CONSTANTIN MIHOLCĂ

ELECTRONICĂ
PENTRU FACULTĂŢILE CU PROFIL NEELECTRIC

GALAŢI 2007

CUPRINS
Introducere ............................................................................................
1

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă ......................... 1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci ............................................................................. 1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă ...................... 1.2 Joncţiunea p-n .................................................................................. 1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare ... 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare ................ 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice .............................. 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar ........................... 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF ............................ 1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcţionare ............................... 1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare ........................ 1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) ............................................ 1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare.. 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic ............................................................................... 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) ... 1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS având canal de tip n ......................................... 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 1.5.2 Triacul ........................................................................................ 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) ................................................ 1.6. Întrebări şi problemă................................................ 3 3 4 5 6 8 9 10 12 12 14 16 16 18 19 19 21 22 24 25 26 27 28 28 31 32 34

vi

Cuprins

CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A .................................... 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B .................................... 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington ..... 2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial .......... 2.4 Reacţia negativă la amplificatoare şi consecinţele ei ...................... 2.5 Amplificatoare operaţionale ............................................................ 2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 2.7. Întrebări ....................................................................................... 35 35 37 39 40 40 43 44 45 46 47 47 49 51 54 58

CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere ............................. 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă .... 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă ... 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere .................................... 3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 3.4. Întrebări............................................................................................ 59 61 61 61 64 66 66 68 69 72

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric ................................. 4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având element de control serie şi amplificator de eroare ................................................................ 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 73 73 74 77 78

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere ..................................................................................... 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor ............ 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte ................................... 5.4. Întrebări şi problemă ..................................................................................... 82 86 88 90

......................................... Bibliografie ..... 6.................................2 Analiza circuitelor logice combinaţionale ................. 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE LOGICE 110 110 111 113 114 115 117 122 123 7......... 7....................... Întrebări ..........................................................3 Circuite logice..................................... 7.... 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6. 6...............................................................1 Poarta logică integrată NOR (SAU-Nu)......................Cuprins vii CAP.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH .....1 Circuite LATCH .5 Convertoare ..........................2 Codificatoare şi decodificatoare ... 6.... 6.................................................. Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice ......................3 Circuite de multiplexare şi demultiplexare ................................ 91 94 95 97 99 100 100 101 103 104 107 109 CAP.......Slave ............. Microcalculatorul (μC) ....... 7..................2 Relaţii fundamentale în algebra logicii .... 7....................4 Numărătoare electronice ................. 7........1 Noţiuni generale ...............................................6.... 6........... 124 .................8.........5 Circuite logice combinaţionale ..........................................................5..................................................6............. 6........................ 6......................................................5......1 Funcţii logice elementare ....................................................4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND-TTL)..................... 6...................6 Circuite de memorie ........................................................... 6...... 7..........6 Circuite logice secvenţiale ..........................1 Circuitul secvenţial de tip Master ......7 Microprocesorul (μP)..........................4........................7 Întrebări şi probleme....... 7...........1..............1 Circuite secvenţiale elementare .............................................................................................................................. 7........ 6............... 6...

care a antrenat toate domeniile tehnologiei.000 şi 1. iar în 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat. Primele cinci decenii au reprezentat ”epoca” tuburilor electronice.000.INTRODUCERE Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii. microprocesorul 486 conţine 1. După 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration). În prezent numărul de tranzistoare înglobate într-o capsulă depăşeşte 5 milioane. Posibilităţile remarcabile ale electronicii şi progresele ei deosebit de rapide (mai ales în privinţa realizării tehnologice a dispozitivelor semiconductoare şi circuitelor integrate) au făcut ca. astfel că după şase ani (în 1958) s-a realizat primul circuit integrat. începând cu anul 1970. fiind denumită la începuturile ei “electrotehnica curenţilor slabi” şi având ca aplicaţie principală domeniul telecomunicaţiilor cu şi fără fir. dimensiunea unui tranzistor fiind ≤ 1μm. Ca domeniu independent. Electronica se constituie la începutul secolului XX. Aceste tehnologii permit înglobarea unui număr foarte mare (între 50. Începând cu anul 1962 s-a trecut la producţia industrială a circuitelor integrate. În 1960 se construiesc primele dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare şi triacuri) care au condus la modernizarea şi creşterea performanţelor în sistemele de acţionări electrice reglabile. Microprocesorul a determinat o revoluţie tehnică denumită ”revoluţia microelectronicii”. Aceste circuite au condus la realizarea primului microprocesor. încât astăzi nu există domeniu de activitate umană în care microprocesorul să nu poată fi implicat. permiţând dezvoltarea tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI –Large Scale Integration). cu avantajele consumului redus şi densitate mare de integrare. gaze şi vid. care pot îngloba peste un milion de tranzistoare CMOS într-o capsulă. Perfecţionarea rapidă a tehnologiilor electronice a condus la apariţia familiilor de circuite integrate logice MOS. oferite de tehnologia CMOS. în 1971. dar s-a trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaţie între tehnologia bipolară şi tehnologia CMOS. în prezent. electronica să fie utilizată aproape în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii. se poate spune că electronica este ramura ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu studiul fenomenelor şi aplicaţiile acestora privind conducţia electrică în semiconductoare. De exemplu. Începând cu anii 1949-1952 s-au realizat primele tranzistoare. În prezent. circuitele integrate se realizează în tehnologie CMOS. Această tehnologie (BiCMOS) îmbină avantajele de viteză şi curent mare la ieşire ale tehnologiei bipolare.000) de tranzistoare într-o capsulă. cu numeroase aplicaţii în telecomunicaţii şi industrie. utilizate fiind atât tehnologia CMOS cât şi bipolară. pe 8 biţi. la început în tehnologie bipolară şi apoi în tehnologie MOS (după 1965). După anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration). . Ţinând seama de aspectele esenţiale ale electronicii şi fără pretenţia de a formula o definiţie atotcuprinzătoare.2 milioane de tranzistoare.

numit şi element electronic de circuit. dispozitivul electronic reprezintă un element de circuit. care are una dintre proprietăţile fundamentale ale conducţiei prin vid. alimentându-se de la surse de energie. modulaţie. se consideră dispozitive electronice şi acele dispozitive realizate dintr-un singur material omogen. bobine. Prin extensie. Dispozitivul electronic este un ansamblu format din părţi componente. transformatoare.2 Introducere Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele electronice cât şi circuitele electronice se impune definirea celor două noţiuni. detecţie etc). producerea oscilaţiilor. între care se produce conducţia electrică prin vid. spre deosebire de elementele electrice de circuit obişnuite (rezistoare. Circuitul electronic este un ansamblu electric în care se folosesc unul sau mai multe dispozitive electronice la care se leagă elemente electrice de circuit. condensatoare etc). gaze sau semiconductoare. imobile una faţă de alta. în scopul realizării unei funcţiuni (redresare. amplificare. În aplicaţii. . gaze sau semiconductoare. Părţile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice) sau regiuni cu proprietăţi diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele semiconductoare).

Structura benzilor energetice pentru un semiconductor . Conducţia electrică în medii semiconductoare se realizează prin două categorii ale purtătorilor de sarcină: electronii şi golurile.1.1. 1. • semiconductor de conductibilitate extrinsecă. Aceşti purtători se generează simultan sub formă de perechi şi au o anumită mobilitate.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi materialele izolatoare. adică sub influenţa unui câmp electric ei pot da naştere curentului electric de conducţie.CAPITOLUL 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT 1. Siliciu. După modul de generare a purtătorilor. semiconductoarele se pot clasifica astfel: • semiconductor de conductibilitate intrinsecă. Germaniu). Generarea perechilor electron-gol se produce datorită aportului energetic extern. Figura 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex. figura 1. reprezentat prin lăţimea benzii interzise (∆w).

în aparatura de măsură şi automatizare.constanta lui Boltzmann. Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura - Utilizări: detector în traductoare de temperatură. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la temperatura de referinţă. ca în figura 1.4 Capitolul 1 La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia electronilor. 1.temperatura absolută ( grade Kelvin). ΔT∈[-200oC. este egală cu concentraţia de goluri.1.aportul energetic extern (lăţimea benzii interzise). R To dT rezistenţei RT la o variaţie dată de un grad Celsius a temperaturii. T1 [s].. notată cu ni . Figura 1. RTo[Ω]. d) domeniul de temperatură.este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă electrică variază cu temperatura. ceea ce conduce la o descreştere exponenţială a rezistenţei electrice. Conductibilitatea termistorului este direct proporţională cu numărul de purtători ni daţi de relaţia (1. Variaţia rezistenţei electrice a fotorezistorului se datorează modificării concentraţiei . c) constanta de timp. în care performanţele termistorului sunt stabile.. unde T0=20 oC.100 → [%/oC] exprimă viteza de variaţie a . b) sensibilitatea S = − 1 dR T . 2. ce reprezintă inerţia termică a termistorului. T . K . Termistorul .1) A . detector în construcţia sesizoarelor de incendiu.constantă ce depinde de natura semiconductorului. notată cu pi . Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci (realizate cu materiale omogene) 1.2.2.2. Δw .1).+300oC]. Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub acţiunea unei radiaţii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infraroşu. fiind exprimată prin relaţia: n i = pi = AT unde: 3/ 2 ⎛ − Δw ⎞ exp⎜ ⎟ ⎝ 2KT ⎠ (1.

ilustrată în figura 1. exprimă dependenţa sensibilităţii faţă de lungimea de undă. Forma caracteristicii statice. În funcţie de valoarea lui λo (la care sensibilitatea este maximă) fotorezistenţele se pot construi pentru spectrele vizibil sau infraroşu. Sφ = − 1 dR . R o dφ unde lm simbolizează lumenul (unitatea de măsură pentru intensitatea luminoasă). . Ro[Ω]. T1 caracterizează viteza de variaţie a rezistenţei electrice la o variaţie bruscă a fluxului luminos.1. Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în care este plasat varistorul. Sφ=f(λ). Figura 1. în construcţia releelor fotoelectrice. d) constanta de timp. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la întuneric.3. În funcţie de natura elementului de impuritate . Procesul prin care se introduc impurităţi riguros dozate în semiconductor se numeşte dopare.3. Caracteristica spectrală a fotorezistenţei Fotorezistenţele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc. se defineşte asemănător constantei de timp a termistorului. ca urmare a aportului energetic al radiaţiei incidente. a 3. Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică neliniară.4. a cărui conductanţă creşte odată cu creşterea tensiunii aplicate la borne.100 → [%/lm].Dispozitive electronice de circuit 5 purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol). îl face utilizabil ca dispozitiv de protecţie împotriva supratensiunilor. 1.3.4. c) caracteristica spectrală. T1[s]. b) sensibilitatea. Conductibilitatea extrinsecă se obţine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a unui semiconductor. fiind ilustrată în figura 1. Figura 1.

Semiconductoarele de tip n şi p sunt corpuri neutre din punct de vedere electric. Aceste concentraţii scad până la zero la nivelul joncţiunii. Aluminiu etc) are ca efect creşterea numărului de goluri. Atomii acestor impurităţi se numesc donori.2 Joncţiunea p-n Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând procedee speciale) o zonă p cu impurităţi acceptoare şi o zonă n cu impurităţi donoare. Arsen etc) are ca efect creşterea numărului de purtători negativi (electroni) deoarece atomii pentavalenţi de impuritate cedează uşor câte un electron. deoarece atomii trivalenţi captează uşor câte un electron de la un atom vecin. ce devine electron liber (purtător). Purtătorii majoritari.curent invers (1. Electronii sunt purtători majoritari iar golurile reprezintă purtătorii minoritari. Se folosesc notaţiile: Naoconcentraţia iniţială de goluri. Diferenţa de concentraţii dintre cele două zone determină difuzia purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. Aceşti atomi de impurităţi se numesc atomi acceptori şi se transformă în ioni imobilizaţi în reţeaua cristalină. Se obţine o sarcină a ionilor imobili (fixaţi în reţea) pentru purtătorii din fiecare zonă. Din cauza difuziei şi a recombinării purtătorilor majoritari cu cei difuzaţi rezultă. deoarece sarcina ionilor imobilizaţi în reţeaua cristalină compensează sarcina suplimentară a purtătorilor majoritari.3) În figura 1. simbolizaţi prin m. Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n): 1. se realizează o joncţiune p-n care reprezintă structura de bază pentru majoritatea componentelor electronice. două tipuri de semiconductoare extrinseci. care este mai slab dopată cu impurităţi.concentraţia iniţială de electroni. 1.6 Capitolul 1 există două modalităţi de dopare care generează corespunzător. Regiunea de trecere se extinde mai mult în zona n. • Doparea cu impurităţi pentavalente (Stibiu. De regulă concentraţiile impurităţilor din cele două zone nu sunt egale (Nao > Ndo). Lăţimea totală a regiunii de trecere creşte odată cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii. • Doparea cu impurităţi trivalente (Indiu. iar semiconductorul obţinut este de tip n.5 se explică funcţionarea joncţiunii.2) Câmpul intern antrenează dintr-o zonă în alta purtătorii minoritari. simbolizaţi prin M. 3. sarcină care nu mai este compensată de sarcina . Ndo . o variaţie a concentraţiei de goluri (cp) şi electroni (cn). astfel încât distanţa dintre cele două zone să fie cel mult 10-5 mm. numit şi curent invers al joncţiunii: ic = inm + ipm . 2. Semiconductorul obţinut are purtătorii majoritari pozitivi (goluri) fiind de tip p.curent direct (1. care au suficientă energie. numit şi curentul direct al joncţiunii: id = inM + ipM . care devin purtători majoritari. trec dintr-o zonă în alta şi dau naştere curentului de difuzie. în vecinătatea de separaţie a celor două zone p şi n. formând curentul de conducţie. Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraţia purtătorilor este foarte mică).

Ca urmare. Această sarcină creează câmpul electric care se opune trecerii purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta.7). în zona regiunii de trecere. ilustrată prin zona haşurată. potenţialele de tip M-S (metal-semiconductor) anulează bariera de potenţial U0. cu polaritatea (+) la zona p şi. respectiv polaritatea (−) la zona n.6).Dispozitive electronice de circuit 7 purtătorilor majoritari din zona respectivă. Prezenţa câmpului intern Ei determină apariţia unei bariere de potenţial notate cu U0 (figura 1.5 Figura 1. Figura 1. Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a sarcinii ρ. astfel încât la bornele joncţiunii potenţialul rezultant este zero (figura 1.6. Dacă joncţiunii p-n i se ataşează două contacte metalice. potenţialul iniţial (U0) al barierei scade cu .5-e). presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. Regiunea în care apare câmpul electric Ei şi sarcina spaţială ρ se numeşte regiune de trecere. Efectul potenţialelor de contact asupra barierei de potenţial Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n a) Polarizarea directă (figura 1.

Polarizarea directă a joncţiunii p-n b) Polarizarea inversă (figura 1. respectiv polaritatea (+) la zona n. iar joncţiunea se consideră blocată. Curentul de conducţie (ic). presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua.9. cu polaritatea (−) la zona p şi. este neglijabil. 1. se numesc: A = Anod. numit curent invers al joncţiunii.3 Dioda semiconductoare Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care are ataşate două contacte M-S (metal-semiconductor).U a ).7V pentru diodele cu Si şi Ua≅0. În starea de conducţie tensiunea anodică directă este: Ua ≅ 0. i . Figura 1. cu polaritate pozitivă în timpul conducţiei. Cei doi electrozi. Curentul direct al joncţiunii este neglijabil. Valoarea curentului de conducţie este de ordinul microamperilor. Figura 1.8 Capitolul 1 valoarea tensiunii de alimentare Ua.3V pentru diodele cu Ge.8. Tensiunea anodică inversă se notează cu (-Ua) sau (. Caracteristica statică a diodei este reprezentată în figura 1. Acest lucru permite trecerea putătorilor majoritari care formează curentul de difuzie (Id).7. cu polaritate negativă în timpul conducţiei. lipiţi prin procedee speciale de contactele M-S. C = Catod.8). Polarizarea inversă a joncţiunii p-n În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de alimentare. numit curent direct al joncţiunii. Ua.

Dioda în circuit Figura 1. rezultată din a IIa teoremă a lui Kirchhoff aplicată circuitului din figura 1.10 şi ecuaţia caracteristicii anodice (figura 1.3. Figura 1.4) Tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi: E/R → pentru Ua=0 şi E → pentru ia=0. Se observă că înclinaţia dreptei de sarcină este egală cu . De asemenea. se rezolvă grafo-analitic sistemul format din ecuaţia dreptei statice de sarcină. Caracteristica externă a diodei Pentru determinarea punctului static de funcţionare.10). PSF (M).11.1 Dioda în circuit.9. Caracteristica curent-tensiune a diodei 1. figura 1.11.10.Dispozitive electronice de circuit 9 Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi atinge valoarea de străpungere a joncţiunii. determinarea punctului static de funcţionare Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de limitare a curentului anodic (figura 1. aceasta se distruge prin efect termic datorită creşterii în avalanşă a curentului invers. se cunoaşte caracteristica anodică. Figura 1.11): ⎧E = R ⋅ i a + U a ⎨ ⎩ i a = f (U a ) (1. pentru ramura de polarizare directă (cadranul I).

12-b este reprezentată caracteristica statică inversată (în cadranul I).12. De regulă sunt utilizate în tehnica de calcul. 5) Dioda varicap.. Coordonatele PSF sunt iao şi Uao. 4) Diode cu contact punctiform. 180 V]. Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa joncţiunii foarte mică. b) tensiunea inversă: Uinv. deci se comportă ca o capacitate comandată prin tensiune. rz.A]. . aceasta echivalează cu depărtarea armăturilor ”condensatorului”. 1. . Figura 1. 3) Diode de comutaţie. U z ΔTa e) rezistenţa internă (dinamică).3. Sunt utilizate în circuite de detecţie şi comutaţie la frecvenţe de lucru până la 10 MHz. obţinute din proiecţiile punctului M pe cele două axe. max ≤ 1800 V. Sunt diode realizate cu siliciu la care se utilizează ramura caracteristicii corespunzătoare polarizării inverse..100 [%/oC]. iar în figura 1. în porţiunea de lucru a caracteristicii statice. Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil.12-a este ilustrată polarizarea diodei Zener.. 20 KHz].2 Tipuri de diode semiconductoare 1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog: a) curentul mediu în sens direct: IF ≤ 600 A.5 V . c) temperatura maximă admisă a joncţiunii: Tj max ≤ 140 oC. Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din starea ”blocat” în starea de ”conducţie” . Pe măsură ce aplicăm o tensiune mai mare la bornele diodei. d) frecvenţa de lucru: fl ∈ [50 Hz .10 Capitolul 1 valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R. Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b) Parametrii de catalog: a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz ∈[2..de ordinul nanosecundelor. b) curentul Zener – curentul corespunzător tensiunii de stabilizare: Iz∈[mA... În figura 1. 2) Diode stabilizatoare (diode Zener). c) puterea disipată: Pd<10W.13. d) coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura: αz = 1 ΔU z . Simbolizarea şi variaţia capacităţii echivalente ale diodei varicap sunt prezentate în figura 1.

16. realizând şi o foarte bună separare galvanică.15-a. Aceasta emite un flux de radiaţii luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purtătorilor de sarcină. astfel încât regiunea de trecere este foarte îngustă.13.Dispozitive electronice de circuit 11 Figura 1.14. Din combinarea unui LED cu o fotodiodă rezultă un optocuplor (cuplor optic). caracteristica spectrală (c) 7) Dioda electroluminiscentă – LED (Light Emitting Diode) se utilizează cu polarizare directă A-C. Simbolizarea şi caracteristica anodică sunt ilustrate în figura 1. figurile 1. figura 1.15. la reclame etc. Polarizarea.5 şi 5 GHz. optocuplor realizat cu LED+fotodiodă (b).c). optocuplor realizat cu LED+fototranzistor (c) 8) Dioda tunel – are joncţiunea p-n cu cele două zone foarte apropiate şi puternic dopate cu impurităţi.14 (a. iar purtătorii majoritari traversează bariera de potenţial prin ”efectul tunel” (efect cuantic).15-b şi 1. Această proprietate permite utilizarea diodei tunel în construcţia oscilatoarelor (vezi § 2. caracteristicile anodice şi caracteristica spectrală sunt reprezentate în figura 1.15-c.b. Polarizarea fotodiodei (a). Optocuplorul este un dispozitiv electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieşire. Figura 1. Fotodioda este utilizată în construcţia detectoarelor opto-electronice ce lucrează în spectrele vizibil sau infraroşu. Frecvenţa de lucru este cuprinsă între 0. Culoarea radiaţiei depinde de natura semiconductorului şi de impuritatea activatoare.6). . Caracteristica curent-tensiune este neliniară şi prezintă în porţiunea MN rezistenţă internă negativă. dioda Tunel fiind utilizată şi în circuite de comutaţie. LED în circuit (a). Dioda varicap: simbolizare şi principiu de funcţionare 6) Fotodioda este utilizată cu polarizare inversă. Figura 1. Este utilizată în construcţia afişoarelor numerice. Curentul de purtători majoritari se datorează fluxului luminos incident. familia caracteristicilor curent-tensiune (b).

4. Tranzistoare bipolare. tranzistoarele sunt de două tipuri: 1. Simbolizarea acestora este dată în figura 1. La funcţionarea în regim de amplificare joncţiunea E-B este polarizată direct. o rezistenţă de limitare a curentului de sarcină (R) şi sursa de alimentare E. Zona E este puternic dopată cu impurităţi. .4 Tranzistoare Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a amplifica semnale electrice.19.structura fizică şi funcţionare Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone şi două joncţiuni. Structura fizică a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentată în figura 1.12 Capitolul 1 Figura 1.17. fie numai goluri.16. iar joncţiunea B-C este polarizată invers. Tranzistoare unipolare. La aceste tranzistoare semnalul de intrare (xi) în DA este o tensiune. Figura 1. în figura 1. la care conducţia electrică este asigurată atât de electroni cât şi de goluri.1 Tranzistoare bipolare .17 s-a reprezentat schema simplificată a unui amplificator.18. În această schemă tranzistorul reprezintă dispozitivul de amplificare. iar zona C este mai puţin dopată decât zona E. zona B este slab dopată cu impurităţi şi este foarte îngustă (de ordinul micronilor). În acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor După modul în care se realizează conducţia electrică a semnalului prin DA. Cei trei electrozi se numesc: emitor. Simbolizarea diodei tunel şi caracteristica curent-tensiune 1. 1. Considerând un dispozitiv de amplificare (DA) comandat prin semnalul de intrare xi. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn. colector şi bază. la care conducţia electrică este asigurată de o singură categorie de purtători: fie numai electroni. 2.

5) Un procent foarte mic de goluri se recombină cu electroni din bază formând atomi neutri.6) I B = (1 − α n )I E − I CBo IE = IC + IB (1.995 .8) unde: ICBo este curentul de purtători minoritari. Întrucât lăţimea bazei este foarte mică iar regiunea de trecere a joncţiunii B-C se extinde mult în zona bazei (n).7) (1. IB . tensiunea între colector şi bază este mult mai mare decât tensiunea dintre emitor şi bază: U CB >> U EB . este mai mare decât puterea de intrare (Pi): (1.Dispozitive electronice de circuit 13 Curentul de difuzie prin joncţiunea emitorului este format din purtătorii majoritari care sunt golurile. Puterea la ieşire. Transferul aproape integral în colector a golurilor difuzate în bază poartă numele de efect de tranzistor. Din schema structurală rezultă ecuaţia curenţilor prin tranzistor: I C = α n I E + I CBo (1. Structura fizică şi polarizarea tranzistorului pnp I α n = E ≅ 0.9) Această inegalitate explică posibilitatea funcţionării tranzistorului în regim de amplificare. Observaţie: Curentul de purtători minoritari ICBo este foarte mic. UCB > Pi = UEB . rezultând I C ≈ I E . În modul. (Pe). Pe = IC . golurile din emitor difuzate în bază (B) sunt preluate şi transportate în colector de câmpul electric intern Ei al joncţiunii colectorului.factor static de amplificare în curent IC (1. Figura 1.19. Structura şi simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp şi npn) Figura 1.18.

Simbolizarea unui amplificator a) Schema de conexiuni – bază comună (BC – figura 1.21. Tranzistorul bipolar în conexiune emitor comun Figura 1. Figura 1. iar tranzistorul având numai 3 terminale (bază.14 Capitolul 1 1.22) – este cea mai utilizată.23). Tranzistorul bipolar în conexiune colector comun Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1. Figura 1. rezultă că un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca bornă comună pentru intrare şi ieşire.24) I B = f ( U BE ) U CE = ct . . c) Schema de conexiuni – colector comun (CC – figura 1. Tranzistorul bipolar în conexiune bază comună b) Schema de conexiuni – emitor comun (EC – figura 1. În oricare dintre cele 3 scheme se are în vedere că joncţiunea E-B este polarizată direct. colector.21). emitor). De aceea sunt posibile trei scheme fundamentale de conexiune ale tranzistorului în regim de amplificare. având 4 borne. se utilizează ca amplificator de putere (etaj final). iar joncţiunea C-B este polarizată invers.23.4. Figura 1. iar în continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru această conexiune.20).22.20.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice Întrucât în regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol (simbolizat în figura 1.

Regiunea 2 – regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea directă a joncţiunii E-B şi de polarizarea inversă a joncţiunii C-B. în care se disting principalele regiuni de lucru. I C = β n I B + (1 + β n )I Co (1.11) . βn 1 + βn (1.Dispozitive electronice de circuit 15 Figura 1. Regiunea 1 – zona de blocare (de tăiere) este caracterizată de polarizarea inversă a joncţiunii E-B sau de lipsa polarizării acestei joncţiuni. Figura 1.10) unde: β n = αn se numeşte factor static de amplificare în curent pentru 1 − αn conexiunea emitor comun.24.25. Familiile caracteristicilor de ieşire Relaţia între factorul de amplificare βn şi factorul static de amplificare în curent αn – pentru conexiunea bază comună este: αn = unde β n = [30 L 1000] .25. de ieşire pentru conexiunea EC: I C = f ( U CE ) I B = ct Familiile caracteristicilor de ieşire sunt date în figura 1. Caracteristici statice de intrare Caracteristici statice .

Aceste trei valori reprezintă parametri de catalog.determinarea punctului static de funcţionare (PSF). . Regiunea 3 – este numită şi zonă de saturaţie şi corespunde situaţiei când ambele joncţiuni sunt polarizate direct.13) Figura 1. La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate două probleme: .26 sunt ilustrate cele 3 limitări esenţiale în funcţionarea tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax). 1.16 Capitolul 1 În regiunea de tăiere curentul de bază fiind nul.27.4. din relaţia (1.10) rezultă: I C ≅ (1 + β n )I Co (1. Această dreaptă se numeşte ”dreaptă de saturaţie”. ce nu trebuie depăşiţi în timpul funcţionării tranzistorului. Caracteristicile au o ramură comună sub formă de dreaptă cu înclinaţia de aproape 90o.U CE max (1. Relaţiile care trebuie respectate între valorile de lucru şi valorile limită ale celor trei parametri sunt: I C ≤ I C max U CE ≤ U CE max Pd < Pmax = I C max .stabilizarea punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii. realizat cu un tranzistor de tip npn.26. figura 1.4. Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar 1.4 Tranzistorul bipolar în circuit.12) unde ICo este curentul de purtători minoritari (curentul invers al joncţiunii BC).3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar Considerând familia caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun (EC). în figura 1. Stabilirea PSF Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare. . limita tensiunii de colector (UCEmax) şi limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax).

iCo). RB. M(UCEo. Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire (figura 1.27. iC=f(UCE).28.14) Procedând similar pentru circuitul de intrare se obţine: EC = RB ⋅ iB + UBE (1. iCo) Figura 1.Dispozitive electronice de circuit 17 Figura 1. prezentată în figura 1.15) Neglijând UBE în raport cu EC ( UBE ≅ 0).16) Punctul static de funcţionare.15) se obţine: iBo ≅ EC RB (1. RC şi familia caracteristicilor externe ale tranzistorului. se obţine la intersecţia caracteristicii externe (aferentă curentului iBo) cu dreapta de sarcină. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn Se dau: EC. din relaţia (1. Se cere: PSF → M(UCEo. .28. (1. Panta (înclinarea) dreptei de sarcină se exprimă prin RC tg(α)=RC. trasată prin tăieturile sale ( IC = EC şi U CE = E C ).ecuaţia dreptei de sarcină.27) se obţine: EC = RC ⋅ iC + UCE .

Din (1. De asemenea. iE .17) se observă că UBE scade ceea ce conduce la micşorarea curentului de colector. Stabilizarea punctului static de funcţionare Dacă temperatura creşte iCo creşte. cu ajutorul rezistenţei de emitor (RE) se rezolvă problema stabilizării PSF.17) Dacă T ↑ ⇒ iC ↑ (punctul M se deplasează în M’).RE .30. Un alt efect al creşterii temperaturii îl reprezintă micşorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct. iE ⇒ UBE = U . ceea ce conduce la creşterea curentului de emitor (iE ≈ iC). Figura 1. Figura 1. rezultând o creştere a curentului de colector care deplasează punctul static de funcţionare M în M’ (figura 1.30 în care. realizând astfel stabilizarea PSF la variaţia temperaturii. U = UBE + RE .29. care utilizează diverse scheme.) şi ca urmare modificarea caracteristicilor de intrare. Modificarea PSF la variaţia temperaturii Există mai multe metode de stabilizare. atât în conexiunea EC cât şi în conexiunea BC. cresc factorii statici de amplificare în curent βn şi αn. sau IB=ct. atunci funcţionarea etajului de amplificare este defectuoasă.18 Capitolul 1 1.29). Pentru restabilirea funcţionării normale este necesară readucerea PSF (M’) în poziţia iniţială (M). Schemă utilizată pentru stabilizarea PSF-ului la variaţia temperaturii Stabilizarea PSF se explică prin relaţiile: (1.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. ceea ce conduce la creşterea factorului de amplificare βn. Deci se compensează creşterea iniţială a curentului iC iar punctul static de funcţionare este adus din poziţia M’ în poziţia iniţială M.4. Dacă deplasarea PSF este mare. dar cea mai utilizată este schema din figura 1.

32.4. corespunzătoare punctului static de funcţionare M. iar curentul prin termistor creşte. • În regim static de funcţionare căderea de tensiune pe rezistenţa din emitor se poate calcula cu relaţia: RE. în paralel cu rezistenţa de emitor. deci are loc compensarea efectului de creştere a curentului iC cu temperatura. are rolul de a scurtcircuita rezistenţa de emitor atunci când etajul funcţionează în curent alternativ. scade corespunzător. • Condensatorul din emitor.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare utilizând un tranzistor bipolar npn în conexiune emitor-comun (figura 1. pentru stabilizarea punctului static de funcţionare În figura 1. Schema de stabilizare a punctului Figura 1.2⋅EC.Dispozitive electronice de circuit 19 Observaţii: • Divizorul de tensiune format din rezistenţele RB1 şi RB2 permite impunerea valorii curentului de bază în regim static (iBo).33-a). pentru care diagramele curenţilor şi tensiunilor. având ca efect micşorarea curentului iB. cum sunt termistoarele şi diodele semiconductoare. . rezistenţa termistorului scade. la creşterea temperaturii va creşte curentul invers idi. Schemă cu diodă de static de funcţionare utilizând termistor compensare.4. astfel încât curentul iB. 1. rezultat din nodul A. 1. acţionând în sensul compensării efectului de creştere a curentului de colector cu temperatura.5.31. La creşterea temperaturii. sunt prezentate în figura 1. De regulă se adoptă curentul prin RD la valoarea: iD≅10⋅iBo.1 ⋅ RE. CE. În figura 1.32 este dată o schemă de stabilizare termică utilizând o diodă ca element de compensare.33-b.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare se pot utiliza şi elemente de compensare ce au caracteristici neliniare. La funcţionarea etajului în curent alternativ condensatorul CE elimină reacţia negativă de tensiune dacă reactanţa condensatorului de emitor este de cel puţin 10 ori mai mică decât RE: XE ≤ 0.iE ≅ 0. Figura 1. Dioda D fiind polarizată în sens de blocare.31 este prezentată o schemă de stabilizare utilizând un termistor ca element de compensare.

U2 = UCE.23) Observaţie: Dacă tensiunea de intrare Ui este de înaltă frecvenţă sau dacă sarcina nu este rezistivă parametrii etajului sunt mărimi complexe: Zi. I2 = IC I1 I2 (1. Ai ≤ 1. . peste componentele continue (iB0. corespunzător valorilor maxime ale curentului iB~ . I1 = IB. În regim dinamic punctul static M se deplasează în ambele sensuri pe dreapta de sarcină şi descrie caracteristica dinamică. adică este inductivă sau capacitivă. Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt: Amplificarea în tensiune: A U = A = U CE = U CEo + U CE ~ U2 Ui U BE I I Amplificarea în curent: A I = 2 = C (val. ZC. Curenţii prin tranzistor vor fi: i B = i Bo + i B ~ i C = i Co + i C ~ (1.rezistenţa la ieşire (sute de kΩ sau MΩ). Proprietăţi calitative ale etajelor de amplificare în raport cu schema de conexiune utilizată. Re . punctul static de funcţionare (M) se deplasează pe dreapta de sarcină. panta caracteristicii dinamice (panta segmentului A’B’ .18) De asemenea.rezistenţa la ieşire (zeci sau sute de Ω). (1. unde Pe = UCE ⋅ IC.tg β) este diferită faţă de panta caracteristicii statice (tg α). iC0) ale curenţilor din tranzistor se suprapun componentele alternative. Curentul de la ieşire (iC~) este în fază cu cel de la intrare (iB~).rezistenţa la intrare (zeci sau sute de kΩ). iar Pi = UBE ⋅ IB (1. unde: U1 = UBE. tensiunea colector-emitor are două componente: (1. adică segmentul AB. Dacă sarcina etajului nu este rezistivă. Deci caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor statice de funcţionare când la intrarea etajului se aplică semnalul alternativ. Tensiunea de la ieşirea etajului (UCE~) este în antifază faţă de curentul de intrare alternativ (iB~). marcat cu linie groasă. a) Conexiunea bază-comună (BC): Ri .22) Rezistenţele de intrare şi ieşire ale etajului de amplificare sunt: ≅ U CE (val.20) Ri = U U1 . efective) (1. între punctele A şi B se face cu frecvenţa semnalului de intrare (iB~) şi are ca efect apariţia componentelor alternative pentru curentul de colector (adică iC~) şi pentru tensiunea de la ieşire (UCE~). Construcţia grafică (reprezentată la scară) a caracteristicilor în regim dinamic permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare. AI.rezistenţa la intrare (zeci de Ω). R E = 2 . AU.20 Capitolul 1 Datorită semnalului alternativ de la intrare.19) Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative şi blochează componenta continuă (dacă există) a semnalului de intrare. AU =zeci sau sute. eficace). Deplasarea alternativă a punctului static (M) pe dreapta statică de sarcină.21) I1 IB Amplificarea în putere: AP = Pe/Pi. b) Conexiunea colector-comun (CC): Ri . În timpul funcţionării etajului de amplificare în curent alternativ. Re .

Tranzistoarele unipolare se mai numesc Tranzistoare cu Efect de Câmp (TEC).33. Ai = zeci sau sute.rezistenţa la ieşire (zeci kΩ).4. • Pentru amplificatoarele de tensiune. c) Conexiunea emitor-comun (EC): Ri . canalul fiind de tip p. • Schema bază-comună (BC) creează dificultăţi la cuplarea etajelor în cascadă (serie) datorită diferenţelor foarte mari între impedanţa (sau rezistenţa) de intrare şi cea de ieşire.rezistenţa la intrare (kΩ). Calea de trecere se numeşte canal şi este situat între doi electrozi numiţi sursă (S) şi drenă (D). Re .Dispozitive electronice de circuit 21 Ai = zeci sau sute. fiind canal de tip n. sau goluri (care au sarcină pozitivă). Canalul poate fi realizat din purtători de sarcină negativi (electroni). AU= zeci sau sute.7 Tranzistoare unipolare În cazul tranzistoarelor unipolare. în construcţia amplificatoarelor de putere. care în limba engleză are aceeaşi semnificaţie: Field Effect Transistor. AU ≤1. Figura 1. schema cea mai utilizată este cea cu emitorul-comun. conducţia este asigurată de o singură categorie de purtători: fie electroni. fie goluri. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar 1. Concluzii: • Schema colector-comun este utilizată în circuitele de adaptare pentru că are rezistenţa la ieşire mică sau. . Funcţionarea acestora se bazează pe modificarea conductanţei unei căi de trecere a purtătorilor care produc curentul electric prin dispozitiv. Se mai utilizează abrevierea FET.

2) TEC cu grilă (poartă) izolată. 1. Zona p a grilei formează cu zona n a canalului o joncţiune polarizată invers.35. Din acest motiv tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de câmp.35-a. Deci canalul de tip n este situat între două joncţiuni polarizate invers. având structură MOS (Metal Oxid Semiconductor).22 Capitolul 1 Figura 1.35-a) se extind în zona canalului micşorând .1 TEC-J având canal de tip n. În funcţionarea tranzistorului TEC-J se disting următoarele situaţii: a) Dacă grila nu este polarizată (UG =0).7. TEC sunt comandate în tensiune. Structură fizică şi funcţionare Tranzistoarele cu efect de câmp şi joncţiuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n sau p. Deoarece conductanţa canalului depinde de potenţialul grilei.4. Baza fiind legată la grila negativată de către tensiunea UG. TEC-J .TEC-MOS. În cele ce urmează se prezintă structura fizică a unui tranzistor TEC-J având canal de tip n. Figura 1. respectiv curentul de drenă este maxim (ID=IDmax). 1012 Ω).34.. figura 1. regiunile de trecere (reprezentate prin zonele haşurate din figura 1. b) Când grila este negativată (UG<0). După modul în care se realizează controlul (reglajul) conductanţei canalului există două categorii de tranzistoare unipolare: 1) TEC cu joncţiuni (TEC-J). rezultă altă joncţiune p-n polarizată invers. distribuţia potenţialului (b) Zonele haşurate reprezintă regiunile de trecere ale celor două joncţiuni. regiunile de trecere au lăţime neglijabilă (deci nu apar zonele haşurate) şi ca urmare secţiunea canalului este maximă.35-b.. Simbolizarea tranzistoarelor unipolare Conductanţa canalului se modifică sub influenţa câmpului electric produs de tensiunea aplicată la al 3-lea electrod numit grilă (G) sau poartă (P). Distribuţia spaţială a potenţialului la nivelul canalului este prezentată în figura 1. Rezistenţa internă a acestor tranzistoare este foarte mare ( 108 .structura fizică (a).

Figura 1.Dispozitive electronice de circuit 23 secţiunea acestuia. Simbolizarea în circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentată în figura 1.zona de amplificare. Familia caracteristicilor de ieşire prezintă două zone: I. Figura 1. În zona de amplificare curentul de drenă este reglat prin modificarea tensiunii de grilă.38. II – zona de saturaţie. indiferent de tensiunea aplicată pe drenă.37) şi de intrare (figura 1. iar curentul de drenă care circulă între sursă (S) şi drenă (D) se micşorează. Figura 1. Familia caracteristicilor de ieşire În familia caracteristicilor de intrare se observă că tensiunea de prag (Up) reprezintă valoarea tensiunii de grilă la care se anulează curentul de drenă (ID).38). Familia caracteristicilor de intrare .36a şi b. Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n. b) canal p Importanţă deosebită prezintă familia caracteristicilor de ieşire (figura 1.37.36. c) Dacă grila este puternic negativată (UG<<0) regiunile de trecere se unesc anulând secţiunea canalului şi ca urmare se anulează curentul de drenă (ID≅0).

utilizând o singură sursă de alimentare (sursa de drenă ED). Curentul de drenă (curentul de sarcină al etajului) este limitat prin rezistenţa de drenă (RD).24 Capitolul 1 1. În schema din figura 1. acestea având rolul de blocare a componentei continue din semnalul de intrare şi/sau ieşire. realizat cu tranzistori TEC-J (canal n).7. întrucât reactanţa X C a acestuia este neglijabilă la frecvenţa de lucru a etajului. Schema din figura 1.25) .39-b realizează negativarea automată a grilei în raport cu sursa. Rezultă tensiunea de negativare a grilei. valoarea mare a rezistenţei Rg asigură o rezistenţă (impedanţă) de intrare ridicată pentru etajul de amplificare.01) din valoarea nominală a semnalului de intrare. Rezistenţa Rg se adoptă de ordinul megohmilor (MΩ) şi are rolul de a transmite pe grilă potenţialul negativ al sursei (bateriei) Eg. se aplică între sursă şi grilă (prin rezistenţa Rg). Condensatoarele CC1 şi CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare şi respectiv la ieşirea etajului.39-a şi b.39. dată de relaţia: UG0 = − RS ⋅ ID0 S (1.4. Căderea de tensiune pe rezistenţa sursei (RS).24) Condensatorul CS decuplează (scurtcircuitează) rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. În figura 1. b) cu negativare automată a grilei.39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = −Eg. În acelaşi timp. Etaj de amplificare cu TEC-J: a) cu sursă separată pentru negativarea grilei. cu semnul plus (+) la sursă şi minus (−) la grilă.39-a etajul de amplificare utilizează o sursă separată (Eg) pentru negativarea grilei. Figura 1. este posibilă dacă tranzistorul este polarizat corect.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J Funcţionarea unui etaj de amplificare. Aceste condiţii impuse etajului de amplificare pot fi îndeplinite. iar pe drenă (D) se aplică o tensiune pozitivă. adică atunci când grila (G) este negativă în raport cu sursa (S). Observaţie: În proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie îndeplinite două condiţii esenţiale: • Căderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului să nu fie mai mare de un procent (0. Rezultă că între rezistenţa Rg şi reactanţa X C trebuie să existe C1 relaţia: X C C1 ≤ Rg 100 (1. dată de componenta continuă a curentului de drenă ID0 = IS0. dacă se utilizează una dintre schemele prezentate în figura 1.

Dispozitive electronice de circuit • 25 Condensatorul CS conectat în paralel cu RS trebuie să şunteze rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. atunci componenta alternativă a tensiunii de grilă (UG ~) determină deplasarea rectilinie alternativă. prin CC2.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic Considerând etajul de amplificare din figura 1. Proiecţiile duse din punctul static (M) pe axele ID şi UDS determină coordonatele ID0 şi UDS0 ale punctului M. reprezintă caracteristica dinamică a tranzistorului TEC-J. cu dreapta statică de sarcină. se trasează dreapta statică de sarcină în planul caracteristicilor de ieşire (figura 1.40). cu frecvenţa semnalului UG ~ .26) 1. Această condiţie este îndeplinită dacă între rezistenţa sursei RS şi reactanţa X C există relaţia: S X CS ≤ RS 10 (1. exprimată prin tg(α).28) Punctul static de funcţionare (M) se obţine la intersecţia caracteristicii de ieşire. RD U DS = E D (1.40 se observă că la funcţionarea etajului în regim dinamic apar componentele alternative ale curenţilor şi tensiunilor prin tranzistor care se suprapun peste componentele continue ale acestora.4. În acest caz panta caracteristicii dinamice va fi: tg β = f (RD + RS) sau tg β = g (RD + ZS) (1. pentru UG0= −Eg . Panta dreptei statice de sarcină.29) Din figura 1.27) Presupunând dată familia caracteristicilor de ieşire I D = f ( U DS ) U = ct. G pentru tranzistorul TEC-J utilizat în etajul de amplificare (figura 1. Astfel segmentul AB.30) . expresiile curenţilor şi tensiunilor în regim dinamic sunt: UG = UG0+ UG ~ UDS = UDS0+ UDS ~ ID = ID0+ ID ~ (1. a punctului static M pe dreapta de sarcină între punctele A şi B. utilizând punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină cu axele de coordonate: ID = ED . depinde numai de valoarea rezistenţei de drenă RD: tg(α)=RD. o rezistenţă de sarcină RS (sau o impedanţă ZS). astfel încât să se elimine reacţia negativă de tensiune. Dacă la intrarea etajului se aplică un semnal alternativ (u~). figurat cu linie groasă.39-a). Panta caracteristicii dinamice (tg β) va fi diferită de panta dreptei statice (tg α) dacă la ieşirea etajului se conectează.39-a şi aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ED = RD ⋅ ID + UDS (1.7. Astfel.

40. Dacă grila este la potenţial pozitiv.31) . atunci regimul de funcţionare este un regim de îmbogăţire (în purtători).10-6) mm. Structura fizică este prezentată în figura 1. Pentru Ri mică. ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcină prin tranzistor. Tensiunea de ieşire (UDS ~) este în antifază cu semnalul de intrare (UG~). În figura 1. II – regiunea de saturaţie. reprezentând: I-regiunea de amplificare.7.42-b sunt reprezentate caracteristicile de ieşire şi intrare: i D = f ( U D ) U G = ct Valoarea tensiunii de grilă pentru care curentul de drenă se anulează (iD=0) poartă numele de tensiune de prag (Up). la care grila este izolată de canal prin stratul de oxid. Structura MOS poate avea două tipuri de canale: a) canal de tip n (electroni).26 • • Capitolul 1 Observaţii: Curentul de la ieşirea etajului (ID~) este în fază cu semnalul alternativ de la intrare (UG ~).. Diagramele tensiunilor şi curenţilor la funcţionarea etajului în regim dinamic 1. PSF se alege pe dreapta de sarcină în zona de îmbogăţire (grilă pozitivă). deci modifică conductivitatea canalului. Observaţii: Dacă se cere o rezistenţă de intrare (Ri) cât mai mare a etajului de amplificare. În figura 1..42-b sunt marcate regiunile I şi II.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) Structura MOS este prezentată în figura 1. i D = g( U G ) U D = ct (1. Figura 1. Metalul depus pe oxid joacă rol de grilă.41. iar curentul de drenă creşte.4. deoarece modifică prin potenţialul său proprietăţile semiconductorului la suprafaţa dinspre oxid. rezistenţa de intrare rezultă foarte mare: Ri≅1014 Ω. b) canal de tip p (goluri).42-b.42-a iar familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare este dată în figura 1. se alege PSF în regiunea de sărăcire (grilă negativă). În cazul tranzistoarelor TEC-MOS având canal permanent. La suprafaţa semiconductorului de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 .

În figura 1.Dispozitive electronice de circuit 27 Figura 1. considerând că în PSF tensiunea de grilă este negativă (UGo<0).42. la fel ca în cazul TEC-J.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TECMOS având canal de tip n. a . Structura fizică (a).43 este prezentată schema unui etaj de amplificare la care tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n). Astfel de amplificatoare cu impedanţe de intrare foarte mari sunt necesare în construcţia adaptoarelor traductoarelor de pH.41.CS asigură negativarea automată a grilei în raport cu sursa de alimentare. Dacă din schema etajului de amplificare (figura 1. atunci se obţine un etaj de amplificare ce asigură o impedanţă de intrare (Zi) foarte mare (≈1012 Ω). Structura tranzistorului MOS Figura 1. CS şi RG. este alimentat de la o singură sursă (+ED).4. familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare (b) 1. Rezistenţa de grilă (RG) se adoptă suficient de mare (de ordinul MΩ) astfel încât să asigure o impedanţă mare la intrarea etajului de amplificare. Grupul RS .43) se elimină elementele RS.

El este format din 4 zone şi 3 joncţiuni. caracteristicile şi funcţionarea următoarelor dispozitive semiconductoare: 1.3) Figura 1.28 Capitolul 1 traductoarelor piezoelectrice etc.4.47. structura acestuia şi simbolizarea fiind prezentate în figura 1. Structura fizică a acestor dispozitive conţine mai multe straturi în succesiune pnpn. Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este asemănător celui prezentat la tranzistorul TEC-J (§ 1.7. deci mai multe joncţiuni. Figura 1. diacul. În cele ce urmează se va prezenta structura. Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A).5.1 Tiristorul Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat în electronica de putere.43. tiristorul. Structura fizică şi simbolizarea tiristorului . triacul.47.5 Dispozitive semiconductoare speciale În electronica aplicată se utilizează frecvent dispozitivele semiconductoare speciale. Cele mai utilizate dispozitive multijoncţiune sunt: dioda pnpn (numită diodă Shockley sau dinistor). catod (C) şi poartă sau grilă (P sau G). Etaj de amplificare cu TEC-MOS având canal n 1. Din acest motiv aceste dispozitive semiconductoare se mai numesc şi multijoncţiune. Un dispozitiv semiconductor special care are o singură joncţiune şi trei electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Joncţiune (TUJ).

49. b) blocarea tiristorului are loc atunci când curentul prin tiristor se micşorează. ia=f(Ua). Curentul prin tiristor (care circulă de la anod la catod) trebuie limitat printr-o rezistenţă de sarcină.49. Figura 1. figura 1. ceea ce duce la creşterea lui i C = i B . după care este necesar un curent de grilă pozitiv care se aplică sub formă de impuls. iar i B 2 este dat numai de curentul de grilă care trebuie să fie suficient de mare.48. Pentru un tiristor prezintă importanţă caracteristica anodică. astfel încât acesta să nu depăşească valoarea nominală (care este un parametru de catalog). Acest lucru conduce la creşterea lui i B .Dispozitive electronice de circuit 29 Tiristorul este echivalent cu două tranzistoare bipolare complementare (pnp şi npn). ilustrată în figura 1. La început ambele tranzistoare sunt blocate.49.48. Din figura 1. Caracteristica anodică a tiristorului . Figura 1. Schema echivalentă a unui tiristor Funcţionarea tiristorului cuprinde două etape: a) amorsarea (intrarea în conducţie sau aprinderea). adică i B creşte şi 2 1 1 deschide T1 rezultând creşterea curentului de colector al tranzistorului T1. adică ia scade sub valoarea curentului de menţinere iam (parametru de catalog). Pentru amorsare se aplică tensiune pozitivă la anod şi negativă la catod. conectate ca în figura 1. fenomenul de conducţie (creştere a curenţilor 2 prin tranzistoare) accelerându-se până când ambele tranzistoare intră în saturaţie. În continuare se deschide puţin T2.48 se observă că: i B 2 = i C1 + i G .

49).50). fiind neglijabil). iar pentru protecţia acestuia împotriva gradienţilor de tensiune inversă se utilizează un circuit Rp-Cp serie conectat în paralel cu tiristorul (figura 1.49. atunci între curenţii de grilă corespunzători există inegalitatea inversă: i G1 > i G 2 . Observaţii: Dacă între tensiunile de amorsare Uam1 şi Uam2 există inegalitatea (Uam1<Uam2).30 Capitolul 1 În planul caracteristicilor anodice. Δi a (1. • tensiunea inversă Uinv = sute (mii) volţi (tensiunea anodică inversă).51). Grupul Rp-Cp asigură atenuarea gradienţilor de tensiune inversă (periculoşi pentru joncţiunile tiristorului) ce apar în momentul blocării acestuia.51). figura 1. se înseriază cu tiristorul o bobină de inductivitate L (calculată ca şi grupul Rp-Cp după o metodologie utilizată de exemplu. figura 1. . e.50.32) zona III – corespunde regimului de conducţie (curentul creşte brusc după o caracteristică aproape verticală. iar căderea de tensiune între anod şi catod rămâne aproximativ constantă). Această caracteristică separă zona de blocare faţă de zona de conducţie şi explică faptul că pentru tensiuni de amorsare mari. Caracteristica de comandă a tiristorului • • • Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt: • curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN ≤ 1000A. se disting 3 zone corespunzătoare regimurilor de funcţionare ale tiristorului: • zona I – corespunzătoare regimului de blocare (curentul creşte foarte puţin. valorile curenţilor de grilă necesari amorsării sunt mai mici şi invers (fenomen ilustrat şi în figura 1. Pentru limitarea vitezei de creştere a curentului la o valoare sub viteza critică (parametru de catalog). • zona II – corespunzătoare regimului de tranziţie din starea blocat în starea de conducţie (când tensiunea scade pronunţat. În regimul de tranziţie rezistenţa internă a tiristorului este negativă: R Ti = − • ΔU a < 0. iar curentul anodic are o creştere mică). Pentru protecţia tiristorului la curenţi de scurtcircuit se utilizează o siguranţă fuzibilă specială (ultrarapidă. Figura 1. în [1]). • temperatura maximă a joncţiunii Tj max ≤ 140 oC. Caracteristica de comandă (caracteristica de grilă) reprezintă dependenţa tensiunii de amorsare în raport cu valoarea curentului de grilă (figura 1.

5. este formată din două ramuri situate în cadranele I şi III (figura 1. Asemănător fenomenelor întâlnite la tiristor. LS). Figura 1. Pentru amorsarea tiristorului este necesar ca durata impulsului de comandă (iG) să fie suficient de mare. La funcţionarea triacului într-un circuit de sarcină se disting două situaţii: a) Dacă anodul A2 este pozitiv faţă de anodul A1.52-b. astfel încât curentul prin tiristor (ia – figura 1. • tensiunea maximă inversă. Uinv-max≤ 1200V. se poate considera că triacul este echivalent cu două tiristoare în conexiune antiparalelă comandate printr-o grilă comună (figura 1. • temperatura maximă a joncţiunii. dacă tensiunile de .Dispozitive electronice de circuit • 31 După intrarea în conducţie a tiristorului.49) să depăşească valoarea curentului de menţinere iam. Principalii parametrii de catalog.53). Observaţie: Valorile absolute ale curenţilor de grilă |iG1| şi |iG2| necesari amorsării triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului (Uam1 şi Uam2). IN≤ 75A. Întrucât triacul are conducţie bidirecţională. trecerea în starea de conducţie are loc pentru curenţi de grilă negativi (iG<0). ia=f(ua). sunt următorii: • curentul nominal. care este o ramură distinctă a electronicii industriale. Elementele de protecţie necesare triacului sunt aceleaşi ca în cazul tiristorului.52-a). b) Dacă anodul A2 este negativ faţă de anodul A1. Făcând abstracţie de structura fizică. 1.2 Triacul Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structură complexă.51. Acest domeniu de aplicaţie aparţine electronicii de putere. Tiristorul reprezintă un întrerupător static în curent continuu şi este utilizat în construcţia variatoarelor de tensiune continuă monofazate sau polifazate. Triacul reprezintă un întrerupător static în curent alternativ şi este utilizat pentru reglarea tensiunii alternative (în structura variatoarelor de tensiune alternativă) la bornele receptoarelor mono sau trifazate. Tiristorul în circuit • • Amplitudinea impulsului de comandă pe grilă (iG) reprezintă un parametru de catalog a cărui valoare nu trebuie depăşită. caracteristica anodică. ce trebuie luaţi în considerare la alegerea unui triac. intrarea în conducţie se face pentru curenţi de grilă pozitivi (iG>0). curentul de sarcină (curentul anodic) este limitat numai de rezistenţa şi/sau inductivitatea de sarcină (RS. Conectarea triacului în circuit este prezentată în figura 1. iar funcţionarea corespunde cadranului I. iar funcţionarea corespunde cadranului III. Tj-max≤ 140 oC.

(a) (b) Figura 1. Structura fizică şi simbolizarea tranzistorului unijoncţiune La acest tranzistor zona n este slab dopată cu impurităţi.5.52.54.32 Capitolul 1 amorsare aplicate triacului sunt mai mari.54. iar rezistenţa RBB între bazele B1 şi B2 este relativ mare (de ordinul kΩ). Caracteristicile anodice ale triacului 1. Joncţiunea p-n este realizată în zona mediană a blocului semiconductor de tip n. triacul în circuit (b) Figura 1.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) Acest dispozitiv semiconductor se mai numeşte şi diodă cu două baze.53. Zona p a emitorului este puternic . Structura fizică şi simbolizarea sunt prezentate în figura 1. curenţii de grilă necesari intrării în conducţie vor fi mai mici şi invers. Figura 1. Simbolizarea triacului (a).

Care sunt proprietăţile regiunii de trecere a unei joncţiuni pn? 3. curentul de emitor (iE) creşte lent pe durata regimului tranzitoriu. De regulă η=0. Care sunt parametrii de catalog şi semnificaţia acestora. Familia caracteristicilor curent-tensiune Datorită formei de variaţie a curentului de emitor (în regim de conducţie). iar uEB1 scade până la valoarea de 0.55. Când aceste condiţii sunt îndeplinite joncţiunea p-n este polarizată direct.5 ··· 0. La aplicarea unei tensiuni uBB>0 între cele două baze potenţialul punctului M situat pe joncţiune va fi egal cu η⋅uBB.55).6 Întrebări şi problemă 1.. în cazul Termistorului şi Fotodiodei ? . unde η se numeşte raport intrinsec (coeficient subunitar) exprimat prin relaţia: η= rB1 + rB 2 rB1 (1. b) uEB1 > η·uBB.8. fiind limitat numai de valoarea rezistenţei de sarcină. tranzistorul unijoncţiune este utilizat ca formator de impulsuri în circuitele de comandă ale tiristoarelor sau triacurilor. Figura 1. Intrarea în conducţie a tranzistorului unijoncţiune are loc dacă sunt îndeplinite condiţiile: a) uBB > 0.33) în care rB1 şi rB2 sunt rezistenţele barei de semiconductor.8 . (semnul plus la borna B2). 1 V (punctul A din figura 1. Pe durata regimului tranzitoriu (porţiunea OA din caracteristici) rezistenţa internă a TUJ este negativă.. 1. între punctul din dreptul joncţiunii emitorului şi cele două baze. După terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor creşte brusc (pe ramura AB comună caracteristicilor). Care este legea de variaţie a purtătorilor de sarcină în cazul semiconductoarelor omogene? Precizaţi semnificaţia parametrilor din expresia analitică ! 2.Dispozitive electronice de circuit 33 dopată cu impurităţi.

cu TEC-J (prezentată mai jos). Cum (în câte moduri) se poate măsura o tensiune alternativă cu parametrii: Uef = 80V. Se cere să se calculeze valorile elementelor: R S . Re = 40 KΩ ? 7.34 Capitolul 1 4. . C2 = CS . Care element (componentă) din schema etajului de amplificare – asigură stabilizarea PSF la variaţia temperaturii mediului ? Problemă Considerând schema unui etaj de amplificare. f min = 200 [ Hz ] . în care se cunoaşte: U DS0 = 10 [ V ] . Ce modalităţi (variante) există pentru negativarea grilei – în cazul TEC-J. Prin ce parametru (variabil) se poate modifica secţiunea canalului (de tip n) în cazul TEC-J ? 9. f = 20 KHz ? 6. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. U G0 = −5 [ V ] . I DS0 = 8m [ A ] . R D . Care sunt relaţiile analitice ce justifică proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar ? 5. C1 . canal de tip “n” (permanent) ? 10. Ce reprezintă caracteristica dinamică în cazul tranzistorului bipolar şi de cine depinde panta acesteia ? 8.

U1. caracterizată de tensiunea U2 şi respectiv curentul I2.1. se pot defini următorii parametri: • Amplificarea de putere Ap: A p = P2 >1 P1 (2. în condiţia ca semnalul de la ieşire să păstreze forma semnalului aplicat la intrare. Sarcina sa poate fi rezistivă sau poate fi o impedanţă.1.CAPITOLUL 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE 2.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor Dacă notăm cu P1 puterea în circuitul de intrare şi cu P2 puterea obţinută la ieşire. Un amplificator are rolul de dezvolta în circuitul de ieşire o putere mai mare decât cea aplicată la intrare.1.1) . care de regulă nu se simbolizează în schemele bloc. ca în figura 2. respectiv I1. Bornele de ieşire (2 – 2’) reprezintă poarta de ieşire. caracterizată de tensiunea şi curentul de intrare. printr-un cuadripol activ care are două perechi de borne. Figura 2. Amplificarea semnalului de la intrare se face utilizând energie preluată de la sursa de alimentare (Uo).1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor Un amplificator este simbolizat. Schema de principiu a unui amplificator Bornele de intrare (1 – 1’) reprezintă poarta de intrare. 2.

. Ze.agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare prin rezistoare şi tranzistoare. atunci când amplificatoarele se utilizează în aparatura de măsurare (voltmetre electronice.2) Frecvent se utilizează unitatea logaritmică pentru amplificare. piezorezistive sau de pH. Un amplificator performant trebuie să aibă raportul dintre semnalul util şi zgomot cât mai mare. .3) . Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora: . ce caracterizează deformarea unui semnal sinusoidal. • Impedanţa de ieşire.tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor electromagnetice din mediul înconjurător.dacă A = 1 → AdB = 0. nu depăşeşte o limită impusă (de exemplu 5%). Amplificarea în curent se defineşte prin relaţia: A i = • I2 I1 (2. Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină în condiţiile când factorul de distorsiuni. • Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zează efectul tensiunii fluctuante la ieşirea amplificatorului – care există şi atunci când nu se aplică semnal la intrare. trebuie să fie mică (zeci de Ω) pentru ca la ieşire să se poată debita un curent (o putere) cât mai mare în impedanţa de sarcină nominală (ZSN). Aceasta se defineşte prin relaţia: Zi = U1 I1 (2. impedanţa de intrare (Zi) trebuie să fie foarte mare: Zi∈[108. U1 I Ai = 2 I1 (2.componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (când filtrarea acestei tensiuni este necorespunzătoare). . Când amplificatoarele intră în componenţa traductoarelor piezoelectrice.4) Considerând reprezentările în complex ale mărimilor intrare-ieşire. În aceste cazuri primul etaj al amplificatorului se realizează cu tranzistoare MOS. . numită decibel [dB]. se pot defini amplificările în tensiune şi curent prin relaţiile: A= • U2 .5) Impedanţa de intrare este impedanţa echivalentă la bornele de intrare atunci când la bornele de ieşire este conectată impedanţa de sarcină nominală (ZSN).. osciloscoape etc).dacă A = 10n → AdB = 20⋅n. Amplificarea în decibeli se calculează utilizând relaţia: A[dB] = 20 ⋅ log A = 20 ⋅ log Exemple: • [dB] (A > 0) (2.6) Valoarea impedanţei de intrare trebuie să fie de ordinul meghomilor [MΩ]..1012] Ω.36 • Amplificarea în tensiune Au: A u ≡ A = Capitolul 2 U2 U1 U2 U1 (2.

iar punctul B – în zona de tăiere. Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni de neliniaritate. A3.1. Pentru a explica apariţia distorsiunilor de neliniaritate şi efectul poziţiei punctului static de funcţionare (PSF) al tranzistorului asupra lărgimii zonei de liniaritate în caracteristica intrare-ieşire.. Se defineşte factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin relaţia: 2 2 2 A 2 + A 3 + A 4 + . d[%] = ⋅ 100 (2. În figura 2. reprezintă amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t).2. A2. ( U 2 = f ( U1 ) ). A4 .2. se consideră un etaj de amplificare cu tranzistor bipolar la intrarea căruia se aplică un semnal sinusoidal. Dacă Ui>Uimax atunci semnalul de ieşire este distorsionat (deformat). Dacă PSF se alege în zona mediană a caracteristicii statice ( soluţia corectă – figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 37 2.3. b) Distorsiuni datorate alegerii greşite a poziţiei PSF .. fiind dată în figura 2. când la intrare se aplică un semnal perfect sinusoidal. a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare. unde punctul A este situat în zona de saturaţie..7) A1 unde: A1 – este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieşire u2(t) – distorsionat.3-a) semnalul de ieşire (ue2) va fi distorsionat atunci când amplitudinea semnalului de intrare (ui 2) depăşeşte valoarea maximă (ui max) delimitată de curbele c1 şi c2.. Caracteristica externă a amplificatorului În figură se disting două zone: zona OA (zona I) corespunzătoare regiunii liniare a caracteristicii. (a) (b) Figura 2. în care este valabilă relaţia A[dB]=20⋅logA şi zona AB (zona II) corespunzătoare regiunii neliniare de saturaţie.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor Caracteristica externă reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire în raport cu tensiunea de intrare.3 sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului împreună cu dreapta de sarcină (AB). Figura 2.

Ansamblul acestor armonici formează spectrul semnalului de intrare. figura 2. Caracteristica de frecvenţă În aplicaţiile practice interesează domeniul de frecvenţă în care amplificarea este aproximativ constantă. unde ϕ este defazajul introdus de amplificator. Pentru amplificarea fără distorsiuni a semnalului de intrare este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia să fie amplificate în aceeaşi măsură. Acest domeniu se numeşte banda de trecere a amplificatorului (Bt) şi reprezintă domeniul cuprins între frecvenţa joasă de tăiere (ftj) şi frecvenţa de tăiere înaltă (ftî) pentru care amplificarea A[dB] nu se micşorează cu mai mult de 3dB. Dacă spectrul semnalului de intrare nu este inclus în totalitate în banda de trecere a amplificatorului. 2 unde A0 este amplificarea medie în banda de trecere Bt. pentru a nu avea distorsiuni de frecvenţă. televiziune. semnalul de ieşire (ue) va fi distorsionat numai pentru semialternanţa pozitivă deoarece numai prima semialternanţă din semnalul de intrare (ui) depăşeşte valoarea maximă. Detalii privind caracteristica de fază a amplificatoarelor sunt date în [3]. Observaţii: • La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie să fie mai îngustă decât spectrul semnalului util (de intrare). la extremităţile benzii de trecere. Această condiţie este îndeplinită atunci când spectrul semnalului aplicat la intrare este cuprins în banda de trecere a amplificatorului.38 Capitolul 2 Dacă PSF este greşit ales spre punctul A. vor rezulta distorsiuni de frecvenţă numite şi distorsiuni de liniaritate (când amplificatorul funcţionează în regiunea liniară a caracteristicii intrare-ieşire). Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2.4.3-b. • În afara caracteristicii de frecvenţă. introdus de amplificator. Micşorarea cu 3dB a amplificării. Caracteristica de fază este importantă la amplificatoarele utilizate în: osciloscoape. . dar nici mult mai largă decât acest spectru pentru a nu micşora raportul semnal util/zgomot. transmisii de date etc. un amplificator este caracterizat prin dependenţa defazajului ϕ. Această dependenţă se numeşte caracteristică de fază: ϕ = g’(f). iar f este frecvenţa semnalului de intrare.4 şi exprimă dependenţa modulului amplificării în raport cu frecvenţa (f): A[dB] = g(f) (2. este echivalentă cu scăderea amplificării A la valoarea 1 ⋅ A 0 = 0. în funcţie de frecvenţa f (datorită elementelor reactive din circuitul acestora).707 ⋅ A 0 . Semnalul de intrare în amplificator este rezultatul însumării unor armonici de diferite amplitudini şi frecvenţe. delimitată prin caracteristica c1.8) Figura 2.

În categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de videofrecvenţă.106. deoarece se urmăreşte. corespunzătoare semnalului de intrare.4. • amplificatoare de semnal mare. în mod deosebit. numite şi selective. în mod deosebit.6. este de ordinul 105. ale căror spectre conţin şi componenta continuă (armonica de frecvenţă nulă). Figura 2. amplificatoarele pot fi: . când frecvenţa medie este de ordinul MHz sau GHz. Aceste amplificatoare se numesc de tensiune. ilustrat în figura 2. c) După valoarea frecvenţei medii din spectrul semnalului amplificat: • amplificatoare de joasă frecvenţă. corespunzătoare semnalului de intrare. • amplificatoare de curent alternativ. care amplifică semnale fără componentă continuă şi au caracteristica de frecvenţă de tipul celei din figura 2.1. la care raportul dintre frecvenţa înaltă de tăiere şi frecvenţa joasă de tăiere (ftî/ftj). unde f0 este frecvenţa centrală a benzii de trecere. Caracteristica de frecvenţă a unui amplificator pentru semnale lent variabile b) După nivelul semnalului amplificat: • amplificatoare de semnal mic. e) După poziţia punctului static de funcţionare (PSF). d) După lărgimea benzii de trecere: • amplificatoare de bandă îngustă.5. obţinerea unei amplificări în tensiune. definit prin relaţia Q=f0/(ftî .5. • amplificatoare de bandă largă. 60]. sunt mici în comparaţie cu valorile tensiunilor şi curenţilor de la ieşire. unde variaţiile de curent şi tensiune. când frecvenţa medie este mai mică de 1MHz. În această categorie sunt incluse şi amplificatoarele de audiofrecvenţă.. Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de putere. la care variaţiile de tensiune şi de curent. Valoarea curentă a factorului de calitate este cuprinsă în domeniul [10. sunt relativ mari. caracterizate prin factorul de calitate Q. • amplificatoare de înaltă frecvenţă. obţinerea unei anumite puteri pe sarcină..Amplificatoare şi oscilatoare 39 2. La aceste amplificatoare se urmăreşte..3 Tipuri de amplificatoare Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri şi se pot clasifica după următoarele criterii: a) După tipul semnalului de amplificat: • amplificatoare de curent continuu – destinate amplificării semnalelor lent variabile. Caracteristică de frecvenţă a acestui tip de amplificator este prezentată în figura 2.ftj)..

40 • Capitolul 2 amplificatoare în clasă A (PSF se află în regiunea mediană a dreptei de sarcină. Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprinsă în domeniul 20Hz. figura 2. AT-PA).2. au în componenţă două blocuri funcţionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de tensiune (numit preamplificator.7.. 2. punctul M). acesta să poată furniza puterea P2 cerută la .6. • amplificatoare în clasă A-B (PSF se află aproape de punctul de tăiere. iar al doilea bloc este un amplificator de putere (etaj final.2 Amplificatoare de curent alternativ Un exemplu tipic al acestor amplificatoare îl reprezintă amplificatorul de audiofrecvenţă. AP-EF)..1 Amplificatoare de tensiune Aceste amplificatoare trebuie să asigure la ieşire o tensiune U (suficient de mare) încât. Figura 2. punctul M2).20 kHz. Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1). Observaţie: Există şi amplificatoare în clasă C. punctul M1). aplicată la intrarea AP. Se cere: proiectarea amplificatorului de tensiune şi a amplificatorului de putere astfel încât să se debiteze pe ZS puterea impusă la ieşire. la care PSF se alege în profunzimea regiunii de blocare. Figura 2. • amplificatoare în clasă B (PSF se află în punctul de tăiere. Amplificatoarele de curent alternativ. Poziţia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare 2.7. impedanţa de sarcină (ZS) sau rezistenţa de sarcină şi puterea necesară la ieşire (P2). aceste amplificatoare fiind utilizate în construcţia triploarelor de frecvenţă şi în tehnica semnalelor modulate în frecvenţă.

C3 blochează componenta continuă care s-ar putea transmite la ieşirea etajului al II-lea. dar are şi dezavantaje: gabarit mare şi preţ de cost ridicat. C2 şi C3 se numesc condensatoare de cuplaj şi au următoarele roluri: C1 blochează componenta continuă a semnalului aplicat la intrarea primului etaj de amplificare. CE2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune la funcţionarea etajelor de amplificare în regim dinamic. Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând tranzistoare bipolare (figura 2. Structura generală a unui amplificator de tensiune Cuplarea etajelor se poate realiza în două moduri: a) utilizând elemente de cuplaj . Figura 2.8. amplificatoarele de tensiune se realizează din mai multe etaje legate în serie (cascadă) ca în figura 2. b) cuplajul direct între etaje (ca în cazul circuitelor integrate). Din acest motiv. Observaţie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj între etaje oferă avantajul unei adaptări facile între sarcină şi etaj. către amplificatorul de putere.9. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu tranzistoare bipolare Perechile de rezistoare RB1 − RB2 şi RB3 – RB4 reprezintă divizoare de tensiune prin care se stabilesc valorile curenţilor de bază. Condensatoarele C1. . Exemple de amplificatoare de tensiune 1. Rezistoarele RC1. RC2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de colector). RE2 au rolul de a stabiliza poziţia punctelor statice de funcţionare (PSF) în cele două etaje de amplificare. Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi a condensatoarelor de decuplare (CE1. C2 are rolul de a bloca componenta continuă care s-ar transmite de la primul etaj la următorul. Rezistoarele RE1.9).Amplificatoare şi oscilatoare 41 ieşire. Figura 2.8. CE2) sunt astfel alese încât reactanţele acestora să fie neglijabile (să reprezinte scurtcircuite) la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. Condensatoarele CE1.condensatoare sau transformatoare de cuplaj.

Capitolul 2 Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând TEC-J (figura 2. Acest fenomen complică – într-o anumită măsură – calculul regimului staţionar al amplificatorului (în faza de proiectare). RG2 (cu valori de ordinul MΩ) au rolul de a realiza impedanţe mari la intrarea etajelor. Condensatoarele CS1. condensatoarele C1. de la un etaj la altul.10. între etaje prin C2 şi la ieşire prin C3). C3 au acelaşi rol (de cuplaj). Observaţii: • Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi de decuplare (CS1. Rezistoarele RS1. la rândul său. • Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utilizând tranzistoare bipolare în loc de tranzistoare TEC-J. 2 – alimentare (+E). Din această cauză punctul static de funcţionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj depinde de poziţia PSF a tranzistorului din etajul anterior. C2. Funcţionarea corectă a circuitului presupune ca în circuitul bazei primului tranzistor (T1) să existe un curent de polarizare iBo care să determine funcţionarea tranzistorului în regiunea activă. Tensiunea din colectorul lui T1 (UCE1) asigură polarizarea corectă a bazei lui T2. RD2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de drenă). iar tensiunea din colectorul lui T2 (UCE2) determină poziţia PSF pentru tranzistorul T3 care.10) Figura 2. Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 – intrare. 3. deci blochează componentele continue (la intrare prin C1.11 este prezentat un amplificator de audiofrecvenţă.9. 4 – bornă de masă (−E). CS2) trebuie să asigure reactanţe capacitive neglijabile la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. Se observă că cele trei etaje de amplificare (din structura circuitului integrat) sunt cuplate direct. Rezistenţele RD1. atât componenta alternativă cât şi componenta continuă ale semnalului. Rezistenţa RB împreună cu potenţiometrul P realizează un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului . polarizează baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P şi RB). Amplificator de tensiune alternativă realizat cu TEC-J Ca şi în schema din figura 2. În figura 2. Rezistenţele RG1.42 2. CS2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune în regim dinamic. 3 – ieşire. Amplificator de joasă frecvenţă realizat prin cuplare directă între etaje În cazul cuplajului direct între etajele de amplificare se transmite. RS2 au rolul de negativare automată a grilelor cât şi de a stabiliza poziţiile punctelor statice de funcţionare (PSF) la variaţia temperaturii ambiante. realizat cu circuitul integrat TAA-263.

2.2 Amplificatoare de putere (AP) Aşa cum s-a arătat anterior amplificatoarele de putere. Figura 2. Amplificator de audiofrecvenţă realizat cu CI de tip TAA-263 Observaţie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare (U1∼). b) adaptarea etajului la sarcină utilizând pentru etajul final o schemă de conexiune adecvată. ţinând seama de schema echivalentă (figura 2. o valoare impusă a puterii P2 (la ieşire). Acest lucru este posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de . puterea debitată pe RS va fi maximă dacă este îndeplinită condiţia: Re (AP) ≤ RS (2.11. Cu prima metodă se adaptează rezistenţa de sarcină la etaj. au rolul de a debita pe un rezistor de sarcină dat. Deci.9) Figura 2. Reprezentând amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu rezistenţa internă Rg egală cu rezistenţa de ieşire a etajului (Re). În conformitate cu teorema transferului maxim de putere.12. se va înseria un rezistor R1 ( ≅ 1 kΩ) înaintea condensatorului C.Amplificatoare şi oscilatoare 43 tranzistor.12).2. Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimină reacţia negativă de tensiune la frecvenţele de lucru ale amplificatorului). la un generator dat se obţine puterea maximă pe sarcină atunci când rezistenţa internă a generatorului (Rg) este mai mică sau egală cu rezistenţa de sarcină (RS). schema echivalentă a amplificatorului (AP) este dată în figura 2. numite şi etaje finale.12. Schema echivalentă a unui amplificator de putere Există două metode pentru creşterea puterii debitate la ieşire: a) adaptarea sarcinii la etajul de ieşire prin intermediul transformatoarelor (de adaptare).

puterea utilă (Pu) debitată pe rS reprezintă puterea dezvoltată în circuitul monofazat din secundarul transformatorului şi se calculează utilizând relaţia: Pu = U ef I ef cos(ϕ) = U CE max I C max U ⋅I ⋅ = CE max C max = 2 2 2 CM ⋅ AC = = aria (ΔMAC). 2 (2. O metodă de creştere a puterii debitate de AP constă în creşterea amplitudinii semnalului de la intrare.12) Creşterea puterii debitate la ieşire datorată creşterii semnalului de intrare poate avea loc dacă punctul A’ nu intră în zona de saturaţie.26). figura 2. Acest lucru este ilustrat în diagramele de semnale aferente funcţionării în regim dinamic al etajului. Astfel. figura 2.44 Capitolul 2 cuplaj. respectiv din secundarul acestuia.11) R S ≅ rS ⋅ K t Adaptarea etajului la sarcină este posibilă dacă alegem o schemă de conexiuni adecvată transferului maxim de putere. Rezistenţa de sarcină raportată la primarul transformatorului se poate calcula folosind relaţia: 2 ⎛ N1 ⎞ (2. În cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieşirea amplificatorului prin transformator.14 care funcţionează în clasă A având sarcina cuplată prin transformator. Figura 2.15.1 Amplificatoare de putere în clasă A Se consideră etajul de amplificare din figura 2.13. se alege o schemă de conexiuni cu rezistenţă de ieşire mică (conexiune colector comun).13. Aria triunghiului poate fi mărită dacă PSF iniţial (M) se adoptă prin proiectare astfel încât dreapta de sarcină să fie tangentă în M la hiperbola de disipaţie a puterii tranzistorului (vezi figura 1. unde N1 şi N2 reprezintă numărul de spire din primarul transformatorului.2. Rezistenţa generatorului (Rg) din schema echivalentă se adoptă egală cu rezistenţa de ieşire (Re) a etajului amplificator de putere (AP). se obţine relaţia aproximativă de calcul pentru RS: 2 (2. Sarcină cuplată la AP prin transformator Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt ≅ N1/N2. pentru o putere mare la ieşire.10) R S = r1 + (r2 + rS ) ⋅ ⎜ ⎜N ⎟ ⎟ ⎝ 2⎠ Dacă se neglijează r1 şi r2.2. În acest caz trebuie urmărită condiţia ca punctul A’ să nu ajungă în zona de saturaţie şi punctul B’ să nu ajungă pe caracteristica iB=0 (zona de tăiere). 2. . adică pentru un curent de ieşire (curent de colector) mare.

15.16). Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă A 2. unde Pc este puterea consumată de amplificator de la sursa auxiliară de alimentare). Amplificator de putere în clasă A Figura 2. semnalul fiind distorsionat. Pentru ca semnalul de ieşire să fie tot . figura 2. PSF (punctul M) poate ajunge în poziţia A”.Amplificatoare şi oscilatoare 45 Randamentul unui amplificator în clasă A nu depăşeşte 50% (η=Pu/Pc. Dacă amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor. în cazul acestor amplificatoare PSF se alege în zona de tăiere a dreptei de sarcină.2. Figura 2. Figura 2. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă B Dacă semnalul de intrare iB~ creşte excesiv.16.16. atunci PSF va descrie la ieşire un semnal redresat monoalternanţă (ca în figura 2.14.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B Considerând planul caracteristicilor de ieşire.

iar al doilea este un tranzistor de putere (T1). figura 2. Figura 2.46 Capitolul 2 sinusoidal (ca cel de intrare).2.18. aceeaşi conexiune este realizată cu două tranzistoare complementare (T1 –npn. Cei doi curenţi de colector. Curentul de colector al tranzistorului compus este: i C = i C1 + i C2 ≅ β N1i B1 + β N2i B2 = β N2i B + β N2i E 2 = β N 2i B + + β N1 (i C2 + i B2 ) = β N 2i B + β N1β N 2i B2 + β N1i B2 = β N i B (2. Această conexiune este formată din două tranzistoare (figura 2.19-b.2. conduce T1 iar T2 este blocat şi. 2. i S = i C1 + i C 2 (2.17.17 Dacă la intrare se aplică semialternanţa pozitivă. Randamentul acestui amplificator în clasă B este de circa (70÷75)%. invers.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utilizând conexiunea Darlington. iC1 şi iC2. T2 –pnp).13) În schema prezentată este necesar ca tranzistoarele să aibă caracteristici statice identice. dintre care primul este numit tranzistor de comandă (T2 . formează prin însumare curentul alternativ de sarcină (iS) prin RS.19-a conexiunea Darlington este realizată cu două tranzistoare npn (fără inversare de polaritate). pentru ca amplificarea celor două alternanţe să se facă în cantităţi egale (amplitudini egale). pentru semialternanţa negativă.14) unde: (2. etajul de amplificare se realizează cu două tranzistoare complementare.19). În figura 2. În acest ultim caz conexiunea Darlington se numeşte cu inversare de polaritate. iar în figura 2. Curentul de sarcină pentru din figura 2. Ansamblul tranzistoarelor într-o conexiune Darlington se numeşte dublet. β N = β N1 + β N2 + β N1 β N2 ≅ β N1β N2 .15) Din ultima relaţie se observă că tranzistorul compus realizează o amplificare în curent mare. Amplificator de putere amplificatorul în clasă B Figura 2.de putere mică sau medie).17: 1-npn şi 2-pnp. numită şi tranzistor compus.18. figura 2.

3 Amplificatoare de curent continuu Acestea sunt destinate amplificării semnalelor lent variabile care au frecvenţa minimă din spectru egală cu zero. rezultă în timpul funcţionării un fenomen numit ”deriva nulului” (sau derivă termică). Figura 2. Acest fenomen constă în modificarea în timp a tensiunilor la ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea acestuia semnalul se menţine constant sau este nul. unde se disting: .20.o ieşire simetrică între bornele AB (Ue ≡UAB). Conexiune Darlington: fără schimbare de polaritate 2. . Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizează două metode: a) folosirea unui montaj diferenţial în schema de amplificare. .două intrări simetrice Ui1 şi Ui2 .19.două divizoare de tensiune la intrări. ca urmare. care asigură tensiunile U1 şi U2.3. Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea directă între etajele de amplificare. Etaj de amplificare diferenţial . . b) utilizarea schemei de amplificare care se bazează pe principiul modulăriidemodulării. Ele sunt utilizate în construcţia aparatelor de măsură şi automatizare. 2.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial În figura 2.20 este prezentat etajul de amplificare în montaj diferenţial.Amplificatoare şi oscilatoare 47 Figura 2.două ieşiri nesimetrice (Ue1 şi Ue2).

Tensiunile de ieşire ale amplificatorului diferenţial Observaţii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dublă faţă de pantele caracteristicilor referitoare la ieşirile simetrice. ↓ ≡ scade. rezultând o tensiune constantă la ieşirea simetrică (Ue =UAB=const). În acest caz rezultă: iC1 creşte şi iC2 creşte. unde K este factorul de amplificare pentru montajul diferenţial. . din (2. figura 2. Ui1= 0 ⇒ U1= const.21.16). considerând aceste semnale neegale (Ui1 ≠ Ui2). Aceste variaţii sunt ilustrate în planul caracteristicilor de transfer. Figura 2. din (2. deci iB1 ↓ ⇒ iC1 ↓ (scade) ⇒ Ue1 ↑(creşte) Concluzie: Cele două tensiuni la ieşirile nesimetrice Ue1.16) (2. Cazul I: Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitele de emitor rezultă ecuaţiile: Ui1 ≠ 0 (Ui1 ↑) Ui2 = 0 ⇒ U2 = const.17) ⇒ U BE 2 ↓ ⇒ iB2 ↓ ⇒ iC2 ↓ ⇒ Ue2 ↑ Cazul II. Dacă se aplică simultan semnale la ambele intrări.18) U BE1 ↓. dar iC2 ≈ iE2 ↑.17) Dacă iE1 ↑. având ca elemente de echilibrare potenţiometrul P şi reostatul R. ⇒ (2.22-a se dă schema unui etaj diferenţial. În figura 2. Ue2 au variaţii opuse în raport cu creşterea semnalului la una dintre intrările amplificatorului.48 Capitolul 2 Explicarea atenuării fenomenului de derivă: considerăm Ui1=Ui2=constant şi că temperatura T creşte. Dacă Ui1 ↑ ⇒ iB1 ↑ ⇒ iC1 ↑ ≈ iE1 ↑ ⇒ Ue1 ↓ U BE1 = U1 − R E (i E1 + i E 2 ) U BE 2 = U 2 − R E (i E1 + i E 2 ) (2. ceea ce conduce la scăderi ale tensiunilor Ue1 şi Ue2 în cantităţi egale. tensiunea la ieşire va fi dată de relaţia: Ue=K⋅(Ui1-Ui2). ⇒ iB2 ↑ ⇒ iC2 ↑ ⇒ Ue2 ↓. Funcţionarea în regim de amplificator Pe parcursul explicaţiilor se utilizează notaţiile simbolice: ↑ ≡ creşte.21. Ui2 ≠ 0 (Ui2 ↑) Dacă Ui2 ↑.

Figura 2. b) deplasarea caracteristicilor statice. adică intersecţia caracteristicilor statice nu are loc în origine (figura 2.22-b). Exemplu: Prin creşterea rezistenţei R curentul iC ≅ iE1+iE2 se micşorează. Se consideră un amplificator cu reacţie negativă de tensiune. fiind determinată de cuplaje parazite. determinând o deplasare în sus a caracteristicilor.23.4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei Reacţia – în cazul amplificatoarelor – constă în aplicarea (introducerea) la intrarea acestuia a unei părţi din energia mărimii de la ieşire. 2. iar cu ajutorul reostatului R se deplasează caracteristicile pe verticală. până când se obţine echilibrarea amplificatorului (intersecţia caracteristicilor statice are loc în originea axelor de coordonate). Echilibrarea etajului diferenţial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare. acesta se realizează prin circuite specializate (dimensionate în faza de proiectare).22.23. Există însă şi situaţii în care reacţia negativă apare accidental. a cărui schemă bloc este prezentată în figura 2. iar tensiunea de ieşire comună creşte. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie negativă de tensiune . Figura 2. prin intermediul unei legături inverse (ieşire-intrare). Prin ajustarea potenţiometrului P se deplasează caracteristicile pe orizontală.Amplificatoare şi oscilatoare 49 S-a considerat iniţial că etajul nu este echilibrat. Când reacţia negativă este necesară în amplificatoare.

se pot scrie următoarele ecuaţii: U + U r − Ui = 0 (2.este tensiunea la ieşirea amplificatorului.25) Ar + β ⋅ Ar = 1 A A 1+β⋅A (2.24) (2.Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacţie de tensiune.23 acest factor este exprimat prin relaţia: Ar = Ue Ui (2. (2. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare şi cel de reacţie (figura 2. de obicei. .23).19). se obţine: Ue U +β e =1 A ⋅ Ui Ui Ţinând seama de expresia lui Ar (2. amplificarea este exprimată prin relaţia: Ar = (2. printr-o reţea de elemente pasive şi este caracterizat prin factorul de reacţie β: β= Ur Ue (2. exprimat prin relaţia: A= Ue U (2. rezultă: .28) şi împărţind membrul drept prin A. din relaţia precedentă se obţine: (2. U .20) şi (2.este tensiunea la intrarea amplificatorului fără reacţie.23). Circuitul de reacţie este realizat. pentru cazul reacţiei negative de tensiune (figura 2.20) unde: U i este tensiunea aplicată la intrare.23) Din relaţiile (2.28) Pornind de la relaţia (2. Reacţia pozitivă se obţine când tensiunea Ue de la ieşire este în fază cu semnalul U.26) Rezultă că.20). Conform figurii 2.21) se obţine: Ue + β ⋅ Ue = Ui A Împărţind ultima relaţie la U i .50 Capitolul 2 Semnificaţiile notaţiilor din figură sunt: .19) unde: Ue .22) Ur = β ⋅ Ue (2. Dacă circuitul de reacţie este format numai din rezistoare atunci β este un număr real.21) unde: Ur este tensiunea de reacţie.27) În cazul reacţiei negative semnalul de la ieşire (Ue) este în antifază cu semnalul de la intrare (U).A este factorul de amplificare al amplificatorului fără reacţie. Amplificarea unui amplificator cu reacţie pozitivă de tensiune este dată prin relaţia: Ar = A 1−β⋅A (2.

integrare. 6) 1ăţimea benzii de trecere B → ∞. fiind conceput să funcţioneze într-o gamă largă de frecvenţe. AO este caracterizat de o amplificare foarte mare. • Creşte stabilitatea în timp a amplificării.5 Amplificatoare operaţionale Un amplificator operaţional (AO) este un amplificator la care cuplarea între etaje se face direct. scădere. 5) impedanţa de ieşire Ze → 0. Uieşire=0 în orice moment în care la intrare nu se aplică semnal). 7) variaţia defazajului Δϕ ≅ 0. Amplificatorul inclus în structura oricărui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenţial integrat). proprietate foarte utilă în echipamentele de măsură şi de automatizare. Observaţie: Datorită avantajelor oferite de reacţia negativă. astfel încât amplificarea cu reacţie să rezulte la valoarea impusă. Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaţii de calcul simple. • Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului.29) Pentru A→ ∞ . 4) impedanţa de intrare Zi → ∞. în funcţie de structura circuitului de reacţie aferent amplificatorului. Relaţia (dependenţa) intrare-ieşire poate fi liniară sau neliniară. iar erorile introduse sunt în limitele admise. 3) curentul de polarizare pe cele două intrări neglijabil.Amplificatoare şi oscilatoare 51 Ar = 1 1 +β A 1 β (2. Amplificatoarele operaţionale se clasifică după natura relaţiei intrare-ieşire. • Se ameliorează (îmbunătăţesc) parametrii calitativi ai amplificării. Principalii parametri idealizaţi sunt: 1) amplificarea în buclă deschisă A0 → ∞. (foarte mare) rezultă: A r ≅ (2. • Se micşorează distorsiunile de neliniaritate. 2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabilă. Un AO foloseşte reţele de reacţie a căror structură (rezistenţe şi capacităţi) permite realizarea unor operaţii matematice (adunare. • Se modifică favorabil impedanţele intrare-ieşire.30) Consecinţele reacţiei negative în amplificatoare: Se micşorează amplificarea A. • 2. dar acest lucru nu reprezintă un inconvenient prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A mai mare decât cea dorită. Cele mai utilizate scheme cu AO sunt: . majoritatea amplificatoarelor utilizează acest tip de reacţie. • Creşte lăţimea benzii de trecere. diferenţiere etc).

realizează înmulţirea cu o constantă şi inversarea semnului tensiunii de intrare.36) obţine: Ţinând cont de (2.31) Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare. Schema electrică a acestui amplificator este dată în figura 2.35) (2.24.33) Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicată în nodul de curenţi M rezultă: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată în circuitul de ieşire rezultă: i = io + i1 . Schema de principiu a unui AO în montaj inversor Figura 2.52 Capitolul 2 1) Amplificator operaţional în montaj inversor . Schema de principiu este prezentată în figura 2.25. unde K = R1/Ro (2.26.27.K Ui .34) (2.37) 2) Amplificator operaţional în montaj neinversor – realizează înmulţirea tensiunii de intrare cu o constantă pozitivă supraunitară.31) se obţine: i o ≅ Ui Ro (2.27. iar simbolizarea este prezentată în figura 2. i ≅ 0 şi U≅0 (2.35) Ue U =− i R1 Ro sau U e = − R1 Rezultă: Ue= . Simbolizarea unui AO inversor Întrucât amplificatorul de curent continuu are impedanţa de intrare şi amplificarea în circuit deschis foarte mari.31) se obţine: i1 ≅ Din (2. Ro ⋅ Ui . Figura 2. Simbolizarea unui AO neinversor . pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui) se consideră ipotezele: Zi → ∞ .33). Figura 2.24. Schema de principiu a unui AO în montaj neinversor Figura 2. rezultă: Ui=Roio+U (2.32) Ţinând seama de (2.25.26. iar schema simbolică este dată în figura 2.34) şi (2. (2. ⇒ io ≅ − i1 Ue=R1i1+U Ue R1 se (2.

45) componentele curentului i0 din relaţia (2. + i0n i0= . conduce la relaţiile: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire se obţine: i0=i01 + i02+ . din (2. iar simbolizarea este dată în figura 2.28. Figura 2. conform relaţiei (2..46) . U≅0...38) rezultă expresia caracteristicii externe: Ue = K⋅Ui (2. Schema de principiu a unui AO în montaj sumator-inversor AO Figura 2. adică Zi → ∞ ..38) Neglijând mărimile U şi i.Amplificatoare şi oscilatoare Utilizând aceleaşi ipoteze din (2. utilizat frecvent ca element de adaptare..29. i on = in R 01 R 02 R 0n (2. întrucât asigură rezistenţa de intrare foarte mare şi rezistenţa de ieşire mică.45) i1=Ue/R1 sau Înlocuind în (2.42) (2. aplicată în cele două noduri de curenţi.39) unde: K =1+ R1 Ro (2. se determină (utilizând legea lui Ohm) curenţii prin rezistoarele conectate la intrările amplificatorului: i o1 = U i1 U U . cu semn schimbat. se obţine: Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ .43) (2.40) Observaţie: Pentru R0 → ∞ şi R1 = 0 se obţine circuitul repetor..31).31) şi aplicând aceeaşi procedură se obţin: 53 ⎧ R 0i 0 + U + U i = 0 ⎪ ⎨U e + R 0i 0 − R1i1 = 0 ⎪ i = i 0 + i1 ⎩ (2. i o 2 = i 2 .i1 Ue = −i 0 R1 (2. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2.29. +KnUin) (2. Simbolizarea unui sumator-inversor Considerând aceleaşi ipoteze din (2.41) Teorema I-a a lui Kirchhoff. 3) Amplificatorul sumator-inversor realizează suma ponderată. i ≅ 0.41).28... a tensiunilor de intrare.44) (2.31).

tensiunea de ieşire se poate exprima prin relaţia: ∫ Uidt sau U e = − Ti 1 ∫ Ui (τ)dτ + U e (0) (2. Dacă timpul de integrare nu este limitat.51) 2. Ti=RC este timpul de integrare.30.31). Ue(0)=0 dacă condensatorul este descărcat la momentul aplicării semnalului de intrare şi Ue(0)≠0 dacă condensatorul este încărcat la momentul aplicării semnalului de intrare. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2. dacă valoarea rezistenţei R este exprimată în ohmi.54 unde Capitolul 2 K1 = R1 R R . i ≅ 0. caracteristica de transfer se poate exprima prin relaţia (2. K n = n R 01 R 02 R 0n Ue = − În general. se obţin relaţiile: Ui = R⋅i0 şi i0 = -i1 (2.49) rezultă: t Ue = − 0 Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din circuitul de reacţie) în momentul aplicării semnalului de intrare (t=0). Tensiunea Ue(0) se figurează la borna de ”condiţie iniţială” (figura 2. Atunci când .31. generează semnale periodice de forma: U(t)=U⋅sin(ωt) sau de orice altă formă. K 2 = 2 .50) U e = − K U i dt + U e (0) . Schema de principiu a unui AO montaj integrator-inversor Figura 2. U≅0) şi procedând similar.30.6 Oscilatoare Acestea sunt circuit care. exprimat în secunde. iar simbolizarea este dată în figura 2.49) Ţinând seama de ipotezele (2. din (2. . unde K = ∫ 1 1 = Ti RC (2.31. ∑ K jUij (2. iar capacitatea C se exprimă în farazi...48) Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire rezultă: Ue = 1 CR 1 i1dt +U C ∫ (2.47): n j=1 4) Amplificatorul integrator-inversor furnizează la ieşire un semnal proporţional cu integrala tensiunii aplicate la intrare.47) Figura 2. Simbolizarea unui AO în integrator-inversor Utilizând aceleaşi ipoteze (Zi → ∞ .31) şi relaţiile (2. utilizând dispozitive electronice active..48).

Circuit oscilant LC Figura 2. Schema de principiu a unui oscilator Principiul de întreţinere a oscilaţiilor Se consideră circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C în paralel cu o inductivitate L.34. Schema echivalentă a circuitului oscilant anterior este ilustrată în figura 2. figura 2. cu energie adusă din exterior prin intermediul unor rezistenţe negative.34. se va amortiza în timp (îşi micşorează amplitudinea) datorită pierderilor de energie prin rezistenţa electrică echivalentă a circuitului capacitiv-inductiv (L-C). . semnalul util produs de oscilator. Sub acţiunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau naştere oscilaţii armonice având frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă dată de relaţia: f0 = 1 2π LC (2.32. Figura 2. în circuitul oscilant real este necesar să se recupereze (compenseze) energia pierdută.52) Semnalul U(t). Schema de principiu este prezentată în figura 2. adică amortizarea oscilaţiilor. iar R este conductanţa de pierderi a condensatorului. controlate prin curenţi sau prin tensiune. Figura 2. În acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare care să funcţioneze în regiunea de rezistenţă negativă (dioda tunel. Figura 2.33-a Pentru a realiza oscilaţii întreţinute (cu amplitudine constantă).33-b. tiristorul etc).32.33-b. figura 2. Schema echivalentă a circuitului oscilant LC din figura 2.33-a. Semnalul produs de circuitul LC Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie care determină stingerea.33-a. Pierderile de energie care duc la micşorarea amplitudinii se datorează lui r şi R. unde: r este rezistenţa electrică a bobinei care are inductanţa L.Amplificatoare şi oscilatoare 55 semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numeşte armonic.

Rezultă că reţeaua de reacţie trebuie să introducă un defazaj nul. 2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistenţe negative (oscilatoare de relaxare). β ⋅ A = 1 . k=0. b) respectarea condiţiei de fază: ϕ A + ϕβ = 2kπ . Cele mai utilizate oscilatoare cu reacţie de tip LC sunt oscilatoarele în trei puncte.. Acestea au calea . c)Schema bloc a unui oscilator cu reacţie Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistenţe negative.35-a şi 2. sau un defazaj de 1800. 1.56 Capitolul 2 Caracteristica statică a diodei tunel şi respectiv a tiristorului sunt date în figura 2.35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel. atunci A r → ∞ . unde: A = A ⋅ exp( j ⋅ ϕ A ) şi β = β ⋅ exp( j ⋅ ϕβ ) (2.34). dau o rezistenţă echivalentă egală cu zero. care însumate cu rezistenţele r şi R (figura 2. n (argumentul lui Acomplex + argumentul lui βcomplex = 2kπ) adică: arg A + arg β = 2kπ (2. dacă produsul βA tinde la valoarea 1.53) Prin ϕA s-a notat defazajul dintre semnalul de ieşire ( Ue . deci semnalul de reacţie trebuie să fie în fază cu semnalul de intrare.. dacă defazajul amplificatorului este 2kπ (cu un număr par de etaje). 2.53) arată că defazajul total introdus de amplificator şi circuitul de reacţie trebuie să fie un multiplu întreg de 2π. Oscilatoarele pot fi realizate şi cu amplificatoare ce au reacţie pozitivă. Producerea oscilaţiilor întreţinute prin anularea rezistenţei din circuit cu ajutorul unor rezistenţe dinamice negative. După modul de realizare. la care amplificarea complexă este: A r = A .54) Relaţia (2. Oscilatoarele cu reacţie pot fi de tip LC sau RC. este un fapt real şi o metodă utilizată în proiectarea oscilatoarelor. Condiţia întreţinerii oscilaţiilor implică respectarea a două principii: a) respectarea relaţiei lui Barkhausen (de autooscilaţie). Figura 2. oscilatoarele pot fi: 1) oscilatoare de tip amplificator cu reacţie pozitivă. . care arată că produsul în modul al amplitudinilor trebuie să fie egal cu unitatea. b) Caracteristica curent-tensiune a tiristorului.35-b. ϕβ este defazajul dintre semnalul de reacţie ( U r ) şi semnalul de ieşire ( Ue ).35-c) şi semnalul de intrare ( U i ). dacă defazajul amplificatorului (cu număr impar de etaje) este (2k+1)π..figura 2. 1 − βA În acest caz.

Figura 2. alimentarea este serie iar sarcina este cuplată inductiv. aparatură electromedicală etc) fiind specifice benzilor de joasă frecvenţă. Schema de principiu a oscilatorului Hartley La acest oscilator emitorul este legat la masă. Schema de principiu a oscilatorului cu reţea RC . În figura 2. egal cu π (180o): π 3 (2. are schema de principiu prezentată în figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 57 de reacţie formată dintr-un circuit LC selectiv (care reprezintă un filtru cu trei borne de acces).55) ϕ t = 3 ⋅ Δϕ = π Frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă se poate calcula folosind relaţia: (2. formată din trei celule RC.57) Figura 2. Δϕ = arctgRC = Se obţine un defazaj total al semnalului de reacţie.56) f0 = 1 6 + 4R / R C 2πRC (2.36. Exemple de oscilatoare în trei puncte Oscilatorul Hartley (realizat cu reţea de defazare trece sus). automatizări. În timpul funcţionării singurul condensator care nu este scurtcircuitat este condensatorul variabil C. Oscilator având reţea RC (reţea de defazare trece-jos) Aceste oscilatoare au o largă utilizare în diferite domenii ale electronicii industriale (telecomunicaţii.37 este prezentată schema electrică a unui oscilator având reţea de defazare ”trece jos”.36. Defazajul fiecărei celule este de 60o.37.

Ce sunt distorsiunile de neliniaritate în cazul amplificatorului de joasă frecvenţă şi cum se elimină acestea ? 12.O. Re = 80 KΩ ? 8. Ce este reacţia negativă în cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obţine practic reacţia negativă? 2. Ce diferenţă există între caracteristicile A[dB] = g(f) în cazurile: a) amplificatoare de radiofrecvenţă ? b) amplificatoare de audiofrecvenţă ? 5.7 Întrebări 1. Ce semnifică borna de condiţie iniţială în cazul A. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. integrator şi ce se poate măsura la această bornă ? 7. ştiind că amplificatorul în clasă A are rezistenţa de ieşire. Ce se înţelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se înţelege prin tensiune de zgomot (Uz) în cazul redresoarelor cu filtre ? 3. Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o sarcină rezistivă (rs = 4 Ω). Ce formă de variaţie are tensiunea UCE la ieşirea unui etaj de amplificare în clasă B. Când apar distorsiunile de frecvenţă la amplificatoare şi cum se elimină acestea? 4. Ce este deriva termică (deriva nulului) în cazul amplificatoarelor de curent continuu şi cum se atenuează aceasta ? 11. Re = 40 KΩ ? 10. realizat cu un singur tranzistor? 6. Care este deosebirea între un AO inversor şi un AO integrator – inversor? (Utilizaţi schemele electrice !) 9. Când un tiristor funcţionează ca şi o diodă ? Care este schema şi denumirea celui mai simplu amplificator de putere ? .58 Capitolul 2 2.

obţinându-se transferul energetic (recuperarea) de la reţeaua de c. Convertorul care modifică amplitudinea tensiunii de c.1-a. (figura 3.1-a şi b. în ambele sensuri. El poate fi: cu circuit intermediar de c. după cum urmează.c.a.1-c).c.). (figura 3. Transferul energetic se poate face.3-a) sau direct.c. numite mutatoare. Este însă posibil ca aceeaşi schemă de mutator să funcţioneze – în funcţie de condiţiile de lucru (comanda primită. polaritatea tensiunii continue etc. în acest caz. în energie electromagnetică debitată la ieşire. (figura 3.). figura 3.a. la reţeaua de c. converteşte frecvenţa sau amplitudinea curentului alternativ. de regulă 50 Hz (când se numesc invertoare de reţea sau neautonome). Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor îl reprezintă funcţiile realizate de acestea. În schemele din figura 3.. (figura 3.c.c. de frecvenţă f1. în curent continuu (c.c. Frecvenţa f2 a curentului alternativ poate fi variabilă (în cazul invertoarelor autonome) sau fixată la o anumită valoare.c. tiristoare etc). tensiunea . Mutatoarele transformă. Pentru convertorul cu circuit intermediar. Convertorul de c. Redresorul este un circuit electronic care transformă curentul alternativ (c.a.3-b). mutatorul se mai numeşte convertor static de frecvenţă şi poate fi realizat în două variante: cu circuit intermediar de c.2-c) se mai numeşte variator de c.a. cu anumiţi parametri.c. energia electromagnetică primită la intrare. Dacă mutatorul funcţionează în regim de redresor.2-b). comanda mutatorului poate asigura funcţionarea acestuia în regim de invertor (neautonom). numit şi variator de c. fie în regim de invertor (neautonom). maşina electrică funcţionează ca motor şi transferul energetic se face de la reţeaua de c. În primul caz.1 Noţiuni generale Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clasă mai largă de echipamente electrice. În regim de frânare.1-b). cu alţi parametri.) – fie în regim de redresor.CAPITOLUL 3 REDRESOARE 3. furnizează la ieşire o tensiune continuă diferită de cea de la intrare. (figura 3. când maşina electrică lucrează ca generator de c.2-a) şi sub formă de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3.a. Invertorul transformă curentul continuu în curent alternativ (figura 3. Convertorul de c. prin elemente neliniare unidirecţionale (diode. Mutatoarele din această categorie stau la baza sistemelor de acţionări recuperative cu maşini de c.a. transferul energetic se face într-un singur sens.

Comutaţia forţată externă se întâlneşte în redresoarele comandate.. mutatorul va avea comutaţie (forţată) de la reţea.1. când condiţia de comutaţie naturală nu este respectată. Mutatoarele care funcţionează cu intrarea şi/sau ieşirea în c. În majoritatea mutatoarelor. elemente de conducţie unidirecţională numite şi “ventile” semiconductoare (diode şi/sau tiristoare). funcţionarea acestor elemente este ciclică.a. mutatorul are comutaţie (forţată) de la sarcină. când valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care preia conducţia este întotdeauna mai mare decât valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care cedează conducţia. Figura 3. Mutatoare având comutaţie proprie. după cum transformatorul este coborâtor. presupune – de regulă – un consum de energie reactivă din exterior. Trecerea conducţiei de la un ventil la altul se numeşte comutaţie. pe fiecare fază a reţelei de c. Mutatoare Figura 3. Mutatoarele care au comutaţie naturală sunt redresoare cu diode. respectiv ridicător de tensiune. Convertor de c.3. După provenienţa acestei energii.60 Capitolul 3 de ieşire (U2) poate fi mai mică sau mai mare decât tensiunea de intrare (U1). mutatoarele se împart în următoarele categorii: • Mutatoare având comutaţie naturală. Prelungirea conducţiei unui ventil. când energia reactivă este preluată din exterior. mutatoarele care au comutaţie forţată pot fi: Mutatoare având comutaţie externă. După modul de realizare a comutaţiei. • Mutatoare având comutaţie forţată.a. Dacă energia este dată de circuitul sarcinii (de la ieşire). Figura 3.c. utilizează. când energia reactivă necesară este furnizată de însuşi mutatorul respectiv.2. invertoare neautonome şi . Convertoare statice de c.a. Dacă această energie provine de la reţea. dincolo de momentul comutaţiei naturale.

datorită polarizării inverse.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă Schema redresorului monofazat monoalternanţă este dată în figura 3. fie din cauza modificării rezistenţei de sarcină Rs. Redresorul R este elementul esenţial al schemei.5-b. În acelaşi timp. de regulă. U0. Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativă din înfăşurarea primară la valoarea U2 (în secundar).5-a. la puteri mici.2 Redresoare monofazate necomandate 3. ur şi a curentului prin sarcină sunt date în figura 3. necesară obţinerii tensiunii continue U0. fie din cauza variaţiei tensiunii de alimentare U1. Figura 3. toate redresoarele se încadrează în categoria mutatoarelor. Comutaţia proprie este specifică unei categorii de mutatoare. are rolul de a menţine constantă tensiunea U0 (stabilizatoarele vor fi prezentate în capitolul 4). într-un paragraf distinct. în care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de “blocare” forţată: invertoare autonome. În figura 3. Sub aspectul funcţiei realizate. etc. La ieşirea lui se obţine tensiunea redresată ur. de valoare impusă. mutatoarele reprezintă circuite electronice de putere. dioda D (care reprezintă redresorul) este polarizată în sens direct şi conduce.c.2. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u 2 = 2U 2 sin ωt . . definind un domeniu cunoscut sub numele ”electronică de putere”. cu valoare de asemenea impusă.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere Redresoarele monofazate se utilizează.4. Stabilizatorul de tensiune continuă.2. de la ieşirea filtrului se poate modifica. STC. la bornele sarcinii Rs. U0.4 este dată schema-bloc a unui redresor monofazat de mică putere. Scopul urmărit este de a obţine o tensiune continuă. Aceste circumstanţe au determinat includerea în capitolul de mutatoare a redresoarelor de mică putere realizate sub forma redresoarelor monofazate. 3. dioda este blocată şi ur = 0.Redresoare 61 convertoare directe de frecvenţă. deci ur = u2. conectat între filtru şi sarcină. Filtrul F are rolul de a diminua componenta alternativă din tensiunea redresată. Diagramele tensiunilor u2. În timpul semialternanţei negative. care are o componentă continuă (utilă) şi o componentă alternativă. în condiţiile cunoaşterii tensiunii de alimentare U1. Tensiunea continuă. Schema bloc a unui redresor monofazat de mică putere 3. variatoare de c. precum şi tratarea lor specifică.

3) se obţine: π 1 U0 = ⋅ 2π = ∫ 0 1 u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = ⋅ 2π ∫ 0 π 2U 2 sin(ωt ) ⋅ d (ωt ) = (3.5.4) π 2 2 ⋅ U 2 [− cos(ωt )] = ⋅ U 2 ≅ 0. deci este periodic şi pulsatoriu.6) u r (ωt ) = U 0 + ∑ 2U n sin( nωt + ϕ n ) n =1 . astfel: 2π ⎡π 2π). ur= 0. exprimat prin relaţia: ir = ur Rs (3. integrala din (3.62 Capitolul 3 Se observă că tensiunea redresată ur este o tensiune periodică pulsatorie având perioada T = 2π. atunci tensiunea redresată se poate exprima prin relaţia: ∞ (3.2) se poate exprima 1 U0 = ⋅ T ∫ 2π ⎤ 1 ⎢ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = u r (ωt ) ⋅ d (ωt ) + u r (ωt ) ⋅ d (ωt )⎥ (3.5-b) se observă că în intervalul [0. 2π]. Tensiunea redresată conţine o componentă continuă (U0) şi o componentă alternativă (u~): ur = U0+ u~ (3. Redresor monofazat monoalternanţă Componenta continuă U0 este egală cu valoarea medie a tensiunii redresate şi se calculează cu relaţia: T U0 = 1 ⋅ T ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) 0 (3. π].3) ⎥ 2π ⎢ 0 π ⎣0 ⎦ ∫ ∫ Din diagramele tensiunilor (figura 3.5) Dacă se doreşte exprimarea detaliată a componentei alternative (u~).45 ⋅ U 2 2π π 0 Curentul redresat prin rezistenţa de sarcină este proporţional cu tensiunea ur . iar în intervalul [π.1) Figura 3. Din relaţia (3.2) Înlocuind valoarea perioadei (T = printr-o sumă de două integrale. ur= u2.

45 (3..7) u r (ωt ) = b 0 + ∑ a n sin( n ⋅ ωt ) + ∑ b n cos(n ⋅ ωt ) n =1 n =1 Coeficienţii seriei Fourier se definesc prin: T 2π ⎡π ⎤ 1 b0 = U0 = T ∫ 0 u r ( ωt ) d ( ωt ) = 1 ⎢ u ( ωt ) d ( ωt ) + u r ( ωt ) d ( ωt ) ⎥ = ⎥ 2π ⎢ r ⎢0 ⎥ π ⎣ ⎦ ∫ ∫ 0 Se observă că valoarea componentei continue (U0) este exprimată de coeficientul b0 al seriei Fourier.10). an şi bn din relaţiile (3.12) Ponderea componentei alternative în tensiunea redresată se poate evalua prin factorul de formă.8). iar coeficienţii an şi bn se pot calcula utilizând relaţiile (3. Relaţia (3.45 U 2 π (3. 2π 1 = 2π ∫ π 2U 2 sin(ωt ) d (ωt ) = 2 U 2 ≅ 0. γ.11) ⎜1 + sin(ωt ) − 2 1⋅ 3 π ⎝ 3⋅5 ⎠ Raportul dintre tensiunea continuă pe sarcină şi valoarea eficace a tensiunii din secundar se numeşte coeficient de redresare. iar ϕn – faza iniţială a armonicii de ordinul n. F. În cazul analizat coeficientul de redresare Kr este: Kr = U0 U2 = 0. (3.9) şi (3. ur.6) se poate scrie sub forma trigonometrică a unei serii Fourier şi devine: ∞ ∞ (3.⎟ .9) sin( ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d ( ωt ) 2U 2 π ∫ 0 u r (ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 −2 ⋅ .8) an = 1 π ∫ 0 u r (ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 π = 1 bn = π = 2π ∫ 0 π (3. şi componenta continuă U0 : . (3.7) coeficienţii b0.10) se obţine: u r ( ωt ) = 2U 2 ⎛ 2 2 π ⎞ cos(2 ωt ) − cos(4 ωt ) − .Redresoare 63 unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n.. 2 π n −1 ∫ 0 π sin(ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d(ωt ) = (3.9) şi (3. Factorul de formă este raportul dintre valoarea eficace a tensiunii redresate. şi factorul de ondulaţie.10) Înlocuind în relaţia (3.

… . = U0 2 2 U r − U0 = U0 2 2 ⎛ Ur ⎞ ⎜ ⎟ ⎜U ⎟ −1 = ⎝ 0⎠ 2 F −1 2 (3.19) Aceasta determină o anumită putere aparentă. Redresorul în punte are schema din figura 3. 2.15) Factorul de ondulaţie se defineşte ca raportul dintre valoarea eficace a componentei alternative. Cele două secţiuni ale înfăşurării secundarului transformatorului sunt identice ' " şi deci u 2 = − u 2 ..17) şi rezultă U γ = ~ = U0 U1 + U 2 + . La redresorul monoalternanţă avem: 1T 2 1 π 2 2 2 Ur = ∫ u r (ωt ) d(ωt ) = 2π ∫ 2U 2 sin (ωt ) d(ωt ) = 2 U 2 (3.57 2 2 U2 (3. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 . (3. şi componenta continuă.13) Cu cât F este mai apropiat de unitate.. D2 şi D4 fiind blocate. valoarea eficace U∼ este: 2 2 U∼ = U1 + U 2 + . Diodele D1 şi D2 conduc alternativ. În semialternanţa negativă conduc diodele D2 şi D4 .6-c.16) sau 2 2 U∼ = U r − U 0 (3. 3. Cunoscând valorile eficace Un ale armonicilor de ordin n = 1. astfel încât tensiunea redresată şi curentul prin sarcină au forma din figura 3.2. Schema redresorului având transformator cu priză mediană este dată în figura 3. .6-a.. necesară transformatorului. sau utilizând schema de redresare în punte.64 Capitolul 3 F= ur U0 (3. U P0 = U 0 I 0 = 0 Rs 2 (3.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă Redresoarele dublă alternanţă se realizează după două scheme: cu transformator având priză mediană în secundar.18) În cazul redresorului monoalternanţă se obţine Puterea în curent continuu este: γ = 1.7.14) T0 0 F= 2 U 2 2 π π = = 1. cu atât ponderea componentei alternative în tensiunea redresată este mai mică..211. iar diodele D1 şi D3 sunt blocate. U∼ .

3) ca şi în cazul redresorului monoalternanţă.23 P0. pe o perioadă a tensiunii u2 este: ⎧ ⎡ T⎤ 2 U 2 sin(ωt ) pentru t ∈ ⎢0.Redresoare 65 Figura 3. iar la schema în punte. pentru schema cu priză mediană.482. puterea aparentă necesară a transformatorului este mai mare la schema cu punct median. puterile aparente în înfăşurarea secundară şi înfăşurarea primară ale transformatorului se micşorează. b) diagrama tensiunilor din secundar. cu deosebirea că în acest caz perioada este egală cu durata unei semialternanţe (T = π). ST = 1.9 ⋅ U 2 π (3. pentru o putere P0 dată. iar factorul de formă şi coeficientul de ondulaţie se ameliorează: F = 1. γ = 0. tensiunea şi curentul prin sarcină au două componente: o componentă continuă (U0 . Comparând cele două scheme de redresare dublă alternanţă se pot reţine următoarele: • pentru aceeaşi putere P0 în sarcină.48 P0. ⎥ ⎪ ⎣ 2⎦ ⎪ ur = ⎨ ⎪− 2U sin(ωt ) pentru t ∈ ⎡ T .9). Astfel. respectiv I0) şi o componentă alternativă. Redresor dublă alternanţă folosind transformator cu priză mediană: a) schema. T ⎤ 2 ⎢2 ⎥ ⎪ ⎣ ⎦ ⎩ (3. . iar componenta continuă este: U0 = 2 2 ⋅ U 2 ≅ 0. De asemenea.7. c) diagrama tensiunii şi a curentului redresat Figura 3.20) Componenta continuă a tensiunii redresate (U0) se calculează cu aceeaşi relaţie (3.11.6.21) Coeficientul de redresare este dublu faţă de schema monoalternanţă (Kr = 0. Redresor dublă alternanţă în punte Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. puterea de calcul a transformatorului este ST = 1. Expresia analitică a tensiunii redresate.

este necesară diminuarea componentei alternative din tensiunea redresată. (u2 > uc) şi deci ua > 0. condensatorul C este descărcat. Tipuri de filtre: a) capacitiv. cu ajutorul filtrelor. rezultă: (3. ur.66 Capitolul 3 • • la schema în punte. tensiunea inversă maximă pe diode. Funcţionarea ei se poate urmări în diagrama din figura 3.4. Figura 3. Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din figura 3. cât şi pe proprietatea capacităţilor mari (conectate în paralel cu sarcina).1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este dată în figura 3. c) tip π .9-a. de a şunta armonicele de ordin superior. Parametrul principal care le caracterizează este factorul de ondulaţie al tensiunii de la ieşire. Dioda conduce şi condensatorul se încarcă prin . rezultă o cădere de tensiune pe diode dublă faţă de schema cu punct median.2. datorită conducţiei în permanenţă a două diode. 3. b) inductiv-capacitiv. Din relaţia anterioară rezultă căderea de tensiune (ua) pe dioda în conducţie: Presupunem că în momentul aplicării tensiunii de alimentare. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea bobinelor de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului şi o reactanţă mare pentru componenta alternativă din curentul redresat.CLC sau CRC 3. pentru aceeaşi tensiune redresată este de două ori mai mare la schema cu punct median faţă schema de redresare în punte (deoarece tensiunea inversă ce apare în momentul blocării diodelor se distribuie pe două diode).2.8.4 Filtrarea tensiunii redresate Pentru obţinerea unei tensiuni cu factor de ondulaţie mic la bornele rezistenţei de sarcină.22) u2 = ua + uc Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este în acelaşi timp. Se observă că în intervalul (0 … ωt1) tensiunea din secundarul transformatorului (u2) este mai mare decât tensiunea la bornele condensatorului ua = u2 – uc.8. (uc).9-b. tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină (us) cât şi tensiunea după elementul redresor. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului.

.. Filtrul capacitiv micşorează durata de conducţie a diodei în intervalul 0 < β < π. sau Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaţii (având forma dinţilor de ferăstrău) în jurul valorii U0. este foarte mică. dioda conduce pe întreaga semiperioadă a tensiunii u2 din secundarul transformatorului. Ri. În continuare dioda conduce în intervalul (ωt2 .24) (3. Valoarea tensiunii continue U0. deci condensatorul se încarcă rapid. Dioda rămâne blocată şi condensatorul se descarcă prin rezistenţa de sarcină Rs. deci ua = 0.Redresoare 67 Ri ≅ RS(Tr). care – la rândul lor – sunt determinate de mărimile C şi Rs.23) [ 2 U 2 sin(ωt ) = ω C 2 U 2 cos(ωt ) 2 U2 sin(ωt ) Rs ] (3. Cu β s-a notat unghiul de conducţie. În momentul ωt1 se obţine egalitatea uc = u2. Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducţie şi de blocare. aceasta incluzând rezistenţa echivalentă serie în secundarul transformatorului. adică intervalul de timp în care se încarcă condensatorul. care este neglijabilă.. depind mult de valoarea rezistenţei de sarcină. precum şi amplitudinea componentei alternative. curentul prin diodă este: unde: ia = ic + is ic = C du c d =C dt dt is = (3. RS(Tr) şi rezistenţa diodei în conducţie. iar ua < 0.ωt3). Rezistenţa de încărcare. Unghiul la care încetează încărcarea condensatorului s-a notat cu ψ = α + β şi se numeşte unghi de blocare. iar componenta alternativă (u~) a tensiunii redresate creşte. Ti = Ri C.ωt2) u2 < uc. RDc. În intervalul (ωt1. care reprezintă componenta continuă a tensiunii la bornele sarcinii. Micşorarea rezistenţei de sarcină (Rs) are ca efect creşterea curentului de sarcină (Is) şi ca urmare tensiunea U0 scade. Constanta de timp de descărcare a condensatorului este Td = RsC şi este relativ mare (pentru că Rs este mai mare decât Ri). ωt2.25) .9-b s-a notat cu α unghiul de la care începe încărcarea condensatorului (considerând ca moment de referinţă. până în momentul ωt2. tensiunea uc scade lent. Constanta de timp la încărcarea condensatorului. În figura 3. trecerea prin zero spre valori pozitive a tensiunii u2).. adică β = π.. La funcţionarea fără filtru capacitiv. În intervalul de conducţie secundarul transformatorului şi diodă. iar dioda se blochează. rezultă foarte mică.. Deci Ri = RS(Tr) + RDc β = ωt3 .

reprezintă puterea pe care o poate debita redresorul în sarcină.2. atunci când redresorul funcţionează la putere nominală.18) când redresorul funcţionează la putere nominală. în regim nominal de funcţionare. Ideal. • caracteristica externă. PN . • .68 Capitolul 3 Figura 3. U0N . b) diagrama tensiunilor şi curenţilor 3. în condiţia 0 ≤ IS ≤ I0N . influenţa rezistenţei de sarcină RS asupra tensiunii US este importantă.10). Cele trei caracteristici reprezintă: • Curba 1 este caracteristica externă în cazul redresorului fără filtru. γ . în cazul redresoarelor cu filtru capacitiv. • tensiunea nominală. exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N . • curentul nominal. mai ales.5 Parametrii redresoarelor de mică putere În cazul redresoarelor de mică putere parametrii şi caracteristicile importante sunt: puterea nominală a redresorului. reprezintă dependenţa US = f(IS). • factorul de ondulaţie. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv: a) schema.9.10. dar aşa cum s-a precizat anterior. aceste caracteristici ar trebui să fie orizontale (liniile punctate din figura 3. I0N . definit prin relaţia (3. ilustrată în figura 3. egală cu tensiunea continuă la bornele de ieşire. Se observă o cădere de tensiune (la curent nominal) mică (ΔU01).

Se remarcă o cădere mult mai mare de tensiune (ΔU02) corespunzătoare curentului nominal. polifazate) se construiesc pentru puteri nominale mari. ΔU03) – poate fi compensat prin utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continuă (STC) conectate între filtre şi consumatori (sarcini). necesită o tensiune redresată cu un factor de ondulaţie cât mai mic. dată de relaţia următoare: Ri = − Această rezistenţă este de dorit să rezulte cât mai mică. astfel încât caracteristica externă reală să fie cât mai apropiată de caracteristica ideală. Dezavantajul pe care îl introduc filtrele – exprimat prin căderile de tensiune (ΔU02 .) Funcţionarea schemei se poate urmări în diagrama din figura 3. Curba 3 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru π (CLC). În capitolul 4 se vor trata principiile de funcţionare şi schemele principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continuă. ΔU S ΔIS (3.27) .3 Redresoare trifazate necomandate Redresoarele trifazate (în general. Deoarece majoritatea consumatorilor industriali.26) Figura 3. Caracteristicile externe ale redresorului 3.11.12. La un moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenţialul cel mai ridicat. În această situaţie se observă o cădere de tensiune (ΔU03) mai mică decât în cazul redresorului cu filtru capacitiv. este evidentă necesitatea utilizării filtrelor.Redresoare • 69 • Curba 2 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru capacitiv. Un parametru care determină panta caracteristicii externe este rezistenţa internă a redresorului. Cea mai simplă schemă de redresor trifazat utilizează un transformator trifazat având secundarul conectat în stea (figura 3. ce funcţionează în curent continuu.10. Curentul prin sarcină este: is = i1 + i2 + i3 (3.

apar efecte care complică funcţionarea redresorului.14. (3.70 Capitolul 3 şi are. În schema redresor O schemă foarte des utilizată în practică. deci intervin inductanţele de scăpări ale acestuia. Perioada ur fiind 2π/3.28) π 2π 3 6+ 3 3 6 = 2U 2 sin(ω t )d(ω t ) = U 2 ≅ 1. calculată în relaţia (3. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei de sarcină este egală cu diferenţa potenţialelor între acele borne ale înfăşurării secundare. În momentele ωt1 . t3) conduc diodele D1 şi D6 etc. prezentate în figura 3. în cazul sarcinii rezistive. Descrierea proceselor dintr-un redresor real cu sarcină inductivă se poate urmări în lucrarea [2].12. este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat simplu (conectat în stea): rezultă valoarea tensiunii U0: π 2π 1 α0 +T 1 6+ 3 U0 = u r (ω t )d (ω t ) = u r (ω t )d(ω t ) = 2π π T α0 3 6 ∫ ∫ ∫ U0 = 3 6 U 2 ≅ 2. ωt3 … se produce comutarea conducţiei de pe o fază pe alta. Astfel. ωt2 .29) .13). integrala pe o perioadă a tensiunii ur. este schema de redresare trifazată în punte (figura 3. datorită performan-ţelor superioare pe care le prezintă. Tensiunea continuă tensiunii U0 de la bornele rezistenţei de sarcină este. Deci. sau când sarcina are caracter inductiv. Se remarcă faptul că frecvenţa comutărilor este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat în stea. În schema redresorului se observă că la un moment oarecare conduc două diode: dioda cu potenţialul anodului cel mai ridicat şi dioda cu potenţialul catodului cel mai scăzut. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei RS este egală cu tensiunea pe faza în care dioda conduce şi are forma curbei cu linie întărită din figura 3. t2) conduc diodele D1 şi D5 . a curentului i0 (curentul prin sarcină) şi a tensiunii redresate. situaţie ilustrată în figura 3. prin definiţie. Valoarea tensiunii continue.14. o formă pulsatorie.17 U 2 π 2π 2π 6 Descrierea funcţionării redresorului trifazat s-a făcut în ipoteza că transformatorul este ideal (are inductanţele de scăpări neglijabile).34 U 2 π (3. Funcţionarea acestui redresor se explică utilizând diagramele curenţilor prin faze. în intervalul (t1. împărţită la perioadă (T). iar sarcina redresorului este rezistivă. În cazul când se admite că transformatorul nu este ideal. tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele trasate cu linie întărită şi axa timpului. la care sunt legate diode în conducţie. în intervalul (t2. în special la producerea comutaţiei de pe o fază pe alta.29). deci perioada pulsaţiilor tensiunii redresate este de două ori mai mică.

Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul în punte .13.11. Redresor trifazat în punte Figura 3.12.14.Redresoare 71 Figura 3. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul trifazat în stea Figura 3. Redresor trifazat în stea Figura 3.

γ ? . conectate la un transformator cu două secundare şi punct median? 3. Care sunt semnificaţiile şi expresiile analitice ale parametrilor redresorului de mică putere Kr . Ce condiţie trebuie să îndeplinească cele două diode ale unui redresor bialternanţă. Cum se explică (justifică) relaţia τ d >> τ i în cazul redresorului cu filtru capacitiv ? 4. Ce este deosebirea dintre un invertor (I) şi un convertor – static de frecvenţă? 2.4 Întrebări 1. F.72 Capitolul 3 3.

valorile tensiunii sau curentului de alimentare. Figura 4. Ele se pot conecta ca în figura 4. În principiu tensiunea continuă poate fi stabilizată şi înainte de redresor.1 Noţiuni generale. montate în serie. dacă tensiunea stabilizată este continuă. În lipsa stabilizatorului. iar în funcţie de metoda de stabilizare există stabilizatoare electromecanice (pentru tensiuni alternative şi continue la consumatori de mare putere). pot fi depăşite limitele admise şi pot să apară dereglări în funcţionarea instalaţiilor sau/şi erori de măsurare nepermise. În prezent există un număr relativ mare de categorii şi tipuri de stabilizatoare electronice. electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate).CAPITOLUL 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE 4. care fac parte componentă din alimentatoarele celor mai diverse circuite . menţinând constantă tensiunea alternativă cu stabilizatoare corespunzătoare. Varianta din figura 4. sau în paralel cu sarcina) şi cu reacţie (care funcţionează pe principiul sistemelor de reglare automată cu reacţie negativă).2 Stabilizatoare parametrice Cele mai răspândite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune continuă.1.1. În acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice şi cu reacţie. în limite strânse. ale unei instalaţii industriale sau de laborator.1 are avantajul că menţine constantă tensiunea pe sarcină indiferent de cauzele care tind să o modifice. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic 4. parametrice (cu elemente neliniare. În funcţie de mărimea electrică de stabilizat există stabilizatoare de tensiune şi de curent. motiv pentru care această variantă este cel mai des utilizată în practică. Parametrii stabilizatoarelor Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menţine.

2. Principiul stabilizatorului parametric cu diodă Zener: a) schema. cât şi i z (într-o măsură mult mai mare). cresc atât i 2 (într-o mică măsură). Schema unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener este dată în figura 4. În mod similar funcţionează stabilizatorul şi în cazul variaţiei tensiunii de reţea: dacă tensiunea reţelei creşte. a căror caracteristică tensiune-curent asigură stabilizarea tensiunii.2.1) ΔI z = Iz max − I z min ΔU z = U z max − U z min (4. tuburi cu gaz de tip stabilovolt sau stabilitron. rezistenţa de sarcină se limitează astfel încât punctul de funcţionare M să se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii. Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda Zener (figura 4. creşte curentul i2 din RS. Invers. punctul de funcţionare al diodei se găseşte în A. punctul de funcţionare se deplasează spre B. care să asigure valoare maximă admisă a curentului I z max prin dioda Zener. În cazul funcţionării în gol (RS = ∞) se alege o valoare pentru rezistenţa R (de “balast”).74 Capitolul 4 electronice.2-b): (4.2) Pentru RS = ∞. b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener Pentru o funcţionare normală a stabilizatorului este necesar ca rezistenţa de balast R să îndeplinească următoarea condiţie: R min < R < R max (4.2-a) a cărei proprietate principală este de a prelua variaţii importante ale curentului ( ΔI z ). Figura 4. electromagnetice). pentru a nu se ajunge în zona neliniară a caracteristicii.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric Stabilizatoarele parametrice au ca elemente esenţiale diode Zener.3. iar punctul M de funcţionare se deplasează spre A. dacă tensiunea reţelei scade. Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice. cu variaţii reduse ale tensiunii ( ΔU z ) la bornele ei (figura 4. Pe măsură ce RS scade. electronice.3) 4. Practic. iar punctul de funcţionare se deplasează spre B şi în continuare spre 0. .

astfel încât zona de stabilizare parametrică din caracteristica statică a diodei se va desena în cadranul 1 (figura 4.6) rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ⎛ R ⎞ E = R ⋅ Ia + ⎜ ⎜ R + 1⎟ ⋅ U a ⎟ ⎝ S ⎠ (4. Modificarea PSF al diodei Zener la variaţia tensiunii de intrare (a) şi la variaţia rezistenţei de sarcină (b) Din relaţiile (4.4) … (4.4.4) E = R ⋅ I + Ua I = I a + Is U Is = a Rs (4.6) precum şi dependenţa ia Zener. = f(ua).2-b.4). dată grafic sub forma caracteristicii statice a diodei Figura 4. Tensiunea de ieşire de pe rezistenţa de sarcină Rs este identică cu tensiunea anodică ua a diodei Zenner (DZ).7) Punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină (tăieturile) cu axele de coordonate sunt: .Stabilizatoare electronice 75 Figura 4.3.5) (4. Stabilizator parametric cu diodă Zener În această schemă sensurile adoptate pentru ia şi ua sunt inversate faţă de schema din figura 4. Tensiunea aplicată la intrarea în stabilizator este tensiunea de ieşire din filtrul redresorului şi s-a notat cu E în schema din figura 4.3. Pentru deducerea punctului static de funcţionare (PSF) al diodei se utilizează relaţiile: (4.

R U" = E" Rs + R Rs (4. În funcţionarea stabilizatorului parametric pot exista două regimuri distincte de lucru: a) Dacă tensiunea de intrare E se modifică (creşte la valoarea E’.8) În figura 4. sau scade la valoarea E”). respectiv U’ > U şi U” < U.11) " ' R Rs + R Rs + R ' " Observaţie.4-a dreapta statică de sarcină este reprezentată printr-o linie continuă. Deci.4-a).4-b). dacă punctul de funcţionare M nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice a diodei Zener (DZ). Aceste coordonate sunt: Ia 0 şi Ua 0 ≡ Uz. tensiunea Ua rămânând practic constantă (vezi figura 4. atunci tăieturile dreptei statice de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. R Ua = E ⋅ Rs + R Rs (4. dacă PSF nu intră în zona de curbură a caracteristicii statice. U" = E (4. U' = E . I" = E" . R U' = E' Rs + R Rs . tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. iar Rs = ct. " ' b) Presupunând că rezistenţa de sarcină Rs variază între valorile R s şi R s . însă tensiunea la bornele diodei.76 Capitolul 4 Ia = E . La intersecţia dintre caracteristica statică a diodei Zener şi dreapta de sarcină se obţine PSF notat cu M. S-a considerat: R s > R s şi R s < R s ..10) Se observă că E’ > E şi E” < E. Concluzie: Proprietatea de stabilizare se păstrează în orice regim de lucru. modificarea tensiunii de intrare duce la modificarea curentului Ia . deci tensiunea pe sarcină este practic constantă dacă PSF (M) nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice.4-b): " ' E Rs Rs I = I' = I" = .9) Rezultă că înclinaţia (panta) dreptei statice de sarcină nu depinde de valoarea tensiunii E de la intrarea stabilizatorului. iar tensiunea de la intrare rămâne constantă (E = ct. Proiecţiile duse din M pe axele de coordonate determină coordonatele PSF. Înclinarea dreptei va fi aceeaşi (vezi figura 4. Punctul static de funcţionare al diodei Zener se păstrează pe porţiunea în care tensiunea Ua este practic constantă. Panta dreptei statice de sarcină se exprimă prin relaţia: tg α = RR s R + Rs (4.4-a): I' = E' . Şi în acest caz modificarea poziţiei punctului static de funcţionare afectează curentul prin diodă.). .

Stabilizatoare electronice 77 4. de exemplu.5. Tensiunea Ur este proporţională cu valoarea reală a tensiunii U0: U r = U0 R1 = k ⋅ U0 R1 + R 2 (4. Figura 4. În figura 4. .12) Diferenţa dintre aceste două tensiuni. în sensul scăderii rezistenţei acestuia.6 este dată schema detaliată a stabilizatorului cu ECS. încât să se compenseze variaţiile tensiunii de ieşire (±ΔU0) faţă de valoarea prescrisă. Elementul de execuţie 1 se comportă ca o rezistenţă în serie.13) E = U'+ U 0 dată de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conservă în orice condiţie. reprezintă eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescrisă. amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi comandă. deci la creşterea tensiunii U0. Micşorarea rezistenţei elementului 1 duce la micşorarea căderii de tensiune U’ pe acest element. Acesta se construieşte după schema din figura 4. prin ieşirea sa. Amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi acţionează asupra elementului de control 1 (ECS) în aşa fel.2. ceea ce reprezintă compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0.5. întrucât egalitatea: (4. prezentată în figura 4. Schema bloc a stabilizatorului cu element de control serie şi amplificator de eroare Elementul de comparaţie 5 compară două tensiuni: E0 şi Ur. a cărei valoare este comandată de semnalul de ieşire al amplificatorului 2. este constantă şi proporţională cu valoarea prescrisă a tensiunii U0 (tensiunea de ieşire pe Rs).5. Dacă. elementul de comparaţie 5 sesizează abaterea. obţinută la ieşirea elementului de comparaţie 5. elementul de execuţie 1. Tensiunea de referinţă E0.2 Stabilizatoare cu reacţie având elemente de control serie şi amplificator de eroare Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) şi amplificator de eroare este cel mai răspândit. dată de un stabilizator parametric (diodă Zener). tensiunea U0 tinde să scadă faţă de valoarea nominală.

Elementul de control serie este tranzistorul T2. În figura 4. are loc compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. Acesta. . deci la creşterea tensiunii de colector Uc1. tensiunea colector – emitor U’ scade.14) şi reprezintă mărimea de intrare în amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1 şi rezistenţa R4. creşterea potenţialului în colectorul tranzistorului T1 are ca efect o pozitivare accentuată a bazei tranzistorului T2. Curentul de bază al tranzistorului T1 se micşorează ducând la reducerea curentului de colector. ducând la creşterea tensiunii U0 conform relaţiei (4. dată de relaţia 4. Dacă tensiunea U0 tinde să scadă.78 Capitolul 4 Figura 4. iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare operaţionale (AO).14.7-b). iar în figura 4.13). Elementele de control serie (ECS) sunt componente integrate.7-a) cât şi pentru tensiuni mici (figura 4. fiind un tranzistor npn.7-a amplificatorul de eroare lucrează în regim de amplificator neinversor. Astfel. a cărui rezistenţă este comandată de tensiunea de ieşire a amplificatorului de eroare. Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat direct la baza tranzistorului T2. va scădea şi tensiunea Ur (conform relaţiei 4.7-b amplificatorul de eroare lucrează în regim de repetor.6 Schema detaliată a stabilizatorului prezentat în figura 4. Semnalul de eroare este: U be = U r − E 0 (4.12) deci scade şi tensiunea Ube. se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 creşte).2.5 Tensiunea de referinţă E0 este dată de un stabilizator parametric format din dioda Zener (Dz) şi rezistenţa R3. 4.3 Stabilizatoare integrate de tensiune Aceste stabilizatoare au performanţe superioare faţă de circuitele de stabilizare având componente discrete şi pot fi realizate atât pentru tensiuni mari (figura 4.

7. Stabilizatoare de tensiune integrate U2 în funcţie de tensiunea de referinţă Ur are valorile: a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur).pentru tensiuni mici Figura 4. Uin > U0nom + 2.7-b: (4. În figura 4.16) U2 = Pentru a îmbunătăţi fiabilitatea stabilizatoarelor integrate şi pentru a elimina căderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieşire). schema generală din figura 4. Acest montaj se caracterizează printr-o simplitate deosebită.8 se constituie într-un stabilizator de tensiune fixă (5V) dacă STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4. Tensiunea de ieşire stabilizată în acest caz este: Stabilizatoarele din seria 78XX pot funcţiona corect numai dacă tensiunea de intrare este cu cel puţin 2.7-a: Tensiunea de ieşire R + R2 U2 = 1 ⋅ Ur R1 R1 ⋅ Ur R1 + R 2 (4. adică: U0 = Unom ± 5% unde Unom = 5V. ieşire şi bornă de masă.8 se prezintă schema clasică a unui stabilizator de tensiune integrat cu trei pini. Condensatorul C2 de la ieşire are tot rol de filtrare.5V (4. Dioda D protejează circuitul integrat. figura 4. Condensatorul C1 este indispensabil în montaj. figura 4.17) . Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesită un număr redus de componente discrete externe (pasive şi active).5V superioară tensiunii de ieşire U0. reducând suplimentar tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului. Exemplificând. în prezent se realizează circuite stabilizatoare de tensiune fixă şi curenţi de sarcină relativ mari. în special atunci când STC se află la o distanţă oarecare faţă de circuitul de filtrare care îl precede (la ieşirea redresorului).pentru tensiuni mari (b).15) b) pentru stabilizarea tensiunilor mici (U2 < Ur). prin limitarea tensiunii inverse care poate să apară între intrare şi ieşire.9). fiind prevăzute cu trei terminale: intrare. deoarece în afara circuitului integrat sunt necesare numai două condensatoare iar prezenţa diodei de protecţie este facultativă.Stabilizatoare electronice 79 (a). în montajele la care tensiunea de ieşire se menţine şi după anularea tensiunii de intrare (cazul montajelor cu sarcini capacitive importante).

Tensiunea de ieşire a stabilizatorului LM317 poate fi reglată între 1.25⋅(1 + R2/R1) (4.11 este prezentată schema unui stabilizator de tensiune variabilă utilizând circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni negative).18) reprezintă circa 0.2V şi 37V. Variaţiile curentului rezidual Ir în funcţie de curentul de ieşire ar putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieşire.. se alege R1 = 120 Ω pentru stabilizatorul LM7805 utilizat în acest caz.9 i se ataşează un divizor rezistiv la care unul dintre rezistoare este reglabil. nu este indicat să se depăşească plaja de variaţie a tensiunii de ieşire.80 Capitolul 4 Stabilizatoarele integrate pot îndeplini şi funcţia de regulatoare de tensiune. la un curent maxim de 1. este prezentat un variator de tensiune (în limite mici) utilizând circuitul specializat 7805.8. Întrucât valoarea cea mai mare a . Variaţiile curentului rezidual Ir (în funcţie de curentul de ieşire) vor avea o anumită influenţă asupra tensiunii de ieşire când se reglează valoarea lui R2 către maxim. dacă schemei din figura 4. faţă de tensiunea nominală. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Tensiunea obţinută la ieşire are expresia: curentului Ir este de 8 mA.10.5V în cazul stabilizatorului de 5V. astfel încât prin el să treacă un curent de cel puţin cinci ori mai mare decât curentul rezidual (IR1 ≥ 5 Ir). Figura 4. Din motive de stabilitate. Pentru un stabilizator de 15V. se adoptă R1 = 390 Ω. Din acest motiv se alege R2 ≅ R1/2. Tensiunea de ieşire se poate determina folosind relaţia: Uout = 1.5A. În figura 4.10.. cu mai mult de 50%. Şi în acest caz protecţia împotriva suprasarcinilor rămâne activă în condiţia că tensiunea de intrare nu depăşeşte valoarea maximă admisă (de firmă) care este de regulă de 35 V. Astfel. realizat cu circuitul LM7815.19) U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4.8 mA. Pentru a minimiza acest efect se alege rezistorul R1.18) Curentul Ir (obţinut la pinul 3) are valori cuprinse în domeniul 4. Stabilizator integrat de tensiune fixă (5V) Figura 4.9. Schema de principiu pentru un stabilizator integrat – tensiune fixă Figura 4. În acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de ieşire (4. în figura 4.

suplimentar.11.Stabilizatoare electronice 81 Figura 4. Diodele D1 şi D2 au rolul de proteja circuitul integrat în cazul apariţiei unor descărcări inverse ale condensatoarelor. factorul de rejecţie global. baza de calcul suferă o modificare generată de faptul că stabilizatoarele variabile dezvoltă o tensiune de referinţă egală cu 1. . totuşi. Observaţii: Deşi schema utilizată în cazul stabilizatoarelor ajustabile de tensiune este identică cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Condensatorul C3 are rolul de a ameliora. între pinul ADJ şi pinul VOUT (de ieşire).25V.

CAPITOLUL 5

REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere
Pentru ilustrarea unor noţiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor în mutatoare se consideră cel mai simplu redresor comandat, în schema monofazată, monoalternanţă, cu sarcină rezistivă (figura 5.1). El conţine un dispozitiv de comandă pe grilă, DCG, la intrarea căruia se aplică semnalul de comandă, uc. Scopul urmărit este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de comandă uc.

Figura 5.1. Redresor comandat monoalternanţă

Figura 5.2. Circuit de defazare

După modul cum DCG realizează amorsarea tiristorului (intrarea în conducţie), există două metode de comandă pe grilă: comanda pe orizontală şi comanda pe verticală. Dispozitivul de comandă pe grilă transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la fiecare semialternanţă pozitivă a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc amorsarea tiristorului. Până la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul. După deschiderea tiristorului curentul variază proporţional cu tensiunea aplicată u2.

iG care produce amorsarea tiristorului, se numeşte unghi de amorsare şi s-a notat cu αa.
Intervalul cuprins între începutul semialternanţei pozitive şi apariţia impulsului amorsare αa1 şi curentul mediu prin tiristor este proporţional cu suprafaţa dintre curba Din figura 5.3 se observă că modificarea unghiului de amorsare se realizează (1) prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizează unghiul de

ωt

Redresoare comandate de mică putere

83

şi abscisă. Tensiunea continuă de pe rezistenţa de sarcină, proporţională cu valoarea curentului mediu, rezultă mai mică decât în cazul când unghiul de amorsare este zero, adică la redresorul necomandat. Dacă unghiul de amorsare creşte la (2) valoarea αa2, corespunzătoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o valoare proporţională cu suprafaţa dublu haşurată.

ia

Figura 5.3. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe orizontală

Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comandă, se poate modifica unghiul de amorsare de la 0° la 180° şi tensiunea continuă variază de la 100% la zero. Acest principiu este valabil în ambele metode de comandă pe grilă (comanda pe orizontală şi comanda pe verticală). La comanda pe orizontală, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin deplasarea pe orizontală a unei tensiuni alternative de comandă. În figura 5.3-c este prezentată această tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel construit, încât se generează impulsurile iG în momentul trecerii tensiunii u~ prin zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aşa cum este cel din figura 5.2. În acest caz comanda defazajului, deci şi a tensiunii redresate, se face printr-o acţiune de reglare manuală asupra reostatului R. Dacă se impune ca tensiunea continuă să fie ajustată printr-un semnal de comandă uc, DCG trebuie să conţină un oscilator electronic care generează o tensiune periodică, liniar variabilă în timp, uLV, precum şi un circuit ce formează un impuls de comandă, iG, atunci când se produce intersectarea tensiunilor uLV şi uc pe panta

83

84

Capitolul 5

descendentă a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comandă conduce la modificarea corespunzătoare a fazei impulsurilor iG. Comanda pe verticală a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrată în figura 5.4. Dispozitivul de comandă pe grilă (DCG) generează iniţial o tensiune alternativă U~, defazată cu 900 în urma tensiunii U2. (a ) Impulsul de comandă pe grilă i G se formează iniţial la intersecţia cu abscisa (pe porţiunea ascendentă a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de amorsare a tiristorului are valoarea iniţială αa = 90 . Principiul comenzii pe verticală constă în variaţia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe verticală a tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micşorarea sau creşterea unghiului de amorsare faţă de unghiul iniţial αa. Pentru a realiza deplasarea pe verticală a tensiunii U~, la nivelul DCG se însumează o tensiune continuă de comandă (Uc – pozitivă sau negativă) cu tensiunea U~.
0

Figura 5.4. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe verticală

Redresoare comandate de mică putere
Ajustarea tensiunii de comandă astfel: a. Creşterea tensiunii

85

Uc determină reglarea unghiului de amorsare (Uc > 0) are [00 ... 900], iar
ca efect reglarea valoarea medie a

Uc

în valori pozitive

unghiului de amorsare

tensiunii redresate creşte (proporţional cu valoarea unghiului de conducţie α1) în cadrul unei semialternanţe pozitive; b. Creşterea tensiunii Uc în valori negative

(α1)

în intervalul

(Uc < 0) are ca efect reglarea 0 0 unghiului de amorsare (α2) în intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a tensiunii redresate scade proporţional cu creşterea unghiului α2, între [900 ... 1800].

[0 [0% ... 100%] din Ur.

0

Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, în domeniul ...1800], iar tensiunea medie redresată poate fi ajustată continuu, în domeniul

La evaluarea comparativă a performanţelor redresoarelor având comandă pe orizontală faţă de cele ce au comanda pe verticală, un criteriu important este forma dependenţei tensiunii continue U0 în raport cu semnalul de comandă uc. Expresia tensiunii continue sarcină rezistivă este: 2π

U0

la un redresor monofazat comandat cu

1 U0 = 2⋅π


0

1 u r d ( ωt ) = 2⋅π

αa

π

2 ⋅U 2 sin(ωt ) ⋅ d(ωt ) =
(5.1)

=

2 ⋅U 2 (1 + cos α a ) 2⋅π

La comanda pe orizontală, figura 5.3.d, unghiul de amorsare în funcţie de tensiunea de comandă uc prin relaţia:

αa se exprimă
(5.2)

α a = π ⋅ (1 −

uc

Înlocuind α a în relaţia (5.1) rezultă:

u c max

)

U0 =

π uc 2 ⋅U 2 (1 − cos ) 2⋅π u c max

(5.3)

deci dependenţa U0 = f(uc) este neliniară. La comanda pe verticală, considerând că tensiunea de comandă maximă, ucmax, este egală cu amplitudinea tensiunii u~ , relaţia dintre unghiul de amorsare

(αa) şi tensiunea uc este:
α a = arccos(

uc u c max

)

(5.4)

Înlocuind relaţia 5.4 în ultima formă a relaţiei 5.1 se obţine:

85

5.86 Capitolul 5 U0 = 2 ⋅U 2 uc (1 + ) u c max 2⋅π (5.Ieşire (E2) 15. care pot fi realizate cu ajutorul componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate.Masă − 13. 5.Sincronizare paralel Figura 5. întrucât redresorul comandat poate fi utilizat ca element de execuţie într-un sistem liniar de reglare automată (de exemplu reglarea turaţiei motorului de curent continuu).Intrare de sincronizare 10. destinat comenzii în fază a elementelor de redresare. Dispozitiv de comandă pe grilă realizat cu ßAA-145 . Făcând abstracţie de schema electronică detaliată prezentată în [9].Rampă de tensiune 8.Ieşire ( E1 ) 11. semnificaţia terminalelor (pinilor) este următoarea: 1.Ieşire monostabil 3. este circuitul integrat ßAA-145.Alimentare (+V) 2. Unul dintre cele mai utilizate circuite integrate.Comandă durată (tp) 14.Blocare impuls 7.5) deci.5.Alimentare ( I ) 6.Comandă fază ( V8 ) 9. Această proprietate reprezintă un avantaj important al comenzii pe verticală faţă de comanda pe orizontală. dependenţa U0 = f(uc) este liniară. Schema electronică test pentru o aplicaţie tipică (cu posibilităţi de comandă a două tiristoare) realizată cu circuitul integrat ßAA145 este prezentată în figura 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor Pentru reglarea unghiului de conducţie a tiristoarelor şi/sau triacurilor se pot utiliza dispozitive electronice specializate.Referinţa de tensiune (-V) 16.

Variaţia unghiului de conducţie în raport cu tensiunea de comandă (V8) este prezentată în figura 5. asociat cu divizorul rezistiv pentru alimentarea pinului de sincronizare (9). 87 .7. se obţin la pinii 10 şi 14. această valoare fiind un parametru de catalog. pentru separare galvanică (220V~/24V~). Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu ajutorul unui potenţiometru semireglabil (Rt) de 250 KΩ conectat la pinul 11. Acest circuit permite reglarea unghiului de conducţie (φ) în domeniul 0-180 grade. Variaţia unghiului de conducţie Figura 5.8V. Diagrama impulsurilor de comandă Impulsurile de comandă. ce urmează a fi aplicate pe porţile tiristoarelor sau triacurilor. Figura 5..6.6. În acest caz valorile rezistenţelor divizorului se adoptă astfel încât curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) să aibă valoarea de 10 mA..Redresoare comandate de mică putere 87 Observaţie: Este recomandat să se utilizeze un transformator coborâtor de tensiune. atunci când tensiunea de comandă aplicată la pinul 8 variază în domeniul 0.

Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată (cu sarcină inductiv-rezistivă) este prezentată în figura 5. acest interval defineşte unghiul de comandă (α) pentru tiristoare. Momentul în care tensiunea pe tiristor este nulă şi urmează să devină pozitivă în sensul anod . se alege ca moment de referinţă pentru comanda pe grilă.. Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porţile tiristoarelor/triacurilor prin intermediul unor transformatoare de impulsuri. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunzătoare a tiristoarelor din circuit. În raport cu referinţa.88 Capitolul 5 Cele două impulsuri de comandă (V10 şi V14) sunt decalate permanent cu un unghi constant de 180 grade. dar unghiul de conducţie ϕ se poate regla în intervalul 0. tensiunea de ieşire Ud este reglabilă în limitele [0. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul în care tensiunea lor în sensul anod – catod este pozitivă. realizate cu miezuri de ferită şi dimensionate corespunzător.100%]. În punctul A al diagramelor.. 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte În cazul redresorului semicomandat. în cazul redresorului monofazat.7. Momentul de referinţă pentru unghiul de comandă este momentul trecerii prin zero a tensiunii reţelei. începe ieşirea din conducţie a tiristorului T2 şi intrarea în conducţie a diodei D1.8.8.9. Întrucât impulsurile de comandă (V10 şi V14) sunt de mică putere. . Figura 5..catod. iar formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor prin circuitul redresor-sarcină sunt date în figura 5.180 grade datorită translaţiei pe orizontală a celor două impulsuri. Aceste transformatoare realizează separare galvanică Între circuitul de forţă (tiristor sau triac) şi circuitul de comandă unde se află circuitul integrat βAA – 145. acestea trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington. impulsul de amorsare (aprindere) a fiecărui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil. figura 5. Exprimat în radiani. Unghiul de comandă (α) exprimă intervalul de timp cuprins între momentul începutului blocării tiristorului T1 şi momentul în care începe conducţia tiristorului T2.. Blocarea impulsurilor de comandă (inhibarea circuitului ßAA-145) se poate face conectând pinul 6 la masă.

Figura 5. iar tiristorul T2 se blochează natural în momentele A. După intervalul de conducţie γ 2 .6) unde: US – este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 ). Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor 89 . C şi E. Tensiunea redresată Ud pe sarcină (LS. α – este unghiul de conducţie al tiristoarelor. D1 şi respectiv T2. Tiristorul T1 se stinge natural în punctele (momentele) B şi D. π (5. Tensiunea medie redresată (Ud) este dată de relaţia: Ud = 2 U S (cos α + 1) . RS) se obţine în intervalele de timp în care are loc conducţia simultană pe T1.9. curentul de sarcină trece în întregime prin T1 şi D1.Redresoare comandate de mică putere 89 Intervalele de comutaţie γ1 şi γ 2 definesc timpii necesari blocării tiristoarelor şi intrării în conducţie a diodelor. D2 .

K TR = 8. LS. 5. R S = 50 [ Ω ] . R = 200 [ Ω ] . diodele de acelaşi indice (nume) joacă rolul de redresor. b) Durata de conducţie a diodelor este mult mai mare decât durata de conducţie a tiristoarelor. Care este rolul şi seminificaţia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat βAA145.4 Întrebări şi problemă 1. interval de timp necesar preluării conducţiei de la tiristoare de către diode. Valoarea minimă a unghiului de comandă (α) se adoptă în intervalul 5÷8 grade electrice. c) Unghuiul de conducţie θ al diodei Zenner. faţă de metoda comenzii pe orizontală (în cazul redresoarelor comandate) ? 2. specializat pentru comanda în fază a tiristoarelor şi triacurilor? Problemă Se dă circuitul de redresareşi stabilizare din figură pentru care se cunoaşte: u1 ( t ) = 240 ⋅ sin ( ωt ) [ V ] . d) Valoarea curentului de sarcină (I S ) . asigurând curentul neîntrerupt prin sarcina RS. Ce avantaj oferă comanda pe verticală. b) Tensiunea între punctele M şi N (U MN ) . U Z = 9.1[ V ] . iar în intervalul unghiului de comandă cele două diode D1 şi D2 joacă rolul de protecţie (descărcare) împotriva tensiunilor de autoinducţie ce apar în momentul blocării tiristoarelor. rDZ = 8 [ Ω ] . α c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului ) Se cere: a) Tensiunea medie redresată U 0 . c) Tensiunea redresată (Ud) creşte dacă unghiul de comandă α scade.90 Capitolul 5 Observaţii: a) Pe durata conducţiei tiristoarelor.

În mod similar.2. Realizarea identităţii logice. operează cu propoziţii. circuitul se . acesta îşi deschide contactul. Fiecărei propoziţii i se poate asocia o variabilă. Acestei propoziţii i se poate asocia variabila binară x. luate din domeniul schemelor de comandă cu relee şi contacte. la care interesează veridicitatea acestora. Boole. contactul butonului X este normal închis. Figura 6.CAPITOLUL 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6. propoziţia: “butonul X este acţionat” (figura 6.1. Definirea funcţiilor logice elementare. propoziţiei “releul Y este acţionat” (figura 6. care are valoarea 1 dacă propoziţia este adevărată (butonul fiind acţionat. Când butonul este acţionat. În cadrul schemei din figura 6. 2 Negaţia logică. Referindu-ne la cele două propoziţii menţionate anterior constatăm că în schema din figura 6. numită variabilă logică sau binară. contactul electric este închis) şi valoarea 0 dacă propoziţia este falsă (contactul electric deschis). Ilustrând această idee prin exemple simple.2.1 Funcţii logice elementare Algebra logicii. se vor introduce – în cele ce urmează – funcţiile logice elementare. având o semnificaţie asemănătoare. 1 Identitatea logică.1-a). Figura 6. numită şi algebră booleană (după numele matematicianului irlandez G. Veridicitatea unei propoziţii poate să depindă de veridicitatea altor propoziţii. 1815-1864).1-a. când propoziţia este adevărată şi valoarea 0 când propoziţia este falsă. conform căreia o propoziţie poate fi adevărată sau falsă. care are valoarea 1. Deci se obţine identitatea logică: y≡x (6. În algebra booleană se utilizează logica bivalentă.3. Fie de exemplu. propoziţia a doua este adevărată când prima propoziţie este adevărată şi invers.1) Identităţii logice îi corespunde tabelul de adevăr 6.1-b) i se poate asocia variabila binară y.

3 se constată că numai atunci când x1 şi x2 au valoarea logică 1. de unde rezultă: y = x1 ⋅ x 2 (6. conjuncţia logică se realizează cu n variabile binare. disjuncţia logică poate conţine n variabile binare. Disjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1+x2 şi are valoarea 1 dacă una dintre variabile are valoarea 1.1 Tabelul 6. Din tabelul de adevăr 6. sau ambele variabile au valoarea 1.. Realizarea funcţiei logice SAU Tabelul 6. Din acest motiv. corespondenţa dintre variabila dependentă (y) şi cea independentă (x) este dată de tabelul de adevăr 6..5. Realizarea negaţiei logice Figura 6. Interpretarea fizică a acesteia este ilustrată prin schema dată în figura 6. ⋅ xn (6. situaţie în care funcţia ”ŞI” este: y = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ .4.2 al disjuncţiei logice arată că aceasta are valoarea 1 dacă x1 sau x2 au valoarea ”1” logic sau x1 şi x2 au valoarea logică 1.2 a) x y≡x x y= x 0 0 0 1 1 1 1 0 x1 x2 y=x1+x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 b) x ⋅x 4 Conjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin 1 2 şi are valoarea 1 dacă ambele variabile au valoarea 1.1-b..4) . iar releul Y nu va fi acţionat.4.. conjuncţia logică are valoarea 1. Realizarea fizică a funcţiei “ŞI” cu două variabile este dată în schema din figura 6.3) Generalizând.5) În cazul general. conjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “ŞI”. disjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “SAU”.3. Ca urmare. Tabelul de adevăr 6. Se realizează deci negaţia logică. + xn (6.2) Figura 6.6) În cazul negaţiei logice. situaţie în care funcţia ”SAU” este: y = x1 + x2 + x3 + . notată simbolic: y= x (6.92 Capitolul 6 întrerupe. din care rezultă: y = x1 + x2 (6.

8) x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 Din acest motiv.10) . şi 6. NUMAI.5 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 Tabelul 6. Funcţia logică NUMAI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. fapt ce exclude posibilitatea de a fi adevărate simultan cele două alternative implicate în propoziţie.6. de fapt.5 rezultă că funcţia NUMAI se obţine prin negarea funcţiei ŞI. Tabelul 6. iar în terminologia engleză NAND (Not –AND): x1 ↑ x 2 = x 1 ⋅ x 2 (6. iar în terminologia engleză este NOR (Not-OR).3 93 Figura 6.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6.4. se mai utilizează şi alte funcţii logice (derivate). funcţia SAU-EXCLUSIV este disjuncţia termenilor x1 ⋅ x 2 şi x1 ⋅ x 2 . Semnificaţia şi denumirea funcţiei este legată de interpretarea propoziţiilor de forma: “Maşina electrică funcţionează în regim de motor sau în regim de generator”. nici x2 nu sunt egale cu 1. cum sunt: NICI. funcţia NICI se mai numeşte funcţie SAU-NU.6 x1 x2 y= x1 ⋅ x 2 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 x1 x2 x1⊕x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 Din compararea tabelelor de adevăr 6. x1 x2 y= x1 + x 2 Tabelul 6. simbolizarea disjuncţiei logice şi respectiv a conjuncţiei logice realizate cu două variabile (ca în exemplul de faţă) se poate face astfel: y =x1 ∪ x2 .5. În afara acestora.2 şi 6.3. adică: (6. funcţia SAU negată: (6.7) Funcţiile logice NU. Se remarcă faptul că funcţia are valoarea 1.9) Observaţie: Şi în cazul funcţiilor NOR şi NAND.6. Comparând tabelele de adevăr 6. Funcţia logică NICI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.5.4. se constată că funcţia NICI reprezintă. SAU. acestea se pot realiza cu n variabile binare. adică se mai numeşte funcţia ŞI-NU. SAU EXCLUSIV etc. Funcţia logică SAU-EXCLUSIV a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1⊕x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. atunci când nici x1. y = x1 ∩ x2 (6.4. Uneori. În conformitate cu tabelul de adevăr 6. ŞI reprezintă funcţii elementare în algebra propoziţiilor.

ŞI. însă cu o structură mai simplă. se folosesc o serie de relaţii (proprietăţi) fundamentale. Relaţiile date în tabelul 6.9) precum şi teoremele lui De Morgan rezultă: (6.7. NUMAI şi SAU–EXCLUSIV prin intermediul funcţiilor elementare NU. se realizează astfel: x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 (6.8) şi (6.94 Capitolul 6 6. SAU.7 permit exprimarea funcţiilor NICI. ŞI.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii Pentru transformarea unor expresii logice în altele.13) (6. Tabelul 6. la funcţiile NU.11) x=x+x=x↓x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 (6.7 Nr.14) (6. crt. utilizând relaţiile de definiţie (6. SAU. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Proprietatea de idempotenţă Proprietatea de asociativitate Proprietatea de comutativitate Proprietatea de distributivitate Proprietatea de absorbţie Teoremele lui De Morgan Principiul contradicţiei Principiul terţului exclus Principiul dublei negaţii Denumirea relaţiei logice Proprietăţile constantelor logice 0 şi 1 x+0=x x ⋅0 = 0 x + 1 = 1 x ⋅1 = x x+x=x x⋅x=x (x1⋅x2)⋅x3 = x1⋅(x2⋅x3) (x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3) x1⋅x2 = x2⋅x1 x1+x2 = x2+x1 x1⋅(x2+x3) = (x1⋅x2)+(x1⋅x3) x1+(x2⋅x3) = (x1+x2)⋅(x1+x3) x1+x1⋅x2 = x1 x1⋅(x1+x2) = x1 x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x⋅ x =0 x+ x =1 x =x Astfel.12) Transformările inverse. date în tabelul 6.15) . Verificarea acestor proprietăţi se poate face cu uşurinţă utilizând tabelele de adevăr ale funcţiilor logice elementare. echivalente celor iniţiale. de la funcţiile NICI şi NUMAI.

+ ε1 )V → L " 1" logic → (+ E − ε 2 . De asemenea.. Punctul static de funcţionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe dreapta de sarcină în M” (regim de saturaţie) – corespunzător unei tensiuni neglijabile în colector.8 şi 6. Funcţiile logice se pot realiza şi cu ajutorul unor circuite electronice.13) … (6. când tensiunea în colectorul tranzistorului este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare.. E ) → H (6.8 Tabelul 6. punctul static poate fi în poziţia M’ (regim de blocare). Tranzistoarele utilizate în circuitele logice funcţionează în regim de comutaţie.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 95 (6. .19) . întrucât prin intermediul lor se poate exprima orice altă funcţie logică. ceea ce echivalează cu semnalul “1” logic.3 Circuite logice. ea va fi asimilată cu un element conductor ideal (contact închis).18) Relaţiile de transformare (6. . Regula de asociere: " 0" logic → (0. ceea ce echivalează cu semnalul “0” logic. cât şi funcţia NUMAI pot juca rolul unui sistem complet de funcţii elementare.18) sunt sintetizate în tabelele recapitulative 6. Diodele semiconductoare se consideră ideale (cu rezistenţă internă nulă). ceea ce le oferă o importanţă deosebită în circuitele logice de comandă.16) (6. Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice În § 6. În mod similar se consideră şi tranzistoarele unipolare. care lucrează în regim de comutaţie. .9. SAU formează un sistem complet de funcţii. .1 s-a arătat modul de realizare a funcţiilor logice elementare prin intermediul contactelor. se consideră ca un izolator ideal (contact deschis).17) x = x⋅x = x↑ x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 (6. căderea de tensiune pe tranzistor este mai mare decât la tranzistorul bipolar. Dacă dioda este polarizată în sens direct. cu deosebirea că în starea “0” logic (tranzistor saturat).13)…(6. iar dacă este polarizată invers.18) arată că atât funcţia NICI. în componenţa cărora intră diode şi tranzistoare. ŞI. Tabelul 6. numite circuite logice.. 6.High). Valorilor logice ”0” şi ”1” li se asociază două niveluri de tensiuni electrice: nivel coborât (L -Low) şi nivel ridicat (H .9 x 1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x 1 ↑ x 2 x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 x1 ↓ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 + x 2 = x1 ↑ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 În algebra propoziţiilor.. Relaţiile (6. funcţiile logice elementare NU.

deci y = 1. atunci când x1 = 0. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe dioda D2.6 este dată schema unui circuit logic NU (logică pozitivă). funcţionarea este similară. de exemplu..8.96 Capitolul 6 în care ε1 şi ε2 sunt toleranţe admise. deci rezultă y ≅ 0. Circuit ŞI Circuitele SAU-NU (NOR). realizat cu diode. Atunci când x1 = 1 şi x2 = 1. În figura 6. În figura 6. conducând D2. corespunde logicii pozitive şi se aplică. intrările sunt conectate la potenţialul bornei comune şi diodele D1. deci y = 0.. x2 = 0. lucrând în logica pozitivă. astfel încât y = 1. Dacă x1 = 1 şi x2 = 0. " l" logic → (− E + ε 2 . E. Funcţionarea acestui circuit este următoarea: dacă x1 = 0.20) Sub aspect tehnologic. x2 = 1.−ε1 ) V → L (6.− E ) → H Figura 6. adică tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V. adică ≅ 0V. baza este negativată (prin sursa –Eb). respectiv 6. tensiunea de intrare este ux. dioda D1 conduce. rezistoare şi tranzistoare) se obţin prin conectarea în serie a circuitului SAU. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe diodele care conduc. ambele diode sunt blocate (având semnal pozitiv la catozi).. respectiv circuitul ŞI-NU (NAND) realizate cu ajutorul componentelor discrete (diode. deci y = 0.7. circuitele logice conţineau componente discrete. iar la ieşire rezultă semnal logic y = 1. În primele variante constructive. se adoptă logica negativă. În mod similar rezultă y = 0 când x1 = 0. .8. Schema unui circuit ŞI cu două intrări. . căreia îi corespunde regula de asociere: " 0" logic → (0. dacă x1 = 1. Dacă x = 1. respectiv D2 conduc. cu circuitul NU.6. Dacă x1 = 0 şi x2 = 0. .10. toate punctele circuitului se vor afla la potenţial nul. . adică y = 1. iar D1 este blocată. ca de exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp. la ieşire se obţine o tensiune uy = 0 V. tensiunea de intrare ux este egală cu 0 V. . Schemele acestor circuite. Dacă x = 0. respectiv D1 şi D2. sunt date în figurile 6.7 este dată schema unui circuit SAU cu diode. Circuit logic NU Figura 6. În alte situaţii. respectiv ŞI.. conduce dioda D2. x2 = 0. deci la ieşire se obţine uy. deci y = 0. bornele de intrare având potenţialul +E ( E ≥ E1 ). E şi tranzistorul lucrează în saturaţie. x2 = 1 sau x1 = 1 şi x2 = 1. precum şi simbolizarea lor. D2 este blocată şi tensiunea de ieşire este egală cu cea de la prima intrare. Circuit SAU Figura 6. la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn. circuitele logice se pot realiza utilizând componente discrete sau sub formă de circuite integrate. în logică pozitivă este dată în figura 6. tranzistorul este blocat.9.

După tehnologia utilizată. realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS. La realizarea CLI bipolare s-au adoptat mai multe tipuri de structuri de bază. . Circuit SAU-NU (NOR) gura 6. a cărui schemă este dată în figura 6. Tranzistorul de intrare. Astfel curentul i în colectorul lui T1 este neglijabil. Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrările prin rezistenţe. potenţialul bazei este practic egal cu 0V iar joncţiunea bazăcolector nu conduce.TTL) În prezent circuitele logice se realizează aproape în exclusivitate sub formă de circuite integrate. este de tip multiemitor. în ordinea în care s-au succedat. T1.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 97 Figura 6. Dacă la una dintre intrări se aplică tensiunea 0V. Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul ŞI-NU. adică are o joncţiune bazăcolector şi mai multe joncţiuni bază-emitor. şi CLI-MOS.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND . DTL. circuitele logice integrate (CLI) se clasifică în: CLI bipolare. Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similară circuitelor cu componente discrete. joncţiunea bază-emitor respectivă conduce.Transistor-Logic) sunt în prezent cele mai utilizate CLI.10. în prezent nu mai sunt utilizate.9. tipurile: RTL. Circuit ŞI-NU (NAND) 6. conectate la bazele tranzistoarelor bipolare.11. adică intrarea respectivă se leagă la masă. Circuitele TTL (Transistor. TTL. în care se utilizează tranzistoare bipolare. Circuitele RTL şi DTL având performanţe reduse. dintre care menţionăm. HLL şi I2L.

Dacă la toate intrările se aplică tensiunea +E. stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea în saturaţie a tranzistorului T2. se asigură o cădere de tensiune pe rezistenţa RE.4 V pentru y=”0” logic VH 3. joncţiunile bazăemitor ale tranzistorului T1 nu conduc. Circuit ŞI-NU (NAND) TTL Tranzistorul T2 este blocat şi întrucât iE2 = 0. iar T4 ca un contact închis. tensiunea de ieşire este 0V. Practic. în această situaţie. generând curentul de sarcină. însă va conduce joncţiunea bază-colector. întrucât T3 este în conducţie (saturat). adică potenţialul bornei de ieşire este practic egal cu +E. Ca urmare. deoarece tensiunea bază-emitor aplicată acestuia este neglijabilă. Observaţii: Când ieşirea este ”1” logic (y = 1). Curentul iE2 fiind mare.12. Figura 6. tensiunea de ieşire este practic +E. 1 2 Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este prezentată în figura 6. deci y = 0.5 V pentru y=”1” logic Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V şi 5V.12. tranzistorul T3 se comportă ca un repetor pe emitor. deci şi acest tranzistor este blocat.98 Capitolul 6 Figura 6. iar curentul prin sarcina conectată la ieşire este asigurat de tranzistorul T3 care este în saturaţie. În acelaşi timp tranzistorul T3 este blocat. care determină saturarea tranzistorului T4. valorile tensiunilor pentru ”0” logic şi ”1” sunt: VH 0. potenţialul colectorului acestui tranzistor (T4). Întrucât T3 se comportă ca un contact deschis. . Deci. cât şi în situaţiile când mai multe intrări au tensiunea de 0V.11. Dioda D este conectată între tranzistorele T3 şi T4 din motive tehnologice. potenţialul bazei tranzistorului T4 este practic egal cu 0V.

13. T2 şi T’1.22) 6. Funcţionarea este următoarea: a) Dacă T2 sau T’2 este saturat. Perechile de tranzistoare T1.21) VD – este căderea de tensiune pe dioda D.) − VD R C3 (6.) − VCE (T4 − sat. Astfel T3 îl ”surprinde” pe T4 în conducţie. la ieşire se obţine V0=”1” logic (+E volţi). iar T4 este blocat. În starea ”1” logic tensiunea VH la ieşirea porţii TTL este: VCE (T4 − sat. atunci tranzistorul T3 va fi saturat.tensiunea colector-emitor când T3 este saturat. adică VIA sau VIB au valoarea „1” logic (+E volţi). Figura 6.) . b) Dacă T2 şi T’2 sunt blocate.) . Expresia curentului maxim de impuls în colector (ICC-max) la ieşirea porţii TTL este: I CC − max = unde: VCC − VCE (T3 − sat. VH = VCC − VCE (T3 − sat.) − VD (6. Poarta TTL (NOR) Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizează funcţia logică F ="1" = V0 = A + B = A ⋅ B . VCE (T3 − sat. .4.13. într-un interval de timp foarte scurt (de ordinul microsecundelor). Cauza conducţiei simultane este aceea că T3 comută mai rapid în conducţie decât comută T4 în starea de blocare. ce are schema electrică prezentată în figura 6. deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat.tensiunea colector-emitor când T4 este saturat. Observaţie: T2 sau T’2 sunt saturate dacă T1 sau T’1 sunt blocate.1. T’2 formează două etaje de intrare conectate în paralel pe rezistoarele R2 şi R3. când acesta ar trebui să fie deja blocat.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 99 Observaţie: În timpul funcţionării (la trecerea din starea ”0” logic în starea ”1” logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor T3 şi T4. Deci la ieşirea F se obţine V0=”0” logic. atunci când T1 şi T’1 sunt saturate. Poarta logică integrată NOR (SAU-NU) În cele ce urmează se prezintă poarta integrată NOR (SAU-NU) realizată cu numai 2 (două) intrări.

iar y1. b) Simbolizarea circuitului combinaţional Asociind elementelor de intrare-ieşire variabile binare.14-a).) sunt funcţii booleene. fr(. u 2 . în momentul considerat.elemente de intrare: U1.14-b. Figura 6... ….. Circuitele logice combinaţionale sunt acele circuite de comandă la care setul mărimilor de ieşire. u2. . în orice moment. Yr. La ieşirea F se obţine ”0” logic dacă una dintre intrări (sau ambele) au nivel de tensiune ”1” logic. …. U2..ansamblul elementelor de comandă (contacte sau circuite logice). schema de comandă se poate reprezenta ca în figura 6.. În privinţa circuitelor logice combinaţionale se pot formula două categorii de probleme: . f2(..5 Circuite logice combinaţionale 6. Mărimile de intrare sunt variabile binare independente..23) în care f1(.). Circuitele logice combinaţionale sunt descrise prin ecuaţii ieşire-intrare de forma: y1 = f1 (u1.5. a) Circuit combinaţional.1 Noţiuni generale Fie un circuit de comandă (figura 6.). u m ) (6. u m ) M y 2 = f 2 (u1. îi corespunde în mod univoc o anumită situaţie a elementelor de ieşire. .100 Capitolul 6 când ambele intrări sunt legate la masă. . unei situaţii date a elementelor de intrare (acţionate sau neacţionate).... lămpi de semnalizare etc. . Y2. iar mărimile de ieşire sunt variabile binare dependente. y2. contacte ale unor relee din alte scheme de comandă etc. u 2 .14. 6. yr – mărimi de ieşire. Um. Cu alte cuvinte. um se numesc mărimi de intrare. caracterizat prin următoarele elemente: . u m ) M y r = f r (u1. ale căror structuri sunt cunoscute. . notate cu litere mici.elemente de ieşire: Y1. înfăşurări ale robinetelor electromagnetice. adică funcţii în care variabilele logice sunt legate prin operaţiile din algebra logicii. …. …. reprezentând contacte de butoane şi de limitatoare de cursă. în care u1. este determinat în mod univoc de o combinaţie dată a mărimilor de intrare. reprezentând înfăşurări de relee şi/sau contactoare. . u 2 ..

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale
analiza circuitelor logice combinaţionale; sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaţionale.

101

6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
Într-o problemă de analiză se dă structura circuitului combinaţional, starea elementelor de intrare (dacă sunt acţionate sau nu) şi se cere starea elementelor de ieşire. O problemă de analiză, de tipul celei formulate, se rezolvă în trei etape: • pornind de la schema circuitului combinaţional, se asociază variabile binare elementelor fizice de intrare-ieşire şi se scrie funcţia logică corespunzătoare schemei date; • se înlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, după starea elementelor de intrare respective; • se evaluează expresia logică, deteminând variabila dependentă (mărimea de ieşire): dacă aceasta este 1, elementul de ieşire este acţionat, iar dacă expresia logică are valoarea 0, elementul de ieşire este neacţionat.

Figura 6.15. Schema de comandă cu releu şi contacte

Figura 6.16. Schema de comandă echivalentă schemei din figura 6.22

Vom ilustra procedura descrisă prin intermediul schemei de comandă cu relee şi contacte dată în figura 6.15. Aici, U1, U2 şi U3 sunt contacte normal deschise şi normal închise ale unor elemente de comandă, limitatoare de cursă etc. Aşa cum s-a arătat în § 6.1, contactelor normal deschise li se asociază variabile binare, notate cu litere mici fără bară de negare, iar contactelor normal închise li se asociază variabile binare negate (cu bară de negare). Acţionarea unui contact normal închis reprezintă deschiderea sa. Asociind o variabilă binară, y, elementului de ieşire, Y, schema de comandă poate fi reprezentată ca în figura 6.16. Cunoscând realizarea funcţiilor logice elementare utilizând contacte, variabila de ieşire y (figura 6.16) se poate exprima cu uşurinţă prin intermediul variabilelor de intrare u1, u2 şi u3:

y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u 1 3

(6.24)

Presupunem că, în cadrul problemei de analiză, se cere starea elementului de ieşire atunci când U1 şi U2 sunt acţionate iar U3 este neacţionat. Punând în expresia (6.24) u1 = u2 =

1 şi u3 = 0, se obţine:

y = (1 ⋅ 1 ⋅ 0 + 1 ⋅ 1 ⋅ 0) ⋅ 1 + (1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1) ⋅ 0 = 1
deci elementul de ieşire este acţionat. Formularea problemelor de analiză a schemelor combinaţionale poate fi completată în sensul determinării unei scheme de comandă mai simplă, însă echivalentă cu cea iniţială, sau al stabilirii unei scheme de comandă cu aceleaşi funcţiuni, însă realizată prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvările

102

Capitolul 6

acestor completări din formularea problemelor de analiză constituie, în acelaşi timp, soluţii ale unor etape din procedura de sinteză (proiectare) a schemelor combinaţionale. Fie schema de comandă din figura 6.15. Se cere o schemă echivalentă cu aceasta, însă mai simplă, adică realizată cu un număr mai mic de elemente. Pentru simplificarea schemei de comandă se procedează la minimizarea funcţiei booleene (6.24), adică la aducerea acesteia la o formă cât mai simplă. Utilizând relaţiile fundamentale din algebra booleană, se obţine:

(6.25) Ţinând seama de proprietăţile de idempotenţă, terţ exclus şi contradicţie, din ultima expresie se obţine: (6.26) y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 Mărimea de ieşire (y) s-a exprimat printr-o disjuncţie a unor conjuncţii logice. Funcţia booleană corespunzătoare se exprimă în forma canonică disjunctivă. Constituenţii disjuncţiei se numesc mintermeni. Pentru obţinerea formei canonice disjunctive minimale se pot utiliza mai multe metode: a) metoda alipirilor (metoda grupărilor); b) metoda diagramelor Karnaugh; c) algoritmul Quine-McCluskey. Dacă numărul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomandă metodele b sau c. Pentru exemplul anterior, având în vedere numărul redus de mintermeni, vom utiliza metoda grupărilor. Termenii vor fi grupaţi câte doi, astfel încât fiecare pereche să aibă numai un singur termen diferit în conjuncţiile respective. Astfel, primii doi mintermeni se pot grupa având u 2 u 3 ca parte comună în conjuncţii. La fel, primul şi al treilea, se pot grupa având u 1 u 3 ca parte comună. Pentru a nu rămâne un mintermen necuplat, în expresia (6.25) se adaugă în disjuncţie mintermenul existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilalţi doi):

y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3
Această expresie este

(6.27)

identică cu cea precedentă, deoarece u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietăţii de idempotenţă. Grupând primii doi mintermeni, precum şi următorii doi, din relaţia 6.27, prin utilizarea proprietăţii de distributivitate se obţine: y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28) şi, deoarece u1 + u1 = 1 şi u 2 + u 2 = 1, în conformitate cu principiul terţului exclus rezultă forma minimală a funcţiei logice: y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29) Se constată cu uşurinţă că funcţia booleană în forma canonică minimaldisjunctivă nu se poate simplifica mai mult. Forma minimală a funcţiei booleene se prezintă ca o disjuncţie a unor termeni numiţi implicanţi primi ai funcţiei. Deci, în esenţă, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funcţiei logice iniţiale se reduce la deducerea implicanţilor primi ai acesteia. Corespunzător ecuaţiei (6.29) se poate desena schema de comandă minimală din figura 6.17, echivalentă cu schema iniţială din figura 6.15.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale

103

Realizarea cu circuite logice NU, ŞI, SAU a circuitului de comandă corespunzător funcţiei logice (6.29), se face prin schema dată în figura 6.18. Dacă se pune problema deducerii unei scheme de comandă realizată cu elemente NAND, se transformă funcţia (6.29) după cum urmează:

y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) ↑ (u1 u 3 ) = (u 2 ↑ u 3 ) ↑ (u 1 ↑ u 3 )

(6.30)

Utilizând module NAND cu două intrări, rezultă schema circuitului de comandă din figura 6.19.

Figura 6.17. Schema de comandă minimală echivalentă schemei din figura 6.15

Figura 6.18. Schema echivalentă a realizată funcţiei logice (6.28)

Figura 6.19. Schema echivalentă a funcţiei logice (6.28) cu module NAND

6.6 Circuite logice secvenţiale
Aşa cum s-a arătat în § 6.5.1 mărimile de ieşire ale unui circuit combinaţional sunt determinate univoc, în orice moment, de mărimile de intrare din momentul respectiv. În cazul circuitelor logice secvenţiale, mărimile de ieşire la momentul k, k k k notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mărimile de intrare k k k u1 , u 2 ,..., u m , ci şi de starea internă a circuitului din momentul anterior, k −1 k −1 k −1 (figura 6.20). caracterizată prin mărimile de stare x1 , x 2 , ... , x n Variabilele de stare descriu evoluţia (istoria) circuitului, în sensul că la momentul k ele depind atât de valorile anterioare, din momentul k–1, cât şi de mărimile de intrare ale circuitului. Din cele menţionate rezultă că un circuit logic secvenţial este caracterizat de două seturi de ecuaţii: ecuaţiile de stare şi ecuaţiile de ieşire. Ecuaţiile de stare leagă mărimile de stare din momentul k, de mărimile de stare din momentul anterior, k–1, şi de mărimile de intrare. Ele pot avea două forme:

. 2. x. ecuaţiile de ieşire ale unui circuit secvenţial sunt de forma: k k k k k k k (6.104 Capitolul 6 k k −1 k −1 k −1 k k x i = f i ( x1 . Din acest motiv. x 2 .33) y j = g j ( x1 . .31) k −1 sau k unde i =1. x n .32) g(·) sunt funcţii logice cunoscute.. Circuitele logice secvenţiale se încadrează în categoria generală de sisteme dinamice. r. . având diagrama de tranziţie a stărilor din figura 6. respectiv în momentul k – 1..21. Se constată că s-a eliminat combinaţia (1. variabilele din circuit (6. . mărimile de stare şi mărimile de intrare ale acestuia. u m ) unde x i = f i ( x1 k −1 . Circuit logic secvenţial. la care corespunde tabelul 6. având particularitatea că au un număr finit de stări. după cum mărimile de intrare se consideră în momentul k. n Deci. notate convenţional prin 0 şi 1.31) şi (6. Tranziţia stărilor se face sub acţiunea unor semnale de intrare. x n .20.. la fel ca şi cele de intrare-ieşire. u m ) Figura 6. variabile binare.. u1 . . u1 k −1 . u m ) (6. u 2 . ele se mai numesc automate finite. . . .. care ilustrează grafic modul cum se realizează trecerea dintr-o stare în alta. Fie un circuit elementar cu două intrări u1. x n k −1 . . .... u1 .. . Este evident că cele două stări pot fi codificate printr-o singură variabilă de stare binară.32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare în alta.6. 6. . sub acţiunea mărimilor de intrare. . Ecuaţiile de ieşire exprimă legătura dintre mărimile de ieşire ale circuitului secvenţial.. x2 k −1 . . Din acest motiv ele se mai numesc ecuaţii de tranziţie a stărilor. x 2 . În cazul general.. .. Variabilele de stare sunt.1 Circuite secvenţiale elementare În cele ce urmează se vor considera câteva circuite secvenţiale cu numai două stări..1) a variabilelor de intrare. circuitul secvenţial se poate afla în 2 stări (n este numărul variabilelor de intrare).. u2 şi o ieşire y = x. 2. sub acţiunea semnalelor de intrare. Ecuaţia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziţie a stărilor.10 de tranziţie a stărilor. Ecuaţiile (6.. obţinându-se – în esenţă – clasa circuitelor basculante (triggere).. realizate într-o formă specifică. n. iar j = 1. ..

considerând variabila u1k borna S (set = inscriere). funcţiei din paranteză.35) x k = x 2 u1 + x k −1 . Diagrama de tranziţie a unui circuit secvenţial elementar Ecuaţia de stare a circuitului este: k k k k −1 k k k −1 k k k −1 x = ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + (u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) (6.21. pe baza notaţiilor anterioare s-a obţinut expresia x k = m ⋅ n care arată că funcţia dorită x k = m ⋅ n . Prin redesenarea ei. este necesar să se aplice operaţia de dublă negaţie peste funcţia (6. va mai suporta o operaţie suplimentară de negare.36) şi rezultă: k k x k = u 2 ⋅ ⎛ u1 ⋅ x k −1 ⎞ .36). .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6. iar variabila u2k borna R (reset = ştergere) se obţine bistabilul S–R cu elemente NAND reprezent ca în figura 6. Dacă se impune realizarea circuitului de comandă cu elemente (module) NAND funcţia logică minimizată (6.34) Se minimizează funcţia logică utilizând metoda grupărilor (1-3) şi (2-3): k k k k k k k k x k = ⎛ u 2 ⋅ x k −1 ⎞ ⋅ ⎛ u1 + u1 ⎞ + ⎛ u 2 ⋅ u1 ⎞ ⋅ ⎛ x k −1 + x k −1 ⎞ = ⎛ u 2 ⋅ x k −1 ⎞ + ⎛ u 2 ⋅ u1 ⎞ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ sau k k (6. Ultima relaţie (6.10 105 Figura 6. cerută de proprietatea dublei negaţii.36) ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎛ k ⎞ k Notând (convenţional) n = u 2 şi m = ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ se observă că pentru a ⎝ ⎠ obţine expresia unei funcţii de forma x k = m ⋅ n este necesară operaţia de negare peste întreaga funcţie (6. Pentru aceasta se aplică proprietatea dublei negaţii şi una din teoremele lui De Morgan.35) se transformă într-o expresie de forma ( ) x k = m ⋅ n . dar pentru a nu schimba valoarea funcţiei x k .35) reprezintă funcţia logică minimizată. (6.37) ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ Această realaţie satisface expresia unei funcţii logice NAND (SI . şi se obţine: ⎞ ⎞ k ⎛ k k ⎛ k x k = u 2 ⋅ ⎜ u1 + x k −1 ⎟ = u 2 ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ (6.22-a. Schema circuitului ce corespunde ecuaţiei (6.37) este dată în figura 6.22-b.NU) deoarece.

1) (combinaţia (0. b) Schema de comandă din figura 6. îl reprezintă schema electrică de comandă (pornire-oprire) a unui motor asincron trifazat. la care diagrama de stare este dată în figura 6.25-a reprezintă o celulă de memorie. Diagrama de tranziţie a bistabilului din figura 6.21. deci când y = 1 k (prezentate în tabelul de trantziţie 6. În acest caz starea curentă (y ) are valoarea ”1” logic. Bistabil SR cu elemente ŞI–NU: a şi b – structura. a cărui funcţionare corespunde tabelului de tranziţie 6. iar motorul rămâne .23.25-a. Se observă că motorul este alimentat de la reţeaua trifazată numai dacă contactorul Y este anclanşat.22. întrucât acţionarea simultană a butoanelor BP şi BO este fără sens (motorul nu ar porni).10. Cu alte cuvinte. Starea curentă a k k motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 şi u 2 ) date prin butoanele de pornire şi oprire. ci şi de starea anterioară (pornit-oprit) a motorului k-1 k notată prin y . c – simbolizarea. adică numai atunci când contactele sale normal-deschise (y) se vor k închide. Observaţii: a) Comanda (1.1) este eliminată. funcţionează conform diagramei de lucru din figura 6. bascularea dintr-o stare în alta se face prin aplicarea semnalului logic 0 la una din intrări. b. Dacă se elimină circuitele NU de la intrările S şi R ale elementelor NAND din figura 6.24. întrucât prin butonul BP se înscrie comanda de pornire. Circuitul secvenţial prezentat are o funcţionare asincronă.10 şi respectiv diagramei de tranziţie a stărilor din figura 6. atunci când combinaţia de intrare este (1.25-b. Diagrama de funcţionare a acestei scheme de comandă.25-b.22. din tabelul de tranziţie anterior 6. Bistabil SR comandat prin semnal logic zero Figura 6. Figura 6.10. este echivalentă tabelului de tranziţie a stărilor 6.25-b) sunt identice cu stările x = 1. se obţine bistabilul din figura 6.0) este interzisă). circuitul rămânând în starea în care se afla. dacă implicit se consideră echivalente notaţiile: xk-1 ≡ yk-1 şi xk ≡ yk Schema electrică simplificată pentru comanda pornirii şi opririi unui motor asincron trifazat.106 Capitolul 6 (a) (b) (c) Figura 6. Cele trei situaţii în care motorul este pornit. prezentată în figura 6. ilustrată în figura 6.23.24.23 Un exemplu de circuit secvenţial asincron cu două intrări.

pentru S = 0 şi R = 1. rezultă V1 = 1 şi V2 = 1. b.6. Semnalele de comandă se aplică prin bornele S (set) şi R .23. Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 107 pornit (comanda este memorată) până când se acţionează butonul BO (pentru ştergerea memoriei).26. Schema bistabilului S-T-R: a .23).simbolizarea Figura 6.0) – la schema din figura 6.26. Diagramă de tranziţie a stărilor În circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaţiei (1.23. astfel încât se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic în starea 1 logic). În figura 6.a.structura. bistabilul rămâne în starea în care se afla. revenirea în starea 0 se produce numai la aplicarea impulsului de tact (T= 1). Ele sunt formate din două circuite basculante conectate în cascadă: primul are funcţia de comandă (master . a cărui basculare este comandată prin semnal “0” logic. S = 1. În acest caz (T= 1. unde T este intrarea de tact.25 Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) într-un automat sincron se utilizează schema din figura 6. Circuitul secvenţial din figura 6.1) la intrare (combinaţia (0. Aplicarea semnalelor S = 1.sclav). Circuitul secvenţial de tip Master-Slave O categorie importantă de bistabile o formează cele cu structură stăpân-sclav (master–slave). Circuitul încadrat este un bistabil de tipul celui din figura 6.26 se numeşte bistabil S–T–R.stăpân).27. de exemplu starea 0.28 se prezintă schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de tip SRT. Figura 6. În mod similar. R = 0 nu influenţează starea bistabilului decât atunci când se aplică semnalul de tact. Figura 6. adică T = 0. Când nu se aplică semnalul de tact. 6.2. în sensul că îl subordonează pe al doilea (slave . prezentat în figura 6. R = 0) rezultă V1 = 0 şi V2 = 1.

P2 se închid. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK ) sugerând că informaţia apare la ieşirea bistabilului. iar bistabilul S (Slave) este izolat faţă de Master. P2 sunt încă închise. iar porţile de transfer P3. iar P3. porţile P1.28 Figura 6. P4 nu s-au deschis încă. deci M este izolat faţă de intrare. iar porţile P3. P4 sunt închise. Figura 6. 3. .108 Capitolul 6 (reset) unor porţi logice de intrare P1 şi P2. iar S este izolat faţă de M. Semnalele logice V3 şi V4 de la ieşirea porţilor de transfer reprezintă informaţia de intrare în bistabilul S. Pe porţiunea 3-4. P4 se blochează. P2 sunt deschise permiţând transferul informaţiei în M.29. Porţile de intrare (P1 şi P2) sunt comandate (activate).29 Funcţionare: 1. Pe porţiunea 2-3. Între bistabilul M şi bistabilul S se află porţile de transfer P3 şi P4 de tip NAND. izolând M faţă de S. Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND. La ieşirile porţilor P1 şi P2 se obţin semnalele logice (potenţialele) V1 şi V2 care reprezintă informaţia aplicată la intrarea bistabilului M. Funcţionarea bistabilului Master-Slave pe o perioadă a impulsului de tact real (trapezoidal) se explică utilizând diagramele de semnale din figura 6. 2. în antifază faţă de porţile de transfer (P3 şi P4) datorită circuitului inversor (CI) care este un circuit de tip NU. porţile P1. porţile P1. de tip NAND. Pe porţiunea 1-2. Deci bistabilul M (Master) este izolat faţă de intrare. prin semnalul de tact T. pe frontul posterior al impulsului de tact.

porţile P1.L. Care este diferenţa (funcţională) între un C. U2.NU . C – neacţionate. Observaţii: CBB – Master-Slave elimină posibilitatea tranziţiilor asincrone (necontrolate) la ieşire. P4 sunt deschise.C. Pe porţiunea 4-5. U 3 nu sunt acţionate U3 U 1 . care trebuie să fie acţionat numai in următoarele situaţii: sunt acţionate Ul . NU. Se cere schema logică de comandă. 2) B. realizată cu circuite NAND (ŞI .NU). Pentru ca informaţia să se înscrie fără erori. iar porţile P3. Y. U3 Ul U1 .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 109 4. 6. Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comandă (de intrare) U1. A. 3. P2 sunt închise şi nu permit intrarea informaţiei în M. care să acţioneze elementul de execuţie Y numai în următoarele situaţii: 1) B acţionat . U 3 - - Să se deducă schema de comandă în următoarele variante constructive: cu contacte. Schema de comandă pentru acţionarea unui utliaj are trei elemente de comandă U1. cu circuite (module) SI. deci informaţia trece din M în S şi apare la ieşirea Q. U3 U2 U2 . Care este expresia (şi cauza apariţiei) curentului de impuls (IC MAX) în cazul porţii logice NAND (TTL) ? 3. A – neacţionat. Cum se realizează practic condiţia de semnal logic “0” (zero) în cazul circuitului “SI” ? 2.7.L. U3 şi a unui element de execuţie. U2. şi un circuit C. U2 . NU .NU . deoarece în acest circuit s-a eliminat transparenţa intrărilor de date. U3 şi un element de execuţie Y. SAU. cu module SI .S. 2. C – neacţionat. B – acţionate. U 2 . C acţionate. cu module SAU . NU. Întrebări şi probleme 1. Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare în cazurile: a) circuite logice ? b) circuite de amplificare ? 4. U2 Ul . – (circuit logic secvenţial) ? Probleme: 1. 3) A. este necesar ca aceasta să nu-şi modifice valoarea în intervalele de tranziţie (1-2) şi (3-4) ale impulsului de tact. Se dau funcţiile logice: Să se arate că: y1 = y2.

iar activarea lui R prin ”0” logic produce resetarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”0” logic. determină poziţionarea ieşirilor Q .1 Circuite LATCH 7. dar în practică se foloseşte reprezentarea din figura 7. Acest circuit se mai numeşte latch (în limba engleză având semnificaţia de zăvor.2-b. ca în figura 7. Schema logică a circuitului latch (b) Cele două scheme din figura 7. tranziţia lui R în ”0” logic Q în 01.CAPITOLUL 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 7.1.1-a evidenţiază faptul că circuitul latch are o singură reacţie. Schema din figura 7. activarea lui S prin ”0” logic produce setarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”1” logic). încuietoare). ilustrat în figura 7. (a) Figura 7.2-a se observă că la închiderea contactului K tensiunea pe rezistenţa de sarcină (URs ) se stabilizează la valoarea E după un regim tranzitoriu oscilant.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH Conectând două porţi logice NAND conform schemei din figura 7. Deci ieşirile Q şi Q sunt complementare. Circuitul latch memorează tranziţia lui poziţionarea ieşirilor S în ”0” logic prin QQ în 10.1-b. Una dintre aplicaţiile circuitului latch serveşte la eliminarea oscilaţiilor de tensiune ce apar la închiderea contactelor electrice acţionate manual prin butoane.1 sunt identice.1 se obţine un circuit bistabil care memorează evenimentul marcat prin tranziţia temporară a unei intrări în ”0” logic. Dacă se utilizează un circuit latch. În mod asemănător. În figura 7.1.3-a.

4: Figura 7.3-b. Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieşiri este ilustrat în figura 7.4.3 Astfel. • Codificatoarele sunt C. Figura 7. Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod. semnalul de comandă la ieşirea Q va avea o valoare constantă şi fără oscilaţii care ar putea deranja funcţionarea altor circuite ce utilizează acest semnal (numărătoare. la care activarea unei intrări determină apariţia unui cuvânt de cod pe ieşire.C. Dacă aplicaţia ”C” este injectivă. circuite te tip Master-Slave etc).2 Figura 7. se poate realiza decodificarea.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 111 atunci tensiunea la ieşirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentată în figura 7. Codificator cu patru ieşiri . 7. adică reconstituirea mesajului iniţial.L.2 Codificatoare şi decodificatoare Se numeşte COD o regulă ce descrie o aplicaţie ”C” a unei mulţimi de semne în altă mulţime de semne.

Decodificator cu două intrări: a)schema bloc. al cărui tabel de funcţionare (figura 7.5.6. Decodificarea este necesară în următoarele operaţii: − adresarea memoriilor − afişarea numerică − multiplexarea datelor etc. decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrări şi 2n ieşiri distincte.1) se elaborează schema logică a decodificatorului de adresă cu 4 ieşiri (figura 7. b) tabelul de adevăr.C. Decodificatoare sunt C. Exemplu: Se consideră decodificatorul cu două intrări (n = 2) şi 2n ieşiri (4 ieşiri) distincte. atunci pe ieşirile paralele apare cuvântul de cod: 1101. Decodificator de adresă cu patru ieşiri . Y0 = A 0 ⋅ A1 ⎫ ⎪ Y1 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ ⎬ Y2 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ Y3 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎭ (7. Figura 7.1) Pe baza relaţiilor (7.L.6).112 Capitolul 7 • În funcţionarea codificatorului menţionat se disting două situaţii: a) Dacă se activează intrarea IK (la nivel logic ”H”).5-a. prezentat în figura 7.5-b) serveşte scrierii funcţiilor logice corespunzătoare. Figura 7. care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de cuvântul de cod aplicat la intrare. În cazul general. b) Dacă se activează intrarea IJ (cu nivelul ”H”) pe ieşirile paralele se obţine cuvântul de cod: 1110.

Pentru adresarea celor patru intrări sunt necesari 2 biţi. schema logică fiind prezentată în figura 7. sau nu. X = valoare logică oarecare Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comună pe una din ieşirile selectate. E H L L L L L L L L A1 X L L L L H H H H A0 X L L H H L L H H I0 X H L X X X X X X I1 X X X H L X X X X I2 X X X X X H L X X I3 X X X X X X X H L Y L H L H L H L H L Stare circuit → circuit blocat → I0 selectat → I1 selectat → I2 selectat → I3 selectat Figura 7. Selectarea ieşirii se face printr-un cuvânt de cod – numit adresă.7-b. Multiplexorul prezentat în figura 7. funcţionarea multiplexorului. b) schema logică. Selecţia intrării se face printr-un cod binar (adresă) aplicat pe intrările de selecţie A0 şi A1. Figura 7. . Observaţie: Porţile de intrare sunt prevăzute cu o intrare suplimentară comună ( E ) = Enable care autorizează. Schema bloc a unui multiplexor cu patru intrări şi o ieşire este prezentată în figura 7. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7.3 Circuite de multiplexare (MUX) şi demultiplexare (DEMUX) Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaţionale (CLC) care permit trecerea datelor de la una dintre intrări spre o ieşire unică.7-a funcţionează conform tabelului logic 7.7-a.7.8.7-a.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 113 7. Multiplexor cu patru intrări şi o ieşire: a) schema bloc.8.

permite comutarea fluxului de date de pe intrarea comună (I). Schema logică a demultiplexorului cu două ieşiri (realizată conform tabelului 7. la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie numărate. Demultiplexor cu două ieşiri: a) schema bloc. conform tabelului de funcţionare 7. iar funcţionarea acestuia.9-c.10. Figura 7.9-b.114 Capitolul 7 Demultiplexorul cu două ieşiri. Numărător binar cu patru biţi: a) schema de principiu.10-b. b) diagrama impulsurilor.10-a.9-b) este dată în figura 7.4 Numărătoare electronice Schema unui numărător binar cu 4 biţi este dată în figura 7. c) schema a unui demultiplexor cu patru ieşiri. este ilustrată în diagrama din figura 7.9-a. . fie pe ieşirea Y0 (dacă A = 0) fie pe ieşirea Y1 (dacă A = 1). 7. Figura 7. figura 7.9. b) tabelul de adevăr.

Pentru conversia semnalelor analogice (achiziţionate dintr-un proces tehnologic) în semnale numerice. impuls Q1 Q2 Q3 Q4 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2 0 1 0 0 3 1 1 0 0 4 0 0 1 0 5 1 0 1 0 6 0 1 1 0 7 1 1 1 0 8 0 0 0 1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 . b) diagrama impulsurilor.10 – c.c). în baza 2 (tabelul din figura 7. . 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 . . 7. Spre deosebire de schema anterioară.b). frontul de basculare 1 → 0 al ieşirii Q produce tranziţia stării triggerului următor şi se obţine diagrama de semnal din figura 7.11. stările triggerelor indică valoarea numerică a lui N. Tabel lohgic al numărotzorului binar (drirect) cu 4 biţi Se constată că după aplicarea a N impulsuri... 115 Figura 7. adică la fiecare impuls aplicat la intrare.5 Convertoare Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezintă elementele de bază ale interfeţelor de proces în sistemele numerice de reglare. Figura 7.11-b.. la intrările calculatorului de proces se utilizează convertoare de tip A-N (analog-numerice). Numărător binar invers cu patru biţi: a) schema de principiu... . care se găsesc în interfaţa de intrare.10 .. când s-a obţinut numărarea directă în binar.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale Nr.. .. Dacă se utilizează ieşirile Q pentru legarea triggerelor în cascadă (figura 7.11-a)..11.. numărul înregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura 7. în acest caz rezultă numărarea inversă a impulsurilor.

Figura 7. Schema de principiu a unui CAN analogic cu rampă de tensiune.tensiunea pe condensator. care basculează şi închide poarta ŞI.2) se obţine: Ux = I / C ⋅NT (7. . fiind convertor indirect.12. prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numericanalogice). unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub formă de impulsuri codificate. UC . n}. din (7.. Deci: unde: UC = I ⋅ ΔT ' = UX C (7. până când amplitudinea rampei este egală cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare). În acest moment numărătorul N2 este oprit de către comparator. Dacă numărătorul N2 a înregistrat (numărat) N impulsuri. a cărui lăţime este direct proporţională cu amplitudinea tensiunii Ux. impulsurile de tact sunt numărate de N2.12 este dată schema de principiu a unui CAN .2) ΔT’ este timpul de conversie egal cu NT.capacitatea condensatorului.116 Capitolul 7 Semnalele numerice elaborate la ieşirea calculatorului de proces pe baza unui algoritm de reglare şi/sau conducere. întrucât în procesul conversiei tensiunea de intrare Ux este transformată într-un impuls.. Mărimea analogică este o mărime fizică a cărei variaţie în timp este dată de o funcţie continuă şi ale cărei valori sunt cuprinse în intervalul:I = [xmin ÷ xmax] cu x∈R.. . Când rampa începe să fie generată. 2. sunt convertite în semnale analogice (necesare elementelor de execuţie). Conţinutul informaţiei din N2 reprezintă valoarea binară a tensiunii de intrare (Ux).3) în care: 0 • ≤ N < 2n Observaţii: Acest convertor se numeşte convertor tensiune-timp. Generatorul de rampă conţine un condensator care se încarcă la curent constant. Acest convertor face modulaţia în durată a impulsurilor. 1. Aceste convertoare se găsesc în interfaţa de ieşire situată între calculatorul de proces şi elementele de execuţie care sunt implementate în instalaţia tehnologică. T fiind perioada impulsurilor. I este curentul de încărcare al condensatorului care generează rampa. În figura 7. C . Mărimea numerică (digitală) este o mărime fizică ale cărei valori aparţin mulţimii Sn = {0.analogic cu rampă de tensiune.

6 Circuite de memorie Funcţia de memorare poate fi definită ca posibilitatea de regăsire a unor informaţii reprezentate sub formă binară. Timpul de acces în cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns în cazul tehnologiei bipolare sau.Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic. sute de nanosecunde. Există mai multe tipuri constructive de memorii ROM. cu memoria operativă din calculatoarele clasice.4) Rezultă că acest sistem de conversie este de tip serie. . fiind. valorile logice complementare. Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reacţiei cu funcţionare prin SOFTWARE şi a circuitelor integrate specializate în operaţii de conversie A-N. ca structură. În funcţie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil (o peliculă subţire de CrNi). care pot fi doar citite. care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el. Memoriile ROM programabile prin mască. adică îşi pierd conţinutul la întreruperea tensiunii de alimentare. memoriile pot fi: magnetice.Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaţional care stochează permanent date binare. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur. optice sau semiconductoare. • Memorare numai pentru citirea datelor. dintre care. acolo unde doreşte. în cazul tehnologiei MOS. Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI şi VLSI realizate în diverse tehnologii. În această categorie intră memoriile următoare: . În cele ce urmează se au în vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 117 numărul de impulsuri • Numărul N are valoarea 2 n-1 şi reprezintă corespunzătoare valorii (7. Acestea sunt folosite pentru înmagazinarea datelor şi a programelor de tip utilizator. În funcţie de modul în care se utilizează memoriile într-un sistem de calcul funcţiile de memorare pot fi: • Memorare cu citire şi scriere de date. iar datele obţinute la ieşirea codificatorului reprezintă informaţia memorată la adresa respectivă.Random Acces Memory (RAM). n Deci: ΔT’ = (2 −1)T 7. Un exemplu de circuit integrat specializat în conversia numericanalogică este circuitul β DAC-08. sunt circuite la care harta memoriei de introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. integrate în aceeaşi capsulă cu sistemele de înscriere şi citire a informaţiei. în consecinţă. care lucrează pe 8 biţi. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls . Vectorul de intrare în decodificator este interpretat ca o adresă. sau mask ROM. tehnologia MOS este cel mai des folosită. Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementează funcţia de memorare. Uxmax. fiind realizată însă cu matrice de bistabile SR. Memoriile RAM sunt volatile. lent. În această categorie intră memoriile cu acces aleator . care au fost anterior stocate într-un circuit de memorare. Această structură este de obicei definită ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator şi un codificator. Acest tip de memorie este similară.

Capacitatea memoriei exprimă numărul total de biţi ce pot fi memoraţi (capacitatea se exprimă în multipli de 1k = 1024 biţi). dar de mai multe ori.13: Figura 7. EPROM. Geometria memoriei (modul de organizare) reprezintă lungimea unui cuvânt de memorie şi numărul de cuvinte memorate. Principalele caracteristici ale unei memorii sunt: 1. Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS). PROM. Schema bloc (conexiunile informaţionale) pentru un circuit de memorie este prezentată în figura 7. semnale de intrare (când datele se înscriu în memorie). iar timpul de stocare a informaţiei poate depăşi 10 ani. adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă.Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt programabile ca şi memoriile PROM. semnale de ieşire (când datele se citesc din memorie). Memoriile mask ROM şi PROM se realizează atât în tehnologie bipolară cât şi în tehnologie MOS. iar timpul de stocare a informaţiei poate fi de 100 ani. cele realizate în tehnologie CMOS au timpi de acces mai mici de 100ns. Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat. 100000 cicluri garantate de programare/ştergere şi timp de stocare a datelor de peste 20 ani. izolată de substrat prin 10 −7 m de SiO 2 . dar este unidirecţional în cazul memoriilor: ROM. . . moment ce trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie. în timp ce memoriile EPROM şi EEPROM nu se pot realiza decât în tehnologie MOS. O memorie EEPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 10000 ori.13 Schema bloc a unui circuit de memorie Observaţie: Transferul de date este bidirecţional (datele intră şi ies din circuit) în cazul memoriilor: RAM şi E2PROM. şi sarcina electrică negativă poate fi eliminată prin aplicarea unei tensiuni de polaritate inversă pe poarta tranzistorului care nu este flotantă. pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. În sfârşit. 2. o memorie FLASH (un EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns. Progresele tehnologice au determinat modificări importante în performanţele memoriilor ROM.Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt similare memoriilor EPROM. Izolaţia porţii este mult mai subţire decât la EPROM. Notaţia E2PROM este uneori folosită pentru memoriile EEPROM. Cuvintele (numerele) binare reprezintă date pentru un circuit de memorie şi se consideră: a. O memorie EPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 100 ori.118 Capitolul 7 de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. b. . Dacă memoriile EPROM în tehnologie NMOS au timpi de acces de aproape 500ns. Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată. numai că ştergerea se poate face pe cale electrică.

ceea ce necesită reîmprospătarea conţinutului la intervale constante de timp. Figura 7. care reprezintă selecţia pe linii în matricea de memorie.14.3 V).o memorie este volatilă dacă informaţia înscrisă se pierde în timp. 4. Celulă de memorie RAM cu tranzistor bipolar Liniile de conexiune în afara celulei sunt: • 2 (două) linii de bit (notate DL şi DL ) care servesc la scrierea şi citirea informaţiei în celulă. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeaşi coloană într-o matrice de memorie. Puterea consumată se exprimă în [μW/bit]. În cazul utilizării tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie îl constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care foloseşte două tranzistoare multiemitor. Structura celulei de memorie RAM Celula de memorie este circuitul elementar care realizează memorarea unui bit.14. figura 7. În cele ce urmează se prezintă succint funcţionarea celulei de memorie din figura 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 119 3.la o tensiune de +0.14. În stare neselectată. Liniile de bit (DL şi DL ) sunt conectate la capătul coloanei . Puterea consumată reprezintă raportul între puterea totală consumată de circuit şi capacitatea acestuia. • 1 (una) linie de selecţie cuvânt (WL). Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare MOS. La memoriile dinamice. memorarea informaţiei se bazează pe modificarea capacităţii joncţiunii semiconductoare. prin intermediul unei rezistenţe senzor (r) care . 5. Volatilitatea se datorează modului de stocare a informaţiei sau dispariţiei tensiunii de alimentare a circuitului de memorie (cazul memoriilor dinamice). • 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comună tuturor celulelor din matricea de memorie. Timpul de acces la memorie reprezintă durata necesară citirii sau scrierii informaţiei în memorie şi se exprimă în [ms] sau [ns]. Volatilitatea . conexiunea selecţie-cuvânt (WL) este menţinută la un potenţial coborât (+0.5 V. Acţionarea liniei de selecţie-cuvânt face posibilă citirea sau scrierea informaţiei în oricare dintre celulele de memorie situate pe aceeaşi linie în matrice.

în stare neselectată. .5 V (în timp ce linia selecţie-cuvânt WL este selectată). Procesorul reprezintă un automat aritmetic. atunci selectând linia WL (selecţie-cuvânt) pentru citire. Curentul de emitor se va închide prin rezistenţele senzor conectate la liniile de bit.16 se prezintă structura unei matrice de memorie de dimensiune m×n. .Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800µW. Observaţii: . Structura unui circuit de memorie.120 Capitolul 7 sesizează apariţia închiderii unui curent. şi selecţia coloanei prin perechea ( DLj.n este numărul de perechi (DL şi DL ). Figura 7.m este numărul de linii. iar viteza de comutaţie este de 20ns. se va obţine la ieşire o tensiune diferenţială cu semnul (+) pe DL şi semnul (-) pe DL . acţionat printr-o succesiune de comenzi aplicate din exterior. linia selecţie-cuvânt (WL) este pusă la un potenţial ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3. se forţează pe liniile de bit (DL şi DL ) o diferenţă de potenţial corespunzătoare stării în care dorim să se găsească bistabilul.5 V). emitoarele conectate la liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mică (+0. În figura 7.Celula de memorie RAM se poate realiza cu două tranzistoare bipolare obişnuite (npn) la care se ataşează câte o diodă Shottky. Matricea de memorie Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de memorare în ale cărei noduri se găsesc celule de memorie. DLj ). simultan. Explicativă pentru celula de memorie RAM • Pentru înscrierea informaţiei în celulă. Linia (conexiunea) de alimentare este comună tuturor celulelor de memorie pe care le conţine matricea de memorare. iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de aproximativ +0.15. se ridică potenţialul pe linia WL (la +3V) şi. selecţie-cuvânt (WL). În funcţie de semnul tensiunii obţinute la bornele celor două linii de bit. Capacitatea memoriei este dată de produsul (m × n). Pentru accesul la celula de memorie (i×j) se face selecţia liniei. figura 7. acţionând WLi .15. prin care se transformă un şir de date de intrare într-un alt şir de date la ieşire. . În cazul T1 blocat şi T2 în conducţie. adică numărul de coloane. deci conducţia este asigurată de acestea (legate în A şi B). În acest mod. Exemplu: Pentru a se obţine T1 în conducţie şi T2 în starea blocat. unde: . Exemplu: Dacă T1 conduce şi T2 este blocat. Cele două operaţii (citirea şi înscrierea informaţiilor) se desfăşoară astfel: • Pentru citirea informaţiei.5 V). adică m linii şi n coloane. se forţează linia de bit stânga (DL) la zero. tensiunea diferenţială are sens invers: semnul (+) la DL şi semnul (-) la DL. se poate "spune" care este starea bistabilelor.

comenzi. denumit şi RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit).flag-uri (indicatori).16..Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 121 Figura 7. având schema bloc prezentată figura 7. Rezultatul operaţiei se poate memora intern (în registre) sau se poate genera spre exterior pe liniile de ieşire D0 (Data output).17: Figura 7.semnal de tact (clock). FL .comandă pentru funcţiile aritmetice (+ . Prelucrările se efectuează asupra unor cuvinte binare cu n biţi.18 sunt: Di. RALU generează spre exterior şi un cuvânt FL ce conţine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizează rezultatul unei operaţii. Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generată din exterior de către . conţine o unitate aritmetică logică şi registre. O operaţie elementară implică unul sau doi operanzi (interni sau externi faţă de RALU). RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe. Structura unui circuit de memorie Procesorul. F . : .17. CK . D0 sunt terminalele pentru datele de intrare şi respectiv de ieşire. *) şi logice. C .adrese pentru selectarea operanzilor interni şi a destinaţiei rezultatelor. Automat aritmetic Semnificaţiile mărimilor din figura 7. A . .

2. FL . Di .instrucţiunea curentă. b) Memoria (MEM) compusă din: MP .18 sunt: C este fluxul comenzilor către RALU.Buses (BA. Observaţie: Denumirea corectă a memoriei MD este RWM Read/Write Memory.18: Figura 7. Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt: a) Unitatea centrală de prelucrare (μP). Schema bloc a unui procesor Semnificaţiile mărimilor din figura 7. BD.memoria de date (memorie RAM). şi este volatilă. benzi magnetice etc. pentru adresare (BA) şi pentru comenzi (BC). D0.19: Dispozitivele periferice sunt: 1. realizate cu circuite specializate sau circuite standard. PE). BC). 7.memoria de program (memorie ROM). 7. discuri magnetice flexibile sau rigide. Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui μP se numeşte microcalculator (μC). Cititorul interesat de aplicaţiile circuitelor logice combinaţionale (CLC) şi/sau aplicaţiile circuitelor logice secenţiale (CLS) poate găsi suficiente exemple în [1]. terminale video.122 Capitolul 7 alt automat denumit unitate de comandă (UC). cap. ce conţin convertoare de tip N/A şi A/N cât şi magistralele . pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul comandat (cazul reglării sau conducerii numerice a unui proces). Configuraţia de bază a unui microcalculator (μC) este dată în figura 7. . MD . a linii de adresare şi c linii pentru comenzi. Microcalculatorul (μC) Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare realizată într-un singur circuit integrat (μP). Deci procesorul este un sistem digital format din RALU şi UC.18. I .7 Microprocesorul (μP). Schema bloc a unui procesor este dată în figura 7. c) Porturile de intrare/ieşire (PI. imprimante. Magistralele menţionate conţin: d linii pentru date. interfeţe cu sistemul comandat. informatice: console. SI.caracteristicile rezultatelor.sincronizarea comenzilor pentru intrare şi ieşire. cititoare şi perforatoare de bandă de hârtie.fluxul datelor de la ieşire şi de la intrare. Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD). SO .

Ce rol au circuitele: MUX şi DEMUX ? 5. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizează acestea ? 7. Care este deosebirea între o mărime analogică şi o mărime numerică (digitală) ? 2.8 Întrebări 1.19. Care sunt componentele din structura unui microcalculator ? 8. Cum se poate activa (accesa) o celulă de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice de memorare ? . Când se utilizează circuitul LATCH ? 3. Care este schema bloc a decodificatorului de adresă cu n = 2 (intrări) şi 4 ieşiri ? 6. Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ? 4. Configuraţia de bază a unui microcalculator 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 123 Figura 7.

. Banu. Mărăşescu. Miholcă. VISHAY INTERTECHNOLOGY. Creangă. E. Electronică industrială şi automatizări. ∗ ∗ ∗ Catalog de componente electronice “FULL LINE PRODUCT CATALOG”. Bucureşti. http://www. Bucureşti. Semiconductor Company – TOKYO.. N. 1982. E.. ∗ ∗ ∗ Catalog de circuite integrate digitale. Electronică de putere – Aplicaţii. C. Lupu. ş. Bucureşti.vishay. Bucureşti. 1981. D. Constantin. Miholcă.. S. 1976. Editura didactică şi pedagogică. P. Bucureşti. Ltd. INC. 1980.. Purice.. Bucureşti. V. Bucureşti. Editura didactică şi pedagogică. United States. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate analogice. Stoichescu.. P. JAPAN. Malvern.. Bucureşti. Tusac. 7. Editura Tehnică. 2002. 6. PA – 19355.. Ţepelea..a.. 1976. 63 Lincoln Highway. Rădoi. 1981.. C. 3. http://www. Electronică industrială. V. Bîrcă – Gălăţeanu. Electronică industrială (pentru subingineri). Universitatea din Galaţi. Editura MATRIX-ROM. profiluri 2. 1979. E.A. Microprocesoare – Aplicaţii.com. SANYO Electric Co. 8. Bucureşti. S. Constantin.. C. 10. Catalog IPRS – Băneasa. 5.a..jp. Circuite integrate liniare.sanyo.BIBLIOGRAFIE 1. Bîrcă – Gălăţeanu. 4. Neagoe.. Constantin. Buzuloiu. 2001... 1991. I. Editura Militară. 11. E.. C.. Editura Militară. Ceangă. 12. Editura didactică şi pedagogică. ş. Electronică pentru neelectrice. Ceangă. Şaimac. . ∗ ∗ ∗ Circuite integrate liniare. C. Catalog IPRS – Băneasa. V. E. A. Electronică industrială. P. Bulucea.co. 1983 9. 2003.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful