Semiconductores

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc). Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

Fig. 1. Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro, no existen electrones ni huecos libres La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura 1, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los núcleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos. La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de que los electrones de conducción de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro átomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura 1 en la cual no se observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante.

1

Fig 2. El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre átomos liberándose un cierto número de electrones. En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los átomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situación. La ausencia del electrón que pertenecía a la unión de dos átomos de silicio se representa por un círculo. La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrón puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al núcleo y por tanto abandona su posición, aparece un hueco, y le resulta relativamente fácil al electrón del átomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posición inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrón, con una trayectoria de sentido opuesto a la de éste. Semiconductores Intrínsecos o puros, Impurezas dadoras o donadoras e Impurezas aceptadoras. Se denomina semiconductor puro aquél en que los átomos que lo constituyen son todos del mismo tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza. Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le añade una pequeña cantidad de átomos distintos (por ejemplo arsénico, fósforo, etc). se transforma en un semiconductor impuro. A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptoras. Si a la estructura del semiconductor de silicio se le añade alguna impureza, como puede ser el arsénico (As), que tiene cinco electrones externos ligados al núcleo con carga positiva +5. Cuatro de los cinco electrones del átomo de arsénico se unirán a los correspondientes electrones de los cuatro átomos de silicio vecinos, y el quinto quedará inicialmente libre, sin una posible unión, y por tanto se convertirá en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo «n». En un semiconductor con impurezas del tipo n, no sólo aumenta el número de electrones sino que también la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el semiconductor puro.

2

La causa de esta disminución se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes. Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres electrones externos, solo podrá formar tres uniones completas con los átomos de silicio, y la unión incompleta dará lugar a un hueco. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas del tipo «p». Al contrario de lo que sucedía antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparación, con los que tenía el semiconductor puro. A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptoras, se les llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios. En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios.

3

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en circuito sencillo. La punta de la flecha del símbolo circuital. representada en la figura 1. mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. Figura 1: Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal.Diodos INTRODUCCIÓN El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un determinado sentido. • presenta resistencia nula. 4 . • presenta resistencia infinita. indica el sentido permitido de la corriente. El sentido permitido para la corriente es de A a K. y resistencia infinita en el sentido opuesto. El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido.

y se obtiene una corriente de 5mA. En el circuito de la izquierda. el diodo impide el paso de corriente. En el circuito de la derecha. 5 . Figura 3: Esquemas de diodos de unión PN El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el resto del circuito. es decir. el diodo vertical y el plano. Según está colocada la fuente. DIODO DE UNIÓN PN Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales semiconductores de características opuestas. la corriente debe circular en sentido horario. En la Figura 3: se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente. y éste se comporta como un interruptor cerrado. comportándose como un interruptor abierto. uno de tipo N y otro de tipo P. ya que la corriente entra por el ánodo. se produce una caída de tensión de 10V en la resistencia. el diodo permite dicha circulación. y la caída de tensión en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo. Debido a esto.Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal.

En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formación de los diodos de semiconductores para pasar después a exponer el comportamiento eléctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal. Formación de la unión PN Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo átomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de átomos del grupo V (fósforo). En ambos casos se tienen también portadores de signo contrario, aunque en una concentración varios órdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificación del silicio para la obtención de diodos PN En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos eléctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentración de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusión. Como se recordará, este fenómeno tiende a llevar partículas de donde hay más a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir: • • Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos en la región de la zona P cercana a la unión: 1. El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrón la carga total era nula. 2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

6

Figura 5: Formación de la unión PN En el ejemplo del capítulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso están difundiendo partículas cargadas. La distribución de cargas formada en la región de la unión provoca un campo eléctrico desde la zona N a la zona P. Este campo eléctrico se opone al movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo conforme pasan más cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento está ya formado el diodo de unión PN, y como resultado del proceso se ha obtenido: • • • Zona P, semiconductora, con una resistencia RP. Zona N, semiconductora, con una resistencia . Zona de agotamiento (deplección): No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningún aporte de energía, excepto el de la agitación térmica. Polarización directa El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el establecimiento de una corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de deplección no es conductora.

7

Figura 6: Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior a la de barrera Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de deplección (Figura 7). Sin embargo, mientras ésta exista no será posible la conducción.

Figura 7: Diodo PN bajo la acción de una tensión mayor que la de barrera Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de deplección y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura 7): 1. Electrones y huecos se dirigen a la unión. 2. En la unión se recombinan. En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensión positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas móviles la zona de deplección. La tensión aplicada se emplea en: • • Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

Polarización inversa Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de deplección. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 8). Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo está en directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarización directa para los mismos niveles de tensión.

8

En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento explicadas en el apartado anterior: • Región de conducción en polarización directa (PD). al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de silicio. Característica tensión-corriente La Figura 9 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real. originando un proceso de rotura por avalancha.Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa Al aumentar la tensión inversa. o Región de corte en polarización inversa (PI). Figura 9: Característica V-I de un diodo de unión PN. (Nota: Sin embargo. mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles). o Región de conducción en polarización inversa. ello no conlleva necesariamente la destrucción del diodo. llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de deplección. 9 .

la corriente que circula es muy pequeña.Por encima de 0 Voltios. Corriente máxima en directa. Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios. VON se sitúa en torno a 0. Los fabricantes suelen distinguir tres límites: o o Corriente máxima continua (IFM) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current). Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unión PN y del diodo ideal Principales características comerciales A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas características apropiadas para dicha aplicación. hasta que no se alcanza la tensión de barrera (VON). hasta llegar a la ruptura. IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en coducción por avalancha. puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. En polarización inversa aparece una pequeña corriente. en la que de nuevo aumenta. La intensidad que circula por la unión aumenta rápidamente. 3. 4. La tensión para la que comienza la conducción es VON. En la Figura 10 vemos representadas más claramente estas diferencias entre los comportamientos del diodo de unión PN e ideal. hasta quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas P y N. El paso de conducción a corte no es instantáneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente. La resistencia del diodo en polarización directa no es nula. 2.7 V. Diferencias entre el diodo de unión PN y el diodo ideal Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son: 1. en la que se especifica también el tiempo que dura el pico 10 . la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa. En el caso de los diodos de silicio. Para ello.

La siguiente expresión permite el cálculo de VT: con y . en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión. T=25ºC. VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado anteriormente los 0. Modelo DC del diodo real El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresión: en donde: • • n. Depende de las dimensiones del diodo. es VT=25. En el Anejo A. es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de Boltzmann (K).o Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current). El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Corriente en inversa. BV.1 de este documento se incluyen unas hojas de datos de diodos a modo de ejemplo. VT. mediante la gráfica I-V del dispositivo. El potencial térmico a temperatura ambiente.7V como valor típico. Caída de tensión en PD. es el factor de idealidad. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage. PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. 3. es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. Modelos para señales continuas Bajo el término señales continuas se engloban en este apartado tanto las señales constantes en el tiempo como aquellas que varían con una frecuencia muy baja. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura. de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS. en la que se especifica la frecuencia máxima del pico 1. 11 . la carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K).71mV. MODELOS DEL DIODO DE UNION PN A continuación se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo de unión PN. 2. IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa 4. Además. del material semiconductor. Peak Inverse Voltage.

del material. n=1. La representación gráfica de este modelo se muestra en la Figura 11: Figura 11: Representación gráfica del modelo del diodo real. Entonces la intensidad tiende al valor IS. Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y que. por lo tanto. Para V<0. la caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña. es la corriente inversa de saturación del diodo. del dopado y fuertemente de la temperatura. IS. el término exponencial es muy pequeño. es la corriente inversa del diodo. El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que incluyan efectos no contemplados en la teoría básica. siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensión entre terminales externos. Sin embargo. la exponencial crece rápidamente por encima de la unidad. Para V>0. despreciable frente a la unidad. algunos modelos empleados en los programas simulación por ordenador constan de hasta quince parámetros. que como ya se había indicado anteriormente. este modelo no da cuenta de la tensión de ruptura en inversa. Como puede apreciarse. a la hora de realizar cálculos sobre el papel resulta poco práctico.• • R es la resistencia combinada de las zonas P y N. Por ejemplo. frente a la caída de tensión en la unión PN. Modelo lineal por tramos 12 . Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo más simple. Modelo ideal del diodo de unión PN El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones: • • Se toma el factor de idealidad como la unidad. de manera que V-IR es la tensión que se está aplicando en la unión PN. Depende de la estructura.

la tensión apenas ha experimentado un cambio de 200 mV. El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla: Estado Conducción Corte La Figura 12 muestra la curva característica V-I del modelo lineal Modelo Condición 13 . Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unión PN de silicio con una I S= 85 fA a una temperatura ambiente de T=25 ºC. dado su carácter no lineal. Sin embargo. Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican los cálculos en la resolución del circuito. considerando las siguientes simplificaciones: • • En inversa. El potencial térmico a esa temperatura es VT=25. Tomando como variable independiente la intensidad I. para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.7 mV. mientras que la corriente ha variado 3 órdenes de magnitud. Como se puede apreciar. se divide el modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y conducción). En directa. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximación del modelo ideal del diodo de unión PN.77 V. por lo que es posible aproximar la caída de tensión en la unión PN a un valor constante de 0.6 V <VDIODO< 0. la corriente a través de la unión es nula. la caída de tensión en la unión PN (VON) es constante e independiente de la intensidad que circule por el diodo. se puede calcular la caída de tensión en el diodo para las magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrónicos. el modelo ideal sigue siendo poco práctico. la ecuación ideal del diodo queda: A partir de esta expresión.Al igual que el modelo real.7 V. Por ejemplo. cada uno de los cuales obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado.

Figura 13: Diodo polarizado con una señal alterna superpuesta a una continua El funcionamiento del diodo en esta situación queda representada gráficamente en la Figura 14: 14 . donde la tensión es VON para cualquier valor de la corriente. donde la corriente es nula para cualquier valor de tensión menor que VON. Modelo para pequeñas señales de alterna Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de tensión positiva. y sobre ese punto se superpone una señal alterna de pequeña amplitud. Corte o Polarización Inversa "Off".Figura 12: Modelo lineal por tramos del diodo. El uso de este modelo sólo está justificado en aquellas ocasiones en las que no se requiere una gran exactitud en los cálculos. quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo: • • Conducción o Polarización Directa "On". En la Figura 12.

Si se considera además que el diodo está dentro de un circuito es posible que ni siquiera pueda obtenerse una solución analítica.Figura 14: Tensión y corriente en un diodo polarizado con una señal alterna superpuesta a una continua Cuando al diodo se le aplica una tensión dada por la expresión: la corriente que lo atraviesa puede calcularse aplicando cualquiera de los modelos explicados anteriormente. Si se opta por el modelo exponencial ideal: Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensión aplicada (VD) y queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). el cálculo se complica. Para obtener la solución al problema citado de una forma más simple se linealiza la curva del diodo en el entorno del punto de operación. se sustituye dicha curva por la recta que tiene la misma pendiente en el punto de operación. según se aprecia en la Figura 15 15 . es decir. El método de cálculo sería: Como puede apreciarse.

teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la unidad frente al término exponencial: 16 . la relación entre los incrementos de tensión y de corriente pueden relacionarse tal y como se indica: Obviamente. esta aproximación será tanto más cierta cuanto menores sean los valores de VD e ID.Figura 15: Aproximación de la característica exponencial del diodo por la tangente en el punto de operación Teniendo en cuenta esta aproximación. A la derivada de la tensión con respecto a la corriente en el punto de operación se le llama resistencia dinámica del diodo rD. y su expresión puede determinarse a partir del modelo exponencial del diodo.

Obtener la expresión que relaciona VD con ID 2. APLICACIÓN DE LOS MODELOS AL ANÁLISIS DE CIRCUITOS En este apartado se detallan algunos métodos válidos para el análisis de circuitos con diodos. Modelo exponencial Suponiendo que se dispone de un circuito en el que se desconoce la polarización del diodo. los pasos para resolver el problema serían: 1. la hipótesis de partida no es correcta y es necesario rehacer todos los cálculos desde el punto 1 con el modelo para el estado contrario. Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas resultante Modelo lineal por tramos Los pasos para calcular las tensiones y corrientes en un circuito con un diodos empleando el modelo lineal por tramos son: 1. Se asume la hipótesis de que el diodo está en uno de los dos estados posibles: corte o conducción 2. Sustituir el diodo por una fuente de tensión VD con el signo positivo en el ánodo. llamada aproximación de Shockley: Esta aproximación sólo es válida en la región de conducción en polarización directa del diodo. Se sustituye el diodo por el modelo correspondiente y se calculan las tensiones y corrientes del circuito 3. y nombrar como ID a la corriente que va de ánodo a cátodo del diodo 2. Una vez calculado el punto de polarización del diodo se comprueba la validez de la hipótesis: los resultados obtenidos han de ser coherentes con la condición de existencia. Método gráfico El procedimiento para el cálculo sería ahora: 1. Dibujar en el mismo gráfico la curva característica del diodo 17 . Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado 4.Como VT 25 mV. En el caso de que no lo sean. la expresión válida para el cálculo de la resistencia dinámica de un diodo en función de la corriente de polarización continua puede escribirse de la siguiente forma. Eliminar el diodo del circuito 2. La ecuación del modelo del diodo proporciona otra relación entre VD e ID 3. Resolver el circuito empleando las variables VD e ID como si fueran conocidas 1. basándose en los modelos expuestos en el apartado anterior. Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba conectado el diodo 3.

Esto se consigue básicamente a través del control de los dopados. con una curva característica brusca o afilada. Cálculo de la resistencia dinámica del diodo. 2. La característica de un diodo zener se muestra en la Figura 17. VZ). ya que mantiene constante la tensión entre sus terminales (tensión zener. Teóricamente no se diferencia mucho del diodo ideal. DIODOS ZENER Algunos diodos se diseñan para aprovechar la tensión inversa de ruptura. Hallar el punto de intersección de ambas curvas Pequeñas señales de alterna Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra alterna de pequeña amplitud se resuelven aplicando el principio de superposición (Figura 16) Figura 16: Análisis de circuitos con componentes continuas y pequeñas señales de alterna El método se resume en los siguientes puntos: 1. aunque la filosofía de empleo es distinta: el diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura. válido para el cálculo de las amplitudes de las oscilaciones de las señales. Análisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por su resistencia dinámica.5. Análisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera de lo métodos anteriores el punto de operación del diodo. Una aplicación muy usual es la estabilización de tensiones. De ese modo se obtiene el circuito equivalente AC. 18 . y potencias máximas desde 0. Con ello se logran tensiones de ruptura de 2V a 200V.5W a 50W. basándose en los resultados del punto anterior 3.

Figura 17: Característica V-I de un diodo Zener. 19 . Esta energía se transmite hasta los centros de consumo mediante las redes de distribución. no hay que olvidar que los valores son negativos con el criterio de signos establecido por el símbolo del componente (Figura 17). junto con los siguientes: • • VZ: Tensión de zener IZM: Corriente máxima en inversa. Un rectificador es. El modelo lineal por tramos para el diodo zener es el siguiente: Estado Corte Modelo Condición I=0 VZ<V<VON I<0 Conducción P. NOTA: Hay que tener en cuenta que el fabricante nos da los valores de VZ y IZM en valor absoluto. Los parámetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal.I. Al resolver un problema. un dispositivo que transforma la tensión alterna en continua. con una corriente entre 0 y IZM. V=VZ EJEMPLO DE APLICACIÓN DEL DIODO: RECTIFICACIÓN La energía eléctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal. El zener es un dispositivo de tres estados operativos: • • • Conducción en polarización directa: Como en un diodo normal Corte en polarización inversa: Como en un diodo normal Conducción en polarización inversa: Mantiene constante la V=VZ. Sin embargo. V=VON I>0 Conducción P.D. se requiere una tensión de alimentación continua. en muchas ocasiones. básicamente.

la VO sería la tensión deseada en continua y la RL simbolizaría al aparato musical. puede reducirse a una simple resistencia de carga mediante su circuito equivalente Thevenin. Una vez reducida la tensión. Un rectificador funciona en vacío cuando no se le conecta ningún aparato. estos aparatos necesitan menos tensión de alimentación que la suministrada por la red. e introduciendo en él los componentes necesarios para mejorar su comportamiento. VO: tensión de salida. la tensión vi sería la tensión de la red . partiendo para ello de un circuito básico. por ello llevan incorporado en primer lugar un transformador de tensión. En el caso más general. Esquema básico. Rizado de la onda de salida 20 . el rectificador convierte la tensión alterna en continua. Notaciones Las notaciones empleadas en este apartado se detallan en la Figura 19. Figura 19: Notaciones. En caso de que sí esté conectada se dice que funciona en carga. vi=VM·sen(wt). cuando la RL no está unida al circuito. El transformador reduce la tensión de la red (220V eficaces es una tensión generalmente demasiado alta para pequeños electrodomésticos) a la tensión deseada. Una gran parte de los electrodomésticos utilizados en el hogar llevan incorporado un dispositivo de este tipo. RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.Figura 18: Esquema general de la rectificación. En este apartado se van a presentar los esquemas rectificadores más comúnmente empleados. En general. • • • vi: tensión de entrada.… que por ser un elemento pasivo. es decir. video. según la notación de la figura. El rectificador es un aparato muy empleado en la vida diaria.

pero siempre tendremos una desviación de la ideal. Por lo tanto. siempre es mayor que cero. Sin embargo. vi<0. para después discutir la validez del mismo. que se cuantifica por el rizado de la onda de salida: En este caso. un valor constante en el tiempo. El problema con el que nos encontramos es que cuando el diodo está en corte no se alimenta a la carga. con lo que no existirá ninguna corriente. es preciso suministrar energía a la carga durante los semiciclos en los que la fuente no actúa. A continuación se estudia este circuito. se intenta que esta onda de salida se parezca lo más posible a una línea horizontal. Además.El esquema de la Figura 20 es el más sencillo de los rectificadores: el diodo. Como se puede apreciar. 21 . el diodo D esta en corte. Para disminuir el rizado. Con los esquemas más complejos. esta onda no es tan mala como parece. Figura 20: Esquema de un sencillo rectificador. Si la tensión de entrada es negativa. Si se desprecia VON frente a vi. Todo esto se puede apreciar en las gráficas de la Figura 21. el rizado es del 100%. es decir. su valor medio es diferente de cero. VO = vi (normalmente siempre se realizará esta simplificación). la tensión de salida VO se parece muy poco a lo que se entiende por tensión continua. la caída de potencial en RL será nula. Cuando el valor de la tensión de entrada es superior a la de conducción del diodo se crea una corriente. cuando la tensión de entrada sea mayor que cero. Aunque no es constante. y se cumple que: VO = vi -VON.

las cargas pueden retornar a un circuito y comportarse como un generador de tensión. El condensador en los rectificadores Como se recordará. En el momento en el que cesa el potencial. Cuando se somete a una diferencia de potencial. En la Figura 22 se presenta el esquema eléctrico que aplica este principio a la rectificación. Lo que se pretende es que sea el condensador el que alimente a la carga cuando no pueda hacerlo la fuente de alimentación. el condensador es un componente que almacena energía. esta obliga a las cargas a situarse entre sus placas. 22 .Figura 21: Tensiones en el circuito de la Figura 20.

Por él circula una corriente que carga al condensador. La carga del condensador es posible porque hay un camino en el circuito que se lo permite. intenta seguir el ritmo que le marque la fuente de tensión. cargado con una diferencia de potencial VC = VM. sin carga aplicada. sin ninguna carga RL conectada. para que el valor de VC disminuya. y la caída de tensión en el diodo en conducción despreciable. vi = VM. Evidentemente. el diodo D está polarizado en directa. Figura 23: Funcionamiento en vacío. En el instante inicial el condensador se encuentra descargado. Cuando la tensión de entrada empieza a decrecer el condensador. ya que el circuito se encuentra funcionando en vacío. la tensión de entrada es máxima. vi es mayor que cero. Funcionamiento en vacío: Se estudiará en primer lugar el esquema en vacío. En un punto entre .Figura 22: Esquema de rectificador con condensador. por lo tanto. es necesario que el condensador pierda parte de su carga ( ). La siguiente figura refleja la carga y descarga del condensador: 23 . con lo que C no puede descargarse y mantiene fija la tensión VM. En el instante . así como la tensión del condensador. La corriente no puede circular dado que el diodo está en inversa para ese sentido de circulación. Sea vI = VM·sen(wt). es decir. Se considera que el condensador se carga instantáneamente (VC = vi). Para ello. disminuyendo VC. la corriente de descarga ha de seguir un camino contrario al de la corriente que lo cargó.

el diodo nunca conducirá y el condensador nunca se descargará. Se puede deducir fácilmente. o sea.Figura 24: Funcionamiento del condensador. VD siempre es menor o igual que cero. aplicando la ley de las mallas que cuando el diodo está en corte . La Figura 25 resume todo lo visto en este subapartado. Por lo tanto el condensador mantiene la diferencia de potencial entre sus terminales. Figura 25: Tensiones en el circuito de la Figura 22. 24 .

La onda de salida es perfecta para nuestros propósitos. Por un lado. la parte derecha del circuito se comporta independientemente con respecto al generador. Hay dos caminos posibles para la intensidad que salga del generador. una corriente que circule por RL. Al ser un valor positivo. y por otro. Dado un valor de vi entre 0<wt<p/2. Funcionamiento en carga: es totalmente Según se ha definido previamente. y se puede determinar el valor de la corriente que atraviesa la carga como: Cuando wt>p/2 como en el caso anterior el diodo entra en corte al intentar descargarse el condensador por él. el valor de la intensidad que absorbe el condensador es despreciable frente a la que circula por RL. Figura 27: Descarga de C a través de RL. el diodo está en conducción. pero vamos a ver qué pasa cuando el dispositivo funciona en carga. hay una corriente que carga el condensador. Sin embargo. ahora el condensador tiene un camino para descargarse a través de RL. ya que salvo entre 0 y horizontal. Mientras el diodo esté en corte. Figura 26: Dispositivo en carga. Si suponemos que estamos en bajas frecuencias. 25 . el funcionamiento en carga es el que se obtiene al conectar una carga RL al dispositivo objeto de estudio.

Volviendo al circuito original. Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a través de la resistencia. se pueden calcular las características comerciales exigibles al diodo del esquema. mayor será el tiempo que necesita para descargarse. Por lo tanto hay un punto en el que D vuelve a conducir (VB=VA). si C es muy grande es posible que no tenga tiempo suficiente para cargarse durante el tiempo de conducción de D. De este modo. Como contrapartida. se cumple el objetivo de este diseño: C alimenta a la carga.El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a través de RL. 26 . D estará en corte mientras VB sea menor que VA. repitiéndose a partir de aquí toda la secuencia. Dicho funcionamiento se muestra en la Figura 28. cuanto mayor sea el valor de C. se aborda seguidamente la tarea de la selección de los componentes adecuados para una aplicación concreta. Selección de los componentes Una vez finalizado el análisis del esquema eléctrico de la Figura 22. y menor el rizado. Figura 28: Tensiones en el circuito de la Figura 26. Tal como se aprecia en la figura Figura 28. Como se recordará. Diodo A la vista de las gráficas de la Figura 28. el rizado obtenido es menor que el del esquema anterior.

tal y como se aprecia en la figura. En este aspecto es más exigente el funcionamiento en vacío que en carga. es posible emplear la siguiente expresión: en la que: • • • I0: cociente entre la tensión máxima. despreciando su caída de tensión (V(ON)): También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse. Para la frecuencia de la red eléctrica doméstica. y su valor máximo es VM. tc: tiempo de descarga del condensador.• Corriente máxima en polarización directa. IFmax: Mientras esté en conducción y. VRIZADO: Diferencia entre la tensión máxima y mínima admisible. PIV=2VM Condensador El valor de la capacidad del condensador se ha de calcular teniendo en cuenta el rizado máximo exigido al aparato. En el siguiente circuito. cuando el condensador es lo suficientemente grande como para alimentar la carga durante un semiciclo aproximadamente. La deducción de esta fórmula ha sido discutida ya en el capítulo segundo de estos apuntes. el puente de diodos consigue que durante el semiciclo negativo también alimente la red a la carga. ya que cuando VC sigue siendo VM. se desaprovecha medio ciclo de la red. y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM. • Tensión máxima en inversa. VM. VC es siempre mayor que cero. PIV: Cuando esté en corte. por lo tanto: llega a ser -VM. Rectificador de onda completa el esquema anterior produce una onda de salida bastante aceptable. y la resistencia de carga. VD=vi-VC. Los parámetros comerciales del diodo serán. Sin embargo. RL. con lo que la potencia transmitida a la carga se limita. 27 .

puesto que VB<VA y VB>VD. D4 está en corte. Por lo tanto. los puntos B y C se encontrarán a un potencial intermedio entre 0 y V voltios. ya que la tensión sólo puede disminuir entre los nodos de los componentes del circuito (esto es válido sólo para el régimen permanente).Figura 29: Rectificador de onda completa. El esquema equivalente sería: Figura 30: Rectificador de onda completa durante los semiciclos positivos. Dado un valor positivo de la tensión de entrada. Un circuito que está alimentado entre 0 y 10V. Así pues. no tiene sentido que haya un punto del mismo que tenga un potencial mayor que 10V con respecto a la referencia. 28 . vi=V>0. El retorno de corriente será por D3. mientras que D se encuentra a potencial nulo. Suponiendo que hay una corriente intentando circular. V. puesto que VDC=VD-VC<0. El punto A está sometido al mayor potencial del circuito. el menor en ese instante. Mediante un razonamiento análogo se consigue determinar el esquema equivalente mostrado en la Figura 31. mientras que D1 está en corte. por ejemplo. Como VA es mayor que VC el diodo D2 esta en condiciones de conducir. D1 y D4 no conducen en el semiciclo positivo de vi. por lo tanto la intensidad atraviesa RL de arriba a abajo. La corriente circular de a C.

la corriente que circula por RL circula en el mismo sentido. En ambos casos.Figura 31: Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos. luego la caída de tensión en RL siempre es del mismo signo: 29 . Figura 32: Tensiones en el rectificador de onda completa.

