TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR DAN PEMANFAATANNYA

a. Teknologi Silikon Pembahasan tentang divais semikonduktor tentunya tidak bisa lepas dari material semikonduktor itu sendiri sebagai bahan dasar pembuatan divais tersebut. Silikon (Si) dengan persediaanyang berlimpah di bumi dan dengan teknologi pembuatan kristalnya yang sudah mapan, telah menjadi pilihan dalam teknologi semikonduktor. Silikon very large scale integration (VLSI) telah membuka erabaru dalam dunia elektronika di abad ke -20 ini. Kebutuhan akan kecepatan yang lebih tinggi dan unjuk kerja yang lebih baik dari komputer telah mendorong teknologi silikon VLSI ke silikon ultra high scale integration (ULSI). Saat ini metaloxidesemiconductor field effect transistor (MOSFET) masih dominan sebagai divais dasar teknologi integrated circuit (IC). Dimensi dari MOSFET menjadi semakin kecildan akan menjadi sekitar 0,1 mikron untuk ukuran giga-bit dynamic random acces memories (DRAMs). Beberapa masalah yang timbul dalam usaha memperkecil dimensi dari MOSFET antara lain efek short channel dan hot carrier yang akan mengurangi unjuk kerja dari transistor itu sendiri. Walaupun sudah banyak kemajuan yang dicapai, pertanyaan yang selalu muncul adalah sampai seberapa jauh limit pengecilan yang dapat dilakukan ditinjau dari segi proses produksi, sifat fisika dari divais itu sendiri dan interkoneksinya. Banyak masalah dari segi fabrikasi yang dapat menjadi penghambat. Sebagai salah satu contoh keterbatasan dari proses produksi adalah teknik lithography yaitu teknik yang diperlukan untuk merealisasikan desain sirkuit ke lempengan (waver) silikon dalam proses fabrikasi IC. Dengan menggunakan cahaya sebagai sumber berkas, dimensi dari lithography dengan sendirinya akan dibatasi oleh panjang gelombang dari cahaya itu sendiri. Oleh sebab itu dikembangkan teknik lithographyyang lain menggunakan sinar-X dan berkas elektron. Dengan menggunakan kedua teknik ini tidak terlalu ekonomis untuk digunakan pada proses produksi IC secara massal. Dari uraian di atas, terlihat

Dengan bantuan sinar laser. Fenomena ini dapat dijelaskan dengan menggunakan model two-dimensional quantum . material semikonduktor dapat dibedakan atas dua jenis yaitu yang memiliki celah pita energi langsung (direct bandgap) dan celah pita energi tidak langsung (indirect bandgap). pada lempeng silikon dapat berbentuk lubang-lubang yang berukuran puluhan angstrom. silikon sulit memancarkan cahaya. Sifat ini menyebabkan silikon tidak layak digunakan sebagai piranti fotonik/optoelektronik. Ini berarti agar terjadi eksitasi dan rekombinasi dari membawa muatan diperlukan perubahan yang besar pada nilai momentumnya. b. Parameter mekanik strain yang timbul karena perbedaan konstanta kisi kristal antara lapisan SiGe dan Si tersebut akan mempengaruhi struktur elektronik dari material di atas sehingga muncul efek brillioun-zone folding yang mengubah struktur pitanya menyerupai material dengan celah energi langsung (direct bandgap). di mana nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum dari pita valensi tidak bertemu pada satu harga momentum yang sama. Dengan kata lain. sehingga tertutup kemungkinan misalnya membuat IC yang di dalamnya terkandung detektor optoelektronik atau suatu sumber pemamcar cahaya dengan hanya menggunakan material silikon saja.masih adanya beberapa masalahyang akan timbul dalam proses fabrikasi IC di masa yang akan datang. ditinjau dari struktur elektronikanya. Salah satu contohnya adalah menumbuhkan struktur material SiGe/Si straitned layer superlattice. Beberapa usaha telah dilakukan untuk mengatasi hal ini antara lain dengan mengembangkan apa yang dikenal sebagai bandgap engineering. Silikon adalah material dengan celah energi yang tidak langsung. akan dapat dilihat dengan mata telanjang pemancaran cahaya dari material silikon tersebut. Kombinasi dari kedua material tersebut memungkinkan terjadinya pemancaran dan penyerapan cahaya. Cara lain yang juga popular untuk memperbaiki sifat optik dari silikon adalah apa yang dinamakan material silikon porous. Dengan pelarutan secara elektrokimia. Teknologi berbasis silikon Seperti diketahui.

