NGHIÊN CỨU, THIẾT KẾ BỘ HỖ TRỢ VAN CHO MẠCH CHUYỂN ĐỔI DC/DC SỬ DỤNG CẦU H

Tổng quan: Mạch trợ giúp van là mạch được nối thêm vào bên cạnh van, giúp bảo vệ và tăng hiệu quả làm việc của van. Mạch hỗ trợ van nhằm cải thiện chất lượng đóng mở của MOSFET khi chuyển mạch. • Giảm, triệt tiêu các xung quá áp hoặc quá dòng đưa điểm làm việc của

van về vùng làm việc an toàn. Điều này góp phần rất lớn trong việc chọn lựa thiết bị điện tử công suất. Vì khi đó sẽ giảm được giá thành một cách đáng kể. • • Hạn chế dU/dt, dI/dt. Truyền năng lượng phát nhiệt của van sang điện trở ngoài hoặc sang

hướng khác có lợi. • Giảm tổn hao công suất trong quá trình đóng cắt.

Để đạt được hết các tiêu chí trên thật sự là một vấn đề nan giải đối với việc thiết kế. Tuy nhiên vấn đề đặt ra trước tiên là cần phải đảm bảo an toàn cho van bán dẫn trong mọi chế độ làm việc, những tác động khác có thể được tính đến và thỏa hiệp trong các điều kiện cụ thể. Nguyên lý: Với các loại van khác nhau và trong các điều kiện khác nhau thì đặc tính đóng cắt của các van bán dẫn cũng hoàn toàn khác nhau. Tuy nhiên quá trình đóng cắt có thể đưa về bốn dạng như sau: Sơ đồ biến đổi xung áp nối tiếp (Buck) Sơ đồ biến đổi xung áp song song (Boost) Sơ đồ biến đổi xung áp nối tiếp – song song (Buck – boost) Mạch nhánh nghịch lưu nửa cầu (Inverter pole)

Các trạng thái chuyển mạch trong các sơ đồ đều tương tự nhau vì vậy chỉ cần giải quyết vấn đề thiết kế mạch hỗ trợ van cho một mạch là có thể thiết kế được mạch hỗ trợ van cho các mạch khác. Hình 2: Sơ đồ biến đổi xung áp song song a) Mạch khi van mở. b) Mạch rút gọn. Dưới đây là sơ đồ biến đổi xung áp song song. c) Dạng sóng của điện áp và dòng ở trạng thái lý tưởng .

Khi dòng đạt đến giá trị Io điôt mới khóa lại. nối tiếp van là điện cảm Lp. quá trình xảy ra theo chiều ngược lại. Trên đồ thị. thiết kế mạch hỗ trợ van là một việc hết sức quan trọng trong quá trình thiết kế mạch điện tử công suất. Có rất nhiều loại mạch hỗ trợ van nhưng phổ biến nhất là hai loại: mạch RC và mạch RCD. Khi van khóa lại. Nếu tính đến cả những yếu tố thực tế như điện cảm và tụ điện ký sinh thì dòng điện và điện áp qua van có dạng như sau: Hình 3: Dạng dòng điện và điện áp trên van khi tính đến các thành phần điện cảm và tụ ký sinh trong sơ đồ. a) b) .Trong trường hợp lý tưởng. tụ ký sinh của bản thân van là Cp như hình 4a. Việc mắc thêm mạch (R nt C) song song với van như hình 4b nhằm làm giảm tổn thất trong quá trình đóng cắt và giảm xung áp trên van. Chính vì thế. dòng điện sẽ tăng tuyến tính từ 0 đến Io. có thể thấy rõ tồn tại những thời điểm mà cả điện áp trên van lẫn dòng điện đều có giá trị lớn gây tổn thất trong quá trình chuyển mạch. khi van mở. Một số loại mạch hỗ trợ van thông dụng Mạch RC: Giả sử có mạch van đóng cắt dòng điện Io dưới điện áp Eo. khi đó điện áp trên van mới giảm từ E đến 0.

Phổ biến là mạch RCD được giới thiệu sau đây. Như vậy. Đối với các phần tử không điều khiển như điôt hoặc điều khiển không hoàn toàn như tiristo. triac. mạch RC cần được tối ưu hóa bằng cách chọn giá trị của Lp bằng thực nghiệm. Nhưng dòng điện phóng của tụ gây phức tạp cho vấn đề di/dt và làm tăng thời gian mở của van. để chủ động thời điểm khóa của van như GTO. Khi van mở. IGBT thì cần sử dụng các mạch trợ giúp phức tạp hơn. Mạch trợ giúp RCD . dòng có thể chuyển sang mạch trợ giúp mà điện áp trên van không vượt quá Eo. BJT. Dòng điện này có đỉnh khá lớn tuy nhiên thời gian rất ngắn nên không gây nguy hại nhiều về phát nhiệt trên van. Công suất tiêu tán trên điện trở Rs có thể được xác định qua năng lượng tích trữ trong tụ Cs: 1 Wc = CS E02 2 Năng lượng này tiêu tán trên Rs trong quá trình đóng cắt. vì vậy nếu tần số đóng cắt là fs thì công suất tiêu tán trên Rs sẽ là: 1 2 PR = CS E0 f S 2 Mạch RC đơn giản có ứng dụng rộng rãi. MOSFET. khi van đóng. cách lựa chọn tốt nhất là bằng 2 lần Cp. chủ yếu trong sơ đồ công suất nhỏ và vừa. Khi công suất lớn hơn và nhất là đối với các phần tử điều khiển hoàn toàn. Rs được chọn sao cho Rs = Eo / Io. tụ Cs phóng điện qua điện trở Rs qua van.Hình 4 Để dao động sinh ra trong chuyển mạch là tắt dần thì Cs > Cp.

Khác với mạch RC. trong mạch RCD. • Van được làm việc trong vùng an toàn tốt hơn • Tụ điện ký sinh trên van cũng được sử dụng như một phần của mạch hỗ trợ van Tuy nhiên mạch có nhược điểm là dòng nạp tụ Cs lấy thẳng qua điôt Ds không phải là giá trị tối ưu do đó quá điện áp sẽ lớn hơn ở trong mạch RC. tụ vẫn phóng điện qua trở khi van mở nhưng trở không tham gia vào vấn đề giảm xung điện áp đỉnh trên van vì thế giá trị của trở có thể chọn linh hoạt hơn. Ngoài ra mạch Mạch RCD có những ưu điểm hơn so với mạch RC: • Mạch cho phép suy giảm điện áp đỉnh và làm giảm tổn thất đóng cắt của van cũng như tổn thất trên mạch trợ giúp. Như vậy vùng an toàn và tổn hao đóng cắt cũng giảm đáng kể. Tùy thuộc vào giá trị của Cs mà điện áp E có thể tăng đến Eo trước hay sau khi dòng I về 0. Khi van bắt đầu đóng. tụ và điện trở. 2 E0 . Nếu E = Eo trùng thời điểm I = Io thì Cs = Cn với Cn được xác định như sau: Cn = I 0tS với tS là thời gian khóa của van. điện áp trên van tăng chậm trong khi dòng bắt đầu giảm vì dòng đã chuyển sang mạch điôt.

4.ts = 0. Io = 62.5.5A . tính toán được các giá trị của RC Eo = 48 V. Vì vậy để tổn hao đóng cắt nhỏ thông thường người ta thường chọn Cs/Cn = 0. Giá trị của Rs được tính như sau: RS = ton 2CS Thiết kế: MOSFET sử dụng trong đồ án là IRF3205. Tụ ký sinh trên MOSFET Cp = 211 pF Tần số đóng cắt van là f = 40kHz Thời gian mở từng van ton = 0.Có thể thấy tỉ số Cs/Cn càng lớn thì tổn hao trên mạch hỗ trợ van càng tăng rất nhanh.4/f Từ các thông số trên. ton. Khí đó Rs cần chọn để tụ phóng hết điện trong khoảng thời gian mở van.

10−5 − 211.4 .5 .1 .1 .6 .5 . 1. 2.9 . 2.10−5 ( F ) 2 E0 2 E0 f s 2. 5. 63.3 . 8.3 . Phạm Quốc Hải. 3.1.2 .0 . 5.15.8 .6 .1 Mô phỏng: Tài liệu tham khảo: Điện tử công suất – Võ Minh Chính. 6. 4.8 . 1. 3.40000.10 −6  Chọn 2 điện trở 1 ôm mắc song song với nhau 1. 4 = = 0. 1. 7. 2.2 . 5. 1.10 −6 ( F ) = 8.7 . 4.10.40000 1 1 Cn − C p = .10−12 = 8.5(Ω ) 2CS 2.48.0 .2 và 9. 3.7 .2 . 6.15(µ F ) 2 2  CS =  Chọn tụ CS = 10( µ F )  RS = ton 0. 63. Trần Trọng Minh Rudy Severn – Design of snubber for power circuit . 2.Cn = I 0t S I0 62.5 = = = 1.0 .