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FCI-Adm-4.

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PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATÓLICA DEL PERÚ
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍA

FÍSICA ELECTRÓNICA (IEE209)
Problemas para el Segundo Examen / Horario 1021
Ciclo 2010-1

Cuestionario

1. (5,0 p.) El criterio para aplicación de la distribución de Maxwell-Boltzmann (MB) a un sistema
de muchas partı́culas está dado por la siguiente expresión
!3/2
1 N h̄2
 
<< 1
8 V mkT

y sabemos que la ecuación de estado para un gas ideal es P V = NkT , donde la presión P
está en expresada en Pascales (Pa) y la temperatura absoluta T está expresada en K.

a) Aplicar el criterio para la distribución MB al gas hidrógeno a 300 K, según esto, ¿es
posible aplicar la distribución de MB al hidrógeno a esta temperatura?
b) Asumiendo que la concentración de electrones es independiente de la temperatura ¿pode-
mos utilizar la distribución de MB para estudiar los electrones en el oro a una temperatura
de 300 K?
c) ¿Puede dar una breve explicación de los resultados de las partes a) y b)?
d ) El oro tiene una temperatura de evaporación de 3129 K ¿será válida la distribución
de MB a una temperatura de 3500 K asumiendo que la concentración de electrones no
cambia?
e) En la parte anterior el oro a 3500 K se encuentra en estado gaseoso ¿es razonable pensar
que la concentración de electrones se mantiene constante o que cambia?

2. (5,0 p.) Explicar brevemente mediante la teorı́a de bandas en metales, semiconductores y
aislante las siguientes propiedades ópticas:

a) Los metales son opacos a la luz visible
b) Los semiconductores son opacos a la luz visible pero transparentes a la luz imfraroja (el
germanio suele utilizarse para filtros IR)
c) Muchos aislantes como el diamante son transparentes a la luz visible.

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67 InP 1.607 1. (5. c) Asumiendo la misma velocidad de deriva para electrones y huecos hallar las densidades de corriente para los electrones y huecos. (5.582 2.01 3.) El oro tiene una densidad de 19 300 kg/m3 .6 a) Hallar la mı́nima frecuencia que debe tener un fotón para promover un electrón de la ban- da de valencia a la banda de conducción para el silicio. b) Hallar las concentraciones de huecos y electrones a 300 K. una masa atómica de 197 g/mol y la distancia interatómica entre sus átomos es de 288 x 10−12 m. VISIBLE.) El arseniuro de galio (GaAs) es un material semiconductor de gran interés debido a que puede manejar potencias muy altas y tiene un tiempo de respuesta corto.52 1.082 a) Calcular la velocidad de deriva de los electrones en este material y el tiempo promedio τ entre colisiones si se aplica un campo de 10 V/cm y los electrones tienen una movilidad µn = 8500 cm2 /V· s. d ) Para el material elegido en la parte anterior hallar la menor frecuencia del fotón que hará funcionar la celda. ¿cuál de los semiconductores de la tabla serı́a teórica- mente el más adecuado? explicar brevemente su decisión sin realizar calculos.) En la tabla se muestran las energı́as de separación para varios semiconductores. UV)? b) Hallar la mı́nima frecuencia de un fotón cuando un electrón de la banda de conducción pase a la banda de valencia en el caso del germanio.25 GaAs 1.067 y la masa efectiva de los huecos es m∗p =0.14 Ge 0. En este material a 300 K la energı́a de separación es 1.0 p. Página 2 de 3 . recuerde que la luz solar se puede considerar que tiene todas las frecuencias del espectro luminoso (IR+VISIBLE+UV).2 ZnS 3.0 p.91 3.42 CdTe 1. La masa efectiva de los electrones es m∗e =0.42 1. ¿en este caso el fotón es absorbido o emitido? ¿cómo se denomina este dispositivo semiconductor? ¿será visble el fotón? c) Se desea generar electricidad mediante una celda solar de un material semiconductor. VISIBLE.43 CdS 2.35 GaP 2. (5. Calcular la conductividad del GaAs a 300 K para el campo aplicado. UV) ¿cómo justifica este resultado su elección de la parte c)? 5. FCI-Adm-4. ¿a qué rango óptico corresponde (IR.43 eV. 4. su longitud de onda y el rango óptico que le corresponde (IR.45 ZnO 3.436 3.17 1. Utilizar solamente los valores a 300 K Cristal Eg (eV) a 0K Eg (eV) a 300K Si 1.32 2.744 0.0 p.

si fabricamos un alambre de oro AWG 18 cuya sección tiene un diámetro de 1.0 A. asumir que cada átomo de oro contribuye con un electrón de conducción y que el camino libre medio L es la distancia interatómica.01 a) Hallar la velocidad térmica (clásica) de los electrones vrms a 300 K.02 mm hallar la velocidad de deriva ”vd ” de los electrones en el oro a partir de j = nevd si hacemos pasar por este cable una corriente de 2.53 eV e) Sabemos que vrms debe reemplazarse por la velocidad de Fermi ”vF ”. de manera que obtenemos un tiempo entre colisiones cuántico (FD) L τF D = vF Este valor debe ser el que se debe reemplazar para obtener la conductividad experimental.5 x 106 S/m. d ) Hallar vF en el oro si la energı́a de Fermi para los electrones ”EF ” es 5. Sábado 10 de Junio del 2010 Página 3 de 3 . c) Considerando que la concentración de electrones ”n” en el metal no cambia con la tem- peratura. b) Hallar la conductividad (según este modelo clásico) para el oro a partir de ne2 τ g= me y compararlo con su valor experimental de 45. comparar este valor con la distancia interatómica. Profesor: Richard Moscoso / Horario 1021 San Miguel. Usando el modelo clásico de un gas de electrones (MB). Calcular el tiempo promedio L τM B = vrms entre colisiones de electrones en el oro. FCI-Adm-4. Hallar ”L” utilizando τF D en la expresión para la conductividad.