Notas Sobre Elementos Finitos

Método de Elementos Finitos - Teoría de Campos Versión 14/09/04

127$6 62%5( (/ 0(72'2 '( (/(0(1726 ),1,726 )(0

la ecuación que rige el sistema en cada EF para luego sumar todas las soluciones. el método consiste en discretizar el dominio de interés en Elementos Finitos y resolver. mediante una función de prueba o de aproximación. Transmisión de Calor y Electromagnetismo. 3) Plantear las ecuaciones que dan las condiciones de ajuste de las soluciones en las fronteras de los EF. *HQHUDFLyQ GH ORV (OHPHQWRV )LQLWRV Los contornos pueden ser irregulares Los EF serán tan chicos como lo considere el programador. Cuanto más varía el potencial. Actualmente. ELEMENTOS FINTOS Diferencias Finitas Figura N° 1 Dado un recinto cerrado los pasos para la resolución son: 1) Dividir el recinto en Elementos Finitos: Triángulos (3 nodos). estáticos. Supongamos una simetría plano-paralela: dentro de cada EF se admite una tipo de variación del potencial. Las aplicaciones actuales del método son muy extensas e incluyen sistemas lineales y no lineales. 4) Calcular los potenciales en los nodos de cada EF mediante algunos de los métodos que luego de mencionarán. Este método constituye un método numérico destinado a resolver mediante ecuaciones matriciales las ecuaciones diferenciales que se plantean en sistemas discretos (estructuras) o continuos (campos). Mecánica de Fluidos. 2) Deducir la ecuación que describe el potencial f dentro de un EF. dinámicos tales como Mecánica de Sólidos. etc. por ejemplo. En el caso de sistemas contínuos. 5) Resolver las ecuaciones algebraicas planteadas. lineal: 1 . Tetraedros (4 nodos). los EF deberán ser más chicos. se considera al método de las Diferencias Finitas como una subclase del método de los Elementos Finitos y de hecho se puede demostrar [Silvester-Chari] que el método FEM se reduce al método DF cuando las mallas son regulares. Teoría de la Elasticidad.

yj) i(xi. b 3 . el potencial dentro de él será f ( [. \ ) .yk) fe(x. entonces. b 2 . Tomemos un única elemento finito triangular plano y analicemos como describir el potencial dentro de él: f3(x3.Método de Elementos Finitos .yi) Figura N° 2 Llamando “e” al elemento finito.y3) Superficie “Am” f1(x1. \ ) = Êf ¢ ( [. \ ) = b 1 + b 2 [ + b 3 \ donde son constantes diferentes para cada elemento 2 ¨ © ¨ © ¨ © ¥ f ( [.y1) y y1 x1 Figura N° 3 Entonces: ¦ § ¦ § ¦ § ¦ § f ( [.Teoría de Campos Versión 14/09/04 k(xk.y2) x (x. y en em) [2] b1 .y) j(xj. se cumplirá: ¤   1 Aclaremos que la variación supuesta del potencial dentro del EF podría haber sido No Lineal. para todo el recinto. \ ) [1] ¡ £ em f2(x2.

2° Calcular los factores b.Teoría de Campos Versión 14/09/04 Esta sería una aproximación de primer orden. \ 2 ) = b1 + b 2 [ + b 3 \    f ( [ 3 . k son 1. a partir de las condiciones de borde. Existen otras aproximaciones de orden superior. De aquí en más no se escribirán los superíndices em para no recargar la notación (salvo cuando sea necesario para evitar confusiones). supongamos conocidos (por ahora) los potenciales f1. Para eso. Notemos que el campo eléctrico dentro del cada EF es cte (para la variación lineal del potencial propuesta):      ( ( [. \1 ) = b1 + b 2 [ + b 3 \ f ( [ 2 .3 tenemos: f1 ( [1 . b3. \ 2 ) = b1 + b 2 [ 2 + b 3 \ 2 f 3 ( [3 . \1 ) = b1 + b 2 [1 + b 3 \1 f 2 ( [ 2 . en forma matricial: Î1 [1 [f ] = Ï1 [ 2 Ï Ï1 [3 Ð \1 Þ Î b1 Þ \ 2 ß.b 2 [ + b 3 \ [3] Ahora tenemos que seguir 2 caminos diferentes para resolver el problema: 1° Calcular los potenciales de los nodos de los EF dentro del recinto.Método de Elementos Finitos . \ ) = -¶f ( ( ( [. &DOFXOR GH ORV IDFWRUHV GH IRUPD Mostremos primero el segundo punto. Evaluando la expresión [2] en los vértices del triángulo: f ( [1 . \ 3 ) = b1 + b 2 [ + b 3 \   [4]  Si i. Esto se efectúa mediante cálculos variacionales (ver más adelante) u otros métodos como el Método de los Residuos ponderados de Gaerlekin. Los b son coeficientes a determinar luego. esto significa primero calcular los potenciales de los nodos f1. f3 y luego calcular los factores b1. f2. 2 . una vez calculados los potenciales.Ï b 2 ß ßÏ ß \3 ß Ï b 3 ß àÐ à 3   [5] [6] . j. \ 3 ) = b1 + b 2 [3 + b 3 \ 3 de manera que. Para un EF solo. f3 del elemento. b2. pero el lector no debe olvidarse que estos cálculos valen para cada elemento finito. \ ) = . f2.

Para i=1.f N 2$ 1 b3 = FL .f N 2$ ( ( ( ) ) ) [9] donde: E =\ -\ "  D =[ \ -[ \     #  ! $ F =[ -[ [10] Las constantes a.[ 2 \1 Þ Îf1 Þ \1 . j=2 y k=3 tendremos. en forma matricial: f ( [.[1 \3 \3 .Método de Elementos Finitos .Ïf 2 ß ß Ï ß \3 ß Ïf 3 ß à Ð à 1 [7] Este despeje será posible (solución única) si el determinante: Î1 [L 2 $ = Ï1 [ M Ï Ï1 [N Ð donde A es el área del EF.f M + EN .\1 [1 .f N 2$ 1 b2 = EL .\ 2 ß.f M + D N .[1 ß Ïf 3 ß àÐ à [11] donde “Aem” es el área de cada elemento finito “em” ya que los EF pueden ser de distintos tamaños (en un mismo recinto). b3:  Î b1 Þ Î1 [1 Ï b ß = Ï1 [ 2 Ï 2ß Ï Ï b 3 ß Ï1 [3 Ð à Ð \1 Þ Îf1 Þ \ 2 ß .[3 [1 \ 2 . \ ) = [1 [ % Î [ 2 \ 3 . Recuérdese que también estas constantes tienen el superíndices em (porque se deben calcular para cada EF) pero no se han escrito para no complicar la notación.f L + E M .Ïf 2 ß ßÏ ß [ 2 .\3 2$ Ï Ï [3 .f L + D M .[ 2 Ð [3 \1 . reemplazando en [2] tenemos: \L Þ \Mß ž 0 ß \N ß à [8] b1 = 1 D L . El determinante 2A nunca será 4 .f M + FN . b2.[3 \ 2 1 Ï \] \ 2 .f L + F M .Teoría de Campos Versión 14/09/04 despejando b1. b y c se obtienen por permutación cíclica de los subíndices.

Se observa la facilidad de programación. de elección de tamaño y tipo de EF. \ ).f 3 ( ) 0 0 1 En forma matricial tendremos. Son distintos para cada tipo de elemento.f = [ 1 ]. Observen que estamos interpolando linealmente el potencial en todo el EF al contrario que en el método de Diferencias Finitas. Estos potenciales los calcularemos en el párrafo que sigue a través de consideraciones energéticas (cálculo variacional).f [15] [16] 5 .Método de Elementos Finitos . de interpolación. \ ). \ ) = 1 1 ( [. \ ). \ ). \ ) = Ê1 3 1 [12] [13] ( [. El método DF nos dá correctamente el potencial en cada nodo de una malla regular pero el método FEM nos dá el potencial “correcto” en todos los puntos del recinto. son los potenciales de cada nodo del triángulo. etc.f1 + 1 2 ( [. \ ) = 1 ( [.f + 1 ( [. pero esto ya no sería parte del método. \ )] Îf L Þ [f ] = Ïf M ß Ï ß Ïf N ß Ð à H Las funciones 1 ( [. para este caso: C A B f 7 " 8 0 9 @ ( ) f ( [.f 2 + 1 3 ( [.f + 1 ( [. como en EF). Cada Nj constituye la fracción con que el potencial de cada nodo del EF contribuye al potencial en cualquier punto dentro del mismo EF. \ ) se denominan “Factores de Forma”. \ ). en general: 2 2 3 3 4 4 5 5 6 2 f ( [. vemos que para este caso podemos expresar el potencial dentro de cualquier elemento “em” en función de los tres potenciales de nodos como: & ' f ( [. Escribamos explícitamente los factores de forma de manera general. \ ) 1 ( [. \ ). \ ).[f ] donde [ 1 ] = [ 1 ( [. en donde sólo podíamos saber los potenciales en los nodos de la malla (y luego interpolar.Teoría de Campos Versión 14/09/04 nulo ya que representa el área de un triángulo por lo que la solución del sistema [4] existe y es única Finalmente. \ ) 1 ( [. dentro de los errores de aproximación. El potencial dentro de cada EF queda así interpolado por una función de interpolación [13] entre los potenciales de cada nodo del triángulo.

Tomemos el caso electroestático. en simetrías plano-paralelas: Ë ›f Û Ë ›f Û ( = -¶f à ( = Ì Ü + Ì Ü Ì Ü Í ›[ Ý Í ›\ Ý 2 2 2 s = ' =e I ›f ›Q reemplazando [18] y [19] en [17] nos queda: 8 = I (f ( [. \ ) = D +E [+F \ D +E [+F \ D +E [+F \ f + f + f 2$ 2$ 2$ [14] [17] [18] [19] [20] . f3 que haga mínima la energía dentro del EF y luego. la función que hace mínimo ese integral es una recta. Necesitamos encontrar los fj tal que U sea mínimo en cada EF y luego en todo el recinto. es decir. \ )) en donde U es la “funcional” y f(x. sabemos que. Esto se conoce como PpWRGR YDULDFLRQDO Cuando buscamos el/los extremo/s de una función debemos derivar e igualar a cero. f2.Teoría de Campos Versión 14/09/04 D D D E E E E F F F F H G &DOFXOR GH ORV 3RWHQFLDOHV GH ORV QRGRV SRU HO 0pWRGR 9DULDFLRQDO Para calcular los fj de los nodos del triángulo vamos a pedir que la energía dentro del EF sea mínima. la función lineal. Cuando aplicamos el método variacional lo que queremos encontrar es toda una función que hace mínima una integral. 6 D f ( [. vamos a elegir la solución de potenciales f1.Método de Elementos Finitos . La energía electroestática total en un volumen “v” será la suma de la energía almacenada volumétrica (debida a cargas volumétricas y a campos exteriores) más la energía almacenada debida a la carga superficial: 8= 1 2 × e( GY + × rfGY + × sfGV 2 por otro lado.y) es el “argumento de la funcional”. Si tomáramos la integral que nos da la distancia entre 2 puntos en el plano euclidiano ¿cuál sería la función que se obtendría? Claramente. dentro de todo el recinto de cálculo.

recordemos las condiciones de borde a utilizar: Recinto S1 S2 Figura N° 4 S1. pero la condición de Neumann homogenea (llamada también en los libros Condición Natural) se satisface automáticamente debido al procedimiento variacional (sin demostración. Tenemos que armar el “funcional” para este problema.GV 2 ÏÍ ›[ Ý Ì ›\ Ü e ß Í Ý Ð à 2 [23] Si los fj son los correctos. un conductor con densidad superficial s=h. Será: 2 2 e ÎË ›f Û Ë ›f Û r Þ . Condición de Dirichlet f ( 6 2 ) = FWH. Si h=0. (f ) = × ÏÌ Ü + Ì Ü + f ß GW . Importante: La condición de Dirichlet la tendremos que insertar como dato dentro de nuestro procedimiento. S2. Condición de Neumann ›f ›Q P [21] = KÃs = K 2 [22] es decir.f . = 0 pero R Q 7 . tendremos la condición de Neumann homogénea (es la condición de perpendicularidad con las equipotenciales de una línea de campo o de una línea de simetría). consultar las referencias al final). para pequeños df se cumplirá: G.Teoría de Campos Versión 14/09/04 Antes de ver cómo se lleva a cabo esto.× K.Método de Elementos Finitos .

Método de Elementos Finitos .Teoría de Campos Versión 14/09/04 G.× K .GW . = ›. y esta es la ecuación que se debe resolver. f ) Ï ß = {. = 0 . = ›f s t ÎË 3 ›1 Û ›1 Ë 3 ›1 Û ›1 Þ N ÏÌ Ê f Ü + ÌÊ × ÏÌ 1 ›[ Ü ›[ Ì 1 ›\ f Ü ›\ ß.1 GW . Gf ›f entonces: ›.Ê 1 f G6 [26] Ü Ì ›\ Ü ÏÌ ›[ 1 ß 1 1 1 Ý Í Ý ÐÍ à 2 W V Introducir f ( [.{ + { = [0] { Ð ›f à 3 3 3 1 3 1 3 1 €  €  €  [ ][ ] [ ] 8 t w u t w x v yv v w x ›.1 G6 [27] c c f b e d c c c f b c qr c c f b i c c f b h i i e . entonces llamando fe al término de fuente (J o r) y ke al término que tiene en cuenta el material (e. las ecuaciones [23] y [24] se cumplen para cada uno de los elementos en que se ha subdividido el recinto. es decir: S U T U t  € T i yv S Nos quedará un “funcional” . ›f [24] En la ecuación [23] debemos introducir los potenciales en función de los factores de forma que habíamos sacado antes. (f ) y luego derivar e igualar a cero. ya que los f son constantes. \ ) = Ê1 3 U ( [. Ê ›[ 1 1 ›[ p p i p p Derivando respecto del parámetro incógnita: s s s s s s s s t s s v s s s v s 2 Teniendo en cuenta que sólo los N dependen de x e y.Ê 1 f ß. \ ).f en . ›f =0 × N 2 2 2 ÎË › 3 Þ 3 3 Û Ë › 3 Û ÏÌ Ê 1 f Ü + Ì Ê 1 f Ü + I . = g c h i X ›. Þ . (f ) por cada EF y derivando: aY ` más rigurosamente.× K.GW + Ü ß Ý Í Ý ÐÍ à ×I . 1 [25] [28] . nos queda un sistema de ecuaciones en donde las incógnitas son los potenciales fj (en este caso 3 ecuaciones con 3 incógnitas): Î ›. y teniendo cuidado con los subíndices al reagrupar. m) tendremos: b b b b b b b b c pero 3 ›1 › 3 1 f =Ê f .

b. dividido en 2 elementos finitos triangulares. según el EF finito esté en una zona de fuente o no.E + F . ke y fe asumen los siguientes magnitudes según el caso de estudio: Campo Electroestático Magnetoestático Corrientes Estacionarias Potencial f A f k e 1/m s f r/e mJ 0 Lo anterior valía para un EF.[ . Se quiere calcular las corrientes y 4 y=1 3 2 1 1 Figura N° 5 x X=2 2 9 … † … † † … ‡ ‡ 4$ ‚ ƒ ‚ ƒ „ .Teoría de Campos Versión 14/09/04 en donde: … ‡ para las ctes. Si queremos extenderlo para todo el recinto tendremos: [. de la cual despejamos todos los potenciales incógnita de todos los EF del recinto. c con subíndices j y k se permuta cíclicamente.F Ñ E =\ -\ Ô y ÒD = [ . ‘ ˆ ) = I ˆ‰ $ $ [30] ó ) = 0 . el potencial. La matriz [K] se llama “matriz de ensamblaje” o “matriz de rigidez”. ][f ] + [) ] = 0 . (MHPSOR Sea el siguiente recinto de calculo sencillo en una simetría planos paralela. a. 3 3 En general.[ Ô F =[ -[ Ó [29] [31] .Método de Elementos Finitos .[ . =N „ ƒ‚ † E .

Desarrollamos linealmente el potencial de cada EF: Método de Elementos Finitos .f1 + 1 2 ( [. Si se trata de un caso de corrientes estacionarias. 2 + .f 2 + 1 3 ( [. 41 43 44 ¿Como se genera esta matriz?: Tomemos como ejemplo el K31 en donde tenemos: K31=31/31. \ ). del cuadro anterior tenemos: N = s \ I = 0 ..f 3 + 1 4 ( [. \ ). Cada EF tendrá su matriz de ensamblaje. Esto significa “El potencial f3 se influencia con el potencial f1 a través de los EF N° 2 y N° Por eso ponemos 31/31 1”.Teoría de Campos Versión 14/09/04 f 1 ( [. + .estacionarias dentro del recinto de conductividad s (equipotenciales y líneas de corriente).f 4 [32] [33] Debemos generar la “matriz de ensamblaje” o “matriz de rigidez” total. de manera que: f f 10 ’ 31 ˜ 33 ˜ 34 ’“ ’ ˜ ˜ ˜ 31 ˜ 32 33 ’ 21 ˜ 22 ˜ 23 ’ ’ ’ ˜ ˜ 11 13 14 ’ ˜ ˜ ˜ 11 ˜ 12 13 ” ˜ ˜ ˜ — ˜ • • • • • • • •– f1 f 1 . 1 + . escribiremos el valor de Kij del EF N° 2 debajo de una barra inclinada y del EF N° arriba: 1. para todos los EF. ver figura). = . \ ) = 11 ( [..LM/ 2 = 2 f3 f4 f1 f2 f3 f4 [34] . Para no tener que escribir 2 matrices (una para cada EF) vamos a escribir una matriz sola en donde en cada elemento de la misma. Si tuviéramos n elementos finitos en el recinto. En este caso tendremos un matriz de 4x4 (4 potenciales en total.f 3 f 2 ( [. Si tomamos el K42. \ ). \ ). \ ). Los datos son los potenciales f3. Por supuesto debemos calcular cada Kij por separado. vemos que esta vacío: …/… lo que significa “El potencial f2 no se influencia con el potencial f4 a través de ningún EF” Por último tomemos el K23: 23/… que significa “El potencial f2 se influencia con el potencial f3 sólo a través del EF N° 1”.f1 + 1 3 ( [. \ ) = 11 ( [. deberemos generar n matrices Kij en donde los casilleros de la matriz total KijT estarán formados por la suma de los Kij de cada EF: ™ ƒ‚ ƒ‚ ƒ‚ d eƒ ‚ . f4 y las incógnitas serán los potenciales f1. \ ). f2.

4ß ß ß ßà . ][f ] + [{] = 0 . = Ï 4Ï 0 -4 Ï 0 Ï Ï -4 Ð 0 -4 4 1 0 Þ .[1 = 2 . ) 0 en general.Teoría de Campos Versión 14/09/04 [.\ 3 = 0 . ß .1 0 . c con las fórmulas [11] Elemento Finito N° 1: E1 = \ 2 .2 = 0 F2 = [1 .Método de Elementos Finitos . ) 0 [35] De este sistema de ecuaciones tendremos que sacar los potenciales fj.0 = 2 de la misma manera: D1 = 2 D2 = 0 D3 = 0 Ahora podemos calcular los Kij de cada elemento.\ 2 = 0 F1 = [3 . Pero primero calcularemos los coeficientes a. esta ecuación se puede separar en submatrices de valores Dato (D) y valores Incógnita (I): 11 . es decir: [.4 Teníamos que resolver la ecuación [35].[ 2 = 2 .F1 s s = [(-1)(-1) + 0.2 = -2 F3 = [ 2 . por ejemplo 1 .1 = -1 E2 = \3 .1ß Ï ß -4 5 à Ð. ][f ] + [{] = 0 .\1 = 1 . b.4 ß = Ï 4 Ï 0 .1ß ß 5 ß à g -4 Î 5 .4Þ Ï ß s -1 5 .4 5 .11 = s E1 .0 = 1 E3 = \1 .[3 = 0 .0] = 4$ 4 4 de la misma manera podemos calcular el resto de los kij.E1 + F1 . La matriz nos queda: Î 1 -1 Ï 4 Ï -1 5 s Ï 1/ 2 .

(100) = 0 4 4 Ó4 (¡independiente de s!) cuya solución es: f1 = 200 3 y f2 = 200 3 ahora podemos calcular los IDFWRUHV GH IRUPD: Elemento N° 1: 1 1 1 ( [.(5).(-1).f1 + 5.2 \) 2 1 H 1 1 1 ( [. Þ Î f Þ Î ) Þ Î0 Þ ß.f1 + . .f 2 + 400 = 0 ÃÒ 1 Òs s s Ó.f .f + . 2.1 2 1 1 1 ( [.[) 2 .2 \)f 2 + 2 \f 3 ] 2 1 f 2 ( [. .Ïf ß + Ï ) ß = Ï0ß àÐ à Ð à Ð à [36] La submatríz dato contiene la información de las fronteras con la condición de Dirichlet.Método de Elementos Finitos . Ð h .5. \ ) = H 1 ( [ . .Teoría de Campos Versión 14/09/04 i h i h h jh l k h i ii k i Î.(-100) = 0 Ñ 5.2 \ )f1 + [f 3 + (2 \ .f1 + 4 . \ ) = 1 [(2 . Ï.(-4).[ )f 4 ] 2 Finalmente después de desarrollar: 12 . \ ) = [(2 .f 2 + 4 . \ ) = 1 [2 + (-1) [ + 0.f 2 .f + ) = 0 de la cual se puede despejar fI con los potenciales incógnita f1 y f2.(-4).(-1). reescribiendo el potencial de cada EF: f 1 ( [. de la primera ecuación sale: . \ ) = ( 2 \ ) 2 de la misma manera se hará para calcular los Nie2 para el EF N° entonces.400 = 0 Ô .[)f1 + ( [ .f 2 + . Para nuestro ejemplo nos queda: k l kk m [37] s s Ñs Ô 4 . \ ] = 1 (2 .

“An Introduction to Finite Element Analysis”.De Vries. “El método de Elementos Finitos en el cálculo de Campos Magnéticos en Máquinas Eléctricas”. “El método de EF aplicado al estudio de Campos Eléctricos y Magnéticos en Máquinas Eléctricas”. “Elementos Finitos para Ingeniería Eléctrica”. \ ) = - Figura N° 6 Estas notas han sido redactadas por el Ing. Ed.Método de Elementos Finitos . Wiley. K. 1986. Silvester. Academic Press.). Facultad de Ingeniería – UBA. Limusa 1989. Ariel Lichtig en base en la siguiente bibliografía: Apunte de cátedra de Teoría de CamposN° XVI-1997 “Elementos Finitos” Lópina -Rodriguez Tarrio. Facultad de Ingeniería – UBA. \ ) = + 100 [ \ 3 3 f 1 ( [. Silvester-Chari (Ed. Ernesto Kisielewsky y revisadas por el Ing. Beca de Investigación N° 8.L. Balbiano J. 1980. “Finite Elements in Electric and Magnetic Field Problems”. “The Finite Element Method Procedures”. Departamento de Electrotecnia. Departamento de Electrotecnia.Teoría de Campos Versión 14/09/04 200 200 100 + [+ 3 3 3 200 100 f 2 ( [. Trabajo Especial. Facultad de Ingeniería – UBA. Departamento de Electrotecnia.Ferrari Ed. Hector Laiz. Zienkiewicz. 1978 Para un estudio más profundo se recomienda: “Finite Element Method”. Norrie. Bathe 13 .

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