KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ * FENBİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ

GENİŞ BANDLI MİKROŞERİT FİLTRE TASARIMI

YÜKSEK LİSANS TEZİ Müh. Sibel GÜNDÜZ

Anabilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Danışman: Prof. Dr. Doğan DİBEKÇİ

MAYIS 2005

GENİŞ BANDLI MİKROŞERİT FİLTRE TASARIMI Sibel GÜNDÜZ

Anahtar Kelime: Mikroşerit Filtre Tasarımı, FDTD. Özet: Bu çalışmada, yüksek performans, uygun boyut ve düşük maliyet gibi ölçütler göz önünde bulundurularak mikroşerit filtre tasarımları gerçekleştirilmiştir. İlk aşamada toplu elemanlı filtre tasarımı üzerine çalışılmış ardından mikroşerit dönüşümleri için yöntemler önerilmiştir. Bu amaçla, hem toplu elemanlı hem de mikroşerit filtre tasarımı yapabilen Matlab tabanlı program paketi hazırlanmıştır. Tasarlanan filtre yapılarının istenen karakteristiği verip vermediğini test etmek için ölçüm ve güçlü bir sayısal teknik olan FDTD yöntemi ile gerçekleştirilen MS-STRIP yazılım paketinden faydalanılmıştır. Ölçüm ve analiz sonuçları, hazırlanan paket programla gerçekleştirilen mikroşerit filtrelerin istenilen performansları başarıyla gerçeklediğini göstermiştir.

ii

BROADBAND MICROSTRIP FILTER DESIGN

Sibel GÜNDÜZ

Keywords: Microstrip Filter Design, FDTD Abstract: In this thesis, high-performance, compact size and low cost microstrip filter design method is introduced. In the first part of this thesis, filter design with lumped element method is studied. After this study some special microstrip transformation methods are proposed. For this purpose a packet program based on Matlab is developed. This program has an ability of designing filters with lumped element method and microstrip form. For validating these microstrip filters’ characteristics they are analyzed by a software packet program called MS-STRIP. MS-STRIP is based on FDTD method which is a powerful numerical method. Measurements and analysis results proved that microstip filters with desired performances are successfully implemented.

iii

ÖNSÖZ ve TEŞEKKÜR Kablosuz ve mobil haberleşmedeki gelişmelerle beraber mikroşerit yapılar daha büyük bir önem kazanmaya başladı. Mikroşerit filtrelerin pratik uygulamalarında tercih edilmesinin başlıca sebepleri; küçük boyutlu olmaları, yüksek performansla çalışabilmeleri ve üretimlerinin hem kolay hem de ucuz olmasıdır.

Bu tez çalışmada mikroşerit filtre tasarımı iki aşamada gerçeklenmektedir. İlk aşamada bilinen filtre tasarım metotları kullanılmıştır. Bu aşamada, istenen özellikleri sağlayabilecek filtre, ampirik/analitik formüller yardımıyla tasarlanmıştır. İkinci aşamada ise bu filtre uygun mikroşerit yapıya dönüştürülmüştür. Bu çalışmanın, mikroşerit filtre tasarımı ve gerçeklenmesi ile uğraşan araştırmacılara ışık tutmasını dilerim. Tez çalışmamda katkılarından dolayı sayın Prof. Dr. Levent SEVGİ’ ye (Doğuş Ü.M.F.) ve sayın Dr. Gonca ÇAKIR’ a(KOÜ M.F.) , bu konuda çalışma olanağı veren tez danışmanım sayın Prof. Dr. Doğan DİBEKÇİ’ ye (KOÜ M.F.), ve tabiî ki tez yazımımdaki yardımlarından dolayı Mutlu ÇİMEN’e ve aileme teşekkürlerimi sunarım.

iv

............................................. 4 2.........4 Yüksek geçiren filtre tasarımı ................................................................................................................2.................................................................. 18 2................................................................2 k-sabitli filtre parçaları............................2 Süreksizlikler ....... 4 2..............................................1 İletim Parametreleri Metodu ile Filtre Tasarımı ........................................................................................................İÇİNDEKİLER ÖZET . iii ÖNSÖZ ve TEŞEKKÜR.................. MİKROŞERİT İLETİM HATLARI ve SÜREKSİZLİKLER........... 45 3.......... ii ABSTRACT.............1............................... LC FİLTRE TASARIMI .............1 İki Kapılı devrelerin iletim empedansları ve transfer fonksiyonları ........................................... 25 2................................................ xiv BÖLÜM 1.......................................................................................6 Band söndüren filtre tasarımı . ix TABLOLAR DİZİNİ ............................................... 28 2.............2 Araya Girme Kaybı Metodu ile Filtre Tasarımı...................................................... 46 v ........................ 7 2...................... iv İÇİNDEKİLER ...............3 m-sabitli türetilmiş filtre parçaları ................. 15 2.................................................................................................. 38 BÖLÜM 3.............. 34 2...................1......1......................... 4 2.............................................1 Butterworth cevabı ........................2 Chebyshev cevabı......................................................................5 Band geçiren filtre tasarımı......................................1 Mikroşerit İletim Hattı ............ viii ŞEKİLLER DİZİNİ... v SİMGELER DİZİNİ ve KISALTMALAR ..... GİRİŞ......................................................................................... 45 3.................................2.2..........................1........................... 18 2......... 1 BÖLÜM 2.......2...................................................... 31 2................................................................... 10 2..................................................................3 Frekans ve empedans ölçeklendirilmesi........................................2.......4 Karma filtreler....................................2...................................................

...... 54 3...........................3 k-β Diyagramları ve Dalga Hızları......2............................................2.1 Sonlu periyodik yapılar ........ 107 SONUÇLAR ve ÖNERİLER................................................2 Mikroşerit basamak yapısı ile alçak geçiren filtre tasarımı ...................2 Periyodik Yapılar ......1 3D-FDTD Yöntemi ......................................................................... 85 4.............................. 61 4......... 75 4........... 71 4.....................2.................... 100 5..... 111 vi ..........................3 FDTD Yönteminde Sayısal Dağılma ..........4... 62 4....2........................ 67 4... 58 BÖLÜM 4.............................................................................1.. 66 4.....................................................................................1 Paralel dallar ile mikroşerit alçak geçiren filtre tasarımı ... 91 BÖLÜM 5. MİKRODALGA FİLTRELER ve MİKROŞERİT FİLTRE TASARIMI ......................................................................................4......................4...................4.................... 94 5......2..4 Mikroşerit Filtre Tasarımı ...........4.........5 S-parametrelerinin Hesabı...... 88 4.......2 Yüksek geçiren mikroşerit filtre tasarımı...... FDTD YÖNTEMİ ile MİKROŞERİT HATLI DEVRELERİN ANALİZİ ............. 47 3.......4 Köşe yapı........................................... 101 5.............................4 FDTD Yönteminde Parametre Seçimi .... 103 5.....................................................4 Band geçiren mikroşerit filtre tasarımı ...............2................2 Açık-sonlu yapı ............................................................................ 52 3...............................2 İteratif Denklemlerde Karalılık Koşulu ....................................................................................................................................................... 62 4..1 Mikrodalga Filtreleri ........................1 Sonsuz periyodik yapıların analizi .3 Band söndüren mikroşerit filtre tasarımı.........................................................1 Basamak yapı ................................ 80 4.3..................................................................................................................................................... 71 4.1.................3 Boşluk yapı . 94 5.......................................................1 Alçak geçiren mikroşerit filtre tasarımı ..........4........ 61 4..........................

.................................................................................................................... 193 vii ............................................... 138 EK-C ..........................KİŞİSEL YAYINLAR ve ESERLER.................................................................................................... 113 EK-A ................................................................................................................... 162 ÖZGEÇMİŞ ......................................................... 115 EK-B ......................................................... 112 KAYNAKLAR ..................................................................................................................

ky .bileşenleri. FDTD PML AWG [IM] : Finite Difference Time Domain Method : Perfectly Matched Layer : American Wire Gauge : İletim Matrisi viii . y.y. j. z’ deki konum adımları : Sırasıyla sayısal dalga vektörünün x-. k ~ ~ ~ kx . Ey. Hy.ve z. kz : Dalga boyu : Serbest uzaydaki dalga boyu : Serbest uzaydaki dielektrik sabiti : Bağıl dielektrik sabiti : Etkin dielektrik sabiti : Mikroşerit band genişliği : Dielektrik tabaka yüksekliği : Karakteristik empedans : Yansıma katsayısı : Zayıflama sabiti : Faz sabiti : Yayılma sabiti : Manyetik geçirgenlik : Frekans : Işık hızı : Dalga sayısı : Elektrik alanının Kartezyen koordinatlardaki bileşenleri : Manyetik alanının Kartezyen koordinatlardaki bileşenleri : Zaman adımı : FDTD’de x.SİMGELER DİZİNİ ve KISALTMALAR λ λ0 ε εr εe W h Z0 Г α β γ µ f c k Ex. Hz ∆t i. Ez Hx.

.......................26 Örnek 2..........13 Örnek 2............................................... 23 Şekil 2..24 Örnek 2.....2’deki alçak geçiren karma filtre devresi .......................5dB geçiş bandı dalgalanması olan Chebyshev filtre cevabı ................2’deki 4............... 27 Şekil 2..6 Şekil 2...... S21(dB] ..............................................14 Örnek 2.... 14 Şekil 2....... 18 Şekil 2............................8 Şekil 2.....3 Şekil 2.....23 0................ 6 k-sabitli alçak geçiren T ve Π-filtre parçaları .2’ deki alçak-geçiren filtre devresi.................................6’daki alçak geçiren filtre prototipi.......................................................25 Örnek 2. 23 Şekil 2.......2 Şekil 2..................................... 12 m-sabitli Π-filtre parçası .................................................... 8 Şekil 2........... 9 k-sabitli filtreden m-sabitli türetilmiş filtre elde edilmesi.....12 Dört-bölümlü karma filtre yapısı .20.4 Şekil 2..........5 Şekil 2........ Normalize edilmiş empedanslı sonlandırılmış devre .............. 15 Şekil 2.... 30 Şekil 2................................ 21 Şekil 2......... 11 k-sabitli...............10 m-sabitli türetilmiş alçak geçiren filtrenin geçiş bandında m ile ZiП’ nin ix ................2’deki alçak geçiren filtre frekans karakteristiği........ 26 Şekil 2.......................................................................... 5 Kaynakla beslenen iletim empedansı ile sonlandırılmış iki kapılı devre ... Eşit olmayan empedansla sonlandırılmış devre............................................................. 19 Şekil 2..............................17 4-Elemanlı Butterworth alçak-geçiren filtre prototipi...................... 11 m-sabitli türetilmiş filtre parçaları... 17 Şekil 2..............................................5’deki alçak geçiren filtre devresi ......dereceden alçak geçiren filtrenin iletim karakteristiği................1 Şekil 2........ 23 Şekil 2........ karma filtrelerin tipik zayıflama karakteristikleri ............... 13 değişimi .......16 Butterworth filtresinin zayıflama karakteristiği .................7 Şekil 2......................15 Butterworth Cevabı ...................................................... 13 Şekil 2...... m-sabitli türetilmiş..........................................................................11 ZiΠ ve ZiT empedanslarına uydurulmuş ikiye bölünen Π-filtre parçası........21 Örnek 2.. 22 Şekil 2.....18 Örnek 2.......................... 19 Şekil 2.........4’deki alçak geçiren prototipi............. 9 Yüksek geçiren k-sabitli T ve Π-filtre parçaları........................................................3’deki k-sabitli alçak geçiren filtre parçalarının tipik geçiş ve söndürme bandı karakteristikleri........ 30 Şekil 2....22 3-elemanlı Chebyshev ve Butterworth cevaplarının karşılaştırılması....19.......... 27 Şekil 2.........9 Kendi iletim empedansı ile sonlandırılmış iki kapılı devre..ŞEKİLLER DİZİNİ Şekil 2.......................................

...............3 Şekil 3.......... S21(dB)..... 43 Şekil 2....................7.........13 (a) mikroşerit köşe hat yapısı.................................1..... 42 Şekil 2............Şekil 2......6.... 54 Şekil 3.......................34 Tipik band söndüren filtre karakteristiği.............11.............39 Örnek 2.29 Şekil 2................... 62 Şekil 4.. 39 Şekil 2.... 56 Şekil 3. 53 Şekil 3................................................................................................. 37 Şekil 2............................... 32 Şekil 2.............9’un iletim karakteristiği................. 35 Şekil 2................7’deki yüksek geçiren filtre tasarımı....... S21(dB)..................... Boşluk yapılı mikroşerit hattaki mod gösterimi.....2..8’de yer alan band geçiren filtrenin iletim karakteristiği..........................1...................................... 32 Şekil 2......... Açık-sonlu mikroşerit yapının eşdeğer devre modeli ........................ 34 Şekil 2.......6’daki alçak geçiren filtre........8... 44 Şekil 3........................ 55 Şekil 3.....................37 Örnek 2...................................................................4 Şekil 3................. 47 Şekil 3.................................28’de yer alan yüksek geçiren filtrenin iletim karakteristiği ....................... 50 ∆l kadar kısaltılan mikroşerit basamak hattı ............... Eşit genişlikli faklı mesfedeki boşluklu mikroşerit yapıdaki iletim karakteristiği...... 57 Şekil 3..... 38 Şekil 2...................... W1 ve W2 kalınlıklı mikroşerit hat .........35 Alçak geçiren filtreden band-söndüren filtreye dönüşüm .....9’daki 3............................ Basamak mikroşerit hattın eşdeğer devre modeli ...............................9..5 W1>W2 durumlu basamak hattının S21 karakteristiği........2.................. W1 ve W2 kalınlıklarındaki iki hat arasındaki boşluğun eşdeğer devre modeli..33 Alçak geçiren filtreden yüksek geçiren filtreye dönüşüm.. 66 x .............................10.. 52 Şekil 3..........................................8’ deki band geçiren filtre tasarımı ...32 Tipik band geçiren filtre.................... 59 Şekil 4..................................................30 Örnek 2............ 50 Şekil 3................ 41 Şekil 2...dereceden band söndüren filtre ................. 36 Şekil 2.... (b) kırpılmış mikroşerit hat yapısı............ Normalize ZL yükü ile sonlu periyodik yapı ........................... Yüksüz hat Z0 karakteristik empedansı ve k yayılma sabitine sahiptir...(c) her iki hat için eşdeğer devre modeli ........................ 48 W1<W2 durumlu basamak hat ve eşdeğer devre modeli .. Boşluk mikroşerit hattın eşdeğer devre modeli..........................28 Alçak geçiren filtreden yüksek geçiren filtreye dönüşüm.....12...............38 Örnek 2.......................27 Örnek 2........... 31 Şekil 2...............36 Örnek 2............... 45 Şekil 3................................31 Alçak geçirenden band geçirene dönüşüm......................... Düz mikroşerit hat..... W1<W2 durumlu basamak hattın S21 karakteristiği... Sonsuz periyodik yüklü iletim hattının eşdeğer modeli.. 56 Şekil 3.

Şekil 4.3. Dalga kılavuzu için k-β diyagramı ........................................................ 68 Şekil 4.4. Kapasitif yüklü hat ................................................................................ 69 Şekil 4.5. Örnek 4.1’in k-β diyagramı................................................................... 71 Şekil 4.6. Richard Dönüşümü (a) indüktansın kısa-devre hata (b) kapasitenin açıkdevre hata dönüşümü............................................................................. 73 Şekil 4.7. Tablo4.1’deki Kuroda Tanımlamalarının (b) şıkkının eşdeğer devresi .................................................................. 75 Şekil 4.8. 3.dereceden alçak geçiren filtre prototipi.............................................. 76 Şekil 4.9. Richard Dönüşümünü kullanarak indüktans ve kapasitelerin seri ve paralel dallara çevrilmesi ...................................................................... 76 Şekil 4.10 Filtrenin her iki ucuna birim elemanların yerleştirilmesi...................... 77 Şekil 4.11 Tablo 4.1’deki Kuroda tanımlaması b’nin devreye uygulanması ......... 77 Şekil 4.12 Empedans ve frekans ölçeklendirilmesi................................................ 78 Şekil 4.13 Mikroşerit paralel dallarla oluşturulan 3.dereceden alçak geçiren filtre ....................................................................................................... 78 Şekil 4.14 Sonu açık devre paralel mikroşerit dallarla yapılan filtrenin FDTD simülasyonu .......................................................................................... 78 Şekil 4.15 Matlab tabanlı hazırlanan program ile alçak geçiren filtre analizi....... 79 Şekil 4.16 Alçak geçiren filtre tasarım aşamaları .................................................... 80 Şekil 4.17 3.dereceden Butterworth yaklaşımı kullanılan alçak geçiren filtre prototipi. (g(1)= 1, g(2)=2 , g(3)=1, …,g(N) (N= filtre derecesi) prototip eleman değerleridir.)................................................................ 81 Şekil 4.18 Frekans ve empedans ölçeklendirmesi yapılan devre ........................... 81 Şekil 4.19 Yüksek empedanslı hattın Π-eşdeğer devre modeli.............................. 82 Şekil 4.20 Düksek empedanslı hattın T-eşdeğer devre modeli .............................. 83 Şekil 4.21 Yüksek ve düşük empedanslı hatların T-ve Π-eşdeğer devreleri ile filtre ...................................................................................................... 83 Şekil 4.22 Basamak mikroşerit yapısıyla oluşan 3.dereceden alçak geçiren filtre. 84 Şekil 4.23 11.dereceden basamak mikroşerit yapısıyla tasarlanan alçak geçiren filtre .......................................................................................... 84 Şekil 4.24 11.dereceden basamak mikroşerit yapısıyla gerçeklenen alçak geçiren filtrenin FDTD analizi ve ölçüm sonucu............................................... 85 Şekil 4.25 Alçak geçiren filtreden yüksek geçiren filtreye dönüşüm..................... 86

xi

Şekil 4.26 3.dereceden yüksek geçiren filtrenin kısa-devre sonlu paralel mikroşerit dallar ile tasarımı................................................................................... 86 Şekil 4.27 Sonu kısa devre paralel mikroşerit hatlarla yapılan yüksek geçiren filtrenin FDTD analizi........................................................................... 87 Şekil 4.28 3.dereceden yüksek geçiren filtrenin mikroşerit yapı boyutları, eleman değerleri ve frekans karakteristiği........................................................ 87 Şekil 4.29 Paralel iletim hattı rezonatörleri ile band söndüren filtre...................... 88 Şekil 4.30 Açık-devre sonlu paralel iletim hattının seri rezonans eşdeğer devre modeli.................................................................................................... 88 Şekil 4.31 3.dereceden band söndüren filtre prototipi............................................ 89 Şekil 4.32 λ/4 rezonatörler ile tasarlanan 3.dereceden band söndüren mikroşerit filtre ....................................................................................................... 89 Şekil 4.33 3.dereceden band söndüren mikroşerit filtre yapısının FDTD analizi .. 90 Şekil 4.34 3.dereceden band söndüren filtre tasarımı yapan program ekranı.......... 90 Şekil 4.35 Sonu kısa devre paralel iletim hatlarını kullanılarak tasarlanan band geçiren filtre .......................................................................................... 91 Şekil 4.36 Kısa-devre sonlu paralel iletim hattının paralel rezonans eşdeğer devre modeli.................................................................................................... 91 Şekil 4.37 3.dereceden band geçiren filtre prototipi ................................................ 92 Şekil 4.38 3.dereceden band geçiren mikroşerit filtre yapısı................................... 92 Şekil 4.39 3.dereceden band geçiren filtrenin FDTD analizi................................... 93 Şekil 4.40 3.dereceden band geçiren filtre tasarımı yapan program ekranı. .......... 93 Şekil 5.1. 3D Yee Birim Hücresi........................................................................... 95 Şekil 5.2 Şekil 5.3 Şekil 5.4 Şekil 5.5 Şekil 5.6 Şekil 5.7 Birim Hücrede Alt Yüzeye İletken Plaka Yerleştirmek İçin Kullanılan Elektrik Alan Bileşenleri....................................................................... 98 Birim Hücrede Ortadaki Yüzeye İletken Plaka Yerleştirmek İçin Kullanılan Elektrik Alan Bileşenleri..................................................... 98 Ez bileşeninin bulunduğu noktada +z yönündeki akım değerini bulmak için kullanılan manyetik alanlar .......................................................... 100 Gauss darbesinin normalize zaman ve frekans davranışı. Darbe zamanda daraldıkça frekans bandı genişler........................................................ 104 Sınırlı banda sahip bir işaretin örnekleme sıklığı ile ilişkisi ............... 105 Mikroşerit hatta değişik zaman adımlarında ilerleyen dalgaların

xii

gösterimi.............................................................................................. 107 Şekil 5.8 Şekil 5.9 Mikroşerit hat ve değişik düzlemlerde darbe iletiminin FDTD ile modellenmesi ...................................................................................... 108 İki portlu bir devrede S parametreleri tanımı ...................................... 109 Şekil 5.10 Mikroşerit hattın yandan görünüşü ve FDTD ile modelleme ............. 109

xiii

TABLOLAR DİZİNİ Tablo 2.1. T ve Π devre parçaları için iletim parametreleri ..................................... 7 Tablo 2.2. Karma filtre tasarımının özet denklemleri ............................................ 16 Tablo 2.3 Örnek 2.2’nin iletim karakteristiğini veren Matlab program parçası.... 21 Tablo 2.4. Kaynak ve yük empedansları eşit olan Butterworth alçak-geçiren prototip eleman değerleri .................................................................................... 22 Tablo 2.5 Butterworth alçak-geçiren prototip eleman değerleri............................ 24 Tablo 2.6. n. dereceden Chebyshev Polinomu ....................................................... 26 Tablo 2.7 0.1dB geçiş bandı dalgalanması olan Chebyshev alçak-geçiren prototip eleman değerleri .................................................................................... 28 Tablo 2.8 Şekil 2.27’deki yüksek geçiren filtrenin Matlab program parçası ........ 33 Tablo 2.9. Şekil 2.36’daki band geçiren filtrenin Matlab program parçası............ 42 Tablo 2.10 Örnek 2.9’daki band söndüren filtrenin frekans cevabını veren program ................................................................................................. 44 Tablo 4.1 Kuroda Tanımlamaları .......................................................................... 74 Tablo 4.2 11. dereceden alçak geçiren filtrenin mikroşerit yapı boyutları............ 84

xiv

mikroşeritlerin günümüzde filtre uygulamalarında sıkça kullanılmasını sağlamıştır. yarıklıhat gibi iletim hatlarını kapsamaktadır. hücresel haberleşme.D. Fakat onların sınırlı band genişliği ve pahalı olmaları kullanılmalarını zorlaştırıyordu. Bu karakteristik onun yerine şerithattın kullanılmasına neden oldu. 1960’larda bu yapının dielektrik malzemesi çok ince hale getirilmiş ve istenilen frekans karakteristiğine ulaşılmıştır. Dünya savaşı boyunca pratik mikrodalga sistemlerinde. Darlington. Bu tip hatlar düşük maliyetli olup aktif devre elemanları ile kuplajları kolaydır. Geniş bandlı koaksiyel hatlar mikrodalga devreleri için uygundu. Öncülüğünü Mason. mikrodalga devreleri. Mikrodalga filtre tasarlamak üzere çeşitli metotlar geliştirilmiştir.F. Günümüzde . Dolayısıyla bu yapıda çok fazla frekans dağılması meydana geldi. Grieg ve H. II. Bu nedenlerden ötürü düzlemsel iletim hatları geliştirildi. İletim parametreleri metodu ile filtre tasarımı 1930’ların sonlarında önerildi. Böylece mikroşerit hat mikrodalga devrelerinde tercih edilen bir yapı haline geldi. dikdörtgen dalga kılavuzları ve/veya koaksiyel hatlar iletim hattı ortamı olarak kullanılmıştır. Fakat bu hatları karmaşık mikrodalga devrelerinde gerçekleştirmek oldukça güç oluyordu. Dünya savaşı yıllarında atılmıştır. Bunlar şerithat.1. Fano. İlk mikroşerit hat çok kalın bir dielektrik tabakası üzerinde gerçekleştirildi. 1952) geliştirilmiştir. test ve ölçüm sistemleri gibi çeşitli uygulama alanları vardır. ucuz ve üretimlerinin kolay olmaları.GİRİŞ Mikroşerit filtrelerin. radarlar. mikroşerit. Küçük boyutlu. Engelmann. Düzlemsel iletim hatlarından olan mikroşerit hatlar ise ITT laboratuarlarında (D. Lawson ve Richards’ın yaptığı mikrodalga filtre teorisinin temelleri II. O dönemde Dalga kılavuzlarının yüksek güç isteyen radar sistemlerinde kullanılması doldukça yaygındı. Sykes.

1948 yılında P. Ishii. band geçiren ve band söndüren filtreler tasarlanmıştır. Mikroşerit filtre tasarım metotları dördüncü bölümde incelenmiştir. FDTD tekniği günümüzde güçlü elektromanyetik modelleme tekniklerinden biri haline gelmiştir. Richards. Richards’ın teoremi. Ayrıca bu bölümde. 1996). Eşdeğer devre modellerinin de yardımıyla yapılar için Matlap programları geliştirilmiş ve yapıların frekans karakteristikleri çıkarılmıştır. Dört faklı filtre tipi için bir Matlab tabanlı program paketi 2 . toplu elemanlar ile tasarlanan filtrenin ayrık iletim hatlarına dönüşümüne dayanmaktadır (P. yüksek.I. Bu yöntem Kane S. İncelenen bu tasarım metotlarından.ise. Yazılan Matlab program parçacıkları ile tasarlanan bu dört tip filtrenin frekans karakteristikleri çıkarılmıştır. araya girme kaybı metodu kullanılarak alçak. Bu çalışmada mikrodalga filtre analizi için FDTD tekniği kullanılmıştır (Yee. Richards mikrodalga filtre tasarımına yeni bir teori kazandırdı. Yee tarafından 1966 yılında geliştirilmiştir. Kuroda’nın dört tanımlaması ile birleşmektedir (H. Ozaki ve J. Bu metot devre analizi tekniğine dayanmaktadır. Bu yöntem. Bu süreksizliklerin eşdeğer devre modellerinin çıkarılması ve ilgili değerlerinin hesaplanması araştırılmıştır. açık ve kısa devre iletim hattı dalları ile fiziksel olarak gerçeklenir. 1958). ele alınan filtre tasarım metotlarından pratik filtre tasarımı için en uygun metodun seçimi incelenmiştir. Bu bölümde aynı yapı üzerinde ufak değişiklikler yapılarak nasıl farklı filtre karakteristiklerinin elde edilebileceği bulunmuştur. Maxwell denklemlerinin zaman domeninde üç boyutlu olarak iteratif yoldan çözülmesine dayanır.I. Richards’ın dönüşümleri K. Ele alınan yapı kolaylıkla FDTD uzayında tanımlanıp analizi yapılır Bu tez çalışmasının ikinci bölümünde filtre tasarım metotları üzerinde durulmuştur. Bu tanımlamalar ile toplu elemanlar filtre prototipi. 1948). Mikroşerit devre tasarımında sıklıkla kullanılan süreksizlik yapılarından tezin üçüncü bölümünde bahsedilmiştir. birçok filtre araya girme kaybı metodu ile tasarlanmaktadır.

3 . Tezin beşinci ve son bölümünde FDTD analizinden bahsedilmiştir.hazırlanmıştır. Bu analiz sonucunda elde edilen S parametreleri ile filtrenin mikrodalga davranışları konusunda fikir sahibi olunmuştur. Mikrodalga filtre yapılarının frekans karakteristiklerinin incelenmesinde FDTD metodu kullanılmıştır. mikroşerit yapı boyutları hesaplanmıştır. Bu program paketi ile filtrenin toplu eleman davranışı çıkarılıp.

LC FİLTRE TASARIMI 2. Bu nokta araya girme metodu tasarımı ile arasındaki farktır. Portlardaki gerilim ve akımlar. İki kapılı devrelerin iletim empedansları ve transfer fonksiyonları Şekil 2. portun Zi2 ile sonlandırılması durumunda 1. Zi1= 2.1. Zi2= 1.Pozar.pottaki giriş empedansı.portun Zi1 ile sonlandırılması halinde 2.V2+B.Ve bu metot sayesinde sonlu periyodik yapılar ile pratik filtreler arasında kolay geçiş sağlanır.I2 2.1990).2) .1’deki devre ele alınır ve bu devrenin ABCD parametreleri tanımlanırsa devrenin iletim empedansları Zi1 ve Zi2. portun Zi2 ile sonlandırılması halinde 1. V1=A. Devre için iletim empedansları ABCD parametreleri cinsinden tanımlanabilir.1.V2+D. periyodik yapılara da benzer.a) (2.BÖLÜM 2.1. I1 CV2 + DI 2 CZ g 2 + D (2.pottaki giriş empedansı. Basit filtre yapıları için bu metot çok kullanışlıdır (D. Z g1 = V1 AV2 + BI 2 AZ g 2 + B = = . Şeklinde tanımlanır. porttaki giriş empedansı.İletim Parametreleri Metodu ile Filtre Tasarımı İletim parametreleri metodu ile filtre tasarlamak iki kapılı kaskat devrelerin geçiş ve söndürme bandı tanımlamalarını kapsar. Her port kendi iletim empedansı ile sonlandırıldığında empedans uyumunu sağlar.b) (2. Metot genel anlamda basittir. Bu sebeple metot.1.I2 I1=C. fakat rasgele frekans cevapları tasarımda kullanılamaz.1. 2.

b) Zi2 = Zi2 = BD AC DZ i1 A Eğer devre simetrik ise A=D ve Zi1=Zi2 olmalıdır.2) denklemi V2 ve I2 için ABCD matrisi ile çözülür.5. Zi1(C.I1 1.I1 I2=-C.I2) (2.a) (2.a) (2.4) (V1=-Z1I1) Şekil 2.4) denklemleri iletim empedansları için iki eşitlik verir.V1+A.a) (2.3. Böylece (2.b) Z i1 = AB CD (2.(V2=Zg2.6. Zg2 = DZ g1 + B − V2 DV1 − BI1 = = .1.2) ve (2. 5 .V1-B.5. Karşıt devreler için AD-BC=1’dir. Zg1=Zi1 ve Zg2=Zi2 ‘ye eşit olması istenir.6.Zi2+D)=A.b) (2. portun Zi1 ile sonlandırılması durumunda 2. V2=D.Zi2+B Zi1. Kendi iletim empedansı ile sonlandırılmış iki kapılı devre.3.D-B=Zi2(A-C.Zi1) Zi1 ve Zi2 için çözülürse (2. porttaki giriş empedansı. I2 − CV1 + AI1 CZ g1 + A (2.

İki kapılı devrenin kendi iletim empedansı ile sonlandırılmasında transfer fonksiyonu hesaplanabilir. 6 . I2 V = −C 1 + A = −CZ i1 + A = I1 I1 A D ( AD − BC ) (2.9) Şekil 2.a)’dan 2.7) ( AD − BC ) (2. e − γ = AD − BC (2. V2 B CD = D− =D−B = V1 Z i1 AB D A (2.10) İki portlu devrelerde iki önemli tip vardır.a) Benzer şekilde akımların oranı. Bunlar simetrik olan T ve Π devreleridir.b) Devrenin yayılma sabiti.1 bu devreler için gerekli bazı parametreleri listeler. Kaynakla beslenen iletim empedansı ile sonlandırılmış iki kapılı devre γ = α + jβ ise e −γ = 1 AD − BC = (AD − BC) AD − BC = AD + BC cosh γ = (e γ + e − γ ) 2 ise cosh γ = AD olur.porttaki çıkış gerilimi.2) ve denklem (2.Zi1) ile gerilimlerin oranı. Tablo 2.3. (2. Şekil (2.8. ⎛ B ⎞ ⎟V1 V2 = DV1 − BI1 = ⎜ D − ⎜ Z i1 ⎟ ⎠ ⎝ (V1=I1.8.2.

T Devresi ABCD Parametreleri A=1+Z1/2Z2 2 B=Z1+ Z1 / 4Z 2 Π Devresi ABCD Parametreleri A=1+Z1/2Z2 B=Z1 C=1/Z2+Z1/4 Z 2 2 D=1+Z1/2Z2 Z Parametreleri Y11=Y22=1/Z1+1/2Z2 Y12=Y22=1/Z1 İletim Parametreleri C=1/Z2 D=1+Z1/2Z2 Z Parametreleri Z11=Z22=Z2+Z1/2 Z12=Z21=Z2 İletim Parametreleri Z iT = Z1 Z 2 1 + Z1 / 4Z 2 Yayılma Sabiti e γ = 1 + Z1 / 2 Z 2 + Z i ∏ = Z1 Z 2 / 1 + Z1 / 4Z 2 = Z1 Z 2 / Z iT Yayılma Sabiti e γ = 1 + Z1 / 2 Z 2 + (Z1 / Z 2 ) + (Z12 / Z 2 ) 2 (Z1 / Z 2 ) + (Z12 / Z 2 ) 2 2. Z1=jωL ve Z2=1/ jωC ile iletim empedansı.12) . yüksek frekansları bloke eder. ωc = 2 LC 7 (2.11) Eğer ωc kesim frekansı olarak gösterilirse.Tablo 2.2 k-sabitli filtre parçaları Şekil 2. Z iT = ω 2 LC L 1− 4 C (2.3a’da yer alan T-devresi incelenecek olursa bu devrenin alçak-geçiren bir filtre özelliği gösterdiği anlaşılır.1. T ve Π devre parçaları için iletim parametreleri.1. Çünkü bu devredeki seri indüktanslar ve paralel kapasiteler düşük frekansları geçirirken.

11)’den. Denklem (2.14) + 2ω 2 ωc ω2 ωc 2 −1 (2. Z iT = R 0 1 − ω=0 ‘da ZiT=R0.13) k. Tablo 2.3. Denklem (2.bu frekans aralığı ise filtrenin söndürme bandıdır. 8 . (a)T-filtreparçası (b) Π-filtre parçası Şekil 2.14) ZiT’nin reel. sabit olduğuna göre denklem (2. k-sabitli alçak geçiren T ve Π-filtre parçaları.Olur. eγ = 1− 2ω 2 ωc 2 ω2 2 ω0 (2. C (2. bu frekans aralığı filtrenin geçiş bandıdır. 2 ⎛ 2ω 2 | e | = ⎜1 − 2 ⎜ ωc ⎝ γ 2 ⎞ 4ω 2 ⎛ ω 2 ⎟ + 2 ⎜1 − 2 ⎟ ωc ⎜ ωc ⎝ ⎠ 2 ⎞ ⎟ =1 ⎟ ⎠ 2) ω> ωc için. ( (ω2 / ωc − 1) negatif ve | e γ |= 1 ise).15) 1) ω< ωc için. (2.15) ise γ’nın imajiner olduğunu gösterir. R0 = L = k.15) ise γ’nın reel olduğunu gösterir.14) ZiT ‘nin imajiner ve denklem (2. Nominal karakteristik empedans R0.1’den yayılma sabiti.

9 .1. Bu da T-alçak geçiren devresi ile aynı yayılma sabitinin olduğunu gösterir.1990). Şekil 2. 2. Şekil 2.Pozar. R0 = ωc = L C 1 2 LC (2.5.12) ve (2.17) Şekil 2. m-sabitli türetilmiş filtre parçaları (b) Π-filtre parçası. Şekil 2.4.5’de yüksek geçiren k-sabitli filtre yer almaktadır.3. Diğer frekanslarda ise ZiT ZiП’ ye eşit olmaz. Bu filtreyi tasarlamada kullanılan tasarım denklemleri. (α → ∞.Tipik faz ve zayıflama sabitleri Şekil 2.13) ‘de verilen nominal karakteristik empedans R0 ve kesim frekansı ωc aynı denklemlerle ifade edilir.3’deki k-sabitli alçak geçiren filtre parçalarının tipik geçiş ve söndürme bandı karakteristikleri. Bunlar kesim frekansı (ωc) ve sıfır frekansında iletim empedansı (R0) dır. (a)T-filtre parçası Şekil 2.L ve C değerlerinin seçilmesinde sadece iki parametre rol oynar. Kesim frekansı dolayında zayıflama.3’da yer alan П-alçak geçiren devreleri için Z1=jωL ve Z2=1/jωC elde edilir. ω=0’da alçak geçiren П-devresinin ZiП iletim empedansı ise ZiT=ZiП=R0 olur. T-devreleri için denklem (2. Bu filtre tipine ksabitli alçak geçiren filtre denir (D. α çok küçük veya sıfırdır.4’de yer almaktadır. Yüksek geçiren k-sabitli T ve Π-filtre parçaları.16) (2. ω → ∞ ) .

b) Bu sonuçlar Şekil 2.20) denklemlerinden.a ve b’de yer alan k-sabitli T-filtrelerinin Z1 ′ ve Z2 empedansları Z1 ve Z′ olarak değiştirilir. kesim frekansında yavaş zayıflama yapması ve sabit olmayan iletim empedanslarının olması gibi olumsuzlukları vardır.6.18) ve (2. Z 2 Z1 mZ1 Z 2 (1 − m 2 ) Z′2 = + − = + Z1 4 m 4m m 4m Elde edilir.21. jωCm 4m (2. Tablo 2. (2. m-sabitli türetilmiş filtreler ise bu olumsuzlukları yok etmek üzere modifiye edilmişlerdir (D. ′ 2 Z1 m 2 Z1 Z′ 2 1 ′ Z iT = Z1 Z 2 + = Z1 Z′2 + = mZ1 Z′2 + 4 4 4 (2.19) (2. 2 ′ Z1 = mZ1 ′ k-sabitli filtre ile aynı ZiT ‘yi verecek Z 2 seçilir. Z1=jωL ve Z2= 1/jωC olur.k-sabitli filtrelerin.Pozar.7’ deki devreler içindir.20) ′ Z1 = jωLm Z′2 = 1 (1 − m 2 ) + jωL.c)’de yer alan devrede m=1 olması durumunda bu devre k-sabitli devreye döner.1990). (2. 10 . (2.6.21. Şekil 2.18) ′ Z 2 için çözülürse.1’den. Alçak geçiren filtre için.a) (2.

(b) Yüksek geçiren T-filtre parçası. m-sabitli türetilmiş filtreler için yayılma sabiti Tablo 2. (c) Sonuç m-sabitli türetilmiş filtre parçası. k-sabitli filtreden m-sabitli türetilmiş filtre elde edilmesi. 1 − (ω / ωc ) Z′ 1+ 1 = 4 Z′2 1 − 1 − m 2 (ω / ωc )2 2 ( ) ω= ω∞ olduğunda. ω∞ = ωc 1− m2 11 (2. (a)Alçak geçiren T-filtre parçası.1 ile eγ = 1+ ′ ′ Z1 Z1 ⎛ Z′ ⎞ ⎜1 + 1 ⎟ + ⎜ 4 Z′ ⎟ 2 Z′2 Z′2 ⎝ 2 ⎠ (2.6. Şekil 2. Şekil 2. = 2 Z′2 (1 / jωCm ) + jωL(1 − m ) / 4m 1 − (1 − m 2 )(ω / ωc ) 2 ( ) 2 ωc = 2 / LC dir. ′ − 2ωm / ωc Z1 jωLm = .22) Alçak-geçiren m-sabitli türetilmiş filtreleri için.(a) k-sabitli filtre parçası.7 m-sabitli türetilmiş filtre parçaları. (b) Genel m-sabitli türetilmiş filtre parçası.23) .

m-sabitli türetilmiş. ′ Z1 Z′2 Z1 Z 2 + Z1 (1 − m 2 ) / 4 = 2 Z iT R 0 1 − (ω / ωc ) 2 Zi ∏ = (2.Fiziksel olarak zayıflama karakteristiğindeki kutbu T-devresinin paralel koldaki seri LC rezonans devresinden oluşur. karma filtrelerin tipik zayıflama karakteristikleri. (Bkz. m-sabitli türetilme yöntemiyle tasarlanan T-devresinin iletim empedansı sabit değilken bu yöntemle tasarlanan Π-devresinin iletim empedansı sabittir ve m’e bağlıdır. LC rezonatörünün rezonans frekansının ω∞ olması ile gerçeklenir.8.8) Denklem (2. (Bkz.1 ve denklem (2.14) yardımıyla hesaplanabilir. (Bkz. Şekil 2.22) 12 .24) denklemi. Zi ∏ = 1 − (1 − m 2 )(ω / ωc ) 2 1 − (ω / ωc ) 2 R0 (2.24) 2 2 2 Z1Z2=L/C= R 0 ve Z1 = −ω 2 L = −4R 0 (ω / ω c ) 2 ise denklem (2.9) Bu devrenin iletim empedansı Tablo 2.8) Şekil 2. Şekil 2. k-sabitli. Bu.23)’den görüleceği gibi ω∞> ωc olduğu durumda kesim frekansından sonra sonsuz zayıflama olur. Şekil 2.

m’in fonksiyonu olduğu sürece filtrenin geçiş bandında ZiП’ nin değişimini en aza indirebilecek şekilde m’i seçebiliriz. Bu tip m-sabitli türetilmiş filtre parçaları filtrenin giriş ve çıkışlarına empedans uyumunu sağlaması için konulur.(a) Sonsuz kaskat m-sabitli türetilmiş T-filtre parçası. Şekil 2. m-sabitli türetilmiş alçak geçiren filtrenin geçiş bandında m ile ZiП’ nin değişimi. Bu sorunu aşmak için П-filtre parçası Şekil 2. Genelde m=0. ABCD parametreleri ile.10. 13 .11’de gösterildiği gibi ikiye bölünür. (b) Eşdeğer Π-filtre parçası.9. Fakat bu Π-devre parçalarının empedansı T-devre parçalarının empedansı ile uyum sağlamaz.6 değeri en iyi sonucu verir. m-sabitli Π-filtre parçası. Bu empedans. Şekil 2. Şekil 2.10 m’in bir çok değişik değerleri için frekansla değişimini gösterir. Bu devrenin iletim empedansı Zi1=ZiT ve Zi2=ZiП olur.

4Z′2 (2.27) (2. ZiΠ ve ZiT empedanslarına uydurulmuş ikiye bölünen Π-filtre parçası.c) (2.a) (2. (D.26. ′ Z i1 = Z1 Z′2 + Zi2 = ′ Z1 = Z iT 4 (2. Denklem (2.26. 2 Z′2 D=1.27) ′ Z1 Z′2 Z′ Z′ = 1 2 = Zi ∏ Z′ Z iT 1+ 1 4Z′2 Şekil 2.4.b) (2.26.1. 2 1 .6) ile Zi1 ve Zi2 .Pozar. k-sabitli. 2.d) ′ Z1 .A = 1+ B= C= ′ Z1 . m-sabitli türetilmiş keskin kesim frekanslı ve m-sabitli türetilmiş empedans uydurmalı devre parçalarını kaskat bağlayarak oluşturabilir.11.1990). Bu tip filtre tasarımına karma 14 .26. Karma filtreler İstenilen zayıflama ve özellikleri sağlayacak bir filtre.

İkiye bölünmüş П-filtre parçası ise filtrenin giriş ve çıkışlarına yerleştirilerek kaynak ve yük empedanslarına uyumu sağlar. zayıflamanın keskinliğini. Şekil 2. Karma Filtre Tasarımının Özet Denklemleri Alçak Geçiren k-sabitli T-filtre parçası Yüksek Geçiren k-sabitli T-filtre parçası 15 . Tablo 2. Tablo 2.12.6 değerli keskin kesim frekanslı parça. (Bk. Dört-bölümlü karma filtre yapısı. k-sabitli parça söndürme bandında keskin zayıflamayı sağlar.2. Şekil 2.12) m<0.2 alçak ve yüksek geçiren karma filtrelerde kullanılan temel denklemleri gösterir.filtreler denir.

R 0 = 15.1 L= 2.6 empedans uydurma için ⎩ İkiye bölünmüş Π-uydurma devresi İkiye bölünmüş Π-uydurma devresi Örnek 2. Çözüm 2.1 Kesim frekansı 1 GHz.36pF R 0 ωc 16 . karakteristik empedansı 50 Ω olan alçak geçiren filtre tasarlayın.91nH ωc C= 2 = 6.R0 = L C ωc = 2 / LC L = 2R 0 / ω c C = 2 / ωc R 0 R0 = L C ωc = 1 / 2 / LC L = R 0 / 2ωc C = 1 / 2ω c R 0 m-sabitli türetimiş T-filtre parçası m-sabitli türetimiş T-filtre parçası L ve C değerleri k-sabitli devre parçalarında hesaplandığı gibi ⎧ 1 − (ω ω )2 keskin kesim frekansı için ⎪ c ∞ m=⎨ ⎪0.05 GHz’ de olsun. Bu filtrenin sonsuz zayıflaması 1.

14’de yer almaktadır. 2 mC=1.82 nH.m-sabitli türetilmiş keskin kesim frekanslı parça.773 nH.94 pF.13. mL = 4.908 pF. ⎟ ⎠ 2 mL = 2.6 empedans uydurma devresi.42 nH. 17 . Şekil 2. 2 (1 − m ) L = 8. Örnek 2.305. 4m m=0. 2 mC = 1. ⎛f m = 1− ⎜ c ⎜f ⎝ ∞ ⎞ ⎟ = 0. 1− m2 L = 11.13’da ve filtrenin frekans cevabı ise Şekil 2.2’ deki alçak geçiren karma filtre devresi.5 nH 2 2m Oluşan devre Şekil 2.

Butterworth filtresinin zayıflaması: A dB ⎡ ⎛ ω = 10 log ⎢1 + ⎜ ⎜ ⎢ ⎝ ωc ⎣ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2n ⎤ ⎥ ⎥ ⎦ (2. Geçiş bandı en düz olan ve dalgalanmanın hiç olmadığı frekans cevabı Butterworth ile elde edilir (C. Örnek 2.1982).2. 2.2’ deki alçak geçiren filtre frekans karakteristiği.2. Tipik frekans cevabı Şekil 2.1 Butterworth cevabı Butterworth filtre.14. Araya Girme Kaybı Metodu ile Filtre Tasarımı 2.Bowick.28) ω = İstenilen zayıflama değerinin meydana geldiği frekans ω c = Filtrenin kesim frekansı (ω 3dB) 18 .Şekil 2. genlik cevabının mümkün olduğu kadar düz olmasını sağlayan orta-Q filtresidir.15’de yer alır.

n = Filtrenin eleman sayısı Eğer denklem (2.16). Şekil 2. Bu şekilde. filtrenin kesim frekansının iki katı frekansında ulaşır (Bk.16. 5 elemanlı (5.15. Şekil 2.28) değişik eleman sayılı yani farklı dereceli filtreler için belli bir frekans aralığında geliştirilirse Şekil 2.16’daki grafik oluşur. 19 . dereceden) Butterworth filtresi 30dBlik zayıflamaya. frekans ekseni ω/ ω/ ωc ile normalize edilmiş olduğu ve grafiğin kesim frekansından (-3dB) başlamış olduğu görülecektir. Butterworth filtresinin zayıflama karakteristiği. Butterworth Cevabı Şekil 2.

4’ü elde edebiliriz. 4 elemanlı alçak geçiren prototip Şekil 2. k = 1. her indüktans değeri Henry cinsindendir. Bu devrede. Çözüm 2. 1 Ohm’ luk kaynak ve yük dirençleri arasında çalışan Butterworth filtrenin normalize eleman değerleri. Bu ölçeklendirme ile eleman değerleri daha gerçekçi olur.n (2..29) n = Eleman sayısı Ak = k. 20 .Örnek 2. ( 2k − 1) π / 2n terimi radyan cinsindendir. Bu da bizim için yeterlidir.2 İlk olarak ω/ ωc oranı yani f / fc bulunmalı. her kapasite değeri farad. Kapasite veya indüktans olabilir. A k = 2Sin (2k − 1)π 2n .’nıncı eleman..17’de yer aldığı gibi olur. f 400 MHz = =4 f c 100 MHz 50 dB’ lik zayıflamaya kesim frekansının 4 katında ulaşır. f / fc’nin 3 olması halinde 4 elemanlı bir tasarım 49 dB’ lik zayıflama yapar. Denklem (2. Daha sonra bu değerler istenilen frekans ve empedans aralığına ölçeklendirilebilir.29)’u kullanarak alçak geçiren prototip için Tablo 2. Bu eleman değerleri RS=RL olduğu normalize empedanslara göre hesaplanmıştır..2 Kesim frekansı 100 MHz’ de olan ve 400 MHz’ de 50 dB’ lik zayıflama yapan bir filtrenin tasarımında ne kadar elemana ihtiyaç olduğunu hesaplayın.2. Şekil 2.16’dan yardım alarak 4 elemanlı bir devrenin istenilen zayıflamayı sağlayacağı görülür.

3’de yer alan program parçası kullanılır.3 Örnek 2.18’de yer alan iletim karakteristiği ortaya çıkar. Ve bu program parçasıyla yapılan analizle Şekil 2. 21 .dereceden bu alçak geçiren filtre Matlab programı ile analizi yapılacak olursa Tablo 2.17.2’nin iletim karakteristiğini veren Matlab program parçası.Şekil 2. Şekilden de görüldüğü gibi Tablo 2. 4-Elemanlı Butterworth alçak-geçiren filtre prototipi 4.

4. Örnek 2.618 1.2’deki 4.932 2.765 0.414 1.445 L1 L2 1.000 C4 C3 L4 (b) Seri indüktans ile başlayan C5 L6 C7 Butterworth alçak-geçiren filtre prototipleri.445 L7 22 .000 1.765 1.414 1. S21(dB].802 L5 0. Tablo 2. Kaynak ve yük empedansları eşit olan Butterworth alçak-geçiren prototip eleman değerleri.18.000 1.848 1.618 1.dereceden alçak geçiren filtrenin iletim karakteristiği.414 1.414 2.000 1.848 2.802 L3 0.518 0. (a) Paralel kapasite ile başlayan N 2 3 4 5 6 7 n C1 1.5 0 -5 Iletim Karakteristigi S21[dB] -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 0 50 100 150 200 Frekans [MHz] 250 300 350 Şekil 2.247 C2 1.618 1. 0.247 C6 0.518 1.932 1.000 0.618 0.

20’daki normalize ama sonlandırma dirençlerinin eşit olmadığı devreyi elde ederiz. Şekil 2.20.2’ deki alçak-geçiren filtre devresi.19’deki durum için yük ve kaynak direnci 10’a bölünür ve Şekil 2. Tablo 2.5. Eşit olmayan empedansla Şekil 2. Şekil 2.3 n = 3 için Butterworth cevabını kullanarak eşit olmayan sonlandırmalar ile (Rs = 50 Ω. Elbette RS/RL’ nin her oranı için tablodan bir değer okuyamayız. Çözüm 2. farklı oranlardaki kaynak.3 Yük direncini 1 Ohm normalize ederek kaynak direncini RL = 0.(Bk.Bazen filtreleri. Şekil 2. Tablo 2.4 yaparız.21.19).4 için bulunur. Örnek 2. yük direnci oranı seçilmelidir. Normalize edilmiş empedanslı sonlandırılmış devre. 23 . Şekil 2. kaynak ve yük direncinin eşit olmadığı durumda kullanmak zorunda olabiliriz (Bk. Bu durumda.4’den n=3 durumundaki alçak geçiren prototip değerleri RS/RL= 0.21). Şekil 2.19. RL = 125 Ω) alçak-geçiren prototip değerlerini bulun. devre 1 Ohm’luk yük direncine göre normalize edilir. Bu sorunu ortadan kaldırmak için tasarımlarda en uygun olası kaynak. Örnek 2. yük dirençleri (RS/RL) için Butterworth alçakgeçiren prototip değerlerini içerir.

277 3.511 1.035 0.111 1.466 0.613 3.383 L4 24 .744 1.500 1.388 0.187 0. 1.667 2.261 4.Tablo 2.121 2.707 1.599 2.439 2.064 0.250 1.531 C1 L2 1.000 ∞ N Rg/Ry C1 1.165 0.429 1.082 0.700 0.425 1.697 0.500 0.915 1.181 1.577 L2 (b) Seri indüktans ile başlayan C3 L4 Butterworth alçak-geçiren filtre prototipleri.633 1.5 Butterworth alçak-geçiren prototip eleman değerleri. (a) Paralel kapasite ile başlayan N 2 Rg/Ry 1.218 1.883 1.082 C3 1.452 1.835 2.414 0.500 0.250 1.695 2.269 0.808 0.333 1.592 1.811 2.566 1.604 1.849 0.828 0.779 0.900 0.111 1.103 2.667 ∞ 3 0.400 ∞ 4 1.469 1.

(1) söndürme bandında dik iniş istenildiğinde. n = filtrenin derecesi ε = Denklem 2. (2. Şekilde eğriler n=3 derecesindeki filtreler içindir.2. Chebyshev filtresi için zayıflama. (χ′) n.32) Cosh = hiperbolik cosinüs ⎛f ⎞ ⎜ ⎟ = gözlenmek istenilen frekansın. derece için geliştirilir.31) ⎛f ⎞ χ=⎜ ⎟ ⎜f ⎟ ⎝ c⎠ ε = 10 R dB / 10 − 1 RdB = dB cinsinden geçiş bandı dalgalanmasıdır. Bu filtre cevabında geçiş bandı dalgalanmasına izin verilir. (2) geçiş bandının düz olmasının gerekli olmadığı durumlarda kullanılır. ⎜f ⎟ ⎝ c⎠ 25 .22’ de yer almaktadır. Butterworth cevabına oranla söndürme bandındaki başlangıç inişleri daha keskindir.6’de verilmiştir. A dB = 10 log 1 + ε 2 C n (χ′) 2 [ ] (2. Chebyshev filtresi geçiş bandında 3 dB’lik dalgalanma yapar. Butterworth filtresinden 10 dB kadar söndürme bandında daha fazla zayıflama yapar (C. Chebyshev polinomu ilk yedi derece için Tablo 2.32’de tanımlanan parametre. kesim frekansına oranı. cosh −1 = parentez içindeki terimin ters hiperbolik cosinüsüdür. Bu karşılaştırma Şekil 2.30) C n (χ′) : Chebyshev polinomudur. ⎜n ⎟ ⎝ ∆ ⎠⎠ ⎝ ∆ = 10 R dB / 10 − 1 (2. Bu filtreler.2.1982). 2 ⎛1 ⎛ 1 ⎞⎞ χ′ = χ cosh⎜ cosh −1 ⎜ ⎟ ⎟ .2 Chebyshev cevabı Chebyshev filtreleri bir çeşit yüksek-Q filtreleridir.Bowick.

5dB’lik geçiş bandı dalgalanması için Chebyshev cevap ⎛f ⎞ eğrisi Şekil 2. cosh x = 0.5(e x + e − x ) ve cosh −1 x = ln x µ x 2 − 1 ( ) Farklı dereceli filtreler ve 0.6. 3-elemanlı Chebyshev ve Butterworth cevaplarının karşılaştırılması. Tablo 2. n. n 1 2 3 4 5 6 7 Chebyshev Polinomu χ 2χ 2 − 1 4χ 3 − 3χ 8χ 4 − 8χ 2 + 1 16χ 5 − 20χ 3 + 5χ 32χ 6 − 48χ 4 + 18χ 2 − 1 64χ 7 − 112χ 5 + 56χ 3 − 7χ cosh. 26 .dereceden Chebyshev Polinomu. ⎜f ⎟ ⎝ c⎠ Dolayısıyla bu şekillerde geçiş bandı dalgalanması yer almaz. aynı zamanda şu şekilde hesaplanabilir.22.23’deki grafikte verilmektedir.Şekil 2. Bu eğri ⎜ ⎟ = 1 durumunda başlar.

4 Kaynak ve yük dirençlerini normalize edersek.24. Örnek 2. 27 .1dB geçiş bandı dalgalanması olan Chebyshev cevabı için alçak geçiren prototip eleman değerleri Tablo 2.24’deki gibi olur. 0. Çözüm 2. RS/RL= 0.Şekil 2.1 dB’lik dalgalanma için kaynak direnci 50 Ohm ve yük direnci 250 Ohm olan devreye Chebyshev filtresi yerleştirilirse alçak geçiren prototip değerlerini bulun.2 olur.7’de yer almaktadır.23.7’den devre Şekil 2. Şekil 2. 0.4’deki alçak geçiren prototipi. 0.4 N=3 ve 0. Örnek 2.5dB geçiş bandı dalgalanması olan Chebyshev filtre cevabı.1 dB’lik dalgalanma ile n=3 için Tablo 2.

2.576 0.000 3 1.017 0.730 3.560 1.200 4 1.054 1.600 0. Elemanların dönüşümleri formüller ile yapılır: C= Cn 2πf c R (2.33) 28 .603 7.440 L2 1.856 C3 L4 2.7 0.967 1.648 3.355 1.942 0.733 0.148 2.209 0.667 2. sıra prototip devrenin tasarlanabilir devreye dönüştürülmesine gelir.489 3. Prototip devrenin kesim frekansı 0.Tablo 2.243 2.185 0.992 0.3 Frekans ve empedans ölçeklendirilmesi Alçak geçiren prototip değerlerinin hesaplanmasından sonra.000 0.433 1.585 1.433 2.667 2.341 2.317 2.355 1.850 1.159 Hz (w = 1 rad/dk) dır ve prototip devre 1 Ohm’ luk kaynak ve yük dirençleri arasına yerleştirilmiştir.1 dB dalgalanmalı Chebyshev alçak-geçiren filtre prototipleri n 2 Rs/RL 1. (a) Paralel kapasite ile başlayan (b) Seri indüktans ile başlayan 0.594 1.227 1.1dB geçiş bandı dalgalanması olan Chebyshev alçak geçiren prototip eleman değerleri.000 C1 1.638 2.

5.34) C = son kapasite değeri L = son indüktans değeri Cn = alçak geçiren prototip eleman değeri Ln = alçak geçiren prototip eleman değeri R = yük direnci değeri Fc = kesim frekansı Alçak geçiren filtre tasarımı şu aşamalar izlenerek gerçeklenir: 1. Örnek 2.ve L= RL n 2πf c (2.95 = 100 pF 2π(50 x10 6 )(250) ( 250)(0. İstenilen frekans değerinde ne kadar zayıflama yapacağını tanımlayın. İstenilen frekansı kesim frekansına bölerek normalize edin. Son olarak tüm elemanları istenilen frekans ve empedans aralığında ölçeklendirin.5 Şekil 2.5 Denklem 2.92 = 50.34’ü eleman değerlerini ölçeklendirme için kullanalım.317 ) = 252. f =1 fc 3.3 nH 2π(50 x10 6 ) C1 = C3 = L2 = 29 .4’de) alçak geçiren prototip değerlerini kesim frekansı 50 MHz ve yük direnci 250 Ω’a ölçeklendirin.2 pF 2π(50 x10 6 )(250) 7. Tablodan alçak-geçiren prototip değerlerini bulun. 3. Çözüm 2. Geçiş bandında en fazla ne kadar dalgalanmaya izin verileceğinizi tanımlayın 4.24’deki (Örnek 2. 2.33 ve 2.

Maximally-flat geçiş bandı olsun.5’den yararlanarak Butterworth alçak-geçiren prototip değerleri bulunur.6 Aşağıdaki özellikleri sağlayacak alçak-geçiren filtreyi tasarlayın.16’ya bakarak f/fc = 3 değeri için en az 60 dB zayıflamaya ulaşan filtrenin en az 7 dereceli olması gerektiğini bulunur. RS 50 = = 0.26.Şekil 2. Örnek 2. (Bk. Şekil 2.6’daki alçak geçiren filtre prototipi. İlk olarak her şey normalize edilerek başlanılır.6 Maximally-flat geçiş bandı olacağına göre Butterworth cevabın tasarımda kullanılır.26) . 30 . Rs = 50 Ω RL = 500Ω Çözüm 2.1 R L 500 Daha sonra istenilen frekansı kesim frekansına bölerek devam edilir. fc = 50 MHz 150 MHz’de 60 dB’lik zayıflama yapsın. Örnek 2.5’ deki alçak geçiren filtre devresi. Örnek 2. f 60dB 150 MHz = =3 f dB 50 MHz Şekil 2. Tablo 2.25. Dalgalanma olmasın. Şekil 2.

34’ü kullanarak bu değerler ölçeklendirilir. Örnek 2.5 dB dalgalanma yapan bir Chebyshev alçakgeçiren filtre f/fc = 4 değerinde 60 dB’ lik zayıflama yapar (Bkz. Alçakgeçiren yerine aynı boyutta ve tipte yüksek-geçiren filtre ile çalışılıyorsa. Şekil 2. Örneğin L1 elemanı Şekil 2. Bundan sonra alçak-geçiren prototip değerlerinden yüksek-geçiren değerleri elde edilir (Bkz.28. C1 = L2 = 2.23 kullanılabilir.4 Yüksek geçiren filtre tasarımı Alçak geçiren filtre tasarımından sonra yüksek-geçiren filtre tasarlamak oldukça basit olur.067) = 152 nH 2π(35x10 6 ) Benzer şekilde diğer elemanlar da hesaplanır.6’daki alçak geçiren filtre.27. Şekil 2.23).Denklem 2. Örneğin. Aynı şekilde C2 = 1/L2 ve L3=1/C3’ e eşittir.a’ daki 1/C1’e eşittir. 31 .2. f/fc =1/4 (veya fc/f = 4) değerinde 4 elemanlı 0. İstenilen özellikler belirlenip.33 ve 2. Her eleman kendi zıttın daki elemana eşittir.5 dB dalgalanma yapan Chebyshev yüksek geçiren filtresi yine 60 dB’lik bir zayıflama yapar.28).257 = 21 pF 2π(35x10 6 )(500) (500)(0. 2. 2. C3 = 97 pF L4=323 nH RS = 50 Ω C5 = 153 pF L6=414 nH RL = 500 Ω C7 = 143 pF Şekil 2. 4 elemanlı ve 0. filtrenin derecesi bulunduktan sonra tablolardan alçakgeçiren prototip değerleri kaydedilir.

Şekil 2. 32 . Şekil 2.29’da verildiği gibi olur. Ve bu filtrenin iletim karakteristiği ise Şekil 2. 5 0 -5 Iletim Karakteristigi S21[dB] -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 0 50 100 150 200 Frekans [MHz] 250 300 350 Şekil 2.dereceden kesim frekansı 100 MHz olan yüksek geçiren filtrenin Matlab programı Tablo 2.28’de yer alan yüksek geçiren filtrenin iletim karakteristiği.28’de yer alan 3. Bu dönüşüm yüksek-geçiren filtre karakteristik alçak geçiren karakteristiğinin tam zıttıdır. Şekil 2.28.8’de yer almaktadır.(a) Alçak geçiren prototip devresi.29. (b)Eşdeğer yüksek geçiren prototip devresi. Alçak geçiren filtreden yüksek geçiren filtreye dönüşüm.

fc / f = 2’dir.5 f c 100 MHz Yani.Tablo 2.5 dB’dir. Çözüm 2.7 fc = 100 MHz olan ve 50 MHz’de 40 dB’lik zayıflama yapacak olan Lc yüksekgeçiren filtreyi tasarlayın. Örnek 2.8 Şekil 2. Geçiş bandı dalgalanması ise 0.27’deki Yüksek geçiren filtrenin Matlab program parçası. 33 . Kaynak ve yük dirençleri 300Ω’dur.7 50 MHz f = = 0.

32)’nin yardımıyla eleman değerleri hesaplanır. Şekil 2. Denklem 2.7’deki yüksek geçiren filtre tasarımı. Görüldüğü üzere alçak-geçiren tasarımdan band geçiren tasarıma yapılan dönüşümde zayıflama band genişlikleri aynı kalır.2.30.30.30. Bu dönüşüm yüksek geçiren durumda olduğu gibi aynı yolla yapılır. (b) Yüksek geçiren dönüşümü. Şekil 2. (c) Frekans ve empedans ölçeklendirilmesi.5 Band geçiren filtre tasarımı Alçak geçiren prototip devreleri ve frekans cevap eğrileri band geçiren filtre tasarımında da kullanılabilir. Normalize alçak-geçiren filtre devresi Şekil 2. n = 5 için denklem (2.34 kullanılarak frekans ve empedans ölçeklendirilmesi yapılır.c ’deki devre çıkar.23’e bakarak n=5 dereceden Chebyshev filtresinin bu özellikleri sağlayacağı bulunur. Daha sonra alçak-geçiren devreyi yüksek-geçirene dönüştürülür.Şimdi ise.30.31’de alçak geçirenden band geçirene dönüşüm band genişlikleri yer almaktadır. Örnek 2.a’ da gösterilmektedir. (a) Normalize alçak geçiren filtre. 2. Yani. Şekil 2. fc / f = 2 oranında 40 dB’lik zayıflama yapabilecek alçak-geçiren filtre seçilir.31) ve (2. Şekil 2. Ortaya Şekil 2.33 ve 2.b). 3 dB’ lik 34 . Dönüşümde her indüktans kapasiteyle her kapasite de indüktans ile yer değiştir (Bkz.

31. 35 . yine 3 dB’ lik. band genişliği 2 KHz’de olan bir band geçiren filtreye dönüştürülür. Eğer alçakgeçiren devre cevabı 30 dB’ lik zayıflamayı 4 KHz’ lik band genişliğinde (f/fc = 2) olursa. (b) Band geçiren prototip karakteristiği. Şekil 2.35) BW = istenilen zayıflama değerindeki band genişliği BWc = band geçiren filtrenin 3 dB’lik band genişliği (a) Alçak geçiren prototip karakteristiği.kesim frekansı veya 2 KHz band genişliği olan alçak-geçiren filtre. Alçak geçirenden band geçirene dönüşüm. BW f = BWc f c (2. band geçiren devre cevabı da 4 KHz’ lik band genişliği ile 30 dB zayıflama yapar. Yani.

Şekil 2.36’yı f3’lü bulmak için kullanabiliriz.32 ele alınırsa. f o = (45)(75) MHz f o = 58. Band geçiren filtrenin merkez frekansı.32’de verildiği gibi bazen frekans değerlerinde gerekli zayıflama değerleri verilir. Tipik band geçiren filtre.35) ihtiyaçları karşılayan özelliklere dönüştürülür. 36 .32 için merkez frekansı.35’den. Örnek olarak Şekil 2.32. Öncelikle f3 bulunmalı. Bu durumda. Bu iki değer aynı zayıflamaya sahiptir.1 MHz Denklem 2.1 = f 3 (125) f 3 = 27 MHz Denklem 2.Şekil 2. 58. denklem (2.36) fa ve fb. f0 = fafb (2. Bu durumda Şekil 2. biri geçiş bandının üzerinde diğeri de altında olmak üzere herhangi iki frekans değeridir. burada verilen değerlerin band genişlikleri oranına çevirmeliyiz.

Şekil 2.38) Seri-rezonans kolları için.27 değerinde 40 dB’lik zayıflama yapan filtrenin bulunmasına sıra gelir. Paralel – rezonans kolları için.33.33). Şekil 2.40) 37 . İstenilen özellikleri sağlayan filtrenin alçak-geçiren prototip değerlerinden band geçiren filtreye dönüşüm yapılır. C= L= Cn 2πRB RB 2πf 0 L n 2 (2.Bw 40dB 125 MHz − 27 MHz = Bw 3dB 75 MHz − 45 MHz Bw 40dB = 3.37) (2. Alçak geçiren filtreden yüksek geçiren filtreye dönüşüm.27 Bw 3dB Bu oran bulunduktan sonra.39) (2. paralel rezonans devresine ve her seri eleman da seri-rezonans devresine çevrilir (Bkz. C= L= B 2πf 0 C n R RL n 2πB 2 (2. f/fc=3. Tasarımın son aşamasında dönüştürülen filtreye frekans ve empedans ölçeklendirilmesi yapılır. Alçak-geçiren prototip değerlerindeki her paralel eleman.

5. Alçak-geçiren devreyi band geçirene dönüştürün. 2. Denklem 2.40’a kadar olan denklemleri kullanarak empedans ve frekans ölçeklendirmesini yapın. 2.34’ün tersini alarak gerçeklenebilir.37’den 2. Alçak-geçiren prototip değerlerini bulun. 4.35’i kullanarak band geçiren ihtiyaçlarını alçak-geçiren ihtiyaçlarına çevirin.34’deki eğriyi kullanarak. Önce band söndüren için istenilen özellikleri alçak geçiren zayıflama eğrisi cinsinden yazılır. Denklem 2. Alçak-geçiren zayıflama eğrisini kullanarak filtrenin çeşidini ve derecesini bulun. 2. 1. 3. Şekil 2. Bu filtrede Şekil 2.6 Band söndüren filtre tasarımı Band söndüren filtre tasarımı band geçiren tasarıma çok benzer. B = 3 dB’lik band genişliği f0 = Geometrik merkez frekansı Ln = Band geçiren için normalize indüktans değeri Cn = Band geçiren için normalize kapasite değeri Kısaca band geçiren filtre tasarım aşamaları yazacak olursak. 38 .R = son yük direnci.34’de görüldüğü gibi belli bir frekans aralığını söndürmesi istenir.2.

34. Bw c f 4 − f1 = Bw f 3 − f 2 Böylece BWC/BW veya fC/f oranı ile alçak-geçiren prototip devrenin eleman sayısı bulunur. Bu dönüşüm. Şekil 2. Tipik band söndüren filtre karakteristiği. Ardından da alçak geçiren devre band söndürene çevrilir.35).41) (2. Her seri-rezonans devresi için.35. C= L= Cn 2πRB RB 2πf 0 L n 2 (2.Şekil 2.44) 39 . Alçak geçiren prototipten band söndürene çevrilen devreye frekans ve empedans ölçeklendirilmesi yapılır. Alçak geçiren filtreden band-söndüren filtreye dönüşüm. paralel seri-rezonans devresine. C= L= B 2 2πf 0 C n R RL n 2πB (2. (Bk. alçak söndüren prototipteki her paralel elemanı.42) Her paralel-rezonans devresi için. Dikkat edilirse çevrilen her değer aynı normalize değere sahiptir.43) (2. Şekil 2. her seri eleman da geri paralel rezonans devresine çevirerek yapılır.

40’a kadar olan denklemleri kullanarak Şekil 2. B = 3 dB’lik band genişliği R = Yük direnci fo = Geometrik merkez frekansı Cn = Band söndüren için normalize kapasite değeri Ln = Band söndüren için normalize indüktans değeri Örnek 2. 2.5 dB’lik dalgalanma yapan Chebyshev cevabını kullanarak f / fc = 5 değeri için 3 elemanlı bir devre kullanılacağı bulunur.36.431 = 1007 pF 2π(7 x10 6 )(100) L1 = (100)(7 x10 6 ) = 4. Denklem 2.32)’den n = 3 için RS/RL= 0. 40 .38 kullanılarak.37’dan 2.c’ deki devre bulunur. BW3dB=10 MHz.37 ve 2.40 ile. Bu devre Şekil 2.5 değerindeki alçak geçiren prototip değerleri bulunur.36. BW45dB = 50 MHz.8 Aşağıda özelikleri sağlayan band geçiren filtreyi tasarlayın. Geçiş bandı dalgalanması = 0. RS=50 Ohm.8 Denklem 2.47 nH 2π(75x10 6 )(4.36.b’ deki band geçiren prototip devresine dönüştürülür. Denklem (2.31) ve (2.431) Denklem 2.39 ve 2.25’deki 0. RL = 100 Ohm Çözüm 2.5 dB. Bw 45dB 50 = =5 Bw 3dB 10 Şekil 2.a’ daki alçak-geçiren prototip devresi bulunur. C1 = 4. fo = 75 MHz. Böylece Şekil 2.35’i kullanarak.Formülleri kullanılır.

C2 =
L1 =

7 x10 6 = 2.4 pF 2π(7 x10 6 ) 2 (0.817)100
(100)(0.817) = 1.8 µH 2π(7 x10 6 )

Benzer olarak; C3 = 504 pF L3 = 8.93 nH olarak bulunur.

(a) Alçak geçiren filtre prototipi.

(b) Band geçiren filtre dönüşümü.

(c) Frekans ve empedans ölçeklendirilmesi yapılan sonuç devresi. Şekil 2.36. Örnek 2.8’ deki band geçiren filtre tasarımı. Örnek 2.8’de yer alan merkez frekansı 75 MHz olan band geçiren filtrenin iletim karakteristiğini veren Matlab program parçası Tablo 2.9’da yer almaktadır. Şekil 2.37’de ise bu band geçiren filtrenin iletim karakteristiği yer almaktadır.

41

Tablo 2.9. Şekil 2.36’daki band geçiren filtrenin Matlab program parçası.

Şekil 2.37. Örnek 2.8’de yer alan band geçiren filtrenin iletim karakteristiği,S21(dB).

42

Örnek 2.9 Merkez frekansı 1.5 GHz olan 3.dereceden bir band söndüren filtrenin iletim karakteristiğini bulun. Çözüm 2.9 Önce 3.derece alçak geçiren prototip devreden band söndürene devreye çevrilir. Daha sonra da frekans ve empedans ölçeklendirilmesi yapılır. Seri-rezonans devresi için denklem (2.41) ve (2.42) kullanılır. Paralel-rezonans devresi için (2.43) ve (2.44) denklemleri kullanılır. Şekil 2.38’deki 3.dereceden band söndüren filtre devresi ortaya çıkar.

Şekil 2.38. Örnek 2.9’ daki 3.dereceden band söndüren filtre. Şekil 2.38’deki band söndüren devrenin iletim karakteristiğini bulmak üzere Tablo 2.10’da yer alan Matlab program parçası kullanılır. . Şekil 2.39’da ise bu band söndüren filtrenin iletim karakteristiği yer almaktadır.

43

Tablo 2.10 Örnek 2.9’daki band söndüren filtrenin frekans cevabını veren program.

0

-10 Iletim Karakteristigi S21[dB]

-20

-30

-40

-50

-60

0

500

1000

1500 Frekans [MHz]

2000

2500

3000

Şekil 2.39. Örnek 2.9’un iletim karakteristiği, S21(dB) 44

444)] ⎩ (3. kılavuzlanarak ilerler.Pozar.667 ln( W / h + 1.1990).393 + 0. Bu parametreler.BÖLÜM 3. Bu şekilde oluşturulan hatta dalga. Mikroşerit İletim Hattı Şekil 3.1. bağıl dielektrik sabiti εr ve karakteristik empedans Z0 parametreleri ile tanımlanır. Mikroşeritlerin iletim hattı karakteristikleri iki parametre ile gösterilir. Dielektrik malzemenin taban yüzeyi tamamen iletken tabaka ile kaplıdır. Düz mikroşerit hat 1.)Mikroşerit hattın geometrik ölçüleri belli iken karakteristik empedansı (D.1) . bağıl dielektrik sabiti εr ve yüksekliği h olan bir dielektrik malzeme üzerine yerleştirilmiştir. W genişlikli iletken şerit (mikroşerit hat) . MİKROŞERİT İLETİM HATLARI ve SÜREKSİZLİKLER 3. Şekil 3.1.1’de düz bir mikroşerit hattın yapısı gösterilmektedir. ⎧ 60 ⎛ 8h W ⎞ ln⎜ + W / h ≤1 ⎟ ⎪ ⎪ ε e ⎝ W 4h ⎠ Z0 = ⎨ 120π ⎪ W / h ≥1 ⎪ ε e [W / h + 1. Karakteristik empedans hesabı.

M.2 Süreksizlikler Mikrodalga devre tasarımında. Bu süreksizlikler ulaşılmak istenen elektriksel fonksiyonu elde edebilmek için devreye bilerek yerleştirilir. Bu elemanların değerleri.11 ⎞ ⎟ ⎜ 0. Bu bölümün amacı. Tipik mikroşerit süreksizlikleri ve onların eşdeğer devre modeli dönüşümleri şu şekildedir: 46 .) Karakteristik empedansı Z0 ve dielektrik katsayısı εr ‘si belli olan bir mikroşerit hattın. Lancaster. Bu eşdeğer devre modeli hattın süreksizlik şekline bağlı olarak. 2001). Her iletim hattı süreksizliği bir eşdeğer devre modeline sahiptir. iletim hattı süreksizliklerinin eşdeğer devre modelinin nasıl çıkarılabileceğinin gösterilmesidir. bazen paralel ve seri elemanlardan. Eşdeğer devre modeli bilinen bir süreksizliğin analizi.εe = εr + 1 εr −1 1 + 2 2 1 + 12(h / W ) (3. ⎧ 8e A W/h < 2 ⎪ 2A ⎪e − 2 W/h = ⎨ ⎪ 2 ⎡B − 1 − ln(2B − 1) + ε r − 1 ⎧ln(B − 1) + 0. birçok değişik tipte iletim hattı süreksizliklerine ihtiyaç duyulmaktadır. bazen de T veya Π-eşdeğer devre elemanlarından oluşur.2) 2.39 − 0. Hang. klasik devre analiz yöntemleri ile kolaylıkla yapılabilir (J.61⎫⎤ W / h > 2 ⎨ ⎬⎥ ⎪π ⎢ 2ε r ⎩ ε r ⎭⎦ ⎩ ⎣ (3. W/h oranı.3) A= B= Z0 60 εr + 1 εr −1 ⎛ 0. süreksizliğin ve hattın parametreleri ile çalışma frekansına dayanır.23 + + ⎜ εr +1⎝ εr ⎟ 2 ⎠ 377 π 2.Z c ε r 3. Örneğin mikroşerit filtre tasarlamak için kullanılan mikroşerit dallar gibi.

süreksizlik etkileri tam-dalga elektromanyetik (EM) simülasyonları ile modellenir ve bu modelleme filtre dizaynlarında kullanılır. Bu süreksizliklerin eşdeğer devre modellerinin kapalı-form ifadeleri uygun olduğu sürece kullanışlıdır.3 ⎞⎛ W1 h + 0.2. Durum W1>W2 iken Simetrik basamaklar için eşdeğer devre kapasite ve indüktansları Şekil 3. Basamak.00137. boşluk ve birleşmeler (junction) bunlardan bazılarıdır.L L W1 + L W2 47 .1) denklemiyle verilmişti.2.258 ⎟⎜ W h + 0. Z01 ve Z02 ise W1ve W2 genişlikli mikroşerit hattın karakteristik empedans değeridir (J. L1 = L W1 . bağıl dielektrik katsayısı εr ‘nin W1 genişlikli dielektrik içindeki değeridir.Mikroşerit süreksizlikler ile genelde pratik filtre tasarımında karşılaşılmaktadır.264 ⎞ ⎟⎜ ⎟⎜ ε − 0.8 ⎟ ⎟ ⎟⎜ 1 ⎠⎝ e1 ⎠ ⎠⎝ (pF) (3.1 Basamak yapı 1.4) Formülde yer alan εe1. Şekil 3.h. C=0. köşe. Basamak mikroşerit hattın eşdeğer devre modeli Yaklaşık formülasyonu. Bu ifadeler birçok devre analiz programında kullanılmaktadır. 2001). 3.2’ de verilmiştir. Daha önce anlatılmış olan düz mikroşerit hattın empedans değerinin çıkarılması (3. Lancaster. Hang. Genellikle. açık-sonlu.L L W1 + L W 2 L2 = L W2 . M. ε e1 ⎛ W 2 ⎜1 − Z 01 ⎜ W1 ⎝ ⎞⎛ ε e1 + 0.

h.5) Eşdeğer devre modeli çıkarılan ve eleman değerleri hesaplanan bu model artık kolaylıkla analiz edilebilir. Şekil 3. ⎜1 − c1 ⎜ Z c2 ⎝ (nH) (3.3’ de verilmiştir. Burada.4’ de yer alan simetrik basamağı ele alalım. 2. Devrenin S21 karakteristik fonksiyonu Şekil 3. basamak süreksizliğinden söz edilebilir. Şekil 3. yüksek 48 . Durum W1 < W2 iken Aynı malzeme üzerinde bulunan farklı karakteristik empedanslara sahip iki iletim hattının birleşme noktasında. Bu tip süreksizlik genelde filtre tasarımlarında ve empedans uydurma devrelerinde ortaya çıkar.3 W1>W2 durumlu basamak hattının S21 karakteristiği.L Wi = Z Ci ε ei c ε e1 ε e2 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 2 ⎛ Z L =0.000987.

W1 genişliğindeki ince şeridin birim uzunluğundaki indüktansı. CW2 = ε e2 Z 02 . Basamak indüktansı. Gopinath. Bu geçiş etkisi seri indüktans LS ile modellenir. W1 < W2 durumlu basamak yapısının analizi yapılacak olursa hattın iletim karakteristiği (S21) frekansa göre çizildiğinde Şekil 3.22xC W 2 × h W2 genişliğindeki geniş hattın birim uzunluğundaki kapasite değeri.4.c Seri koldaki indüktans değeri basamak indüktans değerinin yarısı kadardır. Bu bölgede bir hattan diğerine akım akışı gözlenir ve bu bölgenin uzunluğu dalga boyundan daha kısadır. düşük empedanslı Z02 hattı ile birleşiyor.’de de görüldüğü üzere basamak yapısı merkez şerit hattına göre simetriktir.2xL W1 × h ile tanımlanır. paralel kapasite CS ile modellenir. Şekil 3. Buna göre. 1978).karakteristik empedanslı Z01 hattı.7) C S = 0.6) L W1 = Z 01 ε e1 c (H/m) (3. L S = 0. (3. Basamak çevresinde bir geçiş bölgesi bulunur. mikroşerit süreksizlik indüktansının hesabı için bir metot tanımlamıştı (Thomson.6’daki gibi olur. L = LS/2 49 . Elektrik alan basamak köşelerine ulaştığında sapma yapar ve geçiş bölgesinde sızma elektrik alanlarını oluşturur. Sonuç olarak eşdeğer devre modeli ortaya çıkar ve Şekil 3. Thomson ve Gopinath.4’ de yer aldığı gibi gösterilir. Bu bölgede oluşan fazla yük.

Şekil 3. Ancak pratik dizaynında bu birleşme noktası R2 düzleminde değildir. ∆l kadar kısaltılan mikroşerit basamak hattı. Bu gerçekleme. R2 düzleminden ∆l kadar uzaktaki R1 düzleminde olur. Sızma etkilerinin olmadığı. ⎛ W ⎞ ∆l = ⎜1 − 1 ⎟∆l ad ⎜ W ⎟ 2 ⎠ ⎝ W2>W1 (3. ideal hatların kullanıldığı durumda birleşme noktası R2 düzlemi olarak hesaplanır. Mikroşerit basamak yapısındaki sızma kapasitesi birçok değişik yoldan gerçeklenebilir. W1<W2 durumlu basamak hat ve eşdeğer devre modeli.5. Yani ince hattan kalın hatta bir geçiş söz konusudur ki bu hatların birleşme noktası uygulamada teorikteki noktasından farklı olur. şerit hatta daha düşük empedans değeri ile gerçeklenir.4. Bu da hattın bu noktasının daha geniş bir şerit hatla modelleneceği anlamına gelir. Bu da geniş hattın uzunluğunun ∆l kadar kısalacağı ve R2 noktasındaki empedansın değişeceği anlamına gelir.Şekil 3. Eşdeğer devre modelinde yer alan kapasite. hattın teorik dizaynındaki ile pratik dizaynındaki empedans değerinin R2 düzleminde aynı olmasını sağlamak üzere yapılır.8) 50 .

Kolaylıkla açık-sonlu mikroşerit hat yapısında kullanılan formüller ile hesaplanabilir. Dar hat ∆lL kadar kısaltılmalıdır.9) Bu düzeltme terimi ile artık R2 düzleminde teorikte hesaplanan empedans değeri ile pratikteki empedans değeri aynı olur.10) Bu dar mikroşerit hattın süreksizlik indüktansını karşılayan uzunluktur.Burada ∆lad.Z 02 = . Minimum voltajda indüktans değerini karşılayan eşdeğer uzunluk. 51 .L S L Z 01 ε e1 (3. ∆l L = LS c = . Yani. C S c. W2 genişlikli hattın açık-devre sonlandırılma durumundaki düzeltme faktörüdür. Süreksizlik kapasitesi veya indüktansı duran dalga olayından kaynaklanan maksimum voltaj veya minimum voltajın etkisiyle olur. Buradan yola çıkarak maksimum voltajda kapasite değerini karşılayan eşdeğer uzunluk.C S C ε e2 ∆l C = (3. Bunu sağlamak üzere. Geniş hat ∆lC uzunluğu kadar kısaltılmalıdır.

2. eşdeğer devre modelinde. Çünkü W genişliğindeki mikroşerit hattın açık sonunda. Bu sızma olayı. iletim hattının açık olarak sonlandırılması ile gerçeklenir.6. İdeal alan şekli açık-devre olarak sonlandırılan hatta bozulma gösterir. W1<W2 durumlu basamak hattın S21 karakteristiği. iletim hattında ∆l kadarlık bir uzamaya eşdeğer olur. Mikroşerit hattın yapısındaki toprak tabakasına doğru hattın açık-sonundan sızma elektrik alanları yayılır. dalga tamamen yayılmayı durdurmaz. paralel kapasite Cp ile modellenebilir. 3.2 Açık-sonlu yapı Açık olarak sonlandırılan bir mikroşerit iletim hattı genellikle empedans uydurma devrelerinde veya filtre yapılarında kullanılır. Eşdeğer uzunluk ile modelleme filtre tasarımlarında daha elverişli bir yöntemdir. İki eşdeğer parametre arasındaki ilişki şöyle hesaplanabilir: 52 . Pratikte uygun bir açık devre. Bu devreler kısa-devre yapılara göre gerçekleştirmeleri çok daha kolaydır.W1=1mm Şekil 3. Bu kapasite fazladan depolanan yükün etkisiyle artan elektrostatik enerjiyi ifade eder.7’ de hat sonunda modellenen bu sızma kapasitesi Cp. Şekil 3. Bir miktar dalga sızma yapar.

5W / h ) [ ] Şekil 3.Z 0 . Açık-sonlu mikroşerit yapının eşdeğer devre modeli 53 .8544 + 0.037.87 ξ2 (W h ) = 1+ 0 .189( W / h ) 0.ξ 5 = h ξ4 (3.036(1 − ε r ]} ξ 5 = 1 − 0.26( W / h ) 0.12) ξ1 = 0.5274.ξ 3 . Z in = 1 ise jωC p ∆l = 1 arctan(ωZ 0 C p ) β β = ε e (ω c ) (3. tan −1 0.236 − 0.8544 + 0. 456 − {6 − 5 exp[0. ∆l ξ1 .81 0 .0084( W / h )1.81 + 0. Z in = − jZ 0 cot (β l ) Esas uzunluk l≡∆l olduğuna göre sızma kapasitesi empedansı.218 exp(−7.11) ∆l = c.434907. 9236 [ ] ξ 4 = 1 + 0.C p εe c: boşluktaki ışık hızı.9413 / ξ 2 εe 0 . εe εe 0 .067( W / h )1.7.Kayıpsız açık sonlu hattın giriş empedansı. tan −1 0. 371 2.3ε r + 1 ξ3 = 1 + 0.

Cg kapasitesinin değeri ise sıfır olur. Farklı genişlikteki hatlar arasında yer alırsa kapasite değerleri birbirlerinden farklı olur. 3. Cg ‘nin değeri ise boşluk daraldıkça artar.9) Eğer boşluk aynı genişlikteki hatlar arasında yer alıyorsa. Eşdeğer devre kapasitelerinin teorik değerleri. paralel kapasitelerin değerleri eşit olur.2. Boşluk mikroşerit hattın eşdeğer devre modeli 54 .0.(Bkz.8’ de gösterildiği gibi Π-eşdeğer devresi ile modellenir. Bu çeşit kuplajlama mekanizması.2% doğruluğa sahiptir. a) Eşit genişliklerdeki mikroşerit hattaki boşluk. Bu olayın tersini düşünecek olursak.3 Boşluk yapı Mikroşerit hatlardaki boşluk yapısı. Boşluk mesafesi çok fazla olursa. bant-geçiren filtrelerdeki rezonatörler arasında kuplaj elemanı olarak kullanılabilir. Şekil 3. çok fazla kuplajlamanın gerekli olduğu durumlarda az tercih edilen bir yöntemdir. boşluk yapısının çift ve tek mod kapasiteleri ele alınarak bulunur.8. Bir mikroşerit boşluk Şekil 3.01≤W/h≤100 ve εr≤128 aralığındaki değerler için açık-sonlu hat formülleri 0. Cp kapasitelerinin değerleri açık-sonlu mikroşerit süreksizlikteki kapasite değerlerine eşit olur. Şekil 3. eğer aradaki boşluk çok dar olursa Cp kapasitesinin değeri sıfır olur.

5C0-0.6 ⎠ ⎝ W ⎠ 0.1≤ s/W≤ 0.⎜ r ⎟ ⎜ ⎟ W ⎝ 9.26 − 1.3 aralığı için me = 1.8 mo C0 ⎛ε ⎞ ⎛ s ⎞ (pF / m) = ⎜ r ⎟ ⎜ ⎟ W ⎝ 9.16 0.0 aralığı için k e = 1.453 log(W / h ) 0 . Cp=0.03 W/h 0.97 − 55 .14) Eşdeğer devre kapasitelerinin değerleri çift ve tek mod (even-odd mode) kapasite değerleri ile hesaplanır.5.565 −1 ( W / h ) 0.Ce Cg=0.6 ⎠ ⎝ W ⎠ exp(k e ) (3.(a) çift mod (b) tek mod Şekil 3.3≤ s/W ≤ 1.043⎜ ⎟ ⎝ h ⎠ 0.25Ce (3.13) (3.12 m e = 0. 0 .619 log(W / h ) − 0.8675 ⎛W⎞ k e = 2.3853] h k 0 = 4.9.16) mo = W [0.15) Ce ⎛ε ⎞ ⎛ s ⎞ (pf / m) = 12. Boşluk yapılı mikroşerit hattaki mod gösterimi Şekilde de görülen paralel ve seri kapasite değerleri şu formüllerin yardımıyla hesaplanır.9 exp(k o ) me (3.

Şekil 3.5≤ W/h ≤ 2 ve 2.10.5 ≤ εr ≤ 15 aralığında 7% doğruluğa sahiptirler. W1 ve W2 kalınlıklarındaki iki hat arasındaki boşluğun eşdeğer devre modeli 56 .11. 2005) Eğer mikroşerit bir hatta yer alan boşluk.11 ve 3. Bu yapının iletim karakteristiği çıkarılmak istenirse Şekil 3.Yukarıdaki formüller 0. Jahn . b) Farklı genişliklerdeki mikroşerit hatlarda boşluk(S. Şekil 3. farklı kalınlıklara sahip şeritlerde yer alıyorsa eşdeğer devre modeli Şekil 3.10’deki eğri elde edilir. Eşit genişlikli faklı mesfedeki boşluklu mikroşerit yapıdaki iletim karakteristiği.12’de verildiği gibidir.

0.Şekil 3.17) (3. W1 ve W2 kalınlıklı mikroşerit hat ⎛ ⎛ ⎛ h W2 ⎞ ⎞ ⎞ s ⎟⎟⎟ C S [pF] = 500. 35 ⎛ ⎞ ⎜ − 0.03 + ⎛ W1 ⎞ ⎟(0. 35 ⎛ ⎞ ⎜ − 0. Formüller.9 Yukarıdaki formüllerde yer alan C1 ve C2 kapasite değerleri.04598 ⎜ ⎟ ⎜ ⎝ h ⎠ ⎟ ⎠ ⎝ ⎛W ⎞⎛ s ⎞ Q 2 = 0. Q2 + Q4 Q2 + 1 (3. açık-sonlu mikroşerit hattın kapasite değerleridir.107⎜ 1 + 9 ⎟⎜ ⎟ ⎝ h ⎠⎝ h ⎠ 3.5978⎛ W 1 ⎞ ⎟ − 0.Q1 .12(W2 W1 − 1) 1.55 ⎜ ⎟ Q 4 = exp ⎜W ⎟ ⎟ ⎜ ⎝ 2⎠ ⎠ ⎝ Q5 = 1 + 0.07.6W1 / h 1.3W1 / h 1 + 0. Q2 + Q3 Q2 +1 C p2 = C 2 . 23 ⎛s⎞ + 2.272 + 0.18) Q5 ⎞ ⎛ ⎜ 0.785 ⎜ ⎜ ⎜ W1 W1 ⎟ ⎟ ⎟ h ⎝ ⎠⎠⎠ ⎝ ⎝ C p1 = C1 . 05 1.5 + 0. exp(−1.⎜1 + 4.23 0.55 ⎜ ⎟ Q 3 = exp ⎜W ⎟ ⎟ ⎜ ⎝ 1⎠ ⎠ ⎝ 1.19⎜1 − exp⎜ − 0.1≤ W1/h ≤ 3 57 .5978⎛ W 2 ⎞ ⎟ − 0.09⎜ ⎟ ⎝h⎠ 1.12.86 ).ε r ) Q1 = 0.h.

2≤ s/h ≤ ∞ 0. Tam köşedeki ek kapasitenin etkisinden dolayı. T ve T’ düzlemleri arasındaki köşe aşağıdaki gibi T-eşdeğer devre modeliyle gösterilir. karakteristik empedans değeri tek biçimde bağlanan hattınkinden düşük olur. Bu mikroşerit köşe noktasının ya az indüktans değerine ya da fazla kapasite değerine sahip olduğunu gösterir. T-eşdeğer devresi aynı zamanda karakteristik empedansı LC olan kısa uzunluktaki hattın eşdeğer devresini de verir.2 GHz ≤ f ≤ 18 GHz aralığında kapasitif admintans değerlerinin sayısal hataları 0.0. Şekil 3. Bu köşe noktasındaki ve hat üzerindeki empedans farklılığı hatta yansımalara neden olur.13a’da sağ-dönüşlü bir mikroşerit köşeyi ele alalım. Mikroşerit köşesinde. Köşe yapılar tek biçimde bağlanan hatlardaki akım ve voltaj dağılımı etkilerler. yönlü kupörler gibi belli bir elektriksel uzunluk için iki hattı daha yakın hale getirebilmenin önemli olduğu durumlarda sıklıkla kullanılırlar.4 Köşe yapı Köşe mikroşerit yapılar. Z0 = L C Z 0k = Lk Ck Mikroşerit devrelerin hem üretilmelerinin kolay olması hem de pasif ve aktif elemanlarla kolay uyum sağlamasından dolayı birçok değişik tipte mikrodalga devrelerin gerçeklenmesinde kullanılır. Burada L.2. 3.1ms den azdır. Mikroşerit devrelerde yer alan süreksizlik 58 .1≤ W2/h ≤ 3 1 ≤ W2/W1 ≤ 3 6 ≤ εr ≤ 13 0. akım ve depolanan manyetik enerjiyi tanımlarken. iki referans düzlemi arasında kalan bölge Lk indüktansına ve Ck kapasitesine sahiptir. C ise yük ve depolanan elektrik enerjiyi tanımlar.

2ε r + 7.25) 0. Bu eşdeğer devre modelinde süreksizlik etkilerini yok edebilecek devre parametreleri eklenir. ⎧ (14ε r + 12.) Diğer bir yaklaşım ise şerit iletkenin süreksizlik etkisini minimize etmek üzere süreksizlik yapısı üzerinde hat kalınlığının kırpılmasıdır. Şekil 3. (a) (b) (c) Şekil 3. Bunun yerine tam köşe noktasındaki keskin dönüş kırpılabilir.13b.5ε r + 1.(c) her iki hat için eşdeğer devre modeli. Bu da genlik ve faz hatasına. giriş ve çıkış empedans uyumsuzluğuna ve suni kuplaja neden olabilir. (b) kırpılmış mikroşerit hat yapısı.a’ daki mikroşerit köşe hat yapısı için .(Bkz. Basamak veya köşe gibi mikroşerit yapılarındaki süreksizlik parazitik direnç üretir. süreksizliğin eşdeğer devre modelinin çıkarılmasıdır. Bu yansımaları azaltmak amacıyla köşe indüktansının değeri arttırılabilir veya köşe kapasitesinin değeri azaltılabilir.19) 59 . Eşdeğer devre modelinde yer alan Lk ve Ck eleman değerleri Şekil 3. böylece kapasite değeri azaltılmış olunur.25) W / h + 5. Bu tip etkileri elimine edebilmek için ilk yaklaşım.5) W / h − (1.83ε r − 2. (hat uzunluğu.0 ⎩ (3.) Ama bu uygulamada çok tercih edilen bir yöntem değildir.13.02ε r W/h < 1 için + ⎪ W/h W h Ck ⎪ (pF / m) = ⎨ W ⎪ W/h ≥ 1 için ⎪(9.13.yapılarından kaynaklanan devre performansı azalması gözlenir. Köşe indüktansının değerini arttırmak için mikroşerit köşeye ince bir yarık açılabilir. (a) mikroşerit köşe hat yapısı. karakteristik empedans değişimi gibi.

5≤ εr ≤ 15 ve 0.947 ⎛ ⎛ ⎞⎞ ⎜1 + 1. W ⎛ ⎞ C[ pF] = W. İndüktans değeri doğruluğu ise 0.13.62 + (7.1 ≤ W/h ≤ 5 aralıklarında 5% ‘dir.21⎬ h h ⎩ ⎭ (3.ε r + 0.⎜ 3.2<W/h<6.5≤ W/h≤2.062 exp⎜ − 0.h.b’ deki mikroşerit kırpılmış köşe hat yapısı için. 60 .6ε r + 3.4 ve f≤14 GHz aralıklarında doğruluk sağlar. ⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎟ ⎜ h ⎠ ⎝ ⎝ ⎠⎠ ⎝ ( ) (3.93.20) Kapasite değeri doğruluğu 2.21) (3.0 aralığına 3% ‘dir. Lk ve Ck eleman değerleri Şekil 3.80 )⎟ h ⎝ ⎠ 0.⎧ W ⎫ Lk (nH / m) = 100⎨4 − 4.177⎛ W ⎞ ⎟⎟ L[nH] = 440.36<εr<10.22) Formüller 0.0 aralığı ile 2.

MİKRODALGA FİLTRELER ve MİKROŞERİT FİLTRE TASARIMI 4. kaskat olarak yerleştirilmiş iki çıkışlı filtre parçalarından oluşmaktadır. Bu dizayn yöntemi alçak geçiren filtre prototipini kullanarak başlar. Pozar. Tipik frekans cevapları. Filtre teorisi ve dizaynına.BÖLÜM 4. Mikrodalga Filtreleri Mikrodalga filtre bir tip iki çıkışlı devredir. Bu yapılar iletim hattının veya dalga kılavuzunun reaktif elemanlar ile periyodik olarak yüklenmesiyle oluşurlar. Bu metot. (Bkz. iletim . Bu devre frekans cevabını kontrol etmek için kullanılır. periyodik yapıların frekans karakteristikleri ile başlanabilir. test veya ölçüm sistemlerinde çeşitli uygulamaları vardır. Bu filtre dizayn yöntemi kolay olmasına rağmen istenilen sonucu elde edebilmek için çok sayıda iterasyona ihtiyaç duyulur. Filtre dizaynında iki tip metot vardır. Mikrodalga uygulamaları için bu tip dizaynlar. Bölüm 2) Daha modern bir yöntem olan ikinci metot araya girme (ekleme) kaybı metodudur. Herhangi bir mikrodalga haberleşmesinde. Dolayısıyla bu metot çok fazla tercih edilmez.1. Bölüm 2) Saçılma parametreleri ve araya girme kaybı metotlarının her ikisi de toplu eleman devrelerine dayanmaktadır. radarlarda. bant geçiren ve bant söndüren karakteristiklere sahiptir (D. alçak geçiren. 1990). (Bkz. Bunlardan ilki saçılma parametreleri metodudur. Daha sonra prototip dizaynı istenilen frekans aralığına ve empedans düzeyine dönüştürülür. yüksek geçiren. Bu parçalar istenilen zayıflama karakteristiğini ve kesim frekansını vermek üzere düzenlenir. Bu prototip empedans ve frekans terimleri normalize edilir ve böylece tasarım daha da kolaylaşır.

Her durumda bunlar iletim hattı boyunca (lumped) toplu dirençler olarak modellenebilir.2’ deki yüklü sonsuz hattın iletim karakteristiğini ele alarak başlayalım. Bu da hattın orta noktasında paralel suseptans olarak gösterilir. Periyodik Yapılar Reaktif elemanlar ile periyodik olarak yüklü sonsuz bir iletim hattı Şekil 4. Bu yapılar filtre yapılarındaki gibi geçiş ve söndürme bandı karakteristiklerine sahiptirler.2. Bu hattın her birim hücresi iletim hattının d uzunluğundaki parçasıdır. Şekil 4. anten gibi alanlarda uygulamaları vardır. ci hücre olarak ABCD matrisi. Faz kaydırıcıları. D ⎥ ⎢I n +1 ⎥ ⎦⎣ ⎦ (4. Bu periyodik yapılar iletim hattı ortamına göre çok değişik şekilde olabilirler.hattı parçalarında ayrık elemanlar yaklaşımına uygun olarak dönüşüm yapılmalıdır.1) 62 . Sonsuz Periyodik Yapıların Analizi İlk olarak Şekil 4.1).2. 4. ⎡Vin ⎤ ⎡A ⎢ I ⎥ = ⎢C ⎣ in ⎦ ⎣ B⎤ ⎡Vn +1 ⎤ . Z0 karakteristik empedansına normalize edilir. Genellikle yükleme elemanları hatta süreksizlik olarak şekillenirler. Sonsuz periyodik yüklü iletim hattının eşdeğer modeli.1.1. Periyodik yapılar yavaş-dalgaları (yüksüz hattın faz hızından yavaş) destekler. (Bkz. Richard Dönüşümü ve Kuroda tanımlaması bu aşama için kullanılacaktır. Suseptans b. Şekil 4.1 de yer almaktadır. Eğer sonsuz hattı iki portlu kaskat devre olarak düşünecek olursak voltaj ve akıma bağlı n. 4. Yüksüz hat Z0 karakteristik empedansı ve k yayılma sabitine sahiptir.

+z doğrultusunda yayılan herhangi bir dalga için. I n +1 = I n e − γd . n.ci yükteki voltaj ve akım n+1.6) 63 .2) k yüksüz hattın yayılma sabitidir ve θ=kd dir.4) (4. V(z) = V(0)e − γz . =⎢ ⎢⎛ θ b θ b⎞ θ b θ ⎞⎥ ⎛ ⎜ cos − sin ⎟⎥ ⎢ j⎜ sin + cos − ⎟ 2 2 2 2⎠ 2 2 2 ⎠⎦ ⎝ ⎣⎝ (4. b paralel suseptans ve diğer d/2 uzunluklu iletim hattı parçasının matris parametreleridir. Vn +1 = Vn e − γd . I(z) = I(0)e − γz . Karşılıklı devreler (reciprocal) için AD-BC=1 dir. (4.1) kullanarak. Böylece. Denklem (4. AD+e2γd-(A+D)eγd-BC=0.ci yükteki voltaj ve akımdan e-γd yayılma faktörü kadar farklılık gösterir. θ θ⎤ ⎡ cos j sin ⎥ ⎡ A B⎤ ⎢ 2 2 ⎡1 ⎥⎢ ⎢C D ⎥ = ⎢ ⎦ ⎢ j sin θ cos θ ⎥ ⎣ jb ⎣ ⎢ 2 2 ⎥ ⎣ ⎦ θ ⎡ cos 0⎤ ⎢ 2 ⎢ 1⎥ ⎢ ⎦ j sin θ ⎢ 2 ⎣ θ⎤ j sin ⎥ 2 ⎥ θ⎥ cos 2⎥ ⎦ ⎡⎛ θ b ⎞⎤ θ b θ⎞ ⎛ θ b j⎜ sin + cos − ⎟⎥ ⎢⎜ cos 2 − 2 sin 2 ⎟ 2 2 2 2 ⎠⎥ ⎠ ⎝ ⎝ .5) ⎡ A − e γd B⎤ ⎡Vn +1 ⎤ ⎥⎢ ⎢ ⎥ = 0. d/2 uzunluklu kaskat iletim hattı parçası.3) Yapı sonsuz uzun olduğu sürece.C ve D. D − e γd ⎥ ⎣I n +1 ⎦ ⎢C ⎦ ⎣ Yukarıdaki matrisin determinantı sıfır olmalı. veya D ⎥ ⎢I n +1 ⎥ ⎢I n +1e γd ⎥ ⎦⎣ ⎦ ⎣ ⎦ (4. ⎡Vn ⎤ ⎡A ⎢ I ⎥ = ⎢C ⎣ n ⎦ ⎣ B ⎤ ⎡Vn +1 ⎤ ⎡Vn +1e γd ⎤ =⎢ ⎥.B.A. (4.

2 (4. α≠0 .8) ‘ın sağ tarafı reeldir. 1. 2 2 (4. Bu durumunda dalga periyodik yapıda zayıflamadan yayılır ve yapının geçiş bandını tanımlar. cosh γd = A+D b = cos θ − sin θ. e–γd+eγd=A+D. Bu durumda dalga ilerlemez.8) denklemi. Bu yapının söndürme bandını tanımlar. Ama dalga birinci pota geri yansır.9. 2 (4. β=0.Durum. β≠0.π. α=0 .9a) Eğer denklemin sağ yanının genliği 1 veya 1’den azsa β için yukarıdaki denklem çözülebilir. 2 (4.8) Denklem (4.7) Eğer γ = α + jβ ise. 1+e e2γd-(A+D)e eγd-BC=0.AD-BC=1 olduğu sürece. b cos β d = cos θ − sin θ.b) Pozitif yönde ilerleyen dalga için (α>0) . Bu durumda hat üzerindeki λ/2 uzaklığındaki toplu yüklerin hepsi β=0 durumda olduğu gibi giriş empedansının aynı olmasını sağlar. b cosh αd = cos θ − sin θ ≥ 1. b cosh γd = cosh αd cos β d + j sinh αd sin β d = cos θ − sin θ. Eğer denklem (4.Durum. 64 . 2. Bu koşulu sağlayan sonsuz sayıda β değeri vardır. Çünkü bu hat kayıpsızdır ve güç kaybı olmaz.8)’de β=π olarak alırsak cosθ-(b/2)sinθ≤-1 elde edilir. ama hat boyunca dalga zayıflar. negatif yönde ilerleyen dalga için (α<0) olmak üzere tek çözümü vardır. Yani α veya β=0 olmalı. Böylece (4.

frekans ve normalize suseptans değerlerine bağlı olarak. Şekil 4.3) ve (4. Yani bu yapı bir tip filtre olarak düşünülebilir. geçiş veya söndürme bandını gösterir. (4. Birim hücre yüklerinde karakteristik empedans V n+1 ve I n+1 normalize değerler olduğu sürece şöyle tanımlanır. Periyodik olarak yüklenen hatların dalga yayılma sabitlerinin yanında bu dalgaların karakteristik empedanslarının da incelenmesi gereklidir.6) denkleminden eγd A ve D terimleri ile çözülürse. Z± = B − 2BZ 0 A−Dµ (A + D )2 − 4 (4. (4. ± BZ 0 A2 −1 Z± = B .Böylece. e γd = (A + D ) ± (A + D )2 − 4 2 .12) 65 . Denklem (4. ZB = Z0 Vn +1 .10) denklemi şu şekli alır.1) her zaman A=D dir.4)’de verilen voltaj ve akım dalga değerlerinin yalnızca birim hücrelerin yüklerinde ölçüldüğü zaman doğru olduğuna dikkat etmek önemlidir.11) Simetrik birim hücreler için (Bkz. periyodik olarak yüklenen hat. ZB = − BZ 0 . I n +1 (4.10) Denklem (4. A − e γd (4.5)’den. Bu durumda. (A-eγd)Vn+1+BIn+1=0.

jβnd terimi ile yer değişir. (4.2.3)’de yer alan γz.1’de de görüldüğü üzere In her zaman pozitif yönde tanımlanır. Çünkü Şekil 4. Vn = V0+ e − jβnd + V0− e jβnd . 66 .2).2. gelen ve yansıyan voltaj ve akımlar devrenin geçiş bandına çalıştığını farz ederek şu şeklide yazılabilir.2 Sonlu Periyodik Yapılar ZL yük empedansı ile sonlandırılıp kısaltılan periyodik yapıları ele alalım.± çözümü pozitif ve negatif yönde ilerleyen dalgaların karakteristik empedansları için uygundur. Şekil 4.2) denkleminden B’nin imajiner olduğunu görüyoruz. Şekil 4.7) denklemi coshγd=A≤1 (simetrik devreler için) olduğunu gösterir.13) In = I e + 0 − jβnd +I e − 0 jβnd V0+ − jβnd V0− jβnd . (4. Simetrik devreler için bu empedanslar işareti dışında aynıdırlar. = + e + − e ZB ZB Sadece sonlu yapılar ile çalışıldığı bu durumda denklem (4. Eğer α=0 . Normalize ZL yükü ile sonlu periyodik yapı. (Bkz. Negatif yönde ilerleyen dalga için karakteristik empedans da negatif olur. 4. Ardışık birim hücrelerin sonlarında. β≠0 (geçiş bandı) ise (4.

yüksüz hattın yayılma sabiti k (veya w) göre çizdirilmesi yaralı olacaktır.17) Eğer birim hücre devresi simetrik ise (A=D). ZL + ZB (4. ZL=ZB alınmalıdır. VN ZL / Z− − 1 B ⎞ ⎟. Z + = − Z − = Z B olur. 67 .3. In = Vn+ Vn− + .ci hücredeki gelen ve yansıyan voltaj bağıntıları.Bu durumda n.13) ise. k-β Diyagramları ve Dalga Hızları Periyodik yapının geçiş ve söndürme bandı karakteristikleri üzerinde çalışıldığı zaman. Eğer gerekli ise periyodik yüklü hat ile yük arasına çeyrek-dalga dönüştürücüsü yerleştirilebilir. Sonlu periyodik yapıda yansımadan kaçınmak için. yayılama sabiti β nın. Bu tanımlama kayıpsız yapıda geçiş bandında geçerlidir.16) (4. 4. Vn− = V0− e jβnd . ⎟ ⎠ (4. Denklem (4.14) Vn = Vn+ + Vn− . (4. Bu tip bir grafiğe k-β veya Brillouin diyagramı denir (L.15) n=N olduğu yükte. B B Γ= ZL − ZB .18) denklemini çıkarır. Z+ Z− B B (4. Vn+ = V0+ e − jβnd . Bu da. ⎛ V+ V− + − VN = VN + VN = Z L I L = Z L ⎜ N + N ⎜ Z+ Z− B ⎝ B yükteki yansıma katsayısı. − VN ZL / Z+ − 1 B Γ= + =− .

(4. Ve β da modun yayılma sabitidir. Bu durumda mod yayılmaz. vp = ω k =c .Brillouin‘nin periyodik kristal yapılardaki dalga yayılımı üzerine çalışmalarından sonra elde edilmiştir).19) elde edilir. dalga kılavuzu modu için: 2 β = k 2 − k c .3’ de denklem (4. Dalga kılavuzu için k-β diyagramı. Şekil 4. (TEM yayılması) Şekil 4.20) 68 . 1990). k>kc için mod yayılır ve β’nın büyük değerleri için k β ‘ya yaklaşır. k-β diyagramı (4. Bu denklem genel periyodik yapıların dispersiyon (dağılma) bağıntısıdır. k<kc durumda β’nın gerçel bir çözümü yoktur. Örneğin.3. k-β diyagramı birçok tipteki mikrodalga parçalarının ve iletim hatlarının dispersiyon karakteristikleri için kullanılabilir (D. Faz hızı.9. β β (4.a) denkleminden çizdirilebilir. kc modun kesim dalga numarası iken k da serbest uzaydaki dalga numarasıdır. Aslında. k-β diyagramı aynı zamanda dağılmış yapıların değişik dalga hızlarını açıklamada da kullanılırlar. Veya 2 k = β2 + k c .19) bağıntısı k-β diyagramı olarak çizilmiştir. Pozar.

Periyodik yapılar ile ilgili çalışmamızı kapasitif yüklü hatla yapılan bir örnek ile tamamlayalım.21) Çalışma noktasında k-β eğrisinin eğimidir.0. Kapasitif yüklü hat.4.0 cm ve C0=2. Sağ-tarafın büyüklüğü 1 veya 1’den az olduğunda geçiş bandına sahip oluruz ve β 69 . cos βd = cos k 0 d − 2k 0 d sin k 0 d.1 Periyodik kapasitif yüklü bir hattı ele alalım.4). vg = dω dk =c .Grup hızı . (Bk. Şekil 4. Çözüm 4.9a) daki dispersiyon bağıntısını yeniden yazalım. d=1. ⎝ 2d ⎠ C 0 Z 0 c (2. Yayılan dalga kılavuzu modunun faz hızı kesim bölgesinde sonsuzdur ve kesim bölgesinin üzerinde k arttıkça c’ ye (ışık hızına) yaklaşır.1 (4. Şekil 4.01) yani şu denkleme ulaşırız.666 × 10 −12 )(50)(3 × 10 8 ) = = 2. ⎛C Z c⎞ cos βd = cos k 0 d − ⎜ 0 0 ⎟k 0 d sin k 0 d. dβ dβ (4. k=k0 olduğunu varsayalım. Bu noktada yukarıdaki denklemin sağ-tarafının sayısallaştırılması en doğru yoldur.0 GHz de Bloch empedans değerlerini hesaplayın.666 pF ise k-β diyagramını çizin ve yayılma sabitini. 2d 2(0. Eğer Z0=50Ω. Grup hızı ise kesim bölgesinde sıfır olur ve bu bölgenin altında k arttıkça c’ ye yaklaşır. faz hızını ve f=3. Örnek 4.

Bloch empedans değerini bulmak için denklem (4.0707 ) 2 = 17. 3. b A = cos θ − sin θ = 0. ışık hızından azdır bu da bu yapının yavaş-dalga yapısı olduğunu gösterir.42c. b ωC 0 Z 0 = = 1. Sin(k0d) teriminin k0d=π de değişesiye kadar ikinci geçiş bandı başlamaz.256.için denklem çözülebilir. elde edilir.0 GHz ’de k 0d = 2π(3 × 10 9 ) (0.4 Ω.6283 = 36 0 .12) kullanırsak.2) ve (4. β 1 . Yani faz hızı. 2 2 θ = k 0 d = 36 0 .0707.96 aralığında olduğunu gösterir. 70 .5 ilk iki geçiş bandı için k-β diyagramı gösterilmektedir. Buradan da.01) = 0.5 dir ve yayılma sabiti β=150rad/m olur.5 olur. Sonsuz sayıda geçiş bandı mümkündür fakat k0d arttıkça geçiş bantları daralır. vp = k 0 c 0. Hesaplamalar ilk geçiş bandının 0≤k0d ≤0. Faz hızı ise. 2 b⎞ b ⎛ B = j⎜ sin θ + cos θ − ⎟ = j0.6283 = c = 0.3479)(50) j 1 − (0. Şekil 4. Diğer durumda ise söndürme bandına sahip oluruz. 8 3 × 10 βd=1. 2⎠ 2 ⎝ ZB = BZ 0 A2 −1 = ( j0.3479.

1’in k-β diyagramı. Örnek 4. ωλ = 2π vp 71 . Bu elemanlar iletim hattına Richard Dönüşümü kullanarak çevirebilir.4. dönüşüm için Kuroda Tanımlamalarına ihtiyaç duyulur. Mikroşerit Filtre Tasarımı 4. C devre elemanları ile tasarım yapıldı. Richard Dönüşümü. 4. iletim hattı yapısına dönüştürülür. Kuroda tanımlamaları ile filtre parçaları tasarımda kullanılan iletim hattı parçalarından ayrılırlar. Bu yöntemlerle tasarlanan filtreler ancak alçak frekanslarda çalışabilirler. Aynı zamanda.Şekil 4. Dönüşüm ile ω düzlemi Ω düzlemine döner.5. bölümde klasik filtre tasarım yöntemleri kullanılarak L.1. Onların çalışma frekanslarını mikrodalga seviyesine çekmek için birtakım dönüşümler yapılarak iletim hattı ile gerçekleme yapılmalıdır.4. Filtre parçalarını ayırmak için kullanılan bu hat parçaları filtrenin karakteristiği üzerinde bir etkisi yoktur. Ve filtre karakteristiği periyodunda tekrar eder. Alçak Geçiren Mikroşerit Filtre Tasarımı 5. Mikrodalga frekanslarında çalışamazlar. Bu amaçla L ve C devre elemanları ile tasarlanan filtre yapıları.

Eğer ω’yı Ω ile değiştirirsek indüktif reaktans şöyle yazılabilir.a) Bu denklemler. 72 . indüktansın βl uzunluğunda ve L karakteristik empedansındaki hatla ifade edilebileceğini gösterir.23.ve kısa. jXL = jΩL = jLtanβl Kapasitif suseptans ise jBC = j ΩC = jCtanβl (4. Bu yapılarla oluşan filtrenin frekans karakteristiği 4 ωc lik periyotlarla devamlılık gösterir. Richard Dönüşümü’nde bunu sağlamak üzere.C devreleri gerçeklenir. Ω = 1 = tanβl dir.C eleman empedansları olmazlar. ωc kesim frekansının üzerinde hat parçalarının empedansları orijinal L. 5. ω0=2 ωc frekansında hat λ/4 uzunluğunda olur ve bir zayıflama kutbu meydana getirir.22) Bu dönüşüm ile açık.⎛ ωλ ⎞ Ω = tan β λ = tan ⎜ ⎟ ⎜v ⎟ ⎝ p⎠ (4. L ve C ‘yi ifade eden hat parçalarının uzunlukları λ = λ / 8 olmalıdır.23.devre iletim hatları kullanarak L. ωc kesim frekansındaki iletim hattında yayılan dalganın boyudur. Buradaki λ. Aynı şekilde kapasite de βl uzunluğunda ama 1/C karakteristik empedansında hat parçasıyla ifade edilir.b) (4. Dolayısıyla filtre cevabı istenilen prototip cevabından farklılık gösterir.Bölümde verildiği üzere alçak-geçiren filtre prototipinin kesim frekansı 1 idi.

(a) (b) Şekil 4. Richard Dönüşümü (P.34’de yer aldığı gibi L.I.devre hata dönüşümü Kuroda Tanımlamaları.1’ de Kuroda’ nın dört tanımlaması özetlenmektedir.ve açık.C prototip eleman değerleri kısa. paralelleri seriye dönüştürmek Fiziksel olarak gerçeklenemeyen karakteristik empedansları gerçeklenebilir duruma getirmek İçin kullanılır. 73 .6. Richards. Bu tabloda yer alan her kutu birim elemanı veya iletim hattını temsil eder.devre hat parçalarıyla gerçeklenir. 1948) (a) indüktansın kısa-devre hata (b) kapasitenin açık. Z2 1 1 Z1 2 n 2 Z 1 2 Z2 n n Z2 İletim hattına eklenen ek iletim hatları birim elemanlar olarak tanımlanırlar. Tablo 4. Bunlar ωc’ de λ/8 uzunluğunda olup L ve C elemanlarını ifade ederler. • • • İletim hat parçalarını fiziksel olarak ayırmak Seri hat parçalarını paralele.Şekil 9.

1 4 Kuroda Tanımlaması.Tablo 4. ⎡1 ⎢ jΩ ⎢ ⎢ ⎣ Z1 jΩZ1 ⎤ ⎥ 1⎥ ⎥ ⎦ (4. ⎡cos βλ jZ1 sin βλ⎤ ⎡A B ⎤ ⎢ 1 ⎥ ⎢C D⎥ = ⎢ j sin βλ cos βλ ⎥ = ⎣ ⎦ ⎢Z 1 + Ω2 ⎥ ⎦ ⎣ 1 ( Ω = tan β λ) Şekil 4. n 2 Z 2 (a) (b) (c) (d) n 2 = 1 + Z 2 Z1 Tablo 4.24) 74 .1. Toplam devrenin ABCD matrisi.7’ deki ilk devrede yer alan açık-devre hat parçası − jZ 2 cot βλ = − jZ 2 / Ω empedansına sahiptir.a’ da yer alan iki devre ABCD matrisi ile şöyle tanımlanır.

Şekil 4. a ve b n 2 = 1 + Z 2 / Z1 durumu için geçerlidir.7.1.⎡A ⎢C ⎣ ⎡1 B⎤ ⎢ ⎥ = ⎢ jΩ D⎦ L ⎢ Z2 ⎣ 1 0⎤ ⎡1 jΩZ1 ⎤ 1 ⎥ ⎥ ⎢ jΩ 1⎥ ⎢ 1⎥ 1 + Ω 2 ⎥ ⎥ ⎢ Z1 ⎦⎣ ⎦ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ jΩZ1 ⎤ ⎥ 2 Z1 ⎥ 1− Ω Z2 ⎥ ⎦ ⎡1 ⎢ = 1 ⎢ ⎛ 1 1 + Ω 2 ⎢ jΩ⎜ + ⎜Z ⎣ ⎝ 1 Z2 (4.7’ de ikinci devrenin empedansı j(Z1 / n 2 ) tan βλ = j(ΩZ1 / n 2 ) ise ABCD matrisi. ⎡A ⎢C ⎣ ⎡ ⎢1 B⎤ =⎢ D ⎥ R ⎢ jΩn 2 ⎦ ⎢ Z ⎣ 2 j ΩZ 2 n2 ⎤ jΩZ1 ⎤ ⎥ ⎡1 1 ⎢ ⎥ n2 ⎥ 2 ⎥ ⎥⎢ 1⎥ ⎢0 1⎥ 1 + Ω ⎣ ⎦ ⎦ jΩ ⎤ ( Z1 + Z 2 ) ⎥ 2 n ⎥ 2 Z1 ⎥ 1− Ω Z2 ⎥ ⎦ ⎡ ⎢1 1 ⎢ = 2 ⎢ j Ωn 2 1+ Ω ⎢ Z ⎣ 2 (4. 4. Tablo4.25.b) Denklem (4.a) Şekil 4.dereceden bir alçak geçiren filtre paralel dallar ile şöyle gerçeklenir.1’deki Kuroda Tanımlamalarının (b) şıkkının eşdeğer devresi.25. 75 .4.25).1 Paralel Dallar ile Mikroşerit Alçak Geçiren Filtre Tasarımı Kesim frekansı 1 GHz olan 3.

) Kesim frekansında l=λ/8 Şekil 4. 3.23’e göre seri dalın (indüktans) karakteristik empedansı L. Ve böylece oluşan yapının mikroşerit formu gerçekleştirilir. Şekil 4. ( λ = λ / 8 ). Dalların uzunluğu ise ωc kesim frekansında hatta yayılan dalganın boyunun 1/8’i dir. Daha önceden bahsedildiği üzere L elemanı sonu kısa-devre dalla.dereceden alçak geçiren filtre prototipi.Filtre 50 Ω’ luk giriş hattına yerleştirilir ve Butterworth filtre prototipi kullanılırsa. paralel dalın (kapasite) karakteristik empedansı 1/C değerindedir. Şekil 1’deki devrede seri L elemanı seri kısa-devre dalla. Richard Dönüşümünü kullanarak indüktans ve kapasitelerin seri ve paralel dallara çevrilmesi. Şekil 2. Şekil 4. paralel C elemanı paralel açık-devre dalla dönüştürülür.paralel dala dönüştürülür.9’ da yer alan seri dalları mikroşerit olarak gerçekleştirmek oldukça zordur.8’deki alçak geçiren prototip devre elde edilir. Bunun yerine Kuroda Tanımlamalarını kullanarak seri dal.9. C elemanı ise sonu açık-devre dalla gerçeklenir. Denklem 4. 76 . (Bkz. Şekil 4.8.

11 Tablo 4.11’deki devre empedans ve frekans ölçeklendirmesi yapılarak mikroşerit yapıya geçilir. Bu yapı 3D-FDTD hücrelerinde tanımlanıp zamanda domeninde filtrenin frekans karakteristiğini [S21] elde etmek üzere simülasyonu yapıldı.10.’da yer aldığı gibi filtrenin her iki ucuna birim elemanlar eklenir.10 Filtrenin her iki ucuna birim elemanların yerleştirilmesi. (Bkz. Bu noktada Tablo 4.13 ‘de yer almaktadır. (Bkz. (Bkz.1. Tüm dal uzunlukları ve dallar arasındaki uzunluklar 1 GHz’ de λ/8 uzunluğundadır. Öncelikle Şekil 4.14) 77 .b’ de yer alan Kuroda Tanımlaması filtreye uygulanır.11) Kesim frekansında l=λ/8 Şekil 4. Şekil 4. sonuç devresini elde etmek üzere 50 Ω ile çarpılır. Şekil 4.Kesim frekansında l=λ/8 Şekil 4. 50 Ω ile normalize edilen yapı. Eklenen bu elemanların empedansları kaynak ve yük empedanslarına eşit olduğu sürece (Z0=1) filtrenin performansını etkilemez. n2 = 1+ Z2 1 = 1+ = 2 1 Z1 Oluşan Şekil 4. Şekil 4.1’deki Kuroda tanımlaması b’nin devreye uygulanması.12) Mikroşerit yapı olarak görünüm Şekil 4.

Şekil 4.dereceden alçak geçiren filtre.14 Sonu açık devre paralel mikroşerit dallarla yapılan filtrenin FDTD tabanlı MS-STRIP programı ile analizi. Şekil 4.13 Mikroşerit paralel dallarla oluşturulan 3.Şekil 4.12 Empedans ve frekans ölçeklendirilmesi. 78 .

15’de bu programın alçak geçiren filtre için sonuçları verilmektedir. Şekil 4. Şekil 4.15 ‘de yer alan program penceresinden de görüldüğü gibi menülerden rahatlıkla tasarlanmak istenilen filtre tipi seçilebilir. Bu filtrenin hangi özelliklere sahip olacağı ve fitlenin ne çeşit bir mikroşerit yapıda gerçekleneceği yine kullanıcı tarafından tanımlanır (Bkz. Şekil 4. Çıktı olarak ise LC devre eleman değerleri. mikroşerit yapı boyutları ve filtre karakteristiği elde eder.15 Matlab tabanlı hazırlanan program ile alçak geçiren filtre analizi.Hem toplu elemanlı filtre hem de mikroşerit filtre tasarımı yapabilen Matlab tabanlı bir program paketi hazırlandı.15). girdi olarak filtre özelliklerini ve tasarlamak istediği filtre tipini seçer. 79 . Bu program ile kullanıcı. Şekil 4.

5 ve dielektrik yüksekliği 3mm olan dielektrik tabaka kullanıldığı göz önüne alınacak.1. Butterworth filtre yaklaşımını kullanarak kesim frekansı 1 GHz olan 3. (Bkz.16 Alçak geçiren filtre tasarım aşamaları. Şekil 4. derecen alçak geçiren filtre için prototip eleman değerleri elde edilir. Mikroşerit hat çok alçak ve çok yüksek empedanslar oluşturacak şekilde gerçeklenir.4.16) Şekil 4. En son adım da ise oluşan prototip devre mikroşerit yapıya dönüştürülür. Butterworth yaklaşımı ile 5. bölümde anlatılan 3. dereceden bir alçak geçiren filtreyi mikroşerit basamak yapısı ile şu şekilde tasarlanır: Tasarımda bağıl dielektrik katsayısı 2.17) 80 . Daha sonra da oluşan bu devreye frekans ve empedans ölçeklendirmesi yapılır. Şekil 4.4. Bu özellikleri sağlayacak olan alçak geçiren prototip devre tasarlanır.2 Mikroşerit basamak yapısı ile alçak geçiren filtre tasarımı Alçak geçiren filtreleri mikroşerit yapıda gerçeklemek bu metotla oldukça kolaydır. (Bkz. Yüksek ve düşük empedans parçalarını kullanarak alçak geçiren filtre şu şekilde tasarlanır: Tasarımda öncelikle elde edilecek olan filtrenin hangi karakteristiği vermesi istenildiği belirlenmelidir.

18’de oluşan bu devre artık mikroşerit yapıya çevrilebilir.. Şekil 4. 81 ..18 Frekans ve empedans ölçeklendirmesi yapılan devre.Şekil 4.H ω Ck = g (k ) . ….18’da yer almaktadır. Şekil 4. g(2)=2 . Frekans ve ölçeklendirmesi yapılan devre Şekil 4. Devre eleman değerleri hesaplanır.dereceden Butterworth yaklaşımı kullanılan alçak geçiren filtre prototipi..g(N) (N= filtre derecesi) prototip eleman değerleridir.Z 0 . Çok düşük empedanslı hat parçası kapasiteyi çok yüksek empedanslı hat parçası ise indüktansı ifade eder.17 3.F ωZ 0 k=1. Lk = g(k ). g(3)=1. Bir yüksek empedanslı (L) hat parçası Π-eşdeğer devre modeli ile gösterilir. Bu amaçla. Bu dönüşüm için yüksek ve düşük empedanslı hat parçaları kullanılır.N N= filtrenin derecesi. (Bkz. (g(1)= 1. Şekil 4.19) Bu hat parçasının uzunluğu. Z0 =50 Ω olan karakteristik empedansla beslenen hat ile.) Giriş empedansı 50 Ω olan prototipi çıkarılan bu devre artık frekans ve empedans ölçeklendirmesi yapılmalıdır.

19’ daki paralel kapasiteler.26) İle bulunur. ZH= yüksek empedanslı hattın karakteristik empedansı.20) Hat uzunluğu şöyle tanımlanır: λL = λL sin −1 (ωCZ L ) 2π (4. T-eşdeğer devresindeki iki seri indüktans elemanın değeri. Aynı yol ile düşük empedanslı mikroşerit hattın uzunluğu hesaplanabilir. λH = yüksek empedanslı mikroşerit hatta yayılan dalganın boyu.19 Yüksek empedanslı hattın Π-eşdeğer devre modeli. ZL= düşük empedanslı hattın karakteristik empedansı.λH = ⎛ ωL ⎞ λH sin −1 ⎜ ⎟ ⎜Z ⎟ 2π ⎝ H⎠ (4. LC = ⎛ πλ ⎞ ZL tan⎜ ⎟ (H) ⎜λ ⎟ ω ⎝ L⎠ (4.27) İle tanımlanır. Fakat burada düşük empedanslı hat T-eşdeğer devresi ile modellenir.29) 82 . Şekil 4. CL = ⎛ πλ ⎞ 1 tan⎜ ⎟ ⎜ λ ⎟ (F) ωZ H ⎝ H⎠ (4. (Bkz. Şekil 4. Şekil 4.28) λL = düşük empedanslı mikroşerit hatta yayılan dalganın boyu.

Şekil 4. Şekil 4.12mm λ3 = 8. L1 = L1 . Burada yer alan CL ve LC elemanları düzeltme terimleri olup mikroşerit hattın toplamında daha yaklaşık sonuç vermek üzere kullanılırlar. Şekil 4.21 Yüksek ve düşük empedanslı hatların T-ve Π-eşdeğer devreleri ile filtre. Yeniden hesaplanan son mikroşerit hat uzunlukları.21’ de yer alan LC ve CL değerleri devrenin indüktans (L) ve kapasite (C) değerlerinde bir azalma yaparlar. Düzeltme terimleri ile beraber devre Şekil 4.25mm λ2 = 35.21’ deki gibi olur.20 Düksek empedanslı hattın T-eşdeğer devre modeli.LC C2 = C2-CL-CL L3 = L3 – LC Yeni elde edilen L ve C değerleri ile hat uzunlukları yeniden hesaplanarak iterasyon bitirilir. λ1 = 8.25mm W=9 mm W1=W3=1mm W2=25 mm 83 .

80 L4 19. Tablo 4. Çakır. Gündüz.70 L5 25.30 L2 10.dereceden alçak geçiren filtrenin mikroşerit yapı boyutları. dereceden olur.2 11.4 L 22.dereceden alçak geçiren mikroşerit yapı Şekil 4. Dibekçi.dereceden alçak geçiren filtre. 84 .2’de yer almaktadır.3. yapının boyutları da Tablo 4.14 L3 17.3 GHz kesim frekansına sahip.17 W2 25.23’de. Şekil 4.52 W1 3.dereceden basamak mikroşerit yapısıyla tasarlanan alçak geçiren filtre. G. L. Daha yüksek dereceli bir filtre örnek olarak verilecek olursa Butterworth yaklaşımı ile 1.23 11. URSİ 2004) Basamak mikroşerit yapısı ile.67 (mm) Şekil 4.22 Basamak mikroşerit yapısıyla oluşan 3.60 L1 3. (S. 2 GHz frekansında 40 dB’lik bastırma sağlayabilecek filtre tasarlanabilir. yapılan tasarımda oluşan mikroşerit yapısı Şekil 4. Sevgi. D. W 9.22’ de yer almaktadır. Bu alçak geçiren mikroşerit filtre 11.47 L6 22.

Şekil 4.25) 85 .Bölüm’de bahsedilmişti. (Bkz.dereceden basamak mikroşerit yapısıyla gerçeklenen alçak geçiren filtrenin FDTD analizi ve ölçüm sonucu. (Bkz. Yüksek geçiren filtre tasarımı için alçak geçiren filtre prototipi kullanılır.24 11. Bölüm 5) 3.Mikroşerit basamak yapısıyla gerçeklenen bu filtre hem 3D-FDTD’de tanımlanıp analizi hem de pratik gerçeklemesi yapılıp ölçümü alınmıştır. 4.dereceden 1GHz kesim frekansı olan yüksek geçiren bir filtre şu şekilde tasarlanabilir: Tasarımda Butterworth yaklaşımı kullanılırsa alçak geçiren filtre prototipi ve bu devrenin yüksek geçiren prototipi elde edilir. Şekil 4. Yüksek geçiren filtrenin hangi karakteristiği vereceği karar verildikten sonra filtre alçak geçiren prototip yardımı ile tasarlanır. Şekil 4.2.4. Daha sonra uygun dönüşüm metotları kullanılarak yüksek geçiren karakteristiği verecek şekilde filtre yüksek geçirene çevrilir.24’de bu iki analiz sonucunun uyum içinde olduğu görülmektedir. Yüksek geçiren mikroşerit filtre tasarımı Yüksek geçiren prototip filtre yapısı 2.

Yüksek geçiren bu filtre yapısı FDTD uzayında tanımlanıp analizi yapıldığında filtrenin frekans karakteristiği [S21] Şekil 4.26) Böylece 3. Şekil 4.dereceden yüksek geçiren filtrenin kısa-devre sonlu paralel mikroşerit dallar ile tasarımı. Şekil 4.27’deki gibi olur.25’den da görüldüğü üzere alçak geçiren devre. Aynı mantık mikroşerit yapının oluşumunda da kullanılacaktır. (Bkz.26.(a) alçak geçiren prototip (b) yüksek geçiren prototip Şekil 4. 3.25 Alçak geçiren filtreden yüksek geçiren filtreye dönüşüm. benzer şekilde kapasite özelliği veren hatlar da indüktans özelliği veren hatlara çevrilmelidir. yüksek geçiren özelliğini sağlaması için devre elemanlarının karşılıklı yer değiştirmesi gerekmektedir. Şekil 4. 86 .dereceden yüksek geçiren filtre tasarlanır. Alçak geçiren filtre λ/8 uzunluğundaki paralel açık-sonlu dallar ile gerçeklenmişti. Bu çevrim paralel açık-sonlu hatların kısa-devre sonlu hatlara çevrilmesi ile sağlanabilir. Bu yapı yüksek geçiren özelliğini sağlamak üzere indüktans özelliği veren (L) hatlar kapasite özelliği (C) veren hatlara.

28’de özellikleri belirlenen yüksek geçiren bir filtre için Matlab tabanlı hazırlanan programda tasarım ve analiz sonucu yer almaktadır.27. 3. 87 . eleman değerleri ve frekans karakteristiği.dereceden yüksek geçiren filtrenin mikroşerit yapı boyutları.Şekil 4. Şekil 4. Sonu kısa devre paralel mikroşerit hatlarla yapılan yüksek geçiren filtrenin FDTD analizi. Şekil 4.28.

4. Şekil 4.29) Açık devre sonlu paralel iletim hattı λ/4 uzunluğunda seri rezonans devresi gibi davranır. bölümde L. Bu tasarımda çeyrek-dalga (quarter-wave) açık-sonlu iletim hattı dalları kullanılacaktır. Bu rezonatörler ile seri rezonans devresi. Mikroşerit yapının paralel ve seri rezonans devresi gibi davranmasını sağlayarak band söndüren filtre mikroşerit hatlarla tasarlanabilir.30) Şekil 4.29 Paralel iletim hattı rezonatörleri ile band söndüren filtre Merkez frekansında l=λ/4 Şekil 4. Band söndüren filtre yapısında bulunan paralel rezonans devresi ise paralel açıkdevre sonlu dallar arasında bulunan çeyrek-dalga rezonatörleri ile elde edilir.paralel rezonans devresine paralel rezonans 88 . (Bkz. Band söndüren mikroşerit filtre tasarımı 2. C elemanları kullanarak band söndüren filtre tasarımından bahsedilmişti.3.6.30 Açık-devre sonlu paralel iletim hattının seri rezonans eşdeğer devre modeli. (Bkz. Şekil 4.

31’de yer alan prototip eleman değerlerinden paralel dalların empedansları hesaplanır. 89 . Bu karakteristik empedanslara sahip hatlar mikroşerit olarak gerçeklenir ve filtre Şekil 4. N= filtrenin derecesi.31 3. Paralel dallar ve bunlar arasındaki iletim hatları merkez frekansında λ/4 boyundadır.…N 3db lik band genisligi f0 f0 = filtrenin merkez frekansı.dereceden band söndüren mikroşerit filtre. 3. Şekil 4. Z 0n = ∆= 4Z 0 πg (n )∆ n=1.devresi de seri-rezonans devresine çevrilir.dereceden band söndüren filtre prototipi.32’deki olur.32 λ/4 rezonatörler ile tasarlanan 3. Böylelikle her dalın karakteristik empedansı hesaplanır.dereceden merkez frekansı 2 GHz Butterworth yaklaşımı ile tasarlanan filtre mikroşerit yapıya şu şekilde çevrilir: Şekil 4. Şekil 4.

dereceden band söndüren mikroşerit filtre yapısının FDTD analizi.33 3. Band söndüren. Şekil 4.34. hem LC hem de mikroşerit filtre tasarımı yapan program görüntüsü Şekil 4.Çeyrek dalga rezonatörler ile gerçeklenen bu band söndüren filtre yapısı 3D-FDTD uzayında frekans karakteristiğini [S21] elde etmek üzere tanımlanıp analizi yapıldığında Şekil 4.33’deki eğriler elde edilir. 90 . Şekil 4.34’de yer almaktadır.dereceden band söndüren filtre tasarımı yapan program ekranı. 3.

(Bkz. Band geçiren filtrenin yapısındaki seri rezonans devreleri ise paralel kısa-devre sonlu dallar arasında bulunan çeyrek-dalga rezonatörleri ile elde edilir. Band geçiren mikroşerit filtre tasarımı Band söndüren mikroşerit filtre tasarımında olduğu gibi bu filtre yapısını da paralel ve seri rezonans devreleri gibi çalışan mikroşerit hatlarla tasarlanabilir.4.35) Kısadevre sonlu paralel iletim hattı λ/4 uzunluğunda paralel rezonans devresi gibi davranır.36) Şekil 4.36 Kısa-devre sonlu paralel iletim hattının paralel rezonans eşdeğer devre modeli. Şekil 4.6. (Bkz.35 Sonu kısa devre paralel iletim hatlarını kullanılarak tasarlanan band geçiren filtre.seri rezonans devresine seri rezonans devresi de paralel-rezonans 91 . Yine tasarımda çeyrek-dalga (quarter-wave) rezonatörler kullanılır.4. Merkez frekansında l=λ/4 Şekil 4. Böylece paralel rezonans devresi. Ama bu rezonatörler band geçiren filtre için kısa-devre sonlu olurlar. Şekil 4.

Şekil 4.38 3.…N 3db lik band genisligi f0 f0 = filtrenin merkez frekansı. Merkez frekansı 2 GHz Butterworth yaklaşımı ile tasarlanan 3.38’deki olur.dereceden band geçiren filtre mikroşerit yapıya şu aşamalarla çevrilir: Şekil 4.devresine çevrilir.37 3. 92 . Şekil 4.dereceden band geçiren mikroşerit filtre yapısı. N= filtrenin derecesi.dereceden band geçiren filtre prototipi.37’de yer alan prototip eleman değerlerinden paralel dalların empedansları hesaplanır. Paralel dallar ve bunlar arasındaki iletim hatları merkez frekansında λ/4 boyundadır. πZ 0 ∆ 4g (n ) Z 0n = ∆= n=1. Karakteristik empedansları hesaplanan iletim hatları mikroşerit olarak gerçeklenir ve filtre Şekil 4.

Şekil 4.39 3.39’daki eğriler elde edilir. Hem LC devre elemanları ile hem de mikroşerit yapı ile band söndüren filtre tasarımı yapan program ekranı Şekil 4.40. 3.Band geçiren mikroşerit filtre yapısı 3D-FDTD uzayında frekans karakteristiğini [S21] elde etmek üzere tanımlanıp analizi yapıldığında Şekil 4. Şekil 4.40’da yer almaktadır.dereceden band geçiren filtre tasarımı yapan program ekranı.dereceden band geçiren filtrenin FDTD analizi. 93 .

1 ‘de gösterildiği gibi Yee tarafından önerilen birim hücre kullanılarak gerçekleştirilmektedir.bölümde oluşturulan mikroşerit yapıların analizinde kullanılmıştır.1. hemen her türlü elektromanyetik problem çözümlerinde kullanılan bir yöntem olmuştur (Yee. karmaşık yapılarda elektromanyetik problemlerin çözümünde analitik yöntemlerin yetersiz kalması ve bilgisayar teknolojisinin gelişmesiyle. Şekil 5.BÖLÜM 5. Özellikle mikroşerit yapıların analitik çözümlerinin karmaşık ve bazı yapılarda yetersiz kalması sebebiyle. Üç boyutlu (3D) problemlerde uzaydaki ayrıklaştırma. ingilizce ( Finite Difference Time Domain ) kelimelerinin kısaltılmışıdır. 1966). . ANALİZİ FDTD YÖNTEMİ ile MİKROŞERİT HATLI DEVRELERİN 5. Mikroşerit yapıların modellemesinde kullanılan güçlü zaman ve frekans domeni teknikleri mevcuttur. 3D-FDTD Yöntemi Sayısal yöntemler. İlk kez 1966 yılında ortaya atılmasından bu yana FDTD. Bunlardan FDTD (Finite Difference Time Domain) yöntemi 4. araştırmacılar tarafından daha sık kullanılmaya başlanmıştır. Literatürde kısaca (FDTD) olarak bilinen Zamanda Sonlu Farklar Yöntemi. analiz ve tasarım aşamalarında sayısal yöntemlerin kullanılması zorunluluk haline gelmiştir.

y. j − 1. k ) − E n (i. j. j. sırasıyla (x.1. k ) = H x −1 (i. ρ ρ ρ ∂H µ0 = −∇ × E − σ. j.2a) ∆t + E n (i. k) da. j. zaman adımı ve (i. j. 3D Yee Birim Hücresi Yee birim hücresi 3D-FDTD için kullanıldığında. z) ‘deki konum adımları olmak üzere alan bileşenleri n H n (i. n. k ) − E n (i. elektrik ve manyetik alanların bileşenleri iteratif denklemlerle ele alınır. k − 1) y y µ 0 ∆z [ ] ] (5. Kayıplı bir ortamda. k ) − x ~ ~ ∆t E n (i.Şekil 5.1b) Buradaki ilk iki Maxwell denklemi (rotasyonel denklemleri) ayrıklaştırıldığında.E ∂t ρ ρ ∂E ε = ∇×H ∂t (5. j.1a) (5. k ) z z µ 0 ∆y [ 95 .

j. j. Şekil 5. k ) − E n (i. k − 1) x y 2 ε + σ ∆t (2 ε + σ ∆t ). k ) y y µ 0 ∆x [ ] ] (5. k ) = H z −1 (i. j. k ) z z µ 0 ∆x [ ] (5. k ) − H n (i. k ) − ~ ~ ∆t E n (i. k ) − H n (i − 1.∆x [ ] (5. j. Uzayın bir noktasındaki manyetik alan bileşeni aynı noktada bir önceki kendi değerine ve diğer eksenlerdeki komşu elektrik alan değerlerine bağlıdır. j. k ) − H n (i. k − 1) x x µ 0 ∆z [ ] ] n n H z (i. j.∆z [ [ ] (5. Örneğin Hx bileşeni kendisinin zamanda bir önceki değeri ile kendisine komşu olan Ey ve Ez değerlerine bağlıdır. j. k ) = x 2 ε − σ ∆t n −1 2∆t E x (i.2f ) [ ] ~ Burada n ve n aralarında yarım adım fark olan zaman adımlarını gösterir. k ) − H n (i − 1.∆z + 2∆t H n (i. k ) − E n (i. j. j − 1. j. j.2e) E n (i. j. k ) = z 2 ε − σ ∆t n −1 2∆t E z (i. k ) x x µ 0 ∆y [ ∆t + E n (i. k ) − E n (i. j. j. j − 1. j. k ) − H n (i. j. j. k ) − y y ~ ~ ∆t E n (i. k ) − H n (i. j. j. k ) − H n (i.∆y [ [ ] ] (5. k ) = H n −1 (i. hiçbir bileşeni bulmak için o bileşenin verildiği noktadaki diğer bileşenlere gerek duyulmamaktadır. j.1 ‘deki hücre yapısı incelendiğinde şu noktaların altı çizilebilir: 96 . k − 1) x x (2 ε + σ ∆t ). k ) x x 2 ε + σ ∆t (2 ε + σ ∆t ). j. k ) − E n (i − 1. k ) z z (2 ε + σ ∆t ).2d ) E n (i. j.2b) ∆t + E n (i. k ) z z 2 ε + σ ∆t (2 ε + σ ∆t ).∆y + 2∆t H n (i. k ) − H n (i. k ) = y 2 ε − σ ∆t n −1 2∆t E y (i.H n (i.2c) E n (i. Bu durumda. j. j. j − 1. j. j. j − 1.∆x + 2 ∆t H n (i. k ) − H n (i. yani ~ n =n+1/2 ‘ dir. k ) y y (2 ε + σ ∆t ). j.

k ) + E z (i + 1. Şekil 5. j. Sayısal hesaplamalarda σ → ∞ anlamsız olduğundan mükemmel iletken olan yüzeylerde elektrik alanın teğetsel bileşenleri zaman simulasyonu boyunca sıfır alınarak PEC (perfectly electrical conductor) etkisi sağlanır.1. (5. j.bileşeni Ex(i. ilgili elektrik alan bileşeninin tanımlandığı noktada verilmelidir. k) hücresinin merkezindeki Ez ‘ yi bulmak için E z (i. üç manyetik alan bileşeninin hesabında sadece µ kullanılmaktadır. 5. ∆t. k) ve manyetik alanın y. j.1) yz düzleminde sonsuz ince mükemmel iletken bir tabaka modellemek için. k) olarak adlandırılmaktadır. k ) + E z (i + 1.σ) değerleri farklı verilerek değişik cisimler modellenebilmektedir. t=∆t/2. Şekil 5.σ) ortam parametreleri. j.σ) ortam parametreleri de yer almaktadır. k) hücresinde (Bkz. Yani t=0. Hücrede üç ayrı noktada üç elektrik alan bileşeni hesaplandığından hücre içerisinde bu noktaların (ε. j. Örneğin (i. hücre numarası (i.2) iteratif denklemlerinden görüleceği üzere. j. Her hücrede üç elektrik ve üç manyetik alan bileşeni vardır. 3. 4. Bu sebeple her hücrede (ε. k) hücresinde aynı iletken tabaka hücre ortasına 97 . k) hücresinde. Elektrik alan bileşenlerinin hesabında µ ‘ın dışında (ε. FDTD uzayında bir noktada alan bileşenleri komşu noktalardaki bileşenlerin aritmetik ortalaması ile bulunur. k ) 4 Ez = (5. örneğin elektrik alanın x. (i. k ) + E z (i.2’ deki dört noktanın σ değerini sonsuz almak yeterlidir. j + 1. … anlarında manyetik alanlar hesaplanmaktadır. j. Aynı şekilde (i. j. Elektrik ve manyetik alan bileşenleri hücre içerisinde farklı konumda olmalarının yanı sıra arasında zamanda da ∆t / 2 kadar fark vardır.bileşeni Hy(i.3) kullanılmaktadır. 2. 2∆t. j. 3∆t/2. Örneğin (i. manyetik alan bileşenleri ise soldaki üç yüzey ortalarında tanımlıdır. Elektrik alan bileşenleri hücrenin soldaki üç kenarın ortalarında. j + 1. k) aynı indislerle belirtilmelerine karşın hücre içerisindeki konumları farklıdır. … anlarında elektrik alan bileşenleri hesaplanırken.

Birim hücrede sonsuz ince çizgisel elemanların simulasyonuna da FDTD olanak sağlamaktadır. Böylece.bileşeni düğümleri olacaktır.3 Birim Hücrede Ortadaki Yüzeye İletken Plaka Yerleştirmek İçin Kullanılan Elektrik Alan Bileşenleri 7. İstenilen bir noktada alan bileşenleri biriktirilerek E(t) ve H(t) zaman değişimi elde edilebilir. Zaman iterasyonu boyunca FDTD hacmi içerisinde yüzbinlerce hücrede.2 Birim Hücrede Alt Yüzeye İletken Plaka Yerleştirmek İçin Kullanılan Elektrik Alan Bileşenleri Şekil 5. yapının hem geçici hem de sürekli zaman 98 . Şekil 5.yerleştirilmek istenirse (Bkz. Şekil 5. 6.3) bu kez ilgili dört düğüm elektrik alanın x. (V/m) olarak elektrik ve (A/m) olarak manyetik alan değerleri hesaplanır.

x1 ∫E n l . j.dl olarak.1992). kl) hücreleri arasındaki potansiyel farkı n bulmak için. j. FDTD hacmi içinde ise örneğin Şekil 5.davranışı gözlenebilmektedir. j. j − 1.dl şeklinde entegre edilmesi gerekmektedir. Genel olarak x1 ve x2 şeklinde tanımlanan iki nokta arasında n anındaki x2 potansiyel farkı .3) şeklinde bir bağıntı kullanılır (Luebbers. 8. j = jl n Bir noktadaki akımı hesaplamak için de. Sayısal olarak ise FDTD hacmi içinde (IL. 99 . kl )∆y ) toplamını bulmak yeterlidir. j. k ) = H n (i. k ) − H n x ] (i − 1.et all. k ) ∆x x x n y [ + [H (i. FDTD hacmi içinde modellenen yapıya ve gerçekleştirilmek istenen analize bağımlı olarak kaynak farklı noktalara ve farklı şekillerde uygulanabilir. Zaman davranışından da Fourier dönüşümü ile E(f) ve/veya H(f) frekans davranışı çıkarılabilir. KL) ile (il. j . o noktanın etrafındaki kapalı çevre üzerinde manyetik alanların ∫ C H l .4 dikkate alınırsa. Chen . iki noktayı birleştiren doğru üzerindeki elektrik alanların integrali alınarak bulunabilir. jl+n. Kaynak tek bir noktada tek bir bileşene uygulanabileceği gibi. k )]∆y (5. birden fazla noktada ve/veya birkaç bileşene de uygulanabilir. JL. I(i. FDTD hacmi içinde elektrik ve manyetik alan bileşenleri tüm hücrelerde hesaplandığı için yapının herhangi bir noktasındaki gerilim veya akım değerini hesaplamak mümkündür. k ) − H n (i. V= ∑ ( E y (il . 9.

ε 0 (5. Courant kararlılık kriteri (Taflove.4 Ez bileşeninin bulunduğu noktada +z yönündeki akım değerini bulmak için kullanılan manyetik alanlar.2) denklemleri ayrıklaştırılıp sayısallaştırılmış elektrik (manyetik) alan bileşenlerini kendilerinin bir önceki anda bulunan değerleri ve komşu hücrelerdeki manyetik (elektrik) alan bileşenleri cinsinden iteratif biçimde hesaplanmasına olanak sağlar.5) 100 . dalganın birim zaman içinde en fazla bir düğüm kadar ilerlemesi gerektiğini söyler. ∆y. c. 5. Bu denklemler açık denklem sistemi oluşturduğundan her zaman sonlu Bu iteratif denklemler kararlı (sonsuza gitmeyen) çözümü vermezler. Fiziksel olarak bu denklem. ∆z) ve zaman ∆t boyutları rasgele seçilemez. ∆t ≤ ∆z . sayısal çözümler verebilmeleri için hücre boyutları arasında önemli bir ilişki sağlamalıdır. ∆t ≤ ⎢ ⎥ 2 2 (∆y ) (∆z ) 2 ⎦ ⎣ (∆x) − 1 2 (5.1995) denilen bu bağıntı zaman ve konum adımları arasında sağlanması gereken ilişkiyi belirlemektedir.4) şeklinde tanımlanmaktadır.2.108 m/sn) kullanmak yeterlidir. Benzer şekilde 3D FDTD için de Courant kriteri ⎡ 1 1 1 ⎤ + + c. c= 1 µ 0 .Şekil 5. İteratif Denklemlerde Kararlılık Koşulu (5. Homojen olmayan ortamlarda da en kötü hal analizi için ışık hızını (c=3. Bu (5.2) denklemlerindeki konum (∆x.

konum hücresi ∆z ise minimum dalga boyuna sahip işaretin FDTD hesaplarında sorunsuz izlenebilmesini belirler. z ∂t µ ∂x (5. Geniş bandlı işaret analizinde en yüksek frekans zamanda kullanılan ∆t hücresini belirler. 5. Bu nedenle. Benzer şekilde. değişik problemlerde ve farklı parametre takımları için ayrı ayrı dağılma analizleri gerekir. FDTD Yönteminde Sayısal Dağılma Belli bir ortamda iletilen geniş bandlı bir işaretin.⎜ − ∂t ε ⎜ ∂x ∂y ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (5. farklı frekanslı bileşenlerini (faz hızlarının farklı olmasından ötürü) içermesi onun gözlenen bir noktaya farklı zamanlarda ulaşmasına ve dolayısıyla bozulmasına neden olur.6a) 1 ∂E =− .3. Bu bozulma olayına da dağılma denir. TM modu için çözümler 101 . z ∂t µ ∂y ∂H y (5. FDTD yöntemi hem zamanda hem de konumda ayrıklaştırma yapar.6c) şeklindedir. İki boyutlu TM tipi problemde kayıpsız ortamda Maxwell denklemleri. Dolayısyla da zamanda ∆t ve konumda da ∆z gibi sonlu uzunluklu hücrelerde hesaplama yapılması gerekir. Konum hücresi ∆z’in.6b) ∂E z 1 ⎛ ∂H y ∂H x = . Fakat buradaki dağılma FDTD yönteminde ayrık değerlerde hesap yapmaktan dolayı oluşan sayısal dağılmadır. en küçük dalga boyunda en az iki örnek olacak şekilde saptanması gerekir. ∂H x 1 ∂E =− .olarak belirlenmektedir.

y.∆z sıfıra doğru yaklaştıkça (5.7) FDTD yöntemine göre ayrıklaştırılan (5.8) bağıntıları birbirlerine eşitlenir.7) ve (5. Üç boyutlu kayıpsız ortamdaki bir düzlem dalga için analitik dağılma bağıntısı ise w2 = k2 + k2 + k2 x y z c2 (5. j = E z0 e ~ ~ j( k x i∆x + k y j∆y − wn∆t ) ~ ~ j( k x i∆x + k y j∆y − wn∆t ) ~ ~ j( k x i∆x + k y j∆y − wn∆t ) = H x0e = H y0 e (5.∆t sin ⎜ 2 ⎟⎥ = ⎢ ∆x sin ⎜ 2 ⎟⎥ + ⎢ ∆y sin ⎜ 2 ⎟⎥ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠⎦ ⎢ ⎣ ⎢ ⎝ ⎠⎥ ⎣ ⎦ ⎝ ⎠⎥ ⎣ ⎦ 2 2 (5. j n i. 1995). (5. TM modu için FDTD algoritmasına ait iki boyutlu sayısal dispersiyon eşitliğidir (Taflove.9) ⎟⎥ + ⎢ sin⎜ = ⎢ sin ⎜ sin ⎜ ⎟⎥ ⎢ c.∆t ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ 2 ⎠⎦ ⎢ ∆y ⎜ 2 ⎟⎥ ⎣ ⎢ ∆x ⎝ 2 ⎠⎥ ⎢ ∆z ⎝ 2 ⎠⎥ ⎣ ⎦ ⎣ ⎦ ⎝ ⎠⎦ ⎣ 2 2 2 şeklinde tanımanır (Taflove.∆y. k y . Eğer zamanda ve konumda FDTD örneklemesi uygun boyutlarda yapılırsa. j n i.8) ~ ~ ~ eşitliği elde edilmektedir.8).Ez Hx Hy n i. Denklem (5.6) denklemlerinde bu denklemler yerlerine konulup gerekli düzenlemeler yapılırsa. sayısal dağılma etkisi istenilen dereceye indirilebilmektedir.ve z. k z sırasıyla sayısal dalga vektörünün x-. Denklem (5. 102 . Benzer yaklaşımla üç boyutlu FDTD için sayısal dispersiyon bağıntısı ~ 2 ~ ~ ⎡ 1 ⎛ k y ∆y ⎞⎤ ⎡ 1 ⎡ ⎛ k x ∆x ⎞⎤ ⎛ ⎞⎤ ⎡ 1 ⎛ w∆t ⎞⎤ ⎟⎥ + ⎢ 1 sin⎜ k z ∆z ⎟⎥ (5.10) Olarak verilir.∆x.bileşenlerini ifade etmektedir.7) ve (5. 1995).8) denklemlerinde k x .6)’da ∆t. ~ 2 ~ ⎡ 1 ⎛ k y ∆y ⎞⎤ ⎡ 1 ⎛ k x ∆x ⎞⎤ ⎡ 1 ⎛ w∆t ⎞⎤ ⎜ ⎟ ⎢ c.

problem ne olursa olsun kaynak olarak Gauss darbesi uygulanabilir. bir gerilim ya da akım kaynağı olabileceği gibi. 103 . Uygulanan bu darbesel işaret. saçılma problemlerinde olduğu gibi bir düzlem dalga da olabilir. Bu iki unsur birlikte ele alındığında parametre optimizasyonu doğal olarak yapılmış olur (Sevgi. Türev mertebesi arttıkça Gauss fonksiyonunun alçak frekansları da atılmaktadır. Kaynak tipi ve konumda değişimi ne olursa olsun zaman değişimi Gauss fonksiyonu benzeri bir davranış gösterir.5. Eğer yapıda DC bileşeni yada alçak frekanslar desteklenmiyorsa. Buna darbe kopması adı verilir. FDTD ile her yapı her frekans bölgesinde incelenemeyebilir. FDTD ile bir yapı simüle edilmek istendiğinde çıkış noktası parametrelerin belirlenmesi gerekir. Ancak. zamanda darbesel bir işaret uygulanır. 2. Bunlar. Şekil 5. zaten uyarma hücresinden birkaç hücre ötede bu bileşenler sönecek ve Gauss darbesi yerine Gauss fonksiyonunun birinci türevi gibi bir işaret iletilecektir. Bu nedenle. İstenen frekans analizi ve ayrık fourier tekniğinin gerekleri. FDTD Yönteminde Parametre Seçimi FDTD ile elektromanyetik problem simülasyonu yapılmasında uygun parametre seçimi çok önemlidir. FDTD parametrelerinin istenen frekans analizi doğrultusunda belirlenmesi.5’te darbe süresi farklı iki gauss darbesi ve bunların frekans bandları alt alta verilmiştir. Gauss darbesi Şekil 5.4. Zamanda darbesel işaretlerin FDTD ile simüle edilmesindeki ana amaç yapının geniş frekans bandında davranışını incelemektir. 1999). Parametre seçimi iki önemli aşama ile belirlenir. Çok alçak frekanslardan istenen en yüksek frekansa kadar analizlerde gauss darbesi kullanmak elverişlidir. FDTD hesap uzayına yerleştirilen yapı ne olursa olsun genelde. 1. FDTD ‘de parametre seçimi aynı zamanda bir çeşit optimizasyon anlamına da gelir. Olarak verilir.5’ten görüleceği gibi alçak frekanslarında (DC bileşeni) içeren frekans bandına sahiptir.

6 f(t) 0. Nyquist örnekleme teoremi gereği zamanda ayrıklaştırmayı belirler. Darbe zamanda daraldıkça frekans bandı genişler 104 . Uygun örnekleme.2 Zaman (nsn) 1. İkinci adım zamanda ve konumda ayrıklaştırmadır. Kaynak darbe süresi analiz yapılacak en yüksek frekansa göre ayarlanır.5 Frekans (GHz) 3 3.6 1.6 0.2 Zaman (nsn) 1.6’da işaretin uygun örneklenmesi yada uygun örneklenmemesi durumunları yer almaktadır. Sınırlı banda sahip zaman işareti örneklendiğinde (yani ayrıklaştırıldığında) işaretin bandı frekans domeninde periyodikleşir. 1 0.8 0.4 0. FDTD ile alan yada devre parametrelerinin zaman domeninde davranışları elde edilir.4 0.5 2 2.4 1. Gauss darbesinin normalize zaman ve frekans davranışı. FDTD yönteminde parametrelerin saptanması şu aşamalarda yapılır: • • • Önce uygulanacak kaynak.6 f(t) 1 0. seçilir.4 0.5 1 1.Frekans analizi FDTD ile fiziksel bir problemin simülasyonunda bir diğer önemli noktadır.6 1. örneğin Gauss darbesi.8 1 1.8 G enlik 0. ayrık fourier dönüşümü için gereklidir. Bandların iç içe geçmesi bilgi kaybı demektir.6 0.8 2 0.2 0 0 0.5 4 0.6 0.8 G en lik 1 0.2 0. Yani işaretten zamanda alınan ayrık örneklerin sıklığı içerdiği en yüksek frekansın iki katı hızda olmalıdır . Gauss darbesinin frekans bandındaki en büyük frekans bileşeni.8 0.8 2 1 0.2 0 0 0.2 0 0 5 10 15 20 25 Frekans(GHz) 30 35 40 Şekil 5.4 0.4 1. Bu işlemde önemli bir sorun işaretin uygun örneklenmesidir.4 0.2 0 0 0.4 0. işaret işleme tekniğinde bilinen Nyquist örnekleme teoremindir.5. Frekans analizi simülasyon bitiminde ayrık fourier dönüşümleri ile gerçeklenir. Bu. Şekil 5.2 0.6 0. Bu bilgi kaybını önlemenin yolu uygun örneklemeden geçer.8 1 1.

Bu en üst sınırdır. • Ele alınan zaman işareti içerisinde en küçük dalga boylu bileşen yani en yüksek frekanslı (fmax) yani en az birkaç hücre ile örneklenebilmelidir. FDTD yönteminde iki önemli sınırlama vardır. Genelde λmin/10-λmin/20 arasındaki değerler uygun seçimlerdir.6 Sınırlı banda sahip bir işaretin örnekleme sıklığı ile ilişkisi • • • İstenen en yüksek frekans bileşeni fmax ise işarette bilgi kaybı olmaması için zaman adımı. 105 .fmax) olmalıdır. Bu FDTD hücre boyutlarının işaretin en küçük dalga boyuna sahip bileşeninden bile birkaç misli küçük olması gerektiği anlamına gelir. Bu iki nokta hem FDTD simülasyonu hem de simülasyon sonrası ayrık fourier analizi açısından önemlidir. ve ∆z ile zaman adımı ∆tFDTD yine ilgilenilen en yüksek frekanstan (fmax) başlayarak belirlenir. Uygulamada. FDTD hücre boyutları. ∆y. ∆tFFT = 1/(2. ∆x.Şekil 5. λmin/100 ile λmin/4 arasında hücre boyutlarına rastlanmaktadır. diğeri ise kararlılık kriteridir. Biri sayısal dağılma.

Zaman domeninde FDTD simülasyonu ne kadar süreceği iki önemli noktaya bağlıdır. • Tersine. zaman davranışı sona erinceye dek sürdürülür. simülasyon. 106 . ne kadar hassas frekans ayrımı isteniyorsa o kadar uzun süre işaret gözlenmelidir ( simülasyon sürdürülmelidir) . simülasyon sonrası frekans analizi için gerekli ∆tFFT değeri simülasyon adımı ∆tFDTD değerinden çok daha küçüktür ve FDTD zaman adımını belirlemek diğerini otomatik olarak sağlar. Birincisi simülasyon sonrası frekans analizidir. ∆tFDTD belirlenir. Frekans analizinde istenen frekans çözünürlüğü ∆f işaretin zaman domeninde hangi sürede (Tmax) gözleneceği belirler. 1999). Tmax süresi işaretin zaman davranışının sona ermesine yetmiyorsa.• • Hücre boyutları seçildikten sonra. İstenen frekans çözünürlüğünden belirlenen minimum zaman adımı simülasyon adımıdır. Bu ikisi birbiri ile ters orantılıdır. Parametrelerin bu şekilde seçimi hem FDTD için gerekli kararlılık ve sayısal dispersiyon koşullarını hem de simülasyon sonrası frekans analizinin istendiği gibi yapılabilmesini sağlayacaktır (Sevgi. • Simülasyon süresinin belirlenmesi frekans analizi açısından önemlidir. ∆f=1/ Tmax olduğundan.(NFDTD=NSTOP) Ele alınan yapıda işaretin gözlenen zaman davranışı daha kısa sürede bitiyorsa FDTD simülasyonunu kesip işaretin öncesine ve/veya sonrasına sıfır eklemeyle gerekli Tmax sağlanır. kararlılık kriteri gereği zaman adımı. • • Tmax ve ∆tFDTD belirlendikten sonra simülasyon adımı NFDTD=Tmax / ∆tFDTD olarak seçilir. Genelde. Yani.

Bu grafikler yardımıyla oluşturduğumuz mikroşerit yapı üzerinde dalganın ilerleyişini görebilir. 107 . Bu grafiklerde mikroşerit hattın altında Ey bileşeninin zamanla ilerleyişi açık bir şekilde gözükmektedir. Bu haliyle mikroşerit hatlı devreler analitik olarak modellenmesi oldukça zor yapılardan sayılır. Mikroşerit hatta enerji alt iletken metal taban ile üst mikroşerit arasında kılavuzlanarak.7 Mikroşerit hatta değişik zaman adımlarında ilerleyen dalgaların gösterimi.5.8’de tipik bir mikroşerit hattı ve FDTD ile darbe iletiminin zaman domeninde modellenmesi gösterilmiştir. 1999). yapıyı tanıtırken herhangi bir hatanın olup olmadığı kolayca anlaşılabilir.7 ve Şekil 5. Şekil 5. Genelde analitik analizler. S-parametrelerinin Hesabı Şekil 5. ya alçak frekanslarda “ quasi-statik” durumda (TEM modu) yada yüksek frekanslarda (TE ve TM modları) için ayrı ayrı ele alınır (Sevgi. Yapının yan yüzeylerinde fiziksel sınırlar olmadığı için az da olsa enerji sızıntısı olur. iletilir.5. Böylece kaynağın doğru uygulanıp uygulanmadığı.

(Bkz Şekil 5. [S] parametreleri devrenin kapılarındaki giden ve yansıyan akım ve gerilim dalgalarını birbirine bağlayan parametre takımıdır.9) Devre elemanlarının dağılmış parametre (iletim hattı) modelleri ilgilenir.Şekil 5.Ocak. 108 .. G. 2004).8 Mikroşerit hat ve değişik düzlemlerde darbe iletiminin FDTD ile Modellenmesi (Çakır. [S] parametreleri düzlemsel mikroşerit hatlı devrelerin analizinde kullanılır.

10 Mikroşerit hattın yandan görünüşü ve FDTD ile modelleme FDTD ile düzlemsel mikroşerit hatlı devrelerin [S] parametreleri ile simülasyonu şu şekilde yapılır: • Giriş ve çıkışta yutucu sınır koşulu blokları yer alır. • Girişteki yutucu bloktan yaklaşık 6-10 hücre ötede. Şekil 5.Şekil 5. Bu çalışmada PML-8 sınır koşulu kullanıldığı için başta ve sonda 8 hücrelik PML blokları yerleştirilmiştir.9 İki portlu bir devrede S parametreleri tanımı. Kaynak ya şerit altına dominant modun yerleştirilmesi ya da şerit altında komple düşey elektrik alan uyarılmasıyla gerçeklenebilir. FDTD simülasyonu boyunca eklenen Gauss darbesi her iki yönde de ilerlemektedir. kaynak modellenir. FDTD simülasyonu boyunca her zaman adımında kaynak bölgesinde adım adım Gauss darbesi eklenmektedir. Sola doğru ilerleyen darbe girişteki PML bloğunda yutulur. • • Kaynak zamanda Gauss darbesidir. Böylece uyarılan Gauss darbesi sadece ikinci kapıya doğru ilerlemektedir. Şekil 5.10’da G1 ve G2 olarak işaretlenen gözlem noktalarında zamanda 109 .

şerit etrafında Amper yasası uygulanarak elde edilir. Örneğin Şekil 5. bir telden akan akım telin etrafında sağ el kuralına göre yönü belirlenen manyetik alan oluşturur. • FDTD simülasyonunda elektrik ve manyetik alan bileşenleri hesaplanmaktadır. İki nokta arasındaki gerilim. Arada devre olmadığından ve ikinci kapı PML bloğu ile sonlandırıldığından. • Şekil 5.10’da gerilimler. • • Girişte ve çıkışta elde edilen giden ve toplam ile yansıyan dalgaların DFT ile frekans dönüşümleri alınarak devrenin [S] parametreleri elde edilir. v 1 ( t ) girişte toplam ve v 2 ( t ) çıkışta yansıyan gerilimler olmak üzere DFT sonucu S11 ve S21 − + t v 1 (f ) v 1 (f ) − v 1 (f ) = + + v 1 (f ) v 1 (f ) − v 2 (f ) + v 1 (f ) S11 (f ) = S 21 (f ) = (5. • Oysa devre analizinde. 110 . G1 noktasında gözlenen sadece giden dalga olacaktır. elektrik alan çarpı yol olarak elde edilir. Yani. şerit etrafında xy-düzleminde manyetik alan bileşenleri kullanılarak elde edilir.10’da. Buna göre şeritten z yönünde akan akım. Yukarıda belirtildiği gibi. G1 noktasında gözlenen değer hem kaynaktan gelen hem de devrenin girişindeki süreksizlikten yansıyan bileşenleri içerecektir. şerit altında elektrik alanının düşey (y) bileşenleri toplanıp . G2 noktasında çıkan (yansıyan) gerilimler elde edilmektedir.11) Elde edilir. Bunun yanında. z – yönünde akan akım. FDTD simülasyonunda sadece giden dalganın elde edilmesi simülasyonun analizi yapılan devre olmaksızın tekrarlanması ile sağlanır. t + − Yani v 1 ( t ) girişte giden . [S] parametrelerinin hesabında girişte giden gerilim dalgasına gerek duyulur. • Benzer şekilde. • FDTD simülasyonunda.10’daki halde G1 noktasında toplam. örneğin [S] parametrelerinin hesabında giden ve yansıyan gerilim yada akım dalgaları kullanılmaktadır. G2 noktasında sadece devreden çıkan (yani giden) gerilim dalgası olacaktır. Şekil 5. y yönündeki hücre boyutu ile çarpılarak elde edilir.işaretler gözlenir ve FDTD simülasyonu sonucu DFT uygulanırsa frekans yanıtları elde edilebilir. Girişte.

yüksek geçiren. Bu nedenle çalışmanın ikinci aşamasında LC filtre yapısından mikroşerit filtre yapısına dönüşüm metotları incelenmiştir. İlk aşamada istenilen filtre özelliklerini sağlayan LC devre elemanlarından oluşan filtreler tasarlanmıştır. Bu tasarımda iki metot kullanılmıştır. 111 . Bu araştırma şu aşamalardan oluşmaktadır. ikincisi ise araya girme kaybı metodudur. Araya girme kaybı metodunda iki yaklaşım kullanılmıştır. hazırlanan paket program ile tasarlanan mikroşerit yapıların istenilen performansları başarıyla sağladığını göstermiştir. geçiş bandı dalgalanması izin verilmiyor ise Butterworth yaklaşımını kullanmalıdır. Bu incelemenin sonucunda aynı yapı üzerinde yapılan ufak değişiklikler ile farklı filtre karakteristiklerinin (alçak geçiren. Biri Butterworth. Araya girme kaybı metodu günümüzde filtre tasarımcılarının en çok kullandığı metottur. Test sonuçları. Tasarımcı geçiş bandında dalgalanmaya izin verip keskin kesim frekansı isterse Chebyshev yaklaşımını. LC devre elemanları ile tasarlanan bu filtreler mikrodalga frekanslarında çalışamazlar. diğeri ise Chebyshev yaklaşımıdır. Birincisi iletim parametreleri metodu. Tasarlanan yapıların doğru karakteristiği verip vermediği ölçüm ve FDTD tabanlı MS-STRIP programı kullanılarak test edilmiştir. band geçiren ve band söndüren) sağlanabileceği bulunmuştur.SONUÇLAR ve ÖNERİLER Bu tez çalışmasında mikroşerit filtre tasarım metotları araştırılmıştır.

.G. 2005) 112 . L. Istanbul. GÜNDÜZ.. Alçak Geçiren Mikroşerit Filtre Tasarımı. June 13-14. S. 2.. ÇAKIR.. L.DİBEKÇİ. D.ÇAKIR... Doğuş University. "Broadband Filter Design using the Analogy Between Wave and circuit theories". CCN 2005.KİŞİSEL YAYINLAR VE ESERLER 1. SEVGİ. International Symposium on Complex Computing Networks.. G.SEVGİ. FDTD Analizi ve Gerçekleştirilmesi.URSİ Eylül 2004. GÜNDÜZ..S. 2005 (also will be published in Springer Proceedings in Physics Series.

. ENGELMAN H.pp. AND ADACHI. D.. IEEE Trans. NewNess. Microstrip discontinuity inductances ..40. Antennas Propagat.. AP-14. L. 9. And Propagat.1577-1583.1644-1650. J..December 1952..302-307.. ISHİİ J.. C.827-31. THOMSON. 5. Synthesis of a Class of Stripline Filters.10. MTT-26-No.. T. Prentice Hall.KAYNAKLAR 1. Microwave Engineering Using Microstrip Circuits. 6.pp. D.. Microstrip Filters for RF/Microwave Aplications. Microwave Engineering .1990 113 . . Proc. Numerical Solution of Initial Boundary Value Problems Involving Maxwell’s Equations in Isotropic Media.. M. Proc. IEEE Trans. S.. CHEN. 1982 POZAR. 1966. GRİEG. CT-5. pp. 1192. 104-109.40. FOOKS. 217-220 February 1948. no. vol. Boston. Ant.vol. Impedance and Gain for Monopole Antenna on a Conducting Box.12. Resistor Transmission-Line Circuits. vol. ZAKAREVICIUS. pp..pp. Circuit Theory. FDTD Calculations Patterns.S. vol.pp.A. LUEBBERS. OZAKİ. Menlo Park. 10.. IEEE Trans. 7. Microwave Theory and Techniques. IRE. 8. UNO. June 1958. 4. IRE Trans.K. Circuit Design. H.. P. Microstrip –A New Transmission Technique for he Kilomgacycle Range. BOWİCK. M. R.. vol. October 1978. YEE.1990.36..H.E. Australia. IRE. 2. 3.A. 2001 John Wiley & Sons Inc. R. LANCASTER. vol. GOPINATH A. RICHARDS..Addison-Wesley.. HANG.

Elektromanyetik Problemler ve Sayısal Yöntemler.net/tech/node46. Gezgin İletişim Sistemleri için Huzme Yönlendirmeli Mikroşerit Dizi Anten Tasarımı: analitik hesaplama.html..O.G. L...S. FDTD Analizi ve Gerçekleştirilmesi.SEVGİ. Alçak Geçiren Mikroşerit Filtre Tasarımı. 12... 13.11. 1999. D. GÜNDÜZ.ÇAKIR.. Ocak.sourceforge. K. SEVGİ. 114 .. JAHN.DİBEKÇİ.2004. bilgisayar benzetimleri ve ölçmeler..Ü. L. ISBN No: 975-518-089-3. Birsen Yayınevi.URSİ Eylül 2004. http://qucs. 2005. 14. ÇAKIR. Doktora Tezi.. G. S.

Yük akışı akım yoğunluğunun yüzey boyunca var olan değerinin 1/e ‘sine veya %37’sine düştüğü noktadaki iletkenin derinliğine deri kalınlığı denir. .Ek-A PASİF DEVRE ELEMENLARI Tel Teller RF devre tasarımının birçok aşamasında kullanılır. Deri kalınlığı.1 AWG 30 =10 mil AWG 24=2 x 10 mil= 20 mil AWG 18=2 x 20 mil = 40 mil AWG 12=2 x 40 mil = 80 mil Düşük frekanslarda bir iletken. AWG numarası küçüldükçe tel çapı büyür (C. yük taşıyıcısına bir direnç gösterir. telin çapına ve uzunluğuna bağlıdır. Bu da iletkenin merkezinde akım yoğunluğunun azalmasına neden olurken çevresinde akım yoğunluğunun artmasına neden olur. Dolayısıyla eğer bir ölçünün çapı bilinirse altışar aralıklarla istenilen ölçünün çapına ulaşılır.1 AWG 30 telinin yarıçapı 10 mil ise AWG 12 telinin yarıçapı nedir? Çözüm A. iletken merkezinde artan manyetik alan. değişik boyutta ve uzunlukta olmak üzere ya bağlantılarda ya da ana yapılarda kullanırlar. RF spektrumunda telin elektriksel davranışı. Amerikan Tel Ölçü (American Wire Gauge) biriminin yer aldığı Tablo A. Bu sisteme göre.1982). telin çapı altı ölçüde bir iki katına çıkar. Bu uygulamalarda teller. Örnek A. Frekans arttıkça.1. her ölçüdeki teli ve tasarımcılar için gerekli diğer karakteristikleri listeler. kondansatör ve endüktör dahil tüm iletken yapılarında meydana gelir. Bu olay direnç.Bowick. kesit alanının tamamını yük taşımak için iletim ortamı olarak kullanır. İletken çevresindeki akım yoğunluğu artışı deri olayı olarak tanımlanır.

3 log⎜ − 0. Manyetik alandaki bu değişkenlik teldeki akım akışına direnç göstererek telde bir gerilim farkına yol açar. Bu değişkenliğe karşı gösterilen dirence öz-endüktans ve bu direnci üreten yapıya da endüktans denir. Akım taşıyan bir iletkenin çevresinde manyetik alan meydana gelir. ⎡ ⎛ 4λ ⎞⎤ L = 0. Düz bir telin endüktansı.1) 116 . telin hem uzunluğuna hem de çapına bağlıdır: A 1 = πr12 A 2 = πr 2 2 2 A1=r1yarı çaplı kesitin alanı A2=r2 yarıçaplı kesitin alanı Deri kalınlığı= A2-A1= π(r2 − r1 ) Şekil A. İletken bir telin deri kalınlığı. alüminyum ve bakır gibi) farklı deri kalınlıklarına sahiptirler. Düz bir telin endüktansı önemsiz gibi görülebilir ama frekans arttıkça bu endüktans değeri daha önemli hale gelir.002λ⎢2. Eğer iletkendeki akım değişken ise manyetik alan da değişir. ortamın manyetik geçirgenliğine ve iletkenliğine bağlı bir parametredir.75 ⎟⎥ ⎝ d ⎠⎦ ⎣ L(µH) : telin endüktansı l(cm) :telin uzunluğu d(cm) :telin çapı (A.frekansa.1. Yani değişik tipteki iletkenler (gümüş.

30 bakır telin 10cm uzunluğu için endüktansı nedir? Çözüm A. AWG Tel Çizelgesi.1 ‘den No. Örnek A.0254cm olur.1’den No. 1 mil 2.1.30 telin çapı 10 mildir. Denklem A.1’den telin endüktansı.54x10-3 ‘ e eşit ise çap 0.2: Tablo A.Tablo A. 117 .2 Tablo A.

Dirençler çok değişik malzemelerden üretilir.⎡ ⎛ 4(10) ⎞⎤ L = (0.2’de gösterilmektedir. Dirençler devrelerde her aşamada kullanılır. Karbonyapılı dirençler. bütün direncin yapısında önemli bir değere sahip değillerdir.002)(10) ⎢2. direnç değerini. Fakat direncin eşdeğer devre modelinde önemli bir parçadır. elektrik enerjisini ısı enerjisine çevirme etkisine denir.I =1Volt x 1 Amper = 1 Watt Şekil A.75 ⎟⎥ = 147 nH. sıkıca kaplanmış ya dielektrik parçalardan ya da karbon granüllerden oluşurlar. Şekildeki R. Üretildikleri malzemeye göre de performansları değişir. Karbon-yapılı dirençlerin yüksek frekansta düşük performansları vardır.0254 ⎠⎦ ⎣ Dirençler Direnç.3 log⎜ − 0. L bağlantı telinin endüktansını ve C ise direncin malzemesine göre değişen parazitik kapasiteyi temsil etmektedir. Bu parazitler. = 1 Amper P=E. Direnç eşdeğer devresi. 1 Volt/1 Ohm = 1 Coulomb/dak. ⎝ 0. 118 . bir malzemeye verilen elektrik akımının etkisiyle malzemenin. Radyo frekansında bir direncin eşdeğer devre modeli Şekil A. Karbon granüllerinin arasında çok küçük değerde parazitik kapasiteler vardır.2.

119 . (Fr) rezonans frekans ( fr ) değerinde (L) endüktansı paralel kapasite (C ) ile rezonansa girerek ani bir empedans çıkışı oluşturur. tel-sarmal dirençlerde karbon-yapılı dirençlere göre daha büyüktür.2’de gösterilen eşdeğer devredeki L endüktörü. (Bkz. Bu dirençler değişik frekans aralıklarında farklı empedans değerleri gösterir.3) Metal-film dirençler frekans değişimi ile en iyi karakteristiği verenlerdir. Tel-sarmal direncin empedans karakteristiği. bazı sorunlar çıkabilir. Bu olay 10 MHz ile 200 MHz arasındaki frekans aralığında düşük direnç değerleri için kısmen doğrudur. Ama eşdeğer devredeki parazitik eleman değerleri daha küçüktür.3. radyo frekanslarında çalışıldığında. Bu endüktörün değeri tekkat hava-çekirdekli endüktör yaklaşımı formülü ile hesaplanabilir. Şekil A. Şekil A. Bu noktadan sonraki frekans artışı direncin değerinde bir azalma yaratır. Şekil A. Bu dirençlerin eşdeğer devresi karbon-yapılı ve tel-sarmal dirençler ile aynıdır.Tel-sarmal dirençler. Çünkü tel-sarmal dirençler endüktörlere benzer. Frekans arttıkça empedans değerleri önce artar.

30 AWG telinin çapı 10 mil ‘dir. 200 MHz ‘de eşdeğer direnci: 120 . Genelde alüminyum veya beril malzemesinden yapılırlar ve DC’den 2GHz’e kadar olan bir bölgede çok düşük parazitik dirençleri vardır.4’de Ohm’ luk direnç için görüldüğü gibi bağlantı tel endüktansı rezonans çıkışını oluşturur.2’ deki metal film direncin bağlantı telinin uzunluğu 10 cm ’dir. Şekil A. L=147 nH.2’ deki No.4.30 telinden yapılmıştır. Bu direnç Örnek 2.1’den No. bağlantı tel endüktansı ve deri olayı dikkate alınabilir duruma gelir. Şekil A.3 pF ‘dır. Direnç yapımındaki yeni teknolojiler ile beraber direnç değerindeki sapmalar çok aza hatta yok edilebilir duruma gelinildi.3 Şekil 2.000 ohm ise 200 MHz ’deki eşdeğer RF empedansı nedir? Çözüm A. Örnek 2. Metal-film dirençlere göre karbon-yapılı dirençlerin frekans karakteristikleri. Ve deri olayı frekans ile beraber eğrinin eğiminde azalma yaratır. Eğer direnç değeri 10.3 Tablo A.4’de görüldüğü üzere metal-film direncinin empedansı 10 MHz’ in üzerine çıkıldıkça azalır. Çok yüksek frekanslarda 50 Ohm’ un altındaki dirençler ile.2’den. Örnek A. Toplam paralel kapasite (C) 0.Şekil A.

5 Ω Bu sonuç. kağıt. hava. Ama diğer yandan parazitik kapasite ihmal edilemez. Dielektrik genelde seramik.3’ün eşdeğer devre değerleri. filtreler ve kuplaj devreleri gibi birçok alanda kullanılırlar. Rezonans devreleri.X L = ωL = 2π(200 x10 6 ) 147 x10 −9 = 184.Bowick. XC = 1 1 = = 2653 Ω 6 ωC 2π 200 x10 0. Kondansatörler Kondansatörler RF devrelerinde geniş bir uygulama alanına sahiptirler.1982) Kondansatör iki ayrı iletken tabaka arasına iletken olmayan veya dielektrik bir malzemenin doldurulmasıyla meydana gelir. Bu şekilden görüldüğü üzere bağlantı tel endüktansının değeri 10 K ‘lık direncin yanında ihmal edilebilir.5’de gösterilmektedir.3x10 −12 ( )( ) Bu direnç için 200 MHz’ deki eşdeğer devresi Şekil A. 200 MHz’ de bizim 10 K’ lık direncimizin 1890 Ω ‘luk bir direnç gibi davranacağını gösterir. RX C 2 R 2 + XC Z= = (10K )(2563) (10K ) 2 (2563) 2 = 1890. Şekil A. 5. 121 . Örnek A. (C.72 Ω ( ) Kapasitenin eşdeğer direnci.

2 ‘de (A) alanı . 1 mikrofarad =1 µF= 1x 10-6 Farad 1 pikofarad =1 pF= 1 x 10-12 Farad Daha önce bahsedildiği gibi kondansatörün yapısındaki iki metal tabaka dielektrik malzeme ile ayrılır. (Bkz .Tablo A. İletkenler arasındaki gerilim farkı kondansatörde yükün depolanmasını sağlar. Buna kondansatörün sığası denir ve birimi faradır.2) Hava için ε/ε0 oranı 1’dir. (d) mesafesine göre daha büyük olmalı. Dielektrik.mika. Eğer biz bu iki metal plakanın alanını (A). Yüksek dielektrik sabitli malzemeler ile fiziksel olarak daha küçük kondansatörler üretilir. kondansatörün değerini elde etmede 122 . 1 Faradlık bir kondansatör 1 Coulombluk yüke ulaştığında kondansatörün potansiyeli 1 volta yükselir.2) ε0= serbest-uzay permivitesi = 8. Dielektrik sabiti dielektrik ile havayı karşılaştıran bir değerdir.2249εA pF dε 0 C= (A. film. cam veya yağ gibi malzemelerden olur.854x10-12 F/m. ε’ nın ε0 ‘ye oranı malzemenin dielektrik sabiti (k) olarak bilinir. Denklem A. plastik. Q V C= C: Farad cinsinden kapasite Q: Coumb cinsinden yük V: Volt cinsinden gerilim Genelde F kademesinde pratik çalışmalar yapılmadığından daha düşük birimleri kullanırız. plakalar arasındaki mesafeyi (d) ve dielektrik malzemenin (F/m) cinsinden dielektrik katsayısı (ε)’u bilirsek paralel-düzlem kondansatörün değerini bulabiliriz: 0.

123 . kısaca ESR olarak tanımlanan bu direnç RS ve RP’nin kombine eşdeğeridir. Bazı sık kullanılan malzemelerin dielektrik sabitleri Dielektrik εr 1 2. ideal kondansatörde akım 900 eklenmiş şekilde gerilimi oluşturur. Burada C kapasite. L de bağlantı tellerinin ve tabakaların endüktansıdır. Efektif Seri Direnç. Hiçbir malzeme mükemmel bir yalıtkan değildir. Dielektrik karakteristiği kondansatörün hangi voltaj ve sıcaklık aralığında kullanılabileceğini belirler.2.000 Hava Polistiren Kağıt Mika Seramik (Düşük k) Seramik (Yüksek k) Kondansatörün eşdeğer devre modeli Şekil A. Bu faz açısı (Ø) gerçek kondansatörde daha küçüktür ve eşdeğer devrede gösterilen seri dirençlerin toplamına etkiler. (RS+RP) PF= cos Ø Güç faktörü ısının. frekansın ve dielektrik sabitinin bir fonksiyonudur. Bu akım eşdeğer devrede RP ile ifade edilir. Güç Faktörü. gerilim ile kondansatörün dielektriğinden akan akımın ölçüsüdür.çok önemlidir. Bu değişim kondansatörün değerinde önemli bir etkiye sahiptir.6’da verilmiştir. İzolasyon Direnci.5 4 5 10 100-10. Ayrıca kondansatörün yapısındaki dielektrik frekans ve sıcaklık ile değişim gösterir. RS ile güç faktörü (PF) veya ısı faktörü (DF) ifade edilebilir. RS ise ısı-kaybıdır. Bir miktar sızıntı akımı vardır. Ve kondansatörün eşdeğer direncidir. Bazı tanımlamalar yapmak gerekirse. RP ise izolasyon direncidir. Değeri 100 Mega ohmlar kademesindedir. Tablo A.

7. DF = ESR x100% XC Q kondansatörün kalite faktörü olarak tanımlanır.6. gerçek kondansatör karakteristiği ile karşılaştırılmaktadır. AC direncin. Devrenin Q’su DF’in tersidir. Frekansa göre empedans karakteristiği. Q= X 1 = C DF ESR Büyük Q değeri daha iyi kapasite anlamına gelir. Şekil A. Kondansatör eşdeğer devresi.Şekil A. PF (1x10 6 ) ωC ω = 2πf ESR = Dissipation Faktörü. Yani.7’de gösterilmektedir. Çalışma frekansı arttıkça lead endüktansı daha 124 . Burada bir ideal kondansatörün karakteristiği. kapasitif reaktansa oranıdır. Kondansatörde yer alan bu mükemmelsizliklerin etkisi Şekil A.

8 ‘de yer almaktadır. teflon. mika. plastik. seramik. Fr frekansında endüktans kapasite ile seri rezonansa girer. Bu yaklaşım Şekil A. 100 MHz üzerinde çalışan devreler tasarlanırken göz önünde bulundurulur. cam ve hava gibi malzemeler dielektrik olarak kullanılabilir. Seramik kondansatörler. Yüksek K değeri. RF frekanslarında. seramik dielektrik malzemeden yapılırlar. Kapasitif reaktans X C = 1 ωC formülünden görüldüğü gibi. düşük ısı karakteristiğini getirir. Büyük değerli kondansatörler küçüklere oranla daha büyük iç endüktansa sahiptirler. Yüksek frekanslarda 0. Kağıt. polyester.1 µF’ lık kondansatör 330 pF’ lık kondansatörden daha yüksek empedans değerine sahiptir. Kondansatör üretiminde birçok değişik dielektrik malzemesi kullanılabilinir. 125 . polykarbonat. büyük kapasite değeri düşük reaktans değerini oluşturur.önemli olmaya başlar. bu durumun tersi meydana gelir. yağ. Bu durum. Bu kondansatörlerin değerleri hem dielektrik sabitlerine göre (k=5 ile 10 arası) hem de farklı ısı karakteristiklerine göre değişir. Daha sonra fr frekansının üzerindeki frekanslarda ise kondansatör endüktör gibi davranır. Her malzemenin iyi ve kötü yanları vardır.

Bu kondansatörlere NPO(negatif pozitif sıfır) seramikleri veya ısı karşılıklı kondansatörler denir. Kalsiyum titanat ise negatif TC ‘ye sahiptir. Mika Kondansatörler. rezonans devreleri veya filtre uygulamalarında kullanılmasına neden olur. Bu kondansatörlerin ısı karakteristikleri oldukça iyidir. gümüş plakalar vakum buharlaştırma yöntemiyle tatbik edilir. mika kondansatörlerinin tipik olarak dielektrik sabitleri 6 civarındadır. NPO seramiklerinin mükemmel ısı kararlılığı özelliği. 126 . Bu kondansatörler genelde magnezyum titanat kullanılarak üretilirler. bu tip kondansatörlerin osilatör.8. Mika kondansatörler genelde rezonans devreleri ve filtrelerde kullanılır. Gümüş kaplı mika kondansatörler daha kararlı bir yapıya sahiptirler. Metal-film kondansatörler. Ve bu tip kondansatörler pozitif ısı katsayısına (TC) sahiptirler.8 ‘de veriliyor. seramik-kondansatörlerin eşdeğer değerinden daha büyüktürler ve bu tip kondansatörler genelde alanın önemli olmadığı durumlarda kullanılır.Şekil A. Seramik dielektrik kondansatörlerin ısı karakteristikleri Düşük k seramik kondansatörlerinin lineer ısı karakteristikleri Şekil A. Gümüş mikalarda.

Bir endüktördeki saçılma kapasiteleri ve seri dirençler. Şekil A. Şekil A.10’de endüktör elemanının eşdeğer devresi görülmektedir. Şekilde de görülen Cd kapasitesi saçılma kapasitesidir. Bu akı akışındaki artış telin kendi endüktansını arttırır.9. RF tasarımlarda endüktörler. Ayrıca RF enerjiyi tamponlamak veya durdurmak için de kullanılabilir. sarımlar arası manyetik akıyı arttırmak için yapılır. Pratikte hiçbir elemanın ideal bir yapısı yoktur. rezonans devrelerinde. Şekil A. filtrelerde kullanılır.10. Sarmaldaki sarımlar.9’de endüktörün RF frekansında nasıl bir yapıya sahip olduğu gösterilmektedir. Daha önce de bahsedildiği üzere eğer herhangi iki iletkeni arasında dielektrik olacak şekilde yaklaştırırsak ve gerilim farkı uygularsak oluşan yapıya kondansatör denir. Elbette endüktör elemanı da ideal bir yapıya sahip değildir. İndüktans eşdeğer devresi 127 .Endüktörler Endüktör bir çeşit tel-sargılı sarmaldır. Şekil 2.

(Bkz. Tipik QS değerleri 200MHz ‘de 40 ile 60 arasındadır. İndüktif reaktans üzerinde Cd elemanının etkisi Şekil A.01µH den 1mH arasında değişebilir.11.3) Z=paralel devrenin empedansı.Şekil A. Örnek A. XL=endüktansın empedansı (jωL). sarmalın empedansının sonlu olmasına neden olur. Aynı zamanda bu direnç sarmalın empedans eğrisinin rezonans çıkışının genişlemesine de yardımcı olur. Pratik ve ideal endüktörün frekans empedans-eğrisi. Bu endüktörlerin değerleri 0. Fr frekansının üzerinde indüktif reaktans azalmaya başlar.11’de gösterilir.4) Gelişen teknoloji ile birlikte endüktörler artık mikrominyatür tümleşik-çip olarak üretilmektedir. Rezonans durumunda sarmalın seri direnci. Alçak frekanslarda. Teorik olarak rezonans noktası sonsuz dirençte meydana gelir. Z= XLXC XL + XC (A. 128 . Ve bu bölgede kondansatör gibi davranır. rezonans frekansı (fr) ‘ye yaklaştıkça ideal endüktör eğrisinden uzaklaşıp fr frekansında bir dik çıkış oluşturur. Örnek A.14 Rezonas durumunda bir kayıpsız endüktörün empedansının sonsuz olduğunu göstermek için. başlangıçta ideal endüktör ile paralel ilerlerken.

Alçak 129 . Büyük Q değeri daha iyi endüktör anlamına gelir.6) Eğer denklem A. Bu Şekil A. Düşük frekanslarda.⎛ 1 ⎞ XC=kapasitenin reaktansı ⎜ ⎜ jωC ⎟ ⎟ ⎝ ⎠ Bu durumda. ω2LC =1 olduğu frekansta. Ama frekans arttıkça. Çünkü bu bölgede var olan sadece telin DC direncidir ve o da çok küçüktür.5) j2=-1 ise. ⎛ 1 ⎞ jωL⎜ ⎜ jωC ⎟ ⎟ ⎝ ⎠ Z= ⎛ 1 ⎞ jωL + ⎜ ⎜ jωC ⎟ ⎟ ⎝ ⎠ Z= jω L ( jωL)( jωC) + 1 jω L 1 − ω 2 LC (A. Pratikte mükemmel bir iletken olmadığına göre her zaman için bir Q değeri elde edilir. Z= (A. Q= X RS Eğer indüktif reaktans sarmalı mükemmel bir iletken ile yapılırsa.7) 2π LC = 1 =f 2π LC İndüktif reaktansın seri dirence olan oranı endüktörün kalitesini verir.4) (A. deri etkisi ve sarmal kapasitesi endüktansın Q’sunu azaltır. ω2 LC = 1 LC = 1 ω2 1 LC = ω 1 f (A.6’daki ω2LC 1’e eşit olursa payda sıfır ve Z sonsuz olur. Q sonsuz ve endüktör da kayıpsız olur.12’de verilmektedir. endüktörün Q’su çok iyidir.

Çünkü henüz deri etkisi gerçeklenmemiştir ve dolayısıyla da indüktif reaktans artar. Akı akış yolundaki permabiliteyi arttırmak. FM alıcıları gibi yüksek frekanslı devrelerde kullanılır. Sarmal parçalarını ayırmak.12. çekirdek olarak bulunduğu ortamı yani havayı çekirdek olarak kullanır. Tek kat hava-çekirdekli endüktör tasarımı. Artık Q artmaya devam eder ama daha az bir eğimle yükselir. Frekansa göre endüktörün Q değişimi. Şekil 2. Bu. Daha sonraları deri etkisi meydana gelmeye başlar. Daha sonra da eğri yavaş yavaş düşer. 3. Q frekans arttıkça doğru orantılı olarak artar. paralel kondansatör ve sarmalın deri etkisi fr rezonans frekansında endüktörün Q değerini sıfıra çeker. Bu noktanın ötesinde. Bu tür endüktörler TV’lerin tuner katları. sarmallardaki AC ve DC direnci azaltır.394r 2 N 2 9r + 10l (A. Bu genelde endüktörü demir. Daha geniş çaplı tel kullanmak. Çekirdek olarak özel bir malzemenin kullanılmadığı sarmallarda. l= cm cinsinden sarmalın uzunluğu 130 . Endüktörün Q değerini iyileştirmenin ve kullanılabilir frekans aralığını genişletmenin bazı yolları şöyledir: 1. (Bkz.frekanslarda.8’de veriliştir.13) Tasarımda kullanılan formül denklem A. 2. ferit gibi bir manyetik öz üzerine sararak gerçeklenebilir. L= 0.8) r = cm cinsinden sarmalın yarı çapı. Şekil A.12’deki eğrinin düz parçası seri direncin ve indüktif reaktansın aynı oranda değiştiği anda olur. Böylece sarmallar arasındaki kapasite azaltılır. A.

13. Örnek A. Çözüm A.8 sarım sayısına ihtiyacımız vardır. Şekil A.394)(0.635 cm uzunluğundaki tel için 4. Denklem A. N= N= 29L 0.394r Eğer en iyi Q değeri için l=2r alınırsa.635cm) olacak şekilde tasarlayın. Örnek A.18’i kullanarak N.8 sarım (0. Tablo A. En yüksek Q değerine sarmal uzunluğu (l). Fakat pratikte bu kurala uygun tasarım gerçeklenemez. sarım uzunluğu çapa eşit olmalıydı.317 ) 0.67r ‘den daha uzun olmalıdır.L=µH cinsinden endüktans Sarmal uzunluğu 0.18AWG teli istenilen özelliği sağlayacaktır.1’den No. Fiziksel olarak.1 µH olmalı. Yani l=0.5 En yüksek Q değeri için. Bu yakınlık saçılma kapasitesini arttırır ve daha düşük bir frekans aralığında rezonansa girmesine neden olur.1) = 4. Tek –kat hava çekirdekli endüktör. sarmalın boyu her zaman çapından daha büyük olur. Bu sorunları azaltmak için şunları uygulanabilir: 131 . r = 0.317 cm L=0. sarmalın çapına (2r) eşit olduğunda ulaşılır.5 100nH ‘lik (0.1 µH) hava-çekirdekli bir endüktörü ¼ inç ( 0.635 cm. 29(0.5’deki tasarımın tek kötü yanı pratik olarak oluşan endüktörün sarmallarının çok yakın olmasıdır.

çekirdek içe ve dışa hareket ettirilmesi ile endüktans değerinde değişkenlik sağlanır. 2. Manyetik-özlerin birçok avantajı vardır. Q değeri azaltılır ama sarmallar arasındaki kapasiteyi de azaltır.Bowick. Aynı zamanda iletkenin çapını düşürerek sarmal direncini de arttırır. Manyetik çekirdeklerin manyetik geçirgenliği frekans ile değişim gösterir. 2. Ve genelde çalışma aralığının en üst kısımlarında değerleri oldukça düşüktür. Aynı No. Aynı uzunlukta olmasını sağlayarak endüktörü sarmak için bir sonraki en küçük nolu AWG teli kullanılır. Bu seçim.lu AWG telini kullanarak iletkenin uzunluğu arttırılabilir. Bunu demir veya ferit manyetik-çekirdek kullanarak yapabiliriz. Bu malzemenin manyetik geçirgenliği (µ) havadan daha büyüktür. bunlar.1. 3. Manyetik çekirdekli endüktanslarda ortaya çıkan bazı problemler şunlardır: 1. Dolayısıyla da küçük boyut elde edilmesi. Bu aralığın sonunda havanın manyetik geçirgenliğine ulaşır. Manyetik-çekirdekli malzemeleri. Gerekli olan endüktans değeri için daha az sarıma ihtiyaç duyulması. Manyetik. Gerekli olan en az hava boşluğu bırakılarak sarılır. Hava-çekirdekli bir endüktöre öz eklenerek Q değerini. Yani Q değeri artması. Az sayıda sarım daha az tel direnci anlamına gelir. İndüktans sarmalları arasındaki manyetik direnci azaltarak manyetik akı yoğunluğu arttırılabilinir (C. 2. Sarmalın boyutunu azaltmanın bir yolu.1982). İndüktansa yüksek permabiliteli öz eklenerek daha az sayıda sarımla gerçeklenebilir. malzemenin cinsine ve çalışma frekansına bağlı olarak azaltır. 1. sarmallar arasında daha az hava boşluğu olmasını sağlar ve kapasite değerini düşürür.yol ile aynı sonuç elde edilir. 1. 132 . endüktans değerini sabit kalacak şekilde manyetik akı yoğunluğunun arttırılıp sarmal sayısı azaltılmasıdır. eğer küçük alanlar için büyük değerli endüktansa ihtiyaç varsa hava-çekirdekli endüktörler boyutlarından dolayı kullanılamazlar.

Aynı endüktans değerindeki farklı sarımların karşılaştırılması. Çünkü bir toroid oldukça yüksek manyetik geçirgenlikli malzemeden yapılır. Toroidler Halka veya yuvarlak şekilli manyetik malzemelerin RF endüktör ve transformatörlerde kullanılmak üzere sarılmaları ile oluşurlar. Özü endüktör için kullanacak olursak yüksek QS değeri verirler. Hava-çekirdekli endüktörde 35µH değerine ulaşması için 90 sarım yapması gerekirken.3. toroidçekirdekli endüktörlerin sadece 8 sarım yapması yeterli olur.14 toroid-çekirdekli ve hava çekirdekli endüktörlerin aynı endüktans değerine ulaşmalarındaki sarım sayıları karşılaştırılmaktadır. 133 . 4. Toroid endüktörlerin Q değerleri oldukça yüksektir. Yüksek manyetik geçirgenlikli malzemeler sıcaklık değişimine daha fazla duyarlıdırlar. Manyetik çekirdekli sarımın manyetik geçirgenliği eklenen sinyal seviyesi ile değişir. Şekil A. Şekil A. Bu da Q değerinin otomatik olarak arttığını gösterir. Genelde demir veya ferit malzemelerden yapılırlar. Değişik şekil ve boyutlarda olurlar.14. Toroid-çekirdekli endüktörlerde daha az sayıda sarım yapılması daha düşük AC direnç anlamına gelir. Daha önce de bahsedildiği üzere yüksek manyetik geçirgenlikli özler istenilen endüktans değeri için hava çekirdeklilere göre daha az sayıda sarımda ulaşabilirler. Geniş sıcaklık değişim aralıklarında sarmalın endüktansı fark edilir derecede değişir.

Diğer yandan A. Şekil A. Çekirdek Karakteristiği. Şekilden de açıkça görüldüğü gibi endüktörü çevreleyen hava manyetik akı yolunun bir parçasıdır.16’da yer alır.15.15. Toroidsel endüktörün kaplama (shielding) etkisi. Şekil.(a) Tipik İndüktans (b) Toroidsel İndüktans Şekil A. Tipik bir hava-çekirdekli endüktörde.b’de yer alan bir toroid endüktörde manyetik akı yolu tamamıyla malzemede yer alır. manyetik akı çizgileri Şekil A. bir manyetik çekirdeğin manyetizasyon eğrisi Şekil A.16. Manyetik akı yoğunluğunun manyetik alan şiddetine olan oranına malzemenin manyetik geçirgenliği denir. Tipik çekirdeğin mayetizasyon eğrisi.15. manyetik alan şiddeti (H) olan bir endüktörde (B) manyetik akı yoğunluğunun oluştuğunu gösterir.a’da yer almaktadır. Dolayısıyla hiç ışıma meydana gelmez. 134 .

Q= XL RS (A. Bu bölgede iken malzemenin manyetik geçirgenliği başlangıç manyetik geçirgenlik (µi) denir. Hsat doyum noktasıdır. bu noktanın üzerinde manyetik akı yoğunluğunda (Bsat) bir artış gözlenmez. Malzemenin boyutuna ve şekline göre Bsat özden öze değişim gösterir. 135 .9) Manyetizasyon eğrisi ilk önce lineer olarak yükselir. B op = Ex10 8 (4. Şekil A.10) Bop= gauss cinsinden manyetik akı yoğunluğu E = voltaj cindinden maksimum rm voltajı f= hetz cinsinden frekans N= sarım sayısı Ae=cm2 cinsinden özün efektif ara kesiti Manyetik çekirdekteki diğer önemli nokta ise iç kayıplarıdır. Bu kayıpsızlığa histerisiz denir.44)fNA e (A.µ= B (weber/amper-sarım) H (A. Hava-çekirdekli endüktöre dikkatsizce yerleştirilen manyetik-çekirdek endüktörün Q değerini azaltır.17.13’de yer alan hava-çekirdekli endüktörün eşdeğer devresi Şekil A. Çekirdeğin kendi kayıpsızlığını ifade etmek için RP direnci eklenmiştir. RS=sarmal direnci Eğer endüktöre bir manyetik-çekirdek eklersek oluşan eşdeğer devre şekil A. Devre çalışmasında akı yoğunluğu (Bop). Bundan sonraki başka bir artış doyuma girmesine neden olur.17. Manyetik akı yoğunluğunun artmaması ile eğrinin eğimi azalmaya başlar.11) XL= ωL.b’deki gibi olur.a’da yeniden çizilmiştir.

0.4πN 2 µ i A c x10 −12 le L= (A.13) 136 .(a) Hava-çekirdekli (b) Manyetik-çekirdekli Şekil A. L = N 2 A L nH L= nH cinsinden endüktans N= sarım sayısı AL= nH/sarım2 biriminde endüktans indeksi Verilen endüktans değeri için sarım sayısı (A. Hava-çekirdekli ve manterik-çekirdekli endüktörlerün eşdeğer devreleri. Toroidsel Endüktör Tasarımı Lineer bölgede çalışan bit toroidsel endüktör için L değeri.12) L= µH cinsinden endüktans N= sarım sayısı µi= başlangıç permabilitesi Ac= cm2 cinsinden özün kesit alanı le= cm cinsinden özün efektif uzunluğu Yapılan hesaplamaları kolaylaştırmak amacıyla endüktans indeksi diye adlandırılan bir nicelik tanımlanır.17.

sarmalın Q değeri yaklaşık olarak 54 tür. 3MHz civarında Xp .14) Alçak frekanslarda (100 Khz) . Yaklaşık 100 MHz e kadar Rp nin artması ile birlikte Q değeri 1 in altına düşmeye başlar.N= L AL (A. Q nun değeri ise 1 olur. Q değeri çok düşük olduğunda dar bantlı devreler için tip sarımlar kullanılmaz. Rp ye eşit olur. 137 . Q= N2 = R p Xp Xp N2 Rp Frekans arttıkça Xp empedansı artarken Rp direnci azalır.

1 de verilmektedir. İdeal ve ideal olmayan rezonans (filtre) devrelerinin karakteristikleri. Bowick. Yüksek Q değeri dar band genişliği anlamına gelir. İdeal rezonans devresinin ve gerçek (ideal olmayan) bir filtrenin karakteristikleri Şekil B.REZONANS DEVRELERİ Rezonans devreleri alıcı. Şekil B.1) Buradaki Q değeri. Elbette fiziksel olarak bu karakteristiği elde edebilecek bir pratik filtre yoktur (C. üst frekans ile alt frekansın farkı olarak tanımlanır.1). 2. Q: Merkez frekansın band genişliğine oranı olarak tanımlanır. Band genişliği: Herhangi bir rezonans devresinin band genişliği. Şekil B. rezonans devresinin seçiciliğinin ölçüsüdür. . verici veya test devrelerinin yapısında kullanılır. geçiş bandının ideal bir dikdörtgen görünümü vardır. fL ve fU frekansları geçiş bandı sinyalinin 3 dB’ lik zayıflama yaptığı noktalardır (Bkz. Bu şekilde görüldüğü üzere.1. 1982) . İstenilen frekans bölgesinin dışında sonsuz zayıflama yaparken. Q= fm fU − fL (B. Gerçek filtre karakteristiğinde kullanılan tanımlar şöyledir: 1. bu frekans bölgesi içindeki sinyalleri bozmadan yükten kaynağa iletir. Band daraldıkça devrenin frekans seçiciliği de yükselir. Kalite Faktörü.

139 . İdeal bir rezonans devresi geçiş bandı dışında.3. geçiş bandında maksimum ve minimum zayıflama arasındaki fark olarak tanımlanır. 6. Şekil (Shape) Faktörü: Rezonans devresinin şekil faktörü 60 dB‘lik band genişliğinin 3 dB‘lik band genişliğine oranı olarak tanımlanır.1’de yer aldığı gibi ideal filtrede şekil faktörü 1’e eşittir. Araya girme kaybı: Bir devre veya eleman yük ile kaynak arasına yerleştirilirse. Genelde dB cinsinden ifade edilir. 5. İki kapılı develerde araya girme kaybı tanımı. Fiziksel olarak.2’de araya girme kaybının tanımı verilmektedir. 4. Şekil B. Tabiî ki sonsuz zayıflama pratikte olası değildir. Ve desibel cinsinden ifade edilir. Şekil B. kaynak ile yük arasında rezonans devresi yok ve var iken hesaplanan/ölçülen çıkış gerilimleri ise araya girme kaybı (AGK) da bu ikisinin oranı şeklinde AGK = 20 log 10 (Vy1 / Vy 2 ) olarak tanımlanır. Bu zayıflamaya araya girme kaybı denir ve rezonans devrelerinin karakteristikleri açısından çok önemlidir.2. Son zayıflama: Adından da anlaşıldığı üzere geçiş bandı dışındaki sinyaller için son minimum zayıflamadır. Yani yükün doğrudan kaynağa bağlanarak elde edilebilecek olan sinyalden farklı seviyede sinyal elde edilir. Vy1 ve Vy2 sırasıyla. kaynaktan gelen sinyallerin bir kısmı bu elemanlar üzerinde yutulur. Şekil B. sonsuz zayıflama yapar. Dalgalılık: Rezonans devresinin geçiş bandı boyunca düzlüğünün ölçütüdür. Şekil faktörü geçirme – söndürme bandı geçişinin dikliği ile ilgilidir.

LC elemanlarıyla oluşturulan bir rezonans devresi.2) Yani Vc her zaman Vg den küçüktür. Şekil B. Şekil B.3.Rezonans (Kayıpsız elemanlar) Kaynak ile yük arasına seri ve paralel rezonans devrelerinin bağlanması Şekil B.3.3) Denkleminden yararlanılarak çizilir. Bu devrede Vc / Vg oranı frekansla değişir. VC X LC = Vg R g + X LC İle ifade edilir. (B.3’te gösterildiği gibi olmaktadır.3. Vc XC = 20 log10 Vg R g + XC (B. Şekil B.b’ de basit bir gerilim bölme kuralı yer almaktadır. Şekil B.3. Paralel koldaki LC elemanlarının empedansı X LC olmak üzere bu elemanlardan alınan çıkış gerilimi.a’ daki devre seri rezonans devresidir ve giriş ile çıkış arasında rezonans frekansında işaretin yüke aktarılması istenildiğinde. Vc / Vg oranı frekansa göre dB cinsinden. Vc : dB cinsinden kayıp Vg Rg: kaynak direnci XC: kapasitenin empedansı 140 .b’ deki ise paralel rezonans devresidir ve işaretler süzülmek istenildiğinde kullanılır.

4. 141 .XC = 1 jωC Şekil B.1’de bu çizimi yapan Matlab programı yer almaktadır. Bu frekans eğrisinden. Tablo B. frekans arttıkça devrenin araya girme bu kaybının da arttığı gözlenir.4.a’da ise program çalıştırıldığında devrenin frekans karakteristiği yer almaktadır. Basit bir devre ve onun Vc/Vg’nin frekansla değişim grafiği.4 b ’deki devre dB cinsinden Vc / Vg oranı frekansa göre Matlab yardımı ile çizdirilebilir. Şekil B. (a) b’deki devrenin Vc / Vg oranı (b) Kapasite ile sonlandırılan devre. Şekil B. Yani bu devre basit bir alçak geçiren filtre özelliği gösterir.

b ‘deki devre oluşur.1. Eğer devredeki bu kapasiteyi çıkarıp yerine 0.5. Bu devrenin frekans cevabı ise Şekil B. Vout XL = 20 log10 Vin Rs + XL formülünden yararlanılır.4’deki devrenin Vc / Vg oranını dB cinsinden frekansa göre çizdiren Matlab programı. Şekil B.075 µH’lik bir endüktans yerleştirilirse Şekil B. Bu devrenin frekans cevabını çizerken.5 a ‘de yer alır. Vout : dB cinsinden kayıp Vin Rs: kaynak direnci XL: indüktansın empedansı 142 .Tablo B.

2’de ise bu devre için çizimi yapan Matlab programı yer almaktadır.5’deki devrenin Vc / Vg oranını dB cinsinden frekansa göre çizdiren Matlab programı.5.XL=jωL (a) b’deki devrenin Vc / Vg oranı (b) İndüktansla sonlandırılan devre. Şekil B. Basit bir seri LR devresi ve onun Vc/Vg’nin frekansla değişim grafiği. Tablo B. Şekil B. Tablo 3. 143 .2. Vc / Vg oranı frekansa göre Matlab yardımı ile çizdirilebilir.

6.6.6.a) Eğer görmek istediğimiz frekans aralığında her frekans değeri için hesaplama yapılırsa Şekil B. (a) LC rezonans devesinin frekans karakteristiği.X L XC + XL XC = 1 . Frekans eğrisi hesabında aşağıdaki denklemeler kullanılır.2) ‘nin yardımıyla devreye iki frekansla değişen eleman yerleştirildiğinde oluşan frekans cevabı kolayca hesaplanabilir. (b) LC rezonans devresi. Vç = X toplam R g + X toplam (Vin ) X toplam = X C . LC reoznans devresi ve onun frekans karakteristiği. Şekil B. Şekil B. Bu elemanlar devreye paralel olarak yerleştirilmiştir. Herhangi bir frekans değeri için bu devrede gerilim bölme kuralını uygulanabilir. X L = jωL jωC 144 . (Bkz. Denklem (B.Bu devre ise yüksek geçiren bir filtre özelliği gösterir. Burada dikkat edilmesi gereken tek nokta devrede iki reaktif elemanın bulunduğudur.b elde edilir.

1). jωL 2 = 1 − ω LC jωL Vg Rg + 1 − ω 2 LC Vç Pay ve payda bu sefer 1-ω2LC ile çarpılır. Şekil B. 1 L ( jω L ) jω C C = = 1 1 + ( jωL) + ( jω L ) jω jωC X toplam Pay ve paydayı j ω C ile çarpılarak . Vç Vg = jωL (R :g − ω R g LC) + jωL 2 Yukarıdaki denklemden herhangi bir frekanstaki kayıp dB olarak. (j2=-1) jω L jω L = 1 + ( jωL)( jωC) 1 + ω 2 LC X toplam = Bu da denklem B.6’de. Denklem B. Q genelde yüklü Q olarak 145 .Sonuçta. Yüklü Durumda Q Rezonans devresinin Q değeri daha önce de anlatıldığı gibi merkez frekansın 3dB’lik band genişliğine oranıdır (Bkz. devrenin rezonans frekansı civarında rezonans eğrisi 12 dB/oktav ile artar. Vç Vg = 20 log10 jωL R g − ω R g LC + jωL 2 İle hesaplanır.5 te yerine konulur.

Bowick.5’ in de yardımıyla Şekil B. Bu devredeki 50 Ω’luk direnci 1000Ω ile değiştirilirse denklem B.1’ de tanımlanır. Şekil B. 0. Rezonans devresinin Q yüklenmesi 3 ana faktöre bağlıdır (Bkz. Şekil B.7. Kaynak direncine (Rg) 2.Yük direnci (RL) 3. Görülür ki bu yeni devrenin Q veya seçiciliği yaklaşık 20’ye kadar artar.tanımlanır.7): 1. Q yüklenme üzerinde Rg ve Ry etkisi. 146 . Yüklü durumdaki Q hesaplamaları için devre. 1982) Şekil B. Kaynak empedansı değeri arttırılarak rezonans devresinin Q değeri arttırılmış olunur. Çünkü yüklü durumundaki rezonans devresinin geçiş bandı karakteristiğini ifade eder. Eleman Q’larına bağlıdır.b’de 50 Ω’luk kaynak direnci.8 ’de yer alan eğri elde edilir.(C. Bu devrenin Q değeri denklem B.6.075 µH’lik kayıpsız indüktansı ve 50pF’lık kayıpsız kapasitesi olan devrenin rezonans eğrisini göstermektedir.

9. Rg’in ve Ry’ye paralel olarak gördüğü bu empedans değeri devrenin gerçek yük empedansıdır. cevap eğrisi yük direncinin değerine bağlı olarak değişir. Rezonans hesaplamaları için eşdeğer devre modeli Şekil B. Dolayısıyla da Q değeri daha az olmalıdır.8.9.9.Frekansla Vc/Vg orani degisimi 0 -5 -10 -15 Vc/Vg orani -20 -25 -30 -35 -40 Q=20 Rg=1000 Ohm Q=2 Rg=50 Ohm 0 50 100 150 Frekans [MHz] 200 250 300 Şekil B. Rezonans devresinin. Bu toplam yük empedansı Rg veya Ry’den daha küçüktür. 147 . Yüklü durumda Q değeri üzerinde Rg ve Ry ‘nin etkisi Eğer Şekil B. Rezonans devresine yük olan paralel empedans gösterimi.b’de yer almaktadır. Şekil B.a’da görüldüğü gibi rezonans devresine. (a) Harici yüklü rezonans devresi (b)Q hesaplaması için eşedeğer devre. harici bir yük daha eklersek.

Rezonans devresi tasarımı yaparken. Aynı şekilde RP değerindeki artış Q’yu arttırır. Aynı etki RP değeri sabit tutulup. 148 .6’ dan. en iyi Q değerini elde edebilmek için verilen kaynak ve yük empedansındaki indüktans değerinin küçük. Rp’deki azalmanın rezonans devresinin Q değerinin de azalmasına yol açtığını gösterir. yük direncinin ise 750 Ohm olduğu bir rezonans devresinde Q’nun rezonans frekansı 100 MHz’de 40’olduğu değeri için devreyi elemanların kayıpsız olduğu ve empedans uyumunun olmadığı varsayılarak tasarlayın. XP değeri istenilen Q değeri için en uygun değeri seçilir. 25 Ohm’un 750 Ohm’a paralelliği ile elde edilir.1 Kaynak direncinin 25 Ohm. 25 × 750 = 24 Ω 25 + 750 Rp = Denklem B. Bu durumlarda. XP değerinin değiştirilmesiyle elde edilir.) Denklem B. Yani. Örnek B. Tasarımlarda genellikle kaynak ve yük empedansı üzerinde bir değişiklik yapma olanağımız olmayabilir.Q= RP XP RP =Rg ve Ry’nin eşdeğer paralel direnci XP = İndüktif veya kapasitif reaktansı (Rezonans durumunda birbirlerine eşittirler.1 Efektif paralel direnç. Çözüm B.6. kapasite değerinin ise büyük seçilmesi gerekir. 1) En iyi kaynak ve yük empedansı 2) L ve C eleman değerlerini en iyi Q değeri elde edebilmek üzere seçilir.

8) şeklinde hesaplanabilmektedir. Pratik devrelerde ise. Şekil B.10. Eleman kalite faktörü Q e 10’dan büyük ise 2 R p = Q e R s ve X p ≅ X s kullanılabilir. Rezonans devresinde kullanılan elemanlar kayıpsız iken Q değerinde bir bozulma gözlenmez. sonlu eşdeğer paralel dirençler bulunur (Bkz. Kayıpsız rezonans devresinde.10).6 Ω Q 40 1 ωC X P = ωL = Buradan. RP direnci ve onun paralel XP reaktansı şu denklemden elde edilir. 149 .95 nH ve C=2.65 nF bulunur. Şekil B. R P = (Q e + 1)R s RP = Eşdeğer paralel direnci RS = Elemanların seri direnci Burada Q e eleman kalite faktörünü göstermekte ve her iki (seri ve paralel) eşdeğerlik durumunda da Q e aynı olduğundan paralel durumda eşdeğer reaktans değeri X p = R p / Qe 2 (3.XP = R P 24 = = 0 . L=0. Eleman eşdeğer kayıplarında seri/paralel dönüşümü. devrenin yükünden görülen empedans rezonans durumunda sonsuzdur.

kaynak ve yük arasındaki rezonans devresinin araya girme kaybı etkisini gösterir.11. Herhangi düşük değerli bir direnç rezonans devresine paralel olarak bağlanırsa. Q değerini düşürür.11.11.9 dB’lik kayıp oluşur. yüksek seçicili rezonans devre tasarımlarında düşük kaliteli (alçak Q değerli) elemanlar kullanılması durumundaki potansiyel etkisini açıkça gösterir. Dikkat edilirse rezonans frekansında Q değeri 10 olan endüktans kullanıldığında 4500 Ohm’luk efektif paralel direncini üretir. Bu direnç RL ile eşleştirilir. 150 .9 dB’lik bir araya girme kaybı çok büyük gibi gözükmemekle beraber birçok rezonans devresinin ard arda bağlanmasıyla istenmeyen yüksek seviyelere çıkabilir.a’da.5Vin Şekil B. 0. Şekil B.b’de ise rezonans devresi kaynak ve yükün arasına yerleştirilmiştir. Araya Girme Kaybı (Insertion Loss) Eğer endüktör veya kondansatör idealse. V1 = 0. Şekil B.2. Rezonans durumundaki eşdeğer devre modeli şekil B.Örnek B. band genişliğini ise arttırır.16. LC rezonans devrelerinde veya filtrelerinde araya girme kayıpları oluşmaz. Gerilim bölme kuralını kullanarak. kaynak doğrudan yüke bağlıdır.c’de yer almaktadır.a’daki devrenin eşdeğer noktası ile karşılaştırıldığında V1 geriliminde 0. Şekil B.11.

(V1=0.5Vg)

(a) Kaynak direk olarak yüke bağlı. (b) Rezonans devresi kaynak ile yük arasında.

V1=0.45Vg

(c ) Rezonans frekansında eşdeğer devre. Şekil B.11. Eleman Q değerinin araya girme kaybı üzerindeki etkisi. Örnek B.2

Şekil B.12.a’daki 75 nH’lik bobin değeri için 50 MHz de Q değerini hesaplayın. Daha sonra seri olan bu devreyi Şekil B.12.b’ deki gibi paralel endüktans ve kapasite eşdeğer rezonans devresine dönüştürün.

(a) Seri devre. Şekil B.12. Seri-paralel dönüşümü.

(b) Paralel eşdeğeri.

151

Çözüm B.2

50 MHz’deki Q değeri; X S 2π(50x10 6 )(75x10 −9 ) Q= = RS 10

Q=

XS = 2.34 RS

Q’un 10’dan az değeri için denklem B.7 kullanılarak RP hesaplanır.
R P = (Q 2 + 1) R S = [(2.34) 2 + 1].10 R P = (Q 2 + 1) R S = 64.76Ω

Denklem B.8 kullanılarak da XP hesaplanır;

XP = XP =

R P 64.76 = QP 2.34 RP = 27.67 QP

Böylece paralel endüktans;

LP =

XP 27.67 = ω 2π(50x10 6 )

LP =

XP = 88.08 nH ω

Örnek B.3

3 dB band genişliği 15 MHz ve merkez frekansı 300 MHz’de olacak şekilde basit bir rezonans devresi tasarlayın. Kaynak ve yük empedanslarının her biri 50 Ohm’dur. Kapasitenin kayıpsız olduğunu farz edelim. Endüktansın Q değeri ise 50’dir. Devrenin araya girme kaybı ne olur?

152

Çözüm B.3

Denklem B.1’den, rezonans devresinin Q değeri;

Q=

fm = 20 fU − fL

Endüktans ve kapasite değerlerini bulabilmek için tasarımı tamamlamak gereklidir. Rezonans durumunda elamanların empedans değerleri ve paralel direnç değeri biliniyor. Denklem B.8’den;
XP = RP QP

XP = Rezonansta indüktans ve kapasitenin empedansı RP = İndüktansı eşdeğer paralel direnci QP = İndüktansının Q’su

R P = (50)X P
Rezonans devresinin yüklü Q değeri; Q= 20 = R toplam XP R toplam XP

Rtoplam = paralel dirençtir. Yani RP, RS ve RL’nin paralel durumunun eşdeğeridir. Yani;
R P (25) R + 25 20 = P XP

Buradan denklem (B.9) ve (B.10) kullanılarak Xp ve Rp hesaplanabilir. XP = 0.75 Ohm olur. Bu değer B.10’da yerine yazılırsa; RP= 37.5 Ω ‘dur.

L=

XP 1 = 0.4 nH, C = = 707 pF ω ωX P

Hesaplanan eleman değerleri ile Şekil B.13’deki devre elde edilir.

153

Şekil B.13. Örnek B.3’deki rezonans devresi.

Araya girme kaybı gerilim bölme kuralının yardımıyla;
21.43 (Vg ) 21.43 + 50

Vç =

Vç = 0.3 Vg

Araya girme kaybı = 20 log10
Empedans Dönüşümü

0.3VS = 4.4 dB 0.5VS

Daha önceki bölümlerde anlatıldığı gibi düşük değerli kaynak ve yük empedansı, rezonans devresindeki yükü azaltarak yüklü Q’yu azaltır ve band genişliğini arttırır. Çok düşük değerli kaynak ve yük dirençleri arasında basit LC yüksek Q rezonans devresinin kullanılmasını güçleştirir. Bu problemi çözmenin yollarından biri Şekil B.14’de verildiği gibi tasarımda empedans dönüştürücü devrelerin kullanılmasıdır. Empedans dönüştürücüleri ile rezonans devresine, kaynak ve yük direnci gerçekte olduğundan daha büyük gözükür. Örneğin, bir empedans dönüştürücüsü gerçekte 50 Ohm’luk bir (Rg) direncini rezonans devresine 500 Ohm’luk (RgI) bir direnc olarak gösterir. Dönüştürücüler için Q’un 10’dan büyük olması halinde kullanılabilecek tasarım denklemleri şunlardır:

R g = R g (1 +

I

C1 2 ) C2
154

Birkaç rezonans devresi kullanılıp bunların kuplajlanması sağlanır. Bu durumda oluşan. en çok kullanılan kuplajlama yöntemidir. Şekil B. Rg = Rg( I (a) Kapasite tamponlu devre. merkez frekansındaki zayıflama tek bir rezonans devresinin ürettiğinden daha fazla olur. Şekil B.14. 155 . Rezonans Devrelerinin Kuplajı Geçiş bandında dik geçişleri gözlemleyebilmek için rezonans devrelerinin sayıları arttırılır. (b) Endüktans tamponlu devre. Empedans dönüşümü için kullanılan iki farklı metot ve eşdeğer devreleri. Kapasitif kuplajlama.Eşdeğer kapasite CT. (c) Eşdeğer devre.14 b’deki devre için.15 kapasitif olarak kuplajlanan bir filtre devresinin yerleşimini göstermektedir. CT = C1 C 2 C1 + C 2 n 2 ) n1 Şekil B.

makul bir band genişliği ve dolayısıyla da en yüksek sinyal iletimini sağlamak için kritik kuplajlama tanımlanır. Bu durumda kuplajlanan devrenin yüklü Q değeri rezonatörlerin her birinin yüklü Q değerinden 0. Mümkün olan en düşük kabul edilebilir araya girme kaybı.15 deki C12 kapasitesi çok büyükse meydana gelen kuplajlama da büyük olur. Şekil B. Şekil B. Bunun sonucu olarak.16).707 defa büyük olur. Şekil B.17).15. bir rezonans devresinden diğerine yeterince sinyal geçemez. Bu iki olay için kritik kuplajlama tanımlanır. Ayrıca kuplajlı devrenin 3dB band genişliği tek rezonatörlü devrenin band genişliğinden de büyük olur Bu kuplajlama devresi ile söndürme bandının keskinliği arttırılır. Ve filtrenin geçiş bandında gözlemlenen rezonans tepeleri ile beraber frekans cevabı genişler. araya girme kaybı kabul edilemez seviyede artar. Bahsedilen iki olası durum için kritik kuplajlama yapılabilir. Eğer C12 kapasitesi çok küçükse. tek rezonatör ile ulaşılan zayıflamaya daha hızlı ulaşılır (Bkz. Şekil B. Geçiş bandından söndürme bandına doğru ilerledikçe her rezonatör kombine haliyle frekans cevabını daha hızlı düşürür.Her rezonatörü kuplajlamada kullanılan kapasite değeri rast gele seçilmez (Bkz. Kapasitif kuplajlama. 156 . Kuplajlama devresindeki her bir rezonatör diğer rezonatör için bir yük oluşturur ve bunların her biri diğerinin Q yüklenmesini azaltır.

Şekil B.17 Tek ve iki rezonatörlü tasarımdaki zayıflama. 157 . Q: Tek rezonatörün yüklü Q değeri. C: Rezonans devresinin kapasitesi. C12 = C Q C12: Kapasite kuplajı.Şekil B.16 Değişik değerlerdeki kapasitif kuplajlamanın geçiş bandındaki etkisi. Kuplajlama devresinde kullanılacak olan kapasite değeri.

alçak frekans bölgesinde 18 dB/oktav’lık oranla azalırken eğrinin üst bölgesi 6 dB/oktav’la azalır. Şekil B. eşdeğer devrenin rezonansın altında ve üzerinde olmak üzere iki farklı şekliyle açıklanır. Frekans cevabı.18.a’daki ve Şekil B.18.18. İndiktüf kuplajlama. (a) Seri indüktans ile indüktif kuplajlama 158 .(a) Rezonans frekansının altında.19’de yer aldığı gibi iki değişik şekilde yapılır. Şekil B. (b) Rezonans frekansının üzerinde.b’ deki gibidir. Kapasitif olararak kuplajlanan rezonans devresinin eşdeğer devreleri. Bu durum. Şekil B. Eşdeğer devre rezonansın altında Şekil B.16’da görüldüğü üzere. kapasitif kuplajlanan rezonans devresinin bir diğer önemli karakteristiği de merkez frekansı civarında frekans cevap eğrisinin kritik kuplajlamada bile simetrik olmadığıdır.

a’ karşılaştırılırsa şekillerin birbirinin aynısı olduğunu gözlenir. Endüktif olarak kuplajlanan rezonatörün cevabı frekans spektrumunun yüksek kesimlerinde eğrilirken. Endüktif kuplajlama.19.20. kapasitif 159 .a) ilk rezonatörden ikinci rezonatöre enerji iletimi seri endüktans üzerinden yapılır. Şekil B.(b) Transformatör ile endüktif kuplajlama. Birinci yolda (Bkz.b) aynı amaç uğruna bir dönüştürücü kullanılır.20 Değişik değerlerde endüktif ve transformatör ile kuplajlamanın geçiş bandı üzerindeki etkileri.20’ye benzer.19.16 ile B. Her iki durumda da kuplaj miktarına bağlı olarak frekans cevap eğrisi Şekil B. Şekil B. Şekil B. Şekil B. (a) İndüktif Kuplajlama (b) Transformatör ile Kuplajlama Şekil B. Diğer yolda ise (Bkz.19.

Ama 160 .21. L12 = Q.L L12: kuplaj indüktansının değeri. Bu tip bir değişiklik yapıldığı zaman devrenin kuplaj derecesi. L: rezonans devresinin indüktansı. Sonuç olarak ortaya simetrik bir frekans cevabı çıkar. Bu rezonans devresinde kullanılan endüktansın değeri. bir kapasitif kuplajlama devresi çok fazla eğrilik yaparsa bu sorunu ortadan kaldırmak için devreye bir üst-L kuplajlama elemanı yerleştirilir. Q ve rezonans frekansı değişmez. (a) Rezonans frekansının altında (b) Rezonans frekansının üzerinde Şekil B.15’de hesaplanan L12’nin değeri ile rezonans frekansında ve aynı Q değerinde eşittir.a’daki modele sahip olur.a’da yer aldığı gibi olur. Endüktif kuplajlanan devrenin eşdeğer devreleri Endüktif ve kapasitif kuplajlı rezonans devrelerinin zıt-şekil karakteristikleri çok kullanışlı bir metottur. Bu kuplajlama parçası devrenin frekans cevabına ters yönde eğrilik kazandırır.olarak kuplajlanan rezonatörün cevabı frekans spektrumunun düşük kesimlerinde eğrilirler.21.14’de hesaplanan C12 değeri denklem B. Denklem B. Bu. Örneğin. Rezonans frekansının üzerinde ise endüktif kuplajlama devresinin eşdeğer devresi Şekil B. genelde simetrik frekans cevabı eğrisinin gerekli olduğu uygulamalarda kullanılır. Rezonansın altında endüktif kuplajlama devresinin eşdeğer devresi Şekil B. Buna göre tasarımda rezonans frekansı için eşit empedans değerlerine sahip herhangi bir üst-C kuplaj rezonatörü bir üst-L elemanı ile değiştirilme olanağı çıkar.21. Q: tek rezonatörün yüklü Q değeri.

Ard arda bağlanan bu devrelerin toplam Q değeri. dönüştürücünün yüklü Q değerini azaltarak kuplajını arttırır. sarım malzemesi ve kaplama gibi faktörler kuplaj derecesini etkiler. Üst-L kuplajlama elemanı ile yapılan tasarım. Kaplama. Şekil B. Q toplam = Q 2 1/ n −1 Qtoplam: arda arda bağlı devrelerin toplam Q değeri. 2. bu tip kuplajlama ile rezonans devrelerinin ard arda bağlanmasıyla çok dar 3dB band genişliği elde edilir. Manyetik parçanın permabilitesinin artması kuplajı arttırır. Dönüştürücüler ile yapılan kuplajlamada : 1. Dönüştürücüler ile yapılan kuplajlamada kuplaj derecesini etkileyen bir çok faktör vardır. Aktif kuplajlama. N: rezonans devrelerinin sayısı. Q: her bir rezonatörün toplam Q değeri. geçiş bandının üzerindeki noktalarda en son zayıflamanın meydana gelmesini istediğimizde kullanılır.22’da görüldüğü gibi bu kuplajlamada transistor gibi aktif elemanlar kullanılır. Etkileri dikkate alınır. Birincil ve ikincil sarımlar arasındaki mesafeyi azaltmak kuplajı arttırır. 3. Sarmaların geometrisi. Aynı şekilde üst-C kuplajlama elemanı ile yapılan devreler geçiş bandının altındaki noktalarda en son zayıflamanın meydana gelmesini istediğimizde kullanılır. 161 . Şekil B.söndürme bandı eğrisi bir yandan diğer yana kayar.22. bunlar arasındaki mesafe. Aktif kuplajlama.

Teknolojinin gelişmesiyle önce koaksiyel kablolara. İki iletkenli hatlar DC’ den en fazla birkaç yük KHz frekanslara kadar kullanılmaktadır. Kesit boyutları daraldıkça kesim frekansları yükselir. Dalga kılavuzları ise daha farklıdır. ya da bir ölçü aleti ve devreyi gösterebilir. koaksiyel. Bu bağlantı. alçak frekansları geçirmez ve söndürürler. Oysa koaksiyel hatlar DC’ den birkaç yüz MHz’ lere dek kullanılabilmektedir. En yaygın kullanılanları dikdörtgen ve dairesel kesitli olanlarıdır. İki iletkenli ve koaksiyel hatlar DC’ den belli bir üst frekansa kadar işareti geçirir ve iletirler. ilettikleri en . bir güç kaynağı ve anten çiftini. Hatta bir iki GHz frekanslarda kullanılabilen özel koaksiyel hatlar da vardır. İletim hattı modellemesi devre kuramı cinsinden yapılırsa bağımsız değişkenler gerilim (V) ve akım (I) olur. Yani bu hatlar birer alçak geçiren filtre gibi davranırlar. Bunlar değişik kesitlere sahip iletken yapılardır. İletim hatları ilk olarak iki iletkenli basit hatlarla (telefon hatlarında olduğu gibi) başlamıştır. sonra da dalga kılavuzlarına geçilmiştir.1. Gerilimin volt. dalga kılavuzu veya boşluk olabilir. Yani birer üst geçiren filtre gibi davranırlar.Ek-C İLETİM HAT TEORİSİ Şekil C. Şekil C. Bu hatlar. İletim hattı modeli.1’de yer aldığı gibi iki iletkenli iletim hat modeli ele alındığında. kaynak ve yük. bu frekansın üstündeki işaretler hızla söndürüldüğünden söz konusu frekanslarda iletim hattı olarak kullanılamazlar. Yani. akımın ise amper boyutunda olduğundan elektrik ve manyetik alanlara geçmek kolaydır. Kaynak ve yük arasındaki bağlantı iki iletkenli iletim hattı modeli ile gösterilebilir.

R: L: C: G: Birim boy Birim boy direnci indüktansı [Ω/m] [H/m] [F/m] [S/m] Birim boy kapasitesi Birim boy iletkenliği iv) Her zaman değişimler ejωt ile ifade edilir. Optik fiberler ise farklı kırılma indislerine sahip cam elyaf tipi iki maddenin eş merkezli olarak (koaksiyel hat gibi) yerleştirilmesi ile elde edilir.düşük frekansın değeri yükselir. C. direnç ve iletkenlik (L. İletim hattı modeli ile ele alınacak diğer yapılar mikroşerit ve ailesi (şerit.2’de yer alan ∆z uzunluğundaki iletim hat parçası eşdeğer devre modeli aşağıdaki durumlarda geçerlidir: i) Bu hat bir ayrık sistemdir.)/dt ≡jω(. İçte bir iki mikrometre çaplı daha yoğun (kırılma indisi daha büyük) madde ile dışta daha geniş 40–50 mikrometre çaplı daha az yoğun (kırılma indisi düşük) madde kullanılır.) ile kullanılır. Mikroşerit hatlar iki farklı genişlikteki ince iletken tabaka arasına dielektrik tabaka yerleştirilerek elde edilir. Hattın her en küçük parçası tüm diğer aynı uzunluktaki hat parçalarını tanımlar. kapasite. iç maddede kılavuzlanarak iletilir. iii) Birim uzunluk için indüktans. Bu durumda frekansı 1014-1015 Hz olan ışık.dl ile tanımlanır. Gerilim V = − ∫ E. bir gerilim (V) ve akım (I) değeri elde edilir. vb) ile optik fiber hatlarıdır. askılı şerit. Yayılma katsayısı γ ve karakteristik empedans Z0 ise hattın ikincil parametreleridir. 163 . R ve G) hattın birincil parametreleri olarak tanımlanır. Birincil ve İkincil Parametreler Şekil C. ii) Hat boyunca herhangi bir noktada. Bu ifade d(.

birinci dereceden diferansiyel denklemden akım yok edilerek bu denklem elde edilir. ∂ ≡ jω ∂t ∂ d .3)’teki dalga denklemine bir çözüm yazılır. 164 (C. V için.Zakarevicius.1990).2) tanımlanır. Dalga ∂z ∂z Bu değerler (lim ∆z → 0) limitinde denklemi. ∂V ⎫ ⎧ ∆I = − ⎨GV + c ⎬∆z ∂t ⎭ ⎩ (C. V = (Vi e − γz + Vg e γz )e jωt Vi = +z yönünde ilerleyen dalga. ∆z uzunluğundaki iletim hat parçasının eşdeğer devre modeli Kısa hat uzunluğundaki gerilim değişimi hattın seri elamanları ile.Şekil C. ∂z dz Kullanıldığında artık zaman bir değişken olmaz ve olur(Fooks. ∂I ⎫ ⎧ ∆V = − ⎨RI + L ⎬∆z ∂t ⎭ ⎩ (C. gerilim (V) ve akım (I)’nın her ikisine bağlı bir denklemdir. Akım değişimi ise hattın paralel elemanları ile. d2V = (R + jωL)(G + jωc)V dz 2 (C.4) .2.3) Hat boyuncaki gerilim için denklem (C.1) tanımlanır. ∂V ∂I ve uygulanarak elde edilirler.

(C. Bunlar genelde frekansa. Bunlar Vi ve Vg ‘dır. ⎧ V(z = 1metre) ⎫ −1 α = ln ⎨ ⎬neper. İkinci bağımsız terim olan Vg e jωt e γz ise –z yönünde geri dönen dalgayı ifade eder ve z azaldıkça zayıflar. malzemeye ve geometriye bağlıdır. İletim hattının +z doğrultusunda ilerleyen dalganın genliği Vi e − dz ile azalır. Burada.1) Denkleminden.7) (C.0 neper = 8.8) 165 . γ = {( R + jωL)(G + jωc)} 1/ 2 (C. ⎧ P(z = 1metre) ⎫ −1 α = 10 log10 ⎨ ⎬dB.6) Genelde yayılma sabiti γ = α + jβ gibi bir komplekstir.m-1 cinsinden faz sabitidir. Bu sabitler zamana göre değişmezler. α ise neper.m ⎩ V(z = 0) ⎭ Pratikte zayıflama genellikle desibel (dB) cinsinden ifade edilir. Artan z ile beraber herhangi bir anda dalganın fazı e − jβz ile gecikir.5) ile ifade edilir. m-1 cinsinden zayıflama sabiti ve β ’ da radyan. Vi e jωt e − γz terimi. (C.686 dB’ dır.m P(z = 0) ⎭ ⎩ Ayrıca 1. I = (I i e − γz + I g e γz )e jωt (C. +z yönünde ilerleyen dalgayı ifade eder.4) denkleminin gerilim için ikinci dereceden diferansiyel denklemden çözümü iki bağımsız eleman içerir. (C. Aynı şekilde.Vg = -z yönünde geri dönen dalga.

13) Kayıpsız İletim Hattı Kayıpsız bir iletim hattı mükemmel iletken (R=0) ve mükemmel dielektrik malzemeden oluşur.9) I=− 1 − γVi e − γz + γVg e γz e jωt R + jω L { } (C. Bu tip hatta iletkenler arasında akım akışı (G=0) olmaz.11) İlerleyen veya geri dönen dalgayı ele alarak dalganın gerilim akımına oranlanırsa karakteristik empedans elde edilir. 1/ 2 ⎧ G + jω c ⎫ I=⎨ ⎬ ⎩ R + jω L ⎭ x Vi e − γz − Vg e γz e jωt { } (C.14) α = 0 neper.12) Burada. Z 0 = Vg Vi (ilerleyen dalga) veya − (geri dönen dalga) Ii Ig (C.m-1 (C.16) Denklem (C.m-1 ve β = ω LC radyan.5) teki γ’i de yerine yazarsak.10) Denklem (C.12)’den kayıpsız iletim hattının karakteristik empedansı: 166 .15) (C. 1/ 2 ⎧ R + jω L ⎫ Z0 = ⎨ ⎬ ⎩ G + jwc ⎭ Ω (C. Yani. γ = α + jβ = {( jωL )( jωc )} 1/ 2 (C. Hattın karakteristik empedansı.I=− 1 dV x R + jωL dz (C.

⎧L⎫ Z0 = ⎨ ⎬ ⎩C ⎭ 1/ 2 Ω (C. Paralel elemanların oranı G/ ω C dielektrik malzemeler için kayıp tanjantı olarak tanımlanır. 167 .Zakarevicius.20) (C.m 2 ⎩ Z0 ⎭ (C. ⎧ G ⎞⎫ ⎛ R γ ≈ jω LC ⎨1 − j⎜ + ⎟⎬ ⎝ 2ωL 2ωC ⎠⎭ ⎩ βaz kayıplı ≈ βkayıpsız = ω LC radyan.18) Denklem (C.1990).17) Az Kayıplı İletim Hatları Genelde pratik çalışmalarda iletim hatları az kayıplı hatlar olarak kabul edilir. Az kayıplı hat için matematiksel olarak. seri elamanlar R << ω L durumunu.17) denklemindeki kayıpsız hat için karakteristik empedansı kullanarak.12) denkleminin yardımıyla.22) Karakteristik empedans üzerinde hat kaybı etkisi (C. Az kayıplı durumlar için ikincil parametreler şu şekilde ifade edilir: Yayılma sabiti. α= ⎫ 1⎧R -1 ⎨ + GZ 0 ⎬ neper.21) (C. 1/ 2 ⎧⎛ R ⎞⎛ G ⎞⎫ γ = jω LC ⎨⎜1 − j ⎟⎜1 − J ⎟⎬ ωC ⎠ ⎭ ω ⎠⎝ ⎩⎝ (C.18) açılımı ile elde edilen ikinci dereceden değerleri ihmal ederek.m-1 Zayıflama.19) (C. paralel elemanlar da G << ω C durumunu sağlamalı (Fooks. G ⎫ ⎧ R α ≈ ω LC ⎨ + ⎬ ⎩ 2ωL 2ωC ⎭ (C.

Buradan da ilerleyen dalganın faz hızı.⎧L⎫ Z0 = ⎨ ⎬ ⎩C ⎭ 1/ 2 ⎧ G ⎞⎫ ⎛ R − ⎟⎬Ω ⎨1 − j⎜ ⎝ 2ωL 2ωC ⎠⎭ ⎩ (C.25) Şekil C. (C. t2 anında z2 noktasında ise. Şekil C. Vfaz = z 2 − z1 ω = t 2 − t1 β (C. Buradaki dalga faz hızı olarak bilinir.26) 168 . ileri yönde iletim hattında ilerleyen dalga.3.23) Hızlar ve Dalga Boyları Faz hızı. ωt 1 − βz1 = ωt 2 − βz 2 faz sabit tutularak bulunur.24) Olarak verilir. ωt − β z = sabit (C. Faz hızı tanımlamasındaki dalga yayılım gösterimi.3’te yer alan dalga t1 anında z1 noktasında.

1 Vfaz C Z0 = Ω (C.4) denklemi ile. Vfaz = c εr m.17) denklemlerine uygulayarak Z0 karakteristik empedansı bulunur.997925x108 m. e j(( ω+ dω) t −(β + dβ ) z ) + e j(( ω−dω) t −(β−dβ ) z ) = 2 cos(dωt − dβ z)e j( ωt −βz ) Dalganın zarfı cos(dωt − dβ z) ile verilir. Grup hızı.Az kayıplı iletim hattı için β = ω LC ise.27) Hava ile dolu bir iletim hattında faz hızı yaklaşık olarak boşluktaki ışık hızına eşit olur. Vfaz = 1 LC m.s −1 (C. 169 .s-1). Dalga boyu.30) ile tanımlanır. (c=2.27) ve (C. Vgrup = dω dβ (C.28) Herhangi bir dielektrik malzemeyle dolu iletim hattı için.31) (C.s −1 (C. Bu durumda grup veya zarf hızı. Bu çeşit bir dalga. dielektrik malzemeye bağlı olmayan L’ yi (C. Kayıpsız hattaki ileri yönde ilerleyen dalganın genliği (C.29) C. Eğer bilgi bir sinyalle iletilecek ise grup hızı kavramı belli bir frekans bandı için çok önemlidir. bu denklemde birim hat uzunluğundaki kapasite değeridir. İletim hattının dielektrik malzeme ile dolu olması durumunda faz hızı.

36) Bu iki denklem yalnızca (TEM) modunda kullanılabilir. ii) 1 GHz’ de karakteristik empedansı. R=1. 170 .m −1 (C. bir dalga boyu mesafesindeki iki nokta 2π’lik faz farkına sahiptir.m-1 ile veriliyor.32) Herhangi t zamanında.6 Ω. C=95 pF.33) β= 2π 2π veya λ = λ β (C. Ama denklemlerde εr’ yi etkin bağıl permivite (εe) olarak kullanılarak bu denklemler mikroşerit iletim hatlarında kullanılır. i) Az kayıplı hat olarak hattı tanımlayın.m-1. iii) Faz sabitinden hattaki dalga boyunu ve bağıl permivitesini hesaplayın. zayıflamayı ve faz sabitini hesaplayın. β= 2π ε r λ0 λ0 εr radyan.34) Bu denklemlerde yer alan λ çalışma frekansındaki dalga boyudur.m-1 ve G=600 µs. z ve (z+λ) noktalarında φ = 2π ’lik faz farkı ile. Serbest uzaydaki dalga boyu λ ve bağıl dielektrik katsayısı εr ise. ω t − β z = ω t − β( z + λ ) + 2 π (C. L=250 nH.35) ve λ = m (C. Örnek C.1 Dielektrik malzemeyle dolu koaksiyel iletim hattının birincil parametreleri 1 GHz’ de.m-1.Vi e j( ωt −βz ) = Vg e jφ (C.

β = ω LC = 2πx10 9 250 x10 −9 x 95x10 −12 β = 30.205 ⎭ Yükle Sonlandırılmış İletim Hatları İletim hattındaki toplam gerilim ve akım denklemleri.22) den α= 1 ⎧ 1.m-1 ⎨ 2 ⎩ 51.Çözüm C.3 ⎭ Denklem (C.17) den ⎧L⎫ Z0 = ⎨ ⎬ ⎩C ⎭ 1/ 2 1/ 2 ⎧ 250 x10 −9 ⎫ =⎨ −12 ⎬ ⎩ 95x10 ⎭ = 51.36) yardımıyla bağıl dielektrik katsayısı.6:2π x 109 x 250 x 10-9 = 1:982 G: ωC =6 x 10-4: 2π x 109 x 95 x 10-12=1:995 Görüldüğü gibi bu hat az kayıplı hat özelliklerini sağlar. V = Vi e − γz + Vg e γz (C.30 m) az oldu.27 dB.m −1 { } 1/ 2 iii) 1 GHz’ deki dalga boyu.14 ⎩ 0.m-1=0. ii) Denklem (C.62 Bu dalga boyu serbest uzaydaki dalga boyundan (0.62 radyan.205 m β 30.30 ⎫ εr = ⎨ ⎬ = 2. λ= 2π 2π = = 0. Sonuçta denklem (C. 2 ⎧ 0.1 i) Eğer R<< ωL ve G<< ωC ise hat 1 GHz’ de az kayıplıdır.6 ⎫ + 6x10 − 4 x51. R:ωL =1.3 Ω Denklem (C.37) 171 .031 neper.3⎬ =0.20)’den.

ve I = I i e − γz + I g e γz =

Vi e − γz − Vge γz Z0

(C.38)

İlerleyen dalga, hattın kaynağından hat sonundaki kaynağa doğru iletimi temsil eder. Yükün hatta bağlı olduğu noktada yansıyan dalga oluşabilir ve bu dalga kaynağa doğru geri yönde ilerlemeye başlar. Karakteristik empedansı Z0 olan hatta ZL yükünün bağlandığını varsayalım. Şekil C.4’deki gibi yükün bağlı olduğu nokta z=0 düzleminde seçilir. Yansıyan ve ilerleyen dalgalar gerilim yansıma katsayısı ΓL ile ilişkilendirilir. l uzunluğundaki hat için giriş z = −l düzleminden yapılır. Bu düzlemde toplam gerilimin akıma oranı giriş empedansını verir. Aynı şekilde bu düzlemde ilerleyen ve yansıyan dalgaların oranı da yansıma katsayısını verir. Bu parametreler Şekil C.4’te yer alır.

Şekil C.4. Yükle sonlandırılan iletim hattı. Yansıma Katsayıları Z0 karakteristik empedanslı bir iletim hattının her hangi noktasına bir ZL empedansına sahip eleman bağlandığında bir süreksizlik oluşur. Bu süreksizlik ise, hat üzerinde karakteristik empedansından farklı bir etkinin oluşmasına neden olur. Süreksizliklerin olduğu bu noktalarda gerilim ve akım dalgalarında yansımalar olur. Yani, böyle süreksizlik noktalarında toplam gerilim dalgası bir yönde (genelde yüke doğru) giden gerilim dalgası ile yansıyan (genelde kaynağa doğru) gerilim dalgasının toplamından oluşur. Bu toplam değeri; giden ve yansıyan gerilim dalgaları eş fazlı olup maksimum değerlere çıkabilir, zıt fazlı olup minimum değerlere inebilir. z=0’da yükün bulunduğu düzlemde yük gerilim ve akım; 172

VL = Vi + Vg
I L = I i + I g veya I L =

(C.39) Vi − Vg Z0 (C.40)

İle tanımlanır. Yük düzlemindeki yük empedansı;
ZL = VL Vi + Vg x Z0 = IL Vi − Vg

(C.41)

Bu denklem şu şekilde yazılabilir;
ZL = Z L 1 + (Vg / Vi ) = Z 0 1 − (Vg / Vi )

(C.42)

Bu denklemdeki ZL iletim hattı karakteristik empedansına normalize edilmiş empedans değeridir. Bu denkleme yükteki gerilim yansıma katsayısının eklenmesiyle
(ΓL = Vg / Vi )

ZL =

1 + ΓL 1 − ΓL

(C.43)

Tekrar düzenleyerek yükteki yansıma katsayısını;

ΓL =

ZL − Z0 ZL − 1 = ZL + Z0 Z L + 1

(C.44)

Şeklinde bulabiliriz. Hat üzerinde herhangi bir noktadaki yansıma katsayısı, örneğin z = −lnoktasında, yansıyan gerilimin ilerleyen gerilime oranıdır. Genelde bu değer kompleks bir büyüklüktür (C.37) denkleminden;

Γin =

Vg e γz Vi e − γz

=

Vg e − γl Vi e γl

(C.45)

173

Γin = ΓL e −2 γl Hattın girişindeki yansıma katsayısıdır.

(C.46)

Denklemden görüleceği üzere herhangi bir noktada süreksizliğe neden olan ZL empedansı, hattın karakteristik empedansı Z0’dan ne kadar farklı ise yansıma o kadar fazla olacaktır. Yansıma katsayısı için şu uç değerler önemlidir: • ZL= Z0 ise (yani hatta herhangi bir süreksizlik yok ise) yansıma katsayısının değeri sıfır olur. O halde karakteristik empedansı ile sonlandırılmış bir hatta verilen gücün tamamı yüke aktarılmış olur. • ZL=0 (yani kısa devre, KD) ise yansıma katsayısının değeri –1 olacaktır. Yani, sonu kendi kendine eklenen bir hatta verilen işaret zıt fazlı olarak kaynağa doğru geri dönecektir. • ZL→ ∞ (yani açık devre, AD) ise yansıma katsayısının değeri 1 olacaktır. Yani, sonu açık bırakılan bir hatta verilen işaret eş fazlı olarak kaynağa doğru geri dönecektir. ZL yükü genelde kompleks olabileceğine göre yansıma katsayısı da kompleks olabilir. Genliği sıfır ile bir arasında değişir. Sıfır, hiç yansıma yok, bir ise tam yansıma var demektir. Gerilim Duran Dalga Oranı Hat üzerinde giden ve yansıyan gerilim ve akım dalgalarının oluşması iletim hattında süreksizlik olması demektir. Bu iki yöndeki dalga hareketi girişim anlamına gelir. Giden ve yansıyan gerilimler hat üzerinde belli yerlerde gerilim maksimumları ve minimumları oluşturur. Bu şekildeki oluşuma duran dalgalar adı verilir. Duran dalga oranı gerilimi (D.D.O.) iletim hattında duran dalganın maksimum gerilimin minimum gerilime oranıdır. Maksimum gerilim = Vi + Vg Minimum gerilim = Vi − Vg 174

DDO; S= Vi + Vg Vi − Vg (C.47)

veya;

S=

1 + ΓL 1 − ΓL

(C.48)

DDO bağıntısı ile ilgili önemli noktalar şunlardır: • Hat üzerinde süreksizlik yoksa (yansıma katsayısı sıfır ise) DDO=1 olur. Yani, S=1 demek kaynaktan çekilen bütün gücün yüke aktarılması ve hat üzerinde gerilim maksimum ve minimumlarının oluşmaması demektir. • Hat sonunun AD ya da KD (yani tam yansıma) olması durumunda DDO sonsuz olur (s→ ∞). Bu durumda gerilim minimumu sıfırda demektir. Hat üzerinde gerilim dalgalanması en yüksektir. Yani, belli yerlerde gerilim verilenin iki katına çıkabilir. • DDO bir ile sonsuz arasında pozitif tam sayıdır.

İletim hattındaki maksimum gerilim, değerinde giriş empedansı; Zin=SZ0 Örnek C.2 75 Ω karakteristik empedansı olan hat (68-j12) Ω’luk yükle sonlandırıldığında; i) Yükteki gerilim yansıma katsayısını, ii) Hat boyunca ki DDO, iii) İlk minimum geriliminin yüke mesafesini, iv) Minimum gerilim değerinin olduğu yerdeki empedans değerini hesaplayın. Çözüm C.2 i) (C.44) denkleminden, yükteki yansıma katsayısı; (C.49)

175

5 < −4.097 < −115.89 < −120.5º x e − j2βl iv) (C. Vi+Vg=Vt+0 (C.097 Z=61.51) 176 . Γ .ΓL = (68 − j12) − 75 13.215 1 − 0.7 Ω İletim Katsayısı Şekil C.43) denkleminden minimum gerilim değerindeki empedans.5 o ii) (C. Z = Z0 1+ Γ 1− Γ Γ = −0.097<-115.8 o ΓL = 0.46) denkleminden Γin bu noktadaki yansıma katsayısıdır. Eğer l minimum geriliminin yükten uzakliğı ise (C. Γ = ΓL e − j2βl Veya 0.48)’denkleminden DDO.50) Bu denklem yükten süreksizliğe hiç yansıya gerilim olmadığı durumda geçerlidir.097< m 180º = 0. 1 + 0. z=0 düzleminde. Minimum gerilimde yansıma katsayısı gerçel ve negatiftir.097 S= iii) Kayıpsız iletim hattı boyunca ilerleyen ve yansıyan dalgaların genlikleri sabit kalır.097 = 1. İletim katsayısı.5’deki süreksizlik noktasının her iki yanında toplam gerilim aynı olur.3o = (68 − j12) + 75 143. T= Vt/Vi ise T = 1+ Γ (C.

Bunlar.Γ. hattın karakteristik empedansı Z0. Şekil C. (C. adımlar yapılarak aşağıdaki ifadeler elde edilir. paralel elemanın sol tarafındaki gerilim yansıma katsayısıdır. adımla başlayıp işlemleri yük düzlemine doğru 2. hattın elektriksel uzunluğu βl ve yük empedansı ZL’dir.5.46) kullanılarak girişteki yansıma katsayısı yükteki yansıma katsayısı cinsinden yazılır. ⎧1 + ΓL e − j2βl ⎫ ⎧1 + Γin ⎫ Z in = Z 0 ⎨ = Z0 ⎨ ⎬ − j 2βl ⎬ ⎩1 − Γin ⎭ ⎭ ⎩1 − ΓL e (C. Gerilim yansıma katsayısındaki değişim bilgisiyle giriş empedansı üç adımda kolayca hesaplanır: 1) Yükteki yansıma katsayısı. Aynı şekilde (C. Giriş düzleminde 3.43) denkleminde yük düzleminde de bu bağıntı kullanılır. 2) Denklem (C. Süreksizlik noktasındaki yayılan gerilim dalgaları. ve 1. 3) Giriş empedansı girişteki yansıma katsayısı cinsinden yazılır. Giriş Empedansı Kayıpsız iletim hatlarında giriş empedansı Zin üç parametreye bağlıdır.52) 177 .44) denklemini kullanarak yük empedansı cinsinden yazılır. bu düzlemdeki yansıma katsayısına bağlıdır. İletim hattının herhangi bir düzlemindeki empedans.

6. (C. İki-kapılı devrenin giriş ve çıkışlarındaki gelen ve yansıyan dalgalar.⎧ ( Z + Z 0 )e jβl + ( Z L − Z 0 )e − jβl ⎫ Z in = Z 0 ⎨ L jβ l − jβ l ⎬ ⎩ ( Z L + Z 0 ) e − ( Z L − Z 0 )e ⎭ ⎧ Z cos(βl) + jZ 0 Sin (βl) ⎫ Z in = Z 0 ⎨ L ⎬ ⎩ Z 0 cos(βl) + jZ L Sin (βl) ⎭ Giriş admitansı.1990). Şekil C.55) Yüksek frekanstaki çalışmalarda iki-kapılı devreler admitans ya da hibrid parametreler yerine saçılma parametreleri ile çok daha iyi karakterize edilirler.56) Şekil C. Lineer iki-kapılı devrelerde giden ve yansıyan dalgalar arasında lineer bir bağlantı vardır. 178 . ⎡ e y1 ⎤ ⎡s11 s12 ⎤ ⎡ e g1 ⎤ ⎢e ⎥ = ⎢ ⎥⎢ ⎥ ⎣ y 2 ⎦ ⎣s 21 s 22 ⎦ ⎣e g 2 ⎦ (C.Zakarevicius. Farklı bir gösterimle matris. Bu matris saçılma matrisi ve matris elemanları da saçılma parametreleri olarak bilinir.53) (C.6’da yer aldığı gibi bir iki-kapılı devrede yayılan dalga bu devreyi karakterize etmede kullanılan değişkenlerdir (Fooks.54) ⎧ Y cos(βl) + jY0 Sin (βl) ⎫ Yin = Y0 ⎨ L ⎬ ⎩ Y0 cos(βl) + jYL Sin (βl) ⎭ Saçılma ve İletim Parametreleri Saçılma Matrisi (C.

1) İki-kapılı devrenin her portuna doğru yayılan dalgaya.7) Giden ve yansıyan dalgalar için. (Bkz.57) Saçılma parametrelerinin anlaşılmasında aşağıdaki maddeler büyük önem taşır. Akımlar saçılma parametrelerinin a1 = a2 = e g1 Z0 eg2 Z0 {= i {= i g1 Z0 Z0 } } b1 = b2 = e y1 Z0 e y2 Z0 {= i {= i y1 Z0 Z0 } } (C. tanımlanmasında kullanılır.7. 2) Giden veya yansıyan dalganın her ikisinin de gerilim ve akım bileşenleri vardır.⎡ e y1 ⎤ ⎡s g ⎢e ⎥ = ⎢ ⎣ y2 ⎦ ⎣s i s y ⎤ ⎡ e g1 ⎤ ⎢ ⎥ s o ⎥ ⎣e g 2 ⎦ ⎦ (C.58) Şekil C. Yayılan dalganın gerilim ve akım bileşenleri. Bu denklemlerde Z0 hattın karakteristik empedansıdır. Şekil C.59) g2 y2 179 . Akım dalganın ilerleme yönüne göre pozitif olacak şekilde seçilir. e g1 i g1 e y1 i y1 = = Z0 (C. gelen dalga denir.

⎡ b1 ⎤ ⎡s11 s12 ⎢b ⎥ = ⎢s ⎢ 2 ⎥ ⎢ 21 s 22 ⎢ b 3 ⎥ ⎢s 31 s 32 ⎣ ⎦ ⎣ s13 ⎤ ⎡ a 1 ⎤ s 23 ⎥ ⎢a 2 ⎥ ⎥⎢ ⎥ s 33 ⎥ ⎢a 3 ⎥ ⎦⎣ ⎦ (C.62) Eğer ikinci kapıda hiç gelen dalga yoksa (C.57) denklemi ile.Saçılma parametreleri cinsinden.60) Giden dalga doğrultusundaki güç akışı. Örneğin üç kapılı bir devre için saçılma matrisi. daha fazla kapalı devreler içinde geliştirilebilir. sg = e y1 e g1 ei 2 =0 ve si = e y2 e g1 e g 2 =0 (C. ⎡ b1 ⎤ ⎡s g ⎢b ⎥ = ⎢ s ⎣ 2⎦ ⎣ i s y ⎤⎡a1 ⎤ s 0 ⎥ ⎢a 2 ⎥ ⎦⎣ ⎦ (C. 3) Yayılan dalga ile herhangi bir noktadaki dalga bulunabilir. 4) İki-kapılı devreler için bahsedilen saçılmasa matrisi. Başka noktalardaki dalga değişkenleri.63) 180 . 2 2 Güç akışı = a − b Güç akışı = eg Z0 2 − ey Z0 2 (C.61) a ve b değişkenleri “güç dalgaları” olarak tanımlanır. bu noktadaki değişkenleri faz faktörü ile çarpımı ile bulunur.

8. (C. a1 = a2 = V1 + Z 0 I1 2 Z0 V2 + Z 0 I 2 2 Z0 b1 = b2 = V1 − Z 0 I1 2 Z0 V2 − Z 0 I 2 2 Z0 (4.9’da yer aldığı gibi giriş düzleminde.65) 181 .64) Denklemleri elde edilir. Uygun empedans ile sonlandırılan devrede yayılan dalgalar. s0 = Giriş empedans uyumlu çıkış yansıma katsayısı sy = Giriş empedans uyumlu ters iletim katsayısı Daha önce de bahsedildiği gibi iletim hattı boyunca yayılan dalga.59) denklemini de kullanarak güç dalga değişkenleri. akım ve gerilim bileşenlerinin her ikisini de içerir. V1 = e g1 + e y1 I1 = i g1 − i y1 (C. sg = Çıkış empedans uyumlu durumda giriş yansıma katsayısı si = Çıkış empedans uyumlu ileri iletim katsayısı Benzer şekilde sy ve s0. Şekil C.Şekil C.

(a) iletim hattının herhangi bir noktasındaki yayılan dalga bileşenleri. V1 + Z 0 I1 2 Re Z 0 V2 + Z 0 I 2 2 Re Z 0 V1 − Z 0 I1 2 Re Z 0 V2 − Z 0 I 2 2 Re Z 0 a1 = a2 = b1 = b2 = (C. a= b= V + Zs I 2 Re Z s V − Zs I 2 Re Z s (C. Kompleks bir değere sahip güç dalga değişkenleri.67) 182 .9. (b) bu noktadaki toplam gerilim ve akım.66) (C. Zs de kaynak iç direnci ise. Fakat genelde empedans farklı değerlere sahiptir.66) denklemlerinde giriş ve çıkış normalize empedanslarının eşit olmasına gerek yoktur. Şekil C. Bu denklemler ile toplam gerilim (V) ve akım (I) dan a ve b değişkenleri elde edilir ve bu değişkenler ile (C.60) denkleminin de yardımıyla saçılma parametreleri bulunur.(a) (b) Şekil C.10’da yer aldığı gibi kaynak noktasında V. I gerilim ve akım değerleri. Bu denklemlerde normalize Z0 empedansı kullanılır.

Yani a 2 2 kaynaktan elde edilen güçtür. Şekil C.11.Re( VI * ) = a − b 2 2 (C. 2 Başka değerdeki yük empedansında b değerinde güç geri yansır. a ve b bölünemeyecek kadar küçük uzunluktaki hat parçasının yayılan dalgalarıdır (Bkz.11) 183 . Şekil C. Bu güç değerine hattın Zs* empedans değeri ile sonlandırılan durumda yani b=0’da ulaşır.68) Re( VI * ) kaynak noktasından elde edilen güçtür. a gücü kaynaktan yüke doğru ilerler. Sıfır uzunluktaki hatta yayılan dalgalar. Eğer yük kaynağa eşit ise güç tamamıyla yükte emilir. hiç geri yansıma olmaz. net güç ise a − b değerinde olur. Aktif kaynakla beslenen hat. 2) Z0. 2 2 1) Z0. 3) Z0 farklı bie empedans olursa.10. Şekil C. iletim hattının karakteristik empedansı olacak şekilde seçilirse a ve b iki kapılı bir devreye bağlanan iletim hattının giden ve yansıyan dalgaları olur. kaynak empedansı olarak seçilirse a ve b güç dalgaları olur.

Zs empedansındaki kaynak tarafından hatta iletilen dalga as’dir. Zs empedanslı ve Гs yansıma katsayılı aktif kaynak ZL (ГL) yüküne bağlı olsun. Bu b dalgası.70) Şekil C.11’de olduğu gibi a ve b dalgalarını oluştursun. Hattın a ve b dalgaları kaynak ve hat sonundaki yük parametrelerinin fonksiyonudur. e s = Vs Z0 Z0 + Zs (C. hattın diğer sonunun yükle sonlandırılması durumunda yayılan dalgadır.69) .12 dikkate alınarak.72) (C. Aktif kaynağın uçlarındaki yayılan dalgalar. Şekil C. Eğer sonlandırılan yük empedans uyumunu sağlamazsa b dalgası kaynağa doğru geri yansır. Z0 karakteristik empedanslı hattın Zs empedansının yansıma katsayısıdır. Zs=ZL* (veya Гs= ГL*) durumunda maksimum güç transferi yapar. as.Zs iç direnci olan Vs kaynağı Z0 karakteristik empedanslı hatta bağlandığında V gerilimini ve I akımını üretir. tekrar kaynaktan geri döner ve Гsb dalgasını oluşturur.73) b = ΓL a a= as 1 − Γs ΓL 184 .12. a ve b dalgaları arasındaki bağıntı Şekil C. Гsb ve as dalgalarının toplamı a dalgasını verir.71) (C. a = a s + Γs b (C. Гs. Kaynak. (Vs = V + Z s I) a = a s + Γs b Burada a s = es Z0 (C. Vs geriliminde.

74) (C.78) 185 .Yükteki güç= a − b = as 2 2 2 (C.77) ⎡V1 ⎤ ⎡A B⎤ ⎡V2 ⎤ ⎢ I ⎥ = ⎢C D ⎥ ⎢ − I ⎥ ⎦⎣ 2⎦ ⎣1⎦ ⎣ (C. İki kapılı devreler kaskat bağlandığında iletim parametreleri çok kullanışlı bir metottur. ⎡V1 ⎤ ⎡V2 ⎤ ⎢I ⎥ = [IM] ⎢− I ⎥ ⎣1⎦ ⎣ 2⎦ Ya da (C.75) ⎧ 1 − ΓL 2 ⎫ ⎪ ⎪ ⎨ 2 ⎬ ⎪ 1 − Γs ΓL ⎪ ⎩ ⎭ ∆l=0 ve Γs = ΓL ile Pav = as 2 2 * 1 − Γs (C.13’deki (toplam) gerilim ve akımları verilen iki kapılı bir devrenin iletim matrisi [IM]. Şekil C.Parametreleri İki kapılı mikroşerit hatları tanımlamada saçılma parametreleri en kullanışlı yol olmasına rağmen bazen yeterli olmaz. Bu gibi durumlarda iletim parametreleri metodu ile tanımlama yapılır.76) İletim (ABCD) ve y. Her bir iki kapılı devrenin matrisleri çarpılarak kaskat yapının iletim matrisi oluşturulur.

80) V2 = 0 C= D= I2 =0 V2 = 0 Örnek C.79) V1 − I2 I1 − I2 (C.C ve D parametreleri her bir devrenin kendi matris elemanlarını göstermek için kullanılır.B.3 İletim hattının herhangi bir z noktasında gerilim ve akımlar (C.81) (C.C.B. Çözüm C. Kaskat yapıdaki komşu devreye giren diğerinin çıkış akımı olarak kullanılacağı için (-I2) olarak tanımlanır. V = Vi e − jβz + Vg e jβz I = I i e − jβz + I g e jβz 186 (C. yapının elemanlarında. Kaskat yapının [IM] olan iletim matrisi. İkinci porttaki akımın –I2 olduğuna dikkat etmek gerekir.37) ve (C.D parametreleri ise A= V1 V2 I1 V2 B= I2 =0 (C. [IM1] ve [IM2] şeklinde olur. İki-portlu devrenin gerilim ve akımları.3 l uzunluğundaki kayıpsız iletim hattının ABCD parametrelerini elde edin.Şekil C. İletim matrisi aynı zamanda ABCD matrisi ve parametreleri olarak bilinir.82) . A.13.38) denklemlerinden γ = jβ için yazılırsa. [IM] = [IM1] [IM2] A.

Vi + Vg = V2= 0 Vi=-Vg. Ve V1 = Vi e jβl + Vg e − jβl = 2Vg cos βl A= V1 I1 ⇒ A = cos β l I 2 =0 Çıkışın kısa devre olması halinde. jZ 0 sin βl⎤ ⎡A B⎤ ⎡cos βl ⎢C D ⎥ = ⎢ jY sin βl cos βl⎥ ⎣ ⎦ ⎣ 0 ⎦ (C.83) 187 . Ii = -Ig -I2 = Ii – Ig = 2Ii V1 = Vi e jβl − e − jβl = 2 jVi sin β l B= V1 − I2 Vg Ig ( ) V2 = 0 =j sin β l ⇒ B = jZ 0 sin β l C ve D parametreleri aynı yolla bulunur. Bu örnekte devre simetrik olduğundan A=D ve AD-BC=1 ise C = jY0 sin β l olarak bulunur. Çıkışın açık-devre olması halinde. ABCD matrisi.14’de verilmektedir.Giriş ve çıkışlardaki (z=-l ve z=0) gerilim ve akımlar Şekil C.14 l uzunluğundaki hattın iki sondaki ileri ve geri gerilim ve akımları. Ii = Ig . Vi = Vg V2 = Vi + Vg =2Vi Şekil C.

⎡V2 ⎤ 1 ⎡D B⎤ ⎡V1 ⎤ ⎢ I ⎥ = ⎢C A ⎥ ⎢ − I ⎥ ⎦⎣ 1 ⎦ ⎣ 2 ⎦ ∆⎣ ∆= matrisin determinantı.78)’de yazarsak. Çözüm C. İletim parametreleri cinsinden saçılma s0 ve sy yazılırsa. portu giriş portu olarak kabul edip ve denklem (C. V2 = Z0(-I2) veya (-I2)=Y0V2.86) s0 ve sy terimleri sg ve si terimlerinden elde edilir. çıkışta empedans uyumu varsa.13 dikkate alınarak.Örnek C. 2.87) 188 .84) a2=0 (A − D) + (BY0 − CZ 0 ) (A + D) + (BY0 + CZ 0 ) 2 (A + D) + (BY0 + CZ 0 ) sg = b1 a1 b2 a1 = a 2 =0 (C.4 Şekil C. V1 = AV2 − BI 2 = (A + BY0 )V2 I1 = CV2 − DI 2 = (C + DY0 )V2 V1 + Z 0 I1 2 Z0 V1 − Z 0 I1 2 Z0 V1 − Z 0 I1 2 Z0 a1 = b1 = b2 = = = = V2 2 Z0 V2 Z0 V2 Z0 (A + BY0 + CZ 0 + D) (A + BY0 − CZ 0 − D) (C.4 İki kapılı devrenin saçılma parametrelerini ABCD parametreleri cinsinden elde edin.85) si = = a 2 =0 (C. (C.

eşdeğer devrelerini elde edin.ve T.89) Örnek C.s0 = sy = (D − A) + (BY0 − CZ 0 ) (A + D) + (BY0 + CZ 0 ) 2∆ (A + D) + (BY0 + CZ 0 ) (C. Eğer çıkış kısa-devre ise Xa = V1 − I2 V2 = 0 X a = B = jZ 0 Sinβl Eğer çıkış açık-devre yapılırsa.88) (C. (C.5 Şekil C. gerilim bölme kuralından. paralel kolda ise Yb admitansı yer almaktadır.15’de simetrik bir П-eşdeğer devresi yer almaktadır.15 jXa empedansı ve jYb admitansı ile çizilen simetrik П-eşdeğer devresi Seri kolda Xa empedansı.5 Kayıpsız iletim hattı için П. Çözüm C. Şekil C.90) ⎛ 1 ⎞ ⎜ ⎟ ⎜Y ⎟ ⎝ b⎠ ⎛ 1 Xa + ⎜ ⎜Y ⎝ b ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ = V2 V1 = I 2 =0 1 A 1+XaYb=A Yb = A − 1 cos β l − 1 = Xa jZ 0 Sinβ l 189 .

(a) (b) Şekil C. Kısa hat yaklaşımı kullanarak iletim hattı incelenecek olursa.eşdeğer devreleri Şekil C.ve T.modelinde eşdeğer devreleri.17’deki devre Şekil C.92) (C. 190 .⎛ β l⎞ ⎛ βl⎞ ⎛ βl⎞ 1 − cos β l = 2 sin 2 ⎜ ⎟ ve sin β l = 2Sin ⎜ ⎟ cos⎜ ⎟ ⎝ 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠ ⎛ β l⎞ Yb = jY0 tan ⎜ ⎟ ⎝ 2 ⎠ (C. ⎧L⎫ jZ 0 βl = j⎨ ⎬ (ω LC )l ⎩C ⎭ = jω(Ll) JY0 βl = jω(Cl) Bu denklemle Şekil C. βl <<1 sin β l ≈ tan β l ≈ β l bu yaklaşımları kullanarak (C. 1/ 2 (C.ve (b) T.16 Kayıpsız iletim hattının (a) Π-eşdeğer devre (b) T-eşdeğer devre modeli.18’e indirgenir.17 l uzunluğundaki kayıpsız iletim hattının (a) П. Kayıpsız iletim hattı için Π.16’da verilmektedir.93) Şekil C.91) T-eşdeğer devresi de aynı yolla bulunur.90) denkleminin sağ tarafı.

Eğer herhangi bir empedansa sahip hatta geniş duran dalgalar varsa. Şekil C.a’daki devrenin sonu küçük ZL yükü.17’deki devre. Z 0 << Z S .a ve b’deki yaklaşımlar sıfır noktasında da geçerlidir. Eğer bu Şekil C.18.18. Şekil C. yüksek empedanslı hat için Z 0 >> Z S . Benzer şekilde düşük empedanslı hat açık-devre sonlu gibi davranır ve devredeki L ihmal edilerek Şekil C.b’ deki eşdeğer devreye dönüşür.18. 191 .18. Z L ’ye veya düşük empedanslı hat için.L ve C ler l uzunluktaki hattın toplam seri indüktansı ve toplam paralel kapasiteyi ifade eder.parametreleri tanımlanabilir.94) (a) (b) Şekil C. açık-devre sonlu hattın ise kapasite gibi davrandığı sonucu ortaya çıkar. Admitans (y) parametreleri cinsinden iletim hattı incelenecek olursa. b’deki devrenin sonu ise YL admitansı ile sonlandırılır ise. Yüksek empedanslı hat kısadevre sonlu gibi davranır. Z L ’ye indirgenir.13 ele alınarak y.a’ daki devreye dönüşür. Buradan kısa uzunluktaki kısa-devre sonlu hattın indüktans gibi davrandığı. Ve devredeki C ihmal edilerek Şekil C.95) (C. Şekil C.18 Kısa uzunluktaki hattın (a) yüksek empedans (b) düşük empedans için eşdeğer devreleri. Z L << ωLl YL << ωCl (a) devresi için Z in = jωLl + Z L (b) devresi için Yin = jωCl + YL (C.

96) denklemi ile Şekil C. 192 . Şekil C.19’daki eşdeğer devre elde edilir.96) yg = I1 V1 I2 V1 yy = V2 = 0 I1 V2 I2 V2 (C.⎡ I1 ⎤ ⎡ y g ⎢I ⎥ = ⎢ y ⎣ 2⎦ ⎣ i y y ⎤ ⎡ V1 ⎤ y 0 ⎥ ⎢V2 ⎥ ⎦⎣ ⎦ (C.19 İki-kapılı devrenin y-parametreleri eşdeğer devresi.97) V1 = 0 yi = y0 = V2 = 0 V1 = 0 (C.

ÖZGEÇMİŞ 1980 yılında Çanakkale’de doğdu. Aralık 2004’den itibaren Kocaeli Üniversitesi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Elektromanyetik Alanlar ve Mikrodalga Tekniği Anabilim dalında Arş. Gör. orta ve lise öğrenimini İzmir’de tamamladı. olarak çalışmaktadır. İlk. 1998 yılında girdiği Kocaeli Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü’nden 2002 yılında mezun oldu. 193 .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful