UNIVERSIDAD NACIONAL DE PILAR

FACULTAD DE CIENCIAS APLICADAS
Tacuary c/ Palma - Telefax: 086-230019
Email: fca@edu.unp.py
INSTITUTO TECNOLOGICO

















PROFESORA: Ing. Freddy Medina


INTEGRANTES: Víctor Porfirio Riveros
Melissa Silvia Giménez Báez


CURSO: 4Û Año


CARRERA: Ingeniería Industrial


AÑO: 2011
Electrónica
Cuestionario.
1. ¿Qué nombres se asignan a los dos tipos de transistores BTJ? Dibuje la construcción
básica de cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios en
cada uno. Dibuje el símbolo grafico junto a cada uno ¿Se altera algún elemento de esta
información al cambiar de una base de silicio a una de germanio?
Los nombres que se le asignan a los dos tipos de transistores BTJ, pueden ser de
germanio o de silicio.

Símbolos y tipos de transistor Estructura interna del transistor bipolar
NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la
movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional cuando el dispositivo está en funcionamiento
activo.
PNP: El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de
una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
No se altera ninguna información.
2. ¿Cuál es la diferencia más importante entre un dispositivo bipolar y uno polar?
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor polar es el modo de actuación sobre el
terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para
regular la corriente de colector, mientras que en el polar el control se hace mediante la
aplicación de una tensión entre puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la
estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas.
Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el
terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los
otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
En un transistor bipolar I
B
controla la magnitud de I
C
.
En un FET, la tensión V
GS
controla la corriente I
D
.
En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor.

3. ¿Cómo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operación de
amplificación correcta del transistor?
Si se reduce la polarización en directo de la unión base-emisor, aumenta la altura de la
barrera de potencial. A los electrones que dejan el emisor les será más difícil alcanzar el tope.
Los electrones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energía, y los que
alcanzarán el colector. Por tanto, una reducción de la polarización en directo provoca que la
corriente a través del transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al aumentar
la polarización en directo de la unión base-emisor se reduce la barrera de potencial y se
permite el flujo de un mayor número de electrones a través del transistor.
4. ¿Cuál es la corriente de fuga de un transistor?







Se dice que el transistor de la figura está en corte. Ha alcanzado su resistencia máxima entre
colector y emisor y ha cortado la corriente. La escasa comente que aún fluye se debe a los
portadores minoritarios de carga en el transistor y se considera como una corriente de fuga.
5. Dibuje una figura similar a la 3.3 para la unión con polarización directa de un transistor
npn. Describa el movimiento resultante del portador.






6. Dibuje una figura similar a la 3.4 para la unión con polarización inversa de un transistor
npn. Señale el movimiento resultante del portador.







7. Dibuje una figura similar a la 3.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios
de un transistor npn. Describa el movimiento resultante del portador.




8. ¿Cuál de las corrientes del transistor es siempre la mayor? ¿Cuál es siempre la menor?
¿Cuáles de las dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud?
En el transistor la corriente del emisor es la mayor. La corriente de base es mucho
menor, la ۷
۳
y ۷
۱
son relativamente cercanas.
9. Si la corriente del emisor de un transistor es de 8mA e ۷
۰
es de 1/100 de ۷
۱
. Determine
los niveles de ۷
۱
e ۷
۰

Datos: I

ൌ ͺ݉ܣ Formula, y Solución: I

ൌ I

൅ I


I


ͳ
ͳͲͲ
ൗ mA I

ൌ ͳI


ͳ
ͳͲͲ
ൗ I


I

ൌǫ ͺmA ൌ
ͳͲͳ
ͳͲͲ
ൗ I

՜ I


ͺmA
ଵ଴ଵ
ଵ଴଴

ൌ ͹ǤͻʹmA
I

ൌǫ I

ൌ I

൅ I

՜ I

ൌ I

െ I

ൌ ͺmA െ ͹ǤͻʹmA ൌ ͲǤͲ͹ͻmA
10. Defina ۷
۱۰۽
e ۷
۱۳۽
¿En que son diferentes? ¿Cómo están relaciones? ¿Por lo general sus
magnitudes son cercanas?
ܫ
஼஻ை
ൌ ܿ݋ݎݎ݅݁݊ݐ݁ ݀݁ ݂ݑ݃ܽǤ ܥ݋݈݁ܿݐ݋ݎ െ ܾܽݏ݁Ǥ
ܫ
஼ாை
ൌ ܿ݋ݎݎ݅݁݊ݐ݁ ݀݁ ݂ݑ݃ܽǤ ܥ݋݈݁ܿݐ݋ݎ െ݁݉݅ݏ݋ݎǤ
En que uno ielaciona base െcolectoiǡ y el otio colectoi െemisoiǤ
En que ambos son coiiientes ue fuga y sus magnituues son ceicanas.
11. Utilizando las características de la figura 3.14:
a) Encuentre el valor ۷
۱
correspondiente a ܄
۰۳
ൌ ൅ૠ૞૙ܕ܄ ܡ ܄
۱۳
ൌ ൅૞ ܄
b) Encuentre el valor de ܄
۱۳
y ܄
۰۳
correspondiente a ۷
۱
ൌ ૜ ܕۯ ܍ ۷
۰
ൌ ૜૙ૄۯ
Datos: I

ൌǫ I

ൌ ͵ͲρA
v
୆୉
ൌ ͹ͷͲmv I

ൌ ͵ǤʹmA
v
େ୉
ൌ ͷv
v
େ୉
ൌǫ v
୆୉
ൌ ͹ͷͲmv
v
୆୉
ൌǫ v
େ୉
ൌ ͵ǤͶv
I

ൌ ͵mA
ܫ

ൌ ͵Ͳߤܣ

Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN. 1. debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. Símbolos y tipos de transistor Estructura interna del transistor bipolar NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares. ¿Qué nombres se asignan a los dos tipos de transistores BTJ? Dibuje la construcción básica de cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios en cada uno. PNP: El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. . Pocos transistores usados hoy en día son PNP.Electrónica Cuestionario. Dibuje el símbolo grafico junto a cada uno ¿Se altera algún elemento de esta información al cambiar de una base de silicio a una de germanio? Los nombres que se le asignan a los dos tipos de transistores BTJ. pueden ser de germanio o de silicio. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

La escasa comente que aún fluye se debe a los portadores minoritarios de carga en el transistor y se considera como una corriente de fuga. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector. sin embargo. mientras que en el polar el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente.  En ambos casos. ¿Cómo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operación de amplificación correcta del transistor? Si se reduce la polarización en directo de la unión base-emisor. una reducción de la polarización en directo provoca que la corriente a través del transistor se reduzca en forma considerable. 4. Ha alcanzado su resistencia máxima entre colector y emisor y ha cortado la corriente. ¿Cuál es la diferencia más importante entre un dispositivo bipolar y uno polar? La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor polar es el modo de actuación sobre el terminal de control. Por tanto. el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales. que son substancialmente distintas. No se altera ninguna información. . Los electrones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energía. y los que alcanzarán el colector. En resumen. con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos. aumenta la altura de la barrera de potencial.La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. 2. Es una característica común. 3. al aumentar la polarización en directo de la unión base-emisor se reduce la barrera de potencial y se permite el flujo de un mayor número de electrones a través del transistor. A los electrones que dejan el emisor les será más difícil alcanzar el tope. destacamos tres cosas fundamentales:  En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. Por otra parte. la tensión VGS controla la corriente ID.  En un FET. ¿Cuál es la corriente de fuga de un transistor? Se dice que el transistor de la figura está en corte.

La corriente de base es mucho menor. Dibuje una figura similar a la 3.5.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor npn.3 para la unión con polarización directa de un transistor npn. ¿Cuál de las corrientes del transistor es siempre la mayor? ¿Cuál es siempre la menor? ¿Cuáles de las dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud? En el transistor la corriente del emisor es la mayor. Dibuje una figura similar a la 3. Si la corriente del emisor de un transistor es de 8mA e es de 1/100 de los niveles de e Datos: . 9. Dibuje una figura similar a la 3. 8. Describa el movimiento resultante del portador.4 para la unión con polarización inversa de un transistor npn. Describa el movimiento resultante del portador. 7. la y son relativamente cercanas. 6. Señale el movimiento resultante del portador.

y Solución: . Formula.

.

.

.

.

.

  .

.

.

.

.

.

.

.

.

.

Determine .  .

    .

Defina e ¿En que son diferentes? ¿Cómo están relaciones? ¿Por lo general sus magnitudes son cercanas?     “—‡—‘”‡Žƒ…‹‘ƒ„ƒ•‡ …‘Ž‡…–‘” ›‡Ž‘–”‘…‘Ž‡…–‘” ‡‹•‘” “—‡ƒ„‘••‘…‘””‹‡–‡•†‡ˆ—‰ƒ›•—•ƒ‰‹–—†‡••‘…‡”…ƒƒ•.14: a) Encuentre el valor correspondiente a    b) Encuentre el valor de y correspondiente a    Datos: . 11.10. Utilizando las características de la figura 3.

    .

       .

.

  .

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