ELEKTRONIKA

skripta

oktobar 2008

............2.........................5....................4.................. 12 37.............3.... Osnovna svojstva poluprovodnika...4...................................................................2.................... 10 37............................. Primena poluprovodničke diode..... Fotoprovodnost .................4.......................................................................... Poluprovodnička dioda ..............3 37........... Drinčić ELEKTROTEHNIKA I ELEKTRONIKA Sadržaj 37........................... 13 37............................... 15 ...............................................1................ 12 37..............................................3.....................................6..................................................1............................................................................ 14 37............................... 3 37..........2............................... Termistori ...................................... Triak ... 12 37........................................ 4 37..........5...... 7 37...... 10 37........................................... 13 37..................................................................... Proboj p .................... p – n spoj ..................................................................................................................... Senzori ................................................................................................................................................................................................................. 14 37....n spoja ...............................................................2.......................................................................1..... Fotootpornik .......2..5............5......................................2.............................................................................................................. Tiristori ........................1.............................2 V........................... 6 37................ Elektronska kola ...................................................................................1..................... Triodni tiristor (SCR – Silicon Controlled Rectifier) .........................................................................................................5............. Tranzistor ..3....4.............................5.. Halov generator.........1..... OSNOVNI ELEMENTI ELEKTRONSKIH KOLA............................ 9 37................................ 6 37..... 4 37............................ Integrisana kola .......................... Magnetootpornik ...................................................2.............6......................................................................................................................................................................................

“gas” slobodnih elektrona. “elektronska šupljina”. pored sopstvenih. Prelaskom elektrona u provodnu zonu.1 prikazan je dvodimenzionalni model kristala silicijuma Si (ili germanijuma Ge). glavni nosioci naelektrisanja su šupljine i poluprovodnik je p . Kovalentne međuatomske veze. Prikazani su samo valentni elektroni i ostatak elektronskog omotača sa jezgrom (u vidu kruga) raspređeni u kristalu. arsena As ili antimona Sb (koje zovemo primesni atomi) čija se elektronska konfiguracija završava sa (ns)2 (np)3 (pet elektrona).Osnovni elementi elektronskih kola 3 37. a za što je potrebna vrlo mala energija ekscitacije elektrona. Dat je primer Si (ili Ge) iz četvrte grupe periodnog sistema. Najviši nivo ima konfiguraciju (ns)2 (np)2 pa četiri elektrona učestvuje u formiranju veze. .05 eV) da bi on postao slobodan. poluprovodnik sa primesama. Na mestima ovih elektrona ostaju šupljine koje se popunjavaju elektronima sa drugih atoma.0. Sl. Na “elektronsku šupljinu” mogu prelaziti elektroni sa susednih nivoa. Pošto u ovom slučaju primese primaju elektrone zovu se akceptori. glavni nosioci naelektrisanja su elektroni i poluprovodnik je n . Zagrevanjem. Primesni atomi imaju jedan elektron više u valentnim orbitama. prikazane crticama. sa elektronskom konfiguracijom koja se završava sa (ns)2 (np)2 tj. sadrži i primesne nosioce struje. Ovaj manjak elektrona tumači se kao pojava šupljine koja može biti popunjena prelazom elektrona sa ostalih valentnih veza. Povećanje električne provodnosti poluprovodnika postiže se ubacivanjem primesnih atoma koji pospešuju stvaranje slobodnih elektrona i šupljina. Model primesnog poluprovodnika prikazan je na slici 37.01 . Osnovna svojstva poluprovodnika Poluprovodnici su sposobni da provode električnu struju zahvaljujući prelazu jednog dela elektrona iz valentne u provodnu zonu. u valentnoj zoni nastaje tzv. Ti elektroni pri uspostavljanju električnog polja dobijaju dovoljnu energiju da se mogu prebacivati sa nivoa na nivo u provodnoj zoni i stvarati električnu struju. U kristal Si (Ge) dodaju se atomi fosfora P.tipa. Osnovni elementi elektronskih kola 37. galijuma Ga ili indijuma In. četiri elektrona. kojima se dodaju elementi treće i pete grupe. dolazi do toplotnog pobuđivanja. Kada se u kristal Si (Ge) dodaju atomi bora B. Toplotnim pobuđivanjem. Primese se u ovom slučaju zovu donori. obrazovane su sparivanjem elektronskih parova sa najviših nivoa. Ovo pomeranje elektrona dovodi do stvaranja struje.tipa. Na ovaj način se u poluprovodniku obrazuje struja elektonima i struja šupljinama. Tako. Kidaju se neke veze i oslobađaju elektroni koji mogu da se kreću kroz kristal. pri obrazovanju četiri međuatomske veze javlja se manjak od jednog elektrona. U električnom polju dolazi do pomeranja šupljina pa se obrazuje struja šupljina.1. Taj elektron je slabo vezan pa su dovoljne vrlo male energije toplotne ekscitacije (0.2. čija se elektronska konfiguracija završava sa (ns)2 (np)1 (tri elektrona). valentni elektroni se preraspodeljuju po nivoima provodne zone stvarajući tzv. tako da nastaju nove šupljine na čija mesta mogu opet prelaziti drugi elektroni. Nastajanje slobodnih elektrona i šupljina u poluprovodniku Na slici 37. aluminijuma Al.1. 37.

dobijaju energiju dovoljnu za prelazak iz valentne zone u provodnu zonu.n spoj se ponaša različito u zavisnosti od smera spoljašnjeg polja. 37. To povećava broj elektrona sposobnih da učestvuju u proticanju struje kroz poluprovodnik i pojačava struju koju registrujemo ampermetrom.4 prikazani su poluprovodnik p tipa i poluprovodnik n tipa.n spoj. 37. Fotoprovodnost Kada se pločica od poluprovodnog materijala poveže u strujno kolo i zatim osvetli. sa nepokretnim akceptorskim ( ) i donorskim jonima (⊕).3. U dodirnom sloju doći će do rekombinacije elektrona šupljinama. Da bi slobodna šupljina iz p oblasti prešla u n oblast mora da »savlada« potencijalnu barijeru. Do povećanja jačine struje u kolu došlo je zbog pojave fotoprovodnosti. Isto se dešava i sa šupljinama samo u obrnutom smeru.poluprovodniku pa dolazi do difuzije elektrona u p oblast. . Razlika u vrsti naelektrisanja u graničnom sloju (slika 37. pojaviće se oblast u kojoj postoje samo pozitivni donorski i negativni akceptorski joni.3.4) dovodi do nastanka razlike potencijala u dva sloja. r U spoljašnjem električnom polju ( Esp ) p . Električno polje je uvek usmereno od pozitivnog potencijala ka negativnom tako da ovo izdvajanje naelektrisanja dovodi i do stvaranja r električnog polja E usmerenog od n oblasti ka p oblasti. primese se zovu donori (⊕).n spoju koncentracija elektrona u n . U p .1. od polariteta izvora na p odnosno n poluprovodniku. doći će do povećanja struje u kolu. tj. Razlika potencijala od –V do +V naziva se kontaktna razlika potencijala ili potencijalna barijera. glavni nosioci naelektrisanja glavni nosioci naelektrisanja su šupljine (ο) su elektroni (•) Sl.2. Pri osvetljavanju poluprovodnika elektroni u valentnoj zoni. apsorpcijom svetlosnih fotona. i pokretnim šupljinama (ο) i elektronima (•). i intenziteta tog polja. Fotoprovodnost 37. Na slici 37. Desna strana je zbog viška pozitivnog naelektrisanja na pozitivnom potencijalu +V. Sl. Dejstvo polja je suprotno od difuznog kretanja slobodnih nosilaca naelektrisanja i sprečava njihovu dalju difuziju. slika 37. leva na negativnom –V. To se može ostvariti stavljanjem p . Ova oblast naziva se oblast prostornog naelektrisanja (oblast prostornog tovara) ili barijera.2. p – n spoj Oblast na granici dva poluprovodnika različitog tipa naziva se p .4 V. Struktura silicijuma sa primesama fosfora P i bora B 37. Drinčić ELEKTROTEHNIKA I ELEKTRONIKA n – tip p – tip primese se zovu akceptori ( ).n spoja u spoljašnje električno polje. p i n. koji su inače elektro-neutralni.1.poluprovodniku je mnogo veća od njihove koncentracije u p .

5. struja je malog intenziteta. Kada je p poluprovodnik vezan za pozitivan pol izvora imamo veliku struju u kolu.6 V a za germanijum oko 0. 37. a) b) Sl. električno polje spoljašnjeg izvora ima suprotan smer od unutrašnjeg polja nastalog zbog potencijalne barijere. p – n spoj povezan za izvor napona Slika 37. pa glavni nosioci naelektrisanja nemaju dovoljnu energiju da savladaju sile u ovom polju.6 daje strujno naponsku karakteristiku p . zbir spoljašnjeg i unutrašnjeg polja daje rezultujuće polje pod čijim dejstvom glavni nosioci naelektrisanja. U ovom slučaju kažemo za p . električno polje spoljašnjeg izvora ima isti smer kao unutrašnje polje nastalo zbog potencijalne barijere.n spoja. kao na slici 37.Osnovni elementi elektronskih kola 5 Kad je p – n spoj povezan za spoljašnji izvor tako da je za – pol izvora povezan p a za + pol n poluprovodnik. Kažemo da je p . kao na slici 37.b. 37. Ona je mala jer potiče od sporednih nosilaca naelektrisanja kojih ima malo u poluprovodniku. ukupno polje Sl. tj. Dakle.4. Dva polja se vektorski sabiraju dajući rezultujuće polje.a. Za silicijum on iznosi oko 0. Ova mala struja se zove inverzna struja p . Napon pri kome struja počinje da protiče kroz kolo zove se prag provođenja p .n spoja. elektroni i šupljine.n spoj da je polarisan u provodnom ili propusnom smeru tj.5. . Kada je p . povećava se intenzitet električnog polja u poluprovodniku.5. inverzno je polarisan. Kada je priključeni spoljašnji napon veći od napona potencijalne barijere. struju kroz spoj u funkciji napona na njegovim krajevima.poluprovodnik vezan za negativan pol izvora. direktno je polarisan.n spoja tako da je p poluprovodnik vezan za + pol izvora a n za – pol. Pri povezivanju p . U kolu se javlja tek jako mala jačina struje sporednih nosilaca naelektrisanja jer je njihova koncentracija u poluprovodniku mnogo manja od koncentracije glavnih nosilaca. mogu da preskoče potencijalnu barijeru pa struja protiče kroz kolo. Ukoliko je spoljašnji priključeni napon niži od napona potencijane barijere. p – n spoj ima smer kao unutrašnje polje i struja ne teče.n spoj polarisan u neprovodnom ili nepropusnom smeru tj.2 V. Povećanjem spoljašnjeg napona inverzna struja se ne povećava jer se ni broj sporednih nosilaca naelektrisanja time ne povećava. Njihov broj zavisi samo od temperature poluprovodnika pa se povećanjem temperature može uticati na neznatno povećanje ove struje.n spoja.

6. Na slici 37. Zenerov proboj se javlja kod poluprovodnika sa velikom koncentracijom primesa kod kojih kristalna struktura nije ravnomerna pa električno polje lako izvlači elektrone iz atoma. a) b) Sl. Razaranje p .n spoja može doći i pri inverznoj i pri direktnoj polarizaciji (na sl.2. Ta energija izaziva oslobađanje novih elektrona iz atoma. probojni napon je niži. koji se sad ubrzavaju u polju. Drinčić ELEKTROTEHNIKA I ELEKTRONIKA Sl. sudaraju sa atomima i dovode do oslobađanja novih elektrona. Toplotni proboj nastaje usled prekomernog zagrevanja spoja pri proticanja struje kroz njega kada je povezan na previsok spoljašnji napon.2.7. Lavinski proboj nastaje pri inverznoj polarizaciji. Proboj p .n spoja. Broj elektrona stalno raste.7 dati su strukturni (a) i električni simbol (b) za poluprovodničku diodu. 37. koji opet povećavaju struju i tako sve dok prekomerno uvećanje temperature ne dovede do razaranja spoja. Poluprovodnička dioda Poluprovodnički p – n spoj sa metalnim priključcima predstavlja poluprovodnički element koji se naziva poluprovodnička dioda. 37. Pri prevelikom spoljašnjem naponu ubrzavaju se slobodna naelektrisanja koja svoju veliku energiju predaju atomima sa kojima se sudaraju. a zbog povećanja struje raste temperatura spoja koja opet uvećava broj parova elektron-šuplina.n spoja Do proboja p . Struja kroz p-n spoj u funkciji potencijala na kraju p poluprovodnika ili strujno naponska karakteristika sa probojem pri naponu Uz 37.6 V. strvara se lavina elektrona i nekontrolisano velika struja pa dolazi do razaranja p . To dodatno zagrevanje stvara nove parove elektron-šupljina koji povećavaju inverznu struju. Pri inverznoj polarizaciju preveliki napon dovodi do pojave inverzne struje koja dovodi do dodatnog zagrevanja.6 označen je probojni napon Uz pri inverznoj polarizaciji).2.n spoja može se sprečiti ako se spoljašnjom otpornošću ograniči struja na određenu vrednost manju od struje proboja. Strukturni simbol a) i električni simbol b) za poluprovodničku diodu . Priključak uz p poluprovodnik je anoda A a uz n poluprovodnik je katoda K. 37. 37.1. Što poluprovodnik ima više primesa.

37.3. To je dioda koja se koristi za stabilizaciju napona. što dovodi do toga da ovaj element sporo reaguje na promenu osvetljenosti. napravljeni da generišu što više električne energije pri većem zračenju.8. Primene diode: a). Sa karakteristike se vidi da u odsustvu svetlosnog zračenja teče minimalna struja »mraka« ili »tamna« struja. 37.8. Propusnost diode u samo jednom smeru iskorišćena je kod ispravljača.10. Zener dioda.8). dioda se nalazi u ulozi sklopke (na sl. Građa fotodiode mora omogućiti pristup zračenja oblasti prostornog naelektrisanja što se postiže transparentnim p slojem. nazivaju se solarne ćelije i predstavljaju alternativne izvore energije. Kod njih struja linearno zavisi od osvetljenosti.Osnovni elementi elektronskih kola 7 37. nazivaju se solarne ćelije i služe za napajanje potrošača relativno male snage. Sl. Silicijumovi fotoelementi se izvode tako da daju što veću električnu energiju. kad se inverzno polarizuje. preko nepropusno polarizovane diode. Maksimalna je osetljivost fotodiode u infracrvenom delu spektra. 37. ili prekid. Primenjuje se u optoelektronici i kao senzor za merne svrhe. Koristi se kao zaštita potrošača od uključivanja na pogrešan pol izvora.9) dobila je naziv po svom pronalazaču.a. d) sklopka Primena poluprovodničke diode je mnogostruka (sl. Inverzno je polarisana i radi u oblasti proboja.9. i kao fotoelement. postoji veza. 37. sl. Kada se koristi da spaja i rastavlja dve tačke. . Silicijumovi fotoelementi.10. Napon na diodi se vrlo malo menja pri velikoj promeni struje kroz diodu (Iz1 i Iz2). Statička karakteristika (zavisnost fotostruje od napona) i građa fotodiode prikazani su na slici 37. ako se koristi kao generator struje. Veća površina sloja prostornog naelektrisanja daje veću struju ali i veći kapacitet. Ista komponenta može poslužiti kao fotodioda. simbol i statička karakteristika Zener dioda (sl.2.37.d. između tačaka A i B za visokofrekventni signal). Fotodioda i fotoelement su poluprovodnički elementi kod kojih delovanje svetlosti na oblast prostornog naelektrisanja dovodi do proticanja struje kroz provodnik koji spaja suprotne krajeve diode. 37.a. zavisno od propusne ili nepropusne polarizacije. b) i c) usmeračka uloga. Različite talasne dužine nemaju isti učinak u stvaranju nosilaca naelektrisanja. dok napon ima zasićenje. preko propusno polarizovane. Primena poluprovodničke diode a) b) c) d) Sl.

a) Građa fotodiode.10. Kod njih. UG napon inverzne polarizacije. 37. a) Izgled. I pored toga samo 2% zračenja vidljivo je spolja. 37. E osvetljenost) Sl. p sloj je vrlo tanak. UG napon napajanja. određene talasne dužine. u zavisnosti od količine oslobođene energije. kao toplotnu ili svetlosnu. Izborom odgovarajućeg poluprovodničkog materijala i primesa može se povećati broj rekombinacija sa zračenjem svetlosti određene talasne dužine. slobodni elektroni popunjavaju šupljine i prelaze na niže energijske nivoe.b) Statička karakteristika silicijumovog fotoelementa za različite površine (A1 i A2) oblasti prostornog naelektrisanja Elektronski elementi kod kojih je građom omogućeno zračanje svetlosti nazivaju se svetleće ili LED diode (Light Emitting Diode). Intenzitet svetla i boja nisu pogodni za osvetljenje ali se koriste za prenos informacija. fosfor.11.10. Drinčić ELEKTROTEHNIKA I ELEKTRONIKA Sl. pri rekombinacijama.8 V.11. 37. Elektron pri tome oslobađa energiju u dva moguća oblika. b) statičke karakteristike svetleće diode Princip građe svetleće diode i njen simbol dati su na slici 37. . trovalentni: galijum). a) b) Sl. Kao osnovni poluprovodnički materijali služe kristali mešavina petovalentnih i trovalentnih elemenata (petovalentni: arsen. simbol i statička karakteristika (zavisnost fotostruje od napona. Da bi zračenje uz što manju apsorpciju napustilo kristal. princip građe i simbol svetleće diode.

n tipova poluprovodnika ostvaren različitim tehnološkim postupcima. 37.Osnovni elementi elektronskih kola 9 37. a) b) c) Sl. b) bipolarni tranzistor npn tipa i c) unipolarni tranzistor (FET) Danas su poznata dva tipa tranzistora: bipolarni. Tada. .12. elektrone ili šupljine. Kao posledica relativno malog napona UEB dobija se velika struja u spoju (oblast U > 0 na slici 37.6). već proleću u kolektor.n spoja polarisanog u provodnom smeru. ili Sl.6). a za unipolarne na slici 37. pa se ni tu većina njih ne rekombinuje.12. iz ulaznog kola. a zasniva se na zapažanju da se strujom direktno polarisane diode može uticati na struju inverzno polarisane diode pri njihovom kontaktu. Tako.13.c.3.13. elektroni iz emitera koji stižu u srednji sloj.Povežimo tranzistor tako da se na prvi spoj dovede napon UEB. Tranzistor Tranzistor predstavlja spoj p . Tako je protok naelektrisanja kroz emiterski i kolektorski sloj približno isti.elektroni iz baze kreću se u desno a šupljine iz kolektora u levo (oblast U < 0 na slici 37. Kod emitera strelica označava smer struje p . Razvoj tranzistora počinje 1949. tranzistor ima tri elektrode koje su uključene u dva strujna kola: upravljačko (ulazno ili kontrolno) i radno (izlazno) Tranzistor. Srednji sloj kod bipolarnog tranzistora naziva se baza (B) a spoljašnji su kolektor (C) i emiter (E). Povećavanje UCB neće dovesti do promene neprovodnosti u ovom spoju. Do promene u kretanju naelektrisanja kroz npn spoj doći će ako se srednji sloj poluprovodnika napravi da bude vrlo tanak (ispod 10-5 m). 37. može struju ili napon. Zbog postojanja električnog polja elektroni iz emitera se kreću u desno a šupljine iz baze u levo. pa se kao rezultat javlja vrlo mala struja.p . Strukturni i električni simboli za bipolarne tranzistore dati su na slici 37.a i b. sporedni nosioci . u izlaznom kolu pojačati i ostvariti svoju osnovnu pojačavačku funkciju. i unipolarni tranzistori ili tranzistori sa efektom polja (field effect transistors . koji daje spoj vezan u neprovodnom smeru (p spoj na negativnom potencijalu).n . To je najbolje izraženo preko koeficijenta α koji predstavlja odnos promena kolektorske i emiterske struje stepena sa zajedničkom bazom. Tranzistor vezan kao spoj sa zajedničkom bazom. umanjen samo za deo elektrona koji se ipak rekombinuje u srednjem sloju. Elektroni se rekombinuju tj. nemaju mogućnosti da budu rekombinovani na šupljinama. godine.fet) koji koriste samo jednu vrstu nosilaca naelektrisanja. slika 37. Strukturni i električni simboli za: a) bipolarni tranzistor pnp tipa. pomoću dodatnog izvora jednosmerne struje. u kome je broj šupljina mali.p ili n . a na drugi UCB. popunjavaju šupljine u p oblasti. Sa naponom UCB. koji kao nosioce naelektrisanja koriste elektrone i šupljine.12.

37. Drinčić ELEKTROTEHNIKA I ELEKTRONIKA ∆I C . Više elektronskih elemenata je obuhvaćeno ovim nazivom: triodni tiristor ili češće samo tiristor (SCR – Silicon Controlled Rectifier). npn tranzistor vezan kao spoj sa zajedničkim emiterom (β je pojačanje stepena sa zajedničkim emiterom) Sl. Triodni tiristor (SCR – Silicon Controlled Rectifier) Tiristor je element sa četvoroslojnom građom.4. Tek u pojačavačkim kolima.950 . katodom K i upravljačkom elektrodom G – Gate (sl.15). 37.1) ∆I E Njegova vrednost je 0.15.0. 37. Drugi važan parametar tranzistora je odnos promena kolektorske struje i struje baze koji se naziva faktor strujnog pojačanja β.16) .4. 37. Tiristori Tiristori su višeslojni poluprovodnički elementi koji deluju kao upravljačke sklopke jer imaju provodno i neprovodno stanje.14. pojačana struja koja se dobija u izlaznom kolu može se primeniti u korisne svrhe.14) i stepen sa zajedničkim kolektorom (slika 37. tetrodni tiristor i sl. diak.999. Na slikama prikazana strujna kola nemaju praktičnog značaja osim da prikažu pravilne polaritete i smerove struja.1. npn tranzistor vezan kao spoj sa zajedničkim kolektorom 37.10 V. U CE = const . Ta kola nemaju spoljašnjih ulaza i izlaza pa tranzistor u njima prema spoljašnjoj sredini ne vrši nikakvu funkciju. α= ili Sl. dvosmerni tiristor ili triak. ∆I β = C . (37. U CE = const . ∆I B Tranzistor može biti povezan još kao stepen sa zajedničkim emiterom (slika 37. sa tri barijere i tri priključka: anodom A.

prestaje da deluje kao barijera i protiče struja IA od anode ka katodi. Jednom ustanovljena struja IA ne može se prekinuti delovanjem struje upravljačke elektrode IG nego tek kada vrednost IA padne ispod neke granične vrednosti IH koja se naziva struja držanja. pa je tiristor u stanju blokiranja struje. Za proticanje struje neophodno je da bude ispunjen uslov da je anoda na višem potencijalu od katode.Osnovni elementi elektronskih kola 11 Kad je anoda na nižem potencijalu od katode dva su granična sloja inverzno polarisana i struja ne teče. potrebna je manja struja okidanja IG.p2 inverzno polarisana. Tada je tiristor ponovo u stanju blokiranja struje. Ovaj se proces naziva okidanje ili paljenje tiristora a postignuto stanje naziva se stanje provođenja. Što je napon između anode i katode UAK veći. Kada se strujnim impulsom sa priključka upravljačke elektrode G ubaci dovoljan broj nosilaca naelektrisanja. b) električni simbol i c) statička karakteristika Razvijeni su novi tiristori za isključivanje struje GTO (Gate Turn Off) kod kojih se provođenje struje može prisilno prekinuti snažnim negativnim impulsom na upravljačkoj elektrodi. a) b) c) Sl.16. 37. . Kako je barijera n1. taj uslov je nemoguće ispuniti. Tiristor: a) građa (četvoroslojna građa i njeni ekvivalenti). u jednom lavinskom procesu barijera postaje preplavljena nosiocima naelektrisanja.

što se u nekim slučajevima kompenzuje prikladnim povezivanjem u električna kola.elektrode T1 i T2 su ravnopravni.4. Pri tome se koristi važno svojstvo poluprovodnika: zavisnost provodnosti od spoljašnjih uticaja. Triak Kako je upravljačko dejstvo tiristora samo u jednom smeru on može da se koristi samo za potrošače jednosmerne struje. Triak Sl.17. Rezultat merenja dobija se u vidu neke električne veličine koja se dalje u mernom uređaju elektronski obrađuje.17. može se upravljati sa dva antiparalelna tiristora ili elementom koji im je ekvivalentan i naziva se dvosmerni tiristor ili triak (sl.17). Senzori Merenje mnogih fizičkih veličina. . 37. Zbog toga je bitno svojstvo ovih elektonskih elemenata da imaju mogućnost uptavljanja velikim energijama potrošača pomoću malih energija impulsa za okidanje u upravljačkom kolu. Termistori Broj nosilaca naelektrisanja i provodnost poluprovodnika zavise od temperature.5. Kao referentna elektroda uzima se T1.5. Svojstva su mu slična svojstvima triodnih tiristora samo što je malo sporiji. Dalje će biti opisani termistori. Javljaju se dva oblika zavisnosti: porast provodnosti sa porastom temperature. u fizici i tehnici. Statička karakteristika je simetrična i prikazana je na sl.12 V. koji odgovara negativnom temperaturskom koeficijentu otpora (NTC) i pad provodnosti sa porastom temperature (u uskom temperaturskom intervalu ). fotootpornik. Do sada pomenute fotodioda i fotoelement su elementi koji se koriste kao senzori u kojima struja zavisi od svetlosnog zračenja. Drinčić ELEKTROTEHNIKA I ELEKTRONIKA 37. koji radi na naizmeničnu struju. 37. Nedostatak im je zavisnost parametara od promene temperature. Kod triaka priključci .1.2. Snagom potrošača. malih su dimenzija i proizvodnja im je usavršena. Dvosmerni i triodni tiristori spajaju se serijski sa potrošačem i preuzimaju ulogu brze upravljačke sklopke. ostvaruje se poluprovodničkim senzorima. 37. Hallov generator i magnetootpornik. 37. Lako se uklapaju u druga električna kola. 37. koji odgovara pozitivnom temperaturskom koeficijentu (PTC). Oni potrošaču predaju energiju u željenim vremenskim intervalima i na taj način se kontroliše njegova srednja snaga.

Sl. InAs) debljine d protiče struja I. Primenjuju se u opsegu temperatura od -50 do +300°C.2. nanetog na podlogu od nekog izolatora.3. a normalno na poluprovodnik deluje magnetno polje indukcije B. Sl. To povećava provodnost i smanjuje otpor. Koriste se u oblasti temperatura od -30 do +250°C. PTC termistori su poluprovodnici barijum titana koji imaju vrlo visok pozitivni temperaturski koeficijent u uskom intervalu temperature od oko 50°C.Osnovni elementi elektronskih kola 13 Termistor (skraćeni naziv od THERMal resISTOR) NTC sastavljen je od metalnih oksida sa keramikom ili smolama kao vezivom. Sastoji se iz tankog providnog sloja poluprovodnika. 37. InSb. 37.19. 37. otpor u funkciji osvetljaja 37.5. Karakteristike termistora NTC i PTC Termistorima se meri i kontroliše temperatura u procesima gde nije potrebna velika tačnost i glavna im je primena u signalnoj tehnici.Light Dependent Resistor) je poluprovodnički element u kome se stvaraju novi nosioci naelektrisanja pri porastu osvetljenosti. na bočnim stranama poluprovodnika pojaviće se razlika potencijala ili tzv.5. najčešće je to kadmijum sulfid. Fotootpornik: izgled. Temperaturski koeficijent iznosi od oko 3 do 6% K.19. električni simbol i karakteristika. Fotootpornik je prikladan za spore promene osvetljaja jer je spor i ima malu osetljivost. Halov napon .18) i temperaturski koeficijent iznose B 1 dR B =− 2 Rt = A ⋅ e t i α NTC = ⋅ R dt t Temperaturska konstanta B (2000K do 6000K) i R20 (otpor na 20°C iznosi 1 do 106 Ω) dobijaju se kao kataloški podaci za termistore. Halov generator Kad kroz poluprovodnik (npr. Njegov otpor (zavisnost prikazana na slici 37. Zavisnost otpora od osvetljaja data je na karakteristici fotootpornika prikazanoj na slici 37.18. zaštiti i u regulaciji. Fotootpornik Fotootpornik (LDR .

4. Putanja naelektrisanja u magnetootporniku: a) bez spoljašnjeg magnetnog polja. Ako normalno na pločicu delujemo magnetnim poljem magnetne indukcije B. Ukratko. 37. Elektronska kola Elektronski uređaji sadrže elektronska kola sa nabrojanim elektronskim elementima i obavljaju određene operacije ili postupke na energetskim veličinama ili signalima. kod energetskih veličina. u prostoru između iglica nosioci naelektrisanja će promeniti svoju trajektoriju. Magnetootpornik U tanku poluprovodničku pločicu ugrađene su međusobno odvojene iglice koje imaju dobru provodnost. Dužina putanje naelektrisanja je na ovaj način produžena. Pri struji od 0. pri merenju brzine rotacije i sl.21.21. Magnetootpornici se izvode u obliku tanke folije i lepe se na mesta gde deluje polje. To izdvajanje je posledica dejstva magnetne sile na naelektrisanja koja se kreću u magnetnom polju. R = f ( B ) .20. 37. Sl. zbog skretanja naelektrisanja u magnetnom polju produžava se njihova putanja a time i električna otpornost magnetootpornika. Koriste se za detekciju pomeranja. Te operacije. pod dejstvom i u skladu sa smerom B. a u informatičkoj elektronici. Karakteristika magnetootpornika prikazana je na slici 37. Karakteristika magnetootpornika. .6. (RH je Halova konstanta). Kad stigne do iglice naelektricanje se kreće kroz nju. Zbog toga je Halov generator pogodan za merenje struje. signal obrađuju prema zadatim kriterijumima. Analiza i upoznavanje pojedinačnih kola i njihovih sklopova ne može biti obuhvaćena ovim kursom osim kroz još jednu napomenu koja daje sliku o stanju i pravcu razvoja elektronike. U H = RH 37. d Napon i odgovarajuće električno polje u poluprovodniku normalno na smer struje nastaju zbog izdvajanja raznoimenih nosilaca naelektrisanja na suprotnim stranama poluprovodnika. magnetne indukcije i veličina zavisnih od njih. Pojava se zapaža samo u poluprovodnicima koji imaju veliku pokretljivost naelektrisanih čestica u njima. za Halov ugao α.5.1 A i magnetnoj indukciji 1 T. b) sa magnetnim poljem (uveličan jedan segment) Sl.14 V. upravljaju tokom energije prema potrošaču. 37. Produženje putanje ekvivalentno je povećanju otpora. dobija se napon UH oko 100 mV. Drinčić ELEKTROTEHNIKA I ELEKTRONIKA IB .

primenom visoko razvijene tehnologije njihove obrade. Konačan oblik celog pojačavača na keramičkom nosaču (zasenčen deo) i metalnoj podlozi. 37. dobijamo kolo kao na slici 37.22. Faze u formiranju integrisanog kola . Ako ovo primenimo na pojačavač prikazan na slici 37.a.5. slika 37. sa pojačanjima koja variraju u vrlo širokim granicama.22.c.b.22. Dati primer integracije komponenata odnosi se na prosto pojačavačko kolo.d. Time se broj individualnih komponenata kola svodi na minimum. Daleko složenijim postupkom nogu se dobiti kompletne pojačavačke jedinice. prikazan je na slici 37. dobije celo elektronsko kolo. kapacitet p-n spoja može biti upotrebljen na ulazu i izlazu pojačavača umesto klasičnog kondenzatora. Sl. radioprijemnike i sl. pojačavač se svodi samo na tri komponente. Poluprovodničke komponente istog tipa provodnosti nije neophodno povezivati metalnim provodnicima. Sa druge strane. koji sadrži šest komponenata povezanih metalnim provodnicima. Na ovaj način. Sve tri komponente moguće je dalje svesti na jedan kristal. od poluprovodnika.22. Kako se električni otpor poluprovodnika podešava dodavanjem primesa.Osnovni elementi elektronskih kola 15 37.6. jedinice za računske mašine. otpornici se mogu praviti od istog materijala kao i tranzistori. Integrisana kola Svojstva poluprovodničkih materijala pružaju mogućnost da se u okviru jednog kristala.22. sa pogodnim rasporedom p i n oblasti.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful