Escuela Politécnica del Ejército

TEMA:

UJT TRANSISTOR MONO UNIÓN

OBJETIVO PRINCIPAL
Comprobar el funcionamiento del UJT, comparar valores teóricos y prácticos. Finalmente obtener las formas de onda en 𝑉𝐵1 , 𝑉𝐵2 y emisor.

OBJETIVOS SECUNDARIOS
Obtener teóricamente los valores característicos del transistor mono unión, compararlos con los valores obtenidos en la práctica. Armar el circuito del UJT oscilador de relajación medir los valores de corriente y voltaje, compararlos con los obtenidos teóricamente. Tomar formas de onda con el osciloscopio en los terminales del UJT, analizar cada una de ellas.

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Autores:

Wilson Pavón

Alex Correa

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MARCO TEÓRICO
UJT TRANSISTOR MONO UNIÓN

El transistor UJT (transistor de uni-juntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN. Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando así una unión PN. Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: - n = parámetro intrínseco de inactividad radio (dato del fabricante). - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases. La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura. El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR.
Ilustración 1 UJT

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En la gráfica de la ilustración 2 se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos críticos: punto de pico o Voltaje y Corriente pico (Vp, Ip) y punto de valle (Vv, Iv). Estos puntos a su vez definen tres regiones de operación: región de corte, región de resistencia negativa y región de saturación, que se detallan a continuación:

Ilustración 2 Funcionamiento UJT

Región de corte En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación:

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Donde la VF varía entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25ºC. El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB. Región de saturación Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrará de forma natural a la región de corte. En la ilustración 2 también se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2 = 0). Esta curva tiene una forma similar a la característica eléctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor. Características del UJT utilizado 2N2646*

Ilustración 3 Características del 2N2646

* Hoja de características (completo) del UJT 2N2646 en ANEXOS

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RECOLECCIÓN DE DATOS 1. Lista de elementos eléctricos
Tabla 1 Lista de elementos Cantidad 1 1 1 1 1 1 Elemento UJT SW capacitor Resistencia Resistencia Resistencia 2N2646* Baja corriente, normalmente abierto 100uF cerámico 100kΩ 470Ω 100Ω Características

* Hoja de características, incluido en anexos.

2. Elementos de alimentación y medición
   Multímetro digital (óhmetro, voltímetro y amperímetro). Fuente de alimentación de corriente continúa. Osciloscopio.

3. Procedimiento
3.1. Mida 𝑟𝐵𝐵 con un óhmetro. La medición realizada entre B1 y B1, realizado con un óhmetro digital fue: 𝒓𝑩𝑩

= 𝟓. 𝟔 𝒌𝛀
3.2. Armar el siguiente circuito.

B2
(+) +88.8
Amps

Q1
UJT

E B1
Ilustración 4 Primer circuito armado

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3.3. Calibrar la fuente de alimentación hasta que la corriente medida en el emisor sea. 𝐼

= 5 [𝑚𝐴]
Tomar los datos necesarios para llenar la tabla. Tabla 2 Mediciones Circuito 1

Variable 𝑉𝐸𝐵1 𝑉𝐵1𝐵2 𝑉𝐶𝐷 fuente 𝐼𝐸

Medición 0.8 0.2 0.8 5

Unidades [V] [V] [V] [mA]

FUENTE

CORRIENTE EMISOR

VOLTAJE INTRABASE

Ilustración 5 Medición circuito 1

3.4. Armar el siguiente circuito en donde se ha dado la vuelta el UJT.

B1
(+) +88.8
Amps

Q1
UJT

E B2
Ilustración 6 Segundo circuito

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3.5. Repetir procedimiento anterior Tabla 3 Medición segundo circuito

Variable 𝑉𝐸𝐵1 𝑉𝐵1𝐵2 𝑉𝐶𝐷 fuente 𝐼𝐸

Medición 1.2 0.62 1.2 5

Unidades [V] [V] [V] [mA]

FUENTE

CORRIENTE EMISOR

VOLTAJE INTRABASE

Ilustración 7Medición circuito 2

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3.6. Armar el siguiente circuito. Fuente de alimentación. 𝑉 = 15[𝑉]
(1)

R1
100k

R2
470

Q1
UJT

C1
100u

R3
100

Ilustración 8 Circuito Oscilador de relajación

3.7. Asegurar que 𝐶𝐸 este descargado (recordar utilizar un capacitor cerámico). 3.8. Cierre SW y medir las siguientes variables que se muestran en la siguiente tabla.

Ilustración 9 Circuito Implementado

Ilustración 10 Medición de voltaje sobre el capacitor

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Ilustración 11 Medición de voltaje sobre la resistencia R1

Las medidas que se han obtenido las escribiremos en la siguiente tabla. Variable 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝑅1 Medición 6.65 0.44 Unidades [V] [V]

Ilustración 12 Medición circuito oscilador de relajación

3.9. Armar el circuito oscilación de relajación. Fuente de alimentación. 𝑉 = 10[𝑉] 3.10.Asegurar que 𝐶𝐸 este descargado (recordar utilizar un capacitor cerámico). 3.11. Cierre SW y medir las siguientes variables que se muestran en la siguiente tabla.

Ilustración 13 Medición del voltaje sobre el capacitor

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Ilustración 14 Medición de voltaje sobre la resistencia R1

Las medidas que se han obtenido las escribiremos en la siguiente tabla.
Tabla 4 Medición circuito alimentación 10V

Variable 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝑅1

Medición 4.72 0.29

Unidades [V] [V]

Ondas UJT
3.12. Coloque las puntas del osciloscopio en la B2, B1 y emisor. 3.13. Obtenga las gráficas en cada punto.

Circuito oscilador de relajación alimentación 15V
Gráficas EMISOR Se observa la carga y descarga del capacitor, en el tiempo de la acción del UJT. El voltaje pico de esta onda es: 𝑉𝐶𝐸 = 10.6 [𝑉]
Ilustración 15

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La ilustración 16 muestra además, una mejor

medición de el período de esta señal que cae sobre el capacitor.

Ilustración 16

Gráficas B2 El disparo en B2 es negativo mayor en

amplitud que en el B1. La ilustración 17

utilizaremos para calcular el tiempo de retardo del UJT.
Ilustración 17

En

la

ilustración el

18

observamos

disparo

ampliado en donde se puede apreciar mejor la forma de onda del

disparo, aquí se puede ver la amplitud de: 𝑉𝑅2 = −14[𝑉]

Ilustración 18

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En la ilustración 19 se aprecia un conjunto de pulsos, que demuestra el comportamiento Gráficas B1

impulsorial

del

dispositivo semiconductor UJT. Es esta podemos calcular el retardo del disparo. En la ilustración 20 se muestra una imagen
Ilustración 19

ampliada en el eje del tiempo, en donde

podemos ver con mayor detenimiento el pulso y podemos valor pico: 𝑉 = 8 [𝑉]
Ilustración 20

calcular

su

Circuito oscilador de relajación alimentación 15V
Gráficas EMISOR

Se observa la carga y descarga del capacitor, en el tiempo de la acción del UJT. El voltaje pico de esta onda es: 𝑉𝐶𝐸 = 5.32 [𝑉]

Ilustración 21

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Gráficas B2

El análisis realizado para el anterior ejercicio que se alimenta mayor con que una de

fuente

estas gráficas se repite puesto que el voltaje de alimentación no afecta al comportamiento del UJT. Pero, Observando la
Ilustración 22

ilustración 23 podemos resaltar. 𝑉 = −9.2[𝑉] Y podemos decir que el voltaje de alimentación afecto si la amplitud del disparo en B2. Además, la variación de aquel parámetro afecto el ángulo de disparo, y el tiempo medido en el eje (t), es: T=192 [useg]
Ilustración 23

Gráficas B1

Ilustración 24

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Ilustración 25

ANÁLISIS DE RESULTADOS Circuito de polarización del UJT
1. Con los datos obtenidos en la recolección de datos, de los literales 3.2 al 3.5. Calcular 𝑟𝐵1 , 𝑟𝐵2 Y 𝜂.
(+)

Para

determinar

los valores

deseados

Q1
+88.8
Amps

UJT

tenemos que desarrollar la siguiente malla.

Ilustración 26 Calculo de resistencias internas

Entonces, realizando este análisis tenemos las siguientes ecuaciones. 𝑉𝐶𝐷 = 0.6 + 𝑟1 𝐼𝐸 Teniendo los datos en la tabla 2 y sabiendo que 𝐼𝐸 = 5𝑚𝐴 𝑟1 = 𝑉𝐶𝐷 − 0.6 0.8 − 0.6 = = 40Ω 𝐼 5𝑚𝐴 𝒓𝟏

= 𝟒𝟎𝛀

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Repitiendo el procedimiento para calcular 𝑟2 , tenemos y usando los datos de la tabla 3. 𝑉𝐶𝐷 = 0.6 + 𝑟2 𝐼𝐸 𝑟2 = 𝑉𝐶𝐷 − 0.6 1.2 − 0.6 = = 120Ω 𝐼 5𝑚𝐴 𝒓𝟏

= 𝟏𝟐𝟎𝛀
2. Con los datos calculados en el literal anterior determinar 𝑟𝐵𝐵 Sabemos que cuando el diodo interno del UJT esta polarizado inversamente tenemos. 𝑟𝐵𝐵 = 𝑟1 + 𝑟2 𝒓𝑩𝑩

= 𝟒𝟎 + 𝟏𝟐𝟎 = 𝟏𝟔𝟎𝛀
3. Utilizar los datos necesarios para calcular 𝜂 = 𝜂

(parámetro intrínseco de inactividad). 𝑟

1 𝑟𝐵𝐵 𝜼

= 𝟒𝟎

= 𝟎. 𝟐𝟓 𝟏𝟔𝟎

Circuito oscilador de relajación alimentación 15V
Utilizando los valores de recolección de datos, en los literales 3.7 y 3.8. 4. Calcule el voltaje del impulso en 𝑉𝑅1 y compare con el 𝑉𝑃 medido. 5. Calcule 𝑉 y compare con las medidas obtenidas. 𝑝 Utilizando los datos obtenidos en los literales enunciados y sabiendo que.

1. 2. Y 𝑉𝑅

1 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑃 𝑉𝑃 = 𝜂𝑉𝐵1𝐵2 + 0.6

Entonces debemos calcular 𝑉𝐵1𝐵2 , para determinar los valores deseados. 𝑉𝐵1𝐵2 = 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑉𝐵1𝐵2 = 𝑟𝐵𝐵 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑟𝐵𝐵

15 ∗ 160 = 3.28𝑉 470 + 100 + 160
Alex Correa

15

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Escuela Politécnica del Ejército Teniendo este valor podemos determinar 𝑉 𝑝 𝑉 = 𝜂𝑉𝐵1𝐵2 + 0.6 𝑝 𝑽𝒑 = 𝟏. 𝟒𝟐𝑽
Y calculamos el valor del disparo sobre R1 𝑉𝑅

1 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑃 𝑉𝑅1 = 6.65 + 1.42 𝑽𝑹𝟏 = 𝟖. 𝟎𝟕𝑽

Circuito oscilador de relajación alimentación 10V
Utilizando los valores de recolección de datos, en los literales 3.10 y 3.11. 6. Calcule el voltaje del impulso en 𝑉𝑅1 y compare con el 𝑉𝑃 medido. 7. Calcule 𝑉 y compare con las medidas obtenidas. 𝑝 Utilizando los datos obtenidos en los literales enunciados y sabiendo que.

3. 4. Y 𝑉𝑅

1 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑃 𝑉𝑃 = 𝜂𝑉𝐵1𝐵2 + 0.6

Entonces debemos calcular 𝑉𝐵1𝐵2 , para determinar los valores deseados. 𝑉𝐵1𝐵2 = 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑉𝐵1𝐵2 = 𝑟𝐵𝐵 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑟𝐵𝐵

10 ∗ 160 = 2.19𝑉 470 + 100 + 160

Teniendo este valor podemos determinar 𝑉 𝑝 𝑉 = 𝜂𝑉𝐵1𝐵2 + 0.6 𝑝 𝑽𝒑 = 𝟏. 𝟏𝟒𝑽

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Y calculamos el valor del disparo sobre R1 𝑉𝑅

1 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑃 𝑉𝑅1 = 4.72 + 1.14 𝑽𝑹𝟏 = 𝟓. 𝟖𝟔𝑽

5. Medición del ángulo de retardo de disparo. Para ello utilizaremos las ilustraciones 19, 20.

Ilustración 27 Medición ángulo de disparo

En estas señales podemos medir en el eje de las X los siguientes datos: 𝑇 = 1.76 [𝑚𝑠𝑒𝑔] Período de la señal 𝑡 = 0.18 [𝑚𝑠𝑒𝑔] Tiempo que demora el impulso Realizando una simple regla de tres tenemos: 𝜶 = 𝒕 ∗ 𝟑𝟔𝟎° 𝟎. 𝟏𝟖 ∗ 𝟑𝟔𝟎 = = 𝟑𝟔. 𝟖𝟐° 𝑻 𝟏. 𝟕𝟔

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Comparación de resultados Resistencia interna
Los valores medidos y calculados de la resistencia interna varían de ampliamente: 𝑅𝑚𝑒𝑑 = 5.6𝑘Ω y 𝑅𝑐𝑎𝑙 = 160Ω

Esto se justifica por que el valor medido se lo realizó sin implementarlo en el circuito, el UJT cuando se encuentra alimentado cambia sus características internas, por ello al cambio tan abrupto, tenemos que aclarar que el valor utilizado en los cálculos fue el valor calculado.

Voltaje de disparo
La medición del voltaje pico de disparo para los dos circuitos de las diferentes alimentaciones de 15 y 10 se las realizo con las ilustraciones 20 y 25 respectivamente.
Tabla 5 Comparación de error

alimentación 15 [V] 10 [V]

Valor calculado 8.07 [V] 5.86 [V]

Valor medido 8.0 [V] 5.04 [V]

%error -0.86% 13.99%

En el valor medido no se utiliza los medidos por el voltímetro, porque el valor que necesitamos es el valor pico y al no ser una onda de corriente continua este no medirá el valor pico, por ello nos valemos de las medidas del osciloscopio.

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CONCLUSIONES
 La forma de onda que entrega el UJT por la BASE 1, es un impulso que se lo puede controlar a través de los valores de los elementos del circuito, este en la BASE 2 es un impulso negativo con mayor amplitud, esto se puede utilizar para activar elementos secundarios como SCR.  El UJT es un transistor mono unión que se compone de simplemente una combinación de sustrato P y N, tiene características de diodo, su resistencia entre Base 1 y base 2 cuando el diodo interno se encuentra en polarización inversa es la suma de las dos resistencias internas.  Cuando reducimos el voltaje de alimentación del circuito de relajación, este se afecta cambiando su voltaje pico en los impulsos generados en las bases.

RECOMENDACIONES
 Tener cuidado al trabajar en el UJT directamente alimentándolo con una fuente, este al no poder conectarse a un disipador de potencia externa no soporta mucha corriente antes de que este deje de funcionar.  Recordar que el UJT es un dispositivo impulsorial, entonces debemos tomar en cuenta esta característica para utilizarlo en alguna aplicación, por ejemplo en la activación de GATE de un SCR o un TRIAC.

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BIBLIOGRAFÍA
[1] S. Martínez García y J. A. Gualda Gil. "Electrónica de Potencia, Componentes, topologías y equipos". Thomson Editores. España 2006. Pág. 125,126.

Fuentes internet:
[1] UNICROM. ”Funcionamiento UJT”. Página: http://www.unicrom.com/Tut_transistor _ujt.asp. Fecha: 11 de mayo del 2011. Hora: 17:00. [2] ALL DATASHEET. UJT 2n2646. Página: http://pdf1.alldatasheet.com/datasheetpdf/view/99260/ETC/2N2646/+7J372UCRC/19OAvYC+/datasheet.pdf. Fecha: 11 de mayo del 2011. Hora: 17:30

ANEXOS
Hoja de características del UJT 2N2646

Ilustración 28 Hoja de características del UJT utilizado

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