Modelaje de transistores bipolares

CAPITULO

7.1 INTRODUCCION

En el capitulo 3 se presentaron aspectos como la construccion basica, la aparieneia y las caracteristieas del transistor. En el capitulo 4 se ex amino con detalle la polarizacion de de. En este apartado se examinara la respuesta de ac en pequeiia seiial del amplificador a BJT mediante la revision de los modelos que se utilizan can mas frecuencia para representar al transistor en el dominio senoidal en ac.

Uno de los primeros intereses en el analisis senoidal en ac de las redes de transistores es la magnitud de la sefial de entrada, porque esta determinant si deben aplicarse las tecnicas de pequeiia seiial 0 de gran seiial. No existe una linea divisoria entre ambas, perc la aplicacion y la magnitud de las variables de interes relacionadas con las escalas de las caracteristicas del dispositivo, por 10 general, establecen can claridad cui! metodo es el adecuado, La tecnica de pequena senal se presenta en este capitulo y las aplicaciones de gran sefial se examinan en el capitulo 16.

Existen dos modelos que se utilizan con frecuencia en el analisis en ac de pequefia sefial _/

de redes de transistores: el modelo Te y el equivalente hibrido. Este capitulo presenta no s610

ambos modelos, sino que define el papel de cada uno y la relaci6n que hay entre ambos.

7.2 AMPUFlCACION EN EL DOMINIO DE AC

En el capitulo 3 se demostro que se puede utilizar el transistor como un dispositivo amplificador, Esto es, la serial senoidal de salida es mayor que la sefial de entrada 0, dicho de otra rnanera, la potencia en ac de la salida es mayor que la potencia en ac de entrada. Luego surge la pregunta sabre la manera en que la potencia en ac de salida puede ser mayor que la potencia en ac de entrada. La conservacion de la energia establece que a traves del tiempo la potencia total de salida, P n' de un sistema no puede ser mayor que su potencia de entrada, Pi' Y que la eficiencia definida como 11 = PiP; no puede ser mayor que 1. EI factor que falta en la presentacion anterior que permite que la potencia en ac de salida sea mayor que la potencia en ac de entrada es la potencia aplicada de de. Esta es una contribuci6n a la potencia total de salida, aunque parte de ella se disipe por media del dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, existe un "intercambio" de potencia de dc al dorninio de ac que permite el establecimiento de una mayor potencia de ac de salida. De hecho, se define una eficiencia de conversion par media de 7] = po(ac/Pi(dC)' donde po(ae) es la potencia en ac de la carga, y Pi(dc) es la potencia de de suministrada.

Quiza el papel de la fuente de de pueda describirse mejor si se considera primero la red de de simple de la figura 7.1. La direccion de flujo resultante esta indicada en la figura junto con una grafica de la corriente i en funci6n del tiempo. Ahara se insertara un mecanismo de control como el que se muestra en la figura 7.2. El mecanisrno de control es tal, que la aplicaci6n de

1

1 (constante)

o

Figura 7.1 Corrtente estable Iijada mediante una luente dc.

311

o

Figura 7.2 Efecto de un elemento de control sobre el f1ujo de estado estable del sistema electrico de la figura 7.1.

312

una senal relativamente pequefia al mecanisme de control puede ocasionar una oscilacion mucho mayor en el circuito de salida. Para el sistema de la figura 7.2 el valor pica de la oscilaci6n esta eontrolado par el nivel de de estableeido. Cualquier intento de exceoer el limite establecido par el nivel de de dad par resultado un "recorte" (aplanado) de la regi6n pico de la seiial de salida. Por tanto, y en general, el disefio adecuado del arnplificador requiere que los componentes de y en ac sean sensitives a los requerimientos y limitaciones del otro.

Sin embargo, en realidad es una fortuna que los amplificadores de pequeiia seiial a transistores puedan considerarse lineales para la mayoria de las aplicaciones, permitiendose el uso del teorema de Ia superposicion para aislar el andlisis de del analist« ac.

7.3 MODELAJE DE TRANSISTORES BJT

La clave para el analisis en pequefia sefial de los transistores es el uso de circuitos equivalentes (rnodelos) que se presentaran en este capitulo.

Un modelo es la combinacion de elementos del circuito, seleccionados deforma adecuada, que mejor se aproximan al comportamiento real de un dispositivo semiconductor que esta bajo condiciones especificas de operacion.

Una vez que se determina el cireuito equivalente en ac, se puede reemplazar en el esquema el sfrnbolo grafico del dispositivo por este circuito y pueden, entonees, apliearse los metodos basicos del analisis de circuitos ac (analisis de rnallas, analisis por nodos y el teorema de Thevenin) para determinar la respuesta del circuito.

Hoy en dia, existen dos importantes corrientes de pensamiento respecto al circuito equivalente que sustituira al transistor. Durante muchos afios tanto las instituciones industriales como las educativas se apoyaban mueho sabre los panimetros hfbridos (los cuales seran presentados en breve), El circuito equivalente de parametres hfbridos sigue siendo muy popular, aunque ahora debe compartir su utilizaci6n con un circuito equivalente que se derive directamente a partir de las condiciones de operaci6n del transistor: el modele r e' Los fabricantes contimian especificando los parametres hfbridos para una regi6n de operaci6n en particular en sus hojas de especificaciones. Los parametres (0 componentes) d~l modelo re pueden derivarse de manera directa a partir de los parametres hfbridos. Sin embargo, el circuito hfbrido equivalente se condiciona par estar limitado a un eonjunto en particular de condiciones de operaci6n si se debe considerar como preciso. Los parametres del otro circuito equivalente pueden determinarse para cualquier regi6n de operacion dentro de la regi6n activa y no estan limitados por el conjunto tinieo de parametres proporcionados en las hojas de especificaciones. En contraste, el modelo 'e fracasa por no considerar el nivel de impedancia de salida del dispositivo, ni en el efecto de retroalimentacion de la salida a la entrada.

Debido a que ambos modelos se emplean en forma extensiva en la actualidad, los dos se examinan con detalle en este texto. En algunos analisis y ejemplos se requerira el modelo hfbrido, mientras que en otros se utilizara el modelo re de manera exclusiva, Sin embargo, en el texto se haran todos los esfuerzos para mostrar cuan relacionados estan los dos modelos, y c6mo el aprovechamiento de uno conduce al aprovechamiento natural del otro.

En un esfuerzo para demostrar el efecto que tendra el circuito equivalente en ac sabre e] siguiente analisis, se debe considerar el cireuito de la figura 7.3. Es importante asurnir par el momento que ya esta determinado el circuito equivalente de ac en pequeiia seiial. Debido a que solo se esta interesado en la respuesta en ae del circuito, todas las fuentes de de se pueden reemplazar por un potencial equivalente de cero (corto circuito) debido a que s610 aproximan el nivel de de (estable) del voltaje de salida y no la magnitud de la excursion de la salida en ae; esto esta claramente expuesto en la figura 7.4, Los niveles de de fueron importantes solo para determinar el punta de operacion Q adecuado. Una vez que estos se fijaron, se pueden eliminar los niveles de dc del analisis en ac de la red. Ademas, se seleccionaron el par de capacitores de acoplamiento C1 y C2 Y el capacitor de desvio C3 para tener una pequeiia reactancia a fa frecuencia de la aplicacion, Por tanto, para cualquier prop6sito practice, pueden sustituirse mediante una trayectoria de baja resistencia 0 par un corto circuito de polarizaci6n; perc es

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

R'f' ...

+ Vi

v, '\,

-..L

~

r e

Vee

B

Figura 7.3 Circuito de transistor bajo exarnen en esta dlscusion introductona.

o

+

+

B

+
R,
+ Vi
v,'\"
-~ E

Figura 7.4 La red de la figura 7.3 despues de la eliminaci6n de la fuente de de y la inserclon del corto circuito equivalente para los capacjtcres.

evidente que esto ocasionara un "corto" del resistor de polarizacion R E' Recuerde que los capacitores asumen un equivalente de "circuito abierto" bajo condiciones de estado de de estable, 10 que pennite un aislamiento entre los estados de los niveles de de y las condiciones estables.

Si se establece una tierra cormin y se reorganizan los elementos de la figura 7.4, R 1 Y R2 estaran en paralelo, y Rc aparecera de colector a emisor como 10 muesrra la figura 7.5. Debido a que los componentes del circuito equivalente del transistor que aparecen en la figura 7.5

Ii Circuito equivalenre de i"
~ ac en pequena seiial ~
+ B para el transistor C -+
-...
R, z,
Vi E Vo
+ ..-
v, '\" Zo
-~ ~ ... Figura 7.5 Redibujo de la figura 7,4 para el anallsis en ac y pequei'J.a senal.

7.3 Modelaje de transistores B.IT

313

utilizan componentes familiares como resistores y fuentes controladas independientes, se pueden aplicar las tecnicas de analisis como la superposicion, el teorema de Thevenin, y as] sucesivamente, para determinar las cantidades deseadas,

Si se exarnina con mayor detalle la figura 7.5, se pueden identificar las cantidades importantes que se elegiran para el sistema. Debido a que el transistor es un dispositivo amplificador, se podna esperar alguna indicacion acerca de como se relaciona el voltaje de salida Vo con el voltaje de entrada Vi' la ganancia en voltaje. En la figura 7 j se observa para esta configuraci6n que Ii = Ib Y que 10 = Ie' las cuales definen la ganancia en corriente Ai;;: IjIi' La impedancia de entrada 2;, y la impedancia de salida 20 son partieularmente irnportantes en el proximo analisis. En las siguientes secciones se hablara mucho mas acerca de estos parametres.

En resumen, el equivalente de ac de una red se obtiene:

1. Haciendo todas las [uentes de de eero y reemplazdndolas por un corto circuito equivalente

2. Reemplazando todos los capacitores por un corto circuito equivalente

3. Eliminando todos los elementos en paralelo con un elemento de desvio mediante los equivalentes de corto circuito que fueron presentados en los pasos 1 y 2

4. Redibujando la red de manera mas conveniente y mas logica

En las siguientes secciones los circuitos re y el hfbrido equivalente se presentaran para completar el analisis en ae de la red de la figura 7.5.

7.4 LOS PARAMETROS IMPORT ANTES:

Z., Z ,A ,A.

I 0 v 1

Antes de investigar los circuitos equivalentes para los amplificadores a BIT con mayor detalle, primero se estudiaran aquellos parametres de un sistema de dos puertos que son de vital irnportancia desde los puntos de vista de analisis y de disefio. Para el sistema de dos puertos (dos pares de terminales) de la figura 7.6, ellado de la entrada (el1ado en el cual se aplica normalmente la sefial) esta situado a la izquierda y ellado de la salida (donde esta conectada la carga) se locaIiza ala derecha. De heche, para la mayoria de los sistemas electricos y electr6nicos el flujo general normalmente es de izquierda a derecha, Para ambos eonjuntos de terrninales, la impedancia entre cada par de terminales bajo condiciones nonnales de operacion es muy importante.

_... ,._
+ 0f-
\'; ~ Sistema de dos ,._ v..
s; puertos z"
- - Flgura 7.6 Sistema de dos puertos.

Impedancia de entrada, Zi

Para el lado de la entrada, la impedancia de entrada Z, esta definida por la ley de Ohm de la siguiente forma:

8J

,

.

(7.1)

Si la seflal de entrada Vi es cambiada, se puede calcular la corriente Ii utilizando el mismo nivel de impedancia de entrada. En otras palabras:

314

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

Para el analisis en pequeiia seiial, una vez que se ha determinado fa impedancia de entrada, se puede emplear el mismo valor numerico para los niveles cambiantes de fa serial aplicada.

De hecho. se encontrara en las proximas secciones que la impedancia de entrada de un transistor puede calcularse de forma aproximada mediante las condiciones de polarizacion de de, las cuales son condiciones que no cambian s610 porque varia la magnitud de la serial de ac aplicada.

Es muy notable que para las frecuencias dentro del rango bajo a medio-bajo (normalmente

S; 100 kHz):

La impedancia de entrada para un amplificador a transistor a BJT es puramente resistiva en naturaleza, y dependiendo de la manera en que se utilice el transistor, puede variar desde unos euantos ohms hasta los megaohms.

Adernas:

No se puede emplear un ohmetro para medir impedancia de entrada en pequena seiial debido a que este opera en el modo de de.

La ecuacion (7.1) es particularrnente util porque proporciona un metoda para medir la resistencia de entrada en el dominio de ac. Por ejemplo, en la figura 7.7 se afiadio un resistor sensor en el lade de 1a entrada para permitir una determinacion de I, mediante el empleo de 1a ley de Ohm. Se puede utilizar un osciloscopio 0 un multfmetro digital sensible (DMM) para medir tanto el voltaje V, como el V;- Ambos voltajes pueden ser de pico a pice, 0 valores nus, siempre y cuando ambos val ores utilicen el mismo estandar, Luego se deterrnina la impedancia de entrada de la siguiente manera:

v -v.

S 1

(7.2)

y

~ L___ij

(7.3)

.AA

Figura 7.7 Determinacion de Z,.

Vi Sistema de dos puenos

+

La importancia de la impedancia de entrada de un sistema se puede demostrar mejor por medio de la red de la figura 7.8. La fuente de 1a sefial tiene una resistencia interna de 600 Q y el sistema (posiblemente un amplificador a transistor) tiene una resistencia de entrada de 1.2 kO. Si la fuenre fuera ideal (Rs = 0 Q),los 10 mV completos serian aplicados al sistema, pero por la

Rfu(,l1t-l."
.A .......
I 'YY"
+ 6000
Vs '\, 10mV
I V, Ampliflcador

Figura 7.8 Demostraclon del impacto de Z; en la respuesta del amplificador.

......

Z, = 1.2 kO

+

7.4 Los parametres importantes: Zp Zo> Av' Ai

315

impedancia de la fuente, se debe ca1cular el voltaje de entrada utilizando la regia del divisor de voltaje de la siguiente manera:

Z.V 0.2 ill)(lO mY)

V. "" IS"" = 6.67 mY

I t + Rfuente 1.2 k.o + 0.6 kQ

De este modo s610 eI66.7% de toda la sefial de entrada esta disponible en la entrada. Si Z; fuera solo de 600.0, entonces Vi ",,-~(lO mY) = 5 mY 0 el 50% de la sefial disponible. Desde luego, si Z = 8.2 kQ, V. sera dej93.2% de la sefial apJicada. Por tanto. el nivel de la impedancia de

I I,

entrada puede tener un i~pacto significativo sobre el nivel de la sefial que alcance el sistema (0

amplificador). En las siguientes secciones y capitulos se demostrara que la resistencia de entrada en ac es dependiente en ,I caso de que el transistor este en la configuracion de base cormin, emisor cormin, 0 de colector comun y la colocacion de los elementos resistivos.

E}EMPL07.1

Para el sistema de la figu a 7.9, calcule el valor de la irnpedancia de entrada.

+

R,c:mor
_AAA
I vv. +
lid1 z, I
_.. I Sistema de dos
2mY Vi =0 1.2 rn~
I puertos
l'
Figura 7.9 Ejemplo 7.1.

Solucion

I. =

t

v - v.

S I

= = = 0.8 pA

2 mY - 1.2 mY 0.8 mY

lkQ lkQ

y

V, 1.2 mY

Zj = - = = 1.5 kQ

Ii 0.8 pA

Impedancia de salida, Zo

La impedancia de salida, naturalmente se define en el conjunto de terminales de salida, pero esta definicion es un poep diferente cuando se trata de la impedancia de entrada. Esto es:

La impedancia de s/flida se determina en las terminales de salida viendo bacia atrtis al sistema con la sei,ial aplicada igual a cero.

Par ejemplo, en la rigura 7.10 la sefial aplicada se hace cera volts. Para determinar Zo' se aplica una sefial, Vs' a las.terminales de salida y se mide el nivel de Va can un osciloscopio 0 un OMM sensible. Luego s¢ calcula la impedancia de salida de la siguiente manera:

V-V

10= a

Rsensor

(7.4)

8J

I

a

(7.5)

y

316

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

R

R

V,=OY

fucmc ~(;II~Or
-AAA A.A.
... .,.. + ."" 1
.,._
Sistema de 10
dos puertos v" ........
z" J
-
+

'\,v

Figura 7.10 Determinacion deZo'

En particular, para las frecuencias en e1 range bajo a medio (normalmente s 100 kHz):

La impedancia de salida de un amplificador a transistor BJT es resistiva por naturaleza y, dependiendo de la eonfiguracion y fa colocacion de los elementos resistivos, Zo puede variar desde unos cuantos ohms a un valor que puede exceder los 2MQ.

Adernas:

No se puede utilizar un ohmetro para medir la impedancia de salida en pequeiia seiial debido a que el ohmetro trabaja en el modo de de,

Para las configuraciones de amplificador donde se desea una ganancia significativa en corriente, el nivel de 20 debe ser tan grande como sea posible, Como se demostr6 en la figura 7.11, si 2" ~ R L' la mayor parte de la corriente de salida pasara a la carga. En las siguientes secciones y capftulos se demostrara que con frecuencia 2" es tan grande respecto a R L que se puede reemplazar par un equivalente de circuito abierto.

r e

'amplLrlC~ldor

---~----~~--~-o----lil~

R Para Ro»RL

L IL»1110

Figura 7.11 Efecto de Z0 ~ R" en la corriente IL de carga 0 salida.

Calcular el nivel de impedancia de salida para el sistema de la figura 7.12 .

EJEMPLO 7.2

V,=OY

+

...

20kil

Sistema de dos puertos

-

Figura 7.12 Ejemplo 7.2.

Solucion

v - Vo 1 V - 680 mV 320 mY
I ::: = = = 16 p.A
o Rsensor 20 kQ 20 kQ
V 680 mV 42.5 kQ
Y 20 ::: 0 =
=
I 16 p.A
o Ganancia en voitaje, All

Una de las caracteristicas mas importantes de un amplificador es la ganancia en voltaje en pequena senal, como se detennina mediante

-

i

(7.6)

7.4 los parimetros importantes: Z i' Z 0' A,. Ai

317

Para el sistema de la figura 7.13, no se ha conectado una carga a las terminales de salida y el nivel de ganancia determinado par la ecuaci6n (7.6) se refiere como la ganancia de voltaje de sin carga. Esto es:

Vo!

=-1

Vi RL ~ ~ it (circuito abierto)

0.7)

R

+

... :~
I .... w +
+
-+-
z, Vi A Yo
UNL
I - - V, '\.,

Figura 7.13 Determinacion del voltaje de no carga.

En el capitulo 9 se demostrara que:

Para los amplificadores a transistores, la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia de voltaje con carga.

Para el sistema de la figura 7.13 que tiene una resistencia de fuente R,o, el nivel de Vi deberia determinarse primero utilizando la regla del divisor de voltaje antes de calcular la ganancia VjV,.. Esto es,

ZV
V. I S
=
I Z R,.
+
I
V. z,
,
V Z,. + R
.I" .1
V V V
A" () I ()
V V V
S .1 I
V Zi
A,., 0 A. 0.8)
=
V Z,. + R ~ :'>IL
S s con

y

de tal forma que

De manera experimental.la ganancia de voltaje AI" 0 AV"L se puede calcular simplernente al medir los niveles de voltaje adecuados por media de un osciloscopio 0 un DMM sensible, y sustituyendo en la ecuaci6n correspondiente.

Dependiendo de la configuracion, la magnitud de fa ganancia en voltaje para un amplificador a transistor de una etapa normalmente estd en el rango de menos de 1 a unos cuantos cientos, Sin embargo, un sistema multietapas (multiunidades} puede tener una ganancia en voltaje de varios miles.

EjEMPLO 7.3

Para el amplificador a BJT de la figura 7.14, determinar:

a) Vi'

b) t;

c) z,

d) Avo'

318

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

R,

+~

Zj

V. =40mV '" Vj

-IL----_C-

+

Amplificador BJT A","L = 320

Figura 7.14 Ejemplo 7.3.

Solucion
V Vo 7.68 V
a) Al'''L 0 Y V. == ---== 24 mV
==
(
V. A 320
I v l'\L
V - V 40 mY - 24 mY
b) I, S I == 13.33 pA
Rs 1.2 kD
V. 24 mY
c) z, == I 1.8 kn
==
I 13.33 J.lA
I
d) A z, A
==
v, Z. + R VNL
I s 1.8 k.Q

== (320)

l.8 k.Q + l.2 kQ

== 192

Ganancia en corriente, Ai

La ultima caracteristica numeric a que sera tratada es la ganancia en corriente definida mediante

(7.9)

Aunque por 10 general esta recibe rnenor atencion que la ganancia en voltaje, es, sin embargo, una cantidad importante que puede tener un impacto sigrnficativo en la eficiencia total de un diseno. En general:

Para los amplificadores a BJT, la ganancia en corriente normalmente varia desde un nivel apenas inferior a 1 hasta un nivel que puede exceder los 100.

Para la situaci6n COn carga de la figura 7.15,

I Vi e To
::: =
{ z, V

a

I" ........

Amplificador BIT

FIgura 7.15 Determinacion de la ganancta de corriente cargada,

+

0----

7.4 Los parimetros importantes: Zj> Zo' Av' Ai

319

r e

y

A. 10 V"IRL VoZj
== = =
I Ij VilZj VjRL
Ai -A z, (7.10)
=
v RL con

La ecuacion (7.10) permite determinar la ganancia en corriente a partir de la ganancia en voltaje de los niveles de impedancia.

Relaclon de la fase

La relacion de Ia fase entre las sefiales senoidales de entrada y de salida es importante par una variedad de razones practicas. Afortunadamente:

Para el transistor amplijicador tipico a frecuencias que permiten ignorar los ejectos de los elementos reactivos, las seiiales de entrada y de salida estan 0 bien 1800 fuera de fase 0 en fase.

La razon de la situacion anterior se aclarara en los siguientes capftulos,

Resumen

Hasta aquf se han presentado los parametres de importancia primaria de un amplificador: la impedancia de entrada Z;. la impedaneia de salida Zo' la ganancia de valtaje A, .• la ganancia de corriente A, y la relacion de la fase resultante, Otros factores, tales como la frecuencia aplicada en los extremes bajo yalta del espectro de frecuencias. afectaran algunos de estes pararnetros, pera esto se discutira en el capitulo II. En las siguientes secciones y capitulos, todos los parametres se determinaran para una variedad de redes de transistores para permitir una comparacion de las ventajas y de las desventajas de cada configuracion.

7.5 EL MODELO DE TRANSISTOR re~

El modelo r,. requiere un diodo y una fuente de corriente controlada para duplicar el comportamiento de un transistor en la region de interes, Recuerde que una fuente controlada de corriente es aquella donde los parametres de la fuente de corriente estan controlados por media de una corriente situada en cualquier otro lugar de la red. De hecho:

Los amplificadores a transistor BJT son conocidos como dispositivos de corriente controlada.

Configuraclon de base comun

En la figura 7.16a se ha insertado un transistor pnp dentro de la estructura de dos puertos, y es necesario para la discus ion de las ultimas secciones. En 1a figura 7.]6b el modelo re para el transistor se ha colocado entre las rnismas cuatro tenninales. Como se observe en la seccion 7.3, el modelo (circuito equivalente) se selecciona de tal forma que se aproxime al comportamiento del dispositivo que esta reernplazando en la region de operacion de interes, En otras palabras, los resultados obtenidos con el modelo en su lugar deben ser relativamente cercanos a aquellos que se consiguen con el transistor real. En el capitulo 3 se estudio que una union de un transistor en operacion esta polarizada de manera directa, mientras que la otra esta polarizada inversamente. La union en polarizacion directa se cornportara de forma similar a un diodo (ignorando los efectos de los cambios de val ores de V CE) como 10 verifican las curvas de la figura 3.7. Para la union de la base al ernisor del transistor de la figura 7.16a, la equivalencia del diodo de la figura 7 .I6b entre las mismas dos terrninales parece ser muy apropiada. Tengase presente que para ellado de la salida las curvas horizontales de la figura 3.8 revelaron que Ie::

Ie (como se calculo a partir de Ie = ale> para el ran go de valores de V CE' La fuente de corriente

320

Capitulo 1 Modelaje de transistores bipolares

E<>--------...

e <>----_..,

ic .-1-------..;. .. --0 c

t

t ~ at

c c

b <>-- __ --i,__ ..._ ~ __ <> b

(a)

(b)

Figura 7.16 a) Transistor BJT en base comun: b) modelo r, para la conliguraclon de la Iigura 7.l6a.

de la figura 7 .16b establece el hecho de que I, = ale' apareciendo la corriente de control Ie del lado de la entrada del circuito equivalente como se determino en la figura 7 .16a. Por tanto. se ha establecido una equivalencia en las terrninales de entrada y de salida con la fuente controlada de corriente, proporcionando asf un vinculo entre las dos: una revision inicial hubiera sugerido que el modelo de la figura 7 .16b es un modele valido del dispositive real.

En el capitulo 1 se analizo como la resistencia en ac de un diodo puede determinarse por medio de la ecuacion rae;:: 26 mVIID, donde lD es la corriente de dc a traves del diodo en el punto Q (estable). Esta misma ecuacion se puede utilizar para encontrar Ia resistencia en ac del diodo de la figura 7 .16b si s610 se sustituye la corriente del emisor de la siguiente manera:

26 mV

r';--e

(7.11)

El subfndice e de re se selecciono para enfatizar que es el nivel de de la corriente del emisor la que deterrnina el nivel de la resisteneia en ac del diodo de la figura 7 .16b. Sustituyendo el valor obtenido de r c en la figura 7 .16b dara por resultado el muy util modelo de la figura 7.17.

eo------.

'--1 --OC

t t, = aI,

b~------~------~-------------ob

Figura 7.17 Circuito equivalente re de base cornun,

Debido al aislamiento que existe entre los circuitos de entrada y de salida de la figura 7.17, es obvio que la impedancia de entrada Zi para la configuracion de base cornun de un transistor es simplemente reo Esto es,

z. = r I

'--_' __ e_ .... CB

(7,12)

Para la configuracion de base comiin, los valores tipicos de Zi varian desde unos cuantos ohms hasta un maximo de aproximadamente 50 Q.

Para la impedancia de salida, si se haee cera la sefial, entonces Ie = 0 A e I, ;:: ale = a (0 A) = 0 A, obteniendose una equivalencia de circuito abierto en las terminales de la salida. EI resultado es que para el modelo de la figura 7.17,

(7. I 3)

7.5 EI modelo de transistor r e

321

En realidad:

Para fa configuraci6n de base comtin, los valores tipicos de Zo estdn en el rango de los megaohms.

La resistencia de salida de la configuracion de base comun esta detenninada por la pendiente de las lineas que fonnan las caracteristicas de salida como se muestra en la figura 7.18. Suponiendo que las lfneas esten perfectamente horizontales (una aproximacion excelente), dana par resultado la conclusion de la ecuacion (7.13). Si se tuviera cuidado para medir 20 de forma grafica 0 experimental, se obtendrfan niveles ubicados normalmente en el rango de 1 a 2 MQ.

'E = 3 mA

3~ ---------------

Pendiente = J...

/ TO IE=4mA

4~ ------~-----------

Ie (mA)

2b---------------------

o

Figura 7.18 Definicion de Zoo

En general, para fa configuraci6n de base comuTl, fa impedancia de entrada es relativamente pequeiia y fa impedancia de salida es muy grande.

Ahara se determina la ganancia en voltaje para la red de la figura 7.19.

asf que

v = ~loRL = - (-l)RL :: =»;
()
V. IZ. = Ir
I e I e e
V «».
Av a
:;::
V , I r
e e
aR RL Ie.
A :;:: __ L = (7.14)
v -
r r
e e y

y

Para Ia ganan.cia en corriente,

y
I.
--fiP-
+
Vj __...
z; 10 -J al
A c = e
=
I t, fe t,
A. ;;;: -a == -1 ICB
I (7.15)

Amplificador BIT de base comun

FtgUra 7.19 Definici6n de A, = VO IV, para la configuraci6n de base comun,

+

322

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

El hecho de que la polaridad del voltaje Vo como 10 deterrnino la corriente Ie sea el mismo que el definido por la figura 7.19 (es decir, ellado negativo esta en potencial de tierra) indica que tanto Vo como Vj estan en lase para la configuracion de base cormin. Para el transistor npn en la configuraci6n de base corrnin la equivalencia podna parecerse ala mostrada en la figura 7.20.

E 0-------- ....

]c r-----------·~-Qc

e 0--------.

bo------+------+-------------~b

1t I..----------- ... .;__-Q C

~

1= aI

c e

Figura 7.20 Modelo aproximado para la configuracion de base comun para un transistor npn.

Para una configuraci6n de base cornua de la figura 7.17 con IE = 4 mAo 0: == 0.98, Y se aplica una serial en ac de 2 m Ventre las terminales de la base y el emisor:

a) Calcular la irnpedancia de entrada.

b) Determinar la ganancia en voltaje si se coneeta una carga de 0.56 kQ a las terrninales de salida.

c) Encontrar la irnpedancia de salida y Ia ganancia en corriente.

E]EMPLO 7.4

Solucion
26 mV 26 mV 6.S Q
a) r = = =
e 1£ 4 rnA
V 2 mV
b) 1, i I == 307.69 /1A
I c Zi 6.5 Q
V == i,RL = cxIeRL == (0.98)(307.69 /1A)(O.56 kQ)
o
== 168.86 mV y

V
A :: (I
" V
I 168.86 mV 2 mV

== 84.43

o a partir de la ecuaci6n (7. J 4),

=

(0.98)(0.56 kn) 6.5 Q

:;;;; 84.43

I"

Ai == -- = ~ 0; = - 0.98 como se definio por medio de la ecuaci6n (7.15)

If

Configuracilm de emisor comun

Para la configuracion de emisor cormin de la figura 7.21a, las terminales de entrada son las terminales de la base y el ernisor, pero en este caso la salida se establece entre las terrninales del colector y del emisor. Ademas, la terminal del emisor ahora es cormm a los puertos de entrada y de salida del amplificador. Sustituyendo el circuito eguivalente re para el transistor npn se obtiene la configuraci6n de la figura 7.21b. Observese que la fuente controlada de corriente aiin esta conectada entre las terminales del colector y de la base, y el diodo entre las

7.5 £1 modelo de transistor r e

323

r e

r--I --OC

f i, = {JI.

B o--------t

eo-----------._----------------~e

(a)

(b)

Figura 7.21 a) Transistor BJT en emisor cornun: b) modelo aproxirnado para la configuracion de Ia figura 7.21a.

terminales de la base y el emisor. En esta configuracion, la corriente de la base es la corriente de entrada, mientras que la corriente de salida aiin es Ie' Segun 10 estudiado en el capitulo 3, las corrientes de base y del colector estan relacionadas por medio de la siguiente ecuaci6n:

(7.16)

Per tanto, la corriente a traves del diodo esta determinada par Ie = Ie + t, '" f3Ib + Ib

e

(7.17)

Sin embargo, debido a que la beta en ac por 10 general es mucho mayor que 1, se empleara la siguiente aproximaci6n en el analisis:

(7.18)

La impedancia de entrada esta determinada por el siguiente cociente:

Vi Vbe

Zi"'-=--

Ii Ib

El voltaje Vbe esta a traves de la resistencia del diodo como se muestra en la figura 7.22. El nivel de re aun esta determinado por la eorriente de IE' Al apliear la ley de Ohm da

Vi = Vbe = Iere == f3Ibre

I oc
~ t, = {3Ib
1 ;=1&
b ~
+ + ~[<
V; V"" r, eo-----------._-----------------oe

Figura 7.22 Determinacion de Z; utilizando el modelo aproximado.

324

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

I .v:

Z::={3r _.'

L..-_, e---l CE

En esencia, la ecuacion (7.19) establece que la impedancia de entrada para una situacion como la que se muestra en la figura 7.23 es beta veces el valor de reo En otras palabras, un elemento res'istivo en la terminal de emisor se refleja en el circuito de entrada mediante b cr------tI un factor de muitiplicacion 13. Par ejernplo, si re == 6.5 n como en el ejemplo 7.4 Y 13 = 160 (muy normal), la impedancia de entrada se ha incrementado a un nivel de

La sustitucion genera

y

(7.19)

Zi::= {3r, = (160)(6.5 Q) = 1.04 kQ

Para fa configuracion de emisor comun, los valores tipicos de Z, definidos mediante pre estan en el rango desde unos cuantos cientos de ohms al rango de los kilohms con valores mdximos de aproximadamente 6 a 7 kilohms.

Para la impedancia de salida, las caractensticas de interes son el conjunto de salida de la figura 7.24. Se observa que la pendiente de las curvas se incrementa en la corriente del colector; mientras mayor es la pendiente, menor es el nivel de impedancia de salida (2). El modelo rc de la figura 7.21 no inc1uye una impedancia de salida, pero si esta se encuentra disponible de un analisis grafico o de las hojas de especificaciones, se puede incluir como 10 muestra la figura 7.25.

t Ie (rnA) ~endieO!e = ..!_

10 '0)' <,

8

6

4

10 f,lA

____ ------------IB=Of,lA

-......_ I

Pendiente ='02

Ftgnra 7.24 Definicion de To para la conflguracion de emisor cornun.

o

10

20

Para fa configuracion de emisor comun, los valores tipicos de Z(J estdn en el rango de los 40 a los 50 kD..

Para el modelo de la figura 7.25, si la sefial aplicada se hace cera, la corriente Ie es de 0 A Y la impedancia de salida es

Z == r I

,-- __ 0 0 __ -, CE

(7.20)

Desde luego, si se ignora la contribucion debida a ro como en el modele re, la impedancia de salida se define mediante 2 "" 00 n.

o

Ahara se determinara la ganancia de voltaje para la configuracion de emisor comun de la

figura 7.26 utilizando la suposicion de 20 := 00 n. EI efecto de incluir '0 se considerara en el capitulo 8. Para la direccion definida de Io Y la polaridad de Vo'

7.5 El modelo de transistor re

e O'~~--------+------o e

Figura 7.23 [mpacto de T. sobre Ja impedancia de entrada.

___ -.-~ __ -<l C

- Z"

------~-------oe

Figura 7.25 Inclusion de To en el circuuo equivalente de transistor.

325

Amplificador BJT de emisor comun

Figura 7.26 Determinacion de la ganancia de voltaje y corriente para el arnplificador de ernisor com un.

+

+

El signa negativo simplemente refleja el hecho de que la direccion de Iv en la figura 7.26 estableceria un voltaje Vo con la poiaridad opuesta. Continuando se obtiene

Vo = ~ IoRL ;: - I,RL := - f3IbRL

y

Vi =: liZ, = IbfJre

Vo f3IbRL

de tal forma que

:= -~--

V.

I

y

(7.21 )

El signa negativo resultante para la ganancia de voltaje revela que los voltaje de salida y de entrada estan fuera de fase par 1800.

La ganancia de corriente para la configuracion de la figura 7.26:

I

o

:=

I

I

(7.22)

y

Empleando los hechos de que la impedancia de entrada es f3re, la corriente del colector es f3I h' Y la impedancia de salida es ro' el modele equivalente de la figura 7.27 puede ser una herramienta iitil en el siguiente analisis. Para los valores norrnales de los parametres, la configuraci6n de emisor cormin puede considerarse con un valor moderado de impedancia de entrada, una alta ganancia de voltaje y de corriente, y una impedancia de salida capaz de incluirse en el analisis de la red.

b I c
...
t,
j" 4 ..
j: {Jre * f3!b ~ > r,
~ ~ >
Figura 7.27 Modelo re para la
e e configuraci6n de ernisor camUn. E]EMPL07.5

Dados {3 :::: 120 e 1£= 3.2 rnA, para una configuraci6n de emisor comun con r o = 00 Q, calcular:

a) Zi'

b) Av si se aplica una carga de 2 kQ.

c) Ai can la carga de 2 kn.

326

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

r e

Solucion
26 mY 26 mV
a) r ::: ::: := 8.125 0.
c IE 3.2 rnA
Y z, := {3re ::: (120)(8.1250.) 975.Q b)

La ecuacion (7.21): Av

;;;: -246.15

r" 8.12S a

c)

Conflguracion de colector comun

Para la configuracion de colector cormin normalmente se aplica el modelo definido para la configuracion de emisor conuin de la figura 7.21, en lugar de definir un modele para la configuracion de colector cornun. En los capftulos subsecuentes se investigaran una cantidad de configuraciones de colector cornun y sera muy claro el impacto del mismo modelo.

7.6 EL MODELO HiBRIDO EQUIVALENTE

En Ia secci6n 7.5 se sefial6 que eJ modelo r, es sensible al nivel de operacion de de del amplificador. Para que se describa el modelo hfbrido equivalente en esta seccion, se definieron los parametres en un punto de operacion que puede 0 no reflejar las condiciones de operacion reales del amplificador. Esto se debe a que las hojas de las especificaciones no proporcionan parametres para un circuito equivalente en cada punto de operacion posible. Deberan seleccionarse aquellas condiciones de operacion que reflejan las caracterfsticas generales del dispositivo. Como se muestran en la figura 7.28, los parametres hibridos se redibujan a partir de la hoja de especificaciones para el transistor 2N 4400 descrito en el capitulo 3. Se proporcionan los valores a una corriente de colector de dc de 1 rnA y con un voltaje colector-emisor de 10 V. Ademas, se da un rango de "mores para cana parimetro con ei objeto de guiar e1 diseno 0 analisis inicial de un sistema. Una ventaja obvia de Ia hoja de especificaciones consiste en el conocimiento inrnediato de los valores tipicos de los parametres del dispositivo comparado contra otros transistores.

Las cantidades hie' hre, hie y hoe de la figura 7.28 se conocen como los parametres hfbridos y consisten en los componentes de pequefia serial del circuito equivalente que se describira en . breve. Durante afios, el modele hfbrido junto can todos sus parametres fue el modelo seleecionado par las comunidades educativas e industriales. Sin embargo, hoy en dia se aplica el modele re con mas frecuencia, pero a menudo el pararnetro hoe del model a hfbrido equivalente

Minimo Maximo

Impedancia de entrada
(Ie = 1 rnA de, VeE = 10 V de, f ~ I kHz) 2N4400 hie 0.5 7.5 kQ
Relacion de retroalimemacion de voltaje
(Ie = I rnA de, Va = 10 V de, f = I kHz) h", 0.1 8.0 xlQ-4
Ganancia de corriente en pequena sefial
(Ie" I rnA de, Va = lOY de, f = 1 kHz) 2N4400 ilfe 20 250 -
Admitancia de salida
\Ie = 1 rnA de, VG· = IOV de, i= I kHz) hoc LO 30 1 ).is Flgura 7.28 Parametres hibridos para el transistor 2N4400.

7.6 EI modele hibrido equivalente

327

--------.--

se emplea para proporcionar cierta medida de la impedancia de salida. Debido a que las hojas de especificaciones proporcionan los parametres hfbridos y que el modelo hfbrido continua recibiendo mayor atencion, es muy importante que el modelo hfbrido se cubra con cierto detalle en este libro. Una vez desarrollado, seran muy aparentes las similitudes entre los modelos re e hfbrido, De hecho, una vez que se hayan definido los componentes de uno para un punto de operacion en particular, estaran disponibles de forma inmediata los parametres del otro.

La descripcion del modelo equivalente hfbrido dara principio con el sistema general de dos puertos de la figura 7.29. El siguiente conjunto de ecuaciones (7.23) es solo una de las muchas form as en que se pueden relacionar las cuatro variables de la figura 7.29. Sin embargo, es el que mas se utiliza en el analisis de circuitos de transistores, por 10 que se tratara en forma detallada en este capitulo.

I,

......... 10------<)

+

10 ....,_

0-- - -----0 2

+

1'0----

Q

. I

--------·-------------<)2'

Figura 7.29 Sistema de dos puertos.

v. = hl1I, + h12VO_1 (7.23a)
,

I = h21li + h22Vo I (7.23b)
0 Los parametres que relacionan las cuatro variables son llamados pardmetros h, por la palabra "hfbrido", Se eligio este termino debido a que la mezcla de variables (Ve l) en cada ecuacion ocasionan un conjunto "hfbrido" de unidades de medicion para los parametres h. Se puede entender rnejor 10 que representan los diversos parametres h y como puede determinarse su magnitud mediante el aislarniento de cada uno examinando la relacion resultante.

Si de forma arbitraria se hace Vo = a (poniendo en corto circuito las terminales de salida), al resolver hll en la ecuacion (7.23a), se obtendra 10 siguiente:

= 3_i

Ii I Vo = 0

ohms

(7.24)

Esta relacion indica que el parametro hll es un parametro de impedancia con las unidades de ohms, Debido a que se trata del cociente del voltaje de entrada entre la corriente de entrada estando en corto circuito las terminales de salida, se llama pardmetro de impedancia de entrada a corto circuito. El subindice 11 en hll indica el hecho de que el parametro se calculo mediante un cociente de cantidades medido en las terminales de entrada.

Si se hace Ii igual a cero abriendo las tenninales de entrada, se obtendra 10 siguiente para h12:

sin unidad

(7.25)

Por tanto, el parametro hl2 es el cociente entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida con la corriente de entrada igual a cero. No tiene unidades, ya que se trata de un cociente entre los valores de los voltajes, y se llamapardmetro de fa relacion de voltaje de transferencia inversa a circuito abierto. El submdice 12 de h12 revelaque el parametro es una cantidad de transferencia calculada mediante un cociente entre mediciones de entrada y de salida. EI primer digito del

328

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

subfndice indica la cantidad medida que aparece en el numerador; el segundo dfgito define la fuente de la cantidad que aparece en el denominador, Se incluye el termino inverso porque el cociente es un voltaje de entrada sobre un voltaje de salida en vez del cociente inverso que par 10 general es interesante,

Si en la ecuaci6n (7.23b). V" se hace cero una vez mas mediante el corto circuito de las terminales de salida, se obtendra 10 siguiente para h21:

/ '\1 =0

I "

(7.26)

/

()

sin unidad

Observese que ahora se cuenta con el cociente de una cantidad de salida a una cantidad de entrada. Ahora se utilizara el termino directo en lugar de inverso como se aplico para h12• EI parametro h21 es la reiacion de la cornente de salida a la corriente de entrada con las terminates de salida en corto circuito. Este parametro, as! como 1112, no tiene unidades debido a que se trata del cociente entre valores de corriente, De manera formal se llamaparcimetro de fa relacion de transferencia directa de corriente a corto circuito. El subindice 21 indica una vez mas que se trata de un parametro de transferencia estando la cantidad de salida en el nurnerador y la cantidad de entrada en el denominador.

El ultimo pararnetro, h~~. se puede encontrar una vez mas al abrir las terminales de entrada para hacer II '" 0 y resolviendo h22 en la ecuaci6n (7.23b):

hn t,
V J, = 0
0 siemens

(7.27)

Debido a que se trata de la relaci6n de la corriente de salida al voltaje de salida. el parametro de conductancia de salida se mide en siemens (5). Se llamaparametro de admitancia de salida a circuito abierto. EI submdice 22 indica que se calcul6 mediante el cociente de cantidades de salida.

Ya que cada termino de Ia ecuacion (7.23a) tiene 1a unidad volt, se aplicara la ley de voltaje de Kirchhoff "hacia arras" para encontrar un circuito que se "acomode" en la ecuaci6n. Llevando a cabo esta operacion se obtiene en circuito de la figura 7.30. Debido aque el parametro hll tiene la unidad ohm, este se representa mediante un resistor en la figura 7.30. La cantidad hl2 es adimensional y por tanto aparece simplemente como un factor de multiplicacion del termino de "retroalimentacion' en el circuito de entrada.

Debido a que cada termino de la ecuaci6n (7 .23b) tiene las unidades de corriente, se aplicara la iey de corriente de Kirchhoff "hacia atras' para lograr el circuito de la figura 7.31. Debido a que 1122 tiene las unidades de admitancia. las cuales representan la conductancia en el modelo del transistor, se representa mediante un simbolo del resistor. Sin embargo, se debe considerar que la resistencia en ohms de este resistor es igual al reciproco de la conductancia (l!h~~).

El circuito equivalente en "ac" completo para el dispositivo lineal basico de tres terminales se indica en la figura 7.32 junto con un nuevo conjunto de subindices para los parametres h. La notacion de la figura 7.32 es de una naturaleza mas practica porque relaciona los parametres h con el cociente resultante que se obtuvo en los tiltimos parrafos. La eleccion de las literales es obvia a partir del siguiente listado:

hll -Of resistencia de entrada (input) -Of hi

hI2 ---t relacion de voltaje de transferencia inversa (reverse) -'t h;

t, h,
......
0 'VVY +1
+
V, h,va -v ~ hi, ho
0 -I 7.6 E1 modelo hibrido equivaJ.ente

r e

111'VO '\,

O""_'_-_.-J- !

v.

Figura 7.30 Circuito equlvalente hibrido de entrada.

+

Figura 7.31 Ctrcuito equivalente hibrido de salida.

+

Figura 7.32 Circuito equivalente hlbrido completo.

329

_--------- -

h21 --t relacion de corriente de transferencia directa (forward) ~ hi h22 --t conductancia de salida (output) ~ ho

El circuito de la figura 7.32 se puede aplicar en cualquier dispositivo 0 sistema electronico lineal de tres terrninales sin fuentes independientes intemas. Por tanto, para el transistor, aun cuando tiene tres configuraciones basicas, todas son configuraciones de tres terminales, asf que el circuito equivalente resultante tendra el mismo formate que el que se muestra en la figura 7.32. En cada caso, la parte inferior de las secciones de entrada y de salida de la red de la figura 7.32 pueden conectarse como se indica en la figura 7.33, debido a que el ni vel de potencial es el mismo. Por tanto, el modelo de transistor es un sistema de dos puertos y tres terminales; sin embargo, los pararnetros h cambiaran en cada configuracion. Para distinguir cual pararnetro se ha utilizado 0 cual esta disponible. se afiadio un segundo subfndice a la notacion de parametres h. Se agrego la literal b para la configuraci6n de base cormin, mientras que para las configuraciones de emisor cormin y de colector cormin se incorporaron las literales eye, respectivamente. En la figura 7.33 aparece la red hfbrida equivalente, con la notacion estandar, para la configuracion de emisor comiin. Observese que Ij :;;;; Ib, fo:;;;; Ie' y por medio de una aplicacion de la ley de corriente de Kirchhoff, Ie;;;;; I b + Ie' El voltaje de entrada sera ahora Vbe con el voltaje de salida Vee' Para la configuracion de base cormin de la figura 7.34, I,:;;;; Ie' 10 :;;;; Ie' con Veb = Vi Y Veb = Va' Se pueden aplicar las redes de las figuras 7.33 y 7.34 para los transistores pnp 0 npn.

EI hecho de que en la figura 7.32 aparezcan en el circuito tanto un circuito Thevenin como un Norton dio origen para llarnar al circuito resultante un circuito equivalente hibrido. Ademas, dos circuitos equivalentes de transistores, los cuales no seran tratados en este texto, llamados

Ie Ib hi~ I,
........ _.. ~
Ib ~
~ C c
B '\, hft Ib *
hIe Vce hoe
+ +
Vl>e + +
I.~ Vc~
Vl>e Y.:.
E I. ~
I!
Cal (b) Figura 7.33 Configuraci6n de emisor comun: a) stmbolo gratico: b) circuito equtvalente hibrido.

I. I.
-... ..,._
E C
+ +
~b -Ib~ Vea
B +

c

b

c

(a)

(b)

F'lgura 7.34 Configuraci6n de base cornun: a) sfrnbolo grafico: b) circuito equivalente hibrido.

330

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

r e

circuitos equivalentes de pararnetros-z y de parametros-y, utili zan ya sea la fuente de voltaje 0 la fuente de corriente, pero nunca ambos en el misrno circuito equivalente. En la seccion 7.7 se encontraran las magnitudes de varios parametres a partir de las caracteristicas de los transistores dentro la region de operacion que se obtenga en la red de pequeiia seital equivalente deseada para el transi stor,

Para las configuraciones de ernisor comun y de base cormin, la magnitud de h, y de ho a menudo es tal que los resultados obtenidos para los parametres importantes como Zi' Zoo A,. Y A, apenas se yen afectados si h; y ho no se incluyen en el modelo.

Debido a que h, por 10 general es una cantidad relativamente pequefia, su eliminacion se aproxima mediante h,== 0 Y h,VIJ = 0, dando por resultado un equivalente de corto circuito para el elemento de retroalimentaci6n como se muestra en la figura 7.35. La resistencia determinada mediante 1Ih" a menudo es 10 suficienternente grande para ser ignorada en comparacion con una carga paralela que permita su reemplazo por medio un circuito abierto equivalente para los modelos de CE y CB, como se muestra en la figura 7.35.

E1 equivalente que se obtiene en la figura 7.36 es muy similar a la estructura general de los circuitos equivalentes de base comun y de emisor cormin obtenidos can el modele r,' De hecho, los modelos hfbrido equivalente y re para cada configuracion se repitieron en la figura 7.37 can fines de cornparacion, La figura 7.37 esclarece que

I, 10 t, 10
...... ~ ~ ._
1 C>- ~ h, ~ I~
+ h, +
V, hf!, v" ~ hf!' Vo
..
1 G- Figura 7.35 Electo de la eliminaci6n de hI"<' y de hoc del circuito equivalente hibrido.

Figura 7.36 Modelo equivalente hibrido aproximado.

Ib I, Ib I,
...... ~ - -
b I: oc b I~C
h ~ hi< t, - f3r, ~ f3lb
" -
e e e ~e

(a)
I 1,- I. 1<
,
-.. ...... ~ -
e I OC e i--OC
hi/> ~ hfl> [b ...... r. t ai,
-
b I Db b I Dk . "; r

'\.-' ,.;
(b) -. \~
, ' -,
,<'
.-..: ......
Figura 7.37 Modelo hibrido contra re', a) couttguracton de emisor cornun; b) configuraci6n de base "
cornun.
7.6 EI modelo hibrido equivalente 331 I hie = f3re I~"'~ (7.28)
Y I hie = f3ac I (7.29)
A partir de la figura 7.37b,
I h :::: r (7.30)
,I> e
y
hjb :::: -(1. == -1 (7.31 ) En particular, se observa que el signo negative en la ecuaci6n (7.31) se toma en cuenta por el hecho de que la fuente de corriente del circuito hibrido equivalente estandar apunta hacia abajo en lugar de la direcci6n real como se muestra en el modele r~ de la figura 7.37b.

EjEMPL07.6

Figura 7.38 Circuito equivalente hibrido de ernisor cornun para los parametres del ejemplo 7.6.

Figura 7.39 Modelo re de base cornun para los parametres del ejemplo 7.6.

332

Dados IE:::: 2,5 rnA, hie:::: 140, hoe = 20 J,LS (jmiho) y hoh = 0.5 ).1S, calcular:

a) E1 circuito hfbrido equivalente para de emisor comun.

b) El modelo re para base comun.

Solucion

a)

2.5 rnA

26 mY

= = 10.4 Q

r = e

hie = f3r, = (140)(10.4 Q) = 1.456 kQ

1 1

r :; - = -- = 50 kQ

o h 20).1S

oe

Observese 1a figura 7,38.

r-----------.---------------~c

1.456kQ

e~--------._------------~----------~--------------__ce

b) re = 10.4 Q

ex;;: 1,

r ;--= = 2MQ

o h 0.5 liS

ob r-

Observese la figura 7.39.

t! 0-------.

...-----_,,_-----------o c

r, 1O.4Q

b~------._----------.-------~~------------~b

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

r

e

En e1 apendice A se proporciona una serie de ecuaciones que relacionan los parametres de cada configuracion para el circuito hfbrido equivalente. En Ia seccion 7.8 se demuestra que el parametro hfbrido hrc (/3ac) es, de los parametres hfbridos, el menos sensible a un cambio en la corriente del colector. Por tanto. la suposicion de que hIe = f3 es una con stante para el rango de interes resulta ser una muy buena aproximacion. Es hie = [Jr. la que tendra una variacion significativa Con IcY se tiene que calcular a niveles de operacion. porque puede tener un impacto real sobre los niveles de ganancia de un transistor amplificador,

7.7 DETERMINACION GAAFICA DE LOS PARAMETROSh

Mediante el uso de derivadas parciales (calculo), se puede mostrar que la magnitud de los pararnetros h para el circuito equivalente de pequena sefial del transistor en la regi6n de operacion para la configuracion de emisor cormin puede encontrarse mediante las siguientes ecuaciones:"

h. :;::

Ie

di

I

avo t.v I

lJe be

= aih = t.ib VCE=constanre

(ohms)

(7.32)

= -; _ t.Vbe \

(]v, .• ::0 t.Vce I,,=constante

(sin unidad)

(7.33)

di

o

di

I

Ji

c

= ---

(sin unidad)

0.34)

h =

0.

Ji

o

(siemens)

0.35)

En cada caso el sfrnbolo t. se refiere a un pequeno cambio en la cantidad alrededor del punto de operacion estable. En otras palabras, los parametres h estan determinados en la regi6n de operacion para la senal aplicada, de tal forma que el circuito equivalente sera el mas ex acto que este disponible. Los valores constantes de \lCE e IB se refieren en cada caso a la condici6n que se debe cumplir cuando se calculan varios parametres a partir de las caracteristicas del transistor. Para las configuraciones de base corruin y de colector comun se pueden lograr las ecuaciones adecuadas mediante la simple sustitucion de los valores adecuados de Vi' vo' i, e i.

Los parametres hie y hr. estan determinados a partir de las caracterfsticas de entrada 0 de base, mientras que los parametres hi- y hoe se obtienen desde la salida 0 de las caracteristicas del colector. Debido a que hfe es por 10 general el para metro de mayor interes. se trataran primero las operaciones acerca de este parametro involucradas con las ecuaciones (7.32) a (7.35). El primer paso para ca1cular cualquiera de los cuatro primeros parametres hibridos consiste en encontrar el punto de operacion estable como 10 indica la figura 7 AO. En la ecuacion (7.34) la condici6n V c£ = constante requiere que los cambios en la corriente de la base y en la corriente del colector se hagan a 10 largo de una lfnea recta vertical dibujada a traves del punto Q que representa un voltaje colector-emisor fijo. Despues la ecuaci6n (7.34) necesita que se divida un cambio pequefio en la corriente del colector entre el cambio correspondiente en la corriente de la base. Para lograr la mayor exactitud posible, estos cambios deben hacerse 10 mas pequefios posibles.

"La derivada parcial (iv/ai, proporciona una medida del cambio instantaneo en v; debido a un carnbio instantaneo en i/o

7.7 Determinaci6n grirl'ica de los parametres h

333

ic (rnA) 71-

~ __ ----~ +60 IlA 61- ,--

-

5 I' .-/ Rcctu de carga

_+50IlA

-+40).lA

<, I_....--VCE 8.4 V (constame)
4 i +30 IlA
3 <. i / Punto Q IB~ '" +20 J.lA
Aie "'-,.11 Is - +151lA
2 r-, fBI = +10 IlA
I <. /8=0IlA
I i ! ~I I
0 5 (8.4 V) 10 15 20 uc£(Vl Figura 7.40 Determinacion de hfe.

En la figura 7.40 se seleccion6 el cambio en i" para extenderse desde I B I hasta I B, a 10 largo de la linea recta perpendicular en V CEO El cambio correspondiente en i" se encuentra mas adelante mediante el dibujo de lineas horizontales a partir de las intersecciones de I B I e I B2 can V CE = constante respecto al eje vertical. Todo 10 que resta consiste en la sustitucion de los cambios resultantes de iIJ e t. en la ecuacion (7.34); esto es.

10-3

= --- = 100

]0 X 10-6

En la figura 7.41 se traza una linea recta tangente a la curva de 1 B a traves del punto Q para establecer una linea en J B = constante, como 10 requiere la ecuacion (7.35) para hoe' Se seleccion6 un cambia en va y se calcula el cambia correspondiente en it' mediante el dibujo de unas lineas horizontales al eje vertical en las intersecciones sobre la Ifnea en que I B = constante, Sustituyendo en la ecuaci6n (7.35). se obtiene

ic (rnA)
7- _+60f.lA
6 1-'-- -+501lA
.,..
Sf:: <, - +40 IlA
4 <, +30J.lA
3 <, Punto Q +20fJA
"".I Is - +15 J.l.A (constante)
2 """-I +10fJA
1 i I~
1 IB =
I I 1 ~I I
0 5 "IV 10 IS 20 '\) Figura 7.41 Determinacion de hoe'

334

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

flit I Ih) =

fl v ce lIB = constante

= (2.2 - 2.1) rnA I

(10 - 7) V 18=+15 flA

0.1 X 10-3

= 33 pA/V = 33 x 10~ S = 33 pS

=----

3

Para deterrninar los parametres hie y hr. primero debe encontrarse el punta Q sobre la entrada 0 las caracteristicas de base como se indica en la figura 7.42. Para hie' se dibuja una linea tangente a la curva en V CE = 8.4 V a traves del punto Q, para establecer una linea en V CE = constante como 10 requiere la ecuacion (7,32). Luego se selecciono un pequefio cambio en vbe' dando par resultado un cambia correspondiente en ib. Si se sustituye en la ecuacion (7.32), se obtiene

Ih 1 = /lvbe I = (733 - 718) mV I

Je /lib VeE = constante (20 - 10) pA Va = 8.4 V

=

15 X 10-3 10 X 10-6

= I.S kQ

30

V C£ '" 8.4 V (constante)

Figura 7.42 Determinacion de hi e:

EI ultimo parametro, hre, se puede encontrar: primero al dibujar una linea horizontal a traves del punto Q en I B = 15 pA. Despues, la seleccion natural consiste en elegir un carnbio en VeE Y encontrar el cambia que resulta en vBE como 10 muestra la figura 7.43.

Sustituyendo en la ecuacion (7.33), se obtiene

Ih 1 = IlVbel =

re

fl. v ce Is = constante

(733 - 725) mV

=

(20 - 0) V

8 X 10-3 20

= 4 x 1()-4

Para el transistor cuyas caracteristicas aparecieron en las figuras 7.40 a la 7.43, el circuito hfurido equivaiente en pequefia seiial es el que se muestra en la figura 7.44.

7.7 Determinacion gnUica de los panlmetros h

335

r e

t.u" '" 20 V

15 t--------------___,fff-- I B = 15)lA (constante)

VC£=OV

VeE: lOY VCE= 20 V

30

20

10

0.6

0.7 II O.S tJ BE (V)

....... ~ ,1.u",.;;oO.OOSV

o

Figura 7.43 Determinacion de h,c'

t , -

r---------.------------Oc

+

33)J.AN (h,.)

Figurn. 7.44 Cireuito hibrido equivalente completo para un transistor que contiene las caracteristicas que aparecen en las figuras 7.40 a 7.43.

l

I.__ l....___----<o e

Como se mencion6 con anterioridad. pueden hallarse los parametres hibridos para las configuraciones de base cornun y de colector cornun empleando las mismas ecuaciones basicas con las variables y caracteristicas adecuadas.

La tabla 7.1 lista los valores tipicos de los parametres para cada una de las configuraciones para el amplio rango de transistores disponibles hoy en dfa. El signo negativo indica que en la ecuaci6n (7.34) cuando una cantidad credo en magnitud, dentro del cambia seleccionado, la otra disminuy6 en magnitud.

TABLA 7.1 Valores tipicos de los parametres para las configuraciones de emisor comun, colector comun y base comftn

Parametro Emisor comiin Co/ector comiin Base comlin
h I 1 kn I Hz 20 n
h , 2.5 x 10"" == I 3.0 x 10""
hJ 50 -50 -0.98
h " 25 IlAfV 25 IlAfV 0.5 IlNV
1Ih " 40 kQ 40 kQ 2 :vIQ 336

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

Se observa en retrospectiva (seccion 3.5: Acci6n amplificadora del transistor) que la resistencia de entrada de Ja configuraci6n de base com lin es baja, mientras que la resistencia de salida es alta. 'Iambien se debe tener en cuenta que la ganancia de corriente a corto circuito es muy cercana a I. Para las configuraciones de emisor comiin y de colector corruin se nota que la resistencia de entrada es mucho mayor que la de la configuraci6n de base com lin. y que la relaci6n de la resistencia de salida a la de entrada es de aproximadamente 40: I. Tambien hay que to mar en cuenta que para las configuraciones de emisor comiin 'j de base comun hres muy pequefia en magnitud. En la actualidad hay transistores disponibles con valores de hre que varian desde 20 hasta 600. Para cualquier transistor. 1a region de operacion y las condiciones bajo las cuales se este empleando tendran un efecto sobre varios de los parametres h. En la seccion 7.8 se tratan los efectos de la temperatura. la corriente y el voltaje del colector sobre los parametres h.

7.8 VARIACIONES DE LOS PARAMETROS DE TRANSISTORES

Existe un gran rnirnero de curvas que pueden dibujarse para mostrar las variaciones de los pararnetros h debido a la temperatura. la frecuencia, el voltaje y la corriente. Lo mas interesante y iitil en esta fase del desarrollo incluye las variaciones de los parametres h con la temperatura de la union y el voltaje y la corriente del colector.

En la figura 7.45 se indica el efecto de 1a corriente del colector sobre los parametres h.

Debe tenerse cuidado acerca de Ia escala Iogantmica que se utiliza sobre los ejes vertical y horizontal. En el capitulo II se examinaran las esc alas logaritmicas. Todos los parametres se han normalizado ala uni.dad de tal manera que un cambio relative en magnitud respecto a la corriente del colector pueda detenninarse con facilidad, En cada conjunto de curvas, como las de la figura 7.46, siempre se ha indicado el punto de operacion en el eual se encuentran los parametres. Por esta situacion en particular. cl punto estable esta en la interseccion de VeE = S.OV e Ie= 1.0 mAo Debido a que la frecuencia y la temperatura de operacion tambien afectaran los parametres h, es import ante indicar estas cantidades sobre las curvas. En 0.1 mA, hie es aproximadarnente 0.50 e150% de su valor a 1.0 mA, rnientras que a 3 ntA, es de 1.5 del150o/c de dicho valor. En otras palabras, si hfe = 50 cuando Ie = 1.0 m A, lIfe ha cambiado de un valor

t Magnitud relativa de los paramerros

.50~

20

h".

5

Ic=lmA 2

VCE = 5 V

T= 25°C -- '1---=::::;;;;::~iiii;;::::~~:::_---_::::::~~~

f--=- 1 kHz 0.5 hl<

I 2

I 5

I 10

I 20

50

..

lc(mA)

o~~~ thO<!

0.02

om I

0.1 0.2

I 0.5

Figura. 7.45 Vartaciones de los parametres hibridos respecto a la corriente del colector.

7.8 Variaciones de los parametres de transistores

337

(% de Va = 5 V valor de cada cantidad)

3000 2000

I= I kHz

Figura 7.46 Variaciones de los parametres hibridos respecto al potencial colector-emisor,

de 0.5(50) = 25 hasta ] .5(50) = 75 con un cambio de Ie desde 0.1 rnA hasta 3 rnA. Sin embargo, debe considerarse el punto de operacion cuando Ie = 50 rnA. Ahora la magnitud de hre es aproximadamente 11 veces, igual a cuando se definio en el punta Q, una magnitud que no pennite eliminareste parametro del circuito equivalente. El pararnetro hoe es aproximadamente 35 veces su valor nonnalizado. Este incremento en hoe disminuira la magnitud de la resistencia de salida del transistor a un punto donde puede acercarse a la magnitud del resistor de carga. Por tanto, no existiria una justificacion para eliminar hoe del circuito equivalente sobre una base aproximada.

En la figura 7.46 se.indica la variacion en rnagnitud de los parametres h sobre una base nonnalizada con los cambios en el voltaje del colector, Este conjunto de curvas se norrnalizo en el mismo punto de operacion del transistor estudiado en la figura 7.45, de tal forma que

/

puede establecerse una comparacion entre los dos conjuntos de curvas. Se nota que hie y hfe

son relativamente estables en magnitud, mientras que hoe y hre son muchomayores ala izquierda y a la derecha del punto de operacion seleccionado. En otras palabras, hoe y hre son mucho mas sensibles a los cam bios en el voltaje del colector, de 10 que son hie y hie'

Es interesante observar a partir de las figuras 7.45 Y 7.46 que el valor de hje es el que tiene cambios minimos, Por tanto, el valor especffico de la ganancia de corriente, sea hje 0 {3, puede, sobre una base aproximada y relativa, considerarse constante para el rango de la corriente y el voJtaje del colector.

EI valor de hie = {3re varia de manera importante con la corriente del co1ector, como era de esperarse, debido a la sensibilidad de re hacia 1a corriente del emisor (IE == Ie)' Es por esto una cantidad que debe determinarse 10 mas cercana posible a las condiciones de operacion. Para los valores abajo del V CE especificado, hre es casi constante, pero aumenta de manera considerable para valores mas altos. Por fortuna, para la mayorfa de las aplicaciones tanto la magnitud de hr' como la de hoe pueden a menudo ignorarse, porque sO::J. muy sensibles a la corriente del colector y al voltaje del colector al emisor,

En la figura 7.47 se grafico la variacion en los parametres h debido a los cambios en la temperatura de la union. El valor de normalizacion se tomo a temperatura ambiente: T = 25 "c. La escala horizontal es lineal y no una escala logantmica como la que se utilize en las figuras 7.45 y 7.46. En general, todos los parametres aumentan en magnitud con la temperatura; sin embargo, el parametro menos afectado es hoe' mientras que la impedancia de entrada hie cambia con mayor rapidez. El hecho de que hje cambiara desde el 50% de su valor normalizado a -50°C hasta 150% de su valor normalizado a +150 "C, indica que la temperatura de operacion debe considerarse con cuidado en el disefio de circuitos de transistores.

338

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

Magnitud relativa de los pararnetros

3.0

(H~O congelada)

(H~O en ebullicion)

2.0

l c = I rnA

1.5

~CE = 5 V

T= 25° C ... - 1.0

f= I kHz

0.7

o.st

0.4

0.3 h" I

-100 -50

I 100

I l50

I 200

I

o 25° 50

~ T(OC)

Temperatura ambiente

7.9 ANALISIS,gOR COMPUTADORA

Al aparecer de una fuente de corriente controlada por corriente (CCCS, por sus siglas en ingles, Current-Controlled Current Source) en el modelo equivalente de un transistor, requiere que se introduzca el formato de PSpice para tal fuente. El formato se inicializa mediante la literal F,

como se muestra a continuacion: .

FBJT 3 2 V~~ -2:~
--_.)
nombre (+N) (-N) nombre de magnitud de]
'---...:.._ _:._...:....;
fuente control ada la fuente de multiplicador
por corriente voltaje para la fuente
controladora control ada controlada El nornbre (hasta siete caracteres) asignado a la fuente controlada esta seguido por los nodos positive y negativo para la fuente. La literal V debe aparecer antes del nombre de la fuente de voltaje de de estableciendo la direccion de la corriente de control. La fuente de voltaje debe estar en el mismo circuito en serie que la corriente de control y polarizada, de tal forma que se establezca una corriente en la direccion opuesta de la corriente de control. Se requiere la direccion opuesta porque en PSpice la corrieme de una fuente independiente de voltaje esta definida para tener una direccion opuesta a la "presion" aplicada de la fuente. Su rnagnitud es de 0 V, en caso de que su ilnico proposito sea el de establecer la direccion de la corriente de control. EI ultimo factor del formate es el factor de multiplicacion para la fuente de corriente controlada. Debido a que la definicion de la fuente de voltaje debe ser parte de la red que aparece en el archivo de entrada, una linea por separado debe definir el nombre, la polaridad y la magnitud de la fuente de dc.

Se utilizara el modelo de la figura 7.48 para 1a configuracion del transistor de base cormin.

Para la configuracion del transistor de emisor comun se empleara el modelo de la figura 7.49.

V.e:mcr

eoo- __ ---\I ~-_ ..

-.. 10\1

t,

r------~~---~c

I

r =-

o h"h

h~------------~--------~--------'_------Qh

Figura 7.47 Variaclones de los parametros hibrtdos respecto a la temperatura.

~------~~------oc

eo-----------~~--------~-------~------~e

Figura 7.48 Modelo de base comun para PSpiee.

Figura 7.49 Modelo de ernisor comun para PSpiee.

--~-------

E]EMPL07.7

Escriba el archiva de entrada para el amplificadar de emisar comun de la figura 7.50. solicitando la magnitud y el angulo de la fase del voltaje de salida Vo'

1

h"" 40kQ

R,;:

4.7 kQ

Figura 7.50 Ejemplo 7.7.

Soluci6n

En la figura 7.51 aparece el archivo de entrada de la figura 7.50. Las primeras dos lineas describen las dos fuentes de la red con un angulo de 00 que no esta incluido en la descripcion de la fuente de ac, debido a que se trata del valor implfcito cuando no se especifica. Se define la impedancia de entrada f3re en la tercera linea y la fuente de corriente controlada en la siguiente linea. Comparese la descripci6n de la fuente de corriente control ada con la hecha anteriorrnente de las fuentes CCCS. La impedancia de salida es de 40 kQ entre las terminales 3 y O, el resistor Rc es la resistencia de colector del disefio. La frecuencia seleccionada para el analisis en ac (se debe especificar una frecuencia) es de 1 kHz y la siguiente linea solicita la magnitud y el angulo de fase del voltaje de salida Va. Recuerdese que el comando .OPTIONS NOPAGE elimina parte del material superfluo en el archivo de salida.

Com=on-emitte~ amplifier of fig. 7.50 .*** CIRCUIT DESCRIPTION

VI 1 0 AC 2MV VSENSE 1 2 0 RBRE 2 0 1.6K

FBETA 3 0 VSENSE 120 RO J 0 40K

RC 3 0 4.7R

.AC LIN 1 11< Ill;

.PRINT AC VM(3,O) VP(3,O) .OPTIONS NOPAGE

• END

*.*. SMALL SIGNAL.BIAS SOLUTION

NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE

( 1) 0.0000 ( 2) 0.0000

TEMPERATURE ~ l>IODE VOLTAGE

( 3) 0.0000

27.000 DEC C NODE VOLTAGE

VOLTAGE NAME

VI

VSENSE TOTAL POWER

SOURCE CmmEWrS CURRENT O.O(lOE+OO O.OOOE+OO DISS1PATION

O.OOE+OO WATTS

•••• AC ANALYSIS

FREQ VM(3,O) VP(3,O)

1.000£+03 6.309~-Ol 1.800E+02

TEMPERATURE = 27.000 DEG C

Figura 7.51 Analisis por medio de PSpice para la red de emisor comun de la figura 7.50.

340

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

Los resultados indican que la rnagnitud del voltaje de salida es de 630.9 mY, 10 que da por resultado una ganancia sin carga de

v I 630.9 mV

A,. ;;;: _0 = = 315.45

~L V, \ 2 mV

un nivel que caera cuando se conecte una carga. Los resultados tambien indican un carnbio de fase de 1800 entre V 0 Y Vi tal como se esperaba para la configuraci6n de emisor comun.

§ 7.2 Ampliflcacion en el dominio de ac

1. a) ~Cual es la amplificacion esperada de un amplifieador a BJT SI la fuente de se hace cero volts?

b) L,Que sucedera a la sefial de salida de ac si el nivel es insuficiente? Trace el efecto sobre la forma de onda.

e) ,:,CuaJ es el coeficiente de eficiencia de un amplificador en el cual el valor efectivo de la corriente a traves de una carga de 2.2 kQ es de 5 mA y el consumo de una fuente de de de 18Y es de 3.8 mA~

2. ,:.Puede desarrollarse alguna analogia para explicar la importancia del nivel de de sobre la gananeia en ac resultante?

§ 7.3 Modelaje de transistores BJT

3. i,Cuil es la reactancia de un capacitor de 10-,UF a una frecuencia de 1 kHz? Para aquellas redes en las cuales los niveles de resistencia estan par 10 general en el rango de los kilohms, L,es una buena suposicion el empleo del corto circuito equivalente para las condiciones recien descritas? l.Que tal a 100 kHz?

4. Dada la configuracion de base comun de la figura 7.52, dibuje el equivalente de ac utilizando la notacion para el rnodelo de transistor que aparece en la figura 7.5.

cz

r-----~----_it(----~o +

Figura 7.52 Problema 4.

5. a) Describa la diferencia entre los modelos r. e hfbrido para un transistor BIT. b) Liste, para cada modelo, las condiciones bajo las cuales debe aplicarse.

§ 7.4 Los parametres importantes: Zit Zoo A., Ai

6. a) Calcular Z, si Vs = 40 mY, Rsensor = 0.5 kQ e I, = 20 /lA, para la configuraci6n de la figura 7.7. b) Utilizando los resultados del inciso a, calcular V. si se cambia la fuente aplicada a 12 mY con una resistencia intema de 0.4 kU.

7. a) Calcular 20 si V::: 600 mY, R,"",or = 10 kD e 10 = 10 ,(lA. para la configuracion de la figura 7.10.

b) Utilizando Ja 20 obtenida en del inciso a, ealcular IL para la configuracion de la figura 7.7 si RL = 2.2 kQ, e lamplificador '" 6 !lA.

Problemas

PROBLEMAS

341

8. Dada la configuracion BJT de la figura 7.53, calcular:

a) Vi'

b) z,

c) Av,,'

d) A",

f. '" 10~A

,
.... AA
I VVw
O.6kO + +
- Amplificador a
18mV z, V, transistor BJT v"",
I -
- 3.6 V

+

Figura 7.53 Problema 8.

9. Para el amplificador a BJT de [a figura 7.54. calcular:

a) t,

b) Z;-

c) Vo'

d) 10,

e) Ai usando los resultados de los incisos a y d.

f) Ai utilizando la ecuacion (7.10).

+

-- G
l v ¥ .... +
IkO - +
z, e
12 mV V, '" 4 mV Amplificador a Vo RL?
transistor BJT ?
I
-
- I

~

0.51 kO

Figura 7.54 Problema 9.

§ 7.5 El modelo de transistor r.

10. Se aplica una sefial de 10 mV a la configuraci6n de base comun de la figura 7.17, dando por resultado una corriente del emisor de 0.5 rnA. Si a'" 0.980. calcular:

a) Z;-

b) Va si RL = 1.2 k.Q_

c) Av= V jV;-

d) Zo con ro = ce n.

e) Ai'" 1)1;.

f) lb'

11. La corriente del emisor es de 3.2 mA y a = 0.99 en la configuraci6n de base cormin de Ja figura 7.17. Calcular 10 siguiente si el voltaje aplicado es de 48 m V y la carga es de 2.2 kn.

a) reo

b) Z;-

c) Ie'

d) Vo'

e) Av'

f) lb'

12. Usando el modelo de la figura 7.27, calcular 10 siguiente para un amplificador de emisor comun si f3 '" 80, IE(dc) = 2 rnA y ro = 40 kQ.

a) Z,.

b) lb'

c) Ai = Iili = I/Ib si RL = 1.2 kQ.

d) Av si RL = 1.2 kQ.

342

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

13. La impedancia de un amplificador de ernisor cormin es de l.2 ill can f3 = 140, ro:::; 50 kQ Y RL = 2.7 ill. Calcalar:

a) r ..

b) IbsiVi=30mV.

c) ';

d) Ai = [/I;:::: IJlb•

e) A v = VJVi.

§ 7.6 EI modelo hibrido equivalente

14. Dados IE (dc) = l.2 rnA, f3 = 120 y ro:' 40 kQ, dibujar los'.

a) Modelo hfbrido equivalente de emisor cornun.

b) Modelo re equivalente de ernisor cormin,

c) Modele hfurido equivalente de base cormin.

d) Modelo r, equivalente de base cormin.

15. Dados hie:::: 2.4 kQ, hie"" 100. \, = 4 X 10-4 y hoe = 25 j1S. dibujar los:

a) Modele hfbrido equivalente de emisor comun,

b) Modelo re equivalente de emisor comun.

c) Modelo hibrido equivalente de base cormin,

d) Modele re equivalente de base comun.

16. Redibujar la red de ernisor comun de la figura 7.3 para la respuesta en ac con el modelo hfbrido equivalente aproximado sustituido entre las terminales adecuadas.

17. Redibu jar la red de la figura 7.55 para la respuesta en ac insertando el modelo r c entre las terminales adecuadas. Incluir roo

18. Redibujarla red de lafigura 7 .56 para la respuesta en ac insertando el modelo re entre las terminales adecuadas. lncluir rD.

VEE -Vee
RB
Rc
R, Cc
+ I~-t r
RL
VI '\, + RL
1 VI '\,
~
Figura 7.55 Problema 17. FIgura 7.56 Problema 18. 19.

Dados los valores tipicos de hie = 1 kQ, hre:::: 2 x 1()-4 y Av = -160 para la configuracion de entrada de la figura 7.57:

a) Determinar Vo en terminos de V"

b) Calcular Ib en terminos de Vi'

c) Calcular Ib si se ignora hre Vo·

d) Precisar el porcentaje de diferencia en Ib con la ayuda de la siguiente ecuaci6n:

+

+

V,

[b(sin h ) - Ib(con hre)

Fe X 100%

Ib(sin h,,)

e) (,Es valido el rnetodo de ignorar los efectos de h" Vo para los valores tfpicos utilizados en este ejemplo?

% en diferencia en [b '"

~----------------~

Figura 7.57 Problemas 19.21.

Problemas

343

20. Dados los valores tfpicos de RL =' 2.2 kQ y ho, = 20 pS, i,resulta una buena aproxirnacion ignorar los efectos de l/hoe sobre la impedancia total de carga? l,Cual es el porcentaje de diferencia en la carga total sobre el transistor utilizando ia siguiente ecuaci6n?

o/c de diferencia en la carga total

21. Repetir el problema 19 ernpleando los valores prornedio de los parametres de la figura 7.28 con Av"'~180.

22. Reaiizar otra vez el problema 20 para RL = 3.3 kQ Y el valor promedio de h"f en ia figura 7.28.

§ 7.7 Determinacion grilfica de los parametres h

Determinar hj,. cuando Ie = 6 rnA y VCE = 5 V. utilizando las caracteristicas de la figura 7.40. Repetir el incise a cuando I C = I rnA y V CE = 15 V.

Calcular 110" cuando Ic -= 6 rnA y VCE -= 5 V, utilizando las caracteristicas de la figura 7.41. Realizar de nuevo el inciso a cuando Ie -= I rnA y V CE:= IS V

Determinar hie cuando 1 B = 20 pA y V C£ = 20 V. utilizando las caracteristicas de la figura 7.42. Repetir el inciso a cuando 1 B = 5 pA Y V CE = 10 V.

Determinar h re cuando [B = 20 pA utilizando las caractensticas de la figura 7.43. Repetir el inciso a cuando IE = 30 pA.

*' 27. Utilizando las caractensticas de las figuras 7.40 y 7.42. calcular el modelo hfbrido equivalente de emisor comun aproximado cuando IB = 2S pA Y V C£ = 12.5 V.

" 28. Calcular el modelo re de emisor corrnin cuando I B =: 25 pA Y V CE '" 12.5 V utilizando las caracteristicas de las figuras 7.40 y 7.42.

29. Con el usa de los resultados de la figura 7.44, dibuje el modelo Te equivalente para el transistor que tiene las caracterfsticas que aparecen en las figuras 7.40 a 7.43. Incluir roo

23. a)
b)
24. a)
b)
25. a)
b)
26. a)
b) § 7.8 Variaciones de los parametres de transistores

Para los problemas 30 a 34, se utilizan las figuras 7.45 a 7.47.

30. a) Empleando la figura 7.45, calcular la magnitud del porcentaje de cambia en hie cuando existe un cambia en Ie de 0.2 rnA a 1 rnA utilizando la ecuacion

% decambio

hfe(0.2 rnA) - hfe(l rnA) x 100% hf/0.2 rnA)

b) Repita el incise a para un cambio en Ie de] rnA a 5 rnA.

31. Vuelva a hacer eI problema 30 calculando hie (con los mismos cambios en Ie)·

32. a) Si hoe == 20 pS cuando Ie '" 1 rnA en la figura 7.45, (,cual es el valor aproxirnado de hoe cuando Ic = 0.2 rnA?

Calcular su valor resistivo a 0.2 rnA y compararlo con una carga resistiva de 6.8 kQ. i,Es un buen sistema el ignorar en este caso los efectos de lIhoe?

Si hoe = 20).iS cuando Ie = 1 rnA en la figura 7.45, i,cual es el valor aproxirnado de hoe cuando lc=lOrnA?

Cakular su valor resistive a 10 rnA y compararlo con una carga resistiva de 6.8 ill. i.Es un buen sistema el ignorar en este casu los efectos de lIhoe ')

Si h" = 2 X 10--4 cuando Ie:= 1 rnA en la figura 7.45. i,cual es el valor aproximado de hre cuando Ic == 0.1 rnA?

Utilizando el valor determinado de hre en el incise a, i.puede ignorarse hre como una buena aproximaci6n si Av '" 21 O?

Al revisar las caractensticas de la figura 7.45, i,cuaJ. parametro carnbio lo menos posible para el rango eompleto de corriente del coleetor?

(,Cmil fue el pararnetro que observe mas cambios?

"Cuales son los valores maximo y minima para I/hoe? l,Es una buena aproximacion Ilh,)\ RL == RL mas adecuada con los valores altos 0 bajos de la corriente del colector?

i,En que region del espectro de corriente es mas adecuada la aproxirnacion hreVce == O?

b)
33. a)
b)
34. a)
b)
" 35. a)
b)
c)
d) 344

Capitulo 7 Modelaje de transistores bipolares

* 36 a) Al repasar las caracteristicas de la figura 7.47, .:,cual fue el parametro que tuvo mas cambia

debido al incremento en la temperatura?

b) ,:,CUil1 tuvo menos cambia?

c) .:,Cuales son los valores maximo y minima de hf) .:,Es significative el cambio en rnagnitud?

d) i,C6mo varia rc can respecto al incremento en la temperatura? Simplemente calcule el valor en tres 0 cuatro puntas y compare sus magnitudes.

e) (,Dentro de que rango de temperaturas carnbian menos los parametros?

§ 7.9 Analisis por computadora

PSpice

37. Escriba el archivo de entrada para [a red de base cornun de la figura 7.58 y solicite:

a) La magnitud y la fase de V"

b) La rnagnitud de la corriente de salida f".

c) La magnitud de la corriente 1r (y cornparela contra I)-

d) La magnitud de la corriente (.

I. 10
~ ~
I
'. +
+
V, =4 mV /Q' '" r 200. t 0.98/, 50W RL 2.2kO VQ
c Figura 7.58 Problemas 37. 39.

38. Escriba el archivo de entrada para la red de emisor cormin de la figura 7.59 y solicite:

a) La magnitud y la fase de Vo'

b) La magnitud de 10•

c) La magnitud de la corriente I, (y comparela contra I).

d) La magnitud de la corriente de entrada lb.

lb
~
t 1 t 10
+ I " +
I
IOmV '" 2ko' hI< ~ 100/b hoe RL 3.3 kO V"
hil.
I 1
I 20,u.s Figura 7.59 Problemas 38, 40.

BASIC

39. Repita eJ problema 37 utilizando BASIC.

40. Repita el problema 38 utilizando BASIC.

* Los asteriscos indican problemas mas dificiles.

Problemas

345

CAPiTULO

Anallsis a pequefia serial del transistor bipolar

--]

r- ..

L

8.1 INTRODUCCION

Los modelos de transistores que se presentaron en el capitulo 7 se utilizan ahora para llevar a cabo un analisis en ac a pequefia sefial de las configuraciones estandar de redes de transistores, Las redes analizadas representan la mayoria de aqueUas actualmente utilizadas en la practica. Las modificaciones a las configuraciones estandar se examinaran con relativa facilidad una vez que se revise y entienda el contenido de este capitulo.

Debido a que el modelo re es sensible al punto real de operacion, sera el modele primario para el analisis que se desarrollara. Sin embargo, para cada configuracion, se examina el efecto de la impedancia de salida como es proporcionado por el parametro hoe del modelo equivalente hfbrido, Para demostrar las similitudes que existen entre los modelos, Se dedica una seccion al analisis a pequefia sefial de las redes BJT que unicamente utilizan el modelo hfbrido equivalente. EI analisis de este capitulo no incluye una resistencia de carga RL 0 la resistencia de la fuente Rs' Se reserva el efecto de ambos parametres para un metodo para sistemas en el capitulo 10.

El analisis par computadora incluye una breve descripcion del modelo de transistor empleado en eI paquete de programas PSpice. Este programa demuestra el rango y profundidad de los sistemas de analisis par computadora, los cuales estan disponioles en la actualidad y 10 relativamente facil que resulta capturar una red compleja e imprimir los resultados deseados. Se incluye un programa en BASIC para permitir una comparacion entre el usa de un paquete de prograrnas y un lenguaje de eomputaci6n.

8.2 CONF1GURACION DE EMISOR COMON CON POLARIZACION FlJA

La primera configuracion que se analizara con detenimiento es Ia red de polarizacion fija de emisor comun de la figura 8.1. Se observa que la sefial de entrada Vj se aplica a Ia base del transistor mientras que la salida Vo esta en el colector, Adernas, la corriente de entrada Ii no es la corriente de la base sino la corriente de la fuente, mientras que la eorriente de salida 10 proviene del col ector. El analisis a pequefia serial comienza por eliminar los efectos de de de Vee y reemplazar los eapacitores de acoplamiento C I Y Cz mediante cortos circuitos equivalentes, 10 cual origina la red de la figura 8.2.

En la figura 8.2 se observa que la tierra cormin de la fuente de y la terminal del emisor del transistor permite la reubicacion tanto de RB como de Rc en paralelo con las seceiones de entrada y de salida del transistor, respectivamente, N6tese ademas, Ia eolocaci6n de los parametres importantes de la red Z; Zo' Ii e 10 en la red que se redibujo. La sustitucion del modelo re para la configuracion de emisor cormin de la figura 8.2 dara por resultado la red de la figura 8.3.

346

t Ia ~,
t,
........ B
Vi
..,._
-.... R8 Zo
Z, 1,

~ B

Vi 0----} t------<>---I

Cl ........ Z i

Figura 8.1 Contiguracion de polarizacion fija de emisor comun.

FiguJ."a 8.2 Red de la !igura 8.1 despues de eliminar los efectos de Veo C1 Y C2•

l t,
~
C t 1. +
/J.r. ~ RC Vo
j31b
~ b

Figura 8.3 Sustituclon del modele -lr; en la red de la ligura 8.2.

EI siguiente paso consiste en calcular {3, re y roo La magnitud de {3por 10 general se obtiene mediante una hoja de especificaciones 0 por medici6n directa utilizando un trazador de curvas o mediante un instrumento para probar transistores. Debe determinarse el valor de re a partir de un analisis en de del sistema; por su parte, la magnitud de rose obtiene por 10 general mediante la hoja de especificaciones 0 de las caractensticas. Suponiendo que se hayan determinado f3, re y ro' se obtendran las siguientes ecuaciones para las caracterfsticas importantes de dos puertos del sistema.

l;: La figura 8.3 revela que

ohms

(8.1)

Para la mayor parte de las situaciones, RB es mayor que {3re mas de 10 veces (se debe recordar a partir del anilisis de los elementos en paraJelo que la resistencia total de dos resistores en paralelo siempre es menor y muy cercana a la mas pequefia en caso de que una sea mucho mayor que la otra), 10 eual pennite la siguiente aproxirnacion:

Zi ::;:: f3re I ohms

L..-------IRB ~ lO/3r,

(8.2)

Zo: Recuerdese que la irnpedancia de salida Zo se calculo cuando Vi'" 0. Para la figura 8.3, cuando Vi'" 0, Ii'" Ib = 0, dando por resultado una equivaleneia de circuito abierto para la fuente de corriente. EI resultado es la configuraci6n de la figura 8.4.

ohms

(8.3)

Si ro ~ lORD' con frecuencia se aplica la aproxirnacion Rc II ro::;:: Rc Y

I Z ::;:: Rc I

or> lOR

n- C

(8.4)

8.2 Configuraci6n de emisor comtin con polarizaci6n fija

JL

1

Figura 8.4 Determinacion de Zo para la red de la figura 8.3.

347

I

JL

Av: Los resistores To y Re estan en paralelo,

y Vo",,-j3lh(Rcllr)

V

Ib = -'{3Tc

pero

de manera que

y

A = ~ = _ (Re II ra)

v Vi r.

(8.5)

A = __ Re I

,-- __ I' Te_--, ru<:: lORe

(8.6)

Se observa la ausencia explfeita de j3 en las ecuaeiones (8.S y 8.6), aunque se reeonoee que {3 debe utilizarse para determinar Te'

Ai: La ganancia de corriente se calcula de la siguiente manera:

Al aplicar la regIa del divisor de eorriente a los eireuitos de entrada y de salida,

Ia (To)([3lb) e 10 To[3
;;;;
To + Re Ib To + Re
con Ib (RB)(l) 0 t, = RB
;;;;
RB + [3Te Ii RB + {JTe
El resultado es
Ai 10 eo~c'~ ~ 'fi 7 t R. 7
:::: = I; I;- ::: To + Re RB + f3Te
I
,
y Ai 10 {JRB To (8.7)
::: =
Ii (To + Rc)(RB + f3re) la cual eiertamente es una expresi6n eompleja y diffcil de manejar, Sin embargo, si To:? lORe Y R8 ~ lO{3re, 10 eual sucede a rnenudo,

y

(8.8)

La complejidad de la ecuaei6n (8.7) sugiere que puede desearse el retorno a una ecuacion como la ecuaci6n (7.10) la eual emplea Ao Y Zi' Esto es,

(8.9)

Relaci6n de la Case: El signa negativo para A,. en la ecuacion obtenida indica que oeurre un cambia de fase de 1800 entre las sefiales de entrada y de salida, como se muestra en la figura 8.5.

348

Capitulo 8 Anillisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

Vee
t Vo
I
Rs
~
0 V,
I J[

Figura 8.5 Dernostracion del carnbio de fase de 180" entre las formas de onda de entrada y salida.

E]EMPL08.1

Para la red de la figura 8.6:

a) Determinar reo

b) Encontrar Z, (cuando ro:; co Q).

c) Calcular Z" (cuando ro:; cc Q).

d) Detenninar A" (cuando ro = 00 Q).

e) Encontrar Ai (cuando ro::: 00 Q).

f) Repetir los incisos cae incluyendo ro:; 50 kQ en todos los calculos y comparar los resultados.

r----___,--~ 12 V

470kQ

t, _...

Vi o----}I--........_----t

Solucion

a) Analisis en DC:

Vee - VSE Is = ----

12V - O.7V

__ __;..._- = 24.04 }lA

470kQ

IE ::: (f3 + l)ls ::: (101)(24.04 J1A) = 2.428 rnA

26 mV 26 mV

r - --- - = 10.71 Q

e - IE - 2.428 rnA

b) f3re = (00)(10.710.) = 1.071 kQ

Zi :; Rs II f3re = 470 kD. 111.071 kQ = 1.069 kQ

c) 20 = Rc z: 3 kQ

3kD. 1O.71Q

= -280.11

e) Dado que Rs :::: 1Of3r.(470 kD. > 10.71 kQ) Ai == f3 = 100

Figura 8.6 Ejernplo 8.1.

8.2 Conflguracien de emisor eomun con polartzacien fija

349

][

f)

Z = r II Rc = 50 kQ 113 kO ;;:: 2.83 kQ vs. 3 kQ

o 0

rJIRc A ;;:: - ------''- == ---- ;;:: -264.24 vs. -280.11

v

2.83 kQ

10.71 n

A.

,

f3Rsro (100)(470 kO)(50 kQ)

__ ----------- = ---------------------------

(ro + Rc)(RB + f3r) (50 ill + 3 kQ)(470 kQ + 1.071 kQ)

= 94.13 vs. 100

Como verificaci6n:

Z -(-264.24)(1.069 ill)

A. = -A -' = = 94.16

r v R 3 kQ

c

la cual difiere ligeramente debido s610 a la precision que se neva a traves de los calculos.

8.3 POLARIZACION MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE

La siguiente configuracion que se analizara es la red de polarizacion mediante divisor de voltaje de lafigura 8.7. Considerese que el nombre de la configuracion es un resultado de la polarizacion mediante divisor de voItaje en el lado de la entrada para calcular el nivel en de de VB'

Figura 8,7 Configuraci6n de polarizaci6n mediante divisor devoltaje.

Ii

....... B

V, o----lJ---+---<>--~ C1

Al sustituir el circuito equivalente re se obtendra la red de la figura 8.8. Se observa la ausencia de RE debido aJ efecto de reduccion de baja impedancia del capacitor de desvio, CEo Esto es, ala frecuencia (0 frecuencias) de operaci6n, la reactancia del capacitor es tan pequena en comparacion con R E que se maneja como un corto circuito para la sefial a tra ves de R E" Cuando Vee se

Ii
_.. b ]lIb C
+ ....... t 1. +
Vi Zi R, R2 {lr. • f3lb r, Rc Vo
~
e e Zo
""--..r--' T
R' Figura 8.8 Sustttucion del circuito equivalente r. en La red equtvalente de ac de la figura 8,7.

350

Capitulo 8 An8.J.isis a pequeiia seiial del transistor bipolar .

.JL

iguala a cero coloca una terminal de RI y Re a potencial de tierra, como se muestra en la figura 8.8. Adernas, se observa que RI y R2 permanecen como parte del circuito de entrada mientras que Rc forma parte del circuito de salida. La combinacion de R] y R2 esta definida por medio de

(8.10)

Zj: De la FIgura 8.8,

(8.11 )

Zo: De 1a figura 8.8, cuando se hace V, a 0 V se obtiene Ib = 0 ~A Y {31b = 0 rnA,

Zo = RJ Yo I

(8.12)

(8.13)

Av: Ya que Rc Y '0 estan en paralelo,

Vo = - (,6Ib)(Rcll '0)

V
lb = ,
f3re
V = ~~;)Rcllr)
()
Av Vo Rc1k (8.14)
=- =
Vi r, e

de manera que

y

la cual se nota que es una replica exacta de la ecuaci6n que se obtuvo para la configuraci6n de polarizacion fija,

Para To ~ IORc'

V A =_0 v

Vi

(8.15)

Ai: Debido a que la red de la figura 8.8 es tan similar a la de la figura 8.3, excepto por el hecho que R' = R] II Rz = RB, la ecuaci6n para la ganancia de corriente tendra el mismo fonnato que La ecuacion (8.7). Esto es,

(8.16)

y

Ai = t, f3R'To
--
1. roCR' + f3re)
,
Ai fo f3R' (8.17)
=-=
1; R' + {3Te '0;: lORe 8.3 Polarizaclen mediante divisor de voltaje

351

J[

Y si R'?:_ lO/3re,

y

Como una opcion,

10 /3R'

A.=-=-

I I, R'

10 I

Ai = - /3

L..- I,_. __ -..lr,,<= !ORc.R'<= !Oi3~.

(8.18)

(S.19)

Reiaci6n de la fase: EI signa negativo de 1a ecuaci6n (S.14) revel a un cambia de fase de lS00 entre V" Y Vi'

EJEMPL08.2

Para 1a red de 1a figura S.9, encuentrese:

a) reo

b) Z,..

c) Zo (cuando To = 00 0).

d) A,. (cuando ro = 00 0).

e) A, (cuando To = 00 0).

f) Los parametres de los incisos b a e si 1'() = lIhoe = 50 kQ y compare los resultados.

-

56kfl

10 ilF Vi o---}t-~----t

- z,

Soluclon

22 v

- z.

Figura 8.9 Ejernplo 8.2.

a) DC: La prueba de /3RE> 10Rz

(90)(1.5 kO) > 1O(S.2 kO)

135 kO > S2 kQ satisfecha

Utilizando el metoda aproxirnado,

R2 (S.2 kQ)(22 V)

VB = Vee = = 2.S1 V

s, +R2 56kQ+S.2kQ

VE = VB - VBE = 2.S1 V - 0.7 V = 2.11 V

352

Capitulo 8 AnaIisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

J[

V 2.11 Y

IE = .s:

RE 1.5kQ

26 mY 26 mY

r =-- = _-_ '" 18.44Q

e -IE lAl rnA

b) R' = Rj II R~:; (56 kO) II (8.2 1;0) == 7.15 kD

Zi = R' II f3rt' = 7.15 kO II (90)(18A4 0);;;: 7.15 kD 111.66 kD

;:; 1.41 rnA

= 1.35 kQ

c) Z,,;;;: R c = 6.8 kQ

Rc

d) A,;;;: -- - -

r

c

6.8kQ 18.44 D

= -368.76

e) La condicion R'"2 10,8r" (7.15 kQ 2: 1 O( 1.66 kQ) = 16.6 kQ no esta satisfecha.

Por tanto,

f)

f3R' (90)(7.15 kQ)

Ai == ~-_ = --~---- = 73.04

R' +f3re 7.1S kD + 1.66 kO

Z, = 1.35kQ

Z,,;; Rc II r,,;;;: 6.8 kQ 1150 kQ = 5.98 kQ vs. 6.8 kQ

Rc II r: 5.98 kQ

A = - := - = -324.3 VS. -368.76

,

18.44 D

La condicion:

r. 2: lORe (50 kQ 2: 10(6.8 kO) = 68 kQ)

No esta satisfecha, Par tanto,

AI = f3_R_'r-,-o __ = (9_0_) (_7 ._lS_k_Q_)_(5_O_k_O_)~_

(ro + Re)(R' + f3r) (50 kQ + 6.8 kO)(7. 15 kO + 1.66 kQ)

64.3 VS. 73.04

Existi6 una diferencia considerable en los resultados de Z". A, Y Ai debido a que no se satisfizo la condicion r 02: lORe-

8.4 CONFIGURACION DE E-C CON POLARIZACION EN EMISOR

Las redes que se examinaron en esta seccion incluyen un resistor en emisor que puede tener 0 no un desvio en el dominic de ac. Primero se considerara la situacion sin derivacion y luego se modificaran las ecuaciones obtenidas para la configuracion con dcsvfo.

Sin desvio

En la figura 8.10 aparece la configuracion mas basica de las que no poseen desvio. El modelo re equivalente se sustituyo en la figura 8.11, pero se observa la ausencia de la resistencia r". Si se considera el efecto de ro' el analisis sera mucho mas cornplicado; sin embargo, en la mayoria de las situaciones se puede ignorar su efecto; par tanto. no se incluira en el siguiente analisis, y su efecto se discutira mas adelante en esta seccion,

La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff allado de la entrada de la figura 8.] 1 dara por resultado

o

Vi = Ibf3re + JeRE

Vi;:;; IbfJre + ({3+l)IIJR£

8.4 Contlguraclon de E-C con polarizacien en emisor

353

J.-.t-

. ~

1-

I;
_... b
+ ~r
{Jr. ~ f3i1?
z,
~ _....
Zb
Vi RB c

Rc

+

e

flgura 8.10 Configuraci6n polarizacion de emisor cormm.

Figura 8.11 Sustitucion del ctrcuito equivalente re en la red equivalente dc de la figura 8.10.

y la impedancia de entrada viendo hacia la red a la derecha de RB es v.

Zb == .z.; = j3r + ({3 + l)RE

I e

b

EI resultado como se aprecia en la figura 8.12 indica que la impedancia de entrada de un transistor con un resistor RE sin desvio esta determinada por

Ya que j3 por 10 regular es rnucho mayor que 1, la ecuacion aproximada es la siguiente Zb == j3re + {3RE

y

(8.21)

FIgUra 8.12 Definicion de la irnpedancia de entrada de un transistor con un resistor de ermsor sin desvio.

Debido a que RE a menudo es mucho mayor que re, la ecuacion (8.21) puede reducirse aiin mas a

(8.22)

Zi: Regresando a la figura 8.11, se tiene

(8.23)

Zo: Al hacer Vi cero, Ib::: 0 y {3Ib puede reernplazarse mediante un equivalente de circuito abierto. El resultado es

(8.24)

y

V.

Ib,:o _'_

Zb

Vo == -loRe == -{3IbRc

== -f3(:~) Rc

con

(8.25)

354

Capitulo 8 Anlllisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

JL

La sustitucion de Zb = {3(re + RE) da

~------------------,

(8.26)

y para la aproxirnacion Zb ~ {3Rp

(8.27)

Observese una vez mas la ausencia de {3 en la ecuacion para Av'

Ai: La magnitud de R B a menudo es muy cercana a Zb para permitir la aproximacion Ib = fi• Al aplicar la regia mediante la division de corriente al circuito de entrada se obtiene

de tal forma que

RBI;

Ii) = _--=---

R8 + Zi)

t, R8

= _ _.:::._

t, RB + z,

10 = f3Io

10 == f3

t,

10 To To

A, = J; = Ib I;

R8 =f3-~RB + z,

e

adernas,

e

y

(8.28)

a

OJ

,

R c

(8.29)

Relacion de la fase: El signo negativo de la ecuaci6n (8.25) revela una vez mas un cambio de fase de 1800 entre Vo y Vi'

Efecto de ro: Las ecuaciones que aparecen abajo revelaran con mayor detalle la complejidad adicional que resulta al incluir ro en el analisis. Sin embargo, en cada caso se observa que cuando se cumplen ciertas condiciones, las eeuaciones regresan a la forma recien derivada, La derivaci6n de cada ecuacion esta mas ana de las neeesidades de este texto y se deja como un ejercicio para el lector, Cada ecuacion puede derivarse mediante la aplicaci6n cuidadosa de las leyes basicas del analisis de circuitos como las leyes de voltaje y de eorriente de Kirchhoff, las conversiones de las fuentes, el teorema de Thevenin y otros. Se inc1uyeron las ecuaciones para eliminar la molesta pregunta del efecto de ro sabre los parametres irnportantes de una configuraci6n de transistores.

Z.:

t

(8.30)

8.4 Conflguraclon de E-C con polartzacion en emisor

355

J[

Debido a que el coeiente Relr" es siernpre mueho menor que ({3 + 1),

Para Y" :2 1 O(Rc + R El,

la eual puede cornpararse de manera direeta con la ecuacion (8.20).

En otras palabras, si 1"" :2 lO(Rc + RE), se podran obtener todas las ecuaciones derivadas con anterioridad.

Debido a que f3 + 1 == {3, la siguiente ecuacion resulta excelente para la mayoria de las aplicaciones:

(8.31)

(8.32)

Sin embargo, r.> I"e y

la eual puede escribirse como

Normalmente tanto 1I{3 como r/RE son menores que uno y suman un total que por 10 general es menor que uno. EI resultado es un factor de multiplicacion para r" mayor que uno. Paraf3= 100. r, = 10 Q Y RE= 1 kQ:

1

1 -1--re- = -]--}-O-O- = -0-.0-2 = 50

-+- -+

f3 RE tOO 1000 n

y

la cual, por supuesto es Rc Por tanto,

Zo = Rc I

L-- -' Cualquier nivel de,,,

(8.33)

la eual se obtuvo can anterioridad.

A' v"

(8.34)

356

Capitulo 8 Analisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

J[

La relaci6n r/ro « 1

y

f3Rc Rc

---+-

Av = Vo == __ Z.:.;,.b __ ....::r z,

V, Rc

+r;

(8.35)

'-- ....1 Co 2: lURe

as! como se obtuvo con antes.

Ai: El calculo de Ai sera a la ecuacion

(8.36)

utilizando las ecuaciones anteriores,

COD desvio

Si RE de la figura 8.10 esta en desvfo mediante un capacitor CE de ernisor, el modelo re equivalente complete puede sustituirse, dando por resultado Ia misma red equivalente que la figura 8.3. Por tanto, pueden aplicarse las ecuaciones (8.1) a (8.9).

Para la red de la figura 8.13, sin CE (sin desvio), calcular:

a) reo

b) Zi'

c) Zoo

d) A,.

e) Ai'

EJEMPL08.3

- 20 V c

I

470kQ

j3 = 120. r,,=40kQ

FIgura 8.13 Ejernplo 8.3.

Solucion

a) DC:

Vee - V8E 20 V - 0.7 V

18 = = = 35.89 fJ.-A

RB + ({3 + l)R£ 470kO + (l21)O.56kfi

h = (f3 + 1)IB = (121)(46.5 fJ.-A) = 4.34 rnA

26 m V = 26 m V = 5.99 n

IE 4.34 rnA

r = t'

y

8.4 Configuraci6n de E-C con polarlzaclon en emisor

357

J[

b) La prueba de la condicion ro?: lO(Re + RE),

40 kO::: 10(2.2 kO + 0.56 kO)

40 kO :2: 10(2.76 kO) = 27.6 kO satisfecha

Por tanto,

y

Zb == (J(r e + RE) = 120(5.990 + 5600) == 67.92 kO

Zi = RBllzb = 470 k!l1167.92 kO = 59.34kO

c) Z; = Rc = 2.2 kO

d) ro?: lORe esta satisfecha. Par tanto,

Vo {3Rc (120)(2.2 kO)

Av=-==---=

Vj z; 67.92 en

= -3.89

comparado con -3.93 cuando se utilize la ecuacion (8.27): Av == -Rc/RE·

e) A- = -A _Z_I = _ (- 3 89) (_59_.3_4_kO_)

I " Rc . 2.2kO

= 104.92

comparado con 104.85 cuando se utilizo Ia ecuacion (8.28): Ai ~ fiRB/(RB + Zb)'

E]EMPL08.4

Repftase el analisis del ejemplo 8.3 cuando C E esta en su lugar.

Solucion

a) EI analisis del dominio de es el misrno y re = 5.99 n.

b) RE esta "en corto" debido a CE para el analisis ac. Por tanto,

Zi = RBllzb = RBlll3r" = 470 kflll(120)(5.99 0) = 470 kOlln8.8 0 == 717.700

c) Z, = Rc = 2.2 kO

d) A" = _ Rc

r,

2.2kO

= - 5.990 = -367.28 (un incremento significativo)

e) A. = {3RB = (120)(470 ill)

I RB + Zb 470kfi + 718.8 n

= 119.82

E]EMPL08.5

Para la red de la figura 8.14, encontrar (mediante las aproximaciones adecuadas):

a) reo

b) Z['

c) 20,

d) .4".

e) Ai

358

Capitulo 8 Analisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

J[

16V

90 k.Q
0
+
V, c .. )
t, C1 ~
I z. V.
-
z, lOkQ J..
TCE
__j Figura 8.14 Ejemplo 8.5.

Solucion

(210)(0.68 k!l) > 10(10 kfi) 142.8 kfi > 100 kfi satisfecha

VB = R2 Vee ,:= 10 kf! (16 V) = 1.6 V

Rl + R2 90kfi + 10k!}

Ve = VB - VBe = 1.6 V - 0.7 V = 0.9 V

V£ 0.9 V

le = - = = 1.324 rnA

R£ 0.68 k!1

26mV

r = e

26 mY = 19.64.0 1.324 rnA

b) En la figura 8.15 se proporciona el circuito equivalente. Ahora, la configuracion que se obtiene es diferente a la de la figura 8.11 s610 por el hecho que

RB = R' = Rd\R2 = 9kfi

" -

0.611 ill

z.

+

+ - z.

, v IOkQ 90kQ

I

2.2kQ v.

F"lgUra 8.15 EI clrcuito ac equivalente de la figura 8.14.

Las condiciones de prueba tanto de ro ;:;: lO(Re + RE) como de ro ;:: lORe se satisfacen. El empleo de las aproximaciones adecuadas dan

z, == f3R£ = 142.8 kO

Zj = RB!lZb = 9 kf!11142.8 kn = 8.47 kO

8.4 Configuracion de f..C con polarizacion en emisor

359

][

c) Z; = Rc = 2.2kO

Rc 2.2kO

d) Av = - - = - = -3.24

R£ 0.68kO

z, (8.47 k!1)

e) Ai = -Av Rc = -(-3.24) 2.2 kO

= 12.47

E]EMPL08.6

Repetir el ejemplo 8.5 con C £ en su lugar.

Soluci6n

2.) El analisis en de es el mismo y re:: 19.64 Q.

b) Zb = f3re = (210)(19.64 0) == 4.12 kO Z, = RBllzb = 9 k01l4.12 kO

= 2.83kfi

c) Zo = Rc = 2.2 kG

Rc 2.2 kO

d) Av = -- = ---- = -112.02 (un crecimiento significativo) 19.64 kO

z, (2.83 k!1)

e) A,=-AvRL =-(-112.02) 2.2kO

= 144.1

En la figura 8.16 aparece otra variacion de una configuraci6n de polarizaci6n en emisor.

Para el analisis en de la resistencia del emisor es RE I + REi mientras que para el analisis en ac el resistor R£ en las ecuaciones anteriores es simplemente R£ I con R£ 1 en desvlo par C E'

C1 Vr o-l'__"__--I

~ t,

Figura 8.16 Una configuraclon polarizacion en emisor con una porcion de la resistencia de ernisor en desvio en el dorninio de ac.

8.5 CONFIGURACION EMISOR-SEGUIDOR

Cuando se toma la salida a partir de la terminal del emisor del transistor como se rnuestra en la figura 8.17, se conoce a la red como emisor-seguidor. El voltaje de salida siempre es ligeramente menor que la senal de entrada, debido a la cafda de !a base al emisor, pero la aproximacicn

360

Capitulo 8 AnaIisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

][

- z,

E ~t-----<> t;,

~ t I" Rf f

?

Figura 8.17 Coniiguracior; ernlsor-seguidor.

Ar"'" 1 por 10 general es buena. A diferencia del voltaje del colector, el voltaje esta en fase con la serial V" Esto es, tanto Vo como V, rnantencran sus valores pi co positives y negatives al mismo tiernpo. El hecho de que Vo "siga" la magnitud de Vi con una relacion dentro de fase acredita la terminologia emisor-seguidor,

En la figura 8.17 aparece la configuracion emisor-seguidor mas comun. De hecho, debido a que el colector esta conectado a tierra para el analisis en ac. en realidad es una configuracion de colector-comun. En la parte final de esta seccion apareceran otras variaciones de la figura 8.17 que tienen la salida en emisor con Vo ~ Vi'

La configuraci6n de emisor-seguidor se utiliza con frecuencia para propositos de acoplamiento de impedancia. Presenta una alta impedancia en la entrada y una impedancia baja en la salida, la cual es directamente opuesta a la configuracion de polarizacion fija estandar. El efecto que se obtiene es muy similar al que se logra con un transformador, donde se acopla una carga con la impedancia de la fuente para obtener una maxima transferencia de potencia a traves del sistema.

Al sustituir el circuito equivalente r. en la red de la figura 8. I 7 se obtiene Ia red de la figura 8.18. El efecto de r" se examinara mas adelante en la seccion.

I. --

+

--+-z,

v,

b

[0

+

1

Figura S.lS. Sustitucion del circuito equivalente r en la red ac equivalente de ac de la figura 8.17.

\

1

Z;: La impedancia de entrada se encuentra determinada de la misma manera que se describio en la seccion anterior:

COn

(8.37)

(8.38)

8.5 Configuraci6n emisor-seguidor

361

J[

+ V, 'V

-~

RE ~

Z"

Figura 8.19 Definicion de

la impedancia de salida para la conflguracion emlsor-segutdor.

362

o

(8.39)

y

[ Z" :: {3R£ Zo: La impedancia de salida se describe mejor aJ escribir la ecuacion para la corriente I,,:

(8.40)

y luego multiplicando por (/3 + I) para establecer Ie' Esto es.

Sustituyendo por Z/) se obtiene

o

I = (f3 + l)V;

t' Br; + (f3 + I)RE

V

I = I

e [f3r,J(j3 + 1)] + RE

(f3 + 1) ;; f3

pero

y

f3re f3r"

---;;--=r

f3+1 /3 e

de manera que

V

I:: --'_e

(8.41)

Si ahora se construye la red definida por 1a ecuacion (8.41), se obtiene 1a configuraci6n de 1a figura 8.19.

Para determinar Zo' se hace cero Vi Y

(8.42)

Por 10 general R£ es mucho mayor que re, y a menudo se aplica la siguiente aproxirnacion:

[

Z .:0: r

o - e

(8.43)

A,.: Se puede utilizar la figura 8.19 para detenninar la ganancia de voltaje mediante Ia aplicacion de la regla del divisor de voltaje:

Y

(8.44)

Con frecuencia, R£ es mucho mayor que Te, R£ + re;::: R£ y

V

Av ;;: _o :: I

V

,

(8.45)

Capitulo 8 Amllisis a pequeiia seftal del transistor bipolar .

J[

Ai: De la figura 8.18,

o

RBI,

I b = --=--=---RB + Z;

h RB

=

e

I, RB + Z"

fo = =L, = -({3 + l)h

10

- = -({3 + I)

II>

o

de tal forma que

y debido a que

RB

== -({3 + 1)---

RB + Zb

({3 + 1) =0= {3,

{3RB

A == ---=---

I

(8.46)

o

(8.47)

Relacion de la fase: Como se indico por media de 1a ecuaci6n (8.44) y algunas discusiones anteriores de esta seccion, tanto Vo como V, se encuentran en fase para la configuraci6n ernisor-seguidor,

Efecto de rQ:

z.

I

(f3 + l)R£ {3r" + ----

(8.48)

Si se satisface 1a condicion r; ~ lORE'

Z/1 = j3r,. + ({3 + I)R£

la cua! es similar a las conclusiones anteriores con

(8.49)

(8.50)

Utilizando [3 + I ~ {3.

y dado que r,,»!>

Z" == R£llre I

L..- ___' Cualquier ru

(8.51)

8.5 Contiguracicn emisor-seguidor

363

][

(8.52)

r a

Si se satisface la condicion ro:::: lORE Y se utiliza la aproximacion f3 + I :;; (3, J3R£

Av=--

Z/i

Zb == j3(re + R£)

Pero

de tal forma que

y

(8.53)

E}EMPL08.7

Para la red emisor-seguidor de la figura 8.20, determinar:

a) reo

b) Z;

c) Zoo

d) .1, ..

e) Ai"

f) Repetir los incisos b a e cuando ro = 25 kQ Y comparar los resultados.

12 V

i

10 ).iF v, o---lt--__'_---t -+Ii

220 k!1

--+z,

Figura S.20 Ejemplo 8.7.

{3 = 100. r.; = 00 Q

Solucion

a) IB = RB + (f3 + l)R£ 12 V - 0.7 V

= 220k!1 + (101)3.3 k!1 = 20.42 loLA le = ({3 + 1)/8

= (101 )(20.42 loLA) = 2.062 rnA

r = r

26rnV 26 mY

= 2 06 = 12.61 n

IE . 2 rnA

364

capitulo 8 AnitIisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

J[

b) Z" = f3Te + (f3 + I)RE

= (100)(12.61 fi) + (101)(3.3 kfi) = 1.261 kfl + 333.3 kn

= 334.56 kO == fJRE

Z, = RBI!Zb = 220 k011334.56 kO = 132.72kfi

c) Z" = REIJre = 3.3 kfl1112.61 0 = 12.56 fi ~ r,

Vo RE 3.3 kO

d) A, = v,::;:: RE + r; = 3.3 kG + 12.61 0

= 0.996 == 1

e) A ~ _ f3RB =

J RB + Zb

(100)C220 kf!) = _ 9.67

220 kn + 334.56 kn 3

contra

A = -A.A._ = _CO.996)(132.72kil) = -40.06

1 , R£ 3.3 kfi

f) Al verificar la condiei6n To 2: lORE' se tiene

25 k!1 ~ 10(3.3 kfi) = 33 kn

la eual no se satisfaee. Por tanto,

(f3 + l)RE = (100)(12.61 f!) + (100 + 1)3.3 kfi

J + R£ 1 + 3.3 k!1

To 25 kfi

= 1.261 kf! + 294.43 kfi

= 295.7 kfi

con Zj = RBllz" = 220 kft11295.7 kD

= 126.15 kfi VS. 132.72 kf! ala cual se lleg6 de la manera anterior Zo = REIlre = 12.56 n como se obtuvo anteriorrnente

(f3 + I)REIZ" (100 + 1)(3.3 kfi}/295.7 kD

Av = [ R£ ] = [3.3 kfi lJ

1+- 1+---

r; 25 kfi

= 0.996 == 1

10 cual es iguaJ al resultado anterior.

Por tanto, aunque no se satisface la condicion To 2: lORE' los resultados para Z, y A,. son los mismos y unicamente Zj es un poco menor. Los resultados sugieren que para la mayorfa de las aplicaciones se puede obtener una buena aproximacion de los resultados reales s610 can eJ hecho de ignorar los efectos de Tu para esta configuraci6n.

La red de la figura 8.21 es una variaci6n de la red de la figura 8.17, la cual utiliza una seccion de entrada divisor de voltaje para establecer las condiciones de polarizacion, Las ecuaciones (8.37) a (8.47) se pueden cambiar con solo reemplazar RB par R' = R[ II R2.

La red de 1a figura 8.22 tambien proporciona las caracterfsticas de entrada/salida de un emisor-seguidor, pero incluye un resistor eolector Rc En este caso RB se reemplaza una vez mas por la combinacion en paralelo de R I Y R2. La impedancia de entrada Z, Y la impedancia de salida Zo no se afectan entre S1, porque Rc no se refleja en las redes equivalentes

8.5 Configuraci6n emisor-seguidor

365

J[

I, ___._

O----_----<:t----..

+

-z,

1

FIgura 8.21 Conhguracion emisorseguidor con un arreglo polarizacion mediante divisor de voltaje.

Figura 8.22 Conlig ... rracion ernisor-seguidor con un resistor coiector Rc

de la base 0 e1 ernisor, De heche, el unico efecto de Rc sera al determinar el punto de operacion Q.

8.6 CONFlGURACION DE BASE COMUN

. La configuracion de base cormin se caracteriza por tener una impedancia de entrada relativamente baja y una impedancia de salida alta y ademas una ganancia de corriente menor a uno. Sin embargo. la ganancia de voltaje puede ser considerable. La configuracion estandar aparece en la figura8.23 con el modelo equivalente T, de base cormin sustituido en la figura 8.24. La impedancia de salida To del transistor no esta incluida para la configuracion de base cormin debido a que por 10 general se encuentra en el rango de los megaohms y puede ignorarse puesto que se encuentra en paralelo con el resistor Rc

~ Ie
=JY --
I 0 ~ t. --0
+ -- +
I, ~RL
r(' t --
\~ a t R, l-:, Z ..
~
Zi I i B

.o----~----~ +- _o

Figura 8.23 Conftguraclon de base corn un.

366

Figura 8.24 Sustituci6n del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8.23.

(8.54)

(8.55)

A'

v'

Capitulo 8 Analisis a pequelia sefial del transistor bipolar

J[

con

y.

1;;::::-' e

r;

de tal forma que

y

A = V_o_ = _aR_c_

v

v

,

(8.56)

r.

A,.: Al suponer que R£ ";$> '" se obtiene

I, = I,

10 = -ale = = a],

y

con

(8.57)

Relacion de la Case: EI hecho de que A, es un numero positivo indica que tanto Vo como Vi se encuentran en fase para la configuracion de base cormin.

Efecto de '0: Para la configuracion de base cormin, '0 = IIh"h esta par 10 general en el rango de los megaohms y es mas grande que la resistencia en paralelo Rc como para permitir la aproxirnacion ,J Rc == Rc

Para la red de la figura 8.25, calcular:

a) 'c'

b) Zi'

EjEMPL08.8

c) Z.
"
d) AI" t,
e) A. 10 flF 10 J.l.F
, + __ ) __ ~
t 1"
J,
lkD (X = 0.98 SkU
v" ~ r,,= 1 MQ --- v
r. Z" o
I 2V T8V
0 0

Figura 8.25 Ejemplo 8.8. Solution

VEE - VBE 2 V - 0.7 V 1.3 V

a) IE = = = -- = 1.3 rnA

R£ lkfi 1kfi

, = 26 m V = 26 m V = 20 {}

e IE 1.3mA

b) Zi = REllr" = 1 kOl120 n :;:: 19.61 (}. == r,

c) 20 = Rc = 5 kfl

Rc 5 kfl

d) A == - = -- = 250

v reo 200

e) Ai = -0.98 ~ -1

8.6 Configuracion de base comun

367

J[

8.7 CONFlGURACION CON RETROALIMENTACION ENCOLECTOR

La red con retroalirnentacion en col ector de la figura 8.26 utiliza una trayectoria de retroalimentacion desde el colector a la base para aumentar la estabilidad del sistema como se discutio en la seccicn 4.l2. Sin embargo. la simple maniobra de conectar un resistor de la base al colector en lugar de la base a la fuente de de tiene un impacto significative sobre el nivel de dificultad que se encuentra al momenta de analizar la red.

-z.

--z,

Figura 8.26 Configuracton de retroalimentad6n en colector,

Algunos pasos que seran realizados a continuaci6n son el resultado de la experiencia al trabajar con tales configuraciones. No se espera que un nuevo estudiante del tema seleccione la secuencia de los pasos descritos a continuaci6n sin hacer uno 0 dos pasos de manera err6nea. La sustitucion del circuito equivalente y el redibujo de la red clara par resultado la configuraci6n de la figura 8.27. Los efectos de una resistencia de salida ro en el transistor se analizaran mas adelante en esta secci6n.

+

lRC~ v

"

Figura 8.27 Sustituci6n del circuito equ;valente Te en la red equlvalente de ac de la figura 826.

B
+ - t 'b
J;
V; -. Br,
Z;
":' Zi:

I' = V(J - Vi RF

Va = -t.s; 10 = {31b + I'

can

e

Debido a que [3lh es rnucho mayor que I',

y

10 == f3h.

Va = - (f31h}Rc = - f3IJfic

y

pew

368

Capitulo 8 AnaJisis a pequefia sefial del transistor bipolar

J[

Par tanto,

EI res ultado es

a

v

+ Re 0= Re pero Re es por 10 general mucho mayor que re y I

re r.

a

lj= f3re
1 + f3Rc
RF
r
Zj e (8.58)
;:
Rc
~ +
f3 RF de tal forma que

20: Si se hace Vi cero como se requiere para definir Zo' la red aparecera como se muestra en la figura 8.28. EI efecto de /3r" se elimina y RF aparece en paralelo can Rc y

(8.59)

v, = 0

-z.

Figura 8.28 Definicion de Zo para la conflguracion de retroalimentacion en colector.

Av: En el nodo C de la figura 8.27,

10:::: /3Ib + r Para los valores normales, /3Ih » I' e 10 == f3Ib.

V" :::: -loRe:::: -(/3Ib)Re Sustituyendo Ib :::: V/f3re se obtiene

VI

V :::: -/3-Re

() f3

re

y

Vo Re

A ::::-::::-v

V. r

, e

(8.60)

8.7 Conflguracton con retroalimentacion en colector

369

Ai: La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor dellazo exterior de la red genera

e

Vi + VR, ~ Vo = 0

hf3re + (l" ~ li)RF + I"Re = 0

Utilizando I" ~ {31", se tiene

e

Ib{3re + IbRF ~ I;RF + {3/bRC = 0 Ib(f3re + RF + {3Rd = liRF

Sustituyendo II> = 1){3 a partir de I" ~ {3Ib da 10

fi({3re + RF + {3Rd = liRF

{3RF/r

10 = --....:..__:;_...:...._--

Br, + RF + f3Rc

e

Ignorando f3re y comparar con RF y {3Re

A, = _1_0 = __ {3_R_F __

Ii RF + f3Re

(8.61 )

y

10 A.=-

r I,

(8.62)

Relaci6n de la fase: El signo negativo de la ecuacion (8.60) indica un cambio de fase de 180Q entre Vo y Vr•

Efecto de ro:

Zj: Un analisis completo sin la aplicacion de aproximaciones dara por resultado

Rell r:
1+
Z; = RF (8.63)
1 Rell ro
-+-+
f3re RF RFre AI reconocer que lIRF == 0 y al aplicar la condici6n r: ~ lORe

pero por 10 general RelRF « 1 y

Zi=-----

1 Re

-+-{3re RFr~

370

Capitulo 8 Analisis a pequefia sefial del transistor bipolar

JL

o

r

Z, ~ __ -"e __

Re

RF

1-- --'-_---' r,," lOR"

-+

(3

(8.64)

asi. como se obtuvo anteriormente,

Z,,: Al inc1uir r; en paralelo can Rc er: la figura 8.28 se obtiene

Z

"

(8.65)

Para r. <:: lORe'

(8.66)

igual como se consiguio antes. Para 1a condicion cormin de RF» Rc z; == Re I

'-- __l. r,," lORe Ric'" R,

(8.67)

A:

,.

A,.

(8.68)

Debido a que RF» re'

A _

r

r liRe

I +_'_)--

RF

r

A). _ --_"_

(8.69)

Rc 1+-

RF

L- ....J r,." lOR,

y dado que RclRF es par 10 general, mucho menor que uno,

-

-

r,,;;: lORe RF» Rc

(8.70)

como se obtuvo can anterioridad.

Para la red de la figura 8.29. determinar:

a) fe'

b) Z;.

c) Zo'

d) A,.

e) A"

f) Repetir los incisos b a e cuando ro"" 20 kQ Y comparar los resultados.

E]EMPL08.9

8.7 Configuracion con retroalnnentacion en colector

371

][

9V

1

- z,

f3 = 200. r, '" ~ n --

Zo

Figura 8.29 Ejernplo 8.9.

Solucion

a) IB = Vee - VB£ = 9 V - 0.7 V

RF + f3Re 180 k!1 + (200)2.7 k.f1

= 11.53 JLA

] E = (/3 + 1 )/B = (201)(11.53 /LA) = 2.32 rnA

r, ;;;;; 26 mV = 26 mV = 11.21 n

Ie 2.32 rnA

re 11.21 n

b) Z, =

1 Re 1 2.7 kO

-+- -+--_

{3 RF 200 180 kG

11.21 n

= = 50(11.21 !1) = 560.5 0.

0.02

c) 20 = RcllRF = 2.7 k!111180 kO = 2.66 kG

Re 27 kO

d) Av = -- = - = -240.86

r, 11.210

e) A. = f3RF = __ (2_00_)_O_80_k!1__;) __

, RF + f3Rc 180 k!1 + (200)(2.7 til)

= 50

11.21 0

=-----

0.005 + 0.015

f) Zj: La condicion ro ;?: lORe no esta satisfecha. Par tanto,

2.7 kO\\20 kfl l+--"':':"_-iso en

=------------------~-----

1 1 + 2.7 k!11120 kO

----+---

(200)( 11.21) 180 kO (180 k!1)(11.21 n)

2.38 kO

1 + 180 kO

1 + 0.013 1.64 X 10-3

= =

0,45 X 10-3 + 0.006 X 10-3 + U8 X 10-3

= 617.7 n vs. 560.5 fl anteriormente

Z:

o

20 = r"IIRclIRF = 20 k0112.7 k!l!l180 kfi ::: 2.35 kn vs. 2.66 kn anteriormente

372

Capitulo 8 Ancilisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

Jr,

I ~ L

A:

\

_ r 1 + 1 ] (2.38 kO)

L 180 kO 11.21 0

2.38 kO 1 + -l-SO-k-n-

1 + 0.013

= -209.56 VS. -240.86 anteriores

A:

I

Z, Ai = -A" Rc

617.7 n = -( -209.S6)-2-.7-k-n-

= 47.94 VS. 50 anteriores

Para la configuracion de la figura 8.30. las ecuaciones (8.71) a (8.74) deterrninaran las variables de interes, Las derivaciones se dejan como un ejercicio al final del capitulo.

- z,

~ z,

Figura 8.30 Configuracion de retroalirnentacion en colector con un resistor de emisor Rf'

(8.71)

(8.72)

A'

v'

(8.73)

1

(8.74)

Ai=------(RE + Rc)

RF

-+

f3

8.7 Conffguracion con retroalimentaci6n en colector

373

J[

8.8 CONFIGURACION CON RETROALIMENTACION DE DC EN COLECTOR

La red de la Egura 8.31 tiene un resistor para retroalimentaei6n de de con objeto de una mayor estabil idad, no obstante que el capacitor Co cambiara porciones de la resi stenci a de retroalimentaci6n a las secciones de entrada y de salida de la red en el dominic ac, La porci6n de RF que se cambia al lado de entrada 0 de salida se calculara mediante los niveles de resistencia de ac deseados de entrada 0 salida.

Figura 8.31 Configuracton de retroalimentaci6n de de en colector.

-.. Z,

. A la frecuencia 0 frecuencias de operacion. el capacitor asumira un equivalente de COrto circuito a tierra debido a su bajo nivel de impedancia respecto a los otros elementos de la red. EI circuito equivalente de pequefia serial aparecera entonees como se muestra en la figura 8.32.

I t +
t"
~ fJih r, Rc ~,
1 I
-
\ z"
- Figura 8.32 Sustituci6n del eircuito
equivalente r, en la red equivalente
R' de ac de Ia figura 8.3!. (8.75)

(8.76)

z, == RcllRFo I

L-- ._,. r,,:;: lORe

(8.77)

y

R' "" rJIRF,11Rc Va = -/3I"R'

374

Capitulo 8 Anillisis a pequena sefial del transistor bipolar

][

pero

y

V R' V = -f3~

() 13ft'

de tal forma que

A ;;; ~;;; _ r(!IIRF~IIRe

,. Vi rc

(8.78)

(8.79)

Ai: Para el lade de entrada

RF/i

Ih = 0

Rp, + f3r,.

y para ellado de salida utilizando R';;; '; II Rp2

R' f3lh

I" = _ __;_...::...._

R' + Re

o

R'f3

= -____;~-

R' + Re

La ganancia de corriente

A. ::::: (, "" I" Ih

I I; t, t,

R'f3 RF,

R' + Re RF, + f3re

y

A = _!g_ = f3RF,R'

I 'i (RF, + f3re)(R' + Re)

1...-- --lR' = r. I: Rp,

(8.80)

Debido a que RFles por 10 general mucho mayor que f3re• RF, + f3re =' RF,

y

de tal forma que

(8.81)

o

A, =

t

I

(8.82)

Relacion de la fase: EI signo negativo en la ecuacion revela un cambio claro de fase de 1800 entre los voltajes de entrada y de salida.

8.8 Connguracion con retroalimentaelen de de en eoleetor

375

J[

EJEMPLO 8.10

Para la red de la figura 8.33, determinar:

a) reo

b) z;

c) Zo'

d) A,.

e) Ai"

12V

I, .......

Vi <>---It--+---:--------t JOmF

f3 = 140. r" = 30 kQ

Figura 8.33 Ejemplo 8.10.

Solucion

a)

DC:

Vee - VBE 18 = --"'~--==-

RF + f3Rc

12V-O.7V

=------------------------

(120 kO + 68 kfl) + (140)3 kn

11.3 V

= 608 kO = 18.6 IJ-A

IE = (f3 + 1)18 = (141)(18.6 /-LA) = 2.62mA

26mV 26mV

r,. = = = 9920

IE 2.62 rnA •

b) Br, = (140)(9.920) = 1.39 kO

La red equivalente apareee en la figura 8.34.

z, = RF,II,Bre = 120 kfl1l1.39 kfl

;;;;;, 1.37 kG

+ - ltlb +
I, I.
120kQ (Jr, • J31b r. 68 kQ
Vi 1.395 k.Q 140lb 301>0 v.
- 1
z, ......
z.
':" "C" Figura 8.34 Sustttucion del circuito equivalente r. en Ia red equivalente de ac de la ligura 8.33.

c) Probando la eondici6n ro 2:: lORe se encuentra

30 kQ 2:: 10(3 kQ) = 30 kQ

la cual, se satisface mediante el signo de igual en la condici6n. Por tanto,

Z; == RcllRFz "'" 3 kOl168 kfi = 2.87kO

376

Capitulo 8 Aruilisis a pequefia sefial del transistor bipolar

J[

d) '" 2: lORe por tanto,

68 kO\\3 kf! 9.92.0

2.87 kD

9.920 == -289.3

e) Debido a que la condicion Rr »[3f(. se satisface.

I

Aj == __ f3:.__ __ Rc

] +---

r"IIRF,

== 122.8

140

140

140 1.14

3 kO

1 + ---:-:---

30 kfll168 kD

----=

1 + 0.14

8.9 CIRCUITO EQUIVALENTE HiBRIDO APROXIMADO

El anausis de la configuracion de ernisor cormin de 1a figura 8.35 y de la base comun de 1a figura 8.36 mediante el empleo del circuito equivalente hfbrido aproximado es muy parecido al realizado en el modele 'c' Aunque el tiempo y las prioridades no permiten realizar un analisis detallado de todas las configuraciones tratadas hasta ahora, en esta seccion se incluira un breve repaso de algunas de las mas irnportantes para demostrar las similitudes en los metod os y en las ecuaciones que se obtienen.

b
--
Ib
h,.
e eo-----,

c
~ hrib hoe
Figura 8.35 Circutto equivalente
e hibrido de emisor cornun
aproximado.
c

• hft/, hob
Figura 8.36 Circuito equivalente
hibrido de base comun
b aproxlmado. bo---~------~----~-~

Varios de los parametres del modelo hibrido estan especificados en una hoja de datos 0 mediante el analisis experimental. El analisis en de asociado con el usa del modelo 'e no es una parte integral del empleo de los parametres hfbridos. En otras palabras, cuando se presenta el problema. los parametres tales como hie' hIe' hib, Y as! sucesivamente, se especifican. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que los parametres hfbridos y los componentes del modele 'e estan relacionados mediante las siguientes ecuaciones tal como se discuti6 a detalle en el capitulo 7: hie = f3re' hie;; /3, hoe = 11'0' hfb;:::: -tx y hib = < (observese el apendice A).

Configuraci6n de polarizaci6n fija

Para la configuracion de polarizacion fija de la figura 8.37 aparecera 13 red equivalentc en pequena serial en la figura 8.38, utilizando el modelo equivalente hfbrido aproximado para

8.9 Circuito equivalente bibrido aproximado

377

.,_..__--I(t----<o

+

- Zo

v,

":"
I,
--
+ -- 4)
Z;
V, RO h" ~ hrJ" Figura 8.37 Configuraci6n de polarlzacion fija.

I, --

hQI!

- Z"

+

Figura 8.38 Sustituci6n del circuito equivalente hfbrido aproximado en la red equivalente de ac de la figura 8.37.

emisor comiin. Cornparense las similitudes aparentes con la figura 8.3 y el analisis del modelo .r, .. Las sernejanzas sugieren que el analisis sera muy similar y los resultados de uno pueden relacionarse directamente con el otro.

Z;: A partir de la figura 8.38,

(8.83)

Zo: A partir de la figura 8.38,

(8.84 )

y

"Vo = -loR' =:;:: -JeR' = -htehR'

V

Ib=-'

hie

con

v.

V := -h~-' R'

o Jeh.

Ie

de tal forma que

Va

A '" -=,.

(8.85)

(8.86)

378

Capitulo 8 Amilisis a pequefia senal del transistor bipolar

JL

Para la red de la figura 8.39. calcule:

a) Zi'

b) Zo'

c) A"

d) Ai'

E}EMPLO 8.11

,.-~~__,.--c---o 8 Y

~ /"

~ ~.7 kQ

~ 330 k!1 t--H-----o Vo

( -

v,_ )1-1 -----1 hk = 120 Za

h".= 1.175kQ

" • 11",,= 20 j.J.AlY

-Z;

-4:-.

Figura 8.39 Ejemplo 8.11.

Solucion

a) Zi = RBllhje = 330 kOll1.175 kD 0:;: hie = 1.171 kG

b)

1 1

r = - = = 50kD

II hoe 20 p.AJV

1

Zo = -liRe = 50 k0112.7 kD = 2.56 kG == Rc

hoe

c) A" = _ hje(Rcllllhoe) = _ (120)(2.7 kDii50 kO) = -262.34

hie 1.171 kD

d) Ai 0:;: hIe = 120

Configuracion de divisor de voltaje

Para la configuracion de polarizacion mediante divisor de voltaje de la figura 8.40. la red equivalente en pequefia serial obtenida tendra la misma apariencia que la figura 8.38 reemplazando aRB por R' = Rill R:.'

-r.

- z"

1,

V, 0 ~) 1---+--- .....

C)

-

':'

Figura 8.40 Configuracion de polartzacion mediante divisor de volta]e.

Zi: A partir de la figura 8.38 con RB = R'.

(8.87)

Zo: De la figura 8.38.

(8.88)

8.9 Circuito equivalente hibrido aproximado

379

J[

(8.89)

hf(-K Ai;::---'.O..--

R' + hir'

(8.90)

Configuracfon de polarizaci6n en emisor sin derivacion

Para la configuracion de emisor comiin can polarizacion en emisor sin derivacion de la figura 8.4L el modelo de pequeiia sefial sera el mismo que para la figura 8.11. reemplazando (jr,. mediante h. y RII par h, I" El analisis sera entonces. de la misma manera con

1(' P'» .(')

V; 0 ~ ) t---+----I I,

-Z.

- z,

Figura 8.41 Conitguracton de polarlzaclon en emisor sin desvio.

ZI:
l_zp == hfeR£ (8.91 )
Y
z, ::: RB Ilzb (8.92)
Zo:
Zo ::: Rc (8.93)
Av:
Av = _ hfeRC :::: _ hfeRC
Zp hfeR£
y E±J (8.94)
E
Ai:
Ai = hieRB (8.95)
R8 + Zb
380 Capitulo 8 Anatisis a pequefta seiial del transistor bipolar ][

o

(8.96)

Configuracion emisor-seguidor

Para el emisor-seguidor de la figura 8.42 el modelo de pequefia serial igualara la figura 8.18 con [3r, = hie Y f3 = hit" Las ecuaciones obtenidas seran, par tanto. similares,

Zi:

[ Z" =- hf{·R£ I

Zi = R B II z" ~ I

(8.97)

(8.98)

I, Vi 0 - )J-----+----f

- Z,

Figura 8.42 Coufiguracion de emisor-seguidor.

ZQ: Para Z" la red de salida definida por [as ecuaciones obtenidas aparecera como se muestra en la figura 8.43. Al revisar e[ desarrollo de las ecuaciones en la secci6n 8.5 Y

o ya que I + h/i• == Ilk'

'. .

Z R II~

o - E h

f"

(8.99)

Figura 8.43 Definicion de Zo para la configuraci6n de ernisor-segutdor,

A.: Para la ganancia de voltaje se puede aplicar 1a regIa del divisor de voltaje a la figura 8.43 de la siguiente manera:

8.9 Circulto equivalente hibrido aproximado

381

J[

V R£
A o
= -
I' V RE + hi,/hr,.
,
A. :: II/eRB
, RB + Zb

Z
A == -A -'
, I R£ o

Configuracton de base comun

(8. J 00)

(8.101 )

(8.102)

La ultima configuracion que se exarninara con el circuito equivalente hfbrido aproxirnado sera el amplificador de base comcn de la figura 8.44. Al sustituir e\ mode\o equivalente hibrido aproximado de base corruin se obtiene la red de la figura 8.45.la cual es muy similar ala figura 8.24. A partir de la figura 8.45,

I , a
+ -- Zl t I" +
I,
-- ._
z, ~ R£ .'lib ~ ilp,!, R( \"~t Z,I I, hih. h~, I,.
-- --
+ tIl' +
- Rc -
V z, Yu Z"
,
VEE T Vee Figura 8.44 Configuraci6n de base comun,

Figura 8.45 Sustitucion del circuito equivalente hibrido aproxirnado en Ja red equivalente de ac de la ligura 8.44.

382

Capitulo 8 AnaJisis a pequefia serial del transistor bipolar

(8.103)

(8.104)

J[

con

V

1=-'

e hib

y

de tal forma que

(8. [05)

A.;

,

A. :::::

I

I

"

h :::.-1 fb -

(8.106)

I,

Para la red de la figura 8.46. determine:

a) Zi'

b) Z(I'

c) A"

d) Ai'

E}EMPLO 8.12

t,

o )r---~----~ +

-z,

h(b '" - 0.99

n," '" 14.3 f.l h"v= 0.5 ~N .

lOY

Figura 8.46 Ejernplo 8.12.

Solucion

a) Zi = REllhib = 2.2 k111114.3 11 = 14.210 =: hib

1

b) r :::::: -= = 2Mfi

o hob 0.5 p.AIV

I.

Z, = -lIRe =: Rc = 3.3 kG hob

c) A = _ hjbRc = (-0.99)(3.3 kn) = 229.91

"hib 14.21

d) Ai =: hfb = -1

Las configuraciones restantes de las secciones 8.1 a 8.8 que no se analizaron en esta seccion se dejan como un ejercicio para la seccion de problemas de este capitulo. Se sup one que el analisis anterior revela las similitudes en el metodo utilizando los modelos r 0 el hfbrido

e

equivalente aproximado y eliminando, por tanto, cualquier dificultad real cuando se analicen

las redes restantes de las secciones previas.

8.10 MODELO EQUIVALENTE HiBRIDO COMPLETO

EI analisis de la seccion 8.9 se lirnito al circuito equivalente hibrido aproximado ademas de alguna discusion acerca de la impedancia de salida. En esta seccion se utiliza el circuito equivalente completo para mostrar el impacto de h , y para definir en terminos mas especfficos el

8,10 Modelo equivalente hibrido completo

383

J[

impacto de h". Es irnportante entender que debido a que el modelo hfbrido equivalente tiene la misma apariencia para las configuraciones de base cormin, de ernisor com lin y de colector comiin. se pueden aplicar a cada configuracion las ecuaciones desarrolladas en esta seccion, S610 es necesario inserter los parametres definidos para cada configuracion. Esto es. para la configuracion de base cormin, se utili zan hlb' hi" Y as! sucesivarnente, se emplean para una configuracion de emisor corrnin hre• hie' y as! sucesivamente. Se debe recordar que el apendice A permite hacer una conversion de un conjunto de parametres a1 otro SI se proporciona alguno y se requiere algun otro.

Considerese la configuracion general de la figura 8.47 can los parametres de dos puertos de interes particular. El model a equivalente hfbrido completo se sustituye mas adelante en la figura 8.48 ernpleando parametres que no especifican el tipo de configuracion de que se trata. En otras paiabras, las soluciones estaran en terminos de hi' h, hJ Y h". A diferencia del analisis de las secciones previas de este capitulo. la ganancia de corriente A, se deterrninara en primer lugar porque las ecuaciones que se desarrollaron para precisar los otras parametres.

R,

-- + I,

J"
.-
+
~
Transistor 1/ Zo
. RL + __ V;

Z,

V, '\,

-~

Figura 8.47 Sistema de dos puertos.

I,
-- =]lIb ~l"
+ h, ~I +
+
R,
+ ----- V, h,.V.o "v t It,I, l/il 0 \I~l ..._ RI.
Zi Z"
Ii, '\, -I
-i 0 Figura 8.48 Sustitucion del circuito equivalente hfbrido completo en el sistema de d05 puertos de la figura 8.47.

Ganancia de corriente, Ai = la/Ii

Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al circuito de salida se obtiene

Sustituyendo V" = -1"RL se obtiene

AI escribir la ecuaci6n anterior. se tiene

10 + haRLIQ = hJli

e

384

Capitulo 8 Amilisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

J[

de manera que

A 10
=: =
, I, (8.107)

Se observa que la ganancia de corriente reducira el resultado de A, = hien caso de que el factor h"RL sea suficienternente pequefio comparado con uno.

Ganancia de voltaic, A ;:;: V IV.

~ v 0 t

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada se consigue

Sustituyendo I,::: (l + h(,RJI)hrde la ecuaci6n (8.107) e I,,::: -V,/RL de arriba. se obtiene

Al resolver la relacion V;/Vi se obtiene

v

,

(8.108)

Av =

v

o

En este caso se obtendra la forma familiar de A, =: -hrRLlh, en caso de que el factor (h,Il,,hJh)RL sea 10 suficientemente pequefio comparado can h,.

Impedancia de entrada, Zj = V/ t,

Para el circuito de entrada

Sustituyendo

v, =:; h.L, + h, Vo Vo = -I"RL

se tienc

v, = h.I, - hrRLIo 10

k=-

I I,

Dado que

de manera que la ecuacion anterior se convierte en

Vi = h,I, - hyRLA;I, Al resolver la relacion V./l.. se obtiene

I ,

y sustituyendo

k = __ hL,f_

I ] + h"RL

se obtiene

(8.109)

La forma familiar de Z,::: h, se obtendra cuando el segundo factor sea 10 suficientemente menor que el primero.

8.10 Modelo equivalente hibrido completo

385

J[

Impedancia de salida, Zo = VoJlo

La impedancia de salida de un arnplificador esta definida como el cociente del voltaje de salida a la corriente de salida cuando la sefial V, se iguaJa a cere. Para el circuito de entrada, cuando V, = 0,

-hrVo l, = ---"-

Rs + hi

Sustituyendo esta relaci6n en la siguiente ecuacion que se obtuvo a partir del circuito de salida se tiene

10 = hfI, + hoVo -hrhY"

--"--_;.... + h,,v,,

R,+ hj

y

1

o

(8.110)

V

Z :::: _0 :: _

o

En este caso la impedancia de salida se reducira a la forma familiar de Z" = 1 Iho para el transistor cuando el segundo factor del denominador es suficientemente mas pequefio que el primero.

EJEMPLO 8.13

Para la red de la figura 8.49, caleule los siguientes parametres empleando el modelo equivalente hfbrido completo y compare los resultados obtenidos por medio del modele aproximado.

a) Zi Y Z;.

b) A\.

) . /' I,

C Ai:::: '"If; y Ai = I,,/li'

d) Zo (dentro de Rc) Y Z;' (incluido Rc)'

8V

1, --

470kQ

+

Q

-z,

Vo

-z,

v,

":'

1.6 kQ. "". ~ 2 x 10-''' = 20 .uA

• 0(' V

Figura 8.49 Ejernplo 8.13.

Solucion

Ahara que estan derivadas las ecuaciones basicas para cada cantidad, el orden en que se caleulan es arbitrario. Sin embargo, a menudo es una cantidad iitil la impedancia de entrada y por tanto se calculara de manera inicial. El circuito equivalente hfbrido de emisor corrnin completo se sustituyo y se volvio a dibujar la red como se muestra en la figura 8.50. Se obtendra un circuito Thevenin equivalente para la seccion de entrada de la figura 8.50 en el equivalente de entrada de la figura 8.51 debido a que ETn == V, Y RTh == R, = 1 kQ (un resultado debido a que R B :;: 470 kQ es mucho mayor que Rs = 1 kQ). En este ejemplo R[:::: Rc e 10 esta definida como la

386

Capitulo 8 AnaIisis a pequefia seiiaI del transistor bipolar

J[

1; I. I"
- ~ =i1 I" --
--0
-- + -- 1.6k£! -- ~ +
Z,: . Z z, Z,:
R, lkrl. v;~ 470"n +
+ tv 2 x ID-' V" ~ 11011> 50ko' 4.7 ko' ~ ~,
V, '" - ;l -J
-I --0

Thc\'enin E~rn. %.SQ SUs.t\tuci6n <:iet <:ircui~<) eq..:.i'latente h(btido COffi?teto en la ted e<!,ui'lai.ente de ac de ta figura 8.49.

( I, h
-- - u'
t 0 9 ----0
RJ"" -- + -- ._ +
z; z, Z "
1
'\; II Ft'VO ~ hi!' hor =50kn
Vi 2 x 1()-4 v. llOlb h", = 20 J.1S ~,
v, I\, -J
-I 0 Figura 8.51 Reernplazo de la secclon de entrada de la figura 8.50 mediante un circuito equivalente Thevenin.

corriente Rc igual que en los ejernplos anteriores de este capitulo. La impedancia de salida 20 que esta definida mediante la ecuacion (8.110) es solo para las terminales de salida del transistor. No incluye los efectos de Rc Z~ simplernente es la combinacion en paralelo de Zu y Rc La configuracion que se obtiene en la figura 8.51 es una replica exacta de la red definida en la figura 8.48 y pueden aplicarse las ecuaciones derivadas anteriormente .

. , _ Vi hfehreRL

a) La ecuacion (8.109): Z, - - = hie - 1 h

Ii + oeRL

1.6 kH _ (110)(2 X 10-4)(4.7 kO) I + (20 ,...,S)(4.7 kO) = 1.6 kO - 9452 fl

= 1.51 kfi

contra 1.6 kQ utilizando solo hie'

Z; = 470 killlzj == Z, = 1.51 kfi

V -hfeRL

b) La ecuaci6n (8.108): Av = _..£. = E._--=-- _

Vi hie + (hieh"e - hf,hre)RL

-(llO)(4.7 kn)

1.6 kfi + [(1.6 kfl)(20 ,...,S) - (110)(2 X 1O-4)}4.7 kfl -517 X 103 n

1.6 kfl + (0.032 - 0.022)4.7 kfl -517 J< ]03 fl

L6kn + 47 0

= -313.9

=

contra -323.125 al uti1izar A,. == ~hfeR Jh;e'

387

j

J[

10

C) La ecuaci6n (8.107): Ai:= -I,. =

1 + hoeRL

:= __ 11_0_ = 100.55 1 + 0.094

110

1 + (20 ,tLS)(4.7 kG)

contra 110 mediante el simple empleo de hV Ya que 470 kQ »Zi' 1;== Ii' y A: '" 100.55 tarnbien.

d)

Vo

La ecuacion (8.110): Z = - = ---------

o 10 hoe - lhp.hrr)(h;f' + Rs)]

1

=----------~---------

20/.1.$ - [(110)(2 X 10-4)/(1.6 k!l + I kfl)}

=------------

20 j.LS - 8.46 ,....S

11.54 j.LS == 86.66kfi

el cual es mayor que el valor determinado mediante I/h"e = 50 kQ.

Z~ == RclIZ" = 4.7 kfi1186.66 k!1 = 4.46 kG

contra 4.7 kQ utilizando s610 Rc

A partir de los resultados anteriores se observa que las soluciones aproximadas para A\. y Z. son muy cercanas a las caJculadas con el modelo equivalente complete. De hecho. aun Ai se diferencio par menos del 10%. EI valor alto de Zu s610 contribuyo a la conclusion anterior que Z" a menudo es tan alto que puede ignorarse comparado con la carga aplicada. Sin embargo. se debe considerar que cuando existe la necesidad de determinar el irnpacto de h". y de hue' debe utilizarse el modelo equivalente como se describi6 arriba.

La hoja de especificaciones de un transistor en particular proporciona los parametres de emisor cormin, tal como se observe en la figura 7.28. El siguiente ejemplo utilizara los mismos parametres de transistor que aparecen en la figura 8.49 con una configuracion pnp de base comun para presentar el procedimiento de conversion de parametres y enfatizar el heche de que el modelo equivalente hfbrido mantiene la misma distribuci6n.

E]EMPLO 8.14

Para el amplificador de base cormin de la figura 8.52, calculese los siguientes parametres empleando el modelo hfbrido equivalente completo y comparese con los resultados obtenidos utilizando el modele aproximado.

a) Zi y z;'

b) AjyA;'

c) A,.

d) Z" y Z;'.

h". = 1.6 kQ h,. '" 110

h,1' = 2 x 10-- h,,,, '" 20l-tS

Y,

Y"

+I;

-I,

Figura 8.52 Ejemplo 8.14.

v, '\, 6Y

-1~~o~~T __ -- __ ~ ~ __ ~o

388

Capitulo 8 Analisls a pequeiia seiial del transistor bipolar

Soluci6n

Los parametres hfbridos de base cormin estrin derivados de los parametres de emisor comun ernpleando las ecuaciones aproximadas del apendice A.

hb '== _h",-i" _ = 1.6 kfl = 14.41 a

, 1 + hf<' I + 1] 0

Se observa to cercano que estan las magnitudes can los valores determinados par media de

1.6 kn

---= 14.5S!1 110

_ h., = (1.6 kD)(20 fJ-S) _ 2 x 10-4 1 + 110

I hwh""

1 = rb - 1 + hI"

= 0.883 x 10-4

-h[e -110 = -0.991
hfl) ~ =
l + hIe 1 + 110
hoe 20 J,l-S
hob ~ = = 0.18 pS
1 + hfe 1 + 110 Sustituyendo el circuito hfbrido equivalente de base cornua de la figura 8.52, se tendra la red equivalente de pequefia sefial de la figura 8.53. La red Thevenin para el circuito de entrada dad. RTh = 3 kQ III ill = 0.75 kQ para Rs en La ecuacion para Zoo

R, ~ I ill

+~

Ii, '"

I; 1, hib
_. -- e
-- +_.
Z, 1< ~ ~ ,~ __ ~~~I_o O

-z-] --r +

o 0

~ 2.2 kQ

v,

Thevenin b

b

Figura 8.53 Equivalente a pequena senal para la red de la figura 8.52.

a) La ecuacion (8.109):

V; hfbhrbRL

Z· == -- = hb - ~;;:___:_:::__:~

, I, I 1 + hobRL

(\ (-0.991)(0.883 x 1O-4){2.2 kfl)

= 14.41 H - --_....:....:...._-----'-....:...._--.:...

1 + (0.18 ILS}(2.2 kO)

= 14.41 (1 -+- 0.190

= 14.60 n

contra 14.41 Q al utilizar Z, '" hib.

2/' = 3 knllzj ~ Z, ==' 14.60 a

b ~ ~

} La ecuacion (8.107): A == - = __ u; __

, t, 1 + hobRL

-0.991

::;;;------------

1 + (0.18 j.l-S)(2.2 kU)

Debido a que 3 kf.! »Zi' 1(= 1; Y A:;:: 10/1:= -1 tambien,

8.10 Modelo equivalente hibrido complete

][

389

J[

c)

-( -0.991 )(2.2 kn) ~-14-.-41-n~+--[(-14-.4-I~n~)-(O-.]~8-~-S-)-~(---O.-99~1-)(-O~.8~83--x-I~0~4~)]~2.~2-k7n

= 149.25

contra 15l.3 utilizando A\ == -hfl,R/hih. 1

d)

La ecuaci6n (8.110): z, = h _ [h h /(h R )]

ob fb rb rb + 5

0.18 f.1.S - [(-0.991)(0.883 X 10-4)/(14.41 n + 0.75 kG)) I

0.295 ~S = 3.39MG

contra 5.56 MQ utilizando Z" == lIhob' Para Z:' como se defini6 mediante la figura 8.53:

Z~ = Rcllzo = 2.2 kn113.39 Mil = 2.199 kG contra 2.2 kQ utilizando Z; '" Rc-

8.11 TABLA RESUMEN

Una vez expuestas las configuraciones mas comunes de los amplificadores de pequefia serial a transistor, se pueden resumir sus caracteristicas generales en la tabla 8.1. Debe quedar absolutamente claro que los valores que se listan son solo valores tipicos con objeto de establecer una base de comparacion. Par 10 general, los niveles que se adquieren en un analisis real son diferentes y seguramente no son iguales entre una configuraci6n y otra. Poder repetir la mayoria de la informacion en la tabla constituye un importante primer paso para familiarizarse can la materia tratada. Por ejernplo, el lector debe ser capaz de establecer con cierta seguridad que la configuraci6n emisor-seguidor casi siempre tiene una impedancia de entrada alta. baja impedancia de salida y una ganancia de voltaje ligeramente menor a uno. No debe existir una gran variedad de calculos para recordar los hechos sobresalientes como los anteriores. Para el futuro, esto permitira realizer el estudio de una red 0 sistema sin involucrarse en la parte maternatica. La funcion de cada componente de un disefio se hara cada vez mas familiar cuando los hechos generales tales como los anteriores se conviertan en parte de la experiencia personal.

Una ventaja obvia de recordar las propiedades generales como las anteriores consiste en la capacidad de verificar los resultados de un analisis maternatico. Si la impedancia de entrada de una configuracion de base comun se encuentra en el rango de los kilohms, existe un buen motivo para volver a verificar el analisis, Por otro lado. un resultado de 22 Q sugiere que el analisis puede ester correcto.

8.12 SOLUCION DE PROBLEMAS

Aunque la terminologfa de solucion de problemas sugiere que los procedimientos que se describiran estan disefiados s610 para aislar una funcion mal realizada, es importante observar que pueden aplicarse las mismas tecnicas para asegurar que un sistema esta operando de manera apropiada. En cualquier caso, los procedimientos para probar. verificar a aislar requieren de un entendimiento de 10 que debe esperarse en varios lugares de 1a red tanto en los dominios de

390

Capitulo 8 Ancilisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

J[

TABLA 8.1 Niveles relativos para los parametres importantes de los ampllflcadores de emisor comun, base comun y colector comun.

Configuracion Z; Z" A" I A ,
Polarizaci6n fija: Medio (I k£1) Medio(2k£1) Alto (-200) \ Aho (100)
Vee '" IRIlI!f3rc I ~ I Rell ro I .!_R;S_ I I
~ R /3RBro
, ~
RB >---0 [EJ =~ (r" + Re)(R/I + /3r,.}
"
-
=[}] '"0
(RR? 10 f3r,) (r,,? 10 Re)
(r,,? lORe
(r,,? 10 He) RJi?' 10/3r,)
PolariLaci6n me- Vec Mediu (I k£1) Medio (2 k£1) Alto (-200) Alto (50)
diante divisor ~ §g
Re '"I R]IIR21It\ 1 :0 I Relk I I f3<RI II R2)r"
de vouaje: R] t---<> =
, '"
=~ (ru + Re)(RjIIR2 .. /3re)
,

i neE v.> lORe) {~ j3{R] II R2)
R, ~ R:: - RI II R2 + f3r ..
- . E. c
(r,,?_ lO Fe)
.- 1 (r,,?_ lORe)
Polarizacion de ~V" Alto (100 kQ) Medic (2 kQ) BaJo (-5) Aho (50)
ernisor Sin c = 1- r,:~-l \
derivacion: R/1 ~ 1 Rllllzb 1 = ~ I = f {3Rs
1., ---
Zh = /3(r" + RE) (cualquier Rn + Z;
I rn
= I RoiiJ3REI nivel de r)
-
(HE» r) .
... (RE » 10 r.:
Ernisor-seguidor Vee Alto 1100 kQ) Bajo (20 £1) Bajo l~l) Alto (-50)
) ) =~ [£J
RB') = I RRllz/> I = ~
-
Z;, = /3(r,. + R 10 ) =Q -
b
- <'
r = IR611/3Rf; I O'OJ
~RE (Ric» r) I

... (R£ » r)
Base cormin Bajo (20Q) Medio (2 k.Q) Alto (200) Bajo H)
01 U E, = 5IGJ = ~ .[B =8

= [II "
Rt I
I
o ! VEP. • Io (RE » r<)
Retroalimentaci6n Med'io (l kQ) Medic (2 Jill) Alto (-200) Alto (50)
en colector Vee = \ReIIRFI
: Rc r ~[]j {3RF
RF " =
• = RF + /3Re
I Re r.
-+-- (r" ?_ lORe) =[E
f3 RE v, ~ lORe
v.» lORe) RF »Rel I
! 8.12 Soluci6n de problemas

391

j

J[

de como ac. En la mayona de los casos, una red que se encuentra operando correctamente en el modo dc tambien se comportara adecuadamente en el dominio ac. Adernas, una red que proporciona la respuesta de ac esperada esta polarizada como se plane6. En una instalacion de laboratorio se aplican tanto las fuentes de como ac y se verifica la respuesta de ac en varios puntos de la red mediante un osciloscopio como se muestra en la figura 8.54. Se observa que la punta negra (tierra) del osciloscopio esta conectada directamente a tierra y la punta roja se mueve de un punto a otro dentro de la red. con 10 cual se obtienen los patrones que aparecen en la figura 8.54. Los canales verticales estan en el modo ac para eliminar cualquier componente de de asociado con el voltaje en un punta en particular. La pequefia sefial de ac aplicada a la base se amplifica al nivel que aparece del colector a [a tierra. Se observa la diferencia en las escalas verticales para los dos voJtajes. No existe una respuesta en ac en la terminal del emisor debido . a las caracterfsticas de corto circuito del capacitor en la frecuencia establecida, EI hecho que v"

se mida en volts Y vi en milivolts sugiere una gananeia grande del amplificador, En general. apareee que la red se encuentra operando de forma adecuada. Si se des ea. puede utilizarse el mulnmetro en e[ modo de para verificar VBE y los niveles de VB' V CE Y VE can objeto de revisar si caen en el rango esperado. Desde luego, ei osciloscopio tarnbien puede utilizarse para comparar los niveles de de tan s610 con cambiar al modo de de para cada canal.

vee

Va ...---11(----<0

\

o

~.

o '-'VI

(Selector AC-GND-DC en AC)

Figura 8.54 Utihzacion del osciloscoplo para medir y observer varios voltajes de un amplificador BJT.

No es necesario decir que una respuesta pobre en ac puede deberse a una variedad de motivos. De hecho, puede haber mas de un area con problema en el mismo sistema. Sin embargo, afortunadamente con el tiernpo y la experiencia puede predecirse la probabilidad de problemas en algunas areas, de modo que una persona experimentada puede aislar las areas problematicas con dena rapidez.

Por 10 general, no hay nada misterioso acerca del proceso general de solucion de problemas.

Si se decide seguir la respuesta en ac, resulta ser un buen procedimiento el comenzar con la sefial aplicada y avanzar a traves del sistema hacia la verificaci6n de cargas en los puntos entices a 10 largo de la trayectoria. Una respuesta inesperada en algiin punta supone que la red se encuentra bien hasta dicha area, definiendo entonces Ia regi6n que debe investigarse mas a detalle, La forma de la onda que se obtiene en el osciloscopio ayudara con toda seguridad 1& definicion de los posibles problemas con el sistema.

Si la respuesta para la red de la figura 8.54 es como aparece en la figure 8.55, la red tiene un problema y probable mente se trata del area del emisor. No se espera respuesta a traves del

392

Capitulo 8 AnaJisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

J[

• Figura 8.55 Forrnas de onda obtenidas a partir de un problema en el area del emisor.

emisor y la ganancia del sistema que esta definida mediante Vo es mucho menor. Se recuerda que para esta configuracion la ganancia es mucho mayor en caso de que R£ se desvie. La respuesta que se obtiene sugiere que R£ no esta en desvio por el capacitor y las conexiones terminales del capacitor y el mismo capacitor deben ser verificados. En este case una verificacion de los niveles de de probablemente no aislaran el area del problema debido a que el capacitor tiene un equivalente de "circuito abierto" para de. En general. un conocimiento previa sabre que esperar, una famHiaridad can la instrumentacion y.lo mas importante, la experiencia. son los factores que contribuyen al desarrollo de un rnetodo efectivo en el arte de la soluci6n de problemas.

8.13 ANALISIS POR COMPUTADORA

EI analisis a una pequefia serial de un amplificador a BJT puede llevarse a cabo utilizando un paquete de programas tal como PSpice 0 mediante un lenguaje como el BASIC. Ambos seran necesarios en el analisis de la rnisma configuracion de polarizacion mediante un divisor de voltaje para permitir una cornparacion de los metodos. PSpice (version para DOS y Windows) esta bien equipado para analizar las redes de transistores y utiliza un modele Gummel-Poon mejorado, mismo que se describe can detalle en los manuales de FSpice. La utilizacion de un lenguaje como el BASIC requiere que las diversas ecuaciones que se desarrollaron en ellibro se apliquen en un orden especffico para obtener las incognitas deseadas. En realidad Ia direccion general de un programa en BASIC utilizarfa la misma secuencia de pasos que se necesitan para analizar la red de manera manual (con la ayuda de una calculadora). Desde luego, el empleo de BASIC ofrece al usuario la oportunidad de definir el objetivo y el tipo de salida para un anal isis. mientras que PSpice esta limitado a una Iista especffica de cantidades de salida. Sin embargo, en general. la lista de PSpice es 10 suficientemente extensa para la rnayorfa de las investigaciones. El analisis prirnero se describira utilizando PSpice seguido despues par ellenguaje BASIC.

PSpice (version para DOS)

La lista de los parametres que pueden especificarse para el modele PSpice es tan extensa (40 en total) que se lirnitara la atencicn a aquellos parametres requeridos para llevar a cabo el tipo

8.13 Anatisis por compntadora

393

J[

de analisis cubierto en este capitulo. Segun se necesiten ciertos parametres adicionales en los capitulos subsecuentes, estes se definiran con el mismo grado de detalle. No es necesario especificar todos los parametres. Si se requiere un parametro en particular para desarrollar un analisis PSpice y no esta detallado, el paquete de programas utilizara un valor implicito que es tipico para el dispositive que se esta investigando. Algunos de los parametres necesitan especificarse s6lo en caso de requerir la profundidad del analisis 0 del disefio. EI intento basico de esta seccion es ofrecer una introducci6n ]0 mas clara y sencilla posible para el uso de los modelos. Segun aumente la experiencia, estan disponibles los manuales de PSpice y una larga !ista de publicaciones para mayor detalle para una instruccion adicional.

En general, una vez que los nodos de la red se han definido y se ha capturado la estruetura basica (resistcres, capacitores, fuentes, etc.) en el archivo de entrada. se requiere de un minirno , de dos lfneas para deseribir un transistor. La primera es la linea del elemento, la cual tiene el siguiente formato:

QXISTOR 9 8 7 QMODEL
1'--,...-1 '--' --' '--' \...::....-..,_../
requerido nombre node nodo nodo nombre
del de la del del modelo
colector base emisor de que estara
transistor definido
• mediante la
siguiente lfnea Existen otros parametres en esta linea, euya explicacion rebasa las neeesidades de este libra. aunque a veces se hace referencia a ellos en el manual PSpiee.

La siguiente linea que se neeesita para definir el transistor es la linea del modele. la cual tiene el siguiente formate basico:

,MO~ES

requerido

PMODES,

nombre

del modelo especificado en la linea

de elementos anterior

Ji~

tipo de transistor (req uerido )

(BF = 90, IS = 5E - 15)

'-------r / parametres que especifican

el modelo

El ultimo agrupamiento de la linea anterior permite la especificacion de los parametres particulares del modelo (una lista que puede incluir hasta 40 parametres). BF representa la beta directa maxima ideal (en este caso f3 = 90). Su valor implicito es de 100,10 eual indica que si el pararnetro no se especifica por arriba. el paquete de programas utilizara un valor de 100. En el modelo la corriente de saturacion inversa tiene un impacto importante sobre las earacteristicas generales del modelo. Su valor implicito es de 1 E-16 0 0.0001 pA. Cambiar el nivel de I, cambiara el nivel de importantes voltajes y corrientes de disefio como VBE para el analisis de dc e Ie para el analisis en ac. De heche, debido a que V BE se fija en 0.7 V para el analisis en de de este libro, se selecciono un nivel de 5 x 10-15 A para l,. ya que el nivel resultante de VBE par 10 general es muy cercano a 0.7 V para el rango de niveles de corriente esperado para el analisis a pequefia serial de BJT. En otras palabras, PSpice no permite especificar el nivel de VSE para el analisis en de sino que simplemente necesita la corriente de saturacion y una serie de ecuaeiones importantes para calcular el nivel resultante de VBE. Por esta razon VBE rara vez sera exactamente igual a 0.7 V, pero estara apenas arriba 0 abajo de este valor. Debe considerarse que 0.7 V sea un prornedio de los niveles esperados al emplear PSpice si se especifica Is como 5 x 10-15 A.

Ahora se esta preparado para aplicar PSpice a la red can divisor de voltaje de la figura 8.9 (ejemplo 8.2). La red se ha redibujado en la figura 8.56 can los nodos definidos para el analisis. Debido a que las caracteristicas especfficas tales como Av Y Ai no forman parte de la lista de opciones de salida en PSpice. se aplicara una sefial de I m V y se calculara la ganancia utilizando el nivel de salida.

394

Capitulo 8 Amilisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

J[

Vee'" 22V

Figura S.56 Definicion de los nodos para un analisis por medio de PSpice de la configuracion mediante divisor de volta]e.

Hasta ahara. las primeras ocho lineas del archivo de entrada de la figura 8.57 deben resultar bastante familiares y Iegibles. Luego se define e] transistor en las dos lineas siguierites y QMODEL es el nombre del rnodelo del transistor, Se observa en el rengl6n del modelo que beta se especifico como de 90. Pero, no se especifico un valor de IS para demostrar el impacto sabre los resultados obtemdos. La segunda corrida incluira el nivel sugerido de IS para propositos de comparacion. El comando .PRINT solicita tanto la magnitud como el angulo de la fase para el voltaje de salida del colector a la tierra. Como se requirio para la fuente de ac, se seleccion6 una frecuencia de lO kHz para Ia corrida. El iinico impacto real de la frecuencia aplicada sera sabre los elementos capacitivos y su efectividad como corto circuitos equivalentes para el analisis en ac.

Una vez que se ha capturado el archivo de entrada, se ejecuta PSpice y se enurnera una lista de parametres del modelo BlT. Se puede ver que f3 (SF) es 90 e I, (IS) bene el valor imp1icito de 1 x lO-4 pA. NF (el coeficiente de emision de corriente directa), BR (la beta inversa maxima ideal) y NR eel coeficiente de ernision de corriente inversa) taman el valor irnplfcito de uno. Las ultimas tres cantidades definen el eomportamiento del modelo de una manera que eseapa a las necesidades de este Iibro y que tendra un impacto despreciable sobre el analisis actual en pequefia senal,

Por tanto, PSpice esta disefiado para llevar a cabo un analisis de automatico de la red, Los resultados son

F == VE == 1.9285 V
1
V == Ve == 2.7089 V
2
V3 :;;:; Ve == 13,354 V
V!! = V. ) =:: Ov
aternzaco (para de
V5 = Vee == 22 V Luego el archivo de salida ofrece la corriente de la fuente para Vee can el nivel de de de Ja fuente de ac, V,., de 0,0 A. La potencia total disipada por los resistores y el transistor es de 35.6 mW.

Despues se proporcionan otros niveles de de para las redes tales como Ie =:: 14.1 flA, Ie = 1.27 mA(comparado contra 1,4 1 mAen el ejemplo 8.2), y VEE =0,78 V (el cual excede el nivel de 0.7 V utilizado en el ejernplo 8.2), Debe tenerse en mente el nivel de VBE cuando se repasen los resultados al fijar I, en 5 x 10-15 A ell la siguiente corrida. Los valores de de Vee y VeE

8.13 AnAlisis por computadora

395

J[

voltage-Divider Bias - Configuration of Fig. 8.56(15 .*"'* CIRCUIT DESCRIPTION

default value)

vee 5 0 DC 22V RBI 5 2 56K RB2 2 0 8.2X P.E 1 0 1..5K

RC 5 :3 6.8K

Cl 4 2 lOUT CE 1 0 20UF

VS 4 0 AC 1HV 0 01 :3 2 1 QMOOEL

.MODEL QMODEL NPN(BF=90) .OP

.AC LIN 1 lOKH lOKH ,PRINT AC \~(J,O' VP(3,O) .OPTIONS NOPAGE

.END

.... B.JT MODEL PARAMETERS

NODE

( 1)

( $)

VOLTAGE NME vee

vs

QMODEL NPH

IS 100.000000E-18

sF 90

NF 1

BR l.

NR 1

SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION

TfllPERATIJRE =

27.000 DEC C

VOLTAGE 1.9285 22.0000

NODE

( 2)

VOLTAGE 0.0000

VOLTAGE 2.7089

NODE

( l)

VOLTAGE 1J.J540

NODE

( .)

SOuaCE CURRENTS C'IJ'RRENT -1. 616E-03 0.000£+00

*"''''.

TOTAL POWER DISSIPATION

27.000 DEG C

OPERATING POINT INFORMATION •••• BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS

I.e ANALystS

PRIQ VI'l{3,O) VP(3.0)

1.000£+04 3.340£-01 -1.777£+02

tiME JItODEL IB

IC

VBE VBC veE I}ITAOC

/GM

RPI

RX

RO

CBE cae CBX as BITAAC P'l'

**"'.

3.56£-02 WATTS

'!'EMPERATURE ..

Q1 QllODEL 1.41E-05 1.27£-03 7.802-01

-1.06£+01 1.14£+01 9.002+01 '.92£-02 1.83£+03 0.00£-4-00 1.00£+12 0.00£+00 0.00£+(10 O.OOE+OO 0.00£+00 9.00£+01 7.82£+17

TEMPERATURE

27.000 DEG C

Figura 8.57 Analisis por medio de PSpice de la conliguracion mediante divisor de voltaje de Ja figura 8.56 con IS ~ valor trnpllctto.

396

Capitulo 8 AnaIisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

J[

entonces se especifican como -10.6 V Y 11A Y, respectivamente, y la beta de de es igual ala beta en ac de 90. La transconductancia gill c:: life Y fe ;;;: 20.3 n. Entonces, la impedancia de entrada es f3r~ == (90)(20.3 Q) = 1.827 kQ 0 1.83 kQ como esta especificado mediante RPI. La resistencia de salida esta listada como de I X lOll n y la beta en ac es de 90 siendo FT (el tiernpo ideal de transite directo) (por las iniciales en ingles, Forward Transit) igual a 7.82 x 10-17 s. De nuevo, algunos de los parametres probabiemente no tengan algun significado por el memento, pero algunos Son rnuy reconocibles y pueden resultar Miles durante la verificacion de un disefio a analisis.

El siguiente analisis en ac revel a que la magnitud de Vo es de 334 m V para una ganancia de voltaje de 334 comparado can una ganancia de 368.76 calculada en el ejemplo 8.2. El cambia de fase es de 177.79 en lugar de 1809 debido a los elementos de capacitancia de la red. La seleccion de una frecuencia mayor 0 el incremento del nivel de capacitancia acercarfa al cambio de fase a 1809.

El efecto de cambiar l, a 5 x I (}-IS A se demostrara can c1aridad mediante la corrida de la figura 8.58. El nivel de VE ahara eS de 2.0235 V comparado can 2.11 V para el ejemplo 8.2. EI nivel de Ie es de 1.33 mA cornparado can lAI rnA. y la ganancia de voltaje de ac ahara es de 350.4 en comparaci6n con 368.76 del ejemplo 8,1. Por \0 general. se obtiene una mejora definitiva cuando se comparan los resultados manuales y mediante el PSpice. Sin embargo, es considerablemente mejor si se obtiene Ia solucion exacta en vez de la aproximada en eI ejempJo

Voltage-Divider Bias - Configuration of Fig. 8.56(specified IS)

**** CIRCUlT DESCRIPTION

vee 5 0 De 22V RBI 5 :2 561< RB2 2 0 8.21< RE 1 0 1.5K RC 5 J 6.8K

Cl 4 2 10UF

eE 1 0 20UF

VS 4 0 AC IMV 0 Ql 3 2 1 QMODEL

.HODEL QHODEL NFN(BF~90 15=5E-15) .OF

.AC LIN 1 10KH lOKH .PRINt AC VM(3,O) VP(l,O) .OPTIONS HOPACE

• END

QMODEL MPH

IS 5.000000E-15

BF 91l

NF 1

BR 1

NR 1

fI • .,.fI

SMALL SICNAL BIAS SOLUTION

27.000 DEG C

NODE

( 1)

( 51

VOLTAGE 2.0235 22.0000

NODE VOLTAGE

( 2) 2.7039

NODE VOLTAGE

( 3) 12.9280

NODE

( 4)

VOLTAGE 0.0000

VOLTAGE NAME VCC

VS

SOUJtCE CURRENTS CURRENT -1.679E-03 0.000£+00

TOTAL POWER DISSIPATION

3. 69E-02 WA'l"TS

Figura 8.58 Anallsis per medio de PSpice de la configuraclon mediante divisor de voltaje de la figura 8.56 can IS = 5 X 10-\5 A.

8.13 AnaIisis por computadora

397

][

Figura 8.59 Red de la figura 8.56 despues de la aplicacion de PSpice para Windows.

398

.....

OPERATING POINT INFORMATION

TEMPERATURE =

27.000 OEG C

....... BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS

KAME MODEL IB

IC

VBE VBC VeE BETADC GM

RPI

RX

RO

CBE CBC OX CJS BETMC

"

01 QMODEL 1.48£-05 1. :)3£-03 6.80E-01

-1,02£"01 1. 09£+01 9.00E+01 5.16:£-02 1.74E+0) 0.00£+00 1.00£+12 0,00£+00 O,OOE+OO 0.00:£+00 0.00£+00 9.00£+01 8.21£+17

.....

AC ANALYSIS

TEMPERATURE ~

27.000 DEG C

FREQ VM(3.0) VP(:l,O)

1.000E+04 3.504E-Ol -1.776E+02

Figura 8.58 Continuaclon.

8.2. En especial se observa que V BE ahora es de 0.68 Y, el cual se compara de manera muy favorable con el valor fijo aproximado de 0.7 V. Por tanto, para el analisis de pequefia sefial que se desarrollo en este libro mediante el uso de PSpice, IS se especificara como 5 x 1(}-15 A.

Analisis del centro de diseiio de PSpice para Windows

Ahora que se presentaron los movimientos basicos para el desarrollo de la red sobre la malla esquematica, la descripcion actual se concentrara en las variaciones presentadas mediante el analisis de ac.

En la figura 8.56 se desarrolla la red empleando los esquemas, como se muestra en la figura 8.59. Se observan la fuente de ac de 1 mY y el sfrnbolo de la irnpresora en la terminal de salida de la red.

+

...J-VCC

-122V

AC=ok MAG=ok PHAsr",ok

R1 56k

c

vsp~. 'mvy ~'8.~~~

.J_

La fuente senoidal es una parte (New Part) que aparece en la libreria source.slb como VSIN. Al oprimir dos veces la fuente sobre el esquema aparece una lista de atributos que deben seleccionarse. Para el ejemplo,

Capitulo 8 AnaIisis a pequena seiia! del transistor bipolar

VAMPL = I mY (el valor pica de la sefial senoidal) FREQ =] 0 kHz (la frecueneia de interes) PHASE = 0 (sin angulo inicial de fase para V)

VOFF = 0 (sin desfase 0 desfasamiento de voltaje de para V)

AC = 1 mY

Despues de cada entrada debe asegurarse de guardar los atributos (Save the Attribute) antes de dejar la caja de dialogo.

El simbolo de la impresora se obtiene de la librena special.slb de la caja de dialogo de Get Part como VPRINTI. Cuando se coloca sobre el esquema, especifica el voltaje en el punto que sera impreso en el archivo de salida (.out). Al oprimir dos veces el simbolo sabre el esquema. se produce una caja de dialogo PRINTI en la cllal deben hacerse las siguientes selecciones con objeto de obtener la magnitud y el angulo de la fase del voltaje de salida:

AC=ok MAG == ok PHASE=ok

Las selecciones anteriores pueden listarse junto al simbolo de la impresora sobre el esquema con solo oprimir la opcion cambiar despliegue (Change Display) y seleccionando el nombre del despliegue (Display Value) y el nombre (Name) para cada una.

Se insertan los tres puntos de vista (VIEWPOINTS) mediante la siguiente secuencia:

Draw - Get New Part - Browse - special.slb - VIEWPOINT. Cada uno se coloca en su Iugar y luego se oprime para introducirlos al sistema. Cuando se han colocado los tres, el proceso se completa al oprimir el boton derecno del mouse.

Antes de ejecutar el programa deben definirse los nodos que sean iguales a los representados en la figura 8.56 de forma que puedan compararse los resultados. En general, cuando se construye una red, se colocan todos los elementos similares tales como el resistor antes de carnbiarse a otro elemento como el capacitor. EI resultado es que puede no haber un orden logico para los nodos en la Iista neta. Para ajustar los nodos asociadas con cada elemento, simplemente se selecciona analisis (Analysis) y luego examinar lista neta (Examine Netlist). El resultado que se obtiene consiste de una lista de los elementos y los nodes asignados a cada uno. Los nodes asignados para cada elemento pueden cambiarse despues par media de una sencilla secuencia de insertarlborrar hasta que concuerden con aquellos de la figura 8.56. Cuando se ha completado, se sale del listado. Surgira un texto que pregunta si se desean guarder los cambios, 10 cual es ahara el caso.

Ahara se esta listo para desarrollar eI analisis mediante Ia seleccion de Analysis seguido por la inicializacion (Setup). Dentro de la caja de dialogo de Setup se elige (barrido de ac) (AC Sweep) aunque la intencion sea la de trabajar con una iinica frecuencia. Despues de oprirnir dos veces la caja AC Sweep, deben tomarse algunas decisiones acerca de la frecuencia aplicada. Se selecciona tipo de barrido ac lineal (Linear AC Sweep Type) junto con 10 siguieme:

Total Pts. == I

Start Freq. == 10 kHz End Freq. = 10kHz

Despues de seleccionar OK en las entradas, se elige Probe Setup, seguido de Do not Auto-Run Probe, 10 cual ahorrara tiempo en la obtencion de los datos deseados al evitar una cantidad de cajas de dialogo de pruebas. Ahora se esta listo para sirnular bajo el encaoezaco Analysis para obtener los resultados deseados. Si todo se capture de forma adecuada, aparecera una caja de dialogo, la cual indicara eventualmente que se ha concluido el analisis ac. Para revisar los resultados simplemente se abandona la eaja de dialogo, se regresa a Analysis y se selecciona Examine output (examinar salida). Ellistado es algo extenso y la figura 8.60 incluye solamente aquellas partes que por el memento son de interes,

8.13 Aniilisis pOT compmadora

399

I

Jt_

•••• CIRCV1T DESCRIPTION

••• _ •••• * •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• .....

• ~NellisI..

II. RE 0 $N 0001 Uk C-CE OSN-000120u!'

II.)U 0 SN~OOO2 8.2k

Q_QI SN_OOO3 SN_OOO:Z SN_OOOI Q2NU22-X

v v« SN~()AClmV

+SlNO !IIIVIOkH.zOOO

C C SN 0004 SN 0002 IOu!'

11.- R I SN- 0002 SN- 0005 S6k

11.- RC SN- OO()J SN- 0005 Uk V=VfX SN)OOSOOC:z:zV

••• 0 BIT MODELPARA..\tETER.S

•..••..••••....•..•....•..••.........••..........•..... ~ ........•........

.....

Q2N2222-X NP!'i

IS HlOOOOOE-1 S SF 90

h"F I

VAl' 7403

no: .2841

ISE 14 34OOOOE-1 5 NE 1307

.BR 6.092

NR I

RB 10

RBM to

RC I

C1E 22010000E-12

M1E .377

CJC 7 .306000E.):Z

MJC 3416

TF 411100000E·12 XTF 3

VTF 1.7

rtf .6

TR 46.91ooooE-09 XTB U

on. s.\fALL SIGNAL BIAS SOLl-,ION

TEMPERATl.;'R.E ~ 2iOOO DEGC

•••••••••••• * ••••••••••••••• ~ •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••• .....

NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE :>lODE VOLTAGE NODE vOLTAGE

(SS_OOOI) 19911 (SN _o~xm 13.1090

(SS _ 0004) 0 0000

($N_OOO3) Z2 0000

VOlTAGE SOt.1l.CE ~lS

NAME. CUUEN'!

V_Vs V_Va;

O.OOOE~ -1653E-03

TOTALPOWERDISS(fAllO!'l 364E·02 WATTS

Figura 8.60 Respuesta de salida para el anahsis en ac de la figura 8.56.

400

Capitulo 8 Analisis a pequena senal del transistor bipolar

JL_

....................... _ ........•.....•...•...........••.•.....••••.....• .... ., .

• n" BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS

NAME Q_Ql

MODEL Q2N2211·X

m \'99£..()S

IC 1.31E~3

VBE 6. 77E-O I

vsc .1.04£+01

VCE 1.lIE+01

BETADC 6_S8E+Ol

GM 5.03E~

RPI ).42]:.+03

R.X i.eoa-or

ItO 6_46£~

eBE 5.80E·11

eBC 2.9OE-12

CBX O.OOE+OO

CJS O.ooE'I-OO

BETAAC 7.ISE+O!

IT 1.32E+08

•••• AC ANALYSIS

TEMPER.ATUltE ~ 27.000 DEG C

....... - ~ ~ ...............••.••.•.

FREQ VM(SN_00Q3) VP(SN_OOO3)

I.000E-r04 3073E-Ol ·L779E+02

Figura 8.60 Continuaci6n.

Se observa que los nodos listados tienen los rnismos valores numericos que los que aparecen en la figura 8.56. Luego. siguen [as parametres del modelo BJT (BJT MODEL PARAMETERS)_ los cuales indican el valor seleccionado de 90 para la beta de y 5 x 1O-15 para IS. Se proporcionan los niveles para los varies nodes: luego se igualan los valores que aparecen con los puntos de observacion (VIEWPOINTS) de la figura 8.56. El siguiente listado de transistores bipolar es de union BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS proporciona una variedad de niveles de de y de parametres de la red. Se observa que ahara la beta de de es de 65.8 con la beta de ac de 71.5 en lugar del valor capturado de 90. La version para Windows ajusta la beta segun las condiciones de operacion, Par tanto. los resultados de ac seran un poco diferentes de los obtenidos con anterioridad al emplear el modele reo Si se requiriera una similitud exacta. no se seleccionarfa el simbolo del transistor sino que se insertarfa en la red el transistor del mode 1o r con una fuente de corriente control ada y los niveles de resistores adecuados. La

c

respuesta en ae indica que la magnitud del \loltaje ae de salida es de 3<)7.3 m V em, un ingulo

de la fase de ]77.99 comparado contra 334.0 mY y 177.79 de la version para DOS de PSpice. Los capacitores presentes crearon un cambio de fase menor a 18()2.

Si se desea una irnpresion del voltaje de salida. puede utilizarse la opcion Probe. El primer paso consiste en regresar a la opcion de analisis (Analysis) seguido por la seleccion de inicializacion (Setup). Ahora se selecciona fa opcion (Transient) transitorio y se desactiva el barrido (AC Sweep) recien utilizada. Al oprirnir dos veces la caja Transient. pueden hacerse decisiones acerca del analisis que debe desarrollarse. EI periodo de la sefial aplicada de 10kHz es de 0. I rns 0 100 us. La opci6n del intervalo de impresion Print Step se refiere al intervale de tiempo entre la impresion 0 graficacion de los resultados del analisis transitorio. Para el ejernplo, se selecciona 1 us para ofrecer 100 puntas por ciclo. EI tiernpo final (Final Time) es el ultimo instante en que se calculara la respuesta de la red. La seleccion es de SOD j1S 0 0.5 ms para proporcionar cinco ciclos completes. Se eligio no imprimir el retardo (No-Print Delay)

8.13 Analisis por computadora

401

JL

en 0 debido a que todos los capacitores se encuentran esencialmente en corto circuito a 10kHz. La ultima seleccion es el intervalo maximo Step Ceiling que establece un valor maximo entre los calculos obtenidos para el sistema, que en este caso se fijaron en 1 us. EI tiempo entre los calculos sera ajustado de manera intema por el paquete de program as para asegurar informacion suficiente en los momentos en que la respuesta deseada cambie mas rapido de 10 usual. Sin embargo, nunca estara separado por un periodo mayor que el establecido en Step Ceiling.

Ahora se regresara a Probe Setup y se seleccionara la opcion Automatically Run Probe After Simulation (ejecutar prueba despues de la simulaci6n de manera automatica). Al regresar a analisis (Analysis) debe seleccionarse sirnulacion (Simulate) para establecer los datos solicitados para la respuesta de Probe. No se puede ir de manera directa a Run Probe porque aun no se ha establecido el archivo de datos. Una vez que se ha completado el analisis se activa la opcion trazar Trace seguida por la opcion Add (aiiadir) para "afiadir" un trazo ala grafica. Ahora aparecera una lista de opciones, y ya que se desea observar al voltaje de salida en el colector del transistor, debe seleccionarse V(Ql:c). Debido a que no aparece en la lista que se proporciona, se oprime en Alias Names (nombres ficticios) y aparecera una lista mayor donde aparece V(Ql:c). AI seleccionarse aparece en el comando de rastreo (Trace Command) el cua! se activara mediante OK (figura 8.61).

~3. 6V .

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!.L2V~

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j2.(lV- - - - - -- ---

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as

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lOOus

20'O ... s

300u.'l

40CL1:s

SCC-.:s

llrr.e

Figura 8.61 Voltajes de salida Vo = Vc para [a red de la figura 8.59.

El rango del eje y se selecciono automaticamente para mostrar con cIaridad la forma completa de la onda, Se muestran cinco ciclos completos de la forma de salida de la onda (con 100 puntos de datos para cada ciclo) dentro del periodo de tiempo se1eccionado de cinco periodos completos de la serial aplicada. El valor entre los picos de la forma de onda es de aproximadamente 13.42 V - 12.81 V = 0.61 V, como resultado un valor de pica de cerca de 0.61 V /2", 0.305 V:: 305 mY, el cual se encuentra muy cercano al valor impreso con anterioridad.

Si debe hacerse una comparaci6n entre los voltajes de entrada y de salida en la misma grafica, puede utilizarse la opcion afiadir eje (Add Y-Axis) Y dentro de la seleccion del menu de graficaci6n (Plot). Despues de seleccionarse, debe regresarse al comando Trace para utilizar la opci6n ADD (afiadir) una vez mas. Esta vez puede procederse can la lista de Alias Names, la cual incluye V (V s:+) como una opcion. Tomar esta opcion dara por resultado las formas de ondas de la figura 8.62, la cual incluye una escala para cada forma de onda a la izquierda de la grafica,

Se aiiadieron los textos en los diagramas al elegir la opcion herramientas (Tools) de la lista del menu seguido por la etiqueta (Label) y texto (Text). Una vez que se selecciona Text, aparece una caja de dialogo que solicita el texto que aparecera en la grafica, Despues de teclear

402

Capitulo 8 Anatisis a pequeiia senal del transistor bipolar

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1 :"). bV

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Figura 8.62 "c y Vs para la red de la iigura 8.59.

Vs (contra) y oprimir la opcion OK, aparecera Vs en la pantalla y podra colocarse donde sea necesario. De la misma rnanera se colocaron las etiquetas restantes en la grafica, Las Eneas se anadieron al seleccionar otra vez la opcion Tools y luego la opcion linea (line). Aparecera un lapiz y utilizando la rnisrna tecnica que la que se emplea para las lfneas en los trabajos de arte, pueden afiadirse las lineas que se muestran. Se observa la relaci6n fuera de Iase entre las dos formas de onda y el hecho de que Vc se encuentra sobre un nivel de de 13.1 V.

En easo de desear dos graficas por separado, puede seleccionarse la opcion Plot y seleccionar Add Plot (afiadir grafica), Al seleccionarse aparecera otra grafica esperando que se tome la siguiente selecci6n par medio del regreso ala opei6n Trace y Add de V(Vs:+) a partir de la lista de Alias. El resultado que se obtiene es el par de graficas de la figura 8.63 que

l.OmV. -

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I

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2C(h::s

3COu!!:

40Cu~

., ~CO'-l~

V~Cl:c}

Figura 8.63 Vo y "ceomo griificas por separado.

8.13 Analisis por computadora

403

JL_

presenta cada forma de onda de manera separada. Una vez mas se afiaden las etiquetas Vs y Vc utilizando la opcion de herrarnientas (Tools). Sin embargo. debe tenerse en cuenta que Ias etiquetas para la primera grafica deben ser eapturadas antes de seleccionar las etiquetas para la segunda grafica.

La ultima forma de onda que se muestra en la figura 8.64 demuestra el empleo de la opci6n Cursor bajo el eneabezado de herramientas (Tools). Al seleccionar Cursor y luego Display (desplegar), aparecera una linea en el nivel de de de 13.1 V. Al oprimir el mouse. apareceran una linea horizontal y una linea vertical que se intersecan sobre la eurva. AI oprimir sobre la lfnea vertical y manteniendo oprirnido el boton del mouse. puede moverse la linea vertical sobre la forma de onda. Se observa en la caja Probe Cursor que se registra la ubicacion de la interseccion Hamada AI. Si se mueve al valor pico, su valor es de 13.421 V Y el elemento del tiempo es de 75 f.1S. Al oprimir el boron dereeho del mouse, apareee una segunda interseccion, Hamada A2, la eual tambien registra su ubicacion en la eaja Probe Cursor. La informacion restante en la tercera linea de la caja consiste en la diferencia entre las dos intersecciones sobre los ejes horizontal y vertical, respectivamente, Si se fija A2 al fondo de ve sera de 12.807 V a 125 us (se debe observar la lfnea del fondo de la figura 8.64). Por tanto la posicion del cursor indica la rnagnitud y tiempo de la loealizaci6n de la sefial, 10 cual puede ser muy eonveniente para una gran cantidad de aplicaciones. Observense las etiquetas sobre la grafica a1 emplear la opcion Tools-text. Puede obtenerse con facilidad al utilizar dos diferentes intersecciones,

:'3 ~f;.V - - - - - '. T. _.

l3.4V

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l I

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200U9

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4JOu.t:

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Jl.l: [15. OOOu, 13.421) A2; (125.000'..: .. :!.2. g07) DIFF (Al :- < -50. OOCu, 613. 9D1;1'1)

Rgura 8.64 Utilizacton de la opcton Cursor so bre v c par a la red de la !igura 8.59.

La introducci6n anterior fue relativamente breve debido a las restricciones de espacio y prioridad, pero su proposito se curnplio si ahora parece evidente la relativa simplicidad de la aplicacion de PSpice para calcular la respuesta a pequefia sefial. Cuando el tiempo as! 10 permita, deben leerse muy cuidadosamente los rnanuales para entender por completo el efecto de los varios parametres y las ecuaciones involucradas con el rnodelo PSpice. Esta disponible una version comercial de PSpice que tiene un catalogo completo de transistores especfficos en memoria liS10S para ser utinzacos por el paquete de programas PSpice. En otras palabras, el archivo de entrada puede incluir la referenda a un transistor en particular y el paquete insertara automaticamente los parametres que describan mejor al transistor para el analisis que se llevara a cabo. Puede obtenerse informacion adicional respecto a la versi6n disponible en el mercado

404

Capitulo 8 Aruilisis a pequelia sefial del transistor bipolar

J[

al escribir directamente a Microsim Corp. Ahora se comparara el analisis anterior con el analisis del inismo circuito utilizando ahora el lenguaje BASIC.

BASIC

El programa BASIC de la figura 8.65 analizara la configuracion de polarizacion mediante divisor de voltaje de la figura 8.56 con las caractensticas adicionales de que tambien puede proporcionar una solucion en caso que una porcion del resistor del ernisor no presente desvfo y pueda tambien incluir los efectos de una resistencia fuente y de carga. La resistencia del emisor se ha designado como R£: en caso de no estar en desvfo y R£; en caso de tener desvfo.

10 REM ****.******.*.~*~***~** •• *.***.**.**************.***

:I C REM PROGRAM 8. 1

30 REM ******************** •••• * ••••• *.****** ••••••••••••••

40 REM B.JT AC ANAlYSIS

50 REM USING re ANO BETA PAAAMETERS

60 REM * •••••••••• * ••••••• *** •••••••••••••••••••••••••••• **

70 REM

100 CLS

110 PRINT ~This program performs the ac calculations"

120 PRINT Rfor a BJT voltage-divider using the re 3nd beta parameters.w 130 PRINT

140 PRINT "Enter the following circuit data:" 150 PRINT

160 INPUT "RB1:";R1 170 INPUT "RB2~RiR2 190 INPUT nRC-"iRe

190 INPUT "Unbypassed emitter resistance, REl~diEl 200 INPUT "Bypassed emitter resistance, RE2~";£2 210 PRINT

220 INPUT "Beta-"iBETA

230 INPUT "Supply voltage, vee-Rice 240 INPUT "Load resistance, RL=";RL 250 INPUT "Source resistance, RS-"i~S 260 INPUT "Source voltage, VS-";VS

2.7Q PRlwr~ PRINT

290 caSUB 11200:REM Perfor. ac analysis

290 PRINT "The results of the ac analysis are:" 300 PRIN'!

310 PRINT wTransistor dynamic resistance, re-w;REiwohmsw 320 PRUiT

330 IF CC-IE.(RC+El+E2)<=O THEN PRI~ "Circuit in saturation." :GOTO 420 340 PRINT -Input impedance, Riaft,Rl:·ohas"

350 PRINT "Output impedance, Ro-";RO;WOhms"

360 PRINT "Voltage-qain(no-load), Aq.w;AV

370 PRINT "CUrrent gain, Ai-"iAl

380 PRINT

390 PRlNT ·output voltage(no la.d), Va-";VO;"volts" 400 PRINT

410 PRINT "Output voltage(under load), VL?":VLi"volts" 420 PRINT

430 VM2CC-IE*(BETA/(BETA+l»*(RC+El+E2) :REM MaXimum signal sving

440 IF ABSeVL»VH THEN PRINT "but m3x:imum undistorted output is";VH;·volt.· 450 END

11200 REM Module to perform BJT ac analysis using re .odel 11210 RB-R1*eR2/(Rl+~»

11220 RP-RC.CRL/(RC+RL»

11230 BB=R2.CC/(R1+R2)

11240 I~(BB-.7).(BBfA+l)/(RB+BETA*(El+E2» 11250 REt.026/IE

11260 R3-BETA*eRB+El)

~12iO ~lsR9*\R3/tR8+R3))

11280 Ro-RC

11290 Al-(RC/(RC+RL)}*BETA*(RB/(RB+R3») 11300 AV--RC/CZl+R£)

11310 VI-VS*(RI/(RI+RS})

11320 VO=AV.VI

11330 VL-VO.CRL/(RO+RL» 11340 RETURN

Figura 8.65 Programa BASIC para el anallsis en ac de una connguracton BJT.

8.13 Analisis por cQmputadQra

405

][

RUN

This proqran performs the ac calculations

for a BJT voltage-divider using the re and beta para~eters.

Enter the following circuit data; RBI"? 56£3

R82 .. ? 8.2El

RC-7 6.8E3

Unbypassed emitter resistance. RE1~? 0 Bypassed emitter resistance. RE2=? 1.5E3

Beta"? 90

Supply voltage. Vee-? 22 Load resistance, ~? 10E3 Source resistance, RS-? 600 Source voltage. vs-? 1E-)

The results of the ac analysis are:

Transistor dynamic resistance. ra- 19.24912 ohms Input impedance, Ri~ 1394.631 ohms

output impedance, Ro- 6800 ohms Voltage-qain(no-load) , Av--35l.263

CUrrent gain, Ai- 29.32569

output voltage(no load). Vo=-.2469988 volts output voltaga(under load). V~-.14'02Jl volts

Figura 8.65 Contlnuacion.

EI modulo de las lfneas 11210 a 11260 calcularan los parametres importantes para el modelo de transistor de la figura 8.66 y lIevaria a cabo e1 anal isis requerido. Los pasos secuenciales del modulo deben revisarse can cuidado y compararse con los calculos desarrollados de forma manual (calculadora).

I, I.
.....,_ .....,_
+
.....,_
{J Zo
Rc v. RL
REI
":' ":' ~ ":' I, ~

+

FIgura 8.66 Red analizada mediante el modulo que se extiende desde la linea 11210 a la linea 11260 del programa BASIC de la figura 8.65.

Una ejecucion del programa con los valores de la figura 8.56 proporcionara los resultados que aparecen al final de la figura 8.65. En particular. debe observarse la forma en que puede escribirse el programa BASIC con objeto de proporcionar informacion acerca del sistema de una manera clara, concisa, tabulada, EI nivel de R, = R/ II f3re = 1,394.63 Q, el cual es diferente a RI en la version para DOS de PSpice debido a que RI inc1uye solo la impedancia de entrada de la configuracion del transistor (f3re). La ganancia sin carga es de 353.26, la cual se compara favorablemente con los 334 que se obtuvieron al emplear PSpice. La ganancia de corriente de 4.9 x 10-25 A; 0 A, es debida a la ausencia de una carga para definir la corriente de salida. La ausencia de una carga tambien da por resultado que A , = A, .

,,_ \.:-';L

406

Capitulo 8 Analisis a pequeiia seiial del transistor bipolar

§ 8.2 Conflguracton de emisor comun con polarizacion fija

1. Para la red de la figura 8.67:

a) Detenninar z, Y Z".

b) Encontrar A,. y Ai.

e) Repetir el inciso a cuando r" = 20 k.Q. d) Repetir eJ inciso b cuando ro = 20 kQ.

12 v

I

220 kD

v, ~~-+----I -t,

-z,

(h6l.l

To: 40 kQ

Figura 8.61 Problemas 1,21.

2. Calcular Vee para la red de la figura 8.68 para una gananda de voltaje de A,. :: -200.

* 3. Para la red de la figura 8.69:

a) Calcular 18" Ie y reo

b) Determinar Z, Y Zoo e) Calcular A,. y Ai·

d) Detenninar el efecto de ro'" 30 kQ sobre A, y Ai"

10V

J3: 100 ro: 60 kil

-Z,

+lOV

Figura 8.68 Problema 2.

Ftgura 8.69 Problema 3.

Problemas

J[

PROBLEMAS

407

J:_

§ 8.3 Polarizaci6n mediante divisor de voJtaje

4. Para la red de fa figura 8.70:

a) Determinar f,.'

b) En con trar z, y Z". e) Eneontrar AI' y A"

d) Repetir los incisos bye cuando r" = 25 kD.

Figura 8.70 Problema 4.

{h lOa

r,,~ ookQ

lkQ

Figura 8.71 Problema 5.

5. Calcular Vee para la red de la figura 8.71 si A,. = -I 60 y ro'" 100 kD.

6. Para la red de la figura 8.72:

a) Determinar re'

b) Ca1cular VB y V c

c) Determinar Zi y AI' '" VJVi·

Vee ",20V

Figura 8.72 Problema 6.

§ 8.4 Configuraci6n de E-C con polarizaclon en emisor

7. Para la red de la figura 8.73:

a) Determinar r e'

b) Encontrar z, Y Zoo e) Calcular AI' y Ai'

d) Repetir los incisos bye cuando r" '" 20 kD..

408

---_-~20V

13 = 140

rn= 100Hl

-ZI

-Z.

Figura 8.73 Problemas 7.9.

Capitulo 8 Aniilisis a pequena seiial del transistor bipolar

J[

8. Calcular RE y RB para la red de la figura 8.74 si Av::O -10 y r, = 3.8 n. Suponga que Zb = f3RE

9. Repita el problema 7 euando Rt: encuentre desvfo, Compare los resultados.

* 10. Para la red de Ia figura 8.75:

a) Deterrninar reo

b) Encontrar Z, y Av' e) Calcular Ai'

v, o--)t----+-------t

Figura 8.74 Problema 8.

20 V

r----.---o22 V

Figura 8.75 Problema 10.

§ 8.5 Configuraclon emisor-seguidor

11. Para la red de la figura 8.76:

a) Determinar r"1! y (Jr,.

b) Encontrar z, Y Zoo e) Calcular Av Y A,..

* 12. Para la red de [a figura 8.77:

a) Determinar Zi y Zo'

b) Encontrar Av'

e) Caleular Vo cuando Vi = 1 m V.

16 V

270 ill

Figura 8.76 Problema 11.

-Z.

12V
I,
- /3'" 120
v,~ Tc=40kQ
--
Zi
--
z,
0:" -8 V
FIgura 8.77 Problema 12.
Problemas 409 J[

* 13. Para la red de la figura 8.78: a} Calcular 18 e Ie-

b) Determinar r.

e) Detenninar Z; y Zoo d) Encontrar Av y Ai'

Vcc=20V

f3= 200

ru = 40 kQ

§ 8.6 Configuraci6n de base comun

14. Para la red de la figura 8.79: . a) Determinar re·

b) Encontrar z, Y Zoo e) Caleular A,. y Ai"

+6V

-IOV

>I< 15. Para la red de la figura 8.80, determinar A,. y Ai'

8V

(.. OVi 1,

-5 V

410

Capitulo 8 AnaIisis a pequefia selial del transistor bipolar

Figura 8.78 Problema 13.

Figura 8.79 Problema 14.

Figura 8.80 Problema 15.