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Tema 4.

Transistor Bipolar (BJT)

Joaquín Vaquero López

Electrónica, 2007 Joaquín Vaquero López 1


Transistor Bipolar (BJT): Índice

4.1) Introducción a los elementos de 3 terminales

4.2) Transistor Bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor): Estructura. Efecto


transistor. Circuito simple de un transistor.

4.3) Zonas de funcionamiento. Curvas características V-I. Polarización.


Modelos.

4.4) Configuraciones. Emisor Común, Colector Común y Base común

4.5) Aplicaciones. Transistor real.

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Introducción a los elementos de 3 terminales

 Hasta ahora se han visto componentes de 2 terminales, con una curva


característica V-I. Los componentes de 3 terminales tienen 3 pares de
posibles curvas características V-I. Dos de ellas son suficientes para definir el
componente.
 Esas dos curvas características son la curva V-I de entrada y la curva V-I
de salida. La curva característica V-I de salida es un conjunto de curvas en
función de uno de los parámetros de entrada.
Entrada ie is Salida
Componente de 3
terminales

ve vs

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Introducción a los elementos de 3 terminales

Ejemplo: Transistor bipolar BJT

Curva característica V-I de entrada Curva característica V-I de salida


Conjunto de curvas dependiendo del parámetro
de entrada Ib (Curvas paramétricas)

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Introducción a los elementos de 3 terminales

Componentes de 3 terminales:

BJT: Fuente de corriente (salida) FET: Fuente de corriente (salida)


controlada por corriente (entrada). controlada por tensión (entrada).
Ganancia de corriente. Transconductancia (gm).
Terminales: Base, Emisor y Colector Terminales: Puerta, Drenador y Fuente

vBC vGD

ib ig
ic id
C D
B
BJT G
FET
vBE vCE vGS vDS

ie is

E S

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Introducción a los elementos de 3 terminales

Clasificación de los componentes de 3 terminales.

npn
BJT
pnp

Canal p Canal p
JFET
Canal n
Canal n

FET Enriquecimiento
Canal p
MOSFET
Deplexión
Canal n

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Transistor bipolar BJT

Estructura y símbolo del transistor. npn y pnp

Terminales: Base, Emisor y Colector. Componente asimétrico.


C
iB iC

E N P N C B

iE
E
B
C
iB iC
E P N P C B

iE
B E

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Transistor bipolar BJT

Estructura del transistor. npn


 Emisor muy dopado. Base muy fina y poco dopada.
Con la unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE > VT) los electrones (mayoritarios) alcanzan el
Colector a través de la Base muy fina. La unión Base-Colector se polariza inversamente, de manera
que ayuda al movimiento de los electrones provenientes del Emisor (minoritarios en una unión p-n
polarizada en inversa). VBE VBC
- + - + Al igual que en los diodos:
Emisor
iE iB iC
Base
iE  I EO (evBE /VT  1)
E B C
Colector Las corrientes en el transistor:
iC    iE
n+ iB  (1   )  iE
p- i E  iC  i B
Huecos
iC   iE 
  
n i B (1   )  i E (1   )

iC    i B Amplificación
Electrones

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Transistor bipolar BJT

Circuito simple ideal (Emisor Común)

 Unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE>VT). Unión Base-Colector polarizada


inversamente. Fuente de corriente controlada por corriente.

iC RC

C
iB B C

B VCC VBB iC    iB
VBB iB VCC
iE
E

iC    i B Amplificación

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Transistor bipolar BJT

Zonas de funcionamiento

 Zona Activa: Unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE>VT). Unión Base-


Colector polarizada inversamente.
iB iC
iC    i B
B C Amplificación
i E  iC  i B
VBE   iB

iE

 Zona de Corte: Unión Base-Emisor polarizada inversamente. Base-Colector


polarizada inversamente. No hay movimiento de electrones (sólo minoritarios)
iB iC
B C
iC  0 Interruptor abierto
iE  0
iE

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Transistor bipolar BJT

Zonas de funcionamiento

 Zona Saturación: Unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE>VT). Unión


Base-Colector polarizada directamente. La polarización directa BC evita que pasen los e-
provenientes del Emisor. Sin embargo provoca que la tensión CE sea prácticamente nula.
La corriente de colector ic depende del circuito externo.

iB VBC iC
B C iE  iC Interruptor cerrado
VBE

iE

 Zona de Transistor inverso: Unión Base-Emisor polarizada inversamente. Base-


Colector polarizada directamente. Es como la zona activa, pero sólo mueve los electrones
de fugas, no los mayoritarios. Transistor “muy malo”.

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Transistor bipolar BJT

Curvas características V-I (Emisor Común)

Característica V-I de entrada • La Base-Emisor es una unión p-n:

iB iB  I BO (evBE /VT  1)  (1   )  I EO (evBE /VT  1)


Característica V-I de entrada
de un transistor • La tensión mínima para polarizar
directamente la Base-Emisor es 0.5 – 0.7V.
Zona Corte
Depende de VCB
• Depende del circuito de entrada:
iB  0; Zona Activa o Saturación
iB  0; Zona de Corte
Zona Conducción
iC RC

C
RB iB

B
VBB iE VCC
E

vBE

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Transistor bipolar BJT

Curvas características V-I (Emisor Común)

Característica V-I de salida


• La salida depende de la ib:
iC Zona Saturación iB  0; Zona Activa o Saturación

Potencia máxima
iC   ·ib  iC  f RC ,VCC 
ibn
Zona Activa o Lineal
iB  0; Zona de Corte iC  0
ib3
• La potencia disipada limita el área de
operación segura:
ib2
ib1 PBJT  iC ·vCE  Pmax  Cte.

ib0 = 0
• En la zona activa la ic no es plana, tiene un
ligera pendiente positiva (0,01-0,05mA/V).
Zona Corte Modulación del ancho de la base. Tensión
VCEsat vCE Early.

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Transistor bipolar BJT

Polarización. Análisis en CC. (Emisor Común)

 Obtención del Pto. de Operación.

iB Característica V-I de entrada


de un transistor • Circuito de entrada

VBB  iB ·RB  VBE


V
iB  BB
RB • Recta de carga a la entrada
VBB
Punto de operación Q VBE  0 iB 
IBQ RB

iB  0 VBE  VBB

• Pto. De Operación. Intersección de la


vBEQ VBE  VBB vBE recta de carga con la curva característica
de entrada.

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Transistor bipolar BJT

Polarización. Análisis en CC. (Emisor Común)

 Obtención del Pto. de Operación.

iC Característica V-I de salida de • Circuito de salida


VCC un transistor
iC 
RC VCC  iC ·RC  VCE
Punto de operación Q
ICQ • Recta de carga a la salida
VCC
VCE  0 iC 
RC
iC  0 VCE  VCC
VCE  VCC
• Pto. De Operación. Intersección de la
vCEQ vCE recta de carga con la curva del valor de iB
dado por la característica de entrada.

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Transistor bipolar BJT

Modelos

 Modelo equivalente en zona activa para CC o bajas frecuencias. npn


C
C
iC Relaciones Básicas en la
VCB
Zona Activa:
iB   iB
  iB ICBO iC    iB
B
B
iE  iC  iB

VBE iE
Ganancia de corriente 
E E

Ebers-Moll Simplificado

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Transistor bipolar BJT

Configuraciones. Análisis en CA.

 Emisor Común. Amplificador inversor de tensión.

VCC • Polarización CC (Pto. de operación o trabajo):

RC
VBB  iB ·RB  VBE
VCC  iC ·RC  VCE
iC
C • Ganancia de tensión y corriente 
RB iB
• Alta impedancia de entrada y de
B Vs
ve salida
E iE
VBB • Amplificación de tensión CA

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Transistor bipolar BJT

Configuraciones. Análisis en CA.

 Emisor Común. Curvas características.

iB Característica V-I de entrada iC


de un transistor

t
VCC/RC

Punto de operación Q
ICQ

Punto de operación Q
IBQ

VCEQ
VCC vce
vBEQ vBE

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Transistor bipolar BJT

Configuraciones. Análisis en CA.

 Colector Común. Seguidor de tensión.


• Polarización CC (Pto. de operación):
VCC VBB  iB ·RB  VBE  iE ·RE
VCC  iE ·RE  VCE
iC
• Ganancia de corriente y potencia.
C
RB iB Ganancia de tensión ~ 1.
• Alta impedancia de entrada y baja
B de salida.
ve E
• Amplificación de corriente CA .
iE Vs (Etapa de salida y búfer).
VBB RE
• Realimentación negativa de la
tensión de salida en serie con la
entrada.

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Transistor bipolar BJT

Configuraciones. Análisis en CA.

 Base Común. Amplificador de tensión.

VCC
• Polarización CC (Pto. de operación):
iC
RC
VBB  iB ·RB  VBE  ve
VCC  iC ·RC  VCE  ve
C
RB iB
• Baja impedancia de entrada y alta
B de salida.
E

Vs • Amplificación de tensión para CI.


ve iE
VBB RE Buena respuesta en frecuencia.

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Transistor bipolar BJT

Aplicaciones
VCE
 Resistencia variable (en CC y Zona Lineal)  f (iB ) f (VBB , RB )
iC
 Interruptor: Corte y Saturación.

iC RC

iB  0; iC  0
C
RB iB Zona de Corte
B
VBB
E
iE VCC VCE  0; Zona de Saturación

iC  f VCC , RC 

Amplificadores

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Transistor bipolar BJT

Transistor BJT real.

 Sus características varían con la temperatura. En general, el incremento de


temperatura produce un aumento de la corriente del transistor iC, de la corriente
de fugas y una disminución de la tensión umbral Base-Emisor.
 La curva característica de salida no es plana en su Zona Lineal, tiene un
ligera pendiente positiva, determinada por el ancho de la base. (Modulación de
ancho de base). Tensión de Early.
 La tensión máxima que soporta un transistor entre terminales es finita. Por
encima de ellas se rompe el componente.

 La máxima corriente viene limitada por la capacidad de disipación de potencia


del componente.

 La existencia de capacidades y resistencia parásitas hacen que la velocidad


de respuesta del transistor sea limitada.

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