Universität Bremen Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente Prof. Dr.-Ing. N.

Kaminski

Otto-Hahn-Allee, NW1 28359 BREMEN Tel.: 0421-218-62661 Fax: 0421-218-4318 www.ialb.uni-bremen.de

Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I

Änderungen vorbehalten Version 2.0 Oktober 2009

Inhalt

2

Inhalt
1 2
2.1

Einführung .......................................................................................................4 Grundlagen ......................................................................................................5
Das leistungselektronische System ....................................................................................... 5

2.2 Zwischenspeicher .................................................................................................................... 6 2.2.1 Kapazitäten ............................................................................................................................ 7 2.2.2 Induktivitäten .......................................................................................................................... 7 2.2.3 Speicherfähigkeit.................................................................................................................... 8 2.2.4 Resonante Speicher .............................................................................................................. 8 2.3 Besonderheiten der Leistungselektronik .............................................................................. 9 2.3.1 Leistungssteuerung mittels Vorwiderstand ............................................................................ 9 2.3.2 Leistungssteuerung mittels Taktung .................................................................................... 10 2.3.3 Parasitäre Induktivitäten ...................................................................................................... 13 2.3.4 Leistungsteuerung bei Wechselspannung ........................................................................... 16

3

Grundschaltungen der Leistungselektronik ............................................... 21

3.1 Gleichrichter (AC → DC Converter) ...................................................................................... 21 3.1.1 Ungesteuerter Gleichrichter ................................................................................................. 21 3.1.2 Ungesteuerter Brückengleichrichter .................................................................................... 23 3.1.3 Gesteuerter Brückengleichrichter ........................................................................................ 25 3.2 Gleichstromumrichter (DC → DC Converter) ...................................................................... 25 3.2.1 Einfacher Gleichstromsteller (Zerhacker, Chopper) ............................................................ 26 3.2.2 Abwärtswandler (Step-Down or Buck Converter) ................................................................ 30 3.2.3 Einschub: Dualitätsprinzip.................................................................................................... 32 3.2.4 Aufwärtswandler (Step-Up or Boost Converter) .................................................................. 33 3.2.5 Invertierender Spannungswandler (Buck-Boost Converter) ................................................ 35 3.2.6 Invertierender Stromwandler (Ćuk-Converter)..................................................................... 37 3.2.7 Halbbrücke (Half-Bridge, Phase Leg) .................................................................................. 39 3.3 Wechselrichter (DC → AC Converter) .................................................................................. 40 3.3.1 Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle .......................................................................... 40 3.3.2 Vollbrücke (Full-Bridge) ....................................................................................................... 41 3.4 Wechselstromumrichter (AC → AC Converter) .................................................................. 41 3.5 Weiches Schalten (Soft Switching) ...................................................................................... 42 3.5.1 Nullstromschalten (ZCS) ...................................................................................................... 43 3.5.2 Nullspannungsschalten (ZVS) ............................................................................................. 45

4

Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik ........................................ 47

4.1 pin-Diode ................................................................................................................................. 48 4.1.1 Grundstruktur ....................................................................................................................... 48 4.1.2 Durchlassverhalten .............................................................................................................. 50 4.1.3 Einschaltverhalten ................................................................................................................ 57 4.1.4 Ausschaltverhalten ............................................................................................................... 58 4.1.5 Auslegung und Technologievarianten ................................................................................. 62 4.2 Schottky-Diode ....................................................................................................................... 65 4.2.1 Niedrige Sperrspannungen .................................................................................................. 66 4.2.2 Siliziumkarbid (SiC) .............................................................................................................. 67 4.3 Synchrongleichrichter ........................................................................................................... 68 4.4 Bipolartransistor..................................................................................................................... 69 4.4.1 Stromverstärkung ................................................................................................................. 71 4.4.2 Durchbruch mit offener Basis............................................................................................... 72 4.4.3 Strombegrenzung................................................................................................................. 72 4.4.4 Sättigung .............................................................................................................................. 73 4.4.5 Quasisättigung ..................................................................................................................... 74

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Inhalt

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4.5 Thyristor .................................................................................................................................. 75 4.5.1 Sperrfähigkeit ....................................................................................................................... 76 4.5.2 Zündung (Einschalten) ......................................................................................................... 77 4.5.3 Löschung (Ausschalten) ...................................................................................................... 79 4.6 GTO-Thyristor ......................................................................................................................... 80 4.6.1 Löschung (Ausschalten) ...................................................................................................... 81 4.6.2 Entlastungsnetzwerke (Snubber) ......................................................................................... 81 4.7 IGCT ......................................................................................................................................... 83 4.7.1 Kaskode ............................................................................................................................... 83 4.7.2 GCT ...................................................................................................................................... 84 4.8 MOSFET ................................................................................................................................... 85 4.8.1 Grundstruktur ....................................................................................................................... 87 4.8.2 Durchlasswiderstand ............................................................................................................ 88 4.8.3 Schaltverhalten .................................................................................................................... 92 4.8.4 Inversdiode ........................................................................................................................... 95 4.9 JFET ......................................................................................................................................... 96 4.10 IGBT ......................................................................................................................................... 97 4.10.1 Grundstruktur ................................................................................................................... 97 4.10.2 Schaltverhalten ................................................................................................................ 99 4.10.3 Plasmaverteilung ........................................................................................................... 100

5
5.1

Aspekte der Bauelementtechnologie ........................................................ 103
Halbleitertechnologie ........................................................................................................... 103

5.2 Gehäusebauformen .............................................................................................................. 104 5.2.1 Diskrete Bauform ............................................................................................................... 104 5.2.2 Modul.................................................................................................................................. 105 5.2.3 Druckkontaktgehäuse ........................................................................................................ 105 5.3 Thermische Auslegung ........................................................................................................ 106 5.3.1 Kühlung .............................................................................................................................. 106 5.3.2 Thermisches Weglaufen .................................................................................................... 109 5.3.3 Thermische Zyklen ............................................................................................................. 113

6 7

Literatur ....................................................................................................... 115 Änderungshistorie ...................................................................................... 115

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Natürlich gelten auch hier die grundlegenden Zusammenhänge wie z. Rotierende Umformer gehören also nicht dazu. Oktober 2009 . wobei weitgehend von idealen Verhältnissen ausgegangen wird. Leistung. das daraus resultierende Gefahrenpotential. die Eigenschaften der zur Verfügung stehenden Materialen und Komponenten. Statistisch gesehen fließt der Strom auf dem Weg vom Erzeuger zum Verbraucher inzwischen mindestens einmal durch ein Halbleiterbauelement. Netzkupplung Großantriebe Traktionsantriebe Industrieantriebe Servoantriebe. Einige typische Anwendungsbeispiele zeigt die nachfolgende Tabelle. Leistungselektronik findet sich heute fast überall. Zuverlässigkeitsanforderungen und nicht zuletzt auch wirtschaftliche Zwänge zu völlig anderen Randbedingungen und damit letztlich auch zu ganz eigenen Lösungen. power conditioning) mit Hilfe elektronischer Systeme. von der Waschmaschine bis zur Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ). In der Vorlesung Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I werden daher zunächst die grundsätzlichen Wirkprinzipien und -schaltungen behandelt. Im weiteren Verlauf der Vorlesung wird dann näher auf Halbleiterkomponenten eingegangen. sobald man sie außerhalb ihres normalen Arbeitsbereichs betreibt.0. Insbesondere der Leistungsteil unterscheidet sich in vielerlei Hinsicht von anderen Gebieten der Elektrotechnik. Haushalt Kfz-Elektronik. das Ohmsche Gesetz oder die Maxwellschen Gleichungen. vom Handynetzteil bis zum ICE. Version 2.B. Gleichzeitig führen aber der Umgang mit großen Strömen und/oder hohen Spannungen. Dabei unterscheiden sich die Anwendungen in ihrer Funktion und vor allem auch in ihrer Größe bzw.und Regelungsteil. Anwendung Energieübertragung. Umformung elektrischer Leistung (engl. da diese einerseits selbst Quelle zahlreicher Nichtidealitäten sind und sie andererseits sehr leicht zerstört werden.Einführung 4 1 Einführung Die Leistungselektronik umfasst alle Formen der Steuerung bzw. Bürotechnik Leistungsbereich 100 MW ̶ 1 GW > 1 MW 100 kW ̶ 10 MW 1 kW ̶ 1 MW 100 W ̶ 1 kW 1 W ̶ 100 W Leistungselektronische Systeme bestehen grundsätzlich aus einem Leistungsteil und einem Steuerungs. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.

1: Leistungselektronisches System.und dem Steuerungs. Vor allem für Traktionsantriebe wird aber aus Wirtschaftlichkeits.1 Das leistungselektronische System Das leistungselektronische System besteht aus dem Leistungs. Zwischen diesen beiden Teilen bestehen zahlreiche Verbindungen zur Signalübertragung (Schaltimpulse.und Regelungsteil (Bild 2. beim Bremsen in das Netz (Erzeuger) zurückgespeist (gestrichelte Pfeile).Grundlagen 5 2 Grundlagen 2. Dafür gibt es zwei Hauptgründe. Übergeordnete Steuerung Pe: Eingangsleistung Pa: Ausgangsleistung Pv: Verlustleistung Verbraucher Pa = Pe − Pv Steuerteil Erzeuger Pe Leistungsteil Pv Verluste Pa (2. die Leistung in beide Richtungen umzuformen. etc. die z. was Erzeuger und was Verbraucher ist.). Darüber hinaus gibt es Anwendungen wie die Netzkupplung. Der Steuerungsteil wird seinerseits von einer übergeordneten Steuerung kontrolliert. in einem Zug (Verbraucher) als kinetische Energie gespeichert ist.1) Wirkungsgr ad : η = Pa Pe (2. Dies ist besonders bei Energieübertragungssystemen und bei mobilen Systemen ein wichtiger Faktor. Version 2.1). in welche Richtung auch immer. Der eine ist die Energieeinsparung. Die Leistungselektronik muss in solchen Fällen also in der Lage sein. Wirkungsgrad Leider entstehen bei der Umformung. Im Allgemeinen wird die Eingangsleistung Pe einem Erzeuger entnommen.0. Bei der reinen Speisung ist die Ausgangsleistung daher immer kleiner als die Eingangsleistung (Gleichung 2. muss aber trotzdem erzeugt werden und verursacht so zusätzliche Kosten.2) und ist dementsprechend immer kleiner als eins. die fast komplett als thermische Verlustleistung Pv abgegeben werden. in denen gar nicht klar ist. Der Leistungsteil wird vor allem durch den Energiefluss charakterisiert. Verluste.1). Messleitungen. Der Quotient aus beiden Größen wird Wirkungsgrad η genannt (Gleichung 2. Oktober 2009 . In der Leistungselektronik ist der Wirkungsgrad einer der wichtigsten Parameter und liegt typisch oberhalb von 95%. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die Verlustleistung steht nicht mehr für den Verbraucher zur Verfügung. im Leistungsteil findet eine Umformung statt und schließlich wird die Ausgangsleistung Pa an einen Verbraucher abgegeben (schwarze Pfeile).B. Dabei wird Energie.und Umweltgründen immer häufiger eine Rückspeisefähigkeit gefordert.2) Bild 2.

Oft ist deshalb eine aufwändige Kühlung z.0. hängt von der Größe des Speichers ab. die einerseits einen großen Teil der Verluste generieren und andererseits sehr empfindlich auf Übertemperaturen reagieren.1 und 2. also immer genügend Energie vom Erzeuger nachgeliefert wird. Eingangsteil Speicher Ausgangsteil Bild 2. sondern thermisch limitiert. 2. da die Eingangs. Das ist wichtig. dass der Energiespeicher immer auf dem notwendigen Energieniveau gehalten wird.und Ausgangsschaltung die Aufgaben. Version 2.2 werden jeweils spitze Klammern als Zeichen der zeitlichen Mittelung verwendet. In solchen Fällen ist allein schon die Definition der zeitlichen Mittelung schwierig. erwärmt sich der Leistungsteil sehr stark und würde ohne Kühlung schnell überhitzen. Besonders kritisch ist dieser Effekt für die Halbleiterkomponenten.und Ausgangsleistung sind nicht zu jedem Zeitpunkt identisch. Im Allgemeinen darf die Sperrschichttemperatur der Halbleiter 125 . Möglich ist auch eine Kombination aus beiden. Die Kühlung wird so zum signifikanten Kosten.T. dem Zwischenkreis. Andererseits zeigt das Beispiel aber auch eine grundsätzliche Anforderung an den Großteil der leistungselektronischen Systeme: Eingangs.2). solange er nur lang genug ist. Wie gut die Entkopplung ist. so dass zumindest eine kurzzeitige Energiespeicherung im System selbst möglich sein muss. Im Folgenden dazu einige grundlegende Überlegungen. Der Wirkungsgrad eines Umrichters wird deshalb häufig nur in einem stationären Arbeitspunkt angegeben. Oktober 2009 Verbraucher Erzeuger .150°C nicht überschreiten.und damit Wettbewerbsfaktor.2 Zwischenspeicher Abgesehen von den sogenannten Direktumrichtern wird die Leistungsumformung heute im Allgemeinen mit Hilfe eines Energiespeichers.und Ausgangsleistung zeitlich ganz unterschiedliche Verläufe haben können. Man denke hier nur an einen Drehstromantrieb variabler Frequenz an einem starren 50 Hz-Netz. Da die Verlustleistung fast vollständig in Wärme umgesetzt wird. In den Gleichungen 2. Im zweiten Schritt entnimmt dann die Ausgangsschaltung Energie aus dem Speicher und versorgt damit den Verbraucher. Im Blockschaltbild kann ein solcher Leistungsteil also in drei Funktionsblöcke unterteilt werden (Bild 2. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Im ersten Schritt sorgt eine Eingangsschaltung dafür. Die beiden Stufen arbeiten also weitgehend unabhängig voneinander und kommunizieren im Grunde nur über den Ladungszustand des Energiespeichers miteinander. in zwei Schritten durchgeführt.2: Leistungsteil mit Zwischenspeicher In leistungselektronischen Systemen ist Energie entweder als Ladung auf Kapazitäten oder als Strom in Induktivitäten gespeichert. Auf diese Weise sind Eingang und Ausgang voneinander entkoppelt.Grundlagen 6 Der zweite Grund ist die notwendige Kühlung. Im Fall der Energierückspeisung wechseln dann Eingangs. Viele Systeme sind heute nicht mehr durch die Leistungsfähigkeit der Halbleiterkomponenten begrenzt. mit eigenem Wasserkreislauf und Kältekompressor nötig. Der Mittelungszeitraum wird dann unerheblich.

Grundlagen 2.2. Der Zusammenhang zwischen dem Strom I durch die Induktivität und der anliegenden Spannung U lautet (vergl. Das ist immer dann eine gute Näherung. wenn die Kapazität sehr groß ist. im elektrischen Feld statt. bei niedrigen Spannungen oft als Elektrolytkondensator. Die Spannung ist also die bestimmende Größe bei der Kapazität.2 Induktivitäten Die Induktivität. 2.3 ) = u ⋅ C ⋅ du ⇔ 2 W = C ⋅ ∫ u ⋅ du 0 U (2. Die Speicherung der Energie findet hier in Form von Ladung bzw.und Ausgangsseite. also keine Spannungsänderungen aufgrund zu.0. z. bzw.6) W = 1 2 ⋅C ⋅U Man erhält schließlich eine quadratische Abhängigkeit von der Spannung.4) Grafisch interpretiert ist die Ladungsänderung ΔQ also eine Strom-Zeit-Fläche. Der Zusammenhang zwischen der Ladung Q auf der Kapazität und der anliegenden Spannung U lautet: C = Q dq = U du (2. Strom-Zeit-Flächen berechnen.3a). Hier wird die Energie in Form von Strom. also bewegter Ladung. Man erinnere sich: Die Energieeinheit 1 eV ist definiert als die Energie. Der Energieinhalt W der Kapazität lässt sich durch Aufintegrieren der Energieänderungen aller infinitesimal kleinen Ladungsänderungen bzw. meist als massive. der der Kapazität im entsprechenden Zeitintervall Δt zugeflossen ist. Induktionsgesetz): u = L⋅ di dt ⇔ u ⋅ dt = L ⋅ di (2. sogar wassergekühlte Spule ausgeführt.7) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Es gilt: dw = u ⋅ i ⋅ dt = u ⋅ dq ( 2. Als Vereinfachung für die weiteren Betrachtungen wird oft angenommen.oder abfließender Ströme auftreten.5) (2.2. ist das Pendant zur Kapazität. die auftretenden Ströme tatsächlich nur geringe Spannungsänderungen hervorrufen. Oktober 2009 . Version 2. im magnetischen Feld gespeichert. sonst allgemein als Folienkondensator. die ein Elektron beim Durchlaufen einer Spannung von 1 V aufnimmt oder abgibt. ΔU = 1 1 ⋅ ΔQ = ⋅ ∫ i ⋅ dt C C Δt (2. Vor allem bei der Zwischenkreiskapazität ist das der Fall und die Näherung widerspiegelt so sehr schön die Entkopplung zwischen Eingangs. Man spricht bei Verwendung einer Kapazität als Zwischenspeicher deshalb auch von einem (Gleich-) Spannungszwischenkreis (Bild 2. Anders ausgedrückt ist eine Spannungsänderung ΔU über der Kapazität proportional zu einer Ladungsänderung ΔQ und eine Ladungsänderung ist nichts anderes als das Integral des Stroms i.1 Kapazitäten 7 Der am häufigsten verwendete Energiespeicher ist die Kapazität.T. dass sich die Kapazität wie eine Spannungsquelle verhält.3) wobei die Proportionalitätskonstante C der Kapazitätswert ist.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.3b). 2. Eine Spule hat. Oktober 2009 . da er über (Halbleiter-) Schalter realisiert werden muss. die an der Induktivität im entsprechenden Zeitintervall Δt angelegen hat.9) (2. Demgegenüber ist das Isolationsmaterial eines Kondensators fast ideal und auch ein offener (Halbleiter-) Schalter isoliert sehr gut.2. Als Vereinfachung für die weiteren Betrachtungen wird oft angenommen. Vor allem bei der Zwischenkreisinduktivität ist das gegeben und auch hier zeigt sich wieder sehr schön die Entkopplung zwischen Eingangs.4 Resonante Speicher Die beiden bisher behandelten Speicher waren DC-Speicher. Es gilt: dw = i ⋅ u ⋅ dt ( 2. (hier fehlt leider das Pendant zur Ladung!) und das ist nichts anderes als das Integral der Spannung u.8) Grafisch interpretiert ist das Integral also eine Spannungs-Zeit-Fläche. kann man sich leichter vorstellen. solange sie nicht aus supraleitendem Material gemacht ist. Eine Kombination aus diesen beiden Energiespeichern im Sinne eines DCSpeichers ist denkbar.2. wodurch die Entladezeitkonstante τ = RC sehr viel größer ist. Man spricht bei Verwendung einer Induktivität als Zwischenspeicher deshalb auch von einem (Gleich-) Stromzwischenkreis (Bild 2.7 ) = i ⋅ L ⋅ di ⇔ 1 2 W = L ⋅ ∫ i ⋅ di 0 I (2. In jedem Fall wird die Qualität von Speicherelementen über die Speicherfähigkeit bestimmt. die auftretenden Spannungen tatsächlich nur geringe Stromänderungen hervorrufen. Version 2. Nichtsdestotrotz kann als ideale Näherung angenommen werden. also Speicher in denen die Energie als Gleichgröße gespeichert ist und bei denen sich der Energieinhalt über die Zeit nur wenig ändert. dass bei offener Kapazität und bei kurzgeschlossener Induktivität kein Energieverlust auftritt.. immer einen verhältnismäßig hohen Innenwiderstand und auch der Kurzschluss ist sicher nicht ideal. nicht über die Güte im Wechselstromkreis.3 Speicherfähigkeit Häufig ist es zu Anfang schwierig. ΔI = 1 ⋅ ∫ u ⋅ dt L Δt (2.. dass sich die Induktivität wie eine Stromquelle verhält. wenn die Induktivität sehr groß ist. Einen auf einige Kilovolt geladenen Kondensator. die bei kurzgeschlossenen Klemmen ihren Strom von einigen Kiloampere über denselben Zeitraum führt. Anders ausgedrückt ist eine Stromänderung ΔI an der Induktivität proportional zu einer . also keine Stromänderungen aufgrund anliegender Spannungen auftreten. der seine Ladung bei offenen Klemmen über Stunden hält.und Ausgangsseite. 2.10) W = ⋅L ⋅I 2 Man erhält schließlich eine quadratische Abhängigkeit vom Strom. Der Strom ist also die bestimmende Größe bei der Induktivität. Der Energieinhalt W der Induktivität lässt sich durch Aufintegrieren der Energieänderungen aller infinitesimal kleinen Spannungs-Zeit-Flächen berechnen.0. als eine Spule.Grundlagen 8 wobei die Proportionalitätskonstante L der Induktivitätswert ist. sich mit dem Gedanken an induktive Speicherelemente und ihrer Idealisierung als Stromquelle vertraut zu machen. aber nicht technisch relevant. Bei solchen Spulen beträgt die Abklingzeitkonstante τ = L/R deshalb nur einige Millisekunden bis Sekunden. Das ist immer dann eine gute Näherung. Diese Diskrepanz hängt vor allem mit den üblichen Materialien zusammen.

weil dann entweder der Strom oder die Spannung gering sind.4b).Grundlagen 9 Dagegen finden sich zumindest in Nischenanwendungen Systeme mit AC-Speicher.1 Leistungssteuerung mittels Vorwiderstand Die analoge Schaltungstechnik kennt ein einfaches Mittel zur Steuerung der Leistung in einem Ohmschen Verbraucher an einer Gleichspannungsquelle: Den veränderbaren Vorwiderstand. Version 2. Sei es in Form des guten alten Schiebewiderstands (Bild 2. die eine Kombination von Kapazität und Induktivität in Parallel. Tatsächlich wird genau dieses Prinzip z.4a) oder als Transistor (Bild 2. Bild 2. bei Audioverstärkern im A-Betrieb genutzt.5 deutlich: 1) Fast im gesamten Aussteuerbereich tritt am Vorwiderstand sehr große Verlustleistung auf.oder Serienschwingkreisanordnung besitzen. der variable Widerstand zwischen Gleichspannungsquelle und Verbraucher vermag die im Verbraucher umgesetzte Leistung zu kontrollieren. b) Transistor Die Problematik dieses Vorgehens wird an Bild 2. a) b) c) d) Bild 2. RL RL U0 RV a) U0 b) Bild 2.0.3: Zwischenkreisspeicher a) kapazitiv.4: Leistungssteuerung mit einem variablen Vorwiderstand. b) induktiv.3 Besonderheiten der Leistungselektronik 2. d) serien-resonant 2. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Für die Leistungselektronik kommt diese Art der Steuerung deshalb nicht in Frage! Und auch in der Audiotechnik findet man den A-Betrieb aufgrund seines schlechten Wirkungsgrads von deutlich unter 50% kaum in Endstufenverstärkern (dort verwendet man eher den AB.oder B-Betrieb).B.5 macht aber auch noch zwei andere Punkte deutlich: 1) In den mit „AUS“ und „EIN“ bezeichneten Arbeitspunkten ist die Verlustleistung im Vorwiderstand gering. a) „Schiebewiderstand“.3 zeigt eine Übersicht der verschiedenen Zwischenkreise.3. Bild 2. c) parallel-resonant. Oktober 2009 . 2) Der Wirkungsgrad des Systems ist überhaupt nur in der rechten Hälfte der Grafik größer als 50% (PRL > PRV).

Oktober 2009 . duty cycle) von EIN-Dauer te zur Gesamtdauer eines Zyklus´ tp = te + ta jede mittlere Leistung ‹pRL› einstellen. Es gilt: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.Grundlagen 10 2) Der Wirkungsgrad des Systems ist umso besser je weiter man nach rechts kommt.7).5: Leistungsaufteilung bei Steuerung mit variablem Vorwiderstand IC = IRL U0 RL „EIN“ Lastgerade für RL „AUS“ UCE U0 Bild 2. Version 2. Anders ausgedrückt sind nur die beiden Zustände „EIN“ und „AUS“ erlaubt. 2 U0 RL p η < 50% η > 50% pR pR „AUS“ 0 0 RV →∞ R V = RL V L „EIN“ I U0 RL RV = 0 Bild 2. die Forderung nach kontinuierlicher Steuerung fallen zu lassen und sich unter Verwendung der EIN. Auf diese Weise lässt sich über das so genannte Tastverhältnis (engl.6 für den Fall eines Transistors als Vorwiderstand). Man spricht dann von Taktung. Alle anderen Arbeitspunkte dürfen nur kurzzeitige Zwischenzustände sein. Leider lässt sich das mit Halbleiterschaltern nicht erreichen (siehe Bild 2. hat man nur noch die Möglichkeit.und AUS-Zustände auf die Steuerung der mittleren Leistung ‹pRL› zu beschränken.3. Während der EIN-Phasen wird jeweils die maximale Leistung U0²/RL am Lastwiderstand RL umgesetzt und während der AUS-Phasen gar keine Leistung (Bild 2.2 Leistungssteuerung mittels Taktung Um dennoch eine Leistungssteuerung zu realisieren.6: Arbeitspunkte bei einem Transistor als Vorwiderstand 2.0. Bei RV = 0 wäre der Wirkungsgrad sogar 100%.

11) RL pRL U RL 2 0 tp ta te t U0 Bild 2.und Verlustleistung Die zeitlichen Verläufe der Ausgangsleistung (Leistung an RL) und der Verlustleistung (Leistung am Halbleiterschalter) zeigt Bild 2.8. pRL t Schaltzeit pV Ausschaltverluste Einschaltverluste t Durchlassverluste Sperrverluste Bild 2. Diese sind für das Ein. 3) Die Schalter sind nicht unendlich schnell.2.0. sind Halbleiterschalter keine idealen Schalter. 2) Der ideale AUS-Zustand. Oktober 2009 .3. Version 2.8: Verläufe von Ausgangs.und Ausschalten meistens deutlich verschieden. Im gesperrten Zustand fließt ein Leckstrom und damit entstehen (vergleichsweise geringe und oft vernachlässigte) Sperrverluste.7: Getakteter Betrieb 2. Die Durchlassspannung des Schalters ist nicht null und daher entstehen Durchlassverluste.6 für den EIN-Zustand bereits gezeigt. also RL = 0.1 Leistungsverluste im getakteten Betrieb Wie in Bild 2. wird nicht erreicht. wird nicht erreicht. also RL → ∞. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Sie durchlaufen die mit hohen Verlusten behafteten Zwischenzustände in endlicher Zeit (Schaltzeit). Es sind folgende Nichtidealitäten zu berücksichtigen: 1) Der ideale EIN-Zustand.Grundlagen 2 U0 t = ⋅ e RL t e + t a 11 p RL (2. so dass Schaltverluste entstehen.

Für einfache thermische Lasten ist es meistens eine ausreichende Näherung. Dass das nicht funktioniert. muss die Einschaltdauer deutlich kleiner sein als die thermische Zeitkonstante (te « τ). Man behilft sich deshalb häufig mit einem Widerstand. Oktober 2009 . die bei voller Heizleistung möglich ist. Die Einschaltdauer te ist demnach viel grösser als die thermische Zeitkonstante τ der Herdplatte. Im Extremfall würde man überhaupt nur einmal schalten. entspricht aber wie gerade gezeigt nicht der Realität des Halbleiterschalters. 2) Je kürzer die Schaltzeiten sind. mit SPICE fast immer mit großen numerischen Problemen oder sogar dem Divergieren der Lösung verbunden. 3) Die Durchlassverluste sind zwar in erster Näherung von der Schaltfrequenz unabhängig. desto niedriger sind auch die Schaltverluste. also je schneller die verlustbehafteten Zustände durchlaufen werden. also je niedriger die Schaltfrequenz fs = 1/tp ist. die deutlich zu lang sind. Version 2. eine exponentielle Annäherung an die stationäre Temperatur anzunehmen. 4) Auch die Sperrverluste sind in erster Näherung von der Schaltfrequenz unabhängig. Darüber hinaus hat der ideale Schalter noch die unangenehme Eigenschaft. Im Allgemeinen sind die Sperrverluste gegenüber den anderen Verlusten sogar vernachlässigbar.12) Das gleiche gilt analog natürlich auch für die Ausschaltdauer. Das ist für das grundlegende Verständnis vorteilhaft. wie häufig geschaltet werden muss.0. Als Beispiel sei die Herdplatte betrachtet. so dass für den Temperaturhub während eines Einschaltpulses gilt: ΔT ≈ te τ für t e << τ (2. Neue Zweige entstehen in der Schaltung oder alte fallen weg.9 oben zeigt Pulse. Sie verhalten sich wie ein einfaches RC-Glied mit der Zeitkonstante τ. desto geringer sind die Schaltverluste. die durchschnittlichen Verluste im (Halbleiter-) Schalter zu beeinflussen: 1) Je seltener geschaltet wird. In diesem Fall (Bild 2. also bei einer Gesamtbetriebszeit von z. 2. Es hängt dabei vom zu steuernden Verbraucher ab. Das Bild 2. und andererseits wieder ganz abkühlt. ist sofort einleuchtend. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.Grundlagen 12 Hinweis: Hier beim Takten und später bei anderen Schaltungen wird zur Erklärung immer wieder der ideale Schalter herangezogen. im Schaltmoment die Topologie der Schaltung zu verändern. sind dafür aber direkt proportional zu eins minus Tastverhältnis. Tatsächlich entspricht das ja ohnehin eher der Realität. Die Steigung dieser Tangente ist 1/τ.2. Damit der Temperaturhub klein wird. Das ist für die Schaltungssimulation z. dafür sind sie aber direkt proportional zum Tastverhältnis.2 Trägheit des Verbrauchers Unter dem Gesichtspunkt der Verluste wären also gemäß Punkt 1) der vorangegangenen Aufzählung niedrige Schaltfrequenzen vorteilhaft. da sich das System bis auf die Temperatur aufheizt. Gemäß der vorangegangenen Aufzählung gibt es offenbar verschiedene Möglichkeiten. wobei für das Abkühlen dann eine andere Zeitkonstante gelten könnte. 10 min die ersten 5 min auf EIN und den Rest auf AUS.B. der sich in endlicher Zeit von einem sehr kleinen auf einen sehr großen Wert ändert.B.3.9 unten) kann man die Exponentialfunktion dann durch ihre Tangente im Nullpunkt annähern. Dafür spielen sie bei der Stabilität von Halbleiterbauelementen eine wichtige Rolle.

sind es in der Leistungselektronik vor allem die parasitären Induktivitäten oder „Streuinduktivitäten“. Tatsächlich geht der Trend bei Leistungshalbleiterbauelementen hin zu immer höheren Schaltgeschwindigkeiten bzw.0. durch die Trägheit des Auges. Es wird aber nur die mittlere Leistung gesteuert. also erst beim „Endverbraucher“. 2.3. wie z. Version 2. Andererseits erhöht eine hohe Schaltfrequenz die Verluste und ist daher zu vermeiden. um eine gute Mittelung bzw. immer kürzeren Schaltzeiten.B. also (Halbleiter-) Schalter zu überlasten. sondern das „Drumherum“. Jede kleinste Leitungsschlaufe ergibt eine zusätzliche Induktivität. Generell muss die Pulsdauer viel kürzer sein als die entsprechende Zeitkonstante. wobei der Verbraucher die Mittelung durchführt. T T e p t −τ t p.9: Temperatur. wenn die Schaltgeschwindigkeit erhöht wird. ohne dabei den „Vorwiderstand“. Während in der Mikroelektronik die Leitungswiderstände und -kapazitäten die Schaltgeschwindigkeit begrenzen. Oktober 2009 . die dabei eine Rolle spielen. dass mit Hilfe der Taktung eine Leistungssteuerung möglich ist. bei einer LED.und Leistungsverläufe bei unterschiedlichen Pulslängen Zusammenfassend kann also festgestellt werden. können sehr unterschiedlich sein.10 links) und die Konstruktion der einzelnen Komponenten. T ∆T Pmax t Bild 2. aber mit den immer größer werdenden Stromänderungsgeschwindigkeiten doch erhebliche Spannungsabfälle verursacht.Grundlagen 13 p. Die Zeitkonstanten.3 Parasitäre Induktivitäten Im vorangegangenen Abschnitt wurde gezeigt. Dies kann wie bei der Herdplatte mit Hilfe der thermischen Trägheit passieren oder. Eine induktivitätsarme Aufbautechnik ist daher eine wichtige Voraussetzung für die moderne Leistungselektronik. die zwar an sich klein ist. dass sich die Schaltverluste verringern lassen. Leider sind inzwischen aber oft gar nicht mehr die Halbleiterschalter das begrenzende Element. eine kleine Fluktuation am Ausgang zu erzielen. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Entscheidend dafür sind die Leitungsführung (Bild 2.

11 links). also seinen niedrigsten Widerstand angenommen hat. Zusammen mit Stromänderungsgeschwindigkeiten. Ein konstantes di/dt ist dann nicht mehr möglich (siehe im Bild 2.Grundlagen 14 RL Lσ Lσ RL U0 Bild 2. Die Überspannungen sind also möglichst klein zu halten.11 zeigt den Stromspannungsverlauf beim Schalten (Schaltortskurve) einer Ohmschen Last mit Streuinduktivität. Es besteht also die Gefahr.0. Version 2. Außerdem können solche Überspannungen und ihre schnellen Änderungen auch Schwingungen anregen und so EMV-Probleme verursachen. IC = IRL iC = iRL U0 RL di dt Uσ = Lσ ⋅ di dt aus „EIN“ aus t „AUS“ U0 UCE Bild 2. also URL i → 0) über dem Schalter zusätzlich zur Quellenspannung U0 noch die in der Streuinduktivität induzierte Spannung Uσ. bei dem die effektive Streuinduktivität Lσ bei etwa 50 nH liegt. um sowohl den Ohmschen Spannungsabfall über der Last als auch den Spannungsabfall über der Streuinduktivität bei konstantem di/dt zu bedienen. Beim Ausschalten wird die Stromsteilheit di/dt allein vom Widerstandsverlauf des Schalters vorgegeben (in diesem Beispiel die etwas künstliche Situation eines konstanten di/dt). dass der Schalter durch diese Überspannung beschädigt („Öffnungsfunke“) oder sogar zerstört wird.11: Ortskurve einer Ohmschen Last RL mit Streuinduktivität Lσ Offenbar liegt am Ende des Ausschaltvorgangs (i → 0. begrenzt die Streuinduktivität den weiteren Stromanstieg. Oktober 2009 . die heute schon bis in die Größenordnung von 10 kA/µs reichen. weil die Zeitkonstante der Streuinduktivität τ = Lσ/RL stets sehr klein ist im Vergleich zur Dauer der Schaltflanke. Sobald also der Schalter ganz eingeschaltet ist. Beim Einschalten dagegen reicht die Spannung U0 der Quelle nicht mehr aus. Dabei sind folgende Fakten wichtig: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.10: Streuinduktivität Lσ physisch und als konzentriertes Element in der Schaltung Als Beispiel sei ein typischer Traktionsumrichter betrachtet. die von der Schaltgeschwindigkeit abhängt und erheblich sein kann (siehe Beispiel oben). können sich an dieser Induktivität Spannungsabfälle von U = Lσ·di/dt ≈ 500 V ergeben! Bild 2.

3. begrenzt die Z-Diode (oder ein Varistor) die Überspannung auf einen unkritischen Wert (Bild 2. Die Streuinduktivität wird quasi kurzgeschlossen und ihre Energie im Widerstand und der Diode umgesetzt. die in der Streuinduktivität gespeichert ist und abgebaut werden muss. RL Lσ RL Lσ DF U0 a) U0 b) Bild 2. also die Verwendung flacherer Schaltflanken (di/dt). Leider erhöht das die Schaltverluste signifikant und ist daher meist nicht möglich. 2.3. a) Freilaufdiode über der Streuinduktivität.13) Wσ = 2 ⋅ Lσ ⋅ I 2 2) Die Spannungszeitfläche ist ebenfalls unabhängig von der Schaltgeschwindigkeit und gegeben durch: I ⋅ L = ∫ u ⋅ dt (2. Zudem fallen die Verluste im ohnehin stark belasteten Schalter an. Die Streuinduktivität zwischen Quelle und Schalter wirkt weiterhin voll auf den Schalter. Oktober 2009 . Neben dem Schalterzweig steht dem Strom alternativ noch ein Freilaufzweig zur Verfügung.14) t aus Nachfolgend nun einige Gegenmaßnahmen zur Reduktion der Überspannung am Schalter bzw.3 Spannungsbegrenzer über dem Schalter Während die Freilaufdiode die Entstehung der Überspannung vermeidet.12b).1 Langsam Schalten Die einfachste Lösung ist das langsamere Schalten.Grundlagen 15 1) Die Überspannung kann zwar je nach Schaltgeschwindigkeit sehr groß werden.3. Sobald die Gesamtspannung (U0 plus Uσ) über dem Schalter die Durchbruchspannung der Z-Diode erreicht hat. Beim Öffnen des Schalters kommutiert der Strom nun in diesen Freilaufzweig und klingt dann aufgrund des Widerstands im Kreis ab. Version 2. 2.3. Es gilt: 1 (2.3. wobei die Größe der Streuinduktivität als gegeben angenommen wird. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die Energie der Streuinduktivität wird so in der Z-Diode umgesetzt.2 Freilaufdiode über der Streuinduktivität Eine weitere Möglichkeit ist die Verwendung einer Freilaufdiode DF (Bild 2. 2.3. aber die Energie Wσ. der von der Quelle aus gesehen jenseits des Schalters liegt. Leider kann die Freilaufdiode nur denjenigen Teil der Streuinduktivität entschärfen.12a).12: Maßnahmen zur Verringerung des Einflusses der Streuinduktivität. ist immer gleich.0. zur Minimierung der Folgen. b) Z-Diode über dem Schalter. lässt die Z-Diode Strom durch.

Auch wenn der Schalter nicht ideal. RL Lσ RL Lσ U0 a) U0 b) Bild 2.oder Asynchronmaschinen. Zwar lassen sich die eben genannten Nachteile nicht völlig vermeiden. würde in jedem Fall die gesamte Energie der Kapazität (½·C·U0²) im Schalter umgesetzt. brauchen also ebenfalls Wechselspannung. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. und ein Großteil der Verbraucher sind Synchron. Es gibt deshalb zahlreiche Varianten dieser Schaltung. Vorteilhaft ist auch. aber sie lassen sich auf ein technisch sinnvolles Maß reduzieren. Beim Ausschalten wird die Kapazität über die Diode aufgeladen und reduziert die Überspannung. Dennoch geht auch hier bei jedem Schaltvorgang mindestens die Energie ½·C·U0² verloren.13b gezeigt. Zum einen ergibt sich zusammen mit der Streuinduktivität ein Serienschwingkreis und zum anderen würde beim Wiedereinschalten ein unendlich hoher Strom über den Schalter fließen (idealer Kurzschluss der Kapazität). Außerdem sind ein Großteil der Erzeuger rotierende Generatoren. ist eine Kapazität parallel zum Schalter (Bild 2. da sich sonst die Kapazität immer weiter auflädt und schließlich wirkungslos wird!). Die Kapazität wird nun nicht mehr direkt über den Schalter gelegt. RCD-snubber). b) RCD-Beschaltung. so dass die RCD-Beschaltung weit verbreitet ist. Solche Schaltungen sind aber häufig sehr viel aufwändiger und damit teurer.3. Die Entladung der Kapazität ist nur über den Widerstand möglich. da sie einige unakzeptable Nachteile besitzt.13a). zumindest einen Teil der Energie zurück zu speisen. Leider ist diese Variante nur theoretisch möglich. erzeugen also Wechselspannung. dass sie mit Transformatoren leicht auf jedes gewünschte Spannungsniveau transformiert werden kann (Leistungsübertragung mit Hochspannung). Version 2. sondern über eine Diode bzw. Darüber hinaus eröffnen sich mit Wechselspannung andere Formen der Leistungssteuerung. Die Wechselspannung hat den großen Vorteil. Die Diode verhindert dann aber das sofortige Zurückschwingen.4 RCD-Beschaltung des Schalters 16 Eine andere Möglichkeit. mit deren Hilfe man versucht.0. Die dazu notwenige RCD-Beschaltung des Schalters ist in Bild 2. so wie bei der einfachen Kapazität.Grundlagen 2. die Überspannung zu begrenzen. 2. wodurch einerseits das Zurückschwingen bei geöffnetem Schalter sehr stark gedämpft wird und andererseits das Entladen bei geschlossenem Schalter langsam abläuft (Wichtig: Die RC-Zeitkonstante muss klein gegenüber der Pulslänge sein. a) Einfacher Kondensator. engl. Die Energie der Streuinduktivität wird dann beim Öffnen des Schalters in die Kapazität übertragen und die Überspannung bleibt klein. Oktober 2009 .3. dass die überschüssige Energie zum größten Teil im Widerstand und nicht im Schalter umgesetzt wird. also das Oszillieren.3.13: Kapazitive Beschaltung des Schalters. einen Widerstand (daher die Bezeichnung RCD.4 Leistungsteuerung bei Wechselspannung Wechselspannung hat für die Leistungselektronik eine besondere Bedeutung und ist spätestens seit dem legendären „Stromkrieg“ zwischen Westinghouse (Wechselspannung) und Edison (Gleichspannung) die bestimmende Stromform für die Energietechnik. also widerstandsbehaftet wäre.

Es ist ein komplexer Spannungsteiler aus der Last RL und einer Induktivität. Version 2. a) Einfache Induktivität.3.14: Komplexer Spannungsteiler zum Heruntertransformieren.15) U RL = U 0 ⋅ = U0 ⋅ 2 R L + jωL R L + ω 2 L2 Diese einfache Schaltung hat den Nachteil.14a. Dabei ist allerding zu berücksichtigen. Bis zur Einführung der Leistungselektronik in den 1980er Jahren wurde der Stelltransformator für den Antrieb von Elektrolokomotiven verwendet.4. weil ein Schleifer an der Sekundärwicklung des Stelltransformators (eventuell per Motor) mechanisch verstellt werden muss.1 Stelltransformator 17 Neben der starren Umsetzung von einem Spannungsniveau auf ein anderes mittels Transformator kann die Umsetzung auch variabel mit einem Stelltransformator (fälschlich auch Regeltransformator) erfolgen. dass sich eine große (induktive) Phasenverschiebung zwischen Quellenstrom und -spannung ergibt. soll hier aber der Vollständigkeit halber erwähnt sein. Dazu muss die Kapazität so dimensioniert werden.2 Resonanztransformation Die Resonanztransformation hat für die Leistungselektronik zwar keine Bedeutung. Die einfachste Variante zeigt Bild 2. Durch Parallelschalten einer Kapazität.0. Auf Grund der variablen Ausgangsspannungen ergeben sich dann je nach Last auch unterschiedliche Ausgangsleistungen.3.14b). Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Eine Variante des Stelltransformators ist der Sparstelltransformator mit nur einer Wicklung. wobei außer der Last keine Wirkwiderstände verwendet werden. also zusätzlichen kapazitiven Strom.14b ist im Grunde nichts anderes als die Blindstromkompensation bei einer Ohmsch-induktiven Last. Die grundlegende Idee ist die eines komplexen Spannungsteilers. also ohne galvanische Trennung von Eingangs. also auch keine zusätzliche Wirkleistung umgesetzt wird. dass der Imaginärteil der Gesamtimpedanz verschwindet: ⎧ L 1 ⎫ Im⎨(R L + jωL ) ⎬=0 ⇒ C = 2 jωC ⎭ R L + ω 2 L2 ⎩ (2. 2.16) C RL L RL U0 ~ a) L U0 ~ b) Bild 2. Durch Zuschalten von Kapazitäten wird die Phasenverschiebung minimiert. b) Mit Kompensation durch eine Kapazität.4. Oktober 2009 .und Ausgangsspannung. Die Schaltung nach Bild 2. dass die Steuerung der Leistung nur sehr langsam erfolgen kann. lässt sich das kompensieren (Bild 2. Der Betrag der an der Last wirksamen Spannung URL ergibt sich aus der Quellenspannung U0 und dem Betrag des Teilungsverhältnisses: RL RL (2.Grundlagen 2.

Das ist bei Wechselspannung anders.3.und Spannungsverläufe der Sinusform folgen.B. die nicht starr an das 50 Hz-Verbundnetz gekoppelt sind. die Steuerung also quantisiert ist.3 Schwingungspaketsteuerung Bei der Steuerung von Gleichstrom durch Taktung gab es keine ausgezeichneten Schaltzeitpunkte. Für die Schwingungspaketsteuerung wählt man nun genau den Spannungsnulldurchgang. ergeben sich dadurch einzelne Schwingungspakete.16 rechts zeigt. Zu jedem Zeitpunkt war die Spannung gleich.4. Die Quantisierung wird außerdem immer unwichtiger. thermischen Systeme. Version 2. Außerdem ist die Spannung an der Last immer kleiner als die Quellenspannung. treten im Schalter kaum Schaltverluste auf. also z. Gerade das ist aber eine interessante Tendenz.15: Komplexer Spannungsteiler zum Hochtransformieren 2. Richtig interessant wird dieses Vorgehen aber erst bei Mittelfrequenz. Wie Bild 2. weil die kleinen Schaltverluste und geringen EMVProbleme der Schwingungspaketsteuerung gerade höhere Netzfrequenzen zulassen. Höhere Netzfrequenzen würden dann zu erheblich kleineren Transformatoren und anderen passiven Komponenten im System führen und so beträchtliche Einsparungen an Volumen. je höher die Netzfrequenz ist. werden deshalb schon heute bei höheren Frequenzen betrieben (z.15 gezeigten Schaltung aber ändern. aber auch der Spannungsnulldurchgang. Je nach Zeitpunkt des Schaltvorgangs wird eine andere Spannung an die Last geschaltet. 400 Hz). Gewicht und Kosten bringen. Demgegenüber steht die Einschränkung. es gibt also keine EMV-Probleme.B. 2) Wegen der geringen Stromänderungsgeschwindigkeit (di/dt) spielen Streuinduktivitäten kaum eine Rolle. z. die jeweils von Nulldurchgang zu Nulldurchgang reichen und dazwischen der Wechselspannung folgen. Diese Art der Steuerung hat einige Vorteile: 1) Da jeweils im Nulldurchgang geschaltet wird.B.Grundlagen 18 Bei beiden Schaltungen ist das Teilungsverhältnis offenbar frequenzabhängig und bei gegebenen Komponenten ansonsten konstant. Das spielt bei langsamen Systemen wie Öfen aber ohnehin keine Rolle und viele der (überwiegend) Ohmschen Verbraucher sind solche langsamen. treten kaum Oberwellen (→Frequenzspektrum) auf. C RL U0 ~ L Bild 2. Zumindest der letzte Punkt ließe sich mit der in Bild 2. Durch Ausnutzung der Resonanz des mit der Last bedämpften LC-Serienschwingkeises können sich auch Spannungen größer als die Quellenspannung erzielen lassen. Oktober 2009 . Die Schalterverluste bestehen also fast ausschließlich aus Durchlassverlusten. 3) Da die Strom. Das kann im Extremfall die positive oder negative Spitzenspannung sein. dass die Schwingungspakete immer nur ganzzahlige Vielfache der halben Periode lang sein können.0. 20 kHz. Gegenüber der Taktung bei Gleichspannung ist hier noch ein wichtiger Unterschied zu berücksichtigen: Der Strom muss in beide Richtungen fließen können und am geöffneten Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Inselnetze. Bordnetze in Fahrzeugen oder Schiffen.

also ta + te « τSystem nicht erfüllt ist (Beispiel: Glühbirne am 50 Hz-Netz). Ein einfacher Transistor ist deshalb nicht geeignet. in denen die Vorteile der Schwingungspaketsteuerung nicht genutzt werden können. die jeweils am Anfang einer Halbwelle gezündet werden und beim nächsten Nulldurchgang von alleine verlöschen. schnelleren Lösung. wird der letzte Teil der Halbwelle blockiert. Oktober 2009 . RL i ˆ U0 u. spricht man von einer Phasenanschnittsteuerung.0. Man verlegt hier die Steuerung in jede einzelne Halbwelle. bedürfen einer anderen. RL i i ˆ U0 RL te ta U0 ~ t Bild 2.4 Phasenanschnittsteuerung Fälle. wird üblicherweise durch den Steuerwinkel α angegeben. in dem man jeweils nur einen Teil der Halbwelle passieren lässt. die bei einer Steuerung an 50 Hz alle im hörbaren Bereich liegen (→Frequenzspektrum). 3) Es treten Einschaltverlust auf.3. weil das System nicht träge genug ist. Wird der erste Teil der Halbwelle blockiert (Bild 2. wobei α Werte von null (kein Anschnitt) bis π (komplett blockiert) annehmen kann.4. von Phasenabschnittsteuerung. Dafür hat die Phasenanschnittsteuerung einige gravierende Nachteile: 1) Es treten starke Oberwellen auf. Je nach Bedarf zündet man dann erneut oder das Schwingungspaket ist zu Ende. Durch die Steuerung jeder einzelnen Halbwelle erzeugt die Phasenanschnittsteuerung sehr kleine Schwankungen in der Leistung am Verbraucher und lässt sich mit verhältnismäßig wenig Aufwand realisieren (Dimmer für Glühlampen).Grundlagen 19 Schalter kann in beide Richtungen Spannung anliegen. i u0 i t α U0 ~ ˆ U0 RL Bild 2. Vielmehr setzt man selbstlöschende Schalter wie Thyristoren oder für kleinere Leistungen auch TRIACs ein. Version 2.16: Schwingungspaketsteuerung 2.17). 2) Die Grundwelle des Stroms zeigt je nach Steuerwinkel Phasenverschiebung gegenüber der Quellenspannung. wobei diese Variante fast nur für die Steuerung von Kapazitäten genutzt wird und hier nicht weiter betrachtet werden soll. da der Strom sofort auf u(t)/RL springt.17: Phasenanschnittsteuerung bei rein Ohmscher Last Wie viel von einer Halbwelle blockiert wird. eine erhebliche Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.

hat die Quelle bereits eine erhebliche Spannung (mit umgekehrtem Vorzeichen) und die Spannung am Schalter springt auf diesen Wert. i u0 i α ∆u t U0 ~ ˆ U0 RL Bild 2.0.18).Grundlagen 20 RL LL i ˆ U0 u. Auf der anderen Seite fließt der Strom aber über den Nulldurchgang der Spannung weiter. Version 2. Oktober 2009 . Die dabei entstehenden Spannungsänderungsgeschwindigkeiten (du/dt) können sehr groß werden und ihrerseits Probleme in der Schaltung oder dem Schalter verursachen.18: Phasenanschnittsteuerung bei Ohmsch-induktiver Last Besitzt die Ohmsche Last einen großen induktiven Anteil. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Auf der einen Seite verhindert der induktive Anteil einen schnellen Stromanstieg und verringert so die Einschaltverluste. in dem der Strom dann null wird und der Schalter verlöscht. verändert sich der Stromverlauf deutlich (Bild 2. In dem Moment.

3.1.1 Gleichrichter (AC → DC Converter) Eine der grundlegenden Aufgaben in der Leistungselektronik ist die Gleichrichtung von Wechselstrom bzw.2: Es gibt einen Erzeuger.Grundschaltungen der Leistungselektronik 21 3 Grundschaltungen der Leistungselektronik 3.2). und einen Verbraucher. Oktober 2009 . Während der negativen Halbwellen. Man kann bei gegebener Last und minimal zulässigem Strom also die Mindestkapazität berechnen.1: Gleichrichter mit rein Ohmscher Last Dass während der negativen Halbwellen gar kein Strom durch die Last fließt. Betrachtet man noch einmal Bild 2. Einschaltüberspannung und Sperrverzögerung. In Bild 3. bilden die Kapazität und die Last ein einfaches RC-Glied.0. die Quelle. Parallel zur Last ist hier eine Kapazität CG geschaltet. ist offenbar ein gravierender Nachteil der Schaltung von Bild 3. Während der positiven Halbwellen folgt der Strom durch die Last dem Sinusverlauf der Spannung.2. also einen DC-Speicher. Der Ausgangsteil ist hier nicht nötig. während der negativen fließt gar kein Strom. AC→DC-Wandlung.und Stromverläufe.2. Dabei wurde eine ideale Diode angenommen. also ohne die bei Halbleiterdioden unvermeidlichen Nichtidealitäten wie Durchlassspannung. Im einfachsten Fall ist der Gleichrichter ungesteuert. Bild 3.1. lädt.1 zeigt links die Schaltung mit einer rein Ohmschen Last und rechts die auftretenden Spannungs. RL i ˆ U0 ˆ U0 RL u. Entweder ist die Last träge genug. wie sie in Bild 3. die Diode. die Kapazität.2 links gezeigt ist. so ist der dort als „Eingangsteil“ bezeichnete Funktionsblock häufig ein Gleichrichter. weil er einem Wechselspannungsnetz Energie entnimmt und damit den Zwischenkreiskondensator. da sie nur in eine Richtung leitend werden kann und in die andere Richtung sperrt. die Ohmsche Last. um die Leistungsfluktuation selber auszugleichen (Abschnitt 2. Die Spannung über der Kapazität und damit auch der Strom durch die Last fallen daher mit der Zeitkonstante τ = RC exponentiell ab. wenn also die Diode sperrt.1 Ungesteuerter Gleichrichter Bereits der Einsatz einer einzelnen Diode führt zu einer Gleichrichtung des Stroms. i u0 i t U0 ~ Bild 3. einen Eingangsteil. Version 2. Eine Möglichkeit ist die Verwendung einer kapazitiven Glättung. 3. einen Speicher. oder es bedarf weiterer Maßnahmen. ist das schon fast ein komplettes leistungselektronisches System gemäß Bild 2. die während der positiven Halbwellen aufgeladen wird und während der negativen Halbwellen die Last mit Strom versorgt und auf diese Weise von der Quelle entkoppelt! Wenn man so will.2 ist die Kapazität Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die Wirksamkeit der kapazitiven Glättung und damit der Entkopplung zwischen Quelle und Last hängt nun maßgeblich von der Größe der Kapazität ab.

Grundschaltungen der Leistungselektronik

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so groß angenommen, dass man die Exponentialfunktion wieder durch ihre Tangente im Nullpunkt annähern kann, der Spannungsverlauf zwischen den positiven Halbwellen also annähernd linear ist. Wäre die Kapazität noch viel größer, würde sich die Spannung kaum verringern und man könnte die Kapazität als Konstantspannungsquelle betrachten. Es ist übrigens noch wichtig zu beachten, dass immer nur dann Strom durch die Diode fließt, wenn die Spannung der Quelle grösser als die der Kapazität bzw. im angenommenen Idealfall gleich der der Kapazität ist. Im Bild 3.2 ist das immer dann der Fall, wenn die gestrichelte und die gepunktete Linie aufeinander liegen. Die Kapazität wird also nur während eines Teils der positiven Halbwellen geladen.

RL u CG

i
ˆ U0
ˆ U0 RL

u, i
ˆ uc = U 0 ⋅ e

t −t U ˆ

0

R ⋅C

U0

~

i u0

t

Bild 3.2: Gleichrichter mit kapazitiver Glättung
Ein weiterer Nachteil der Schaltung aus Bild 3.2 ist die Tatsache, dass sie so nur selten vorkommt. Meistens besitzen die Verbraucher einen deutlichen induktiven Anteil. Die entsprechende Schaltung ist in Bild 3.3 links gezeigt. Anders als bei der rein Ohmschen Last bildet der Laststrom jetzt keine Sinushalbwellen mehr. Die Induktivität LL verhindert anfangs einen steilen Stromanstieg und führt dann dazu, dass der Strom auch nach dem Nulldurchgang der Quellenspannung weiter fließt. Erst wenn die negative Spannungs-ZeitFläche ∫uLL- an der Induktivität genauso groß ist, wie die positive ∫uLL+ vorher war, wird der Strom zu null. Wie bei der Phasenanschnittsteuerung in Abschnitt 2.3.4.4 springt auch hier dann die Spannung über der Diode auf den Momentanwert der Quelle und kann unter Umständen EMV-Probleme verursachen.

RL

LL

i

ˆ U0
ˆ U0 RL

u, i

∫uLL+ ∫uLLi ∆u u0 uRL t

U0

~

Bild 3.3: Gleichrichter mit Ohmsch-induktiver Last
Auch wenn es sich formal ebenfalls um eine Ohmsch-induktive Last handelt, ist die Verwendung einer großen Induktivität zur Glättung des Laststroms ein völlig anderer Fall. Würde man die Schaltung wie in Bild 3.3 links verwenden, würde jede negative Halbwelle den Strom der Induktivität auf null zurückführen, da die Diode solange leitend bleibt, wie

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Grundschaltungen der Leistungselektronik

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Strom durch die Induktivität fließt. Die Strom- und Spannungsverläufe würden qualitativ ähnlich wie in Bild 3.3 rechts aussehen. Das ist aber nicht beabsichtigt. Man schaltet daher eine Freilaufdiode parallel zur Induktivität (Bild 3.4) und eröffnet dem Strom so einen alternativen Zweig. Getrieben durch die Quellenspannung (Spannungs-Zeit-Fläche!) steigt der Strom durch die Induktivität während der positiven Halbwelle an. Zu Beginn der negativen Halbwelle wechselt der Strom dann in den Freilaufzweig und klingt aufgrund der Ohmschen Verluste exponentiell mit Zeitkonstante τ = LG/RL ab. Bei großen Induktivitäten ergibt sich wieder ein annähernd linearer Verlauf (Bild 3.4 rechts). Bei einer sehr großen Induktivität ist der Stromabfall (aber auch Anstieg) sogar vernachlässigbar und man kann sie als Konstantstromquelle betrachten. Im Sinne des leistungselektronischen Systems wäre das dann ein Stromzwischenkreis.

RL

LG

i

ˆ U0

u, i i t u0

DF U0 ~

Bild 3.4: Gleichrichter mit induktiver Glättung
3.1.2 Ungesteuerter Brückengleichrichter Die bisher beschriebenen Gleichrichtervarianten zeigten alle ein ähnliches Verhalten: Während der negativen Halbwelle wird keine Leistung aus der Quelle entnommen. Entweder wird in dieser Zeit dann gar keine Leistung in der Last umgesetzt, oder nur Energie, die während der positiven Halbwelle kapazitiv oder induktiv zwischengespeichert worden war. Zum einen erfordert das entsprechend große Speicher und zum anderen wird die Quelle zumindest kurzzeitig viel stärker belastet. Eine klare Verbesserung bringt hier die Brückenschaltung. Bild 3.5 zeigt einen Brückengleichrichter mit rein Ohmscher Last.
ˆ U0

u, i u0 i t

i U0 ~ RL

ˆ U0 RL

Bild 3.5: Brückengleichrichter mit rein Ohmscher Last
Gegenüber dem einfachen Gleichrichter aus Bild 3.1 braucht der Brückengleichrichter insgesamt vier, also drei Dioden mehr. Es ist also ein deutlicher Zusatzaufwand damit verbunden. Dafür wird in den positiven und in den negativen Halbwellen jeweils die gleiche Leistung umgesetzt. Die Schwankungen in der Last sind somit kleiner und die Leistungsaufnahme aus der Quelle ist viel gleichmäßiger, insbesondere sind die maximalen Ströme viel kleiner. Natürlich kann man darüber hinaus auch die gleichen kapazitiven oder

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009

Grundschaltungen der Leistungselektronik

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induktiven Glättungen (= Zwischenspeicherungen) wie beim einfachen Gleichrichter anwenden. Die Ausgangsspannung bzw. der Ausgangsstrom werden dann noch gleichmäßiger bzw. es werden für ein ähnliches Resultat viel kleinere Speicher gebraucht. Insofern relativiert sich der Zusatzaufwand für die Brückenschaltung dann wieder. Das gilt umso mehr, als die Brückenschaltung bereits die Freilaufzweige für den induktiven Speicher enthält bzw. diese gar nicht braucht.

ie 1 U0 ~ 2 4 3 LG ia RL

ˆ U0

u, i u0 ie t

ˆ U0 2RL

Bild 3.6: Brückengleichrichter mit induktiver Glättung
Bild 3.6 zeigt links einen Brückengleichrichter mit Glättung durch die Induktivität LG. Ist die Glättungsinduktivität groß genug, kann sie als Konstantstromquelle angesehen werden, weil eine anliegende Spannung nur vernachlässigbar kleine Stromänderungen hervor ruft. Genau das zeigt sich am Stromverlauf in Bild 3.6 rechts. Der Ausgangsstrom ia ist aufgrund der Induktivität konstant, also eigentlich Ia, und fließt je nach Quellenspannung entweder durch die Dioden 1 und 4 (positive Halbwelle) oder durch 2 und 3. Für den Eingangsstrom ie bedeutet das folglich einen rechteckförmigen Verlauf. Die perfekte Glättung des Ausgangsstroms hat also eine sehr unangenehme Auswirkung auf die Eingangsseite. Im Allgemeinen ist das für den Erzeuger bzw. das Netz und die anderen Verbraucher aufgrund von EMV-Problemen nicht akzeptabel. Man wird daher auf der Eingangsseite eine Filterung vorsehen müssen. Ein einfaches Beispiel bestehend aus einer Induktivität und einer Kapazität zeigt Bild 3.7. Je nach Anforderung könnten weitere Filterstufen notwendig werden.

LF

~

CF

Bild 3.7: Brückengleichrichter mit Eingangs- bzw. Netzfilter
Das Beispiel des Brückengleichrichters mit idealer Glättungsinduktivität zeigt ein generelles Problem der Leistungselektronik sehr deutlich: Man wird nie eine ideale Umformung erreichen, sondern immer auf eine Filterung angewiesen sein. Ob diese Filterung am Eingang, am Ausgang, oder wie meistens, an beiden Orten stattfindet, das ist dann eine Frage der Anforderungen bzw. der Auslegung. Darüber hinaus lassen sich die Belastungen für das Netz durch Verwendung von mehrpulsigen Brückenschaltungen weiter verringern. Die Verhältnisse sind aber grundsätzlich ähnlich wie bei der einfachen Brückenschaltung und sollen hier deshalb nicht weiter behandelt werden. Es sei dazu auf die Literatur verwiesen.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009

8 zeigt. Der Strom fließt dann mangels Alternativen so lange durch dieses Thyristor-Paar. Version 2. ie 1 U0 ~ 2 4 3 I0 ˆ U0 I0 u. Oktober 2009 . Bild 3. haben Strom und Spannung in den mit p+ gekennzeichneten Intervallen jeweils dieselbe Richtung. Es fließt reine Blindleistung. komplexere Schaltungen und sollen daher nun ausführlicher behandelt werden. worauf das alte Paar zu sperren beginnt.3 Gesteuerter Brückengleichrichter 25 Bis auf das Rückschwingen der Induktivität in Bild 3. dann kann man die Zeitpunkte. Offenbar kann man durch Wahl des Steuerwinkels das Verhältnis von abgegebener zu aufgenommener Leistung variieren. Es findet Rückspeisung statt. also Konstantstromquelle am Ausgang und rechts die Strom. bei α = π dagegen wird nur Leistung aufgenommen.3 wurde bei den ungesteuerten Gleichrichtern grundsätzlich immer Leistung aus der Quelle entnommen und nie dorthin zurückgespeist. treibt sie den Strom sofort in das neue Paar (geht so nur bei Lσ = 0!).8 zeigt links die entsprechende Schaltung eines gesteuerten Brückengleichrichters mit sehr großer Induktivität. Bei α = 0 wird nur Leistung aus der Quelle abgegeben (identisch zum ungesteuerten Fall).0. also steuerbare Schaltelemente. nimmt er jetzt bei der Rückspeisung die Funktion eines Ausgangsteils wahr (vergleiche Abschnitt 2. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Interessant ist auch noch der Fall α = π/2. Die dafür verwendeten Schaltungen sind aber grundlegend für viele andere. wenn die Ströme und Spannungen entsprechende Vorzeichen hatten. i u0 ie α pp+ pp+ pp+ pt Bild 3. War der Gleichrichter ursprünglich der Eingangsteil. es wird also Leistung aus der Quelle bezogen. Die Energieflussrichtung hat sich dann völlig umgekehrt.8: Gesteuerter Brückengleichrichter bei konstantem Ausgangsstrom Wie Bild 3. Strom (Grundschwingung) und Spannung sind dann genau um eine Viertelperiode verschoben.6 und ersetzt die Dioden durch Thyristoren. dass die Dioden immer nur dann leitend werden konnten.2 Gleichstromumrichter (DC → DC Converter) Die echte DC→DC-Wandlung ist in der (Hoch-) Leistungselektronik eine eher seltene Aufgabe. 3. die Quelle also Leistung aufnimmt. Auf diese Weise ergibt sich dann eine umgekehrte Stromrichtung in der Quelle.1.Grundschaltungen der Leistungselektronik 3. Das ergab sich dadurch. an denen die einzelnen Schalter leitend werden von außen vorgeben. Da die Spannung zu diesem Zeitpunkt bereits das Vorzeichen gewechselt hat. Nimmt man nun die Schaltung aus Bild 3.und Spannungsverläufe. Von der Quelle aus betrachtet verhält sich der Gleichrichter also wie eine Induktivität und im Mittel wird der Quelle keine Leistung (Wirkleistung) entnommen.Intervallen unterschiedliche Richtungen haben. Wie bei der Phasenanschnittsteuerung wird das Thyristor-Paar 1-4 erst mit einer Verzögerung um den Steuerwinkel α gezündet. während Strom und Spannung in den p.1). bis schließlich das Paar 2-3 gezündet wird.

0.2.Grundschaltungen der Leistungselektronik 3. des Schalterstroms führt (Bild 3. die Induktivität also eher einen parasitären Widerstand besitzt als umgekehrt. Die Größe der Induktivität ist in diesem Beispiel so bemessen. b) Im Freilauf Bild 3. Wie schon mehrfach angesprochen ist es in der Leistungselektronik nun aber häufig so. Chopper) 26 Der einfache Gleichstromsteller bzw. an der grundsätzlichen Struktur der Schaltung ändert das jedoch nichts. Der Gleichstromsteller für eine rein Ohmsche Last wurde bereits im Abschnitt über die Taktung eingeführt (Bild 2. dass die Last nicht nur eine Streuinduktivität besitzt.12a unveränderte aber etwas anders gezeichnete Schaltung mit einer Lastinduktivität LL an Stelle der Streuinduktivität. was zu einem Anstieg des Laststroms bzw.9 rechts unten). L τ L = L >> t e . sondern einen großen induktiven Anteil.1 Einfacher Gleichstromsteller (Zerhacker. iD iD a) te b) ta uS= U0-uL uL iL= i b) t a) t t uD= -uL Bild 3. iS U0 iS iL LL uL RL -U0 uD.9 zeigt die gegenüber Bild 2.12a). Oktober 2009 .9 rechts oben und Mitte). iL RL iS iD U0 i a) iS uS iD U0 b) DF i DF U0 iL LL uL RL uS. chopper) ist die Grundschaltung der Leistungselektronik schlechthin.9: Einfacher Gleichstromsteller mit Ohmsch-induktiver Last. Im Bild oben (a) ist der Zustand mit geschlossenem Schalter dargestellt. so dass dieser Zweig keinen Strom führt (Kurven im Bild 3. a) Beim Aufstromen (Energieeinspeisung). Version 2. dass der Strom. Die Quellenspannung liegt außerdem über der Ohmsch-induktiven Last. Das verändert zwar die Auslegung der einzelnen Komponenten. der sich eigentlich exponentiell seinem Maximalwert U0/RL nähern Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. oder sogar überwiegend induktiv ist. Zerhacker (engl.7) und für den Fall einer signifikanten Streuinduktivität mit einer Freilaufdiode erweitert (Bild 2. In dieser Situation liegt die Quellenspannung in Sperrrichtung über der Freilaufdiode. t a uL.

multipliziert mit dem Tastverhältnis.2. 3. Version 2. durch eine Gerade approximiert werden kann (Zeitkonstante τL = LL/RL der Last ist viel größer als die Dauer der Pulse). Es bildet sich ein neuer Stromkreis aus Last und Freilaufdiode.Grundschaltungen der Leistungselektronik 27 würde. aber entgegengesetztes Vorzeichen haben. wenn auch dreiecksförmiger Stromverlauf. Die absolute Länge der EIN.0. der sich bei unendlich lange eingeschaltetem Schalter ergeben würde (keine Stromänderungen mehr!).3) ein bzw. Insgesamt ergibt sich in der Last ein kontinuierlicher. also eingeschwungenen Betrieb muss jeweils der Stromanstieg in der EIN-Phase gleich dem Stromabfall in der AUS-Phase sein. ΔI aus = ta ∫ dt (3. In diesem klingt der Strom nun exponentiell ab und kann aufgrund der Lastzeitkonstante wiederum durch eine Gerade approximiert werden. Die Quellenspannung liegt nun über dem offenen Schalter. = ein U LL LL di dt = U 0 − U RL LL U RL LL = U 0 − i ⋅ RL LL (3.1 Stromverlauf Unter der Annahme einer großen L/R-Zeitkonstante und bei vernachlässigbaren Durchlassspannungen des Schalters und der Diode lassen sich die Stromänderungsgeschwindigkeiten leicht berechnen.4) aus Für den stationären.oder AUS-Phasen hat also keinen Einfluss auf den mittleren Strom.1. Oktober 2009 . wobei ‹i› jeweils den mittleren Strom bezeichnet: ΔI ein = ∫ di dt te dt = ∫ di U 0 − i ⋅ RL 1 1 dt = ⋅ ∫ (U 0 − i ⋅ RL )dt = ⋅ (U 0 − i ⋅ RL ) ⋅ t e LL LL te LL te dt = − ∫ 1 1 i ⋅ RL dt = − ⋅ ∫ i ⋅ RL ⋅ dt = − ⋅ i ⋅ RL ⋅ t a LL LL ta LL ta (3.2) Daraus wiederum ergeben sich die Stromänderungen während eines Pulses. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. dass die Spannungs-Zeit-Flächen (in 3.4 unterstrichen) gleich groß sein müssen. Für die Induktivität bedeutet das. Der Laststrom muss deshalb in die Freilaufdiode „ausweichen“. Im Bild 3. dem Verhältnis aus EIN-Dauer zu Gesamtpulsdauer.9 unten (b) ist der Zustand mit offenem Schalter dargestellt. Es gilt: di dt bzw. der jeden Stromfluss durch diesen Zweig blockiert.6) Der mittlere Strom ‹i› ist also derjenige Strom U0/RL.1) = − aus = − i ⋅ RL LL (3. der nachfolgend näher untersucht werden soll. Aus dieser Gleichheit folgt: ΔI ein = − ΔI aus ⇒ 1 1 ⋅ (U 0 − i ⋅ R L ) ⋅ t e = ⋅ i ⋅ RL ⋅ t a LL LL (3.3 und 3.5) Daraus lässt sich schließlich der mittlere (Last-) Strom ‹i› bestimmen: i = U0 t ⋅ e RL t e + t a (3.

6 ) = 2 U0 RL ⎛ t ⋅⎜ e ⎜t +t ⎝ e a ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2 (3. dazu Bild 3. Eine große Induktivität mit wenig Widerstand ergibt also einen kleinen Stromrippel. Version 2. muss also letztlich im Lastwiderstand umgesetzt werden. Abschnitt 2. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. der Schaltfrequenz (1/Pulslänge) und der Zeitkonstanten der Last abhängig. Da in der AUS-Phase keine Leistung entnommen wird.4) umformen zu: ΔI aus = 1 ⋅ i ⋅ RL ⋅ t a = LL i ⋅ ta τL = i ⋅ ta t +t ⋅ e a τL te + ta (3. die bei induktivem Schalten besonders hoch sind. deren Funktion zu abstrahieren. Die Fläche unter der Stromkurve ergibt sich wiederum als mittlerer Strom ‹i› mal Dauer te der EIN-Phase. 3. die zwischen U0 (Schalter ein) und 0 V (Freilaufdiode leitend) hin und her schaltet. Die Abstraktion des einfachen Gleichstromstellers ist nun die Spannungsquelle.0. der in Bild 3.4 des Gleichrichters mit induktiver Glättung). das ist die Fläche unter der Stromkurve multipliziert mit der konstanten Quellenspannung U0.2) besitzt die mittlere Leistung hier eine quadratische Abhängigkeit vom Tastverhältnis.Grundschaltungen der Leistungselektronik 28 Dafür bestimmen die absoluten Zeiten aber den Stromhub (imax-imin). Es wird auch keine Leistung in die Quelle zurückgespeist. der während einer Periode auftritt. so dass die Glättung des Ausgangsstroms nicht erst im Verbraucher passieren muss (vergl. weil jetzt zusätzlich auch der Strom vom Tastverhältnis abhängt.2. Die während einer EIN-Phase entnommene Energie ergibt sich als das Integral über die Momentanleistung der Quelle. gemäß Gleichung (3.3. 3.2 Leistung Die in der Last umgesetzte (mittlere) Leistung ließe sich mit Hilfe des Stromverlaufs und des Widerstands berechnen. ergibt sich die mittlere Leistung ‹pRL› dann aus dem Energieintegral geteilt durch die Gesamtpulsdauer (te+ta) und mit Gleichung (3. Das hat dann aber wieder hohe Schaltverluste zur Folge. Oktober 2009 .6) für den mittleren Strom ‹i› kann man schließlich schreiben: p RL = U0 ⋅ i ⋅ te te + ta ( 3 . so dass eine andere Überlegung einfacher zum Ziel führt: Da eine ideale Diode und ein idealer Schalter angenommen wurden. Auch hier gilt es also wieder einen Kompromiss zu finden.9 Mitte rechts.9 rechts oben dargestellt ist und damit letztlich auch der gleiche Stromverlauf iL = i.3 Gleichstromsteller als Spannungsquelle In der Leistungselektronik versucht man häufig Schaltungen bzw. Mit der Zeitkonstanten τL = LL/RL kann man Gleichung (3.1. um auf diese Weise die Gesamtfunktion einfacher verstehen zu können (Beispiel: Stromquelle statt großer Induktivität). genauso wie häufiges Schalten.2.2. ist der Stromhub nur von der Gesamtpulslänge (te+ta) bzw.8) Anders als im Fall der Taktung bei rein Ohmscher Last (Abschnitt 2. die aus der Quelle entnommen wird.6) also bei gegebener Quellenspannung U0. Bei der Berechnung hilft nun Bild 3. Dafür fließt der Strom hier aber kontinuierlich. Alle Leistung. sondern von der Lastinduktivität übernommen wird (vergl. wie im nächsten Abschnitt gezeigt wird.3.2). An der Last ergibt sich dann wieder genau der Spannungsverlauf uL. gegebenem Widerstand RL und gegebenem Tastverhältnis.1.7) Für einen gegebenen mittleren Strom. da der Strom durch die Quelle immer positiv (oder null) ist. Daraus würden sich aber quadratische Integrale ergeben. wird in der Schaltung außer im Lastwiderstand keine Leistung umgesetzt.

bevor die Diode überhaupt in Vorwärtsrichtung gepolt und leitend wird. Erst danach fällt der Strom (in endlicher Zeit) auf null ab. iS U0 iS uS uS. so könnte man auch noch Gleichung (3. uS.9) Nimmt man dann noch an. Es ergibt sich: uL = U0 ⋅ te te + ta (3. Version 2.2. der den Stromfluss unterbrechen konnte und so den Strom in den Freilaufzweig zwingt.10: Strom.9 Mitte rechts zeitlich besser auf. Es zeigt sich also. so ergäbe sich die Situation in Bild 3. Oktober 2009 .10) Das entspricht genau Gleichung (3. b) Bei rein Ohmscher Last 3.6).und Spannungsverläufe sowie Ortskurve. Die Realität eines (Halbleiter-) Schalters sieht anders aus. In der bisherigen Betrachtung des Gleichstromstellers wurde von einem idealen Schalter ausgegangen. dass die Abstraktion bei der Analyse bzw. Solange fließt der volle Strom i durch den Schalter. dann liegt ‹uL› am Lastwiderstand RL und es ergibt sich der mittlere (Last-) Strom ‹i› als: i = uL RL = U0 t ⋅ e RL t e + t a (3.0. für die oben eine längere Herleitung notwendig war.8) ableiten. an dem noch der Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. iS U0 iS t uS t iS „EIN“ iS „EIN“ „AUS“ U0 uS a) „AUS“ U0 uS b) Bild 3.4 Induktives Schalten Abschließend soll hier noch eine Besonderheit des Schaltens großer Induktivitäten behandelt werden. Treibt man diese Abstraktion noch weiter.Grundschaltungen der Leistungselektronik 29 Diese vereinfachte Sichtweise des Gleichstromstellers ermöglicht einige Schlussfolgerungen. sich also alle Spannungs-Zeit-Flächen im Mittel kompensieren. Zunächst lässt sich die mittlere Ausgangsspannung ‹uL› sehr einfach aus U0 und dem Tastverhältnis berechnen.10a.1. die für die Verlustbilanz und die Auslegung der Schaltelemente wesentlich ist. Es gibt also zwangsläufig immer den Punkt. a) Bei induktiver Last mit Freilaufdiode. Die Spannung über dem Schalter muss erst (in endlicher Zeit) auf den Wert der Quellenspannung U0 steigen. dass an der Lastinduktivität LL im Mittel keine Spannung abfällt. beim Verständnis von Schaltungen sehr hilfreich sein kann. Löste man die Schaltflanken von Bild 3.

Grundschaltungen der Leistungselektronik 30 volle Strom und schon die volle Spannung am Schalter anliegen.0.2. Die Momentanleistung erreicht somit extrem hohe Werte.10b) nur ein Viertel so groß und bei gleich schnellem Schalten wären es auch die Schaltverluste. sondern auch die (Ausgangs-) Spannung. Im Allgemeinen wird die Kapazität des Abwärtswandlers sogar so groß gewählt. Trotzdem bezeichnet man erst die Schaltung aus Bild 3. Im Fall der induktiven Last muss der Strom erst komplett durch den Schalter fließen. bevor die Freilaufdiode sperren kann und die Spannung über dem Schalter abfällt.1 Ausgangsspannung Anders als beim einfachen Gleichstromsteller. Version 2. so liegt an der Induktivität die Quellenspannung U0 abzüglich der Ausgangsspannung uL. da die leitende Freilaufdiode ideal angenommen wird (Durchlassspannung null): di dt = ein U0 − uL L (3.2. weil er eben keine Ausgangsgröße mehr ist. dass nicht nur der Laststrom annähernd konstant ist. Das hängt damit zusammen. sobald die Spannung über dem Schalter ansteigt. die beim einfachen Gleichstromsteller zwischen null und U0 hin und her sprang. step-down or buck converter). di dt = − aus uL L (3.2. bei dem der Ausgangsstrom die wichtigste Ausgangsgröße war.11 mit einer induktiv-kapazitiven Glättung (Tiefpassfilter) als Abwärtswandler (Tiefsetzsteller.2 Abwärtswandler (Step-Down or Buck Converter) Der einfache Gleichstromsteller aus Abschnitt 3. In den Abschnitten über die einzelnen Bauelemente werden darüber hinaus noch weitere Nichtidealitäten behandelt. ist beim Abwärtswandler der Strom durch die Induktivität vorerst nicht relevant. Die Spannung am Lastwiderstand ist immer kleiner als die Quellenspannung U0. Ist der Schalter in der EIN-Phase geschlossen.11) bzw.12) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. was die folgenden Betrachtungen erheblich vereinfacht und z. liegt über der Induktivität nur die Ausgangsspannung. Für das Einschalten gelten die hier gemachten Überlegungen völlig analog. dass die Ausgangsspannung als konstant angenommen werden kann. Oktober 2009 .1) und (3.B. den induktiven Anteil der Last im stationären Zustand bedeutungslos macht.2. Dort wird dann auch noch einmal auf den Einfluss der Streuinduktivität auf den Gleichstromsteller eingegangen. Diese Schaltung hat den Vorteil. 3. 3. Die maximale Leistung wird dann bei halbem Strom und halber Spannung erreicht. Die Berechnung geht trotzdem zunächst wieder analog zu den Gleichungen (3. engl. Ist der Schalter dagegen in der AUS-Phase geöffnet. i0 L i iL U0 DF C uL RL Bild 3.2) von den Stromänderungsgeschwindigkeiten in der Induktivität aus. Im Vergleich dazu ist die maximale Momentanleistung beim Schalten einer rein Ohmschen Last (Bild 3.11: Abwärtswandler mit rein Ohmscher Last. dass bei der Ohmschen Last der Strom kleiner wird. Für den Abwärtswandler ist viel mehr die Ausgangsspannung die wichtigste Ausgangsgröße.1 ist im Grunde bereits ein Abwärtswandler.

Interessanter ist da der Zusammenhang zwischen Eingang und Ausgang. Oktober 2009 .2. dass die Ausgangsspannung aufgrund einer sehr großen Kapazität nahezu konstant ist.6)).14) Beim Abwärtswandler ist die Ausgangsspannung also proportional zur Eingangsspannung U0 und zum Tastverhältnis. Ganz ähnlich wie beim einfachen Gleichstromsteller. Die maximale Differenz zu IL ist dabei gegeben durch den halben Hub ΔI. Oder anders ausgedrückt. dass die Ausgangsspannung nahezu konstant ist. 3. Die Induktivität führt also während einer halben Periode mehr Strom zu als abfließt.0.Grundschaltungen der Leistungselektronik 31 Analog zu der Gleichung (3.2. dass ein konstanter Strom IL aus der Kapazität in die Last abfließt. Das ist erlaubt. Es gilt somit: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.8). und das erhöht die Ausgangsspannung gemäß ΔUL = ΔQ/C. Bei einer Ohmschen Last würde man daraus dann für den Ausgangsstrom den gleichen Ausdruck wie beim Gleichstromsteller erhalten (Gleichung (3. Die Integrale gehen dann in Produkte aus der jeweiligen Spannung und der Pulslänge über. Es ergibt sich dieselbe Lösung wie in Gleichung (3. Der Mittelwert ‹i› des zufließenden Stroms ist dabei gleich dem abfließenden Strom. damit sie groß genug ist? Man kann dazu annehmen. solange die Kapazität groß genug ist. Mit einer konstanten Eingangsspannung U0 und nahezu konstanter Ausgangsspannung UL und -strom IL ergibt sich: i0 te UL (3. in Anlehnung an die Gleichungen eines Wechselstrom-Transformators.15) U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ = = IL U0 te + ta Dieses sind.3 Welligkeit der Ausgangsspannung Bisher wurde jeweils angenommen. so erhält man: UL = U0 ⋅ te te + ta (3. Version 2. wird auch hier nur im Lastwiderstand Leistung umgesetzt und es findet keine Rückspeisung in die Quelle statt. die von i während der halben Periode (te + ta)/2 oberhalb von IL gebildet wird.2 Leistung Die Berechnung der Ausgangsleistung bei einer nahezu konstanten Ausgangsspannung und bei Ohmscher Last auch nahezu konstantem Ausgangsstrom ist trivial. so kann man die zeitabhängige Ausgangsspannung uL durch einen konstanten Wert UL ersetzten. ΔQ ist dabei die Strom-Zeit-Fläche (Dreieck). Wie groß muss sie aber sein. Die mittlere Ausgangsleistung muss daher gleich der mittleren Eingangsleistung sein. 3. Löst man diese Gleichung nach der Ausgangsspannung auf.13) Nimmt man nun an. wobei das einfach veränderbare Tastverhältnis die Rolle des starren Windungsverhältnisses übernimmt. die Transformationsgleichungen des Abwärtswandlers. während ein dreieckförmiger Stromverlauf aus der Induktivität zufließt. es müssen sich die Spannungs-Zeit-Flächen an der Induktivität kompensieren: ΔI ein = te ∫ dt di dt = − ΔI aus = ein ta ∫ dt di dt ⇒ aus te ∫ (U 0 − uL )dt = ∫ uL ⋅ dt ta (3.2.5) müssen sich im stationären Zustand die Stromänderungen während der EIN-Phase und der AUS-Phase kompensieren.2.

Es ergibt sich: UL ΔI = ⋅ ta (3. Es stellte sich die Frage. Ri U0 a) RL I0 b) Gi RL bzw. Da eine Beschreibung dieses Betriebsmodus den Rahmen der Vorlesung sprengen würde. aber nicht null werden. Je größer die Induktivität und/oder die Kapazität sind.2.18) Nach den Resultaten beim einfachen Gleichstromsteller kann dieses Ergebnis nicht überraschen.2. als ideale Spannungsquelle mit Innenwiderstand Ri? Oder ist nicht auch die Variante (Bild 3. wie die Schaltung dieser Spannungsquelle aussieht. Entscheidend ist das Verhältnis aus Pulsdauer (te + ta) und der √LC-Zeitkonstante.12a). Version 2. Beim Abwärtswandler ist nun ein weiterer Energiespeicher. das quadratisch eingeht. die Kapazität. Ebenso vorteilhaft ist eine kleine Pulsdauer.12b). als Stromquelle mit Parallelleitwert Gi denkbar? Die Antwort seinerzeit war schließlich: Messtechnisch lässt sich das nicht ermitteln.12: Spannungsquelle mit Innenwiderstand.Grundschaltungen der Leistungselektronik 32 ΔU L = 1 1 ΔI t e + t a ⋅ ⋅ ⋅ 2 C 2 2 (3. hinzu gekommen. desto weniger Welligkeit. Dadurch kann der Strom durch die Induktivität schon vor Ende der AUS-Phase null werden. 3. sei auf die im Anhang genannte Literatur verwiesen.3 Einschub: Dualitätsprinzip Aus den Grundlagen der Elektrotechnik ist das Beispiel der realen Spannungsquelle bekannt. Es entsteht eine Stromlücke. denn die Ausgangskennlinien sind für beide Schaltungen identisch. So wie man sie intuitiv zeichnen würde (Bild 3. a) als Spannungsquelle mit Serienwiderstand. GL Bild 3. b) als Stromquelle mit Parallelleitwert Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. weshalb man auch von lückendem Betrieb spricht.17) L Insgesamt: ΔU L = ΔU L 1 UL ⋅ ⋅ (t e + t a ) ⋅ t a ⇔ 8 L ⋅C UL = t 1 (t e + t a ) ⋅ ⋅ a 8 L ⋅C te + ta 2 (3.4 Lückender Betrieb Beim einfachen Gleichstromsteller konnte sich der Strom durch die Induktivität schlimmsten Falls exponentiell gegen null nähern. die Zusammenhänge zwischen Eingang und Ausgang verändern sich dann deutlich.16) Der maximale Hub ΔI ergibt sich direkt aus Gleichung (3.12) durch Integrieren über die AUS-Phase. 3. Oktober 2009 .0. Das Verhalten des Wandlers bzw. wenn I0 = U0/Ri und Gi = 1/Ri gilt.2.

14 zeigt die Umwandlung. oder bei der Interpretation von Ergebnissen (vergl. Strom-Zeit-Fläche und Spannungs-Zeit-Fläche). Sie wird zwar jeweils wieder in eine Diode dualisiert. Eine Spannungsquelle wird eine Stromquelle. Alle Umwandlungen gelten jeweils in beide Richtungen und die sich ergebenden Schaltungen haben ebenfalls duale Eigenschaften! Leider gibt es ein wichtiges Bauelement der Leistungselektronik. bei dem ja der Schließer in einen Öffner dualisiert wird. das sich aufgrund seiner Funktion nicht so einfach in das Dualitätsprinzip einfügt: Die Diode. In beiden (Ruhe-) Fällen fließt also keine Energie in die Schaltung oder aus ihr heraus. trifft man an vielen Stellen der Elektrotechnik wieder und es ergeben sich oft verblüffende Parallelen.13 zeigt die wichtigsten dualen Umwandlungen für die Schaltungstechnik.13: Duale Umwandlungen in der Schaltungstechnik Diesen Dualismus von Strom und Spannung. ein Schließer wird ein Öffner und eine Serienschaltung wird eine Parallelschaltung. wobei diese Umwandlung offenbar von eher formalem Interesse ist. Am ehesten hilft der Vergleich mit dem Schalter.4 Aufwärtswandler (Step-Up or Boost Converter) Mit Hilfe des Dualitätsprinzips lässt sich aus dem Abwärtswandler nun der Aufwärtswandler (Hochsetzsteller. Und schließlich kann man jetzt formal von einem Stromausgang sprechen. engl. Bild 3.2. zeigt der folgende Abschnitt. Selbst ein Widerstand wandelt sich in einen Leitwert.und Parallelschaltung. Oktober 2009 . eine Kapazität wird eine Induktivität. Für die anschließende Diode bedeutet das nun Folgendes: Bei geöffnetem Schalter im Abwärtswandler muss sie leiten. Bei geschlossenem Schalter im Aufwärtswandler muss sie folglich sperren.Grundschaltungen der Leistungselektronik 33 U0 I0 S S C L R G Bild 3. Version 2. Serien. Die Glättung wurde vorher von einer Kapazität besorgt und wird jetzt von einer Induktivität gemacht. Was damit gemeint ist. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. sei es bei der mathematischen Behandlung einer Aufgabe. während er vorher die Spannungsquelle angekoppelt hatte. usw. weil sie den Freilaufzweig freigeben muss. step-up or boost converter) erzeugen. weil sie das Entladen der Kapazität verhindern muss. Entsprechend muss eine leitende Diode in eine sperrende Diode dualisiert werden. Das grundlegende Prinzip dahinter nennt man das Dualitätsprinzip.0. Im Ruhezustand schließt er hier den Quellenstrom kurz. aber die Richtung dieser Diode ist manchmal schwierig zu bestimmen. 3. Der Energiezwischenspeicher war vorher eine Induktivität und ist jetzt eine Kapazität. Die Spanungsquelle geht zunächst in eine Stromquelle über und der Schalter liegt nun als Öffner parallel zur Quelle. Bild 3. während es vorher ein Spannungsausgang war.

4. Konkret wird meist die Glättungsinduktivität weggelassen. also nahezu konstanter Ausgangsspannung UL: te ∫ U 0 ⋅ dt = − ∫ (U 0 − uL )dt ⇒ U 0 ⋅ t e = (U L − U 0 ) ⋅ t a ⇔ U L = U 0 ⋅ ta te + ta ta (3. indem man die Spannungs-Zeit-Flächen über der Induktivität betrachtet. Die resultierende Schaltung zeigt Bild 3. also für die Dauer te der EIN-Phase.14) kann man auch hier wieder die Ausgangsspannung berechnen. also für die Dauer ta der AUS-Phase. Beim erneuten Einschalten des Schalters sperrt die Diode wieder und verhindert das Entladen der Kapazität. und vor allem wird nicht mit einer Stromquelle am Eingang operiert. i0 L DF i iL U0 C uL RL Bild 3.19) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.2. Version 2. Oktober 2009 .12) bis (3.14: Duale Umwandlung von a) Abwärtswandler und b) Aufwärtswandler Die Schaltung in Bild 3. Dagegen liegt bei geöffnetem Schalter. um einen Spannungsausgang zu haben.15.15 geschlossen ist. Während der Schalter geschlossen ist. sondern mit einer Kombination von Spannungsquelle und (sehr großer) Induktivität. die Maschenspannung U0-uL über der Induktivität (ideale Diode vorausgesetzt). Der Strom der Induktivität lädt auf diese Weise die Kapazität am Ausgang. so bleibt dem Strom nur der alternative Pfad durch die (Freilauf-) Diode. Da sich im stationären Zustand die Strom-Zeit-Flächen kompensieren müssen. aber an ihr wird das Wirkprinzip schlechter deutlich und die übliche Darstellung des Aufwärtswandlers sieht leicht anders aus.Grundschaltungen der Leistungselektronik 34 i0 L i iL i0 DF L iL U0 a) DF C uL RL I0 b) C uL RL Bild 3. ergibt sich unter der Annahme einer großen Ausgangskapazität. 3.14b ist zwar ein Aufwärtswandler und erfüllt auch dessen Funktion. liegt U0 über der Induktivität.15: Aufwärtswandler mit rein Ohmscher Last Wenn der Schalter in Bild 3.1 Ausgangsspannung Völlig analog zu den Gleichungen (3.0. liegt über der Induktivität die volle Quellenspannung und der Strom i0 durch die Induktivität steigt mit U0/L. Wird der Schalter dann geöffnet.

Die Ausgangsspannung des einen wäre die Eingangsspannung des anderen.2. könnte man einen Abwärtsund einen Aufwärtswandler hintereinander schalten. verglichen mit dem Abwärts. Version 2.20) eine Gesamtausgangsspannung von: UL = U0 ⋅ te te + ta ⋅ abwärts te + ta ta ⇒ aufwärts UL = U0 ⋅ te ta (3.2. Ebenso einfach ergib sich in Analogie zu Gleichung (3.2 Leistung Auch hier ist die Berechnung der Ausgangsleistung bei nahezu konstanter Ausgangsspannung über einer Ohmschen Last trivial.21) Die Ausgangsspannung kann also zumindest theoretisch alle Werte von null bis unendlich annehmen. so bleibt dem Strom nur der alternative Pfad durch die (Freilauf-) Diode.16 geschlossen ist.20) 3. 3.Grundschaltungen der Leistungselektronik 35 Da der rechte Term offenbar immer größer als eins ist. was der Grund für den Namenszusatz „invertierend“ ist.oder Aufwärtswandler allerdings mit umgekehrter Polarität.14) und (3. Das hat aber einen sehr großen Einfluss auf die Funktion der Schaltung.16 zeigt den invertierenden Spannungswandler (engl. Wird der Schalter dann geöffnet. liegt über der Induktivität die volle Quellenspannung und der Strom durch die Induktivität steigt mit U0/L. Neben dieser Möglichkeit kann man die Funktionalität aber auch mit einem einzelnen Wandler erzielen.4. Wenn der Schalter in Bild 3. der verglichen mit der Eingangsspannung sowohl höhere als auch niedrigere Spannungen erzeugen kann. Die Namensgebung ist offensichtlich. i0 DF i iL U0 L C uL RL Bild 3. stepup/step-down or buck-boost converter).16: Invertierender Spannungswandler mit rein Ohmscher Last Verglichen mit dem Abwärtswandler (Bild 3.11) haben hier nur die Induktivität und die Diode die Positionen getauscht.0. Bild 3. Der Strom der Induktivität lädt auf diese Weise die Kapazität am Ausgang.5 Invertierender Spannungswandler (Buck-Boost Converter) Um nun einen Spannungswandler zu bekommen. Bei gleichem Tastverhältnis der beiden Teilwandler ergäbe sich aus den Gleichungen (3. ist die Spannung am Ausgang des Aufwärtswandlers (in stationären Betrieb) immer größer als die Eingangsspannung.15) die Transformationsgleichung für den Aufwärtswandler (ohne innere Verluste): U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ i0 IL = UL U0 = te + ta ta (3. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Oktober 2009 .

Grundschaltungen der Leistungselektronik
3.2.5.1 Ausgangsspannung

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Wie bei den anderen beiden Wandlern kann man auch hier die Ausgangsspannung mit Hilfe der Spannungs-Zeit-Flächen über der Induktivität berechnen. Während der Schalter geschlossen ist, also für die Dauer te der EIN-Phase, liegt U0 über der Induktivität. Dagegen liegt bei geöffnetem Schalter, also für die Dauer ta der AUS-Phase, die negative Ausgangsspannung -uL über der Induktivität (ideale Diode vorausgesetzt). Da sich im stationären Zustand die Strom-Zeit-Flächen kompensieren müssen, ergibt sich unter der Annahme einer großen Ausgangskapazität, also nahezu konstanter Ausgangsspannung UL:

te

∫U

0

⋅ dt = − ∫ − u L ⋅ dt ⇒ U 0 ⋅ t e = U L ⋅ t a
ta

UL = U0 ⋅

te ta

(3.22)

Das Ergebnis ist identisch zum Fall der zwei verketteten Wandler und das mit deutlich geringerem Aufwand. Auch hier können also theoretisch alle Spannungen zwischen null und unendlich erreicht werden. 3.2.5.2 Leistung Die Transformationsgleichung des invertierenden Spannungswandlers lautet unter der Annahme innerer Verlustfreiheit: i0 t UL (3.23) U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ = = e IL U0 ta 3.2.5.3 Sperrwandler (Flyback Converter) Eine Variante des invertierenden Spannungswandlers ist der Sperrwandler (engl. flyback converter), der in Bild 3.17 gezeigt ist. Die Induktivität des invertierenden Spannungswandlers ist hier durch einen Transformator ersetzt. Dadurch sind die Primär- und Sekundärseite galvanisch getrennt und man hat die Möglichkeit, durch die Wahl der Windungszahlen, auf beiden Seiten grundsätzlich unterschiedliche Spannungsniveaus einzustellen. Ansonsten ist die Funktion völlig identisch zum invertierenden Spannungswandler. Das wird sofort klar, wenn man bedenkt, dass das Ersatzschaltbild des idealen Transformators eine Induktivität ist (siehe Einsatz in Bild 3.17). Für die Details dieses Zusammenhangs sei auf die Vorlesung „Grundlagen der Elektrotechnik“ verwiesen.

i0

DF

i

iL

U0

L1

L2

C uL

RL
NB: Ersatzschaltbild des Transformators

Bild 3.17: Sperrwandler mit rein Ohmscher Last

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009

Grundschaltungen der Leistungselektronik
3.2.6 Invertierender Stromwandler (Ćuk-Converter)

37

Wie sich durch Dualisieren aus dem Abwärtswandler der Aufwärtswandler ergab, kann man nun aus dem invertierenden Spannungswandler einen weiteren Wandlertyp generieren: Den invertierenden Stromwandler, der nach seinem Erfinder Slobodan Ćuk (Ćuk: lat. Otus scops, dt. Zwergohreule) auch Ćuk-Wandler genannt wird. Bild 3.18 zeigt die duale Umwandlung aus dem invertierenden Spannungswandler. Die Schaltung in Bild 3.18b ist nun zwar ein ĆukWandler und erfüllt auch dessen Funktion, aber meist wird eine Kapazität an den Ausgang geschaltet, um einen Spannungsausgang zu haben, und wie schon beim Aufwärtswandler wird nicht mit einer Stromquelle am Eingang operiert, sondern mit einer Kombination von Spannungsquelle und (sehr großer) Induktivität. Die resultierende Schaltung zeigt Bild 3.19.

i0

DF

i

iL

i0

C

i

L

iL

U0 a)

L

C uL

RL

I0 b)

DF uL

RL

Bild 3.18: Duale Umwandlung von a) invertierendem Spannungswandler und b) invertierendem Stromwandler (Ćuk-Wandler)

i0

Le

Ce

u

i

La

ia

iL

U0 a) i0 Le Ce u

DF

Ca u L

RL

i

La

ia

iL

U0 b)

Ca u L

RL

Bild 3.19: Invertierender Stromwandler (Ćuk-Wandler) mit rein Ohmscher Last a) Mit geschlossenem Schalter, b) Mit offenem Schalter
Verglichen mit dem Aufwärtswandler (Bild 3.15) haben hier die Diode und die Kapazität Ce die Position getauscht. Außerdem sind am Ausgang noch die Kapazität Ca und die Induktivität La hinzugekommen. Der linke Teil des Ćuk-Wandlers verhält sich aber trotzdem

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009

Grundschaltungen der Leistungselektronik

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sehr ähnlich wie der Aufwärtswandler. Wenn der Schalter geschlossen ist (Bild 3.19a), liegt über der Induktivität die volle Quellenspannung und der Strom i0 durch die Induktivität Le steigt mit U0/Le (linker Kreis). Wird der Schalter dann geöffnet (Bild 3.19b), so bleibt dem Strom nur der alternative Pfad (linker Kreis) über die Kapazität Ce und durch die (Freilauf-) Diode, weil die Induktivität La solche Stromsprünge verhindern würde. Der Strom der Induktivität Le lädt auf diese Weise die Kapazität Ce. Wird dann der Schalter wieder geschlossen, wird einerseits Le weiter geladen. Andererseits liegt aber die Spannung u der Kapazität Ce abzüglich der Ausgangsspannung uL über er Induktivität La, so dass der Strom durch La ansteigt (Bild 3.19a, rechter Kreis). Wird nun der Schalter wieder geöffnet, so wird die Diode leitend und der Strom ia lädt die Kapazität Ca am Ausgang (Bild 3.19b, rechter Kreis). 3.2.6.1 Ausgangsstrom Anders als bei den bisherigen Wandlertypen, lässt sich der Ćuk-Wandler am besten über die Kapazität Ce berechnen. Im stationären Zustand darf der Kapazität während eines Zyklus im Mittel keine Ladung zu- oder abfließen. Die Zuflüsse aus Le während der AUS-Phase müssen also die Abflüsse über La während der EIN-Phase kompensieren. Die beiden Strom-ZeitFlächen müssen gleich groß sein. Außerdem darf sich im stationären Fall auch die Ausgangsspannung im Mittel nicht verändern, so dass ‹ia› gleich IL sein muss. Insgesamt ergibt sich dann: t (3.24) i 0 ⋅ ta = IL ⋅ te ⇔ IL = i 0 ⋅ a te Wie der Name „Stromwandler“ schon andeutet, bestimmt das Tastverhältnis hier den Ausgangsstrom, der theoretisch alle Werte von null bis unendlich annehmen kann. Der Vorteil vom Ćuk-Wandler sind in der Tat die zumindest bei großen Induktivitäten sehr konstanten Ströme, sowohl am Eingang als auch am Ausgang. Große Stromtransienten gibt es nur innerhalb der Schaltung, während die beiden Kapazitäten Le und La die „Außenwelt“ davon abschirmen. Natürlich ist dann auch die Ausgangsspannung entsprechend konstant. 3.2.6.2 Ausgangsspannung Die Ausgangsspannung lässt sich sehr einfach über die Transformationsgleichung des invertierenden Stromwandlers berechnen. Die Transformationsgleichung lautet unter der Annahme innerer Verlustfreiheit: i0 t UL (3.25) U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ = = e IL U0 ta Das Resultat ist identisch zum invertierenden Spannungswandler und für UL gilt dann:
UL = U0 ⋅ te ta

(3.26)

3.2.6.3 Leistung Schließlich erhält man für die abgegebene Leistung die ebenfalls zum invertierenden Spannungswandler identische Lösung:
p RL = RL ⋅ I
2 L 2 UL = RL 2 U0 = RL

⎛t ⋅⎜ e ⎜t ⎝ a

⎞ ⎟ ⎟ ⎠

2

(3.27)

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Phase Leg) 39 Die bisher behandelten Gleichstromumrichter hatten aufgrund ihrer Struktur alle nur eine einzige Leistungsflussrichtung. nur deren Schalter-Dioden-Teil wird als Halbbrücke (engl.2. Es dürfen jedoch nie beide Schalter gleichzeitig geschlossen sein (Brückenkurzschluss!). B. Oktober 2009 . oder mit dem unteren Schalter (rot) einen Aufwärtswandler zur Quelle hin. Die Ausgangsspannung hatte immer dieselbe Richtung und auch der Ausgangsstrom hatte immer dieselbe Richtung. Die neue Schaltung bzw. Entsprechend ihrer „Herkunft“ kann man mit dem oberen Schalter (blau) einen Abwärtswandler zur Last hin betreiben. Was aber passiert. Vermutlich wäre es formal richtiger in diesem Abschnitt über Gleichstromumrichter. ein Motor im generatorischen Betrieb beim regenerativen Bremsen? Entweder die Spannungsrichtung oder die Stromrichtung muss sich umkehren.und gespiegeltem Aufwärtswandler Die Gesamtschaltung für die Stromumkehr ergibt sich nun aus der Synthese eines Abwärtswandlers und eines „gespiegelten“ Aufwärtswandlers. der mit der Last als Quelle in die eigentliche Quelle einspeist (Bild 3. und andererseits ist sie die für die Leistungselektronik wichtigere Schaltungskomponente. wenn die Last ebenfalls Energie einspeisen kann (eine Quelle ist). Im StromSpannungs-Diagramm käme dann zum ersten der zweite bzw. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. half-bridge or phase leg) bezeichnet. weil eben nur eine Seite der Last an die Hälfte einer Brückenschaltung angeschlossen ist. weil sich eben noch keine Vollbrückenschaltung ergibt. Natürlich sind auch gemischte Betriebsmodi möglich. also eines Aufwärtswandlers.7 Halbbrücke (Half-Bridge. z. Tatsächlich ist aber die aus der Stromumkehr resultierende Halbbrücke einerseits einfacher. Zur Vereinfachung werden in der Gesamtschaltung sowohl die Quelle als auch die jetzt aktive Last jeweils als einfache Spannungsquelle dargestellt.20). Version 2.Grundschaltungen der Leistungselektronik 3. was auch aufgrund der rein passiven Last klar war. weshalb man auch vom Zweiquadrantenbetrieb spricht. vierte Quadrant hinzu. (Wie würde die Schaltung für Spannungsumkehr aussehen?) i0 iL U0 UL Halbbrücke Bild 3. die Stromrichtung beizubehalten und den Fall der Spannungsumkehr zu behandeln.0.20: Synthese der Halbbrücke aus Abwärts.

B. nachbilden. allerdings mit einer geteilten Spannungsquelle am Eingang.21: Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle und rein induktiver Last Wie Bild 3. Die Erzeugung der Pulsmuster (z.1 Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle Die einfachste Schaltung. da sich die Stromrichtung (und damit der Leistungsfluss) umkehren konnte. Auch kann mit Hilfe der Pulsmuster das Spektrum der Oberwellen gezielt beeinflusst werden. Wenn der Schalter S1 geschlossen wird.B.3. Man spricht vom Pluswechselrichter. iL i0 U0 2 D1 uL L iL S1 U0 2 S1 S1 D1 uL D1 t iL D2 S2 U − 0 2 U0 2 D2 D2 S2 S2 Bild 3. sehr umfangreiches Themengebiet. Oktober 2009 . uL. Für negative Ströme übernehmen S2 und D1 die entsprechenden Aufgaben.20 war kein echter Gleichstromsteller mehr. spricht man von einem Vierquadrantenbetrieb. insbesondere natürlich auch ein Sinus. 3. so treibt die Induktivität den Strom gegen die Spannung der unteren Quelle in den Freilaufzweig über D2. Da dann sowohl Strom als auch Spannung beide Polaritäten annehmen können. für die Isolation der Motorwicklungen sehr schlecht und können zu frühzeitigen Ausfällen führen. springt die Lastspannung uL immer zwischen U0/2 und -U0/2 hin und her und auch beim Strom gibt es eine Fluktuation um den Sollwert. Version 2.21 deutlich zeigt.und Stromumkehr ermöglicht. Wird S1 wieder geöffnet. Sollstrom gepunktet). ließe sich beides mit einem Ausgangsfilter beheben. Tatsächlich sind die großen Spannungswechsel z. ist die Halbbrücke.3 Wechselrichter (DC → AC Converter) Bereits die Halbbrücke aus Bild 3. Konkret führt eine höhere Schaltfrequenz zu geringeren Fluktuationen des Stroms (allerdings auch zu höheren Schaltverlusten) und entsprechend geringeren Anforderungen an das Filter. Darüber hinaus kann aber schon bei der Erzeugung der Pulsmuster einiges getan werden. Es sei auf die im Anhang genannte Literatur und den zweiten Teil der Vorlesung verwiesen. Falls es erforderlich ist. um die Belastungen gering zu halten. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.Grundschaltungen der Leistungselektronik 40 3. die Spannungs. liegt die Spannung der oberen Quelle über der Induktivität und der Strom steigt entsprechend mit U0/2L. Es wird in solchen Fällen also immer ein Ausgangsfilter geben müssen. Die Kurven im Bild rechts zeigen mögliche Strom und Spannungsverläufe (inkl.0.21). Für einen Wechselrichter muss sich nun aber zusätzlich auch noch die Spannung umkehren können. Pulsweitenmodulation PWM) ist daher ein eigenes. Mit geeigneten Schaltmustern (Pulsen) lässt sich auf diese Weise jeder beliebige Stromverlauf. um sowohl positive als auch negative Spannungen an die Last legen zu können (Bild 3.

oder es werden z. wenn entweder S1 und S4 oder S2 und S3 eingeschaltet sind bzw. Immer mehr Motoren werden nicht einfach nur ein. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. ohne dass die Schalter und Dioden mehr Spannung sperren müssten. Mit ihm lassen sich gut nachgebildete Sinus-Ströme und -Spannungen erzeugen und das mit variabler Frequenz und Amplitude.0. was zu einer kleineren Fluktuation des Stroms führt. wird ein immer wichtigerer Zweig der (Hoch-) Leistungselektronik.B.3. die zu entsprechenden Schaltverlusten und z.22) erzielen. Bei gleicher Eingangsspannung ist die Ausgangsspannung der Vollbrücke also doppelt so groß wie bei der Halbbrücke. die Freilaufdioden leiten.Grundschaltungen der Leistungselektronik 3.22: Vollbrücke mit rein induktiver Last Insgesamt gesehen hat sich der meist drei-phasige Pulswechselrichter inzwischen als der Standard für Antriebe und ähnliches durchgesetzt.oder ausgeschaltet (bestenfalls Stern-Dreieck). Auf diese Weise kann der Stromverlauf besser geregelt werden. Anders als bei der Halbbrücke liegt bei der Vollbrücke jeweils die volle Quellenspannung U0 über der Last. auch Geräuschen und EMV-Störungen führt. bei Lokomotiven Funktionen wie die Antischlupfregelung mit Hilfe des Umrichters realisiert.T. Die duale Struktur zur Vollbrücke mit Spannungsquelle am Eingang und induktiver Last am Ausgang ist übrigens die Vollbrücke mit Stromquelle am Eingang und kapazitiver Last.4 Wechselstromumrichter (AC → AC Converter) Die Wechselstromumrichtung oder kurz die Umrichtung.B. Version 2. Eine Verbesserung lässt sich aber noch mit einer Vollbrücke (Bild 3. oder brauchen ein langsames Anlaufen und Abbremsen. also die Umformung von Wechselstrom einer Spannung und Frequenz in eine Wechselspannung anderer Spannung und Frequenz. kann durch Einschalten eines einzelnen Schalters. hier S1. Oktober 2009 . also auch keine Spannung über der Induktivität ergibt. ein Freilaufpfad über D3 und S1 eröffnet werden. null Spannung über die Last anlegen zu können. sondern müssen geregelt werden (Drehzahl).2 Vollbrücke (Full-Bridge) 41 Die Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle erfüllt bereits die Anforderungen an einen Wechselrichter. Ein weiterer Vorteil der Vollbrücke ist die Möglichkeit. der nicht über die Quelle führt. sowie einer Serienschaltung von Schalter und Diode! i0 D1 U0 D2 S2 S1 D3 uL L D4 S4 iL S3 Bild 3. 3. Nachteilig ist nur die im Vergleich zur Ausgangsfrequenz hohe Schaltfrequenz. Bei einem positiven Laststrom z. Bei gleichem Ausgangsstrom wäre so die Ausgangsleistung doppelt so groß.

Der Matrix-Umrichter erhielt seinen Namen. In jedem Fall dürfen die Schalter aber nicht so geschaltet werden. ein mit Thyristoren aufgebauter Umrichter. wenn nicht alle Matrixpunkte durch Schalter belegt sind. was bisher nur durch hybride Lösungen möglich ist. Tatsächlich hat der Matrix-Umrichter per se keine Vorzugsrichtung. Zwischenspeicher und Wechselrichter realisiert. Der Matrix-Umrichter dagegen könnte in Zukunft eine wichtige Rolle spielen.2 beschrieben. dass sich ein Phasenkurzschluss ergibt (nie zwei Schalter in derselben „Spalte“ oder derselben „Zeile“). so dass er hier nicht behandelt werden soll. Das bedeutet sowohl zusätzlichen Aufwand (Anzahl der Elemente) als auch zusätzliche Verluste.5 Weiches Schalten (Soft Switching) Zu Beginn des (Leistungs-) Halbleiterzeitalters war die Leistungsfähigkeit der Bauelemente noch sehr begrenzt. Der große Vorteil ist dabei die Entkopplung von Eingang und Ausgang und natürlich auch die geringere Komplexität für die einzelne Stufe. so bilden die Schalter die einzelnen Matrixelemente. Stellt man sich die Eingangs.Grundschaltungen der Leistungselektronik 42 Wie schon in Abschnitt 2. Inzwischen wird dieser Typ aber immer mehr verdrängt. insbesondere kann der Leistungsfluss auch umgekehrt werden. Ohnehin sind die hohen Anforderungen an die Schaltelemente ein grundsätzlicher Nachteil des Matrix-Umrichters. ~ U0 ~ U0 ~ RL LL RL LL RL LL U0 Bild 3. Es gibt aber auch sogenannte Direktumrichter. Oktober 2009 . was aus dem Matrix-Umrichter wird.und y-Achsen vor. also mit den im Vorangegangenen bereits beschriebenen Komponenten. Diese ergibt sich erst durch eine Beschaltung oder. Auch wenn es noch keine kommerzielle Umsetzung gibt. die die Umformung der Wechselspannungen ineinander in einem Schritt ohne Zwischenspeicher durchführen.23). Die Schaltelemente müssen in beide Richtungen leiten und sperren könnten.und Ausgangsphasen als x. einige Bedeutung bei niedrigen Ausgangsfrequenzen und sehr großen Leistungen. Die Bauelemente konnten meist nicht einmal abgeschaltet werden Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.23: Dreiphasiger Matrix-Umrichter mit Ohmsch-induktiver Last 3. wodurch die Umrichtung in beide Richtungen möglich ist. zieht er immer mehr Interesse auf sich. Durch entsprechendes Ein. wird die Umrichtung fast immer mit einem System aus Gleichrichter.und Ausschalten der einzelnen Schalter lässt sich praktisch jeder beliebige Ausgangsstrom erzeugen. Früher hatte der Cyclo(n)-Umrichter.0. was bei mehrphasigen Systemen möglich ist. Es bleibt also abzuwarten. Version 2. weil jede Eingangsphase mit jeder Ausgangsphase über einen Schalter verbunden ist (Bild 3.

Allerdings sind für das weiche Schalten zusätzliche Bauelemente nötig und die bestehenden Bauelemente werden zum Teil deutlich anders belastet (Maximalstrom oder –spannung. Man spricht deshalb auch von entlastetem Schalten. was oft eine andere Dimensionierung nach sich zieht. In den einzelnen Bauelementabschnitten wird hiervon noch die Rede sein. Eine andere Möglichkeit sind resonante Netzwerke. so dass resonante Schaltungen immer weniger verwendet werden mussten.und Spannungssteilheiten beim harten Schalten der Fall wäre. Diese Netzwerke aus Induktivitäten und Kapazitäten. snubber) wie die RCDBeschaltung (vergl.2.1. Diese Beschaltungen haben aber den Nachteil. dass sie zusätzliche Verluste generieren bzw. Das weiche Schalten mit den erheblich reduzierten Schaltverlusten wäre dann eine sehr interessante Alternative. dass durch ein Schaltereignis eine Halbwelle (Schwingung eines LC-Kreises) angestoßen wird. Oktober 2009 . wird der Schalter beim Nullstromschalten (engl. Spannungsrichtung. die zumindest einen Teil der Energie zurückspeisen. sorgen dafür. oder sogar Beschaltungen. In der Zwischenzeit hatten sich die Halbleiterkomponenten aber deutlich weiterentwickelt. aber diese Schaltungen sind meist aufwändig und oft auch schwierig zu dimensionieren. Damit steigen proportional auch die Schaltverluste.0. Die im Halbleiter umgesetzte Leistung ist dann ebenfalls sehr klein und die Belastung entsprechend gering. welche Schaltung in Frage kommt.1 Nullstromschalten (ZCS) Wie der Name bereits andeutet. so dass wieder auf die Literatur verwiesen sei. In letzter Zeit aber gibt es neues Interesse an resonanten Schaltungen. zumal auch viel weniger EMV-Probleme auftreten als es aufgrund der hohen Strom.3. werden immer höhere Schaltfrequenzen verwendet. sondern deren Selbstaufheizung. Leider würden die zahlreichen Schaltungsvarianten den Rahmen dieses Skripts bei weitem sprengen. ob sich dieser Zusatzaufwand überhaupt lohnt bzw.Grundschaltungen der Leistungselektronik 43 (Thyristoren). dann waren sie weit davon entfernt. induktive Lasten wie in Abschnitt 3.11 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. dass die Halbleiterbauelemente entweder bei sehr kleiner Spannung oder bei sehr kleinem Strom geschaltet werden. also den vollen Strom bei gleichzeitig anliegender voller Spannung. Grundsätzlich geht es immer darum. soft switching).4). siehe unten). die den Stress auf die Bauelemente im Schaltmoment reduzieren. abschalten zu können. Abschnitt 2. 3. Version 2. Das Problem ist jetzt also meist nicht mehr die (Ab-) Schaltfähigkeit der Halbleiterbauelemente. Um die Umrichter kompakter machen zu können. Es ist also in jedem Einzelfall zu entscheiden. an deren Ende dann ein weiteres Schaltereignis steht. Eine wirksame Maßnahme waren Entlastungsnetzwerke (engl. An zwei Grundschaltungen soll das Prinzip des weichen Schaltens hier kurz erläutert werden.5. und wenn. die Verluste nur von der Halbleiterkomponente in den Widerstand des Entlastungsnetzwerks transferieren und so zu einer eher negativen Gesamtverlustbilanz führen. oder der Zwischenkreis durch ein resonantes Netzwerk erweitert werden müssen. Das Prinzip soll anhand eines Abwärtswandlers demonstriert werden.2 „hart“. Dazu wird die Schaltung aus Bild 3. Der hart geschaltete Pulswechselrichter war zur Norm geworden. ZCS) immer dann betätigt. spielt im Grunde keine Rolle. zero current switching.3. wenn kein Strom über ihn fließt. die Last. in denen selbst also keine Leistung umgesetzt wird. Man spricht deshalb auch vom weichen Schalten (engl. Zwar gibt es zahlreiche Varianten von verlustarmen Beschaltungen. so dass sie nur selten verwendet werden. Ob dazu die Schalter.

was zu einer Entladung von CR führt (Phase ). auch noch eine Diode DR eingefügt werden.25: Strom. dass der Strom i praktisch konstant ist (i ≈ I). bis die Kapazität ganz entladen ist und der Schalterstrom sein Maximum erreicht (t3). Stattdessen sperrt die Freilaufdiode und nimmt ab jetzt Sperrspannung auf.Grundschaltungen der Leistungselektronik 44 (Seite 30) um ein resonantes Netzwerk bestehend aus einer Induktivität LR und einer Kapazität CR erweitert. Die Induktivität LF läuft über die Diode DF frei und soll so groß sein.und Spannungsverläufe beim ZCS-Abwärtswandler. Version 2. die keine Rückwärtssperrfähigkeit besitzen (z. Zusätzlich muss bei Schaltelementen. Die Analyse des Schaltverhaltens beginnt bei geöffnetem Schalter (Phase in Bild 3.B. Wenn der Schalterstrom iS den Wert I erreicht hat (t2). Der weitere Stromanstieg durch den Schalter wird nun von der Kapazität CR gespeist. müsste zu einer Stromumkehr in der Freilaufdiode führen. Das durch die Induktivität LR vorgegebene weitere Ansteigen von iS. uR i0 iS U0 CR DR LR DF CF uL Bild 3. IGBTs).24: Abwärtswandler mit Resonanznetzwerk für ZCS und rein Ohmscher Last. Die als ideal angenommene Diode besitzt keinen Durchlassspannungsabfall und so liegt an der Kapazität CR des resonanten Netzwerks die Quellenspannung U0. ist der Strom durch die Freilaufdiode zu null geworden. Wird nun der Schalter geschlossen (t1). Oktober 2009 . Während dieser Zeit ist die Freilaufdiode weiterhin leitend und die Kapazität CR daher weiterhin auf U0. bei symmetrischen Thyristoren entfallen.0.B. LF i iL RL iS I uR t U0 t t1 t2 t3 t4 t5 t6 Bild 3.25). Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. so steigt der Schalterstrom iS (und damit der Quellenstrom i0) linear mit U0/LR bis er den Wert I erreicht hat (Phase ). Diese könnte z. Durch die abnehmende Spannung über CR wird der Stromanstieg durch den Schalter immer kleiner.

dass der Schalterstrom abnimmt. (Wie würden die Kurven aussehen? Hinweis: Dualisieren!) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Es ist wieder der Ausgangszustand (Phase ) erreicht. Das für das ZVS notwendige Netzwerk lässt sich aus dem entsprechenden Netzwerk für ZCS leicht durch Dualisieren erzeugen. Das resonante Netzwerk schwingt um. Es gibt also durchaus auch negative Beiträge zur Verlustbilanz. Wie in Bild 3.26 wieder am Beispiel des Abwärtswandlers gezeigt.B.0. die zusätzliche Durchlassverluste generiert. wenn keine Spannung über ihm abfällt.2 Nullspannungsschalten (ZVS) Auch hier deutet der Name bereits an. Wie diese Analyse gezeigt hat. jetzt jedoch antiparallel. zero voltage switching. was eine massive Einschränkung bedeutet. so dass er nun die Kapazität negativ gepolt auflädt (Phase ).Grundschaltungen der Leistungselektronik 45 Der Schalterstrom ist in diesem Moment sehr viel größer als I. und gleichzeitig keine oder nur geringe Spannung über dem Schalter liegt. Elektrolytkondensatoren ausschließt. wodurch sich deren Spannung linear mit I/CR erhöht und dabei positiv wird. Neben den zusätzlich notwendigen Komponenten gibt es noch eine Reihe weiterer Nachteile.25 muss der Schalter neben dem vollen Ausgangsstrom I noch den resonanten Strom tragen (für echtes ZCS mindestens nochmal den Ausgangsstrom!). Version 2. wird aber der Schalterstrom iS bei t5 zu null und müsste seine Richtung umkehren. Und schließlich ist die Einschaltdauer durch die Länge der Halbwellen festgelegt! Die Steuerung kann also nur über die Ausschaltdauer erfolgen.25 unten). Ist der Schalterstrom auf den Wert I abgesunken (t4). Man erkennt daran sehr schön. Der Schwingkreis aus CR und LR ist jetzt unterbrochen. Das Ausschalten ist sogar völlig entlastet. Bevor die Kapazität CR ganz entladen ist. dass die Dualisierung bis „in die Details wirkt“ und auch die Eigenschaften der einzelnen Komponenten betrifft (Rückwärtssperrfähigkeit ↔ Rückwärtsleitfähigkeit). was z. um den Strom durch LF zu tragen. dass der Schalter beim Nullspannungsschalten (engl. Die negative Spannung hat wiederum zur Folge. also sehr viel langsamer als bei hartem Schalten. Oktober 2009 . notwendig ist. der Rückwärtssperrfähigkeit des Schalters) unmöglich. ob sich das weiche Schalten für eine bestimmte Anwendung wirklich lohnt. so dass der Schalterstrom null bleibt und der Schalter stromlos geöffnet werden kann. Leider haben diese Vorteile aber einen hohen Preis.5. Das ist aber aufgrund der Diode DR (bzw. weil der Schalterstrom mit U0/LR ansteigt. so wird die Freilaufdiode DF wieder leitend und übernimmt den Strom I. so dass größere Durchlassverluste entstehen und im Allgemeinen ein größeres und teureres Halbleiterbauelement notwendig wird. Dadurch kehrt sich die Stromrichtung in der Kapazität CR um und die Spannung über CR strebt nach ihrem größten negativen Wert bei t4 wieder gegen null (Phase ). 3. Man beginnt dabei mit dem geschlossenen Schalter als stationärem Zustand. Erreicht die Spannung uR über der Kapazität CR schließlich bei t6 die Quellenspannung U0. reicht er nicht mehr aus. ist das Einschalten stark entlastet. Insgesamt ist also sehr genau zu prüfen. so dass auch hier im Allgemeinen eine Diode. Darüber hinaus muss die Kapazität CR des resonanten Netzwerks Spannung in beide Richtungen aufnehmen können (Bild 3. Außerdem brauchen Schaltkomponenten ohne inhärente Rückwärtssperrfähigkeit eine Seriendiode. Die Funktion dieser Schaltung kann analog zur ZCS-Schaltung analysiert werden. Das Schaltelement braucht nun eine Rückwärtsleitfähigkeit. ZVS) immer dann betätigt wird. Die entsprechende Schaltung ist in Bild 3. Im weiteren (Phase ) lädt der Strom I die Kapazität CR.

0.Grundschaltungen der Leistungselektronik 46 uR CR i0 iS U0 DR LR DF CF uL Bild 3.26: Abwärtswandler mit Resonanznetzwerk für ZVS und rein Ohmscher Last. LF i iL RL Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Version 2. Oktober 2009 .

was aber mit erheblichem Aufwand verbunden ist. entspricht aber nicht der Realität. Beim Ausschalten geht der Thyristor wieder in den Sperrzustand über. Version 2. Das Ansteuersignal ist kontinuierlich und entweder eine Spannung über einer Eingangskapazität oder ein Strom Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.1b. Ohne Ansteuerung sperrt er in Vorwärtsrichtung und je nach Typ auch in Rückwärtsrichtung. Konkret wurde jeweils angenommen. beginnt sie zu leiten und besitzt eine sehr kleine Flussspannung von unter einem bis zu wenigen Volt. so dass das Rückwärtsverhalten ohne Belang ist.1a zeigt die idealisierte Kennlinie einer Diode. In diesem Kapitel sollen die grundlegenden Prinzipien vorgestellt werden. nur wenige 10V sperren. Es ergeben sich also Zielkonflikte.und ausschalten können • alle auftretenden Verlustleistungen ohne Schaden aushalten • nur vernachlässigbar kleine Steuerleistung benötigen • usw. die am Ende zu einem Kompromiss führen. dass es keine Durchbrüche gibt • jeden Strom führen können • eine vernachlässigbar niedrige Durchlassspannung haben • beliebig schnell aktiv ein. um dem Anwender ein Gefühl für die beteiligten Effekte und deren Konsequenzen zu geben. wenn überhaupt. • Thyristoren Der Thyristor ist ein reines Schaltelement. Bild 4. Fast immer ist aber eine antiparallele Diode vorhanden. In Rückwärtsrichtung würde er. sperrt sie und lässt nur noch einen sehr kleinen Leckstrom durch. Die idealisierte Kennlinie eines symmetrischen Thyristors zeigt Bild 4. gezündet und geht dann in einen Zustand über. Der Thyristor wird durch ein kurzes Steuersignal. meist einen Strompuls.0. Es fließt dann jeweils ein kleiner Sperrstrom. aber dafür bei anderen Abstriche hinnehmen zu müssen. Dieser Zustand ist im Normalbetrieb zu vermeiden. Das war für das grundlegende Verständnis der Schaltungen sicher sinnvoll. Je nach Typ kann der Thyristor auch wieder aktiv ausgeschaltet werden. Oktober 2009 . dass die Bauelemente: • eine so hohe Spannungsfestigkeit besitzen. Je nach Schaltung oder Anwendung kann dieser Kompromiss dann für dasselbe Bauelementprinzip zu ganz anderen Bauelementen führen. der dem einer leitenden Diode sehr ähnlich ist. Tatsächlich steht der Entwickler von Halbleiterbauelementen oft vor der Alternative einzelne Forderungen recht gut erfüllen zu können. Erst bei Erreichen der Durchbruchspannung fließt dann auch in Rückwärtsrichtung ein großer Strom. Es sind nur diese beiden Zustände möglich. Grundsätzlich kann man dabei drei Gruppen von Halbleiterbauelementen unterscheiden: • Dioden Wenn die Diode in Vorwärtsrichtung gepolt wird. Wird die Diode in Rückwärtsrichtung gepolt. • Transistoren Ohne Ansteuerung sperrt der Transistor in Vorwärtsrichtung.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 47 4 Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik In den vorangegangenen Kapiteln wurde meistens von idealen Schaltern und Dioden ausgegangen.

Ziel muss es aber sein. Der wichtigste Unterschied zum Thyristor ist die Begrenzung des Ausgangsstroms.2) Zusammen mit der in (4.58 ⋅ 10 −6 ⋅ U BR 7 ⇒ w n (3kV ) ≈ 0. also die Anschlüsse zum Rest der Schaltung. dass der Metall-Halbleiter-Übergang eine Ohmsche Kennlinie und einen sehr geringen Widerstand besitzt. Dieser zeigt bereits die Funktionalität einer Diode: Stromfluss in eine Richtung und Sperren in die andere.029cm = 290 µm (4. Diese beträgt für das Beispiel der 3 kV sperrenden Diode: 6 w n ≈ 2. Die Bezeichnung rührt daher. Der Transistor lässt sich durch Unterbrechen des Ansteuersignals abschalten. Ein zweites Problem ergibt sich zusammen mit der notwendigen Weite wn der Raumladungszone. –strom ergibt sich eine andere Strombegrenzung. Je nach Steuerspannung bzw. dass die Diode in Durchlass gepolt ist.1) Ein metallischer Kontakt auf so niedrig dotiertem Material würde einen Schottky-Übergang ergeben (auf dem hoch dotierten p-Material ergibt sich hingegen ein guter Kontakt).1 pin-Diode In der Grundlagenvorlesung wurde der pn-Übergang behandelt. Die Näherungsformeln für den abrupten p+n-Übergang zeigen das Problem am Beispiel einer 3 kV sperrenden Diode.1c zeigt das idealisierte Kennlinienbild mit verschiedenen Strombegrenzungen.6 ⋅ 1013 cm −3 (4.1 Grundstruktur Diese einfache Strukturbeschreibung ist für Dioden sehr niedriger Sperrfähigkeit korrekt. Grundsätzlich handelt es sich dabei um metallische Kontakte auf dem Halbleiter. Oktober 2009 . Die n-Dotierung ND. c) des Transistors (mit antiparalleler Diode) 4. zum n-Gebiet Kathode genannt.0. Zu einem richtigen Bauelement fehlt dem pn-Übergang aber noch die Verbindung nach außen. damit keine zusätzlichen Durchlassverluste entstehen. Version 2.1: Idealisierte Ausgangskennlinien.1) berechneten Dotierung und einer typischen Stromdichte JF von 50 A/cm2 sowie einer idealen Elektronenbeweglichkeit µn von 1400 cm²/Vs ergäbe sich über der n-Zone im Durchlass ein Spannungsabfall Un von: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. b) des (symmetrischen) Thyristors.1. die für 3 kV Sperrfähigkeit notwendig wäre. 48 iA iA iC uAK a) b) ( ) uAK c) uCE Bild 4. beträgt: 3 N D ≈ 2 ⋅ 1018 ⋅ U BR −4 ⇒ N D (3kV ) ≈ 4. Das Steuersignal beeinflusst auch den Durchlass. Dabei hängt die Art und Weise stark vom Wirkprinzip des Transistors ab. a) der Diode. Bild 4. Bei Dioden für hohe Spannungen wäre es damit aber nicht getan.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik in den Steueranschluss. Der Kontakt zum p-Gebiet wird Anode. wenn die Anode positives und die Kathode negatives Potential besitzt. 4.

dass das Feld selbst bei maximaler Sperrspannung die n+-Zone nicht erreicht. zeigt Bild 4. so kann die Dotierung doch als Freiheitsgrad für die Auslegung einer Diode genutzt werden.2).3c.3a ist die so genannte Non-Punch-Through (NPT) Lösung dargestellt. Den entgegengesetzten Fall.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Un = JF ⋅w n q ⋅ µn ⋅ N D ⇒ A . werden sie in der n-Zone angestaut. Anode p+ + Kathode n - n+ Bild 4. ist das ein erheblicher Vorteil im Bezug auf Durchlass. der n-Kontakt und die Durchlassspannung.2: Diode für hohe Sperrfähigkeit.3) Beide Probleme.0. der allgemein auch für Dioden mit sehr niedrig dotiertem Mittelgebiet verwendet wird. Da im Mittelgebiet keine Dotierung vorhanden ist. Da die Feldstärke über das gesamte Mittelgebiet den Maximalwert annehmen kann. Version 2. Andererseits werden nun von beiden Seiten Ladungsträger in die n-Zone injiziert (Löcher von der p+-Seite und Elektronen von der n+-Seite). Bild 4. Oktober 2009 . Offenbar wird die Leitfähigkeit der n-Zone jetzt nicht mehr von ihrer Dotierung bestimmt.und Schaltverluste.und Leitfähigkeit ist also aufgehoben. Da die injizierten Ladungsträger nicht ohne weiteres abfließen und auch nur langsam rekombinieren. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. die echte pin-Diode. reicht ein viel kürzeres Mittelgebiet aus. Historisch gesehen ist das aber der Ursprung für die Bezeichnung pin-Diode. Der unmittelbare Zusammenhang zwischen Sperr. Die Dotierung und Weite des Mittelgebiets sind so eingestellt. Tatsächlich hat sich die Strukturfolge p+in+ oder kurz pin als dynamisch instabil erwiesen und wird heute nicht mehr verwendet. Angedeutete Ladungsträgerinjektion. Die n-Zone befindet sich dadurch überall in hoher Injektion und das entstandene Elektronen-LochPlasma erhöht (moduliert) die Leitfähigkeit der n-Zone um Größenordnungen. die Feldstärke ist konstant. Erst im n+-Gebiet stehen ausreichend Ladungsträger zur Verfügung. lassen sich durch die Einführung einer dritten. p+n-Übergang mit zusätzlicher n+-Zone und metallischen Kontakten (Anode und Kathode). sie wäre dann intrinsisch. In Bild 4. Einerseits ergibt sich durch die hohe Dotierung der n+-Zone ein guter Ohmscher Kontakt (die Potentialbarriere wird durchtunnelt).3kV ) ≈ 140V ! cm 2 49 U n (50 (4. hoch dotierten n+-Zone zwischen der n-Zone und dem metallischen Kontakt lösen (siehe Bild 4. wodurch das Feld bei Erreichen dieser Zone sehr schnell auf null fällt (analog zur p+-Zone). Wie sich später zeigen wird.3 zeigt die drei möglichen Varianten des Dotierprofils und die zugehörigen Feldstärkeverteilungen. es ergibt sich ein Feldstärketrapez. um auf die gleiche Sperrfähigkeit (gleiche Fläche unter dem Feldstärkeverlauf) wie die NPTDiode zu kommen. Im Grunde bräuchte die mittlere Zone überhaupt nicht mehr dotiert zu sein. bevor die Diode durchbricht. Auch wenn die echte pin-Diode keine Alternative darstellt. Es bleibt immer ein feldfreier Bereich vor der n+-Zone. wird das Feld überhaupt nicht abgebaut.

Der Designer kann also mit der Dotierung und der Weite des Mittelgebiets "spielen" und die Eigenschaften der Diode auf die Anwendung maßschneidern.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik lND-NAl lND-NAl lND-NAl 50 p+ lEl n n+ p+ lEl n- n+ p+ lEl i n+ a) b) c) Bild 4. Leider ist diese Situation durch die Abhängigkeiten der verschiedenen Parameter untereinander kaum analytisch zu erfassen. die mit Hilfe der Finiten Elemente Methode eine detaillierte Berechnung der Verhältnisse erlaubt.2 Durchlassverhalten Im Folgenden soll das Durchlassverhalten der pin-Diode näher untersucht werden. Jeder signifikante Unterschied zwischen Elektronen. Diesen so genannten Punch-Through (PT) Fall zeigt Bild 4. wird in der Realität eine Lösung zwischen den beiden Extremen NPT-Diode und pin-Diode verwendet.3b. wodurch das Feld bis zum n+-Gebiet reicht und erst dort auf null geht.0. Welche Kriterien dabei eine Rolle spielen. Einzelne Effekte lassen sich dennoch hinreichend genau an Hand von Näherungsmodellen betrachten und. Beide Endgebiete injizieren Ladungsträger in das Mittelgebiet.und Löcherkonzentration im Plasma würde zu großen elektrischen Feldern und damit zu Ausgleichsströmen führen. da dieselben oder zumindest ähnliche Effekte bei allen Plasmabauelementen wie den Thyristoren (GTO. aber aufgrund der niedrigeren Dotierung viel langsamer als bei der NPT-Diode. ist im stationären Zustand also nicht möglich. wird die genauere Analyse des stationären Durchlass. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.1. Bild 4. Aufgrund der Rekombination im Mittelgebiet ist die Plasmakonzentration aber nicht konstant. Oktober 2009 . Das Feld wird im Mittelgebiet zwar leicht abgebaut.3: Varianten einer Hochspannungsdiode für jeweils dieselbe Sperrfähigkeit: a) die NPT-Diode.4 zeigt die Ladungsträgerverteilung wie sie sich bei Vorwärtspolung einstellen wird. soll dieser Untersuchung hier breiterer Raum eingeräumt werden. Version 2. b) die PT-Diode und c) die echte pin-Diode. sondern zur Mitte hin kleiner. Die Minoritätsladungsträger rekombinieren dort (spätestens am Kontakt). so dass sich mit der resultierenden Diffusion ein exponentieller Konzentrationsverlauf ergibt. 4. Stattdessen bietet sich hier die Bauelementsimulation an. wo sich ein Elektron-Loch-Plasma mit n = p = npl bildet (Quasineutralitätsbedingung wegen Vernachlässigung der Dotierung).und des Ausschaltverhaltens zeigen. Aus dem Plasma heraus findet Injektion in die Endgebiete statt. Das Mittelgebiet kann auch hier deutlich kürzer sein als im NPT-Fall. GCT) und sogar bei den IGBTs auftreten. Da die echte pin-Diode aber die oben schon erwähnte dynamische Instabilität zeigt.

1 Hall-Näherung (keine Injektion in die Endgebiete) Die so genannte Hall-Näherung vernachlässigt das Geschehen in den Endgebieten vollständig.2.und Kontinuitätsgleichungen für Elektronen und Löcher.5 schematisch dargestellt. Wird die Quasineutralität (n = p = npl) bereits angenommen. 4. so lauten die Gleichungen für den stationären Fall (d/dt = 0): j p = q ⋅ µ p ⋅ n pl ⋅ E − q ⋅ D p ⋅ dn pl dx (4. Konkret wird angenommen: • • • • Keine Injektion in die Endgebiete (ideale Emitter) Kein Spannungsabfall über den Endgebieten Konstante (high level) Trägerlebensdauer τHL über das Mittelgebiet hinweg Quasineutralität im gesamten Mittelgebiet (n = p = npl) Die daraus resultierende Plasmaverteilung ist in Bild 4.0.4) j n = q ⋅ µ n ⋅ n pl ⋅ E + q ⋅ Dn ⋅ dn pl dx (4.1. Version 2.5: Ladungsträgerverteilungen bei Verwendung der Hall-Näherung. p p = NA n = p = npl ni n n = ND np0 0 wm pn0 Bild 4. Oktober 2009 . Die Herleitung beginnt mit den Stromdichte.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 51 p+ p p = NA + i n = p = npl ni n+ n n = ND np0 0 wm pn0 Bild 4.5) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Kernstück der Hall-Näherung ist die Berechnung der Plasmakonzentration im Mittelgebiet.4: Ladungsträgerverteilungen in einer vorwärts gepolten pin-Diode.

0.11) wobei die ambipolare Diffusionslänge La gegeben ist durch: La = Da ⋅ τ HL (4. j n (0 ) = 0 .5) ist sie offenbar das Maß für die Diffusion des Elektron-Loch-Plasmas.7) Durch Addition der beiden Stromdichtegleichungen (j = jp+jn) und Auflösen nach der Feldstärke E ergibt sich: E = j q ⋅ ( µ n + µ p ) ⋅ n pl − Dn − D p µn + µ p ⋅ 1 dn pl ⋅ n pl dx (4. Zusammen mit der speziellen Lösung npl = ni = konstant lautet die allgemeine Lösung: n pl ( x ) = ni + A ⋅ cosh x x + B ⋅ sinh La La (4.12) Die Differentialgleichung (4.9) in die Kontinuitätsgleichung für die Löcher ein. so fällt der erste Term von Gleichung (4. Es ist hier aber vorteilhaft. Oktober 2009 .11) lässt sich grundsätzlich mittels Exponentialfunktionen lösen. Konkret führt die Annahme idealer Emitter zu folgenden vier Bedingungen: j p (0 ) = j . hyperbolische Funktionen zu verwenden. weil die Stromdichte in der Diode konstant ist.8) Mit Hilfe dieses Ausdrucks lässt sich die Feldstärke aus den Stromdichtegleichungen eliminieren.4) und (4.13) Es gilt nun die Faktoren A und B mit Hilfe der Randbedingungen zu lösen.9) µn + µ p dx wobei die Einstein-Beziehung für Elektronen (Dn = Uth·µn) und für Löcher (Dp = Uth·µp) angewendet und die ambipolare Diffusionskonstante Da als: Da = 2 ⋅ Dn ⋅ D p Dn + D p = 2⋅ µn ⋅ µ p µn + µ p ⋅ U th (4.9) beim Differenzieren nach dem Ort weg. Setzt man nun Gleichung (4. Verglichen mit den Gleichungen (4.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 1 dj p n pl − n i ⋅ − q dx τ HL 1 dj n n pl − n i ⋅ − q dx τ HL 52 0 = − (4. Version 2. Im Fall des Löcherstroms jp lautet die sogenannte ambipolare Stromdichtegleichung: µp dn pl jp = ⋅ j − q ⋅ Da ⋅ (4.6) 0 = (4. jp ( w m ) = 0 und jn ( w m ) = j (4.10) definiert wurde.14) Nach längerer Rechnung folgt daraus schließlich die Lösung für die Plasmakonzentration im Mittelgebiet: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Man erhält dann die Differentialgleichung: d 2 n pl dx 2 = n pl − n i L2 a (4.

Für µn = µp wird der rechte Term in der Klammer null und die Plasmakonzentration ist eine um die Mitte der Mittelzone symmetrische cosh-Funktion. Version 2. (4. Für µn ≠ µp ergibt sich eine aus der Mitte verschobene cosh-Funktion.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik x − x0 ⎛ ⎜ cosh La j ⋅ τ HL ⎜ + ⋅ ⎜ wm 2 ⋅ q ⋅ La ⎜ sinh 2 ⋅ La ⎝ x − x0 µn − µ p La − ⋅ wm µn + µ p cosh 2 ⋅ La sinh ⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ 53 n pl ( x ) = ni (4.E+16 1. Oktober 2009 . dass die Plasmakonzentration npl (unter Vernachlässigung von ni) direkt proportional zur Stromdichte j ist.E+17 τHL = 10 µs Plasmakonzentration [cm-3] 1.E+14 0 50 100 150 Position [µm] 200 250 Bild 4. Für die Berechnung des Spannungsabfalls über dem Mittelgebiet ist das sehr vorteilhaft.0. so ergibt sich für die Feldstärke im Mittelgebiet: Dn − D p j d ( j ⋅ f ( x )) 1 E = − (4. 1.15) daher auch in folgende Form bringen: n pl ( x ) = n i + (n pl ⎛ x − x min ( x min ) − n i ) ⋅ ⎜ cosh ⎜ La ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (4. Setzt man für die Plasmakonzentration npl(x) = j·f(x) an.17) ⋅ ⋅ q ⋅ ( µn + µ p ) ⋅ j ⋅ f ( x ) µn + µ p j ⋅ f ( x ) dx Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.6: Plasmakonzentration bei verschiedenen Ladungsträgerlebensdauern für eine pin-Diode mit 290 µm breitem Mittelgebiet bei 10 A/cm².16) wobei xmin die Koordinate des Minimums der Plasmakonzentration ist. Bild 4.6 zeigt zwei Beispiele für die Plasmakonzentration bei unterschiedlicher (high level) Trägerlebensdauer τHL. Man könnte Gl. Das zweite wichtige Ergebnis dieser Herleitung ist die Tatsache.15) wobei x0 die Mitte des Mittelgebiets zwischen 0 und wm bezeichnet.E+15 τHL = 1 µs 1.

Bild 4. dass die Mittelgebietsspannung bis zu einem wm/La-Verhältnis von 2 bis 3 vernachlässigbar ist und erst danach sehr schnell ansteigt. Version 2. sehr umfangreiche Herleitung soll hier nicht wiedergegeben werden. Dazu wird zunächst der Zusammenhang zwischen der Plasmakonzentration und der Durchlassspannung der beiden p+i. Die Feldstärke und damit auch das Integral der Feldstärke über das Mittelgebiet. 54 5 4 3 Um [V] 2 1 0 0 1 2 3 4 5 wm/La 6 7 8 9 10 Bild 4.0. Aus der Multiplikation der Gleichungen (4.7: Mittelgebietsspannung Um in Abhängigkeit vom Quotienten der Weite wm des Mittelgebiets und der ambipolaren Diffusionslänge La.18) und (4. Oktober 2009 . Es ist klar zu sehen. in+-Übergänge herangezogen: Up+i n pl (0) = p(0) = n i ⋅ e U th (4. Nach der Bestimmung der Mittelgebietsspannung soll abschließend noch die StromSpannungs-Kennlinie der pin-Diode berechnet werden.20) Durch Auflösen nach j und unter Vernachlässigung der Spannungsabfälle in den Endgebieten (Up+i + Uin+ = U .15). Unter Vernachlässigung von ni kann man wieder vereinfacht npl(0) = j·f(0) bzw. npl(wm) = j·f(wm) ansetzen.bzw. kürzt sich j in beiden Termen heraus.Um) ergibt sich schließlich die Kennliniengleichung: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Da die Gesamtstromdichte j nicht ortsabhängig ist.18) n pl (w m ) = n(w m ) = n i ⋅ e U in + U th (4.19) Andererseits ergeben sich die Plasmakonzentrationen aus Gleichung (4. also der Spannungsabfall über dem Mittelgebiet. Für beide Bereiche finden sich in der Literatur Näherungsformeln und entsprechende Herleitungen.7 zeigt stattdessen die Abhängigkeit der Mittelgebietsspannung Um vom Quotienten der Weite wm des Mittelgebiets und der ambipolaren Diffusionslänge La (für die Beweglichkeiten wurden ideale Werte angenommen).19) ergibt sich dann: Up+i n pl (0) ⋅ n pl (w m ) = n ⋅ e 2 i U th ⋅e U in + U th = j 2 ⋅ f (0) ⋅ f (w m ) (4. wird von der Stromdichte unabhängig! Die genaue.

23) NB: Bei sehr kurzen Endgebieten. In diesem Bereich ist die Kleinman-Näherung besser geeignet.8 schematisch dargestellt. wird die Injektion in die Endgebiete und die dortige Rekombination und Diffusion immer wichtiger. wobei Ln die Diffusionslänge der Elektronen im p-Gebiet ist: jn = q ⋅ Dn ⋅ np Ln mit Ln = Dn ⋅ τ n (4. Der Gradient der Minoritätsträger ist Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. werden außerdem noch weitere Näherungen eingeführt. hier aber nicht weiter behandelt werden soll. Für die p-Seite wird dazu zunächst die Stromdichtegleichung unter Annahme von E = 0 (keine Spannungsabfälle im Endgebiet) herangezogen. Dieses Vorgehen führt bei niedrigen Stromdichten noch zu brauchbaren Resultaten bzw. der Injektionsstrom in die Endgebiete mit dem Quadrat der Plasmakonzentration zunimmt. in+-Übergängen fällt zusammen die Spannung Uj ab.2 Kleinman-Näherung (keine Mittelgebietsrekombination) Die Stärke der Hall-Näherung ist also die gute Beschreibung der Verhältnisse im Mittelgebiet. Das Kernstück der Kleinman-Näherung ist die Berechnung der Injektionsstromdichte. rekombinieren die Minoritätsträger fast ausschließlich am Kontakt.22) Der Gradient der Minoritätsträgerkonzentration np ist bei sehr langen Endgebieten (wp >> Ln) gleich np/Ln. 4. wie später gezeigt wird. Sie vernachlässigt nun ganz im Gegensatz zur Hall-Näherung die Rekombination im Mittelgebiet gegenüber den Vorgängen in den Endzonen. Die daraus resultierende Plasmaverteilung ist in Bild 4. Am Rand der Raumladungszone gilt: j n = q ⋅ Dn ⋅ dn p dx (4. die in j0 eingehen. während der Rekombinationsstrom im Mittelgebiet nur linear mit npl ansteigt.21)). (4. wie sie bei realen Dioden häufig auftreten. während die Vorgänge in den Endgebieten komplett vernachlässigt werden. Damit die analytische Herleitung nicht zu aufwändig wird.1.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik ni ⋅ e 2 ⋅Uth f (0) ⋅ f (w m ) U − Um U 2 ⋅Uth 55 j = = j0 ⋅ e (4. und der Faktor 2 im Nenner der Exponentialfunktion. Es unterscheiden sich nur die Parameter. Oktober 2009 .0.2. die zwar stromabhängig ist (vergl. der zu einem flacheren Kennlinienverlauf führt. Das kommt daher.21) Die Kennliniengleichung der pin-Diode hat nach der Hall-Näherung also die gleiche Form wie die des einfachen pn-Übergangs.bzw. kleinen Fehlern. Bei hohen Stromdichten und damit hohen Plasmakonzentrationen jedoch. Konkret wird angenommen: • • • • • Keine Rekombination im Mittelgebiet Kein Spannungsabfall über den Endgebieten Quasineutralität im gesamten Mittelgebiet (n = p = npl) Konstante Plasmakonzentration im gesamten Mittelgebiet Über den p+i. Der Injektionsstrom wird also irgendwann zum bestimmenden Stromanteil und die Voraussetzungen der Hall-Näherung sind dann nicht mehr erfüllt. Version 2. dass.

wodurch sich der Spannungsabfall Um einfach als Produkt aus Feldstärke und Mittelgebietsweite ergibt: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Mit der Annahme einer konstanten Plasmakonzentration über das gesamte Mittelgebiet (NB: Diese Annahme verzerrt die Stromanteile) kann nun der Gesamtstrom als Summe der beiden Injektionsstromanteile berechnet werden: j = jn + j p ⎛ Dn Dp ⎞ 2 ⎟ ⋅ n pl = q ⋅⎜ + ⎜ L ⋅N Lp ⋅ N D ⎟ n A ⎠ ⎝ 2 = q ⋅ H ⋅ n pl (4.24) Insgesamt ergibt sich für die Injektionsstromdichte der Elektronen auf der p-Seite: jn = q⋅ Dn 2 ⋅ n pl (0) Ln ⋅ N A (4.26) wobei H die Eigenschaften der Endgebiete zusammenfasst. Da alle Vorgänge im Mittelgebiet vernachlässigt wurden. np = 2 n pl (0) NA (4. 56 p p = NA np np0 0 n = p = npl ni n n = ND pn pn0 wm Bild 4.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik dann viel steiler und gegeben durch die injizierte Konzentration np geteilt durch die Endgebietsweite wp.8: Ladungsträgerverteilungen bei Verwendung der Kleinman-Näherung.23) müsste also Ln durch wp ersetzt werden. Weil die Plasmakonzentration und natürlich auch die Stromdichte über das Mittelgebiet konstant sind. gehen sonst nur Endgebietsparameter ein. Für die Berechnung der Injektionsstromdichte fehlt nun noch die Minoritätsträgerkonzentration np am Rand der Raumladungszone. Es gilt: 2 p p ⋅ n p = N A ⋅ n p = p(0) ⋅ n(0) = n pl (0) bzw. Version 2. Für den allgemeinen Fall ist Ln durch Ln·tanh(wp/Ln) zu ersetzen. Für die Plasmakonzentration npl folgt daraus: j (4. Oktober 2009 .27) n pl = q ⋅H Die Plasmakonzentration nimmt hier also nur mit der Wurzel der Stromdichte zu. In Gleichung (4. während die Plasmakonzentration in der Hall-Näherung linear von der Stromdichte abhängt.25) Analog ergibt sich der Ausdruck für die Injektionsstromdichte der Löcher auf der n-Seite. ist auch die Feldstärke konstant.0.

1. Oktober 2009 .und Kleinman-Näherung Die Hall. Es ist daher nicht verwunderlich. Konkret bestimmt meistens ein Schaltelement oder eine (Streu-) Induktivität im Kreis die Stromanstiegsgeschwindigkeit (di/dt) durch die Diode. dem Bereich den die Kleinman-Näherung beschreibt. Version 2. die das Einschalten benötigt. Das Resultat entspricht dabei Gleichung (4.1. Formt man diese Gleichung nach der Stromdichte j um und setzt für die Gesamtspannung über den p+i.Uj).T. Für die Diode selbst ist das unproblematisch und die Einschaltverluste sind gegenüber den Durchlass.in den Durchlasszustand zu bringen.bzw. so ist die Zeit.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik j ⋅wm q ⋅ (µn + µ p ) ⋅ n pl H ⋅wm ⋅ j q ⋅ (µn + µ p ) 57 Um = E ⋅wm = = (4. sogar irrelevanten Betriebszustand einer pin-Diode bzw. sondern nur noch quadratisch.3 Kombination von Hall.und Abschaltverlusten immer noch vernachlässigbar.3 Einschaltverhalten Um eine pin-Diode vom Sperr. sind nur für bestimmte Dioden-Auslegungen sinnvoll. Häufig wird das Einschalten der Dioden durch die Schaltung vorgegeben. Für andere Bereiche liefern sie dagegen sehr schlechte Ergebnisse. also hoch sperrenden Dioden. wie sie bei Josef Lutz beschrieben ist (siehe Literaturhinweise). Das hat in den letzten 50 Jahren dazu geführt.28) Anders als bei der Hall-Näherung ist die Mittelgebietsspannung nun von der Stromdichte abhängig. Geht es aber um Schaltvorgänge im µs-Maßstab. 4. forward recovery voltage). Stand der Technik ist heute die Kombination der beiden Näherungen. so steht anfangs im Mittelgebiet noch nicht die volle Leitfähigkeit zur Verfügung und die Durchlassspannung der Diode kann kurzzeitig einige 10 V oder sogar wenige 100 V betragen! Man spricht hier von der Einschaltüberspannung (engl. die darauf abzielten. Zu noch höheren Stromdichten hin werden dann zusätzliche Effekte wie die Abnahme der Beweglichkeit durch Streuung der Ladungsträger untereinander relevant.2.29) Bei hohen Stromdichten.und die Kleinman-Näherung stammen beide aus der Anfangszeit der Halbleitertechnologie und beschreiben jeweils nur einen begrenzten. Insgesamt verläuft die Kennlinie dadurch noch flacher. dass zahlreiche andere Modelle entwickelt wurden. in+-Übergängen Uj ein (Um = U . steigt die Stromdichte also nicht mehr exponentiell mit der angelegten Spannung. Ein Problem kann aber Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Dieser Plasmaaufbau geht nicht unendlich schnell von Statten. dass der Einschaltvorgang bei dickeren. muss offenbar zunächst das Elektronen-Loch-Plasma in der Mittelzone aufgebaut werden. um von den Endgebieten aus an jeden Ort des Mittelgebiets zu gelangen und die stationäre Ladungsverteilung herzustellen.29) mit einer einzigen Modifikation im Spannungsterm. vernachlässigbar und die Diode befindet sich zu jedem Zeitpunkt quasi im stationären Zustand. einen größeren Betriebsbereich abzudecken – leider mit mäßigem Erfolg oder übermäßigem Aufwand. 4.0. Vielmehr brauchen die Ladungsträger einige Zeit. deutlich länger dauert. so erhält man schließlich für die Kennliniengleichung der pin-Diode: q j = H ⎛ µ + µp ⎞ ⎟ ⋅ (U − U j )2 ⋅⎜ n ⎟ ⎜ w m ⎠ ⎝ 2 (4. z. Handelt es sich um einen sehr langsamen Vorgang wie bei einer Gleichrichterdiode am 50 Hz-Netz.

nur wenige 10 V) deutlich überschreiten. Wird die Diode kurz danach (bevor das Plasma im IGBT rekombinieren kann) wieder abgeschaltet. sollen anhand des in Bild 4.0. wenn die Diode z. wird das Plasma aus dem Mittelgebiet abgesaugt. Die Schaltung in Bild 4. kann er sogar zerstört werden. Andererseits tragen aber auch die (Streu-) Induktivitäten im Diodenzweig eine zusätzliche Überspannung bei.B. Dieser Effekt wird bei höheren Sperrspannungen immer wichtiger und ist beim Auslegen einer Schaltung bzw.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik entstehen. Oktober 2009 . In jedem Fall ist die Einschalt(über)spannung der Diode bzw.4 Ausschaltverhalten Wie beim Einschalten bestimmt die Dynamik des Elektron-Loch-Plasmas auch das Ausschalten der Diode. weil der Strom nicht so schnell ansteigen kann.2.3). Bei schnellen Schaltvorgängen dagegen. die beim Ausschalten der Diode eine Rolle spielen. 58 Li U0 uD iS S iL LL ta S iS iD ein aus tb tc td I0 U0 iD uD Bild 4. Der sperrende pn-Übergang des IGBT geht dann in den Lawinendurchbruch. Für den IGBT ist die Einschaltüberspannung der Diode eine Rückwärtsüberspannung und kann seine Rückwärtssperrfähigkeit (z. des Diodenzweigs also bei der Auslegung der Schaltung mit einzukalkulieren. Die Verlustleistung ist in diesem Moment sehr hoch (bis in die Größenordnung von 1 MW/cm2) und kann sogar zur Zerstörung der Diode führen. da der IGBT nicht für diesen Betriebsmodus ausgelegt ist.T. Auf diese Weise erhöhen sich die Abschaltverluste unter Umständen erheblich und.9 unterscheidet sich einerseits durch die zur Vereinfachung rein induktiv angenommene Last und zum anderen durch die Induktivität Li im Quellenkreis.9: Einfacher Gleichstromsteller mit rein induktiver Last und Induktivität im Quellenkreis sowie Strom. 4. muss ein signifikanter Teil des Plasmas aus dem Mittelgebiet entfernt werden. Bei sehr langsamen Schaltvorgängen kann das durch Rekombination geschehen und macht sich in der Schaltung kaum bemerkbar.und Spannungsverläufe beim Doppelpulstest Die Funktion des einfachen Gleichstromstellers wurde bereits in Abschnitt 3. die Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Eine Obergrenze für die Einschaltüberspannung gibt Gleichung (4.1.9 links dargestellten einfachen Gleichstromstellers untersucht werden. dass der Strom unendlich schnell auf seinen stationären Wert steigt und im ersten Moment noch keinerlei Leitfähigkeitsmodulation vorhanden ist. wobei dann angenommen wird. wodurch der IGBT mit Ladungsträgern überschwemmt wird. Die genauen Vorgänge. bei der Auswahl der Dioden und Schaltelemente unbedingt zu berücksichtigen. so wirkt der IGBT wie eine Diode parallel zur eigentlichen Diode und schaltet zusammen mit ihr ab. die ebenfalls mit dem di/dt ansteigt. Version 2. die antiparallele Diode zu einem IGBT ist.1 behandelt. Die Diode führt dadurch einen großen Strom und blockiert gleichzeitig bereits eine hohe Spannung. Bevor die Diode überhaupt Spannung aufnehmen kann. Einerseits wird die Einschaltüberspannung so natürlich überschätzt.

Da die Diode leitet. dass das Abschalten der Diode zu einigen Überschwingern in den Kurvenverläufen führt. dann schaltet die Diode ab und beginnt zu sperren. so dass der Strom iS durch den Schalter mit U0/Li ansteigt und der Diodenstrom iD entsprechend sinkt. Zu Beginn (Phase ) fließt der Laststrom iL = I0 durch die Diode und das Elektron-LochPlasma hat seine stationäre Verteilung (NB: Das Plasmaprofil sieht anders aus als in Bild 4. Das Bild deutet aber auch an.1. In diesem Moment wird der Schalter wieder geöffnet und der Laststrom kommutiert in die Freilaufdiode. Da der Laststrom praktisch konstant bei I0 bleibt. Die Diode bleibt also leitend und dementsprechend fällt kaum Spannung an ihr ab (in welche Richtung auch immer).10 links zeigt die Vorgänge ab dem Zeitpunkt tc in viel größerer zeitlicher Auflösung als Bild 4. woraus sich der Name Doppelpulstest erklärt. Oktober 2009 . Erreicht der Schalterstrom den Wert des Laststroms. bis zum Zeitpunkt tb der Teststrom erreicht ist.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik sehr klein und deshalb gegenüber der Lastinduktivität LL vernachlässigbar ist. Die volle Quellenspannung liegt also an der Induktivität Li. Die dazu notwenigen technologischen Maßnahmen werden in Abschnitt 4. Bei t1 bzw. Nur an den Rändern ist die Konzentration leicht abgesunken und der Plasmagradient ist dort null. Die Spannung über der Induktivität Li und damit die Stromzunahme werden zu null. Die Plasmakonzentration am Rand des Mittelgebiets sinkt auf diese Weise sehr schnell ab. Da der Diodenstrom jetzt negativ ist. Zur Charakterisierung einer Diode wird nun der sogenannte Doppelpulstest durchgeführt. das Maximum der Rückstromspitze. tc wird der Schalter geschlossen und der Diodenstrom iD sinkt während der Phase mit U0/Li. Die volle Quellenspannung liegt nun wieder über der Last und der Laststrom iL steigt weiter mit U0/LL. Das soll hier aber nicht weiter untersucht werden. wird der Schalter zum Zeitpunkt tc wieder geschlossen. Rechts sind die zugehörigen Plasmaverteilungen im Mittelgebiet der Diode zu sehen. Die Diode erreicht ihren größten negativen Wert Irr. Die über der Induktivität Li anliegende Spannung sinkt entsprechend und damit auch die Stromzunahme auf den Wert (U0-uD)/Li. Die Diode macht eine Einschaltüberspannung usw. Das Mittelgebiet der Diode ist zu diesem Zeitpunkt noch völlig mit Plasma überschwemmt. injizieren die Randgebiete nun kein Ladungsträger mehr in das Mittelgebiet.5 behandelt). Je nach Diode und Schaltungsparametern kann dieser Strom 59 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. sondern saugen diese ab (extrahieren sie). Nachdem die Diode lange genug (einige Mikrosekunden) eingeschaltet war.4. so liegt die volle Quellenspannung U0 über der Lastinduktivität (Li vernachlässigt). da die „natürliche“ Verteilung für Freilaufdioden ungeeignet ist. Bei t4 hat die Spannung über der Diode den Wert der Quellenspannung U0 erreicht. Deshalb liegt weiterhin die volle Quellenspannung an der Induktivität Li und der Strom durch den Schalter steigt weiter mit U0/Li. Version 2. wird der Diodenstrom in Phase negativ. 4. Schließlich wird der Schalter bei td wieder geöffnet und der Laststrom fließt so lange weiter durch die Freilaufdiode. behält aber seine Steigung bei. so dass der p+n--Übergang Spannung aufnehmen kann. Die Plasmakonzentration am p+n--Übergang der Diode ist bis auf null abgesunken. um eine stationäre Plasmaverteilung annehmen zu können.9. Wie Bild 4.6. gab es sowohl für den Schalter als auch für die Diode also zwei Strompulse. Zum Zeitpunkt t3 verändert sich die Situation.9 rechts zeigt.0. wird also der Diodenstrom zu null.1 Optimales Ausschalten Bild 4.1. bis er bei t2 null wird. Wird der Schalter zum Zeitpunkt ta geschlossen. Durch den Schalter fließt jetzt I0+Irr. so dass der Laststrom iL mit U0/LL zu steigen beginnt. Im nachfolgenden Abschnitt sollen die Vorgänge während des Abschaltens deshalb genauer betrachtet werden. fällt über ihr nur die sehr kleine Durchlassspannung ab. bis alle Energie verbraucht ist.

1. Danach nähern sich Diodenstrom und -spannung ihren stationären Werten. Die Plasmaverteilung ihrerseits hängt von der Ladungsträgerlebensdauer. Oft ist das aber aus verschiedensten Gründen so nicht gegeben. der Weite des Mittelgebiets.0.2).4. 60 iD I0 t Irr uD t U0 Urm t1 t2 t3 t4 t5 t6 npl t1 t2 t3 t5 t4 t6 Bild 4. Der Abschaltvorgang ist beendet. Insgesamt ist aus der Diode dann die Speicherladung Qrr extrahiert worden. Hängt die Plasmaverteilung nun sehr weit durch (großes wm/La). dem abzuschaltenden Strom und (indirekt) der Temperatur ab (vergleiche auch Abschnitt 4. bestimmt die Plasmaverteilung ganz wesentlich die Strom. könnte der Diodenstrom eigentlich sofort auf null sinken und die Diode in den stationären Sperrzustand übergehen. wodurch es an der Diode zu einer Überspannung kommt. die beim Abschalten einer Diode auftreten können.10: Strom. Bei t5 erreicht die Stromabnahme ihre größte Steilheit diD/dt (Wendepunkt) und die Überspannung ihren Maximalwert. Die von der Diode „gewünschte“ Stromabnahme erzeugt eine negative Spannung an der Induktivität Li. Diese entspricht bis auf geringe Verluste durch Rekombination dem im stationären Zustand in der Diode gespeicherten Plasma.und Spannungsverläufe. Man Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. kurz angesprochen werden. Das verhindert aber wieder die Induktivität Li. dass zahlreiche Parameter der Schaltung und der Diode zusammen passen müssen.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik durchaus den doppelten Laststrom I0 übersteigen. Oktober 2009 . „Optimal“ bedeutet in diesem Zusammenhang. so wird das Mittelgebiet von einem gegebenen Strom sehr schnell ausgeräumt und nimmt entsprechend schnell Spannung auf. wie es unter optimalen Bedingungen ablaufen würde. Wie aus der Beschreibung des optimalen Abschaltens hervorgeht. Umgekehrt braucht man für einen gegebenen Spannungsanstiegt nur einen recht kleinen Strom. Nach dem Erreichen der Rückstromspitze kann der Diodenstrom deshalb sehr schnell gegen null laufen und gleichzeitig eine sehr hohe Überspannung generieren.2 Probleme beim Ausschalten Im vorangegangenen Abschnitt wurde das Ausschaltverhalten beschrieben. Der Schalter muss dafür natürlich ausgelegt sein! Nachdem die Diode die Quellenspannung aufgenommen hat.1. Im nachfolgenden sollen nun einige Probleme. der Stärke der Injektion aus den Randgebieten. Die in der Diode umgesetzte Verlustenergie Wrr lässt sich ungefähr als Produkt aus der Speicherladung Qrr und der Quellenspannung U0 abschätzen.und Spannungsverläufe beim Abkommutieren einer Freilaufdiode bei rein induktiver Last und Induktivität im Quellenkreis sowie die zugehörigen Plasmaverteilungen im Mittelgebiet der Diode 4. Version 2.

avalanche multiplication) ein. Da das Ganze nur dynamisch auftritt. Beide Dreiecksflächen sind gleich groß. Version 2. wenn das Plasma auf der Kathodenseite sehr niedrig und auf der Anodenseite sehr hoch ist. kommt es auch hier zum Stromabriss mit den genannten Folgen.6. oder sogar zur Zerstörung der Diode führen. ergeben sie eine zusätzliche positive Raumladung. Schließlich tritt beim Abschalten noch eine dynamische Feldüberhöhung auf. Wenn die beiden Raumladungszonen aufeinander stoßen.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik spricht von einem harten Abschaltverhalten. dynamic avalanche multiplication).30) Dieser Wert kann schon bei mäßigen Stromdichten in die Größenordnung der niedrigen Dotierung des Mittelgebiets kommen und verändert so die Feldverteilung erheblich. darf die Diode nicht zu dick gewählt werden und die (temperaturabhängige) Ladungsträgerlebensdauer muss lang genug sein. snap-off). aber die maximale Feldstärke ist im dynamischen Fall doppelt so groß! E Edynamisch Estationär npl Bild 4. spricht man auch von dynamischer Lawinenmultiplikation (engl. Im weiteren Verlauf wird dann das Mittelgebiet von beiden Seiten ausgeräumt. die aus dem Plasma durch die Raumladungszone hindurch zur Anode hin abgesaugt werden (Bild 4. Andererseits darf aber die Diode nicht zu dünn sein bzw. Befindet sich die Diode in der Phase und führt sie noch signifikanten Strom wenn das Plasma komplett ausgeräumt ist.11). Diese Feldüberhöhung wird durch die Löcher hervorgerufen. Die Konzentration nLöcher der Raumladung ergibt sich zu: 61 j = q ⋅ v sat ⋅ nLöcher ⇔ n Löcher = j q ⋅ v sat (4. die sehr unangenehme Folgen haben kann. Da die Löcher die Raumladungszone nicht unendlich schnell durchqueren. bevor der Strom auf null ist. Um hartes Abschalten zu verhindern. Das kann Schwingungen in der Schaltung hervorrufen. die Quellenspannung nicht zu hoch. Dieser Effekt begrenzt sich durch die generierten Elektronen (Kompensation der Löcher- Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. so setzt Lawinenmultiplikation (engl.11 zeigt die Feldverteilung wie sie für eine bestimmte Spannung in stationären Fall aussähe (gestrichelt) und wie sie während des Abschaltvorgangs tatsächlich aussieht (durchgezogen). dass am dortigen n+n—Übergang eine Raumladungszone entsteht. Bild 4. die in der Poisson-Gleichung berücksichtigt werden muss. Der Diodenstrom geht mit sehr großer Steilheit (diD/dt) gegen null und kann wiederum Schwingungen bzw.0. also wieder das letzte Plasma ausgeräumt wird. Überspannungen erzeugen. Oktober 2009 . Das Plasma wird dann auf der Kathodenseite so schnell abgesaugt.11: Dynamische Feldüberhöhung durch Löcher in der Raumladungszone Überschreitet die maximale Feldstärke die kritische Feldstärke. also so wie die „natürliche“ Verteilung aus Bild 4. also kein Strom mehr liefern kann. Einen ähnlichen Effekt gibt es. sondern nur mit der Sättigungsdriftgeschwindigkeit (vsat ≈ 107 cm/s). dann kommt es zum Stromabriss (engl.

des möglichen Stromabrisses und wegen der höheren Stromsteilheit (diD/dt = U0/Li) kritisch.1.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik ladung) selbst und führt deshalb nicht per se zur Zerstörung der Diode.1 Einstellung der Ladungsträgerlebensdauer In Abschnitt 4. Inhomogenitäten kann die Diode ebenfalls zerstört werden. trade-off) zu finden.1 wurde das Plasmaprofil für eine homogene Ladungsträgerlebensdauer hergeleitet. 4. Damit sind bereits wichtige Parameter festgelegt. die zur Überlastung der Diode führen können. dafür sind aber bei kleinerer Induktivität die Überspannungen geringer. Eine größere Stromsteilheit führt zu einem größeren Irr und einer schnelleren Ausräumung des Plasmas. den optimalen Kompromiss (engl. Es gibt aber mit der Ladungsträgerlebensdauer im Mittelgebiet und dem Injektionsverhalten der Randzonen noch weitere Parameter.1. und durch Instabilitäten bzw. Schließlich hat auch die Temperatur einen Einfluss. Insgesamt gibt es also eine Reihe an möglichen Problemen.0. Für schnelle Dioden.1. Mit der homogenen Ladungsträgerlebensdauer konnte die Konzentration npl des Plasmas und das „Durchhängen“ eingestellt werden. Oktober 2009 . Eine lange Ladungsträgerlebensdauer ergibt niedrige Durchlassverluste aber hohe Schaltverluste und eine kurze Ladungsträgerlebensdauer tut das Umgekehrte. Die Weite des Mittelgebiets ist entscheidend für die Durchlassverluste und zusammen mit der Dotierung bestimmt sie die Sperrfähigkeit der Diode. wobei es bei höherer Temperatur früher zu einer Überlast kommt und bei niedrigerer Temperatur das Risiko für einen Stromabriss steigt. Die Einstellung einer homogenen Ladungsträgerlebensdauer erfolgt heute typischerweise mit Hilfe der Elektronenbestrahlung. Eine hohe Quellenspannung U0 ist wegen der höheren Verluste. was wiederum zu höherer Spitzenleistung und größerem Risiko für einen Stromabriss führt. die zur Optimierung der Diode herangezogen werden können.2. insbesondere Freilaufdioden. Im Wesentlichen bedeutet das möglichst lange Ladungsträgerlebensdauer und möglichst starke Injektion aus den Randgebieten.5 Auslegung und Technologievarianten Im Abschnitt 4. Hochenergetische Elektronen (einige MeV) werden in das Silizium der Diode geschossen und erzeugen dort Schäden im Siliziumkristall. Man kann also nicht beide Verlustarten gleichzeitig optimieren. weil ein niedrigerer Strom das Risiko für einen Stromabriss erhöht und ein höherer Strom die Spitzenleistung.1 wurde die Auslegung des Mittelgebiets bereits behandelt. Auch beim Strom ist die Tendenz nicht eindeutig.5. Man kann mit diesem Parameter also einerseits die Durchlassspannung und damit die Durchlassverluste beeinflussen und andererseits die Speicherladung Qrr und damit die Schaltverluste. Version 2. sondern nur die eine zu Lasten der anderen. Neben den Diodeneigenschaften sind dabei auch immer die Schaltungsparameter zu berücksichtigen. Die Stromsteilheit steigt auch mit kleinerer Induktivität. kann man einfach auf möglichst niedrigen Durchlass optimieren. die beim Abschalten einer Diode auftreten können.und Spannungsveränderungen ausgesetzt sind und keine besonderen dynamischen Eigenschaften brauchen. Im Nachfolgenden dafür einige Beispiele. 4. Es ist Aufgabe des Designers die für eine bestimmte Anwendung optimale Kombination bzw. Bei den sogenannten Netzdioden. Die Gesamtheit aller möglichen Durchlassverlust-Schaltverlust-Kombinationen ergibt die sogenannte Technologiekurve für eine bestimmte Diode. die nur kleinen Strom. In jedem Fall aber werden zusätzliche Abschaltverluste erzeugt. Diese 62 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Leider wirkt die Ladungsträgerlebensdauer gegenläufig auf diese beiden Verlustarten. also den optimalen Punkt auf der Technologiekurve zu bestimmen.1. sind dagegen ganz andere Optimierungen notwendig.

Das lässt sich tatsächlich mit einer inhomogenen Ladungsträgerlebensdauer realsieren.1. bis das Plasma auf der Anodenseite angebaut ist und die Diode Spannung aufnehmen kann. Praktisch sind dem aber aufgrund der Kosten enge Grenzen gesetzt. Version 2. c) SPEED. a) Lokal reduzierte Ladungstägerlebensdauer b) EmCon-Diode. So wird die Rückstromspitze sehr groß und anschließend ist die Gefahr für einen Stromabriss besonders hoch. ist die „natürliche“ mit homogener Ladungsträgerlebensdauer erzielte Plasmaverteilung mit deutlich höherer Konzentration auf der Anodenseite (siehe Bild 4.12a).Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Schäden stellen Rekombinationszentren dar.12b). ohne dass ein signifikanter Unterschied in der Ladungsträgerlebensdauer auftreten würde. Die Metalle ergeben ebenfalls Rekombinationszentren und über die Diffusionstiefe kann der Bereich abgesenkter Ladungsträgerlebensdauer definiert werden. A p+ nn+ p nn+ A p nn+ A p+ nn+ A p+ 63 a) K b) K c) K d) K Bild 4. Die Absenkung geschieht homogen. Optimal wäre dagegen das umgekehrte Profil mit niedriger Konzentration auf der Anodenseite und hoher Konzentration auf der Kathodenseite.5.6) leider sehr ungünstig für das Schaltverhalten.2 Einstellung der Anodeninjektion Um die Plasmakonzentration auf der Anodenseite abzusenken. Seit die Bestrahlung mit schweren Teilchen technologisch gut beherrscht wird. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die einfachste Variante ist die Verwendung einer dünnen. als die Dicke der Dioden. an denen die Shockley-Read-Hall Rekombination abläuft (NB: Silizium ist ein indirekter Halbleiter). kann auch die Injektion aus der Anode reduziert werden. Dazu werden schwerere Teilchen wie Protonen (Wasserstoffkerne) oder α–Teilchen (Heliumkerne) von der Anode her auf die Diode geschossen.12: Verschiedene Diodenkonzepte basierend auf der pin-Diode. Insbesondere Gold-diffundierte Dioden haben zudem den Nachteil sehr hoher Leckströme. niedrig dotierten Anode. Mit Hilfe verschiedener Energien ließen sich so theoretisch beliebige Lebensdauerprofile erzeugen. da die mittlere Eindringtiefe der Elektronen viel größer ist. d) MPS-Diode 4. Der Rest der Diode bleibt unverändert.0. Auf diese Weise wird die Ladungsträgerlebensdauer abgesenkt. Eine auf der Anodenseite abgesenkte Ladungsträgerlebensdauer lässt sich auch mittels Eindiffusion von Schwermetallen wie Gold oder Platin erzeugen. so wie es bei der (Emitter Controlled) EmCon-Diode von Infineon gemacht wird (Bild 4. Man kann sogar mehrere Dioden hintereinander in den Elektronenstrahl stellen. kommt die Schwermetalldiffusion immer seltener zum Einsatz. Wie bei der Diskussion des Abschaltens erwähnt. Oktober 2009 . Es dauert lange. Die mittlere Eindringtiefe ist (viel) kleiner als die Diodendicke und so wird die Ladungsträgerlebensdauer nur auf der Anodenseite abgesenkt (Bild 4.

Am Ende entscheiden vor allem die Kosten der aufwändigeren Technologie im Verhältnis zur besseren Leistungsfähigkeit über den Erfolg. Die Leckströme der Schottky-Bereiche. Zur Einstellung der Injektion kann man dabei zwei Varianten unterscheiden. je nach Design auch Haupteffekt bei der MPS-Diode ist die Abschirmung. bleiben so deutlich niedriger. aber nicht für das Prinzip wichtig. Einerseits ist die Herstellung einer angesteuerten Diode viel teurer (aufwändigerer Halbleiterprozess. Es werden bei manchen dieser Dioden auch isolierende Bereiche oder Widerstandsschichten eingesetzt. Die p-Inseln beginnen mit zu nehmendem Strom immer stärker zu injizieren und verhindern so ein zu schnelles Aufheizen der Diode im Überstromfall. ohne Injektion in das Mittelgebiet. die die p+-Inseln für den Schottky-Übergang bilden. Insgesamt haben sich solche angesteuerten Dioden trotz verschiedenster Konzepte bisher nicht durchsetzen können. Oktober 2009 .12c) entwickelt. Auch ist die Steuerung aufwändig und ergibt zusätzliche Einschränkungen (Mindest-„Vorwarnzeit“) für die Steuersoftware. Das ist für die Struktur. dass die Stoßstromfähigkeit (Fähigkeit der Diode.0. Mischung von Schottky.und pin-Diode (Merged pin Schottky. Ein wichtiger Nebeneffekt bzw. Im Bereich des normalen Betriebs wird durch die Verbindung bzw. der sich bisher noch nicht so recht zeigt.und p-Bereichen lässt sich sowohl die Injektion als auch die Abschirmung einstellen. Version 2. Eine weitere Möglichkeit die Anodeninjektion zu reduzieren. MPS) die Injektion aus der Anode in die Mittelzone deutlich reduziert. Als Verbesserung wurde die SPEED (Selfadjusting p-Emitter Efficiency Diode. Darüber hinaus sollte die Diode noch sicher abschalten können. wenn man das planare (ebene) Design verlässt und eine z. Einen zusätzlichen Freiheitsgrad gewinnt man. Über das Muster aus Schottky. Erst bei höheren Stromdichten fangen dann auch die p+-Bereiche an zu leiten und dabei Löcher in das Mittelgebiet zu injizieren.B. Bild 4. aufwändigeres Gehäuse) und andererseits braucht sie eine eigene Ansteuerschaltung. ist die Verwendung von Schottky-Bereichen abwechselnd mit p+-Bereichen (Bild 4. Konkret würde man während der Leitphase eine möglichst starke Injektion einstellen. die Injektion der Anode über einen eigenen Steuerkontakt an der Diode zu verändern. auch wenn die Ansteuerung nicht funktioniert (engl. Es ergäben sich so deutlich niedrigere Ausschaltverluste und insgesamt eine viel bessere Technologiekurve (hohe Durchlassverluste treten nur sehr kurz auf und fallen kaum ins Gewicht). Überströme ohne Schaden zu überstehen) leidet. geringere Ausbeute. Leider haben solche angesteuerten Dioden einige gravierende Nachteile. Zum einen lässt sich so die zur Verfügung stehende Oberfläche vergrößern und zu anderen sind bessere Abschirmgeometrien möglich. um eine gute Plasmaüberschwemmung und damit niedrige Durchlassverluste zu erzeugen. oder man schließt eine sonst starke Injektion für die Schaltphase kurz. Durch diese Abschirmung steigt die Feldstärke am Schottky-Übergang nicht so hoch. 64 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Bei sehr hohen Stromdichten spielen die Schottky-Bereiche keine Rolle mehr und die Diode verhält sich im Überstromfall wie eine pin-Diode. Das geht aber nur im begrenzten Maße. fail save). Kurz vor dem Ausschalten würde man die Injektion dann reduzieren und die Plasmakonzentration auf diese Weise verringern.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Dieses Design hat den Nachteil. wie sie es ohne tun würde. durch TrenchÄtzung strukturierte Oberfläche verwendet. Die Schottky-Bereiche leiten zunächst den Strom allein. Schließlich gibt es Ansätze. die zusätzlich hochdotierte p-Inseln in der Anode besitzt.12d). Der wichtigste sind auch hier die viel höheren Kosten einer solchen Lösung. die sich aufgrund verschiedener Effekte stark mit der Feldstärke erhöhen. Entweder schaltet man für die Leitphase eine starke Injektion dazu.

mit einer sehr dicken Diode. 65 4.1 erläutert wurde. Version 2. Allerdings gibt es auch für die Kathodenseite Ansätze für Strukturierungen oder Ansteuerungen. gewinnt aber in der nicht linear ansteigenden Speicherladung und damit bei den Verlusten. Dieser MetallHalbleiter. Wie sich im Folgenden zeigen wird.3 Einstellung der Kathodeninjektion Wie in Abschnitt 4. Die dünne Diode übernimmt dann den Hauptteil des Stroms bei niedrigen Durchlassverlusten.4 Hybridlösungen Neben „gemischten“ aber integrierten Strukturen wie der MPS-Diode gibt es auch echte Hybridlösungen. während die dicke Diode beim Abschalten noch Plasma hat. aber niedrige Durchlassverluste ergibt. die extrem sanft abschaltet. Diese haben sich aber bisher ebenfalls nicht etablieren können. k die Boltzmann-Konstante (8. Insgesamt sind beide Lösungen kaum verbreitet.0. im Gegensatz zum Elektron-Loch-Plasma also nur von einer Ladungsträgersorte.31) Darin sind A* die Richardson-Konstante (für Silizium 120 A/cm²K²). eine sehr dünne Diode. Oktober 2009 . In Vorwärtsrichtung ergibt sich ebenfalls eine exponentielle Strom-Spannungs-Kennlinie. Der Strom wird im Mittelgebiet also nur von den durch die Dotierung eingebrachten Ladungsträgern geleitet. Ebenfalls sind Reihenschaltungen von niedrig sperrenden Dioden möglich. ist ein Plasmaprofil mit niedriger Konzentration auf der Anodenseite und hoher Konzentration auf der Kathodenseite optimal.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 4. parallel schalten. weshalb man von einem unipolaren Bauelement spricht.1. Schottky-Übergang leitet bei positivem Potential am Metall (Anode) und negativem Potential am Halbleiter (Kathode) und sperrt bei umgekehrter Polarität. aber hohe Durchlassverluste ergeben würde. Der große Unterschied ergibt sich durch die fehlende Injektion des Schottky-Übergangs. Diese lautet unter Vernachlässigung der -1: j = A ⋅T ⋅ e * 2 − ΦB U th ⋅e U n ⋅U th = j0 ⋅ e U n ⋅U th (4.bzw. hat diese Unipolarität weitreichende Konsequenzen für das Verhalten der SchottkyDiode. eine möglichst stark injizierende Kathode zu realisieren.5. Der einfache Metall-Halbleiter-Übergang verhält sich ansonsten sehr ähnlich wie ein pn-Übergang.B.5. Bei dünnen Mittelgebieten (Dioden mit niedriger Sperrfähigkeit) wird inzwischen meist eine sehr tiefe Diffusion von der Rückseite her verwendet. weil das dynamisch Vorteile bietet und keine dünnen Wafer prozessiert werden müssen. Man kann z. Anders als bei der pin-Diode injiziert der Schottky-Übergang keine Löcher in das Mittelgebiet. weil die herkömmlichen Dioden gute Fortschritte gemacht haben und die Kosten für eine Hybridlösung einfach höher sind.2 Schottky-Diode Die Struktur der Schottky-Diode ist der Struktur der pin-Diode sehr ähnlich. Man hat dann zwar die doppelte Kniespannung hinzunehmen. wenn die dünne schon lange völlig ausgeräumt und damit abgeschaltet ist. Das wird üblicherweise mit einer dicken und hochdotierten n-Zone erreicht. die allein einen heftigen Stromabriss erzeugen würde.1. nur dass der p+n--Übergang nun durch einen Metall-Halbleiter-Übergang ersetzt wurde. Im Allgemeinen wird deshalb versucht.62·10-5 eV/K) und Uth = k·T/q die Temperatur- Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.1. T die absolute Temperatur. 4.5.

Diese zeichnet sich durch allgemein sehr hohe und zudem stark temperaturabhängige Leckströme aus. q·ΦB ist die Barrierenhöhe. die hier nicht näher behandelt werden sollen. Leider wirken am Schottky-Übergang noch einige zusätzliche Effekte. Man spricht auch von der Junction Barrier Schottky (JBS) Diode. Außerdem ist der MetallHalbleiter-Übergang und damit die Schottky-Barriere sehr empfindlich auf technologische Schwankungen (Inhomogenitäten). Für den Stromtransport stehen nur die durch die Dotierung eingebrachten Ladungsträgern zur Verfügung. Es sei dazu wieder auf die Literatur verwiesen. Außerdem treten bei den Schottky-Dioden durch das Fehlen der Rückstromspitze viel weniger Robustheitsprobleme beim Abschalten auf. Es findet eben keine Leitfähigkeitsmodulation wie bei der pin-Diode durch das Elektron-Loch-Plasma statt und so besteht ein direkter Zusammenhang zwischen Sperr. Version 2. dass an der idealen StromSpannungs-Gleichung einige Korrekturen vorzunehmen sind. Bei einer Schottky-Diode ergibt sich daher keine ausgeprägte Rückstromspitzte wie in Bild 4. Die Abschirmung durch die p+-Inseln führt zu deutlich niedrigeren Feldstärken am Schottky-Übergang und damit zu niedrigeren Sperrströmen. Die Unipolarität ist gleichzeitig aber auch der große Nachteil der Schottky-Diode.und Leitfähigkeit. 4. ergibt sich der Spannungsabfall Um über dem nicht plasmaüberschwemmten Mittelgebiet (ideale NPTAuslegung) als: wm Um = JF ⋅ = J F ⋅ rm (4. Dieser Effekt lässt sich mit Hilfe der in Abschnitt 4. die sich je nach verwendetem Metall leicht unterscheidet und typischerweise zwischen 0.1 über die Struktur der pin-Diode gezeigt. Es gibt mit der Schottky-Diode also durchaus Herausforderungen.2.1. Neben der schon erwähnten niedrigeren Kniespannung ist das vor allem die Unipolarität. barrier-lowering) bei höheren Feldstärken. dass sie im Durchlass doch wieder Löcher in das Mittelgebiet injizieren und so die Unipolarität zu Nichte gemacht wird.10 bei der pin-Diode.1.2 behandelten p+-Inseln der MPS-Diode reduzieren. Bei einem unipolaren Bauelement muss beim Schalten kein Plasma ausgeräumt werden. Oktober 2009 .0. Die Schottky-Diode bietet dafür aber auch interessante Vorteile. was dann die Schottky-typische verrundete Sperrkennlinie ergibt. Darüber hinaus steigt der Leckstrom aufgrund des barrier-lowering schon vor dem Einsetzten des Lawinendurchbruchs stark an. Zum einen wird meist eine „effektive“ Richardson-Konstante A** verwendet und zum anderen muss die Spannungsabhängigkeit durch einen „Idealitätsfaktor“ n von etwas über eins an die Realität angepasst werden.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik spannung. Die p+-Inseln haben andererseits aber den Nachteil. Außerdem geht durch die p+-Inseln ein Teil der aktiven Schottky-Fläche verloren und der Strom wird zudem zwischen den Inseln eingeschnürt.1 Niedrige Sperrspannungen Wie zu Beginn des Abschnitts 4.32) q ⋅ µn ⋅ N D 66 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.5 und 0. wie die BarrierenErniedrigung (engl. Die Schottky-Diode hat dadurch eine um einige Zehntel Volt niedrigere Kniespannung. Dieselben Effekte führen auch zu einer unangenehmen Sperrcharakteristik.5. Sie kann so auch noch bei viel höheren Frequenzen eigesetzt werden.9 eV liegt. dass viele „Tricks“ angewendet werden und kommerziell angebotene Schottky-Dioden oft gar keine echten/reinen Schottky-Dioden sind. vor allem technologischer Art. Zusammen führt das dazu. was dazu führt. Die Abschaltverluste sind auf diese Weise geringer und die Schottky-Diode schaltet viel schneller. sondern nur die geringere Dotierungsladung.

2.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Der flächenbezogene Widerstand rm des Mittelgebiets wird wesentlich durch die Weite wm des Mittelgebiets und dessen Dotierung ND bestimmt.5 rm ≈ 5. ab dem sich der Einsatz von unipolaren Bauelementen aufgrund des zu hohen Serienwiderstands nicht mehr lohnt. In der Praxis werden Schottky-Dioden nur bis etwa 200 V Sperrfähigkeit verwendet.2) und eine ideale Elektronenbeweglichkeit µn von 1400 cm²/Vs an. Wählt man nun ein Material mit höherer kritischer Feldstärke.2 Siliziumkarbid (SiC) Wie bereits erwähnt.200 cm ² ) ≈ 180V ! (4. Am Ende bleibt ein sehr geringer Spannungswert. den er variieren könnte. haben übrigens alle diese Dioden ein Mittelgebiet aus n-Silizium. Da der Widerstand des Mittelgebiets proportional zum Quotienten aus der Weite des Mittelgebiets und dessen Dotierung ist Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Auch könnte man Dioden mit deutlich mehr aktiver Fläche. so hat das einen positiven Einfluss sowohl auf die Weite des Mittelgebiets als auch auf die Dotierung.75 ⋅ 10 −9 ⇒ A U BR. führt das Fehlen der Leitfähigkeitsmodulation bei unipolaren Bauelementen zu einem direkten Zusammenhang zwischen der Sperrfähigkeit und dem Serienwiderstand rm. also bei gegebenem Strom niedrigerer Stromdichte einsetzten. um die Situation zu verbessern . gibt es für den Bauelementdesigner keinen freien Parameter mehr. Setzt man die entsprechenden Näherungsformeln aus den Gleichungen (4. Tatsächlich liegen den Näherungsformeln (4. Bild 4.5 Um J F ⋅ 5.5 V Spannungsabfall über dem Mittelgebiet bei einer für niedrig sperrende Dioden typischen Stromdichte von 200 A/cm² als sinnvoll an.1) und (4. Wie bei den pin-Dioden.1) und (4. dafür ist der hier ausgerechnete ideale Wert aber aufgrund von Sicherheitsmargen nicht erreichbar.33) Der Widerstand steigt also mehr als quadratisch mit der geforderten Durchbruchspannung. Bei höheren Stromdichten ergibt sich dann ein entsprechend hoher Spannungsabfall über dem Mittelgebiet und der Vorteil der niedrigeren Kniespannung wird auf diese Weise sehr schnell zu Nichte gemacht. aber das würde natürlich die Kosten für die Diode entsprechend erhöhen..max ≈ 2. es sei denn.34) Mit einem optimalen PT-Design kann man den Wert noch etwas erhöhen. so ergibt sich als maximal realisierbare Sperrfähigkeit: U BR.13 oben links ist das Feldstärkedreieck für ein Siliziumbauelement bestimmter Sperrfähigkeit dargestellt.0. Nimmt man ein Maximum von 0. Entscheidend ist dabei vor allem die kritische Feldstärke Ekrit. man betrachtet auch die Materialparameter als variierbar. Diese beiden Parameter wiederum sind durch die geforderte Sperrfähigkeit UBR definiert. Verwendet man nun SiC mit einer etwa 10mal höheren kritischen Feldstärke. Oktober 2009 .2) natürlich die Materialeigenschaften von Silizium zugrunde. 4.13 zeigt dazu den Vergleich zwischen Silizium und Siliziumkarbid (SiC).5V . also die Dotierung des Mittelgebiets. Im Bild 4.. so erhält man für den flächenbezogenen Widerstand des Mittelgebiets (in Ωcm²): 2.max (0. hundertmal größer. Anders ausgedrückt. da p-Silizium aufgrund der etwa dreimal so schlechten Löcherbeweglichkeit noch höhere Serienwiderstände ergeben würde. Version 2. ab der Stoßionisation und damit dann der Lawinendurchbruch einsetzt. so ergibt sich die Situation oben rechts: Das Feldstärkedreieck ist jetzt 10mal so hoch und braucht für die gleiche Sperrfähigkeit (gleiche Fläche des Dreiecks) dann nur noch ein Zehntel so weit zu sein. Gleichzeitig ist die Steigung des Feldstärkedreiecks.75 ⋅ 10 −9 ⋅ U BR 67 (4.

Und dieser Wert gilt für alle unipolaren Bauelemente aus SiC. Es bleibt abzuwarten.SiC ≈ w m. weil die Feldstärken in SiC eben 10mal so hoch sind und die Probleme an der Metall-Halbleiter-Grenzfläche auch entsprechend größer.32)).Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik (Gleichung (4. Das ist für die pin. Silber sagt immer. so erhält man eine maximal realisierbare Sperrfähigkeit von über 2000 V! Bisher sind solche Dioden nur bis 1200 V kommerziell verfügbar. aber sie besitzen zusätzlich eine gut 5mal so hohe Elektronenbeweglichkeit und so reduziert sich der Serienwiderstand um gut einen Faktor 10.Si wm Ekrit.und die Schottky-Diode zwar richtig. dass die Diode das „intelligenteste“ Bauelement ist.bzw. wie sich der Markt und die Technologie für SiC-Schottky-Dioden entwickelt. Bei ihnen ist die kritische Feldstärke nicht einmal doppelt so hoch wie bei Silizium.13: Widerstand der Mittelzone bei unipolaren SiC-Bauelementen im Vergleich zu Siliziumbauelementen gleicher Sperrfähigkeit Neben SiC werden auch andere Halbleitermaterialien für Schottky-Dioden verwendet.0.SiC ≈ 100·ND. weil sie selber weiß. aber höhere Spannungen wurden schon angekündigt und im Experiment wurden Schottky-Dioden mit mehreren 1000 V Sperrfähigkeit demonstriert.Si rm. JBS-Diode).Si /1000 Bild 4. Die höchste sinnvolle Sperrspannung gemäß Gleichung (4. aber es bleibt eine Verbesserung um Größenordnungen. Version 2.SiC ≈ 10·Ekrit.5 V bei 200 A/cm² als gerade noch akzeptabel an. Eine kommerzielle Verbreitung haben bisher aber nur Galliumarsenid (GaAs) Schottky-Dioden gefunden. weil die Elektronenbeweglichkeit im SiC schlechter ist als in Silizium und die kritische Feldstärke nicht genau 10mal höher. Dort Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.SiC SiC w m. Setzt man diesen Wert nun in Gleichung (4.Si Ekrit.34) ist dann zwei bis dreimal so groß wie bei SiliziumSchottky-Dioden und man findet kommerzielle GaAs-Schottky-Dioden bis zu 300 V Sperrfähigkeit und zum Teil sogar darüber. aber bereits bei den angesteuerten Dioden war das nicht mehr so klar. wann sie leiten und wann sie sperren muss.SiC wm rm ~ w m /ND w m. nicht nur die Schottky-Dioden.Si w m. ergibt sich für die gleiche Sperrfähigkeit mit SiC ein etwa 1000mal kleinerer Serienwiderstand! Tatsächlich ist der Faktor nur etwa 500.Si /10 ND. E E 68 Si Ekrit. 4.3 Synchrongleichrichter Prof.SiC ≈ rm.34) ein und nimmt wieder 0. Oktober 2009 . Dabei wurde meistens wieder die Abschirmwirkung von p+-Inseln genutzt (MPS.

unterschiedlichen Werten der Eingangskapazität zu kämpfen. Auch aus diesem Grund eignen sich Thyristoren und IGBTs von vornherein nicht als Synchrongleichrichter. bipolar junction transistor BJT) begann Ende 1947 das eigentliche Halbleiterzeitalter. Oktober 2009 .Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik bekamen die Dioden kurz vor dem Ausschalten jeweils ein Ansteuersignal. Inzwischen ist der Bipolartransistor seinerseits in den meisten Anwendungen durch andere Bauelemente ersetzt worden. Wird er nicht angesteuert.oder eine Schottky-Diode. Ein Vorteil des MOSFET als Synchrongleichrichter ist in jedem Fall seine fail save Funktion. Man kann nun noch einen Schritt weiter gehen und ganz auf die „Intelligenz“ der Diode verzichten. den richtigen Moment genau zu treffen. Trotzdem soll er hier kurz behandelt werden. Während es bei der angesteuerten Diode auf ein paar Mikrosekunden mehr oder weniger nicht ankam. Der Spannungsabfall im Durchlass ist bei ihm viel niedriger als es bei einer Diode möglich wäre.4 Bipolartransistor Mit dem Bipolartransistor (engl. Man hat allerdings mit Ungenauigkeiten der Ansteuerschaltung selbst und vor allem mit Parameterstreuungen der Schalter wie z. Möglicherweise erlebt der Bipolartransistor auf diese Weise eine Renaissance. sind hier oft schon einige 10 ns das erlaubte Maximum.B. oder mit Hilfe der Synchrongleichrichterfunktion des ohnehin vorhandenen MOSFET die Freilaufdiode einsparen möchte. Das zahlt sich vor allem bei Anwendungen mit Versorgungsspannungen von wenigen Volt (Computer) aus. das die Anodeninjektion deutlich reduzierte und auf diese Weise zu geringeren Ausschaltverlusten führte. Bei höheren Sperrspannungen kommt der Synchrongleichrichter dagegen kaum zum Einsatz. Man spricht deshalb vom Synchrongleichrichter (engl. Der Schalter als Diode muss also exakt synchron mit dem Rest der Schaltung arbeiten. da es sonst zu Kurzschlüssen. wenn man entweder die Speicherladung der Diode vermeiden will (Schaltgeschwindigkeit). oder hohen Überspannungen kommen könnte. geöffnet wird. In der abstrakten Darstellung einer leistungselektronischen Schaltung ist die Diode ja ohnehin ein Schalter. Trotzdem kann es noch von Vorteil sein.4). 69 4.8. Innerhalb weniger Jahre konnte er die Vakuumröhre als das aktive Bauelement der Elektronik ablösen und stieß dabei bis in höhere Leistungsklassen vor. sei es eine pin. Letztlich muss aber auch hier wieder eine Aufwand-Nutzen-Abschätzung zeigen. Inzwischen ist die synchrone Ansteuerung kein grundsätzliches Problem mehr. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. indem man statt der Diode einen Schalter einsetzt.0. der immer im richtigen Moment geschlossen bzw. Darüber hinaus gibt es in letzter Zeit zahlreiche Forschungsarbeiten. In der Leistungselektronik spielt er mittlerweise überhaupt keine Rolle mehr. Version 2. leitet einfach die inhärente antiparallele Diode (siehe Abschnitt 4. die sich mit Bipolartransistoren aus SiC beschäftigen. bei denen der Spannungsabfall über der Diode bereits einen signifikanten Teil der Gesamtspannung ausmachen würde. ob sich der Einsatz eines Synchrongleichrichters lohnt. weil der Durchlasswiderstand und damit die Durchlassspannung des MOSFETs hier meist höher ist als die Durchlassspannung der Diode. synchronous rectifier). Die Herausforderung ist dabei. Der Hauptvorteil des Synchrongleichrichters ist der Wegfall der Sperrschichtspannung und damit der Kniespannung der Dioden. einen Synchrongleichrichter zu verwenden. Der klassische Synchrongleichrichter ist vielmehr der Niederspannungs-MOSFET mit sehr niedrigem Durchlasswiderstand. weil sein Funktionsprinzip grundlegend für alle anderen gesteuerten Bauelemente ist.

Das Funktionsprinzip ist aber mit Ausnahme der Polaritäten für beide Typen identisch.14 sind außerdem der Steuer. Aufgrund der Dotierungsverhältnisse ist der Löcherstrom IEp um Größenordnungen kleiner als der Elektronenstrom IEn. während die Basis Löcher in den Emitter injiziert.0. gestrichelt sind immer die Gleichgewichtskonzentrationen dargestellt). Im Bild 4. Oktober 2009 . Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Im Folgenden wird deshalb auch nur auf den npn-Transistor eingegangen.und der Lastkreis einer Emitter-Schaltung (engl. Version 2. wird wie bei der pin-Diode noch eine hochdotierte n-KollektorZone gebraucht. Ströme und Ladungsträgerverteilungen eines npn-Transistors in Emitter-Schaltung Die Grundstruktur des Bipolartransistors besteht aus zwei antiseriellen pn-Übergängen.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 70 IE - UBE + UCE + IC ICB0 ICn IB B IEp E IEn C n+ n+ Emitter n E = ND p Basis p B = NA nKollektor n C = ND pE(x) pE0 0 nB(x) nB0 wB pC0 pC(x) Bild 4. Aufgrund der schlechteren Löcherbeweglichkeit. die entweder eine npn.14. Neben der sehr hoch dotierten n-Emitter-Zone. Spannungen. der weniger hoch dotierten p-Basis-Zone und der schwach dotierten n-Kollektor-Zone. kamen in der Leistungselektronik nur npn-Transistoren zum Einsatz. Im Verstärkerbetrieb wird der BasisEmitter-Übergang in Flussrichtung gepolt (höheres Potential an der Basis) und der BasisKollektor-Übergang in Sperrrichtung (höheres Potential am Kollektor). common emitter) schematisch als Quellen dargestellt. um das niedrig dotierte n-Gebiet kontaktieren zu können.oder eine pnp-Folge bilden. Bild 4. Die jeweiligen Minoritätsträgerkonzentrationen an den Rändern der Basis-EmitterRaumladungszone sind entsprechend angehoben (siehe Bild 4.14: Grundstruktur.14 zeigt oben die schematische Grundstruktur eines npn-Transistors. Der Emitter injiziert Elektronen in die Basis.

4. muss die Basis möglichst dünn und die Trägerlebensdauer dort möglichst hoch sein. Gäbe es den Basis-Emitter-Übergang nicht. wenn beide Werte so dicht wie möglich an eins heran kommen. so dass sich dort die Minoritätsladungsträgerkonzentrationen verringern (siehe Bild 4. die die Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. dann gelangen diejenigen Elektronen. Beide Werte sind also immer kleiner als eins und die Stromverstärkung wird am größten. den Löchern rekombinieren.1 Stromverstärkung Ist der Basis-Emitter-Übergang nun aber dicht genug am Basis-Kollektor-Übergang dran. 4.und Basis-Strom.36) Dabei bezeichnet γ die Emitter-Effizienz. Eine genauere Untersuchung der Verhältnisse führt auf verschiedene „Schmutzeffekte“ und so zu einem nur in der Theorie konstanten Verhältnis von Kollektor. ist die Elektronenstromdichte nur von der Elektronenrandkonzentration abhängig. lässt sich also der Elektronenstrom und damit der Stromfluss IC im Lastkreis steuern.35) J n ≈ q ⋅ Dn ⋅ B wB Da auf der rechten Seite sonst ausschließlich (fast) konstante Werte stehen. also im Emitter fast ausschließlich Elektronenstrom zu haben. die vom Emitter in die Basis injiziert wurden bis zum Basis-Kollektor-Übergang und werden dort zum Kollektor hin abgesaugt. in dem fast alle injizierten Elektronen bis zum Basis-KollektorÜbergang gelangen und nur wenige in der Basis mir den dortigen Majoritätsladungsträgern. also alle Elektronen unbehelligt durch die Basis zu schleusen. so wäre das ein ganz normaler in Sperrrichtung gepolter pn-Übergang mit entsprechendem Leckstrom ICB0 (wobei die Null andeutet. Man kann die Diffusionsstromdichte der Elektronen letztlich durch ihre Diffusionskonstante Dn. Außerdem muss der Emitter möglichst dick und die Trägerlebensdauer dort möglichst hoch sein. Dieser Gradient wiederum ergibt einen Diffusionsstrom der Elektronen. der sich aus diesem Absaugen ergibt.14 ist sogar der Zustand dargestellt. wobei wB die Weite der Basis bezeichnet. der angibt welcher Anteil der Elektronen durch die Basis zum Kollektor gelangt. also wie groß der Anteil des Elektronenstroms IEn am Emitter-Strom IE ist. ihre Randkonzentration nB(0).Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Der in Sperrrichtung gepolte Basis-Kollektor-Übergang tut das entgegengesetzte: Er saugt die jeweiligen Minoritätsladungsträger von den Rändern der Basis-Kollektor-Raumladungszone ab. Und die Elektronenrandkonzentration ihrerseits hängt von der Vorwärtspolung des Basis-Emitter-Übergangs ab. Version 2. Um den Transportfaktor αT möglichst dicht an eins zu bekommen. Mit Hilfe der Basis-Emitter-Spannung und des daraus resultierenden Basis-Stroms. Diese Stromverstärkung B ist gegeben durch: 71 B= IC ICn 1 1 = = ≈ = IE IE I B I Ep + I En − ICn I Ep + I En −1 −1 ICn I En ICn 1 1 = 1 1 I ⋅ −1 ⋅ En − 1 γ αT ICn (4. die durch die Randkonzentrationen nB(0) und nB(wB) ≈ 0 gegeben ist. Um die Emitter-Effizienz γ möglichst dicht an eins zu bekommen. die Basis-Weite wB abschätzen.0. Es ergibt sich dadurch eine fast lineare Elektronenabnahme zum Kollektor hin.14). Oktober 2009 . und αT den Transportfaktor. muss der Emitter möglichst hochdotiert und die Basis möglichst niedrig dotiert sein. bei sehr hohen Dotierungen weitere Effekte wie das band-gap-narrowing hinzu.B. dass der Emitter nicht angeschlossen ist). In Bild 4. Leider lassen sich diese Forderungen nicht so ohne weiteres umsetzen und es kommen z. Es ergibt sich: n (0 ) (4.

Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik technologischen Bemühungen zum Teil zu Nichte machen.15). Version 2. dass der Transistor bei offener Basis viel weniger sperrt (Bild 4. weil dann Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Auf diese Weise fließen aber zusätzliche Ladungsträger über den BasisKollektor-Übergang und werden ihrerseits „lawinenmultipliziert“. open base transistor breakdown) muss also nach Möglichkeit vermieden werden. 4. Der Bipolartransistor für kleine Spannungen hatte mit einer Stromverstärkung von einigen hundert das Maximum seiner Leistungsfähigkeit erreicht und war in einer Sackgasse. Bei Bipolartransistoren für höhere Sperrspannungen kamen dann aber noch weitere.4.2 Durchbruch mit offener Basis Der Leckstrom ICB0 bei nicht angeschlossenem Emitter wurde in den vorgegangenen Überlegungen vernachlässigt.37) Der Leckstrom eines Bipolartransistors kann bei ordentlicher Stromverstärkung also durchaus zwei Größenordnungen höher sein. Oktober 2009 . als eine gleich viel sperrende Diode (Bild 4. hochohmig mit dem Emitter verbunden ist. Am Ende musste man feststellen.0. wenn die Basis niederohmig mit dem Emitter verbunden ist. der den Transistor aussteuert! Man erhält für den Leckstrom ICE0 bei offener Basis: 72 ICE 0 = B ⋅ ICB 0 + ICB 0 = (B + 1) ⋅ ICB 0 (4. IC offene Basis ICE0 ICB0 offener Emitter UCE0 UCB0 U Bild 4. weil er sehr klein gegenüber dem Durchlassstrom ist. steht mit nicht angeschlossener Basis nur noch die Hälfte der Durchbruchspannung UCB0 einer entsprechenden Diode zur Verfügung! Der Durchbruch bei offener bzw. Dann wirkt der Leckstrom des Basis-Kollektor-Übergangs wie ein Basis-Strom. Man erhält für die Durchbruchspannung mit offener Basis näherungsweise (siehe Literatur): U CE 0 ≈ U CB 0 4 1+ B (4. Die Folge ist eine Rückkopplung zwischen der Lawinenmultiplikation und Stromverstärkung. wenn statt des Emitters die Basis nicht angeschlossen bzw. steigt ICB0 und damit auch ICE0. Das gilt im Sperrfall natürlich nicht mehr. was entsprechende Anforderungen an die Basis-Ansteuerung stellt. hochohmig angesteuerter Basis (engl. Am Ende führt das dann dazu. Es hilft bereits. Besonders heikel wird die Situation. Sobald Lawinenmultiplikation am Basis-KollektorÜbergang einsetzt. also der Elektronenstrom. was für einen 1000 V-Bipolartransistor allerdings schon sehr gut ist. der vom Emitter injiziert wird.15: Abhängigkeit der Sperrkenlinien des Bipolartransistors von der äußeren Beschaltung Das ist aber noch nicht das Schlimmste.15). schwerwiegende Probleme hinzu. dass man gegen unüberwindliche Hindernisse an entwickelte.38) Bereits bei einer Verstärkung von nur 15.

also bei konstantem Basis-Strom ebenfalls konstant! Wenn bei einem Kurzschluss nun die Spannung über dem Transistor sprunghaft auf sehr hohe Werte steigt. dass der Basis-Kollektor-Übergang in Sperrrichtung gepolt ist und die Elektronenkonzentration auf der Basis-Seite der Raumladungszone dadurch praktisch auf null absinkt (siehe auch Bild 4. Bei gleichem Basis-Strom erhält man in Sättigung einen geringeren Kollektor-Strom.4. Das sieht zunächst nach einer unerwünschten Situation aus. der Kollektor-Strom ist von der Kollektor-Basis-Spannung unabhängig. was einer Reduktion der Stromverstärkung entspricht.3 Strombegrenzung Für die Herleitung der Stromverstärkung wurde nur angenommen. Wie groß die Basis-Kollektor-Spannung tatsächlich ist. sondern sogar angehoben! Für das Basis-Gebiet bedeutet das nichts anderes. bevor der Transistor dann durch Überhitzung zerstört wird. in der sie „Rettungsmaßnahmen“ einleiten kann. bleibt der Kollektor-Strom auf dem durch die Stromverstärkung gegebenen Wert.14). Die Steuerelektronik hat nun noch eine kurze Zeit. Version 2. typischerweise 10 µs.4 Sättigung Für die bisherige Behandlung des Bipolartransistors wurde jeweils angenommen. dass der Basis-KollektorÜbergang in Sperrrichtung gepolt war. 73 n E = ND p B = NA nB(x) pE(x) nB0 0 wB n C = ND pC(x) pC0 pE0 Bild 4. Oktober 2009 . Besser ist jedoch ein gegenüber dem Emitter negatives Potential an der Basis. Im Bereich der Sättigung (engl. Mit anderen Worten. 4. Beim Schalten dagegen führen dynamische Vorgänge dazu. Das ist aber nur im Verstärkerbetrieb der Fall. saturation) ist der Basis-Kollektor-Übergang dagegen in Durchlassrichtung gepolt (Bild 4.16: Ladungsträgerverteilungen eines npn-Transistors in Emitter-Schaltung bei einsetzender Sättigung Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. dass doch wieder UCE0 einzuhalten ist. Das gilt jedoch nur im stationären Bereich bzw.16). 4.0. als dass der Gradient der Elektronenkonzentration kleiner und der Elektronenstrom dementsprechend geringer ist. bei kleinen Strömen. Gleichzeitig ist die Situation am Basis-Emitter-Übergang aber praktisch unverändert und damit ist auch der Basis-Strom unverändert.4. Auf diese Weise wird die Rückkopplung aufgehoben und man erreicht dann (fast) wieder UCB0. wurde nicht definiert und spielt für die Herleitung des Kollektor-Stroms auch nur eine geringe Rolle (Early-Effekt). so dass alle Löcher abgesaugt werden.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik die vom Basis-Kollektor-Übergang kommenden Löcher einen alternativen Pfad haben. die die Diode und der Thyristor nicht besitzen. Die Minoritätsladungsträgerkonzentrationen sind dann nicht mehr gegenüber ihren Gleichgewichtswerten abgesenkt. Es ergibt sich auf diese Weise eine Strombegrenzung. zur Verfügung.

Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Für den Leistungsbipolartransistor ist aber genau das der übliche Betriebsmodus. warum das Konzept des Bipolartransistors für die Realisierung von SiC-Schaltelementen sehr vielversprechend erscheint. dass der Transistor als Vorwiderstand nur im „EIN“ bzw.bzw. Die Kniespannung eines SiC-pn-Übergangs beträgt nämlich 2-3 V und würde zu entsprechend hohen Durchlassspannungen führen. „AUS“-Zustand längere Zeit betrieben werden durfte. 74 IC 2A ∆IB = 10mA 1A „EIN“ Sättigung Verstärkerbetrieb 0 „AUS“ 10V U0 20V 0 UCE Bild 4. da er sich sonst sofort überhitzt hätte.17 bei kleinen Strömen auch deutlich in einem bis zu sehr kleinen Kollektor-Emitter-Spannungen konstanten Kollektor-Strom und einer dann fast übergangslos einsetzenden Sättigung.0. Bild 4. Das zeigt sich in Bild 4. Während sich die beiden Spannungsabfälle über den pn-Übergängen im Verstärkerbetrieb addieren.1 und insbesondere an Bild 2. Inenn = 5 A. Zwar ist der Kollektor. wo gezeigt wurde. Zum Glück kann man den BasisKollektor-Übergang aber auch entsprechend weiter in Durchlass polen und so kompensieren sich die beiden an sich hohen Spannungsabfälle an den pn-Übergängen zu einer sehr niedrigen Durchlassspannung. TO-3 bzw. Man erinnere sich an Abschnitt 2. als die Kniespannung des Basis-Emitter-Übergangs! Das ist eine sehr wichtige Eigenschaft im Hinblick auf Bipolartransistoren aus Siliziumkarbid (SiC). aber die Kollektor-Emitter-Spannung beträgt nur noch wenige Zehntel Volt.3. Hier ist zusätzlich noch der Spannungsabfall über dem niedrig dotierten Kollektor-Gebiet zu Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Auf diese Weise kann die Durchlassspannung des Transistors sogar kleiner sein. Das ist einer der Gründe.5 Quasisättigung Wie im vorangegangenen Abschnitt gezeigt wurde. 4. Bmax = 10-20. Bei Bipolartransistoren geringer Sperrfähigkeit ist das sogar im ganzen Arbeitsbereich der Fall. kompensieren sich die Spannungen in der Sättigung. UCB0 = 1500 V. Version 2.17: Ausgangskennlinienfeld eines npn-Transistors hoher Sperrfähigkeit vom Typ BU208A (UCE0 = 700 V.4. TO-204 Gehäuse) mit einer Lastgeraden für 20 Ω bei einer Quellenspannung U0 von 16 V Die geringe Durchlassspannung ist eine direkte Folge der Vorwärtspolung des BasisKollektor-Übergangs. ist der Übergang zwischen Verstärkerbetrieb und Sättigung durch die Umpolung des Basis-Kollektor-Übergangs gekennzeichnet. Es gilt jedoch nicht bei hochsperrenden Transistoren.6. Oktober 2009 . Laststrom dann etwas geringer. so dass die Durchlassverluste „erträglich“ werden.17 zeigt diesen Schalterbetrieb nochmal anhand eines gemessen Kennlinienfelds.

Man nennt das die Quasisättigung und natürlich führt auch hier der durchlassgepolte Basis-Kollektor-Übergang zu einem reduzierten Kollektorstrom (Bild 4. Mit zum Teil mehrstufigen Anordnungen kam man wieder auf eine brauchbare Stromverstärkung. Mit Siliziumkarbid und der entsprechend günstigeren Auslegung der Kollektorzone könnte es analog zu den SiC-Schottky-Dioden aber auch für den Bipolartransistor eine Renaissance geben. um den Basis-Kollektor-Übergang in Sperrrichtung zu polen und damit den Verstärkerbetrieb mit seinem Spannungsunabhängigen Kollektor-Strom zu gewährleisten.0. sei es durch Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. dann ist der Basis-Kollektor-Übergang tatsächlich in Durchlassrichtung gepolt. Leider zeigt sich hier. 75 C IB=IB2 B T2 IC=IC1+IC2 T1 IE=IE1 b) IE2=IB1 E a) Bild 4.18a). Letztlich hat dann das Aufkommen des IGBT (bzw. bei niedrigen Sperrspannung des MOSFET) zum völligen Verschwinden des Bipolartransistors geführt. Bei hochsperrenden Transistoren und großen Strömen braucht man deshalb eine KollektorBasis-Spannung von vielen Volt. die den Widerstand reduziert). dass der Bipolartransistor im Grunde doch eher ein Unipolartransistor ist. a) Schaltbild. Oktober 2009 . Als Gegenmaßnahme hat man seinerzeit die Darlington-Anordnung verwendet. bei der der Basis-Strom der Hauptstufe durch den Emitter-Strom einer vorgelagerten Stufe bereitgestellt wird (Bild 4. aber höhere Spannungen als etwa 1000 V (UCE0) ließen sich auch so nicht erreichen.5 Thyristor Der Thyristor (häufig auch engl. den man von der außen anliegenden Kollektor-Emitter-Spannung abziehen muss. Es ergibt sich als Gesamtverstärkung dann etwas mehr als das Produkt der Einzelverstärkungen (Wie berechnet sich das aus B = IC/IB?).18: Bipolartransistoren in Darlington-Anordnung. 4.17). b) im Modul Bei hochsperrenden Transistoren ist die aufgrund technologischer Randbedingungen ohnehin schon recht niedrige Stromverstärkung bei größeren Strömen häufig deutlich kleiner als zehn! Man kann also kaum noch von einer Verstärkung sprechen. Die relativ einfache Technologie sorgte für eine schnelle Verbreitung und ist auch heute noch ein wichtiges (Kosten-) Argument.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik berücksichtigen. Ist die Spannung dagegen kleiner. obwohl außen am Bauelement eigentlich Sperrspannung anliegt. silicon controlled rectifier SCR) wurde Ende er 50er Jahre entwickelt und war das erste steuerbare Halbleiterbauelement für große Leistungen. um die tatsächlich am pn-Übergang anliegende Spannung zu erhalten. Der Thyristor erschloss sich so zahlreiche Anwendungsgebiete aus denen er inzwischen jedoch zum Teil bereits wieder verdrängt wurde. denn die Dimensionierung des niedrig dotierten Kollektor-Gebiets folgt der Regel für die Schottky-Diode und der Serienwiderstand dieses Gebiets ist damit auch entsprechend groß (NB: In der Sättigung gibt es eine Injektion. Version 2.

Oktober 2009 . Der einfache Thyristor ist symmetrisch sperrend. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Darüber hinaus gibt es zahlreiche low-cost Anwendungen. sperrt sie nur wenige 10 V und kann praktisch vernachlässigt werden.0. so sperrt der Thyristor. die dem einfachen Thyristor wohl noch ein langes Leben bescheren werden. Daher ist es nicht verwunderlich. Die Sperrfähigkeit wird also in beiden Fällen von einer Raumladungszone bestimmt. während der mittlere pn-Übergang in Durchlassrichtung gepolt ist. die drei pn-Übergänge bilden. in einem Fall von der Gate-Zone her und im anderen Fall von der Anoden-Zone. so sind die äußeren beiden pn-Übergänge gesperrt. Spannungen und Ströme eines npnp-Thyristors in Vorwärtsrichtung.1 Sperrfähigkeit Wird an den Thyristor eine Anoden-Kathoden-Spannung wie in Bild 4. 4.19 mit positivem Potential an der Anode angelegt. Man spricht vom Vorwärtsblockieren. 76 IK - UGK + p G UAK + IA IG B nIC1 K n+ p+ A IG IB2=IG+IC1 K IK=IE2 T2 npn T1 pnp IA=IE1 A IC2=IB1 Bild 4. das niedrig dotierte n-Mittelgebiet und schließlich die wieder hochdotierte p-AnodenZone. Darunter das Zwei-Transistor-Ersatzschaltbild. Wird eine umgekehrte Spannung angelegt. Der Thyristor sperrt also auch in Rückwärtsrichtung (Rückwärtsblockieren). Version 2.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Weiterentwicklungen auf Basis des Thyristorprinzips oder durch den IGBT. Da die Kathoden-Gate-Sperrschicht beidseitig hochdotiert ist.19 zeigt oben die Anordnung der Schichten und andeutungsweise auch deren Dotierung. Die Grundstruktur des Thyristors besteht aus vier Schichten. da der mittlere pn-Übergang sperrt.5. während die anderen beiden pn-Übergäng in Durchlassrichtung gepolt sind. Bild 4. die sich im Wesentlichen in dasselbe niedrigdotierte Mittelgebiet ausdehnt. das sich aus dem gestrichelt gezeichneten Schnitt ergibt. Auf eine hochdotierte n-Kathoden-Zone folgen die weniger hoch dotierte p-GateZone.19: Grundstruktur. Meistens war die fehlende Abschaltfähigkeit des einfachen Thyristors das Hauptargument für einen Ersatz. dass die Sperrfähigkeit in beide Richtungen ungefähr gleich ist. Nach wie vor sind aber die höchsten Leistungsklassen wie zum Beispiel in der Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ) das Reich des Thyristors und werden das vermutlich auch noch einige Zeit bleiben.

Zum einen steht dem gesperrten pn-Übergang jeweils mindestens ein durchlassgepolter pn-Übergang gegenüber. Die Sperrfähigkeit reduziert sich nur um etwa 10%. aber das Resultat für den Thyristor wäre dasselbe. punch through).5. sperrt der Thyristor in beide Richtungen. ist dieser Effekt hier weniger ausgeprägt.0. Es ergibt sich auf diese Weise also eine Rückkopplungsschleife.39) 1 − β1 ⋅ β 2 Für den zusätzlichen Anoden-Strom dIA ergibt sich daraus: dI A = dI C1 + dI B1 = β 1 ⋅ dI B1 + dI B1 = (β 1 + 1) ⋅ dI B1 = dI G ⋅ ( 4. dass es noch zwei Effekte gibt.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Es sei allerdings erwähnt. Umgekehrt hat ein zusätzlicher Elektronenstrom vom Mittelgebiet in die Anoden-Zone einen um die Stromverstärkung β1 größeren zusätzlichen Löcherstrom in Richtung Gate-Zone zur Folge. Offensichtlich steigt der Strom bei β1·β2 > 1 mit jedem Durchlauf weiter an und wird schließlich unendlich groß.19 unten) des Thyristors verdeutlichen. Viel wichtiger ist aber der Verstärkungs- Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. solange er nicht angesteuert wird. überhaupt die Zuführung des Gate-Stroms hat also wie erwartet eine deutliche Erhöhung des Anoden-Stroms zur Folge. Man muss sich dazu die Struktur des Thyristors entlang der gestrichelten Linie in Bild 4. bei der der Strom pro „Durchlauf“ um den Faktor β1·β2 größer wird.2 Zündung (Einschalten) Wie im vorangegangenen Abschnitt gezeigt wurde. die das Sperrverhalten beeinflussen und diese einfache Betrachtungsweise deshalb zumindest leicht korrigieren. so dass jeweils IC = B·IB bzw. Die Transistoren arbeiten also beide im Verstärkerbetrieb. Danach werden diese beiden Transistoren ihrer ursprünglichen Position entsprechend wieder zum Ersatzschaltbild verbunden. dass die Raumladungszone bis zum gegenüberliegenden pn-Übergang durchschlägt (engl. Fließt nun ein zusätzlicher Löcherstrom von der Gate-Zone in die Kathoden-Zone. während er mit β1·β2 < 1 abklingt. Der Mechanismus ist dann zwar ein anderer.2). differentiell dIC = β·dIB gilt. Es wird also auch hier derselbe Effekt auftreten wie beim Bipolartransistor.19 in zwei Bipolartransistoren (einen npn und einen pnp) aufgeteilt vorstellen. triggering) lässt sich nun am einfachsten mit dem Zwei-Transistor-Ersatzschaltbild (siehe Bild 4. Da dort eine beliebige Menge an Ladungsträgern zum Absaugen bereit steht.40) Eine Erhöhung bzw. so sperrt der mittlere pn-Übergang und die beiden anderen pn-Übergänge sind in Durchlass gepolt. Dazu wird zum Beispiel zunächst der zusätzliche Basis-Strom dIB1 des pnp-Transistors berechnet: dI B1 = dI C 2 = β 2 ⋅ dI B 2 = β 2 ⋅ (dI G + dI C1 ) = β 2 ⋅ (dI G + β 1 ⋅ dI B1 ) ⇔ dI B1 = 77 β 2 ⋅ dI G (4. Version 2.4. würde der Sperrstrom wie beim Lawinendurchbruch extrem ansteigen. Oktober 2009 . so hat das einen um die differentielle Stromverstärkung β2 größeren zusätzlichen Elektronenstrom in Richtung Mittelgebiet zur Folge. Da die Verstärkungsfaktoren beim Thyristor aber viel kleiner sind als beim Bipolartransistor. Zünden (engl. Die Auswirkung durch das Ansteuern bzw. In beiden Bipolartransistoren sind die Basis-Emitter-Übergänge in Durchlassrichtung und die BasisKollektor-Übergänge in Sperrrichtung gepolt. Liegt nun eine Anoden-Kathoden-Spannung (Vorwärtsspannung) wie im Bild an. Zum anderen besteht abhängig von der Auslegung bei manchen Thyristoren die Möglichkeit. 4.39 ) (β1 + 1) ⋅ β 2 1 − β1 ⋅ β 2 (4. nämlich der open base transistor breakdown (Abschnitt 4. Das ganze lässt sich mit Hilfe des Zwei-Transistor-Ersatzschaltbilds genauer analysieren.

Die Transportfaktoren αT aus Gleichung (4. sobald das Produkt der Stromverstärkungen eins wird. Auch das unterscheidet ihn vom Bipolartransistor. In der Realität ist das aber nicht der Fall.36) waren kleiner als heute und vor allem waren die Emitter-Effizienzen γ noch viel geringer. Die Lichtzündung hat den Vorteil. der eine kontinuierliche Ansteuerung braucht.5. Eine Möglichkeit ist Licht. latched-up). Die du/dt-Zündung ist im Allgemeinen unerwünscht und man versucht durch die Gate-Kathoden-Kurzschlüsse diesen Mechanismus zu vermeiden bzw. Diese Kippspannung lässt sich wiederum durch Gate-Kathoden-Kurzschlüsse maximieren. Danach kann man den Gate-Strom dann wieder abschalten und der Thyristor bleibt trotzdem gezündet oder „eingerastet“ (engl. Mit anderen Worten. Auch die maximale Betriebstemperatur kann mit GateKathoden-Kurzschlüssen erhöht werden. die Zündbedingung wäre immer erfüllt und der Thyristor würde immer von alleine zünden.1 Zündarten Obwohl der Gate-Strom in der Herleitung erwähnt ist. ist der Thyristor irgendwann nicht mehr stabil. Oktober 2009 . 4. Die zweite Alternative ist eine schnelle Spannungstransiente (duAK/dt). dass die Ansteuereinheit keine elektrische Verbindung zum Thyristor hat (galvanische Trennung) und daher sehr interessant für die bei HGÜAnwendungen notwendige Serienschaltung ist. Version 2. hat er offenbar nicht direkt etwas mit der Zündbedingung zu tun. dass selbst die schlechtesten Bipolartransistoren eine (differentielle) Verstärkung von deutlich über eins haben und das Produkt zweier Verstärkungen demnach immer größer als eins sein würde. Egal wie groß der Gate-Strom IG tatsächlich ist (er ist jedenfalls nie genau null. weil die immer vorhandenen Leckströme auch wie Gate-Strom wirken). An dieser Stelle fällt auf.0. in dem sie die Zündbedingung erfüllen und so die Rückkopplung in Gang zu setzen. Es gibt heute keinen Thyristor mehr ohne diese Kurzschlüsse. Neben der Stromabhängigkeit zeigen die Verstärkungen auch eine Spannungsabhängigkeit. wird der Anoden-Strom unendlich groß. Man nennt β1·β2 = 1 die Zündbedingung. die dazu führt. das erlaubte du/dt zu maximieren. die einen Verschiebungsstrom im Thyristor und so die Zündung zur Folge hat. Bei Annäherung an die maximale Sperrfähigkeit führt das dann ebenfalls zur Zündung. Er dient im Grunde nur dazu.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik faktor. Neben dem Einprägen eines Stroms über das Gate gibt es noch weitere Maßnahmen. die zur Erfüllung der Zündbedingung führen. Zunächst sind das zwei andere Alternativen. Da die Leckströme aber ebenfalls mit der Temperatur steigen. Schließlich zeigen die Verstärkungsfaktoren noch eine Temperaturabhängigkeit. die stark stromabhängigen Stromverstärkungen in einen Bereich zu bringen. Zu Beginn es Thyristor-Zeitalters war die Technologie noch so schlecht.2. einen Strom im Thyristor zu erzeugen. Inzwischen muss man die Verstärkungen mit absichtlich eingebauten Gate-KathodenKurzschlüssen auf einen Wert von deutlich unter eins reduzieren. dass mit zunehmender Temperatur immer kleinere (Leck-) Ströme zur Zündung ausreichen. 78 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. dass sich tatsächlich Verstärkungen unter eins ergaben. das in den gesperrten pn-Übergang eingestrahlt einen dem GateStrom äquivalenten Strom generiert und auf diese Weise den Thyristor zünden kann. Tatsächlich ist die Aufgabe des Gate-Stroms etwas „subtiler“.

so steigt der Strom dort (und zunächst nur dort!) sehr stark an. Die Zündung des Thyristors findet in jedem Fall zunächst nur lokal statt. Der gezündete Thyristor entspricht damit genau einer pin-Diode im Durchlass: Auf jeder Seite ein hochdotiertes Gebiet und dazwischen Plasma.2 hergeleitete Durchlasskennlinie wie die pin-Diode und begrenzt auch in keiner Weise den Strom. Das geht soweit.20: Thyristor-Scheiben mit verschiedenen Gate-Strukturen. 79 Bild 4.2 Ablauf Ist die Zündbedingung an einer Stelle des Thyristors erreicht.21: Thyristor-Scheibe mit Involute-Gate (→Wikipedia). Version 2. Löcher in die beiden mittleren Zonen injiziert.1. ist sofort klar.0. Folgerichtig zeigt der gezündete Thyristor dieselbe in Abschnitt 4. beim elektrisch gezündeten Thyristor der Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Beim lichtgezündeten Thyristor ist das die Einstrahlstelle.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 4. von Zentral-Gate (unten links) bis hin zu stark verzweigten Gate-Strukturen (oben links). die durch die Zündausbreitung zurückgelegt werden muss. Kreisevolvente) ist der Abstand zwischen zwei Gate-Fingern und damit die maximale Strecke. Dass das Zwei-Transistor-Ersatzschaltbild in dieser Situation seine Gültigkeit verloren hat. dessen Konzentration höher als die Dotierungskonzentration ist. über die gesamte Scheibe konstant.2. Bild 4. dass sich zunächst im Mittelgebiet und bei höheren Stromdichten auch in der Gate-Zone ein Elektron-Loch-Plasma ausbildet. Von beiden Endgebieten werden Elektronen bzw. Oktober 2009 .5. Bei dieser Geometrie (dt.

low cost Anwendungen erhalten.5. bei denen eine Strom. Um das zu vermeiden. das amplifying gate.3 Löschung (Ausschalten) Der große Nachteil des einfachen Thyristors ist die fehlende Abschaltfähigkeit. muss das Plasma durch Rekombination auf einen sehr kleinen Rest reduziert werden. Konkret fließt zunächst das Plasma in Form einer Rückstromspitze aus dem Thyristor und erst dann sperrt er die negative (Abschalt-) Spannung. der wie ein Gate-Strom wirkt und zum sofortigen Wiederzünden des Thyristors führt. der aus zwei monolithisch integrierten antiparallelen Thyristoren bestehende TRIAC. abschaltfähige Varianten zu konstruieren. Zur Deckung des entsprechend höheren Gate-Strombedarf verwendet man dann eine Hilfsstruktur.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Bereich in dem der Gate-Strom eingeprägt wird. vollständig verdrängt wurde. muss dieses Plasma beseitig werden. Oktober 2009 . Ebenso kommt er bei den dieselelektrischen Güterzuglokomotiven vom GE-Typ AC4400CW (AC-Ausführung der dash9) und z. Eine Möglichkeit ist die Rekombination des Plasmas abzuwarten. den Thyristor abschaltbar zu machen. Es findet eine Zündausbreitung statt. Eine Variante des Thyristors. Bevor er schließlich wieder die positive Spannung sperren kann. Hält man diese Freiwerdezeit tq nicht ein. dass der Thyristor aus Anwendungen. Der gate turn-off (GTO) thyristor war dann der erste brauchbare und daher auch kommerziell erfolgreiche Versuch.20.B. Mit Versuchen. Die Stromdichte in den bereits gezündeten Bereichen wird dann so groß. dass es zur Zerstörung des Thyristors kommt. muss man einerseits die Stromanstiegsgeschwindigkeit begrenzen und andererseits sofort eine möglichst große Fläche zünden. wie dem gate assisted turn-off thyristor (GATT). 4. Die Freiwerdezeit macht den Thyristor in der Anwendung sehr langsam und für die Umpolung ist eine aufwändige äußere Beschaltung mit einem Hilfsthyristor notwendig.6 GTO-Thyristor Quasi von der Erfindung des Thyristors an wurde versucht. GTOs wurden zum Beispiel für die Antriebsumrichter der ersten ICE-Generationen und für die Lokomotiven der Baureihen 101 (IC). Die andere Möglichkeit ist das aktive Ausräumen durch Umpolen der Spannung. hat sich außerdem in vielen low power.0. Das hat schließlich dazu geführt. bevor wieder Spannung angelegt wird. 80 4. Beispiele solcher Gate-Strukturen zeigt Bild 4. Bevor der Thyristor wieder sperren kann. Spannungsumkehr ohnehin auftritt. die ein aktives Abschalten erfordern. die nur mit einigen 10 µm/µs abläuft und so bis zur vollständigen Zündung des Thyristors viele 100 µs dauern kann (NB: Gate-Kathoden-Kurzschlüsse verlangsamen diesen Prozess noch!) Problematisch wird dieser Ablauf. dann ist er wie eine pin-Diode mit Plasma geflutet. Version 2. konnte aber bestenfalls der (Be-) Schaltungsaufwand reduziert werden. Von dort aus werden erst nach und nach die benachbarten Regionen des Thyristors gezündet. Man benutzt dazu (fein) verteilte Gate-Strukturen. 145/146 (RB und RE) und 152 (schwere Güterzüge) verwendet. wenn der durch die äußere Schaltung vorgegebene Stromanstieg (di/dt) schneller ist als die Zündausbreitung.bzw. ergibt sich durch das Restplasma beim Wiederanlegen der positiven Spannung ein Ausräumstrom. Im Grunde finden dabei sehr ähnliche Abläufe wie beim Ausräumen der pin-Diode statt. Eine echte Abschaltfähigkeit besaßen diese Bauelemente nicht. Das dauert einerseits sehr lange und andererseits muss der Thyristor die ganze Zeit stromfrei sein. auch bei off-highway Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Wenn der Thyristor einmal gezündet ist. Er hält sich aber noch in Anwendungen.

Problematisch ist bei den großen Flächen dann eher das ungleichmäßige Abschalten der einzelnen Thyristorstreifen.2 Entlastungsnetzwerke (Snubber) Das Abschalten des GTO ist also in jedem Fall heikel und ohne zusätzliche Entlastungsnetzwerke (engl.1. sondern jeweils abschaltet.23 zeigt die Gesamtanordnung. Oktober 2009 . snubber) kaum möglich. Es muss nur die eingerastete Rückkopplung zwischen Elektronen. Die Plasmaüberschwemmung würde dann von alleine zusammenbrechen und der Thyristor könnte wieder Sperrspannung aufnehmen. Für weitergehende Informationen sei wieder auf die Literatur verwiesen. 81 Bild 4. so öffnet die Diode der Ausschaltentlastung (engl.2.2).0. dass er kaum noch lokalisieren kann. In den 90er Jahren erreichte der GTO mit diesen Traktionsanwendungen ein erhebliches Marktvolumen. Beim GTO sind das bis zu einem Drittel des Gesamtstroms! Es ist also eine entsprechend starke und damit auch teure Gate-Ansteuerung notwendig. die alle parallel geschaltet sind (Bild 4. muss der GTO aufgrund der Ausschaltentlastung nicht gleichzeitig die volle Spannung und den vollen Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.und Löcherinjektion aufgehoben werden. Ein großer GTO besteht im Grunde aus mehreren tausend einzelnen kleinen Thyristoren. Damit ist es aber noch nicht getan. also den stromführenden Bereich verkleinern.6. und damit nicht mehr über die injizierenden pn-Übergänge.22: GTO-Scheibe. rechts die Kathoden-Finger und der Gate-Kontakt im Detail 4. abgeführt werden. Jeder dieser Thyristorstreifen ist so schmal. muss jedoch ein ausreichend großer Teil des Stroms über das Gate. Durch den Ladestrom wird der Anodenstrom des GTO deutlich reduziert. also wieder eine Form der Lokalisierung. Ein „normaler“ Thyristor würde in dieser Situation nur lokalisieren. und dort dann durch Überlast zerstört werden.6. Version 2. 4. turn-on bzw. Dabei kommt neben der Ausschaltentlastung durch eine RCD-Beschaltung im Allgemeinen noch eine Einschaltentlastung kombiniert mit einer Überspannungsbegrenzung zum Einsatz. Inzwischen werden Neukonstruktionen aber aufgrund besserer Lösungen mit IGBTs oder IGCTs nicht mehr mit GTOs ausgerüstet.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik vehicles (Grubenfahrzeugen) zum Einsatz. du/dt-snubber) und der Kondensator wird geladen.1 Löschung (Ausschalten) Theoretisch ist jeder Thyristor abschaltbar. Abschnitt 3. Daher soll der GTO nachfolgend nur kurz behandelt werden. Steigt beim Abschalten die Spannung über dem GTO an. Der entscheidende Unterschied des GTO zum normalen Thyristor sind die nur etwa 200 µm breiten Kathoden-Finger. Bild 4. Um das zu erreichen.22). Anders als es beim Schalten mit induktiver Last sonst der Fall wäre (vergl.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Der GTO ist dadurch beim Einschalten kaum zerstörbar und wird sogar für Pulsstromanwendungen (die keine Abschaltfähigkeit erfordern) wie z. Radar eingesetzt. Ohne diese Begrenzung würde die Diode sicher überlastet. Einschaltentlastung (turn-on bzw. vereinfachten Schaltungen wie dem Undeland snubber erzielen kann. Damit sich die gespeicherte Energie nicht als Überspannung am Schalter bemerkbar macht bzw. Nach dem Abschaltvorgang wird die snubber-Kapazität dann über den Widerstand wieder auf die Quellenspannung U0 entladen bzw. Darüber hinaus gibt es noch Varianten. nach dem Einschaltvorgang auf die Durchlassspannung des GTO und ist bereit für den nächsten Schaltvorgang. in eine Kapazität umgeleitet. die einen Teil der Energie nicht in den Widerständen in Wärme umsetzen. Oktober 2009 . 82 di/dt-snubber Li du/dt-snubber U0 GTO clamp DF LL Bild 4. turn-on bzw.B. Version 2. dass man dieselbe Funktion auch mit ausgeklügelten. den du/dtsnubber überlastet. Da sich die Funktionen der Entlastungsnetzwerke überlappen bzw. Die Ausschaltentlastung schützt den GTO außerdem vor zu großen (induktiven) Überspannungen. Problematisch ist die Induktivität dann allerdings beim Ausschalten. Da diese Schaltungen den Rahmen aber bei weitem sprengen würden und der GTO zudem heute nicht mehr für Neukonstruktionen verwendet wird. Nach dem Abschaltvorgang wird die Kapazität dann wieder über den Widerstand bis auf die Quellenspannung U0 entladen. der Stromabfall durch die Diode wird nur durch die Induktivität Li (di/dt-Drossel) begrenzt. ergänzen. sei wieder auf die Literatur verwiesen. sondern beim nächsten Schaltvorgang zurückspeisen bzw. ergänzt damit also die Ausschaltentlastung. di/dt-snubber) ist für die Freilaufdiode wichtiger als für den GTO. Durch das schnelle Einschalten bricht die Spannung über dem GTO sehr schnell zusammen und der Stromanstieg durch den GTO bzw.0.23: Einfacher Gleichstromsteller mit GTO-Thyristor als Schalter sowie Ausschaltentlastung (turn-off bzw. wird der Strom der Induktivität durch eine Diode und einen Widerstand „kurzgeschlossen“ bzw. du/dt-snubber). die Spannung über dem GTO zu begrenzen. di/dt-snubber) und Überspannungsbegrenzung (clamp) Die Einschaltentlastung (engl. wiederverwenden. ist es nicht verwunderlich. Tatsächlich ist der GTO ein sehr schneller Einschalter. Durch seine feine Struktur kann der GTO mit Hilfe von ausreichend Gate-Strom praktisch sofort flächendeckend gezündet werden. Die Kapazität hat zusätzlich die Aufgabe.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Strom ertragen.

wodurch der Thyristor letztlich abschaltet. Eine davon war die Kaskode oder besser die Verschaltung eines Thyristors und eines abschaltbaren Bauelements in Kaskode-Anordnung. Zum anderen ist es die Aufbau und Verbindungstechnik.24 zeigt die Kaskode-Anordnung eines hochsperrenden Thyristors und eines zwar niedersperrenden. den die MOSFETs mit sich bringen. aber aufgrund der sehr begrenzten Fläche doch nicht unerheblich und insofern ein Nachteil. die MOSFETs in das Druckkontaktgehäuse des GTO zu integrieren. Zum einen sind es die reinen Zusatzkosten für diese Bauelemente. ist ihr Widerstand verhältnismäßig gering. Hinzu kommt dann noch der zusätzliche Spannungsabfall durch die MOSFETs.7 IGCT Neben dem GTO gab es eine Reihe anderer Entwicklungsrichtungen auf dem Weg zum abschaltbaren Thyristor.und Kathoden-Kreis sicherstellen muss.1 Kaskode Bild 4. Deshalb muss das Gate wie beim GTO feinstrukturiert sein. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. waren in dieser Hinsicht vielversprechend. A G K A G a) b) K Bild 4. Es ist also notwendigerweise eine GTO-Kaskode und ging auch unter diesem Namen in die Literatur ein.24b ist eine Realisierung der GTO-Kaskode mit MOSEFTs zu sehen. Oktober 2009 .7. a) als Prinzipschaltbild mit Z-Diode im Gate-Kreis. die immerhin den gesamten Laststrom plus etwaigen Überstrom verkraften müssen. In diesem Moment fließt kein Strom mehr über den Gate-Kathoden-Übergang des Thyristors und ruft daher auch keine Injektion mehr hervor. Der n-Kanal MOSFET öffnet bei negativer Gate-Spannung den Hauptstrompfad. Der Hauptstrom fließt bei dieser Anordnung über beide Bauelemente. die einen induktionsarmen Gate. In Bild 4. Da diese nur wenige 10 V sperren müssen. Das Problem der Kaskode ist der erhebliche Zusatzaufwand.0. b) realisiert mit n. Schaltet man den niedersperrenden Schalter ab. wodurch die Kaskode einen Serienschaltungscharakter besitzt. Der Gate-Kreis und vor allem auch die Gate-Zone im Halbleiter muss dazu aber den Gesamtstrom verkraften können. Experimente.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 83 4. aber aufgrund von Problemen mit der Kühlung und der Lastwechselfestigkeit letztlich doch nicht erfolgreich. aber abschaltbaren Bauelements. Die Rückkopplung ist so auf jeden Fall aufgehoben.und p-Kanal MOSFETs 4. Version 2.24: GTO-Kaskode. so wird der Hauptstrompfad unterbrochen und der niedersperrende Schalter nimmt Spannung auf. Für das Zünden des Thyristors ist wieder positive Gate-Spannung an die MOSFETs anzulegen und ein Zündpuls an den Thyristor. Diese Spannung gibt dann den Gate-Kreis frei und treibt den Hauptstrom über das Gate aus dem Thyristor. während der p-Kanal MOSFET dann den Gate-Kreis freigibt.

um ausreichend lange die Gate-Spannung aufrecht halten zu können.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 4. Wie der Name bereits andeutet. Darüber hinaus zeigt das Bild aber noch zwei weitere Voraussetzungen für das Funktionieren des GCT. dass kein Kathoden-Strom mehr übrig bleibt. wenn man von einem Wechsel des Halbleitermaterials absieht. welche grundsätzlichen Verbesserungen noch mit Thyristor-Bauelementen erzielbar sind. Bild 4. Die Einschaltentlastung dagegen ist wegen der Diode weiterhin nötig.und widerstandsarm aufgebaut sein.25: GCT mit Details des Gate-Kreises Diese Vorteile des GCT haben aber auch ihren Preis. Im Allgemeinen sind beide sogar direkt zusammen montiert.2 GCT Zum Glück fand sich eine Lösung die diese Nachteile gar nicht oder viel weniger ausgeprägt hatte: Der zunächst als hard driven GTO bezeichnete gate commutated thyristor (GCT).25 zeigt die dazu notwendige Schaltung. Zum einen sind also auch hier genügend viele niedersperrende MOSFETs nötig. Folglich benötigt der GCT keine Ausschaltentlastung mehr. Der Halbleiter an sich ist sonst praktisch identisch zum GTO.26). Der GCT ist ein echter Thyristor mit der niedrigen Durchlassspannung der völlig plasmaüberschwemmten Bauelemente. um den Hauptstrom zumindest kurzfristig tragen zu können. Er ist ohne Einschränkungen zu beliebigen Zeitpunkten abschaltbar und braucht dafür auch keine in Serie geschalteten Bauelemente (zusätzlicher Spannungsabfall). käme es doch wieder zu Stromumverteilungen und das Risiko einer Zerstörung wäre hoch. Version 2.0. Lokalisierungen. die in der Praxis weitreichende Konsequenzen haben: Sowohl der Widerstand als auch die Induktivität im Gate-Kreis müssen sehr klein sein. Die Thyristor-Entwicklung ist mit dem IGCT an einem Endpunkt angelangt.7. sondern tut dies auch ohne die heiklen Stromumverteilungen bzw. Und zum anderen wird eine in der Realität recht große Kondensatorbank gebraucht. Diese Forderung ergibt sich aus der Notwendigkeit. Würde es länger dauern. Die Rückkopplung ist so auf jeden Fall aufgehoben und der GCT in diesem Moment eigentlich gar kein Thyristor mehr! Der GCT schaltet dann nicht nur ab. Es ist deshalb fraglich. Vielmehr wird mit Hilfe einer Spannungsquelle der Gate-Strom so groß gemacht. Anders als bei der GTO-Kaskode wird hier nicht der Hauptstrompfad unterbrochen. Der GCT muss dazu natürlich ebenfalls feinstrukturiert sein. Oktober 2009 . 84 G UG LG→0 RG→0 A K Bild 4. den Hauptstrom in weniger als 1 µs in den Gate-Kreis zu kommutieren. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Das Gehäuse des IGCT und die GateEinheit müssen also extrem induktions. nämlich den gesamten Hauptstrom zumindest zeitweise über das Gate umzuleiten. die den Schaltvorgang des GTO so prekär machten. um den Hauptstrom in den Gate-Kreis umzulenken. behält der GCT das wesentliche Merkmal der Kaskode bei. Wie bei der Kaskode fließt dann kein Strom mehr über den Gate-Kathoden-Übergang und ruft keine Injektion mehr hervor. weshalb man vom integrated GCT also IGCT spricht (Bild 4. Bei einer Gate-Spannung von 20 V darf die Gate-Kreisinduktivität eines 4 kA GCT deshalb nur 5 nH betragen und das auch nur für den Idealfall ohne Ohmschen Widerstand.

Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 85 Kondensatorbank Bild 4. ist die Schwellenspannung UT (engl. bildet sich ein Elektronenkanal.0. Monolithisch integrierte Varianten wie der MOS controlled thyristor (MCT) haben bisher jedenfalls keine Verbesserung erbracht. Version 2. Bild 4. threshold voltage). 4. da sie entweder sehr kritische parasitäre Komponenten aufwiesen. Die Struktur besteht aus einem mit Source verbundenen p-Grundmaterial in dem sich zwei hochdotierte n+-Zonen befinden. im Hintergrund die Gate-Ansteuereinheit mit der Kondensatorbank.27 zeigt links den einfachen MOSFET. oder aus einer Serienschaltung mit entsprechend höheren Durchlassspannungen bestanden. wenn am Gate ein gegenüber Source (ausreichend) positives Potential anliegt und die Bänder im Halbleiter so stark verbiegt. so wie er aus der Grundlagenvorlesung bekannt ist und für Logikschaltungen verwendet wird. Oktober 2009 . Bereits in den 20er und 30er Jahren wurde seine Funktion beschrieben und patentiert. Zwischen diesen beiden Zonen. Source und Drain. wieder die GTO-typischen Instabilitäten zeigten.26: IGCT. Bis zum Einsatz als Leistungsbauelement dauerte es dann allerdings noch einmal fast 20 Jahre. Die Gate-Source-Spannung. Hinzu kam dann jeweils noch die erheblich aufwändigere Technologie mit den entsprechend höheren Kosten. Source und Drain sind durch den Elektronenkanal dann leitfähig verbunden und der MOSFET zeigt bei nicht zu großer Drain-Source-Spannung ein Ohmsches Verhalten und zwar für beide Polaritäten der Drain-Source-Spannung (vergleiche dazu den Synchrongleichrichter in Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die Ansteuer-MOSFETs sind hier nicht sichtbar auf der Unterseite montiert. Inzwischen hat sich der Leistungs-MOSFET fest etabliert und beherrscht die Anwendungen bis einige 100 V Sperrfähigkeit. Aufgrund seiner klaren Vorteile hat er den Bipolartransistor dort völlig verdrängt. bei der sich dieser Elektronenkanal gerade bildet. Leider konnte der MOSFET zu diesem Zeitpunkt aus technologischen Gründen noch nicht realisiert werden und so wurden die ersten Bauelemente erst 1960 gefertigt. dass Inversion auftritt.8 MOSFET Historisch gesehen war der metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) sogar der erste Transistor. Im Vordergrund die Halbleiterscheibe im Druckkontaktgehäuse.

Während am Kanalanfang noch die volle Gate-Source-Spannung zur Kanalbildung zur Verfügung steht. die diese Raumladungszone verursacht (NB: In Anlehnung an den Early-Effekt beim Bipolartransistor nennt man diesen leichten Stromanstieg nun Late-Effekt). was schon zu vielen Missverständnissen geführt hat! Wie beim Bipolartransistor ergibt sich jedenfalls eine Strombegrenzung. Die Durchbruchspannung des pn-Übergangs ist dementsprechend gering. In Rückwärtsrichtung geht die lineare Kennlinie dann in die Diodenkennlinie über. da sie bei negativer Drain-Source-Spannung in Durchlass gepolt ist. Außerdem hätte die Raumladungszone auch gar keinen Raum sich auszudehnen. Das Konzept des einfachen MOSFET taugt also nicht für Leistungstransistoren mit entsprechenden Sperrspannungsanforderungen. so verändert sich das Verhalten des MOSFET. als dass der Strom kaum noch ansteigt. da dafür nur die Kanalzone in Frage käme (siehe Bild 4. Die Dotierung des p-Materials ist im Wesentlichen durch die Schwellenspannung (und die Oxiddicke) definiert und die n+-Drain-Zone muss allein schon für einen guten Ohmschen Kontakt hochdotiert sein. Der physikalische Hintergrund für die Sättigung ist dabei der Ohmsche Spannungsabfall entlang des Inversionskanals und damit das sich ändernde Potential. wird diese Spannung durch den Spannungsabfall entlang des Kanals immer kleiner und reicht irgendwann nicht mehr aus. Version 2.0. In Vorwärtsrichtung des MOSFET sperrt diese Diode. die wieder für Schutzmaßnahmen verwendet werden kann. 86 ID UDS UGS S n+ p G n+ D Sättigung UGS > UT UDS UGS < UT Bild 4. Oktober 2009 . bulk) mit Source liegt zwischen den äußeren Gate. Folglich verhält sich der MOSFET ohne den Elektronenkanal (UGS < UT) wie eine Diode.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Abschnitt 4. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. sondern wird durch eine Raumladungszone abgesaugt. um einen Inversionskanal zu bilden.und Drain-Anschlüssen nur ein pn-Übergang. so dass ohne den Elektronenkanal kein Strom fließt.28). und dabei kommt es dann kaum noch auf die Spannung an.3)! In Kennlinienfeld (Bild 4. Schließlich besitzt das sehr dünne Gate-Oxid eine geringe Durchschlagfestigkeit und ist im Bereich der Drain-Zone fast der vollen Drain-Source-Spannung ausgesetzt. Leider stimmt das nur bedingt. In Vorwärtsrichtung beginnt der MOSFET dagegen zu sättigen.27 rechts) ist das der lineare Bereich. Leider wurde die Sättigung hier anders definiert als beim Bipolartransistor. Besteht nun ein Kanal und wird die Drain-Source-Spannung deutlich erhöht. was nichts anderes bedeutet. wobei der Widerstand von der Höhe der Gate-Source-Spannung abhängt. Man spricht auch von der Inversdiode.27: Struktur des einfachen MOSFET mit Spannungen sowie Kennlinienfeld Durch die Verbindung des Grundmaterials (engl. Von diesem Punkt an fließt der Strom dann nicht mehr durch einen Kanal.

a) im Sperrfall. Das hätte dann aber den Nachteil. b) im Durchlass Aufgrund der Hauptstromflussrichtung und des Herstellungsverfahrens wird dieser Typ LDMOSFET (lateral double diffused MOSFET) genannt. Tatsächlich verteilt sich der Elektronenstrom sogar ein bisschen. aber der an der Stromleitung beteiligte Querschnitt bleibt doch sehr klein und der Widerstand entsprechend hoch.29: Struktur des lateralen Leistungs-MOSFET.30b). monolithisch integrierte LogikLeistungs-Schaltungen (engl. dass der Strom in der n--Zone durch die Raumladungszonen der p-Gebiete entsprechend stärker eingeschnürt wird (siehe Bild 4. sondern vor allem in die zusätzliche niedrigdotiert Zone aus (Bild 4. MOSFETs für hohe Spannungen und große Ströme werden deshalb als vertikale Bauelemente ausgeführt.30a.29b). die Zellen so eng wie möglich zusammenzulegen. nachdem er aus dem Kanalgebiet in die n--Zone geflossen ist (Bild 4. die kleinsten Symmetrieeinheiten des vertikalen DMOS. Bild 4.1 Grundstruktur Um größere Spannungen aufnehmen zu können. Außerdem ist die Isolation der vollen Sperrspannung entlang der Oberfläche technologisch sehr heikel.8. was zu einem deutlich geringeren Kanalwiderstand führt. Die Struktur zeigt Bild 4. spricht man auch vom JFET- Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Dadurch besitzt der vertikale MOSFET viel mehr Kanal pro Fläche. für Treiberschaltungen) verwendet.30a). Für den Kanalwiderstand wäre es deshalb sogar gut. smart power. S p+ G D p+ RLZ nn+ S p n+ nG n+ D a) b) Bild 4.0. Die Raumladungszone dehnt sich kaum noch in die Kanalzone. bzw. Da zwischen den einzelnen Zellen kein Potentialunterschied existiert.29 zeigt die Struktur für einen lateralen Leistungs-MOSFET.28: Einfacher MOSFET bei hoher anliegender Sperrspannung 4. ergeben zusammen einen T-förmigen Stromfluss (Bild 4. Dieses Gebiet wird beim MOSFET nun zwischen die Kanalzone und das Drain-Gebiet eingefügt und besitzt denselben Leitfähigkeitstyp wie das Drain-Gebiet. Bei diesen VDMOSFETs befindet sich der Drain-Anschluss auf der Bauelementunterseite und die n--Zone liegt zwischen der Oberseite mit dem Kanalgebiet und der Unterseite. ist wie bei allen bisher behandelten Bauelementen eine entsprechend lange und niedrigdotierte Zone notwendig. Zwei Halbzellen. aber die niedrigdotierte Zone beansprucht bei hoch sperrenden Bauelementen sehr viel Platz und bildet einen großen zusätzlichen Widerstand. Der Elektronenstrom fließt zunächst lateral durch den Kanal und knickt dann in die Vertikale ab. Version 2.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik G p n+ 87 S n+ D Bild 4. können die Zellen viel enger zusammengelegt werden als beim LDMOSFET. Weil dieses Verhalten dem Wirkprinzip des JFET entspricht.29a). Oktober 2009 . Er kann nun zwar viel höhere Spannungen sperren und wird so auch für Leistungs-IC bzw. Auch das Gate ist so vor den hohen Drain-Source-Spannungen geschützt.

Das kann bei schnellen Transienten dazu führen. Zellen. S p nn+ n+ Halbzelle G 88 S p RLZ nn+ - G a) D b) D Bild 4.30: Grundstruktur des vertikalen Leistungs-MOSFET. der den Vorteil des geringeren Kanalwiderstands erst reduziert. Zwar ist die Basis dieses Transistors mit seinem Emitter kurzgeschlossen (Source-Kontakt zum p-Gebiet). Es geht für den Entwickler also wieder einmal darum ein Optimum zu finden.31b zeigt die typische Struktur des vertikalen Leistungs-MOSFET mit dieser Zone. dass der Bipolartransistor angesteuert wird. besitzt der MOSFET aufgrund seiner npn-Zonenfolge immer auch einen Bipolartransistor.31a zeigt. Da das aber die Schwellenspannung des MOSFET zu stark heraufsetzen würde. bleibt nur der Ausweg einer zusätzlichen und damit teuren p+-Zone. um den Widerstand unter der n+-Source zu reduzieren.0. indem man Streifen-. also injiziert. a) mit Andeutung der Halbzelle und des Stromflusses. und dadurch der MOSFET zerstört wird. Dazu wird übrigens auch die dritte Dimension herangezogen. also zu einer Verschlechterung führt.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Effekt. Die Rede ist vom parasitären Bipolartransistor. aber Löcher. ohne den Kanal zu beeinflussen. b) mit der Stromeinschnürung durch die Raumladungszonen (JFET-Effekt) S p nn+ G S p+ nn+ n+ G a) D b) D Bild 4. Oktober 2009 . Die Folge wäre ein erhöhter Serienwiderstand. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Bild 4. Die n+-Source muss deshalb so kurz wie möglich sein und die Dotierung der p-Zone so hoch wie möglich. dann aufhebt und schließlich sogar überkompensiert. Version 2. die von der Raumladungszone kommend zum Source-Anschluss fließen wollen. b) Abhilfe durch eine hochdotierte p-Zone: Typische Struktur eines vertikalen Leistungs-MOSFET Neben solchen Optimierungsfragen muss der Entwickler aber auch noch andere Effekte berücksichtigen und – im konkreten Fall – Gegenmaßnahmen ergreifen. oder sogar Wabenstrukturen (HEXFET® von IR) verwendet.31: a) Ansteuerung des parasitären Bipolartransistors durch Ladungstrennung in der Raumladungszone. müssen eine lange Strecke unterhalb der n+-Source zurücklegen und verursachen dort einen Spannungsabfall. Wie Bild 4.

Bild 4. verhält sich der MOSFET im Durchlasszustand wie ein Widerstand. 4. Oktober 2009 .5% 0.0. während sich der Gesamtwiderstand des MOSFET aus zahlreichen weiteren Anteilen zusammensetzt. Dazu muss das Polysilizium hoch leitfähig sein.33) gehorcht: rDrift (4.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Das fast immer aus Polysilizium bestehende Gate wird bei dieser Struktur nicht in jeder Zelle kontaktiert.41) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.5% 0. Tabelle 4.1 zeigt den Anteil der Einzelkomponenten für zwei Sperrfähigkeiten. Tabelle 4. also des n--Gebiets. wobei sich der Wert des Durchlasswiderstands mit Hilfe der Gate-SourceSpannung variieren lässt.5% 96.5% 2. den Gesamtwiderstand. Das ist nicht weiter verwunderlich.5% 1. Die geforderte Sperrfähigkeit ist dabei der entscheidende Faktor. was durch Dotierung erreicht wird.32 zeigt schematisch die einzelnen Komponenten. S 89 RMetall RSource RKanal RAkku RJFET RDrift RDrain UBR = 30V 7% 6% 28% 23% 29% 7% UBR = 600V 0. da er wiederum den Zwängen bei der Auslegung eines unipolaren Bauelements unterliegt und dementsprechend wie das Mittelgebiet der Schottky-Diode Gleichung (4.2 Durchlasswiderstand Wie Bild 4.5 ≈ 5.8. Tatsächlich variiert dabei aber nur der Kanalwiderstand. sondern nur irgendwo am Rand.1: Anteil der Einzelkomponenten des Durchlasswiderstands von zwei vertikalen MOSFETs unterschiedlicher Sperrfähigkeit Komponente RMetall RSource RKanal RAkku+RJFET RDrift RDrain Offenbar bestimmt bei hoher Sperrfähigkeit der Widerstand RDrift der Driftzone.75 ⋅ 10 −9 ⋅ U BR D Bild 4.32: Komponenten des Durchlasswiderstands eines vertikalen MOSFET Je nach Auslegung des MOSFET (vergleiche Optimierung des Zellenabstands) tragen die einzelnen Komponenten unterschiedlich viel zum Gesamtwiderstand bei.27 rechts zeigt.5% 0. Version 2.

Der Stromfluss ist abgesehen von den n+-Gebieten und einer leichten Stromspreizung rein vertikal. G p n+ n+ nS S n+ p G S p+ p n G 90 n+ a) D b) D Bild 4. und so den Driftzonenwiderstand weniger schnell ansteigen lassen. dass Gleichung (4.1 Trench-MOSFET Die Trench-Technologie ist im Grunde die konsequente Weiterführung der Grundidee. also teurer. Oktober 2009 . sondern zur Akkumulation. stellt man fest.33: a) Trench-MOSFET. Der Gewinn wäre marginal und so kommt die Trench-Technologie hier nicht zum Einsatz. Es macht also keinen Sinn. Eine grundlegende Verbesserung konnte erst durch den Einsatz der Superjunction-Technologie erzielt werden.1 nicht exakt wiedergibt. Es muss vielmehr eine Möglichkeit gefunden werden. Dennoch sind heute fast alle niedersperrenden MOSFETs auch Trench-MOSFETs.2 behandelt wird. Andererseits ist die Trench-Technologie erheblich aufwändiger. 4. die zum vertikalen MOSFET geführt hatte.8.31b ein Einsatz nur bis zu wenigen 100V Sperrfähigkeit sinnvoll.2 Superjunction-MOSFET Gemäß Tabelle 4. Eine Verbesserung muss vor allem hier angreifen. die in Abschnitt 4. b) Superjunction-MOSFET 4. Insgesamt steigt der Driftzonenwiderstand aber immer noch extrem mit der Sperrfähigkeit und wie bei den Schottky-Dioden so ist auch bei den MOSFETs gemäß Bild 4. doch sind hier der Kanal und die daran anschließende Akkumulationsschicht (NB: Unterhalb des Gates im n--Gebiet kommt es nicht zur Inversion. weil der Leitfähigkeitstyp sich nicht ändert) sowie der JFET-Bereich die bestimmenden Faktoren. Bei niedrigsperrenden MOSFETs hat die Driftzone immer noch einen deutlichen Einfluss. Bei näherem Hinsehen.2.41) die Verhältnisse von Tabelle 4. den bei unipolaren Bauelementen durch Gleichung (4. die mit zunehmender Driftzonenlänge besser wird. Zusätzlich hilft die Akkumulationsschicht bei der Stromspreizung und der parasitäre Bipolartransistor ist aufgrund der Abmessungen vernachlässigbar. Bild 4.1 bestimmt bei den hochsperrenden MOSFETs die Driftzone praktisch allein den Durchlasswiderstand.41) gegebenen Zusammenhang von Sperrfähigkeit und Durchlasswider- Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. sondern zusätzlich wird auch noch der Kanal vertikal. Mit der Trench-Struktur lässt sich noch mehr Kanal pro Fläche erzielen und die Stromeinschnürung durch den JFET-Effekt existiert praktisch nicht mehr.8.33a zeigt die Struktur eines Trench-MOSFET.2. dass es sich um den flächenbezogenen Widerstand handelt. Version 2.2.0.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik wobei der Kleinbuchstabe andeutet.8. Das liegt vor allem an zweidimensionalen Effekten wie der Stromspreizung (engl. Jetzt wird nicht nur die Driftzone in die Vertikale geklappt. Genau das tut die im folgenden Abschnitt behandelte Trench-Technologie. großen Aufwand in die Kanalzone zu investieren. current spreading).

und n-Säulen aus.und n-Dotierungen müssen sich kompensieren. Die Auslegung dieser Säulen ist nun entscheidend für die Funktion der Superjunction. Version 2.34a). Bei steigender Spannung dehnen sich die Raumladungszonen vor allem in laterale Richtung in die p. Diese von Infineon unter dem Handelsnamen CoolMOS® eingeführte Technologie war so überzeugend.0. Die p. Bild 4. da im gesamten Mittelgebiet keine weiteren Ladungen mehr zur Verfügung stehen. sondern besteht vielmehr aus alternierenden p.34: Feldstärke und Raumladungszonen beim gesperrten SuperjunctionMOSFET.34. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Würde man in lateraler Richtung die Nettodotierung (p-n) zwischen der Mitte einer p-Säule und der Mitte der angrenzenden n-Säule aufintegrieren. Es sind drei Kriterien zu erfüllen: 91 • In den n-Säulen müssen in horizontaler Richtung quasi eindimensionale Verhältnisse herrschen.10 separat behandelt wird. dass sie innerhalb weniger Jahre von allen Herstellern übernommen wurde und inzwischen unter dem neutraleren Namen Superjunction bekannt ist.33b zeigt die Struktur eines Superjunction-MOSFET mit herkömmlicher Gate-Technologie.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik stand aufzulösen. so wäre das Resultat null. • • y E x E S G S G S G S G p n n+ p n p n n+ p n a) D b) D Bild 4. a) bei mittlerer Spannung. Erst gegen Ende der 90er Jahre kam dann noch eine zweite Lösung hinzu. Bei weiter steigender Spannung laufen die Raumladungszonen aufeinander auf.und n-Säulen. Dazu muss (in erster Näherung) die Länger der n-Säule größer sein als ihre Breite. die zudem die Unipolarität des MOSFET beibehielt. In lateraler Richtung kann dann keine weitere Spannung aufgenommen werden.und n+-Gebieten. Der laterale Feldverlauf ist ein Zickzack mit Unterbrechungen (Bild 4. Anders als bei den bisher behandelten unipolaren Bauelementen ist hier die Driftzone nicht mehr homogen dotiert. b) bei hoher Spannung Das Funktionsprinzip der Superjunction zeigt Bild 4. Oktober 2009 . der später in Abschnitt 4. Die Überschwemmung mit Plasma analog zur pin-Diode war die erste Lösung dieser Aufgabe und führte in der 80er Jahren zum IGBT. Insgesamt darf die Dotierung nicht zu hoch sein. Diese gibt es erst wieder in den p+. sonst brechen die pn-Übergänge zwischen den Säulen schon bei sehr kleinen Spannungen durch.

Theoretisch könnte man so den Zusammenhang zwischen Sperrfähigkeit und Durchlasswiderstand ganz auflösen. Im Bild 4.3 Schaltverhalten Anders als der Bipolartransistor.8.3c) ergeben. 4. der von etwa 500 V bis 1000 V Sperrfähigkeit reicht und in Zukunft noch höher sperrende Bauelemente erwarten lässt. Dennoch hat sich der Superjunction-MOSFET in kurzer Zeit einen breiten Markt erschlossen. Der SiC-MOSFET wäre damit das ideale Schaltelement bis hinauf zu einigen Kilovolt Sperrfähigkeit. Diese besteht aber aus mehreren Teilen mit unterschiedlichen Spannungsabhängigkeiten. Daneben ist die Schaltung dargestellt.35a sind die wichtigsten Kapazitäten des vertikalen MOSFET als konzentrierte Elemente eingezeichnet. Mit SiC lässt sich ein etwa 500mal kleinerer Durchlasswiderstand bei gleicher Sperrfähigkeit realisieren. Dem sind aber enge technologische und finanzielle Grenzen gesetzt. Der MOSFET ist ein kapazitiv gesteuertes Bauelement. liegen der Gleichung (4. Es kommt also zu einer Reduktion des stromführenden Querschnitts.34b). 4. Bei SiC ist dieser Unterschied sogar noch ausgeprägter als bei Silizium.2. oder der Thyristor. Immerhin treten 10mal höhere Feldstärken auf und die Grenzfläche zwischen Halbleiter und Gate-Oxid ist schon beim Silizium heikel. 92 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. der einen kontinuierlichen Basis-Strom als Ansteuersignal brauchte. das mit der angelegten Spannung steigt (Bild 4. Das gilt analog auch für den MOSFET.2.3 Siliziumkarbid (SiC) Wie schon bei der Schottky-Diode in Abschnitt 4.33b).41) die Materialeigenschaften des Siliziums zu Grunde. Oktober 2009 .als auch SiC-MOSFETs wann immer möglich vom n-Typ (Elektronenkanal) sein. Bisher scheitert die Einführung des SiC-MOSFET aber noch an verschiedenen Hindernissen. Die Reduktion des Widerstands bei gleicher Chipfläche beträgt bis zu einem Faktor vier. wird der MOSFET nur durch die Potentialdifferenz zwischen Gate und dem Kanal gesteuert. Nur bei Sperrfähigkeiten von einigen 10V wäre der Silizium-Trench-MOSFET weiterhin überlegen. Im Durchlass führt nur die n-Säule Strom (Bild 4. einer echten pin-Diode (gemäß Bild 4. weil dann die Elektronenbeweglichkeit im Kanal entscheidend ist und die ist bei Silizium etwas höher. der durch einen Stromimpuls gezündet wurde. welche Rolle der SiC-MOSFET spielen kann. wodurch sich Wirkungsgrade verbessern lassen und Kühlaufwand eingespart werden kann. Zum einen sind das die viel höheren Kosten des Ausgangsmaterials und der Technologie. alles muss implantiert werden). die für die Untersuchung des Schaltverhaltens verwendet wird.8. was zu entsprechend komplizierten Abläufen während der Schaltvorgänge führt. als im homogenen Fall. Es muss sich also noch zeigen. weil die Elektronen eine höhere Beweglichkeit besitzen als die Löcher. Dementsprechend fließt im stationären Zustand keinerlei Gate-Strom.0.2 diskutiert. Zum anderen sind aber grundsätzlichere Fragen. da der SiC-MOSFET eine deutlich andere Struktur besitzt (NB: Dotierstoffe diffundieren im SiC kaum. Dafür kann die n-Säule aber (unter Einhaltung der drei Kriterien) erheblich höher dotiert sein. In vertikaler Richtung bedeutet das ein nahezu konstantes Feld. wie die Stabilität und Zuverlässigkeit von solchen Bauelementen noch nicht zufriedenstellend geklärt. Ganz generell werden sowohl Silizium. Hinzu kommt dann noch die Drain-Source-Kapazität. sondern nur jeweils im Schaltmoment der Umladestrom für die Gate-Kapazität.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik wodurch sich Verhältnisse fast wie in einem Plattenkondensator bzw. wodurch sich der Widerstand insgesamt deutlich verringert. da die Herstellung der p-Säulen aufwändig und heikel ist. Version 2.

Sobald die Freilaufdiode Spannung aufnimmt. um den sich die am MOSFET liegende Drain-Source-Spannung reduziert. wobei der zu einer Gate-Source-Spannung gehörende Kurzschlussstrom jeweils den aktuellen Strom definiert. Bevor der Einschaltvorgang beginnt (Phase ). Zum Zeitpunkt t1 schaltet die Gate-Quelle auf +15 V. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Erst bei t4 ist die Drain-Source-Spannung soweit zusammengebrochen. Über den Anstieg der Gate-Source-Spannung wird also der Stromanstieg gesteuert. In dieser Phase wird der gesamte Gate-Strom.36 links zeigt die Strom. Die Freilaufdiode kommutiert nun ab und der MOSFET muss zusätzlich zum Laststrom auch noch die Rückstromspitze verkraften. als es für I0 notwendig wäre. Das Gate wird weiter über RG aufgeladen. dass sich der MOSFET im ausgeschalteten Zustand befindet und sowohl eine Gate-Source-Spannung uGS = -15 V als auch eine Drain-Source-Spannung uDS = U0 anliegt. Dazu muss die Gate-Source-Spannung etwas höher steigen.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Die Ansteuerung des MOSFET erfolgt über einen Gate-Widerstand RG und eine Gate-SourceSpannungsquelle. Erreicht die Gate-Source-Spannung zum Zeitpunkt t2 die Schwellenspannung UT. 93 Lσ CGS CGD CDS a) b) DF U0 RG CGS UG CGD iD CDS uGS uDS iL LL iD Bild 4.und Spannungsverläufe beim Einschalten des MOSFET. die einen idealen Spannungssprung ausführt. Oktober 2009 . Die Gate-Source-Spannung bleibt dadurch konstant und der MOSFET bleibt in der Sättigung. um die GateDrain-Kapazität umzuladen.8. Version 2.und die Gate-Drain-Kapazität umgeladen.1 Einschalten Bild 4. Rechts im Bild ist die entsprechende Ortskurve im Ausgangskennlinienfeld zu sehen. mit MOSFET als Schalter sowie Gate-Ansteuerung und Streuinduktivität 4. Mit dem über RG zufließenden Strom werden während der Phase die Gate-Source.0. so beginnt der MOSFET Strom zu leiten.3. Man spricht vom Miller-Plateau. Durch den Stromanstieg ergibt sich an der Streuinduktivität Lσ ein Spannungsabfall. dass Gate-Strom auch wieder zum Laden der Gate-Source-Kapazität zur Verfügung steht. wird angenommen. Der MOSFET geht dann in den linearen Bereich über und erreicht gemäß der RC-Zeitkonstante aus RG und CGS + CGD den stationären eingeschalteten Zustand. Der Laststrom iL läuft durch die Diode frei und ist im weiteren Verlauf konstant I0. der über RG zufließt dafür gebraucht. Bei t3 erreicht der Drain-Strom den Wert I0.35: a) Die wichtigsten Kapazitäten eines vertikalen MOSFET. b) Einfacher Gleichstromsteller mit rein induktiver Last. fällt die Drain-Source-Spannung entsprechend.

3. weil die Diode bereits leitet. Der Strom durch den MOSFET ist zu null geworden und dadurch geht die Überspannung ebenfalls auf null zurück. Der gesamte Gate-Strom lädt nun die Gate-Drain-Kapazität um.35 sowie die zugehörige Ortskurve im Ausgangskennlinienfeld 4. kann die Gate-Source-Spannung dann nicht geringer werden. nur dass sich die Reihenfolge umkehrt. Diese Stromänderung verursacht an der Streuinduktivität eine Überspannung.37 links zeigt dazu die Stromund Spannungsverläufe. Bei t4 schließlich wird die Schwellenspannung unterschritten. so werden die Gate-Sourceund Gate-Drain-Kapazitäten über RG entladen.8.36: Strom. Die Drain-Source-Spannung steigt leicht an. Version 2.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 94 uGS +15V UT Miller-Plateau -15V I0 0 U0 0 iD Rückstromspitze der Diode I0 uDS t Einfluss von Lσ t ID t5 t4 t3 t1=t2 U0 UDS t1 t2 t3 t4 t5 t Bild 4. Bei t2 beginnt der MOSFET zu sättigen. wodurch der MOSFET Spannung aufnimmt. Bild 4. Es liegt die volle Quellenspannung U0 an. Rechts im Bild ist die entsprechende Ortskurve im Ausgangskennlinienfeld zu sehen. Oktober 2009 . Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Da die Drain-Source-Spannung fast konstant bleibt und die Gate-Drain-Kapazität bei anliegender Sperrspannung klein ist. Wird nun zum Zeitpunkt t1 die Gate-Quelle auf -15 V geschaltet. Durch den MOSFET fließt der gesamte Laststrom I0. Die Stromsteilheit wird durch die Geschwindigkeit bestimmt.0. Zum Zeitpunkt t3 erreicht die Drain-Source-Spannung die Quellenspannung U0. Zunächst liegt in der Phase eine Gate-Source-Spannung uGS = +15 V an und die DrainSource-Spannung ist auf ihrem stationär niedrigen Durchlasswert. die der MOSFET zusätzlich aufnehmen muss. In der Phase werden dann nur noch die Kapazitäten auf eine Gate-Source-Spannung von -15 V entladen. also einen vernachlässigbar kleinen Spannungsabfall hat. fliegt der meiste Gate-Strom in die Gate-Source-Kapazität.2 Ausschalten Beim Ausschalten des MOSFET laufen im Wesentlichen dieselben Prozesse wie beim Einschalten ab.und Spannungsverläufe beim Einschalten eines vertikalen MOSFET in der Schaltung von Bild 4. Die Freilaufdiode beginnt zu leiten und der Strom durch den MOSFET sinkt ab. Das Miller-Plateau (Phase ) ist erreicht. mit der die Gate-Source-Kapazität entladen wird. Der Ausschaltvorgang ist abgeschlossen. Da der Strom durch die äußere Schaltung gegeben ist.

Bauelemente sparen. was für die Gesamtverlustbilanz positiv wäre. SOA) des MOSFET verlassen und der MOSFET (oder andere Komponenten) zerstört wird. Durch die Unipolarität.30b werden zahlreiche andere. also das fehlende Plasma. so dass hier zunächst noch eine Lebensdauereinstellung erfolgen muss. die Schaltgeschwindigkeit über das Gate zu steuern. Dafür muss dann aber die Schaltungsumgebung auch ausgelegt sein. 4. Leider ist die für den MOSFET-Betrieb optimierte Struktur nicht optimal für den DiodeBetrieb. safe operating area. Dafür sei aber wieder auf die Literatur verwiesen. Durch sehr schnelles Schalten ließen sich kleine Schaltverluste erzielen. Für den Einsatz in einer Brückenschaltung wäre also bereits eine Freilaufdiode vorhanden und man könnte ChipFläche bzw. Inversdiode (engl. Neben der einfachen Variante aus Bild 4. was Schaltfrequenzen im Megahertz-Bereich ermöglicht. Es geht also wieder einmal um eine Optimierung zweier gegenläufiger Effekte und dabei spielt die Gate-Ansteuerung eine wichtige Rolle.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 95 uGS +15V UT -15V I0 0 U0 0 Miller-Plateau t ID iD I0 uDS t Einfluss von Lσ t1 t2 t3 t4=t5 U0 UDS t1 t2 t3 t4 t5 t Bild 4. body diode). Oktober 2009 .27 so führt die Verbindung des SourceAnschlusses mit dem p-Gebiet auch beim vertikalen MOSFET zu einer inhärenten antiparallelen Diode bzw. Rückführung des Drain-Potentials) verwendet.0.4 Inversdiode Wie bei der einfachen MOSFET-Struktur aus Bild 4.B.37: Strom. Darüber hinaus wäre die Trägerlebensdauer im MOSFET viel zu hoch. dass der sichere Arbeitsbereich (engl. Beide Maßnahmen führen im Dioden-Betrieb zu einem harten Schaltverhalten und eventuell auch zu Stromabrissen. kann der MOSFET in der Tat sogar extrem schnell geschaltet werden. Zum einen ist die Driftzone so dünn wie möglich und zum anderen die p-Zone so hoch wie möglich dotiert (um den parasitären Bipolartransistor auszuschalten).35 sowie die zugehörige Ortskurve im Ausgangskennlinienfeld Der MOSFET besitzt anders als die Thyristoren die Möglichkeit. Version 2.8. Dabei sind allerdings enge technologische Grenzen gesetzt.und Spannungsverläufe beim Ausschalten eines vertikalen MOSFET in der Schaltung von Bild 4. aufwändigere Gate-Ansteuerungen (z. Andernfalls würden die Überströme (Rückstromspitze der Freilaufdiode) und die Überspannung durch die Streuinduktivität so groß werden. weil zum Beispiel die Schwermetalldiffusion leicht zur Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Stromquelle.

weshalb man sie gelegentlich auch als parasitäre Diode bezeichnet. Je nach Anwendung kann die Inversdiode daher unbrauchbar sein. des static induction transistors (SIT). –JFETs (mit einer allerdings erheblich aufwändigeren Struktur) wieder eine Alternative bzw. Dabei kann sich aufgrund der sehr kurzen Kanäle keine Stromsättigung ausbilden.38: SIT mit Ausgangskennlinienfeld Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. JFETs als Alternative zu den seinerzeit noch nicht gut beherrschten MOSFETs zu verwenden.30b).Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Vergiftung des Gate-Oxids (Verschiebung der Schwellenspannung) führen kann. es sei denn als parasitäre Komponente (vergleiche Bild 4. Im schlimmsten Fall muss die Inversdiode dann durch eine Seriendiode (zusätzliche Durchlassverluste für den MOSFET!) ausgeschaltet und durch eine bessere.38 links. oder Gridistors wie er wegen seiner gitterförmigen Gate-Struktur anfangs auch genannte wurde. Das gilt besonders für den SuperjunctionMOSFET. S G n- ID UGS = 0V UGS p+ n+ D UDS Bild 4. Die weitere Entwicklung bei den SiC-MOSFETs muss also zeigen. Oktober 2009 . JFET) ist ein Bauelement. ob der JFET nochmal eine Chance bekommt. junction field effect transistor. zeigt Bild 4.38 rechts) auch dem der Vakuumtriode ähnlich: Bei 0 V ergibt sich eine fast lineare Durchlasskennlinie und mit zunehmend negativer Gate-SourceSpannung wird der Stromfluss immer weiter abgeschnürt. zumindest eine Übergangslösung sein. Der SIT ist im Übrigen auch sehr gut als hochsperrender Teil einer Kaskode geeignet. Inzwischen jedoch befindet man sich mit SiC-Bauelementen wieder in einer ähnlichen Situation: Die SiC-MOSFETs sind noch nicht ausgereift und zuverlässig und so könnten SiC-SITs bzw. Tatsächlich gab es aber durchaus Ansätze. Neben der fehlenden Sättigung war vor allem das normally-on Verhalten ein Argument gegen den SIT bzw. oder die Bestrahlung Schäden im Kristallgitter erzeugt. sondern der Durchgriff der Drain-SourceSpannung führt zu einer stetig ansteigenden Ausgangskennlinie. Die Struktur der vertikalen JFET-Variante. die dann durch die verringerte Elektronenbeweglichkeit den Durchlasswiderstand des MOSFET erhöhen. bei dem die spezielle Struktur auch zu einem „speziellen“ Diodenverhalten führt.9 JFET Der Sperrschichtfeldeffekttransistor (engl.0. Wie bei einer Vakuumtriode wird bei anliegender negativer GateSource-Spannung der Strompfad durch das Gitter abgeschnürt. 96 4. JFET und hat seit dem Aufkommen zuverlässiger MOSFETs zum völligen Verschwinden dieser Bauelemente geführt. Version 2. Dementsprechend sieht das Ausgangskennlinienfeld (Bild 4. externe Diode ersetzt werden. das im Allgemeinen nicht mit dem Gebiet der Leistungshalbleiterbauelemente assoziiert wird.

Bild 4. Gegenüber der Grundstruktur des MOSFET (Bild 4. S= E p + .39: a) Funktionsprinzip des IGBT. um zum Drain-Kontakt zu gelangen.30a) hat sich nur der Dotierungstyp der Drain-Zone geändert.2. Diese Löcher fließen dann durch das Driftgebiet in die p-Zone und schließlich zum Source-Kontakt.2 erwähnt. die Driftzone mit Plasma überschwemmt. Anfangs wurde der IGBT deshalb auch gelegentlich COMFET (conductivity modulated FET) genannt. die mit der n--Dotierung der Driftzone einen pn-Übergang bildet. In Analogie zur pin-Diode kann man diesen Zusammenhang auflösen. Statt der hochdotieren n-Zone für den Ohmschen Kontakt weist der IGBT auf der Rückseite eine p-Zone auf. parasitärer Thyristor Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.39a zeigt schematisch den Mechanismus. Einige namhafte Hersteller haben die Produktion von Thyristorbauelementen bereits auf kleine Nischen reduziert und sich ansonsten ganz auf den IGBT konzentriert. Das tut der pn-Übergang an der Unterseite des IGBT. Wie beim MOSFET fließt bei vorhandenem Inversionskanal ein Elektronenstrom vom Source-Kontakt über die n-Source zur Bauelemente Rückseite und muss nun den pn-Übergang überqueren. Genau dieser pn-Übergang ist nun für die funktionalen Unterschiede zum MOSFET verantwortlich. Der Legende nach sollte der IGBT eigentlich ein MOS-Thyristor werden. b) Strukturbedingter. Das niedrig dotierte n--Gebiet wird auf diese Weise mit einem Elektron-Loch-Plasma überschwemmt und erhält eine um Größenordnungen höhere Leitfähigkeit als durch die Dotierung.10 IGBT Der insulated gate bipolar transistor (IGBT) ist inzwischen wohl das wichtigste Halbleiterschaltelement im Bereich von einigen 100 V bis zu wenigen 1000 V Sperrfähigkeit und wird mit bis 6500 V angeboten.39a zeigt die Grundstruktur mit dem Funktionsprinzip. Dadurch wird der pn-Übergang in Durchlass gepolt und injiziert Löcher in das Driftgebiet. seine Grundstruktur weist ihn klar als direkten Verwandten des vertikalen MOSFET aus. indem man das Mittelgebiet bzw. sofern sie nicht unterwegs mit Elektronen rekombinieren. Bild 4. Man stellte dann aber fest. Der IGBT wurde 1979 erfunden und hatte trotz anfänglicher Schwierigkeiten bereits Ende der 80er Jahre den Bipolartransistor verdrängt.10.8. Der Thyristor blieb dabei allerdings als unvermeidliches Strukturelement erhalten und führte durchaus zu Problemen (siehe unten).Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 97 4. Oktober 2009 . Version 2. Wie schon in Abschnitt 4. dass er auch so gar nicht schlecht war und entwickelte ihn weiter. der „verunglückte“ und dadurch nicht richtig zündete.0.+ np+ D= C G p E n+ parasitärer Thyristor n G a) b) p+ C Bild 4.1 Grundstruktur Wie auch immer man auf den IGBT gekommen sein mag. Durch die Plasma-Überschwemmung ist die Stromtragfähigkeit des IGBT erheblich größer als die des MOSFET. 4. besteht beim einfachen vertikalen MOSFET ein direkter Zusammenhang zwischen Sperrfähigkeit und Durchlasswiderstand.

TO-218 Gehäuse) Leider wird dieser Vorteil durch einen unangenehmen Nachteil erkauft. Die physikalische Sättigung wir deshalb zur Entsättigung (Bild 4. und der IGBT Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. muss dort mindestens die Kniespannung anliegen. UCE = 1200V. Unterhalb von 1 V fließt praktisch kein Strom und erst dann steigt der Strom zunehmend steiler an. Inenn = 35A. Grund dafür war die Annahme.40 zeigt ein gemessenes Beispiel. weil der IGBT eben nicht mit dem Bipolartransistor.40: Ausgangskennlinienfeld eines IGBT vom Typ BUP307 (Siemens. Wird er trotzdem in Sperrrichtung belastet. dieselben Bezeichnungen wie beim (npn-) Bipolartransistor zu verwenden. Das Ausgangskennlinienfeld des IGBT sieht deshalb wie ein MOSFET-Kennlinienfeld aus.39a)! Neben der Plasma-Überschwemmung im Durchlass hat der zusätzliche pn-Übergang noch weitere Konsequenzen. Der Mechanismus hinter der Strombegrenzung ist identisch zur Sättigung des MOSFET und wird durch die Abschnürung des Inversionskanals hervorgerufen. dass bei der Begriffsbildung für den IGBT einige „unschöne“ Festlegungen gemacht wurden. Zu den vom MOSFET her bekannten Spannungsabfällen kommt dieser Anteil nun also noch hinzu. sondern mit dem MOSFET verwandt ist. Wie beim MOSFET folgt zu höheren Spannungen dann eine Strombegrenzung. Diese heißen nach dem Bipolartransistor Emitter statt Source und Kollektor statt Drain. Ein Fall ist die Sättigung. Oktober 2009 .40)! Ebenso verhält es sich mit den Hauptanschlüssen des IGBT.5V 5V UCE Bild 4. Bild 4. Version 2. An dieser Stelle wird deutlich. UT ≈ 6V. dass manche Bezeichnungen unphysikalisch sind. das um eine Diodenkennlinie verschoben ist. Leider führt das dazu. Damit der Strom über den neuen pn-Übergang fließen kann. Bei negativer Kollektor-Emitter-Spannung sperrt der neue pn-Übergang und verhindert so einen Stromfluss. die jetzt zu einem pnpTransistor geworden ist. dass der IGBT den Bipolartransistor ersetzen soll und dass es deshalb günstig wäre. Eine ist das Verschwinden der Inversdiode.5V 10A Entsättigung 0 0 2. die sich mittels Gate-Spannung einstellen lässt und die wiederum für die Schutzmaßnahmen verwendet werden kann.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 98 IC 20A ∆UGE = 0. Allerdings hat dieser pn-Übergang nur eine sehr geringe Sperrfähigkeit und ist zudem gar nicht auf Sperrfähigkeit ausgelegt. bricht er schon bei wenigen 10 V durch. wobei der Kollektor ein physikalischer (Löcher-) Emitter und der Emitter ein physikalischer (Löcher-) Kollektor (Bild 4.0. während beim Bipolartransistor und so auch beim IGBT der Anlaufbereich gemeint ist. die immer wieder zu Missverständnissen führen. die beim MOSFET die Strombegrenzung bezeichnet. heute Infineon.

Wird dieser Thyristor gezündet. das zu diesem Zeitpunkt noch in der Driftzone verblieben ist und nun nach und nach abgesaugt wird. Auch beim Ausschalten des IGBT laufen fast dieselben Vorgänge ab wie beim MOSFET.35b mit pin-Diode im Freilaufzweig ergibt sich als einziger prinzipbedingter Unterschied ein langsameres Annähern der Durchlassspannung an ihren stationären Wert. 99 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Während der MOSFET ganz ausgeschaltet ist.1. da sich das Plasma erst aufbauen und seine stationäre Verteilung annehmen muss. Dieser unkontrollierte Zustand muss im Allgemeinen verhindert werden und deshalb bedarf der IGBT immer einer (zumindest kleinen) antiparallelen Diode.31b) zu einer deutlichen Verbesserung der Situation geführt und der sogenannte latch up (Einrasten des parasitären Thyristors) wird heute sicher vermieden.3). Der Unterschied ergibt sich hier durch den Abbau des Plasmas.11 kann dabei der Strom die Feldverteilung erheblich beeinflussen und es kann zur dynamischen Lawinenmultiplikation (engl. führt dann aber zu erhöhten Verlusten. Es handelt sich um das Plasma. Wie bei der pin-Diode in Bild 4. fließt beim IGBT der Strom dann noch eine ganze Weile weiter. Es entsteht quasi eine Einschaltüberspannung wie bei einer pin-Diode (vergl. Das gilt besonders beim Abschalten. Inzwischen haben jedoch dieselben Maßnahmen wie beim MOSFET (Bild 4. Abschnitt 4.1.40 aussehen würde und darüber hinaus (plasma-) zustandsabhängig wäre. Tatsächlich war dieser parasitäre Thyristor anfangs einer der Hauptgründe für den eingeschränkten sicheren Arbeitsbereich des IGBT. Seine besondere Gefährlichkeit erhält der parasitäre Thyristor dadurch. kann man beim IGBT noch im begrenzen Umfang über die Gate-Ansteuerung eingreifen. Ein wesentlicher Unterschied ergibt sich nur durch die Auf. wenn der Gesamtstrom von Löchern getragen werden muss und auf diesem Wege den IGBT verlässt.36. Anders als bei der Diode. Abschnitt 4. sobald die Gate-Source-Spannung die Schwellenspannung unterschreitet.und Abbauvorgänge des Plasmas.2 Schaltverhalten Das Schaltverhalten des IGBT ist dem des MOSFET sehr ähnlich und ebenfalls von den Ladevorgängen der Kapazitäten bestimmt. zur Flutung des IGBT und zu entsprechenden Problemen kommen (vergl. Im Gegensatz dazu ist die Vorwärtssperrfähigkeit des IGBT gegenüber dem MOSFET kaum verändert. Man spricht vom Schweifstrom (engl. Eine andere Konsequenz des zusätzlichen pn-Übergangs ist der parasitäre Thyristor (Bild 4. 4.0.31a) „erweitert“ wurde. Version 2.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik wird im Zusammenspiel mit dem pn-Übergang auf der Emitter-Seite mit Plasma gefüllt.10. Für das Einschalten des IGBT in einer Schaltung nach Bild 4. weil die Verstärkung des pnp-Transistors sehr gering ist und der open base transistor breakdown deshalb keine Rolle spielt. wobei das Ausgangskennlinienfeld natürlich analog zu Bild 4.39b). tail current). zu dem der parasitäre Bipolartransistor des MOSFET (Bild 4. der aufgrund der dann bereits am IGBT anliegenden Quellenspannung zu einem signifikanten Teil der Schaltverluste führt. Oktober 2009 . Durch die Einschaltüberspannung dieser Diode kann es aber trotzdem zum Durchbruch des pn-Übergangs. dass schon im Normalbetrieb ein großer Löcherstrom unterhalb der n+-Emitter-Zone zum Emitter-Kontakt fließt. Beim IGBT wirkt sich diese besonders im Spannungsverlauf aus und kann zur Zerstörung des Bauelements führen. nur dass diese Überspannung in der zunächst ohnehin noch hohen Kollektor-Emitter-Spannung nicht weiter auffällt. Ansonsten gelten für das Einschalten des IGBT dieselben Kurven wie in Bild 4.3). so ist der IGBT nicht mehr kontrollierbar und wird im Allgemeinen zerstört. dynamic avalanche multiplication) kommen. Das kann den IGBT retten.

Bild 4. Die Driftzone ist hier viel länger.3 Plasmaverteilung Wie schon bei der pin-Diode so ist auch beim IGBT die Plasmaverteilung einer der wichtigsten Faktoren für den Durchlass und das Schaltverhalten (Technologiekurve) und damit letztlich für die Gesamtverluste. Oktober 2009 . E p nn-Buffer p+ C G p nn (-)-Buffer p-Kollektor nE G p E G 100 a) b) C c) p-Kollektor C Bild 4.10.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Außerdem ergeben sich beim IGBT noch kleinere Unterschiede im Gate-Spannungsverlauf. was Parallelschaltungen erschwert.41c.41: Verschiedene Kollektor-Auslegungen: a) Mit Buffer als PT-Design.1 Auslegung der Kollektor-Seite Die Auslegung der Kollektor-Seite hängt eng mit der Auslegung der Driftzone zusammen. wodurch die Löcherkonzentration dort auf null abgesenkt wird. buffer). Der genaue Wert spielt dann keine große Rolle mehr. 4.10. Der tail current dieser Variante ist hoch und dafür kurz. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. die das Durchschlagen der Raumladungszone zum p-Kollektor verhindert.0. Für die Auslegung des IGBT bleiben damit die Driftzonenweite und die Injektion der Emitterbzw. Um dennoch im gesamten Driftgebiet eine hohe Löcher. so dass die Raumladungszone auch ohne n-Puffer nicht auf den p-Kollektor auflaufen kann.3b. der Kollektor-Seite als Parameter übrig. muss man das Durchhängen der Plasmaverteilung vermeiden und versucht deshalb beim IGBT möglichst lange Ladungsträgerlebensdauern zu erzielen. für deren Details aber wieder auf die Literatur verwiesen sei. nun analog zum NPT-Design der Diode in Bild 4.und damit Plasmakonzentration zu erhalten. Bei dieser Variante wird die Injektion über die Dicke und Dotierung des p-Kollektors eingestellt. Grund ist das Absaugen der Löcher über den pn-Übergang auf der Emitter-Seite.3a. Dafür bietet der PT-IGBT aufgrund seiner kurzen Driftzone einen günstigen Kompromiss zwischen Durchlass und Schaltverlusten (Technologiekurve). Leider hat der PT-IGBT ein paar unangenehme Eigenschaften wie eine geringe Robustheit und die Abnahme der Durchlassspannung mit der Temperatur. Die Driftzone ist dünn und die Raumladungszone reicht schon bei moderater Spannung bis zur Kollektor-Seite.41 zeigt die drei gebräuchlichen Varianten. c) Mit schwachem Kollektor als NPT-Design Die andere Extremvariante ist die Non-Punch-Through Auslegung in Bild 4. Anders als bei der Diode ist die Ladungsträgerlebensdauer beim IGBT dabei allerdings von untergeordneter Bedeutung. Gleichzeitig kann man mit dieser Pufferschicht die Stärke der Injektion regulieren. 4. Version 2. Diese Auslegung erfordert daher eine n-Pufferzone (engl. Variante a) ist die Punch-Through Auslegung analog zum PT-Design der Diode in Bild 4. b) Mit sehr geringem Buffer und schwachem Kollektor als SPT-Design.3.

auch wenn die beteiligten Einzeleffekte hier etwas andere sind. so dass weiterhin zahlreiche firmenspezifische Bezeichnungen wie Feld-Stopp-IGBT usw. dass die Elektronenemission und die Löcherabsaugung funktional und lokal getrennt sind. Version 2. Umgekehrt können die Löcher nicht in den Kanal bzw. Andererseits ist der Buffer so niedrig dotiert. dessen Dotierung gerade ausreicht. sind die Verhältnisse auf der Emitter-Seite erheblich komplizierter. ist die Verwendung der Trench-Technologie (Bild 4. Die Elektronenemission geht vom Inversionskanal bzw. 4.2 Auslegung der Emitter-Seite Während es sich auf der Kollektor-Seite im Grunde um einen normalen und eindimensionalen pn-Übergang handelt.3. Man erhält also einen IGBT mit der Technologiekurve des PT-IGBT und der Robustheit und Parallelschaltbarkeit des NPT-IGBT.10. Eine bessere Robustheit und eine gute Parallelschaltbarkeit stehen hier einer schlechteren Technologiekurve gegenüber. Folglich wären für eine insgesamt hohe Plasmakonzentration und damit hohe Leitfähigkeit ein kleines p-Gebiet und ein großer Zellenabstand vorteilhaft. Folgerichtig werden heute praktisch alle IGBTs als SPT-IGBTs ausgelegt.43a). während die Löcherabsaugung am sperrgepolten pn-Übergang passiert. dass er im Durchlass vom Plasma überschwemmt wird. Die Driftzone kann also genauso dünn sein wie beim PT-IGBT.41c) konnten schließlich um 2000 die Vorteile der beiden anderen Varianten kombiniert werden. die Plasmaverteilung auf der Emitter-Seite zu beeinflussen.42).Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Der tail current ist jetzt viel niedriger aber dafür erheblich länger. so dass es wie beim MOSFET zu einer Optimierung kommen muss. Die Injektion wird dann wie beim NPT-IGBT nur noch durch den p-Kollektor bestimmt und ganz allgemein verhält sich der SPT-IGBT im Durchlass wie ein NPT-IGBT.42: PT-IGBT und dessen Plasmaverteilung in verschiedenen Schnitten Eine andere Möglichkeit. Zusätzlich kann das p-Gebiet klein gemacht werden. Andererseits ist dann wieder der Kanalwiderstand höher. ohne die Nachteile in Kauf nehmen zu müssen. E p np+ C G n pl 101 Bild 4. also die grundsätzliche Veränderung der geometrischen Gegebenheiten. Leider hat sich bisher noch kein allgemein akzeptierter Name durchsetzen können. Die Plasmakonzentration ist daher am pn-Übergang null und im Bereich der Akkumulationsschicht sehr hoch (siehe Bild 4. obwohl der SPT-IGBT technologisch anspruchsvoll ist. Das liegt daran. die Akkumulationsschicht eindringen und der pn-Übergang injiziert keine Elektronen. Für eine sehr hohe Plasmakonzentration sind breite Gräben vorteilhaft Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Mit der Soft Punch Through (SPT) Auslegung (Bild 4.0. Außerdem spielt auch hier das Verhältnis der Bereiche unter dem pn-Übergang und unter dem Gate eine Rolle. Hierbei taucht die hohe Ladungsträgerkonzentration unterhalb des Gates in die ohnehin höhere Plasmakonzentration ein und bildet so einen besser leitfähigen Pfad. Der SPT-IGBT besitzt einen Buffer. Oktober 2009 . benutzt werden. um das Auflaufen der Raumladungszone auf den p-Kollektor zu verhindern. der Akkumulationsschicht aus.

43b). wenn man nicht zu anderen Halbleitermaterialien wechselt. weil die erwartete Verbesserung zu gering und/oder der technologische Aufwand zu groß war. Version 2.und Schaltverluste (Technologiekurve). wobei auch dann der Kanalwiderstand irgendwann wieder zu groß wird. das aber aufwändiger herzustellen ist. Eine andere Optimierung sind tiefe Gräben (Bild 4. In beiden Fällen wird das Abfließen der Löcher durch eine Potentialbarriere behindert.2) wird die Plasmakonzentration auf der Emitter-Seite dann insgesamt angehoben.44a) als auch bei Trench-IGBTs (Bild 4. oder bei denen die antiparallele Diode integriert ist. G p n+ nn+ nE G p n+ nE G p E 102 a) b) c) C C C Bild 4. b) Mit breiten Gräben. also aufgestaut werden. b) Trench-IGBT Insgesamt gesehen ist der IGBT inzwischen ein Bauelement. E p nn-Barriere n+ nG G p n-Barriere E a) b) C C Bild 4. ist während des Schaltens zumindest teilweise steuerbar.0. einen großen sicheren Arbeitsbereich und immer geringer werdende Durchlass. Der Tiefe der Gräben sind aber aufgrund der Spannungsfestigkeit des Gate-Oxids Grenzen gesetzt. Es bleibt abzuwarten. weil die erhöhte Dotierung die Sperrfähigkeit des pn-Übergangs reduziert. Technologisch werden breite Gräben oft durch schmale Gräben realisiert. Wegen der Quasineutralitätsbedingung (siehe Abschnitt 4. Oktober 2009 . Es wird aber an Varianten des IGBT gearbeitet. Viele alternative Bauelementkonzepte wurden jedenfalls nicht weiter verfolgt. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Er lässt sich kapazitiv (leistungsarm) ansteuern. Neuere Varianten haben deshalb am Trench-Boden ein deutlich dickeres Oxid. besitzt eine Stromsättigung. von denen aber nicht jeder mit einem n-Emitter versehen ist und so nicht am Stromtransport teilnimmt. die aus einer dünnen und gegenüber der Driftzone nur leicht höher dotierten n-Schicht besteht. c) Mit tiefen Gräben In dieselbe Richtung geht die Verwendung einer Löcherbarriere.43: Verschiedene Trench-IGBTs: a) Wie beim MOSFET. was daraus wird.1.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik (Bild 4. die entweder rückwärtssperrfähig sind.43c) bei denen die Löcher eine längere Strecke zwischen den Gates hindurch fließen müssen und so am Abfließen gehindert. Es ist daher aus heutiger Sicht fraglich.44: SPT-IGBTs mit Löcherbarriere: a) Planarer IGBT. Die Einstellung der Parameter ist dabei heikel. das die meisten Wünsche der Anwender erfüllt. die sowohl bei planaren IGBTs (Bild 4.44b) einsetzbar ist. was nach dem IGBT überhaupt noch kommen kann.

Im Nachfolgenden sollen einige wichtige Aspekte zumindest kurz angesprochen werden. 2 kV Sperrfähigkeit. was aber bis auf weiteres schwierig und teuer ist. die z. liegen die kritischen Größen der Thyristoren bei einigen 10 µm und bei den IGBTs in der Größenordnung von 1 µm. so reines und gleichmäßig dotiertes Silizium herzustellen. Die geringen Anforderungen der Thyristoren führen dazu. Immerhin bestimmt die „schwächste“ Stelle. Zu Anfang des Halbleiterzeitalters war es schwierig. Besonders heikel wird die Situation dadurch. Das bezieht sich einerseits auf die Herstellungsverfahren des Halbleiterteils. weil es nur in wenigen Reaktoren weltweit durchgeführt wird und ein Reaktorausfall meist sofort zu Lieferengpässen führt – für alle Hersteller. mit denen die pn-Übergänge der Thyristoren eingetrieben werden. Version 2. so wäre die Ausschussrate dichte bei 100%. Für Details sei daher wieder auf die Literatur verwiesen. Dafür ist es notwendig. Während die Informationstechnologie bei wenig mehr als 10 nm angekommen ist. Ohne zusätzliche Maßnahmen Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.0. sich den Strom also gleichmäßig aufteilen und nicht einer allen Strom übernimmt.Aspekte der Bauelementtechnologie 103 5 Aspekte der Bauelementtechnologie Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik unterscheiden sich in vielfältiger Weise von den Halbleiterbauelementen. als man entdeckte. Der Durchbruch kam erst in der 70er Jahren. ohne dass es zu massivem Ausschuss käme. weil die Neutronen sonst nur sehr wenig Interaktion mit dem Kristallgitter machen. Problematisch ist es. dass die Chips parallelschaltbar sind. Bei knapp 1023 Atomen pro Kubikzentimeter Silizium ist also nur etwa jedes 1010te Atom ein Fremdatom. aber auch auf die Aufbau.und Verbindungstechnik. dass nur sehr geringe Schwankungen erlaubt sind. 5. Das Verfahren wird Neutronentransmutationsdotierung genannte und ist heute Standard für Bauelemente ab ca. Es gibt daher Bestrebungen auch das chemisch dotierte Material in besserer Homogenität zu erzeugen. Eine umfassende Behandlung würde den Rahmen bei weitem Sprengen und gäbe Stoff für eine eigene Vorlesung. dass man mit thermischen Neutronen einzelne Silizium-Atome in PhosphorAtome umwandeln kann und das mit einer ungeahnten Homogenität. Auch viele andere Halbleiterprozesse unterscheiden sich. wobei es oft „nur“ die Prozessparameter sind. in der Informationstechnologie zum Einsatz kommen.B. dass man ganze Silizium-Wafer zu einzelnen Bauelementen verarbeiten kann. Mehrere Tage bei 1250°C im Diffusionsrohr sind keine Seltenheit! Dafür sind die Anforderungen an die Lithographie meistens nicht so hoch. muss aber für größere Stromtragfähigkeit dann wieder mehrere Chips parallel schalten.1 Halbleitertechnologie Bereits das Startmaterial für hochsperrende Bauelemente unterscheidet sich von dem für Logikbauelemente. also die Stelle mit der höchsten Dotierung die Gesamtsperrfähigkeit. Einzig die Trench-MOSFETs sind hier etwas dichter am Stand der Technologie dran. Ein eindrückliches Beispiel sind die Diffusionsprozesse. Unter den 100-200 Chips eines 6 Zoll-Wafers gibt es immer ein paar nicht korrekt funktionierende. Durch die Aufteilung in einzelne Chips umgeht man dieses Problem.1) braucht man für Bauelemente von einigen Kilovolt Sperrfähigkeit Dotierungen von 1013cm-3. Oktober 2009 . Gemäß Gleichung (4. Wäre der Wafer wie bei den Thyristoren ein einziges Bauelement. Das geht bei IGBTs schon nicht mehr.

deutlich spreizt. das meistens auf einen Kühlkörper montiert ist. die oft in gedruckte Schaltungen eingelötet werden.Aspekte der Bauelementtechnologie 104 geht das nur. Hartkunststoff Zuleitungen Bonddrähte Chip Lot Kupfer Bild 5. Um den Chip für den Anwender handhabbar zu machen (Befestigung. Der elektrische Anschluss erfolgt über die kupfernen Zuleitungen.1 Diskrete Bauform Die diskrete Bauform (Bild 5. Oktober 2009 . dass große Feldstärken an die Halbleiteroberfläche gelangen. Für verschiedene Einsatzzwecke und Bauelementtypen haben sich dabei im Wesentlichen drei Grundtypen etabliert. auf das der Halbleiterchip aufgelötet ist. Fließt durch einen Chip mehr Strom. Die anderen Chips übernehmen dann einen Teil des Stroms. Stattdessen muss man eine spezielle Randstruktur einfügen. Die Kontakte auf der Chip-Oberseite sind mit Bonddrähten an die kupfernen Zuleitungen angeschlossen.2 Gehäusebauformen Der Halbleiterchip alleine macht noch kein Bauelement aus. die Durchlassspannung einen positiven Temperaturkoeffizienten hat.0. Es ist außerdem wichtig. Es ergibt sich eine Gegenkopplung. so würde der heißeste Chip immer mehr Strom übernehmen und in der Folge immer heißer werden (Mitkopplung). Schutz vor Beschädigungen. Man bringt zu diesem Zweck eine Passivierung auf. da Ladungen sonst zu Feldverzerrungen und damit wieder zu Überschlägen führen könnten. 5. Bis auf die Unterseite des Kupferplättchens und die kupfernen Zuleitungen ist alles mit einem Hartkunststoff (Epoxidharz) verpresst und so vor äußeren Einflüssen geschützt. Tatsächlich muss ein Chip aber irgendwo zu Ende sein. dass man die Strecke.2. Seine Stromtragfähigkeit ist (je nach Bauelementtyp) auf einige 10 A begrenzt und die maximal mögliche Sperrspannung Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. rechts ein TO-218 Gehäuse Das diskrete Bauelement ist die billigste Gehäusebauform. Version 2.) muss der Chip in ein Gehäuse montiert werden. Es käme zur Überhitzung und letztendlich zur Zerstörung. Die Kühlung des Chips erfolgt über die Rückseite des Kupferplättchens.1: Diskrete Bauform. über die eine Spannung abgebaut wird. Eine andere Besonderheit von hochsperrenden Bauelementen ist der Randabschluss. die verhindert. Der Randabschluss ist in jedem Fall eine Wissenschaft für sich! 5. Wäre das nicht der Fall. An der Grenzfläche würde es schon bei kleinen Spannungen zu Überschlägen kommen und das Bauelement wäre unbrauchbar. wenn die Durchlassspannung mit der Temperatur ansteigt. Im Allgemeinen wird das dadurch erreicht.1) besteht aus einem Kupferplättchen. so erwärmt sich der Chip und seine Durchlassspannung steigt. etc. dass diese empfindliche Zone nicht verunreinig wird. elektrische Kontaktierung. Man kann dann nicht einfach aufhören und durch die Chipstruktur durchsägen. Die im Kapitel 4 gezeigten Bauelemente wurden implizit immer als unendlich ausgedehnt angenommen.

Die Grundplatte ist potentialfrei. Dort sind ebenfalls die kupfernen Zuleitungen. Die Potentialtrennung muss außerhalb des Bauelements (z. Oktober 2009 . Das Modul besteht aus einer Grundplatte aus Kupfer oder wegen der geringeren thermischen Ausdehnung oft aus Aluminium-Siliziumkarbid (AlSiC). die Kühlung zu verbessern und die Lastwechselfestigkeit zu erhöhen.3 Druckkontaktgehäuse Die Druckkontaktierung (Bild 5. Der Aufbau ist erheblich aufwändiger und teurer. Das Ganze wird mit einem Kunststoffgehäuse abgedeckt und der Innenraum dieses Gehäuses mit Silikongel ausgegossen. oft Schraubanschlüsse.und Hochspannungsvariante des diskreten Bauelements. angelötet.4) besteht aus zwei kupfernen Kontaktstücken zwischen die das Halbleiterelement eingeklemmt ist. wobei die Potentialtrennung bereits durch die Keramik im Modul stattfindet. Ein Epoxidverguss wie bei den diskreten Bauelementen würde aufgrund der thermischen Ausdehnung bei großen Flächen zum Abscheren der Bonddrähte führen.0.Aspekte der Bauelementtechnologie 105 liegt in der Größenordnung von gut 1000 V. die zu speziellen Kontaktflächen auf der Keramik führen.3: IGBT-Modul (Einzelschalter) mit 6.3).2. Bonddrähte Zuleitungen Gehäuse mit Silikongel gefüllt Keramik Chip Lot Kupfer Bild 5.5 kV Sperrfähigkeit und 600 A Nennstrom 5. Die Chip-Oberseite ist wieder mit Bonddrähten kontaktiert. allgemein für alle Chips verwendet. Die Kühlung erfolgt über die Rückseite der Grundplatte.2) ist so etwas wie die Hochstrom. sobald hohe Ströme (Parallelschaltung von Chips) oder hohe Spannungen gefordert sind (Bild 5. Wegen der stark unterschiedlichen thermischen Ausdehnung von Kupfer und Silizium wird meistens noch je eine Molybdän-Scheibe Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Teilweise wird inzwischen auch auf die Grundplatte verzichtet. Darauf aufgelötet ist eine beidseitig mit Kupfern beschichtete Keramik (Al2O3 oder AlN) auf die schließlich die Chips aufgelötete sind. durch Glimmerplättchen) stattfinden. Version 2.2 Modul Das Modul (Bild 5.2.B. da das Kupferplättchen das Potential der Chip-Rückseite besitzt. Die Modulbauform wird besonders für IGBTs bzw. um Kosten zu sparen. Zuleitung Chip Bild 5.2: Modul mit Grundplatte 5.

die auf maximale Stufe eingestellt ist! Das Bauelement muss also auf jeden Fall gekühlt werden. seltener für IGBT-Chips.5: Dioden-Scheibe im Druckkontaktgehäuse. 5. Die Kontaktstücke sind sowohl thermische als auch elektrische Kontakte.4: Druckkontaktgehäuse Molybdän Bild 5. Ein Großteil der entstehenden Wärme muss also aus dem Chip heraus gebracht bzw. Druckkontaktbauelemente müssen mit einer definierten Kraft eingespannt werden. Dazu ist einerseits ein kühl gehaltener Ort und andererseits eine sehr gute Wärmeleitfähigkeit zwischen dem Chip und diesem kühlen Ort notwendig.3 Thermische Auslegung Die Temperatur und die damit zusammenhängenden Effekte spielen bei Leistungshalbleiterbauelementen eine extrem wichtige Rolle. Version 2. Im nachfolgenden Abschnitt dazu nun einige kurze Betrachtungen.1 Kühlung Die Ohmsche Verlustleistung tritt an denjenigen Stellen auf. sonst würde es sehr schnell überhitzen.0. Im Bauelement findet keine Potentialtrennung statt. Das wird sofort klar. an denen sowohl die Stromdichte als auch der Spannungsabfall hoch sind.Aspekte der Bauelementtechnologie 106 dazwischen gelegt. links im Querschnitt 5. dafür kann das Bauelement beidseitig gekühlt werden. was erheblichen mechanischen Aufwand nach sich zieht und das System teuer macht. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die Kontaktstücke werden durch einen Keramikring zusammengehalten. Das Druckkontaktgehäuse wird hauptsächlich für Bauelemente aus einem ganzen Wafer (Thyristoren) verwendet. wenn man das Beispiel eines 1700 V Chips von 1 cm² Fläche betrachtet. Kontaktstück Keramik Silizium Bild 5. der bei 100 A etwa 2 V Spannungsabfall hat und dementsprechend eine Ohmsche Verlustleistung von 200 W/cm² als Wärme abgibt. Das Gehäuse ist so hermetisch abgeschlossen und der Aufwand für den Schutz des Halbleiters minimal.3. Beim Halbleiterbauelement befinden sich diese Stellen im Wesentlichen innerhalb des Siliziums. Das ist gut 10mal so viel wie bei einer Küchenherdplatte. weggekühlt werden. Oktober 2009 .

8% 13.B.2% 58.Aspekte der Bauelementtechnologie 107 Der kühle Ort kann z. dass es nur wenige und dünne Schichten sind und dass diese Schichten materialschlüssig verbunden werden. die durch den Umrichter geblasen wird.250 subtotal (Rthjc) = 0. Es sind also (inklusive Chip) nicht weniger als neun Schichten mit bis zu sieben verschiedenen Materialien. dass die Wärme spätestens in der Grundplatte nicht mehr nur eindimensional zum Kühler fließt. Oktober 2009 . deren Kältemittel bei einer bestimmten Temperatur verdampft und am anderen. dann eine Kupferlage. das durch einen Kältekompressor auf niedriger Temperatur gehalten wird. eine weitere Kupferlage.008 150 1000 0. Man spricht von einer Wärmespreizung (engl.0.2 und Einfluss der Wärmeleitpaste (jeweils eindimensionale Näherung) Schicht (Material) Silizium Lot Kupfer AlN Kupfer Lot AlSiC Wärmeleitpaste Thermische SchichtThermischer Leitfähigkeit dicke Widerstand [W/Km] [µm] [K/W] 150 200 0. Es kommt darauf an. junction to case) aus. Eine andere Möglichkeit sind heat pipes. Dabei sind die Silizium.0% 100% Bild 5.008 35 200 0. wieder eine Lotschicht und letztlich die Grundplatte. Tabelle 5. kühleren Ende wieder kondensiert. Schließlich kommt durch die Wärmeleitpaste nochmal mehr als der gleiche Widerstand hinzu und auch für den Kühler.1 zeigt den Einfluss der einzelnen Schichten. Tabelle 5. Version 2.6% 1.2 zeigt wie komplex die Struktur dieses thermischen Pfades bereits im Modul ist. kann man dann nochmal etwa diesen Wert annehmen. die Isolatorschicht.556 total (Rthjh) = 0. Für Details sei wieder auf die Literatur verwiesen. weil sie aus mechanischen Gründen 5 mm dick ist. oder auch Kühlwasser. Bereits die Lotschichten haben durch die schlechte Wärmeleitfähigkeit einen größeren Einfluss und auch der Isolator ist trotz des Einsatzes des teuren AlN schon signifikant.029 384 300 0. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Darauf folgt im Umrichter dann eine Schicht Wärmeleitpaste zur Vermeidung eines Luftspalts und schließlich der Kühler selbst.und Kupferschichten aufgrund ihrer guten Wärmeleitfähigkeit und geringer Ausdehnung praktisch vernachlässigbar. Die Grundplatte macht dann mehr als die Hälfte des gesamten thermischen Widerstands des Moduls (Rthjc. die eigentliche Ankopplung an den kühlen Ort.987 Anteil am gesamten Widerstand 3.9 50 0. denn ein Luftspalt ist ein sehr guter thermischer Isolator – das Gegenteil von dem.013 35 100 0.5% 1.057 200 5000 0. was hier nötig ist.1% 6. Je nach Anwendung haben sich ganz unterschiedliche Konzepte entwickelt. Dabei ist allerdings zu berücksichtigen.1: Thermischer Widerstand eines 1 cm² großen Chips in einem Modul nach Bild 5. heat spreading. Vom Chip ausgehend kommt zunächst eine Lotschicht.8% 15. die Umgebungsluft sein. dass die thermische Leitfähigkeit dieser Materialien hoch ist. Für eine gute thermische Anbindung des Chips an den kühlen Ort sind die Materialien dazwischen entscheidend. sondern sich der Wärmestrom auf eine größere Fläche ausdehnt.431 0.067 384 300 0. ähnlich wie die Stromspreizung beim MOSFET).

so dass die Spule keine Entsprechung hat und es nicht zu „Wärmeschwingungen“ oder ähnlichem kommen kann. ist es kaum verwunderlich. Erschwerend kommt dann noch hinzu. sind jeder Schicht bzw. dass sich die Wärme fast genauso wie die elektrische Ladung verhält. Oktober 2009 . dem Cauer-Modell. Schichtenfolge ein thermischer Widerstand und eine thermische Kapazität zugeordnet und die Kapazitäten sind alle mit dem Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.) zur Verfügung. Einzig die Induktion gibt es bei der Wärme nicht. Man kann sogar das elektrische und thermische Verhalten in derselben Schaltung simulieren! Außerdem kann man zwei.und dreidimensionale Effekte (Wärmespreizung) berücksichtigen oder sogar Temperaturverteilungen bestimmen.6. Auch das Ohmsche Gesetz gilt analog und so ergibt sich im einen Fall ein elektrischer Strom I und im anderen ein Wärmestrom P (Dimension: Leistung): I= U R ⇔ elektrisch P= ΔT R th thermisch (5. Version 2. Rthjc P Rthch Rthha Bild 5. Ein Ansatz ist das Weglassen der Grundplatte.1) Die Wärmespeicherung ist ebenfalls analog zur Ladungsspeicherung und so hat der Kondensator sein Gegenstück in der thermischen Kapazität Cth. Spannung U und ein elektrischer Widerstand R entspricht einem thermischen Widerstand Rth. was aber bei großen Bauelementen zu mechanischen Problemen führt. Eine materialschlüssige Verbindung verbietet sich fast immer aufgrund von Prozessführung und Ausbeuteeinbußen und ein „trockener“ Übergang mit Luftspalten wäre noch viel schlechter. sondern temperaturabhängig. Auch ist der Wärmewidersand streng genommen nicht konstant. Eine Temperaturdifferenz ΔT entspricht einer Potentialdifferenz bzw. aber das kann in den meisten Fällen vernachlässigt werden... Problematisch bleibt in jedem Fall der sehr große Beitrag der Wärmeleitpaste (im Laborjargon auch „Wärmestoppschicht“ genannte).6: Thermisches Netzwerk (Cauer-Modell) Ein einfaches Beispiel für ein thermisches Netzwerk bzw. und dem Entwickler stehen die Simulationswerkzeuge für elektrische Schaltungen (SPICE et al. dass sehr viel Arbeit in die Verbesserung der Kühlung investiert wird. In dieser Version. für die es bisher noch keine praktikable Alternative gibt. Es stellt sich hier also wieder einmal ein Optimierungsproblem. weil die beschreibenden Differentialgleichungen in beiden Fällen die gleiche Form besitzen.Aspekte der Bauelementtechnologie 108 Da die Leistungsfähigkeit der Halbleiterbauelemente heute vielfach durch die maximal verkraftbare Verlustleistung begrenzt wird und nicht mehr durch die Abschaltfähigkeit. Ersatzschaltbild zeigt Bild 5. Dabei kommt den Entwicklern zu Gute. Insgesamt lässt sich also das thermische Verhalten durch ein RC-Netzwerk beschreiben .0. dass durch den Trend zu kompakteren Umrichtern und damit auch Modulen die Wärmespreizung immer weniger genutzt werden kann. Ein anderer Ansatz ist die Verwendung von sehr dünnen und gut leitfähigen Silbersinterschichten anstelle der Lotschichten.

Dieses Modell ist mathematisch einfacher zu beschreiben und wird erzeugt in dem sein Verhalten durch geeignete Wahl der R. Es sei denn die Kühlung ist so gut. Sie ergibt sich aus dem Produkt der angelegten Spannung U0 und dem momentanen Leckstrom I(U0. Natürlich steigt damit auch der Simulationsaufwand. Version 2. fitting). Das oben gezeigte Cauer-Modell lässt sich dagegen einfach durch Hinzufügen der entsprechend modellierten Komponenten erweiter. Ein Beispiel ist das Durchlassverhalten eines MOSFET bei konstantem Strom. Für die Analyse sind nun die Abhängigkeiten der beteiligten Mechanismen von Bedeutung. dass der MOSFET in sehr kurzer Zeit überhitzt und zerstört wird. In Datenblättern sieht man sonst häufig auch das Foster-Modell. dass die abgeführte Wärmemenge schneller mit der Temperatur ansteigt als die Verlustleistung. h: heat sink. c: case. am Ende kann man aus dem zeitlichen Verlauf der Verlustleistung P den zeitlichen Temperaturverlauf im Bauelement simulieren.0. thermal runaway). Die einzelnen Komponenten haben in dieser Darstellung jeweils eine physikalische Bedeutung und die Potentiale (Temperaturen) der einzelnen Knoten (j: junction. Durch die entstehende Verlustleistung erwärmt sich das Bauelement und der Leckstrom steigt weiter. Diese Rückkopplung kann dazu führen. die Sperrspannung U0 angelegt.2 Thermisches Weglaufen Ein besonders gefährlicher Fall der thermischen Rückkopplung ist das thermische Weglaufen (engl. Durch den Strom erwärmt sich der MOSFET und dadurch steigt seine Durchlassspannung. Es kann immer dann auftreten. umso genauer gibt das Modell die Realität wieder.2) wird das durch eine Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. In Gleichung (5. Dadurch wiederum steigt die Verlustleistung (der Strom ist ja konstant) und der MOSFET erwärmt sich noch stärker und so weiter. das sich auf Umgebungstemperatur T0 befindet. Wird an ein Bauelement. Es ergibt sich also wieder eine Mitkopplung. das aus einer Kette von RC-Gliedern besteht. um das Verhalten des Bauelements ausreichend genau zu beschreiben. nach der sich der Leckstrom eines SiliziumBauelements alle ΔTd ≈ 11 K verdoppelt. dass die einzelnen Komponenten keine physikalische Bedeutung besitzen und dass das Modell nur für genau die eine gemessene Konfiguration gilt. soll anhand eines anderen bekannten Beispiels gezeigt werden. Ob sich ein stabiler Arbeitspunkt ergibt. und so weiter. Je mehr Knoten es gibt. diese Temperaturinformation in das elektrische Modell zurück zu speisen und auf diese Weise rückgekoppelte Effekte wie zum Beispiel Selbstaufheizung zu simulieren.3. Es wäre dann sogar noch möglich. a: ambient) sind zumindest theoretisch am Bauelement messbare Temperaturen. Um welches Modell es sich auch handelt. entscheidet sich letztlich in einem „Wettlauf“ zwischen Kühlung und Verlustleistung. wenn die Rückkopplung eine Mitkopplung ist. der von der Spannung und der Sperrschichttemperatur Tj abhängt. wodurch sich das Bauelemente stärker erwärmt.Tj). oder das Bauelement zerstört wird. 5. Als erstes wird die Verlustleistung Pheizen berechnet.Aspekte der Bauelementtechnologie 109 Bezugspotential (Bezugstemperatur) verbunden. so fließt im ersten Moment der zugehörige Leckstrom I0. Dabei hängt die Aussagekraft der einzelnen Werte allerdings stark von der Detaillierung des Ersatzschaltbildes ab. Die thermische Simulation ist heute in jedem Fall ein wichtiges Hilfsmittel bei der Auslegung von leistungselektronischen Komponenten. Der Nachteil des Foster-Models ist. Es handelt sich also um ein reines Verhaltensmodell und meistens genügen wenige RC-Glieder aus. Wie so ein Wettlauf aussieht. Oktober 2009 . Für die Temperaturabhängigkeit kann die bekannte Faustregel verwendet werden.und C-Werte an gemessene (oder simulierte) Temperaturverläufe des Bauelements angenähert wird (engl. Gemeint ist das thermische Weglaufen beim Sperren.

6°C liegt die blaue Kurve wieder über der roten und das Modul wird sich wieder aufheizen.5°C und 106.2) Der zweite Faktor ist die durch Kühlung abgeführte Wärme.6°C liegt die blaue Kurve über der roten. Pkühlen [W] labiler Arbeitspunkt kühlen mit Rthja = 120 K/kW kühlen mit Rthja = 162. Die rote. Gemäß Gleichung (5.11) Bild 5.1 K/kW kühlen mit Rthja = 200 K/kW 200 stabiler Arbeitspunkt 100 0 70 Bild 5. Blau: ausreichende Kühlung. Bei einer Sperrschichttemperatur von 75°C kann offenbar gar keine Leistung weggekühlt werden.5°C liegt die blaue Kurve unter der roten. Oktober 2009 . Bei Sperrschichttemperaturen oberhalb von 75°C ergeben sich drei verschiedene Bereiche: • Zwischen 75°C und 81. Es gilt: T j −T0 Pheizen = U 0 ⋅ I (U 0 .7 zeigt diese beiden Funktionen für ein Modul mit 10 mA Leckstrom bei 3.Aspekte der Bauelementtechnologie 110 Exponentialfunktion zur Basis zwei und mit der charakteristischen Konstante ΔTd wiedergegeben. grün: Stabilitätsgrenze gemäß Gleichung (5.3) für den Fall. • Oberhalb von 106. Die blaue. Das Modul wird sich aufheizen. so dass sich da Modul abkühlen wird.T j ) = U 0 ⋅ I 0 ⋅ 2 ΔTd (5. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.2) wieder.1) kann dafür geschrieben werden: T j − T0 (5. 10mA (75°C) 300 Pheizen.0. gepunktete Kurve ist die weggekühlte Leistung gemäß Gleichung (5. weil die Temperaturdifferenz zur Umgebung null ist.7: 80 90 Tj [°C] 100 110 120 Leistungsbilanz eines Moduls mit verschiedenen Kühlern. • Zwischen 81. durchgezogene Kurve gibt die Verlustleistung gemäß Gleichung (5. Die Verlustleistung ist kleiner als die weggekühlte Leistung. schwarz: ungenügende Kühlung. Version 2.6 kV und 75°C.3) Pkühlen = Rth 400 heizen mit 3. dass der thermische Widerstand Rthja zwischen Sperrschicht und Umgebung 120 K/kW beträgt und dass die Umgebungstemperatur bei konstant 75°C liegt. Die Verlustleistung ist größer als die weggekühlte Leistung.6kV.

7 macht sich das dadurch bemerkbar. dPheizen dT j T j −T0 = U0 ⋅ I0 ⋅ 2 ΔTd ⋅ ln 2 ΔTd = Pheizen ⋅ ln 2 ΔTd (5. In Bild 5. sobald die Spannung wieder anliegt.5) Die Ableitung der weggekühlten Leistung (Gleichung (5. Dabei ist wichtig zu erkennen. dass sich die Verlustleistungskurve und die Kurve der weggekühlten Leistung tangieren. bis das Modul in den stabilen Arbeitspunkt zurückkehrt. strichpunktierte Kurve).3)) ist einfach der Kehrwert des thermischen Widerstands: dPkühlen 1 = (5. oder dass es sich aufheizt.7 zeigt die Situation für einen deutlich schlechteren Kühler mit höherem thermischen Widerstand (200 K/kW). so dass sich das Modul weder aufheizt.5°C. Zwischen der ausreichenden Kühlung (blaue Kurve) und der ungenügenden Kühlung (schwarze Kurve) gibt es einen Grenzfall. Tatsächlich führt aber jede kleine Abweichung von diesem Punkt dazu. die ein Modul erreichen darf. so dass das Modul eigentlich bei dieser Temperatur arbeiten könnte. dass die grüne Kurve die rote nur berührt (Tangente).4). Dieser Grenzfall zwischen ausreichender und ungenügender Kühlung ist für die thermische Auslegung von Umrichtern wichtig. Oktober 2009 . bis es zerstört wird. noch abkühlt. Es gibt nun keinen Schnittpunkt mehr mit der roten Kurve. Der labile Arbeitspunkt markiert insofern die maximale Sperrschichttemperatur. Der stabile und der labile Arbeitspunkt sind hier zusammengelaufen. Die Verlustleistung ist immer höher als die weggekühlte Leistung. Es muss gelten: Pheizen = Pkühlen ∧ dPheizen dT j = dPkühlen dT j (5. müssen an dieser Stelle einerseits die Funktionswerte und andererseits die Ableitungen nach der Sperrschichttemperatur übereinstimmen. Wie beim stabilen Arbeitspunkt entsprechen sich Verlustleistung und weggekühlte Leistung. Die schwarze. An diesem Punkt entspricht die Verlustleistung genau der weggekühlten Leistung. dass die Ableitung wieder die ursprüngliche Funktion mal einem konstanten Faktor ist.Aspekte der Bauelementtechnologie Zwei besondere Punkte trennen diese drei Bereiche voneinander: 111 • Der stabile Arbeitspunkt bei 81. Version 2. bis es den stabilen Arbeitspunkt erreicht. Bei Temperaturen oberhalb und unterhalb ist die Verlustleistung höher als die weggekühlte Leistung. Außerdem wird jede kleinere Abweichung von dieser Balance durch Heizen oder Kühlen ausgeglichen. Für den Fall.4) Die Ableitung der Verlustleistungsfunktion (Gleichung (5. Jede Verschlechterung der Kühlung würde sofort zum thermischen Weglaufen führen.6) dT j R th Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Nachfolgend soll deshalb kurz das Stabilitätskriterium hergeleitet werden. dass das Modul entweder gekühlt wird.B. Ergibt sich z. durch einen Überstrom eine höhere Temperatur. bei dem die Kühlung gerade eben ausreicht (grüne.0. Die Verhältnisse ähneln denen jenseits des labilen Arbeitspunts und das Modul wird thermisch weglaufen. so wird das Modul thermisch weglaufen.6°C.2)) zeigt Gleichung (5. • Der labile Arbeitspunkt bei 106. gestrichelte Kurve in Bild 5.

Ebenfalls unberücksichtigt sind zwei.11) natürlich unabhängig von der Größe des Bauelements und muss von jedem einzelnen Chip und sogar von jedem kleinsten Teilbereich des Chips separat erfüllt werden. was in der Realität nicht der Fall ist. Oktober 2009 .8) Interessanterweise ist die Differenz zwischen der kritischen Sperrschichttemperatur Tj. so erhält man die kritische Sperrschichttemperatur Tj. Dabei wird allerdings davon ausgegangen.11). der nur von ΔTd und Rth abhängt: dPheizen dT j = dPkühlen dT j ⇒ Pheizen ⋅ ln 2 ΔTd = 1 Rth ⇔ Pheizen = ΔTd Rth ⋅ ln 2 (5. Ansonsten gilt Gleichung (5.9) Damit kann man dann den Zusammenhang der übrigen Parameter berechnen. so erhält man einen Ausdruck für die kritische Verlustleistung.10) Am Ende ergibt sich das Stabilitätskriterium zu: U 0 ⋅ I 0 ⋅ Rth < ΔTd e ⋅ ln 2 (5. die umso größer sein muss. die über ΔTd die verwendete Technologie charakterisiert.7) Setzt man diesen Ausdruck dann in die linke Seite von Gleichung (5.11) setzt die Hauptfaktoren Spannung.0.oder dreidimensionale Effekte des thermischen Widerstands. Version 2. Einmal mehr bestimmt die schwächste Stelle die Gesamtfähigkeit eines Bauelements! Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.krit ) = I 0 ⋅ 2 ⎛ 1 ΔTd ⎜ ⎜ ΔT ⋅ ln 2 ⎝ d ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ ⇔ I krit = e ⋅ I0 (5. dass der Leckstrom homogen fließt. weil mit der Größe auch die Gefahr von Inhomogenitäten wächst. Gegenüber Gleichung (5. das die Temperaturabhängigkeit des Leckstroms beschreibt.8 K beträgt (ΔTd ≈ 11 K). Letztlich sagt Gleichung (5.krit − T0 ΔTd = Rth ⋅ ln 2 Rth ⇔ T j .krit − T0 = ΔTd ln 2 (5.4) ein.4).krit und der Umgebungstemperatur T0 unabhängig von der anliegenden Spannung U0.11) Die linke Seite von Gleichung (5. dem Ausgangsleckstrom I0 und dem thermischen Widerstand Rth! Der einzige Einflussfaktor ist ΔTd. Mit diesem Ergebnis lässt sich nun der kritische Leckstrom Ikrit berechnen: I krit = I (V0 . Dabei ist jedoch zu berücksichtigen. dass besondere Leckstrommechanismen auch zu völlig anderen Temperaturabhängigkeiten führen können.krit bei der sich die beiden Kurven berühren: Pheizen = Pkühlen ⇒ T j . dass bei einer gegebenen Kühlung (Rth) nur maximal die Verlustleistung (U0·I0) verkraftet werden kann. wobei sich die rechte Seite auf grundlegende Halbleiterphysik zurückführen lässt und für ein Siliziumbauelement etwa 5. Beide Seiten haben die Dimension einer Temperatur.Aspekte der Bauelementtechnologie 112 Startet man nun zunächst mit der rechten Seite von Gleichung (5. Es gilt: dPheizen dPkühlen = dT j dT j ⇒ U0 ⋅ I0 ⋅ 2 ⎛ 1 ΔTd ⎜ ⎜ ΔT ⋅ ln 2 ⎝ d ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ ⋅ ln 2 1 = ΔTd Rth ⇔ U0 ⋅ I0 ⋅ e ⋅ ln 2 1 = ΔTd Rth (5.11) ist also eine Sicherheitsmarge nötig. je größer das Bauelement ist.T j . Leckstrom und thermischen Widerstand in Beziehung und die rechte Seite ist eine Konstante.

bevor es N Zyklen erreicht. keine Frühausfälle). Mit diesen beiden Parametern ist der Alterungsprozess beschrieben. Man kann also nicht sagen. insbesondere nur für einen bestimmten Temperaturhub ΔT und der Temperaturhub hat einen starken Einfluss auf die Lebensdauer. Diesen Zusammenhang haben Coffin und Manson 1954 entdeckt. Jahreszeiten oder reduzierte Kühlung in Tunneldurchfahrten.B. Lötstellen reißen. Bei der Untersuchung der Ausfallstatistik hat sich gezeigt.3.13) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Oktober 2009 . dass sich die Alterung von Halbleiterbauelementen mit der Weibull-Verteilung beschreiben lässt. Es ist daher für den Anwender sehr wichtig. dass ein einzelnes Bauelement ausfällt. Die Weibull-Wahrscheinlichkeit lautet: ⎡ ⎛ N ⎞β ⎤ ⎟ ⎥ (5. oder es ist der Prozentsatz der ausgefallen Elemente einer Population nach N Zyklen.3 Thermische Zyklen 113 Im Betrieb wird ein Bauelemente einer Vielzahl unterschiedlicher Temperaturwechsel unterzogen. Andererseits führt jeder Temperaturwechsel durch die unterschiedliche thermische Ausdehnung der verschiedenen Materialien zu mechanischen Verspannungen oder sogar Verbiegungen und schädigt das Bauelement auf diese Weise. Die Größe der Temperaturwechsel kann dabei von Bruchteilen eines Grads bis über 100 K reichen und die Dauer solcher Wechsel von einigen Mikrosekunden bis zu Monaten. Diese Verteilung ist nach dem schwedischen Ingenieur Wallodi Weibull benannt.12) F (N ) = 1 − exp⎢− ⎜ ⎜ ⎟ ⎢ ⎝ Nc ⎠ ⎥ ⎣ ⎦ F(N) lässt sich wie oben beschrieben auf zwei Arten interpretieren. Die beiden Parameter der Weibull-Verteilung sind die charakteristische Lebensdauer NC (sollte möglichst groß sein → allgemein lange Lebensdauer) und der Formparameter β (sollte möglichst groß sein → alle Elemente fallen gleichzeitig aus. mission profile) ausgesetzt sind. Das führt letztlich dazu. Die Coffin-Manson-Beziehung lautet: N = k1 ⋅ ΔT − k 2 (5. wear out) zu bekommen und sein System entsprechend auszulegen. welcher Prozentsatz davon bis zu einem bestimmten Zeitpunkt ausgefallen sein wird. dass es bis zu einem bestimmten Zeitpunkt ausgefallen sein wird. sondern nur eine Wahrscheinlichkeit angeben. dass keine zwei Bauelemente der gleichen Abfolge von Temperaturzyklen (engl. Leider ist die Alterung ein statistischer Prozess. Version 2. Bei einer ganzen Population identischer Bauelemente kann man angeben. Größere Temperaturhübe führen zu deutlich weniger Zyklen bis zum Ausfall. Das geschieht einerseits durch die Selbstaufheizung des Bauelements aufgrund von Schalt. Isolationen durchschlagen oder das Gehäuse brechen. Leider gelten die Parameter der Weibull-Verteilung jeweils nur für einen bestimmten Temperaturwechsel.Aspekte der Bauelementtechnologie 5. aber nicht welche Einzelelemente es davon betrifft.0.und Durchlassverlusten und andererseits durch Umgebungseinflüsse wie z. der sie bei der Untersuchung der Alterung von Metallen entdeckte und 1936 erstmals veröffentlichte. oder entsprechende Teile bei einer Routinewartung auszutauschen. Am Ende werden Bonddrähte abheben. In jedem Fall wird das Bauelement unbrauchbar und schädigt dabei eventuell sogar noch seine Umgebung. Entweder es ist die Wahrscheinlichkeit. wann genau ein einzelnes Bauelement ausfällt. Informationen über diese Alterung (engl. eventuell Redundanz einzubauen.

der offensichtlich nicht über 100% der Lebensdauer des Bauelements liegen darf. dass jeder einzelne Temperaturwechsel einen bestimmten. nimmt man an. Das Thema Zuverlässigkeit wird deshalb zukünftig eine noch wichtigere Rolle spielen. Oktober 2009 . Man erhält dann die charakteristische Lebensdauer (Anzahl der Temperaturwechsel) für jeden beliebigen Temperaturhub. Will man aber dichter an das Limit gehen. Berechnungen dieser Art haben in den letzten Jahren sehr stark an Bedeutung gewonnen. kann man die beiden Parameter k1 und k2 der Coffin-Mason-Beziehung berechnen. sehr kleinen Teil der Bauelementlebensdauer verbraucht. Außer in Tests wird kaum der Fall konstanter Temperaturhübe auftreten. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Version 2. sondern durch die Verringerung von Sicherheitsmargen realisiert wurde. muss man genauer wissen.Aspekte der Bauelementtechnologie 114 Basierend auf den Ergebnissen der Weibull-Verteilungen für verschiedene Temperaturhübe. treten in realen Anwendungen verschiedenste Temperaturwechsel auf. Um diesem Umstand Rechnung zu tragen. Tatsächlich hat aber auch dieser Wert noch nicht viel mit der Realität zu tun. denn wie oben beschrieben. Erst die Summe all dieser Verbräuche ergibt dann den Gesamtverbrauch. da ein signifikanter Teil des Fortschritts in der Leistungselektronik nicht durch die Verbesserung der Halbleiterkomponenten.0. was passieren wird und ob das dann für den Anwender noch akzeptable ist.

„Leistungselektronische Schaltungen: Funktion. „Leistungselektronische Bauelemente“. gebunden. 2. Leistungselektronische Schaltungen“. 7 Änderungshistorie Version 0 Version 1. Rashid. „Power Semiconductors”. die Grundlagen des Halbleiters. 2. Version 2. ISBN 978-3-540-28728-5 • F.3. Auflage. Schröder. Mohan.3.13 Sukzessive bis Abschnitt 4. Silber Erster Teil des ausgearbeiteten Skripts bis Abschnitt 2. 2006. CRC Press. „Power Electronics – Converters.15 Version 1. Applications. Linder. and Design“.ch/publikationen/Steuerverfahren_sf_SR.8. ISBN 2-940222-09-6 bzw. ISBN 3-519-06176-7. Es werden deshalb Inhalte aus anderen Vorlesungen vorausgesetzt.Literatur 115 6 Literatur • G.0 Version 1.0. ISBN 0-8247-2569-7 • J. des Bipolartransistors und des MOSFET aus der WBS-Vorlesung. „Elektrische Antriebe.semikron.0 Vorlesungskonzept von Prof. ISBN 978-3-540-34206-9 • D. Grundlagen und Anwendungen in der elektrischen Antriebstechnik“. 2nd Edition. Oktober 2008 Erste vollständige Version des Skripts. Oktober 2009 Version 1. Auflage. Zuverlässigkeit“.3 und einige Fotos ergänzt. des pn-Übergangs. T. and Applications“. Robbins. Dazu gehören z. 3rd Edition.B. ISBN 0-471-58408-8 • M. broschiert. Springer.pdf (17MB!) • Semikron Applikationshandbuch.16 Version 2. März 2009 Redaktionelle Überarbeitung. D. John Wiley & Sons. Februar 2009 Abschnitt 5. aber auch z. Auslegung und Anwendung“.3. Stuttgart. 2006. Wirk. umformatiert. EPFL Press. dafür aber kostenlos auf der Homepage von Felix-Jenni online erhältlich: www. Taschenbuch. „Power Electronics – Circuits.B. H. M.1 – 1. 1995. Schröder. 2008. März 2009 Kleinere Korrekturen und Ergänzungen. ISBN 3-89104-700-2 • D. ISBN 978-3-540-69300-0 • D. 2004. „Steuerverfahren für selbstgeführte Stromrichter“. Wüest. W. Jenni. Aula-Verlag.und Blindleistung aus der GET-Vorlesung. Schröder. 4. 2006.com → Applikation Bitte bedenken Sie. 1998. inzwischen vergriffen. Pearson Prentice Hall. www. Hochschulverlag an der ETH Zürich und Teubner. Oktober 2009 . Hagmann. Lutz. Undeland. Simulationen: Umamaheswara Vemulapati und Iraj Sheikhian Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.14 Version 1. also für Fortgeschrittene ist. Springer. ISBN 3-540-57609-6 • N. gebunden. „Halbleiter-Leistungsbauelemente – Physik. 1995. D. 3. 2006. Devices. Eigenschaften.felixjenni. Springer. ISBN 978-0-13-101140-3 • S. Auflage. P. „Leistungselektronik. gebunden. dass dies eine Vorlesung des Hauptstudiums. Oktober 2008 bis Januar 2009 Fotos: Christian Renz. Springer.

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