziale vede, entrando, un’impedenza pari a quella di
ingresso nella base di un transistore bipolare polarizzato direttamente (e quindi
in regione RAD, lineare), si avrà che:
i
d
=
v
d
2
·
1
r
π
r
id
=
v
d
i
d
= 2r
π
Resistenze di modo comune Per ottenere un risultato significativo relati-
vamente alla resistenza di ingresso di modo comune, occorre tenere conto della
resistenza di uscita dello specchio di corrente, r
o
.
Per valutare la resistenza di modo comune procediamo applicando un gene-
ratore di prova V
C
ad entrambi gli ingressi dello stadio. Il calcolo risulta sem-
plificato se, sfruttando la simmetria del circuito, lo si scompone in due porzioni
relative a un singolo transistore, come in fig. 1.40.
La resistenza di ingresso vista dal singolo stadio è allora riconducibile alla
seguente espressione:
r
ic1
=
v
c
i
c1
= r
π
+ 2r
o
(1 +β) ∼ 2r
o
(1 +β)
57
T
2
I
2
T
1
I
1
I
0
r
o
(a)
V
C
T
2
I
2
T
1
I
1
I0
2
2r
o
I0
2
2r
o
V
C
V
C
(b)
Figura 1.40: Calcolo della resistenza di modo comune (a) Circuito iniziale (b)
Circuito equivalente
58
Dato che i due stadi sono in parallelo, la resistenza complessiva è pari alla
metà.
r
ic
= r
o
(1 +β)
La resistenza di ingresso di modo comune risulta molto più elevata di quella
di modo differenziale. In molti casi è possibile trascurarla.
1.6.5 Guadagno differenziale
r
d
v
d
r
i2
v
2
g
m1
v
d
r
i3
v
3
g
m2
v
2
v
3
r
o
V
u
Differenziale Darlington Potenza
Figura 1.41: Modello per calcolo guadagno in continua
Per terminare lo studio in continua dell’amplificatore operazionale, si de-
termina il guadagno complessivo del circuito, usando un modello semplificato
(fig.1.41).
A
d
=
V
u
v
d
Il primo stadio è la coppia differenziale, modellizzabile dal punto di vista
del modo differenziale come un amplificatore caratterizzato da un guadagno in
tensione elevato.
v
2
= −r
i2
· g
m1
· v
d
Il secondo stadio è la coppia Darlington: anch’essa si comporta come am-
plificatore di tensione di guadagno elevato. Questo stadio è di tipo invertente
(questa considerazione sarà utile per la stabilizzazione in frequenza).
v
3
= −r
i3
· g
m2
· v
2
Lo stadio finale di potenza non aumenta ulteriormente il guadagno in ten-
sione: il suo compito è quello di amplificare la corrente o, equivalentemente, di
abbassare l’impedenza d’uscita.
V
u
= r
i2
· r
i3
· g
m1
· g
m2
· v
d
Questo modello può tornare utile per avere una stima del guadagno com-
plessivo del circuito.
59
M
3
M
4
I
R
−V
AL
V
AL
M
1 M
2
M
5
M
6
M
8
M
7
IN
+
IN

OUT
Figura 1.42: Amplificatore operazionale CMOS.
1.6.6 Amplificatore operazionale CMOS
Avendo visto come sia possibile realizzare lo specchio di corrente e lo stadio
differenziale usando transistori MOS, risulta evidente come si possano proget-
tare amplificatori operazionali in tecnologia CMOS. Le caratteristiche di tali
amplificatori sono, in genere: consumo di corrente ridotto, basse correnti di
polarizzazione di ingresso ma maggiori offset di tensione.
Un possibile circuito che realizza un amplificatore operazionale CMOS è
riportato in fig. 1.42
Come si vede, la struttura ha parecchie similitudini con quella dell’operazio-
nale a BJT, alcune solo apparenti. M
1
e M
2
formano uno stadio differenziale,
polarizzato dallo specchio di corrente costituito da M
3
e M
4
. M
5
e M
6
sono il
carico attivo del differenziale. Il transistor M
8
realizza uno stadio di uscita in
classe A polarizzato da M
7
.
Si noti che, diversamente dal circuito a BJT, in questo caso la corrente nel
drain di M
6
e nel drain di M
2
devono essere uguali in quanto il gate di M
8
non assorbe corrente. Per tensioni v
d
negative, la corrente che vorrebbe imporre
M
6
è più alta di quella che può scorrere in M
2
, quindi la corrente effettiva è
quella imposta da M
2
, mentre M
6
viene portato in zona resistiva. La tensione
sul gate di M
8
è prossima a V
AL
ed il transistore è interdetto, portando l’uscita
a un livello prossimo a −V
AL
. Al contrario, per v
d
positive è M
2
ad uscire
dalla zona di saturazione di canale. In questo caso la corrente I
0
si ripartisce in
parti uguali sui due rami per effetto del carico attivo che forza le due correnti
ad essere identiche. M
8
ed M
9
sono dimensionati in modo da portare l’uscita
all’incirca a V
AL
in questo caso. Solo in un piccolissimo intorno di v
d
= 0 il
sistema si comporta in modo quasi lineare, sfruttando le resistenze di uscita di
M
2
e M
6
e producendo in pratica un guadagno di tensione molto elevato. Tale
guadagno è ancora aumentato da M
8
, che si trova in configurazione a source
comune. Normalmente un operazionale CMOS ha solo due stadi, in quanto M
8
può essere progettato in modo da erogare sufficiente corrente in uscita. Bisogna
60
notare che l’uscita di drain può creare qualche problema di stabilità al circuito
quando utilizzato con carichi reattivi. Di questo si parlerà più avanti nel corso.
In realtà, dato che i MOS di potenza a canale N hanno prestazioni decisamen-
te migliori dei PMOS, in genere non si usa la configurazione appena descritta
ma la sua complementare, in cui M
8
è un NMOS, il differenziale e lo specchio
di corrente sono PMOS, il carico attivo è NMOS. Si è scelto di illustrare questa
configurazione per mettere in risalto le somiglianze con la configurazione a BJT
studiata sopra.
1.7 Dimensionamento di un amplificatore
Dopo avere studiato le caratteristiche degli amplificatori operazionali reali, sia-
mo in grado di dimensionare correttamente i componenti in un circuito ba-
sato su amplificatori operazionali. Riprendiamo il progetto dell’amplificatore
non invertente, tenendo conto delle non idealità dell’amplificatore operazionale
usato.
1.7.1 specifiche
Utilizziamo le seguenti specifiche di progetto:
• Guadagno in tensione: A
V
= 10;
• Amplificatore operazionale LM741;
• Dinamica di tensione di uscita V
u
= ±10 V;
• Resistenza di carico R
L
> 4 kΩ;
• Tensione di alimentazione V
AL
= ±15 V.
1.7.2 Progetto
Nel progettare un circuito bisogna sempre per prima cosa verificare la congruen-
za delle specifiche. Nel seguito si farà riferimento al datasheet del componente
LM741 della National Semiconductor, disponibile in rete all’indirizzo:
http://www.national.com/ds/LM/LM741.pdf
Maximum ratings
La prima cosa da fare è controllare se le specifiche possono essere soddisfatte
dall’a.o. che è stato scelto. Quindi si controllano le caratteristiche della sezione
maximum ratings, ossia le grandezze limite considerate “sicure” per l’operatività
del componente. In questo caso la massima tensione di alimentazione simmetrica
per la versione commerciale del dispositivo (LM741C, Operating Temperature
Range 0

C to 70

C) è pari a V
AL
= ±18 V e quindi compatibile con le specifiche.
Gli altri parametri presenti nella sezione devono essere controllati attentamente
in un progetto reale, ma in questo caso non vi è nulla di significativo.
61
Caratteristiche elettriche
Occorre poi valutare se l’amplificatore è in grado di pilotare il carico e di fornire
su di esso la dinamica di tensione richiesta. Ci spostiamo quindi nella sezione
delle caratteristiche elettriche del datasheet (pagina 3 del documento) e troviamo
alcuni parametri utili.
Il parametro Output Voltage Swing è indicativo della dinamica per ampi
segnali. Si noti che la massima tensione raggiungibile è minore al diminuire
della resistenza del carico, quindi occorre controllare la compatibilità con la R
L
prsente nelle specifiche. Per garantire il funzionamento del dispositivo in ogni
condizione, si prendono in considerazione le grandezze caratteristiche del caso
peggiore.
Nel datasheet leggiamo:
• Se R
L
≥ 10 kΩ, V
min
= ±12 V, V
typ
= ±14 V
• Se R
L
≥ 2 kΩ, V
min
= ±10 V, V
typ
= ±13 V
Nei due casi elencati di R
L
= 2 kΩ e R
L
= 10 kΩ si può determinare la
corrente massima erogabile dall’operazionale nelle rispettive condizioni di carico.
Questa corrente è un importante parametro da tenere presente nelle successive
fasi di progetto.
R
L
= 2 kΩ =⇒ V
MAX
= 10 V =⇒ I
MAX
=
V
MAX
R
L
= 5 mA
R
L
= 10 kΩ =⇒ V
MAX
= 12 V =⇒ I
MAX
=
V
MAX
R
L
= 1.2 mA
Si nota poi che la corrente di cortocircuito vale 25 mA. Il valore di resisten-
za di carico che ci interessa è intermedia tra le due elencate e la dinamica di
uscita da specifiche è raggiungibile con una R
L
più bassa di quanto previsto nel
progetto. Dunque anche questo dato è compatibile con la nostra applicazione.

+
R
3
V
i
R
1
R
2
I
f
I
u
R
L
V
u
I
L
Figura 1.43: Schema dell’amplificatore non invertente.
62
Schema elettrico
Lo schema del circuito è riportato nella figura 1.43. Rispetto allo schema di base
con due sole resistenze, è stata aggiunta R
3
per motivi che saranno chiariti in
seguito. Nella figura è stata esplicitata la resistenza R
L
, che normalmente non si
disegna perché si suppone faccia parte di un altro circuito da collegare all’uscita
dell’operazionale. Anche se non fosse disegnata occorrerebbe comunque tenere
conto della corrente che l’amplificatore deve poter fornire ad essa.
Il rapporto tra le resistenze R
2
e R
1
è dato dalla funzione di trasferimento
del circuito ideale dell’amplificatore non invertente: l’amplificazione deve essere
A
V
= 10 come richiesto dalle specifiche.
V
u
V
i
=

1 +
R
2
R
1

= 10 V/V =⇒ R
2
= 9R
1
Si osservi che l’informazione che è stata ricavata dal circuito ideale è re-
lativa: rappresenta il rapporto tra le resistenze da impiegare ma non fornisce
un’indicazione sul loro effettivo valore assoluto. Non fornisce inoltre indicazioni
sul valore di R
3
, la cui presenza è inifluente sul funzionamento del circuito nel
caso di operazionale ideale. Per ottimizzare i valori assoluti dei parametri di pro-
getto (R
1
, R
2
e R
3
) sono necessarie delle considerazioni aggiuntive sull’uscita,
la retroazione e le non idealità.
Correnti di retroazione e carico
La corrente erogata dall’amplificatore operazionale I
u
si divide in due nel nodo
di uscita sul quale sono collegati la resistenza R
2
della retroazione e il carico.
La corrente di retroazione è I
f
mentre quella che circola nel carico I
L
; si pos-
sono confrontare le due intensità di corrente ricavando le cadute di tensione sui
resistori.
I
u
= I
f
+I
L
I
f
=
V
u
R
1
+R
2
=
V
u
R
2
· 10/9
Per dimensionare la corrente di retroazione è necessario considerare che es-
sa non deve troppo elevata per non sottrarre corrente al carico, ma non deve
neanche essere troppo bassa, per motivi che verranno chiariti meglio nel seguito.
Una possibile soluzione quantitativa consiste nel porre un’ordine di grandezza
di differenza tra la massima I
L
prevista e I
f
. Abbiamo visto che la massima
corrente per garantire la specifica sulla dinamica di tensione di uscita di 10 V è
pari a 5 mA. Allora:
I
f
≪5 mA =⇒ R
2
·
10
9
≃ R
2

10 V
5 ×10
−3
A
= 2 kΩ
R
2
≥ 20 kΩ
Questa disequazione impone un minimo all’insieme dei possibili valori di R
2
(lower bound): se si scendesse al di sotto di tale valore si sottrarrebbe corrente
al carico e si limiterebbe la dinamica d’uscita.
63
Effetto delle non idealità
Per trovare il massimo valore possibile per R
2
occorre valutare l’influenza delle
non idealità dell’amplificatore sul funzionamento del circuito.
In particolare ci concentreremo sull’effetto della tensione di offset e delle
correnti di polarizzazione e di offset. Il nostro circuito può essere ridisegnato
come in fig. 1.44 per esplicitare il contributo di tali parametri.
R
3
V
i
R
1
R
2
r
id
v
d
V
off
I
b
−I
off
/2
I
b
+I
off
/2
A
d
v
d
r
o
+

V
u
Figura 1.44: Modello circuitale dell’amplificatore operazionale reale.
I generatori di offset agiscono indipendentemente tra loro e dal segnale di
ingresso. Per determinare l’effetto di questi generatori sull’uscita è consigliabile
annullare v
i
e analizzare la rete mediante la sovrapposizione degli effetti. In
pratica si considera l’effetto di un paramtero per volta, considerando per il resto
l’operazionale come fosse ideale: A
d
→∞, per cui v
d
→0 e corrente in r
id
nulla.
Tensione di offset Si nota facilmente che, essendo la corrente in r
id
nulla,
V
off
ha sul circuito lo stesso effetto di un generatore posto sull’ingresso non
64
invertente. Lo si può ridisegnare in questa posizione (fig. 1.45). Risulta quindi
evidente come il contributo della tensione di offset abbia la stessa espressione
ottenuta per l’ingresso principale v
i
.
R
3
V
off
R
1
R
2
r
id
v
d
A
d
v
d
r
o
+

V
u
V
off
Figura 1.45: Spostamento della tensione di offset all’esterno del modello
dell’amplificatore operazionale.
V
u
|
V
off
= V
off
·

1 +
R
2
R
1

La conseguenza molto importante è che il contributo sull’uscita della tensione
di offset non dipende dal valore assoluto di R
2
, ma esclusivamente dall’amplifi-
cazione del circuito. Per ridurre l’effetto di V
off
sull’uscita si dovrebbe ridurre
il guadagno (che è definito dalle specifiche e quindi non si può modificare).
Correnti di offset La corrente di offset relativa al terminale invertente (fig.
1.46) non può circolare attraverso R
1
. Infatti, non scorrendo corrente in R
3
,
l’ingresso non invertente dell’operazionale si trova a 0 V. Non scorrendo corrente
in r
id
anche l’ingresso invertente assume la stessa tensione. Dunque non vi è
caduta di potenziale ai capi di R
1
e quindi in essa non può scorrere corrente.
Tutta la corrente scorre allora in R
2
:
V
u
|
I−
= R
2

I
b
+
I
off
2

Per quanto riguarda l’ultima delle correnti di offset, nonché l’ultimo dei
contributi di offset del circuito, si fa riferimento al circuito di fig. 1.47.
65
R
3
R
1
R
2
r
id
v
d
A
d
v
d
r
o
+

V
u
I
b
+I
off
/2
0 V
0 V
Figura 1.46: Contributo corrente di offset su ingresso invertente
Si possono fare delle considerazioni analoghe alle precedenti. La corrente di
offset relativa al terminale non invertente passa tutta dentro il resistore R
3
in
quanto r
id
non permette il passaggio di corrente. Dal momento che la corrente
sul resistore R
3
provoca una caduta di tensione su di esso, il morsetto non
invertente dell’operazionale sarà a tensione diversa da 0 V e il calcolo dell’uscita
sarà ancora una volta riconducibile al calcolo del guadagno di un amplificatore
non invertente:
V
u
|
I+
= −R
3

I
b

I
off
2

1 +
R
2
R
1

Sovrapposizione degli effetti A questo punto è sufficiente sovrapporre i
tre contributi calcolati nei paragrafi precedenti per determinare lo scostamento
totale della tensione di uscita da quella ideale.
V
u
|
offset
= V
off
· A
V
+R
2

I
b
+
I
off
2

−R
3

I
b

I
off
2

1 +
R
2
R
1

A questo punto diventa importante la presenza della resistenza R
3
la cui
introduzione sembrerebbe ingiustificata se si facesse affidamento sul semplice
modello ideale, secondo il quale non sarebbe attraversata da alcuna corrente.
Il parametro di progetto R
3
è un ulteriore grado di libertà a disposizione
del progettista che può essere sfruttato per diminuire l’effetto delle correnti di
offset. Infatti è possibile fare in modo che i contributi di I
b
si annullino a vicenda
66
R
3
R
1
R
2
r
id
v
d
A
d
v
d
r
o
+

V
u
I
b
−I
off
/2
−(I
b
−I
off
/2)R
3
Figura 1.47: Contributo della corrente di offset su ingresso non invertente
dal momento che hanno segni opposti, imponendo che siano uguali le resistenze
viste dai soli generatori di corrente sui terminali dell’operazionale.
Raccogliendo i termini in I
b
e in I
off
si ha infatti:
V
u
|
offset
= V
off
· A
V
+I
b
¸
R
2
−R
3

1 +
R
2
R
1

+
I
off
2
¸
R
2
+R
3

1 +
R
2
R
1

Imponendo
R
3

1 +
R
2
R
1

= R
2
−→R
3
=
R
1
R
2
R
1
+R
2
= R
1
//R
2
Se si sceglie questo valore di R
3
, l’espressione dell’offset diventa:
V
u
|
offset
= V
off
· A
V
+I
off
R
2
Dopo avere eliminato l’effetto di I
b
sull’uscita, non si può fare altro che sele-
zionare il valore di R
2
in modo che il contributo della I
off
sia almeno trascurabile
rispetto a quello della V
off
, che non è riducibile.
V
off
· A
V
≫R
2
· I
off
=⇒ R
2

V
off
· A
V
I
off
Nel caso in esame, estraiamo dal datasheet del componente LM741 i para-
metri di offset di worst case e calcoliamo il valore limite di R
2
:
R
2
≪10 ·
6 · 10
−3
2 · 10
−7
= 0, 3 MΩ
67
R
2
≤ 30 kΩ
Una volta determinati i valori massimi e minimi di R
2
è possibile sceglierne
il valore e di conseguenza fissare quelli degli altri componenti. Nel nostro caso,
utilizzando resistenze della serie normalizzata E12, possiamo stabilire R
2
=
27 kΩ. Per avere guadagno pari a 10 dovremmo selezionare R
1
= 3 kΩ, che però
è un valore normalizzato solo nella serie E24. I valori normalizzati più vicini
sono 2.7 kΩ e 3.3 kΩ, che portano il guadagno a essere circa il 10% più alto o
più basso del voluto. Per R
3
potremo optare per R
3
= 2.2 kΩ.
La tecnica qui illustrata può essere utilizzata per il progetto di buona parte
dei circuiti con amplificatori operazionali. Si noti che partendo dalla configura-
zione invertente i risultati che si ottengono sono identici, in quanto i generatori
di offset agiscono indipendentemente dall’ingresso.
1.8 Risposta in frequenza
Finora è stato studiato il comportamento in continua dell’amplificatore opera-
zionale, trascurandone la risposta in frequenza.
Abbiamo visto che l’amplificatore, nella sua versione a BJT, è costituito da
tre stadi di amplificazione, che possono ridursi a due in tecnologia CMOS. Il
sistema viene usato in applicazioni lineari solo inserendo una rete di reazione,
come abbiamo già visto. Poiché ogni stadio di amplificazione introduce almeno
un polo, se utilizziamo l’approssimazione più semplice, detta appunto a polo
dominante, la stabilità dell’amplificatore non è garantita a priori, anzi occorre
studiare la stabilità del sistema in funzione della rete di reazione adottata.
Si suppone che dai corsi precedenti siano già noti il concetto di reazione e le
tecniche per studiare la stabilità dei sistemi reazionati, per cui qui analizzeremo
solo il caso specifico richiamando i fondamenti quando necessario.
Sappiamo che un sistema reazionato è stabile, cioè si comporta da ampli-
ficatore, quando la reazione è negativa, cioè quando il segnale di uscita viene
riportato in ingresso con uno sfasamento di 180

. Questo è facile da ottenere
a basse frequenze, mentre a frequenze più alte la rotazione di fase aggiuntiva
introdotta dai poli dell’amplificatore può portare il sistema verso la reazione
positiva, cioè verso l’instabilità.
1.8.1 Funzione di trasferimento
Ricordiamo ancora, sebbene si spera che non ce ne sia bisogno, che ogni polo
nel semipiano di sinistra della funzione di trasferimento del sistema introduce
una rotazione di −90

sulla fase della f.d.t. medesima. Tale rotazione comincia
a manifestarsi gradualmente a partire da una decade prima della pulsazione ω
p
del polo, completando la rotazione una decade dopo. In corrispondenza della
pulsazione ω
p
la rotazione della fase della f.d.t. vale −45

. Le variazioni di fase
dovute a più poli vicini tra di loro si sommano.
Dato che l’amplificatore operazionale è composto da tre stadi (differenziale,
Darlington e amplificatore di potenza), il sistema è caratterizzato da tre poli.
Normalmente i primi due sono sufficientemente distanti tra di loro (ben più di
una decade, di solito). Ciascuno dei tre stadi presenta una determinata frequenza
68
di cut-off. Il primo dei poli naturali dell’amplificatore operazionale deriva dal-
l’uscita dello stadio differenziale caricata dall’ingresso del Darlington: l’effetto
Miller amplifica la capacità presente tra base e collettore del Darlington a causa
dell’elevato guadagno di tensione presente tra quei due terminali dei transistor.
Inoltre l’elevata impedenza vista dalla capacità aumenta il valore della costante
di tempo, diminuendo la frequenza di taglio dello stadio.
|A| ∠A
ω
ω
p1
ω
p2
ω
p3
−20 dB/dec
−40 dB/dec
0

−90

−180

Figura 1.48: Diagramma di Bode della caratteristica di un amplificatore
operazionale.
Il diagramma di Bode di un generico amplificatore operazionale è riportato
nella figura 1.48. Se si retroaziona il sistema con una rete resistiva, come nel caso
dell’amplificatore non invertente richiamato poco sopra, fig. 1.43, per la continua
la rotazione di fase tra segnale di ingresso e segnale retroazionato è per l’appunto
180

. Tuttavia all’aumentare della frequenza, a causa dei poli dell’amplificatore,
diminuisce la differenza di fase tra ingresso e feedback: in corrispondenza della
pulsazione del primo polo ω
p1
si avranno 180

−45

= 135

. Una decade dopo
la pulsazione del primo polo si avranno 180

− 90

= 90

. I segnali di ingresso
e retroazione sono in quadratura.
In prossimità del secondo polo di pulsazione ω
p2
si avranno 180

−135

= 45

di sfasamento, e una decade più in alto ancora 180

−180

= 0

. Dire che tra il
feedback e il segnale di ingresso c’è uno sfasamento di 0

è come dire che entrambi
i segnali abbiano la stessa fase, e dunque si sommino: la reazione per queste
frequenze non è più negativa, in quanto i poli dell’amplificatore operazionale
69
hanno indotto una rotazione di fase tale da sommare i segnali di ingresso e
feedback (retroazione positiva).
Il fatto che la reazione al di sopra di una certa frequenza diventi positiva
porta alla creazione di un anello che amplifica sempre più l’ingresso sommandoci
il segnale di retroazione: in questo modo si raggiunge sicuramente la condizione
di funzionamento non lineare e il sistema oscilla.
1.8.2 Guadagno d’anello
Dal momento che non è possibile cancellare i poli del sistema, la soluzione del
problema consiste nel fare in modo che il sistema non amplifichi i segnali a
frequenze troppo alte, a rischio di generare retroazione positiva. Utilizziamo
nuovamente le notazioni già introdotte all’inizio del capitolo per studiare le im-
pedenze di ingresso e uscita e gli effetti di A
d
(si veda la figura 1.2, sezione 1.1.1
e seguenti). Il segnale di retroazione è pari al prodotto tra il segnale di ingresso
e quello presente all’uscita dell’amplificatore a sua volta attenuato dalla rete
di retroazione. Chiamando A l’amplificazione del sistema e β l’attenuazione in-
trodotta dalla rete di reazione, la porzione di segnale riportata in ingresso dal
sistema è amplificata di un fattore Aβ = T, chiamato guadagno di anello. Perciò
lo sfasamento tra segnale di ingresso e di retroazione è pari a 180

più la fase
del guadagno di anello.
Il margine di fase è definito come la differenza di fase tra 180

(cioè rea-
zione positiva) e la fase del guadagno d’anello alla pulsazione ω
T
alla quale il
valore assoluto del guadagno di anello è unitario |Aβ| = 1. Più alto è il margine
di fase più il sistema è stabile. Se il margine di fase è ridotto, inferiore a 45

, le
frequenze intorno ad ω
T
sono esaltate rispetto a quanto previsto dalla funzione
di trasferimento del sistema ideale (fenomeni di ringing e overshoot).
Il margine di guadagno è definito come il valore assoluto del guadagno di
anello in dB corrispondente alla pulsazione con ∠Aβ(ω
180
) = 180

. È sostan-
zialmente l’attenuazione del segnale di retroazione positiva perché in un sistema
stabile il valore assoluto di Aβ(ω
180
) deve essere minore di uno. Infatti se il
segnale di retroazione viene attenuato non può dare inizio a quel processo di
deriva che porta fuori linearità il sistema ad altre frequenze.
Per ottenere un margine di fase di 45

occorre che il guadagno d’anello sia
pari a 0 dB in corrispondenza della frequenza del secondo polo.
Un modo di ottenere questo risultato consiste nell’abbassare il guadagno di
anello. Il problema è che diminuendo il guadagno di anello si diminuirebbero
anche i benefici della retroazione, fondamentali per utilizzare in modo corretto
l’amplificatore operazionale.
Operativamente è necessario introdurre elementi reattivi di valore opportuno
in punti specifici del circuito, seguendo due tecniche principali:
• portare a frequenze più basse la posizione del primo polo (polo dominante)
dell’operazionale;
• introdurre un ulteriore polo nel sistema, tale da essere a frequenza molto
bassa e divenire dunque il nuovo polo dominante. Questo metodo riduce
drasticamente la banda passante del sistema ed è quindi utilizzato solo
quando non sia possibile modificare la posizione del polo dell’operazionale.
70
|Aβ|
ω
Margine di guadagno
ω
p1
ω
180
ω
T
0 dB
∠Aβ
ω
Margine di fase
0

−90

−180

Figura 1.49: Definizioni dei margini di fase e guadagno.
Una comparazione tra le due tecniche è riportata nell’esempio di fig. 1.50 in
cui la griglia ha spaziatura di una decade in frequenza e di 20dB in ampiezza.
Risulta evidente come lo spostamento del primo polo sia la soluzione preferibile.
Compensazione a polo dominante
Il metodo di compensazione a polo dominante, che spesso produce il fenomeno
del pole splitting di cui parleremo più avanti, consiste nel mettere in parallelo una
capacità alla capacità già presente sull’uscita del primo stadio di amplificazione
(responsabile del primo dei poli naturali del sistema), in modo da modificare
la capacità totale, incrementando la costante di tempo e dunque abbassando la
frequenza del primo polo.
Facendo riferimento al modello semplificato dell’amplificatore operazionale
(fig. 1.51), derivato da quello già visto in fig. 1.41, la capacità da modificare
71
|A|
ω
0 dB
ω
p1
ω
p2
ω
p3
−20 dB/dec
−40 dB/dec
−60 dB/dec
ω
A
ω
B
Figura 1.50: Comparazione tra compensazione con aggiunta di un polo a bassa
frequenza ω
A
e mediante abbassamento della frequenza del primo polo ω
B
.
è C
1
. Ci sono diversi modi di procedere. Una possibilità consiste nel rendere
disponibile all’esterno dell’operazionale la base del Darlington e lasciare al pro-
gettista il compito di inserire tra base e riferimento un condensatore di valore
opportuno in funzione della rete di reazione scelta per il circuito. Questa scelta
si effettua raramente, in quanto comporta l’inserimento di un componente in
più sul circuito stampato, ma permette di massimizzare banda e slew-rate del
circuito.
La soluzione che si adotta normalmente consiste nell’integrare il conden-
satore di compensazione. A questo proposito però occorre fare delle scelte re-
lativamente al valore di capacità da integrare. Come abbiamo visto sopra, la
grandezza da rendere stabile mediante lo spostamento del polo è il guadagno
d’anello Aβ, che però dipende da come è costruita la rete di retroazione.
Si può osservare che, almeno nell’utilizzo del circuito come amplificatore,
la rete di reazione consiste in un partitore resistivo, cioè si ha β < 1 e in più
β è costante e non dipende dalla frequenza. In questo caso il diagramma di
Bode del prodotto Aβ non è altro che il diagramma di A traslato in verticale
verso il basso di una quantità pari al modulo di β. Per studiare la stabilità
di Aβ basta riportare sul grafico di A una linea orizzontale alla quota 1/β
e interpretare tale linea come asse a 0 dB per la funzione da studiare. Ora è
evidente che il caso peggiore, cioè guadagno d’anello massimo, si ha se β = 1,
cioè per la configurazione a voltage follower. Questo equivale a compensare il
72
r
d
v
d
v
2
r
i2 C
1
g
m1
v
d
v
3
r
i3 C
2
g
m2
v
2
v
3
r
o
V
u
Figura 1.51: Modello dell’operazionale con esplicitate le capacità parassite legate
ai primi due poli.
grafico di A, senza traslazioni. Se l’amplificatore è stabile quando reazionato a
voltage follower, sarà a maggior ragione stabile per tutte le configurazioni con
guadagno maggiore di uno.
Sorge però un problema. Se la capacità parassita C
1
è dell’ordine di grandez-
za del picofarad, è frequente il caso in cui il primo polo debba essere spostato di
tre decadi, come nell’esempio di fig. 1.50. Questo vuol dire che il condensatore
aggiuntivo da porre in parallelo a C
1
è dell’ordine di grandezza del nanofarad.
Un tale valore è però difficilmente integrabile.
Pole splitting
La soluzione al problema di integrabilità consiste nello sfruttare l’effetto Miller.
Esso consente di amplificare il valore della capacità posta tra due nodi tra i
quali esiste un guadagno in tensione: questo permette di integrare agevolmente
la capacità di compensazione ed ha in più un effetto benefico sulla posizione del
secondo polo, come illustrato tra poco.
r
d
v
d
v
2
r
i2 C
1
g
m1
v
d
v
3
r
i3 C
2
g
m2
v
2
v
3
r
o
V
u
C
C
Figura 1.52: Capacità di compensazione a cavallo del secondo stadio.
L’effetto Miller si sfrutta inserendo la capacità a cavallo dello stadio Dar-
lington anzichè collegandola direttamente in parallelo a C
1
(fig. 1.52). La rete
contiene una maglia di condensatori che la rende degenere: ha meno poli di
quanti siano gli elementi reattivi presenti nella rete. Dal teorema di Miller, in-
dicando con K il guadagno dell’amplificatore invertente del secondo stadio, si
ha che:
Z
in
= Z
C
·
1
1 −K
73
Z
out
= Z
C
·
K
K −1
v
3
= −g
m2
Z
3
v
2
K = −g
m2
Z
3
L’impedenza di carico Z
3
contiene anche l’elemento reattivo C
2
, che però ha
effetto solo a frequenze più alte del primo polo, per cui nello studio degli effetti
di C
C
sul primo polo possiamo considerare Z
3
≈ R
i3
. K è negativo e molto
grande, per cui è sufficiente un condensatore di compensazione molto piccolo
per spostare molto a sinistra la posizione del primo polo.
C
eq
= C
C
· (1 +g
m2
R
i3
) ≈ C
C
g
m2
R
i3
ω
p1

1
C
C
g
m2
R
i3
R
i2
Gli effetti del condensatore C
C
non si fermano qui. Facendo i conti si può
verificare che viene introdotto uno zero nel semipiano destro di Laplace, ma a
frequenza molto alta, e inoltre la frequenza del secondo polo dell’operazionale
viene innalzata notevolmente, tanto da superare spesso quella del terzo polo ori-
ginale, che diventa il secondo polo nella nuova funzione di trasferimento. Questo
fenomeno prende il nome di pole splitting, ossia allontanamento dei poli. Que-
sto consente di innalzare ulteriormente la frequenza del primo polo, aumentando
banda e slew-rate del circuito rispetto alla prima soluzione vista in cui si inseriva
un condensatore in parallelo a C
1
.
in figura 1.53 è visibile un esempio di aggiunta del condensatore di compen-
sazione nello schema semplificato di operazionale che abbiamo costruito nelle
sezioni precedenti.
1.8.3 Prodotto banda-guadagno
Abbiamo visto che per un amplificatore operazionale compensato a voltage fol-
lower il diagramma di Bode del modulo del guadagno A
d
assume un andamento
simile a quello riportato in figura 1.54.
Per frequenze inferiori a quella del secondo polo (corrispondente a un’amplifi-
cazione di modulo pari a 0 dB), si ha un andamento in frequenza approssimabile
con una funzione di trasferimento ad un solo polo.
A
d
(f) =
A
d0
1 +j
f
f0
Utilizziamo questa espressione approssimata per calcolare la banda passante
di un amplificatore reazionato con una rete β, in configurazione non invertente.
Ricordiamo che per un sistema di questo tipo il guadagno assume la seguente
forma:
A
V
=
1
β
·
1
1 +
1
T
74
T
10
D
1
T
11
D
2
T
9
T
8
T
7
T
6
T
5
T
2
T
1
T
4
T
3
R
M
+V
AL
−V
AL
R
E1
R
E2
OUT
IN

IN
+
C
C
Figura 1.53: Condensatore di compensazione sull’amplificatore operazionale
d’esempio.
75
|A|
f
0 dB
−20 dB/dec
−40 dB/dec
f
0
f
BW
Figura 1.54: Diagramma di Bode di A per un amplificatore operazionale
compensato per voltage follower
Dove T = A
d
β è il guadagno d’anello. Sostituendo l’espressione di A
d
(f)
riportata sopra, si ottiene:
A
V
=
1
β
·
1
1 +
1+jf/f0
A
d0
β
Riordinando i termini si ha:
A
V
=
1
β
·
A
d0
β
A
d0
β

1 +
1
A
d0
β
+j
f
A
d0
βf0

Generalmente si ha
1
A
d0
β
<< 1
da cui
A
V

1
β
·
1
1 +j
f
A
d0
βf0
Questa espressione permette di calcolare la banda passante del sistema re-
troazionato.
Definiamo ora:
f
BW
= A
d0
f
0
Tale frequenza corrisponde sul diagramma di Bode all’incrocio della carat-
teristica di A
d
con l’asse a 0 dB.
Con questa definizione si può scrivere che la frequenza di taglio a −3 dB,
f
T
, vale f
T
= βf
BW
. Dato però che 1/β = A
V 0
è il guadagno del circuito per
76
frequenze basse, si ha ancora che A
V 0
f
T
= f
BW
, cioè il prodotto tra la banda
passante di un amplificatore e il suo guadagno è una costante, pari a f
BW
,
chiamata appunto prodotto banda-guadagno, tipica dell’amplificatore. Dunque se
si usa un amplificatore operazionale per realizzare un amplificatore di tensione,
la banda passante del sistema sarà tanto minore quanto più alto è il guadagno
in continua del circuito.
Si noti che questo risultato è valido anche per la configurazione invertente.
Ricordiamo infatti che la funzione di trasferimento di un amplificatore invertente
si può scrivere come:
A
V
=

1 −
1
β

·
1
1 +
1
T
per cui anche per questa configurazione si ottiene la stessa banda passante, se
si considera come guadagno quello della configurazione non invertente con la
stessa rete di reazione β.
Current feedback
Il legame tra guadagno e banda passante trovato sopra è una conseguenza diretta
del modo in cui sono costruiti gli amplificatori operazionali “normali”. In real-
tà lo schema che abbiamo utilizzato, che viene chiamato voltage feedback, cioè
con reazione in tensione, non è l’unico possibile per realizzare un amplificatore
operazionale. Esistono anche amplificatori operazionali di tipo current feedback,
o a reazione di corrente, in cui questo legame non c’è. In questi amplificatori
la banda passante e la stabilità dipendono dal valore assoluto della resisten-
za di reazione R
2
. Un’interessante e comprensibile introduzione agli amplifica-
tori current feedback si trova sul sito della Texas Instruments (www.ti.com):
Application report slva051 “Voltage Feedback vs Current Feedback Op Amps”.
Gli amplificatori current feedback sono usati in applicazioni in alta frequenza
ove occorre ampia banda passante anche con guadagni elevati.
1.8.4 Slew Rate
Le limitazioni in frequenza dell’amplificatore operazionale non derivano esclu-
sivamente dalla banda passante, ma anche da un parametro non lineare, che
agisce nel dominio del tempo: lo slew rate.
Lo slew rate per definizione è la massima velocità di variazione del segnale
d’uscita dell’amplificatore.
SR(V
U
) = max

∂V
U
∂t

Il suo effetto si vede in modo molto evidente nella risposta ad un gradino
d’ingresso.
Analizziamo il nostro solito amplificatore operazionale d’esempio per capire
da dove ha origine il limite di slew rate del circuito. Facciamo riferimento alla
figura 1.53. Quando il segnale differenziale di ingresso varia molto rapidamente,
il sistema esce dalla linearità e tutta la corrente a disposizione dello stadio
differenziale (I
0
) scorre in uno dei due rami del medesimo. Ricordandoci che lo
stadio d’uscita (T
10
, T
11
) ha guadagno di tensione unitario, possiamo affermare
che la tensione d’uscita si ritrova, a meno di una continua, sul collettore di T
8
.
77
TIME (2 s/DIV) m
O
U
T
P
U
T
V
O
L
T
A
G
E

S
W
I
N
G

(
5
V
/
D
I
V
)
Figura 1.55: Risposta all’impulso per ampio segnale dell’operazionale TL082
(dal data sheet National Semiconductor).
La base di T
7
invece è a un potenziale quasi costante. Osserviamo però che tra
questi due punti è collegato un condensatore, il condensatore di compensazione
C
C
. Allora per variare la tensione d’uscita occorre caricare/scaricare C
C
. Ma
abbiamo detto che in transitorio la corrente che può scorrere nel nodo in cui si
incontrano il collettore di T
2
, quello di T
6
, la base di T
7
e un capo di C
C
è al
più pari alla corrente I
0
. Allora durante il transitorio il condensatore C
C
risulta
caricarsi o scaricarsi a corrente costante. La tensione d’uscita diventa allora una
rampa e la massima pendenza, cioè lo slew rate, vale:
SR(V
U
) = max

d [(I
0
/C
C
) · t]
dt

=
I
0
C
C
Un esempio di risposta al gradino per ampio segnale, da cui è possibile
misurare lo slew rate, è visibile in figura 1.55.
Quando si superano i limiti di slew rate, il segnale d’uscita risulta affetto da
una grossa distorsione armonica. Un segnale sinusoidale in ingresso assumerà
in uscita una forma sempre più simile a quella triangolare man mano che la
frequenza aumenta.
Legame tra BW e SR Da quanto visto sopra, il condensatore di compensa-
zione è responsabile sia della banda passante dell’amplificatore operazionale, in
quanto viene progettato per rendere il sistema stabile e determina il prodotto
banda-guadagno, sia dello slew rate.
Occorre insistere sul differente significato di questi due parametri: la banda
passante è un parametro di piccolo segnale: indica qual è la frequenza massi-
ma che viene riportata sull’uscita dell’amplificatore senza attenuazione (o con
un’attenuazione massima di 3 dB), per un segnale di ampiezza infinitesima. Lo
slew rate è invece un parametro di ampio segnale, che indica la massima velocità
di variazione dell’uscita.
Ma, dato un certo segnale sull’uscita, quale dei due limiti interviene per
primo?
Calcoliamo il limite di slew rate per un segnale di tipo sinusoidale:
78
V
u
(t) = V
pk
sin(ωt)
Per trovare lo slew rate della sinusoide occorre massimizzarne la derivata:
dV
u
dt

MAX
= ωV
pk
cos(ωt)|
MAX
= ωV
pk
Segue che:
ωV
pk
≤ SR =
I
0
C
C
=⇒ V
pk

I
0
ωC
C
=
SR
ω
Dunque la massima ampiezza di un segnale sinusoidale in uscita da un am-
plificatore operazionale decresce con la frequenza con legame di tipo iperbolico.
Esempio 2. Si voglia utilizzare un operazionale modello TL082 per realizzare
un amplificatore con banda passante pari a f
0
= 400 kHz. Qual è il massimo
guadagno utilizzabile e qual è la massima ampiezza d’uscita indistorta quando
il segnale d’ingresso è una sinusoide a frequenza 400 kHz?
Bode Plot
Undistorted Output
Voltage Swing
Figura 1.56: Risposta in frequenza e massima tensione d’uscita per il TL082
(dal data sheet National Semiconductor).
Dal data sheet del TL082 si vede che lo slew rate vale SR = 13 Vµs
−1
,
mentre il prodotto banda guadagno è GBW = 4 MHz.
La specifica di banda passante sarà rispettata se si rimane al di sotto del
prodotto banda-guadagno:
A
VMAX
=
GBW
f
0
= 10
Per quanto riguarda l’ampiezza, il massimo della derivata dell’onda sinusoidale
deve essere inferiore allo slew rate dell’operazionale:
V
pk
· 2π · 4 ×10
5
Vs
−1
≤ 17 Vµs
−1
V
pkMAX
=
13
2π · 0.4
V = 5.17 V
Lo stesso risultato si può ottenere utilizzando i grafici presenti sul data sheet.
I due grafici più significativi sono riportati in figura 1.56.
79

1.8.2 1.8.3 1.8.4

Guadagno d’anello . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Prodotto banda-guadagno . . . . . . . . . . . . . . . Slew Rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

70 74 77

1.1
1.1.1

Analisi introduttiva
Amplificatori operazionali ideali

L’

approccio più semplice allo studio dei circuiti basati su amplificatori operazionali prevede l’utilizzo di un modello “blackbox” (che non specifica come sia costituito all’interno il dispositivo in questione). La rappresentazione più comunemente utilizzata per l’amplificatore operazionale è quella di un “triangolo”, dotato di due morsetti di ingresso, due morsetti di alimentazione (spesso omessi nei circuiti) ed un morsetto di uscita; i morsetti di ingresso, caratterizzati dai simboli “+” e “-” (rispettivamente detti anche “ingresso non invertente” e “ingresso invertente”), sono gli ingressi dei segnali che l’amplificatore operazionale dovrà, per l’appunto, amplificare; i morsetti di alimentazione, come il nome suggerisce, hanno lo scopo di polarizzare e fornire potenza al circuito contenuto all’interno dell’amplificatore operazionale, al fine di poterlo utilizzare correttamente. Le equazioni che governano il funzionamento di un amplificatore operazionale “ideale” sono: i+ = i− → 0 vd = v+ − v− → 0

Queste equazioni sono fondamentali al fine dello studio di un generico circuito contenente uno (o più) amplificatori operazionali. Dal momento che l’amplificatore operazionale ha guadagno tendente a infinito, si può intuire che, per avere un’uscita finita, ossia affinché il risultato dell’operazione di prodotto tra tensione differenziale vd (tensione tra i morsetti + e -) e guadagno differenziale Ad dell’amplificatore sia finito, si debba avere vd → 0. Di conseguenza nell’amplificatore operazionale ideale la caduta di tensione tra i morsetti è quasi nulla e la corrente di ingresso è quasi nulla, indipendentemente dalla resistenza differenziale presente tra i morsetti d’ingresso. Per semplificare i conti, si può pensare che i morsetti dell’operazionale oppongano alle correnti di ingresso una resistenza differenziale rd → ∞. Riassumendo, le caratteristiche fondamentali dell’amplificatore operazionale ideale sono: • Guadagno differenziale tendente a infinito; • Resistenza differenziale d’ingresso tendente a infinito (ipotesi comoda ma non necessaria); • Resistenza di uscita tendente a 0; • Tensione differenziale di ingresso tendente a 0; • Correnti entranti negli ingressi tendenti a 0. Proviamo ad utilizzare le nozioni appena apprese in un esempio pratico. 5

R2

R1 vu

vi

Figura 1.1: Amplificatore non invertente. Esempio 1. Consideriamo il circuito di esempio della figura 1.1. Questo circuito, come vedremo tra breve, è un amplificatore non invertente, ossia amplifica un segnale senza invertirne la fase (o aumentarla/diminuirla di 180◦ ). In quanto amplificatore, esso avrà un certo guadagno, definito come rapporto tra tensione di uscita, vu , e tensione di ingresso, vi . Si può vedere facilmente, tenendo conto delle equazioni di funzionamento del dispositivo, che: R1 = v− R1 + R2 Ma dal momento che v+ = v− = vi : vu · vu R1 + R2 = = vi R1 1+ R2 R1

Vogliamo, a questo punto, trarre alcune conclusioni riguardo l’esempio pratico appena presentato: • In questa prima parte della trattazione, l’amplificatore operazionale verrà utilizzato retroazionato. La reazione negativa comporterà, come in qualsiasi tipo di sistema dotato di reazione, gli effetti già noti dai primi corsi di Elettronica: variazioni delle impedenze di ingresso o uscita, aumento della banda passante e altro. • Quando la reazione è collegata al morsetto “-” dell’operazionale, essa è “negativa”, in quanto il segnale va sempre in contrapposizione all’ingresso, diminuendolo. Una reazione sul morsetto non invertente sarà positiva; • Nella teoria dei controlli automatici, i sistemi retroazionati sono spesso modellati con un blocco di amplificazione A e un blocco di retroazione β (figura 1.2). Nel caso degli amplificatori operazionali, è spesso semplice 6

con questa topologia. o di 1 mΩ e 9 mΩ? La risposta ovviamente è no: gli amplificatori operazionali reali presentano effetti di non idealità tali da essere condizionati dall’ordine di grandezza delle resistenze utilizzate. il blocco β è il circuito (rete passiva. • Correnti entranti non nulle.2 Amplificatori operazionali non ideali Il nostro discorso prevede diverse approssimazioni: gli amplificatori operazionali reali hanno caratteristiche che si discostano dal modello ideale. Dal momento che. 7 . • Resistenza differenziale rd non infinita e resistenza di uscita non nulla. si vedrà perché non sia possibile utilizzare qualsiasi resistore. 1. le non-idealità sono: • Guadagno Ad non infinito. • Tensione differenziale non nulla. Come si può evincere da uno studio dell’amplificatore operazionale a livello di transistori. in modo da ottenere un certo rapporto.distinguere il blocco A dal blocco β. Ma il rapporto è veramente l’unica cosa che conta? Per porre la domanda in un modo diverso: utilizzare resistori da 1 Ω e 9 Ω produce lo stesso risultato dell’uso di resistori da 1 MΩ e 9 MΩ. Abbiamo visto che si può realizzare un amplificatore non invertente semplicemente selezionando le resistenze del blocco di retroazione. Sostanzialmente. • Dinamica di tensione di ingresso e di tensione/corrente d’uscita non infinite.2: Sistema retroazionato. in questo caso) in grado di “riportare” una parte del segnale di uscita all’ingresso.1. il segnale “riportato al morsetto invertente” è pari a: vu · si può dire che: β= R1 R1 + R2 R1 = v− = v+ R1 + R2 A Ve Vu β Figura 1.

Il nuovo modello del dispositivo. sarà quello della figura 1. si può anche dire che: vu · . Guadagno differenziale Presentiamo un primo perfezionamento del nostro modello: consideriamo. serva una vd = 0. delle non idealità prima elencate. Il fatto che Ad non sia infinito comporta il fatto che. Si avrà che: v− = vi − vd = vu · β vd = Da qui: vi − Quindi: vu Ad 1 1 βAd T βAd + 1 = vi −→ = = · = · Ad vi 1 + βAd β 1 + βAd β 1+T 8 1 vu = vu · β −→ vu β + Ad Ad = vi vu Ad Però. bensì studia il comportamento del circuito in presenza di una non idelità. per avere un’uscita non nulla. dunque.3: Primo modello circuitale dell’amplificatore operazionale non ideale: Ad < ∞. partendo dall’esame dell’interno dell’amplificatore operazionale. La giustificazione della presenza delle non idealità. avverrà nel seguito della trattazione. presentando modelli via via più perfezionati rispetto a quello ideale. si noti che l’approccio in uso non motiva le non idealità.Procediamo per gradi. R2 R1 vu vd + Ad vd vi Figura 1. il fatto che Ad < ∞.3.

T ≃ Impedenza d’ingresso Possiamo complicare la nostra trattazione inserendo altre non idealità: le impedenze degli amplificatori operazionali. Ad . imponendo al circuito un valore di guadagno veramente elevato. normalmente accettabile. In ogni caso: 10000 = 10 1000 Si ha ancora. pari a 1. T . Nella realtà. 9 .4: Secondo modello circuitale dell’amplificatore operazionale: resistenza d’ingresso. uno scostamento tra il guadagno del circuito reale e quello del circuito ideale pari al 10%. R2 Iu R1 vu rd Ix vd + Ad vd vx Figura 1. da questo modello. pari a 10000.Nella teoria dei circuiti retroazionati. β potrebbe essere nell’intorno di 1/1000. Pochi circuiti reali richiedono ad un singolo stadio di amplificazione un guadagno così elevato. perché si avrebbero problemi con il comportamento in frequenza del circuito. T βAd è il “guadagno di anello”. che nei casi pratici lo scostamento del comportamento del circuito dal caso ideale è molto piccolo: per avere uno scostamento del 50 % dal caso ideale. in queste condizioni decisamente estreme. Consideriamo una resistenza differenziale rd non infinita (non consideriamo per ora la resistenza di uscita. si dovrebbe avere un guadagno di anello. i peggiori degli amplificatori operazionali potrebbero avere un guadagno differenziale. dunque la tensione viene ancora prelevata da un generatore ideale di tensione). Si noti.

cosa interessante è il fatto che anche questo modello. vu = Ad vd = Ad rd Ix Inoltre: Raccogliendo Iu : vu = R2 Iu + R1 (Iu + Ix ) −→ Ad rd Ix = R2 Iu + R1 (Iu + Ix ) Ad rd Ix − R1 Ix R1 + R2 Iu (R1 + R2 ) = Ad rd Ix − R1 Ix −→ Iu = Sostituendo ciò nell’espressione di Vx . rendendo ancora una volta accettabile l’ipotesi di amplificatore operazionale ideale in molti dei nostri conti. Trascurare I2 comporta l’ottenere come risultato un valore di impedenza più alto di quello 10 . il solito Vx . La corrente Ix sarà composta da due contributi: uno che entrerà nel ramo del generatore pilotato Ad vd e uno che andrà nel ramo di R2 . e dunque consideriamo spenti tutti gli altri generatori indipendenti del circuito (i pilotati ovviamente no!). potremmo dire che Ix ≃ I1 . Per calcolare l’impedenza di uscita colleghiamo ad essa un generatore di tensione di prova. Al fine di determinare l’impedenza d’ingresso. si può ottenere: Vx = Ix rd + Ricordando che β = Si ottiene che: R1 R1 +R2 R1 R1 R2 Ad rd Ix + Ix R1 + R2 R1 + R2 zi = Vx = rd (1 + βAd ) + R1 //R2 Ix Il secondo termine si può spesso considerare trascurabile rispetto al primo (concorre ad aumentare l’impedenza. Consideriamo dunque il modello dell’amplificatore operazionale di figura 1. Vx = Ix · rd + R1 · (Iu + Ix ) vd = rd · Ix . è possibile semplificare la trattazione osservando che I2 ≪ I1 : dal momento che ro è una resistenza molto più piccola di R1 . per far questo.Si vuole calcolare zi e. si può determinare: Vx = Ix rd + R1 Ix + Ad rd Ix + R2 Ix R1 + R2 R1 Svolgendo le moltiplicazioni. quindi trascurandolo si ottiene un “worst case”). e anche del loro parallelo.5. decisamente perfezionato rispetto a quello ideale. al posto di vi si introduce un generatore di tensione noto di prova. R2 . Vx . Impedenza d’uscita Al fine di perfezionare il modello già presentato occorre considerare gli eventuali effetti dell’impedenza di uscita. non comporta particolari modifiche al comportamento del circuito: la retroazione con confronto in serie fa aumentare notevolmente l’impedenza di ingresso del circuito. si calcola la corrente uscente da Vx .

R2 I2 R1 I1 Ix rd vd ro Vx + Ad vd Figura 1. se il guadagno di anello fosse intorno 11 . Vx ro Quindi: Zo = Vx ro ≃ Ix 1+T βAd = T Vx + Ad βVx ro Supponendo di avere una resistenza pari a 100 Ω. sappiamo anche che vd è esprimibile come: vd = −βVx = − Possiamo dunque dire che: Ix ≃ Da qui: 1 + βAd Ix ≃ .5: Modello dell’amplificatore operazionale con impedenza d’uscita non nulla. cosa accettabile quando si vuole verificare che l’impedenza d’uscita sia ragionevolmente bassa. reale. Si ha quindi che: Ix ≃ I1 = Vx − Ad vd ro R1 Vx R1 + R2 Però. più alta di quanto si trova nella maggior parte degli amplificatori reali.

poiché il rapporto tra l’uscita e l’ingresso è dimensionalmente una resistenza. la corrente va tutta verso R2 . Torneremo ad occuparci del voltage follower quando parleremo di risposta in frequenza degli amplificatori operazionali.7. che diverrebbe pari a 100 mΩ! Possiamo dunque dire che questo circuito (amplificatore non invertente) è un buon amplificatore di tensione: impedenza elevata di ingresso e impedenza bassa di uscita.4 Amplificatore di transresistenza Un’ulteriore topologia circuitale basata sull’amplificatore operazionale è riportata in figura 1. 1. ridurremmo di 3 ordini di grandezza la resistenza. questo circuito assorbirà dunque pochissima corrente dall’ingresso e in uscita sarà sostanzialmente un generatore ideale di tensione (ossia a impedenza pressoché nulla).6. Dal momento che la corrente non entra nel morsetto invertente del dispositivo. l’uscita è in tensione. 1.1. aumentando moltissimo l’impedenza di ingresso e riducendo dello stesso fattore quella di uscita. quindi si avrà una tensione di uscita pari a: Vu = −IR R2 12 . In questa topologia si ha la massima retroazione possibile: il fatto di avere come retroazione un corto circuito massimizza la porzione di segnale riportato in ingresso (β = 1).vu vi Figura 1. le conseguenze sono da un lato di rendere unitario il guadagno del circuito. a 1000.3 Voltage follower Una variante del circuito del quale abbiamo ampiamente parlato è quella della figura 1. L’ingresso è in corrente. La configurazione voltage follower è molto utilizzata proprio come “separatore d’impedenza”. questa topologia è detta amplificatore di “transresistenza”.6: Voltage follower. ma d’altra parte di rendere il guadagno d’anello il più alto possibile.1.

come vedremo tra breve. Vx . ossia alla resistenza in serie al generatore di tensione di ingresso. ossia un morsetto con una differenza di potenziale nulla rispetto ad un morsetto collegato a 0 V (il morsetto non invertente).7: Amplificatore di transresistenza. a partire dalla precedente topologia. fornendo un’uscita per l’appunto in tensione. otteniamo una configurazione in cui la tensione d’ingresso viene dapprima convertita in una corrente. tutta la 13 . Analizzando questo circuito si può facilmente notare che sia l’impedenza di ingresso sia quella d’uscita sono molto basse. proporzionale della resistenza R2 . Prima di esporre il (breve) calcolo del guadagno di questo circuito.1. che finora si è verificato piuttosto valido. questa topologia circuitale “trasforma” la corrente in tensione. presentiamone subito il punto debole: la resistenza di ingresso. dal momento che R1 è collegata tra un generatore di tensione e uno “0 V virtuale”. ma sappiamo anche che nell’operazionale non entra corrente (usando il modello ideale. Nella fattispecie. una corrente Ix pari a: Ix = Vx Vx −→ zi = = R1 R1 Ix A questo punto sappiamo quanta corrente va in R1 . assieme all’amplificatore non invertente.R2 Vu IR Figura 1. introducendo un generatore di prova di tensione. eventualmente si ridiscuterà la cosa). In sostanza. Se. questa topologia sarà alla base di molti altri circuiti lineari basati sul dispositivo attivo. sostituiamo il generatore di corrente con un generatore di tensione. si avrà. seguito da una resistenza in serie come in figura 1. rappresentante. si può dire valga l’equazione alla maglia verso lo 0 V passando per il “-”.8. che poi viene riconvertita in tensione dall’uscita dell’amplificatore. una delle più diffuse configurazioni per quanto riguarda l’utilizzo lineare dell’amplificatore operazionale. 1.5 Amplificatore invertente L’amplificatore di transresistenza è alla base di questa topologia. Ri . Infatti. su R1 . è pari a R1 .

è in grado di amplificare (con un’espressione molto semplice.R2 R1 vu vi Figura 1. per cui le sue prestazioni sono influenzate dall’impedenza di uscita della sorgente di segnale. così che si avrà: Vu = − Da qui: Vu R2 =− Vi R1 Questo amplificatore. che diminuirà il guadagno dello stadio.8: Schema dell’amplificatore invertente. da cui: Vi = −Vu R1 R1 + R2 + R2 Ad R2 Vi · R2 R1 Introducendo β = R1 /(R1 + R2 ) e riordinando i termini si ha infine: Vu R2 1 = =− · Vi R1 1 + A1 β d 1− 1 β · 1 1 + A1 β d Abbiamo dunque ottenuto un altro tipo di amplificatore. si possono rifare i conti ottenendo: −vd − Vu Vi + vd = R1 R2 Ma vd = Vu /Ad . dipendente esclusivamente dal rapporto delle resistenze) ed invertire di fase (ruotare di 180◦) il segnale di ingresso. corrente (già quantificata come rapporto tra la tensione di ingresso e R1 ) andrà dunque verso R2 . Tenendo conto del guadagno Ad non infinito dell’amplificatore operazionale. Abbiamo già notato che la sua impedenza di ingresso è pari a R1 . quindi tutt’altro che elevata. Per quanto riguarda l’impedenza d’uscita 14 . dunque. Il problema però è che questo non è un vero amplificatore di tensione.

Vi è una corrente di riferimento IR che può essere generata in diversi modi: nel nostro esempio è stata semplicemente prodotta inserendo una resistenza tra il morsetto di ingresso e la tensione di alimentazione.2 Specchi di Corrente Lo specchio di corrente è uno dei “blocchi fondamentali” dell’amplificatore operazionale: si tratta di un circuito a transistori in grado di fornire una corrente d’uscita uguale o proporzionale alla corrente di ingresso. per 15 . Esaminiamo due implementazioni di questo circuito fondamentale: una basata sull’uso di transistori bipolari e un’altra basata sui MOSFET. basta osservare che il circuito che si utilizza per il calcolo è lo stesso del caso dell’amplificatore non invertente.vCC R1 IR IO + T2 IB1 T1 IE1 IB2 IE2 Figura 1. a causa del corto circuito tra base e collettore. con una dinamica di tensione molto elevata. 1. Dal momento che si intende studiare il solo comportamento del circuito.1 Specchio di corrente a BJT Lo schema di uno specchio di corrente compare in figura 1. Il lato di T1 è detto lato debole dello specchio di corrente. ad esempio utilizzando un diodo zener o un qualche altro riferimento di tensione. ignoriamo l’origine delle correnti IR e IO .9. chiamata corrente di riferimento. Il transistore T1 è collegato in modalità diodo perché VB = VC .1. Se si vuole ridurre la dipendenza della corrente di riferimento dal valore della tensione di alimentazione sono possibili alternative.2.9: Specchio di corrente realizzato con transistori bipolari. il lato di T2 lato forte.2. 1. Questo tipo di topologia può dunque essere utilizzata al fine di creare generatori di corrente quasi ideali. L’uscita attraverso cui scorre la corrente IO è invece collegata ad un generico carico del circuito (in questo caso si sceglie di utilizzare come carico un generatore di tensione a tensione variabile). quindi si ottiene lo stesso valore calcolato nella sezione 1.

e che IE2 ≃ IO .10 Come al solito. nella fattispecie. Al fine di semplificare i calcoli in questione. Allora il rapporto tra le due correnti dipenderà solo dalla superficie delle giunzioni dei due dispositivi: IS2 A2 IO = = IR IS1 A1 Gli specchi di corrente hanno funzionamento approssimativamente ideale solo all’interno dei circuiti integrati. in quanto le temperature di giunzione possono differire di parecchi gradi e variare diversamente nel tempo. detto ciò. Per quanto riguarda T1 . osserviamo poi che. VBE1 = VBE2 . ricordiamo le equazioni di funzionamento del transistore bipolare: IE = IS · eVBE /VT − 1 ≃ IS · eVBE /VT IR = IS1 · eVBE /VT Le correnti di saturazione avrebbero una notevole dipendenza dalla temperatura ma. se i due transistor sono vicini. determinare quale funzione lega IO a IR . Dal momento che si ha 16 IO = IS2 · eVBE /VT .10: Schema per il calcolo dell’impedenza di ingresso dello specchio. essi siano alla stessa temperatura (da qui la stessa VT ). poiché supponiamo di lavorare su un circuito integrato.IR Vx Vx gm Vx rπ Figura 1. Nell’ambito dei circuiti integrati è inoltre più che ragionevole pensare che. è opportuno ricorrere ad alcune ipotesi semplificative: supponiamo che IB1 e IB2 siano trascurabili rispetto a IR : ciò permette di dire che IE1 ≃ IR . Impedenze di ingresso e uscita Caratterizziamo a questo punto i parametri fondamentali del circuito: impedenza di ingresso e di uscita. Una soluzione consiste nell’utilizzare non transistor singoli ma una coppia differenziale (due transistor accoppiati su uno stesso chip). concentrarci solo sui loro legami interni al circuito in questione. una variazione di temperatura provocherà variazioni di corrente proporzionali nelle due giunzioni. questa topologia non ha prestazioni soddisfacenti se realizzata con due transistor discreti. Vogliamo. l’impedenza di ingresso si calcola utilizzando un generatore di tensione di prova Vx e misurandone la corrente d’uscita. la sua impedenza di ingresso si può ricavare dallo schema di figura 1. nel circuito disegnato.

sulla giunzione base-emettitore cadrà una tensione pari a quella del generatore di prova. che “mette in parallelo” rπ e il generatore pilotato con il quale si modella il BJT. si ha ancora: Zi = VT /IR . la resistenza di ingresso sarà dunque calcolabile semplicemente come: Ix = IR = gm Vx Zi = Vx 1 = Ix gm Ricordando che gm = IC /VT . e dunque Ix = 0. per cui la corrente di collettore sarà gm Vx . la corrente proveniente da Vx circola solamente in ro e quindi essa è l’impedenza di uscita. Vx non potrebbe dunque in alcun modo alterare VBE e dare luogo ad una corrente.11: Schema per il calcolo dell’impedenza di uscita dello specchio. 1 La resistenza r serve a tenere conto della dipendenza della corrente di collettore i dalla o c caduta di tensione vce .11 È agevole verificare che l’impedenza di uscita dipende dall’effetto Early. Trascurando la corrente di base. Per quanto riguarda l’impedenza di uscita. Ma: Zo = Vx → +∞ Ix → 0 Se invece consideriamo l’effetto Early1 . Tuttavia l’effetto Early dipende dalla tecnologia impiegata per realizzare i transistori e quindi occorre tenerne conto. Si fa riferimento alla figura 1. 17 . Ix = Vx ro Zo = Vx = ro Ix Allora l’impedenza sul ramo utile come generatore di corrente è elevata e questo circuito sarà normalmente un buon generatore di corrente. Un’altra condizione necessaria al buon funzionamento è che la tensione di polarizzazione di T2 sia tale da tenere in zona lineare il transistore. un corto-circuito tra base e collettore. si può fare un ragionamento duale. e tutta la Vx cadrebbe sull’impedenza (infinita) del generatore di corrente pilotato.VBE rπ gm VBE r0 Vx Figura 1. Viene calcolata come rapporto tra un parametro chiamato tensione di Early VA e la corrente IC di polarizzazione ro = VA /IC . Indicativamente VA è nell’ordine del centinaio abbondante di volt per npn mentre è più basso per i pnp. potremmo eliminare la ro . Se trascurassimo l’effetto Early.

si dà priorità tuttavia al dimensionamento di T1 . è possibile ricavare IO con un procedimento iterativo di risoluzione delle equazioni che non ammettono soluzione esplicita.12). si ottiene: VBE1 − VBE2 = VT ln IR IS2 · IS1 IO Supponendo poi che i transistor abbiano area uguale.IR IO T1 vBE2 vBE1 T2 R Figura 1. dunque. in modo da provocare una differenza tra le tensioni base-emettitore dei transistori e così ridurre la corrente di emettitore del secondo transistore. si ha: IO = IR IS1 . che deve essere il più miniaturizzato possibile. In fase di progetto 18 . Si ha quindi che: IO = VBE1 − VBE2 VT = ln R R IR IO Date R ed IR . trascurando ancora le correnti di base. la corrente IO . dal momento che ci troviamo in un circuito integrato. sarà pari a: VBE1 − VBE2 R dalle equazioni viste sopra. Circuito per elevato rapporto tra corrente di ingresso e uscita Modificando le aree di giunzione dei due transistori del circuito si può ottenere uno specchio amplificatore o attenuatore. dunque una soluzione per ottenere uno specchio attenuatore è quella di introdurre un resistore sull’emettitore di T2 (figura 1. VBE2 = VT ln IO IS2 Ricavando le VBEi VBE1 = VT ln Sostituendo e usando le proprietà dei logaritmi.12: Schema dello specchio con resistenza. le correnti di saturazione saranno uguali. Vediamo che su R cade una tensione pari a VBE1 − VBE2 .

La prima operazione da fare è calcolare IE1 tenendo conto delle due correnti di base. Influenza delle correnti di base In tutte le relazioni trovate sopra abbiamo sempre trascurato le correnti di base dei transistor. IE1 = IE2 −→ IR − IB2 = IO + IB2 IO β2 IO β2 Per quanto riguarda T2 . il risultato ottenuto è comunque accettabile per molte applicazioni.quello che interessa è ricavare il valore della resistenza R che permette di ottenere determinate correnti. Per quanto riguarda il transistore al lato debole. invece: Ma. Quali sono le approssimazioni commesse. abbiamo: IE1 = IB1 + IC1 = IB1 + [IR − (IB2 + IB1 )] = IR − IB2 IE2 = IO + IB2 Dal fatto che le tensioni VBE sono uguali e che le correnti di saturazione sono altrettanto uguali.13. e che β sia ben più grande di 1: 19 . rispetto al caso reale? Sviluppiamo i conti nel caso di due transistor con la stessa area di giunzione. IB1 e IB2 . infatti. Specchio di precisione Come è possibile modificare il circuito in modo da ottenere uno specchio di corrente di precisione? La soluzione tipica è quella di aggiungere un ulteriore transistore. Purtroppo β non è facilmente predicibile ed inoltre varia in funzione della VCE . si ha che: IB3 = IB1 + IB2 β3 + 1 Supponendo che i βi siano tutti uguali. quindi in tale caso è semplice risolvere l’equazione rispetto ad R. dal momento che β è di solito un numero sufficientemente elevato. la IB3 prelevata da IR sarà sensibilmente più bassa rispetto alla precedente. dal momento che: IB2 = Si ha che: IO = IR − 2 Dunque: IO = IR 1 + 2/β2 Analizzando il risultato si vede che il rapporto tra le due correnti dipende dal β del transistore. della temperatura e dell’invecchiamento del componente. Aggiungendo T3 . in modo da ottenere una topologia come in figura 1. abbiamo che IE1 = IE2 .

si ha che IE1 = IE2 e da ciò segue che IR − IB3 + IB1 = IO + IB2 IR − IB3 β IO β 1 β Si può notare. tuttavia.VCC IR IB3 T3 IO IB1 T1 IB2 T2 Figura 1. Si può dire che: β = β1 = β2 = β3 . che: IR − IB3 = IC1 IO = IC2 Dunque: =⇒ =⇒ IB1 = IB2 = IR − IB3 + IB1 = (IR − IB3 ) 1 + IO + IB2 = IO 1 + 20 1 β .13: Specchio di corrente ad alta precisione ottenuto con un l’aggiunta di un transistore. β ≃ β + 1 IB1 + IB2 2IB1 IB1 + IB2 ≃ = β3 + 1 β β IE1 = IR − IB3 + IB1 IE2 = IO + IB2 IB3 = Per gli stessi motivi di prima.

14.1 )2 2 Si ricordano le condizioni sulle tensioni per il funzionamento del MOSFET a canale n in • saturazione: vGS > Vt ∧ vDS > vGS − Vt = vOV • triodo: vGS > Vt ∧ vDS < vGS − Vt = vOV 21 . ricordando che IB3 = 2IB1 /β: IR − 2IB1 β 1+ 1 β = IO 1 + 1 β Quindi dato che IB1 ≃ IR /β: IR 1 − 2 β2 = IO Questo circuito è dunque molto meglio del precedente: se β = 100 (ad esempio). per i due MOSFET: IR = ID1 = k1 (VGS − VT n. 2 in quanto VGS = VDS .2. si avrà β 2 = 10000. Consideriamo le seguenti equazioni. Ln la larghezza del dispositivo. M1 è polarizzato in regione di saturazione di canale. La topologia è la stessa ma sono ovviamente diverse le equazioni che ne governano il funzionamento.2 Specchio di corrente a MOSFET Lo specchio di corrente basato sull’uso di transistori a effetto di campo MOS ha l’aspetto del circuito in figura 1. spesso l’effetto di channel lenght modulation del MOSFET (λ) verrà trascurato. IR M1 IO M2 Figura 1. Per semplificare la trattazione.14: Specchio di corrente realizzato con transistori MOS. Il circuito funzionerà correttamente se anche M2 viene fatto lavorare nella stessa zona. Per entrambi dunque: ID = kn (VGS − VT n )2 (1 + λVDS ) Wn 1 µn COX 2 Ln Dove: kn = Wn è la lunghezza. e quindi la differenza tra le correnti sarà estremamente ridotta! 1.Da qui.

come anche µn e COX .1 1 = gm 2IR Allo stesso modo. 22 .1 = VT n.15. Bisogna determinare due parametri: la transconduttanza gm relativa al MOSFET M1 e la go relativa ad M2 . si calcola il go al variare di VDS : go = ∂IO 1 = λkn (VGS − VT n.1 ∂ID = 2k1 (VGS − VT n. costituita da quattro transistori.1 ) ∂VGS IO = ID2 = k2 (VGS − VT n. si può ricondurre tutto alla geometria dei transistori: k2 W2 /L2 IO = = IR k1 W1 /L1 Terminiamo la caratterizzazione del circuito calcolando le impedenze di ingresso e uscita. Date VT n.15: Sviluppo dello specchio di corrente a MOSFET secondo i modelli dei componenti.gm VGS VGS go VDS VDS Figura 1. Basti sapere che questa configurazione sfrutta lo stesso meccanismo di aumento della RO del cascode: esso abbina le elevate impedenza di ingresso e transconduttanza di uno stadio CS con l’ampia larghezza di banda e le proprietà di buffer di corrente del CG.2 )2 ≃ λIO −→ Zo = ∂VDS λIO In applicazioni che richiedono impedenza d’uscita più grande si possono utilizzare altre configurazioni. ad esempio quella di Wilson modificata. si ottiene il circuito di figura 1.2 . con il solito sistema: sviluppando i MOSFET nei loro modelli. Si sa che: gm = Quindi: gm = Si ha che: Zi = 2IR VGS − VT n. cosa ragionevole in un circuito integrato. che però non sarà qui trattata in dettaglio.2 )2 VGS − VT n.

2. 3. che trova larga applicazione come stadio di ingresso degli amplificatori operazionali. l’uscita di questo stadio sarà una combinazione lineare dei due segnali d’ingresso: 23 . 1. che permette di disporre di una maggiore corrente (e quindi potenza) sul carico. Stadio di ingresso: amplificatore differenziale.1.3 Stadio Differenziale In questa sezione studieremo le caratteristiche dell’amplificatore differenziale a transistori. potrebbe essere rappresentato da tre elementi disposti in cascata: 1.16: Amplificatore differenziale generico (a) e una sua realizzazione con BJT (b). in una rappresentazione a blocchi. In questa sezione verrà analizzato il primo blocco. spesso uno stadio Darlington.16a è rappresentato un amplificatore differenziale. Nella figura 1.1 Modo differenziale e modo comune V2 V1 (a) Vu V1 I1 VBE1 I2 V2 VBE2 IO (b) Figura 1. Stadio di uscita di potenza: generalmente questo stadio ha guadagno di tensione unitario ma è caratterizzato da una bassa impedenza d’uscita. eliminando il terzo stadio in quanto gli altri due producono sufficiente guadagno di tensione e hanno sufficiente capacità di pilotaggio.3. Stadio intermedio di guadagno in tensione: nell’implementazione bipolare. cioè lo stadio differenziale. L’amplificatore operazionale. Molti amplificatori CMOS sono realizzati con solo due stadi.

AC = A1 + A2 2 Ciò che abbiamo fatto con questa operazione è separare i modi di funzionamento dell’amplificatore. in modo da non amplificare la componente di modo comune dei segnali in ingresso ma piuttosto annullarla. riscriviamola come combinazione tra la tensione differenziale vd . la tensione di modo comune.17 sono rappresentati due segnali sinusoidali V1 e V2 e i corrispondenti modi comune VC e differenziale vd . questo può essere tradotto in un’espressione che può essere confrontata con la precedente per ricavare un vincolo sulle amplificazioni A1 e A2 dello stadio. o valor medio degli ingressi Nella figura 1. per definizione. attenua) esclusivamente la media tra i segnali di ingresso. Per analizzare in modo più comodo questo sistema. deve amplificare solo il modo differenziale e quindi ha Ad molto grande e AC nullo. matematicamente effettuiamo un cambio di sistema di riferimento: anziché descrivere l’uscita Vu in termini di combinazione lineare degli ingressi. L’amplificatore differenziale ideale. Al limite si vorrebbe che l’uscita di un amplificatore differenziale Vu sia solo funzione di vd : Ad = Vu = Ad vd 24 . mentre l’amplificatore di modo comune amplifica (o meglio. Vu = K(V1 − V2 ) K(V1 − V2 ) = A1 V1 + A2 V2 A1 = A1 V1 + A2 V2 A2 = −1 =⇒ A1 = −A2 A1 I coefficienti devono dunque essere uguali in modulo e opposti in segno. ossia la differenza degli ingressi (tensione di modo differenziale) e un secondo termine VC . I nuovi parametri sono derivabili semplicemente dalle due tensioni di ingresso: vd = V1 − V2 VC = (V1 + V2 )/2 Il risultato introducendo questa nuova base si può esprimere l’uscita come combinazione lineare dei due nuovi segnali vd e VC e non più come grandezza proporzionale alle due tensioni V1 e V2 ai terminali: Vu = Ad vd + AC VC Dove: A1 − A2 . ossia considerare il sistema come se fosse composto da due stadi: l’amplificatore differenziale amplifica esclusivamente la differenza tra i segnali di ingresso.Vu = A1 V1 + A2 V2 Perché lo stadio sia differenziale l’uscita dev’essere proporzionale alla differenza degli ingressi.

Si osservino i valori in corrispondenza dei massimi. 25 . minimi e zeri dei segnali.V V1 3 2 VC V2 1 0 −1 0 2 4 (a) 6 8 t V V1 3 2 vd 1 0 V2 −1 0 2 4 (b) 6 8 t Figura 1.17: Modo comune (a) e modo differenziale (b) di una coppia di segnali sinusoidali V1 e V2 .

Come qualunque altro circuito attivo. l’intervallo di valori che il modo differenziale può assumere è detto dinamica di modo differenziale.Tuttavia. è elevato rispetto al guadagno “utile” Ad . Cosa sono queste dinamiche? Come tutti gli amplificatori.6. Più attenzione occorre porre alla dinamica d’ingresso di modo comune: prendendo ad esempio il voltage follower di figura 1. I limiti entro cui 26 . Questi limiti saranno chiariti analizzando la struttura interna del sistema. l’amplificatore differenziale è utilizzato per “piccoli segnali” e in un sistema retroazionato. Questo parametro è chiamato CMRR (Common Mode Rejection Ratio). perché Vi è applicato al morsetto non invertente e la reazione fa sì che all’incirca la stessa tensione sia applicata anche al morsetto invertente dell’amplificatore. in grado di quantificare l’errore commesso a causa dell’amplificazione di modo comune. l’espressione completa della combinazione lineare dei due modi sarà riscrivibile come segue introducendo il rapporto tra le amplificazioni dei due modi: Vu = Ad vd 1 + AC VC Ad vd Questo significa che tanto più il termine di guadagno di modo comune. AC . di solito. migliore sarà lo stadio differenziale realizzato. dal momento che. si nota che la tensione d’ingresso di modo comune equivale praticamente al segnale Vi . per adesso basti sapere qualitativamente che in particolare non devono essere applicati agli ingressi: • segnali con modo comune tale da portare in interdizione o in saturazione i transistori di ingresso o. Le due dinamiche di ingresso appena esposte sono connesse alla tensione di alimentazione dello stadio differenziale. ed è definibile come: (CMRR)dB Ad AC = 20 · log10 Ad AC dB Più il CMRR è elevato. portare fuori linearità gli stadi successivi. lo stadio differenziale deve essere alimentato. il dispositivo funziona bene se è in stato di linearità. non avremo grossi problemi. si introduce un parametro fondamentale. dall’alimentazione dipenderanno la dinamica di ingresso di modo comune e la dinamica di ingresso di modo differenziale. tali far intervenire fenomeni di non linearità nei dispositivi interni all’amplificatore. Al fine di determinare la bontà di un amplificatore di questo tipo. I segnali di ingresso dunque devono rientrare in precisi limiti di tensione per garantire il funzionamento in linearità dei transistori. in cui il segnale differenziale vd è mantenuto circa nullo dalla rete di retroazione. la dinamica di modo comune è dunque l’intervallo di ampiezze del modo comune tale per cui nei dispositivi attivi contenuti all’interno dell’amplificatore non intervengano fenomeni di non linearità. tanto più si avranno errori rispetto al funzionamento ideale del dispositivo differenziale. a causa dell’amplificazione di modo comune del sistema. Per quanto riguarda la dinamica di ingresso differenziale. • segnali con modo differenziale in grado di far raggiungere all’uscita valori di tensione eccessivamente elevati.

potrà variare il segnale d’ingresso allora sono dettati proprio dalla dinamica di ingresso di modo comune. come: IS I1 = 1 e(VBE1 −VBE2 )/VT = e(VBE1 −VBE2 )/VT I2 IS2 27 . possiamo supporre che i due transistor abbiano la stessa area di giunzione e che siano alla stessa temperatura.18: Amplificatore differenziale a BJT. 1. 1. Date in ingresso ai morsetti dell’amplificatore due tensioni V1 e V2 .3. Da questo punto di vista l’amplificatore invertente non ha limitazioni dalla dinamica di ingresso di modo comune in quanto la tensione d’ingresso viene convertita in corrente (entrambi i terminali di ingresso si trovano a 0 V reali o virtuali) e quindi i limiti del circuito sono dettati solo dalla dinamica d’uscita. calcoliamo il rapporto delle due correnti I1 e I2 . da ciò. I1 = IS1 eVBE1 /VT I2 = IS2 eVBE2 /VT Ipotizzando al solito di costruire questo stadio su di un circuito integrato. si nota che la tensione differenziale è pari alla differenza delle tensioni di giunzione base-emettitore dei due transistori: vd = VBE1 − VBE2 È possibile ricavare le VBE dalle equazioni di funzionamento dei BJT che le mettono in relazione le correnti I1 e I2 . In fig.18 è rappresentato lo schema dell’amplificatore differenziale a transistor bipolari.2 Amplificatore differenziale a BJT +VAL RC V1 I1 VBE1 IO −VAL I2 RC V2 VBE2 Figura 1. Di conseguenza le correnti inverse di saturazione possono essere considerate uguali.

2 0 −8 −6 −4 −2 0 2 4 6 8 vd /VT Figura 1. si può dunque scrivere. analizzandone in particolare gli andamenti asintotici e nell’intorno dell’origine (figura 1. Vediamo.19).6 0.2 1 I1 I2 0.19: Grafico delle correnti dello stadio differenziale al variare del segnale di modo differenziale. che: IO = I1 + I2 IO = I2 1 + evd /VT I1 = =⇒ I2 = IO 1 + evd /VT IO · evd /VT 1 + evd /VT Studiamo ora graficamente queste funzioni.In questa relazione è possibile introdurre il modo differenziale vd = VBE1 − VBE2 e scrivere la corrente di emettitore di T1 in funzione di quella dell’emettitore di T2 .4 0. I1. usando la legge di Kirchhoff dei nodi. I1 = I2 · evd /VT Osserviamo ancora la topologia del circuito: i due emettitori sono collegati a un generatore indipendente di corrente.8 0. facilmente. che: vd →−∞ lim I1 = 0 lim I2 = IO vd →+∞ lim I1 = IO lim I2 = 0 vd →−∞ vd →+∞ 28 . IO .

come già detto.0 è una transconduttanza. in un intorno dell’origine. ricordando la definizione di tangente iperbolica3 . al fine di poter utilizzare un modello lineare. VT ] La tensione differenziale dell’ingresso del circuito deve essere piccola. Cerchiamo di quantificare il termine I1 − IO /2: I2 = IO − I1 ≃ I1 − I1 − IO I1 − I2 = 2 2 ∂IO IO + 2 ∂vd I1 = vd =0 IO + gm0 · vd 2 IO evd /VT − 1 IO = 2 2 evd /VT + 1 Ma. si ottiene: I1 ≃ Da qui: IO − gm0 · vd 2 Il termine gm. non ci causa problemi. e ossia approssimabili con le rette tangenti. dal momento che l’amplificazione totale di un amplificatore operazionale è molto elevata e il segnale d’ingresso dello stadio differenziale è necessariamente molto piccolo. Qual è il guadagno in corrente dello stadio. si può scrivere che: I1 = IO 1 + tanh 2 vd 2VT Vogliamo approssimare la tangente iperbolica nell’origine con un termine lineare. per: I1 (0) = I2 (0) = vd ∈ [−VT . Lo sviluppo in serie della tangente iperbolica in questo intorno è: x3 2 + x5 − · · · 3 15 Quindi nell’intorno di vd = 0 si può scrivere: tanh(x) = x − 3 tanh(x) = e2x − 1 1 − e−2x ex − e−x = 2x = ex + e−x e +1 1 + e−2x 29 . che rappresenta il fattore di proporzionalità tra ingresso in tensione vd ed uscita in corrente dell’amplificatore. in un intorno dell’origine. linearizzabili.IO 2 La zona in cui entrambe le correnti sono attive è molto ridotta (dal momento che. sviluppando in serie e troncando al primo ordine. si può stimare che inoltre le curve siano. considerando valida la linearizzazione in un intorno di vd = 0 ? Sappiamo che. la cosa comunque. l’esponenziale presenta un andamento crescente molto accentuato).

che insieme siano equivalenti a ro . cioè quella che si potrebbe prelevare tra i due collettori dello stadio (ognuno caricato con una RC ). Dato in ingresso ad entrambi i morsetti uno stesso segnale di modo comune VC .0 = 1 IO /2 1 IO = = gm 4VT 2 VT 2 Amplificazione di modo differenziale Simboleggiando con RC i carichi (supposti identici) dei collettori dei transistori della coppia differenziale. si ottiene il valore di gm0 . gm. La corrente ′ IO è data dalla somma di IO e della corrente che scorre nella resistenza ro che tiene conto delle non idealità del generatore. Dato che il circuito è idealmente simmetrico e presenta lo stesso ingresso. come generatore di corrente si utilizza normalmente uno specchio di corrente.2. si avrà che: VC − VBE ro Nel modello di piccolo segnale è presente ro sugli emettitori. Ragionando su un singolo transistore della coppia (alimentato da metà di IO ) si può introdurre il corrispondente parametro gm 4 . è possibile calcolare la tensione differenziale di uscita. presenta ammettenza nulla (circuito aperto) nel modello di piccolo segnale. Se la tensione di uscita viene prelevata tra i due collettori. 1.20). il modo comune in uscita viene eliminato (almeno idealmente) perché entrambi i terminali si ′ IO = IO + 4 La transconduttanza di un transistore bipolare g m è pari al rapporto tra la corrente di polarizzazione e la tensione equivalente della temperatura VT . In realtà. ricordando quanto già osservato nel paragrafo 1. Per calcolare il guadagno di modo comune occorre allora modellare lo stadio differenziale utilizzando un generatore con una resistenza ro in parallelo(fig. quindi pari ognuna a 2ro . Amplificazione di modo comune La corrente prodotta dal generatore ideale di corrente posto sugli emettitori della coppia differenziale è indipendente dalla tensione ai suoi capi. In altre parole. si può immaginare di spezzarlo in due dividendo la ro in una coppia di resistenze poste in parallelo. Se si prelevasse la tensione solo sul collettore di uno dei due transistori il guadagno sarebbe dimezzato. vc1 = −RC Ic1 = −RC vc2 = −RC Ic2 = −RC IO + gm0 vd 2 IO − gm0 vd 2 vc1 − vc2 = −2RC gm0 vd Questa è la tensione di uscita differenziale che è possibile prelevare tra i due collettori.I1 ≃ vd IO 1+ 2 2VT = IO IO vd + 2 4VT Da qua.1. potremo valutare l’amplificazione di modo comune dello stadio. Ad. mediante confronto con la precedente espressione di I1 .12 = −2RC gm0 30 .

La stessa osservazione si può ripetere ragionando sul β dei transistor. trovano allo stesso potenziale e quindi la differenza è nulla. L’amplificazione del modo comune è pari a 1 βRC RC βRC ≃− ≃− βRC =⇒ AC = − ZiB (β + 1)2ro + rπ (β + 1)2ro 2ro vc1 = −VC Quindi AC .vC I1 VBE1 I2 vC VBE2 vA rO IO ′ IO Figura 1. Relativamente al modo comune. il modo comune VC viene amplificato. Esso dovrebbe essere il più ideale possibile (ro → ∞) per ridurre AC . CMMR = 20 log Ad RC gm0 gm0 ro = 20 log = 20 log AC RC /(2ro ) 2 Il modello utilizzato è molto semplice perché non tiene conto di alcuna asimmetria del sistema: è sufficiente una piccola differenza tra le resistenze viste come carico dai due collettori affinché le amplificazioni dovute ai due transistori della coppia siano diverse l’una dall’altra e si abbia AC = 0 anche nel caso che l’uscita sia prelevata in modo differenziale tra i due collettori. 31 . Per valutare la bontà dello stadio differenziale con uscita prelevata su un solo collettore. dipende dalla resistenza di uscita del generatore di corrente che polarizza lo stadio differenziale. Invece se l’uscita viene prelevata tra uno solo dei collettori e lo 0 V di riferimento. che vorremmo fosse nulla. dato che tale tensione entra nella base e l’uscita è prelevata sul collettore. ognuno dei due transistor della coppia differenziale forma uno stadio di amplificazione a emettitore comune. valutiamo il CMRR facendo il rapporto tra l’amplificazione differenziale e di modo comune in dB.20: Schema dello stadio differenziale con generatore reale di corrente.

I1 = kn (VGS0 + 32 . così come sono. Chiamiamo VGS0 la tensione Gate-Source in queste condizioni. 1. Possiamo allora trovare il valore di VGS0 risolvendo l’equazione seguente: I0 2 dove kn e Vtn assumono lo stesso valore introdotto nella sezione 1. la corrente che scorre nei due drain è uguale.2. VAL e RD siano tali da portare i transistori a lavorare in zona di saturazione di canale. I0 .3 Amplificatore differenziale a MOSFET Come per lo specchio di corrente. Lo schema di riferimento è visibile in fig.21. V2 . Si ha: vd = V1 − V2 = VGS1 − VGS2 Quando vd = 0.VAL RD I1 M1 RD I2 M2 V2 VGS2 I0 −VAL V1 VGS1 Figura 1. analogamente a quanto fatto per il differenziale a BJT. utilizzando una topologia analoga al circuito a BJT. per definizione. è possibile realizzare un amplificatore differenziale anche a partire da transistori di tipo MOS. uguali le due VGS . con l’importante differenza di non assorbire corrente continua dagli ingressi. Possiamo allora esprimere V1 e V2 in funzione di VGS0 e vd : V1 = VGS0 + vd /2 V2 = VGS0 − vd /2 Supponiamo inoltre che i valori di V1 . dipendendo dall’equazione: I1 = kn (VGS0 − Vtn )2 = vd − Vtn )2 2 ma può essere linearizzato nell’intorno di vd = 0 introducendo una transconduttanza gm0 .3. 1. Il comportamento del circuito assomiglia a quello del differenziale a BJT. quindi I1 = I2 = I0 /2.21: Stadio differenziale MOS.2. Il legame tra I1 e vd non è lineare. se i due transistori sono uguali.

T4 ) che realizzano uno specchio di corrente. Nel nostro schema semplificato la corrente di riferimento di questo specchio viene prodotta tramite una resistenza RM collegata a +VAl . T2 ) necessita per la sua polarizzazione di un generatore di corrente il più ideale possibile. In questo modo sarà possibile comprenderne il principio di funzionamento interno (limiti di dinamica. Alimentazione Il circuito in esame deve essere alimentato con una coppia di tensioni simmetriche pari a ±VAL . come ad una “scatola nera”.O. in quanto. Perciò si introduce la coppia di transistori (T3 . Lo schema è presentato in fig. giustificando la presenza di ciascun elemento ed il suo ruolo nel circuito complessivo. Specchio di polarizzazione Lo stadio differenziale (T1 . le sue caratteristiche e prestazioni rispetto ad altre soluzioni. 1. si ha: gm0 = vd . però evidenziando il fatto che non è strettamente necessario che tensione positiva e negativa abbiano lo stesso valore in modulo.22. rispetto a circuiti più complicati. le correnti I1 e I2 saturano a 0 o I0 per ampi valori di 1. problemi di scostamento dal modello ideale) e quindi utilizzarlo in modo più consapevole nel progetto di circuiti che precedentemente sono stati analizzati pensando all’A. Analizziamo nel dettaglio questo schema. 33 . Non studieremo i dettagli circuitali di questi integrati. La scelta di una resistenza non è sempre la migliore.Per ottenere il valore di gm0 occorre derivare l’espressione di I1 . gm0 = ∂I1 ∂vd = kn (VGS0 − Vtn ) I1 ≈ I0 /2 + gm0 vd I2 ≈ I0 /2 − gm0 vd vd =0 Confrontando questa espressione con l’eguaglianza trovata sopra per I0 /2. peggiora la reiezione alle variazioni della tensione di alimentazione (PSRR). In questa descrizione si supporrà di usare tensioni simmetriche. 1 I0 2 (VGS0 − Vtn ) Anche in questo caso.4 Schema semplificato di un amplificatore operazionale Dopo avere analizzato il funzionamento dello specchio di corrente e dello stadio differenziale. possiamo costruire lo schema base dell’amplificatore operazionale. ma discuteremo in seguito quali accorgimenti utilizzare in presenza di singola alimentazione. Esistono amplificatori operazionali adatti ad operare con una sola tensione di alimentazione positiva (monoalimentazione) riferita a 0 V.

Amplificatore differenziale Lo stadio differenziale (composto da T1 e T2 ) è il cuore dell’ingresso dell’operazionale. Un secondo problema è che da un lato si vorrebbe prelevare un’uscita di tipo differenziale per massimizzare il guadagno dello stadio. Se però si considera che cosa succede quando vd = 0. si nota che il guadagno di tensione dello stadio è direttamente proporzionale al valore della resistenza di carico RC .+VAL RM T5 T6 IB7 T7 T8 I1 I2 OUT IN1 T1 T2 IN2 T4 T3 T9 −VAL Figura 1. più si riduce la dinamica di ingresso.22: Modello circuitale di un semplice amplificatore operazionale. Si vorrebbe dunque avere RC più alta possibile per ottimizzare il guadagno.2 e allo schema della relativa figura 1. dall’altro il resto del circuito è più semplice se si usa una configurazione di tipo single-ended. Si sostituiscono allora le due resistenze di collettore con un circuito più complicato chiamato carico attivo. quindi più RC è grande. Perché lo stadio funzioni in linearità occorre che la tesnione sulla base sia più bassa di quella sul collettore. Mediante questo circuito si ottiene un’uscita differenziale in corrente piuttosto che una differenza di tensioni tra i due collettori. Esso ha il duplice compito di caricare lo stadio differenziale 34 . Un problema che non ci eravamo posti nella trattazione appena fatta di questo circuito era relativo alla dinamica di modo comune. Carico attivo Il carico attivo non è altro che uno specchio di corrente formato da T5 e T6 . si nota che la tensione che si trova sui collettori vale Vc1 = VAL − Rc1 I0 /2.18. Se si torna alle formule viste nel paragrafo 1.3.

Nel nodo al quale sono collegati i collettori di T2 e T6 si può scrivere la seguente equazione dalla quale ricavare la corrente di uscita. Dai corsi precedenti si sa che un amplificatore a transistor bipolari che guadagna molto in tensione difficilmente ha anche impedenza d’uscita bassa. Lo specchio di corrente permette di ottenere una buona dinamica di ingresso di modo comune. Un blocco che può fornire un elevato guadagno in tensione è la coppia Darlington. Con i pnp si usa come tensione di riferimento la +VAL e si allarga notevolmente la dinamica di ingresso.8 ≃ 2VBE Mentre la VB E è: Come si vede nello schema iniziale.eq = VBE. basta che sia estremamente elevato. Amplificatore di tensione In uscita dal primo stadio si deve avere un circuito in grado di guadagnare molto in tensione: l’amplificatore operazionale deve avere un guadagno differenziale di tensione elevatissimo perché dev’essere utilizzato in sistemi retroazionati nei quali si vuole che Ad → ∞ in modo che la funzione di trasferimento sia determinata solo dalla rete di retroazione β.7 + VBE. È necessario che i transistor siano pnp perché la corrente di polarizzazione deve essere entrante nella coppia differenziale. Nel nostro circuito abbiamo quindi inserito una coppia darlington formata dai transistor T7 e T8 . Sfruttando entrambe le correnti si ottiene anche una transconduttanza doppia. la base del Darlington e l’uscita dello stadio differenziale sarebbero stati a −VAL + 2VBE . I1 = I2 + IB7 =⇒ IB7 = I1 − I2 = 2gm.0 vd In questo modo l’uscita del primo stadio di amplificazione è pari alla differenza delle correnti. quindi sul lato debole ci si ritroverà una copia della stessa I1 . Sarà dunque necessario fare seguire questo stadio da un terzo che si occupi di abbassare l’impedenza d’uscita. in quanto la tensione di collettore è all’incirca fissa e pari a +VAL −VEB5 . Non interessa esattamente a quanto ammonti il guadagno in tensione ad anello aperto Ad . la coppia Darlington viene realizzata mediante due pnp perchè (come anche per quanto riguarda il carico attivo). Si ricorda che una coppia darlington ha prestazioni equivalenti ad un “supertransistor”il cui beta vale: IC = IC7 + IC8 = IB7 · β7 + β8 (β7 + 1)IB7 βeq ≃ β7 β8 VBE. se avessimo collegato l’emettitore del Darlington a −VAL . La corrente di riferimento dello specchio è la I1 dello stadio differenziale.e fornire in uscita la differenza tra le correnti I1 e I2 circolanti nei collettori. limitando drasticamente la dinamica d’ingresso del sistema e rendendolo di fatto inutilizzabile. 35 . La tensione sul collettore T2 viene imposta dallo stadio successivo. almeno sul ramo di T1 . Inoltre. direttamente proporzionale al modo differenziale. l’impedenza vista dal collettore di T2 è alta e questo permette di avere un alto guadagno di tensione differenziale.

strutture e tecniche differenti rispetto a quelle impiegate per i transistori bipolari che sono stati considerati fino a questo punto della trattazione (quelli chiamati di segnale). corrente e potenza. in modo che tutto il segnale amplificato possa essere trasmesso agli utilizzatori che seguono l’amplificatore senza ulteriori perdite.Lo stadio Darlington ha un ottimo guadagno di corrente. È sufficiente garantire che tale guadagno sia molto elevato in modo da poterlo approssimare come infinito. T4 e T9 ). Il rendimento di un circuito è dato dal rapporto tra la potenza assorbita dall’alimentazione Pa e quella effettivamente trasferita al segnale prodotto in uscita Pu . η= Pu Pu = <1 Pa Pu + Pd Il funzionamento regolare degli amplificatori di potenza è limitato ad un certo intervallo di valori di tensione. mentre la differenza Pd è dissipata sotto forma di calore. Nel paragrafo successivo studieremo le caratteristiche di questo circuito. L’alimentazione del circuito fornisce questa energia. che nella figura 1. come già accennato. non è molto importante sapere quanto è il guadagno complessivo dell’amplificatore operazionale ad anello aperto. I transistori di potenza non trovano solo applicazione negli amplificatori ma anche nei cosiddetti circuiti riconducibili al settore dell’elettronica di poten- 36 . è lo stadio di potenza. Gli amplificatori necessitano di una sorgente da cui attingere la potenza da aggiungere ai segnali di ingresso. uno dei lati forti dello specchio doppio (T3 . il cui compito. è quello di abbassare l’impedenza di uscita dell’amplificatore. occorre caricare il collettore con una resistenza elevata. un altro parametro fondamentale per quanto riguarda uno stadio di amplificazione è una bassa impedenza di uscita. Per massimizzare il guadagno di tensione. ma anche di molti altri circuiti elettronici. i BJT devono essere realizzati con dimensioni.5 Stadi di Potenza a Transistori Bipolari Un elemento fondamentale degli amplificatori operazionali. basati sull’idea di mantenere il livello di tensione di uscita pressochè pari a quello di ingresso e amplificare esclusivamente la corrente. Cominceremo con l’introdurre i BJT di potenza. Oltre al rendimento ed un’elevata dinamica del segnale in uscita. 1. Questo modo “strano” di prelevare l’uscita è funzionale alle caratteristiche di ingresso dello stadio successivo. Questa dissipazione andrebbe ovviamente minimizzata. 1. presenteremo poi stadi di amplificazione di potenza. Come è stato sottolineato precedentemente. Per fare questo si usa come carico la resistenza di uscita di T9 . anche questo aspetto deve essere descritto e analizzato con attenzione per non rischiare di utilizzare questi sistemi fuori dalle loro corrette condizioni di operatività.1 Transistori bipolari di potenza Per poter sostenere tensioni e correnti elevate corrispondenti a potenze nell’ordine di alcuni watt o decine di watt.22 è considerato solo a livello di blocco logico.5. Si tratta di un circuito attivo che amplifica la potenza del segnale in modo da alimentare correttamente il carico.

W 40 30 20 10 0 0 25 50 75 100 125 150 TC .°C Figura 1. Per poter dissipare una grande potenza senza incrementare molto la temperatura occorre avere la resistenza termica più bassa possibile. Affinché il dispositivo non subisca danni irreparabili. Resistenza termica Ipotizzando che la temperatura ambiente nella quale il transistore si trova ad operare sia TA . 37 . alimentazione e apparati a motore. è necessario che la TJ rimanga comunque al di sotto di un certo valore simboleggiato con TJmax compreso solitamente tra 150 ◦C e 200 ◦C. Allora ad una temperatura ambiente qualsiasi TA è possibile dissipare al massimo PDmax .23: Andamento della potenza dissipabile in funzione della temperatura del contenitore. Tensioni e correnti elevate producono potenze elevate che vengono dissipate sotto forma di calore e quindi portano ad un aumento della temperatura di giunzione TJ . ∆TJ = TJ − TA = θJA PD La costante di proporzionalità θJA prende il nome di resistenza termica e corrisponde all’incremento di temperatura dovuto alla dissipazione di 1 W: pertanto si misura in ◦C/W. La resistenza termica tra giunzione ed ambiente è anche definibile come il rapporto tra il massimo incremento di temperatura a partire da TA0 e la massima potenza dissipabile a tale temperatura PD0 . Esempio dal data sheet del TIP31C za: interruttori e sistemi di controllo di reti elettriche.Maximum Power Dissipation . se esso deve dissipare una potenza PD allora la temperatura di giunzione subisce un incremento ∆TJ direttamente proporzionale a PD .Case Temperature .MAXIMUM POWER DISSIPATION vs CASE TEMPERATURE 50 Ptot .

Per TC < TC0 = 25 ◦C è dissipabile una potenza PD0 mentre al crescere della temperatura PDmax decresce linearmente fino ad annullarsi quando TC = TJmax . che spesso ne causa la rottura. • La resistenza differenziale che modellizza la giunzione base-emettitore è nell’ordine di pochi Ω. Parametri BJT di potenza I transistori bipolari di potenza hanno dimensioni differenti da quelli di segnale e perciò anche parametri tipici differenti. Quest’ultima eventualmente può essere ulteriormente scomposta in resistenza tra contenitore e dissipatore (heat sink) θCS e tra dissipatore ed ambiente θSA . Introducendo questi apparati aggiuntivi si cambia la resistenza termica complessiva. La SOA può essere disegnata su assi lineari o logaritmici (scelta standard per i data sheet). • All’esponente dell’espressione esponenziale che rappresenta la dipendenza della IC dalla VBE compare un fattore correttivo η = 2 al denominatore per correnti elevate. essendo solitamente nell’ordine delle decine. Il dissipatore infinito è un sistema ideale che è caratterizzato da θCA = 0 e quindi impone TC = TA . • La massima corrente di collettore sopportabile ICmax è nell’ordine delle decine di ampère. Il progettista può agire su alcuni di questi parametri per aumentare la possibilità di dissipare potenza dei transistori che maggiormente rischiano di danneggiarsi introducendo conduttori metallici nel progetto per facilitare il trasferimento di calore all’ambiente mediante fenomeni di irraggiamento e convezione. All’esterno della curva tensione-corrente il dispositivo può restare danneggiato irrimediabilmente. È interessante osservare la forma della Safe Operating Area (fig.θJA = TJmax − TA0 PD0 PDmax = TJmax − TA θJA Il parametro θJA è scomponibile in alcuni contributi che si sommano e singolarmente rappresentano la resistenza termica tra giunzione e contenitore θJC e tra contenitore ed ambiente θCA .24). passando ovviamente ad una di valore più piccolo. • Il β dei BJT di potenza è più basso di quelli di segnale. mentre la massima tensione BVCEO è normalmente compresa tra 50 V e 500 V. I produttori dei transistori forniscono un grafico come quello riportato in figura 1. • Le due iperboli indicate con 1 e 2 nel grafico della SOA (rappresentate da segmenti rettilinei a causa degli assi logaritmici usati nell’esempio) derivano rispettivamente da: il limite di potenza dissipabile alla temperatura 38 . invece la resistenza serie della base non è trascurabile. oltre ai quali la giunzione base-collettore polarizzata inversamente entra in breakdown. 1. come accade per i diodi. Esso riporta la massima potenza dissipabile dal dispositivo in corrispondenza della temperatura del contenitore.23. riducendo la resistenza termica complessiva al solo contributo θJC e rappresenta la massima potenza dissipabile dal dispositivo ad una certa temperatura. luogo dei punti del piano VCE /IC della caratteristica del BJT che rappresentano degli stati di funzionamento regolare.

sono allora definite le seguenti “classi”: • Classe A: un solo elemento di potenza. Infine.V Figura 1.2 Classi di potenza Esistono diverse soluzioni circuitali per realizzare amplificatori di potenza. 1.). In questo caso ci sono degli istanti in cui entrambi gli elementi sono in conduzione.Collector Current .A 10 DC Operation IC MAX 1·0 1 2 0·1 VBV CEO 0·01 1·0 10 100 1000 VCE . 39 .24: Safe Operating Area. i transistori bipolari di potenza sono distinguibili dagli altri a causa del contenitore. comuni a soluzioni diverse. • Classe AB: due elementi di potenza. studiato per dissipare agevolmente calore come è stato discusso precedentemente. • Classe B: due elementi di potenza. Riferendosi a segnali di ingresso di tipo sinusoidale e alla configurazione dello o degli elementi finali di potenza.MAXIMUM FORWARD-BIAS SAFE OPERATING AREA 100 IC .5. entrambi conducono alternativamente per un semiperiodo del segnale (angolo di conduzione: 180◦ ). entrambi conducono per più di un semiperiodo del segnale (angolo di conduzione: > 180◦). in cui scorre corrente per l’intero ciclo del segnale sinusoidale (angolo di conduzione: 360◦ ). Le caratteristiche degli amplificatori risultanti dipendono da alcuni paramteri progettuali. Esempio dal data sheet del TIP31C considerata (VCE · IC = PDmax ) e dal limite di breakdown secondario causato dalle disuniformità della densità di corrente attraverso la giunzione (IC · (VCE )α = cost.Collector-Emitter Voltage .

• Classe C: un elemento di potenza, che conduce per alcuni tratti del periodo del segnale (angolo di conduzione: < 360◦ ). Le classi utilizzate in banda audio sono le prime tre, mentre l’elevata distorsione della classe C ne limita l’uso in circuiti a radiofrequenza. Sono poi definite altre classi di amplificatori, che prevedono o l’uso di tecnologie a commutazione (classi D, E), di circuiti risonanti (classi E, F) o variazioni della tensione di alimentazione in funzione del livello del segnale (classi G e H). Nel seguito ci occuperemo delle classi A, B e AB.

1.5.3

Classe A
VAL

RB1 Rs Cs T1

vs

RB2

ZL

vu

Figura 1.25: Stadio amplificatore di potenza a collettore comune. Qualunque transistor collegato a emettitore comune o collettore comune, se propriamente polarizzato, può essere utilizzato come amplificatore in classe A. Se si considera ad esempio lo schema di fig. 1.25, schema base a collettore comune e singola alimentazione, occorre dimensionare correttamente le resistenze RB1 e RB2 per assicurare che, dato un segnale vs di una certa ampiezza, il transistor resti in conduzione per l’intero periodo. Nel carico ZL scorrerà sia la corrente dovuta al segnale, sia quella di polarizzazione. Qualora non si potesse far scorrere corrente continua nel carico, si dovrebbe separare il percorso di polarizzazione e segnale mediante un condensatore, a scapito del rendimento del sistema. Il rendimento è comunque il problema più grosso degli amplificatori in classe A. Per calcolare i limiti di rendimento di questa configurazione, utilizziamo uno schema leggermente diverso da quello visto sopra, in cui è possibile separare più chiaramente i contributi di polarizzazione e segnale. I risultati che otterremo per quanto riguarda il rendimento sono applicabili a tutti gli amplificatori in classe A. Lo schema di riferimento è visibile in fig. 1.26. Analizzando il circuito si vede che il guadagno di tensione è circa 1, in quanto la tensione sul carico vale VL = vs − VBE . Il guadagno di corrente è elevato e l’impedenza d’uscita è bassa. Queste sono le caratteristiche tipiche di un amplificatore di potenza.

40

+VAL

T1 IL vs RL I0

−VAL Figura 1.26: Amplificatore in classe A con doppia alimentazione. È importante calcolare i limiti della dinamica d’uscita. Il limite superiore è dettato dalla necessità di avere il transistor in linearità. Possiamo quindi dire che il segnale d’ingresso deve essere vs ≤ VAL . Se la tensione di alimentazione ∼ è VAL >> VBE possiamo dire che VLM AX = VAL . Per il limite inferiore, occorre notare che IL = IE − I0 . Poiché IE ≥ 0, si ha IL ≥ −I0 , quindi VL /RL ≥ −I0 . Se vogliamo una dinamica d’uscita simmetrica, è allora sufficiente scegliere I0 = VAL /RL . In questo modo si ha VAL ≥ VL ≥ −VAL . La transcaratteristica del circuito è riportata in fig. 1.27. Il segnale d’uscita è traslato rispetto all’ingresso di una quantità pari alla VB E del transistor. Nel seguito trascureremo questa traslazione, che può essere facilmente compensata. Un metodo molto efficace per compensare la traslazione è riportato in fig. 1.28. Analizziamo ora il rendimento del circuito applicando all’ingresso un segnale di tipo sinusoidale. Per quantificare il rendimento occorre calcolare la potenza sul carico PL e quella assorbita dall’alimentazione PAL . L’andamento del segnale sul carico sarà del tipo IL = Ip sin(ωt), Ip = Vp /RL , dove Ip e Vp rappresentano il valore di picco della corrente e della tensione sul carico,. La corrente assorbita dall’alimentazione ha due contributi: quello dovuto al ramo positivo, +VAL , è pari alla corrente di collettore IC del transistor, mentre quello dovuto al ramo negativo è dovuto alla corrente costante di polarizzazione I0 . Per la potenza si ha: PAL+ = 1 T
T 0

VAL · IC dt

IC = I0 + Ip sin(ωt)

41

VL VAL − VBE

−VBE

+VAL

vs

−I0 RL Figura 1.27: Transcaratteristica dell’amplificatore.

PAL+ =

VAL T

T

[I0 + Ip sin(ωt)] dt =
0 T

= VAL · I0 + VAL · Ip · − cos(ωt)|0 = VAL · I0

Si è sfruttato il fatto che un segnale sinusoidale a media nulla ha integrale nullo sul periodo di oscillazione. Il ramo negativo ha contributo pari a PAL− = VAL I0 , quindi la potenza totale assorbita dall’alimentazione vale: PAL = 2VAL I0 . Se si sceglie I0 = VAL /RL , per massimizzare la dinamica di tensione di uscita, si ha infine:
2 2VAL RL Rimane da calcolare la potenza (utile) del segnale sul carico PL .

PAL =

PL = = = = =

1 T RL (Ip sin(ωt))2 dt = T 0 2 Ip · RL T sin2 (ωt)dt = T 0 2 Ip · RL T = T 2 2 Ip · RL = 2 2 Vp 2RL 42

è possibile calcolare il massimo rendimento.26): esso amplificherebbe solo la semionda positiva di un segnale sinusoidale in ingresso perché il transistore rimarrebbe interdetto per tensioni di ingresso negative.+VAL − + vs T1 IL RL I0 −VAL Figura 1.4 Classe B Il tipico amplificatore a simmetrica complementare di classe B è riportato in fig. dato che per ottenere un segnale di 10 W di potenza vengono dissipati in calore ben 30 W che hanno il solo risultato di aumentare la temperatura del dispositivo. è estremamente basso. Dualmente. che si ottiene sfruttando tutta la dinamica. uno 43 . VAL . 1 = 25% 4 Il rendimento massimo. amplificare e dissipare potenza solo quando il segnale in ingresso non è circa nullo. η= 1.5. Altra osservazione è che la potenza assorbita dall’alimentazione non dipende dall’ampiezza del segnale.1.28: Amplificatore in classe A con recupero della VBE =⇒ η = Vp2 Vp2 PL RL = · = 2 2 PAL 2RL 2VAL 4VAL Dal momento che la massima ampiezza di picco che può essere associata al segnale sinusoidale è pari alla massima dinamica di picco di uscita. Concettualmente si può immaginare di ricavarlo da uno stadio di classe A che abbia un punto di lavoro a riposo con tensione nulla (ad esempio eliminando il generatore di corrente I0 nello schema di figura 1. dunque un amplificatore che potrebbe gestire in uscita un segnale da 100 W dissipa 300 W anche quando il segnale d’uscita vale soltanto 1 W o quando il segnale è assente del tutto.29 e rispetto a quello di classe A ha il vantaggio di condurre.

collegato al polo negativo dell’alimentazione. separati.on sono state al solito supposte uguali. 1.30.npn = Vi − VBE Vu. Si riducono notevolmente gli sprechi di corrente. dall’esterno.on < Vi < +VBE. è positivo.on < 0 il pnp si occuperà di generare il segnale di uscita. la tensione del segnale sarà sufficientemente alta da polarizzare il transistore npn.pnp = Vi + VEB Le VBE. dualmente. stadio realizzato con la stessa tecnica ma con un pnp. Finchè Vi − VBE.29: Schema base di amplificatore in classe B. amplificherebbe solo le semionde negative. Distorsione di Crossover Il fatto che la tensione di ingresso debba superare la soglia della VBE. Quando il segnale di ingresso. Il circuito in classe B mette insieme il funzionamento dei due amplificatori complementari con punto di funzionamento a riposo pari al riferimento di 0 V. proprio perchè solo uno dei due transistori conduce. il transistore T1 è in zona di conduzione. Le equazioni di funzionamento dei due sono le seguenti: Vu. quando Vi è negativo. Ognuno dei transistori si comporta di fatto come in uno stadio a collettore comune. mentre l’altro rimane interdetto. La 44 . dal momento che uno si occupa del solo segnale positivo.on per essere amplificata da uno dei due transistori è un problema perché quando −VBE. mentre il transistore T2 è in zona di interdizione. Questo tipo di sistema di amplificazione funziona in classe B. questo sarà in zona lineare e amplificherà. e il risultato finale. Vi .on il segnale non viene amplificato e anzi l’uscita rimane nulla. l’altro del solo segnale negativo. T1 è interdetto e T2 conduce. è quello di “vedere un solo emitter follower”: i due stadi. quando Vi + VBE.on > 0. dal momento che l’unica corrente richiesta dall’alimentazione è quella necessaria per pilotare il carico del sistema di amplificazione (mantenere il segnale sinusoidale in uscita). il grafico della transcaratteristica è riportato in fig. si dividono i compiti.+VAL T1 IL T2 vs RL −VAL Figura 1. pensando di trovarci su di un integrato.

Ip = Vp /RL .30: Transcaratteristica dell’amplificatore in classe B. l’amplificatore operazionale genera sulla propria uscita uno scalino di ampiezza pari a 2VBE che compensa la zona morta della coppia di transistor. di cui parleremo in seguito. non riproducendo in uscita una porzione di esso. IL = Ip sin(ωt). che non è significativo ai fini della potenza). Quando rimangono entrambi interdetti provocano una distorsione (apprezzabile) del segnale. forma d’onda amplificata da uno stadio del genere dunque sarà simile a quella in figura 1. Si può ridurre il crossover mantenendo il sistema in classe B. se si modifica il circuito in modo simile a quanto fatto nell’amplificatore in classe A con doppia alimentazione (fig.32. 1. Questo fenomeno è detto distorsione di crossover e dipende dal fatto che i transistori non sono sempre in condizioni di condurre. Lo schema corrispondente è riportato in figura 1.VL VAL − VBE −VAL VBE +VAL vs −VAL + VEB Figura 1. quando il segnale d’uscita attraversa lo zero. 45 .28). Rendimento Abbiamo già notato che rispetto all’amplificatore in classe A ci dovrebbe essere un miglioramento nel rendimento perché non c’è più il contributo della corrente di polarizzazione: tutta la corrente assorbita dall’alimentatore scorre nel carico. Consideriamo come al solito un segnale di uscita di tipo sinusoidale con corrente di picco Ip e corrispondente tensione di picco Vp . Nel semiperiodo positivo della sinusoide condurrà il transistor T1 e la sua corrente di collettore IC1 sarà circa pari alla corrente nel carico (trascuriamo il contributo di IB1 .31. La distorsione non è eliminata completamente a causa del limite di slew-rate dell’op-amp. Vogliamo ora quantificare il rendimento di questo stadio. L’amplificatore operazionale cercherà di mantenere nullo il segnale differenziale di ingresso: per ottenere ciò. Ma la corrente IC1 è anche pari alla corrente assorbita dal ramo positivo dell’alimentazione.

per cui la potenza totale vale: 2VAL Ip π La potenza nel carico è il prodotto della corrente efficace per la tensione efficace.31: Distorsione di crossover sulla forma d’onda amplificata.5 0 −0.1 0. PAL+ = 1 T T 0 VAL · IC1 dt PAL+ = VAL T T /2 Ip sin(ωt) dt = 0 = VAL Ip · 1 1 T /2 − cos(ωt)|0 · T ω 1 T ·2 = VAL Ip · · T 2π VAL Ip = π La potenza assorbita nel semiperiodo negativo dal ramo negativo dell’alimentazione ha identico valore.5 −1 −5 0 5 10 15 Figura 1. Possiamo calcolare la potenza media assorbita dal ramo positivo dell’alimentazione integrando la corrente IC1 su un periodo del segnale. quindi PAL = PL = Il rendimento quindi vale: η= Vp Ip Vp π π PL = = · · PAL 2 2VAL Ip VAL 4 46 Vp Ip 2 .

in modo che il transistor entri in conduzione per l’intero semiperiodo di sua competenza (fig.5 Classe AB Per eliminare il fenomeno del crossover bisogna fornire ai due transistor due segnali diversi. Polarizzazione con diodi Introducendo due diodi tra l’ingresso e la base si ottiene una tensione aggiuntiva che compensa quella minima necessaria all’accensione della giunzione (fig. per garantire l’assenza della distorsione di crossover. 47 .1. 1. perciò questa configurazione appartiene alla cosiddetta classe AB. di cui il più semplice è tramite due diodi posti sul percorso del segnale.33). Aggiungere solo i diodi non basta.34). IL 1. In assenza di segnale non viene assorbita corrente dall’alimentazione. Il circuito risultante non è più classificabile nella classe B dato che. Esistono altri modi di polarizzare i diodi. scalati ognuno di una tensione pari alla VBE del rispettivo transistor. in questo caso il rendimento massimo è ηmax = π/4 = 0. Il concetto verrà sviluppato in un esempio pratico alla fine della trattazione. in alcuni brevi istanti di tempo tutti e due i transistori si trovano in stato di conduzione. che consentono di ovviare ad alcuni problemi legati all’uso dei resistori. Occorre allora fornire in qualche modo la corrente di base. Poiché la dinamica d’uscita massima equivale all’incirca alla tensione d’alimentazione. Lo scalamento della tensione d’ingresso può essere ottenuto in vari modi.32: Compensazione della distorsione di crossover.+VAL T1 − + T2 RL vs −VAL Figura 1. perché dall’ingresso non si riuscirebbe a far scorrere corrente nella base dei transistor.5. Il metodo più semplice consiste nel collegare due resistori tra le rispettive alimentazioni e le basi dei transistor.78. cioè circa tre volte più elevato di quanto raggiungibile con uno stadio in classe A.

Polarizzazione con moltiplicatore di VBE Un sistema alternativo per eliminare la zona morta della caratteristica sfrutta un transistor aggiuntivo T3 . ma di fatto ne ha creati altri: non è pensabile che la caduta sui due diodi compensi esattamente la VBE dei transistor di potenza. se il transistor T3 viene termicamente collegato ai transistor T1 e T2 . VBE3 (R1 + R2 ) = VBE3 R1 R2 R1 VB1 − VB2 = IR (R1 + R2 ) = 1+ Il moltiplicatore di VBE permette da un lato di controllare meglio la caduta di tensione tra le due basi. di seguire la variazione della VBE dei transistor di potenza con la temperatura. Protezione dalla fuga termica L’introduzione dei diodi ha sicuramente eliminato il problema del crossover. per cui i transistor possono essere entrambi in conduzione quando non vi è segnale in ingresso. quindi la caduta di tensione totale tra le basi dei due transistori di potenza è pari alla VBE moltiplicata per un coefficiente legato al rapporto tra le resistenze. le resistenze R1 ed R2 si trovano collegate in serie e sono attraversate dalla corrente IR . nella configurazione rappresentata in figura 1.+VAL T1 VBE IL vs VEB T2 RL −VAL Figura 1. invece che alle Vγ dei diodi come nella soluzione precedente. La corrente che scorre nei transistor provoca dissipazione di potenza e quindi aumento di temperatura degli stessi. Tuttavia. dall’altro.33: Schema teorico di amplificatore in classe AB. Trascurando la corrente di base di T3 . la caduta di tensione su R1 è imposta pari alla VBE di T3 .35. L’intensità della corrente nei transi48 .

36 è schematizzata una semplice soluzione. riducendo la corrente che scorre nel transistor. provocando un aumento della corrente e quindi un ulteriore aumento della temperatura di giunzione. cade su di loro una tensione che fa aumentare la tensione di emettitore. diminuendo la VBEON dei transistor. Si ha cioè un fenomeno di reazione positiva. La soluzione a questo problema consiste nell’introdurre degli elementi che contrastino questa reazione positiva e si oppongano all’aumento di corrente. stor dipende dalla temperatura di giunzione. Dato che la VBEON diminuisce di 2.34: Amplificatore in classe AB con diodi e resistori.+VAL RB1 T1 D1 IL vs D2 T2 RL RB2 −VAL Figura 1. Le resistenze allora “contropolarizzano” i BJT: dal momento che scorre su di esse una corrente più elevata. consistente nell’aggiunta di due resistori sugli emettitori degli elementi di potenza. aumenta la corrente che scorre nei transistor ma anche quella che scorre nelle resistenze RE . più aumenta la temperatura dei transistor. più aumenta la differenza tra la Vγ dei diodi e la VBEON dei transistor. abbassando di fatto la differenza tra VBEON + VE e la Vγ del rispettivo diodo. Quali variazioni nel funzionamento del circuito sono introdotte da queste resistenze? • Introducendo le resistenze sugli emettitori si protegge il circuito dalla fuga termica nel seguente modo: quando la temperatura aumenta. In figura 1.5 mV ◦C−1 . che porta ad un aumento incontrollato della temperatura degli elementi di potenza fino alla rottura degli stessi. • Le resistenze forniscono una prima protezione per quanto riguarda le sovracorrenti sui BJT: una corrente eccessiva in uscita fa cadere una tensione 49 .

in caso di cortocircuito sull’uscita la massima corrente che può scorrere nel transistor T1 vale ILM AX ≈ VAL /RE1 . Se non si aggiungono dei dispositivi di protezione. Protezione dai corto-circuiti Gli stadi di potenza rappresentano normalmente l’uscita di un circuito elettronico. cioè in generale molto piccole. per il ramo positivo. rischiando la rottura 50 . Molte volte i terminali del carico sono collegati dagli utenti del circuito. Inoltre la caduta di tensione ai loro capi provoca un abbassamento della dinamica di uscita. • Il difetto di queste resistenze è che aumentano l’impedenza di uscita dello stadio di amplificazione. dunque i transistor si trovano a dissipare molta potenza. elevata sulle resistenze.+VAL RB1 T1 IR R1 T3 IL R2 T2 RL vs RB2 −VAL Figura 1. Questa semplice soluzione ha però delle controindicazioni. Dal momento che esse sono comunque così utili non è possibile eliminarle ma andranno dimensionate in modo da essere compatibili con le altre specifiche del circuito. In tale situazione al circuito viene richiesta molta corrente mentre la tensione sul carico è nulla.35: Realizzazione pratica dell’amplificatore di classe AB con moltiplicatore di VBE . Lo stadio di potenza deve avere sufficiente robustezza da sopravvivere ad eventi come un corto circuito. In questo modo. inoltre il carico è spesso la parte del sistema con affidabilità più bassa. la corrente che scorre è limitata solo dalla massima corrente erogabile dall’alimentatore.

37. ma. Quando la corrente supera il valore massimo prefissato dal progettista. in modo da poter fornire una sorta di segnale di “shutdown” all’amplificatore. come mostrato in fig. difficilmente è possibile dimensionarli in modo da fornire una protezione efficace ad un carico in corto circuito. In pratica. Si introduce però una reazione positiva mediante due transistor aggiuntivi T5 e T6 .+VAL RB1 T1 D1 VE1 RE1 vs D2 IL VE2 RE2 RL T2 RB2 −VAL Figura 1. si misura la corrente che scorre negli elementi attivi dello stadio di potenza mediante le resistenze già viste poste sugli emettitori. di uno dei componenti attivi per superamento della massima temperatura di giunzione. tramite il loro collettore riducono la corrente di base del rispettivo transistor di potenza. RE1 e RE2 . 1. Si utilizza allora una forma di protezione attiva che deve continuare a verificare lo stato di corrente dell’uscita. Se questi transistor entrano in conduzione. come notato sopra. la caduta di tensione su RE1 o RE2 raggiunge la VBEON del rispettivo transistor T5 o T6 .36: Stadio amplificatore di classe AB con resistenze di emettitore. Le resistenze sugli emettitori viste nel paragrafo precedente sono in grado di limitare la corrente fornita dal circuito. 51 . limitando il guadagno dello stadio ed evitando di fatto l’ulteriore aumento di corrente d’uscita.

+VAL RB1 T1 T5 D1 RE1 vs D2 T6 IL RE2 RL T2 RB2 −VAL Figura 1.37: classe AB con protezione da cortocircuito in uscita 52 .

reale Conoscendo la struttura di base dell’amplificatore operazionale e avendo studiato le principali topologie di stadi di potenza. lo schema riportato permette di comprendere i limiti operativi degli A. In ogni caso. Inoltre gli operazionali reali sono studiati in modo da ottimizzare le prestazioni del circuito a scapito della complessità. 1.O.1.6 Modelli dell’A.38: Schema circuitale di un amplificatore operazionale con amplificatore di potenza di classe AB.38). Sono infatti stati omessi ad esempio i transistor per la protezione contro i cortocircuiti in uscita. per quanto riguarda dinamica di ingresso e uscita. 53 .O. Questo schema dell’amplificatore operazionale è più completo del precedente ma non rispecchia ancora totalmente la struttura di un operazionale reale. +VAL RM T5 T6 T7 T8 T10 IN− T1 T2 IN+ D1 RE1 OUT RE2 D2 T11 T4 T3 T9 −VAL Figura 1. che abbiamo studiato nel paragrafo precedente. è possibile perfezionare lo schema di un amplificatore operazionale introducendo in uscita uno stadio in classe AB (fig.

ma comunque mai nulle. le cui correnti non possono sicuramente essere nulle: se fossero nulle. Le correnti I+ e I− possono essere stimate facilmente. ben difficilmente β1 = β2 .38. Dallo schema interno dell’A. Ne consegue che in ogni circuito utilizzante un amplificatore operazionale dev’essere presente un percorso per la corrente continua tra ciascun ingresso ed un punto collegato al potenziale di riferimento del sistema. dell’ordine di decine di microampere. Non è possibile collegare ad un ingresso dell’operazionale solo un condensatore in serie. reale in tecnologia bipolare di fig. nelle successive fasi di progetto. Ibias := I+ + I− 2 Iof f set := |I+ − I− | Iof f set Iof f set I− = Ibias − 2 2 Nei paragrafi successivi verrà spiegato come ridurre l’influenza di queste correnti all’interno dei circuiti. in quanto. Infatti è preferibile che il loro contributo sull’uscita sia minore possibile. tuttavia in molti casi è necessario. tenere conto degli scostamenti del funzionamento del componente reale da quello ideale. rispettivamente modo comune e differenziale delle due correnti. perché provocherebbe l’interdizione del corrispondente transistor. Poiché la corrente I0 di uscita dallo specchio costituito da T3 e T4 è generalmente bassa. 1. La corrente di bias è la corrente media che scorre negli ingressi. Tali scostamenti sono dovuti alla struttura interna del circuito e alle tolleranze degli elementi attivi e passivi. Correnti di ingresso In un amplificatore operazionale ideale le correnti entranti nei morsetti di ingresso sono nulle per definizione. Per tenere conto delle correnti di polarizzazione in ingresso durante lo studio di circuiti con operazionali. tale per cui le due correnti I1 e I2 siano circa pari a I0 /2. si nota che i terminali di ingresso sono collegati alle basi di due BJT disposti in modo da formare uno stadio differenziale.banda passante.6.O. infatti.1 Offset di tensione e corrente Il modello ideale dell’amplificatore operazionale è valido in prima approssimazione per la fase iniziale di progetto o di analisi di una vasta gamma di circuiti. Inoltre è comodo rappresentare tali correnti scomponendole in due contributi come è stato fatto per le tensioni v+ e v− : si definiscono le correnti di bias e offset. slew-rate e di spiegare l’esistenza di correnti e tensioni parassite d’ingresso. è possibile introdurre nel modello una coppia di generatori di corrente in corrispondenza dei due terminali di ingresso IN+ e IN− . anche se l’amplificatore viene normalmente usato con tensione differenziale d’ingresso molto piccola. I+ = I2 /(β2 + 1) e I− = I1 /(β1 + 1). o perlomeno sia trascurabile rispetto agli ingressi principali del circuito. =⇒ I+ = Ibias + 54 . 1. si tratta di correnti effettivamente molto basse. Dall’espressione di I+ e I− si capisce subito come di fatto sia difficile che queste correnti siano uguali tra loro. i transistori non sarebbero polarizzati e l’amplificatore non potrebbe funzionare in linearità.

38. mentre quella al collettore di T2 è uguale a quella presente alla base della coppia Darlington (T7 e T8 ). Tensione di ingresso Un altro importante parametro che quantifica lo scostamento dal comportamento ideale è legato all’altra equazione costitutiva dell’a. è necessario fornire una piccola differenza di potenziale tra i morsetti invertente e non invertente per azzerare la tensione d’uscita. I limiti della dinamica sono quei valori di VC che portano in saturazione o interdizione i BJT (VC.mentre quella di offset dipende dagli sbilanciamenti introdotti ad esempio dal diverso β dei transistor e da analoghi fattori che dipendono da come è realizzato lo stadio di ingresso dell’operazionale.2 Dinamica di ingresso di modo comune Nel paragrafo 1. Facendo riferimento alla figura 1. sempre a causa delle asimmetrie nella struttura interna. Infatti. Normalmente Vof f è pari a pochi mV.max e VC. Questa differenza di potenziale prende il nome di tensione di offset Vof f .6.1 abbiamo osservato come il parametro di dinamica di tensione più importante per l’ingresso di un operazionale sia costituito dalla dinamica di modo comune e non da quella di modo differenziale. Dato che 55 . Abbiamo anche giustificato l’introduzione del carico attivo sullo stadio differenziale proprio in quanto l’uso di semplici resistenze limita la dinamica di modo comune del circuito. VC1 > VB1 = VC VC2 > VB2 = VC =⇒ VCmax = VAL − 2VBE L’altro limite della dinamica viene raggiunto quando la tensione della base di T2 scende tanto da portare fuori dalla linearità il transistore T4 . La tensione al collettore di T1 è fissata da T5 del lato forte dello specchio di corrente/carico attivo (T5 e T6 ). VC1 = VAL − VEB5 VC2 = VAL − VEB7 − VEB8 Poiché la caduta tra base ed emettitore dei transistor NPN e dei PNP può essere considerata uguale in modulo all’interno di un circuito integrato. è necessario che le giunzioni B-C di T1 e T2 siano polarizzate inversamente. La più bassa delle tensioni di collettore è VC2 . ideale: vd = v+ −v− = 0.min ).o. chiameremo VBE tale numero (pari alla VEB dei PNP).3. Cerchiamo allora di stabilire quale sia la dinamica di ingresso di modo comune del modello di amplificatore operazionale introdotto in fig. Tenendo conto del fatto che entrambe le tensioni di base (uguali al modo comune VC ) devono essere minori di quelle di collettore appena determinate. si ricava la massima tensione di modo comune dalla più stringente delle due disequazioni. 1.38. La dinamica di ingresso di modo comune è determinabile introducendo la stessa tensione VC sui due ingressi e ragionando sulle condizioni di permanenza dei transistori in condizioni di funzionamento lineare. 1. Per semplicità si considera come caso limite VB = VC . In generale la corrente di bias è più alta di quella di offset ed è più facile annullarne gli effetti.

che è legata alla tensione negativa di alimentazione. RL = 10 kΩ. con la tensione di alimentazione. Si tenga presente che la dinamica di uscita è anche influenzata dal carico collegato: se esso è caratterizzato da bassa resistenza sarà difficile che l’amplificatore possa fornire tutta la corrente necessaria a raggiungere tensioni elevate (fig.o. Questa configurazione è detta rail-to-rail input. a meno di pochi millivolt. TL082 alimentato con ±15 V. che portano a dinamiche di ingresso diverse.3 Dinamica di uscita La dinamica di uscita è l’intervallo di tensioni che possono essere raggiunte dal terminale di uscita del sistema. Esistono poi amplificatori in cui la dinamica di ingresso di modo comune coincide. Per esempio vengono riportati i parametri dal datasheet dell’a.1.39). =⇒ VCmin = −VAL + VBE4 + VBE2 = −VAL + 2VBE 1. Esistono molte varianti allo schema da noi studiato. TL082 alimentato con tensioni simmetriche VAL = ±15 V. Anche in questo caso saranno presenti delle cadute sulle giunzioni e le resistenze interne e quindi non sarà possibile raggiungere le tensioni di alimentazione a meno di alcuni volt.o. la tensione VBE2 è approssimativamente costante.39: Andamento della dinamica di uscita in Vpp in funzione del carico espresso in kΩ per l’a.Figura 1. Gli amplificatori costruiti per alimentazione singola hanno in genere limite inferiore di dinamica di modo comune pari a 0 V. si può determinare anche in questo caso quando il collettore di T4 raggiunge la tensione della sua base.6. VC4 > VB4 = −VAL + VBE4 VC4 = VE2 = VB2 − VBE2 =⇒ VB2 > −VAL + VBE4 + VBE2 Nel nostro circuito i due limiti di dinamica di ingresso di modo comune sono simmetrici e pari circa alla tensione di alimentazione meno un volt e mezzo. 56 .

come in fig.40. occorre trattare allo stesso modo anche la resistenza di ingresso. dunque. lineare). lo si scompone in due porzioni relative a un singolo transistore. possiamo attribuire metà del segnale ad un transistore. definendola come il rapporto tra vd e la corrente entrante nell’amplificatore causata dal modo differenziale id . si avrà un segnale pari a vd /2.Alcuni amplificatori operazioni realizzati con delle tecniche diverse sono in grado di fornire una tensione di uscita che può raggiungere la tensione di alimentazione (amplificatori rail-to-rail output). resistenza di modo differenziale.6. si avrà che: id = rid = vd 1 · 2 rπ vd = 2rπ id Resistenze di modo comune Per ottenere un risultato significativo relativamente alla resistenza di ingresso di modo comune. per ogni morsetto. un’impedenza pari a quella di ingresso nella base di un transistore bipolare polarizzato direttamente (e quindi in regione RAD. Resistenza di modo differenziale Dato un segnale di ingresso di modo differenziale. si può calcolare la resistenza di ingresso di modo differenziale. 1. 5 V 1.4 Impedenze di ingresso In un modello completo di amplificatore operazionale bisogna tenere conto del fatto che le impedenze di ingresso non siano infinite. sfruttando la simmetria del circuito. per quanto elevato. La resistenza di ingresso vista dal singolo stadio è allora riconducibile alla seguente espressione: ric1 = vc = rπ + 2ro (1 + β) ∼ 2ro (1 + β) ic1 57 . Occorre dunque considerare una resistenza di ingresso legata al segnale differenziale vd . entrando. bensì abbiano un valore finito. vd . Per valutare la resistenza di modo comune procediamo applicando un generatore di prova VC ad entrambi gli ingressi dello stadio. rid = vd id Dal momento che si introduce un segnale di modo differenziale vd . Poiché i segnali di ingresso dell’operazionale vengono normalmente scomposti in modo comune e modo differenziale. ed una di modo comune che appare applicando ai due ingressi un segnale VC di modo comune. ro . metà all’altro. dal momento che ciascuna metà del segnale di modo differenziale vede. Output Voltage Swing min = ±12 V typ = ±13. Il calcolo risulta semplificato se. occorre tenere conto della resistenza di uscita dello specchio di corrente.

40: Calcolo della resistenza di modo comune (a) Circuito iniziale (b) Circuito equivalente 58 .I1 I2 T1 T2 VC ro I0 (a) I1 I2 T1 T2 VC 2ro I0 2 VC 2ro I0 2 (b) Figura 1.

v2 = −ri2 · gm1 · vd Il secondo stadio è la coppia Darlington: anch’essa si comporta come amplificatore di tensione di guadagno elevato.1. 1. v3 = −ri3 · gm2 · v2 Lo stadio finale di potenza non aumenta ulteriormente il guadagno in tensione: il suo compito è quello di amplificare la corrente o. Ad = Vu vd Il primo stadio è la coppia differenziale. Vu = ri2 · ri3 · gm1 · gm2 · vd Questo modello può tornare utile per avere una stima del guadagno complessivo del circuito. modellizzabile dal punto di vista del modo differenziale come un amplificatore caratterizzato da un guadagno in tensione elevato.6. 59 . usando un modello semplificato (fig. si determina il guadagno complessivo del circuito. In molti casi è possibile trascurarla. la resistenza complessiva è pari alla metà.41: Modello per calcolo guadagno in continua Per terminare lo studio in continua dell’amplificatore operazionale. ric = ro (1 + β) La resistenza di ingresso di modo comune risulta molto più elevata di quella di modo differenziale.5 Guadagno differenziale Darlington gm2 v2 v2 ri2 v3 ri3 v3 Vu Potenza ro Differenziale gm1 vd vd rd Figura 1. Questo stadio è di tipo invertente (questa considerazione sarà utile per la stabilizzazione in frequenza).Dato che i due stadi sono in parallelo. di abbassare l’impedenza d’uscita.41). equivalentemente.

Bisogna 60 . Il transistor M8 realizza uno stadio di uscita in classe A polarizzato da M7 . 1. sfruttando le resistenze di uscita di M2 e M6 e producendo in pratica un guadagno di tensione molto elevato. la corrente che vorrebbe imporre M6 è più alta di quella che può scorrere in M2 . M5 e M6 sono il carico attivo del differenziale. Normalmente un operazionale CMOS ha solo due stadi. M1 e M2 formano uno stadio differenziale.VAL M5 IR M8 M1 M2 M6 IN− IN+ OU T M3 M4 M7 −VAL Figura 1. portando l’uscita a un livello prossimo a −VAL . in quanto M8 può essere progettato in modo da erogare sufficiente corrente in uscita. Le caratteristiche di tali amplificatori sono. quindi la corrente effettiva è quella imposta da M2 . Tale guadagno è ancora aumentato da M8 . La tensione sul gate di M8 è prossima a VAL ed il transistore è interdetto.6.6 Amplificatore operazionale CMOS Avendo visto come sia possibile realizzare lo specchio di corrente e lo stadio differenziale usando transistori MOS. Un possibile circuito che realizza un amplificatore operazionale CMOS è riportato in fig. la struttura ha parecchie similitudini con quella dell’operazionale a BJT. M8 ed M9 sono dimensionati in modo da portare l’uscita all’incirca a VAL in questo caso. mentre M6 viene portato in zona resistiva. Solo in un piccolissimo intorno di vd = 0 il sistema si comporta in modo quasi lineare. che si trova in configurazione a source comune. In questo caso la corrente I0 si ripartisce in parti uguali sui due rami per effetto del carico attivo che forza le due correnti ad essere identiche. alcune solo apparenti.42: Amplificatore operazionale CMOS.42 Come si vede. per vd positive è M2 ad uscire dalla zona di saturazione di canale. in questo caso la corrente nel drain di M6 e nel drain di M2 devono essere uguali in quanto il gate di M8 non assorbe corrente. polarizzato dallo specchio di corrente costituito da M3 e M4 . basse correnti di polarizzazione di ingresso ma maggiori offset di tensione. diversamente dal circuito a BJT. 1. Per tensioni vd negative. in genere: consumo di corrente ridotto. Al contrario. risulta evidente come si possano progettare amplificatori operazionali in tecnologia CMOS. Si noti che.

• Resistenza di carico RL > 4 kΩ. Operating Temperature Range 0 ◦C to 70 ◦C) è pari a VAL = ±18 V e quindi compatibile con le specifiche. 1. tenendo conto delle non idealità dell’amplificatore operazionale usato. • Dinamica di tensione di uscita Vu = ±10 V.1 specifiche Utilizziamo le seguenti specifiche di progetto: • Guadagno in tensione: AV = 10. che è stato scelto.o. il differenziale e lo specchio di corrente sono PMOS. il carico attivo è NMOS.pdf Maximum ratings La prima cosa da fare è controllare se le specifiche possono essere soddisfatte dall’a. ma in questo caso non vi è nulla di significativo.national. Riprendiamo il progetto dell’amplificatore non invertente. Gli altri parametri presenti nella sezione devono essere controllati attentamente in un progetto reale. 1. Di questo si parlerà più avanti nel corso. In realtà.2 Progetto Nel progettare un circuito bisogna sempre per prima cosa verificare la congruenza delle specifiche.7 Dimensionamento di un amplificatore Dopo avere studiato le caratteristiche degli amplificatori operazionali reali.7. • Amplificatore operazionale LM741.com/ds/LM/LM741. Si è scelto di illustrare questa configurazione per mettere in risalto le somiglianze con la configurazione a BJT studiata sopra. 1. dato che i MOS di potenza a canale N hanno prestazioni decisamente migliori dei PMOS. siamo in grado di dimensionare correttamente i componenti in un circuito basato su amplificatori operazionali. • Tensione di alimentazione VAL = ±15 V. Nel seguito si farà riferimento al datasheet del componente LM741 della National Semiconductor. in cui M8 è un NMOS. disponibile in rete all’indirizzo: http://www. 61 . Quindi si controllano le caratteristiche della sezione maximum ratings.notare che l’uscita di drain può creare qualche problema di stabilità al circuito quando utilizzato con carichi reattivi. in genere non si usa la configurazione appena descritta ma la sua complementare. ossia le grandezze limite considerate “sicure” per l’operatività del componente. In questo caso la massima tensione di alimentazione simmetrica per la versione commerciale del dispositivo (LM741C.7.

quindi occorre controllare la compatibilità con la RL prsente nelle specifiche. Dunque anche questo dato è compatibile con la nostra applicazione. Il parametro Output Voltage Swing è indicativo della dinamica per ampi segnali.Caratteristiche elettriche Occorre poi valutare se l’amplificatore è in grado di pilotare il carico e di fornire su di esso la dinamica di tensione richiesta. Vtyp = ±13 V Nei due casi elencati di RL = 2 kΩ e RL = 10 kΩ si può determinare la corrente massima erogabile dall’operazionale nelle rispettive condizioni di carico. Vmin = ±12 V. Ci spostiamo quindi nella sezione delle caratteristiche elettriche del datasheet (pagina 3 del documento) e troviamo alcuni parametri utili. R2 R1 − + R3 Vi Iu IL RL Vu If Figura 1. Vmin = ±10 V. Vtyp = ±14 V • Se RL ≥ 2 kΩ. 62 . Il valore di resistenza di carico che ci interessa è intermedia tra le due elencate e la dinamica di uscita da specifiche è raggiungibile con una RL più bassa di quanto previsto nel progetto.2 mA RL RL = 10 kΩ =⇒ VMAX = 12 V =⇒ IMAX = Si nota poi che la corrente di cortocircuito vale 25 mA. RL = 2 kΩ =⇒ VMAX = 10 V =⇒ IMAX = VMAX = 5 mA RL VMAX = 1.43: Schema dell’amplificatore non invertente. Questa corrente è un importante parametro da tenere presente nelle successive fasi di progetto. Nel datasheet leggiamo: • Se RL ≥ 10 kΩ. Per garantire il funzionamento del dispositivo in ogni condizione. si prendono in considerazione le grandezze caratteristiche del caso peggiore. Si noti che la massima tensione raggiungibile è minore al diminuire della resistenza del carico.

la cui presenza è inifluente sul funzionamento del circuito nel caso di operazionale ideale. Vu = Vi 1+ R2 R1 = 10 V/V =⇒ R2 = 9R1 Si osservi che l’informazione che è stata ricavata dal circuito ideale è relativa: rappresenta il rapporto tra le resistenze da impiegare ma non fornisce un’indicazione sul loro effettivo valore assoluto. La corrente di retroazione è If mentre quella che circola nel carico IL . si possono confrontare le due intensità di corrente ricavando le cadute di tensione sui resistori. che normalmente non si disegna perché si suppone faccia parte di un altro circuito da collegare all’uscita dell’operazionale.Schema elettrico Lo schema del circuito è riportato nella figura 1. Non fornisce inoltre indicazioni sul valore di R3 . Nella figura è stata esplicitata la resistenza RL . Abbiamo visto che la massima corrente per garantire la specifica sulla dinamica di tensione di uscita di 10 V è pari a 5 mA. R2 e R3 ) sono necessarie delle considerazioni aggiuntive sull’uscita. Iu = If + IL If = Vu Vu = R1 + R2 R2 · 10/9 Per dimensionare la corrente di retroazione è necessario considerare che essa non deve troppo elevata per non sottrarre corrente al carico. Allora: If ≪ 5 mA =⇒ R2 · 10 10 V ≃ R2 ≫ = 2 kΩ 9 5 × 10−3 A Questa disequazione impone un minimo all’insieme dei possibili valori di R2 (lower bound): se si scendesse al di sotto di tale valore si sottrarrebbe corrente al carico e si limiterebbe la dinamica d’uscita. è stata aggiunta R3 per motivi che saranno chiariti in seguito. ma non deve neanche essere troppo bassa. Correnti di retroazione e carico La corrente erogata dall’amplificatore operazionale Iu si divide in due nel nodo di uscita sul quale sono collegati la resistenza R2 della retroazione e il carico. Una possibile soluzione quantitativa consiste nel porre un’ordine di grandezza di differenza tra la massima IL prevista e If . R2 ≥ 20 kΩ 63 . la retroazione e le non idealità.43. Anche se non fosse disegnata occorrerebbe comunque tenere conto della corrente che l’amplificatore deve poter fornire ad essa. Per ottimizzare i valori assoluti dei parametri di progetto (R1 . Il rapporto tra le resistenze R2 e R1 è dato dalla funzione di trasferimento del circuito ideale dell’amplificatore non invertente: l’amplificazione deve essere AV = 10 come richiesto dalle specifiche. per motivi che verranno chiariti meglio nel seguito. Rispetto allo schema di base con due sole resistenze.

In particolare ci concentreremo sull’effetto della tensione di offset e delle correnti di polarizzazione e di offset. 1.44 per esplicitare il contributo di tali parametri. Vof f ha sul circuito lo stesso effetto di un generatore posto sull’ingresso non 64 . Il nostro circuito può essere ridisegnato come in fig. essendo la corrente in rid nulla.Effetto delle non idealità Per trovare il massimo valore possibile per R2 occorre valutare l’influenza delle non idealità dell’amplificatore sul funzionamento del circuito. considerando per il resto l’operazionale come fosse ideale: Ad → ∞.44: Modello circuitale dell’amplificatore operazionale reale. R2 R1 Ib + Iof f /2 − Vof f ro Vu rid + vd Ad vd R3 Vi Ib − Iof f /2 Figura 1. I generatori di offset agiscono indipendentemente tra loro e dal segnale di ingresso. Tensione di offset Si nota facilmente che. Per determinare l’effetto di questi generatori sull’uscita è consigliabile annullare vi e analizzare la rete mediante la sovrapposizione degli effetti. In pratica si considera l’effetto di un paramtero per volta. per cui vd → 0 e corrente in rid nulla.

Risulta quindi evidente come il contributo della tensione di offset abbia la stessa espressione ottenuta per l’ingresso principale vi . Non scorrendo corrente in rid anche l’ingresso invertente assume la stessa tensione. R2 R1 Vu |Vof f = Vof f · 1 + La conseguenza molto importante è che il contributo sull’uscita della tensione di offset non dipende dal valore assoluto di R2 . 65 . si fa riferimento al circuito di fig. 1. Infatti. Lo si può ridisegnare in questa posizione (fig.invertente. Tutta la corrente scorre allora in R2 : Vu |I− = R2 Ib + Iof f 2 Per quanto riguarda l’ultima delle correnti di offset.45: Spostamento della tensione di offset all’esterno del modello dell’amplificatore operazionale.45). l’ingresso non invertente dell’operazionale si trova a 0 V. Per ridurre l’effetto di Vof f sull’uscita si dovrebbe ridurre il guadagno (che è definito dalle specifiche e quindi non si può modificare). R2 R1 Vof f − ro rid + vd Ad vd Vu R3 Vof f Figura 1. Dunque non vi è caduta di potenziale ai capi di R1 e quindi in essa non può scorrere corrente. Correnti di offset La corrente di offset relativa al terminale invertente (fig. nonché l’ultimo dei contributi di offset del circuito. non scorrendo corrente in R3 . 1. 1. ma esclusivamente dall’amplificazione del circuito.46) non può circolare attraverso R1 .47.

Infatti è possibile fare in modo che i contributi di Ib si annullino a vicenda 66 . Il parametro di progetto R3 è un ulteriore grado di libertà a disposizione del progettista che può essere sfruttato per diminuire l’effetto delle correnti di offset. il morsetto non invertente dell’operazionale sarà a tensione diversa da 0 V e il calcolo dell’uscita sarà ancora una volta riconducibile al calcolo del guadagno di un amplificatore non invertente: Vu |I+ = −R3 Ib − Iof f 2 1+ R2 R1 Sovrapposizione degli effetti A questo punto è sufficiente sovrapporre i tre contributi calcolati nei paragrafi precedenti per determinare lo scostamento totale della tensione di uscita da quella ideale. Iof f 2 Iof f 2 R2 R1 Vu |of f set = Vof f · AV + R2 Ib + − R3 Ib − 1+ A questo punto diventa importante la presenza della resistenza R3 la cui introduzione sembrerebbe ingiustificata se si facesse affidamento sul semplice modello ideale.46: Contributo corrente di offset su ingresso invertente Si possono fare delle considerazioni analoghe alle precedenti. secondo il quale non sarebbe attraversata da alcuna corrente. Dal momento che la corrente sul resistore R3 provoca una caduta di tensione su di esso. La corrente di offset relativa al terminale non invertente passa tutta dentro il resistore R3 in quanto rid non permette il passaggio di corrente.R2 R1 0V Ib + Iof f /2 − ro rid vd Ad vd Vu + 0V R3 Figura 1.

che non è riducibile. 3 MΩ 2 · 10−7 67 .47: Contributo della corrente di offset su ingresso non invertente dal momento che hanno segni opposti. non si può fare altro che selezionare il valore di R2 in modo che il contributo della Iof f sia almeno trascurabile rispetto a quello della Vof f . imponendo che siano uguali le resistenze viste dai soli generatori di corrente sui terminali dell’operazionale. Vof f · AV ≫ R2 · Iof f =⇒ R2 ≪ Vof f · AV Iof f Nel caso in esame. l’espressione dell’offset diventa: Vu |of f set = Vof f · AV + Iof f R2 Dopo avere eliminato l’effetto di Ib sull’uscita.R2 R1 − ro rid vd Ad vd Ib − Iof f /2 Vu −(Ib − Iof f /2)R3 R3 + Figura 1. Raccogliendo i termini in Ib e in Iof f si ha infatti: Vu |of f set = Vof f · AV + Ib R2 − R3 1 + Imponendo R3 1 + R2 R1 = R2 −→ R3 = R1 R2 = R1 //R2 R1 + R2 R2 R1 + R2 Iof f R2 + R3 1 + 2 R1 Se si sceglie questo valore di R3 . estraiamo dal datasheet del componente LM741 i parametri di offset di worst case e calcoliamo il valore limite di R2 : R2 ≪ 10 · 6 · 10−3 = 0.

Il sistema viene usato in applicazioni lineari solo inserendo una rete di reazione. che ogni polo nel semipiano di sinistra della funzione di trasferimento del sistema introduce una rotazione di −90◦ sulla fase della f. utilizzando resistenze della serie normalizzata E12. Dato che l’amplificatore operazionale è composto da tre stadi (differenziale. Nel nostro caso. R2 ≤ 30 kΩ 1. mentre a frequenze più alte la rotazione di fase aggiuntiva introdotta dai poli dell’amplificatore può portare il sistema verso la reazione positiva. Abbiamo visto che l’amplificatore.d. possiamo stabilire R2 = 27 kΩ. vale −45◦ . Ciascuno dei tre stadi presenta una determinata frequenza 68 . Si suppone che dai corsi precedenti siano già noti il concetto di reazione e le tecniche per studiare la stabilità dei sistemi reazionati.2 kΩ. per cui qui analizzeremo solo il caso specifico richiamando i fondamenti quando necessario. sebbene si spera che non ce ne sia bisogno. Per R3 potremo optare per R3 = 2. trascurandone la risposta in frequenza. cioè verso l’instabilità. è costituito da tre stadi di amplificazione.8 Risposta in frequenza Finora è stato studiato il comportamento in continua dell’amplificatore operazionale. che possono ridursi a due in tecnologia CMOS. come abbiamo già visto. la stabilità dell’amplificatore non è garantita a priori.8. che portano il guadagno a essere circa il 10% più alto o più basso del voluto. in quanto i generatori di offset agiscono indipendentemente dall’ingresso. Poiché ogni stadio di amplificazione introduce almeno un polo.7 kΩ e 3. il sistema è caratterizzato da tre poli. di solito).Una volta determinati i valori massimi e minimi di R2 è possibile sceglierne il valore e di conseguenza fissare quelli degli altri componenti. Sappiamo che un sistema reazionato è stabile. Le variazioni di fase dovute a più poli vicini tra di loro si sommano.t. quando la reazione è negativa. Questo è facile da ottenere a basse frequenze. che però è un valore normalizzato solo nella serie E24.3 kΩ. cioè si comporta da amplificatore. 1.d.t. anzi occorre studiare la stabilità del sistema in funzione della rete di reazione adottata. se utilizziamo l’approssimazione più semplice. nella sua versione a BJT. La tecnica qui illustrata può essere utilizzata per il progetto di buona parte dei circuiti con amplificatori operazionali. In corrispondenza della pulsazione ωp la rotazione della fase della f. Per avere guadagno pari a 10 dovremmo selezionare R1 = 3 kΩ. completando la rotazione una decade dopo. medesima. Tale rotazione comincia a manifestarsi gradualmente a partire da una decade prima della pulsazione ωp del polo. I valori normalizzati più vicini sono 2. Darlington e amplificatore di potenza). Normalmente i primi due sono sufficientemente distanti tra di loro (ben più di una decade.1 Funzione di trasferimento Ricordiamo ancora. Si noti che partendo dalla configurazione invertente i risultati che si ottengono sono identici. detta appunto a polo dominante. cioè quando il segnale di uscita viene riportato in ingresso con uno sfasamento di 180◦.

48: Diagramma di Bode della caratteristica di un amplificatore operazionale. fig. Inoltre l’elevata impedenza vista dalla capacità aumenta il valore della costante di tempo. per la continua la rotazione di fase tra segnale di ingresso e segnale retroazionato è per l’appunto 180◦ . e dunque si sommino: la reazione per queste frequenze non è più negativa. |A| ∠A −20 dB/dec 0◦ −40 dB/dec −90◦ −180◦ ωp1 ωp2 ωp3 ω Figura 1. 1.48. Il primo dei poli naturali dell’amplificatore operazionale deriva dall’uscita dello stadio differenziale caricata dall’ingresso del Darlington: l’effetto Miller amplifica la capacità presente tra base e collettore del Darlington a causa dell’elevato guadagno di tensione presente tra quei due terminali dei transistor. Il diagramma di Bode di un generico amplificatore operazionale è riportato nella figura 1. a causa dei poli dell’amplificatore. Se si retroaziona il sistema con una rete resistiva. Tuttavia all’aumentare della frequenza. In prossimità del secondo polo di pulsazione ωp2 si avranno 180◦ −135◦ = 45◦ di sfasamento.di cut-off. e una decade più in alto ancora 180◦ − 180◦ = 0◦ . in quanto i poli dell’amplificatore operazionale 69 . diminuisce la differenza di fase tra ingresso e feedback: in corrispondenza della pulsazione del primo polo ωp1 si avranno 180◦ − 45◦ = 135◦ . diminuendo la frequenza di taglio dello stadio. come nel caso dell’amplificatore non invertente richiamato poco sopra.43. I segnali di ingresso e retroazione sono in quadratura. Dire che tra il feedback e il segnale di ingresso c’è uno sfasamento di 0◦ è come dire che entrambi i segnali abbiano la stessa fase. Una decade dopo la pulsazione del primo polo si avranno 180◦ − 90◦ = 90◦ .

1. Il problema è che diminuendo il guadagno di anello si diminuirebbero anche i benefici della retroazione. Per ottenere un margine di fase di 45◦ occorre che il guadagno d’anello sia pari a 0 dB in corrispondenza della frequenza del secondo polo. le frequenze intorno ad ωT sono esaltate rispetto a quanto previsto dalla funzione di trasferimento del sistema ideale (fenomeni di ringing e overshoot). Il margine di guadagno è definito come il valore assoluto del guadagno di anello in dB corrispondente alla pulsazione con ∠Aβ(ω180 ) = 180◦ . • introdurre un ulteriore polo nel sistema. Operativamente è necessario introdurre elementi reattivi di valore opportuno in punti specifici del circuito. Il fatto che la reazione al di sopra di una certa frequenza diventi positiva porta alla creazione di un anello che amplifica sempre più l’ingresso sommandoci il segnale di retroazione: in questo modo si raggiunge sicuramente la condizione di funzionamento non lineare e il sistema oscilla. inferiore a 45◦ . Il segnale di retroazione è pari al prodotto tra il segnale di ingresso e quello presente all’uscita dell’amplificatore a sua volta attenuato dalla rete di retroazione. Più alto è il margine di fase più il sistema è stabile.1 e seguenti). a rischio di generare retroazione positiva. È sostanzialmente l’attenuazione del segnale di retroazione positiva perché in un sistema stabile il valore assoluto di Aβ(ω180 ) deve essere minore di uno. Il margine di fase è definito come la differenza di fase tra 180◦ (cioè reazione positiva) e la fase del guadagno d’anello alla pulsazione ωT alla quale il valore assoluto del guadagno di anello è unitario |Aβ| = 1. Se il margine di fase è ridotto. Chiamando A l’amplificazione del sistema e β l’attenuazione introdotta dalla rete di reazione. Utilizziamo nuovamente le notazioni già introdotte all’inizio del capitolo per studiare le impedenze di ingresso e uscita e gli effetti di Ad (si veda la figura 1.2. tale da essere a frequenza molto bassa e divenire dunque il nuovo polo dominante. 70 .8. Perciò lo sfasamento tra segnale di ingresso e di retroazione è pari a 180◦ più la fase del guadagno di anello. seguendo due tecniche principali: • portare a frequenze più basse la posizione del primo polo (polo dominante) dell’operazionale. Un modo di ottenere questo risultato consiste nell’abbassare il guadagno di anello.hanno indotto una rotazione di fase tale da sommare i segnali di ingresso e feedback (retroazione positiva). fondamentali per utilizzare in modo corretto l’amplificatore operazionale. chiamato guadagno di anello. la soluzione del problema consiste nel fare in modo che il sistema non amplifichi i segnali a frequenze troppo alte. sezione 1. Questo metodo riduce drasticamente la banda passante del sistema ed è quindi utilizzato solo quando non sia possibile modificare la posizione del polo dell’operazionale.2 Guadagno d’anello Dal momento che non è possibile cancellare i poli del sistema.1. Infatti se il segnale di retroazione viene attenuato non può dare inizio a quel processo di deriva che porta fuori linearità il sistema ad altre frequenze. la porzione di segnale riportata in ingresso dal sistema è amplificata di un fattore Aβ = T .

in modo da modificare la capacità totale. 1. Risulta evidente come lo spostamento del primo polo sia la soluzione preferibile.49: Definizioni dei margini di fase e guadagno. Facendo riferimento al modello semplificato dell’amplificatore operazionale (fig. che spesso produce il fenomeno del pole splitting di cui parleremo più avanti.41. 1. incrementando la costante di tempo e dunque abbassando la frequenza del primo polo. Compensazione a polo dominante Il metodo di compensazione a polo dominante. derivato da quello già visto in fig.|Aβ| 0 dB ω Margine di guadagno ∠Aβ 0◦ −90◦ Margine di fase −180 ◦ ωp1 ωT ω180 ω Figura 1. consiste nel mettere in parallelo una capacità alla capacità già presente sull’uscita del primo stadio di amplificazione (responsabile del primo dei poli naturali del sistema). la capacità da modificare 71 .50 in cui la griglia ha spaziatura di una decade in frequenza e di 20 dB in ampiezza.51). 1. Una comparazione tra le due tecniche è riportata nell’esempio di fig.

che però dipende da come è costruita la rete di retroazione. Per studiare la stabilità di Aβ basta riportare sul grafico di A una linea orizzontale alla quota 1/β e interpretare tale linea come asse a 0 dB per la funzione da studiare. Una possibilità consiste nel rendere disponibile all’esterno dell’operazionale la base del Darlington e lasciare al progettista il compito di inserire tra base e riferimento un condensatore di valore opportuno in funzione della rete di reazione scelta per il circuito. A questo proposito però occorre fare delle scelte relativamente al valore di capacità da integrare. La soluzione che si adotta normalmente consiste nell’integrare il condensatore di compensazione. Come abbiamo visto sopra. la rete di reazione consiste in un partitore resistivo. ma permette di massimizzare banda e slew-rate del circuito. almeno nell’utilizzo del circuito come amplificatore. è C1 . la grandezza da rendere stabile mediante lo spostamento del polo è il guadagno d’anello Aβ. Si può osservare che. Ora è evidente che il caso peggiore. si ha se β = 1. Questo equivale a compensare il 72 . cioè si ha β < 1 e in più β è costante e non dipende dalla frequenza. in quanto comporta l’inserimento di un componente in più sul circuito stampato. cioè per la configurazione a voltage follower. Questa scelta si effettua raramente.50: Comparazione tra compensazione con aggiunta di un polo a bassa frequenza ωA e mediante abbassamento della frequenza del primo polo ωB . Ci sono diversi modi di procedere.|A| −20 dB/dec −40 dB/dec 0 dB ω −60 dB/dec ωA ωB ωp1 ωp2 ωp3 Figura 1. cioè guadagno d’anello massimo. In questo caso il diagramma di Bode del prodotto Aβ non è altro che il diagramma di A traslato in verticale verso il basso di una quantità pari al modulo di β.

Se l’amplificatore è stabile quando reazionato a voltage follower. 1. CC ro gm1 vd vd rd v2 ri2 C1 gm2 v2 v3 ri3 C2 v3 Vu Figura 1.52).52: Capacità di compensazione a cavallo del secondo stadio. Dal teorema di Miller. come nell’esempio di fig. Sorge però un problema. Un tale valore è però difficilmente integrabile. grafico di A. è frequente il caso in cui il primo polo debba essere spostato di tre decadi. senza traslazioni.ro gm1 vd vd rd v2 ri2 C1 gm2 v2 v3 ri3 C2 v3 Vu Figura 1. Pole splitting La soluzione al problema di integrabilità consiste nello sfruttare l’effetto Miller. indicando con K il guadagno dell’amplificatore invertente del secondo stadio. Questo vuol dire che il condensatore aggiuntivo da porre in parallelo a C1 è dell’ordine di grandezza del nanofarad. sarà a maggior ragione stabile per tutte le configurazioni con guadagno maggiore di uno. La rete contiene una maglia di condensatori che la rende degenere: ha meno poli di quanti siano gli elementi reattivi presenti nella rete. si ha che: Zin = ZC · 73 1 1−K .51: Modello dell’operazionale con esplicitate le capacità parassite legate ai primi due poli. come illustrato tra poco. Se la capacità parassita C1 è dell’ordine di grandezza del picofarad. L’effetto Miller si sfrutta inserendo la capacità a cavallo dello stadio Darlington anzichè collegandola direttamente in parallelo a C1 (fig. Esso consente di amplificare il valore della capacità posta tra due nodi tra i quali esiste un guadagno in tensione: questo permette di integrare agevolmente la capacità di compensazione ed ha in più un effetto benefico sulla posizione del secondo polo. 1.50.

ossia allontanamento dei poli.Zout = ZC · K K −1 v3 = −gm2 Z3 v2 K = −gm2 Z3 L’impedenza di carico Z3 contiene anche l’elemento reattivo C2 . in figura 1. Questo fenomeno prende il nome di pole splitting. si ha un andamento in frequenza approssimabile con una funzione di trasferimento ad un solo polo. Facendo i conti si può verificare che viene introdotto uno zero nel semipiano destro di Laplace. tanto da superare spesso quella del terzo polo originale. Ricordiamo che per un sistema di questo tipo il guadagno assume la seguente forma: AV = 1 1 · β 1+ 1 T 74 .53 è visibile un esempio di aggiunta del condensatore di compensazione nello schema semplificato di operazionale che abbiamo costruito nelle sezioni precedenti. K è negativo e molto grande. Ad (f ) = Ad0 f 1 + j f0 Utilizziamo questa espressione approssimata per calcolare la banda passante di un amplificatore reazionato con una rete β. 1. e inoltre la frequenza del secondo polo dell’operazionale viene innalzata notevolmente. aumentando banda e slew-rate del circuito rispetto alla prima soluzione vista in cui si inseriva un condensatore in parallelo a C1 . Questo consente di innalzare ulteriormente la frequenza del primo polo.54. per cui è sufficiente un condensatore di compensazione molto piccolo per spostare molto a sinistra la posizione del primo polo.3 Prodotto banda-guadagno Abbiamo visto che per un amplificatore operazionale compensato a voltage follower il diagramma di Bode del modulo del guadagno Ad assume un andamento simile a quello riportato in figura 1. Ceq = CC · (1 + gm2 Ri3 ) ≈ CC gm2 Ri3 ωp1 ≈ 1 CC gm2 Ri3 Ri2 Gli effetti del condensatore CC non si fermano qui. che però ha effetto solo a frequenze più alte del primo polo. ma a frequenza molto alta. che diventa il secondo polo nella nuova funzione di trasferimento.8. in configurazione non invertente. Per frequenze inferiori a quella del secondo polo (corrispondente a un’amplificazione di modulo pari a 0 dB). per cui nello studio degli effetti di CC sul primo polo possiamo considerare Z3 ≈ Ri3 .

+VAL RM T5 T6 T7 T8 T10 CC IN− T1 T2 IN+ D1 RE1 OUT RE2 D2 T11 T4 T3 T9 −VAL Figura 1. 75 .53: Condensatore di compensazione sull’amplificatore operazionale d’esempio.

|A| −20 dB/dec 0 dB −40 dB/dec f f0 fBW Figura 1.54: Diagramma di Bode di A per un amplificatore operazionale compensato per voltage follower Dove T = Ad β è il guadagno d’anello. si ottiene: AV = Riordinando i termini si ha: AV = Generalmente si ha 1 << 1 Ad0 β da cui AV ≈ 1 1 · β 1 + j A fβf 0 d0 1 Ad0 β · β Ad0 β 1 + 1 + j f Ad0 β Ad0 βf0 1 1 · 1+jf /f0 β 1+ Ad0 β Questa espressione permette di calcolare la banda passante del sistema retroazionato. vale fT = βfBW . Con questa definizione si può scrivere che la frequenza di taglio a −3 dB. Dato però che 1/β = AV 0 è il guadagno del circuito per 76 . Sostituendo l’espressione di Ad (f ) riportata sopra. Definiamo ora: fBW = Ad0 f0 Tale frequenza corrisponde sul diagramma di Bode all’incrocio della caratteristica di Ad con l’asse a 0 dB. fT .

In questi amplificatori la banda passante e la stabilità dipendono dal valore assoluto della resistenza di reazione R2 . Gli amplificatori current feedback sono usati in applicazioni in alta frequenza ove occorre ampia banda passante anche con guadagni elevati. Si noti che questo risultato è valido anche per la configurazione invertente. Facciamo riferimento alla figura 1. che agisce nel dominio del tempo: lo slew rate.4 Slew Rate Le limitazioni in frequenza dell’amplificatore operazionale non derivano esclusivamente dalla banda passante. Lo slew rate per definizione è la massima velocità di variazione del segnale d’uscita dell’amplificatore. Dunque se si usa un amplificatore operazionale per realizzare un amplificatore di tensione. sul collettore di T8 . o a reazione di corrente. 77 . Ricordiamo infatti che la funzione di trasferimento di un amplificatore invertente si può scrivere come: 1 1 AV = 1 − · 1 β 1+ T per cui anche per questa configurazione si ottiene la stessa banda passante. 1. in cui questo legame non c’è.53. Ricordandoci che lo stadio d’uscita (T10 . la banda passante del sistema sarà tanto minore quanto più alto è il guadagno in continua del circuito. SR (VU ) = max ∂VU ∂t Il suo effetto si vede in modo molto evidente nella risposta ad un gradino d’ingresso. ma anche da un parametro non lineare.ti. Un’interessante e comprensibile introduzione agli amplificatori current feedback si trova sul sito della Texas Instruments (www. Quando il segnale differenziale di ingresso varia molto rapidamente. Analizziamo il nostro solito amplificatore operazionale d’esempio per capire da dove ha origine il limite di slew rate del circuito. non è l’unico possibile per realizzare un amplificatore operazionale. possiamo affermare che la tensione d’uscita si ritrova. tipica dell’amplificatore. chiamata appunto prodotto banda-guadagno. T11 ) ha guadagno di tensione unitario. pari a fBW . se si considera come guadagno quello della configurazione non invertente con la stessa rete di reazione β. cioè con reazione in tensione. a meno di una continua. che viene chiamato voltage feedback. cioè il prodotto tra la banda passante di un amplificatore e il suo guadagno è una costante. Esistono anche amplificatori operazionali di tipo current feedback.8.com): Application report slva051 “Voltage Feedback vs Current Feedback Op Amps”. si ha ancora che AV 0 fT = fBW .frequenze basse. In realtà lo schema che abbiamo utilizzato. Current feedback Il legame tra guadagno e banda passante trovato sopra è una conseguenza diretta del modo in cui sono costruiti gli amplificatori operazionali “normali”. il sistema esce dalla linearità e tutta la corrente a disposizione dello stadio differenziale (I0 ) scorre in uno dei due rami del medesimo.

Ma abbiamo detto che in transitorio la corrente che può scorrere nel nodo in cui si incontrano il collettore di T2 . dato un certo segnale sull’uscita. il segnale d’uscita risulta affetto da una grossa distorsione armonica. Osserviamo però che tra questi due punti è collegato un condensatore. da cui è possibile misurare lo slew rate. La tensione d’uscita diventa allora una rampa e la massima pendenza. vale: SR (VU ) = max d [(I0 /CC ) · t] dt = I0 CC Un esempio di risposta al gradino per ampio segnale. quale dei due limiti interviene per primo? Calcoliamo il limite di slew rate per un segnale di tipo sinusoidale: 78 . quello di T6 .OUTPUT VOLTAGE SWING (5V/DIV) TIME (2ms/DIV) Figura 1. in quanto viene progettato per rendere il sistema stabile e determina il prodotto banda-guadagno. cioè lo slew rate. Un segnale sinusoidale in ingresso assumerà in uscita una forma sempre più simile a quella triangolare man mano che la frequenza aumenta. che indica la massima velocità di variazione dell’uscita. Allora per variare la tensione d’uscita occorre caricare/scaricare CC . La base di T7 invece è a un potenziale quasi costante. sia dello slew rate. Ma. la base di T7 e un capo di CC è al più pari alla corrente I0 . il condensatore di compensazione CC .55: Risposta all’impulso per ampio segnale dell’operazionale TL082 (dal data sheet National Semiconductor). Occorre insistere sul differente significato di questi due parametri: la banda passante è un parametro di piccolo segnale: indica qual è la frequenza massima che viene riportata sull’uscita dell’amplificatore senza attenuazione (o con un’attenuazione massima di 3 dB). è visibile in figura 1. Allora durante il transitorio il condensatore CC risulta caricarsi o scaricarsi a corrente costante. il condensatore di compensazione è responsabile sia della banda passante dell’amplificatore operazionale. per un segnale di ampiezza infinitesima. Legame tra BW e SR Da quanto visto sopra. Quando si superano i limiti di slew rate.55. Lo slew rate è invece un parametro di ampio segnale.

Qual è il massimo guadagno utilizzabile e qual è la massima ampiezza d’uscita indistorta quando il segnale d’ingresso è una sinusoide a frequenza 400 kHz? ωVpk ≤ SR = Bode Plot Undistorted Output Voltage Swing MAX = ωVpk cos(ωt)|MAX = ωVpk Figura 1.Vu (t) = Vpk sin(ωt) Per trovare lo slew rate della sinusoide occorre massimizzarne la derivata: dVu dt Segue che: I0 SR I0 =⇒ Vpk ≤ = CC ωCC ω Dunque la massima ampiezza di un segnale sinusoidale in uscita da un amplificatore operazionale decresce con la frequenza con legame di tipo iperbolico. mentre il prodotto banda guadagno è GBW = 4 MHz. Si voglia utilizzare un operazionale modello TL082 per realizzare un amplificatore con banda passante pari a f0 = 400 kHz.4 Lo stesso risultato si può ottenere utilizzando i grafici presenti sul data sheet. il massimo della derivata dell’onda sinusoidale deve essere inferiore allo slew rate dell’operazionale: 13 V = 5. Dal data sheet del TL082 si vede che lo slew rate vale SR = 13 V µs−1 .17 V 2π · 0.56: Risposta in frequenza e massima tensione d’uscita per il TL082 (dal data sheet National Semiconductor). Esempio 2.56. I due grafici più significativi sono riportati in figura 1. La specifica di banda passante sarà rispettata se si rimane al di sotto del prodotto banda-guadagno: AVM AX = GBW = 10 f0 Per quanto riguarda l’ampiezza. VpkM AX = 79 Vpk · 2π · 4 × 105 V s−1 ≤ 17 V µs−1 .