Capitolul I

SEMICONDUCTOARE
Majoritatea dispozitivelor electronice sunt realizate din semiconductoare.
Semiconductoarele sunt materiale a căror conductivitate electrică este cu câteva
ordine de mărime mai mică decât a metalelor dar cu multe ordine de mărime mai
mare decât a izolatoarelor. În tabelul 1 sunt prezentate conductivităţile unui
conductor tipic, cuprul, a celui mai utilizat semiconductor, siliciul, şi a unui izolator
des utilizat, mica.
Tabelul 1 – valori tipice ale conductivităţii
Conductor (Cu) Semiconductor (Si) Izolator (mica)
σ ∼ 10
6
S/cm σ ∼ 2× 10
-5
S/cm σ ∼ 10
-12
S/cm
Conductivitatea semiconductorilor este puternic dependentă de factori externi
precum temperatura, iluminarea, câmpuri electrice şi magnetice.
Materialul semiconductor cel mai comun este siliciul. Se utilizează mult mai rar
germaniul, arsenura de galiu sau alte materiale semiconductoare.
1. PURTĂTORI DE SARCINĂ ÎN SEMICONDUCTOARE
Pentru a conduce curentul un material trebuie să aibă purtători mobili de sarcină,
care, sub influenţa unui câmp electric extern, să execute o mişcare ordonată pe
direcţia câmpului.
La temperatura de 0 K (zero absolut), semiconductoarele nu au astfel de
purtători. Spre deosebire de metale, electronii de valenţă ai semiconductoarelor nu
sunt liberi să se deplaseze în întregul volum al semiconductorului. Ei participă la
legăturile covalente care menţin atomii semiconductorului într-o structură cristalină
periodică. Modelul bidimensional al legăturii covalente este dat în figura 1.
7
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
electron
liber
gol
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
electroni
de
valenţă
figura 1. Legătura covalentă
figura 2. Generarea unei perechi electron-gol
Toţi electronii de valenţă fiind prinşi în legăturile covalente, nu există purtători
mobili de sarcină şi deci semiconductorul, la această temperatură, se comportă ca
un izolator perfect.
La temperaturi mai mari decât 0 K, energia termică primită de electroni poate fi,
în cazul unora dintre ei, suficientă pentru a rupe legătura covalentă, aşa cum
sugerează figura 2.
Un număr de electroni nu mai sunt prinşi în legături covalente ci devin purtători
mobili de sarcină negativă şi prin urmare semiconductorul poate conduce curentul
electric.
În urma electronilor deveniţi liberi rămâne un număr egal de legături covalente
rupte, aşa numitele goluri. Acestea sunt zone de sarcină pozitivă care vor exercita
o forţă de atracţie asupra electronilor de valenţă învecinaţi. Dacă un electron de
valenţă, atras fiind, se mută în locul gol, golul va apare în locul acestui electron de
valenţă (figura 3). Prin urmare golul se mută. Este evident că golurile nu se mişcă,
ele se generează în alt loc. Cei care se mişcă sunt electronii de valenţă din
apropierea unui gol.
Pentru a face o distincţie clară între mişcarea electronilor liberi şi cea a
electronilor de valenţă se foloseşte în
literatura de specialitate următoarea
convenţie de exprimare: vom afirma că
golurile se mişcă şi sunt prin urmare
purtători mobili de sarcină pozitivă.
În semiconductoare există deci două
tipuri de purtători mobili de sarcină:
- purtători mobili de sarcină negativă
(electronii liberi);
- purtători mobili de sarcină pozitivă
(golurile);
Dacă notăm cu n numărul de electroni liberi şi cu p numărul de goluri putem
afirma că:
n = p (1)
Într-adevăr, eliberarea unui electron implică generarea unui gol deci electronii
liberi şi golurile apar numai în perechi. Fenomenul poartă numele de generare a
purtătorilor. Ocuparea unui gol de către un electron de valenţă nu duce la dispariţia
unui gol, ci doar la mutarea acestuia în alt loc.
Dacă un gol este ocupat însă de un electron liber, atunci dispare un gol dar şi
electronul devine legat, deci, electronii liberi şi golurile dispar tot în perechi, fapt ce
demonstrează valabilitatea relaţiei (1). Fenomenul poartă numele de recombinare a
purtătorilor de sarcină.
La orice temperatură diferită de zero absolut, în orice semiconductor, se produce
atât fenomenul de generare cât şi fenomenul de recombinare a purtătorilor de
sarcină. Viteza de generare a perechilor electron-gol este însă mai mare decât
viteza de recombinare, prin urmare, există în orice moment un număr de purtători
mobili de sarcină. De exemplu, în cazul siliciului, la temperatura camerei (300 K),
numărul de perechi electron-gol este de aproximativ 1,45× 10
10
perechi/cm
3
.
8
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
+
4
electron
liber
gol
figura 3. Mutarea golului datorată miscării
unui electron de valenţă învecinat
2. SEMICONDUCTOARE INTRINSECI
Se numesc intrinseci, semiconductoarele pure din punct de vedere chimic, în
care, purtătorii mobili de sarcină apar pe baza fenomenului descris în paragraful
precedent. Numărul de perechi electron – gol este dat de relaţia (1) şi este valabilă
numai pentru acest tip de semiconductori, de aceea vom nota :
n = p = n
i
(2)
În cazul siliciului, la temperatura camerei, n
i
este de ordinul a 1,5× 10
10
perechi
electron gol/cm
3
.
Dat fiind că perechile electron – gol apar ca urmare a energiei termice primite de
semiconductor din exterior, este evident că n
i
va fi puternic dependent de
temperatură. Mai precis n
i
creşte exponenţial cu creşterea temperaturii şi prin
urmare conductivitatea electrică a semiconductorilor intrinseci va creşte odată cu
creşterea temperaturii.
Proprietatea este utilizată pentru producerea termistoarelor. Acestea sunt nişte
rezistoare a căror rezistenţă depinde de temperatura de lucru. Din semiconductori
se pot realiza termistori cu coeficient de temperatură negativ, adică termistori care
îşi micşorează rezistenţa odată cu creşterea temperaturii.
În alte aplicaţii însă, această dependenţă de temperatură a conductivităţii
reprezintă un mare dezavantaj : parametrii dispozitivelor realizate din
semiconductoare depind de temperatură.
3. SEMICONDUCTOARE EXTRINSECI
Semiconductoarele extrinseci sunt semiconductoare impurificate controlat, cu
atomii altui element chimic, astfel încât numărul de purtători mobili de sarcină să fie
mult mai mare decât n
i
.
În situaţia în care, într-un semiconductor, au fost introduse impurităţi
pentavalente, patru dintre electronii atomului de impuritate intră în legături covalente
cu atomii semiconductorului dar, un electron rămâne liber. Prin urmare fiecare atom
de impuritate contribuie cu un electron liber la numărul total de purtători mobili din
semiconductor. Aceşti atomi se numesc donori şi vom nota cu N
D
numărul lor.
În situaţia în care într-un semiconductor au fost introduse impurităţi trivalente, trei
dintre electronii atomului de impuritate intră în legături covalente cu atomii
semiconductorului dar, o legătură rămâne incompletă. Prin urmare, fiecare atom de
impuritate contribuie cu un gol la numărul total de purtători mobili. Aceşti atomi se
numesc acceptori şi vom nota cu N
A
numărul lor.
Ca impurităţi donoare se folosesc fosforul, arsenul şi stibiul iar ca impurităţi
acceptoare borul, indiul sau aluminiul.
9
4. SEMICONDUCTOARE DE TIP N
Un semiconductor impurificat cu atomi donori se numeşte de tip n, deoarece are
mai mulţi purtători mobili de sarcină negativă decât pozitivă.
La numărul ni de electroni din semiconductorul pur, se mai adaugă N
D
electroni
aduşi de atomii de impuritate şi deci numărul total de electroni va fi :
n = n
i
+ N
D
(3)
Cum impurităţile donoare nu generează goluri, numărul de goluri rămâne ca în
cazul semiconductorilor intrinseci:
p = n
I
(4)
Din relaţiile (3) şi (4) rezultă
n > p (5)
motiv pentru care electronii se numesc purtători majoritari iar golurile purtători
minoritari.
De obicei N
D
este cu câteva ordine de mărime mai mare decât n
i
şi evident nu se
modifică cu temperatura. Prin urmare proprietăţile electrice ale semiconductorilor de
tip n vor fi mai puţin dependente de temperatură decât în cazul semiconductorilor
intrinseci.
5. SEMICONDUCTOARE DE TIP P
Un semiconductor impurificat cu atomi acceptori se numeşte de tip p, deoarece
are mai mulţi purtători mobili de sarcină pozitivă decât negativă.
La numărul ni de electroni din semiconductorul pur, se mai adaugă N
A
goluri
generate de atomii de impuritate şi deci numărul total de goluri va fi :
p = n
i
+ N
A
(6)
Cum impurităţile acceptoare nu aduc electroni, numărul acestora rămâne ca şi în
cazul semiconductorilor intrinseci:
n = n
I
(7)
Din relaţiile (3) şi (4) rezultă
p > n (8)
motiv pentru care, golurile vor fi purtători majoritari, iar electronii purtători minoritari.
De obicei N
A
este cu câteva ordine de mărime mai mare decât n
I
şi evident nu se
modifică cu temperatura. Prin urmare proprietăţile electrice ale semiconductorilor de
tip p vor fi mai puţin dependente de temperatură decât în cazul semiconductorilor
intrinseci.
10
6. JONCŢIUNEA p-n
Zona de trecere, mai mult sau mai puţin abruptă de la o regiune de tip p la o
regiune de tip n a unui semiconductor se numeşte joncţiune p-n.
Pe măsură ce se realizează joncţiunea, electronii majoritari în regiunea de tip n
vor trece în regiunea de tip p, unde se vor recombina cu golurile majoritare. Se va
forma astfel de o parte şi de alta a joncţiunii o regiune golită de purtători mobili.
După cum se vede în figura 4, în regiunea de tip p se formează o zonă de
sarcină spaţială negativă, datorată atomilor acceptori trivalenţi care au acum un
electron în plus, deci sunt ioni negativi. Ei se opun trecerii electronilor din regiunea n
în regiunea p. La fel în regiunea de tip n se formează o zonă de sarcină spaţială
pozitivă datorată atomilor donori pentavalenţi care au acum un electron în minus,
deci, sunt ioni pozitivi. Ei se opun trecerii golurilor din regiunea p în regiunea n.
Cele două zone de sarcină spaţială (imobilă) situate de o parte şi de alta a
joncţiunii formează împreună o regiune golită de purtători mobili.
Între limitele exterioare ale regiunii golite ia naştere o diferenţă de potenţial
internă, dată de acumulările de sarcină de semn opus, situate de o parte şi de alta a
joncţiunii. Această diferenţă de potenţial internă poartă numele de potenţial de
barieră deoarece se opune trecerii purtătorilor majoritari prin joncţiune. Valoarea
acestui potenţial este dată de relaţia:
2
i
D A
B
n
N N
ln
q
kT
V ·
(9)
În relaţia (9)
k=1,38× 10
-23
J/K
este constanta lui Boltzman, T este temperatura absolută iar
q=1,6× 10
-19
C
este sarcina electronului.
Termenul
q
kT
din relaţia (9) este din punct de vedere dimensional o tensiune:
11
A + A + A +
A + A + A +
A + A + A +
- D - D - D
- D - D - D
- D - D - D
recombinare
Figura 4. Recombinarea purtatorilor in momentul realizarii jonctiunii si aparitia zonei de sarcina spatiala
A + A + -
A + A + -
A + A + -
+ - D - D
+ - D - D
+ - D - D
Zone de sarcină spatială
V
B
p n n p
Volt
C
J
C
K
K
J
· ·
şi este direct proporţională cu temperatura, motiv pentru care se numeşte tensiune
termică (v
T
):
q
kT
v
T
·
(10)
La temperatura camerei ea are valoarea de aproximativ 26mV.
Mărimea barierei de potenţial la temperatura camerei, pentru o joncţiune
realizată pe siliciu (n
i
=1,5× 10
10
perechi electron - gol/cm
3
), impurificat cu
N
A
=1,1× 10
16
acceptori/cm
3
, respectiv Nd=10
15
donori/cm
3
va fi în conformitate cu
relaţiile (9) şi (10):
mV 640
10 25 , 2
10 1 , 1
ln mV 26 v
20
31
B

×
×
× ·
Având în vedere această diferenţă internă de potenţial dintre cele două regiuni
ale unei joncţiuni se poate intui că, dacă este aplicată asupra joncţiunii o tensiune
din exterior, comportarea electrică a joncţiunii va depinde de sensul tensiunii
aplicate.
7. POLARIZAREA INVERSĂ A JONCŢIUNII P-N
Dacă tensiunea exterioară, numită tensiune de polarizare are acelaşi sens cu
v
B
, joncţiunea este invers polarizată (figura 5).

În acest caz, efectul tensiunii de polarizare se adună la cel al potenţialului de
barieră rezultând o lărgire a regiunii golite şi deci lipsa oricărui curent de purtători
majoritari. Prin joncţiune va trece totuşi un mic curent de purtători minoritari.
12
Figura 5. Polarizarea inversă
+ + -
+ + -
+ + -
+ - -
+ - -
+ - -
deplasarea purtătorilor minoritari
V
B
n p
+
-
U
+
-
Sarcina spaţială pozitivă din regiunea n va atrage electronii minoritari din zona p, iar
sarcina spaţială negativă din regiunea p va atrage golurile minoritare din zona n.
Deplasarea electronilor de la p la n va da naştere unui curent de acelaşi sens ca
şi deplasarea golurilor din n în p. Deplasările au sensuri opuse dar şi purtătorii care
se deplasează au sarcini de semn opus prin urmare, curenţii de electroni şi de
goluri se însumează.
Dacă tensiunea de polarizare inversă creşte, regiunea golită creşte, dar curentul
invers nu creşte decât până la valoarea I
S
(curentul invers de saturaţie), fiind
limitat de numărul redus de purtători minoritari. (figura 6)
Se poate remarca în figura 6 că nu există o dependenţă între valoarea tensiunii
de polarizare inversă aplicată joncţiunii şi mărimea curentului invers decât pentru
valori foarte mici ale tensiunii inverse. De aceea este o aproximaţie mai mult decât
rezonabilă dacă, la polarizare inversă considerăm:
I = I
S
(11)
Mai mult decât atât, dacă avem în vedere valoarea foarte mică a I
S
(13 nA pentru
joncţiunea din figura 6) de multe ori vom ignora acest curent, astfel că relaţia (11)
devine:
I = 0 (12)
Pe baza relaţiei (12) putem afirma că atunci când este invers polarizată,
joncţiunea p-n nu conduce curentul.
Curentul I
S
este foarte mic datorită numărului mic de purtători minoritari. Dar cum
aceşti purtători sunt generaţi termic, numărul lor va creşte cu creşterea temperaturii
joncţiunii. Prin urmare valoarea curentului invers creşte cu temperatura.
Dependenţa de temperatură a curentului invers de saturaţie se poate exprima prin
următoarea constatare experimentală:
I
S
îşi dublează valoarea pentru o creştere cu 10
o
C a temperaturii joncţiunii.
Tot ce s-a discutat până acum este valabil pentru orice valoare a tensiunii de
polarizare inversă mai mică decât tensiunea de străpungere (V
STR
)
.
Valoarea
acestei tensiuni diferă de la o joncţiune la alta în funcţie de gradul de impurificare cu
atomi donori şi/sau acceptori. Ea va fi mare dacă semiconductorul este slab
impurificat şi scade pe măsura creşterii gradului de impurificare a
semiconductorului.
Dacă tensiunea de polarizare inversă se apropie de valoarea V
STR
, purtătorii
minoritari care traversează regiunea golită vor avea o viteză şi deci o energie
cinetică foarte mare. Prin ciocnirea lor cu atomii reţelei cristaline ei pot provoca
13
V_V1
-10V -8V -6V -4V -2V 0V
I(D1)
-20nA
-10nA
0A
V
I
figura 6. Curentul invers prin joncţiune funcţie de tensiunea inversă
aplicată
ruperea legăturilor covalente, deci, generarea de noi perechi electron – gol. Prin
urmare numărul de purtători minoritari creşte. Această creştere măreşte
probabilitatea ciocnirilor şi prin urmare numărul de purtători minoritari se
multiplică în avalanşă. Efectul este creşterea abruptă a curentului invers prin
diodă. Acest fenomen poartă numele de străpungerea joncţiunii.
Fenomenul de străpungere este reversibil. Dacă tensiunea de polarizare inversă
scade sub valoarea de străpungere, electronii şi golurile generate prin multiplicare în
avalanşă vor dispărea prin recombinare şi curentul invers prin joncţiune revine la
valoarea I
S
.
Figura 7 prezintă o joncţiune pentru care tensiunea de străpungere este în jur de
–20V. Se poate remarca faptul că în momentul în care tensiunea de polarizare
inversă este apropiată de această valoare, curentul invers prin joncţiune creşte
foarte abrupt. Deşi străpungerea este un fenomen reversibil şi nu duce la
distrugerea joncţiunii, în acest regim poate să se producă un alt fenomen care
distruge joncţiunea.
Puterea disipată de joncţiune, egală cu produsul dintre V
STR
şi curentul prin
joncţiune poate atinge valori mari. Aceasta duce la o încălzire exagerată a
semiconductorului şi la distrugerea definitivă a joncţiunii.
8. POLARIZAREA DIRECTĂ A JONCŢIUNII P-N
Dacă tensiunea aplicată din exterior este de sens opus potenţialului de barieră,
joncţiunea este polarizată direct.
Efectul tensiunii exterioare va fi opus potenţialului de barieră regiunea golită se
îngustează până la limita la care purtătorii majoritari pot să traverseze joncţiunea
(figura 8). Aşa cum s-a explicat în paragraful anterior, curentul dat de electroni se
însumează cu curentul produs de deplasarea golurilor. Dar, spre deosebire de
polarizarea inversă, în acest caz curentul este produs de deplasarea purtătorilor
majoritari. Din acest motiv valoarea lui este cu câteva ordine de mărime mai mare
decât valoarea curentului invers.
14
-V(D4:2)
-30V -20V -10V -0V
I(D4:1)
-200mA
-150mA
-100mA
-50mA
-0mA
figura 7. Străpungerea joncţiunii p-n
I
V
0
Practic, dacă tensiunea de polarizare directă creşte, curentul prin joncţiune
creşte exponenţial. Se poate remarca din figura 9 că un curent direct începe să
apară în cazul siliciului la o tensiune de polarizare directă mai mare de aproximativ
500mV. Valoarea lui creşte foarte mult pentru o creştere mică a tensiunii.
Analitic, curentul prin joncţiune I
D
, poate fi
exprimat în funcţie de tensiunea de polarizare
directă V
D
, prin relaţia:
) 1 e ( I i
T
D
v
V
S D
− ·
(13)
Este de remarcat faptul că tensiunea
termică apare în expresia acestui curent şi
prin urmare şi temperatura joncţiunii va
influenţa valoarea acestui curent. Mai mult
decât v
T
, şi I
S
este dependent de temperatură,
aşa cum s-a arătat în paragraful anterior. Prin
urmare i
D
va creşte odată cu creşterea
temperaturii sau, ceea ce este echivalent,
pentru a produce acelaşi curent, este nevoie
de o tensiune V
D
mai mică. Se poate
aproxima că V
D
scade 2mV /
o
C.
9. CONCLUZII
Proprietăţile electrice ale joncţiunii p-n sunt diferite în funcţie de polarizarea ei.
Dacă joncţiunea este direct polarizată (regiunea p pozitivă faţă de regiunea n) ea
poate să conducă curentul dacă tensiunea de polarizare directă depăşeşte o
anumită valoare. Acest prag de tensiune de la care dioda începe să conducă un
curent semnificativ este în jur de 0,5 V pentru siliciu. Peste această valoare curentul
15
figura 8. Polarizarea directă
+ +
+ +
+ +
- -
- -
- -
V
B
n p
-
+
V
D
+
-
+
+
+
-
-
-
goluri
electroni
V_V1
0V 400mV 800mV
I(D5)
0A
20mA
40mA
60mA
80mA
figura 9. Graficul curentului în
funcţie de tensiunea de
polarizare directă
creşte foarte mult pentru o creştere mică a tensiunii de polarizare. Cu alte cuvinte,
căderea de tensiune pe o joncţiune în conducţie directă este aproximativ constantă
pentru limite largi de variaţie ale curentului. Valoarea acestei căderi de tensiune
poate fi dedusă cu precizie din relaţia 13. În mod uzual, în cazul siliciului, ea se
poate aproxima, pentru o analiză calitativă, la valoarea:
V
P
= 0,7V (14)
Dacă joncţiunea este invers polarizată (regiunea p negativă faţă de regiunea n)
ea nu conduce practic curentul (vezi relaţia 12) sau mai precis este parcursă de un
curent invers foarte mic (vezi relaţia 11). Acest curent este de ordinul nanoamperilor
în cazul siliciului.
16
Capitolul II
DIODA SEMICONDUCTOARE
Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic realizat
dintr-o joncţiune p-n, încapsulată şi prevăzută cu două terminale.
Terminalul care face contact cu regiunea de tip p se numeşte anod
şi se notează A. Terminalul care face contact cu regiunea de tip n
se numeşte catod şi se notează K. Simbolul de circuit al diodei este
reprezentat în figura 10.
1. CARACTERISTICA STATICĂ A DIODEI SEMICONDUCTOARE
Prin caracteristica statică a diodei, înţelegem graficul funcţiei
I
D
= f(V
D
) (15)
care exprimă dependenţa dintre curentul prin diodă de tensiunea de pe diodă. Ea se
numeşte statică deoarece este valabilă numai în situaţia în care viteza de modificare
a tensiunii V
D
este suficient de mică pentru ca viteza de deplasare a purtătorilor de
sarcină prin semiconductor să nu trebuiască a fi luată în calcul.
Caracteristica diodei semiconductoare va fi caracteristica unei joncţiuni p-n, deci
ea poate fi trasată prin alăturarea la aceeaşi scară a graficelor din figura 6, 7 şi 9.
În figura 11 este
prezentată caracteristica
statică a diodei 1N4148, o
diodă de siliciu des utilizată
în unele aplicaţii.
La această scară a
graficului putem distinge 3
regiuni de funcţionare a
diodei. De la dreapta la
stânga, acestea sunt:
÷ regiunea de conducţie, delimitată la stânga de axa curentului şi care este
caracterizată o valoare pozitivă a tensiunii de polarizare. În această regiune
dioda este polarizată direct şi curentul I
D
va fi dat de relaţia 13.
÷ regiunea de blocare, delimitată la dreapta de axa curenţilor, la stânga de
tensiunea de străpungere, este caracterizată de o valoare negativă a tensiunii de
polarizare, mai mică în valoare absolută decât V
STR
. În această regiune dioda
este polarizată invers şi nu conduce curentul (la această scară, curentul I
S
nu se
poate distinge).
÷ regiunea de străpungere, situată de-a lungul liniei punctate din stânga
graficului, este caracterizată de o tensiune inversă constantă pe diodă, în timp ce
curentul invers creşte foarte abrupt.
17
figura10
Simbolul diodei
figura11 Caracteristica statică a diodei
1N4148
V
STR
conducţie
blocare
străpungere
Pentru analiza circuitelor cu diode, relaţia (13) este aplicabilă dacă ne aflăm în
regiunea de conducţie sau de blocare. Utilizarea ei este însă incomodă fără
asistenţa calculatorului. Pentru o analiză calitativă a circuitelor este mai rezonabil să
înlocuim dioda cu un circuit echivalent (un model) liniarizat. Cu alte cuvinte
trebuie să găsim un circuit compus în exclusivitate din elemente liniare (surse,
rezistenţe) care în condiţiile specifice date să se comporte similar cu dispozitivul
electronic. Înlocuind dioda cu modelul ei, vom obţine un circuit liniar care poate fi
analizat prin calcul algebric simplu.
2. MODELUL DE DIODĂ IDEALĂ
La scara la care este trasat graficul caracteristicii diodei din figura 11 , în regiune
de conducţie căderea de tensiune pe diodă pare a fi zero iar în regiunea de blocare
curentul prin diodă este zero. Aceste aproximaţii sunt acceptabile dacă se lucrează
cu tensiuni de ordinul zecilor de volţi şi cu curenţi de ordinul miliamperilor. De
asemenea, se presupune că tensiunea de polarizare inversă nu va depăşi valoarea
de străpungere. În aceste condiţii graficul caracteristicii statice se poate
idealiza la forma din figura 12.
Analitic, cele două segmente ale graficului pot fi
descrise de următoarele ecuaţii:
U
D
= 0 pentru regiunea de conducţie (16)
I
D
= 0 pentru regiunea de blocare (17)
Relaţia 16 descrie un element ideal de circuit
numit scurtcircuit (sau rezistenţă de valoare 0), iar
relaţia (17) o întrerupere (sau rezistenţă de valoare infinită). Prin urmare o diodă
polarizată direct se poate înlocui în scopul analizei circuitului cu un scurtcircuit, iar o
diodă polarizată invers cu o întrerupere.
Exemplificăm utilizarea acestui model în analiza circuitului din figura 13.a.
Determinăm curentul prin circuit în situaţia în care: v = V
MAX
sinω t
Semnalul de intrare fiind sinusoidal, pe durata unei semialternanţe v este pozitiv
şi va polariza direct dioda, prin urmare o putem înlocui cu un scurtcircuit (figura
13.b.). Prin urmare, pe baza legii lui Ohm:
t sin
R
V
I
MAX
ω · , pentru sinω t > 0.
18
I
D
figura 12 Caracteristica diodei ideale.
U
D
V
-
+
D
b .
+
R
-
R R
c . a .
I
figura 13. Analiza unui circuit cu diodă pe baza modelului de diodă
ideală
Pe durata semialternanţei negative a semnalului de intrare, dioda este invers
polarizată şi pe baza modelului ideal se poate înlocui cu o întrerupere (figura 13.c.).
prin urmare:
I = 0, pentru sinω t < 0
Figura 14 prezintă formele de undă ale tensiunii de intrare şi ale curentului prin
circuit.
3. MODELUL DIODEI LA TENSIUNI DE POLARIZARE DE ORDINUL VOLŢILOR
Un detaliu al graficului caracteristicii statice din figura 11 pentru tensiuni de
polarizare de ordinul volţilor este prezentat în figura 15.
Se poate remarca din
figura 15 că în regiunea
de conducţie există o
cădere de tensiune,
diferită de zero, pe
diodă. Considerând
această tensiune
constantă (aproximativ
0,7V în cazul diodelor din siliciu) graficul din figura
15 poate fi aproximat prin graficul din figura 16. El
reprezintă o translatare cu 0,7V a caracteristicii
diodei ideale în zona de conducţie. Relaţiile (16) şi
(17) devin
U
D
= 0,7V pentru regiunea de conducţie
(18)
I
D
= 0 pentru regiunea de blocare (19)
19
figura 15 Detaliu al caracteristicii pentru polarizări de ordinul volţilor
Time
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
V(R:2)
-40V
0V
40V
SEL>>
V(V:+)
-40V
0V
40V
figura 14 Forma de undă a tensiunii (sus) şi a curentului (jos)
I
D
U
D
0,7V
figura16. Caracteristica
liniarizată
Relaţia (18) descrie un element ideal de circuit numit sursă ideală de tensiune
(care are aceeaşi tensiune independent de celelalte elemente cu care se află în
circuit). Prin urmare o diodă polarizată direct se poate înlocui în scopul analizei
circuitului cu o sursă ideală de tensiune continuă cu valoarea de 0,7V, iar o diodă
polarizată invers cu o întrerupere.
Exemplificăm utilizarea acestui model în analiza circuitului din figura 17.a.
Determinăm tensiunea pe diodă în situaţia în care: v = V
MAX
sinω t.
Pe durata semialternanţei pozitive dioda este invers polarizată şi se poate înlocui
cu o întrerupere (figura 17.b). Drept urmare tensiunea de pe diodă va fi identică cu
tensiunea de intrare.
Pe durata semialternanţei negative dioda este polarizată direct şi prin urmare o
vom înlocui cu o sursă de tensiune constantă, aşa cum se vede în figura 17.c.. Este
evident că în acest caz, tensiunea de ieşire va fi de –0,7V.
Graficele tensiunii de intrare şi de ieşire sunt prezentate în figura 18.
4. MODELUL DE SEMNAL MIC AL DIODEI
Modelele descrise până acum sunt valabile în situaţia în care tensiunea de
polarizare a diodei are valori mai mari decât 0,7V. Altfel spus acestea sunt modele
de semnal mare.
20
figura17. Luarea în considerare a căderii de tensiune pe dioda polarizată direct
a .
+
-
v
V
R
v
R
v
R
b .
-
D 0 , 7 V
+
c .
Time
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
V(D:2)
-4.0V
0V
4.0V
V(V:+)
-4.0V
0V
4.0V
SEL>>
figura18 Tensiunea de intrare (sus) şi de pe diodă (jos)
Sunt situaţii practice în care tensiunea de polarizare are o componentă continuă
care polarizează dioda şi o componentă variabilă, ∆ V
D
, de ordinul milivolţilor sau a
zecilor de milivolţi. În acest caz, cu ajutorul modelului de semnal mare se poate
determina curentul continuu prin diodă I
D
. dar nu şi variaţiile ∆ I
D
produse de ∆ V
D
.
Este nevoie prin urmare de un model de semnal mic adecvat acestei situaţii.
Modelul de semnal mic al diodei semiconductoare este o rezistenţă, aşa numita
rezistenţă dinamică:
D
D
D
I
V
r


·
(20)
Valoarea ei se modifică de la câţiva ohmi la sute de megaohmi în funcţie de zona de
pe caracteristica statică
în care lucrează dioda.
În figura 19 este
ilustrată situaţia în care
o diodă 1N750 este
polarizată direct astfel
încât V
AK
= 0,75V. Se
poate remarca în figura
19 că pentru o
modificare a tensiunii ∆
V
AK
= 24mV, corespunde
o modificare a curentului
∆ I
AK
= 4mA Prin
urmare conform relaţiei
(20):
r
d
=
4
24
= 6Ω .
Tot din figura 19 se poate intui că dacă dioda ar fi fost polarizată cu o tensiune
continuă de 0,6 V, ∆ V
AK
nu produce aproape nici un efect asupra curentului prin diodă, deci ∆ I
AK
→ 0.
Conform relaţiei (20) r
D
este foarte mare în acest caz.
Metoda grafică de determinare a rezistenţei dinamice nu este întotdeauna
convenabilă. O metodă analitică de determinare a r
D
rezultă din relaţia 20. Dacă
considerăm inversul rezistenţei dinamice, şi considerăm că ∆ V
AK
tinde la zero,
atunci:
D
D
D
dv
dI
r
1
·
(21)
Prin derivarea relaţiei (13) obţinem:
T
D
D
v
I
r
1
·
, sau,
D
T
D
i
v
r ·
(22)
unde I
D
este curentul continuu care trece prin diodă.
Cum la temperatura camerei v
T
= 26mV , din relaţia (22) rezultă că pentru un
curent de polarizare de 10 µ A de exemplu, o diodă va avea o rezistenţă dinamică
de 2,6kΩ iar la un curent de polarizare de 10mA, aceasta va fi de 2,6Ω .
21
Figura19 determinarea grafică a rezistenţei r
D
Trebuie remarcat faptul că relaţia (22) exprimă strict rezistenţa joncţiunii p-n la
un curent dat. Rezistenţa unei anumite diode include şi rezistenţa ohmică a
materialului semiconductor, precum şi rezistenţa de contact dintre terminale şi
semiconductor. Spre deosebire de rezistenţa joncţiunii, aceste rezistenţe nu se
modifică odată cu curentul care trece prin diodă.
Fixăm noţiunile prezentate în acest paragraf cu ajutorul unui exemplu:
Să se determine tensiunea la bornele diodei din figura 20. a dacă tensiunea de
intrare este de forma:
v
I
= V + v
MAX
sinω t, unde V = 5V, v
MAX
=5mV, iar R = 4,3kΩ .
Sursa de semnal de intrare se poate descompune în două surse înseriate: o
sursă de curent continuu şi o sursă de curent alternativ, aşa cum se prezintă în
figura 20. b. Dacă folosim unul din modelele liniare pentru diodă, atunci analiza
acestui circuit se poate face pe două circuite echivalente:
÷ un circuit echivalent de curent continuu (figura 20. c), din care se poate
determina tensiunea şi curentul continuu prin diodă sau punctul static de
funcţionare al diodei.
÷ un circuit echivalent de curent alternativ (figura 20. d), din care se poate
determina componenta alternativă a tensiunii de pe diodă. Acest circuit se mai
numeşte şi circuit echivalent de semnal mic deoarece este valabil numai în
ipoteza în care componenta de curent alternativ a semnalului de intrare produce
variaţii mici ale punctului static de funcţionare, astfel încât caracteristica statică
să poată fi aproximată prin tangenta dusă în punctul static de funcţionare.
Înlocuim în circuitele din figura 20. c şi d dioda cu modelul ei de semnal mare,
respectiv de semnal mic şi obţinem circuitele din figurile 21. a şi b.
V = +5V
V
D
= 0,7V şi
I = mA 1
k 3 . 4
V 3 . 4
R
V V
D
· ·


22
R
R
R
R
v
I
v
D
V
v
MAX
sinω t
v
D
V
v
MAX
sinω t
V
D
v
d
figura 20. Circuit cu diodă alimentat de la o sursă cu componentă de c.c. şi
c.a.
a. b.
c.
d.
I
R R
V
V
D
0,7
I
v
MAX
sinω t
v
d
a. b.
figura 21. Circuitele echivalente de c.c. şi c.a.
r
D
Cunoscând valoarea curentului prin diodă, se poate determina pe baza relaţiei
(22) valoarea rezistenţei r
D
:
Ω k 26
mA 1
mV 26
I
v
r
T
D
· · ·
Prin urmare componenta alternativă a tensiunii pe diodă va fi:
t sin 3 . 4 t sin 5
3 . 4 26
26
t sin v
R r
r
v
MAX
D
D
d
ω ω ω ·
+
·
+
·
[mV]
Tensiunea totală pe diodă va fi dată de suma tensiunilor de c.c. şi c.a.
v
D
= V
D
+ v
d
=0,7 + 4,3× 10
-3
sinω t
Graficul acestei tensiuni este prezentat în figura 22., pentru situaţia în care
frecvenţa semnalului de intrare este 50Hz:
5. TIPURI DE DIODE
Se produc mai multe tipuri de diode semiconductoare, destinate diverselor
aplicaţii ale acestor dispozitive:
– Diode redresoare, utilizate pentru redresarea curentului alternativ, care au de
obicei: curenţi de lucru mari de ordinul amperilor, tensiuni de străpungere de
ordinul sutelor de volţi dar frecvenţa maximă de lucru mică, de ordinul sutelor de
herţi, deoarece se redresează de obicei tensiunea reţelei.
– Diode de comutaţie, utilizate ca şi comutatoare electronice, comandate de
polaritatea tensiunii v
AK
, care, din contră, lucrează la curenţi mici, de ordinul
zecilor de mA dar au frecvenţa de lucru mare.
– Diode stabilizatoare de tensiune sau diode Zener, care lucrează cu polarizare
inversă la tensiuni mai mari decât tensiunea de străpungere şi exploatează
proprietatea joncţiunii p-n aflate în străpungere de a menţine o tensiune
constantă la borne. Acestea lucrează uzual cu curenţi de ordinul zecilor de mA şi
23
Time
0s 20ms 40ms 60ms
V(Vmaxsin:+)
0V
250mV
500mV
750mV
figura 22. Forma de undă a tensiunii pe diodă
pot avea tensiuni de străpungere (sau tensiunea Zener) de la câţiva volţi la peste
100 de volţi.
– Diode varicap, utilizate ca şi condensatoare variabile în circuite rezonante şi
care utilizează capacitatea echivalentă a regiunii de sarcină spaţială a unei diode
invers polarizate.
Există şi alte dispozitive cu două terminale care se numesc diode, (ex. dioda
Shockley) dar acestea au o altă structură decât diodele realizate pe baza unei
singure joncţiuni p-n şi un alt principiu de funcţionare.
6. CIRCUITE CU DIODE REDRESOARE
După cum sugerează şi denumirea lor, acest tip de diode sunt utilizate la
redresarea curentului alternativ.
Prin redresare înţelegem transformarea energiei electrice de curent alternativ în
energie electrică de curent continuu.
Deoarece diodele au o rezistenţă mică, practic zero, atunci când sunt direct
polarizate, şi o rezistenţă mare, practic infinită, atunci când sunt invers polarizate,
ele pot fi utilizate pentru redresare.
O schemă de redresor monoalternanţă este prezentată în figura 23. a.
Atâta timp cât tensiunea de intrare (v
1
) este pozitivă, circuitul echivalent al
redresorului este cel din figura 1.b. În consecinţă tensiunea de ieşire (v
2
) va fi egală
cu tensiunea de intrare.
Atâta timp cât tensiunea de intrare (v
1
) este negativă, circuitul echivalent al
redresorului este cel din figura 1.c. În consecinţă tensiunea de ieşire (v
2
) va fi 0.
Tensiunea de intrare are valoarea medie pe o perioadă egală cu 0 în timp ce
valoarea medie a tensiunii redresate este evident diferită de zero. Mai precis:
24
Figura 23. a. Redresorul monoalternanţă b. Schema echivalentă când dioda este polarizată direct
c. Schema echivalentă când dioda este polarizată invers. d. Formele de undă ale tensiunii de la
ieşire şi intrare
figura24. Filtrarea cu
condensator; schema
şi formele de undă
MAX 1
MAX 1
med 2
v 318 , 0
v
v × · ·
π
(23)
Deşi în medie valoarea tensiunii pe R1 este pozitivă, ea poate lua orice valoare
între 0 şi V
MAX
. Prin urmare, ondulaţiile tensiunii de ieşire (sau brumul de reţea) sunt
foarte mari. Atunci când redresoarele sunt folosite pentru alimentarea unor
echipamente electronice, acest lucru este inacceptabil.
Se impune prin urmare filtrarea ondulaţiilor.
Metoda cea mai simplă pentru filtrarea ondulaţiilor este utilizarea unui
condensator de filtraj. Condensatorul, montat în paralel pe ieşire, se încarcă pe
durata cât dioda conduce la o valoare apropiată de maximumul tensiunii de intrare.
În perioada când dioda nu conduce, condensatorul se descarcă prin sarcină
asigurând menţinerea curentului şi implicit a tensiunii de ieşire pe toată perioada
semnalului de intrare (figura 24).
În intervalul t
1
condensatorul se încarcă la valoarea U
MAX
. În acest moment dioda
se blochează deoarece potenţialul catodului egalează potenţialul anodului. În
intervalul t
2
, C
1
se descarcă prin rezistenţa de sarcină R
1
şi tensiunea de ieşire
scade la valoarea U
MIN
, după care ciclul se reia. În interval de o perioadă:
T = t
1
+ t
2
(24)
vom avea o ondulaţie a tensiunii de ieşire:
∆ U = U
MAX
- U
MIN
(25)
25
Valoarea medie a tensiunii redresate va fi
2
U
u U
MAX med

− ·
(26)
Dacă circuitul este corect proiectat:
t
1
<< t
2
(27)
şi prin urmare:
T ≅ t
2
(28)
În aceste condiţii curentul mediu prin sarcină este rezultatul descărcării
condensatorului:
f U C
T
U
C
R
U
I
1 1
1
med
med
× × · · · ∆

(29)
Prin urmare ondulaţiile tensiunii de ieşire se pot aproxima cu relaţia:
1 1
med
C R
T U
U
×
· ∆
(30)
iar valoarea lui C
1
pentru un anumit nivel admis al brumului de reţea este:
U f
I
C
med
1
∆ ×
· (31)
Graficele din figura 24 au fost obţinute prin simularea PSPICE a unui redresor
pentru care C
1
= 1000uF şi R
1
= 100Ω . Din grafic se determină U
med
= 17,3V şi ∆ U
= 3V. Din relaţia (31) rezultă:
F 1153
3 50 100
3 , 17
C
1
µ ·
× ×
·
Acest rezultat confirmă aplicabilitatea metodei aproximative de calcul prezentate
mai sus. Din calcul a rezultat un condensator mai mare decât prin simularea
circuitului, deci cu valoarea calculată ar rezulta un filtraj mai bun decât cel prezumat.
Această metodă foarte simplă de filtraj are două dezavantaje:
- Condensatorul de filtraj are valori mari dacă curentul prin sarcină este mare
(ceea ce implică preţ ridicat şi gabarit mare).
- Curentul prin diodă este mult mai mare decât valoarea medie a curentului prin
sarcină.
Din graficele din figura 24 se poate remarca că dioda conduce un timp scurt, t
1
,
dintr-o perioadă, timp în care asigură curentul de sarcină şi încarcă condensatorul
cu o cantitate de sarcină :
26
q = I
D
t
1
(32)
În timpul t
2
, mult mai mare, această sarcină descărcată din condensator asigură
curentul mediu redresat deci:
q = I
med
t
2
(33)
prin urmare, din relaţiile (32) şi (33) obţinem:
med
1
2
D
I
t
t
I × ·
(34)
În cazul concret din figura 24, t
1
= 2ms şi t
2
= 18ms prin urmare:
I
D
= 9× I
med
= 1,5A.
I
D
este de fapt, un curent mediu pe timpul t
1
, cât dioda conduce. Valoarea lui
maximă va fi aproximativ
I
Dmax
= 2× I
D
deci aproximativ 3 A în exemplul nostru concret. Prin urmare pentru a asigura
170mA în sarcină, trebuie folosită o diodă care să reziste la impulsuri de curent de
3A. Raportul t
2
/ t
1
este cu atât mai mare cu cât condensatorul de filtraj este mai
mare. Prin urmare cu cât filtrajul este mai bun, cu atât curentul de vârf prin diodă
este mai mare.
Randamentul redresării poate fi practic dublat dacă se redresează ambele
semialternanţe ale tensiunii alternative. Acest deziderat se realizează cu două tipuri
de redresoare, ambele foarte des utilizate în practică:
- Redresorul în punte
- Redresorul cu priză mediană
6.1. Redresorul în punte
În cazul acestui redresor se folosesc, aşa cum se vede în figura 25 patru diode
pentru redresarea tensiunii alternative.
Pe durata semialternanţei pozitive, sunt direct polarizate diodele D
2
şi D
3
, prin
urmare sarcina va fi parcursă de curent în sensul indicat în figura 25.b.
Pe durata semialternanţei negative, vor fi direct polarizate diodele D
4
şi D
1
, prin
urmare curentul va trece prin sarcină cu sensul indicat în figura 25.c.
Se poate remarca faptul că, deşi sensul curentului prin sursa de alimentare se
schimbă, sensul curentului prin sarcină rămâne acelaşi deci şi polaritatea tensiunii
pe rezistenţa de sarcină este neschimbată pe o perioadă. În consecinţă forma
tensiunii pe rezistenţa de sarcină va fi cea din figura 25.d. Comparând acest grafic
cu cel din figura 24. se poate intui că valoarea medie a tensiunii redresate este
dublă faţă de redresorul monoalternanţă. Din relaţia 23 prin înmulţire cu doi obţinem:
MAX
MAX
med
U 637 . 0
U 2
U × ·
×
·
π
(35)
27
Evident că şi în cazul acestui redresor se poate realiza filtrarea ondulaţiilor cu un
condensator de filtraj. Formulele (29), (30) şi (31) rămân valabile şi în acest caz, cu
observaţia că perioada tensiunii redresate va fi jumătate din perioada tensiunii
redresate cu redresorul monoalternanţă, respectiv frecvenţa va fi dublă.
Prin urmare, pentru acest redresor, la aceeaşi valoare a condensatorului de
filtraj obţinem un brum de reţea de două ori mai mic.
La aceeaşi valoare admisă a brumului condensatorul de filtraj poate fi de
două ori mai mic, ceea ce constituie un avantaj important. De asemenea, o
capacitate mai mică implică şi un curent mai mic de încărcare, prin urmare şi
vârfurile de curent prin diodele redresoare vor fi de două ori mai mici.
Un dezavantaj minor al acestui redresor este că sarcina este mereu în serie cu
două diode. Prin urmare aproximativ 1,4V din tensiunea sursei de alimentare se
pierd, nemaiajungând pe rezistenţa de sarcină.
6.2. Redresorul dublă alternanţă cu priză mediană.
În general, sursa de tensiune alternativă este secundarul unui transformator de
reţea. Dacă acesta are două înfăşurări identice, sau este prevăzut cu o priză
mediană, se poate realiza redresorul din figura 26.
Priza mediană sau punctul comun al celor două înfăşurări din secundarul
transformatorului este punct de masă (potenţial de referinţă). După cum se vede în
figura 26.b pe durata semialternanţei pozitive a tensiunii de reţea dioda D
1
este
direct polarizată prin înfăşurarea L
1
a transformatorului, în timp ce D
2
este polarizată
invers şi nu conduce.
28
figura 25. Redresorul in
punte. Schema electrică,
schema echivalentă pentru
cele două semialternanţe,
forma de undă a tensiunii
de ieşire.
Pe durata semialternanţei negative va conduce D
2
şi D
1
va fi blocată (figura
26.c). Se poate remarca din figura 26. b. şi c. că indiferent de polaritatea
tensiunii de intrare, curentul prin rezistenţa de sarcină nu îşi schimbă sensul.
Se produce deci o redresare a ambelor semialternanţe şi forma tensiunii pe R
1
precum şi valoarea ei medie va fi aceeaşi ca şi la redresorul în punte. Tot la fel,
rămân valabile consideraţiile legate de filtrarea tensiunii redresate.
Dezavantajul acestei soluţii de redresare este necesitatea realizării a două
înfăşurări secundare identice, ceea ce ridică preţul şi gabaritul transformatorului de
reţea.
Un tip de diodă foarte des utilizat pentru redresarea curentului alternativ este
dioda 1N 4007. Aceasta are valoarea tensiunii inverse maxime care se poate aplica
repetitiv egală cu 1000V, curentul mediu redresat poate fi de 1A iar căderea de
tensiune pe diodă, la acest curent este de maximum 1,6V.
7. CIRCUITE CU DIODE DE COMUTAŢIE
Prin comutaţie înţelegem trecerea bruscă a unui dispozitiv din starea de blocare
în starea de conducţie sau invers. În cazul diodelor acest regim apare dacă
tensiunea de polarizare îşi schimbă brusc sensul.
Dacă în circuitul din figura 23 aplicăm la intrare un semnal dreptunghiular în loc
de un semnal sinusoidal, obţinem un circuit simplu în care dioda lucrează în
comutaţie.
În figura 27 avem formele de undă ale tensiunii de intrare şi ieşire. Deoarece
sarcina este rezistivă, curentul prin diodă va avea aceeaşi formă ca şi tensiunea de
ieşire.
Dacă dioda utilizată nu este o diodă specială de comutaţie, forma de undă a
tensiunii de ieşire va fi asemănătoare cu cea din figura 27 graficul din mijloc. Se
poate remarca faptul aparent surprinzător că dioda conduce invers. Explicaţia
acestui fenomen este următoarea:
Pe durata cât dioda este polarizată direct, ea este parcursă de un curent de
purtători majoritari. Prin urmare, un număr mare de goluri din regiunea de tip p
tranzitează regiunea de tip n unde ei sunt purtători minoritari, respectiv un număr
mare de electroni provenind din regiunea de tip n tranzitează regiunea de tip p în
care ei sunt purtători minoritari. La schimbarea bruscă a polarizării, în primul
moment, cele două regiuni ale joncţiunii vor avea un număr mare de purtători
minoritari. Dar purtătorii minoritari pot să traverseze joncţiunea invers polarizată.
29
figura 26. Redresor dublă alternanţă cu priză mediană
Prin urmare joncţiunea va fi parcursă de un curent invers semnificativ. După un
timp care depinde de gradul de impurificare al semiconductorului şi de dimensiunile
lui geometrice, acest curent scade la valoarea I
S
adică aproape zero.
Diodele de comutaţie sunt special realizate pentru ca acest timp să fie foarte
scurt. Din acest motiv în graficul din partea de jos a figurii 27 conducţia inversă nu
mai este observabilă. Asta nu înseamnă că ea nu se produce ci că la scara la care
este reprezentat graficul, timpul de dispariţie al curentului invers este atât de mic
încât nu se mai distinge.
Acest timp se numeşte timp de revenire inversă şi este un parametru
important care caracterizează diodele în comutaţie.
O diodă de comutaţie foarte des utilizată este 1N4148. Ea are o tensiune inversă
repetitivă de 75V, un curent mediu redresat de 150mA şi o cădere de tensiune în
sens direct la acest curent de maxim 1V. Timpul de revenire inversă este de 4ns.
Un exemplu de circuit în comutaţie este cel din figura 28. Tensiunile de intrare A,
B, şi C pot să ia independent una de cealaltă valorile 0V sau 5V.
30
+ 5 V
A
+ 5 V
0 , 7 V
B V o

B
A
C
A

V o


R
V o
C
R
C
D 2
B
R
D 3
D 1
+ 5 V
figura 28 Poartă logică ŞI realizată cu diode în comutaţie
Time
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us
V(R:2)
-5.0V
5.0V
SEL>>
V(R1:2)
-10V
0V
10V
V(V1:+)
-5.0V
0V
5.0V
figura 27 Forma de undă a tensiunii de intrare (sus) şi a tensiunii de ieşire în
două situaţii: dioda utilizată este o diodă redresoare (mijloc) respectiv dioda
este o diodă de comutaţie (jos)
Dacă cel puţin una dintre intrări este egală cu zero, dioda corespunzătoare va fi
direct polarizată şi prin urmare tensiunea de ieşire va fi aproximativ 0,7V.
Dacă toate intrările sunt la nivel de 5V, toate diodele vor fi blocate şi tensiunea
de ieşire va fi de +5V.
Prin urmare, tensiunea de ieşire este de 5V dacă şi numai dacă A=5V şi B=5V şi
C=5V. De aceea un circuit de acest tip se numeşte poartă ŞI.
Figura 29 reprezintă o poartă logică SAU. Tensiunea de ieşire va fi aproximativ
4,3V dacă cel puţin una din intrări are valoarea de 5V. Numai dacă toate intrările
sunt 0 V ieşirea va fi 0 V.
Circuitul se poate utiliza şi dacă tensiunile A, B, C iau valori arbitrare. Fie de
exemplu A=9V, B=12V iar C=20V. În acest caz, Tensiunea de 20V de pe anodul
diodei D
3
determină deschiderea acestei diode. Tensiunea de ieşire va fi de
aproximativ 19,3V. Aceasta este şi tensiunea catozilor diodelor şi prin urmare D
1
şi
D
2
vor fi invers polarizate (deşi au o tensiune pozitivă în anod, ea este mai mică
decât potenţialul catodului ).
Generalizând putem afirma că:
Vo = max(A,B,C) – 0,7V (36)
motiv pentru care circuitul din figura 29 se mai numeşte şi circuit de maxim.
O aplicaţie uzuală a acestui circuit este alimentarea unui aparat de la două surse
de alimentare. În acest caz dioda D
3
lipseşte iar A este tensiunea dată de un
redresor iar B este tensiunea dată de o baterie. Dacă este îndeplinită condiţia A > B
atunci Vo va fi egală cu tensiunea redresorului iar D2 va fi blocată. Prin urmare de la
baterie nu se consumă curent atunci când aparatul este alimentat de la priză. Dacă
redresorul este scos din priză, D1 se blochează dar echipamentul rămâne alimentat
de la baterie.
8. CIRCUITE CU DIODE ZENER
Diodele Zener sunt diode semiconductoare special construite pentru a lucra în
regim de polarizare inversă.
După cum se poate vedea în figura 30, la tensiuni de polarizare inversă mai mari
decât tensiunea de străpungere, tensiunea pe diodă se modifică foarte puţin la
31

C

B

B
A
R
A
V o

R
V o

A
C
+ 5 V
D 2

B

V o
0 , 7 V
D 3
R
C
D 1
figura 29. Poartă logică SAU realizată cu diode
variaţii mari ale curentului invers. Cu alte cuvinte, rezistenţa internă a diodei este
foarte mică în această regiune a caracteristicii statice.
Pentru cazul particular din figura 30:



8 , 1
33
58
I
V
r
Z
· · ·
Panta abruptă a caracteristicii începe de la un anumit curent Iz
min
. Curentul prin
diodă nu trebuie să depăşească o valoare Iz
max
pentru ca puterea disipată de diodă
să nu depăşească valoarea maxim admisibilă.
De exemplu, dioda Zener PL5V1 are tensiunea de străpungere de aproximativ
5,1V (eroarea putând fi de cel mult 5%). Ea poate să disipe maximum 1W şi are o
rezistenţă de 5Ω la un curent de 100mA.
Dacă este asigurat un curent mai mare decât Iz
min
prin diodă, ea tinde să
menţină constantă tensiunea la bornele ei, cu o anumită eroare, dată de căderea de
tensiune pe r
z
, care depinde de curentul prin diodă. Prin urmare, dioda Zener se
poate modela printr-o sursă de tensiune constantă, în serie cu o rezistenţă de
ordinul ohmilor. Tendinţa de menţinere a tensiunii la valoarea Vz este folosită
pentru realizarea stabilizatoarelor de tensiune. Schema unui stabilizator parametric
simplu este prezentată în figura 31.
32
V
Z
I
Zmin
I
Zmax
figura 30. a. Caracteristica diodei în zona de străpungere b. Simbolul diodei Zener
c. Schema echivalentă
figura 31. Stabilizator parametric cu diodă Zener şi schema echivalentă
Vom determina tensiunea U
2
:
I
1
= I
z
+ I
2

S
2
Z
Z 2 2 1
R
U
r
V U
R
U U
+

·

,
`

.
|
+ + · +
S Z
2
Z
Z 1
R
1
r
1
R
1
U
r
V
R
U

S
Z Z
Z
S Z
1
2
R
r
R
r
1
V
R
R
r
R
1
U
U
+ +
+
+ +
·
(37)
Dacă r
z
ar fi 0 din relaţia (37) rezultă:
U
2
= Vz.
Cum r
z
deşi foarte mic, este totuşi diferit de 0 trebuie folosit semnul aproximativ :
U
2
≅ Vz (38)
Eroarea pe care o introducem este cu atât mai mică cu cât :
R >> rz şi Rs>>rz (39)
Relaţia (38) defineşte un stabilizator de tensiune, deoarece tensiunea de ieşire
este constantă, indiferent de tensiunea de intrare sau rezistenţa de sarcină.
Totuşi restricţiile din relaţia (39) impun ca rezistenţa de sarcină să fie mult mai
mare decât r
z
. Prin urmare stabilizatorul parametric poate fi utilizat numai pentru
sarcini cu consum redus de curent.
Dacă ţinem cont de faptul că dioda se comportă ca stabilizator numai dacă Iz
este mai mare decât Iz
min
şi mai mic decât Iz
max
obţinem restricţii suplimentare. Dacă
în figura 31 neglijăm r
z
obţinem relaţia:
Iz =
S
Z Z 1
S
Z z 1
R
V
R
V
R
U
R
V
R
V U
− − · −

(40)
Pentru ca Iz >Izmin trebuie pe baza relaţiei 40 ca :
Iz
min
<
min S
Z Z min 1
R
V
R
V
R
U
− −
Cum ultimul termen din relaţia de mai sus reprezintă curentul maxim prin sarcină ⇒
R <
max S min Z
Z min 1
I I
V U
+

(41)
Pe baza relaţiei (40), pentru ca Iz < Izmax ⇒
R >
min S max Z
Z max 1
I I
V U
+

(42)
33
Inegalităţile (41) şi (42) impun restricţii evidente asupra tensiunii de intrare,
curentului de ieşire şi a valorii maxime a rezistenţei R. Cum pe baza relaţiei (39)
este de dorit ca R să fie cât se poate de mare, din relaţia (41) rezultă că valoarea
minimă a tensiunii de intrare trebuie să fie mai mare decât Vz. Cu cât U
1min
este
mai mare decât Vz, cu atât R poate fi ales de valoare mai mare. În practică este
recomandat ca U
1
să fie cu cel puţin 30% mai mare decât Vz.
După ce a fost stabilită pentru R cea mai mare valoare permisă de relaţia (41),
se va verifica obligatoriu dacă ea satisface şi inegalitatea (42). Dacă nu, se vor
impune noi restricţii pentru U
1min
şi I
2max
, în sensul creşterii tensiunii de intrare şi al
reducerii curentului prin sarcină.
9. CIRCUITE CU DIODE VARICAP
O joncţiune p-n invers polarizată poate fi privită ca un condensator. De o parte şi
de alta a regiunii golite, se găsesc acumulări de sarcină de semn contrar, (vezi
figura 5) exact ca şi pe armăturile unui condensator plan. Regiunea golită ar fi
dielectricul dintre armături. Mai mult decât atât, dacă tensiunea de polarizare inversă
creşte sau scade, lărgimea regiunii golite creşte sau scade şi prin urmare
capacitatea joncţiunii scade sau creşte şi ea.
O diodă varicap este prin urmare un condensator variabil, cu capacitatea
dependentă de tensiunea de polarizare inversă aplicată.
De exemplu, dioda varicap BB139 are o capacitate de 26pF la 3V tensiune
inversă aplicată şi 4,3pF la o tensiune de 25V. Dioda BB125 are 12pF la 3V
tensiune inversă şi 2,5pF la 25V.
În figura 32 este prezentat simbolul
de circuit al diodei varicap şi o
aplicaţie uzuală a acesteia.
Între capetele 1şi 2 ale bobinei L sunt
legaţi doi condensatori în serie:
condensatorul fix C
1
şi capacitatea
echivalentă C
2
a diodei varicap.
Frecvenţa de rezonanţă a circuitului
oscilant va fi prin urmare:
2 C 1 C
2 C 1 C
L 2
1
f
0
+
·
π
(43)
Valoarea C
2
se poate modifica prin modificarea polarizării inverse. În acest scop
au fost introduse potenţiometrul şi rezistenţa. Ambele au valori mari (zeci, sute de
kΩ , astfel încât să nu afecteze prea mult factorul de calitate al circuitului rezonant.
Prezenţa condensatorului C
1
este absolut necesară, pentru a separa circuitul
rezonant de sursa de tensiune continuă Vcc.
Dacă:
2 1
C C 〉 〉
(44)
atunci din relaţia (43) rezultă:
34
L
1
2
C 1
3
1
2
D V
V c c

figura 32. Circuit acordat cu diodă
varicap.
figura 32. Circuit acordat cu diodă varicap
2
0
LC 2
1
f
π

(45)
şi prin urmare frecvenţa de rezonanţă a circuitului se poate modifica cu ajutorul
potenţiometrului. Un circuit similar cu cel din figura 32 este utilizat pentru acordul pe
post al unor receptoare radio sau TV.
35
Capitolul III
TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare cu două joncţiuni,
realizate dintr-o succesiune de trei straturi semiconductoare de tip n-p-n sau p-n-p,
după cum se prezintă în figura 33.
Regiunea din stânga, numită emitor, este mai puternic impurificată decât
celealalte regiuni, regiunea din mijloc, baza, este foarte îngustă şi mult mai slab
impurificată decât regiunea din dreapta, colectorul. Ca
o consecinţă a acestui fapt, rezistivitatea bazei este
mai mare decât a celorlalte regiuni.
Pentru ca efectul de tranzistor să se producă, cele
două joncţiuni trebuie polarizate după cum urmează:
−Joncţiunea emitor-bază trebuie polarizată direct
−Joncţiunea colector-bază trebuie polarizată invers.
Se spune în acest caz că tranzistorul este polarizat În
regiunea activă normală.
1. FUNCŢIONAREA ÎN REGIUNEA ACTIVĂ NORMALĂ
Datorită polarizării directe joncţiunea E-B permite
trecerea purtătorilor majoritari din E în B. Situaţia este
ilustrată în figura 34., pentru tranzistorul p-n-p. În acest
caz, purtătorii majoritari sunt golurile pentru regiunea
emitorului şi electronii pentru regiunea bazei. Dar cum
regiunea emitorului este mult mai puternic impurificată
decât baza prin joncţiune va trece un curent important de
goluri, I
E
,

din E în B şi un curent neglijabil de electroni din
B în E. Are loc prin urmare o injecţie de goluri în bază.
Baza fiind de tip N, golurile sunt pentru ea purtători
minoritari. Deci numărul de purtători minoritari din bază
creşte foarte mult.
Datorită polarizării inverse, joncţiunea C-B permite
trecerea purtătorilor minoritari (figura 35). În acest caz,
purtătorii minoritari sunt golurile pentru regiunea bazei şi
electronii pentru regiunea colectorului. Dar cum regiunea
colectorului este mai puternic impurificată decât baza, prin
joncţiune va trece un curent de electroni, I
CB0
, din C în B şi
un curent neglijabil de goluri din B în E. Aceasta ar fi situaţia
în cazul în care emitorul ar fi în gol. Sensul săgeţii din figura
35 indică sensul deplasării electronilor. Trebuie reţinut că
36
P
(E)
N
(B)
P
(C)
N
(E)
P
(B)
N
(C)
figura 33. Structura
tranzistorului bipolar
P + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
N
_
_
_
_
+ -
v
E B
+ + + +
+ + + +
f i g u r a 3 4 . J o n c t i u n e a E - B
l a p o l a r i z a r e d i r e c t a
P + + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
N
_
_
_
_
+ -
v
B C
f i g u r a 3 5 . J o n c t i u n e a C - B
l a p o l a r i z a r e i n v e r s a
_ _ _
sensul tehnic al curentului electric este exact opus sensului mişcării electronilor şi
prin urmare curenţii I
E
şi I
CB0
au acelaşi sens tehnic.
Dacă combinăm figurile 34 şi 35 obţinem imaginea din figura36 care arată sensul
de mişcare al golurilor şi curenţii de goluri dintr-un tranzistor p-n-p. Se poate
remarca faptul că majoritatea golurilor injectate de emitor în bază trec în colector.
Aceasta din două motive:
−Baza fiind de tip n, golurile sunt purtători minoritari în regiunea bazei. Aşa
cum s-a arătat la studiul joncţiunii pn, purtătorii minoritari pot traversa
joncţiunea dacă ea este invers polarizată. Joncţiunea C-B fiind polarizată
invers, golurile din bază pot trece în colector.
−Baza este foarte îngustă şi slab impurificată deci are rezistivitate mare. Prin
urmare puţine goluri vor reuşi să traverseze longitudinal regiunea bazei, fără
a fi captaţi de colector.
Prin urmare:
I
E
≅ I
C
(46)
Sau mai precis:
I
C
= α
F
I
E
(47)
α
F
din relaţia (47) este factorul de transfer
direct în curent, de la emitor la colector şi are,
aşa cum sugerează relaţia (46), o valoare
apropiată de 1. La tranzistoarele de mică putere,
care pot avea baza foarte subţire, α
F
este mai
mare decât 0,95. Tranzistoarele de putere, care
au, din considerente de disipaţie termică, o arie mare şi deci şi o bază mai groasă,
valoarea α
F
poate să scadă la 0,9.
Diferenţa dintre I
C
şi I
E
este curentul care se închide prin bază, I
B
:
I
E
= I
C
+ I
B
(48)
Pe baza relaţiilor (47) şi (48) putem determina relaţia dintre I
C
şi I
B
:
B
F
C
I
1
1
I
α −
·
(49)
unde notăm:
F
1
1
α
β

·
(50)
Relaţia (50) defineşte factorul de amplificare în curent al tranzistorului
bipolar. Având în vedere că α
F
este apropiat de unitate, putem afirma că β are o
valoare mare. Pentru tranzistoarele de mică putere este de ordinul sutelor, pentru
cele de putere medie de ordinul zecilor iar pentru tranzistoarele de putere mare
valoarea factorului de amplificare în curent poate fi mai mică decât zece. Din relaţiile
(49) şi (50) avem:
I
C
= β I
B
(51)
Relaţia (51) este foarte des utilizată pentru analiza circuitelor cu tranzistori.
37
P + + + +
+ + + +
+ + + +
+ + +
+ + + +
N _
_ _
_
v
B C
P + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + +
N
v
E B
+ + + +
+ + + +
f i g u r a . 3 6 M i s c a r e a g o l u r i l o r i n j e c t a t e
d ee m i t o r i nb a z a .
+ + + +
+ + + +
+

+

+

+
I
E
I
C
I
B
Tranzistoarele despre care discutăm se numesc bipolare pentru că la
conducerea curentului participă purtători de sarcină de două polarităţi: golurile şi
electronii. Deşi s-a focalizat discuţia numai pe curentul de goluri care este cel mai
important în cazul tranzistoarelor pnp, pentru a fi riguroşi, trebuie să amintim şi
curentul de electroni care trece prin dispozitiv.
Joncţiunea B-E polarizată direct, permite trecerea purtătorilor majoritari deci, în
afară de golurile din emitor ea va fi traversată şi de electronii din regiunea bazei. Dar
cum baza este foarte slab impurificată, acest curent este absolut nesemnificativ.
Joncţiunea B-C polarizată invers permite trecerea purtătorilor minoritari deci, în
afară de golurile din emitor ea va fi traversată şi de electronii din regiunea
colectorului (vezi figura 35). Acest curent, I
CB0
, fiind curentul invers al unei joncţiuni
este evident foarte mic în condiţii normale de temperatură. Dar, mai ales în cazul
tranzistoarelor de putere, temperatura semiconductorului poate să crească foarte
mult şi prin urmare va creşte numărul purtătorilor minoritari (electronii) din colector.
Acest fapt atrage după sine creşterea I
CB0
. În astfel de cazuri este bine să ţinem cont
de faptul că:
I
C
= α
F
I
E
+ I
CB0
(52)
precum şi de faptul că I
CB0
creşte exponenţial cu temperatura.
Funcţionarea tranzistoarelor n-p-n este similară. Şi în cazul lor joncţiunea B-E
trebuie direct polarizată iar joncţiunea C-B invers. De data aceasta, emitorul va
injecta electroni în bază de unde majoritatea lor va fi captată de colector, pe când
I
CB0
va fi un curent de goluri. Relaţiile (46) –(52) rămân valabile şi în acest caz.
Simbolurile de circuit pentru tranzistoarele bipolare, precum şi sensul
convenţional al curenţilor prin dispozitiv sunt prezentate în figura37.
În majoritatea cazurilor sunt utilizate
tranzistoarele npn. Motivul este că în
cazul lor curentul principal este un
curent de electroni liberi. Mobilitatea
acestora este mai mare decât a
golurilor (prin noţiunea de gol este
descrisă de fapt mişcarea globală a
electronilor de valenţă) şi prin urmare
la arii şi grade de impurificare identice, tranzistoarele npn au proprietăţi electrice
mai bune decât cele pnp. Desigur, există cazuri în care este necesară utilizarea
ambelor tipuri .
2. FUNCŢIONAREA ÎN REGIUNEA ACTIVĂ INVERSĂ
Ne putem pune întrebarea cum se va comporta tranzistorul dacă:
−Joncţiunea emitor-bază este polarizată invers
− Joncţiunea colector-bază este polarizată direct.
În acest caz dispozitivul se află în regiunea activă inversă şi colectorul va
injecta purtători minoritari în bază iar emitorul va colecta aceşti purtători. Relaţia (52)
devine:
38
p n p n p n
I
E
I
C
I
B
I
E
I
C
I
B
f i g u r a 3 7 . S i m b o l u r i p e n t r u t r a n z i s r o u l b i p o l a r
I
E
= α
R
I
C
+ I
EB0
(53)
în care α
R
este factorul de transfer invers în curent.
Structura ne fiind simetrică, colectorul fiind slab dopat faţă de emitor, α
R
va fi
mult mai mic decât α
F
, iar I
EB0
mult mai mare decât I
CB0
. Deci în această regiune
efectul de tranzistor se va produce cu un randament mai slab decât în regiunea
activă normală iar dependenţa de temperatură a curentului prin dispozitiv va fi mai
accentuată (prin intermediul I
EB0
). Rareori un tranzistor este utilizat în acest mod.
3. FUNCŢIONAREA ÎN REGIUNEA DE BLOCARE
Dacă atât joncţiunea emitor-bază cât şi joncţiunea colector-bază sunt invers
polarizate emitorul nu mai poate injecta purtători minoritari în bază şi efectul de
tranzistor nu se mai produce. Joncţiunea emitor-bază va fi traversată de un curent
de purtători minoritari din emitor, I
EB0,
iar joncţiunea colector-bază va fi traversată de
un curent de purtători minoritari proveniţi din colector I
CB0
(figura 35). Nu există nici o
relaţie între valorile acestor curenţi şi dacă neglijăm I
CB0
:
I
C
≅ 0 (54)
4. FUNCŢIONAREA ÎN REGIUNEA DE SATURAŢIE
Dacă atât joncţiunea emitor-bază cât şi joncţiunea colector-bază sunt direct
polarizate atât emitorul cât şi colectorul vor injecta purtători minoritari în bază şi
efectul de tranzistor nu se mai produce. Dispozitivul va fi traversat de un curent
important dat de purtătorii majoritari din emitor şi colector. Valoarea acestui curent
trebuie limitată de circuitul exterior tranzistorului, pentru a preveni defectarea lui. Se
poate considera că în această regiune tranzistorul se comportă ca un scurtcircuit
între colector şi emitor şi prin urmare:
U
CE
≅ 0 (55)
5. CARACTERISTICILE STATICE ALE TB
Privit ca un cuadripol diport, care are o poartă de ieşire şi una de intrare
tranzistorul poate fi folosit în una din următoarele trei conexiuni fundamentale:
- Baza comună (BC) vezi figura 38
- Emitor comun (EC) vezi figura 39
- Colector comun (CC) vezi figura 40
Numele conexiunii provine de la numele terminalului care este comun porţii de
intrare şi de ieşire. În afara conexiunii BC, baza este terminalul pe care se aplică
39
semnalul de intrare. Semnalul de
ieşire se culege din colector, cu
excepţia conexiunii CC când
ieşirea se ia din emitor. Tabelul de
mai jos sintetizează aceste
afirmaţii:
În oricare conexiune, tensiunea de intrare se aplică
pe joncţiunea B-E, şi curentul de intrare trece prin
această joncţiune. Graficul funcţiei
i
B
= f(v
BE
) (56)
reprezintă caracteristica de intrare a tranzistorului
bipolar. Cum relaţia (56) exprimă dependenţa
curentului printr-o joncţiune p-n de tensiunea
aplicată joncţiunii, este de aşteptat ca să avem
caracteristica de intrare a TB identică cu
caracteristica statică a unei joncţiuni.
În figura 41 este prezentată caracteristica de
intrare a tranzistorului 2N2222
Se poate remarca în figură că până la o tensiune
bază – emitor de 0,5V nu avem practic curent de
bază, deci pe baza relaţiei 51 nici curent de colector.
Tranzistorul este deci în regiunea de blocare.
De la 0,6V curentul creşte abrupt, tensiunea
pe joncţiune limitându-se la aproximativ 0,7V. De aici
provine şi obişnuinţa de a considera căderea de
tensiune pe joncţiunea B – E, atunci când tranzistorul
este polarizat în regiunea activă normală, ca fiind de
aproximativ 0,7V.
Caracteristica de ieşire, care reprezintă
dependenţa curentului de ieşire de tensiunea de
ieşire, diferă, potrivit tabelului de mai sus, în funcţie
de conexiune:
÷ În cazul conexiunii B-C ea este graficul funcţiei
i
C
= f(v
CB
)
÷ În cazul conexiunii E-C (C-C) ea este graficul funcţiei
i
C
= f(v
CE
)
Caracteristica de ieşire pentru conexiunea E-C este prezentată în figura 42. Ea a
fost obţinută prin simulare PSPICE pentru un tranzistor npn de tipul 2N2222. şi fost
trasată pentru diferite valori ale curentului de bază.
Conexiunea v
I
, i
I
V
O
, i
O
B-C V
EB
, i
E
V
CB
, i
C
E-C V
BE
, i
B
V
CE
, i
C
C-C V
BC
, i
B
V
EC
, i
E
40
figura 41. Caracteristica de
intrare
v
I
i
I
v
O
i
O
v
I
i
I
v
O
i
O
v
I i
I
v
O
i
O
f i g u r a 3 8 . C o n e x i u n e a B - C
f i g u r a 3 9 . C o n e x i u n e a E - C
f i g u r a 4 0 . C o n e x i u n e a C - C
Se poate observa că pentru tensiuni v
CE
mici, de ordinul 0 – 300mV, (în funcţie
de curentul de bază) există o puternică dependenţă între curentul de colector şi
tensiunea colector emitor. În această zonă joncţiunea B-C este practic direct
polarizată deoarece:
V
BC
= v
BE
– v
CE
= (0,5÷ 0,7)V – (0÷ 0,3)V = (0,2÷ 0,7) > 0
şi prin urmare
tranzistorul se găseşte în
regiunea de saturaţie.
Pentru tensiuni v
CE
mai mari decât 0,3V se
constantă că i
C
nu mai
depinde practic de v
CE
în schimb creşte pe
măsura creşterii i
B
. În
această zonă este deci
aplicabilă relaţia (51) şi
prin urmare ne aflăm în
regiunea activă normală.
Se poate remarca în
figura 42 că pe măsură
ce curentul de bază
(implicit şi curentul de colector) creşte, apare o uşoară dependenţă a curentului de
colector de tensiunea colector emitor (liniile graficului nu mai sunt orizontale ci au o
uşoară pantă). Aceasta poate fi descrisă analitic prin rezistenţa de ieşire, sau
rezistenţa internă colector emitor:
r
CE
=
C
CE
i
v


(57)
Pentru tranzistorul cu caracteristica din figura 42 se poate vedea că pentru un
curent de bază de 20µ A, la ∆ v
CE
= 6V corespunde ∆ i
C
= 0,3mA şi conform relaţiei
57
r
CE
= 20kΩ .
În general rezistenţa colector emitor este de ordinul zecilor de kΩ . Ea este cu
atât mai mare cu cât
curentul de colector
este mai mic.
Caracteristica de
ieşire pentru
conexiunea BC este
prezentată în figura 43,
pentru acelaşi tip de
tranzistor ca şi în cazul
anterior . Ea este
asemănătoare cu
caracteristica de ieşire
41
figura 43. Caracteristica de ieşire a TB în conexiune BC
figura 42. Caracteristica de ieşire a TB pentru EC
a conexiunii EC. Nu trebuie pierdut din vedere faptul că de această dată curentul de
colector este reprezentat în funcţie de tensiunea colector bază, şi nu funcţie de
tensiunea colector emitor. Astfel se explică diferenţa dintre cele două grafice, în
zona tensiunilor mici de colector.
După cum se vede în graficul din figura 43, în conexiunea BC tranzistorul
rămâne în regiunea activă normală chiar şi pentru tensiuni negative mici de colector,
de ordinul sutelor de milivolţi. În această regiune este valabilă relaţia (47) pentru
descrierea funcţionării tranzistorului.
Regiunea de saturaţie începe de la aproximativ –500mV pentru acest tip de
tranzistor.
Rezistenţa de ieşire, sau rezistenţa internă colector bază va fi:
r
CB
=
C
CB
i
v


(58)
Ea este dependentă de i
C
ca şi r
CE
. Pentru cazul particular din figura 43, la un
curent de colector de aproximativ 8mA:
r
CB
=
10K
0.6mA
6V
· ·

Această valoare nu poate fi comparată valoarea r
CE
determinată pentru
caracteristica din figura 42 deoarece
curenţii de colector la care s-a făcut
calculul diferă. La acelaşi curent de
colector rezistenţa de ieşire a
conexiunii BC este mai mare decât la
conexiunea EC, dar diferenţele nu
sunt foarte mari. Şi în cazul conexiunii
BC rezistenţa de ieşire este de ordinul
zecilor de kΩ .
6. MODEL DE SEMNAL MARE
PENTRU TB.
Pe baza caracteristicilor statice
prezentate anterior se poate face
un model de semnal mare al
tranzistorului bipolar.
÷ Din caracteristica de intrare se
poate deduce că joncţiunea bază
emitor se comportă ca o diodă şi
va fi modelată ca atare.
÷ Din relaţia (51) şi pe baza
caracteristicilor de ieşire se poate
constata că între colector şi emitor
tranzistorul se comportă ca o sursă
de curent comandată de curentul
de bază, având rezistenţa internă
de ordinul zecilor de kΩ .
42
B
C
E E
β I
B
f i g u r a 4 4 . M o d e l d e s e m n a l m a r e p e n t r u T B
B
E
f i g u r a 4 6 . M o d e l p e n t r u T B b l o c a t
C
f i g u r a 4 5 . M o d e l d e s e m n a l m a r e s i m p l i f i c a t
B
C
E E
β I
B
0 . 7 V
Schema echivalentă este prezentată în figura 44. Ea este de fapt o versiune
foarte simplificată a unui model mult mai elaborat, modelul Ebers-Moll. Ne vom
limita însă la utilizarea acestei variante simple deoarece permite o analiză calitativă
suficient de precisă a circuitelor cu tranzistori. Pentru calcule mai precise, necesare
în cazul proiectării circuitelor, se apelează la programe specializate cum este
PSPICE care utilizează modele mult mai precise.
Modelul din figura 44 este valabil
pentru regiunea activă normală. El
poate fi simplificat mai mult înlocuind
dioda printr-o cădere de tensiune de
0,7V (figura 45).
Sub această formă modelul de
semnal mare va fi utilizat pentru
analiza circuitelor de polarizare şi la
determinarea punctului static de
funcţionare al tranzistoarelor bipolare.
Pe baza relaţiei (54), în regiunea de blocare, tranzistorul poate fi înlocuit cu o
întrerupere între colector şi emitor. Cum în această regiune dioda B-E este
polarizată invers, se poate înlocui cu o întrerupere şi această joncţiune (figura 46).
Prin urmare, atunci când este blocat, un tranzistor nu are nici o influenţă asupra
circuitului din care face parte.
În regiunea de saturaţie, pe baza relaţiei (55), putem considera tranzistorul ca
fiind un scurtcircuit între colector şi emitor (figura 47). Mai exact, tranzistorul se
comportă între colector şi emitor ca o rezistenţă de valoare foarte mică . Căderea de
tensiune U
CE
este în jur de 0,3V tipic. În regiunea de saturaţie tranzistorul nu mai
controlează curentul de colector. Acest curent trebuie limitat prin introducerea unei
rezistenţe în serie cu colectorul sau emitorul tranzistorului. Această rezistenţă
trebuie să limiteze curentul de colector de saturaţie la o valoare mai mică decât
valoarea maxim admisibilă pentru tranzistor.
Fixăm noţiunile prezentate până acum printr-un exemplu:
În figura 48 a. este prezentat un inversor realizat cu TB. Din formele de undă ale
tensiunii de intrare şi ieşire desenate pe aceeaşi figură, se poate găsi justificarea
acestei denumiri:
43
f i g u r a 4 7 . M o d e l p e n t r u T B s a t u r a t
B
C
E E
0 . 7 V
5 V

0 . 7 V
c
R c
b
1 2 V
1 2 V
Q 1
1 2 V

R b 5 V 0

R c
0 V
a
R b
1 2 V 1 2 V
R c
R b
0
V
O
V
O
V
O
figura 48. Inversor cu TB sau TB folosit ca şi comutator
÷ atunci când tensiunea de intrare este mică (0V în cazul nostru), tensiunea de
ieşire este mare (12V).
÷ când tensiunea de intrare este mare (+5V), tensiunea de ieşire este mică
(0V)
Să analizăm funcţionarea acestui circuit pe baza modelului de semnal mare al TB,
introdus anterior.
÷ dacă tensiunea de intrare este 0V, potenţialul bazei va fi egal cu al emitorului,
deci joncţiunea B-E este blocată. Cum potenţialul colectorului este mai mare
decât al bazei, şi joncţiunea C-E va fi blocată. Tranzistorul se găseşte în
regiunea de blocare şi poate fi înlocuit cu circuitul echivalent din figura 46.
Obţinem circuitul din figura 48 b. din care se vede direct că V
O
= +12V.
÷ dacă tensiunea de intrare este 5V, presupunem că tranzistorul este saturat.
În acest caz el poate fi înlocuit cu schema echivalentă din figura 47. Obţinem
circuitul din figura 48.c. din care se vede direct că V
O
= 0V.
Această concluzie nu este valabilă pentru orice valori ale Rc sau Rb. Pentru
ca tensiunea de ieşire să fie 0V, este necesar ca:
V
CC
= I
C
R
C
sau I
C
=
Rc
V
CC
Curentul de bază minim necesar pentru a asigura acest curent de colector va fi:
C
CC
MIN B
R
V
I
β
·
Din figura 48. c. se poate deduce că:
Rb
V 7 , 0 v
I
i
B

·
deoarece curentul de bază trebuie să satisfacă relaţia:
( )
CC
C I
BMIN B
V
R 7 . 0 V
Rb I I
β −
≤ ⇒ ≥
(59)
Valoarea minimă a rezistenţei R
C
este dată de condiţia ca la saturaţie, curentul
de colector să nu depăşească valoarea maxim admisibilă pentru tipul de tranzistor
folosit:
MAX
CC
C MAX
C
CC
I
V
R I
R
V
≥ ⇒ ≤
(60)
Pentru exemplul din figura 48.a să considerăm că se utilizează un tranzistor
BC237 care , conform datelor de catalog are I
MAX
= 100mA şi β cuprins între 125 şi
500.
În aceste condiţii din relaţia (60) obţinem valoarea minimă admisibilă pentru R
C
:
44
Ω 120
mA 100
V 12
R
C
· ≥
Să presupunem că rezistenţa din colector este R
C
= 1kΩ . Dat fiind că este mult
mai mare decât 120Ω , nu vom avea probleme cu depăşirea curentului maxim
admis. Relaţia (59) ne permite determinarea valorii Rb. Cum nu cunoaştem precis
valoarea β , vom lua în calcul cea mai defavorabilă situaţie, adică β =125.
( )
k 791 . 44
12
k 1 125 7 . 0 5
Rb ·
× × −

Putem alege pentru Rb prima valoare standardizată mai mică decât aceasta, de
exemplu 43kΩ .
În exemplul prezentat tranzistorul lucrează ca un comutator electronic: el este fie
deschis (blocat), fie închis (saturat). Dacă starea de blocare nu este condiţionată
decât de valoarea tensiunii de intrare, trebuie remarcat faptul că intrarea în saturaţie
depinde atât de valorile rezistenţelor cât şi de tipul tranzistorului folosit.
7. MODEL DE SEMNAL MIC PENTRU TB.
În paragraful anterior am analizat situaţia în care modificarea semnalului de
intrare este suficient de mare pentru a trece tranzistorul din blocare în saturaţie. În
multe aplicaţii practice TB este utilizat în regim de semnal mic. El este polarizat
pentru a lucra în regiunea activă normală iar semnalul de intrare are variaţii suficient
de mici pentru ca tensiunile şi curenţii prin tranzistor să se modifice puţin faţă de
valorile din punctul static de funcţionare.
În condiţii de semnal mic, dioda B-E din figura 44 se va înlocui cu rezistenţa ei
dinamică, pe care o vom nota cu r
BE
. Vom obţine astfel modelul de semnal mic
pentru TB din figura 49..
Aşa cum am stabilit în capitolul
anterior, referitor la diode:
r
BE
B
T
i
v
·
(61)
Având în vedere relaţia (51),
relaţia (60) devine:
C
T
BE
i
v
r β ·
(62)
Sau ţinând cont de relaţia (48):
( )
E
T
BE
i
v
1 r + · β
(63)
45
C
B
E E
β i
B
f i g u r a 4 9 . M o d e l d e s e m n a l m i c p e n t r u T B
r
B E
i
B
Cum din punct de vedere dimensional
E
T
i
v
este o rezistenţă, vom nota:
r
EE =
E
T
i
v
(64)
şi vom avea
r
BE
= (β +1)r
EE
(65)
Deci putem utiliza şi un alt model de
semnal mic pentru tranzistor, în care
rezistenţa dinamică a diodei B-E este
parcursă de curentul de emitor (figura
50.). Modelele din figurile 49 şi 50 sunt
evident echivalente, trecerea de la unul
la celălalt făcându-se pe baza relaţiei
65.
Relaţia 65 se poate explica şi astfel:
comparând modelele din figurile 49 şi
50 se constată că pe cele două
rezistenţe se aplică aceeaşi tensiune
v
BE
. Dar r
BE
va fi parcursă de curentul i
B
în timp ce r
EE
este parcursă de i
E
care
este de (β +1) ori mai mare decât i
B
. Prin urmare :
i
B
r
BE
= (β +1) i
B
r
EE
de unde:
r
BE
= (β +1)r
EE
Această demonstraţie ne conduce la următoarea concluzie cu un caracter mai
general:
rezistenţă R aflată în emitorul unui TB este văzută din bază ca fiind de (β +1)
ori mai mare
÷ rezistenţă R aflată în baza unui TB este văzută din emitor ca fiind de (β +1)
ori mai mică.
Consideraţiunile de mai sus sunt valabile pentru situaţia în care tranzistoarele
se găsesc în regiunea activă normală. În acest scop joncţiunile lor trebuie polarizate
aşa cum s-a arătat la începutul acestui capitol.
De exemplu, un tranzistor cu β = 200, polarizat să lucreze la un curent de
colector de 1mA va avea r
EE
=
Ω 26
mA 1
mV 26
·
. Această valoare poate fi folosită cu
modelul de semnal mic din figura 50. Dacă preferăm modelul din figura 49. vom
determina pe baza relaţiei (65) r
BE
= 200× 26 = 5200Ω = 5,2kΩ .
46
B
E
E
β I
B
f i g u r a 5 0 . M o d e l d e s e m n a l m i c p e n t r u T B
r
E E
C
I
B
8. CIRCUITE PENTRU POLARIZAREA TB.
Prin polarizarea tranzistorului bipolar înţelegem alimentarea lui cu tensiune
continuă astfel încât dispozitivul să lucreze în regiunea activă normală. Pentru
aceasta, joncţiunea BE trebuie polarizată direct iar joncţiunea BC polarizată invers.
În analiza circuitelor de polarizare se folosesc relaţiile:
I
C
= β I
B
(66)
I
E
≅ I
C
(67)
V
BE
= 0,7V (68)
8.1. Circuitul de polarizare prin curent de bază
Circuitul de polarizare este prezentat în figura 51. El este
deosebit de simplu deoarece în afară de tranzistor şi
sursa de alimentare sunt necesare numai două
rezistenţe:
÷ R
B
care determină valoarea curentului de bază
÷ R
C
care determină valoarea tensiunii de colector
Curentul injectat în bază are valoarea:
I
B
=
B
BE CC
R
V V −
(69)
Curentul I
C
rezultă din relaţia (66) :
I
C
= β I
B
iar tensiunea colector emitor :
V
CE
= V
CC
- I
C
R
C
(70)
Perechea de valori (V
CE
, I
C
) determină în planul caracteristicilor de ieşire,
coordonatele unui punct, Q, punctul static de funcţionare (PSF) al dispozitivului.
Să determinăm rezistenţele R
B
şi R
C
dacă tranzistorul are β = 50 şi dorim ca să
lucreze la un curent I
C
= 2mA pentru o tensiune v
CE
= 6V. Tensiunea de alimentare
este V
CC
= 12V.
Din relaţia (70) rezultă:
Ω k 3
mA 2
V ) 6 12 (
I
V V
R
C
CE CC
C
·

·

·
Din relaţia (66):
A 40
50
mA 2 I
I
C
B
µ
β
· · ·
47
R b
Q 1
R c
V c c
0
figura 51. Polarizare prin
curent de bază
prin urmare conform relaţiei 69:

µ
K 5 , 282
A 40
V 3 , 11
I
V V
R
B
BE CC
B
· ·

·
Practic se va alege pentru R
B
cea mai apropiată valoare standardizată şi va trebui
acceptată abaterea de la punctul static de funcţionare pe care o generează. Dacă
luăm R
B
= 280kΩ , va rezulta I
B
= 40,4µ A, şi I
C
= 2,02mA , prin urmare V
CE
= 5,94V.
Acest circuit de polarizare foarte simplu, are dezavantajul că punctul static de
funcţionare, conform relaţiei (66), depinde decisiv de β . Pe lângă faptul că β este
arareori cunoscut cu precizie, valoarea lui depinde şi de temperatură. Prin urmare
stabilitatea PSF la modificarea temperaturii sau la schimbarea tranzistorului nu este
foarte bună în cazul acestui circuit.
8.2. Polarizarea prin divizor de tensiune
Circuitul de polarizare este prezentat în figura 52.
Faţă de circuitul anterior mai apar două rezistenţe,
între bază şi masă, respectiv emitor şi masă.
÷ R
1
şi R
2
formează un divizor de tensiune care
fixează potenţialul bazei
÷ R
e
determină valoarea curentului de colector
Neglijând curentul de bază, foarte mic faţă de
curentul care trece prin divizorul de tensiune, putem
afirma conform formulei divizorului de tensiune că:
V
B
=
CC
2 1
2
V
R R
R
+
(71)
Potenţialul emitorului va fi :
V
E
= V
B
– 0,7V (72)
Prin urmare :
I
E
≅ I
C
=
E
E
R
V
(73)
) R R ( I V V
E C C CC CE
+ − ·
(74)
Se poate remarca din relaţiile (71) – (74) că β nu intră în calcule şi prin urmare
punctul static de funcţionare este independent de tipul de tranzistor folosit. În
realitate concluzia este adevărată numai cu o oarecare aproximaţie, deoarece în
relaţia 71 am neglijat efectul curentului de bază asupra divizorului de tensiune iar în
relaţia 73 am neglijat din nou curentul de bază. Dacă nu neglijam curentul de bază,
48
R 1
Q 1
R c
R e
V c c
0
R 2
figura 52. Polarizare prin
divizor de tensiune
β ar fi apărut în expresia punctului static de funcţionare. Cu toate acestea acest
circuit de polarizare asigură o stabilitate foarte bună a punctului static de funcţionare
atât la variaţiile de temperatură cât şi la înlocuirea tranzistorului cu un altul
(modificarea β ). Din acest motiv acest circuit este foarte des utilizat în practică.
Să determinăm valorile rezistenţelor de polarizare pentru cazul în care dorim ca
tranzistorul să lucreze la un curent I
C
= 2mA pentru o tensiune v
CE
= 6V. Tensiunea
de alimentare este V
CC
= 12V.
Alegem R
E
= 1kΩ şi pentru a obţine un curent de colector de 2mA va trebui să
avem conform relaţia 73, V
E
= 2V
÷ Din relaţia (72) rezultă V
B
= 2,7V
÷ Pe baza relaţiei (71) putem scrie:
· 7 , 2 12
R R
R
2 1
2
×
+
şi deci
225 , 0
R R
R
2 1
2
·
+
÷ Alegem R
1
+ R
2
=100kΩ şi rezultă R
2
=22,5kΩ , respectiv R
1
=77,5 kΩ .
÷ Pe baza relaţiei (74) putem scrie: 6V = 12V – 2mA(R
C
+ 1 kΩ ) de unde R
C
=
2KΩ
Vom alege pentru R
1
şi R
2
valorile standardizate de 78kΩ respectiv 22kΩ şi vom
accepta o uşoară abatere de la PSF preconizat:
÷ V
B
=
V 64 . 2 12
100
22
· ×
÷ V
E
= 2,64 – 0,7 = 1,94V
÷ I
C
= 1,94mA
÷ V
CE
= 12V – 1,94V× 3KΩ = 6,18V.
8.3. Polarizarea prin reacţie colector-bază
Circuitul de polarizare este prezentat în figura 53. El este
asemănător cu circuitul de polarizare din figura 51 cu
deosebirea că R
B
se leagă între colectorul şi baza
tranzistorului.
Neglijând curentul de bază, foarte mic faţă de curentul de
colector, putem afirma:
V
CE
=
C C CC
R I V −
(75)
Curentul de bază va fi :
B
CE C
B
R
V 7 . 0 V I
I

· ·
β
(76)
din relaţia (75) şi (76) se poate determina :
β
B
C
CC
C
R
R
V 7 , 0 V
I
+

·
(77)
49
Q 1
R c
V c c
0
R b
Figura 53. Polarizare
prin reacţie
iar din relaţia (75) se poate determina V
CE.
Rezistenţa R
B
realizează o reacţie negativă între colector şi bază. Astfel, dacă
dintr-un motiv oarecare (de exemplu din cauza creşterii temperaturii) curentul de
bază scade, atunci şi curentul de colector va avea o tendinţă de scădere şi prin
urmare V
CE
va creşte. Dar creşterea tensiunii de colector determină o creştere a
curentului de bază. Prin urmare reacţia realizată prin R
B
, are tendinţa de a stabiliza
PSF. Conform relaţiei (77) PSF este cu atât mai puţin dependent de β cu cât β
este mai mare şi R
B
mai mic.
Să determinăm R
C
şi R
B
pentru aceleaşi condiţii ca şi în cazurile anterioare: I
C
=
2mA pentru o tensiune v
CE
= 6V. Tensiunea de alimentare este V
CC
= 12V.
÷ Din relaţia (75)⇒
Ω k 3
mA 2
V ) 6 12 (
R
C
·

·
÷ Din relaţia (76)⇒
k 130 k 5 , 132 50
mA 2
V 3 . 5
I
7 , 0 V
R
C
CE
B
≅ · × · ×

· Ω β
.
Polarizarea tranzistoarelor nu reprezintă un scop în sine. Este o etapă necesară
pentru ca tranzistorul să poată fi utilizat ca amplificator.
9. TRANZISTORUL CA AMPLIFICATOR
După cum arată relaţia (66) curentul de colector este de β ori mai mare decât
curentul de bază, dacă tranzistorul este polarizat în RAN. În consecinţă, o mică
modificare a curentului de bază determină o modificare importantă a curentului de
colector:
β


·
B
C
I
I
(78)
Prin urmare, dacă în bază vom conecta o sursă de semnal de mică putere, iar în
colector o rezistenţă de sarcină, vom putea obţine în sarcină, un curent de aceeaşi
formă cu cel de la intrare, dar la o putere mult mai mare. Tranzistorul se comportă
ca amplificator.
Aceasta nu înseamnă că el ar produce energie. Dimpotrivă, el însuşi consumă
energie. Figura 54 prezintă fluxul puterilor în cazul unui amplificator .
50
Puterea consumată de
la sursa de semnal de
intrare P
IN
este mică. Dar
la comanda semnalului
de intrare, tranzistorul
transferă o putere
semnificativă de la sursa
de alimentare în sarcină,
P
IEŞ
. Acest transfer se
face însă cu un
randament subunitar
deoarece o parte din
puterea consumată de la
sursă, P
CC
, este disipată
de tranzistor . Această
putere P
P
se pierde prin
efect termic.
Prin urmare putem
vorbi de amplificare
numai în ceea ce
priveşte raportul:
IN
IES
P
P
P
a ·
>1 (79)
În ceea ce priveşte randamentul, acesta este subunitar:
IN CC
IES
P P
P
+
· η
< 1 (80)
Pentru a putea vorbi de amplificare, nu este suficient ca relaţia (79) să fie
satisfăcută. Mai trebuie ca forma semnalului de intrare să fie identică, sau cel puţin
foarte apropiată de forma semnalului de ieşire. Din nefericire, caracteristica de
intrare a TB este puternic neliniară (exponenţială) şi prin urmare o variaţie ∆ v
BE
a
tensiunii de intrare va produce o variaţie ∆ i
B
care nu va fi proporţională cu
tensiunea de intrare. Conform relaţiei (78) nici ∆ i
C
nu va fi proporţional cu semnalul
de intrare şi prin urmare nici tensiunea pe rezistenţa de sarcină nu va avea aceeaşi
formă de variaţie ca şi ∆ v
BE
.
Numai dacă ∆ v
BE
este foarte mic, putem aproxima caracteristica de intrare cu
tangenta la ea în punctul static de funcţionare şi putem înlocui joncţiunea bază
emitor prin rezistenţa ei dinamică. Prin urmare putem utiliza tranzistorul ca
amplificator de semnal mic.
În figura 55 este prezentat un exemplu. Circuitul de polarizare asigură o tensiune
V
BE
= 670mV. În consecinţă, potrivit caracteristicii de intrare va rezulta I
B
= 13µ A.
Dacă peste această polarizare în curent continuu se aplică în bază un semnal v
i
=
∆ V
BE
, va rezulta o modificare ∆ I
B
a curentului de bază. Cum ∆ V
BE
este suficient de
mic pentru ca graficul caracteristicii de intrare să se suprapună practic cu tangenta
dusă în punctul static de funcţionare, putem afirma în consecinţă că:
În condiţii de semnal mic (∆ V
BE
<<V
T
) variaţiile curentului de bază sunt
proporţionale cu variaţiile tensiunii bază emitor. Factorul de proporţionalitate este
r
BE
, rezistenţa dinamică a joncţiunii bază emitor.
51
S U R S A D E
S E M N A L
S U R S A D E
A L I M E N T A R E
S A R C I N A
P
I E S P
I N
P
C C
P
P
f i g u r a 5 4 . F l u x u l p u t e r i l o r l a u n a m p l i f i c a t o r c u T B
Se poate remarca în figura 55 că :
BE
B
V
I
tg


α ·
(81)
şi prin urmare r
BE
se poate determina grafic:
r
BE
=
α tg
1
(82)
10. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC ÎN
CONEXIUNEA EMITOR COMUN
O
schemă
uzuală
de astfel
de
52
V(Q1:b)
500mV 550mV 600mV 650mV
IB(Q1)
0A
10uA
20uA
13uA
670mV
figura 55. Aproximarea caracteristicii prin tangenta la curbă
pentru variaţii mici ale tensiunii BE
∆ I
B
∆ V
BE
α
V 1
R 2
R c
0
C 3 R e
R 1
C 1
0
V c c
Q 1
C 2
0 0
R s
0
figura 56 Amplificator în
conexiunea EC
V 1
R 2 R 1
Q 1
R s R c
figura 57. Schema echivalentă de
curent alternativ
amplificator este dată în figura 56. Condensatorul C
1
cuplează în curent alternativ
sursa de semnal la amplificator dar o decuplează din punctul de vedere al curentului
continuu. Astfel v
1
nu afectează circuitul de polarizare al TB. Condensatorul C
2
are
rolul de a cupla rezistenţa de sarcină fără ca aceasta să afecteze PSF.
Condensatorul C
3
pune la masă emitorul TB în curent alternativ, în timp ce în curent
continuu lasă în circuit rezistenţa de polarizare din emitor. Schema echivalentă de
curent continuu va fi prin urmare cea din figura 52., un circuit clasic de polarizare
prin divizor de tensiune.
Din punctul de vedere al variaţiilor de semnal, V
CC
este un punct virtual
de masă deoarece valoarea lui nu se modifică. Prin urmare schema echivalentă
de semnal alternativ se va desena considerând V
CC
legat la masă şi
condensatoarele ca fiind scurtcircuite. Obţinem schema din figura 57.
Dacă înlocuim tranzistorul cu modelul de semnal mic din figura 49 obţinem
schema echivalentă de semnal mic din figura 58.
Acesta este un circuit cu elemente liniare care poate fi rezolvat aplicând legea lui
Ohm şi teoremele lui Kirchhoff.
Notăm:
S C
S C
S C CECH
R R
R R
IIR R R
+
· ·
şi vom avea:
CECH
BE
1
CECH B CECH C 2
R
r
v
R i R i v β β − · − · − ·
Prin urmare amplificarea de tensiune a montajului va fi:
BE
CECH
V
1
2
r
R
a
v
v
β − · ·
(82)
Relaţia (82) ne arată că amplificarea în tensiune a montajului este mare dacă
rezistenţa echivalentă din colector nu este foarte mică în comparaţie cu r
BE
.
De obicei R
CECH
şi r
BE
au valori comparabile prin urmare amplificarea în tensiune
este mare, de ordinul zecilor sau sutelor, în funcţie de valoarea β .
Amplificarea de curent se determină la fel de simplu:
53
β I
B
f i g u r a 5 8 . S c h e m a e c h i v a l e n t a d e s e m n a l m i c
r
B E
R
1
R
2
R
C
R
S
v
1
v
2
i
B
i
C
i
1
i
2
1
12 BE
12
S C
C
B
S C
C
C
S C
C
2
i
R r
R
R R
R
i
R R
R
i
R R
R
i β β
+ +
·
+
·
+
·
unde prin R
12
am notat rezistenţa echivalentă a R
1
şi R
2
puse în paralel. Amplificarea
de curent rezultă:
β
12 BE
12
S C
C
I
1
2
R r
R
R R
R
a
i
i
+ +
· ·
(83)
Pentru ca amplificarea de curent să se apropie de valoarea β trebuie ca R
C

fie mare în raport cu R
S
şi R
12
mare în raport cu r
BE
. A doua condiţie este de regulă
îndeplinită prin grija proiectantului. Prima condiţie depinde de valoarea rezistenţei de
sarcină deoarece valoarea R
C
este impusă din considerente de polarizare.
Din relaţiile (82) şi (83) se poate trage concluzia că amplificarea este maximă,
atât în curent cât şi în tensiune dacă rezistenţa de sarcină şi rezistenţa din colector
sunt una şi aceeaşi rezistenţă. De câte ori este posibil inginerii aleg această soluţie
pentru proiectarea circuitului.
Rezistenţa de intrare a circuitului este
r
I
BE BE 2 1
1
1
r r R R
i
v
≈ · ·
(84)
deoarece aşa cum am specificat R
1
şi R
2
sunt de obicei cu mult mai mari decât r
BE
.
Rezistenţa de ieşire se determină cu intrarea în scurtcircuit şi ieşirea în gol,
considerând că în locul rezistenţei de sarcină avem o sursă de tensiune v
2
:
r
O
C
2
2
R
i
v
≅ ·
(85)
În concluzie, TB în conexiune EC are amplificare mare atât în curent cât şi în
tensiune (de ordinul zecilor, chiar sutelor) şi are rezistenţele de intrare şi
ieşire medii (de ordinul kohmilor).
11. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC ÎN CONEXIUNEA COLECTOR COMUN.
Schema unui astfel de amplificator este prezentată în figura 59. iar schema
echivalentă de semnal mic în figura 60.
După cum se vede din figură:


+ · + · + · ·
S
BE
2 1
S B S B C S 2 2
R
r
v v
) 1 ( R i ) 1 ( R ) i i ( R i v β β
S
BE
1
BE
S
2
R
r
v
) 1 (
r
R
) 1 ( 1 v + ·
]
]
]

+ + β β ⇔ [ ]
1 S BE 2
v ) 1 ( R ) 1 ( r v + · + + β β
R
S
54
de aici determinăm amplificarea:
S
BE
S
V
1
2
R
1
r
R
a
v
v
+
+
· ·
β
(86)
Relaţia (86) arată că amplificarea de tensiune a acestui montaj este subunitară.
Dacă
1
r
BE
+ β
<<R
S
,
cum este cazul de obicei, amplificarea de tensiune se apropie de unitate:
a
V
≈ 1 (87)
Având în vedere relaţia (87):
12
1
1 B 1 2
R
v
i 0 i v v · ⇒ ≈ ⇒ ≈
dar:
S
1
2 1 2
R
v
i v v ≈ ⇒ ≈
prin urmare:
S
12
I
1
2
R
R
a
i
i
· ·
(88)
Prin urmare amplificarea de curent a montajului poate fi foarte mare dacă
valoarea echivalentă a rezistenţelor R
1
şi R
2
legate în paralel este mult mai mare
decât rezistenţa de sarcină. Evident relaţia (88) este un rezultat aproximativ. Ea a
fost obţinută prin neglijarea curentului de bază în raport cu curentul prin R
12
. Dacă
R
12
tinde la infinit, din relaţia (88) ar rezulta o amplificare infinită de curent. Dar
această relaţie nu mai este aplicabilă deoarece premisele care au generat-o nu mai
55
β I
B
f i g . 2 4 . s c h e m a e c h i v a l e n t a
d es e m n a l m i c
r
B E
R
S
v
1
v
2
i
B
i
C
R
1 2
I
2
I
1
R s
V 1
R 1
V c c
Q 1
R 2

figura59. Amplificator cu
TB în CC
figura 60. Schema echivalentă de
semnal mic
sunt îndeplinite. Simpla inspecţie a circuitului din figura 60 ne indică faptul că în
acest caz :
a
I
= a
IMAX
= β +1 (89)
Pentru determinarea rezistenţei de intrare în montaj trebuie să ţinem cont de
ceea ce am demonstrat deja în paragraful 7: o rezistenţă plasată în emitor este
văzută din bază de β +1 ori mai mare. Prin urmare:
r
I
= R
12
II [r
BE
+ (β +1)R
S
] (90)
În funcţie de valoarea R
S
rezistenţa de intrare poate să fie foarte mare dar nu
mai mare decât R
12
.
Pentru determinarea rezistenţei de ieşire văzute de sarcină trebuie să avem
în vedere concluzia din paragraful 7: o rezistenţă plasată în bază este văzută din
emitor de β +1 ori mai mică. Cum ea se determină cu sursa de semnal în
scurtcircuit, avem:
r
O
=
1
r
BE
+ β
(91)
Observăm că valoarea dată de relaţia (91) este foarte mică dacă β este mare.
În concluzie în conexiunea colector comun, TB repetă la ieşire tensiunea
de la intrare, motiv pentru care acest montaj se mai numeşte şi repetor pe
emitor. Amplificarea de curent este mare, maximum β +1. Rezistenţa de
intrare este mare şi rezistenţa de ieşire mică.
12. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC ÎN CONEXIUNEA BAZA COMUNĂ.
Schema unui astfel de amplificator este prezentată în figura 61., schema
echivalentă de curent continuu în figura 62 iar schema echivalentă de semnal mic în
figura 63.
Bobina de şoc Ls este scurtcircuit în curent continuu, asigurând legarea
emitorului la masă, în timp ce la frecvenţa de lucru are o impedanţă foarte mare,
practic infinită.
56
R s C 3 R 1

V c c
Q 1
L s
1
2
R c

C 2
V 1
C 1
figura 61 Conexiunea BC

R b
Q 1
R c
V c c
0
Fig. 15. polarizare
prin curent de bază
R 1
figura 62. Circuitul de polarizare
Circuitul din care se poate determina PSF va fi cel din figura 62. Se poate
remarca faptul că este un circuit simplu de polarizare prin curent de bază.
În schema echivalentă de semnal mic (figura 63) emitorul este decuplat de la
masă din cauza impedanţei infinite a bobinei L
S
, condensatorul C
1
cuplează sursa
de semnal în emitor, C
2
cuplează sarcina în colector, iar C
3
leagă baza la masă.
Determinăm amplificarea de tensiune:
CECH
EE
1
CECH 1 CECH E CECH C 2
R
r
v
R i R i R i v · · − ≅ − ·
unde:
S C
S C
S C CECH
R R
R R
IIR R R
+
· ·
Prin urmare:
EE
CECH
V
1
2
r
R
a
v
v
· ·
sau, ţinând cont de relaţia (65) dintre r
EE
şi r
BE
BE
CECH
V
r
R
a β ·
(92)
Comparând relaţiile (92) şi (82) se poate remarca că acest montaj are aceeaşi
amplificare de tensiune ca şi montajul EC dar cu semn schimbat, deci semnalul de
intrare este în fază cu semnalul de ieşire.
1
S C
C
E
S C
C
C
S C
C
2
i
R R
R
i
R R
R
i
R R
R
i
+
− ·
+

+
·
deci amplificarea de curent va fi:
S C
C
1
2
R R
R
i
i
+
− ·
prin urmare amplificarea de curent este subunitară. Practic, dacă Rc>>Rs
amplificarea maximă de curent este aproape de unitate. Dacă ţinem seama de
relaţia (47) dintre curentul de colector şi curentul de emitor observăm că
amplificarea maximă de curent poate fi α
F
. Aceasta este situaţia când R
C
şi R
S
sunt
una şi aceeaşi rezistenţă.
Din inspecţia circuitului de semnal mic rezultă că rezistenţa de intrare este r
EE
iar
rezistenţa de ieşire R
C.
Prin urmare circuitul are amplificare de tensiune mare (la fel ca şi
conexiunea EC) dar amplificarea de curent este subunitară. Are o rezistenţă
de intrare foarte mică şi o rezistenţă de ieşire medie.
57
β I
B
r
E E
i
1
v
1
i
E
i
B
i
C
i
2
R
C
R
S
v
2
figura 63 Schema echivalentă de semnal
mic
13. EXEMPLU PRACTIC DE AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC
În finalul acestui capitol vom analiza o schemă practică de amplificator cu TB
(figura 64) .
Semnalul de intrare se aplică prin C
1
în baza tranzistorului şi semnalul de ieşire se
ia direct din colector. Rezistenţa de sarcină este chiar R
C
. Din relaţia (82) avem:
BE
C
V
r
R
a β − ·
Nu cunoaştem valoarea β dar:
EE BE
r
1
r
·
β
iar r
EE
=
E
T
I
v
prin urmare:
T
E C
EE
C
V
v
I R
r
R
a
×
− · − ·
La temperatura camerei (27
O
C) v
T
= 26mV, deci
1 1
T
) V ( 38 ) mV ( 038 , 0
v
1
− −
· ·
, deci:
a
V
= 38 R
C
×

I
E
(93)
În relaţia (93) produsul R
C
I
C
trebuie să fie din punct de vedere dimensional volt,
deci dacă curentul se exprimă în mA, rezistenţa se va exprima în kΩ .
I
E
se determină din schema de curent continuu:
mA 86 , 0
5 , 1
3 , 1
I V 3 , 1 V V 2 22
39 9 , 3
9 , 3
V
E E B
· · ⇒ ≅ ⇒ ≅ ×
+
·
58
V
1
i
1
I
B
V
2
I
C
figura 64.Amplificator în EC şi schema lui echivalentă de semnal mic
R E
1 . 5 k
C E
4 7 u F
C 1
1 0 u F

Q 1
V c c
2 2 V
R 2
3 . 9 k
R c
R 1
3 9 k
R 1 2

R c
1 0 k
V
1
V
2
deci amplificarea de tensiune va fi:
326 86 . 0 10 38 a
V
≈ × × ·
Rezistenţa de intrare în montaj se determină astfel:
r
i
12 BE 2 1
1
1
R r R R
i
v
· · ·
II r
BE
=R
12
IIβ r
EE
=
= R
12
IIβ
39 9 3
39 9 3
+
×
·
,
,
I
v
E
T
IIβ
·
86 0
26
,
3,5k II β × 30Ω
Cum β este de ordinul 100 – 1000 pentru tranzistoarele de mică putere, rezultă
că termenul β × 30Ω este de ordinul a 3kΩ - 30kΩ .
Prin urmare rezistenţa de intrare în montaj va fi de ordinul 1,5 – 3,5 kΩ . în
funcţie de tipul de tranzistor folosit.
Rezistenţa de ieşire va fi egală cu rezistenţa din colector, 10 kΩ .
Tabelul următor sintetizează proprietăţile amplificatoarelor cu TB în cele trei
conexiuni de bază:
Conexiunea a
V
a
I
r
I
r
O
R c
EC
BE
C
r
R
β −
β r
BE
R
C
CC
1 β +1 (β +1)R
E
1
r
BE
+ β
59
R E
BE
C
r
R
β
α
F
1
r
BE
+ β
R
C
60
R c
Capitolul IV
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP
Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) sunt dispozitive semiconductoare cu trei
terminale ca şi TB şi un comportament electric asemănător cu acestea. Cele trei
terminale sunt sursa (corespondentul emitorului), drena (corespondentul
colectorului) şi poarta sau grila (corespondentul bazei). Principiul de funcţionare
este însă total diferit. Există un canal semiconductor între sursă (S) şi drenă (D), a
cărui conductivitate poate fi modificată de câmpul electric generat prin aplicarea
unei tensiuni între poartă (G) şi sursă.
Dacă tensiunea G –S este aplicată prin intermediul unei joncţiuni p-n invers
polarizate, vorbim despre tranzistori cu efect de câmp cu joncţiune (J-FET). Dacă
V
GS
este aplicată prin intermediul unui contact metal - oxid – semiconductor,
vorbim despre tranzistoare MOS (MOS – FET). În cazul acestora din urmă avem
MOS – FET cu canal iniţial, dacă canalul dintre S şi D există şi înainte de aplicarea
tensiunii V
GS
, şi MOS – FET cu canal indus, dacă canalul apare abia după
aplicarea tensiunii V
GS.
Tabelul de mai jos sintetizează tipurile de TEC şi simbolurile lor de circuit.
TEC CU CANAL N CU CANAL P
J - FET
MOS – FET CU CANAL
INIŢIAL
MOS – FET CU CANAL
INDUS
1. TRANZISTORUL J – FET
La o joncţiune p-n invers polarizată apare o regiune golită de purtători de sarcină
cu atât mai mare cu cât tensiunea de polarizare inversă a joncţiunii este mai mare.
Funcţionarea tranzistoarelor J – FET se bazează pe modificarea conductivităţii
unui canal semiconductor de tip p sau n prin îngustarea lui mai mult sau mai puţin
accentuată. Îngustarea se face prin extinderea sau reducerea regiunii golite a unei
joncţiuni p-n invers polarizate.
În figura 65. este prezentată o structură J – FET cu canal n. Canalul de tip n
dintre cele două regiuni golite are lăţimea maximă atunci când V
GS
= 0. (Nu
intră în discuţie eventualitatea ca V
GS
să fie pozitivă pentru că în acest caz
joncţiunea p-n ar fi polarizată direct şi nu mai putem vorbi despre efect de câmp).
61
D D
D
D
D
D
S
S
S
S
S
S
G
G
G
G
G
G
Pe măsură ce V
GS
creşte în sens negativ, regiunea golită se extinde şi canalul se
îngustează, prin urmare conductivitatea lui scade. La o anumită valoare:
V
GS
= -V
P
(94)
regiunea golită obturează complet canalul şi prin urmare nu vom avea curent de
drenă, indiferent de valoarea tensiunii V
DS
.
Distingem două situaţii:
dacă V
DS
are valoare mică, de
ordinul a o sută de milivolţi,
curentul de drenă va creşte
proporţional cu tensiunea drenă
sursă şi prin urmare tranzistorul
se comportă între drenă şi sursă
ca o rezistenţă a cărei valoare
depinde de tensiunea V
GS.
I
DS
=
DS
DS
r
V
(95)
) V ( f r
GS DS
·
(96)
dacă V
DS
are valoare mare,
peste câteva sute de milivolţi,
capătul dinspre drenă al
canalului se va îngusta mai
repede decât capătul dinspre
sursă (figura 66.). deoarece :
V
GD
= V
GS
- V
DS
(97)
Pentru V
GS
= 0 din relaţia (97)
avem:
V
GD
= - V
DS
(98)
Prin urmare, dacă V
DS
= V
P
atunci
V
GD
= - V
P
şi prin urmare capătul
dinspre drenă al canalului se
obturează . Din acest moment,
electronii pot ajunge de la sursă la
drenă, traversând regiunea golită,
datorită atracţiei pe care drena,
pozitivă, o exercită asupra lor, dar
curentul nu mai creşte pe măsură
ce V
DS
creşte. Prin dispozitiv va
trece curentul maxim, numit
curentul de saturaţie I
DSS
.
62
n p p
G
D
S
V
G S
≤ 0
r e g i u n e a g o l i t ã
c a n a l d e t i p n
f i g u r a 6 5 . S t r u c t u r a J - F E T c u c a n a l n
f i g u r a 6 6 . Î n g u s t a r e a m a i a c c e n t u a t ã a c a n a l u l u i
l a c a p ã t u l d i n s p r e d r e n ã
n
G
D
S
V
G S
≤ 0
Pentru valori din ce în ce mai negative ale V
GS
, aceste fenomene se vor produce
pentru valori din ce în ce mai mici ale V
DS
şi curentul se limitează la valori mai mici
decât I
DSS.

Caracteristica de ieşire din figura 67 ilustrează cele două regiuni de funcţionare.
În figura 67. a. avem un detaliu al caracteristicii pentru tensiuni V
DS
mici. Se poate
remarca dependenţa liniară a curentului de drenă de tensiunea V
DS
. Pe măsură ce
canalul se îngustează mai accentuat spre drenă, dependenţa aceasta devine
neliniară şi se poate remarca din figura 67.b. că de la un moment dat, I
D
este
independent de V
DS
. Aceasta este zona de saturaţie a curentului de drenă sau
regiunea de funcţionare în regim de tranzistor a acestui dispozitiv. Se poate
remarca din figura 67 că pentru V
DS
> V
P
caracteristica de ieşire a J – FET este
similară cu a unui TB. Pentru tensiuni V
DS
mici, J – FET poate fi folosit ca rezistenţă
comandată în tensiune.
figura 67. Caracteristica de ieşire a J – FET
Pentru cazul particular din figura 67 ( tranzistorul 2N5198) se vede că V
P
≈ 2V
iar I
DSS
≈ 4mA. Cunoaşterea acestor valori este importantă pentru descrierea
analitică a funcţionării J – FET:
Pentru regiunea de saturaţie a curentului:
I
D
= I
DSS
)
V
V
1 (
P
GS

2
(99)
Relaţia (99) exprimă dependenţa
dintre I
D
(mărime de ieşire)

şi V
GS
(mărime de intrare), prin urmare
descrie caracteristica de transfer a
dispozitivului în zona de saturaţie a
curentului de drenă . Graficul ei este
trasat în figura 68.
În cazul unui J – FET cu canal p este
evident că toate tensiunile şi curentul
de drenă vor avea sens invers, în rest
funcţionarea dispozitivului fiind
similară.
63
I
DSS
V
P
a. b.
figura 68. Caracteristica de transfer a
j - fet
V
P
I
DSS
2. TRANZISTORUL MOS – FET CU CANAL INIŢIAL
Structura MOS – FET cu canal iniţial este prezentată în figura 69. Sub efectul
V
DS
electronii din canal vor ajunge de la S la D asigurând un curent I
D
cu atât mai
mare, cu cât avem mai mulţi electroni liberi în canal. Dacă n
0
este numărul de
electroni pentru V
GS
= 0, atunci distingem 2 cazuri:
- V
GS
> 0, caz în care
metalizarea din regiunea
porţii se încarcă pozitiv.
Sarcina pozitivă din poartă
va atrage electronii
minoritari din substratul p
în canal îmbogăţind
canalul în purtători.
Numărul acestora va fi :
n
+
> n
0
(100)
şi deci conductivitatea
canalului va creşte.
- V
GS
< 0, caz în care
metalizarea din regiunea
porţii se va încărca
negativ. Sarcina negativă din poartă va atrage goluri din regiunea p a
substratului care se vor recombina cu electronii din canal sărăcindul în
purtători de sarcină. Numărul acestora va fi:
n
-
< n
0
(101)
şi în consecinţă conductivitatea
canalului va scădea.
Spre deosebire de J – FET , MOS –
FET cu canal iniţial poate să lucreze la
valori pozitive şi negative ale tensiunii
V
GS.
Aşa cum se vede din
caracteristica de transfer din figura70.
I
DSS
nu mai este curentul maxim prin
dispozitiv . Pentru V
GS
>0 ⇒ I
D
>I
DSS
. De
aceea prin proiectarea circuitului de
polarizare curentul de drenă trebuie
limitat sub valoarea maximă admisă.
Caracteristica de transfer este
asemănătoare cu a JFET iar pentru
zona de saturaţie a curentului de drenă
este valabilă ecuaţia lui Shockley
(relaţia 99).
64
p
-
-
-
-
-
-
-
-
n
n
D
G
S
V
D S
V
G S
f i g u r a 6 9 . S t r u c t u r a M O S - F E T c u c a n a l i n i t i a l
S i O
2
m e t a l i z a r e
c a n a l n
s u b s t r a t p
S S
V
GS
I
D
I
DSS
figura 70. Caracteristica de transfer a
MOS FET cu canal iniţial
3. MOS – FET CU CANAL INDUS
Structura de MOS – FET cu canal indus este prezentată în figura 71. Ea este
similară cu structura unui MOS – FET cu canal iniţial (figura 69.) cu deosebirea că
nu există canalul iniţial între drenă şi sursă. Distingem două cazuri:
1. V
GS
> 0, caz în care
metalizarea din regiunea
porţii se încarcă pozitiv
(figura72). Sarcina
pozitivă din poartă va
atrage electronii minoritari
din substratul p în
regiunea de sub
metalizarea porţii. Dacă
V
GS
depăşeşte o valoare de
prag V
T
, numărul de
electroni atraşi devine
suficient de mare pentru a
realiza un canal de
electroni între drenă şi
sursă. Între D şi S este
indus un canal n de
către tensiunea V
GS
> V
T.
2. V
GS
< 0, caz în care
metalizarea din regiunea porţii
se va încărca negativ. Sarcina
negativă din poartă va
respinge electronii din
regiunea de sub metalizarea
porţii astfel încât între drenă şi
sursă nu se va induce un
canal care să permită trecerea
curentului de drenă. În
această situaţie I
D
= 0,
indiferent de V
DS
.
Spre deosebire de MOS –
FET cu canal iniţial,
tranzistorul MOS – FET cu
canal indus poate să lucreze
doar la valori pozitive ale
tensiunii V
GS,
aşa cum se vede din caracteristica de transfer din figura 73. Pentru
tranzistorul 2N7002 a cărui caracteristică este reprezentată în figura 73, tensiunea
de prag este de 2,2V.
Caracteristica de ieşire este asemănătoare cu a JFET dar ecuaţia lui Shockley
nu mai este valabilă. Se poate utiliza relaţia:
I
D
= k(V
GS
– V
T
)
2
(102)
În care:
2
T ) ON ( GS
) ON ( D
) V V (
i
k

·
(103)
65
p
n
n
D
G
S
V
D S
V
G S
f i g u r a 7 1 . S t r u c t u r a M O S - F E T c u c a n a l i n d u s
S i O
2
m e t a l i z a r e
s u b s t r a t p
S S
p
n
n
D
G
S
V
D S
V
G S
> V
T
f i g u r a 7 2 . I n d u c e r e a c a n a l u l u i d e e l e c t r o n i
S i O
2
c a n a l n i n d u s
s u b s t r a t p
S S
I
I
I
I
I
I
I
I
+
+
+
+
I
I
I
I
I
I
I
D(ON)
şi V
GS(ON)
sunt date de catalog.
Se poate observa din graficul
caracteristicii de transfer că, pentru
V
GS
=0, nu avem curent de drenă. Prin
urmare este evident că pentru acest tip
de tranzistor nu putem defini un curent
I
DSS.
Curentul de drenă maxim trebuie
limitat de circuitul exterior la o valoare
care să nu pericliteze tranzistorul.
Tranzistorii cu efect de câmp cu
canal de tip p se comportă la fel cu cei
de tip n, pentru V
GS
de polaritate opusă şi
I
D
de sens invers.
În concluzia celor prezentate până
acum, tabelul următor sintetizează
deosebirile dintre cele 3 tipuri de
tranzistori cu efect de câmp.
J - FET
MOS – FET cu canal
iniţial
MOS – FET cu canal
indus
CU CANAL N CU CANAL P CU CANAL N CU CANAL P CU CANAL N CU CANAL P
I
D
= I
DSS
)
V
V
(
P
GS
− 1
2
I
D
= I
DSS
)
V
V
(
P
GS
− 1
2
I
D
= k(V
GS
– V
T
)
2
VP<VGS<0 0< VGS< VP VP<0 ; VP<VGS VP>0 ; VP>VGS 0< VT < VGS VGS< VT<0
4. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CÂMP.
Polarizarea TEC are acelaşi scop ca şi polarizarea TB dar soluţiile practice de
realizare depind de tipul de TEC. În analiza oricărui circuit de polarizare a TEC
trebuie să ţinem cont de următoarele relaţii:
÷ Poarta TEC este izolată de canalul drenă – sursă printr-un strat izolator de
SiO
2
sau printr-o joncţiune invers polarizată deci:
I
G
= 0 (104)
÷ Drena şi sursa sunt legate printr-un canal la care nu sunt ataşate ohmic alte
terminale, deci:
I
D
= I
S
(105)
66
V
T
= 2,2V
V
GS

I
D
figura 73. Caracteristica de transfer a
MOS FET cu canal indus
4.1. Polarizarea J- FET
Pentru polarizarea acestui tip de FET, în cazul în care este cu canal n, circuitul
de polarizare trebuie să asigure V
DS
> 0 şi V
GS
< 0. Ar fi nevoie prin urmare, de
două surse de tensiune, de polarităţi diferite, aşa cum se vede în figura 74.
÷ Sursa de tensiune V
1
asigură prin intermediul R
D
o tensiune V
DS
pozitivă.
÷ Sursa de tensiune V
2
asigură prin intermediul R
G
o tensiune V
GS
negativă.
÷ Pentru o polarizare corectă această sursă trebuie să îndeplinească condiţia:
V
P
< V
2
< 0
÷ Curentul de drenă corespunzător se determină din ecuaţia lui Shockley în
care V
GS
se înlocuieşte cu V
2
:
I
D
= I
DSS
)
V
V
1 (
P
2

2
Cunoscând I
D
, V
DS
rezultă imediat:
V
DS
= V
1
- I
D
R
D
Soluţia este incomodă din cauza
utilizării unei surse speciale de
polarizare a porţii şi în majoritatea
cazurilor este evitată.
O altă soluţie este utilizarea unui
circuit de polarizare automată a
porţii. Circuitul este prezentat în
figura 75 şi se realizează prin
intermediul a două rezistenţe:
÷ R
G
leagă poarta la masă, asigurând
astfel V
G
= 0.
÷ R
S
leagă sursa la masă şi căderea de
tensiune de pe această rezistenţă
este V
S
> 0.
÷ Prin urmare tensiunea V
GS
va fi
V
G
- V
S
= - V
S
< 0,
ceea ce urmărim de fapt.
Determinarea punctului static de funcţionare se face pe baza următoarelor relaţii:
V
G
= 0 (106)
V
S
= I
D
R
S
(107)
67
I
D
V
GS V
DS
Figura 74. circuit de polarizare
pentru JFET
Figura75. circuit de
polarizare automată
G
S
D
Din relaţiile (106) şi (107) rezultă:
V
GS
= V
G
– V
S
= - I
D
R
S
(108)
Înlocuind această valoare în ecuaţia lui Shockley obţinem:
2
P
S D
DSS D
)
V
R I
1 ( I I

− ·
(109)
Relaţia (109) este o ecuaţie de gradul 2 din care se poate determina algebric I
D
:
A 2
AC 4 B B
I
2
D
− − −
·
unde am notat:
2
S
R A ·

,
`

.
|
+ − ·
DSS
2
P
S P
I
V
IR IV 2 B
2
P
V C ·
Cunoscând valoarea I
D
, V
GS
se determină cu relaţia (108) iar V
DS
din suma căderilor
de tensiune pe bucla de ieşire:
V
DS
= V
1
– (R
D
+ R
S
)I
D
(110)
Acest calcul algebric laborios poate fi evitat utilizând metoda grafică de
determinare a punctului static de funcţionare. În acest scop, peste graficul
caracteristicii de transfer a dispozitivului vom trasa dreapta dată de ecuaţia (108).
Coordonatele punctului de intersecţie al celor două grafice vor fi V
GS
şi I
D
. V
DS
se va
determina din relaţia (110).
Să exemplificăm metoda pe circuitul din figura 75 pentru următoarele valori
numerice:
V
1
=20V R
D
=3,3k R
S
=1K I
DSS
=8mA V
P
= - 6V.
Graficul caracteristicii de transfer se poate trasa prin puncte. Se folosesc de
obicei următoarele 4 puncte care rezultă din ecuaţia lui Shockley:
V
GS
= V
P
2
V
P
0,3V
P
0
I
D
= 0
4
I
DSS
2
I
DSS
I
DSS
Pe baza tabelului de mai sus, în cazul nostru concret rezultă 4 puncte de
coordonate: (-6 ; 0) , (-3 ; 2) , (-1,8 ; 4) , (0;8).
În figura 76 am marcat aceste puncte şi unindu-le am aproximat caracteristica de
transfer a dispozitivului. Am desenat apoi dreapta a cărei ecuaţie este dată de
relaţia 108 prin două puncte obţinute pentru I
D
= 0 şi I
D
= 4. Rezultă punctele de
coordonate (0,0) şi (4,4). Coordonatele punctului de intersecţie al celor două grafice
ne dau valorile V
GS
şi I
D
în punctul static de funcţionare:
68
V
GS
= -2,6V şi I
D
= 2,6mA
Prin urmare, din relaţia 110:
V
DS
= 20 – (3,3 + 1)2,6 = 8,8V
Se poate constata că R
G
nu apare
în determinarea PSF. Într-adevăr,
dat fiind că nu avem curent de
poartă, căderea de tensiune pe
această rezistenţă este 0 indiferent
de valoarea rezistenţei. Prin
urmare, din punctul de vedere al
PSF ea poate să aibă orice valoare.
Important este ca poarta să fie
legată la 0V. Dar, din punctul de
vedere al unei eventuale surse de
semnal legate la poarta JFET,
această rezistenţă este văzută ca
rezistenţă de intrare. Este deci de
preferat ca această rezistenţă să fie
mare, pentru a nu consuma curent
din sursa de semnal. De obicei ea
este de ordinul megaohmilor.
4.2. Polarizarea MOSFET cu canal iniţial.
După cum s-a explicat în paragraful anterior, acest tip de MOS-FET poate să
lucreze ca tranzistor atât pentru valori pozitive cât şi negative ale V
GS
. Implicit şi
pentru V
GS
= 0. Prin urmare cea mai simplă metodă de polarizare este simpla legare
a porţii la masă printr-o rezistenţă de valoare mare. Dacă se doreşte polarizarea cu
tensiune negativă a porţii se poate aplica metoda de polarizare automată descrisă
anterior. În cazul, mai rar utilizat, în care tensiunea de polarizare a porţii se doreşte
69
I
D
(mA)
V
GS
(V)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1
-2,6
-2,6
figura76. Determinarea grafică a PSF
figura 77. Circuite de polarizare pentru MOS FET cu canal indus
a fi pozitivă, se poate folosi metoda divizorului de tensiune, ca la tranzistoarele
bipolare. Cele 3 circuite de polarizare sunt prezentate în figura 77.
Pentru circuitul din figura 77.a avem:
V
GS
= 0, deci I
D
= I
DSS
şi V
DS
= V
1
- R
D
I
DSS
Pentru circuitul din figura 77.b se poate aplica metoda grafică sau metoda
algebrică prezentate în paragraful referitor la polarizarea J-FET, deoarece şi în
cazul acestui tranzistor este valabilă ecuaţia lui Shockley.
În cazul circuitului de polarizare din figura 77.c, valoarea V
GS
se poate determina
prin formula divizorului de tensiune:
1
2 G 1 G
2 G
GS
V
R R
R
V
+
·
Pe baza relaţiei lui Shockley rezultă I
D
. Se va verifica dacă acesta nu cumva
depăşeşte valoarea maximă admisă pentru tranzistor. Dacă I
D
este prea mare se va
ajusta V
GS
prin reducerea R
G2
sau creşterea R
G3
. Aceste rezistenţe sunt uzual de
ordinul megaohmilor, pentru a nu micşora rezistenţa de intrare a circuitului.
4.3. Polarizarea MOS-FET cu canal indus.
Acest tip de tranzistoare au nevoie de
tensiune V
GS
> V
T
> 0 (ne referim ca şi
până acum la cele cu canal n) pentru a fi
polarizate în regiunea de saturaţie a
curentului de drenă. Prin urmare se poate
utiliza polarizarea prin divizor de tensiune,
ca în cazul MOS-FET cu canal iniţial
(figura77. c).
Un circuit de polarizare mult mai
des folosit pentru acest tip de tranzistor
este circuitul de polarizare prin reacţie
drenă – grilă care este prezentat în figura
78.
Deoarece curentul de grilă este 0, rezultă:
V
GS
= V
DS
(111)
prin urmare:
V
GS
= V
1
– I
D
R
D
(112)
cum pentru acest tip de tranzistor:
I
D
= k(V
GS
– V
T
)
2
70

f i g . 1 4 . C i r c u i t d e p o l a r i z a r e c u r e a c t i e
V 1
R D
R G
figura 78. circuit de polarizare cu reacţie
din ultimele două ecuaţii se pot determina I
D
şi V
GS
. Din relaţia (111) se determină
V
DS
.
Dacă avem de exemplu, un tranzistor cu V
T
= 3V , k = 0,24 mA/V
2
şi dorim să îl
polarizăm cu circuitul din figura 78, de la o sursă de alimentare de 12V, astfel încât
I
D
= 3mA, vom obţine pe baza relaţiilor de mai sus:
(V
GS
– V
T
)
2
=
V 5 , 6 V V V 5 . 3 ) V - (V V 5 . 12
V
mA
24 . 0
mA 3
DS GS T GS
2
2
· · ⇒ · ⇒ ·
şi prin urmare, din relaţia (112):
Ω k 8 , 1
mA 3
V 5 . 5
R 5 . 5 5 . 6 12 R I
D D D
· · ⇒ · − ·
Deoarece nu trece curent prin ea, valoarea R
G
, cu condiţia să fie finită, nu are
relevanţă, din punctul de vedere al polarizării. Din punctul de vedere al eventualei
surse de semnal , care s-ar aplica în poartă, ea este bine să aibă o valoare foarte
mare, pentru a nu micşora impedanţa de intrare a montajului. De obicei se alege R
G
de ordinul megaohmilor.
Polarizarea tranzistoarelor cu efect de câmp cu canal p se face prin aceleaşi
circuite ca şi în cazul TEC cu canal n, doar semnul tensiunilor aplicate şi sensul
curenţilor rezultaţi se schimbă.
5. MODELUL DE SEMNAL MIC PENTRU TEC
Relaţia I
D
= f(V
GS
) este pătratică, deci neliniară, pentru oricare tip de TEC. Dar ca
şi în cazul TB, pentru variaţii mici ∆ V
GS
în jurul valorii din PSF, caracteristica se
poate aproxima prin tangenta la ea în PSF. Panta acestei tangente se notează cu
g
m
şi se numeşte transconductanţă:
g
m
=
GS
D
dV
dI
, în punctul static de funcţionare.
Cum TEC nu consumă curent la
intrare modelul de semnal mic pentru
TEC va fi o sursă de curent comandată
în tensiune (figura 79). Acest model
simplificat permite analiza rapidă a
amplificatoarelor de semnal mic cu
TEC. Un model mai exact include şi
rezistenţa internă dintre drenă şi sursă
care are valori de ordinul zecilor de kΩ .
În cazul analizei comportării
dispozitivului la frecvenţe mari, vor fi luate în considerare şi capacităţile interne C
GS
,
C
DS
, C
GD
, de ordinul picofarazilor.
71
G
f i g u r a 7 9 . M o d e l d e s e m n a l m i c p e n t r u T E C
S
D
S
v
G S
g
m
v
G S
6. UTILIZAREA TEC CA AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC.
Ca şi TB, TEC se pot folosi ca amplificatoare de semnal mic. În acest scop ele
vor fi polarizate în regiunea de saturaţie a curentului de drenă. În figura 80 avem un
amplificator cu JFET în conexiunea sursă comună, precum şi modelul de semnal
mic al circuitului.
Dacă facem abstracţie de condensatoare, obţinem circuitul de polarizare
automată din figura 75. Condensatoarele C
1
şi C
2
decuplează din punctul de vedere
al curentului continuu sarcina, respectiv sursa de semnal de la intrare.
Condensatorul C
3
şuntează rezistenţa de polarizare R
S
în gama de frecvenţe pentru
care este proiectat amplificatorul. În schema echivalentă de semnal mic, aceştia au
fost înlocuiţi cu scurtcircuite.
Tensiunea de ieşire va fi:
D i m D GS m D D o
R v g R v g R i v − · − · − ·
de unde amplificarea de tensiune:
D m
i
o
R g
v
v
− ·
(113)
În cazul în care am avea o rezistenţă de sarcină R
S
conectată la ieşire, aceasta
ar apare în schema de semnal mic în paralel cu R
D
. În acest caz relaţia (113) este
aplicabilă dacă în loc de R
D
punem rezistenţa echivalentă R
D
IIR
S
.
Rezistenţa de intrare în montaj este R
G
. Dacă sursa de semnal de intrare are
rezistenţa internă R
i
, ea va forma un divizor de tensiune cu R
G
şi la intrarea
amplificatorului va ajunge numai o parte din semnalul sursei. Relaţia (113) devine în
acest caz:
72
C 1
V i
R G
V c c
V o
R D
R S
C 2

C 3
G
S
D
S
v
G S
g
m
v
G S
R
G
R
D
v
I
v
o
i
D
figura 80. Amplificator cu JFET în conexiune sursă comună
I G
G
D m
i
o
R R
R
R g
v
v
+
× − ·
(114)
Pentru un R
I
dat, trebuie ca R
G
>> R
I
pentru ca amplificarea dată de relaţia (114)
să fie maximă. Din acest motiv se alege R
G
de ordinul megaohmilor.
Se poate remarca faptul că, faţă de un amplificator cu TB în conexiune EC,
rezistenţa de intrare a amplificatorului cu J-FET este mult mai mare, ceea ce
constituie un avantaj. Dar amplificarea de tensiune este mai mică. Ţinând cont de
faptul că g
m
are valori tipice de ordinul (2 – 5) mA / V iar R
D
este de ordinul kohmilor
rezultă pe baza relaţiei (113) că amplificarea unui etaj cu J-FET va fi de ordinul
zecilor. În cazul TB amplificarea poate fi de ordinul sutelor.
Desigur, în loc de J-FET se poate folosi orice alt tip de TEC, modificând
corespunzător circuitul de polarizare. Valoarea amplificării va fi tot cea dată de
relaţia (113).
7. UTILIZAREA TEC CA SURSĂ DE CURENT CONSTANT
Orice tranzistor se poate folosi pentru realizarea unei surse de curent constant.
Dar, în cazul J-FET acest lucru se obţine prin simpla legare a porţii la sursă (figura
81). În acest caz
v
GS
= 0
şi pe baza ecuaţiei lui Shockley :
I
D
= I
DSS.
Prin urmare valoarea curentului de
drenă este independentă de rezistenţa de
sarcină R
D
, sau de tensiunea de
alimentare V
CC
, deci avem o sursă de
curent constant. Evident, trebuie
respectată condiţia V
DS
> V
P
altfel din
graficul caracteristicii de ieşire a J-FET se
poate observa că I
D
devine dependent de
V
DS
.
D D CC DS
R I V V − ·
pentru ca I
D
să fie egal cu I
DSS
trebuie
ca V
DS
> V
P,
de unde rezultă următoarea
condiţie pentru rezistenţa de sarcină:
DSS
P CC
D
I
V V
R


Dacă această inegalitate este satisfăcută, prin R
D
va trece acelaşi curent I
DSS
independent de valoarea rezistenţei sau de valoarea tensiunii de alimentare.
73
I
D
V c c

R D
figura 81. Sursă de curent constant
8. PREACUŢIUNI DE MANEVRARE A TRANZISTOARELOR MOS FET
Stratul subţire de SiO
2
dintre poarta şi canalul unui tranzistor MOS are efectul
pozitiv de a asigura o impedanţă de intrare aproape infinită pentru acest dispozitiv.
Datorită faptului că acest strat este foarte subţire apare o problemă de manevrare a
acestui tip de tranzistoare care nu apare la TB sau JFET.
Problema constă în faptul că , tocmai datorită rezistenţei practic infinite dintre
poartă şi canal, metalizarea porţii se poate încărca electrostatic chiar prin simpla
atingere a terminalelor cu mâna. Sarcina acumulată pe metalizarea porţii poate să
producă o diferenţă de potenţial suficient de mare între poartă şi canal pentru ca
stratul foarte subţire de bioxid de siliciu să se străpungă şi tranzistorul să se
defecteze.
Din acest motiv este absolut necesar ca terminalele acestor dispozitive să fie
scurtcircuitate de un inel sau o folie de protecţie. Această protecţie nu se va înlătura
până când tranzistorul nu se va lipi în circuit.
O altă metodă utilizată de fabricanţi pentru a preveni străpungerea stratului de
oxid la încărcarea electrostatică accidentală este prezentată în figura 82.
Indiferent de polaritatea tensiunii la care se încarcă
electrostatic poarta, dacă valoarea ei depăşeşte
tensiunea de străpungere a diodei Zener, una din diode
se va străpunge iar cealaltă va conduce ca orice diodă
polarizată direct. În consecinţă tensiunea maximă
dintre poartă şi substrat va fi limitată la valoarea:
V
GS
= V
Z
+ 0,7V
Tensiunea de străpungere a diodelor Zener este
astfel aleasă încât stratul de bioxid de siliciu să nu fie
expus la străpungere indiferent de polaritatea tensiunii
V
GS
.
Desigur, prin această metodă de protecţie, rezistenţa de intrare a unui tranzistor
MOS-FET este redusă la valoarea rezistenţei unei joncţiuni invers polarizate (ca şi
în cazul J-FET). Această valoare este oricum suficient de mare pentru a putea fi
considerată infinită, în majoritatea cazurilor.
9. TRANZISTOARE V-MOS
Tranzistoarele MOS prezentate până acum au un dezavantaj care derivă din
tehnologia planară de realizare. Aşa cum se vede în figura 69 canalul dintre sursă şi
drenă este îngust şi lung raportat la lăţimea lui. Din această cauză, căderea de
tensiune pe canal poate fi mare în cazul unor curenţi de ordinul zecilor de miliamperi
şi prin urmare , puterea disipată prin efect termic este mare şi poate duce la
defectarea dispozitivului. Din acest motiv, tranzistoarele MOS-FET realizate în
tehnologie planară se pot folosi uzual în aplicaţii de mică putere, sub 1W .
Pentru a exploata calităţile foarte bune ale acestor dispozitive şi la puteri mai
mari, a fost pusă la punct o tehnologie verticală de realizare a acestor tranzistori (V-
MOS).
Prin acest mod de realizare, scade lungimea şi creşte lăţimea canalului dintre
drenă şi sursă, reducându-se astfel rezistivitatea lui. Ca o consecinţă, tranzistoarele
V-MOS pot disipa puteri comparabile cu tranzistoarele bipolare.
74
figura 82. MOSFET protejat cu
diode Zener
În figura 83 este
prezentată structura V-
MOS cu canal indus de
tip n.
Regiunile de tip n ale
sursei şi drenei sunt
separate de o regiune de
tip p. Dacă poarta este
polarizată pozitiv faţă de
sursă, sarcina pozitivă
acumulată în metalizarea
porţii va atrage electronii
minoritari din regiunea p
în apropierea vârfului
“V”- ului. Se induce astfel
canalul de tip n care permite trecerea curentului de la sursă la drenă. Principiul de
funcţionare este deci identic cu al MOS FET – ului planar dar electronii trec
transversal prin canal. În consecinţă lungimea canalului este foarte mică în timp ce
secţiunea lui este mare. Canalul are prin urmare o rezistivitate mică şi permite
trecerea unui curent mare fără producerea unei încălziri exagerate.
De exemplu tranzistorul V-MOS de tipul BUZ 90 poate disipa 75 W la
temperatura de 25
O
C. Tensiunea maximă drenă – sursă este de 600V iar curentul
maxim de drenă 4,5A. În starea de conducţie, rezistenţa drenă – sursă este de
numai 1,6 Ω . Tensiunea maximă între poartă şi sursă este de t 20 V. valoarea de
prag a tensiunii V
GS
este V
T
= (2,1 – 4)V. O valoare foarte bună are
transconductanţa acestui tranzistor: g
m
= 3,8 S. El este utilizat de exemplu în sursele
de alimentare în comutaţie ale unor monitoare.
75
l u n g i m e a c a n a l u l u i
S
G
D
n n
n n
p p
- - -
- - -
- - -
- - -
f i g . 8 3 . s t r u c t u r a V M O S
+ +
+ +
+
S i O
2
figura 83. Structura V-MOS

Toţi electronii de valenţă fiind prinşi în legăturile covalente, nu există purtători mobili de sarcină şi deci semiconductorul, la această temperatură, se comportă ca un izolator perfect. La temperaturi mai mari decât 0 K, energia termică primită de electroni poate fi, în cazul unora dintre ei, suficientă pentru a rupe legătura covalentă, aşa cum sugerează figura 2. Un număr de electroni nu mai sunt prinşi în legături covalente ci devin purtători mobili de sarcină negativă şi prin urmare semiconductorul poate conduce curentul electric. În urma electronilor deveniţi liberi rămâne un număr egal de legături covalente rupte, aşa numitele goluri. Acestea sunt zone de sarcină pozitivă care vor exercita o forţă de atracţie asupra electronilor de valenţă învecinaţi. Dacă un electron de valenţă, atras fiind, se mută în locul gol, golul va apare în locul acestui electron de valenţă (figura 3). Prin urmare golul se mută. Este evident că golurile nu se mişcă, ele se generează în alt loc. Cei care se mişcă sunt electronii de valenţă din apropierea unui gol. Pentru a face o distincţie clară între mişcarea electronilor liberi şi cea a electronilor de valenţă se foloseşte în electron literatura de specialitate următoarea liber convenţie de exprimare: vom afirma că + + + golurile se mişcă şi sunt prin urmare 4 4 4 purtători mobili de sarcină pozitivă.
+ 4 + 4 + 4 + 4 + 4 + 4

gol

În semiconductoare există deci două tipuri de purtători mobili de sarcină: purtători mobili de sarcină negativă (electronii liberi); purtători mobili de sarcină pozitivă (golurile);

figura 3. Mutarea golului datorată miscării unui electron de valenţă învecinat

Dacă notăm cu n numărul de electroni liberi şi cu p numărul de goluri putem afirma că: n=p (1)

Într-adevăr, eliberarea unui electron implică generarea unui gol deci electronii liberi şi golurile apar numai în perechi. Fenomenul poartă numele de generare a purtătorilor. Ocuparea unui gol de către un electron de valenţă nu duce la dispariţia unui gol, ci doar la mutarea acestuia în alt loc. Dacă un gol este ocupat însă de un electron liber, atunci dispare un gol dar şi electronul devine legat, deci, electronii liberi şi golurile dispar tot în perechi, fapt ce demonstrează valabilitatea relaţiei (1). Fenomenul poartă numele de recombinare a purtătorilor de sarcină. La orice temperatură diferită de zero absolut, în orice semiconductor, se produce atât fenomenul de generare cât şi fenomenul de recombinare a purtătorilor de sarcină. Viteza de generare a perechilor electron-gol este însă mai mare decât viteza de recombinare, prin urmare, există în orice moment un număr de purtători mobili de sarcină. De exemplu, în cazul siliciului, la temperatura camerei (300 K), numărul de perechi electron-gol este de aproximativ 1,45× 1010 perechi/cm3.

8

2. SEMICONDUCTOARE INTRINSECI Se numesc intrinseci, semiconductoarele pure din punct de vedere chimic, în care, purtătorii mobili de sarcină apar pe baza fenomenului descris în paragraful precedent. Numărul de perechi electron – gol este dat de relaţia (1) şi este valabilă numai pentru acest tip de semiconductori, de aceea vom nota : n = p = ni (2)

În cazul siliciului, la temperatura camerei, ni este de ordinul a 1,5× 1010perechi electron gol/cm3. Dat fiind că perechile electron – gol apar ca urmare a energiei termice primite de semiconductor din exterior, este evident că ni va fi puternic dependent de temperatură. Mai precis ni creşte exponenţial cu creşterea temperaturii şi prin urmare conductivitatea electrică a semiconductorilor intrinseci va creşte odată cu creşterea temperaturii. Proprietatea este utilizată pentru producerea termistoarelor. Acestea sunt nişte rezistoare a căror rezistenţă depinde de temperatura de lucru. Din semiconductori se pot realiza termistori cu coeficient de temperatură negativ, adică termistori care îşi micşorează rezistenţa odată cu creşterea temperaturii. În alte aplicaţii însă, această dependenţă de temperatură a conductivităţii reprezintă un mare dezavantaj : parametrii dispozitivelor realizate din semiconductoare depind de temperatură.

3. SEMICONDUCTOARE EXTRINSECI Semiconductoarele extrinseci sunt semiconductoare impurificate controlat, cu atomii altui element chimic, astfel încât numărul de purtători mobili de sarcină să fie mult mai mare decât ni. În situaţia în care, într-un semiconductor, au fost introduse impurităţi pentavalente, patru dintre electronii atomului de impuritate intră în legături covalente cu atomii semiconductorului dar, un electron rămâne liber. Prin urmare fiecare atom de impuritate contribuie cu un electron liber la numărul total de purtători mobili din semiconductor. Aceşti atomi se numesc donori şi vom nota cu ND numărul lor. În situaţia în care într-un semiconductor au fost introduse impurităţi trivalente, trei dintre electronii atomului de impuritate intră în legături covalente cu atomii semiconductorului dar, o legătură rămâne incompletă. Prin urmare, fiecare atom de impuritate contribuie cu un gol la numărul total de purtători mobili. Aceşti atomi se numesc acceptori şi vom nota cu NA numărul lor. Ca impurităţi donoare se folosesc fosforul, arsenul şi stibiul iar ca impurităţi acceptoare borul, indiul sau aluminiul.

9

Prin urmare proprietăţile electrice ale semiconductorilor de tip n vor fi mai puţin dependente de temperatură decât în cazul semiconductorilor intrinseci. se mai adaugă ND electroni aduşi de atomii de impuritate şi deci numărul total de electroni va fi : n = ni + ND (3) Cum impurităţile donoare nu generează goluri. SEMICONDUCTOARE DE TIP N Un semiconductor impurificat cu atomi donori se numeşte de tip n. 5. De obicei NA este cu câteva ordine de mărime mai mare decât nI şi evident nu se modifică cu temperatura. SEMICONDUCTOARE DE TIP P Un semiconductor impurificat cu atomi acceptori se numeşte de tip p. La numărul ni de electroni din semiconductorul pur.4. iar electronii purtători minoritari. golurile vor fi purtători majoritari. deoarece are mai mulţi purtători mobili de sarcină negativă decât pozitivă. numărul de goluri rămâne ca în cazul semiconductorilor intrinseci: p = nI Din relaţiile (3) şi (4) rezultă n>p (5) (4) motiv pentru care electronii se numesc purtători majoritari iar golurile purtători minoritari. La numărul ni de electroni din semiconductorul pur. 10 (7) . se mai adaugă NA goluri generate de atomii de impuritate şi deci numărul total de goluri va fi : p = ni + NA (6) Cum impurităţile acceptoare nu aduc electroni. numărul acestora rămâne ca şi în cazul semiconductorilor intrinseci: n = nI Din relaţiile (3) şi (4) rezultă p>n (8) motiv pentru care. De obicei ND este cu câteva ordine de mărime mai mare decât ni şi evident nu se modifică cu temperatura. deoarece are mai mulţi purtători mobili de sarcină pozitivă decât negativă. Prin urmare proprietăţile electrice ale semiconductorilor de tip p vor fi mai puţin dependente de temperatură decât în cazul semiconductorilor intrinseci.

D . electronii majoritari în regiunea de tip n vor trece în regiunea de tip p. Valoarea acestui potenţial este dată de relaţia: VB = În relaţia (9) kT N A N D ln q n i2 (9) k=1.38× 10-23 J/K este constanta lui Boltzman.D n A + A + A + A + A + A + p VB + . Se va forma astfel de o parte şi de alta a joncţiunii o regiune golită de purtători mobili.D .D n Figura 4. Între limitele exterioare ale regiunii golite ia naştere o diferenţă de potenţial internă. Această diferenţă de potenţial internă poartă numele de potenţial de barieră deoarece se opune trecerii purtătorilor majoritari prin joncţiune.D + . JONCŢIUNEA p-n Zona de trecere. sunt ioni pozitivi. Recombinarea purtatorilor in momentul realizarii jonctiunii si aparitia zonei de sarcina spatiala Cele două zone de sarcină spaţială (imobilă) situate de o parte şi de alta a joncţiunii formează împreună o regiune golită de purtători mobili. deci. Ei se opun trecerii golurilor din regiunea p în regiunea n. mai mult sau mai puţin abruptă de la o regiune de tip p la o regiune de tip n a unui semiconductor se numeşte joncţiune p-n.6. în regiunea de tip p se formează o zonă de sarcină spaţială negativă.D . După cum se vede în figura 4.D . unde se vor recombina cu golurile majoritare.D . datorată atomilor acceptori trivalenţi care au acum un electron în plus.D + . T este temperatura absolută iar q=1. deci sunt ioni negativi.D . situate de o parte şi de alta a joncţiunii. Ei se opun trecerii electronilor din regiunea n în regiunea p.D .D .D . La fel în regiunea de tip n se formează o zonă de sarcină spaţială pozitivă datorată atomilor donori pentavalenţi care au acum un electron în minus.D .6× 10-19C este sarcina electronului.D . recombinare Zone de sarcină spatială A + A + A + A + A + A + A + A + A + p . Termenul q kT din relaţia (9) este din punct de vedere dimensional o tensiune: 11 . Pe măsură ce se realizează joncţiunea. dată de acumulările de sarcină de semn opus.

25 × 10 20 Având în vedere această diferenţă internă de potenţial dintre cele două regiuni ale unei joncţiuni se poate intui că.gol/cm3). dacă este aplicată asupra joncţiunii o tensiune din exterior. motiv pentru care se numeşte tensiune termică (vT): vT = kT q (10) La temperatura camerei ea are valoarea de aproximativ 26mV. deplasarea purtătorilor minoritari + + + p + + + VB + + + + n - - U Figura 5. Mărimea barierei de potenţial la temperatura camerei. impurificat cu NA=1. comportarea electrică a joncţiunii va depinde de sensul tensiunii aplicate. respectiv Nd=1015donori/cm3 va fi în conformitate cu relaţiile (9) şi (10): v B = 26 mV × ln 1. efectul tensiunii de polarizare se adună la cel al potenţialului de barieră rezultând o lărgire a regiunii golite şi deci lipsa oricărui curent de purtători majoritari. Polarizarea inversă + În acest caz. pentru o joncţiune realizată pe siliciu (ni=1. 12 . joncţiunea este invers polarizată (figura 5). numită tensiune de polarizare are acelaşi sens cu vB. 7.5× 1010perechi electron . Prin joncţiune va trece totuşi un mic curent de purtători minoritari.J K J K = = Volt C C şi este direct proporţională cu temperatura. POLARIZAREA INVERSĂ A JONCŢIUNII P-N Dacă tensiunea exterioară.1× 1016acceptori/cm3.1 × 10 31 ≅ 640 mV 2 .

dacă avem în vedere valoarea foarte mică a I S (13 nA pentru joncţiunea din figura 6) de multe ori vom ignora acest curent. purtătorii minoritari care traversează regiunea golită vor avea o viteză şi deci o energie cinetică foarte mare. Ea va fi mare dacă semiconductorul este slab impurificat şi scade pe măsura creşterii gradului de impurificare a semiconductorului. fiind limitat de numărul redus de purtători minoritari. Deplasările au sensuri opuse dar şi purtătorii care se deplasează au sarcini de semn opus prin urmare. (figura 6) 0A -10nA V -20nA -10V I(D1) I -8V -6V V_V1 -4V -2V 0V figura 6. Dacă tensiunea de polarizare inversă creşte. De aceea este o aproximaţie mai mult decât rezonabilă dacă. joncţiunea p-n nu conduce curentul. Curentul IS este foarte mic datorită numărului mic de purtători minoritari. Tot ce s-a discutat până acum este valabil pentru orice valoare a tensiunii de polarizare inversă mai mică decât tensiunea de străpungere (VSTR). Curentul invers prin joncţiune funcţie de tensiunea inversă aplicată Se poate remarca în figura 6 că nu există o dependenţă între valoarea tensiunii de polarizare inversă aplicată joncţiunii şi mărimea curentului invers decât pentru valori foarte mici ale tensiunii inverse. numărul lor va creşte cu creşterea temperaturii joncţiunii. astfel că relaţia (11) devine: I=0 (12) Pe baza relaţiei (12) putem afirma că atunci când este invers polarizată. la polarizare inversă considerăm: I = IS (11) Mai mult decât atât.Sarcina spaţială pozitivă din regiunea n va atrage electronii minoritari din zona p. Dacă tensiunea de polarizare inversă se apropie de valoarea VSTR. iar sarcina spaţială negativă din regiunea p va atrage golurile minoritare din zona n. Valoarea acestei tensiuni diferă de la o joncţiune la alta în funcţie de gradul de impurificare cu atomi donori şi/sau acceptori. Prin urmare valoarea curentului invers creşte cu temperatura. Dar cum aceşti purtători sunt generaţi termic. curenţii de electroni şi de goluri se însumează. regiunea golită creşte. Deplasarea electronilor de la p la n va da naştere unui curent de acelaşi sens ca şi deplasarea golurilor din n în p. Prin ciocnirea lor cu atomii reţelei cristaline ei pot provoca 13 . Dependenţa de temperatură a curentului invers de saturaţie se poate exprima prin următoarea constatare experimentală: IS îşi dublează valoarea pentru o creştere cu 10oC a temperaturii joncţiunii. dar curentul invers nu creşte decât până la valoarea IS (curentul invers de saturaţie).

joncţiunea este polarizată direct. Puterea disipată de joncţiune. Se poate remarca faptul că în momentul în care tensiunea de polarizare inversă este apropiată de această valoare. curentul invers prin joncţiune creşte foarte abrupt.ruperea legăturilor covalente. Străpungerea joncţiunii p-n Figura 7 prezintă o joncţiune pentru care tensiunea de străpungere este în jur de –20V. Prin urmare numărul de purtători minoritari creşte. Efectul tensiunii exterioare va fi opus potenţialului de barieră regiunea golită se îngustează până la limita la care purtătorii majoritari pot să traverseze joncţiunea (figura 8). 14 . egală cu produsul dintre VSTR şi curentul prin joncţiune poate atinge valori mari. Această creştere măreşte probabilitatea ciocnirilor şi prin urmare numărul de purtători minoritari se multiplică în avalanşă. Dar. în acest regim poate să se producă un alt fenomen care distruge joncţiunea. generarea de noi perechi electron – gol. electronii şi golurile generate prin multiplicare în avalanşă vor dispărea prin recombinare şi curentul invers prin joncţiune revine la valoarea IS. Deşi străpungerea este un fenomen reversibil şi nu duce la distrugerea joncţiunii. deci. Dacă tensiunea de polarizare inversă scade sub valoarea de străpungere. -m 0A V 0 -0A 5m -0m 10A -5m 10A I -0m 20A -0 3V -0 2V -0 1V ID:) (41 -(42 VD:) -V 0 figura 7. Aşa cum s-a explicat în paragraful anterior. Fenomenul de străpungere este reversibil. Acest fenomen poartă numele de străpungerea joncţiunii. 8. curentul dat de electroni se însumează cu curentul produs de deplasarea golurilor. Efectul este creşterea abruptă a curentului invers prin diodă. POLARIZAREA DIRECTĂ A JONCŢIUNII P-N Dacă tensiunea aplicată din exterior este de sens opus potenţialului de barieră. spre deosebire de polarizarea inversă. Din acest motiv valoarea lui este cu câteva ordine de mărime mai mare decât valoarea curentului invers. Aceasta duce la o încălzire exagerată a semiconductorului şi la distrugerea definitivă a joncţiunii. în acest caz curentul este produs de deplasarea purtătorilor majoritari.

Se poate remarca din figura 9 că un curent direct începe să apară în cazul siliciului la o tensiune de polarizare directă mai mare de aproximativ 500mV. este nevoie de o tensiune VD mai mică.5 V pentru siliciu. Valoarea lui creşte foarte mult pentru o creştere mică a tensiunii.Practic. + + + p + + + + + goluri electroni - + n - + VB VD + - figura 8. Dacă joncţiunea este direct polarizată (regiunea p pozitivă faţă de regiunea n) ea poate să conducă curentul dacă tensiunea de polarizare directă depăşeşte o anumită valoare. dacă tensiunea de polarizare directă creşte. Prin urmare iD va creşte odată cu creşterea temperaturii sau. Acest prag de tensiune de la care dioda începe să conducă un curent semnificativ este în jur de 0. curentul prin joncţiune ID. CONCLUZII Proprietăţile electrice ale joncţiunii p-n sunt diferite în funcţie de polarizarea ei. poate fi exprimat în funcţie de tensiunea de polarizare directă VD. pentru a produce acelaşi curent. Se poate aproxima că VD scade 2mV / oC. şi IS este dependent de temperatură. ceea ce este echivalent. curentul prin joncţiune creşte exponenţial. Peste această valoare curentul 15 . Graficul curentului în funcţie de tensiunea de polarizare directă 400mV 800mV Este de remarcat faptul că tensiunea termică apare în expresia acestui curent şi prin urmare şi temperatura joncţiunii va influenţa valoarea acestui curent. prin relaţia: 60mA i D = IS ( e 40mA VD vT − 1) (13) 20mA 0A 0V I(D5) V_V1 figura 9. aşa cum s-a arătat în paragraful anterior. Polarizarea directă 80mA Analitic. 9. Mai mult decât vT.

În mod uzual. la valoarea: VP = 0. în cazul siliciului. Valoarea acestei căderi de tensiune poate fi dedusă cu precizie din relaţia 13. Acest curent este de ordinul nanoamperilor în cazul siliciului. pentru o analiză calitativă.7V (14) Dacă joncţiunea este invers polarizată (regiunea p negativă faţă de regiunea n) ea nu conduce practic curentul (vezi relaţia 12) sau mai precis este parcursă de un curent invers foarte mic (vezi relaţia 11). Cu alte cuvinte. 16 . ea se poate aproxima.creşte foarte mult pentru o creştere mică a tensiunii de polarizare. căderea de tensiune pe o joncţiune în conducţie directă este aproximativ constantă pentru limite largi de variaţie ale curentului.

acestea sunt:  regiunea de conducţie. Terminalul care face contact cu regiunea de tip n se numeşte catod şi se notează K. În această regiune dioda este polarizată invers şi nu conduce curentul (la această scară. în timp ce curentul invers creşte foarte abrupt. figura10 Simbolul diodei 1.Capitolul II DIODA SEMICONDUCTOARE Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic realizat dintr-o joncţiune p-n. delimitată la dreapta de axa curenţilor. De la dreapta la străpungere VSTR blocare conducţie figura11 Caracteristica statică a diodei 1N4148 stânga. delimitată la stânga de axa curentului şi care este caracterizată o valoare pozitivă a tensiunii de polarizare. curentul IS nu se poate distinge). Terminalul care face contact cu regiunea de tip p se numeşte anod şi se notează A. La această scară a graficului putem distinge 3 regiuni de funcţionare a diodei. situată de-a lungul liniei punctate din stânga graficului. Simbolul de circuit al diodei este reprezentat în figura 10. mai mică în valoare absolută decât VSTR. la stânga de tensiunea de străpungere. este caracterizată de o tensiune inversă constantă pe diodă. 7 şi 9. În această regiune dioda este polarizată direct şi curentul ID va fi dat de relaţia 13. CARACTERISTICA STATICĂ A DIODEI SEMICONDUCTOARE Prin caracteristica statică a diodei. o diodă de siliciu des utilizată în unele aplicaţii.  regiunea de străpungere. înţelegem graficul funcţiei ID = f(VD) (15) care exprimă dependenţa dintre curentul prin diodă de tensiunea de pe diodă. încapsulată şi prevăzută cu două terminale. 17 . În figura 11 este prezentată caracteristica statică a diodei 1N4148. Caracteristica diodei semiconductoare va fi caracteristica unei joncţiuni p-n.  regiunea de blocare. Ea se numeşte statică deoarece este valabilă numai în situaţia în care viteza de modificare a tensiunii VD este suficient de mică pentru ca viteza de deplasare a purtătorilor de sarcină prin semiconductor să nu trebuiască a fi luată în calcul. deci ea poate fi trasată prin alăturarea la aceeaşi scară a graficelor din figura 6. este caracterizată de o valoare negativă a tensiunii de polarizare.

Cu alte cuvinte trebuie să găsim un circuit compus în exclusivitate din elemente liniare (surse. D V I R + R R a. în regiune de conducţie căderea de tensiune pe diodă pare a fi zero iar în regiunea de blocare curentul prin diodă este zero.).b. figura 13. + c. b. MODELUL DE DIODĂ IDEALĂ La scara la care este trasat graficul caracteristicii diodei din figura 11 . De asemenea. Aceste aproximaţii sunt acceptabile dacă se lucrează cu tensiuni de ordinul zecilor de volţi şi cu curenţi de ordinul miliamperilor. rezistenţe) care în condiţiile specifice date să se comporte similar cu dispozitivul electronic. prin urmare o putem înlocui cu un scurtcircuit (figura 13. relaţia (13) este aplicabilă dacă ne aflăm în regiunea de conducţie sau de blocare. iar o diodă polarizată invers cu o întrerupere.a. R 18 . pentru sinω t > 0. Utilizarea ei este însă incomodă fără asistenţa calculatorului. vom obţine un circuit liniar care poate fi analizat prin calcul algebric simplu. Analiza unui circuit cu diodă pe baza modelului de diodă ideală Determinăm curentul prin circuit în situaţia în care: v = VMAXsinω t Semnalul de intrare fiind sinusoidal. cele două segmente ale graficului pot fi descrise de următoarele ecuaţii: UD = 0 pentru regiunea de conducţie UD (16) (17) ID = 0 pentru regiunea de blocare Relaţia 16 descrie un element ideal de circuit numit scurtcircuit (sau rezistenţă de valoare 0). se presupune că tensiunea de polarizare inversă nu va depăşi valoarea de străpungere. Prin urmare o diodă polarizată direct se poate înlocui în scopul analizei circuitului cu un scurtcircuit. pe durata unei semialternanţe v este pozitiv şi va polariza direct dioda. iar relaţia (17) o întrerupere (sau rezistenţă de valoare infinită). figura 12 Caracteristica diodei ideale. Înlocuind dioda cu modelul ei.Pentru analiza circuitelor cu diode. Exemplificăm utilizarea acestui model în analiza circuitului din figura 13. 2. Prin urmare. În aceste condiţii graficul caracteristicii statice se poate idealiza la forma din figura 12. Pentru o analiză calitativă a circuitelor este mai rezonabil să înlocuim dioda cu un circuit echivalent (un model) liniarizat. ID Analitic. pe baza legii lui Ohm: V I = MAX sin ωt .

7V în cazul diodelor din siliciu) graficul din figura ID 15 poate fi aproximat prin graficul din figura 16.c.7V UD = 0. Considerând această tensiune figura 15 Detaliu al caracteristicii pentru polarizări de ordinul volţilor constantă (aproximativ 0. Relaţiile (16) şi (17) devin U D 0. prin urmare: I = 0.Pe durata semialternanţei negative a semnalului de intrare.). dioda este invers polarizată şi pe baza modelului ideal se poate înlocui cu o întrerupere (figura 13. MODELUL DIODEI LA TENSIUNI DE POLARIZARE DE ORDINUL VOLŢILOR Un detaliu al graficului caracteristicii statice din figura 11 pentru tensiuni de polarizare de ordinul volţilor este prezentat în figura 15. Se poate remarca din figura 15 că în regiunea de conducţie există o cădere de tensiune. Caracteristica liniarizată . 40V 0V -40V V(V:+) 40V 0V SEL>> -40V 0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms V(R:2) figura 14 Forma de undă a tensiunii (sus) şi a curentului (jos) Time 60ms 3. pentru sinω t < 0 Figura 14 prezintă formele de undă ale tensiunii de intrare şi ale curentului prin circuit.7V pentru regiunea de conducţie (18) ID = 0 pentru regiunea de blocare (19) 19 figura16. diferită de zero.7V a caracteristicii diodei ideale în zona de conducţie. El reprezintă o translatare cu 0. pe diodă.

b).. Altfel spus acestea sunt modele de semnal mare. Graficele tensiunii de intrare şi de ieşire sunt prezentate în figura 18. Exemplificăm utilizarea acestui model în analiza circuitului din figura 17. Este evident că în acest caz. Prin urmare o diodă polarizată direct se poate înlocui în scopul analizei circuitului cu o sursă ideală de tensiune continuă cu valoarea de 0. Luarea în considerare a căderii de tensiune pe dioda polarizată direct Determinăm tensiunea pe diodă în situaţia în care: v = VMAXsinω t. 20 . b.Relaţia (18) descrie un element ideal de circuit numit sursă ideală de tensiune (care are aceeaşi tensiune independent de celelalte elemente cu care se află în circuit).0V 0V -4.c. Pe durata semialternanţei pozitive dioda este invers polarizată şi se poate înlocui cu o întrerupere (figura 17. iar o diodă polarizată invers cu o întrerupere. figura17.a.7V.0V V(V:+) 4. 4.7V. aşa cum se vede în figura 17.7 V a. R D R R + v - v v + V 0 .0V 0V SEL>> -4.0V 0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms V(D:2) figura18 Tensiunea de intrare (sus) şi de pe diodă (jos) Time 60ms 4. Drept urmare tensiunea de pe diodă va fi identică cu tensiunea de intrare. MODELUL DE SEMNAL MIC AL DIODEI Modelele descrise până acum sunt valabile în situaţia în care tensiunea de polarizare a diodei are valori mai mari decât 0.7V. Pe durata semialternanţei negative dioda este polarizată direct şi prin urmare o vom înlocui cu o sursă de tensiune constantă. c. tensiunea de ieşire va fi de –0.

Se poate remarca în figura 19 că pentru o modificare a tensiunii ∆ VAK = 24mV. Conform relaţiei (20) rD este foarte mare în acest caz. deci ∆ IAK → 0. corespunde o modificare a curentului ∆ IAK = 4mA Prin urmare conform relaţiei (20): Figura19 determinarea grafică a rezistenţei rD rd = 24 = 6Ω . ∆ VAK nu produce aproape nici un efect asupra curentului prin diodă. cu ajutorul modelului de semnal mare se poate determina curentul continuu prin diodă ID. Metoda grafică de determinare a rezistenţei dinamice nu este întotdeauna convenabilă. Este nevoie prin urmare de un model de semnal mic adecvat acestei situaţii. În figura 19 este ilustrată situaţia în care o diodă 1N750 este polarizată direct astfel încât VAK = 0. Modelul de semnal mic al diodei semiconductoare este o rezistenţă. atunci: dI 1 = D (21) r D dv D Prin derivarea relaţiei (13) obţinem: I v 1 = D . 21 . r D = T rD vT iD (22) unde ID este curentul continuu care trece prin diodă. sau. aceasta va fi de 2.Sunt situaţii practice în care tensiunea de polarizare are o componentă continuă care polarizează dioda şi o componentă variabilă. şi considerăm că ∆ VAK tinde la zero. O metodă analitică de determinare a rD rezultă din relaţia 20. dar nu şi variaţiile ∆ ID produse de ∆ VD.75V.6kΩ iar la un curent de polarizare de 10mA.6Ω . Cum la temperatura camerei vT = 26mV . o diodă va avea o rezistenţă dinamică de 2. 4 Tot din figura 19 se poate intui că dacă dioda ar fi fost polarizată cu o tensiune continuă de 0. În acest caz.6 V. din relaţia (22) rezultă că pentru un curent de polarizare de 10 µ A de exemplu. Dacă considerăm inversul rezistenţei dinamice. de ordinul milivolţilor sau a zecilor de milivolţi. aşa numita rezistenţă dinamică: ∆VD rD = (20) ∆I D Valoarea ei se modifică de la câţiva ohmi la sute de megaohmi în funcţie de zona de pe caracteristica statică în care lucrează dioda. ∆ VD .

Înlocuim în circuitele din figura 20. Circuitele echivalente de c. R R V I R VD vMX sinω t A vI vD V a. rD vd VD = 0. R vMX sinω t A b. Circuit cu diodă alimentat de la o sursă cu componentă de c. a dacă tensiunea de intrare este de forma: vI = V + vMAXsinω t. Spre deosebire de rezistenţa joncţiunii. vD c. din care se poate determina tensiunea şi curentul continuu prin diodă sau punctul static de funcţionare al diodei. Sursa de semnal de intrare se poate descompune în două surse înseriate: o sursă de curent continuu şi o sursă de curent alternativ.a.3V = = 1mA R 4. şi c. 22 .7 a.  un circuit echivalent de curent alternativ (figura 20. Fixăm noţiunile prezentate în acest paragraf cu ajutorul unui exemplu: Să se determine tensiunea la bornele diodei din figura 20.7V şi I= V − VD 4. Acest circuit se mai numeşte şi circuit echivalent de semnal mic deoarece este valabil numai în ipoteza în care componenta de curent alternativ a semnalului de intrare produce variaţii mici ale punctului static de funcţionare. d). respectiv de semnal mic şi obţinem circuitele din figurile 21. c).3 kΩ figura 21. iar R = 4.c. aşa cum se prezintă în figura 20. Dacă folosim unul din modelele liniare pentru diodă. figura 20. b. Rezistenţa unei anumite diode include şi rezistenţa ohmică a materialului semiconductor.c. precum şi rezistenţa de contact dintre terminale şi semiconductor. şi c. astfel încât caracteristica statică să poată fi aproximată prin tangenta dusă în punctul static de funcţionare. din care se poate determina componenta alternativă a tensiunii de pe diodă. vMAX=5mV. a şi b. atunci analiza acestui circuit se poate face pe două circuite echivalente:  un circuit echivalent de curent continuu (figura 20.Trebuie remarcat faptul că relaţia (22) exprimă strict rezistenţa joncţiunii p-n la un curent dat.a.3kΩ . aceste rezistenţe nu se modifică odată cu curentul care trece prin diodă. c şi d dioda cu modelul ei de semnal mare. b. R vMX sinω t A vd d. V = +5V VD I V R 0. unde V = 5V.

Diode de comutaţie.c.3 Tensiunea totală pe diodă va fi dată de suma tensiunilor de c. care lucrează cu polarizare inversă la tensiuni mai mari decât tensiunea de străpungere şi exploatează proprietatea joncţiunii p-n aflate în străpungere de a menţine o tensiune constantă la borne. tensiuni de străpungere de ordinul sutelor de volţi dar frecvenţa maximă de lucru mică.3× 10-3sinω t Graficul acestei tensiuni este prezentat în figura 22. Acestea lucrează uzual cu curenţi de ordinul zecilor de mA şi 23 – – .a. care au de obicei: curenţi de lucru mari de ordinul amperilor. pentru situaţia în care frecvenţa semnalului de intrare este 50Hz: 750mV 500mV 250mV 0V 0s 20ms 40ms 60ms V(Vmaxsin:+) figura 22. deoarece se redresează de obicei tensiunea reţelei. destinate diverselor aplicaţii ale acestor dispozitive: – Diode redresoare. Forma de undă a tensiunii pe diodă Time 5. comandate de polaritatea tensiunii vAK..3 sin ωt [mV] rD + R 26 + 4.7 + 4. vD = VD + vd =0. care. din contră. Diode stabilizatoare de tensiune sau diode Zener. se poate determina pe baza relaţiei (22) valoarea rezistenţei rD: rD = v T 26 mV = = 26 kΩ I 1mA Prin urmare componenta alternativă a tensiunii pe diodă va fi: vd = rD 26 v MAX sin ωt = 5 sin ωt = 4.Cunoscând valoarea curentului prin diodă. TIPURI DE DIODE Se produc mai multe tipuri de diode semiconductoare. şi c. utilizate pentru redresarea curentului alternativ. lucrează la curenţi mici. utilizate ca şi comutatoare electronice. de ordinul zecilor de mA dar au frecvenţa de lucru mare. de ordinul sutelor de herţi.

Mai precis: 24 . atunci când sunt direct polarizate. Atâta timp cât tensiunea de intrare (v1) este negativă. Prin redresare înţelegem transformarea energiei electrice de curent alternativ în energie electrică de curent continuu. acest tip de diode sunt utilizate la redresarea curentului alternativ.c. şi o rezistenţă mare. Formele de undă ale tensiunii de la ieşire şi intrare Atâta timp cât tensiunea de intrare (v1) este pozitivă. d. practic zero. ele pot fi utilizate pentru redresare.pot avea tensiuni de străpungere (sau tensiunea Zener) de la câţiva volţi la peste 100 de volţi. circuitul echivalent al redresorului este cel din figura 1. – Diode varicap. 6. Schema echivalentă când dioda este polarizată invers. Schema echivalentă când dioda este polarizată direct c. În consecinţă tensiunea de ieşire (v2) va fi 0. utilizate ca şi condensatoare variabile în circuite rezonante şi care utilizează capacitatea echivalentă a regiunii de sarcină spaţială a unei diode invers polarizate. Există şi alte dispozitive cu două terminale care se numesc diode. Tensiunea de intrare are valoarea medie pe o perioadă egală cu 0 în timp ce valoarea medie a tensiunii redresate este evident diferită de zero. CIRCUITE CU DIODE REDRESOARE După cum sugerează şi denumirea lor. atunci când sunt invers polarizate. (ex. Figura 23. practic infinită. În consecinţă tensiunea de ieşire (v2) va fi egală cu tensiunea de intrare. Redresorul monoalternanţă b. Deoarece diodele au o rezistenţă mică. a. O schemă de redresor monoalternanţă este prezentată în figura 23. dioda Shockley) dar acestea au o altă structură decât diodele realizate pe baza unei singure joncţiuni p-n şi un alt principiu de funcţionare. a.b. circuitul echivalent al redresorului este cel din figura 1.

C1 se descarcă prin rezistenţa de sarcină R1 şi tensiunea de ieşire scade la valoarea UMIN. Prin urmare. În interval de o perioadă: T = t1 + t2 vom avea o ondulaţie a tensiunii de ieşire: (24) ∆ U = UMAX . schema şi formele de undă În intervalul t1 condensatorul se încarcă la valoarea UMAX. În intervalul t2. În acest moment dioda se blochează deoarece potenţialul catodului egalează potenţialul anodului. Se impune prin urmare filtrarea ondulaţiilor. În perioada când dioda nu conduce.318 × v 1MAX π (23) Deşi în medie valoarea tensiunii pe R1 este pozitivă.UMIN (25) 25 .v 2 med = v 1MAX = 0 . ondulaţiile tensiunii de ieşire (sau brumul de reţea) sunt foarte mari. montat în paralel pe ieşire. Atunci când redresoarele sunt folosite pentru alimentarea unor echipamente electronice. după care ciclul se reia. Metoda cea mai simplă pentru filtrarea ondulaţiilor este utilizarea unui condensator de filtraj. condensatorul se descarcă prin sarcină asigurând menţinerea curentului şi implicit a tensiunii de ieşire pe toată perioada semnalului de intrare (figura 24). Condensatorul. acest lucru este inacceptabil. Filtrarea cu condensator. ea poate lua orice valoare între 0 şi VMAX. se încarcă pe durata cât dioda conduce la o valoare apropiată de maximumul tensiunii de intrare. figura24.

Din grafic se determină Umed = 17. dintr-o perioadă. Curentul prin diodă este mult mai mare decât valoarea medie a curentului prin sarcină.3V şi ∆ U = 3V. t1.3 = 1153 µF 100 × 50 × 3 Acest rezultat confirmă aplicabilitatea metodei aproximative de calcul prezentate mai sus. Din calcul a rezultat un condensator mai mare decât prin simularea circuitului. deci cu valoarea calculată ar rezulta un filtraj mai bun decât cel prezumat. Din relaţia (31) rezultă: C1 = 17 .Valoarea medie a tensiunii redresate va fi U med = u MAX − ∆U 2 (26) Dacă circuitul este corect proiectat: t1 << t2 şi prin urmare: T ≅ t2 (28) (27) În aceste condiţii curentul mediu prin sarcină este rezultatul descărcării condensatorului: I med = U med ∆U = C1 = C1 × ∆U × f R1 T (29) Prin urmare ondulaţiile tensiunii de ieşire se pot aproxima cu relaţia: ∆U = U med × T R1C1 (30) iar valoarea lui C1 pentru un anumit nivel admis al brumului de reţea este: C1 = I med f × ∆U (31) Graficele din figura 24 au fost obţinute prin simularea PSPICE a unui redresor pentru care C1 = 1000uF şi R1 = 100Ω . Din graficele din figura 24 se poate remarca că dioda conduce un timp scurt. timp în care asigură curentul de sarcină şi încarcă condensatorul cu o cantitate de sarcină : 26 . Această metodă foarte simplă de filtraj are două dezavantaje: Condensatorul de filtraj are valori mari dacă curentul prin sarcină este mare (ceea ce implică preţ ridicat şi gabarit mare).

Randamentul redresării poate fi practic dublat dacă se redresează ambele semialternanţe ale tensiunii alternative.Redresorul în punte . ID este de fapt. Redresorul în punte În cazul acestui redresor se folosesc. t1 = 2ms şi t2 = 18ms prin urmare: ID = 9× Imed = 1. mult mai mare. Pe durata semialternanţei pozitive. Prin urmare pentru a asigura 170mA în sarcină. Se poate remarca faptul că. sensul curentului prin sarcină rămâne acelaşi deci şi polaritatea tensiunii pe rezistenţa de sarcină este neschimbată pe o perioadă.Redresorul cu priză mediană 6. această sarcină descărcată din condensator asigură curentul mediu redresat deci: q = Imedt2 prin urmare.q = IDt1 (32) În timpul t2.637 × U MAX (35) π 27 . cât dioda conduce. sunt direct polarizate diodele D2 şi D3. prin urmare sarcina va fi parcursă de curent în sensul indicat în figura 25. Acest deziderat se realizează cu două tipuri de redresoare.c. aşa cum se vede în figura 25 patru diode pentru redresarea tensiunii alternative. Valoarea lui maximă va fi aproximativ IDmax = 2× ID deci aproximativ 3 A în exemplul nostru concret.5A. În consecinţă forma tensiunii pe rezistenţa de sarcină va fi cea din figura 25.d. Din relaţia 23 prin înmulţire cu doi obţinem: 2 × U MAX U med = = 0. trebuie folosită o diodă care să reziste la impulsuri de curent de 3A. ambele foarte des utilizate în practică: . Raportul t2 / t1 este cu atât mai mare cu cât condensatorul de filtraj este mai mare. Pe durata semialternanţei negative.b. prin urmare curentul va trece prin sarcină cu sensul indicat în figura 25. vor fi direct polarizate diodele D4 şi D1. din relaţiile (32) şi (33) obţinem: ID = t2 × I med t1 (33) (34) În cazul concret din figura 24. deşi sensul curentului prin sursa de alimentare se schimbă. un curent mediu pe timpul t1.1. Comparând acest grafic cu cel din figura 24. Prin urmare cu cât filtrajul este mai bun. se poate intui că valoarea medie a tensiunii redresate este dublă faţă de redresorul monoalternanţă. cu atât curentul de vârf prin diodă este mai mare.

respectiv frecvenţa va fi dublă. Formulele (29). Prin urmare. 6. (30) şi (31) rămân valabile şi în acest caz. Priza mediană sau punctul comun al celor două înfăşurări din secundarul transformatorului este punct de masă (potenţial de referinţă). prin urmare şi vârfurile de curent prin diodele redresoare vor fi de două ori mai mici. De asemenea. ceea ce constituie un avantaj important. Evident că şi în cazul acestui redresor se poate realiza filtrarea ondulaţiilor cu un condensator de filtraj. pentru acest redresor.4V din tensiunea sursei de alimentare se pierd. La aceeaşi valoare admisă a brumului condensatorul de filtraj poate fi de două ori mai mic. cu observaţia că perioada tensiunii redresate va fi jumătate din perioada tensiunii redresate cu redresorul monoalternanţă. sau este prevăzut cu o priză mediană.b pe durata semialternanţei pozitive a tensiunii de reţea dioda D 1 este direct polarizată prin înfăşurarea L1 a transformatorului. În general. 28 . la aceeaşi valoare a condensatorului de filtraj obţinem un brum de reţea de două ori mai mic.2. forma de undă a tensiunii de ieşire. Prin urmare aproximativ 1. sursa de tensiune alternativă este secundarul unui transformator de reţea. nemaiajungând pe rezistenţa de sarcină. Schema electrică. schema echivalentă pentru cele două semialternanţe. După cum se vede în figura 26.figura 25. se poate realiza redresorul din figura 26. o capacitate mai mică implică şi un curent mai mic de încărcare. Un dezavantaj minor al acestui redresor este că sarcina este mereu în serie cu două diode. Redresorul in punte. în timp ce D2 este polarizată invers şi nu conduce. Redresorul dublă alternanţă cu priză mediană. Dacă acesta are două înfăşurări identice.

curentul prin rezistenţa de sarcină nu îşi schimbă sensul. Dacă în circuitul din figura 23 aplicăm la intrare un semnal dreptunghiular în loc de un semnal sinusoidal. cele două regiuni ale joncţiunii vor avea un număr mare de purtători minoritari. În figura 27 avem formele de undă ale tensiunii de intrare şi ieşire. În cazul diodelor acest regim apare dacă tensiunea de polarizare îşi schimbă brusc sensul. Se poate remarca din figura 26.6V. 7. 29 . rămân valabile consideraţiile legate de filtrarea tensiunii redresate. Explicaţia acestui fenomen este următoarea: Pe durata cât dioda este polarizată direct. curentul mediu redresat poate fi de 1A iar căderea de tensiune pe diodă. CIRCUITE CU DIODE DE COMUTAŢIE Prin comutaţie înţelegem trecerea bruscă a unui dispozitiv din starea de blocare în starea de conducţie sau invers. respectiv un număr mare de electroni provenind din regiunea de tip n tranzitează regiunea de tip p în care ei sunt purtători minoritari. La schimbarea bruscă a polarizării. Deoarece sarcina este rezistivă. Dar purtătorii minoritari pot să traverseze joncţiunea invers polarizată. forma de undă a tensiunii de ieşire va fi asemănătoare cu cea din figura 27 graficul din mijloc.figura 26. Tot la fel. ceea ce ridică preţul şi gabaritul transformatorului de reţea. Se produce deci o redresare a ambelor semialternanţe şi forma tensiunii pe R1 precum şi valoarea ei medie va fi aceeaşi ca şi la redresorul în punte. Prin urmare. curentul prin diodă va avea aceeaşi formă ca şi tensiunea de ieşire. Dezavantajul acestei soluţii de redresare este necesitatea realizării a două înfăşurări secundare identice. Dacă dioda utilizată nu este o diodă specială de comutaţie.c). un număr mare de goluri din regiunea de tip p tranzitează regiunea de tip n unde ei sunt purtători minoritari. Se poate remarca faptul aparent surprinzător că dioda conduce invers. Redresor dublă alternanţă cu priză mediană Pe durata semialternanţei negative va conduce D2 şi D1 va fi blocată (figura 26. în primul moment. obţinem un circuit simplu în care dioda lucrează în comutaţie. şi c. b. Un tip de diodă foarte des utilizat pentru redresarea curentului alternativ este dioda 1N 4007. că indiferent de polaritatea tensiunii de intrare. la acest curent este de maximum 1. ea este parcursă de un curent de purtători majoritari. Aceasta are valoarea tensiunii inverse maxime care se poate aplica repetitiv egală cu 1000V.

Diodele de comutaţie sunt special realizate pentru ca acest timp să fie foarte scurt. După un timp care depinde de gradul de impurificare al semiconductorului şi de dimensiunile lui geometrice. +5V R A B C D 1 D 2 D 3 Vo A B C 0. Ea are o tensiune inversă repetitivă de 75V. Un exemplu de circuit în comutaţie este cel din figura 28. timpul de dispariţie al curentului invers este atât de mic încât nu se mai distinge.5. B. Timpul de revenire inversă este de 4ns.7V Vo +5V R A B C Vo +5V R figura 28 Poartă logică ŞI realizată cu diode în comutaţie 30 .0V 0s V(R:2) Time 10us 20us 30us 40us 50us 60us figura 27 Forma de undă a tensiunii de intrare (sus) şi a tensiunii de ieşire în două situaţii: dioda utilizată este o diodă redresoare (mijloc) respectiv dioda este o diodă de comutaţie (jos) Prin urmare joncţiunea va fi parcursă de un curent invers semnificativ. şi C pot să ia independent una de cealaltă valorile 0V sau 5V. Asta nu înseamnă că ea nu se produce ci că la scara la care este reprezentat graficul.0V 0V -5. Tensiunile de intrare A. acest curent scade la valoarea IS adică aproape zero. Din acest motiv în graficul din partea de jos a figurii 27 conducţia inversă nu mai este observabilă. O diodă de comutaţie foarte des utilizată este 1N4148. Acest timp se numeşte timp de revenire inversă şi este un parametru important care caracterizează diodele în comutaţie. un curent mediu redresat de 150mA şi o cădere de tensiune în sens direct la acest curent de maxim 1V.0V SEL>> -5.0V V(V1:+) 10V 0V -10V V(R1:2) 5.

Generalizând putem afirma că: Vo = max(A. toate diodele vor fi blocate şi tensiunea de ieşire va fi de +5V. Tensiunea de 20V de pe anodul diodei D3 determină deschiderea acestei diode. ea este mai mică decât potenţialul catodului ).3V. O aplicaţie uzuală a acestui circuit este alimentarea unui aparat de la două surse de alimentare. Prin urmare.7V. B.Dacă cel puţin una dintre intrări este egală cu zero. Aceasta este şi tensiunea catozilor diodelor şi prin urmare D 1 şi D2 vor fi invers polarizate (deşi au o tensiune pozitivă în anod. Numai dacă toate intrările sunt 0 V ieşirea va fi 0 V. Dacă redresorul este scos din priză. C iau valori arbitrare. Tensiunea de ieşire va fi aproximativ 4.3V dacă cel puţin una din intrări are valoarea de 5V. Fie de exemplu A=9V. A D 1 B D 2 C D 3 figura 29. În acest caz.C) – 0. Poartă logică SAU realizată cu diode A Vo R B +5V C Vo 0. Dacă este îndeplinită condiţia A > B atunci Vo va fi egală cu tensiunea redresorului iar D2 va fi blocată. la tensiuni de polarizare inversă mai mari decât tensiunea de străpungere. Figura 29 reprezintă o poartă logică SAU. 8.7V (36) motiv pentru care circuitul din figura 29 se mai numeşte şi circuit de maxim.7V R A B R C Vo Circuitul se poate utiliza şi dacă tensiunile A. În acest caz dioda D3 lipseşte iar A este tensiunea dată de un redresor iar B este tensiunea dată de o baterie. De aceea un circuit de acest tip se numeşte poartă ŞI. Prin urmare de la baterie nu se consumă curent atunci când aparatul este alimentat de la priză. B=12V iar C=20V. D1 se blochează dar echipamentul rămâne alimentat de la baterie. Tensiunea de ieşire va fi de aproximativ 19. tensiunea pe diodă se modifică foarte puţin la 31 . tensiunea de ieşire este de 5V dacă şi numai dacă A=5V şi B=5V şi C=5V.B. După cum se poate vedea în figura 30. Dacă toate intrările sunt la nivel de 5V. dioda corespunzătoare va fi direct polarizată şi prin urmare tensiunea de ieşire va fi aproximativ 0. CIRCUITE CU DIODE ZENER Diodele Zener sunt diode semiconductoare special construite pentru a lucra în regim de polarizare inversă.

cu o anumită eroare. Schema unui stabilizator parametric simplu este prezentată în figura 31. care depinde de curentul prin diodă. Curentul prin diodă nu trebuie să depăşească o valoare Izmax pentru ca puterea disipată de diodă să nu depăşească valoarea maxim admisibilă. Pentru cazul particular din figura 30: rZ = ∆V 58 = = 1. Ea poate să disipe maximum 1W şi are o rezistenţă de 5Ω la un curent de 100mA.variaţii mari ale curentului invers. Cu alte cuvinte. ea tinde să menţină constantă tensiunea la bornele ei. Simbolul diodei Zener c. Caracteristica diodei în zona de străpungere b. Stabilizator parametric cu diodă Zener şi schema echivalentă 32 . VZ IZm in IZmx a figura 30. Tendinţa de menţinere a tensiunii la valoarea Vz este folosită pentru realizarea stabilizatoarelor de tensiune. în serie cu o rezistenţă de ordinul ohmilor. dată de căderea de tensiune pe rz. dioda Zener PL5V1 are tensiunea de străpungere de aproximativ 5. dioda Zener se poate modela printr-o sursă de tensiune constantă. a. rezistenţa internă a diodei este foarte mică în această regiune a caracteristicii statice.1V (eroarea putând fi de cel mult 5%). figura 31. De exemplu. Schema echivalentă Dacă este asigurat un curent mai mare decât Izmin prin diodă.8 Ω ∆I 33 Panta abruptă a caracteristicii începe de la un anumit curent Izmin. Prin urmare.

Dacă ţinem cont de faptul că dioda se comportă ca stabilizator numai dacă Iz este mai mare decât Izmin şi mai mic decât Izmax obţinem restricţii suplimentare. Dacă în figura 31 neglijăm rz obţinem relaţia: Iz = U1 − V z V Z U V V − = 1 − Z − Z R RS R R RS (40) Pentru ca Iz >Izmin trebuie pe baza relaţiei 40 ca : Izmin < U1 m in VZ V − − Z R R R S m in Cum ultimul termen din relaţia de mai sus reprezintă curentul maxim prin sarcină ⇒ R< U1 min − VZ I Z min + I S max (41) Pe baza relaţiei (40). Cum rz deşi foarte mic. Totuşi restricţiile din relaţia (39) impun ca rezistenţa de sarcină să fie mult mai mare decât rz. indiferent de tensiunea de intrare sau rezistenţa de sarcină.Vom determina tensiunea U2: I1 = Iz + I2 ⇒ U1 − U 2 U 2 − V Z U 2 1 U1 VZ 1 1  = + + = U2  + ⇒ R r + R  ⇒  R rZ RS R rZ Z S   U2 = U1 VZ + R R r r 1+ + 1+ Z + Z rZ RS R RS (37) Dacă rz ar fi 0 din relaţia (37) rezultă: U2 = Vz. este totuşi diferit de 0 trebuie folosit semnul aproximativ : U2 ≅ Vz Eroarea pe care o introducem este cu atât mai mică cu cât : R >> rz şi Rs>>rz (39) (38) Relaţia (38) defineşte un stabilizator de tensiune. deoarece tensiunea de ieşire este constantă. pentru ca Iz < Izmax ⇒ R> U1 max − VZ I Z max + I S min (42) 33 . Prin urmare stabilizatorul parametric poate fi utilizat numai pentru sarcini cu consum redus de curent.

3pF la o tensiune de 25V. cu capacitatea dependentă de tensiunea de polarizare inversă aplicată. Dacă nu. curentului de ieşire şi a valorii maxime a rezistenţei R. Prezenţa condensatorului C1 este absolut necesară. dacă tensiunea de polarizare inversă creşte sau scade. se va verifica obligatoriu dacă ea satisface şi inegalitatea (42). pentru a separa circuitul rezonant de sursa de tensiune continuă Vcc. Cu cât U1min este mai mare decât Vz.Inegalităţile (41) şi (42) impun restricţii evidente asupra tensiunii de intrare. În practică este recomandat ca U1 să fie cu cel puţin 30% mai mare decât Vz.5pF la 25V. De exemplu. Circuit acordat cu diodă varicap figura 32. în sensul creşterii tensiunii de intrare şi al reducerii curentului prin sarcină. cu atât R poate fi ales de valoare mai mare. Dacă: C1 〉 C2 〉 (44) atunci din relaţia (43) rezultă: 34 . DV 3 Frecvenţa de rezonanţă a circuitului 1 oscilant va fi prin urmare: f0 = 2π L 1 C1C 2 C1 + C 2 figura 32. dioda varicap BB139 are o capacitate de 26pF la 3V tensiune inversă aplicată şi 4. După ce a fost stabilită pentru R cea mai mare valoare permisă de relaţia (41). Circuit acordat cu diodă varicap. CIRCUITE CU DIODE VARICAP O joncţiune p-n invers polarizată poate fi privită ca un condensator. Regiunea golită ar fi dielectricul dintre armături. din relaţia (41) rezultă că valoarea minimă a tensiunii de intrare trebuie să fie mai mare decât Vz. 2 1 Între capetele 1şi 2 ale bobinei L sunt C1 legaţi doi condensatori în serie: L 2 condensatorul fix C1 şi capacitatea V cc echivalentă C2 a diodei varicap. se vor impune noi restricţii pentru U1min şi I2max. În figura 32 este prezentat simbolul de circuit al diodei varicap şi o aplicaţie uzuală a acesteia. se găsesc acumulări de sarcină de semn contrar. astfel încât să nu afecteze prea mult factorul de calitate al circuitului rezonant. Cum pe baza relaţiei (39) este de dorit ca R să fie cât se poate de mare. În acest scop au fost introduse potenţiometrul şi rezistenţa. De o parte şi de alta a regiunii golite. Mai mult decât atât. Dioda BB125 are 12pF la 3V tensiune inversă şi 2. lărgimea regiunii golite creşte sau scade şi prin urmare capacitatea joncţiunii scade sau creşte şi ea. (vezi figura 5) exact ca şi pe armăturile unui condensator plan. 9. sute de kΩ . O diodă varicap este prin urmare un condensator variabil. (43) Valoarea C2 se poate modifica prin modificarea polarizării inverse. Ambele au valori mari (zeci.

35 .f0 ≅ 1 2π LC 2 (45) şi prin urmare frecvenţa de rezonanţă a circuitului se poate modifica cu ajutorul potenţiometrului. Un circuit similar cu cel din figura 32 este utilizat pentru acordul pe post al unor receptoare radio sau TV.

cele două joncţiuni trebuie polarizate după cum urmează: N N P (E) (B) (C) figura 33.tB i u 35 indică sensul deplasării electronilor. pentru tranzistorul p-n-p. este mai puternic impurificată decât celealalte regiuni. Deci numărul de purtători minoritari din bază creşte foarte mult. baza. Ca o consecinţă a acestui fapt. Datorită polarizării inverse. purtătorii majoritari sunt golurile pentru regiunea + + _+ + + + + + + + _ + + + + + + emitorului şi electronii pentru regiunea bazei. f i g u 3 r aJ o. Are loc prin urmare o injecţie de goluri în bază. joncţiunea C-B permite _ + + + trecerea purtătorilor minoritari (figura 35). după cum se prezintă în figura 33. Structura tranzistorului bipolar − Joncţiunea emitor-bază trebuie polarizată direct − Joncţiunea colector-bază trebuie polarizată invers. n c t Ei -u B n e a 4 Baza fiind de tip N. Sensul săgeţii din figura f i g u 3 r 5 a . Situaţia este P + + +N + + _+ + + + + + ilustrată în figura 34. din C în B şi vB C un curent neglijabil de goluri din B în E. rezistivitatea bazei este P P N mai mare decât a celorlalte regiuni. colectorul. În acest + + _+ + + + + + + + caz. numită emitor. golurile sunt pentru ea purtători l a p o l a r d i z i r a e r ce t a minoritari. realizate dintr-o succesiune de trei straturi semiconductoare de tip n-p-n sau p-n-p. În acest caz. prin joncţiune va trece un curent de electroni. Dar cum regiunea + + + colectorului este mai puternic impurificată decât baza. IE. din E în B şi un curent neglijabil de electroni din + B în E. J o n Cc . 1. Se spune în acest caz că tranzistorul este polarizat În regiunea activă normală. Dar cum regiunea emitorului este mult mai puternic impurificată decât baza prin joncţiune va trece un curent important de vE B goluri. este foarte îngustă şi mult mai slab impurificată decât regiunea din dreapta. _ + _ + __ + purtătorii minoritari sunt golurile pentru regiunea bazei şi _ + + + _ electronii pentru regiunea colectorului. Trebuie reţinut că n e a N P + + + l ap o la r i in z va e r re s a 36 . ICB0..Capitolul III TRANZISTORUL BIPOLAR Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare cu două joncţiuni. regiunea din mijloc. FUNCŢIONAREA ÎN REGIUNEA ACTIVĂ NORMALĂ Datorită polarizării directe joncţiunea E-B permite trecerea purtătorilor majoritari din E în B. Aceasta ar fi situaţia + în cazul în care emitorul ar fi în gol. Regiunea din stânga. (E) (B) (C) Pentru ca efectul de tranzistor să se producă.

9. Diferenţa dintre IC şi IE este curentul care se închide prin bază. aşa cum sugerează relaţia (46). Aşa cum s-a arătat la studiul joncţiunii pn. putem afirma că β are o valoare mare. Având în vedere că α F este apropiat de unitate. i 3 s 6c ga or el u a i rn i lj oe rc t a t e care pot avea baza foarte subţire. golurile din bază pot trece în colector. α F este mai d ee m i i t nb a . IE P + + + N + + + + + N++ _ + + + + + _++ + + + +_ + + + + + + + + IC +P + + + + + + ++ + + + + + + _ ++ + ++ ++ + + + + + + ++ ++ + ++ + + + + + Prin urmare: Sau +mai + + + precis: IE ≅ IC IC = α I (46) (47) F E α F din relaţia (47) este factorul de transfer direct în curent. Din relaţiile (49) şi (50) avem: IC = β IB Relaţia (51) este foarte des utilizată pentru analiza circuitelor cu tranzistori.sensul tehnic al curentului electric este exact opus sensului mişcării electronilor şi prin urmare curenţii IE şi ICB0 au acelaşi sens tehnic. golurile sunt purtători minoritari în regiunea bazei. o arie mare şi deci şi o bază mai groasă. La tranzistoarele de mică putere. Joncţiunea C-B fiind polarizată invers. din considerente de disipaţie termică. f i g u r Ma . Prin urmare puţine goluri vor reuşi să traverseze longitudinal regiunea bazei.95. de la emitor la colector şi are. care au. Dacă combinăm figurile 34 şi 35 obţinem imaginea din figura36 care arată sensul de mişcare al golurilor şi curenţii de goluri dintr-un tranzistor p-n-p. − Baza este foarte îngustă şi slab impurificată deci are rezistivitate mare. o valoare vE B vB C apropiată de 1. z a o r mare decât 0. Aceasta din două motive: − Baza fiind de tip n. Se poate remarca faptul că majoritatea golurilor injectate de emitor în bază trec în colector. purtătorii minoritari pot traversa joncţiunea dacă ea este invers polarizată. Tranzistoarele de putere. valoarea α F poate să scadă la 0. (51) 37 . fără a fi captaţi de colector. pentru cele de putere medie de ordinul zecilor iar pentru tranzistoarele de putere mare valoarea factorului de amplificare în curent poate fi mai mică decât zece. Pentru tranzistoarele de mică putere este de ordinul sutelor. IB: IB IE = IC + IB Pe baza relaţiilor (47) şi (48) putem determina relaţia dintre IC şi IB: IC = 1 IB 1 − αF (48) (49) unde notăm: β = 1 1 − αF (50) Relaţia (50) defineşte factorul de amplificare în curent al tranzistorului bipolar.

În majoritatea cazurilor sunt utilizate tranzistoarele npn. FUNCŢIONAREA ÎN REGIUNEA ACTIVĂ INVERSĂ Ne putem pune întrebarea cum se va comporta tranzistorul dacă: − Joncţiunea emitor-bază este polarizată invers − Joncţiunea colector-bază este polarizată direct. Joncţiunea B-E polarizată direct. în afară de golurile din emitor ea va fi traversată şi de electronii din regiunea colectorului (vezi figura 35). Dar cum baza este foarte slab impurificată. trebuie să amintim şi curentul de electroni care trece prin dispozitiv. Joncţiunea B-C polarizată invers permite trecerea purtătorilor minoritari deci. Motivul este că în IB IB cazul lor curentul principal este un curent de electroni liberi. există cazuri în care este necesară utilizarea ambelor tipuri . Mobilitatea IE IC acestora este mai mare decât a p n p n p n golurilor (prin noţiunea de gol este descrisă de fapt mişcarea globală a f i g u 3 r aS . Simbolurile de circuit pentru tranzistoarele bipolare. permite trecerea purtătorilor majoritari deci. i m b p o e l u n t r rt ir a u n z i bs ir p o o u l la r 7 electronilor de valenţă) şi prin urmare la arii şi grade de impurificare identice. fiind curentul invers al unei joncţiuni este evident foarte mic în condiţii normale de temperatură. Desigur. pe când ICB0 va fi un curent de goluri. Şi în cazul lor joncţiunea B-E trebuie direct polarizată iar joncţiunea C-B invers. ICB0. Relaţiile (46) –(52) rămân valabile şi în acest caz. Dar. acest curent este absolut nesemnificativ. IE IC 2. tranzistoarele npn au proprietăţi electrice mai bune decât cele pnp.Tranzistoarele despre care discutăm se numesc bipolare pentru că la conducerea curentului participă purtători de sarcină de două polarităţi: golurile şi electronii. precum şi sensul convenţional al curenţilor prin dispozitiv sunt prezentate în figura37. temperatura semiconductorului poate să crească foarte mult şi prin urmare va creşte numărul purtătorilor minoritari (electronii) din colector. Relaţia (52) devine: 38 . pentru a fi riguroşi. în afară de golurile din emitor ea va fi traversată şi de electronii din regiunea bazei. Acest curent. Funcţionarea tranzistoarelor n-p-n este similară. Deşi s-a focalizat discuţia numai pe curentul de goluri care este cel mai important în cazul tranzistoarelor pnp. În astfel de cazuri este bine să ţinem cont de faptul că: IC = α F IE + ICB0 (52) precum şi de faptul că ICB0 creşte exponenţial cu temperatura. mai ales în cazul tranzistoarelor de putere. În acest caz dispozitivul se află în regiunea activă inversă şi colectorul va injecta purtători minoritari în bază iar emitorul va colecta aceşti purtători. emitorul va injecta electroni în bază de unde majoritatea lor va fi captată de colector. De data aceasta. Acest fapt atrage după sine creşterea ICB0.

Structura ne fiind simetrică. Valoarea acestui curent trebuie limitată de circuitul exterior tranzistorului. 3. În afara conexiunii BC. Dispozitivul va fi traversat de un curent important dat de purtătorii majoritari din emitor şi colector. pentru a preveni defectarea lui. care are o poartă de ieşire şi una de intrare tranzistorul poate fi folosit în una din următoarele trei conexiuni fundamentale: - Baza comună (BC) Emitor comun (EC) Colector comun (CC) vezi figura 38 vezi figura 39 vezi figura 40 Numele conexiunii provine de la numele terminalului care este comun porţii de intrare şi de ieşire. Se poate considera că în această regiune tranzistorul se comportă ca un scurtcircuit între colector şi emitor şi prin urmare: UCE ≅ 0 (55) 5. FUNCŢIONAREA ÎN REGIUNEA DE SATURAŢIE Dacă atât joncţiunea emitor-bază cât şi joncţiunea colector-bază sunt direct polarizate atât emitorul cât şi colectorul vor injecta purtători minoritari în bază şi efectul de tranzistor nu se mai produce. colectorul fiind slab dopat faţă de emitor. baza este terminalul pe care se aplică 39 . Deci în această regiune efectul de tranzistor se va produce cu un randament mai slab decât în regiunea activă normală iar dependenţa de temperatură a curentului prin dispozitiv va fi mai accentuată (prin intermediul IEB0). iar IEB0 mult mai mare decât ICB0. Rareori un tranzistor este utilizat în acest mod. FUNCŢIONAREA ÎN REGIUNEA DE BLOCARE Dacă atât joncţiunea emitor-bază cât şi joncţiunea colector-bază sunt invers polarizate emitorul nu mai poate injecta purtători minoritari în bază şi efectul de tranzistor nu se mai produce. IEB0. Nu există nici o relaţie între valorile acestor curenţi şi dacă neglijăm ICB0 : IC ≅ 0 (54) 4. CARACTERISTICILE STATICE ALE TB Privit ca un cuadripol diport. α R va fi mult mai mic decât α F. iar joncţiunea colector-bază va fi traversată de un curent de purtători minoritari proveniţi din colector ICB0 (figura 35). Joncţiunea emitor-bază va fi traversată de un curent de purtători minoritari din emitor.IE = α R C I + IEB0 (53) în care α R este factorul de transfer invers în curent.

tensiunea pe joncţiune limitându-se la aproximativ 0. Graficul funcţiei iB = f(vBE) (56) iI v I v v I reprezintă caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar. Tabelul de mai jos sintetizează aceste afirmaţii: iI vI iO v O Conexiunea B-C E-C C-C vI .6V curentul creşte abrupt. deci pe baza relaţiei 51 nici curent de colector. De aici provine şi obişnuinţa de a considera căderea de tensiune pe joncţiunea B – E. iO VCB . o a n e x B i Cu . Ea a fost obţinută prin simulare PSPICE pentru un tranzistor npn de tipul 2N2222. în funcţie de conexiune:  În cazul conexiunii B-C ea este graficul funcţiei iC = f(vCB) O figura 41. Caracteristica de intrare  În cazul conexiunii E-C (C-C) ea este graficul funcţiei iC = f(vCE) Caracteristica de ieşire pentru conexiunea E-C este prezentată în figura 42. iE VBE . care reprezintă dependenţa curentului de ieşire de tensiunea de ieşire.7V. o n e xC -i Cu n e bază – emitor de 0. Cum relaţia (56) exprimă dependenţa curentului printr-o joncţiune p-n de tensiunea f i g u 3 r 9C . atunci când tranzistorul este polarizat în regiunea activă normală. şi curentul de intrare trece prin a În oricare conexiune.5V nu avem practic curent de 0 a bază. potrivit tabelului de mai sus. ca fiind de aproximativ 0.7V. 40 . cu excepţia conexiunii CC când ieşirea se ia din emitor. este de aşteptat ca să avem caracteristica de intrare a TB identică cu caracteristica statică a unei joncţiuni. Semnalul de ieşire se culege din colector. o n e xE -i Cu n e a a aplicată joncţiunii. iI În figura 41 este prezentată caracteristica de vO intrare a tranzistorului 2N2222 iO Se poate remarca în figură că până la o tensiune f i g u 4 r aC . iI VEB . iB VO . Caracteristica de ieşire. iC VEC . şi fost trasată pentru diferite valori ale curentului de bază. De la 0. iE f ig u 3 r 8C . Tranzistorul este deci în regiunea de blocare.n iO e pe joncţiunea B-E.semnalul de intrare. iC VCE . diferă. tensiunea de intrare se aplică această joncţiune. iB VBC .

Se poate remarca în figura 42. Ea este cu atât mai mare cu cât curentul de colector este mai mic. de ordinul 0 – 300mV.Se poate observa că pentru tensiuni vCE mici.3mA şi conform relaţiei 57 rCE = 20kΩ . În această zonă joncţiunea B-C este practic direct polarizată deoarece: VBC = vBE – vCE = (0. Caracteristica de ieşire pentru conexiunea BC este prezentată în figura 43. Caracteristica de ieşire a TB pentru EC figura 42 că pe măsură ce curentul de bază (implicit şi curentul de colector) creşte. pentru acelaşi tip de tranzistor ca şi în cazul anterior .7)V – (0÷ 0. Caracteristica de ieşire a TB în conexiune BC . Ea este asemănătoare cu caracteristica de ieşire 41 figura 43.3V se constantă că iC nu mai depinde practic de vCE în schimb creşte pe măsura creşterii iB. Pentru tensiuni vCE mai mari decât 0. (în funcţie de curentul de bază) există o puternică dependenţă între curentul de colector şi tensiunea colector emitor. În general rezistenţa colector emitor este de ordinul zecilor de kΩ .7) > 0 şi prin urmare tranzistorul se găseşte în regiunea de saturaţie. apare o uşoară dependenţă a curentului de colector de tensiunea colector emitor (liniile graficului nu mai sunt orizontale ci au o uşoară pantă). sau rezistenţa internă colector emitor: ∆v CE rCE = (57) ∆i C Pentru tranzistorul cu caracteristica din figura 42 se poate vedea că pentru un curent de bază de 20µ A.5÷ 0. În această zonă este deci aplicabilă relaţia (51) şi prin urmare ne aflăm în regiunea activă normală.3)V = (0. la ∆ vCE = 6V corespunde ∆ iC = 0.2÷ 0. Aceasta poate fi descrisă analitic prin rezistenţa de ieşire.

în conexiunea BC tranzistorul rămâne în regiunea activă normală chiar şi pentru tensiuni negative mici de colector. dar diferenţele nu sunt foarte mari. M 6. La acelaşi curent de B colector rezistenţa de ieşire a conexiunii BC este mai mare decât la β IB conexiunea EC.  Din caracteristica de intrare se poate deduce că joncţiunea bază emitor se comportă ca o diodă şi va fi modelată ca atare. la un curent de colector de aproximativ 8mA: rCB = rCB = = 6V = 10K Ω 0. Regiunea de saturaţie începe de la aproximativ –500mV pentru acest tip de tranzistor. 7 V E f ig u 4r 5 a . Pentru cazul particular din figura 43. de ordinul sutelor de milivolţi. şi nu funcţie de tensiunea colector emitor. Rezistenţa de ieşire. în zona tensiunilor mici de colector.6mA Această valoare nu poate fi comparată valoarea rCE determinată pentru caracteristica din figura 42 deoarece C curenţii de colector la care s-a făcut calculul diferă. După cum se vede în graficul din figura 43. f ig u 4r 4 a . având rezistenţa internă de ordinul zecilor de kΩ . β IB E os ed m ml n d aa se r l i e m e C B E f ig u 4r 6 a . Şi în cazul conexiunii E E BC rezistenţa de ieşire este de ordinul zecilor de kΩ . sau rezistenţa internă colector bază va fi: ∆v CB (58) ∆i C Ea este dependentă de iC ca şi rCE. Astfel se explică diferenţa dintre cele două grafice.a conexiunii EC. M p oe dn Tet r blBu l o c a t Pe baza caracteristicilor statice prezentate anterior se poate face un model de semnal mare al p l i f i c a t tranzistorului bipolar. Nu trebuie pierdut din vedere faptul că de această dată curentul de colector este reprezentat în funcţie de tensiunea colector bază. MODEL DE SEMNAL MARE PENTRU TB.  Din relaţia (51) şi pe baza caracteristicilor de ieşire se poate constata că între colector şi emitor tranzistorul se comportă ca o sursă de curent comandată de curentul de bază. În această regiune este valabilă relaţia (47) pentru descrierea funcţionării tranzistorului. M os ed m e lmn d aa pe l r e e n Tt r Bu C B 0 . 42 .

Din formele de undă ale tensiunii de intrare şi ieşire desenate pe aceeaşi figură. modelul Ebers-Moll. este prezentat un inversor realizat cu TB. Inversor cu TB sau TB folosit ca şi comutator Fixăm noţiunile prezentate până acum printr-un exemplu: În figura 48 a. Ea este de fapt o versiune foarte simplificată a unui model mult mai elaborat.7 V 12V R c 0V 12V 0 VO VO VO a b c figura 48. Modelul din figura 44 este valabil C pentru regiunea activă normală. Mai exact. tranzistorul poate fi înlocuit cu o întrerupere între colector şi emitor.3V tipic. se poate înlocui cu o întrerupere şi această joncţiune (figura 46). un tranzistor nu are nici o influenţă asupra circuitului din care face parte.7V (figura 45). Cum în această regiune dioda B-E este polarizată invers. Căderea de tensiune UCE este în jur de 0. se poate găsi justificarea acestei denumiri: 43 . Acest curent trebuie limitat prin introducerea unei rezistenţe în serie cu colectorul sau emitorul tranzistorului. M p oe dn Tt r slBu a t u r a t 7 e funcţionare al tranzistoarelor bipolare. atunci când este blocat. pe baza relaţiei (55). 12V R c 5V R b Q1 12V 0 R b R c 12V 5V Rb 0 . Această rezistenţă trebuie să limiteze curentul de colector de saturaţie la o valoare mai mică decât valoarea maxim admisibilă pentru tranzistor. Ne vom limita însă la utilizarea acestei variante simple deoarece permite o analiză calitativă suficient de precisă a circuitelor cu tranzistori. 0 . În regiunea de saturaţie. 7 V Sub această formă modelul de semnal mare va fi utilizat pentru E E analiza circuitelor de polarizare şi la determinarea punctului static de f i g u 4 r a . necesare în cazul proiectării circuitelor. putem considera tranzistorul ca fiind un scurtcircuit între colector şi emitor (figura 47). El B poate fi simplificat mai mult înlocuind dioda printr-o cădere de tensiune de 0. Prin urmare.Schema echivalentă este prezentată în figura 44. în regiunea de blocare. tranzistorul se comportă între colector şi emitor ca o rezistenţă de valoare foarte mică . Pentru calcule mai precise. Pe baza relaţiei (54). se apelează la programe specializate cum este PSPICE care utilizează modele mult mai precise. În regiunea de saturaţie tranzistorul nu mai controlează curentul de colector.

 dacă tensiunea de intrare este 0V. Pentru ca tensiunea de ieşire să fie 0V. deci joncţiunea B-E este blocată. Această concluzie nu este valabilă pentru orice valori ale Rc sau Rb. este necesar ca: VCC = ICRC sau IC = VCC R c Curentul de bază minim necesar pentru a asigura acest curent de colector va fi: I B MIN = VCC βR C Din figura 48. Cum potenţialul colectorului este mai mare decât al bazei. se poate deduce că: IB = v i − 0 . tensiunea de ieşire este mare (12V). potenţialul bazei va fi egal cu al emitorului. Tranzistorul se găseşte în regiunea de blocare şi poate fi înlocuit cu circuitul echivalent din figura 46. conform datelor de catalog are IMAX = 100mA şi β cuprins între 125 şi 500. şi joncţiunea C-E va fi blocată. din care se vede direct că VO = +12V. În aceste condiţii din relaţia (60) obţinem valoarea minimă admisibilă pentru RC: 44 . curentul de colector să nu depăşească valoarea maxim admisibilă pentru tipul de tranzistor folosit: VCC V ≤ I MAX ⇒ R C ≥ CC RC I MAX (60) Pentru exemplul din figura 48. Obţinem circuitul din figura 48. În acest caz el poate fi înlocuit cu schema echivalentă din figura 47. introdus anterior.a să considerăm că se utilizează un tranzistor BC237 care . atunci când tensiunea de intrare este mică (0V în cazul nostru).7V Rb deoarece curentul de bază trebuie să satisfacă relaţia: I B ≥ I BMIN ⇒ Rb ≤ (VI − 0.7 ) βRC VCC (59) Valoarea minimă a rezistenţei RC este dată de condiţia ca la saturaţie.c. din care se vede direct că VO = 0V. Obţinem circuitul din figura 48 b. presupunem că tranzistorul este saturat.  dacă tensiunea de intrare este 5V.  când tensiunea de intrare este mare (+5V). tensiunea de ieşire este mică (0V) Să analizăm funcţionarea acestui circuit pe baza modelului de semnal mare al TB. c.

nu vom avea probleme cu depăşirea curentului maxim admis. În condiţii de semnal mic. Vom obţine astfel modelul de semnal mic pentru TB din figura 49. pe care o vom nota cu rBE . vom lua în calcul cea mai defavorabilă situaţie. Cum nu cunoaştem precis valoarea β . Rb ≤ ( 5 − 0. Dacă starea de blocare nu este condiţionată decât de valoarea tensiunii de intrare. de exemplu 43kΩ . dioda B-E din figura 44 se va înlocui cu rezistenţa ei dinamică. referitor la diode: = vT iB C B iB rB E f ig u 4r a9 . Aşa cum am stabilit în capitolul anterior. trebuie remarcat faptul că intrarea în saturaţie depinde atât de valorile rezistenţelor cât şi de tipul tranzistorului folosit.. MODEL DE SEMNAL MIC PENTRU TB. relaţia (60) devine: v (62) r BE = β T iC Sau ţinând cont de relaţia (48): r BE = ( β + 1) vT iE (63) 45 . Dat fiind că este mult mai mare decât 120Ω .7 ) × 125 × 1k 12 = 44. adică β =125. Relaţia (59) ne permite determinarea valorii Rb. El este polarizat pentru a lucra în regiunea activă normală iar semnalul de intrare are variaţii suficient de mici pentru ca tensiunile şi curenţii prin tranzistor să se modifice puţin faţă de valorile din punctul static de funcţionare. În exemplul prezentat tranzistorul lucrează ca un comutator electronic: el este fie deschis (blocat).791k Putem alege pentru Rb prima valoare standardizată mai mică decât aceasta. În multe aplicaţii practice TB este utilizat în regim de semnal mic. 7. fie închis (saturat). M E β iB E o s d e e m l m nd apec l e i n T r B t u rBE (61) Având în vedere relaţia (51). În paragraful anterior am analizat situaţia în care modificarea semnalului de intrare este suficient de mare pentru a trece tranzistorul din blocare în saturaţie.RC ≥ 12V = 120 Ω 100 mA Să presupunem că rezistenţa din colector este RC = 1kΩ .

vom determina pe baza relaţiei (65) rBE = 200× 26 = 5200Ω = 5. 46 . M 0 o ed m ml n d ipac e el n Tt r Bu s e rezistenţe se aplică aceeaşi tensiune vBE. vom nota: iE vT iE rEE = şi vom avea (64) rBE = (β +1)rEE C β IB B IB rEE E E (65) Deci putem utiliza şi un alt model de semnal mic pentru tranzistor. Această valoare poate fi folosită cu 1mA modelul de semnal mic din figura 50.2kΩ . Dar rBE va fi parcursă de curentul iB în timp ce rEE este parcursă de iE care este de (β +1) ori mai mare decât iB. Consideraţiunile de mai sus sunt valabile pentru situaţia în care tranzistoarele se găsesc în regiunea activă normală. polarizat să lucreze la un curent de colector de 1mA va avea rEE = 26 mV = 26 Ω . în care rezistenţa dinamică a diodei B-E este parcursă de curentul de emitor (figura 50. trecerea de la unul la celălalt făcându-se pe baza relaţiei 65. În acest scop joncţiunile lor trebuie polarizate aşa cum s-a arătat la începutul acestui capitol. Prin urmare : iB rBE = (β +1) iB rEE de unde: rBE = (β +1)rEE Această demonstraţie ne conduce la următoarea concluzie cu un caracter mai general: rezistenţă R aflată în emitorul unui TB este văzută din bază ca fiind de (β +1) ori mai mare  rezistenţă R aflată în baza unui TB este văzută din emitor ca fiind de (β +1) ori mai mică.Cum din punct de vedere dimensional vT este o rezistenţă. Dacă preferăm modelul din figura 49. un tranzistor cu β = 200. Modelele din figurile 49 şi 50 sunt evident echivalente. Relaţia 65 se poate explica şi astfel: comparând modelele din figurile 49 şi 50 se constată că pe cele două f i g u 5r a . De exemplu.).

punctul static de funcţionare (PSF) al dispozitivului. În analiza circuitelor de polarizare se folosesc relaţiile: IC = β IB IE ≅ IC VBE = 0. IC) determină în planul caracteristicilor de ieşire. coordonatele unui punct. Q.1. joncţiunea BE trebuie polarizată direct iar joncţiunea BC polarizată invers. Prin polarizarea tranzistorului bipolar înţelegem alimentarea lui cu tensiune continuă astfel încât dispozitivul să lucreze în regiunea activă normală. Pentru aceasta. CIRCUITE PENTRU POLARIZAREA TB. Din relaţia (70) rezultă: V − VCE (12 − 6 )V RC = CC = = 3 kΩ IC 2 mA Din relaţia (66): IB = IC 2 mA = = 40 µA β 50 47 . Circuitul de polarizare prin curent de bază Circuitul de polarizare este prezentat în figura 51.8. El este deosebit de simplu deoarece în afară de tranzistor şi sursa de alimentare sunt necesare numai două rezistenţe:  RB care determină valoarea curentului de bază  RC care determină valoarea tensiunii de colector Curentul injectat în bază are valoarea: figura 51. Să determinăm rezistenţele RB şi RC dacă tranzistorul are β = 50 şi dorim ca să lucreze la un curent IC = 2mA pentru o tensiune vCE = 6V.7V 8.ICRC (70) Perechea de valori (VCE. Tensiunea de alimentare este VCC = 12V. Polarizare prin curent de bază (66) (67) (68) Rb R c V cc Q1 0 IB = VCC −VBE RB (69) Curentul IC rezultă din relaţia (66) : IC = β IB iar tensiunea colector emitor : VCE = VCC .

8.94V.3V = = 282 . conform relaţiei (66).prin urmare conform relaţiei 69: RB = VCC − VBE 11.5 KΩ IB 40 µA Practic se va alege pentru RB cea mai apropiată valoare standardizată şi va trebui acceptată abaterea de la punctul static de funcţionare pe care o generează.02mA . are dezavantajul că punctul static de funcţionare. Dacă nu neglijam curentul de bază. Polarizarea prin divizor de tensiune Circuitul de polarizare este prezentat în figura 52. putem afirma conform formulei divizorului de tensiune că: VB = R2 VCC R1 + R 2 0 figura 52. deoarece în relaţia 71 am neglijat efectul curentului de bază asupra divizorului de tensiune iar în relaţia 73 am neglijat din nou curentul de bază. Faţă de circuitul anterior mai apar două rezistenţe. prin urmare VCE = 5. între bază şi masă. Prin urmare stabilitatea PSF la modificarea temperaturii sau la schimbarea tranzistorului nu este foarte bună în cazul acestui circuit.2. şi IC = 2. În realitate concluzia este adevărată numai cu o oarecare aproximaţie. respectiv emitor şi masă. V cc Q1 R1 R c  R1 şi R2 formează un divizor de tensiune care fixează potenţialul bazei  Re determină valoarea curentului de colector R2 R e Neglijând curentul de bază. Acest circuit de polarizare foarte simplu. depinde decisiv de β . valoarea lui depinde şi de temperatură.7V Prin urmare : IE ≅ IC = VE RE (72) (73) (74) VCE = VCC − I C ( RC + R E ) Se poate remarca din relaţiile (71) – (74) că β nu intră în calcule şi prin urmare punctul static de funcţionare este independent de tipul de tranzistor folosit.4µ A. va rezulta IB = 40. foarte mic faţă de curentul care trece prin divizorul de tensiune. Dacă luăm RB = 280kΩ . Pe lângă faptul că β este arareori cunoscut cu precizie. Polarizare prin divizor de tensiune (71) Potenţialul emitorului va fi : VE = VB – 0. 48 .

VE = 2V  Din relaţia (72) rezultă VB = 2.5 kΩ .7V R RC + B (77) β 49 .18V. Tensiunea de alimentare este VCC = 12V. Să determinăm valorile rezistenţelor de polarizare pentru cazul în care dorim ca tranzistorul să lucreze la un curent IC = 2mA pentru o tensiune vCE = 6V. respectiv R1=77.64 – 0.94V× 3KΩ = 6.3.5kΩ .94mA  VCE = 12V – 1.7V R2 R2 × 12 şi deci = 0 .64V 100  VE = 2. El este asemănător cu circuitul de polarizare din figura 51 cu deosebirea că RB se leagă între colectorul şi baza tranzistorului. V cc R b Q1 Rc Neglijând curentul de bază. Polarizare prin reacţie (75) (76) din relaţia (75) şi (76) se poate determina : IC = VCC − 0 .7 = 1. Polarizarea prin reacţie colector-bază Circuitul de polarizare este prezentat în figura 53.  Pe baza relaţiei (74) putem scrie: 6V = 12V – 2mA(RC + 1 kΩ ) de unde RC = 2KΩ Vom alege pentru R1 şi R2 valorile standardizate de 78kΩ respectiv 22kΩ şi vom accepta o uşoară abatere de la PSF preconizat:  VB = 22 ×12 = 2. 8.225  Pe baza relaţiei (71) putem scrie: 2 . Din acest motiv acest circuit este foarte des utilizat în practică.β ar fi apărut în expresia punctului static de funcţionare. foarte mic faţă de curentul de colector. Alegem RE = 1kΩ şi pentru a obţine un curent de colector de 2mA va trebui să avem conform relaţia 73.7 = R1 + R 2 R1 + R 2  Alegem R1 + R2=100kΩ şi rezultă R2=22.7V = β RB 0 Figura 53.94V  IC = 1. putem afirma: VCE = VCC −IC RC Curentul de bază va fi : IB = I C VCE − 0. Cu toate acestea acest circuit de polarizare asigură o stabilitate foarte bună a punctului static de funcţionare atât la variaţiile de temperatură cât şi la înlocuirea tranzistorului cu un altul (modificarea β ).

Figura 54 prezintă fluxul puterilor în cazul unui amplificator . Astfel. Prin urmare reacţia realizată prin RB. un curent de aceeaşi formă cu cel de la intrare. atunci şi curentul de colector va avea o tendinţă de scădere şi prin urmare VCE va creşte. Rezistenţa RB realizează o reacţie negativă între colector şi bază. o mică modificare a curentului de bază determină o modificare importantă a curentului de colector: ∆I C =β (78) ∆I B Prin urmare.7 5.iar din relaţia (75) se poate determina VCE. vom putea obţine în sarcină. 50 . Dar creşterea tensiunii de colector determină o creştere a curentului de bază. dacă în bază vom conecta o sursă de semnal de mică putere. În consecinţă. el însuşi consumă energie.3V ×β = × 50 = 132 . dacă dintr-un motiv oarecare (de exemplu din cauza creşterii temperaturii) curentul de bază scade. iar în colector o rezistenţă de sarcină. Să determinăm RC şi RB pentru aceleaşi condiţii ca şi în cazurile anterioare: IC = 2mA pentru o tensiune vCE = 6V. Tranzistorul se comportă ca amplificator. 9. (12 − 6 )V = 3 kΩ 2 mA VCE − 0 . Dimpotrivă. Aceasta nu înseamnă că el ar produce energie. are tendinţa de a stabiliza PSF. Conform relaţiei (77) PSF este cu atât mai puţin dependent de β cu cât β este mai mare şi RB mai mic. Este o etapă necesară pentru ca tranzistorul să poată fi utilizat ca amplificator.5 kΩ ≅ 130 k . dacă tranzistorul este polarizat în RAN. TRANZISTORUL CA AMPLIFICATOR După cum arată relaţia (66) curentul de colector este de β ori mai mare decât curentul de bază. Tensiunea de alimentare este VCC = 12V. dar la o putere mult mai mare.  Din relaţia (76)⇒ R B = IC 2 mA  Din relaţia (75)⇒ RC = Polarizarea tranzistoarelor nu reprezintă un scop în sine.

PIEŞ. caracteristica de intrare a TB este puternic neliniară (exponenţială) şi prin urmare o variaţie ∆ vBE a tensiunii de intrare va produce o variaţie ∆ iB care nu va fi proporţională cu tensiunea de intrare. Această putere PP se pierde prin efect termic. Cum ∆ VBE este suficient de mic pentru ca graficul caracteristicii de intrare să se suprapună practic cu tangenta dusă în punctul static de funcţionare. Prin urmare putem vorbi de amplificare numai în ceea ce PIES >1 PIN priveşte raportul: aP = (79) În ceea ce priveşte randamentul. sau cel puţin foarte apropiată de forma semnalului de ieşire. Numai dacă ∆ vBE este foarte mic. rezistenţa dinamică a joncţiunii bază emitor. putem aproxima caracteristica de intrare cu tangenta la ea în punctul static de funcţionare şi putem înlocui joncţiunea bază emitor prin rezistenţa ei dinamică. putem afirma în consecinţă că: În condiţii de semnal mic (∆ VBE<<VT) variaţiile curentului de bază sunt proporţionale cu variaţiile tensiunii bază emitor. l u px u tl e rl ai l o a u r mn p l i f ci c u a tT o B r Puterea consumată de la sursa de semnal de intrare PIN este mică. În consecinţă. PCC. Dar la comanda semnalului de intrare. Circuitul de polarizare asigură o tensiune VBE = 670mV. Conform relaţiei (78) nici ∆ iC nu va fi proporţional cu semnalul de intrare şi prin urmare nici tensiunea pe rezistenţa de sarcină nu va avea aceeaşi formă de variaţie ca şi ∆ vBE. va rezulta o modificare ∆ IB a curentului de bază.S A U R D S EA L I M E N T A R E P C C S S U E R D S EA P M N A I LN P I E S S A R C P P f i g u 5 r a4F . nu este suficient ca relaţia (79) să fie satisfăcută. este disipată de tranzistor . Mai trebuie ca forma semnalului de intrare să fie identică. tranzistorul transferă o putere semnificativă de la sursa de alimentare în sarcină. potrivit caracteristicii de intrare va rezulta IB = 13µ A. Factorul de proporţionalitate este rBE. Dacă peste această polarizare în curent continuu se aplică în bază un semnal vi = ∆ VBE. Prin urmare putem utiliza tranzistorul ca amplificator de semnal mic. În figura 55 este prezentat un exemplu. Acest transfer se face însă cu un randament subunitar I N deoarece o parte din A puterea consumată de la sursă. Din nefericire. 51 . acesta este subunitar: η= PIES <1 PCC + PIN (80) Pentru a putea vorbi de amplificare.

AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC ÎN CONEXIUNEA EMITOR COMUN O schemă uzuală astfel Q1 de de V 1 R1 R 2 R c Rs 0 0 0 0 0 figura 57.Se poate remarca în figura 55 că : tgα = ∆I B ∆VBE (81) şi prin urmare rBE se poate determina grafic: rBE = tg α 1 (82) 20uA 13uA ∆ IB ∆ VBE 10uA α 670mV 0A 500mV 550mV 600mV 650mV IB(Q1) figura 55. Aproximarea caracteristicii prin tangenta la curbă pentru variaţii mici ale tensiunii BE V(Q1:b) V cc R1 C1 V 1 Re R2 C 3 Rc C 2 Q1 R s 10. Schema echivalentă de curent alternativ 52 figura 56 Amplificator în conexiunea EC .

. de ordinul zecilor sau sutelor. Prin urmare schema echivalentă de semnal alternativ se va desena considerând VCC legat la masă şi condensatoarele ca fiind scurtcircuite. în funcţie de valoarea β . Condensatorul C1 cuplează în curent alternativ sursa de semnal la amplificator dar o decuplează din punctul de vedere al curentului continuu. De obicei RCECH şi rBE au valori comparabile prin urmare amplificarea în tensiune este mare. Amplificarea de curent se determină la fel de simplu: 53 . Astfel v1 nu afectează circuitul de polarizare al TB. Acesta este un circuit cu elemente liniare care poate fi rezolvat aplicând legea lui Ohm şi teoremele lui Kirchhoff. Condensatorul C2 are rolul de a cupla rezistenţa de sarcină fără ca aceasta să afecteze PSF.amplificator este dată în figura 56. VCC este un punct virtual de masă deoarece valoarea lui nu se modifică. Dacă înlocuim tranzistorul cu modelul de semnal mic din figura 49 obţinem schema echivalentă de semnal mic din figura 58. S ec hc he im v a ad l se e n mt am n i ac l Prin urmare amplificarea de tensiune a montajului va fi: v2 R = aV = − β CECH v1 r BE (82) Relaţia (82) ne arată că amplificarea în tensiune a montajului este mare dacă rezistenţa echivalentă din colector nu este foarte mică în comparaţie cu rBE. Schema echivalentă de curent continuu va fi prin urmare cea din figura 52. Obţinem schema din figura 57. Din punctul de vedere al variaţiilor de semnal. Notăm: RCECH = RC IIR S = RC R S RC + R S şi vom avea: v 2 = −i C RCECH = − βi B R CECH = − β v1 RCECH r BE iC i1 v1 iB rB E i2 R 1 R β IB R C R S v2 2 f ig u 5r 8 a . un circuit clasic de polarizare prin divizor de tensiune. în timp ce în curent continuu lasă în circuit rezistenţa de polarizare din emitor. Condensatorul C3 pune la masă emitorul TB în curent alternativ.

chiar sutelor) şi are rezistenţele de intrare şi ieşire medii (de ordinul kohmilor). considerând că în locul rezistenţei de sarcină avem o sursă de tensiune v2: = v2 ≅ RC i2 rO (85) În concluzie. atât în curent cât şi în tensiune dacă rezistenţa de sarcină şi rezistenţa din colector sunt una şi aceeaşi rezistenţă. Schema unui astfel de amplificator este prezentată în figura 59. De câte ori este posibil inginerii aleg această soluţie pentru proiectarea circuitului. A doua condiţie este de regulă îndeplinită prin grija proiectantului. 11. Prima condiţie depinde de valoarea rezistenţei de sarcină deoarece valoarea RC este impusă din considerente de polarizare. Amplificarea de curent rezultă: RC i2 R12 = aI = β i1 RC + R S r BE + R12 (83) Pentru ca amplificarea de curent să se apropie de valoarea β trebuie ca RC să fie mare în raport cu RS şi R12 mare în raport cu rBE. Rezistenţa de intrare a circuitului este = v1 = R1 R 2 rBE ≈ rBE i1 rI (84) deoarece aşa cum am specificat R1 şi R2 sunt de obicei cu mult mai mari decât rBE. Rezistenţa de ieşire se determină cu intrarea în scurtcircuit şi ieşirea în gol. După cum se vede din figură: v 2 = i 2 R S = ( i C + i B )R S = ( β + 1 )i B R S = ( β + 1 ) v1 − v 2 RS ⇒ r BE  R v 2 1 + ( β + 1 ) S r BE   v1 R S ⇔ v 2 [ r BE + ( β + 1 )R S ] = ( β + 1 )v 1 RS  = ( β + 1) r BE  54 . Din relaţiile (82) şi (83) se poate trage concluzia că amplificarea este maximă.i2 = RC RC RC R12 iC = βi B = βi1 RC + R S RC + R S RC + RS r BE + R12 unde prin R12 am notat rezistenţa echivalentă a R1 şi R2 puse în paralel. iar schema echivalentă de semnal mic în figura 60. TB în conexiune EC are amplificare mare atât în curent cât şi în tensiune (de ordinul zecilor. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC ÎN CONEXIUNEA COLECTOR COMUN.

β +1 cum este cazul de obicei. Dacă rBE <<RS. Dacă R12 tinde la infinit. 2 4 . Ea a fost obţinută prin neglijarea curentului de bază în raport cu curentul prin R 12. Dar această relaţie nu mai este aplicabilă deoarece premisele care au generat-o nu mai 55 . amplificarea de tensiune se apropie de unitate: aV ≈ 1 Având în vedere relaţia (87): v 2 ≈ v 1 ⇒ i B ≈ 0 ⇒ i1 = v1 R12 (87) dar: v 2 ≈ v1 ⇒ i 2 ≈ v1 RS prin urmare: i2 R = aI = 12 i1 RS (88) Prin urmare amplificarea de curent a montajului poate fi foarte mare dacă valoarea echivalentă a rezistenţelor R1 şi R2 legate în paralel este mult mai mare decât rezistenţa de sarcină.de aici determinăm amplificarea: v2 RS = aV = r BE v1 + RS β +1 (86) V cc R 1 Q1 V 1 R 2 Rs I1 iB rB E iC β IB v1 R 1 2 I2 R v2 S figura59. Amplificator cu TB în CC f figura 60. din relaţia (88) ar rezulta o amplificare infinită de curent. Schemaesechivalentă de l ae n t a i g . cc hh i e v ma semnalmmic n ia c l d es e m Relaţia (86) arată că amplificarea de tensiune a acestui montaj este subunitară. Evident relaţia (88) este un rezultat aproximativ.

56 .sunt îndeplinite. maximum β +1. Cum ea se determină cu sursa de semnal în scurtcircuit. Prin urmare: rI = R12 II [rBE + (β +1)RS] (90) În funcţie de valoarea RS rezistenţa de intrare poate să fie foarte mare dar nu mai mare decât R12. Rezistenţa de intrare este mare şi rezistenţa de ieşire mică. în timp ce la frecvenţa de lucru are o impedanţă foarte mare. practic infinită. asigurând legarea emitorului la masă. TB repetă la ieşire tensiunea de la intrare. polarizare figura 62. schema echivalentă de curent continuu în figura 62 iar schema echivalentă de semnal mic în figura 63. avem: rO = rBE β +1 (91) Observăm că valoarea dată de relaţia (91) este foarte mică dacă β este mare.. C 1 2 V 1 Ls Q1 C 2 Rb 1 R Rc Vcc Q1 C3 1 R1 R c R s V cc figura 61 Conexiunea BC 0 Fig. În concluzie în conexiunea colector comun. curent de bază prin Circuitul de polarizare Bobina de şoc Ls este scurtcircuit în curent continuu. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC ÎN CONEXIUNEA BAZA COMUNĂ. 12. Schema unui astfel de amplificator este prezentată în figura 61. Simpla inspecţie a circuitului din figura 60 ne indică faptul că în acest caz : aI = aIMAX = β +1 (89) Pentru determinarea rezistenţei de intrare în montaj trebuie să ţinem cont de ceea ce am demonstrat deja în paragraful 7: o rezistenţă plasată în emitor este văzută din bază de β +1 ori mai mare. 15. Pentru determinarea rezistenţei de ieşire văzute de sarcină trebuie să avem în vedere concluzia din paragraful 7: o rezistenţă plasată în bază este văzută din emitor de β +1 ori mai mică. motiv pentru care acest montaj se mai numeşte şi repetor pe emitor. Amplificarea de curent este mare.

condensatorul C1 cuplează sursa de semnal în emitor. C2 cuplează sarcina în colector.Circuitul din care se poate determina PSF va fi cel din figura 62. i2 = RC RC RC iC ≅ iE = − i1 RC + R S RC + R S RC + R S deci amplificarea de curent va fi: RC i2 =− i1 RC + R S prin urmare amplificarea de curent este subunitară. dacă Rc>>Rs amplificarea maximă de curent este aproape de unitate. ţinând cont de relaţia (65) dintre rEE şi rBE aV = β RCECH r BE (92) Comparând relaţiile (92) şi (82) se poate remarca că acest montaj are aceeaşi amplificare de tensiune ca şi montajul EC dar cu semn schimbat. Prin urmare circuitul are amplificare de tensiune mare (la fel ca şi conexiunea EC) dar amplificarea de curent este subunitară. Din inspecţia circuitului de semnal mic rezultă că rezistenţa de intrare este rEE iar rezistenţa de ieşire RC. Dacă ţinem seama de relaţia (47) dintre curentul de colector şi curentul de emitor observăm că amplificarea maximă de curent poate fi α F. deci semnalul de intrare este în fază cu semnalul de ieşire. Aceasta este situaţia când RC şi RS sunt una şi aceeaşi rezistenţă. Are o rezistenţă de intrare foarte mică şi o rezistenţă de ieşire medie. Se poate remarca faptul că este un circuit simplu de polarizare prin curent de bază. În schema echivalentă de semnal mic (figura 63) emitorul este decuplat de la masă din cauza impedanţei infinite a bobinei LS. 57 . Practic. Determinăm amplificarea de tensiune: v 2 = −i C RCECH ≅ −i E RCECH = i 1 RCECH = v1 RCECH r EE i1 v1 rEE iE iB β IB iC R C i2 R S unde: RCECH = RC IIR S = RC R S RC + R S v2 Prin urmare: figura 63 Schema echivalentă de semnal mic R v2 = aV = CECH v1 r EE sau. iar C3 leagă baza la masă.

9 1.13. rezistenţa se va exprima în kΩ .86 mA 3 .Amplificator în EC şi schema lui echivalentă de semnal mic Semnalul de intrare se aplică prin C1 în baza tranzistorului şi semnalul de ieşire se ia direct din colector.3V ⇒ I E = = 0 . Rezistenţa de sarcină este chiar RC. V cc 22V R1 39k C1 Q1 10uF Rc 10k IC V2 i1 V1 IB R 12 V1 R2 3 .9 + 39 1.5 k CE 47uF V2 R c figura 64. IE se determină din schema de curent continuu: VB = 3 .9 k RE 1 . Din relaţia (82) avem: aV = − β RC r BE Nu cunoaştem valoarea β dar: β r BE = 1 r EE iar rEE = vT IE prin urmare: aV = − RC R ×I =− C E r EE vT 1 = 0 . deci dacă curentul se exprimă în mA. EXEMPLU PRACTIC DE AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC În finalul acestui capitol vom analiza o schemă practică de amplificator cu TB (figura 64) .5 58 .3 × 22 ≅ 2V ⇒ VE ≅ 1. deci: vT La temperatura camerei (27OC) vT = 26mV.038 ( mV ) −1 = 38 (V ) −1 . deci aV = 38 RC× IE (93) În relaţia (93) produsul RC IC trebuie să fie din punct de vedere dimensional volt.

5k II β × 30Ω I E 3.86 = 3.30kΩ . în funcţie de tipul de tranzistor folosit.9 + 39 Cum β este de ordinul 100 – 1000 pentru tranzistoarele de mică putere.9 × 39 26 = IIβ 0. Rezistenţa de ieşire va fi egală cu rezistenţa din colector.86 ≈ 326 Rezistenţa de intrare în montaj se determină astfel: = v1 = R1 R 2 r BE = R12 i1 II r ri = R12IIβ BE =R12IIβ rEE = v T 3. Tabelul următor sintetizează proprietăţile amplificatoarelor cu TB în cele trei conexiuni de bază: Conexiunea aV aI rI rO R c −β RC r BE β rBE RC EC RE CC 1 β +1 (β +1)RE r BE β +1 59 . rezultă că termenul β × 30Ω este de ordinul a 3kΩ .5 – 3. 10 kΩ .deci amplificarea de tensiune va fi: aV = 38 × 10 × 0. Prin urmare rezistenţa de intrare în montaj va fi de ordinul 1.5 kΩ .

Rc β RC r BE α F r BE β +1 RC 60 .

este prezentată o structură J – FET cu canal n. Îngustarea se face prin extinderea sau reducerea regiunii golite a unei joncţiuni p-n invers polarizate. Canalul de tip n dintre cele două regiuni golite are lăţimea maximă atunci când VGS = 0. şi MOS – FET cu canal indus.oxid – semiconductor. 61 . Cele trei terminale sunt sursa (corespondentul emitorului). În cazul acestora din urmă avem MOS – FET cu canal iniţial. Există un canal semiconductor între sursă (S) şi drenă (D). TRANZISTORUL J – FET La o joncţiune p-n invers polarizată apare o regiune golită de purtători de sarcină cu atât mai mare cu cât tensiunea de polarizare inversă a joncţiunii este mai mare. Tabelul de mai jos sintetizează tipurile de TEC şi simbolurile lor de circuit. TEC J . drena (corespondentul colectorului) şi poarta sau grila (corespondentul bazei). dacă canalul apare abia după aplicarea tensiunii VGS.Capitolul IV TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) sunt dispozitive semiconductoare cu trei terminale ca şi TB şi un comportament electric asemănător cu acestea. dacă canalul dintre S şi D există şi înainte de aplicarea tensiunii VGS. a cărui conductivitate poate fi modificată de câmpul electric generat prin aplicarea unei tensiuni între poartă (G) şi sursă. Dacă VGS este aplicată prin intermediul unui contact metal . (Nu intră în discuţie eventualitatea ca VGS să fie pozitivă pentru că în acest caz joncţiunea p-n ar fi polarizată direct şi nu mai putem vorbi despre efect de câmp). Dacă tensiunea G –S este aplicată prin intermediul unei joncţiuni p-n invers polarizate. Principiul de funcţionare este însă total diferit. În figura 65. vorbim despre tranzistoare MOS (MOS – FET). vorbim despre tranzistori cu efect de câmp cu joncţiune (J-FET).FET CU CANAL N D G S D G S D G S D G S G S D S CU CANAL P D MOS – FET CU CANAL INIŢIAL MOS – FET CU CANAL INDUS G 1. Funcţionarea tranzistoarelor J – FET se bazează pe modificarea conductivităţii unui canal semiconductor de tip p sau n prin îngustarea lui mai mult sau mai puţin accentuată.

Distingem două situaţii: D c a n a ln d e t dacă VDS are valoare mică. datorită atracţiei pe care drena. electronii pot ajunge de la sursă la S drenă. curentul de drenă va creşte proporţional cu tensiunea drenă sursă şi prin urmare tranzistorul se comportă între drenă şi sursă ca o rezistenţă a cărei valoare depinde de tensiunea VGS. t r u 5 c J t . regiunea golită se extinde şi canalul se îngustează. IDS = VDS rDS V G ≤ 0 S r e g i gu on le i ta ã (95) (96) S r DS = f (VGS ) f ig u 6 r aS . prin urmare conductivitatea lui scade. pozitivă. capătul dinspre drenă al canalului se va îngusta mai repede decât capătul dinspre sursă (figura 66. de ip G p n p ordinul a o sută de milivolţi.VDS (98) Prin urmare. deoarece : VGD = VGS . dar f i g u 6 r aÎ n . o exercită asupra lor. indiferent de valoarea tensiunii VDS. Prin dispozitiv va trece curentul maxim.Pe măsură ce VGS creşte în sens negativ. La o anumită valoare: VGS = -VP (94) regiunea golită obturează complet canalul şi prin urmare nu vom avea curent de drenă. dacă VDS = VP atunci VGD = . Din acest moment. g u s m a aar eic ac e n a tc u a a n t aã l u l u i 6 t curentul nu mai creşte pe măsură l a c a p dã it nu sl d p r r e e n ã ce VDS creşte. numit curentul de saturaţie IDSS.).VDS (97) G n Pentru VGS = 0 din relaţia (97) avem: VGD = . peste câteva sute de milivolţi.Fu rE a c T u c na n a l D dacă VDS are valoare mare.VP şi prin urmare capătul VG ≤ 0 S dinspre drenă al canalului se obturează . 62 . traversând regiunea golită.

Cunoaşterea acestor valori este importantă pentru descrierea analitică a funcţionării J – FET: Pentru regiunea de saturaţie a curentului: ID S S (1 − ID = IDSS VGS ) VP 2 (99) VP figura 68.fet Relaţia (99) exprimă dependenţa dintre ID (mărime de ieşire) şi VGS (mărime de intrare). în rest funcţionarea dispozitivului fiind similară. prin urmare descrie caracteristica de transfer a dispozitivului în zona de saturaţie a curentului de drenă . Aceasta este zona de saturaţie a curentului de drenă sau regiunea de funcţionare în regim de tranzistor a acestui dispozitiv. a. Pentru cazul particular din figura 67 ( tranzistorul 2N5198) se vede că VP ≈ 2V iar IDSS ≈ 4mA. Graficul ei este trasat în figura 68. Pentru tensiuni VDS mici. 63 . Se poate remarca din figura 67 că pentru VDS > VP caracteristica de ieşire a J – FET este similară cu a unui TB. figura 67. În figura 67. dependenţa aceasta devine neliniară şi se poate remarca din figura 67. Pe măsură ce canalul se îngustează mai accentuat spre drenă. J – FET poate fi folosit ca rezistenţă comandată în tensiune. Caracteristica de transfer a j . avem un detaliu al caracteristicii pentru tensiuni VDS mici. că de la un moment dat.b. Caracteristica de ieşire a J – FET VP b. IDSS a.Pentru valori din ce în ce mai negative ale VGS. ID este independent de VDS. Se poate remarca dependenţa liniară a curentului de drenă de tensiunea VDS. În cazul unui J – FET cu canal p este evident că toate tensiunile şi curentul de drenă vor avea sens invers. aceste fenomene se vor produce pentru valori din ce în ce mai mici ale V DS şi curentul se limitează la valori mai mici decât IDSS. Caracteristica de ieşire din figura 67 ilustrează cele două regiuni de funcţionare.

2. TRANZISTORUL MOS – FET CU CANAL INIŢIAL Structura MOS – FET cu canal iniţial este prezentată în figura 69. Sub efectul VDS electronii din canal vor ajunge de la S la D asigurând un curent ID cu atât mai mare, cu cât avem mai mulţi electroni liberi în canal. Dacă n0 este numărul de electroni pentru VGS = 0, atunci distingem 2 cazuri: S
-n e t a li z a r e G VG S S -n

i2 O

c a nn a l

D

m

p

S

S

V

D

S

VGS > 0, caz în care metalizarea din regiunea porţii se încarcă pozitiv. Sarcina pozitivă din poartă va atrage electronii minoritari din substratul p în canal îmbogăţind canalul în purtători. Numărul acestora va fi :
+

n şi

> n0

(100)

s u b s pt r a t f ig u 6 r aS . t r u 9 c M t u O r Fa S E cT u c a n a l i n

deci conductivitatea canalului va creşte.

VGS < 0, caz în care it i a l metalizarea din regiunea porţii se va încărca negativ. Sarcina negativă din poartă va atrage goluri din regiunea p a substratului care se vor recombina cu electronii din canal sărăcindul în purtători de sarcină. Numărul acestora va fi: n- < n0 (101) şi în consecinţă conductivitatea canalului va scădea. Spre deosebire de J – FET , MOS – FET cu canal iniţial poate să lucreze la valori pozitive şi negative ale tensiunii VGS. Aşa cum se vede din caracteristica de transfer din figura70. IDSS nu mai este curentul maxim prin dispozitiv . Pentru VGS>0 ⇒ ID>IDSS. De aceea prin proiectarea circuitului de polarizare curentul de drenă trebuie limitat sub valoarea maximă admisă. Caracteristica de transfer este asemănătoare cu a JFET iar pentru zona de saturaţie a curentului de drenă este valabilă ecuaţia lui Shockley (relaţia 99).

ID

ID S S VG S
figura 70. Caracteristica de transfer a MOS FET cu canal iniţial

64

3. MOS – FET CU CANAL INDUS Structura de MOS – FET cu canal indus este prezentată în figura 71. Ea este similară cu structura unui MOS – FET cu canal iniţial (figura 69.) cu deosebirea că nu există canalul iniţial între drenă şi sursă. Distingem două cazuri: 1. VGS > 0, caz în care metalizarea din regiunea S i2 O porţii se încarcă pozitiv (figura72). Sarcina D pozitivă din poartă va n atrage electronii minoritari m e ta li z a r e din substratul p în S S G de sub V D S regiunea p metalizarea porţii. Dacă VG S V GS depăşeşte o valoare de prag VT, numărul de n S electroni atraşi devine suficient de mare pentru a realiza un canal de s u b s pt r a t electroni între drenă şi sursă. Între D şi S este indus un canal n de f i g u 7 r aS . t r u c M t u O r F a S E c T u 1 c i a n a ls n d u către tensiunea VGS > VT. 2. se D + + + + S S n II II II II n p i 2 O c a nn ia n l d u s VGS < 0, caz în care metalizarea din regiunea porţii va încărca negativ. Sarcina negativă din poartă va respinge electronii din regiunea de sub metalizarea porţii astfel încât între drenă şi sursă nu se va induce un canal care să permită trecerea curentului de drenă. În această situaţie ID = 0, indiferent de VDS.

G V
G

>V S

T

I I I S I I I

S

V

D

S

Spre deosebire de MOS – FET cu canal iniţial, tranzistorul MOS – FET cu canal indus poate să lucreze f i g u 7 r 2Ia n . d u c c e a r ne a d l uee l l ue i c t r o n i doar la valori pozitive ale tensiunii VGS, aşa cum se vede din caracteristica de transfer din figura 73. Pentru tranzistorul 2N7002 a cărui caracteristică este reprezentată în figura 73, tensiunea de prag este de 2,2V. Caracteristica de ieşire este asemănătoare cu a JFET dar ecuaţia lui Shockley nu mai este valabilă. Se poate utiliza relaţia: s u b s pt r a t ID = k(VGS – VT)2 În care:
k= i D( ON ) (VGS ( ON ) − VT ) 2

(102) (103)
65

ID

VT = 2,2V

VGS

figura 73. Caracteristica de transfer a MOS FET cu canal indus

ID(ON) şi VGS(ON) sunt date de catalog. Se poate observa din graficul caracteristicii de transfer că, pentru VGS=0, nu avem curent de drenă. Prin urmare este evident că pentru acest tip de tranzistor nu putem defini un curent IDSS. Curentul de drenă maxim trebuie limitat de circuitul exterior la o valoare care să nu pericliteze tranzistorul. Tranzistorii cu efect de câmp cu canal de tip p se comportă la fel cu cei de tip n, pentru VGS de polaritate opusă şi ID de sens invers. În concluzia celor prezentate până acum, tabelul următor sintetizează deosebirile dintre cele 3 tipuri de tranzistori cu efect de câmp. MOS – FET cu canal indus
CU CANAL N CU CANAL P

J - FET
CU CANAL N CU CANAL P

MOS – FET cu canal iniţial
CU CANAL N CU CANAL P

(1 −

ID = IDSS
VP<VGS<0

VGS ) VP 2
0< VGS< VP

(1 −

ID = IDSS
VP<0 ; VP<VGS

VGS ) VP 2

ID = k(VGS – VT)2
0< VT < VGS VGS< VT<0

VP>0 ; VP>VGS

4. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CÂMP. Polarizarea TEC are acelaşi scop ca şi polarizarea TB dar soluţiile practice de realizare depind de tipul de TEC. În analiza oricărui circuit de polarizare a TEC trebuie să ţinem cont de următoarele relaţii:  Poarta TEC este izolată de canalul drenă – sursă printr-un strat izolator de SiO2 sau printr-o joncţiune invers polarizată deci: IG = 0 (104)

 Drena şi sursa sunt legate printr-un canal la care nu sunt ataşate ohmic alte terminale, deci: ID = IS (105)
66

VS < 0. Determinarea punctului static de funcţionare se face pe baza următoarelor relaţii: VG = 0 VS = IDRS (106) (107) 67 . de două surse de tensiune.1. în cazul în care este cu canal n.  Sursa de tensiune V2 asigură prin intermediul RG o tensiune VGS negativă. aşa cum se vede în figura 74. RS leagă sursa la masă şi căderea de tensiune de pe această rezistenţă este VS > 0.  Pentru o polarizare corectă această sursă trebuie să îndeplinească condiţia: VP < V2 < 0  Curentul de drenă corespunzător se determină din ecuaţia lui Shockley în care VGS se înlocuieşte cu V2: V (1 − 2 ) VP 2 I =I D DSS Cunoscând ID. Circuitul este prezentat în figura 75 şi se realizează prin intermediul a două rezistenţe: RG leagă poarta la masă.IDRD Soluţia este incomodă din cauza utilizării unei surse speciale de polarizare a porţii şi în majoritatea cazurilor este evitată. Polarizarea J.  Sursa de tensiune V1 asigură prin intermediul RD o tensiune VDS pozitivă.4. O altă soluţie este utilizarea unui circuit de polarizare automată a porţii. circuitul de polarizare trebuie să asigure VDS > 0 şi VGS < 0. Ar fi nevoie prin urmare. circuit de polarizare pentru JFET    V Figura75. Prin urmare tensiunea VGS va fi G VGS VDS Figura 74. ceea ce urmărim de fapt. de polarităţi diferite. VDS rezultă imediat: ID VDS = V1 . circuit de polarizare automată G D S .FET Pentru polarizarea acestui tip de FET. asigurând astfel VG = 0.VS = .

(-3 .Din relaţiile (106) şi (107) rezultă: VGS = VG – VS = .8).3k RS=1K IDSS=8mA VP= .0) şi (4.8 .IDRS Înlocuind această valoare în ecuaţia lui Shockley obţinem: I D = I DSS (1 − − I D RS 2 ) VP (108) (109) Relaţia (109) este o ecuaţie de gradul 2 din care se poate determina algebric ID: ID = − B − B 2 − 4 AC 2A unde am notat: A=R 2 S  VP2 B = − 2IVP IR S +  I DSS      2 C = VP Cunoscând valoarea ID. Am desenat apoi dreapta a cărei ecuaţie este dată de relaţia 108 prin două puncte obţinute pentru ID = 0 şi ID = 4. În acest scop. Coordonatele punctului de intersecţie al celor două grafice ne dau valorile VGS şi ID în punctul static de funcţionare: 68 .3VP I DSS 2 0 IDSS Pe baza tabelului de mai sus. Coordonatele punctului de intersecţie al celor două grafice vor fi VGS şi ID. Se folosesc de obicei următoarele 4 puncte care rezultă din ecuaţia lui Shockley: VGS = ID = VP 0 VP 2 I DSS 4 0. Graficul caracteristicii de transfer se poate trasa prin puncte. 2) . Rezultă punctele de coordonate (0.4). (-1. VGS se determină cu relaţia (108) iar VDS din suma căderilor de tensiune pe bucla de ieşire: VDS = V1 – (RD + RS)ID (110) Acest calcul algebric laborios poate fi evitat utilizând metoda grafică de determinare a punctului static de funcţionare. în cazul nostru concret rezultă 4 puncte de coordonate: (-6 . În figura 76 am marcat aceste puncte şi unindu-le am aproximat caracteristica de transfer a dispozitivului. Să exemplificăm metoda pe circuitul din figura 75 pentru următoarele valori numerice: V1=20V RD=3. (0.6V. VDS se va determina din relaţia (110). 4) . 0) . peste graficul caracteristicii de transfer a dispozitivului vom trasa dreapta dată de ecuaţia (108).

De obicei ea este de ordinul megaohmilor. din relaţia 110: VDS = 20 – (3. Important este ca poarta să fie legată la 0V. Dar.6 = 8.6mA Prin urmare.3 + 1)2.6 1 0 -2 -1 Se poate constata că RG nu apare în determinarea PSF. Implicit şi figura 77. figura76. dat fiind că nu avem curent de poartă. din punctul de vedere al unei eventuale surse de semnal legate la poarta JFET. Dacă se doreşte polarizarea cu tensiune negativă a porţii se poate aplica metoda de polarizare automată descrisă anterior.VGS = -2. din punctul de vedere al PSF ea poate să aibă orice valoare. căderea de tensiune pe această rezistenţă este 0 indiferent de valoarea rezistenţei. Este deci de preferat ca această rezistenţă să fie mare. Determinarea grafică a PSF 4. mai rar utilizat.8V ID (mA) 8 7 6 5 4 -2. pentru a nu consuma curent din sursa de semnal. Polarizarea MOSFET cu canal iniţial. După cum s-a explicat în paragraful anterior. Circuite de polarizare pentru MOS FET cu canal indus pentru VGS = 0.6V şi ID = 2. Prin urmare cea mai simplă metodă de polarizare este simpla legare a porţii la masă printr-o rezistenţă de valoare mare. Prin urmare. în care tensiunea de polarizare a porţii se doreşte 69 . Într-adevăr. acest tip de MOS-FET poate să lucreze ca tranzistor atât pentru valori pozitive cât şi negative ale VGS.6 3 2 VGS (V) -6 -5 -4 -3 -2. În cazul. această rezistenţă este văzută ca rezistenţă de intrare.2.

ca la tranzistoarele bipolare. Dacă ID este prea mare se va ajusta VGS prin reducerea RG2 sau creşterea RG3.RDIDSS Pentru circuitul din figura 77. deoarece şi în cazul acestui tranzistor este valabilă ecuaţia lui Shockley. 4. Pentru circuitul din figura 77. Acest tip de tranzistoare au nevoie de tensiune VGS > VT > 0 (ne referim ca şi până acum la cele cu canal n) pentru a fi polarizate în regiunea de saturaţie a curentului de drenă. pentru a nu micşora rezistenţa de intrare a circuitului. Se va verifica dacă acesta nu cumva depăşeşte valoarea maximă admisă pentru tranzistor. În cazul circuitului de polarizare din figura 77.r circuit de ppolarizare ecuc reacţiec t i e .c. Un circuit de polarizare mult mai des folosit pentru acest tip de tranzistor este circuitul de polarizare prin reacţie drenă – grilă care este prezentat în figura 78.a fi pozitivă. rezultă: VGS = VDS prin urmare: VGS = V1 – IDRD cum pentru acest tip de tranzistor: ID = k(VGS – VT)2 (112) (111) 70 .3. Aceste rezistenţe sunt uzual de ordinul megaohmilor.1 4 . valoarea VGS se poate determina prin formula divizorului de tensiune: VGS = RG 2 V1 RG1 + RG 2 Pe baza relaţiei lui Shockley rezultă ID.b se poate aplica metoda grafică sau metoda algebrică prezentate în paragraful referitor la polarizarea J-FET. C i c u it d e o l a riz a r u re a Deoarece curentul de grilă este 0. ca în cazul MOS-FET cu canal iniţial (figura77. Cele 3 circuite de polarizare sunt prezentate în figura 77. c).a avem: VGS = 0. deci ID = IDSS şi VDS = V1 . Polarizarea MOS-FET cu canal indus. se poate folosi metoda divizorului de tensiune. R D R G V 1 f i gfigura 78. Prin urmare se poate utiliza polarizarea prin divizor de tensiune.

5V 2 ⇒ (VG S . dV GS Cum TEC nu consumă curent la intrare modelul de semnal mic pentru TEC va fi o sursă de curent comandată în tensiune (figura 79). M 9 os ed m ml n d ipa c e el n T t r E u C e În cazul analizei comportării dispozitivului la frecvenţe mari. CGD. care s-ar aplica în poartă. Acest model g m vG S vG S simplificat permite analiza rapidă a amplificatoarelor de semnal mic cu S S TEC. CDS. Dar ca şi în cazul TB.5V (VGS – VT) = mA 2 0. Un model mai exact include şi rezistenţa internă dintre drenă şi sursă care are valori de ordinul zecilor de kΩ . valoarea RG. Din punctul de vedere al eventualei surse de semnal . MODELUL DE SEMNAL MIC PENTRU TEC Relaţia ID = f(VGS) este pătratică. în punctul static de funcţionare.5 = 5.8 kΩ 3 mA Deoarece nu trece curent prin ea. k = 0.5 ⇒ R D = 5. vor fi luate în considerare şi capacităţile interne C GS. nu are relevanţă. pentru oricare tip de TEC. doar semnul tensiunilor aplicate şi sensul curenţilor rezultaţi se schimbă.5V = 1. Polarizarea tranzistoarelor cu efect de câmp cu canal p se face prin aceleaşi circuite ca şi în cazul TEC cu canal n. deci neliniară. ea este bine să aibă o valoare foarte mare. 5. astfel încât ID = 3mA. pentru variaţii mici ∆ VGS în jurul valorii din PSF.24 mA/V2 şi dorim să îl polarizăm cu circuitul din figura 78.VT ) = 3. vom obţine pe baza relaţiilor de mai sus: 3m A = 12. D 71 . Panta acestei tangente se notează cu gm şi se numeşte transconductanţă: gm = G dI D . caracteristica se poate aproxima prin tangenta la ea în PSF. cu condiţia să fie finită. un tranzistor cu VT = 3V . din relaţia (112): I D R D = 12 − 6. De obicei se alege RG de ordinul megaohmilor.din ultimele două ecuaţii se pot determina ID şi VGS . f i g u 7r a . de ordinul picofarazilor.5V ⇒ VG S = VD S = 6 . Dacă avem de exemplu. de la o sursă de alimentare de 12V. din punctul de vedere al polarizării. pentru a nu micşora impedanţa de intrare a montajului. Din relaţia (111) se determină VDS.24 V 2 şi prin urmare.

Relaţia (113) devine în acest caz: 72 .6. Ca şi TB. V cc R D C1 Vo C 2 Vi G vI R vG S iD S D R S D RG RS C3 G g m vG S vo figura 80. Rezistenţa de intrare în montaj este RG. Condensatoarele C1 şi C2 decuplează din punctul de vedere al curentului continuu sarcina. respectiv sursa de semnal de la intrare. TEC se pot folosi ca amplificatoare de semnal mic. Condensatorul C3 şuntează rezistenţa de polarizare RS în gama de frecvenţe pentru care este proiectat amplificatorul. aceştia au fost înlocuiţi cu scurtcircuite. aceasta ar apare în schema de semnal mic în paralel cu RD. UTILIZAREA TEC CA AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC. Dacă facem abstracţie de condensatoare. În schema echivalentă de semnal mic. În acest caz relaţia (113) este aplicabilă dacă în loc de RD punem rezistenţa echivalentă RDIIRS. În acest scop ele vor fi polarizate în regiunea de saturaţie a curentului de drenă. Dacă sursa de semnal de intrare are rezistenţa internă Ri. În figura 80 avem un amplificator cu JFET în conexiunea sursă comună. ea va forma un divizor de tensiune cu R G şi la intrarea amplificatorului va ajunge numai o parte din semnalul sursei. precum şi modelul de semnal mic al circuitului. Amplificator cu JFET în conexiune sursă comună Tensiunea de ieşire va fi: v o = −i D R D = −g m v GS R D = −g m v i R D de unde amplificarea de tensiune: vo = −g m R D vi (113) În cazul în care am avea o rezistenţă de sarcină RS conectată la ieşire. obţinem circuitul de polarizare automată din figura 75.

de unde rezultă următoarea VCC − VP I DSS condiţie pentru rezistenţa de sarcină: RD ≤ Dacă această inegalitate este satisfăcută. În cazul TB amplificarea poate fi de ordinul sutelor. sau de tensiunea de alimentare VCC . Evident. Prin urmare valoarea curentului de drenă este independentă de rezistenţa de sarcină RD. trebuie ca RG >> RI pentru ca amplificarea dată de relaţia (114) să fie maximă. Sursă de curent constant pentru ca ID să fie egal cu IDSS trebuie ca VDS > VP. 73 . faţă de un amplificator cu TB în conexiune EC. rezistenţa de intrare a amplificatorului cu J-FET este mult mai mare. Din acest motiv se alege RG de ordinul megaohmilor. 7. deci avem o sursă de curent constant. Ţinând cont de faptul că gm are valori tipice de ordinul (2 – 5) mA / V iar R D este de ordinul kohmilor rezultă pe baza relaţiei (113) că amplificarea unui etaj cu J-FET va fi de ordinul zecilor. ceea ce constituie un avantaj. în cazul J-FET acest lucru se obţine prin simpla legare a porţii la sursă (figura 81). Dar amplificarea de tensiune este mai mică.vo RG = −g m R D × vi RG + R I (114) Pentru un RI dat. Desigur. UTILIZAREA TEC CA SURSĂ DE CURENT CONSTANT Orice tranzistor se poate folosi pentru realizarea unei surse de curent constant. în loc de J-FET se poate folosi orice alt tip de TEC. modificând corespunzător circuitul de polarizare. trebuie respectată condiţia VDS > VP altfel din graficul caracteristicii de ieşire a J-FET se poate observa că ID devine dependent de VDS. Dar. Se poate remarca faptul că. Valoarea amplificării va fi tot cea dată de relaţia (113). În acest caz vGS = 0 şi pe baza ecuaţiei lui Shockley : V cc ID = IDSS. VDS = VCC − I D R D RD ID figura 81. prin RD va trece acelaşi curent IDSS independent de valoarea rezistenţei sau de valoarea tensiunii de alimentare.

Din acest motiv. în majoritatea cazurilor. MOSFET protejat cu diode Zener expus la străpungere indiferent de polaritatea tensiunii VGS. puterea disipată prin efect termic este mare şi poate duce la defectarea dispozitivului. tranzistoarele V-MOS pot disipa puteri comparabile cu tranzistoarele bipolare. Indiferent de polaritatea tensiunii la care se încarcă electrostatic poarta. scade lungimea şi creşte lăţimea canalului dintre drenă şi sursă. PREACUŢIUNI DE MANEVRARE A TRANZISTOARELOR MOS FET Stratul subţire de SiO2 dintre poarta şi canalul unui tranzistor MOS are efectul pozitiv de a asigura o impedanţă de intrare aproape infinită pentru acest dispozitiv. 9. căderea de tensiune pe canal poate fi mare în cazul unor curenţi de ordinul zecilor de miliamperi şi prin urmare . reducându-se astfel rezistivitatea lui. Datorită faptului că acest strat este foarte subţire apare o problemă de manevrare a acestui tip de tranzistoare care nu apare la TB sau JFET. Această valoare este oricum suficient de mare pentru a putea fi considerată infinită. Ca o consecinţă. În consecinţă tensiunea maximă dintre poartă şi substrat va fi limitată la valoarea: VGS = VZ + 0. a fost pusă la punct o tehnologie verticală de realizare a acestor tranzistori (VMOS). Problema constă în faptul că . dacă valoarea ei depăşeşte tensiunea de străpungere a diodei Zener. tranzistoarele MOS-FET realizate în tehnologie planară se pot folosi uzual în aplicaţii de mică putere. sub 1W . Din acest motiv este absolut necesar ca terminalele acestor dispozitive să fie scurtcircuitate de un inel sau o folie de protecţie. metalizarea porţii se poate încărca electrostatic chiar prin simpla atingere a terminalelor cu mâna. Sarcina acumulată pe metalizarea porţii poate să producă o diferenţă de potenţial suficient de mare între poartă şi canal pentru ca stratul foarte subţire de bioxid de siliciu să se străpungă şi tranzistorul să se defecteze. prin această metodă de protecţie. Desigur. 74 .8. Pentru a exploata calităţile foarte bune ale acestor dispozitive şi la puteri mai mari. tocmai datorită rezistenţei practic infinite dintre poartă şi canal. Această protecţie nu se va înlătura până când tranzistorul nu se va lipi în circuit. Din această cauză. Prin acest mod de realizare. O altă metodă utilizată de fabricanţi pentru a preveni străpungerea stratului de oxid la încărcarea electrostatică accidentală este prezentată în figura 82. una din diode se va străpunge iar cealaltă va conduce ca orice diodă polarizată direct. rezistenţa de intrare a unui tranzistor MOS-FET este redusă la valoarea rezistenţei unei joncţiuni invers polarizate (ca şi în cazul J-FET). Aşa cum se vede în figura 69 canalul dintre sursă şi drenă este îngust şi lung raportat la lăţimea lui.7V Tensiunea de străpungere a diodelor Zener este astfel aleasă încât stratul de bioxid de siliciu să nu fie figura 82. TRANZISTOARE V-MOS Tranzistoarele MOS prezentate până acum au un dezavantaj care derivă din tehnologia planară de realizare.

. c V t uM r O S a “V”. valoarea de prag a tensiunii VGS este VT = (2. Principiul de funcţionare este deci identic cu al MOS FET – ului planar dar electronii trec transversal prin canal. s 8 t 3r u .-p p l u n g ic m a en aa l u separate de o regiune de lu i tip p. Tensiunea maximă între poartă şi sursă este de ± 20 V.8 S. O valoare foarte bună are transconductanţa acestui tranzistor: gm = 3.-. S G S i2 O 75 .În figura 83 este prezentată structura VMOS cu canal indus de tip n. Canalul are prin urmare o rezistivitate mică şi permite trecerea unui curent mare fără producerea unei încălziri exagerate. sarcina pozitivă acumulată în metalizarea porţii va atrage electronii D minoritari din regiunea p figura 83..1 – 4)V.. El este utilizat de exemplu în sursele de alimentare în comutaţie ale unor monitoare.6 Ω . rezistenţa drenă – sursă este de numai 1.5A. De exemplu tranzistorul V-MOS de tipul BUZ 90 poate disipa 75 W la temperatura de 25OC. Se induce astfel canalul de tip n care permite trecerea curentului de la sursă la drenă.-. Structura V-MOS în apropierea vârfului f i g . În consecinţă lungimea canalului este foarte mică în timp ce secţiunea lui este mare. Tensiunea maximă drenă – sursă este de 600V iar curentul maxim de drenă 4.. În starea de conducţie..ului. + + + + Regiunile de tip n ale + n n sursei şi drenei sunt . Dacă poarta este polarizată pozitiv faţă de n n sursă.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful