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REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITECNICA “ANTONIO JOSE DE SUCRE” VICERRECTORADO PUERTO ORDAZ

Transistores

Gurpo D: Gómez, Evelyn C.I.18.451.867 18.451.867 Rodríguez, Ana C.I. 21.009.063 Salcedo, Joel C.I. 20.035.960 PUERTO ORDAZ, JUNIO DE 20011 IO

. pero mayor que en la base. Son los más comunes. El área del colector es la mayor de las 3. la de la base ligeramente dopada y la del . Su función es emitir o suministrar los portadores de carga. En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metálico. Vce (Voltaje colector-emisor) e Ib (Corriente de Base). • Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada. Es el cristal de en medio. Para ello se determinaron valores de Ic (Corriente del colector).Transistor PNP: en este caso un cristal N está situado entre dos cristales P. Se calculó Ic e Ib mediante fórmulas y se procedió a realizar las gráficas de Ic Vs Vce y también Ic Vs Ib. lo que da origen a tres terminales: • Emisor (E): tiene gran cantidad de impurezas. tiene muy pocas impurezas y es muy delgada.Transistor NPN: en este caso un cristal P está situado entre dos cristales N.Resumen La presente práctica de laboratorio tuvo por objetivo el análisis de la curvas características del diodo npn (2N3904). Según como se coloquen los cristales hay dos tipos básicos de transistores bipolares. La polarización de dc es necesaria para establecer la operación adecuada para la amplificación de ac. porque es el colector el que disipa mayor cantidad de calor en el emisor o la base. • Colector (C): La cantidad de impurezas en el colector es menor que en el emisor. Se procedió a llenar una tabla de datos con valores medidos de Vrc (Voltaje en la resistencia del colector) y Vce. Para el transistor la flecha en el símbolo grafico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional a través del dispositivo). Se limitaron las corrientes de base y colector con resistencias de 20K y 1K respectivamente. . Con esta última gráfica se calcularon los valores de ganancia (β) del transistor. Marco Teórico El transistor es un dispositivo semiconductor que consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos entre sí.

la cual se encarga de gobernar dichos electrones y mandarlos finalmente al colector. Desarrollo La práctica número cinco se basó en es el estudio del transistor bipolar. La operación del transistor npn es exactamente la misma que si se intercambiaran los papeles desempeñados por el electrón y el hueco. Para ello se realizó el siguiente montaje. con ayuda del multímetro se revisó su estado y . tanto la unión base-emisor como la unión colector-base de un transistor se encuentra en polarización inversa. de forma contraria a las impedancias de las configuraciones de base común y a las de emisor común. Los materiales utilizados fueron dos resistencias: 20K (Resistencia de Base) y 1 K (Resistencia de Colector). Configuración de colector común Se utiliza principalmente para propósitos del acoplamiento de impedancias. El circuito como tal fue muy sencillo. En la región activa de un emisor común. base y colector) del transistor. En el transistor. antes de realizar su montaje se identificaron los terminales (emisor. el emisor es el encargado de “inyectar” electrones en la base. La fabricación del transistor se realiza de forma que la base es la zona más pequeña. mientras que la unión colector-base se encuentra en polarización inversa. siendo el colector el más grande en tamaño. Una unión p-n de un transistor se encuentra en polarización inversa. después el emisor. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que los del tipo p o tipo n centrales. En la región de corte. Configuración de base común Se llama así porque el terminal de la Base es común tanto para el circuito de entrada como para el de salida. teniendo como objetivo principal obtener las gráficas de la familia de curvas características presentes en su salida. ya que cuenta con una lata impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.colector solo muy poco dopada. no obstante. En la región activa la unión base-emisor se encuentra polarizada de forma directa. mientras que la unión colector-base se encuentra polarizada de forma inversa. un transistor npn (2N3904) y se aplicaron dos fuentes variables de tensión V1 y V2 continuas (0-30V). mientras que la otra se encuentra en polarización directa. tanto la unión base-emisor como la unión colector-base se encuentran en polarización directa. En la región de saturación. Configuración de emisor común Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o relaciona las terminales tanto de entrada como de salida. V1 como Vb y V2 como Vcc. la unión base-emisor se encuentra en polarización directa.

80 20.36 10.16 15.44 Fijo Vb a 3 Voltios (Ib=100μA) VCC VCE Vrc IC(mA) 0 0 0 0 2.59 30.00 5.00 0.00 17.80 30.76 12.80 24.63 2.59 7.85 11.00 4.00 22.87 9.78 8.00 26.88 3.17 11.56 6.58 15.00 22. Variar el valor de V2 y tomar medidas de Vce y Vrc.90 30.20 19.00 0.76 11.00 0.00 8.82 10.11 3.55 15.90 17.40 2.24 25.43 10.84 6.82 4.00 0.87 12.69 2.22 5.87 3.00 12.13 9.80 14.24 11.00 2.00 0.55 2.09 1.00 6.18 18.06 17.00 1.10 2.00 17.00 0.79 2.16 9.00 0.49 2. Repetir los pasos 2 al 6 hasta obtener suficientes curvas.90 4.84 8.88 6.43 6.09 3.87 6.00 13.78 5.64 2.31 2.26 29.20 7. Vce.5 Voltios (Ib=40μA) VCC VCE Vrc IC(mA) 0 0 0 0 2.40 7.00 0. Fijar el valor de V1 (calculando el valor de Ib= ).11 5.64 20.89 8.13 5. Llenar una tabla con los siguientes datos: Vcc.00 0. 5.87 11.90 4.85 10.00 12.18 1.90 1.83 11. Calcular los distintos β del transistor (Mediante la gráfica Ic vs Ib) y comparar con el β típico dado por el fabricante.12 7.00 0.16 3.74 29.45 2.50 2.00 0.91 6.07 1.24 9.80 Fijo Vb a 5 Voltios (Ib=200μA) VCC VCE Vrc IC(mA) 0 0 0 0 2.00 0.87 15.80 30.89 5.80 5.10 1.80 20.44 12.21 2.88 7.85 7.18 6. 6.13 3. 4.00 0. 8.80 6. Resultados Fijo Vb a 1 Voltio (Ib=15μA) VCC VCE Vrc IC(mA) 0 0 0 0 2.15 14. Realizar el montaje del circuito mostrado en la figura.84 9.00 0.92 1.87 1.18 19.58 6.92 4.84 3.76 9.00 0.14 11.80 7.00 5.00 10.20 14.00 0.00 9.28 6.40 8.80 19.82 7.00 Fijo Vb a 1.00 0.00 0.00 8.84 12.00 3.64 10.55 12.16 10.14 7.00 0.36 2. Graficar Ic vs Vce y también Ic vs Ib.64 20.82 1.00 0.85 20.12 1.00 1.00 0.72 6. Vrc e Ic.41 6.00 0.84 10.43 12.00 0.82 25.49 12.00 3. Calcular el valor de Ic = ( ). 3.79 25.00 0.se estudió también los parámetros proporcionados por la hoja del fabricante El procedimiento de la práctica fue el siguiente: 1.88 10.18 7.91 3.90 1.90 25.28 10.00 7.80 18.90 2.20 24.15 11.98 Fijo Vb a 2 Voltios (Ib=70μA) VCC VCE Vrc IC(mA) 0 0 0 0 2.98 7.31 6.43 2.80 8.00 7.00 0. 7.74 Tablas (Ic Vs Ib) Vce=4v Vce=8v . 2.83 15.20 25.85 14.00 17.87 4.57 2.00 0.85 30.00 3.82 19.90 3.16 5.84 5.00 0.

amplificador de corriente. La ganancia del transistor mostrada en el multímetro (hfe) es al beta (β) del transistor. no obstante dicho valor es el conocido como βTípico y experimentalmente se puede observar que varía dependiendo de los parámetros de trabajo. Un transistor puede ser empleado como: amplificador de tensión. Algunas conclusiones puntuales de la práctica son las siguientes: • • • • El Transistor es uno de los inventos más significativos en la historia contemporánea. de potencia y/o de resistencia. ya que las curvas obtenidas mediante la experimentación (con las medidas tomadas en la práctica) son muy similares a las teóricas (las de la hoja del fabricante). por lo tanto se comprobó que lo visto en la clase y en los libros es realmente lo que se ve en el laboratorio.Vce=12v Vce=20v Vce=30v Conclusiones Con la realización de la práctica #5 se obtuvieron resultados muy satisfactorios. El transistor es principalmente una fuente de corriente “dependiente” de la corriente de base (emisor o colector común) o de la corriente de emisor (base común). debido a que con sus aplicaciones se ha facilitado mucho la construcción de equipos electrónicos. . se usa como swiche o conmutador (Aplicación que será estudiada en la práctica #6).