Tranzistori

TRANZISTORI
Ovo je moj prvi vodič i posvećen je stranici http://www.elektronika.ba/. Ovaj govori vodič o TRANZISTORIMA(općenito).Namjenjen je početnicima u elektrotehnici i onima koji su ponešto zaboravili☺ Tranzistori nalaze veliku primjenu u svim granama elektrotehnike-pri izradi pojačala,oscilatora,emisionih uređaja i sklopova za regulaciju. Svoj veliki uspjeh i brzi razvoj zahvaljuju malim dimenzijama,jednostavnoj masovnoj proizvodnji i vrlo maloj potrošnji energije. Osnovna podjela tranzistora je prema namjeni: 1.Tranzistori za pojačavanje malih signala,i 2.Tranzistori za pojačavanje snage I jedne i druge se dalje može podjeliti na one za: -pojačavanje niskofrekvencijskih signala(NF) signala -pojačavanje visokofrekvencijskih snaga(VF) signala,i -sklopni režim rada Postoje silicijski i germanijski tranzistori,a prema strukturi,odnosno polaritetu – PNP i NPN .Nadalje tranzistori mogu biti bipolarni ili unipolarni.

BIPOLARNI TRANZISTORI – opis rada Tranzistor se sastoji od tri poluvodička sloja,od kojih su vanjski istog tipa,a srednji suprotnog.Zavisno od tipova primjesnog poluvodiča,jedni su PNP,a drugi NPN. Na slici dolje:
baza B C kolektor <=NPN tip IC RC N P N UCC +

-_ -_ -_ -_+ + + +

E emiter UBB + -

IB

-_ -_ -_ -_-

IE

Elektrophreak --- www.elektronika.ba

samo što kod PNP tranzistora baterije imaju obratni polaritet i od emitera prema bazi putuju šupljine. 2. Baza ima dva osnovna svojstva koja su važna za rad tranzistora.www. Proces provođenja i utjecaj napona baze..odakle ih gornja elektroda privuče. Zbog tih svojstava baze većina elektrona će proći kroz bazu prema kolektoru.. Za primjenu tranzistora. potrebno je poznavati njegove osnovne karakteristike koje se mogu podjeliti u tri grupe: 1.UBB + IB P N P RC UCC + IE E + + + + + PRINCIP RADA NPN TRANZISTORA-Budući da je srednji sloj p-tipa spojen na plus pol baterije Ubb.ba .umnožak UCE i IC .manje će ih se rekombinirati sa šupljinama iz baze.grupa –TIPIČNE VRIJEDNOSTI (Typical characteristics) Elektrophreak --.obrađena je tako da koncentraciju šupljina u njoj bude mnogo manja nego koncentracija elektrona u emiterskom sloju.elektronika.a donji n-tipa spojen na minus pol. Elektroni koji su iz emitera ubačeni u bazu. Srednji i gornji sloj tvore diodu koja je zbog Ucc>Ubb nepropusno polarizirana.to je p/n dioda(baza-emiter) propusno polarizirana pa elektroni iz emitera prelaze u bazu.sakupi – odatle i naziv kolektor-sakupljač.pored poznavanja njegovog rada s aspekata fizikalnih procesa koji se u njemu odvija.grupa –TIPIČNE VRIJEDNOSTI –(Maximum ratings) VCBO (V)-maksimalni napon između kolektora i baze VCEO (V)-maksimalni napon između kolektora i emitera VEBO (V)-maksimalni negativni napon između baze i emitera IC (A) ili (mA)-maksimalna struja kolektora Tj (0C)-maksimalna tempratura spojišta PTOT (W) ili (mW)-maksimalna disipacija snage na tranzistoru.Tranzistori C B <=PNP tip IC + + + + + . odnosno struje baze na struju kolektora isti je kod oba tipa tranzistora..tvoreći struju baze.Prvo vrlo je tanka(oko desetak mikrona i manje) i drugo.kroz bazu difundiraju(prodiru)prema gornjoj spojnoj plohi baze s kolektorom.a jedan dio tih elektrona će teći prema pozitivnom polu baterije U.

h-parametri(hibridni). 3.Aj=I2 I1 Izlazni otpor…………riz= U2 I2 Naponsko pojačanje…. FT (MHz) -produkt propusne širine i pojačanja(ponekad ova oznaka znači prijenosnu ili tranzijentnu frekvenciju). postoje i tri osnovna spoja koja se bitno razlikuju u karakteristikama.Tranzistori Ove se karakteristike odnose na neke tipične radne uvjete te se uvijek navodi u kojim je uvjetima postignuta vrijednost dotičnog parametra.AV=U2 U1 Pojačanje snage.Drugim riječima definira se radna točka tranzistora za koju ti iznosi parametara vrijede. uz IB =konst.te struja IB i IC. S obzirom na to da tranzistor može raditi u tri različita spoja..Oni imaju sljedeća značenja: hi = h11e hf = h21e hr = h12e ho = h22e -ulazni otpor tranzistora(k oma) = -strujno pojačanje (-)……………= -povratno djelovanje(-)………….Ap=Aj*AV=I2*U2 I1*U1 Elektrophreak --. da mu je zajednička elektroda ulaznog i izlaznog kruga emiter. VCE (s) -napon između kolektora i emitera kada tranzistor radi u režimu zasičenja(maksimalna struja IC). ako se poznaju ovi. uz UCE=konst.= -izlazna vodljivost(uS)…………. odnos ic/ iB uz UCE =konstantno. baza ili kolektor.. uz IB =konst.grupa – DINAMIČKE KARAKTERISTIKE – (Dinamic characteristics) Ove se karakteristike navode uz naznačenu radnu frekvenciju.www. Napomena:slovo «e» u indeksu parametara znači da se oni odnose na spoj zajedničkog emitera.= UBE/ IB I C/ I B UBE/ UCE IC/ UCE uz UCE=konst.elektronika. Uobičajni parametri su tzv.Sljedeća slika pokazuje spojeve: +UCC R I1 I2 …..tj. napone VCE i VBE. Najvažniji tipični parametri bipolarnih tranzistora su: H21E = hFE -faktor strujnog pojačanja.Za druge spojeve mogu se oni preračunati.ba .tj.…… I1 I2 +UCC R I1 ……… U1 U2 U1 I2 U2 +UCC U1 U2 Spoj zajedničkog EMITERA Spoj zajedničke BAZE Spoj zajedničkog KOLEKTORA Formule: Ulazni otpor……ru= U1 I1 Strujno pojačanje.

ba .Poluvodički sloj kroz koji prolaze ovi nosioci naziva se kanal.Ovisno o tome kakvi su nosioci naboja.odnosno disipacija. n-kanalni D UGG G S UGG . izlazne karakteristike i prijenosne karakteristike. i unipolarni tranzistori imaju nekoliko karakteristika važnih za njihovu primjenu.dok je za VF tranzistor za pojačavanje malih signala najvažnija gornja granična frekvencija rada. za NF tranzistor snage bitna je maksimalna kolektorska struja.Pored toga tranzistor ima vrlo veliki ulazni otpor od desetak megaoma(bipolarni tranzistori oko desetak kilo oma).Tranzistori PODJELA BIPOLARNIH TRANZISTORA Tranzistori se međusobno veoma razlikuju. Povećanjem negativnog napona na zasunu dolazi do proširenja p/n barijere(šrafirano područje).Ovakav tip se najčešće zbog toga što je vlastiti šum tranzistora vrlo malen pa su moguća velika pojačanja signala. Poput bipolarnih tranzistora.rd= UDS ID /UGS =konst.tzv.Iz tih se karakteristika određuju tri parametra i to: izlazni otpor……….odnosno pkanalni ako su to šupljine(slika ispod).FETtranzistori dobivaju ime. n-kanalni FET ako su nosioci naboja elektroni.Tako.elektronika. strmina…………….npr.Najznačajnije karakteristike za FET su. tako i po značenju pojedinog parametra za određeni tranzistor.N UDD RD p-kanalni D P G + + + + + + S UD RD Širina kanala je određena s dvije zone p-tipa poluvodiča kod n-kanalnog spojnog FET-a. kako po maksimalnim vrijednostima pojedinih parametara. npr.www. /UDS =konst. Spojni FET-JFET(Junction Field Effect Transistor). UNIPOLARNI TRANZISTORI –(FET –Field Effect Transistors) Kod njih se na količinu naboja koji prelazi od UVODA(Source) prema ODVODU(Drain) upravlja električnim poljem koje stvaraju elektrode ZASUNA(Gate).gm= ID UGS Elektrophreak --.odnosno do sužavanja slobodnog puta za elektrone a time i do smanjenja struje kroz kanal.

Bitna je razlika između JFET-a i MOSFET-a u tome što je kod MOSFET-a upravljačka elektroda odvojena od kanala slojem silicijskog dioksida. Kombinacija jednog p-kanalnog i jednog n-kanalnog tranzistora daje komplementarni par CMOS(Complementary MOS)i taj par je osnova za izradu istoimene vrlo popularne skupine intergriranih krugova.www.čime se postiže velik ulazni otpor.i p-kanalni.posebna izvedba FET-a pod nazivom MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET). Za razliku od spojnog FET-a koji se pretežno upotrebljava za pojačavanje signala.ba .I ovi tranzistori mogu biti n.com ICQ_315272205 Korištena literatura je »ELEKTRO TEHNIČKI MATERIJALI I KOMPONENTE».upotrebljava se pretežno u digitalnoj tehnici. Autor ovoga teksta je mondo Za kontakt e-mail:mondo2600@yahoo.Tranzistori Faktor naponskog pojačanja u= UDS UGS MOSFET-tranzistori /ID=konst.a njegov konačni iznos je rezultat nesavršenosti silicijevog dioksida kao izolacijskog materijala.elektronika. Kod MOSFET-a je ulazni otpor veći nego kod FET-a i ide do 10 megaoma.Tehnološki je vrlo jednostavan i naročito podesan za primjenu u intergriranim krugovima. n-kanalni p-kanalni gore su neki od simbola za unipolarne tranzistore Želim se zahvaliti Trax-u što je pristao na stavljanje teksta na svoju stranicu! U ovaj tekst je uloženo 5h rada i nadam se da čete nešto naučiti☺. Elektrophreak --.