SFH 309 SFH 309 FA

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

SFH 309 SFH 309 FA

2.54 mm spacing

Area not flat 5.2 4.5 4.1 3.9

0.8 0.4

0.6 0.4 4.0 3.6

0.7 0.4

Collector (Transistor) Cathode (Diode)

1.8 (3.5) 1.2 29 6.3 27 5.9

ø3.1 ø2.9

Chip position
GEO06653

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im

Features
q Especially suitable for applications from

Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA) q Hohe Linearität q 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln”

380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm (SFH 309 FA) q High linearity q 3 mm LED plastic package q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits

Semiconductor Group

1

1999-02-04

feof6653

feo06653

In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse.. soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom. Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom. Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom. soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse. τ < 10 µs Collector surge current Symbol Symbol Wert Value – 40 . Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.SFH 309 SFH 309 FA Typ Type SFH 309 SFH 309-3 SFH 309-4 SFH 309-5 SFH 309-61) 1) 1) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P859 Q62702-P997 Q62702-P998 Q62702-P999 Q62702-P1000 Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 309 FA (*SFH 309 F) SFH 309 FA-2 (*SFH 309 F-2) SFH 309 FA-3 (*SFH 309 F-3) SFH 309 FA-4 (*SFH 309 F-4) SFH 309 FA-5 (*SFH 309 F-51)) Bestellnummer Ordering Codes Q62702-P941 Q62702-P174 Q62702-P176 Q62702-P178 Q62702-P180 Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs. Tstg TS TS 300 °C VCE IC ICS 35 15 75 V mA mA Semiconductor Group 2 1999-02-04 . + 100 260 Einheit Unit °C °C Top..

. 1150 730 .SFH 309 SFH 309 FA Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d) Bezeichnung Description Verlustleistung.. E = 0 0.. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Symbol Symbol SFH 309 λS max λ 860 Wert Value SFH 309 FA 900 nm Einheit Unit Symbol Symbol Wert Value 165 450 Einheit Unit mW K/W Ptot RthJA 380 .45 2. E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V.2 0.8 0. f = 1 MHz. pF nA CCE ICEO Semiconductor Group 3 1999-02-04 .0 1 (≤ 200) ± 12 5..0 1 (≤ 200) Grad deg...4 . 1120 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm) A Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazität.2 0. VCE = 0 V.. TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C.8 mm2 mm × mm mm L×B L×W H ϕ ± 12 5.45 2. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. 2.4 . 2.45 × 0..45 × 0.

0 1.63 . Bezeichnung Description Fotostrom..8 5 6 7 8 µs VCEsat 200 200 200 200 mV IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. VCC = 5 V.5 4. 2.SFH 309 SFH 309 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet..5 mW/cm2 1) 1) Symbol Symbol -2 -3 Wert Value -4 -5 Einheit Unit IPCE IPCE tr.5 7. 3. Ee = 0. tf 0..0 .8 0. 1. 0. VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures... 1..3. photocurrent of the specified group Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4 1999-02-04 . λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0. RL = 1 kΩ Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.4 . Normlicht/ standard light A.2 mA 25 1..2 mA 2.6 . VCE = 5 V SFH 309: Ev = 1000 Ix.5 mW/cm2..

2 0 -25 10 -1 -25 0 25 50 75 ˚C 100 TA 0 10 -2 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 V CE 0 25 50 75 C 100 TA Semiconductor Group 5 1999-02-04 .0 0.6 0.5 10 0 1.4 10 1 2. E = 0 5. SFH 309 FA Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee).6 OHF01524 C CE pF 4.SFH 309 SFH 309 FA Relative spectral sensitivity.4 Ι PCE 1.2 3.5 2.0 OHF01528 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA). Ee = Parameter Dark current ICEO = f (VCE).5 0.0 10 2 1. E = 0 Ι CEO 10 3 nA OHF01530 Capacitance CCE= f (VCE).0 1. SFH 309 Srel = f (λ) 100 OHF01121 Relative spectral sensitivity. VCE = 5 V Ι PCE 25 1.0 1. VCE = 25 V.8 0. f = 1 MHz.0 0. VCE = 5 V S rel % 80 60 40 20 0 400 600 800 1000 nm 1200 λ Total power dissipation Ptot = f (TA) Photocurrent IPCE = f (VCE).5 3. E = 0 Ι CEO 10 1 nA OHF01527 10 0 10 -1 10 -2 10 -3 0 5 10 15 20 25 30 V 35 V CE Dark current ICEO = f (TA).