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ELECTRONICA BASICA

TRANSISTORES

ELECTRONICA BASICA, 2003


PAUL FERNANDO URZOLA
TRANSISTOR POR UNION BIPOLAR
- Denominado BJT (Bipolar Junction Transistor)
- De acuerdo con la unión de sus componentes se clasifican en:

ELECTRONICA BASICA, 2003


PAUL FERNANDO URZOLA
FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT npn

- El funcionamiento de un transistor BJT


puede ser explicado como el de dos diodos
pn pegados uno a otro.
- En este esquema (condición directa), la
unión Base – Emisor (BE) actúa como un
diodo normal.
- Note en la gráfica el flujo de electrones y
huecos, siendo la corriente de huecos menor.
- A partir de ese momento, mediante el
mismo mecanismo del diodo, se produce una
corriente de base a emisor.

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- Conectemos ahora en forma inversa la
conexión Base – Colector (BC).
- Los electrones emitidos por el emisor se
dividen en dos: unos que se dirigen hacia la
base, recombinándose con los huecos, y otros
que pasan esta zona y se dirigen al colector.
- La zona de la base se construye muy
angosta, De ese modo la probabilidad de paso
es mayor.
- Aparece un flujo neto de corriente
(convencional) de colector al emisor.
- La corriente que fluye al colector es mayor
que la que fluye a la base del circuito exterior.
- De acuerdo con la I Ley de Kirchoff:

y además:
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donde β es el factor de amplificación (20 – 200) PAUL FERNANDO URZOLA
Para analizar la característica i – v de
un transistor se debe tomar los
siguientes pares:

iB − vBE
iC − vCE
Este último par origina una familia de
curvas.

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En este caso, el comportamiento es similar al de un diodo. La fuente ideal IBB
inyecta una corriente en la base, en conexión directa. Variando IBB y midiendo
la variación vBE se obtiene la gráfica mostrada. ELECTRONICA BASICA, 2003
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Conectamos
ahora una
fuente de
voltaje variable
al colector.

De este modo, variando vCC, variamos el voltaje vCE y por consiguiente la corriente
en el colector. Esto adicionalmente a la variación de iB. Se genera toda una familia
de curvas, una para cada valor de iB.
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Puede distinguirse cuatro zonas en la gráfica:

REGION DE CORTE: Donde ambas uniones están conectadas


en contra. La corriente de base es muy pequeña, y no fluye, para
todos los efectos, corriente al emisor.
REGION LINEAL ACTIVA: El transistor actúa como un
amplificador lineal. La unión BE está conectada en directo y la
unión CB está en reversa.

REGION DE
SATURACION:
Ambas uniones
están conectadas
en directo.

REGION DE
RUPTURA: Que
determina el límite
físico de operación del
transistor.
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DETERMINACION DE LA REGION DE OPERACIÓN DE UN
TRANSISTOR BJT

Asumamos que los voltímetros dan las


siguientes lecturas:

Podemos, en primer lugar determinar


que
lo que quiere decir que la conexión
BE está conectada en directo.

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La corriente en la base será:

Al mismo tiempo, la corriente en el


colector será:

Y la correspondiente ganancia:

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El transistor está en la región lineal activa, ya que hay ganancia.
Finalmente, el voltaje entre colector y emisor:

De modo que podemos hallar el régimen de trabajo en las gráficas.

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Para responder a esta pregunta
deberemos determinar si las uniones BE y
BC se encuentran en conexión directa o
inversa.
En la región de saturación ambas
conexiones están en directo. En la región
activa, BE está en directo y BC en reversa.

De los datos anteriores:


Ejemplo: Hallar el régimen
de trabajo del transistor en
el circuito mostrado si:

Ambos están en directo.

El último valor nos indica que estamos en la


región de saturación.
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ELECCION DE UN PUNTO DE
OPERACIÓN DE UN
TRANSISTOR BJT

Usemos el circuito mostrado para calcular


el punto de operación, también
denominado punto Q.
Las correspondientes Ecuaciones de
Kirchoff:

De la última ecuación obtenemos una recta cuyos interceptos y pendiente


son:

Trazando esta recta, se encuentra el referido punto Q en el cruce de este


recta con la curva de la familia correspondiente a la corriente de base.

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En este punto, el BJT puede usarse como ELECTRONICA BASICA, 2003
amplificador lineal PAUL FERNANDO URZOLA

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