p´ ag.

1
UNIVERSIDAD DE GRANADA
INGENIERO DE TELECOMUNICACI
´
ON
SISTEMAS DE
RADIOCOMUNICACI
´
ON
´
Angel de la Torre Vega
Dpto. Teor´ıa de la Se˜ nal, Telem´ atica y Comunicaciones
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR p´ ag. 2
ORGANIZACI
´
ON DE LA ASIGNATURA
ORGANIZACI
´
ON DE LA ASIGNATURA
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Organizaci ´ on de la asignatura p´ ag. 3
Asignatura: SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI
´
ON (SRD)
Titulaci´ on: Ingeniero de Telecomunicaci´ on
Tipo de asignatura: Troncal de 4
o
curso, 2
o
cuatrimestre
Carga lectiva: Teor´ıa: 4.5 cr´ ed. (45 horas). Pr´ acticas: 1.5 cr´ ed. (15 horas)
Profesor:
´
Angel de la Torre Vega
Dpto: Teor´ıa de la Se˜ nal, Telem´ atica y Comunicaciones
Ubicaci ´ on: E.T.S.I.I.T., planta 2, despacho 22
Evaluaci ´ on Teor´ıa: Examen final de teor´ıa y problemas
Evaluaci ´ on Pr´ acticas: Trabajo en laboratorio y memoria de pr´ acticas (examen)
Material: http://www.ugr.es/∼atv
Horario:
Teor´ıa: Aula 1.1
Martes de 9 a 10
Mi´ ercoles de 10 a 11
Jueves de 10 a 11
Pr´ acticas: Laboratorio 2.5
Jueves de 16 a 18
(semanas alternas)
CONTENIDOS
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Organizaci ´ on de la asignatura p´ ag. 4
TEOR
´
IA:
Tema 1: Introducci´ on a los sistemas de radiocomunicaci´ on
Tema 2: Componentes pasivos en radiofrecuencia
Tema 3: Circuitos resonantes y adaptaci´ on de impedancias
Tema 4: Amplificadores sintonizados en radiofrecuencia
Tema 5: Osciladores
Tema 6: Redes PLL y sintetizadores de frecuencia
Tema 7: Mezcladores
Tema 8: Circuitos y sistemas para modulaci ´ on lineal y angular
Tema 9: Receptores para AM, FM y PM
Tema 10: Amplificadores de potencia
PR
´
ACTICAS:
Pr´ actica 1: Osciladores
Pr´ actica 2: PLLs integrados
Pr´ actica 3: Mezcladores integrados
Pr´ actica 4: Transmisi´ on AM/FM
RELACI
´
ON CON OTRAS ASIGNATURAS
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Organizaci ´ on de la asignatura p´ ag. 5
Plan de estudios: BOE 21 de Enero de 2004
Materia troncal: Radiaci´ on y radiocomunicaci´ on
• Asignatura troncal 1: Sistemas de radiocomunicaci ´ on
• Asignatura troncal 2: Propagaci´ on y antenas
Asignaturas relacionadas:
Asignatura tipo curso cuat.
An´ alisis de circuitos troncal 1 1
Dispositivos electr´ onicos (I y II) troncales 1 y 2 2 y 1
Electr´ onica anal´ ogica troncal 2 1c
Comunicaciones troncal 3 1
Dise˜ no y receptores de radio optativa 3 2
Dise˜ no de circuitos y sistemas electr´ onicos troncal 4 1
Antenas y propagaci´ on troncal 4 2
Transmisi´ on por soporte f´ısico troncal 4 2
Circuitos integrados para comunicaciones optativa 4 2
Radionavegaci´ on y radiolocalizaci´ on optativa 5? ??
Circuitos de radiofrecuencia y microondas optativa 5? ??
BIBLIOGRAF
´
IA RECOMENDADA
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Organizaci ´ on de la asignatura p´ ag. 6
H.L. Krauss, C.W. Bostian, F.H. Raab: “Solid State Radio Engineering”. John Wi-
ley & Sons, 1980.
H.L. Krauss, C.W. Bostian, F.H. Raab: “Estado S´ olido en Ingenier´ıa de Radiocomuni-
caci ´ on”. Limusa, 1984.
D.O. Pederson, K. Mayaram: “Analog Integrated Circuits for Communication”. Kluwer
Academic Publishers, 1991.
D. Roddy, J. Coolen: “Electronic Communications”. Prentice Hall, 1984.
P. Young: “Electronic Communication Techniques”. Macmillan Publishing Group, 1994.
M. Sierra-P´ erez, J. Garc´ıa de la Calle, J. Riera Sal´ıs, F. Garc´ıa Mu˜ niz: “Electr´ onica de
Comunicaciones”. Servicio de Publicaciones de la ETSIT, Universidad Polit´ ecnica de
Madrid, 1994.
U. Rhode, T. Bycher: “Communication Receivers”. MacGraw-Hill, 1996.
A.B. Carlson, B.P. Crilly, J.C. Rutledge: “Communication Systems: an Introduction to
Signal and Noise in Electrical Communications”. McGraw-Hill, 2002.
B.P. Lathi: “Modern digital and analog communication systems”. Holt, Rinehart and
Winston, Inc. 1989.
J.G. Proakis, M. Salehi: “Communication System Engineering”. Prentice-Hall, 2002.
M. Fa´ undez Zanuy: “Sistemas de comunicaciones”. Marcombo. 2001.
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR p´ ag. 1
Tema 1:
INTRODUCCI
´
ON A LOS
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI
´
ON
Tema 1: INTRODUCCI
´
ON A LOS
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 2
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI
´
ON
1.1.- Objetivos de la asignatura
1.2.- Sistemas de comunicaci´ on
1.3.- Modulaci ´ on
1.4.- Sistemas de radiocomunicaci´ on
1.5.- Caracter´ısticas y elementos del emisor
1.6.- Caracter´ısticas y elementos del receptor
1.1.- OBJETIVOS DE LA ASIGNATURA
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 3
Estudio de los sistemas electr´ onicos usados en radiocomunicaci´ on:
• An´ alisis y dise˜ no de los sistemas electr´ onicos
• Transmisores
• Receptores
• Subsistemas y conexi´ on
No veremos an´ alisis ni dise˜ no de antenas
No veremos propagaci´ on de ondas electromagn´ eticas
Descriptores (plan de estudios):
• Sistemas de radiocomunicaci´ on: clases y caracter´ısticas
• Electr´ onica de comunicaciones
• Elementos y subsistemas para emisi´ on y recepci´ on
1.2.- SISTEMAS DE COMUNICACI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 4
Origen: genera el mensaje (audio, v´ıdeo,...).
Transductor de entrada: convierte el mensaje de entrada en se˜ nal el´ ectrica (se˜ nal en
banda-base).
Transmisor: adapta la se˜ nal para transmisi´ on por el canal (conversi´ on A/D, modu-
laci ´ on, pre-´ enfasis, etc.).
Canal: medio transmisi´ on (radioel´ ectrico o f´ısico), con atenuaci´ on, distorsi´ on y ruido.
Receptor: deshace las operaciones efectuadas por el transmisor.
Transductor de salida: proporciona el mensaje en su forma original (audio, v´ıdeo,...).
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 5
EFECTOS DEL CANAL:
Distorsi´ on lineal: Provocada por la caracter´ıstica de filtro del canal:
• Aten´ ua las distintas componentes de frecuencia.
• Desfasa las distintas componentes de frecuencia.
Distorsi´ on no lineal: Si la atenuaci´ on depende de la amplitud de la se˜ nal.
Ruido: Se˜ nal aleatoria e impredecible a˜ nadida a la se˜ nal transmitida:
• Externo: m´ aquinas el´ ectricas, iluminaci´ on, tormentas, etc.
• Interno: movimiento de electrones, difusi´ on y recombinaci´ on de portadores, etc.
RELACI
´
ON SE
˜
NAL - RUIDO (SNR):
SNR: Relaci´ on entre la potencia de la se˜ nal y la potencia del ruido.
La SNR disminuye a lo largo del canal:
• Cada vez m´ as potencia de ruido.
• Cada vez menos potencia de se˜ nal (por atenuaci´ on).
SNR de la se˜ nal transmitida y SNR de la se˜ nal en banda base.
1.3.- MODULACI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 6
Transmisi´ on de informaci´ on:
Informaci´ on a transmitir: voz, m´ usica, im´ agenes, texto, v´ıdeo, datos procedentes de
instrumentos de medida...
Informaci´ on representada mediante se˜ nales el´ ectricas (transducci´ on).
Forma de onda de las se˜ nales el´ ectricas puede ser compleja, as´ı como la relaci´ on con la
informaci´ on que representan.
Las se˜ nales tienen un ancho de banda espec´ıfico:
• Voz calidad telef´ onica: de 350 Hz a 3500 Hz
• Audio HiFi: de 20 Hz a 20 kHz
• V´ıdeo: 6 MHz
Problemas de la radiotransmisi´ on en banda base:
Eficacia de radiaci´ on: f = 1kHz ⇒λ =
c
f
= 300km ⇒antenas > ¡¡¡30 km!!!
Distorsi´ on lineal del canal
Por un canal s´ olo puede transmitirse una se˜ nal
SOLUCI
´
ON: MODULACI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 7
Transformamos la se˜ nal para adaptarla al canal (y hacer m´ as eficaz la transmisi´ on).
La modulaci´ on desplaza la frecuencia de las se˜ nales.
Ventajas:
• Transmisi´ on m´ as eficiente
• Menor efecto de distorsi´ on lineal
• Dependiendo de t´ ecnica de modulaci´ on, mayor robustez al ruido
• Posibilidad de transmitir varias se˜ nales simult´ aneamente
Ejemplo: radiodifusi´ on FM
• Banda de audio: 50 Hz - 15 kHz.
• Se modulan definiendo canales de 150 kHz de ancho de banda.
• Separaci´ on entre canales: 200 kHz.
• Rango FM de radiodifusi´ on: 88 MHz - 108 MHz.
• Ventajas:
◦ Antenas eficientes: para 100 MHz λ = 3 m (antena de 75 cm).
◦ La distorsi´ on lineal afecta menos (∆f/f = 1,5 10
−3
).
◦ El ruido afecta menos (intercambio SNR - ancho de banda).
◦ Transmisi´ on simult´ anea de varios canales (multiplexaci ´ on por divisi ´ on de frecuen-
cia). Entre 88 MHz y 108 MHz caben 100 canales.
1.4.- SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 8
Estudio de sistemas de radiocomunicaci´ on
• Sistemas electr´ onicos para transmitir se˜ nales el´ ectricas por radio:
• An´ alisis y dise˜ no de transmisores.
• An´ alisis y dise˜ no de receptores.
La transmisi´ on por radio requiere modulaci´ on:
• Se˜ nal de alta frecuencia: portadora
• Se˜ nal de baja frecuencia a transmitir: modulante
• La modulaci´ on consiste en modificar alg´ un par´ ametro de la portadora, de acuerdo
con el valor instant´ aneo de la modulante:
◦ Modulaci´ on de amplitud (AM): se modifica la amplitud de la portadora
◦ Modulaci´ on de frecuencia (FM): se modifica la frecuencia de la portadora
◦ Modulaci´ on de fase (PM): se modifica la fase de la portadora
La recepci´ on de se˜ nales de radio requiere demodulaci´ on:
• Obtener la se˜ nal modulante a partir de la se˜ nal modulada
• Seleccionar canales
• Evitar interferencias
MODULACI
´
ON AM Y FM:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 9
DIAGRAMA DE BLOQUES DE TRANSMISOR DE RF:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 10
DIAGRAMA DE BLOQUES DE RECEPTORES DE RF:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 11
Receptor de galena
Receptor sintonizado
EL RECEPTOR SUPERHETERODINO:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 12
Problema del receptor cuando se transmiten varias se˜ nales:
• Es necesario hacer filtrados selectivos para recibir un canal sin interferencias de los
canales adyacentes
• El filtrado debe modificarse para cambiar de canal
• Es dif´ıcil dise˜ nar filtros muy selectivos y sintonizables
Soluci ´ on: el receptor superheterodino
• Filtrado sintonizable (no muy selectivo) en RF
• Conversi´ on a frecuencia intermedia (sintonizable)
• Filtrado muy selectivo (filtro fijo) en frecuencia intermedia
• Detecci´ on en frecuencia intermedia
De este modo, se puede aplicar un filtro muy selectivo a cualquier canal
Como ventaja adicional, la amplificaci ´ on se hace en distintas frecuencias (RF, IF, BB)
lo que permite distribuir la ganancia y evitar inestabilidades (oscilaciones)
DIAGRAMA DE BLOQUES DEL RECEPTOR SUPERHETERODINO:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 13
ELIMINACI
´
ON DE LA FRECUENCIA IMAGEN:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 14
Para desplazar la se˜ nal modulada de RF (f
C
) a IF (f
IF
), debemos multiplicar por una
portadora local de frecuencia f
LO
= f
C
+f
IF
(o bien de frecuencia f
LO
= f
C
−f
IF
).
El oscilador local desplaza a IF tanto la frecuencia f
LO
−f
IF
como f
LO
+ f
IF
.
La frecuencia f
C
+2f
IF
= f
LO
+f
IF
(o bien la frecuencia f
C
−2f
IF
= f
LO
−f
IF
)
se denomina frecuencia imagen, y se traslada, junto con la frecuencia de inter´ es, a la
frecuencia intermedia, produciendo interferencias.
El filtrado en RF es necesario para evitar que se solapen en IF las se˜ nales correspondi-
entes al canal sintonizado y su frecuencia imagen.
La selectividad requerida en el filtro depende de la frecuencia intermedia (debe ser m´ as
selectivo cuanto menor es f
IF
)
INTERFERENCIA CAUSADA POR LA FRECUENCIA IMAGEN:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 15
INTERFERENCIA CAUSADA POR LA FRECUENCIA IMAGEN:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 16
RECEPTOR SUPERHETERODINO DE DOBLE CONVERSI
´
ON:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 17
Si por los requerimientos del dise˜ no es necesaria una frecuencia intermedia baja (para
tener m´ as selectividad) y una gran selectividad en RF, se puede realizar una doble con-
versi ´ on:
1.5.- CARACTER
´
ISTICAS Y ELEMENTOS DEL EMISOR
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 18
CARACTER
´
ISTICAS DEL EMISOR
Frecuencia de emisi´ on f
C
:
• Condiciona el dise˜ no del emisor
• Depende del tipo de transmisi´ on, del canal, etc.
• Est´ a regulada por organismos: CCIR (Comit´ e Consultivo Internacional de Radioco-
municaciones), ITU (Uni´ on Internacional de Telecomunicaciones), IFRB (Interna-
tional Frequency Registration Board), etc.
• La frecuencia real se desv´ıa de la nominal debido a derivas (por temperatura, tensi ´ on
de alimentaci´ on, envejecimiento del equipo, etc.). La deriva ∆f se mide en Hz o bien
se mide el cociente ∆f/f
C
en partes por mill´ on.
Tipo de modulaci´ on y ancho de banda:
• Estas caracter´ısticas est´ an ligadas.
• El tipo de modulaci´ on depende de la se˜ nal a transmitir, calidad requerida, compleji-
dad de los equipos, alcance requerido, ancho de banda disponible, etc.
• El ancho de banda depende del tipo de modulaci ´ on y las caracter´ısticas de la se˜ nal a
transmitir.
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 19
Potencia de emisi ´ on: condiciona el alcance. Est´ a limitada por las interferencias que
pueden producir.
Emisiones espurias: es una emisi´ on no deseada dentro o fuera de la banda ´ util. Se deben
a comportamientos no lineales, sobremodulaci ´ on, oscilaciones par´ asitas, arm´ onicos, in-
termodulaci´ on, etc.
ELEMENTOS DEL EMISOR
Oscilador: Genera la portadora, de frecuencia y amplitud fijas y estables.
Modulador: Modifica alguna caracter´ıstica de la portadora de acuerdo con el valor de la
se˜ nal a transmitir.
Amplificador de potencia: Eleva la potencia de la se˜ nal para lograr una transmisi´ on
eficiente.
Redes de acoplo: Adaptan impedancias para conseguir m´ axima transferencia de poten-
cia (de especial importancia entre el amplificador de potencia y la antena).
Multiplicadores de frecuencia: Permiten obtener osciladores de la frecuencia deseada a
partir de osciladores estables de baja frecuencia.
Circuitos de protecci´ on de la etapa de potencia: Evitan que se queme la etapa de poten-
cia por variaciones en la impedancia de carga de la antena.
1.6.- CARACTER
´
ISTICAS Y ELEMENTOS DEL RECEPTOR
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 20
CARACTER
´
ISTICAS DEL RECEPTOR
Sensibilidad:
• Es la capacidad de extraer la se˜ nal ´ util de la se˜ nal recibida.
• La sensibilidad se define como el nivel de entrada (en microvoltios) necesario para
conseguir una determinada relaci´ on se˜ nal-ruido a la salida (usualmente 20 dB).
• Condiciona, por tanto, el alcance y la potencia del transmisor necesarios para es-
tablecer la comunicaci´ on.
Selectividad: Capacidad para separar la se˜ nal ´ util de una se˜ nal no deseada pr´ oxima en
frecuencia (canales adyacentes).
Fidelidad: Mide la calidad de la se˜ nal proporcionada por el emisor (la SNR asociada a
la distorsi´ on entre la se˜ nal de entrada del emisor y la se˜ nal de salida del receptor).
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 1: Introducci ´ on p´ ag. 21
ELEMENTOS DEL RECEPTOR
Amplificador de radiofrecuencia: Amplifica la se˜ nal captada por la antena.
Demodulador: Extrae la informaci ´ on que lleva la portadora. Pueden ser coherentes o no
coherentes.
Redes de acoplo: Para m´ axima transferencia de potencia.
Control autom´ atico de ganancia (AGC): Posibilita la recepci ´ on independientemente del
nivel de la se˜ nal recibida.
Control autom´ atico de frecuencia: posibilita la recepci´ on independientemente de derivas
en el emisor.
Silenciador (squelch): suprime la salida del amplificador de BB en ausencia de se˜ nal,
para evitar amplificar ruido (amplificado, adem´ as, por el AGC).
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR p´ ag. 1
Tema 2:
COMPONENTES PASIVOS
EN RADIOFRECUENCIA
Tema 2: COMPONENTES PASIVOS EN
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 2
RADIOFRECUENCIA
2.1.- Introducci´ on
2.2.- Impedancia y admitancia complejas
2.3.- Resistencia y autoinducci´ on de un hilo
2.4.- Modelo de resistencia en RF
2.5.- Modelo de condensador en RF
2.6.- Modelo de bobina en RF
2.7.- Ruido t´ ermico en componentes pasivos
2.1.- INTRODUCCI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 3
El comportamiento ideal de los componentes pasivos es:
Resistencia: Z
R
= R
Capacidad: Z
C
=
1
jωC
=
1
Cs
Autoinducci´ on: Z
L
= jωL = Ls
Sin embargo, en radiofrecuencias el comportamiento puede diferir mucho del ideal de-
bido a “elementos par´ asitos”.
Estos efectos son despreciables a bajas frecuencias, pero no en RF.
Algunos de los efectos dependen de c´ omo est´ a construido el componente.
Dependiendo del rango de frecuencias debemos elegir los componentes adecuados y
tomar ciertas precauciones.
En este tema analizamos el comportamiento de los componentes pasivos en RF (re-
sistencias, condensadores y bobinas y sus modelos equivalentes).
2.2.- IMPEDANCIA Y ADMITANCIA COMPLEJAS
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 4
Componentes lineales: la ecuaci´ on integro-diferencial que relaciona i(t) y v(t) es lineal:
Resistencia: i(t) =
v(t)
R
⇒v(t) = R i(t) (ley de Ohm)
Capacidad: C =
Q
V
⇒v(t) =
1
C

i(t) dt
Autoinducci´ on: v(t) = L
di(t)
dt
Las ecuaciones diferenciales lineales se analizan c´ omodamente en el dominio de Laplace
(o en el dominio de Fourier):
Resistencia: V = RI
Capacidad: V =
1
Cs
I =
1
jωC
I
Autoinducci´ on: V = LsI = jωLI
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 5
Cuando trabajamos a una frecuencia fija, se puede usar una representaci´ on fasorial para
describir el comportamiento de los circuitos y resulta ´ util trabajar con impedancias o
admitancias complejas:
Z ≡
V
I
Y ≡
I
V
Z
R
= R Y
R
=
1
R
Z
C
=
1
jωC
=
1
Cs
Y
C
= jωC = Cs
Z
L
= jωL = Ls Y
L
=
1
jωL
=
1
Ls
Cuando tenemos una red de elementos R, L y C, aplicando t´ ecnicas de an´ alisis de cir-
cuitos podemos calcular la impedancia o la admitancia, que en general ser´ an complejas.
En el l´ımite f →∞la capacidad se comporta como un cortocircuito y la autoinducci´ on
como un circuito abierto. C altas: se usan para acoplar en RF; Laltas: se usan para aislar
en RF (RFC, choques de radiofrecuencia)
RESISTENCIA, REACTANCIA, CONDUCTANCIA, SUSCEPTANCIA
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 6
Partes real e imaginaria de la impedancia:
Z = R + jX R = Re(Z) X = Im(Z)
La parte real de la impedancia se denomina resistencia (R)
La parte imaginaria de la impedancia se denomina reactancia (X)
Partes real e imaginaria de la admitancia:
Y = G+ jB G = Re(Y ) B = Im(Y )
La parte real de la admitancia se denomina conductancia (G)
La parte imaginaria de la admitancia se denomina susceptancia (B)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 7
Cuidado con las operaciones con n´ umeros complejos:
G = Re(Y ) = Re

1
Z

=
1
Re(Z)
=
1
R
(esto ser´ıa v´ alido s´ olo cuando se anula la parte reactiva)
Y =
1
Z
=
1
R + jX
=
R −jX
(R + jX)(R −jX)
=
R −jX
R
2
+ X
2
G =
R
R
2
+ X
2
B =
−X
R
2
+ X
2
Z =
1
Y
=
1
G+ jB
=
G−jB
(G+ jB)(G−jB)
=
G−jB
G
2
+ B
2
R =
G
G
2
+ B
2
X =
−B
G
2
+ B
2
2.3.- RESISTENCIA Y AUTOINDUCCI
´
ON DE UN HILO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 8
RESISTENCIA DE UN HILO CONDUCTOR:
R =
ρl
A
ρ: resistividad (Ωm
2
/m)
l: longitud (m)
A: secci´ on (m
2
)
EFECTO SKIN:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 9
El campo EM inducido es mayor en el n´ ucleo del conductor que en la zona exterior
El campo EM se opone al flujo de corriente
Como consecuencia, la densidad de corriente no es uniforme en el conductor:
• Es mayor en la “piel”
• Es menor en el n´ ucleo
A altas frecuencias, la corriente se concentra en la zona m´ as externa del conductor, y
esto incrementa la resistencia del hilo
R =
ρl
π(r
2
2
−r
2
1
)
El incremento de la resistencia depende, adem´ as, de la frecuencia
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 10
El decaimiento de la densidad de corriente desde el exterior hacia el centro es aproxi-
madamente exponencial: J ≈ J
0
exp(−x/x
0
)
x
0
es la “profundidad del efecto skin” (o “skin depth”)
• Para el cobre, a 60 Hz, x
0
= 8,5 mm
• Para el cobre, a 1 MHz, x
0
=70 µm
• x
0
depende del material y de la frecuencia
Modelo de resistencia de hilo:
• A bajas frecuencias:
R =
ρl
πr
2
• A altas frecuencias:
R =
l

µπfρ
2πr
La resistencia se incrementa (por efecto skin) con

f de acuerdo con la constante µ
que depende del material
El efecto skin se puede reducir usando hilo de Litzendraht (formado por varios hilos
aislados y entrelazados)
AUTOINDUCCI
´
ON DE UN HILO CONDUCTOR:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 11
El campo EM que crean los conductores da lugar a una autoinducci ´ on
Autoinducci´ on de un hilo conductor dada por:
L(nH) = 4,6 l(cm) log
10

4 l
d
−0,75

• l es la longitud del hilo
• d es el di´ ametro del hilo
Por ejemplo: Un hilo de 5 cm de longitud y 0.7 mm de di´ ametro presenta una autoin-
ducci ´ on L=56 nH
A bajas frecuencias, el efecto es despreciable (Z = R + jωL)
A altas frecuencias, puede ser muy importante
En general, en circuitos de RF es aconsejable reducir todo lo posible distancias entre
componentes
2.4.- MODELO DE RESISTENCIA EN RF
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 12
El modelo de resistencia en RF incluye:
R: el valor de la resistencia
L: una autoinducci´ on debida a los contactos
C: una capacidad debida al tiempo de relajaci´ on (depende del material del que est´ e hecha
la resistencia)
Impedancia del modelo:
Z =
RLCs
2
+ Ls + R
RCs + 1
La impedancia presenta un comportamiento resistivo a frecuencias muy bajas; puede
presentar un comportamiento capacitivo en un rango de frecuencias (en funci ´ on de los
valores de la resistencia y elementos par´ asitos); a frecuencias muy altas, presenta un
comportamiento inductivo.
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 13
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 14
Presenta una frecuencia de resonancia (anulando la parte imaginaria):
f
r
=
1

1
LC

1
R
2
C
2
Z(f
r
) =
L
RC
Si L > R
2
C no hay resonancia ni comportamiento capacitivo.
Valores t´ıpicos de los elementos par´ asitos:
• L: 10 nH, 15 nH
• C: 1 pF
Tipos de resistencias:
• Hilo enrollado: L muy alta; no recomendables por encima de 1 MHz
• Carbon: C alta; no recomendables por encima de 10 MHz
• Pel´ıcula met´ alica: adecuada para RF
2.5.- MODELO DE CONDENSADOR EN RF
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 15
El modelo de condensador en RF incluye:
C: la capacidad del condensador
L: una autoinducci´ on debida a los contactos
R: una resistencia en paralelo con el condensador que modela las fugas en el diel´ ectrico,
de valor muy grande normalmente
R
s
: se puede incluir adem´ as una resistencia en serie, de valor peque˜ no, que modela la
resistencia de los contactos
Impedancia del modelo:
Z =
RLCs
2
+ Ls + R
RCs + 1
+ R
s
La impedancia presenta un comportamiento resistivo a frecuencias extremadamente ba-
jas; presenta un comportamiento capacitivo en un rango de frecuencias (en funci´ on de
los valores de la capacidad y elementos par´ asitos); a frecuencias muy altas, presenta un
comportamiento inductivo.
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 16
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 17
Presenta una frecuencia de resonancia (anulando la parte imaginaria):
f
r
=
1

1
LC

1
R
2
C
2
Z(f
r
) =
L
RC
+ R
s
≈ R
s
Las caracter´ısticas del diel´ ectrico condicionan las propiedades del condensador:
Fugas en el diel´ ectrico (resistencia paralelo)
Rango de frecuencias
Estabilidad t´ ermica
Rango de temperaturas
Rango de tensiones (directas e inversas) toleradas
Tipos de condensador:
Vidrio, cer´ amica
Papel, papel metalizado
Electrol´ıtico
Plastico, nylon, poliestireno, tefl´ on, etc.
2.6.- MODELO DE BOBINA EN RF
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 18
El modelo de bobina en RF incluye:
L: la autoinducci´ on de la bobina
R: una resistencia en serie que representa la resistencia ´ ohmica de la bobina
C: una capacidad en paralelo que modela la capacidad entre las espiras de la bobina (las
espiras son conductores separados una cierta distancia y a distintos voltajes, por lo que
presentan un comportamiento capacitivo)
Impedancia del modelo:
Z =
Ls + R
LCs
2
+ RCs + 1
La impedancia presenta un comportamiento resistivo (R) a frecuencias extremadamente
bajas; presenta un comportamiento inductivo en un rango de frecuencias (en funci´ on de
los valores de la bobina y elementos par´ asitos); a frecuencias muy altas, presenta un
comportamiento capacitivo.
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 19
Frecuencia de resonancia:
f
r
=
1

1
LC

R
2
L
2
Z(f
r
) =
L
RC
AUTOINDUCCI
´
ON EN BOBINAS DE N
´
UCLEO DE AIRE:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 20
L =
B
2
n
2
0,45B + A
R = 4nρ
B
D
2
C (n −1)

r
11,45 cosh
−1
(S/D)
L: autoinducci´ on en nH
B: di´ ametro de las espiras en mm
A: longitud total de la bobina en mm
n: n´ umero de espiras
S: distancia entre espiras consecutivas
en mm
D: di´ ametro del hilo en mm
ε
r
: constante diel´ ectrica
El factor de calidad Q se define como el cociente entre las partes reactiva y resistiva:
Q = X/R
En una bobina:
Q =
X
L
R
=

R
El factor de calidad aumenta linealmente con ω, pero se ve reducido por el efecto skin,
y tambi´ en se ve limitado por la capacidad par´ asita
Para mejorar Q, se puede usar hilo m´ as grueso, separar las espiras, o bien aumentar la
permeabilidad magn´ etica utilizando un n´ ucleo (permite reducir el n´ umero de espiras)
AUTOINDUCCI
´
ON EN BOBINAS DE N
´
UCLEO MAGN
´
ETICO:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 21
L
i
= µ
i
L
0
donde µ
i
es la permeabilidad magn´ etica relativa del n´ ucleo
Ventajas de usar n´ ucleo magn´ etico:
• Bobina de menor tama˜ no
• Incremento de Q(la misma autoinducci´ on se consigue con menor n´ umero de espiras,
reduci´ endose R y C par´ asitas)
• Posibilidad de ajustar L introduciendo o sacando el n´ ucleo
Inconvenientes de usar n´ ucleo magn´ etico:
• P´ erdidas por hist´ eresis (resistencia en paralelo)
• µ
i
depende de la frecuencia (disminuye con ´ esta)
• µ
i
depende de T
• µ
i
depende de la amplitud (puede llegar a saturarse) dando lugar a no-linealidades
2.7.- RUIDO T
´
ERMICO EN COMPONENTES PASIVOS
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 22
El ruido t´ ermico es debido al movimiento browniano de los electrones en un conductor
La mec´ anica estad´ıstica cl´ asica (ley de equipartici ´ on de Maxwell-Boltzmann) establece
que la potencia del ruido t´ ermico viene dada por:
P = kTB
donde:
• P es la potencia en W
• k es la constante de Boltzmann: k=1.3810
−23
J/K
• T es la temperatura absoluta en K
• B es el ancho de banda para el que se mide el ruido
• (esto es v´ alido para frecuencias hasta 10
13
Hz)
El ruido t´ ermico es blanco (espectro plano)
Voltaje cuadr´ atico medio debido al ruido t´ ermico en una resistencia:
V
2
n
= 4kTRB
La resistencia se comporta como un generador de ruido con una tensi ´ on rms de salida
v
rms
=

V
2
n
y una resistencia serie R
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 2: Comp. pasivos en RF p´ ag. 23
Ejemplo: T=20
o
C (293 K); R=100 kΩ; B=1 MHz
v
rms
= 40,3µV
Para redes RLC:
V
2
n
= 4kT

B
Re(Z(f))df
El ruido t´ ermico:
Aumenta con el ancho de banda
Aumenta con la resistencia
Aumenta con la temperatura
¿C´ omo afecta esto? (¿qu´ e precauciones debemos tomar?)
Resistencias de valores bajos (incrementa el consumo)
Anchos de banda lo m´ as peque˜ nos posibles
Temperatura lo m´ as baja posible (en caso extremo, refrigerar)
Extremar precauciones en los subsistemas que funcionan con niveles bajos de se˜ nal
(amplificador RF del receptor, por ejemplo)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR p´ ag. 1
Tema 3:
CIRCUITOS RESONANTES Y
ADAPTACI
´
ON DE IMPEDANCIAS
Tema 3: CIRCUITOS RESONANTES Y
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 2
ADAPTACI
´
ON DE IMPEDANCIAS
3.1.- Introducci ´ on
3.2.- Circuito RLC serie
3.3.- Circuito RLC paralelo
3.4.- Circuito (RL)|C
3.5.- Circuito (RC)|L
3.6.- Transformaci´ on paralelo-serie
3.7.- Circuitos resonantes con derivaci´ on
3.8.- Transformadores
3.9.- M´ axima transferencia de potencia
3.10.- Cristales de cuarzo
3.11.- Filtros de onda ac´ ustica de superficie
3.1.- INTRODUCCI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 3
La impedancia o admitancia de una red con R, L y C es una funci´ on complicada de la
frecuencia:
Z(jω) = R(jω) + jX(jω) Y (jω) = G(jω) + jB(jω)
La impedancia, en general, presenta parte real (resistiva) e imaginaria (reactiva)
Para algunos circuitos, a alguna frecuencia se anula la parte imaginaria:
• La condici´ on Im(Z(jω
0
)) = 0 es la “condici´ on de resonancia”
• La frecuencia f
0
que hace que se cumpla es la “frecuencia de resonancia”
• Los circuitos para los que existe una o varias frecuencias de resonancia son llamados
“circuitos resonantes”
Los circuitos resonantes se usan mucho en comunicaciones:
• Para separar se˜ nales (filtrar)
• Para transformar impedancias (para que haya acoplamiento de impedancias y m´ axi-
ma transferencia de potencia)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 4
La resonancia ocurre a una frecuencia muy concreta f
0
Se denomina “ancho de banda” (B, en Hz) al rango de frecuencias para las que se
cumple aproximadamente la condici ´ on de resonancia (es la anchura del pico o valle de
impedancia)
La selectividad de un circuito resonante se puede expresar en t´ erminos del ancho de
banda B o del factor de calidad Q
Las propiedades de los circuitos resonantes (B, Q, f
0
, Z(jω
0
), transformaci´ on de
impedancias, etc.) son de gran importancia en radiocomunicaci ´ on:
• amplificadores de RF
• osciladores
3.2.- CIRCUITO RLC SERIE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 5
Impedancia:
Z(jω) = R + j

ωL −
1
ωC

Resonancia:
Im(Z(jω
0
)) = 0 ⇐⇒ ω
0
=

1
LC
f
0
=
1

1
LC
Impedancia en la frecuencia de resonancia:
Z(jω
0
) = R
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 6
ANCHO DE BANDA B:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 7
Ancho de banda B: se define como el intervalo de frecuencias [f
1
, f
2
] tal que en f
1
y
en f
2
la parte reactiva es igual a la resistiva: X(jω) = ±R
Esta definici´ on tambi´ en se denomina “ancho de banda a mitad de potencia”, porque
[Z(jω
1
)[ = [Z(jω
2
)[ =

2 Z(jω
0
) =

2 R y la potencia disipada en R es la mitad
de la disipada en la frecuencia de resonancia
Puede demostrarse que (ω
2
−ω
1
) =
R
L
y por tanto
B =
1

R
L
demostraci ´ on: Z(jω) = R + j

ωL −
1
ωC

ω
1
L −
1
ω
1
C
= −R LCω
2
1
+ RCω
1
−1 = 0 ω
1
=
−RC ±

R
2
C
2
+ 4LC
2LC
ω
2
L −
1
ω
2
C
= +R LCω
2
2
−RCω
2
−1 = 0 ω
2
=
+RC ±

R
2
C
2
+ 4LC
2LC
ω
2
−ω
1
=
RC
LC
=
R
L
B =
1

R
L
FACTOR DE CALIDAD Q:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 8
Factor de calidad Q: se define como:
Q ≡
2π m´ axima energ´ıa instant´ anea almacenada
energ´ıa disipada en un periodo
Para el circuito RLC serie se verifica:
Q =
ω
0
L
R
=
1
ω
0
CR
=
[X
L
[
R
=
[X
C
[
R
Puede verse que el factor de calidad es igual al cociente entre la frecuencia y el ancho
de banda:
Q =
ω
0
L
R
=
ω
0
ω
2
−ω
1
=
f
0
B
En la frecuencia de resonancia, V
c
y V
L
toman valores de pico Q veces mayores que
V
R
C´ alculo del factor de calidad:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 9
Para la frecuencia de resonancia ω
0
:
v(t) = V
0
sin(ω
0
t) i(t) =
V
0
R
sin(ω
0
t)
En la bobina:
v
L
(t) = L
d i(t)
dt
=
V
0

0
R
cos(ω
0
t)
p
L
(t) = i(t)v
L
(t) =
V
2
0

0
R
2
cos(ω
0
t) sin(ω
0
t) =
V
2
0

0
2R
2
sin(2ω
0
t)
E
max−L
=

π/(2ω
0
)
0
p
L
(t)dt =
V
2
0

0
2R
2
¸

1

0
cos(2ω
0
t)

π/(2ω
0
)
0
=
V
2
0
L
2R
2
p
R
(t) =
V
2
0
R
sin
2

0
t) =
V
2
0
2R
(1 −cos(2ω
0
t)) E
R
=

2π/ω
0
0
p
R
(t)dt =
V
2
0
2R

ω
0
Q =
2πE
max−L
E
R
= 2π
V
2
0
L
2R
2
2Rω
0
2πV
2
0
=
ω
0
L
R
En el condensador el c´ alculo es similar (en la frecuencia de resonancia, ω
0
L = 1/(ω
0
C)):
Q =
2πE
max−C
E
R
=
1
ω
0
CR
=
ω
0
L
R
3.3.- CIRCUITO RLC PARALELO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 10
Impedancia y admitancia:
Z(jω) =
1
1
R
+
1
jωL
+ jωC
Y (jω) =
1
R
+ j

ωC −
1
ωL

Resonancia:
Im(Y (jω
0
)) = 0 ⇐⇒ ω
0
=

1
LC
f
0
=
1

1
LC
Impedancia en la frecuencia de resonancia:
Y (jω
0
) =
1
R
Z(jω
0
) = R
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 11
Ancho de banda:
ω
2
−ω
1
=
1
RC
B =
1

1
RC
Factor de calidad:
Q =
ω
0
ω
2
−ω
1
= ω
0
CR =
R
ω
0
L
En resonancia, la corriente de pico que circula por el condensador y por la bobina es Q
veces la que circula por la resistencia
Circuito poco realista (por la resistencia serie de la bobina)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
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SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 13
3.4.- CIRCUITO (RL)|C
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 14
Admitancia:
Y (jω) =
1
R + jωL
+ jωC =
R
R
2
+ ω
2
L
2
+ j

ωC −
ωL
R
2
+ ω
2
L
2

Resonancia:
Im(Y (jω
0
)) = 0 ⇐⇒ C =
L
R
2
+ ω
2
0
L
2
⇐⇒ ω
0
=

1
LC

R
2
L
2
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 15
Frecuencia de resonancia: f
0
=
1

1
LC

R
2
L
2
Impedancia en la frecuencia de resonancia:
Z(jω
0
) = R +
ω
2
0
L
2
R
= R +

1
LC

R
2
L
2

L
2
R
=
L
RC
Observamos que la red transforma la impedancia: R
t
=
L
RC
El factor de calidad de la bobina en ω
0
es:
Q
t
=
ω
0
L
R
La impedancia equivalente (en ω
0
) puede expresarse como:
R
t
= R +
ω
2
0
L
2
R
= R + RQ
2
t
= R(Q
2
t
+ 1)
Es decir, a la frecuencia de resonancia el circuito transforma la resistencia R en una
resistencia R
t
que es (Q
2
t
+ 1) veces mayor
EJEMPLO:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 16
Queremos transformar una impedancia de carga R de 50 Ω en una impedancia de 1 kΩ a la
frecuencia de 2 MHz.
ω
0
= 2πf
0
= 4π 10
6
rad/s
Q
2
t
+ 1 =
R
t
R
= 20 ⇔ Q
t
= 4,36
L =
RQ
t
ω
0
= 17,3µH
C =
Q
t
ω
0
R
t
= 347 pF
o tambi´ en: ω
2
0
=
1
LC

R
2
L
2
⇔ C =
1
ω
2
0
L+
R
2
L
= 347 pF
B ≈
f
0
Q
t
= 458 kHz
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
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POTENCIA SUMINISTRADA A LA CARGA:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 18
Corriente por la rama RL:
I
R
=
V
0
R + jω
0
L
[I
R
[ =

[I
R
[
2
=

I
R
I

R
=

V
2
0
(R + jωL)(R −jω
L
)
=
=
V
0

R
2
+ ω
2
0
L
2
=
V
0
R

1 + Q
2
t
=
V
0
R
t

Q
2
t
+ 1
Potencia suministrada a R:
P
R
= [I
R
[
2
R =
V
2
0
R
2
t

Q
2
t
+ 1

R =
V
2
0
R
t
La potencia suministrada a R es la misma que se suministrar´ıa a R
t
3.5.- CIRCUITO (RC)|L
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 19
Admitancia:
Y (jω) =
1
jωL
+
1
R + 1/(jωC)
=
R
R
2
+ 1/(ω
2
C
2
)
+ j

1/(ωC)
R
2
+ 1/(ω
2
C
2
)

1
ωL

Resonancia:
Im(Y (jω
0
)) = 0 ⇐⇒
1
L
=
1/C
R
2
+ 1/(ω
2
0
C
2
)
⇐⇒ ω
0
=

1
LC −C
2
R
2
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 20
Frecuencia de resonancia: f
0
=
1

1
LC−C
2
R
2
Impedancia en la frecuencia de resonancia:
Y (jω
0
) =
R
R
2
+ 1/(ω
2
0
C
2
)
=
R
R
2
+ L/C −R
2
=
RC
L
⇔ Z(jω
0
) =
L
RC
Observamos que la red transforma la impedancia: R
t
=
L
RC
El factor de calidad del condensador en ω
0
es:
Q
t
=
1
ω
0
RC
La impedancia equivalente (en ω
0
) puede expresarse como:
R
t
= R +
1
ω
2
0
C
2
R
= R

1 +
1
R
2
ω
2
0
C
2

= R(Q
2
t
+ 1)
Es decir, a la frecuencia de resonancia el circuito transforma la resistencia R en una
resistencia R
t
que es (Q
2
t
+1) veces mayor (siempre y cuando la resistencia par´ asita de
la bobina se pueda despreciar, es decir, Q
L
> Q
t
)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 21
EFECTO DE LA RESISTENCIA DE LA FUENTE:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 22
A la frecuencia de resonancia, un circuito RL[[C o CR[[L presenta una impedancia
equivalente R
t
= R(Q
2
t
+ 1)
Si la fuente presenta una resistencia finita R
s
, la impedancia vista entre los extremos A
y B es R
/
t
= R
s
[[R
t
, y esto afecta al factor de calidad Q y al ancho de banda B:
Q
/
t
= Q
t
R
/
t
R
t
disminuye B
/
= B
R
t
R
/
t
aumenta
3.6.- TRANSFORMACI
´
ON PARALELO-SERIE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 23
Z = R
s
+ jX
s
Q
s
=
X
s
R
s
Y =
1
R
p
+
1
jX
p
Q
p
=
R
p
X
p
Supongamos que queremos encontrar el circuito serie equivalente al circuito paralelo dado por R
p
y X
p
R
se
y X
se
equivalentes ser´ an las partes real e imaginaria de la impedancia del circuito:
Z =
1
Y
=
1
1
R
p
+
1
jX
p
=
X
2
p
R
p
+ jR
2
p
X
p
R
2
p
+ X
2
p
R
se
=
X
2
p
R
p
R
2
p
+ X
2
p
= R
p
1
Q
2
p
+ 1
X
se
=
R
2
p
X
p
R
2
p
+ X
2
p
= X
p
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
Q
se
=
X
se
R
se
=
X
p
Q
2
p
R
p
= Q
p
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 24
Z = R
s
+ jX
s
Q
s
=
X
s
R
s
Y =
1
R
p
+
1
jX
p
Q
p
=
R
p
X
p
Supongamos que queremos encontrar el circuito paralelo equivalente al circuito serie dado por R
s
y X
s
1/R
pe
y 1/X
pe
equivalentes ser´ an las partes real e imaginaria de la admitancia del circuito:
Y =
1
Z
=
1
R
s
+ jX
s
=
R
s
−jX
s
R
2
s
+ X
2
s
R
pe
=
R
2
s
+ X
2
s
R
s
= R
s
(Q
2
s
+ 1)
X
pe
=
R
2
s
+ X
2
s
X
s
= X
s
Q
2
s
+ 1
Q
2
s
Q
pe
=
R
pe
X
pe
=
R
s
Q
2
s
X
s
= Q
s
RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 25
Circuito paralelo equivalente a red serie:
Q
s
=
X
s
R
s
= Q
pe
Si Q ≤ 10:
R
pe
= R
s
(Q
2
s
+ 1)
X
pe
= X
s
Q
2
s
+ 1
Q
2
s
Si Q > 10:
R
pe
= R
s
Q
2
s
X
pe
= X
s
Circuito serie equivalente a red paralelo:
Q
p
=
R
p
X
p
= Q
se
Si Q ≤ 10:
R
se
= R
p
/ (Q
2
p
+ 1)
X
se
= X
p
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
Si Q > 10:
R
se
= R
p
/ Q
2
p
X
se
= X
p
RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE PARA REDES RC:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 26
X
s
=
1
ωC
s
Q
s
=
1
ωC
s
R
s
Circuito paralelo equivalente a red serie:
Q
pe
= Q
s
Si Q ≤ 10:
R
pe
= R
s
(Q
2
s
+ 1)
C
pe
= C
s
Q
2
s
Q
2
s
+ 1
Si Q > 10:
R
pe
= R
s
Q
2
s
C
pe
= C
s
X
p
=
1
ωC
p
Q
p
= ωC
s
R
s
Circuito serie equivalente a red paralelo:
Q
se
= Q
p
Si Q ≤ 10:
R
se
= R
p
/ (Q
2
p
+ 1)
C
se
= C
p
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
Si Q > 10:
R
se
= R
p
/ Q
2
p
C
se
= C
p
Ojo: la conversi ´ on depende de la frecuencia (Q depende de ω)
RESUMEN CONVERSION PARALELO-SERIE PARA REDES RL:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 27
X
s
= ωL
s
Q
s
=
ωL
s
R
s
Circuito paralelo equivalente a red serie:
Q
pe
= Q
s
Si Q ≤ 10:
R
pe
= R
s
(Q
2
s
+ 1)
L
pe
= L
s
Q
2
s
+ 1
Q
2
s
Si Q > 10:
R
pe
= R
s
Q
2
s
L
pe
= L
s
X
p
= ωL
p
Q
p
=
R
p
ωL
p
Circuito serie equivalente a red paralelo:
Q
se
= Q
p
Si Q ≤ 10:
R
se
= R
p
/ (Q
2
p
+ 1)
L
se
= L
p
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
Si Q > 10:
R
se
= R
p
/ Q
2
p
L
se
= L
p
Ojo: la conversi ´ on depende de la frecuencia (Q depende de ω)
EJEMPLO: L[[C CON RESISTENCIAS SERIE r
L
Y r
C
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 28
Q
L
=
ωL
r
L
Q
C
=
1
ωCr
C
R
L
= r
L
(Q
2
L
+ 1) L
t
= L
Q
2
L
+ 1
Q
2
L
R
C
= r
c
(Q
2
C
+ 1) C
t
= C
Q
2
C
Q
2
C
+ 1
R
t
=
R
L
R
C
R
L
+ R
C
Q
t
=
R
t
ωL
t
= ωC
t
R
t
ω
0

1
L
t
C
t
B ≈
f
0
Q
t
EJEMPLO: Analizar la red RLC de la figura
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 29
ω
0

1
LC
= 25,0M rad/s Q
L
=
ωL
r
L
= 40 Q
C
=
1
ωCr
C
= 8
R
L
= r
L
Q
2
L
= 16kΩ L
t
= L = 16µH
R
C
= r
C
(Q
2
C
+ 1) = 3,25kΩ C
t
= C
Q
2
c
Q
2
c
+ 1
= 98pF
ω
0

1
L
t
C
t
= 25,25M rad/s f
0
= 4,02MHz
R
t
= 2,70kΩ Q
t
=
R
t
ω
0
L
t
= 6,68 B = 601kHz
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 30
3.7.- CIRCUITOS RESONANTES CON DERIVACI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 31
Circuitos RL[[C y RC[[L interesantes (transforman impedancias)
Sin embargo, una vez establecidos R, R
L
y ω
0
, los valores Q y B quedan fijados
Ser´ıa conveniente a˜ nadir un grado de libertad que permita tambi´ en establecer el ancho
de banda B (o el factor de calidad Q)
Soluci ´ on: circuitos resonantes con derivaci´ on (o “pinchados”)
• circuito con condensador pinchado (tapped capacitor)
• circuito con bobina pinchada (tapped inductor)
Son circuitos m´ as flexibles, pero tambi´ en m´ as complejos (an´ alisis exacto complicado)
Por otra parte, elegir valores exactos de L y C va a ser imposible (valores disponibles,
tolerancias, etc.)
Puesto que queremos controlar B, se supone que queremos dise˜ nar circuitos de banda
estrecha (Q alto); si Q > 10 podemos usar expresiones aproximadas
CIRCUITO “TAPPED CAPACITOR”:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 32
An´ alisis del circuito:
• Conversi ´ on paralelo-serie de C
2
y R
2
a C
se
y R
se
(factor de calidad Q
p
= ω
0
C
2
R
2
)
• Agrupaci ´ on de C
se
y C
1
en serie (C
/
)
• Conversi ´ on serie-paralelo de C
/
y R
se
a C
t
y R
t
(factor de calidad Q
t
= ω
0
C
t
R
t
)
Dise˜ no de la red tapped capacitor: dados R
2
, R
t
, f
0
y B, hay que calcular L, C
1
y C
2
:
Q
t
=
f
0
B
C
t
=
Q
t
ω
0
R
t
L =
1
ω
2
0
C
t
C
/
=
Q
2
t
+ 1
Q
2
t
C
t
R
se
=
R
t
Q
2
t
+ 1
=
R
2
Q
2
p
+ 1
N ≡

R
t
R
2
Q
p
=

Q
2
t
+ 1
N
2
−1
C
2
=
Q
p
ω
0
R
2
C
se
=
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
C
2
C
1
=
C
se
C
/
C
se
−C
/
EJEMPLO DE CIRCUITO “TAPPED CAPACITOR”:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 33
Queremos dise˜ nar un circuito que transforme una impedancia de 100 Ω en 8100 Ω a la frecuencia de 1.5
MHz, con un ancho de banda de 100 kHz
R
2
= 100Ω R
t
= 8100Ω f
0
= 1,5 10
6
Hz B = 10
5
Hz
L? C
1
? C
2
?
Dise˜ no:
Q
t
=
f
0
B
= 15 C
t
= C
/
=
Q
t
ω
0
R
t
= 196,5pF L =
1
ω
2
0
C
t
= 57,3µH
N =

R
t
R
2
= 9 Q
p
=

Q
2
t
N
2
−1 = 1,333
C
2
=
Q
p
ω
0
R
2
= 1,414nF C
se
=
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
C
2
= 2,210nF C
1
=
C
se
C
t
C
se
−C
t
= 215,7pF
Impedancia del circuito tapped capacitor del ejemplo
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 34
Impedancia del circuito tapped capacitor (detalle)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 35
Dise˜ no para Q
t
> 10 y Q
p
> 10:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 36
Si Q
t
y Q
p
son grandes, se pueden hacer aproximaciones:
Q
t
=
f
0
B
C
t
=
Q
t
ω
0
R
t
L =
1
ω
2
0
C
t
N ≡

R
t
R
2
C
/
=
Q
2
t
+ 1
Q
2
t
C
t
≈ C
t
Q
p
=

Q
2
t
+ 1
N
2
−1 ≈
Q
t
N
C
2
=
Q
p
ω
0
R
2

Q
t
/N
ω
0
R
t
/N
2
= NC
t
C
se
=
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
C
2
≈ C
2
C
1

C
2
C
t
C
2
−C
t

N
N −1
C
t
Resumiendo: para Q
t
> 10 y Q
p
> 10:
Q
t
=
f
0
B
C
t
=
Q
t
ω
0
R
t
L =
1
ω
2
0
C
t
N ≡

R
t
R
2
Q
p

Q
t
N
C
2
≈ NC
t
C
1

N
N −1
C
t
CIRCUITO “TAPPED INDUCTOR”:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 37
An´ alisis del circuito:
• Conversi ´ on paralelo-serie de L
2
y R
2
a L
se
y R
se
(factor de calidad Q
p
= R
2
/(ω
0
L
2
))
• Agrupaci ´ on de L
se
y L
1
en serie (L
/
)
• Conversi ´ on serie-paralelo de L
/
y R
se
a L
t
y R
t
(factor de calidad Q
t
= R
t
/(ω
0
L
/
))
Dise˜ no de la red tapped inductor: dados R
2
, R
t
, f
0
y B, hay que calcular C, L
1
y L
2
:
Q
t
=
f
0
B
L
t
=
R
t
ω
0
Q
t
C =
1
ω
2
0
L
t
L
/
=
Q
2
t
Q
2
t
+ 1
L
t
R
se
=
R
t
Q
2
t
+ 1
=
R
2
Q
2
p
+ 1
N ≡

R
t
R
2
Q
p
=

Q
2
t
+ 1
N
2
−1
L
2
=
R
2
ω
0
Q
p
L
se
=
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
L
2
L
1
= L
/
−L
se
Si Q
p
> 10: Q
p
≈ Q
t
/N L
2
≈ L
t
/N L
1
≈ L
t
(N −1)/N
EJEMPLO DE CIRCUITO “TAPPED INDUCTOR”:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 38
Queremos dise˜ nar un circuito que transforme una impedancia de 1 kΩ en 10 kΩ a la frecuencia de 10.7
MHz, con un ancho de banda de 200 kHz
R
2
= 1kΩ R
t
= 10kΩ f
0
= 10,7 10
6
Hz B = 2 10
5
Hz C? L
1
? L
2
?
Dise˜ no:
Q
t
=
f
0
B
= 53,5 L
t
= L
/
=
R
t
ω
0
Q
t
= 2,7802µH C =
1
ω
2
0
L
t
= 79,579pF N =

R
t
R
2
= 3,1623
Q
p
=

Q
2
t
N
2
−1 = 16,888 L
2
=
R
2
ω
0
Q
p
= 880,76nH
L
se
=
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
L
2
= 877,68nH L
1
= L
t
−L
se
= 1,9025µH
Dise˜ no aproximado (Q
p
> 10):
Q
p

Q
t
N
= 16,918 > 10 L
2

L
t
N
= 879,17nH L
1

N −1
N
L
t
= 1,9010µH
Impedancia del circuito tapped inductor del ejemplo
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 39
3.8.- TRANSFORMADORES
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 40
BOBINA SIMPLE EN TOROIDE DE FERRITA
Supongamos una bobina enrollada sobre un n´ ucleo de
ferrita toroidal, conectada a una fuente de corriente que
proporciona I
1
El flujo magn´ etico φ
1
inducido por I
1
es:
φ = KN
1
I
1
donde K es una constante que depende de las dimen-
siones y caracter´ısticas de la bobina y N
1
el n´ umero de
vueltas
El flujo inducido da lugar a una diferencia de potencial V
1
(ley de Faraday):
V
1
= N
1

1
dt
Sustituyendo φ
1
por su valor, se obtiene la relaci´ on entre I
1
y V
1
para la bobina:
V
1
= KN
2
1
dI
1
dt
= L
1
dI
1
dt
donde podemos identificar el coeficiente de autoinducci´ on:
L
1
= KN
2
1
TRANSFORMADOR CON SECUNDARIO ABIERTO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 41
Supongamos una segunda bobina enrollada so-
bre el n´ ucleo de ferrita toroidal
El flujo magn´ etico φ
2
en el secundario es:
φ
2
= kφ
1
donde k es el coeficiente de acoplamiento entre
el primario y el secundario (0 < k < 1)
La diferencia de potencial V
2
debida al flujo φ
2
es:
V
2
= N
2

2
dt
= N
2
k

1
dt
= k
N
2
N
1
V
1
y definiendo la raz´ on de vueltas como n ≡ N
1
/N
2
, queda:
V
2
V
1
= k
N
2
N
1
=
k
n
La relaci ´ on entre I
1
y V
2
viene dada por:
V
2
= k
N
2
N
1
V
1
= kKN
2
N
1
dI
1
dt
= M
dI
1
dt
donde hemos definido la inductancia mutua M como:
M ≡ kN
1
N
2
K = k
L
1
n
TENSIONES Y CORRIENTES EN PRIMARIO Y SECUNDARIO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 42
En general, tanto I
1
como I
2
contribuyen a V
1
(a trav´ es de L
1
y M, respectivamente), y
tambi´ en a V
2
(a trav´ es de M y L
2
, respectivamente:
V
1
= L
1
dI
1
dt
+ M
dI
2
dt
V
2
= M
dI
1
dt
+ L
2
dI
2
dt
L
1
= KN
2
1
L
2
= kN
2
2
=
L
1
n
2
M = kN
1
N
2
K = k

L
1
L
2
= k
L
1
n
TRANSFORMADORIDEAL CONRESISTENCIAENEL SECUNDARIO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 43
V
2
= −I
2
R
2
⇔ M
dI
1
dt
+L
2
dI
2
dt
+R
2
I
2
= 0
Si Q es grande (podemos despreciar R
2
I
2
):
I
1
I
2
= −
L
2
M
= −
KN
2
2
kKN
1
N
2
= −
1
kn
Transformaci´ on de tensiones y corrientes:
V
1
V
2
=
n
k
I
1
I
2
= −
1
kn
Transformaci´ on de impedancias:
R
in
=
V
1
I
1
=
n
k
V
2

1
kn
I
2
= n
2
R
2
R
out
=
−V
2
I
2
=

k
n
V
1
−knI
1
=
R
s
n
2
MODELO EQUIVALENTE DEL TRANSFORMADOR
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 44
V
1
= L
1
dI
1
dt
+ M
dI
2
dt
V
2
= M
dI
1
dt
+ L
2
dI
2
dt
Impedancia del circuito:
Z
t
(jω) =
(R
2
+ jω(L
2
−M))jωM
R
2
+ jω(L
2
−M) + jωM
+ jω(L
1
−M) =
(R
2
+ jωL
2
)jωM + ω
2
M
2
R
2
+ jωL
2
+ jωL
1
−jωM =
= jωM +
ω
2
M
2
R
2
+ jωL
2
+ jωL
1
−jωM =
ω
2
M
2
R
2
+ jωL
2
+ jωL
1
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 45
Impedancia del modelo equivalente:
Z
t
(jω) =
ω
2
M
2
R
2
+ jωL
2
+ jωL
1
Si sustituimos M por αM, L
2
por α
2
L
2
y
R
2
por α
2
R
2
, la impedancia no var´ıa (para
cualquier valor de α)
Para el α particular que cumple:
α
2
L
2
−αM = 0
nos queda:
α =
M
L
2
=
kL
1
/n
L
1
/n
2
= kn αM =
M
2
L
2
= k
2
L
1
Conversi ´ on paralelo a serie:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 46
Q
p
=
R
p
ωk
2
L
1
=
n
2
R
2
ωL
1
R
se
= R
p
1
Q
2
p
+ 1
=
k
2
n
2
R
2
Q
2
p
+ 1
L
se
= L
1
k
2
Q
2
p
Q
2
p
+ 1
L
t
= (1 −k
2
)L
1
+ L
se
= L
1
Q
2
p
+ 1 −k
2
Q
2
p
+ 1
Conversi ´ on serie a paralelo:
Q
t
=
ωL
t
R
se
(Q
t
> 10) R
t
≈ Q
2
t
R
se
Otras f´ ormulas (´ utiles para dise˜ no):
Q
t
=
ωL
t
R
se
=
ωL
1
(Q
2
p
+ 1 −k
2
)/(Q
2
p
+ 1)
k
2
n
2
R
2
/(Q
2
p
+ 1)
=
ωL
1
(Q
2
p
+ 1 −k)
k
2
n
2
ωL
1
Q
p
/n
2
=
Q
2
p
+ 1 −k
Q
p
k
2
k
2
=
Q
2
p
+ 1
Q
p
Q
t
+ 1
Q
p
= Q
t

k
2
2
+

k
4
4
+
k
2
−1
Q
2
t

k
2

2
Q
2
t

Q
2
t
+ 1 −1

Q
p

Q
2
t
+ 1 −1
Q
t
TRANSFORMADOR MONOSINTONIZADO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 47
Si introducimos un condensador en el primario para sintonizar obtenemos un transfor-
mador monosintonizado
Proporciona adaptaci´ on de impedancias (R
2
a R
t
)
Permite ajustar la frecuencia de resonancia ω
0
A trav´ es de Q
t
permite ajustar el ancho de banda B
Gracias al transformador, proporciona aislamiento entre los circuitos primario y secun-
dario
Permite el cambio de polaridad (sentido de bobinado del primario y el secundario)
Consideraremos Q
t
> 10
DISE
˜
NO DE TRANSFORMADOR MONOSINTONIZADO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 48
Dadas las especificaciones f
0
, B, R
2
, R
t
se pide determinar C, L
1
, n y k
Sobra un grado de libertad (habr´ a que fijar alg´ un par´ ametro de forma arbitraria)
Dise˜ no: primero calculamos Q
t
, C y L
t
:
Q
t
=
f
0
B
C =
Q
t
R
t
ω
0
L
t
=
1
ω
2
0
C
Elegimos arbitrariamente k (entre k
min
y 1) o bien elegimos Q
p
(entre Q
p−min
y Q
t
)
Q
p
= Q
t

k
2
2
+

k
4
4
+
k
2
−1
Q
2
t

k
2
=
Q
2
p
+ 1
Q
p
Q
t
+ 1
Obtenemos L
1
y n:
L
1
= L
t
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
+ 1 −k
2
Q
p
=
n
2
R
2
ω
0
L
1
⇔ n =

Q
p
ω
0
L
1
R
2
El transformador especificado por L
1
, n y k o bien por L
1
, L
2
y M:
L
2
=
L
1
n
2
M = k
L
1
n
EJEMPLO DE DISE
˜
NO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 49
Dadas las especificaciones f
0
= 3,18 MHz, B = 159 kHz, R
2
= 50Ω, R
t
= 2kΩ se
pide determinar C, L
1
, n y k
Calculamos Q
t
, C y L
t
:
Q
t
=
f
0
B
= 20 C =
Q
t
R
t
ω
0
= 500pF L
t
=
1
ω
2
0
C
= 5µH
Elegimos arbitrariamente Q
p
= 3 (entre Q
p−min
≈ 1 y Q
t
= 20) y calculamos k:
k =

Q
2
p
+ 1
Q
p
Q
t
+ 1
= 0,405
Obtenemos L
1
y n:
L
1
= L
t
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
+ 1 −k
2
= 5,08µH n =

Q
p
ω
0
L
1
R
2
= 2,47
Calculamos L
2
y M:
L
2
=
L
1
n
2
= 0,833µH M = k
L
1
n
= 0,833µH
Impedancia del transformador monosintonizado del ejemplo
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 50
TRANSFORMADOR DOBLEMENTE SINTONIZADO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 51
Problemas de los circuitos monosintonizados:
Banda de paso no plana
Curva de selectividad no adecuada:
• -20 dB/dec a cada lado del pico
Soluciones:
Cascada de filtros
Filtros cer´ amicos o a cristal
Filtros de onda ac´ ustica de superficie
Transformador doblemente sintonizado
• Condensador en el primario
• Condensador en el secundario
• Mejor ajuste de respuesta en frecuencia
• Usado para filtro en IF
TRANSFORMADOR DOBLEMENTE SINTONIZADO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 52
Suposiciones:
Primario y secundario id´ enticos:
R
s
= R
L
C
p
= C
s
L
p
= L
s
n = 1 M = kL
Q > 10; f
0
B
X
L
= ωL X
C
= 1/ωC
V = [R + j(X
L
−X
C
)] I
1
−jkX
L
I
2
0 = −jkX
L
I
1
+ [R + j(X
L
−X
C
)] I
2
I
1
= V
R + j(X
L
−X
C
)
[R + j(X
L
−X
C
)]
2
+ k
2
X
2
L
I
2
= V
X
L
[R + j(X
L
−X
C
)]
2
+ k
2
X
2
L
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 53
Z
t
(jω) =
V
I
1
= R + j(X
L
−X
C
) −
k
2
X
2
L
R + j(X
L
−X
C
)
Z
t
(jω) = R + j(X
L
−X
C
) + k
2
X
2
L
R −j(X
L
−X
C
)
R
2
+ (X
L
−X
C
)
2
Condici ´ on de resonancia:
X
L
= X
C
⇔ ω
0
=

1
LC
Impedancia a la frecuencia de resonancia:
Z
t
(jω
0
) = R +
k
2
X
2
L
R
= R +
ω
2
0
k
2
L
2
R
M´ axima transferencia de potencia ⇒R
/
L
= R:
ω
2
0
k
2
L
2
R
= R ⇔ k
c
=
R
ω
0
L
=
1
Q
Acoplamiento cr´ıtico si k
c
= 1/Q
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 54
Si k ≤ k
c
la impedancia (m´ odulo) presenta un ´ unico pico
Si k = k
c
(acoplamiento cr´ıtico) el pico presenta anchura m´ axima
Si k > k
c
aparecen dos picos (sobreacoplamiento)
Hay una ca´ıda de 40 dB/d´ ec a ambos lados (doblemente sintonizado)
Frecuencia de los picos (f
a
y f
b
) cuando hay sobreacoplamiento:
f
b
−f
a
=

k
2
Q
2
−1
f
0
Q
Rizado cuando hay sobreacoplamiento:
m´ax([Z[)
Z(jω
0
)
= 0,5

kQ−
1
kQ

TRANSF. DOBLEM. SINTONIZADO: FUNCI
´
ON DE TRANSFERENCIA
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 55
R = 50Ω; L = 16µH; C = 125 pF; k
c
= 0,14; Q = 7,16; f
0
= 3,56 MHz
3.9.- M
´
AXIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 56
Supongamos una fuente de se˜ nal, con R
s
, que debe transferir potencia a una carga R
L
Pretendemos que haya m´ axima transferencia de potencia
Potencia transferida a la carga:
P
L
= V
L
I =
V
s
R
L
R
s
+ R
L
V
s
R
s
+ R
L
= V
2
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
2
M´ axima transferencia de potencia:
∂P
L
∂R
L
= 0
∂P
L
∂R
L
= V
2
s
(R
s
+ R
L
) −2R
L
(R
s
+ R
L
)
3
= V
2
s
R
s
−R
L
(R
s
+ R
L
)
3
∂P
L
∂R
L
= 0 ⇔R
s
= R
L
La m´ axima transferencia de potencia a la carga se consigue cuando la resistencia de carga es igual a la
resistencia de la fuente
Potencia m´ axima transferida a la carga (R
L
= R
s
):
P
L−max
= V
2
s
R
s
(R
s
+ R
s
)
2
=
V
2
s
4R
s
POTENCIA SUMINISTRADA POR LA FUENTE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 57
M´ axima potencia que puede suministrar la fuente (fuente en cortocircuito):
P
0
=
V
2
s
R
s
Potencia transferida a la carga:
P
L
= V
2
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
2
=
V
2
s
R
s
R
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
2
= P
0
R
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
2
M´ axima transferencia de potencia (R
L
= R
s
):
P
L−max
= P
0
R
s
R
s
(R
s
+ R
s
)
2
=
P
0
4
En condiciones de m´ axima transferencia de potencia, podemos transferir a la carga 1/4
de la potencia m´ axima de la fuente
POTENCIA TRANSFERIDA A LA CARGA
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 58
M
´
AXIMA TRANSF. DE POTENCIA: IMPEDANCIA COMPLEJA
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 59
Si la impedancia de la fuente y de la carga son complejas (Z
s
= R
s
+jX
s
; Z
L
= R
L
+jX
L
) la potencia
suministrada a la carga ser´ıa:
P
L
= [I
L
[
2
Re(Z
L
) =
V
s
Z
s
+ Z
L
V
s
Z

s
+ Z

L
R
L
=
V
2
s
R
L
((R
s
+ R
L
) + j(X
s
+ X
L
))((R
s
+ R
L
) −j(X
s
+ X
L
))
P
L
=
V
2
s
R
L
(R
s
+ R
L
)
2
+ (X
s
+ X
L
)
2
Condici ´ on de m´ axima transferencia de potencia:
∂P
L
∂R
L
= 0
∂P
L
∂X
L
= 0
Derivadas parciales:
∂P
L
∂R
L
= V
2
s
R
2
s
−R
2
L
+ (X
s
+ X
L
)
2
((R
s
+ R
L
)
2
+ (X
s
+ X
L
)
2
)
2
∂P
L
∂X
L
= −V
2
s
R
L
X
s
+ X
L
((R
s
+ R
L
)
2
+ (X
s
+ X
L
)
2
)
2
Condici ´ on de m´ axima transferencia de potencia:
∂P
L
/∂R
L
= 0
∂P
L
/∂Z
L
= 0


R
L
= R
s
X
L
= −X
s

⇔ Z
L
= Z

s
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 60
Problema de transferencia de potencia con impedancia compleja:
• Z
L
= Z
L
(jω); Z
s
= Z
s
(jω): dependencia con la frecuencia
• Transferencia de potencia m´ axima ´ unicamente a ω
0
• Adaptaci´ on sin reflexi ´ on requiere que las impedancias Z
s
y Z
L
sean iguales (reflec-
tionless match )
• Adaptaci´ on con m´ axima transferencia de potencia requiere que las impedancias Z
s
y Z
L
sean complejas conjugadas (conjugate match)
• La verificaci ´ on simult´ anea de ambas condiciones es ´ unicamente posible si Z
s
y Z
L
son reales (R
L
= R
s
)
En la pr´ actica, para conseguir m´ axima transferencia de potencia y evitar reflexiones en
una banda amplia se aplica la condici ´ on reflectionless match y se procura que la parte
reactiva de la fuente sea lo menor posible
3.10.- CRISTALES DE CUARZO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 61
El cuarzo (y otros cristales) tiene propiedades piezoel´ ectricas:
• Una deformaci ´ on mec´ anica produce desplazamientos de cargas y la aparici ´ on de un
potencial el´ ectrico
• La aplicaci´ on de un potencial el´ ectrico produce deformaciones
Si se aplica un voltaje senoidal, ´ este da lugar a una deformaci ´ on mec´ anica senoidal
(oscilaci´ on mec´ anica; onda ac´ ustica)
Existen frecuencias de resonancia:
• Frecuencias a las que la impedancia presenta m´ aximos o m´ınimos
• Frecuencia fundamental (f
0
) y sobretonos (3f
0
, 5f
0
, . . .)
Alrededor de cada frecuencia de resonancia el cristal se comporta como una red RLC
con:
• Q alto (del orden de 10
5
)
• Gran estabilidad t´ ermica (del orden de 0.1 ppm/K)
Rango de frecuencias: de 20 kHz a 50 MHz (hasta 300 MHz en sobretono)
Usados para osciladores, filtros en IF y filtros en SSB
CONSTRUCCI
´
ON DEL CRISTAL
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 62
Se corta una l´ amina de cuarzo con un determinado ´ angulo con respecto al eje de simetr´ıa
del cristal y se metalizan las caras
CIRCUITO EQUIVALENTE DEL CRISTAL DE CUARZO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 63
Alrededor de cada frecuencia de resonancia, el
cristal se comporta como una red RLC con un
Q alto
El circuito equivalente incluye:
• C
s
y L
s
asociadas a la resonancia del cristal
(dependen de las caracter´ısticas el´ asticas del
cristal)
• R
s
que representa las p´ erdidas (t´ ermicas)
del cristal (y modelan el factor de calidad
finito)
• C
p
que representa la capacidad debida a las
metalizaciones
Z(jω) =
1
(C
p
+ C
s
)s

L
s
C
s
s
2
+ R
s
C
s
s + 1
L
s
C
p
C
s
C
p
+C
s
s
2
+ R
s
C
p
C
s
C
p
+C
s
s + 1
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 64
Z(jω) =
1
(C
p
+ C
s
)s

L
s
C
s
s
2
+ R
s
C
s
s + 1
L
s
C
p
C
s
C
p
+C
s
s
2
+ R
s
C
p
C
s
C
p
+C
s
s + 1
Alrededor de la frecuencia fundamental (o de los sobretonos) el cristal presenta dos frecuencias de reso-
nancia:
• Cuando se minimiza el numerador (frecuencia de resonancia serie, f
s
): la impedancia toma un valor
m´ınimo
• Cuando se minimiza el denominador (frecuencia de resonancia paralelo, f
p
): la impedancia toma un
valor m´ aximo
f
s

1


L
s
C
s
f
p

1

L
s
C
s
C
p
C
s
+C
p
= f
s

1 +
C
s
C
p
∆f = f
p
−f
s
= f
s

1 +
C
s
C
p
−1

Puesto que C
p
C
s
ambas frecuencias est´ an muy pr´ oximas
Las impedancias a las frecuencias de resonancia son:
Z(jω
s
) ≈ R
s
Z(jω
p
) ≈
L
s
C
s
C
p
(C
p
+ C
s
)R
s
Comportamiento en frecuencia:
• Para f < f
s
y f > f
p
comportamiento capacitivo
• Entre f
s
y f
p
comportamiento inductivo
• En f
s
y en f
p
comportamiento resistivo
• Alrededor de las frecuencias de resonancia, transici ´ on muy r´ apida de la fase (de −π/2 a π/2 alrededor
de f
s
y de π/2 a −π/2 alrededor de f
p
)
En la frecuencia fundamental se usan los modos de resonancia serie o paralelo
En sobretono, se suele utilizar resonancia serie
RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL CRISTAL
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 65
R
s
= 15Ω; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF;
f
s
= 2,9257 MHz; f
p
= 2,9284 MHz; ∆f = 2,72 kHz; Q = 67173
SINTON
´
IA DEL CRISTAL
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 66
A˜ nadiendo al cristal capacidades o autoinducciones en serie o en paralelo se pueden
modificar ligeramente las frecuencias de resonancia f
s
y f
p
Condensador en serie, de capacidad C
1
:
f
/
s
= f
s

1 +
C
s
C
p
+ C
1
f
/
p
≈ f
p
R
/
s
= R
s

1 +
C
p
C
1

2
Condensador en paralelo, de capacidad C
1
:
f
/
s
≈ f
s
f
/
p
≈ f
s

1 +
C
s
C
p
+ C
1
La impedancia en la resonancia paralelo disminuye
Las bobinas en serie o en paralelo con el cristal alteran las caracter´ısticas de la respues-
ta en frecuencia (presentar´ an comportamiento inductivo a altas frecuencias o a bajas
frecuencias, respectivamente) apareciendo nuevas resonancias
Las bobinas en paralelo incrementan f
p
(y no modifican f
s
)
Las bobinas en serie reducen f
s
(y no modifican f
p
)
SINTON
´
IA DEL CRISTAL CON CAPACIDADES
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 67
R
s
= 15Ω; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF; C
1
= 20 pF
SINTON
´
IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES PARALELO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 68
R
s
= 15Ω; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF; L
paral
SINTON
´
IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES PARALELO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 69
R
s
= 15Ω; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF; L
paral
SINTON
´
IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES SERIE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 70
R
s
= 15Ω; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF; L
serie
SINTON
´
IA DEL CRISTAL CON AUTOINDUCCIONES SERIE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 71
R
s
= 15Ω; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF; L
serie
3.11.- FILTROS DE ONDA AC
´
USTICA DE SUPERFICIE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 72
Los cristales de cuarzo basan el funcionamiento en el intercambio de energ´ıa entre la se˜ nal el´ ectrica
suministrada y una vibraci ´ on mec´ anica (onda ac´ ustica) que se propaga en el cristal
Las resonancias el´ ectricas son debidas a resonancias de la onda ac´ ustica
El cristal debe hacerse m´ as fino para incrementar la frecuencia de resonancia:
c ≈ 3000m/s λ =
c
f
paraf
0
= 50MHz λ = 60µm
Por ello, es dif´ıcil hacer cristales de cuarzo con f
0
de varias decenas de MHz
Soluci ´ on para altas frecuencias: resonadores de onda ac´ ustica de superficie (SAW, Surface Acoustic
Wave)
Dispositivo: estructura resonante en la superficie de un cristal, constituida por un sustrato sobre el que se
depositan unos electrodos (con t´ ecnicas de circuitos integrados)
Sustrato de niobato de litio (Li Nb O
3
) o tantalato de litio (Li Ta O
3
)
La geometr´ıa y dimensiones de los electrodos determinan las resonancias y la respuesta en frecuencia
Se alcanzan frecuencias de resonancia de cientos de MHz
El dise˜ no es complejo pero permite flexibilidad en el dise˜ no de la respuesta en frecuencia
Dispositivos compactos (del orden de λ)
ESTRUCTURA DE UN RESONADOR DE ONDA AC
´
USTICA SUPERFICIAL
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 3: Circ. resonantes p´ ag. 73
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR p´ ag. 1
Tema 4:
AMPLIFICADORES SINTONIZADOS
EN RADIO FRECUENCIA
Tema 4: AMPLIFICADORES SINTONIZADOS EN RF
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 2
4.1.- Introducci ´ on
4.2.- Transistores BJT y MOSFET (repaso)
4.3.- Amplificadores en peque˜ na se˜ nal
4.4.- Modelo en par´ ametros Y
4.5.- Estabilidad del amplificador
Criterio de Linvill C
Criterio de Stern K
Obtenci´ on de estabilidad
Realimentaci´ on
4.6.- Ganancia de potencia en amplificaci´ on
4.7.- Dise˜ no con dispositivo incondicionalmente estable
Con realimentaci´ on
Sin realimentaci´ on
4.8.- Dise˜ no con dispositivo potencialmente inestable
Estabilizaci´ on sin realimentaci´ on con G
S
fijo
Estabilizaci´ on sin realimentaci´ on con G
S
y G
L
libres
4.9.- Dise˜ no de etapa amplificadora sintonizada
Adaptaci´ on de impedancias y polarizaci´ on
Procedimiento de dise˜ no
4.1.- INTRODUCCI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 3
En radiocomunicaciones se necesitan amplificadores sintonizados: (en transmisor y receptor)
Amplificadores sintonizados (Q grande), grandes ganancias
La estabilidad puede ser un problema: oscilaciones no deseables
Objetivo del tema: dise˜ no y an´ alisis de amplificadores sintonizados en RF
4.2.- TRANSISTORES BJT Y MOSFET (repaso)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 4
EL TRANSISTOR BJT:
BJT: Bipolar Junction Transistor
(transistor bipolar de uni´ on)
Regiones de operaci´ on:
Activa V
BE
> 0, V
BC
< 0 (en npn)
Saturaci´ on V
BE
> 0, V
BC
> 0 (en npn)
Corte V
BE
< 0, V
BC
< 0 (en npn)
Activa inversa: V
BE
< 0, V
BC
> 0 (en npn)
Comportamiento f´ısico del transistor:
• Activa, saturaci´ on, corte, activa inversa
Uso del transistor BJT
• En electr´ onica anal´ ogica: activa
• En electr´ onica digital: corte y saturaci´ on
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 5
Comportamiento f´ısico: ecuaciones de Ebers Moll:
I
E
= −I
ES

e
V
BE
/V
T
−1

+ α
R
I
CS

e
V
BC
/V
T
−1

I
C
= α
F
I
ES

e
V
BE
/V
T
−1

−I
CS

e
V
BC
/V
T
−1

donde V
T
= kT/q (V
T
≈ 25 mV a T ambiente)
En activa, V
BE
> 0 y V
BC
< 0
I
E
≈ −I
ES
e
V
BE
/V
T
I
C
≈ α
F
I
ES
e
V
BE
/V
T
I
B
= −I
E
−I
C
=

1
α
F
−1

I
C
=
I
C
β
F
β
F
=
α
F
1 −α
F
En activa podemos describir el comportamiento con estas ecuaciones:
I
C
= β
F
I
B
I
C
= I
S
e
V
BE
/V
T
donde I
S
y β
F
son par´ ametros dependientes del dispositivo
En activa, la corriente de colector se controla mediante la tensi´ on base-emisor (o medi-
ante la corriente de base)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 6
Operaci ´ on en activa: I
C
depende de V
BE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 7
Efecto Early (modulaci´ on de anchura de la base)
I
C
= I
S
e
V
BE
/V
T

1 +
V
CE
V
A

MODELO DE PEQUE
˜
NA SE
˜
NAL DEL BJT:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 8
El modelo de peque˜ na se˜ nal se obtiene linealizando en torno al punto de polarizaci ´ on
Modelo en par´ ametros π (a partir de f´ısica del dispositivo)
r
bb
: resistencia distribuida de base (peque˜ na)
r
µ
: resistencia uni´ on CB polarizada en inverso (muy grande)
C
µ
: capacidad de uni ´ on CB polarizada en inverso (capacidad de transici´ on)
r
π
: relaci ´ on entre v
be
e i
b
C
π
: capacidad de uni ´ on BE polarizada en directo (capacidad de difusi´ on m´ as capacidad de transici´ on)
g
m
: transconductancia, relaci´ on entre v
be
e i
c
r
o
: relaci ´ on entre v
ce
e i
c
(modela efecto Early)
1
r
o
=
∂I
C
∂V
CE
g
m
=
∂I
C
∂V
BE
1
r
π
=
∂I
B
∂V
BE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 9
Los par´ ametros g
m
, r
π
y r
o
dependen del punto de polarizaci´ on:
g
m
=
I
0
C
V
T
r
π
=
β
g
m
r
o
=
V
A
I
0
C
La capacidad C
µ
corresponde a la capacidad de transici´ on de una uni ´ on pn polarizada en inversa:
C
µ
=
C
µ0

1 +
V
CB
Ψ
0

n
donde n depende del perfil de dopado (C
µ
del orden de 1 pF)
La capacidad C
π
incluye la capacidad de difusi´ on y la de transici ´ on:
C
π
= C
d
+ C
je
= τ
F
g
m
+ 2C
je0
donde τ
F
es el tiempo de tr´ ansito de los portadores en la base (C
π
del orden de decenas de pF)
Las capacidades condicionan el comportamiento en alta frecuencia (se pueden despreciar a baja frecuen-
cia pero influyen a alta frecuencia)
A partir de una cierta frecuencia, la ganancia en corriente β disminuye:
[β(f)[ =
f
T
f
siendo f
T
la frecuencia de transici ´ on (para la que [β[ = 1)
f
T
=
1

g
m
C
π
+ C
µ

1
2πτ
F
EL TRANSISTOR MOSFET:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 10
MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
(transistor de efecto campo metal-´ oxido-semiconductor)
Dispositivo de 4 terminales:
• Sustrato o cuerpo (Bulk o Body, B)
• Puerta (Gate, G)
• Fuente (Source, S)
• Drenador (Drain, D)
Comportamiento f´ısico del transistor:
• Si la tensi ´ on V
GS
supera el umbral V
T
, se crea un canal con
portadores libres(por efecto campo)
• Si la tensi ´ on V
GD
supera el umbral V
T
, el canal llega hasta el
drenador
• Cuando hay canal entre fuente y drenador, hay conducci ´ on
´ ohmica (en triodo u ´ ohmico)
• Si no hay canal, no conduce (en corte)
• Si V
GS
> V
T
, pero V
GD
< V
T
el canal no llega al drenador
y todos los portadores del canal llegan al drenador: (en satu-
raci ´ on). La corriente de drenador controlada por V
GS
En electr´ onica anal ´ ogica, se usa en saturaci´ on
Comportamiento an´ alogo al BJT con varias diferencias:
• Dispositivo de puerta aislada
• g
m
menor
• Dependencia I
D
(V
GS
) distinta a I
C
(V
BE
)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 11
Regiones de funcionamiento:
Saturaci ´ on V
GS
> V
T
, V
GD
< V
T
(MOSFET de canal n)
´
Ohmica V
GS
> V
T
, V
GD
> V
T
(MOSFET de canal n)
Corte V
GS
< V
T
, V
GD
< V
T
(MOSFET de canal n)
En zona de comportamiento ´ ohmico:
I
D
=
µ
n
C
ox
W
L

(V
GS
−V
T
)V
DS

V
2
DS
2


µ
n
C
ox
W
L
(V
GS
−V
T
)V
DS
En zona de saturaci ´ on:
I
D
=
µ
n
C
ox
W
2L
(V
GS
−V
T
)
2
= I
D0

1 −
V
GS
V
T

2
siendo I
D0

µ
n
C
ox
W
2L
V
2
T
donde:
• µ
n
(o µ
p
) es la movilidad de los portadores (electrones/huecos en MOSFET de canal n/p)
• C
ox
=
ox
/d
ox
es la capacidad del ´ oxido
• W es la anchura del canal
• L es la longitud del canal
Efecto Body: la tensi´ on umbral V
T
depende de la tensi ´ on sustrato-fuente (normalmente el sustrato es-
tar´ a cortocircuitado con la fuente o a la tensi´ on m´ as baja del circuito)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 12
Operaci ´ on en saturaci´ on: I
D
depende de V
GS
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 13
Efecto de modulaci´ on de longitud del canal (equivalente a efecto Early)
I
D
= I
D0

1 −
V
GS
V
T

2
(1 + λV
DS
)
Tipos de MOSFET
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 14
En cuanto al tipo de canal:
• De canal n (sustrato p, fuente y drenador n)
• De canal p (sustrato n, fuente y drenador p)
En cuanto a la tensi ´ on umbral:
• Si para V
GS
= 0 hay canal, se llama MOSFET de deplexi ´ on, de empobrecimiento, o de tipo on (ocurre
si V
T
< 0 en MOSFET de canal n, o si V
T
> 0 en MOSFET de canal p)
• Si para V
GS
= 0 no hay canal, se llama MOSFET de realce, de acumulaci ´ on, o de tipo off (ocurre si
V
T
> 0 en MOSFET de canal n, o si V
T
< 0 en MOSFET de canal p)
MOSFET de canal n de realce MOSFET de canal p de realce
MOSFET de canal n de deplexi ´ on MOSFET de canal p de deplexi ´ on
MODELO DE PEQUE
˜
NA SE
˜
NAL DEL MOSFET:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 15
El modelo de peque˜ na se˜ nal se obtiene linealizando en torno al punto de polarizaci ´ on
Para simplificar supondremos sustrato y fuente cortocircuitados (capacidades a sustrato
y g
mb
v
sb
se eliminan)
C
gs
: capacidad del canal (debida a la estructura MOS; grande)
C
gd
: capacidad del canal (debida a la estructura MOS; grande)
C
ds
: capacidad drenador-sustrato (que est´ a cortocircuitado con fuente)
g
m
: transconductancia, relaci´ on entre v
gs
e i
d
r
d
: relaci ´ on entre v
ds
e i
d
(modela efecto modulaci ´ on de longitud del canal)
g
m
=
∂I
D
∂V
GS
1
r
d
=
∂I
D
∂V
DS
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 16
I
D
= I
D0

1 −
V
GS
V
T

2
(1 + λV
DS
)
g
m
=
∂I
D
∂V
GS
1
r
d
=
∂I
D
∂V
DS
Los par´ ametros g
m
y r
d
dependen del punto de polarizaci´ on:
g
m
=
2I
0
D
V
GS
−V
T
r
d
=
1
λI
0
D
La capacidad C
gs
corresponde a la capacidad de la estructura MOS en el canal (y es del orden de algunos
pF):
C
gs
=
2
3
WLC
ox
Las capacidades C
gd
y C
ds
son varias veces menores que C
gs
Las capacidades condicionan el comportamiento en alta frecuencia (se pueden despreciar a baja frecuen-
cia pero influyen a alta frecuencia)
La frecuencia de transici ´ on es:
f
T
=
1

g
m
C
gs
CONFIGURACIONES AMPLIFICADORAS CON BJT:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 17
emisor com´ un colector com´ un base com´ un
impedancia de entrada media alta baja
impedancia de salida alta baja muy alta
ganancia de corriente h
fe
h
fe
+ 1 1
ganancia de voltaje alta 1 alta
ganancia de potencia muy alta media alta
frecuencia de corte f
hfe
f
hfc
≈ f
hfe
f
hfb
≈ h
fe
f
hfe
CONFIGURACIONES AMPLIFICADORAS CON MOSFET:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 18
fuente com´ un drenador com´ un
impedancia de entrada muy alta muy alta
impedancia de salida media baja
ganancia de voltaje alta 1
frecuencia de corte g
m
/(2πC
gs
) g
m
/(2πC
ds
)
4.3.- AMPLIFICADORES EN PEQUE
˜
NA SE
˜
NAL
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 19
Amplificador en peque˜ na se˜ nal implica:
(1) Amplitudes suficientemente peque˜ nas para que los dispositivos activos se puedan modelar mediante
modelos lineales
(2) El voltaje de salida es proporcional al voltaje de entrada
¿Cu´ al es el l´ımite dentro del cual puedo considerar que un BJT o un MOSFET operan en peque˜ na se˜ nal?
Estudio de linealidad en un amplificador EC sintonizado
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 20
Suposiciones:
• Capacidades internas del transistor suficientemente peque˜ nas a f
0
• Capacidades de desacoplo suficientemente grandes a f
0
• Despreciamos efecto Early
• Resistencias de polarizaci´ on R
b1
y R
b2
suficientemente grandes
• A la frecuencia de resonancia f
0
, impedancia de carga R
t
Ganancia en f
0
:
A
v
=
V
o
V
i
= −g
m
R
t
Si aumentamos la amplitud de V
i
deja de tener comportamiento lineal y abandonamos
la zona de operaci´ on en peque˜ na se˜ nal:
• Desplazamiento del punto de polarizaci´ on
• Ganancia dependiente de la amplitud de la se˜ nal de entrada
• Aparici´ on de arm´ onicos
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 21
Supongamos entrada:
v
BE
= V
BE
+ V
i
cos(ωt)
La intensidad de colector viene dada por las ecuaciones de Ebers Moll:
I
C
= αI
ES
exp(v
BE
/V
T
) = αI
ES
exp(V
BE
/V
T
) exp(V
i
cos(ωt)/V
T
) = I
0
C
exp(x cos(ωt))
donde se ha definido x ≡ V
i
/V
T
La funci ´ on exp(x cos(ωt)) es peri ´ odica y por tanto admite un desarrollo en serie de Fourier:
exp(x cos(ωt)) = I
0
(x) + 2

¸
n=1
I
n
(x) cos(nωt)
siendo I
n
(x) las funciones de Bessel modificadas de primera especie
La intensidad de colector queda:
I
C
= I
0
C

I
0
(x) + 2

¸
n=1
I
n
(x) cos(nωt)

En peque˜ na se˜ nal (x →0):
l´ım
x→0
I
0
(x) = 1 l´ım
x→0
I
1
(x) = x/2 l´ım
x→0
I
n
(x) =
x
n
n! 2
n
I
C
≈ I
0
C

1 + x cos(ωt) +
x
2
4
cos(2ωt) + . . .

≈ I
0
C
+
V
i
V
T
I
0
C
cos(ωt) = I
0
C
+ g
m
V
i
cos(ωt)
V
C
= V
0
C
−g
m
R
t
V
i
cos(ωt) A
v
= −g
m
R
t
An´ alisis en gran se˜ nal: I
C
= I
0
C
(I
0
(x) + 2
¸
I
n
(x) cos(nωt))
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 22
El t´ ermino I
0
(x) produce un desplazamiento del punto de polarizaci´ on:
• Para x = 0,5, I
C
se incrementa un 6.3 %; para x = 1, I
C
se incrementa un 26.6 %
El t´ ermino 2I
1
(x) hace que la ganancia dependa de la amplitud de la se˜ nal de entrada:
• Para x = 0,5, A
v
se incrementa un 3.2 %; para x = 1, A
v
se incrementa un 13.0 %
La ganancia dependiente de la amplitud da lugar a una distorsi ´ on. La distorsi ´ on tolerable determina el
l´ımite tolerable de amplitud de entrada (para V
i
= 25 mV, amplitudes incrementadas 1dB)
Los t´ erminos 2I
n
(x) con n ≥ 2 dan lugar a arm´ onicos de frecuencias nω (filtrados)
An´ alisis en gran se˜ nal para un MOSFET
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 23
I
D
= K(v
GS
−V
T
)
2
v
GS
= V
GS
+ V
i
cos(ωt)
I
D
= K ((V
GS
−V
T
) + V
i
cos(ωt))
2
I
D
= K(V
GS
−V
T
)
2
+ KV
2
i
cos
2
(ωt) + 2K(V
GS
−V
T
)V
i
cos(ωt)
I
D
= I
0
D
+
1
2
KV
2
i
+
1
2
KV
2
i
cos(2ωt) +
2I
0
D
(V
GS
−V
T
)
V
i
cos(ωt)
I
D
= I
0
D
+
1
2
KV
2
i
+
1
2
KV
2
i
cos(2ωt) + g
m
V
i
cos(ωt)
Un valor grande de V
i
(comparado con (V
GS
−V
T
)) tiene dos efectos:
• Desplaza el punto de polarizaci´ on del MOSFET
• Da lugar a la aparici´ on de un arm´ onico de frecuencia 2ω
Sin embargo, no afecta a la ganancia para la componente ω
En la pr´ actica, las no linealidades se hacen importantes para V
i
superiores a 400 mV
(en BJT para 25 mV)
4.4.- MODELO EN PAR
´
AMETROS Y
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 24
Modelos de peque˜ na se˜ nal:
Basados en la f´ısica del dispositivo:
• Aplicables en un rango amplio de frecuencias
• Valores fijos en este rango de frecuencias
• Adecuados para an´ alisis mediante ordenador
Modelo en par´ ametros Y (par´ ametros de admitancia)
• Modelo de cuadripolo (dispositivo con entrada y salida)

´
Util para an´ alisis de estabilidad y ganancia

´
Util para an´ alisis de realimentaci´ on
• Los par´ ametros toman valores complejos espec´ıficos para cada frecuencia
PAR
´
AMETROS DE ADMITANCIA DE UN CUADRIPOLO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 25
Cualquier dispositivo lineal de dos puertos se puede describir mediante las ecuaciones:
I
1
= V
1
y
i
+ V
2
y
r
= −V
1
Y
S
I
2
= V
1
y
f
+ V
2
y
o
= −V
2
Y
L
donde Y
S
e Y
L
son las admitancias de la fuente y de la carga, respectivamente, y donde y
i
,
y
r
, y
f
e y
o
son los par´ ametros de admitancia en cortocircuito del dispositivo:
y
i

I
1
V
1

V
2
=0
y
r

I
1
V
2

V
1
=0
y
f

I
2
V
1

V
2
=0
y
o

I
2
V
2

V
1
=0
(admitancias de entrada, de transferencia inversa, de transferencia directa y de salida)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 26
I
1
= V
1
y
i
+ V
2
y
r
= −V
1
Y
S
I
2
= V
1
y
f
+ V
2
y
o
= −V
2
Y
L
Ganancia de tensi´ on y corriente, y admitancias de entrada y salida (A
V
, A
I
, Y
1
e Y
2
):
A
V

V
2
V
1
=
−y
f
y
o
+ Y
L
V
1
V
2
=
−y
r
y
i
+ Y
S
A
I

I
2
I
1
=
y
f
Y
L
y
i
y
o
−y
f
y
r
+ y
i
Y
L
Y
1

I
1
V
1
= y
i

y
r
y
f
y
o
+ Y
L
Y
2

I
2
V
2
= y
o

y
r
y
f
y
i
+ Y
S
Ejemplo de c´ alculo de par´ ametros Y
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 27
Par´ ametros de admitancias de la red:
y
i
=
I
1
V
1

V
2
=0
= Y
A
y
r
=
I
1
V
2

V
1
=0
= −Y
A
y
f
=
I
2
V
1

V
2
=0
= −Y
A
y
o
=
I
2
V
2

V
1
=0
= Y
A
+ Y
B
Ganancia de tensi ´ on y corriente, y admitancias de entrada y salida
A
V
=
−y
f
y
o
+ Y
L
=
Y
A
Y
A
+ Y
B
+ Y
L
A
I
=
y
f
Y
L
y
i
y
o
−y
f
y
r
+ y
i
Y
L
=
−Y
A
Y
L
Y
A
Y
B
+ Y
A
Y
L
Y
1
= y
i

y
r
y
f
y
o
+ Y
L
=
Y
A
(Y
B
+ Y
L
)
Y
A
+ Y
B
+ Y
L
Y
2
= y
o

y
r
y
f
y
i
+ Y
S
=
Y
A
Y
S
+ Y
B
Y
A
+ Y
B
Y
S
Y
A
+ Y
S
PAR
´
AMETROS Y DE UN MOSFET
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 28
y
i
=
I
1
V
1

V
2
=0
= jωC
gs
+ jωC
gd
y
r
=
I
1
V
2

V
1
=0
= −jωC
gd
y
f
=
I
2
V
1

V
2
=0
= g
m
−jωC
gd
y
o
=
I
2
V
2

V
1
=0
= g
o
+ jωC
ds
+ jωC
gd
PAR
´
AMETROS Y DE UN BJT SIN r
x
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 29
y
i
=
I
1
V
1

V
2
=0
= g
π
+ g
µ
+ jωC
π
+ jωC
µ
y
r
=
I
1
V
2

V
1
=0
= −g
µ
−jωC
µ
y
f
=
I
2
V
1

V
2
=0
= g
m
−g
µ
−jωC
µ
y
o
=
I
2
V
2

V
1
=0
= g
o
+ g
µ
+ jωC
µ
PAR
´
AMETROS Y DE UN BJT CON r
x
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 30
y
i
=
I
1
V
1

V
2
=0
=
g
x
(g
π
+ g
µ
+ jωC
π
+ jωC
µ
)
g
x
+ g
π
+ g
µ
+ jωC
π
+ jωC
µ
y
r
=
I
1
V
2

V
1
=0
=
−g
x
(g
µ
+ jωC
µ
)
g
x
+ g
π
+ g
µ
+ jωC
π
+ jωC
µ
y
f
=
I
2
V
1

V
2
=0
=
g
x
(g
m
−g
µ
−jωC
µ
)
g
x
+ g
π
+ g
µ
+ jωC
π
+ jωC
µ
y
o
=
I
2
V
2

V
1
=0
= g
o
+
(g
µ
+ jωC
µ
)(g
m
+ g
x
+ g
π
+ jωC
π
)
g
x
+ g
π
+ g
µ
+ jωC
π
+ jωC
µ
4.5.- ESTABILIDAD DEL AMPLIFICADOR
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 31
Circuito estable: libre de oscilaciones indeseables
Cualquier circuito es inestable si a la entrada recibe suficiente se˜ nal de la salida con la
fase adecuada
Acoplamiento entre salida y entrada:
• A trav´ es de elementos internos: C
µ
en BJT o C
gd
en MOSFET
• A trav´ es de elementos externos (red de realimentaci ´ on)
Objetivo del amplificador:
• M´ axima ganancia de potencia
• Estabilidad
Criterios de estabilidad:
• Para dispositivos: Factor C de Linvill
• Para circuitos: Factor K de Stern
C =
[y
f
y
r
[
2g
i
g
o
−Re(y
f
y
r
)
C < 1 ⇒incondicionalmente estable
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
K > 1 ⇒circuito estable
FACTOR DE ESTABILIDAD C DE LINVILL
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 32
El factor de estabilidad C de Linvill se define como:
C =
[y
f
y
r
[
2g
i
g
o
−Re(y
f
y
r
)
Determina la estabilidad del dispositivo en el peor de los casos (con ambos puertos en
circuito abierto, es decir, Y
S
→0 Y
L
→0)
Si C < 1 el dispositivo es incondicionalmente estable (estable independientemente de
las admitancias de fuente y carga)
Si C > 1 el dispositivo es potencialmente inestable (puede ser inestable para determi-
nados valores de las admitancias de carga y fuente)
Algunos BJTs y MOSFETs son potencialmente inestables en algunas frecuencias de-
bido a C
µ
y C
gd
Factor C de Linvill: ejemplo
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 33
Estudiar la estabilidad de un transistor 2N4957 a f = 200 MHz, con I
C
= 2 mA y
V
CE
= 10 V en emisor com´ un
Consultando gr´ aficas podemos ver:
y
i
= (2,7 + j6,8)m y
f
= (53 −j22)m
y
o
= (0,1 + j1,5)m y
r
= (0 −j0,5)m
[y
f
[ = 57,4m [y
r
[ = 0,5m
C =
[y
f
y
r
[
2g
i
g
o
−Re(y
f
y
r
)
=
57,4 0,5
0,54 + 11
= 2,49 > 1 ⇒ potencialmente inestable
Obtenci´ on de par´ ametros de admitancia
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 34
FACTOR DE ESTABILIDAD K DE STERN
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 35
Al a˜ nadir impedancias de fuente y carga finitas, la estabilidad tiende a mejorar
El factor de estabilidad K de Stern se define como:
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
Si K > 1 el circuito es estable
Si K < 1 el circuito es potencialmente inestable
Cuanto mayor sean G
S
y G
L
, mejor es la estabilidad (aunque disminuye la ganancia)
Si K es pr´ oximo a 1, riesgo de inestabilidad por realimentaciones con elementos par´ asitos
Valores recomendados: 4 < K < 10
Factor K de Stern: ejemplo
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 36
Estudiar la estabilidad de un transistor 2N4957 a f = 200 MHz, con I
C
= 2 mA y
V
CE
= 10 V en emisor com´ un, con R
S
= 50Ω y R
L
= 1kΩ
y
i
= (2,7 + j6,8)m y
f
= (53 −j22)m
y
o
= (0,1 + j1,5)m y
r
= (0 −j0,5)m
G
S
= 20m G
L
= 1m
g
i
+ G
S
= 22,7m g
o
+ G
L
= 1,1m
y
f
y
r
= (−11 −j26,5)(m)
2
[y
f
y
r
[ = 28,7(m)
2
Re(y
f
y
r
) = −11(m)
2
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
=
2 22,7 1,1
28,7 −11
= 2,82 > 1 ⇒ circuito estable
ESTABILIDAD EN CIRCUITOS REALIMENTADOS
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 37
Si consideramos una red de realimentaci ´ on externa, podemos aplicar los criterios de
Linvill y Stern a la red completa
Para el an´ alisis debemos considerar los par´ ametros de admitancia de la red completa:
y
ic
= y
it
+ y
if
y
rc
= y
rt
+ y
rf
y
fc
= y
ft
+ y
ff
y
oc
= y
ot
+ y
of
Estabilidad en circuitos realimentados: ejemplo
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 38
Estudiar la estabilidad de un transistor 2N4957 a f = 200 MHz, con I
C
= 2 mA y
V
CE
= 10 V en emisor com´ un, con R
S
= 50Ω y R
L
= 1kΩ al que se ha colocado una
capacidad C
x
= 3,25 pF entre colector y base
y
if
= y
of
= Y
x
= jωC
x
= j4m
y
ff
= y
rf
= −Y
x
= −jωC
x
= −j4m
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 39
Par´ ametros del transistor:
y
it
= (2,7 + j6,8)m y
ft
= (53 −j22)m
y
ot
= (0,1 + j1,5)m y
rt
= (0 −j0,5)m
Par´ ametros del circuito realimentado:
y
ic
= (2,7 + j10,8)m y
fc
= (53 −j26)m
y
oc
= (0,1 + j5,5)m y
rc
= (0 −j4,5)m
Factores de Linvill y Stern:
G
S
= 20m G
L
= 1m
g
i
+ G
S
= 22,7m g
o
+ G
L
= 1,1m
y
f
y
r
= (−117 −j238,5)(m)
2
[y
f
y
r
[ = 265,6(m)
2
Re(y
f
y
r
) = −117(m)
2
C =
[y
f
y
r
[
2g
i
g
o
−Re(y
f
y
r
)
=
256,6
2 2,7 0,1 + 117
= 2,26 > 1 ⇒ potencialmente inestable
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
=
2 22,7 1,1
265,6 −117
= 0,336 < 1 ⇒ potencialmente inestable
ESTABILIZACI
´
ON DE UN AMPLIFICADOR
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 40
La inestabilidad del circuito es debida a la trayectoria de realimentaci ´ on:
• y
rc
= y
rt
+ y
rf
• Interna: a trav´ es de y
rt
• Externa: a trav´ es de y
rf
M´ etodos de estabilizaci´ on del circuito:
• Unilateralizaci´ on: Elegir y
rf
que hace anula y
rc
• Neutralizaci´ on: Si y
rt
es compleja (tiene parte real e imaginaria) es dif´ıcil encontrar
la red que hace que y
rc
se anule; si se hace y
rf
= −jb
rt
siendo g
rt
< b
rt
, queda
y
rc
= g
rt
suficientemente peque˜ na como para garantizar estabilidad: amplificador
neutralizado
• Disminuir las resistencias de carga y de fuente mejora la estabilidad (a costa de re-
ducir ganancia); se recomienda 4 < K < 10
C =
[y
f
y
r
[
2g
i
g
o
−Re(y
f
y
r
)
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
Ejemplo de neutralizaci´ on:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 41
L
n
y C
n
se eligen para anular b
rc
Queda: y
rc
= g
rt
4.6.- GANANCIA DE POTENCIA EN AMPLIFICACI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 42
Definiciones de ganancia de potencia:
Ganancia de potencia de operaci ´ on:
G
P
=
P
o
P
i
Ganancia de transductor:
G
T
=
P
o
P
as
Ganancia disponible:
G
A
=
P
ao
P
as
M´ axima Ganancia Disponible MAG:
GANANCIA DE POTENCIA DE OPERACI
´
ON G
P
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 43
G
P
es la ganancia de potencia desde la entrada del amplificador hasta la carga:
G
P
=
P
o
P
i
=
potencia entregada a la carga
potencia en el puerto de entrada
=
[V
2
[
2
G
L
[V
1
[
2
G
1
Toma el valor:
G
P
=
[y
f
[
2
G
L
[Y
L
+ y
o
[
2
G
1
GANANCIA DE POTENCIA DEL TRANSDUCTOR G
T
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 44
G
T
es el cociente entre la potencia entregada a la carga y la potencia disponible en la
fuente:
G
T
=
P
o
P
as
=
potencia entregada a la carga
potencia disponible en la fuente
Se asume que el acoplamiento entre la fuente y el amplificador es ´ optimo:
Y
S
= Y

1
Toma el valor:
G
T
=
4G
S
G
L
[y
f
[
2
[(y
i
+ Y
S
)(y
o
+ Y
L
) −y
f
y
r
[
2
GANANCIA DE POTENCIA DISPONIBLE G
A
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 45
G
A
es la m´ axima ganancia que puede proporcionar el amplificador:
G
A
=
P
ao
P
as
=
potencia disponible en el puerto de salida
potencia disponible en la fuente
Se asume que el acoplamiento entre la fuente y el amplificador es ´ optimo:
Y
S
= Y

1
Se asume que el acoplamiento entre el amplificador y la carga es ´ optimo:
Y
L
= Y

2
Toma el valor:
G
A
=
[y
f
[
2
G
S
Re

(y
i
y
o
−y
f
y
r
+ y
o
Y
S
)(y
i
+ Y
S
)

M
´
AXIMA GANANCIA DISPONIBLE MAG
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 46
MAG es la ganancia te´ orica del amplificador suponiendo y
r
= 0
En tal caso, se verifica:
Y
1
= y
i
Y
2
= y
o
Se asume acoplamiento ´ optimo en fuente y carga
MAG representa el l´ımite superior te´ orico de ganancia que puede obtenerse con el dis-
positivo activo
Su valor se obtiene de G
A
o de G
T
haciendo y
r
= 0, con Y
S
= y

i
, Y
L
= y

o
:
MAG =
[y
f
[
2
4g
i
g
o
GANANCIA DE POTENCIA Y DISE
˜
NO DEL AMPLIFICADOR
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 47
MAG proporciona un l´ımite m´ aximo te´ orico (si y
r
= 0)
En general, y
r
= 0 y la ganancia m´ axima de potencia G
A
se obtiene cuando hay
acoplamiento de admitancias de fuente y carga Y
S
= Y

1
; Y
L
= Y

2
• Esta condici ´ on es dif´ıcil de conseguir, ya que Y
1
depende de Y
L
, e Y
2
depende de Y
S
• Cuando se consigue esta condici´ on, G
T
=G
A
; si no se consigue, G
T
< G
A
Objetivo del dise˜ no: maximizar G
P
(ganancia de operaci´ on) o G
T
(ganancia del trans-
ductor) manteniendo la estabilidad
• Si el dispositivo es incondicionalmente estable, se pueden buscar los valores Y
S
Y
L
que maximizan la ganancia G
T
(que hacen G
T
= G
A
)
• Si el dispositivo es potencialmente inestable:
◦ Realimentaci´ on para unilateralizar o neutralizar, y buscar entonces las admitancias
Y
S
Y
L
que maximizan G
T
(que hacen G
T
= G
A
)
◦ O bien buscar las admitancias Y
S
Y
L
que maximizan G
T
para un factor de Stern
K adecuado
DISE
˜
NO DEL AMPLIFICADOR
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 48
Dispositivo incondicionalmente estable (C < 1):
• Con realimentaci´ on (unilateralizado): MAG
• Sin realimentaci´ on: G
A
Dispositivo potencialmente inestable (C > 1):
• Con realimentaci´ on:
◦ Unilateralizado: MAG
◦ Neutralizado con C < 1: G
A
◦ Neutralizado con C > 1: G
T
t.q. K > 4
• Sin realimentaci´ on con C > 1: G
T
t.q. K > 4
4.7.- DISE
˜
NO CON DISPOSITIVO INCOND. ESTABLE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 49
AMPLIFICADOR UNILATERALIZADO (con realimentaci´ on)
La red de realimentaci´ on que proporciona unilateralizaci ´ on estar´ıa formada por y
x
con
y
x
= y
rt
De este modo, como y
rf
= −y
x
, queda y
rf
= −y
rt
y por tanto y
rc
= 0
Los par´ ametros de la red completa ser´ıan:
y
ic
= y
it
+ y
rt
y
rc
= 0
y
fc
= y
ft
−y
rt
y
oc
= y
ot
+ y
rt
Las admitancias de entrada y salida ser´ıan:
Y
1
= y
ic

y
rc
y
fc
y
oc
+ Y
L
= y
ic
= y
it
+ y
rt
Y
2
= y
oc

y
rc
y
fc
y
ic
+ Y
S
= y
oc
= y
ot
+ y
rt
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 50
Y
1
e Y
2
son independientes de Y
L
e Y
S
: la sintonizaci ´ on de la red no afecta al acoplamien-
to de impedancias; ´ util en dise˜ no multietapa
Ganancia de potencia del transductor unilateralizado:
G
Tu
=
4G
S
G
L
[y
ft
−y
rt
[
2
[(y
it
+ y
rt
+ Y
S
)(y
ot
+ y
rt
+ Y
L
)[
2
Si hay acoplamiento de impedancias de fuente y carga (Y
S
= Y

1
, Y
L
= Y

2
) estamos
en condiciones de m´ axima ganancia de potencia:
Y
S
= (y
it
+ y
rt
)

Y
L
= (y
ot
+ y
rt
)

G
Tu−max
=
[y
fc
[
2
4g
ic
g
oc
=
[y
ft
−y
rt
[
2
4(g
it
+ g
rt
)(g
ot
+ g
rt
)
= MAG
u
AMPLIFICADOR SIN REALIMENTACI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 51
Se deben elegir las admitancias de carga y fuente que maximicen la ganancia de poten-
cia:
Y
S
= Y

1
Y
L
= Y

2
donde:
Y
1
= y
i

y
r
y
f
y
o
+ Y
L
Y
2
= y
o

y
r
y
f
y
i
+ Y
S
Puesto que y
r
no se anula, Y
L
afecta a Y
1
, e Y
S
afecta a Y
2
, por lo que el c´ alculo de Y
L
e Y
S
no es inmediato
Se trata de determinar:
Y
S
= G
S
+ jB
S
Y
L
= G
L
+ jB
L
que maximicen G
T
:
G
T
=
4G
S
G
L
[y
f
[
2
[(y
i
+ Y
S
)(y
o
+ Y
L
) −y
f
y
r
[
2
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 52
Y
S
, Y
L
se pueden obtener derivando G
T
con respecto a G
S
, B
S
, G
L
y B
L
e igualando
las derivadas a 0:
G
S
=

(2g
i
g
o
−Re(y
f
y
r
))
2
−[y
f
y
r
[
2
2g
o
B
S
= −b
i
+
Im(y
f
y
r
)
2g
o
G
L
=

(2g
i
g
o
−Re(y
f
y
r
))
2
−[y
f
y
r
[
2
2g
i
=
G
S
g
o
g
i
B
L
= −b
o
+
Im(y
f
y
r
)
2g
i
El valor de G
T
obtenido en estas condiciones es:
G
T−max
=
[y
f
[
2
2g
i
g
o
−Re(y
f
y
r
) +

(2g
i
g
o
−Re(y
f
y
r
))
2
−[y
f
y
r
[
2
4.8.- DISE
˜
NOCONDISPOSITIVOPOTENC. INESTABLE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 53
Si realimentamos y conseguimos unilateralizar, la red realimentada es incondicional-
mente estable y se sigue el procedimiento visto para dispositivos unilateralizados
Si realimentamos y neutralizamos, haciendo el dispositivo incondicionalmente estable,
podemos aplicar el procedimiento anterior para hacer Y
S
= Y

1
, Y
L
= Y

2
Si la neutralizaci´ on no hace el dispositivo incondicionalmente estable o si no realimen-
tamos y es potencialmente inestable, debemos elegir las admitancias de carga y fuente
que hagan K suficientemente grande
ESTABILIZACI
´
ON SIN REALIMENTACI
´
ON CON G
S
FIJO
El criterio de Stern indica que podemos conseguir estabilidad sin realimentar haciendo
G
S
y G
L
suficientemente grandes
Usualmente, en RF G
S
debe fijarse por consideraciones de ruido
Fijado G
S
y K (el factor de Stern deseado), G
L
se obtiene despejando en:
K =
2(g
i
+ G
S
)(g
o
+ G
L
)
[y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
)
B
S
y B
L
se obtienen mediante un procedimiento iterativo
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 54
Pretendemos:
B
S
= −B
1
= −Im(Y
1
) B
L
= −B
2
= −Im(Y
2
)
donde:
Y
1
= y
i

y
r
y
f
y
o
+ Y
L
Y
2
= y
o

y
r
y
f
y
i
+ Y
S
Procedimiento iterativo:
1. Inicializamos: B
L
= −b
o
2. A partir de Y
L
calculamos Y
1
y obtenemos B
S
3. A partir de Y
S
calculamos Y
2
y obtenemos B
L
4. Iteramos (2) y (3) hasta convergencia
5. Una vez obtenidos Y
S
e Y
L
se puede calcular la ganancia del transductor G
T
ESTABILIZACI
´
ON SIN REALIMENTACI
´
ON CON G
S
Y G
L
LIBRES
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 55
Si G
S
y G
L
se pueden elegir sin restricciones, podemos establecerlos para que maxim-
icen G
T
para un valor dado de K:
G
S
=

K([y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
))g
i
2g
o
−g
i
G
L
=

K([y
f
y
r
[ + Re(y
f
y
r
))g
o
2g
i
−g
o
Y los valores de B
S
y B
L
se obtendr´ıan mediante el proceso iterativo anterior
4.9.- DISE
˜
NO DE AMPLIFICADOR SINTONIZADO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 56
ADAPTACI
´
ON DE IMPEDANCIAS Y POLARIZACI
´
ON
A partir de un dispositivo activo sabemos calcular los valores Y
S
e Y
L
que proporcionan
la ganancia y estabilidad adecuados
Necesitamos adaptar las impedancias de fuente y carga reales a estos valores
Necesitamos sintonizar (establecer frecuencia de resonancia y ancho de banda)
• Redes de adaptaci´ on de impedancias (tapped inductor o tapped capacitor)
• Considerar las susceptancias (B
1
y B
2
) en la red de adaptaci´ on de impedancias
Necesitamos polarizar el transistor
• Redes de polarizaci´ on (condensadores de desacoplo, RFCs)
Ejemplo:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 57
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 58
C
1a
, C
2a
, L
a
transforman R
g
en R
S
, sintonizan y compensan B
1
C
1b
, C
2b
, L
b
transforman R
o
en R
L
, sintonizan y compensan B
2
R
B1
y R
B2
polarizan el transistor (fijan la tensi´ on de base en DC)
RFC son choques de radio frecuencia para aislar la base en peque˜ na se˜ nal
R
E
polariza el transistor (fija la corriente de colector en DC)
C
E
pone a tierra el emisor en peque˜ na se˜ nal
En DC, el colector est´ a a V
CC
debido a la bobina L
2
Conviene poner un blindaje a tierra entre los conductores de colector y base para evitar
capacidades par´ asitas
La capacidad C
F
pone V
CC
a tierra en peque˜ na se˜ nal
Si es necesario, se puede a˜ nadir circuito de unilateralizaci´ on o neutralizaci´ on
PROCEDIMIENTO DE DISE
˜
NO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 4: Amplificadores en RF p´ ag. 59
1. Se elige el transistor adecuado teniendo en cuenta los requerimientos de ganancia, fre-
cuencia, figura de ruido, etc.
2. Se determinan los par´ ametros de admitancias del transistor a la frecuencia de trabajo
3. Se determina la estabilidad del dispositivo (factor de estabilidad C de Linvill), y del cir-
cuito (factor de estabilidad K de Stern) considerando los distintos casos (realimentaci ´ on
para unilateralizaci ´ on o neutralizaci ´ on, etc.) y se determinan las admitancias Y
S
e Y
L
de carga y de fuente adecuadas
4. Se determinan las impedancias de la fuente de se˜ nal R
g
y de la carga R
o
(usualmente
50 Ω)
5. Se dise˜ nan las redes de adaptaci´ on de impedancias
Transformaci´ on de impedancias, teniendo en cuenta las susceptancias G
1
y G
2
de
entrada y salida del amplificador
Frecuencia de trabajo y ancho de banda
Usualmente redes tapped capacitor o tapped inductor
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR p´ ag. 1
Tema 5:
OSCILADORES SENOIDALES
Tema 5: OSCILADORES SENOIDALES
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 2
5.1.- Introducci ´ on
5.2.- Caracter´ısticas de los osciladores
5.3.- Condiciones de oscilaci´ on
5.4.- Tipos de osciladores:
Elemento resonador
Elemento activo
Red de realimentaci´ on
5.5.- Dise˜ no de osciladores
5.6.- Osciladores LC
An´ alisis de un oscilador Colpitts
Dise˜ no de un oscilador Colpitts
Oscilador Colpitts para baja resistencia de carga
Oscilador de Clapp
Oscilador de Hartley
5.7.- Osciladores controlados por tensi´ on (VCO)
5.8.- Osciladores a cristal de cuarzo
Oscilador de Pierce
Oscilador Colpitts a cristal
5.1.- INTRODUCCI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 3
En el tema anterior se estudi´ o la estabilidad de los amplificadores (que no oscilaran)
En este tema estudiamos los osciladores (sistemas inestables)
En radiocomunicaciones los osciladores se usan para desplazar frecuencias:
• En el transmisor: para trasladar frecuencia de BB a RF
• En el receptor: para trasladar frecuencia de RF a IF
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 4
Definici ´ on de oscilador:
• Sistema que proporciona una se˜ nal peri ´ odica sin necesidad de atacarlo con otra se˜ nal
• Sistema que proporciona una se˜ nal de RF a partir de una fuente de alimentaci´ on DC
Se˜ nal generada peri´ odica ⇒serie de arm´ onicos en el espectro:
• Osciladores de onda senoidal (tema 5)
• Osciladores de onda cuadrada (tema 6, con PLLs)
Osciladores controlados por tensi´ on (Voltage Controlled Oscillators, VCO):
• Generaci´ on de FM
• Arrastre en receptores de sinton´ıa variable
• Detecci´ on de se˜ nales moduladas: bucles de fase fija (Phase Locked Loops, PLL)
Elementos de un oscilador:
• Red resonante
• Elemento activo (elemento de resistencia negativa)
• Red de acoplamiento (adaptaci´ on de impedancias, amplificador, etc.)
En este tema:
• Osciladores senoidales y aplicaciones en radiocomunicaci ´ on
• Caracter´ısticas; principios de funcionamiento; tipos de osciladores
• Circuitos b´ asicos; VCOs; osciladores a cristal de cuarzo
5.2.- CARACTER
´
ISTICAS DE LOS OSCILADORES
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 5
Potencia (P
L
): potencia suministrada a la carga a la frecuencia de oscilaci´ on (se mide
con el analizador de espectros para no considerar arm´ onicos ni frecuencias espurias)
Rendimiento (η): cociente entre la potencia suministrada a la carga y la potencia con-
sumida en DC:
η =
P
L
P
DC
Nivel de arm´ onicos: cociente entre la potencia del mayor arm´ onico no deseado y la
potencia de la frecuencia fundamental (se mide con el analizador de espectros)
Nivel de arm´ onicos =
P
A−max
P
L
Frecuencia (f
0
): es la frecuencia fundamental de oscilaci´ on (se puede medir con anal-
izador de espectros, contador de frecuencia, u osciloscopio)
Sinton´ıa (∆f): margen de frecuencias que puede barrer un oscilador cuando se modi-
fica alguno de sus par´ ametros:
• Mec´ anica (se modifica un condensador o bobina variables)
• Electr´ onica (se modifica aplicando tensi´ on a un elemento de control, VCO)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 6
Pulling: variaci´ on de la frecuencia con la impedancia de carga (depende de Q y del
acoplamiento con la carga)
∂f
0
∂R
L
Pushing: variaci´ on de la frecuencia con la tensi ´ on de alimentaci ´ on (depende de Qy del
elemento activo)
∂f
0
∂V
DC
Espectro de ruido alrededor de f
0
(ruido de amplitud, de frecuencia y de fase):
L(f
m
) =
N(f
m
)
P
0
(dBc) σ
f
σ
φ
Deriva de la frecuencia con la temperatura:
∂f
0
∂T
• Si Q es bajo, depende del elemento activo
• Si Q es alto, depende de la red de sinton´ıa
5.3.- CONDICIONES DE OSCILACI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 7
CRITERIOS DE OSCILACI
´
ON (equivalentes):
Circuito con red de realimentaci´ on oscilar´ a si la ganancia a la entrada es mayor que 1
con desfase nulo
Un amplificador oscilar´ a (es inestable) si el factor K de Stern es inferior a la unidad
Un circuito oscilar´ a si el determinante de las ecuaciones de an´ alisis de mallas o nudos
se anula (procedimiento matem´ atico para encontrar la condici´ on de oscilaci ´ on y la fre-
cuencia de oscilaci´ on)
Un circuito puede oscilar si la parte activa tiene una resistencia negativa (condici´ on
necesaria pero no suficiente: una impedancia de carga adecuada puede impedir las os-
cilaciones)
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL OSCILADOR
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 8
H(jω) =
V
o
V
i
=
A(jω)
1 + A(jω)β(jω)
Condiciones de oscilaci´ on:
Salida sin entrada:
−A(jω)β(jω) = 1
A la entrada, ganancia unidad con desfase nulo (ganancia en lazo abierto igual a 1)
H(s) tiene un polo en el eje imaginario
H(s) tiene un polo en el semiplano real positivo: s = σ + jω con σ > 0
Condici´ on de arranque y condici´ on de equilibrio de fases:
[ −A(jω)β(jω)[ 1 Arg[−A(jω)β(jω)] = 0
TRANSITORIO DE ARRANQUE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 9
1. Al conectar alimentaci´ on oscilaciones nulas
2. Ruido t´ ermico: el ruido se amplifica a la frecuencia de oscilaci´ on
3. Las oscilaciones crecen (exponencialmente)
4. Como el polo est´ a en el semiplano real positivo, las oscilaciones crecer´ıan indefinidamente
5. El elemento activo entra en r´ egimen no lineal (se reduce la ganancia) alcanz´ andose una condici´ on esta-
cionaria de oscilaci ´ on
6. En r´ egimen estacionario, ganancia en lazo abierto igual a la unidad
La condici ´ on de arranque debe verificarse en un cierto ancho de banda
La condici´ on de equilibrio de fases determinar´ a la frecuencia de oscilaci ´ on (que debe estar dentro del
ancho de banda para el que se cumple la condici´ on de arranque)
Condiciones de oscilaci´ on
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 10
Condici´ on de oscilaci´ on (ganancia en lazo abierto igual a 1):
−A(jω)β(jω) = 1 A(jω)H(jω) = 1
Condiciones de oscilaci´ on: ejemplo
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 11
Suponiendo A real, determinar condiciones de os-
cilaci ´ on y frecuencia de oscilaci´ on.
Funci ´ on de transferencia de la red de alimentaci´ on:
H(s) =
R
R + Ls +
1
Cs
=
RCs
1 + RCs + LCs
2
Condiciones de oscilaci ´ on: ganancia en lazo abierto igual a 1
A(s)H(s) = A
RCs
1 + RCs + LCs
2
= 1
Condici ´ on de equilibrio de fases:
Arg(A(s)H(s)) = 0 ⇒ ω
0
=
1

LC
Condici ´ on de arranque:
A(jω
0
)H(jω
0
) = A 1
5.4.- TIPOS DE OSCILADORES
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 12
Elemento resonador
Elemento activo
Red de realimentaci´ on
ELEMENTO RESONADOR
Circuito Banda de
Resonante Q Estabilidad Frecuencia
RC < 10 Mala < 1 MHz
LC 50-200 Regular 100 kHz - 500 MHz
Cristal Cuarzo 10
4
-10
5
Muy buena 1-300 MHz
Para frecuencias superiores:
Cavidades resonantes, SAW (resonadores de onda ac´ ustica superficial)
L´ıneas de transmisi´ on resonantes
Multiplicadores
ELEMENTO ACTIVO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 13
Dispositivos de resistencia negativa
• Diodos t´ unel
• Diodos Gunn
• IMPATT
• TRAPATT
Transistores BJT (EC, BC) o FET (FC)
Varios transistores (par acoplado por emisor)
Osciladores de resistencia negativa:
R =
v
i
> 0
r
n
=
∂v
∂i

Q
< 0
Ejemplo: oscilador con diodo t´ unel
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 14
R = r
n
[[R
T
=
−[r
n
[R
T
−[r
n
[ + R
T
CsV +
V
R
+
V
Ls
= 0
d
2
V
dt
2
+
1
RC
dV
dt
+
V
LC
= 0
d
2
V
dt
2
+ 2α
dV
dt
+ ω
2
0
V α ≡
1
2RC
ω
0

1

LC
ω
d

ω
2
0
−α
2
v(t) = e
−αt
(A
1
cos(ω
d
t) + A
2
sin(ω
d
t))
α < 0 ⇔ [r
n
[ < R
T
α = 0 ⇔ [r
n
[ = R
T
α > 0 ⇔ [r
n
[ > R
T
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 15
En condiciones estacionarias de oscilaci´ on:
Y
(1,2)
= −
1
[r
n
[
+
1
R
T
+ Cs +
1
Ls
= 0
Parte real nula (condici´ on de arranque):
[r
n
[ = R
T
Parte imaginaria nula (condici´ on de equilibrio de fases):

0
C +
1
jωL
= 0 ⇔ ω
0
=
1

LC
Ejemplo: oscilador de par acoplado por emisor
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 16
La caracter´ıstica tensi ´ on corriente presenta una resistencia negativa (tratamiento similar al
oscilador con diodo t´ unel)
RED DE REALIMENTACI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 17
Red RLC
• Colpitts: red tapped capacitor
• Hartley: red tapped inductor
• Clapp: variante de tapped capacitor
Red con transformador
• Sintonizado a la entrada
• Sintonizado a la salida
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 18
Colpitts: red tapped capacitor
Hartley: red tapped inductor
Clapp: variante de tapped capacitor
Elementos del oscilador:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 19
Ganancia en el lazo 1-2-3-4-1:
• Red de realimentaci´ on
• Carga
• Dispositivo activo
Condiciones de oscilaci ´ on:
• Ganancia en lazo abierto 1
• Desfase nulo
Frecuencia y estabilidad:
• C
1
, C
2
, L, C
f
• Tambi´ en transistor y carga
Arranque y oscilaci ´ on esta-
cionaria
5.5.- DISE
˜
NO DE OSCILADORES
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 20
An´ alisis exacto complicado:
• Comportamiento estacionario siempre en zona de operaci ´ on no lineal:
◦ BJT: entra en corte o saturaci´ on
◦ MOSFET: entra en corte o triodo
◦ Alejado del punto de polarizaci´ on (no lineal aun no saliendo de activa/saturaci ´ on)
• Herramientas de an´ alisis basadas en linealidad:
◦ F´ acil comprobar la estabilidad y arranque de oscilaciones
◦ Puede ser dif´ıcil predecir la frecuencia de oscilaci´ on estacionaria
◦ Dif´ıcil determinar el transitorio y comportamiento estacionario exactos (forma de
onda, nivel de arm´ onicos, frecuencia exacta, potencia, rendimiento, estabilidad)
◦ A veces, el desplazamiento de fase depende del punto de polarizaci ´ on
Dependencia de los elementos pasivos con la frecuencia:
• Autoinducciones y capacidades par´ asitas en C y L
• Oscilaciones en frecuencias no previstas:
◦ Bajas: ruido motor
◦ Altas: oscilaciones par´ asitas
• Soluciones: condensadores de puenteo, anillos de ferrita
5.6.- OSCILADORES LC
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 21
AN
´
ALISIS DE UN OSCILADOR COLPITTS BC:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 22
r
c
→R
p
R
t
= R
p
[[R
L
g
t
=
1
R
t
R
i
= R
e
+ r
e
g
i
=
1
R
i
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 23
I
s
= V
i
g
i
+ V
i
C
2
s + (V
i
−V
o
)C
1
s
0 = −αV
i
g
i
+ (V
o
−V
i
)C
1
s + V
o

C
0
s + C
f
s + g
t
+
1
L
t
s

En forma matricial:

I
s
0

=

g
i
+ (C
1
+ C
2
)s −C
1
s
−αg
i
−C
1
s g
t
+ (C
1
+ C
0
+ C
f
)s +
1
L
t
s

V
i
V
o

V
o
=
−∆
1,2
(s)
∆(s)
I
s
oscilaci ´ on ⇔ ∆(s) = 0
∆(s) = g
i
g
t
+ g
i
(C
1
+ C
0
+ C
f
)s +
g
i
L
t
s
+ g
t
(C
1
+ C
2
)s+
+(C
1
+ C
2
)(C
1
+ C
0
+ C
f
)s
2
+
C
1
+ C
2
L
t
−αg
i
C
1
s −C
2
1
s
2
= 0
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 24
Ordenando potencias en s:
g
i
+ (g
t
g
i
L
t
+ C
a
)s + (g
i
L
t
C
b
+ g
t
L
t
C
a
−αg
i
L
t
C
1
)s
2
+ (L
t
C
a
C
b
−L
t
C
2
1
)s
3
= 0
C
a
≡ C
1
+ C
2
C
b
≡ C
1
+ C
0
+ C
f
Parte real: g
i
−ω
2
L
t
(g
i
C
b
+ g
t
C
a
−αg
i
C
1
) = 0
Parte imag: g
t
g
i
L
t
+ C
a
−ω
2
L
t
(C
a
C
b
−C
2
1
) = 0
Despejando w
2
0
en la segunda ecuaci ´ on queda:
ω
2
0
=
g
t
g
i
+
C
a
L
t
C
a
C
b
−C
2
1
ω
2
0
=
1
L
t
(C
0
+ C
f
+
C
1
C
2
C
1
+C
2
)
+
1
R
t
R
i
(C
1
+ C
2
)(C
0
+ C
f
+
C
1
C
2
C
1
+C
2
)
Si L
t
<R
t
R
i
(C
1
+ C
2
) se puede aproximar:
ω
2
0

1
L
t
(C
0
+ C
f
+
C
1
C
2
C
1
+C
2
)
α
min

1
1 +
C
2
C
1
+
R
i
R
t

1 +
C
2
C
1

=
1
1 +
C
2
C
1
+
R
i
R
L
[[R
p

1 +
C
2
C
1

DISE
˜
NO DE UN OSCILADOR COLPITTS BC:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 25
Dise˜ nar un oscilador de Colpitts con una etapa base com´ un, que oscile a f
0
y proporcione una potencia P
L
a
una impedancia de carga R
L
:
M´ axima transferencia de potencia:
R
0
= R
p
[[R
s
[[R
L
=
R
L
2
Recta de carga:
R
0
=
V
CBQ
I
CQ
Potencia suministrada a la carga:
P
L
=
1
2
P(R
0
) =
1
2

1
2
I
2
CQ
R
0

=
1
8
I
2
CQ
R
L
Rendimiento m´ aximo:
P
DC
= V
CBQ
I
CQ
= I
2
CQ
R
0
=
1
2
I
2
CQ
R
L
= 4P
L
η ≈ 25 %
Selecci ´ on del transistor: potencia, tensi ´ on, cor-
riente y f
T
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 26
Circuito tanque:
L
t
C
t
=
1
ω
2
0
L
t
Q = ω
0
C
t
R
0
C
t
= C
0
+ C
f
+ C
s
R
0
=
R
L
2
R
L
= R
p
[[R
s
R
i
= R
e
+ r
e
r
e
=
V
T
I
CQ
Conversi ´ on (C
s
,R
s
) a (C
1
,C
2
,R
i
):
Q
s
= ω
0
C
s
R
s
N =

R
s
R
i
Q
p

Q
s
N
Si Q
s
> 10 y Q
p
> 10:
C
1
=
NC
s
N −1
C
2
= NC
s
Si no, expresiones exactas:
Q
p
=

Q
2
s
+ 1
N
2
−1 C
/
=
Q
2
s
+ 1
Q
2
s
C
s
C
2
=
Q
p
ω
0
R
i
C
se
=
Q
2
p
+ 1
Q
2
p
C
2
C
1
=
C
se
C
/
C
se
−C
/
Dependencia con el transistor: R
e
r
e
C
s
C
0
C
f
≈ 0,1C
s
Polarizaci ´ on: R
1
R
2
R
E
C
B
C
C
RFC
Ejemplo: dise˜ no de un oscilador Colpitts BC
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 27
Dise˜ nar un oscilador de Colpitts con una etapa base com´ un, que entregue una potencia de 15 mW a una carga
de 5 kΩ y oscile a 10 MHz:
Caracter´ısticas del transistor: f
T
> 20MHz P
max
> 60mW
Polarizaci ´ on:
I
CQ
=

8
P
L
R
L
= 4,90mA V
CBQ
= I
CQ
R
0
= 12,25V
Factor de calidad m´ınimo 25; circuito tanque (R
0
= R
L
/2; ω
0
= 2πf
0
):
C
t.min
=
Q
ω
0
R
0
= 159pF L
t.max
=
1
ω
2
0
C
t.min
= 1,59µH L
t
= 1,2µH C
t
=
1
ω
2
0
L
t
= 211pF
Resistencia serie de la bobina de 1,2µH: r
c
= 0,5Ω; resistencia paralelo equivalente R
p
= 11,4 kΩ
Determinaci ´ on de R
i
= R
e
+ r
e
:
r
e
=
V
T
I
CQ
= 5,3Ω r
e
<R
e
= 50Ω R
i
= 55,3Ω
Determinaci ´ on de R
s
:
R
0
= R
L
[[R
p
[[R
s
R
L
= R
p
[[R
s
R
s
=
1
1
R
L

1
R
p
= 8,92kΩ
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 28
Determinaci ´ on de C
s
(supongamos C
0
= 5 pF y C
f
variable de 2 a 20 pF):
C
t
= C
0
+ C
f
+ C
s
= 211pF C
s
= 200pF
Conversi ´ on (C
s
,R
s
) a (C
1
,C
2
,R
i
):
Q
s
= ω
0
C
s
R
s
= 112,1 N =

R
s
R
i
= 12,7 Q
p

Q
s
N
= 8,8
Q
s
10 Q
p
≈ 10 ⇒ C
1
=
NC
s
N −1
≈ 217pF C
2
= NC
s
= 2,54nF
Polarizaci ´ on (V
CC
=15 V; V
CBQ
=12.25 V; V
BEQ
=0.7 V; α ≈ 1):
V
CC
= V
CBQ
+ V
BEQ
+
I
CQ
(R
e
+ R
E
)
α
R
E

V
CC
−V
CBQ
−V
BEQ
I
CQ
−R
e
= 368Ω
• Intensidad por R
1
y R
2
de 0,5 mA; V
BQ
= 2,75 V; β
0
= 50:
R
2
=
2,75V
0,5mA
= 5,5kΩ R
1
=
V
CBQ
0,5mA + I
CQ

0
= 20,5kΩ
Condensadores de desacoplo y RFC:
C
C

1
ω
0
R
L
= 3,2pF C
B

ω
0
(R
1
[[R
2
)
=
3,7pF RFC
R
E
ω
0
= 5,8µH
sin embargo, como R
E
R
i
, en la pr´ actica RFC no es necesario
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 29
Condici ´ on de arranque:
α
min

1
1 +
C
2
C
1
+
R
i

1 +
C
2
C
1

R
L
[[R
p
= 0,281
Si aumenta R
e
, aumenta α
min
Potencia en DC:
P
DC
= V
CC

I
CQ
+
V
CC
−V
BQ
R
1

P
DC
= 15V 5,5mA = 82,5mW
Rendimiento:
η =
P
L
P
DC
=
15mW
82,5mW
= 18,2 %
DISE
˜
NO DE UN OSCILADOR COLPITTS BC CON BAJA R
L
:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 30
An´ alisis similar:
N =

R
s
R
i
[[R
L
M´ axima transferencia de potencia:
R
s
= R
p
R
i
= R
L
Rendimiento m´ aximo:
η
max
= 12,5 %
Ejemplo: dise˜ no de un oscilador Colpitts BC con baja R
L
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 31
Dise˜ nar un oscilador de Colpitts con una etapa base com´ un, que entregue una potencia de 5 mW a una carga
de 50 Ω y oscile a 10 MHz:
Caracter´ısticas del transistor: f
T
> 20MHz P
max
> 40mW
Polarizaci ´ on (supongamos bobina anterior, 1,2µH, r
c
= 0,5Ω, R
p
= 11,4 kΩ):
P(R
0
) = 4P
L
P(R
0
) =
1
2
I
2
CQ
R
0
I
CQ
=

2P(R
0
)
R
0
=

4P(R
0
)
R
p
=

16P
L
R
p
= 2,65mA V
CBQ
= I
CQ
R
0
= 15, 08V
Circuito tanque:
L
t
= 1,2µH C
t
=
1
ω
2
0
L
t
= 211pF
Determinaci ´ on de C
1
y C
2
para C
s
= 200 pF:
N =

R
p
R
i
[[R
L
=

2R
p
R
L
= 21,3 C
1
=
NC
s
N −1
= 209,8pF C
2
= NC
s
= 4,26nF
Determinaci ´ on de R
e
= R
i
+ r
e
:
R
e
= R
i
−r
e
= R
L

V
T
I
CQ
= 40,2Ω
Alimentaci ´ on y polarizaci ´ on
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 32
OSCILADOR DE CLAPP:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 33
OSCILADOR DE HARTLEY:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 34
5.6.- OSCILADORES CONTROLADOS POR TENSI
´
ON
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 35
Voltage Controlled Oscillators (VCO)
Osciladores sintonizables electr´ onicamente:
• Sinton´ıa autom´ atica
• Generaci´ on de se˜ nales FM
• PLLs
Principales circuitos VCO:
• Multivibrador:
◦ Frecuencia baja
◦ Margen de sinton´ıa amplio (10:1); Q bajo
◦ Se˜ nales cuadradas
◦ T´ıpico en PLLs (tema siguiente)
• Osciladores a varactor:
◦ Sinton´ıa mediante diodo varactor o varicap (uni´ on PN en inversa)
◦ Se usa en osciladores LC o de cavidad resonante
◦ Margen de sinton´ıa menor; Q mayor
DIODO VARACTOR O VARICAP:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 36
Funcionamiento:
• Uni ´ on PN abrupta polarizada en inverso
• C depende de V
• Resistencia serie baja (Q alto)
• Capacidades t´ıpicas: 5-500 pF
• Curvas C(V ) poco lineales
Dise˜ no y an´ alisis complejo:
• No linealidad de C(V )
• Dependencia de Q con la polarizaci ´ on
• Dependencia de Q y C(V ) con f
0
• Margen: de capacidad 1:6; de sinton´ıa 1:2.5
• Se usa en asociaci ´ on con capacidades
Uso del varactor en un oscilador:
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 37
f
0
=
1

L
t
(C
t
+ C
v
(V
i
))
5.7.- OSCILADORES A CRISTAL DE CUARZO
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 38
Comportamiento alrededor de la frecuencia de resonancia
f
s

1


L
s
C
s
f
p
≈ f
s

1 +
C
s
C
p
Z(jω
s
) ≈ R
s
Z(jω
p
) ≈
L
s
C
s
C
p
(C
p
+ C
s
)R
s
Para f < f
s
y f > f
p
comportamiento capacitivo
Entre f
s
y f
p
comportamiento inductivo
En f
s
y en f
p
comportamiento resistivo
Alrededor de las frecuencias de resonancia, transici ´ on
r´ apida de la fase:
• de −π/2 a π/2 alrededor de f
s
• de π/2 a −π/2 alrededor de f
p
Respuesta en frecuencia del cristal
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 39
R
s
= 15Ω; L
s
= 54,8 mH; C
s
= 0,054 pF; C
p
= 29 pF;
f
s
= 2,9257 MHz; f
p
= 2,9284 MHz; ∆f = 2,72 kHz; Q = 67173
OSCILADOR DE PIERCE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 40
OSCILADOR COLPITTS A CRISTAL (1)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 41
OSCILADOR COLPITTS A CRISTAL (2)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 42
Ejemplo: oscilador Colpitts a cristal y con varactor
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 43
Dise˜ no de oscilador Colpitts BC a 4 MHz, 5 mW a R
L
= 5 kΩ, Q ≈ 5
An´ alisis y simulaci´ on con PSPICE
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 44
Medidas en laboratorio
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 45
Pulling y pushing (cristal entre base y tierra)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 46
Uso del varactor
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 47
Sinton´ıa (con C
f
y con varactor)
SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACI ´ ON -
´
Angel de la Torre - TSTC - UGR Tema 5: Osciladores senoidales p´ ag. 48

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