CONSTANTIN MIHOLCĂ

ELECTRONICĂ
PENTRU FACULTĂŢILE CU PROFIL NEELECTRIC

GALAŢI 2007

CUPRINS
Introducere ............................................................................................
1

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă ......................... 1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci ............................................................................. 1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă ...................... 1.2 Joncţiunea p-n .................................................................................. 1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare ... 1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare ................ 1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice .............................. 1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar ........................... 1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF ............................ 1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe. Stabilizarea punctului static de funcţionare ............................... 1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare ........................ 1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) ............................................ 1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare.. 1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic ............................................................................... 1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) ... 1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS având canal de tip n ......................................... 1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 1.5.2 Triacul ........................................................................................ 1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) ................................................ 1.6. Întrebări şi problemă................................................ 3 3 4 5 6 8 9 10 12 12 14 16 16 18 19 19 21 22 24 25 26 27 28 28 31 32 34

vi

Cuprins

CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A .................................... 2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B .................................... 2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington ..... 2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial .......... 2.4 Reacţia negativă la amplificatoare şi consecinţele ei ...................... 2.5 Amplificatoare operaţionale ............................................................ 2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 2.7. Întrebări ....................................................................................... 35 35 37 39 40 40 43 44 45 46 47 47 49 51 54 58

CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere ............................. 3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă .... 3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă ... 3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere .................................... 3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 3.4. Întrebări............................................................................................ 59 61 61 61 64 66 66 68 69 72

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric ................................. 4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având element de control serie şi amplificator de eroare ................................................................ 4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 73 73 74 77 78

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere ..................................................................................... 5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor ............ 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte ................................... 5.4. Întrebări şi problemă ..................................................................................... 82 86 88 90

.............................. 91 94 95 97 99 100 100 101 103 104 107 109 CAP......2 Analiza circuitelor logice combinaţionale ........................................................ 6............................. 6.... 6..................7 Întrebări şi probleme......... 6......... 6......................1 Funcţii logice elementare .......................Cuprins vii CAP........Slave ........ 7.................................6 Circuite logice secvenţiale ......... 7............................................................................................1 Circuitul secvenţial de tip Master ..3 Circuite logice........................................................ Bibliografie ..............5 Convertoare .......................................8................................. 6..... 6...............7 Microprocesorul (μP)..... 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE LOGICE 110 110 111 113 114 115 117 122 123 7.............2 Relaţii fundamentale în algebra logicii .......... Microcalculatorul (μC) .... Întrebări .....1....................... 6................................ 6...................5..2 Codificatoare şi decodificatoare .................6..... 7................. 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6...................................3 Circuite de multiplexare şi demultiplexare ..................................... 124 .....................4..........................1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH .........................................1 Circuite LATCH ................... 6............5.................5 Circuite logice combinaţionale ........................................... Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice .........................................6............................. 7................ 7.........................................4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND-TTL)......................... 7................................1 Poarta logică integrată NOR (SAU-Nu).................. 6......................................................1 Circuite secvenţiale elementare .....................6 Circuite de memorie ...... 7.................................. 7....1 Noţiuni generale ......................4 Numărătoare electronice ...........

Aceste circuite au condus la realizarea primului microprocesor. Începând cu anul 1962 s-a trecut la producţia industrială a circuitelor integrate. microprocesorul 486 conţine 1. oferite de tehnologia CMOS. Începând cu anii 1949-1952 s-au realizat primele tranzistoare. dimensiunea unui tranzistor fiind ≤ 1μm.2 milioane de tranzistoare. Posibilităţile remarcabile ale electronicii şi progresele ei deosebit de rapide (mai ales în privinţa realizării tehnologice a dispozitivelor semiconductoare şi circuitelor integrate) au făcut ca. începând cu anul 1970. pe 8 biţi. Aceste tehnologii permit înglobarea unui număr foarte mare (între 50. În 1960 se construiesc primele dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare şi triacuri) care au condus la modernizarea şi creşterea performanţelor în sistemele de acţionări electrice reglabile. De exemplu. astfel că după şase ani (în 1958) s-a realizat primul circuit integrat. la început în tehnologie bipolară şi apoi în tehnologie MOS (după 1965). cu numeroase aplicaţii în telecomunicaţii şi industrie.INTRODUCERE Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii. se poate spune că electronica este ramura ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu studiul fenomenelor şi aplicaţiile acestora privind conducţia electrică în semiconductoare. dar s-a trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaţie între tehnologia bipolară şi tehnologia CMOS. iar în 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat.000) de tranzistoare într-o capsulă. . Ca domeniu independent. care pot îngloba peste un milion de tranzistoare CMOS într-o capsulă. care a antrenat toate domeniile tehnologiei. în prezent. Primele cinci decenii au reprezentat ”epoca” tuburilor electronice. Această tehnologie (BiCMOS) îmbină avantajele de viteză şi curent mare la ieşire ale tehnologiei bipolare. gaze şi vid.000. Electronica se constituie la începutul secolului XX. circuitele integrate se realizează în tehnologie CMOS. Microprocesorul a determinat o revoluţie tehnică denumită ”revoluţia microelectronicii”. Perfecţionarea rapidă a tehnologiilor electronice a condus la apariţia familiilor de circuite integrate logice MOS. În prezent numărul de tranzistoare înglobate într-o capsulă depăşeşte 5 milioane.000 şi 1. utilizate fiind atât tehnologia CMOS cât şi bipolară. permiţând dezvoltarea tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI –Large Scale Integration). electronica să fie utilizată aproape în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii. cu avantajele consumului redus şi densitate mare de integrare. fiind denumită la începuturile ei “electrotehnica curenţilor slabi” şi având ca aplicaţie principală domeniul telecomunicaţiilor cu şi fără fir. După 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration). încât astăzi nu există domeniu de activitate umană în care microprocesorul să nu poată fi implicat. După anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration). Ţinând seama de aspectele esenţiale ale electronicii şi fără pretenţia de a formula o definiţie atotcuprinzătoare. În prezent. în 1971.

care are una dintre proprietăţile fundamentale ale conducţiei prin vid. detecţie etc). . gaze sau semiconductoare. În aplicaţii. Dispozitivul electronic este un ansamblu format din părţi componente. Prin extensie.2 Introducere Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele electronice cât şi circuitele electronice se impune definirea celor două noţiuni. bobine. în scopul realizării unei funcţiuni (redresare. spre deosebire de elementele electrice de circuit obişnuite (rezistoare. Circuitul electronic este un ansamblu electric în care se folosesc unul sau mai multe dispozitive electronice la care se leagă elemente electrice de circuit. Părţile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice) sau regiuni cu proprietăţi diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele semiconductoare). dispozitivul electronic reprezintă un element de circuit. între care se produce conducţia electrică prin vid. modulaţie. imobile una faţă de alta. gaze sau semiconductoare. se consideră dispozitive electronice şi acele dispozitive realizate dintr-un singur material omogen. amplificare. alimentându-se de la surse de energie. numit şi element electronic de circuit. producerea oscilaţiilor. transformatoare. condensatoare etc).

reprezentat prin lăţimea benzii interzise (∆w). 1. Germaniu). • semiconductor de conductibilitate extrinsecă. Conducţia electrică în medii semiconductoare se realizează prin două categorii ale purtătorilor de sarcină: electronii şi golurile. figura 1. Siliciu. După modul de generare a purtătorilor. Generarea perechilor electron-gol se produce datorită aportului energetic extern. adică sub influenţa unui câmp electric ei pot da naştere curentului electric de conducţie.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi materialele izolatoare. semiconductoarele se pot clasifica astfel: • semiconductor de conductibilitate intrinsecă.CAPITOLUL 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT 1.1. Figura 1.1. Structura benzilor energetice pentru un semiconductor .1. Aceşti purtători se generează simultan sub formă de perechi şi au o anumită mobilitate.

este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă electrică variază cu temperatura. ceea ce conduce la o descreştere exponenţială a rezistenţei electrice. Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci (realizate cu materiale omogene) 1.1) A . este egală cu concentraţia de goluri. fiind exprimată prin relaţia: n i = pi = AT unde: 3/ 2 ⎛ − Δw ⎞ exp⎜ ⎟ ⎝ 2KT ⎠ (1. detector în construcţia sesizoarelor de incendiu. c) constanta de timp.constantă ce depinde de natura semiconductorului. R To dT rezistenţei RT la o variaţie dată de un grad Celsius a temperaturii.+300oC]. Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura - Utilizări: detector în traductoare de temperatură. Termistorul .2. Variaţia rezistenţei electrice a fotorezistorului se datorează modificării concentraţiei . Figura 1..aportul energetic extern (lăţimea benzii interzise).1.. 2. K . Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub acţiunea unei radiaţii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infraroşu. b) sensibilitatea S = − 1 dR T . unde T0=20 oC. T .4 Capitolul 1 La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia electronilor. Conductibilitatea termistorului este direct proporţională cu numărul de purtători ni daţi de relaţia (1.1). notată cu pi . în care performanţele termistorului sunt stabile.2.temperatura absolută ( grade Kelvin). în aparatura de măsură şi automatizare. T1 [s].constanta lui Boltzmann.100 → [%/oC] exprimă viteza de variaţie a . 1.2. Δw . Parametrii de catalog: a) rezistenţa la temperatura de referinţă. ca în figura 1. d) domeniul de temperatură. ce reprezintă inerţia termică a termistorului. RTo[Ω]. notată cu ni . ΔT∈[-200oC.

b) sensibilitatea. ca urmare a aportului energetic al radiaţiei incidente. Parametrii de catalog: a) rezistenţa la întuneric.1. Conductibilitatea extrinsecă se obţine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a unui semiconductor. T1 caracterizează viteza de variaţie a rezistenţei electrice la o variaţie bruscă a fluxului luminos.Dispozitive electronice de circuit 5 purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol). a cărui conductanţă creşte odată cu creşterea tensiunii aplicate la borne. . Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în care este plasat varistorul. d) constanta de timp. Ro[Ω]. în construcţia releelor fotoelectrice. c) caracteristica spectrală. R o dφ unde lm simbolizează lumenul (unitatea de măsură pentru intensitatea luminoasă). În funcţie de valoarea lui λo (la care sensibilitatea este maximă) fotorezistenţele se pot construi pentru spectrele vizibil sau infraroşu. fiind ilustrată în figura 1. Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică neliniară. se defineşte asemănător constantei de timp a termistorului. Sφ=f(λ). Caracteristica spectrală a fotorezistenţei Fotorezistenţele sunt utilizate detectoarelor de incendiu etc.4. Figura 1. În funcţie de natura elementului de impuritate . Figura 1. exprimă dependenţa sensibilităţii faţă de lungimea de undă.3. ilustrată în figura 1.3. Forma caracteristicii statice. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate.4. Procesul prin care se introduc impurităţi riguros dozate în semiconductor se numeşte dopare.3. Sφ = − 1 dR . îl face utilizabil ca dispozitiv de protecţie împotriva supratensiunilor.100 → [%/lm]. a 3. T1[s]. 1.

Din cauza difuziei şi a recombinării purtătorilor majoritari cu cei difuzaţi rezultă. ce devine electron liber (purtător). două tipuri de semiconductoare extrinseci. care au suficientă energie.curent direct (1. trec dintr-o zonă în alta şi dau naştere curentului de difuzie. Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraţia purtătorilor este foarte mică). Atomii acestor impurităţi se numesc donori.5 se explică funcţionarea joncţiunii. Semiconductoarele de tip n şi p sunt corpuri neutre din punct de vedere electric. în vecinătatea de separaţie a celor două zone p şi n. 3. Aluminiu etc) are ca efect creşterea numărului de goluri. Aceste concentraţii scad până la zero la nivelul joncţiunii. • Doparea cu impurităţi trivalente (Indiu. deoarece sarcina ionilor imobilizaţi în reţeaua cristalină compensează sarcina suplimentară a purtătorilor majoritari. Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n): 1. simbolizaţi prin m. • Doparea cu impurităţi pentavalente (Stibiu. Aceşti atomi de impurităţi se numesc atomi acceptori şi se transformă în ioni imobilizaţi în reţeaua cristalină. numit şi curent invers al joncţiunii: ic = inm + ipm .6 Capitolul 1 există două modalităţi de dopare care generează corespunzător. simbolizaţi prin M. care devin purtători majoritari. care este mai slab dopată cu impurităţi. Diferenţa de concentraţii dintre cele două zone determină difuzia purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta. 1. Ndo . De regulă concentraţiile impurităţilor din cele două zone nu sunt egale (Nao > Ndo). Regiunea de trecere se extinde mai mult în zona n.concentraţia iniţială de electroni. iar semiconductorul obţinut este de tip n.2 Joncţiunea p-n Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând procedee speciale) o zonă p cu impurităţi acceptoare şi o zonă n cu impurităţi donoare. Se obţine o sarcină a ionilor imobili (fixaţi în reţea) pentru purtătorii din fiecare zonă. 2. Electronii sunt purtători majoritari iar golurile reprezintă purtătorii minoritari. Purtătorii majoritari. o variaţie a concentraţiei de goluri (cp) şi electroni (cn). numit şi curentul direct al joncţiunii: id = inM + ipM .curent invers (1. formând curentul de conducţie. Arsen etc) are ca efect creşterea numărului de purtători negativi (electroni) deoarece atomii pentavalenţi de impuritate cedează uşor câte un electron. astfel încât distanţa dintre cele două zone să fie cel mult 10-5 mm. deoarece atomii trivalenţi captează uşor câte un electron de la un atom vecin. se realizează o joncţiune p-n care reprezintă structura de bază pentru majoritatea componentelor electronice. Semiconductorul obţinut are purtătorii majoritari pozitivi (goluri) fiind de tip p. sarcină care nu mai este compensată de sarcina . Se folosesc notaţiile: Naoconcentraţia iniţială de goluri.2) Câmpul intern antrenează dintr-o zonă în alta purtătorii minoritari. Lăţimea totală a regiunii de trecere creşte odată cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii.3) În figura 1.

Dacă joncţiunii p-n i se ataşează două contacte metalice. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua.5-e). Efectul potenţialelor de contact asupra barierei de potenţial Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n a) Polarizarea directă (figura 1. în zona regiunii de trecere. Ca urmare. ilustrată prin zona haşurată.6. Această sarcină creează câmpul electric care se opune trecerii purtătorilor majoritari dintr-o zonă în alta.Dispozitive electronice de circuit 7 purtătorilor majoritari din zona respectivă. cu polaritatea (+) la zona p şi. Prezenţa câmpului intern Ei determină apariţia unei bariere de potenţial notate cu U0 (figura 1.6). Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a sarcinii ρ.7).5 Figura 1. potenţialul iniţial (U0) al barierei scade cu . Figura 1. potenţialele de tip M-S (metal-semiconductor) anulează bariera de potenţial U0. respectiv polaritatea (−) la zona n. astfel încât la bornele joncţiunii potenţialul rezultant este zero (figura 1. Regiunea în care apare câmpul electric Ei şi sarcina spaţială ρ se numeşte regiune de trecere.

7V pentru diodele cu Si şi Ua≅0. C = Catod. numit curent direct al joncţiunii. Polarizarea inversă a joncţiunii p-n În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de alimentare. Valoarea curentului de conducţie este de ordinul microamperilor. Figura 1. numit curent invers al joncţiunii. respectiv polaritatea (+) la zona n. presupune aplicarea tensiunii de alimentare Ua. lipiţi prin procedee speciale de contactele M-S. Cei doi electrozi.8.3V pentru diodele cu Ge. Figura 1.9.8 Capitolul 1 valoarea tensiunii de alimentare Ua. Curentul direct al joncţiunii este neglijabil. cu polaritate pozitivă în timpul conducţiei. Ua. Caracteristica statică a diodei este reprezentată în figura 1. cu polaritatea (−) la zona p şi. se numesc: A = Anod. Tensiunea anodică inversă se notează cu (-Ua) sau (. 1. cu polaritate negativă în timpul conducţiei. Curentul de conducţie (ic). Acest lucru permite trecerea putătorilor majoritari care formează curentul de difuzie (Id). În starea de conducţie tensiunea anodică directă este: Ua ≅ 0. este neglijabil. iar joncţiunea se consideră blocată.7.U a ). Polarizarea directă a joncţiunii p-n b) Polarizarea inversă (figura 1.3 Dioda semiconductoare Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care are ataşate două contacte M-S (metal-semiconductor).8). i .

11. se cunoaşte caracteristica anodică. aceasta se distruge prin efect termic datorită creşterii în avalanşă a curentului invers. determinarea punctului static de funcţionare Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de limitare a curentului anodic (figura 1.Dispozitive electronice de circuit 9 Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi atinge valoarea de străpungere a joncţiunii. figura 1.10 şi ecuaţia caracteristicii anodice (figura 1. Figura 1. De asemenea. Dioda în circuit Figura 1.10.1 Dioda în circuit. Caracteristica externă a diodei Pentru determinarea punctului static de funcţionare.10). Caracteristica curent-tensiune a diodei 1. Se observă că înclinaţia dreptei de sarcină este egală cu . Figura 1.11.4) Tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi: E/R → pentru Ua=0 şi E → pentru ia=0. pentru ramura de polarizare directă (cadranul I). se rezolvă grafo-analitic sistemul format din ecuaţia dreptei statice de sarcină.11): ⎧E = R ⋅ i a + U a ⎨ ⎩ i a = f (U a ) (1.3.9. rezultată din a IIa teoremă a lui Kirchhoff aplicată circuitului din figura 1. PSF (M).

Pe măsură ce aplicăm o tensiune mai mare la bornele diodei.12. Sunt utilizate în circuite de detecţie şi comutaţie la frecvenţe de lucru până la 10 MHz. Figura 1. Coordonatele PSF sunt iao şi Uao. Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b) Parametrii de catalog: a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz ∈[2.. în porţiunea de lucru a caracteristicii statice. .100 [%/oC].2 Tipuri de diode semiconductoare 1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog: a) curentul mediu în sens direct: IF ≤ 600 A.12-b este reprezentată caracteristica statică inversată (în cadranul I). d) frecvenţa de lucru: fl ∈ [50 Hz . 20 KHz]. 2) Diode stabilizatoare (diode Zener). c) temperatura maximă admisă a joncţiunii: Tj max ≤ 140 oC. b) tensiunea inversă: Uinv.. max ≤ 1800 V. 1. 5) Dioda varicap. Sunt diode realizate cu siliciu la care se utilizează ramura caracteristicii corespunzătoare polarizării inverse.. rz.13. d) coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura: αz = 1 ΔU z . Simbolizarea şi variaţia capacităţii echivalente ale diodei varicap sunt prezentate în figura 1. deci se comportă ca o capacitate comandată prin tensiune. obţinute din proiecţiile punctului M pe cele două axe. iar în figura 1. De regulă sunt utilizate în tehnica de calcul. Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil.12-a este ilustrată polarizarea diodei Zener.de ordinul nanosecundelor.10 Capitolul 1 valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R.A]. Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din starea ”blocat” în starea de ”conducţie” . În figura 1.. U z ΔTa e) rezistenţa internă (dinamică).5 V . Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa joncţiunii foarte mică. aceasta echivalează cu depărtarea armăturilor ”condensatorului”. 4) Diode cu contact punctiform. 3) Diode de comutaţie. 180 V]. .3... b) curentul Zener – curentul corespunzător tensiunii de stabilizare: Iz∈[mA. c) puterea disipată: Pd<10W.

astfel încât regiunea de trecere este foarte îngustă. figura 1.15-b şi 1. Aceasta emite un flux de radiaţii luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purtătorilor de sarcină.c). figurile 1. optocuplor realizat cu LED+fotodiodă (b). Dioda varicap: simbolizare şi principiu de funcţionare 6) Fotodioda este utilizată cu polarizare inversă. iar purtătorii majoritari traversează bariera de potenţial prin ”efectul tunel” (efect cuantic). realizând şi o foarte bună separare galvanică. la reclame etc. Fotodioda este utilizată în construcţia detectoarelor opto-electronice ce lucrează în spectrele vizibil sau infraroşu.15-a. Polarizarea. familia caracteristicilor curent-tensiune (b). Din combinarea unui LED cu o fotodiodă rezultă un optocuplor (cuplor optic). Figura 1.13. Polarizarea fotodiodei (a). .5 şi 5 GHz.15. caracteristicile anodice şi caracteristica spectrală sunt reprezentate în figura 1.14.14 (a. optocuplor realizat cu LED+fototranzistor (c) 8) Dioda tunel – are joncţiunea p-n cu cele două zone foarte apropiate şi puternic dopate cu impurităţi. caracteristica spectrală (c) 7) Dioda electroluminiscentă – LED (Light Emitting Diode) se utilizează cu polarizare directă A-C. Simbolizarea şi caracteristica anodică sunt ilustrate în figura 1. dioda Tunel fiind utilizată şi în circuite de comutaţie. Frecvenţa de lucru este cuprinsă între 0.16. Optocuplorul este un dispozitiv electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieşire.b. LED în circuit (a). Această proprietate permite utilizarea diodei tunel în construcţia oscilatoarelor (vezi § 2. Caracteristica curent-tensiune este neliniară şi prezintă în porţiunea MN rezistenţă internă negativă. Culoarea radiaţiei depinde de natura semiconductorului şi de impuritatea activatoare.15-c.6). Este utilizată în construcţia afişoarelor numerice. Figura 1. Curentul de purtători majoritari se datorează fluxului luminos incident.Dispozitive electronice de circuit 11 Figura 1.

17. Tranzistoare bipolare. Simbolizarea acestora este dată în figura 1.17 s-a reprezentat schema simplificată a unui amplificator. tranzistoarele sunt de două tipuri: 1. Zona E este puternic dopată cu impurităţi. iar zona C este mai puţin dopată decât zona E. la care conducţia electrică este asigurată atât de electroni cât şi de goluri. colector şi bază. Structura fizică a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentată în figura 1. o rezistenţă de limitare a curentului de sarcină (R) şi sursa de alimentare E. . În acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent.1 Tranzistoare bipolare . zona B este slab dopată cu impurităţi şi este foarte îngustă (de ordinul micronilor).16. La funcţionarea în regim de amplificare joncţiunea E-B este polarizată direct.4. iar joncţiunea B-C este polarizată invers. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor După modul în care se realizează conducţia electrică a semnalului prin DA.structura fizică şi funcţionare Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone şi două joncţiuni.12 Capitolul 1 Figura 1. În această schemă tranzistorul reprezintă dispozitivul de amplificare. Simbolizarea diodei tunel şi caracteristica curent-tensiune 1. fie numai goluri.18.4 Tranzistoare Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a amplifica semnale electrice. Figura 1. 1. Considerând un dispozitiv de amplificare (DA) comandat prin semnalul de intrare xi. 2. în figura 1. Cei trei electrozi se numesc: emitor. Tranzistoare unipolare. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn. La aceste tranzistoare semnalul de intrare (xi) în DA este o tensiune. la care conducţia electrică este asigurată de o singură categorie de purtători: fie numai electroni.19.

19. este mai mare decât puterea de intrare (Pi): (1.factor static de amplificare în curent IC (1. Întrucât lăţimea bazei este foarte mică iar regiunea de trecere a joncţiunii B-C se extinde mult în zona bazei (n). IB . UCB > Pi = UEB . (Pe).7) (1. Pe = IC . Structura şi simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp şi npn) Figura 1. Puterea la ieşire. Din schema structurală rezultă ecuaţia curenţilor prin tranzistor: I C = α n I E + I CBo (1. golurile din emitor difuzate în bază (B) sunt preluate şi transportate în colector de câmpul electric intern Ei al joncţiunii colectorului. Structura fizică şi polarizarea tranzistorului pnp I α n = E ≅ 0.6) I B = (1 − α n )I E − I CBo IE = IC + IB (1. rezultând I C ≈ I E .995 .5) Un procent foarte mic de goluri se recombină cu electroni din bază formând atomi neutri. Figura 1.8) unde: ICBo este curentul de purtători minoritari. tensiunea între colector şi bază este mult mai mare decât tensiunea dintre emitor şi bază: U CB >> U EB .Dispozitive electronice de circuit 13 Curentul de difuzie prin joncţiunea emitorului este format din purtătorii majoritari care sunt golurile. Transferul aproape integral în colector a golurilor difuzate în bază poartă numele de efect de tranzistor.9) Această inegalitate explică posibilitatea funcţionării tranzistorului în regim de amplificare. În modul. Observaţie: Curentul de purtători minoritari ICBo este foarte mic.18.

emitor). având 4 borne.20).22. c) Schema de conexiuni – colector comun (CC – figura 1. De aceea sunt posibile trei scheme fundamentale de conexiune ale tranzistorului în regim de amplificare.21.20. Figura 1.24) I B = f ( U BE ) U CE = ct .4. Tranzistorul bipolar în conexiune emitor comun Figura 1.23).2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice Întrucât în regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol (simbolizat în figura 1. iar tranzistorul având numai 3 terminale (bază. Figura 1.22) – este cea mai utilizată. rezultă că un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca bornă comună pentru intrare şi ieşire.14 Capitolul 1 1. Tranzistorul bipolar în conexiune bază comună b) Schema de conexiuni – emitor comun (EC – figura 1. Figura 1. iar în continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru această conexiune. se utilizează ca amplificator de putere (etaj final). Tranzistorul bipolar în conexiune colector comun Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1. colector. Simbolizarea unui amplificator a) Schema de conexiuni – bază comună (BC – figura 1. În oricare dintre cele 3 scheme se are în vedere că joncţiunea E-B este polarizată direct. iar joncţiunea C-B este polarizată invers.21). .23.

11) . Caracteristici statice de intrare Caracteristici statice . Figura 1. în care se disting principalele regiuni de lucru.24. de ieşire pentru conexiunea EC: I C = f ( U CE ) I B = ct Familiile caracteristicilor de ieşire sunt date în figura 1. Regiunea 1 – zona de blocare (de tăiere) este caracterizată de polarizarea inversă a joncţiunii E-B sau de lipsa polarizării acestei joncţiuni.Dispozitive electronice de circuit 15 Figura 1.25. βn 1 + βn (1.10) unde: β n = αn se numeşte factor static de amplificare în curent pentru 1 − αn conexiunea emitor comun. Regiunea 2 – regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea directă a joncţiunii E-B şi de polarizarea inversă a joncţiunii C-B.25. I C = β n I B + (1 + β n )I Co (1. Familiile caracteristicilor de ieşire Relaţia între factorul de amplificare βn şi factorul static de amplificare în curent αn – pentru conexiunea bază comună este: αn = unde β n = [30 L 1000] .

figura 1. 1.4.stabilizarea punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii. în figura 1.4. limita tensiunii de colector (UCEmax) şi limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax).13) Figura 1.10) rezultă: I C ≅ (1 + β n )I Co (1. Aceste trei valori reprezintă parametri de catalog.determinarea punctului static de funcţionare (PSF).4 Tranzistorul bipolar în circuit.12) unde ICo este curentul de purtători minoritari (curentul invers al joncţiunii BC).3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar Considerând familia caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun (EC). Caracteristicile au o ramură comună sub formă de dreaptă cu înclinaţia de aproape 90o. ce nu trebuie depăşiţi în timpul funcţionării tranzistorului. .16 Capitolul 1 În regiunea de tăiere curentul de bază fiind nul.U CE max (1. Stabilirea PSF Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare.26 sunt ilustrate cele 3 limitări esenţiale în funcţionarea tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax).27. La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate două probleme: .26. din relaţia (1. realizat cu un tranzistor de tip npn. Regiunea 3 – este numită şi zonă de saturaţie şi corespunde situaţiei când ambele joncţiuni sunt polarizate direct. Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar 1. . Relaţiile care trebuie respectate între valorile de lucru şi valorile limită ale celor trei parametri sunt: I C ≤ I C max U CE ≤ U CE max Pd < Pmax = I C max . Această dreaptă se numeşte ”dreaptă de saturaţie”.

iCo).16) Punctul static de funcţionare. prezentată în figura 1.15) Neglijând UBE în raport cu EC ( UBE ≅ 0). iCo) Figura 1. (1. iC=f(UCE). Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire (figura 1. RB. .15) se obţine: iBo ≅ EC RB (1. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn Se dau: EC.28. Se cere: PSF → M(UCEo.Dispozitive electronice de circuit 17 Figura 1.ecuaţia dreptei de sarcină.28. M(UCEo. se obţine la intersecţia caracteristicii externe (aferentă curentului iBo) cu dreapta de sarcină. trasată prin tăieturile sale ( IC = EC şi U CE = E C ).27. RC şi familia caracteristicilor externe ale tranzistorului. din relaţia (1.14) Procedând similar pentru circuitul de intrare se obţine: EC = RB ⋅ iB + UBE (1. Panta (înclinarea) dreptei de sarcină se exprimă prin RC tg(α)=RC.27) se obţine: EC = RC ⋅ iC + UCE .

dar cea mai utilizată este schema din figura 1.30. Pentru restabilirea funcţionării normale este necesară readucerea PSF (M’) în poziţia iniţială (M).4.17) Dacă T ↑ ⇒ iC ↑ (punctul M se deplasează în M’).29.30 în care. sau IB=ct. iE ⇒ UBE = U . care utilizează diverse scheme. cu ajutorul rezistenţei de emitor (RE) se rezolvă problema stabilizării PSF.17) se observă că UBE scade ceea ce conduce la micşorarea curentului de colector. atunci funcţionarea etajului de amplificare este defectuoasă. Figura 1. Din (1. iE .RE . Deci se compensează creşterea iniţială a curentului iC iar punctul static de funcţionare este adus din poziţia M’ în poziţia iniţială M. U = UBE + RE .29). Dacă deplasarea PSF este mare. Modificarea PSF la variaţia temperaturii Există mai multe metode de stabilizare. Schemă utilizată pentru stabilizarea PSF-ului la variaţia temperaturii Stabilizarea PSF se explică prin relaţiile: (1. Figura 1. De asemenea. Un alt efect al creşterii temperaturii îl reprezintă micşorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct. ceea ce conduce la creşterea factorului de amplificare βn.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe.) şi ca urmare modificarea caracteristicilor de intrare. atât în conexiunea EC cât şi în conexiunea BC. rezultând o creştere a curentului de colector care deplasează punctul static de funcţionare M în M’ (figura 1. realizând astfel stabilizarea PSF la variaţia temperaturii. cresc factorii statici de amplificare în curent βn şi αn. ceea ce conduce la creşterea curentului de emitor (iE ≈ iC).18 Capitolul 1 1. Stabilizarea punctului static de funcţionare Dacă temperatura creşte iCo creşte.

are rolul de a scurtcircuita rezistenţa de emitor atunci când etajul funcţionează în curent alternativ. Schema de stabilizare a punctului Figura 1. Figura 1. În figura 1. .Dispozitive electronice de circuit 19 Observaţii: • Divizorul de tensiune format din rezistenţele RB1 şi RB2 permite impunerea valorii curentului de bază în regim static (iBo).1 ⋅ RE. 1. • Condensatorul din emitor. cum sunt termistoarele şi diodele semiconductoare.33-a). sunt prezentate în figura 1.2⋅EC. iar curentul prin termistor creşte. Schemă cu diodă de static de funcţionare utilizând termistor compensare.32 este dată o schemă de stabilizare termică utilizând o diodă ca element de compensare.33-b. având ca efect micşorarea curentului iB.32.4. în paralel cu rezistenţa de emitor. corespunzătoare punctului static de funcţionare M.iE ≅ 0.5. pentru stabilizarea punctului static de funcţionare În figura 1. rezultat din nodul A. La creşterea temperaturii. rezistenţa termistorului scade.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând elemente neliniare de compensare Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare se pot utiliza şi elemente de compensare ce au caracteristici neliniare. Dioda D fiind polarizată în sens de blocare.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de amplificare în regim dinamic) Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare utilizând un tranzistor bipolar npn în conexiune emitor-comun (figura 1. De regulă se adoptă curentul prin RD la valoarea: iD≅10⋅iBo. CE.31 este prezentată o schemă de stabilizare utilizând un termistor ca element de compensare. scade corespunzător. pentru care diagramele curenţilor şi tensiunilor. la creşterea temperaturii va creşte curentul invers idi. deci are loc compensarea efectului de creştere a curentului iC cu temperatura. La funcţionarea etajului în curent alternativ condensatorul CE elimină reacţia negativă de tensiune dacă reactanţa condensatorului de emitor este de cel puţin 10 ori mai mică decât RE: XE ≤ 0.4. • În regim static de funcţionare căderea de tensiune pe rezistenţa din emitor se poate calcula cu relaţia: RE. astfel încât curentul iB. 1.31. acţionând în sensul compensării efectului de creştere a curentului de colector cu temperatura.

Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt: Amplificarea în tensiune: A U = A = U CE = U CEo + U CE ~ U2 Ui U BE I I Amplificarea în curent: A I = 2 = C (val.20 Capitolul 1 Datorită semnalului alternativ de la intrare. unde Pe = UCE ⋅ IC. Deplasarea alternativă a punctului static (M) pe dreapta statică de sarcină. punctul static de funcţionare (M) se deplasează pe dreapta de sarcină. între punctele A şi B se face cu frecvenţa semnalului de intrare (iB~) şi are ca efect apariţia componentelor alternative pentru curentul de colector (adică iC~) şi pentru tensiunea de la ieşire (UCE~). Construcţia grafică (reprezentată la scară) a caracteristicilor în regim dinamic permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare. AI. eficace). tensiunea colector-emitor are două componente: (1. Curentul de la ieşire (iC~) este în fază cu cel de la intrare (iB~). peste componentele continue (iB0. unde: U1 = UBE.rezistenţa la ieşire (zeci sau sute de Ω). adică este inductivă sau capacitivă. (1. Proprietăţi calitative ale etajelor de amplificare în raport cu schema de conexiune utilizată. . R E = 2 .21) I1 IB Amplificarea în putere: AP = Pe/Pi.20) Ri = U U1 . Re . adică segmentul AB. Tensiunea de la ieşirea etajului (UCE~) este în antifază faţă de curentul de intrare alternativ (iB~). b) Conexiunea colector-comun (CC): Ri .rezistenţa la intrare (zeci de Ω).22) Rezistenţele de intrare şi ieşire ale etajului de amplificare sunt: ≅ U CE (val.19) Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative şi blochează componenta continuă (dacă există) a semnalului de intrare. I1 = IB. Deci caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor statice de funcţionare când la intrarea etajului se aplică semnalul alternativ. I2 = IC I1 I2 (1.tg β) este diferită faţă de panta caracteristicii statice (tg α). U2 = UCE.18) De asemenea. panta caracteristicii dinamice (panta segmentului A’B’ . AU. iC0) ale curenţilor din tranzistor se suprapun componentele alternative. ZC.rezistenţa la intrare (zeci sau sute de kΩ). Re .rezistenţa la ieşire (sute de kΩ sau MΩ). În timpul funcţionării etajului de amplificare în curent alternativ. Curenţii prin tranzistor vor fi: i B = i Bo + i B ~ i C = i Co + i C ~ (1. marcat cu linie groasă. Dacă sarcina etajului nu este rezistivă. efective) (1. corespunzător valorilor maxime ale curentului iB~ . iar Pi = UBE ⋅ IB (1. Ai ≤ 1.23) Observaţie: Dacă tensiunea de intrare Ui este de înaltă frecvenţă sau dacă sarcina nu este rezistivă parametrii etajului sunt mărimi complexe: Zi. În regim dinamic punctul static M se deplasează în ambele sensuri pe dreapta de sarcină şi descrie caracteristica dinamică. AU =zeci sau sute. a) Conexiunea bază-comună (BC): Ri .

AU ≤1. • Schema bază-comună (BC) creează dificultăţi la cuplarea etajelor în cascadă (serie) datorită diferenţelor foarte mari între impedanţa (sau rezistenţa) de intrare şi cea de ieşire. care în limba engleză are aceeaşi semnificaţie: Field Effect Transistor. sau goluri (care au sarcină pozitivă). Canalul poate fi realizat din purtători de sarcină negativi (electroni). Funcţionarea acestora se bazează pe modificarea conductanţei unei căi de trecere a purtătorilor care produc curentul electric prin dispozitiv. Se mai utilizează abrevierea FET.rezistenţa la ieşire (zeci kΩ).33. • Pentru amplificatoarele de tensiune. Calea de trecere se numeşte canal şi este situat între doi electrozi numiţi sursă (S) şi drenă (D).rezistenţa la intrare (kΩ). fiind canal de tip n. Re . Concluzii: • Schema colector-comun este utilizată în circuitele de adaptare pentru că are rezistenţa la ieşire mică sau. Figura 1. Ai = zeci sau sute.Dispozitive electronice de circuit 21 Ai = zeci sau sute. AU= zeci sau sute. c) Conexiunea emitor-comun (EC): Ri .7 Tranzistoare unipolare În cazul tranzistoarelor unipolare. fie goluri. Tranzistoarele unipolare se mai numesc Tranzistoare cu Efect de Câmp (TEC). conducţia este asigurată de o singură categorie de purtători: fie electroni. . în construcţia amplificatoarelor de putere. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar 1. schema cea mai utilizată este cea cu emitorul-comun. canalul fiind de tip p.4.

Distribuţia spaţială a potenţialului la nivelul canalului este prezentată în figura 1. figura 1. Figura 1. regiunile de trecere (reprezentate prin zonele haşurate din figura 1. Deoarece conductanţa canalului depinde de potenţialul grilei. TEC-J . respectiv curentul de drenă este maxim (ID=IDmax).. Baza fiind legată la grila negativată de către tensiunea UG. având structură MOS (Metal Oxid Semiconductor).1 TEC-J având canal de tip n.structura fizică (a). 1012 Ω). După modul în care se realizează controlul (reglajul) conductanţei canalului există două categorii de tranzistoare unipolare: 1) TEC cu joncţiuni (TEC-J). regiunile de trecere au lăţime neglijabilă (deci nu apar zonele haşurate) şi ca urmare secţiunea canalului este maximă.34..35-b. Deci canalul de tip n este situat între două joncţiuni polarizate invers. Structură fizică şi funcţionare Tranzistoarele cu efect de câmp şi joncţiuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n sau p. Din acest motiv tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de câmp. În funcţionarea tranzistorului TEC-J se disting următoarele situaţii: a) Dacă grila nu este polarizată (UG =0).35. În cele ce urmează se prezintă structura fizică a unui tranzistor TEC-J având canal de tip n. 2) TEC cu grilă (poartă) izolată. Simbolizarea tranzistoarelor unipolare Conductanţa canalului se modifică sub influenţa câmpului electric produs de tensiunea aplicată la al 3-lea electrod numit grilă (G) sau poartă (P). distribuţia potenţialului (b) Zonele haşurate reprezintă regiunile de trecere ale celor două joncţiuni.35-a) se extind în zona canalului micşorând . 1. TEC sunt comandate în tensiune.4.TEC-MOS. Rezistenţa internă a acestor tranzistoare este foarte mare ( 108 . b) Când grila este negativată (UG<0).35-a. Zona p a grilei formează cu zona n a canalului o joncţiune polarizată invers.7. rezultă altă joncţiune p-n polarizată invers.22 Capitolul 1 Figura 1.

zona de amplificare. Familia caracteristicilor de ieşire prezintă două zone: I. Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n.Dispozitive electronice de circuit 23 secţiunea acestuia.37.37) şi de intrare (figura 1. II – zona de saturaţie. În zona de amplificare curentul de drenă este reglat prin modificarea tensiunii de grilă.36a şi b. Familia caracteristicilor de ieşire În familia caracteristicilor de intrare se observă că tensiunea de prag (Up) reprezintă valoarea tensiunii de grilă la care se anulează curentul de drenă (ID). Figura 1.36. iar curentul de drenă care circulă între sursă (S) şi drenă (D) se micşorează.38. Familia caracteristicilor de intrare . indiferent de tensiunea aplicată pe drenă. b) canal p Importanţă deosebită prezintă familia caracteristicilor de ieşire (figura 1. Simbolizarea în circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentată în figura 1.38). Figura 1. Figura 1. c) Dacă grila este puternic negativată (UG<<0) regiunile de trecere se unesc anulând secţiunea canalului şi ca urmare se anulează curentul de drenă (ID≅0).

întrucât reactanţa X C a acestuia este neglijabilă la frecvenţa de lucru a etajului. este posibilă dacă tranzistorul este polarizat corect. Figura 1. realizat cu tranzistori TEC-J (canal n). dacă se utilizează una dintre schemele prezentate în figura 1.39-a etajul de amplificare utilizează o sursă separată (Eg) pentru negativarea grilei.39-a şi b. dată de componenta continuă a curentului de drenă ID0 = IS0.24 Capitolul 1 1. acestea având rolul de blocare a componentei continue din semnalul de intrare şi/sau ieşire. În schema din figura 1. Curentul de drenă (curentul de sarcină al etajului) este limitat prin rezistenţa de drenă (RD).39. iar pe drenă (D) se aplică o tensiune pozitivă.01) din valoarea nominală a semnalului de intrare.4. valoarea mare a rezistenţei Rg asigură o rezistenţă (impedanţă) de intrare ridicată pentru etajul de amplificare. Etaj de amplificare cu TEC-J: a) cu sursă separată pentru negativarea grilei. dată de relaţia: UG0 = − RS ⋅ ID0 S (1.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J Funcţionarea unui etaj de amplificare. utilizând o singură sursă de alimentare (sursa de drenă ED). Rezultă că între rezistenţa Rg şi reactanţa X C trebuie să existe C1 relaţia: X C C1 ≤ Rg 100 (1. Rezultă tensiunea de negativare a grilei. se aplică între sursă şi grilă (prin rezistenţa Rg). Schema din figura 1.39-b realizează negativarea automată a grilei în raport cu sursa.24) Condensatorul CS decuplează (scurtcircuitează) rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. În figura 1. Căderea de tensiune pe rezistenţa sursei (RS). adică atunci când grila (G) este negativă în raport cu sursa (S).39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = −Eg. Rezistenţa Rg se adoptă de ordinul megohmilor (MΩ) şi are rolul de a transmite pe grilă potenţialul negativ al sursei (bateriei) Eg.7. b) cu negativare automată a grilei. Aceste condiţii impuse etajului de amplificare pot fi îndeplinite.25) . În acelaşi timp. Observaţie: În proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie îndeplinite două condiţii esenţiale: • Căderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului să nu fie mai mare de un procent (0. Condensatoarele CC1 şi CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare şi respectiv la ieşirea etajului. cu semnul plus (+) la sursă şi minus (−) la grilă.

40). utilizând punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină cu axele de coordonate: ID = ED . cu frecvenţa semnalului UG ~ . exprimată prin tg(α). În acest caz panta caracteristicii dinamice va fi: tg β = f (RD + RS) sau tg β = g (RD + ZS) (1. a punctului static M pe dreapta de sarcină între punctele A şi B. o rezistenţă de sarcină RS (sau o impedanţă ZS).30) .Dispozitive electronice de circuit • 25 Condensatorul CS conectat în paralel cu RS trebuie să şunteze rezistenţa RS la funcţionarea etajului în curent alternativ. reprezintă caracteristica dinamică a tranzistorului TEC-J. Astfel. Această condiţie este îndeplinită dacă între rezistenţa sursei RS şi reactanţa X C există relaţia: S X CS ≤ RS 10 (1.26) 1. Proiecţiile duse din punctul static (M) pe axele ID şi UDS determină coordonatele ID0 şi UDS0 ale punctului M. Panta caracteristicii dinamice (tg β) va fi diferită de panta dreptei statice (tg α) dacă la ieşirea etajului se conectează. RD U DS = E D (1.29) Din figura 1. Dacă la intrarea etajului se aplică un semnal alternativ (u~). prin CC2. pentru UG0= −Eg .4. atunci componenta alternativă a tensiunii de grilă (UG ~) determină deplasarea rectilinie alternativă.7. depinde numai de valoarea rezistenţei de drenă RD: tg(α)=RD. cu dreapta statică de sarcină. se trasează dreapta statică de sarcină în planul caracteristicilor de ieşire (figura 1.39-a).40 se observă că la funcţionarea etajului în regim dinamic apar componentele alternative ale curenţilor şi tensiunilor prin tranzistor care se suprapun peste componentele continue ale acestora. Astfel segmentul AB.39-a şi aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ED = RD ⋅ ID + UDS (1. expresiile curenţilor şi tensiunilor în regim dinamic sunt: UG = UG0+ UG ~ UDS = UDS0+ UDS ~ ID = ID0+ ID ~ (1.27) Presupunând dată familia caracteristicilor de ieşire I D = f ( U DS ) U = ct. Panta dreptei statice de sarcină.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic Considerând etajul de amplificare din figura 1. astfel încât să se elimine reacţia negativă de tensiune.28) Punctul static de funcţionare (M) se obţine la intersecţia caracteristicii de ieşire. figurat cu linie groasă. G pentru tranzistorul TEC-J utilizat în etajul de amplificare (figura 1.

În cazul tranzistoarelor TEC-MOS având canal permanent. deoarece modifică prin potenţialul său proprietăţile semiconductorului la suprafaţa dinspre oxid.10-6) mm.4. atunci regimul de funcţionare este un regim de îmbogăţire (în purtători). Structura MOS poate avea două tipuri de canale: a) canal de tip n (electroni).42-b sunt marcate regiunile I şi II.7. reprezentând: I-regiunea de amplificare. Structura fizică este prezentată în figura 1. În figura 1.. la care grila este izolată de canal prin stratul de oxid. Figura 1. b) canal de tip p (goluri). ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcină prin tranzistor. În figura 1. rezistenţa de intrare rezultă foarte mare: Ri≅1014 Ω. II – regiunea de saturaţie.42-b sunt reprezentate caracteristicile de ieşire şi intrare: i D = f ( U D ) U G = ct Valoarea tensiunii de grilă pentru care curentul de drenă se anulează (iD=0) poartă numele de tensiune de prag (Up).31) . i D = g( U G ) U D = ct (1. se alege PSF în regiunea de sărăcire (grilă negativă). Diagramele tensiunilor şi curenţilor la funcţionarea etajului în regim dinamic 1.40.42-b. deci modifică conductivitatea canalului. Dacă grila este la potenţial pozitiv.26 • • Capitolul 1 Observaţii: Curentul de la ieşirea etajului (ID~) este în fază cu semnalul alternativ de la intrare (UG ~). PSF se alege pe dreapta de sarcină în zona de îmbogăţire (grilă pozitivă).. Pentru Ri mică.41. iar curentul de drenă creşte. Observaţii: Dacă se cere o rezistenţă de intrare (Ri) cât mai mare a etajului de amplificare.42-a iar familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare este dată în figura 1. Metalul depus pe oxid joacă rol de grilă.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) Structura MOS este prezentată în figura 1. La suprafaţa semiconductorului de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 . Tensiunea de ieşire (UDS ~) este în antifază cu semnalul de intrare (UG~).

Dacă din schema etajului de amplificare (figura 1. atunci se obţine un etaj de amplificare ce asigură o impedanţă de intrare (Zi) foarte mare (≈1012 Ω). Structura tranzistorului MOS Figura 1.Dispozitive electronice de circuit 27 Figura 1. CS şi RG.CS asigură negativarea automată a grilei în raport cu sursa de alimentare.7. considerând că în PSF tensiunea de grilă este negativă (UGo<0).41. este alimentat de la o singură sursă (+ED). a .42.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TECMOS având canal de tip n.43 este prezentată schema unui etaj de amplificare la care tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n). Rezistenţa de grilă (RG) se adoptă suficient de mare (de ordinul MΩ) astfel încât să asigure o impedanţă mare la intrarea etajului de amplificare.43) se elimină elementele RS. În figura 1. la fel ca în cazul TEC-J. Astfel de amplificatoare cu impedanţe de intrare foarte mari sunt necesare în construcţia adaptoarelor traductoarelor de pH. familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare (b) 1. Structura fizică (a).4. Grupul RS .

7.3) Figura 1. Figura 1.43. Structura fizică şi simbolizarea tiristorului . deci mai multe joncţiuni. tiristorul. Structura fizică a acestor dispozitive conţine mai multe straturi în succesiune pnpn. Un dispozitiv semiconductor special care are o singură joncţiune şi trei electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Joncţiune (TUJ). Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este asemănător celui prezentat la tranzistorul TEC-J (§ 1. El este format din 4 zone şi 3 joncţiuni.5 Dispozitive semiconductoare speciale În electronica aplicată se utilizează frecvent dispozitivele semiconductoare speciale.5. Etaj de amplificare cu TEC-MOS având canal n 1. Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A).1 Tiristorul Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat în electronica de putere. catod (C) şi poartă sau grilă (P sau G). triacul.47. În cele ce urmează se va prezenta structura.4.47. diacul. Cele mai utilizate dispozitive multijoncţiune sunt: dioda pnpn (numită diodă Shockley sau dinistor). structura acestuia şi simbolizarea fiind prezentate în figura 1. caracteristicile şi funcţionarea următoarelor dispozitive semiconductoare: 1.28 Capitolul 1 traductoarelor piezoelectrice etc. Din acest motiv aceste dispozitive semiconductoare se mai numesc şi multijoncţiune.

Caracteristica anodică a tiristorului . iar i B 2 este dat numai de curentul de grilă care trebuie să fie suficient de mare. Figura 1. ceea ce duce la creşterea lui i C = i B . Figura 1. Din figura 1. Curentul prin tiristor (care circulă de la anod la catod) trebuie limitat printr-o rezistenţă de sarcină. ilustrată în figura 1.49.48. Pentru un tiristor prezintă importanţă caracteristica anodică. ia=f(Ua).48. figura 1. adică ia scade sub valoarea curentului de menţinere iam (parametru de catalog). după care este necesar un curent de grilă pozitiv care se aplică sub formă de impuls. Acest lucru conduce la creşterea lui i B . fenomenul de conducţie (creştere a curenţilor 2 prin tranzistoare) accelerându-se până când ambele tranzistoare intră în saturaţie. La început ambele tranzistoare sunt blocate.Dispozitive electronice de circuit 29 Tiristorul este echivalent cu două tranzistoare bipolare complementare (pnp şi npn). astfel încât acesta să nu depăşească valoarea nominală (care este un parametru de catalog). adică i B creşte şi 2 1 1 deschide T1 rezultând creşterea curentului de colector al tranzistorului T1. b) blocarea tiristorului are loc atunci când curentul prin tiristor se micşorează. Pentru amorsare se aplică tensiune pozitivă la anod şi negativă la catod. conectate ca în figura 1. Schema echivalentă a unui tiristor Funcţionarea tiristorului cuprinde două etape: a) amorsarea (intrarea în conducţie sau aprinderea).48 se observă că: i B 2 = i C1 + i G .49. În continuare se deschide puţin T2.49.

50). fiind neglijabil). valorile curenţilor de grilă necesari amorsării sunt mai mici şi invers (fenomen ilustrat şi în figura 1. . iar curentul anodic are o creştere mică). se disting 3 zone corespunzătoare regimurilor de funcţionare ale tiristorului: • zona I – corespunzătoare regimului de blocare (curentul creşte foarte puţin. Grupul Rp-Cp asigură atenuarea gradienţilor de tensiune inversă (periculoşi pentru joncţiunile tiristorului) ce apar în momentul blocării acestuia. • temperatura maximă a joncţiunii Tj max ≤ 140 oC. Δi a (1.32) zona III – corespunde regimului de conducţie (curentul creşte brusc după o caracteristică aproape verticală.51). e.51). • zona II – corespunzătoare regimului de tranziţie din starea blocat în starea de conducţie (când tensiunea scade pronunţat.49. Observaţii: Dacă între tensiunile de amorsare Uam1 şi Uam2 există inegalitatea (Uam1<Uam2). atunci între curenţii de grilă corespunzători există inegalitatea inversă: i G1 > i G 2 . În regimul de tranziţie rezistenţa internă a tiristorului este negativă: R Ti = − • ΔU a < 0. Pentru protecţia tiristorului la curenţi de scurtcircuit se utilizează o siguranţă fuzibilă specială (ultrarapidă.50. se înseriază cu tiristorul o bobină de inductivitate L (calculată ca şi grupul Rp-Cp după o metodologie utilizată de exemplu. figura 1. în [1]).30 Capitolul 1 În planul caracteristicilor anodice. iar pentru protecţia acestuia împotriva gradienţilor de tensiune inversă se utilizează un circuit Rp-Cp serie conectat în paralel cu tiristorul (figura 1. Figura 1.49). figura 1. Caracteristica de comandă (caracteristica de grilă) reprezintă dependenţa tensiunii de amorsare în raport cu valoarea curentului de grilă (figura 1. Pentru limitarea vitezei de creştere a curentului la o valoare sub viteza critică (parametru de catalog). iar căderea de tensiune între anod şi catod rămâne aproximativ constantă). Această caracteristică separă zona de blocare faţă de zona de conducţie şi explică faptul că pentru tensiuni de amorsare mari. • tensiunea inversă Uinv = sute (mii) volţi (tensiunea anodică inversă). Caracteristica de comandă a tiristorului • • • Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt: • curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN ≤ 1000A.

IN≤ 75A.53). Tiristorul reprezintă un întrerupător static în curent continuu şi este utilizat în construcţia variatoarelor de tensiune continuă monofazate sau polifazate. curentul de sarcină (curentul anodic) este limitat numai de rezistenţa şi/sau inductivitatea de sarcină (RS. care este o ramură distinctă a electronicii industriale. este formată din două ramuri situate în cadranele I şi III (figura 1. intrarea în conducţie se face pentru curenţi de grilă pozitivi (iG>0).52-b. Întrucât triacul are conducţie bidirecţională. Asemănător fenomenelor întâlnite la tiristor. Triacul reprezintă un întrerupător static în curent alternativ şi este utilizat pentru reglarea tensiunii alternative (în structura variatoarelor de tensiune alternativă) la bornele receptoarelor mono sau trifazate. • tensiunea maximă inversă. • temperatura maximă a joncţiunii. sunt următorii: • curentul nominal. Observaţie: Valorile absolute ale curenţilor de grilă |iG1| şi |iG2| necesari amorsării triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului (Uam1 şi Uam2). Tiristorul în circuit • • Amplitudinea impulsului de comandă pe grilă (iG) reprezintă un parametru de catalog a cărui valoare nu trebuie depăşită. dacă tensiunile de . Elementele de protecţie necesare triacului sunt aceleaşi ca în cazul tiristorului.49) să depăşească valoarea curentului de menţinere iam.Dispozitive electronice de circuit • 31 După intrarea în conducţie a tiristorului. iar funcţionarea corespunde cadranului I.5. 1. b) Dacă anodul A2 este negativ faţă de anodul A1. Făcând abstracţie de structura fizică.51. Tj-max≤ 140 oC. La funcţionarea triacului într-un circuit de sarcină se disting două situaţii: a) Dacă anodul A2 este pozitiv faţă de anodul A1.52-a). trecerea în starea de conducţie are loc pentru curenţi de grilă negativi (iG<0). Figura 1. se poate considera că triacul este echivalent cu două tiristoare în conexiune antiparalelă comandate printr-o grilă comună (figura 1. ce trebuie luaţi în considerare la alegerea unui triac. iar funcţionarea corespunde cadranului III. Principalii parametrii de catalog. LS). Acest domeniu de aplicaţie aparţine electronicii de putere. Uinv-max≤ 1200V. Conectarea triacului în circuit este prezentată în figura 1. ia=f(ua). Pentru amorsarea tiristorului este necesar ca durata impulsului de comandă (iG) să fie suficient de mare. astfel încât curentul prin tiristor (ia – figura 1.2 Triacul Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structură complexă. caracteristica anodică.

Caracteristicile anodice ale triacului 1.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) Acest dispozitiv semiconductor se mai numeşte şi diodă cu două baze. Zona p a emitorului este puternic .53.32 Capitolul 1 amorsare aplicate triacului sunt mai mari. curenţii de grilă necesari intrării în conducţie vor fi mai mici şi invers. (a) (b) Figura 1. Simbolizarea triacului (a).5. Joncţiunea p-n este realizată în zona mediană a blocului semiconductor de tip n.54. Structura fizică şi simbolizarea tranzistorului unijoncţiune La acest tranzistor zona n este slab dopată cu impurităţi. Structura fizică şi simbolizarea sunt prezentate în figura 1. Figura 1. triacul în circuit (b) Figura 1.52.54. iar rezistenţa RBB între bazele B1 şi B2 este relativ mare (de ordinul kΩ).

Care sunt proprietăţile regiunii de trecere a unei joncţiuni pn? 3. Pe durata regimului tranzitoriu (porţiunea OA din caracteristici) rezistenţa internă a TUJ este negativă.55). tranzistorul unijoncţiune este utilizat ca formator de impulsuri în circuitele de comandă ale tiristoarelor sau triacurilor. unde η se numeşte raport intrinsec (coeficient subunitar) exprimat prin relaţia: η= rB1 + rB 2 rB1 (1. Care sunt parametrii de catalog şi semnificaţia acestora. curentul de emitor (iE) creşte lent pe durata regimului tranzitoriu. Intrarea în conducţie a tranzistorului unijoncţiune are loc dacă sunt îndeplinite condiţiile: a) uBB > 0. (semnul plus la borna B2)..8 . Când aceste condiţii sunt îndeplinite joncţiunea p-n este polarizată direct. în cazul Termistorului şi Fotodiodei ? .6 Întrebări şi problemă 1. Figura 1. Familia caracteristicilor curent-tensiune Datorită formei de variaţie a curentului de emitor (în regim de conducţie).8.5 ··· 0. 1.55. b) uEB1 > η·uBB.. După terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor creşte brusc (pe ramura AB comună caracteristicilor).Dispozitive electronice de circuit 33 dopată cu impurităţi. fiind limitat numai de valoarea rezistenţei de sarcină. 1 V (punctul A din figura 1. Care este legea de variaţie a purtătorilor de sarcină în cazul semiconductoarelor omogene? Precizaţi semnificaţia parametrilor din expresia analitică ! 2. iar uEB1 scade până la valoarea de 0. De regulă η=0.33) în care rB1 şi rB2 sunt rezistenţele barei de semiconductor. între punctul din dreptul joncţiunii emitorului şi cele două baze. La aplicarea unei tensiuni uBB>0 între cele două baze potenţialul punctului M situat pe joncţiune va fi egal cu η⋅uBB.

f min = 200 [ Hz ] . Se cere să se calculeze valorile elementelor: R S . Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ. Ce modalităţi (variante) există pentru negativarea grilei – în cazul TEC-J. C2 = CS . Prin ce parametru (variabil) se poate modifica secţiunea canalului (de tip n) în cazul TEC-J ? 9. Ce reprezintă caracteristica dinamică în cazul tranzistorului bipolar şi de cine depinde panta acesteia ? 8. f = 20 KHz ? 6. C1 . în care se cunoaşte: U DS0 = 10 [ V ] . cu TEC-J (prezentată mai jos). I DS0 = 8m [ A ] . Care sunt relaţiile analitice ce justifică proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar ? 5. R D .34 Capitolul 1 4. . Re = 40 KΩ ? 7. canal de tip “n” (permanent) ? 10. U G0 = −5 [ V ] . Cum (în câte moduri) se poate măsura o tensiune alternativă cu parametrii: Uef = 80V. Care element (componentă) din schema etajului de amplificare – asigură stabilizarea PSF la variaţia temperaturii mediului ? Problemă Considerând schema unui etaj de amplificare.

Bornele de ieşire (2 – 2’) reprezintă poarta de ieşire. Sarcina sa poate fi rezistivă sau poate fi o impedanţă.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor Dacă notăm cu P1 puterea în circuitul de intrare şi cu P2 puterea obţinută la ieşire. se pot defini următorii parametri: • Amplificarea de putere Ap: A p = P2 >1 P1 (2. respectiv I1. Schema de principiu a unui amplificator Bornele de intrare (1 – 1’) reprezintă poarta de intrare.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor Un amplificator este simbolizat. Amplificarea semnalului de la intrare se face utilizând energie preluată de la sursa de alimentare (Uo). printr-un cuadripol activ care are două perechi de borne. U1.1.CAPITOLUL 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE 2. caracterizată de tensiunea şi curentul de intrare.1. ca în figura 2. Figura 2. 2.1) . care de regulă nu se simbolizează în schemele bloc. Un amplificator are rolul de dezvolta în circuitul de ieşire o putere mai mare decât cea aplicată la intrare. în condiţia ca semnalul de la ieşire să păstreze forma semnalului aplicat la intrare. caracterizată de tensiunea U2 şi respectiv curentul I2.

.tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor electromagnetice din mediul înconjurător. • Impedanţa de ieşire.. Când amplificatoarele intră în componenţa traductoarelor piezoelectrice. U1 I Ai = 2 I1 (2. numită decibel [dB]. În aceste cazuri primul etaj al amplificatorului se realizează cu tranzistoare MOS. atunci când amplificatoarele se utilizează în aparatura de măsurare (voltmetre electronice. trebuie să fie mică (zeci de Ω) pentru ca la ieşire să se poată debita un curent (o putere) cât mai mare în impedanţa de sarcină nominală (ZSN). • Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zează efectul tensiunii fluctuante la ieşirea amplificatorului – care există şi atunci când nu se aplică semnal la intrare. impedanţa de intrare (Zi) trebuie să fie foarte mare: Zi∈[108. piezorezistive sau de pH. Amplificarea în decibeli se calculează utilizând relaţia: A[dB] = 20 ⋅ log A = 20 ⋅ log Exemple: • [dB] (A > 0) (2.36 • Amplificarea în tensiune Au: A u ≡ A = Capitolul 2 U2 U1 U2 U1 (2.2) Frecvent se utilizează unitatea logaritmică pentru amplificare. ce caracterizează deformarea unui semnal sinusoidal. osciloscoape etc).1012] Ω. Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora: .5) Impedanţa de intrare este impedanţa echivalentă la bornele de intrare atunci când la bornele de ieşire este conectată impedanţa de sarcină nominală (ZSN). Aceasta se defineşte prin relaţia: Zi = U1 I1 (2.dacă A = 1 → AdB = 0.dacă A = 10n → AdB = 20⋅n. Un amplificator performant trebuie să aibă raportul dintre semnalul util şi zgomot cât mai mare. . Ze.componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (când filtrarea acestei tensiuni este necorespunzătoare).6) Valoarea impedanţei de intrare trebuie să fie de ordinul meghomilor [MΩ]. Amplificarea în curent se defineşte prin relaţia: A i = • I2 I1 (2. . se pot defini amplificările în tensiune şi curent prin relaţiile: A= • U2 . nu depăşeşte o limită impusă (de exemplu 5%).4) Considerând reprezentările în complex ale mărimilor intrare-ieşire. . .3) .agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare prin rezistoare şi tranzistoare. Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină în condiţiile când factorul de distorsiuni.

A4 .2. când la intrare se aplică un semnal perfect sinusoidal. d[%] = ⋅ 100 (2. iar punctul B – în zona de tăiere. A3.Amplificatoare şi oscilatoare 37 2. b) Distorsiuni datorate alegerii greşite a poziţiei PSF . Pentru a explica apariţia distorsiunilor de neliniaritate şi efectul poziţiei punctului static de funcţionare (PSF) al tranzistorului asupra lărgimii zonei de liniaritate în caracteristica intrare-ieşire.7) A1 unde: A1 – este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieşire u2(t) – distorsionat. a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare. fiind dată în figura 2. Se defineşte factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin relaţia: 2 2 2 A 2 + A 3 + A 4 + ..2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor Caracteristica externă reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire în raport cu tensiunea de intrare.3. în care este valabilă relaţia A[dB]=20⋅logA şi zona AB (zona II) corespunzătoare regiunii neliniare de saturaţie.. (a) (b) Figura 2. reprezintă amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t). Dacă PSF se alege în zona mediană a caracteristicii statice ( soluţia corectă – figura 2. Dacă Ui>Uimax atunci semnalul de ieşire este distorsionat (deformat). Caracteristica externă a amplificatorului În figură se disting două zone: zona OA (zona I) corespunzătoare regiunii liniare a caracteristicii. A2.. În figura 2.2.1. ( U 2 = f ( U1 ) ). Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni de neliniaritate. Figura 2. se consideră un etaj de amplificare cu tranzistor bipolar la intrarea căruia se aplică un semnal sinusoidal..3-a) semnalul de ieşire (ue2) va fi distorsionat atunci când amplitudinea semnalului de intrare (ui 2) depăşeşte valoarea maximă (ui max) delimitată de curbele c1 şi c2. unde punctul A este situat în zona de saturaţie.3 sunt prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului împreună cu dreapta de sarcină (AB).

delimitată prin caracteristica c1. transmisii de date etc.38 Capitolul 2 Dacă PSF este greşit ales spre punctul A. este echivalentă cu scăderea amplificării A la valoarea 1 ⋅ A 0 = 0. vor rezulta distorsiuni de frecvenţă numite şi distorsiuni de liniaritate (când amplificatorul funcţionează în regiunea liniară a caracteristicii intrare-ieşire). Micşorarea cu 3dB a amplificării. . Caracteristica de frecvenţă În aplicaţiile practice interesează domeniul de frecvenţă în care amplificarea este aproximativ constantă. Semnalul de intrare în amplificator este rezultatul însumării unor armonici de diferite amplitudini şi frecvenţe. introdus de amplificator. • În afara caracteristicii de frecvenţă. 2 unde A0 este amplificarea medie în banda de trecere Bt. televiziune. Observaţii: • La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie să fie mai îngustă decât spectrul semnalului util (de intrare). la extremităţile benzii de trecere. Caracteristica de fază este importantă la amplificatoarele utilizate în: osciloscoape. figura 2.4 şi exprimă dependenţa modulului amplificării în raport cu frecvenţa (f): A[dB] = g(f) (2. un amplificator este caracterizat prin dependenţa defazajului ϕ. unde ϕ este defazajul introdus de amplificator. în funcţie de frecvenţa f (datorită elementelor reactive din circuitul acestora). Ansamblul acestor armonici formează spectrul semnalului de intrare. dar nici mult mai largă decât acest spectru pentru a nu micşora raportul semnal util/zgomot. Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2.707 ⋅ A 0 . Detalii privind caracteristica de fază a amplificatoarelor sunt date în [3]. semnalul de ieşire (ue) va fi distorsionat numai pentru semialternanţa pozitivă deoarece numai prima semialternanţă din semnalul de intrare (ui) depăşeşte valoarea maximă.3-b. pentru a nu avea distorsiuni de frecvenţă.8) Figura 2. Pentru amplificarea fără distorsiuni a semnalului de intrare este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia să fie amplificate în aceeaşi măsură. Acest domeniu se numeşte banda de trecere a amplificatorului (Bt) şi reprezintă domeniul cuprins între frecvenţa joasă de tăiere (ftj) şi frecvenţa de tăiere înaltă (ftî) pentru care amplificarea A[dB] nu se micşorează cu mai mult de 3dB. Această condiţie este îndeplinită atunci când spectrul semnalului aplicat la intrare este cuprins în banda de trecere a amplificatorului.4. Dacă spectrul semnalului de intrare nu este inclus în totalitate în banda de trecere a amplificatorului. iar f este frecvenţa semnalului de intrare. Această dependenţă se numeşte caracteristică de fază: ϕ = g’(f).

d) După lărgimea benzii de trecere: • amplificatoare de bandă îngustă. caracterizate prin factorul de calitate Q. Figura 2. amplificatoarele pot fi: . • amplificatoare de bandă largă. când frecvenţa medie este de ordinul MHz sau GHz. e) După poziţia punctului static de funcţionare (PSF). Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de putere. Caracteristica de frecvenţă a unui amplificator pentru semnale lent variabile b) După nivelul semnalului amplificat: • amplificatoare de semnal mic. ale căror spectre conţin şi componenta continuă (armonica de frecvenţă nulă). sunt relativ mari. • amplificatoare de înaltă frecvenţă.. În această categorie sunt incluse şi amplificatoarele de audiofrecvenţă. Valoarea curentă a factorului de calitate este cuprinsă în domeniul [10. c) După valoarea frecvenţei medii din spectrul semnalului amplificat: • amplificatoare de joasă frecvenţă. unde variaţiile de curent şi tensiune. În categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de videofrecvenţă. este de ordinul 105. care amplifică semnale fără componentă continuă şi au caracteristica de frecvenţă de tipul celei din figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 39 2. corespunzătoare semnalului de intrare. • amplificatoare de semnal mare. unde f0 este frecvenţa centrală a benzii de trecere..5.ftj).1.4. 60]..6. deoarece se urmăreşte. sunt mici în comparaţie cu valorile tensiunilor şi curenţilor de la ieşire. la care raportul dintre frecvenţa înaltă de tăiere şi frecvenţa joasă de tăiere (ftî/ftj). La aceste amplificatoare se urmăreşte. Caracteristică de frecvenţă a acestui tip de amplificator este prezentată în figura 2. când frecvenţa medie este mai mică de 1MHz. numite şi selective. în mod deosebit. obţinerea unei amplificări în tensiune. la care variaţiile de tensiune şi de curent. în mod deosebit. corespunzătoare semnalului de intrare. Aceste amplificatoare se numesc de tensiune.5. • amplificatoare de curent alternativ. definit prin relaţia Q=f0/(ftî . ilustrat în figura 2.3 Tipuri de amplificatoare Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri şi se pot clasifica după următoarele criterii: a) După tipul semnalului de amplificat: • amplificatoare de curent continuu – destinate amplificării semnalelor lent variabile.106. obţinerea unei anumite puteri pe sarcină..

punctul M1). Figura 2. Se cere: proiectarea amplificatorului de tensiune şi a amplificatorului de putere astfel încât să se debiteze pe ZS puterea impusă la ieşire. punctul M).7. iar al doilea bloc este un amplificator de putere (etaj final.2. impedanţa de sarcină (ZS) sau rezistenţa de sarcină şi puterea necesară la ieşire (P2)..2 Amplificatoare de curent alternativ Un exemplu tipic al acestor amplificatoare îl reprezintă amplificatorul de audiofrecvenţă.7. la care PSF se alege în profunzimea regiunii de blocare. au în componenţă două blocuri funcţionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de tensiune (numit preamplificator.6. • amplificatoare în clasă B (PSF se află în punctul de tăiere.20 kHz. 2.1 Amplificatoare de tensiune Aceste amplificatoare trebuie să asigure la ieşire o tensiune U (suficient de mare) încât. AT-PA). Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1). acesta să poată furniza puterea P2 cerută la .40 • Capitolul 2 amplificatoare în clasă A (PSF se află în regiunea mediană a dreptei de sarcină. AP-EF). • amplificatoare în clasă A-B (PSF se află aproape de punctul de tăiere. figura 2.. Amplificatoarele de curent alternativ. Figura 2. Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprinsă în domeniul 20Hz. Observaţie: Există şi amplificatoare în clasă C. Poziţia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare 2. aplicată la intrarea AP. aceste amplificatoare fiind utilizate în construcţia triploarelor de frecvenţă şi în tehnica semnalelor modulate în frecvenţă. punctul M2).

Exemple de amplificatoare de tensiune 1. amplificatoarele de tensiune se realizează din mai multe etaje legate în serie (cascadă) ca în figura 2. b) cuplajul direct între etaje (ca în cazul circuitelor integrate). C3 blochează componenta continuă care s-ar putea transmite la ieşirea etajului al II-lea. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu tranzistoare bipolare Perechile de rezistoare RB1 − RB2 şi RB3 – RB4 reprezintă divizoare de tensiune prin care se stabilesc valorile curenţilor de bază. Figura 2. Figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 41 ieşire.condensatoare sau transformatoare de cuplaj.8.8. Rezistoarele RE1. Condensatoarele CE1. C2 şi C3 se numesc condensatoare de cuplaj şi au următoarele roluri: C1 blochează componenta continuă a semnalului aplicat la intrarea primului etaj de amplificare. Structura generală a unui amplificator de tensiune Cuplarea etajelor se poate realiza în două moduri: a) utilizând elemente de cuplaj . Condensatoarele C1. Observaţie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj între etaje oferă avantajul unei adaptări facile între sarcină şi etaj. Rezistoarele RC1. dar are şi dezavantaje: gabarit mare şi preţ de cost ridicat. CE2) sunt astfel alese încât reactanţele acestora să fie neglijabile (să reprezinte scurtcircuite) la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. CE2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune la funcţionarea etajelor de amplificare în regim dinamic.9. C2 are rolul de a bloca componenta continuă care s-ar transmite de la primul etaj la următorul. Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând tranzistoare bipolare (figura 2. RE2 au rolul de a stabiliza poziţia punctelor statice de funcţionare (PSF) în cele două etaje de amplificare. . către amplificatorul de putere. RC2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de colector). Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi a condensatoarelor de decuplare (CE1.9). Din acest motiv.

realizat cu circuitul integrat TAA-263. 2 – alimentare (+E).11 este prezentat un amplificator de audiofrecvenţă. Funcţionarea corectă a circuitului presupune ca în circuitul bazei primului tranzistor (T1) să existe un curent de polarizare iBo care să determine funcţionarea tranzistorului în regiunea activă. RG2 (cu valori de ordinul MΩ) au rolul de a realiza impedanţe mari la intrarea etajelor. de la un etaj la altul. Observaţii: • Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi de decuplare (CS1. Rezistenţa RB împreună cu potenţiometrul P realizează un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului . C3 au acelaşi rol (de cuplaj). CS2) trebuie să asigure reactanţe capacitive neglijabile la frecvenţele de lucru ale amplificatorului. • Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utilizând tranzistoare bipolare în loc de tranzistoare TEC-J. la rândul său. între etaje prin C2 şi la ieşire prin C3). Rezistenţele RG1. 3. iar tensiunea din colectorul lui T2 (UCE2) determină poziţia PSF pentru tranzistorul T3 care. condensatoarele C1. atât componenta alternativă cât şi componenta continuă ale semnalului.10.42 2. 4 – bornă de masă (−E). Condensatoarele CS1. Tensiunea din colectorul lui T1 (UCE1) asigură polarizarea corectă a bazei lui T2. Acest fenomen complică – într-o anumită măsură – calculul regimului staţionar al amplificatorului (în faza de proiectare). CS2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a elimina reacţia negativă de tensiune în regim dinamic. polarizează baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P şi RB). 3 – ieşire. Se observă că cele trei etaje de amplificare (din structura circuitului integrat) sunt cuplate direct. Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 – intrare. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu TEC-J Ca şi în schema din figura 2. C2. Capitolul 2 Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând TEC-J (figura 2. Rezistenţele RD1. deci blochează componentele continue (la intrare prin C1. Din această cauză punctul static de funcţionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj depinde de poziţia PSF a tranzistorului din etajul anterior. În figura 2.10) Figura 2. Rezistoarele RS1. RD2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de drenă). RS2 au rolul de negativare automată a grilelor cât şi de a stabiliza poziţiile punctelor statice de funcţionare (PSF) la variaţia temperaturii ambiante.9. Amplificator de joasă frecvenţă realizat prin cuplare directă între etaje În cazul cuplajului direct între etajele de amplificare se transmite.

2 Amplificatoare de putere (AP) Aşa cum s-a arătat anterior amplificatoarele de putere.2.11. Acest lucru este posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de . la un generator dat se obţine puterea maximă pe sarcină atunci când rezistenţa internă a generatorului (Rg) este mai mică sau egală cu rezistenţa de sarcină (RS).12. Deci. Figura 2. numite şi etaje finale. b) adaptarea etajului la sarcină utilizând pentru etajul final o schemă de conexiune adecvată. puterea debitată pe RS va fi maximă dacă este îndeplinită condiţia: Re (AP) ≤ RS (2.9) Figura 2. Reprezentând amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu rezistenţa internă Rg egală cu rezistenţa de ieşire a etajului (Re). Schema echivalentă a unui amplificator de putere Există două metode pentru creşterea puterii debitate la ieşire: a) adaptarea sarcinii la etajul de ieşire prin intermediul transformatoarelor (de adaptare). În conformitate cu teorema transferului maxim de putere. 2.12).Amplificatoare şi oscilatoare 43 tranzistor. Cu prima metodă se adaptează rezistenţa de sarcină la etaj.12. au rolul de a debita pe un rezistor de sarcină dat. schema echivalentă a amplificatorului (AP) este dată în figura 2. o valoare impusă a puterii P2 (la ieşire). ţinând seama de schema echivalentă (figura 2. Amplificator de audiofrecvenţă realizat cu CI de tip TAA-263 Observaţie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare (U1∼). Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimină reacţia negativă de tensiune la frecvenţele de lucru ale amplificatorului). se va înseria un rezistor R1 ( ≅ 1 kΩ) înaintea condensatorului C.

10) R S = r1 + (r2 + rS ) ⋅ ⎜ ⎜N ⎟ ⎟ ⎝ 2⎠ Dacă se neglijează r1 şi r2.26). În acest caz trebuie urmărită condiţia ca punctul A’ să nu ajungă în zona de saturaţie şi punctul B’ să nu ajungă pe caracteristica iB=0 (zona de tăiere). În cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieşirea amplificatorului prin transformator.1 Amplificatoare de putere în clasă A Se consideră etajul de amplificare din figura 2. unde N1 şi N2 reprezintă numărul de spire din primarul transformatorului. se obţine relaţia aproximativă de calcul pentru RS: 2 (2. Aria triunghiului poate fi mărită dacă PSF iniţial (M) se adoptă prin proiectare astfel încât dreapta de sarcină să fie tangentă în M la hiperbola de disipaţie a puterii tranzistorului (vezi figura 1.12) Creşterea puterii debitate la ieşire datorată creşterii semnalului de intrare poate avea loc dacă punctul A’ nu intră în zona de saturaţie.2. Astfel. pentru o putere mare la ieşire. Acest lucru este ilustrat în diagramele de semnale aferente funcţionării în regim dinamic al etajului. figura 2.44 Capitolul 2 cuplaj.2. Rezistenţa de sarcină raportată la primarul transformatorului se poate calcula folosind relaţia: 2 ⎛ N1 ⎞ (2. puterea utilă (Pu) debitată pe rS reprezintă puterea dezvoltată în circuitul monofazat din secundarul transformatorului şi se calculează utilizând relaţia: Pu = U ef I ef cos(ϕ) = U CE max I C max U ⋅I ⋅ = CE max C max = 2 2 2 CM ⋅ AC = = aria (ΔMAC). 2. Sarcină cuplată la AP prin transformator Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt ≅ N1/N2. adică pentru un curent de ieşire (curent de colector) mare. figura 2. Rezistenţa generatorului (Rg) din schema echivalentă se adoptă egală cu rezistenţa de ieşire (Re) a etajului amplificator de putere (AP).11) R S ≅ rS ⋅ K t Adaptarea etajului la sarcină este posibilă dacă alegem o schemă de conexiuni adecvată transferului maxim de putere. Figura 2.14 care funcţionează în clasă A având sarcina cuplată prin transformator.15. respectiv din secundarul acestuia.13. . 2 (2. O metodă de creştere a puterii debitate de AP constă în creşterea amplitudinii semnalului de la intrare. se alege o schemă de conexiuni cu rezistenţă de ieşire mică (conexiune colector comun).13.

Pentru ca semnalul de ieşire să fie tot . atunci PSF va descrie la ieşire un semnal redresat monoalternanţă (ca în figura 2. figura 2. în cazul acestor amplificatoare PSF se alege în zona de tăiere a dreptei de sarcină.16). unde Pc este puterea consumată de amplificator de la sursa auxiliară de alimentare). Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă A 2. semnalul fiind distorsionat.16.2 Amplificatoare de putere în clasă B Considerând planul caracteristicilor de ieşire. Figura 2. Figura 2. Dacă amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă B Dacă semnalul de intrare iB~ creşte excesiv.15.Amplificatoare şi oscilatoare 45 Randamentul unui amplificator în clasă A nu depăşeşte 50% (η=Pu/Pc. PSF (punctul M) poate ajunge în poziţia A”. Amplificator de putere în clasă A Figura 2.14.2.2.16.

Cei doi curenţi de colector.19-a conexiunea Darlington este realizată cu două tranzistoare npn (fără inversare de polaritate). Figura 2. Curentul de sarcină pentru din figura 2.17 Dacă la intrare se aplică semialternanţa pozitivă. 2. pentru semialternanţa negativă. pentru ca amplificarea celor două alternanţe să se facă în cantităţi egale (amplitudini egale).19).13) În schema prezentată este necesar ca tranzistoarele să aibă caracteristici statice identice. figura 2.2. Curentul de colector al tranzistorului compus este: i C = i C1 + i C2 ≅ β N1i B1 + β N2i B2 = β N2i B + β N2i E 2 = β N 2i B + + β N1 (i C2 + i B2 ) = β N 2i B + β N1β N 2i B2 + β N1i B2 = β N i B (2.de putere mică sau medie). figura 2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utilizând conexiunea Darlington. iar al doilea este un tranzistor de putere (T1). T2 –pnp). conduce T1 iar T2 este blocat şi. aceeaşi conexiune este realizată cu două tranzistoare complementare (T1 –npn.17: 1-npn şi 2-pnp. Această conexiune este formată din două tranzistoare (figura 2. etajul de amplificare se realizează cu două tranzistoare complementare. numită şi tranzistor compus. iC1 şi iC2.18.46 Capitolul 2 sinusoidal (ca cel de intrare). Ansamblul tranzistoarelor într-o conexiune Darlington se numeşte dublet. formează prin însumare curentul alternativ de sarcină (iS) prin RS. invers. β N = β N1 + β N2 + β N1 β N2 ≅ β N1β N2 .18. În figura 2. i S = i C1 + i C 2 (2.2.14) unde: (2.17.15) Din ultima relaţie se observă că tranzistorul compus realizează o amplificare în curent mare.19-b. În acest ultim caz conexiunea Darlington se numeşte cu inversare de polaritate. Amplificator de putere amplificatorul în clasă B Figura 2. Randamentul acestui amplificator în clasă B este de circa (70÷75)%. dintre care primul este numit tranzistor de comandă (T2 . iar în figura 2.

. Acest fenomen constă în modificarea în timp a tensiunilor la ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea acestuia semnalul se menţine constant sau este nul.3 Amplificatoare de curent continuu Acestea sunt destinate amplificării semnalelor lent variabile care au frecvenţa minimă din spectru egală cu zero. Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizează două metode: a) folosirea unui montaj diferenţial în schema de amplificare.20 este prezentat etajul de amplificare în montaj diferenţial. Etaj de amplificare diferenţial .Amplificatoare şi oscilatoare 47 Figura 2. care asigură tensiunile U1 şi U2. ca urmare.două divizoare de tensiune la intrări.20.19.două intrări simetrice Ui1 şi Ui2 . Conexiune Darlington: fără schimbare de polaritate 2.două ieşiri nesimetrice (Ue1 şi Ue2).3. b) utilizarea schemei de amplificare care se bazează pe principiul modulăriidemodulării. Figura 2. unde se disting: . 2. Ele sunt utilizate în construcţia aparatelor de măsură şi automatizare.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial În figura 2.o ieşire simetrică între bornele AB (Ue ≡UAB). rezultă în timpul funcţionării un fenomen numit ”deriva nulului” (sau derivă termică). . . Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea directă între etajele de amplificare.

↓ ≡ scade. ⇒ iB2 ↑ ⇒ iC2 ↑ ⇒ Ue2 ↓.48 Capitolul 2 Explicarea atenuării fenomenului de derivă: considerăm Ui1=Ui2=constant şi că temperatura T creşte. Figura 2. Cazul I: Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitele de emitor rezultă ecuaţiile: Ui1 ≠ 0 (Ui1 ↑) Ui2 = 0 ⇒ U2 = const. având ca elemente de echilibrare potenţiometrul P şi reostatul R. Ui1= 0 ⇒ U1= const.16) (2. Dacă Ui1 ↑ ⇒ iB1 ↑ ⇒ iC1 ↑ ≈ iE1 ↑ ⇒ Ue1 ↓ U BE1 = U1 − R E (i E1 + i E 2 ) U BE 2 = U 2 − R E (i E1 + i E 2 ) (2.21. Ue2 au variaţii opuse în raport cu creşterea semnalului la una dintre intrările amplificatorului. din (2. Aceste variaţii sunt ilustrate în planul caracteristicilor de transfer. ceea ce conduce la scăderi ale tensiunilor Ue1 şi Ue2 în cantităţi egale. considerând aceste semnale neegale (Ui1 ≠ Ui2).21.18) U BE1 ↓.16). din (2. Funcţionarea în regim de amplificator Pe parcursul explicaţiilor se utilizează notaţiile simbolice: ↑ ≡ creşte. ⇒ (2. . Dacă se aplică simultan semnale la ambele intrări.22-a se dă schema unui etaj diferenţial. figura 2. dar iC2 ≈ iE2 ↑. tensiunea la ieşire va fi dată de relaţia: Ue=K⋅(Ui1-Ui2). rezultând o tensiune constantă la ieşirea simetrică (Ue =UAB=const). Tensiunile de ieşire ale amplificatorului diferenţial Observaţii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dublă faţă de pantele caracteristicilor referitoare la ieşirile simetrice. unde K este factorul de amplificare pentru montajul diferenţial.17) ⇒ U BE 2 ↓ ⇒ iB2 ↓ ⇒ iC2 ↓ ⇒ Ue2 ↑ Cazul II. deci iB1 ↓ ⇒ iC1 ↓ (scade) ⇒ Ue1 ↑(creşte) Concluzie: Cele două tensiuni la ieşirile nesimetrice Ue1.17) Dacă iE1 ↑. În acest caz rezultă: iC1 creşte şi iC2 creşte. În figura 2. Ui2 ≠ 0 (Ui2 ↑) Dacă Ui2 ↑.

b) deplasarea caracteristicilor statice. determinând o deplasare în sus a caracteristicilor. Exemplu: Prin creşterea rezistenţei R curentul iC ≅ iE1+iE2 se micşorează. acesta se realizează prin circuite specializate (dimensionate în faza de proiectare).22. adică intersecţia caracteristicilor statice nu are loc în origine (figura 2. Prin ajustarea potenţiometrului P se deplasează caracteristicile pe orizontală.Amplificatoare şi oscilatoare 49 S-a considerat iniţial că etajul nu este echilibrat.4 Reacţia negativă în amplificatoare şi consecinţele ei Reacţia – în cazul amplificatoarelor – constă în aplicarea (introducerea) la intrarea acestuia a unei părţi din energia mărimii de la ieşire. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie negativă de tensiune . iar cu ajutorul reostatului R se deplasează caracteristicile pe verticală. Există însă şi situaţii în care reacţia negativă apare accidental.22-b). Figura 2. a cărui schemă bloc este prezentată în figura 2. prin intermediul unei legături inverse (ieşire-intrare).23. Se consideră un amplificator cu reacţie negativă de tensiune. iar tensiunea de ieşire comună creşte. până când se obţine echilibrarea amplificatorului (intersecţia caracteristicilor statice are loc în originea axelor de coordonate).23. Când reacţia negativă este necesară în amplificatoare. fiind determinată de cuplaje parazite. 2. Echilibrarea etajului diferenţial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare. Figura 2.

se obţine: Ue U +β e =1 A ⋅ Ui Ui Ţinând seama de expresia lui Ar (2. Conform figurii 2.27) În cazul reacţiei negative semnalul de la ieşire (Ue) este în antifază cu semnalul de la intrare (U). pentru cazul reacţiei negative de tensiune (figura 2.26) Rezultă că.25) Ar + β ⋅ Ar = 1 A A 1+β⋅A (2.20) unde: U i este tensiunea aplicată la intrare.20). U .21) unde: Ur este tensiunea de reacţie. amplificarea este exprimată prin relaţia: Ar = (2.23) Din relaţiile (2.Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacţie de tensiune.22) Ur = β ⋅ Ue (2. se pot scrie următoarele ecuaţii: U + U r − Ui = 0 (2.23). Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare şi cel de reacţie (figura 2.A este factorul de amplificare al amplificatorului fără reacţie. rezultă: . Reacţia pozitivă se obţine când tensiunea Ue de la ieşire este în fază cu semnalul U. printr-o reţea de elemente pasive şi este caracterizat prin factorul de reacţie β: β= Ur Ue (2.19) unde: Ue .24) (2. Dacă circuitul de reacţie este format numai din rezistoare atunci β este un număr real.este tensiunea la intrarea amplificatorului fără reacţie. de obicei. Circuitul de reacţie este realizat. .28) şi împărţind membrul drept prin A.50 Capitolul 2 Semnificaţiile notaţiilor din figură sunt: . din relaţia precedentă se obţine: (2. Amplificarea unui amplificator cu reacţie pozitivă de tensiune este dată prin relaţia: Ar = A 1−β⋅A (2.23).19).23 acest factor este exprimat prin relaţia: Ar = Ue Ui (2. exprimat prin relaţia: A= Ue U (2.20) şi (2.28) Pornind de la relaţia (2.este tensiunea la ieşirea amplificatorului. (2.21) se obţine: Ue + β ⋅ Ue = Ui A Împărţind ultima relaţie la U i .

fiind conceput să funcţioneze într-o gamă largă de frecvenţe. Amplificatorul inclus în structura oricărui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenţial integrat). AO este caracterizat de o amplificare foarte mare. integrare. 7) variaţia defazajului Δϕ ≅ 0.Amplificatoare şi oscilatoare 51 Ar = 1 1 +β A 1 β (2. (foarte mare) rezultă: A r ≅ (2. iar erorile introduse sunt în limitele admise.30) Consecinţele reacţiei negative în amplificatoare: Se micşorează amplificarea A. • Se micşorează distorsiunile de neliniaritate. Uieşire=0 în orice moment în care la intrare nu se aplică semnal). • Se modifică favorabil impedanţele intrare-ieşire. Cele mai utilizate scheme cu AO sunt: . 4) impedanţa de intrare Zi → ∞. Un AO foloseşte reţele de reacţie a căror structură (rezistenţe şi capacităţi) permite realizarea unor operaţii matematice (adunare. • Se ameliorează (îmbunătăţesc) parametrii calitativi ai amplificării. 2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabilă. Amplificatoarele operaţionale se clasifică după natura relaţiei intrare-ieşire. majoritatea amplificatoarelor utilizează acest tip de reacţie. scădere.5 Amplificatoare operaţionale Un amplificator operaţional (AO) este un amplificator la care cuplarea între etaje se face direct.29) Pentru A→ ∞ . • 2. Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaţii de calcul simple. Relaţia (dependenţa) intrare-ieşire poate fi liniară sau neliniară. în funcţie de structura circuitului de reacţie aferent amplificatorului. astfel încât amplificarea cu reacţie să rezulte la valoarea impusă. • Creşte stabilitatea în timp a amplificării. 5) impedanţa de ieşire Ze → 0. diferenţiere etc). • Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului. Observaţie: Datorită avantajelor oferite de reacţia negativă. 6) 1ăţimea benzii de trecere B → ∞. • Creşte lăţimea benzii de trecere. dar acest lucru nu reprezintă un inconvenient prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A mai mare decât cea dorită. Principalii parametri idealizaţi sunt: 1) amplificarea în buclă deschisă A0 → ∞. 3) curentul de polarizare pe cele două intrări neglijabil. proprietate foarte utilă în echipamentele de măsură şi de automatizare.

⇒ io ≅ − i1 Ue=R1i1+U Ue R1 se (2. Schema de principiu a unui AO în montaj inversor Figura 2.35) Ue U =− i R1 Ro sau U e = − R1 Rezultă: Ue= .52 Capitolul 2 1) Amplificator operaţional în montaj inversor . unde K = R1/Ro (2.26.26.27. Simbolizarea unui AO neinversor . pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui) se consideră ipotezele: Zi → ∞ . iar simbolizarea este prezentată în figura 2. Schema de principiu a unui AO în montaj neinversor Figura 2.K Ui .25. (2.31) se obţine: i1 ≅ Din (2. iar schema simbolică este dată în figura 2. rezultă: Ui=Roio+U (2.realizează înmulţirea cu o constantă şi inversarea semnului tensiunii de intrare.31) se obţine: i o ≅ Ui Ro (2. i ≅ 0 şi U≅0 (2. Schema electrică a acestui amplificator este dată în figura 2.31) Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare.32) Ţinând seama de (2. Ro ⋅ Ui .35) (2. Figura 2.34) (2.33) Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicată în nodul de curenţi M rezultă: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată în circuitul de ieşire rezultă: i = io + i1 .25.24.27. Schema de principiu este prezentată în figura 2.36) obţine: Ţinând cont de (2.33).37) 2) Amplificator operaţional în montaj neinversor – realizează înmulţirea tensiunii de intrare cu o constantă pozitivă supraunitară.34) şi (2.24. Simbolizarea unui AO inversor Întrucât amplificatorul de curent continuu are impedanţa de intrare şi amplificarea în circuit deschis foarte mari. Figura 2.

29. Figura 2. +KnUin) (2. conduce la relaţiile: Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire se obţine: i0=i01 + i02+ . se obţine: Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ . conform relaţiei (2.43) (2. Simbolizarea unui sumator-inversor Considerând aceleaşi ipoteze din (2..29.38) rezultă expresia caracteristicii externe: Ue = K⋅Ui (2.45) i1=Ue/R1 sau Înlocuind în (2.31).. cu semn schimbat.28. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2. i on = in R 01 R 02 R 0n (2..38) Neglijând mărimile U şi i.31) şi aplicând aceeaşi procedură se obţin: 53 ⎧ R 0i 0 + U + U i = 0 ⎪ ⎨U e + R 0i 0 − R1i1 = 0 ⎪ i = i 0 + i1 ⎩ (2. iar simbolizarea este dată în figura 2.39) unde: K =1+ R1 Ro (2.42) (2. Schema de principiu a unui AO în montaj sumator-inversor AO Figura 2.46) .41) Teorema I-a a lui Kirchhoff. se determină (utilizând legea lui Ohm) curenţii prin rezistoarele conectate la intrările amplificatorului: i o1 = U i1 U U . adică Zi → ∞ .31).41)..40) Observaţie: Pentru R0 → ∞ şi R1 = 0 se obţine circuitul repetor. 3) Amplificatorul sumator-inversor realizează suma ponderată.. i o 2 = i 2 . a tensiunilor de intrare..Amplificatoare şi oscilatoare Utilizând aceleaşi ipoteze din (2. + i0n i0= .. din (2. întrucât asigură rezistenţa de intrare foarte mare şi rezistenţa de ieşire mică.45) componentele curentului i0 din relaţia (2. U≅0. i ≅ 0.28..i1 Ue = −i 0 R1 (2.44) (2. aplicată în cele două noduri de curenţi. utilizat frecvent ca element de adaptare.

47) Figura 2. Atunci când .31) şi relaţiile (2.49) Ţinând seama de ipotezele (2. Simbolizarea unui AO în integrator-inversor Utilizând aceleaşi ipoteze (Zi → ∞ . U≅0) şi procedând similar. generează semnale periodice de forma: U(t)=U⋅sin(ωt) sau de orice altă formă. exprimat în secunde. K 2 = 2 .30. K n = n R 01 R 02 R 0n Ue = − În general.47): n j=1 4) Amplificatorul integrator-inversor furnizează la ieşire un semnal proporţional cu integrala tensiunii aplicate la intrare. din (2. Schema de principiu a unui AO montaj integrator-inversor Figura 2.31). se obţin relaţiile: Ui = R⋅i0 şi i0 = -i1 (2.51) 2.48) Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire rezultă: Ue = 1 CR 1 i1dt +U C ∫ (2. unde K = ∫ 1 1 = Ti RC (2..48). tensiunea de ieşire se poate exprima prin relaţia: ∫ Uidt sau U e = − Ti 1 ∫ Ui (τ)dτ + U e (0) (2. Ti=RC este timpul de integrare. caracteristica de transfer se poate exprima prin relaţia (2. utilizând dispozitive electronice active.. Ue(0)=0 dacă condensatorul este descărcat la momentul aplicării semnalului de intrare şi Ue(0)≠0 dacă condensatorul este încărcat la momentul aplicării semnalului de intrare. iar capacitatea C se exprimă în farazi. i ≅ 0. iar simbolizarea este dată în figura 2. ∑ K jUij (2.6 Oscilatoare Acestea sunt circuit care.54 unde Capitolul 2 K1 = R1 R R . .. dacă valoarea rezistenţei R este exprimată în ohmi.50) U e = − K U i dt + U e (0) .31.30. Dacă timpul de integrare nu este limitat.31. Schema electrică a acestui amplificator este prezentată în figura 2.49) rezultă: t Ue = − 0 Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din circuitul de reacţie) în momentul aplicării semnalului de intrare (t=0). Tensiunea Ue(0) se figurează la borna de ”condiţie iniţială” (figura 2.

Figura 2. Schema de principiu este prezentată în figura 2.34.33-b. iar R este conductanţa de pierderi a condensatorului. figura 2. Semnalul produs de circuitul LC Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie care determină stingerea. Figura 2. cu energie adusă din exterior prin intermediul unor rezistenţe negative. figura 2.Amplificatoare şi oscilatoare 55 semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numeşte armonic. Schema echivalentă a circuitului oscilant anterior este ilustrată în figura 2. Schema de principiu a unui oscilator Principiul de întreţinere a oscilaţiilor Se consideră circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C în paralel cu o inductivitate L.33-a. adică amortizarea oscilaţiilor. unde: r este rezistenţa electrică a bobinei care are inductanţa L. se va amortiza în timp (îşi micşorează amplitudinea) datorită pierderilor de energie prin rezistenţa electrică echivalentă a circuitului capacitiv-inductiv (L-C).33-a.32. Pierderile de energie care duc la micşorarea amplitudinii se datorează lui r şi R.33-a Pentru a realiza oscilaţii întreţinute (cu amplitudine constantă). .33-b. În acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare care să funcţioneze în regiunea de rezistenţă negativă (dioda tunel. Figura 2. în circuitul oscilant real este necesar să se recupereze (compenseze) energia pierdută. tiristorul etc). Schema echivalentă a circuitului oscilant LC din figura 2.52) Semnalul U(t). controlate prin curenţi sau prin tensiune. Circuit oscilant LC Figura 2.34. Sub acţiunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau naştere oscilaţii armonice având frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă dată de relaţia: f0 = 1 2π LC (2. semnalul util produs de oscilator.32.

35-a şi 2. care însumate cu rezistenţele r şi R (figura 2. este un fapt real şi o metodă utilizată în proiectarea oscilatoarelor. 1. n (argumentul lui Acomplex + argumentul lui βcomplex = 2kπ) adică: arg A + arg β = 2kπ (2. b) Caracteristica curent-tensiune a tiristorului..56 Capitolul 2 Caracteristica statică a diodei tunel şi respectiv a tiristorului sunt date în figura 2.35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel. b) respectarea condiţiei de fază: ϕ A + ϕβ = 2kπ . După modul de realizare. Oscilatoarele pot fi realizate şi cu amplificatoare ce au reacţie pozitivă. c)Schema bloc a unui oscilator cu reacţie Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistenţe negative.53) arată că defazajul total introdus de amplificator şi circuitul de reacţie trebuie să fie un multiplu întreg de 2π. Cele mai utilizate oscilatoare cu reacţie de tip LC sunt oscilatoarele în trei puncte.35-c) şi semnalul de intrare ( U i ).35-b. 1 − βA În acest caz. Figura 2. unde: A = A ⋅ exp( j ⋅ ϕ A ) şi β = β ⋅ exp( j ⋅ ϕβ ) (2. Condiţia întreţinerii oscilaţiilor implică respectarea a două principii: a) respectarea relaţiei lui Barkhausen (de autooscilaţie). Rezultă că reţeaua de reacţie trebuie să introducă un defazaj nul.. atunci A r → ∞ .figura 2. k=0. . ϕβ este defazajul dintre semnalul de reacţie ( U r ) şi semnalul de ieşire ( Ue ). dacă defazajul amplificatorului (cu număr impar de etaje) este (2k+1)π. Oscilatoarele cu reacţie pot fi de tip LC sau RC. oscilatoarele pot fi: 1) oscilatoare de tip amplificator cu reacţie pozitivă.53) Prin ϕA s-a notat defazajul dintre semnalul de ieşire ( Ue . deci semnalul de reacţie trebuie să fie în fază cu semnalul de intrare. Producerea oscilaţiilor întreţinute prin anularea rezistenţei din circuit cu ajutorul unor rezistenţe dinamice negative.54) Relaţia (2.34). Acestea au calea . sau un defazaj de 1800. 2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistenţe negative (oscilatoare de relaxare). 2. la care amplificarea complexă este: A r = A . care arată că produsul în modul al amplitudinilor trebuie să fie egal cu unitatea. dacă produsul βA tinde la valoarea 1. dacă defazajul amplificatorului este 2kπ (cu un număr par de etaje).. β ⋅ A = 1 . dau o rezistenţă echivalentă egală cu zero.

37.55) ϕ t = 3 ⋅ Δϕ = π Frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă se poate calcula folosind relaţia: (2. Δϕ = arctgRC = Se obţine un defazaj total al semnalului de reacţie.36. În timpul funcţionării singurul condensator care nu este scurtcircuitat este condensatorul variabil C.Amplificatoare şi oscilatoare 57 de reacţie formată dintr-un circuit LC selectiv (care reprezintă un filtru cu trei borne de acces). egal cu π (180o): π 3 (2.56) f0 = 1 6 + 4R / R C 2πRC (2. Defazajul fiecărei celule este de 60o. aparatură electromedicală etc) fiind specifice benzilor de joasă frecvenţă. Schema de principiu a oscilatorului cu reţea RC . Schema de principiu a oscilatorului Hartley La acest oscilator emitorul este legat la masă.36. În figura 2. formată din trei celule RC. Figura 2.57) Figura 2. automatizări.37 este prezentată schema electrică a unui oscilator având reţea de defazare ”trece jos”. Exemple de oscilatoare în trei puncte Oscilatorul Hartley (realizat cu reţea de defazare trece sus). Oscilator având reţea RC (reţea de defazare trece-jos) Aceste oscilatoare au o largă utilizare în diferite domenii ale electronicii industriale (telecomunicaţii. alimentarea este serie iar sarcina este cuplată inductiv. are schema de principiu prezentată în figura 2.

Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o sarcină rezistivă (rs = 4 Ω). Ce semnifică borna de condiţie iniţială în cazul A.7 Întrebări 1. Ce formă de variaţie are tensiunea UCE la ieşirea unui etaj de amplificare în clasă B. Care este deosebirea între un AO inversor şi un AO integrator – inversor? (Utilizaţi schemele electrice !) 9. Ce sunt distorsiunile de neliniaritate în cazul amplificatorului de joasă frecvenţă şi cum se elimină acestea ? 12. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI =4 KΩ.O. Re = 80 KΩ ? 8. integrator şi ce se poate măsura la această bornă ? 7. Ce diferenţă există între caracteristicile A[dB] = g(f) în cazurile: a) amplificatoare de radiofrecvenţă ? b) amplificatoare de audiofrecvenţă ? 5. realizat cu un singur tranzistor? 6. Re = 40 KΩ ? 10. Ce se înţelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se înţelege prin tensiune de zgomot (Uz) în cazul redresoarelor cu filtre ? 3. Ce este reacţia negativă în cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obţine practic reacţia negativă? 2.58 Capitolul 2 2. Când apar distorsiunile de frecvenţă la amplificatoare şi cum se elimină acestea? 4. Când un tiristor funcţionează ca şi o diodă ? Care este schema şi denumirea celui mai simplu amplificator de putere ? . Ce este deriva termică (deriva nulului) în cazul amplificatoarelor de curent continuu şi cum se atenuează aceasta ? 11. ştiind că amplificatorul în clasă A are rezistenţa de ieşire.

) – fie în regim de redresor. (figura 3.2-b). tensiunea .3-a) sau direct.c. Convertorul care modifică amplitudinea tensiunii de c.2-c) se mai numeşte variator de c. de frecvenţă f1. Pentru convertorul cu circuit intermediar. după cum urmează.a. numit şi variator de c. figura 3. cu alţi parametri.).c.a. El poate fi: cu circuit intermediar de c.c.1-a şi b. în ambele sensuri.c.1-a.c.1 Noţiuni generale Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clasă mai largă de echipamente electrice.a.a. Frecvenţa f2 a curentului alternativ poate fi variabilă (în cazul invertoarelor autonome) sau fixată la o anumită valoare. Transferul energetic se poate face.c. În schemele din figura 3. energia electromagnetică primită la intrare.c. maşina electrică funcţionează ca motor şi transferul energetic se face de la reţeaua de c. converteşte frecvenţa sau amplitudinea curentului alternativ. În regim de frânare. în acest caz. de regulă 50 Hz (când se numesc invertoare de reţea sau neautonome). Convertorul de c.2-a) şi sub formă de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3. prin elemente neliniare unidirecţionale (diode.). în curent continuu (c. Mutatoarele din această categorie stau la baza sistemelor de acţionări recuperative cu maşini de c. polaritatea tensiunii continue etc. Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor îl reprezintă funcţiile realizate de acestea. (figura 3.c. Invertorul transformă curentul continuu în curent alternativ (figura 3.. obţinându-se transferul energetic (recuperarea) de la reţeaua de c. Convertorul de c. la reţeaua de c. (figura 3. transferul energetic se face într-un singur sens. furnizează la ieşire o tensiune continuă diferită de cea de la intrare. (figura 3. Dacă mutatorul funcţionează în regim de redresor. comanda mutatorului poate asigura funcţionarea acestuia în regim de invertor (neautonom). Mutatoarele transformă.CAPITOLUL 3 REDRESOARE 3. fie în regim de invertor (neautonom). numite mutatoare. cu anumiţi parametri. (figura 3. în energie electromagnetică debitată la ieşire. În primul caz. Este însă posibil ca aceeaşi schemă de mutator să funcţioneze – în funcţie de condiţiile de lucru (comanda primită.3-b).1-c).1-b). tiristoare etc). mutatorul se mai numeşte convertor static de frecvenţă şi poate fi realizat în două variante: cu circuit intermediar de c.a.a. când maşina electrică lucrează ca generator de c. Redresorul este un circuit electronic care transformă curentul alternativ (c.

a. Convertoare statice de c. Comutaţia forţată externă se întâlneşte în redresoarele comandate.c.a. După provenienţa acestei energii. Prelungirea conducţiei unui ventil..1. Convertor de c. mutatorul va avea comutaţie (forţată) de la reţea. pe fiecare fază a reţelei de c.a. mutatorul are comutaţie (forţată) de la sarcină. mutatoarele se împart în următoarele categorii: • Mutatoare având comutaţie naturală. presupune – de regulă – un consum de energie reactivă din exterior. Mutatoare având comutaţie proprie. respectiv ridicător de tensiune. Dacă această energie provine de la reţea. În majoritatea mutatoarelor. funcţionarea acestor elemente este ciclică. când condiţia de comutaţie naturală nu este respectată. Figura 3. mutatoarele care au comutaţie forţată pot fi: Mutatoare având comutaţie externă. Mutatoarele care funcţionează cu intrarea şi/sau ieşirea în c. când energia reactivă necesară este furnizată de însuşi mutatorul respectiv. Dacă energia este dată de circuitul sarcinii (de la ieşire). Trecerea conducţiei de la un ventil la altul se numeşte comutaţie. • Mutatoare având comutaţie forţată. utilizează. elemente de conducţie unidirecţională numite şi “ventile” semiconductoare (diode şi/sau tiristoare). invertoare neautonome şi . după cum transformatorul este coborâtor. când energia reactivă este preluată din exterior. când valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care preia conducţia este întotdeauna mai mare decât valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care cedează conducţia. Figura 3. Mutatoare Figura 3.3.2. Mutatoarele care au comutaţie naturală sunt redresoare cu diode. După modul de realizare a comutaţiei.60 Capitolul 3 de ieşire (U2) poate fi mai mică sau mai mare decât tensiunea de intrare (U1). dincolo de momentul comutaţiei naturale.

c. în care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de “blocare” forţată: invertoare autonome. dioda D (care reprezintă redresorul) este polarizată în sens direct şi conduce. de valoare impusă. datorită polarizării inverse. ur şi a curentului prin sarcină sunt date în figura 3. Tensiunea continuă. STC. variatoare de c. cu valoare de asemenea impusă. Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativă din înfăşurarea primară la valoarea U2 (în secundar). conectat între filtru şi sarcină. dioda este blocată şi ur = 0. .Redresoare 61 convertoare directe de frecvenţă. În timpul semialternanţei negative. U0. În figura 3. U0. Figura 3. definind un domeniu cunoscut sub numele ”electronică de putere”. Redresorul R este elementul esenţial al schemei. precum şi tratarea lor specifică. Sub aspectul funcţiei realizate. Filtrul F are rolul de a diminua componenta alternativă din tensiunea redresată. Scopul urmărit este de a obţine o tensiune continuă.2.4 este dată schema-bloc a unui redresor monofazat de mică putere. Diagramele tensiunilor u2. necesară obţinerii tensiunii continue U0. deci ur = u2. 3. toate redresoarele se încadrează în categoria mutatoarelor.2 Redresoare monofazate necomandate 3. în condiţiile cunoaşterii tensiunii de alimentare U1. mutatoarele reprezintă circuite electronice de putere. Aceste circumstanţe au determinat includerea în capitolul de mutatoare a redresoarelor de mică putere realizate sub forma redresoarelor monofazate. La ieşirea lui se obţine tensiunea redresată ur. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u 2 = 2U 2 sin ωt .4.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere Redresoarele monofazate se utilizează.2. la bornele sarcinii Rs. fie din cauza variaţiei tensiunii de alimentare U1. Schema bloc a unui redresor monofazat de mică putere 3. etc.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă Schema redresorului monofazat monoalternanţă este dată în figura 3. la puteri mici. În acelaşi timp. Comutaţia proprie este specifică unei categorii de mutatoare.5-b. de la ieşirea filtrului se poate modifica. Stabilizatorul de tensiune continuă. de regulă. care are o componentă continuă (utilă) şi o componentă alternativă.5-a. are rolul de a menţine constantă tensiunea U0 (stabilizatoarele vor fi prezentate în capitolul 4). într-un paragraf distinct. fie din cauza modificării rezistenţei de sarcină Rs.

5. atunci tensiunea redresată se poate exprima prin relaţia: ∞ (3.62 Capitolul 3 Se observă că tensiunea redresată ur este o tensiune periodică pulsatorie având perioada T = 2π.5-b) se observă că în intervalul [0. ur= 0. iar în intervalul [π. ur= u2. Din relaţia (3.5) Dacă se doreşte exprimarea detaliată a componentei alternative (u~).3) se obţine: π 1 U0 = ⋅ 2π = ∫ 0 1 u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = ⋅ 2π ∫ 0 π 2U 2 sin(ωt ) ⋅ d (ωt ) = (3.4) π 2 2 ⋅ U 2 [− cos(ωt )] = ⋅ U 2 ≅ 0. exprimat prin relaţia: ir = ur Rs (3.6) u r (ωt ) = U 0 + ∑ 2U n sin( nωt + ϕ n ) n =1 . deci este periodic şi pulsatoriu.2) Înlocuind valoarea perioadei (T = printr-o sumă de două integrale. 2π].2) se poate exprima 1 U0 = ⋅ T ∫ 2π ⎤ 1 ⎢ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) = u r (ωt ) ⋅ d (ωt ) + u r (ωt ) ⋅ d (ωt )⎥ (3.45 ⋅ U 2 2π π 0 Curentul redresat prin rezistenţa de sarcină este proporţional cu tensiunea ur .3) ⎥ 2π ⎢ 0 π ⎣0 ⎦ ∫ ∫ Din diagramele tensiunilor (figura 3. Tensiunea redresată conţine o componentă continuă (U0) şi o componentă alternativă (u~): ur = U0+ u~ (3. integrala din (3.1) Figura 3. astfel: 2π ⎡π 2π). Redresor monofazat monoalternanţă Componenta continuă U0 este egală cu valoarea medie a tensiunii redresate şi se calculează cu relaţia: T U0 = 1 ⋅ T ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) 0 (3. π].

45 (3. iar coeficienţii an şi bn se pot calcula utilizând relaţiile (3. şi factorul de ondulaţie.7) u r (ωt ) = b 0 + ∑ a n sin( n ⋅ ωt ) + ∑ b n cos(n ⋅ ωt ) n =1 n =1 Coeficienţii seriei Fourier se definesc prin: T 2π ⎡π ⎤ 1 b0 = U0 = T ∫ 0 u r ( ωt ) d ( ωt ) = 1 ⎢ u ( ωt ) d ( ωt ) + u r ( ωt ) d ( ωt ) ⎥ = ⎥ 2π ⎢ r ⎢0 ⎥ π ⎣ ⎦ ∫ ∫ 0 Se observă că valoarea componentei continue (U0) este exprimată de coeficientul b0 al seriei Fourier.8) an = 1 π ∫ 0 u r (ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 π = 1 bn = π = 2π ∫ 0 π (3.45 U 2 π (3. (3.11) ⎜1 + sin(ωt ) − 2 1⋅ 3 π ⎝ 3⋅5 ⎠ Raportul dintre tensiunea continuă pe sarcină şi valoarea eficace a tensiunii din secundar se numeşte coeficient de redresare. În cazul analizat coeficientul de redresare Kr este: Kr = U0 U2 = 0. F.⎟ . 2 π n −1 ∫ 0 π sin(ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d(ωt ) = (3.9) şi (3.9) sin( ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d ( ωt ) 2U 2 π ∫ 0 u r (ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d (ωt ) = 2U 2 −2 ⋅ . Relaţia (3.6) se poate scrie sub forma trigonometrică a unei serii Fourier şi devine: ∞ ∞ (3.12) Ponderea componentei alternative în tensiunea redresată se poate evalua prin factorul de formă. Factorul de formă este raportul dintre valoarea eficace a tensiunii redresate. 2π 1 = 2π ∫ π 2U 2 sin(ωt ) d (ωt ) = 2 U 2 ≅ 0.9) şi (3.7) coeficienţii b0...10) se obţine: u r ( ωt ) = 2U 2 ⎛ 2 2 π ⎞ cos(2 ωt ) − cos(4 ωt ) − . iar ϕn – faza iniţială a armonicii de ordinul n. (3.8).10).10) Înlocuind în relaţia (3. ur. şi componenta continuă U0 : . γ. an şi bn din relaţiile (3.Redresoare 63 unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n.

La redresorul monoalternanţă avem: 1T 2 1 π 2 2 2 Ur = ∫ u r (ωt ) d(ωt ) = 2π ∫ 2U 2 sin (ωt ) d(ωt ) = 2 U 2 (3.. În timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 .211.. Schema redresorului având transformator cu priză mediană este dată în figura 3. 3.15) Factorul de ondulaţie se defineşte ca raportul dintre valoarea eficace a componentei alternative..18) În cazul redresorului monoalternanţă se obţine Puterea în curent continuu este: γ = 1. Cunoscând valorile eficace Un ale armonicilor de ordin n = 1. = U0 2 2 U r − U0 = U0 2 2 ⎛ Ur ⎞ ⎜ ⎟ ⎜U ⎟ −1 = ⎝ 0⎠ 2 F −1 2 (3. . … . valoarea eficace U∼ este: 2 2 U∼ = U1 + U 2 + . astfel încât tensiunea redresată şi curentul prin sarcină au forma din figura 3. necesară transformatorului.17) şi rezultă U γ = ~ = U0 U1 + U 2 + .6-a. D2 şi D4 fiind blocate.13) Cu cât F este mai apropiat de unitate. cu atât ponderea componentei alternative în tensiunea redresată este mai mică.19) Aceasta determină o anumită putere aparentă.7. şi componenta continuă. În semialternanţa negativă conduc diodele D2 şi D4 .64 Capitolul 3 F= ur U0 (3.57 2 2 U2 (3. iar diodele D1 şi D3 sunt blocate. U∼ .3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă Redresoarele dublă alternanţă se realizează după două scheme: cu transformator având priză mediană în secundar.14) T0 0 F= 2 U 2 2 π π = = 1. Cele două secţiuni ale înfăşurării secundarului transformatorului sunt identice ' " şi deci u 2 = − u 2 . sau utilizând schema de redresare în punte.6-c.16) sau 2 2 U∼ = U r − U 0 (3. Diodele D1 şi D2 conduc alternativ. (3.2.. U P0 = U 0 I 0 = 0 Rs 2 (3. Redresorul în punte are schema din figura 3. 2.

respectiv I0) şi o componentă alternativă.482. γ = 0. ST = 1.11. . T ⎤ 2 ⎢2 ⎥ ⎪ ⎣ ⎦ ⎩ (3. iar la schema în punte.48 P0.20) Componenta continuă a tensiunii redresate (U0) se calculează cu aceeaşi relaţie (3. Redresor dublă alternanţă folosind transformator cu priză mediană: a) schema. Expresia analitică a tensiunii redresate.7. pe o perioadă a tensiunii u2 este: ⎧ ⎡ T⎤ 2 U 2 sin(ωt ) pentru t ∈ ⎢0. puterea de calcul a transformatorului este ST = 1. iar componenta continuă este: U0 = 2 2 ⋅ U 2 ≅ 0. tensiunea şi curentul prin sarcină au două componente: o componentă continuă (U0 .9). pentru schema cu priză mediană.21) Coeficientul de redresare este dublu faţă de schema monoalternanţă (Kr = 0.23 P0. puterile aparente în înfăşurarea secundară şi înfăşurarea primară ale transformatorului se micşorează. b) diagrama tensiunilor din secundar. Comparând cele două scheme de redresare dublă alternanţă se pot reţine următoarele: • pentru aceeaşi putere P0 în sarcină. Astfel. cu deosebirea că în acest caz perioada este egală cu durata unei semialternanţe (T = π). puterea aparentă necesară a transformatorului este mai mare la schema cu punct median.6. c) diagrama tensiunii şi a curentului redresat Figura 3.3) ca şi în cazul redresorului monoalternanţă.9 ⋅ U 2 π (3.Redresoare 65 Figura 3. iar factorul de formă şi coeficientul de ondulaţie se ameliorează: F = 1. pentru o putere P0 dată. ⎥ ⎪ ⎣ 2⎦ ⎪ ur = ⎨ ⎪− 2U sin(ωt ) pentru t ∈ ⎡ T . Redresor dublă alternanţă în punte Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă. De asemenea.

4 Filtrarea tensiunii redresate Pentru obţinerea unei tensiuni cu factor de ondulaţie mic la bornele rezistenţei de sarcină.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este dată în figura 3. este necesară diminuarea componentei alternative din tensiunea redresată. 3. Figura 3. ur.66 Capitolul 3 • • la schema în punte.9-b. b) inductiv-capacitiv. rezultă o cădere de tensiune pe diode dublă faţă de schema cu punct median. tensiunea la bornele rezistenţei de sarcină (us) cât şi tensiunea după elementul redresor. Parametrul principal care le caracterizează este factorul de ondulaţie al tensiunii de la ieşire. Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului.CLC sau CRC 3. Tipuri de filtre: a) capacitiv. datorită conducţiei în permanenţă a două diode. rezultă: (3.8.9-a. pentru aceeaşi tensiune redresată este de două ori mai mare la schema cu punct median faţă schema de redresare în punte (deoarece tensiunea inversă ce apare în momentul blocării diodelor se distribuie pe două diode).2. tensiunea inversă maximă pe diode. Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din figura 3. cât şi pe proprietatea capacităţilor mari (conectate în paralel cu sarcina). de a şunta armonicele de ordin superior. Funcţionarea ei se poate urmări în diagrama din figura 3.8.22) u2 = ua + uc Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este în acelaşi timp. cu ajutorul filtrelor. c) tip π . condensatorul C este descărcat.2.4. (u2 > uc) şi deci ua > 0. (uc). Se observă că în intervalul (0 … ωt1) tensiunea din secundarul transformatorului (u2) este mai mare decât tensiunea la bornele condensatorului ua = u2 – uc. Dioda conduce şi condensatorul se încarcă prin . Din relaţia anterioară rezultă căderea de tensiune (ua) pe dioda în conducţie: Presupunem că în momentul aplicării tensiunii de alimentare. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea bobinelor de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului şi o reactanţă mare pentru componenta alternativă din curentul redresat.

ωt2) u2 < uc. Dioda rămâne blocată şi condensatorul se descarcă prin rezistenţa de sarcină Rs. care este neglijabilă.24) (3.. Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducţie şi de blocare. sau Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaţii (având forma dinţilor de ferăstrău) în jurul valorii U0. Filtrul capacitiv micşorează durata de conducţie a diodei în intervalul 0 < β < π. este foarte mică. care reprezintă componenta continuă a tensiunii la bornele sarcinii. rezultă foarte mică. iar componenta alternativă (u~) a tensiunii redresate creşte.25) . deci condensatorul se încarcă rapid. RS(Tr) şi rezistenţa diodei în conducţie. Rezistenţa de încărcare.23) [ 2 U 2 sin(ωt ) = ω C 2 U 2 cos(ωt ) 2 U2 sin(ωt ) Rs ] (3. deci ua = 0. adică intervalul de timp în care se încarcă condensatorul.. Ri. În momentul ωt1 se obţine egalitatea uc = u2. iar ua < 0. Micşorarea rezistenţei de sarcină (Rs) are ca efect creşterea curentului de sarcină (Is) şi ca urmare tensiunea U0 scade. aceasta incluzând rezistenţa echivalentă serie în secundarul transformatorului. În intervalul (ωt1. curentul prin diodă este: unde: ia = ic + is ic = C du c d =C dt dt is = (3. până în momentul ωt2. trecerea prin zero spre valori pozitive a tensiunii u2). Cu β s-a notat unghiul de conducţie. Deci Ri = RS(Tr) + RDc β = ωt3 . În figura 3. precum şi amplitudinea componentei alternative.Redresoare 67 Ri ≅ RS(Tr). care – la rândul lor – sunt determinate de mărimile C şi Rs. depind mult de valoarea rezistenţei de sarcină. Constanta de timp de descărcare a condensatorului este Td = RsC şi este relativ mare (pentru că Rs este mai mare decât Ri). ωt2... În intervalul de conducţie secundarul transformatorului şi diodă.. Valoarea tensiunii continue U0. dioda conduce pe întreaga semiperioadă a tensiunii u2 din secundarul transformatorului. Constanta de timp la încărcarea condensatorului. RDc. În continuare dioda conduce în intervalul (ωt2 . tensiunea uc scade lent. adică β = π.. iar dioda se blochează.ωt3). Ti = Ri C. Unghiul la care încetează încărcarea condensatorului s-a notat cu ψ = α + β şi se numeşte unghi de blocare. La funcţionarea fără filtru capacitiv.9-b s-a notat cu α unghiul de la care începe încărcarea condensatorului (considerând ca moment de referinţă.

2. • . în regim nominal de funcţionare. Se observă o cădere de tensiune (la curent nominal) mică (ΔU01). în cazul redresoarelor cu filtru capacitiv. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv: a) schema.10). egală cu tensiunea continuă la bornele de ieşire.68 Capitolul 3 Figura 3. reprezintă puterea pe care o poate debita redresorul în sarcină. • curentul nominal.18) când redresorul funcţionează la putere nominală. Cele trei caracteristici reprezintă: • Curba 1 este caracteristica externă în cazul redresorului fără filtru. PN . reprezintă dependenţa US = f(IS). • caracteristica externă. • tensiunea nominală. U0N . dar aşa cum s-a precizat anterior. mai ales. în condiţia 0 ≤ IS ≤ I0N . γ . influenţa rezistenţei de sarcină RS asupra tensiunii US este importantă. Ideal. ilustrată în figura 3. atunci când redresorul funcţionează la putere nominală.9. definit prin relaţia (3. I0N .5 Parametrii redresoarelor de mică putere În cazul redresoarelor de mică putere parametrii şi caracteristicile importante sunt: puterea nominală a redresorului. b) diagrama tensiunilor şi curenţilor 3. • factorul de ondulaţie. aceste caracteristici ar trebui să fie orizontale (liniile punctate din figura 3.10. exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N .

În această situaţie se observă o cădere de tensiune (ΔU03) mai mică decât în cazul redresorului cu filtru capacitiv.12. Curentul prin sarcină este: is = i1 + i2 + i3 (3.Redresoare • 69 • Curba 2 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru capacitiv. dată de relaţia următoare: Ri = − Această rezistenţă este de dorit să rezulte cât mai mică. polifazate) se construiesc pentru puteri nominale mari. Un parametru care determină panta caracteristicii externe este rezistenţa internă a redresorului. Dezavantajul pe care îl introduc filtrele – exprimat prin căderile de tensiune (ΔU02 .3 Redresoare trifazate necomandate Redresoarele trifazate (în general. este evidentă necesitatea utilizării filtrelor. ce funcţionează în curent continuu. Se remarcă o cădere mult mai mare de tensiune (ΔU02) corespunzătoare curentului nominal. Curba 3 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru π (CLC). Deoarece majoritatea consumatorilor industriali. La un moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenţialul cel mai ridicat. Caracteristicile externe ale redresorului 3. În capitolul 4 se vor trata principiile de funcţionare şi schemele principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continuă.11.) Funcţionarea schemei se poate urmări în diagrama din figura 3.26) Figura 3. ΔU03) – poate fi compensat prin utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continuă (STC) conectate între filtre şi consumatori (sarcini). necesită o tensiune redresată cu un factor de ondulaţie cât mai mic. ΔU S ΔIS (3. astfel încât caracteristica externă reală să fie cât mai apropiată de caracteristica ideală.10.27) . Cea mai simplă schemă de redresor trifazat utilizează un transformator trifazat având secundarul conectat în stea (figura 3.

tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele trasate cu linie întărită şi axa timpului. Se remarcă faptul că frecvenţa comutărilor este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat în stea. În schema redresor O schemă foarte des utilizată în practică. Tensiunea continuă tensiunii U0 de la bornele rezistenţei de sarcină este.34 U 2 π (3. deci perioada pulsaţiilor tensiunii redresate este de două ori mai mică. iar sarcina redresorului este rezistivă. prezentate în figura 3. În cazul când se admite că transformatorul nu este ideal. ωt2 . în special la producerea comutaţiei de pe o fază pe alta.12. la care sunt legate diode în conducţie. datorită performan-ţelor superioare pe care le prezintă. împărţită la perioadă (T). integrala pe o perioadă a tensiunii ur.70 Capitolul 3 şi are. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei de sarcină este egală cu diferenţa potenţialelor între acele borne ale înfăşurării secundare.28) π 2π 3 6+ 3 3 6 = 2U 2 sin(ω t )d(ω t ) = U 2 ≅ 1. calculată în relaţia (3.13). în intervalul (t2. în intervalul (t1. este schema de redresare trifazată în punte (figura 3. În schema redresorului se observă că la un moment oarecare conduc două diode: dioda cu potenţialul anodului cel mai ridicat şi dioda cu potenţialul catodului cel mai scăzut. t3) conduc diodele D1 şi D6 etc. Astfel. o formă pulsatorie. Deci. apar efecte care complică funcţionarea redresorului. situaţie ilustrată în figura 3.29). sau când sarcina are caracter inductiv. Perioada ur fiind 2π/3.14. Descrierea proceselor dintr-un redresor real cu sarcină inductivă se poate urmări în lucrarea [2]. În momentele ωt1 . este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat simplu (conectat în stea): rezultă valoarea tensiunii U0: π 2π 1 α0 +T 1 6+ 3 U0 = u r (ω t )d (ω t ) = u r (ω t )d(ω t ) = 2π π T α0 3 6 ∫ ∫ ∫ U0 = 3 6 U 2 ≅ 2. Funcţionarea acestui redresor se explică utilizând diagramele curenţilor prin faze.29) . în cazul sarcinii rezistive. a curentului i0 (curentul prin sarcină) şi a tensiunii redresate.17 U 2 π 2π 2π 6 Descrierea funcţionării redresorului trifazat s-a făcut în ipoteza că transformatorul este ideal (are inductanţele de scăpări neglijabile). ωt3 … se produce comutarea conducţiei de pe o fază pe alta. deci intervin inductanţele de scăpări ale acestuia. Valoarea tensiunii continue. t2) conduc diodele D1 şi D5 .14. (3. prin definiţie. Tensiunea ur de la bornele rezistenţei RS este egală cu tensiunea pe faza în care dioda conduce şi are forma curbei cu linie întărită din figura 3.

11. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul trifazat în stea Figura 3.14.Redresoare 71 Figura 3.13. Diagramele tensiunilor şi curenţilor pentru redresorul în punte . Redresor trifazat în punte Figura 3.12. Redresor trifazat în stea Figura 3.

F. conectate la un transformator cu două secundare şi punct median? 3.72 Capitolul 3 3. Ce condiţie trebuie să îndeplinească cele două diode ale unui redresor bialternanţă. Cum se explică (justifică) relaţia τ d >> τ i în cazul redresorului cu filtru capacitiv ? 4. Ce este deosebirea dintre un invertor (I) şi un convertor – static de frecvenţă? 2.4 Întrebări 1. Care sunt semnificaţiile şi expresiile analitice ale parametrilor redresorului de mică putere Kr . γ ? .

valorile tensiunii sau curentului de alimentare. pot fi depăşite limitele admise şi pot să apară dereglări în funcţionarea instalaţiilor sau/şi erori de măsurare nepermise. ale unei instalaţii industriale sau de laborator. Parametrii stabilizatoarelor Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menţine. montate în serie. Varianta din figura 4. menţinând constantă tensiunea alternativă cu stabilizatoare corespunzătoare. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic 4. În funcţie de mărimea electrică de stabilizat există stabilizatoare de tensiune şi de curent. sau în paralel cu sarcina) şi cu reacţie (care funcţionează pe principiul sistemelor de reglare automată cu reacţie negativă). care fac parte componentă din alimentatoarele celor mai diverse circuite .2 Stabilizatoare parametrice Cele mai răspândite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune continuă. parametrice (cu elemente neliniare. motiv pentru care această variantă este cel mai des utilizată în practică. dacă tensiunea stabilizată este continuă. în limite strânse.1 are avantajul că menţine constantă tensiunea pe sarcină indiferent de cauzele care tind să o modifice. În principiu tensiunea continuă poate fi stabilizată şi înainte de redresor. electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate).CAPITOLUL 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE 4.1. iar în funcţie de metoda de stabilizare există stabilizatoare electromecanice (pentru tensiuni alternative şi continue la consumatori de mare putere).1. Figura 4.1 Noţiuni generale. Ele se pot conecta ca în figura 4. În prezent există un număr relativ mare de categorii şi tipuri de stabilizatoare electronice. În acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice şi cu reacţie. În lipsa stabilizatorului.

a căror caracteristică tensiune-curent asigură stabilizarea tensiunii. În cazul funcţionării în gol (RS = ∞) se alege o valoare pentru rezistenţa R (de “balast”). Principiul stabilizatorului parametric cu diodă Zener: a) schema.2-b): (4. care să asigure valoare maximă admisă a curentului I z max prin dioda Zener.1) ΔI z = Iz max − I z min ΔU z = U z max − U z min (4. cât şi i z (într-o măsură mult mai mare). Pe măsură ce RS scade.2-a) a cărei proprietate principală este de a prelua variaţii importante ale curentului ( ΔI z ). rezistenţa de sarcină se limitează astfel încât punctul de funcţionare M să se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii. Figura 4.2) Pentru RS = ∞. punctul de funcţionare al diodei se găseşte în A. În mod similar funcţionează stabilizatorul şi în cazul variaţiei tensiunii de reţea: dacă tensiunea reţelei creşte.74 Capitolul 4 electronice. pentru a nu se ajunge în zona neliniară a caracteristicii. tuburi cu gaz de tip stabilovolt sau stabilitron. punctul de funcţionare se deplasează spre B. cu variaţii reduse ale tensiunii ( ΔU z ) la bornele ei (figura 4. Invers. Practic. b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener Pentru o funcţionare normală a stabilizatorului este necesar ca rezistenţa de balast R să îndeplinească următoarea condiţie: R min < R < R max (4. creşte curentul i2 din RS.2. electromagnetice). Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice. Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda Zener (figura 4.3. Schema unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener este dată în figura 4. iar punctul de funcţionare se deplasează spre B şi în continuare spre 0.3) 4.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric Stabilizatoarele parametrice au ca elemente esenţiale diode Zener. . cresc atât i 2 (într-o mică măsură). electronice.2. dacă tensiunea reţelei scade. iar punctul M de funcţionare se deplasează spre A.

4. Modificarea PSF al diodei Zener la variaţia tensiunii de intrare (a) şi la variaţia rezistenţei de sarcină (b) Din relaţiile (4.4) … (4.2-b.4) E = R ⋅ I + Ua I = I a + Is U Is = a Rs (4. Tensiunea aplicată la intrarea în stabilizator este tensiunea de ieşire din filtrul redresorului şi s-a notat cu E în schema din figura 4.6) rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină: ⎛ R ⎞ E = R ⋅ Ia + ⎜ ⎜ R + 1⎟ ⋅ U a ⎟ ⎝ S ⎠ (4. Stabilizator parametric cu diodă Zener În această schemă sensurile adoptate pentru ia şi ua sunt inversate faţă de schema din figura 4.3. dată grafic sub forma caracteristicii statice a diodei Figura 4.4).7) Punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină (tăieturile) cu axele de coordonate sunt: . Pentru deducerea punctului static de funcţionare (PSF) al diodei se utilizează relaţiile: (4. astfel încât zona de stabilizare parametrică din caracteristica statică a diodei se va desena în cadranul 1 (figura 4.6) precum şi dependenţa ia Zener. Tensiunea de ieşire de pe rezistenţa de sarcină Rs este identică cu tensiunea anodică ua a diodei Zenner (DZ).5) (4. = f(ua).Stabilizatoare electronice 75 Figura 4.3.

modificarea tensiunii de intrare duce la modificarea curentului Ia . Proiecţiile duse din M pe axele de coordonate determină coordonatele PSF.10) Se observă că E’ > E şi E” < E. U" = E (4.8) În figura 4. În funcţionarea stabilizatorului parametric pot exista două regimuri distincte de lucru: a) Dacă tensiunea de intrare E se modifică (creşte la valoarea E’. iar Rs = ct. Panta dreptei statice de sarcină se exprimă prin relaţia: tg α = RR s R + Rs (4. S-a considerat: R s > R s şi R s < R s . respectiv U’ > U şi U” < U. atunci tăieturile dreptei statice de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4. Şi în acest caz modificarea poziţiei punctului static de funcţionare afectează curentul prin diodă. însă tensiunea la bornele diodei. dacă punctul de funcţionare M nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice a diodei Zener (DZ).11) " ' R Rs + R Rs + R ' " Observaţie. . I" = E" . Înclinarea dreptei va fi aceeaşi (vezi figura 4.4-a).9) Rezultă că înclinaţia (panta) dreptei statice de sarcină nu depinde de valoarea tensiunii E de la intrarea stabilizatorului. La intersecţia dintre caracteristica statică a diodei Zener şi dreapta de sarcină se obţine PSF notat cu M. R U' = E' Rs + R Rs . R Ua = E ⋅ Rs + R Rs (4.. Concluzie: Proprietatea de stabilizare se păstrează în orice regim de lucru.4-a): I' = E' . tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4.).4-b): " ' E Rs Rs I = I' = I" = .4-b). Punctul static de funcţionare al diodei Zener se păstrează pe porţiunea în care tensiunea Ua este practic constantă. " ' b) Presupunând că rezistenţa de sarcină Rs variază între valorile R s şi R s . U' = E . R U" = E" Rs + R Rs (4. Deci.4-a dreapta statică de sarcină este reprezentată printr-o linie continuă. iar tensiunea de la intrare rămâne constantă (E = ct.76 Capitolul 4 Ia = E . dacă PSF nu intră în zona de curbură a caracteristicii statice. tensiunea Ua rămânând practic constantă (vezi figura 4. Aceste coordonate sunt: Ia 0 şi Ua 0 ≡ Uz. deci tensiunea pe sarcină este practic constantă dacă PSF (M) nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice. sau scade la valoarea E”).

5. elementul de comparaţie 5 sesizează abaterea.6 este dată schema detaliată a stabilizatorului cu ECS. dată de un stabilizator parametric (diodă Zener). amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi comandă. Amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi acţionează asupra elementului de control 1 (ECS) în aşa fel. În figura 4. Tensiunea Ur este proporţională cu valoarea reală a tensiunii U0: U r = U0 R1 = k ⋅ U0 R1 + R 2 (4.13) E = U'+ U 0 dată de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conservă în orice condiţie.Stabilizatoare electronice 77 4. Acesta se construieşte după schema din figura 4. elementul de execuţie 1. a cărei valoare este comandată de semnalul de ieşire al amplificatorului 2.2. reprezintă eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescrisă. Dacă. ceea ce reprezintă compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. deci la creşterea tensiunii U0. Micşorarea rezistenţei elementului 1 duce la micşorarea căderii de tensiune U’ pe acest element. tensiunea U0 tinde să scadă faţă de valoarea nominală. de exemplu. în sensul scăderii rezistenţei acestuia. este constantă şi proporţională cu valoarea prescrisă a tensiunii U0 (tensiunea de ieşire pe Rs). încât să se compenseze variaţiile tensiunii de ieşire (±ΔU0) faţă de valoarea prescrisă. Figura 4. întrucât egalitatea: (4. Elementul de execuţie 1 se comportă ca o rezistenţă în serie. prin ieşirea sa.5. prezentată în figura 4. Schema bloc a stabilizatorului cu element de control serie şi amplificator de eroare Elementul de comparaţie 5 compară două tensiuni: E0 şi Ur. Tensiunea de referinţă E0.12) Diferenţa dintre aceste două tensiuni. obţinută la ieşirea elementului de comparaţie 5.5. .2 Stabilizatoare cu reacţie având elemente de control serie şi amplificator de eroare Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) şi amplificator de eroare este cel mai răspândit.

dată de relaţia 4. se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 creşte). va scădea şi tensiunea Ur (conform relaţiei 4.3 Stabilizatoare integrate de tensiune Aceste stabilizatoare au performanţe superioare faţă de circuitele de stabilizare având componente discrete şi pot fi realizate atât pentru tensiuni mari (figura 4. Elementele de control serie (ECS) sunt componente integrate. a cărui rezistenţă este comandată de tensiunea de ieşire a amplificatorului de eroare.14) şi reprezintă mărimea de intrare în amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1 şi rezistenţa R4. creşterea potenţialului în colectorul tranzistorului T1 are ca efect o pozitivare accentuată a bazei tranzistorului T2.78 Capitolul 4 Figura 4. 4. Acesta.6 Schema detaliată a stabilizatorului prezentat în figura 4. Astfel.5 Tensiunea de referinţă E0 este dată de un stabilizator parametric format din dioda Zener (Dz) şi rezistenţa R3. tensiunea colector – emitor U’ scade.2. are loc compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0. Curentul de bază al tranzistorului T1 se micşorează ducând la reducerea curentului de colector. . Dacă tensiunea U0 tinde să scadă. Elementul de control serie este tranzistorul T2. Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat direct la baza tranzistorului T2. Semnalul de eroare este: U be = U r − E 0 (4. ducând la creşterea tensiunii U0 conform relaţiei (4.7-b). În figura 4.12) deci scade şi tensiunea Ube. deci la creşterea tensiunii de colector Uc1.7-a) cât şi pentru tensiuni mici (figura 4. iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare operaţionale (AO). iar în figura 4.7-b amplificatorul de eroare lucrează în regim de repetor.14.13). fiind un tranzistor npn.7-a amplificatorul de eroare lucrează în regim de amplificator neinversor.

8 se constituie într-un stabilizator de tensiune fixă (5V) dacă STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4.8 se prezintă schema clasică a unui stabilizator de tensiune integrat cu trei pini. fiind prevăzute cu trei terminale: intrare. ieşire şi bornă de masă.5V superioară tensiunii de ieşire U0.7. reducând suplimentar tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului.17) . Uin > U0nom + 2. Tensiunea de ieşire stabilizată în acest caz este: Stabilizatoarele din seria 78XX pot funcţiona corect numai dacă tensiunea de intrare este cu cel puţin 2.7-b: (4. figura 4.Stabilizatoare electronice 79 (a). Dioda D protejează circuitul integrat.15) b) pentru stabilizarea tensiunilor mici (U2 < Ur).5V (4. Acest montaj se caracterizează printr-o simplitate deosebită.pentru tensiuni mici Figura 4. În figura 4. Condensatorul C1 este indispensabil în montaj. în special atunci când STC se află la o distanţă oarecare faţă de circuitul de filtrare care îl precede (la ieşirea redresorului).16) U2 = Pentru a îmbunătăţi fiabilitatea stabilizatoarelor integrate şi pentru a elimina căderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieşire). schema generală din figura 4. Condensatorul C2 de la ieşire are tot rol de filtrare. figura 4. adică: U0 = Unom ± 5% unde Unom = 5V.9). în montajele la care tensiunea de ieşire se menţine şi după anularea tensiunii de intrare (cazul montajelor cu sarcini capacitive importante). în prezent se realizează circuite stabilizatoare de tensiune fixă şi curenţi de sarcină relativ mari. Stabilizatoare de tensiune integrate U2 în funcţie de tensiunea de referinţă Ur are valorile: a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur). deoarece în afara circuitului integrat sunt necesare numai două condensatoare iar prezenţa diodei de protecţie este facultativă.pentru tensiuni mari (b). Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesită un număr redus de componente discrete externe (pasive şi active). prin limitarea tensiunii inverse care poate să apară între intrare şi ieşire.7-a: Tensiunea de ieşire R + R2 U2 = 1 ⋅ Ur R1 R1 ⋅ Ur R1 + R 2 (4. Exemplificând.

este prezentat un variator de tensiune (în limite mici) utilizând circuitul specializat 7805..10.80 Capitolul 4 Stabilizatoarele integrate pot îndeplini şi funcţia de regulatoare de tensiune.8 mA. astfel încât prin el să treacă un curent de cel puţin cinci ori mai mare decât curentul rezidual (IR1 ≥ 5 Ir). Din acest motiv se alege R2 ≅ R1/2. Variaţiile curentului rezidual Ir (în funcţie de curentul de ieşire) vor avea o anumită influenţă asupra tensiunii de ieşire când se reglează valoarea lui R2 către maxim. Din motive de stabilitate. Şi în acest caz protecţia împotriva suprasarcinilor rămâne activă în condiţia că tensiunea de intrare nu depăşeşte valoarea maximă admisă (de firmă) care este de regulă de 35 V.11 este prezentată schema unui stabilizator de tensiune variabilă utilizând circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni negative). realizat cu circuitul LM7815. se alege R1 = 120 Ω pentru stabilizatorul LM7805 utilizat în acest caz. Figura 4.. Întrucât valoarea cea mai mare a . faţă de tensiunea nominală.18) reprezintă circa 0. în figura 4. Tensiunea de ieşire a stabilizatorului LM317 poate fi reglată între 1. dacă schemei din figura 4. Pentru un stabilizator de 15V.5A.19) U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4. Astfel. se adoptă R1 = 390 Ω. la un curent maxim de 1. Tensiunea de ieşire se poate determina folosind relaţia: Uout = 1.8. În acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de ieşire (4. Variaţiile curentului rezidual Ir în funcţie de curentul de ieşire ar putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieşire.18) Curentul Ir (obţinut la pinul 3) are valori cuprinse în domeniul 4.9.10.9 i se ataşează un divizor rezistiv la care unul dintre rezistoare este reglabil. Stabilizator integrat de tensiune fixă (5V) Figura 4. cu mai mult de 50%.2V şi 37V. Pentru a minimiza acest efect se alege rezistorul R1. nu este indicat să se depăşească plaja de variaţie a tensiunii de ieşire. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Tensiunea obţinută la ieşire are expresia: curentului Ir este de 8 mA.25⋅(1 + R2/R1) (4. Schema de principiu pentru un stabilizator integrat – tensiune fixă Figura 4.5V în cazul stabilizatorului de 5V. În figura 4.

. Observaţii: Deşi schema utilizată în cazul stabilizatoarelor ajustabile de tensiune este identică cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe. baza de calcul suferă o modificare generată de faptul că stabilizatoarele variabile dezvoltă o tensiune de referinţă egală cu 1. totuşi.11. Diodele D1 şi D2 au rolul de proteja circuitul integrat în cazul apariţiei unor descărcări inverse ale condensatoarelor. factorul de rejecţie global. Stabilizator integrat de tensiune variabilă Condensatorul C3 are rolul de a ameliora. suplimentar.Stabilizatoare electronice 81 Figura 4. între pinul ADJ şi pinul VOUT (de ieşire).25V.

CAPITOLUL 5

REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică putere
Pentru ilustrarea unor noţiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor în mutatoare se consideră cel mai simplu redresor comandat, în schema monofazată, monoalternanţă, cu sarcină rezistivă (figura 5.1). El conţine un dispozitiv de comandă pe grilă, DCG, la intrarea căruia se aplică semnalul de comandă, uc. Scopul urmărit este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de comandă uc.

Figura 5.1. Redresor comandat monoalternanţă

Figura 5.2. Circuit de defazare

După modul cum DCG realizează amorsarea tiristorului (intrarea în conducţie), există două metode de comandă pe grilă: comanda pe orizontală şi comanda pe verticală. Dispozitivul de comandă pe grilă transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la fiecare semialternanţă pozitivă a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc amorsarea tiristorului. Până la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul. După deschiderea tiristorului curentul variază proporţional cu tensiunea aplicată u2.

iG care produce amorsarea tiristorului, se numeşte unghi de amorsare şi s-a notat cu αa.
Intervalul cuprins între începutul semialternanţei pozitive şi apariţia impulsului amorsare αa1 şi curentul mediu prin tiristor este proporţional cu suprafaţa dintre curba Din figura 5.3 se observă că modificarea unghiului de amorsare se realizează (1) prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizează unghiul de

ωt

Redresoare comandate de mică putere

83

şi abscisă. Tensiunea continuă de pe rezistenţa de sarcină, proporţională cu valoarea curentului mediu, rezultă mai mică decât în cazul când unghiul de amorsare este zero, adică la redresorul necomandat. Dacă unghiul de amorsare creşte la (2) valoarea αa2, corespunzătoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o valoare proporţională cu suprafaţa dublu haşurată.

ia

Figura 5.3. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe orizontală

Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comandă, se poate modifica unghiul de amorsare de la 0° la 180° şi tensiunea continuă variază de la 100% la zero. Acest principiu este valabil în ambele metode de comandă pe grilă (comanda pe orizontală şi comanda pe verticală). La comanda pe orizontală, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin deplasarea pe orizontală a unei tensiuni alternative de comandă. În figura 5.3-c este prezentată această tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel construit, încât se generează impulsurile iG în momentul trecerii tensiunii u~ prin zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aşa cum este cel din figura 5.2. În acest caz comanda defazajului, deci şi a tensiunii redresate, se face printr-o acţiune de reglare manuală asupra reostatului R. Dacă se impune ca tensiunea continuă să fie ajustată printr-un semnal de comandă uc, DCG trebuie să conţină un oscilator electronic care generează o tensiune periodică, liniar variabilă în timp, uLV, precum şi un circuit ce formează un impuls de comandă, iG, atunci când se produce intersectarea tensiunilor uLV şi uc pe panta

83

84

Capitolul 5

descendentă a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comandă conduce la modificarea corespunzătoare a fazei impulsurilor iG. Comanda pe verticală a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrată în figura 5.4. Dispozitivul de comandă pe grilă (DCG) generează iniţial o tensiune alternativă U~, defazată cu 900 în urma tensiunii U2. (a ) Impulsul de comandă pe grilă i G se formează iniţial la intersecţia cu abscisa (pe porţiunea ascendentă a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de amorsare a tiristorului are valoarea iniţială αa = 90 . Principiul comenzii pe verticală constă în variaţia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe verticală a tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micşorarea sau creşterea unghiului de amorsare faţă de unghiul iniţial αa. Pentru a realiza deplasarea pe verticală a tensiunii U~, la nivelul DCG se însumează o tensiune continuă de comandă (Uc – pozitivă sau negativă) cu tensiunea U~.
0

Figura 5.4. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor în cazul comenzii pe verticală

Redresoare comandate de mică putere
Ajustarea tensiunii de comandă astfel: a. Creşterea tensiunii

85

Uc determină reglarea unghiului de amorsare (Uc > 0) are [00 ... 900], iar
ca efect reglarea valoarea medie a

Uc

în valori pozitive

unghiului de amorsare

tensiunii redresate creşte (proporţional cu valoarea unghiului de conducţie α1) în cadrul unei semialternanţe pozitive; b. Creşterea tensiunii Uc în valori negative

(α1)

în intervalul

(Uc < 0) are ca efect reglarea 0 0 unghiului de amorsare (α2) în intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a tensiunii redresate scade proporţional cu creşterea unghiului α2, între [900 ... 1800].

[0 [0% ... 100%] din Ur.

0

Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, în domeniul ...1800], iar tensiunea medie redresată poate fi ajustată continuu, în domeniul

La evaluarea comparativă a performanţelor redresoarelor având comandă pe orizontală faţă de cele ce au comanda pe verticală, un criteriu important este forma dependenţei tensiunii continue U0 în raport cu semnalul de comandă uc. Expresia tensiunii continue sarcină rezistivă este: 2π

U0

la un redresor monofazat comandat cu

1 U0 = 2⋅π


0

1 u r d ( ωt ) = 2⋅π

αa

π

2 ⋅U 2 sin(ωt ) ⋅ d(ωt ) =
(5.1)

=

2 ⋅U 2 (1 + cos α a ) 2⋅π

La comanda pe orizontală, figura 5.3.d, unghiul de amorsare în funcţie de tensiunea de comandă uc prin relaţia:

αa se exprimă
(5.2)

α a = π ⋅ (1 −

uc

Înlocuind α a în relaţia (5.1) rezultă:

u c max

)

U0 =

π uc 2 ⋅U 2 (1 − cos ) 2⋅π u c max

(5.3)

deci dependenţa U0 = f(uc) este neliniară. La comanda pe verticală, considerând că tensiunea de comandă maximă, ucmax, este egală cu amplitudinea tensiunii u~ , relaţia dintre unghiul de amorsare

(αa) şi tensiunea uc este:
α a = arccos(

uc u c max

)

(5.4)

Înlocuind relaţia 5.4 în ultima formă a relaţiei 5.1 se obţine:

85

Comandă durată (tp) 14.Ieşire (E2) 15.Masă − 13. Această proprietate reprezintă un avantaj important al comenzii pe verticală faţă de comanda pe orizontală.5. care pot fi realizate cu ajutorul componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate. Dispozitiv de comandă pe grilă realizat cu ßAA-145 .Alimentare (+V) 2.Ieşire ( E1 ) 11.Rampă de tensiune 8.Ieşire monostabil 3.Comandă fază ( V8 ) 9.Blocare impuls 7. Unul dintre cele mai utilizate circuite integrate.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor Pentru reglarea unghiului de conducţie a tiristoarelor şi/sau triacurilor se pot utiliza dispozitive electronice specializate. Schema electronică test pentru o aplicaţie tipică (cu posibilităţi de comandă a două tiristoare) realizată cu circuitul integrat ßAA145 este prezentată în figura 5.Intrare de sincronizare 10. Făcând abstracţie de schema electronică detaliată prezentată în [9]. dependenţa U0 = f(uc) este liniară. destinat comenzii în fază a elementelor de redresare.Alimentare ( I ) 6. este circuitul integrat ßAA-145.5. întrucât redresorul comandat poate fi utilizat ca element de execuţie într-un sistem liniar de reglare automată (de exemplu reglarea turaţiei motorului de curent continuu). semnificaţia terminalelor (pinilor) este următoarea: 1.Sincronizare paralel Figura 5.86 Capitolul 5 U0 = 2 ⋅U 2 uc (1 + ) u c max 2⋅π (5.5) deci. 5.Referinţa de tensiune (-V) 16.

8V..6. atunci când tensiunea de comandă aplicată la pinul 8 variază în domeniul 0. pentru separare galvanică (220V~/24V~). Figura 5.Redresoare comandate de mică putere 87 Observaţie: Este recomandat să se utilizeze un transformator coborâtor de tensiune. ce urmează a fi aplicate pe porţile tiristoarelor sau triacurilor. Variaţia unghiului de conducţie Figura 5. În acest caz valorile rezistenţelor divizorului se adoptă astfel încât curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) să aibă valoarea de 10 mA. 87 . Variaţia unghiului de conducţie în raport cu tensiunea de comandă (V8) este prezentată în figura 5. se obţin la pinii 10 şi 14..6.7. Diagrama impulsurilor de comandă Impulsurile de comandă. asociat cu divizorul rezistiv pentru alimentarea pinului de sincronizare (9). Acest circuit permite reglarea unghiului de conducţie (φ) în domeniul 0-180 grade. această valoare fiind un parametru de catalog. Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu ajutorul unui potenţiometru semireglabil (Rt) de 250 KΩ conectat la pinul 11.

.catod. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul în care tensiunea lor în sensul anod – catod este pozitivă. tensiunea de ieşire Ud este reglabilă în limitele [0. Unghiul de comandă (α) exprimă intervalul de timp cuprins între momentul începutului blocării tiristorului T1 şi momentul în care începe conducţia tiristorului T2.8. Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porţile tiristoarelor/triacurilor prin intermediul unor transformatoare de impulsuri. Figura 5. Schema electrică a redresorului monofazat în punte semicomandată (cu sarcină inductiv-rezistivă) este prezentată în figura 5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte În cazul redresorului semicomandat.. iar formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor prin circuitul redresor-sarcină sunt date în figura 5.9.88 Capitolul 5 Cele două impulsuri de comandă (V10 şi V14) sunt decalate permanent cu un unghi constant de 180 grade. figura 5. în cazul redresorului monofazat. acest interval defineşte unghiul de comandă (α) pentru tiristoare.. 5. acestea trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington.180 grade datorită translaţiei pe orizontală a celor două impulsuri. Aceste transformatoare realizează separare galvanică Între circuitul de forţă (tiristor sau triac) şi circuitul de comandă unde se află circuitul integrat βAA – 145. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunzătoare a tiristoarelor din circuit. Blocarea impulsurilor de comandă (inhibarea circuitului ßAA-145) se poate face conectând pinul 6 la masă. dar unghiul de conducţie ϕ se poate regla în intervalul 0. se alege ca moment de referinţă pentru comanda pe grilă. impulsul de amorsare (aprindere) a fiecărui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil. începe ieşirea din conducţie a tiristorului T2 şi intrarea în conducţie a diodei D1. Momentul în care tensiunea pe tiristor este nulă şi urmează să devină pozitivă în sensul anod .8. Exprimat în radiani. În raport cu referinţa. În punctul A al diagramelor.. realizate cu miezuri de ferită şi dimensionate corespunzător.. Momentul de referinţă pentru unghiul de comandă este momentul trecerii prin zero a tensiunii reţelei. Întrucât impulsurile de comandă (V10 şi V14) sunt de mică putere.100%].7.

6) unde: US – este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 ). α – este unghiul de conducţie al tiristoarelor. curentul de sarcină trece în întregime prin T1 şi D1. Tensiunea redresată Ud pe sarcină (LS.Redresoare comandate de mică putere 89 Intervalele de comutaţie γ1 şi γ 2 definesc timpii necesari blocării tiristoarelor şi intrării în conducţie a diodelor.9. Figura 5. RS) se obţine în intervalele de timp în care are loc conducţia simultană pe T1. C şi E. D2 . După intervalul de conducţie γ 2 . Tensiunea medie redresată (Ud) este dată de relaţia: Ud = 2 U S (cos α + 1) . π (5. Tiristorul T1 se stinge natural în punctele (momentele) B şi D. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor 89 . D1 şi respectiv T2. iar tiristorul T2 se blochează natural în momentele A.

90 Capitolul 5 Observaţii: a) Pe durata conducţiei tiristoarelor. Care este rolul şi seminificaţia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat βAA145. R S = 50 [ Ω ] . K TR = 8. c) Tensiunea redresată (Ud) creşte dacă unghiul de comandă α scade. R = 200 [ Ω ] . rDZ = 8 [ Ω ] . d) Valoarea curentului de sarcină (I S ) . interval de timp necesar preluării conducţiei de la tiristoare de către diode. b) Tensiunea între punctele M şi N (U MN ) . 5. α c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului ) Se cere: a) Tensiunea medie redresată U 0 . faţă de metoda comenzii pe orizontală (în cazul redresoarelor comandate) ? 2. c) Unghuiul de conducţie θ al diodei Zenner. specializat pentru comanda în fază a tiristoarelor şi triacurilor? Problemă Se dă circuitul de redresareşi stabilizare din figură pentru care se cunoaşte: u1 ( t ) = 240 ⋅ sin ( ωt ) [ V ] . U Z = 9.4 Întrebări şi problemă 1.1[ V ] . iar în intervalul unghiului de comandă cele două diode D1 şi D2 joacă rolul de protecţie (descărcare) împotriva tensiunilor de autoinducţie ce apar în momentul blocării tiristoarelor. asigurând curentul neîntrerupt prin sarcina RS. Ce avantaj oferă comanda pe verticală. diodele de acelaşi indice (nume) joacă rolul de redresor. b) Durata de conducţie a diodelor este mult mai mare decât durata de conducţie a tiristoarelor. Valoarea minimă a unghiului de comandă (α) se adoptă în intervalul 5÷8 grade electrice. LS.

se vor introduce – în cele ce urmează – funcţiile logice elementare. contactul electric este închis) şi valoarea 0 dacă propoziţia este falsă (contactul electric deschis). circuitul se . propoziţia: “butonul X este acţionat” (figura 6.1-a). Ilustrând această idee prin exemple simple. care are valoarea 1 dacă propoziţia este adevărată (butonul fiind acţionat.2. Definirea funcţiilor logice elementare. când propoziţia este adevărată şi valoarea 0 când propoziţia este falsă. În mod similar. 1 Identitatea logică. Deci se obţine identitatea logică: y≡x (6. propoziţiei “releul Y este acţionat” (figura 6.1 Funcţii logice elementare Algebra logicii. Fie de exemplu. propoziţia a doua este adevărată când prima propoziţie este adevărată şi invers. Veridicitatea unei propoziţii poate să depindă de veridicitatea altor propoziţii.2. Referindu-ne la cele două propoziţii menţionate anterior constatăm că în schema din figura 6.1. operează cu propoziţii.1) Identităţii logice îi corespunde tabelul de adevăr 6. Fiecărei propoziţii i se poate asocia o variabilă.1-a. conform căreia o propoziţie poate fi adevărată sau falsă. Când butonul este acţionat. luate din domeniul schemelor de comandă cu relee şi contacte. 1815-1864). la care interesează veridicitatea acestora. Boole. Acestei propoziţii i se poate asocia variabila binară x. Figura 6.3. numită variabilă logică sau binară. Figura 6.CAPITOLUL 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 6.1-b) i se poate asocia variabila binară y. În cadrul schemei din figura 6. având o semnificaţie asemănătoare. acesta îşi deschide contactul. Realizarea identităţii logice. contactul butonului X este normal închis. În algebra booleană se utilizează logica bivalentă. 2 Negaţia logică. numită şi algebră booleană (după numele matematicianului irlandez G. care are valoarea 1.

4. ⋅ xn (6.5. situaţie în care funcţia ”SAU” este: y = x1 + x2 + x3 + .2 a) x y≡x x y= x 0 0 0 1 1 1 1 0 x1 x2 y=x1+x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 b) x ⋅x 4 Conjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin 1 2 şi are valoarea 1 dacă ambele variabile au valoarea 1.2 al disjuncţiei logice arată că aceasta are valoarea 1 dacă x1 sau x2 au valoarea ”1” logic sau x1 şi x2 au valoarea logică 1. Ca urmare.2) Figura 6..5) În cazul general.3) Generalizând.3. + xn (6.. notată simbolic: y= x (6. din care rezultă: y = x1 + x2 (6.92 Capitolul 6 întrerupe.4. conjuncţia logică se realizează cu n variabile binare. Realizarea fizică a funcţiei “ŞI” cu două variabile este dată în schema din figura 6.1 Tabelul 6.6) În cazul negaţiei logice. conjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “ŞI”. corespondenţa dintre variabila dependentă (y) şi cea independentă (x) este dată de tabelul de adevăr 6. de unde rezultă: y = x1 ⋅ x 2 (6. disjuncţia logică poate conţine n variabile binare. iar releul Y nu va fi acţionat. Disjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1+x2 şi are valoarea 1 dacă una dintre variabile are valoarea 1.3 se constată că numai atunci când x1 şi x2 au valoarea logică 1.. Din acest motiv.4) . sau ambele variabile au valoarea 1. Din tabelul de adevăr 6. Se realizează deci negaţia logică.. conjuncţia logică are valoarea 1. Tabelul de adevăr 6. Realizarea negaţiei logice Figura 6. situaţie în care funcţia ”ŞI” este: y = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ . disjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “SAU”. Realizarea funcţiei logice SAU Tabelul 6. Interpretarea fizică a acesteia este ilustrată prin schema dată în figura 6.1-b.

2 şi 6. Funcţia logică NUMAI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. Funcţia logică SAU-EXCLUSIV a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1⊕x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.9) Observaţie: Şi în cazul funcţiilor NOR şi NAND.6. iar în terminologia engleză NAND (Not –AND): x1 ↑ x 2 = x 1 ⋅ x 2 (6. simbolizarea disjuncţiei logice şi respectiv a conjuncţiei logice realizate cu două variabile (ca în exemplul de faţă) se poate face astfel: y =x1 ∪ x2 .10) .3 93 Figura 6. adică: (6. Funcţia logică NICI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6. cum sunt: NICI. funcţia SAU negată: (6. fapt ce exclude posibilitatea de a fi adevărate simultan cele două alternative implicate în propoziţie. Uneori. Se remarcă faptul că funcţia are valoarea 1.6. şi 6. de fapt. iar în terminologia engleză este NOR (Not-OR).Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6. funcţia NICI se mai numeşte funcţie SAU-NU.3. adică se mai numeşte funcţia ŞI-NU. atunci când nici x1.5 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 Tabelul 6. SAU.8) x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 Din acest motiv. nici x2 nu sunt egale cu 1. y = x1 ∩ x2 (6. NUMAI. În conformitate cu tabelul de adevăr 6.5 rezultă că funcţia NUMAI se obţine prin negarea funcţiei ŞI. se mai utilizează şi alte funcţii logice (derivate).4. În afara acestora. acestea se pot realiza cu n variabile binare. SAU EXCLUSIV etc. ŞI reprezintă funcţii elementare în algebra propoziţiilor. se constată că funcţia NICI reprezintă. funcţia SAU-EXCLUSIV este disjuncţia termenilor x1 ⋅ x 2 şi x1 ⋅ x 2 .5. Comparând tabelele de adevăr 6.7) Funcţiile logice NU. x1 x2 y= x1 + x 2 Tabelul 6. Semnificaţia şi denumirea funcţiei este legată de interpretarea propoziţiilor de forma: “Maşina electrică funcţionează în regim de motor sau în regim de generator”.6 x1 x2 y= x1 ⋅ x 2 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 x1 x2 x1⊕x2 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 Din compararea tabelelor de adevăr 6. Tabelul 6.4.4.5.

utilizând relaţiile de definiţie (6. crt. Tabelul 6.11) x=x+x=x↓x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 (6. Verificarea acestor proprietăţi se poate face cu uşurinţă utilizând tabelele de adevăr ale funcţiilor logice elementare.14) (6. se realizează astfel: x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 (6.13) (6. ŞI. de la funcţiile NICI şi NUMAI. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Proprietatea de idempotenţă Proprietatea de asociativitate Proprietatea de comutativitate Proprietatea de distributivitate Proprietatea de absorbţie Teoremele lui De Morgan Principiul contradicţiei Principiul terţului exclus Principiul dublei negaţii Denumirea relaţiei logice Proprietăţile constantelor logice 0 şi 1 x+0=x x ⋅0 = 0 x + 1 = 1 x ⋅1 = x x+x=x x⋅x=x (x1⋅x2)⋅x3 = x1⋅(x2⋅x3) (x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3) x1⋅x2 = x2⋅x1 x1+x2 = x2+x1 x1⋅(x2+x3) = (x1⋅x2)+(x1⋅x3) x1+(x2⋅x3) = (x1+x2)⋅(x1+x3) x1+x1⋅x2 = x1 x1⋅(x1+x2) = x1 x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 x⋅ x =0 x+ x =1 x =x Astfel.7 Nr. Relaţiile date în tabelul 6.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii Pentru transformarea unor expresii logice în altele.7. ŞI. SAU.8) şi (6.7 permit exprimarea funcţiilor NICI.9) precum şi teoremele lui De Morgan rezultă: (6. echivalente celor iniţiale. însă cu o structură mai simplă. date în tabelul 6. SAU. NUMAI şi SAU–EXCLUSIV prin intermediul funcţiilor elementare NU.15) .94 Capitolul 6 6. se folosesc o serie de relaţii (proprietăţi) fundamentale.12) Transformările inverse. la funcţiile NU.

cât şi funcţia NUMAI pot juca rolul unui sistem complet de funcţii elementare.. Relaţiile (6. Diodele semiconductoare se consideră ideale (cu rezistenţă internă nulă). Dacă dioda este polarizată în sens direct. .+ ε1 )V → L " 1" logic → (+ E − ε 2 . Tranzistoarele utilizate în circuitele logice funcţionează în regim de comutaţie.16) (6.1 s-a arătat modul de realizare a funcţiilor logice elementare prin intermediul contactelor. iar dacă este polarizată invers. . cu deosebirea că în starea “0” logic (tranzistor saturat).8 Tabelul 6. în componenţa cărora intră diode şi tranzistoare. funcţiile logice elementare NU. întrucât prin intermediul lor se poate exprima orice altă funcţie logică. se consideră ca un izolator ideal (contact deschis). ea va fi asimilată cu un element conductor ideal (contact închis). .. Valorilor logice ”0” şi ”1” li se asociază două niveluri de tensiuni electrice: nivel coborât (L -Low) şi nivel ridicat (H . De asemenea.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 95 (6.8 şi 6.9 x 1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x 1 ↑ x 2 x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 x1 ↓ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↓ x 2 x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 + x 2 = x1 ↑ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 În algebra propoziţiilor. Funcţiile logice se pot realiza şi cu ajutorul unor circuite electronice. 6. Punctul static de funcţionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe dreapta de sarcină în M” (regim de saturaţie) – corespunzător unei tensiuni neglijabile în colector. când tensiunea în colectorul tranzistorului este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare. Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive electronice În § 6.18) sunt sintetizate în tabelele recapitulative 6.13) … (6. punctul static poate fi în poziţia M’ (regim de blocare). SAU formează un sistem complet de funcţii. ŞI. numite circuite logice.19) .9. ceea ce le oferă o importanţă deosebită în circuitele logice de comandă. ceea ce echivalează cu semnalul “0” logic. Tabelul 6. E ) → H (6.High).3 Circuite logice..17) x = x⋅x = x↑ x x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 (6. ceea ce echivalează cu semnalul “1” logic. care lucrează în regim de comutaţie. căderea de tensiune pe tranzistor este mai mare decât la tranzistorul bipolar. . În mod similar se consideră şi tranzistoarele unipolare.18) Relaţiile de transformare (6.13)…(6. Regula de asociere: " 0" logic → (0..18) arată că atât funcţia NICI.

dioda D1 conduce. de exemplu.8.10. respectiv ŞI. tranzistorul este blocat.96 Capitolul 6 în care ε1 şi ε2 sunt toleranţe admise. În alte situaţii. ambele diode sunt blocate (având semnal pozitiv la catozi). În primele variante constructive. ca de exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp. În figura 6. deci y = 0. x2 = 1 sau x1 = 1 şi x2 = 1. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe dioda D2. Circuit logic NU Figura 6. deci y = 1. toate punctele circuitului se vor afla la potenţial nul. În mod similar rezultă y = 0 când x1 = 0.6 este dată schema unui circuit logic NU (logică pozitivă). Schemele acestor circuite. E şi tranzistorul lucrează în saturaţie.8. iar D1 este blocată. deci y = 0... În figura 6. tensiunea de intrare este ux. " l" logic → (− E + ε 2 . x2 = 1. Funcţionarea acestui circuit este următoarea: dacă x1 = 0. baza este negativată (prin sursa –Eb). . respectiv 6. Schema unui circuit ŞI cu două intrări. Dacă x1 = 0 şi x2 = 0. adică tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V. în logică pozitivă este dată în figura 6. Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe diodele care conduc.−ε1 ) V → L (6. Dacă x = 0. rezistoare şi tranzistoare) se obţin prin conectarea în serie a circuitului SAU. la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn. circuitele logice se pot realiza utilizând componente discrete sau sub formă de circuite integrate. . corespunde logicii pozitive şi se aplică. circuitele logice conţineau componente discrete. Dacă x1 = 1 şi x2 = 0. tensiunea de intrare ux este egală cu 0 V. atunci când x1 = 0. deci y = 0.. sunt date în figurile 6. la ieşire se obţine o tensiune uy = 0 V. se adoptă logica negativă. respectiv D2 conduc. bornele de intrare având potenţialul +E ( E ≥ E1 ). deci rezultă y ≅ 0. conducând D2. x2 = 0. . dacă x1 = 1. conduce dioda D2. iar la ieşire rezultă semnal logic y = 1. Circuit ŞI Circuitele SAU-NU (NOR).20) Sub aspect tehnologic.7. adică ≅ 0V. precum şi simbolizarea lor.7 este dată schema unui circuit SAU cu diode.− E ) → H Figura 6. funcţionarea este similară. E. .. respectiv circuitul ŞI-NU (NAND) realizate cu ajutorul componentelor discrete (diode. Atunci când x1 = 1 şi x2 = 1. căreia îi corespunde regula de asociere: " 0" logic → (0. D2 este blocată şi tensiunea de ieşire este egală cu cea de la prima intrare. realizat cu diode. respectiv D1 şi D2. deci la ieşire se obţine uy. x2 = 0. Circuit SAU Figura 6. .6. astfel încât y = 1.9. adică y = 1. cu circuitul NU. intrările sunt conectate la potenţialul bornei comune şi diodele D1. Dacă x = 1. lucrând în logica pozitivă.

Circuit SAU-NU (NOR) gura 6. După tehnologia utilizată. Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul ŞI-NU. Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similară circuitelor cu componente discrete. circuitele logice integrate (CLI) se clasifică în: CLI bipolare. TTL. La realizarea CLI bipolare s-au adoptat mai multe tipuri de structuri de bază.TTL) În prezent circuitele logice se realizează aproape în exclusivitate sub formă de circuite integrate. adică intrarea respectivă se leagă la masă. tipurile: RTL. adică are o joncţiune bazăcolector şi mai multe joncţiuni bază-emitor. realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS. Dacă la una dintre intrări se aplică tensiunea 0V. în prezent nu mai sunt utilizate. Circuitele RTL şi DTL având performanţe reduse.11.Transistor-Logic) sunt în prezent cele mai utilizate CLI. DTL. T1.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND . dintre care menţionăm. Circuitele TTL (Transistor. în care se utilizează tranzistoare bipolare. Astfel curentul i în colectorul lui T1 este neglijabil.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 97 Figura 6. joncţiunea bază-emitor respectivă conduce. în ordinea în care s-au succedat.9. a cărui schemă este dată în figura 6. Tranzistorul de intrare. şi CLI-MOS. HLL şi I2L. potenţialul bazei este practic egal cu 0V iar joncţiunea bazăcolector nu conduce. . Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrările prin rezistenţe.10. Circuit ŞI-NU (NAND) 6. conectate la bazele tranzistoarelor bipolare. este de tip multiemitor.

tranzistorul T3 se comportă ca un repetor pe emitor. iar T4 ca un contact închis. adică potenţialul bornei de ieşire este practic egal cu +E.11.5 V pentru y=”1” logic Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V şi 5V. Circuit ŞI-NU (NAND) TTL Tranzistorul T2 este blocat şi întrucât iE2 = 0. potenţialul bazei tranzistorului T4 este practic egal cu 0V. tensiunea de ieşire este practic +E.4 V pentru y=”0” logic VH 3. care determină saturarea tranzistorului T4.12.12. Figura 6. valorile tensiunilor pentru ”0” logic şi ”1” sunt: VH 0. Curentul iE2 fiind mare. Observaţii: Când ieşirea este ”1” logic (y = 1).98 Capitolul 6 Figura 6. Întrucât T3 se comportă ca un contact deschis. tensiunea de ieşire este 0V. Dioda D este conectată între tranzistorele T3 şi T4 din motive tehnologice. se asigură o cădere de tensiune pe rezistenţa RE. joncţiunile bazăemitor ale tranzistorului T1 nu conduc. deoarece tensiunea bază-emitor aplicată acestuia este neglijabilă. cât şi în situaţiile când mai multe intrări au tensiunea de 0V. însă va conduce joncţiunea bază-colector. În acelaşi timp tranzistorul T3 este blocat. Ca urmare. în această situaţie. generând curentul de sarcină. iar curentul prin sarcina conectată la ieşire este asigurat de tranzistorul T3 care este în saturaţie. 1 2 Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este prezentată în figura 6. Practic. Deci. întrucât T3 este în conducţie (saturat). Dacă la toate intrările se aplică tensiunea +E. . deci y = 0. potenţialul colectorului acestui tranzistor (T4). deci şi acest tranzistor este blocat. stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea în saturaţie a tranzistorului T2.

) . într-un interval de timp foarte scurt (de ordinul microsecundelor).13.) − VD (6.21) VD – este căderea de tensiune pe dioda D. Poarta TTL (NOR) Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizează funcţia logică F ="1" = V0 = A + B = A ⋅ B .tensiunea colector-emitor când T3 este saturat.22) 6. T’2 formează două etaje de intrare conectate în paralel pe rezistoarele R2 şi R3. atunci când T1 şi T’1 sunt saturate. În starea ”1” logic tensiunea VH la ieşirea porţii TTL este: VCE (T4 − sat. adică VIA sau VIB au valoarea „1” logic (+E volţi). Cauza conducţiei simultane este aceea că T3 comută mai rapid în conducţie decât comută T4 în starea de blocare. atunci tranzistorul T3 va fi saturat. b) Dacă T2 şi T’2 sunt blocate. Observaţie: T2 sau T’2 sunt saturate dacă T1 sau T’1 sunt blocate.) − VCE (T4 − sat.) . Perechile de tranzistoare T1. Deci la ieşirea F se obţine V0=”0” logic. .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 99 Observaţie: În timpul funcţionării (la trecerea din starea ”0” logic în starea ”1” logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor T3 şi T4.tensiunea colector-emitor când T4 este saturat. T2 şi T’1.13. Funcţionarea este următoarea: a) Dacă T2 sau T’2 este saturat.4. VH = VCC − VCE (T3 − sat. Figura 6. Poarta logică integrată NOR (SAU-NU) În cele ce urmează se prezintă poarta integrată NOR (SAU-NU) realizată cu numai 2 (două) intrări. ce are schema electrică prezentată în figura 6.) − VD R C3 (6. la ieşire se obţine V0=”1” logic (+E volţi). VCE (T3 − sat. Expresia curentului maxim de impuls în colector (ICC-max) la ieşirea porţii TTL este: I CC − max = unde: VCC − VCE (T3 − sat.1. când acesta ar trebui să fie deja blocat. iar T4 este blocat. Astfel T3 îl ”surprinde” pe T4 în conducţie. deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat.

. 6. a) Circuit combinaţional.. u 2 . Circuitele logice combinaţionale sunt acele circuite de comandă la care setul mărimilor de ieşire. La ieşirea F se obţine ”0” logic dacă una dintre intrări (sau ambele) au nivel de tensiune ”1” logic.14-a). u 2 ..elemente de ieşire: Y1. în care u1. În privinţa circuitelor logice combinaţionale se pot formula două categorii de probleme: . Y2.100 Capitolul 6 când ambele intrări sunt legate la masă.14-b.5.14.) sunt funcţii booleene. …. Um.1 Noţiuni generale Fie un circuit de comandă (figura 6.. u m ) M y 2 = f 2 (u1. în momentul considerat. f2(. Mărimile de intrare sunt variabile binare independente.5 Circuite logice combinaţionale 6.23) în care f1(. .). u 2 . u m ) M y r = f r (u1. Figura 6. …. . yr – mărimi de ieşire. y2. ale căror structuri sunt cunoscute. .).. caracterizat prin următoarele elemente: . . este determinat în mod univoc de o combinaţie dată a mărimilor de intrare. iar y1.elemente de intrare: U1. unei situaţii date a elementelor de intrare (acţionate sau neacţionate). reprezentând înfăşurări de relee şi/sau contactoare. înfăşurări ale robinetelor electromagnetice. u m ) (6. Cu alte cuvinte. adică funcţii în care variabilele logice sunt legate prin operaţiile din algebra logicii. . b) Simbolizarea circuitului combinaţional Asociind elementelor de intrare-ieşire variabile binare.ansamblul elementelor de comandă (contacte sau circuite logice).. contacte ale unor relee din alte scheme de comandă etc. reprezentând contacte de butoane şi de limitatoare de cursă. schema de comandă se poate reprezenta ca în figura 6. fr(. …. în orice moment. îi corespunde în mod univoc o anumită situaţie a elementelor de ieşire.. Circuitele logice combinaţionale sunt descrise prin ecuaţii ieşire-intrare de forma: y1 = f1 (u1. notate cu litere mici... u2. lămpi de semnalizare etc.. Yr. U2. …. um se numesc mărimi de intrare... iar mărimile de ieşire sunt variabile binare dependente.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale
analiza circuitelor logice combinaţionale; sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaţionale.

101

6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
Într-o problemă de analiză se dă structura circuitului combinaţional, starea elementelor de intrare (dacă sunt acţionate sau nu) şi se cere starea elementelor de ieşire. O problemă de analiză, de tipul celei formulate, se rezolvă în trei etape: • pornind de la schema circuitului combinaţional, se asociază variabile binare elementelor fizice de intrare-ieşire şi se scrie funcţia logică corespunzătoare schemei date; • se înlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, după starea elementelor de intrare respective; • se evaluează expresia logică, deteminând variabila dependentă (mărimea de ieşire): dacă aceasta este 1, elementul de ieşire este acţionat, iar dacă expresia logică are valoarea 0, elementul de ieşire este neacţionat.

Figura 6.15. Schema de comandă cu releu şi contacte

Figura 6.16. Schema de comandă echivalentă schemei din figura 6.22

Vom ilustra procedura descrisă prin intermediul schemei de comandă cu relee şi contacte dată în figura 6.15. Aici, U1, U2 şi U3 sunt contacte normal deschise şi normal închise ale unor elemente de comandă, limitatoare de cursă etc. Aşa cum s-a arătat în § 6.1, contactelor normal deschise li se asociază variabile binare, notate cu litere mici fără bară de negare, iar contactelor normal închise li se asociază variabile binare negate (cu bară de negare). Acţionarea unui contact normal închis reprezintă deschiderea sa. Asociind o variabilă binară, y, elementului de ieşire, Y, schema de comandă poate fi reprezentată ca în figura 6.16. Cunoscând realizarea funcţiilor logice elementare utilizând contacte, variabila de ieşire y (figura 6.16) se poate exprima cu uşurinţă prin intermediul variabilelor de intrare u1, u2 şi u3:

y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u 1 3

(6.24)

Presupunem că, în cadrul problemei de analiză, se cere starea elementului de ieşire atunci când U1 şi U2 sunt acţionate iar U3 este neacţionat. Punând în expresia (6.24) u1 = u2 =

1 şi u3 = 0, se obţine:

y = (1 ⋅ 1 ⋅ 0 + 1 ⋅ 1 ⋅ 0) ⋅ 1 + (1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1) ⋅ 0 = 1
deci elementul de ieşire este acţionat. Formularea problemelor de analiză a schemelor combinaţionale poate fi completată în sensul determinării unei scheme de comandă mai simplă, însă echivalentă cu cea iniţială, sau al stabilirii unei scheme de comandă cu aceleaşi funcţiuni, însă realizată prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvările

102

Capitolul 6

acestor completări din formularea problemelor de analiză constituie, în acelaşi timp, soluţii ale unor etape din procedura de sinteză (proiectare) a schemelor combinaţionale. Fie schema de comandă din figura 6.15. Se cere o schemă echivalentă cu aceasta, însă mai simplă, adică realizată cu un număr mai mic de elemente. Pentru simplificarea schemei de comandă se procedează la minimizarea funcţiei booleene (6.24), adică la aducerea acesteia la o formă cât mai simplă. Utilizând relaţiile fundamentale din algebra booleană, se obţine:

(6.25) Ţinând seama de proprietăţile de idempotenţă, terţ exclus şi contradicţie, din ultima expresie se obţine: (6.26) y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 Mărimea de ieşire (y) s-a exprimat printr-o disjuncţie a unor conjuncţii logice. Funcţia booleană corespunzătoare se exprimă în forma canonică disjunctivă. Constituenţii disjuncţiei se numesc mintermeni. Pentru obţinerea formei canonice disjunctive minimale se pot utiliza mai multe metode: a) metoda alipirilor (metoda grupărilor); b) metoda diagramelor Karnaugh; c) algoritmul Quine-McCluskey. Dacă numărul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomandă metodele b sau c. Pentru exemplul anterior, având în vedere numărul redus de mintermeni, vom utiliza metoda grupărilor. Termenii vor fi grupaţi câte doi, astfel încât fiecare pereche să aibă numai un singur termen diferit în conjuncţiile respective. Astfel, primii doi mintermeni se pot grupa având u 2 u 3 ca parte comună în conjuncţii. La fel, primul şi al treilea, se pot grupa având u 1 u 3 ca parte comună. Pentru a nu rămâne un mintermen necuplat, în expresia (6.25) se adaugă în disjuncţie mintermenul existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilalţi doi):

y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3
Această expresie este

(6.27)

identică cu cea precedentă, deoarece u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietăţii de idempotenţă. Grupând primii doi mintermeni, precum şi următorii doi, din relaţia 6.27, prin utilizarea proprietăţii de distributivitate se obţine: y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28) şi, deoarece u1 + u1 = 1 şi u 2 + u 2 = 1, în conformitate cu principiul terţului exclus rezultă forma minimală a funcţiei logice: y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29) Se constată cu uşurinţă că funcţia booleană în forma canonică minimaldisjunctivă nu se poate simplifica mai mult. Forma minimală a funcţiei booleene se prezintă ca o disjuncţie a unor termeni numiţi implicanţi primi ai funcţiei. Deci, în esenţă, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funcţiei logice iniţiale se reduce la deducerea implicanţilor primi ai acesteia. Corespunzător ecuaţiei (6.29) se poate desena schema de comandă minimală din figura 6.17, echivalentă cu schema iniţială din figura 6.15.

Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale

103

Realizarea cu circuite logice NU, ŞI, SAU a circuitului de comandă corespunzător funcţiei logice (6.29), se face prin schema dată în figura 6.18. Dacă se pune problema deducerii unei scheme de comandă realizată cu elemente NAND, se transformă funcţia (6.29) după cum urmează:

y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) ↑ (u1 u 3 ) = (u 2 ↑ u 3 ) ↑ (u 1 ↑ u 3 )

(6.30)

Utilizând module NAND cu două intrări, rezultă schema circuitului de comandă din figura 6.19.

Figura 6.17. Schema de comandă minimală echivalentă schemei din figura 6.15

Figura 6.18. Schema echivalentă a realizată funcţiei logice (6.28)

Figura 6.19. Schema echivalentă a funcţiei logice (6.28) cu module NAND

6.6 Circuite logice secvenţiale
Aşa cum s-a arătat în § 6.5.1 mărimile de ieşire ale unui circuit combinaţional sunt determinate univoc, în orice moment, de mărimile de intrare din momentul respectiv. În cazul circuitelor logice secvenţiale, mărimile de ieşire la momentul k, k k k notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mărimile de intrare k k k u1 , u 2 ,..., u m , ci şi de starea internă a circuitului din momentul anterior, k −1 k −1 k −1 (figura 6.20). caracterizată prin mărimile de stare x1 , x 2 , ... , x n Variabilele de stare descriu evoluţia (istoria) circuitului, în sensul că la momentul k ele depind atât de valorile anterioare, din momentul k–1, cât şi de mărimile de intrare ale circuitului. Din cele menţionate rezultă că un circuit logic secvenţial este caracterizat de două seturi de ecuaţii: ecuaţiile de stare şi ecuaţiile de ieşire. Ecuaţiile de stare leagă mărimile de stare din momentul k, de mărimile de stare din momentul anterior, k–1, şi de mărimile de intrare. Ele pot avea două forme:

.. după cum mărimile de intrare se consideră în momentul k. notate convenţional prin 0 şi 1...1) a variabilelor de intrare. . n. Tranziţia stărilor se face sub acţiunea unor semnale de intrare. x2 k −1 .... Circuitele logice secvenţiale se încadrează în categoria generală de sisteme dinamice. . x 2 . u 2 . .. u1 . circuitul secvenţial se poate afla în 2 stări (n este numărul variabilelor de intrare). x n k −1 .33) y j = g j ( x1 . . realizate într-o formă specifică.. ecuaţiile de ieşire ale unui circuit secvenţial sunt de forma: k k k k k k k (6. variabilele din circuit (6.20.. . . care ilustrează grafic modul cum se realizează trecerea dintr-o stare în alta.104 Capitolul 6 k k −1 k −1 k −1 k k x i = f i ( x1 .. Ecuaţia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziţie a stărilor. Se constată că s-a eliminat combinaţia (1. x n . având diagrama de tranziţie a stărilor din figura 6.. x n . x 2 . la care corespunde tabelul 6.. . sub acţiunea mărimilor de intrare. Ecuaţiile (6.32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare în alta. Fie un circuit elementar cu două intrări u1. . 2.32) g(·) sunt funcţii logice cunoscute. Din acest motiv ele se mai numesc ecuaţii de tranziţie a stărilor. x.. 2. având particularitatea că au un număr finit de stări.. ele se mai numesc automate finite. respectiv în momentul k – 1. r. .31) k −1 sau k unde i =1. . . iar j = 1. obţinându-se – în esenţă – clasa circuitelor basculante (triggere). u1 . . mărimile de stare şi mărimile de intrare ale acestuia. Circuit logic secvenţial. Ecuaţiile de ieşire exprimă legătura dintre mărimile de ieşire ale circuitului secvenţial. la fel ca şi cele de intrare-ieşire..21. . u1 k −1 .. u m ) (6. u2 şi o ieşire y = x. sub acţiunea semnalelor de intrare.1 Circuite secvenţiale elementare În cele ce urmează se vor considera câteva circuite secvenţiale cu numai două stări. . n Deci. În cazul general. 6. u m ) unde x i = f i ( x1 k −1 . Din acest motiv.6.10 de tranziţie a stărilor.. u m ) Figura 6. Variabilele de stare sunt.. Este evident că cele două stări pot fi codificate printr-o singură variabilă de stare binară.31) şi (6. variabile binare.

35) reprezintă funcţia logică minimizată. pe baza notaţiilor anterioare s-a obţinut expresia x k = m ⋅ n care arată că funcţia dorită x k = m ⋅ n .22-b.21.37) este dată în figura 6.36) ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎛ k ⎞ k Notând (convenţional) n = u 2 şi m = ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ se observă că pentru a ⎝ ⎠ obţine expresia unei funcţii de forma x k = m ⋅ n este necesară operaţia de negare peste întreaga funcţie (6.36) şi rezultă: k k x k = u 2 ⋅ ⎛ u1 ⋅ x k −1 ⎞ .22-a. este necesar să se aplice operaţia de dublă negaţie peste funcţia (6. (6. Schema circuitului ce corespunde ecuaţiei (6.34) Se minimizează funcţia logică utilizând metoda grupărilor (1-3) şi (2-3): k k k k k k k k x k = ⎛ u 2 ⋅ x k −1 ⎞ ⋅ ⎛ u1 + u1 ⎞ + ⎛ u 2 ⋅ u1 ⎞ ⋅ ⎛ x k −1 + x k −1 ⎞ = ⎛ u 2 ⋅ x k −1 ⎞ + ⎛ u 2 ⋅ u1 ⎞ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ sau k k (6.36).35) se transformă într-o expresie de forma ( ) x k = m ⋅ n . Diagrama de tranziţie a unui circuit secvenţial elementar Ecuaţia de stare a circuitului este: k k k k −1 k k k −1 k k k −1 x = ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + (u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) (6. Pentru aceasta se aplică proprietatea dublei negaţii şi una din teoremele lui De Morgan.10 105 Figura 6.35) x k = x 2 u1 + x k −1 . Dacă se impune realizarea circuitului de comandă cu elemente (module) NAND funcţia logică minimizată (6. va mai suporta o operaţie suplimentară de negare. dar pentru a nu schimba valoarea funcţiei x k . Prin redesenarea ei. cerută de proprietatea dublei negaţii.37) ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ Această realaţie satisface expresia unei funcţii logice NAND (SI . şi se obţine: ⎞ ⎞ k ⎛ k k ⎛ k x k = u 2 ⋅ ⎜ u1 + x k −1 ⎟ = u 2 ⋅ ⎜ u1 ⋅ x k −1 ⎟ (6. considerând variabila u1k borna S (set = inscriere).Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale Tabelul 6.NU) deoarece. funcţiei din paranteză. Ultima relaţie (6. . iar variabila u2k borna R (reset = ştergere) se obţine bistabilul S–R cu elemente NAND reprezent ca în figura 6.

25-b. Diagrama de tranziţie a bistabilului din figura 6. a cărui funcţionare corespunde tabelului de tranziţie 6.23. dacă implicit se consideră echivalente notaţiile: xk-1 ≡ yk-1 şi xk ≡ yk Schema electrică simplificată pentru comanda pornirii şi opririi unui motor asincron trifazat.1) este eliminată. Circuitul secvenţial prezentat are o funcţionare asincronă. Se observă că motorul este alimentat de la reţeaua trifazată numai dacă contactorul Y este anclanşat.23.10 şi respectiv diagramei de tranziţie a stărilor din figura 6. prezentată în figura 6.10. funcţionează conform diagramei de lucru din figura 6.25-a. b) Schema de comandă din figura 6.10. Starea curentă a k k motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 şi u 2 ) date prin butoanele de pornire şi oprire. Bistabil SR cu elemente ŞI–NU: a şi b – structura. întrucât acţionarea simultană a butoanelor BP şi BO este fără sens (motorul nu ar porni).23 Un exemplu de circuit secvenţial asincron cu două intrări. iar motorul rămâne .25-b.22. adică numai atunci când contactele sale normal-deschise (y) se vor k închide. Diagrama de funcţionare a acestei scheme de comandă.1) (combinaţia (0.24. bascularea dintr-o stare în alta se face prin aplicarea semnalului logic 0 la una din intrări. Cele trei situaţii în care motorul este pornit. Bistabil SR comandat prin semnal logic zero Figura 6. c – simbolizarea. este echivalentă tabelului de tranziţie a stărilor 6. Observaţii: a) Comanda (1.22.25-a reprezintă o celulă de memorie. circuitul rămânând în starea în care se afla. ilustrată în figura 6. b.106 Capitolul 6 (a) (b) (c) Figura 6. deci când y = 1 k (prezentate în tabelul de trantziţie 6.21.25-b) sunt identice cu stările x = 1. Dacă se elimină circuitele NU de la intrările S şi R ale elementelor NAND din figura 6. se obţine bistabilul din figura 6. Figura 6. Cu alte cuvinte.0) este interzisă). din tabelul de tranziţie anterior 6. ci şi de starea anterioară (pornit-oprit) a motorului k-1 k notată prin y . atunci când combinaţia de intrare este (1.24. întrucât prin butonul BP se înscrie comanda de pornire. îl reprezintă schema electrică de comandă (pornire-oprire) a unui motor asincron trifazat. la care diagrama de stare este dată în figura 6. În acest caz starea curentă (y ) are valoarea ”1” logic.

pentru S = 0 şi R = 1.Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 107 pornit (comanda este memorată) până când se acţionează butonul BO (pentru ştergerea memoriei). Circuitul încadrat este un bistabil de tipul celui din figura 6. În figura 6.23.25 Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) într-un automat sincron se utilizează schema din figura 6. adică T = 0. Circuitul secvenţial de tip Master-Slave O categorie importantă de bistabile o formează cele cu structură stăpân-sclav (master–slave). Schema bistabilului S-T-R: a . Figura 6. rezultă V1 = 1 şi V2 = 1.stăpân).structura. În acest caz (T= 1.2. Semnalele de comandă se aplică prin bornele S (set) şi R . S = 1. a cărui basculare este comandată prin semnal “0” logic. Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND. b. Diagramă de tranziţie a stărilor În circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaţiei (1. Ele sunt formate din două circuite basculante conectate în cascadă: primul are funcţia de comandă (master . Figura 6. Circuitul secvenţial din figura 6. 6.1) la intrare (combinaţia (0.a.23.6. Când nu se aplică semnalul de tact.26 se numeşte bistabil S–T–R. R = 0 nu influenţează starea bistabilului decât atunci când se aplică semnalul de tact.simbolizarea Figura 6. astfel încât se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic în starea 1 logic). În mod similar.26. de exemplu starea 0.28 se prezintă schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de tip SRT. în sensul că îl subordonează pe al doilea (slave .0) – la schema din figura 6. prezentat în figura 6. R = 0) rezultă V1 = 0 şi V2 = 1. bistabilul rămâne în starea în care se afla. unde T este intrarea de tact. revenirea în starea 0 se produce numai la aplicarea impulsului de tact (T= 1).27.sclav).23).26. Aplicarea semnalelor S = 1.

Pe porţiunea 1-2. P4 nu s-au deschis încă. iar porţile de transfer P3. iar P3. Pe porţiunea 2-3. Figura 6. . Deci bistabilul M (Master) este izolat faţă de intrare. porţile P1. Porţile de intrare (P1 şi P2) sunt comandate (activate). prin semnalul de tact T. Pe porţiunea 3-4. 3. 2. iar S este izolat faţă de M. P2 sunt deschise permiţând transferul informaţiei în M. P2 sunt încă închise. P2 se închid. Funcţionarea bistabilului Master-Slave pe o perioadă a impulsului de tact real (trapezoidal) se explică utilizând diagramele de semnale din figura 6. iar porţile P3.29 Funcţionare: 1. porţile P1. deci M este izolat faţă de intrare.29. P4 se blochează. La ieşirile porţilor P1 şi P2 se obţin semnalele logice (potenţialele) V1 şi V2 care reprezintă informaţia aplicată la intrarea bistabilului M. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK ) sugerând că informaţia apare la ieşirea bistabilului. în antifază faţă de porţile de transfer (P3 şi P4) datorită circuitului inversor (CI) care este un circuit de tip NU. iar bistabilul S (Slave) este izolat faţă de Master. Semnalele logice V3 şi V4 de la ieşirea porţilor de transfer reprezintă informaţia de intrare în bistabilul S. pe frontul posterior al impulsului de tact. izolând M faţă de S. de tip NAND. P4 sunt închise.28 Figura 6. Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND.108 Capitolul 6 (reset) unor porţi logice de intrare P1 şi P2. Între bistabilul M şi bistabilul S se află porţile de transfer P3 şi P4 de tip NAND. porţile P1.

cu circuite (module) SI. deoarece în acest circuit s-a eliminat transparenţa intrărilor de date. Y. U 2 . U 3 nu sunt acţionate U3 U 1 . Care este diferenţa (funcţională) între un C. 3) A. A. 2) B. C – neacţionate. U3 şi un element de execuţie Y.S. – (circuit logic secvenţial) ? Probleme: 1.L. care să acţioneze elementul de execuţie Y numai în următoarele situaţii: 1) B acţionat . Pe porţiunea 4-5. Pentru ca informaţia să se înscrie fără erori.L. U2 .Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 109 4.NU .NU . C acţionate. U 3 - - Să se deducă schema de comandă în următoarele variante constructive: cu contacte. 2. 6. deci informaţia trece din M în S şi apare la ieşirea Q. U3 şi a unui element de execuţie. P2 sunt închise şi nu permit intrarea informaţiei în M. U2. Observaţii: CBB – Master-Slave elimină posibilitatea tranziţiilor asincrone (necontrolate) la ieşire. iar porţile P3.7. Se dau funcţiile logice: Să se arate că: y1 = y2. Întrebări şi probleme 1. U2 Ul . 3. NU. SAU. Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comandă (de intrare) U1. şi un circuit C. care trebuie să fie acţionat numai in următoarele situaţii: sunt acţionate Ul . NU . B – acţionate. P4 sunt deschise. este necesar ca aceasta să nu-şi modifice valoarea în intervalele de tranziţie (1-2) şi (3-4) ale impulsului de tact.NU). U3 U2 U2 . Cum se realizează practic condiţia de semnal logic “0” (zero) în cazul circuitului “SI” ? 2. cu module SAU .C. U3 Ul U1 . Care este expresia (şi cauza apariţiei) curentului de impuls (IC MAX) în cazul porţii logice NAND (TTL) ? 3. cu module SI . Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare în cazurile: a) circuite logice ? b) circuite de amplificare ? 4. A – neacţionat. Schema de comandă pentru acţionarea unui utliaj are trei elemente de comandă U1. U2. Se cere schema logică de comandă. porţile P1. C – neacţionat. realizată cu circuite NAND (ŞI . NU.

Una dintre aplicaţiile circuitului latch serveşte la eliminarea oscilaţiilor de tensiune ce apar la închiderea contactelor electrice acţionate manual prin butoane. dar în practică se foloseşte reprezentarea din figura 7. tranziţia lui R în ”0” logic Q în 01. ca în figura 7. Deci ieşirile Q şi Q sunt complementare.1.1-a evidenţiază faptul că circuitul latch are o singură reacţie.1-b. iar activarea lui R prin ”0” logic produce resetarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”0” logic. În figura 7.3-a. Dacă se utilizează un circuit latch. În mod asemănător. determină poziţionarea ieşirilor Q . ilustrat în figura 7. activarea lui S prin ”0” logic produce setarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”1” logic).1 se obţine un circuit bistabil care memorează evenimentul marcat prin tranziţia temporară a unei intrări în ”0” logic. încuietoare).2-b.1 Circuite LATCH 7.CAPITOLUL 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE 7. Schema din figura 7.1.1 sunt identice.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH Conectând două porţi logice NAND conform schemei din figura 7. Acest circuit se mai numeşte latch (în limba engleză având semnificaţia de zăvor. Circuitul latch memorează tranziţia lui poziţionarea ieşirilor S în ”0” logic prin QQ în 10. Schema logică a circuitului latch (b) Cele două scheme din figura 7. (a) Figura 7.2-a se observă că la închiderea contactului K tensiunea pe rezistenţa de sarcină (URs ) se stabilizează la valoarea E după un regim tranzitoriu oscilant.

semnalul de comandă la ieşirea Q va avea o valoare constantă şi fără oscilaţii care ar putea deranja funcţionarea altor circuite ce utilizează acest semnal (numărătoare. Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod.L. Dacă aplicaţia ”C” este injectivă.C. 7.3 Astfel.4: Figura 7. la care activarea unei intrări determină apariţia unui cuvânt de cod pe ieşire. circuite te tip Master-Slave etc). adică reconstituirea mesajului iniţial. Codificator cu patru ieşiri .3-b. se poate realiza decodificarea.4. • Codificatoarele sunt C.2 Codificatoare şi decodificatoare Se numeşte COD o regulă ce descrie o aplicaţie ”C” a unei mulţimi de semne în altă mulţime de semne. Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieşiri este ilustrat în figura 7.2 Figura 7. Figura 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 111 atunci tensiunea la ieşirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentată în figura 7.

Figura 7. prezentat în figura 7.5. Y0 = A 0 ⋅ A1 ⎫ ⎪ Y1 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ ⎬ Y2 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎪ Y3 = A 0 ⋅ A1 ⎪ ⎭ (7.1) Pe baza relaţiilor (7. Decodificatoare sunt C.6. b) tabelul de adevăr. Decodificator cu două intrări: a)schema bloc. Decodificarea este necesară în următoarele operaţii: − adresarea memoriilor − afişarea numerică − multiplexarea datelor etc.L. În cazul general. decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrări şi 2n ieşiri distincte.6).112 Capitolul 7 • În funcţionarea codificatorului menţionat se disting două situaţii: a) Dacă se activează intrarea IK (la nivel logic ”H”).1) se elaborează schema logică a decodificatorului de adresă cu 4 ieşiri (figura 7. Exemplu: Se consideră decodificatorul cu două intrări (n = 2) şi 2n ieşiri (4 ieşiri) distincte. Decodificator de adresă cu patru ieşiri . al cărui tabel de funcţionare (figura 7. b) Dacă se activează intrarea IJ (cu nivelul ”H”) pe ieşirile paralele se obţine cuvântul de cod: 1110.C. atunci pe ieşirile paralele apare cuvântul de cod: 1101.5-b) serveşte scrierii funcţiilor logice corespunzătoare.5-a. Figura 7. care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de cuvântul de cod aplicat la intrare.

7-a funcţionează conform tabelului logic 7.7-a. Observaţie: Porţile de intrare sunt prevăzute cu o intrare suplimentară comună ( E ) = Enable care autorizează. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 113 7. sau nu.8.8. Pentru adresarea celor patru intrări sunt necesari 2 biţi. schema logică fiind prezentată în figura 7. E H L L L L L L L L A1 X L L L L H H H H A0 X L L H H L L H H I0 X H L X X X X X X I1 X X X H L X X X X I2 X X X X X H L X X I3 X X X X X X X H L Y L H L H L H L H L Stare circuit → circuit blocat → I0 selectat → I1 selectat → I2 selectat → I3 selectat Figura 7.7-a.3 Circuite de multiplexare (MUX) şi demultiplexare (DEMUX) Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaţionale (CLC) care permit trecerea datelor de la una dintre intrări spre o ieşire unică. Selectarea ieşirii se face printr-un cuvânt de cod – numit adresă. X = valoare logică oarecare Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comună pe una din ieşirile selectate. . Selecţia intrării se face printr-un cod binar (adresă) aplicat pe intrările de selecţie A0 şi A1. Schema bloc a unui multiplexor cu patru intrări şi o ieşire este prezentată în figura 7. Multiplexorul prezentat în figura 7. Figura 7.7. b) schema logică.7-b. Multiplexor cu patru intrări şi o ieşire: a) schema bloc. funcţionarea multiplexorului.

Schema logică a demultiplexorului cu două ieşiri (realizată conform tabelului 7. 7. fie pe ieşirea Y0 (dacă A = 0) fie pe ieşirea Y1 (dacă A = 1). Figura 7.10-a. Demultiplexor cu două ieşiri: a) schema bloc.9-a. figura 7. permite comutarea fluxului de date de pe intrarea comună (I).9-b.10. b) tabelul de adevăr. la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie numărate. . b) diagrama impulsurilor. conform tabelului de funcţionare 7. iar funcţionarea acestuia.9-c. Numărător binar cu patru biţi: a) schema de principiu.4 Numărătoare electronice Schema unui numărător binar cu 4 biţi este dată în figura 7. c) schema a unui demultiplexor cu patru ieşiri. este ilustrată în diagrama din figura 7.10-b.9-b) este dată în figura 7.114 Capitolul 7 Demultiplexorul cu două ieşiri.9. Figura 7.

numărul înregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura 7.10 .. care se găsesc în interfaţa de intrare.b)... Tabel lohgic al numărotzorului binar (drirect) cu 4 biţi Se constată că după aplicarea a N impulsuri. în baza 2 (tabelul din figura 7. când s-a obţinut numărarea directă în binar. 7.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale Nr.11.11. b) diagrama impulsurilor. .11-a). Numărător binar invers cu patru biţi: a) schema de principiu. Pentru conversia semnalelor analogice (achiziţionate dintr-un proces tehnologic) în semnale numerice.. frontul de basculare 1 → 0 al ieşirii Q produce tranziţia stării triggerului următor şi se obţine diagrama de semnal din figura 7..5 Convertoare Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezintă elementele de bază ale interfeţelor de proces în sistemele numerice de reglare. adică la fiecare impuls aplicat la intrare. ..11-b. 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 . Spre deosebire de schema anterioară. ... în acest caz rezultă numărarea inversă a impulsurilor. Figura 7. 115 Figura 7.c). la intrările calculatorului de proces se utilizează convertoare de tip A-N (analog-numerice). .. impuls Q1 Q2 Q3 Q4 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2 0 1 0 0 3 1 1 0 0 4 0 0 1 0 5 1 0 1 0 6 0 1 1 0 7 1 1 1 0 8 0 0 0 1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ..10 – c. stările triggerelor indică valoarea numerică a lui N. Dacă se utilizează ieşirile Q pentru legarea triggerelor în cascadă (figura 7.

sunt convertite în semnale analogice (necesare elementelor de execuţie). Deci: unde: UC = I ⋅ ΔT ' = UX C (7. I este curentul de încărcare al condensatorului care generează rampa. Figura 7.. până când amplitudinea rampei este egală cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare).2) se obţine: Ux = I / C ⋅NT (7. Când rampa începe să fie generată. din (7. Aceste convertoare se găsesc în interfaţa de ieşire situată între calculatorul de proces şi elementele de execuţie care sunt implementate în instalaţia tehnologică. prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numericanalogice). impulsurile de tact sunt numărate de N2. unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub formă de impulsuri codificate.analogic cu rampă de tensiune. n}. Acest convertor face modulaţia în durată a impulsurilor.12.2) ΔT’ este timpul de conversie egal cu NT. Generatorul de rampă conţine un condensator care se încarcă la curent constant. În acest moment numărătorul N2 este oprit de către comparator. În figura 7. fiind convertor indirect. C . 1.116 Capitolul 7 Semnalele numerice elaborate la ieşirea calculatorului de proces pe baza unui algoritm de reglare şi/sau conducere. Dacă numărătorul N2 a înregistrat (numărat) N impulsuri.capacitatea condensatorului.3) în care: 0 • ≤ N < 2n Observaţii: Acest convertor se numeşte convertor tensiune-timp. .12 este dată schema de principiu a unui CAN .tensiunea pe condensator. UC . Schema de principiu a unui CAN analogic cu rampă de tensiune. care basculează şi închide poarta ŞI. Mărimea numerică (digitală) este o mărime fizică ale cărei valori aparţin mulţimii Sn = {0. . Mărimea analogică este o mărime fizică a cărei variaţie în timp este dată de o funcţie continuă şi ale cărei valori sunt cuprinse în intervalul:I = [xmin ÷ xmax] cu x∈R.. Conţinutul informaţiei din N2 reprezintă valoarea binară a tensiunii de intrare (Ux). întrucât în procesul conversiei tensiunea de intrare Ux este transformată într-un impuls. T fiind perioada impulsurilor. a cărui lăţime este direct proporţională cu amplitudinea tensiunii Ux. 2..

Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil (o peliculă subţire de CrNi).6 Circuite de memorie Funcţia de memorare poate fi definită ca posibilitatea de regăsire a unor informaţii reprezentate sub formă binară.Random Acces Memory (RAM). optice sau semiconductoare. Acest tip de memorie este similară. Memoriile RAM sunt volatile. Memoriile ROM programabile prin mască. ca structură. Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reacţiei cu funcţionare prin SOFTWARE şi a circuitelor integrate specializate în operaţii de conversie A-N. în cazul tehnologiei MOS. în consecinţă. În această categorie intră memoriile cu acces aleator . dintre care. Vectorul de intrare în decodificator este interpretat ca o adresă. cu memoria operativă din calculatoarele clasice. Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI şi VLSI realizate în diverse tehnologii. . care lucrează pe 8 biţi. memoriile pot fi: magnetice. adică îşi pierd conţinutul la întreruperea tensiunii de alimentare. n Deci: ΔT’ = (2 −1)T 7. sute de nanosecunde. Acestea sunt folosite pentru înmagazinarea datelor şi a programelor de tip utilizator. lent. sunt circuite la care harta memoriei de introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. acolo unde doreşte. În cele ce urmează se au în vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. • Memorare numai pentru citirea datelor. Timpul de acces în cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns în cazul tehnologiei bipolare sau. Există mai multe tipuri constructive de memorii ROM. fiind. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls . Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementează funcţia de memorare. sau mask ROM. iar datele obţinute la ieşirea codificatorului reprezintă informaţia memorată la adresa respectivă. care pot fi doar citite. Un exemplu de circuit integrat specializat în conversia numericanalogică este circuitul β DAC-08. Uxmax. În această categorie intră memoriile următoare: . În funcţie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur. Această structură este de obicei definită ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator şi un codificator.Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic.Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaţional care stochează permanent date binare. integrate în aceeaşi capsulă cu sistemele de înscriere şi citire a informaţiei. care au fost anterior stocate într-un circuit de memorare. tehnologia MOS este cel mai des folosită. valorile logice complementare.4) Rezultă că acest sistem de conversie este de tip serie.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 117 numărul de impulsuri • Numărul N are valoarea 2 n-1 şi reprezintă corespunzătoare valorii (7. În funcţie de modul în care se utilizează memoriile într-un sistem de calcul funcţiile de memorare pot fi: • Memorare cu citire şi scriere de date. fiind realizată însă cu matrice de bistabile SR. care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el.

13: Figura 7.Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt programabile ca şi memoriile PROM. O memorie EPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 100 ori.118 Capitolul 7 de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. iar timpul de stocare a informaţiei poate fi de 100 ani. Principalele caracteristici ale unei memorii sunt: 1.13 Schema bloc a unui circuit de memorie Observaţie: Transferul de date este bidirecţional (datele intră şi ies din circuit) în cazul memoriilor: RAM şi E2PROM. iar timpul de stocare a informaţiei poate depăşi 10 ani. b. 100000 cicluri garantate de programare/ştergere şi timp de stocare a datelor de peste 20 ani. Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată. semnale de intrare (când datele se înscriu în memorie). Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS). . Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat. O memorie EEPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 10000 ori. Memoriile mask ROM şi PROM se realizează atât în tehnologie bipolară cât şi în tehnologie MOS. numai că ştergerea se poate face pe cale electrică.Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt similare memoriilor EPROM. Cuvintele (numerele) binare reprezintă date pentru un circuit de memorie şi se consideră: a. semnale de ieşire (când datele se citesc din memorie). Progresele tehnologice au determinat modificări importante în performanţele memoriilor ROM. o memorie FLASH (un EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns. În sfârşit. cele realizate în tehnologie CMOS au timpi de acces mai mici de 100ns. . Schema bloc (conexiunile informaţionale) pentru un circuit de memorie este prezentată în figura 7. dar de mai multe ori. . şi sarcina electrică negativă poate fi eliminată prin aplicarea unei tensiuni de polaritate inversă pe poarta tranzistorului care nu este flotantă. adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă. izolată de substrat prin 10 −7 m de SiO 2 . în timp ce memoriile EPROM şi EEPROM nu se pot realiza decât în tehnologie MOS. Notaţia E2PROM este uneori folosită pentru memoriile EEPROM. Izolaţia porţii este mult mai subţire decât la EPROM. 2. Capacitatea memoriei exprimă numărul total de biţi ce pot fi memoraţi (capacitatea se exprimă în multipli de 1k = 1024 biţi). pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. EPROM. Dacă memoriile EPROM în tehnologie NMOS au timpi de acces de aproape 500ns. Geometria memoriei (modul de organizare) reprezintă lungimea unui cuvânt de memorie şi numărul de cuvinte memorate. PROM. dar este unidirecţional în cazul memoriilor: ROM. moment ce trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie.

Figura 7. Timpul de acces la memorie reprezintă durata necesară citirii sau scrierii informaţiei în memorie şi se exprimă în [ms] sau [ns]. Structura celulei de memorie RAM Celula de memorie este circuitul elementar care realizează memorarea unui bit. Volatilitatea . 4. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeaşi coloană într-o matrice de memorie. figura 7. Volatilitatea se datorează modului de stocare a informaţiei sau dispariţiei tensiunii de alimentare a circuitului de memorie (cazul memoriilor dinamice). Puterea consumată se exprimă în [μW/bit]. ceea ce necesită reîmprospătarea conţinutului la intervale constante de timp. memorarea informaţiei se bazează pe modificarea capacităţii joncţiunii semiconductoare. • 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comună tuturor celulelor din matricea de memorie. prin intermediul unei rezistenţe senzor (r) care . Acţionarea liniei de selecţie-cuvânt face posibilă citirea sau scrierea informaţiei în oricare dintre celulele de memorie situate pe aceeaşi linie în matrice. În cazul utilizării tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie îl constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care foloseşte două tranzistoare multiemitor.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 119 3.14. care reprezintă selecţia pe linii în matricea de memorie.14.5 V. conexiunea selecţie-cuvânt (WL) este menţinută la un potenţial coborât (+0. Puterea consumată reprezintă raportul între puterea totală consumată de circuit şi capacitatea acestuia. 5. • 1 (una) linie de selecţie cuvânt (WL). În stare neselectată. În cele ce urmează se prezintă succint funcţionarea celulei de memorie din figura 7.la o tensiune de +0. Liniile de bit (DL şi DL ) sunt conectate la capătul coloanei . Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare MOS. La memoriile dinamice.o memorie este volatilă dacă informaţia înscrisă se pierde în timp.14.3 V). Celulă de memorie RAM cu tranzistor bipolar Liniile de conexiune în afara celulei sunt: • 2 (două) linii de bit (notate DL şi DL ) care servesc la scrierea şi citirea informaţiei în celulă.

DLj ).5 V). se forţează linia de bit stânga (DL) la zero. în stare neselectată. Exemplu: Pentru a se obţine T1 în conducţie şi T2 în starea blocat. tensiunea diferenţială are sens invers: semnul (+) la DL şi semnul (-) la DL. . Exemplu: Dacă T1 conduce şi T2 este blocat.120 Capitolul 7 sesizează apariţia închiderii unui curent. linia selecţie-cuvânt (WL) este pusă la un potenţial ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3. unde: . se forţează pe liniile de bit (DL şi DL ) o diferenţă de potenţial corespunzătoare stării în care dorim să se găsească bistabilul.15. Observaţii: .Celula de memorie RAM se poate realiza cu două tranzistoare bipolare obişnuite (npn) la care se ataşează câte o diodă Shottky. deci conducţia este asigurată de acestea (legate în A şi B). simultan. Curentul de emitor se va închide prin rezistenţele senzor conectate la liniile de bit. Capacitatea memoriei este dată de produsul (m × n).5 V (în timp ce linia selecţie-cuvânt WL este selectată). se poate "spune" care este starea bistabilelor. Matricea de memorie Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de memorare în ale cărei noduri se găsesc celule de memorie. În cazul T1 blocat şi T2 în conducţie. adică m linii şi n coloane.m este numărul de linii. iar viteza de comutaţie este de 20ns.Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800µW.5 V). .15. selecţie-cuvânt (WL). emitoarele conectate la liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mică (+0. figura 7. acţionând WLi . Figura 7. se ridică potenţialul pe linia WL (la +3V) şi. Procesorul reprezintă un automat aritmetic. Explicativă pentru celula de memorie RAM • Pentru înscrierea informaţiei în celulă. . Pentru accesul la celula de memorie (i×j) se face selecţia liniei. adică numărul de coloane.n este numărul de perechi (DL şi DL ). Structura unui circuit de memorie. Linia (conexiunea) de alimentare este comună tuturor celulelor de memorie pe care le conţine matricea de memorare. prin care se transformă un şir de date de intrare într-un alt şir de date la ieşire.16 se prezintă structura unei matrice de memorie de dimensiune m×n. se va obţine la ieşire o tensiune diferenţială cu semnul (+) pe DL şi semnul (-) pe DL . În funcţie de semnul tensiunii obţinute la bornele celor două linii de bit. Cele două operaţii (citirea şi înscrierea informaţiilor) se desfăşoară astfel: • Pentru citirea informaţiei. şi selecţia coloanei prin perechea ( DLj. atunci selectând linia WL (selecţie-cuvânt) pentru citire. În acest mod. iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de aproximativ +0. acţionat printr-o succesiune de comenzi aplicate din exterior. În figura 7.

. Prelucrările se efectuează asupra unor cuvinte binare cu n biţi. având schema bloc prezentată figura 7.18 sunt: Di.17. C .comenzi. *) şi logice. Rezultatul operaţiei se poate memora intern (în registre) sau se poate genera spre exterior pe liniile de ieşire D0 (Data output). conţine o unitate aritmetică logică şi registre. O operaţie elementară implică unul sau doi operanzi (interni sau externi faţă de RALU). RALU generează spre exterior şi un cuvânt FL ce conţine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizează rezultatul unei operaţii. A .comandă pentru funcţiile aritmetice (+ .semnal de tact (clock).16.Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 121 Figura 7. D0 sunt terminalele pentru datele de intrare şi respectiv de ieşire. : . Automat aritmetic Semnificaţiile mărimilor din figura 7.adrese pentru selectarea operanzilor interni şi a destinaţiei rezultatelor. CK . RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe. Structura unui circuit de memorie Procesorul. Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generată din exterior de către . FL .17: Figura 7.. F .flag-uri (indicatori). denumit şi RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit).

7.122 Capitolul 7 alt automat denumit unitate de comandă (UC).18: Figura 7. imprimante.fluxul datelor de la ieşire şi de la intrare. Cititorul interesat de aplicaţiile circuitelor logice combinaţionale (CLC) şi/sau aplicaţiile circuitelor logice secenţiale (CLS) poate găsi suficiente exemple în [1]. terminale video. cap. SO . benzi magnetice etc.18. Observaţie: Denumirea corectă a memoriei MD este RWM Read/Write Memory. 2.Buses (BA. PE). informatice: console. SI.caracteristicile rezultatelor. discuri magnetice flexibile sau rigide. Microcalculatorul (μC) Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare realizată într-un singur circuit integrat (μP). Magistralele menţionate conţin: d linii pentru date.7 Microprocesorul (μP). a linii de adresare şi c linii pentru comenzi. . I . Deci procesorul este un sistem digital format din RALU şi UC. Configuraţia de bază a unui microcalculator (μC) este dată în figura 7. şi este volatilă. D0. cititoare şi perforatoare de bandă de hârtie. BD. Schema bloc a unui procesor Semnificaţiile mărimilor din figura 7. pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul comandat (cazul reglării sau conducerii numerice a unui proces). Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD). pentru adresare (BA) şi pentru comenzi (BC). realizate cu circuite specializate sau circuite standard. Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt: a) Unitatea centrală de prelucrare (μP). FL . Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui μP se numeşte microcalculator (μC). Di .memoria de date (memorie RAM). Schema bloc a unui procesor este dată în figura 7. 7.18 sunt: C este fluxul comenzilor către RALU. MD .memoria de program (memorie ROM). b) Memoria (MEM) compusă din: MP . BC).instrucţiunea curentă. c) Porturile de intrare/ieşire (PI. interfeţe cu sistemul comandat.sincronizarea comenzilor pentru intrare şi ieşire.19: Dispozitivele periferice sunt: 1. ce conţin convertoare de tip N/A şi A/N cât şi magistralele .

Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ? 4. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizează acestea ? 7. Ce rol au circuitele: MUX şi DEMUX ? 5.19. Care este schema bloc a decodificatorului de adresă cu n = 2 (intrări) şi 4 ieşiri ? 6. Configuraţia de bază a unui microcalculator 7. Care sunt componentele din structura unui microcalculator ? 8.8 Întrebări 1. Care este deosebirea între o mărime analogică şi o mărime numerică (digitală) ? 2. Cum se poate activa (accesa) o celulă de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice de memorare ? .Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 123 Figura 7. Când se utilizează circuitul LATCH ? 3.

C. 2002.a.. Editura didactică şi pedagogică. Electronică industrială. C.. Ceangă.. Lupu. Editura didactică şi pedagogică. Bucureşti.. Editura Militară. Stoichescu. V. http://www. 2003.BIBLIOGRAFIE 1. ş. Bîrcă – Gălăţeanu. V. JAPAN. P.. C.. VISHAY INTERTECHNOLOGY. Bucureşti. Malvern. S. Catalog IPRS – Băneasa. 1982.. 1991. Circuite integrate liniare.sanyo.. Editura didactică şi pedagogică.. Constantin. Rădoi. 5. Semiconductor Company – TOKYO. P. profiluri 2. Tusac. 12. Constantin. Banu. I. Buzuloiu. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate analogice. Bucureşti. E. .A. Editura Tehnică. http://www. Editura Militară. C. Electronică industrială şi automatizări.. 4. Miholcă. Mărăşescu.. Electronică de putere – Aplicaţii. Electronică industrială (pentru subingineri). Şaimac. 1981.vishay.jp. S. 1976. Neagoe. Microprocesoare – Aplicaţii. Bulucea. Electronică pentru neelectrice. 10.a. E. Bucureşti. INC. Miholcă. A. PA – 19355. Bucureşti. ∗ ∗ ∗ Catalog de circuite integrate digitale. E. 2001. C. 8.. V. SANYO Electric Co. E.. 63 Lincoln Highway. Universitatea din Galaţi. Editura MATRIX-ROM. 1981. Bucureşti.. N.. Ltd. 1983 9. ∗ ∗ ∗ Catalog de componente electronice “FULL LINE PRODUCT CATALOG”. 1976. Purice.com. 11.. Constantin. 6. Ceangă. Bucureşti. Bîrcă – Gălăţeanu. 1979. Electronică industrială.. 1980. Bucureşti. 7. Ţepelea. E. Bucureşti. P. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate liniare... Creangă. D. 3.co. Catalog IPRS – Băneasa. ş. United States.