30 . empleando el modelo lineal por tramos.Si ahora se filtrase esta señal mediante un condensador. mejoraría su rizado. ¿y si se conecta una resistencia de 2. Ejercicios 1 Si se aplican 18 V al siguiente circuito. ¿y si se conecta una resistencia en paralelo con el diodo R2=2. ¿cuál es el mínimo valor de la resistencia R con el que se puede utilizar el circuito si se aplican 20 V? 3 Si la resistencia R de la figura es de 100 y se aplican 10 V al circuito. ¿cuánto valdrá la potencia disipada en el diodo D? 4 Si el diodo D de la figura del problema 5 tiene un pico inverso de voltaje (PIV) de 100 V.7 kW? 5 ¿Cuál será la potencia disipada el en diodo D de la figura si se aplican 60 V al circuito?. ¿cuánto es la tensión máxima que se puede aplicar al circuito?.7 kW en paralelo con el diodo? 6 Calcular la corriente que atraviesa el diodo en el circuito de la figura. ¿qué tensión medirá el voltímetro si D1 es de silicio? 2 Si el diodo D del circuito del problema 3 puede soportar una corriente máxima de 500 mA. puesto que debe alimentar durante menos tiempo a la carga. El condensador necesario es de menor capacidad que en el esquema anterior.

R1= R2= R3=1k. 31 . calcular la corriente que circula por el diodo mediante el método gráfico. tomando como característica V-I del diodo la curva que se presenta a continuación. • • Aplicando el modelo lineal por tramos del diodo. Potencia disipada por cada una de las resistencias. Potencia disipada por el diodo. 8 El generador del el circuito de la figura puede aportar una tensión comprendida entre -20 y +20 V. 9 Calcular el punto de operación del diodo (corriente y tensión en el mismo) para ECC=10V. Se pide determinar las expresiones que permitan calcular VOUT en función de VIN dentro del rango indicado. 10 En el circuito de la figura adjunta se pide: • • • Potencia suministrada por la fuente. Mediante un método gráfico.7 En el problema de la figura anterior.

11 En el circuito de la figura representar las ondas de tensión y corriente de salida (vo(t). 32 . siendo e(t) la tensión de red doméstica europea. y la resistencia R tiene un valor de 500 ohmios. RL = 2. 12 Si el generador de señal "e" de la figura produce una onda senoidal de 10 V entre pico y pico. ¿Qué características deberíamos exigir al diodo? (e = 10 sen t) 14 Calcular la tensión y la corriente en la resistencia RL (VM = 10 V. io(t)) del circuito de la figura.2 k). ¿qué características debemos exigir a un diodo de silicio para utilizarlo como se indica en la figura? 13 Se quiere fabricar un circuito como el de la figura adjunta.

6 V. ¿Entre qué valores puede variar RL manteniéndose alimentada a 10 V? 20 Para una tensión de entrada de 28 V (DC). calcular la corriente en TP1 para el circuito de la figura. C y D de la curva. 33 . Comparar el método gráfico de cálculo con la aproximación de Shockley. Si VT = 25 mV para T = 25 ºC. Vz=9. B. R1=1 K. 19 Sea el circuito de la figura con VZC=10 V e IZM=0. RL=1 K. comparar el resultado obtenido con la aproximación de Shockley. (Nota: Las escalas de los ejes x positivo y negativo son diferentes) 17 Calcular la resistencia dinámica del diodo del problema anterior en los cuatro puntos indicados.05 A.15 Deducir la expresión de la resistencia dinámica de un diodo partiendo del modelo exponencial del mismo. cuya curva característica se incluye a continuación. 16 Calcular la resistencia estática del diodo. en los puntos A. 18 Hallar la resistencia estática y dinámica en el punto A de la figura.

1A. si se cambia el zener por otro que tenga IZM=0. Si Rc fuera 2 k. • • • Determinar la máxima corriente que se puede aplicar a la carga Rc antes de que el Zener falle. 23 Mediante la recta de carga hallar el punto de operación del zener del problema 20 para R2=400. Idem si RL toma el valor 10 k. la corriente en la carga y V0. hallar la corriente del Zener y la corriente en la carga. 24 En el circuito de la figura. Hallar la potencia que disipa el Zener en los casos en que Rc tome como valor 2 k. 25 Para el circuito de la figura: 34 .21 ¿Cuánta potencia será disipada por un diodo Zener de 9 V cuando le atraviesa una corriente de 100 mA en polarización directa? ¿Y si a ese mismo diodo le atraviesa la misma corriente en inversa? 22 En el siguiente circuito: • • • Determinar la máxima corriente que se puede aplicar a la carga antes de que el Zener deje de regular la tensión. Si RL es 1 k. hallar la corriente y la potencia disipada en el Zener.

Si V = 200 voltios. 26 Dado el circuito siguiente: • • • • Hallar la tensión de salida del dispositivo. Debido a un error de manipulación. (Para el diodo despreciar la caída de tensión en directa). Discutir la posibilidad de sustituir la rama AB por un diodo Zener. Si nos interesara disminuir el rizado de la onda vo: ¿Qué esquema adicional podría añadírsele a este?. ¿Qué misión tiene la resistencia R?. determinar las características comerciales del diodo apropiado para esta aplicación. R = 1 K 27 En el dispositivo de la figura: ¿Cuál es la situación más desfavorable para el diodo. ¿Qué características debería tener este diodo para que no se deteriore?. ¿Se podría quitar?.• • • Representar gráficamente la tensión de salida vo si en la entrada se aplica una señal alterna vi = V sen t. R1 = R2 = 1 k . ¿Qué comportamiento tendrá entonces el dispositivo?. DATOS: e = 500 sen t . se conecta el 35 . Despreciar la caída de tensión en el diodo. E = 100 V . funcionando en vacío (sin carga en la salida). (El valor de E es menor que eMAX). 28 El circuito de la figura adjunta está preparado para rectificar ondas sinusoidales de 220 V de valor eficaz ( V de valor de pico). el funcionamiento en vacío o con una carga resistiva colocada entre A y B?. Calcular las características comerciales del diodo D.

Justificar la respuesta. 29 Dado el circuito de la figura: • • • Dibujar aproximadamente las formas de onda de las tensiones V0 y V0' para dos ciclos completos de la onda de entrada Vi. Considerar que la velocidad de descarga de C sobre RL es pequeña comparada con la frecuencia de la red. 30 Diseñar un puente rectificador de onda completa que entregue 10V en tensión continua con un rizado menor de 0. R = 1 k VZ = 50 V. y el dispositivo deja de funcionar (no se reciben señales en la carga). 36 . Datos adicionales: Potencia disipable máxima en las resistencias = 100 W. Características comerciales del diodo D2. Elegir una adecuada tensión de entrada al circuito. A los pocos segundos de dicha conexión se impregna el ambiente de un olor a plástico quemado. RL = 1 k Despreciar las caídas de tensión en los diodos en conducción.dispositivo en carga a una tensión continua de 500 V. ¿Podría ser C un condensador electrolítico?. DATOS: e = 200 sen(100t) V.1 V de pico a pico a una carga que requiere 10 mA. ¿Sabrías decir qué componente/s se ha/n quemado y por qué?.

31 Se quiere proteger un circuito conectado a la salida Vout del circuito de la figura frente a posibles sobretensiones producidas por una señal de entrada Vin excesivamente fuerte. La corriente mínima que debe atravesar el Zener debe de ser de 10mA en las condiciones más desfavorables de trabajo. ¿Cual es la potencia disipada por el zener? 37 . 32 Diseñar con un diodo Zener una fuente de tensión regulada de 12V para corrientes entre 0 y 100mA. Si se desea que Vout sea menor que 5V. La tensión de entrada puede variar entre +20V y +25V. cual debe ser la tensión a la que se conecta el diodo.

Diodos PIN El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada. Cuando el circuito está abierto. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la región i. que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos.1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN. En el diodo PIN la longitud de la región de transición L es aproximadamente igual a la región i y aproximadamente independiente de la tensión inversa. Cuando se aplica una polarización inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos (swept free). También se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. la caída de tensión en la región i sería nula. la capacidad CR.Tipos de diodos En el mercado podemos encontrar muchos tipos de diodos que nos sirven para distintas aplicaciones. La capa P de baja resistividad representada. los huecos del material P se difunden el la región p. puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. por ejemplo.14 pF en una variación de la polarización inversa de. por lo tanto. y los huecos fluyen desde la región i para recombinarse con los electrones de la región N. Si embargo. La región intrínseca i es realmente una región P de alta resistividad y se suele denominar región p. Además. creando una capa P de baja resistividad. el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante. Un posterior aumento de la tensión inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. puesto que la emigración de huecos sería igual a la emigración de electrones. por lo que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. 38 . separadas por una región de material que es casi intrínseco. En una primera aproximación. comercialmente asequibles. los electrones fluyen desde la región i(p) hasta la región P para recombinarse con los huecos en exceso. 100 V. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrínseco. la longitud de la región de transición es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y. está esta formada por difusión de átomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada está formada difundiendo grandes cantidades de fósforo. frecuencias que exceden de 1 GHz. independiente de la polarización. Ahora vamos a ver las características principales de algunos de ellos. a diferencia de los diodos PN o Schottky. como el material es en verdad p (P de alta resistividad). al igual que el diodo PN.15 hasta 0. El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas. En la condición de polarización directa la caída de tensión en la región i es muy pequeña. las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. Por lo tanto. hay mas huecos disponibles que electrones. es decir. Una variación típica de la capacidad podría ser desde 0. lo mismo que en el diodo PN. también disminuye la resistencia. cuando aumenta la corriente. Cuando el diodo está polarizado en sentido directo. la resistencia rd en pequeña señal es inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarización directa. En virtud de las características del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propósitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. Además. Los valores normales de CR varían desde 0. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En virtud de que es igual a la longitud de la región i.

La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo. En términos de la polarización inversa aplicada. mientras que en polarización inversa. A es el área de la unión P-N y Wd el ancho de la región de agotamiento. En esta parte de la curva a un aumento de la tensión aplicada 39 . llamado corriente de valle. Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando el elemento está polarizado inversamente. VT = potencial en la curva según se definió en la sección VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado n = 1/2 para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión El diodo túnel En 1958. capacitores variables. denominado corriente de cresta. Con tensiones directas. del que no nos ocuparemos aquí debido a su complejidad. si se sigue aumentando la tensión aplicada. el físico japonés Esaki. la parte mas interesante de su curva característica es la comprendida entre la cresta y el valle. la capacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n donde: K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción. se estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. CR es aproximadamente infinita. El intervalo normal de VR para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. A partir de este punto. rd es aproximadamente nula. En condiciones de polarización inversa. descubrió que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminación del material básico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una característica tensión-corriente muy particular. Diodos Varactores (Varicap) Los diodos varactores [llamados también varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje. La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante: CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa.En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los físicos denominan efecto túnel. desde el cual de nuevo aumenta. Para las aplicaciones prácticas del diodo túnel. pero luego se hace cada vez mas rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. se incrementa el ancho de la región de agotamiento. La capacidad CS es la capacidad parásita paralelo que se produce soldando el diodo a la cápsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexión desde el diodo hasta la cápsula. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento. Conforme aumenta el potencial de polarización inversa. la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo.

dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes mucho mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la dirección negativa.corresponde una disminución de la corriente. Así. por ejemplo. las pérdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el. el diodo de contacto puntual conduce algo mas de corriente. Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. Los ejemplo de circuito que se describen a continuación muestra como puede aprovecharse este fenómeno en la práctica. La marca inflexión en la curva del diodo de unión en -V» no ocurre en los diodos de contacto puntual. conforme el voltaje negativo aumenta. Diodo de contacto puntual El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que descansa la punta de un alambre delgado. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. la relación entre un incremento de la tensión y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa". 40 . La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unión. Sin embargo. la corriente inversa tiende a aumentar mas bien que permanecer aproximadamente constante. en otros términos. se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numérico conveniente y realizada por ejemplo. mediante un diodo túnel. para un voltaje positivo dado. Más aún.

Diodos de potencia Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos. no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. En sentido inverso. o Tiempo de recuperación directo. donde: VRRM: tensión inversa máxima VD: tensión de codo. o Potencia media disipada. o Parámetros en conducción. • • 41 . deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. o Modelo estático. o Potencia inversa de pico no repetitivo. las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales. Características dinámicas: o Tiempo de recuperación inverso (trr). entre otras. A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo. deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. Potencias: o Potencia máxima disipable. o Influencia del trr en la conmutación. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción. o Potencia inversa de pico repetitivo. las cuales podemos agrupar de la siguiente forma: • Características estáticas: o Parámetros en bloqueo (polarización inversa). El diodo responde a la ecuación: La curva característica será la que se puede ver en la parte superior. aunque tienen.

Características estáticas Parámetros en bloqueo • • • • • Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquélla que puede ser soportada cada 20 ms . Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conducción. aunque sea una sola vez. Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza. con una duración de 10 ms. Parámetros en conducción • • • • Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar. Protección contra sobreintensidades. Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo. con una duración de pico a 1 ms. Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más. Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable. 42 . durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.• • Características térmicas. repetidos cada 10 ms de forma continuada. a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º). sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. una vez cada 10 minutos.

Modelos estáticos del diodo Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura superior. para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta 43 . reservando modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar. Características dinámicas Tiempo de recuperación inverso El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. e incluso pueden venir ya en las librerías del programa. Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano.

Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo : De donde : Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos: • • Para ta = tb trr = 2ta Para ta = trr tb = 0 En el primer caso obtenemos: Y en el segundo caso: 44 . Irr: es el pico negativo de la intensidad. en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial.llamado tiempo de almacenamiento. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. di/dt: es el pico negativo de la intensidad. trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb. y representa el área negativa de la característica de recuperación inversa del diodo. La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". • • ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. • • • • Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada. y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste. tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula.

Disipación de potencia Potencia máxima disipable (Pmáx) 45 . por tanto. Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa. Tiempo de recuperación directo tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor VF. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad almacenada. debemos usar diodos de recuperación rápida. Para altas frecuencias. Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir pérdidas de potencia apreciables.Influencia del trr en la conmutación Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: • • Se limita la frecuencia de funcionamiento. y por tanto mayor será trr. Factores de los que depende trr: • • A mayor IRRM menor trr.

Características térmicas 46 . resulta : y como : es la intensidad media nominal es la intensidad eficaz al cuadrado Nos queda finalmente: Generalmente el fabricante integra en las hojas de características tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Potencia media disipada (PAV) Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conducción. pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento. Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM) Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo.Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar. como : Si incluimos en esta expresión el modelo estático. pero dada para un pulso único. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media). Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM) Similar a la anterior. si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. llamada ésta potencia de trabajo.

En ocasiones. Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante.Tc) / Pmáx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable. naturalmente. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura. que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores. por esto el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente. pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentación de motores. Protección contra sobreintensidades Principales causas de sobreintensidades La causa principal de sobreintensidad es. sino incluso con su I2t y su tensión. Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc) Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. que es incapaz de evacuar las calorías generadas. Órganos de protección Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles. en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento). pasando de forma casi instantánea al estado de cortocircuito (avalancha térmica). etc. como su nombre indica. etc). 47 . Los fusibles. debido a cualquier causa. Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. actúan por la fusión del metal de que están compuestos y tienen sus características indicadas en función de la potencia que pueden manejar. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula: Rjc = (Tjmáx . Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión. la presencia de un cortocircuito en la carga. utilización en régimen de soldadura. De todos modos. carga de condensadores.Temperatura de la unión (Tjmáx) Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción. uno mínimo y otro máximo. del tipo "ultrarrápidos" en la mayoría de los casos.

Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo. el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. 48 .Parámetro I2t La I2t de un fusible es la característica de fusión del cartucho. ya que así será el fusible el que se destruya y no el diodo.

49 .Transistores TRANSISTOR BJT Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polímetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor. y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente). por lo que en principio no podemos conocer su valor.). y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. uno para un NPN y otro para el PNP. etc. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos. así como el esquema de identificación de los terminales. y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic). También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones. etc. Algunos polímetros son capaces de medir este parámetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicación. CORTE: El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado. suele presentar una variación acusada con la temperatura y con la corriente de colector. siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés. circuitos digitales. de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura. además de esto. Zonas de funcionamiento del transistor bipolar ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona. con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP. ya que el polímetro mide este parámetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circulará por el BJT una vez en el circuito.). El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia. circuitos digitales.Este parámetro lo suele proporcionar el fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic).

Para encontrar el circuito PNP complementario: 1. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones. siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Se invierten todos los voltajes y corrientes. 2. TRANSISTOR FET (JFET) Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos. corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN.Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on). así como el esquema de identificación de los terminales. Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET) ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS ZONA DE CORTE: 50 . y distintos valores de VGS.

computadores. equipos de prueba Amplificadores de cc. equipos para comunicaciones Receptores. generadores de señales Instrumentos de medición. Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIÓN Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital PRINCIPAL VENTAJA Impedancia de entrada alta y de salida baja Bajo ruido Baja distorsión de intermodulación Facilidad para controlar ganancia Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva Se controla por voltaje Capacidad pequeña de acoplamiento Mínima variación de frecuencia Pequeño tamaño USOS Uso general. órganos electrónicos. A diferencia del transistor BJT. lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario. controlas de tono Audífonos para sordera. La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N. memorias 51 . los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico). receptores Integración en gran escala. sistemas de control de dirección Amplificadores operacionales. equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV. equipo de medida. transductores inductivos Generadores de frecuencia patrón. receptores Sintonizadores de FM.La intensidad de drenador es nula (ID=0).

pues bajo ciertas condiciones. En este proceso. 52 . Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii 5. en todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia permanece prácticamente constante (banda de paso del amplificador). pueden entregar a una determinada carga una potencia de señal mayor que la que absorben. los transistores desarrollan un papel fundamental. Impedancia de entrada (ohmios): Zi = Vi / Ii 3. de forma que lo que es válido para un margen de frecuencias no tiene porqué serlo necesariamente para otro. Ganancia de tensión (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi 2. En cuanto a la frecuencia. los amplificadores dependen de esta.AMPLIFICACIÓN: CONSIDERACIONES GENERALES La necesidad de amplificar las señales es casi una necesidad constante en la mayoría de los sistemas electrónicos. El análisis de un amplificador mediante su asimilación a un cuadripolo (red de dos puertas). Impedancia de salida (ohmios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0) 4. resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parámetros relativamente simples que nos proporcionan información sobre su comportamiento. De esta forma podemos definir los siguientes parámetros: 1. El margen dinámico de un amplificador es la mayor variación simétrica de la señal que es capaz de presentar sin distorsión a la salida. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi Un amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia de tensión y menor sea su impedancia de entrada y salida. normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o voltios picopico (Vpp). De todas formas.

El tercer terminal se denomina puerta (G. los transistores MOS ocupan menos espacio.FET: Transistores de efecto campo Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Además su proceso de fabricación es también más simple. estos dispositivos sólo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la década de los 60. tal y como se muestra en la Figura 1. Source) y drenaje (D. Además. es decir. A ambos lados del canal se conectan los terminales de fuente (S. Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N Los símbolos de este tipo de dispositivos son: 53 . Pese a que el concepto básico de los FET se conocía ya en 1930. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET) Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N. dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Comparados con los BJT. Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digital. existe un gran número de funciones lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Drain). Gate).

la región de agotamiento se extenderá completamente a través del canal. la zona se hace más ancha. La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo con el canal. con lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá el paso de ID (Figura 3). 54 . para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la región de corte. El potencial al que sucede este fenómeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage. Como se recordará. con lo que disminuye la anchura del canal N de conducción. Región de corte Centremos nuestra atención en la Figura 1. que es de tipo N. la saturación alude a un fenómeno completamente distinto al de los transistores BJT. PRINCIPIO DE OPERACION DEL NJFET A continuación se explica cómo se controla la corriente en un JFET. cuando se forma una unión PN aparecen en los bordes de la misma una zona de deplección en la que no hay portadores de carga libres. VP). Si esta es inversa. La anchura de dicha zona depende de la polarización aplicada. proporcionalmente a la tensión aplicada. Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensión de bloqueo Por lo tanto. Aplicando una tensión VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de deplección. Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo. teniendo en cuenta que el principio de operación del PJFET es análogo. y la corriente de drenaje resulta ser nula.Figura 2: Símbolos de los transistores JFET Las explicaciones incluidas en este capítulo se refieren fundamentalmente al transistor NJFET. Al igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operación: • • • Región de corte Región lineal Región de saturación Es preciso hacer notar que en este caso.

cuanto mayor sea VGS . En este caso pueden distinguirse dos situaciones según sea VDS grande o pequeña en comparación con VGS. aparecerá una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente. en la región lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y a VDS. Como ID está limitada por la resistencia del canal. Veamos por qué sucede esto.Región lineal Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensión VDS mayor que cero. Valores altos del voltaje drenaje-fuente Para valores de VDS comparables y superiores a VGS la situación cambia con respecto al caso anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal. La corriente ID presenta una doble dependencia: • • La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. y mayor la corriente obtenida. Valores pequeños del voltaje drenaje-fuente La Figura 4 presenta la situación que se obtiene cuando se polariza la unión GS con una tensión negativa. y el JFET pierde su comportamiento óhmico. mayor será la anchura del canal. El valor de dicha corriente estará limitado por la resistencia del canal N de conducción. que en una primera aproximación podemos considerar despreciable. corriente que llamaremos ID. mientras que se aplica una tensión entre D y S menor.VP. 55 . Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresión: Por lo tanto. Figura 4: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS < 0 Por el terminal de puerta (G) no circula más que la corriente de fuga del diodo GS.

y que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto. Cuando VDS es pequeña. por ejemplo. conforme nos acercamos a D esta tensión aumenta: en la mitad del canal es de 4. Figura 6: Esquema del transistor JFET de canal N en la región de conducción no lineal 56 . esta diferencia de anchuras no afecta a la conducción en el canal. si VGS es negativa (.5 V. En las proximidades del terminal S la tensión inversa aplicada es de 2 V. en las proximidades del terminal D la tensión será de 5 V. y en D alcanza 7 V.2 V. Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V Sigamos adelante. la tensión se distribuirá uniformemente a lo largo de la zona P. Por otra parte. La polarización inversa aplicada al canal no es constante. (NOTA: se desprecia la caída de tensión en las zonas situadas por debajo de los contactos). que se corresponde con la VGS = -2 V. al no existir ninguna corriente (Figura 5). pero cuando aumenta. Sin embargo.Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios. por ejemplo). y en el terminal S el potencial será nulo. pero a medio camino la corriente circulante habrá reducido su potencial a la mitad (2. este se distribuye a lo largo del canal.5 V). la variación de la sección de conducción hace que la corriente de drenaje sea una función no lineal de VDS. con lo que la anchura de la zona de deplección tampoco lo será (Figura 6). es decir.

la corriente se mantiene independiente de VDS. con lo que la resistencia global aumenta (Figura 7). puesto que los incrementos de tensión provocan un mayor estrechamiento del canal. Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N en la región de corriente constante La región de saturación se da cuando se estrangula el canal en el drenaje. lo que sucede cuando la tensión puerta-drenaje es más negativa que VP. CURVAS CARACTERISTICAS Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica. en la región de corriente constante sólo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS. para una VDS dada. que varía a lo largo del mismo). es decir: VGD < VP => VGS . En el caso del bloqueo.Región de saturación Si VDS se incrementa más.VDS < VP => VDS > VGS . se aprecia claramente el paso de la región de corte a la de saturación (Figura 8). A partir de ese momento. se llegará a un punto donde el espesor del canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. En primer lugar. En cambio.VP Antes de seguir adelante. 57 . que es constante porque la tensión VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unión. comparemos las figuras Figura 3 y Figura 7. en la representación de ID frente a VGS. todo el canal resulta afectado por la zona de deplección. y es lo que permite la circulación de la corriente. puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rápidamente IG.

En la región lineal.ID del transistor NJFET Nótese que. si la resistencia del JFET en la región lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturación del BJT. la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS. PARÁMETROS COMERCIALES Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos: 58 . en donde ID sólo depende de VGS. aquí la magnitud de control es la tensión VGS. Por el contrario. este crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación.ID del transistor NJFET En la característica VDS . Sin embargo. la región de saturación del JFET se identifica con la región activa normal de los transistores bipolares. para una determinada VGS. Figura 9: Característica VDS .Figura 8: Característica VGS . Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de la de base.ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones lineal y de saturación (Figura 9). según esta gráfica.

Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento. MODELOS DEL TRANSISTOR NJFET Análogamente a lo efectuado con el transistor bipolar se van a presentar dos modelos para el JFET: uno para analizar el funcionamiento del transistor JFET con señales continuas y otro para las señales alternas aplicadas sobre un punto de operación de la región de saturación. Modelo estático ideal Para el transistor NJFET. En este caso ID=0. El valor de ID depende de la región de funcionamiento del transistor. En la práctica marca la máxima intensidad que puede circular por el transistor. 2. RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente y drenaje. BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la puerta y la fuente. Tensiones más altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID. Región de corte: la condición de la región de corte es que el canal esté completamente estrangulado en las proximidades de la fuente. a saber. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor. En primer lugar se presentan los modelos para las diferentes regiones de operación. Figura 10: Esquema circuital del modelo del transistor JFET 1. presenta fuertes dispersiones en su valor. Este incremento es lineal para bajos valores de VDS aunque la linealidad se pierde cuando VDS se acerca a -VP. corte. Región lineal: es la región en que se produce un incremento de la intensidad ID al aumentar VDS. Al igual que IDSS.• • • • • IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). se deducen posteriormente las expresiones necesarias para el análisis de señales de alterna de pequeña amplitud. que se encuentra polarizada en inversa. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo. Para trabajar en la región lineal se deben dar dos condiciones: 59 . Valores mayores de BVGS provocan una conducción por avalancha de la unión. el modelo viene representado en la Figura 10. lo que sucede cuando la tensión puertafuente alcance la tensión de estrangulamiento (VGS<VP). saturación y zona lineal.

el canal N. El valor que toma la corriente ID es 1. Para que ello ocurra. tiene que estar estrangulado en el extremo cercano al drenaje. Modelo para señales alternas Para la deducción del mismo se consideran las siguientes hipótesis: • • Transistor polarizado en la región de saturación Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia Expresiones generales De entre las diversas opciones posibles. deben ocurrir dos condiciones: o o VGS > VP VGD < VP VGS < VP + VDS En este caso la intensidad ID ya no depende de VDS. siendo su expresión Por lo general. al igual que en el caso anterior. mientras que VDS e IDSS son positivos. las ecuaciones características del transistor vendrán dadas por dos funciones f1 y f2 tales que: Las tensiones y corrientes de un punto de polarización concreto vendrán dadas por las expresiones anteriores: 60 . tomando la dirección ID tal y como aparece en el modelo. Entonces. Región de saturación: la región de saturación tiene lugar cuando la tensión entre drenador y puerta alcanza la tensión de estrangulamiento. De este modo.o o VGS > VP VGD > VP VGS > VP + VDS Estas condiciones equivalen a admitir que el canal de conducción no se estrangula por la zona de deplección en inversa tanto en el extremo de drenaje como en la fuente. mientras que las dependientes son las corrientes IG e ID. en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman valores negativos. para la deducción del modelo se escogen como variables independientes las tensiones VGS y VDS. pero no en el extremo del canal cercano a la fuente.

61 . Se suele nombrar como gm yos : Admitancia de salida (-1) Cálculo de los parámetros admitancia Para el cálculo de los parámetros yij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo estático para la región de saturación. para simplificar la notación se escribirán con letra minúscula los incrementos de las variables. • Función f1 => • Función f2 => La representación circuital de este modelo simplificado responde al mismo esquema presentado en la Figura 10. • • • • yis : Admitancia de entrada (-1) yrs: Admitancia de transferencia inversa (-1) yfs : Transconductancia (-1).Supongamos que sobre este punto de operación Q se añade una componente alterna. Las oscilaciones de las corrientes pueden calcularse como: A partir de este momento. caracterizada por un VGS y por un VDS. La expresión anterior admite una representación matricial: en donde los coeficientes yij se llaman parámetros admitancia.

los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia. con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula. Por ello. mucho menor que en los JFET. PRINCIPIO DE OPERACION 62 . aunque su principio de operación y su estructura interna son diferentes. El óxido es aislante.TRANSISTOR MOSFET Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET. Existen cuatro tipos de transistores MOS: • • • • Enriquecimiento de canal N Enriquecimiento de canal P Empobrecimiento de canal N Empobrecimiento de canal P Los símbolos son: Figura 11: Transistores MOSFET La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor.

La capa de aislante de la puerta es muy delgada.De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de funcionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento. con lo que no se permitirá el paso de corriente: el MOS estará en corte. por encima de un valor positivo VGS = VTH se posibilita la circulación de corriente ID (Figura 13). Recapitulando. de tipo N. A mayor potencial aplicado. y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo. NMOS de enriquecimiento En la Figura 12 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento. Figura 12: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento Supongamos que se aplica una tensión VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en cero. La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un canal negativo. mayor número de electrones será atraído. que pone en contacto el drenaje con la fuente. Figura 13: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conducción 63 . Al aplicar una tensión positiva a la zona N del drenaje. Sigamos suponiendo. el diodo que forma éste con el sustrato P se polarizará en inversa. Por este canal puede circular una corriente. tanto que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del material P. Nos encontramos ante una región de conducción lineal. mientras mantenemos la VDS positiva también. y mayor número de huecos repelido.

y se pierde la linealidad en la relación ID . si con VGS = 0 aplicamos una tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID.VDS) va disminuyendo. Finalmente se llega a una situación de saturación similar a la que se obtiene en el caso del JFET.VDS. CURVAS CARACTERÍSTICAS 64 . con lo que el canal se estrecha en dicha zona.Si el valor de VDS aumenta. la aplicación de una VDS mucho mayor que VGS provoca una situación de corriente independiente de VDS. la tensión efectiva sobre el canal en las proximidades del drenaje (VGS . Por lo tanto. NMOS de empobrecimiento En la Figura 14 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento. Figura 15: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte También en este caso. Figura 14: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento En este caso el canal ya está creado. Para que el transistor pase al estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero. que expulse a los electrones del canal.

ID del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a la del JFET. la tensión umbral está en torno a los cinco voltios.ID del transistor NMOS de enriquecimiento En la Figura 16 se pone de manifiesto cómo la intensidad ID aumenta bruscamente cuando se supera la tensión umbral VTH (Threshold Voltage) y se crea el canal. y la VDS .ID. Figura 17: Característica VDS .ID con VGS constante. Transistor NMOS de empobrecimiento 65 . pero los valores de VGS cambian: en este caso la conducción se da para voltajes positivos por encima del umbral. Es un componente idóneo para conmutación.ID del transistor NMOS de enriquecimiento La característica VDS . En los dispositivos con el terminal de puerta de aluminio y el aislante de óxido de silicio.Con los transistores MOS se manejan dos tipos de gráficas: la característica VGS . Transistor NMOS de enriquecimiento Figura 16: Característica VGS . puesto que pasa de un estado de corte a uno de conducción a partir de un valor de la señal de control. con VDS constante.

Modelo estático de Schichman-Hodges 66 . MODELOS CIRCUITALES Tal y como se ha visto.3. Si la tensión VGS se hace positiva se atraerán electrones al canal.ID del transistor NMOS de empobrecimiento PARÁMETROS COMERCIALES Los parámetros comerciales más importantes del transistor MOS son análogos a los de los JFET presentados en el apartado 1. a diferencia de los JFET. Además.ID del transistor NMOS de enriquecimiento El NMOS de empobrecimiento puede funcionar también como transistor de enriquecimiento. Por ello. la impedancia de entrada continua siendo muy elevada. todos admiten una representación circuital análoga. Figura 19: Característica VDS .Figura 18: Característica VGS . las curvas de funcionamiento de los transistores MOS son similares a las de los JFET.

Región de saturación o Condiciones VGS > VTH 67 . o Condiciones: VGS>VTH VGD < VTH VGS < VTH+VDS • Intensidad: Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del transistor • • • me es la movilidad de los electrones. que depende del material y la temperatura W. Es un modelo muy parecido al modelo de los transistores JFET. Región lineal. El circuito equivalente se compone de un interruptor abierto y una fuente de intensidad (Figura 20) cuyo valor ID depende de la región de funcionamiento del transistor. Depende fuertemente del espesor del óxido de puerta. descrito anteriormente. Factores geométricos que dependen del diseño del transistor. Región de corte o o Condición VGS<VTH Intensidad ID=0 1. L son la anchura y la longitud del canal. 1.El modelo estático del transistor MOSFET se denomina modelo de Schichman-Hodges. C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que forman el metal de la puerta con el canal. Figura 20: Modelo de Schichman-Hodges para el transistor FETMOS Para el transistor NMOS de enriquecimiento las regiones de funcionamiento son: 1.

ELECTRONICA DIGITAL Los MOS se emplean a menudo en electrónica digital. De este modo se logra una corriente de drenaje dependiente sólo de la tensión VGS. Control de potencia eléctrica entregada a una carga. Amplificadores de tensión. 68 . La transición entre el estado de corte y el de conducción es instantánea. puede demostrarse de forma análoga a como se ha realizado para el transistor JFET que la transconductancia gm se calcula a través de la siguiente expresión APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Las aplicaciones generales de todos los FET son: ELECTRONICA ANALOGICA Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte. de modo que idealmente pueda considerarse que: • • La caída de tensión en conducción es muy pequeña.5 V se mide una intensidad de drenaje ID = 1mA. Hallar cuánto vale la tensión VGS si se admite que trabaja en la región de saturación. En el caso de la amplificación los circuitos se diseñan para que el punto de operación DC del MOS se encuentre en la región de saturación. especialmente en la amplificación inicial de señales de muy baja potencia.VGD > VTH VGS > VTH+VDS • Intensidad: Modelo para señales alternas Para el caso en el que el transistor soporte señales alternas de pequeña amplitud y baja frecuencia sobre un punto de polarización en región de saturación. debido a la capacidad de trabajar entre dos estados diferenciados (corte y conducción) y a su bajo consumo de potencia de control. EJERCICIOS • En un transistor NJFET con IDSS=10mA y VP = . Hallar la tensión de alimentación E mínima para que el transistor trabaje en saturación. • • • Resistencias variables de valor gobernable por tensión (variando la anchura del canal). Para esta aplicación se emplean dispositivos de muy baja resistencia.

2.3V 69 . 3. hallar el nuevo punto de operación del transistor.. 2. Datos del transistor: IDSS = 2mA....La tensión VGS si se admite que el transistor está en saturación. se pide: 1..Si se cambia la resistencia por otra de valor 1k. VP= .• En el circuito de la figura.3V • Sea el circuito de la figura formado por un transistor NJFET y una resistencia.Calcular el punto de operación del transistor. calcular cuanto vale VDS.Si VIN = 5V. VP= . Se pide: 1.Indicar la región de funcionamiento del transistor. Datos del transistor: IDSS = 5mA.

• Calcular los valores de VDS y VGS del transistor de la figura si se admite que ID=5mA.• El transistor NJFET de la figura tiene una IDSS=12mA y VP=-4V. Datos: IDSS=5mA VP=-4V 70 . • Determinar el punto de operación del transistor FET de la figura suponiendo que se encuentra en zona de saturación. Determinar el valor mínimo de E para que el transistor trabaje en la región de saturación.

calcular la tensión de salida. Nota: Utilizar para ello los valores medios de los parámetros del transistor. calcular la resistencia de entrada RIN y la tensión de salida VOUT. Datos del transistor: IDSS=8mA.• Hallar el punto de operación del transistor de la figura. Datos: IDSS=15mA. 71 . Calcular la ganancia de tensión del circuito. VP=-10V • En el circuito de la figura.7k a la salida del circuito. VP=-10V • En el circuito de la figura se ha utilizado un transistor 2N5460. Si se conecta una resistencia de 4.

Datos: Idss=10mA. ¿Cuál será la carga máxima que puede alimentar la fuente de corriente? 72 . VP=-5V.2mA. b) Hallar la resistencia RL máxima que se puede alimentar con la intensidad hallada mediante el circuito anterior Si el transistor JFET de la figura es un transistor comercial 2N5486. • Con el transistor 2N5457 y otros componentes que crea necesarios. calcular entre qué valores se puede esperar que varíe la intensidad I cuando el transistor trabaja en la región de saturación. Datos del transistor: gm=3.• Determinar la ganancia de tensión del circuito de la figura. diseñe una fuente de corriente constante de 0. a) Calcúlese el valor de la corriente I que circula por esa carga si el transistor se encuentra en la región de saturación.8 mmhos • El sencillo circuito de la figura es una fuente de corriente que alimenta una carga RL.

calcular la tensión de salida si la tensión de entrada es 3V. ¿Qué intensidad ID se debe establecer en la fuente si se quiere que Vout=Vin? Datos del transistor: IDSS=3mA VP=-5V • En el circuito de la figura. 73 .• En el circuito de la figura. ECC = 20 V. Considerar que el transistor trabaja en la región de saturación. se puede resolver el circuito mediante un análisis en continua. Si E=10V e ID=1mA. Hallar la relación entre VOUT y VIN. E=15V • La tensión de entrada Vin es una tensión que varía muy lentamente con el tiempo de manera que. si ambos transistores son idénticos y se encuentran térmicamente acoplados. Datos adicionales: R=100K. • Determinar el valor de las salidas V01 y V02 cuando VIN valga cero y diez voltios. calcular la relación entre Vout y Vin. Datos: VTH = 5 V.

Respectivamente). a) Calcular aproximadamente la potencia generada en la fuente de 8 Voltios en los estados lógicos '1' y '0' de la entrada (10 V. y 0 V.• Para el diseño de una puerta lógica inversora. • El siguiente circuito lógico está diseñado según la técnica CMOS (Complementary-MOS). se realiza un esquema como el que se representa a continuación. b) ¿Qué misión tiene la resistencia de 15 k?. Se denomina así por que emplea en el mismo circuito transistores NMOS y PMOS. a) Explicar su funcionamiento y determinar qué tipo de puerta lógica es. 74 .

75 . el transistor deja pasar una corriente para alimentar la resistencia de carga. b) Calcular aproximadamente la pérdida de potencia en el transistor si la señal de entrada está comprendida entre 0 y 5V. el transistor permanece en corte.b) Comparar este circuito con el del anterior. Salida: VO) ¿Qué consumo de potencia hay en los estados lógico '1' y '0' de ambos circuitos? • El circuito de la figura representa a un transistor actuando como un interruptor. Al polarizar con 0V la puerta. Se pide: a) Elegir un transistor MOS adecuado para realizar esta función. Cuando se polariza la puerta con una tensión de 15V. • Seleccionar el transistor más apropiado para el circuito lógico siguiente (0 < VIN < 10V) (Calcular los parámetros comerciales del transistor): • Determinar a qué tipo de puerta lógica corresponden los dispositivos de la figura (Entradas: V1 y V2. ¿Qué ventajas presenta en cuanto a consumo de potencia?.

Por otro lado. K=0. 76 .Datos: VTH=2V.4mA y VD=1.4mA/V2 • Se desea diseñar un circuito de alarma para un coche de manera que al salir del coche con las luces encendidas. el sensor da una señal de 5V. El transistor MOSFET de deplección de la figura tiene una K=4mA/V2 y VP=-2V. Calcular la tensión de la fuente • Calcular los parámetros que toman las resistencias RD y RS del circuito de la figura para que el transistor opere con una ID=0. Se obtiene una señal de 5V con las luces encendidas y de 0V con las luces apagadas. El zumbador tiene que estar alimentado entre 1 y 16V y recibir una corriente de 30mA. Al abrir la puerta.• • Un transistor NMOS de deplección tiene un VP=-2V y K=2mA/V2. Diseñe el circuito con los transistores MOSFET necesarios. Para detectar la apertura de la puerta se dispone de un sensor magnético entre la puerta y el coche que se cierra con la puerta y da una señal de 0V. se tiene un dispositivo que detecta el paso de corriente en el circuito de iluminación. Calcular la VDS mínima para operar en la región de saturación si VGS=1V. suene un zumbador.

Tiristores
Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas características y limitaciones.

CARACTERÍSTICAS DE LOS TIRISTORES
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta. La fig. 1 muestra el símbolo del tiristor y una sección recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusión. Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las uniones J1 y J3 tienen polarización directa o positiva. La unión J2 tiene polarización inversa, y solo fluirá una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se dice entonces que el tiristor está en condición de bloqueo directo o en estado desactivado llamándose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje ánodo a cátodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unión J2 polarizada inversamente entrará en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarización directa, habrá un movimiento libre de portadores a través de las tres uniones que provocará una gran corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el dispositivo está en estado de conducción o activado.

Fig. 1 Símbolo del tiristor y tres uniones pn La caída de voltaje se deberá a la caída ohmica de las cuatro capas y será pequeña, por lo común 1V. En el estado activo, la corriente del ánodo está limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2. La corriente del ánodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a través de la unión; de lo contrario, al reducirse el voltaje del ánodo al cátodo, el dispositivo regresará a la condición de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del ánodo mínima requerida para mantener el tiristor en estado de conducción inmediatamente después de que ha sido activado y se ha retirado la señal de la compuerta. En la fig. 2b aparece una gráfica característica v-i común de un tiristor.

77

Fig.2 Circuito Tiristor y característica v-i Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conducción y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguirá conduciendo, porque en la unión J2 no existe una capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del ánodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una región de agotamiento alrededor de la unión J2 debida al número reducido de portadores; el tiristor estará entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa que IL>IH . La corriente de mantenimiento IH es la corriente del ánodo mínima para mantener el tiristor en estado de régimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche. Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al del ánodo, la unión J2 tiene polarización directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarización inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a través de ellos. El tiristor estará en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluirá a través del dispositivo. MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES La acción regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentación directa se puede demostrar mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3. La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unión colector-base ICBO, como Ic = IE + ICBO (1)

La ganancia de corriente de base común se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente del emisor es la corriente del ánodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuación (1): IC1 = 1 IA + ICBO1 (2)

78

a) Estructura básica

b) Circuito equivalente

Fig. 3 Modelo de tiristor de dos terminales. Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es: IC2 = 2IK + ICBO2 (3)

Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos: IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2 (4)

Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuación anterior en función de IA obtenemos: IA = 2 IG + ICBO1 + ICBO2 1 - ( 1 + 2) ACTIVACIÓN DEL TIRISTOR Un tiristor se activa incrementándola corriente del ánodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas. TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habrá un aumento en el número de pares electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes hará que 1 y 2 aumenten. Debido a la acción regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activación puede causar una fuga térmica que por lo general se evita. (5)

79

desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la señal de la compuerta para activar el tiristor. Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta. fluirá una corriente de fuga suficiente para iniciar una activación regenerativa. se reduce el voltaje de bloqueo directo. CORRIENTE DE COMPUERTA. Tiristores de inducción estática (SITH). Los fabricantes especifican el dv/dt máximo permisible de los tiristores.4 Fig. en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categorías: 1. 7. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor. Si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO. Tiristores controlados por FET (FET-CTH) 9. Tiristores de conmutación rápida (SCR).4 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo. TIPOS DE TIRISTORES Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La activación de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio. la inyección de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del cátodo activará al tiristor. los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. tal y como aparece en la fig. Conforme aumenta la corriente de compuerta. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR) 8. el tiempo de activación y el tiempo de desactivación. 5. 6. la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Tiristores de conducción inversa (RTC). aumentaran los pares electrónhueco pudiéndose activar el tiristor. Este tipo de activación puede resultar destructiva por lo que se debe evitar. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO). Un valor alto de corriente de carga puede dañar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Tiristores controlados por MOS (MCT) 80 . 4. La corriente del ánodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión. dv/dt. Dependiendo de la construcción física y del comportamiento de activación y desactivación. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).LUZ. Para controlar el di/dt. Si un tiristor está polarizado en directa. Tiristores de control de fase (SCR). 3. ALTO VOLTAJE. 2.

El periodo de oscilación. conocidas como emisor E. Un UJT tiene tres terminales. El voltaje de disparo VB1 debe diseñarse lo suficientemente grande como para activar el SCR.7b. pero en un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. y determina el voltaje de punto de pico Vp.7.5 se muestra un circuito básico de disparo UJT. se alcanzará el punto de pico y el dispositivo se activará.7 y 9. la utilización de un tipo especial de estos como lo es un UJT además de un PUT por lo que se definen ambos a continuación: TRANSISTOR MONOUNION (UJT) El transistor monounión (UJT) se utiliza generalmente para generar señales de disparo en los SCR. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv. Vp está fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentación de cd. se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. base1 B1 y base2 B2. Cuando el voltaje del emisor VE. dado que el circuito emisor del UJT está en estado abierto. es totalmente independiente del voltaje de alimentación Vs y está dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-n Fig. se carga el capacitor C a través de la resistencia R. T2 es mucho menor que T1. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajación. se activa el UJT y el capacitor se descarga a través de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. Si el voltaje del ánodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG. pero si el voltaje de ánodo excede al de compuerta en una caída de voltaje de diodo VD. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentación en cd Vs. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2. tal y como se muestra en la fig. Entre B1 y B2 la monounión tiene las características de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4. el emisor deja de conducir. En la fig.En esta practica fue necesario además de utilizar tiristores.5 Circuito básico de disparo de un UJT TRANSISTOR MONOUNIÓN PROGRAMABLE El transistor monounión programable (PUT) es un pequeño tiristor que aparece en la fig. Cuando se aplica el voltaje de alimentación Vs en cd. En el caso del UJT. el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. T. N general Rk está limitado a un valor por debajo de 100 Ohms. le dispositivo se conservará en su estado inactivo.1 K). 81 .

El periodo de oscilación T está dado en forma aproximada por: T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1) Fig.R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. pues la característica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 --. lo hace inmune a destrucción por sobretensión. Tiene unas fugas en bloqueo y una caída de tensión en conducción prácticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conducción. si se supera la tensión de ruptura en cualquier sentido. 82 .iT2 es igual a la del cuadrante III. Es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere.7 Circuito de disparo para un PUT TRIAC El TRIAC (triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensión y conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2.8. Su estructura básica y símbolo aparecen en la fig.

Fig.8 TRIAC: Estructura y símbolo. CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo. con una conexión de compuerta común. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. y son acelerados por ella iniciándose la conducción. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1.9 Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional. A continuación se verán los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles. que bloquea el potencial exterior. Intensidad de puerta entrante. 83 . Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el área próxima a la puerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de puerta. el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos). Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito. La corriente de puerta circula internamente hasta T1 . en parte por la unión P2N2 y en parte a través de la zona P2.9 Circuito equivalente de un TRIAC MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. entre la compuerta y la terminal MT1. No es necesario que esten presentes ambas polaridades en las señales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola señal positiva o negativa de compuerta. como se muestra en la fig. no es posible identificar sus terminales como ánodo y cátodo. Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1. la sensibilidad varía de un cuadrante a otro. En la práctica. ya que la metalización del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2. se activará al aplicar una señal negativa a la compuerta. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1. Fig.

entrando en conducción. El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de cátodo. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. conducción y de dispar por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor. provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción. seguidos de cerca por el I -. El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de la unión P2N1 próxima a ella que la próxima a T1. El modo III + es el disparo más difícil y debe evitarse su empleo en lo posible.los más sensibles. Entra en conducción la estructura P2N1P1N4. Siendo los modos I + y III . La inyección de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. haciéndose más conductora. es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar. La unión P2N1 de la estructura principal que soporta la tensión exterior. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad.Modo I . Los que alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión. También se dispara por el procedimiento e puerta remota. El fabricante facilita datos de características eléctricas el bloqueo.: Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. Esta polarización inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción. La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más positivamente que la próxima a la puerta.: Terminal T2 negativo respecto a T1. Modo III . Intensidad de puerta saliente. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. 84 .

10 Características V-I de un TRIAC 85 .Fig.

86 . que las pilas se han agotado y que deben cambiarse... Pero antes debemos recordar los conceptos elementales acerca de la luz. la energía de un fotón es mayor cuanto menor sea la longitud de onda. siempre en el momento más inoportuno. las pantallas de cristal líquido. Los componentes optoelectrónicos son aquellos cuyo funcionamiento está relacionado directamente con la luz. Por ejemplo. Cada fotón lleva asociada una energía que se caracteriza por su longitud de onda según la ecuación E=hc/y donde • • • • E = energía del fotón c = velocidad de la luz 3·108m/s h = constante de Planck y = longitud de onda del fotón. La luz. 1. tal y como la entiende la persona de a pie. • • La radiación electromagnética está formada por fotones. El numerador de la expresión de la energía es una constante. que se encuentra en el denominador.Optoelectrónica La optoelectrónica es el nexo de unión entre los sistemas ópticos y los sistemas electrónicos. la mayoría de los walkman disponen de un piloto rojo que nos avisa. Los tubos de rayos catódicos con los que funcionan los osciloscopios analógicos y los televisores. LA RADIACIÓN ELECTROMAGNÉTICA No se pretende aquí realizar un estudio riguroso a cerca de la radiación electromagnética. los modernos sistemas de comunicaciones mediante fibra óptica. imprescindibles para comprender el capítulo. La radiación electromagnética abarca un concepto más general.. no es mas que una parte de la radiación electromagnética que es capaz de excitar las células de la retina del ojo. son algunos de los ejemplos de aplicación de las propiedades ópticas de los materiales que nos disponemos a desglosar en este capítulo. Por eso. Los sistemas optoelectrónicos están cada vez más de moda. Simplemente se recordarán algunos conceptos básicos. Hoy en día parece imposible mirar cualquier aparato eléctrico y no ver un panel lleno de luces o de dígitos más o menos espectaculares.

como osciladores LC. Las microondas abarcan la zona desde 1 mm hasta 30 cm. navegación aérea y para el estudio de las propiedades atómicas de la materia. Estas ondas comprenden longitudes de onda desde 1 mm hasta 4x10-7 m. Incluye las longitudes de onda desde 4x10-7 hasta 7x10-7 metros o lo que es lo mismo. La energía absorbida aparece como calor. Las ondas infrarrojas son llamadas también ondas térmicas ya que estas ondas son producidas principalmente por cuerpos calientes y son absorbidas fácilmente por la mayoría de los materiales. Resultan adecuadas para los sistemas de radar.3. Los diferentes colores corresponden a ondas de diferente longitud de onda. Es la causa de que la gente se ponga morena.8x10-7) es producida principalmente por el sol. o La luz visible es la parte del espectro que puede percibir el ojo humano. o La luz ultravioleta (6x10-8 . desde 400nm hasta 700nm. A continuación se comentan algunos aspectos relativos a estas divisiones: • • • Las ondas de radio son generadas por circuitos electrónicos. 87 .Figura 1: El espectro electromagnético La radiación electromagnética queda dividida según su longitud de onda (Figura 1). y son utilizadas en comunicaciones.

A este nivel corresponden los diodos LED o los LÁSER. Dispositivos fotoconductores: Conducen la radiación luminosa desde un emisor a un receptor. Al aplicarse una tensión directa a la unión. Son dispositivos que transforman la energía eléctrica en energía luminosa. Como resultado de ello. DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS BÁSICOS A nivel de componentes podemos distinguir tres tipos de dispositivos: • • • Dispositivos emisores: emiten luz al ser activados por energía eléctrica. La optoelectrónica se centra principalmente en la parte del espectro electromagnético correspondiente a la luz visible y la parte del infrarrojo cercano a la luz visible.o Los rayos X y los rayos gamma son ondas de gran energía que dañan la estructura de los tejidos humanos. la energía luminosa en energía eléctrica. Recombinación radiante: la mayoría de la energía de recombinación se libera en forma de radiación. Se pueden distinguir dos tipos de recombinación en función del tipo de energía que es liberada: • • Recombinación no radiante: la mayoría de la energía de recombinación se libera al cristal como energía térmica. Estas propiedades pueden ser la emisión de luz o simplemente la absorción o reflexión de la luz En este apartado se presentan los siguientes componentes: • • • • Diodos LED Diodos láser Tubo de rayos Catódicos Cristales líquidos DIODOS EMISORES DE LUZ (LEDS) Un diodo emisor de luz es un dispositivo de unión PN que cuando se polariza directamente emite luz. Tras esta amena introducción. pues. No se producen transformaciones de energía. Dispositivos detectores: generan una pequeña señal eléctrica al ser iluminados. nos adentramos en el maravilloso mundo de la optoelectrónica. liberándose en dicha recombinación la energía que les ha sido comunicada mediante la aplicación de la tensión directa. Transforma. se inyectan huecos en la capa P y electrones en la capa N. DISPOSITIVOS EMISORES Los dispositivos emisores son aquellos que varían sus propiedades ópticas con la aplicación de un determinado potencial. Debido a esto. se produce una recombinación de portadores. La energía liberada cumple la ecuación: 88 . ambas capas tienen una mayor concentración de portadores (electrones y huecos) que la existente en equilibrio.

Consideraciones prácticas En la Figura 2 se muestra el símbolo circuital más extendido del diodo LED. que a su vez dependen de la estructura de la unión el tipo de impurezas. la obtención de una alta eficacia cuántica interna no garantiza que la emisión de fotones del LED sea alta. A la relación entre el número de fotones emitidos y el número de portadores que cruzan la unión PN se le llama eficacia cuántica externa (ext). Este parámetro debe hacerse tan grande como sea posible. Es esencial que esa radiación generada en el interior del material pueda salir de él. Su valor depende de las probabilidades relativas de los procesos de combinación radiante y combinación no radiante.Si se despeja la longitud de onda: siendo E la diferencia de energía entre el electrón y el hueco que se recombinan expresada en electrón-voltios. quedando los fotones atrapados en el interior del material. y sobre todo. Figura 2: Símbolo circuital del diodo LED 89 . Los fotones pueden ser absorbidos por el material para volverse a formar un par electrónhueco. Para caracterizar la eficacia en la generación de fotones se definen una serie de parámetros: La eficacia cuántica interna (s) es la relación entre el número de fotones generados y el número de portadores (electrones y huecos) que cruzan la unión PN y se recombinan. En la superficie entre el semiconductor y el aire se pueden dar fenómenos de reflexión. La radiación generada en la unión es radiada en todas las direcciones. del material semiconductor. Esta energía depende del material que forma la unión PN. Las causas de que ext sea menor que s son tres: • • • Sólo la luz emitida en la dirección de la superficie entre el semiconductor y el aire es útil. Sin embargo.

En el análisis de un circuito.5 V 2.7 V. la tensión de polarización directa VD depende del material con el que esté fabricado el diodo. el diodo LED puede ser tratado de manera análoga a un diodo normal. ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. 90 . la tensión máxima en inversa entre las terminales del LED es de 0. Esto se realiza así porque un diodo LED puede resultar dañado más fácilmente que un diodo normal cuando se le aplica una polarización inversa. los diodos LED no están fabricados de silicio monocristalino.6 InGaAlP 560 nm Una aplicación de los LEDs: el display de 7 segmentos Una de las aplicaciones más populares de los LEDs es la de señalización. Debido a ello. En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores conseguidos: Material Longitud de onda Color AsGa AsGaAl AsGaP CSi 904 nm 750-850 nm 590 nm 480 nm IR IR Rojo Verde Azul InGaAsP 1300 nm VD típica 1V 1V 1. Quizás la más utilizada sea la de 7 LEDs colocados en forma de ocho tal y como se indica en la figura.7 V 3V Amarillo 1. Materiales utilizados Tal y como se ha expuesto anteriormente. El material que compone el diodo es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende únicamente del material y del proceso de fabricación (principalmente de los dopados). Sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no están fabricados de silicio monocristalino. Al situar un diodo normal en antiparalelo. Cuando se utilizan LEDs con tensión alterna se suele utilizar el esquema de la Figura 3: Figura 3: Diodo LED en alterna Este esquema se utiliza para que el diodo LED no se encuentre nunca polarizado en inversa.

Muchas veces aparece un octavo segmento. Esto lo podemos escribir así: 0110000(0).Figura 4: Display de 7 segmentos. El primer dígito representa al diodo a. no le aplicamos tensión. se iluminarán los segmentos correspondientes. Un diodo láser. Las aplicaciones de estos diodos son muy diversas y cubren desde el corte de materiales con haces de gran energía hasta la transmisión de datos por fibra óptica. en cambio. consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola dirección.. Características: ventajas frente a los diodos LED Los diodos láser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. el segundo al b. 91 . que funciona como punto decimal. y por lo tanto. el tercero al c. entre paréntesis en el ejemplo anterior. y así sucesivamente. Un cero representa que no polarizamos el diodo.. Las características de un diodo láser son • La emisión de luz es dirigida en una sola dirección: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones.. emite luz. Por ejemplo. si queremos representar el número 1 en el display deberemos mandar señal a los diodos b y c. A la izquierda aparecen las dos posibles formas de construir el circuito Polarizando los diferentes diodos. DIODOS LASER LASER es un acrónimo de Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation. Un uno representa que el diodo está polarizado. y los otros diodos deben de tener tensión cero. es decir. De esta manera podemos señalizar todos los números en base 10.

el láser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energía con precisión. 92 . En comunicaciones se utilizan predominantemente diodos láser que emiten en el infrarrojo. En cambio. Materiales utilizados Los materiales utilizados para la fabricación de diodos láser son prácticamente los mismos que en diodos LED. Figura 6 :Intensidad de luz en función de la longitud de onda para diodos LED y láser Debido a estas dos propiedades.Figura 5: Corte esquemático de la emisión de luz en diodos LED y láser • La emisión de luz láser es monocromática: Los fotones emitidos por un láser poseen longitudes de onda muy cercanas entre sí. El principio de operación de uno y otro es idéntico. Como además también puede controlarse la potencia emitida. con el láser se pueden conseguir rayos de luz monocromática dirigidos en una dirección determinada. Ejemplo de aplicación: el lector de discos compactos Una de las muchas aplicaciones de los diodos láser es la de lectura de información digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproducción de discos compactos musicales. También se utilizan de luz roja. en la luz emitida por diodos LED. existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.

podemos jugar con oscuridad o transparencia respectivamente. se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz.Figura 7: Esquema del funcionamiento del CD-ROM Un haz láser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. Estos cristales líquidos están formados por unas moléculas alargadas con forma de puro. Si el haz no es reflejado. al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital. conseguiremos un display análogo al de los LEDs pero con cristal líquido. En este estado el material es transparente. 93 . Un campo eléctrico provoca que las moléculas se desalinien de manera que se vuelven opacas a la luz. Al incidir el haz láser en una zona reflectante. polarizando o no polarizando). El principio de funcionamiento es sencillo. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra ocasión. Un conjunto de unos y ceros es una información digital. DISPLAY DE CRISTAL LIQUIDO (LCDS) Los LCDs difieren de otros tipos de displays en que no generan luz sino que trabajan con la reflexión de la luz. De esta manera. que puede ser convertida en información analógica en un convertidor digital-analógico. la luz será guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. que se llaman moléculas nemáticas y se alinean con una estructura simétrica. A efectos prácticos. Si aplicamos el campo localmente en geometrías iguales al display de 7 segmentos. aplicando o no aplicando un campo eléctrico (es decir.

el cristal líquido pegado al electrodo se vuelve opaco. tal y como aparece en la figura superior. por ejemplo. El espesor del cristal líquido es muy pequeño. por ejemplo.Figura 8: Esquema constructivo de un LCD En la construcción de un LCD se depositan electrodos transparentes en la cara interior de los cristales. el display de 7 segmentos. negro. el electrodo a. Ya tenemos nuestro invento preparado. se puede representar el LCD como una capacidad de valor muy pequeño en paralelo con una resistencia muy grande. al incidir la luz sobre el cristal frontal. 94 . Si no se polarizan los terminales. del orden de 0.01mm. pasa a través del cristal líquido y es reflejada por el espejo incidiendo en el ojo que está mirando. Características eléctricas del LCD Desde el punto de vista eléctrico. oscuro. El resultado: todo se ve de color claro. Si polarizamos un electrodo. La luz ya no es reflejada. Estos electrodos tienen la geometría deseada.

Todos los componentes fotodetectores están basados en el mismo principio. Si construimos un componente con un material semiconductor de manera que la luz pueda incidir sobre dicho material. Al haber un mayor número de portadores. Es por ello por lo que también se le llama resistencias dependientes de luz (light dependent resistors).Figura 9: Circuito equivalente de un LCD.hueco. la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo. FOTODETECTORES Ya se ha explicado que los componentes fotodetectores son aquellos componentes que varían algún parámetro eléctrico en función de la luz. el valor de la resistencia disminuye. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia de rayos luminosos.hueco. Figura 10: Fotogeneración de portadores 95 . Frecuencias más bajas producen un efecto de parpadeo. La frecuencia de la tensión puede variar entre 30 y 50 Hz. En este capitulo se estudiarán principalmente el funcionamiento de tres componentes: • • • Fotorresistencias Fotodiodos Fototransistores FOTORRESISTENCIAS Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuya resistencia varia en función de la iluminación. Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrón . Esta generación se realiza de manera análoga a la generación térmica de portadores ya estudiada. Tensiones mayores romperían la fina capa de cristal líquido. fotoconductores o células fotoconductoras. Se necesita una señal pequeña en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. De este modo. la luz generará pares electrón . frecuencias más altas producen un aumento del consumo.

Figura 12: Variación de resistencia en función de la longitud de onda de la radiación. GaAsP y GaP. la variación de resistencia en función de la longitud de onda presentan curvas como las de la figura siguiente. y deberá ser suministrada por el proveedor. Esta longitud de onda depende del material y el dopado. el material de la fotorresistencia responderá a unas longitudes de onda determinadas. En la figura siguiente se muestra su símbolo circuital. 96 . El material mas utilizado como sensor es el CdS. FOTODIODOS Los fotodiodos son diodos de unión PN cuyas características eléctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unión.Si dejamos de iluminar. aunque también puede utilizarse Silicio. Figura 11: Estado de conducción sin fotogeneración Por supuesto. En general. la variación de resistencia será máxima para una longitud de onda determinada. Por lo tanto el número de portadores disminuirá y el valor de la resistencia será mayor. los portadores fotogenerados se recombinarán hasta volver hasta sus valores iniciales. Es decir.

El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generación luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho más numerosos que los portadores de generación luminosa. La generación de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios. a la corriente en inversa del fotodiodo cuando no existe luz incidente.hueco debido a la energía luminosa. electrones en la zona P y huecos en la zona N. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeñas corrientes de fugas de valor IS. La generación luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio en el que. El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz. 97 . que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente en inversa. lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y como se ve en la figura. tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios. solamente existe generación térmica de portadores de carga. Para caracterizar el funcionamiento del fotodiodo se definen los siguientes parámetros: • Se denomina corriente oscura (dark current).Figura 13: Símbolo circuital del fotodiodo Características Figura 14: Curvas características de un fotodiodo El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generación de pares electrón . Las corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios.

aparece una geometría típica. el encapsulado es transparente a la luz. Esta relación es constante para un amplio intervalo de iluminaciones. sin embargo solo pueden conducir en una polarización directa corrientes relativamente pequeñas. tienen un tiempo de respuesta menor. Los fotodiodos son más rápidos que las fotorresistencias. expresada en luxes o en mW/cm2. Por supuesto. En directa. En esta unión se generan los pares electrón . que provocan la corriente eléctrica. En la Figura 15. Figura 16: Símbolo del fototransistor La radiación luminosa se hace incidir sobre la unión colector base cuando éste opera en la RAN.7 V. en el sentido que necesita una ventana transparente a la luz por la que se introduzcan los rayos luminosas para incidir en la unión PN. El modelo circuital del fotodiodo en inversa está formado por un generador de intensidad cuyo valor depende de la cantidad de luz. Geometría Un fotodiodo presenta una construcción análoga a la de un diodo LED. la tensión que cae en el dispositivo será aproximadamente 0. El funcionamiento de un fototransistor viene caracterizado por los siguientes puntos: 98 . Figura 15: Corte transversal de un fotodiodo comercial FOTOTRANSISTOR Se trata de un transistor bipolar sensible a la luz. el fotodiodo se comporta como un diodo normal. Si está fabricado en silicio.hueco. es decir.• Se define la sensibilidad del fotodiodo al incremento de intensidad al polarizar el dispositivo en inversa por unidad de intensidad de luz.

Figura 18: Esquema de un optoacoplador Cuanta mayor intensidad atraviesa el fotodiodo. 2. mayor será la corriente que recorra el fototransistor. por tanto. Un fototransistor opera. Como se puede apreciar. tras atravesar el vidrio. en la parte superior. son curvas análogas a las del transistor BJT. ya que la pequeña corriente fotogenerada es multiplicada por la ganacia del transistor. mayor será la cantidad de fotones emitidos y. Obsérvese que no existe comunicación eléctrica entre los dos circuitos. 99 . Las implementaciones de un optoacoplador son variadas y dependen de la casa que los fabrique. Una de las más populares se ve en la Figura 19. La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo.1. Figura 17: Curvas características de un fototransistor típico EL OPTOACOPLADOR Un optoacoplador es un componente formado por la unión de un diodo LED y un fototransistor acoplados a través de un medio conductor de luz y encapsulados en una cápsula cerrada y opaca a la luz. emite fotones que. 3. generalmente sin terminal de base (Ib=0) aunque en algunos casos hay fototransistores tienen disponible un terminal de base para trabajar como un transistor normal. Se puede observar como el LED. inciden sobre el fototransistor. Se trata de una manera de transmitir una señal de un circuito eléctrico a otro. es decir existe un trasiego de información pero no existe una conexión eléctrica: la conexión es óptica. sustituyendo la intensidad de base por la potencia luminosa por unidad de área que incide en el fototransistor. Las curvas de funcionamiento de un fototransistor son las que aparecen en la Figura 17.

R2 y R3 para que se iluminen los tres diodos con If = 20 mA al conectarse la fuente de tensión. DATOS: Caída de tensión (Voltios) en los diodos para If = 20 mA: rojo naranja verde 1.8 2 2.2 100 . D1 es un LED de color rojo.Figura 19: Esquema constructivo de un optoacoplador Obsérvese también el aislamiento eléctrico entre fototransistor y LED ya mencionado. Calcular los valores de R1. • En el siguiente circuito. EJERCICIOS • Calcular el valor mínimo de la resistencia R si se quiere que el LED CQX12 no sufra ningún daño al conectar la fuente de tensión. D2 naranja y D3 verde.

sabiendo que D1 es rojo.• Calcular el mínimo valor de R para que se enciendan los diodos de la figura sin sufrir ningún daño. • Calcular el valor de R para que cuando se conecte la fuente de alimentación de 5 Voltios se enciendan los tres LED a la vez. para que conduzca en el semiciclo negativo y el LED no sufra daños. se conecta en paralelo un diodo convencional. D2 naranja y D3 verde (tomar los datos del problema anterior). Se pide seleccionar el LED si se quiere que sea rojo. con una corriente de 20 mA. ¿Qué colores podemos escoger?. se encienda un LED de la serie SOD-76. • El montaje de la figura se utiliza cuando se quiere conectar un LED en AC. ¿Qué señal habría que aplicar en la entrada para saturar Q? (Usar la guía rápida de selección). Como su tensión de ruptura en inversa es muy pobre. 101 . • Se quiere que cuando se apliquen señales lógicas en la entrada.

un diodo LED de eficacia E=50mW/mA y Vf=1. que incluye dos dígitos en el mismo soporte. se utiliza para decodificar una señal digital enviada a través de un cable de fibra óptica utilizando el arreglo que se muestra en la figura. ¿qué tensiones hay que aplicar en los terminales de dicho dispositivo?. Diseñe un circuito con dicho fotodiodo. • Un fotodiodo con sesnibilidad de 20mA por mW/cm2 de iluminación.3V está alimentado por una fuente de tensión que conmuta entre los 102 . La intensidad pico promedio de la luz solar a medio día es aproximadamente 0. ¿Qué potencia se estará consumiendo en él si se alimentan con 10 mA? En el circuito de la figura: • • Calcular la corriente que atravesará al transistor cuando se ilumine con una luz de 10 W/m2. Para que en el dígito de la derecha se lea el número dos. que pueda proporcionar una señal en el rango de 0-5V que sea indicativo de la luz incidente. • Un fotodiodo con sensibilidad S=25mA por mW/cm2 debe ser utilizado para vigilar la intensidad de la luz solar que incide sobre una estación de energía solar.• • Para la pantalla de un termómetro digital se ha utilizado un dispositivo tipo CQ216X. ¿Podría realizarse con este transistor el esquema de la figura 2?.1mW/cm2 en la mayor parte de las regiones de la tierra. ¿Por qué?. En el extremo transmisor.

determinar los valores apropiados de VCC y RL. El arreglo físico es tal que el 20% de la luz emitida por el LED queda acoplado al cable de fibra óptica. El circuito hace que el LED produzca una señal óptica digital en el cable de fibra óptica. se piensa en utilizar fibra óptica. En el extremo receptor. Si se desea reproducir los niveles lógicos de 0 y 5V. • Se quiere transmitir una señal de pulsos (VIN) a través de un entorno con ruidos electromagnéticos. Explicar el funcionamiento del circuito 2. Seleccionar D1 y D2 • Dado el dispositivo de la figura: 103 . ya que no se ve afectada por dichos ruidos (un cable convencional sí se vería afectado y falsearía la información). Para ello.niveles lógicos de 0 y 5V. Si los transistores Q1 y Q2 funcionan únicamente en corte y saturación: 1. el 80% de la luz del cable se acopla al fotodiodo en un área de 1mm2.

.Comprobar que el diodo del optoacoplador no sufre ningún daño cuando VIN=0...Calcular la corriente absorbida de la fuente de 20 V cuando no se aplica ninguna señal de la entrada 104 .1.Explicar qué tipo de circuito es y su funcionamiento. 2. 3.

2) por el de menor longitud. como se ve en la figura. con la forma adecuada e incluye el corazón de un LED: el chip semiconductor. La parte más importante del “light emitting diode” (LED) es el chip semiconductor localizado en el centro del foco. ¿Qué causa la emisión de luz de un LED y qué determina el color de la luz? Cuando se aplica una tensión al chip del LED los electrones pueden moverse fácilmente sólo en una dirección a través la juntura entre p y n. El terminal negativo debe ser conectado al terminal negativo de un circuito. Si la diferencia de potencial entre los terminales del LED no es suficiente. Los elementos componentes son transparentes o coloreados. En la región p hay muchas cargas positivas y pocas negativas. Voltajes y corrientes superiores a los indicados pueden derretir el chip del LED. Cuando se aplica 105 . Su uso es frecuente como luces “piloto” en aparatos electrónicos para indicar si el circuito está cerrado. y la corriente está en un rango entre 10 y 40 miliamperes. de un material resina-epoxi. El chip tiene dos regiones separadas por una juntura. Los terminales se extienden por debajo de la cápsula del LED o foco e indican cómo deben ser conectados al circuito. La juntura actúa como una barrera al paso de los electrones entre la región p y la n. En cambio en la región n hay más cargas negativas que positivas. Los LEDs operan con un voltaje relativamente bajo.Diodos LED Los LEDs son diodos que emiten luz cuando son conectados a un circuito. entre 1 y 4 volts. sólo cuando se aplica el voltaje suficiente al chip puede pasar la corriente y entonces los electrones pueden cruzar la juntura hacia la región p. La región p está dominada por las cargas positivas. y la n por las negativas. la juntura presenta una barrera eléctrica al flujo de electrones. El lado negativo está indicado de dos formas: 1) por la cara plana del foco o.

dado que Coulomb / Volt es un Joule.71 volts. y el voltaje (v) requerido para encenderlo se obtiene mediante la expresión E= q x V . de acuerdo a la ley de Coulomb. Por cada una de estas recombinaciones un quantum de energía electromagnética es emitido en forma de fotón de luz con una frecuencia que depende del material semiconductor. que dice que fuerzas opuestas se atraen.6 x 10 exp –19. Los fotones son emitidos en un rango de frecuencia muy estrecho que depende del material del chip. ENCONTRANDO LA ENERGÍA DESDE LA TENSIÓN Supongamos que se ha medido el voltaje a través de los terminales del LED. Supongamos que tiene un LED rojo y que la tensión entre los terminales es de 1. El espectrómetro puede ser usado para examinar la luz de un LED.tensión y la corriente empieza a fluir. La constante q es la carga eléctrica de un solo electrón: 1. Pero preferimos tener la frecuencia de la intensidad pico de la luz emitida por el LED. desea averiguar la energía necesaria para prender al LED. ¿Cuánta energía libera un LED? La energía eléctrica es proporcional a la tensión que se necesita para hacer que los electrones fluyan a través de la juntura p-n. Una vez en ésta. ENCONTRANDO LA FRECUENCIA DESDE LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ La frecuencia de la luz está relacionada con la longitud de onda de luz de una manera muy simple. La energía (E) de la luz emitida por un LED está relacionada con la carga eléctrica (q) de un electrón. donde c el la velocidad de la luz y v es la longitud de onda de la luz leída desde el espectrómetro (en unidades de nanómetros. Supongamos que observó un LED rojo con el espectrómetro y vio que el LED emite un rango en colores con un máximo de intensidad de acuerdo con la longitud de onda leída en el espectrómetro de = 660 nm. Cuando un electrón se mueve lo suficientemente cerca de una carga positiva en la región p.74 x 10 exp –19 Joule. es decir.71 Joule. la energía requerida para prender el LED es E= q x V ó E= -1. los electrones son inmediatamente atraídos hacia las cargas positivas. la millonésima parte de un milímetro). Son predominantemente de un solo color de luz. Esta expresión dice simplemente que el voltaje es proporcional al la energía eléctrica y es una regla general que se aplica a cualquier circuito. el color de la luz difiere según los materiales semiconductores y requieren diferentes tensión para encenderlos. Cada vez que un electrón se recombina con una carga eléctrica positiva. 106 . 1. La longitud de la onda está relacionada con la frecuencia de la luz por la fórmula F = c / v . las dos cargas se recombinan. energía eléctrica potencial es convertida en energía electromagnética. y Ud.6 x 10 exp –19 Coulomb. como el LED. y para estimar el pico de la longitud de onda emitido por el LED. los electrones en la región n tienen suficiente energía para cruzar la juntura hacia la región p. La multiplicación de estos números nos dan E= 2.

000 horas.4 V y 15 mA para el azul de 430 nm. El próximo paso es restar el voltaje de los LED s de la fuente. 18 mA para los de 3. Ej. haciendo la resta da 2. 107 .6 V de caída que debe ser producida por la resistencia. esto le da la caída de voltaje que se logra mediante una resistencia. 4. 4. y 2V para naranja y amarillo. si uno no está seguro de obtener 20 mA en la función de la conductividad del calor en la plaqueta más el calor del LED. Se puede asumir con suficiente seguridad 1.Cómo lograr 15 mA a través del LED: Primero se necesita saber la caída de tensión en el LED.4 V y 6 V para el azul de 430 nm.: 3.4 V para blanco brillante.1 V para verde. 1.5 V para los de 3. alta eficiencia y rojo de baja corriente.000 a 100. Se puede diseñar una fuente que entregue mayor corriente si se está seguro de una excelente disipación de calor en el conjunto. conviene diseñar todo para 15 mA. Use por lo menos 3 V para los de bajo voltaje. . variaciones de calor y corriente.4 V y 10 mA para el azul de 430 nm. En condiciones óptimas de disipación de calor se puede hacer circular una corriente mayor pero la vida útil del LED se reducirá al 50% del normal: 20. En cuanto al voltaje debe estar algo por arriba de lo asignado para los LED s.55 x 10 exp 14 Hertz. En general se diseña para 12 mA para los tipos de 3. 4 V del LED con una fuente de 6 V. Información básica sobre los LED La mayoría de las características de los LED s están especificada para una corriente de 20 mA.6 V para azul brillante de 430 nm. La unidad de un ciclo de una onda en un segundo (ciclos por segundo) es un Hertz. verde brillante sin amarillo y la mayoría de los azules. 2.La frecuencia correspondiente a la emisión del LED rojo es de 4.7 V para rojo no muy brillante.9 V para alto brillo. En este caso asigne 25 mA a los LED de cerca de 2V. 3.

si bien ésto funciona no es confiable porque los LED s se vuelven más conductores a medida que aumenta su temperatura. Otro paso a seguir es determinar la potencia de la resistencia. No ponga los LED s en paralelo entre sí.El próximo paso consiste en dividir la caída de voltaje por la corriente del LED. Cada LED debe tener su propia resistencia. obteniéndose así el valor de la resistencia. con lo que se vuelve inestable la distribución de la corriente. que se eligen de acuerdo al color. al dividir V / A se obtiene un valor de resistencia en ohms. Multiplique la caída de voltaje por la corriente del LED para obtener la potencia de la resistencia. Si se divide V / mA la resistencia se obtiene en K ohms. teniendo en cuenta los materiales de los que están hechos. RESUMIENDO: la tensión de arranque de un LED depende del color que deban emitir. 108 .

La energía luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que este genere una tensión eléctrica a su salida. Diferentes tipos de optoacopladores Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un transistor BJT. este emite un haz de rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guia-ondas de plástico o cristal hacia el fotorreceptor. que podrían ser pulsos de tensión.Optoacopladores Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor. Funcionamiento del optoacoplador La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor. un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac 109 . La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida. Los optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa modulada y volver a convertirla en una señal eléctrica. Este responde a las señales de entrada. Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED. Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores.

Fototriac de paso por cero: optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. 110 . El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac sólo en los cruce por cero de la corriente alterna.

otros son capaces de producir billones de vatios en un impulso cuya duración es tan sólo la mil millonésima parte de un segundo. sólo ciertos láseres son potentes. y esta propiedad especial puede tener diversas utilidades. Lo único que se crean son pequeñas salpicaduras y algunas ondulaciones.El Laser ¿Qué es un LASER? Los aspectos básicos que caracterizan a un láser son los siguientes: La luz láser es intensa. pero esparcida por toda la sala. pero no un espectro continuo que contenga todos los colores de la luz visible como pueda hacerlo una bombilla. Algo parecido a lo que ocurre cuando se arroja un puñado de piedrecitas en un lago. hasta alcanzar tal grado de dispersión que llega a perder su utilidad. Esto significa que todas las ondas luminosas procedentes de un láser se acoplan ordenadamente entre sí. como la infrarroja y la ultravioleta. 111 . La intensidad es una medida de la potencia por unidad de superficie. Ahora bien. hasta el punto de que alcanza una extensión mucho más amplia que la concebida originariamente por los científicos que diseñaron los primeros modelos. Cualquier lámpara ordinaria emite una cantidad de luz muy superior a la de un pequeño láser. su intensidad puede ser igual a la de la luz del sol. Los haces de luz láser han sido producidos en todos los colores del arco iris (si bien el más común es el rojo). se han logrado reflejar haces láser de pocos vatios de potencia sobre la luna y su luz era todavía lo suficientemente brillante para verla desde la tierra. Uno de los primeros haces láser que se disparó contra la luna en 1962 sólo llegó a dispersarse cuatro kilómetros sobre la superficie lunar. También resulta sorprendente la gran variedad de láseres existentes. Sin embargo. y también en muchos tipos de luz invisible. Se sabe que ni la luz de un potente foco logra desplazarse muy lejos: si se enfoca hacia el firmamento. Esta cualidad se denomina direccionalidad. La luz láser es coherente. ¡No está mal si se considera que se había desplazado cuatrocientos mil kilómetros!. e incluso los láseres que emiten sólo algunos milivatios son capaces de producir una elevada intensidad en un rayo de un milímetro de diámetro. existen numerosos láseres que proyectan luz invisible. puede generarse una ola en el agua de mayor magnitud. ¿Para qué sirven los LASER? La gama de usos de los láseres es sorprendente. Además. pueden emitir varias frecuencias monocromáticas al mismo tiempo. Así actúa un láser. Algunos láseres pueden producir muchos miles de vatios continuamente. Aunque lo parezca. pero un láser determinado sólo puede emitir única y exclusivamente un solo color. no se trata de una contradicción. Una luz corriente. su rayo parece desvanecerse de inmediato. La luz común contiene todos los colores de la luz visible (es decir. su luz es monocromática. Los haces láser son estrechos y no se dispersan como los demás haces de luz. pero incluso éstos no pueden emitir más que un color único en un memento dado. el espectro). Existen láseres sintonizables que pueden ser ajustados para producir diversos colores. En realidad. si se arrojan las mismas piedrecitas una a una con una frecuencia exactamente regular y justo en el mismo sitio. como la procedente de una bombilla. Los láseres producen luz de un solo color. No obstante. El haz de luz comienza a esparcirse en el memento en que sale del foco. o para decirlo técnicamente. Determinados láseres. que combinados se convierten en blanco. genera ondas luminosas que comienzan en diferentes mementos y se desplazan en direcciones diversas.

Recordemos que láser significa amplificación de la luz por emisión estimulada de radiación. Como hemos visto con 112 . los electrones emiten luz espontáneamente sin ninguna intervención externa. Gordon Gould uno de los pioneros en este campo. confesó que le impresionaron cuando fueron presentados. A pesar de que R. Joseph Weber. La historia del rayo LASER El maestro colocó la primera piedra La historia comenzó en 1916. y por consiguiente no afectó a los demás investigadores. que era algo que no había logrado todavía. al año siguiente. de la universidad de Maryland. estaba acostumbrado a levantarse temprano. decidió ir a dar un paseo.En un extremo de la gama se encuentran los láseres fabricados con minúsculas pastillas semiconductoras. a Weber se le ha pasado a conocer mejor por sus investigaciones en otro campo.A. Ladenberg verificó el pronóstico de Einstein en 1928. Éstas son las fechas oficiales correspondientes a la primera parte de la carrera del láser. con los que experimenta actualmente el ejército. En este apunte no sólo nos hemos propuesto hablar de los láseres. propuso también la amplificación de la emisión estimulada y. con un tamaño no superior al de un grano de sal. mientras que Schawlow. pero para fabricar un láser se precisa también amplificación de dicha emisión estimulada. los electrones son capaces de absorber o emitir luz. Se dio repentinamente cuenta de las condiciones necesarias papa amplificar la emisión estimulada de microondas. Uno de los grandes intereses de Townes consistía en generar ondas cortas para sus investigaciones. cuando Albert Einstein estudiaba el comportamiento de los electrones en el interior del átomo. Charles H. Y fue precisamente en un banco del parque de Franklin. por consiguiente. con el fin de no molestar a Schawlow. similares a las utilizadas en circuitos electrónicos. En 1953. Townes se encontraba en Washington para asistir a una reunión de físicos y compartía la habitación de su hotel con Arthur Schawlow. sino también explicar sus actuales aplicaciones -así como las de un futuro próximo. Townes asistía a una conferencia en la que se hablaba de ondas milimétricas y Schawlow tomaba parte en otra reunión. Townes. Einstein previó la posibilidad de estimular los electrones para que emitiesen luz de una longitud de onda determinada. Basov y Prokhorov. El estímulo se lo proporcionaría una luz adicional de la misma longitud de onda. Charles H. Townes.y la forma en que afectarán. donde se le ocurrió la gran idea. Pero acaso el hecho más significativo tuviese lugar en el banco de un parque de Washington DC durante la mañana del 26 de abril de 1951. ha dicho que. Fabrikant sigue siendo un misterio en la actualidad. Cuando Townes se despertó per la mañana temprano. en su opinión. de Washington. Einstein descubrió la emisión estimulada. los rusos mencionados anteriormente. Fabrikant y dos de sus alumnos. solía levantarse tarde. En el extremo opuesto se encuentran los láseres bélicos del tamaño de un edificio. uno de los olvidados en la ruta de investigación del láser. presentada por V. Sin embargo. Sin embargo. uno de los inventores del láser y ganador del Premio Nobel. casado y con hijos menores. Por regla general. nadie pensó seriamente en construir un dispositivo basado en el fenómeno en cuestión hasta principios de los años cincuenta. el de la detección de ondas de gravedad basándose también en otra antigua idea de Albert Einstein. En realidad. Desde entonces. escribieron un artículo explorando mucho mas a fondo el concepto. nuestras vidas. En realidad. dicha patente no se publicó hasta 1959. La primera propuesta conocida para la amplificación de la emisión estimulada apareció en una solicitud de patente soviética en el año 1951. el láser abarcará una gama muy amplia de campos y logrará hacerlo prácticamente todo. soltero.

puesto que no logró que Kusch aceptase el proyecto para su doctorado. Gould admite que se inspiró en el máser y en las ideas de Townes. Los físicos deseaban ir más allá. Townes y Herbert Zeiger habían logrado construir en Columbia el primer máser (amplificación de microondas por emisión estimulada de radiación). Gould era alumno de Polykarp Kusch. Prosiguió con la exposición de sus planes para la construcción de un láser y aprovechó la oportunidad para hacer proféticas declaraciones. "solo parecía factible en parte" Siguiendo el método tradicional de los catedráticos de física. En noviembre de 1957. Gould asegura que admitió. dado que no dirigía su investigación. y generalmente se le ha descrito como alumno suyo. Gordon Gould entra en escena. La idea de Townes. las que se utilizan en ciertos tipos de hornos. transcurridos apenas dos meses desde que Townes hubiera esbozado su máser óptico. Sin embargo. Townes ha aclarado que en cierta ocasión le dio algunas clases. y se usan además come medida de frecuencias en los relojes atómicos de ultraprecisión. según sus propias palabras en aquella época. Entre ambos desarrollaron un plan detallado para la construcción de un láser. formuló el problema en forma de tema para una tesis y se lo ofreció a James P. Y así comenzó la gran carrera. Una de sus utilidades consiste en amplificar las señales que los radioastrónomos reciben del espacio lejano. pero que no era su alumno. el laboratorio que utilizaba se encontraba a pocos metros del despacho de Townes.anterioridad. capaz de generar temperaturas muy superiores a la suya. pero por desgracia se encontraron pocas aplicaciones para los aparatos en cuestión. donde Townes ejercía de catedrático. Dicha ley afirma que la temperatura de una superficie calentada per un haz procedente de una fuente radicación térmica no puede exceder la temperatura de la fuente. según pronosticó Gould en sus notas. por consiguiente.. ganador del premio Nobel. además de afirmar que el láser podría emplearse para establecer comunicaciones con la luna. En realidad. Puntualizó que la segunda ley de termodinámica no limita el brillo del láser. En septiembre de 1957. La carrera en pos del primer LASER Entonces fue cuando comenzó a ganar interés. las microondas son ondas electromagnéticas muy cortas. Un haz de luz láser debidamente focalizado podría ser utilizado para generar una fusión termonuclear. Durante los años siguientes proliferaron los máseres. Gordon. que entretanto había abandonado la universidad de Columbia para trabajar en los laboratorios Bell y había dejado de ser soltero al contraer matrimonio con la hermana de Townes. Townes esbozó un proyecto para la construcción de un "máser óptico" que emitiría luz visible. y no tardaron en comenzar a investigar otras zonas del espectro electromagnético. Gould era estudiante licenciado de la facultad de física en la universidad de Columbia.el término láser.. la gama de frecuencias que amplifica es excesivamente limitada para la mayoría de las aplicaciones electrónicas. Puesto que Gould y Townes llegarían eventualmente a disputarse los derechos de cierta patente. antes de que lo hicieran otros pioneros del láser. la naturaleza de la relación que existía entre ambos es trascendental. esto significa que un láser que opere a temperatura ambiente es capaz de producir un haz que llegue a fundir el acero. Y se puso en contacto con su viejo amigo Arthur Schawlow. En realidad. en especial las longitudes de onda de la luz infrarroja y visible. 113 . En la práctica. alumno licenciado de la universidad de Columbia. y empezaron las querellas. que seria posible conseguir densidades de energía hasta entonces inalcanzables. Gould comprendió que el láser sería una fuente de luz no térmica y. Gordon. y en las comunicaciones por medio de satélite. Tres años mas tarde. decidió emprenderlo por cuenta propia. y sin embargo la revelación de Townes tuvo una importancia sumamente trascendental para el láser. como por ejemplo. Estaba obsesionado por la idea de construir un artefacto que emitiese luz en lugar de microondas. pero eso equivale a tergiversar los hechos. el nuevo campo atrajo a numerosos investigadores. Gould comenzó a describir su propia idea para la construcción de un aparato semejante utilizando -al parecer por primera vez. pero. Debido a que la física de éstos era fascinante. No se trata de ondas luminosas.

Nueva York. La TRG utilizó las ideas de Gould en una propuesta a la Agencia de proyectos de investigación avanzados del departamento de Defensa (ARPA). que no supo comprender la importancia del láser y le dio la errónea impresión de que tenia que resumir sus ideas a un nivel más práctico para poder patentarlas. Gould afirma que había completado ya sus notas. Lo que más le interesba al ejército fue el potencial calorífico del láser. El secreto y la caza de rojos El Pentágono estaba también lo bastante impresionado con las ideas de Gould como para proteger la investigación de la TRC con un minucioso cerco de seguridad. Sin embargo. durante el verano de 1958 solicitaron las patentes y mandaron detallado informe a la prestigiosa revista Physical Review. punto sobre el que Townes y Gould no están de acuerdo. La excitación del talio está relacionada con la excitación de electrones que tiene lugar en el láser. o de lo que en aquella época era el propuesto láser. Townes y Schawlow si lo hicieron. Gould había coqueteado superficialmente con el marxismo o. Sin embargo. Townes llamó per teléfono a Gould para pedirle información relacionada con la lámpara de talio. Gould no lograría evitar la persecución que su breve asociación con el marxismo había desencadenado.000 que la empresa había solicitado. con el que no tenía parentesco alguno. Sería importante conocer el momento justo en que tuvo lugar dicha conversación. además de no solicitar inmediatamente la patente correspondiente. el 114 . la ARPA otorgó su contrato a la TRG. el que desarrolló la bomba atómica. Dadas las circunstancias. pero afirma que Gould no le dijo en aquellos mementos sobre sus planes. según sus fichas. la cual lo publicó en diciembre de 1958. que es lo que suelen hacer los científicos con el fin de que sus colegas reconozcan sus ideas originales. que más adelante se denominaría Agencia de Proyectos de Investigación Avanzados de Defensa (DARPA). y los militares de Estados Unidos no tardaron en identificar un importante riesgo constituido per el propio Gordon Gould. Gould. pero Townes asegura que. Una reproducción de la primera página certificada del cuaderno de Gordon Gould se exhibe hoy en la Smithsonian Institution. Según Gould. Esto ocurrió cuando trabajaba en el proyecto Manhattan. Ilamada TRG Inc. y asegura que fue objeto de persecuciones per parte de "individuos como McCarthy". Y cuando en 1959. A principios de los años cuarenta. El interés de Gould hacia el socialismo acabó en desilusión cuando. En 1954 fue expulsado del colegio de la ciudad de Nueva York. la Unión Soviética se apoderó de Checoslovaquia. el individuo en cuestión era un provocador a sueldo a quien el FBI había obligado por medio del chantaje a convertirse en delator para la Agencia y a persuadir a cierta gente a que se uniesen al grupo.Tras completar sus notas. En todo caso. Gould se dirigió al propietario de una confitería de Nueva York llamado Jack Gould. en plena guerra fría. Transcurridos unos 7 meses. donde trabajaba como profesor. y los planes de Gould para adaptar el láser a funciones bélicas causaron tal impacto en el Pentágono que en 1959 decidieron otorgar un millón de dólares a la TRG en lugar de los 300. Él y su esposa formaban parte de un grupo de estudio marxista dirigido por un delator del FBI. según sus propias palabras. Gould se apresuró a visitar a un abogado especializado patentes. en 1948. optó per no solicitar ninguna patente en aquellos momentos y esperó hasta abril de 1959. en aquella época "había contraído matrimonio con una mujer que se hizo comunista" y que en la actualidad ya no es su esposa. Townes asegura que explicó a Gould lo que estaba haciendo. Gould dice que dedujo de la conversación que Townes trabajaba sin duda en el mismo proyecto que él. Aproximadamente durante aquellos días. sobre cuyo estudio preparaba su tesis doctoral. cometió el error de no publicar sus planes para la construcción de un láser en alguna revista científica. Su esposa no compartía sus sentimientos y optaron per separarse. la llamada tuvo lugar unas tres semanas antes de que Gould escribiese sus primeras notas sobre el láser. Gould abandonó la universidad de Columbia sin doctorarse y se fue con sus ideas a una pequeña empresa de Syosset. para que las certificase en calidad de testigo. es decir.

Tras haber decidido en 1959 que los progresos en la física de los máseres ya no merecían ser publicados con urgencia (función primordial de la Physical Review Letters). que el encargado de relaciones públicas de la empresa Hughes no permitió que los periodistas lo fotografiasen y les ofreció en su lugar la fotografía de otro artefacto que todavía no había funcionado. pero duraba escasamente unas millonésimas de segundo en un momento dado y correspondía a un extremo tan rojo del espectro luminoso que era casi invisible. Había dos edificios: para quienes tenían permiso y otro para quienes no lo tenían. Los extremes de la barra de rubí habían sido cubiertos con el fin de que actuasen como espejos. las implicaciones del descubrimiento de Maiman no fueron evidentes en aquellos momentos para los redactores de una de las más prestigiosas publicaciones en su campo.historial de Gould bastó para que se le negase el permiso necesario desde el punto de vista de seguridad. la Physical Review Letters. 115 . Los investigadores del primero podían formular preguntas. En aquella época se suponía que los gases constituirían los mejores elementos para la acción del láser. Townes y Schawlow no contaron con tal ayuda. California. Éste había estado utilizando un rubí sintético como cristal para un máser y lo había estudiado con suma atención. Se precisaban delicados instrumentos para comprobar que las pulsaciones no eran simplemente fluorescentes. Maiman. a pesar de que Townes. producía breves pulsaciones de luz Láser. rodeado de una lámpara espiral intermitente. Maiman construyó un pequeño artefacto que consistía en un cristal cilíndrico de rubí de un centímetro aproximado de diámetro. optaron por rechazar el informe de Maiman. hacia fines de los años cincuenta nadie había construido en realidad ningún láser. respectivamente. pero que le parecía más impresionante debido a su mayor tamaño. se encontraba un físico de los laboratorios de investigación de la compañía aérea Hughes. Gould asegura que no le resultaba difícil estar al corriente de sus actividades a juzgar por las preguntas que le formulaban. a la conclusión de que el rubí no constituía el material adecuado para el láser debido a las características de los átomos en el interior del cristal. sin embargo. pero los cálculos de Maiman le convencieron de que seria apropiado. Cuando el cristal recibía ráfagas de luz de unas millonésimas de segundo de duración. de unos escasos centímetros de longitud. Sin embargo. Pero de lo que no cabe duda agrega. y por consiguiente pudieron dedicarse a trabajar tranquilamente en el desarrollo del láser en la universidad de Columbia y en los laboratorios Bell. Otros investigadores habían Ilegado. llamado Theodore H. por parte del Gobierno. pero en los años sesenta la mayor parte de los equipos electrónicos se construían todavía con voluminosas válvulas y de algún modo. En la era de las microcomputadoras y de los circuitos integrados. Tan pequeño era el aparato. El láser de Maiman producía unos 10. "es de que causaba retrasos considerables" Gould también se queja de las dificultades que supone atraer prestigiosos científicos cuando no se les puede explicar en que consiste el trabajo que se realiza. El 7 de julio de 1960. su actitud parece curiosa. No se le permitió que trabajase en su propio proyecto. en general. sino que correspondían a un tipo de luz que nadie había visto hasta entonces: la luz láser. lo mayor parecía mejor. Gould no abandonó la TRG. pero se vio obligado a trabajar separado de sus colegas. Recordemos que. La era del láser acababa de comenzar. Maiman comunicó a la prensa que había hecho funcionar el primer láser. pero no estaban autorizados a hablarle de lo que hacían. Había también otros equipos que se esforzaban en construir un láser lo antes posible. Gould bajaba en el segundo. Trabajando solo y sin ayuda alguna por parte del Gobierno. La sorpresa de Malibú Entre quienes observaban el ajetreo reinante. que disponían del permiso necesario. Schawlow y Gould habían solicitado patentes y elaborado varias detalladas propuestas. Lamentablemente.000 vatios de luz. a todos les aguardaba una gran sorpresa. y de que algunos rusos habían hecho otro tanto. condición necesaria para la oscilación del láser. en Malibu.

La segunda publicación de su elección era la prestigiosa, aunque menos especializada, revista británica Nature, donde en 1960 se apresuraron a publicar el artículo de Maiman que constaba escasamente de 300 palabras y constituía, por consiguiente, el más sucinto informe jamás divulgado sobre un importante descubrimiento científico. A pesar de su brevedad, el artículo permitió que se repitiese la hazaña de Maiman en varios laboratorios.

Comienza el gran auge
Después de estudiar el trabajo de Maiman, los demás investigadores dirigieron rápidamente su atención a la construcción de otros modelos de láseres. Al principio, el progreso era lento. Durante el año 1960 se construyó el primer láser de gas y dos nuevos modelos de cristal, uno de los cuales era de Schawlow. En 1961 se descubrieron dos nuevos tipos de láser, uno de ellos debido al equipo de Gould de la TRG Inc. Al igual que el de Maiman, funcionaba por bombeo óptico, pero el material activo era vapor de cesio (un metal). El verdadero auge comenzó en 1962, y en 1965 la actividad del láser había sido observada en mil longitudes de onda diferentes, y ello sólo en los gases. Fueron muchos los que comenzaron a estudiar las posibles aplicaciones de los láseres a partir del momento en que se descubrieron. Una de ellas consistía en calcular la distancia a la que se encontraban ciertos objetos, y los militares no tardaron en aprovecharla para determinar la posición de los blancos. Los investigadores de los laboratorios Bell, entre otros, empezaron a estudiar su aplicación en el campo de las comunicaciones, como habían previsto en todo momento Townes y Schawlow. La fabricación comercial de los láseres tampoco se hizo esperar. Una de las primeras empresas en el nuevo campo fue la Korad Inc., fundada por Maiman en Santa Mónica, California, en 1962. No tardaron en aparecer otras. Muchas fracasaron y algunas son todavía pequeñas empresas con un puñado de empleados. Entre las que han logrado un gran éxito se encuentra Spectra-Physics Inc., radicada en Mountain View, California, cuyas ventas exceden los 100 millones de dólares anuales y sus acciones se cotizan en la Bolsa de Nueva York. Pronto comenzaron los pioneros del láser a cubrirse de honores. En 1964, Townes, Basov y Prokhorov compartieron el premio Nobel de física. A Townes se le otorgó la patente del máser, que, puesto que cubría toda amplificación por emisión estimulada fuere cual fuese la longitud de onda, afectaba también al láser. Townes y Schawlow compartieron una patente básica sobre el láser (es decir, un artefacto que opere especialmente en longitudes de onda ópticas e infrarrojas). A Maiman se le otorgó una patente por su láser de rubí y al fin consiguió hacerse con una suma considerable de dinero al vender su participación en Korad Inc. a la Union Carbide Corporation. El retorno de Gordon Gould Entretanto, Gordon Gould parecía haberse esfumado. Townes y Schawlow estaban en posesión de la patente que él esperaba conseguir, habiéndosele anticipado en casi nueve meses. Cuando intentó que se reconociesen sus derechos a la solicitud de 1959 se vio involucrado en cinco costosas y prolongadas acciones judiciales, propias del procedimiento utilizado por la oficina de patentes de Estados Unidos para determinar a quién corresponden los derechos de un invento determinado. En la primera de sus acciones, Gould se estrelló contra la patente de Townes y Schawlow. Esencialmente quedó desacreditado, y además se ganó la antipatía de numerosos miembros de la comunidad científica, debido al prestigio de los hombres a quienes se enfrentaba. A continuación Gould perdió otras dos batallas parecidas, pero ganó otras dos que, más adelante, constituirían las bases de las demás patentes que le iban a otorgar. A fin de cuentas su compañía había pagado 300.000 dólares en gastos judiciales y la mayor parte de las solicitudes habían caído en el olvido. En 1977 recuperó de su compañía el derecho de sus patentes y comenzó a insistir en las solicitudes personalmente. Incapaz de seguir financiando sucesivas batallas legales, Gould cedió parte de sus derechos de patente a una agencia de licencias y patentes de Nueva York

116

llamada Refac Technology Development Corporation, a cambio de que la agencia se comprometiese a seguir tramitando las solicitudes. Los esfuerzos de Refac se vieron coronados al fin por el éxito. El 11 de octubre de 1977 le fue otorgada una patente a Gould relacionada con la técnica del bombeo óptico, que según hemos aclarado en el capítulo 3 es necesaria para el funcionamiento de muchos láseres. En 1979, Gould recibió una segunda patente que, al igual que la del bombeo óptico, hundía sus raíces en la solicitud de 1959 y cubría una amplia gama de aplicaciones del láser. Cuando Gould recibió su patente relacionada con el sistema de bombeo óptico, el asombro fue enorme en la industria del láser. Las patentes de Townes y Schawlow acababan de caducar y los fabricantes de láseres creían que ya no se verían obligados a seguir pagando derechos por la utilización de conceptos básicos sobre el láser. Entre aquellos a quienes afectaban las nuevas patentes se encontraban numerosos fabricantes de láseres industriales, así como otros de aplicaciones bélicas basados en el sistema de bombeo óptico, y cuando Refac les exigió el 5 por ciento manifestaron que no estaban dispuestos a aceptar la validez de las patentes en cuestión. Apenas acababa de ser otorgada la primera patente, cuando se presentó una denuncia por uso indebido del sistema de bombeo óptico contra la empresa denominada Control Laser Corporation, de Orlando, Florida, pero a los cuatro años no había llegado todavía el caso a los tribunales. Lo más probable es que el caso acabe ante el Tribunal Supremo, puesto que se trata de uno de los más complejos de la historia jurídica de Estados Unidos. Junto a las 18 densas páginas donde se describe la propia patente se encuentra un tomo de 500 páginas detallando la historia legal de dicha patente, que debe ser cuidadosamente estudiado con el fin de determinar la validez. Las complejidades del caso incluyen al mismo tiempo enmarañadas cuestiones técnicas y minuciosos puntos jurídicos. Para que una patente resulte válida, la información contenida en ella debe ser lo suficientemente detallada como para que alguien que disponga de los conocimientos y los recursos necesarios en el momento de presentar la solicitud sea capaz de construir el artefacto descrito en ella. Sin embargo, Maiman ha puntualizado que Schawlow, Townes o Gould no habían construido ningún láser cuando solicitaron sus respectivas patentes, ni lo hicieron tampoco en un futuro inmediato. Por otra parte, transcurridos más de veinte años (a principios de 1981), Gould y un colega suyo construyeron un láser sirviéndose -según Gould- de la información que aparecía en la solicitud de su patente y demás información e instrumentos de dominio público en el momento en que dicha patente fue solicitada en 1959. Apenas había acabado Gould de construir su láser y se disponía a mostrar ante los tribunales cuando surgió una nueva complicación. En el ejemplar de Science correspondiente al 3 de abril de 1981 apareció un informe de un grupo de científicos del Godard Space Flight Center de la NASA, encabezado por Michael Mumma, según el cual habían detectado amplificación láser por bombeo óptico en la atmósfera de Marte. El equipo de Mumma descubrió que la luz del sol produce una inversión de población el dióxido de carbono entre 75 y 90 km. sobre la superficie de Marte, provocando emisión estimulada amplificada -es decir, lo que nosotros denominamos amplificación láser- en la gama infrarroja. La Control Laser Corporation recibió la noticia con verdadero deleite, afirmando que el destello demostraba que la amplificación láser por bombeo óptico era fenómeno natural y por consiguiente no patentable. Las solicitudes de patente más recientes de Gould están también plagadas de complejidades. El caso comenzó cuando Refac decidió entablar un juicio con una pequeña empresa canadiense denominada Lumonics Inc., que se dedica a la fabricación de sistemas láser para grabar objetos. Entonces, la General Motors decidió intervenir en defensa Lumonics, y ahora parece haberse hecho cargo de la defensa del cargo. La GM alega que la patente no es válida, puesto que no se trata más de una extensión de un arte ya existente, que se remonta al año 212 A.C., cuando Arquímedes incendió la armada romana que sitiaba Sisa sirviéndose de una lupa. En esta situación se dan finalmente dos paradojas. Townes forma parte consejo de administración de la General Motors, si bien la empresa no tomó parte en la decisión de intervenir en el pleito. Además fue

117

Townes el primero en observar en 1973, las emanaciones infrarrojas de la atmósfera de Marte, que en 1980, el equipo de Mumma demostraría que procedían de amplificación Temas delicados Uno de los factores que ha contribuido al difícil reconocimiento de las retribuciones de Gould al desarrollo del láser, es el hecho de que no se ajustase a los procedimientos tradicionales de la comunidad científica. Se espera que los científicos se ocupen de patentar sus descubrimientos, pero también que describan sus investigaciones sin pérdida de tiempo en alguna publicación científica, con el doble propósito de informar a los demás científicos y establecer la prioridad de su trabajo. Para justificar el hecho de no haberse ajustado a dichas normas, Gould habla de presiones cronológicas, el conflicto potencial entre publicar y obtener patentes extranjeras, y el hecho de que, a causa de los militares, gran parte de su información constituía un secrete de Estado. Lo ocurrido ha contribuido (y sigue haciéndolo) a que el papel de Gould en la historia del láser cayese parcialmente en el olvido. Existe también otro aspecto sumamente delicado que hace referencia al trato de los estudiantes licenciados dedicados a la investigación. Muchos estudiantes se inspiran en ideas brindadas por sus catedráticos, pero también se da el caso de ciertos miembros de la facultad que están dispuestos a apropiarse las ideas de sus alumnos. Townes asegura que la mayoría de las ideas plasmadas en el cuaderno de Gould, así como en las solicitudes de sus patentes, son meras ampliaciones de las descripciones que Townes le ofreció en su día. Gould, por su parte, alega que sus ideas son originales. Es posible que los tribunales saquen sus propias conclusiones, pero es improbable que jamás resuelvan el asunto de una forma definitiva. A nivel personal todavía existe un evidente rencor entre ambos científicos. Townes nos dijo en fechas recientes que, en su opinión, son muchos los que han contribuido enormemente al desarrollo del láser, pero agregó que Gould no era uno de ellos. Gould afirma que Schawlow es «un individuo muy agradable» pero, aparte del comentario críptico «supongo que tiene sus necesidades», se niega a hablar de Townes. Cuando le preguntamos a Schawlow qué opinión le merecía Gould, el físico, por lo general repleto de jovialidad, se incomodó visiblemente y admitió que las solicitudes de patentes de Gould habían logrado disgustarle. La concesión de las patentes le ha proporcionado a Gould satisfacción emocional y financiera. Al vender finalmente la parte que le correspondía de las patentes, ha conseguido 300.000 dólares al contado y dos millones de dólares en obligaciones. Los compradores son también personajes curiosos en el juego de las patentes; se trata de una empresa de Ardmore, Pennsylvania, que se denominaba Panelrama Corporation, y que con el fin de realizar la compra liquidó una cadena de tiendas al por menor que trabajaba con pérdidas. Entonces Panelrama cambió de nombre y pasó a llamarse Patlex Corporation, puesto que esencialmente sus intereses en las patentes de Gould constituyen su único negocio. En el caso de que dichas patentes entren en vigor, Patlex, Gould, Refac y los abogados de Nueva Jersey que se ocupan del caso compartirán los derechos reales, que podrían llegar a representar decenas o incluso centenares de millones de dólares durante el período en que se hallen en vigor las patentes. El propio Gould estima que dichas patentes podrían reportar unos 10 millones de dólares anuales, y su validez se extiende a lo largo de diecisiete años. Sin embargo, numerosos observadores en el mundo del láser creen que las solicitudes son excesivamente abstractas para tener validez y que incluso la patente relacionada con el bombeo óptico puede desmoronarse ante un concertado ataque jurídico. Al igual que la mayoría de los pioneros del láser, Gould se ha dedicado a otros campos. En la actualidad, con sus sesenta años ya cumplidos, es vicepresidente de una pequeña empresa de Gaithersburg, Maryland, que se dedica a la fabricación de equipos destinados a comunicaciones por fibra óptica y que se denomina Optelecom Inc. Su cliente más importante es el ejército, pero Gould espera que llegue el día en que el beneficio de sus patentes le permita decidir el campo en el que desee investigar, sin tener que preocuparse de los deseos de los militares. Ahora que ha

118

los láseres se usan para taladrar diamantes. Maiman acabó también distanciándose de los láseres. Los haces enfocados pueden calentar. Como la luz del láser es 119 . la investigación científica. y miembro del Parlamento soviético. y desde hace algún tiempo se ocupa primordialmente de radioastronomía y radiaciones infrarrojas. utilizando máseres y láseres para ciertos aspectos de su trabajo. El potente y breve pulso producido por un láser también hace posibles fotografías de alta velocidad con un tiempo de exposición de algunas billonésimas de segundo. Después de muchos años en Korad Inc. y se han diseñado técnicas que emplean haces de láser para atrapar un número reducido de átomos en un vacío con el fin de estudiar sus espectros con una precisión muy elevada. asegura. Intentó abrirse camino en varios campos y durante varios años trabajó como asesor independiente antes de unirse a la TRW Inc. fundir o vaporizar materiales de forma precisa. Ambos científicos dirigen grandes equipos dedicados a la investigación relacionada con el láser y sus nombres aparecen con regularidad en los artículos sobre dicho campo. tales como Gordon. Schawlow estaba de un humor excelente cuando hablamos con él el día en que se dio a conocer la noticia. Tanto Townes como Schawlow han seguido brillantes carreras en el mundo académico y ambos han recibido innumerables premios. Townes es catedrático de física en la universidad de California. Investigación científica Los láseres se emplean para detectar los movimientos de la corteza terrestre y para efectuar medidas geodésicas. Gould ha comenzado a recibir premios tales como el de inventor del año. Basov es director del instituto de física Lebedev.. en calidad de vicepresidente encargado de tecnología y nuevas empresas. otorgado por la Asociación en pro del progreso de la invención y la innovación. Gracias a su trabajo. Schawlow compartió con Nicolaas Bloembergen -físico de la universidad de Harvard que también participó activamente en el desarrollo inicial del láser. Por ejemplo. con lo que se logra una enorme densidad de energía. El láser se ha convertido en una herramienta valiosa en la industria. se suponía debido a su estrecha cooperación con Townes en el desarrollo del láser. Entre los primeros investigadores. sin ocuparse de los propios láseres. Industria Es posible enfocar sobre un punto pequeño un haz de láser potente.el premio Nobel de física de 1981. cortar patrones de moda. Schawlow es catedrático de física en la universidad de Stanford. y utiliza láseres como herramientas para el estudio de las propiedades de la materia. los que siguen mas estrechamente vinculados con la investigación del láser son Basov y Prokhorov. recortar componentes microelectrónicos. en Berkeley. aunque «me gustaría sacarles algún dinero». Actualmente se desarrollan conmutadores muy rápidos activados por láser para su uso en aceleradores de partículas. Sin embargo. También son los detectores más eficaces de ciertos tipos de contaminación atmosférica. puesto que ya no se vería obligado a aclarar que no había recibido ningún premio Nobel. sintetizar nuevos materiales o intentar inducir la fusión nuclear controlada. Muchos otros pioneros del láser. modelar máquinas herramientas. Los láseres se han empleado igualmente para determinar con precisión la distancia entre la Tierra y la Luna y en experimentos de relatividad. En la construcción de carreteras y edificios se utilizan láseres para alinear las estructuras. han abandonado a su vez la investigación activa en dicho campo. Zieger y Weber. calentar chips semiconductores. como comúnmente. Prokhorov es subdirector del instituto Lebedpv. a Gould ya poco le importa. Aplicaciones del láser Los posibles usos del láser son casi ilimitados. la tecnología militar o el arte.logrado la concesión de sus patentes. «Nada tienen que ver esas patentes con mi orgullo». de Moscú.

1. Debido a su alta frecuencia. Los láseres han hecho que se pueda determinar la velocidad de la luz con una precisión sin precedentes. reparar lesiones y cauterizar vasos sanguíneos. también permiten inducir reacciones químicas de forma selectiva y detectar la existencia de trazas de sustancias en una muestra. El láser se ha empleado para ‘soldar’ la retina. Se han desarrollado fibras ópticas de baja pérdida que transmiten luz láser para la comunicación terrestre. por ejemplo. formando una "onda de materia" coherente. Comunicaciones La luz de un láser puede viajar largas distancias por el espacio exterior con una pequeña reducción de la intensidad de la señal. Los científicos confían en las numerosas e importantes aplicaciones potenciales de los láseres atómicos. aunque presenten algunas desventajas prácticas frente a los láseres de luz debido a que los átomos están sujetos a fuerzas gravitatorias e interaccionan unos con otros de forma distinta a como lo hacen los fotones. Por ejemplo. Del mismo modo que en un láser de luz cada fotón viaja en la misma dirección y con la misma longitud de onda que cualquier otro fotón. 120 . resulta fácil detectar cantidades muy pequeñas de luz dispersa o modificaciones en la frecuencia provocadas por materia. los láseres resultan ideales para las comunicaciones espaciales. También se han empleado técnicas láser para registrar información con una densidad muy alta. Tecnología militar Los sistemas de guiado por láser para misiles. También se han desarrollado técnicas láser para realizar pruebas de laboratorio en muestras biológicas pequeñas. en un láser atómico cada átomo se comporta de la misma manera que cualquier otro átomo. un equipo de físicos estadounidenses anunció la creación del primer láser compuesto de materia en vez de luz.000 veces más canales de televisión de lo que transportan las microondas. a partir del cual puede reconstruirse una imagen tridimensional mediante un rayo láser. perforar el cráneo. Midiendo estos cambios. los científicos han conseguido estudiar las estructuras moleculares. Medicina Con haces intensos y estrechos de luz láser es posible cortar y cauterizar ciertos tejidos en una fracción de segundo sin dañar al tejido sano circundante. en sistemas telefónicos y redes de computadoras.muy direccional y monocromática. la luz láser puede transportar. aviones y satélites son muy comunes. la luz láser simplifica el registro de un holograma. Láser atómico En enero de 1997. Por ello. La capacidad de los láseres de colorante sintonizables para excitar de forma selectiva un átomo o molécula puede llevar a métodos más eficientes para la separación de isótopos en la fabricación de armas nucleares.

y el segundo con exceso de electrones. Normalmente son de dos dígitos. Existen también versiones con dos colores. como el arseniuro de galio (1). provistos con una estructura de tres patillas. común la del centro y especifica para color la de cada extremo. se adapta cada vez mejor a un modelo de vida electrónico. Este es un sistema muy importante. Esta descripción corresponde a un diodo de propósito general. se convierte en conductor.Displays de 7 segmentos En muchos lugares públicos habréis visto unos indicadores luminosos que nos indican el turno. con la presencia de una radiación de luz visible o infrarroja. un diodo se comportara como un circuito de baja resistencia siempre que el ánodo este polarizado a superior tensión que el cátodo. • • Galio. Según el material semiconductor empleado. o tipo N. Diodo Emisor de Luz (LED) Cuando un diodo es polarizado directamente. Esta unión semiconductora se encapsula bajo formas distintas que dependen del fabricante y a la función a la que se destinan. verde o amarillo. El cambio energético que experimentan los electrones en estas circunstancia se manifiesta en algunos compuestos. En caso contrario. Existen diodos construidos para aprovechar alguna característica especial. es un elemento metálico que se mantiene en estado líquido en un rango de temperatura más amplio que cualquier otro elemento. y que disponen de unos terminales conductores para su conexión con otros componentes. Esta Formado por dos cristales Semiconductores. Nosotros vamos a investigar y tratar de entender estos visualizadores. El funcionamiento de estos visualizadores consiste en el apagado o encendido de una serie de luces que forman cada uno de los siete segmentos utilizados para formar los números. El terminal conectado al semiconductor de tipo P recibe el nombre de ánodo. presentara una elevada resistencia entre sus terminales y se comportara como un circuito abierto. protegidos por un material transparente. Su número atómico es 3. Lo realmente complicado es el circuito que se encarga de encender unos segmentos y apagar otros para formar el número que interese. por que la humanidad esta dependiendo mas de la tecnología. y se construyen de forma que la unión queda en la zona mas exterior posible del dispositivo. El galio se encuentra en el grupo 13 (o IIIA) del sistema periódico. COMPONENTES ELECTRÓNICOS SEMICONDUCTORES EL DIODO Es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una dirección y la bloquea en la opuesta. lo que se ve en todas partes. uno con escasez de electrones denominado tipo P. 121 . entre los que destacan el diodo emisor de luz (LED) y el diodo Zener. que nos permitirá contar de 0 a 9. lo que les permite contar hasta 99. se obtienen diodos luminiscentes de color rojo. mientras que el conectado de tipo N recibe el nombre de cátodo. de símbolo Ga. Los diodos emisores de luz están especialmente diseñados para aprovechar la emisión de luz.

como la emisora sintonizada en un equipo de radio o la lectura de tensión en un voltímetro digital. Un Display de este tipo está compuesto por siete u ocho leds de diferentes formas especiales y dispuestos sobre una base de manera que puedan representarse todos los símbolos numéricos y algunas letras. Estos diodos tienen conectados entre si todos los ánodos. Denominación de los segmentos de Display: Esta es la denominación de los 7 segmentos en los modelos comerciales. Para representar las cifras numéricas se agrupan siete diodos en de segmentos. Los primeros siete segmentos son los encargados de formar el símbolo y con el octavo podemos encender y apagar el punto decimal. Esquema eléctrico del visualizador: 122 .DISPLAYS DE 7 SEGMENTOS Muchos equipos electrónicos proporcionan información al usuario mediante la utilización de señales luminosas.

esto significa que todos los cátodos de los leds están conectados. (7 para los segmentos y 1 para el negativo la alimentación. Se ha optado por una configuración de ánodo común. el número de cables entre la placa controladora y el visualizador digital es de 8. éstos son similares a los que vamos a utilizar en nuestro montaje con la salvedad de que las conexiones a alimentación y masa serían al revés. Como se puede deducir del esquema. La correspondencia de los pines y cada uno de los leds del display puede verse en la siguiente figura: 123 . alimentaremos cada led por separado por su correspondiente ánodo. La decisión ha sido totalmente aleatoria. Esquema Anteriormente se ha comentado que el display que se va a estudiar es de cátodo común.Se ha realizado el esquema de tres segmentos de los 7 que lo componen ya que el resto es idéntico. También existen displays de ánodo común. por lo que serviría exactamente igual una configuración de cátodo común.

Los pines 3 y 8 corresponden con el cátodo de los leds (son los situados en el centro de las dos filas de pines), para el resto se sigue el criterio mostrado en la tabla. Por ejemplo, si alimentamos el Display por el pin 2 (utilizando una de las resistencias comentadas) y unimos el pin 3 o el 8 a masa, se encenderá el segmento inferior (marcado como d en la figura). Si alimentamos por el pin 5 lo que encenderemos será el punto decimal indicado como en la figura DP (del inglés Dot Point).

MONTAJE DE UN DISPLAY:
El montaje, de la siguiente forma: Pin del Puerto B Pin del Display Segmento 0 ($01) 1 ($02) 2 ($04) 3 ($08) 4 ($10) 5 ($20) 6 ($40) 7 ($80) 9 10 6 7 5 4 2 1 f, superior izquierda g, central b, superior derecha a, superior DP, punto decimal c, inferior derecha d, inferior e, inferior izquierda

Al tratarse de un Display de cátodo común, cada vez que activemos, es decir, pongamos a '1' lógico, uno de los bits de salida del puerto B, encenderemos el led correspondiente en el Display. Nótese que si hubiésemos utilizado un Display de ánodo común, el conexionado y la forma de operación serían diferentes. Eî nuestro caso, la correspondencia entre pines del puerto B y el led del Display queda como la de la figura.

124

PROPIEDADES GENERALES DE UN DISPLAY DE 7 SEGMENTOS.
Patillaje

La G corresponde a masa. Cada patilla se corresponde con un segmento, al cual debemos aplicar una tensión positiva. Características Solidez: excelente Angulo de visibilidad: 150 grados Consumo por dígito: 150 mW Vida media en horas: 100000 Luminosidad: buena Facilidad de montaje: excelente Vcc (general): 1'5 V La Vcc depende del color del LED. Para un color rojo: Vcc: 1'7 V Vcc (máx): 2 V Dependiendo de la tensión aplicada obtendremos una intensidad. Es aconsejable no sobrepasar la Vcc recomendada. Si se alcanza la Vcc máxima se puede destruir el segmento. Protección Cada segmento (y el punto) es un led como cualquier otro. Debido a esto la corriente media que se debe aplicar es de 15 mA. Dependiendo de la lógica que estemos empleando debemos utilizar una resistencia por cada entrada y así no forzar el dispositivo:

125

Lógica TTL (5V): 220 ohmios Lógica CMOS (12V): 680 ohmios. Esta resistencia debe ser situada en cada patilla, haciendo de puente entre la señal lógica de excitación y el Display.

COMPONENTES DE UN DISPLAY.
Los displays de 7 segmentos son por demás conocidos. Son muy usados en los equipos electrónicos desde hace años, y no ofrecen ningún tipo de dificultad. Se los utiliza, en general, en forma directa o multiplexada. En forma directa, es usado normalmente en chips que tienen incluidos los drivers para ello; como ser el ICL7107. En forma multiplexada, son utilizados por ejemplo con un microcontrolador, el cual genera las señales para manejar los puntos comunes (ánodo o cátodo) por un lado y los segmentos, por el otro. En general, la corriente para encender cada segmento es del orden de 20 a 50mA dependiendo del Display, la frecuencia de multiplexado, etc. Para lograr esto, se utiliza algún transistor PNP para manejar el ánodo común, o NPN para el cátodo común. Para los segmentos; un clásico ULN2003 (o ULN2004, ULN2803, etc.), o en forma directa para los microcontroladores que tienen la capacidad de manejar 20mA por línea de entrada-salida. Por supuesto, hay que limitar la corriente con el uso de una resistencia en cada segmento. Tomemos como ejemplo un equipo con 4 dígitos. El conjunto para manejarlo queda formado por: 4 transistores PNP un chip de 18 pines (ULN2803) 12 resistencias (8 para segmentos, y 4 para las bases de los transistores) Desde ya que el costo de este material no es elevado, pero si tenemos en cuenta el tamaño del PCB, la provisión de cada ítem, el armado y la puesta en marcha, vemos que comienza a tener cierta importancia. Si agregamos, el consumo de corriente total exclusivamente de los displays (25mA x 8) es de aproximadamente 200mA. Esto condiciona al transformador o al disipador en el caso de alimentar el equipo con 12VDC. También puede exigir el uso de un microcontrolador capaz de manejar dicha corriente en sus líneas de entrada- salida para ahorrarnos el ULN. Otro punto de importancia, es la emisión de ruido al conmutar cada dígito. Existen en forma standard, displays de 7 segmentos de bajo consumo. Lamentablemente por ahora, de tamaño 0.3”. Cuando las limitaciones de costo, tamaño o corriente consumida son importantes, estos ofrecen una gran solución. El costo es exactamente el mismo que uno normal. La corriente por segmento, es de 2mA, multiplexado con un microcontrolador puede manejarse desde 3mA. Además, la mayoría de los microcontroladores que tienen Isink=10mA, admiten de carga, un led a 5VDC sin aumentar la corriente de 10mA; lo que nos posibilita eliminar las resistencias limitadoras de corriente de cada segmento. Por consiguiente el driver de dichos displays está formado únicamente por 4 transistores PNP, y 4 resistencias para las bases de los mismos (que en los microcontroladores que tienen algunas líneas de 10mA el resto de las líneas es generalmente de 1.5mA, por consiguiente, podemos también eliminarlas). La corriente total consumida, puede variar desde (3mA x 8) 24mA, hasta (10mA x 8) 80mA. Por ende, se redujo de una forma muy importante el tamaño del PCB, el costo de material, armado, puesta en marcha, y la corriente consumida. Para referencia, el costo es el mismo que el común, y aproximadamente de $0.70.

CLASES DE DISPLAYS.

126

3 decimal points.48 x 3.7 mm) character height FEO206 4 1/2 digits. Quizás la más utilizada sea la de 7 LEDS colocados en forma de ocho tal y como se indica en la figura.05 (mm) Aplicaciones: voltímetros y contadores digitales. 3 decimal points 0. relojes. A plus/minus sign.7 mm) character height FEO203 3 1/2 digits.5 inch (12. 127 .80 x 30. 4 decimal points.2 mm) character height Encapsulado: DIL-40 (40 pines.4 inch (10. 2 colons. and LOW BAT INDICATOR 0. A plus/minus sign.5 inch (12. CARACTERISTICAS • • • • • Bajo consumo Alto contraste Conector con pines Angulo de visión ancho Rápida respuesta Una aplicación de los LEDS: el Display de 7 segmentos Una de las aplicaciones más populares de los LEDS es la de señalización. 1 colon.1" de separación) Dimensiones: 50. 0. 1 colon. termómetros digitales. and LOW BAT INDICATOR 0.FEO202 4 digits.

ya que están saltando de átomo a átomo. se crea un campo eléctrico dentro del mismo. tiene la energía y el espectro luminoso necesario para alterar el estado de equilibrio de la juntura N-P en estos diodos y se genera un exceso de cargas libres. las que pueden sostener una corriente. Los electrones ubicados en la órbita exterior del átomo de este material. aún a la temperatura ambiente. Cuando se aplica un voltaje entre los extremos de un material. ya que su movilidad es prácticamente nula. el aluminio o el grafito. el diamante o la porcelana. Cuando la luz solar pega sobre estos paneles. por último. Observe el lector que en los ejemplos he usado. se transforma en una carga positiva. la energía luminosa se transforma en eléctrica en el proceso de fotosíntesis. Conductores y aislantes Dado que el fenómeno fotovoltaico toma lugar dentro de un semiconductor. un buen aislante (no-conductor) y. si se cierra el circuito externo. La corriente eléctrica es la cantidad de cargas que circulan por unidad de tiempo. dos cargas dentro del material: una negativa (electrón libre) y otra positiva (resto del átomo). ya que todavía se continúa perfeccionando el producto buscando la manera de abaratar el costo e incrementar su eficiencia. a propósito. Los humanos conseguimos este mismo resultado utilizando semiconductores. la más lejana del núcleo. como el cobre. los electrones de la banda externa tienen mucha movilidad. La conducción o no-conducción eléctrica de un material está determinada por su estructura atómica. se hace necesario entender que hace que un material sea un buen conductor. en efecto. Bajo la acción de un campo eléctrico (voltaje entre los extremos) la fuerza dada por la expresión “F = q x E” los pone en movimiento. En materiales aislantes. En materiales conductores. están formadas por muchos diodos semiconductores juntos y son fabricadas usando diferentes materiales y procesos. Estructuras cristalinas 128 . El valor de la conductividad (inversa de la resistividad) es elevado en estos materiales. estarán sometidos a una fuerza cuyo valor está dado por la expresión: F=qxE Donde "q" es el valor de la carga (en Coulombs) y "E" es el valor del campo eléctrico en "V/m". Cuando el átomo de una sustancia pierde un electrón. un semiconductor. dos formas cristalinas distintas para el carbón: el grafito (conductor) y el diamante (aislante) para mostrar cómo la estructura interna de la sustancia determina la movilidad de las cargas en la misma. Las células fotovoltaicas.Células fotovoltaicas En la naturaleza. La pérdida de un electrón crea. aún con elevados valores del campo eléctrico (altos voltajes) la fuerza que se ejerce sobre los electrones de la órbita externa no es suficiente para desplazarlos y establecer una corriente. como el vidrio.

pero no se ha investigado como llevar adelante el proceso de difusión. Por eso el germanio y el silicio puro son substancias aislantes. A las substancias que se usan para alterar la conductividad del cristal puro se las conocen como dopantes o contaminantes. los átomos de la sustancia que se introduce son ávidos de electrones. Si. La zona entre estas dos regiones se denomina juntura. la mayoría de los átomos en esta zona tendrán cargas positivas libres (tipo P). se ha convertido en un proceso robotizado. es superior al sicilio cuando la temperatura ambiente es elevada. 129 . Estos materiales tienen un valor de conductividad que los sitúan entre los aisladores y los conductores de corriente. así como dos zonas adyacentes.Estructura cristalina Semiconductores Si en un cristal de este tipo logramos incorporar átomos de otras substancias. Si la sustancia que se introduce tiene la capacidad de ceder electrones. carbón. difusión. por el contrario. Juntura N-P El proceso de difusión es repetitivo. una del tipo N. las que sirven para anclar los conectores externos. convirtiéndolos en semiconductores. éstos se convierten en la carga mayoritaria en esa zona (semiconductor tipo N). en donde los átomos de las substancias dopantes se introducen usando cañones electrónicos que bombardean los cristales (proceso de implantación). A estas cargas se las denominan “hoyos” ya que el electrón tomado deja un vacío (hoyo) en el átomo que lo cedió. de manera que pueden crearse zonas cuasi-conductoras. la conductividad de estos materiales varía drásticamente. Esto permite crear dos zonas cuasi-conductoras en los extremos del diodo. aún en proporciones muy pequeñas. El proceso de introducción de átomos que ceden o toman electrones. aisladoras o semiconductoras con diferentes cargas mayoritarias. ya que se han descubierto varios procesos para fabricarlos en cantidad y a bajo precio. la otra del tipo P. Este material.En substancias como el germanio (Ge) y el silicio (Si) los electrones de la capa exterior de un átomo son compartidos por átomos adyacentes (Figura 1) formando una estructura fija rígida (cristalina) en donde los electrones carecen de movilidad. Quizá en el futuro haya células fotovoltaicas hechas con diamantes. Figura 1 . La industria usa el cristal de silicio (Si) porque su comportamiento a altas temperaturas es superior al del germanio (Ge).

ya que la juntura tiene muy pequeño espesor. Este desplazamiento de cargas (corrientes de desplazamiento) acumula cargas positivas en la zona N y negativas en la zona P. desplazándose hacia la zona adyacente.Nótese que la letra N se correlaciona con negativo y la letra P con positivo. 130 . Figura 2 .El estado de equilibrio para una juntura N-P En la expresión “F = q x E” la dirección de la fuerza depende del signo de la carga. El proceso migratorio continúa hasta que se vé interrumpido cuando el valor del potencial alcanza lo que se denomina el nivel de Fermi para esa sustancia. Algunos de estos pares se recombinan (neutralizan) antes de migrar a la zona de juntura. de manera que los electrones y los hoyos se desplazan en sentidos opuestos. la que establece un campo eléctrico (E). pero un elevado porcentaje de electrones del lado P y de hoyos del lado N serán impulsados a través de la juntura. La teoría muestra que las cargas mayoritarias (electrones de un lado y hoyos del otro) no permanecen inmóviles. El campo eléctrico E (V/distancia) en esta zona tendrá un valor elevado. Célula fotovoltaica Cuando la luz solar que incide sobre la zona adyacente a la juntura tiene el espectro y nivel de energía requerido por el material (Si) el bombardeo de los fotones crea pares de cargas libres (Figura 3). donde la concentración es baja. Las cargas libres están listas para sostener una corriente cuando se conecten el lado N y P a una carga eléctrica externa. los que se mueven libremente. indicando cual es la carga mayoritaria en cada zona. La dirección del campo eléctrico E (Figura 2) hace que estas cargas no puedan volver. creando una diferencia de potencial en la juntura. alterándose el estado de equilibrio.

Figuras 3 . Tipos de células fotovoltaicas El mercado ofrece numerosos tipos de células FVs. Amorfas. Todas las células pertenecen a uno de los grupos mencionados a continuación: • • • Mono-cristalinas. en forma porcentual. ya que se podían emplear las mismas técnicas usadas previamente en la fabricación de diodos y transistores. Las células de estructura mono-cristalina fueron las primeras en ser manufacturadas. 131 . Algunas gozan de más difusión que otras debido a que fueron introducidas hace largo tiempo atrás. El orden dado es el mismo cuando se considera el costo o la eficiencia de conversión. por la expresión: e/n= (Energía eléctrica de salida / Energía luminosa de entrada) x 100 Donde n (nu) es el valor porcentual de la eficiencia.Corte y capas de una célula fotovoltaica La eficiencia de conversión (energía luminosa en eléctrica) está dada. Poli-cristalinas.

La primera responde a la zona del azul. disminuyendo la eficiencia de conversión. Pérdidas de energía luminosa 132 . más defectos estructurales aparecerán en la sustancia semiconductora. Esto. la que tendría una eficiencia del 20% (máximo teórico: aprox. de sección cuadrada. la segunda al verde y la tercera al rojo. El proceso de fabricación del cristal de silicio requiere un alto consumo de energía eléctrica. Tienen. Los depósitos activos se hacen sobre una lámina continua de acero inoxidable de bajo espesor que permite que las células sean flexibles. las que responden a diferentes frecuencias del espectro luminoso. 25%). Identificación visual Las células de cSi se reconocen a simple vista. las que proporcionan los más altos valores de eficiencia. un valor reservado pocos años atrás para las células de cSi. Expuestas a la luz actúan como un espejo grisáceo. Para reducir este efecto. Como su nombre lo indica estas células no poseen una estructura cristalina. Si se requiere una estructura rígida se les agrega un marco metálico. Precisamente esa simplificación en la estructura conduce a un abaratamiento drástico de las mismas.A este tipo de células. Recientemente. las células amorfas alcanzan un valor intermedio entre las cristalinas y las amorfas. Para compensar el bajo nivel de conversión los fabricantes adicionan junturas. el que se vierte en moldes rectangulares. la compañía Sun-Power ha anunciado la introducción de una célula de cSi. Como el costo del material y el procesado se simplifican. La eficiencia ha ido creciendo. conocidas simplemente como cristalinas. el espesor del material activo en estas células es diez (10) veces menor que el de una célula de cSi. asimismo. la de menor energía en el espectro. se le asigna la abreviatura (cSi). Las células policristalinas reflejan la luz en forma no uniforme. pudiéndose observar las imperfecciones en el cristal. Células policristalinas (izq) y monocristalinas (der) El otro tipo corresponde a las células amorfas. una coloración azulada. sin rejilla de contacto frontal. La compañía UNISOLAR apila tres junturas. La versión poli-cristalina (pSi) se obtiene fundiendo silicio de grado industrial. La compañía British Petroleum (BP) ofrece un modelo similar que usa dos capas conversoras. lo que eleva el costo de estas células. Es un hecho que cuando más se aleja la técnica de fabricación de una célula fotovoltaica de la estructura cristalina pura. ya que su superficie es uniforme. contribuye a bajar el costo. los que aumentan el aprovechamiento de las cargas libres. llegando a ofrecerse (Kyocera) células de pSi con eficiencia de conversión del 15%. a su vez.

el voltaje de una celda FV es de corriente continua (CC). El contacto ubicado sobre la superficie colectora utiliza una rejilla metálica. donde las esquinas tienen vértices a 45°. en gran parte. la superficie de la celda y el valor de su resistencia interna. Por lo tanto. La superficie colectora de una célula de cSi actúa como un espejo. Un fabricante ha anunciado la producción de células sin rejillas frontales (Sun Power). Consideraremos: • • La reflectancia de la superficie colectora. La forma cuadrada permite un mayor compactado de las mismas dentro del panel fotovoltaico.Estas pérdidas ocurren fuera del material semiconductor. varía entre un 3 y un 5% de la superficie activa. en células modernas. En un instante determinado. corriente y potencia El voltaje de juntura depende exclusivamente del material usado (nivel de Fermi para el cristal usado). la que contribuye a disminuir el área activa de la célula. El “sombreado” de los contactos. la superficie de colección recibe una capa antireflectiva de monóxido de silicio (SiO). Su mención y análisis ayudarán al lector a entender algunos detalles auxiliares contenidos en las hojas de especificaciones. El valor de la corriente dependerá del valor de la carga. asumiendo que la corriente circula en sentido opuesto al de los electrones. A este problema se lo conoce como el “sombreado” de los contactos y no debe confundirse con el sombreado externo sobre el área colectora. de trazos finos. 133 . Esta reducción. La necesidad de una capa antireflectiva se extiende a todo tipo de células. Para las células de silicio este valor es de alrededor de 0. pues el cristal puro tenía una sección circular. Las células de pSi son cuadradas porque el molde donde se vierte el semiconductor fundido tiene esta forma. Tensión. la potencia eléctrica proporcionada por la célula FV está dada por el producto de los valores instantáneos del voltaje y la corriente de salida. Versiones más recientes tienen forma cuadrada. Para disminuír la reflectancia. si bien el tratamiento es diferente. Una segunda capa baja la reflectancia a un 4%. la que disminuye la reflectancia a un 10%.5 V. o casi-cuadrada. Forma geométrica El método de fabricación determina. hay un lado positivo (lado P) y otro negativo (lado N). reflejando hasta el 30% de la luz incidente. disminuyendo la superficie que se necesita para colocar un determinado número de células (Figura 4). Como las cargas son impulsadas por un campo eléctrico fijo. Las primeras versiones de cSi eran redondas. la forma geométrica de la célula FV. la irradiación solar. pero incrementa el costo.

Figura 4 – Eficiencia de empaque 134 .

lo mejor para entender el amplificador operacional ideal es olvidar todos los pensamientos convencionales sobre los componentes de los amplificadores. abarcando aplicaciones mucho más allá del ámbito original de los computadores analógicos. El uso generalizado de los AOs no comenzó realmente hasta los años 60. en los que comenzaron a usarse técnicas operacionales en una época tan temprana como en los años 40. se introdujeron los primeros amplificadores operacionales de circuito integrado. De esta forma. que era un sistema formado antiguamente por muchos componentes discretos. fabricándose módulos que realizaban la circuitería interna del amplificador operacional mediante diseño discreto de estado sólido. en gran medida. cuando empezaron a aplicarse las técnicas de estado sólido al diseño de circuitos amplificadores operacionales. los amplificadores operacionales integrados estuvieron disponibles en grandes cantidades. a mediados de los 60. El amplificador. Con componentes de ganancia altamente sofisticados disponibles al precio de los componentes pasivos. el amplificador operacional integrado ha redefinido las "reglas básicas" de los circuitos electrónicos acercando el diseño de circuitos al de sistemas. una realidad que ha cambiado por completo el panorama del diseño de circuitos lineales. el diseño mediante componentes activos discretos se ha convertido en una pérdida de tiempo y de dinero para la mayoría de las aplicaciones dc y de baja frecuencia. Lo que ahora debemos de hacer es a conocer bien los AOs. ha evolucionado para convertirse en un componente discreto él mismo. entonces. e ignoraremos qué hay dentro de la caja. Con la posibilidad de producción en masa que las técnicas de fabricación de circuitos integrados proporcionan. con una ganancia de 100 dB. tubos u otros cualesquiera. el mismo amplificador era capaz de realizar diversas operaciones. Cambiando los tipos y disposición de los elementos de realimentación. cuyas características de operación estaban determinadas por los elementos de realimentación utilizados. es inferior a 1 euro. piensa en términos generales y considere el amplificador como una caja con sus terminales de entrada y salida. y el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseño de circuitos. Entonces. En unos pocos años los amplificadores operacionales integrados se convirtieron en una herramienta estándar de diseño. Quizás.Amplificadores operacionales El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los computadores analógicos. el amplificador en ese sentido ideal. Los primeros amplificadores operacionales usaban el componente básico de su tiempo: la válvula de vacío. cuáles son sus principios básicos y estudiar sus aplicaciones PRINCIPIOS BÁSICOS DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES El amplificador operacional ideal Los fundamentos básicos del amplificador operacional ideal son relativamente fáciles. cómo funciona. Claramente. Hoy en día el precio de un amplificador operacional integrado de propósito general. 135 . En lugar de pensar en ellos. lo que. Y un ancho de banda de 1 MHz. las características globales del circuito estaban determinadas sólo por estos elementos de realimentación. una tensión offset de entrada de 1 mV. una corriente de entrada de 100 nA. transistores. Trataremos. podían implementarse diferentes operaciones analógicas. El nombre de amplificador operacional deriva del concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia extremadamente alta. a su vez contribuyó a rebajar su coste.

no a su potencial común. Ambos terminales de entrada del amplificador se utilizarán siempre independientemente de la aplicación. La resistencia de entrada es infinita: 3. la tensión de salida. La resistencia de salida es cero: 136 . produce una señal negativa a la salida. Vd. La señal de salida es de un sólo terminal y está referida a masa. por consiguiente. y un único terminal de salida. donde a es la ganancia del amplificador. El amplificador sólo responde a la diferencia de tensión entre los dos terminales de entrada. Es un dispositivo de acoplo directo con entrada diferencial. será a Vd. podemos definir ahora las propiedades del amplificador ideal. mientras que la misma señal en la entrada no inversora (+) produce una señal positiva en la salida. se utilizan tensiones de alimentación bipolares ( ± ) Teniendo en mente estas funciones de la entrada y salida. Con una tensión de entrada diferencial. Son las siguientes: 1.V0 = a Vd a = infinito Ri = infinito Ro = 0 BW (ancho de banda) = infinito V0 = 0 sí Vd = 0 En la figura se muestra un amplificador idealizado. La ganancia de tensión es infinita: 2. Una señal positiva en la entrada inversora (-). Vo.

Ro = 0 4. Además. la ganancia en tensión es infinita. con realimentación desde la salida a través de R2. El amplificador inversor La figura 2 ilustra la primera configuración básica del AO. en resumen: La tensión de entrada diferencial es nula. Puesto que. la ganancia en tensión es infinita. Una vez entendidas estas propiedades. en estas dos configuraciones básicas. y se emplearán repetidamente en el análisis y diseño del circuito del AO. existen variaciones estrechamente relacionadas de estos dos circuitos. Casi todos los demás circuitos con amplificadores operacionales están basados. más otro circuito básico que es una combinación de los dos primeros: el amplificador diferencial. El amplificador inversor. Configuraciones básicas del amplificador operacional Los amplificadores operacionales se pueden conectar según dos circuitos amplificadores básicos: las configuraciones (1) inversora y (2) no inversora. 137 . podemos deducir otras dos importantes propiedades adicionales. Luego. cualquier señal de salida que se desarrolle será el resultado de una señal de entrada infinitesimalmente pequeña. en resumen: A partir de estas características del AO. se pude. El ancho de banda es infinito: 5. la entrada (+) está a masa. de alguna forma. y la señal se aplica a la entrada (-) a través de R1. También. si la resistencia de entrada es infinita. cualquier señal de salida que se desarrolle será el resultado de una señal de entrada infinitesimalmente pequeña. En este circuito. Luego. La tensión offset de entrada es cero: V0 = 0 sí Vd = 0 A partir de estas características del AO. Puesto que. No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales de entrada Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas. deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores operacionales. lógicamente. podemos deducir otras dos importantes propiedades adicionales.

es un punto de tierra virtual Toda la corriente I que circula por R1 pasará por R2. las características distintivas de este circuito se pueden analizar como sigue. así pues el producto de I por R2 será igual a . entonces toda la tensión de entrada Vi..Vn.Fig. desarrollará su tensión de salida. Puesto que el amplificador tiene ganancia infinita. puesto que no se derivará ninguna corriente hacia la entrada del operacional (Impedancia infinita). con tensión de entrada nula. la entrada diferencial de A es: Vd = Vp . 2 Aplicando las propiedades anteriormente establecidas del AO ideal. V0. ==> Vd = 0.V0 por lo que: luego la ganancia del amplificador inversor: 138 . deberá aparecer en R1.Y si Vd = 0. obteniendo una corriente en R1 Vn está a un potencial cero. Ya que.

Deben observarse otras propiedades adicionales del amplificador inversor ideal. por lo que la corriente que circula por R2 es siempre I. a partir de la teoría de tensión de entrada de diferencial nula. mostrado en la figura 3. ver la entrada (+) como un terminal de referencia. se conoce también como nudo suma. puesto que es directamente proporcional a R2. Si R2 varía desde cero hasta infinito. es un nudo de tensión nula. Vo. la entrada (-) será regulada al potencial de entrada (+) o de referencia. Esta última característica conduce al tercer axioma básico de los amplificadores operacionales. la tensión Vi se aplica a la entrada (+). Puesto que. el cual controlará el nivel que ambas entradas asumen. un punto en el que siempre habrá el mismo potencial que en la entrada (+). La entra del amplificador. Esta propiedad puede aún ser o no ser obvia.R2. Por tanto. el cual se aplica a la operación en bucle cerrado: En bucle cerrado. o cualquier potencial que se desee. sin embargo. esta conexión es un punto de tierra virtual. 3 En este circuito. 139 . La ganancia se puede variar ajustando bien R1. Luego esta tensión puede ser masa (como en la figura 2). muy útil para entender el circuito del AO. o el punto de conexión de la entrada y las señales de realimentación. para cualquier valor de dicha R2. La impedancia de entrada es igual a R1. Es. Fig. Este circuito ilustra claramente la validez del axioma 3. la tensión en R1 será igual a Vi. Luego. y una fracción de la señal de salida. se aplica a la entrada (-) a través del divisor de tensión R1 . la ganancia variará también desde cero hasta infinito. este punto en el que se suman las señales de salida y entrada. independientemente de la corriente I. y Vi y R1 únicamente determinan la corriente I. El amplificador no inversor La segunda configuración básica del AO ideal es el amplificador no inversor. no fluye corriente de entrada en ningún terminal de entrada. o bien R2. y ya que Vd = 0.

capaz de incrementar la ganancia desde el mínimo unidad hasta un máximo de infinito. lo que da lugar a una ganancia unidad. Configuraciones basadas en los circuitos inversor y no inversor. También se pueden deducir propiedades adicionales para esta configuración. es una combinación de las dos configuraciones anteriores. Luego R2 puede utilizarse como un control de ganancia lineal. tiene aplicadas señales en ambos terminales de entrada. y utiliza la amplificación diferencial natural del amplificador operacional. esto también es cierto en el amplificador no inversor. independientemente del valor de R2. Este circuito. mostrado en la figura 4. En el amplificador inversor.Así pues y como tendremos pues que: que si lo expresamos en términos de ganancia: que es la ecuación característica de ganancia para el amplificador no inversor ideal. El límite inferior de ganancia se produce cuando R2 = 0. Aunque está basado en los otros dos circuitos. la corriente a través de R1 siempre determina la corriente a través de R2. La impedancia de entrada es infinita. puesto que se trata de un amplificador ideal. El amplificador diferencial Una tercera configuración del AO conocida como el amplificador diferencial. 140 . el amplificador diferencial tiene características únicas.

V02 Y dado que. Como siempre Vd = 0 y la corriente de entrada en los terminales es cero. 4 Para comprender el circuito. primero se estudiarán las dos señales de entrada por separado. aplicando el teorema de la superposición la tensión de salida V0 = V01 + V02 y haciendo que R3 sea igual a R1 y R4 igual a R2 tendremos que: por lo que concluiremos 141 . usando la ecuación de la ganancia para el circuito inversor. Recordar que Vd = V(+) .Fig. y después combinadas.V(-) ==> V(-) = V(+) La tensión a la salida debida a V1 la llamaremos V01 y como V(-) = V(+) La tensión de salida debida a V1 (suponiendo V2 = 0) valdrá: Y la salida debida a V2 (suponiendo V1 = 0) será.

V1 se dividirá entre R1 y R2. el amplificador no tiene ganancia cuando se aplican señales iguales a ambas entradas. Esta muy útil propiedad del amplificador diferencial. el análisis es sencillo. La impedancia para la entrada (-) es R3. el sumador inversor. R1+R3. apareciendo una menor tensión V(+) en R2. Debido a la ganancia infinita del amplificador. En el caso de que las señales V1 y V2 sean idénticas. de hecho está a masa. Si se cumple la relación La ganancia para señales en modo común es cero. una tensión igual V(-) debe aparecer en el nudo suma (-). es decir. Puesto que la red de resistencias R3 y R4 es igual a la red R1 y R2. y a la tensión de entrada diferencial cero. mientras que se amplifican las señales que aparecen de forma diferencial.que expresando en términos de ganancia: que es la ganancia de la etapa para señales en modo diferencial Esta configuración es única porque puede rechazar una señal común a ambas entradas. Para la entrada (+). se concluye que Vo debe estar a potencial nulo para que V(-) se mantenga igual a V(+). que se explica a continuación. figura 5. Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. y se aplica la misma tensión a ambos terminales de entrada. El sumador inversor Utilizando la característica de tierra virtual en el nudo suma (-) del amplificador inversor. La impedancia de entrada diferencial (para una fuente flotante) es la impedancia entre las entradas. puede utilizarse para discriminar componentes de ruido en modo común no deseables. por definición. el cual. Vo estará al mismo potencial que R2. se obtiene una útil modificación. Esto se debe a la propiedad de tensión de entrada diferencial nula. la impedancia de entrada es R1 + R2. 142 . puesto que.

(V1 + V2 + V3) La ganancia global del circuito la establece RF. las resistencias se pueden reemplazar por elementos complejos. IF igual a IIN. A las ganancias de los canales individuales se les aplica independientemente los factores de escala RG1. El circuito puede acomodar cualquier número de entradas añadiendo resistencias de entrada adicionales en el nodo suma. la tensión V(+) está conectada a masa. en este sentido. no produce interacción entre las entradas.Fig. por lo que la tensión V(-) estará a una masa virtual. Dos circuitos que demuestran esto. son dos nuevas modificaciones del amplificador inversor. Lo que ocurre en este caso es que la corriente I1 es la suma algebraica de las corrientes proporcionadas por V1. es decir: y también Como I1 = I2 concluiremos que: que establece que la tensión de salida es la suma algebraica invertida de las tensiones de entrada multiplicadas por un factor corrector. Aunque los circuitos precedentes se han descrito en términos de entrada y de resistencias de realimentación. R G2 y R G3 son las impedancias de entrada de los respectivos canales. V2 y V3.. como en el amplificador inversor.. étc. en el nodo suma. la cual. Del mismo modo. R G1. que el alumno puede observar que en el caso en que RF = RG1 = R G2 = R G3 ==> VOUT = . y como la impedancia de entrada es infinita toda la corriente I1 circulará a través de RF y la llamaremos I2. R G2. se comporta como en el amplificador inversor básico. Otra característica interesante de esta configuración es el hecho de que la mezcla de señales lineales. 5 En este circuito.. y los axiomas de los amplificadores operacionales se mantendrán como verdaderos. puesto que todas las fuentes de señal alimentan el punto de tierra virtual. El integrador Se ha visto que ambas configuraciones básicas del AO actúan para mantener constantemente la corriente de realimentación. 143 . R G3.

Como ocurría en el amplificador inversor. La tensión de salida es.Fig. llamaremos a esta corriente IF. 6 Una modificación del amplificador inversor. y por tener impedancia infinita toda la corriente de entrada Iin pasa hacia el condensador CF. en CF da lugar a una rampa lineal de tensión. El elemento realimentador en el integrador es el condensador CF. lo que da lugar a una corriente IIN. a RG. V(-) = 0. se aprovecha de esta característica. Por consiguiente. por tanto. la integral de la corriente de entrada. mostrado en la figura 6. La variación de tensión en CF es lo que hace que la salida varíe por unidad de tiempo según: Como en otras configuraciones del amplificador inversor. puesto que V(+) = 0. la corriente constante IF. Se aplica una tensión de entrada VIN. la impedancia de entrada es simplemente RG Obsérvese el siguiente diagrama de señales para este circuito 144 . que es forzada a cargar CF por el lazo de realimentación. el integrador.

7 En este circuito. la posición de R y C están al revés que en el integrador.Por supuesto la rampa dependerá de los valores de la señal de entrada. Luego la corriente de entrada obtenida es proporcional a la tasa de variación de la tensión de entrada: De nuevo diremos que la corriente de entrada IIN. Fig. estando el elemento capacitivo en la red de entrada.IF RF Sustituyendo obtenemos 145 . por lo que IF = IIN Y puesto que VOUT= . circulará por RF. El diferenciador Una segunda modificación del amplificador inversor. de la resistencia y del condensador. que también aprovecha la corriente en un condensador es el diferenciador mostrado en la figura 7.

puesto que. los cuales repetimos aquí: 146 . y la realimentación es del 100%.Obsérvese el siguiente diagrama de señales para este circuito El seguidor de tensión Una modificación especial del amplificador no inversor es la etapa de ganancia unidad mostrada en la figura 8 En este circuito. Resumen de las configuraciones básicas del amplificador y sus características. la resistencia de entrada se ha incrementado hasta infinito. El circuito se conoce como "seguidor de emisor" puesto que la salida es una réplica en fase con ganancia unidad de la tensión de entrada. dado que Es = 0. Todas las características de los circuitos que se han descrito son importantes. V0 es entonces exactamente igual a Vi. y a partir de estos se desarrollan los tres principales axiomas de la teoría de los amplificadores operacionales. y RF es cero. Los cinco criterios básicos que describen al amplificador ideal son fundamentales. La impedancia de entrada de esta etapa es también infinita. son las bases para la completa fundamentación de la tecnología de los circuitos amplificadores operacionales.

dado que un esquema correctamente dibujado nos dice mucho sobre las funciones de un circuito. Estos tres axiomas se han ilustrado en todos los circuitos básicos y sus variaciones. y veremos cómo superarlas. De acuerdo con el convenio normal del flujo 147 . el amplificador no inversor y el seguidor de emisor ilustran como una tensión de entrada es indirectamente multiplicada a través de una realimentación negativa en la entrada inversora. El símbolo básico es un triángulo. donde la entrada inversora se mantiene por realimentación al mismo potencial que la entrada no inversora a masa.. Hasta este momento. Las variaciones del inversor ponen de nuevo de manifiesto los principios básicos. Con una definición adicional.No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales de entrada 3. la entrada (-) será regulada al potencial de entrada (+) o de referencia. La configuración diferencial combina estos conceptos.. Las entradas están en la base del triángulo. llegaremos al mundo real de los dispositivos prácticos. la cual es forzada a seguir con un potencial idéntico. ilustrando el ideal de la simultaneidad de la amplificación diferencial y del rechazo de la señal en modo común.En bucle cerrado. y tensión de entrada diferencial cero. Usando el concepto de la entrada no inversora como terminal de referencia. El símbolo más usado se muestra en la figura 9 con algunas aclaraciones anotadas. y la salida en el ápice. En todos estos circuitos. Este es fundamental. examinaremos sus desviaciones respecto al ideal. En la configuración inversora.. SIMBOLO ESQUEMATICO DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL ESTÁNDAR Y SU USO Una herramienta adicional básica del AO es su símbolo esquemático. el cual generalmente presupone amplificación.La tensión de entrada diferencial es nula 2. hemos definido el AO en sentido ideal y hemos examinado sus configuraciones básicas. hemos visto también cómo el funcionamiento está solamente determinado por los componentes conectados externamente al amplificador. la simbología del dispositivo. los conceptos de corriente de entrada nula.1. dan origen a los conceptos de nudo suma y tierra virtual.

el tipo o número del dispositivo utilizado se sitúa centrado en el interior del triángulo. Como se ve. Estos pueden no ser mostrados en todos los casos (en favor de la simplicidad) pero siempre están implícitos. étc. los cuales se sitúan adyacentes a sus respectivos terminales dentro del cuerpo del triángulo. las dos entradas se dibujan como se indica en la figura. se usa el símbolo A ( o A1. sobreentendiendo las conexiones de alimentación. preferiblemente. Usualmente. los terminales de las tensiones de alimentación se dibujan. Finalmente. indicativo de un amplificador operacional cualquiera. A2. las dos entradas están claramente identificadas por los símbolos (+) y (-). Excepciones a esta regla se producen en circunstancias especiales.) 148 . por encima y debajo del triángulo. Además. en croquis. en las que podría ser difícil mantener el convenio estándar. basta con usar el símbolo de tres terminales para dar a entender el significado. la entrada no inversora (+) es la inferior de las dos.de señal. Generalmente. el símbolo se dibuja con el ápice (salida) a la derecha. Si el circuito es uno general. pero puede alterarse si es necesario para clarificar otros detalles del circuito.

6-V ~ 5% ~ 1% 5-K 3-K 10. Aplicaciones: o Temporizador.4-Meg 6. En los esquemas se hace referencia al patillaje del elemento.0-V ~ 5% ~ 1% 10-Meg 5-K 3-K 0.3 ~200ma Varia con el Mfg y el diseño Nominal Temperatura 25° C Temperatura 25° C Error de temporización (Monoestable) ~ 1% 5-K 3-K 3.4/<0. puede funcionar como oscilador.El dispositivo 555 Introducción y características El dispositivo 555 es un circuito integrado muy estable cuya función primordial es la de producir pulsos de temporización con una gran precisión y que. o Divisor de frecuencia. o Oscilador.3 ~200ma ~200ma A continuación se mostrarán los modos de funcionamiento que posee este circuito integrado.3 0. o Astable.4/<0.2-Meg 0.3-V ~ 5% 6. Pasemos ahora a mostrar las especificaciones generales del 555 (Vc = disparo): Especificaciones generales del 555 Vcc Frecuencia máxima (Astable) Nivel de tensión Vc (medio) Error de frecuencia (Astable) Máximo valor de Ra + Rb Valor mínimo de Ra Valor mínimo de Rb Reset VH/VL (pin-4) Corriente de salida (pin-3) 5-Voltios 10-Voltios 15-Voltios Notas 500-kHz a 2-MHz 3. o Generador de señales triangulares. Sus características más destacables son: • • • Temporización desde microsegundos hasta horas. Funcionamiento monoestable 149 . o Modulador de frecuencia. Modos de funcionamiento: o Monoestable.4/<0. al igual que a las entradas y salidas de cada montaje. además.

pasando lo más rápidamente posible a un nivel bajo (idealmente 0V). la salida se mantiene a nivel alto (Vcc) hasta transcurrido el tiempo determinado por la ecuación: T = 1. 5V con Vcc 5V) la salida se mantiene a nivel bajo (0V). Funcionamiento astable En este modo se genera una señal cuadrada oscilante de frecuencia: F = 1/T = 1.Cuando la señal de disparo está a nivel alto (ej. NOTA: en el modo monoestable. que es el estado de reposo.44 / [C*(Ra+2*Rb)] 150 . para no tener problemas de sincronización que el flanco de bajada de la señal de disparo sea de una pendiente elevada. el disparo debería ser puesto nuevamente a nivel alto antes que termine la temporización.1*Ra*C Es recomendable. Una vez se produce el flanco descendente de la señal de disparo y se pasa por el valor de disparo.

693*(Ra+Rb)*C Salida a nivel bajo: T2 = 0.693*Rb*C 151 . Si se desea ajustar el tiempo que está a nivel alto y bajo se deben aplicar las fórmulas: Salida a nivel alto: T1 = 0.La señal cuadrada tendrá como valor alto Vcc (aproximadamente) y como valor bajo 0V.

Se realiza por la transferencia de energía cinética entre moléculas. El calor elevará la energía cinética de las moléculas dando lugar a un aumento de temperatura en el dispositivo.. a este proceso se le llama convección natural.CONDUCCIÓN: Es el principal medio de transferencia de calor. inicialmente provocará una reducción de la vida útil del elemento y en el peor de los casos lo destruirá. En este tipo de transmisión se debe tener en cuenta la conductividad térmica de las sustancias (cantidad de calor transmitido por unidad de tiempo. el flujo de la corriente eléctrica produce una pérdida de energía que se transforma en calor. La capacidad de evacuación del calor al medio ambiente podrá variar según el tipo de cápsula pero en cualquier caso será demasiado pequeña. Formas de transmisión del calor La experiencia demuestra que el calor producido por un foco calorífico se propaga por todo el espacio que lo rodea. es decir. superficie. si este aumento es excesivo e incontrolado provocará una reducción de la vida útil del dispositivo y en el peor de los casos su destrucción. el cual hace de puente para evacuar el calor de la cápsula al medio ambiente. se transmite por el interior del cuerpo estableciéndose una circulación de calor. Esto es debido a que en todo semiconductor. por lo que necesita una ayuda adicional para transferir el calor disipado mediante un dispositivo de mayor volumen y superficie conocido como disipador de calor. Es por ello que la evacuación del calor generado en el semiconductor es una cuestión de gran importancia para asegurar el correcto funcionamiento y duración del dispositivo. Esto es debido al movimiento desordenado en la estructura interna de la unión. La máxima cantidad de calor que atravesará dicho cuerpo será aquella para la cual se consigue una temperatura estable en todos los puntos del cuerpo.CONVECCIÓN: El calor de un sólido se transmite mediante la circulación de un fluido que le rodea y este lo transporta a otro lugar. Si la circulación del fluido está provocada por un medio externo se denomina convección forzada. Esta transmisión del calor puede producirse de tres formas: 1. El calor produce un incremento de la temperatura del dispositivo. Propagación del calor En todo semiconductor el flujo de la corriente eléctrica produce una pérdida de energía que se transforma en calor. gradiente de temperatura)... Si este incremento es excesivo e incontrolado. En Electrónica de Potencia la REFRIGERACIÓN juega un papel muy importante en la optimización del funcionamiento y vida útil del semiconductor de potencia. 2. 3.Disipadores de calor El estudio térmico de los dispositivos de potencia es fundamental para un rendimiento óptimo de los mismos.RADIACIÓN: 152 .

Por lo tanto. aprovechando la ley de ohm realizamos la siguiente comparación eléctrica mostrada en la figura adjunta. La transferencia de calor por radiación no se tiene en cuenta puesto que a las temperaturas a que se trabaja ésta es despreciable. Para que se produzca un flujo de energía calorífica de un punto a otro. debemos evacuar al exterior la energía calorífica generada por la unión. El estado de la superficie influye en gran medida en la cantidad de calor radiado. pero aparecen factores que dificultan este paso. Si ésta se quiere mantener a un nivel seguro. Asemejaremos las temperaturas a tensiones. las resistencias térmicas a las resistencias óhmicas y el flujo de calor a una corriente eléctrica. Parámetros que intervienen en el cálculo Para que un semiconductor disipe la potencia adecuada.El calor se transfiere mediante emisiones electromagnéticas que son irradiadas por cualquier cuerpo cuya temperatura sea mayor a cero grados Kelvin. Las superficies mates son más favorables que las pulidas y los cuerpos negros son los de mayor poder de radiación. Al igual que en un circuito eléctrico. El paso de la corriente eléctrica produce un aumento de la temperatura de la unión (Tj). debe existir una diferencia de temperatura. se puede decir que: De la figura se obtiene la expresión: Resistencias térmicas En la siguiente figura se muestra la igualdad entre el circuito equivalente de resistencias térmicas y los elementos en un montaje real: 153 . A estos factores se les denomina resistencias térmicas. hay que mantener la temperatura de la unión por debajo del máximo indicado por el fabricante. por este motivo se efectúa un ennegrecimiento de la superficie radiante. El calor pasará del punto más caliente al más frío.

Si tomamos de un manual los datos correspondientes a un 2N3055 serán: Pdmáx =115 W Tjmáx =200 ºC Sustituyendo estos valores en la siguiente ecuación. Generalmente este dato lo suministra el fabricante. y dependerá del tipo de cápsula del dispositivo. de tal forma que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. que será propia de cada dispositivo.Rjc = Resistencia unión .disipador Rd = Resistencia del disipador Tj = Temperatura de la unión Tc = Temperatura del contenedor Td = Temperatura del disipador Ta = Temperatura ambiente Resistencia Unión . Deberemos de tener en cuenta que Pd es la dada por el fabricante y no la que disipará el dispositivo en el circuito. Aparecerá bien directamente o indirectamente en forma de curva de reducción de potencia. En la figura siguiente se muestra este tipo de curva.Contenedor (Rjc) En este caso el foco calorífico se genera en la unión del propio cristal semiconductor. Normalmente Tc vale 25 ºC. Esta muestra la potencia en función de la temperatura del contenedor. En ella la pendiente de la recta dada es la resistencia unión contenedor. se obtiene el valor de la Rjc: 154 .contenedor Rcd = Resistencia contenedor . La fórmula que se utiliza para el cálculo de esta resistencia es: Donde estos datos se obtienen de la curva de reducción de potencia.

Este dato será. Para el cálculo de la resistencia se pueden utilizar las siguientes fórmulas: 155 . precisamente. Pastas conductoras de calor. kelafilm. etc. Por ello podemos obtener la siguiente conclusión: La mica aumenta la Rcd mientras que la pasta de silicona la disminuye y como se ha dicho cuanto más pequeña sea la Rcd menor superficie de aleta refrigeradora. y del estado de planitud y paralelismo de las superficies de contacto. que con contacto directo Rcd = 0. Cuanto más baja es Rcd menor será la longitud y superficie de la aleta requerida. la incógnita principal de nuestro problema. posición de montaje y en el caso de disipadores planos factores como el grosor del material y el tipo de encapsulado. También las hay conductoras de calor que no precisan pasta de silicona. solo contactan por unos puntos. la Rjc indicada en los manuales para el 2N3055. condiciones de la superficie. Por lo tanto podemos decir que cuando no sea necesario aislar el dispositivo. ya que da el menor valor de Rcd y si hubiese que aislar con mica interesa montar mica más pasta de silicona ya que la Rcd es menor que si se monta solo con mica. Láminas aislantes eléctricas que se pueden emplear conjuntamente con siliconas conductoras de calor como mica. puesto que a nivel microscópico.4 ºC/W. el tipo de contacto que más interesa es el directo más pasta de silicona.12 ºC/W. que pueden ser o no ser conductoras de la electricidad. en la práctica. También depende del tipo de material que se interponga entre ambas superficies de contacto. Directo más mica aislante más pasta de silicona. Resistencia del disipador (Rd) Representa el paso por convección al aire del flujo calorífico a través del elemento disipador.3 se tiene que con contacto directo más pasta de silicona la Rcd = 0. puesto que según el valor que nos de el cálculo. y que con contacto directo más mica Rcd = 0. así será el tipo de aleta a emplear. Directo más pasta de silicona.Disipador (Rcd) Es la resistencia térmica entre el semiconductor y el disipador. Este valor depende del sistema de fijación del disipador y el componente.25 ºC/W. El tipo de contacto entre cápsula y disipador podrá ser: • • • • Directo. quedando huecos de aire que entorpecen la transmisión del calor. Los elementos que se sitúan entre la cápsula y el disipador pueden ser de dos tipos: a. El valor de esta resistencia térmica influye notablemente en el cálculo de la superficie y longitud que debe disponer la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Resistencia Contenedor . Directo más mica aislante. Por ejemplo. b.8 ºC/W. que con contacto directo más mica y más pasta de silicona Rcd = 0. Depende de muchos factores: potencia a disipar.y ésta es. para una cápsula TO.

Cuando se habla de la resistencia unión ambiente con disipador nos referimos a la suma de la resistencia unión contenedor (Rjc). Según la gráfica de que se disponga se obtendrá un valor de longitud o un valor de superficie de disipador que hay que montar para refrigerar adecuadamente el dispositivo semiconductor. El fabricante la facilita como suma de Rjc y Rca puesto que ignora el tipo de disipador que utilizaremos. Temperaturas Temperatura de la unión (Tj) La temperatura máxima de la unión es el límite superior de temperatura a la que no se debe llegar y menos sobrepasar si queremos evitar la destrucción de la unión.superficie. Con esta resistencia deberemos de distinguir dos casos. b) Este valor lo suministra el fabricante en función del tipo de contenedor. Para ello es necesario disponer de uno de los dos tipos de gráficas que ofrecen los fabricantes de disipadores.longitud y la Rd . normalmente. Una vez calculada la Rd se pasa a elegir la aleta refrigeradora. no existe una tabla de valores típicos. El valor de Rja dependerá de los valores de Rd y de Rcd. 156 . Como no es un valor fijo. y la que hay que utilizar es con disipador. Resistencia Unión . Este dato es un valor que se suele suministrar.Ambiente (Rja) Como su nombre indica es la resistencia que existe entre la unión del semiconductor y el ambiente. nos referimos a la resistencia unión contenedor junto con la contenedor ambiente: (fig. en los manuales de los fabricantes de semiconductores. habrá que tener en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el adecuado para su montaje en la aleta disipadora que se haya elegido. Cuando se habla de resistencia unión ambiente sin disipador. el de resistencia unión ambiente con disipador y sin disipador.Este valor de Rja no es el que da el fabricante ya que éste la suministra sin disipador. Después de cumplir la condición anterior hay que calcular la longitud o la superficie del disipador elegido. la Rd . a) Este valor no es conocido ya que varía según el tipo de disipador que se utilice. la resistencia contenedor disipador (Rcd) y la resistencia disipador ambiente (Rd): (fig. Para la elección de la aleta.

podremos adoptar unos valores típicos en función del dispositivo a refrigerar como los mostrados en la tabla que se expone a continuación: DISPOSITIVO de unión de Silicio JFET MOSFET Tiristores Diodos de Silicio Diodos Zener RANGO DE Tjmáx Entre 150 y 200 ºC Entre 150 y 175 ºC Entre 175 y 200 ºC Entre 100 y 125 ºC Entre 150 y 200 ºC Entre 150 y 175 ºC de unión de Germanio Entre 100 y 125 ºC Transistores Uniunión Entre 100 y 125 ºC Se debe distinguir entre la temperatura máxima de la unión permitida para un dispositivo y la temperatura real de la unión a la que se pretende que trabaje dicho elemento o dispositivo que. siempre será menor que la máxima permitida. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se sitúe en el exterior. Para ello se utiliza un coeficiente ( K ) de seguridad cuyo valor dará una temperatura de la unión comprendida entre el 50% y el 70% de la máxima. simplemente.7. La temperatura de la unión que se utilizará en los cálculos será: Tj = Tjmáx x k Las condiciones de funcionamiento en función de k serán: • • • Para valores de k=0. de la resistencia del disipador y de la temperatura ambiente.Si este valor no se refleja en dichos manuales o. lógicamente. Por lo tanto solo podemos calcularla cuando conozcamos todos los datos reflejados en alguna de las siguientes expresiones: Temperatura del disipador (Td) Este valor se obtiene a partir de la potencia disipada Pd. El objetivo del que diseña será mantener la temperatura de la unión por debajo de la máxima.5. no se encuentra. Le asignamos el valor según el margen de seguridad que queremos que tenga el dispositivo. Por lo tanto k estará comprendido entre 0. Dispositivo poco caliente.7. Para valores de k=0. Para valores de k=0. Temperatura de la Cápsula (Tc) Este dato no se suministra en los manuales ya que depende del valor de la potencia que disipa el dispositivo. Máximo riesgo para el dispositivo. máxima economía en el tamaño de la aleta refrigeradora. Dimensión menor de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se caliente demasiado. Se calculará con cualquiera de estas expresiones: 157 . pero el tamaño de la aleta refrigeradora será mayor.6. Máximo margen de seguridad.5 y 0. de la resistencia térmica de la aleta Rd y finalmente de la temperatura ambiente Ta.

Como se puede observar la potencia obtenida es superior a la disipable sin disipador e inferior a la que nos suministra el fabricante. Potencia disipada La potencia máxima es un dato que nos dará el fabricante. Si conocemos la temperatura de la unión es de 200 ºC y Rja de 35 ªC/W se tiene: Esta es la máxima potencia disipable sin disipador. tanto que si se toca con un dedo notaríamos que quema. Si consideramos una aleta con una buena resistencia térmica como puede ser una de 0. Temperatura ambiente (Ta) En la interpretación de este dato puede haber alguna confusión ya que se puede tomar su valor como la temperatura del medio ambiente cuando en realidad es la temperatura existente en el entorno donde está ubicado el disipador.5 ºC/W respectivamente.6 ºC/W y unas resistencias térmicas contenedor . Ello es debido a que el fabricante ha calculado la Pdmáx manteniendo la temperatura del contenedor a 25 ºC. cosa que en la práctica es imposible: 158 . para una temperatura del contenedor de 25 ºC y un disipador adecuado. Se puede ver que este valor se queda muy por debajo del indicado por el fabricante. Esto no es motivo de preocupación ya que se han tomado las medidas necesarias como para que la temperatura de la unión disponga de un margen de seguridad dentro de los márgenes ya explicados. Pero en todo momento la temperatura de la unión entrará con amplio margen dentro de los límites permitidos. Este dato es para las mejores condiciones de funcionamiento del dispositivo.La temperatura obtenida será siempre inferior a la temperatura de la cápsula aunque será lo suficientemente alta en la mayoría de los casos como para no poder tocar el disipador con las manos. como la Td disminuirán como se desea. solo hay que calcular de nuevo la resistencia térmica Rd de la aleta. poniendo esta vez 0. si se quiere disminuir esta temperatura. se tendrá: Si hiciéramos disipar 90 W como pretendíamos se destruiría la unión. ambos valores también bastante adecuados. Por ejemplo. es decir. Puede suceder que la temperatura de la aleta es bastante elevada. pero tanto la Tc.disipador Rcd y unión contenedor Rjc de 0.5 como factor ( k ) necesario para determinar Tj. si de un determinado transistor nos dice el fabricante que puede disipar un máximo de 116 Watios. No obstante.12 ºC/W y de 1. a primera vista se puede pensar que disipando 90 Watios no se corre ningún riesgo puesto que hay un margen con respecto al máximo y no se necesita disipador. Ello llevará a adoptar una aleta más grande.

Como se ha dicho este dato de 116 W es para las mejores condiciones de funcionamiento y el fabricante debe indicar en cuales se realizó esa medida. de lo contrario pueden aparecer sorpresas desagradables. Sabemos que la máxima potencia que se puede hacer disipar a un semiconductor sin disipador viene dada por el cociente entre el incremento de la temperatura y la resistencia térmica unión ambiente: Donde Rja es la que nos suministra el fabricante que no incluye Rd. entre el contenedor y el disipador (Rcd) y entre el disipador y el ambiente (Rd): 159 . Cuando se utiliza un disipador. Resumiendo. la resistencia térmica se divide en tres parámetros: la resistencia entre la unión y el contenedor (Rjc). es importante saber interpretar adecuadamente los datos suministrados por el fabricante.

. Está definido por el estándar EIA RS-236-B. 2 para el transistor. Junio de 1963.. todos y cada uno de los componentes usados en la electrónica que existen en el mercado. También existen algunas normas antiguas que veremos muy superficialmente. se codifica con una cuarta banda según la tabla 1. Para designar los diodos también se tiene un sistema de designación por colores. mientras que el JEDEC es usado por los fabricantes norteamericanos y el JIS por los japoneses. La secuencia alfanumérica que sigue a la N se codifica por un sistema de bandas de colores con arreglo a las normas siguientes: Secuencia de dos cifras: una banda negra seguida de dos bandas representando una cifra cada una según la tabla 1. Si existe una letra como sufijo. JEDEC Este sistema es usado principalmente por los fabricantes americanos.). Los principales códigos normalizados son: PROELECTRON JEDEC JIS El sistema Proelectrón se utiliza principalmente en Europa. En este caso la primera cifra seguida de la letra N no se corresponden con información visual alguna. La letra N indica que el material usado es el silicio. El código de designación se presenta básicamente como: Una cifra + N + Secuencia alfanumérica de serie La cifra indica el número de uniones del componente (1 para el diodo. Cifra Color 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 NEGRO MARRÓN ROJO Letra A B NARANJA C AMARILLO D VERDE AZUL VIOLETA GRIS BLANCO E F G H J Tabla 1 160 ..Códigos normalizados de semiconductores Los códigos normalizados de designación pretenden identificar de una manera unificada.

P: Componente sensible a la radiación (p.0 a 1. R: Componente de control o de conmutación con disparo eléctrico poseyendo una característica de ruptura (Rthj-a > 15 K/W). En otros casos. B: Diodo de sintonía (capacidad variable). ej: LED). fotodiodo). G: Multichips. p. F: Transistor para aplicaciones de alta frecuencia (Rthj-a > 15 K/W). D: Transistor de potencia para aplicaciones de audio (Rthj-a≤ 15 K/W). ej. ej. L: Transistor de potencia para aplicaciones de alta frecuencia (Rthj-a≤ 15 K/W). se codifica con una cuarta banda según la tabla 1.0 eV. según el tipo de aplicación al que eté destinado (comercial o profesional): Dos letras + secuencia alfanumérica de serie (aplicaciones comerciales) Tres letras + secuencia alfanumérica de serie (aplicaciones profesionales) La primera letra indica el tipo de material: A: Material con anchura de banda prohibida de 0. mezclador.. etc. como el InSb. El componente se designa de dos formas. S: Transistor para aplicaciones de conmutación (Rthj-a > 15 K/W). E: Material compuesto como el empleado en generadores Hall y fotoconductores.6 a 1. como el NaAs. H: Sonda campo de efecto Hall. C: Transistor para aplicaciones de audio (Rthj-a > 15 K/W). el grupo de bandas se agrupa claramente hacia el cátodo. B: Material con anchura de banda prohibida de 1. La segunda letra indica la aplicación principal y construcción si se hace necesaria una diferenciación mayor: A: Diodo de detección. T: Componente de control o de conmutación con disparo eléctrico o por incidencia de la luz 161 . como el Ge. Si existe una letra como sufijo. N: Optoacoplador. tiristor.Secuencia de tres cifras: tres bandas representando una cifra cada una según la tabla 1. Q: Componente emisor de radiación (p. Ejemplo 2N5965 2: Dos uniones. Para la identificación del cátodo se utiliza en la mayoría de los casos una banda de anchura doble como primera cifra más próxima a este terminal. de conmutación.. E: Diodo Túnel.3 eV. debiendo ser leídas desde el cátodo al ánodo. Si existe una letra como sufijo. como el Si. es decir. K: Generador Hall en circuito magnético abierto.6 eV. M: Modulador o multiplicador Hall. D: Material con anchura de banda prohibida menor que 0. C: Material con anchura de banda prohibida mayor que 1. Secuencia de cuatro cifras: cuatro bandas representando una cifra según la tabla 1. se codifica con una quinta banda según la tabla 1. un transistor N: Silicio 5965: Secuencia alfanumérica de serie PROELECTRON Este sistema se utiliza principalmente en Europa.3 eV.

o X.poseyendo una característica de ruptura (Rthj-a≤ 15 K/W). La primera letra indica la tolerancia nominal respecto de la tensión de trabajo en %. mientras que las cifras de la secuencia alfanumérica que siguen a las letras se deducen de bandas de color impresas sobre el diodo. La tercera letra empleada para determinar el tipo es Z. tiristor. U: Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación (Rthj-a≤ 15 K/W). la letra R (polaridad inversa). ej. diodo "booster". X: Diodos múltiples: varactor. Z: Diodo estabilizador de tensión (Zener). la letra R (polaridad inversa). Letras iniciales y color correspondiente: BAV : VERDE BAW : AZUL BAX : NEGRO Cifra y color de la banda: 0 : NEGRO 1 : MARRON 2 : ROJO 3 : NARANJA 4 : AMARILLO 5 : VERDE 6 : AZUL 162 . diodo de potencia. Y: Diodo rectificador. La secuencia alfanumérica que sucede a las letras sirve para identificar a los componentes. El número indica generalmente el voltaje de pico repetitivo máximo. A continuación se muestra la correspondencia de letras y cifras con colores. La combinación de letras inicial se designa por el color del cuerpo del diodo. A: 1% B: 2% C: 5% D: 10% E: 15% Diodo rectificador: Un número y donde sea apropiado. El cátodo se indica por la banda más ancha. p. correspondiendo dicha banda a la primera cifra. Algunos componentes incorporan otro código alfanumérico a modo de sufijo que nos da cierta información adicional. Podemos destacar los siguientes: Diodo Zener: Una letra seguida de la tensión de disrupción o de trabajo típica de este diodo (en la cual la letra V actúa como coma decimal si la tensión que estabiliza no es un número entero) y donde sea apropiado. Para la designación de diodos de pequeña señal profesionales también se utiliza el código de colores. diodo "step recovery". Y.

C: Tolerancia de un 5% sobre la tensión nominal que estabiliza. 107 B: Secuencia alfanumérica de serie.9 V. pero que sin embargo están aún presentes en el mercado. Esta última es la más importante. La segunda y la tercera letras hacen referencia a qué clase pertenece: A: Diodo semiconductor AP: Fotodiodo AZ: Diodo Zener OC. como el sistema CV británico o la norma europea antigua. OD: Transistor Ejemplo 163 .Japanese Industrial Standards). Su código de designación de tipo consiste en: Dos o tres letras + Secuencia numérica de serie La primera letras es la O (dispositivo semiconductor). AAZ15 A: Germanio A: Diodo de conmutación Z: Uso profesional 15: Secuencia alfanumérica de serie BZY96C3V9R B: Silicio Z: Diodo Zener Y: Uso profesional 96: Secuencia alfanumérica de serie. Posee un código de designación de tipo para transistores el cual consta básicamente de dos partes: 2S + Secuencia alfanumérica de serie NORMAS ANTIGUAS Existen una serie de normas obsoletas en la actualidad.7 : VIOLETA 8 : GRIS 9 : BLANCO Ejemplos BC107B B: Silicio C: Transistor para aplicaciones de audio (Rthj-a > 15 K/W). 3V9: Tensión nominal 3. R: Polaridad inversa JIS Este sistema es el usado por los fabricantes de Japón (JIS .

OA90 O: Dispositivo semiconductor A: Diodo semiconductor 90: Secuencia numérica de serie 164 .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful