Semiconductores

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc). Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

Fig. 1. Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro, no existen electrones ni huecos libres La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura 1, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los núcleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos. La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de que los electrones de conducción de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro átomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura 1 en la cual no se observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante.

1

Fig 2. El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre átomos liberándose un cierto número de electrones. En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los átomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situación. La ausencia del electrón que pertenecía a la unión de dos átomos de silicio se representa por un círculo. La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrón puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al núcleo y por tanto abandona su posición, aparece un hueco, y le resulta relativamente fácil al electrón del átomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posición inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrón, con una trayectoria de sentido opuesto a la de éste. Semiconductores Intrínsecos o puros, Impurezas dadoras o donadoras e Impurezas aceptadoras. Se denomina semiconductor puro aquél en que los átomos que lo constituyen son todos del mismo tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza. Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le añade una pequeña cantidad de átomos distintos (por ejemplo arsénico, fósforo, etc). se transforma en un semiconductor impuro. A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptoras. Si a la estructura del semiconductor de silicio se le añade alguna impureza, como puede ser el arsénico (As), que tiene cinco electrones externos ligados al núcleo con carga positiva +5. Cuatro de los cinco electrones del átomo de arsénico se unirán a los correspondientes electrones de los cuatro átomos de silicio vecinos, y el quinto quedará inicialmente libre, sin una posible unión, y por tanto se convertirá en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo «n». En un semiconductor con impurezas del tipo n, no sólo aumenta el número de electrones sino que también la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el semiconductor puro.

2

La causa de esta disminución se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes. Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres electrones externos, solo podrá formar tres uniones completas con los átomos de silicio, y la unión incompleta dará lugar a un hueco. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas del tipo «p». Al contrario de lo que sucedía antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparación, con los que tenía el semiconductor puro. A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptoras, se les llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios. En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios.

3

indica el sentido permitido de la corriente. En la Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K. • presenta resistencia nula. y resistencia infinita en el sentido opuesto. representada en la figura 1. Figura 1: Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal. La punta de la flecha del símbolo circuital. El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido. 4 . • presenta resistencia infinita. Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en circuito sencillo.Diodos INTRODUCCIÓN El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un determinado sentido. mientras que la bloquea en el sentido contrario.

Figura 3: Esquemas de diodos de unión PN El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal. 5 . ya que la corriente entra por el ánodo.Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal. el diodo impide el paso de corriente. y éste se comporta como un interruptor cerrado. y la caída de tensión en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo. uno de tipo N y otro de tipo P. y se obtiene una corriente de 5mA. Debido a esto. la corriente debe circular en sentido horario. el diodo vertical y el plano. DIODO DE UNIÓN PN Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales semiconductores de características opuestas. En el circuito de la izquierda. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el resto del circuito. se produce una caída de tensión de 10V en la resistencia. el diodo permite dicha circulación. En el circuito de la derecha. es decir. Según está colocada la fuente. En la Figura 3: se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente. comportándose como un interruptor abierto.

En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formación de los diodos de semiconductores para pasar después a exponer el comportamiento eléctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal. Formación de la unión PN Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo átomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de átomos del grupo V (fósforo). En ambos casos se tienen también portadores de signo contrario, aunque en una concentración varios órdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificación del silicio para la obtención de diodos PN En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos eléctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentración de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusión. Como se recordará, este fenómeno tiende a llevar partículas de donde hay más a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir: • • Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos en la región de la zona P cercana a la unión: 1. El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrón la carga total era nula. 2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que también aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

6

Figura 5: Formación de la unión PN En el ejemplo del capítulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso están difundiendo partículas cargadas. La distribución de cargas formada en la región de la unión provoca un campo eléctrico desde la zona N a la zona P. Este campo eléctrico se opone al movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo conforme pasan más cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento está ya formado el diodo de unión PN, y como resultado del proceso se ha obtenido: • • • Zona P, semiconductora, con una resistencia RP. Zona N, semiconductora, con una resistencia . Zona de agotamiento (deplección): No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningún aporte de energía, excepto el de la agitación térmica. Polarización directa El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el establecimiento de una corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de deplección no es conductora.

7

Figura 6: Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior a la de barrera Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de deplección (Figura 7). Sin embargo, mientras ésta exista no será posible la conducción.

Figura 7: Diodo PN bajo la acción de una tensión mayor que la de barrera Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de deplección y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura 7): 1. Electrones y huecos se dirigen a la unión. 2. En la unión se recombinan. En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensión positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas móviles la zona de deplección. La tensión aplicada se emplea en: • • Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

Polarización inversa Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de deplección. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 8). Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo está en directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarización directa para los mismos niveles de tensión.

8

Figura 9: Característica V-I de un diodo de unión PN. al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de silicio. En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento explicadas en el apartado anterior: • Región de conducción en polarización directa (PD). o Región de corte en polarización inversa (PI). ello no conlleva necesariamente la destrucción del diodo. originando un proceso de rotura por avalancha. o Región de conducción en polarización inversa. Característica tensión-corriente La Figura 9 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa Al aumentar la tensión inversa. llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de deplección. 9 . mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles). (Nota: Sin embargo.

Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Para ello. Los fabricantes suelen distinguir tres límites: o o Corriente máxima continua (IFM) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current). En el caso de los diodos de silicio. El paso de conducción a corte no es instantáneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente. IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. hasta llegar a la ruptura. 3. La intensidad que circula por la unión aumenta rápidamente. VON se sitúa en torno a 0. hasta quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas P y N. En la Figura 10 vemos representadas más claramente estas diferencias entre los comportamientos del diodo de unión PN e ideal. Corriente máxima en directa. 4. puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Diferencias entre el diodo de unión PN y el diodo ideal Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son: 1. en la que se especifica también el tiempo que dura el pico 10 .Por encima de 0 Voltios. la corriente que circula es muy pequeña. En polarización inversa aparece una pequeña corriente. A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en coducción por avalancha. 2. Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unión PN y del diodo ideal Principales características comerciales A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas características apropiadas para dicha aplicación.7 V. La tensión para la que comienza la conducción es VON. en la que de nuevo aumenta. la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa. hasta que no se alcanza la tensión de barrera (VON). Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios. se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. La resistencia del diodo en polarización directa no es nula.

Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage.1 de este documento se incluyen unas hojas de datos de diodos a modo de ejemplo. del material semiconductor. Depende de las dimensiones del diodo.71mV. 11 . mediante la gráfica I-V del dispositivo. VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado anteriormente los 0.7V como valor típico. es el factor de idealidad. es VT=25. El potencial térmico a temperatura ambiente. IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa 4.o Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current). en la que se especifica la frecuencia máxima del pico 1. Modelo DC del diodo real El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresión: en donde: • • n. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura. La siguiente expresión permite el cálculo de VT: con y . PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. Caída de tensión en PD. de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS. Peak Inverse Voltage. la carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de Boltzmann (K). en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión. En el Anejo A. T=25ºC. Modelos para señales continuas Bajo el término señales continuas se engloban en este apartado tanto las señales constantes en el tiempo como aquellas que varían con una frecuencia muy baja. Además. Corriente en inversa. 3. es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. 2. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. MODELOS DEL DIODO DE UNION PN A continuación se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo de unión PN. VT. BV.

IS. La representación gráfica de este modelo se muestra en la Figura 11: Figura 11: Representación gráfica del modelo del diodo real. de manera que V-IR es la tensión que se está aplicando en la unión PN. Sin embargo. el término exponencial es muy pequeño. Para V>0. Para V<0. Por ejemplo. despreciable frente a la unidad. Depende de la estructura. Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y que. algunos modelos empleados en los programas simulación por ordenador constan de hasta quince parámetros. la caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña.• • R es la resistencia combinada de las zonas P y N. la exponencial crece rápidamente por encima de la unidad. Modelo ideal del diodo de unión PN El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones: • • Se toma el factor de idealidad como la unidad. Como puede apreciarse. Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo más simple. este modelo no da cuenta de la tensión de ruptura en inversa. Entonces la intensidad tiende al valor IS. del material. siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensión entre terminales externos. que como ya se había indicado anteriormente. por lo tanto. del dopado y fuertemente de la temperatura. Modelo lineal por tramos 12 . es la corriente inversa de saturación del diodo. es la corriente inversa del diodo. n=1. frente a la caída de tensión en la unión PN. a la hora de realizar cálculos sobre el papel resulta poco práctico. El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que incluyan efectos no contemplados en la teoría básica.

la caída de tensión en la unión PN (VON) es constante e independiente de la intensidad que circule por el diodo. Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican los cálculos en la resolución del circuito.6 V <VDIODO< 0. El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla: Estado Conducción Corte La Figura 12 muestra la curva característica V-I del modelo lineal Modelo Condición 13 . Como se puede apreciar. la tensión apenas ha experimentado un cambio de 200 mV. para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0. Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unión PN de silicio con una I S= 85 fA a una temperatura ambiente de T=25 ºC. el modelo ideal sigue siendo poco práctico. cada uno de los cuales obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado.7 mV. por lo que es posible aproximar la caída de tensión en la unión PN a un valor constante de 0.7 V. Por ejemplo. se divide el modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y conducción). El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximación del modelo ideal del diodo de unión PN. En directa.Al igual que el modelo real. Sin embargo. El potencial térmico a esa temperatura es VT=25. Tomando como variable independiente la intensidad I. se puede calcular la caída de tensión en el diodo para las magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrónicos.77 V. la ecuación ideal del diodo queda: A partir de esta expresión. dado su carácter no lineal. considerando las siguientes simplificaciones: • • En inversa. la corriente a través de la unión es nula. mientras que la corriente ha variado 3 órdenes de magnitud.

Figura 12: Modelo lineal por tramos del diodo. quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo: • • Conducción o Polarización Directa "On". donde la corriente es nula para cualquier valor de tensión menor que VON. donde la tensión es VON para cualquier valor de la corriente. En la Figura 12. Figura 13: Diodo polarizado con una señal alterna superpuesta a una continua El funcionamiento del diodo en esta situación queda representada gráficamente en la Figura 14: 14 . y sobre ese punto se superpone una señal alterna de pequeña amplitud. Modelo para pequeñas señales de alterna Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de tensión positiva. El uso de este modelo sólo está justificado en aquellas ocasiones en las que no se requiere una gran exactitud en los cálculos. Corte o Polarización Inversa "Off".

el cálculo se complica. Si se considera además que el diodo está dentro de un circuito es posible que ni siquiera pueda obtenerse una solución analítica. Si se opta por el modelo exponencial ideal: Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensión aplicada (VD) y queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID).Figura 14: Tensión y corriente en un diodo polarizado con una señal alterna superpuesta a una continua Cuando al diodo se le aplica una tensión dada por la expresión: la corriente que lo atraviesa puede calcularse aplicando cualquiera de los modelos explicados anteriormente. es decir. Para obtener la solución al problema citado de una forma más simple se linealiza la curva del diodo en el entorno del punto de operación. según se aprecia en la Figura 15 15 . El método de cálculo sería: Como puede apreciarse. se sustituye dicha curva por la recta que tiene la misma pendiente en el punto de operación.

la relación entre los incrementos de tensión y de corriente pueden relacionarse tal y como se indica: Obviamente. esta aproximación será tanto más cierta cuanto menores sean los valores de VD e ID. teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la unidad frente al término exponencial: 16 .Figura 15: Aproximación de la característica exponencial del diodo por la tangente en el punto de operación Teniendo en cuenta esta aproximación. A la derivada de la tensión con respecto a la corriente en el punto de operación se le llama resistencia dinámica del diodo rD. y su expresión puede determinarse a partir del modelo exponencial del diodo.

Modelo exponencial Suponiendo que se dispone de un circuito en el que se desconoce la polarización del diodo. Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado 4. la expresión válida para el cálculo de la resistencia dinámica de un diodo en función de la corriente de polarización continua puede escribirse de la siguiente forma. Una vez calculado el punto de polarización del diodo se comprueba la validez de la hipótesis: los resultados obtenidos han de ser coherentes con la condición de existencia. basándose en los modelos expuestos en el apartado anterior. Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas resultante Modelo lineal por tramos Los pasos para calcular las tensiones y corrientes en un circuito con un diodos empleando el modelo lineal por tramos son: 1.Como VT 25 mV. llamada aproximación de Shockley: Esta aproximación sólo es válida en la región de conducción en polarización directa del diodo. Resolver el circuito empleando las variables VD e ID como si fueran conocidas 1. Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba conectado el diodo 3. los pasos para resolver el problema serían: 1. En el caso de que no lo sean. Se sustituye el diodo por el modelo correspondiente y se calculan las tensiones y corrientes del circuito 3. Sustituir el diodo por una fuente de tensión VD con el signo positivo en el ánodo. Obtener la expresión que relaciona VD con ID 2. Se asume la hipótesis de que el diodo está en uno de los dos estados posibles: corte o conducción 2. la hipótesis de partida no es correcta y es necesario rehacer todos los cálculos desde el punto 1 con el modelo para el estado contrario. Dibujar en el mismo gráfico la curva característica del diodo 17 . y nombrar como ID a la corriente que va de ánodo a cátodo del diodo 2. La ecuación del modelo del diodo proporciona otra relación entre VD e ID 3. APLICACIÓN DE LOS MODELOS AL ANÁLISIS DE CIRCUITOS En este apartado se detallan algunos métodos válidos para el análisis de circuitos con diodos. Eliminar el diodo del circuito 2. Método gráfico El procedimiento para el cálculo sería ahora: 1.

Esto se consigue básicamente a través del control de los dopados. 2. basándose en los resultados del punto anterior 3.5. ya que mantiene constante la tensión entre sus terminales (tensión zener. DIODOS ZENER Algunos diodos se diseñan para aprovechar la tensión inversa de ruptura. VZ). Análisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera de lo métodos anteriores el punto de operación del diodo. Una aplicación muy usual es la estabilización de tensiones. y potencias máximas desde 0. Análisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por su resistencia dinámica. válido para el cálculo de las amplitudes de las oscilaciones de las señales. La característica de un diodo zener se muestra en la Figura 17. 18 . Con ello se logran tensiones de ruptura de 2V a 200V. De ese modo se obtiene el circuito equivalente AC. aunque la filosofía de empleo es distinta: el diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura. con una curva característica brusca o afilada. Hallar el punto de intersección de ambas curvas Pequeñas señales de alterna Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra alterna de pequeña amplitud se resuelven aplicando el principio de superposición (Figura 16) Figura 16: Análisis de circuitos con componentes continuas y pequeñas señales de alterna El método se resume en los siguientes puntos: 1. Cálculo de la resistencia dinámica del diodo. Teóricamente no se diferencia mucho del diodo ideal.5W a 50W.

Sin embargo.Figura 17: Característica V-I de un diodo Zener. básicamente. un dispositivo que transforma la tensión alterna en continua. Esta energía se transmite hasta los centros de consumo mediante las redes de distribución. con una corriente entre 0 y IZM. en muchas ocasiones. Al resolver un problema. El zener es un dispositivo de tres estados operativos: • • • Conducción en polarización directa: Como en un diodo normal Corte en polarización inversa: Como en un diodo normal Conducción en polarización inversa: Mantiene constante la V=VZ.D.I. no hay que olvidar que los valores son negativos con el criterio de signos establecido por el símbolo del componente (Figura 17). 19 . Un rectificador es. junto con los siguientes: • • VZ: Tensión de zener IZM: Corriente máxima en inversa. El modelo lineal por tramos para el diodo zener es el siguiente: Estado Corte Modelo Condición I=0 VZ<V<VON I<0 Conducción P. Los parámetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal. se requiere una tensión de alimentación continua. NOTA: Hay que tener en cuenta que el fabricante nos da los valores de VZ y IZM en valor absoluto. V=VON I>0 Conducción P. V=VZ EJEMPLO DE APLICACIÓN DEL DIODO: RECTIFICACIÓN La energía eléctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal.

Un rectificador funciona en vacío cuando no se le conecta ningún aparato. e introduciendo en él los componentes necesarios para mejorar su comportamiento. puede reducirse a una simple resistencia de carga mediante su circuito equivalente Thevenin. es decir. video. RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador. En este apartado se van a presentar los esquemas rectificadores más comúnmente empleados. el rectificador convierte la tensión alterna en continua. El transformador reduce la tensión de la red (220V eficaces es una tensión generalmente demasiado alta para pequeños electrodomésticos) a la tensión deseada. Rizado de la onda de salida 20 . El rectificador es un aparato muy empleado en la vida diaria. Notaciones Las notaciones empleadas en este apartado se detallan en la Figura 19. En general. por ello llevan incorporado en primer lugar un transformador de tensión. En caso de que sí esté conectada se dice que funciona en carga. cuando la RL no está unida al circuito. • • • vi: tensión de entrada. según la notación de la figura. VO: tensión de salida.Figura 18: Esquema general de la rectificación.… que por ser un elemento pasivo. En el caso más general. partiendo para ello de un circuito básico. estos aparatos necesitan menos tensión de alimentación que la suministrada por la red. Figura 19: Notaciones. Esquema básico. Una gran parte de los electrodomésticos utilizados en el hogar llevan incorporado un dispositivo de este tipo. la tensión vi sería la tensión de la red . Una vez reducida la tensión. vi=VM·sen(wt). la VO sería la tensión deseada en continua y la RL simbolizaría al aparato musical.

su valor medio es diferente de cero. Cuando el valor de la tensión de entrada es superior a la de conducción del diodo se crea una corriente. esta onda no es tan mala como parece. la caída de potencial en RL será nula. Aunque no es constante. el diodo D esta en corte. Además. el rizado es del 100%. 21 . es preciso suministrar energía a la carga durante los semiciclos en los que la fuente no actúa. siempre es mayor que cero. cuando la tensión de entrada sea mayor que cero. A continuación se estudia este circuito. un valor constante en el tiempo. Figura 20: Esquema de un sencillo rectificador. Sin embargo. Para disminuir el rizado. pero siempre tendremos una desviación de la ideal. para después discutir la validez del mismo. y se cumple que: VO = vi -VON. Con los esquemas más complejos. la tensión de salida VO se parece muy poco a lo que se entiende por tensión continua. Por lo tanto. El problema con el que nos encontramos es que cuando el diodo está en corte no se alimenta a la carga. es decir. que se cuantifica por el rizado de la onda de salida: En este caso. vi<0. Si se desprecia VON frente a vi. Todo esto se puede apreciar en las gráficas de la Figura 21. Como se puede apreciar. con lo que no existirá ninguna corriente. se intenta que esta onda de salida se parezca lo más posible a una línea horizontal.El esquema de la Figura 20 es el más sencillo de los rectificadores: el diodo. Si la tensión de entrada es negativa. VO = vi (normalmente siempre se realizará esta simplificación).

Lo que se pretende es que sea el condensador el que alimente a la carga cuando no pueda hacerlo la fuente de alimentación. El condensador en los rectificadores Como se recordará. En el momento en el que cesa el potencial. 22 . las cargas pueden retornar a un circuito y comportarse como un generador de tensión. el condensador es un componente que almacena energía. esta obliga a las cargas a situarse entre sus placas. Cuando se somete a una diferencia de potencial. En la Figura 22 se presenta el esquema eléctrico que aplica este principio a la rectificación.Figura 21: Tensiones en el circuito de la Figura 20.

La siguiente figura refleja la carga y descarga del condensador: 23 . sin ninguna carga RL conectada. cargado con una diferencia de potencial VC = VM. Se considera que el condensador se carga instantáneamente (VC = vi). La carga del condensador es posible porque hay un camino en el circuito que se lo permite. el diodo D está polarizado en directa. Para ello. sin carga aplicada. la corriente de descarga ha de seguir un camino contrario al de la corriente que lo cargó. En el instante inicial el condensador se encuentra descargado. intenta seguir el ritmo que le marque la fuente de tensión. así como la tensión del condensador. ya que el circuito se encuentra funcionando en vacío. la tensión de entrada es máxima. Cuando la tensión de entrada empieza a decrecer el condensador. vi es mayor que cero. disminuyendo VC. En un punto entre . Por él circula una corriente que carga al condensador. Funcionamiento en vacío: Se estudiará en primer lugar el esquema en vacío. Figura 23: Funcionamiento en vacío. para que el valor de VC disminuya. Evidentemente. es decir. Sea vI = VM·sen(wt). vi = VM.Figura 22: Esquema de rectificador con condensador. por lo tanto. En el instante . La corriente no puede circular dado que el diodo está en inversa para ese sentido de circulación. con lo que C no puede descargarse y mantiene fija la tensión VM. y la caída de tensión en el diodo en conducción despreciable. es necesario que el condensador pierda parte de su carga ( ).

24 . aplicando la ley de las mallas que cuando el diodo está en corte . Figura 25: Tensiones en el circuito de la Figura 22.Figura 24: Funcionamiento del condensador. o sea. Se puede deducir fácilmente. Por lo tanto el condensador mantiene la diferencia de potencial entre sus terminales. La Figura 25 resume todo lo visto en este subapartado. el diodo nunca conducirá y el condensador nunca se descargará. VD siempre es menor o igual que cero.

Hay dos caminos posibles para la intensidad que salga del generador. el diodo está en conducción. y se puede determinar el valor de la corriente que atraviesa la carga como: Cuando wt>p/2 como en el caso anterior el diodo entra en corte al intentar descargarse el condensador por él. ahora el condensador tiene un camino para descargarse a través de RL. Figura 26: Dispositivo en carga. pero vamos a ver qué pasa cuando el dispositivo funciona en carga. Figura 27: Descarga de C a través de RL. hay una corriente que carga el condensador. el funcionamiento en carga es el que se obtiene al conectar una carga RL al dispositivo objeto de estudio. la parte derecha del circuito se comporta independientemente con respecto al generador.La onda de salida es perfecta para nuestros propósitos. Por un lado. una corriente que circule por RL. y por otro. 25 . ya que salvo entre 0 y horizontal. Si suponemos que estamos en bajas frecuencias. Al ser un valor positivo. Sin embargo. Dado un valor de vi entre 0<wt<p/2. Mientras el diodo esté en corte. Funcionamiento en carga: es totalmente Según se ha definido previamente. el valor de la intensidad que absorbe el condensador es despreciable frente a la que circula por RL.

D estará en corte mientras VB sea menor que VA. Dicho funcionamiento se muestra en la Figura 28. repitiéndose a partir de aquí toda la secuencia.El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a través de RL. se pueden calcular las características comerciales exigibles al diodo del esquema. se aborda seguidamente la tarea de la selección de los componentes adecuados para una aplicación concreta. Selección de los componentes Una vez finalizado el análisis del esquema eléctrico de la Figura 22. Por lo tanto hay un punto en el que D vuelve a conducir (VB=VA). Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a través de la resistencia. Volviendo al circuito original. y menor el rizado. Diodo A la vista de las gráficas de la Figura 28. Como se recordará. 26 . Tal como se aprecia en la figura Figura 28. Figura 28: Tensiones en el circuito de la Figura 26. Como contrapartida. si C es muy grande es posible que no tenga tiempo suficiente para cargarse durante el tiempo de conducción de D. el rizado obtenido es menor que el del esquema anterior. mayor será el tiempo que necesita para descargarse. cuanto mayor sea el valor de C. se cumple el objetivo de este diseño: C alimenta a la carga. De este modo.

En este aspecto es más exigente el funcionamiento en vacío que en carga. tal y como se aprecia en la figura. VRIZADO: Diferencia entre la tensión máxima y mínima admisible. es posible emplear la siguiente expresión: en la que: • • • I0: cociente entre la tensión máxima. y su valor máximo es VM. el puente de diodos consigue que durante el semiciclo negativo también alimente la red a la carga. se desaprovecha medio ciclo de la red. por lo tanto: llega a ser -VM. y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM. La deducción de esta fórmula ha sido discutida ya en el capítulo segundo de estos apuntes. En el siguiente circuito. Los parámetros comerciales del diodo serán. VD=vi-VC. VM. Para la frecuencia de la red eléctrica doméstica. • Tensión máxima en inversa. cuando el condensador es lo suficientemente grande como para alimentar la carga durante un semiciclo aproximadamente. VC es siempre mayor que cero. con lo que la potencia transmitida a la carga se limita. Rectificador de onda completa el esquema anterior produce una onda de salida bastante aceptable. PIV=2VM Condensador El valor de la capacidad del condensador se ha de calcular teniendo en cuenta el rizado máximo exigido al aparato. y la resistencia de carga. Sin embargo. despreciando su caída de tensión (V(ON)): También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse. tc: tiempo de descarga del condensador. RL.• Corriente máxima en polarización directa. IFmax: Mientras esté en conducción y. PIV: Cuando esté en corte. ya que cuando VC sigue siendo VM. 27 .

puesto que VB<VA y VB>VD. D4 está en corte. Un circuito que está alimentado entre 0 y 10V. Así pues. por lo tanto la intensidad atraviesa RL de arriba a abajo. El punto A está sometido al mayor potencial del circuito. el menor en ese instante. Por lo tanto. 28 . Como VA es mayor que VC el diodo D2 esta en condiciones de conducir. por ejemplo. puesto que VDC=VD-VC<0. D1 y D4 no conducen en el semiciclo positivo de vi. ya que la tensión sólo puede disminuir entre los nodos de los componentes del circuito (esto es válido sólo para el régimen permanente). los puntos B y C se encontrarán a un potencial intermedio entre 0 y V voltios. Mediante un razonamiento análogo se consigue determinar el esquema equivalente mostrado en la Figura 31. La corriente circular de a C. Suponiendo que hay una corriente intentando circular. V. vi=V>0. El retorno de corriente será por D3. mientras que D se encuentra a potencial nulo. El esquema equivalente sería: Figura 30: Rectificador de onda completa durante los semiciclos positivos. mientras que D1 está en corte.Figura 29: Rectificador de onda completa. no tiene sentido que haya un punto del mismo que tenga un potencial mayor que 10V con respecto a la referencia. Dado un valor positivo de la tensión de entrada.

Figura 31: Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos. luego la caída de tensión en RL siempre es del mismo signo: 29 . la corriente que circula por RL circula en el mismo sentido. Figura 32: Tensiones en el rectificador de onda completa. En ambos casos.

¿y si se conecta una resistencia en paralelo con el diodo R2=2.7 kW? 5 ¿Cuál será la potencia disipada el en diodo D de la figura si se aplican 60 V al circuito?. ¿qué tensión medirá el voltímetro si D1 es de silicio? 2 Si el diodo D del circuito del problema 3 puede soportar una corriente máxima de 500 mA. 30 .7 kW en paralelo con el diodo? 6 Calcular la corriente que atraviesa el diodo en el circuito de la figura. Ejercicios 1 Si se aplican 18 V al siguiente circuito. puesto que debe alimentar durante menos tiempo a la carga. ¿cuánto es la tensión máxima que se puede aplicar al circuito?. ¿cuál es el mínimo valor de la resistencia R con el que se puede utilizar el circuito si se aplican 20 V? 3 Si la resistencia R de la figura es de 100 y se aplican 10 V al circuito. empleando el modelo lineal por tramos. El condensador necesario es de menor capacidad que en el esquema anterior. ¿cuánto valdrá la potencia disipada en el diodo D? 4 Si el diodo D de la figura del problema 5 tiene un pico inverso de voltaje (PIV) de 100 V.Si ahora se filtrase esta señal mediante un condensador. ¿y si se conecta una resistencia de 2. mejoraría su rizado.

10 En el circuito de la figura adjunta se pide: • • • Potencia suministrada por la fuente. calcular la corriente que circula por el diodo mediante el método gráfico. 31 . 8 El generador del el circuito de la figura puede aportar una tensión comprendida entre -20 y +20 V.7 En el problema de la figura anterior. • • Aplicando el modelo lineal por tramos del diodo. R1= R2= R3=1k. Potencia disipada por cada una de las resistencias. 9 Calcular el punto de operación del diodo (corriente y tensión en el mismo) para ECC=10V. tomando como característica V-I del diodo la curva que se presenta a continuación. Se pide determinar las expresiones que permitan calcular VOUT en función de VIN dentro del rango indicado. Potencia disipada por el diodo. Mediante un método gráfico.

2 k). y la resistencia R tiene un valor de 500 ohmios. 12 Si el generador de señal "e" de la figura produce una onda senoidal de 10 V entre pico y pico. siendo e(t) la tensión de red doméstica europea. RL = 2.11 En el circuito de la figura representar las ondas de tensión y corriente de salida (vo(t). ¿Qué características deberíamos exigir al diodo? (e = 10 sen t) 14 Calcular la tensión y la corriente en la resistencia RL (VM = 10 V. ¿qué características debemos exigir a un diodo de silicio para utilizarlo como se indica en la figura? 13 Se quiere fabricar un circuito como el de la figura adjunta. io(t)) del circuito de la figura. 32 .

¿Entre qué valores puede variar RL manteniéndose alimentada a 10 V? 20 Para una tensión de entrada de 28 V (DC).6 V.15 Deducir la expresión de la resistencia dinámica de un diodo partiendo del modelo exponencial del mismo. 19 Sea el circuito de la figura con VZC=10 V e IZM=0.05 A. (Nota: Las escalas de los ejes x positivo y negativo son diferentes) 17 Calcular la resistencia dinámica del diodo del problema anterior en los cuatro puntos indicados. comparar el resultado obtenido con la aproximación de Shockley. calcular la corriente en TP1 para el circuito de la figura. 16 Calcular la resistencia estática del diodo. RL=1 K. B. cuya curva característica se incluye a continuación. C y D de la curva. Si VT = 25 mV para T = 25 ºC. Comparar el método gráfico de cálculo con la aproximación de Shockley. Vz=9. R1=1 K. 33 . en los puntos A. 18 Hallar la resistencia estática y dinámica en el punto A de la figura.

1A. Si Rc fuera 2 k. Hallar la potencia que disipa el Zener en los casos en que Rc tome como valor 2 k. 23 Mediante la recta de carga hallar el punto de operación del zener del problema 20 para R2=400. hallar la corriente y la potencia disipada en el Zener. 25 Para el circuito de la figura: 34 . hallar la corriente del Zener y la corriente en la carga. Si RL es 1 k.21 ¿Cuánta potencia será disipada por un diodo Zener de 9 V cuando le atraviesa una corriente de 100 mA en polarización directa? ¿Y si a ese mismo diodo le atraviesa la misma corriente en inversa? 22 En el siguiente circuito: • • • Determinar la máxima corriente que se puede aplicar a la carga antes de que el Zener deje de regular la tensión. si se cambia el zener por otro que tenga IZM=0. • • • Determinar la máxima corriente que se puede aplicar a la carga Rc antes de que el Zener falle. 24 En el circuito de la figura. la corriente en la carga y V0. Idem si RL toma el valor 10 k.

DATOS: e = 500 sen t . 26 Dado el circuito siguiente: • • • • Hallar la tensión de salida del dispositivo. funcionando en vacío (sin carga en la salida). Debido a un error de manipulación. (El valor de E es menor que eMAX). R1 = R2 = 1 k . determinar las características comerciales del diodo apropiado para esta aplicación.• • • Representar gráficamente la tensión de salida vo si en la entrada se aplica una señal alterna vi = V sen t. E = 100 V . se conecta el 35 . Si V = 200 voltios. el funcionamiento en vacío o con una carga resistiva colocada entre A y B?. Despreciar la caída de tensión en el diodo. Calcular las características comerciales del diodo D. (Para el diodo despreciar la caída de tensión en directa). Discutir la posibilidad de sustituir la rama AB por un diodo Zener. ¿Qué misión tiene la resistencia R?. R = 1 K 27 En el dispositivo de la figura: ¿Cuál es la situación más desfavorable para el diodo. ¿Se podría quitar?. ¿Qué comportamiento tendrá entonces el dispositivo?. Si nos interesara disminuir el rizado de la onda vo: ¿Qué esquema adicional podría añadírsele a este?. 28 El circuito de la figura adjunta está preparado para rectificar ondas sinusoidales de 220 V de valor eficaz ( V de valor de pico). ¿Qué características debería tener este diodo para que no se deteriore?.

Características comerciales del diodo D2. R = 1 k VZ = 50 V. ¿Podría ser C un condensador electrolítico?. Considerar que la velocidad de descarga de C sobre RL es pequeña comparada con la frecuencia de la red. RL = 1 k Despreciar las caídas de tensión en los diodos en conducción. A los pocos segundos de dicha conexión se impregna el ambiente de un olor a plástico quemado. ¿Sabrías decir qué componente/s se ha/n quemado y por qué?.dispositivo en carga a una tensión continua de 500 V. Datos adicionales: Potencia disipable máxima en las resistencias = 100 W. Elegir una adecuada tensión de entrada al circuito.1 V de pico a pico a una carga que requiere 10 mA. 36 . Justificar la respuesta. DATOS: e = 200 sen(100t) V. y el dispositivo deja de funcionar (no se reciben señales en la carga). 30 Diseñar un puente rectificador de onda completa que entregue 10V en tensión continua con un rizado menor de 0. 29 Dado el circuito de la figura: • • • Dibujar aproximadamente las formas de onda de las tensiones V0 y V0' para dos ciclos completos de la onda de entrada Vi.

¿Cual es la potencia disipada por el zener? 37 . 32 Diseñar con un diodo Zener una fuente de tensión regulada de 12V para corrientes entre 0 y 100mA. Si se desea que Vout sea menor que 5V. La tensión de entrada puede variar entre +20V y +25V.31 Se quiere proteger un circuito conectado a la salida Vout del circuito de la figura frente a posibles sobretensiones producidas por una señal de entrada Vin excesivamente fuerte. La corriente mínima que debe atravesar el Zener debe de ser de 10mA en las condiciones más desfavorables de trabajo. cual debe ser la tensión a la que se conecta el diodo.

puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. También se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. por lo que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la región i. lo mismo que en el diodo PN. El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. la caída de tensión en la región i sería nula. En el diodo PIN la longitud de la región de transición L es aproximadamente igual a la región i y aproximadamente independiente de la tensión inversa. por lo tanto. hay mas huecos disponibles que electrones. En virtud de las características del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propósitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. al igual que el diodo PN. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrínseco. los huecos del material P se difunden el la región p. En virtud de que es igual a la longitud de la región i. 38 . Ahora vamos a ver las características principales de algunos de ellos.1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN. Si embargo. En la condición de polarización directa la caída de tensión en la región i es muy pequeña. independiente de la polarización. creando una capa P de baja resistividad. cuando aumenta la corriente. por ejemplo. Diodos PIN El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada. Una variación típica de la capacidad podría ser desde 0. separadas por una región de material que es casi intrínseco. La capa P de baja resistividad representada.15 hasta 0. En una primera aproximación.14 pF en una variación de la polarización inversa de. es decir. La región intrínseca i es realmente una región P de alta resistividad y se suele denominar región p. la capacidad CR. también disminuye la resistencia. Cuando se aplica una polarización inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos (swept free). Por lo tanto. Cuando el circuito está abierto. puesto que la emigración de huecos sería igual a la emigración de electrones. las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. Cuando el diodo está polarizado en sentido directo. Además. frecuencias que exceden de 1 GHz. comercialmente asequibles. como el material es en verdad p (P de alta resistividad). Además. Los valores normales de CR varían desde 0. la resistencia rd en pequeña señal es inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarización directa. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas. Un posterior aumento de la tensión inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos. está esta formada por difusión de átomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada está formada difundiendo grandes cantidades de fósforo. a diferencia de los diodos PN o Schottky. 100 V. los electrones fluyen desde la región i(p) hasta la región P para recombinarse con los huecos en exceso. el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante.Tipos de diodos En el mercado podemos encontrar muchos tipos de diodos que nos sirven para distintas aplicaciones. la longitud de la región de transición es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y. y los huecos fluyen desde la región i para recombinarse con los electrones de la región N.

Con tensiones directas. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los físicos denominan efecto túnel. VT = potencial en la curva según se definió en la sección VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado n = 1/2 para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión El diodo túnel En 1958. La capacidad CS es la capacidad parásita paralelo que se produce soldando el diodo a la cápsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexión desde el diodo hasta la cápsula. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento. El intervalo normal de VR para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante: CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores. la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo. del que no nos ocuparemos aquí debido a su complejidad. Conforme aumenta el potencial de polarización inversa. pero luego se hace cada vez mas rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. la capacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n donde: K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción. A es el área de la unión P-N y Wd el ancho de la región de agotamiento. denominado corriente de cresta. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo. lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. llamado corriente de valle. se incrementa el ancho de la región de agotamiento. Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando el elemento está polarizado inversamente. si se sigue aumentando la tensión aplicada. En esta parte de la curva a un aumento de la tensión aplicada 39 . mientras que en polarización inversa. capacitores variables. En condiciones de polarización inversa. el físico japonés Esaki. descubrió que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminación del material básico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una característica tensión-corriente muy particular. se estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa.En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. CR es aproximadamente infinita. Diodos Varactores (Varicap) Los diodos varactores [llamados también varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje. Para las aplicaciones prácticas del diodo túnel. la parte mas interesante de su curva característica es la comprendida entre la cresta y el valle. En términos de la polarización inversa aplicada. A partir de este punto. desde el cual de nuevo aumenta. rd es aproximadamente nula.

Los ejemplo de circuito que se describen a continuación muestra como puede aprovecharse este fenómeno en la práctica. La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unión. Así. Más aún. dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes mucho mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la dirección negativa. se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numérico conveniente y realizada por ejemplo. la relación entre un incremento de la tensión y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa". en otros términos. el diodo de contacto puntual conduce algo mas de corriente. las pérdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el. Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. 40 . por ejemplo. conforme el voltaje negativo aumenta. la corriente inversa tiende a aumentar mas bien que permanecer aproximadamente constante. para un voltaje positivo dado.corresponde una disminución de la corriente. Sin embargo. mediante un diodo túnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Diodo de contacto puntual El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que descansa la punta de un alambre delgado. La marca inflexión en la curva del diodo de unión en -V» no ocurre en los diodos de contacto puntual.

aunque tienen. donde: VRRM: tensión inversa máxima VD: tensión de codo. o Influencia del trr en la conmutación. o Potencia inversa de pico repetitivo. o Potencia inversa de pico no repetitivo. o Potencia media disipada. las cuales podemos agrupar de la siguiente forma: • Características estáticas: o Parámetros en bloqueo (polarización inversa). El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. o Tiempo de recuperación directo. o Modelo estático. deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. El diodo responde a la ecuación: La curva característica será la que se puede ver en la parte superior. A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo. Potencias: o Potencia máxima disipable. o Parámetros en conducción. entre otras. no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. • • 41 . deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales. Características dinámicas: o Tiempo de recuperación inverso (trr). En sentido inverso. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción.Diodos de potencia Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos.

Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms.• • Características térmicas. Protección contra sobreintensidades. Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo. sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más. Características estáticas Parámetros en bloqueo • • • • • Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada. a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º). con una duración de 10 ms. repetidos cada 10 ms de forma continuada. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquélla que puede ser soportada cada 20 ms . Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable. 42 . Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza. una vez cada 10 minutos. aunque sea una sola vez. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conducción. durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo. con una duración de pico a 1 ms. Parámetros en conducción • • • • Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.

la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta 43 . resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. Características dinámicas Tiempo de recuperación inverso El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. reservando modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE. e incluso pueden venir ya en las librerías del programa.Modelos estáticos del diodo Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura superior. para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante. Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano.

tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula. La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste. y representa el área negativa de la característica de recuperación inversa del diodo. Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo : De donde : Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos: • • Para ta = tb trr = 2ta Para ta = trr tb = 0 En el primer caso obtenemos: Y en el segundo caso: 44 . • • ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. Irr: es el pico negativo de la intensidad.llamado tiempo de almacenamiento. di/dt: es el pico negativo de la intensidad. • • • • Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada. en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

y por tanto mayor será trr. Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa. debemos usar diodos de recuperación rápida. por tanto. Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir pérdidas de potencia apreciables. Disipación de potencia Potencia máxima disipable (Pmáx) 45 . Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad almacenada. Para altas frecuencias.Influencia del trr en la conmutación Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: • • Se limita la frecuencia de funcionamiento. Factores de los que depende trr: • • A mayor IRRM menor trr. Tiempo de recuperación directo tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor VF.

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM) Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. pero dada para un pulso único. como : Si incluimos en esta expresión el modelo estático. Características térmicas 46 . llamada ésta potencia de trabajo. Potencia media disipada (PAV) Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conducción. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media). resulta : y como : es la intensidad media nominal es la intensidad eficaz al cuadrado Nos queda finalmente: Generalmente el fabricante integra en las hojas de características tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar. pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo. Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM) Similar a la anterior. si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

debido a cualquier causa. Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. sino incluso con su I2t y su tensión. De todos modos. que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores. pasando de forma casi instantánea al estado de cortocircuito (avalancha térmica). del tipo "ultrarrápidos" en la mayoría de los casos. Órganos de protección Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles. Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula: Rjc = (Tjmáx . Los fusibles. etc. Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc) Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. uno mínimo y otro máximo. Protección contra sobreintensidades Principales causas de sobreintensidades La causa principal de sobreintensidad es. actúan por la fusión del metal de que están compuestos y tienen sus características indicadas en función de la potencia que pueden manejar. en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento).Tc) / Pmáx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable. etc). El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.Temperatura de la unión (Tjmáx) Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción. Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). naturalmente. la presencia de un cortocircuito en la carga. carga de condensadores. En ocasiones. por esto el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente. utilización en régimen de soldadura. como su nombre indica. pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentación de motores. Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión. que es incapaz de evacuar las calorías generadas. 47 .

Parámetro I2t La I2t de un fusible es la característica de fusión del cartucho. el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. ya que así será el fusible el que se destruya y no el diodo. 48 . Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo.

y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.Transistores TRANSISTOR BJT Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado. uno para un NPN y otro para el PNP. siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. suele presentar una variación acusada con la temperatura y con la corriente de colector. así como el esquema de identificación de los terminales. de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura. circuitos digitales.Este parámetro lo suele proporcionar el fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic). ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés. etc. por lo que en principio no podemos conocer su valor. además de esto. CORTE: El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia.). SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia. Algunos polímetros son capaces de medir este parámetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicación. corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura. y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).). y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic). También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones. circuitos digitales. etc. ya que el polímetro mide este parámetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circulará por el BJT una vez en el circuito. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polímetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado. 49 . Zonas de funcionamiento del transistor bipolar ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona. con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura. Se invierten todos los voltajes y corrientes. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura. y distintos valores de VGS. corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. TRANSISTOR FET (JFET) Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado. 2. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos. Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET) ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. así como el esquema de identificación de los terminales.Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on). Para encontrar el circuito PNP complementario: 1. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones. siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS ZONA DE CORTE: 50 . Se sustituye el transistor NPN por un PNP.

generadores de señales Instrumentos de medición. receptores Integración en gran escala. los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico). lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario. computadores. receptores Sintonizadores de FM.La intensidad de drenador es nula (ID=0). transductores inductivos Generadores de frecuencia patrón. equipo de medida. La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N. Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIÓN Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital PRINCIPAL VENTAJA Impedancia de entrada alta y de salida baja Bajo ruido Baja distorsión de intermodulación Facilidad para controlar ganancia Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva Se controla por voltaje Capacidad pequeña de acoplamiento Mínima variación de frecuencia Pequeño tamaño USOS Uso general. equipos para comunicaciones Receptores. órganos electrónicos. equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV. equipos de prueba Amplificadores de cc. sistemas de control de dirección Amplificadores operacionales. A diferencia del transistor BJT. memorias 51 . controlas de tono Audífonos para sordera.

Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii 5. De todas formas. normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o voltios picopico (Vpp). Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi Un amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia de tensión y menor sea su impedancia de entrada y salida. de forma que lo que es válido para un margen de frecuencias no tiene porqué serlo necesariamente para otro. Impedancia de salida (ohmios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0) 4. Ganancia de tensión (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi 2. El margen dinámico de un amplificador es la mayor variación simétrica de la señal que es capaz de presentar sin distorsión a la salida. pues bajo ciertas condiciones.AMPLIFICACIÓN: CONSIDERACIONES GENERALES La necesidad de amplificar las señales es casi una necesidad constante en la mayoría de los sistemas electrónicos. Impedancia de entrada (ohmios): Zi = Vi / Ii 3. los amplificadores dependen de esta. pueden entregar a una determinada carga una potencia de señal mayor que la que absorben. En cuanto a la frecuencia. El análisis de un amplificador mediante su asimilación a un cuadripolo (red de dos puertas). los transistores desarrollan un papel fundamental. 52 . De esta forma podemos definir los siguientes parámetros: 1. resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parámetros relativamente simples que nos proporcionan información sobre su comportamiento. En este proceso. en todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia permanece prácticamente constante (banda de paso del amplificador).

Gate). El tercer terminal se denomina puerta (G. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT. dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Además su proceso de fabricación es también más simple. estos dispositivos sólo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la década de los 60. es decir. Pese a que el concepto básico de los FET se conocía ya en 1930. Drain). existe un gran número de funciones lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digital. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET) Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N. Además. tal y como se muestra en la Figura 1. los transistores MOS ocupan menos espacio. Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N Los símbolos de este tipo de dispositivos son: 53 . A ambos lados del canal se conectan los terminales de fuente (S. Source) y drenaje (D.FET: Transistores de efecto campo Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET.

la saturación alude a un fenómeno completamente distinto al de los transistores BJT. Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo. la zona se hace más ancha. La anchura de dicha zona depende de la polarización aplicada. Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensión de bloqueo Por lo tanto. que es de tipo N. Región de corte Centremos nuestra atención en la Figura 1. VP). El potencial al que sucede este fenómeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage. Si esta es inversa. para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la región de corte. cuando se forma una unión PN aparecen en los bordes de la misma una zona de deplección en la que no hay portadores de carga libres. 54 . La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo con el canal. la región de agotamiento se extenderá completamente a través del canal. y la corriente de drenaje resulta ser nula. proporcionalmente a la tensión aplicada. teniendo en cuenta que el principio de operación del PJFET es análogo. con lo que disminuye la anchura del canal N de conducción. PRINCIPIO DE OPERACION DEL NJFET A continuación se explica cómo se controla la corriente en un JFET. Aplicando una tensión VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de deplección. con lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá el paso de ID (Figura 3). Como se recordará.Figura 2: Símbolos de los transistores JFET Las explicaciones incluidas en este capítulo se refieren fundamentalmente al transistor NJFET. Al igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operación: • • • Región de corte Región lineal Región de saturación Es preciso hacer notar que en este caso.

Región lineal Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensión VDS mayor que cero. en la región lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y a VDS. aparecerá una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente. y el JFET pierde su comportamiento óhmico. La corriente ID presenta una doble dependencia: • • La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. En este caso pueden distinguirse dos situaciones según sea VDS grande o pequeña en comparación con VGS.VP. 55 . Figura 4: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS < 0 Por el terminal de puerta (G) no circula más que la corriente de fuga del diodo GS. que en una primera aproximación podemos considerar despreciable. y mayor la corriente obtenida. El valor de dicha corriente estará limitado por la resistencia del canal N de conducción. mientras que se aplica una tensión entre D y S menor. Valores altos del voltaje drenaje-fuente Para valores de VDS comparables y superiores a VGS la situación cambia con respecto al caso anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal. Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresión: Por lo tanto. corriente que llamaremos ID. Como ID está limitada por la resistencia del canal. mayor será la anchura del canal. Veamos por qué sucede esto. cuanto mayor sea VGS . Valores pequeños del voltaje drenaje-fuente La Figura 4 presenta la situación que se obtiene cuando se polariza la unión GS con una tensión negativa.

Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V Sigamos adelante. Sin embargo. que se corresponde con la VGS = -2 V.5 V. y en D alcanza 7 V. pero a medio camino la corriente circulante habrá reducido su potencial a la mitad (2. es decir. esta diferencia de anchuras no afecta a la conducción en el canal. conforme nos acercamos a D esta tensión aumenta: en la mitad del canal es de 4. pero cuando aumenta. la variación de la sección de conducción hace que la corriente de drenaje sea una función no lineal de VDS. por ejemplo). y que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto. (NOTA: se desprecia la caída de tensión en las zonas situadas por debajo de los contactos). en las proximidades del terminal D la tensión será de 5 V. si VGS es negativa (.Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios. por ejemplo. En las proximidades del terminal S la tensión inversa aplicada es de 2 V.5 V). La polarización inversa aplicada al canal no es constante. Cuando VDS es pequeña. y en el terminal S el potencial será nulo. la tensión se distribuirá uniformemente a lo largo de la zona P. con lo que la anchura de la zona de deplección tampoco lo será (Figura 6). al no existir ninguna corriente (Figura 5). Por otra parte. este se distribuye a lo largo del canal.2 V. Figura 6: Esquema del transistor JFET de canal N en la región de conducción no lineal 56 .

En primer lugar. lo que sucede cuando la tensión puerta-drenaje es más negativa que VP. es decir: VGD < VP => VGS . que varía a lo largo del mismo). en la representación de ID frente a VGS. se llegará a un punto donde el espesor del canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. en la región de corriente constante sólo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS. A partir de ese momento.Región de saturación Si VDS se incrementa más. En el caso del bloqueo. puesto que los incrementos de tensión provocan un mayor estrechamiento del canal. que es constante porque la tensión VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unión. con lo que la resistencia global aumenta (Figura 7). se aprecia claramente el paso de la región de corte a la de saturación (Figura 8).VDS < VP => VDS > VGS . comparemos las figuras Figura 3 y Figura 7. puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rápidamente IG. todo el canal resulta afectado por la zona de deplección. En cambio. En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica. 57 .VP Antes de seguir adelante. la corriente se mantiene independiente de VDS. Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N en la región de corriente constante La región de saturación se da cuando se estrangula el canal en el drenaje. CURVAS CARACTERISTICAS Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. y es lo que permite la circulación de la corriente. para una VDS dada.

En la región lineal. según esta gráfica. en donde ID sólo depende de VGS. la región de saturación del JFET se identifica con la región activa normal de los transistores bipolares. Sin embargo.Figura 8: Característica VGS .ID del transistor NJFET Nótese que.ID del transistor NJFET En la característica VDS .ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones lineal y de saturación (Figura 9). si la resistencia del JFET en la región lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturación del BJT. Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de la de base. para una determinada VGS. aquí la magnitud de control es la tensión VGS. Por el contrario. Figura 9: Característica VDS . la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS. este crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación. PARÁMETROS COMERCIALES Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos: 58 .

Tensiones más altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID. VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. a saber. El valor de ID depende de la región de funcionamiento del transistor. Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento. Región lineal: es la región en que se produce un incremento de la intensidad ID al aumentar VDS. En la práctica marca la máxima intensidad que puede circular por el transistor. que se encuentra polarizada en inversa. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor. En este caso ID=0. Valores mayores de BVGS provocan una conducción por avalancha de la unión. MODELOS DEL TRANSISTOR NJFET Análogamente a lo efectuado con el transistor bipolar se van a presentar dos modelos para el JFET: uno para analizar el funcionamiento del transistor JFET con señales continuas y otro para las señales alternas aplicadas sobre un punto de operación de la región de saturación. lo que sucede cuando la tensión puertafuente alcance la tensión de estrangulamiento (VGS<VP). Modelo estático ideal Para el transistor NJFET. se deducen posteriormente las expresiones necesarias para el análisis de señales de alterna de pequeña amplitud.• • • • • IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo. En primer lugar se presentan los modelos para las diferentes regiones de operación. Para trabajar en la región lineal se deben dar dos condiciones: 59 . saturación y zona lineal. Región de corte: la condición de la región de corte es que el canal esté completamente estrangulado en las proximidades de la fuente. BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la puerta y la fuente. corte. BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente y drenaje. Al igual que IDSS. Este incremento es lineal para bajos valores de VDS aunque la linealidad se pierde cuando VDS se acerca a -VP. 2. Figura 10: Esquema circuital del modelo del transistor JFET 1. RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. el modelo viene representado en la Figura 10. presenta fuertes dispersiones en su valor.

siendo su expresión Por lo general. tiene que estar estrangulado en el extremo cercano al drenaje. el canal N. Región de saturación: la región de saturación tiene lugar cuando la tensión entre drenador y puerta alcanza la tensión de estrangulamiento. para la deducción del modelo se escogen como variables independientes las tensiones VGS y VDS. El valor que toma la corriente ID es 1. mientras que VDS e IDSS son positivos. las ecuaciones características del transistor vendrán dadas por dos funciones f1 y f2 tales que: Las tensiones y corrientes de un punto de polarización concreto vendrán dadas por las expresiones anteriores: 60 . De este modo. deben ocurrir dos condiciones: o o VGS > VP VGD < VP VGS < VP + VDS En este caso la intensidad ID ya no depende de VDS. pero no en el extremo del canal cercano a la fuente. al igual que en el caso anterior. Modelo para señales alternas Para la deducción del mismo se consideran las siguientes hipótesis: • • Transistor polarizado en la región de saturación Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia Expresiones generales De entre las diversas opciones posibles. Entonces. mientras que las dependientes son las corrientes IG e ID. Para que ello ocurra.o o VGS > VP VGD > VP VGS > VP + VDS Estas condiciones equivalen a admitir que el canal de conducción no se estrangula por la zona de deplección en inversa tanto en el extremo de drenaje como en la fuente. en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman valores negativos. tomando la dirección ID tal y como aparece en el modelo.