tapi dengan menggunakan teknik modulasi doping. Struktur dari HEMT mirip dengan MOSFET. Pengembangan IC dengan berbasis material GaAs saat ini juga sedang ramai diteliti. di mana elektron dapat dipisahkan dari ion pengotornya dan bergerak dalam sumur potensial dua dimensi (2DEG) dengan kecepatan tinggi. Kelemahan dari teknik ini adalah sifat reproducibility-nya yang rendah. Mobilitas adalah parameter yang menyatakan laju dari pembawa muatan dalam semikonduktor bila diberi medan listrik. Untuk membuat piranti berkecepatan tinggi. Teknologi GaAs Salah satu hambatan dari teknologi silikon adalah sifat listrik yang berhubungan dengan rendahnya mobilitas pembawa muatan dari material silikon ini.confinement. Beberapa tahun yang lalu telah berhasil dibuat 64 kb static random access memory (SRAM) yang berkecepatan tinggi sebesar 2ns dengan menggunakan teknologi HEMT berukuran 0. telah berhasil dibuat transistor yang disebut high electron mobility transistor (HEMT). GaAs adalah material semikonduktor dari golongan III-V yang memiliki mobilitas elektron sekitar enam kali lebih tinggi dari silikon pada suhu ruang. galium arsenide (GaAs) dan material-material panduannya telah dipertimbangkan sebagai material pengganti silikon. diharapkan resistansi dari base dan kapasitansi dari sambungan base-emitter akan dapat . Material ini bertipe celah energi langsung. material ini juga digunakan divais fotonik/laser dan divais gelombang mikro (microwave device). Dengan memanfaatkan kelebihan ini. Struktur dari transistor ini adalah sambungan npn di mana emiter menggunakan material dengan celah energi yang lebih besar dibandingkan dengan base dan kolektor. c.6 mikron. Pada kondisi ini. Selain untuk divais elektron. Transistor berkecepatan tinggi lainnya yang sedang dikembangkan adalah heterojunction bipolar transistor (HBT). Kemajuan-kemajuan di atas membuka era baru bagi material silikon dan panduannya untuk diaplikasikan pada divais optoelektronika. menyusul transistor yang lebih dahulu popular untuk teknologi GaAs yaitu metal semiconductor field effect transistors (MESFET).

quantum wire (1D) dan quantum dot (0D).2K) agar dapat diamati fenomena kuantum secara jelas. banyak perusahaan semikonduktor terutama di Amerika Serikat yang tidak menganggap teknologi GaAs ini sebagai pengganti silikon.direduksi sehingga dapat diperoleh frekuensi maksimum osilasi (fmaks) yang tinggi. . Divais kuantum Dewasa ini. perhatian besar juga diberikan pada struktur semikonduktor berdimensi rendah (low-dimensional semiconductor) seperti quantum well (2D). d. permasalahan yang dihadapi divais kuantum ini adalah operasi kerjanya yang masih harus dilakukan pada suhu rendah (seperti suhu helium cair : 4. Itulah sebabnya. Hal ini tentunya akan menaikkan ongkos pembuatan sehingga belum menarik untuk diproduksi. Beberapa divais kuantum seperti wire transistor.1 mikron atau yang lebih kecil. Walaupun banyak kemajuan yang sudah dicapai. Saat ini sudah dibuat HBT dengan fmaks 200 GHz. Telah diketahui bahwa bila elektron dikurung dalam daerah potensial dengan dimensi yang sama dengan panjang gelombangnya maka akan muncul sifat gelombang elektron dan berbagai fenomena kuantum akan dapat diamati. Struktur seperti ini adalah pembuka jalan ke era fabrikasi nanoteknologi dan divais kuantum (quantum device). Beberapa fenomena kuantum dapat mengurangi performansi dari divais itu sendiri sedangkan fenomena yang lain dapat memacu terciptanya divais kuantum yang baru. single-electron transistor sudah berhasil dibuat dan menunjukkan kecepatan yang tinggi. banyak orang meragukan kemampuan teknologi GaAs ini untuk dapat bersaing dengan teknologi silikon dalam orde 0. Secara umum. Permasalahan yang timbul dari divais yang dibuat berdasarkan struktur semikonduktor dimensi rendah ini adalah arus drive yang rendah sehingga masih sulit untuk diaplikasikan.

Pertanyaan yang muncul adalah apakah usaha-usaha untuk memperbaiki performasi dari divais semikonduktor dapat terus dilakukan dengan pola yang ada sekarang ini atau harus dicari pola yang lain. Dengan berkembangnya permintaan untuk menciptakan suatu rangkaian terpadu yang makin kompleks. Untuk itu. Divais seperti ini dapat direalisasikan dengan menggunakan apa yang disebut sebagai intelligent material. Intelligent material Dari uraian di atas terlihat bahwa meskipun perkembangan divais semikonduktor dewasa ini sangat cepat. . beberapa hambatan sudah mulai terlihat. IC yang terbuat dari divais yang adaptif seperti ini akan menjadi bermultifungsi tanpa harus membebani disain software yang makin kompleks. transistor sebagai divais aktif dasar hanya mempunyai satu fungsi saja dan kemudian diubah menjadi berfungsi banyak dengan bantuan disain sirkuit dan software. Pola yang ada sekarang adalah bahwa dalam teknologi IC.e. Salah satu usul adalah menciptakan divais yang multifungsi sehingga divais menjadi lebih adaptif. beban yang ditanggung oleh disain software akan makin berat sehingga kemungkinan besar sulit untuk direalisasikan. haruslah dilakukan usaha untuk dapat membantu meringankan beban tersebut. dari pihak hardware.

karena ukuran dari semikonduktor itu sendiri.APLIKASI PENERAPAN SEMIKONDUKTOR 1. resistor yang digunakan biansanya adalah karbon. Hal ini karena bahan yang di gunakan pada resistor itu sama yaitu merupakan unsure yang terletak pada golongan 4. Transisitor bipolar ini dibagi lagi menjadi dua jenis yaitu P-N-P dan N-P-N. Kedua jenis semikonduktor ini digabung dengan menggunakan bahan khusus yang dapat melekatkan dan dapat dialiri oleh electron. intuk penjelasannya akan di bahas lebih lanjut di bawah ini : . Resistor. Dioda dan transistor. 2. Dioda atau transisitor merupakan gabungan dari dua atau lebih jenis semikonduktor ekstrinsik yaitu tipe-p dan tipe-n. Ada dua bahan elektronik yang biasa dipakai yaitu dioda dan transisitor. Gambar Kunstruksi Resistor Pada dasarnya semikonduktor sendri memilki sifat menghambat seperti halnya dengan resistor karbon. sedangkan semi konduktor ini memakai bahan dari Silikon. resistor carbon dapat di gunakan dalam bentuk yang besar sedangkan semi konduktor hanya berpengaruk kecil. Tapi perbedaanya yaitu pada pengaplikasinnya.

Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Dioda. base dan kolektor. Jika dioda ini diberi tegangan maju (forward bias) maka pada kutup positif akan memiliki teganagn yang lebih besar dari pada kutub negatifnya. Zener. sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). sehingga elektron pada kutub negatif yang berasal dari kelebihan elektron pendonor akan berjalan mengisi hole pada kutup negatif. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor. Transistor ini disebut transistor bipolar. Jika teganan yang diberikan berupa tegangan balik (reversebias) maka dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P. Sehingga arus listrik dapat berjalan. Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus. Transistor bipolar.Dioda ini di buat dengan menyambungkan dua semi konduktor yang berbeda jenis. bi = . Base selalu berada di tengah. karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. Pada dasarnya Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Pada transistor ini menggunakan 3 semikonduktor yang ditata selang-seling sehingga penamaanya sesuai penataan bahan semikonduktor. c. LED. di antara emitor dan kolektor. karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif.

Transistor NPN dan PNP Akan dijelaskan kemudian. aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. karena persyaratannya adalah lebar base . Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio. Prinsip Kerja Transistor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor. untuk mendapatkan kualitas suara yang baik. Misalnya tidak ada kolektor. Transistor bipolar adalah inovasi yang menggantikan transistor tabung (vacuum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil. hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.2 dan polar = kutup. namun konsumsi dayanya sangat besar. transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor akan bekerja jika pada kutup positif memilki tegangan yang lebig besar dari pada kutub negative tetapi karena kolektor ini lebih positif. Dalam beberapa aplikasi. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis. Sebab untuk dapat melepaskan elektron. Transistor ini bekerja mirip dengan dioda. aliran elektron bergerak menuju kutup ini.

Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah. Dengan kata lain. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emitter-collector (switch on/off). Untuk memahami lihat skema prinsip kerja transisitor berikut : Keterangan : a) Arus yang terjadi pada Transistor jenis NPN. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias).harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. karena arus base yang kecil menghasilkan arus emitter-collector yang lebih besar. . arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emitter menuju kolektor. melainkan arus yang lebihkecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan transistor. dan b) Arus yang terjadi pada transistor jenis PNP. Jika pelan-pelan µkeran¶ base diberi bias maju (forward bias). karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan.

Sel Surya (solar cell). Sel surya juga telah lama dipakai untuk memberi tenaga bagi semua satelit yang mengorbit bumi nyaris selama 30 tahun. sejak dari Maroko hingga Merauke. baik polusi udara maupun suara. tidak pula dengan menempuh jalan reaksi fisi nuklir. namun mudah dipindahkan sesuai dengan kebutuhan. Artikel ini sengaja ditulis guna menanggapi banyaknya pertanyaan mengenai bagaimana mekanisme atau prinsip kerja sel surya. solar cell. Sel surya. Semua keunggulan sel surya di atas disebabkan oleh karakteristik khas sel surya yang mengubah cahaya matahari menjadi listrik secara langsung. Sel surya dapat digunakan tanpa polusi. photovoltaic. dan di segala cuaca.3. dari Moskow hingga Johanesburg. gas alam atau batu bara. atau fotovoltaik sejak tahun 1970-an telah telah mengubah cara pandang kita tentang energi dan memberi jalan baru bagi manusia untuk memperoleh energi listrik tanpa perlu membakar bahan baker fosil sebagaimana pada minyak bumi. Sel surya tidak memiliki bagian yang bergerak. dan dari pegunungan hingga permukaan laut. Sengaja di sini hanya melibatkan penjelasan kualitatif. . Sel surya mampu beroperasi dengan baik di hampir seluruh belahan bumi yang tersinari matahari.

dan perpindahan hole dari .Proses konversi Proses pengubahan atau konversi cahaya matahari menjadi listrik ini dimungkinkan karena bahan material yang menyusun sel surya berupa semikonduktor. pembuatan dua jenis semikonduktor ini dimaksudkan untuk meningkatkan tingkat konduktifitas atau tingkat kemampuan daya hantar listrik dan panas semikonduktor alami. sehingga disebut dengan p ( p = positif) karena kelebihan muatan positif. Kelebihan elektron atau hole dapat meningkatkan daya hantar listrik maupun panas dari sebuah semikoduktor. Di dalam semikonduktor alami (disebut dengan semikonduktor intrinsik) ini. maka kita dapat mengontrol jenis semikonduktor tersebut. Semikonduktor jenis n merupakan semikonduktor yang memiliki kelebihan elektron. Dua jenis semikonduktor n dan p ini jika disatukan akan membentuk sambungan p-n atau dioda p-n (istilah lain menyebutnya dengan sambungan metalurgi /metallurgical junction) yang dapat digambarkan sebagai berikut. 2. Sesaat setelah dua jenis semikonduktor ini disambung. terjadi perpindahan elektronelektron dari semikonduktor n menuju semikonduktor p. dengan menambahkan unsur lain ke dalam semikonduktor. (n = negatif). elektron maupun hole memiliki jumlah yang sama. 1. yakni jenis n dan jenis p. Sedangkan semikonduktor jenis p memiliki kelebihan hole. Lebih tepatnya tersusun atas dua jenis semikonduktor. Pada awalnya. sehingga kelebihan muatan negatif. sebagaimana diilustrasikan pada gambar di bawah ini. Caranya. Semikonduktor jenis p dan n sebelum disambung.

Daerah negatif dan positif ini disebut dengan daerah deplesi (depletion region) ditandai dengan huruf W. Baik elektron maupun hole yang ada pada daerah deplesi disebut dengan pembawa muatan minoritas (minority charge carriers) karena keberadaannya di jenis semikonduktor yang berbeda. . yang mencoba menarik kembali hole ke semikonduktor p dan elektron ke semikonduktor n. maka timbul dengan sendirinya medan listrik internal E dari sisi positif ke sisi negatif. 4. Elektron dari semikonduktor n bersatu dengan hole pada semikonduktor p yang mengakibatkan jumlah hole pada semikonduktor p akan berkurang. hole dari semikonduktor p bersatu dengan elektron yang ada pada semikonduktor n yang mengakibatkan jumlah elektron di daerah ini berkurang. 3. Pada saat yang sama.semikonduktor p menuju semikonduktor n. Daerah ini akhirnya berubah menjadi lebih bermuatan positif. Medan listrik ini cenderung berlawanan dengan perpindahan hole maupun elektron pada awal terjadinya daerah deplesi (nomor 1 di atas). 6. Dikarenakan adanya perbedaan muatan positif dan negatif di daerah deplesi. Perpindahan elektron maupun hole ini hanya sampai pada jarak tertentu dari batas sambungan awal. 5. Daerah ini akhirnya lebih bermuatan positif.

Untuk keperluan sel surya. . semikonduktor n berada pada lapisan atas sambungan p yang menghadap kearah datangnya cahaya matahari. Adanya medan listrik mengakibatkan sambungan pn berada pada titik setimbang. medan listrik E mencegah seluruh elektron dan hole berpindah dari semikonduktor yang satu ke semiikonduktor yang lain. dikompensasi dengan mengalirnya kembali elektron ke semikonduktor n akibat tarikan medan listrik E. Begitu pula dengan jumlah elektron yang berpindah dari smikonduktor n ke p. yakni saat di mana jumlah hole yang berpindah dari semikonduktor p ke n dikompensasi dengan jumlah hole yang tertarik kembali kearah semikonduktor p akibat medan listrik E. Dengan kata lain. dan dibuat jauh lebih tipis dari semikonduktor p. sehingga cahaya matahari yang jatuh ke permukaan sel surya dapat terus terserap dan masuk ke daerah deplesi dan semikonduktor p.7. Pada sambungan p-n inilah proses konversi cahaya matahari menjadi listrik terjadi.

elektron hasil fotogenerasi tertarik ke arah semikonduktor n. Selanjutnya. Spektrum biru dengan panjang gelombang yang jauh lebih pendek hanya terserap di daerah semikonduktor n. dimana arus listrik ini timbul akibat pergerakan elektron. membuat fotogenerasi pada sambungan pn berada pada bagian sambungan pn yang berbeda pula. lampu tersebut menyala dikarenakan mendapat arus listrik. Apabila rangkaian kabel dihubungkan ke dua bagian semikonduktor. . Cahaya matahari dengan panjang gelombang (dilambangkan dengan symbol ³lambda´ sbgn di gambar atas ) yang berbeda. Jika sebuah lampu kecil dihubungkan ke kabel. daerah deplesi maupun semikonduktor. terbentuknya pasangan elektron dan hole akibat cahaya matahari.Ketika sambungan semikonduktor ini terkena cahaya matahari. maka electron mendapat energi dari cahaya matahari untuk melepaskan dirinya dari semikonduktor n. maka elektron akan mengalir melalui kabel. mampu menembus daerah deplesi hingga terserap di semikonduktor p yang akhirnya menghasilkan proses fotogenerasi di sana. Spektrum merah dari cahaya matahari yang memiliki panjang gelombang lebih panjang. begitu pula dengan hole yang tertarik ke arah semikonduktor p. Terlepasnya elektron ini meninggalkan hole pada daerah yang ditinggalkan oleh elektron yang disebut dengan fotogenerasi elektron-hole (electron-hole photogeneration) yakni. dikarenakan pada sambungan pn terdapat medan listrik E.

4. ratusan atau ribuan atau bahkan lebih komponen dasar elektronik yang terdiri dari sejumlah komponen resistor. Integrated Circuit (IC) merupakan komponen semikonduktor yang di dalamnya dapat memuat puluhan.Pada umumnya. dioda dan komponen semikonduktor yang lain. Para ilmuwan kemudian berhasil memasukkan lebih banyak komponen-komponen ke dalam suatu chip tunggal yang disebut semikonduktor. ilustrasi di bawah ini menjelaskan segalanya tentang proses konversi cahaya matahari menjadi energi listrik. . Jack Kilby. IC mengkombinasikan tiga komponen elektronik dalam sebuah piringan silikon kecil yang terbuat dari pasir kuarsa. seorang inIsinyur di Texas Instrument.mengembangkan sirkuit terintegrasi (IC : integrated circuit) di tahun 1958. transistor. untuk memperkenalkan cara kerja sel surya secara umum. IC (Intergrated Circuit).

Setiap jenis IC didesain untuk keperluan khusus sehingga setiap IC akan memiliki rangkaian internal yang beragam. berkisar antara 15 watt sampai 100 Watt atau bahkan lebih. kaki nomor 2 berdekatan dengan kaki nomor 3 dan seterusnya. CERDIP.   IC Power Amplifier Mempunyai bentuk pipih dan fisiknya lebih besar dari yang lain. Untuk mengetahui rangkaian internal. namun tidak tertutup kemungkinan dipergunakan untuk tujuan yang lain. lingkungan kerja dan tegangan voltase operasi IC maka perlu dibaca datasheet yang diterbitkan oleh masing-masing produsennya (Philips.Komponen-komponen yang ada di dalam IC membentuk suatu subsistem terintegrasi (rangkaian terpadu) yang bekerja untuk suatu keperluan tertentu. DIL (dual in line) yang umum digunakan adalah DIP/DIl. Beberapa contoh kemasan IC yaitu DIP. STK 105. IC dibedakan jenisnya menurut bentuk fisik dan fungsinya. Integrated Circuit diproduksi dengan berbagai kemasan dengan jumlah pin (kaki) yang bervariasi sesuai dengan fungsinya. Urutan kaki IC tidak dicantumkan pada badan IC akan tetapi yang pasti bahwa kaki nomor 1 berdekatan dengan kaki nomor 2. dll) baik dalam bentuk media cetak seperti buku ataupun elektronik (E-Book PDF). Datasheet sangat diperlukan apabila kita akan mendesain sebuah rangkaian elektronik.  IC Power Adaptor (Regulator) . Contoh tipe IC-nya adalah STK015. Sharp. ST. Beckman. LA 4440 dan sebagainya. Motorola. Daya output IC ini cukup besar. Digunakan pada rangkaian penguat suara (audio amplifier). Kemasan IC terbuat dari bahan epoxy atau silikon dan dari bentuk ini muncul pin-pin atau kaki-kaki dengan jarak kaki yang satu dengan yang lainnya teatur rapi. Texas Instrument. Cirrus Logic. STK 070. Sebuah IC mempunyai urutan kaki nomor 1 sampai dengan sejumlah kaki yang ada.

yaitu logika '0' (nol. IC jenis ini mempunyai tingkat ketahanan dan keawetan lebih lama dari jenis IC penguat yang lain.   IC Flip-Flap (FF) atau Timer (CLK. LM 741. Contoh tipe IC-nya NE 555.   . regulator pada power adaptor (dapat berfungsi seperti IC Power Amplifier dan Power Adaptor). pengusir serangga. Misalnya NE 555 (IC terpopuler dikalangan pelajar) untuk alarm multiguna. op amp head tape recorder. suatu titik elektronis yang berupa seutas kabel atau kaki IC. L200. Contoh tipe IC-nya adalah L 914.   IC Silinder IC ini mempunyai bentuk silinder dan banyak digunakan pada rangkaian penguat pesawat CB(Citizen Band) atau HT (Held Transceived). termometer digital dan lain-lain. Misalnya op amp audio amplifier. TL 084 dan sebagainya. TL 083. Digunakan sebagai komponen utama pada rangkaian power adaptor pada sub rangkaian regulator yang berfungsi sebagai penstabil tegangan atau voltase. A703. organ elektronik dan lainlain. 07. tinggi). 78xx (xx = 05. frekuensi meter. timer lampu FF. 09. 08. 12). Contoh tipe IC-nya adalah LM 317H. rendah) atau logika '1' (satu. akan mewujudkan salah satu dari dua keadaan logika. NE 556 (dua NE 555). M7555 dan sebagainya. pengacau frekuensi. saklar sentuh. otak rangkaian power amplifier. op amp mic. Contoh tipe IC-nya adalah LM 709. LM 723 dan sebagainya. signal injektor. penguji hubungan.Clock) IC ini banyak digunakan pada rangkaian pembangkit (multivibrator) untuk member umpan atau sumber detak (oscilator) pada IC digital atau untuk keperluan lain.   IC Op Amp Digunakan pada rangkaian digital yang berfungsi sebagai op amp atau untuk keperluan lain. Suatu titik elektronis mewakili satu 'binary digit' atau biasa disingkat . LM 386. A714 dan sebagainya. 06.IC Digital Dalam IC digital. TL 074. S 042 P.

yaitu Small Scale Integration (SSImengemas beberapa puluh transistor). Hal tersebut juga meningkatkan daya kerja.dengan sebutan 'bit'. memori. dn mobil dengan electronic fuel . setiap perangkat rumah tangga seperti microwave oven. Tidak lama kemudian. 0 dan 1. Sebelumnya. IC dibuat untuk mengerjakan suatu tugas tertentu yang spesifik. dan kendali input/output) dalam sebuah chip yang sangat kecil. Kemampuan untuk memasang sedemikian banyak komponen dalam suatu keeping yang berukurang setengah keping uang logam mendorong turunnya harga dan ukuran komputer. sebuah mikroprosesor dapat diproduksi dan kemudian diprogram untuk memenuhi seluruh kebutuhan yang diinginkan. Microprocessor adalah alat pemroses data yang merupakan pengembangan dari teknologi pembuatan Integrated Circuit (IC). Chip Intel 4004 yang dibuat pada tahun 1971 membawa kemajuan pada IC dengan meletakkan seluruh komponen dari sebuah komputer (central processing unit. 5. Binary berarti sistem bilangan 'dua-an'. efisiensi dan keterandalan komputer. televisi. Microprosesor. Ultra-Large Scale Integration (ULSI) meningkatkan jumlah tersebut menjadi jutaan. Medium Scale Integration (MSImengemas sampai beberapa ratus transistor). yakni bilangan yang hanya mengenal dua angka. dan sekarang yang sedang berkembang adalah Very Large Scale Integration (VLSI-mengemas puluhan ribu sampai jutaan transistor). Sekarang. Ada beberapa peristilahan yang dipakai untuk menunjukan tingkat kepadatan (density) dari suatu chip IC.

Pengembangan lebih lanjut microprocessor 80 inti. Silahkan hitung sendiri kandungan transistornya dan itu akan berkembang secara terus menerus. 80486 mempunyai 1.injection dilengkapi dengan mikroprosesor.2 juta transistor.000 transistor. misalnya microprocessor jenis 8086 mengandung 40. 80586 (Pentium) 3 juta buah transistor lebih sedangkan Intel Core 2 Duo mempunyai 271 juta transistor dan Intel Quad Core 2 Extreme yang terdiri dari empat inti prosesor. 80286 terdiri dari 150. .000 transistor. Contoh tentang teknologi ULSI. 80386 memuat 250.000 buah transistor.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful