11-PROPRIEDADES ELÉTRICAS, TÉRMICAS, ÓPTICAS E MAGNÉTICAS DOS MATERIAIS

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PROPRIEDADES ELÉTRICAS CONDUTIVIDADE ELÉTRICA ()
Eleani Maria da Costa - DEM/PUCRS

É o movimento de cargas elétricas (elétrons ou íons) de uma posição para outra.  = 1/= n.q.
= condutividade elétrica (ohm-1.cm-1) = resistividade elétrica (ohm.cm) n= número de portadores de carga por cm3 q= carga carregada pelo portador (coulombs) [q do elétron= 1,6x10-19 coulombs] = mobilidade dos portadores de carga (cm2/V.s)

R =  . l/A

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PROPRIEDADES ELÉTRICAS SEMICONDUTORES
Eleani Maria da Costa - DEM/PUCRS

Tem resistividade entre metais e isolantes
10-6-10-4 .cm 1010-1020 .cm A resistividade diminui com o aumento de temperatura (ao contrário dos metais) A resistividade diminui com a adição de certas impurezas A resistividade aumenta com a presença de imperfeições nos cristais.
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PROPRIEDADES ELÉTRICAS
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
Eleani Maria da Costa - DEM/PUCRS

 Silício, Germânio (Grupo IV da Tabela Periódica)  GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da Tabela Periódica)  PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela Periódica)
95% dos dispositivos eletrônicos são fabricados com
Silício  65% dos dispositivos de semicondutores do grupo IIIV são para uso militar
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DEM/PUCRS SÃO USADOS PARA A FABRICAÇÃO DOS SEGUINTES DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS E OPTOELETRÔNICOS      Transistor Diodos Circuito integrado LEDS Detetores de infravermelho Células solares. 5 .EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES Eleani Maria da Costa . etc.

. etc...DEM/PUCRS           Indústria de computadores (memórias. 6 . microprocessadores.CAMPOS DE APLICAÇÃO DOS DISPOSITIVOS DE SEMICONDUTORES Eleani Maria da Costa .) Indústria aeroespacial Telecomunicações Equipamentos de áudio e vídeo Relógios Na robótica Sistemas industriais de medidas e controles Sistemas de segurança Automóveis Equipamentos médicos.

No entanto. a mobilidade dos mesmos e como conseqüência a condutividade.LIGAÇÃO QUÍMICA Eleani Maria da Costa . 7 . a agitação térmica reduz o livre percurso médio dos elétrons.METAIS Os elétrons de valência não estão ligados a nenhum átomo específico (estão livres) Há atração entre os elétrons livres (de valência) e os íons positivos (núcleo mais elétrons de valência) Os metais têm elevada condutividade elétrica devido os elétrons estarem livres para moverem-se (alta mobilidade).DEM/PUCRS A.

EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS 8 .

EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS ESTRUTURA PERFEITA A BAIXA TEMPERATURA MOVIMENTO DOS ELÉTRONS A MAIS ALTA TEMPERATURA MOVIMENTO DOS ELÉTRONS EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS 9 .

DEM/PUCRS B. RESISTIVIDADE VERSUS TEMPERATURA PARA UM SEMICONDUTOR O aumento da temperatura fornece energia que liberta transportadores de cargas adicionais.LIGAÇÃO QUÍMICA Eleani Maria da Costa . Os semicondutores compostos (grupos III-V e IIVI) têm 4 elétrons de valência em média. 10 .SEMICONDUTORES Todos os semicondutores têm ligação covalente. com 4 elétrons de valência.

mas com diferenças apenas infinitesimais) A banda de energia corresponde à um nível de energia de um átomo isolado  As bandas de energia nem sempre se sobrepõem  Assim como orbitais. Isso faz com que novos níveis de energia sejam estabelecidos. como acontece em um sólido cristalino. as bandas de energia podem comportar no máximo dois elétrons.BANDAS DE ENERGIA Eleani Maria da Costa . originando então bandas de energia (são níveis discretos de energia. 11 . Os elétrons de valência de dois átomos adjacentes interagem entre si quando são aproximados um do outro.DEM/PUCRS Os semicondutores se caracterizam por sua estrutura eletrônica em bandas de energia.

12 .GAP DE ENERGIA (BANDA PROÍBIDA) Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS É o espaço entre as bandas de energia É o que distingue um semicondutor de um condutor ou isolante.

DEM/PUCRS É definido como o nível de energia abaixo do qual todos os estados de energia estão ocupados a 0K. 13 .NÍVEL DE DE ENERGIA DE FERMI Eleani Maria da Costa .

Num metal o nível de Fermi esta localizado na banda de valência.DEM/PUCRS Os elétrons não preenchem todos os estados possíveis da banda de valência e por isso a condução ocorre na banda de valência.CONDUTOR Eleani Maria da Costa . Nível de Fermi Banda de valência incompleta 14 .

ISOLANTES Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS Os elétrons preenchem todos os estados possíveis da banda de valência e por isso a condução NÃO ocorre na banda de valência. energia  Gap de um Semicondutor: 0.1-5 eV  BANDA DE CONDUÇÃO Nível de fermi GAP DE ENERGIA BANDA DE VALÊNCIA Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de Gap de um isolante é maior 15 .

SEMICONDUTOR Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS BANDA Da mesma forma DE que nos isolantes.1-5 eV  VALÊNCIA Gap de um isolante é maior 16 . CONDUÇÃO os elétrons preenchem todos os Nível de fermi GAP DE ENERGIA estados possíveis da banda de BANDA DE valência. Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de energia  Gap de um Semicondutor: 0.

térmica ou óptica (fotocondução)  Quando um elétron é excitado para a banda de condução deixa um buraco ou uma vacância na banda de valência que contribui também para a corrente. os elétrons podem ser excitados para a banda de condução por energia elétrica.SEMICONDUTOR Eleani Maria da Costa . 17 .DEM/PUCRS Num semicondutor.

CONDUÇÃO INTRÍNSECA (SEMICONDUTOR INTRÍNSECO) Eleani Maria da Costa . CONDUÇÃO INTRÍNSECA 18 .DEM/PUCRS É a condução resultante dos movimentos eletrônicos nos materiais puros.   Um semicondutor pode ser tipo "p" ( condução devido aos buracos) ou tipo "n" (condução devidos aos elétrons) Este tipo de condução se origina devido a presença de uma imperfeição eletrônica ou devido a presença de impurezas residuais.

DEM/PUCRS É a condução resultante dos movimentos eletrônicos nos materiais puros.CONDUÇÃO INTRÍNSECA (SEMICONDUTOR INTRÍNSECO) Eleani Maria da Costa . 19 .

Os semicondutores extrínsecos podem ser: Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos extras.DEM/PUCRS Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante para proporcionar elétrons ou buracos extras. Tipo n: com impurezas que proporcionam elétrons extras Os processos utilizados para dopagem são difusão e implantação iônica 20 .CONDUÇÃO EXTRÍNSECA Eleani Maria da Costa .

DEM/PUCRS .(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P) Eleani Maria da Costa .Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante para CRIAR buracos extras.  Impurezas tipo "p" ou aceitadores proporcionam buracos extras  Exemplo: Dopagem do Si (valência 4) com Boro (valência 3) 21 .

(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P) Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS BORO É UM DOPANTE TIPO P PARA O SILÍCIO PORQUE PROPORCIONA BURACOS EXTRA 22 .

(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P) NÍVEL DE FERM I Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS 23 .

 proporcionam elétrons extra Exemplo: Dopagem do Si (valência 4) com Fósforo (valência 5) 24 .(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N) Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS Impurezas tipo "n" ou doadores.

DEM/PUCRS 25 .(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N) NÍVEL DE FERMI Eleani Maria da Costa .

 A presença de impurezas pode alterar o tamanho do gap de energia do semicondutor.CONDUÇÃO EXTRÍNSECA CONSIDERAÇÕES GERAIS Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS  Os elétrons tem maior mobilidade que os buracos. 26 .

. É construído juntando um semicondutor tipo “n” e tipo “p”.OPERAÇÃO DO DIODO (JUNÇÃO P-N) Eleani Maria da Costa .. usam a combinação de semicondutores extrínsecos tipo “p” e tipo “n” . chips. DIODO  é um dispositivo que permite a corrente fluir em um sentido e não em outro. circuitos integrados. etc.DEM/PUCRS  Dispositivos eletrônicos como transistors. 27 .

JUNÇÃO P-N Eleani Maria da Costa . A corrente não irá fluir no dispositivo. os dois tipos de cargas se moverão em direção à junção onde se recombinarão. -Como no esquema abaixo.DEM/PUCRS -Quando uma voltagem é aplicada como no esquema abaixo. 28 . a voltagem causará o movimento de cargas para longe da junção. A corrente elétrica irá fluir.

PROPRIEDADES MAGNÉTICAS 29 .

algumas ligas (SmCo5.) 30 .DEM/PUCRS A maioria dos elementos e materiais não exibem propriedades magnéticas. . Gadolíneo. Materiais que exibem propriedades magnéticas: Ferro.. Nd2Fe14B.. Níquel.PROPRIEDADES MAGNÉTICAS Eleani Maria da Costa . Cobalto.

Ferromagnetismo Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS É a propriedade de concentrar as linhas de força magnética. Paramagnéticas) . Níquel e Gadolínio Outros metais-permeabilidade magnética <1 (subst.permeabilidade magnética >1 (subst. Ferromagnéticos. caracterizada pela permeabilidade magnética.elétrons desemparelhados Ferro. Diamagnéticas) . Cobalto.elétrons emparelhados 31 .

DEM/PUCRS Permeabilidade Magnética ()está relacionada com a intensidade de magnetização. A intensidade de magnetização varia em função da intensidade do campo aplicado.PERMEABILIDADE MAGNÉTICA Eleani Maria da Costa . É característica do material = tg  B/H É dada em Gauss/Oersted 32 .

são zonas de magnetização espontânea (<0. Quando um campo magnético é aplicado.DEM/PUCRS São regiões da estrutura do material onde todos os átomos cooperam magneticamente. ou seja. 33 .Domínios magnéticos Eleani Maria da Costa . o material exibe propriedades magnéticas. então.05mm). os domínios magnéticos tendem a se alinhar com o campo e.

DEM/PUCRS É a temperatura na qual os domínios magnéticos são destruídos. 34 .Ponto de Curie Eleani Maria da Costa .

ë característica do material = tg  B/H É dada em Gauss/Oersted 35 . É dada em Gauss Força coercitiva (Hc). depois de anulada a intensidade do campo. A intensidade de magnetização varia em função da intensidade do campo.Curva de magnetização ou de histerese Eleani Maria da Costa .é a intensidade de campo que tem de ser aplicado para desmagnetizar.DEM/PUCRS Indução residual (Br) . de uma direção para outra. A quantidade de energia necessária para magnetizar é proporcional a área do ciclo de histerese. Permeabilidade Magnética ().é a intensidade de magnetização.é a indução magnética que se conserva no corpo magnetizado. É dado em Oersted Material com elevado Hc = consome energia para alinhar os domínios magnéticos.

DEM/PUCRS A classificação é feita de acordo com a forma da curva de histerese. O nome esta relacionado com as propriedades mecânicas/metalúrgicas da liga:  Ligas Magnéticas Duras  Ligas Magnéticas Macias 36 .Classificação das ligas magnéticas Eleani Maria da Costa .

Ligas magnéticas duras Eleani Maria da Costa .São utilizadas na fabricação de imãs permanentes 37 .Se caracterizam pelo grande valor de Hc e alto Br . dispersas .DEM/PUCRS .São ligas endurecidas com estruturas desiquilibradas.

São empregadas como ligas a serem submetidas à magnetização alternada (núcleos de transformadores) 38 .DEM/PUCRS . Geralmente metais puros com boa qualidade estrutural.Apresentam Hc de baixo valor e pequenas perdas de histerese e baixo Br.Ligas magnéticas macias Eleani Maria da Costa .São ligas organizadas. . .

DURAS E MACIAS Eleani Maria da Costa .DEM/PUCRS 39 .CURVA HISTERÉTICA PARA LIGAS MAG.

DEM/PUCRS  Aumentam a força coercitiva ou “dureza” magnética  Diminuem o tamanho de grão A formação de uma segunda fase. 40 . Quanto mais elevada a dispersão da segunda fase maior o Hc. porque evitam a redistribuição ao acaso dos domínios magnéticos. contribui para o aumento do Hc. pela adição de elementos de liga (acima do limite de solubilidade). O endurecimento causado pela transformações de fase ou pela diminuição do tamanho de grão aumentam o Hc.Papel dos elementos de liga Eleani Maria da Costa .

DEM/PUCRS No xerox encontram-se tabelas com exemplos de materiais magnéticos moles e duros 41 .INFORMAÇÕES ADICIONAIS Eleani Maria da Costa .

DEM/PUCRS ASSUNTOS: SUPERCONDUTIVIDADE (Van Vlack) EFEITO PIEZOELÉTRICO (CALLISTER) PROPRIEDADES ÓPTICAS: OPACIDADE.ESTUDAR (XEROX) Eleani Maria da Costa . TRANSPARÊNCIA E LUMINESCÊNCIA. LASER (Van Vlack) 42 .

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