La expresión anterior admite una representación matricial: en donde los coeficientes yij se llaman parámetros admitancia. 61 . para simplificar la notación se escribirán con letra minúscula los incrementos de las variables. Las oscilaciones de las corrientes pueden calcularse como: A partir de este momento. • Función f1 => • Función f2 => La representación circuital de este modelo simplificado responde al mismo esquema presentado en la Figura 10. caracterizada por un VGS y por un VDS. Se suele nombrar como gm yos : Admitancia de salida (-1) Cálculo de los parámetros admitancia Para el cálculo de los parámetros yij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo estático para la región de saturación. • • • • yis : Admitancia de entrada (-1) yrs: Admitancia de transferencia inversa (-1) yfs : Transconductancia (-1).Supongamos que sobre este punto de operación Q se añade una componente alterna.

Por ello. El óxido es aislante. PRINCIPIO DE OPERACION 62 .TRANSISTOR MOSFET Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET. con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula. Existen cuatro tipos de transistores MOS: • • • • Enriquecimiento de canal N Enriquecimiento de canal P Empobrecimiento de canal N Empobrecimiento de canal P Los símbolos son: Figura 11: Transistores MOSFET La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia. aunque su principio de operación y su estructura interna son diferentes. mucho menor que en los JFET.

NMOS de enriquecimiento En la Figura 12 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento.De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de funcionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento. Por este canal puede circular una corriente. A mayor potencial aplicado. y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo. el diodo que forma éste con el sustrato P se polarizará en inversa. La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un canal negativo. por encima de un valor positivo VGS = VTH se posibilita la circulación de corriente ID (Figura 13). de tipo N. Al aplicar una tensión positiva a la zona N del drenaje. Recapitulando. Sigamos suponiendo. y mayor número de huecos repelido. mientras mantenemos la VDS positiva también. que pone en contacto el drenaje con la fuente. tanto que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del material P. Figura 12: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento Supongamos que se aplica una tensión VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en cero. Nos encontramos ante una región de conducción lineal. Figura 13: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conducción 63 . La capa de aislante de la puerta es muy delgada. con lo que no se permitirá el paso de corriente: el MOS estará en corte. mayor número de electrones será atraído.

Figura 14: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento En este caso el canal ya está creado. y se pierde la linealidad en la relación ID . Por lo tanto. NMOS de empobrecimiento En la Figura 14 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento. la tensión efectiva sobre el canal en las proximidades del drenaje (VGS .VDS. CURVAS CARACTERÍSTICAS 64 . Para que el transistor pase al estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero. si con VGS = 0 aplicamos una tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID.VDS) va disminuyendo.Si el valor de VDS aumenta. que expulse a los electrones del canal. Finalmente se llega a una situación de saturación similar a la que se obtiene en el caso del JFET. con lo que el canal se estrecha en dicha zona. Figura 15: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte También en este caso. la aplicación de una VDS mucho mayor que VGS provoca una situación de corriente independiente de VDS.

y la VDS .Con los transistores MOS se manejan dos tipos de gráficas: la característica VGS .ID del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a la del JFET. En los dispositivos con el terminal de puerta de aluminio y el aislante de óxido de silicio.ID del transistor NMOS de enriquecimiento La característica VDS . la tensión umbral está en torno a los cinco voltios.ID con VGS constante. con VDS constante.ID. Es un componente idóneo para conmutación. Transistor NMOS de enriquecimiento Figura 16: Característica VGS . Transistor NMOS de empobrecimiento 65 . puesto que pasa de un estado de corte a uno de conducción a partir de un valor de la señal de control.ID del transistor NMOS de enriquecimiento En la Figura 16 se pone de manifiesto cómo la intensidad ID aumenta bruscamente cuando se supera la tensión umbral VTH (Threshold Voltage) y se crea el canal. Figura 17: Característica VDS . pero los valores de VGS cambian: en este caso la conducción se da para voltajes positivos por encima del umbral.

Por ello. a diferencia de los JFET. la impedancia de entrada continua siendo muy elevada. Modelo estático de Schichman-Hodges 66 . Figura 19: Característica VDS .ID del transistor NMOS de empobrecimiento PARÁMETROS COMERCIALES Los parámetros comerciales más importantes del transistor MOS son análogos a los de los JFET presentados en el apartado 1. MODELOS CIRCUITALES Tal y como se ha visto. Si la tensión VGS se hace positiva se atraerán electrones al canal.3. las curvas de funcionamiento de los transistores MOS son similares a las de los JFET.ID del transistor NMOS de enriquecimiento El NMOS de empobrecimiento puede funcionar también como transistor de enriquecimiento. Además.Figura 18: Característica VGS . todos admiten una representación circuital análoga.

Es un modelo muy parecido al modelo de los transistores JFET. El circuito equivalente se compone de un interruptor abierto y una fuente de intensidad (Figura 20) cuyo valor ID depende de la región de funcionamiento del transistor. Figura 20: Modelo de Schichman-Hodges para el transistor FETMOS Para el transistor NMOS de enriquecimiento las regiones de funcionamiento son: 1. Factores geométricos que dependen del diseño del transistor. que depende del material y la temperatura W. o Condiciones: VGS>VTH VGD < VTH VGS < VTH+VDS • Intensidad: Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del transistor • • • me es la movilidad de los electrones.El modelo estático del transistor MOSFET se denomina modelo de Schichman-Hodges. 1. descrito anteriormente. Región de corte o o Condición VGS<VTH Intensidad ID=0 1. Región de saturación o Condiciones VGS > VTH 67 . Región lineal. L son la anchura y la longitud del canal. C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que forman el metal de la puerta con el canal. Depende fuertemente del espesor del óxido de puerta.

VGD > VTH VGS > VTH+VDS • Intensidad: Modelo para señales alternas Para el caso en el que el transistor soporte señales alternas de pequeña amplitud y baja frecuencia sobre un punto de polarización en región de saturación. especialmente en la amplificación inicial de señales de muy baja potencia. ELECTRONICA DIGITAL Los MOS se emplean a menudo en electrónica digital. EJERCICIOS • En un transistor NJFET con IDSS=10mA y VP = . En el caso de la amplificación los circuitos se diseñan para que el punto de operación DC del MOS se encuentre en la región de saturación.5 V se mide una intensidad de drenaje ID = 1mA. Amplificadores de tensión. Control de potencia eléctrica entregada a una carga. De este modo se logra una corriente de drenaje dependiente sólo de la tensión VGS. 68 . debido a la capacidad de trabajar entre dos estados diferenciados (corte y conducción) y a su bajo consumo de potencia de control. puede demostrarse de forma análoga a como se ha realizado para el transistor JFET que la transconductancia gm se calcula a través de la siguiente expresión APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Las aplicaciones generales de todos los FET son: ELECTRONICA ANALOGICA Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte. Hallar la tensión de alimentación E mínima para que el transistor trabaje en saturación. de modo que idealmente pueda considerarse que: • • La caída de tensión en conducción es muy pequeña. La transición entre el estado de corte y el de conducción es instantánea. Hallar cuánto vale la tensión VGS si se admite que trabaja en la región de saturación. Para esta aplicación se emplean dispositivos de muy baja resistencia. • • • Resistencias variables de valor gobernable por tensión (variando la anchura del canal).

VP= . se pide: 1. 2....3V • Sea el circuito de la figura formado por un transistor NJFET y una resistencia.Si VIN = 5V. 3.Si se cambia la resistencia por otra de valor 1k. VP= .• En el circuito de la figura. 2..Indicar la región de funcionamiento del transistor. Datos del transistor: IDSS = 2mA. Se pide: 1. hallar el nuevo punto de operación del transistor.3V 69 . Datos del transistor: IDSS = 5mA. calcular cuanto vale VDS..Calcular el punto de operación del transistor.La tensión VGS si se admite que el transistor está en saturación.

• Calcular los valores de VDS y VGS del transistor de la figura si se admite que ID=5mA.• El transistor NJFET de la figura tiene una IDSS=12mA y VP=-4V. • Determinar el punto de operación del transistor FET de la figura suponiendo que se encuentra en zona de saturación. Determinar el valor mínimo de E para que el transistor trabaje en la región de saturación. Datos: IDSS=5mA VP=-4V 70 .

calcular la resistencia de entrada RIN y la tensión de salida VOUT. 71 .7k a la salida del circuito.• Hallar el punto de operación del transistor de la figura. Datos del transistor: IDSS=8mA. Datos: IDSS=15mA. Nota: Utilizar para ello los valores medios de los parámetros del transistor. calcular la tensión de salida. Calcular la ganancia de tensión del circuito. VP=-10V • En el circuito de la figura. Si se conecta una resistencia de 4. VP=-10V • En el circuito de la figura se ha utilizado un transistor 2N5460.

a) Calcúlese el valor de la corriente I que circula por esa carga si el transistor se encuentra en la región de saturación. • Con el transistor 2N5457 y otros componentes que crea necesarios. ¿Cuál será la carga máxima que puede alimentar la fuente de corriente? 72 . Datos: Idss=10mA. VP=-5V.• Determinar la ganancia de tensión del circuito de la figura. Datos del transistor: gm=3. diseñe una fuente de corriente constante de 0.8 mmhos • El sencillo circuito de la figura es una fuente de corriente que alimenta una carga RL. calcular entre qué valores se puede esperar que varíe la intensidad I cuando el transistor trabaja en la región de saturación. b) Hallar la resistencia RL máxima que se puede alimentar con la intensidad hallada mediante el circuito anterior Si el transistor JFET de la figura es un transistor comercial 2N5486.2mA.

Hallar la relación entre VOUT y VIN. Considerar que el transistor trabaja en la región de saturación. Si E=10V e ID=1mA.• En el circuito de la figura. 73 . • Determinar el valor de las salidas V01 y V02 cuando VIN valga cero y diez voltios. E=15V • La tensión de entrada Vin es una tensión que varía muy lentamente con el tiempo de manera que. Datos: VTH = 5 V. si ambos transistores son idénticos y se encuentran térmicamente acoplados. calcular la relación entre Vout y Vin. calcular la tensión de salida si la tensión de entrada es 3V. Datos adicionales: R=100K. se puede resolver el circuito mediante un análisis en continua. ECC = 20 V. ¿Qué intensidad ID se debe establecer en la fuente si se quiere que Vout=Vin? Datos del transistor: IDSS=3mA VP=-5V • En el circuito de la figura.

74 .• Para el diseño de una puerta lógica inversora. a) Explicar su funcionamiento y determinar qué tipo de puerta lógica es. • El siguiente circuito lógico está diseñado según la técnica CMOS (Complementary-MOS). y 0 V. Se denomina así por que emplea en el mismo circuito transistores NMOS y PMOS. Respectivamente). se realiza un esquema como el que se representa a continuación. b) ¿Qué misión tiene la resistencia de 15 k?. a) Calcular aproximadamente la potencia generada en la fuente de 8 Voltios en los estados lógicos '1' y '0' de la entrada (10 V.

• Seleccionar el transistor más apropiado para el circuito lógico siguiente (0 < VIN < 10V) (Calcular los parámetros comerciales del transistor): • Determinar a qué tipo de puerta lógica corresponden los dispositivos de la figura (Entradas: V1 y V2. el transistor deja pasar una corriente para alimentar la resistencia de carga. Al polarizar con 0V la puerta. el transistor permanece en corte. ¿Qué ventajas presenta en cuanto a consumo de potencia?. Cuando se polariza la puerta con una tensión de 15V. Salida: VO) ¿Qué consumo de potencia hay en los estados lógico '1' y '0' de ambos circuitos? • El circuito de la figura representa a un transistor actuando como un interruptor. b) Calcular aproximadamente la pérdida de potencia en el transistor si la señal de entrada está comprendida entre 0 y 5V. 75 . Se pide: a) Elegir un transistor MOS adecuado para realizar esta función.b) Comparar este circuito con el del anterior.

4mA/V2 • Se desea diseñar un circuito de alarma para un coche de manera que al salir del coche con las luces encendidas. K=0.4mA y VD=1. El transistor MOSFET de deplección de la figura tiene una K=4mA/V2 y VP=-2V. Para detectar la apertura de la puerta se dispone de un sensor magnético entre la puerta y el coche que se cierra con la puerta y da una señal de 0V. 76 . El zumbador tiene que estar alimentado entre 1 y 16V y recibir una corriente de 30mA.Datos: VTH=2V. Calcular la VDS mínima para operar en la región de saturación si VGS=1V.• • Un transistor NMOS de deplección tiene un VP=-2V y K=2mA/V2. se tiene un dispositivo que detecta el paso de corriente en el circuito de iluminación. Calcular la tensión de la fuente • Calcular los parámetros que toman las resistencias RD y RS del circuito de la figura para que el transistor opere con una ID=0. suene un zumbador. Diseñe el circuito con los transistores MOSFET necesarios. Por otro lado. el sensor da una señal de 5V. Se obtiene una señal de 5V con las luces encendidas y de 0V con las luces apagadas. Al abrir la puerta.

Tiristores
Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas características y limitaciones.

CARACTERÍSTICAS DE LOS TIRISTORES
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta. La fig. 1 muestra el símbolo del tiristor y una sección recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusión. Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las uniones J1 y J3 tienen polarización directa o positiva. La unión J2 tiene polarización inversa, y solo fluirá una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se dice entonces que el tiristor está en condición de bloqueo directo o en estado desactivado llamándose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje ánodo a cátodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unión J2 polarizada inversamente entrará en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarización directa, habrá un movimiento libre de portadores a través de las tres uniones que provocará una gran corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el dispositivo está en estado de conducción o activado.

Fig. 1 Símbolo del tiristor y tres uniones pn La caída de voltaje se deberá a la caída ohmica de las cuatro capas y será pequeña, por lo común 1V. En el estado activo, la corriente del ánodo está limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2. La corriente del ánodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a través de la unión; de lo contrario, al reducirse el voltaje del ánodo al cátodo, el dispositivo regresará a la condición de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del ánodo mínima requerida para mantener el tiristor en estado de conducción inmediatamente después de que ha sido activado y se ha retirado la señal de la compuerta. En la fig. 2b aparece una gráfica característica v-i común de un tiristor.

77

Fig.2 Circuito Tiristor y característica v-i Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conducción y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguirá conduciendo, porque en la unión J2 no existe una capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del ánodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una región de agotamiento alrededor de la unión J2 debida al número reducido de portadores; el tiristor estará entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa que IL>IH . La corriente de mantenimiento IH es la corriente del ánodo mínima para mantener el tiristor en estado de régimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche. Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al del ánodo, la unión J2 tiene polarización directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarización inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a través de ellos. El tiristor estará en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluirá a través del dispositivo. MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES La acción regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentación directa se puede demostrar mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3. La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unión colector-base ICBO, como Ic = IE + ICBO (1)

La ganancia de corriente de base común se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente del emisor es la corriente del ánodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuación (1): IC1 = 1 IA + ICBO1 (2)

78

a) Estructura básica

b) Circuito equivalente

Fig. 3 Modelo de tiristor de dos terminales. Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es: IC2 = 2IK + ICBO2 (3)

Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos: IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2 (4)

Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuación anterior en función de IA obtenemos: IA = 2 IG + ICBO1 + ICBO2 1 - ( 1 + 2) ACTIVACIÓN DEL TIRISTOR Un tiristor se activa incrementándola corriente del ánodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas. TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habrá un aumento en el número de pares electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes hará que 1 y 2 aumenten. Debido a la acción regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activación puede causar una fuga térmica que por lo general se evita. (5)

79

Tiristores de conducción inversa (RTC). Tiristores controlados por FET (FET-CTH) 9. CORRIENTE DE COMPUERTA. Si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO. los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Los fabricantes especifican el dv/dt máximo permisible de los tiristores. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR) 8. fluirá una corriente de fuga suficiente para iniciar una activación regenerativa.LUZ. la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Dependiendo de la construcción física y del comportamiento de activación y desactivación. se reduce el voltaje de bloqueo directo. La activación de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio. aumentaran los pares electrónhueco pudiéndose activar el tiristor. ALTO VOLTAJE.4 Fig. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor. Tiristores de control de fase (SCR). Tiristores de inducción estática (SITH). Conforme aumenta la corriente de compuerta. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO). 4. 3.4 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo. La corriente del ánodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión. Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta. 7. Este tipo de activación puede resultar destructiva por lo que se debe evitar. 6. en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categorías: 1. desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la señal de la compuerta para activar el tiristor. TIPOS DE TIRISTORES Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. el tiempo de activación y el tiempo de desactivación. 2. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC). Tiristores controlados por MOS (MCT) 80 . la inyección de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del cátodo activará al tiristor. Para controlar el di/dt. Si un tiristor está polarizado en directa. tal y como aparece en la fig. dv/dt. 5. Tiristores de conmutación rápida (SCR). Un valor alto de corriente de carga puede dañar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto.

base1 B1 y base2 B2. Si el voltaje del ánodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG. dado que el circuito emisor del UJT está en estado abierto. T2 es mucho menor que T1. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2. En la fig.7 y 9.7b. Entre B1 y B2 la monounión tiene las características de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7. se alcanzará el punto de pico y el dispositivo se activará. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentación en cd Vs. y determina el voltaje de punto de pico Vp. Un UJT tiene tres terminales. se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. pero en un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. El voltaje de disparo VB1 debe diseñarse lo suficientemente grande como para activar el SCR. N general Rk está limitado a un valor por debajo de 100 Ohms. 81 . se activa el UJT y el capacitor se descarga a través de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp. es totalmente independiente del voltaje de alimentación Vs y está dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-n Fig. le dispositivo se conservará en su estado inactivo.5 Circuito básico de disparo de un UJT TRANSISTOR MONOUNIÓN PROGRAMABLE El transistor monounión programable (PUT) es un pequeño tiristor que aparece en la fig. T. la utilización de un tipo especial de estos como lo es un UJT además de un PUT por lo que se definen ambos a continuación: TRANSISTOR MONOUNION (UJT) El transistor monounión (UJT) se utiliza generalmente para generar señales de disparo en los SCR.En esta practica fue necesario además de utilizar tiristores. El periodo de oscilación. Cuando el voltaje del emisor VE. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajación. En el caso del UJT.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentación Vs en cd. tal y como se muestra en la fig. se carga el capacitor C a través de la resistencia R. pero si el voltaje de ánodo excede al de compuerta en una caída de voltaje de diodo VD. conocidas como emisor E. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv.5 se muestra un circuito básico de disparo UJT. el emisor deja de conducir. Vp está fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentación de cd.

7 Circuito de disparo para un PUT TRIAC El TRIAC (triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensión y conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. El periodo de oscilación T está dado en forma aproximada por: T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1) Fig. Es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere.R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. 82 . Su estructura básica y símbolo aparecen en la fig.iT2 es igual a la del cuadrante III. lo hace inmune a destrucción por sobretensión.8. Tiene unas fugas en bloqueo y una caída de tensión en conducción prácticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conducción. si se supera la tensión de ruptura en cualquier sentido. pues la característica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 --.

en parte por la unión P2N2 y en parte a través de la zona P2.9 Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional. La corriente de puerta circula internamente hasta T1 . con una conexión de compuerta común.Fig. y son acelerados por ella iniciándose la conducción. la sensibilidad varía de un cuadrante a otro. Intensidad de puerta entrante. ya que la metalización del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2. como se muestra en la fig. el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos). que bloquea el potencial exterior. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1. No es necesario que esten presentes ambas polaridades en las señales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola señal positiva o negativa de compuerta. 83 . se activará al aplicar una señal negativa a la compuerta. CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo. entre la compuerta y la terminal MT1.8 TRIAC: Estructura y símbolo. En la práctica. Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito.9 Circuito equivalente de un TRIAC MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1. A continuación se verán los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles. Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1. Fig. no es posible identificar sus terminales como ánodo y cátodo. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el área próxima a la puerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de puerta.

seguidos de cerca por el I -. Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. conduciendo las capas P2N1P1N4. Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Modo III . El fabricante facilita datos de características eléctricas el bloqueo. Entra en conducción la estructura P2N1P1N4. La unión P2N1 de la estructura principal que soporta la tensión exterior. El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de cátodo. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar. 84 . La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más positivamente que la próxima a la puerta. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. haciéndose más conductora. Esta polarización inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción. Los que alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. También se dispara por el procedimiento e puerta remota. conducción y de dispar por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.: Terminal T2 negativo respecto a T1. Siendo los modos I + y III .los más sensibles. La inyección de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción. entrando en conducción. El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de la unión P2N1 próxima a ella que la próxima a T1. El modo III + es el disparo más difícil y debe evitarse su empleo en lo posible. Intensidad de puerta entrante. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo.: Terminal T2 positivo respecto a T1.Modo I . Intensidad de puerta saliente.

Fig.10 Características V-I de un TRIAC 85 .

86 . Los componentes optoelectrónicos son aquellos cuyo funcionamiento está relacionado directamente con la luz.. que las pilas se han agotado y que deben cambiarse. siempre en el momento más inoportuno. Por ejemplo..Optoelectrónica La optoelectrónica es el nexo de unión entre los sistemas ópticos y los sistemas electrónicos. son algunos de los ejemplos de aplicación de las propiedades ópticas de los materiales que nos disponemos a desglosar en este capítulo. las pantallas de cristal líquido. Los tubos de rayos catódicos con los que funcionan los osciloscopios analógicos y los televisores. Por eso. La luz. Hoy en día parece imposible mirar cualquier aparato eléctrico y no ver un panel lleno de luces o de dígitos más o menos espectaculares.. LA RADIACIÓN ELECTROMAGNÉTICA No se pretende aquí realizar un estudio riguroso a cerca de la radiación electromagnética. Los sistemas optoelectrónicos están cada vez más de moda. Pero antes debemos recordar los conceptos elementales acerca de la luz. no es mas que una parte de la radiación electromagnética que es capaz de excitar las células de la retina del ojo. La radiación electromagnética abarca un concepto más general. 1. Simplemente se recordarán algunos conceptos básicos. tal y como la entiende la persona de a pie. • • La radiación electromagnética está formada por fotones. la energía de un fotón es mayor cuanto menor sea la longitud de onda. la mayoría de los walkman disponen de un piloto rojo que nos avisa. El numerador de la expresión de la energía es una constante. imprescindibles para comprender el capítulo. los modernos sistemas de comunicaciones mediante fibra óptica. Cada fotón lleva asociada una energía que se caracteriza por su longitud de onda según la ecuación E=hc/y donde • • • • E = energía del fotón c = velocidad de la luz 3·108m/s h = constante de Planck y = longitud de onda del fotón. que se encuentra en el denominador.

8x10-7) es producida principalmente por el sol. o La luz visible es la parte del espectro que puede percibir el ojo humano. desde 400nm hasta 700nm. Estas ondas comprenden longitudes de onda desde 1 mm hasta 4x10-7 m. A continuación se comentan algunos aspectos relativos a estas divisiones: • • • Las ondas de radio son generadas por circuitos electrónicos. Incluye las longitudes de onda desde 4x10-7 hasta 7x10-7 metros o lo que es lo mismo. 87 . o La luz ultravioleta (6x10-8 . como osciladores LC. Es la causa de que la gente se ponga morena. Resultan adecuadas para los sistemas de radar. Las ondas infrarrojas son llamadas también ondas térmicas ya que estas ondas son producidas principalmente por cuerpos calientes y son absorbidas fácilmente por la mayoría de los materiales.Figura 1: El espectro electromagnético La radiación electromagnética queda dividida según su longitud de onda (Figura 1). Las microondas abarcan la zona desde 1 mm hasta 30 cm.3. La energía absorbida aparece como calor. Los diferentes colores corresponden a ondas de diferente longitud de onda. navegación aérea y para el estudio de las propiedades atómicas de la materia. y son utilizadas en comunicaciones.

La optoelectrónica se centra principalmente en la parte del espectro electromagnético correspondiente a la luz visible y la parte del infrarrojo cercano a la luz visible. liberándose en dicha recombinación la energía que les ha sido comunicada mediante la aplicación de la tensión directa. Dispositivos fotoconductores: Conducen la radiación luminosa desde un emisor a un receptor. Debido a esto. Se pueden distinguir dos tipos de recombinación en función del tipo de energía que es liberada: • • Recombinación no radiante: la mayoría de la energía de recombinación se libera al cristal como energía térmica. Transforma.o Los rayos X y los rayos gamma son ondas de gran energía que dañan la estructura de los tejidos humanos. Estas propiedades pueden ser la emisión de luz o simplemente la absorción o reflexión de la luz En este apartado se presentan los siguientes componentes: • • • • Diodos LED Diodos láser Tubo de rayos Catódicos Cristales líquidos DIODOS EMISORES DE LUZ (LEDS) Un diodo emisor de luz es un dispositivo de unión PN que cuando se polariza directamente emite luz. Al aplicarse una tensión directa a la unión. No se producen transformaciones de energía. Tras esta amena introducción. La energía liberada cumple la ecuación: 88 . pues. DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS BÁSICOS A nivel de componentes podemos distinguir tres tipos de dispositivos: • • • Dispositivos emisores: emiten luz al ser activados por energía eléctrica. DISPOSITIVOS EMISORES Los dispositivos emisores son aquellos que varían sus propiedades ópticas con la aplicación de un determinado potencial. se inyectan huecos en la capa P y electrones en la capa N. Como resultado de ello. se produce una recombinación de portadores. nos adentramos en el maravilloso mundo de la optoelectrónica. Recombinación radiante: la mayoría de la energía de recombinación se libera en forma de radiación. Son dispositivos que transforman la energía eléctrica en energía luminosa. A este nivel corresponden los diodos LED o los LÁSER. la energía luminosa en energía eléctrica. Dispositivos detectores: generan una pequeña señal eléctrica al ser iluminados. ambas capas tienen una mayor concentración de portadores (electrones y huecos) que la existente en equilibrio.

A la relación entre el número de fotones emitidos y el número de portadores que cruzan la unión PN se le llama eficacia cuántica externa (ext). Su valor depende de las probabilidades relativas de los procesos de combinación radiante y combinación no radiante. La radiación generada en la unión es radiada en todas las direcciones. Las causas de que ext sea menor que s son tres: • • • Sólo la luz emitida en la dirección de la superficie entre el semiconductor y el aire es útil. del material semiconductor. Sin embargo. En la superficie entre el semiconductor y el aire se pueden dar fenómenos de reflexión. Para caracterizar la eficacia en la generación de fotones se definen una serie de parámetros: La eficacia cuántica interna (s) es la relación entre el número de fotones generados y el número de portadores (electrones y huecos) que cruzan la unión PN y se recombinan. Consideraciones prácticas En la Figura 2 se muestra el símbolo circuital más extendido del diodo LED. Figura 2: Símbolo circuital del diodo LED 89 . Esta energía depende del material que forma la unión PN. Este parámetro debe hacerse tan grande como sea posible.Si se despeja la longitud de onda: siendo E la diferencia de energía entre el electrón y el hueco que se recombinan expresada en electrón-voltios. que a su vez dependen de la estructura de la unión el tipo de impurezas. Los fotones pueden ser absorbidos por el material para volverse a formar un par electrónhueco. la obtención de una alta eficacia cuántica interna no garantiza que la emisión de fotones del LED sea alta. quedando los fotones atrapados en el interior del material. Es esencial que esa radiación generada en el interior del material pueda salir de él. y sobre todo.

El material que compone el diodo es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende únicamente del material y del proceso de fabricación (principalmente de los dopados). Esto se realiza así porque un diodo LED puede resultar dañado más fácilmente que un diodo normal cuando se le aplica una polarización inversa.5 V 2. 90 .En el análisis de un circuito.7 V. Cuando se utilizan LEDs con tensión alterna se suele utilizar el esquema de la Figura 3: Figura 3: Diodo LED en alterna Este esquema se utiliza para que el diodo LED no se encuentre nunca polarizado en inversa. Al situar un diodo normal en antiparalelo.6 InGaAlP 560 nm Una aplicación de los LEDs: el display de 7 segmentos Una de las aplicaciones más populares de los LEDs es la de señalización. el diodo LED puede ser tratado de manera análoga a un diodo normal.7 V 3V Amarillo 1. Debido a ello. Quizás la más utilizada sea la de 7 LEDs colocados en forma de ocho tal y como se indica en la figura. Sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no están fabricados de silicio monocristalino. ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores conseguidos: Material Longitud de onda Color AsGa AsGaAl AsGaP CSi 904 nm 750-850 nm 590 nm 480 nm IR IR Rojo Verde Azul InGaAsP 1300 nm VD típica 1V 1V 1. los diodos LED no están fabricados de silicio monocristalino. la tensión de polarización directa VD depende del material con el que esté fabricado el diodo. la tensión máxima en inversa entre las terminales del LED es de 0. Materiales utilizados Tal y como se ha expuesto anteriormente.

. Las aplicaciones de estos diodos son muy diversas y cubren desde el corte de materiales con haces de gran energía hasta la transmisión de datos por fibra óptica. Un diodo láser. Por ejemplo. DIODOS LASER LASER es un acrónimo de Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation. el segundo al b. entre paréntesis en el ejemplo anterior. 91 . Un uno representa que el diodo está polarizado. es decir. consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola dirección. emite luz.Figura 4: Display de 7 segmentos. A la izquierda aparecen las dos posibles formas de construir el circuito Polarizando los diferentes diodos. en cambio. Muchas veces aparece un octavo segmento. El primer dígito representa al diodo a. el tercero al c. Un cero representa que no polarizamos el diodo. que funciona como punto decimal. y los otros diodos deben de tener tensión cero. Las características de un diodo láser son • La emisión de luz es dirigida en una sola dirección: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones. se iluminarán los segmentos correspondientes. De esta manera podemos señalizar todos los números en base 10.. Características: ventajas frente a los diodos LED Los diodos láser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Esto lo podemos escribir así: 0110000(0). si queremos representar el número 1 en el display deberemos mandar señal a los diodos b y c.. y así sucesivamente. y por lo tanto. no le aplicamos tensión.

existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda. Materiales utilizados Los materiales utilizados para la fabricación de diodos láser son prácticamente los mismos que en diodos LED. con el láser se pueden conseguir rayos de luz monocromática dirigidos en una dirección determinada. el láser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energía con precisión. 92 . Como además también puede controlarse la potencia emitida.Figura 5: Corte esquemático de la emisión de luz en diodos LED y láser • La emisión de luz láser es monocromática: Los fotones emitidos por un láser poseen longitudes de onda muy cercanas entre sí. Figura 6 :Intensidad de luz en función de la longitud de onda para diodos LED y láser Debido a estas dos propiedades. El principio de operación de uno y otro es idéntico. En comunicaciones se utilizan predominantemente diodos láser que emiten en el infrarrojo. en la luz emitida por diodos LED. También se utilizan de luz roja. Ejemplo de aplicación: el lector de discos compactos Una de las muchas aplicaciones de los diodos láser es la de lectura de información digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproducción de discos compactos musicales. En cambio.

A efectos prácticos. al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital. En este estado el material es transparente. conseguiremos un display análogo al de los LEDs pero con cristal líquido. DISPLAY DE CRISTAL LIQUIDO (LCDS) Los LCDs difieren de otros tipos de displays en que no generan luz sino que trabajan con la reflexión de la luz. que puede ser convertida en información analógica en un convertidor digital-analógico. Estos cristales líquidos están formados por unas moléculas alargadas con forma de puro. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra ocasión. podemos jugar con oscuridad o transparencia respectivamente. polarizando o no polarizando). Un campo eléctrico provoca que las moléculas se desalinien de manera que se vuelven opacas a la luz. aplicando o no aplicando un campo eléctrico (es decir. la luz será guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. El principio de funcionamiento es sencillo. Si aplicamos el campo localmente en geometrías iguales al display de 7 segmentos. Un conjunto de unos y ceros es una información digital. Al incidir el haz láser en una zona reflectante. 93 . De esta manera. Si el haz no es reflejado. se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz.Figura 7: Esquema del funcionamiento del CD-ROM Un haz láser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. que se llaman moléculas nemáticas y se alinean con una estructura simétrica.

el display de 7 segmentos. Características eléctricas del LCD Desde el punto de vista eléctrico. El espesor del cristal líquido es muy pequeño. Si no se polarizan los terminales. 94 .01mm. Estos electrodos tienen la geometría deseada. del orden de 0. el cristal líquido pegado al electrodo se vuelve opaco. por ejemplo. el electrodo a. El resultado: todo se ve de color claro. pasa a través del cristal líquido y es reflejada por el espejo incidiendo en el ojo que está mirando. al incidir la luz sobre el cristal frontal.Figura 8: Esquema constructivo de un LCD En la construcción de un LCD se depositan electrodos transparentes en la cara interior de los cristales. se puede representar el LCD como una capacidad de valor muy pequeño en paralelo con una resistencia muy grande. La luz ya no es reflejada. tal y como aparece en la figura superior. Ya tenemos nuestro invento preparado. Si polarizamos un electrodo. oscuro. por ejemplo. negro.

Se necesita una señal pequeña en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. De este modo. Todos los componentes fotodetectores están basados en el mismo principio.hueco. frecuencias más altas producen un aumento del consumo.hueco. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia de rayos luminosos. FOTODETECTORES Ya se ha explicado que los componentes fotodetectores son aquellos componentes que varían algún parámetro eléctrico en función de la luz. Frecuencias más bajas producen un efecto de parpadeo. Tensiones mayores romperían la fina capa de cristal líquido. la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo. La frecuencia de la tensión puede variar entre 30 y 50 Hz. En este capitulo se estudiarán principalmente el funcionamiento de tres componentes: • • • Fotorresistencias Fotodiodos Fototransistores FOTORRESISTENCIAS Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuya resistencia varia en función de la iluminación. el valor de la resistencia disminuye. Es por ello por lo que también se le llama resistencias dependientes de luz (light dependent resistors). Esta generación se realiza de manera análoga a la generación térmica de portadores ya estudiada. Figura 10: Fotogeneración de portadores 95 . Al haber un mayor número de portadores. la luz generará pares electrón . Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrón .Figura 9: Circuito equivalente de un LCD. fotoconductores o células fotoconductoras. Si construimos un componente con un material semiconductor de manera que la luz pueda incidir sobre dicho material.

Figura 11: Estado de conducción sin fotogeneración Por supuesto. El material mas utilizado como sensor es el CdS.Si dejamos de iluminar. Es decir. el material de la fotorresistencia responderá a unas longitudes de onda determinadas. y deberá ser suministrada por el proveedor. FOTODIODOS Los fotodiodos son diodos de unión PN cuyas características eléctricas dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unión. Por lo tanto el número de portadores disminuirá y el valor de la resistencia será mayor. la variación de resistencia será máxima para una longitud de onda determinada. 96 . la variación de resistencia en función de la longitud de onda presentan curvas como las de la figura siguiente. En general. GaAsP y GaP. aunque también puede utilizarse Silicio. Figura 12: Variación de resistencia en función de la longitud de onda de la radiación. En la figura siguiente se muestra su símbolo circuital. Esta longitud de onda depende del material y el dopado. los portadores fotogenerados se recombinarán hasta volver hasta sus valores iniciales.

La generación luminosa. 97 . El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generación luminosa de portadores. Para caracterizar el funcionamiento del fotodiodo se definen los siguientes parámetros: • Se denomina corriente oscura (dark current).Figura 13: Símbolo circuital del fotodiodo Características Figura 14: Curvas características de un fotodiodo El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generación de pares electrón . Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho más numerosos que los portadores de generación luminosa. lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y como se ve en la figura. Las corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios. electrones en la zona P y huecos en la zona N. a la corriente en inversa del fotodiodo cuando no existe luz incidente. El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz. solamente existe generación térmica de portadores de carga. La generación de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeñas corrientes de fugas de valor IS. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio en el que. tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios. que son los responsables de que el diodo conduzca ligeramente en inversa.hueco debido a la energía luminosa.

en el sentido que necesita una ventana transparente a la luz por la que se introduzcan los rayos luminosas para incidir en la unión PN. Los fotodiodos son más rápidos que las fotorresistencias. es decir. Si está fabricado en silicio. En directa. sin embargo solo pueden conducir en una polarización directa corrientes relativamente pequeñas. Figura 16: Símbolo del fototransistor La radiación luminosa se hace incidir sobre la unión colector base cuando éste opera en la RAN. el encapsulado es transparente a la luz. Esta relación es constante para un amplio intervalo de iluminaciones. Geometría Un fotodiodo presenta una construcción análoga a la de un diodo LED. En la Figura 15. que provocan la corriente eléctrica. expresada en luxes o en mW/cm2. En esta unión se generan los pares electrón . la tensión que cae en el dispositivo será aproximadamente 0. tienen un tiempo de respuesta menor. Figura 15: Corte transversal de un fotodiodo comercial FOTOTRANSISTOR Se trata de un transistor bipolar sensible a la luz. Por supuesto. aparece una geometría típica. El modelo circuital del fotodiodo en inversa está formado por un generador de intensidad cuyo valor depende de la cantidad de luz.hueco. El funcionamiento de un fototransistor viene caracterizado por los siguientes puntos: 98 . el fotodiodo se comporta como un diodo normal.• Se define la sensibilidad del fotodiodo al incremento de intensidad al polarizar el dispositivo en inversa por unidad de intensidad de luz.7 V.

Obsérvese que no existe comunicación eléctrica entre los dos circuitos. es decir existe un trasiego de información pero no existe una conexión eléctrica: la conexión es óptica. por tanto. tras atravesar el vidrio. sustituyendo la intensidad de base por la potencia luminosa por unidad de área que incide en el fototransistor. 99 . Como se puede apreciar. Se puede observar como el LED. ya que la pequeña corriente fotogenerada es multiplicada por la ganacia del transistor.1. Una de las más populares se ve en la Figura 19. emite fotones que. Las implementaciones de un optoacoplador son variadas y dependen de la casa que los fabrique. Las curvas de funcionamiento de un fototransistor son las que aparecen en la Figura 17. Figura 17: Curvas características de un fototransistor típico EL OPTOACOPLADOR Un optoacoplador es un componente formado por la unión de un diodo LED y un fototransistor acoplados a través de un medio conductor de luz y encapsulados en una cápsula cerrada y opaca a la luz. Se trata de una manera de transmitir una señal de un circuito eléctrico a otro. 3. mayor será la corriente que recorra el fototransistor. Un fototransistor opera. en la parte superior. La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo. son curvas análogas a las del transistor BJT. Figura 18: Esquema de un optoacoplador Cuanta mayor intensidad atraviesa el fotodiodo. 2. mayor será la cantidad de fotones emitidos y. generalmente sin terminal de base (Ib=0) aunque en algunos casos hay fototransistores tienen disponible un terminal de base para trabajar como un transistor normal. inciden sobre el fototransistor.

D1 es un LED de color rojo.8 2 2. EJERCICIOS • Calcular el valor mínimo de la resistencia R si se quiere que el LED CQX12 no sufra ningún daño al conectar la fuente de tensión. Calcular los valores de R1.2 100 . • En el siguiente circuito. DATOS: Caída de tensión (Voltios) en los diodos para If = 20 mA: rojo naranja verde 1.Figura 19: Esquema constructivo de un optoacoplador Obsérvese también el aislamiento eléctrico entre fototransistor y LED ya mencionado. D2 naranja y D3 verde. R2 y R3 para que se iluminen los tres diodos con If = 20 mA al conectarse la fuente de tensión.

Se pide seleccionar el LED si se quiere que sea rojo. sabiendo que D1 es rojo. ¿Qué colores podemos escoger?. D2 naranja y D3 verde (tomar los datos del problema anterior). se encienda un LED de la serie SOD-76. se conecta en paralelo un diodo convencional. Como su tensión de ruptura en inversa es muy pobre. con una corriente de 20 mA. • Calcular el valor de R para que cuando se conecte la fuente de alimentación de 5 Voltios se enciendan los tres LED a la vez. 101 . para que conduzca en el semiciclo negativo y el LED no sufra daños.• Calcular el mínimo valor de R para que se enciendan los diodos de la figura sin sufrir ningún daño. • El montaje de la figura se utiliza cuando se quiere conectar un LED en AC. ¿Qué señal habría que aplicar en la entrada para saturar Q? (Usar la guía rápida de selección). • Se quiere que cuando se apliquen señales lógicas en la entrada.

La intensidad pico promedio de la luz solar a medio día es aproximadamente 0.• • Para la pantalla de un termómetro digital se ha utilizado un dispositivo tipo CQ216X. • Un fotodiodo con sesnibilidad de 20mA por mW/cm2 de iluminación.1mW/cm2 en la mayor parte de las regiones de la tierra. ¿Por qué?. Para que en el dígito de la derecha se lea el número dos. que incluye dos dígitos en el mismo soporte.3V está alimentado por una fuente de tensión que conmuta entre los 102 . Diseñe un circuito con dicho fotodiodo. que pueda proporcionar una señal en el rango de 0-5V que sea indicativo de la luz incidente. se utiliza para decodificar una señal digital enviada a través de un cable de fibra óptica utilizando el arreglo que se muestra en la figura. En el extremo transmisor. • Un fotodiodo con sensibilidad S=25mA por mW/cm2 debe ser utilizado para vigilar la intensidad de la luz solar que incide sobre una estación de energía solar. ¿Qué potencia se estará consumiendo en él si se alimentan con 10 mA? En el circuito de la figura: • • Calcular la corriente que atravesará al transistor cuando se ilumine con una luz de 10 W/m2. un diodo LED de eficacia E=50mW/mA y Vf=1. ¿qué tensiones hay que aplicar en los terminales de dicho dispositivo?. ¿Podría realizarse con este transistor el esquema de la figura 2?.

se piensa en utilizar fibra óptica. Seleccionar D1 y D2 • Dado el dispositivo de la figura: 103 . ya que no se ve afectada por dichos ruidos (un cable convencional sí se vería afectado y falsearía la información). Si se desea reproducir los niveles lógicos de 0 y 5V. Si los transistores Q1 y Q2 funcionan únicamente en corte y saturación: 1. el 80% de la luz del cable se acopla al fotodiodo en un área de 1mm2. El arreglo físico es tal que el 20% de la luz emitida por el LED queda acoplado al cable de fibra óptica. En el extremo receptor. • Se quiere transmitir una señal de pulsos (VIN) a través de un entorno con ruidos electromagnéticos. Explicar el funcionamiento del circuito 2. Para ello.niveles lógicos de 0 y 5V. determinar los valores apropiados de VCC y RL. El circuito hace que el LED produzca una señal óptica digital en el cable de fibra óptica.

. 2. 3.Calcular la corriente absorbida de la fuente de 20 V cuando no se aplica ninguna señal de la entrada 104 .Comprobar que el diodo del optoacoplador no sufre ningún daño cuando VIN=0..Explicar qué tipo de circuito es y su funcionamiento.1..

la juntura presenta una barrera eléctrica al flujo de electrones. En la región p hay muchas cargas positivas y pocas negativas. En cambio en la región n hay más cargas negativas que positivas. 2) por el de menor longitud. El terminal negativo debe ser conectado al terminal negativo de un circuito. La parte más importante del “light emitting diode” (LED) es el chip semiconductor localizado en el centro del foco. El chip tiene dos regiones separadas por una juntura. Su uso es frecuente como luces “piloto” en aparatos electrónicos para indicar si el circuito está cerrado. de un material resina-epoxi. con la forma adecuada e incluye el corazón de un LED: el chip semiconductor. Los terminales se extienden por debajo de la cápsula del LED o foco e indican cómo deben ser conectados al circuito. El lado negativo está indicado de dos formas: 1) por la cara plana del foco o. Cuando se aplica 105 . entre 1 y 4 volts. Los LEDs operan con un voltaje relativamente bajo. Voltajes y corrientes superiores a los indicados pueden derretir el chip del LED. como se ve en la figura. Si la diferencia de potencial entre los terminales del LED no es suficiente. La región p está dominada por las cargas positivas. Los elementos componentes son transparentes o coloreados.Diodos LED Los LEDs son diodos que emiten luz cuando son conectados a un circuito. y la n por las negativas. sólo cuando se aplica el voltaje suficiente al chip puede pasar la corriente y entonces los electrones pueden cruzar la juntura hacia la región p. ¿Qué causa la emisión de luz de un LED y qué determina el color de la luz? Cuando se aplica una tensión al chip del LED los electrones pueden moverse fácilmente sólo en una dirección a través la juntura entre p y n. La juntura actúa como una barrera al paso de los electrones entre la región p y la n. y la corriente está en un rango entre 10 y 40 miliamperes.

Cada vez que un electrón se recombina con una carga eléctrica positiva. desea averiguar la energía necesaria para prender al LED. Son predominantemente de un solo color de luz. dado que Coulomb / Volt es un Joule. la millonésima parte de un milímetro). Esta expresión dice simplemente que el voltaje es proporcional al la energía eléctrica y es una regla general que se aplica a cualquier circuito. los electrones son inmediatamente atraídos hacia las cargas positivas. ¿Cuánta energía libera un LED? La energía eléctrica es proporcional a la tensión que se necesita para hacer que los electrones fluyan a través de la juntura p-n. como el LED. y el voltaje (v) requerido para encenderlo se obtiene mediante la expresión E= q x V . Supongamos que observó un LED rojo con el espectrómetro y vio que el LED emite un rango en colores con un máximo de intensidad de acuerdo con la longitud de onda leída en el espectrómetro de = 660 nm.6 x 10 exp –19 Coulomb. 1. 106 . Pero preferimos tener la frecuencia de la intensidad pico de la luz emitida por el LED. La longitud de la onda está relacionada con la frecuencia de la luz por la fórmula F = c / v . donde c el la velocidad de la luz y v es la longitud de onda de la luz leída desde el espectrómetro (en unidades de nanómetros. Cuando un electrón se mueve lo suficientemente cerca de una carga positiva en la región p. la energía requerida para prender el LED es E= q x V ó E= -1. de acuerdo a la ley de Coulomb. Los fotones son emitidos en un rango de frecuencia muy estrecho que depende del material del chip.74 x 10 exp –19 Joule. La energía (E) de la luz emitida por un LED está relacionada con la carga eléctrica (q) de un electrón. los electrones en la región n tienen suficiente energía para cruzar la juntura hacia la región p. y para estimar el pico de la longitud de onda emitido por el LED. Una vez en ésta. ENCONTRANDO LA FRECUENCIA DESDE LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ La frecuencia de la luz está relacionada con la longitud de onda de luz de una manera muy simple. Por cada una de estas recombinaciones un quantum de energía electromagnética es emitido en forma de fotón de luz con una frecuencia que depende del material semiconductor. el color de la luz difiere según los materiales semiconductores y requieren diferentes tensión para encenderlos.71 volts. es decir.6 x 10 exp –19. que dice que fuerzas opuestas se atraen. energía eléctrica potencial es convertida en energía electromagnética.71 Joule. La multiplicación de estos números nos dan E= 2. La constante q es la carga eléctrica de un solo electrón: 1. y Ud. El espectrómetro puede ser usado para examinar la luz de un LED. ENCONTRANDO LA ENERGÍA DESDE LA TENSIÓN Supongamos que se ha medido el voltaje a través de los terminales del LED. las dos cargas se recombinan.tensión y la corriente empieza a fluir. Supongamos que tiene un LED rojo y que la tensión entre los terminales es de 1.

. esto le da la caída de voltaje que se logra mediante una resistencia.1 V para verde.4 V y 6 V para el azul de 430 nm. En condiciones óptimas de disipación de calor se puede hacer circular una corriente mayor pero la vida útil del LED se reducirá al 50% del normal: 20. si uno no está seguro de obtener 20 mA en la función de la conductividad del calor en la plaqueta más el calor del LED.: 3. El próximo paso es restar el voltaje de los LED s de la fuente. alta eficiencia y rojo de baja corriente. 1. 2. La unidad de un ciclo de una onda en un segundo (ciclos por segundo) es un Hertz.5 V para los de 3.4 V para blanco brillante. 4. 3.6 V de caída que debe ser producida por la resistencia.55 x 10 exp 14 Hertz.000 a 100.000 horas. haciendo la resta da 2. 4 V del LED con una fuente de 6 V.4 V y 15 mA para el azul de 430 nm. 18 mA para los de 3. y 2V para naranja y amarillo.9 V para alto brillo. verde brillante sin amarillo y la mayoría de los azules. En este caso asigne 25 mA a los LED de cerca de 2V.La frecuencia correspondiente a la emisión del LED rojo es de 4. variaciones de calor y corriente. En general se diseña para 12 mA para los tipos de 3. 107 .6 V para azul brillante de 430 nm.Cómo lograr 15 mA a través del LED: Primero se necesita saber la caída de tensión en el LED. conviene diseñar todo para 15 mA. Se puede asumir con suficiente seguridad 1. Se puede diseñar una fuente que entregue mayor corriente si se está seguro de una excelente disipación de calor en el conjunto. Ej.4 V y 10 mA para el azul de 430 nm. Información básica sobre los LED La mayoría de las características de los LED s están especificada para una corriente de 20 mA. En cuanto al voltaje debe estar algo por arriba de lo asignado para los LED s. 4.7 V para rojo no muy brillante. Use por lo menos 3 V para los de bajo voltaje.

Si se divide V / mA la resistencia se obtiene en K ohms. Otro paso a seguir es determinar la potencia de la resistencia. que se eligen de acuerdo al color. obteniéndose así el valor de la resistencia. si bien ésto funciona no es confiable porque los LED s se vuelven más conductores a medida que aumenta su temperatura. Multiplique la caída de voltaje por la corriente del LED para obtener la potencia de la resistencia.El próximo paso consiste en dividir la caída de voltaje por la corriente del LED. teniendo en cuenta los materiales de los que están hechos. 108 . Cada LED debe tener su propia resistencia. al dividir V / A se obtiene un valor de resistencia en ohms. con lo que se vuelve inestable la distribución de la corriente. No ponga los LED s en paralelo entre sí. RESUMIENDO: la tensión de arranque de un LED depende del color que deban emitir.

Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores. Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED. Este responde a las señales de entrada. Los optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa modulada y volver a convertirla en una señal eléctrica.Optoacopladores Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor. Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac 109 . Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. que podrían ser pulsos de tensión. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida. este emite un haz de rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guia-ondas de plástico o cristal hacia el fotorreceptor. Diferentes tipos de optoacopladores Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un transistor BJT. La energía luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que este genere una tensión eléctrica a su salida. Funcionamiento del optoacoplador La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor.

Fototriac de paso por cero: optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac sólo en los cruce por cero de la corriente alterna. 110 .

se han logrado reflejar haces láser de pocos vatios de potencia sobre la luna y su luz era todavía lo suficientemente brillante para verla desde la tierra. Los haces de luz láser han sido producidos en todos los colores del arco iris (si bien el más común es el rojo). si se arrojan las mismas piedrecitas una a una con una frecuencia exactamente regular y justo en el mismo sitio. existen numerosos láseres que proyectan luz invisible. como la procedente de una bombilla. genera ondas luminosas que comienzan en diferentes mementos y se desplazan en direcciones diversas. Algunos láseres pueden producir muchos miles de vatios continuamente. pero esparcida por toda la sala. e incluso los láseres que emiten sólo algunos milivatios son capaces de producir una elevada intensidad en un rayo de un milímetro de diámetro. hasta alcanzar tal grado de dispersión que llega a perder su utilidad. La intensidad es una medida de la potencia por unidad de superficie. el espectro). Así actúa un láser. Existen láseres sintonizables que pueden ser ajustados para producir diversos colores. ¿Para qué sirven los LASER? La gama de usos de los láseres es sorprendente. La luz láser es coherente. Sin embargo.El Laser ¿Qué es un LASER? Los aspectos básicos que caracterizan a un láser son los siguientes: La luz láser es intensa. su rayo parece desvanecerse de inmediato. su intensidad puede ser igual a la de la luz del sol. Esta cualidad se denomina direccionalidad. También resulta sorprendente la gran variedad de láseres existentes. La luz común contiene todos los colores de la luz visible (es decir. Además. No obstante. El haz de luz comienza a esparcirse en el memento en que sale del foco. Una luz corriente. Se sabe que ni la luz de un potente foco logra desplazarse muy lejos: si se enfoca hacia el firmamento. otros son capaces de producir billones de vatios en un impulso cuya duración es tan sólo la mil millonésima parte de un segundo. que combinados se convierten en blanco. Ahora bien. hasta el punto de que alcanza una extensión mucho más amplia que la concebida originariamente por los científicos que diseñaron los primeros modelos. Determinados láseres. Lo único que se crean son pequeñas salpicaduras y algunas ondulaciones. pero un láser determinado sólo puede emitir única y exclusivamente un solo color. sólo ciertos láseres son potentes. Los láseres producen luz de un solo color. pero incluso éstos no pueden emitir más que un color único en un memento dado. Los haces láser son estrechos y no se dispersan como los demás haces de luz. Uno de los primeros haces láser que se disparó contra la luna en 1962 sólo llegó a dispersarse cuatro kilómetros sobre la superficie lunar. En realidad. o para decirlo técnicamente. puede generarse una ola en el agua de mayor magnitud. pueden emitir varias frecuencias monocromáticas al mismo tiempo. y esta propiedad especial puede tener diversas utilidades. ¡No está mal si se considera que se había desplazado cuatrocientos mil kilómetros!. Aunque lo parezca. Esto significa que todas las ondas luminosas procedentes de un láser se acoplan ordenadamente entre sí. y también en muchos tipos de luz invisible. Cualquier lámpara ordinaria emite una cantidad de luz muy superior a la de un pequeño láser. Algo parecido a lo que ocurre cuando se arroja un puñado de piedrecitas en un lago. pero no un espectro continuo que contenga todos los colores de la luz visible como pueda hacerlo una bombilla. su luz es monocromática. 111 . como la infrarroja y la ultravioleta. no se trata de una contradicción.

al año siguiente. estaba acostumbrado a levantarse temprano. a Weber se le ha pasado a conocer mejor por sus investigaciones en otro campo. Charles H. Ladenberg verificó el pronóstico de Einstein en 1928. propuso también la amplificación de la emisión estimulada y. uno de los inventores del láser y ganador del Premio Nobel. Charles H. cuando Albert Einstein estudiaba el comportamiento de los electrones en el interior del átomo. Townes. dicha patente no se publicó hasta 1959. Desde entonces. ha dicho que. el láser abarcará una gama muy amplia de campos y logrará hacerlo prácticamente todo. Sin embargo. Como hemos visto con 112 . Townes asistía a una conferencia en la que se hablaba de ondas milimétricas y Schawlow tomaba parte en otra reunión. uno de los olvidados en la ruta de investigación del láser. de Washington. escribieron un artículo explorando mucho mas a fondo el concepto. de la universidad de Maryland. Se dio repentinamente cuenta de las condiciones necesarias papa amplificar la emisión estimulada de microondas. En realidad. En el extremo opuesto se encuentran los láseres bélicos del tamaño de un edificio. En realidad. La primera propuesta conocida para la amplificación de la emisión estimulada apareció en una solicitud de patente soviética en el año 1951. Por regla general. Fabrikant sigue siendo un misterio en la actualidad. A pesar de que R. los electrones son capaces de absorber o emitir luz. con el fin de no molestar a Schawlow. y por consiguiente no afectó a los demás investigadores. en su opinión. donde se le ocurrió la gran idea. presentada por V. Y fue precisamente en un banco del parque de Franklin. La historia del rayo LASER El maestro colocó la primera piedra La historia comenzó en 1916. Recordemos que láser significa amplificación de la luz por emisión estimulada de radiación. el de la detección de ondas de gravedad basándose también en otra antigua idea de Albert Einstein. En 1953. Uno de los grandes intereses de Townes consistía en generar ondas cortas para sus investigaciones. sino también explicar sus actuales aplicaciones -así como las de un futuro próximo. Éstas son las fechas oficiales correspondientes a la primera parte de la carrera del láser. En este apunte no sólo nos hemos propuesto hablar de los láseres. nadie pensó seriamente en construir un dispositivo basado en el fenómeno en cuestión hasta principios de los años cincuenta. mientras que Schawlow. Townes se encontraba en Washington para asistir a una reunión de físicos y compartía la habitación de su hotel con Arthur Schawlow.A. soltero. Einstein previó la posibilidad de estimular los electrones para que emitiesen luz de una longitud de onda determinada. Cuando Townes se despertó per la mañana temprano. Joseph Weber. Basov y Prokhorov. los rusos mencionados anteriormente. solía levantarse tarde. El estímulo se lo proporcionaría una luz adicional de la misma longitud de onda. Sin embargo. los electrones emiten luz espontáneamente sin ninguna intervención externa. nuestras vidas. pero para fabricar un láser se precisa también amplificación de dicha emisión estimulada. Fabrikant y dos de sus alumnos. casado y con hijos menores. por consiguiente. Townes. con un tamaño no superior al de un grano de sal.y la forma en que afectarán. que era algo que no había logrado todavía.En un extremo de la gama se encuentran los láseres fabricados con minúsculas pastillas semiconductoras. similares a las utilizadas en circuitos electrónicos. con los que experimenta actualmente el ejército. Pero acaso el hecho más significativo tuviese lugar en el banco de un parque de Washington DC durante la mañana del 26 de abril de 1951. Einstein descubrió la emisión estimulada. Gordon Gould uno de los pioneros en este campo. confesó que le impresionaron cuando fueron presentados. decidió ir a dar un paseo.

"solo parecía factible en parte" Siguiendo el método tradicional de los catedráticos de física. Los físicos deseaban ir más allá. En realidad. Gould era estudiante licenciado de la facultad de física en la universidad de Columbia. y se usan además come medida de frecuencias en los relojes atómicos de ultraprecisión. pero por desgracia se encontraron pocas aplicaciones para los aparatos en cuestión. Y se puso en contacto con su viejo amigo Arthur Schawlow. esto significa que un láser que opere a temperatura ambiente es capaz de producir un haz que llegue a fundir el acero. pero. según pronosticó Gould en sus notas. que seria posible conseguir densidades de energía hasta entonces inalcanzables. donde Townes ejercía de catedrático. y empezaron las querellas. dado que no dirigía su investigación. Un haz de luz láser debidamente focalizado podría ser utilizado para generar una fusión termonuclear. por consiguiente. y en las comunicaciones por medio de satélite. Sin embargo. Y así comenzó la gran carrera. y sin embargo la revelación de Townes tuvo una importancia sumamente trascendental para el láser. En septiembre de 1957. Puesto que Gould y Townes llegarían eventualmente a disputarse los derechos de cierta patente. la gama de frecuencias que amplifica es excesivamente limitada para la mayoría de las aplicaciones electrónicas. las microondas son ondas electromagnéticas muy cortas. alumno licenciado de la universidad de Columbia. 113 . Gordon. las que se utilizan en ciertos tipos de hornos. Entre ambos desarrollaron un plan detallado para la construcción de un láser. el laboratorio que utilizaba se encontraba a pocos metros del despacho de Townes. La carrera en pos del primer LASER Entonces fue cuando comenzó a ganar interés. y generalmente se le ha descrito como alumno suyo. Tres años mas tarde. Gould era alumno de Polykarp Kusch. Townes esbozó un proyecto para la construcción de un "máser óptico" que emitiría luz visible. antes de que lo hicieran otros pioneros del láser. La idea de Townes. En realidad.el término láser. Gould comprendió que el láser sería una fuente de luz no térmica y. Estaba obsesionado por la idea de construir un artefacto que emitiese luz en lugar de microondas. Gordon. Debido a que la física de éstos era fascinante. En la práctica. que entretanto había abandonado la universidad de Columbia para trabajar en los laboratorios Bell y había dejado de ser soltero al contraer matrimonio con la hermana de Townes. decidió emprenderlo por cuenta propia. Dicha ley afirma que la temperatura de una superficie calentada per un haz procedente de una fuente radicación térmica no puede exceder la temperatura de la fuente. según sus propias palabras en aquella época. Gould asegura que admitió. Gould comenzó a describir su propia idea para la construcción de un aparato semejante utilizando -al parecer por primera vez. y no tardaron en comenzar a investigar otras zonas del espectro electromagnético. Puntualizó que la segunda ley de termodinámica no limita el brillo del láser. Prosiguió con la exposición de sus planes para la construcción de un láser y aprovechó la oportunidad para hacer proféticas declaraciones. Townes ha aclarado que en cierta ocasión le dio algunas clases.. En noviembre de 1957. la naturaleza de la relación que existía entre ambos es trascendental. pero que no era su alumno.. en especial las longitudes de onda de la luz infrarroja y visible. formuló el problema en forma de tema para una tesis y se lo ofreció a James P. capaz de generar temperaturas muy superiores a la suya. Gordon Gould entra en escena. No se trata de ondas luminosas. el nuevo campo atrajo a numerosos investigadores. Gould admite que se inspiró en el máser y en las ideas de Townes.anterioridad. ganador del premio Nobel. como por ejemplo. pero eso equivale a tergiversar los hechos. puesto que no logró que Kusch aceptase el proyecto para su doctorado. Townes y Herbert Zeiger habían logrado construir en Columbia el primer máser (amplificación de microondas por emisión estimulada de radiación). transcurridos apenas dos meses desde que Townes hubiera esbozado su máser óptico. Durante los años siguientes proliferaron los máseres. Una de sus utilidades consiste en amplificar las señales que los radioastrónomos reciben del espacio lejano. además de afirmar que el láser podría emplearse para establecer comunicaciones con la luna.

y los militares de Estados Unidos no tardaron en identificar un importante riesgo constituido per el propio Gordon Gould. cometió el error de no publicar sus planes para la construcción de un láser en alguna revista científica. A principios de los años cuarenta. Transcurridos unos 7 meses. es decir. donde trabajaba como profesor. durante el verano de 1958 solicitaron las patentes y mandaron detallado informe a la prestigiosa revista Physical Review. pero Townes asegura que.Tras completar sus notas. En todo caso. pero afirma que Gould no le dijo en aquellos mementos sobre sus planes. El secreto y la caza de rojos El Pentágono estaba también lo bastante impresionado con las ideas de Gould como para proteger la investigación de la TRC con un minucioso cerco de seguridad. Sin embargo. El interés de Gould hacia el socialismo acabó en desilusión cuando. Gould había coqueteado superficialmente con el marxismo o. Su esposa no compartía sus sentimientos y optaron per separarse. el individuo en cuestión era un provocador a sueldo a quien el FBI había obligado por medio del chantaje a convertirse en delator para la Agencia y a persuadir a cierta gente a que se uniesen al grupo. La excitación del talio está relacionada con la excitación de electrones que tiene lugar en el láser. Ilamada TRG Inc. o de lo que en aquella época era el propuesto láser. según sus fichas. la cual lo publicó en diciembre de 1958. Townes llamó per teléfono a Gould para pedirle información relacionada con la lámpara de talio. punto sobre el que Townes y Gould no están de acuerdo. Gould se dirigió al propietario de una confitería de Nueva York llamado Jack Gould. además de no solicitar inmediatamente la patente correspondiente. Townes asegura que explicó a Gould lo que estaba haciendo. Gould se apresuró a visitar a un abogado especializado patentes. la ARPA otorgó su contrato a la TRG. optó per no solicitar ninguna patente en aquellos momentos y esperó hasta abril de 1959. que es lo que suelen hacer los científicos con el fin de que sus colegas reconozcan sus ideas originales. según sus propias palabras. Sin embargo. Gould dice que dedujo de la conversación que Townes trabajaba sin duda en el mismo proyecto que él. Gould abandonó la universidad de Columbia sin doctorarse y se fue con sus ideas a una pequeña empresa de Syosset. que más adelante se denominaría Agencia de Proyectos de Investigación Avanzados de Defensa (DARPA). Gould no lograría evitar la persecución que su breve asociación con el marxismo había desencadenado. la Unión Soviética se apoderó de Checoslovaquia. sobre cuyo estudio preparaba su tesis doctoral. Esto ocurrió cuando trabajaba en el proyecto Manhattan. y los planes de Gould para adaptar el láser a funciones bélicas causaron tal impacto en el Pentágono que en 1959 decidieron otorgar un millón de dólares a la TRG en lugar de los 300. que no supo comprender la importancia del láser y le dio la errónea impresión de que tenia que resumir sus ideas a un nivel más práctico para poder patentarlas. La TRG utilizó las ideas de Gould en una propuesta a la Agencia de proyectos de investigación avanzados del departamento de Defensa (ARPA). y asegura que fue objeto de persecuciones per parte de "individuos como McCarthy". Townes y Schawlow si lo hicieron. para que las certificase en calidad de testigo. Lo que más le interesba al ejército fue el potencial calorífico del láser. Sería importante conocer el momento justo en que tuvo lugar dicha conversación. Gould. Aproximadamente durante aquellos días.000 que la empresa había solicitado. En 1954 fue expulsado del colegio de la ciudad de Nueva York. Una reproducción de la primera página certificada del cuaderno de Gordon Gould se exhibe hoy en la Smithsonian Institution. el que desarrolló la bomba atómica. con el que no tenía parentesco alguno. la llamada tuvo lugar unas tres semanas antes de que Gould escribiese sus primeras notas sobre el láser. Según Gould. Gould afirma que había completado ya sus notas. Nueva York. el 114 . Él y su esposa formaban parte de un grupo de estudio marxista dirigido por un delator del FBI. en aquella época "había contraído matrimonio con una mujer que se hizo comunista" y que en la actualidad ya no es su esposa. Dadas las circunstancias. en 1948. Y cuando en 1959. en plena guerra fría.

Tan pequeño era el aparato. por parte del Gobierno. Los extremes de la barra de rubí habían sido cubiertos con el fin de que actuasen como espejos. pero no estaban autorizados a hablarle de lo que hacían. Cuando el cristal recibía ráfagas de luz de unas millonésimas de segundo de duración. en general. California. Recordemos que. respectivamente. En aquella época se suponía que los gases constituirían los mejores elementos para la acción del láser. de unos escasos centímetros de longitud. Sin embargo. Éste había estado utilizando un rubí sintético como cristal para un máser y lo había estudiado con suma atención. Otros investigadores habían Ilegado. Gould no abandonó la TRG. que el encargado de relaciones públicas de la empresa Hughes no permitió que los periodistas lo fotografiasen y les ofreció en su lugar la fotografía de otro artefacto que todavía no había funcionado. condición necesaria para la oscilación del láser. hacia fines de los años cincuenta nadie había construido en realidad ningún láser. rodeado de una lámpara espiral intermitente. La sorpresa de Malibú Entre quienes observaban el ajetreo reinante. pero se vio obligado a trabajar separado de sus colegas. se encontraba un físico de los laboratorios de investigación de la compañía aérea Hughes. Schawlow y Gould habían solicitado patentes y elaborado varias detalladas propuestas. a todos les aguardaba una gran sorpresa. La era del láser acababa de comenzar. Había dos edificios: para quienes tenían permiso y otro para quienes no lo tenían. sino que correspondían a un tipo de luz que nadie había visto hasta entonces: la luz láser. a pesar de que Townes. en Malibu. sin embargo.000 vatios de luz. optaron por rechazar el informe de Maiman. las implicaciones del descubrimiento de Maiman no fueron evidentes en aquellos momentos para los redactores de una de las más prestigiosas publicaciones en su campo. Maiman comunicó a la prensa que había hecho funcionar el primer láser. Tras haber decidido en 1959 que los progresos en la física de los máseres ya no merecían ser publicados con urgencia (función primordial de la Physical Review Letters). su actitud parece curiosa. El láser de Maiman producía unos 10. Gould asegura que no le resultaba difícil estar al corriente de sus actividades a juzgar por las preguntas que le formulaban. Maiman construyó un pequeño artefacto que consistía en un cristal cilíndrico de rubí de un centímetro aproximado de diámetro. "es de que causaba retrasos considerables" Gould también se queja de las dificultades que supone atraer prestigiosos científicos cuando no se les puede explicar en que consiste el trabajo que se realiza. producía breves pulsaciones de luz Láser. pero duraba escasamente unas millonésimas de segundo en un momento dado y correspondía a un extremo tan rojo del espectro luminoso que era casi invisible.historial de Gould bastó para que se le negase el permiso necesario desde el punto de vista de seguridad. Townes y Schawlow no contaron con tal ayuda. Había también otros equipos que se esforzaban en construir un láser lo antes posible. que disponían del permiso necesario. llamado Theodore H. Lamentablemente. y de que algunos rusos habían hecho otro tanto. a la conclusión de que el rubí no constituía el material adecuado para el láser debido a las características de los átomos en el interior del cristal. la Physical Review Letters. y por consiguiente pudieron dedicarse a trabajar tranquilamente en el desarrollo del láser en la universidad de Columbia y en los laboratorios Bell. Pero de lo que no cabe duda agrega. pero que le parecía más impresionante debido a su mayor tamaño. No se le permitió que trabajase en su propio proyecto. Trabajando solo y sin ayuda alguna por parte del Gobierno. El 7 de julio de 1960. pero los cálculos de Maiman le convencieron de que seria apropiado. Maiman. Los investigadores del primero podían formular preguntas. 115 . Gould bajaba en el segundo. Se precisaban delicados instrumentos para comprobar que las pulsaciones no eran simplemente fluorescentes. En la era de las microcomputadoras y de los circuitos integrados. lo mayor parecía mejor. pero en los años sesenta la mayor parte de los equipos electrónicos se construían todavía con voluminosas válvulas y de algún modo.

La segunda publicación de su elección era la prestigiosa, aunque menos especializada, revista británica Nature, donde en 1960 se apresuraron a publicar el artículo de Maiman que constaba escasamente de 300 palabras y constituía, por consiguiente, el más sucinto informe jamás divulgado sobre un importante descubrimiento científico. A pesar de su brevedad, el artículo permitió que se repitiese la hazaña de Maiman en varios laboratorios.

Comienza el gran auge
Después de estudiar el trabajo de Maiman, los demás investigadores dirigieron rápidamente su atención a la construcción de otros modelos de láseres. Al principio, el progreso era lento. Durante el año 1960 se construyó el primer láser de gas y dos nuevos modelos de cristal, uno de los cuales era de Schawlow. En 1961 se descubrieron dos nuevos tipos de láser, uno de ellos debido al equipo de Gould de la TRG Inc. Al igual que el de Maiman, funcionaba por bombeo óptico, pero el material activo era vapor de cesio (un metal). El verdadero auge comenzó en 1962, y en 1965 la actividad del láser había sido observada en mil longitudes de onda diferentes, y ello sólo en los gases. Fueron muchos los que comenzaron a estudiar las posibles aplicaciones de los láseres a partir del momento en que se descubrieron. Una de ellas consistía en calcular la distancia a la que se encontraban ciertos objetos, y los militares no tardaron en aprovecharla para determinar la posición de los blancos. Los investigadores de los laboratorios Bell, entre otros, empezaron a estudiar su aplicación en el campo de las comunicaciones, como habían previsto en todo momento Townes y Schawlow. La fabricación comercial de los láseres tampoco se hizo esperar. Una de las primeras empresas en el nuevo campo fue la Korad Inc., fundada por Maiman en Santa Mónica, California, en 1962. No tardaron en aparecer otras. Muchas fracasaron y algunas son todavía pequeñas empresas con un puñado de empleados. Entre las que han logrado un gran éxito se encuentra Spectra-Physics Inc., radicada en Mountain View, California, cuyas ventas exceden los 100 millones de dólares anuales y sus acciones se cotizan en la Bolsa de Nueva York. Pronto comenzaron los pioneros del láser a cubrirse de honores. En 1964, Townes, Basov y Prokhorov compartieron el premio Nobel de física. A Townes se le otorgó la patente del máser, que, puesto que cubría toda amplificación por emisión estimulada fuere cual fuese la longitud de onda, afectaba también al láser. Townes y Schawlow compartieron una patente básica sobre el láser (es decir, un artefacto que opere especialmente en longitudes de onda ópticas e infrarrojas). A Maiman se le otorgó una patente por su láser de rubí y al fin consiguió hacerse con una suma considerable de dinero al vender su participación en Korad Inc. a la Union Carbide Corporation. El retorno de Gordon Gould Entretanto, Gordon Gould parecía haberse esfumado. Townes y Schawlow estaban en posesión de la patente que él esperaba conseguir, habiéndosele anticipado en casi nueve meses. Cuando intentó que se reconociesen sus derechos a la solicitud de 1959 se vio involucrado en cinco costosas y prolongadas acciones judiciales, propias del procedimiento utilizado por la oficina de patentes de Estados Unidos para determinar a quién corresponden los derechos de un invento determinado. En la primera de sus acciones, Gould se estrelló contra la patente de Townes y Schawlow. Esencialmente quedó desacreditado, y además se ganó la antipatía de numerosos miembros de la comunidad científica, debido al prestigio de los hombres a quienes se enfrentaba. A continuación Gould perdió otras dos batallas parecidas, pero ganó otras dos que, más adelante, constituirían las bases de las demás patentes que le iban a otorgar. A fin de cuentas su compañía había pagado 300.000 dólares en gastos judiciales y la mayor parte de las solicitudes habían caído en el olvido. En 1977 recuperó de su compañía el derecho de sus patentes y comenzó a insistir en las solicitudes personalmente. Incapaz de seguir financiando sucesivas batallas legales, Gould cedió parte de sus derechos de patente a una agencia de licencias y patentes de Nueva York

116

llamada Refac Technology Development Corporation, a cambio de que la agencia se comprometiese a seguir tramitando las solicitudes. Los esfuerzos de Refac se vieron coronados al fin por el éxito. El 11 de octubre de 1977 le fue otorgada una patente a Gould relacionada con la técnica del bombeo óptico, que según hemos aclarado en el capítulo 3 es necesaria para el funcionamiento de muchos láseres. En 1979, Gould recibió una segunda patente que, al igual que la del bombeo óptico, hundía sus raíces en la solicitud de 1959 y cubría una amplia gama de aplicaciones del láser. Cuando Gould recibió su patente relacionada con el sistema de bombeo óptico, el asombro fue enorme en la industria del láser. Las patentes de Townes y Schawlow acababan de caducar y los fabricantes de láseres creían que ya no se verían obligados a seguir pagando derechos por la utilización de conceptos básicos sobre el láser. Entre aquellos a quienes afectaban las nuevas patentes se encontraban numerosos fabricantes de láseres industriales, así como otros de aplicaciones bélicas basados en el sistema de bombeo óptico, y cuando Refac les exigió el 5 por ciento manifestaron que no estaban dispuestos a aceptar la validez de las patentes en cuestión. Apenas acababa de ser otorgada la primera patente, cuando se presentó una denuncia por uso indebido del sistema de bombeo óptico contra la empresa denominada Control Laser Corporation, de Orlando, Florida, pero a los cuatro años no había llegado todavía el caso a los tribunales. Lo más probable es que el caso acabe ante el Tribunal Supremo, puesto que se trata de uno de los más complejos de la historia jurídica de Estados Unidos. Junto a las 18 densas páginas donde se describe la propia patente se encuentra un tomo de 500 páginas detallando la historia legal de dicha patente, que debe ser cuidadosamente estudiado con el fin de determinar la validez. Las complejidades del caso incluyen al mismo tiempo enmarañadas cuestiones técnicas y minuciosos puntos jurídicos. Para que una patente resulte válida, la información contenida en ella debe ser lo suficientemente detallada como para que alguien que disponga de los conocimientos y los recursos necesarios en el momento de presentar la solicitud sea capaz de construir el artefacto descrito en ella. Sin embargo, Maiman ha puntualizado que Schawlow, Townes o Gould no habían construido ningún láser cuando solicitaron sus respectivas patentes, ni lo hicieron tampoco en un futuro inmediato. Por otra parte, transcurridos más de veinte años (a principios de 1981), Gould y un colega suyo construyeron un láser sirviéndose -según Gould- de la información que aparecía en la solicitud de su patente y demás información e instrumentos de dominio público en el momento en que dicha patente fue solicitada en 1959. Apenas había acabado Gould de construir su láser y se disponía a mostrar ante los tribunales cuando surgió una nueva complicación. En el ejemplar de Science correspondiente al 3 de abril de 1981 apareció un informe de un grupo de científicos del Godard Space Flight Center de la NASA, encabezado por Michael Mumma, según el cual habían detectado amplificación láser por bombeo óptico en la atmósfera de Marte. El equipo de Mumma descubrió que la luz del sol produce una inversión de población el dióxido de carbono entre 75 y 90 km. sobre la superficie de Marte, provocando emisión estimulada amplificada -es decir, lo que nosotros denominamos amplificación láser- en la gama infrarroja. La Control Laser Corporation recibió la noticia con verdadero deleite, afirmando que el destello demostraba que la amplificación láser por bombeo óptico era fenómeno natural y por consiguiente no patentable. Las solicitudes de patente más recientes de Gould están también plagadas de complejidades. El caso comenzó cuando Refac decidió entablar un juicio con una pequeña empresa canadiense denominada Lumonics Inc., que se dedica a la fabricación de sistemas láser para grabar objetos. Entonces, la General Motors decidió intervenir en defensa Lumonics, y ahora parece haberse hecho cargo de la defensa del cargo. La GM alega que la patente no es válida, puesto que no se trata más de una extensión de un arte ya existente, que se remonta al año 212 A.C., cuando Arquímedes incendió la armada romana que sitiaba Sisa sirviéndose de una lupa. En esta situación se dan finalmente dos paradojas. Townes forma parte consejo de administración de la General Motors, si bien la empresa no tomó parte en la decisión de intervenir en el pleito. Además fue

