UNIVERSIDAD DE PUERTO RICO RECINTO UNIVERSITARIO DE MAYAGUEZ

Revisado por: Adriana M Cárdenas G. Supervisado por: Dr. Rogelio Palomera

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UNIVERSIDAD DE PUERTO RICO RECINTO UNIVERSITARIO DE MAYAGUEZ

Introducción

Este manual de Laboratorio ha sido escrito para estudiantes del curso de Electrónica I, enfatizando principalmente en el análisis de circuitos basados en diodos y transistores, aplicaciones y diseño. Esta compuesto por 12 experimentos los cuales están distribuidos en forma tal que el estudiante aproveche y refuerce eficazmente los experimentos realizados previos. La secuencia de los 12 experimentos cubren los siguientes temas:          Diodos Diodo Zener y Regulador de voltaje Transistores Bipolares BJT Amplificadores Básicos con BJT Transistores FET Amplificadores Básicos con FET Fuentes de Corriente Amplificadores Diferenciales y carga activa Multivibrador Aestable y Monoestable

Los estudiantes al finalizar este curso deberan estar en capacidad de: 1. Conocer y entender el funcionamiento de los diodos y cuales son sus aplicaciones. 2. Conocer y entender el uso de transistores en circuitos amplificadores de comportamiento lineal y saber como determinar experimentalmente los parámetros del transistor y el amplificador . 3. Saber detectar y corregir errores en los circuitos montados y alambrados en el laboratorio.. 4. Poder corroborar experimentalmente lo que se mide en la practica con respecto a los resultados teóricos. 5. Entender que los modelos son aproximaciones para una situación física, por lo cual deben ser adaptados y modificados siempre que sea necesario, para que los resultados sean muchos más específicos y reales.

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Sujetador y Doblador Diodos II: Rectificadores de Media Onda. Circuito Limitador.Programación del curso Semana 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 12 13 14 15 Actividad -Experimento 01 Experimento 02 Experimento 03 Experimento 04 Experimento 05 Experimento 06 Examen Parcial Experimento 07 Experimento 08 Experimento 9 Experimento 10 Experimento 11 Proyecto Final Titulo de experimento Presentación del Curso Diodos I: Curvas Características. AO y BJT en interface con LED Amplificadores Básicos con BJT Transistores FET Amplificadores Básicos con FET Fuentes de Corriente Amplificadores Diferenciales y carga Activa Multivibrador Aestable y Monoestable Equipos para cada experimento Experimento/Equipos Osciloscopio Fuente de Voltaje Dual Generador de funciones Multímetro Digital Board 1 X X X X X 2 X X X X 3 X X X X 4 X X X 5 X X X X 6 X X X X X 7 X X X 8 X X X X 9 X X X 10 X X X 11 X X X X X 4 . Onda Completa y con filtro activo Diodos III: Diodo Zener y regulador de Voltaje Transistores Bipolares BJT Ejercicio Combinado con Zener.

1KΩ (1).(2).5KΩ . 82kΩ (1). 10kΩ (1) Lab 8. 100Ω (1). Lab 10. 470Ω (1). Lab 3. Amplificador Operacional LM324 . 10µ F (1). 10KΩ (2). 0. 1kΩ (1). 10 Κ Ω (1). 560kΩ(1). Lab 2. MPF102 (1). Lab 5. 1MΩ (1). 2. 47µ F (1). Diodos: 1N4004 (3) Lab 3. Diodo Zener de 5V (1N4733) o equivalente Lab 4. LM3046 (2) Lab 11. Diodos: 1N4004 (3) Lab 2.2KΩ (1). 330 Ω (1). Lab 7.0µ F (3). 1. 7. 3. Amplificador Operacional LM324 (1). 1. Diodo Zener de 5V (1). Potenciómetro: 10KΩ (1). 390Ω (1) 1. Lab 5. 2. 220 Ω (1). 2 kΩ (2). 10kΩ (2) Lab 11.3KΩ (1). 4. 47µ F (1) Lab 2. Transistor Q2N3904 (2).Dispositivos requeridos Dispositivos Semiconductores Valores (cantidad) Lab 1. 33KΩ (1). 1µ F(1). 47 KΩ (1). 1KΩ (2). 100Ω (1) .7kΩ (1). 15µ F (2). Fotoresistencia (1).47kΩ (1) Lab 7. Lab 8. 1MΩ (1). Lab 9. 2. 2. 33kΩ (1).01uF(1) Transformador 110VAC/25VAC Capacitores Dispositivos diversos 5 .1uF (1). 1K (2). Diodo Zener de 5V. Lab 11. 4. Transistor Q2N3904 NPN (4) SNE555(2). Lab 10.2 KΩ (1) . 33kΩ (1).1µ F(1). Transistor Q2N3904 (1). Lab 6. 47uF (1). 100KΩ (1). Lab 4. 1KΩ (3). 10µ F(1).5KΩ (1).7kΩ (1). Circuitos Integrados Resistencias Lab 1. 10KΩ (2).7 kΩ(1). 0.0kΩ (2). 0. 1KΩ (1). 100µ F (1) Lab 6. MPF 102 Lab 9. 1kΩ (1). 470Ω (1).7 kΩ (1). 2kΩ (1).10kΩ (2). Diodo LED (1). Lab 6. Transistor 2N5458 canal n JFET (1) Lab 8. 100Ω (1). 100Ω (1). Transistor 2N3904 (1). Potenciometro de 1KΩ. 330Ω (1). Lab 1.

AO y BJT en interface con LED Amplificadores Básicos con BJT Transistores FET Amplificadores Básicos con FET Fuentes de Corriente Experimento 10: Amplificadores Diferenciales y Carga Activa Experimento 11: Multivibrador Aestable y Monoestable 6 . Circuitos Sujetador y Circuito Doblador Diodos II: Rectificadores de Media Onda. Onda Completa y Rectificadores con Filtro Activo Diodos III: Diodo Zener y Regulador de Voltaje Transistores Bipolares BJT Ejercicio Combinado con Zener.Contenido Introducción Programa del curso Equipamiento por cada experimento Dispositivo Requeridos Experimento 1: Experimento 2: Experimento 3: Experimento 4: Experimento 5: Experimento 6: Experimento 7: Experimento 8: Experimento 9: Diodos I: Curvas Características. Circuito Limitador.

Cuando se forma dicha junta. 1MΩ (1). Circuito Doblador. Al aplicarse un voltaje externo se incrementa o decrementa la barrera de potencial. I : Objetivos 1. 47 KΩ (1). 10KΩ (2). en caso contrario se dice que el diodo conduce en inverso. Este efecto permite que el diodo conduzca en una sola dirección. el diodo conduce corriente fácilmente. pero en inverso el diodo se convertirá en un conductor pobre. creando la barrera de potencial. Equipos Osciloscopio Fuente de Poder variable Generador de Funciones Multímetro Digital Bread-Board o Protoboard Dispositivos Resistencias: 330 Ω (1). Conocer las aplicaciones del diodo tales en el circuito limitador y el circuito sujetador de una señal. Esta barrera evita el flujo de corriente a través de la junta cuando no hay un voltaje externo aplicado. Curva Característica del diodo. este esquema indica la dirección convencional del flujo de corriente cuando está en directo. dependiendo de cómo se conecte el diodo.EXPERIMENTO 01 DIODOS Características del diodo. El símbolo esquemático para un diodo se muestra en la figura 1-1(a). se dice que el diodo está conduciendo en directo. la línea 7 . En directo. se difunden electrones y huecos a través de la misma. Circuito Sujetador. 3. Examinar las características del diodo de silicio. En el componente físico la figura 1-1(b). Si al aplicar un voltaje externo. Diodos: 1N4004 (3) Capacitor 47µ F (1) Fundamento Teórico Características del Diodo Cuando un material tipo P y un material tipo N se fabrican sobre el mismo cristal. la terminal del material tipo P tiene un potencial positivo con respecto al terminal del tipo N. la cual tiene características eléctricas propias. Conocer el comportamiento del diodo en directo o en inverso cuando se aplica un voltaje determinado. el diodo está formado por una junta PN. 2. Circuito Limitador.

y también para una región en directo hasta que no se alcanza un valor de voltaje cercano a lo que se conoce como voltaje de umbral. Mientras está conduciendo. el voltaje en el diodo es constante. 8 . Diodo Ideal: Es considerado como un switch abierto o cerrado dependiendo de la forma de conducción del diodo. Los principales modelos de gran señal. a partir del cual la corriente empieza a crecer rápidamente. Anodo (a) Símbolo (+Anodo. (b) Componente Físico Cátodo Las características eléctricas del diodo pueden apreciarse en la curva corriente vs. voltaje de la figura 1-2. -Cátodo) Figura 1-1. Fig. Si el diodo conduce en directo se comporta como un switch cerrado y si el diodo conduce en inverso se comporta como un switch abierto. para facilitar los cálculos y evaluación de circuitos se utilizan modelos más sencillos. seccionalmente lineales.sobre el diodo indica el lado en que se encuentra el cátodo del diodo. mientras que el cátodo corresponde al material de tipo N. e igual a este voltaje de 2. o modelos DC son los tres que se mencionan a continuación: 1. la cual muestra la curva característica del diodo. La corriente es prácticamente cero mientras el diodo se encuentra en inverso. Diodo con caída: En este caso el diodo conduce en directo únicamente si el voltaje alcanza un voltaje de umbral. 1-2 Curva del diodo Como la curva del diodo no es lineal. El ánodo corresponde al material de tipo P.

Cuando conduce. haciendo que el voltaje Vout= V s. Dependiendo de la orientación del diodo se limita la región positiva o negativa de la señal.6V y 0.3V. empieza a conducir. Cuando el voltaje Vs es menor que voltaje VBias + Vdiodo. por esta razón la resistencia no es constante pero dependerá de la localización del punto medido sobre la curva característica. en cuyo caso la aproximación mencionada es suficientemente válida. es decir. La resistencia de carga RL es mucho mayor que R1. Cuando el voltaje Vs es mayor que VBias + Vdiodo. Para comprender el funcionamiento del circuito limitador. recorta una parte de la señal de entrada. su modelo equivalente es una batería (positivo del lado del ánodo). aumenta el voltaje en forma directamente proporcional a la corriente. y cuando no conduce es un switch abierto. Para el diodo de silicio. 3. Circuito Limitador Un circuito limitador (ó circuito recortador).2V a 0. Diodo con resistencia ac: Cuando el voltaje del diodo en directo alcanza un voltaje especifico.umbral. un elemento resistivo. El modelo ideal se utiliza para establecer una aproximación de funcionamiento de circuito. El modelo con resistencia es útil cuando se quieren tomar en cuenta las pequeñas variaciones de voltaje o corriente. y es útil cuando los voltajes y corrientes del circuito son suficientemente grandes para despreciar la caída de voltaje en el diodo. alrededor del punto en que se trabaja cuando las variaciones son cero. y es el modelo mas usado en cálculos en que se quiere mayor precisión. este voltaje se encuentra entre 0. para el diodo de germanio es de 0. La inversa de la pendiente es la resistencia ac de diodo. Cuando la resistencia RL es finita. el punto de operación. una carga y una fuente independiente que fija el limite de recorte de la señal. considere la región positiva de la señal de entrada y el caso especial de una resistencia RL infinita. Conforme aumenta la corriente. el diodo no conduce y se comporta como un circuito abierto.7V. cuando conduce el diodo. para minimizar el efecto de esta última resistencia cuando el diodo no conduce. Este circuito básico se compone de un diodo. Así. Vout=Vs*RL/(RL+R1) cuando el diodo no conduce. Un ejemplo de circuito limitador se puede observar en la figura 1-3. se necesita tomar R1<<RL. Para hallar la resistencia ac es necesario dividir una pequeña variación en el voltaje sobre una pequeña variación en corriente. el modelo equivalente es una batería (positivo del lado del ánodo) en serie con una resistencia. por eso. Figura 1-3 Un circuito limitador básico 9 . El modelo de voltaje de umbral permite una aproximación más apropiada de los valores. el diodo conduce y la señal en la salida es Vout=VBias + Vdiodo recortando la señal de entrada. El diodo es un dispositivo no lineal.

Para comprender el funcionamiento del sujetador. Durante el primer semiciclo. La figura 1-5 muestra un circuito doblador. (a) Circuito Sujetador Positivo (b) Circuito Sujetador Negativo Figura 1-4: Circuito Sujetador Circuito Doblador El circuito doblador duplica el voltaje rectificado máximo de un transformador o línea de energía de corriente alterna. Observe sin embargo que cuando el tiempo RC es comparable con el periodo de la señal de entrada. el voltaje de salida es Vout = Vs + VC . el capacitor se cargará después de muchos ciclos de entrada. Si se agrega una resistencia de carga R tal que la constante de tiempo RC sea comparable o mayor que el periodo de Vs. El diodo conduce solamente cuando Vs es negativo. Durante el segundo semiciclo. El voltaje de salida se toma a través de los dos capacitores cargados en serie. para simplificar. o que hay un “offset”). RL infinita. hay un segundo diodo que conduce . aunque puede incluirr una fuente independiente para introducir un corrimiento adicional. el voltaje de salida es aproximadamente el doble del voltaje de entrada máximo o el doble de la carga de cualquiera de los capacitores tomados en forma aislada. De esa manera. cargando al condensador con la polaridad indicada. En la resistencia de carga se observa la suma del nivel DC del capacitor y la señal de entrada. donde la fuente es de voltaje alterno. un diodo conduce y carga un capacitor. En un doblador de voltaje de onda completa se usan ambos semiciclos (positivo y negativo) de la entrada de ca para suministrar potencia o mantener el voltaje de salida. para cargar un segundo capacitor . lo que significa que el voltaje de salida será igual en forma al voltaje de entrada. Las dos configuraciones básicas. Cuando el condensador se carga al valor pico negativo de Vs. es decir. se observan en la figura 1-4(a) y (b). es decir. un diodo y un elemento resistivo. entonces la descarga del condensador a través de R cuando el diodo no conduce no será apreciable. 10 . no puede cargarse más. el circuito sujetador positivo y el circuito sujetador negativo. sinusoidal. El circuito básico se compone de un capacitor. pero desplazado por una constante que es el voltaje del condensador (decimos que se “sujeta” a un nivel DC diferente. supongamos un diodo ideal. De esta manera. consideramos primero el caso positivo sin carga. el díodo impide la descarga ya que presenta una resistencia casi infinita a la descarga.Circuito Sujetador El circuito sujetador desplaza la señal de entrada a un nivel DC diferente al original. Sin embargo.

Figura 1-5 Circuito doblador

Pre Laboratorio
1. • • 2. 3. El estudiante debe conocer los aspectos básicos de los siguientes temas Características del diodo Aplicaciones del diodo El estudiante debe revisar las especificaciones técnicas del diodo 1N4004 . Simule el siguiente circuito e interprete su resultado.

Procedimiento PARTE 1: Identificación del diodo
1. 2. 3. Verificar el valor de las resistencias con el ohmímetro y escriba el resultado en la tabla 1-1 de la hoja de respuestas . Coloque el terminal positivo del ohmímetro en el ánodo del diodo y el terminal negativo en el cátodo del diodo. Mida la resistencia y escriba el resultado en la tabla 1-1 de la hoja de respuestas. Repita el mismo procedimiento cambiando las puntas de posición.

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Figura. 1-6 Identificación del diodo

PARTE 2 : Conducción del diodo en forma directa
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. Antes de empezar verifique que la fuente se encuentre apagada. Construya el circuito mostrado en la figura 1-7. Coloque la fuente en cero voltios y enciéndala. Incremente lentamente Vs hasta obtener 0.45V sobre el diodo. Mida el voltaje en la resistencia R1 y escriba su medición en la tabla 1-2 de su hoja de respuestas. Mida la corriente que pasa a través de la resistencia y escriba su medición en la tabla 1-2 de su hoja de respuestas. Calcule por ley de Ohm la corriente y escriba su resultado en la tabla 1-2 de su hoja de respuestas . Repita el paso 5, 6 y 7 para cada uno de los voltajes de la tabla 1-2.

Figura 1-7 Diodo en conducción directa

PARTE 3 : Conducción del diodo en forma Inversa
1. 2. 3. 4. 5. 6. Repita los pasos 1 y 3 del paso anterior. Construya el circuito de la figura 1-8 Incremente Vs hasta obtener 0.45V sobre el diodo. Mida el voltaje en la resistencia y escriba su resultado en la tabla 1-3 de la hoja de respuestas . Mida la corriente que pasa a través de la resistencia R2 y escriba su resultado en la tabla 1-3. Calcule por ley de Ohm la corriente y escriba su resultado en la tabla 1-3.

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7.

Repita 4, 5 y 6 para cada uno de los voltajes de la tabla 1-3.

Figura 1-8 Diodo en conducción inversa

PARTE 4 : Curva Característica del diodo
1. En la gráfica 1-1 de la hoja de respuestas, dibuje la curva característica del diodo en conducción directa y en conducción inversa, tomando como referencia los datos de las tablas 2 y 3.

PARTE 5: Circuito Limitador, Sujetador y Doblador
1. 2. 3. 4. 5. 6. Conecte el circuito mostrado en la figura 1-9. Conecte la señal del generador a 6.0Vpp, a una frecuencia de 1.0KHz. Observe la señal de entrada y salida en el osciloscopio. Varíe el voltaje VBIAS y escriba sus resultados Coloque el diodo en forma inversa, varíe el voltaje VBIAS y escriba sus resultados. Reemplace la fuente positiva por una fuente negativa, varíe el voltaje y escriba sus resultados.

Figura 1-9 7. Construya el circuito de la figura 1-10. Con el osciloscopio verifique el voltaje de salida y varíe el voltaje de entrada. Grafique la señal de salida.

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Puede verificar esto. Referencias [1] Robert Boylestad . esto quiere decir que el multímetro tiene una impedancia de entrada alta. Electronic. Para los pasos 4 y 5 de la parte 2 y 3 serán mucho más precisos únicamente si el multímetro tiene una impedancia de entrada alta. 1994 14 . Circuit Theory .Figura 1-10 Recomendaciones. Si el multímetro muestra el valor correcto de la fuente. midiendo la fuente de voltaje a través de una resistencia de 1Mega en serie.

55V VR1 (Medido) IF (Medido) IF (Calculado) .45V 0.0M Ω D1 resistencia directa D1 resistencia inversa Valor Medido Tabla 1-2: Vs VF 0.55V 0.50V 0.75V VR1 (Medido) IF (Medido) IF (Calculado) Tabla 1-3: Vs VF 0.45V 0.70V 0.EXPERIMENTO 01 DIODOS I Nombre del Estudiante :__________________________________________________________________ Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________ Hoja de Respuestas Tabla 1-1: Componente Valor Resistencias R1 330 Ω R2 1.65V 0.50V 0.60V 0.

Gráfica 1-1: Curva del diodo en Directo e Inverso Describa los resultados obtenidos en la parte 5. Gráfica 1-2: Señal de salida de un circuito Sujetador 16 .

7V por división de un pequeño cambio de voltaje sobre un pequeño cambio en corriente. calcular la disipación de potencia en el diodo. 1.6V y 0.7) =_______________ 2.5V) =_________________ Rac (0. 0. ¿Por qué es importante conocer la polaridad de las puntas del ohmímetro? 4. en directo y en inverso). Tomando los datos de la tabla 1-2. 3. Rac (0.Cuestionario ¿Qué factores afectan la precisión de las medidas en este experimento? (Considerándo ambas situaciones.5V. Explique cómo podría utilizar el ohmímetro para identificar el cátodo de un diodo que no esté señalado por la línea. Para el circuito de la figura 1-9. ¿Qué cambio esperaría a la salida si el diodo está en inverso? 17 . Calcule la resistencia ac del diodo para tres puntos sobre la curva en directo a 0.6V) =________________ Rac (0.

Explique la diferencia entre un circuito limitador y un circuito sujetador. Conclusiones 18 .6.

Construir un rectificador de media onda. Objetivos 1. esta onda contiene una componente DC que puede utilizarse para todos los efectos en que se necesite un valor DC sin necesidad de ser constante. Medir el voltaje de rizo y la frecuencia ripple. o regulado. Este valor puede medirse mediante un voltímetro DC. Asimismo. Esta onda puede ser filtrada para convertirse en una señal constante DC.EXPERIMENTO 02 DIODOS II: Circuitos rectificadores de media onda.2KΩ (1) Transformador con Tap central de 12.6V(1) Diodos: 1N4004 (4) Capacitor 100µ F (1) Fundamento Teórico Los circuitos rectificadores se utilizan para cambiar un voltaje AC en un voltaje DC. Comparar cada uno de los voltajes de entrada y salida . También. Equipos Osciloscopio Fuente de Poder variable Multímetro Digital Bread-Board ó Protoboard Dispositivos Resistencias: 2. 2. el diodo conduce en directo para medio ciclo y en inverso para el otro medio ciclo. 19 . Un circuito básico se muestra en la figura 2-1. 3. un rectificador de onda completa con transformador de tap central y un rectificador onda completa con puente rectificador. Como se explicó en el experimento 1. y corresponde a un rectificador de media onda. se le llama puente rectificador a una combinación de cuatro diodos en puente. En la literatura comercial. se le llama diodo rectificador a un diodo cuyas características reales son apropiadas para su uso en circuitos rectificadores. los diodos conducen la corriente en una sola dirección. Conectar un filtro capacitor a cada circuito. La salida de la onda es un pulso de una onda DC o media onda rectificada como se ilustra en la figura 2-1. y comercialmente está disponible en un paquete. como se verá más adelante. Cuando el voltaje AC es aplicado a un diodo. de onda completa y rectificadores con filtro capacitivo.

ya que proveen el voltaje DC necesario para que los dispositivos activos trabajen adecuadamente. por lo que se usan filtros para modificar la onda y hacerla lo más constante posible. y generalmente electrolítico. como se muestra en la figura 2-3 para cada uno de los circuitos básicos. el más común es el llamado filtro capacitivo. 2-1 Circuito básico rectificador de media onda Los rectificadores son muy utilizados en fuentes de poder. para que la constante de tiempo sea grande y la descarga en el capacitor sea lenta. Los tres rectificadores básicos son : Rectificador de media onda Rectificador de onda completa con transformador de tap central Rectificador de onda completa con Puente Rectificador La figura 2-2 muestra los circuitos básicos rectificadores de onda completa. el cual consiste en un capacitor en paralelo con la carga. La onda de salida en los circuitos básicos no es constante. Este capacitor es lo suficientemente grande.Figura. Entre los filtros usados. Figura 2-2 Rectificadores de Onda Completa Básicos 20 .

Vdiodo se aproxima por un valor entre 0. El voltaje de rizo. y se conocen como ondas de rizo (ripple).8 V normalmente. dependiendo del valor de corriente que se maneje. En estas fórmulas. y el voltaje DC se obtienen por las ecuaciones: V V DC = VM axSec− Vdiodo − rizo ≈ VM axSec− Vdiodo 2 V DC I DC = ≈ fCVrizo RL 3 . la corriente DC. Vripple es el voltaje pico a pico de esta onda.Figura 2-3.7 V y 0. y f es la frecuencia en el secundario del transformador.Circuito rectificador de media onda con filtro capacitivo: El voltaje de rizo (ripple voltage) o voltaje pico-pico en salida.Circuito rectificador de media onda: Voltaje pico-pico en salida: V MaxSec − Vdiodo V MaxSec− Vdiodo Voltaje DC: V DC = π 2 . 1 .Circuito rectificador de onda completa con transformador de tap central: Voltaje pico-pico en salida: V MaxSec − Vdiodo 21 . aunque valores menores y mayores son posibles. Rectificadores de Onda Completa con Filtro Capacitivo Las ondas producidas por los rectificadores con filtro tienen pequeñas variaciones. Las fórmulas utilizadas para los cálculos aproximados en los circuitos rectificadores son las siguientes.

La corriente máxima es la corriente DC o corriente promedio que puede soportar el dido. y el pico inverso de voltaje del diodo. El estudiante debe conocer los aspectos básicos de los siguientes temas 22 . y el voltaje DC se obtienen por las ecuaciones: V V DC = VM axSec− Vdiodo − rizo ≈ VM axSec− Vdiodo 2 V DC I DC = ≈ 2 fCVrizo RL Frecuencia de salida: 2f 5 .V M axSec− Vdiodo Voltaje DC: V DC = 2 • π 4.Circuito rectificador de onda completa con puente rectificador y filtro capacitivo: El voltaje de rizo (ripple voltage) o voltaje pico-pico en salida.Circuito rectificador de onda completa con puente rectificador: Voltaje pico-pico en salida: V MaxSec − 2 V diodo V MaxSec − 2 Vdiodo Voltaje DC: V DC = 2 • π 6 . la corriente DC. Pre Laboratorio 1. y el voltaje DC se obtienen por las ecuaciones: V V DC = VMaxSec− 2 V diodo − rizo ≈ VMaxSec− 2 Vdiodo 2 V I DC = DC ≈ 2 fCVrizo RL Frecuencia de salida: 2f Los parámetros más importantes para escoger los diodos para estos circuitos rectificadores son la corriente máxima directa IF. el pico inverso de voltaje es el máximo voltaje con el cual el diodo permanece cuando está en inverso.Circuito rectificador de onda completa con transformador de tap central y filtro capacitivo: El voltaje de rizo (ripple voltage) o voltaje pico-pico en salida. La suma de voltajes inversos que aparecen a través de un diodo depende del tipo de circuito en el cual se utiliza. la corriente DC.

El transformador debe estar conectado con su respectivo fusible como se muestra en la figura 2-4. Conecte un capacitor de 100µ F en paralelo con la carga RL. el lado negativo va hacia la tierra. la forma de onda y dibuje la señal en el esquema 2-1 de su hoja de respuestas. voltaje de salida Vout. mida el voltaje de rizo. Chequee el circuito cuidadosamente antes de aplicar potencia. esto permite amplificar el pequeño voltaje AC ripple sin modificar el nivel DC. Mida el voltaje rms y el pico de voltaje. Note la polaridad del diodo. Mida el voltaje DC en la carga Vout y el voltaje pico a pico en la salida. Desconecte y cambie el circuito por el rectificador de onda completa con transformador de tap central como es mostrado en la figura 2-5. Observe el voltaje de entrada Vsec. La tierra de osciloscopio necesita ser conectada como es mostrada. La frecuencia de rizo es la frecuencia en la cual la forma de onda es repetitiva. Note que la tierra para el circuito tiene un cambio. Figura 2-4. Conecte el canal 1 del osciloscopio en el secundario del transformador y el canal 2 a través de la resistencia de carga. entonces aplique dicho voltaje y observe el Vsec. Mídala. Vout. Características del diodo Aplicaciones del diodo El estudiante debe revisar las especificaciones técnicas del diodo 1N4004. 4. Verifique la polaridad del capacitor. Procedimiento 1. Conectar un rectificador de media onda como se muestra en la figura 2-4 (La línea de voltaje AC no debe estar expuesta). Rectificador de Media Onda 2. tome los datos y llene la tabla 2-1 de su hoja de respuestas.• • 2. la forma de onda y grafique la señal en el esquema 2-2 de su hoja de respuestas. 3. Coloque el osciloscopio en posición AC COUPLING. Recuerde que debe colocar el voltimetro para lectura de voltaje y llene la tabla 2-1 de su hoja de respuestas. En este experimento la sincronización del osciloscopio será a través de la línea de voltaje AC. Calcular el voltaje pico esperado a la salida. 23 . La línea indica el lado del cátodo (el lado negativo cuando va a conducir en directo).

Note que el terminal del transformador secundario no esta conectado a tierra. Mida Vout (D.C). Figura 2-6: Onda completa con puente rectificador 8. entonces aplique dicho voltaje y utilice un voltímetro para medir Vrsec(rms). Tome los datos y complete la tabla 2-3 de su hoja de respuestas. 9. Utilice el osciloscopio para medir el Vout(pp) sin filtro capacitivo. 7. el voltaje pico a pico y la frecuencia ripple como se obtuvo en el tercer y sexto paso. Simule un diodo abierto en el puente rectificador removiendo un diodo del circuito. ¿Qué pasa con el voltaje de salida? ¿Qué pasa con el voltaje de rizo? ¿Y con la frecuencia ripple?. Electronic. 1999. La entrada de voltaje del puente no se encuentra referenciada a tierra.5.Fifth Edition. Tome los datos y complete la tabla 2-2 de su hoja de respuestas. Chequee el circuito cuidadosamente antes de aplicar potencia. Tome los datos y complete la tabla 2-3 de su hoja de respuestas. Desconecte y cambie el circuito por un onda completa con puente rectificador como se muestra en la figura 2-6. Figura 2-5 Rectificador de onda completa con transformador de tap central Mida V sec(rms) y el voltaje pico de la señal Vout (pp) sin filtro capacitor. [2] David Buchla. Mida Vout (D.2 de su hoja de respuestas. Circuit Theory . Referencias [1] Robert Boylestad. Ahora adicione un capacitor de 100µ F en paralelo con la carga .C). Electronic Devices . Calcule el voltaje pico esperado a la salida. 24 . Conecte el capacitor de 100µ F en paralelo con la carga. el voltaje pico a pico Vr(pp) y la frecuencia ripple como se obtuvo en el tercer paso. 6. 1994. Tome los datos y complete la tabla 2. El osciloscopio no se puede utilizar para ver ambos voltajes al mismo tiempo.

Nombre del Estudiante :__________________________________________________________________ Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________ Hoja de Respuestas Gráfica 2-1: Vsec Vout . de onda completa y rectificadores con filtro capacitivo.EXPERIMENTO 02 DIODOS II: Circuitos rectificadores de media onda.

Tabla 2-1: Rectificador de Media Onda SIN FILTRO CAPACITOR Voltaje de Secundario Vsec(rms) Voltaje de Salida pico a pico Vout(pp) Voltaje DC de salida VDC Frecuencia de secundario Hz Frecuencia de salida Hz CON FILTRO CAPACITOR Voltaje de Secundario Vsec(rms) Voltaje de Salida pico a pico o Voltaje de Rizo Vout(pp) Voltaje DC de salida VDC Frecuencia de secundario Hz Frecuencia de salida Hz Valor Teórico Medido Valor Teórico Medido Gráfica 2-2: Vsec 26 .

Vout Tabla 2-2: Rectificador de Onda Completa con Transformador de Tap central SIN FILTRO CAPACITOR Voltaje de Secundario Vsec(rms) Voltaje de Salida pico a pico Vout(pp) Voltaje DC de salida VDC Frecuencia de secundario Hz Frecuencia de salida Hz CON FILTRO CAPACITOR Voltaje de Secundario Vsec(rms) Voltaje de Salida pico a pico o Voltaje de Rizo Vout(pp) Voltaje DC de salida VDC Frecuencia de secundario Hz Frecuencia de salida Hz Valor Teórico Medido Valor Teórico Medido Tabla 2-3: : Rectificador de Onda Completa con Puente Rectificador SIN FILTRO CAPACITOR Voltaje de Secundario Vsec(rms) Voltaje de Salida pico a pico Vout(pp) Voltaje DC de salida VDC Valor Teórico Medido 27 .

Frecuencia de secundario Hz Frecuencia de salida Hz CON FILTRO CAPACITOR Voltaje de Secundario Vsec(rms) Voltaje de Salida pico a pico o Voltaje de Rizo Vout(pp) Voltaje DC de salida VDC Frecuencia de secundario Hz Frecuencia de salida Hz Valor Teórico Medido Describa los resultados obtenidos en la parte 9. ¿Por qué es necesario utilizar ambos canales para observar el voltaje del secundario? 28 . la referencia de tierra se encuentra en el centro del transformador. ¿Cuál de los dos tiene el voltaje de salida más alto? ¿Cuál maneja más corriente en los diodos? 2. Cuestionario ¿Qué ventaja tiene un rectificador de onda completa sobre un rectificador de media onda ? 1. En el paso 4. Compare el rectificador de onda completa con puente rectificador y el rectificador de onda completa con transformador de tap central. y para observar el voltaje a través del secundario se debe conectar el osciloscopio como se muestra en la figura 2-5 y adicionar los dos canales.

3. ¿Cómo se puede determinar si un diodo esta abierto en un puente rectificador midiendo la frecuencia de rizo? 5. a)¿Cuál es el máximo voltaje DC que se puede esperar para obtener de un transformador con 18 Vrms secundario y utilizando un puente rectificador con un filtro capacitivo? b)¿Cuál es el máximo voltaje DC que se espera para obtener del mismo transformador conectado en un rectificador de onda completa con transformador de tap central con un filtro capacitivo? Conclusiones 29 .

2 KΩ (1) . Y REGULADOR DE Graficar la curva característica del diodo Zener utilizando el osciloscopio.c. Este repentino incremento pasa a ser un voltaje llamado voltaje Zener Vz. la corriente inversa se incrementará repetitivamente como es ilustrado en la curva característica de la figura 3-1. 1KΩ (1). Un diodo Zener es un diodo especialmente diseñado para operar en la región de corte. Realizar pruebas con un circuito regulador usando diodo Zener y ver los efectos del mismo cambiando el valor de la fuente y cambiando la carga. 30 . Equipos Osciloscopio Fuente de Poder variable Multímetro Digital Bread-Board ó Protoboard Dispositivos Resistencias: 220 Ω (1). (1) Diodo Zener de 5V (1N4733) o equivalente (1) Fundamento Teórico Cuando es aplicado un voltaje inverso a un diodo Zener. 2. 2.EXPERIMENTO 03 DIODO ZENER VOLTAJE Objetivos 1.6 Va. Potenciometro de 1KΩ(1). Transformador con embobinado primario 12.

La resistencia de 1kΩ cambia al eje Y del osciloscopio en una corriente ( 1 Amp por voltio) Marcar su gráfica para corriente y voltaje. en ciertos casos son utilizados como un voltaje de referencia para confrontar con otras medidas. esto es típicamente un pequeño voltaje pero pueden ser tantos como cientos de voltios. realizando el circuito mostrado en la figura 3-3. Figura 3-3 31 . Procedimiento 1. para luego utilizar el diodo Zener en dos circuitos reguladores. Figura 3-2 Símbolo del diodo Zener El voltaje Zener es un voltaje preciso que varía de acuerdo al tipo de Zener. medido en la región de corte. Observar las curvas características del diodo Zener. La característica del diodo Zener en la región de corte es una línea vertical continua. Esta resistencia tiene un valor típico de 10Ω a 100Ω. En este experimento se medirá las características del diodo Zener. El diodo Zener es sensible a la temperatura. Dicha resistencia se halla dividiendo un pequeño cambio en el voltaje en un pequeño cambio en la corriente. Coloque el osciloscopio en el modo X-Y y grafique la curva correspondiente en el esquema 3-1 de su hoja de respuestas. Los diodos Zener son usados en aplicaciones que requieren de un voltaje constante y un voltaje regulado. algunos dispositivos han sido diseñados para compensar dicha sensibilidad. pero en la práctica es una pequeña resistencia AC similar a la resistencia AC de un diodo convencional en forma directa. En el primer circuito Usted probará el efecto de variación de voltaje y el segundo circuito probará el efecto de variación de carga.Figura 3-1 Curva característica del diodo Zener El símbolo esquemático para un diodo Zener es mostrado en la figura 3-2.

Note que la corriente Is está a través de R1 y se puede calcular con la ley de Ohm. Con el potenciómetro de 1KΩ (máxima resistencia) mida el voltaje de carga (Vout) y coloque su resultado en la tabla 3-2 de la hoja de respuestas. 32 . La ley de Kirchhoff para VR1 y la ley de Kirchhoff para Iz. 4. Conecte el circuito de la figura 3-4. Figura 3-5 6.2. Con las medidas tomadas en el paso anterior complete la tabla 3-1 aplicando la ley de Ohm para hallar la (IL) corriente de carga para cada uno de los valores de Vs. 5. Frecuentemente. Halle los otros parámetros utilizando la ley de Ohm para IL. se analizará el efecto de un regulador Zener trabajando con una fuente de voltaje fija y con una resistencia de carga variable. Halle la corriente Zener aplicando la ley de corriente de Kirchhoff (KCL). En este paso. Una de las aplicaciones más comunes del diodo Zener son los reguladores. Coloque Vs en cada uno de los voltajes de la tabla 3-1 de la hoja de respuestas y mida el voltaje de salida Vout en la carga. Este paso investigará como al variar la fuente de voltaje se presenta el efecto de regulación con el diodo Zener. Realice el circuito mostrado en la figura 3-5. Usted la puede calcular aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff (KVL) a la salida. Coloque la fuente fija a +12V de salida y ajuste el potenciómetro RL hasta su máxima resistencia. Esta es la diferencia entre la fuente y el voltaje de salida. Hallar VR1. Figura 3-4 3. la carga esta en un circuito activo (tal como un circuito Lógico) en el cual la corriente cambia debido a las variaciones. Este comportamiento se simulará con un potenciómetro de 1KΩ.

Sections 3-1 and 3-2 33 . Referencias [1] Robert Boylestad . Con los datos tomados en la tabla 3-2 grafique el voltaje de salida como una función de la resistencia de carga en el esquema 3-2 de su hoja de respuestas. Circuit Theory . 1994 paginas 87-94 [2] Floyd Electronic Devices. 8.7. Electronic. Coloque el potenciómetro en cada uno de los valores de la tabla 3-2 y repita el paso 7.

0V 6.0V 8.0V Vout(medido) IL(Calculado) VR1(Calculado) Is(Calculado) IZ(Calculado) Escriba la respuesta del punto 4: Calcular VR1 e Iz 34 .0V 4.EXPERIMENTO 03 DIODO ZENER VOLTAJE Y REGULADOR DE Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________ Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________ Hoja de Respuestas Gráfica 3-1: Tabla 3-1: Vs 2.0V 10.

¿Qué le sucede a la corriente del Zener después de haber alcanzado el voltaje en la región de corte? Tabla 3-2 RL 1.0 KΩ 750Ω 500Ω 250Ω 100Ω Gráfica 3-2 Vout(medido) IL(Calculado) VR1(Calculado) Is(Calculado) IZ(Calculado) Cuestionario 1. Observe la curva característica de la gráfica 3-1 a. ¿Qué porción de la curva es aproximada para un circuito abierto? 35 .

3. esta dado por la ecuación: Regulación de carga = VNL-VFL/VFL Calcule la regulación de la carga para el circuito de la figura 3-5 (Asuma el Vout para la resistencia de 1 KΩ = VNL y Vout para la resistencia de 100Ω = VFL) 36 . 4. La regulación de la carga de un Zener. expresado como un porcentaje. Calcule la resistencia AC del diodo Zener. ¿Que porción de la curva es aproximada a un corto circuito? 2.0V a 10. La línea de regulación del diodo Zener es normalmente expresada como un porcentaje y esta dada por la ecuación: Línea de Regulación = Vout/Vin *100% Calcule la línea de regulación expresada como un porcentaje para el circuito de la figura 3-5 utilizando los datos de la tabla 3-1 de su hoja de respuestas ( note que el voltaje de entrada en la ecuación es equivalente a Vs en la tabla). cuando la fuente de voltaje cambia de 8.b.0V. De la tabla 3-1.

Vs es +15V 3. El diodo Zener esta inverso 4. ¿Qué efecto causaría en el voltaje de salida en cada una de las siguientes fallas? Falla 1. RL es 2. RL esta abierto Vout Conclusiones 37 . Asuma que el potenciómetro de la figura 3-5. El diodo Zener esta abierto 2.5.2KΩ 5.0KΩ). esta en su valor máximo (1.

Visualizar las características de los transistores bipolares Medir y graficar las curvas características de colector para un transistor BJT Use las curvas características para determinar el β DC del transistor a un punto dado.7 kΩ(1).2V y las uniones de colector-base y emisor-base están polarizadas directamente.7V a través de la junta base emisor para obtener la corriente de base IB Si la corriente de base se aproxima a cero. Un transistor bipolar de silicona requiere aproximadamente de 0. si IC < β Ι Β . 1KΩ (2). El colector recibe o colecta las cargas que envía o emite el emisor. Fundamento Teórico El transistor consiste de dos uniones semiconductoras P-N. El transistor esta dividido en tres partes : Colector . 4. Mediante la corriente de la base se controla el paso de las cargas entre el emisor y el colector. Cuando el valor de la corriente de base es suficientemente alta para que la unión base emisor conduzca (no saturado) el valor de VBE se aproxima al de un diodo. Emisor y Base. 10 Κ Ω (1). 33kΩ (1). donde la diferencia primordial estriba en la polaridad y dirección de los voltajes y corrientes. 3. A medida que la corriente de base aumenta. puede ser del tipo PNP o NPN.EXPERIMENTO 04 TRANSISTORES BIPOLARES BJT Objetivos 1.8V. esto es. 560kΩ(1) Transistor Q2N3904 (2). 2. 2. VCE adquiere un valor intermedio a los dos modos anteriores y se cumplen las relaciones: IC = β IB IE = IB + IC 38 .7 kΩ (1). VCB es bastante alto también y las corrientes se aproximan a cero. Cuando la corriente de colector esta determinada por el circuito externo. A su vez. el valor de VBE es aproximadamente de 0. el voltaje de colector a base (V CB) y el voltaje de colector a emisor (VCE) disminuyen. VBE es bajo y la unión de base a emisor no conduce adecuadamente. Este modo de operación se conoce como saturación. Este modo de operación se conoce como corte. aumentan las corrientes de emisor y colector. El valor de VCE está cerca al de la fuente de polarización. Equipos Osciloscopio Fuente de Poder variable Multímetro Digital Bread-Board ó Protoboard Dispositivos Resistencias: 100Ω (1) . y el voltaje de base emisor (VBE) llega a ser aproximadamente 0.

así que la unión colector a base esta invertida y la unión base a emisor esta directa. Procedimiento 1. la cual se puede calcular aplicando la ley de Ohm a R1.65V. se representa mediante el símbolo α.90 a 0. el voltaje de colector a emisor VCE y la corriente base IB. Estas relaciones no se cumplen en los modos de corte y saturación.Este modo de operación es el activo. El propósito de R1 es limitar y poder determinar la corriente de base. Esto fija una corriente de base de 50µ A. β es la ganancia de corriente de corto circuito estable. El Factor de amplificación en corto circuito de base común es la relación entre un cambio pequeño en la corriente de colector y un cambio pequeño en la corriente de emisor. El estudiante debe conocer los aspectos básicos de los siguientes temas Modelo del transistor BJT Curvas características del transistor BJT. Pre Laboratorio 1. • • • 2. o punto de operación. Estos tres valores definen el punto Q. su valor siempre será menor que 1. Conecte la configuración Emisor Común como se observa en la figura 4-1. Figura 4-1 39 . Para esto hay que controlar los valores de la corriente de colector I C. Lentamente incremente el valor de VBB hasta que VR1 sea 1. Aplicaciones del transistor BJT El estudiante debe revisar las especificaciones técnicas del transistor 2N3904 . El transistor se polariza de acuerdo al modo de operación que se desee. VCB se mantiene positivo. En forma de ecuación la magnitud de α esta dada por : α= ∆c I ∆E I VCB =C ons tan te Los valores tipicos de α varian de 0. Verifique que la fuente este en cero y luego enciéndala. en este caso será el modo activo.998.

mida los voltajes V CE . 8. en la resistencia RC y en la resistencia RB. en el esquema 4-1 de la hoja de respuestas Use la curva característica del anterior paso y determine el valor de β DC del transistor utilizando un valor de VCE de 3. en el esquema 4-2 de la hoja de respuestas.100 y 150 µ A de la tabla 4-2 de la hoja de respuestas.0V y 5. Para obtener la corriente de 150µ A debe aumentar el valor VR1 a 4. Figura 4-2 40 . 3 y 4 con una corriente de base IB de 100µ A. aplicando la ley de Ohm para R2. 7. Repita el paso 2. grafique las tres curvas características de colector (I C vs VCE) usando los valores de la IB . Escriba su resultado en la tabla 4-1 de su hoja de respuestas. 5. Dibuje la línea de carga DC del transistor usando los dos valores antes mencionados y añada en la gráfica el punto de operación encontrado.0 y 8. lentamente incremente VCC hasta que el voltaje entre colector y emisor sea de 2.0V. Mida VR2 y escriba sus resultados en la columna de IB=50µ A de la tabla 4-1 de su hoja de respuestas.2. Calcule la corriente de colector Ic. Note que la corriente en R2 es la misma IC en el transistor. 6. Siguiendo este procedimiento llene la tabla de datos para VCE igual a 4. 4. Coloque la fuente VCC en 0Vy ajuste VBB hasta que el voltaje VR1 sea 3.0V y una corriente de base de 50. 6. 3. 9. Obtenga analíticamente el valor de la corriente de colector de saturación (cuando V CE es cero) y el valor del voltaje de corte (cuando la corriente de colector es cero).0V. Obtenga con esos valores el punto de operación del transistor y el valor de β DC.3V y en este momento la corriente de base será 100µ A. Construya el circuito mostrado en la figura 4-2. Utilizando los datos obtenidos en la tabla 4-1. Sin modificar el valor obtenido de VBB.0.95 V mediante VBB.usando el VR2 y mida la resistencia R2 para determinar la corriente. Este voltaje es llamado VCE. Para obtener los valores de VCE deseados recuerde que debe variar el valor de VCC.

Sections 3-1 and 3-2 41 . RE. Circuit Theory . Figura 4-3 Referencias [1] Robert Boylestad . Construya el circuito de la figura 4-3 y mida los voltajes VCE. 1994 paginas 87-94 [2] Floyd Electronic Devices. Electronic.10. en las resistencias RC. R1 y R2 . Repita el paso 9 y grafique en el esquema 4-3 de su hoja de respuestas.

0V 4.0V Gráfica 4-1 (IC Vs VCE) 42 .0V 8.EXPERIMENTO 04 TRANSISTORES BIPOLARES BJT Nombre del Estudiante :__________________________________________________________________ Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________ Hoja de Respuestas Tabla 4-1 VCE (medido) Corriente de Base=50µ A VR2 IC (medido) (Calculado) Corriente de Base=100µ A VR2 IC (medido) (Calculado) Corriente de Base=150µ A VR2 IC (medido) (Calculado) 2.0V 6.

0V Ganancia de Corriente β DC IB=50µ A IB=100µ A IB=150µ A Cálculos del punto 9 del procedimiento Gráfica 4-2 43 .VCE 3.0V 5.

El punto β DC es constante en todos los puntos? Si o No Explique su respuesta 44 . Con los datos tomados en los experimentos responda las siguientes preguntas : a.Cálculos del punto 10 del procedimiento Gráfica 4-3 Cuestionario 1.

¿Cuál es la máxima potencia disipada por el transistor según los datos tomados en el experimento? 4. El α DC de un transistor bipolar es igual a la corriente de colector I C. Utilizando esta definición y sabiendo que IE = IC + IB. Tiene algún efecto sobre la linealidad del transistor? 2. a. ¿Qué efecto puede tener un β DC alto sobre las curvas características que se obtuvieron? 3. Calcule α DC cuando el transistor con VCE = 4.0V y la IB = 100µ A 45 . sobre la corriente de emisor IE.b. demuestre que α DC puede ser escrito de la siguiente manera: α DC = β DC β DC + 1 b.

Explique su respuesta Conclusiones 46 .5. ¿Qué valor de VCE se podría esperar si la base del transistor estuviera abierto?.

1. El objetivo de este circuito es verificar el uso del amplificador operacional como comparador de voltaje. . Diodo Zener. AO y BJT en interface con LED Objetivos Utilizar los dispositivos estudiados en el laboratorio para dar solución a problemas de diseño y aplicaciones. usando el osciloscopio para detectar el comporatmiento de Vout.5KΩ (1). Equipos Fuente de poder variable Breadboard Multímetro Digital Dispositivos Resistencias: 1KΩ (1). Pre Laboratorio El estudiante debe consultar los siguientes temas para el óptimo desarrollo de la práctica. Para ello. Construya el circuito de la figura 5. Amplificador Operacional LM324 (1). 470Ω (1).EXPERIMENTO 05 Aplicación I: Ejercicio combinado con Zener. 1. Transistor como interruptor. construya el circuito de la figura 5-1. Diodo LED (1). Comparador de voltaje con amplificador operacional. Potenciómetro: 10KΩ (1) Diodo Zener de 5V (1). Transistor 2N3904 (1). Procedimiento 1. colocando el cursor del potenciómetro en el extremo de la fuente de 10 V.

así como el nuevo valor de Vout. Construya el circuito de la figura 5. de acuerdo a lo que se hizo en la primera parte. Lleve alternativamente Vout a su valor alto y bajo. y mida en cada caso el voltaje en el LED y en la resistencia de 470Ω . d) Siga disminuyendo Vin. Conteste las preguntas de la primera parte. anote el valor de Vin en la tabla 5-1. y mida nuevamente el voltaje 48 . b) Mida el potencial de la entrada no invertidora y anótelo en la tabla 5-1 c) Disminuya lentamente el valor de Vin recorriendo el cursor hacia el lado de tierra.3. Cuando Vout cambie de valor. Anote este valor en la tabla 5-1. 1 kΩ 10 V = +Vcc 1k Ω Vin 10 k Ω 1 kΩ Vout 470Ω LED 1N4733 Figura 5. Se modifica el circuito de la figura 5. mida el voltaje VCE del transistor.1.2 con el circuito de la figura 5. Anote el valor de Vin en el momento que Vout cambie de nuevo. Para verificar los valores de Vin leídos en los momentos de cambio de Vout.2.1 a) El voltaje de salida que se observa en el osciloscopio es el de saturación bajo del amplificador operacional. El valor de Vout no debe cambiar.10 V = +Vcc 1k Ω Vin 10 k Ω Vout 1N4733 Figura 5. Coloque el potenciómetro en posición que obligue a Vout a tomar un valor bajo. utilizando el circuito utilizado en la figura 5. 2 3. Luego provoque un valor Vout alto. Responda a las preguntas de la segunda parte. Luego aumente lentamente el valor de Vin moviendo nuevamente el cursor en sentido contrario. repita los pasos c) y d). o comparador. 2.

Responda a las preguntas de la tercera parte. 10 V 10 V = +Vcc 1k Ω Vin 10 k Ω 1 kΩ Vout 1. Responda a las preguntas de la cuarta parte. utilice el circuito de la figura 5. 470Ω LED 10 V = +Vcc 1 kΩ Vin 6 Vpp 1 kHz 1N4733 Figura 5. 1992 49 .5 k Ω 1N4733 Figura 5.VCE del transistor. Para construir el circuito de la figura 5. Mida en cada caso el voltaje en el LED y la resistencia de 470 Ω . Electronic.4.3 4.4 Vout Referencias [1] Robert Boylestad . Circuit Theory .1 simplemente cambiando las conexiones para Vin a la fuente.

el potencial de la entrada invertidora. donde V+ es el potencial de la entrada no invertidora y V. Vout V+ .V - 50 . (V+ . PREGUNTAS: 1. dibuje la función de transferencia Vout vs. AO y BJT en interface con LED Hoja de reporte Nombre:________________________ID:___________________________ Sección:________________________Instructor:_____________________ PRIMERA PARTE TABLA 5-1 VOLTAJE ALTO Vout VOLTAJE BAJO Vout VOLTAJE POTENCIAL EN ENTRADA NO INVERTIDORA Valor de Vin en el instante en que el Vout cambia de valor Alto a valor Bajo Valor de Vin en el instante en que Vout cambia de valor Bajo a valor Alto. Generalizando el resultado de la tabla.V -).EXPERIMENTO 05 Aplicación I: Ejercicio combinado con Zener.

3? CUARTA PARTE 11. ¿Qué papel juega el transistor en el circuito de la figura 5. 7. VCE = ________. ¿En qué región se encuentra el transistor? 8. ¿Cuándo se enciende el LED? ¿Qué corriente circula por el LED cuando está encendido? I = _______ 10.2. Cuando Vout es bajo. VCE = ________. 3. calcular la corriente que circula por la combinación de LED. Usando los valores medidos para los voltaje en la resistencia en todos los casos. Comparando el circuito con el de la segunda parte. ¿Qué detecta el circuito del comparador con respecto a Vin? En otras palabras. ¿qué significa que Vout sea alto? 51 . Grafique las ondas de Vin y Vout que se ven en el osciloscopio 12.470 Ω en serie cuando Vout es alto y cuando es bajo. La combinación de transistor y resistencia utilizada en el circuito de la figura 5. ¿En qué región se encuentra el transistor? 9.3 constituye un circuito de interfaz. Cuando Vout es alto. Si no se encendió el LED en ningún caso. I para Vout Alto ___________ I para Vout Bajo _____________ 6. ¿Se encendió el LED cuando el voltaje Vout estaba en alto? ¿Y cuando estaba en bajo? 5. ¿podría dar una explicación? TERCERA PARTE.para que Vout tenga un valor alto? ¿Qué relación para un valor bajo? ¿Por qué se puede decir que el amplificador opera como un comparador? SEGUNDA PARTE 4. ¿ Qué relación debe existir entre V+ y V.

la junta base-emisor debe estar polarizada en forma directa y la junta base-colector en forma inversa. 47kΩ (1). 82kΩ (1). es decir. 47µ F (1). 2. Analizar y probar los efectos de fallas en los amplificadores de base.0µ F (3). 33kΩ (1). un circuito más popular es el mostrado en la figura 6-2. 330Ω (1). 4.7kΩ (1). Colector Común y Base Común. Equipos Osciloscopio Fuente de Poder variable Multímetro Digital Bread-Board ó Protoboard Dispositivos Resistencias: 100Ω (1). esto es. un Colector Común y un Base Común y medir los parámetros DC. 3. Probar el efecto de diferentes tipos de cargas sobre parámetros AC.c que se analizarán para estas configuraciones son: Ganancia de voltaje. En el circuito amplificador se toman en consideración dos aspectos: el funcionamiento DC o de polarización y el funcionamiento ac. Calcular los parámetros AC y DC para los amplificadores de Emisor Común. 390Ω (1) 1. Colector Común y Base Común. la resistencia de entrada AC y la ganancia de voltaje.EXPERIMENTO 06 AMPLIFICADORES BÁSICOS CON BJT Objetivos 1. 15µ F (2). 10µ F (1). mostrado en la figura 6-1.0kΩ (2). debe operar en activo. Este experimento evalúa tres amplificadores básicos: Emisor Común.c. Para que el transistor funcione en activo. Los parámetros en funcionamiento a. Existen muchas maneras de polarizar transistores. Debido a sus inconvenientes. Estos parámetros se obtendrán para señales pequeñas a frecuencias medias. colector y emisor común. Capacitancias: 1. Ganancia de corriente. Construir un amplificador Emisor Común. Fundamento Teórico Para que un transistor amplifique una señal a. 10kΩ (2). se establece un circuito para polarizarlo. Observar la relación entre la entrada y la salida de la señal. establecer y mantener las condiciones apropiadas de operación DC para que el transistor pueda usarse en la amplificación. Transistor Q2N3904 NPN (1). . 2. Este circuito soporta bien las variaciones en los parámetros del transistor debido a procesos de fabricación y a cambios de temperatura 52 . Impedancia de entrada e Impedancia de salida. El método más simple es el llamado polarización de base o polarización fija. 5.7kΩ (1). 4.

Figura 6-1 Figura 6-2 Para calcular el punto de operación del transistor en el circuito de la figura 6-2 podemos utilizar las siguientes ecuaciones: V BB = R2 Vcc R1 + R2 R1 R2 R1 + R2 (1) R B = R1 R2 = (2) IB = VBB − VBE RB + ( β DC + 1) RE (3) I E = ( β DC + 1) I B I C = βDC I B VCE = VCC − I C RC − I E RE Si se desconoce β . se puede utilizar la aproximación: (4) (5) (6) DC IC ≈ V BB − V BE RE I E ≈ IC (Límite Superior) 53 .

el circuito equivalente substituye los capacitores por cortos circuitos. Para calcular el punto de operación del transistor. En el caso particular de Vcc. VCE (VC y VE) Para ello. En los cálculos de polarización para este circuito. 2.c. RE = RE 1 + RE 2 Observe que en este circuito el voltaje Vin se aplica entre Base y Tierra. eventualmente con una carga. Un amplificador emisor común con resistencia de emisor R E se muestra en la figura 6-3(a). El circuito de la figura 6. C2 y C3. El circuito amplificador de la figura 6. con la señal Vin y los capacitores C1. encontrando IC. Calcular el punto de operación DC del transistor. Para el análisis a. en tanto que la señal de salida se mide entre el colector y emisor.3.3 es un ejemplo de ello. y se apagan las fuentes constantes. El circuito amplificador completo contiene además capacitores de acoplamiento y desvío. Circuito equivalente AC Figura 6. se procede a realizar los siguientes pasos: 1. para un transistor pnp es necesario cambiar el signo de la fuente Vcc. la señal de entrada se mide entre base y emisor. Circuito Emisor Común b. El emisor del transistor es común para ambas señales de entrada y salida del circuito y por tal motivo recibe el nombre de emisor común. 26 mV rπ ≈ ( βac + 1) IE (7) La ganancia de voltaje ac se calcula por las siguientes ecuaciones: 54 . IE.2 utiliza un transistor npn con Vcc>0. más una señal de entrada y una terminal de salida. con el circuito AC de la figura 6-3(b). apague la señal y considere los capacitores circuitos abiertos. Amplificador Emisor Común: En un amplificador emisor común. ésta terminal se cortocircuita a tierra. se abren los capacitores de acoplamiento y desvío y se apaga la señal a.c. Utilice las fórmulas (1) -(6) Calcule para el circuito ac las resistencias re ≈ 3. Configuración Emisor Común Para calcular aproximadamente los resultados de amplificación.VCE = VCC − I C ( R B + RE ) (Límite Inferior) Esta aproximación es aceptable para β DC suficientemente grande. a.

La salida de voltaje ac es prácticamente igual a la señal de entrada. En la figura 6-4 se ilustra un amplificador colector común usando un transistor NPN. (9) La resistencia ac equivalente vout por vin es: Zin = R1 || R2 || (β re+(β +1)RE) (10) Note la inversión de fase en la ganancia.Av = ó por: Vout α ( RC || RL ) ( R || R ) =− ≈− C L ( re + RE ) ( re + RE ) Vin RC RL vout =− ( rπ / ( β + 1) ) + RE vin (8) AV = 4. Configuración Colector Común 55 . Esto implica que la ganancia de voltaje sea aproximadamente 1. manifestada por el signo negativo en (8) y (9). la ganancia de corriente por lo tanto incrementa la señal de potencia en la carga. El amplificador Colector Común se caracteriza por una alta resistencia de entrada y una baja resistencia de salida. Amplificador Colector Común: El amplificador Colector Común tiene la señal de entrada aplicada a la base y la salida de la señal se toma desde emisor. Figura 6-4. El circuito se muestra en la figura 6-5.

7. se usan las expresiones Av = Vout α ( RC || RL ) ( RC || R L ) = ≈ Vin re re Rin = R E || re ≈ re (14) (15) AI = iout ≈α iin (16) 56 . El circuito de base común tiene una ganancia de corriente aproximadamente igual a 1(=α ). Para calcular los resultados en pequeña señal.5 Circuito ac en colector común Para el análisis DC del Colector Común. Los pasos para el análisis AC de un colector común son: 1. es decir .c se muestra en la figura 6. 6.Figura. Reemplazar todas las capacitancias con un corto y calcular la resistencia rπ con la ecuación 7. pero con signo positivo. limitada prácticamente por RC. Rout = R E || re 5. se utilizan las mismas formulas (1)-(6). La ganancia de corriente es (β +1) (13) Amplificador Base Común: La terminología relativa a base común se desprende del hecho de que la base es común a los lados de la entrada y la salida de la configuración. mientras que el equivalente a. sin inversión de fase. La resistencia de salida es excluyendo RL. Vout ( RE || RL ) = ≈1 Vin rπ / ( β + 1) + ( RE || RL ) Rin = rπ + ( β + 1)( RL || RE ) (11) La resistencia total de entrada por la señal ac se calcula con la ecuación. (12) 4.6. con RC =0. La ganancia de voltaje se calcula utilizando la ecuación: Av = 3. y baja resistencia de entrada y alta de salida. una ganancia de voltaje aproximadamente igual en valor absoluto a la del emisor común. Un circuito completo se muestra en la figura 6. 2.

6 Amplificador de base común Figura 6. Amplificador Emisor Común 57 . Construya el circuito de la figura 6-8. Calcule el punto de operación según las fórmulas (1)-(6).Figura 6. y luego determínelo experimentalmente midiendo VCE e IC (preferiblemente midiendo VE y VC y calculando IC por la ley de Ohm). use un valor de β = 100 para sus cálculos. Anote los resultados en la tabla 6-1 de su hoja de respuestas. mídala.7 Circuito ac de base común Procedimiento 1. Si tiene multímetro que mida β del transistor. En caso contrario. Figura 6-8.

Determine AV. ¿El transistor esta en corte o saturación? Explique. base y colector. emisor y colector del transistor y mida la ganancia del amplificador. ¿Cuál es la relación de fase entre Vin y Vout? Remueva el capacitor C2 del circuito y mida la señal AC de emisor. Anote el resultado en la tabla 6-2. base y colector. Utilizando el osciloscopio ajuste el voltaje y revise la frecuencia? Utilice el voltaje Vin y el voltaje Vout para determinar la ganancia de voltaje Av. 9. 4. 8.2. Dibuje la relación en la gráfica 6-1 de su hoja de respuestas. Calcule los parámetros AC para el transistor usando los resultados mostrados en la tabla 6-1. 7. ¿El transistor esta en corte o saturación? Explique. compare la forma de onda de la señal de entrada con la señal de salida. Complete la tabla 6-2. Coloque denuevo la resistencia RL de 10k y coloque la RE1 abierta. 3. Coloque denuevo el capacitor C2 y cambie la resistencia RL de 10k por una resistencia de 1k. 6. AI. a 500mVpp y a 1KHz. Construya el circuito el circuito de la figura 6-9. Complete la tabla 6-4 58 . Figura 6-9. Coloque la resistencia RE1 y coloque R2 abierta. Conecte al circuito el generador y ajuste Vin. base y colector del transistor. y calcule las ganancias y los voltajes según las fórmulas. RI y Ro. Observe la señal AC del la base. Mida los voltajes DC del emisor. 5. Mida la ganancia de voltaje del amplificador. Mida los voltajes DC del emisor. Amplificador Colector Común 10. Anote los resultados de la tabla 6-2. Utilizando el osciloscopio con sus dos canales. Determine el punto de operación VCE e IC.

1994 [2] Floyd Electronic Devices. Circuit Theory. compare la forma de onda de la señal de entrada con la señal de salida y bosqueje los resultados en la gráfica 6-2. Utilizando el osciloscopio con sus dos canales. Third Edition 59 .11. Para el circuito de la figura 6-11 ¿Cuál es la relación de fase entre Vin y Vout? Figura 6-10 Amplificador Base Común Referencias [1] Robert Boylestad. Fifth Edition [3] Electronic Devices: Electron –Flow Version. Es además necesario regular la amplitud del generador de señales para evitar que se sature el amplificador y para conseguir la máxima salida del amplificador sin distorsión apreciable. Electronic. Utilizando el osciloscopio con sus dos canales. complete la tabla 6-6. se ha agregado una resistencia de 1Ken serie con la fuente. Regule el generador y determine. Determine el punto de operación teórica y experimentalmente y complete la tabla 6-5. 13. Como la ganancia de voltaje de un amplificador de base común es grande. compare la forma de onda de la señal de entrada con la señal de salida. ¿Cuál es la relación de fase entre Vin y Vout? 12. Construya el circuito el circuito de la figura 6-10. 14.

EXPERIMENTO 06 AMPLIFICADORES BÁSICOS CON BJT Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________ Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________ Hoja de Respuestas Tabla 6-1 Emisor Común Parámetros DC VB VE IE VC VCE Valores Calculados Valores Medidos Tabla 6-2 Emisor Común Parámetros AC Vin =Vb Ve r’e AV Vout= VC Rin(tot) Valores Calculados 300mVpp Valores Medidos 60 .

Tabla 6-3: Colector Común Parámetros DC VB VE IE VC VCE Valores Calculados Valores Medidos Tabla 6-4: Colector Común Parámetros AC Vin =Vb Ve r’e AV Vout= VC Rin(tot) Tabla 6-5: Base Común Parámetros DC VB VE IE VC VCE Valores Calculados Valores Medidos Valores Calculados 300mVpp Valores Medidos Tabla 6-6: Base Común Parámetros AC Vin =Vb Ve r’e AV Vout= VC Rin(tot) Valores Calculados 300mVpp Valores Medidos 61 .

Gráfica 6-1 Gráfica 6-2 Cuestionario 1. En un emisor común ¿Cuál es la relación de fase entre Vin y Vout? 62 .

1. 6. ¿Cómo se afecta la ganancia modificando la resistencia de carga en el emisor común y por que? Comparando su respuesta con el resultado experimental ¿hay concordancia con los resultados? 4.2. Asuma que el amplificador mostrado en la figura 6-7 tiene 1. En un circuito de base común ¿Cómo se comportan las fases de las señales de entrada y de salida? 7. Si no es normal ¿Cuál podría ser la causa del problema? 63 . ¿El transistor esta en corte o saturación? Justifique su respuesta.1VDC en el colector. En el circuito de la figura 6-10 ¿Qué conclusión se puede obtener acerca del funcionamiento del amplificador con C2 abierto? ¿Puede dar una justificación teórica? 3. ¿Sería esto normal si el circuito es un amplificador ? Justifique la respuesta . 5. Con RE1 y R2 abierto.8VDC en la base.1VDC en el emisor y 1. Según la gráfica 6-2¿Cómo se comportan las señales de entrada y salida del amplificador? ¿Tiene Sentido? Justifique.

Conclusiones 64 .

2. Fundamento Teórico El transistor BJT utiliza la corriente de base para controlar la corriente de colector.EXPERIMENTO 07 TRANSISTORES FET Objetivos 1. Los FET están clasificados como dispositivo de puerta de juntura (JFET) o dispositivo de puerta aislada (MOSFET). nunca esta polarizado en forma directa y por lo tanto nunca fluye corriente a través de él. 4. 10kΩ (1). reduciendo la corriente de fuente (Source) a drenaje (Drain). En tanto que el transistor FET es un dispositivo controlado por voltaje que usa un campo electrostático para controlar la corriente que fluye. Canal N JFET Figura 7-1 b. Visualizar las características de los transistores de efecto de campo FET y comparar un amplificador que use este transistor con su equivalente bipolar. En el caso de los JFET la puerta es de un material opuesto al del canal formando un diodo PN entre ellos dos. 3. LED (1). La aplicación de una polarización inversa en esa juntura baja la conductividad del canal. El diodo de la puerta (Gate). Transistor MPF102 canal n JFET (1). El FET comienza con una capa dopada de silicio llamada canal. Canal P JFET 65 . La corriente que fluye a través del canal es controlada por el voltaje aplicado a un tercer terminal llamado puerta (Gate). a. El canal N se distingue entre los gráficos por una flecha entrando en el punto de conexión de la puerta (Gate) mientras que el canal P tiene una flecha saliendo como se muestra en la figura 7-1. Los JFET están diseñados en dos formas Canal N y Canal P. Medir VGS(OFF) e IDSS para un JFET. En uno de los extremos del canal existe un terminal llamado fuente (Source) y en el otro extremo del canal un terminal llamado drenaje (Drain). Equipos Osciloscopio Fuente de Poder variable Multímetro Digital Bread-Board ó Protoboard Dispositivos Resistencias: 100Ω (1). Medir y graficar las curvas características de drenador para un transistor FET. Construir una fuente de corriente JFET para mantener constante la iluminación en un LED.

0V ( VDS es el voltaje entre el Drain y Source del transistor). Verifique que la fuente este apagada. Conecte un voltímetro entre el Drain y Source del transistor. El estudiante debe conocer los aspectos básicos de los siguientes temas Modelo del transistor FET Curvas características del transistor FET Aplicaciones del transistor FET El estudiante debe revisar las especificaciones técnicas del transistor MPF102 Procedimiento 1. dicha región es llamada la región Ohmmica. Cuando la puerta (Gate) es corto-circuitada a la fuente (Source) se obtiene la máxima corriente de drenaje (Drain) a fuente (Source). Esta corriente es llamada IDSS para Drain y fuente cortocircuitada (Drain –Source current with Gate Shorted) El JFET posee una región en su curva característica donde la corriente de Drain es proporcional al voltaje de Drain fuente. En adición a que el JFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras palabras un voltaje inverso debe ser aplicado a la junta PN puerta (Gate) a fuente (Source) para cerrar el canal. el cual es utilizado para obtener la ganancia. La transconductancia puede ser encontrada dividiendo un pequeño cambio en la corriente de salida por un pequeño cambio en el voltaje de entrada. el JFET es normalmente activo. Construya el circuito mostrado en la figura 7-2. Para dicha región se obtiene un parámetro denominado transconductancia. para lo cual tenemos: gm = ∆I D ∆VGS Pre Laboratorio 1.La curva característica del drenaje (Drain) para un JFET muestra grandes diferencias respecto con el BJT. Figura 7-2 66 . Mantenga VGG a cero voltios y lentamente incremente VDD hasta que VDS sea 1. conecte al circuito y comience con VGG y VDD a cero voltios. Cuando la puerta es corto-circuitada a la fuente se obtiene la máxima corriente de Drain a la fuente disponible. • • • 2.

Lleve V GG hasta que VR2=0 y entonces mida el VGS (OFF). 8. Mida VR2 y calcule ID. Note que el voltaje de Drain comienza donde la corriente es constante. en el esquema 7-1 de la hoja de respuestas Determine VGS(OFF) e IDSS para el circuito de la figura 7-2 Use VDD=12V. 10. Aplique este voltaje entre la puerta y Source ya que casi no hay corriente en la puerta dentro del JFET y casi no hay voltaje a través de R1. 4. Ajuste VGG a -0. Observe el voltaje de Drain mientras va incrementando el voltaje VDD de 0V a 15V. ingrese dicho dato en la tabla 7-1 de su hoja de respuestas. 9. Con VDS en 1. Compare el valor de la máxima corriente obtenida en el paso 3 con la lectura del amperímetro. 3. Sin modificar el valor de VGG ajuste VDD de manera que VDS alcance cada uno de los valores relacionados en la tabla 7-1. Ajuste VDD de manera que VDS sea 1. Complete la tabla 7-1. Calcule ID aplicando la ley de Ohm y complete la tabla.2. Conecte R! Entre Gate y Source y mida la corriente IDSS en R2. Construya el circuito mostrado en la figura 7-3. grafique las tres curvas características de Drain (V DS vs ID) usando los valores de la VG .0V. 7.5V. Entonces tome los datos necesarios para completar la tabla 7-1.0V. Figura 7-3 Referencias 67 . Siguiendo este procedimiento llene la tabla de datos para VGG igual a -1. 5. Note que la corriente máxima en R2 es la corriente de Drain.5V y repita el paso anterior. Tome los datos y escríbalos en la tabla 7-2 de su hoja de respuestas. Repita el paso anterior para cada uno de los valores mostrados en la tabla 7-1. incremente lentamente VDD de manera que VDS sea 2.0V mida el voltaje a través de R2.0V y –1. Sin modificar VGG. Utilizando los datos obtenidos en la tabla 7-1. Explique. Calcule la ID para cada uno de los valores. 6.

Circuit Theory .[1] Robert Boylestad . Electronic. 1994 [2] Floyd Electronic Devices 68 .

0V 4.0V Gráfica 7-1 (ID Vs VDS) 69 .0V 3.0V VR2 ID (Medido) (Calculado) Voltaje de Puerta = -1.0V 8.0V 6.0V 2.EXPERIMENTO 07 TRANSISTORES FET Nombre del Estudiante :__________________________________________________________________ Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________ Hoja de Respuestas Tabla 7-1 VDS (medido) Voltaje de Puerta = 0V VR2 ID (Medido) (Calculado) Voltaje de Puerta = -0.5V VR2 ID (Medido) (Calculado) 1.5V VR2 ID (Medido) (Calculado) Voltaje de Puerta = -1.

¿Es posible afirmar que transconductancia es constante en todos los puntos? b. a. a.Tabla 7-2 Parámetros medidos JFET VGS(OFF) = IDSS = Cuestionario 1. De acuerdo a los datos obtenidos en los experimentos. ¿Qué característica le indica a Usted que el JFET es un dispositivo no lineal? 70 . b. Explique como encontrar IDSS a partir las curvas características de un JFET. De los datos obtenidos. ¿Cuál fue la corriente máxima que maneja el LED en el paso 10? 2.

3. Conclusiones 71 . Compare la curva característica de un transistor Bipolar BJT con la curva característica de un transistor de efecto de campo JFET. ¿Por qué un JFET puede ser operado únicamente con un voltaje negativo de puerta a Source? 4.

luego Drain Común y por ultimo Gate Común . 10µ F(1). El circuito equivalente AC se observa en la figura 9-1b donde se muestra la resistencia RS cortocircuitado mediante el capacitor CS sustituido por un corto (impedancia AC del capacitor =0) y la resistencia RD conectada a +VDD se aterriza a AC. 72 . para amplificadores de Drain Común. Fundamento Teórico Los transistores de efecto de campo están disponibles como JFET y MOSFET. los transistores de efecto de campo FET se dividen en tres tipos de configuraciones: Drain Común Source Común GateComún Una de las ventajas que tiene el transistor de efecto de campo FET sobre el transistor bipolar BJT es su alta impedancia de entrada. Source Común y Gate Común Realizar pruebas con un amplificador de Drain Común con corriente de Source. 1µ F(1). En este experimento se realizarán pruebas de configuración CA de los amplificadores FET. El dispositivo JFET se reemplaza mediante el modelo simple para el cual una señal de AC aplicada entre la compuerta-Source Vgs da como resultado una corriente de Drain-Source (canal) de valor gmVgs.3KΩ (1). 3. 1MΩ (1).EXPERIMENTO 08 AMPLIFICADORES BASICOS CON FET Objetivos 1. Equipos Osciloscopio Fuente de Poder variable Multímetro Digital Bread-Board ó Protoboard Dispositivos Resistencias: 1K (2). 100KΩ (1).1µ F(1). Al igual que los transistores bipolares BJT. Transistor: MPF102 (1). Medir Parámetros AC y DC. empezando con el amplificador Source Común. 620KΩ (1). Amplificador Source Común: La configuración de este amplificador la podemos observar en la figura 8-1a en el que se incluye un resistor de autopolarización RS para ajustar la polarización DC. Capacitores : 0. 2. puesto que la impedancia AC de la alimentación de voltaje se sustituye por medio de una impedancia AC de 0. 10KΩ (2).

La ganancia de voltaje de este amplificador es menor que la unidad sin inversión de polaridad. y la amplitud de voltaje se reduce a partir del valor de entrada. a. Amplificador Drain Común 73 . Circuito b. Circuito equivalente AC Figura 8-2. Si se toma la salida desde la terminal de la fuente (como se observa en la figura 8-2b) no hay inversión de polaridad entre la salida y la entrada. este circuito tiene una elevada resistencia de entrada y una resistencia baja de salida. Circuito Equivalente AC Figura 8-1 Amplificador Source Común La ganancia de voltaje AC puede determinarse como: Av = Vo = −g m R D Vi La resistencia de entrada es: Ri = RG Ro = R D La resistencia de salida es: Amplificador Drain Común: En la figura 8-2a podemos observar el modelo básico de un amplificador Drain Común.a. Circuito b.

en paralelo con la resistencia AC del dispositivo. y resistencia de salida igual que la de Drain Común. a. Este amplificador tiene una baja resistencia de entrada. RS. acercándose a la unidad conforme RS se hace mayor en comparación con rm. El equivalente AC para el circuito de la figura 8-3a se observa en la figura 8-3b. y salida AC en la terminal de Drain. La ganancia se acerca a la unidad conforme RS se hace mayor en comparación con rm. La resistencia de entrada del amplificador es menor que 1. ganancia de voltaje no invertida (similar en magnitud al de Drain Común). La resistencia de entrada del amplificador es: Ri = RG en tanto que la resistencia de salida es el resistor de polarización de Source. Circuito b. Circuito equivalente AC Figura 8-3 Configuración GateComún 74 . rm: R0 = Rs || rm Amplificador Gate Común: La configuración de este circuito se puede observar en la figura 8-3a con una entrada AC a la Source.La ganancia de voltaje AC puede determinarse como: AV = ( g mVgs ) Rs Vo g m Rs = = Vi 1 + (1 + g m Rs )V gs 1 + g m Rs Empleando rm =1/gm tenemos que la ganancia de voltaje esta dada por: 1    Rs Vo Rs rm AV = = = Vi rm + Rs  1 1 + 1 +  Rs  r  m   Se observa que la ganancia de voltaje no se invierte y es menor que 1.

• • • 2. Con los datos tomados del voltaje de Source y su resistencia calcule ID y escriba los resultados en la tabla 8-1de su hoja de respuestas. 2. Verifique la amplitud y la frecuencia con su osciloscopio. Compare 75 . Coloque el generador a 500mVpp 1 KHz.La ganancia de voltaje se determina como: Av = La resistencia de entrada es: Vo R = g m RD = D Vi rm Ri = R s La resistencia de salida es: Ro = R D Pre Laboratorio 1. Construya el circuito de la figura 8-4. Source y Compuerta. El estudiante debe conocer los aspectos básicos de los siguientes temas Modelo del transistor JFET Curvas características del transistor JFET. Figura 8-4 Circuito Amplificador Source Común Mida el voltaje DC en Drain. Aplicaciones del transistor JFET El estudiante debe revisar las especificaciones técnicas del transistor MF102 Procedimiento 1.

Construya el circuito de la figura 8-5. Figura 8-6 Circuito Configuración Gate Común 76 . Figura 8-5 Circuito Amplificador Drain Común Note que en el paso 6. calcular rm y Av. 4. Mida la ganancia de voltaje y note el desfase y escriba los datos obtenidos en la tabla 8-2 de su hoja de respuestas. 5. Cambie la resistencia de la Source de 1kΩ por una resistencia de 620Ω . pero con una alta impedancia de entrada. calcule I D y observe el voltaje de entrada y salida con el osciloscopio. 3.el voltaje de entrada y salida observando las señales en el osciloscopio. Ε xplique el cambio en la ganancia. Source y Gate. Explique ¿Por qué incrementa la ganancia? (Considerando gm) Cambie la resistencia RL de 10kΩ por una resistencia de 100kΩ. 6. la ganancia es menor a 1.25mS y escríbalos en la tabla 8-3 de su hoja de respuestas. Mida el voltaje DC en el Drain. El Drain es conectado directamente a 15V. Mida la ganancia de voltaje y note su desfase (0º ó 180º) entre la entrada y la salida de la señal. Para mejorar la ganancia el divisor debe tener una resistencia bastante alta de tal manera que el voltaje en la salida sea aproximadamente 1. debido a la transconductancia g m. Simular el circuito de la figura 9-6. Note que hay un leve incremento en la ganancia con una resistencia más pequeña. teniendo en cuenta que gm= 2. El reciproco gm (1/gm) es análogo a r'e de un transistor bipolar.

Referencias
[1] Robert Boylestad, Electronic, Circuit Theory, 1994 [2] Floyd Electronic Devices,

77

EXPERIMENTO 08

AMPLIFICADORES BASICOS CON FET
Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________ Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________

Hoja de Respuestas Tabla 8-1 Datos Amplificador Source Común
Voltaje Gate VG Voltaje de Source Voltaje Drain VD Corriente Drain ID Voltaje de entrada Voltaje de salida Ganancia de voltaje Desfase VS

Valores DC

Valores AC

Vin Vout AV

Tabla 8-2 Datos Amplificador Drain Común
Voltaje Gate VG Voltaje de Source Voltaje Drain VD Corriente Drain ID Voltaje de entrada Voltaje de salida Ganancia de voltaje Desfase VS

Valores DC

Valores AC

Vin Vout AV

78

Tabla 8-3 Datos Amplificador Gate Común
Ganancia de Voltaje rm

Valores Calculados

Cuestionario
1. Con respecto al amplificador Drain Común conteste las siguientes preguntas: a. ¿Qué ventaja tiene el amplificador Drain Común con respecto al amplificador Emisor Común?

b.

¿Qué desventaja tiene el amplificador Drain Común con respecto al amplificador Emisor Común?

2.

Al comparar los circuitos Source Común y Drain Común, escriba las diferencias que existen entre ellos y cuáles son las características que tienen en común.

3.

Con respecto al circuito de la figura 8-4 ¿Qué cambios ocurren en los parámetros DC y AC cuando C2 se encuentra abierto?

79

Conclusiones 80 .

todos los transistores son iguales. Rref + R A 81 . Iref ≈ 0 − (V EE + 0. dichos transistores tienen el mismo valor de β . el mismo tamaño y las corrientes de colector son iguales gracias a que VBE es igual en los transistores. 1kΩ (1). Potenciómetro de 10kΩ (1) Transistor Array 3046 (1) Fundamento Teórico El espejo de corriente es comúnmente utilizado para proveer corriente sobre un circuito integrado análogo porque este utiliza pocos componentes y por esto requiere de una pequeña área. Equipos Osciloscopio Fuente de Poder variable Multímetro Digital Bread-Board ó Protoboard Dispositivos Resistencias: 2kΩ (1). 470Ω (1). los cuales son utilizados como una fuente de corriente en circuitos integrados.EXPERIMENTO 9 FUENTES DE CORRIENTE Objetivos Conocer los diferentes tipos de espejos de corriente.7 ) . ignorando las corrientes de base. En el espejo de corriente que se observa en la figura 9-1. La corriente de referencia Iref es determinada por las resistencias Rref y RA conectadas en serie con el diodo del transistor QA.

Sin embargo el uso de las resistencias es preferible porque ellos proveen un feedback negativo que estabiliza la corriente. Si Iref y I1 no son diferentes. resultando que I1 ≈ Iref por igualdad de transistores.026V a temperatura ambiente). del colector del transistor de salida debe ser tan grande como sea posible. − I EA R A − V BEA + VBEB + I 1 R B = 0 Usando el diodo exponencial η ≈ 1 a relación de IE a VBE. la cual es usada cuando un corriente BIAS es necesitada. dado que: I ref VT R ln + I ref A RB I1 RB I1 ≈ Donde VT es el voltaje termal (0.3kΩ y RB= 5kΩ. Este se obtiene removiendo R A de la figura 9-1 la relación entre I1 y Iref estaría dada por: I1 = I ref VT ln RB I1 Si por ejemplo una corriente BIAS I1es igual a 20µ A es necesario que el VEE sea igual a -15V. En principio las resistencias RA Y RB pueden ser removidas.Figura 9-1 La relación entre I1 y Iref es obtenida con KVL en el lazo inferior. La referencia de corriente de 1 mA puede ser usada en otros circuitos sobre el chip. resultando: I1 R ≈ A I ref RB En este caso no es necesario que los transistores sean iguales en sus valores de β o en sus escalas de corrientes. es que un pequeño voltaje en el emisor de QB reduce VBE en una pequeña cantidad. Por otra parte la fuente Widlar con Iref = 1mA provee 20µ A con Rref = 14. La fuente de Widlar tiene una resistencia dada por: 82 . Para que un espejo de corriente se aproxime a una fuente de corriente ideal. Otra variación sobre el espejo de corriente es la fuente de Wildar. La misma estructura de referencia provee la corriente I 2 a otra etapa de un circuito con la adición de un transistor y un resistor (QC). el cual ocupa gran parte del area del chip. En la práctica una estructura de referencia es usada para dos o tres etapas en un chip. Una característica adicional de la fuente de Widlar es que la resistencia de salida de esta fuente se incrementa considerablemente. El espejo de corriente simple sin resistencia de emisor tiene una resistencia de salida r0. la cual causa un gran decremento en I1 por la relación exponencial iB-VBE del transistor. la fuente de Wilson pudiese requerir una resistencia Rref +RA de cerca de 1MΩ. el logaritmo tiende a cero y puede ser despreciado. La razón por la cual la reducción en corriente es alcanzada con un pequeña resistencia. y usando IEA ≈ Iref. Dicha resistencia de colector estará en el orden de los 100kΩ. La ecuación anterior es utilizada para este tipo de espejo de corriente llamado Fuente Wilson. la resistencia r cs.

Figura 9-2 Espejo de Wilson 2. Mida RB para cada valor de I1. R1 debe ser 83 . El estudiante debe conocer los aspectos básicos de los siguientes temas Características Básicas de las fuentes de corriente Tipos de fuentes de corriente El estudiante debe revisar las especificaciones técnicas del transistor BJT 2N3904 Procedimiento 1.I ref   β 0 ln I1  rcs ≈ r0 1 + I  β 0 + ln ref  I1         Pre Laboratorio 1. de modo que se obtengan valores de I1 mayores y menores que Iref. Seleccione transistores BJT con β idéntico. Mida Iref con un amperímetro y luego mida la corriente I!. • • 2. Escoja un valor de Rref para obtener una Iref ≈ 1mA. para diferentes valores de RB. Construya el circuito de la figura 9-2 con una resistencia RA = 2kΩ y un potenciómetro conectado como RB.

Construya el circuito 9-3 repita el procedimiento del paso anterior y complete la tabla 9-2 Figura 9-3 Espejo de Widlar Referencias [1] Robert Boylestad.suficientemente grande para obtener un voltaje fácilmente medible con el Multímetro. Electronic. Complete la tabla 9-1 3. 84 . Circuit Theory. pero no debe ser tan grande que fuerce a QB a saturación. 1994 [2] Floyd Electronic Devices.

EXPERIMENTO 9 FUENTES DE CORRIENTE Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________ Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________ Hoja de Respuestas Tabla 9-1 RB I1 Iref Tabla 9-2 RB I1 Iref Cuestionario 1. ¿Cuál es el rango de valores válidos de R1 para el funcionamiento de la fuente de corriente? 85 .

Compare los datos de I1 vs RA de los puntos 2 y 3 con los valores calculados. ¿Qué sucedería si RA o RB se hacen igual a 0? 3.2. Conclusiones 86 . ¿Bajo qué rango de I1 se puede utilizar la siguiente expresión sin error? I1 R ≈ A I ref RB .

2a se observa el diagrama en bloques el cual tiene dos entradas y dos salidas. 10kΩ (2) Transistor Q2N3904 NPN (4) Fundamento Teórico Un amplificador es un circuito electrónico que contiene dispositivos BJT y FET. ganancia diferencial. ultrasónicos. 2 kΩ (2). 2. de video y cada tipo opera en un intervalo de frecuencia prescrito. de banda ancha . En la figura 10. de radiofrecuencia (RF). También pueden proporcionar ganancia de potencia o permitir la transformación de la impedancia. ganancia de modo común y CMRR.1 podemos observar el símbolo de un amplificador Diferencial Figura 10-1 Símbolo de bloques En la figura 10. Los emisores del transistor se conectan a un resistor de emisor común de manera que los dos terminales de salida Vo1 y Vo2 sean 87 . Hay amplificadores de baja frecuencia. Equipos Osciloscopio Fuente de Poder variable Multímetro Digital Bread-Board ó Protoboard Dispositivos Resistencias: 1kΩ (1). Las entradas se aplican esencialmente a cada una de las bases de los transistores separados.EXPERIMENTO 10 AMPLIFICADORES CARGA ACTIVA Objetivos 1. DIFERENCIALES Y Conocer las especificaciones de un amplificador diferencial Medir el voltaje offset de salida. de audio. por lo general encapsulados en circuitos integrados que proporcionan ganancia de voltaje ó de corriente.

los transistores Q1 y Q2 forman un par diferencial polarizado por una fuente de corriente constante I. La salida es tomada desde el colector de Q2 a tierra. Figura 10-3. Amplificador Diferencial Básico Amplificador Diferencial con Carga Activa El amplificador Diferencial con carga activa es observado en la figura 10-3. a. aunque se entiende que los puntos opuestos de las dos alimentaciones de voltaje. Diagrama de Bloques b. Las salidas se toman desde las terminales de colector de cada transistor. El circuito de carga consiste de los transistores Q3 y Q4 conectados en una configuración espejo de corriente. Diagrama de Circuito Figura 10-2. nótese que no se indica terminal de conexión a tierra dentro del circuito. la positiva y la negativa. En el diagrama de la figura 10-2b se puede observar dos voltajes de alimentación.afectados por ambas señales de entrada o por cualquiera de ellas. El amplificador podría operar empleando una sola alimentación de voltaje. se encuentran conectadas a tierra. Amplificador Diferencial con carga activa 88 .

y compare las medidas con los valores calculados. Encuentre 2 transistores NPN que tengan las mismas características. para un amplificador diferencial. R0 = r02 ro 4 Considerando r02 = r04 = r0 la ganancia de voltaje será: Vo g r = m 0 Vd 2 Pre Laboratorio 1. Amplificador Diferencial 2. Procedimiento 1.El estudiante debe conocer los aspectos básicos de los siguientes temas • • Características Básicas Amplificador Operacional Investigue las expresiones para calcular ganancia de modo común.mientras la entrada 2 va a tierra. Calcule la ganancia y escriba los resultados en la tabla 10-1. la corriente de colector de ambos transistores será la misma. La ecuación del voltaje de salida esta dada por: v 0 = g m v d Ro La resistencia de salida R0 es el equivalente paralelo de la resistencia de salida de Q2 y la resistencia de salida de Q4. 3. modo diferencial y CMRR. 5. 89 . Calcule la ganancia de voltaje para la entrada de modo diferencial y modo de salida utilizando un valor razonable para el incremento de la resistencia rcs. Mida las corrientes y voltajes en el nodo de entrada. Completando la tabla 10-1. En este caso el circuito puede ser considerado como un amplificador emisor común de (Q1) acoplado con un amplificador base común (Q2).Debido a que la carga es una fuente de corriente constante. 4. Aplique un voltaje a la entrada 1. Construya el circuito observado en la figura 10-4. Calcule la ganancia de modo común y complete la tabla 10-1. Aplicando la misma señal a las dos entradas. Figura 10-4.

Microelectronics Circuits. Sedra . Simular el circuito de carga activa. Calcule el CMRR del circuito. 90 . Oxford press. 1996.6. Fourth edition. Referencias Horenstein Mark N. Second Edition. 1998. 7. prentice Hall.Smith. Microelectronic Circuits and Devices.

¿Qué diferencia hay entre la ganancia de modo diferencial y la ganancia de modo común? .EXPERIMENTO 10 AMPLIFICADORES CARGA ACTIVA DIFERENCIALES Y Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________ Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________ Hoja de reporte Parámetros Ganancia Diferencial Valor Calculado Valor Medido Ganancia de Modo Común CMRR Cuestionario 1. 91 . 2. Explique como se mide el CMRR.

3. ¿Cuál es la ventaja de un CMRR alto? Conclusiones 92 .

En la figura 11-2 se observa un circuito Astable que utiliza un resistor y un capacitor externo para fijar el intervalo de tiempo de la señal de salida. En la figura 11-1 se puede observar la estructura interna del temporizador 555. 2. 7. ó equivalente Resistencias: 1KΩ (3). Equipos Osciloscopio Fuente de Poder variable Multímetro Digital Bread-Board ó Protoboard Dispositivos Temporizador (CI): SE/NE -555 (2). Operación Astable: Una aplicación común del circuito integrado temporizador 555 es como multivibrador Astable o circuito de reloj.01uF(1) Fundamento Teórico El circuito integrado 555 esta formado por la combinación de comparadores lineales y un flip-flop digital.(2). Una conexión en serie de tres resistores fija las entradas del nivel de referencia para los dos comparadores en 2VCC/3 y VCC/3. Objetivos 1. el colector del transistor que normalmente va a un estado bajo para descargar un capacitor temporizador. Conocer la operación de los circuitos temporizadores en sus dos configuraciones básicas (Astable y Monoestable) Conocer la estructura interna del temporizador y de cómo se utilizan las diferentes entradas y salidas. 93 . 100Ω (1) Capacitores: 0. y la salida de estos comparadores ajusta o reajustan la unidad del Flip-Flop. Monoestable. 47uF (1).1uF (1). El circuito completo suele encontrarse dentro de un encapsulado en doble línea de ocho terminales. 0. 33KΩ (1).EXPERIMENTO 11 MULTIVIBRADOR AESTABLE Y MONOESTABLE: Generador de Onda Cuadrada.5KΩ . El circuito Flip-Flop también opera un transistor del circuito integrado. La salida del circuito Flip-Flop se lleva al exterior a través de una etapa amplificadora.

Este voltaje es el voltaje umbral en la terminal 6. El voltaje del capacitor aumenta hasta que supera 2VCC/3.El capacitor se carga hasta VCC mediante los resistores externos RA y RB. 94 . la cual excita el comparador 1 para disparar el Flip-Flop de manera que haya un estado bajo a la salida en Figura 11-1 Estructura interna del temporizador 555. Como se observa en la figura 11-3.

33V 1/3Vcc=1.Figura 11-2.67V Vc Tiempo (ms) Ta Tb Tiempo (ms) T Figura. Vc Carga Descarga 2/3Vcc=3. 11-3 Forma de onda del voltaje de salida en configuración Astable 95 . Circuito temporizador 555 como Astable la terminal 3. El voltaje del capacitor desciende entonces hasta que su valor es menor que el nivel de disparo (VCC/3). de tal forma que la salida de nuevo va al estado alto y el transistor de descarga se apaga de manera que el capacitor puede nuevamente cargarse a través de los resistores RA y RB hasta VCC. El Flip-Flop se dispara. ocasionando que a través del terminal 7 se descargue el capacitor a través del resistor RB. Además el transistor de descarga se enciende.

Durante el intervalo de carga. El transistor de carga también va a conducción.1R A C El extremo negativo de la entrada de disparo causa que el comparador 2 dispare el Flip-Flop colocando la salida de la terminal 3 en alto. El capacitor C se carga hasta VCC a través del resistor RA.44 ≈ T ( R A + 2 RB ) C El porcentaje de ciclo duty se puede hallar con las siguientes ecuaciones: %D = R1 + R2 t × 100% = 1 × 100% R1 + 2 R2 T Operación Monoestable: El temporizador 555 puede emplearse como un circuito multivibrador Monoestable.7 R B C El periodo total es: T = periodo = Talto +Tbajo La frecuencia del circuito astable se calcula empleando: f = 1 1. Cuando la señal de entrada de disparo se hace negativa. Cuando el voltaje en el capacitor alcanza el nivel del umbral de 2VCC/3. la salida permanece alta. 96 . Talto =1.Para calcular los intervalos de tiempo durante los cuales la salida es alta y baja puede hacerse empleando las siguientes relaciones: Talto ≈ 0. La figura 11-3 se observa dicha conexión. ocasionando que el capacitor permanezca en la vecindad de 0V hasta un nuevo disparo.7( R A + RB ) C Tbajo ≈ 0. dispara el Monoestable con la salida en la terminal 3 haciéndose esta alta durante el periodo. el comparador 1 dispara el Flip-Flop colocando la salida en bajo.

2. haciendo útil este CI en una amplia gama de aplicaciones. Calcule teóricamente la frecuencia de operación del circuito Astable y los tiempos de subida (Ta) y tiempo de bajada (Tb) para: RA=7. RB=7.Figura 11-3.5KΩ .01uF. incidiendo principalmente en el voltaje de polarización. RB=7.1uF y C1=0. Circuito del temporizador 555 como Monoestable En la figura 11-4 se observa la señal de disparo en la entrada y la forma de onda de salida resultante para el circuito integrado temporizador 555 operado como un monoestable. frecuencia máxima de operación y corriente máxima que puede este dispositivo suministrar. Los periodos para este circuito pueden variar de microsegundos a varios segundos. Pin2: Disparo en flanco negativo Pin3: Salida Ta=1. 97 . C=0. RA=100Ω .5KΩ .1(RA)C Figura 11-4 Forma de Onda del temporizador 555 como Monoestable Pre Laboratorio 1.01uF.5KΩ . C=0.1uF y C1=0. Lea las especificaciones técnicas del dispositivo a utilizar.

Observe en osciloscopio la señal de salida (en R4) y verifique que la frecuencia de oscilación es de 640Hz. Varíe el voltaje de polarización de 5VDC hasta 12 DVC y verifique que sucede con la frecuencia.01uF. 5. RA=33KΩ . 6. Cambie la resistencia RA por una resistencia de 100Ω . C=47F y C1=0. Procedimiento Esta prueba permitirá verificar los parámetros básicos de la configuración Astable. (Terminal 3) 7. Para tal efecto siga la secuencia de los siguientes pasos: 1.3. Observe en osciloscopio la señal de salida (en R4) y verifique el Ta y Tb. verifique que pasa con la señal de salida.5KΩ . 3. C=47F y C1=0. Determine cual es el mínimo voltaje de VDC para mantener la forma de onda correcta en la salida Figura 11-4 Diagrama esquemático de circuito a implementar en configuración Astable 98 .01uF. Construya el circuito de la siguiente Figura 12-4 teniendo en cuanta la configuración de los terminales de CI 555. Calcule teóricamente los tiempos para mantener en alto la señal de salida para Monoastable: RA=7. 4. 2. Polarice correctamente con una fuente de voltaje de 5VDC.

4. Electronic.Esta prueba permitirá verificar los parámetros básicos de la configuración Monoestable. Circuit Theory . 5. Utilice una resistencia RA = 7. 3. Varíe el voltaje de polarización de 5VDC hasta 12 DVC y verifique que sucede con los tiempos de la señal de salida (en R4) Figura 11-5 Diagrama esquemático de circuito a implementar en configuración Monoastable Referencias [1] Robert Boylestad . Para tal efecto siga la secuencia de los siguientes pasos: 1. Construya el circuito de la siguiente Figura 12-5 teniendo en cuanta la configuración de los terminales de CI 555. después de haber accionado el interruptor S. Cambie la resistencia RA = 7. Observe en Osciloscopio la señal de salida (en R4) y verifique cual es el tiempo en alto.5KΩ . Polarice correctamente con una fuente de voltaje de 5VDC.5KΩ por una resistencia de 33kΩ . 1992 99 . 2. Verifique en cuanto se incremento el tiempo que permanece en alto la señal de salida en R4.

Mac Graw Hill Book Co.. 1999. Second Editions.P. 100 . Electronics Principles. malvino.[2] A. New York.

5 k 100 RB 7.5 k C 0.5k 66k C 47uF 47uF ta (teórica) ta(medida) % error Vo . Monoestable Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________ Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________ Hoja de reporte Configuración Astable RA 7.5 k 7.1uF t (teórica) t(medida) % error f(medida) Vcc 1 2 4 6 8 10 12 Vo Configuración Monoestable RA 7.EXPERIMENTO 11 MULTIVIBRADOR AESTABLE Y MONOESTABLE: Generador de Onda Cuadrada.1uF 0.

Cuando ambas resistencias o una de ellas es cambiada que ocurre: (a) La frecuencia de salida cambia (b) El porcentaje de ciclo duty cambia (c) La frecuencia y el porcentaje duty cambian (d) Ninguna de las anteriores Conclusiones 102 .¿Es posible generar una onda cuadrada simétrica con el temporizador 555? 2.Cuestionario 1. Marcar con una x la respuesta correcta. el porcentaje del ciclo duty aprovecha: (a) 0% 3. (b) 50% (c) 99% Marcar con una x la respuesta correcta. Marcar con una x la respuesta correcta. En un circuito Astable si la resistencia RB es mucho mas grande que la RA. En un circuito Astable si la resistencia RA es mucho mas grande que la RB. el porcentaje del ciclo duty aprovecha: (b) 50% (c) 99% (a) 0% 4.

APENDICE Hojas técnicas de fabricación 103 .

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