– Relazione n° Elettronica – Laboratorio Misure Elettriche –

I

MATERIALE E STRUMENTI UTILIZZATI: CARATTERISTICHE STRUMENTI UTILIZZATI: N.5 2 PROCEDIMENTO: Il componente posto ad esame è il transistor (transfer resistor) di tipo BJT (bipolar junction transistor).1 V 15000 Ω SEB 0.5 1 Voltmetro 15 V 1V 150000 Ω SEB 0. Il transistor BJT è in grado di trasferire una variazione di corrente da una resistenza bassa ad una di valore più elevato (in particolari condizioni di funzionamento).1 Alimentatore Duale Un C R Costr. ricavandone un’amplificazione di tensione. IN entrata (VBE e IB) e OUT uscita (VCE e IC). La conduzione nei transistor npn è dovuta al moto degli elettroni liberi e presenta una tensione VCE diretta dall’emettitore al collettore.1 Bread Board N.1 Resistenza 1KΩ N. Questo è un dispositivo (al silicio o germanio) costituito da semiconduttori estrinseci p e n. i quali formano due giunzioni pn (base-emettitore e base-collettore) collegate in modo da costituire o una sequenza pnp o una npn (come in questo caso). Per il rilievo delle misure si è collegato un tester (in funzione di amperometro) in serie ad A1 (Alimentatore variabile) e un voltmetro in parallelo (quindi a valle perché vi saranno misurazioni di R basse) inseguito vi è il transistor posto ad emettitore comune quindi un tester (in funzione di amperometro per il circuito d’uscita) e l’altro voltmetro in parallelo agli altri morsetti dell’alimentatore variabile (A2). Il circuito analizzato risulta a emettitore comune (common emitter: CE) e si possono individuare due circuiti distinti. . Class e Voltmetro 1. I valori di misura verranno impostati in tabelle dalle quali si ricaveranno i grafici delle caratteristiche del BJT dalle quali si potranno rilevare le particolarità del componente posto in esame. emettitore e collettore.5 V 0.– Relazione n° Elettronica – Laboratorio Misure Elettriche – II RILIEVO DELLE CARATTERISTICHE DEL BJT OBIETTIVI: Questa esperienza si pone come obiettivo di rilevare le caratteristiche di un transistor di tipo BJT tramite i valori ricavati dalle misurazioni effettuate sul circuito in dotazione.1 Transistor BC 547 N.2 Voltmetri N.2 Tester N. si distinguono quindi tre connettori: base. Per avere un corretto funzionamento del transistor vi devono essere particolari condizioni tra cui una base molto sottile nell’ordine dei µ m e meno drogata rispetto a quella dell’emettitore e collettore.

45 12 0.15 0.20 0.40 0.51 7 3.10 0.60 0.– Relazione n° Elettronica – Laboratorio Misure Elettriche – III MISURAZIONI EFFETTUATE: Per le misurazioni del circuito d’entrata si è posto VBE come variabile indipendente (perché nel circuito risulta più facile variare la tensione) e quindi ID come variabile dipendente.70 0.25 10 4.55 0.43 9 0.6 0.8 CARATTERISTICHE I B0.12 5 3.25 0.50 0.45 0.70 8 3.43 7 0.83 2 2.75 V IB 5 9 12 16 19 22 25 29 32 36 41 55 235 1775 µ A CIRCUITO OUT: IB0 30µ A VCE ICE 1 5 2 5 3 5 4 5 5 5 6 5 7 5 8 5 9 5 10 5 11 5 12 5 V µ A IB1 40µ A VCE ICE 1 0.46 V mA IB2 50µ A VCE ICE 1 2.2 0. Nel circuito d’uscita. CIRCUITO IN: VBE 0.50 2 0. nel circuito di uscita si dovrà avere quindi un valore fisso di VCE ≅ 5 V. si rilevano le misure di VCE e ICE per valori costanti di IB.4 VBE [V] 0.46 3 0.68 V mA GRAFICI CARATTERISTICI: CARATTERISTICA IB=f(VBE) 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0 0.31 6 3.43 8 0.43 5 0.01 4 3.43 6 0. invece.45 11 0.90 3 3.44 10 0. IB1.90 12 5.92 9 4.59 11 4.35 0. IB2 6 5 I C [mA] 4 3 2 1 0 0 5 VCE [V] 10 IB2 IB [µ A] IB1 IB0 15 CONCLUSIONI E CONSIDERAZIONI: .30 0.65 0.43 4 0.

è enormemente influenzato dal circuito d’entrata. invece. nel circuito d’entrata la funzionalità è minimamente influenzata dal circuito di uscita e la caratteristica d’ingresso è molto simile a quella di un diodo al silicio.5 V. e presenta un grafico costituito da una famiglia di curve in cui IC cresce lentamente all’aumentare di VCE e per valori di VCE molto bassi <2V si osserva che le caratteristiche sono meno distinguibili. perciò il transistor viene detto in zona di saturazione. il circuito d’uscita. .– Relazione n° Elettronica – Laboratorio Misure Elettriche – IV In entrambi i circuiti si possono visualizzare le caratteristiche tramite i propri grafici. che presenta una tensione di soglia Vγ≅ 0.

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