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Electrnica y Automatismos

rea de Tecnologa Electrnica

ELECTRNICA Y AUTOMATISMOS
2 Curso de Instalaciones Electromecnicas Mineras Tema 1: Componentes Electrnicos El transistor bipolar

Profesor: Javier Ribas Bueno


Nota: Las animaciones contenidas en esta presentacin requieren Office XP o posterior
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Componentes electrnicos: El transistor bipolar


Introduccin: tipos de transistores Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor tipo PNP Transistor tipo NPN Caractersticas elctricas de un transistor bipolar El fototransistor Conclusiones

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Introduccin: tipos de transistores


NPN BIPOLARES PNP

TRANSISTORES UNIN

CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor


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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

+ +

+ -

+ + -

+ +

+ +

+ +

+ +

+ -

Concentracin de huecos

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Conduccin

Bloqueo

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Base

Emisor

Colector

Transistor PNP

El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector no son intercambiables

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones. En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN

Base

Emisor

Colector

Transistor NPN

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Conclusiones: Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1) La zona de Base debe ser muy estrecha. 2) El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
C NP B N+ E

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN


IB = f(V BE, V CE) Caracterstica de entrada IC + V CB + V BE IB IE +
IC, I B, I E VCE, V BE, VCB En la prctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2 tensiones. Normalmente se trabaja con IC , I B, VCE y VBE. Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fcilmente: I E = IC + I B En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:

V CE -

IC = f(V CE, IB) Caracterstica de salida

VCB = VCE - V BE

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN


IB = f(V BE, V CE) Caracterstica de entrada IC + IB IB V CE

+ V BE -

V CE V BE

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La caracterstica de este diodo depende de V CE pero la variacin es pequea.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN


IC = f(IB, V CE) Caracterstica de salida IC + IB IB V CE IC

+ V BE -

V CE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Equivalente hidrulico del transistor

h2

Caudal

Apertura compuerta

h1 - h2

h1

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar: linealizacin Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de salida
IC + + V BE Zona de saturacin IB V CE Zona activa: IC=IB IB (A)
400 300 200 100 0 V CE (V)

IC (mA)
40 30 20 10 1

Zona de corte

El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del transistor es la ganancia de corriente .

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
IC + + V BE V BE IB V CE IB

La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas en el tema anterior.

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC IC + V BE IB + V CE -

Zona activa
V BE

+ V CE -

+ -

IB

IB

IC

IC

Zona de saturacin
IB V BE

+ -

IB

IC<IB V CE=0 IC=0 + V CE -

V CE
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Zona de corte
V BE

+ -

IB

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Funcionamiento en conmutacin de un transistor NPN


12 V 36 W 3A 12 V I 40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital Universidad de Oviedo

12 V 36 W 12 V I 3A = 100

IC 4A PF (ON) 3 A OFF VCE 12 V PF (OFF) ON IB = 40 mA

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor PNP


IB = f(V BE, V EC) Caracterstica de entrada IC IB IB V EC

V EB +

V EC V EB +

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN. Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente.
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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor PNP


IC = f(IB, V CE) Caracterstica de salida IC IB IB V EC IC

V EB +

V EC

La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la corriente de base IB.

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Funcionamiento en conmutacin de un transistor PNP


12 V 36 W 3A 12 V I 12 V 40 mA I = 100 3A 12 V 36 W IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.

4A PF (ON) 3 A OFF ON

IB = 40 mA

VEC 12 V PF (OFF)
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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales (NPN)


IB
VC E = 0 VC E1 V C E2

VBE

Caracterstica de Entrada Caracterstica de Salida

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC IC-MAX V CE-MAX PMAX V CE-SAT HFE Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin Ganancia PMAX IC MAX B E C

SOAR
VCE-MAX VCE rea de operacin segura (Safety Operation Area)

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20

TOSHIBA

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El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempean el papel de corriente de base C El terminal de Base, puede estar presente o no. No confundir con un fotodiodo.

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El fototransistor

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El fototransistor

DISTINTOS ENCAPSULADOS

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El fototransistor
OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor


OBJETIVO: Proporcionar aislamiento galvnico y proteccin elctrica. Deteccin de obstculos.

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Conclusiones
Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de Potencia y en Electrnica Digital. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica. Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares. Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones.

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