UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE CHIHUAHUA

Reporte de Prácticas

TÉCNICO SUPERIOR UNIVERSITARIO EN MECATRÓNICA
Materia: Reporte: Grupo Integrantes: SENSORES

Practica 1-4
MT21M Matricula 1110120457

Aldo Uriel Carrizales
Chihuahua, Chih, (20/02/2011)

En esta práctica se comprobó el funcionamiento de los transistores se armo el circuito y vimos su comportamiento al aumentar o disminuir el potenciómetro. . Al comprobar que funcionaran correctamente se armo un circuito para el transistor PNP como el siguiente: Mecatrónica Página 2 de 17 .5k Ohm  Fuente de C. Al invertir las puntas la lectura tendió a infinito.D. voltajes e intensidades de sus terminales. Para los NPN primero se pone la positiva en la base y el común en el emisor y luego en el colector.  Resistencia de 100 Ohm  Osciloscopio  Multímetro. su funcionamiento. Desarrollo  Material:  Transistor PNP (2N3906 o 2N2222)  Transistor NPN (2N3904)  Resistencia de 1k Ohm  Pot de 2.Reporte de Práctica INTRODUCCION En esta práctica se comprobara el funcionamiento de los transistores NPN y PNP.

9Ma 1Vp 0. y con el osciloscopio el voltaje de colector-emisor. de emisor y de base.5k Ohm Pot a 0 Ohm 6. Primero con el pot en los 2.8mA 5.5mA 0.33mA IC 0. de colector-base y de base-emisor.8Vp VCE 3Vp 2.8Vp 16mVp Después se armo uno para los NPN como el siguiente: Mecatrónica Página 3 de 17 . IE Pot a 2.Reporte de Práctica 1 R1 1k Q1 2N3906 R2 100 J1 5 12 V Key = A 3 12 V 4 2 R3 8 5k 50% Key=A J2 7 Key = A V1 6 V2 En el cual se midió con el multímetro la corriente de colector.33mA IB 002microA VEB 0.65Vp VCB 2.5k Ohm y después con el pot en 0 Ohm o en su resistencia más baja anotando los resultados obtenidos en una tabla.

87mA 0.41mA 0A .7Vp .9Vp 8mVp CONCLUSIONES Al aumentar la resistencia en el potenciómetro el amperaje baja dentro del circuito y al bajar toda la resistencia del potenciómetro la intensidad aumenta lo mismo pasa con el voltaje.Reporte de Práctica 13 R4 1k Q2 2 3904 16 R6 15 5k Key= 14 Key = 50% J4 9 12 3 4 10 Key = 11 12 R5 100 12 En el cual se midieron los mismos datos que en el PNP primero con el pot en 2.1mA IB 0a VEB 0. Mecatrónica Página 4 de 17 .3Vp 0.6Vp VCB 2.5k Ohm y después en 0 Ohm dando los siguientes resultados.- IE Pot a 2.6Vp VCE 3.5k Ohm Pot a 0 Ohm 0.09mA IC 0.

7V VCE_corte=VCC CUANDI IC=0Ma IC_SAT=VCC/RC CUANDOVCE=0V Se requieren conocimiento de circuitos electricos y algunas configuraciones de los componentes electronicos asi como saber medir voltaje. resistencia.-El alumno comprobara teórica y prácticamente el funcionamiento de un transistor en polarización fija. intensidad y el tipo de funcionamiento del transistor y posibles fallas que hemos aprendido de las practicas.Reporte de Práctica Polarizaciòn fija del transistor BJT Objetivo.2 KŸ IB=(VCC-VBE)/RB IC=B*IB VCE=VCC-IC*RC VCE=VC-VE VCE=VC VBE=VB-VE VBE=VB VE=0V B=IC/IB VBE=0. Material: Multimetro Transistor 2N3904 Fuente de 12 v Resistencia de 470 KŸ Resisitencia de 2.2k VC V C V Mecatrónica ¡   I Q   Q1   2N3904 V Página 5 de 17 . Diagrama VCC 12V RB 470k ICQ RC 2.

4698V 5.611V 4.78V 218 12V 2.2k Q1 2N3904 SIMULACION IBQ VB VBC VC ICQ VCEQ VE B VCC 1.389V 218 12V 3.024A 0.909V 3.96V 11.71V 0..4698V 5.24V 218  Mecatrónica 12V =5.1698V 0. EXPERIMENTALES IBQ VB VBC VC ICQ VCEQ VE B VCC 0.Reporte de Práctica PROCEDIMIENTO 1.573mV 2.241mA Página 6 de 17 .-Realice el circuito de simulacion con la beta (B) obtenida en la experimentacion y llene la tabla.-Deasarrole los cálculos teóricos para llenar la siguiente tabla TEORICOS IBQ VB VBC VC ICQ VCEQ VE B VCC 0.02A 0.241mA 0.8V 11.108A 700. Calcular y tomar las mediciones correspondientes para llenar la tabla.611V 8. VCC 12V RB 470k RC 2.96mA 1.229mA 3.72V 1.El circuito de la figura de arriba representa el transistor NPN en polarizacion fija implemente el circuito antea de simularlo.76V 4.

en la simulación y en el circuito los valores son muy semejantes por que el simulador usa valores reales de los componentes y en los cálculos ya no se maneja eso si no que es mucho más exacto.4698V-(-0.4698V 4.1698V VCE=12V-(2.-Que se puede hacer para llevarlo a la región de saturación. Material: Multimetro Transistor 2N3904 Fuente de 12 v Resistencia de 470 KŸ Resisitencia de 2..En que región de operación se encuentra el transistor.024A VCE=12V-(RC VC=VCE=0. lineal y la de corte.7V)=1.-Recta de carga 7.024A*470000Ÿ)=0.72V VBC=0.7V VCE_corte=VCC CUANDI IC=0Ma IC_SAT=VCC/RC CUANDOVCE=0V Mecatrónica Página 7 de 17 .-Conclusión En la práctica podemos concluir que el transistor en polarización fija las diferentes mediciones que se hicieron varían por las diferentes valor que se manejan.4648V VB=VCC-(IBRB) VBC=VC-VCE VB=12V-(0.2* =0.2 KŸ 2Capacitores 10uF IB=(VCC-VBE)/RB IC=B*IB VCE=VCC-IC*RC VCE=VC-VE VCE=VC VBE=VB-VE VBE=VB VE=0V B=IC/IB VBE=0. 5.Reporte de Práctica =0. 6.

Reporte de Práctica Diagrama VCC 12V RB 470k ICQ RC 2. Calcular y tomar las mediciones correspondientes para llenar la tabla.78V 218 12V 2. VCC 12V R1 470k R2 2.2k VC VBC C1 10µF IBQ Q1 VB 2N3904 VE C2 10µF Simulado en MULTISIM 11 (professional). PROCEDIMIENTO 1.02A 0.2k C2 10µF C1 10µF Q1 2N3904 Mecatrónica Página 8 de 17 . EXPERIMENTALES IBQ VB VBC VC ICQ VCEQ VE B VCC 0.-Realice el circuito de simulacion con la beta (B) obtenida en la experimentacion y llene la tabla.71V 0.8V 11.96V 11.96mA 1.76V 4..El circuito de la figura de arriba representa el transistor NPN en polarizacion fija implemente el circuito antea de simularlo.

909V 3.1698V 0.389V 218 12V 3.-Conclusión En la práctica podemos concluir que el transistor en polarización fija las diferentes mediciones que se hicieron varían por las diferentes valor que se manejan.4698V 5.24V 218 4.241mA 0.-Que se puede hacer para llevarlo a la región de saturación. Mecatrónica Página 9 de 17 .Reporte de Práctica SIMULACION IBQ VB VBC VC ICQ VCEQ VE B VCC 1. lineal y la de corte. en la simulación y en el circuito los valores son muy semejantes por que el simulador usa valores reales de los componentes y en los cálculos ya no se maneja eso si no que es mucho más exacto.024A 0.611V 4.573mV 2. 6.En que región de operación se encuentra el transistor.-Recta de carga 12V 7.108A 700.611V 8..72V 1. 5.4698V 5.-Deasarrole los cálculos teóricos para llenar la siguiente tabla TEORICOS IBQ VB VBC VC ICQ VCEQ VE B VCC 0.229mA 3.

724V 2. intensidades y betas del circuito que se muestra en la parte de abajo además de adquirir algunos conocimientos teóricos acerca de cómo se calculan valores en un circuito en el cual hay un transistor.6V 5. además de cómo se puede determinar la región de operación de un transistor Mecatrónica Página 10 de 17 . Calcular y tomar las mediciones correspondientes para llenar la tabla.El circuito de la figura de arriba representa el transistor NPN en polarizacion fija implemente el circuito antea de simularlo.909V 5. PROCEDIMIENTO 1.489V 52 12V Conclusión: Esta práctica sirvió para ver la recta de carga algunos términos como el nivel de saturación .229mA 8.3V 9.54mA 3. Introducción: En esta práctica se comprobaran voltajes. el funcionamiento de un transistor en polarización por división de voltaje.71V 8. lineal y de corte.07V 8.611V 7.Reporte de Práctica Polarización por división de voltaje del transistor BJT Objetivo: el alumno comprobara teórica y prácticamente.894A 2.16V 11.8V 52 12V SIMULACION IBQ VB VBC VC ICQ VCEQ VE B VCC 0.73mA 4.. EXPERIMENTALES IBQ VB VBC VC ICQ VCEQ VE B VCC 4.

Reporte de Práctica Con capacitores INTRODUCCION Sin capacitores: sin capacitores Mecatrónica Página 11 de 17 .

el funcionamiento de un transistor en polarización por división de voltaje. Materiales:  1 Multímetro  1 Fuente 22V  1 Transistor 2N3904  1 Resistencia 39KŸ  1 Resistencia 10KŸ  1 Resistencia 1.5KŸ  1 Resistencia 3.Reporte de Práctica Polarización por división de voltaje del transistor BJT Objetivo: el alumno comprobara teórica y prácticamente.9KŸ  1 Capacitor 50 f  1 Capacitor 10 f Mecatrónica Página 12 de 17 .

de calcular y tome las mediciones correspondientes para llenar la tabla.9k R4 1.3V VCC 22V R1 39k R3 10k 2 2 3904 R2 3.41V A 12.5k RTH= =3.54KŸ VB= VCC= 2V Mecatrónica Página 13 de 17 . implemente el circuito antes de simularlo.11V 1.41V 13. Experimentales IBQ VB  2V VBC VC ICQ  VCEQ VE B 296 IEQ  VCC A 22 11.Reporte de Práctica Desarrollo El circuito de la figura de abajo representa un transistor NPN en polarización por división de voltaje.

5k VDD 2V Mecatrónica Página 14 de 17 .3V IC= = A IB= = 6 A B= = 1.11V VBC= VB-VC= 2V-V-13.43 VCE= VCC-IC (RC RE) =22VVC=VCE+VE= 12.3V=13.11V+1.Reporte de Práctica VE= VB-VBE= 2V-0.41V=11.41V VCC 22V RC 10k Q1 RTH 3.41V IC=IE= A A (11.54k 2N3904 RE 1.7V= 1.5 K ) =12.

41V 13.41V A 12.576V 4: Simulacion con capacitores Mecatrónica Página 15 de 17 .6V B 1.11V 1.41V ICQ  A VCEQ 11.43 IEQ  VCC A 22 11.41V VC 13.43 IEQ  A VCC 21.3V Experimentales IBQ  VB 1.936V VE 1.598V VBC 11.Reporte de Práctica 2: Realice el circuito de simulación con beta (B) obtenida en experimentación y llene la tabla correspondiente Experimentales IBQ 6 A VB 2V VBC VC ICQ  VCEQ VE B 1.

Para lograr hacer eso se tiene que modificar las resistencias del emisor y colector ya sea aumentarlas o disminuirlas para logra el punto de corte o saturación.-Recta de carga Mecatrónica Página 16 de 17 .3V B 296 IEQ  VCC A 22 11. 6.11V VE 1. En estado de actividad 5.-Que se puede hacer para llevarlo a la región de saturación. lineal y la de corte.5V VBC VC ICQ  VCEQ A 12.En que región de operación se encuentra el transistor..Reporte de Práctica Experimentales IBQ 6 VB A 1.41V 11.41V Como podemos ver los valores son similares pero en VB Y VC los valores cambian esto debido a que los capacitores están conectados directamente con ellos 4.

además de cómo se puede determinar la región de operación de un transistor. Mecatrónica Página 17 de 17 . lineal y de corte.Reporte de Práctica CONCLUSIONES Esta práctica sirvió para saber como encontrar o medir nivel de saturación.