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Arquitectura de Computadores Características

z Cuando analizamos las distintas memorias debemos


tener en cuenta las siguientes características:
Memorias – Localización (Location)
– Capacidad (Capacity)
– Unidad de transferencia (Unit of transfer)
– Método de acceso (Access method)
– Ejecutoria (Performance)
Sesión-23 – Tipo físico (Physical type)
– Características del físico (Physical characteristics)
– Organización (Organization)
Lunes, 06 de Diciembre de 2010

Capacidad
Localización
z Celda de Memoria:
– Circuito eléctrico usado para almacenar un bit. Ejemplo son
z Procesador (CPU) FF, anillos magnéticos, etc.
– Registros z Tamaño de palabra (Word size)
z Interna (Internal) – La unidad natural de la organización de la memoria.
– Largos comunes de palabras son 8,16, 32 hasta 64 bits. No
– Memoria Principal siempre el tamaño es igual al numero de líneas de dato.
z Externa (External) z Números de palabras (Number of words)
– Memoria Secundaria o Auxiliar – Bytes: esta formado de 8 bits.
– Nible: esta formado de 4 bits.
Capacidad
Capacidad
z Ejemplo 1: z Ejemplo 2:
– Un chip de memoria esta especificado 2K x 8. – Un chip de memoria esta especificado 256K x 8.
¿Cuántas líneas de entrada y salida tiene?
¿Cuántas palabras (words) se pueden almacenar ¿Cuántas líneas de dirección tiene? ¿Cuál es su
en el chip? ¿Cuánto es el total de bits que este capacidad en bytes?
chip puede almacenar? – Solución:
– Solución: z Tiene ocho de cada una, ya que el tamaño de la palabra
z En números reales 1k = 1024. Por lo tanto: es ocho.
– 2K = 2 x 1024 = 2048 words z La memoria almacena 256 x 1024 = 262.144 palabras.
Como 262.144 = 218 , este requiere un total de 18 bits de
z Cada palabra es de 8 bits (byte). Por lo tanto:
dirección.
– 2048 x 8 = 16, 384 bits
z Un byte es 8 bits. Por lo tanto la capacidad de la
memoria es de 262.144 bytes.

Unidad de transferencia Métodos de Acceso (1)


z Interna (Internal) z Secuencial (Sequential)
– Usualmente gobernada por el ancho del data bus (bus – Comienza desde el principio y lo lee en el orden en que
width) esta.
– Es la cantidad de bits que puede ser leída o escrita en la – El tiempo de acceso depende de la localización de los datos
memoria en un solo tiempo o momento dado. y su localización previa.
z Externa (External) – e.g. cinta (tape)
– Usualmente los datos son enviados en un bloque el cual es z Directa (Direct)
mas grande que una palabra (word). – Los bloques individuales de datos o instrucciones tienen
direcciones únicas.
z Unidad de direccionamiento (Addressable unit)
– El acceso es por brinco a la localización y luego la
– Localización mas pequeña la cual puede ser únicamente
búsqueda pasa a ser secuencial.
direccionada (addressed).
– El tiempo de acceso depende en la localización y la
– En algunos sistemas esta unidad es la palabra (word) pero
localización previa.
en otros casos esta al nivel del byte.
– e.g. disco (disk)
– También es conocida como palabra interna (Word
internally).
Métodos de Acceso (2) Ejecutoria (Performance)
z Aleatoria (Random)
z Tiempo de acceso (Access time)
– Las direcciones individuales son identificadas exactamente.
– En la memoria de acceso aleatorio es el tiempo entre el
– Cualquier localización puede ser seleccionada
aleatoriamente para ser directamente direccionada y presentar la dirección y acceder los datos validos.
accedida. – En la memoria de acceso no aleatorio es el tiempo que le
– El tiempo de acceso es independiente de la localización o el toma al mecanismo de escritura-lectura colocarse en la
acceso previo. posición deseada.
– e.g. RAM, algunos cache z Tiempo de ciclo de memoria (Memory Cycle time)
z Asociativa (Associative) – Es el tiempo que requiere la memoria para recuperarse
– Los datos son localizados por comparación con el contenido antes del siguiente acceso.
de una porción del almacenamiento. – El tiempo de ciclo es acceso + recuperación
– El tiempo de acceso es independiente de la localización o el
acceso previo. z Rango de transferencia (Transfer Rate)
– e.g. la mayoría de los cache – Rango a la cual la datos pueden ser movidos adentro o
afuera de la unidad de memoria.

Características físicas
Tipos físicos (Physical Types) z Descenso (Decay)
– Se refiere a la perdida de poder eléctrico cuando el
interruptor es apagado.
z Semiconductor (Semiconductor) z Volátil (Volatility)
– RAM, ROM, Jump Drive, etc. – Es un termino relacionado al descenso y se refiere a si la
memoria puede perder su contenido por la falta de energía.
z Magnético (Magnetic) z No-volátil: no pierde su contenido
z Volátil: pierde su contenido
– Disco (Disk) & Cinta(Tape)
z Borrable (Erasable)
z Óptico (Optical) – Se refiere a si el contenido de una memoria puede ser
cambiada o eliminada deliberadamente.
– CD & DVD
z Consumo de poder (Power consumption)
– Energía que necesita para mantener su contenido.
Puntos relevantes
Organización z ¿Como de mucho?
– Capacidad (Capacity)
z Es la clave del diseño. z ¿Como de rápido?
z Debe entenderse como el arreglo físico de los – El tiempo es dinero
bits en una palabra (words) z ¿Como de caro?
z No siempre es obvia esta organización. – A mayor velocidad en el tiempo de acceso, mayor
costo por bit.
– A mayor capacidad, menor el costo por bit.
– A mayor capacidad, menor el tiempo de acceso.

Jerarquías de Memoria(1) Lista de jerarquía(2)

z Registros (Registers) z Registros (Registers)


– En el CPU z L1 Cache
z Memoria interna o principal. z L2 Cache
– Puede incluir uno o mas niveles de cache. z Memoria principal (Main memory)
– “RAM”, “ROM”
z Disco (Disk) cache
z Memoria externa (External memory)
z Disco (Disk)
– También conocida como memoria auxiliar
– Almacenamiento de resguardo (Backing store) z Óptico (Optical)
z Cinta (Tape)
Lista de jerarquía(3) Operación Normal de la Memoria
z Todo tipo de memoria requiere diferentes tipos de
z Según bajamos en la jerarquía líneas de I/O para realizar lo siguiente:
encontramos: – Seleccionar la dirección en memoria para las operaciones de
lectura (Read) y escritura (Write).
– Decrece el costo por bit – Seleccionar entre las operaciones de R/W a realizar.
– Aumenta su capacidad – Suplir o aguantar datos los datos para las operaciones de
– Decrece el tiempo de acceso R/W en memoria.
– Activar (Enable) o desactivar (Disable) la memoria durante las
– Decrece la frecuencia de acceso de la memoria operaciones de R/W.
por el procesador.

Tipos de ROM
Memoria ROM z Escritos durante la manufactura
z Llamada memoria de solo lectura ya que los ROM – MROM (Mask Programmed ROM)
originales solo permitían que se les escribiera solo z Muy costosos para corridas pequeñas.
una vez. z Ejemplos de esta memoria es 74187 (256x4, 40ns tiempo de
acceso), 7488A (32x8, 45ns), TMS47257 (32Kx8, 200ns, 82.5
z Hoy día los diferentes tipos de esta memoria son mW) y el TMS47C256 (“CMOS”, 32Kx8, 150ns, 2.8 mW).
diseñadas para guardar datos de forma permanente
z Programable (Solo una vez)
o que no es cambiada frecuentemente.
– PROM (Programmable ROM)
z Microprogramado z Necesita equipo especial para ser programado
z Se utilizan para: z La estructura en igual a la del MROM pero utilizando unos
– Librerías para subrutinas fusibles para cambiar solo una ves el contenido de estas.
z Ejemplos de esta memoria es 74186 (64x8, 50ns), TBP28S166
– Programa del Sistema (BIOS) (2Kx8, 50ns), TMS27PC256 (“CMOS PROM”, 32Kx8, 120-250
– Tablas funcionales. ns, 1.4 nW).
Tipos de ROM Memoria RAM
z Mayor mente leído
– Erasable Programmable (EPROM) z RAM (Random Access Memory)
z Es borrado por Luz Ultra Violeta (UV). – Es llamada así pero todas las memorias semiconductoras
z Ejemplos Intel 2732 (4kx8, 45ns), Intel 27C512 (64Kx8, 100µs). son de acceso aleatorio (random access). Característica:
z El borrado tarda de 15 a 20 minutos y la escritura es de 50 ms.
z Lectura/Escritura (Read/Write)
– Electrically Erasable (EEPROM)
z Puede ser borrado eléctricamente y por bits individualmente. z Volátil (Volatile)
z El tiempo de escritura es de unos 5 ms. z Almacenamiento temporal (Temporary storage)
z Ejemplos Intel 2864 (8Kx8). z Estático o Dinámico (Static or dynamic)
– Flash memory – Los tamaños típicos son 1 a 64K y tamaño de palabras de 1,
z Borra toda la memoria eléctricamente 4 o 8 bits.
z Se pueden borrar eléctricamente como los EEPROM y tienen las
densidad de los EPROM. – Ejemplos de los RAM originales son el 2147H “NMOS”,
z Su tiempo de escritura son de unos 10 µs. MCM6206C “CMOS RAM”.
z Ejemplo es el Intel 28F256A (32Kx8).
z Nombres son Jump Drive, Dump Drive, Pen Drive, etc.

RAM Dinámico (DRAM) RAM Estático (SRAM)


z Características: z Características:
– Los bits almacenados como cargas en los capacitores. – Los bits son almacenados como interruptores on/off
– Perdida de carga (Charges leak) – No tiene perdida de carga
– Necesita refrescarse a un cuando este encendida. – No necesita refrescarse cuando esta conectada
– Construcción simple – Construcción mas compleja
– Mas pequeña por bit. – Mas grande por bit
z Celdas pequeñas = mas celdas por unidad de área z Celdas grandes = menos celdas por unidad de área
– Mas cara comparada con el DRAM
– Menos costosa comparada con el SRAM.
– No necesita circuitos para refrescar
– Necesita circuitos para refrescar
– Rápida comparada con el DRAM
– Lenta comparada con el SRAM
z Ejemplos MCM6206 (32Kx8), 2147 (4Kx1) y el
z Ejemplo es el 4116 (16Kx1). MCM6708A (64Kx4).
z Utilización: Memoria principal z Utilización: Cache
Tecnología RAM(1) Tecnología RAM(2)
z DRAM Sincronizado (SDRAM)
z Enhanced DRAM – Corrientemente en el DIMMs
– Contiene pequeños SRAM – El acceso es sincronizado con el reloj externo
– El SRAM guarda la ultima línea leída. (c.f. – La dirección es presentado al RAM
Cache!) – El RAM encuentra los datos (CPU espera en el DRAM
convencional)
z Cache DRAM
– Desde que el SDRAM mueve los datos en tiempo con el
– Grandes componentes SRAM sistema de reloj, el CPU conoce cuando los datos están
– Usado como cache o buffer serial listos.
– El CPU no tiene que esperar, puede hacer cualquier otra
cosa.

Organización en detalle
SDRAM
z Todas las celdas de memoria
semiconductoras comparten ciertas
propiedades:
– Pueden tener dos estados estables, las cuales se
pueden representar binariamente con 1 y 0.
– Son capaces de ser escritas por lo menos una
vez, para sincronizar el estado.
– Son capaces de ser leídos para sentir el estado.