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El desarrollo de la electrónica, se ha constituido en uno de los más grandes sucesos de la época moderna y ha sido fundamental para los grandes

adelantos tecnológicos, en casi todos los campos del saber. La Ingenierías Eléctrica y Electrónica se preocupan por todos los fenómenos físicos asociados con la carga y su movimiento, y para ello emplea dos modelos, la teoría electromagnética y la teoría de circuitos, estudios que se convierten en la base de todo lo que involucre la transformación de cualquier tipo de energía eléctrica y viceversa. Desde la creación del primer transistor semiconductor, ya hace más de medio siglo, la electrónica ha venido manteniendo sus mismos principios básicos. El estudio del semiconductor como elemento principal en la fabricación y funcionamiento de sus dispositivos sigue siendo materia de estudio en institutos y universidades hasta la actualidad. Pero en los últimos años, este material inorgánico (el silicio) parece estar llegando a su tope máximo en cuanto a escalas de integración se refiere, es decir, ya no se podrá seguir integrando mayor cantidad de componentes en un CI, (que cada vez necesita ser mas pequeño) utilizando este material. Esta situación no es nueva ni toma por sorpresa a las empresas dedicadas a la investigación, diseño y fabricación de CI, por el contrario es un tema conocido y vaticinado hace muchos años atrás, razón por la cual se han venido haciendo estudios sobre materiales alternativos que cumplan la misma función que el silicio, pero con mayores posibilidades de integración. Una de las aplicaciones más típicas del BJT es su uso como amplificador de corriente alterna. Dicha aplicación consiste en un sistema capaz de ampli.car la señal de entrada en un factor de ganancia determinado, que será la relación de salida sobre la entrada. En términos de señales del voltaje, se habla de ganancia de voltaje, . Para que este

sistema funcione, el BJT debe estar polarizado en zona activa. Esto signi.ca que simultáneamente conviven elementos de corriente continua (cc) y corriente alterna (ca). En los siguientes apartados se analizan los efectos de ambas componentes y se introducen conceptos dinámicos de funcionamiento de los sistemas basados en BJT.

como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor. que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. pero tienen ciertos inconvenientes.estos son de gran utilidad en gran número de aplicaciones. CONCEPTOS GENERALES DE POLARIZACIÓN BJT. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. La elección de uno determinado está en función de la aplicación o circuito que se desee obtener. Los valores de estas tensiones y corrientes se denominan punto de operación. . Estos transistores son los más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital. La denominación de bipolar se debe a que la conducción que tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos). De esta manera quedan formadas tres regiones que son: y El Emisor: se diferencia de las otras dos por debido a que se encuentra fuertemente dopada. entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Un transistor puede tener infinitos puntos de operación. comportándose como un metal. Transistor De Unión Bipolar. o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí. Polarización. Se entiende por circuito de polarización al conjunto de fuentes y resistencias que proveen al transistor de las tensiones y corrientes de continua que se desean. separados por una región muy estrecha. El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor.

La unión correspondiente a la Base-Emisor. y la Base-Colector en inversa. muy estrecha. Al polarizar la unión base-emisor en directa y la base-colector en inversa. el término bipolar es debido al hecho al hecho a que la corriente es transportada por portadores de ambas polaridades: electrones y huecos. por lo que son atraídos por el colector. En NPN. En PNP . y El Colector: es de una extensión mucho mayor. y hace referencia al hecho de que la corriente que circula entre dos terminales esta controlada por una señal aplicada al tercer terminal. es la parte intermedia. que separa el emisor del colector.y La Base. con mucho menos números de huecos. El nombre transistor procede de la condensación de dos vocablos ingleses transfer y resistor. se polariza en directa. Actualmente sigue siendo el dispositivo amplificador por excelencia y el que mas se emplea en los circuíos integrados y analógicos. los electrones libres que proceden del emisor llegan a la base. la región de emisor tiene mayor dopaje que la base. Así. por la unión Base-Colector circula una corriente inversa.

La resistencia Rc limita la corriente máxima que circula por el transistor cuando este se encuentra en saturación. mientras que la resistencia de base base del transistor ( regula la cantidad de corriente que ingresa a la ). b) circuito de polarización estabilizada por emisor. Esto se consigue a través de circuitos de polarización. activa o corte). a) circuito de polarización fija: este circuito es el más sencillo de todos los circuitos de polarización. dentro de los cuales podemos identificar claramente cuatro tipos básicos: a) circuito de polarización fija (corriente de base constante).desde el emisor emite huecos. c) circuito de polarización por divisor de voltaje (tipo H o universal). d) circuito de polarización por realimentación de colector. la cual determina en que zona se polarizará el transistor (saturación. controlada por la base. para lograr este cometido deben ser polarizados adecuadamente mediante la aplicación de voltajes DC en sus uniones Base-Emisor y BaseColector. Empezaremos analizando el más sencillo de éstos circuitos. El exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base va a parar al colector. los cuales garantizan que el transistor se encuentre ubicado en un punto sobre su "recta de carga" y en su zona activa. Existen una gran variedad de circuitos de polarización. . Polarización Del Bjt: Los transistores tienen como función principal la amplificación de señales.

Eligiendo adecuadamente el valor de estas resistencias podremos determinar con exactitud el punto de trabajo (Q) del transistor. podemos agregar una resistencia en el emisor. este punto tiende a desplazarse. . lo que se busca es polarizar al transistor en su zona activa. Para este tipo de polarización hay que mencionar que el punto Q no es muy estable y que a medida que el transistor este trabajando. para lograr esto debemos hacer uso de las características principales del circuito. sobre su recta de carga. b) Circuito De Polarización Estabilizado Por Emisor: anteriormente analizamos el comportamiento del transistor BJT en polarización fija. Como se mencionó al inicio. Para compensar las variaciones de tensión y corriente que se producen en el transistor.

Su Funcionamiento en los Diodos LED: Se aplica voltaje a través del OLED de manera que el ánodo es positivo respecto del cátodo. entonces: . debe ser menor o igual a la décima . aunque también podemos hacer uso de ciertos criterios de diseño que nos permiten simplificar nuestras ecuaciones. Para nuestro caso el principal criterio de diseño que utilizaremos es el siguiente: el voltaje en la resistencia de emisor parte del voltaje de la fuente relación de igualdad. Desde el punto de vista teórico podríamos hallar éstos valores desarrollando nuestras ecuaciones de malla en el circuito. y calcular la nueva resistencia de emisor. Esto causa . dichos criterios son válidos pues tienen como finalidad asegurar una mayor estabilidad del punto de trabajo. para los cálculos teóricos asumiremos la = /10. debemos recalcular las resistencias de base y colector.Si lo que queremos es mantener el mismo punto Q del circuito anterior (polarización fija).

los unos con los otros. Para determinar los valores de las resistencias de polarización. porque en los semiconductores inorgánicos los huecos son más movidos que los electrones. Así. . y se observa la luz en un color determinado. los valores de   se mantendrán casi inalterables. Las fuerzas electroestáticas atraen a los electrones y a los huecos. como ya mencionamos anteriormente. Circuito De Polarización Por Divisor De Voltaje: con este tipo de polarización la estabilidad del punto Q es mucho mejor. la recombinación causa una emisión de radiación a una frecuencia que está en la región visible. mientras que la capa de conducción se carga con huecos. Esto sucede más cercanamente a la capa de emisión. y se recombinan (en el sentido inverso de la carga no habría recombinación y el dispositivo no funcionaría). Finalmente. Es por esta razón que este tipo de polarización es la más utilizada cuando se trata de diseñar un amplificador. los cuales facilitan el cálculo de las resistencias. es decir a medida que el transistor este trabajando. Seguidamente. seguiremos considerando los mismos criterios de diseño. la capa de emisión comienza a cargarse negativamente.una corriente de electrones que fluctúa en este sentido. el cátodo da electrones a la capa de emisión y el ánodo lo hace en la capa de conducción.

Circuito de polarización por realimentación de colector. Los transistores NPN tienen su emisor conectado al negativo. se dice en este caso que la salida está en Fase con la entrada.000 ohmios). Los PNP tienen el borne positivo de la batería conectada (directo o en serie con una resistencia) al emisor. variando sólo en el sentido de las corrientes. La impedancia o resistencia que encuentra la señal en el circuito de entrada es baja (de 10 a 50 ohmios) y la impedancia del circuito de salida es alta (de 200 a 10. . o viceversa.  PUNTO DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT El funcionamiento de un transistor NPN es igual al de un transistor PNP. también ocurre lo mismo con el circuito de salida. Cuando el voltaje de la señal o corriente de entrada aumenta.

P .N cambia considerablemente. Recordamos que la corriente directa Emisor-Base fue mantenida baja debido a que la base no tiene suficientes portadores (huecos) para recombinarse . Un transistor NPN puede considerarse como dos diodos con la región del ánodo compartida. el equilibrio entre los portadores generadores térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base a su vez. son llamados portadores minoritarios debido a que la base esta dopada con material P. son conectados. En un transistor NPN. Estos electrones en la base.colector esta polarizada en inversa. por ejemplo. prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector. cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor. Estos electrones vagan a través de la base. desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de alta concentración cercana al colector. el emisor y el colector. la unión base-emisor esta polarizada en directa y la unión base. En una operación típica. la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. permitiendo a los electrones excitados térmicamente e inyectarse en la región de la base. la operación del transistor N.  CIRCUITO DE ENTRADA Y SALIDA POLARIZADOS. los cuales generan huecos como portadores mayoritarios en la base. En este tipo de circuito cuando ambos.En una configuración normal.

los electrones libres que cruzan la base y no encuentran huecos para llenar se acumulan acá y quedan disponibles para llenar huecos del colector. entre mayor sea la cantidad de electrones libres que abandonan la pastilla del emisor y se difundan por la base. de los cambios de Polarización en la base. cuando ambos emisor y colector son "Polarizados". la cantidad de portadores que abandonan el Emisor depende de los cambios en el voltaje del circuito de entrada. Igualmente. mayor será también el número de éstos que se aprovechen de lo delgado de la capa Base y pasen al colector a engrosar o aumentar la corriente inversa. . Por consiguiente.con los electrones del emisor. Por otro lado. conectados a fuentes de corriente distintas. o lo que es lo mismo. la corriente inversa Colector-Base fue mantenida baja porque la ase no tiene suficiente electrones libres que pasan a través de la juntura a llenar los huecos dejados por los electrones atrapados por el borne positivo de la batería. Ahora.

Básicamente el transistor amplifica la señal (pequeños cambios de voltaje). Se puede polarizar el transistor en cualquiera de las tres regiones de funcionamiento dependiendo del uso que se haga del circuito. habremos aumentado la velocidad de los electrones que se logran "colar" del emisor al colector y por consiguiente se obtuvo una elevación o ampliación del voltaje de señal conectado a la entrada. Punto de trabajo de un transistor. yulimar  RECTAS DE CARGAS DC. En función de la aplicación del circuito el punto de trabajo de un transistor puede variar mucho. Cuando una señal alimenta al circuito de entrada produce una correspondiente corriente a través de la juntura y a su vez determina la corriente o flujo a través del circuito de salida. Aquí se . Debido a lo anterior. si el circuito de entrada es de bajo voltaje y el de salida está conectado a un voltaje alto. Para polarizar el transistor y interpretar su punto de trabajo. Entendemos por punto de trabajo de un transistor la combinación de tensiones y corrientes continuas que existen en el mismo en funcionamiento normal.

debido a factores externos. Es evidente que si dicha resistencia disminuye.hablará de las variaciones que puede sufrir el mismo. En la figura podemos ver el efecto de la variación de la resistencia de colector sobre el punto de funcionamiento del mismo. Región de Saturación y Región Activa. alimentaciones entre otros. Variación del punto de trabajo En esencia. . El BJT presenta tres regiones de operación (En la Figura) estos puntos de operaciones son: Región de Corte. el punto de trabajo de un transistor en un circuito variará cuando cambie alguno de los elementos de los que depende. o bien externos. luego se ve claramente que la variación de un componente afecta directamente a la posición del punto de trabajo. tendremos un incremento en la corriente de colector (IC) para la misma tensión colector-emisor (VCE). el cual con una resistencia RC1 se encuentra en Q1 y con otra resistencia menor (RC2) pasa a ser Q2. como por ejemplo variaciones en las resistencias. características). Estos elementos pueden ser bien internos al propio dispositivo (Tensiones o corrientes.

Cuando las dos uniones se polarizan en inversa. si la unión del emisor se polariza en inversa y la unión de colector en directa. diremos que el transistor está trabajando en la zona de saturación. En este caso la corriente de colector es conmutación en la implementación de operaciones lógicas digitales y circuitos de disparo de semiconductores de potencia (MOSFET. etc) en aplicaciones de electrónica de potencia. siendo la zona activa inversa una zona puramente teórica y sin interés práctico. el transistor se encuentra en activa inversa. Los estados de corte y saturación permiten utilizar el BJT en 0. Saturación del transistor. En este caso el voltaje entre colector y es igual al voltaje de alimentación. Por último. si polarizamos las dos uniones en directa.De esta forma. estaremos en la zona activa. . emisor del transistor ( y Región de Saturación: Un transistor esta saturado cuando la corriente de base es lo suficientemente grande para provocar que el voltaje colector-emisor sea Vce máxima. De las cuatro zonas. o como interruptor de potencia en fuentes de poder conmutadas de baja potencia. se dice que el transistor está en la zona de corte. IGBT.IGCT. En el caso de que la unión de emisor la polaricemos en directa y la unión de colector en inversa. y Región de Corte del bjt: podemos que Un transistor esta en corte cuando  . las 3 mencionadas en primer lugar son las más interesantes desde el punto de vista del funcionamiento del transistor.

Desde luego. La corriente es relativamente alta y el voltaje es se asume que es 0 voltio. la  resistencia entre las terminales del colector y el emisor puede determinarse de la siguiente forma La Carga. Una esponja saturada es aquella que no puede absorber una gota más de líquido. Es la Selección del punto Q. Para el caso del transistor que opera en la región de saturación. Las condiciones de saturación se evitan normalmente por la unión base-colector ya no se encuentra en polarización inversa y la señal amplificada de salida se distorsionará y se describe un punto de operación en la región de saturación. el nivel de saturación más alto lo define la corriente máxima del colector y se presenta en la hoja de especificaciones. Al aplicar la ley de Ohm.El termino saturación se aplica en cualquier sistema donde los niveles alcanzan los niveles máximos. la selección más práctica es situarla en la mitad de la recta de carga estática para que la corriente del colector sea la mitad de su valor Max. Si se cambia el diseño. la corriente es el valor máximo para el diseño particular. la corriente del colector es relativamente alta sobre las características. Además. el nivel de saturación correspondiente puede aumentar o disminuir.    Máxima variación simétrica: Eligiendo el punto Q como el punto medio de la recta de carga permite que la corriente de carga experimente la máxima excursión de forma simétrica. Condición que es conocida como excursión máxima simétrica. . Se observa que se encuentra una región donde las curvas características se unen y el voltaje colectoremisor se encuentra por debajo de  .

El efecto de la temperatura se hace mucho más importante cuando afecta a un semiconductor en sí. entre los cuales los más importantes son: y y Debido a cambios de temperatura. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal. Debido a cambio del componente en sí por otro igual o diferente. Por ejemplo un incremento de temperatura afectará a la resistividad de una resistencia. y las características del transistor. Los componentes.y Región Activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia. de (ganancia de corriente. es decir. sin embargo este efecto suele ser despreciable. aunque a unos más que a otros. Variación con la temperatura: La temperatura afecta a todos los componentes y dispositivos. es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. disminuye al aumentar la temperatura y La corriente inversa de la unión colector-base : El valor de este parámetro se duplica aproximadamente por cada 10 grados de incremento de la temperatura. Concretamente existen dos características del mismo que dependen de la temperatura de forma importante: y La tensión base-emisor ): Su variación para transistores de silicio suele ser ( 2. .5 º). En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib). la región activa. pueden variar por numerosos motivos. provocando una bajada de su valor.

pues. Aníbal  TECNICAS DE POLARIZACION La elección del punto de operación permite definir distintos parámetros y características operacionales del amplificador tales como ganancia de voltaje y corriente. de la corriente de fugas y una disminución de la tensión umbral Base-Emisor. el incremento de temperatura produce un aumento de la corriente del transistor iC. 4b-c. Como las componentes alternas y continuas circularán por diferentes elementos del circuito. salidas y tierra. se establece una red de salida para corriente continua y otra para corriente alterna de acuerdo a la Fig. presenta una reactancia baja frente al valor de la . impedancia de entrada. Al existir una resistencia en el terminal de emisor. no se puede establecer que dicha configuración es de emisor común. Emisor Común con resistencia de Emisor. se incluye un condensador electrolítico CE. el capacitor recibe el nombre de condensador de paso.Sus características varían con la temperatura. Para permitir que el emisor sea un punto de potencial nulo. se definen cuatro configuraciones básicas de amplificadores con BJT: Emisor Común. dependiendo de la localización de las entradas. Para tal efecto su reactancia a la frecuencia de señal debe resultar lo más pequeña respecto de la carga RL. Condensador en el emisor. Esto no significa que son circuitos distintos. y Base Común. así se tendrán dos rectas de carga. Por otro lado. Así. Este condensador bloquea en todo momento las componentes de corriente continua. sino que se comportan de distinta manera. la reactancia del capacitor tiende a infinito. La misión del capacitor es transmitir la señal amplificada a la carga. En general. Colector Común (o Seguidor de Emisor). el cual. tanto para cc como para ca. ancho de banda o máxima excursión de salida.

CE debe ser tal que la resistencia vista desde el emisor sea nula (corto circuito). en tanto: CE y CC deben ser tales que: y y En corriente alterna se comportan como corto circuito. En corriente continua se comportan como circuito abierto. Para los amplificadores a transistor. se le denomina también como punto de reposo (punto Q).resistencia vista en emisor. En general. Este nuevo elemento permite describir el comportamiento de las variables del BJT cuando éste recibe señales tipo ca. La incorporación de señales de corriente alterna en el circuito un circuito con transistores define el uso de la recta de carga para ca. El punto de operación es un punto fijo sobre las características. se debe establecer el punto Q para un valor determinado. La polarización es un término muy amplio que comprende todo lo relacionado con la aplicación del voltaje dc para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. sin embargo el resultado de tal . Punto de operación. El dispositivo BJT puede encontrarse polarizado para operar cualquiera de estos límites máximos. o también llamada recta de carga dinámica. pues establece los valores entre los cuales actuará la corriente  y el voltaje . Para definir esta nueva recta de carga de ca. y debe ser facilitado a la frecuencia de señal. Si se quiere lograr una prestación lineal del amplificador. esto se conoce como máxima excursión simétrica. la corriente dc y el voltaje resultante establecen un punto de operación sobre las características que define la región que será empleada para la amplificación de la señal aplicada. es decir. el punto Q debe estar en el centro de la recta de carga de ca.

Ubicando el punto Q en el medio o centro de la fuente de alimentación no dará iguales excursiones de voltaje de salida lo cual limitará la utilidad del amplificador. Por lo tanto es importante ser capaz de elegir fácilmente el punto Q que dará la máxima excursión simétrica para el amplificador dadas las restricciones de diseño. Los amplificadores que consisten estrictamente de transistores y resistores. por consiguiente.com/ MAXIMA EXCURSION SIMETRICA CIRCUITOS DE POLARIZACION. en la relación i-v de salida. Aunque así es posible considerar algunas diferencias entre los distintos puntos de operación que se muestra en la figura con el objetivo de presentar algunas ideas básicas sobre el punto de operación y. http://jorgemendozapua. Limitándonos en la región activa. o bien la destrucción del mismo.blogspot. Una técnica que determina analíticamente el punto Q para máxima excursión simétrica se basa en el trazado de las rectas de carga de salida del transistor. Esta ubicación del punto Q permite excursiones simétricas de la tensión de señal alrededor de un punto central: la distorsión ocurrirá para excursiones de igual magnitud en la dirección positiva y negativa. no tienen el rango completo de la fuente de alimentación para la excursión del voltaje de salida.operación sería el recorte de la vida útil del dispositivo. Frecuentemente el punto Q seleccionado. es posible seleccionar varias áreas o punto de operación diferente. Los amplificadores que tienen cargas acopladas capacitivamente o resistencias puenteadas con capacitores. pueden polarizarse de modo que el punto de reposo esté en la zona media del rango de tensión de salida lineal dado por la fuente de alimentación. La amplificación puede estar restringida por la amplitud y posición de la excursión de salida sin distorsión. La curva de salida de . del circuito de polarización.

El límite máximo de alimentación (S) es normalmente igual a los límites que dan las fuentes de alimentación. Una elección tanto a la derecha como a la izquierda de este valor óptimo disminuirá la capacidad del amplificador para una excursión de tensión simétrica. Las dos líneas de carga se deben interceptar siempre en el punto de reposo: si hay cero AC. La temperatura causa que los parámetros del dispositivo como la ganancia de corriente transistor y la corriente de fuga  del del mismo. a frecuencias medias de la banda. . Existe otro factor de polarización muy importante que debe ser considerado después que se selecciono y polarizo el circuito BJT en el punto de operación. este sería el efecto de la temperatura. de la pendiente de la recta de carga dinámica es siempre mayor que la estática. También se cumple que la magnitud. Sobre esta curva se trazan las rectas de carga de DC (estática) y AC (dinámica). la salida debe estar en el punto Q de la línea de carga estática. El límite mínimo de alimentación (C) está determinado por el borde de la región lineal del transistor (para un BJT es la saturación. Para máxima excursión simétrica es necesario elegir el punto Q que permita iguales espacios de oscilación en las direcciones positiva y negativa. se modifiquen. melusina  ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION FRENTE A VARIACIONES DE LOS PARAMETROS INTRINSECOS Y DE LA TEMPERATUA Estabilidad frente a la temperatura. El aumento en la magnitud de la pendiente de la recta de AC disminuye la excursión disponible a lo largo de la abscisa a un valor que es a menudo significativamente menor que los límites de la fuente de alimentación.un transistor (BJT) viene dada normalmente como una curva i-v. Mayores temperaturas provocan un incremento en las corrientes de fuga del .

A la vista de los resultados obtenidos. En la hoja de datos. se concluye que la estabilidad del amplificador. La consecuencia de esto es que el diseño de la red deberá proporcionar también un grado de estabilidad en temperatura de manera que los cambios de temperatura provoquen las menores modificaciones en el punto de operación. tanto ante el cambio del dispositivo como ante variaciones de la temperatura. Las variaciones de temperatura se reflejarán en variaciones de los parámetros de PSPICE. El resultado es que un aumento de T produce un aumento de BF. pero mientras el aumento de BF e IS supone un aumento de IC. Este resultado coincide con el obtenido para la estabilidad con respecto al cambio de dispositivo. IS e ISE.dispositivo con lo que se modifica la condición de operación establecida por la red de polarización. Desde un punto de vista matemático. con VZ como . el aumento de ISE resulta en una disminución de IC que compensa en parte el efecto de los otros parámetros. bastaría con analizar la dependencia de cada parámetro con la temperatura. Podemos considerar que el Zener es el único elemento cuyo funcionamiento depende de la temperatura. La tendencia general es que la estabilidad térmica mejora aumentando RE y disminuyendo RB (aunque la variación con RB apenas es significativa). una vez analizada la influencia de la variación de los parámetros en el punto de operación. por lo que en este caso la constante térmica del circuito es directamente la variación de la tensión del Zener con la temperatura. podemos deducir fácilmente que: El coeficiente de temperatura de los diodos zener varía con la corriente de polarización y con la tensión nominal del diodo. En principio. dado que V0 = VZ. el fabricante debe ofrecer una curva de dicho coeficiente en función de la IZ. mejora aumentando RE y disminuyendo RB.

de manera que la polarización resultante esta comprendida entre la polarización circular y la polarización oblicua. independientemente de la corriente que circula por la carga. de amplitud sensible igual pero sin relación de fase precisa entre ellas. En general.parámetro. por lo que debe agregársele un dispositivo o circuito regulador. un rectificador y un filtro. por ejemplo la tensión de entrada. de la temperatura y de cualquier variación de la tensión de entrada a la misma. Fuentes De Tensión Reguladas. No obstante. la polarización elíptica (incluida la polarización circular) y la doble polarización. Polarización mixta: Este término se aplica a todos los métodos de difusión con componentes polarizadas vertical y horizontalmente. Podemos considerar que la tensión de entrada de la fuente regulada es provista por una fuente no regulada constituida por un transformador. Una fuente de alimentación regulada ideal es aquella que entrega una tensión continua constante . Comprende la polarización oblicua. las fuentes polarizadas vertical y horizontal pueden estar desplazadas una de otra. Este tipo de fuente posee mala regulación y cualquier variación. producirá variación de la tensión de salida. Doble Polarización: Este tipo de polarización es donde la antena radial componentes de polarización vertical y horizontal. . típicamente se suele especificar un valor característico de KTZ para una determinada corriente de polarización (típicamente la IZ TEST).

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Para compensar los efectos de la temperatura en la tensión del transistor se puede usar otra unión PN (transistor o diodo) de idéntica características a la unión base-emisor del transistor empleado. entonces se compensa y la corriente del colector no varia al cambiar la temperatura. obtenemos que . es decir que la corriente de colector quede compensada frente a variaciones de temperatura. la corriente del colector la podemos poner como (suponiendo    ):    . y de aquí obtenemos la variación con la temperatura como:   Aplicando la superposición de que ambas uniones tienen la misma variación es decir. Efectivamente. En el ejemplo de la figura se puede deducir fácilmente que si la dependencia de la tensión del transistor con la temperatura es idéntica a la de la tensión del diodo . . COMPENSACION DE LA POLARIZACION MEDIANTE DIODOS Y TERMISTORES. suponiendo .

El diseñador no sólo ha de asegurar que el circuito funciona. sino que lo hace dentro de los límites máximos y mínimos indicados por las especificaciones del mismo.CONCLUSIÓN Actualmente. estos poseen una parte análoga como interacción con el mundo externo a través de una interfaz de tipo analógico. no tienen el rango completo de la fuente de alimentación para la excursión del voltaje de salida . La elección de la red de polarización de un transistor puede resultar clave a la hora de garantizar que el circuito se adaptará a nuestras expectativas. aunque la mayoría de sistemas electrónicos son digitales. usando dispositivos de enriquecimiento que poseen muy poca interacción con los MOSFET usados en el diseño de circuitos digitales. la corriente de electrones a través de la zona ZCE (zona de carga espacial) de la unión es muy superior a la del hueco. Los amplificadores que tienen cargas acopladas capacitivamente o resistencias puenteadas con capacitores. La ubicación del punto Q permite excursiones simétricas de la tensión de señal alrededor de un punto central: la distorsión ocurrirá para excursiones de igual magnitud en la dirección positiva y negativa. La estabilidad de funcionamiento de los circuitos con transistores es un aspecto fundamental en el diseño de los mismos. La corriente que circula por el transistor. Al estar la unión emisora en directa. La teoría de la unión PN que si el dopaje de la región N es mayor que P. La mayoría de los diseños actuales de circuitos análogos y de señal mixta son realizados en procesos de substrato en CMOS. el emisor N inyecta electrones a la base PO y esta inyecta huecos al emisor N. Además ha de prever posibles eventualidades al funcionamiento que puedan hacer que el circuito deje de funcionar. en la relación i-v de salida.