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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

EL TRANSISTOR

RESUMEN
Es el dispositivo semiconductor, en estado sólido más ampliamente utilizado en electrónica. Es el
responsable directo del repunte tecnológico que se experimento desde la segunda mitad del siglo
pasado. Su técnica de fabricación permitió la investigación y desarrollo de la microelectrónica,
lográndose con ello muy pronto, la aparición comercial de dispositivos con alto grado de integración y
de reducidas dimensiones.

EL TBJ
Es un dispositivo de tipo activo, ampliamente utilizado en control electrónico, amplificación, y en
prácticamente toda las aplicaciones de la electrónica. Son de naturaleza bipolar (e- y h+).
n p n

- E B C +

Vbe + - Vcb
El emisor y el colector son estructuras de un mismo tipo, pero que presentan características muy
diferentes(cantidad de portadores).

Funcionamiento:

La juntura base-emisor debe encontrarse polarizada en sentido directo; en cambio la juntura colector-base
debe polarizarce en forma inversa. Cuando se cumplen simultáneamente ambas condiciones, se dice que
el TBJ se encuentra en zona activa (región donde se manifiestan las propiedades de amplificación).

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observaciones:

- La IE, será siempre mayor a la IC


- Por medio de una pequeña tensión directa en JE, se logran controlar grandes por el colector.
- IB es bastante pequeña (orden de los µA), en cambio, IE y IC son del orden de los mA.
- IE desfasa a IC en 180º

Simbología:
Colector Emisor
Base
Base
Emisor Colector
npn pnp

EL FET
Son dispositivos unipolares controlados por voltaje. La tensión entre compuerta y fuente hacen el
control.

En un FET canal N la corriente se debe a e-, en uno de canal P la corriente se debe a h+.

Ventajas

- Alta impedancia de entrada 107 - 1012 Ω


- Ideal como etapa de entrada para todo amplificador.
- mejor a estabilidad a Tº que los TBJ.
- Niveles de ruido más bajo.
- Tecnología de fabricación más sencilla

Desventajas

- Respuesta en frecuencia no muy aceptable, debido a su alta capacidad de entrada.


- No poseen buena linealidad.
- Muy sensibles a descargas electrostáticas.

TIPOS DE FET

Existen de dos tipos:

- Con Puerta aislada, denominados: MOSFET


- Con Puerta de unión, denominados: MESFET o bien, JFET

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FET

Puerta Aislada Puerta de Unión

MOSFET MESFET JFET

Enriquecimiento Empobrecimiento

Canal N Canal P Canal N Canal P Canal N Canal P

D D D D D D D
G
G G G G G G

S S S S S S S

JFET

Ecuación de Schottky

La característica gráfica, expresada de manera analítica, se conoce como ecuación de Schottky.

2
 V gs 
I d = I dss  1 - 
 V 
 p 

Donde

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Idss Corriente de saturación inversa.


VP Tensión de estrangulación del canal.

Bastará conocer Idss y Vp para que la característica quede determinada


( IDSS y Vp los provee el fabricante ) Idss= f( Tº ).

- Vp es negativa para un canal N


- Vp es positiva para un canal P

MOSFET Empobrecimiento (Canal N)

- Se utilizan en circuitos multietapas (amplificación lineal)


- Utilizan la misma relación de Schottky, su exactitud se pierde cuando Vgs es muy positiva.

- Cuando el canal es N, y Vgs < 0, entonces esta saca electrones del canal empobreciéndolo.
- Cuando Vgs=Vp entonces el canal se estrangula.

Cuando Vgs>0, aumenta el tamaño del canal, y aumenta Id.

MOSFET de Enriquecimiento (Canal N)

- En este dispositivo, no existe Idss


- Se utilizan para fabricación de circuitos integrados
- Requiere una Vgs>0,
- Cuando el canal es N, VT es positiva y Vgs>0
- Cuando el canal es P, VT es negativa y Vgs<0

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I d = K (V gs - VT ) , donde K es una constante dependiente del método de


2
Para Vgs>VT, Æ
( mA )
fabricación, su dimensión es: [ ]
(V ) 2

CONFIGURACIONES CON EL TBJ

Dado que el transistor es un dispositivo de 3 terminales, existirán tres posibilidades diferentes para
referirse al común (referencia común de los potenciales) del circuito.

Emisor Común
Ic
Ib
vc e
v be

Características gráficas:

Base Común

ie ic

vbe vcb

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Colector Común
ie
Ib
vce
vbc

AREAS O ZONAS DE TRABAJO PARA EL TRANSISTOR TBJ

Según características de salida, se definen las siguientes regiones:

RELACIONES DE CORRIENTES EN LOS TBJ

Las relaciones de corriente se obtienen del modelo de EBERS - MOLL, lo cual nos permite escribir las
siguientes relaciones:

 qVbe   qVcb 
I e = C11  e kT − 1 + C12  e kT − 1 (1)
   
 qVkTbe   qVkTcb 
I c = C 21  e − 1 + C 22  e − 1 (2)
   
es posible escribir:

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qVbe
I e C12  qVcb 
e kT −1 =
C11 C11  e
−  kT − 1

reemplazando en Ic, se logra:

C 21  C C  qVcb 
Ic = I e +  − 12 21 + C 22  e kT − 1
C11  C11  

Se define Corriente de Corte de Colector (Ico), a la IC cuando IE es nula; siendo Vcb negativamente elevada.

Si aplicamos tales condiciones tenemos:

I co = c c −c c
21 12 11 22

c 11

Reemplazando hacia arriba se logra obtener:

V
c q cb
i c = 21 i e + I CO (1 − e KT )
c11

Factor α:

Se define Ganancia estática de corriente en base común, a la razón:

dic
α =−
die
Se observa:

C 21
α =−
C11

Reemplazando, nos queda:

vcb
q
ic = −ie + I CO (1 − e kT
)

Además:

I c + I b + I e = 0, es decir I e = −( I c + I b )

I c = α (I + I b ) + I co 1 − e kT 
 qVcb

 

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(1 − α )I c = α (I b ) + I co 1 − e kT
 qVcb

 
 α  I co  qVcb

Ic =  I b + 1 − e kT 
1−α  1−α  

Factor β:

Se define Ganancia de corriente en emisor común, al siguiente factor:


dI
β= c
dI
b
evaluando este factor, según la última ecuación, se obtiene:
α
β=
1−α
por lo que podemos reescribir:

I co  qVcb

I c = βI b + 1 − e kT 
1−α  
pero:
α
β=
1-α
β
α=
1+ β

1+ β β
1−α = −
1+ β 1+ β

1
=
1+ β

1
= 1+ β
1-α
luego:

 qVcb

I c = β I b + (β + 1)I co 1 − e kT 
 

En la práctica y bajo condiciones usuales de trabajo, ocurre:

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qVcb

e kT →0

I c = β I b + (β + 1)I co

Siendo esta última relación la más satisfactoria para describir el comportamiento de las corrientes en
todo transistor de juntura.

Apoyándonos en las relaciones analíticas anteriores, podemos expresar ie, tal que:

ie = −( β + 1)( I c 0 + I b )

Finalmente debemos asegurar que en zona activa la corriente de corte de colector, es muy despreciable
respecto de βIb, entonces:

Ic = β Ib

lo cual, es bastante cómodo y útil de aplicar en la práctica de circuitos sobre la base del TBJ.

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POLARIZACION Y ESTABILIDAD

¿ Cuales son los valores más adecuados de tensión y corriente para que nuestro transistor trabaje correctamente en zona
activa ?

Existe un punto único, presente en las características de entrada y salida, denominado Punto Q o punto de trabajo.

CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN YPUNTO DE TRABAJO:

El punto Q será, el punto de operación de nuestro circuito.

Para ubicarlo debemos tener en cuenta el comportamiento estático del transistor, es decir, sin la
presencia de señales de entrada.

- Si conocemos el pto. Q, entonces podemos diseñar


- Si conocemos el Circuito, sus elementos, etc.; entonces puede determinar el punto Q.

Lógicamente el punto Q puede pertenecer a la región de Corte, Saturación o a la región Activa.

DETERMINACIÓN DEL PUNTO Q

Circuito de Polarización fija

El TBJ:

IC
IB ←
→ VCE
VBE
E N P N C
- +
+ -
B
D1 D2

E+ _C
+ B -

Análisis:

Malla de entrada. Malla de salida.

Recta de carga para malla de entrada: Recta de carga para malla de salida:

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VBB − VBE − Rb I B = 0 VCC − VCE − Rc I C = 0


 1  V   1  V 
I B = − V BE +  BB  I c = − VCE +  CC 
 Rb   Rb   Rc   Rc 

Seleccionando ya sea VCE,IC,Vbe o Iba en el punto Q, entonces puedo determinar lo restante.

La desventaja es que mientras mayor VBB entonces mayor Iba, luego el transistor se satura.

En el FET:

RD

IG RG
VDS VDD
VGS
VGG ID

La corriente IG=0 porque la unión compuerta-fuente se encuentra inversamente polarizada y además, la


Zin del FET es muy elevada.

Malla de entrada:

VGG+RGIG+VGS=0
VGS=VGG

Malla de salida:
1 V
ID = - VDS + DD
RD RD
De la ecuación de Schottky
2
 V gs 
I d = I dss 1 −  Del fabricante debemos conocer: Vp y Idss
 V 
 p 

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por lo que podemos obtener la característica de corriente como:

id=f(vgs)

Circuitos de Autopolarización

En el TBJ:

IC IC

IB → VCE I

B
VCE
VBE
VBE

Malla de entrada

VCC − VBE − Rb I B = 0
 1  V 
I B = − VBE +  CC 
 Rb   Rb 

V 
⇒ I B ≈  CC  = I BQ
 Rb 

Como estamos en zona activa, entonces:

 VCC 
β I BQ = I CQ = β  
 Rb 

luego:
VCEQ = VCC − Rc I CQ
RV  β Rc 
VCEQ = VCC − β c CC = VCC 1 − 
Rb  Rb 

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En el FET:

Un FET puede autopolarizarse, usando un resistor en la fuente, es decir:

RD

IG RG
VDS VDD
VGS
RS ID

Malla de entrada:
VGS
RG I G + VGS + RS I D = 0 ⇒ I D = -
RS
⇒ I D = f (VGS )
Malla de salida:

VDD=VDS+(RD+RS)ID
 1  V DD
I D = − V DS + Recta de Salida
 RS + R D  (R D + RS )
De la recta de salida debemos obtener directamente VDS, pues conocemos IDQ y VGSQ, es decir:

VDSQ=VDD-(RS+RD)IDQ

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Circuito de Polarización Universal

En los dos circuitos anteriores Rb debía soportar toda la corriente que circula por ella, incluso
mientras mayor es la polarización mayor será, llegando posiblemente a salirse de la zona activa. Para
evitar tal situación se propone el siguiente circuito.

IC I
←C
IB
→ VCE
VCE
VBE VBE

IC

IB
→ VCE
VBE

 R2 
Vth = Vcc   ; R th = R 1 // R2
 R1 + R2 

Malla de entrada:

Vth + R E I E − VBE − Rth I B = 0

dado que:

I E = -( I B + I C )
IC = β I B

entonces:

Vth - RE (I C + I B ) − Rth I B − VBE = 0


Vth = -[R E (β + 1) + Rth ]I B − VBE = 0

de donde:

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Vth = -[RE (β + 1) + Rth ]I BQ − V BEQ = 0


Vth - V BEQ
I BQ =
Rth + (β + 1)RE

Además:
 Vth - VBEQ 
I CQ = β  
 Rth + (β + 1)R E 

Malla de salida:

− VCE − RC I C + VCC + R E I E = 0
VCC − RE (I B + I C ) − RC I C − VCE = 0

VCC − [RE (1 + β ) + RC β ]I B − VCE = 0

reemplazando IBQ, obtenemos:

 Vth − V BEQ 
VCEQ = Vcc - [(β + 1)RE + β RC ]  
 Rth + (β + 1)R E 
Observación:

Si Rth es pequeño, entonces el punto Q es independiente del transistor ( β ), ya que:

β RC + (β + 1)RE
VCEQ ≈ VCC −
(β + 1)RE
β >> 1 ⇒
 R + RE 
VCEQ ≈ VCC −  C (Vth − V BEQ )
 RE 
es decir:
 R 
VCEQ ≈ VCC − 1 + C Vth
 RE 

En los FET:

Como elemento activo, se usará el MOSFET de empobrecimiento canal N.

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RD

IG RTH
VDS VDD
VGS
VTH RS ID

El equivalente de Thevenin es:

Malla de entrada:

VTH=VGS+RSID
1 v
ID = − v gs + GG
RS RS

 R2 
VTH = VDD  
 R1 + R 2 

Malla de salida:

VDSQ=VDD-(RS+RD)ID

Con la relación de Shottkley la recta de entrada, obtenemos el punto Q, es decir:

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ANÁLISIS DE ESTABILIDAD Y COMPENSACIÓN


Inestabilidad del Punto de Trabajo

La idea general es mantener el punto Q fijo. Ya sea por sustitución del elemento activo o
por modificación en las condiciones ambientales. Debido a lo anterior, el punto Q es crítico,
principalmente en los TBJ, por: Variaciones de la corriente de corte de colector y la Tº. En los FET,
no sé realizar este análisis, debido a las notables características de estabilidad que exhiben.

Refiriéndonos entonces al TBJ:

Al aumentar la Tº, las variaciones de la corriente Ico y β aumentan, en cambio las variaciones de Be
disminuyen. Además, se puede comprobar que:

Si T º 〉 ⇒ R >
⇒ I's 〈
∆I ∆I C
β = C =
∆I B ∆ (∆I B )
∴ β〉
I C - βI B 〈
I CO =
β +1 〈〈

Por lo tanto: IC0 >

Factores de estabilidad

Para medir la variabilidad del punto de reposo se definen los siguientes factores:

S i : Factor de estabilidad de la corriente (respecto de Ico)


S v : Factor de estabilidad del voltaje ( respecto de Be )
Sβ : Factor de estabilidad de β

El análisis se basa en representar la Ic en el punto Q como una función de las variables I co , Vbe y β
Analíticamente:

dI CQ ∆I CQ
SI = =
dI CO ∆I CO
dI CQ ∆I CQ
SV = =
dV BE ∆VBE
dI CQ ∆I CQ
Sβ = =
dβ ∆β

La variación total de la Ic en torno a Q estará dada por:

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∆I CQ = S I ∆I C 0 + SV ∆VBE + S β ∆β + ... + otros factores

Un circuito será estable cuando su factor de estabilidad sea menores, por lo cual, el punto de trabajo no
debería sufrir variaciones.

Técnicas de Compensación ante Variaciones de Tº

Sea el siguiente circuito, analizaremos la variación de la Ic bajo la influencia de la Tº ambiente.

+VCC

RC
R1

β
D

R2 RE

Condición: Que R1>>R2

RC

R1
β
D VCC

VCC
R2 RE

Se debe obtener un equivalente Thevenin visto desde el terminal base, tal que:

VTh − V BE
I BQ =
RTh + ( β + 1) RE
Vcc R2 + Vγ R1
VTh ≡
R1 + R2

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d I CQ 1 dVγ dV BE
≅ β( − )
dT RTh + ( β + 1) R E dT dT

Es decir, deben ubicarse un diodo y un transistor que cumplan lo mas fielmente dicha situación, por
ejemplo:

Transistor Diodo

Vbe V
γ

-10º 0 10º 20º 30º 2º 8º 12º 20º 28º

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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR


Supongamos lo siguiente:

+ VCC

RC

β
VBE
VBB

VBE VCE

VCEQ

VBEQ
t t

IB IC

IBQ
ICQ
t t

Supongamos que le introducimos una excitación alterna al circuito de base:

+ VCC

RC

β
VBE
VBB

Vi(t)

Donde Vi(t) es una señal variante en el tiempo y de naturaleza alterna (AC).

Observar que VBE resultara variable.

Si las variaciones de entrada son tales que Vbe aumenta, entonces Iba también aumenta, por lo tanto, Ic
también aumenta, igualmente la tensión RcIc aumenta, pero: Vce disminuye.

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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Si la variación de entrada hace disminuir el VBE, entonces ocurrirá lo contrario. Las variaciones
(de las gráficas) anteriores pueden asumirse como:

Vi(t) VCE

VCE
t

VBE IC

VBEQ
ICQ
t t

Se puede apreciar que c/u de las variables posee una componente continua y otra alterna.

Recta de Carga Alterna

Dada la existencia de diferentes componentes de señal (continua y alterna), se hace necesario definir el
circuito de carga ante variaciones de señal alterna. El elemento idóneo para actuar como separador de
tales variaciones, resulta ser el condensador electrolitico.

Sea la siguiente configuración de circuito:

+ VCC

RC
Cc

β RL
VBE

La misión del condensador es transmitir la señal amplificada, a la carga. Para tal efecto deberá ocurrir
que su reactancia a la frecuencia de señal, resulte ser pequeña respecto de la carga RL. Por lo anterior se
les denomina Condensadores de Paso. Además, el condensador deberá bloquear en todo momento a las
componentes de corriente continua (CC), debido a que en este caso su reactancia Æ +∞

1
Xc =
wC c
Si w → 0
⇒ XC → ∞

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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

De lo anterior se deduce que las componentes alternas y continuas circularan por distintos elementos
del circuito, observar la red de salida de nuestro amplificador:

En CC En AC
+VCC

RC RC
C

β β RL

Determinación de la recta de carga:

En CC:

VCC=VCEQ+RCCICQ

En AC:

Dada las variaciones en torno al punto Q; y si consideramos las variaciones de amplitud tanto de ic
como de vce, entonces:
Ic

Vce Rac V0

∆vCE = - Rac ∆ic


= − R L // RC ∆ic

vce - VCEQ = -Rac (ic - I CQ )

vce = -Rac (ic - I CQ ) + VCEQ Å Recta de carga alterna

Fijemos los extremos:

i. - Sea : vce = 0 ⇒ ic es máxima :

VCEQ = Rac (icmáx - I CQ )

ii. - I c = 0 ⇒ vcemáx = Rac I CQ + VCEQ

Observe la gráfica:

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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

ic
Recta a.c
icmax
Recta c.c

ICQ Q

VCEQ Vcemax VCC vce

Observación:

Para garantizar una amplificación lineal y de máxima excursión simétrica, debe cumplirse que:

VCEQ=RacICQ

Volviendo a la recta continua, tenemos: VCC=VCEQ+RCCICQ

Fusionando ambas ecuaciones anteriores, logramos:

VCC
I CQ =
Rac + Rcc

La que resulta ser muy útil para analizar circuitos con máxima excursión simétrica de salida.

Condensador en Emisor:

Al existir una resistencia en el terminal de emisor, no podríamos decir que dicha configuración es en
emisor común (note el caso de la red de polarización universal y otras configuraciones).

Para permitir que el emisor sea un punto del potencial nulo, se incluye un condensador electrolitico Ce,
el cual, presenta una reactancia baja frente al valor de la resistencia vista en emisor, es decir, Ce debe ser
tal que la resistencia vista desde el emisor sea nula (corto circuito), y debe ser facilitado a la frecuencia
de señal.

En general, en tanto: Ce y Cc deben ser tales que:

- En AC se comportan como corto circuito.


- En CC se comportan como circuito abierto.

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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

ANÁLISIS Y MODELOS PARA PEQUEÑA SEÑAL

Al amplificar pequeñas señales, las variaciones (tensiones y corrientes involucradas) fluctuaran dentro de
un reducido rango en torno al punto Q. Con ello, nos aseguramos de trabajar en zona lineal (no
distorsionando las salidas).

Pequeña Señal

Desde el punto de vista de los terminales el transistor equivale a una red bipuerta.

Ii
→ Transistor ← Io
Vi Vo

Toda red bipuerta se puede caracterizar por un conjunto de parámetros. Estos dependen del tipo de
variable independiente que seleccionemos, entonces:

Variable independiente Variable dependiente Parámetros


Ii,Io Vi,Vo Z (Ω)
Vi,Vo Ii,Io Y ( 1/Ω )
Ii,Vo Vi,Io H ( Ω , 1/Ω )
Vi,Io Ii,Vo G
Vo,Io Vi,Ii ABCD

Parámetros Z:

 Vi   Z 11 Z 12  I i 
  =   
VO   Z 21 Z 22  I O 

Los parámetros ( elementos de la matriz ), se miden individualmente realizando corto circuito o circuito
abierto a los terminales de la puerta de interés.

Vi = Z 11 I i + Z 12 I O
VO = Z 21 I i + Z 22 I O

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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Vi
Z 11 = I =a Impedancia de entrada : Z i
Ii o
Vi
Z 12 = I =o Impedancia de transmisión inversa : Z r
IO i
VO
Z 21 = I =a Impedancia de transmisión directa : Z f
Ii o
VO
Z 22 = I =0 Impedancia de salida : Z O
IO i

resulta:
Ii Zi Z0 I0

Vi ZrI0 ZfIi v0

Parámetros H:

Se definen:

Vi = hi I i + hrVO
I O = h f I i + hOVO

Vi
hi = Impedancia de entrada
I i Vo=0
V
hr = i I =o Ganancia de tensión inversa
VO i
I
h f = O V =0 Ganancia de corriente directa
Ii o
I
hO = O I =0 Admitancia de salida
VO i
1 1
→ Impedancia de salida → Impedancia de salida
h0 h0

resulta:
Ii hi i0

Vi h rV0 h fIi 1/h 0 V0

Parámetros Y:

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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

 I i   Y11 Y12  vi 
  =   
 I 0   Y21 Y22  v0 

 I i  Y11vi + Y12 v0
  =
 I 0  Y21vi + Y22 v0

Ii
Y11 = V =0 Admitancia de entrada = Yi
Vi o
Ii
Y12 = V =o Transconductancia inversa = Yr
VO i
I0
Y21 = V =0 Transconductancia directa = Y f
Vi o
IO
Y22 = V =0 Admitancia de salida = Y0
VO i
1
Admitancia de entrada
Yi
1
→ Admitancia de salida
Y0
Resultando la red:
Ii i0

Vi 1/ Yi Y12V0 Y21Vi 1/Y0 V0

Tipos de Configuraciones Amplificadoras en los Transistores

Debido a que el TBJ es un dispositivo controlado por corriente, resulta altamente conveniente utilizar
los parámetros h (permite describir con más detalle sus cualidades dinámicas). En cambio, en los FET y
debido a que el control es por tensión, utilizaremos los parámetros Y.

Amplificador en Emisor Común


Ic

Ib
→ v ce
vbe

Aplicando los parámetros h, tenemos:

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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Ib h ie ic

Vbe h re vce h feI b 1/h 0e vce

Donde: ib
Vbe ∆Vbe
hie = = =
V
I b ce 0 ∆I b Vce =Cte
m=1/hie
Equivale a la resistencia dinámica del Diodo JE

vbe
26 mV
hie = Válido solamente para Tº ambiente. Por lo general hie esta comprendida en el orden de
I BQ
los KΩ.

V ∆V
h = be I =0 = be
I =Cte
re V ∆V Valor de pequeña magnitud.
ce b ce b

I ∆I
h = c V =0 = c V =Cte Equivalente dinámico de β.
fe I ∆I
b ce b ce

I ∆I
h = c I =0 = c
oe V ∆V
ce b ce Es la pendiente de la curva característica de salida.
1
∴ →∞
h
oe

Luego, nuestro modelo equivalente para pequeña señal, será:

Ib h ie ic

Vbe h feIb vce

Notar la simplicidad del conjunto.

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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Aplicación
Para el siguiente circuito, determinar la ganancia de tensión (AV), la ganancia de corriente(AI), y las
impedancias de entrada y de salida (Zin, Zout).

+VCC

R1 RC
Cc

β
RL V0
Vi(t) VBE
R2 RE CE

El equivalente en AC será:

Vbe RL//Rc v0
vi(t) R1//R2

Insertar modelo híbrido, es decir:


Ii Ib h ie ic

Vi R1//R2 h feIb RL//RC V0

Vo = - h fe I b (RC //R L )
Vi
pero, I b =
hie

Vo h fe
Av = =− (Rc // RL )
Vi hie
para la corriente:

 Rc 
I O = - h fe I b
R
 c + R L 
Vi  Rc 
= − h fe  
hie  RL + Rc 

53
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Vi
= (R1 R2 )h fe
Ii
 Rc 
I O = −h fe  [R1 R2 ] hie I i
R
 c + R L 

IO  hie R 1 R2 
 Rc 
= − h fe I b   
Ii  hie  Rc + RL 

 R1 R2  Rc 
Ai = −h fe  


h
 ie + R1 R 2  Rc + R L 

Si hay ganancia de corriente y tensión entonces hay ganancia de potencia

Ii Ib h ie

Vi R1//R2

Zin

Vi
Zi = Î Z in = hie // R1 // R2
I1

Z out = Rc

RC RL

Zo ut ZTotal

Amplificador en Fuente Común:

id

ig vds
vgs

Aplicando los parámetros h, tenemos:


ig id

vgs 1/Yi Yrvds Yfvgs 1/Y0 vds

- Evaluación de los parámetros:

Como ig=0, entonces:

54
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Y11=0
Y12=0
id ∆i
Y21 = |
v gs ds
v = 0
= d |
∆v gs vds =ctte
la cual equivale a la pendiente de la curva id=f(vgs), y se denomina transconductancia directa del FET: gm. Su
rango típico de valores va de 0.1 - 10 [mA/S]

Notar que gm no permanece constante es una entidad puntual. Su valor lo podemos determinar
directamente de la ley de Shottkley, según:

∂i d
gm =
∂v gs
Entonces:
2
 V gs 
I d = I dss 1 − 
 V 
 p 

∂ Id  V gs  − 1   V gs 
= I dss 21 −   , es decir : gm = 2 I dss 1 − 
∂ V gs  V  V  Vp  V 
 p  p   p 

 V gs 
g m = g mo 1 − 
 V 
 p 
g mo = g m Vgs = 0

Id ∆I d
Y22 = Vgs = 0 = Vgs = cte
Vds ∆Vds
corresponde a la pendiente de la curva de característica de salida. Su valor reciproco corresponde a la
resistencia dinámica de dicha curva característica. En síntesis:

1
Y22 =
rd
⇒ rd → ∞

Finalmente, el modelo queda:

55
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Vgs g mvgs rd vds

El parámetro rd resulta ser siempre de una resistencia elevada, típicamente: 500[KΩ], por lo cual, el
modelo simplificado resulta ser:

Vgs g mvgs vds

Aplicación:

Determinar la ganancia de tensión:

+VDD

RD
R1 C
C
vds RL V0
vgs
Vi R2

En AC, tenemos:
Ii

+
Vi R1//R2 vgs g mvgs RD RL V0
- I0

Vo = − g mV gs RD //R L ,V gs = Vi
Vo = − g mVi RD // RL
V
Av = o = − g m RD // RL
Vi

Verificar el efecto de rd, para dicho circuito:

R1\\R2 RL Vo
Vi Vgs gmVgs rd//R

Vo = − ( rd // R D // R L ) g mV gs
= − ( rd // R D // R L ) g mVi

56
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Vo
Av = = − g m (rd // R D // RL )
Vi

Amplificador en Base Común

El siguiente circuito esta conectado en base común:

C β RC
+ VCC V0
RE RL
Vi R1

R2 C

En AC, tendremos:

RE RC RL V0
Vi

Ahora, si utilizamos los parámetros h, para interconexión en base común, se tendrá:

Ie hib ic

Veb hrbvcb hfbIe 1/h0b vcb

Primeramente tendremos que caracterizar c/u de los parámetros de esta nueva interconexión. Lo cual,
por experiencia, puede resultar altamente confuso debido a la gran cantidad de configuraciones posible.
Para evitarlo utilizaremos como denominador común en los TBJ a la configuración EC, y en los FET,
será la configuración fuente común.

Nuestro TBJ en EC, desde el punto de vista de sus terminales, será:

hie Ib Ic

hfe Ib

Ahora bien, aplicando esta metodología, el circuito amplificador en base común, será:

57
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

h feib

RE h ie RC RL V0
Vi
ib i0

VO = -h fe I b (Rc RL )
− Vi
pero, I b =
hie
VO h fe
Av = = (Rc RL )
Vi hie

 Rc 
I O =   − h fe I b
 Rc + R L 
I i = i1 − (1 + h fe )I b
I i = i − (1 + h fe )I b
V
Re
− hie I b
⇒ Ii = − (1 + h fe )I b
Re
 h fe + Re (1 + h fe )
⇒ I i = −I b  
 Re 
IO Ib
Ai =
Ib Ii

 Rc  Re 
Ai = −h fe   
 h + R (1 + h ) 
 Rc + R L  ie e fe 

Amplificador en Gate Común

C S D RD
+ VDD V0
RS G RL
Vi R1

R2 C

En AC:

58
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

S D

RS G RD RL V0
Vi

insertando el modelo y correspondiente:


g mvgs
ii

RS vgs RD RL V0
Vi +
i0

Determinar AV, Zin, Zout

v0 = − g m v gs RL // RD
v gs = −vi
Av = g m R L // RD

Z out = RD

Z in :
vi
ii + g m v gs =
RS
v
ii − g m v i = i
RS
ii 1
− gm =
vi RS

1
Z in = // RS
gm

Amplificador en Colector Común

59
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

+VCC

R1 RC
Cc

β
C
Vi(t) VBE
R2 RE V0
RL

Sin el resistor RC, la configuración recibe el nombre de seguidor de emisor.

En AC:

ii

vi(t) R1//R2
RE RL V0

io

Insertando el modelo híbrido h queda:

h feib
i b h ie

V0
vi(t) R 1//R 2 RE RL
io

Para evaluar la configuración determinaremos Av, Ai, Zin y Zout.

Av:

v0 = R L // R E (1 + h fe )ib
Para determinar ib, conviene obtener un R equivalente tal como se aprecia en la figura:

h feib
i b h ie

V0
vi(t) R 1//R 2 RE RL

Usamos una tensión y corriente de prueba que nos permita determinar la R equivalente, tal que:

60
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

VP
Req =
IP

h feib
IP

VP RE RL

i = i1 + i2 + i3
V V
i1 = P ; i2 = −hfe i; i3 = P
RE RL
entonces:

VP V
i= − hfe i + P
RE RL
 1 1  V
i (1 + hfe ) = E  +  ⇒ Req = P (1 + hfe )RE R L
 RE R L  I

ib h ie

vi(t) R 1//R 2 (1+h fe)RE //RL

finalmente, ib es:

Vi
Ib =
hie + (1 + h fe )RE RL
también sirve:
(R 1 R2)
I b = ii
(R 1 R 2 ) + h ie + (1 + h fe )(R E R L )

Reemplazando la expresión para Vo tenemos:

Vo (RE RL )(1 + h fe )
Av = =
Vi hie + (1 + h fe )(R E R L )

Determinación de Ai:

RE
I o = −(1 + h fe )I b
RE + RL

usando ii, según ib, nos da:

61
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

io RE (R 1 R 2 )
Ai = = −(1 + h fe )
ii R E + RL h ie + (R 1 R 2 ) + (1 + h fe )(R E R L )

Determinación de Zin:

h ie

vi(t) R 1//R 2 (1+h fe)RE //RL


Zi n

Simplemente observando tal circuito, se deduce que:

Z in = (R1 R 2) [hie + (1 + hfe )(R E R L )]

Determinación de Zout:

h fei
i h ie

V0
R 1//R 2 RE RL

Zo ut

h fei
i h ie IP

R 1//R 2 RE VP

Zo ut

I P = i1 + i2 + i3
VP h fe V
i1 = ; i2 = -h fe i3 = ; i3 = P
RE hie hie
V h feVP VP
IP = P + +
RE hie hie
VP  1 + h fe 
IP = + VP  
RE h
 ie 
IP 1 (1 + h fe )
= +
V P RE hie

62
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Por lo tanto:

(1 + h )fe
Z out = RE
hie

Amplificador Drenador Común

+ VDD
C
C D
G
C
Vi S
RG RS V0

En AC:

D
G

Vi S
RG RS V0

Insertando el modelo Y, tenemos:


+
Vgs g mvgs rd
Vi RG -

V0
RS

ordenando:

+Vgs -
g mvgs rd RS V0
Vi RG

Vo = (Rs rd )g mV gs
Vi = V gs + Vo

reemplazando en la anterior, nos queda:

63
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Vo = (Rs rd )g m (Vi − Vo )
V0 = (1 + Rs rd g m ) = Rs rd g mVi

tal que:
Vo Rs rd g m
= Av =
Vi 1 + Rs rd g m

Notar que si rdÆ∞, entonces:

Rs g m Rs
Av rd →∞ = =
1 + Rs g m 1
+ RS
gm
Determinación de Zin:

Fácilmente, se deduce que:

Z in = R g

Determinación de Zout:

- g mvgs rd RS V0
Vgs
+

Zout

habrá que determinar un R equivalente, tal que:


IP

- g mvgs rd //RS
Vgs VP
+

I P = I1 + I 2
VP
I 1 = − g mV gs I2 =
Rs rd
V gs = −V P
VP  1 
⇒ I P = g m VP + = VP  g m + 

R s rd  R s rd 
IP 1 1 1
= = +
VP Z out R s // rd 1
gm
1
Z out = R s // rd //
gm

64
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Notar que:

1
Z out r →∞ = Rs //
d gm

Amplificador en Fet de Refuerzo

Sea la siguiente red:


+VDD

Vds
Vgs
Vi Rg RS RL
1
Vo
RS 2

La Autopolarización se efectúa por medio de una parte de RS=RS1+RS2, ésta acción permite reflejar una
mayor impedancia de entrada, permitiendo por lo tanto, aprovechar mejor las características de alta
impedancia que exhibe todo FET y sin utilizar un valor elevado para Rg.

En A.C.

gmVgs

Vgs
Vi Rg i Rs 1 R Vo
i1
Rs 2

Vo = (Rs R L )g mV gs

− Vi + R g i + Rs2 (i1 + i ) = 0
 RL 
( )
Vi = R g + Rs2 i + Rs2 gmV gs   = 0
 Rs + R L 

- Vi + Vgs + R s1 i1 + R s 2 (i1 + i ) = 0
- Vi + Vgs + R s i1 + Rs2 i

65
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

 RL 
Vi = Vgs + R s g mV gs   + Rs2 i
 R L + Rs 

igualando ambas ecuaciones:

 RL   RL 
V gs + Rs g mV gs  ( )
 + Rs2 i = R g + Rs2 i + Rs2 g mV gs  
 RL + Rs   RL + Rs 
 RL   RL 
V gs + Rs g mV gs   + R g i + Rs2 g mV gs  
 RL + Rs   R L + Rs 
Rs2 R L
V gs + g mV gs (Rs R L ) = R g i + g mV gs
R L + Rs
− Rs2 R L
Rg i = g mV gs + (Rs R L )g mV gs + V gs
R L + Rs

Se obtiene:

g mV gs  R R 
i=  R s R L − s2 L + 1 
R g  RL + Rs g m 

luego:

Vi
Z in =
i

  1  
 R g  + (R L // Rs ) 
Z in =   gm   + Rs
 1 R R
L s2
 2

 R L // Rs + − 
 g m Rs + R L 

 (R s + R L ) 
 Rs1 RL + 
(
R g = Z in − Rs2 ) gm

 R + R + (R L + R s ) 
 L s
gm 
 

66
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

TRANSISTORES DE POTENCIA

En todo amplificador multietapa transistorizado, las ultimas etapas son de potencia. Dichos transistores
deben tener una mayor capacidad para las corrientes es decir, no serán transistores para pequeña señal.
Por lo anterior, existirá una mayor variación respecto del punto Q ( sobre todo Icq ), lo que implica:

1. Mayor variación para hie:

26 mV
En pequeña señal hie, puede presentarse en torno a:
I bq
Ahora:
∆v be v be 2 − vbe1
hie = vce = ctte =
∆i b ib2 − Ib1

2. Mayor variación para el factor β :

la práctica en potencia es trabajar con el menor valor posible dentro del rango de operación.

1
3. El parámetro hoe ya no se puede despreciar, ≈ 1k Ω
hoe

CLASES DE OPERACIÓN

Los transistores de potencia se clasifican dé acuerdo con la parte del ciclo de señal senoidal de entrada y
durante el cual circula corriente por la carga.

Clase A:

El transistor trabaja los 360º, estará en zona activa. Los circuitos para este tipo de amplificador serán los
mismos que utilizamos en pequeña señal con las diferencias obvias, que habrá señales grandes y
potencias elevadas ( mayor de 1 Watt ).

Clase AB:

La corriente circula durante más de medio ciclo, sin llegar al ciclo completo.

67
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Clase B:

La corriente circula durante un semiciclo

Generalmente para una mayor eficiencia se utilizan 2 amplificadores trabajando en clase B, uno para
cada ciclo (positivo y negativo).

Clase C:

La corriente circula durante menos de medio ciclo.

POTENCIA Y EFICIENCIA

Se define eficiencia o rendimiento al factor:

V I
P o o
η =
P
AC =
P
Po
= rms
P
rms
DC DC DC

Cálculo de Potencia y Eficiencia

Amplificadores de Potencia, Clase A:

68
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

En clase A el valor máximo de rendimiento se obtiene para mss. En tal caso:

V peak
V RMS =
2

I o peak
I oRMS =
2

PDC = Vcc I cq

V I
peak o
η= peak
V I
1

2 cc cq
I o peak = I cq

VCC
V peak =
2
V
CC

η=
2I
cq 1
2 V I
cc cq
1
=
4
η = 25%

Lo cual representa el valor máximo de eficiencia para la clase A.

Observación:

⇒ η disminuye
Vcc
Sí, Vceq ≠
2

Amplificadores de Potencia Clase B:

Considerando dos transistores, uno trabajando para cada ciclo (positivo y negativo):

69
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

+ VCC1

Vi V0

-VCC2

imax

VCC

Distorciones

Las distorsiones ocurrirán, debido a que VCC1 ≠VCC2

P =V I , pues I ≈ 0
DC cc DC cq

Ic
∴ I DC = máx
π
2Vcc I c
PDC ( total )= máx
π

I peak V peak Ic V
Po = = máx cc
2 2
luego:

70
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Ic V
máx cc
η= 2
2Vcc I c
máx
π
π
= ( 78%)
4

Es decir clase B con doble circuito, es mucho mejor. Equivale a un clase A, pero con un rendimiento
superior al 75%.

Sobre la Disipación en un Transistor de Potencia:

El factor que limita la disipación de potencia en todo transistor, es la Tº de la juntura colector. De


sobrepasar la Tº critica ( 170º-250º ) el transistor se destruye.

Con el fin de aumentar la potencia máxima disipada, se dispone de un mecanismo tipo aleta, lo cual,
permita conducir el calor en dicho mecanismo, la idea es irradiar lo más rápidamente el calor disipado
a una superficie lo más grande posible.

Los transistores para potencias muy elevadas, presentan el colector directamente conectado al chasis,
por lo tanto, el escape del calor es más rápido aún y fácil de conducir.

Eficiencia Mejorada en Clase A:

Una forma de mejorar la respuesta de eficiencia a un circuito amplificador en clase A, consiste en


utilizar un acoplamiento inductivo en el colector.

Sea el siguiente circuito:

+VCC

R1 L
Cc

β
RL V0
Vi(t) VBE
R2 RE CE

Con L→∞ y R=0


el circuito es tal que:

- En AC el inductor es circuito abierto.


- En CC, el inductor es corto circuito.

En continua:

71
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Rth

VBE VCC

Vth RE

Por ser transistor de potencia Ic es grande y Iba por lo menos 50 veces menor, luego también es posible
aproximar : IE≈ -IC

V =V −R I
cc ceq E E
=V + R I
ce E c
 1  V
I = − V + cc ; Recta de salida
c  R  ce R
 E E

Notar que debemos lograr una alta Ic, es decir, deberá ocurrir que RE sea pequeño, lográndose con
ello: Vce → VCC

ic

Vcc v ce

En AC:

∆ Vce RL

∆ iL

∆V = R ∆I
ce L L
∆Vce = − R L ∆I c
(
Vce −Vceq = − R L I c − I cq )
Para mss de salida:

72
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

si : vce = 0 ⇒ ic = 2 I cq
es decir,Vceq = RL I cq
reemplazando :
vce - Vceq = -RL (I c - I cq )
vce = 2Vceq - R L Ic

1 2Vceq
Ic = − vce +
RL RL
pero:

Vceq ≈ VCC

1 2V
Ic = − vce + cc ; Recta de Carga Alterna
RL RL

Graficando:
iC

2Vcc/RL

Vcc/RL Q

VceqVcc 2Vcc vCE

El rendimiento será:

V I
η =
2V I
p p
cc cq
V I
cc cq
=
2V I
cc cq
1
=
2

∴η = 50%

73