117

Townes el primero en observar en 1973, las emanaciones infrarrojas de la atmósfera de Marte, que en 1980, el equipo de Mumma demostraría que procedían de amplificación Temas delicados Uno de los factores que ha contribuido al difícil reconocimiento de las retribuciones de Gould al desarrollo del láser, es el hecho de que no se ajustase a los procedimientos tradicionales de la comunidad científica. Se espera que los científicos se ocupen de patentar sus descubrimientos, pero también que describan sus investigaciones sin pérdida de tiempo en alguna publicación científica, con el doble propósito de informar a los demás científicos y establecer la prioridad de su trabajo. Para justificar el hecho de no haberse ajustado a dichas normas, Gould habla de presiones cronológicas, el conflicto potencial entre publicar y obtener patentes extranjeras, y el hecho de que, a causa de los militares, gran parte de su información constituía un secrete de Estado. Lo ocurrido ha contribuido (y sigue haciéndolo) a que el papel de Gould en la historia del láser cayese parcialmente en el olvido. Existe también otro aspecto sumamente delicado que hace referencia al trato de los estudiantes licenciados dedicados a la investigación. Muchos estudiantes se inspiran en ideas brindadas por sus catedráticos, pero también se da el caso de ciertos miembros de la facultad que están dispuestos a apropiarse las ideas de sus alumnos. Townes asegura que la mayoría de las ideas plasmadas en el cuaderno de Gould, así como en las solicitudes de sus patentes, son meras ampliaciones de las descripciones que Townes le ofreció en su día. Gould, por su parte, alega que sus ideas son originales. Es posible que los tribunales saquen sus propias conclusiones, pero es improbable que jamás resuelvan el asunto de una forma definitiva. A nivel personal todavía existe un evidente rencor entre ambos científicos. Townes nos dijo en fechas recientes que, en su opinión, son muchos los que han contribuido enormemente al desarrollo del láser, pero agregó que Gould no era uno de ellos. Gould afirma que Schawlow es «un individuo muy agradable» pero, aparte del comentario críptico «supongo que tiene sus necesidades», se niega a hablar de Townes. Cuando le preguntamos a Schawlow qué opinión le merecía Gould, el físico, por lo general repleto de jovialidad, se incomodó visiblemente y admitió que las solicitudes de patentes de Gould habían logrado disgustarle. La concesión de las patentes le ha proporcionado a Gould satisfacción emocional y financiera. Al vender finalmente la parte que le correspondía de las patentes, ha conseguido 300.000 dólares al contado y dos millones de dólares en obligaciones. Los compradores son también personajes curiosos en el juego de las patentes; se trata de una empresa de Ardmore, Pennsylvania, que se denominaba Panelrama Corporation, y que con el fin de realizar la compra liquidó una cadena de tiendas al por menor que trabajaba con pérdidas. Entonces Panelrama cambió de nombre y pasó a llamarse Patlex Corporation, puesto que esencialmente sus intereses en las patentes de Gould constituyen su único negocio. En el caso de que dichas patentes entren en vigor, Patlex, Gould, Refac y los abogados de Nueva Jersey que se ocupan del caso compartirán los derechos reales, que podrían llegar a representar decenas o incluso centenares de millones de dólares durante el período en que se hallen en vigor las patentes. El propio Gould estima que dichas patentes podrían reportar unos 10 millones de dólares anuales, y su validez se extiende a lo largo de diecisiete años. Sin embargo, numerosos observadores en el mundo del láser creen que las solicitudes son excesivamente abstractas para tener validez y que incluso la patente relacionada con el bombeo óptico puede desmoronarse ante un concertado ataque jurídico. Al igual que la mayoría de los pioneros del láser, Gould se ha dedicado a otros campos. En la actualidad, con sus sesenta años ya cumplidos, es vicepresidente de una pequeña empresa de Gaithersburg, Maryland, que se dedica a la fabricación de equipos destinados a comunicaciones por fibra óptica y que se denomina Optelecom Inc. Su cliente más importante es el ejército, pero Gould espera que llegue el día en que el beneficio de sus patentes le permita decidir el campo en el que desee investigar, sin tener que preocuparse de los deseos de los militares. Ahora que ha

118

Como la luz del láser es 119 . en Berkeley. tales como Gordon. También son los detectores más eficaces de ciertos tipos de contaminación atmosférica. Ambos científicos dirigen grandes equipos dedicados a la investigación relacionada con el láser y sus nombres aparecen con regularidad en los artículos sobre dicho campo. Los haces enfocados pueden calentar. los láseres se usan para taladrar diamantes. se suponía debido a su estrecha cooperación con Townes en el desarrollo del láser. Gracias a su trabajo.. y utiliza láseres como herramientas para el estudio de las propiedades de la materia. puesto que ya no se vería obligado a aclarar que no había recibido ningún premio Nobel. como comúnmente. Actualmente se desarrollan conmutadores muy rápidos activados por láser para su uso en aceleradores de partículas. El láser se ha convertido en una herramienta valiosa en la industria. Gould ha comenzado a recibir premios tales como el de inventor del año. Schawlow es catedrático de física en la universidad de Stanford. utilizando máseres y láseres para ciertos aspectos de su trabajo. Prokhorov es subdirector del instituto Lebedpv. Aplicaciones del láser Los posibles usos del láser son casi ilimitados. de Moscú. Entre los primeros investigadores. Después de muchos años en Korad Inc. Maiman acabó también distanciándose de los láseres. y se han diseñado técnicas que emplean haces de láser para atrapar un número reducido de átomos en un vacío con el fin de estudiar sus espectros con una precisión muy elevada. Industria Es posible enfocar sobre un punto pequeño un haz de láser potente. En la construcción de carreteras y edificios se utilizan láseres para alinear las estructuras.el premio Nobel de física de 1981. con lo que se logra una enorme densidad de energía. en calidad de vicepresidente encargado de tecnología y nuevas empresas. Sin embargo.logrado la concesión de sus patentes. fundir o vaporizar materiales de forma precisa. Muchos otros pioneros del láser. Investigación científica Los láseres se emplean para detectar los movimientos de la corteza terrestre y para efectuar medidas geodésicas. Schawlow compartió con Nicolaas Bloembergen -físico de la universidad de Harvard que también participó activamente en el desarrollo inicial del láser. otorgado por la Asociación en pro del progreso de la invención y la innovación. modelar máquinas herramientas. Intentó abrirse camino en varios campos y durante varios años trabajó como asesor independiente antes de unirse a la TRW Inc. los que siguen mas estrechamente vinculados con la investigación del láser son Basov y Prokhorov. y desde hace algún tiempo se ocupa primordialmente de radioastronomía y radiaciones infrarrojas. Basov es director del instituto de física Lebedev. Schawlow estaba de un humor excelente cuando hablamos con él el día en que se dio a conocer la noticia. cortar patrones de moda. han abandonado a su vez la investigación activa en dicho campo. a Gould ya poco le importa. Zieger y Weber. asegura. Tanto Townes como Schawlow han seguido brillantes carreras en el mundo académico y ambos han recibido innumerables premios. Townes es catedrático de física en la universidad de California. «Nada tienen que ver esas patentes con mi orgullo». la tecnología militar o el arte. sin ocuparse de los propios láseres. Por ejemplo. recortar componentes microelectrónicos. la investigación científica. calentar chips semiconductores. sintetizar nuevos materiales o intentar inducir la fusión nuclear controlada. El potente y breve pulso producido por un láser también hace posibles fotografías de alta velocidad con un tiempo de exposición de algunas billonésimas de segundo. y miembro del Parlamento soviético. aunque «me gustaría sacarles algún dinero». Los láseres se han empleado igualmente para determinar con precisión la distancia entre la Tierra y la Luna y en experimentos de relatividad.

1. Por ello. aviones y satélites son muy comunes. Debido a su alta frecuencia. en sistemas telefónicos y redes de computadoras. la luz láser simplifica el registro de un holograma. También se han empleado técnicas láser para registrar información con una densidad muy alta. los láseres resultan ideales para las comunicaciones espaciales. por ejemplo. Se han desarrollado fibras ópticas de baja pérdida que transmiten luz láser para la comunicación terrestre. un equipo de físicos estadounidenses anunció la creación del primer láser compuesto de materia en vez de luz. También se han desarrollado técnicas láser para realizar pruebas de laboratorio en muestras biológicas pequeñas.000 veces más canales de televisión de lo que transportan las microondas. resulta fácil detectar cantidades muy pequeñas de luz dispersa o modificaciones en la frecuencia provocadas por materia. El láser se ha empleado para ‘soldar’ la retina. aunque presenten algunas desventajas prácticas frente a los láseres de luz debido a que los átomos están sujetos a fuerzas gravitatorias e interaccionan unos con otros de forma distinta a como lo hacen los fotones. La capacidad de los láseres de colorante sintonizables para excitar de forma selectiva un átomo o molécula puede llevar a métodos más eficientes para la separación de isótopos en la fabricación de armas nucleares. en un láser atómico cada átomo se comporta de la misma manera que cualquier otro átomo. la luz láser puede transportar. formando una "onda de materia" coherente. también permiten inducir reacciones químicas de forma selectiva y detectar la existencia de trazas de sustancias en una muestra. Los láseres han hecho que se pueda determinar la velocidad de la luz con una precisión sin precedentes. Comunicaciones La luz de un láser puede viajar largas distancias por el espacio exterior con una pequeña reducción de la intensidad de la señal. Los científicos confían en las numerosas e importantes aplicaciones potenciales de los láseres atómicos. perforar el cráneo. Medicina Con haces intensos y estrechos de luz láser es posible cortar y cauterizar ciertos tejidos en una fracción de segundo sin dañar al tejido sano circundante. reparar lesiones y cauterizar vasos sanguíneos. los científicos han conseguido estudiar las estructuras moleculares. 120 . Tecnología militar Los sistemas de guiado por láser para misiles.muy direccional y monocromática. Láser atómico En enero de 1997. Del mismo modo que en un láser de luz cada fotón viaja en la misma dirección y con la misma longitud de onda que cualquier otro fotón. Midiendo estos cambios. a partir del cual puede reconstruirse una imagen tridimensional mediante un rayo láser. Por ejemplo.

Los diodos emisores de luz están especialmente diseñados para aprovechar la emisión de luz. de símbolo Ga. como el arseniuro de galio (1). protegidos por un material transparente. Esta Formado por dos cristales Semiconductores. verde o amarillo. común la del centro y especifica para color la de cada extremo. uno con escasez de electrones denominado tipo P. y que disponen de unos terminales conductores para su conexión con otros componentes. El funcionamiento de estos visualizadores consiste en el apagado o encendido de una serie de luces que forman cada uno de los siete segmentos utilizados para formar los números. • • Galio. Su número atómico es 3. Nosotros vamos a investigar y tratar de entender estos visualizadores. entre los que destacan el diodo emisor de luz (LED) y el diodo Zener. y el segundo con exceso de electrones. COMPONENTES ELECTRÓNICOS SEMICONDUCTORES EL DIODO Es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una dirección y la bloquea en la opuesta. y se construyen de forma que la unión queda en la zona mas exterior posible del dispositivo. En caso contrario. o tipo N. se obtienen diodos luminiscentes de color rojo. Diodo Emisor de Luz (LED) Cuando un diodo es polarizado directamente.Displays de 7 segmentos En muchos lugares públicos habréis visto unos indicadores luminosos que nos indican el turno. un diodo se comportara como un circuito de baja resistencia siempre que el ánodo este polarizado a superior tensión que el cátodo. lo que les permite contar hasta 99. El terminal conectado al semiconductor de tipo P recibe el nombre de ánodo. Según el material semiconductor empleado. por que la humanidad esta dependiendo mas de la tecnología. 121 . Normalmente son de dos dígitos. El galio se encuentra en el grupo 13 (o IIIA) del sistema periódico. provistos con una estructura de tres patillas. se adapta cada vez mejor a un modelo de vida electrónico. se convierte en conductor. Existen también versiones con dos colores. con la presencia de una radiación de luz visible o infrarroja. El cambio energético que experimentan los electrones en estas circunstancia se manifiesta en algunos compuestos. Esta unión semiconductora se encapsula bajo formas distintas que dependen del fabricante y a la función a la que se destinan. presentara una elevada resistencia entre sus terminales y se comportara como un circuito abierto. mientras que el conectado de tipo N recibe el nombre de cátodo. Existen diodos construidos para aprovechar alguna característica especial. Esta descripción corresponde a un diodo de propósito general. Este es un sistema muy importante. que nos permitirá contar de 0 a 9. es un elemento metálico que se mantiene en estado líquido en un rango de temperatura más amplio que cualquier otro elemento. lo que se ve en todas partes. Lo realmente complicado es el circuito que se encarga de encender unos segmentos y apagar otros para formar el número que interese.

Esquema eléctrico del visualizador: 122 . Los primeros siete segmentos son los encargados de formar el símbolo y con el octavo podemos encender y apagar el punto decimal. Estos diodos tienen conectados entre si todos los ánodos. Denominación de los segmentos de Display: Esta es la denominación de los 7 segmentos en los modelos comerciales. como la emisora sintonizada en un equipo de radio o la lectura de tensión en un voltímetro digital. Un Display de este tipo está compuesto por siete u ocho leds de diferentes formas especiales y dispuestos sobre una base de manera que puedan representarse todos los símbolos numéricos y algunas letras.DISPLAYS DE 7 SEGMENTOS Muchos equipos electrónicos proporcionan información al usuario mediante la utilización de señales luminosas. Para representar las cifras numéricas se agrupan siete diodos en de segmentos.

Esquema Anteriormente se ha comentado que el display que se va a estudiar es de cátodo común. Se ha optado por una configuración de ánodo común. Como se puede deducir del esquema. La correspondencia de los pines y cada uno de los leds del display puede verse en la siguiente figura: 123 . éstos son similares a los que vamos a utilizar en nuestro montaje con la salvedad de que las conexiones a alimentación y masa serían al revés. También existen displays de ánodo común. alimentaremos cada led por separado por su correspondiente ánodo. el número de cables entre la placa controladora y el visualizador digital es de 8. por lo que serviría exactamente igual una configuración de cátodo común. La decisión ha sido totalmente aleatoria. esto significa que todos los cátodos de los leds están conectados.Se ha realizado el esquema de tres segmentos de los 7 que lo componen ya que el resto es idéntico. (7 para los segmentos y 1 para el negativo la alimentación.

Los pines 3 y 8 corresponden con el cátodo de los leds (son los situados en el centro de las dos filas de pines), para el resto se sigue el criterio mostrado en la tabla. Por ejemplo, si alimentamos el Display por el pin 2 (utilizando una de las resistencias comentadas) y unimos el pin 3 o el 8 a masa, se encenderá el segmento inferior (marcado como d en la figura). Si alimentamos por el pin 5 lo que encenderemos será el punto decimal indicado como en la figura DP (del inglés Dot Point).

MONTAJE DE UN DISPLAY:
El montaje, de la siguiente forma: Pin del Puerto B Pin del Display Segmento 0 ($01) 1 ($02) 2 ($04) 3 ($08) 4 ($10) 5 ($20) 6 ($40) 7 ($80) 9 10 6 7 5 4 2 1 f, superior izquierda g, central b, superior derecha a, superior DP, punto decimal c, inferior derecha d, inferior e, inferior izquierda

Al tratarse de un Display de cátodo común, cada vez que activemos, es decir, pongamos a '1' lógico, uno de los bits de salida del puerto B, encenderemos el led correspondiente en el Display. Nótese que si hubiésemos utilizado un Display de ánodo común, el conexionado y la forma de operación serían diferentes. Eî nuestro caso, la correspondencia entre pines del puerto B y el led del Display queda como la de la figura.

124

PROPIEDADES GENERALES DE UN DISPLAY DE 7 SEGMENTOS.
Patillaje

La G corresponde a masa. Cada patilla se corresponde con un segmento, al cual debemos aplicar una tensión positiva. Características Solidez: excelente Angulo de visibilidad: 150 grados Consumo por dígito: 150 mW Vida media en horas: 100000 Luminosidad: buena Facilidad de montaje: excelente Vcc (general): 1'5 V La Vcc depende del color del LED. Para un color rojo: Vcc: 1'7 V Vcc (máx): 2 V Dependiendo de la tensión aplicada obtendremos una intensidad. Es aconsejable no sobrepasar la Vcc recomendada. Si se alcanza la Vcc máxima se puede destruir el segmento. Protección Cada segmento (y el punto) es un led como cualquier otro. Debido a esto la corriente media que se debe aplicar es de 15 mA. Dependiendo de la lógica que estemos empleando debemos utilizar una resistencia por cada entrada y así no forzar el dispositivo:

125

Lógica TTL (5V): 220 ohmios Lógica CMOS (12V): 680 ohmios. Esta resistencia debe ser situada en cada patilla, haciendo de puente entre la señal lógica de excitación y el Display.

COMPONENTES DE UN DISPLAY.
Los displays de 7 segmentos son por demás conocidos. Son muy usados en los equipos electrónicos desde hace años, y no ofrecen ningún tipo de dificultad. Se los utiliza, en general, en forma directa o multiplexada. En forma directa, es usado normalmente en chips que tienen incluidos los drivers para ello; como ser el ICL7107. En forma multiplexada, son utilizados por ejemplo con un microcontrolador, el cual genera las señales para manejar los puntos comunes (ánodo o cátodo) por un lado y los segmentos, por el otro. En general, la corriente para encender cada segmento es del orden de 20 a 50mA dependiendo del Display, la frecuencia de multiplexado, etc. Para lograr esto, se utiliza algún transistor PNP para manejar el ánodo común, o NPN para el cátodo común. Para los segmentos; un clásico ULN2003 (o ULN2004, ULN2803, etc.), o en forma directa para los microcontroladores que tienen la capacidad de manejar 20mA por línea de entrada-salida. Por supuesto, hay que limitar la corriente con el uso de una resistencia en cada segmento. Tomemos como ejemplo un equipo con 4 dígitos. El conjunto para manejarlo queda formado por: 4 transistores PNP un chip de 18 pines (ULN2803) 12 resistencias (8 para segmentos, y 4 para las bases de los transistores) Desde ya que el costo de este material no es elevado, pero si tenemos en cuenta el tamaño del PCB, la provisión de cada ítem, el armado y la puesta en marcha, vemos que comienza a tener cierta importancia. Si agregamos, el consumo de corriente total exclusivamente de los displays (25mA x 8) es de aproximadamente 200mA. Esto condiciona al transformador o al disipador en el caso de alimentar el equipo con 12VDC. También puede exigir el uso de un microcontrolador capaz de manejar dicha corriente en sus líneas de entrada- salida para ahorrarnos el ULN. Otro punto de importancia, es la emisión de ruido al conmutar cada dígito. Existen en forma standard, displays de 7 segmentos de bajo consumo. Lamentablemente por ahora, de tamaño 0.3”. Cuando las limitaciones de costo, tamaño o corriente consumida son importantes, estos ofrecen una gran solución. El costo es exactamente el mismo que uno normal. La corriente por segmento, es de 2mA, multiplexado con un microcontrolador puede manejarse desde 3mA. Además, la mayoría de los microcontroladores que tienen Isink=10mA, admiten de carga, un led a 5VDC sin aumentar la corriente de 10mA; lo que nos posibilita eliminar las resistencias limitadoras de corriente de cada segmento. Por consiguiente el driver de dichos displays está formado únicamente por 4 transistores PNP, y 4 resistencias para las bases de los mismos (que en los microcontroladores que tienen algunas líneas de 10mA el resto de las líneas es generalmente de 1.5mA, por consiguiente, podemos también eliminarlas). La corriente total consumida, puede variar desde (3mA x 8) 24mA, hasta (10mA x 8) 80mA. Por ende, se redujo de una forma muy importante el tamaño del PCB, el costo de material, armado, puesta en marcha, y la corriente consumida. Para referencia, el costo es el mismo que el común, y aproximadamente de $0.70.

CLASES DE DISPLAYS.

126

48 x 3.5 inch (12.5 inch (12.2 mm) character height Encapsulado: DIL-40 (40 pines. 0. 3 decimal points 0. and LOW BAT INDICATOR 0. and LOW BAT INDICATOR 0. termómetros digitales.7 mm) character height FEO206 4 1/2 digits. A plus/minus sign.80 x 30. Quizás la más utilizada sea la de 7 LEDS colocados en forma de ocho tal y como se indica en la figura. 1 colon. 2 colons.7 mm) character height FEO203 3 1/2 digits. relojes. 1 colon. 3 decimal points. A plus/minus sign. CARACTERISTICAS • • • • • Bajo consumo Alto contraste Conector con pines Angulo de visión ancho Rápida respuesta Una aplicación de los LEDS: el Display de 7 segmentos Una de las aplicaciones más populares de los LEDS es la de señalización.05 (mm) Aplicaciones: voltímetros y contadores digitales.4 inch (10.FEO202 4 digits.1" de separación) Dimensiones: 50. 4 decimal points. 127 .

dos cargas dentro del material: una negativa (electrón libre) y otra positiva (resto del átomo). dos formas cristalinas distintas para el carbón: el grafito (conductor) y el diamante (aislante) para mostrar cómo la estructura interna de la sustancia determina la movilidad de las cargas en la misma. La pérdida de un electrón crea. ya que su movilidad es prácticamente nula. Observe el lector que en los ejemplos he usado. están formadas por muchos diodos semiconductores juntos y son fabricadas usando diferentes materiales y procesos. Los humanos conseguimos este mismo resultado utilizando semiconductores. aún con elevados valores del campo eléctrico (altos voltajes) la fuerza que se ejerce sobre los electrones de la órbita externa no es suficiente para desplazarlos y establecer una corriente. En materiales aislantes. tiene la energía y el espectro luminoso necesario para alterar el estado de equilibrio de la juntura N-P en estos diodos y se genera un exceso de cargas libres. si se cierra el circuito externo. Las células fotovoltaicas.Células fotovoltaicas En la naturaleza. Estructuras cristalinas 128 . La corriente eléctrica es la cantidad de cargas que circulan por unidad de tiempo. ya que están saltando de átomo a átomo. aún a la temperatura ambiente. el diamante o la porcelana. Los electrones ubicados en la órbita exterior del átomo de este material. La conducción o no-conducción eléctrica de un material está determinada por su estructura atómica. la más lejana del núcleo. por último. Cuando la luz solar pega sobre estos paneles. Conductores y aislantes Dado que el fenómeno fotovoltaico toma lugar dentro de un semiconductor. estarán sometidos a una fuerza cuyo valor está dado por la expresión: F=qxE Donde "q" es el valor de la carga (en Coulombs) y "E" es el valor del campo eléctrico en "V/m". la energía luminosa se transforma en eléctrica en el proceso de fotosíntesis. Bajo la acción de un campo eléctrico (voltaje entre los extremos) la fuerza dada por la expresión “F = q x E” los pone en movimiento. El valor de la conductividad (inversa de la resistividad) es elevado en estos materiales. a propósito. en efecto. las que pueden sostener una corriente. los electrones de la banda externa tienen mucha movilidad. un semiconductor. Cuando el átomo de una sustancia pierde un electrón. el aluminio o el grafito. se crea un campo eléctrico dentro del mismo. Cuando se aplica un voltaje entre los extremos de un material. como el vidrio. ya que todavía se continúa perfeccionando el producto buscando la manera de abaratar el costo e incrementar su eficiencia. como el cobre. un buen aislante (no-conductor) y. se transforma en una carga positiva. se hace necesario entender que hace que un material sea un buen conductor. En materiales conductores.

las que sirven para anclar los conectores externos. La industria usa el cristal de silicio (Si) porque su comportamiento a altas temperaturas es superior al del germanio (Ge). por el contrario. carbón. así como dos zonas adyacentes. ya que se han descubierto varios procesos para fabricarlos en cantidad y a bajo precio. Si la sustancia que se introduce tiene la capacidad de ceder electrones. se ha convertido en un proceso robotizado. difusión. Estos materiales tienen un valor de conductividad que los sitúan entre los aisladores y los conductores de corriente. la conductividad de estos materiales varía drásticamente.En substancias como el germanio (Ge) y el silicio (Si) los electrones de la capa exterior de un átomo son compartidos por átomos adyacentes (Figura 1) formando una estructura fija rígida (cristalina) en donde los electrones carecen de movilidad. Quizá en el futuro haya células fotovoltaicas hechas con diamantes. pero no se ha investigado como llevar adelante el proceso de difusión. A estas cargas se las denominan “hoyos” ya que el electrón tomado deja un vacío (hoyo) en el átomo que lo cedió. de manera que pueden crearse zonas cuasi-conductoras. Juntura N-P El proceso de difusión es repetitivo. Por eso el germanio y el silicio puro son substancias aislantes. 129 . la mayoría de los átomos en esta zona tendrán cargas positivas libres (tipo P). éstos se convierten en la carga mayoritaria en esa zona (semiconductor tipo N). Si. la otra del tipo P. Este material.Estructura cristalina Semiconductores Si en un cristal de este tipo logramos incorporar átomos de otras substancias. A las substancias que se usan para alterar la conductividad del cristal puro se las conocen como dopantes o contaminantes. Figura 1 . una del tipo N. es superior al sicilio cuando la temperatura ambiente es elevada. aún en proporciones muy pequeñas. aisladoras o semiconductoras con diferentes cargas mayoritarias. en donde los átomos de las substancias dopantes se introducen usando cañones electrónicos que bombardean los cristales (proceso de implantación). Esto permite crear dos zonas cuasi-conductoras en los extremos del diodo. El proceso de introducción de átomos que ceden o toman electrones. La zona entre estas dos regiones se denomina juntura. convirtiéndolos en semiconductores. los átomos de la sustancia que se introduce son ávidos de electrones.

Algunos de estos pares se recombinan (neutralizan) antes de migrar a la zona de juntura. pero un elevado porcentaje de electrones del lado P y de hoyos del lado N serán impulsados a través de la juntura. los que se mueven libremente. 130 . El proceso migratorio continúa hasta que se vé interrumpido cuando el valor del potencial alcanza lo que se denomina el nivel de Fermi para esa sustancia. Figura 2 . donde la concentración es baja. La teoría muestra que las cargas mayoritarias (electrones de un lado y hoyos del otro) no permanecen inmóviles. indicando cual es la carga mayoritaria en cada zona. ya que la juntura tiene muy pequeño espesor. Célula fotovoltaica Cuando la luz solar que incide sobre la zona adyacente a la juntura tiene el espectro y nivel de energía requerido por el material (Si) el bombardeo de los fotones crea pares de cargas libres (Figura 3). de manera que los electrones y los hoyos se desplazan en sentidos opuestos. Las cargas libres están listas para sostener una corriente cuando se conecten el lado N y P a una carga eléctrica externa. alterándose el estado de equilibrio.El estado de equilibrio para una juntura N-P En la expresión “F = q x E” la dirección de la fuerza depende del signo de la carga. La dirección del campo eléctrico E (Figura 2) hace que estas cargas no puedan volver. creando una diferencia de potencial en la juntura. la que establece un campo eléctrico (E). Este desplazamiento de cargas (corrientes de desplazamiento) acumula cargas positivas en la zona N y negativas en la zona P. El campo eléctrico E (V/distancia) en esta zona tendrá un valor elevado. desplazándose hacia la zona adyacente.Nótese que la letra N se correlaciona con negativo y la letra P con positivo.

Amorfas.Corte y capas de una célula fotovoltaica La eficiencia de conversión (energía luminosa en eléctrica) está dada. por la expresión: e/n= (Energía eléctrica de salida / Energía luminosa de entrada) x 100 Donde n (nu) es el valor porcentual de la eficiencia. Las células de estructura mono-cristalina fueron las primeras en ser manufacturadas. Poli-cristalinas. Algunas gozan de más difusión que otras debido a que fueron introducidas hace largo tiempo atrás.Figuras 3 . en forma porcentual. El orden dado es el mismo cuando se considera el costo o la eficiencia de conversión. Todas las células pertenecen a uno de los grupos mencionados a continuación: • • • Mono-cristalinas. ya que se podían emplear las mismas técnicas usadas previamente en la fabricación de diodos y transistores. 131 . Tipos de células fotovoltaicas El mercado ofrece numerosos tipos de células FVs.

lo que eleva el costo de estas células. asimismo.A este tipo de células. las células amorfas alcanzan un valor intermedio entre las cristalinas y las amorfas. pudiéndose observar las imperfecciones en el cristal. La versión poli-cristalina (pSi) se obtiene fundiendo silicio de grado industrial. La compañía UNISOLAR apila tres junturas. La eficiencia ha ido creciendo. contribuye a bajar el costo. Los depósitos activos se hacen sobre una lámina continua de acero inoxidable de bajo espesor que permite que las células sean flexibles. la segunda al verde y la tercera al rojo. la compañía Sun-Power ha anunciado la introducción de una célula de cSi. Las células policristalinas reflejan la luz en forma no uniforme. Células policristalinas (izq) y monocristalinas (der) El otro tipo corresponde a las células amorfas. a su vez. la de menor energía en el espectro. Como el costo del material y el procesado se simplifican. Tienen. disminuyendo la eficiencia de conversión. Si se requiere una estructura rígida se les agrega un marco metálico. un valor reservado pocos años atrás para las células de cSi. Recientemente. Para compensar el bajo nivel de conversión los fabricantes adicionan junturas. sin rejilla de contacto frontal. más defectos estructurales aparecerán en la sustancia semiconductora. de sección cuadrada. Precisamente esa simplificación en la estructura conduce a un abaratamiento drástico de las mismas. La primera responde a la zona del azul. Pérdidas de energía luminosa 132 . conocidas simplemente como cristalinas. la que tendría una eficiencia del 20% (máximo teórico: aprox. Como su nombre lo indica estas células no poseen una estructura cristalina. los que aumentan el aprovechamiento de las cargas libres. Para reducir este efecto. las que proporcionan los más altos valores de eficiencia. el que se vierte en moldes rectangulares. llegando a ofrecerse (Kyocera) células de pSi con eficiencia de conversión del 15%. las que responden a diferentes frecuencias del espectro luminoso. El proceso de fabricación del cristal de silicio requiere un alto consumo de energía eléctrica. una coloración azulada. Es un hecho que cuando más se aleja la técnica de fabricación de una célula fotovoltaica de la estructura cristalina pura. ya que su superficie es uniforme. se le asigna la abreviatura (cSi). el espesor del material activo en estas células es diez (10) veces menor que el de una célula de cSi. Expuestas a la luz actúan como un espejo grisáceo. 25%). Identificación visual Las células de cSi se reconocen a simple vista. Esto. La compañía British Petroleum (BP) ofrece un modelo similar que usa dos capas conversoras.

reflejando hasta el 30% de la luz incidente. A este problema se lo conoce como el “sombreado” de los contactos y no debe confundirse con el sombreado externo sobre el área colectora. Versiones más recientes tienen forma cuadrada. Un fabricante ha anunciado la producción de células sin rejillas frontales (Sun Power). Por lo tanto. Las primeras versiones de cSi eran redondas. la superficie de la celda y el valor de su resistencia interna.5 V. Forma geométrica El método de fabricación determina. la irradiación solar. Tensión. en células modernas. Para las células de silicio este valor es de alrededor de 0. la forma geométrica de la célula FV. corriente y potencia El voltaje de juntura depende exclusivamente del material usado (nivel de Fermi para el cristal usado). la que disminuye la reflectancia a un 10%. El contacto ubicado sobre la superficie colectora utiliza una rejilla metálica. En un instante determinado. La necesidad de una capa antireflectiva se extiende a todo tipo de células. Su mención y análisis ayudarán al lector a entender algunos detalles auxiliares contenidos en las hojas de especificaciones. o casi-cuadrada. donde las esquinas tienen vértices a 45°. disminuyendo la superficie que se necesita para colocar un determinado número de células (Figura 4). Consideraremos: • • La reflectancia de la superficie colectora. en gran parte. asumiendo que la corriente circula en sentido opuesto al de los electrones. pues el cristal puro tenía una sección circular. La superficie colectora de una célula de cSi actúa como un espejo. de trazos finos. Una segunda capa baja la reflectancia a un 4%. la superficie de colección recibe una capa antireflectiva de monóxido de silicio (SiO). 133 . Esta reducción. Para disminuír la reflectancia.Estas pérdidas ocurren fuera del material semiconductor. El valor de la corriente dependerá del valor de la carga. Como las cargas son impulsadas por un campo eléctrico fijo. la potencia eléctrica proporcionada por la célula FV está dada por el producto de los valores instantáneos del voltaje y la corriente de salida. hay un lado positivo (lado P) y otro negativo (lado N). El “sombreado” de los contactos. pero incrementa el costo. si bien el tratamiento es diferente. Las células de pSi son cuadradas porque el molde donde se vierte el semiconductor fundido tiene esta forma. la que contribuye a disminuir el área activa de la célula. La forma cuadrada permite un mayor compactado de las mismas dentro del panel fotovoltaico. el voltaje de una celda FV es de corriente continua (CC). varía entre un 3 y un 5% de la superficie activa.

Figura 4 – Eficiencia de empaque 134 .

Hoy en día el precio de un amplificador operacional integrado de propósito general. El amplificador. en gran medida. una tensión offset de entrada de 1 mV. tubos u otros cualesquiera. Los primeros amplificadores operacionales usaban el componente básico de su tiempo: la válvula de vacío. Lo que ahora debemos de hacer es a conocer bien los AOs. piensa en términos generales y considere el amplificador como una caja con sus terminales de entrada y salida. abarcando aplicaciones mucho más allá del ámbito original de los computadores analógicos. podían implementarse diferentes operaciones analógicas. a su vez contribuyó a rebajar su coste. con una ganancia de 100 dB. De esta forma. cuando empezaron a aplicarse las técnicas de estado sólido al diseño de circuitos amplificadores operacionales. los amplificadores operacionales integrados estuvieron disponibles en grandes cantidades. Con componentes de ganancia altamente sofisticados disponibles al precio de los componentes pasivos. cuáles son sus principios básicos y estudiar sus aplicaciones PRINCIPIOS BÁSICOS DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES El amplificador operacional ideal Los fundamentos básicos del amplificador operacional ideal son relativamente fáciles. cómo funciona. lo que. ha evolucionado para convertirse en un componente discreto él mismo. Trataremos. las características globales del circuito estaban determinadas sólo por estos elementos de realimentación. Y un ancho de banda de 1 MHz. que era un sistema formado antiguamente por muchos componentes discretos. El uso generalizado de los AOs no comenzó realmente hasta los años 60. En lugar de pensar en ellos. lo mejor para entender el amplificador operacional ideal es olvidar todos los pensamientos convencionales sobre los componentes de los amplificadores. se introdujeron los primeros amplificadores operacionales de circuito integrado. una realidad que ha cambiado por completo el panorama del diseño de circuitos lineales. a mediados de los 60. el mismo amplificador era capaz de realizar diversas operaciones. y el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseño de circuitos. cuyas características de operación estaban determinadas por los elementos de realimentación utilizados. En unos pocos años los amplificadores operacionales integrados se convirtieron en una herramienta estándar de diseño. e ignoraremos qué hay dentro de la caja. el diseño mediante componentes activos discretos se ha convertido en una pérdida de tiempo y de dinero para la mayoría de las aplicaciones dc y de baja frecuencia. el amplificador en ese sentido ideal. 135 . El nombre de amplificador operacional deriva del concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia extremadamente alta. Quizás. transistores. fabricándose módulos que realizaban la circuitería interna del amplificador operacional mediante diseño discreto de estado sólido. una corriente de entrada de 100 nA. entonces. Con la posibilidad de producción en masa que las técnicas de fabricación de circuitos integrados proporcionan.Amplificadores operacionales El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los computadores analógicos. es inferior a 1 euro. Cambiando los tipos y disposición de los elementos de realimentación. en los que comenzaron a usarse técnicas operacionales en una época tan temprana como en los años 40. el amplificador operacional integrado ha redefinido las "reglas básicas" de los circuitos electrónicos acercando el diseño de circuitos al de sistemas. Entonces. Claramente.

V0 = a Vd a = infinito Ri = infinito Ro = 0 BW (ancho de banda) = infinito V0 = 0 sí Vd = 0 En la figura se muestra un amplificador idealizado. no a su potencial común. Ambos terminales de entrada del amplificador se utilizarán siempre independientemente de la aplicación. Vd. por consiguiente. podemos definir ahora las propiedades del amplificador ideal. La resistencia de entrada es infinita: 3. y un único terminal de salida. será a Vd. la tensión de salida. Una señal positiva en la entrada inversora (-). La resistencia de salida es cero: 136 . Es un dispositivo de acoplo directo con entrada diferencial. La ganancia de tensión es infinita: 2. El amplificador sólo responde a la diferencia de tensión entre los dos terminales de entrada. Vo. donde a es la ganancia del amplificador. mientras que la misma señal en la entrada no inversora (+) produce una señal positiva en la salida. Son las siguientes: 1. La señal de salida es de un sólo terminal y está referida a masa. Con una tensión de entrada diferencial. se utilizan tensiones de alimentación bipolares ( ± ) Teniendo en mente estas funciones de la entrada y salida. produce una señal negativa a la salida.

en resumen: La tensión de entrada diferencial es nula. En este circuito. y se emplearán repetidamente en el análisis y diseño del circuito del AO. La tensión offset de entrada es cero: V0 = 0 sí Vd = 0 A partir de estas características del AO. Luego. en estas dos configuraciones básicas. Puesto que. El ancho de banda es infinito: 5. 137 . cualquier señal de salida que se desarrolle será el resultado de una señal de entrada infinitesimalmente pequeña. El amplificador inversor. la ganancia en tensión es infinita. deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores operacionales. Una vez entendidas estas propiedades.Ro = 0 4. con realimentación desde la salida a través de R2. El amplificador inversor La figura 2 ilustra la primera configuración básica del AO. la entrada (+) está a masa. la ganancia en tensión es infinita. de alguna forma. Configuraciones básicas del amplificador operacional Los amplificadores operacionales se pueden conectar según dos circuitos amplificadores básicos: las configuraciones (1) inversora y (2) no inversora. más otro circuito básico que es una combinación de los dos primeros: el amplificador diferencial. en resumen: A partir de estas características del AO. podemos deducir otras dos importantes propiedades adicionales. podemos deducir otras dos importantes propiedades adicionales. Luego. Además. si la resistencia de entrada es infinita. Puesto que. se pude. Casi todos los demás circuitos con amplificadores operacionales están basados. y la señal se aplica a la entrada (-) a través de R1. cualquier señal de salida que se desarrolle será el resultado de una señal de entrada infinitesimalmente pequeña. lógicamente. No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales de entrada Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas. existen variaciones estrechamente relacionadas de estos dos circuitos. También.

Y si Vd = 0. desarrollará su tensión de salida. ==> Vd = 0. la entrada diferencial de A es: Vd = Vp . puesto que no se derivará ninguna corriente hacia la entrada del operacional (Impedancia infinita). Puesto que el amplificador tiene ganancia infinita. 2 Aplicando las propiedades anteriormente establecidas del AO ideal.V0 por lo que: luego la ganancia del amplificador inversor: 138 . entonces toda la tensión de entrada Vi.Vn. deberá aparecer en R1. así pues el producto de I por R2 será igual a . V0.Fig.. obteniendo una corriente en R1 Vn está a un potencial cero. es un punto de tierra virtual Toda la corriente I que circula por R1 pasará por R2. Ya que. con tensión de entrada nula. las características distintivas de este circuito se pueden analizar como sigue.

muy útil para entender el circuito del AO. Esta última característica conduce al tercer axioma básico de los amplificadores operacionales. por lo que la corriente que circula por R2 es siempre I. 139 . y ya que Vd = 0. Esta propiedad puede aún ser o no ser obvia.R2. y Vi y R1 únicamente determinan la corriente I. Luego esta tensión puede ser masa (como en la figura 2). este punto en el que se suman las señales de salida y entrada. o cualquier potencial que se desee. para cualquier valor de dicha R2. mostrado en la figura 3. independientemente de la corriente I. La impedancia de entrada es igual a R1. el cual se aplica a la operación en bucle cerrado: En bucle cerrado. esta conexión es un punto de tierra virtual. La ganancia se puede variar ajustando bien R1. la tensión Vi se aplica a la entrada (+). se aplica a la entrada (-) a través del divisor de tensión R1 . Luego. el cual controlará el nivel que ambas entradas asumen. Fig. puesto que es directamente proporcional a R2. o el punto de conexión de la entrada y las señales de realimentación. es un nudo de tensión nula. no fluye corriente de entrada en ningún terminal de entrada. ver la entrada (+) como un terminal de referencia. Si R2 varía desde cero hasta infinito. Por tanto. Es. El amplificador no inversor La segunda configuración básica del AO ideal es el amplificador no inversor. 3 En este circuito.Deben observarse otras propiedades adicionales del amplificador inversor ideal. se conoce también como nudo suma. sin embargo. y una fracción de la señal de salida. La entra del amplificador. la entrada (-) será regulada al potencial de entrada (+) o de referencia. Vo. a partir de la teoría de tensión de entrada de diferencial nula. Este circuito ilustra claramente la validez del axioma 3. Puesto que. la ganancia variará también desde cero hasta infinito. la tensión en R1 será igual a Vi. un punto en el que siempre habrá el mismo potencial que en la entrada (+). o bien R2.

La impedancia de entrada es infinita. independientemente del valor de R2.Así pues y como tendremos pues que: que si lo expresamos en términos de ganancia: que es la ecuación característica de ganancia para el amplificador no inversor ideal. El amplificador diferencial Una tercera configuración del AO conocida como el amplificador diferencial. es una combinación de las dos configuraciones anteriores. y utiliza la amplificación diferencial natural del amplificador operacional. Configuraciones basadas en los circuitos inversor y no inversor. Aunque está basado en los otros dos circuitos. esto también es cierto en el amplificador no inversor. Este circuito. También se pueden deducir propiedades adicionales para esta configuración. El límite inferior de ganancia se produce cuando R2 = 0. En el amplificador inversor. lo que da lugar a una ganancia unidad. 140 . la corriente a través de R1 siempre determina la corriente a través de R2. puesto que se trata de un amplificador ideal. Luego R2 puede utilizarse como un control de ganancia lineal. el amplificador diferencial tiene características únicas. tiene aplicadas señales en ambos terminales de entrada. capaz de incrementar la ganancia desde el mínimo unidad hasta un máximo de infinito. mostrado en la figura 4.

y después combinadas. Recordar que Vd = V(+) .V(-) ==> V(-) = V(+) La tensión a la salida debida a V1 la llamaremos V01 y como V(-) = V(+) La tensión de salida debida a V1 (suponiendo V2 = 0) valdrá: Y la salida debida a V2 (suponiendo V1 = 0) será. Como siempre Vd = 0 y la corriente de entrada en los terminales es cero. aplicando el teorema de la superposición la tensión de salida V0 = V01 + V02 y haciendo que R3 sea igual a R1 y R4 igual a R2 tendremos que: por lo que concluiremos 141 . 4 Para comprender el circuito.Fig. primero se estudiarán las dos señales de entrada por separado. V02 Y dado que. usando la ecuación de la ganancia para el circuito inversor.

V1 se dividirá entre R1 y R2. y se aplica la misma tensión a ambos terminales de entrada. el cual. que se explica a continuación. por definición. Para la entrada (+). Debido a la ganancia infinita del amplificador. puesto que. El sumador inversor Utilizando la característica de tierra virtual en el nudo suma (-) del amplificador inversor. Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. mientras que se amplifican las señales que aparecen de forma diferencial. Puesto que la red de resistencias R3 y R4 es igual a la red R1 y R2. el sumador inversor. La impedancia para la entrada (-) es R3. el análisis es sencillo. el amplificador no tiene ganancia cuando se aplican señales iguales a ambas entradas. La impedancia de entrada diferencial (para una fuente flotante) es la impedancia entre las entradas. Vo estará al mismo potencial que R2.que expresando en términos de ganancia: que es la ganancia de la etapa para señales en modo diferencial Esta configuración es única porque puede rechazar una señal común a ambas entradas. Si se cumple la relación La ganancia para señales en modo común es cero. la impedancia de entrada es R1 + R2. En el caso de que las señales V1 y V2 sean idénticas. R1+R3. es decir. apareciendo una menor tensión V(+) en R2. Esta muy útil propiedad del amplificador diferencial. una tensión igual V(-) debe aparecer en el nudo suma (-). 142 . se concluye que Vo debe estar a potencial nulo para que V(-) se mantenga igual a V(+). puede utilizarse para discriminar componentes de ruido en modo común no deseables. de hecho está a masa. y a la tensión de entrada diferencial cero. se obtiene una útil modificación. figura 5. Esto se debe a la propiedad de tensión de entrada diferencial nula.

R G2. son dos nuevas modificaciones del amplificador inversor. V2 y V3. no produce interacción entre las entradas. R G2 y R G3 son las impedancias de entrada de los respectivos canales. Aunque los circuitos precedentes se han descrito en términos de entrada y de resistencias de realimentación. en el nodo suma.Fig. y los axiomas de los amplificadores operacionales se mantendrán como verdaderos. El circuito puede acomodar cualquier número de entradas añadiendo resistencias de entrada adicionales en el nodo suma. 5 En este circuito.. Del mismo modo. las resistencias se pueden reemplazar por elementos complejos. R G3. la tensión V(+) está conectada a masa. es decir: y también Como I1 = I2 concluiremos que: que establece que la tensión de salida es la suma algebraica invertida de las tensiones de entrada multiplicadas por un factor corrector. que el alumno puede observar que en el caso en que RF = RG1 = R G2 = R G3 ==> VOUT = . como en el amplificador inversor. en este sentido. Dos circuitos que demuestran esto. 143 . la cual. IF igual a IIN. se comporta como en el amplificador inversor básico. puesto que todas las fuentes de señal alimentan el punto de tierra virtual... R G1.(V1 + V2 + V3) La ganancia global del circuito la establece RF. El integrador Se ha visto que ambas configuraciones básicas del AO actúan para mantener constantemente la corriente de realimentación. y como la impedancia de entrada es infinita toda la corriente I1 circulará a través de RF y la llamaremos I2. Lo que ocurre en este caso es que la corriente I1 es la suma algebraica de las corrientes proporcionadas por V1. Otra característica interesante de esta configuración es el hecho de que la mezcla de señales lineales. étc. por lo que la tensión V(-) estará a una masa virtual. A las ganancias de los canales individuales se les aplica independientemente los factores de escala RG1.

el integrador. La variación de tensión en CF es lo que hace que la salida varíe por unidad de tiempo según: Como en otras configuraciones del amplificador inversor. El elemento realimentador en el integrador es el condensador CF. Se aplica una tensión de entrada VIN. V(-) = 0. puesto que V(+) = 0. que es forzada a cargar CF por el lazo de realimentación. por tanto.Fig. la impedancia de entrada es simplemente RG Obsérvese el siguiente diagrama de señales para este circuito 144 . en CF da lugar a una rampa lineal de tensión. llamaremos a esta corriente IF. La tensión de salida es. Como ocurría en el amplificador inversor. la corriente constante IF. a RG. la integral de la corriente de entrada. mostrado en la figura 6. y por tener impedancia infinita toda la corriente de entrada Iin pasa hacia el condensador CF. lo que da lugar a una corriente IIN. se aprovecha de esta característica. 6 Una modificación del amplificador inversor. Por consiguiente.

7 En este circuito.IF RF Sustituyendo obtenemos 145 . de la resistencia y del condensador. Luego la corriente de entrada obtenida es proporcional a la tasa de variación de la tensión de entrada: De nuevo diremos que la corriente de entrada IIN. la posición de R y C están al revés que en el integrador. estando el elemento capacitivo en la red de entrada.Por supuesto la rampa dependerá de los valores de la señal de entrada. Fig. por lo que IF = IIN Y puesto que VOUT= . El diferenciador Una segunda modificación del amplificador inversor. circulará por RF. que también aprovecha la corriente en un condensador es el diferenciador mostrado en la figura 7.

V0 es entonces exactamente igual a Vi. dado que Es = 0. Los cinco criterios básicos que describen al amplificador ideal son fundamentales. La impedancia de entrada de esta etapa es también infinita.Obsérvese el siguiente diagrama de señales para este circuito El seguidor de tensión Una modificación especial del amplificador no inversor es la etapa de ganancia unidad mostrada en la figura 8 En este circuito. y RF es cero. Todas las características de los circuitos que se han descrito son importantes. la resistencia de entrada se ha incrementado hasta infinito. y a partir de estos se desarrollan los tres principales axiomas de la teoría de los amplificadores operacionales. Resumen de las configuraciones básicas del amplificador y sus características. y la realimentación es del 100%. son las bases para la completa fundamentación de la tecnología de los circuitos amplificadores operacionales. puesto que. los cuales repetimos aquí: 146 . El circuito se conoce como "seguidor de emisor" puesto que la salida es una réplica en fase con ganancia unidad de la tensión de entrada.

. y la salida en el ápice. Las entradas están en la base del triángulo. La configuración diferencial combina estos conceptos. Con una definición adicional. la cual es forzada a seguir con un potencial idéntico. el amplificador no inversor y el seguidor de emisor ilustran como una tensión de entrada es indirectamente multiplicada a través de una realimentación negativa en la entrada inversora.La tensión de entrada diferencial es nula 2. ilustrando el ideal de la simultaneidad de la amplificación diferencial y del rechazo de la señal en modo común.No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales de entrada 3. Este es fundamental. dado que un esquema correctamente dibujado nos dice mucho sobre las funciones de un circuito. y veremos cómo superarlas. SIMBOLO ESQUEMATICO DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL ESTÁNDAR Y SU USO Una herramienta adicional básica del AO es su símbolo esquemático.En bucle cerrado. los conceptos de corriente de entrada nula. En todos estos circuitos. la entrada (-) será regulada al potencial de entrada (+) o de referencia. En la configuración inversora. la simbología del dispositivo. el cual generalmente presupone amplificación. Las variaciones del inversor ponen de nuevo de manifiesto los principios básicos. De acuerdo con el convenio normal del flujo 147 . Estos tres axiomas se han ilustrado en todos los circuitos básicos y sus variaciones. llegaremos al mundo real de los dispositivos prácticos. examinaremos sus desviaciones respecto al ideal. El símbolo más usado se muestra en la figura 9 con algunas aclaraciones anotadas. Usando el concepto de la entrada no inversora como terminal de referencia. El símbolo básico es un triángulo. Hasta este momento... dan origen a los conceptos de nudo suma y tierra virtual. hemos visto también cómo el funcionamiento está solamente determinado por los componentes conectados externamente al amplificador. y tensión de entrada diferencial cero. hemos definido el AO en sentido ideal y hemos examinado sus configuraciones básicas. donde la entrada inversora se mantiene por realimentación al mismo potencial que la entrada no inversora a masa.1.

los cuales se sitúan adyacentes a sus respectivos terminales dentro del cuerpo del triángulo. Excepciones a esta regla se producen en circunstancias especiales. por encima y debajo del triángulo. el símbolo se dibuja con el ápice (salida) a la derecha. indicativo de un amplificador operacional cualquiera. Finalmente. en las que podría ser difícil mantener el convenio estándar. Además. los terminales de las tensiones de alimentación se dibujan. las dos entradas se dibujan como se indica en la figura. basta con usar el símbolo de tres terminales para dar a entender el significado. Usualmente.) 148 . étc. preferiblemente. la entrada no inversora (+) es la inferior de las dos. se usa el símbolo A ( o A1. sobreentendiendo las conexiones de alimentación.de señal. Estos pueden no ser mostrados en todos los casos (en favor de la simplicidad) pero siempre están implícitos. Si el circuito es uno general. en croquis. el tipo o número del dispositivo utilizado se sitúa centrado en el interior del triángulo. Generalmente. A2. las dos entradas están claramente identificadas por los símbolos (+) y (-). Como se ve. pero puede alterarse si es necesario para clarificar otros detalles del circuito.

3 0.4/<0.3-V ~ 5% 6. Sus características más destacables son: • • • Temporización desde microsegundos hasta horas. puede funcionar como oscilador. o Oscilador.El dispositivo 555 Introducción y características El dispositivo 555 es un circuito integrado muy estable cuya función primordial es la de producir pulsos de temporización con una gran precisión y que. o Divisor de frecuencia.3 ~200ma ~200ma A continuación se mostrarán los modos de funcionamiento que posee este circuito integrado.4-Meg 6. Pasemos ahora a mostrar las especificaciones generales del 555 (Vc = disparo): Especificaciones generales del 555 Vcc Frecuencia máxima (Astable) Nivel de tensión Vc (medio) Error de frecuencia (Astable) Máximo valor de Ra + Rb Valor mínimo de Ra Valor mínimo de Rb Reset VH/VL (pin-4) Corriente de salida (pin-3) 5-Voltios 10-Voltios 15-Voltios Notas 500-kHz a 2-MHz 3.2-Meg 0. Modos de funcionamiento: o Monoestable. o Generador de señales triangulares.0-V ~ 5% ~ 1% 10-Meg 5-K 3-K 0. o Modulador de frecuencia.4/<0. Aplicaciones: o Temporizador.6-V ~ 5% ~ 1% 5-K 3-K 10. Funcionamiento monoestable 149 . En los esquemas se hace referencia al patillaje del elemento.3 ~200ma Varia con el Mfg y el diseño Nominal Temperatura 25° C Temperatura 25° C Error de temporización (Monoestable) ~ 1% 5-K 3-K 3.4/<0. al igual que a las entradas y salidas de cada montaje. además. o Astable.

que es el estado de reposo. el disparo debería ser puesto nuevamente a nivel alto antes que termine la temporización. la salida se mantiene a nivel alto (Vcc) hasta transcurrido el tiempo determinado por la ecuación: T = 1. para no tener problemas de sincronización que el flanco de bajada de la señal de disparo sea de una pendiente elevada.Cuando la señal de disparo está a nivel alto (ej.44 / [C*(Ra+2*Rb)] 150 . NOTA: en el modo monoestable.1*Ra*C Es recomendable. 5V con Vcc 5V) la salida se mantiene a nivel bajo (0V). Una vez se produce el flanco descendente de la señal de disparo y se pasa por el valor de disparo. pasando lo más rápidamente posible a un nivel bajo (idealmente 0V). Funcionamiento astable En este modo se genera una señal cuadrada oscilante de frecuencia: F = 1/T = 1.

693*Rb*C 151 .La señal cuadrada tendrá como valor alto Vcc (aproximadamente) y como valor bajo 0V.693*(Ra+Rb)*C Salida a nivel bajo: T2 = 0. Si se desea ajustar el tiempo que está a nivel alto y bajo se deben aplicar las fórmulas: Salida a nivel alto: T1 = 0.

La capacidad de evacuación del calor al medio ambiente podrá variar según el tipo de cápsula pero en cualquier caso será demasiado pequeña. En este tipo de transmisión se debe tener en cuenta la conductividad térmica de las sustancias (cantidad de calor transmitido por unidad de tiempo. Es por ello que la evacuación del calor generado en el semiconductor es una cuestión de gran importancia para asegurar el correcto funcionamiento y duración del dispositivo. es decir. Propagación del calor En todo semiconductor el flujo de la corriente eléctrica produce una pérdida de energía que se transforma en calor. el flujo de la corriente eléctrica produce una pérdida de energía que se transforma en calor.. 3. se transmite por el interior del cuerpo estableciéndose una circulación de calor. 2. En Electrónica de Potencia la REFRIGERACIÓN juega un papel muy importante en la optimización del funcionamiento y vida útil del semiconductor de potencia. inicialmente provocará una reducción de la vida útil del elemento y en el peor de los casos lo destruirá.. Esta transmisión del calor puede producirse de tres formas: 1.CONVECCIÓN: El calor de un sólido se transmite mediante la circulación de un fluido que le rodea y este lo transporta a otro lugar. si este aumento es excesivo e incontrolado provocará una reducción de la vida útil del dispositivo y en el peor de los casos su destrucción. Esto es debido al movimiento desordenado en la estructura interna de la unión. el cual hace de puente para evacuar el calor de la cápsula al medio ambiente. El calor elevará la energía cinética de las moléculas dando lugar a un aumento de temperatura en el dispositivo. por lo que necesita una ayuda adicional para transferir el calor disipado mediante un dispositivo de mayor volumen y superficie conocido como disipador de calor. Esto es debido a que en todo semiconductor. superficie. El calor produce un incremento de la temperatura del dispositivo. Si la circulación del fluido está provocada por un medio externo se denomina convección forzada. Si este incremento es excesivo e incontrolado. La máxima cantidad de calor que atravesará dicho cuerpo será aquella para la cual se consigue una temperatura estable en todos los puntos del cuerpo. Formas de transmisión del calor La experiencia demuestra que el calor producido por un foco calorífico se propaga por todo el espacio que lo rodea. Se realiza por la transferencia de energía cinética entre moléculas.. gradiente de temperatura).Disipadores de calor El estudio térmico de los dispositivos de potencia es fundamental para un rendimiento óptimo de los mismos. a este proceso se le llama convección natural.RADIACIÓN: 152 .CONDUCCIÓN: Es el principal medio de transferencia de calor.

El estado de la superficie influye en gran medida en la cantidad de calor radiado. El paso de la corriente eléctrica produce un aumento de la temperatura de la unión (Tj). Para que se produzca un flujo de energía calorífica de un punto a otro. debemos evacuar al exterior la energía calorífica generada por la unión. las resistencias térmicas a las resistencias óhmicas y el flujo de calor a una corriente eléctrica. pero aparecen factores que dificultan este paso. aprovechando la ley de ohm realizamos la siguiente comparación eléctrica mostrada en la figura adjunta. Si ésta se quiere mantener a un nivel seguro. Asemejaremos las temperaturas a tensiones. La transferencia de calor por radiación no se tiene en cuenta puesto que a las temperaturas a que se trabaja ésta es despreciable. A estos factores se les denomina resistencias térmicas. El calor pasará del punto más caliente al más frío.El calor se transfiere mediante emisiones electromagnéticas que son irradiadas por cualquier cuerpo cuya temperatura sea mayor a cero grados Kelvin. hay que mantener la temperatura de la unión por debajo del máximo indicado por el fabricante. Parámetros que intervienen en el cálculo Para que un semiconductor disipe la potencia adecuada. Al igual que en un circuito eléctrico. se puede decir que: De la figura se obtiene la expresión: Resistencias térmicas En la siguiente figura se muestra la igualdad entre el circuito equivalente de resistencias térmicas y los elementos en un montaje real: 153 . Por lo tanto. por este motivo se efectúa un ennegrecimiento de la superficie radiante. debe existir una diferencia de temperatura. Las superficies mates son más favorables que las pulidas y los cuerpos negros son los de mayor poder de radiación.

Esta muestra la potencia en función de la temperatura del contenedor. Aparecerá bien directamente o indirectamente en forma de curva de reducción de potencia. En la figura siguiente se muestra este tipo de curva.disipador Rd = Resistencia del disipador Tj = Temperatura de la unión Tc = Temperatura del contenedor Td = Temperatura del disipador Ta = Temperatura ambiente Resistencia Unión . Deberemos de tener en cuenta que Pd es la dada por el fabricante y no la que disipará el dispositivo en el circuito. En ella la pendiente de la recta dada es la resistencia unión contenedor. Generalmente este dato lo suministra el fabricante. Si tomamos de un manual los datos correspondientes a un 2N3055 serán: Pdmáx =115 W Tjmáx =200 ºC Sustituyendo estos valores en la siguiente ecuación. y dependerá del tipo de cápsula del dispositivo. de tal forma que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. Normalmente Tc vale 25 ºC. que será propia de cada dispositivo.contenedor Rcd = Resistencia contenedor . se obtiene el valor de la Rjc: 154 . La fórmula que se utiliza para el cálculo de esta resistencia es: Donde estos datos se obtienen de la curva de reducción de potencia.Contenedor (Rjc) En este caso el foco calorífico se genera en la unión del propio cristal semiconductor.Rjc = Resistencia unión .

y del estado de planitud y paralelismo de las superficies de contacto. También depende del tipo de material que se interponga entre ambas superficies de contacto. la incógnita principal de nuestro problema. También las hay conductoras de calor que no precisan pasta de silicona. posición de montaje y en el caso de disipadores planos factores como el grosor del material y el tipo de encapsulado. Directo más pasta de silicona. Para el cálculo de la resistencia se pueden utilizar las siguientes fórmulas: 155 . y que con contacto directo más mica Rcd = 0. puesto que según el valor que nos de el cálculo.12 ºC/W.y ésta es. Por ello podemos obtener la siguiente conclusión: La mica aumenta la Rcd mientras que la pasta de silicona la disminuye y como se ha dicho cuanto más pequeña sea la Rcd menor superficie de aleta refrigeradora. Por ejemplo.25 ºC/W. quedando huecos de aire que entorpecen la transmisión del calor. Depende de muchos factores: potencia a disipar. Pastas conductoras de calor. Resistencia del disipador (Rd) Representa el paso por convección al aire del flujo calorífico a través del elemento disipador. la Rjc indicada en los manuales para el 2N3055.4 ºC/W. en la práctica. puesto que a nivel microscópico. Láminas aislantes eléctricas que se pueden emplear conjuntamente con siliconas conductoras de calor como mica. etc. Resistencia Contenedor . Por lo tanto podemos decir que cuando no sea necesario aislar el dispositivo. Los elementos que se sitúan entre la cápsula y el disipador pueden ser de dos tipos: a.3 se tiene que con contacto directo más pasta de silicona la Rcd = 0.Disipador (Rcd) Es la resistencia térmica entre el semiconductor y el disipador. Este valor depende del sistema de fijación del disipador y el componente. que con contacto directo Rcd = 0. condiciones de la superficie. que con contacto directo más mica y más pasta de silicona Rcd = 0. que pueden ser o no ser conductoras de la electricidad. El valor de esta resistencia térmica influye notablemente en el cálculo de la superficie y longitud que debe disponer la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. el tipo de contacto que más interesa es el directo más pasta de silicona. solo contactan por unos puntos. Directo más mica aislante más pasta de silicona. kelafilm. ya que da el menor valor de Rcd y si hubiese que aislar con mica interesa montar mica más pasta de silicona ya que la Rcd es menor que si se monta solo con mica. b. El tipo de contacto entre cápsula y disipador podrá ser: • • • • Directo. Este dato será. Cuanto más baja es Rcd menor será la longitud y superficie de la aleta requerida. así será el tipo de aleta a emplear. precisamente. para una cápsula TO. Directo más mica aislante.8 ºC/W.

El fabricante la facilita como suma de Rjc y Rca puesto que ignora el tipo de disipador que utilizaremos. la resistencia contenedor disipador (Rcd) y la resistencia disipador ambiente (Rd): (fig. Con esta resistencia deberemos de distinguir dos casos. Cuando se habla de la resistencia unión ambiente con disipador nos referimos a la suma de la resistencia unión contenedor (Rjc).longitud y la Rd . Para la elección de la aleta.Este valor de Rja no es el que da el fabricante ya que éste la suministra sin disipador. Temperaturas Temperatura de la unión (Tj) La temperatura máxima de la unión es el límite superior de temperatura a la que no se debe llegar y menos sobrepasar si queremos evitar la destrucción de la unión. 156 . normalmente. El valor de Rja dependerá de los valores de Rd y de Rcd. Como no es un valor fijo. la Rd . Cuando se habla de resistencia unión ambiente sin disipador.superficie.Ambiente (Rja) Como su nombre indica es la resistencia que existe entre la unión del semiconductor y el ambiente. no existe una tabla de valores típicos. Para ello es necesario disponer de uno de los dos tipos de gráficas que ofrecen los fabricantes de disipadores. Según la gráfica de que se disponga se obtendrá un valor de longitud o un valor de superficie de disipador que hay que montar para refrigerar adecuadamente el dispositivo semiconductor. en los manuales de los fabricantes de semiconductores. Resistencia Unión . Una vez calculada la Rd se pasa a elegir la aleta refrigeradora. el de resistencia unión ambiente con disipador y sin disipador. a) Este valor no es conocido ya que varía según el tipo de disipador que se utilice. nos referimos a la resistencia unión contenedor junto con la contenedor ambiente: (fig. b) Este valor lo suministra el fabricante en función del tipo de contenedor. y la que hay que utilizar es con disipador. Este dato es un valor que se suele suministrar. habrá que tener en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el adecuado para su montaje en la aleta disipadora que se haya elegido. Después de cumplir la condición anterior hay que calcular la longitud o la superficie del disipador elegido.

Máximo riesgo para el dispositivo. Para valores de k=0. Dispositivo poco caliente. Para valores de k=0. Temperatura de la Cápsula (Tc) Este dato no se suministra en los manuales ya que depende del valor de la potencia que disipa el dispositivo. podremos adoptar unos valores típicos en función del dispositivo a refrigerar como los mostrados en la tabla que se expone a continuación: DISPOSITIVO de unión de Silicio JFET MOSFET Tiristores Diodos de Silicio Diodos Zener RANGO DE Tjmáx Entre 150 y 200 ºC Entre 150 y 175 ºC Entre 175 y 200 ºC Entre 100 y 125 ºC Entre 150 y 200 ºC Entre 150 y 175 ºC de unión de Germanio Entre 100 y 125 ºC Transistores Uniunión Entre 100 y 125 ºC Se debe distinguir entre la temperatura máxima de la unión permitida para un dispositivo y la temperatura real de la unión a la que se pretende que trabaje dicho elemento o dispositivo que.Si este valor no se refleja en dichos manuales o. lógicamente.6. Por lo tanto solo podemos calcularla cuando conozcamos todos los datos reflejados en alguna de las siguientes expresiones: Temperatura del disipador (Td) Este valor se obtiene a partir de la potencia disipada Pd. El objetivo del que diseña será mantener la temperatura de la unión por debajo de la máxima.5. pero el tamaño de la aleta refrigeradora será mayor. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se sitúe en el exterior. Dimensión menor de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se caliente demasiado.7. La temperatura de la unión que se utilizará en los cálculos será: Tj = Tjmáx x k Las condiciones de funcionamiento en función de k serán: • • • Para valores de k=0. Para ello se utiliza un coeficiente ( K ) de seguridad cuyo valor dará una temperatura de la unión comprendida entre el 50% y el 70% de la máxima. Máximo margen de seguridad. máxima economía en el tamaño de la aleta refrigeradora. no se encuentra. siempre será menor que la máxima permitida.7. Por lo tanto k estará comprendido entre 0. simplemente. de la resistencia térmica de la aleta Rd y finalmente de la temperatura ambiente Ta.5 y 0. de la resistencia del disipador y de la temperatura ambiente. Se calculará con cualquiera de estas expresiones: 157 . Le asignamos el valor según el margen de seguridad que queremos que tenga el dispositivo.

solo hay que calcular de nuevo la resistencia térmica Rd de la aleta.La temperatura obtenida será siempre inferior a la temperatura de la cápsula aunque será lo suficientemente alta en la mayoría de los casos como para no poder tocar el disipador con las manos. cosa que en la práctica es imposible: 158 . Como se puede observar la potencia obtenida es superior a la disipable sin disipador e inferior a la que nos suministra el fabricante. Ello es debido a que el fabricante ha calculado la Pdmáx manteniendo la temperatura del contenedor a 25 ºC.12 ºC/W y de 1. Temperatura ambiente (Ta) En la interpretación de este dato puede haber alguna confusión ya que se puede tomar su valor como la temperatura del medio ambiente cuando en realidad es la temperatura existente en el entorno donde está ubicado el disipador. pero tanto la Tc. tanto que si se toca con un dedo notaríamos que quema. como la Td disminuirán como se desea. poniendo esta vez 0. Si consideramos una aleta con una buena resistencia térmica como puede ser una de 0. si se quiere disminuir esta temperatura. a primera vista se puede pensar que disipando 90 Watios no se corre ningún riesgo puesto que hay un margen con respecto al máximo y no se necesita disipador. Puede suceder que la temperatura de la aleta es bastante elevada.6 ºC/W y unas resistencias térmicas contenedor .5 como factor ( k ) necesario para determinar Tj.5 ºC/W respectivamente. para una temperatura del contenedor de 25 ºC y un disipador adecuado. Pero en todo momento la temperatura de la unión entrará con amplio margen dentro de los límites permitidos. Potencia disipada La potencia máxima es un dato que nos dará el fabricante. Por ejemplo. si de un determinado transistor nos dice el fabricante que puede disipar un máximo de 116 Watios. Ello llevará a adoptar una aleta más grande.disipador Rcd y unión contenedor Rjc de 0. Se puede ver que este valor se queda muy por debajo del indicado por el fabricante. se tendrá: Si hiciéramos disipar 90 W como pretendíamos se destruiría la unión. es decir. Esto no es motivo de preocupación ya que se han tomado las medidas necesarias como para que la temperatura de la unión disponga de un margen de seguridad dentro de los márgenes ya explicados. Este dato es para las mejores condiciones de funcionamiento del dispositivo. Si conocemos la temperatura de la unión es de 200 ºC y Rja de 35 ªC/W se tiene: Esta es la máxima potencia disipable sin disipador. No obstante. ambos valores también bastante adecuados.

es importante saber interpretar adecuadamente los datos suministrados por el fabricante. Sabemos que la máxima potencia que se puede hacer disipar a un semiconductor sin disipador viene dada por el cociente entre el incremento de la temperatura y la resistencia térmica unión ambiente: Donde Rja es la que nos suministra el fabricante que no incluye Rd.Como se ha dicho este dato de 116 W es para las mejores condiciones de funcionamiento y el fabricante debe indicar en cuales se realizó esa medida. Cuando se utiliza un disipador. Resumiendo. la resistencia térmica se divide en tres parámetros: la resistencia entre la unión y el contenedor (Rjc). de lo contrario pueden aparecer sorpresas desagradables. entre el contenedor y el disipador (Rcd) y entre el disipador y el ambiente (Rd): 159 .

También existen algunas normas antiguas que veremos muy superficialmente. Si existe una letra como sufijo. mientras que el JEDEC es usado por los fabricantes norteamericanos y el JIS por los japoneses. Junio de 1963. En este caso la primera cifra seguida de la letra N no se corresponden con información visual alguna.. Está definido por el estándar EIA RS-236-B.). Cifra Color 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 NEGRO MARRÓN ROJO Letra A B NARANJA C AMARILLO D VERDE AZUL VIOLETA GRIS BLANCO E F G H J Tabla 1 160 . La letra N indica que el material usado es el silicio. todos y cada uno de los componentes usados en la electrónica que existen en el mercado. Los principales códigos normalizados son: PROELECTRON JEDEC JIS El sistema Proelectrón se utiliza principalmente en Europa.. 2 para el transistor. El código de designación se presenta básicamente como: Una cifra + N + Secuencia alfanumérica de serie La cifra indica el número de uniones del componente (1 para el diodo. La secuencia alfanumérica que sigue a la N se codifica por un sistema de bandas de colores con arreglo a las normas siguientes: Secuencia de dos cifras: una banda negra seguida de dos bandas representando una cifra cada una según la tabla 1.Códigos normalizados de semiconductores Los códigos normalizados de designación pretenden identificar de una manera unificada. Para designar los diodos también se tiene un sistema de designación por colores. se codifica con una cuarta banda según la tabla 1. JEDEC Este sistema es usado principalmente por los fabricantes americanos..

como el InSb. C: Material con anchura de banda prohibida mayor que 1. es decir. mezclador. ej: LED). como el Si. un transistor N: Silicio 5965: Secuencia alfanumérica de serie PROELECTRON Este sistema se utiliza principalmente en Europa.3 eV. de conmutación. H: Sonda campo de efecto Hall. El componente se designa de dos formas. según el tipo de aplicación al que eté destinado (comercial o profesional): Dos letras + secuencia alfanumérica de serie (aplicaciones comerciales) Tres letras + secuencia alfanumérica de serie (aplicaciones profesionales) La primera letra indica el tipo de material: A: Material con anchura de banda prohibida de 0. Ejemplo 2N5965 2: Dos uniones. etc. R: Componente de control o de conmutación con disparo eléctrico poseyendo una característica de ruptura (Rthj-a > 15 K/W). S: Transistor para aplicaciones de conmutación (Rthj-a > 15 K/W). Para la identificación del cátodo se utiliza en la mayoría de los casos una banda de anchura doble como primera cifra más próxima a este terminal. el grupo de bandas se agrupa claramente hacia el cátodo. D: Material con anchura de banda prohibida menor que 0.3 eV. En otros casos. Secuencia de cuatro cifras: cuatro bandas representando una cifra según la tabla 1. fotodiodo).6 a 1. L: Transistor de potencia para aplicaciones de alta frecuencia (Rthj-a≤ 15 K/W). p. B: Material con anchura de banda prohibida de 1. tiristor. se codifica con una quinta banda según la tabla 1.0 eV. T: Componente de control o de conmutación con disparo eléctrico o por incidencia de la luz 161 . Si existe una letra como sufijo. B: Diodo de sintonía (capacidad variable). como el NaAs.Secuencia de tres cifras: tres bandas representando una cifra cada una según la tabla 1. La segunda letra indica la aplicación principal y construcción si se hace necesaria una diferenciación mayor: A: Diodo de detección.. debiendo ser leídas desde el cátodo al ánodo. E: Material compuesto como el empleado en generadores Hall y fotoconductores. N: Optoacoplador. G: Multichips. F: Transistor para aplicaciones de alta frecuencia (Rthj-a > 15 K/W). Q: Componente emisor de radiación (p. ej. como el Ge. se codifica con una cuarta banda según la tabla 1. P: Componente sensible a la radiación (p.0 a 1. D: Transistor de potencia para aplicaciones de audio (Rthj-a≤ 15 K/W). K: Generador Hall en circuito magnético abierto.6 eV.. ej. C: Transistor para aplicaciones de audio (Rthj-a > 15 K/W). M: Modulador o multiplicador Hall. Si existe una letra como sufijo. E: Diodo Túnel.

diodo de potencia. Y: Diodo rectificador. La secuencia alfanumérica que sucede a las letras sirve para identificar a los componentes. El cátodo se indica por la banda más ancha. correspondiendo dicha banda a la primera cifra. mientras que las cifras de la secuencia alfanumérica que siguen a las letras se deducen de bandas de color impresas sobre el diodo. Letras iniciales y color correspondiente: BAV : VERDE BAW : AZUL BAX : NEGRO Cifra y color de la banda: 0 : NEGRO 1 : MARRON 2 : ROJO 3 : NARANJA 4 : AMARILLO 5 : VERDE 6 : AZUL 162 . diodo "step recovery". Z: Diodo estabilizador de tensión (Zener). La combinación de letras inicial se designa por el color del cuerpo del diodo. diodo "booster". Y. Podemos destacar los siguientes: Diodo Zener: Una letra seguida de la tensión de disrupción o de trabajo típica de este diodo (en la cual la letra V actúa como coma decimal si la tensión que estabiliza no es un número entero) y donde sea apropiado. A continuación se muestra la correspondencia de letras y cifras con colores. o X. U: Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación (Rthj-a≤ 15 K/W). X: Diodos múltiples: varactor. Para la designación de diodos de pequeña señal profesionales también se utiliza el código de colores. Algunos componentes incorporan otro código alfanumérico a modo de sufijo que nos da cierta información adicional. ej. la letra R (polaridad inversa). La primera letra indica la tolerancia nominal respecto de la tensión de trabajo en %. La tercera letra empleada para determinar el tipo es Z.poseyendo una característica de ruptura (Rthj-a≤ 15 K/W). la letra R (polaridad inversa). tiristor. A: 1% B: 2% C: 5% D: 10% E: 15% Diodo rectificador: Un número y donde sea apropiado. El número indica generalmente el voltaje de pico repetitivo máximo. p.

OD: Transistor Ejemplo 163 . Esta última es la más importante. 3V9: Tensión nominal 3. pero que sin embargo están aún presentes en el mercado. R: Polaridad inversa JIS Este sistema es el usado por los fabricantes de Japón (JIS . Posee un código de designación de tipo para transistores el cual consta básicamente de dos partes: 2S + Secuencia alfanumérica de serie NORMAS ANTIGUAS Existen una serie de normas obsoletas en la actualidad.Japanese Industrial Standards). AAZ15 A: Germanio A: Diodo de conmutación Z: Uso profesional 15: Secuencia alfanumérica de serie BZY96C3V9R B: Silicio Z: Diodo Zener Y: Uso profesional 96: Secuencia alfanumérica de serie. como el sistema CV británico o la norma europea antigua.9 V. Su código de designación de tipo consiste en: Dos o tres letras + Secuencia numérica de serie La primera letras es la O (dispositivo semiconductor). C: Tolerancia de un 5% sobre la tensión nominal que estabiliza.7 : VIOLETA 8 : GRIS 9 : BLANCO Ejemplos BC107B B: Silicio C: Transistor para aplicaciones de audio (Rthj-a > 15 K/W). La segunda y la tercera letras hacen referencia a qué clase pertenece: A: Diodo semiconductor AP: Fotodiodo AZ: Diodo Zener OC. 107 B: Secuencia alfanumérica de serie.

OA90 O: Dispositivo semiconductor A: Diodo semiconductor 90: Secuencia numérica de serie 164 .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful