Laboratoire 1a: Transistors, procédés, masques

Hiver 2011

Durée: 1 semaine; vendredi le 11 février dans la boı̂te avant

17h30

1 Objectifs
• Familiarisation avec le logiciel Microwind

• Simulation et caractérisation du comportement statique et dynamique

des transistors

• Familiarisation avec les divers procédés et les effets d’échelle (i.e. im-
pact sur la fréquence maximale)

• Premiers contacts avec le dessin de masque, concept de la distance

minimale λ, règles de conception

• Compréhension des différentes étapes de fabrication d’un CI, coupe et

structures 3D résultantes

2 Description
Ce laboratoire se veut une introduction au logiciel Microwind de même qu’une
initiation aux principes de base du dessin de masque. On s’attardera égale-
ment aux procédés et à l’évolution de la densité des puces.
Microwind fournit des fichiers décrivant les règles de conception des procédés
énumérés à la table 1.
Il est conseillé de répondre aux questions pré-laboratoire avant d’entamer
la procédure. Pour répondre aux questions pré- et post-laboratoire, l’usage
du manuel (Uyemura) peut être d’un grand secours!

1
GIF4201 / GEL7016 (Micro-électronique) 2

Procédé Année Couches VDD oxyde de taille du plots d’entrée fichier

de métal (V) grille (nm) dé (mm) / sortie Microwind
1.2µm 1986 2 5.0 25 5×5 250 cmos12.rul
0.7µm 1988 2 5.0 20 7×7 350 cmos08.rul
0.5µm 1992 3 3.3 12 10×10 600 cmos06.rul
0.35µm 1994 5 3.3 7 15×15 800 cmos035.rul
0.25µm 1996 6 2.5 5 17×17 1000 cmos025.rul
0.18µm 1998 6 1.8 3 20×20 1500 cmos018.rul
0.12µm 2001 6–8 1.2 2 22×20 1800 cmos012.rul
90nm 2003 6–10 1.0 1.8 25×20 2000 cmos90n.rul
65nm 2005 6–12 0.8 1.6 25×20 3000 cmos70n.rul

Table 1: Procédés supportés par Microwind avec l’année de leur mise en

marche.

3 Questions pré-laboratoire
1. Décrivez comment on définit la distance λ pour un procédé donné.

2. Identifiez brièvement le rôle de chacun des masques suivants:

– nWell
– Active
– Poly
– pSelect
– nSelect
– Active contact
– Poly contact
– Metal1
– Via
– Metal2
– Overglass
GIF4201 / GEL7016 (Micro-électronique) 3

4 Procédure
A. Dessin d’un transistor

1. Ouvrez le logiciel Microwind2. La fenêtre principale du logiciel est

la fenêtre de dessin de masques. Par défaut, le logiciel dans un en-
vironnement de conception (échelle, couches, règles de conception)
correspondant à un procédé CMOS 0.12 µm. Dans la fenêtre de
dessin, toute distance, largeur et longueur est un multiple entier
de la distance fondamentale λ, laquelle dépend du procédé.
2. Une palette vous offre un choix de couches codées par couleur.
Initialement, la couche sélectionnée (son nom est en rouge) est
celle du polysilicium. En utilisant un clic continu du bouton de
la souris dans la fenêtre de dessin, créez un rectangle allongé de
polysilicium comme ci-dessous. Les dimensions exactes peuvent
varier, mais le rectangle doit avoir au minimum une largeur de 2λ.

3. Sélectionnez à présent la couche de diffusion n+. Dessinez une

boı̂te plus large intersectant le polysilicium comme ci-dessous.
Vous avez créé un transistor; en effet, le logiciel interprète cor-
rectement l’intersection polysilicium / diffusion n+ et apporte les
modifications appropriées aux divers masques. À l’aide du curseur,
mesurez les dimensions de l’intersection (un clic donne les coor-
données du curseur dans le bas de l’écran, en multiples de λ).
GIF4201 / GEL7016 (Micro-électronique) 4

B. Couches et procédé

4. Faites une coupe du transistor en cliquant sur Simulate → 2D

Vertical cross-section et en tirant une ligne sur toute sa largeur
comme ci-dessous. Déterminez l’épaisseur tox .

5. Fermez la fenêtre de coupe et affichez la structure tridimension-

nelle du transistor en cliquant sur Simulate → Process steps in 3D.
Sélectionnez les étapes du procédé une-à-une à droite et observez
la construction du transistor.
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C. Caractéristiques statiques des transistors MOS

6. Fermez la fenêtre du procédé en 3D; sélectionnez ensuite File →

Colors → White background.
7. Sélectionnez Simulate → MOS Characteristics. Cliquez sur l’onglet
Level 1 pour sélectionner le modèle MOS de simulation de niveau
1. Dans le menu approprié (au bas de la fenêtre, au centre), choi-
sissez une taille de transistor de W =10µm, L=10µm. Cliquez
également sur le bouton Fit si nécessaire pour mettre les courbes
à l’échelle.
8. Cliquez sur le bouton Add measure; choisissez ensuite le fichier
Ne10x10.MES. Ce dernier correspond à de véritables mesures de
caractérisques V-I effectuées sur une puce test de 0.12 µm. Faites
une saisie d’écran afin de pouvoir inclure ces courbes dans votre
rapport.
9. Effectuez les mêmes opérations pour les modèles Level 3 et BSIM4.
Il n’est pas nécessaire de refaire Add measure. N’oubliez pas
d’effectuer des saisies d’écran.

D. Caractéristiques dynamiques des transistors MOS

10. Pour observer le comportement dynamique, on applique une hor-

loge à la grille du nFET. Pour ce faire, cliquez sur l’icône “horloge”
dans la palette, puis cliquez sur la grille. Dans la formulaire qui
apparait, entrez les caractéristiques suivantes: Time low = 0.225
ns, Rise time = 0.5 ps, Time high = 0.225 ns, Fall time = 0.5 ps.
Changez le nom du signal à vgrille. Cliquez sur Assign.
11. On ajoute une horloge deux fois plus lentes au drain. Cliquez
sur l’icône “horloge”, puis sur la région de diffusion à gauche de
la grille. Changez le nom du signal à vdrain. Pour générer une
horloge ayant une période de 1ns, il suffit de cliquer sur Assign
(période de 1ns par défaut).
12. On désire maintenant rendre la source visible en simulation; pour
ce faire on clique sur l’icône Visible node (l’oeil) dans la palette,
puis sur la région de diffusion à droite de la grille. Cliquez immédi-
atement sur Assign. Sauvegardez votre travail avant la simulation,
cette dernière pouvant occasionnellement faire planter le logiciel.
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13. Sélectionnez Simulate → Run simulation → Voltage vs. Time.

Faites une saisie d’écran ou utilisez le bouton Print pour sauveg-
arder / imprimer les traces (chronogrammes) de simulation.

E. Fréquence et échelle

14. Sélectionnez File → Open. Choisissez le fichier inv3.MSK. Ce tracé

correspond à un oscillateur annulaire (“ring oscillator”):

15. Sélectionnez Simulate → Run simulation → Voltage vs. Time.

Faites une saisie d’écran où utilisez le bouton Print pour sauveg-
arder / imprimer les traces (chronogrammes) de simulation. Notez
bien la fréquence de l’oscillation et la tension d’alimentation.
16. Faites File → Select Foundry puis choisissez cmos35.rul.
17. Simuler à nouveau le circuit; notez la fréquence d’oscillation et la
tension d’alimentation.
18. Répétez la procédure pour tous les procédés énumérés à la table
1 entre 1.2µm et 90nm, inclusivement.
19. Faites File → Open. Choisissez le fichier inv3comp.MSK. On voit
ici deux tracés pour l’oscillateur annulaire; l’un avec deux couches
d’interconnections, l’autre avec 5. Imprimez / sauvegardez ces
tracés.

F. Rapport

• Produisez un rapport de laboratoire comprenant les parties suiv-

antes:
– une introduction;
– les réponses aux questions pré-laboratoire;
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– les divers tracés, courbes et sauvegardes d’écran demandés

dans la procédure;
– les réponses aux questions post-laboratoire;
– une conclusion.

5 Questions post-laboratoire
1. Quelle est l’épaisseur tox des transistors en CMOS 0.12 µm? Calulez la
capacitance de la grille du transistor que vous avez dessiné, en Farads.

2. Lors de la simulation du procédé en 3D:

(a) Pourquoi ne se passe-t-il rien à l’étape 03 “N-diffusion”?

(b) À quelle étape du procédé est-ce que le transistor est complet?
(c) Pourquoi ne se passe-t-il rien à l’étape 13 “P+ implant”?

3. Dans les traces de simulation produites à l’étape 13:

(a) indiquez clairement les zones où le transistor est éteint;

(b) déterminez, à partir des traces, la valeur de VTn .
(c) comment expliquez vous la courbe dans la montée de vsource
lorsque la grille est à ’1’ ?

4. Tracez (avec Matlab où un outil semblable) la fréquence d’oscillation

de l’oscillateur annulaire vs. l’année de mise en marche du procédé
(voir table 1). Comparez avec la graphe d’évolution des fréquences
de microprocesseur (chapitre 1 des notes - GIF4201c1.pdf). Expliquez
toute divergence entre les deux courbes.

5. En examinant les deux tracés (à 2 couches M et 5 couches M) de

l’oscillateur annulaire (voir étape 19 de la procédure), quel serait selon
vous le désavantage croissant associé avec une augmentation du nombre
de couches d’interconnexion?
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Laboratoire 1a
Transistors, procédés, masques

Nom Matricule

1.

2.

1. Les résultats de simulation OUI NON

2. Le maı̂trise du logiciel OUI NON
3. Le bonne compréhension du laboratoire et des concepts OUI NON

Signature de l’assistant:

Date: