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Universität Bremen Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente Prof. Dr.-Ing. N.

Kaminski

Otto-Hahn-Allee, NW1 28359 BREMEN Tel.: 0421-218-62661 Fax: 0421-218-4318 www.ialb.uni-bremen.de

Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I

Änderungen vorbehalten Version 2.0 Oktober 2009

Inhalt

2

Inhalt
1 2
2.1

Einführung .......................................................................................................4 Grundlagen ......................................................................................................5
Das leistungselektronische System ....................................................................................... 5

2.2 Zwischenspeicher .................................................................................................................... 6 2.2.1 Kapazitäten ............................................................................................................................ 7 2.2.2 Induktivitäten .......................................................................................................................... 7 2.2.3 Speicherfähigkeit.................................................................................................................... 8 2.2.4 Resonante Speicher .............................................................................................................. 8 2.3 Besonderheiten der Leistungselektronik .............................................................................. 9 2.3.1 Leistungssteuerung mittels Vorwiderstand ............................................................................ 9 2.3.2 Leistungssteuerung mittels Taktung .................................................................................... 10 2.3.3 Parasitäre Induktivitäten ...................................................................................................... 13 2.3.4 Leistungsteuerung bei Wechselspannung ........................................................................... 16

3

Grundschaltungen der Leistungselektronik ............................................... 21

3.1 Gleichrichter (AC → DC Converter) ...................................................................................... 21 3.1.1 Ungesteuerter Gleichrichter ................................................................................................. 21 3.1.2 Ungesteuerter Brückengleichrichter .................................................................................... 23 3.1.3 Gesteuerter Brückengleichrichter ........................................................................................ 25 3.2 Gleichstromumrichter (DC → DC Converter) ...................................................................... 25 3.2.1 Einfacher Gleichstromsteller (Zerhacker, Chopper) ............................................................ 26 3.2.2 Abwärtswandler (Step-Down or Buck Converter) ................................................................ 30 3.2.3 Einschub: Dualitätsprinzip.................................................................................................... 32 3.2.4 Aufwärtswandler (Step-Up or Boost Converter) .................................................................. 33 3.2.5 Invertierender Spannungswandler (Buck-Boost Converter) ................................................ 35 3.2.6 Invertierender Stromwandler (Ćuk-Converter)..................................................................... 37 3.2.7 Halbbrücke (Half-Bridge, Phase Leg) .................................................................................. 39 3.3 Wechselrichter (DC → AC Converter) .................................................................................. 40 3.3.1 Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle .......................................................................... 40 3.3.2 Vollbrücke (Full-Bridge) ....................................................................................................... 41 3.4 Wechselstromumrichter (AC → AC Converter) .................................................................. 41 3.5 Weiches Schalten (Soft Switching) ...................................................................................... 42 3.5.1 Nullstromschalten (ZCS) ...................................................................................................... 43 3.5.2 Nullspannungsschalten (ZVS) ............................................................................................. 45

4

Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik ........................................ 47

4.1 pin-Diode ................................................................................................................................. 48 4.1.1 Grundstruktur ....................................................................................................................... 48 4.1.2 Durchlassverhalten .............................................................................................................. 50 4.1.3 Einschaltverhalten ................................................................................................................ 57 4.1.4 Ausschaltverhalten ............................................................................................................... 58 4.1.5 Auslegung und Technologievarianten ................................................................................. 62 4.2 Schottky-Diode ....................................................................................................................... 65 4.2.1 Niedrige Sperrspannungen .................................................................................................. 66 4.2.2 Siliziumkarbid (SiC) .............................................................................................................. 67 4.3 Synchrongleichrichter ........................................................................................................... 68 4.4 Bipolartransistor..................................................................................................................... 69 4.4.1 Stromverstärkung ................................................................................................................. 71 4.4.2 Durchbruch mit offener Basis............................................................................................... 72 4.4.3 Strombegrenzung................................................................................................................. 72 4.4.4 Sättigung .............................................................................................................................. 73 4.4.5 Quasisättigung ..................................................................................................................... 74

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009

Inhalt

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4.5 Thyristor .................................................................................................................................. 75 4.5.1 Sperrfähigkeit ....................................................................................................................... 76 4.5.2 Zündung (Einschalten) ......................................................................................................... 77 4.5.3 Löschung (Ausschalten) ...................................................................................................... 79 4.6 GTO-Thyristor ......................................................................................................................... 80 4.6.1 Löschung (Ausschalten) ...................................................................................................... 81 4.6.2 Entlastungsnetzwerke (Snubber) ......................................................................................... 81 4.7 IGCT ......................................................................................................................................... 83 4.7.1 Kaskode ............................................................................................................................... 83 4.7.2 GCT ...................................................................................................................................... 84 4.8 MOSFET ................................................................................................................................... 85 4.8.1 Grundstruktur ....................................................................................................................... 87 4.8.2 Durchlasswiderstand ............................................................................................................ 88 4.8.3 Schaltverhalten .................................................................................................................... 92 4.8.4 Inversdiode ........................................................................................................................... 95 4.9 JFET ......................................................................................................................................... 96 4.10 IGBT ......................................................................................................................................... 97 4.10.1 Grundstruktur ................................................................................................................... 97 4.10.2 Schaltverhalten ................................................................................................................ 99 4.10.3 Plasmaverteilung ........................................................................................................... 100

5
5.1

Aspekte der Bauelementtechnologie ........................................................ 103
Halbleitertechnologie ........................................................................................................... 103

5.2 Gehäusebauformen .............................................................................................................. 104 5.2.1 Diskrete Bauform ............................................................................................................... 104 5.2.2 Modul.................................................................................................................................. 105 5.2.3 Druckkontaktgehäuse ........................................................................................................ 105 5.3 Thermische Auslegung ........................................................................................................ 106 5.3.1 Kühlung .............................................................................................................................. 106 5.3.2 Thermisches Weglaufen .................................................................................................... 109 5.3.3 Thermische Zyklen ............................................................................................................. 113

6 7

Literatur ....................................................................................................... 115 Änderungshistorie ...................................................................................... 115

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009

Umformung elektrischer Leistung (engl.0.und Regelungsteil. Bürotechnik Leistungsbereich 100 MW ̶ 1 GW > 1 MW 100 kW ̶ 10 MW 1 kW ̶ 1 MW 100 W ̶ 1 kW 1 W ̶ 100 W Leistungselektronische Systeme bestehen grundsätzlich aus einem Leistungsteil und einem Steuerungs. die Eigenschaften der zur Verfügung stehenden Materialen und Komponenten. Version 2. das Ohmsche Gesetz oder die Maxwellschen Gleichungen. Oktober 2009 . Leistungselektronik findet sich heute fast überall. Haushalt Kfz-Elektronik.Einführung 4 1 Einführung Die Leistungselektronik umfasst alle Formen der Steuerung bzw. von der Waschmaschine bis zur Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ). da diese einerseits selbst Quelle zahlreicher Nichtidealitäten sind und sie andererseits sehr leicht zerstört werden. Gleichzeitig führen aber der Umgang mit großen Strömen und/oder hohen Spannungen. In der Vorlesung Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I werden daher zunächst die grundsätzlichen Wirkprinzipien und -schaltungen behandelt. Netzkupplung Großantriebe Traktionsantriebe Industrieantriebe Servoantriebe. Rotierende Umformer gehören also nicht dazu.B. power conditioning) mit Hilfe elektronischer Systeme. Natürlich gelten auch hier die grundlegenden Zusammenhänge wie z. Leistung. vom Handynetzteil bis zum ICE. Anwendung Energieübertragung. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Dabei unterscheiden sich die Anwendungen in ihrer Funktion und vor allem auch in ihrer Größe bzw. Statistisch gesehen fließt der Strom auf dem Weg vom Erzeuger zum Verbraucher inzwischen mindestens einmal durch ein Halbleiterbauelement. Zuverlässigkeitsanforderungen und nicht zuletzt auch wirtschaftliche Zwänge zu völlig anderen Randbedingungen und damit letztlich auch zu ganz eigenen Lösungen. wobei weitgehend von idealen Verhältnissen ausgegangen wird. Insbesondere der Leistungsteil unterscheidet sich in vielerlei Hinsicht von anderen Gebieten der Elektrotechnik. sobald man sie außerhalb ihres normalen Arbeitsbereichs betreibt. das daraus resultierende Gefahrenpotential. Im weiteren Verlauf der Vorlesung wird dann näher auf Halbleiterkomponenten eingegangen. Einige typische Anwendungsbeispiele zeigt die nachfolgende Tabelle.

B.0.Grundlagen 5 2 Grundlagen 2.1 Das leistungselektronische System Das leistungselektronische System besteht aus dem Leistungs.). Vor allem für Traktionsantriebe wird aber aus Wirtschaftlichkeits.1). Der Leistungsteil wird vor allem durch den Energiefluss charakterisiert. Dies ist besonders bei Energieübertragungssystemen und bei mobilen Systemen ein wichtiger Faktor. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Der Quotient aus beiden Größen wird Wirkungsgrad η genannt (Gleichung 2. die z. Oktober 2009 . im Leistungsteil findet eine Umformung statt und schließlich wird die Ausgangsleistung Pa an einen Verbraucher abgegeben (schwarze Pfeile). Die Leistungselektronik muss in solchen Fällen also in der Lage sein. Verluste. beim Bremsen in das Netz (Erzeuger) zurückgespeist (gestrichelte Pfeile).1: Leistungselektronisches System. in einem Zug (Verbraucher) als kinetische Energie gespeichert ist. was Erzeuger und was Verbraucher ist. Zwischen diesen beiden Teilen bestehen zahlreiche Verbindungen zur Signalübertragung (Schaltimpulse. Dabei wird Energie. Die Verlustleistung steht nicht mehr für den Verbraucher zur Verfügung. die fast komplett als thermische Verlustleistung Pv abgegeben werden.1) Wirkungsgr ad : η = Pa Pe (2. Bei der reinen Speisung ist die Ausgangsleistung daher immer kleiner als die Eingangsleistung (Gleichung 2. muss aber trotzdem erzeugt werden und verursacht so zusätzliche Kosten. Wirkungsgrad Leider entstehen bei der Umformung.und Umweltgründen immer häufiger eine Rückspeisefähigkeit gefordert. Der eine ist die Energieeinsparung. die Leistung in beide Richtungen umzuformen. in welche Richtung auch immer. Im Allgemeinen wird die Eingangsleistung Pe einem Erzeuger entnommen. Der Steuerungsteil wird seinerseits von einer übergeordneten Steuerung kontrolliert. In der Leistungselektronik ist der Wirkungsgrad einer der wichtigsten Parameter und liegt typisch oberhalb von 95%. etc. in denen gar nicht klar ist.2) Bild 2.und dem Steuerungs. Übergeordnete Steuerung Pe: Eingangsleistung Pa: Ausgangsleistung Pv: Verlustleistung Verbraucher Pa = Pe − Pv Steuerteil Erzeuger Pe Leistungsteil Pv Verluste Pa (2. Version 2. Darüber hinaus gibt es Anwendungen wie die Netzkupplung.und Regelungsteil (Bild 2.1). Dafür gibt es zwei Hauptgründe. Messleitungen.2) und ist dementsprechend immer kleiner als eins.

und Ausgangsschaltung die Aufgaben. Oktober 2009 Verbraucher Erzeuger .und Ausgangsleistung zeitlich ganz unterschiedliche Verläufe haben können. solange er nur lang genug ist.und damit Wettbewerbsfaktor. Im Blockschaltbild kann ein solcher Leistungsteil also in drei Funktionsblöcke unterteilt werden (Bild 2. Oft ist deshalb eine aufwändige Kühlung z. Wie gut die Entkopplung ist. Man denke hier nur an einen Drehstromantrieb variabler Frequenz an einem starren 50 Hz-Netz. Im ersten Schritt sorgt eine Eingangsschaltung dafür. also immer genügend Energie vom Erzeuger nachgeliefert wird. Im zweiten Schritt entnimmt dann die Ausgangsschaltung Energie aus dem Speicher und versorgt damit den Verbraucher. dass der Energiespeicher immer auf dem notwendigen Energieniveau gehalten wird. die einerseits einen großen Teil der Verluste generieren und andererseits sehr empfindlich auf Übertemperaturen reagieren. Version 2. Der Mittelungszeitraum wird dann unerheblich. Im Fall der Energierückspeisung wechseln dann Eingangs. Die beiden Stufen arbeiten also weitgehend unabhängig voneinander und kommunizieren im Grunde nur über den Ladungszustand des Energiespeichers miteinander. Der Wirkungsgrad eines Umrichters wird deshalb häufig nur in einem stationären Arbeitspunkt angegeben.T. Im Allgemeinen darf die Sperrschichttemperatur der Halbleiter 125 .Grundlagen 6 Der zweite Grund ist die notwendige Kühlung. da die Eingangs. in zwei Schritten durchgeführt. Eingangsteil Speicher Ausgangsteil Bild 2. In solchen Fällen ist allein schon die Definition der zeitlichen Mittelung schwierig. erwärmt sich der Leistungsteil sehr stark und würde ohne Kühlung schnell überhitzen. hängt von der Größe des Speichers ab. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.0. 2.150°C nicht überschreiten.2 Zwischenspeicher Abgesehen von den sogenannten Direktumrichtern wird die Leistungsumformung heute im Allgemeinen mit Hilfe eines Energiespeichers. Das ist wichtig. Besonders kritisch ist dieser Effekt für die Halbleiterkomponenten.1 und 2.und Ausgangsleistung sind nicht zu jedem Zeitpunkt identisch. Im Folgenden dazu einige grundlegende Überlegungen.2: Leistungsteil mit Zwischenspeicher In leistungselektronischen Systemen ist Energie entweder als Ladung auf Kapazitäten oder als Strom in Induktivitäten gespeichert. mit eigenem Wasserkreislauf und Kältekompressor nötig. Da die Verlustleistung fast vollständig in Wärme umgesetzt wird. dem Zwischenkreis.2 werden jeweils spitze Klammern als Zeichen der zeitlichen Mittelung verwendet. Andererseits zeigt das Beispiel aber auch eine grundsätzliche Anforderung an den Großteil der leistungselektronischen Systeme: Eingangs. In den Gleichungen 2. Auf diese Weise sind Eingang und Ausgang voneinander entkoppelt.2). Die Kühlung wird so zum signifikanten Kosten. sondern thermisch limitiert. so dass zumindest eine kurzzeitige Energiespeicherung im System selbst möglich sein muss. Möglich ist auch eine Kombination aus beiden. Viele Systeme sind heute nicht mehr durch die Leistungsfähigkeit der Halbleiterkomponenten begrenzt.

2. die ein Elektron beim Durchlaufen einer Spannung von 1 V aufnimmt oder abgibt. Strom-Zeit-Flächen berechnen. Als Vereinfachung für die weiteren Betrachtungen wird oft angenommen. bzw. Oktober 2009 .und Ausgangsseite. sonst allgemein als Folienkondensator. Anders ausgedrückt ist eine Spannungsänderung ΔU über der Kapazität proportional zu einer Ladungsänderung ΔQ und eine Ladungsänderung ist nichts anderes als das Integral des Stroms i. Induktionsgesetz): u = L⋅ di dt ⇔ u ⋅ dt = L ⋅ di (2.3 ) = u ⋅ C ⋅ du ⇔ 2 W = C ⋅ ∫ u ⋅ du 0 U (2. sogar wassergekühlte Spule ausgeführt. z. dass sich die Kapazität wie eine Spannungsquelle verhält. im elektrischen Feld statt. wenn die Kapazität sehr groß ist. Der Zusammenhang zwischen der Ladung Q auf der Kapazität und der anliegenden Spannung U lautet: C = Q dq = U du (2.2.5) (2.6) W = 1 2 ⋅C ⋅U Man erhält schließlich eine quadratische Abhängigkeit von der Spannung. Hier wird die Energie in Form von Strom. Der Energieinhalt W der Kapazität lässt sich durch Aufintegrieren der Energieänderungen aller infinitesimal kleinen Ladungsänderungen bzw. ΔU = 1 1 ⋅ ΔQ = ⋅ ∫ i ⋅ dt C C Δt (2. Die Speicherung der Energie findet hier in Form von Ladung bzw.T.3a).oder abfließender Ströme auftreten.4) Grafisch interpretiert ist die Ladungsänderung ΔQ also eine Strom-Zeit-Fläche.Grundlagen 2. also bewegter Ladung. die auftretenden Ströme tatsächlich nur geringe Spannungsänderungen hervorrufen. Vor allem bei der Zwischenkreiskapazität ist das der Fall und die Näherung widerspiegelt so sehr schön die Entkopplung zwischen Eingangs.0. meist als massive.2. also keine Spannungsänderungen aufgrund zu. im magnetischen Feld gespeichert. der der Kapazität im entsprechenden Zeitintervall Δt zugeflossen ist. Man erinnere sich: Die Energieeinheit 1 eV ist definiert als die Energie.2 Induktivitäten Die Induktivität. bei niedrigen Spannungen oft als Elektrolytkondensator.7) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.1 Kapazitäten 7 Der am häufigsten verwendete Energiespeicher ist die Kapazität.3) wobei die Proportionalitätskonstante C der Kapazitätswert ist. Version 2. Der Zusammenhang zwischen dem Strom I durch die Induktivität und der anliegenden Spannung U lautet (vergl. ist das Pendant zur Kapazität. Man spricht bei Verwendung einer Kapazität als Zwischenspeicher deshalb auch von einem (Gleich-) Spannungszwischenkreis (Bild 2. Es gilt: dw = u ⋅ i ⋅ dt = u ⋅ dq ( 2. Die Spannung ist also die bestimmende Größe bei der Kapazität. Das ist immer dann eine gute Näherung.

3 Speicherfähigkeit Häufig ist es zu Anfang schwierig. Das ist immer dann eine gute Näherung. die an der Induktivität im entsprechenden Zeitintervall Δt angelegen hat.2. der seine Ladung bei offenen Klemmen über Stunden hält. nicht über die Güte im Wechselstromkreis.4 Resonante Speicher Die beiden bisher behandelten Speicher waren DC-Speicher. als eine Spule. Als Vereinfachung für die weiteren Betrachtungen wird oft angenommen.0. Man spricht bei Verwendung einer Induktivität als Zwischenspeicher deshalb auch von einem (Gleich-) Stromzwischenkreis (Bild 2. Version 2. Eine Kombination aus diesen beiden Energiespeichern im Sinne eines DCSpeichers ist denkbar.und Ausgangsseite. In jedem Fall wird die Qualität von Speicherelementen über die Speicherfähigkeit bestimmt. solange sie nicht aus supraleitendem Material gemacht ist.. aber nicht technisch relevant. Nichtsdestotrotz kann als ideale Näherung angenommen werden. Es gilt: dw = i ⋅ u ⋅ dt ( 2. Eine Spule hat. immer einen verhältnismäßig hohen Innenwiderstand und auch der Kurzschluss ist sicher nicht ideal. die auftretenden Spannungen tatsächlich nur geringe Stromänderungen hervorrufen. Anders ausgedrückt ist eine Stromänderung ΔI an der Induktivität proportional zu einer . Bei solchen Spulen beträgt die Abklingzeitkonstante τ = L/R deshalb nur einige Millisekunden bis Sekunden. also keine Stromänderungen aufgrund anliegender Spannungen auftreten. Vor allem bei der Zwischenkreisinduktivität ist das gegeben und auch hier zeigt sich wieder sehr schön die Entkopplung zwischen Eingangs. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. 2.10) W = ⋅L ⋅I 2 Man erhält schließlich eine quadratische Abhängigkeit vom Strom. Oktober 2009 .9) (2. Der Strom ist also die bestimmende Größe bei der Induktivität.2. ΔI = 1 ⋅ ∫ u ⋅ dt L Δt (2. Demgegenüber ist das Isolationsmaterial eines Kondensators fast ideal und auch ein offener (Halbleiter-) Schalter isoliert sehr gut. 2.8) Grafisch interpretiert ist das Integral also eine Spannungs-Zeit-Fläche.3b). dass sich die Induktivität wie eine Stromquelle verhält. wodurch die Entladezeitkonstante τ = RC sehr viel größer ist. Der Energieinhalt W der Induktivität lässt sich durch Aufintegrieren der Energieänderungen aller infinitesimal kleinen Spannungs-Zeit-Flächen berechnen. kann man sich leichter vorstellen. wenn die Induktivität sehr groß ist. Einen auf einige Kilovolt geladenen Kondensator. dass bei offener Kapazität und bei kurzgeschlossener Induktivität kein Energieverlust auftritt. Diese Diskrepanz hängt vor allem mit den üblichen Materialien zusammen. also Speicher in denen die Energie als Gleichgröße gespeichert ist und bei denen sich der Energieinhalt über die Zeit nur wenig ändert.Grundlagen 8 wobei die Proportionalitätskonstante L der Induktivitätswert ist.. sich mit dem Gedanken an induktive Speicherelemente und ihrer Idealisierung als Stromquelle vertraut zu machen. da er über (Halbleiter-) Schalter realisiert werden muss. (hier fehlt leider das Pendant zur Ladung!) und das ist nichts anderes als das Integral der Spannung u. die bei kurzgeschlossenen Klemmen ihren Strom von einigen Kiloampere über denselben Zeitraum führt.7 ) = i ⋅ L ⋅ di ⇔ 1 2 W = L ⋅ ∫ i ⋅ di 0 I (2.

2) Der Wirkungsgrad des Systems ist überhaupt nur in der rechten Hälfte der Grafik größer als 50% (PRL > PRV). a) b) c) d) Bild 2.4: Leistungssteuerung mit einem variablen Vorwiderstand. die eine Kombination von Kapazität und Induktivität in Parallel. d) serien-resonant 2. der variable Widerstand zwischen Gleichspannungsquelle und Verbraucher vermag die im Verbraucher umgesetzte Leistung zu kontrollieren.3: Zwischenkreisspeicher a) kapazitiv.3 zeigt eine Übersicht der verschiedenen Zwischenkreise. b) induktiv. Bild 2.4b). Tatsächlich wird genau dieses Prinzip z. b) Transistor Die Problematik dieses Vorgehens wird an Bild 2.oder Serienschwingkreisanordnung besitzen. Version 2. Bild 2.5 macht aber auch noch zwei andere Punkte deutlich: 1) In den mit „AUS“ und „EIN“ bezeichneten Arbeitspunkten ist die Verlustleistung im Vorwiderstand gering. Für die Leistungselektronik kommt diese Art der Steuerung deshalb nicht in Frage! Und auch in der Audiotechnik findet man den A-Betrieb aufgrund seines schlechten Wirkungsgrads von deutlich unter 50% kaum in Endstufenverstärkern (dort verwendet man eher den AB. RL RL U0 RV a) U0 b) Bild 2. bei Audioverstärkern im A-Betrieb genutzt. Sei es in Form des guten alten Schiebewiderstands (Bild 2.oder B-Betrieb).5 deutlich: 1) Fast im gesamten Aussteuerbereich tritt am Vorwiderstand sehr große Verlustleistung auf.4a) oder als Transistor (Bild 2. Oktober 2009 . c) parallel-resonant.3 Besonderheiten der Leistungselektronik 2.0.3.Grundlagen 9 Dagegen finden sich zumindest in Nischenanwendungen Systeme mit AC-Speicher. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. a) „Schiebewiderstand“.B. weil dann entweder der Strom oder die Spannung gering sind.1 Leistungssteuerung mittels Vorwiderstand Die analoge Schaltungstechnik kennt ein einfaches Mittel zur Steuerung der Leistung in einem Ohmschen Verbraucher an einer Gleichspannungsquelle: Den veränderbaren Vorwiderstand.

Auf diese Weise lässt sich über das so genannte Tastverhältnis (engl.2 Leistungssteuerung mittels Taktung Um dennoch eine Leistungssteuerung zu realisieren.6: Arbeitspunkte bei einem Transistor als Vorwiderstand 2.3. Oktober 2009 . Bei RV = 0 wäre der Wirkungsgrad sogar 100%. Version 2.5: Leistungsaufteilung bei Steuerung mit variablem Vorwiderstand IC = IRL U0 RL „EIN“ Lastgerade für RL „AUS“ UCE U0 Bild 2.Grundlagen 10 2) Der Wirkungsgrad des Systems ist umso besser je weiter man nach rechts kommt. duty cycle) von EIN-Dauer te zur Gesamtdauer eines Zyklus´ tp = te + ta jede mittlere Leistung ‹pRL› einstellen. Man spricht dann von Taktung. Während der EIN-Phasen wird jeweils die maximale Leistung U0²/RL am Lastwiderstand RL umgesetzt und während der AUS-Phasen gar keine Leistung (Bild 2. hat man nur noch die Möglichkeit. Leider lässt sich das mit Halbleiterschaltern nicht erreichen (siehe Bild 2.0. 2 U0 RL p η < 50% η > 50% pR pR „AUS“ 0 0 RV →∞ R V = RL V L „EIN“ I U0 RL RV = 0 Bild 2. die Forderung nach kontinuierlicher Steuerung fallen zu lassen und sich unter Verwendung der EIN. Es gilt: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.7). Anders ausgedrückt sind nur die beiden Zustände „EIN“ und „AUS“ erlaubt.6 für den Fall eines Transistors als Vorwiderstand).und AUS-Zustände auf die Steuerung der mittleren Leistung ‹pRL› zu beschränken. Alle anderen Arbeitspunkte dürfen nur kurzzeitige Zwischenzustände sein.

Sie durchlaufen die mit hohen Verlusten behafteten Zwischenzustände in endlicher Zeit (Schaltzeit).0.8: Verläufe von Ausgangs. Version 2. Im gesperrten Zustand fließt ein Leckstrom und damit entstehen (vergleichsweise geringe und oft vernachlässigte) Sperrverluste.und Ausschalten meistens deutlich verschieden.7: Getakteter Betrieb 2. so dass Schaltverluste entstehen.Grundlagen 2 U0 t = ⋅ e RL t e + t a 11 p RL (2. wird nicht erreicht.8. 3) Die Schalter sind nicht unendlich schnell.6 für den EIN-Zustand bereits gezeigt. pRL t Schaltzeit pV Ausschaltverluste Einschaltverluste t Durchlassverluste Sperrverluste Bild 2.2.1 Leistungsverluste im getakteten Betrieb Wie in Bild 2. 2) Der ideale AUS-Zustand. wird nicht erreicht. sind Halbleiterschalter keine idealen Schalter. Oktober 2009 . Es sind folgende Nichtidealitäten zu berücksichtigen: 1) Der ideale EIN-Zustand. also RL → ∞. also RL = 0. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die Durchlassspannung des Schalters ist nicht null und daher entstehen Durchlassverluste. Diese sind für das Ein.und Verlustleistung Die zeitlichen Verläufe der Ausgangsleistung (Leistung an RL) und der Verlustleistung (Leistung am Halbleiterschalter) zeigt Bild 2.3.11) RL pRL U RL 2 0 tp ta te t U0 Bild 2.

Darüber hinaus hat der ideale Schalter noch die unangenehme Eigenschaft. entspricht aber wie gerade gezeigt nicht der Realität des Halbleiterschalters. 3) Die Durchlassverluste sind zwar in erster Näherung von der Schaltfrequenz unabhängig. und andererseits wieder ganz abkühlt.12) Das gleiche gilt analog natürlich auch für die Ausschaltdauer.2. Dafür spielen sie bei der Stabilität von Halbleiterbauelementen eine wichtige Rolle.9 oben zeigt Pulse. Im Allgemeinen sind die Sperrverluste gegenüber den anderen Verlusten sogar vernachlässigbar. die deutlich zu lang sind. Die Einschaltdauer te ist demnach viel grösser als die thermische Zeitkonstante τ der Herdplatte.Grundlagen 12 Hinweis: Hier beim Takten und später bei anderen Schaltungen wird zur Erklärung immer wieder der ideale Schalter herangezogen. 2) Je kürzer die Schaltzeiten sind. der sich in endlicher Zeit von einem sehr kleinen auf einen sehr großen Wert ändert. wobei für das Abkühlen dann eine andere Zeitkonstante gelten könnte. desto geringer sind die Schaltverluste. Tatsächlich entspricht das ja ohnehin eher der Realität. sind dafür aber direkt proportional zu eins minus Tastverhältnis. 4) Auch die Sperrverluste sind in erster Näherung von der Schaltfrequenz unabhängig. dafür sind sie aber direkt proportional zum Tastverhältnis. die bei voller Heizleistung möglich ist. eine exponentielle Annäherung an die stationäre Temperatur anzunehmen. Es hängt dabei vom zu steuernden Verbraucher ab. Gemäß der vorangegangenen Aufzählung gibt es offenbar verschiedene Möglichkeiten. Für einfache thermische Lasten ist es meistens eine ausreichende Näherung. da sich das System bis auf die Temperatur aufheizt. Dass das nicht funktioniert.3. Das ist für die Schaltungssimulation z. Neue Zweige entstehen in der Schaltung oder alte fallen weg. die durchschnittlichen Verluste im (Halbleiter-) Schalter zu beeinflussen: 1) Je seltener geschaltet wird. also bei einer Gesamtbetriebszeit von z. Sie verhalten sich wie ein einfaches RC-Glied mit der Zeitkonstante τ. In diesem Fall (Bild 2.0. muss die Einschaltdauer deutlich kleiner sein als die thermische Zeitkonstante (te « τ). Das ist für das grundlegende Verständnis vorteilhaft.B.2 Trägheit des Verbrauchers Unter dem Gesichtspunkt der Verluste wären also gemäß Punkt 1) der vorangegangenen Aufzählung niedrige Schaltfrequenzen vorteilhaft. Als Beispiel sei die Herdplatte betrachtet. so dass für den Temperaturhub während eines Einschaltpulses gilt: ΔT ≈ te τ für t e << τ (2. Man behilft sich deshalb häufig mit einem Widerstand. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.9 unten) kann man die Exponentialfunktion dann durch ihre Tangente im Nullpunkt annähern. Version 2. 2. Oktober 2009 . im Schaltmoment die Topologie der Schaltung zu verändern. wie häufig geschaltet werden muss.B. Das Bild 2. Damit der Temperaturhub klein wird. mit SPICE fast immer mit großen numerischen Problemen oder sogar dem Divergieren der Lösung verbunden. 10 min die ersten 5 min auf EIN und den Rest auf AUS. ist sofort einleuchtend. Im Extremfall würde man überhaupt nur einmal schalten. also je schneller die verlustbehafteten Zustände durchlaufen werden. also je niedriger die Schaltfrequenz fs = 1/tp ist. desto niedriger sind auch die Schaltverluste. Die Steigung dieser Tangente ist 1/τ.

Oktober 2009 . um eine gute Mittelung bzw.B. Während in der Mikroelektronik die Leitungswiderstände und -kapazitäten die Schaltgeschwindigkeit begrenzen. dass sich die Schaltverluste verringern lassen.Grundlagen 13 p. bei einer LED. Leider sind inzwischen aber oft gar nicht mehr die Halbleiterschalter das begrenzende Element. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. wenn die Schaltgeschwindigkeit erhöht wird. eine kleine Fluktuation am Ausgang zu erzielen. ohne dabei den „Vorwiderstand“. also erst beim „Endverbraucher“. durch die Trägheit des Auges. Jede kleinste Leitungsschlaufe ergibt eine zusätzliche Induktivität. Version 2.3. wie z. Generell muss die Pulsdauer viel kürzer sein als die entsprechende Zeitkonstante.und Leistungsverläufe bei unterschiedlichen Pulslängen Zusammenfassend kann also festgestellt werden. die dabei eine Rolle spielen. immer kürzeren Schaltzeiten. können sehr unterschiedlich sein. Dies kann wie bei der Herdplatte mit Hilfe der thermischen Trägheit passieren oder. dass mit Hilfe der Taktung eine Leistungssteuerung möglich ist.0. die zwar an sich klein ist.9: Temperatur. 2. also (Halbleiter-) Schalter zu überlasten. Es wird aber nur die mittlere Leistung gesteuert. sondern das „Drumherum“. Die Zeitkonstanten. Andererseits erhöht eine hohe Schaltfrequenz die Verluste und ist daher zu vermeiden. aber mit den immer größer werdenden Stromänderungsgeschwindigkeiten doch erhebliche Spannungsabfälle verursacht. T T e p t −τ t p. sind es in der Leistungselektronik vor allem die parasitären Induktivitäten oder „Streuinduktivitäten“. Entscheidend dafür sind die Leitungsführung (Bild 2.3 Parasitäre Induktivitäten Im vorangegangenen Abschnitt wurde gezeigt. Tatsächlich geht der Trend bei Leistungshalbleiterbauelementen hin zu immer höheren Schaltgeschwindigkeiten bzw. T ∆T Pmax t Bild 2. Eine induktivitätsarme Aufbautechnik ist daher eine wichtige Voraussetzung für die moderne Leistungselektronik.10 links) und die Konstruktion der einzelnen Komponenten. wobei der Verbraucher die Mittelung durchführt.

Dabei sind folgende Fakten wichtig: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Es besteht also die Gefahr. Die Überspannungen sind also möglichst klein zu halten. bei dem die effektive Streuinduktivität Lσ bei etwa 50 nH liegt. Zusammen mit Stromänderungsgeschwindigkeiten. die heute schon bis in die Größenordnung von 10 kA/µs reichen.0.11 zeigt den Stromspannungsverlauf beim Schalten (Schaltortskurve) einer Ohmschen Last mit Streuinduktivität. die von der Schaltgeschwindigkeit abhängt und erheblich sein kann (siehe Beispiel oben).11: Ortskurve einer Ohmschen Last RL mit Streuinduktivität Lσ Offenbar liegt am Ende des Ausschaltvorgangs (i → 0. Ein konstantes di/dt ist dann nicht mehr möglich (siehe im Bild 2. können sich an dieser Induktivität Spannungsabfälle von U = Lσ·di/dt ≈ 500 V ergeben! Bild 2. also URL i → 0) über dem Schalter zusätzlich zur Quellenspannung U0 noch die in der Streuinduktivität induzierte Spannung Uσ. dass der Schalter durch diese Überspannung beschädigt („Öffnungsfunke“) oder sogar zerstört wird.10: Streuinduktivität Lσ physisch und als konzentriertes Element in der Schaltung Als Beispiel sei ein typischer Traktionsumrichter betrachtet. weil die Zeitkonstante der Streuinduktivität τ = Lσ/RL stets sehr klein ist im Vergleich zur Dauer der Schaltflanke. Beim Einschalten dagegen reicht die Spannung U0 der Quelle nicht mehr aus. Beim Ausschalten wird die Stromsteilheit di/dt allein vom Widerstandsverlauf des Schalters vorgegeben (in diesem Beispiel die etwas künstliche Situation eines konstanten di/dt).Grundlagen 14 RL Lσ Lσ RL U0 Bild 2. Version 2. IC = IRL iC = iRL U0 RL di dt Uσ = Lσ ⋅ di dt aus „EIN“ aus t „AUS“ U0 UCE Bild 2.11 links). Oktober 2009 . Sobald also der Schalter ganz eingeschaltet ist. Außerdem können solche Überspannungen und ihre schnellen Änderungen auch Schwingungen anregen und so EMV-Probleme verursachen. um sowohl den Ohmschen Spannungsabfall über der Last als auch den Spannungsabfall über der Streuinduktivität bei konstantem di/dt zu bedienen. also seinen niedrigsten Widerstand angenommen hat. begrenzt die Streuinduktivität den weiteren Stromanstieg.

Es gilt: 1 (2. Beim Öffnen des Schalters kommutiert der Strom nun in diesen Freilaufzweig und klingt dann aufgrund des Widerstands im Kreis ab.3. a) Freilaufdiode über der Streuinduktivität. 2. Die Energie der Streuinduktivität wird so in der Z-Diode umgesetzt. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. aber die Energie Wσ. RL Lσ RL Lσ DF U0 a) U0 b) Bild 2. Version 2. wobei die Größe der Streuinduktivität als gegeben angenommen wird.13) Wσ = 2 ⋅ Lσ ⋅ I 2 2) Die Spannungszeitfläche ist ebenfalls unabhängig von der Schaltgeschwindigkeit und gegeben durch: I ⋅ L = ∫ u ⋅ dt (2.12: Maßnahmen zur Verringerung des Einflusses der Streuinduktivität. 2.3. b) Z-Diode über dem Schalter.1 Langsam Schalten Die einfachste Lösung ist das langsamere Schalten. Die Streuinduktivität zwischen Quelle und Schalter wirkt weiterhin voll auf den Schalter. Leider erhöht das die Schaltverluste signifikant und ist daher meist nicht möglich. Zudem fallen die Verluste im ohnehin stark belasteten Schalter an.Grundlagen 15 1) Die Überspannung kann zwar je nach Schaltgeschwindigkeit sehr groß werden.12b).3 Spannungsbegrenzer über dem Schalter Während die Freilaufdiode die Entstehung der Überspannung vermeidet.12a).3. Leider kann die Freilaufdiode nur denjenigen Teil der Streuinduktivität entschärfen.0.3.14) t aus Nachfolgend nun einige Gegenmaßnahmen zur Reduktion der Überspannung am Schalter bzw. Sobald die Gesamtspannung (U0 plus Uσ) über dem Schalter die Durchbruchspannung der Z-Diode erreicht hat.2 Freilaufdiode über der Streuinduktivität Eine weitere Möglichkeit ist die Verwendung einer Freilaufdiode DF (Bild 2. der von der Quelle aus gesehen jenseits des Schalters liegt. Die Streuinduktivität wird quasi kurzgeschlossen und ihre Energie im Widerstand und der Diode umgesetzt. zur Minimierung der Folgen. begrenzt die Z-Diode (oder ein Varistor) die Überspannung auf einen unkritischen Wert (Bild 2. also die Verwendung flacherer Schaltflanken (di/dt). Neben dem Schalterzweig steht dem Strom alternativ noch ein Freilaufzweig zur Verfügung. 2. die in der Streuinduktivität gespeichert ist und abgebaut werden muss. lässt die Z-Diode Strom durch. ist immer gleich.3. Oktober 2009 .3.

oder Asynchronmaschinen.13: Kapazitive Beschaltung des Schalters.13a). wodurch einerseits das Zurückschwingen bei geöffnetem Schalter sehr stark gedämpft wird und andererseits das Entladen bei geschlossenem Schalter langsam abläuft (Wichtig: Die RC-Zeitkonstante muss klein gegenüber der Pulslänge sein. zumindest einen Teil der Energie zurück zu speisen. Auch wenn der Schalter nicht ideal. so dass die RCD-Beschaltung weit verbreitet ist. Es gibt deshalb zahlreiche Varianten dieser Schaltung. Vorteilhaft ist auch.4 RCD-Beschaltung des Schalters 16 Eine andere Möglichkeit. Solche Schaltungen sind aber häufig sehr viel aufwändiger und damit teurer. Die Entladung der Kapazität ist nur über den Widerstand möglich. Darüber hinaus eröffnen sich mit Wechselspannung andere Formen der Leistungssteuerung.3. b) RCD-Beschaltung. 2. Außerdem sind ein Großteil der Erzeuger rotierende Generatoren. einen Widerstand (daher die Bezeichnung RCD. mit deren Hilfe man versucht. Zwar lassen sich die eben genannten Nachteile nicht völlig vermeiden. Beim Ausschalten wird die Kapazität über die Diode aufgeladen und reduziert die Überspannung. Die Kapazität wird nun nicht mehr direkt über den Schalter gelegt. also widerstandsbehaftet wäre.4 Leistungsteuerung bei Wechselspannung Wechselspannung hat für die Leistungselektronik eine besondere Bedeutung und ist spätestens seit dem legendären „Stromkrieg“ zwischen Westinghouse (Wechselspannung) und Edison (Gleichspannung) die bestimmende Stromform für die Energietechnik. RCD-snubber). sondern über eine Diode bzw. brauchen also ebenfalls Wechselspannung. a) Einfacher Kondensator. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.Grundlagen 2. dass die überschüssige Energie zum größten Teil im Widerstand und nicht im Schalter umgesetzt wird. Version 2. und ein Großteil der Verbraucher sind Synchron. Die Diode verhindert dann aber das sofortige Zurückschwingen. engl. also das Oszillieren. Die Energie der Streuinduktivität wird dann beim Öffnen des Schalters in die Kapazität übertragen und die Überspannung bleibt klein. erzeugen also Wechselspannung.3. Dennoch geht auch hier bei jedem Schaltvorgang mindestens die Energie ½·C·U0² verloren. Leider ist diese Variante nur theoretisch möglich. aber sie lassen sich auf ein technisch sinnvolles Maß reduzieren. würde in jedem Fall die gesamte Energie der Kapazität (½·C·U0²) im Schalter umgesetzt.0. Zum einen ergibt sich zusammen mit der Streuinduktivität ein Serienschwingkreis und zum anderen würde beim Wiedereinschalten ein unendlich hoher Strom über den Schalter fließen (idealer Kurzschluss der Kapazität). dass sie mit Transformatoren leicht auf jedes gewünschte Spannungsniveau transformiert werden kann (Leistungsübertragung mit Hochspannung).13b gezeigt. Oktober 2009 . Die Wechselspannung hat den großen Vorteil. RL Lσ RL Lσ U0 a) U0 b) Bild 2. Die dazu notwenige RCD-Beschaltung des Schalters ist in Bild 2. so wie bei der einfachen Kapazität. da sich sonst die Kapazität immer weiter auflädt und schließlich wirkungslos wird!). da sie einige unakzeptable Nachteile besitzt.3. ist eine Kapazität parallel zum Schalter (Bild 2. die Überspannung zu begrenzen.

also zusätzlichen kapazitiven Strom. Der Betrag der an der Last wirksamen Spannung URL ergibt sich aus der Quellenspannung U0 und dem Betrag des Teilungsverhältnisses: RL RL (2. also ohne galvanische Trennung von Eingangs. b) Mit Kompensation durch eine Kapazität.3.Grundlagen 2.14: Komplexer Spannungsteiler zum Heruntertransformieren. a) Einfache Induktivität. also auch keine zusätzliche Wirkleistung umgesetzt wird. Bis zur Einführung der Leistungselektronik in den 1980er Jahren wurde der Stelltransformator für den Antrieb von Elektrolokomotiven verwendet.1 Stelltransformator 17 Neben der starren Umsetzung von einem Spannungsniveau auf ein anderes mittels Transformator kann die Umsetzung auch variabel mit einem Stelltransformator (fälschlich auch Regeltransformator) erfolgen.4. Durch Zuschalten von Kapazitäten wird die Phasenverschiebung minimiert.16) C RL L RL U0 ~ a) L U0 ~ b) Bild 2.und Ausgangsspannung. wobei außer der Last keine Wirkwiderstände verwendet werden. Die grundlegende Idee ist die eines komplexen Spannungsteilers. Version 2. lässt sich das kompensieren (Bild 2. weil ein Schleifer an der Sekundärwicklung des Stelltransformators (eventuell per Motor) mechanisch verstellt werden muss. Die Schaltung nach Bild 2. Dazu muss die Kapazität so dimensioniert werden. Auf Grund der variablen Ausgangsspannungen ergeben sich dann je nach Last auch unterschiedliche Ausgangsleistungen.14b).2 Resonanztransformation Die Resonanztransformation hat für die Leistungselektronik zwar keine Bedeutung.3.4.14a. Oktober 2009 . soll hier aber der Vollständigkeit halber erwähnt sein. Dabei ist allerding zu berücksichtigen. Durch Parallelschalten einer Kapazität. Eine Variante des Stelltransformators ist der Sparstelltransformator mit nur einer Wicklung.15) U RL = U 0 ⋅ = U0 ⋅ 2 R L + jωL R L + ω 2 L2 Diese einfache Schaltung hat den Nachteil. Es ist ein komplexer Spannungsteiler aus der Last RL und einer Induktivität. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. dass sich eine große (induktive) Phasenverschiebung zwischen Quellenstrom und -spannung ergibt. 2. dass die Steuerung der Leistung nur sehr langsam erfolgen kann.0. Die einfachste Variante zeigt Bild 2.14b ist im Grunde nichts anderes als die Blindstromkompensation bei einer Ohmsch-induktiven Last. dass der Imaginärteil der Gesamtimpedanz verschwindet: ⎧ L 1 ⎫ Im⎨(R L + jωL ) ⎬=0 ⇒ C = 2 jωC ⎭ R L + ω 2 L2 ⎩ (2.

15 gezeigten Schaltung aber ändern. treten kaum Oberwellen (→Frequenzspektrum) auf. je höher die Netzfrequenz ist. es gibt also keine EMV-Probleme.3. Diese Art der Steuerung hat einige Vorteile: 1) Da jeweils im Nulldurchgang geschaltet wird.0. Außerdem ist die Spannung an der Last immer kleiner als die Quellenspannung. Wie Bild 2. Das spielt bei langsamen Systemen wie Öfen aber ohnehin keine Rolle und viele der (überwiegend) Ohmschen Verbraucher sind solche langsamen. Gegenüber der Taktung bei Gleichspannung ist hier noch ein wichtiger Unterschied zu berücksichtigen: Der Strom muss in beide Richtungen fließen können und am geöffneten Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. die Steuerung also quantisiert ist. die jeweils von Nulldurchgang zu Nulldurchgang reichen und dazwischen der Wechselspannung folgen. Das ist bei Wechselspannung anders. die nicht starr an das 50 Hz-Verbundnetz gekoppelt sind. Gerade das ist aber eine interessante Tendenz. Bordnetze in Fahrzeugen oder Schiffen. 400 Hz). 2) Wegen der geringen Stromänderungsgeschwindigkeit (di/dt) spielen Streuinduktivitäten kaum eine Rolle. Die Quantisierung wird außerdem immer unwichtiger. Oktober 2009 . Richtig interessant wird dieses Vorgehen aber erst bei Mittelfrequenz.und Spannungsverläufe der Sinusform folgen. werden deshalb schon heute bei höheren Frequenzen betrieben (z.16 rechts zeigt. Höhere Netzfrequenzen würden dann zu erheblich kleineren Transformatoren und anderen passiven Komponenten im System führen und so beträchtliche Einsparungen an Volumen. Gewicht und Kosten bringen. z.4.Grundlagen 18 Bei beiden Schaltungen ist das Teilungsverhältnis offenbar frequenzabhängig und bei gegebenen Komponenten ansonsten konstant. Die Schalterverluste bestehen also fast ausschließlich aus Durchlassverlusten. thermischen Systeme. C RL U0 ~ L Bild 2. Durch Ausnutzung der Resonanz des mit der Last bedämpften LC-Serienschwingkeises können sich auch Spannungen größer als die Quellenspannung erzielen lassen. Version 2. Zu jedem Zeitpunkt war die Spannung gleich. Das kann im Extremfall die positive oder negative Spitzenspannung sein. 20 kHz.B. Je nach Zeitpunkt des Schaltvorgangs wird eine andere Spannung an die Last geschaltet. ergeben sich dadurch einzelne Schwingungspakete. also z. 3) Da die Strom. aber auch der Spannungsnulldurchgang. Inselnetze. Demgegenüber steht die Einschränkung.B. dass die Schwingungspakete immer nur ganzzahlige Vielfache der halben Periode lang sein können. weil die kleinen Schaltverluste und geringen EMVProbleme der Schwingungspaketsteuerung gerade höhere Netzfrequenzen zulassen.15: Komplexer Spannungsteiler zum Hochtransformieren 2.3 Schwingungspaketsteuerung Bei der Steuerung von Gleichstrom durch Taktung gab es keine ausgezeichneten Schaltzeitpunkte. Zumindest der letzte Punkt ließe sich mit der in Bild 2. treten im Schalter kaum Schaltverluste auf. Für die Schwingungspaketsteuerung wählt man nun genau den Spannungsnulldurchgang.B.

Vielmehr setzt man selbstlöschende Schalter wie Thyristoren oder für kleinere Leistungen auch TRIACs ein.Grundlagen 19 Schalter kann in beide Richtungen Spannung anliegen. RL i i ˆ U0 RL te ta U0 ~ t Bild 2. 3) Es treten Einschaltverlust auf.0. Man verlegt hier die Steuerung in jede einzelne Halbwelle. i u0 i t α U0 ~ ˆ U0 RL Bild 2. von Phasenabschnittsteuerung. in dem man jeweils nur einen Teil der Halbwelle passieren lässt. Dafür hat die Phasenanschnittsteuerung einige gravierende Nachteile: 1) Es treten starke Oberwellen auf. spricht man von einer Phasenanschnittsteuerung.3.17).16: Schwingungspaketsteuerung 2. schnelleren Lösung. 2) Die Grundwelle des Stroms zeigt je nach Steuerwinkel Phasenverschiebung gegenüber der Quellenspannung.4. wobei α Werte von null (kein Anschnitt) bis π (komplett blockiert) annehmen kann. Wird der erste Teil der Halbwelle blockiert (Bild 2. Durch die Steuerung jeder einzelnen Halbwelle erzeugt die Phasenanschnittsteuerung sehr kleine Schwankungen in der Leistung am Verbraucher und lässt sich mit verhältnismäßig wenig Aufwand realisieren (Dimmer für Glühlampen). RL i ˆ U0 u.17: Phasenanschnittsteuerung bei rein Ohmscher Last Wie viel von einer Halbwelle blockiert wird. die bei einer Steuerung an 50 Hz alle im hörbaren Bereich liegen (→Frequenzspektrum).4 Phasenanschnittsteuerung Fälle. Oktober 2009 . Je nach Bedarf zündet man dann erneut oder das Schwingungspaket ist zu Ende. bedürfen einer anderen. weil das System nicht träge genug ist. in denen die Vorteile der Schwingungspaketsteuerung nicht genutzt werden können. da der Strom sofort auf u(t)/RL springt. wird üblicherweise durch den Steuerwinkel α angegeben. Ein einfacher Transistor ist deshalb nicht geeignet. die jeweils am Anfang einer Halbwelle gezündet werden und beim nächsten Nulldurchgang von alleine verlöschen. Version 2. wird der letzte Teil der Halbwelle blockiert. also ta + te « τSystem nicht erfüllt ist (Beispiel: Glühbirne am 50 Hz-Netz). eine erhebliche Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. wobei diese Variante fast nur für die Steuerung von Kapazitäten genutzt wird und hier nicht weiter betrachtet werden soll.

Version 2.18: Phasenanschnittsteuerung bei Ohmsch-induktiver Last Besitzt die Ohmsche Last einen großen induktiven Anteil. Auf der einen Seite verhindert der induktive Anteil einen schnellen Stromanstieg und verringert so die Einschaltverluste. hat die Quelle bereits eine erhebliche Spannung (mit umgekehrtem Vorzeichen) und die Spannung am Schalter springt auf diesen Wert. i u0 i α ∆u t U0 ~ ˆ U0 RL Bild 2.18). Auf der anderen Seite fließt der Strom aber über den Nulldurchgang der Spannung weiter. Die dabei entstehenden Spannungsänderungsgeschwindigkeiten (du/dt) können sehr groß werden und ihrerseits Probleme in der Schaltung oder dem Schalter verursachen.0. in dem der Strom dann null wird und der Schalter verlöscht.Grundlagen 20 RL LL i ˆ U0 u. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. In dem Moment. verändert sich der Stromverlauf deutlich (Bild 2. Oktober 2009 .

Entweder ist die Last träge genug. also einen DC-Speicher. weil er einem Wechselspannungsnetz Energie entnimmt und damit den Zwischenkreiskondensator. oder es bedarf weiterer Maßnahmen.1 zeigt links die Schaltung mit einer rein Ohmschen Last und rechts die auftretenden Spannungs.2 links gezeigt ist. lädt.Grundschaltungen der Leistungselektronik 21 3 Grundschaltungen der Leistungselektronik 3. Version 2. bilden die Kapazität und die Last ein einfaches RC-Glied. Im einfachsten Fall ist der Gleichrichter ungesteuert. während der negativen fließt gar kein Strom. Bild 3. Man kann bei gegebener Last und minimal zulässigem Strom also die Mindestkapazität berechnen. 3.2.2 ist die Kapazität Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. die Diode. wie sie in Bild 3. i u0 i t U0 ~ Bild 3. einen Eingangsteil. da sie nur in eine Richtung leitend werden kann und in die andere Richtung sperrt. Die Spannung über der Kapazität und damit auch der Strom durch die Last fallen daher mit der Zeitkonstante τ = RC exponentiell ab. ist das schon fast ein komplettes leistungselektronisches System gemäß Bild 2.3. ist offenbar ein gravierender Nachteil der Schaltung von Bild 3. also ohne die bei Halbleiterdioden unvermeidlichen Nichtidealitäten wie Durchlassspannung.1 Gleichrichter (AC → DC Converter) Eine der grundlegenden Aufgaben in der Leistungselektronik ist die Gleichrichtung von Wechselstrom bzw. Während der negativen Halbwellen. Einschaltüberspannung und Sperrverzögerung. um die Leistungsfluktuation selber auszugleichen (Abschnitt 2.2).0. und einen Verbraucher. RL i ˆ U0 ˆ U0 RL u.2. die während der positiven Halbwellen aufgeladen wird und während der negativen Halbwellen die Last mit Strom versorgt und auf diese Weise von der Quelle entkoppelt! Wenn man so will. AC→DC-Wandlung. so ist der dort als „Eingangsteil“ bezeichnete Funktionsblock häufig ein Gleichrichter. einen Speicher. Die Wirksamkeit der kapazitiven Glättung und damit der Entkopplung zwischen Quelle und Last hängt nun maßgeblich von der Größe der Kapazität ab. Eine Möglichkeit ist die Verwendung einer kapazitiven Glättung.2: Es gibt einen Erzeuger. die Quelle.1 Ungesteuerter Gleichrichter Bereits der Einsatz einer einzelnen Diode führt zu einer Gleichrichtung des Stroms.1.und Stromverläufe. Dabei wurde eine ideale Diode angenommen.1. Betrachtet man noch einmal Bild 2. die Kapazität. Oktober 2009 . die Ohmsche Last. wenn also die Diode sperrt. Der Ausgangsteil ist hier nicht nötig. Parallel zur Last ist hier eine Kapazität CG geschaltet.1: Gleichrichter mit rein Ohmscher Last Dass während der negativen Halbwellen gar kein Strom durch die Last fließt. Während der positiven Halbwellen folgt der Strom durch die Last dem Sinusverlauf der Spannung. In Bild 3.

Grundschaltungen der Leistungselektronik

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so groß angenommen, dass man die Exponentialfunktion wieder durch ihre Tangente im Nullpunkt annähern kann, der Spannungsverlauf zwischen den positiven Halbwellen also annähernd linear ist. Wäre die Kapazität noch viel größer, würde sich die Spannung kaum verringern und man könnte die Kapazität als Konstantspannungsquelle betrachten. Es ist übrigens noch wichtig zu beachten, dass immer nur dann Strom durch die Diode fließt, wenn die Spannung der Quelle grösser als die der Kapazität bzw. im angenommenen Idealfall gleich der der Kapazität ist. Im Bild 3.2 ist das immer dann der Fall, wenn die gestrichelte und die gepunktete Linie aufeinander liegen. Die Kapazität wird also nur während eines Teils der positiven Halbwellen geladen.

RL u CG

i
ˆ U0
ˆ U0 RL

u, i
ˆ uc = U 0 ⋅ e

t −t U ˆ

0

R ⋅C

U0

~

i u0

t

Bild 3.2: Gleichrichter mit kapazitiver Glättung
Ein weiterer Nachteil der Schaltung aus Bild 3.2 ist die Tatsache, dass sie so nur selten vorkommt. Meistens besitzen die Verbraucher einen deutlichen induktiven Anteil. Die entsprechende Schaltung ist in Bild 3.3 links gezeigt. Anders als bei der rein Ohmschen Last bildet der Laststrom jetzt keine Sinushalbwellen mehr. Die Induktivität LL verhindert anfangs einen steilen Stromanstieg und führt dann dazu, dass der Strom auch nach dem Nulldurchgang der Quellenspannung weiter fließt. Erst wenn die negative Spannungs-ZeitFläche ∫uLL- an der Induktivität genauso groß ist, wie die positive ∫uLL+ vorher war, wird der Strom zu null. Wie bei der Phasenanschnittsteuerung in Abschnitt 2.3.4.4 springt auch hier dann die Spannung über der Diode auf den Momentanwert der Quelle und kann unter Umständen EMV-Probleme verursachen.

RL

LL

i

ˆ U0
ˆ U0 RL

u, i

∫uLL+ ∫uLLi ∆u u0 uRL t

U0

~

Bild 3.3: Gleichrichter mit Ohmsch-induktiver Last
Auch wenn es sich formal ebenfalls um eine Ohmsch-induktive Last handelt, ist die Verwendung einer großen Induktivität zur Glättung des Laststroms ein völlig anderer Fall. Würde man die Schaltung wie in Bild 3.3 links verwenden, würde jede negative Halbwelle den Strom der Induktivität auf null zurückführen, da die Diode solange leitend bleibt, wie

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009

Grundschaltungen der Leistungselektronik

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Strom durch die Induktivität fließt. Die Strom- und Spannungsverläufe würden qualitativ ähnlich wie in Bild 3.3 rechts aussehen. Das ist aber nicht beabsichtigt. Man schaltet daher eine Freilaufdiode parallel zur Induktivität (Bild 3.4) und eröffnet dem Strom so einen alternativen Zweig. Getrieben durch die Quellenspannung (Spannungs-Zeit-Fläche!) steigt der Strom durch die Induktivität während der positiven Halbwelle an. Zu Beginn der negativen Halbwelle wechselt der Strom dann in den Freilaufzweig und klingt aufgrund der Ohmschen Verluste exponentiell mit Zeitkonstante τ = LG/RL ab. Bei großen Induktivitäten ergibt sich wieder ein annähernd linearer Verlauf (Bild 3.4 rechts). Bei einer sehr großen Induktivität ist der Stromabfall (aber auch Anstieg) sogar vernachlässigbar und man kann sie als Konstantstromquelle betrachten. Im Sinne des leistungselektronischen Systems wäre das dann ein Stromzwischenkreis.

RL

LG

i

ˆ U0

u, i i t u0

DF U0 ~

Bild 3.4: Gleichrichter mit induktiver Glättung
3.1.2 Ungesteuerter Brückengleichrichter Die bisher beschriebenen Gleichrichtervarianten zeigten alle ein ähnliches Verhalten: Während der negativen Halbwelle wird keine Leistung aus der Quelle entnommen. Entweder wird in dieser Zeit dann gar keine Leistung in der Last umgesetzt, oder nur Energie, die während der positiven Halbwelle kapazitiv oder induktiv zwischengespeichert worden war. Zum einen erfordert das entsprechend große Speicher und zum anderen wird die Quelle zumindest kurzzeitig viel stärker belastet. Eine klare Verbesserung bringt hier die Brückenschaltung. Bild 3.5 zeigt einen Brückengleichrichter mit rein Ohmscher Last.
ˆ U0

u, i u0 i t

i U0 ~ RL

ˆ U0 RL

Bild 3.5: Brückengleichrichter mit rein Ohmscher Last
Gegenüber dem einfachen Gleichrichter aus Bild 3.1 braucht der Brückengleichrichter insgesamt vier, also drei Dioden mehr. Es ist also ein deutlicher Zusatzaufwand damit verbunden. Dafür wird in den positiven und in den negativen Halbwellen jeweils die gleiche Leistung umgesetzt. Die Schwankungen in der Last sind somit kleiner und die Leistungsaufnahme aus der Quelle ist viel gleichmäßiger, insbesondere sind die maximalen Ströme viel kleiner. Natürlich kann man darüber hinaus auch die gleichen kapazitiven oder

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009

Grundschaltungen der Leistungselektronik

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induktiven Glättungen (= Zwischenspeicherungen) wie beim einfachen Gleichrichter anwenden. Die Ausgangsspannung bzw. der Ausgangsstrom werden dann noch gleichmäßiger bzw. es werden für ein ähnliches Resultat viel kleinere Speicher gebraucht. Insofern relativiert sich der Zusatzaufwand für die Brückenschaltung dann wieder. Das gilt umso mehr, als die Brückenschaltung bereits die Freilaufzweige für den induktiven Speicher enthält bzw. diese gar nicht braucht.

ie 1 U0 ~ 2 4 3 LG ia RL

ˆ U0

u, i u0 ie t

ˆ U0 2RL

Bild 3.6: Brückengleichrichter mit induktiver Glättung
Bild 3.6 zeigt links einen Brückengleichrichter mit Glättung durch die Induktivität LG. Ist die Glättungsinduktivität groß genug, kann sie als Konstantstromquelle angesehen werden, weil eine anliegende Spannung nur vernachlässigbar kleine Stromänderungen hervor ruft. Genau das zeigt sich am Stromverlauf in Bild 3.6 rechts. Der Ausgangsstrom ia ist aufgrund der Induktivität konstant, also eigentlich Ia, und fließt je nach Quellenspannung entweder durch die Dioden 1 und 4 (positive Halbwelle) oder durch 2 und 3. Für den Eingangsstrom ie bedeutet das folglich einen rechteckförmigen Verlauf. Die perfekte Glättung des Ausgangsstroms hat also eine sehr unangenehme Auswirkung auf die Eingangsseite. Im Allgemeinen ist das für den Erzeuger bzw. das Netz und die anderen Verbraucher aufgrund von EMV-Problemen nicht akzeptabel. Man wird daher auf der Eingangsseite eine Filterung vorsehen müssen. Ein einfaches Beispiel bestehend aus einer Induktivität und einer Kapazität zeigt Bild 3.7. Je nach Anforderung könnten weitere Filterstufen notwendig werden.

LF

~

CF

Bild 3.7: Brückengleichrichter mit Eingangs- bzw. Netzfilter
Das Beispiel des Brückengleichrichters mit idealer Glättungsinduktivität zeigt ein generelles Problem der Leistungselektronik sehr deutlich: Man wird nie eine ideale Umformung erreichen, sondern immer auf eine Filterung angewiesen sein. Ob diese Filterung am Eingang, am Ausgang, oder wie meistens, an beiden Orten stattfindet, das ist dann eine Frage der Anforderungen bzw. der Auslegung. Darüber hinaus lassen sich die Belastungen für das Netz durch Verwendung von mehrpulsigen Brückenschaltungen weiter verringern. Die Verhältnisse sind aber grundsätzlich ähnlich wie bei der einfachen Brückenschaltung und sollen hier deshalb nicht weiter behandelt werden. Es sei dazu auf die Literatur verwiesen.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009

ie 1 U0 ~ 2 4 3 I0 ˆ U0 I0 u. Nimmt man nun die Schaltung aus Bild 3.8 zeigt. während Strom und Spannung in den p.und Spannungsverläufe. worauf das alte Paar zu sperren beginnt. Das ergab sich dadurch. bei α = π dagegen wird nur Leistung aufgenommen. Die dafür verwendeten Schaltungen sind aber grundlegend für viele andere. Bei α = 0 wird nur Leistung aus der Quelle abgegeben (identisch zum ungesteuerten Fall). Da die Spannung zu diesem Zeitpunkt bereits das Vorzeichen gewechselt hat. dass die Dioden immer nur dann leitend werden konnten. bis schließlich das Paar 2-3 gezündet wird. War der Gleichrichter ursprünglich der Eingangsteil.3 Gesteuerter Brückengleichrichter 25 Bis auf das Rückschwingen der Induktivität in Bild 3.1. es wird also Leistung aus der Quelle bezogen. Auf diese Weise ergibt sich dann eine umgekehrte Stromrichtung in der Quelle. Von der Quelle aus betrachtet verhält sich der Gleichrichter also wie eine Induktivität und im Mittel wird der Quelle keine Leistung (Wirkleistung) entnommen. Version 2. Wie bei der Phasenanschnittsteuerung wird das Thyristor-Paar 1-4 erst mit einer Verzögerung um den Steuerwinkel α gezündet. wenn die Ströme und Spannungen entsprechende Vorzeichen hatten. Die Energieflussrichtung hat sich dann völlig umgekehrt.3 wurde bei den ungesteuerten Gleichrichtern grundsätzlich immer Leistung aus der Quelle entnommen und nie dorthin zurückgespeist. Bild 3. also Konstantstromquelle am Ausgang und rechts die Strom. Es findet Rückspeisung statt. Oktober 2009 . die Quelle also Leistung aufnimmt.8 zeigt links die entsprechende Schaltung eines gesteuerten Brückengleichrichters mit sehr großer Induktivität. nimmt er jetzt bei der Rückspeisung die Funktion eines Ausgangsteils wahr (vergleiche Abschnitt 2. Offenbar kann man durch Wahl des Steuerwinkels das Verhältnis von abgegebener zu aufgenommener Leistung variieren. an denen die einzelnen Schalter leitend werden von außen vorgeben.0.1).8: Gesteuerter Brückengleichrichter bei konstantem Ausgangsstrom Wie Bild 3. treibt sie den Strom sofort in das neue Paar (geht so nur bei Lσ = 0!).Grundschaltungen der Leistungselektronik 3. i u0 ie α pp+ pp+ pp+ pt Bild 3. komplexere Schaltungen und sollen daher nun ausführlicher behandelt werden. Der Strom fließt dann mangels Alternativen so lange durch dieses Thyristor-Paar. dann kann man die Zeitpunkte. also steuerbare Schaltelemente. 3. Strom (Grundschwingung) und Spannung sind dann genau um eine Viertelperiode verschoben.Intervallen unterschiedliche Richtungen haben. Interessant ist auch noch der Fall α = π/2.2 Gleichstromumrichter (DC → DC Converter) Die echte DC→DC-Wandlung ist in der (Hoch-) Leistungselektronik eine eher seltene Aufgabe. haben Strom und Spannung in den mit p+ gekennzeichneten Intervallen jeweils dieselbe Richtung.6 und ersetzt die Dioden durch Thyristoren. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Es fließt reine Blindleistung.

was zu einem Anstieg des Laststroms bzw. Chopper) 26 Der einfache Gleichstromsteller bzw.Grundschaltungen der Leistungselektronik 3. iS U0 iS iL LL uL RL -U0 uD. t a uL. dass der Strom. a) Beim Aufstromen (Energieeinspeisung).9 rechts unten). In dieser Situation liegt die Quellenspannung in Sperrrichtung über der Freilaufdiode. Version 2.2. Die Quellenspannung liegt außerdem über der Ohmsch-induktiven Last. Im Bild oben (a) ist der Zustand mit geschlossenem Schalter dargestellt. der sich eigentlich exponentiell seinem Maximalwert U0/RL nähern Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. sondern einen großen induktiven Anteil. iD iD a) te b) ta uS= U0-uL uL iL= i b) t a) t t uD= -uL Bild 3. oder sogar überwiegend induktiv ist.7) und für den Fall einer signifikanten Streuinduktivität mit einer Freilaufdiode erweitert (Bild 2.1 Einfacher Gleichstromsteller (Zerhacker. Der Gleichstromsteller für eine rein Ohmsche Last wurde bereits im Abschnitt über die Taktung eingeführt (Bild 2.9 zeigt die gegenüber Bild 2.9 rechts oben und Mitte). b) Im Freilauf Bild 3. Oktober 2009 . Wie schon mehrfach angesprochen ist es in der Leistungselektronik nun aber häufig so. Die Größe der Induktivität ist in diesem Beispiel so bemessen. L τ L = L >> t e . dass die Last nicht nur eine Streuinduktivität besitzt. iL RL iS iD U0 i a) iS uS iD U0 b) DF i DF U0 iL LL uL RL uS.0. Zerhacker (engl. an der grundsätzlichen Struktur der Schaltung ändert das jedoch nichts. die Induktivität also eher einen parasitären Widerstand besitzt als umgekehrt.9: Einfacher Gleichstromsteller mit Ohmsch-induktiver Last. des Schalterstroms führt (Bild 3. chopper) ist die Grundschaltung der Leistungselektronik schlechthin.12a unveränderte aber etwas anders gezeichnete Schaltung mit einer Lastinduktivität LL an Stelle der Streuinduktivität. Das verändert zwar die Auslegung der einzelnen Komponenten. so dass dieser Zweig keinen Strom führt (Kurven im Bild 3.12a).

1. Insgesamt ergibt sich in der Last ein kontinuierlicher. dass die Spannungs-Zeit-Flächen (in 3. der jeden Stromfluss durch diesen Zweig blockiert. Im Bild 3.5) Daraus lässt sich schließlich der mittlere (Last-) Strom ‹i› bestimmen: i = U0 t ⋅ e RL t e + t a (3.0.Grundschaltungen der Leistungselektronik 27 würde. Es gilt: di dt bzw. also eingeschwungenen Betrieb muss jeweils der Stromanstieg in der EIN-Phase gleich dem Stromabfall in der AUS-Phase sein.9 unten (b) ist der Zustand mit offenem Schalter dargestellt.1) = − aus = − i ⋅ RL LL (3. Version 2.4 unterstrichen) gleich groß sein müssen. Für die Induktivität bedeutet das.3) ein bzw.1 Stromverlauf Unter der Annahme einer großen L/R-Zeitkonstante und bei vernachlässigbaren Durchlassspannungen des Schalters und der Diode lassen sich die Stromänderungsgeschwindigkeiten leicht berechnen. der nachfolgend näher untersucht werden soll. Die absolute Länge der EIN. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. = ein U LL LL di dt = U 0 − U RL LL U RL LL = U 0 − i ⋅ RL LL (3. Der Laststrom muss deshalb in die Freilaufdiode „ausweichen“.6) Der mittlere Strom ‹i› ist also derjenige Strom U0/RL. aber entgegengesetztes Vorzeichen haben. In diesem klingt der Strom nun exponentiell ab und kann aufgrund der Lastzeitkonstante wiederum durch eine Gerade approximiert werden. Aus dieser Gleichheit folgt: ΔI ein = − ΔI aus ⇒ 1 1 ⋅ (U 0 − i ⋅ R L ) ⋅ t e = ⋅ i ⋅ RL ⋅ t a LL LL (3.2. 3. wobei ‹i› jeweils den mittleren Strom bezeichnet: ΔI ein = ∫ di dt te dt = ∫ di U 0 − i ⋅ RL 1 1 dt = ⋅ ∫ (U 0 − i ⋅ RL )dt = ⋅ (U 0 − i ⋅ RL ) ⋅ t e LL LL te LL te dt = − ∫ 1 1 i ⋅ RL dt = − ⋅ ∫ i ⋅ RL ⋅ dt = − ⋅ i ⋅ RL ⋅ t a LL LL ta LL ta (3. dem Verhältnis aus EIN-Dauer zu Gesamtpulsdauer. wenn auch dreiecksförmiger Stromverlauf. ΔI aus = ta ∫ dt (3. Die Quellenspannung liegt nun über dem offenen Schalter. Es bildet sich ein neuer Stromkreis aus Last und Freilaufdiode. der sich bei unendlich lange eingeschaltetem Schalter ergeben würde (keine Stromänderungen mehr!).oder AUS-Phasen hat also keinen Einfluss auf den mittleren Strom. durch eine Gerade approximiert werden kann (Zeitkonstante τL = LL/RL der Last ist viel größer als die Dauer der Pulse).2) Daraus wiederum ergeben sich die Stromänderungen während eines Pulses.3 und 3. Oktober 2009 . multipliziert mit dem Tastverhältnis.4) aus Für den stationären.

so dass die Glättung des Ausgangsstroms nicht erst im Verbraucher passieren muss (vergl. gegebenem Widerstand RL und gegebenem Tastverhältnis. der in Bild 3. Dafür fließt der Strom hier aber kontinuierlich. die aus der Quelle entnommen wird.2. Es wird auch keine Leistung in die Quelle zurückgespeist. der während einer Periode auftritt.2. Da in der AUS-Phase keine Leistung entnommen wird. Eine große Induktivität mit wenig Widerstand ergibt also einen kleinen Stromrippel. weil jetzt zusätzlich auch der Strom vom Tastverhältnis abhängt. Die Fläche unter der Stromkurve ergibt sich wiederum als mittlerer Strom ‹i› mal Dauer te der EIN-Phase. Das hat dann aber wieder hohe Schaltverluste zur Folge. Alle Leistung.6) für den mittleren Strom ‹i› kann man schließlich schreiben: p RL = U0 ⋅ i ⋅ te te + ta ( 3 . Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Oktober 2009 .6 ) = 2 U0 RL ⎛ t ⋅⎜ e ⎜t +t ⎝ e a ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2 (3. Die Abstraktion des einfachen Gleichstromstellers ist nun die Spannungsquelle. ist der Stromhub nur von der Gesamtpulslänge (te+ta) bzw.4) umformen zu: ΔI aus = 1 ⋅ i ⋅ RL ⋅ t a = LL i ⋅ ta τL = i ⋅ ta t +t ⋅ e a τL te + ta (3. 3.2. deren Funktion zu abstrahieren. Auch hier gilt es also wieder einen Kompromiss zu finden.7) Für einen gegebenen mittleren Strom. sondern von der Lastinduktivität übernommen wird (vergl. das ist die Fläche unter der Stromkurve multipliziert mit der konstanten Quellenspannung U0.3.4 des Gleichrichters mit induktiver Glättung). Bei der Berechnung hilft nun Bild 3. muss also letztlich im Lastwiderstand umgesetzt werden. Die während einer EIN-Phase entnommene Energie ergibt sich als das Integral über die Momentanleistung der Quelle.2 Leistung Die in der Last umgesetzte (mittlere) Leistung ließe sich mit Hilfe des Stromverlaufs und des Widerstands berechnen. wie im nächsten Abschnitt gezeigt wird.3.3 Gleichstromsteller als Spannungsquelle In der Leistungselektronik versucht man häufig Schaltungen bzw. Mit der Zeitkonstanten τL = LL/RL kann man Gleichung (3.0.6) also bei gegebener Quellenspannung U0. der Schaltfrequenz (1/Pulslänge) und der Zeitkonstanten der Last abhängig. die zwischen U0 (Schalter ein) und 0 V (Freilaufdiode leitend) hin und her schaltet. An der Last ergibt sich dann wieder genau der Spannungsverlauf uL. Version 2. 3.1.Grundschaltungen der Leistungselektronik 28 Dafür bestimmen die absoluten Zeiten aber den Stromhub (imax-imin).2) besitzt die mittlere Leistung hier eine quadratische Abhängigkeit vom Tastverhältnis. genauso wie häufiges Schalten. um auf diese Weise die Gesamtfunktion einfacher verstehen zu können (Beispiel: Stromquelle statt großer Induktivität). da der Strom durch die Quelle immer positiv (oder null) ist.1.2). ergibt sich die mittlere Leistung ‹pRL› dann aus dem Energieintegral geteilt durch die Gesamtpulsdauer (te+ta) und mit Gleichung (3. so dass eine andere Überlegung einfacher zum Ziel führt: Da eine ideale Diode und ein idealer Schalter angenommen wurden. dazu Bild 3.9 Mitte rechts. gemäß Gleichung (3. Abschnitt 2. die bei induktivem Schalten besonders hoch sind. Daraus würden sich aber quadratische Integrale ergeben. wird in der Schaltung außer im Lastwiderstand keine Leistung umgesetzt.8) Anders als im Fall der Taktung bei rein Ohmscher Last (Abschnitt 2.9 rechts oben dargestellt ist und damit letztlich auch der gleiche Stromverlauf iL = i.

In der bisherigen Betrachtung des Gleichstromstellers wurde von einem idealen Schalter ausgegangen. Die Realität eines (Halbleiter-) Schalters sieht anders aus. dann liegt ‹uL› am Lastwiderstand RL und es ergibt sich der mittlere (Last-) Strom ‹i› als: i = uL RL = U0 t ⋅ e RL t e + t a (3. Die Spannung über dem Schalter muss erst (in endlicher Zeit) auf den Wert der Quellenspannung U0 steigen.9 Mitte rechts zeitlich besser auf. Zunächst lässt sich die mittlere Ausgangsspannung ‹uL› sehr einfach aus U0 und dem Tastverhältnis berechnen. beim Verständnis von Schaltungen sehr hilfreich sein kann.1. Es gibt also zwangsläufig immer den Punkt. Version 2. Es zeigt sich also. iS U0 iS uS uS. b) Bei rein Ohmscher Last 3. der den Stromfluss unterbrechen konnte und so den Strom in den Freilaufzweig zwingt.4 Induktives Schalten Abschließend soll hier noch eine Besonderheit des Schaltens großer Induktivitäten behandelt werden. Treibt man diese Abstraktion noch weiter. Löste man die Schaltflanken von Bild 3.10a. a) Bei induktiver Last mit Freilaufdiode. die für die Verlustbilanz und die Auslegung der Schaltelemente wesentlich ist.9) Nimmt man dann noch an. für die oben eine längere Herleitung notwendig war. so könnte man auch noch Gleichung (3. Erst danach fällt der Strom (in endlicher Zeit) auf null ab. uS.10) Das entspricht genau Gleichung (3.2. iS U0 iS t uS t iS „EIN“ iS „EIN“ „AUS“ U0 uS a) „AUS“ U0 uS b) Bild 3. so ergäbe sich die Situation in Bild 3.10: Strom.0.6). Oktober 2009 .Grundschaltungen der Leistungselektronik 29 Diese vereinfachte Sichtweise des Gleichstromstellers ermöglicht einige Schlussfolgerungen. bevor die Diode überhaupt in Vorwärtsrichtung gepolt und leitend wird. Es ergibt sich: uL = U0 ⋅ te te + ta (3. an dem noch der Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. dass an der Lastinduktivität LL im Mittel keine Spannung abfällt. Solange fließt der volle Strom i durch den Schalter.8) ableiten. dass die Abstraktion bei der Analyse bzw.und Spannungsverläufe sowie Ortskurve. sich also alle Spannungs-Zeit-Flächen im Mittel kompensieren.

Die Momentanleistung erreicht somit extrem hohe Werte.0. In den Abschnitten über die einzelnen Bauelemente werden darüber hinaus noch weitere Nichtidealitäten behandelt. Ist der Schalter in der EIN-Phase geschlossen. Ist der Schalter dagegen in der AUS-Phase geöffnet. dass die Ausgangsspannung als konstant angenommen werden kann.1 ist im Grunde bereits ein Abwärtswandler.2. Trotzdem bezeichnet man erst die Schaltung aus Bild 3. Die Berechnung geht trotzdem zunächst wieder analog zu den Gleichungen (3. Für das Einschalten gelten die hier gemachten Überlegungen völlig analog. Oktober 2009 .1) und (3. 3.11: Abwärtswandler mit rein Ohmscher Last. 3. ist beim Abwärtswandler der Strom durch die Induktivität vorerst nicht relevant. dass bei der Ohmschen Last der Strom kleiner wird.11) bzw.Grundschaltungen der Leistungselektronik 30 volle Strom und schon die volle Spannung am Schalter anliegen. Für den Abwärtswandler ist viel mehr die Ausgangsspannung die wichtigste Ausgangsgröße. Diese Schaltung hat den Vorteil. Im Fall der induktiven Last muss der Strom erst komplett durch den Schalter fließen. step-down or buck converter). so liegt an der Induktivität die Quellenspannung U0 abzüglich der Ausgangsspannung uL. Im Allgemeinen wird die Kapazität des Abwärtswandlers sogar so groß gewählt. Dort wird dann auch noch einmal auf den Einfluss der Streuinduktivität auf den Gleichstromsteller eingegangen. was die folgenden Betrachtungen erheblich vereinfacht und z.2 Abwärtswandler (Step-Down or Buck Converter) Der einfache Gleichstromsteller aus Abschnitt 3.1 Ausgangsspannung Anders als beim einfachen Gleichstromsteller. bevor die Freilaufdiode sperren kann und die Spannung über dem Schalter abfällt. Im Vergleich dazu ist die maximale Momentanleistung beim Schalten einer rein Ohmschen Last (Bild 3.10b) nur ein Viertel so groß und bei gleich schnellem Schalten wären es auch die Schaltverluste. den induktiven Anteil der Last im stationären Zustand bedeutungslos macht.11 mit einer induktiv-kapazitiven Glättung (Tiefpassfilter) als Abwärtswandler (Tiefsetzsteller. da die leitende Freilaufdiode ideal angenommen wird (Durchlassspannung null): di dt = ein U0 − uL L (3.12) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Version 2. Die maximale Leistung wird dann bei halbem Strom und halber Spannung erreicht.2) von den Stromänderungsgeschwindigkeiten in der Induktivität aus.B.2. engl. i0 L i iL U0 DF C uL RL Bild 3. di dt = − aus uL L (3. sondern auch die (Ausgangs-) Spannung. bei dem der Ausgangsstrom die wichtigste Ausgangsgröße war.2. die beim einfachen Gleichstromsteller zwischen null und U0 hin und her sprang. Das hängt damit zusammen. weil er eben keine Ausgangsgröße mehr ist. sobald die Spannung über dem Schalter ansteigt. liegt über der Induktivität nur die Ausgangsspannung. dass nicht nur der Laststrom annähernd konstant ist.2. Die Spannung am Lastwiderstand ist immer kleiner als die Quellenspannung U0.

Oktober 2009 . Es ergibt sich dieselbe Lösung wie in Gleichung (3. in Anlehnung an die Gleichungen eines Wechselstrom-Transformators.15) U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ = = IL U0 te + ta Dieses sind. so kann man die zeitabhängige Ausgangsspannung uL durch einen konstanten Wert UL ersetzten.2.0. Der Mittelwert ‹i› des zufließenden Stroms ist dabei gleich dem abfließenden Strom. Bei einer Ohmschen Last würde man daraus dann für den Ausgangsstrom den gleichen Ausdruck wie beim Gleichstromsteller erhalten (Gleichung (3. Oder anders ausgedrückt. damit sie groß genug ist? Man kann dazu annehmen. dass ein konstanter Strom IL aus der Kapazität in die Last abfließt.8). und das erhöht die Ausgangsspannung gemäß ΔUL = ΔQ/C. dass die Ausgangsspannung nahezu konstant ist. solange die Kapazität groß genug ist. Ganz ähnlich wie beim einfachen Gleichstromsteller. Wie groß muss sie aber sein. 3. wobei das einfach veränderbare Tastverhältnis die Rolle des starren Windungsverhältnisses übernimmt. Das ist erlaubt. dass die Ausgangsspannung aufgrund einer sehr großen Kapazität nahezu konstant ist. Die mittlere Ausgangsleistung muss daher gleich der mittleren Eingangsleistung sein.2.6)). Mit einer konstanten Eingangsspannung U0 und nahezu konstanter Ausgangsspannung UL und -strom IL ergibt sich: i0 te UL (3. wird auch hier nur im Lastwiderstand Leistung umgesetzt und es findet keine Rückspeisung in die Quelle statt. so erhält man: UL = U0 ⋅ te te + ta (3. Interessanter ist da der Zusammenhang zwischen Eingang und Ausgang. es müssen sich die Spannungs-Zeit-Flächen an der Induktivität kompensieren: ΔI ein = te ∫ dt di dt = − ΔI aus = ein ta ∫ dt di dt ⇒ aus te ∫ (U 0 − uL )dt = ∫ uL ⋅ dt ta (3. die von i während der halben Periode (te + ta)/2 oberhalb von IL gebildet wird. Die Induktivität führt also während einer halben Periode mehr Strom zu als abfließt. Die Integrale gehen dann in Produkte aus der jeweiligen Spannung und der Pulslänge über.3 Welligkeit der Ausgangsspannung Bisher wurde jeweils angenommen.Grundschaltungen der Leistungselektronik 31 Analog zu der Gleichung (3. die Transformationsgleichungen des Abwärtswandlers.14) Beim Abwärtswandler ist die Ausgangsspannung also proportional zur Eingangsspannung U0 und zum Tastverhältnis. Es gilt somit: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.5) müssen sich im stationären Zustand die Stromänderungen während der EIN-Phase und der AUS-Phase kompensieren. während ein dreieckförmiger Stromverlauf aus der Induktivität zufließt.2. Die maximale Differenz zu IL ist dabei gegeben durch den halben Hub ΔI.2 Leistung Die Berechnung der Ausgangsleistung bei einer nahezu konstanten Ausgangsspannung und bei Ohmscher Last auch nahezu konstantem Ausgangsstrom ist trivial. ΔQ ist dabei die Strom-Zeit-Fläche (Dreieck).13) Nimmt man nun an. Version 2. 3. Löst man diese Gleichung nach der Ausgangsspannung auf.2.

2.2.18) Nach den Resultaten beim einfachen Gleichstromsteller kann dieses Ergebnis nicht überraschen.2. denn die Ausgangskennlinien sind für beide Schaltungen identisch. aber nicht null werden.12b). als ideale Spannungsquelle mit Innenwiderstand Ri? Oder ist nicht auch die Variante (Bild 3.0. wie die Schaltung dieser Spannungsquelle aussieht. Version 2. sei auf die im Anhang genannte Literatur verwiesen.4 Lückender Betrieb Beim einfachen Gleichstromsteller konnte sich der Strom durch die Induktivität schlimmsten Falls exponentiell gegen null nähern. GL Bild 3. Ri U0 a) RL I0 b) Gi RL bzw. So wie man sie intuitiv zeichnen würde (Bild 3.12) durch Integrieren über die AUS-Phase. desto weniger Welligkeit. Je größer die Induktivität und/oder die Kapazität sind. Oktober 2009 . a) als Spannungsquelle mit Serienwiderstand. als Stromquelle mit Parallelleitwert Gi denkbar? Die Antwort seinerzeit war schließlich: Messtechnisch lässt sich das nicht ermitteln.12a). hinzu gekommen. b) als Stromquelle mit Parallelleitwert Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. 3.16) Der maximale Hub ΔI ergibt sich direkt aus Gleichung (3. das quadratisch eingeht. Es stellte sich die Frage. Entscheidend ist das Verhältnis aus Pulsdauer (te + ta) und der √LC-Zeitkonstante.3 Einschub: Dualitätsprinzip Aus den Grundlagen der Elektrotechnik ist das Beispiel der realen Spannungsquelle bekannt. Dadurch kann der Strom durch die Induktivität schon vor Ende der AUS-Phase null werden. die Zusammenhänge zwischen Eingang und Ausgang verändern sich dann deutlich. Es entsteht eine Stromlücke.12: Spannungsquelle mit Innenwiderstand. Es ergibt sich: UL ΔI = ⋅ ta (3. Beim Abwärtswandler ist nun ein weiterer Energiespeicher.Grundschaltungen der Leistungselektronik 32 ΔU L = 1 1 ΔI t e + t a ⋅ ⋅ ⋅ 2 C 2 2 (3.17) L Insgesamt: ΔU L = ΔU L 1 UL ⋅ ⋅ (t e + t a ) ⋅ t a ⇔ 8 L ⋅C UL = t 1 (t e + t a ) ⋅ ⋅ a 8 L ⋅C te + ta 2 (3. die Kapazität. weshalb man auch von lückendem Betrieb spricht. Das Verhalten des Wandlers bzw. Ebenso vorteilhaft ist eine kleine Pulsdauer. Da eine Beschreibung dieses Betriebsmodus den Rahmen der Vorlesung sprengen würde. 3. wenn I0 = U0/Ri und Gi = 1/Ri gilt.

13 zeigt die wichtigsten dualen Umwandlungen für die Schaltungstechnik. das sich aufgrund seiner Funktion nicht so einfach in das Dualitätsprinzip einfügt: Die Diode.0. Was damit gemeint ist. 3. Und schließlich kann man jetzt formal von einem Stromausgang sprechen. ein Schließer wird ein Öffner und eine Serienschaltung wird eine Parallelschaltung. weil sie den Freilaufzweig freigeben muss. Sie wird zwar jeweils wieder in eine Diode dualisiert.und Parallelschaltung. Die Glättung wurde vorher von einer Kapazität besorgt und wird jetzt von einer Induktivität gemacht. Selbst ein Widerstand wandelt sich in einen Leitwert. oder bei der Interpretation von Ergebnissen (vergl. eine Kapazität wird eine Induktivität. Im Ruhezustand schließt er hier den Quellenstrom kurz. Das grundlegende Prinzip dahinter nennt man das Dualitätsprinzip. Am ehesten hilft der Vergleich mit dem Schalter. In beiden (Ruhe-) Fällen fließt also keine Energie in die Schaltung oder aus ihr heraus. wobei diese Umwandlung offenbar von eher formalem Interesse ist.2.Grundschaltungen der Leistungselektronik 33 U0 I0 S S C L R G Bild 3. während er vorher die Spannungsquelle angekoppelt hatte. Der Energiezwischenspeicher war vorher eine Induktivität und ist jetzt eine Kapazität. engl. sei es bei der mathematischen Behandlung einer Aufgabe. Serien.4 Aufwärtswandler (Step-Up or Boost Converter) Mit Hilfe des Dualitätsprinzips lässt sich aus dem Abwärtswandler nun der Aufwärtswandler (Hochsetzsteller. aber die Richtung dieser Diode ist manchmal schwierig zu bestimmen. Alle Umwandlungen gelten jeweils in beide Richtungen und die sich ergebenden Schaltungen haben ebenfalls duale Eigenschaften! Leider gibt es ein wichtiges Bauelement der Leistungselektronik. Strom-Zeit-Fläche und Spannungs-Zeit-Fläche). Für die anschließende Diode bedeutet das nun Folgendes: Bei geöffnetem Schalter im Abwärtswandler muss sie leiten. Bild 3. bei dem ja der Schließer in einen Öffner dualisiert wird. Bei geschlossenem Schalter im Aufwärtswandler muss sie folglich sperren.14 zeigt die Umwandlung.13: Duale Umwandlungen in der Schaltungstechnik Diesen Dualismus von Strom und Spannung. Entsprechend muss eine leitende Diode in eine sperrende Diode dualisiert werden. Version 2. während es vorher ein Spannungsausgang war. Eine Spannungsquelle wird eine Stromquelle. weil sie das Entladen der Kapazität verhindern muss. zeigt der folgende Abschnitt. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Oktober 2009 . Die Spanungsquelle geht zunächst in eine Stromquelle über und der Schalter liegt nun als Öffner parallel zur Quelle. trifft man an vielen Stellen der Elektrotechnik wieder und es ergeben sich oft verblüffende Parallelen. step-up or boost converter) erzeugen. usw. Bild 3.

15 geschlossen ist.2. also nahezu konstanter Ausgangsspannung UL: te ∫ U 0 ⋅ dt = − ∫ (U 0 − uL )dt ⇒ U 0 ⋅ t e = (U L − U 0 ) ⋅ t a ⇔ U L = U 0 ⋅ ta te + ta ta (3.1 Ausgangsspannung Völlig analog zu den Gleichungen (3. also für die Dauer ta der AUS-Phase. also für die Dauer te der EIN-Phase. Version 2. Der Strom der Induktivität lädt auf diese Weise die Kapazität am Ausgang.15. Dagegen liegt bei geöffnetem Schalter. Oktober 2009 . i0 L DF i iL U0 C uL RL Bild 3. Während der Schalter geschlossen ist. 3.14) kann man auch hier wieder die Ausgangsspannung berechnen. Beim erneuten Einschalten des Schalters sperrt die Diode wieder und verhindert das Entladen der Kapazität. Konkret wird meist die Glättungsinduktivität weggelassen.0. so bleibt dem Strom nur der alternative Pfad durch die (Freilauf-) Diode. die Maschenspannung U0-uL über der Induktivität (ideale Diode vorausgesetzt). Wird der Schalter dann geöffnet.Grundschaltungen der Leistungselektronik 34 i0 L i iL i0 DF L iL U0 a) DF C uL RL I0 b) C uL RL Bild 3.15: Aufwärtswandler mit rein Ohmscher Last Wenn der Schalter in Bild 3.14: Duale Umwandlung von a) Abwärtswandler und b) Aufwärtswandler Die Schaltung in Bild 3. sondern mit einer Kombination von Spannungsquelle und (sehr großer) Induktivität. und vor allem wird nicht mit einer Stromquelle am Eingang operiert.4. Da sich im stationären Zustand die Strom-Zeit-Flächen kompensieren müssen. indem man die Spannungs-Zeit-Flächen über der Induktivität betrachtet. liegt über der Induktivität die volle Quellenspannung und der Strom i0 durch die Induktivität steigt mit U0/L. ergibt sich unter der Annahme einer großen Ausgangskapazität.14b ist zwar ein Aufwärtswandler und erfüllt auch dessen Funktion.12) bis (3. um einen Spannungsausgang zu haben. Die resultierende Schaltung zeigt Bild 3. liegt U0 über der Induktivität. aber an ihr wird das Wirkprinzip schlechter deutlich und die übliche Darstellung des Aufwärtswandlers sieht leicht anders aus.19) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.

0. der verglichen mit der Eingangsspannung sowohl höhere als auch niedrigere Spannungen erzeugen kann. stepup/step-down or buck-boost converter).oder Aufwärtswandler allerdings mit umgekehrter Polarität. Ebenso einfach ergib sich in Analogie zu Gleichung (3.16 zeigt den invertierenden Spannungswandler (engl.20) 3. i0 DF i iL U0 L C uL RL Bild 3.14) und (3. was der Grund für den Namenszusatz „invertierend“ ist.Grundschaltungen der Leistungselektronik 35 Da der rechte Term offenbar immer größer als eins ist. verglichen mit dem Abwärts. Neben dieser Möglichkeit kann man die Funktionalität aber auch mit einem einzelnen Wandler erzielen.11) haben hier nur die Induktivität und die Diode die Positionen getauscht. ist die Spannung am Ausgang des Aufwärtswandlers (in stationären Betrieb) immer größer als die Eingangsspannung. Die Ausgangsspannung des einen wäre die Eingangsspannung des anderen. Wird der Schalter dann geöffnet. 3.16 geschlossen ist. könnte man einen Abwärtsund einen Aufwärtswandler hintereinander schalten. Die Namensgebung ist offensichtlich.20) eine Gesamtausgangsspannung von: UL = U0 ⋅ te te + ta ⋅ abwärts te + ta ta ⇒ aufwärts UL = U0 ⋅ te ta (3. Das hat aber einen sehr großen Einfluss auf die Funktion der Schaltung.16: Invertierender Spannungswandler mit rein Ohmscher Last Verglichen mit dem Abwärtswandler (Bild 3. liegt über der Induktivität die volle Quellenspannung und der Strom durch die Induktivität steigt mit U0/L. Oktober 2009 . Bild 3.2. so bleibt dem Strom nur der alternative Pfad durch die (Freilauf-) Diode. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.5 Invertierender Spannungswandler (Buck-Boost Converter) Um nun einen Spannungswandler zu bekommen. Der Strom der Induktivität lädt auf diese Weise die Kapazität am Ausgang.4. Wenn der Schalter in Bild 3. Version 2.15) die Transformationsgleichung für den Aufwärtswandler (ohne innere Verluste): U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ i0 IL = UL U0 = te + ta ta (3.2.21) Die Ausgangsspannung kann also zumindest theoretisch alle Werte von null bis unendlich annehmen. Bei gleichem Tastverhältnis der beiden Teilwandler ergäbe sich aus den Gleichungen (3.2 Leistung Auch hier ist die Berechnung der Ausgangsleistung bei nahezu konstanter Ausgangsspannung über einer Ohmschen Last trivial.

Grundschaltungen der Leistungselektronik
3.2.5.1 Ausgangsspannung

36

Wie bei den anderen beiden Wandlern kann man auch hier die Ausgangsspannung mit Hilfe der Spannungs-Zeit-Flächen über der Induktivität berechnen. Während der Schalter geschlossen ist, also für die Dauer te der EIN-Phase, liegt U0 über der Induktivität. Dagegen liegt bei geöffnetem Schalter, also für die Dauer ta der AUS-Phase, die negative Ausgangsspannung -uL über der Induktivität (ideale Diode vorausgesetzt). Da sich im stationären Zustand die Strom-Zeit-Flächen kompensieren müssen, ergibt sich unter der Annahme einer großen Ausgangskapazität, also nahezu konstanter Ausgangsspannung UL:

te

∫U

0

⋅ dt = − ∫ − u L ⋅ dt ⇒ U 0 ⋅ t e = U L ⋅ t a
ta

UL = U0 ⋅

te ta

(3.22)

Das Ergebnis ist identisch zum Fall der zwei verketteten Wandler und das mit deutlich geringerem Aufwand. Auch hier können also theoretisch alle Spannungen zwischen null und unendlich erreicht werden. 3.2.5.2 Leistung Die Transformationsgleichung des invertierenden Spannungswandlers lautet unter der Annahme innerer Verlustfreiheit: i0 t UL (3.23) U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ = = e IL U0 ta 3.2.5.3 Sperrwandler (Flyback Converter) Eine Variante des invertierenden Spannungswandlers ist der Sperrwandler (engl. flyback converter), der in Bild 3.17 gezeigt ist. Die Induktivität des invertierenden Spannungswandlers ist hier durch einen Transformator ersetzt. Dadurch sind die Primär- und Sekundärseite galvanisch getrennt und man hat die Möglichkeit, durch die Wahl der Windungszahlen, auf beiden Seiten grundsätzlich unterschiedliche Spannungsniveaus einzustellen. Ansonsten ist die Funktion völlig identisch zum invertierenden Spannungswandler. Das wird sofort klar, wenn man bedenkt, dass das Ersatzschaltbild des idealen Transformators eine Induktivität ist (siehe Einsatz in Bild 3.17). Für die Details dieses Zusammenhangs sei auf die Vorlesung „Grundlagen der Elektrotechnik“ verwiesen.

i0

DF

i

iL

U0

L1

L2

C uL

RL
NB: Ersatzschaltbild des Transformators

Bild 3.17: Sperrwandler mit rein Ohmscher Last

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009

Grundschaltungen der Leistungselektronik
3.2.6 Invertierender Stromwandler (Ćuk-Converter)

37

Wie sich durch Dualisieren aus dem Abwärtswandler der Aufwärtswandler ergab, kann man nun aus dem invertierenden Spannungswandler einen weiteren Wandlertyp generieren: Den invertierenden Stromwandler, der nach seinem Erfinder Slobodan Ćuk (Ćuk: lat. Otus scops, dt. Zwergohreule) auch Ćuk-Wandler genannt wird. Bild 3.18 zeigt die duale Umwandlung aus dem invertierenden Spannungswandler. Die Schaltung in Bild 3.18b ist nun zwar ein ĆukWandler und erfüllt auch dessen Funktion, aber meist wird eine Kapazität an den Ausgang geschaltet, um einen Spannungsausgang zu haben, und wie schon beim Aufwärtswandler wird nicht mit einer Stromquelle am Eingang operiert, sondern mit einer Kombination von Spannungsquelle und (sehr großer) Induktivität. Die resultierende Schaltung zeigt Bild 3.19.

i0

DF

i

iL

i0

C

i

L

iL

U0 a)

L

C uL

RL

I0 b)

DF uL

RL

Bild 3.18: Duale Umwandlung von a) invertierendem Spannungswandler und b) invertierendem Stromwandler (Ćuk-Wandler)

i0

Le

Ce

u

i

La

ia

iL

U0 a) i0 Le Ce u

DF

Ca u L

RL

i

La

ia

iL

U0 b)

Ca u L

RL

Bild 3.19: Invertierender Stromwandler (Ćuk-Wandler) mit rein Ohmscher Last a) Mit geschlossenem Schalter, b) Mit offenem Schalter
Verglichen mit dem Aufwärtswandler (Bild 3.15) haben hier die Diode und die Kapazität Ce die Position getauscht. Außerdem sind am Ausgang noch die Kapazität Ca und die Induktivität La hinzugekommen. Der linke Teil des Ćuk-Wandlers verhält sich aber trotzdem

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Grundschaltungen der Leistungselektronik

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sehr ähnlich wie der Aufwärtswandler. Wenn der Schalter geschlossen ist (Bild 3.19a), liegt über der Induktivität die volle Quellenspannung und der Strom i0 durch die Induktivität Le steigt mit U0/Le (linker Kreis). Wird der Schalter dann geöffnet (Bild 3.19b), so bleibt dem Strom nur der alternative Pfad (linker Kreis) über die Kapazität Ce und durch die (Freilauf-) Diode, weil die Induktivität La solche Stromsprünge verhindern würde. Der Strom der Induktivität Le lädt auf diese Weise die Kapazität Ce. Wird dann der Schalter wieder geschlossen, wird einerseits Le weiter geladen. Andererseits liegt aber die Spannung u der Kapazität Ce abzüglich der Ausgangsspannung uL über er Induktivität La, so dass der Strom durch La ansteigt (Bild 3.19a, rechter Kreis). Wird nun der Schalter wieder geöffnet, so wird die Diode leitend und der Strom ia lädt die Kapazität Ca am Ausgang (Bild 3.19b, rechter Kreis). 3.2.6.1 Ausgangsstrom Anders als bei den bisherigen Wandlertypen, lässt sich der Ćuk-Wandler am besten über die Kapazität Ce berechnen. Im stationären Zustand darf der Kapazität während eines Zyklus im Mittel keine Ladung zu- oder abfließen. Die Zuflüsse aus Le während der AUS-Phase müssen also die Abflüsse über La während der EIN-Phase kompensieren. Die beiden Strom-ZeitFlächen müssen gleich groß sein. Außerdem darf sich im stationären Fall auch die Ausgangsspannung im Mittel nicht verändern, so dass ‹ia› gleich IL sein muss. Insgesamt ergibt sich dann: t (3.24) i 0 ⋅ ta = IL ⋅ te ⇔ IL = i 0 ⋅ a te Wie der Name „Stromwandler“ schon andeutet, bestimmt das Tastverhältnis hier den Ausgangsstrom, der theoretisch alle Werte von null bis unendlich annehmen kann. Der Vorteil vom Ćuk-Wandler sind in der Tat die zumindest bei großen Induktivitäten sehr konstanten Ströme, sowohl am Eingang als auch am Ausgang. Große Stromtransienten gibt es nur innerhalb der Schaltung, während die beiden Kapazitäten Le und La die „Außenwelt“ davon abschirmen. Natürlich ist dann auch die Ausgangsspannung entsprechend konstant. 3.2.6.2 Ausgangsspannung Die Ausgangsspannung lässt sich sehr einfach über die Transformationsgleichung des invertierenden Stromwandlers berechnen. Die Transformationsgleichung lautet unter der Annahme innerer Verlustfreiheit: i0 t UL (3.25) U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ = = e IL U0 ta Das Resultat ist identisch zum invertierenden Spannungswandler und für UL gilt dann:
UL = U0 ⋅ te ta

(3.26)

3.2.6.3 Leistung Schließlich erhält man für die abgegebene Leistung die ebenfalls zum invertierenden Spannungswandler identische Lösung:
p RL = RL ⋅ I
2 L 2 UL = RL 2 U0 = RL

⎛t ⋅⎜ e ⎜t ⎝ a

⎞ ⎟ ⎟ ⎠

2

(3.27)

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weil eben nur eine Seite der Last an die Hälfte einer Brückenschaltung angeschlossen ist. Phase Leg) 39 Die bisher behandelten Gleichstromumrichter hatten aufgrund ihrer Struktur alle nur eine einzige Leistungsflussrichtung.0. Zur Vereinfachung werden in der Gesamtschaltung sowohl die Quelle als auch die jetzt aktive Last jeweils als einfache Spannungsquelle dargestellt. Entsprechend ihrer „Herkunft“ kann man mit dem oberen Schalter (blau) einen Abwärtswandler zur Last hin betreiben.7 Halbbrücke (Half-Bridge.und gespiegeltem Aufwärtswandler Die Gesamtschaltung für die Stromumkehr ergibt sich nun aus der Synthese eines Abwärtswandlers und eines „gespiegelten“ Aufwärtswandlers. die Stromrichtung beizubehalten und den Fall der Spannungsumkehr zu behandeln. was auch aufgrund der rein passiven Last klar war. und andererseits ist sie die für die Leistungselektronik wichtigere Schaltungskomponente. also eines Aufwärtswandlers. Version 2. Was aber passiert. oder mit dem unteren Schalter (rot) einen Aufwärtswandler zur Quelle hin. half-bridge or phase leg) bezeichnet. wenn die Last ebenfalls Energie einspeisen kann (eine Quelle ist). vierte Quadrant hinzu. (Wie würde die Schaltung für Spannungsumkehr aussehen?) i0 iL U0 UL Halbbrücke Bild 3.Grundschaltungen der Leistungselektronik 3.20). weshalb man auch vom Zweiquadrantenbetrieb spricht. ein Motor im generatorischen Betrieb beim regenerativen Bremsen? Entweder die Spannungsrichtung oder die Stromrichtung muss sich umkehren. weil sich eben noch keine Vollbrückenschaltung ergibt. Vermutlich wäre es formal richtiger in diesem Abschnitt über Gleichstromumrichter. z.20: Synthese der Halbbrücke aus Abwärts. Im StromSpannungs-Diagramm käme dann zum ersten der zweite bzw.2. Es dürfen jedoch nie beide Schalter gleichzeitig geschlossen sein (Brückenkurzschluss!). Tatsächlich ist aber die aus der Stromumkehr resultierende Halbbrücke einerseits einfacher. der mit der Last als Quelle in die eigentliche Quelle einspeist (Bild 3. Die neue Schaltung bzw. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die Ausgangsspannung hatte immer dieselbe Richtung und auch der Ausgangsstrom hatte immer dieselbe Richtung. nur deren Schalter-Dioden-Teil wird als Halbbrücke (engl. B. Natürlich sind auch gemischte Betriebsmodi möglich. Oktober 2009 .

liegt die Spannung der oberen Quelle über der Induktivität und der Strom steigt entsprechend mit U0/2L. Konkret führt eine höhere Schaltfrequenz zu geringeren Fluktuationen des Stroms (allerdings auch zu höheren Schaltverlusten) und entsprechend geringeren Anforderungen an das Filter. Falls es erforderlich ist. Auch kann mit Hilfe der Pulsmuster das Spektrum der Oberwellen gezielt beeinflusst werden.21). spricht man von einem Vierquadrantenbetrieb. Darüber hinaus kann aber schon bei der Erzeugung der Pulsmuster einiges getan werden. iL i0 U0 2 D1 uL L iL S1 U0 2 S1 S1 D1 uL D1 t iL D2 S2 U − 0 2 U0 2 D2 D2 S2 S2 Bild 3. ließe sich beides mit einem Ausgangsfilter beheben. allerdings mit einer geteilten Spannungsquelle am Eingang. Sollstrom gepunktet). sehr umfangreiches Themengebiet.3. da sich die Stromrichtung (und damit der Leistungsfluss) umkehren konnte. Pulsweitenmodulation PWM) ist daher ein eigenes. um sowohl positive als auch negative Spannungen an die Last legen zu können (Bild 3. Die Kurven im Bild rechts zeigen mögliche Strom und Spannungsverläufe (inkl.20 war kein echter Gleichstromsteller mehr. Die Erzeugung der Pulsmuster (z.B.B. Version 2. um die Belastungen gering zu halten. ist die Halbbrücke. uL. Wird S1 wieder geöffnet.1 Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle Die einfachste Schaltung. für die Isolation der Motorwicklungen sehr schlecht und können zu frühzeitigen Ausfällen führen. Wenn der Schalter S1 geschlossen wird. Oktober 2009 . so treibt die Induktivität den Strom gegen die Spannung der unteren Quelle in den Freilaufzweig über D2. nachbilden. Für negative Ströme übernehmen S2 und D1 die entsprechenden Aufgaben. Man spricht vom Pluswechselrichter. springt die Lastspannung uL immer zwischen U0/2 und -U0/2 hin und her und auch beim Strom gibt es eine Fluktuation um den Sollwert.und Stromumkehr ermöglicht. Für einen Wechselrichter muss sich nun aber zusätzlich auch noch die Spannung umkehren können.3 Wechselrichter (DC → AC Converter) Bereits die Halbbrücke aus Bild 3. die Spannungs. Da dann sowohl Strom als auch Spannung beide Polaritäten annehmen können. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Tatsächlich sind die großen Spannungswechsel z.Grundschaltungen der Leistungselektronik 40 3.21: Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle und rein induktiver Last Wie Bild 3. Es sei auf die im Anhang genannte Literatur und den zweiten Teil der Vorlesung verwiesen.0.21 deutlich zeigt. 3. insbesondere natürlich auch ein Sinus. Es wird in solchen Fällen also immer ein Ausgangsfilter geben müssen. Mit geeigneten Schaltmustern (Pulsen) lässt sich auf diese Weise jeder beliebige Stromverlauf.

wird ein immer wichtigerer Zweig der (Hoch-) Leistungselektronik. ein Freilaufpfad über D3 und S1 eröffnet werden.3. oder brauchen ein langsames Anlaufen und Abbremsen. Oktober 2009 . sondern müssen geregelt werden (Drehzahl). wenn entweder S1 und S4 oder S2 und S3 eingeschaltet sind bzw. Bei gleicher Eingangsspannung ist die Ausgangsspannung der Vollbrücke also doppelt so groß wie bei der Halbbrücke.4 Wechselstromumrichter (AC → AC Converter) Die Wechselstromumrichtung oder kurz die Umrichtung. hier S1. Ein weiterer Vorteil der Vollbrücke ist die Möglichkeit. Version 2. Bei gleichem Ausgangsstrom wäre so die Ausgangsleistung doppelt so groß.oder ausgeschaltet (bestenfalls Stern-Dreieck). oder es werden z.B. bei Lokomotiven Funktionen wie die Antischlupfregelung mit Hilfe des Umrichters realisiert. Bei einem positiven Laststrom z.B. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.0. die zu entsprechenden Schaltverlusten und z. ohne dass die Schalter und Dioden mehr Spannung sperren müssten. Die duale Struktur zur Vollbrücke mit Spannungsquelle am Eingang und induktiver Last am Ausgang ist übrigens die Vollbrücke mit Stromquelle am Eingang und kapazitiver Last. Mit ihm lassen sich gut nachgebildete Sinus-Ströme und -Spannungen erzeugen und das mit variabler Frequenz und Amplitude. also die Umformung von Wechselstrom einer Spannung und Frequenz in eine Wechselspannung anderer Spannung und Frequenz. Auf diese Weise kann der Stromverlauf besser geregelt werden. 3.T. die Freilaufdioden leiten. also auch keine Spannung über der Induktivität ergibt.Grundschaltungen der Leistungselektronik 3. der nicht über die Quelle führt. Nachteilig ist nur die im Vergleich zur Ausgangsfrequenz hohe Schaltfrequenz. auch Geräuschen und EMV-Störungen führt. was zu einer kleineren Fluktuation des Stroms führt. sowie einer Serienschaltung von Schalter und Diode! i0 D1 U0 D2 S2 S1 D3 uL L D4 S4 iL S3 Bild 3. Eine Verbesserung lässt sich aber noch mit einer Vollbrücke (Bild 3. Immer mehr Motoren werden nicht einfach nur ein. Anders als bei der Halbbrücke liegt bei der Vollbrücke jeweils die volle Quellenspannung U0 über der Last. null Spannung über die Last anlegen zu können.22: Vollbrücke mit rein induktiver Last Insgesamt gesehen hat sich der meist drei-phasige Pulswechselrichter inzwischen als der Standard für Antriebe und ähnliches durchgesetzt. kann durch Einschalten eines einzelnen Schalters.2 Vollbrücke (Full-Bridge) 41 Die Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle erfüllt bereits die Anforderungen an einen Wechselrichter.22) erzielen.

Ohnehin sind die hohen Anforderungen an die Schaltelemente ein grundsätzlicher Nachteil des Matrix-Umrichters. Früher hatte der Cyclo(n)-Umrichter. Die Bauelemente konnten meist nicht einmal abgeschaltet werden Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. die die Umformung der Wechselspannungen ineinander in einem Schritt ohne Zwischenspeicher durchführen. Inzwischen wird dieser Typ aber immer mehr verdrängt. einige Bedeutung bei niedrigen Ausgangsfrequenzen und sehr großen Leistungen. In jedem Fall dürfen die Schalter aber nicht so geschaltet werden. wodurch die Umrichtung in beide Richtungen möglich ist. dass sich ein Phasenkurzschluss ergibt (nie zwei Schalter in derselben „Spalte“ oder derselben „Zeile“). wenn nicht alle Matrixpunkte durch Schalter belegt sind. Diese ergibt sich erst durch eine Beschaltung oder. was bisher nur durch hybride Lösungen möglich ist. zieht er immer mehr Interesse auf sich.23: Dreiphasiger Matrix-Umrichter mit Ohmsch-induktiver Last 3. Die Schaltelemente müssen in beide Richtungen leiten und sperren könnten.und Ausschalten der einzelnen Schalter lässt sich praktisch jeder beliebige Ausgangsstrom erzeugen. Oktober 2009 . insbesondere kann der Leistungsfluss auch umgekehrt werden. Version 2. Stellt man sich die Eingangs.23). Der große Vorteil ist dabei die Entkopplung von Eingang und Ausgang und natürlich auch die geringere Komplexität für die einzelne Stufe. Es bleibt also abzuwarten. Durch entsprechendes Ein. also mit den im Vorangegangenen bereits beschriebenen Komponenten. was aus dem Matrix-Umrichter wird. so bilden die Schalter die einzelnen Matrixelemente. Es gibt aber auch sogenannte Direktumrichter. Tatsächlich hat der Matrix-Umrichter per se keine Vorzugsrichtung.und Ausgangsphasen als x. Der Matrix-Umrichter dagegen könnte in Zukunft eine wichtige Rolle spielen. Der Matrix-Umrichter erhielt seinen Namen.Grundschaltungen der Leistungselektronik 42 Wie schon in Abschnitt 2. wird die Umrichtung fast immer mit einem System aus Gleichrichter. so dass er hier nicht behandelt werden soll. was bei mehrphasigen Systemen möglich ist.5 Weiches Schalten (Soft Switching) Zu Beginn des (Leistungs-) Halbleiterzeitalters war die Leistungsfähigkeit der Bauelemente noch sehr begrenzt. ein mit Thyristoren aufgebauter Umrichter. weil jede Eingangsphase mit jeder Ausgangsphase über einen Schalter verbunden ist (Bild 3.0. ~ U0 ~ U0 ~ RL LL RL LL RL LL U0 Bild 3. Das bedeutet sowohl zusätzlichen Aufwand (Anzahl der Elemente) als auch zusätzliche Verluste. Zwischenspeicher und Wechselrichter realisiert.und y-Achsen vor. Auch wenn es noch keine kommerzielle Umsetzung gibt.2 beschrieben.

induktive Lasten wie in Abschnitt 3. Man spricht deshalb auch von entlastetem Schalten.1. so dass sie nur selten verwendet werden. die den Stress auf die Bauelemente im Schaltmoment reduzieren. Das Problem ist jetzt also meist nicht mehr die (Ab-) Schaltfähigkeit der Halbleiterbauelemente. Es ist also in jedem Einzelfall zu entscheiden. was oft eine andere Dimensionierung nach sich zieht. aber diese Schaltungen sind meist aufwändig und oft auch schwierig zu dimensionieren. ZCS) immer dann betätigt. sondern deren Selbstaufheizung. dann waren sie weit davon entfernt. Die im Halbleiter umgesetzte Leistung ist dann ebenfalls sehr klein und die Belastung entsprechend gering. Eine andere Möglichkeit sind resonante Netzwerke. welche Schaltung in Frage kommt. und wenn.Grundschaltungen der Leistungselektronik 43 (Thyristoren). Spannungsrichtung. Damit steigen proportional auch die Schaltverluste. In der Zwischenzeit hatten sich die Halbleiterkomponenten aber deutlich weiterentwickelt.0. Ob dazu die Schalter. wird der Schalter beim Nullstromschalten (engl.5. Diese Netzwerke aus Induktivitäten und Kapazitäten.3. sorgen dafür. Diese Beschaltungen haben aber den Nachteil. Das Prinzip soll anhand eines Abwärtswandlers demonstriert werden. Um die Umrichter kompakter machen zu können. zumal auch viel weniger EMV-Probleme auftreten als es aufgrund der hohen Strom. Der hart geschaltete Pulswechselrichter war zur Norm geworden. zero current switching. Dazu wird die Schaltung aus Bild 3. abschalten zu können. die zumindest einen Teil der Energie zurückspeisen. 3. Man spricht deshalb auch vom weichen Schalten (engl. snubber) wie die RCDBeschaltung (vergl. In letzter Zeit aber gibt es neues Interesse an resonanten Schaltungen. werden immer höhere Schaltfrequenzen verwendet. In den einzelnen Bauelementabschnitten wird hiervon noch die Rede sein. siehe unten). Das weiche Schalten mit den erheblich reduzierten Schaltverlusten wäre dann eine sehr interessante Alternative. die Last. Oktober 2009 . soft switching). ob sich dieser Zusatzaufwand überhaupt lohnt bzw. Abschnitt 2.11 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.2 „hart“. die Verluste nur von der Halbleiterkomponente in den Widerstand des Entlastungsnetzwerks transferieren und so zu einer eher negativen Gesamtverlustbilanz führen. spielt im Grunde keine Rolle. Version 2.2. so dass resonante Schaltungen immer weniger verwendet werden mussten.3. so dass wieder auf die Literatur verwiesen sei. dass die Halbleiterbauelemente entweder bei sehr kleiner Spannung oder bei sehr kleinem Strom geschaltet werden. an deren Ende dann ein weiteres Schaltereignis steht. Eine wirksame Maßnahme waren Entlastungsnetzwerke (engl. An zwei Grundschaltungen soll das Prinzip des weichen Schaltens hier kurz erläutert werden. oder sogar Beschaltungen. Allerdings sind für das weiche Schalten zusätzliche Bauelemente nötig und die bestehenden Bauelemente werden zum Teil deutlich anders belastet (Maximalstrom oder –spannung. dass durch ein Schaltereignis eine Halbwelle (Schwingung eines LC-Kreises) angestoßen wird. dass sie zusätzliche Verluste generieren bzw. Leider würden die zahlreichen Schaltungsvarianten den Rahmen dieses Skripts bei weitem sprengen.1 Nullstromschalten (ZCS) Wie der Name bereits andeutet. in denen selbst also keine Leistung umgesetzt wird. Grundsätzlich geht es immer darum.4). wenn kein Strom über ihn fließt.und Spannungssteilheiten beim harten Schalten der Fall wäre. also den vollen Strom bei gleichzeitig anliegender voller Spannung. oder der Zwischenkreis durch ein resonantes Netzwerk erweitert werden müssen. Zwar gibt es zahlreiche Varianten von verlustarmen Beschaltungen.

und Spannungsverläufe beim ZCS-Abwärtswandler.24: Abwärtswandler mit Resonanznetzwerk für ZCS und rein Ohmscher Last. Die Induktivität LF läuft über die Diode DF frei und soll so groß sein. ist der Strom durch die Freilaufdiode zu null geworden. dass der Strom i praktisch konstant ist (i ≈ I). Die als ideal angenommene Diode besitzt keinen Durchlassspannungsabfall und so liegt an der Kapazität CR des resonanten Netzwerks die Quellenspannung U0. Das durch die Induktivität LR vorgegebene weitere Ansteigen von iS.B.B. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.25: Strom. Die Analyse des Schaltverhaltens beginnt bei geöffnetem Schalter (Phase in Bild 3. Oktober 2009 . was zu einer Entladung von CR führt (Phase ).0. Zusätzlich muss bei Schaltelementen. bis die Kapazität ganz entladen ist und der Schalterstrom sein Maximum erreicht (t3). so steigt der Schalterstrom iS (und damit der Quellenstrom i0) linear mit U0/LR bis er den Wert I erreicht hat (Phase ). müsste zu einer Stromumkehr in der Freilaufdiode führen. bei symmetrischen Thyristoren entfallen.Grundschaltungen der Leistungselektronik 44 (Seite 30) um ein resonantes Netzwerk bestehend aus einer Induktivität LR und einer Kapazität CR erweitert. Diese könnte z. uR i0 iS U0 CR DR LR DF CF uL Bild 3. IGBTs). Stattdessen sperrt die Freilaufdiode und nimmt ab jetzt Sperrspannung auf. Wird nun der Schalter geschlossen (t1). Durch die abnehmende Spannung über CR wird der Stromanstieg durch den Schalter immer kleiner. Version 2. LF i iL RL iS I uR t U0 t t1 t2 t3 t4 t5 t6 Bild 3. die keine Rückwärtssperrfähigkeit besitzen (z. auch noch eine Diode DR eingefügt werden.25). Während dieser Zeit ist die Freilaufdiode weiterhin leitend und die Kapazität CR daher weiterhin auf U0. Der weitere Stromanstieg durch den Schalter wird nun von der Kapazität CR gespeist. Wenn der Schalterstrom iS den Wert I erreicht hat (t2).

Der Schwingkreis aus CR und LR ist jetzt unterbrochen. notwendig ist. Das ist aber aufgrund der Diode DR (bzw. so dass auch hier im Allgemeinen eine Diode. die zusätzliche Durchlassverluste generiert. 3. (Wie würden die Kurven aussehen? Hinweis: Dualisieren!) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. und gleichzeitig keine oder nur geringe Spannung über dem Schalter liegt. Version 2. so wird die Freilaufdiode DF wieder leitend und übernimmt den Strom I. Man erkennt daran sehr schön. ZVS) immer dann betätigt wird. Die negative Spannung hat wiederum zur Folge. reicht er nicht mehr aus. Das Schaltelement braucht nun eine Rückwärtsleitfähigkeit. Darüber hinaus muss die Kapazität CR des resonanten Netzwerks Spannung in beide Richtungen aufnehmen können (Bild 3. dass der Schalterstrom abnimmt. also sehr viel langsamer als bei hartem Schalten. Die Funktion dieser Schaltung kann analog zur ZCS-Schaltung analysiert werden. Oktober 2009 . so dass der Schalterstrom null bleibt und der Schalter stromlos geöffnet werden kann.Grundschaltungen der Leistungselektronik 45 Der Schalterstrom ist in diesem Moment sehr viel größer als I. der Rückwärtssperrfähigkeit des Schalters) unmöglich.B.2 Nullspannungsschalten (ZVS) Auch hier deutet der Name bereits an. Elektrolytkondensatoren ausschließt. wenn keine Spannung über ihm abfällt. so dass größere Durchlassverluste entstehen und im Allgemeinen ein größeres und teureres Halbleiterbauelement notwendig wird. ist das Einschalten stark entlastet. Das Ausschalten ist sogar völlig entlastet. Und schließlich ist die Einschaltdauer durch die Länge der Halbwellen festgelegt! Die Steuerung kann also nur über die Ausschaltdauer erfolgen. so dass er nun die Kapazität negativ gepolt auflädt (Phase ). Es gibt also durchaus auch negative Beiträge zur Verlustbilanz. Es ist wieder der Ausgangszustand (Phase ) erreicht. dass der Schalter beim Nullspannungsschalten (engl. dass die Dualisierung bis „in die Details wirkt“ und auch die Eigenschaften der einzelnen Komponenten betrifft (Rückwärtssperrfähigkeit ↔ Rückwärtsleitfähigkeit). Das für das ZVS notwendige Netzwerk lässt sich aus dem entsprechenden Netzwerk für ZCS leicht durch Dualisieren erzeugen. Insgesamt ist also sehr genau zu prüfen. zero voltage switching. ob sich das weiche Schalten für eine bestimmte Anwendung wirklich lohnt. Bevor die Kapazität CR ganz entladen ist. Ist der Schalterstrom auf den Wert I abgesunken (t4). Leider haben diese Vorteile aber einen hohen Preis.25 muss der Schalter neben dem vollen Ausgangsstrom I noch den resonanten Strom tragen (für echtes ZCS mindestens nochmal den Ausgangsstrom!). Im weiteren (Phase ) lädt der Strom I die Kapazität CR. wodurch sich deren Spannung linear mit I/CR erhöht und dabei positiv wird. Erreicht die Spannung uR über der Kapazität CR schließlich bei t6 die Quellenspannung U0.5. weil der Schalterstrom mit U0/LR ansteigt. Die entsprechende Schaltung ist in Bild 3. Das resonante Netzwerk schwingt um. um den Strom durch LF zu tragen. was z. jetzt jedoch antiparallel. Außerdem brauchen Schaltkomponenten ohne inhärente Rückwärtssperrfähigkeit eine Seriendiode. Wie in Bild 3. wird aber der Schalterstrom iS bei t5 zu null und müsste seine Richtung umkehren. was eine massive Einschränkung bedeutet.0.25 unten). Wie diese Analyse gezeigt hat. Dadurch kehrt sich die Stromrichtung in der Kapazität CR um und die Spannung über CR strebt nach ihrem größten negativen Wert bei t4 wieder gegen null (Phase ). Neben den zusätzlich notwendigen Komponenten gibt es noch eine Reihe weiterer Nachteile.26 wieder am Beispiel des Abwärtswandlers gezeigt. Man beginnt dabei mit dem geschlossenen Schalter als stationärem Zustand.

Oktober 2009 .0. LF i iL RL Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.Grundschaltungen der Leistungselektronik 46 uR CR i0 iS U0 DR LR DF CF uL Bild 3.26: Abwärtswandler mit Resonanznetzwerk für ZVS und rein Ohmscher Last. Version 2.

• Thyristoren Der Thyristor ist ein reines Schaltelement. wenn überhaupt. Die idealisierte Kennlinie eines symmetrischen Thyristors zeigt Bild 4. meist einen Strompuls.1b. • Transistoren Ohne Ansteuerung sperrt der Transistor in Vorwärtsrichtung. Je nach Typ kann der Thyristor auch wieder aktiv ausgeschaltet werden. Bild 4. aber dafür bei anderen Abstriche hinnehmen zu müssen. Beim Ausschalten geht der Thyristor wieder in den Sperrzustand über. Das war für das grundlegende Verständnis der Schaltungen sicher sinnvoll. Erst bei Erreichen der Durchbruchspannung fließt dann auch in Rückwärtsrichtung ein großer Strom. Wird die Diode in Rückwärtsrichtung gepolt. Grundsätzlich kann man dabei drei Gruppen von Halbleiterbauelementen unterscheiden: • Dioden Wenn die Diode in Vorwärtsrichtung gepolt wird. beginnt sie zu leiten und besitzt eine sehr kleine Flussspannung von unter einem bis zu wenigen Volt. entspricht aber nicht der Realität. Es ergeben sich also Zielkonflikte.und ausschalten können • alle auftretenden Verlustleistungen ohne Schaden aushalten • nur vernachlässigbar kleine Steuerleistung benötigen • usw. Konkret wurde jeweils angenommen.1a zeigt die idealisierte Kennlinie einer Diode.0. Der Thyristor wird durch ein kurzes Steuersignal. Es sind nur diese beiden Zustände möglich. so dass das Rückwärtsverhalten ohne Belang ist. Version 2. um dem Anwender ein Gefühl für die beteiligten Effekte und deren Konsequenzen zu geben.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 47 4 Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik In den vorangegangenen Kapiteln wurde meistens von idealen Schaltern und Dioden ausgegangen. was aber mit erheblichem Aufwand verbunden ist. sperrt sie und lässt nur noch einen sehr kleinen Leckstrom durch. Tatsächlich steht der Entwickler von Halbleiterbauelementen oft vor der Alternative einzelne Forderungen recht gut erfüllen zu können. nur wenige 10V sperren. In Rückwärtsrichtung würde er. Dieser Zustand ist im Normalbetrieb zu vermeiden. gezündet und geht dann in einen Zustand über. dass es keine Durchbrüche gibt • jeden Strom führen können • eine vernachlässigbar niedrige Durchlassspannung haben • beliebig schnell aktiv ein. Oktober 2009 . dass die Bauelemente: • eine so hohe Spannungsfestigkeit besitzen. Ohne Ansteuerung sperrt er in Vorwärtsrichtung und je nach Typ auch in Rückwärtsrichtung. die am Ende zu einem Kompromiss führen. Das Ansteuersignal ist kontinuierlich und entweder eine Spannung über einer Eingangskapazität oder ein Strom Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Fast immer ist aber eine antiparallele Diode vorhanden. der dem einer leitenden Diode sehr ähnlich ist. In diesem Kapitel sollen die grundlegenden Prinzipien vorgestellt werden. Je nach Schaltung oder Anwendung kann dieser Kompromiss dann für dasselbe Bauelementprinzip zu ganz anderen Bauelementen führen. Es fließt dann jeweils ein kleiner Sperrstrom.

a) der Diode.1 pin-Diode In der Grundlagenvorlesung wurde der pn-Übergang behandelt. Der Transistor lässt sich durch Unterbrechen des Ansteuersignals abschalten. damit keine zusätzlichen Durchlassverluste entstehen. Dabei hängt die Art und Weise stark vom Wirkprinzip des Transistors ab.1. Je nach Steuerspannung bzw.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik in den Steueranschluss. Zu einem richtigen Bauelement fehlt dem pn-Übergang aber noch die Verbindung nach außen. Die Bezeichnung rührt daher. wenn die Anode positives und die Kathode negatives Potential besitzt. beträgt: 3 N D ≈ 2 ⋅ 1018 ⋅ U BR −4 ⇒ N D (3kV ) ≈ 4. dass der Metall-Halbleiter-Übergang eine Ohmsche Kennlinie und einen sehr geringen Widerstand besitzt.1) berechneten Dotierung und einer typischen Stromdichte JF von 50 A/cm2 sowie einer idealen Elektronenbeweglichkeit µn von 1400 cm²/Vs ergäbe sich über der n-Zone im Durchlass ein Spannungsabfall Un von: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Version 2.0. Bei Dioden für hohe Spannungen wäre es damit aber nicht getan.1 Grundstruktur Diese einfache Strukturbeschreibung ist für Dioden sehr niedriger Sperrfähigkeit korrekt. Bild 4. zum n-Gebiet Kathode genannt. Ziel muss es aber sein. –strom ergibt sich eine andere Strombegrenzung. Ein zweites Problem ergibt sich zusammen mit der notwendigen Weite wn der Raumladungszone.1c zeigt das idealisierte Kennlinienbild mit verschiedenen Strombegrenzungen.029cm = 290 µm (4. c) des Transistors (mit antiparalleler Diode) 4.58 ⋅ 10 −6 ⋅ U BR 7 ⇒ w n (3kV ) ≈ 0. dass die Diode in Durchlass gepolt ist.6 ⋅ 1013 cm −3 (4. Die n-Dotierung ND. Grundsätzlich handelt es sich dabei um metallische Kontakte auf dem Halbleiter. 48 iA iA iC uAK a) b) ( ) uAK c) uCE Bild 4. Diese beträgt für das Beispiel der 3 kV sperrenden Diode: 6 w n ≈ 2. Oktober 2009 . Die Näherungsformeln für den abrupten p+n-Übergang zeigen das Problem am Beispiel einer 3 kV sperrenden Diode. also die Anschlüsse zum Rest der Schaltung.2) Zusammen mit der in (4.1) Ein metallischer Kontakt auf so niedrig dotiertem Material würde einen Schottky-Übergang ergeben (auf dem hoch dotierten p-Material ergibt sich hingegen ein guter Kontakt). 4. Der wichtigste Unterschied zum Thyristor ist die Begrenzung des Ausgangsstroms. Der Kontakt zum p-Gebiet wird Anode. die für 3 kV Sperrfähigkeit notwendig wäre. Dieser zeigt bereits die Funktionalität einer Diode: Stromfluss in eine Richtung und Sperren in die andere. Das Steuersignal beeinflusst auch den Durchlass.1: Idealisierte Ausgangskennlinien. b) des (symmetrischen) Thyristors.

3kV ) ≈ 140V ! cm 2 49 U n (50 (4. die echte pin-Diode. der allgemein auch für Dioden mit sehr niedrig dotiertem Mittelgebiet verwendet wird. Den entgegengesetzten Fall. Erst im n+-Gebiet stehen ausreichend Ladungsträger zur Verfügung. so kann die Dotierung doch als Freiheitsgrad für die Auslegung einer Diode genutzt werden.0.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Un = JF ⋅w n q ⋅ µn ⋅ N D ⇒ A . Anode p+ + Kathode n - n+ Bild 4. Oktober 2009 . reicht ein viel kürzeres Mittelgebiet aus. Es bleibt immer ein feldfreier Bereich vor der n+-Zone. es ergibt sich ein Feldstärketrapez. Im Grunde bräuchte die mittlere Zone überhaupt nicht mehr dotiert zu sein. Wie sich später zeigen wird. In Bild 4. wodurch das Feld bei Erreichen dieser Zone sehr schnell auf null fällt (analog zur p+-Zone). Da die Feldstärke über das gesamte Mittelgebiet den Maximalwert annehmen kann. wird das Feld überhaupt nicht abgebaut. die Feldstärke ist konstant.3) Beide Probleme. Offenbar wird die Leitfähigkeit der n-Zone jetzt nicht mehr von ihrer Dotierung bestimmt. Angedeutete Ladungsträgerinjektion.und Schaltverluste.2: Diode für hohe Sperrfähigkeit. Andererseits werden nun von beiden Seiten Ladungsträger in die n-Zone injiziert (Löcher von der p+-Seite und Elektronen von der n+-Seite).3c. Die Dotierung und Weite des Mittelgebiets sind so eingestellt. ist das ein erheblicher Vorteil im Bezug auf Durchlass. sie wäre dann intrinsisch. dass das Feld selbst bei maximaler Sperrspannung die n+-Zone nicht erreicht.3 zeigt die drei möglichen Varianten des Dotierprofils und die zugehörigen Feldstärkeverteilungen. p+n-Übergang mit zusätzlicher n+-Zone und metallischen Kontakten (Anode und Kathode). um auf die gleiche Sperrfähigkeit (gleiche Fläche unter dem Feldstärkeverlauf) wie die NPTDiode zu kommen. der n-Kontakt und die Durchlassspannung. Einerseits ergibt sich durch die hohe Dotierung der n+-Zone ein guter Ohmscher Kontakt (die Potentialbarriere wird durchtunnelt).und Leitfähigkeit ist also aufgehoben.2). lassen sich durch die Einführung einer dritten. werden sie in der n-Zone angestaut. Die n-Zone befindet sich dadurch überall in hoher Injektion und das entstandene Elektronen-LochPlasma erhöht (moduliert) die Leitfähigkeit der n-Zone um Größenordnungen. Version 2. Bild 4. Historisch gesehen ist das aber der Ursprung für die Bezeichnung pin-Diode. Tatsächlich hat sich die Strukturfolge p+in+ oder kurz pin als dynamisch instabil erwiesen und wird heute nicht mehr verwendet. bevor die Diode durchbricht. zeigt Bild 4. hoch dotierten n+-Zone zwischen der n-Zone und dem metallischen Kontakt lösen (siehe Bild 4. Der unmittelbare Zusammenhang zwischen Sperr. Auch wenn die echte pin-Diode keine Alternative darstellt. Da die injizierten Ladungsträger nicht ohne weiteres abfließen und auch nur langsam rekombinieren. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.3a ist die so genannte Non-Punch-Through (NPT) Lösung dargestellt. Da im Mittelgebiet keine Dotierung vorhanden ist.

Aus dem Plasma heraus findet Injektion in die Endgebiete statt.und des Ausschaltverhaltens zeigen. die mit Hilfe der Finiten Elemente Methode eine detaillierte Berechnung der Verhältnisse erlaubt.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik lND-NAl lND-NAl lND-NAl 50 p+ lEl n n+ p+ lEl n- n+ p+ lEl i n+ a) b) c) Bild 4.1.4 zeigt die Ladungsträgerverteilung wie sie sich bei Vorwärtspolung einstellen wird. wird die genauere Analyse des stationären Durchlass. Welche Kriterien dabei eine Rolle spielen. Einzelne Effekte lassen sich dennoch hinreichend genau an Hand von Näherungsmodellen betrachten und. Leider ist diese Situation durch die Abhängigkeiten der verschiedenen Parameter untereinander kaum analytisch zu erfassen. wodurch das Feld bis zum n+-Gebiet reicht und erst dort auf null geht. ist im stationären Zustand also nicht möglich. Beide Endgebiete injizieren Ladungsträger in das Mittelgebiet.und Löcherkonzentration im Plasma würde zu großen elektrischen Feldern und damit zu Ausgleichsströmen führen. Jeder signifikante Unterschied zwischen Elektronen. Aufgrund der Rekombination im Mittelgebiet ist die Plasmakonzentration aber nicht konstant. Das Feld wird im Mittelgebiet zwar leicht abgebaut. da dieselben oder zumindest ähnliche Effekte bei allen Plasmabauelementen wie den Thyristoren (GTO. Stattdessen bietet sich hier die Bauelementsimulation an. Der Designer kann also mit der Dotierung und der Weite des Mittelgebiets "spielen" und die Eigenschaften der Diode auf die Anwendung maßschneidern.3: Varianten einer Hochspannungsdiode für jeweils dieselbe Sperrfähigkeit: a) die NPT-Diode. 4. soll dieser Untersuchung hier breiterer Raum eingeräumt werden. sondern zur Mitte hin kleiner.3b. GCT) und sogar bei den IGBTs auftreten. Diesen so genannten Punch-Through (PT) Fall zeigt Bild 4. Version 2. Das Mittelgebiet kann auch hier deutlich kürzer sein als im NPT-Fall. so dass sich mit der resultierenden Diffusion ein exponentieller Konzentrationsverlauf ergibt.0. b) die PT-Diode und c) die echte pin-Diode. wo sich ein Elektron-Loch-Plasma mit n = p = npl bildet (Quasineutralitätsbedingung wegen Vernachlässigung der Dotierung).2 Durchlassverhalten Im Folgenden soll das Durchlassverhalten der pin-Diode näher untersucht werden. Da die echte pin-Diode aber die oben schon erwähnte dynamische Instabilität zeigt. aber aufgrund der niedrigeren Dotierung viel langsamer als bei der NPT-Diode. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Oktober 2009 . Bild 4. wird in der Realität eine Lösung zwischen den beiden Extremen NPT-Diode und pin-Diode verwendet. Die Minoritätsladungsträger rekombinieren dort (spätestens am Kontakt).

0.5: Ladungsträgerverteilungen bei Verwendung der Hall-Näherung. Version 2.4) j n = q ⋅ µ n ⋅ n pl ⋅ E + q ⋅ Dn ⋅ dn pl dx (4. Konkret wird angenommen: • • • • Keine Injektion in die Endgebiete (ideale Emitter) Kein Spannungsabfall über den Endgebieten Konstante (high level) Trägerlebensdauer τHL über das Mittelgebiet hinweg Quasineutralität im gesamten Mittelgebiet (n = p = npl) Die daraus resultierende Plasmaverteilung ist in Bild 4. 4.1 Hall-Näherung (keine Injektion in die Endgebiete) Die so genannte Hall-Näherung vernachlässigt das Geschehen in den Endgebieten vollständig. so lauten die Gleichungen für den stationären Fall (d/dt = 0): j p = q ⋅ µ p ⋅ n pl ⋅ E − q ⋅ D p ⋅ dn pl dx (4.und Kontinuitätsgleichungen für Elektronen und Löcher. Die Herleitung beginnt mit den Stromdichte. Wird die Quasineutralität (n = p = npl) bereits angenommen. p p = NA n = p = npl ni n n = ND np0 0 wm pn0 Bild 4.2.1. Kernstück der Hall-Näherung ist die Berechnung der Plasmakonzentration im Mittelgebiet.5 schematisch dargestellt.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 51 p+ p p = NA + i n = p = npl ni n+ n n = ND np0 0 wm pn0 Bild 4.5) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Oktober 2009 .4: Ladungsträgerverteilungen in einer vorwärts gepolten pin-Diode.

13) Es gilt nun die Faktoren A und B mit Hilfe der Randbedingungen zu lösen.9) beim Differenzieren nach dem Ort weg.8) Mit Hilfe dieses Ausdrucks lässt sich die Feldstärke aus den Stromdichtegleichungen eliminieren. j n (0 ) = 0 . so fällt der erste Term von Gleichung (4.12) Die Differentialgleichung (4.14) Nach längerer Rechnung folgt daraus schließlich die Lösung für die Plasmakonzentration im Mittelgebiet: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.10) definiert wurde.4) und (4. Im Fall des Löcherstroms jp lautet die sogenannte ambipolare Stromdichtegleichung: µp dn pl jp = ⋅ j − q ⋅ Da ⋅ (4.0. hyperbolische Funktionen zu verwenden.5) ist sie offenbar das Maß für die Diffusion des Elektron-Loch-Plasmas. jp ( w m ) = 0 und jn ( w m ) = j (4.9) in die Kontinuitätsgleichung für die Löcher ein. weil die Stromdichte in der Diode konstant ist.11) lässt sich grundsätzlich mittels Exponentialfunktionen lösen.9) µn + µ p dx wobei die Einstein-Beziehung für Elektronen (Dn = Uth·µn) und für Löcher (Dp = Uth·µp) angewendet und die ambipolare Diffusionskonstante Da als: Da = 2 ⋅ Dn ⋅ D p Dn + D p = 2⋅ µn ⋅ µ p µn + µ p ⋅ U th (4. Version 2. Es ist hier aber vorteilhaft.6) 0 = (4. Man erhält dann die Differentialgleichung: d 2 n pl dx 2 = n pl − n i L2 a (4. Zusammen mit der speziellen Lösung npl = ni = konstant lautet die allgemeine Lösung: n pl ( x ) = ni + A ⋅ cosh x x + B ⋅ sinh La La (4. Setzt man nun Gleichung (4. Konkret führt die Annahme idealer Emitter zu folgenden vier Bedingungen: j p (0 ) = j . Verglichen mit den Gleichungen (4.11) wobei die ambipolare Diffusionslänge La gegeben ist durch: La = Da ⋅ τ HL (4.7) Durch Addition der beiden Stromdichtegleichungen (j = jp+jn) und Auflösen nach der Feldstärke E ergibt sich: E = j q ⋅ ( µ n + µ p ) ⋅ n pl − Dn − D p µn + µ p ⋅ 1 dn pl ⋅ n pl dx (4.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 1 dj p n pl − n i ⋅ − q dx τ HL 1 dj n n pl − n i ⋅ − q dx τ HL 52 0 = − (4. Oktober 2009 .

E+16 1.6: Plasmakonzentration bei verschiedenen Ladungsträgerlebensdauern für eine pin-Diode mit 290 µm breitem Mittelgebiet bei 10 A/cm². Oktober 2009 .E+15 τHL = 1 µs 1. Für µn ≠ µp ergibt sich eine aus der Mitte verschobene cosh-Funktion.16) wobei xmin die Koordinate des Minimums der Plasmakonzentration ist.15) daher auch in folgende Form bringen: n pl ( x ) = n i + (n pl ⎛ x − x min ( x min ) − n i ) ⋅ ⎜ cosh ⎜ La ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (4. 1. (4.6 zeigt zwei Beispiele für die Plasmakonzentration bei unterschiedlicher (high level) Trägerlebensdauer τHL. dass die Plasmakonzentration npl (unter Vernachlässigung von ni) direkt proportional zur Stromdichte j ist. so ergibt sich für die Feldstärke im Mittelgebiet: Dn − D p j d ( j ⋅ f ( x )) 1 E = − (4.15) wobei x0 die Mitte des Mittelgebiets zwischen 0 und wm bezeichnet.E+14 0 50 100 150 Position [µm] 200 250 Bild 4. Man könnte Gl. Für µn = µp wird der rechte Term in der Klammer null und die Plasmakonzentration ist eine um die Mitte der Mittelzone symmetrische cosh-Funktion. Setzt man für die Plasmakonzentration npl(x) = j·f(x) an. Bild 4.0. Für die Berechnung des Spannungsabfalls über dem Mittelgebiet ist das sehr vorteilhaft.E+17 τHL = 10 µs Plasmakonzentration [cm-3] 1. Version 2.17) ⋅ ⋅ q ⋅ ( µn + µ p ) ⋅ j ⋅ f ( x ) µn + µ p j ⋅ f ( x ) dx Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik x − x0 ⎛ ⎜ cosh La j ⋅ τ HL ⎜ + ⋅ ⎜ wm 2 ⋅ q ⋅ La ⎜ sinh 2 ⋅ La ⎝ x − x0 µn − µ p La − ⋅ wm µn + µ p cosh 2 ⋅ La sinh ⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ 53 n pl ( x ) = ni (4. Das zweite wichtige Ergebnis dieser Herleitung ist die Tatsache.

18) und (4. Unter Vernachlässigung von ni kann man wieder vereinfacht npl(0) = j·f(0) bzw. Bild 4.7: Mittelgebietsspannung Um in Abhängigkeit vom Quotienten der Weite wm des Mittelgebiets und der ambipolaren Diffusionslänge La.18) n pl (w m ) = n(w m ) = n i ⋅ e U in + U th (4. Oktober 2009 . Nach der Bestimmung der Mittelgebietsspannung soll abschließend noch die StromSpannungs-Kennlinie der pin-Diode berechnet werden.20) Durch Auflösen nach j und unter Vernachlässigung der Spannungsabfälle in den Endgebieten (Up+i + Uin+ = U . Es ist klar zu sehen. npl(wm) = j·f(wm) ansetzen.7 zeigt stattdessen die Abhängigkeit der Mittelgebietsspannung Um vom Quotienten der Weite wm des Mittelgebiets und der ambipolaren Diffusionslänge La (für die Beweglichkeiten wurden ideale Werte angenommen).Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Da die Gesamtstromdichte j nicht ortsabhängig ist.19) ergibt sich dann: Up+i n pl (0) ⋅ n pl (w m ) = n ⋅ e 2 i U th ⋅e U in + U th = j 2 ⋅ f (0) ⋅ f (w m ) (4. in+-Übergänge herangezogen: Up+i n pl (0) = p(0) = n i ⋅ e U th (4. Für beide Bereiche finden sich in der Literatur Näherungsformeln und entsprechende Herleitungen. also der Spannungsabfall über dem Mittelgebiet. Dazu wird zunächst der Zusammenhang zwischen der Plasmakonzentration und der Durchlassspannung der beiden p+i.15). kürzt sich j in beiden Termen heraus. Die Feldstärke und damit auch das Integral der Feldstärke über das Mittelgebiet.0. Aus der Multiplikation der Gleichungen (4. dass die Mittelgebietsspannung bis zu einem wm/La-Verhältnis von 2 bis 3 vernachlässigbar ist und erst danach sehr schnell ansteigt. 54 5 4 3 Um [V] 2 1 0 0 1 2 3 4 5 wm/La 6 7 8 9 10 Bild 4.bzw. sehr umfangreiche Herleitung soll hier nicht wiedergegeben werden. wird von der Stromdichte unabhängig! Die genaue.19) Andererseits ergeben sich die Plasmakonzentrationen aus Gleichung (4.Um) ergibt sich schließlich die Kennliniengleichung: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Version 2.

Das Kernstück der Kleinman-Näherung ist die Berechnung der Injektionsstromdichte. Dieses Vorgehen führt bei niedrigen Stromdichten noch zu brauchbaren Resultaten bzw.1. Für die p-Seite wird dazu zunächst die Stromdichtegleichung unter Annahme von E = 0 (keine Spannungsabfälle im Endgebiet) herangezogen. Der Injektionsstrom wird also irgendwann zum bestimmenden Stromanteil und die Voraussetzungen der Hall-Näherung sind dann nicht mehr erfüllt. Das kommt daher. wie sie bei realen Dioden häufig auftreten. kleinen Fehlern. Es unterscheiden sich nur die Parameter. rekombinieren die Minoritätsträger fast ausschließlich am Kontakt.bzw. Bei hohen Stromdichten und damit hohen Plasmakonzentrationen jedoch. wobei Ln die Diffusionslänge der Elektronen im p-Gebiet ist: jn = q ⋅ Dn ⋅ np Ln mit Ln = Dn ⋅ τ n (4. Sie vernachlässigt nun ganz im Gegensatz zur Hall-Näherung die Rekombination im Mittelgebiet gegenüber den Vorgängen in den Endzonen. Die daraus resultierende Plasmaverteilung ist in Bild 4. die in j0 eingehen. in+-Übergängen fällt zusammen die Spannung Uj ab. 4.21)). Der Gradient der Minoritätsträger ist Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. wird die Injektion in die Endgebiete und die dortige Rekombination und Diffusion immer wichtiger.0. werden außerdem noch weitere Näherungen eingeführt. Am Rand der Raumladungszone gilt: j n = q ⋅ Dn ⋅ dn p dx (4. Version 2. und der Faktor 2 im Nenner der Exponentialfunktion.2. dass.8 schematisch dargestellt. hier aber nicht weiter behandelt werden soll.2 Kleinman-Näherung (keine Mittelgebietsrekombination) Die Stärke der Hall-Näherung ist also die gute Beschreibung der Verhältnisse im Mittelgebiet.23) NB: Bei sehr kurzen Endgebieten. Konkret wird angenommen: • • • • • Keine Rekombination im Mittelgebiet Kein Spannungsabfall über den Endgebieten Quasineutralität im gesamten Mittelgebiet (n = p = npl) Konstante Plasmakonzentration im gesamten Mittelgebiet Über den p+i.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik ni ⋅ e 2 ⋅Uth f (0) ⋅ f (w m ) U − Um U 2 ⋅Uth 55 j = = j0 ⋅ e (4.21) Die Kennliniengleichung der pin-Diode hat nach der Hall-Näherung also die gleiche Form wie die des einfachen pn-Übergangs. die zwar stromabhängig ist (vergl. In diesem Bereich ist die Kleinman-Näherung besser geeignet. der Injektionsstrom in die Endgebiete mit dem Quadrat der Plasmakonzentration zunimmt. (4. Oktober 2009 . der zu einem flacheren Kennlinienverlauf führt. während die Vorgänge in den Endgebieten komplett vernachlässigt werden. Damit die analytische Herleitung nicht zu aufwändig wird. wie später gezeigt wird.22) Der Gradient der Minoritätsträgerkonzentration np ist bei sehr langen Endgebieten (wp >> Ln) gleich np/Ln. während der Rekombinationsstrom im Mittelgebiet nur linear mit npl ansteigt.

Für den allgemeinen Fall ist Ln durch Ln·tanh(wp/Ln) zu ersetzen. Für die Berechnung der Injektionsstromdichte fehlt nun noch die Minoritätsträgerkonzentration np am Rand der Raumladungszone. Für die Plasmakonzentration npl folgt daraus: j (4.23) müsste also Ln durch wp ersetzt werden. Oktober 2009 . während die Plasmakonzentration in der Hall-Näherung linear von der Stromdichte abhängt. 56 p p = NA np np0 0 n = p = npl ni n n = ND pn pn0 wm Bild 4. gehen sonst nur Endgebietsparameter ein.25) Analog ergibt sich der Ausdruck für die Injektionsstromdichte der Löcher auf der n-Seite.8: Ladungsträgerverteilungen bei Verwendung der Kleinman-Näherung. Es gilt: 2 p p ⋅ n p = N A ⋅ n p = p(0) ⋅ n(0) = n pl (0) bzw.26) wobei H die Eigenschaften der Endgebiete zusammenfasst.0. Mit der Annahme einer konstanten Plasmakonzentration über das gesamte Mittelgebiet (NB: Diese Annahme verzerrt die Stromanteile) kann nun der Gesamtstrom als Summe der beiden Injektionsstromanteile berechnet werden: j = jn + j p ⎛ Dn Dp ⎞ 2 ⎟ ⋅ n pl = q ⋅⎜ + ⎜ L ⋅N Lp ⋅ N D ⎟ n A ⎠ ⎝ 2 = q ⋅ H ⋅ n pl (4. ist auch die Feldstärke konstant.24) Insgesamt ergibt sich für die Injektionsstromdichte der Elektronen auf der p-Seite: jn = q⋅ Dn 2 ⋅ n pl (0) Ln ⋅ N A (4. Da alle Vorgänge im Mittelgebiet vernachlässigt wurden. In Gleichung (4. Weil die Plasmakonzentration und natürlich auch die Stromdichte über das Mittelgebiet konstant sind.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik dann viel steiler und gegeben durch die injizierte Konzentration np geteilt durch die Endgebietsweite wp. Version 2. np = 2 n pl (0) NA (4. wodurch sich der Spannungsabfall Um einfach als Produkt aus Feldstärke und Mittelgebietsweite ergibt: Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.27) n pl = q ⋅H Die Plasmakonzentration nimmt hier also nur mit der Wurzel der Stromdichte zu.

sondern nur noch quadratisch. also hoch sperrenden Dioden.3 Einschaltverhalten Um eine pin-Diode vom Sperr. Oktober 2009 .und Kleinman-Näherung Die Hall. sind nur für bestimmte Dioden-Auslegungen sinnvoll. in+-Übergängen Uj ein (Um = U . muss offenbar zunächst das Elektronen-Loch-Plasma in der Mittelzone aufgebaut werden. steigt die Stromdichte also nicht mehr exponentiell mit der angelegten Spannung.0. einen größeren Betriebsbereich abzudecken – leider mit mäßigem Erfolg oder übermäßigem Aufwand. z.28) Anders als bei der Hall-Näherung ist die Mittelgebietsspannung nun von der Stromdichte abhängig.2. dem Bereich den die Kleinman-Näherung beschreibt. vernachlässigbar und die Diode befindet sich zu jedem Zeitpunkt quasi im stationären Zustand.1.und Abschaltverlusten immer noch vernachlässigbar.bzw.T. so ist die Zeit. wie sie bei Josef Lutz beschrieben ist (siehe Literaturhinweise). 4. dass zahlreiche andere Modelle entwickelt wurden.und die Kleinman-Näherung stammen beide aus der Anfangszeit der Halbleitertechnologie und beschreiben jeweils nur einen begrenzten.in den Durchlasszustand zu bringen. deutlich länger dauert. so steht anfangs im Mittelgebiet noch nicht die volle Leitfähigkeit zur Verfügung und die Durchlassspannung der Diode kann kurzzeitig einige 10 V oder sogar wenige 100 V betragen! Man spricht hier von der Einschaltüberspannung (engl. forward recovery voltage). Ein Problem kann aber Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. 4.29) mit einer einzigen Modifikation im Spannungsterm.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik j ⋅wm q ⋅ (µn + µ p ) ⋅ n pl H ⋅wm ⋅ j q ⋅ (µn + µ p ) 57 Um = E ⋅wm = = (4.29) Bei hohen Stromdichten. Das hat in den letzten 50 Jahren dazu geführt. um von den Endgebieten aus an jeden Ort des Mittelgebiets zu gelangen und die stationäre Ladungsverteilung herzustellen. so erhält man schließlich für die Kennliniengleichung der pin-Diode: q j = H ⎛ µ + µp ⎞ ⎟ ⋅ (U − U j )2 ⋅⎜ n ⎟ ⎜ w m ⎠ ⎝ 2 (4. Für die Diode selbst ist das unproblematisch und die Einschaltverluste sind gegenüber den Durchlass. Vielmehr brauchen die Ladungsträger einige Zeit.Uj). Stand der Technik ist heute die Kombination der beiden Näherungen. Version 2. die das Einschalten benötigt. Handelt es sich um einen sehr langsamen Vorgang wie bei einer Gleichrichterdiode am 50 Hz-Netz. Häufig wird das Einschalten der Dioden durch die Schaltung vorgegeben. Es ist daher nicht verwunderlich. Dieser Plasmaaufbau geht nicht unendlich schnell von Statten. die darauf abzielten.3 Kombination von Hall. Zu noch höheren Stromdichten hin werden dann zusätzliche Effekte wie die Abnahme der Beweglichkeit durch Streuung der Ladungsträger untereinander relevant. Formt man diese Gleichung nach der Stromdichte j um und setzt für die Gesamtspannung über den p+i. Konkret bestimmt meistens ein Schaltelement oder eine (Streu-) Induktivität im Kreis die Stromanstiegsgeschwindigkeit (di/dt) durch die Diode. Insgesamt verläuft die Kennlinie dadurch noch flacher. sogar irrelevanten Betriebszustand einer pin-Diode bzw. Das Resultat entspricht dabei Gleichung (4. dass der Einschaltvorgang bei dickeren. Für andere Bereiche liefern sie dagegen sehr schlechte Ergebnisse.1. Geht es aber um Schaltvorgänge im µs-Maßstab.

Version 2. Der sperrende pn-Übergang des IGBT geht dann in den Lawinendurchbruch. muss ein signifikanter Teil des Plasmas aus dem Mittelgebiet entfernt werden. wobei dann angenommen wird.2. die beim Ausschalten der Diode eine Rolle spielen. Bei schnellen Schaltvorgängen dagegen. des Diodenzweigs also bei der Auslegung der Schaltung mit einzukalkulieren. Eine Obergrenze für die Einschaltüberspannung gibt Gleichung (4. 4. Für den IGBT ist die Einschaltüberspannung der Diode eine Rückwärtsüberspannung und kann seine Rückwärtssperrfähigkeit (z. die Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.9 unterscheidet sich einerseits durch die zur Vereinfachung rein induktiv angenommene Last und zum anderen durch die Induktivität Li im Quellenkreis. Andererseits tragen aber auch die (Streu-) Induktivitäten im Diodenzweig eine zusätzliche Überspannung bei. Dieser Effekt wird bei höheren Sperrspannungen immer wichtiger und ist beim Auslegen einer Schaltung bzw. Die Verlustleistung ist in diesem Moment sehr hoch (bis in die Größenordnung von 1 MW/cm2) und kann sogar zur Zerstörung der Diode führen. Bei sehr langsamen Schaltvorgängen kann das durch Rekombination geschehen und macht sich in der Schaltung kaum bemerkbar. Wird die Diode kurz danach (bevor das Plasma im IGBT rekombinieren kann) wieder abgeschaltet. Die genauen Vorgänge. wird das Plasma aus dem Mittelgebiet abgesaugt.1 behandelt. wodurch der IGBT mit Ladungsträgern überschwemmt wird. bei der Auswahl der Dioden und Schaltelemente unbedingt zu berücksichtigen. Auf diese Weise erhöhen sich die Abschaltverluste unter Umständen erheblich und.9: Einfacher Gleichstromsteller mit rein induktiver Last und Induktivität im Quellenkreis sowie Strom. 58 Li U0 uD iS S iL LL ta S iS iD ein aus tb tc td I0 U0 iD uD Bild 4. so wirkt der IGBT wie eine Diode parallel zur eigentlichen Diode und schaltet zusammen mit ihr ab.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik entstehen. sollen anhand des in Bild 4.B. dass der Strom unendlich schnell auf seinen stationären Wert steigt und im ersten Moment noch keinerlei Leitfähigkeitsmodulation vorhanden ist. Bevor die Diode überhaupt Spannung aufnehmen kann.3). da der IGBT nicht für diesen Betriebsmodus ausgelegt ist.9 links dargestellten einfachen Gleichstromstellers untersucht werden. In jedem Fall ist die Einschalt(über)spannung der Diode bzw.4 Ausschaltverhalten Wie beim Einschalten bestimmt die Dynamik des Elektron-Loch-Plasmas auch das Ausschalten der Diode. kann er sogar zerstört werden. nur wenige 10 V) deutlich überschreiten.und Spannungsverläufe beim Doppelpulstest Die Funktion des einfachen Gleichstromstellers wurde bereits in Abschnitt 3.0. Einerseits wird die Einschaltüberspannung so natürlich überschätzt. die ebenfalls mit dem di/dt ansteigt. Die Schaltung in Bild 4. Die Diode führt dadurch einen großen Strom und blockiert gleichzeitig bereits eine hohe Spannung. wenn die Diode z. Oktober 2009 .T. die antiparallele Diode zu einem IGBT ist.1. weil der Strom nicht so schnell ansteigen kann.

Durch den Schalter fließt jetzt I0+Irr.9. Rechts sind die zugehörigen Plasmaverteilungen im Mittelgebiet der Diode zu sehen. so liegt die volle Quellenspannung U0 über der Lastinduktivität (Li vernachlässigt). Das Mittelgebiet der Diode ist zu diesem Zeitpunkt noch völlig mit Plasma überschwemmt. Version 2. wird also der Diodenstrom zu null.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik sehr klein und deshalb gegenüber der Lastinduktivität LL vernachlässigbar ist.4. so dass der Strom iS durch den Schalter mit U0/Li ansteigt und der Diodenstrom iD entsprechend sinkt. Die über der Induktivität Li anliegende Spannung sinkt entsprechend und damit auch die Stromzunahme auf den Wert (U0-uD)/Li. um eine stationäre Plasmaverteilung annehmen zu können. Die Diode erreicht ihren größten negativen Wert Irr. Oktober 2009 . Die volle Quellenspannung liegt nun wieder über der Last und der Laststrom iL steigt weiter mit U0/LL. wird der Diodenstrom in Phase negativ. 4. wird der Schalter zum Zeitpunkt tc wieder geschlossen. tc wird der Schalter geschlossen und der Diodenstrom iD sinkt während der Phase mit U0/Li. Das Bild deutet aber auch an. da die „natürliche“ Verteilung für Freilaufdioden ungeeignet ist. Die Diode bleibt also leitend und dementsprechend fällt kaum Spannung an ihr ab (in welche Richtung auch immer). gab es sowohl für den Schalter als auch für die Diode also zwei Strompulse. Wird der Schalter zum Zeitpunkt ta geschlossen. Zur Charakterisierung einer Diode wird nun der sogenannte Doppelpulstest durchgeführt. Schließlich wird der Schalter bei td wieder geöffnet und der Laststrom fließt so lange weiter durch die Freilaufdiode.1. Im nachfolgenden Abschnitt sollen die Vorgänge während des Abschaltens deshalb genauer betrachtet werden. bis zum Zeitpunkt tb der Teststrom erreicht ist. so dass der Laststrom iL mit U0/LL zu steigen beginnt. injizieren die Randgebiete nun kein Ladungsträger mehr in das Mittelgebiet. Die dazu notwenigen technologischen Maßnahmen werden in Abschnitt 4. behält aber seine Steigung bei.10 links zeigt die Vorgänge ab dem Zeitpunkt tc in viel größerer zeitlicher Auflösung als Bild 4. Da der Diodenstrom jetzt negativ ist. Zum Zeitpunkt t3 verändert sich die Situation. Das soll hier aber nicht weiter untersucht werden. Die Diode macht eine Einschaltüberspannung usw. In diesem Moment wird der Schalter wieder geöffnet und der Laststrom kommutiert in die Freilaufdiode. Bei t1 bzw.1. bis er bei t2 null wird. sondern saugen diese ab (extrahieren sie). Nachdem die Diode lange genug (einige Mikrosekunden) eingeschaltet war. woraus sich der Name Doppelpulstest erklärt. dann schaltet die Diode ab und beginnt zu sperren. Die volle Quellenspannung liegt also an der Induktivität Li. Zu Beginn (Phase ) fließt der Laststrom iL = I0 durch die Diode und das Elektron-LochPlasma hat seine stationäre Verteilung (NB: Das Plasmaprofil sieht anders aus als in Bild 4.9 rechts zeigt. Bei t4 hat die Spannung über der Diode den Wert der Quellenspannung U0 erreicht. das Maximum der Rückstromspitze. Da die Diode leitet.1 Optimales Ausschalten Bild 4. so dass der p+n--Übergang Spannung aufnehmen kann. Die Plasmakonzentration am Rand des Mittelgebiets sinkt auf diese Weise sehr schnell ab. Nur an den Rändern ist die Konzentration leicht abgesunken und der Plasmagradient ist dort null. bis alle Energie verbraucht ist. Da der Laststrom praktisch konstant bei I0 bleibt. Die Plasmakonzentration am p+n--Übergang der Diode ist bis auf null abgesunken. Je nach Diode und Schaltungsparametern kann dieser Strom 59 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. fällt über ihr nur die sehr kleine Durchlassspannung ab. Erreicht der Schalterstrom den Wert des Laststroms. dass das Abschalten der Diode zu einigen Überschwingern in den Kurvenverläufen führt.5 behandelt). Wie Bild 4.6. Die Spannung über der Induktivität Li und damit die Stromzunahme werden zu null.0. Deshalb liegt weiterhin die volle Quellenspannung an der Induktivität Li und der Strom durch den Schalter steigt weiter mit U0/Li.

der Weite des Mittelgebiets. wodurch es an der Diode zu einer Überspannung kommt. Das verhindert aber wieder die Induktivität Li. 60 iD I0 t Irr uD t U0 Urm t1 t2 t3 t4 t5 t6 npl t1 t2 t3 t5 t4 t6 Bild 4. könnte der Diodenstrom eigentlich sofort auf null sinken und die Diode in den stationären Sperrzustand übergehen. „Optimal“ bedeutet in diesem Zusammenhang. Der Abschaltvorgang ist beendet. Diese entspricht bis auf geringe Verluste durch Rekombination dem im stationären Zustand in der Diode gespeicherten Plasma. Version 2.1.2). Im nachfolgenden sollen nun einige Probleme.2 Probleme beim Ausschalten Im vorangegangenen Abschnitt wurde das Ausschaltverhalten beschrieben. die beim Abschalten einer Diode auftreten können. Danach nähern sich Diodenstrom und -spannung ihren stationären Werten.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik durchaus den doppelten Laststrom I0 übersteigen.und Spannungsverläufe beim Abkommutieren einer Freilaufdiode bei rein induktiver Last und Induktivität im Quellenkreis sowie die zugehörigen Plasmaverteilungen im Mittelgebiet der Diode 4. Man Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.4.und Spannungsverläufe. dem abzuschaltenden Strom und (indirekt) der Temperatur ab (vergleiche auch Abschnitt 4. Oft ist das aber aus verschiedensten Gründen so nicht gegeben. Umgekehrt braucht man für einen gegebenen Spannungsanstiegt nur einen recht kleinen Strom. wie es unter optimalen Bedingungen ablaufen würde. Die von der Diode „gewünschte“ Stromabnahme erzeugt eine negative Spannung an der Induktivität Li.10: Strom. Oktober 2009 . Die in der Diode umgesetzte Verlustenergie Wrr lässt sich ungefähr als Produkt aus der Speicherladung Qrr und der Quellenspannung U0 abschätzen. Die Plasmaverteilung ihrerseits hängt von der Ladungsträgerlebensdauer.1. so wird das Mittelgebiet von einem gegebenen Strom sehr schnell ausgeräumt und nimmt entsprechend schnell Spannung auf. Wie aus der Beschreibung des optimalen Abschaltens hervorgeht. Nach dem Erreichen der Rückstromspitze kann der Diodenstrom deshalb sehr schnell gegen null laufen und gleichzeitig eine sehr hohe Überspannung generieren. Der Schalter muss dafür natürlich ausgelegt sein! Nachdem die Diode die Quellenspannung aufgenommen hat. Bei t5 erreicht die Stromabnahme ihre größte Steilheit diD/dt (Wendepunkt) und die Überspannung ihren Maximalwert. der Stärke der Injektion aus den Randgebieten. Hängt die Plasmaverteilung nun sehr weit durch (großes wm/La). bestimmt die Plasmaverteilung ganz wesentlich die Strom. kurz angesprochen werden. dass zahlreiche Parameter der Schaltung und der Diode zusammen passen müssen. Insgesamt ist aus der Diode dann die Speicherladung Qrr extrahiert worden.0.

6. Da das Ganze nur dynamisch auftritt. also wieder das letzte Plasma ausgeräumt wird. Andererseits darf aber die Diode nicht zu dünn sein bzw. also so wie die „natürliche“ Verteilung aus Bild 4. Schließlich tritt beim Abschalten noch eine dynamische Feldüberhöhung auf. spricht man auch von dynamischer Lawinenmultiplikation (engl.30) Dieser Wert kann schon bei mäßigen Stromdichten in die Größenordnung der niedrigen Dotierung des Mittelgebiets kommen und verändert so die Feldverteilung erheblich. wenn das Plasma auf der Kathodenseite sehr niedrig und auf der Anodenseite sehr hoch ist. Das Plasma wird dann auf der Kathodenseite so schnell abgesaugt. die Quellenspannung nicht zu hoch. Oktober 2009 . Der Diodenstrom geht mit sehr großer Steilheit (diD/dt) gegen null und kann wiederum Schwingungen bzw. Im weiteren Verlauf wird dann das Mittelgebiet von beiden Seiten ausgeräumt. dann kommt es zum Stromabriss (engl. Befindet sich die Diode in der Phase und führt sie noch signifikanten Strom wenn das Plasma komplett ausgeräumt ist. kommt es auch hier zum Stromabriss mit den genannten Folgen. Überspannungen erzeugen. avalanche multiplication) ein.11 zeigt die Feldverteilung wie sie für eine bestimmte Spannung in stationären Fall aussähe (gestrichelt) und wie sie während des Abschaltvorgangs tatsächlich aussieht (durchgezogen). aber die maximale Feldstärke ist im dynamischen Fall doppelt so groß! E Edynamisch Estationär npl Bild 4. Bild 4.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik spricht von einem harten Abschaltverhalten. Dieser Effekt begrenzt sich durch die generierten Elektronen (Kompensation der Löcher- Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.11). dass am dortigen n+n—Übergang eine Raumladungszone entsteht. die aus dem Plasma durch die Raumladungszone hindurch zur Anode hin abgesaugt werden (Bild 4. ergeben sie eine zusätzliche positive Raumladung. dynamic avalanche multiplication). Die Konzentration nLöcher der Raumladung ergibt sich zu: 61 j = q ⋅ v sat ⋅ nLöcher ⇔ n Löcher = j q ⋅ v sat (4. die in der Poisson-Gleichung berücksichtigt werden muss. also kein Strom mehr liefern kann.11: Dynamische Feldüberhöhung durch Löcher in der Raumladungszone Überschreitet die maximale Feldstärke die kritische Feldstärke. oder sogar zur Zerstörung der Diode führen. Version 2. die sehr unangenehme Folgen haben kann. Um hartes Abschalten zu verhindern. darf die Diode nicht zu dick gewählt werden und die (temperaturabhängige) Ladungsträgerlebensdauer muss lang genug sein. Diese Feldüberhöhung wird durch die Löcher hervorgerufen. Wenn die beiden Raumladungszonen aufeinander stoßen. Einen ähnlichen Effekt gibt es. Das kann Schwingungen in der Schaltung hervorrufen. bevor der Strom auf null ist.0. Beide Dreiecksflächen sind gleich groß. so setzt Lawinenmultiplikation (engl. snap-off). Da die Löcher die Raumladungszone nicht unendlich schnell durchqueren. sondern nur mit der Sättigungsdriftgeschwindigkeit (vsat ≈ 107 cm/s).

des möglichen Stromabrisses und wegen der höheren Stromsteilheit (diD/dt = U0/Li) kritisch.1. Es ist Aufgabe des Designers die für eine bestimmte Anwendung optimale Kombination bzw. insbesondere Freilaufdioden. Leider wirkt die Ladungsträgerlebensdauer gegenläufig auf diese beiden Verlustarten.0.1.5. Oktober 2009 . Im Nachfolgenden dafür einige Beispiele. trade-off) zu finden. Mit der homogenen Ladungsträgerlebensdauer konnte die Konzentration npl des Plasmas und das „Durchhängen“ eingestellt werden. Bei den sogenannten Netzdioden. die zur Überlastung der Diode führen können.5 Auslegung und Technologievarianten Im Abschnitt 4. die zur Optimierung der Diode herangezogen werden können. dafür sind aber bei kleinerer Induktivität die Überspannungen geringer. Neben den Diodeneigenschaften sind dabei auch immer die Schaltungsparameter zu berücksichtigen. Version 2. also den optimalen Punkt auf der Technologiekurve zu bestimmen. Damit sind bereits wichtige Parameter festgelegt. Für schnelle Dioden.1 Einstellung der Ladungsträgerlebensdauer In Abschnitt 4. weil ein niedrigerer Strom das Risiko für einen Stromabriss erhöht und ein höherer Strom die Spitzenleistung. den optimalen Kompromiss (engl. Man kann also nicht beide Verlustarten gleichzeitig optimieren.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik ladung) selbst und führt deshalb nicht per se zur Zerstörung der Diode. Die Stromsteilheit steigt auch mit kleinerer Induktivität. was wiederum zu höherer Spitzenleistung und größerem Risiko für einen Stromabriss führt. sondern nur die eine zu Lasten der anderen. Schließlich hat auch die Temperatur einen Einfluss. die nur kleinen Strom. Auch beim Strom ist die Tendenz nicht eindeutig. Im Wesentlichen bedeutet das möglichst lange Ladungsträgerlebensdauer und möglichst starke Injektion aus den Randgebieten.und Spannungsveränderungen ausgesetzt sind und keine besonderen dynamischen Eigenschaften brauchen. Hochenergetische Elektronen (einige MeV) werden in das Silizium der Diode geschossen und erzeugen dort Schäden im Siliziumkristall. Die Gesamtheit aller möglichen Durchlassverlust-Schaltverlust-Kombinationen ergibt die sogenannte Technologiekurve für eine bestimmte Diode. die beim Abschalten einer Diode auftreten können.1.1 wurde die Auslegung des Mittelgebiets bereits behandelt. sind dagegen ganz andere Optimierungen notwendig. und durch Instabilitäten bzw. Diese 62 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Inhomogenitäten kann die Diode ebenfalls zerstört werden. Eine lange Ladungsträgerlebensdauer ergibt niedrige Durchlassverluste aber hohe Schaltverluste und eine kurze Ladungsträgerlebensdauer tut das Umgekehrte. Eine größere Stromsteilheit führt zu einem größeren Irr und einer schnelleren Ausräumung des Plasmas.1. Man kann mit diesem Parameter also einerseits die Durchlassspannung und damit die Durchlassverluste beeinflussen und andererseits die Speicherladung Qrr und damit die Schaltverluste. wobei es bei höherer Temperatur früher zu einer Überlast kommt und bei niedrigerer Temperatur das Risiko für einen Stromabriss steigt. kann man einfach auf möglichst niedrigen Durchlass optimieren. 4.2. 4. Insgesamt gibt es also eine Reihe an möglichen Problemen. Es gibt aber mit der Ladungsträgerlebensdauer im Mittelgebiet und dem Injektionsverhalten der Randzonen noch weitere Parameter. In jedem Fall aber werden zusätzliche Abschaltverluste erzeugt. Eine hohe Quellenspannung U0 ist wegen der höheren Verluste. Die Weite des Mittelgebiets ist entscheidend für die Durchlassverluste und zusammen mit der Dotierung bestimmt sie die Sperrfähigkeit der Diode. Die Einstellung einer homogenen Ladungsträgerlebensdauer erfolgt heute typischerweise mit Hilfe der Elektronenbestrahlung.1 wurde das Plasmaprofil für eine homogene Ladungsträgerlebensdauer hergeleitet.

ohne dass ein signifikanter Unterschied in der Ladungsträgerlebensdauer auftreten würde.6) leider sehr ungünstig für das Schaltverhalten. Das lässt sich tatsächlich mit einer inhomogenen Ladungsträgerlebensdauer realsieren.5.12: Verschiedene Diodenkonzepte basierend auf der pin-Diode. a) Lokal reduzierte Ladungstägerlebensdauer b) EmCon-Diode. als die Dicke der Dioden. Auf diese Weise wird die Ladungsträgerlebensdauer abgesenkt. kommt die Schwermetalldiffusion immer seltener zum Einsatz.0. d) MPS-Diode 4. Praktisch sind dem aber aufgrund der Kosten enge Grenzen gesetzt. Dazu werden schwerere Teilchen wie Protonen (Wasserstoffkerne) oder α–Teilchen (Heliumkerne) von der Anode her auf die Diode geschossen. bis das Plasma auf der Anodenseite angebaut ist und die Diode Spannung aufnehmen kann. ist die „natürliche“ mit homogener Ladungsträgerlebensdauer erzielte Plasmaverteilung mit deutlich höherer Konzentration auf der Anodenseite (siehe Bild 4. Die Absenkung geschieht homogen. Es dauert lange. Seit die Bestrahlung mit schweren Teilchen technologisch gut beherrscht wird. Version 2. Insbesondere Gold-diffundierte Dioden haben zudem den Nachteil sehr hoher Leckströme.12b). Eine auf der Anodenseite abgesenkte Ladungsträgerlebensdauer lässt sich auch mittels Eindiffusion von Schwermetallen wie Gold oder Platin erzeugen.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Schäden stellen Rekombinationszentren dar. Oktober 2009 . Der Rest der Diode bleibt unverändert. an denen die Shockley-Read-Hall Rekombination abläuft (NB: Silizium ist ein indirekter Halbleiter). c) SPEED.1.2 Einstellung der Anodeninjektion Um die Plasmakonzentration auf der Anodenseite abzusenken. so wie es bei der (Emitter Controlled) EmCon-Diode von Infineon gemacht wird (Bild 4. So wird die Rückstromspitze sehr groß und anschließend ist die Gefahr für einen Stromabriss besonders hoch. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die einfachste Variante ist die Verwendung einer dünnen. Die Metalle ergeben ebenfalls Rekombinationszentren und über die Diffusionstiefe kann der Bereich abgesenkter Ladungsträgerlebensdauer definiert werden. Optimal wäre dagegen das umgekehrte Profil mit niedriger Konzentration auf der Anodenseite und hoher Konzentration auf der Kathodenseite. da die mittlere Eindringtiefe der Elektronen viel größer ist. Mit Hilfe verschiedener Energien ließen sich so theoretisch beliebige Lebensdauerprofile erzeugen.12a). A p+ nn+ p nn+ A p nn+ A p+ nn+ A p+ 63 a) K b) K c) K d) K Bild 4. Wie bei der Diskussion des Abschaltens erwähnt. Man kann sogar mehrere Dioden hintereinander in den Elektronenstrahl stellen. Die mittlere Eindringtiefe ist (viel) kleiner als die Diodendicke und so wird die Ladungsträgerlebensdauer nur auf der Anodenseite abgesenkt (Bild 4. kann auch die Injektion aus der Anode reduziert werden. niedrig dotierten Anode.

Durch diese Abschirmung steigt die Feldstärke am Schottky-Übergang nicht so hoch. Die Schottky-Bereiche leiten zunächst den Strom allein. um eine gute Plasmaüberschwemmung und damit niedrige Durchlassverluste zu erzeugen. Im Bereich des normalen Betriebs wird durch die Verbindung bzw. Es werden bei manchen dieser Dioden auch isolierende Bereiche oder Widerstandsschichten eingesetzt. Mischung von Schottky. Das geht aber nur im begrenzten Maße. Entweder schaltet man für die Leitphase eine starke Injektion dazu. Darüber hinaus sollte die Diode noch sicher abschalten können. oder man schließt eine sonst starke Injektion für die Schaltphase kurz. Kurz vor dem Ausschalten würde man die Injektion dann reduzieren und die Plasmakonzentration auf diese Weise verringern. ist die Verwendung von Schottky-Bereichen abwechselnd mit p+-Bereichen (Bild 4. Leider haben solche angesteuerten Dioden einige gravierende Nachteile. Einen zusätzlichen Freiheitsgrad gewinnt man. Insgesamt haben sich solche angesteuerten Dioden trotz verschiedenster Konzepte bisher nicht durchsetzen können. bleiben so deutlich niedriger. Überströme ohne Schaden zu überstehen) leidet. aber nicht für das Prinzip wichtig. Über das Muster aus Schottky. 64 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.B. Die p-Inseln beginnen mit zu nehmendem Strom immer stärker zu injizieren und verhindern so ein zu schnelles Aufheizen der Diode im Überstromfall. Bei sehr hohen Stromdichten spielen die Schottky-Bereiche keine Rolle mehr und die Diode verhält sich im Überstromfall wie eine pin-Diode. Ein wichtiger Nebeneffekt bzw.12d). Das ist für die Struktur.12c) entwickelt.und pin-Diode (Merged pin Schottky. der sich bisher noch nicht so recht zeigt. die sich aufgrund verschiedener Effekte stark mit der Feldstärke erhöhen. Version 2. Am Ende entscheiden vor allem die Kosten der aufwändigeren Technologie im Verhältnis zur besseren Leistungsfähigkeit über den Erfolg. Der wichtigste sind auch hier die viel höheren Kosten einer solchen Lösung. Eine weitere Möglichkeit die Anodeninjektion zu reduzieren. geringere Ausbeute. Als Verbesserung wurde die SPEED (Selfadjusting p-Emitter Efficiency Diode. Zum einen lässt sich so die zur Verfügung stehende Oberfläche vergrößern und zu anderen sind bessere Abschirmgeometrien möglich. die Injektion der Anode über einen eigenen Steuerkontakt an der Diode zu verändern. Es ergäben sich so deutlich niedrigere Ausschaltverluste und insgesamt eine viel bessere Technologiekurve (hohe Durchlassverluste treten nur sehr kurz auf und fallen kaum ins Gewicht). Oktober 2009 . die die p+-Inseln für den Schottky-Übergang bilden. MPS) die Injektion aus der Anode in die Mittelzone deutlich reduziert. aufwändigeres Gehäuse) und andererseits braucht sie eine eigene Ansteuerschaltung. wenn man das planare (ebene) Design verlässt und eine z. die zusätzlich hochdotierte p-Inseln in der Anode besitzt. Einerseits ist die Herstellung einer angesteuerten Diode viel teurer (aufwändigerer Halbleiterprozess. Zur Einstellung der Injektion kann man dabei zwei Varianten unterscheiden. auch wenn die Ansteuerung nicht funktioniert (engl. wie sie es ohne tun würde. Erst bei höheren Stromdichten fangen dann auch die p+-Bereiche an zu leiten und dabei Löcher in das Mittelgebiet zu injizieren. Konkret würde man während der Leitphase eine möglichst starke Injektion einstellen.0. ohne Injektion in das Mittelgebiet.und p-Bereichen lässt sich sowohl die Injektion als auch die Abschirmung einstellen. durch TrenchÄtzung strukturierte Oberfläche verwendet. je nach Design auch Haupteffekt bei der MPS-Diode ist die Abschirmung. Schließlich gibt es Ansätze. fail save). dass die Stoßstromfähigkeit (Fähigkeit der Diode. Auch ist die Steuerung aufwändig und ergibt zusätzliche Einschränkungen (Mindest-„Vorwarnzeit“) für die Steuersoftware.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Dieses Design hat den Nachteil. Bild 4. Die Leckströme der Schottky-Bereiche.

Diese lautet unter Vernachlässigung der -1: j = A ⋅T ⋅ e * 2 − ΦB U th ⋅e U n ⋅U th = j0 ⋅ e U n ⋅U th (4.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 4. nur dass der p+n--Übergang nun durch einen Metall-Halbleiter-Übergang ersetzt wurde. Der große Unterschied ergibt sich durch die fehlende Injektion des Schottky-Übergangs.62·10-5 eV/K) und Uth = k·T/q die Temperatur- Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.4 Hybridlösungen Neben „gemischten“ aber integrierten Strukturen wie der MPS-Diode gibt es auch echte Hybridlösungen.5.1. die extrem sanft abschaltet. Dieser MetallHalbleiter. Ebenfalls sind Reihenschaltungen von niedrig sperrenden Dioden möglich. weshalb man von einem unipolaren Bauelement spricht. mit einer sehr dicken Diode. weil das dynamisch Vorteile bietet und keine dünnen Wafer prozessiert werden müssen. Das wird üblicherweise mit einer dicken und hochdotierten n-Zone erreicht. die allein einen heftigen Stromabriss erzeugen würde. 65 4.5. Diese haben sich aber bisher ebenfalls nicht etablieren können. aber niedrige Durchlassverluste ergibt.bzw. Man kann z. aber hohe Durchlassverluste ergeben würde. weil die herkömmlichen Dioden gute Fortschritte gemacht haben und die Kosten für eine Hybridlösung einfach höher sind.2 Schottky-Diode Die Struktur der Schottky-Diode ist der Struktur der pin-Diode sehr ähnlich.3 Einstellung der Kathodeninjektion Wie in Abschnitt 4. Allerdings gibt es auch für die Kathodenseite Ansätze für Strukturierungen oder Ansteuerungen. im Gegensatz zum Elektron-Loch-Plasma also nur von einer Ladungsträgersorte. ist ein Plasmaprofil mit niedriger Konzentration auf der Anodenseite und hoher Konzentration auf der Kathodenseite optimal. In Vorwärtsrichtung ergibt sich ebenfalls eine exponentielle Strom-Spannungs-Kennlinie. gewinnt aber in der nicht linear ansteigenden Speicherladung und damit bei den Verlusten. T die absolute Temperatur.B. parallel schalten. hat diese Unipolarität weitreichende Konsequenzen für das Verhalten der SchottkyDiode.1. Die dünne Diode übernimmt dann den Hauptteil des Stroms bei niedrigen Durchlassverlusten. Der Strom wird im Mittelgebiet also nur von den durch die Dotierung eingebrachten Ladungsträgern geleitet. Insgesamt sind beide Lösungen kaum verbreitet. wenn die dünne schon lange völlig ausgeräumt und damit abgeschaltet ist. Schottky-Übergang leitet bei positivem Potential am Metall (Anode) und negativem Potential am Halbleiter (Kathode) und sperrt bei umgekehrter Polarität. Wie sich im Folgenden zeigen wird.5. Version 2.1.1 erläutert wurde. eine sehr dünne Diode. eine möglichst stark injizierende Kathode zu realisieren.31) Darin sind A* die Richardson-Konstante (für Silizium 120 A/cm²K²). 4. Oktober 2009 . Anders als bei der pin-Diode injiziert der Schottky-Übergang keine Löcher in das Mittelgebiet. Der einfache Metall-Halbleiter-Übergang verhält sich ansonsten sehr ähnlich wie ein pn-Übergang. k die Boltzmann-Konstante (8. Man hat dann zwar die doppelte Kniespannung hinzunehmen. Im Allgemeinen wird deshalb versucht. während die dicke Diode beim Abschalten noch Plasma hat.0. Bei dünnen Mittelgebieten (Dioden mit niedriger Sperrfähigkeit) wird inzwischen meist eine sehr tiefe Diffusion von der Rückseite her verwendet.

Leider wirken am Schottky-Übergang noch einige zusätzliche Effekte. was dann die Schottky-typische verrundete Sperrkennlinie ergibt.2. Dieser Effekt lässt sich mit Hilfe der in Abschnitt 4. Außerdem geht durch die p+-Inseln ein Teil der aktiven Schottky-Fläche verloren und der Strom wird zudem zwischen den Inseln eingeschnürt. Bei einem unipolaren Bauelement muss beim Schalten kein Plasma ausgeräumt werden. ergibt sich der Spannungsabfall Um über dem nicht plasmaüberschwemmten Mittelgebiet (ideale NPTAuslegung) als: wm Um = JF ⋅ = J F ⋅ rm (4.5 und 0. dass an der idealen StromSpannungs-Gleichung einige Korrekturen vorzunehmen sind.9 eV liegt.5. Es sei dazu wieder auf die Literatur verwiesen. 4.32) q ⋅ µn ⋅ N D 66 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die Schottky-Diode bietet dafür aber auch interessante Vorteile. sondern nur die geringere Dotierungsladung. Die Abschaltverluste sind auf diese Weise geringer und die Schottky-Diode schaltet viel schneller. was dazu führt.und Leitfähigkeit.0. vor allem technologischer Art. Außerdem ist der MetallHalbleiter-Übergang und damit die Schottky-Barriere sehr empfindlich auf technologische Schwankungen (Inhomogenitäten). Darüber hinaus steigt der Leckstrom aufgrund des barrier-lowering schon vor dem Einsetzten des Lawinendurchbruchs stark an. Die Abschirmung durch die p+-Inseln führt zu deutlich niedrigeren Feldstärken am Schottky-Übergang und damit zu niedrigeren Sperrströmen. Zusammen führt das dazu. Version 2.10 bei der pin-Diode. q·ΦB ist die Barrierenhöhe.1 über die Struktur der pin-Diode gezeigt. dass viele „Tricks“ angewendet werden und kommerziell angebotene Schottky-Dioden oft gar keine echten/reinen Schottky-Dioden sind. barrier-lowering) bei höheren Feldstärken. Für den Stromtransport stehen nur die durch die Dotierung eingebrachten Ladungsträgern zur Verfügung. Außerdem treten bei den Schottky-Dioden durch das Fehlen der Rückstromspitze viel weniger Robustheitsprobleme beim Abschalten auf. die hier nicht näher behandelt werden sollen. Es findet eben keine Leitfähigkeitsmodulation wie bei der pin-Diode durch das Elektron-Loch-Plasma statt und so besteht ein direkter Zusammenhang zwischen Sperr. Neben der schon erwähnten niedrigeren Kniespannung ist das vor allem die Unipolarität.1 Niedrige Sperrspannungen Wie zu Beginn des Abschnitts 4. Dieselben Effekte führen auch zu einer unangenehmen Sperrcharakteristik. Bei einer Schottky-Diode ergibt sich daher keine ausgeprägte Rückstromspitzte wie in Bild 4. Die p+-Inseln haben andererseits aber den Nachteil.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik spannung. die sich je nach verwendetem Metall leicht unterscheidet und typischerweise zwischen 0. Oktober 2009 .2 behandelten p+-Inseln der MPS-Diode reduzieren. Die Schottky-Diode hat dadurch eine um einige Zehntel Volt niedrigere Kniespannung.1. dass sie im Durchlass doch wieder Löcher in das Mittelgebiet injizieren und so die Unipolarität zu Nichte gemacht wird. Die Unipolarität ist gleichzeitig aber auch der große Nachteil der Schottky-Diode. wie die BarrierenErniedrigung (engl. Man spricht auch von der Junction Barrier Schottky (JBS) Diode. Sie kann so auch noch bei viel höheren Frequenzen eigesetzt werden. Diese zeichnet sich durch allgemein sehr hohe und zudem stark temperaturabhängige Leckströme aus. Zum einen wird meist eine „effektive“ Richardson-Konstante A** verwendet und zum anderen muss die Spannungsabhängigkeit durch einen „Idealitätsfaktor“ n von etwas über eins an die Realität angepasst werden.1. Es gibt mit der Schottky-Diode also durchaus Herausforderungen.

so hat das einen positiven Einfluss sowohl auf die Weite des Mittelgebiets als auch auf die Dotierung. Oktober 2009 . haben übrigens alle diese Dioden ein Mittelgebiet aus n-Silizium.13 oben links ist das Feldstärkedreieck für ein Siliziumbauelement bestimmter Sperrfähigkeit dargestellt. 4. Auch könnte man Dioden mit deutlich mehr aktiver Fläche.75 ⋅ 10 −9 ⇒ A U BR. es sei denn.5V .0. Setzt man die entsprechenden Näherungsformeln aus den Gleichungen (4.75 ⋅ 10 −9 ⋅ U BR 67 (4.5 Um J F ⋅ 5. ab der Stoßionisation und damit dann der Lawinendurchbruch einsetzt. Gleichzeitig ist die Steigung des Feldstärkedreiecks. Wie bei den pin-Dioden. so ergibt sich die Situation oben rechts: Das Feldstärkedreieck ist jetzt 10mal so hoch und braucht für die gleiche Sperrfähigkeit (gleiche Fläche des Dreiecks) dann nur noch ein Zehntel so weit zu sein. also bei gegebenem Strom niedrigerer Stromdichte einsetzten. Wählt man nun ein Material mit höherer kritischer Feldstärke. so ergibt sich als maximal realisierbare Sperrfähigkeit: U BR. da p-Silizium aufgrund der etwa dreimal so schlechten Löcherbeweglichkeit noch höhere Serienwiderstände ergeben würde.5 V Spannungsabfall über dem Mittelgebiet bei einer für niedrig sperrende Dioden typischen Stromdichte von 200 A/cm² als sinnvoll an.1) und (4. dafür ist der hier ausgerechnete ideale Wert aber aufgrund von Sicherheitsmargen nicht erreichbar.max ≈ 2. aber das würde natürlich die Kosten für die Diode entsprechend erhöhen.2 Siliziumkarbid (SiC) Wie bereits erwähnt.2.2) und eine ideale Elektronenbeweglichkeit µn von 1400 cm²/Vs an. so erhält man für den flächenbezogenen Widerstand des Mittelgebiets (in Ωcm²): 2. Version 2. um die Situation zu verbessern . Diese beiden Parameter wiederum sind durch die geforderte Sperrfähigkeit UBR definiert. den er variieren könnte. Entscheidend ist dabei vor allem die kritische Feldstärke Ekrit.2) natürlich die Materialeigenschaften von Silizium zugrunde. gibt es für den Bauelementdesigner keinen freien Parameter mehr.. Im Bild 4. Da der Widerstand des Mittelgebiets proportional zum Quotienten aus der Weite des Mittelgebiets und dessen Dotierung ist Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.max (0. Am Ende bleibt ein sehr geringer Spannungswert. Bild 4. Nimmt man ein Maximum von 0. In der Praxis werden Schottky-Dioden nur bis etwa 200 V Sperrfähigkeit verwendet. Verwendet man nun SiC mit einer etwa 10mal höheren kritischen Feldstärke. Bei höheren Stromdichten ergibt sich dann ein entsprechend hoher Spannungsabfall über dem Mittelgebiet und der Vorteil der niedrigeren Kniespannung wird auf diese Weise sehr schnell zu Nichte gemacht.5 rm ≈ 5. also die Dotierung des Mittelgebiets. führt das Fehlen der Leitfähigkeitsmodulation bei unipolaren Bauelementen zu einem direkten Zusammenhang zwischen der Sperrfähigkeit und dem Serienwiderstand rm. ab dem sich der Einsatz von unipolaren Bauelementen aufgrund des zu hohen Serienwiderstands nicht mehr lohnt. hundertmal größer..33) Der Widerstand steigt also mehr als quadratisch mit der geforderten Durchbruchspannung.200 cm ² ) ≈ 180V ! (4. Anders ausgedrückt.1) und (4.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Der flächenbezogene Widerstand rm des Mittelgebiets wird wesentlich durch die Weite wm des Mittelgebiets und dessen Dotierung ND bestimmt. Tatsächlich liegen den Näherungsformeln (4. man betrachtet auch die Materialparameter als variierbar.13 zeigt dazu den Vergleich zwischen Silizium und Siliziumkarbid (SiC).34) Mit einem optimalen PT-Design kann man den Wert noch etwas erhöhen.

Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik (Gleichung (4.SiC SiC w m. 4. Silber sagt immer. aber es bleibt eine Verbesserung um Größenordnungen. weil die Elektronenbeweglichkeit im SiC schlechter ist als in Silizium und die kritische Feldstärke nicht genau 10mal höher.13: Widerstand der Mittelzone bei unipolaren SiC-Bauelementen im Vergleich zu Siliziumbauelementen gleicher Sperrfähigkeit Neben SiC werden auch andere Halbleitermaterialien für Schottky-Dioden verwendet.34) ein und nimmt wieder 0. dass die Diode das „intelligenteste“ Bauelement ist. Version 2.Si w m.5 V bei 200 A/cm² als gerade noch akzeptabel an. Oktober 2009 .34) ist dann zwei bis dreimal so groß wie bei SiliziumSchottky-Dioden und man findet kommerzielle GaAs-Schottky-Dioden bis zu 300 V Sperrfähigkeit und zum Teil sogar darüber. aber sie besitzen zusätzlich eine gut 5mal so hohe Elektronenbeweglichkeit und so reduziert sich der Serienwiderstand um gut einen Faktor 10.Si /1000 Bild 4. wie sich der Markt und die Technologie für SiC-Schottky-Dioden entwickelt. ergibt sich für die gleiche Sperrfähigkeit mit SiC ein etwa 1000mal kleinerer Serienwiderstand! Tatsächlich ist der Faktor nur etwa 500.Si /10 ND.SiC ≈ 10·Ekrit. E E 68 Si Ekrit.32)). aber bereits bei den angesteuerten Dioden war das nicht mehr so klar. Setzt man diesen Wert nun in Gleichung (4.Si wm Ekrit.0. Es bleibt abzuwarten. Und dieser Wert gilt für alle unipolaren Bauelemente aus SiC. aber höhere Spannungen wurden schon angekündigt und im Experiment wurden Schottky-Dioden mit mehreren 1000 V Sperrfähigkeit demonstriert.Si rm. weil sie selber weiß. weil die Feldstärken in SiC eben 10mal so hoch sind und die Probleme an der Metall-Halbleiter-Grenzfläche auch entsprechend größer.SiC ≈ w m. Dabei wurde meistens wieder die Abschirmwirkung von p+-Inseln genutzt (MPS. nicht nur die Schottky-Dioden.bzw. Dort Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. so erhält man eine maximal realisierbare Sperrfähigkeit von über 2000 V! Bisher sind solche Dioden nur bis 1200 V kommerziell verfügbar. JBS-Diode). Die höchste sinnvolle Sperrspannung gemäß Gleichung (4. wann sie leiten und wann sie sperren muss. Bei ihnen ist die kritische Feldstärke nicht einmal doppelt so hoch wie bei Silizium.SiC wm rm ~ w m /ND w m. Das ist für die pin.SiC ≈ rm.und die Schottky-Diode zwar richtig.Si Ekrit.3 Synchrongleichrichter Prof.SiC ≈ 100·ND. Eine kommerzielle Verbreitung haben bisher aber nur Galliumarsenid (GaAs) Schottky-Dioden gefunden.

oder mit Hilfe der Synchrongleichrichterfunktion des ohnehin vorhandenen MOSFET die Freilaufdiode einsparen möchte. unterschiedlichen Werten der Eingangskapazität zu kämpfen. Innerhalb weniger Jahre konnte er die Vakuumröhre als das aktive Bauelement der Elektronik ablösen und stieß dabei bis in höhere Leistungsklassen vor. einen Synchrongleichrichter zu verwenden. die sich mit Bipolartransistoren aus SiC beschäftigen. der immer im richtigen Moment geschlossen bzw. Der Hauptvorteil des Synchrongleichrichters ist der Wegfall der Sperrschichtspannung und damit der Kniespannung der Dioden. Trotzdem soll er hier kurz behandelt werden. Der klassische Synchrongleichrichter ist vielmehr der Niederspannungs-MOSFET mit sehr niedrigem Durchlasswiderstand. Version 2.4). weil sein Funktionsprinzip grundlegend für alle anderen gesteuerten Bauelemente ist. Der Spannungsabfall im Durchlass ist bei ihm viel niedriger als es bei einer Diode möglich wäre. das die Anodeninjektion deutlich reduzierte und auf diese Weise zu geringeren Ausschaltverlusten führte.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik bekamen die Dioden kurz vor dem Ausschalten jeweils ein Ansteuersignal.0. Oktober 2009 . sind hier oft schon einige 10 ns das erlaubte Maximum. Man hat allerdings mit Ungenauigkeiten der Ansteuerschaltung selbst und vor allem mit Parameterstreuungen der Schalter wie z. Inzwischen ist der Bipolartransistor seinerseits in den meisten Anwendungen durch andere Bauelemente ersetzt worden. weil der Durchlasswiderstand und damit die Durchlassspannung des MOSFETs hier meist höher ist als die Durchlassspannung der Diode. indem man statt der Diode einen Schalter einsetzt. sei es eine pin. Ein Vorteil des MOSFET als Synchrongleichrichter ist in jedem Fall seine fail save Funktion. Inzwischen ist die synchrone Ansteuerung kein grundsätzliches Problem mehr. synchronous rectifier). ob sich der Einsatz eines Synchrongleichrichters lohnt. Die Herausforderung ist dabei. Möglicherweise erlebt der Bipolartransistor auf diese Weise eine Renaissance. Während es bei der angesteuerten Diode auf ein paar Mikrosekunden mehr oder weniger nicht ankam. Trotzdem kann es noch von Vorteil sein. Das zahlt sich vor allem bei Anwendungen mit Versorgungsspannungen von wenigen Volt (Computer) aus. Letztlich muss aber auch hier wieder eine Aufwand-Nutzen-Abschätzung zeigen. da es sonst zu Kurzschlüssen. leitet einfach die inhärente antiparallele Diode (siehe Abschnitt 4. Auch aus diesem Grund eignen sich Thyristoren und IGBTs von vornherein nicht als Synchrongleichrichter. Darüber hinaus gibt es in letzter Zeit zahlreiche Forschungsarbeiten. wenn man entweder die Speicherladung der Diode vermeiden will (Schaltgeschwindigkeit). In der Leistungselektronik spielt er mittlerweise überhaupt keine Rolle mehr.8. Man spricht deshalb vom Synchrongleichrichter (engl.4 Bipolartransistor Mit dem Bipolartransistor (engl. oder hohen Überspannungen kommen könnte.oder eine Schottky-Diode. bei denen der Spannungsabfall über der Diode bereits einen signifikanten Teil der Gesamtspannung ausmachen würde. In der abstrakten Darstellung einer leistungselektronischen Schaltung ist die Diode ja ohnehin ein Schalter. Man kann nun noch einen Schritt weiter gehen und ganz auf die „Intelligenz“ der Diode verzichten. Der Schalter als Diode muss also exakt synchron mit dem Rest der Schaltung arbeiten.B. Bei höheren Sperrspannungen kommt der Synchrongleichrichter dagegen kaum zum Einsatz. geöffnet wird. den richtigen Moment genau zu treffen. bipolar junction transistor BJT) begann Ende 1947 das eigentliche Halbleiterzeitalter. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Wird er nicht angesteuert. 69 4.

und der Lastkreis einer Emitter-Schaltung (engl. Spannungen.14: Grundstruktur. Version 2. um das niedrig dotierte n-Gebiet kontaktieren zu können. Neben der sehr hoch dotierten n-Emitter-Zone. Ströme und Ladungsträgerverteilungen eines npn-Transistors in Emitter-Schaltung Die Grundstruktur des Bipolartransistors besteht aus zwei antiseriellen pn-Übergängen. Aufgrund der schlechteren Löcherbeweglichkeit.14.14 zeigt oben die schematische Grundstruktur eines npn-Transistors. gestrichelt sind immer die Gleichgewichtskonzentrationen dargestellt). Im Folgenden wird deshalb auch nur auf den npn-Transistor eingegangen.14 sind außerdem der Steuer. kamen in der Leistungselektronik nur npn-Transistoren zum Einsatz. die entweder eine npn. common emitter) schematisch als Quellen dargestellt. Aufgrund der Dotierungsverhältnisse ist der Löcherstrom IEp um Größenordnungen kleiner als der Elektronenstrom IEn. Im Verstärkerbetrieb wird der BasisEmitter-Übergang in Flussrichtung gepolt (höheres Potential an der Basis) und der BasisKollektor-Übergang in Sperrrichtung (höheres Potential am Kollektor). Das Funktionsprinzip ist aber mit Ausnahme der Polaritäten für beide Typen identisch. Der Emitter injiziert Elektronen in die Basis.oder eine pnp-Folge bilden. Bild 4.0. wird wie bei der pin-Diode noch eine hochdotierte n-KollektorZone gebraucht. Oktober 2009 . während die Basis Löcher in den Emitter injiziert.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 70 IE - UBE + UCE + IC ICB0 ICn IB B IEp E IEn C n+ n+ Emitter n E = ND p Basis p B = NA nKollektor n C = ND pE(x) pE0 0 nB(x) nB0 wB pC0 pC(x) Bild 4. der weniger hoch dotierten p-Basis-Zone und der schwach dotierten n-Kollektor-Zone. Im Bild 4. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Die jeweiligen Minoritätsträgerkonzentrationen an den Rändern der Basis-EmitterRaumladungszone sind entsprechend angehoben (siehe Bild 4.

Version 2. dass der Emitter nicht angeschlossen ist). wobei wB die Weite der Basis bezeichnet. so dass sich dort die Minoritätsladungsträgerkonzentrationen verringern (siehe Bild 4.14). der sich aus diesem Absaugen ergibt. Außerdem muss der Emitter möglichst dick und die Trägerlebensdauer dort möglichst hoch sein. Es ergibt sich dadurch eine fast lineare Elektronenabnahme zum Kollektor hin. den Löchern rekombinieren. Eine genauere Untersuchung der Verhältnisse führt auf verschiedene „Schmutzeffekte“ und so zu einem nur in der Theorie konstanten Verhältnis von Kollektor.14 ist sogar der Zustand dargestellt. und αT den Transportfaktor. Mit Hilfe der Basis-Emitter-Spannung und des daraus resultierenden Basis-Stroms. bei sehr hohen Dotierungen weitere Effekte wie das band-gap-narrowing hinzu.4. 4. Diese Stromverstärkung B ist gegeben durch: 71 B= IC ICn 1 1 = = ≈ = IE IE I B I Ep + I En − ICn I Ep + I En −1 −1 ICn I En ICn 1 1 = 1 1 I ⋅ −1 ⋅ En − 1 γ αT ICn (4. Beide Werte sind also immer kleiner als eins und die Stromverstärkung wird am größten. ihre Randkonzentration nB(0). Leider lassen sich diese Forderungen nicht so ohne weiteres umsetzen und es kommen z. die die Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Man kann die Diffusionsstromdichte der Elektronen letztlich durch ihre Diffusionskonstante Dn. die vom Emitter in die Basis injiziert wurden bis zum Basis-Kollektor-Übergang und werden dort zum Kollektor hin abgesaugt. die durch die Randkonzentrationen nB(0) und nB(wB) ≈ 0 gegeben ist.35) J n ≈ q ⋅ Dn ⋅ B wB Da auf der rechten Seite sonst ausschließlich (fast) konstante Werte stehen.36) Dabei bezeichnet γ die Emitter-Effizienz. dann gelangen diejenigen Elektronen. also wie groß der Anteil des Elektronenstroms IEn am Emitter-Strom IE ist. also alle Elektronen unbehelligt durch die Basis zu schleusen. Dieser Gradient wiederum ergibt einen Diffusionsstrom der Elektronen.und Basis-Strom. Gäbe es den Basis-Emitter-Übergang nicht. Um die Emitter-Effizienz γ möglichst dicht an eins zu bekommen. Es ergibt sich: n (0 ) (4. Um den Transportfaktor αT möglichst dicht an eins zu bekommen. der angibt welcher Anteil der Elektronen durch die Basis zum Kollektor gelangt.1 Stromverstärkung Ist der Basis-Emitter-Übergang nun aber dicht genug am Basis-Kollektor-Übergang dran.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Der in Sperrrichtung gepolte Basis-Kollektor-Übergang tut das entgegengesetzte: Er saugt die jeweiligen Minoritätsladungsträger von den Rändern der Basis-Kollektor-Raumladungszone ab. muss die Basis möglichst dünn und die Trägerlebensdauer dort möglichst hoch sein. also im Emitter fast ausschließlich Elektronenstrom zu haben. ist die Elektronenstromdichte nur von der Elektronenrandkonzentration abhängig.B. lässt sich also der Elektronenstrom und damit der Stromfluss IC im Lastkreis steuern. Oktober 2009 . in dem fast alle injizierten Elektronen bis zum Basis-KollektorÜbergang gelangen und nur wenige in der Basis mir den dortigen Majoritätsladungsträgern. die Basis-Weite wB abschätzen. In Bild 4. wenn beide Werte so dicht wie möglich an eins heran kommen. Und die Elektronenrandkonzentration ihrerseits hängt von der Vorwärtspolung des Basis-Emitter-Übergangs ab.0. so wäre das ein ganz normaler in Sperrrichtung gepolter pn-Übergang mit entsprechendem Leckstrom ICB0 (wobei die Null andeutet. muss der Emitter möglichst hochdotiert und die Basis möglichst niedrig dotiert sein.

Version 2. also der Elektronenstrom. Es hilft bereits. weil dann Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.15). was entsprechende Anforderungen an die Basis-Ansteuerung stellt. Am Ende musste man feststellen. Die Folge ist eine Rückkopplung zwischen der Lawinenmultiplikation und Stromverstärkung. Besonders heikel wird die Situation. hochohmig angesteuerter Basis (engl. schwerwiegende Probleme hinzu. was für einen 1000 V-Bipolartransistor allerdings schon sehr gut ist. Bei Bipolartransistoren für höhere Sperrspannungen kamen dann aber noch weitere. weil er sehr klein gegenüber dem Durchlassstrom ist.4.2 Durchbruch mit offener Basis Der Leckstrom ICB0 bei nicht angeschlossenem Emitter wurde in den vorgegangenen Überlegungen vernachlässigt. IC offene Basis ICE0 ICB0 offener Emitter UCE0 UCB0 U Bild 4. als eine gleich viel sperrende Diode (Bild 4. steht mit nicht angeschlossener Basis nur noch die Hälfte der Durchbruchspannung UCB0 einer entsprechenden Diode zur Verfügung! Der Durchbruch bei offener bzw. steigt ICB0 und damit auch ICE0. der den Transistor aussteuert! Man erhält für den Leckstrom ICE0 bei offener Basis: 72 ICE 0 = B ⋅ ICB 0 + ICB 0 = (B + 1) ⋅ ICB 0 (4. Das gilt im Sperrfall natürlich nicht mehr.0. dass man gegen unüberwindliche Hindernisse an entwickelte. dass der Transistor bei offener Basis viel weniger sperrt (Bild 4. hochohmig mit dem Emitter verbunden ist. Oktober 2009 . Sobald Lawinenmultiplikation am Basis-KollektorÜbergang einsetzt. Man erhält für die Durchbruchspannung mit offener Basis näherungsweise (siehe Literatur): U CE 0 ≈ U CB 0 4 1+ B (4.38) Bereits bei einer Verstärkung von nur 15.15: Abhängigkeit der Sperrkenlinien des Bipolartransistors von der äußeren Beschaltung Das ist aber noch nicht das Schlimmste. open base transistor breakdown) muss also nach Möglichkeit vermieden werden. wenn die Basis niederohmig mit dem Emitter verbunden ist. 4. Der Bipolartransistor für kleine Spannungen hatte mit einer Stromverstärkung von einigen hundert das Maximum seiner Leistungsfähigkeit erreicht und war in einer Sackgasse. Auf diese Weise fließen aber zusätzliche Ladungsträger über den BasisKollektor-Übergang und werden ihrerseits „lawinenmultipliziert“. Am Ende führt das dann dazu. Dann wirkt der Leckstrom des Basis-Kollektor-Übergangs wie ein Basis-Strom.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik technologischen Bemühungen zum Teil zu Nichte machen. wenn statt des Emitters die Basis nicht angeschlossen bzw.37) Der Leckstrom eines Bipolartransistors kann bei ordentlicher Stromverstärkung also durchaus zwei Größenordnungen höher sein. der vom Emitter injiziert wird.15).

dass der Basis-KollektorÜbergang in Sperrrichtung gepolt war. Im Bereich der Sättigung (engl. saturation) ist der Basis-Kollektor-Übergang dagegen in Durchlassrichtung gepolt (Bild 4. was einer Reduktion der Stromverstärkung entspricht. Besser ist jedoch ein gegenüber dem Emitter negatives Potential an der Basis.16: Ladungsträgerverteilungen eines npn-Transistors in Emitter-Schaltung bei einsetzender Sättigung Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. sondern sogar angehoben! Für das Basis-Gebiet bedeutet das nichts anderes. Mit anderen Worten. 73 n E = ND p B = NA nB(x) pE(x) nB0 0 wB n C = ND pC(x) pC0 pE0 Bild 4. typischerweise 10 µs. zur Verfügung. Die Steuerelektronik hat nun noch eine kurze Zeit. dass doch wieder UCE0 einzuhalten ist. so dass alle Löcher abgesaugt werden. Es ergibt sich auf diese Weise eine Strombegrenzung. bevor der Transistor dann durch Überhitzung zerstört wird. Das gilt jedoch nur im stationären Bereich bzw. Gleichzeitig ist die Situation am Basis-Emitter-Übergang aber praktisch unverändert und damit ist auch der Basis-Strom unverändert.4 Sättigung Für die bisherige Behandlung des Bipolartransistors wurde jeweils angenommen. Auf diese Weise wird die Rückkopplung aufgehoben und man erreicht dann (fast) wieder UCB0.4.16). 4.3 Strombegrenzung Für die Herleitung der Stromverstärkung wurde nur angenommen. Wie groß die Basis-Kollektor-Spannung tatsächlich ist. als dass der Gradient der Elektronenkonzentration kleiner und der Elektronenstrom dementsprechend geringer ist.14). der Kollektor-Strom ist von der Kollektor-Basis-Spannung unabhängig. also bei konstantem Basis-Strom ebenfalls konstant! Wenn bei einem Kurzschluss nun die Spannung über dem Transistor sprunghaft auf sehr hohe Werte steigt. Beim Schalten dagegen führen dynamische Vorgänge dazu. bei kleinen Strömen. in der sie „Rettungsmaßnahmen“ einleiten kann.0. Das sieht zunächst nach einer unerwünschten Situation aus. Das ist aber nur im Verstärkerbetrieb der Fall. wurde nicht definiert und spielt für die Herleitung des Kollektor-Stroms auch nur eine geringe Rolle (Early-Effekt). bleibt der Kollektor-Strom auf dem durch die Stromverstärkung gegebenen Wert.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik die vom Basis-Kollektor-Übergang kommenden Löcher einen alternativen Pfad haben. 4. dass der Basis-Kollektor-Übergang in Sperrrichtung gepolt ist und die Elektronenkonzentration auf der Basis-Seite der Raumladungszone dadurch praktisch auf null absinkt (siehe auch Bild 4. Die Minoritätsladungsträgerkonzentrationen sind dann nicht mehr gegenüber ihren Gleichgewichtswerten abgesenkt. die die Diode und der Thyristor nicht besitzen. Version 2. Oktober 2009 . Bei gleichem Basis-Strom erhält man in Sättigung einen geringeren Kollektor-Strom.4.

Auf diese Weise kann die Durchlassspannung des Transistors sogar kleiner sein.1 und insbesondere an Bild 2. „AUS“-Zustand längere Zeit betrieben werden durfte. aber die Kollektor-Emitter-Spannung beträgt nur noch wenige Zehntel Volt.3. wo gezeigt wurde. Man erinnere sich an Abschnitt 2. 74 IC 2A ∆IB = 10mA 1A „EIN“ Sättigung Verstärkerbetrieb 0 „AUS“ 10V U0 20V 0 UCE Bild 4. Zwar ist der Kollektor. so dass die Durchlassverluste „erträglich“ werden. kompensieren sich die Spannungen in der Sättigung. Zum Glück kann man den BasisKollektor-Übergang aber auch entsprechend weiter in Durchlass polen und so kompensieren sich die beiden an sich hohen Spannungsabfälle an den pn-Übergängen zu einer sehr niedrigen Durchlassspannung. UCB0 = 1500 V. dass der Transistor als Vorwiderstand nur im „EIN“ bzw. Bild 4. da er sich sonst sofort überhitzt hätte. warum das Konzept des Bipolartransistors für die Realisierung von SiC-Schaltelementen sehr vielversprechend erscheint. 4.17: Ausgangskennlinienfeld eines npn-Transistors hoher Sperrfähigkeit vom Typ BU208A (UCE0 = 700 V. Während sich die beiden Spannungsabfälle über den pn-Übergängen im Verstärkerbetrieb addieren. Die Kniespannung eines SiC-pn-Übergangs beträgt nämlich 2-3 V und würde zu entsprechend hohen Durchlassspannungen führen. TO-3 bzw.17 bei kleinen Strömen auch deutlich in einem bis zu sehr kleinen Kollektor-Emitter-Spannungen konstanten Kollektor-Strom und einer dann fast übergangslos einsetzenden Sättigung.6. Hier ist zusätzlich noch der Spannungsabfall über dem niedrig dotierten Kollektor-Gebiet zu Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Bmax = 10-20. Inenn = 5 A. ist der Übergang zwischen Verstärkerbetrieb und Sättigung durch die Umpolung des Basis-Kollektor-Übergangs gekennzeichnet.bzw.0. Das zeigt sich in Bild 4. TO-204 Gehäuse) mit einer Lastgeraden für 20 Ω bei einer Quellenspannung U0 von 16 V Die geringe Durchlassspannung ist eine direkte Folge der Vorwärtspolung des BasisKollektor-Übergangs. Oktober 2009 . Bei Bipolartransistoren geringer Sperrfähigkeit ist das sogar im ganzen Arbeitsbereich der Fall.17 zeigt diesen Schalterbetrieb nochmal anhand eines gemessen Kennlinienfelds. als die Kniespannung des Basis-Emitter-Übergangs! Das ist eine sehr wichtige Eigenschaft im Hinblick auf Bipolartransistoren aus Siliziumkarbid (SiC). Es gilt jedoch nicht bei hochsperrenden Transistoren.4.5 Quasisättigung Wie im vorangegangenen Abschnitt gezeigt wurde. Laststrom dann etwas geringer. Version 2.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Für den Leistungsbipolartransistor ist aber genau das der übliche Betriebsmodus. Das ist einer der Gründe.

Die relativ einfache Technologie sorgte für eine schnelle Verbreitung und ist auch heute noch ein wichtiges (Kosten-) Argument. Mit Siliziumkarbid und der entsprechend günstigeren Auslegung der Kollektorzone könnte es analog zu den SiC-Schottky-Dioden aber auch für den Bipolartransistor eine Renaissance geben. denn die Dimensionierung des niedrig dotierten Kollektor-Gebiets folgt der Regel für die Schottky-Diode und der Serienwiderstand dieses Gebiets ist damit auch entsprechend groß (NB: In der Sättigung gibt es eine Injektion. Oktober 2009 . Mit zum Teil mehrstufigen Anordnungen kam man wieder auf eine brauchbare Stromverstärkung. silicon controlled rectifier SCR) wurde Ende er 50er Jahre entwickelt und war das erste steuerbare Halbleiterbauelement für große Leistungen. bei der der Basis-Strom der Hauptstufe durch den Emitter-Strom einer vorgelagerten Stufe bereitgestellt wird (Bild 4. aber höhere Spannungen als etwa 1000 V (UCE0) ließen sich auch so nicht erreichen.18: Bipolartransistoren in Darlington-Anordnung. den man von der außen anliegenden Kollektor-Emitter-Spannung abziehen muss. b) im Modul Bei hochsperrenden Transistoren ist die aufgrund technologischer Randbedingungen ohnehin schon recht niedrige Stromverstärkung bei größeren Strömen häufig deutlich kleiner als zehn! Man kann also kaum noch von einer Verstärkung sprechen. 75 C IB=IB2 B T2 IC=IC1+IC2 T1 IE=IE1 b) IE2=IB1 E a) Bild 4. Man nennt das die Quasisättigung und natürlich führt auch hier der durchlassgepolte Basis-Kollektor-Übergang zu einem reduzierten Kollektorstrom (Bild 4. sei es durch Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. die den Widerstand reduziert).5 Thyristor Der Thyristor (häufig auch engl. Ist die Spannung dagegen kleiner. dass der Bipolartransistor im Grunde doch eher ein Unipolartransistor ist.17). Bei hochsperrenden Transistoren und großen Strömen braucht man deshalb eine KollektorBasis-Spannung von vielen Volt. Leider zeigt sich hier.0. Letztlich hat dann das Aufkommen des IGBT (bzw. a) Schaltbild. obwohl außen am Bauelement eigentlich Sperrspannung anliegt. Als Gegenmaßnahme hat man seinerzeit die Darlington-Anordnung verwendet. dann ist der Basis-Kollektor-Übergang tatsächlich in Durchlassrichtung gepolt. Es ergibt sich als Gesamtverstärkung dann etwas mehr als das Produkt der Einzelverstärkungen (Wie berechnet sich das aus B = IC/IB?). Der Thyristor erschloss sich so zahlreiche Anwendungsgebiete aus denen er inzwischen jedoch zum Teil bereits wieder verdrängt wurde. bei niedrigen Sperrspannung des MOSFET) zum völligen Verschwinden des Bipolartransistors geführt.18a).Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik berücksichtigen. um die tatsächlich am pn-Übergang anliegende Spannung zu erhalten. 4. um den Basis-Kollektor-Übergang in Sperrrichtung zu polen und damit den Verstärkerbetrieb mit seinem Spannungsunabhängigen Kollektor-Strom zu gewährleisten. Version 2.

das niedrig dotierte n-Mittelgebiet und schließlich die wieder hochdotierte p-AnodenZone. Man spricht vom Vorwärtsblockieren. Auf eine hochdotierte n-Kathoden-Zone folgen die weniger hoch dotierte p-GateZone. 76 IK - UGK + p G UAK + IA IG B nIC1 K n+ p+ A IG IB2=IG+IC1 K IK=IE2 T2 npn T1 pnp IA=IE1 A IC2=IB1 Bild 4.19 zeigt oben die Anordnung der Schichten und andeutungsweise auch deren Dotierung. so sind die äußeren beiden pn-Übergänge gesperrt. dass die Sperrfähigkeit in beide Richtungen ungefähr gleich ist. Bild 4. Spannungen und Ströme eines npnp-Thyristors in Vorwärtsrichtung. in einem Fall von der Gate-Zone her und im anderen Fall von der Anoden-Zone. so sperrt der Thyristor. Der Thyristor sperrt also auch in Rückwärtsrichtung (Rückwärtsblockieren). Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. das sich aus dem gestrichelt gezeichneten Schnitt ergibt. die drei pn-Übergänge bilden. während die anderen beiden pn-Übergäng in Durchlassrichtung gepolt sind. Nach wie vor sind aber die höchsten Leistungsklassen wie zum Beispiel in der Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ) das Reich des Thyristors und werden das vermutlich auch noch einige Zeit bleiben. die dem einfachen Thyristor wohl noch ein langes Leben bescheren werden. die sich im Wesentlichen in dasselbe niedrigdotierte Mittelgebiet ausdehnt. während der mittlere pn-Übergang in Durchlassrichtung gepolt ist. Darüber hinaus gibt es zahlreiche low-cost Anwendungen. 4. Der einfache Thyristor ist symmetrisch sperrend. da der mittlere pn-Übergang sperrt.19: Grundstruktur. sperrt sie nur wenige 10 V und kann praktisch vernachlässigt werden.1 Sperrfähigkeit Wird an den Thyristor eine Anoden-Kathoden-Spannung wie in Bild 4. Darunter das Zwei-Transistor-Ersatzschaltbild. Oktober 2009 . Die Grundstruktur des Thyristors besteht aus vier Schichten. Die Sperrfähigkeit wird also in beiden Fällen von einer Raumladungszone bestimmt. Da die Kathoden-Gate-Sperrschicht beidseitig hochdotiert ist.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Weiterentwicklungen auf Basis des Thyristorprinzips oder durch den IGBT.19 mit positivem Potential an der Anode angelegt.0. Meistens war die fehlende Abschaltfähigkeit des einfachen Thyristors das Hauptargument für einen Ersatz. Version 2. Wird eine umgekehrte Spannung angelegt. Daher ist es nicht verwunderlich.5.

Zum anderen besteht abhängig von der Auslegung bei manchen Thyristoren die Möglichkeit.5. Danach werden diese beiden Transistoren ihrer ursprünglichen Position entsprechend wieder zum Ersatzschaltbild verbunden. punch through). dass es noch zwei Effekte gibt. In beiden Bipolartransistoren sind die Basis-Emitter-Übergänge in Durchlassrichtung und die BasisKollektor-Übergänge in Sperrrichtung gepolt.40) Eine Erhöhung bzw. so dass jeweils IC = B·IB bzw.39) 1 − β1 ⋅ β 2 Für den zusätzlichen Anoden-Strom dIA ergibt sich daraus: dI A = dI C1 + dI B1 = β 1 ⋅ dI B1 + dI B1 = (β 1 + 1) ⋅ dI B1 = dI G ⋅ ( 4. während er mit β1·β2 < 1 abklingt. ist dieser Effekt hier weniger ausgeprägt. Liegt nun eine Anoden-Kathoden-Spannung (Vorwärtsspannung) wie im Bild an. Viel wichtiger ist aber der Verstärkungs- Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Da die Verstärkungsfaktoren beim Thyristor aber viel kleiner sind als beim Bipolartransistor. Umgekehrt hat ein zusätzlicher Elektronenstrom vom Mittelgebiet in die Anoden-Zone einen um die Stromverstärkung β1 größeren zusätzlichen Löcherstrom in Richtung Gate-Zone zur Folge. Die Auswirkung durch das Ansteuern bzw.39 ) (β1 + 1) ⋅ β 2 1 − β1 ⋅ β 2 (4. Zum einen steht dem gesperrten pn-Übergang jeweils mindestens ein durchlassgepolter pn-Übergang gegenüber. Es ergibt sich auf diese Weise also eine Rückkopplungsschleife. Zünden (engl.2). überhaupt die Zuführung des Gate-Stroms hat also wie erwartet eine deutliche Erhöhung des Anoden-Stroms zur Folge. differentiell dIC = β·dIB gilt. Version 2.19 unten) des Thyristors verdeutlichen. Dazu wird zum Beispiel zunächst der zusätzliche Basis-Strom dIB1 des pnp-Transistors berechnet: dI B1 = dI C 2 = β 2 ⋅ dI B 2 = β 2 ⋅ (dI G + dI C1 ) = β 2 ⋅ (dI G + β 1 ⋅ dI B1 ) ⇔ dI B1 = 77 β 2 ⋅ dI G (4. Die Transistoren arbeiten also beide im Verstärkerbetrieb. solange er nicht angesteuert wird. dass die Raumladungszone bis zum gegenüberliegenden pn-Übergang durchschlägt (engl. Fließt nun ein zusätzlicher Löcherstrom von der Gate-Zone in die Kathoden-Zone. Es wird also auch hier derselbe Effekt auftreten wie beim Bipolartransistor. nämlich der open base transistor breakdown (Abschnitt 4. aber das Resultat für den Thyristor wäre dasselbe. Offensichtlich steigt der Strom bei β1·β2 > 1 mit jedem Durchlauf weiter an und wird schließlich unendlich groß.19 in zwei Bipolartransistoren (einen npn und einen pnp) aufgeteilt vorstellen.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Es sei allerdings erwähnt. Die Sperrfähigkeit reduziert sich nur um etwa 10%.4. 4. Man muss sich dazu die Struktur des Thyristors entlang der gestrichelten Linie in Bild 4. bei der der Strom pro „Durchlauf“ um den Faktor β1·β2 größer wird. Da dort eine beliebige Menge an Ladungsträgern zum Absaugen bereit steht. Oktober 2009 . Der Mechanismus ist dann zwar ein anderer. triggering) lässt sich nun am einfachsten mit dem Zwei-Transistor-Ersatzschaltbild (siehe Bild 4. Das ganze lässt sich mit Hilfe des Zwei-Transistor-Ersatzschaltbilds genauer analysieren. so sperrt der mittlere pn-Übergang und die beiden anderen pn-Übergänge sind in Durchlass gepolt. sperrt der Thyristor in beide Richtungen. so hat das einen um die differentielle Stromverstärkung β2 größeren zusätzlichen Elektronenstrom in Richtung Mittelgebiet zur Folge. würde der Sperrstrom wie beim Lawinendurchbruch extrem ansteigen. die das Sperrverhalten beeinflussen und diese einfache Betrachtungsweise deshalb zumindest leicht korrigieren.0.2 Zündung (Einschalten) Wie im vorangegangenen Abschnitt gezeigt wurde.

Es gibt heute keinen Thyristor mehr ohne diese Kurzschlüsse. ist der Thyristor irgendwann nicht mehr stabil. das erlaubte du/dt zu maximieren. dass mit zunehmender Temperatur immer kleinere (Leck-) Ströme zur Zündung ausreichen. Diese Kippspannung lässt sich wiederum durch Gate-Kathoden-Kurzschlüsse maximieren. die stark stromabhängigen Stromverstärkungen in einen Bereich zu bringen.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik faktor. 78 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. die dazu führt.5. Schließlich zeigen die Verstärkungsfaktoren noch eine Temperaturabhängigkeit. Die Transportfaktoren αT aus Gleichung (4. dass die Ansteuereinheit keine elektrische Verbindung zum Thyristor hat (galvanische Trennung) und daher sehr interessant für die bei HGÜAnwendungen notwendige Serienschaltung ist. wird der Anoden-Strom unendlich groß. Egal wie groß der Gate-Strom IG tatsächlich ist (er ist jedenfalls nie genau null. die zur Erfüllung der Zündbedingung führen. Die du/dt-Zündung ist im Allgemeinen unerwünscht und man versucht durch die Gate-Kathoden-Kurzschlüsse diesen Mechanismus zu vermeiden bzw. Die Lichtzündung hat den Vorteil. Bei Annäherung an die maximale Sperrfähigkeit führt das dann ebenfalls zur Zündung. Da die Leckströme aber ebenfalls mit der Temperatur steigen. In der Realität ist das aber nicht der Fall. in dem sie die Zündbedingung erfüllen und so die Rückkopplung in Gang zu setzen.2. Neben der Stromabhängigkeit zeigen die Verstärkungen auch eine Spannungsabhängigkeit. Eine Möglichkeit ist Licht. weil die immer vorhandenen Leckströme auch wie Gate-Strom wirken). 4. Auch das unterscheidet ihn vom Bipolartransistor. das in den gesperrten pn-Übergang eingestrahlt einen dem GateStrom äquivalenten Strom generiert und auf diese Weise den Thyristor zünden kann. Er dient im Grunde nur dazu.36) waren kleiner als heute und vor allem waren die Emitter-Effizienzen γ noch viel geringer. Die zweite Alternative ist eine schnelle Spannungstransiente (duAK/dt). der eine kontinuierliche Ansteuerung braucht. Tatsächlich ist die Aufgabe des Gate-Stroms etwas „subtiler“. Zu Beginn es Thyristor-Zeitalters war die Technologie noch so schlecht. dass selbst die schlechtesten Bipolartransistoren eine (differentielle) Verstärkung von deutlich über eins haben und das Produkt zweier Verstärkungen demnach immer größer als eins sein würde. Mit anderen Worten. Danach kann man den Gate-Strom dann wieder abschalten und der Thyristor bleibt trotzdem gezündet oder „eingerastet“ (engl.0. Version 2. Auch die maximale Betriebstemperatur kann mit GateKathoden-Kurzschlüssen erhöht werden. Oktober 2009 . die einen Verschiebungsstrom im Thyristor und so die Zündung zur Folge hat. Zunächst sind das zwei andere Alternativen. dass sich tatsächlich Verstärkungen unter eins ergaben. hat er offenbar nicht direkt etwas mit der Zündbedingung zu tun. die Zündbedingung wäre immer erfüllt und der Thyristor würde immer von alleine zünden. An dieser Stelle fällt auf. einen Strom im Thyristor zu erzeugen. sobald das Produkt der Stromverstärkungen eins wird. Man nennt β1·β2 = 1 die Zündbedingung. latched-up). Inzwischen muss man die Verstärkungen mit absichtlich eingebauten Gate-KathodenKurzschlüssen auf einen Wert von deutlich unter eins reduzieren. Neben dem Einprägen eines Stroms über das Gate gibt es noch weitere Maßnahmen.1 Zündarten Obwohl der Gate-Strom in der Herleitung erwähnt ist.

Oktober 2009 . ist sofort klar.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 4. Dass das Zwei-Transistor-Ersatzschaltbild in dieser Situation seine Gültigkeit verloren hat.20: Thyristor-Scheiben mit verschiedenen Gate-Strukturen.2 Ablauf Ist die Zündbedingung an einer Stelle des Thyristors erreicht. Der gezündete Thyristor entspricht damit genau einer pin-Diode im Durchlass: Auf jeder Seite ein hochdotiertes Gebiet und dazwischen Plasma. Von beiden Endgebieten werden Elektronen bzw. Version 2.5. Folgerichtig zeigt der gezündete Thyristor dieselbe in Abschnitt 4.0.1. Bei dieser Geometrie (dt. die durch die Zündausbreitung zurückgelegt werden muss. 79 Bild 4. beim elektrisch gezündeten Thyristor der Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.2. von Zentral-Gate (unten links) bis hin zu stark verzweigten Gate-Strukturen (oben links). über die gesamte Scheibe konstant. Löcher in die beiden mittleren Zonen injiziert. so steigt der Strom dort (und zunächst nur dort!) sehr stark an. dessen Konzentration höher als die Dotierungskonzentration ist. Kreisevolvente) ist der Abstand zwischen zwei Gate-Fingern und damit die maximale Strecke. Das geht soweit.2 hergeleitete Durchlasskennlinie wie die pin-Diode und begrenzt auch in keiner Weise den Strom. Die Zündung des Thyristors findet in jedem Fall zunächst nur lokal statt.21: Thyristor-Scheibe mit Involute-Gate (→Wikipedia). Bild 4. Beim lichtgezündeten Thyristor ist das die Einstrahlstelle. dass sich zunächst im Mittelgebiet und bei höheren Stromdichten auch in der Gate-Zone ein Elektron-Loch-Plasma ausbildet.

0. Eine Möglichkeit ist die Rekombination des Plasmas abzuwarten. das amplifying gate. muss dieses Plasma beseitig werden. der wie ein Gate-Strom wirkt und zum sofortigen Wiederzünden des Thyristors führt. Ebenso kommt er bei den dieselelektrischen Güterzuglokomotiven vom GE-Typ AC4400CW (AC-Ausführung der dash9) und z. Hält man diese Freiwerdezeit tq nicht ein. low cost Anwendungen erhalten. Eine echte Abschaltfähigkeit besaßen diese Bauelemente nicht. wenn der durch die äußere Schaltung vorgegebene Stromanstieg (di/dt) schneller ist als die Zündausbreitung.3 Löschung (Ausschalten) Der große Nachteil des einfachen Thyristors ist die fehlende Abschaltfähigkeit. Eine Variante des Thyristors. die ein aktives Abschalten erfordern. Bevor der Thyristor wieder sperren kann. Die andere Möglichkeit ist das aktive Ausräumen durch Umpolen der Spannung. 145/146 (RB und RE) und 152 (schwere Güterzüge) verwendet. Im Grunde finden dabei sehr ähnliche Abläufe wie beim Ausräumen der pin-Diode statt. dann ist er wie eine pin-Diode mit Plasma geflutet. Das hat schließlich dazu geführt. Von dort aus werden erst nach und nach die benachbarten Regionen des Thyristors gezündet. dass der Thyristor aus Anwendungen. Bevor er schließlich wieder die positive Spannung sperren kann. der aus zwei monolithisch integrierten antiparallelen Thyristoren bestehende TRIAC. Die Stromdichte in den bereits gezündeten Bereichen wird dann so groß.6 GTO-Thyristor Quasi von der Erfindung des Thyristors an wurde versucht. muss das Plasma durch Rekombination auf einen sehr kleinen Rest reduziert werden. den Thyristor abschaltbar zu machen. Es findet eine Zündausbreitung statt. Er hält sich aber noch in Anwendungen. bevor wieder Spannung angelegt wird. GTOs wurden zum Beispiel für die Antriebsumrichter der ersten ICE-Generationen und für die Lokomotiven der Baureihen 101 (IC). Das dauert einerseits sehr lange und andererseits muss der Thyristor die ganze Zeit stromfrei sein. Spannungsumkehr ohnehin auftritt. Zur Deckung des entsprechend höheren Gate-Strombedarf verwendet man dann eine Hilfsstruktur. Wenn der Thyristor einmal gezündet ist. Version 2. Der gate turn-off (GTO) thyristor war dann der erste brauchbare und daher auch kommerziell erfolgreiche Versuch. dass es zur Zerstörung des Thyristors kommt. bei denen eine Strom. hat sich außerdem in vielen low power.B. Die Freiwerdezeit macht den Thyristor in der Anwendung sehr langsam und für die Umpolung ist eine aufwändige äußere Beschaltung mit einem Hilfsthyristor notwendig.5. muss man einerseits die Stromanstiegsgeschwindigkeit begrenzen und andererseits sofort eine möglichst große Fläche zünden. 80 4. ergibt sich durch das Restplasma beim Wiederanlegen der positiven Spannung ein Ausräumstrom. Mit Versuchen.bzw. Konkret fließt zunächst das Plasma in Form einer Rückstromspitze aus dem Thyristor und erst dann sperrt er die negative (Abschalt-) Spannung. Oktober 2009 . Um das zu vermeiden. konnte aber bestenfalls der (Be-) Schaltungsaufwand reduziert werden. abschaltfähige Varianten zu konstruieren.20. Beispiele solcher Gate-Strukturen zeigt Bild 4. vollständig verdrängt wurde. die nur mit einigen 10 µm/µs abläuft und so bis zur vollständigen Zündung des Thyristors viele 100 µs dauern kann (NB: Gate-Kathoden-Kurzschlüsse verlangsamen diesen Prozess noch!) Problematisch wird dieser Ablauf. wie dem gate assisted turn-off thyristor (GATT). auch bei off-highway Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. 4.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Bereich in dem der Gate-Strom eingeprägt wird. Man benutzt dazu (fein) verteilte Gate-Strukturen.

muss jedoch ein ausreichend großer Teil des Stroms über das Gate.6. also wieder eine Form der Lokalisierung. Ein „normaler“ Thyristor würde in dieser Situation nur lokalisieren. Beim GTO sind das bis zu einem Drittel des Gesamtstroms! Es ist also eine entsprechend starke und damit auch teure Gate-Ansteuerung notwendig. Anders als es beim Schalten mit induktiver Last sonst der Fall wäre (vergl. dass er kaum noch lokalisieren kann. Dabei kommt neben der Ausschaltentlastung durch eine RCD-Beschaltung im Allgemeinen noch eine Einschaltentlastung kombiniert mit einer Überspannungsbegrenzung zum Einsatz. und dort dann durch Überlast zerstört werden. so öffnet die Diode der Ausschaltentlastung (engl. Problematisch ist bei den großen Flächen dann eher das ungleichmäßige Abschalten der einzelnen Thyristorstreifen.2 Entlastungsnetzwerke (Snubber) Das Abschalten des GTO ist also in jedem Fall heikel und ohne zusätzliche Entlastungsnetzwerke (engl. Version 2. also den stromführenden Bereich verkleinern. die alle parallel geschaltet sind (Bild 4. Durch den Ladestrom wird der Anodenstrom des GTO deutlich reduziert. du/dt-snubber) und der Kondensator wird geladen.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik vehicles (Grubenfahrzeugen) zum Einsatz. Oktober 2009 . snubber) kaum möglich. Es muss nur die eingerastete Rückkopplung zwischen Elektronen. turn-on bzw.22: GTO-Scheibe.2).6. muss der GTO aufgrund der Ausschaltentlastung nicht gleichzeitig die volle Spannung und den vollen Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. In den 90er Jahren erreichte der GTO mit diesen Traktionsanwendungen ein erhebliches Marktvolumen. Der entscheidende Unterschied des GTO zum normalen Thyristor sind die nur etwa 200 µm breiten Kathoden-Finger.23 zeigt die Gesamtanordnung. abgeführt werden. Inzwischen werden Neukonstruktionen aber aufgrund besserer Lösungen mit IGBTs oder IGCTs nicht mehr mit GTOs ausgerüstet. Ein großer GTO besteht im Grunde aus mehreren tausend einzelnen kleinen Thyristoren. Um das zu erreichen. 81 Bild 4. Bild 4.0.22). Die Plasmaüberschwemmung würde dann von alleine zusammenbrechen und der Thyristor könnte wieder Sperrspannung aufnehmen. rechts die Kathoden-Finger und der Gate-Kontakt im Detail 4. Für weitergehende Informationen sei wieder auf die Literatur verwiesen.1. Jeder dieser Thyristorstreifen ist so schmal.1 Löschung (Ausschalten) Theoretisch ist jeder Thyristor abschaltbar. Daher soll der GTO nachfolgend nur kurz behandelt werden. Abschnitt 3. und damit nicht mehr über die injizierenden pn-Übergänge.und Löcherinjektion aufgehoben werden. Steigt beim Abschalten die Spannung über dem GTO an. Damit ist es aber noch nicht getan. sondern jeweils abschaltet. 4.2.

ergänzen. Durch seine feine Struktur kann der GTO mit Hilfe von ausreichend Gate-Strom praktisch sofort flächendeckend gezündet werden. dass man dieselbe Funktion auch mit ausgeklügelten. Die Ausschaltentlastung schützt den GTO außerdem vor zu großen (induktiven) Überspannungen.23: Einfacher Gleichstromsteller mit GTO-Thyristor als Schalter sowie Ausschaltentlastung (turn-off bzw. ergänzt damit also die Ausschaltentlastung. wiederverwenden. Version 2. Radar eingesetzt. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.0. Oktober 2009 . turn-on bzw. Damit sich die gespeicherte Energie nicht als Überspannung am Schalter bemerkbar macht bzw. Nach dem Abschaltvorgang wird die snubber-Kapazität dann über den Widerstand wieder auf die Quellenspannung U0 entladen bzw. 82 di/dt-snubber Li du/dt-snubber U0 GTO clamp DF LL Bild 4. Einschaltentlastung (turn-on bzw. die einen Teil der Energie nicht in den Widerständen in Wärme umsetzen. nach dem Einschaltvorgang auf die Durchlassspannung des GTO und ist bereit für den nächsten Schaltvorgang. Ohne diese Begrenzung würde die Diode sicher überlastet. in eine Kapazität umgeleitet.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Strom ertragen. du/dt-snubber). sei wieder auf die Literatur verwiesen. sondern beim nächsten Schaltvorgang zurückspeisen bzw. Darüber hinaus gibt es noch Varianten.B. den du/dtsnubber überlastet. Durch das schnelle Einschalten bricht die Spannung über dem GTO sehr schnell zusammen und der Stromanstieg durch den GTO bzw. Die Kapazität hat zusätzlich die Aufgabe. di/dt-snubber) und Überspannungsbegrenzung (clamp) Die Einschaltentlastung (engl. Nach dem Abschaltvorgang wird die Kapazität dann wieder über den Widerstand bis auf die Quellenspannung U0 entladen. wird der Strom der Induktivität durch eine Diode und einen Widerstand „kurzgeschlossen“ bzw. Da diese Schaltungen den Rahmen aber bei weitem sprengen würden und der GTO zudem heute nicht mehr für Neukonstruktionen verwendet wird. Problematisch ist die Induktivität dann allerdings beim Ausschalten. der Stromabfall durch die Diode wird nur durch die Induktivität Li (di/dt-Drossel) begrenzt. ist es nicht verwunderlich. Tatsächlich ist der GTO ein sehr schneller Einschalter. Da sich die Funktionen der Entlastungsnetzwerke überlappen bzw. di/dt-snubber) ist für die Freilaufdiode wichtiger als für den GTO. Der GTO ist dadurch beim Einschalten kaum zerstörbar und wird sogar für Pulsstromanwendungen (die keine Abschaltfähigkeit erfordern) wie z. vereinfachten Schaltungen wie dem Undeland snubber erzielen kann. die Spannung über dem GTO zu begrenzen.

Deshalb muss das Gate wie beim GTO feinstrukturiert sein. waren in dieser Hinsicht vielversprechend. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Zum anderen ist es die Aufbau und Verbindungstechnik. In Bild 4. Für das Zünden des Thyristors ist wieder positive Gate-Spannung an die MOSFETs anzulegen und ein Zündpuls an den Thyristor. Eine davon war die Kaskode oder besser die Verschaltung eines Thyristors und eines abschaltbaren Bauelements in Kaskode-Anordnung. A G K A G a) b) K Bild 4. Oktober 2009 .7. aber aufgrund der sehr begrenzten Fläche doch nicht unerheblich und insofern ein Nachteil. Version 2. während der p-Kanal MOSFET dann den Gate-Kreis freigibt. wodurch der Thyristor letztlich abschaltet.und p-Kanal MOSFETs 4. die einen induktionsarmen Gate.0. b) realisiert mit n. Da diese nur wenige 10 V sperren müssen.24: GTO-Kaskode. Der n-Kanal MOSFET öffnet bei negativer Gate-Spannung den Hauptstrompfad. aber aufgrund von Problemen mit der Kühlung und der Lastwechselfestigkeit letztlich doch nicht erfolgreich. die immerhin den gesamten Laststrom plus etwaigen Überstrom verkraften müssen. Zum einen sind es die reinen Zusatzkosten für diese Bauelemente. Das Problem der Kaskode ist der erhebliche Zusatzaufwand.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 83 4. Es ist also notwendigerweise eine GTO-Kaskode und ging auch unter diesem Namen in die Literatur ein. den die MOSFETs mit sich bringen. Der Gate-Kreis und vor allem auch die Gate-Zone im Halbleiter muss dazu aber den Gesamtstrom verkraften können.1 Kaskode Bild 4. Diese Spannung gibt dann den Gate-Kreis frei und treibt den Hauptstrom über das Gate aus dem Thyristor. wodurch die Kaskode einen Serienschaltungscharakter besitzt. so wird der Hauptstrompfad unterbrochen und der niedersperrende Schalter nimmt Spannung auf.und Kathoden-Kreis sicherstellen muss.24 zeigt die Kaskode-Anordnung eines hochsperrenden Thyristors und eines zwar niedersperrenden.7 IGCT Neben dem GTO gab es eine Reihe anderer Entwicklungsrichtungen auf dem Weg zum abschaltbaren Thyristor. Die Rückkopplung ist so auf jeden Fall aufgehoben. In diesem Moment fließt kein Strom mehr über den Gate-Kathoden-Übergang des Thyristors und ruft daher auch keine Injektion mehr hervor. a) als Prinzipschaltbild mit Z-Diode im Gate-Kreis. die MOSFETs in das Druckkontaktgehäuse des GTO zu integrieren. Der Hauptstrom fließt bei dieser Anordnung über beide Bauelemente. aber abschaltbaren Bauelements.24b ist eine Realisierung der GTO-Kaskode mit MOSEFTs zu sehen. ist ihr Widerstand verhältnismäßig gering. Schaltet man den niedersperrenden Schalter ab. Experimente. Hinzu kommt dann noch der zusätzliche Spannungsabfall durch die MOSFETs.

26). die in der Praxis weitreichende Konsequenzen haben: Sowohl der Widerstand als auch die Induktivität im Gate-Kreis müssen sehr klein sein.25: GCT mit Details des Gate-Kreises Diese Vorteile des GCT haben aber auch ihren Preis. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Oktober 2009 . Der Halbleiter an sich ist sonst praktisch identisch zum GTO. sondern tut dies auch ohne die heiklen Stromumverteilungen bzw. Im Allgemeinen sind beide sogar direkt zusammen montiert. Vielmehr wird mit Hilfe einer Spannungsquelle der Gate-Strom so groß gemacht. die den Schaltvorgang des GTO so prekär machten. behält der GCT das wesentliche Merkmal der Kaskode bei. Anders als bei der GTO-Kaskode wird hier nicht der Hauptstrompfad unterbrochen. Der GCT ist ein echter Thyristor mit der niedrigen Durchlassspannung der völlig plasmaüberschwemmten Bauelemente.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 4. Die Thyristor-Entwicklung ist mit dem IGCT an einem Endpunkt angelangt.und widerstandsarm aufgebaut sein. Bei einer Gate-Spannung von 20 V darf die Gate-Kreisinduktivität eines 4 kA GCT deshalb nur 5 nH betragen und das auch nur für den Idealfall ohne Ohmschen Widerstand.25 zeigt die dazu notwendige Schaltung. Wie bei der Kaskode fließt dann kein Strom mehr über den Gate-Kathoden-Übergang und ruft keine Injektion mehr hervor. wenn man von einem Wechsel des Halbleitermaterials absieht. Zum einen sind also auch hier genügend viele niedersperrende MOSFETs nötig. Folglich benötigt der GCT keine Ausschaltentlastung mehr.7. um den Hauptstrom in den Gate-Kreis umzulenken. Das Gehäuse des IGCT und die GateEinheit müssen also extrem induktions.0. Würde es länger dauern. Er ist ohne Einschränkungen zu beliebigen Zeitpunkten abschaltbar und braucht dafür auch keine in Serie geschalteten Bauelemente (zusätzlicher Spannungsabfall). um ausreichend lange die Gate-Spannung aufrecht halten zu können. nämlich den gesamten Hauptstrom zumindest zeitweise über das Gate umzuleiten. Lokalisierungen. Wie der Name bereits andeutet. Darüber hinaus zeigt das Bild aber noch zwei weitere Voraussetzungen für das Funktionieren des GCT. Version 2. Der GCT muss dazu natürlich ebenfalls feinstrukturiert sein. Die Rückkopplung ist so auf jeden Fall aufgehoben und der GCT in diesem Moment eigentlich gar kein Thyristor mehr! Der GCT schaltet dann nicht nur ab. um den Hauptstrom zumindest kurzfristig tragen zu können. 84 G UG LG→0 RG→0 A K Bild 4. den Hauptstrom in weniger als 1 µs in den Gate-Kreis zu kommutieren.2 GCT Zum Glück fand sich eine Lösung die diese Nachteile gar nicht oder viel weniger ausgeprägt hatte: Der zunächst als hard driven GTO bezeichnete gate commutated thyristor (GCT). käme es doch wieder zu Stromumverteilungen und das Risiko einer Zerstörung wäre hoch. Diese Forderung ergibt sich aus der Notwendigkeit. dass kein Kathoden-Strom mehr übrig bleibt. Und zum anderen wird eine in der Realität recht große Kondensatorbank gebraucht. Es ist deshalb fraglich. Die Einschaltentlastung dagegen ist wegen der Diode weiterhin nötig. Bild 4. weshalb man vom integrated GCT also IGCT spricht (Bild 4. welche grundsätzlichen Verbesserungen noch mit Thyristor-Bauelementen erzielbar sind.

Source und Drain. Leider konnte der MOSFET zu diesem Zeitpunkt aus technologischen Gründen noch nicht realisiert werden und so wurden die ersten Bauelemente erst 1960 gefertigt. Source und Drain sind durch den Elektronenkanal dann leitfähig verbunden und der MOSFET zeigt bei nicht zu großer Drain-Source-Spannung ein Ohmsches Verhalten und zwar für beide Polaritäten der Drain-Source-Spannung (vergleiche dazu den Synchrongleichrichter in Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Bis zum Einsatz als Leistungsbauelement dauerte es dann allerdings noch einmal fast 20 Jahre. Im Vordergrund die Halbleiterscheibe im Druckkontaktgehäuse. wieder die GTO-typischen Instabilitäten zeigten. Inzwischen hat sich der Leistungs-MOSFET fest etabliert und beherrscht die Anwendungen bis einige 100 V Sperrfähigkeit. bei der sich dieser Elektronenkanal gerade bildet.8 MOSFET Historisch gesehen war der metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) sogar der erste Transistor. Die Gate-Source-Spannung.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 85 Kondensatorbank Bild 4. so wie er aus der Grundlagenvorlesung bekannt ist und für Logikschaltungen verwendet wird.27 zeigt links den einfachen MOSFET. Zwischen diesen beiden Zonen. Die Struktur besteht aus einem mit Source verbundenen p-Grundmaterial in dem sich zwei hochdotierte n+-Zonen befinden. oder aus einer Serienschaltung mit entsprechend höheren Durchlassspannungen bestanden. da sie entweder sehr kritische parasitäre Komponenten aufwiesen. im Hintergrund die Gate-Ansteuereinheit mit der Kondensatorbank. 4. Die Ansteuer-MOSFETs sind hier nicht sichtbar auf der Unterseite montiert. dass Inversion auftritt. Monolithisch integrierte Varianten wie der MOS controlled thyristor (MCT) haben bisher jedenfalls keine Verbesserung erbracht.26: IGCT. Oktober 2009 . Bild 4. Version 2. Bereits in den 20er und 30er Jahren wurde seine Funktion beschrieben und patentiert. ist die Schwellenspannung UT (engl. Hinzu kam dann jeweils noch die erheblich aufwändigere Technologie mit den entsprechend höheren Kosten. bildet sich ein Elektronenkanal. wenn am Gate ein gegenüber Source (ausreichend) positives Potential anliegt und die Bänder im Halbleiter so stark verbiegt. Aufgrund seiner klaren Vorteile hat er den Bipolartransistor dort völlig verdrängt. threshold voltage).0.

Die Dotierung des p-Materials ist im Wesentlichen durch die Schwellenspannung (und die Oxiddicke) definiert und die n+-Drain-Zone muss allein schon für einen guten Ohmschen Kontakt hochdotiert sein. Besteht nun ein Kanal und wird die Drain-Source-Spannung deutlich erhöht. so dass ohne den Elektronenkanal kein Strom fließt. Von diesem Punkt an fließt der Strom dann nicht mehr durch einen Kanal. Version 2. Leider stimmt das nur bedingt.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Abschnitt 4. da sie bei negativer Drain-Source-Spannung in Durchlass gepolt ist. die diese Raumladungszone verursacht (NB: In Anlehnung an den Early-Effekt beim Bipolartransistor nennt man diesen leichten Stromanstieg nun Late-Effekt). was schon zu vielen Missverständnissen geführt hat! Wie beim Bipolartransistor ergibt sich jedenfalls eine Strombegrenzung.27 rechts) ist das der lineare Bereich. In Vorwärtsrichtung des MOSFET sperrt diese Diode. die wieder für Schutzmaßnahmen verwendet werden kann. bulk) mit Source liegt zwischen den äußeren Gate. Leider wurde die Sättigung hier anders definiert als beim Bipolartransistor. Schließlich besitzt das sehr dünne Gate-Oxid eine geringe Durchschlagfestigkeit und ist im Bereich der Drain-Zone fast der vollen Drain-Source-Spannung ausgesetzt.27: Struktur des einfachen MOSFET mit Spannungen sowie Kennlinienfeld Durch die Verbindung des Grundmaterials (engl. 86 ID UDS UGS S n+ p G n+ D Sättigung UGS > UT UDS UGS < UT Bild 4. als dass der Strom kaum noch ansteigt.0. Das Konzept des einfachen MOSFET taugt also nicht für Leistungstransistoren mit entsprechenden Sperrspannungsanforderungen. Die Durchbruchspannung des pn-Übergangs ist dementsprechend gering. Außerdem hätte die Raumladungszone auch gar keinen Raum sich auszudehnen. sondern wird durch eine Raumladungszone abgesaugt. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Der physikalische Hintergrund für die Sättigung ist dabei der Ohmsche Spannungsabfall entlang des Inversionskanals und damit das sich ändernde Potential. so verändert sich das Verhalten des MOSFET. Während am Kanalanfang noch die volle Gate-Source-Spannung zur Kanalbildung zur Verfügung steht. Man spricht auch von der Inversdiode.3)! In Kennlinienfeld (Bild 4. was nichts anderes bedeutet. In Rückwärtsrichtung geht die lineare Kennlinie dann in die Diodenkennlinie über. wird diese Spannung durch den Spannungsabfall entlang des Kanals immer kleiner und reicht irgendwann nicht mehr aus.28). wobei der Widerstand von der Höhe der Gate-Source-Spannung abhängt. Oktober 2009 . um einen Inversionskanal zu bilden. Folglich verhält sich der MOSFET ohne den Elektronenkanal (UGS < UT) wie eine Diode.und Drain-Anschlüssen nur ein pn-Übergang. In Vorwärtsrichtung beginnt der MOSFET dagegen zu sättigen. da dafür nur die Kanalzone in Frage käme (siehe Bild 4. und dabei kommt es dann kaum noch auf die Spannung an.

Dadurch besitzt der vertikale MOSFET viel mehr Kanal pro Fläche. Zwei Halbzellen. können die Zellen viel enger zusammengelegt werden als beim LDMOSFET. was zu einem deutlich geringeren Kanalwiderstand führt. ergeben zusammen einen T-förmigen Stromfluss (Bild 4. dass der Strom in der n--Zone durch die Raumladungszonen der p-Gebiete entsprechend stärker eingeschnürt wird (siehe Bild 4. Bild 4.8. Da zwischen den einzelnen Zellen kein Potentialunterschied existiert.29a).30a.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik G p n+ 87 S n+ D Bild 4.29 zeigt die Struktur für einen lateralen Leistungs-MOSFET. monolithisch integrierte LogikLeistungs-Schaltungen (engl. Außerdem ist die Isolation der vollen Sperrspannung entlang der Oberfläche technologisch sehr heikel. smart power. S p+ G D p+ RLZ nn+ S p n+ nG n+ D a) b) Bild 4. die Zellen so eng wie möglich zusammenzulegen.29: Struktur des lateralen Leistungs-MOSFET.30b). Oktober 2009 .1 Grundstruktur Um größere Spannungen aufnehmen zu können. aber die niedrigdotierte Zone beansprucht bei hoch sperrenden Bauelementen sehr viel Platz und bildet einen großen zusätzlichen Widerstand. aber der an der Stromleitung beteiligte Querschnitt bleibt doch sehr klein und der Widerstand entsprechend hoch. Dieses Gebiet wird beim MOSFET nun zwischen die Kanalzone und das Drain-Gebiet eingefügt und besitzt denselben Leitfähigkeitstyp wie das Drain-Gebiet. Tatsächlich verteilt sich der Elektronenstrom sogar ein bisschen. a) im Sperrfall. Version 2. Die Struktur zeigt Bild 4. ist wie bei allen bisher behandelten Bauelementen eine entsprechend lange und niedrigdotierte Zone notwendig. Die Raumladungszone dehnt sich kaum noch in die Kanalzone. Für den Kanalwiderstand wäre es deshalb sogar gut.28: Einfacher MOSFET bei hoher anliegender Sperrspannung 4. für Treiberschaltungen) verwendet. Auch das Gate ist so vor den hohen Drain-Source-Spannungen geschützt. Er kann nun zwar viel höhere Spannungen sperren und wird so auch für Leistungs-IC bzw.0. die kleinsten Symmetrieeinheiten des vertikalen DMOS. MOSFETs für hohe Spannungen und große Ströme werden deshalb als vertikale Bauelemente ausgeführt.30a). nachdem er aus dem Kanalgebiet in die n--Zone geflossen ist (Bild 4.29b). bzw. b) im Durchlass Aufgrund der Hauptstromflussrichtung und des Herstellungsverfahrens wird dieser Typ LDMOSFET (lateral double diffused MOSFET) genannt. Bei diesen VDMOSFETs befindet sich der Drain-Anschluss auf der Bauelementunterseite und die n--Zone liegt zwischen der Oberseite mit dem Kanalgebiet und der Unterseite. spricht man auch vom JFET- Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Das hätte dann aber den Nachteil. sondern vor allem in die zusätzliche niedrigdotiert Zone aus (Bild 4. Der Elektronenstrom fließt zunächst lateral durch den Kanal und knickt dann in die Vertikale ab. Weil dieses Verhalten dem Wirkprinzip des JFET entspricht.

müssen eine lange Strecke unterhalb der n+-Source zurücklegen und verursachen dort einen Spannungsabfall. dass der Bipolartransistor angesteuert wird. Da das aber die Schwellenspannung des MOSFET zu stark heraufsetzen würde. die von der Raumladungszone kommend zum Source-Anschluss fließen wollen. besitzt der MOSFET aufgrund seiner npn-Zonenfolge immer auch einen Bipolartransistor. also zu einer Verschlechterung führt. und dadurch der MOSFET zerstört wird. Dazu wird übrigens auch die dritte Dimension herangezogen.31a zeigt.30: Grundstruktur des vertikalen Leistungs-MOSFET. Bild 4. Die Folge wäre ein erhöhter Serienwiderstand.31b zeigt die typische Struktur des vertikalen Leistungs-MOSFET mit dieser Zone. Oktober 2009 . ohne den Kanal zu beeinflussen. b) mit der Stromeinschnürung durch die Raumladungszonen (JFET-Effekt) S p nn+ G S p+ nn+ n+ G a) D b) D Bild 4. Wie Bild 4. der den Vorteil des geringeren Kanalwiderstands erst reduziert. dann aufhebt und schließlich sogar überkompensiert. b) Abhilfe durch eine hochdotierte p-Zone: Typische Struktur eines vertikalen Leistungs-MOSFET Neben solchen Optimierungsfragen muss der Entwickler aber auch noch andere Effekte berücksichtigen und – im konkreten Fall – Gegenmaßnahmen ergreifen. also injiziert. Die Rede ist vom parasitären Bipolartransistor. Das kann bei schnellen Transienten dazu führen. Version 2. Die n+-Source muss deshalb so kurz wie möglich sein und die Dotierung der p-Zone so hoch wie möglich. Es geht für den Entwickler also wieder einmal darum ein Optimum zu finden. Zwar ist die Basis dieses Transistors mit seinem Emitter kurzgeschlossen (Source-Kontakt zum p-Gebiet).Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Effekt.0.31: a) Ansteuerung des parasitären Bipolartransistors durch Ladungstrennung in der Raumladungszone. oder sogar Wabenstrukturen (HEXFET® von IR) verwendet. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. bleibt nur der Ausweg einer zusätzlichen und damit teuren p+-Zone. a) mit Andeutung der Halbzelle und des Stromflusses. S p nn+ n+ Halbzelle G 88 S p RLZ nn+ - G a) D b) D Bild 4. indem man Streifen-. um den Widerstand unter der n+-Source zu reduzieren. aber Löcher. Zellen.

41) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.5% 0. Oktober 2009 . während sich der Gesamtwiderstand des MOSFET aus zahlreichen weiteren Anteilen zusammensetzt. wobei sich der Wert des Durchlasswiderstands mit Hilfe der Gate-SourceSpannung variieren lässt.27 rechts zeigt. da er wiederum den Zwängen bei der Auslegung eines unipolaren Bauelements unterliegt und dementsprechend wie das Mittelgebiet der Schottky-Diode Gleichung (4.5 ≈ 5. Tabelle 4. sondern nur irgendwo am Rand.1 zeigt den Anteil der Einzelkomponenten für zwei Sperrfähigkeiten.33) gehorcht: rDrift (4. Bild 4.5% 0. Tabelle 4.8. 4.0. Die geforderte Sperrfähigkeit ist dabei der entscheidende Faktor.5% 0.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Das fast immer aus Polysilizium bestehende Gate wird bei dieser Struktur nicht in jeder Zelle kontaktiert.5% 2. S 89 RMetall RSource RKanal RAkku RJFET RDrift RDrain UBR = 30V 7% 6% 28% 23% 29% 7% UBR = 600V 0. also des n--Gebiets.1: Anteil der Einzelkomponenten des Durchlasswiderstands von zwei vertikalen MOSFETs unterschiedlicher Sperrfähigkeit Komponente RMetall RSource RKanal RAkku+RJFET RDrift RDrain Offenbar bestimmt bei hoher Sperrfähigkeit der Widerstand RDrift der Driftzone.32 zeigt schematisch die einzelnen Komponenten. Version 2. verhält sich der MOSFET im Durchlasszustand wie ein Widerstand.5% 96. den Gesamtwiderstand. Das ist nicht weiter verwunderlich.2 Durchlasswiderstand Wie Bild 4.32: Komponenten des Durchlasswiderstands eines vertikalen MOSFET Je nach Auslegung des MOSFET (vergleiche Optimierung des Zellenabstands) tragen die einzelnen Komponenten unterschiedlich viel zum Gesamtwiderstand bei. Dazu muss das Polysilizium hoch leitfähig sein.5% 1. was durch Dotierung erreicht wird.75 ⋅ 10 −9 ⋅ U BR D Bild 4. Tatsächlich variiert dabei aber nur der Kanalwiderstand.

33a zeigt die Struktur eines Trench-MOSFET. Andererseits ist die Trench-Technologie erheblich aufwändiger.1 nicht exakt wiedergibt.2. b) Superjunction-MOSFET 4.41) die Verhältnisse von Tabelle 4. und so den Driftzonenwiderstand weniger schnell ansteigen lassen. Es muss vielmehr eine Möglichkeit gefunden werden. Bild 4.2. Genau das tut die im folgenden Abschnitt behandelte Trench-Technologie. die zum vertikalen MOSFET geführt hatte.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik wobei der Kleinbuchstabe andeutet. die mit zunehmender Driftzonenlänge besser wird. großen Aufwand in die Kanalzone zu investieren. doch sind hier der Kanal und die daran anschließende Akkumulationsschicht (NB: Unterhalb des Gates im n--Gebiet kommt es nicht zur Inversion. Bei niedrigsperrenden MOSFETs hat die Driftzone immer noch einen deutlichen Einfluss. sondern zur Akkumulation. dass Gleichung (4. Der Stromfluss ist abgesehen von den n+-Gebieten und einer leichten Stromspreizung rein vertikal. also teurer. den bei unipolaren Bauelementen durch Gleichung (4. 4.1 Trench-MOSFET Die Trench-Technologie ist im Grunde die konsequente Weiterführung der Grundidee. G p n+ n+ nS S n+ p G S p+ p n G 90 n+ a) D b) D Bild 4. Es macht also keinen Sinn. Jetzt wird nicht nur die Driftzone in die Vertikale geklappt. die in Abschnitt 4. Zusätzlich hilft die Akkumulationsschicht bei der Stromspreizung und der parasitäre Bipolartransistor ist aufgrund der Abmessungen vernachlässigbar. Das liegt vor allem an zweidimensionalen Effekten wie der Stromspreizung (engl. Eine Verbesserung muss vor allem hier angreifen.2 behandelt wird. Mit der Trench-Struktur lässt sich noch mehr Kanal pro Fläche erzielen und die Stromeinschnürung durch den JFET-Effekt existiert praktisch nicht mehr. Eine grundlegende Verbesserung konnte erst durch den Einsatz der Superjunction-Technologie erzielt werden.33: a) Trench-MOSFET. Bei näherem Hinsehen.2. stellt man fest.0.2 Superjunction-MOSFET Gemäß Tabelle 4. weil der Leitfähigkeitstyp sich nicht ändert) sowie der JFET-Bereich die bestimmenden Faktoren. dass es sich um den flächenbezogenen Widerstand handelt.8. Insgesamt steigt der Driftzonenwiderstand aber immer noch extrem mit der Sperrfähigkeit und wie bei den Schottky-Dioden so ist auch bei den MOSFETs gemäß Bild 4. sondern zusätzlich wird auch noch der Kanal vertikal. current spreading).41) gegebenen Zusammenhang von Sperrfähigkeit und Durchlasswider- Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.8.31b ein Einsatz nur bis zu wenigen 100V Sperrfähigkeit sinnvoll. Der Gewinn wäre marginal und so kommt die Trench-Technologie hier nicht zum Einsatz.1 bestimmt bei den hochsperrenden MOSFETs die Driftzone praktisch allein den Durchlasswiderstand.8. Version 2. Dennoch sind heute fast alle niedersperrenden MOSFETs auch Trench-MOSFETs. Oktober 2009 .

Oktober 2009 . In lateraler Richtung kann dann keine weitere Spannung aufgenommen werden. da im gesamten Mittelgebiet keine weiteren Ladungen mehr zur Verfügung stehen. a) bei mittlerer Spannung.und n-Säulen.33b zeigt die Struktur eines Superjunction-MOSFET mit herkömmlicher Gate-Technologie. dass sie innerhalb weniger Jahre von allen Herstellern übernommen wurde und inzwischen unter dem neutraleren Namen Superjunction bekannt ist. Anders als bei den bisher behandelten unipolaren Bauelementen ist hier die Driftzone nicht mehr homogen dotiert.34a). Diese von Infineon unter dem Handelsnamen CoolMOS® eingeführte Technologie war so überzeugend.34: Feldstärke und Raumladungszonen beim gesperrten SuperjunctionMOSFET. sonst brechen die pn-Übergänge zwischen den Säulen schon bei sehr kleinen Spannungen durch.10 separat behandelt wird.0.34. Version 2. Insgesamt darf die Dotierung nicht zu hoch sein. der später in Abschnitt 4. b) bei hoher Spannung Das Funktionsprinzip der Superjunction zeigt Bild 4. Würde man in lateraler Richtung die Nettodotierung (p-n) zwischen der Mitte einer p-Säule und der Mitte der angrenzenden n-Säule aufintegrieren. Es sind drei Kriterien zu erfüllen: 91 • In den n-Säulen müssen in horizontaler Richtung quasi eindimensionale Verhältnisse herrschen. • • y E x E S G S G S G S G p n n+ p n p n n+ p n a) D b) D Bild 4. Bei weiter steigender Spannung laufen die Raumladungszonen aufeinander auf. sondern besteht vielmehr aus alternierenden p.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik stand aufzulösen.und n-Säulen aus. Diese gibt es erst wieder in den p+. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.und n+-Gebieten. Bei steigender Spannung dehnen sich die Raumladungszonen vor allem in laterale Richtung in die p. Dazu muss (in erster Näherung) die Länger der n-Säule größer sein als ihre Breite. Der laterale Feldverlauf ist ein Zickzack mit Unterbrechungen (Bild 4. Die p. Die Überschwemmung mit Plasma analog zur pin-Diode war die erste Lösung dieser Aufgabe und führte in der 80er Jahren zum IGBT. so wäre das Resultat null.und n-Dotierungen müssen sich kompensieren. Erst gegen Ende der 90er Jahre kam dann noch eine zweite Lösung hinzu. Bild 4. die zudem die Unipolarität des MOSFET beibehielt. Die Auslegung dieser Säulen ist nun entscheidend für die Funktion der Superjunction.

Daneben ist die Schaltung dargestellt. Version 2. oder der Thyristor. welche Rolle der SiC-MOSFET spielen kann. Mit SiC lässt sich ein etwa 500mal kleinerer Durchlasswiderstand bei gleicher Sperrfähigkeit realisieren.3 Siliziumkarbid (SiC) Wie schon bei der Schottky-Diode in Abschnitt 4. der durch einen Stromimpuls gezündet wurde. der von etwa 500 V bis 1000 V Sperrfähigkeit reicht und in Zukunft noch höher sperrende Bauelemente erwarten lässt. weil die Elektronen eine höhere Beweglichkeit besitzen als die Löcher. Dennoch hat sich der Superjunction-MOSFET in kurzer Zeit einen breiten Markt erschlossen. Nur bei Sperrfähigkeiten von einigen 10V wäre der Silizium-Trench-MOSFET weiterhin überlegen. Das gilt analog auch für den MOSFET. da der SiC-MOSFET eine deutlich andere Struktur besitzt (NB: Dotierstoffe diffundieren im SiC kaum. das mit der angelegten Spannung steigt (Bild 4. Bisher scheitert die Einführung des SiC-MOSFET aber noch an verschiedenen Hindernissen.3c) ergeben. 92 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. was zu entsprechend komplizierten Abläufen während der Schaltvorgänge führt. Dementsprechend fließt im stationären Zustand keinerlei Gate-Strom.33b). Im Durchlass führt nur die n-Säule Strom (Bild 4. sondern nur jeweils im Schaltmoment der Umladestrom für die Gate-Kapazität. Zum einen sind das die viel höheren Kosten des Ausgangsmaterials und der Technologie.2. liegen der Gleichung (4. In vertikaler Richtung bedeutet das ein nahezu konstantes Feld. wie die Stabilität und Zuverlässigkeit von solchen Bauelementen noch nicht zufriedenstellend geklärt.34b).als auch SiC-MOSFETs wann immer möglich vom n-Typ (Elektronenkanal) sein. Der SiC-MOSFET wäre damit das ideale Schaltelement bis hinauf zu einigen Kilovolt Sperrfähigkeit.8. Die Reduktion des Widerstands bei gleicher Chipfläche beträgt bis zu einem Faktor vier.41) die Materialeigenschaften des Siliziums zu Grunde. wird der MOSFET nur durch die Potentialdifferenz zwischen Gate und dem Kanal gesteuert. wodurch sich Wirkungsgrade verbessern lassen und Kühlaufwand eingespart werden kann. Im Bild 4. Theoretisch könnte man so den Zusammenhang zwischen Sperrfähigkeit und Durchlasswiderstand ganz auflösen. Der MOSFET ist ein kapazitiv gesteuertes Bauelement. Diese besteht aber aus mehreren Teilen mit unterschiedlichen Spannungsabhängigkeiten. alles muss implantiert werden).8. Es muss sich also noch zeigen. 4. da die Herstellung der p-Säulen aufwändig und heikel ist. Es kommt also zu einer Reduktion des stromführenden Querschnitts.3 Schaltverhalten Anders als der Bipolartransistor.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik wodurch sich Verhältnisse fast wie in einem Plattenkondensator bzw. der einen kontinuierlichen Basis-Strom als Ansteuersignal brauchte. 4.2 diskutiert. Dem sind aber enge technologische und finanzielle Grenzen gesetzt. als im homogenen Fall. Dafür kann die n-Säule aber (unter Einhaltung der drei Kriterien) erheblich höher dotiert sein. Hinzu kommt dann noch die Drain-Source-Kapazität. die für die Untersuchung des Schaltverhaltens verwendet wird. Zum anderen sind aber grundsätzlichere Fragen. Immerhin treten 10mal höhere Feldstärken auf und die Grenzfläche zwischen Halbleiter und Gate-Oxid ist schon beim Silizium heikel. Ganz generell werden sowohl Silizium. wodurch sich der Widerstand insgesamt deutlich verringert.35a sind die wichtigsten Kapazitäten des vertikalen MOSFET als konzentrierte Elemente eingezeichnet.0. Bei SiC ist dieser Unterschied sogar noch ausgeprägter als bei Silizium. einer echten pin-Diode (gemäß Bild 4. weil dann die Elektronenbeweglichkeit im Kanal entscheidend ist und die ist bei Silizium etwas höher. Oktober 2009 .2.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Oktober 2009 . dass Gate-Strom auch wieder zum Laden der Gate-Source-Kapazität zur Verfügung steht. wird angenommen. Version 2.und die Gate-Drain-Kapazität umgeladen. Erreicht die Gate-Source-Spannung zum Zeitpunkt t2 die Schwellenspannung UT.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Die Ansteuerung des MOSFET erfolgt über einen Gate-Widerstand RG und eine Gate-SourceSpannungsquelle. fällt die Drain-Source-Spannung entsprechend.0. Über den Anstieg der Gate-Source-Spannung wird also der Stromanstieg gesteuert. Bei t3 erreicht der Drain-Strom den Wert I0. In dieser Phase wird der gesamte Gate-Strom. um den sich die am MOSFET liegende Drain-Source-Spannung reduziert.3. 93 Lσ CGS CGD CDS a) b) DF U0 RG CGS UG CGD iD CDS uGS uDS iL LL iD Bild 4.und Spannungsverläufe beim Einschalten des MOSFET. Bevor der Einschaltvorgang beginnt (Phase ). um die GateDrain-Kapazität umzuladen.35: a) Die wichtigsten Kapazitäten eines vertikalen MOSFET. mit MOSFET als Schalter sowie Gate-Ansteuerung und Streuinduktivität 4. so beginnt der MOSFET Strom zu leiten. Durch den Stromanstieg ergibt sich an der Streuinduktivität Lσ ein Spannungsabfall. dass sich der MOSFET im ausgeschalteten Zustand befindet und sowohl eine Gate-Source-Spannung uGS = -15 V als auch eine Drain-Source-Spannung uDS = U0 anliegt. b) Einfacher Gleichstromsteller mit rein induktiver Last. die einen idealen Spannungssprung ausführt. wobei der zu einer Gate-Source-Spannung gehörende Kurzschlussstrom jeweils den aktuellen Strom definiert.1 Einschalten Bild 4.8. Das Gate wird weiter über RG aufgeladen. Mit dem über RG zufließenden Strom werden während der Phase die Gate-Source. Zum Zeitpunkt t1 schaltet die Gate-Quelle auf +15 V. Die Gate-Source-Spannung bleibt dadurch konstant und der MOSFET bleibt in der Sättigung. Sobald die Freilaufdiode Spannung aufnimmt. Erst bei t4 ist die Drain-Source-Spannung soweit zusammengebrochen. Der Laststrom iL läuft durch die Diode frei und ist im weiteren Verlauf konstant I0. Dazu muss die Gate-Source-Spannung etwas höher steigen. Der MOSFET geht dann in den linearen Bereich über und erreicht gemäß der RC-Zeitkonstante aus RG und CGS + CGD den stationären eingeschalteten Zustand. als es für I0 notwendig wäre. der über RG zufließt dafür gebraucht. Rechts im Bild ist die entsprechende Ortskurve im Ausgangskennlinienfeld zu sehen.36 links zeigt die Strom. Die Freilaufdiode kommutiert nun ab und der MOSFET muss zusätzlich zum Laststrom auch noch die Rückstromspitze verkraften. Man spricht vom Miller-Plateau.

In der Phase werden dann nur noch die Kapazitäten auf eine Gate-Source-Spannung von -15 V entladen. Der Ausschaltvorgang ist abgeschlossen. Oktober 2009 .37 links zeigt dazu die Stromund Spannungsverläufe.8. Bei t4 schließlich wird die Schwellenspannung unterschritten.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 94 uGS +15V UT Miller-Plateau -15V I0 0 U0 0 iD Rückstromspitze der Diode I0 uDS t Einfluss von Lσ t ID t5 t4 t3 t1=t2 U0 UDS t1 t2 t3 t4 t5 t Bild 4. nur dass sich die Reihenfolge umkehrt.35 sowie die zugehörige Ortskurve im Ausgangskennlinienfeld 4. Diese Stromänderung verursacht an der Streuinduktivität eine Überspannung. Rechts im Bild ist die entsprechende Ortskurve im Ausgangskennlinienfeld zu sehen. Es liegt die volle Quellenspannung U0 an. Bei t2 beginnt der MOSFET zu sättigen. Da die Drain-Source-Spannung fast konstant bleibt und die Gate-Drain-Kapazität bei anliegender Sperrspannung klein ist. Die Stromsteilheit wird durch die Geschwindigkeit bestimmt. Durch den MOSFET fließt der gesamte Laststrom I0.2 Ausschalten Beim Ausschalten des MOSFET laufen im Wesentlichen dieselben Prozesse wie beim Einschalten ab. Die Freilaufdiode beginnt zu leiten und der Strom durch den MOSFET sinkt ab. die der MOSFET zusätzlich aufnehmen muss.und Spannungsverläufe beim Einschalten eines vertikalen MOSFET in der Schaltung von Bild 4. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.36: Strom. Das Miller-Plateau (Phase ) ist erreicht. mit der die Gate-Source-Kapazität entladen wird. Wird nun zum Zeitpunkt t1 die Gate-Quelle auf -15 V geschaltet. Da der Strom durch die äußere Schaltung gegeben ist. Der gesamte Gate-Strom lädt nun die Gate-Drain-Kapazität um. so werden die Gate-Sourceund Gate-Drain-Kapazitäten über RG entladen. Zum Zeitpunkt t3 erreicht die Drain-Source-Spannung die Quellenspannung U0. weil die Diode bereits leitet. Bild 4.0. Die Drain-Source-Spannung steigt leicht an.3. fliegt der meiste Gate-Strom in die Gate-Source-Kapazität. Zunächst liegt in der Phase eine Gate-Source-Spannung uGS = +15 V an und die DrainSource-Spannung ist auf ihrem stationär niedrigen Durchlasswert. Version 2. Der Strom durch den MOSFET ist zu null geworden und dadurch geht die Überspannung ebenfalls auf null zurück. kann die Gate-Source-Spannung dann nicht geringer werden. wodurch der MOSFET Spannung aufnimmt. also einen vernachlässigbar kleinen Spannungsabfall hat.

4.B.27 so führt die Verbindung des SourceAnschlusses mit dem p-Gebiet auch beim vertikalen MOSFET zu einer inhärenten antiparallelen Diode bzw. Andernfalls würden die Überströme (Rückstromspitze der Freilaufdiode) und die Überspannung durch die Streuinduktivität so groß werden. Für den Einsatz in einer Brückenschaltung wäre also bereits eine Freilaufdiode vorhanden und man könnte ChipFläche bzw. SOA) des MOSFET verlassen und der MOSFET (oder andere Komponenten) zerstört wird. Darüber hinaus wäre die Trägerlebensdauer im MOSFET viel zu hoch. Leider ist die für den MOSFET-Betrieb optimierte Struktur nicht optimal für den DiodeBetrieb. dass der sichere Arbeitsbereich (engl.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 95 uGS +15V UT -15V I0 0 U0 0 Miller-Plateau t ID iD I0 uDS t Einfluss von Lσ t1 t2 t3 t4=t5 U0 UDS t1 t2 t3 t4 t5 t Bild 4.4 Inversdiode Wie bei der einfachen MOSFET-Struktur aus Bild 4. was Schaltfrequenzen im Megahertz-Bereich ermöglicht. also das fehlende Plasma. safe operating area.und Spannungsverläufe beim Ausschalten eines vertikalen MOSFET in der Schaltung von Bild 4. so dass hier zunächst noch eine Lebensdauereinstellung erfolgen muss. body diode).0. Version 2.37: Strom. die Schaltgeschwindigkeit über das Gate zu steuern. Dafür muss dann aber die Schaltungsumgebung auch ausgelegt sein. kann der MOSFET in der Tat sogar extrem schnell geschaltet werden. Es geht also wieder einmal um eine Optimierung zweier gegenläufiger Effekte und dabei spielt die Gate-Ansteuerung eine wichtige Rolle. Durch sehr schnelles Schalten ließen sich kleine Schaltverluste erzielen.30b werden zahlreiche andere. Rückführung des Drain-Potentials) verwendet. Neben der einfachen Variante aus Bild 4. Inversdiode (engl. Bauelemente sparen. weil zum Beispiel die Schwermetalldiffusion leicht zur Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.8. Durch die Unipolarität.35 sowie die zugehörige Ortskurve im Ausgangskennlinienfeld Der MOSFET besitzt anders als die Thyristoren die Möglichkeit. Beide Maßnahmen führen im Dioden-Betrieb zu einem harten Schaltverhalten und eventuell auch zu Stromabrissen. Dafür sei aber wieder auf die Literatur verwiesen. Zum einen ist die Driftzone so dünn wie möglich und zum anderen die p-Zone so hoch wie möglich dotiert (um den parasitären Bipolartransistor auszuschalten). was für die Gesamtverlustbilanz positiv wäre. Stromquelle. aufwändigere Gate-Ansteuerungen (z. Oktober 2009 . Dabei sind allerdings enge technologische Grenzen gesetzt.

JFETs als Alternative zu den seinerzeit noch nicht gut beherrschten MOSFETs zu verwenden.0. des static induction transistors (SIT). Das gilt besonders für den SuperjunctionMOSFET. Tatsächlich gab es aber durchaus Ansätze. ob der JFET nochmal eine Chance bekommt. weshalb man sie gelegentlich auch als parasitäre Diode bezeichnet. JFET) ist ein Bauelement. JFET und hat seit dem Aufkommen zuverlässiger MOSFETs zum völligen Verschwinden dieser Bauelemente geführt. das im Allgemeinen nicht mit dem Gebiet der Leistungshalbleiterbauelemente assoziiert wird. bei dem die spezielle Struktur auch zu einem „speziellen“ Diodenverhalten führt. Dementsprechend sieht das Ausgangskennlinienfeld (Bild 4. Der SIT ist im Übrigen auch sehr gut als hochsperrender Teil einer Kaskode geeignet. Die weitere Entwicklung bei den SiC-MOSFETs muss also zeigen. zeigt Bild 4. sondern der Durchgriff der Drain-SourceSpannung führt zu einer stetig ansteigenden Ausgangskennlinie. Dabei kann sich aufgrund der sehr kurzen Kanäle keine Stromsättigung ausbilden. Neben der fehlenden Sättigung war vor allem das normally-on Verhalten ein Argument gegen den SIT bzw. Im schlimmsten Fall muss die Inversdiode dann durch eine Seriendiode (zusätzliche Durchlassverluste für den MOSFET!) ausgeschaltet und durch eine bessere. Wie bei einer Vakuumtriode wird bei anliegender negativer GateSource-Spannung der Strompfad durch das Gitter abgeschnürt. –JFETs (mit einer allerdings erheblich aufwändigeren Struktur) wieder eine Alternative bzw. Je nach Anwendung kann die Inversdiode daher unbrauchbar sein.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Vergiftung des Gate-Oxids (Verschiebung der Schwellenspannung) führen kann. oder die Bestrahlung Schäden im Kristallgitter erzeugt. Version 2. Oktober 2009 . die dann durch die verringerte Elektronenbeweglichkeit den Durchlasswiderstand des MOSFET erhöhen.9 JFET Der Sperrschichtfeldeffekttransistor (engl. Die Struktur der vertikalen JFET-Variante.30b). es sei denn als parasitäre Komponente (vergleiche Bild 4. junction field effect transistor. Inzwischen jedoch befindet man sich mit SiC-Bauelementen wieder in einer ähnlichen Situation: Die SiC-MOSFETs sind noch nicht ausgereift und zuverlässig und so könnten SiC-SITs bzw. externe Diode ersetzt werden. zumindest eine Übergangslösung sein. oder Gridistors wie er wegen seiner gitterförmigen Gate-Struktur anfangs auch genannte wurde.38: SIT mit Ausgangskennlinienfeld Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.38 links. 96 4. S G n- ID UGS = 0V UGS p+ n+ D UDS Bild 4.38 rechts) auch dem der Vakuumtriode ähnlich: Bei 0 V ergibt sich eine fast lineare Durchlasskennlinie und mit zunehmend negativer Gate-SourceSpannung wird der Stromfluss immer weiter abgeschnürt.

30a) hat sich nur der Dotierungstyp der Drain-Zone geändert. Das niedrig dotierte n--Gebiet wird auf diese Weise mit einem Elektron-Loch-Plasma überschwemmt und erhält eine um Größenordnungen höhere Leitfähigkeit als durch die Dotierung.10. Einige namhafte Hersteller haben die Produktion von Thyristorbauelementen bereits auf kleine Nischen reduziert und sich ansonsten ganz auf den IGBT konzentriert. b) Strukturbedingter. dass er auch so gar nicht schlecht war und entwickelte ihn weiter. Wie schon in Abschnitt 4.39: a) Funktionsprinzip des IGBT. Der Legende nach sollte der IGBT eigentlich ein MOS-Thyristor werden.39a zeigt die Grundstruktur mit dem Funktionsprinzip. 4. indem man das Mittelgebiet bzw. sofern sie nicht unterwegs mit Elektronen rekombinieren. Dadurch wird der pn-Übergang in Durchlass gepolt und injiziert Löcher in das Driftgebiet.2 erwähnt. parasitärer Thyristor Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Bild 4. der „verunglückte“ und dadurch nicht richtig zündete. seine Grundstruktur weist ihn klar als direkten Verwandten des vertikalen MOSFET aus. Oktober 2009 . Der Thyristor blieb dabei allerdings als unvermeidliches Strukturelement erhalten und führte durchaus zu Problemen (siehe unten). Statt der hochdotieren n-Zone für den Ohmschen Kontakt weist der IGBT auf der Rückseite eine p-Zone auf. S= E p + .1 Grundstruktur Wie auch immer man auf den IGBT gekommen sein mag. Das tut der pn-Übergang an der Unterseite des IGBT. die Driftzone mit Plasma überschwemmt.0. Bild 4. Version 2. Genau dieser pn-Übergang ist nun für die funktionalen Unterschiede zum MOSFET verantwortlich. In Analogie zur pin-Diode kann man diesen Zusammenhang auflösen.2.+ np+ D= C G p E n+ parasitärer Thyristor n G a) b) p+ C Bild 4. Man stellte dann aber fest. Anfangs wurde der IGBT deshalb auch gelegentlich COMFET (conductivity modulated FET) genannt.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 97 4. Durch die Plasma-Überschwemmung ist die Stromtragfähigkeit des IGBT erheblich größer als die des MOSFET. Der IGBT wurde 1979 erfunden und hatte trotz anfänglicher Schwierigkeiten bereits Ende der 80er Jahre den Bipolartransistor verdrängt. Gegenüber der Grundstruktur des MOSFET (Bild 4.39a zeigt schematisch den Mechanismus.8. um zum Drain-Kontakt zu gelangen. Wie beim MOSFET fließt bei vorhandenem Inversionskanal ein Elektronenstrom vom Source-Kontakt über die n-Source zur Bauelemente Rückseite und muss nun den pn-Übergang überqueren. besteht beim einfachen vertikalen MOSFET ein direkter Zusammenhang zwischen Sperrfähigkeit und Durchlasswiderstand.10 IGBT Der insulated gate bipolar transistor (IGBT) ist inzwischen wohl das wichtigste Halbleiterschaltelement im Bereich von einigen 100 V bis zu wenigen 1000 V Sperrfähigkeit und wird mit bis 6500 V angeboten. Diese Löcher fließen dann durch das Driftgebiet in die p-Zone und schließlich zum Source-Kontakt. die mit der n--Dotierung der Driftzone einen pn-Übergang bildet.

dass der IGBT den Bipolartransistor ersetzen soll und dass es deshalb günstig wäre. Das Ausgangskennlinienfeld des IGBT sieht deshalb wie ein MOSFET-Kennlinienfeld aus.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 98 IC 20A ∆UGE = 0. Oktober 2009 . heute Infineon. die immer wieder zu Missverständnissen führen. dass manche Bezeichnungen unphysikalisch sind.5V 10A Entsättigung 0 0 2. Wird er trotzdem in Sperrrichtung belastet. Wie beim MOSFET folgt zu höheren Spannungen dann eine Strombegrenzung. Inenn = 35A. Version 2. Grund dafür war die Annahme.0.5V 5V UCE Bild 4. Leider führt das dazu. Diese heißen nach dem Bipolartransistor Emitter statt Source und Kollektor statt Drain. die sich mittels Gate-Spannung einstellen lässt und die wiederum für die Schutzmaßnahmen verwendet werden kann. dieselben Bezeichnungen wie beim (npn-) Bipolartransistor zu verwenden. Eine ist das Verschwinden der Inversdiode. UCE = 1200V. Die physikalische Sättigung wir deshalb zur Entsättigung (Bild 4. Ein Fall ist die Sättigung. muss dort mindestens die Kniespannung anliegen. dass bei der Begriffsbildung für den IGBT einige „unschöne“ Festlegungen gemacht wurden.40)! Ebenso verhält es sich mit den Hauptanschlüssen des IGBT. Damit der Strom über den neuen pn-Übergang fließen kann. während beim Bipolartransistor und so auch beim IGBT der Anlaufbereich gemeint ist. Bild 4. Zu den vom MOSFET her bekannten Spannungsabfällen kommt dieser Anteil nun also noch hinzu. Unterhalb von 1 V fließt praktisch kein Strom und erst dann steigt der Strom zunehmend steiler an.40 zeigt ein gemessenes Beispiel. An dieser Stelle wird deutlich. und der IGBT Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Bei negativer Kollektor-Emitter-Spannung sperrt der neue pn-Übergang und verhindert so einen Stromfluss. das um eine Diodenkennlinie verschoben ist. Allerdings hat dieser pn-Übergang nur eine sehr geringe Sperrfähigkeit und ist zudem gar nicht auf Sperrfähigkeit ausgelegt. die beim MOSFET die Strombegrenzung bezeichnet. TO-218 Gehäuse) Leider wird dieser Vorteil durch einen unangenehmen Nachteil erkauft. die jetzt zu einem pnpTransistor geworden ist. UT ≈ 6V. Der Mechanismus hinter der Strombegrenzung ist identisch zur Sättigung des MOSFET und wird durch die Abschnürung des Inversionskanals hervorgerufen.40: Ausgangskennlinienfeld eines IGBT vom Typ BUP307 (Siemens. bricht er schon bei wenigen 10 V durch.39a)! Neben der Plasma-Überschwemmung im Durchlass hat der zusätzliche pn-Übergang noch weitere Konsequenzen. weil der IGBT eben nicht mit dem Bipolartransistor. wobei der Kollektor ein physikalischer (Löcher-) Emitter und der Emitter ein physikalischer (Löcher-) Kollektor (Bild 4. sondern mit dem MOSFET verwandt ist.

Beim IGBT wirkt sich diese besonders im Spannungsverlauf aus und kann zur Zerstörung des Bauelements führen. Tatsächlich war dieser parasitäre Thyristor anfangs einer der Hauptgründe für den eingeschränkten sicheren Arbeitsbereich des IGBT. Dieser unkontrollierte Zustand muss im Allgemeinen verhindert werden und deshalb bedarf der IGBT immer einer (zumindest kleinen) antiparallelen Diode.3). Das gilt besonders beim Abschalten.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik wird im Zusammenspiel mit dem pn-Übergang auf der Emitter-Seite mit Plasma gefüllt.40 aussehen würde und darüber hinaus (plasma-) zustandsabhängig wäre. dass schon im Normalbetrieb ein großer Löcherstrom unterhalb der n+-Emitter-Zone zum Emitter-Kontakt fließt.0. da sich das Plasma erst aufbauen und seine stationäre Verteilung annehmen muss.2 Schaltverhalten Das Schaltverhalten des IGBT ist dem des MOSFET sehr ähnlich und ebenfalls von den Ladevorgängen der Kapazitäten bestimmt. Wie bei der pin-Diode in Bild 4. zu dem der parasitäre Bipolartransistor des MOSFET (Bild 4. Abschnitt 4. Seine besondere Gefährlichkeit erhält der parasitäre Thyristor dadurch. nur dass diese Überspannung in der zunächst ohnehin noch hohen Kollektor-Emitter-Spannung nicht weiter auffällt.und Abbauvorgänge des Plasmas. 99 Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Für das Einschalten des IGBT in einer Schaltung nach Bild 4.39b). Inzwischen haben jedoch dieselben Maßnahmen wie beim MOSFET (Bild 4. das zu diesem Zeitpunkt noch in der Driftzone verblieben ist und nun nach und nach abgesaugt wird. Version 2. Man spricht vom Schweifstrom (engl. 4.36. dynamic avalanche multiplication) kommen. Das kann den IGBT retten. Der Unterschied ergibt sich hier durch den Abbau des Plasmas. führt dann aber zu erhöhten Verlusten.31b) zu einer deutlichen Verbesserung der Situation geführt und der sogenannte latch up (Einrasten des parasitären Thyristors) wird heute sicher vermieden. tail current). Auch beim Ausschalten des IGBT laufen fast dieselben Vorgänge ab wie beim MOSFET. wenn der Gesamtstrom von Löchern getragen werden muss und auf diesem Wege den IGBT verlässt. Ansonsten gelten für das Einschalten des IGBT dieselben Kurven wie in Bild 4. Während der MOSFET ganz ausgeschaltet ist. Es handelt sich um das Plasma. weil die Verstärkung des pnp-Transistors sehr gering ist und der open base transistor breakdown deshalb keine Rolle spielt. der aufgrund der dann bereits am IGBT anliegenden Quellenspannung zu einem signifikanten Teil der Schaltverluste führt. Ein wesentlicher Unterschied ergibt sich nur durch die Auf. Oktober 2009 .1. kann man beim IGBT noch im begrenzen Umfang über die Gate-Ansteuerung eingreifen. Anders als bei der Diode.3).35b mit pin-Diode im Freilaufzweig ergibt sich als einziger prinzipbedingter Unterschied ein langsameres Annähern der Durchlassspannung an ihren stationären Wert. Abschnitt 4. Eine andere Konsequenz des zusätzlichen pn-Übergangs ist der parasitäre Thyristor (Bild 4. zur Flutung des IGBT und zu entsprechenden Problemen kommen (vergl. Wird dieser Thyristor gezündet.1. Im Gegensatz dazu ist die Vorwärtssperrfähigkeit des IGBT gegenüber dem MOSFET kaum verändert. fließt beim IGBT der Strom dann noch eine ganze Weile weiter.11 kann dabei der Strom die Feldverteilung erheblich beeinflussen und es kann zur dynamischen Lawinenmultiplikation (engl. sobald die Gate-Source-Spannung die Schwellenspannung unterschreitet. Durch die Einschaltüberspannung dieser Diode kann es aber trotzdem zum Durchbruch des pn-Übergangs. so ist der IGBT nicht mehr kontrollierbar und wird im Allgemeinen zerstört. Es entsteht quasi eine Einschaltüberspannung wie bei einer pin-Diode (vergl. wobei das Ausgangskennlinienfeld natürlich analog zu Bild 4.10.31a) „erweitert“ wurde.

4.3 Plasmaverteilung Wie schon bei der pin-Diode so ist auch beim IGBT die Plasmaverteilung einer der wichtigsten Faktoren für den Durchlass und das Schaltverhalten (Technologiekurve) und damit letztlich für die Gesamtverluste.1 Auslegung der Kollektor-Seite Die Auslegung der Kollektor-Seite hängt eng mit der Auslegung der Driftzone zusammen. E p nn-Buffer p+ C G p nn (-)-Buffer p-Kollektor nE G p E G 100 a) b) C c) p-Kollektor C Bild 4. Diese Auslegung erfordert daher eine n-Pufferzone (engl. für deren Details aber wieder auf die Literatur verwiesen sei. Bild 4. so dass die Raumladungszone auch ohne n-Puffer nicht auf den p-Kollektor auflaufen kann. was Parallelschaltungen erschwert. c) Mit schwachem Kollektor als NPT-Design Die andere Extremvariante ist die Non-Punch-Through Auslegung in Bild 4.41: Verschiedene Kollektor-Auslegungen: a) Mit Buffer als PT-Design.3a.10. die das Durchschlagen der Raumladungszone zum p-Kollektor verhindert. Version 2.0. b) Mit sehr geringem Buffer und schwachem Kollektor als SPT-Design. Die Driftzone ist dünn und die Raumladungszone reicht schon bei moderater Spannung bis zur Kollektor-Seite. 4. Gleichzeitig kann man mit dieser Pufferschicht die Stärke der Injektion regulieren. Die Driftzone ist hier viel länger.3b. Grund ist das Absaugen der Löcher über den pn-Übergang auf der Emitter-Seite. Bei dieser Variante wird die Injektion über die Dicke und Dotierung des p-Kollektors eingestellt.und damit Plasmakonzentration zu erhalten.41 zeigt die drei gebräuchlichen Varianten. Dafür bietet der PT-IGBT aufgrund seiner kurzen Driftzone einen günstigen Kompromiss zwischen Durchlass und Schaltverlusten (Technologiekurve). Oktober 2009 .10. Der genaue Wert spielt dann keine große Rolle mehr.41c. Leider hat der PT-IGBT ein paar unangenehme Eigenschaften wie eine geringe Robustheit und die Abnahme der Durchlassspannung mit der Temperatur. buffer). Um dennoch im gesamten Driftgebiet eine hohe Löcher.3. Der tail current dieser Variante ist hoch und dafür kurz. wodurch die Löcherkonzentration dort auf null abgesenkt wird. Anders als bei der Diode ist die Ladungsträgerlebensdauer beim IGBT dabei allerdings von untergeordneter Bedeutung.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Außerdem ergeben sich beim IGBT noch kleinere Unterschiede im Gate-Spannungsverlauf. nun analog zum NPT-Design der Diode in Bild 4. Für die Auslegung des IGBT bleiben damit die Driftzonenweite und die Injektion der Emitterbzw. muss man das Durchhängen der Plasmaverteilung vermeiden und versucht deshalb beim IGBT möglichst lange Ladungsträgerlebensdauern zu erzielen. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Variante a) ist die Punch-Through Auslegung analog zum PT-Design der Diode in Bild 4. der Kollektor-Seite als Parameter übrig.

Leider hat sich bisher noch kein allgemein akzeptierter Name durchsetzen können. ohne die Nachteile in Kauf nehmen zu müssen. Mit der Soft Punch Through (SPT) Auslegung (Bild 4. benutzt werden. der Akkumulationsschicht aus. 4.43a). ist die Verwendung der Trench-Technologie (Bild 4.0. Die Plasmakonzentration ist daher am pn-Übergang null und im Bereich der Akkumulationsschicht sehr hoch (siehe Bild 4. die Plasmaverteilung auf der Emitter-Seite zu beeinflussen. Oktober 2009 .10. E p np+ C G n pl 101 Bild 4. Außerdem spielt auch hier das Verhältnis der Bereiche unter dem pn-Übergang und unter dem Gate eine Rolle. dessen Dotierung gerade ausreicht. Andererseits ist der Buffer so niedrig dotiert.42: PT-IGBT und dessen Plasmaverteilung in verschiedenen Schnitten Eine andere Möglichkeit. Hierbei taucht die hohe Ladungsträgerkonzentration unterhalb des Gates in die ohnehin höhere Plasmakonzentration ein und bildet so einen besser leitfähigen Pfad. also die grundsätzliche Veränderung der geometrischen Gegebenheiten. Der SPT-IGBT besitzt einen Buffer. Die Injektion wird dann wie beim NPT-IGBT nur noch durch den p-Kollektor bestimmt und ganz allgemein verhält sich der SPT-IGBT im Durchlass wie ein NPT-IGBT. auch wenn die beteiligten Einzeleffekte hier etwas andere sind. obwohl der SPT-IGBT technologisch anspruchsvoll ist.42). Die Elektronenemission geht vom Inversionskanal bzw. während die Löcherabsaugung am sperrgepolten pn-Übergang passiert. die Akkumulationsschicht eindringen und der pn-Übergang injiziert keine Elektronen.41c) konnten schließlich um 2000 die Vorteile der beiden anderen Varianten kombiniert werden. um das Auflaufen der Raumladungszone auf den p-Kollektor zu verhindern. sind die Verhältnisse auf der Emitter-Seite erheblich komplizierter. Die Driftzone kann also genauso dünn sein wie beim PT-IGBT. Folglich wären für eine insgesamt hohe Plasmakonzentration und damit hohe Leitfähigkeit ein kleines p-Gebiet und ein großer Zellenabstand vorteilhaft. Version 2. Eine bessere Robustheit und eine gute Parallelschaltbarkeit stehen hier einer schlechteren Technologiekurve gegenüber.3.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik Der tail current ist jetzt viel niedriger aber dafür erheblich länger. Für eine sehr hohe Plasmakonzentration sind breite Gräben vorteilhaft Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Andererseits ist dann wieder der Kanalwiderstand höher. Das liegt daran. dass die Elektronenemission und die Löcherabsaugung funktional und lokal getrennt sind. dass er im Durchlass vom Plasma überschwemmt wird. so dass weiterhin zahlreiche firmenspezifische Bezeichnungen wie Feld-Stopp-IGBT usw. Umgekehrt können die Löcher nicht in den Kanal bzw. so dass es wie beim MOSFET zu einer Optimierung kommen muss. Zusätzlich kann das p-Gebiet klein gemacht werden. Man erhält also einen IGBT mit der Technologiekurve des PT-IGBT und der Robustheit und Parallelschaltbarkeit des NPT-IGBT.2 Auslegung der Emitter-Seite Während es sich auf der Kollektor-Seite im Grunde um einen normalen und eindimensionalen pn-Übergang handelt. Folgerichtig werden heute praktisch alle IGBTs als SPT-IGBTs ausgelegt.

b) Trench-IGBT Insgesamt gesehen ist der IGBT inzwischen ein Bauelement. die aus einer dünnen und gegenüber der Driftzone nur leicht höher dotierten n-Schicht besteht. einen großen sicheren Arbeitsbereich und immer geringer werdende Durchlass. Eine andere Optimierung sind tiefe Gräben (Bild 4. Technologisch werden breite Gräben oft durch schmale Gräben realisiert. von denen aber nicht jeder mit einem n-Emitter versehen ist und so nicht am Stromtransport teilnimmt. Es ist daher aus heutiger Sicht fraglich.und Schaltverluste (Technologiekurve).43c) bei denen die Löcher eine längere Strecke zwischen den Gates hindurch fließen müssen und so am Abfließen gehindert. Oktober 2009 .44a) als auch bei Trench-IGBTs (Bild 4.1. die sowohl bei planaren IGBTs (Bild 4.2) wird die Plasmakonzentration auf der Emitter-Seite dann insgesamt angehoben. was daraus wird. Es bleibt abzuwarten. Wegen der Quasineutralitätsbedingung (siehe Abschnitt 4.44b) einsetzbar ist. Version 2.43: Verschiedene Trench-IGBTs: a) Wie beim MOSFET.Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik (Bild 4. Es wird aber an Varianten des IGBT gearbeitet. wenn man nicht zu anderen Halbleitermaterialien wechselt. Die Einstellung der Parameter ist dabei heikel. wobei auch dann der Kanalwiderstand irgendwann wieder zu groß wird. In beiden Fällen wird das Abfließen der Löcher durch eine Potentialbarriere behindert. Er lässt sich kapazitiv (leistungsarm) ansteuern. ist während des Schaltens zumindest teilweise steuerbar. Der Tiefe der Gräben sind aber aufgrund der Spannungsfestigkeit des Gate-Oxids Grenzen gesetzt.44: SPT-IGBTs mit Löcherbarriere: a) Planarer IGBT. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.43b). das aber aufwändiger herzustellen ist. E p nn-Barriere n+ nG G p n-Barriere E a) b) C C Bild 4. was nach dem IGBT überhaupt noch kommen kann. G p n+ nn+ nE G p n+ nE G p E 102 a) b) c) C C C Bild 4. weil die erhöhte Dotierung die Sperrfähigkeit des pn-Übergangs reduziert. also aufgestaut werden. c) Mit tiefen Gräben In dieselbe Richtung geht die Verwendung einer Löcherbarriere. das die meisten Wünsche der Anwender erfüllt. Neuere Varianten haben deshalb am Trench-Boden ein deutlich dickeres Oxid. weil die erwartete Verbesserung zu gering und/oder der technologische Aufwand zu groß war. oder bei denen die antiparallele Diode integriert ist. Viele alternative Bauelementkonzepte wurden jedenfalls nicht weiter verfolgt. besitzt eine Stromsättigung.0. b) Mit breiten Gräben. die entweder rückwärtssperrfähig sind.

Bei knapp 1023 Atomen pro Kubikzentimeter Silizium ist also nur etwa jedes 1010te Atom ein Fremdatom. 5. Das geht bei IGBTs schon nicht mehr.1 Halbleitertechnologie Bereits das Startmaterial für hochsperrende Bauelemente unterscheidet sich von dem für Logikbauelemente. Für Details sei daher wieder auf die Literatur verwiesen. Gemäß Gleichung (4. dass nur sehr geringe Schwankungen erlaubt sind.1) braucht man für Bauelemente von einigen Kilovolt Sperrfähigkeit Dotierungen von 1013cm-3. wobei es oft „nur“ die Prozessparameter sind. dass man mit thermischen Neutronen einzelne Silizium-Atome in PhosphorAtome umwandeln kann und das mit einer ungeahnten Homogenität. liegen die kritischen Größen der Thyristoren bei einigen 10 µm und bei den IGBTs in der Größenordnung von 1 µm. Das bezieht sich einerseits auf die Herstellungsverfahren des Halbleiterteils. Auch viele andere Halbleiterprozesse unterscheiden sich. mit denen die pn-Übergänge der Thyristoren eingetrieben werden. Besonders heikel wird die Situation dadurch. Ein eindrückliches Beispiel sind die Diffusionsprozesse. die z. weil es nur in wenigen Reaktoren weltweit durchgeführt wird und ein Reaktorausfall meist sofort zu Lieferengpässen führt – für alle Hersteller.Aspekte der Bauelementtechnologie 103 5 Aspekte der Bauelementtechnologie Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik unterscheiden sich in vielfältiger Weise von den Halbleiterbauelementen. 2 kV Sperrfähigkeit. Version 2. Immerhin bestimmt die „schwächste“ Stelle. ohne dass es zu massivem Ausschuss käme. sich den Strom also gleichmäßig aufteilen und nicht einer allen Strom übernimmt. Dafür ist es notwendig. Der Durchbruch kam erst in der 70er Jahren. was aber bis auf weiteres schwierig und teuer ist.und Verbindungstechnik. Unter den 100-200 Chips eines 6 Zoll-Wafers gibt es immer ein paar nicht korrekt funktionierende. Das Verfahren wird Neutronentransmutationsdotierung genannte und ist heute Standard für Bauelemente ab ca. Durch die Aufteilung in einzelne Chips umgeht man dieses Problem. in der Informationstechnologie zum Einsatz kommen. weil die Neutronen sonst nur sehr wenig Interaktion mit dem Kristallgitter machen. Zu Anfang des Halbleiterzeitalters war es schwierig. dass die Chips parallelschaltbar sind. Mehrere Tage bei 1250°C im Diffusionsrohr sind keine Seltenheit! Dafür sind die Anforderungen an die Lithographie meistens nicht so hoch. aber auch auf die Aufbau. Es gibt daher Bestrebungen auch das chemisch dotierte Material in besserer Homogenität zu erzeugen. als man entdeckte. Eine umfassende Behandlung würde den Rahmen bei weitem Sprengen und gäbe Stoff für eine eigene Vorlesung. Während die Informationstechnologie bei wenig mehr als 10 nm angekommen ist. so reines und gleichmäßig dotiertes Silizium herzustellen. Ohne zusätzliche Maßnahmen Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Oktober 2009 . Problematisch ist es. Die geringen Anforderungen der Thyristoren führen dazu. so wäre die Ausschussrate dichte bei 100%. Einzig die Trench-MOSFETs sind hier etwas dichter am Stand der Technologie dran. Wäre der Wafer wie bei den Thyristoren ein einziges Bauelement. dass man ganze Silizium-Wafer zu einzelnen Bauelementen verarbeiten kann. muss aber für größere Stromtragfähigkeit dann wieder mehrere Chips parallel schalten. Im Nachfolgenden sollen einige wichtige Aspekte zumindest kurz angesprochen werden.0. also die Stelle mit der höchsten Dotierung die Gesamtsperrfähigkeit.B.

Um den Chip für den Anwender handhabbar zu machen (Befestigung. Man bringt zu diesem Zweck eine Passivierung auf.2.) muss der Chip in ein Gehäuse montiert werden. dass diese empfindliche Zone nicht verunreinig wird. Fließt durch einen Chip mehr Strom. Tatsächlich muss ein Chip aber irgendwo zu Ende sein. Wäre das nicht der Fall. Stattdessen muss man eine spezielle Randstruktur einfügen. Die im Kapitel 4 gezeigten Bauelemente wurden implizit immer als unendlich ausgedehnt angenommen.Aspekte der Bauelementtechnologie 104 geht das nur. die verhindert. Eine andere Besonderheit von hochsperrenden Bauelementen ist der Randabschluss. An der Grenzfläche würde es schon bei kleinen Spannungen zu Überschlägen kommen und das Bauelement wäre unbrauchbar. über die eine Spannung abgebaut wird. Oktober 2009 . Es ist außerdem wichtig. elektrische Kontaktierung. Der elektrische Anschluss erfolgt über die kupfernen Zuleitungen. Schutz vor Beschädigungen.1: Diskrete Bauform.2 Gehäusebauformen Der Halbleiterchip alleine macht noch kein Bauelement aus. Im Allgemeinen wird das dadurch erreicht. Die Kühlung des Chips erfolgt über die Rückseite des Kupferplättchens. Es käme zur Überhitzung und letztendlich zur Zerstörung. Der Randabschluss ist in jedem Fall eine Wissenschaft für sich! 5. deutlich spreizt. rechts ein TO-218 Gehäuse Das diskrete Bauelement ist die billigste Gehäusebauform. dass große Feldstärken an die Halbleiteroberfläche gelangen. Es ergibt sich eine Gegenkopplung. so würde der heißeste Chip immer mehr Strom übernehmen und in der Folge immer heißer werden (Mitkopplung). Seine Stromtragfähigkeit ist (je nach Bauelementtyp) auf einige 10 A begrenzt und die maximal mögliche Sperrspannung Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. wenn die Durchlassspannung mit der Temperatur ansteigt. auf das der Halbleiterchip aufgelötet ist. das meistens auf einen Kühlkörper montiert ist. 5. etc. Version 2.1) besteht aus einem Kupferplättchen.1 Diskrete Bauform Die diskrete Bauform (Bild 5. dass man die Strecke. Hartkunststoff Zuleitungen Bonddrähte Chip Lot Kupfer Bild 5. so erwärmt sich der Chip und seine Durchlassspannung steigt. Die Kontakte auf der Chip-Oberseite sind mit Bonddrähten an die kupfernen Zuleitungen angeschlossen. da Ladungen sonst zu Feldverzerrungen und damit wieder zu Überschlägen führen könnten. Man kann dann nicht einfach aufhören und durch die Chipstruktur durchsägen. Die anderen Chips übernehmen dann einen Teil des Stroms. Für verschiedene Einsatzzwecke und Bauelementtypen haben sich dabei im Wesentlichen drei Grundtypen etabliert. die oft in gedruckte Schaltungen eingelötet werden. Bis auf die Unterseite des Kupferplättchens und die kupfernen Zuleitungen ist alles mit einem Hartkunststoff (Epoxidharz) verpresst und so vor äußeren Einflüssen geschützt.0. die Durchlassspannung einen positiven Temperaturkoeffizienten hat.

oft Schraubanschlüsse. durch Glimmerplättchen) stattfinden.2: Modul mit Grundplatte 5. wobei die Potentialtrennung bereits durch die Keramik im Modul stattfindet.und Hochspannungsvariante des diskreten Bauelements. Bonddrähte Zuleitungen Gehäuse mit Silikongel gefüllt Keramik Chip Lot Kupfer Bild 5. die Kühlung zu verbessern und die Lastwechselfestigkeit zu erhöhen. Der Aufbau ist erheblich aufwändiger und teurer.3: IGBT-Modul (Einzelschalter) mit 6.3). Die Modulbauform wird besonders für IGBTs bzw. Die Kühlung erfolgt über die Rückseite der Grundplatte.0.5 kV Sperrfähigkeit und 600 A Nennstrom 5. um Kosten zu sparen. angelötet.2 Modul Das Modul (Bild 5. allgemein für alle Chips verwendet.2. die zu speziellen Kontaktflächen auf der Keramik führen. Die Chip-Oberseite ist wieder mit Bonddrähten kontaktiert.3 Druckkontaktgehäuse Die Druckkontaktierung (Bild 5. Das Modul besteht aus einer Grundplatte aus Kupfer oder wegen der geringeren thermischen Ausdehnung oft aus Aluminium-Siliziumkarbid (AlSiC). Die Grundplatte ist potentialfrei. Teilweise wird inzwischen auch auf die Grundplatte verzichtet. Wegen der stark unterschiedlichen thermischen Ausdehnung von Kupfer und Silizium wird meistens noch je eine Molybdän-Scheibe Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.2) ist so etwas wie die Hochstrom. Ein Epoxidverguss wie bei den diskreten Bauelementen würde aufgrund der thermischen Ausdehnung bei großen Flächen zum Abscheren der Bonddrähte führen.B. Version 2.4) besteht aus zwei kupfernen Kontaktstücken zwischen die das Halbleiterelement eingeklemmt ist. da das Kupferplättchen das Potential der Chip-Rückseite besitzt. Die Potentialtrennung muss außerhalb des Bauelements (z. Dort sind ebenfalls die kupfernen Zuleitungen.Aspekte der Bauelementtechnologie 105 liegt in der Größenordnung von gut 1000 V. Oktober 2009 .2. Das Ganze wird mit einem Kunststoffgehäuse abgedeckt und der Innenraum dieses Gehäuses mit Silikongel ausgegossen. Darauf aufgelötet ist eine beidseitig mit Kupfern beschichtete Keramik (Al2O3 oder AlN) auf die schließlich die Chips aufgelötete sind. Zuleitung Chip Bild 5. sobald hohe Ströme (Parallelschaltung von Chips) oder hohe Spannungen gefordert sind (Bild 5.

Oktober 2009 . Das wird sofort klar. die auf maximale Stufe eingestellt ist! Das Bauelement muss also auf jeden Fall gekühlt werden. Die Kontaktstücke sind sowohl thermische als auch elektrische Kontakte. Dazu ist einerseits ein kühl gehaltener Ort und andererseits eine sehr gute Wärmeleitfähigkeit zwischen dem Chip und diesem kühlen Ort notwendig.3. Beim Halbleiterbauelement befinden sich diese Stellen im Wesentlichen innerhalb des Siliziums. Das Gehäuse ist so hermetisch abgeschlossen und der Aufwand für den Schutz des Halbleiters minimal. Kontaktstück Keramik Silizium Bild 5. 5. links im Querschnitt 5. der bei 100 A etwa 2 V Spannungsabfall hat und dementsprechend eine Ohmsche Verlustleistung von 200 W/cm² als Wärme abgibt. was erheblichen mechanischen Aufwand nach sich zieht und das System teuer macht. Version 2. Das ist gut 10mal so viel wie bei einer Küchenherdplatte.3 Thermische Auslegung Die Temperatur und die damit zusammenhängenden Effekte spielen bei Leistungshalbleiterbauelementen eine extrem wichtige Rolle. Die Kontaktstücke werden durch einen Keramikring zusammengehalten. Druckkontaktbauelemente müssen mit einer definierten Kraft eingespannt werden. sonst würde es sehr schnell überhitzen.Aspekte der Bauelementtechnologie 106 dazwischen gelegt. an denen sowohl die Stromdichte als auch der Spannungsabfall hoch sind. Im nachfolgenden Abschnitt dazu nun einige kurze Betrachtungen.5: Dioden-Scheibe im Druckkontaktgehäuse.4: Druckkontaktgehäuse Molybdän Bild 5. wenn man das Beispiel eines 1700 V Chips von 1 cm² Fläche betrachtet. seltener für IGBT-Chips. weggekühlt werden. Das Druckkontaktgehäuse wird hauptsächlich für Bauelemente aus einem ganzen Wafer (Thyristoren) verwendet.0. Ein Großteil der entstehenden Wärme muss also aus dem Chip heraus gebracht bzw.1 Kühlung Die Ohmsche Verlustleistung tritt an denjenigen Stellen auf. dafür kann das Bauelement beidseitig gekühlt werden. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Im Bauelement findet keine Potentialtrennung statt.

0. deren Kältemittel bei einer bestimmten Temperatur verdampft und am anderen. Bereits die Lotschichten haben durch die schlechte Wärmeleitfähigkeit einen größeren Einfluss und auch der Isolator ist trotz des Einsatzes des teuren AlN schon signifikant.013 35 100 0. Eine andere Möglichkeit sind heat pipes.029 384 300 0. Für eine gute thermische Anbindung des Chips an den kühlen Ort sind die Materialien dazwischen entscheidend. die eigentliche Ankopplung an den kühlen Ort. Version 2.1: Thermischer Widerstand eines 1 cm² großen Chips in einem Modul nach Bild 5. die Isolatorschicht. kann man dann nochmal etwa diesen Wert annehmen.1 zeigt den Einfluss der einzelnen Schichten.556 total (Rthjh) = 0. eine weitere Kupferlage. die durch den Umrichter geblasen wird. denn ein Luftspalt ist ein sehr guter thermischer Isolator – das Gegenteil von dem.und Kupferschichten aufgrund ihrer guten Wärmeleitfähigkeit und geringer Ausdehnung praktisch vernachlässigbar. wieder eine Lotschicht und letztlich die Grundplatte. ähnlich wie die Stromspreizung beim MOSFET). Es sind also (inklusive Chip) nicht weniger als neun Schichten mit bis zu sieben verschiedenen Materialien.8% 13.987 Anteil am gesamten Widerstand 3. Vom Chip ausgehend kommt zunächst eine Lotschicht.9 50 0. Die Grundplatte macht dann mehr als die Hälfte des gesamten thermischen Widerstands des Moduls (Rthjc. Dabei sind die Silizium.5% 1. Man spricht von einer Wärmespreizung (engl.2 zeigt wie komplex die Struktur dieses thermischen Pfades bereits im Modul ist. sondern sich der Wärmestrom auf eine größere Fläche ausdehnt.008 35 200 0. weil sie aus mechanischen Gründen 5 mm dick ist. dass die Wärme spätestens in der Grundplatte nicht mehr nur eindimensional zum Kühler fließt. dann eine Kupferlage. Darauf folgt im Umrichter dann eine Schicht Wärmeleitpaste zur Vermeidung eines Luftspalts und schließlich der Kühler selbst. was hier nötig ist. Schließlich kommt durch die Wärmeleitpaste nochmal mehr als der gleiche Widerstand hinzu und auch für den Kühler. dass es nur wenige und dünne Schichten sind und dass diese Schichten materialschlüssig verbunden werden.Aspekte der Bauelementtechnologie 107 Der kühle Ort kann z. kühleren Ende wieder kondensiert.008 150 1000 0. Tabelle 5. Oktober 2009 . oder auch Kühlwasser. Dabei ist allerdings zu berücksichtigen.8% 15. dass die thermische Leitfähigkeit dieser Materialien hoch ist. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.B. die Umgebungsluft sein.250 subtotal (Rthjc) = 0.067 384 300 0. Für Details sei wieder auf die Literatur verwiesen.1% 6.6% 1.0% 100% Bild 5.2 und Einfluss der Wärmeleitpaste (jeweils eindimensionale Näherung) Schicht (Material) Silizium Lot Kupfer AlN Kupfer Lot AlSiC Wärmeleitpaste Thermische SchichtThermischer Leitfähigkeit dicke Widerstand [W/Km] [µm] [K/W] 150 200 0. Je nach Anwendung haben sich ganz unterschiedliche Konzepte entwickelt. junction to case) aus.431 0. Tabelle 5.2% 58. heat spreading.057 200 5000 0. Es kommt darauf an. das durch einen Kältekompressor auf niedriger Temperatur gehalten wird.

0.6: Thermisches Netzwerk (Cauer-Modell) Ein einfaches Beispiel für ein thermisches Netzwerk bzw. sind jeder Schicht bzw. Es stellt sich hier also wieder einmal ein Optimierungsproblem.. was aber bei großen Bauelementen zu mechanischen Problemen führt. und dem Entwickler stehen die Simulationswerkzeuge für elektrische Schaltungen (SPICE et al. dass sehr viel Arbeit in die Verbesserung der Kühlung investiert wird.1) Die Wärmespeicherung ist ebenfalls analog zur Ladungsspeicherung und so hat der Kondensator sein Gegenstück in der thermischen Kapazität Cth. ist es kaum verwunderlich. dem Cauer-Modell. Spannung U und ein elektrischer Widerstand R entspricht einem thermischen Widerstand Rth. dass sich die Wärme fast genauso wie die elektrische Ladung verhält. sondern temperaturabhängig. Schichtenfolge ein thermischer Widerstand und eine thermische Kapazität zugeordnet und die Kapazitäten sind alle mit dem Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. für die es bisher noch keine praktikable Alternative gibt. Auch das Ohmsche Gesetz gilt analog und so ergibt sich im einen Fall ein elektrischer Strom I und im anderen ein Wärmestrom P (Dimension: Leistung): I= U R ⇔ elektrisch P= ΔT R th thermisch (5. weil die beschreibenden Differentialgleichungen in beiden Fällen die gleiche Form besitzen. Ein anderer Ansatz ist die Verwendung von sehr dünnen und gut leitfähigen Silbersinterschichten anstelle der Lotschichten. Problematisch bleibt in jedem Fall der sehr große Beitrag der Wärmeleitpaste (im Laborjargon auch „Wärmestoppschicht“ genannte). Erschwerend kommt dann noch hinzu. Rthjc P Rthch Rthha Bild 5. Version 2.) zur Verfügung. Man kann sogar das elektrische und thermische Verhalten in derselben Schaltung simulieren! Außerdem kann man zwei. Dabei kommt den Entwicklern zu Gute. Insgesamt lässt sich also das thermische Verhalten durch ein RC-Netzwerk beschreiben . so dass die Spule keine Entsprechung hat und es nicht zu „Wärmeschwingungen“ oder ähnlichem kommen kann.. Eine materialschlüssige Verbindung verbietet sich fast immer aufgrund von Prozessführung und Ausbeuteeinbußen und ein „trockener“ Übergang mit Luftspalten wäre noch viel schlechter. Ein Ansatz ist das Weglassen der Grundplatte. Oktober 2009 . aber das kann in den meisten Fällen vernachlässigt werden. Ersatzschaltbild zeigt Bild 5. In dieser Version.und dreidimensionale Effekte (Wärmespreizung) berücksichtigen oder sogar Temperaturverteilungen bestimmen. Eine Temperaturdifferenz ΔT entspricht einer Potentialdifferenz bzw.Aspekte der Bauelementtechnologie 108 Da die Leistungsfähigkeit der Halbleiterbauelemente heute vielfach durch die maximal verkraftbare Verlustleistung begrenzt wird und nicht mehr durch die Abschaltfähigkeit. Einzig die Induktion gibt es bei der Wärme nicht.6. dass durch den Trend zu kompakteren Umrichtern und damit auch Modulen die Wärmespreizung immer weniger genutzt werden kann. Auch ist der Wärmewidersand streng genommen nicht konstant.

Es ergibt sich also wieder eine Mitkopplung.Tj). Es sei denn die Kühlung ist so gut. der von der Spannung und der Sperrschichttemperatur Tj abhängt. Ein Beispiel ist das Durchlassverhalten eines MOSFET bei konstantem Strom. Diese Rückkopplung kann dazu führen. Dadurch wiederum steigt die Verlustleistung (der Strom ist ja konstant) und der MOSFET erwärmt sich noch stärker und so weiter. am Ende kann man aus dem zeitlichen Verlauf der Verlustleistung P den zeitlichen Temperaturverlauf im Bauelement simulieren. a: ambient) sind zumindest theoretisch am Bauelement messbare Temperaturen. soll anhand eines anderen bekannten Beispiels gezeigt werden. um das Verhalten des Bauelements ausreichend genau zu beschreiben.3. diese Temperaturinformation in das elektrische Modell zurück zu speisen und auf diese Weise rückgekoppelte Effekte wie zum Beispiel Selbstaufheizung zu simulieren. wodurch sich das Bauelemente stärker erwärmt. umso genauer gibt das Modell die Realität wieder. entscheidet sich letztlich in einem „Wettlauf“ zwischen Kühlung und Verlustleistung. Sie ergibt sich aus dem Produkt der angelegten Spannung U0 und dem momentanen Leckstrom I(U0. Durch den Strom erwärmt sich der MOSFET und dadurch steigt seine Durchlassspannung. Es kann immer dann auftreten. In Gleichung (5. oder das Bauelement zerstört wird. dass der MOSFET in sehr kurzer Zeit überhitzt und zerstört wird. das sich auf Umgebungstemperatur T0 befindet.0. Für die Temperaturabhängigkeit kann die bekannte Faustregel verwendet werden. thermal runaway). die Sperrspannung U0 angelegt. Version 2. Die thermische Simulation ist heute in jedem Fall ein wichtiges Hilfsmittel bei der Auslegung von leistungselektronischen Komponenten. Gemeint ist das thermische Weglaufen beim Sperren. und so weiter.2 Thermisches Weglaufen Ein besonders gefährlicher Fall der thermischen Rückkopplung ist das thermische Weglaufen (engl.2) wird das durch eine Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Dieses Modell ist mathematisch einfacher zu beschreiben und wird erzeugt in dem sein Verhalten durch geeignete Wahl der R. fitting). Oktober 2009 . Wie so ein Wettlauf aussieht. das aus einer Kette von RC-Gliedern besteht. Es handelt sich also um ein reines Verhaltensmodell und meistens genügen wenige RC-Glieder aus. Die einzelnen Komponenten haben in dieser Darstellung jeweils eine physikalische Bedeutung und die Potentiale (Temperaturen) der einzelnen Knoten (j: junction. Für die Analyse sind nun die Abhängigkeiten der beteiligten Mechanismen von Bedeutung. nach der sich der Leckstrom eines SiliziumBauelements alle ΔTd ≈ 11 K verdoppelt. Der Nachteil des Foster-Models ist. Dabei hängt die Aussagekraft der einzelnen Werte allerdings stark von der Detaillierung des Ersatzschaltbildes ab. Natürlich steigt damit auch der Simulationsaufwand. dass die einzelnen Komponenten keine physikalische Bedeutung besitzen und dass das Modell nur für genau die eine gemessene Konfiguration gilt. Durch die entstehende Verlustleistung erwärmt sich das Bauelement und der Leckstrom steigt weiter. Das oben gezeigte Cauer-Modell lässt sich dagegen einfach durch Hinzufügen der entsprechend modellierten Komponenten erweiter.Aspekte der Bauelementtechnologie 109 Bezugspotential (Bezugstemperatur) verbunden. Wird an ein Bauelement. Ob sich ein stabiler Arbeitspunkt ergibt. c: case. dass die abgeführte Wärmemenge schneller mit der Temperatur ansteigt als die Verlustleistung.und C-Werte an gemessene (oder simulierte) Temperaturverläufe des Bauelements angenähert wird (engl. Je mehr Knoten es gibt. wenn die Rückkopplung eine Mitkopplung ist. so fließt im ersten Moment der zugehörige Leckstrom I0. h: heat sink. 5. Es wäre dann sogar noch möglich. Um welches Modell es sich auch handelt. Als erstes wird die Verlustleistung Pheizen berechnet. In Datenblättern sieht man sonst häufig auch das Foster-Modell.

• Oberhalb von 106. Bei einer Sperrschichttemperatur von 75°C kann offenbar gar keine Leistung weggekühlt werden. 10mA (75°C) 300 Pheizen.1) kann dafür geschrieben werden: T j − T0 (5. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.Aspekte der Bauelementtechnologie 110 Exponentialfunktion zur Basis zwei und mit der charakteristischen Konstante ΔTd wiedergegeben. Es gilt: T j −T0 Pheizen = U 0 ⋅ I (U 0 . dass der thermische Widerstand Rthja zwischen Sperrschicht und Umgebung 120 K/kW beträgt und dass die Umgebungstemperatur bei konstant 75°C liegt.7 zeigt diese beiden Funktionen für ein Modul mit 10 mA Leckstrom bei 3.3) für den Fall. Die Verlustleistung ist kleiner als die weggekühlte Leistung. Die blaue.1 K/kW kühlen mit Rthja = 200 K/kW 200 stabiler Arbeitspunkt 100 0 70 Bild 5.5°C und 106. Die Verlustleistung ist größer als die weggekühlte Leistung. Oktober 2009 .6kV. schwarz: ungenügende Kühlung. grün: Stabilitätsgrenze gemäß Gleichung (5.0. Blau: ausreichende Kühlung.2) Der zweite Faktor ist die durch Kühlung abgeführte Wärme.6 kV und 75°C. weil die Temperaturdifferenz zur Umgebung null ist. Pkühlen [W] labiler Arbeitspunkt kühlen mit Rthja = 120 K/kW kühlen mit Rthja = 162.5°C liegt die blaue Kurve unter der roten.T j ) = U 0 ⋅ I 0 ⋅ 2 ΔTd (5. Das Modul wird sich aufheizen.2) wieder. so dass sich da Modul abkühlen wird.7: 80 90 Tj [°C] 100 110 120 Leistungsbilanz eines Moduls mit verschiedenen Kühlern.6°C liegt die blaue Kurve über der roten. Die rote. Gemäß Gleichung (5.6°C liegt die blaue Kurve wieder über der roten und das Modul wird sich wieder aufheizen. gepunktete Kurve ist die weggekühlte Leistung gemäß Gleichung (5. Version 2.11) Bild 5. • Zwischen 81.3) Pkühlen = Rth 400 heizen mit 3. durchgezogene Kurve gibt die Verlustleistung gemäß Gleichung (5. Bei Sperrschichttemperaturen oberhalb von 75°C ergeben sich drei verschiedene Bereiche: • Zwischen 75°C und 81.

so dass das Modul eigentlich bei dieser Temperatur arbeiten könnte. Ergibt sich z.4). strichpunktierte Kurve).0. Die Verhältnisse ähneln denen jenseits des labilen Arbeitspunts und das Modul wird thermisch weglaufen. Version 2. Die schwarze. Bei Temperaturen oberhalb und unterhalb ist die Verlustleistung höher als die weggekühlte Leistung. dass die Ableitung wieder die ursprüngliche Funktion mal einem konstanten Faktor ist. durch einen Überstrom eine höhere Temperatur.2)) zeigt Gleichung (5. dass die grüne Kurve die rote nur berührt (Tangente).7 zeigt die Situation für einen deutlich schlechteren Kühler mit höherem thermischen Widerstand (200 K/kW). Für den Fall. bis das Modul in den stabilen Arbeitspunkt zurückkehrt. Oktober 2009 . oder dass es sich aufheizt. bis es den stabilen Arbeitspunkt erreicht.7 macht sich das dadurch bemerkbar.6) dT j R th Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Außerdem wird jede kleinere Abweichung von dieser Balance durch Heizen oder Kühlen ausgeglichen. noch abkühlt. Wie beim stabilen Arbeitspunkt entsprechen sich Verlustleistung und weggekühlte Leistung. die ein Modul erreichen darf. Zwischen der ausreichenden Kühlung (blaue Kurve) und der ungenügenden Kühlung (schwarze Kurve) gibt es einen Grenzfall. sobald die Spannung wieder anliegt. bei dem die Kühlung gerade eben ausreicht (grüne. so wird das Modul thermisch weglaufen. Es muss gelten: Pheizen = Pkühlen ∧ dPheizen dT j = dPkühlen dT j (5.3)) ist einfach der Kehrwert des thermischen Widerstands: dPkühlen 1 = (5. gestrichelte Kurve in Bild 5. Dieser Grenzfall zwischen ausreichender und ungenügender Kühlung ist für die thermische Auslegung von Umrichtern wichtig. dPheizen dT j T j −T0 = U0 ⋅ I0 ⋅ 2 ΔTd ⋅ ln 2 ΔTd = Pheizen ⋅ ln 2 ΔTd (5. Die Verlustleistung ist immer höher als die weggekühlte Leistung. An diesem Punkt entspricht die Verlustleistung genau der weggekühlten Leistung.6°C.5°C. Jede Verschlechterung der Kühlung würde sofort zum thermischen Weglaufen führen. Der labile Arbeitspunkt markiert insofern die maximale Sperrschichttemperatur.4) Die Ableitung der Verlustleistungsfunktion (Gleichung (5.Aspekte der Bauelementtechnologie Zwei besondere Punkte trennen diese drei Bereiche voneinander: 111 • Der stabile Arbeitspunkt bei 81. Nachfolgend soll deshalb kurz das Stabilitätskriterium hergeleitet werden. Der stabile und der labile Arbeitspunkt sind hier zusammengelaufen. bis es zerstört wird.B.5) Die Ableitung der weggekühlten Leistung (Gleichung (5. dass das Modul entweder gekühlt wird. dass sich die Verlustleistungskurve und die Kurve der weggekühlten Leistung tangieren. müssen an dieser Stelle einerseits die Funktionswerte und andererseits die Ableitungen nach der Sperrschichttemperatur übereinstimmen. Dabei ist wichtig zu erkennen. Es gibt nun keinen Schnittpunkt mehr mit der roten Kurve. so dass sich das Modul weder aufheizt. In Bild 5. Tatsächlich führt aber jede kleine Abweichung von diesem Punkt dazu. • Der labile Arbeitspunkt bei 106.

der nur von ΔTd und Rth abhängt: dPheizen dT j = dPkühlen dT j ⇒ Pheizen ⋅ ln 2 ΔTd = 1 Rth ⇔ Pheizen = ΔTd Rth ⋅ ln 2 (5. was in der Realität nicht der Fall ist. die umso größer sein muss.krit ) = I 0 ⋅ 2 ⎛ 1 ΔTd ⎜ ⎜ ΔT ⋅ ln 2 ⎝ d ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ ⇔ I krit = e ⋅ I0 (5. dass bei einer gegebenen Kühlung (Rth) nur maximal die Verlustleistung (U0·I0) verkraftet werden kann.11). Ebenfalls unberücksichtigt sind zwei.krit − T0 = ΔTd ln 2 (5. Es gilt: dPheizen dPkühlen = dT j dT j ⇒ U0 ⋅ I0 ⋅ 2 ⎛ 1 ΔTd ⎜ ⎜ ΔT ⋅ ln 2 ⎝ d ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ ⋅ ln 2 1 = ΔTd Rth ⇔ U0 ⋅ I0 ⋅ e ⋅ ln 2 1 = ΔTd Rth (5. so erhält man die kritische Sperrschichttemperatur Tj.0. das die Temperaturabhängigkeit des Leckstroms beschreibt. Ansonsten gilt Gleichung (5. dem Ausgangsleckstrom I0 und dem thermischen Widerstand Rth! Der einzige Einflussfaktor ist ΔTd.11) Die linke Seite von Gleichung (5.8 K beträgt (ΔTd ≈ 11 K).Aspekte der Bauelementtechnologie 112 Startet man nun zunächst mit der rechten Seite von Gleichung (5.7) Setzt man diesen Ausdruck dann in die linke Seite von Gleichung (5. wobei sich die rechte Seite auf grundlegende Halbleiterphysik zurückführen lässt und für ein Siliziumbauelement etwa 5.oder dreidimensionale Effekte des thermischen Widerstands.krit − T0 ΔTd = Rth ⋅ ln 2 Rth ⇔ T j . Mit diesem Ergebnis lässt sich nun der kritische Leckstrom Ikrit berechnen: I krit = I (V0 . Beide Seiten haben die Dimension einer Temperatur.krit bei der sich die beiden Kurven berühren: Pheizen = Pkühlen ⇒ T j .T j . Version 2. Leckstrom und thermischen Widerstand in Beziehung und die rechte Seite ist eine Konstante. Letztlich sagt Gleichung (5.krit und der Umgebungstemperatur T0 unabhängig von der anliegenden Spannung U0.11) ist also eine Sicherheitsmarge nötig. Dabei ist jedoch zu berücksichtigen. die über ΔTd die verwendete Technologie charakterisiert. dass besondere Leckstrommechanismen auch zu völlig anderen Temperaturabhängigkeiten führen können.4) ein.11) setzt die Hauptfaktoren Spannung.10) Am Ende ergibt sich das Stabilitätskriterium zu: U 0 ⋅ I 0 ⋅ Rth < ΔTd e ⋅ ln 2 (5. dass der Leckstrom homogen fließt.4). weil mit der Größe auch die Gefahr von Inhomogenitäten wächst.11) natürlich unabhängig von der Größe des Bauelements und muss von jedem einzelnen Chip und sogar von jedem kleinsten Teilbereich des Chips separat erfüllt werden. so erhält man einen Ausdruck für die kritische Verlustleistung. Gegenüber Gleichung (5. Dabei wird allerdings davon ausgegangen. Oktober 2009 . je größer das Bauelement ist.8) Interessanterweise ist die Differenz zwischen der kritischen Sperrschichttemperatur Tj.9) Damit kann man dann den Zusammenhang der übrigen Parameter berechnen. Einmal mehr bestimmt die schwächste Stelle die Gesamtfähigkeit eines Bauelements! Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I.

dass keine zwei Bauelemente der gleichen Abfolge von Temperaturzyklen (engl. Mit diesen beiden Parametern ist der Alterungsprozess beschrieben.Aspekte der Bauelementtechnologie 5. Informationen über diese Alterung (engl.3. dass sich die Alterung von Halbleiterbauelementen mit der Weibull-Verteilung beschreiben lässt.12) F (N ) = 1 − exp⎢− ⎜ ⎜ ⎟ ⎢ ⎝ Nc ⎠ ⎥ ⎣ ⎦ F(N) lässt sich wie oben beschrieben auf zwei Arten interpretieren. Am Ende werden Bonddrähte abheben. Die Weibull-Wahrscheinlichkeit lautet: ⎡ ⎛ N ⎞β ⎤ ⎟ ⎥ (5. bevor es N Zyklen erreicht. dass ein einzelnes Bauelement ausfällt. keine Frühausfälle). Version 2. Jahreszeiten oder reduzierte Kühlung in Tunneldurchfahrten. Entweder es ist die Wahrscheinlichkeit.3 Thermische Zyklen 113 Im Betrieb wird ein Bauelemente einer Vielzahl unterschiedlicher Temperaturwechsel unterzogen. Leider ist die Alterung ein statistischer Prozess.und Durchlassverlusten und andererseits durch Umgebungseinflüsse wie z. Diesen Zusammenhang haben Coffin und Manson 1954 entdeckt. Größere Temperaturhübe führen zu deutlich weniger Zyklen bis zum Ausfall. insbesondere nur für einen bestimmten Temperaturhub ΔT und der Temperaturhub hat einen starken Einfluss auf die Lebensdauer. sondern nur eine Wahrscheinlichkeit angeben. In jedem Fall wird das Bauelement unbrauchbar und schädigt dabei eventuell sogar noch seine Umgebung. wear out) zu bekommen und sein System entsprechend auszulegen. Bei der Untersuchung der Ausfallstatistik hat sich gezeigt. Diese Verteilung ist nach dem schwedischen Ingenieur Wallodi Weibull benannt.B. Das führt letztlich dazu. Die Größe der Temperaturwechsel kann dabei von Bruchteilen eines Grads bis über 100 K reichen und die Dauer solcher Wechsel von einigen Mikrosekunden bis zu Monaten. Es ist daher für den Anwender sehr wichtig.0. oder es ist der Prozentsatz der ausgefallen Elemente einer Population nach N Zyklen. Andererseits führt jeder Temperaturwechsel durch die unterschiedliche thermische Ausdehnung der verschiedenen Materialien zu mechanischen Verspannungen oder sogar Verbiegungen und schädigt das Bauelement auf diese Weise. Die beiden Parameter der Weibull-Verteilung sind die charakteristische Lebensdauer NC (sollte möglichst groß sein → allgemein lange Lebensdauer) und der Formparameter β (sollte möglichst groß sein → alle Elemente fallen gleichzeitig aus. Lötstellen reißen. Oktober 2009 . dass es bis zu einem bestimmten Zeitpunkt ausgefallen sein wird. Isolationen durchschlagen oder das Gehäuse brechen. Das geschieht einerseits durch die Selbstaufheizung des Bauelements aufgrund von Schalt. welcher Prozentsatz davon bis zu einem bestimmten Zeitpunkt ausgefallen sein wird. Man kann also nicht sagen. aber nicht welche Einzelelemente es davon betrifft. Leider gelten die Parameter der Weibull-Verteilung jeweils nur für einen bestimmten Temperaturwechsel. wann genau ein einzelnes Bauelement ausfällt.13) Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. oder entsprechende Teile bei einer Routinewartung auszutauschen. Die Coffin-Manson-Beziehung lautet: N = k1 ⋅ ΔT − k 2 (5. eventuell Redundanz einzubauen. Bei einer ganzen Population identischer Bauelemente kann man angeben. mission profile) ausgesetzt sind. der sie bei der Untersuchung der Alterung von Metallen entdeckte und 1936 erstmals veröffentlichte.

Man erhält dann die charakteristische Lebensdauer (Anzahl der Temperaturwechsel) für jeden beliebigen Temperaturhub. sehr kleinen Teil der Bauelementlebensdauer verbraucht. kann man die beiden Parameter k1 und k2 der Coffin-Mason-Beziehung berechnen. Tatsächlich hat aber auch dieser Wert noch nicht viel mit der Realität zu tun.Aspekte der Bauelementtechnologie 114 Basierend auf den Ergebnissen der Weibull-Verteilungen für verschiedene Temperaturhübe. Will man aber dichter an das Limit gehen. treten in realen Anwendungen verschiedenste Temperaturwechsel auf. der offensichtlich nicht über 100% der Lebensdauer des Bauelements liegen darf. sondern durch die Verringerung von Sicherheitsmargen realisiert wurde.0. Außer in Tests wird kaum der Fall konstanter Temperaturhübe auftreten. Das Thema Zuverlässigkeit wird deshalb zukünftig eine noch wichtigere Rolle spielen. Berechnungen dieser Art haben in den letzten Jahren sehr stark an Bedeutung gewonnen. was passieren wird und ob das dann für den Anwender noch akzeptable ist. Um diesem Umstand Rechnung zu tragen. Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Oktober 2009 . denn wie oben beschrieben. da ein signifikanter Teil des Fortschritts in der Leistungselektronik nicht durch die Verbesserung der Halbleiterkomponenten. nimmt man an. Erst die Summe all dieser Verbräuche ergibt dann den Gesamtverbrauch. dass jeder einzelne Temperaturwechsel einen bestimmten. muss man genauer wissen. Version 2.

Schröder. ISBN 0-471-58408-8 • M. „Power Electronics – Circuits. Stuttgart. www. des pn-Übergangs. and Design“. „Leistungselektronische Bauelemente“.3 und einige Fotos ergänzt. Taschenbuch. inzwischen vergriffen. 2006. des Bipolartransistors und des MOSFET aus der WBS-Vorlesung. Auslegung und Anwendung“. D. „Power Semiconductors”. Applications.B. T. Silber Erster Teil des ausgearbeiteten Skripts bis Abschnitt 2. Hagmann.3.0 Version 1. Springer. 2. gebunden.B. ISBN 3-540-57609-6 • N.3. gebunden. Springer. die Grundlagen des Halbleiters.Literatur 115 6 Literatur • G. „Power Electronics – Converters. 2008.0 Vorlesungskonzept von Prof. Eigenschaften. Oktober 2008 bis Januar 2009 Fotos: Christian Renz.1 – 1. 1995. Lutz.8. EPFL Press. Oktober 2009 Version 1. Zuverlässigkeit“.14 Version 1. broschiert. Rashid. 2. Aula-Verlag.com → Applikation Bitte bedenken Sie. H. 4. Wirk. Auflage. „Leistungselektronische Schaltungen: Funktion. Hochschulverlag an der ETH Zürich und Teubner. März 2009 Kleinere Korrekturen und Ergänzungen. aber auch z. 1998. and Applications“. John Wiley & Sons.semikron. 2006. 3. also für Fortgeschrittene ist. D. „Leistungselektronik. CRC Press.0. Robbins. 3rd Edition. Oktober 2009 . ISBN 2-940222-09-6 bzw. Dazu gehören z. Wüest. ISBN 978-3-540-34206-9 • D. Undeland. Simulationen: Umamaheswara Vemulapati und Iraj Sheikhian Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I. Linder. umformatiert. ISBN 3-519-06176-7. Mohan. gebunden. Springer.und Blindleistung aus der GET-Vorlesung. Jenni. März 2009 Redaktionelle Überarbeitung.15 Version 1. Schröder. Devices.ch/publikationen/Steuerverfahren_sf_SR. „Elektrische Antriebe. 2nd Edition. Pearson Prentice Hall. ISBN 978-0-13-101140-3 • S.13 Sukzessive bis Abschnitt 4. dafür aber kostenlos auf der Homepage von Felix-Jenni online erhältlich: www. Es werden deshalb Inhalte aus anderen Vorlesungen vorausgesetzt. Februar 2009 Abschnitt 5. Leistungselektronische Schaltungen“. Springer. 2006. W. Version 2. 2006. 1995. 2004.felixjenni. M. ISBN 3-89104-700-2 • D. ISBN 978-3-540-28728-5 • F. „Halbleiter-Leistungsbauelemente – Physik. Oktober 2008 Erste vollständige Version des Skripts. dass dies eine Vorlesung des Hauptstudiums. Grundlagen und Anwendungen in der elektrischen Antriebstechnik“. P. Schröder. „Steuerverfahren für selbstgeführte Stromrichter“.pdf (17MB!) • Semikron Applikationshandbuch. ISBN 978-3-540-69300-0 • D.16 Version 2. ISBN 0-8247-2569-7 • J.3. 7 Änderungshistorie Version 0 Version 1. Auflage. Auflage.