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IF-UFRJ FIW362

Laboratório de Física Moderna Eletrônica Curso de Licenciatura em Física
Prof. Antonio Carlos Santos

Aula 4: Polarização de Transistores

Teoria – O Transistor é basicamente constituído de três camadas de materiais semicondutores,
formando as junções NPN ou PNP. Essas junções recebem um encapsulamento adequado,
conforme o tipo de aplicação e a ligação de três terminais para conexões externas.

emissor emissor coletor
N P N P N P
coletor

base base

A corrente de emissor (IE) é composta pela soma das correntes de base (IB) e de coletor (IC).
Analogamente, observamos que, a tensão entre coletor-emissor (VCE) é composta pela soma das
tensões base-emissor (VBE) e base –coletor (VCB). Portanto, podemos escrever
IE = IB + IC
VCE = VBE +VBC (NPN)

SIMBOLOGIA

NPN PNP

coletor coletor

base base

emissor emissor

Sem polarização, uma junção NPN ou PNP, apresenta duas barreiras de potencial, idênticas
àquela vista na junção PN de um diodo semicondutor. Para movermos os elétrons e lacunas nos
materiais, é necessária a colocação de baterias que poderão deixar cada junção direta ou
reversamente polarizada. Vamos a seguir, analisar todas as possibilidades de polarização,
destacando o caso mais vantajoso :

1o caso – as duas junções reversamente polarizadas

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apesar da polarização reversa. N P N P N P Neste caso. NPN PNP RC RC IC VCB IC VCB IB VCE VCE IB VBE VBE RB IE VCC RB VCC IE VBB VBB Define-se polarização como sendo o estabelecimento das correntes de coletor. utilizaremos este caso para fins de polarização. deixado o dispositivo em situação de corte. 2o caso – as duas junções diretamente polarizadas N P N P N P Neste caso. vamos utilizar a figura abaixo. Para tanto. ocorre o fenômeno denominada de efeito transistor . circula corrente pelas duas junções. circula corrente por ambas as junções. ou seja. do ponto de trabalho do transistor Para melhor aproveitamento. Para melhor compreensão. não há circulação de corrente. utilizaremos no 13 . estando o dispositivo em situação de saturação . de base e da tensão VCE. Devido a esse fenômeno. devemos polarizar a junção base-emissor diretamente e a junção base-coletor reversamente. pois aqui. ode temos a polarização do terceiro caso com a estrutura interna das junções mais detalhadas. pois as duas junções estão reversamente polarizadas. 3o caso – uma junção diretamente polarizada e a outra reversamente polarizada N P N P N P Neste caso.

sendo que para eliminarmos uma delas. RC RB VCC RE Uma melhor solução para o problema da instabilidade principalmente com a temperatura. não é viável a utilização de duas baterias.circuito duas baterias. vamos escrever as equações das malhas de entrada e de saída Entrada : VBB = RB IB + VBE Saída : VCE = RCIC + VCE Para dimensionarmos RB e RC em função de valores pré-estabelecidos de VBB. nas equações de malha isolamos nesse valores : V BB − V BE RB = IB VCC − VCE RC = IC onde : I C = βI B e I C = αI E β α α= e β= β +1 1−α Na pratica. VCE e dos parâmetros do transistor. Considerando a figura acima. denominado polarização por divisor de tensão na base. é polarizarmos o transistor. IB. O circuito equivalente com a bateria VBB eliminada. formaremos divisores de tensão que equivalem a nível de polarização às condições pré- estabelecidas. resistores limitadores de corrente. VCC. é visto na figura abaixo. VBB e VCC. 14 . conforme mostra a figura abaixo. utilizando o circuito visto na figura abaixo.

pois IB = IB1 – IB2 10 Teste de Transistores usando multímetro analógico Este é o melhor tipo de multímetro para testar transistores. se dimensionado de maneira conveniente. Se o ponteiro mexer nos dois terminais e parar na mesma posição. fixará VRB2 I I B ≤ B 2 . O terminal que indicar maior resistência com a base é o emissor. onde está a ponta preta é a base e o transistor é NPN. o transistor é NPN e se acharmos com a preta. Teste de Transistores usando multímetro digital Use a escala com o símbolo do diodo e da mesma forma que o multímetro analógico procure um terminal que indica aproximadamente o mesmo valor com os dois restantes. Meça e anote nos quadros os valores de IB. IE.Monte os circuitos das figuras abaixo. Este terminal é a base. IB1 RC RB1 IB IC VCC IB2 IE RB2 RE O divisor de tensão na base. Se acharmos a base com a ponta vermelha. VBE e VCE 15 . Coloque a ponta preta fixa num terminal qualquer e a vermelha nos dois restantes. Note que a indicação é o contrario do multímetro analógico. ele é PNP. IC. Se achar a base com a vermelha. fixe a preta em outro terminal e assim ate encontrar a base (terminal que o ponteiro mexe igual com os outros dois). Na escala ×1 – antes é necessário saber que o transistor NPN o ponteiro mexe com a ponta preta na base e no PNP o ponteiro mexe com a vermelha na base. Agora se o ponteiro não mexer igual nos dois. o transistor é PNP. o transistor está bom. Se não encontra a base com a preta. Tem dois testes que podemos fazer com este tipo de multímetro. tente com a vermelha. Parte prática 1.

2 – Dimensione RB. VCE= VCC/2. obtidos nas tabelas acima. conforme os dados fornecidos : β = 200. IC = 30 mA 16 .2 kΩ 100 Ω Questões – 1 – Calcule o valor de β.7 V. RC e RE para polarizar o transistor do circuito da figura abaixo. VBE= 0. IB(µA) IC(mA) IE(mA) VBE(V) VCE(V) 330 Ω 150 kΩ 12 V 330 Ω IB(µA) IC(mA) IE(mA) VBE(V) VCE(V) 150 kΩ 12 V 100 Ω IB(µA) IC(mA) IE(mA) VBE(V) VCE(V) 330 Ω 5.6 kΩ 12 V 1. Calcule o β médio. VCC = 15 V. utilizando os valores de IB e IC. VRE = VCC/10.

RC RB VCC RE 3 . M. Érica [2] Testando Componentes Eletrônicos. C. IB = IB2/2 RC RB1 VCC RB2 RE Referencias [1] Laboratório de Eletricidade e Eletrônica . RB2. VBE= 0. VCE= VCC/2. ⇒ Datas de entrega do relatório (no início da próxima aula) 17 . VRE = VCC/10. Burgos. RC e RE para polarizar o transistor da figura abaixo. Antena Edições Técnicas Ltda. IC = 5 mA. conforme os dado fornecidos : : β = 350.Dimensione RB1. L. F.7 V. G. VCC = 15 V. A. Capuano e M. Marino. Ed.