Diodos Semiconductores

Contenido:
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Diodo Semiconductor Clasificación. Diodos Rectificadores. Características. Diodos de Señal. Resumen de funcionamiento. Diodos de Conmutación. Resumen de funcionamiento Diodos de alta Frecuencia.Resumen de funcionamiento. Diodos Zener. Resumen de funcionamiento.

Diodo Semiconductor El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente por una unión P -N, añadiéndole un terminal de conexión a cada uno de los contactos metálicos de sus extremos y una cápsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N) El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo de la batería al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexión opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversión de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificación. En efecto. si se aplica a este diodo una tensión alterna, únicamente se producirá circulación de corriente en las ocasiones en que el ánodo sea más positivo que el cátodo, es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas ocasiones el ánodo más negativo que el cátodo. La corriente resultante será «pulsante», ya que sólo circulará en determinados momentos, pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuación puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vacío algunas ventajas fundamentales: - Es de tamaño mucho más reducido, lo que contribuye a la miniaturización de los circuitos. - La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningún calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho más bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o baterías.

- Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicación que con diodos de vacío resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamaño de éstos. Existen diodos semiconductores de muy pequeño tamaño para aplicaciones que no requieran conducciones de corrientes altas, tales como la demodulación en receptores de radio. Estos suelen estar encapsulados. en una caja cilíndrica de vidrio con los terminales en los extremos, aunque también se utiliza para ellos el encapsulado con plástico. Clasificación Dentro del amplio conjunto de mode los y tipos diferentes de diodos semiconductores que actualmente existe en el mercado, se puede realizar una clasificación de forma que queden agrupados dos en varias familias, teniendo en cuenta aquellas características más destacadas y que, de hecho, son las que determinan sus aplicaciones. De esta forma se pueden encontrar las siguientes: Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con encapsulado individual o en puente. - Diodos de señal de use general. - Diodos de conmutación. - Diodos de alta frecuencia. - Diodos estabilizadores de tensión. - Diodos especiales. Diodos rectificadores El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de baja y media potencia se emplea el plástico hasta un límite de alrededor de 1 vatio. Por encima de este valor se hace necesario un encapsulado metálico y en potencias más altos deberá estar la cápsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de color, por medio de un sistema de sujeción a tornillo. Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto monofásicas como trifásicas o polifásicas, se realiza empleando varios diodos según una forma de conexión denominada en puente. No obstante, también se utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente en algunos circuitos de alimentación monofásicos.

Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que más tarde son empleados en montajes puente, los fabricantes decidieron, en un determinado momento, realizar ellos mismos esta disposición, uniendo en fábrica los cuatro diodos y cubriéndolos con un encapsulado común. Esto dio lugar a la aparición de diversos modelos de puentes de diodos con diferentes intensidades máximas de corriente y, por lo tanto,

de plástico o vidrio. . para una corriente If determinada. Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusión (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unión P-N. 100 mA.Corriente directa (If). Diodos de conmutación Los diodos de conmutación o rápidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con señales de tipo digital o <<lógico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. . para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.Tensión inversa máxima de pico de trabajo (VRWM). la cápsula del puente es metálica y está preparada para ser montada sobre un radiador. Pueden ser considerados rápidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos.Tensión directa (Vd).Tensión inversa (Vr). Sobre el cuerpo deberá estar marcado el hilo de conexión que corresponde al cátodo. y recibe súbitamente un cambio de tensión que la polariza en sentido directo. Corriente inversa máxima de pico (IRM). cuando éstas están polarizadas en sentido directo. hasta 75 V como máximo. procurando no ajustarse demasiado a los valores límites. ya que ello acortaría excesivamente la duración del componente.Potencia total (P/tot). . estando los dos terminales de conexión situados en los extremos. .Tensión inversa máxima de pico repetitiva (VRRM). Potencia máxima (P/tot). Características Cualquier diodo rectificador está caracterizado por los siguientes factores: Corriente directa máxima (If). en modelos de media potencia.con disipaciones de potencia más o menos elevadas. 200 milivatios (mW) El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura.Corriente máxima de pico (Ifsm). Estas características deberán ser tenidas en cuenta en el momento de la elección del modelo más adecuado para cada aplicación. . medida a VRRM. mediante un anillo situado en las proximidades de éste. El factor o parámetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperación inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unión P-N en desalojar la carga eléctrica que acumula. Diodos de señal Los diodos de señal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la señal. En los tipos de mayor disipación. Son de baja potencia. cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulación de carga de un condensador). dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital formando parte de «puertas» lógicas y circuitos equivalentes. . . en la misma forma que los diodos simples. Diodos de alta frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 millón de ciclos por segundo). Las características de estos diodos son: .

La capacidad resultante es. de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prácticamente constante. para producir una tensión entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. denominada tensión zener se produce un aumento de la cantidad de corriente.Tensión zener (Vz). controlados por una diferencia de potencial. Diodos especiales Dentro del grupo de diodos especiales están comprendidos los diodos varicap. diodos túnel y diodos Led Los primeros se construyen buscando acentuar al máximo la propiedad que presente la unión P-N de comportarse de una forma análoga a un condensador. DIODOS Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un sentido. como su nombre indica. cuando se la polariza inversamente. variable con la tensión aplicada. Sin embargo. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor.Diodos zener Los diodos estabilizadores de tensión se emplean.Potencia máxima (P/tot). . . con encapsulado plástico o metálico. para su funcionamiento. Aprovechan. consta de una pieza de cristal semiconductor conectada . Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilísima. aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa.Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). al alcanzar una determinada tensión. desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar. Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son: . el más común en la actualidad. Su empleo está muy generalizado en etapas de sintonía de receptores de radio y TV. además. una propiedad muy interesante que presenta la unión semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel. lo cual permite disponer de una forma muy simple de condensadores variables.

Historia     ¥ §  §   a t i al l ti . y n cátodo. Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío. Evidentemente.Debido a este comportamiento. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De Forest. El filamento está tratado con xido de bario. ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal. tambi n llamados válvulas termoi nicas constituidos por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal. basándose en observaciones reali adas por Thomas Alva Edison. xcept para tecnologías ¡ £ ¢ £ ¢ ¡¦ £ ¦£ ¥  £           © ¢¡ ¨ ¤ ¨§ £ ¢£ ¦ ¥¤£ ¢¡  . y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia el ctrica muy pequeña. si el cátodo no se calienta. calentándolo por efecto Joule. la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial. De forma simplificada. produciéndose así la conducci n. Por esa razón. los circuitos que utilizaban válvulas de vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las válvulas se quemaban con mucha facilidad. como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.e alta potencia) es n t bo e acío con oselectrodos: na l ina como nodo. curvada por un muelle doble. los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a través del cual circula la corriente. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming. con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. empleado de la empresa Marconi. no podrá ceder electrones. cargada positivamente (el ánodo). se comporta como un circuito abierto (no conduce). de modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante los cuales son conducidos electrostáticamente hacia una placa. Al igual que las lámparas incandescentes. se les suele denominar rectificadores. El di do de va ío ( act al t ya a.

Aunque el diodo semiconductor de estado sólido se popula rizó antes del diodo termoiónico. usado comúnmente hasta la invención del diodo semiconductor. En 873 rederick Guthrie descu rió el principio de operación de los diodos térmicos. eléctricamente aislada del filamento. reflejando esto que el flujo de corriente era posi le solamente en una dirección. de las cuales se usó ampliamente el mineral galena. antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto Edison podría usarse como un radio detector de precisión. pero esto solo sucedía cuando la lámina esta a conectada positivamente. 5 . Otros e perimentos  $ ) % ))  ( Apro imadamente 2 años después. Este dispositivo pro lemático fue rápidamente superado por los diodos termoiónicos. quién inventó un detector de pro aron con gran variedad de sustancias. aunque el detector de cristal semiconductor volvió a usarse frecuentemente con la llegada de los económicos diodos de germanio en la década de  )     # # '      cristal de silicio en 3 reci ió una patente de ello el 2 de noviem re de 2 6. pero el galena fue el que más se usó porque tenía la ventaja de ser arato fácil de o tener. el confirmó que una corriente fluía del filamento incandescente a través del vació a la lámina metálica. sin necesidad de que este lo tocara. este último tam ién llamado diodo sólido. A su vez. Cuando uso este dispositivo. leming patentó el primer diodo termoiónico en Britain el 6 de noviem re de En 87 el científico alemán Karl erdinand Braun descu rió la naturaleza de conducir por una sola dirección de los cristales semiconductores. el 3 de fe rero de 88 homas Edison re descu re el principio. am os se desarrollaron al mismo tiempo. ##     " Independientemente. el detector de cristal semiconductor consistía de un ca le ajusta le el mu nom rado igote de gato) el cual se podía mover manualmente a través del cristal para así o tener una señal óptima. Braun patentó el rectificador de cristal en 8 os rectificadores de ó ido de co re selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la década de los 3 . en caso de que alguien encontrara un uso al llamado Efecto Edison. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente ma or. El científico indio agdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 8 . El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo práctico para la recepción de señales inalám ricas por Greenleaf Whittier Pickard. Edison o tuvo una patente para este invento en 88 . No sucedía lo mismo con un electroscopio cargado negativamente. Edison diseño un circuito que reemplaza la om illa por un resistor con un voltímetro de DC. Aparentemente no tenía uso práctico para esa época. Al principio de la era del radio. El ha ía construido una om illa con un filamento adicional una con una lámina metálica dentro de la lámpara. Guhtrie descu rió que un electroscopio cargado positivamente podría descargarse al acercarse una pieza de metal caliente.Diodo de vacío. investiga a porque los filamentos de car ón de las om illas se quema an al final del terminal positivo. Edison    ' #       !  $     & #      #    #   % $)   )   ) &     $ %      0 . Por lo cual. ohn Am rose leming científico asesor de arconi Compan . . la patente era pro a lemente para precaución.

el cátodo. el ánodo estaba cargado positivamente por lo cual atraía electrones. Henry Eccles acuñó el término diodo del griego dia. De arriba a abajo. En 1919. otro electrodo interno tratado con una mezcla de Bario y óxido de estroncio. En la mayoría del siglo 0 los diodos de válvula termoiónica se usaron en aplicaciones de señales análogas. cualquier corriente en este caso es insignificante. En los diodos de válvula termoiónica. En polarización directa. los electrones no eran fácilmente transportados de la superficie del ánodo que no estaba caliente cuando la válvula termoiónica estaba en polarización inversa. el ánodo. Hasta el día de hoy. estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores. que significa separado.En la época de su invención. rectificadores y potencia. y el filamento. amplificadores de audio. así como equipo especializado de alta tensión. Sin embargo. los diodos de válvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como rectificadores en guitarras eléctricas. Además. El calentamiento causa emisión termoiónica de electrones en el vacío. que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vacío. [editar] Diodo semiconductor 1 illiam 2 3 . Los diodos termoiónicos son dispositivos de válvula termoiónica (también conocida como tubo de vacío). donde un filamento de tungsteno act a como calentador y como cátodo). [editar] Diodos ). y ode (de camino. que significa termoiónicos y de estado gaseoso Símbolo de un diodo de vacío o gaseoso. se eligen estas substancias porque tienen una pequeña función de trabajo (algunas válvulas usan calentamiento directo. Los primeros modelos eran muy parecidos a la lámpara incandescente. una corriente a través del filamento que se va a calentar calienta indirectamente el cátodo. los cuales son óxidos alcalinotérreos. sus componentes son.

llamado @ @ 5 A @ 5 D @ 5 A @ 6 B 7 8 B A 8 8 6 4 e ). El cristal conduce una corriente de electrones del lado n llamado cátodo). que se opondrá a la corriente de electrones terminará deteniéndolos.c. en la gráfica z.e. Al esta lecerse una . llamado semiconductor de semiconductor tipo p. crea un campo eléctrico E) que actuará so re los 8 Al unir am os cristales. llamado una unión PN. se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p 5 9 8 5 tipo n. una región en el otro lado que contiene portadores de carga positiva huecos). El límite dentro del cristal de estas dos regiones. la acumulación de iones positivos electrones li res de la zona n con una determinada uerz de despl z miento. A C en la zona n de iones negativos en la zona p. pero no en la dirección opuesta.ormación de la región de agotamiento. estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a am os lados de la unión. desde que los electrones tengan carga negativa). corriente de difusión. Sin em argo. as terminales del diodo se unen a cada región. A medida que progresa el proceso de difusión. zona que reci e el nom re de región de got miento. es donde la importancia del diodo toma su lugar. la región de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a am os lados de la unión. Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en él para crear una región que contiene portadores de carga negativos electrones). es decir. cuando una corriente convencional flu e del ánodo al cátodo opuesto al flujo de los electrones.

es decir. En estas condiciones podemos o servar que: E n. se de e conectar el polo positivo de la atería al ánodo dirigen hacia la unión p n. la zona de carga espacial es mucho ma or. el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. potencial en la zona de carga espacial.Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas p Esta diferencia de potencial VD) es de . V para los cristales de germanio. a anchura de la región de agotamiento una vez alcanzado el equili rio.5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión e terna. se dice que el diodo está polarizado. permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión. P HGE P Q P R S G P R E F E P E G I . suele ser del orden de . Para que un diodo esté polarizado directamente. pudiendo ser la polarización direct o in ers .7 V en el caso del silicio . [editar]Pol riz ción direct de un diodo Polarización directa del diodo pn. con lo que estos electrones se P del diodo el polo negativo al cátodo. la atería disminu e la arrera de potencial de la zona de carga espacial. adquieren la energía T T T  Cuando la diferencia de potencial entre los ornes de la atería es ma or que la diferencia de V U T  El polo positivo de la atería atrae a los electrones de valencia del cristal p. En este caso. decir que empuja a los huecos hacia la unión p n. esto es equivalente a T U T  El polo negativo de la atería repele los electrones li res del cristal n. los electrones li res del cristal n.

ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1. A medida que los electrones libres abandonan la zona n. na vez . con lo que se convierten en iones positivos. al verse tes desprendidos de su electrón en el orbital de conducción. desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería. los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n. ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p. el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n. los átomos pentavalentes que an eran neutros. En este caso. De este modo. X W  na vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial. W cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p. lo que hace aumentar la zona de carga espacial. y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería. aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final. adquieren estabilidad ( electrones en la capa de valencia. [editar] Polari aci i versa de diodo Polarización inversa del diodo pn.suficiente para saltar a los huecos del cristal p. tal y como se explica a continuación:  El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n. los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería.

tienen solamente siendo el electrón que falta el denominado hueco. sin embargo. Recordemos que estos átomos sólo tienen formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio. [editar] Curva característica del diodo urva característica del diodo. debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturaci n. conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo. tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. e  Tensi n umbral. caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad ( electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo. existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p. la corriente superficial de fuga es despreciable. la barrera de potencial inicial se va reduciendo. b ` Y electrones de valencia. con lo que una vez que han electrones de valencia. al igual que la corriente inversa de saturación. como su propio nombre indica. ya que en la superficie. convirtiéndose así en iones negativos. a c d . tanto de la zona n como de la p. in crementando la corriente ligeramente. La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. de codo o de partida (V ). Al polarizar directamente el diodo. En esta situación. Además.  Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería. los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesa rios para obtener estabilidad. El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p. el diodo no debería conducir la corriente. o obstante.

con lo que al aumentar la tensión. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo. Sin em argo. Para tensiones inversas entre producir por am os efectos. este conducirá la corriente inversa de saturación. a partir de un determinado valor de la tensión. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. no o stante ha otro tipo de diodos. aumenta la corriente superficial de fugas. Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo ver polarización inversa). el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementándose la corriente. se aceleran por efecto de la tensión. en la realidad. del orden de 3· 5 V/cm. Puesto que el campo eléctrico E puede e presarse como cociente de la tensión V entre la distancia d. Es la tensión inversa má ima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. la arrera de potencial desaparece. menor es la anchura de la por tanto d sea pequeño. como los Zener. en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se de e al efecto avalancha. chocando con más electrones de valencia li erándolos a su vez. Este efecto se produce para tensiones de V o menores. esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo. x w  Corriente in ers de s tur ción Is ).alrededor del % de la nominal.  Es la intensidad de corriente má ima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto oule. de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. cuando el diodo esté mu dopado. 6 V la ruptura de estos diodos especiales. en los que la ruptura puede de erse a dos efectos: que provocan la corriente inversa de saturación. a su vez. el campo eléctrico • • – • ˜ “‘ ‘ ‘’‘  ” Efecto l nch diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares electrón hueco „  ‰ ƒ ‡ †… ƒ  Corriente super ici l de ug s. eóricamente. cuando la tensión e terna supera la tensión um ral. como los Zener. al polarizar inversamente el diodo. zona de carga. En estas condiciones. g h g v ‚ f u €  g ‰ f ‰ g ˆ .  Tensión de ruptur Vr ). Este fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6 V. Es la pequeña corriente que se esta lece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón hueco de ido a la temperatura. depende so re todo del diseño del mismo. admitiéndose que se duplica por cada incremento de º en la temperatura. será grande. se puede ™ ˜ ˜ d e ˜f —  Efecto Zener diodos mu dopados). si la tensión inversa es ele vada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la anda de conducción. Cuanto más dopado está el material. Estos electrones li erados. s t x r v ‚ v y q pi Corriente máxim Ima ).

[editar] Modelos matem ticos i illiam Bradford Shockley) que El modelo matemático más empleado es el de S ockley (en honor a permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. y la recombinación térmica. la exponencial en la ecuación del diodo es insignificante. dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de El Voltaje térmico VT es aproximadamente . T es la temperatura absoluta de la unión pn. quedando como resultado: on objeto de evitar el uso de exponenciales. La ecuaci n de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo eléctrico). y q es la magnitud de la carga de un electrón (la carga elemental). mV en 00K. Bajo voltajes negativos. La región de ruptura no esta modelada en la ecuación de diodo de Schockley. El más simple de todos es el diodo ideal. que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos. difusión. se puede eliminar el 1 de la ecuación. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por: Donde k es la constante de Boltzmann. También asume que la corriente de recombinación en la región de agotamiento es insignificante. muy usada en los programas de simulación de circuitos. y la corriente es una constante negativa del valor de Is. Adicionalmente. una temperatura cercana a la temperatura ambiente. Para voltajes pequeños en la región de polarización directa. no describe la estabilización de la curva I-V en polarización activa debido a la resistencia interna. en ocasiones se emplean modelos más simples aún. son los llamados modelos de continua o de Ram-señal. [editar] Tipos de diodo semiconductor m j h A) (para el silicio). La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es: Donde:     I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensión entre sus extremos. kl kj n o . Esto significa que la ecuación de Schockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la región de ruptura e inducción por fotones. IS es la corriente de saturación (aproximadamente 10 12 n es el coeficiente de emisión.

Abajo: n puente rectificador. terminal cátodo se indica pintando una franja blanca o negra. pero por favor antes de realizar correcciones mayores contáctalos en sus páginas de discusión. que tienen características eléctricas particulares usados para una aplicación especial en un circuito. se hacen generalmente de silicio dopado o germanio.4 a 1. que pueden diferir en su aspecto físico. En la mayoría de los diodos. o en la página de discusión del artículo para poder coordinar la redacción. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado po principios de r la mecánica cuántica y teoría de bandas. los cuales operan como se describía más arriba. uso de electrodos. Es posible que a causa de ello haya lagunas de contenido o deficiencias de formato. impurezas. el .Uno o varios wikipedistas están trabajando actualmente en extender este artículo o sección. se usaba el óxido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio una caída de tensión muy alta (desde 1. Existen varios tipos de diodos. Antes del desarrollo de estos diodos rectificadores de silicio. Si quieres puedes ayudar y editar. V) y requerían de una gran disipación de calor q p Varios diodos semiconductores. Los diodos normales.

 Diodo l nch : Diodos que conducen en dirección contraria cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura. os diodos de cristal están o soletos.            Diodo rectificador otodiodo Diodo Gunn Diodo láser Diodo p i n Diodo Schottk o diodo de arrera Schottk Diodo Shockle diodo de cuatro capas) Diodo túnel o diodo Esaki Diodo Varicap o diodo varactor Diodo Zener o diodo esta ilizador [editar]Aplicaciones del diodo ‡  Do lador de tensión „  „  „  ectificador de media onda ectificador de onda completa ectificador en paralelo † „ ‡ ‡ ƒ‚ Diodo emisor de luz ED e I ED) € una parte de car ón. os diodos de ~ ~ €  ~ ~ ‚† }  Diodo de crist l: Es un tipo de diodo de contacto. a diferencia entre el diodo avalancha el cual tiene un voltaje de reversa de apro imadamente 6. que inclu en dos diodos por pin internos. pero puede conseguirse todavía de algunos fa ricantes. El diodo cristal consiste de un ca le z s y y z | w s x | y r s muchos otros diodos t u w † u uvu { …… el diodo zener ~  .mucho más grande que un diodo de silicio. Esto sucede cuando el campo eléctrico inverso que atraviesa la unión p n produce una onda de ionización. por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. a gran ma oría de los diodos pn se encuentran en circuitos integrados C OS. de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor. El ca le forma el ánodo el cristal forma el cátodo. produciendo una corriente.2V) es que el ancho del canal del primero e cede la "li re asociación" de los electrones. os diodos avalancha están diseñados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destru a. generalmente galena o de cristal tienen una gran aplicación en los radio a galena. pero funciona ajo otro fenómeno. similar a una avalancha. a única diferencia práctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura de polaridades opuestas. Electricámente son similares a los diodos Zener. el efecto avalancha.

el sistema de construcción que se ha aplicado. el cual se haya a su vez en contacto con un cristal de tipo N (3). Como quiera que consiguen una luz bastante viva y.Diodo túnel. una base metálica hace de soporte y asegura la rigidez del conjunto. En la imagen se muestra un esquema de uno de estos elementos que consta de una pun ta de contacto en forma de muelle (1) que se hay conectada con un cristal de tipo P (2). es decir. y tiene una form a cilíndrica. Son diodos para baja potencia que se usan mucho como rectificadores de pequeños aparatos.Diodo emisores de luz.Diodo Zener. . Exactamente igual que ocurre con los diodos de unión. .Diodos de punta de contacto. .com. debidamente dopado. el que consta de un cristal de germanio o de silicio.Diodo capacitivo (varicap). Los diodos emisores de luz funcionan por un complicado proceso físico en el que Š ‰  imitador ˆ  Esta ilizador Zener . .Diodos de unión. Diodos de unión: Los diodos de unión son los que hemos venido describiendo en esta sección de diodos. con una mínima cantidad de corriente (del orden a algunas decenas de miliamperios). . Diodos emisores de luz: Los diodos emisores también son conocidos con el nombre de LED (iniciales de su denominación inglesa L ight Emitter Diode) que tienen la particularidad de emitir luz cuando son atravesados por la corriente eléctrica. A esta clase de diodo también se le conoce con el nombre de diodos de juntura. el diodo de punta de contacto se comporta dejando pasar la corriente en un solo sentido. . sino también cualquier esquema que necesiten entender. no sólo los de de Areaelectronica. en todo caso. además. ello nos facilitará la comprensión de los esquemas.   Circuito fijador ultiplicador de tensión Divisor de tensión Clases de Diodos Pondremos las diferentes clases de diodos que son más comunes dentro de los circuitos electrónicos que podamos usar. . Diodos de punta de contacto: Poseen unas propiedades similiares a los diodos de unión y la única diferencia es. En la parte baja.Diodo Gunn. Es muy conveniente aprenderse de memoria cada uno de los símbolos electrónicos de los diodos.

formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente. como dispositivos reguladores de tensión. la emisión de microondas se produce cuando las zonas de campo eléctrico elevado se desplazan del ánodo al cátodo y del cátodo al ánodo en un constante viaje rapidísimo entre ambas zonas. es decir. Se trata de un generador de microondas. un diodo semiconductor cuya característica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensión inversa a él aplicada. también llamado diodo de capacidad variable. la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante.desprenden fotones al volver a su órbita de valencia. lo que determina la frecuencia en los impulsos. pero en el sentido de paso ofrece unas variantes según la tensión que se le somete. presenta una tensión de valor constante. la cual se ve en el gráfico. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisión y los de receptores de radio en FM. Diodo capacitivo (varicap): Este diodo. pero en sentido inverso. De hecho los galios son muy conocidos por la gran variedad de aplicaciones que se les a encontrado en todo orden de aparatos electrónicos. de modo que el ánodo sea positivo con respecto al cátodo. al recibir mayor tensión. Cuando se aplica entre ánodo y cátodo una tensión cont inua de 7 V. Diodo Tunel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rápidamente al observar su curva característica. en esencia. Diodo Zener: El diodo Zener. La intensidad de la corriente crece con rapidez al prin cipio con muy poco valor de tensión hasta llegar a la cresta (C) desde donde. Características técnicas de los Diodos . Este fenómeno de tensión constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dipositivos excepcionalmente útiles para obtener una tensión rela tivamente invisible a las variaciones de la tensión de alimentación. Diodo Gunn: Este diodo tie ne características muy diferentes a los anteriores. De hecho. La energía luminosa radiada puede ser de color verde si el elemento a sido tratado con galio -fósforo. se produce una pérdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensión. es. podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la característica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo. o roja si lo sido con galio-arsenio. en sentido de paso. también llamado diodo regulador de tensión. y pa ra una corriente inversa superior a un determinado valor. es decir. ya que no es rectificador.

es decir. Pasemos a explicar el gráfico entonces: En primer lugar tenemos la corriente en sentido directo (If) representada en miliamperios (mA) que es la corriente que puede circular por el diodo cuan do éste presenta la mínima resistencia. el paso de la corriente en sentido de paso. Obsérvese que aquí la tensión inversa (Vr) está en unidades de kilovoltios (kV). Los valores de la característica inversa se llaman corrientes de fuga (Ir). A continuación pondremos las funciones de los diodos con su respectiva explicación. Pero los diodos sirven para más cosas y existen. Un diodo que tuviera las características representadas en este gráfico. del modo que se usa en el alternador. además de los diodos llamados de superficie que son los característicos que acabamos de describir. Como rectificadores: Este es el empleo más corriente y al que ya hemos explicado. al aplicarle una tensión de 20 V ya dejaría pasar unos 10 mA. pero conviene que profundicemos un poco más en los conceptos eléctricos que determinan este funcionamiento. que está representada por la izquierda y en la parte baja del gráfico. . de microamperios (uA). fracciones de 1000 V. el cual nos va a dar datos sobre el comportamiento de este componente electrónico. pero los valores resultantes pueden cambiar según la potencia del diodo. se trata de mostrar el funcionamiento del diodo en el sentido de bloqueo. Por otra parte. Para que la corriente acceda a pasar en sentido contrario en un diodo co mo el representado se precisaría una tensión entre 500 a 600 voltios con lo cual se produciría el paso de corrientes del orden de los 0. El comportamiento de los diodos es más o menos similar al proporcionado por esa curva. tal como podemos ver en el gráfico. En la característica inversa. Todo eso contituye la característica directa. pero entre 20 y 35 V se 'dispararía' y dejaría pasar más de 60 mA. Para ello vamos a servirnos de la curva característica típi ca de un diodo semiconductor imaginario. fracciones que equivalen a 1/1000000 de amperio. es decir. A.50 miliamperios. en la linea horizontal derecha tenemos la escala de las tensiones directas (Vf) expresadas en voltios (V) a que puede ser sometido el diodo para el paso de la corriente. otras formas y funciones para estos componentes electrónicos. es decir. y la intensidad (Ir) en fracciones mucho más pequeñas. Funciones de los Diodos A primera vista parece que el diodo solamente podría tener la misión de ser un rectificador de corriente.Hasta aquí ya tenemos una idea del funcionamiento de un diodo.

los hay de disparo. Primera letra. El número de serie está formado por tres cifras para los dispositivos semiconductores diseñados para aplicación en aparatos de uso doméstico. y nunca en sentido contrario. etc. C. o por una letra y dos cifras para los dispositivos semiconductores diseñados para equipos profesionales. puede ser protegido por la presencia de un diodo. los hay luminiscentes. La segunda letra indica la aplicación principal o aplicación y construcción en el caso de que se prefiera una mayo r diferenciación. que efectúan trabajos de regulación y estabilización de circuitos. C. Código de designación de Diodos Semiconductores Para la identificación de los diodos semiconductores se utiliza un código que consta de dos letras seguidas de un número de serie: La primera letra distingue el material del semiconductor empleado. que dejan pasar la corriente cuando se alcanza un determinado valor. . que se utiliza antimoniuro de indio o arseniuro de galio. indica que se utilizan materiales tales como el germa nio. Puede ser: A. si se trata de un diodo que puede ser detector. termosensibles. Así. Segunda letra. tal como se representa en la imagen. En la imagen vemos un ejemplo en donde se ha colocado un diodo entre un generador de corriente continua y la batería. un diodo impide el paso de alguna corriente cuando el circuito está alimentado por una corriente exterior. El diodo no deja pasar la corriente de la batería al generador aún cuado si lo hace desde el generador a la batería de modo que hace las v eces de un disyuntor sin contactos móviles ni degaste.B. indica que se utilizan materiales tales como el silicio. Otras variantes: Además existen variedad de diodos con características especiales. Como protector: Un circuito en donde convenga que la corriente circule solamente en un sentido determinado. Puede ser: A. D. B. Descarga: Puesto en derivación en un circuito dotado de una fuente de autoinducción. pero permite el paso de una extracorriente de ruptura cuando el interruptor se abre. Daremos el significado de cada una de las letras que contituyen este código para podernos orientar en el caso de tener que proceder a la sustitución de algún diodo. de alta velocidad o mezclador.

E. si se trata de un diodo de capacidad variable (varicap). si se trata de un diodo tunel. Número de serie. Z. Cuando hay tres cifras corresponde a modelos de aplicación en aparatos domésticos. Cuando hay una letra y dos cifras se refiere al uso de aparatos profesionales. Y. si se trata de un diodo Zener regulador de tensión. . Varía según el fabricante y el modelo.B. si se trata de un diodo rectificador.